4N60 транзистор характеристики: Даташиты (Datasheets 4N60) электронных компонентов

Содержание

Качество транзисторы 4n60 для электронных проектов

О продукте и поставщиках:
Alibaba.com предлагает большой выбор. транзисторы 4n60 на выбор в соответствии с вашими потребностями. транзисторы 4n60 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзисторы 4n60, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего. 

транзисторы 4n60 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзисторы 4n60 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзисторы 4n60 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзисторы 4n60 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзисторы 4n60 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзисторы 4n60 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. транзисторы 4n60 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

ПАРАМЕТР СИМВОЛ УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ МИНУТА ТИП МАКС БЛОК
С ХАРАКТЕРИСТИК
Пробивное напряжение Сток-источника БВДСС ВГС=0В, ИД=250μА 600     В
Течение утечки Сток-источника ИДСС ВДС=600В, ВГС=0В     10 μА
    ВДС=480В, ТК=125°С     100 µА
Течение утечки Ворот-источника Передний ИГСС ВГС=30В, ВДС=0В     100 нА
  Обратный   ВГС=-30В, ВДС=0В     -100 нА
Коэффициент температуры пробивного напряжения △БВДСС/△ТДЖ ИД=250μА, ссылаться на к 25°К   0,6   В/°С
НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ
Напряжение тока порога ворот ВГС (ТХ) ВДС=ВГС, ИД=250μА 3,0   5,0 В
Статическое сопротивление На-государства Сток-источника РДС (ДАЛЬШЕ) ВГС=10 В, ИД=2.2А   2,3 2,5
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
Входная емкость КИСС

 

ВДС =25В, вГС=0В, ф =1МХз

  440 670 пФ
Емкость выхода КОСС     50 100 пФ
Обратная емкость передачи КРСС
 
  6,8 20 пФ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
Турн-Он время задержки тД (ДАЛЬШЕ)

 

ВДД=30В, ИД=0.5А, рГ=25Ω

(Примечание 1, 2)

  45 60 нс
Турн-Он время восхода тр     35 55 нс
Время задержки поворота- тД ()     65 85 нс
Время падения поворота- тф     40 60 нс
Полная обязанность ворот КГ ВДС=50В, ИД=1.3А, ИД=100μА вГС=10В (примечание 1, 2)   15 30 нК
Обязанность Ворот-источника КГС     5   нК
Обязанность Ворот-стока КГД
 
  15   нК
ОЦЕНКИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА СТОКА ИСТОЧНИКА
Пропускное напряжение диода Сток-источника ВСД ВГС=0В, ИС=4.4А     1,4 В
Максимальный непрерывный пропускной ток диода Сток-источника ИС       4,4 А

Максимум пульсировал диод Сток-источника

Пропускной ток

ИЗМ       17,6 А
Обратное время восстановления трр

ВГС=0 В, ИС=4.4А,

дИФ/дт=100 А/μс (примечание 1)

  250   нс
Обратная обязанность спасения КРР     1,5   μК

Очень низкое сопротивление канала. Компактные корпуса. Высокая надежность. эффективность. Зарядные Устройства. Автомобильные

Для изготовления полупроводниковых

108 Современные полупроводниковые приборы на основе карбида кремния фирмы ROHM Semiconductor Юрий Петропавловский Первым практическим применением карбида кремния (SiC) в области электротехники был светодиод

Подробнее

Низковольтные MOSFETтранзисторы

Константин Староверов Новое поколение низковольтных MOSFET-транзисторов в корпусах SO-8, PQFN и DirectFET Обновленная линейка низковольтных силовых MOSFET-транзисторов компании International Rectifier

Подробнее

Кластеры и ленты SLED

Кластеры и ленты SLED Санкт-Петербург 2013 Следующий шаг к Вашему успеху Светодиодная лента 5M-SLED-G12-300XXX-XX-XX Мощность: 14,4 Вт/метр Световой поток: Не менее 1200 лм/метр Высококачественная лента

Подробнее

параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов

Выбор конструктивнотехнологических параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов на основе карбида кремния М.Черных Уникальные свойства карбида кремния (SiC) обеспечивают характеристики, недостижимые для кремниевых

Подробнее

Компания STMicroelectronics

Евгений Звонарев (КОМПЭЛ) Микросхемы для DC/DC-преобразователей от В статье рассматриваются основные характеристики микросхем неизолированных DC/DC-преобразователей компании, отличающихся простотой, высокими

Подробнее

BlueSolar Charger 12/24В 20А

Инструкция BlueSolar Charger 12/24В 20А ВАЖНО! Всегда подключайте батареи первыми. Используйте для 12В системы только 12В (36 элем.), панели солнечных батарей. Используйте для 24В системы только 24В (72

Подробнее

Альтернативное энергосбережение

Альтернативное энергосбережение Тепловые насосы и низкотемпературные отопительные котлы Природная энергия из земли, воды или воздуха Все больше частных домостроителей используют для отопления технологию

Подробнее

варикапы, стабилитроны и др.

2.1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ Полупроводниковыми диодами называют полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом и двумя выводами. Они применяются для выпрямления переменного тока, детектирования

Подробнее

Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ

29 Лекция 4 МОП-ТРАНЗИСТОРЫ План 1. Классификация полевых транзисторов 2. МОП-транзисторы 4. Конструкция и характеристики мощных МОП-транзисторов 4. Биполярные транзисторы с изолированным затвором 5. Выводы

Подробнее

In the second part of the article the information on

ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ РЕЛЕ ПРОИЗВОДСТВА КОРПОРАЦИИ OMRON, часть 2 Во второй части статьи приведена информация о характеристиках полупроводниковых реле (твердотельных и выполненных на полевых

Подробнее

ИНФОРМАЦИОННЫЙ БЮЛЛЕТЕНЬ

ДАТИС Групп сентябрь 2014 Выпуск 09-2014 ИНФОРМАЦИОННЫЙ БЮЛЛЕТЕНЬ Усилители на нитриде галлия для спутниковой связи Транзисторы с высокой подвижностью электронов на нитриде галлия (GaN HEMT) всё чаще находят

