9014 транзистор характеристики: S9014 , , datasheet, , ,

Содержание

S9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (H

FE)_. Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (F_Ш), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение F_Ш определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (R

s) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H

_FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 H_FE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

S9014 Datasheet (PDF)

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.5. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B

1.6. ss9014.pdf Size:47K _samsung

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW

STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso

1.8. s9014.pdf Size:253K _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co

1.9. s9014t.pdf Size:130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)

1.10. s9014w.pdf Size:263K _secos

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80

1.11. s9014.pdf Size:821K _htsemi

S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun

1.12. s9014w.pdf Size:458K _htsemi

S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20

1.13. s9014.pdf Size:241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX

S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit

S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co

1.16. s9014.pdf Size:824K _wietron

S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage

1.17. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000

1.18. s9014.pdf Size:280K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0.45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter

1.19. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng

深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units （符号）（参数名称）（额定值）（单位） VCBO Collector-Base Vo

1.20. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

1.21. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR（ NPN ） FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

Транзисторы 2SD2499(D2499)

Т ранзисторы 2SD2499(D2499) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Разработаны фирмой Toshiba Semiconductor первоначально, для блоков развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем — применялись в целом ряде, самых различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка 2SD2499(D2499).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — от 8 до 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — 5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — не выше 1,3в.

Граничная частота передачи тока. — 2МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 600 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 6 А.

Максимальный импульсный ток коллектора — 12 А.

Рассеиваемая мощность коллектора — 50 Вт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — 95 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 200 мА.

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

S9014 транзистор: характеристики, аналоги, параметры, цоколевка

Транзистор s9014 – кремниевый высокочастотный, маломощный биполярный транзистор n-p-n структуры. Применяется в радиоприемниках, передатчиках, различных схемах усиления сигнала благодаря большому коэффициенту передачи тока и низкому уровню шумов. Выпускается в пластмассовом корпусе TO-92 с гибкими выводами (S9014A, S9014B, S9014C, S9014D) и в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа (S9014H, S9014L).

Цоколевка транзистора s9014

Транзистор s9014 в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа (S9014H, S9014L) маркируется кодом «J6».

Характеристики транзистора s9014

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), А	Pкmax(т), Вт	h31э	fгр., МГц
S9014A	50	45	0.1	0.4	60 — 150	150
S9014B	50	45	0.1	0.4	100 — 300	150
S9014C	50	45	0.1	0.4	200 — 600	150
S9014D	50	45	0.1	0.4	400 — 1000	150
S9014H	50	45	0.1	0.4	200 — 450	150
S9014L	50	45	0.1	0.4	450 — 1000	150

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h_fe — Коэффициент усиления транзистора по току
fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока

Комплементарная пара s9014

Комплементарной парой для s9014 является транзистор s9015 c p-n-p структурой.

Аналоги транзистора s9014

S9014A: КТ3102А, КТ6111А
S9014B: КТ3102Б, КТ6111Б
S9014C: КТ3102В, КТ6111В
S9014D: КТ3102Г, КТ6111Г

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги транзистора S9014:

