4N60 транзистор характеристики: Даташиты (Datasheets 4N60) электронных компонентов

10 шт. FQPF4N60C FQPF4N60 4N60 TO-220F Mosfet транзисторы

1. Товары для дома
2. Электрооборудование и материалы
3. Источники питания
4. Регуляторы напряжения/стабилизаторы

Специально для вас

Описание

Гарантия

Оплата

Отгрузка

Отзывы

Характеристики

Тип тока

DC

Применение

Коммутируемый виртуальный канал

Номер модели

FQPF4N60C

Фаза

Однофазный

Индивидуальное изготовление

Да

P4nk60zfp — ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ

Введение в 4N60 — Инженерные проекты

[PostWidget1]

Всем привет! Я надеюсь, что у вас все будет хорошо и весело. Сегодня я собираюсь подробно обсудить тему — Введение в 4N60. Я поделился характеристиками различных ИС в своих предыдущих уроках в разделе Введение в 75N75, SG3524, 2N3772, L298, L293D, 2SC3320 и 20N60. Вам необходимо пройти все эти руководства, чтобы лучше понять сегодняшнюю статью.4N-60 — это высоковольтный полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (MOSFET). Это трехконтактное устройство, включающее сток ( D ), затвор ( G ) и исток ( S ).

4N60 — это в основном силовой полевой МОП-транзистор, способный выдерживать определенные уровни мощности. Он специально разработан для достижения различных характеристик, например, высокая скорость переключения, низкий заряд затвора и низкое сопротивление при включенном состоянии. Он также обладает очень прочными лавинными характеристиками.4N-60 имеет разные удивительные особенности, например: возможность быстрого переключения, характеристики лавинной энергии, более высокая надежность, улучшенная способность для dv / dt. Он имеет более широкий спектр реальных приложений, включая переключающие преобразователи, импульсные регуляторы, релейные драйверы, соленоиды, драйверы двигателей и многое другое. Более подробная информация об основах использования 4N-60 будет дана позже в этом руководстве.

Введение в 4N60

4N60 — это в основном силовой полевой МОП-транзистор. Это устройство с тремя контактами, которые называются затвор, исток и сток.Он разработан для достижения высоких скоростных характеристик времени переключения и низкого заряда ворот. Он имеет различные характеристики, в том числе низкое сопротивление, высокие характеристики лавинной энергии, высокую прочность и многое другое. Его реальные приложения включают драйверы двигателей, соленоид, драйверы реле, переключающие преобразователи и многое другое. 4Н-60 показан на рисунке ниже.

1. 4N60 Контакты

• В этом устройстве всего три (3) контакта, каждый из которых выполняет различные функции.
• Все три штифта 4N-60 представлены в таблице, приведенной на рисунке, показанном на ударе.

2. 4N60 Символы контактов

• Чтобы избежать сложностей, каждому контакту присваивается первая буква его имени.
Обозначения контактов
• 4N-60 перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

[PostWidget2]

3. Символическое представление 4N60

• Символьное представление полезно для теоретического представления конкретного устройства.
Условное изображение
• 4N-60 показано на рисунке ниже.

4. Распиновка 4N60

• Распиновка — полезный способ понять конфигурацию контактов любого электронного устройства.
• Я также поделился схемами распиновки различных MOSFET и IC во введении в 50N06, IRFZ44N, C945, MC34063, NE555 и NE556, вы должны ознакомиться со всеми этими статьями для лучшего понимания.
Распиновка
• 4N-60 приведена на рисунке ниже.

5. Номинальные характеристики 4N60

• Номинальные значения показывают мощность, необходимую для работы любого электронного устройства.
Номинальные характеристики
• 4N-60 указаны в таблице, приведенной на рисунке ниже.

6. Характеристики 4N60

• Характеристики устройства играют жизненно важную роль в обеспечении популярности устройства.
Общие характеристики
• 4N-60 представлены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

7. Приложения 4N60

• Имеет более широкий спектр реальных приложений.
• Некоторые из наиболее распространенных приложений перечислены в таблице, показанной на рисунке ниже.