Подробнее

ETF 012 Модернизация

ETF 012 Модернизация Электронный регулятор температуры и влажности Hygrotherm ETF 012 был модернизирован. Это изменение улучшило технические характеристики и обеспечивает использование Hygrotherm в еще

Подробнее

Королевский класс вентиляторов

RU Совершенство в движении Королевский класс вентиляторов, систем управления и электродвигателей ZAvblue Повышенная производительность по воздуху при меньшем диаметре ZAvblue Больше в о з д у х а… ZAvblue

Подробнее

Ò ÂÚ Ë ÒıÂÏÓÚÂıÌËÍ. Введение

Ò ÂÚ Ë ÒıÂÏÓÚÂıÌËÍ ÔÓ Ëı DC/DC-ÔappleÂÓ apple ÁÓ ÚÂÎÂÈ ÒÓÍÓÈ ÏÓ ÌÓÒÚË Виктор Хасиев (Victor Khasiev) [email protected] Кулаков Алексей [email protected] Введение Рис. 1. Блок-диаграмма многофазного повышающего

Подробнее

Стр. 1 из 6. Выходная мощность, Вт

Стр. 1 из 6 Серия PSV-20 * * Источник(стабилизатор) напряжения Защита от перегрева Напряжение питания от 90 до 264 Вольт Низкая цена Защита от короткого замыкания Высокая надежность Компактный корпус Гарантия

Подробнее

DC/DC преобразователи серии TESZ160

DC/DC преобразователи серии TESZ160 Преимущества Класс: Industrial Медный корпус (опция), исполнение с фланцами Параллельная работа Обратная связь с нагрузки Выходной ток до 20 А, мощность 160 Вт, один

Подробнее

Преобразователи AC/DC, DC/

Евгений Звонарев (КОМПЭЛ) Драйверы MOSFET компании Texas Instruments Рациональное использование ключей в силовых преобразователях предполагает эффективное управление ими. Эту задачу можно решить с помощью

Подробнее

Компрессоры PARISE Серия PHK. Москва 2018

Компрессоры PARISE Серия PHK Москва 2018 Серия PHK Надёжность проверенная временем Сделано в Италии. Серия PHK Новая улучшенная конструкция Возможность установки в любом месте благодаря расположению выхода

Подробнее

Компактее. Мощнее. Надежнее.

Компактее. Мощнее. Надежнее. Новая линейка дрелей-шуруповертов. 16-0264 / www.zubr.ru 1 Новая линейка дрелей-шуруповертов Li-Ion в компактном корпусе Современные технологии позволили значительно уменьшить

Подробнее

Компрессоры PRACTIKO. Москва 2014

Компрессоры PRACTIKO Москва 2014 Представляем новинку Новый винтовой компрессор PRACTIKO Представляем новинку Новый винтовой компрессор PRACTIKO Возможность установки в любом месте благодаря расположению

Подробнее

MIG/MAG MC-350 M MC-500 M

MC-350 M MC-500 M Ритм Alloy Опыт, компетентность и преданность делу были и остаются основными стратегиями, внедренными ALLOY для того, чтобы стать одним из ведущих Российских производителей сварочного

Подробнее

Люмьер ДСП промышленное освещение

Промышленный подвесной светодиодный светильник Люмьер ДСП-120.2 предназначен для освещения производственных помещений, цехов, складов и других промышленных площадок. Светильник может использоваться для

Подробнее

Микросхемы для LED драйверов

Микросхемы для LED драйверов Содержание О компании О компании……………………. 2 AN9910 ШИМ контроллер для неизолированных источников тока с фиксированной частотой преобразования…………………….

Подробнее

DC/DC преобразователи ВИПДM50

DC/DC преобразователи ВИПДM50 Ультракомпактные изолированные DC/DC преобразователи (модули) для промышленной аппаратуры и изделий, предназначенных для жёстких условий эксплуатации. Несмотря на малые размеры

Подробнее

Спиральные компрессоры MLZ / MLM

Спиральные компрессоры MLZ / MLM Спиральные компрессоры MLZ / MLM оптимально подходят для работы в: — установках для обработки и хранения пищевых продуктов — установках охлаждения складских помещений —

Подробнее

Полевые транзисторы (ПТ)

Полевые транзисторы (ПТ) Электроника и МПТ Принцип действия полевых транзисторов основан на использовании носителей заряда только одного знака (электронов или дырок) униполярные транзисторы. 1 Полевые

Подробнее

Тел.: 8 (915) 442 36 43 e mail: [email protected] https://ledsvetprom.ru/ Наша компания разрабатывает и производит энергосберегающие промышленные и уличные светодиодные светильники с 2011 года. Производственный

Подробнее

Питание и фильтрация помех

Питание и фильтрация помех Санкт-Петербург 19 Сентября 2017 Приглашение Программа Приглашение Питание и фильтрация помех Технический семинар для разработчиков электроники, Санкт-Петербург, 19 Сентября

Подробнее

Садовые. кусторезы. от Bosch.

Садовые кусторезы от Bosch. AHS 54-20 LI Высокие живые изгороди AHS 7000 Pro-T Высокие живые изгороди AHS 60-16 Невысокие живые изгороди Комплект ASB 10,8 LI Средние и высокие кустарники/ фигурная стрижка

Подробнее

Лекция 2 ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ

109 Лекция ЦЕПИ С ДИОДАМИ И ИХ ПРИМЕНЕНИЕ План 1. Анализ цепей с диодами.. Источники вторичного электропитания. 3. Выпрямители. 4. Сглаживающие фильтры. 5. Стабилизаторы напряжения. 6. Выводы. 1. Анализ

Подробнее

Особенности. Расшифровка обозначений моделей

и другие, радиодетали, электронные компоненты каталог, описание, технические, характеристики, datasheet, параметры, маркировка, габариты, фото, аналог, замена смотрите ниже Твердотельные реле серий SSR

Подробнее

TESND80 (TESD60)/ВИПДМ80 DC/DC с широким входом

TESND80 (TESD60)/ВИПДМ80 DC/DC с широким входом Ультракомпактные изолированные DC/DC преобразователи (модули) для промышленной аппаратуры и изделий, предназначенных для жёстких условий эксплуатации. Несмотря

Подробнее

20V НАСТОЯЩИЕ ПРОФЕССИОНАЛЫ В СВОЕМ ДЕЛЕ!