↓ Type	Mat	Struct	Pc	Ucb	Uce	Ueb	Ic	Tj	Ft	Hfe	Caps
2SC1623-L6	Si	NPN	0.2	60,00	50,00	5,00	0.1	150,00	250,00	200,00	SOT23
2SC1623-L7	Si	NPN	0.2	60,00	50,00	5,00	0.1	150,00	250,00	300,00	SOT23
2SC1623SLT1	Si	NPN	0.3	60,00	50,00	7,00	0.15	150,00	180,00	270,00	SOT23
2SC2412-S	Si	NPN	0.2	60,00	50,00	7,00	0.15	150,00	180,00	270,00	SOT23
2SC2412KSLT1	Si	NPN	0.2	60,00	50,00	7,00	0.15	150,00	180,00	270,00	SOT23
2SC945LT1	Si	NPN	0.23	60,00	50,00	5,00	0.15	150,00	150,00	200,00	SOT23
2SD1501	Si	NPN	1,00	70,00			1,00	150,00		250,00	SOT23
2SD1938	Si	NPN	1,00	50,00			0.3	150,00		1000,00	SOT23
2STR1160	Si	NPN	0.5	60,00	60,00	5,00	1,00	150,00		250,00	SOT23
3DG847B	Si	NPN	0.33	50,00	45,00	6,00	0.2	150,00	250,00	200,00	TO92 SOT23 TO18
50C02CH-TL-E	Si	NPN	0.7	60,00	50,00	5,00	0.5	150,00	500,00	300,00	SOT23
9014RLT1	Si	NPN	0.3	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	200,00	SOT23
9014SLT1	Si	NPN	0.3	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	300,00	SOT23
BC817-40	Si	NPN	0.31	50,00	45,00	5,00	0.5	150,00	200,00	250,00	SOT23
BC817-40LT1	Si	NPN	0.225	50,00	45,00	5,00	0.5	150,00	200,00	250,00	SOT23
BC846BLT1	Si	NPN	0.3	80,00	60,00	6,00	0.1	150,00	300,00	290,00	SOT23
BC846BR	Si	NPN	0.31	80,00	65,00	6,00	0.1	150,00	300,00	200,00	SOT23
BC847BLT1	Si	NPN	0.3	50,00	45,00	6,00	0.1	150,00	300,00	290,00	SOT23
BC847BR	Si	NPN	0.31	50,00	45,00	6,00	0.1	150,00	300,00	200,00	SOT23
BC847C	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	6,00	0.1	150,00	300,00	520,00	SOT23
BC847CLT1	Si	NPN	0.3	50,00	45,00	6,00	0.1	150,00	300,00	520,00	SOT23
BC847CR	Si	NPN	0.31	50,00	45,00	6,00	0.1	150,00	300,00	420,00	SOT23
BC850	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	150,00	200,00	SOT23
BC850A	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	290,00	SOT23
BC850B	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	290,00	SOT23
BC850BLT1	Si	NPN	0.3	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	290,00	SOT23
BC850BR	Si	NPN	0.31	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	200,00	SOT23
BC850C	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	520,00	SOT23
BC850CLT1	Si	NPN	0.3	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	520,00	SOT23
BC850CR	Si	NPN	0.31	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	420,00	SOT23
BCF81	Si	NPN	0.35	50,00	45,00	5,00	0.1	175,00	300,00	420,00	SOT23
BCF81R	Si	NPN	0.35	50,00	45,00	5,00	0.1	175,00	300,00	420,00	SOT23
BCV47	Si	NPN	0.36	80,00	60,00	10,00	0.5	150,00	170,00	10000,00	SOT23
BCV72	Si	NPN	0.35	80,00	60,00	5,00	0.1	175,00	300,00	200,00	SOT23
BCV72R	Si	NPN	0.35	80,00	60,00	5,00	0.1	175,00	300,00	200,00	SOT23
BCW66KH	Si	NPN	0.5	75,00	45,00	5,00	0.8		170,00	250,00	SOT23
BCW72L	Si	NPN	0.225		45,00		0.1			200,00	SOT23
BCW72LT1G	Si	NPN	0.225	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	200,00	SOT23
BCW72R	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	150,00	200,00	SOT23
BCW81	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	200,00	420,00	SOT23
BCW81R	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	200,00	420,00	SOT23
BCW82B	Si	NPN	0.225	60,00	50,00	6,00	0.1	150,00	150,00	240,00	SOT23
BRY61	Si	PNPN	0.25	70,00	70,00	70,00	0.175	150,00		1000,00	SOT23
BSP52T1	Si	NPN	1.5	100,00	80,00	5,00	0.5	150,00	150,00	5000,00	SOT23
BSP52T3	Si	NPN	1.5	100,00	80,00	5,00	0.5	150,00	150,00	5000,00	SOT23
BTD2150N3	Si	NPN	0.225	80,00	50,00	6,00	4,00	150,00	175,00	270,00	SOT23
BTN6427N3	Si	NPN	0.225	100,00	60,00	12,00	0.5	150,00		10000,00	SOT23