Это все из учебника Введение в 4N60. Я изо всех сил старался предоставить всю необходимую и основную информацию для использования 4N60 в первый раз. Надеюсь, вам понравился этот урок, и вы оцените мои усилия 😉 Если у вас есть какие-либо проблемы, связанные с инженерными вопросами, вы можете спросить нас в комментариях, даже не испытывая никаких колебаний.Наша команда работает круглосуточно и без выходных. Я поделюсь разными интересными и информативными темами в своих следующих уроках. Итак, до моей следующей статьи, до свидания 🙂

[PostWidget5]

Автор: Сайед Зайн Насир

Меня зовут Сайед Зайн Насир, основатель The Engineering Projects (TEP). Я программист с 2009 года, до этого я просто занимаюсь поиском, делаю небольшие проекты, а теперь делюсь своими знаниями через эту платформу.Я также работаю фрилансером и выполнил множество проектов, связанных с программированием и электрическими схемами. Мой профиль Google +

4n60 + техническое описание транзисторов и примечания по применению

Mosfet 2N60 / 3N60 / 4N60 / 5N60 / 6N60 / 7N60 / 8N60 / 9N60 / 10N60 / 12N60 / 20N60, Mosfets & IGBT — Jainam Electronics Private Limited, Мумбаи

О компании

Год основания 2001

Юридический статус компании с ограниченной ответственностью (Ltd./Pvt.Ltd.)

Характер бизнеса Оптовик

Количество сотрудников До 10 человек

Участник IndiaMART с августа 2007 г.

GST27AABCJ2393K1ZB

Код импорта и экспорта (IEC) 03020 *****

Jainam Electronics Pvt. Ltd — активный игрок в электронной промышленности, специализирующийся на поставках полупроводников и промышленных электронных компонентов.
Jainam Electronics Pvt.Ltd создает могучую торговую марку с 2001 года и распространила свой опыт в качестве поставщиков, оптовиков, торговцев и импортеров электронных компонентов.
Мы занимаемся реле, интегральными схемами, транзисторами, диодами, светодиодами, предохранителями PTC, конденсаторами, резисторами, стеклянными и керамическими предохранителями, MOV, термисторами NTC, полевыми транзисторами, регулировочными точками, IGBT, ЖК / светодиодными дисплеями, разъемами, переключателями, паяльной проволокой и Приклейте сток. (Универсальное решение для всех)
Все активные, пассивные и незаметные детали могут быть закуплены нами со всего мира в кратчайшие сроки.
Вся наша продукция отличается высочайшим качеством и поставляется из США, Германии, Франции, Испании, Гонконга, Тайваня, Австралии, Кореи и Китая.
Мы гордимся своей рабочей этикой, качеством продукции и безупречной организацией и методами управления, которые делают нас лидером как с точки зрения надежного поставщика, так и с точки зрения торговца.
Мы обеспечиваем лучшее качество продукции, начиная от коммерческого, промышленного и заканчивая военным, и неуклонно организовываем складские запасы в соответствии с потребностями клиента. Наши складские помещения содержатся в хорошем состоянии, в них созданы наилучшие условия для поддержания продуктов в наилучшем состоянии.Мы входим в число ведущих поставщиков полупроводников и можем легко и легко управлять заказами большой емкости.
Еще одним преимуществом Jainam Electronics Pvt.Ltd является то, что мы находчивы и можем организовать доставку даже самых редких и менее востребованных продуктов в течение недели. Наша сеть поставок обеспечивает беспроблемную доставку в течение 4-6 дней из любой точки мира. Имея на складе более 7000 наименований продукции, мы можем удовлетворить любые требования к электронным компонентам, чтобы вы остались довольны.
Наши ценности — удовлетворение потребностей клиентов и гарантия наилучшего качества продукции — помогли нам добиться успеха в электронной промышленности. Стремясь к дальнейшему росту и процветанию, а также к закреплению на мировом рынке электроники, мы неустанно работаем над захватом глобальной электронной сети.

Видео компании

4N60A — N-канальный силовой полевой МОП-транзистор

4N60A Технический паспорт PDF подробнее.

Номер детали: 4N60A

Функции: Это своего рода полупроводниковый N-канальный силовой МОП-транзистор.