НАСТОЯЩИЕ ПРОФЕССИОНАЛЫ В СВОЕМ ДЕЛЕ! Новая линейка дрелей-шуруповертов! Соответствует всем высоким стандартам профессионального инструмента. Сочетает в себе отличную эргономику и выдающиеся характеристики.

Подробнее

Cåðèÿ Standard. Câåòîäèîäíûå ëàìïû

Cåðèÿ Standard Câåòîäèîäíûå ëàìïû Ïðåèìóùåñòâà ÒÌ ASD Êîðïîðàöèÿ ASD ñïåöèàëèçèðóåòñÿ íà ñâåòîäèîäíîì îñâåùåíèè Ëó øåå ïðåäëîæåíèå öåíû è êà åñòâà! Âûñîêèå êîìïåòåíöèè ïîçâîëÿþò ðàçðàáàòûâàòü è ïðîèçâîäèòü

Подробнее

Силовые MOSFET IXYS что нового?

Силовые MOSFET IXYS что нового? Анатолий Ващилов, [email protected] Компания IXYS является одним из крупнейших мировых производителей силовых полупроводниковых приборов. В данной статье

Подробнее

DC/DC преобразователи TESD15

DC/DC преобразователи TESD15 Преимущества Класс: Industrial, энергетическая плотность до 1250 Вт/дм3 Низкопрофильная 10 мм конструкция Рабочая температура корпуса 60 С +125 С Выходной ток до 3 А, мощность

Подробнее

10 шт. FQPF4N60C FQPF4N60 4N60 TO-220F Mosfet транзисторы

10 шт. FQPF4N60C FQPF4N60 4N60 TO-220F Mosfet транзисторы
  1. Товары для дома
  2. Электрооборудование и материалы
  3. Источники питания
  4. Регуляторы напряжения/стабилизаторы

Специально для вас

Описание

Гарантия

365 дней гарантии Дефектные элементы должны быть сообщены и возвращены в течение гарантийного срока (должны быть в хорошем состоянии)И пожалуйста, сообщите нам, что такое дефект, также с вашим номером заказа, так что мыМожете ли вы вернуть Новые товары в течение истекшей гарантии

Оплата

Мы принимаем Alipay, West Union, TT, paypal Если вы отправляете заказ, пожалуйста, оплатите заказ своевременно, чтобы мы могли подготовить и отправить сразу

Отгрузка

Доставка по всему миру Заказы представлены в течение 3 рабочих дней после подтверждения оплаты Мы отправляем только по адресу, который вы оставляете в заказе, пожалуйста, проверьте ваш адрес получения Изображения не на 100% совпадают с товарами, которые вы получите, только для справки

Отзывы

Мы поддерживаем высокие стандарты качества и стремимся к 100% удовлетворенности клиентов! Если вы удовлетворены нашими товарами и обслуживанием, то, пожалуйста, дайте нам пять стартов отзывы Пожалуйста, свяжитесь с нами, чтобы решить проблему, прежде чем вы оставите нам отрицательные и нейтральные отзывы

Характеристики

Тип тока
DC
Применение
Коммутируемый виртуальный канал
Номер модели
FQPF4N60C
Фаза
Однофазный
Индивидуальное изготовление
Да

P4nk60zfp — ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ

10 adet p4nk60zfp p4nk60zfp 4n60 to-220. ШИМ sg6846 транзистор p4nk60zfp. . P4nk60zfp схема включения. p4nk60zfp кремния npn транзистора-Транзисторы-ID продукта:531530224-russian.alibaba.com. P4NC60FP ST интегрированный схема(China (Mainland)). Транзистор ST Золотой четыре новых STP4NK60ZFP поле P4NK60ZFP 4N60 TO-220… Datasheet P4NK60ZFP. stp4nk60zfp.jpg. ücretsiz kargo 20pcs/lot stp4nk60zfp p4nk60zfp st 4A 600V to-220. Aliexpress.com: Yida Electronics Co. Ltd. üzerinde Güvenilir FHY tedarikçilerden 50 adet p4nk60zfp fhf 4n60 fqp4n60c… stp4nk60zfp st p4nk60zfp to-220. yeni ve orijinal ürünler. kendi hazır görüntüler. değil ağ resimleri. Stp4nk60zfp P4NK60ZFP 4N60 к-220. datasheet p4nk60zfp — техническая документация, даташит. Micom — ST92195C7B1/MBE Memory — 24CWC08LI (P498) SMPS — TDA16846P & P4NK60ZFP TR Chopper… ücretsiz kargo p4nk60zfp orijinal çekti st transistör(China (Mainland)) . P4nk60zfp замена. Best P4NK60ZFP -N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH… Aliexpress.com : xinzhiji üzerindeki Güvenilir Diğer Elektronik Bileşenler Tedarikçilerden Free Shipping Stp4nk60zfp… Весь БП на семи транзисторах Ключ -P4NK60ZFP Фото сгоревшего куска… P4NK60ZFP. P4NK60ZFP — SuperMESH Zener-Защищенное N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK? ücretsiz kargo stp4nc60fp orijinal yeni st mosfet p4nc60fp. sss4n60b p4nk60zfp p4nc60fp 4n60(China (Mainland)). 10 шт. новый оригинальный P4NC60FP TO-220F моп 600V4A P4NK60ZFP(China (Mainland)). Sony playstation 2 scph 90008 надпись на плате блока питания eadp 34cf a состав d2sb p4nk60zfp dap011 вылетели q1… P4nk60zfp как проверить. p4nk60zfp характеристики. P4nk60zfp. ücretsiz kargo stp4nk60zfp st p4nk60zfp to-220. STN2NE10L N2NE10L FQD2N100 2N100 STN3NF06L 3NF06L STP3NC60 P3NC60 4NF03L STN4NF03L P4NK60Z STP4NK60Z P4NK60ZFP… STP4NK60ZFP P4NK60ZFP Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-PinTO-220FP. MosFet P9NC60FP P4NK60ZFP (04N60S5) 07N60S5 #03. Китай P4NK60ZFP — SuperMESH Zener-Защищенное N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK? P4NK60ZFP TR Chopper — TSM0201-2 SAW… Китай хорошее качество P4NK60ZFP — SuperMESH Zener-Защищенное N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK?