CMPT3820	Si	NPN	0.35	80,00	60,00	5,00	1,00	150,00	150,00	200,00	SOT23
CMPT491E	Si	NPN	0.35	80,00	60,00	5,00	1,00	150,00	150,00	200,00	SOT23
DMBT9014	Si	NPN	0.225	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	150,00	200,00	SOT23
DNLS160	Si	NPN	0.3		60,00		1,00		150,00	200,00	SOT23
DTD123	Si	Pre-Biased-NPN	0.2		50,00		0.5	150,00	200,00	250,00	SOT23
ECG2408	Si	NPN	0.2	60,00	65,00		0.3	150,00	300,00	300,00	SOT23
FMMT493A	Si	NPN	0.5		60,00		1,00		150,00	500,00	SOT23
FMMTL619	Si	NPN	0.5		50,00		1.25		180,00	300,00	SOT23
INC5006AC1	Si	NPN	0.2	100,00	50,00	7,00	3,00	150,00	250,00	400,00	SOT23
KC817A-40	Si	NPN	0.31	50,00	45,00	5,00	0.5	150,00	170,00	250,00	SOT23
KST9014	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	150,00	200,00	SOT23
KST9014-D	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	150,00	300,00	SOT23
KTC9014SC	Si	NPN	0.35	80,00	50,00	8,00	0.1	150,00	150,00	200,00	SOT23
L2SC1623SLT1G	Si	NPN	0.225	60,00	50,00	7,00	0.15	150,00	250,00	270,00	SOT23
L2SC2412KSLT1G	Si	NPN	0.2	60,00	50,00	7,00	0.15	150,00	180,00	270,00	SOT23
L9014RLT1G	Si	NPN	0.225	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00		200,00	SOT23
L9014SLT1G	Si	NPN	0.225	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00		300,00	SOT23
L9014TLT1G	Si	NPN	0.225	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00		400,00	SOT23
MMBT2484L	Si	NPN	0.225		60,00		0.1			250,00	SOT23
MMBT2484LT1G	Si	NPN	0.225	60,00	60,00	6,00	0.1	150,00		250,00	SOT23
MMBT945-H	Si	NPN	0.2	60,00	50,00	5,00	0.15	150,00	150,00	200,00	SOT23
MMS9014-H	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	150,00	450,00	SOT23
MMS9014-L	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	150,00	200,00	SOT23
MSD601	Si	NPN	0.2	60,00	50,00	7,00	0.1	150,00		210,00	SOT23
PBSS4041NT	Si	NPN	0.3	60,00	60,00	5,00	3.8	150,00	175,00	300,00	SOT23
PBSS4160T	Si	NPN	0.3	80,00	60,00	5,00	1,00	150,00	150,00	250,00	SOT23
PDTC114TT	Si	Pre-Biased-NPN	0.25	50,00	50,00	5,00	0.1	150,00		200,00	SOT23
PDTC143TT	Si	Pre-Biased-NPN	0.25	50,00	50,00	5,00	0.1	150,00		200,00	SOT23
S9014	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	150,00	200,00	SOT23
SBCW72LT1G	Si	NPN	0.23	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	300,00	200,00	SOT23
SSTA28	Si	NPN	0.2	80,00	80,00	12,00	0.3	150,00	200,00	10000,00	SST3 SOT23
TBC850	Si	NPN	0.2	50,00	45,00	5,00	0.1	150,00	150,00	200,00	SOT23
UN2210R	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50,00	50,00	6,00	0.1	150,00	150,00	210,00	SOT23 SC59
UN2210S	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50,00	50,00	6,00	0.1	150,00	150,00	290,00	SOT23 SC59
UN2215R	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50,00	50,00	6,00	0.1	150,00	150,00	210,00	SOT23 SC59
UN2215S	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50,00	50,00	6,00	0.1	150,00	150,00	290,00	SOT23 SC59
UN2216R	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50,00	50,00	6,00	0.1	150,00	150,00	210,00	SOT23 SC59
UN2216S	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50,00	50,00	6,00	0.1	150,00	150,00	290,00	SOT23 SC59
UN2217R	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50,00	50,00	6,00	0.1	150,00	150,00	210,00	SOT23 SC59
UN2217S	Si	Pre-Biased-NPN	0.2	50,00	50,00	6,00	0.1	150,00	150,00	290,00	SOT23 SC59
ZXTN07045EFF	Si	NPN	1.5		45,00		4,00		150,00	400,00	SOT23F
ZXTN19100CFF	Si	NPN	1.5		100,00		4.5		150,00	200,00	SOT23F
ZXTN25050DFH	Si	NPN	1.25		50,00		4,00		200,00	240,00	SOT23
ZXTN25100DFH	Si	NPN	1.25		100,00		2.5		175,00	300,00	SOT23