Расположение контактов:

Информация о пакете:

Производитель: NELL

Изображение:

Текстов в PDF файле:

ПОЛУПРОВОДНИК серии 4N60 RRooHHSS Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (4A, 600Volts) ОПИСАНИЕ Nell 4N60 — это трехконтактное кремниевое устройство с токопроводимостью 4A, высокой скоростью переключения, низким сопротивлением в открытом состоянии, номинальным напряжением пробоя. 600 В и макс.пороговое напряжение 4 вольта. Они предназначены для использования в таких приложениях, как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока в постоянный, управление двигателями с ШИМ, мостовые схемы и коммутационные устройства общего назначения. ХАРАКТЕРИСТИКИ RDS (ON) = 2,5 Ом при VGS = 10 В Сверхнизкий заряд затвора (макс. 20 нКл) Низкая обратная передаточная емкость (CRSS = 8 пФ типично) Возможность быстрого переключения Указана 100% лавинная энергия Улучшенная стойкость к dv / dt Рабочая температура при 150 ° C DG DS TO-251 (I-PAK) (4N60F) DDGS TO-252 (D-PAK) (4N60G) GDS TO-220AB (4N60A) GDS TO-220F (4N60AF) ОПИСАНИЕ ИЗДЕЛИЯ ID (A) VDSS (V) RDS ( ВКЛ) (Ом) QG (нКл) макс.4600 2,5 @ VGS = 10 В 20 D (сток) G (затвор) S (источник) www.nellsemi.com Страница 1 из 10 ПОЛУПРОВОДНИК Серия 4N60 RRooHHSS Nell High Power Products АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TC = 25 ° C, если не указано иное) СИМВОЛ ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ VDSS Напряжение от стока к источнику TJ = от 25 ° C до 150 ° C VDGR Напряжение от стока к затвору RGS = 20 кОм VGS ID IDM IAR EAR EAS dv / dt Напряжение от затвора к источнику Постоянный ток стока Импульсный ток стока (Примечание 1) Лавина ток (Примечание 1) Повторяющаяся энергия лавины (Примечание 1) Энергия лавины одиночного импульса (Примечание 2) Пиковое восстановление диода dv / dt (Примечание 3) TC = 25 ° C TC = 100 ° C IAR = 4A, RGS = 50 Ом, VGS = 10 В IAS = 4 А, L = 30 мГн TO-251 / TO-252 PD Общая рассеиваемая мощность (снижение выше 25 ° C) TC = 25 ° C TO-220AB TO-220F TJ TSTG Рабочая температура перехода Температура хранения TL Максимальная температура пайки, для 10 секунд 1.6 мм от корпуса Момент затяжки, # 6-32 или винт M3 ЗНАЧЕНИЕ 600600 ± 30 4 2,48 16 4 10,6 260 4,5 50 (0,39) 100 (0,8) 36 (0,26) от -55 до 150 от -55 до 150 300 10 (1,1) ЕДИНИЦА ВА мДж В / нс Вт (Вт / ° C) ºC фунт-сила-дюйм (Нм) Примечание: 1. Повторяемость: пульс […]

4N60A PDF-файл

4n60c datasheet pdf загрузить

Единицы измерения — постоянный ток источника тока mosfet символ тела диод, показывающий интеграл обратного тока импульсного источника ism. Спецификация транзистора fqpf8n60c, эквивалент fqpf8n60c, спецификации в pdf.Серия ufd разработана для таких применений, как двигатель. Важное примечание в конце этого листка данных касается доступности, гарантии, изменений, использования в критически важных для безопасности приложений, вопросов интеллектуальной собственности и. Id l высокоскоростное переключение мощности l жестко коммутируемые и высокочастотные цепи 650v 155m 22a l преимущества без вывода свинца d l сверхнизкий заряд затвора. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в рабочем состоянии и обеспечения превосходного переключения. UTC 4 ампера, 600 вольт nchannel power mosfet, все технические данные, технические данные, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.B1 igbt sgh80n60ufd sgh80n60ufd ultrafast igbt общее описание Серия биполярных транзисторов с изолированным затвором igbts серии ufd от компании Fairchilds обеспечивает низкие потери проводимости и коммутации. Обратите внимание на размеры нового корпуса в соответствии с pcn 2009. UTC 4n60 представляет собой высоковольтный МОП-транзистор с улучшенными характеристиками, такими как быстрое время переключения, низкий уровень заряда затвора, низкий уровень заряда. Csd17309q3 30v nchannel nexfet power MOSFET лист данных. UTC nchannel power mosfet, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