Введение в 4N60 — Инженерные проекты

[PostWidget1]

Всем привет! Я надеюсь, что у вас все будет хорошо и весело. Сегодня я собираюсь подробно обсудить тему — Введение в 4N60. Я поделился характеристиками различных ИС в своих предыдущих уроках в разделе Введение в 75N75, SG3524, 2N3772, L298, L293D, 2SC3320 и 20N60. Вам необходимо пройти все эти руководства, чтобы лучше понять сегодняшнюю статью.4N-60 — это высоковольтный полевой транзистор на основе оксида металла и полупроводника (MOSFET). Это трехконтактное устройство, включающее сток ( D ), затвор ( G ) и исток ( S ).

4N60 — это в основном силовой полевой МОП-транзистор, способный выдерживать определенные уровни мощности. Он специально разработан для достижения различных характеристик, например, высокая скорость переключения, низкий заряд затвора и низкое сопротивление при включенном состоянии. Он также обладает очень прочными лавинными характеристиками.4N-60 имеет разные удивительные особенности, например: возможность быстрого переключения, характеристики лавинной энергии, более высокая надежность, улучшенная способность для dv / dt. Он имеет более широкий спектр реальных приложений, включая переключающие преобразователи, импульсные регуляторы, релейные драйверы, соленоиды, драйверы двигателей и многое другое. Более подробная информация об основах использования 4N-60 будет дана позже в этом руководстве.

Введение в 4N60

4N60 — это в основном силовой полевой МОП-транзистор. Это устройство с тремя контактами, которые называются затвор, исток и сток.Он разработан для достижения высоких скоростных характеристик времени переключения и низкого заряда ворот. Он имеет различные характеристики, в том числе низкое сопротивление, высокие характеристики лавинной энергии, высокую прочность и многое другое. Его реальные приложения включают драйверы двигателей, соленоид, драйверы реле, переключающие преобразователи и многое другое. 4Н-60 показан на рисунке ниже.

1. 4N60 Контакты
  • В этом устройстве всего три (3) контакта, каждый из которых выполняет различные функции.
  • Все три штифта 4N-60 представлены в таблице, приведенной на рисунке, показанном на ударе.

2. 4N60 Символы контактов
  • Чтобы избежать сложностей, каждому контакту присваивается первая буква его имени.
  • Обозначения контактов
  • 4N-60 перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

[PostWidget2]

3. Символическое представление 4N60
  • Символьное представление полезно для теоретического представления конкретного устройства.
  • Условное изображение
  • 4N-60 показано на рисунке ниже.

4. Распиновка 4N60
  • Распиновка — полезный способ понять конфигурацию контактов любого электронного устройства.
  • Я также поделился схемами распиновки различных MOSFET и IC во введении в 50N06, IRFZ44N, C945, MC34063, NE555 и NE556, вы должны ознакомиться со всеми этими статьями для лучшего понимания.
  • Распиновка
  • 4N-60 приведена на рисунке ниже.

5. Номинальные характеристики 4N60
  • Номинальные значения показывают мощность, необходимую для работы любого электронного устройства.
  • Номинальные характеристики
  • 4N-60 указаны в таблице, приведенной на рисунке ниже.

6. Характеристики 4N60
  • Характеристики устройства играют жизненно важную роль в обеспечении популярности устройства.
  • Общие характеристики
  • 4N-60 представлены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

7. Приложения 4N60
  • Имеет более широкий спектр реальных приложений.
  • Некоторые из наиболее распространенных приложений перечислены в таблице, показанной на рисунке ниже.

Это все из учебника Введение в 4N60. Я изо всех сил старался предоставить всю необходимую и основную информацию для использования 4N60 в первый раз. Надеюсь, вам понравился этот урок, и вы оцените мои усилия 😉 Если у вас есть какие-либо проблемы, связанные с инженерными вопросами, вы можете спросить нас в комментариях, даже не испытывая никаких колебаний.Наша команда работает круглосуточно и без выходных. Я поделюсь разными интересными и информативными темами в своих следующих уроках. Итак, до моей следующей статьи, до свидания 🙂

[PostWidget5]

Автор: Сайед Зайн Насир
https://www.theengineeringprojects.com/

Меня зовут Сайед Зайн Насир, основатель The Engineering Projects (TEP). Я программист с 2009 года, до этого я просто занимаюсь поиском, делаю небольшие проекты, а теперь делюсь своими знаниями через эту платформу.Я также работаю фрилансером и выполнил множество проектов, связанных с программированием и электрическими схемами. Мой профиль Google +

4n60 + техническое описание транзисторов и примечания по применению

2008 — 4Н60Б

Аннотация: mosfet 4n60 4n60a utc 4n60l power mosfet коммутация UTC4N60 4n60b TO220 QW-R502-061 utc 4n60g 4n60
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4Н60Л 4Н60Г QW-R502-061 4Н60Б MOSFET 4N60 4n60a utc 4n60l переключение мощности mosfet UTC4N60 4n60b TO220 utc 4n60g 4n60
2007 — 4Н60Б