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23

Транзистор S9014 можно заменить на KSP05, KSP06, KSP42, KSP43, KTC9014, MPSA42, MPSA43, MPSW05, MPSW05G, MPSW06, MPSW06G, MPSW42, MPSW42G, SS9014

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц.

У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Маркировка

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2SC1623-L6

Маркировка: L6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623-L7

Маркировка: L7
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC1623SLT1

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT-23

Наименование производителя: 2SC2412-S

Маркировка: BS
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT23

Наименование производителя: 2SC2412KSLT1

Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 270
Корпус транзистора: SOT-23

Автор: Редакция сайта

S9015 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры

Биполярный транзистор STS9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: STS9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO-92

STS9014

Datasheet (PDF)

1.1. gsts9014lt1.pdf Size:221K _upd

GSTS9014LT1
NPN General Purpose Transistor
Product Description Features
This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V
amplifier and switch. Collector Current : 100mA
Lead(Pb)-Free
Packages & Pin Assignments
SOT-23
Pin Description
1 Base
2 Emitter
3 Collector
Marking Information
P/N Package Rank Part Marking
GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.2. sts9014.pdf Size:207K _auk

STS9014
NPN Silicon Transistor
Description
PIN Connection
• General purpose application
C
• Switching application
Features
B
• Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) /
hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.)
• Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz
E
• Complementary pair with STS9015
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9014 STS9014 TO-92
A

4.1. sts9013.pdf Size:197K _auk

STS9013
NPN Silicon Transistor
Descriptions
PIN Connection
• General purpose application.
C
• Switching application.
B
Features
• Excellent hFE linearity.
E
• Complementary pair with STS9012
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9013 STS9013 TO-92
Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Characteristic Symbol Ratings Unit
Collector-B

4.2. sts9012.pdf Size:106K _auk

STS9012
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Description
• General purpose application.
• Switching application.
Features
• Excellent hFE linearity.
• Complementary pair with STS9013
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9012 STS9012 TO-92
Outline Dimensions unit : mm
3.45±0.1
4.5±0.1
2.25±0.1
0.4±0.02
2.06±0.1
1.27 Typ.
2.54

4.3. sts9015.pdf Size:97K _auk

STS9015
Semiconductor
Semiconductor
PNP Silicon Transistor
Description
• General purpose application.
• Switching application.
Features
• Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1mA) / hFE(IC=2mA) = 0.95(Typ.)
• Low noise : NF = 10dB(Max.)
• Complementary pair with STS9014
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9015 STS9015 TO-92
Outline Dimensions uni

4.4. sts9018.pdf Size:232K _auk

STS9018
NPN Silicon Transistor
Description
PIN Connection
• High frequency low noise amplifier application
C
• VHF band amplifier application
B
Features
• Low noise figure : NF = 4dB(Max.) at f=100MHz
• High transition frequency fT = 800MHz(Typ.)
E
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9018 STS9018 TO-92
Absolute maximum ratings T

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

DMBT9014 Datasheet (PDF)

1.1. dmbt9014.pdf Size:157K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9014
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in pre-amplifier of low level and
low noise.
SOT-23
.020(0.50)
.012(0.30)
Pinning
1 = Base
3
2 = Emitter
.063(1.60) .108(0.65)
3 = Collector
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85)
.

3.1. dmbt9013.pdf Size:144K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9013
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for low frequency amplifier applications.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter
3
3 = Collector .063(1.60) .108(0.65)
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85)
.091(2.30)
Cha

3.2. dmbt9018.pdf Size:77K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9018
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for use in AM/FM amplifier and local
oscillator of FM/VHF tuner.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter 3
.063(1.60) .108(0.65)
3 = Collector
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15)
.034

3.3. dmbt9012.pdf Size:173K _upd

DC COMPONENTS CO., LTD.
DMBT9012
DISCRETE SEMICONDUCTORS
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Designed for low frequency amplifier applications.
SOT-23
.020(0.50)
Pinning
.012(0.30)
1 = Base
2 = Emitter
3
3 = Collector .063(1.60) .108(0.65)
.055(1.40) .089(0.25)
1 2
Absolute Maximum Ratings(TA=25oC)
.045(1.15)
.034(0.85)
.091(2.30)
Cha