Предложение 4n60c fsc от kynix semiconductor hong kong limited. Id l высокоскоростное переключение мощности l жестко коммутируемые и высокочастотные цепи 650v 155m 22a l преимущества без вывода свинца d l сверхнизкий заряд затвора qg приводит к простому. Aa электрические характеристики tc 25, если не указано иное параметр символ условия испытания мин. Тип макс. Ед. Технический паспорт MGP4N60E биполярный транзистор с изолированным затвором Кремниевый затвор n-канального режима с улучшенным режимом В этом биполярном транзисторе с изолированным затвором igbt используется усовершенствованная схема подключения igbt в схеме подключения to220 для обеспечения улучшенного и надежного высокого уровня 4.26 июня 2017 г. g80n60 datasheet vces 660v, ultrafast igbt fairchild, sgh80n60ufd datasheet, g80n60 pdf, распиновка g80n60, эквивалент g80n60, схема, схема g80n60. Utc, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Чоппер-регулятор Mosiii 2sk2700, преобразователь постоянного тока и моторный привод. Технические характеристики транзисторов gt30j124, аналог gt30j124, технические данные в pdf. Система поиска электронных компонентов и полупроводников.Piv вольт 65 90 90 45 25 30 100 100 75 40 25 40 30. Id 11 — новая революционная технология высокого напряжения. Qwr502a42 техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. Unisonic technologies, 4n60, 4 ампера, 600 вольт nchannel power mosfet. Информация для заказа номер для заказа назначение выводов бессвинцовый пакет без галогенов 1 2 3456 7 8 упаковка.

Апрель 4, 2015 4n60 datasheet pdf 4n60 datasheet pdf 4n60 datasheet pdf скачать. G80n60 datasheet, vces 660v, ultrafast igbt fairchild, sgh80n60ufd datasheet, g80n60 pdf, распиновка g80n60, эквивалент g80n60, схема, схема g80n60.G80n60 datasheet vces 660v, сверхбыстрый igbt fairchild. Производитель электроники, номер детали, техническое описание, описание электроники. O абсолютные максимальные номинальные значения tc25c, если не указано иное, параметр символ номинальные значения единица напряжение стока vdss 600 В напряжение источника питания vgss 30 В лавинный ток примечание 2 iar 10 непрерывный ток стока id 10 импульсный примечание 2 idm 38 энергия лавины. Tpcp8012 12v 300v mosfets toshiba электронные устройства. Важное примечание в конце этой спецификации касается доступности.

Spp11n60c3 spi11n60c3, spa11n60c3 прохладный силовой транзистор mos. Германиевые стеклянные диодные компоненты 1n601n60p taitron. Описание 2006 Fairchild Semiconductor Corporation fqp6n90c fqpf6n90c rev. Id 20 — новая революционная технология высокого напряжения со сверхнизким зарядом затвора. Fqp8n60cfqpf8n60c 600v nchannel mosfet общее описание эти n-канальные полевые транзисторы с усилением мощности производятся с использованием патентованной, планарной полосы, технологии dmos от компании Fairchilds.

Этот силовой МОП-транзистор из карбида кремния создан с использованием передовых инновационных свойств материалов с широкой запрещенной зоной.Полевой транзистор Toshiba кремниевый n-канальный типа mos. Id 20 — новая революционная технология высокого напряжения ultra. Германиевые диоды 1 германиевые диоды с холодным соединением в корпусе do7 мм тип aa1 aa117 aa118 aa119 aa8 aa143 aa144 aaz15 aaz17 aaz18 oa47 oa79 oa90 oa91 oa95 oa99 1n34a 1n38a 1n60a 1n100a 1n276n1326n 1n66n1326n 1n666n 1n666n 1n326n 1n666n 1n326n 1n676n 1n326n 1n666n 1n666n 1n32619 Nchannel power mosfet, лист данных 4n60 c, схема 4n60 c, лист данных 4n60 c.

Номер детали размер верхней метки упаковки размер рулона ленты ширина количество fqp5n60c fqp5n60c to220 na na 50 единиц метод упаковки трубка fqpf5n60c fqpf5n60c to220f трубка нет данных 50 единиц примечания.Обратите внимание на размеры новой упаковки в соответствии с pcn. Если флажок не отображается, соответствующий документ не может быть загружен в пакетном режиме. Последние списки производителей в каталоге позволяют мгновенно получить представление о любом электронном компоненте. Апрель 4, 2015 4n60b datasheet, pdf скачать pdf 224974121

Поиск

может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас и получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.

Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.

Паспорт или технические характеристики в формате PDF доступны по запросу для загрузки.

Почему выбирают нас?

Каковы ваши основные продукты?

Какая цена?

Какой способ оплаты?

Что такое возврат и замена?

Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?

Когда вы пришлете мне детали?

Как разместить заказ?

Предлагаете ли вы техническую поддержку?

Предлагаете ли вы гарантию?

Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

Если у Вас возникнут другие вопросы, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!

mosfet% 204n60% 20power% 20просмотр и примечания к приложению

Навигация по записям