Аннотация: 4n60-a 4n60a utc 4n60l mosfet 4n60 4N60 4n60b TO220
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4Н60Л QW-R502-061 4Н60Б 4н60-а 4n60a utc 4n60l MOSFET 4N60 4N60 4n60b TO220
2014 — 4н60

Аннотация: 4n60c mosfet 4n60
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4N60-C 4N60-C О-220Ф О-251 QW-R502-A42 4n60 4n60c MOSFET 4N60
2009 — 4Н60Б

Аннотация: 4N60 TO-251 UTC 4n60b TO220 k4n60 4n60 mosfet 4n60 4N60 TO-220 UTC utc 4n60l 4n60l 4n60a
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-220 О-251 О-220Ф О-220Ф1 О-252 QW-R502-061 4Н60Б 4N60 TO-251 UTC 4n60b TO220 k4n60 4n60 MOSFET 4N60 4N60 TO-220 UTC utc 4n60l 4н60л 4n60a
2009 — 4Н60Б

Аннотация: UTC4N60 4n60a 4N60-B 4n60 UTC 4N60L 4N60 TO-251 UTC 4n60l mosfet 4n60 4n60b TO220
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-220 О-262 О-220Ф QW-R502-061 4Н60Б UTC4N60 4n60a 4Н60-Б 4n60 UTC 4N60L 4N60 TO-251 UTC 4н60л MOSFET 4N60 4n60b TO220
2015 — utc 4n60l

Абстракция: 4n60l
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4N60-Q 4N60-Q QW-R502-972 utc 4n60l 4н60л
2011 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-220Ф О-220 О-220Ф1 О-220Ф2 QW-R502-061
2011 год — utc 4n60l

Аннотация: 4n60e mosfet 4n60 utc 4n60g 4N60 4n60l 4N60-E UTC4N60 A4N60 4n60 to252
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-220 О-220Ф О-220Ф1 О-220Ф2 QW-R502-061 utc 4n60l 4n60e MOSFET 4N60 utc 4n60g 4N60 4н60л 4Н60-Э UTC4N60 A4N60 4n60 to252
2013 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-220 О-220Ф1 О-220Ф2 О-251 О-262 О-220Ф QW-R502-061.
2014 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF QW-R502-061
2005 — 4н60ф

Аннотация: 4Н60П
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-251) О-252) О-251 О-252 О-252 13 апреля 2011 г. 4n60f 4Н60П
2014 — 4N60C

Аннотация: MOSFET 4N60
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4N60-C О-220Ф1 О-220Ф 4N60-C О-220Ф2 О-252 QW-R502-A42 4N60C MOSFET 4N60
2014 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4Н60-С 4Н60-С QW-R502-973.
2013 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4Н60-Э 4Н60-Э QW-R502-970.
2015 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4Н60-С 4Н60-С QW-R502-973
2013 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF QW-R502-061.
2005 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-220 О-220Ф QW-R502-061
EE16 12 В

Аннотация: SMD-ТРАНЗИСТОР B7 EE16 трансформатор 5v 2.1a t1 / epc17 TRANSFORMER smd транзистор 12W 3-контактный трансформатор с сердечником EE16-4
Текст: * 7, Dip Mosfet Transistor, 2N60, TO-251 PCB, L * W * T = 40x28x1.6 мм, Cem-1, Rev: A Jintong 1 0,025, между 2 контактами 1 с контактами 3-4 и AB закорочено 75 мкГн L1 Q1 Mosfet-транзистор, 4N60, ​​TO, вторичный Mosfet-транзистор Q1 3000 В перем. Тока, 4N60, ​​TO-220 Infineon 2 P1 Индуктивность, сила 50 Гц, 1 минута, от первичной и вторичной обмоток 3000 В перем. Тока Q1 Mosfet-транзистор, 4N60, ​​TO


Оригинал
PDF ACT41X ACT410 ACT413 EPC17) ACT411 12В1А ACT412 -11Для EE16 12 В SMD ТРАНЗИСТОР B7 Трансформатор EE16 5v 2.1a ТРАНСФОРМАТОР t1 / epc17 smd транзистор 12 Вт 3 контакта Трансформатор с сердечником EE16-4
2011 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-220Ф О-220 О-220Ф1 О-220Ф2 QW-R502-061
2014 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4Н60-Р 4Н60-Р О-220Ф1 QW-R502-A64
2011 год — utc 4n60l

Аннотация: 4N60L-TA3-T 4n60l 4n60e mosfet 4n60
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-220 О-220Ф О-220Ф1 QW-R502-061 utc 4n60l 4N60L-TA3-T 4н60л 4n60e MOSFET 4N60
2005 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF QW-R502-061
2014 — MOSFET — описание производителя 4N60

Аннотация: 4n60e
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 4Н60-Э 4Н60-Э QW-R502-970 MOSFET 4N60 4n60e
2005 — 4Н60Б

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-220 О-220Ф QW-R502-061 4Н60Б
2010 — utc 4n60l

Аннотация: 4N60B 4n60e 4n60l 4N60G 4N60 4n60a UTC4N60 utc 4n60g 4n60b TO220
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF О-220 О-220Ф О-220Ф1 QW-R502-061 utc 4n60l 4Н60Б 4n60e 4н60л 4Н60Г 4N60 4n60a UTC4N60 utc 4n60g 4n60b TO220

Mosfet 2N60 / 3N60 / 4N60 / 5N60 / 6N60 / 7N60 / 8N60 / 9N60 / 10N60 / 12N60 / 20N60, Mosfets & IGBT — Jainam Electronics Private Limited, Мумбаи


О компании

Год основания 2001

Юридический статус компании с ограниченной ответственностью (Ltd./Pvt.Ltd.)

Характер бизнеса Оптовик

Количество сотрудников До 10 человек

Участник IndiaMART с августа 2007 г.

GST27AABCJ2393K1ZB

Код импорта и экспорта (IEC) 03020 *****

Jainam Electronics Pvt. Ltd — активный игрок в электронной промышленности, специализирующийся на поставках полупроводников и промышленных электронных компонентов.
Jainam Electronics Pvt.Ltd создает могучую торговую марку с 2001 года и распространила свой опыт в качестве поставщиков, оптовиков, торговцев и импортеров электронных компонентов.
Мы занимаемся реле, интегральными схемами, транзисторами, диодами, светодиодами, предохранителями PTC, конденсаторами, резисторами, стеклянными и керамическими предохранителями, MOV, термисторами NTC, полевыми транзисторами, регулировочными точками, IGBT, ЖК / светодиодными дисплеями, разъемами, переключателями, паяльной проволокой и Приклейте сток. (Универсальное решение для всех)
Все активные, пассивные и незаметные детали могут быть закуплены нами со всего мира в кратчайшие сроки.
Вся наша продукция отличается высочайшим качеством и поставляется из США, Германии, Франции, Испании, Гонконга, Тайваня, Австралии, Кореи и Китая.
Мы гордимся своей рабочей этикой, качеством продукции и безупречной организацией и методами управления, которые делают нас лидером как с точки зрения надежного поставщика, так и с точки зрения торговца.
Мы обеспечиваем лучшее качество продукции, начиная от коммерческого, промышленного и заканчивая военным, и неуклонно организовываем складские запасы в соответствии с потребностями клиента. Наши складские помещения содержатся в хорошем состоянии, в них созданы наилучшие условия для поддержания продуктов в наилучшем состоянии.Мы входим в число ведущих поставщиков полупроводников и можем легко и легко управлять заказами большой емкости.
Еще одним преимуществом Jainam Electronics Pvt.Ltd является то, что мы находчивы и можем организовать доставку даже самых редких и менее востребованных продуктов в течение недели. Наша сеть поставок обеспечивает беспроблемную доставку в течение 4-6 дней из любой точки мира. Имея на складе более 7000 наименований продукции, мы можем удовлетворить любые требования к электронным компонентам, чтобы вы остались довольны.
Наши ценности — удовлетворение потребностей клиентов и гарантия наилучшего качества продукции — помогли нам добиться успеха в электронной промышленности. Стремясь к дальнейшему росту и процветанию, а также к закреплению на мировом рынке электроники, мы неустанно работаем над захватом глобальной электронной сети.

Видео компании

4N60A — N-канальный силовой полевой МОП-транзистор

4N60A Технический паспорт PDF подробнее.

Номер детали: 4N60A

Функции: Это своего рода полупроводниковый N-канальный силовой МОП-транзистор.

Расположение контактов:

Информация о пакете:

Производитель: NELL

Изображение:

Текстов в PDF файле:

ПОЛУПРОВОДНИК серии 4N60 RRooHHSS Nell High Power Products N-Channel Power MOSFET (4A, 600Volts) ОПИСАНИЕ Nell 4N60 — это трехконтактное кремниевое устройство с токопроводимостью 4A, высокой скоростью переключения, низким сопротивлением в открытом состоянии, номинальным напряжением пробоя. 600 В и макс.пороговое напряжение 4 вольта. Они предназначены для использования в таких приложениях, как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока в постоянный, управление двигателями с ШИМ, мостовые схемы и коммутационные устройства общего назначения. ХАРАКТЕРИСТИКИ RDS (ON) = 2,5 Ом при VGS = 10 В Сверхнизкий заряд затвора (макс. 20 нКл) Низкая обратная передаточная емкость (CRSS = 8 пФ типично) Возможность быстрого переключения Указана 100% лавинная энергия Улучшенная стойкость к dv / dt Рабочая температура при 150 ° C DG DS TO-251 (I-PAK) (4N60F) DDGS TO-252 (D-PAK) (4N60G) GDS TO-220AB (4N60A) GDS TO-220F (4N60AF) ОПИСАНИЕ ИЗДЕЛИЯ ID (A) VDSS (V) RDS ( ВКЛ) (Ом) QG (нКл) макс.4600 2,5 @ VGS = 10 В 20 D (сток) G (затвор) S (источник) www.nellsemi.com Страница 1 из 10 ПОЛУПРОВОДНИК Серия 4N60 RRooHHSS Nell High Power Products АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ (TC = 25 ° C, если не указано иное) СИМВОЛ ПАРАМЕТР УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ VDSS Напряжение от стока к источнику TJ = от 25 ° C до 150 ° C VDGR Напряжение от стока к затвору RGS = 20 кОм VGS ID IDM IAR EAR EAS dv / dt Напряжение от затвора к источнику Постоянный ток стока Импульсный ток стока (Примечание 1) Лавина ток (Примечание 1) Повторяющаяся энергия лавины (Примечание 1) Энергия лавины одиночного импульса (Примечание 2) Пиковое восстановление диода dv / dt (Примечание 3) TC = 25 ° C TC = 100 ° C IAR = 4A, RGS = 50 Ом, VGS = 10 В IAS = 4 А, L = 30 мГн TO-251 / TO-252 PD Общая рассеиваемая мощность (снижение выше 25 ° C) TC = 25 ° C TO-220AB TO-220F TJ TSTG Рабочая температура перехода Температура хранения TL Максимальная температура пайки, для 10 секунд 1.6 мм от корпуса Момент затяжки, # 6-32 или винт M3 ЗНАЧЕНИЕ 600600 ± 30 4 2,48 16 4 10,6 260 4,5 50 (0,39) 100 (0,8) 36 (0,26) от -55 до 150 от -55 до 150 300 10 (1,1) ЕДИНИЦА ВА мДж В / нс Вт (Вт / ° C) ºC фунт-сила-дюйм (Нм) Примечание: 1. Повторяемость: пульс […]

4N60A PDF-файл

4n60c datasheet pdf загрузить

4n60c datasheet pdf загрузить

Единицы измерения — постоянный ток источника тока mosfet символ тела диод, показывающий интеграл обратного тока импульсного источника ism. Спецификация транзистора fqpf8n60c, эквивалент fqpf8n60c, спецификации в pdf.Серия ufd разработана для таких применений, как двигатель. Важное примечание в конце этого листка данных касается доступности, гарантии, изменений, использования в критически важных для безопасности приложений, вопросов интеллектуальной собственности и. Id l высокоскоростное переключение мощности l жестко коммутируемые и высокочастотные цепи 650v 155m 22a l преимущества без вывода свинца d l сверхнизкий заряд затвора. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в рабочем состоянии и обеспечения превосходного переключения. UTC 4 ампера, 600 вольт nchannel power mosfet, все технические данные, технические данные, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.B1 igbt sgh80n60ufd sgh80n60ufd ultrafast igbt общее описание Серия биполярных транзисторов с изолированным затвором igbts серии ufd от компании Fairchilds обеспечивает низкие потери проводимости и коммутации. Обратите внимание на размеры нового корпуса в соответствии с pcn 2009. UTC 4n60 представляет собой высоковольтный МОП-транзистор с улучшенными характеристиками, такими как быстрое время переключения, низкий уровень заряда затвора, низкий уровень заряда. Csd17309q3 30v nchannel nexfet power MOSFET лист данных. UTC nchannel power mosfet, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

Предложение 4n60c fsc от kynix semiconductor hong kong limited. Id l высокоскоростное переключение мощности l жестко коммутируемые и высокочастотные цепи 650v 155m 22a l преимущества без вывода свинца d l сверхнизкий заряд затвора qg приводит к простому. Aa электрические характеристики tc 25, если не указано иное параметр символ условия испытания мин. Тип макс. Ед. Технический паспорт MGP4N60E биполярный транзистор с изолированным затвором Кремниевый затвор n-канального режима с улучшенным режимом В этом биполярном транзисторе с изолированным затвором igbt используется усовершенствованная схема подключения igbt в схеме подключения to220 для обеспечения улучшенного и надежного высокого уровня 4.26 июня 2017 г. g80n60 datasheet vces 660v, ultrafast igbt fairchild, sgh80n60ufd datasheet, g80n60 pdf, распиновка g80n60, эквивалент g80n60, схема, схема g80n60. Utc, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Чоппер-регулятор Mosiii 2sk2700, преобразователь постоянного тока и моторный привод. Технические характеристики транзисторов gt30j124, аналог gt30j124, технические данные в pdf. Система поиска электронных компонентов и полупроводников.Piv вольт 65 90 90 45 25 30 100 100 75 40 25 40 30. Id 11 — новая революционная технология высокого напряжения. Qwr502a42 техническое описание, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf. Unisonic technologies, 4n60, 4 ампера, 600 вольт nchannel power mosfet. Информация для заказа номер для заказа назначение выводов бессвинцовый пакет без галогенов 1 2 3456 7 8 упаковка.

Апрель 4, 2015 4n60 datasheet pdf 4n60 datasheet pdf 4n60 datasheet pdf скачать. G80n60 datasheet, vces 660v, ultrafast igbt fairchild, sgh80n60ufd datasheet, g80n60 pdf, распиновка g80n60, эквивалент g80n60, схема, схема g80n60.G80n60 datasheet vces 660v, сверхбыстрый igbt fairchild. Производитель электроники, номер детали, техническое описание, описание электроники. O абсолютные максимальные номинальные значения tc25c, если не указано иное, параметр символ номинальные значения единица напряжение стока vdss 600 В напряжение источника питания vgss 30 В лавинный ток примечание 2 iar 10 непрерывный ток стока id 10 импульсный примечание 2 idm 38 энергия лавины. Tpcp8012 12v 300v mosfets toshiba электронные устройства. Важное примечание в конце этой спецификации касается доступности.

Spp11n60c3 spi11n60c3, spa11n60c3 прохладный силовой транзистор mos. Германиевые стеклянные диодные компоненты 1n601n60p taitron. Описание 2006 Fairchild Semiconductor Corporation fqp6n90c fqpf6n90c rev. Id 20 — новая революционная технология высокого напряжения со сверхнизким зарядом затвора. Fqp8n60cfqpf8n60c 600v nchannel mosfet общее описание эти n-канальные полевые транзисторы с усилением мощности производятся с использованием патентованной, планарной полосы, технологии dmos от компании Fairchilds.

Этот силовой МОП-транзистор из карбида кремния создан с использованием передовых инновационных свойств материалов с широкой запрещенной зоной.Полевой транзистор Toshiba кремниевый n-канальный типа mos. Id 20 — новая революционная технология высокого напряжения ultra. Германиевые диоды 1 германиевые диоды с холодным соединением в корпусе do7 мм тип aa1 aa117 aa118 aa119 aa8 aa143 aa144 aaz15 aaz17 aaz18 oa47 oa79 oa90 oa91 oa95 oa99 1n34a 1n38a 1n60a 1n100a 1n276n1326n 1n66n1326n 1n666n 1n666n 1n326n 1n666n 1n326n 1n676n 1n326n 1n666n 1n666n 1n32619 Nchannel power mosfet, лист данных 4n60 c, схема 4n60 c, лист данных 4n60 c.

Номер детали размер верхней метки упаковки размер рулона ленты ширина количество fqp5n60c fqp5n60c to220 na na 50 единиц метод упаковки трубка fqpf5n60c fqpf5n60c to220f трубка нет данных 50 единиц примечания.Обратите внимание на размеры новой упаковки в соответствии с pcn. Если флажок не отображается, соответствующий документ не может быть загружен в пакетном режиме. Последние списки производителей в каталоге позволяют мгновенно получить представление о любом электронном компоненте. Апрель 4, 2015 4n60b datasheet, pdf скачать pdf 224974121

03. Обратите внимание на новые размеры упаковки в соответствии с pcn 20094a rev. UTC 4N60 — это высоковольтный МОП-транзистор с улучшенными характеристиками, такими как. C абсолютный максимум номиналов tc 25, если не указано иное параметрысимвол поиска в технических описаниях, технических описаниях, на сайте поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников.C-маркировка поиск в таблицах данных, в таблицах данных, на сайте поиска в таблицах данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников. 07 июня 2016 г. 07n60c3 datasheet vds650v, силовой транзистор Infineon, spp07n60c3, spi07n60c3 datasheet, 07n60c3 pdf, распиновка 07n60c3, руководство 07n60c3, схема 07n60c3. 01 октября 2015 г. y2010dn datasheet pdf, y2010dn datasheet, y2010dn pdf, распиновка y2010dn, y2010dn data, схема, ic, руководство, заменитель, части, схема, ссылка. UTC 4 ампер, 600 вольт nchannel power mosfet, все даташиты, даташиты — поиск по сайту.

654 1357 1622 173 251 984 556 301 1420 508721 885 1387 1165 272 18 33 852935 95 85 119 922 856 422 389 749 420 248 XML HTML

Поиск

может быть отправлен в тот же день. Paypal принят, закажите онлайн сегодня!

Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.

Купите сейчас и получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.

0
Обзор продукта
Название продукта Поиск
Доступное количество Возможна немедленная отправка
Модель NO.
Код ТН ВЭД 8529
Минимальное количество От одного куска
Атрибуты продукта
Категории
  • Искать
  • идентификатор товара
    артикул
    gtin14
    mpn
    Состояние детали Активный
    Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal.
    Paypal (AMEX принимается через Paypal)
    Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.

    Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal

    Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
    Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
    Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
    Судоходная компания Расчетное время доставки Информация для отслеживания
    Плоская транспортировочная 30-60 дней Не доступен
    Заказная Авиапочта 15-25 дней В наличии
    DHL / EMS / FEDEX / TNT 5-10 дней В наличии
    Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления.

    Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
    Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
    После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
    Если продукт каким-либо образом поврежден или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
    Если что-то неясно или у вас есть вопросы, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов.

    См. Подробную информацию о защите покупок PayPal.
    Получите заказанный товар или верните свои деньги.
    Покрывает вашу покупную цену и первоначальную доставку.
    Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
    PayPal Защита покупателей
    Защита вашей покупки от клика до доставки
    Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
    Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
    Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.

    Паспорт или технические характеристики в формате PDF доступны по запросу для загрузки.

    Почему выбирают нас?

  • Расположен в Шэньчжэне, центре электронного рынка Китая.
  • 100% гарантия качества компонентов: Подлинный оригинал.
  • Достаточный запас на ваш срочный запрос.
  • Опытные коллеги помогут вам решить проблемы и снизить риски с помощью производства по требованию.
  • Более быстрая отгрузка: компоненты, имеющиеся на складе, могут быть отправлены в тот же день.
  • Круглосуточное обслуживание.
  • Каковы ваши основные продукты?

    Наша основная продукция
    Интегральные схемы (ИС) Дискретный полупроводник Потенциометры, переменные R
    Аудио специального назначения Принадлежности Реле
    Часы / синхронизация Мостовые выпрямители Датчики, преобразователи
    Сбор данных Diacs, Sidacs Резисторы
    Встроенный Диоды Дроссели, катушки, дроссели
    Интерфейс МОП-транзисторы Фильтры
    Изоляторы — Драйверы ворот БТИЗ Кристаллы и генераторы
    линейный JFET-транзисторы (полевой эффект перехода) Разъемы, межкомпонентные соединения
    Логика Полевые транзисторы РФ Конденсаторы
    Память РЧ Транзисторы (БЮТ) Изоляторы
    PMIC SCR светодиод
    Транзисторы (БЮТ)
    Транзисторы
    Симисторы

    Какая цена?

  • Все цены являются ценами за единицу в долларах США (USD).
  • Цена на некоторые детали нестабильна в зависимости от рынка, пожалуйста, свяжитесь с нами для получения последней и лучшей цены.
  • Какой способ оплаты?

  • PayPal, кредитные карты через PayPal, банковский перевод, Western Union, MoneyGram.
  • Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
  • Свяжитесь с нами, если вы предпочитаете другой способ оплаты.
  • Что такое возврат и замена?

  • Если есть какие-либо проблемы с качеством, убедитесь, что все эти предметы должны быть возвращены в их первоначальном состоянии, чтобы претендовать на возврат или замену.(Любые использованные или поврежденные предметы не подлежат возврату или замене).
  • Какое минимальное количество для заказа вашей продукции?

  • Минимальное количество заказа от ОДНОЙ штуки.
  • Вы можете купить сколько угодно.
  • Когда вы пришлете мне детали?

  • Мы отправим вам детали в тот же день после получения оплаты.
  • Как разместить заказ?

  • Добавьте товар в корзину, а затем перейдите к оформлению заказа на нашем веб-сайте.
  • Предлагаете ли вы техническую поддержку?

  • Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке 2SD1733TLR, указаниями по применению, замена, техническое описание в pdf, руководство, схема, аналог, перекрестная ссылка.
  • Предлагаете ли вы гарантию?

  • Да, мы предоставляем 6 месяцев гарантии на наш продукт.
  • Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?

  • Мы поддерживаем хорошее качество и конкурентоспособные цены.
  • Мы уважаем каждого клиента как друга и добросовестно ведем бизнес!
  • Если у Вас возникнут другие вопросы, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!

    mosfet% 204n60% 20power% 20просмотр и примечания к приложению

    Навигация по записям

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

    TCK401G Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage ИС драйвера затвора полевого МОП-транзистора, от 2,7 до 28 В, привод затвора внешнего полевого МОП-транзистора / снижение пускового тока / автоматический разряд, WCSP6E
    SSM6J801R Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, P-канал, -20 В, -6.0 А, 0,0325 Ом @ 4,5 В, TSOP6F
    TK5R1A08QM Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, N-канал, 80 В, 70 А, 0,0051 Ом при 10 В, TO-220SIS
    SSM6J507NU Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, P-канал, -30 В, -10 А, 0,02 Ом при 10 В, UDFN6B