L9014 Datasheet (PDF)

1.1. l9014.pdf Size:127K _upd

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
NPN Epitaxial Silicon
L9014
Transistor
Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise
• High total power dissipation. (PT=450mW)
• High hFE and good linearity
• Complementary to L9015
TO-92
1
1. Emitter 2. Base 3. Collector
Absolute Maximum Ratings Ta=25°C unless otherwise noted
Symbol Parameter Ratings Units
VCBO Collector-Base Voltage 50 V
VCEO Collecto

1.2. sihfl9014.pdf Size:169K _upd-mosfet

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) — 60
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = — 10 V 0.50
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 12
• Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 3.8
• Repetitive Avalanche Rated
• P-Channel
Qgd (nC) 5.1
• Fast Switching
Configuration Single

1.3. irfl9014.pdf Size:222K _international_rectifier

PD — 90863A
IRFL9014
HEXFET Power MOSFET
Surface Mount
Available in Tape & Reel D
VDSS = -60V
Dynamic dv/dt Rating
Repetitive Avalanche Rated
P-Channel
RDS(on) = 0.50?
Fast Switching
G
Ease of Paralleling
ID = -1.8A
S
Description
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
switching, ruggedized device design

1.4. irfl9014pbf.pdf Size:256K _international_rectifier

PD — 95153
IRFL9014PbF
HEXFET Power MOSFET
l Surface Mount
l Available in Tape & Reel D
VDSS = -60V
l Dynamic dv/dt Rating
l Repetitive Avalanche Rated
l P-Channel
RDS(on) = 0.50?
l Fast Switching
G
l Ease of Paralleling
l Lead-Free
ID = -1.8A
S
Descripti?n
Third Generation HEXFETs from International Rectifier
provide the designer with the best combination of fast
switching, rug

1.5. irfl9014 sihfl9014.pdf Size:168K _vishay

IRFL9014, SiHFL9014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) — 60
Surface Mount
RDS(on) (?)VGS = — 10 V 0.50
Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 12
Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 3.8
Repetitive Avalanche Rated
P-Channel
Qgd (nC) 5.1
Fast Switching
Configuration Single
Ease of Paralleli

1.6. l9014slt1g.pdf Size:98K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
L9014QLT1G
FEATURE
Complementary to L9014.
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-L9014QLT1G
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
Series
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
DEVICE MARKING AND ORDERING INF

1.7. l9014tlt1g.pdf Size:99K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
Complementary to L9014.
L9014QLT1G
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
Series
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9014QLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

1.8. l9014rlt1g.pdf Size:99K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
Complementary to L9014. L9014QLT1G
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
Series
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9014QLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

1.9. l9014qlt1g.pdf Size:105K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
L9014QLT1G
Complementary to L9014.
Series
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S-L9014QLT1G
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

Биполярный транзистор KTC9014SC — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KTC9014SC

Маркировка: CBD

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

KTC9014SC

Datasheet (PDF)

1.1. ktc9014sc.pdf Size:651K _update

SEMICONDUCTOR KTC9014SC
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
·Excellent hFE Linearity
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
·Complementary to KTC9015SC.
MAXIMUM RATING (Ta=25℃)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage 80 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage 50 V
VEBO
Emitter-Base Voltag

2.1. ktc9014s.pdf Size:396K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9014S
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
E
L B L
FEATURES
DIM MILLIMETERS
Excellent hFE Linearity
_
A 2.93 0.20
+
B 1.30+0.20/-0.15
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
C 1.30 MAX
2
Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz. 3 D 0.45+0.15/-0.05
E 2.40+0.30/-0.20
Complementary to KTC9015S.
1
G 1.90

3.1. ktc9014.pdf Size:349K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9014
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
·Excellent hFE Linearity
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
N DIM MILLIMETERS
·Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz.
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
·Complementary to KTC9015. G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
_
MAXIMUM RATI

3.2. ktc9014a.pdf Size:343K _kec

SEMICONDUCTOR KTC9014A
TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
B C
FEATURES
·Excellent hFE Linearity
: hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(Typ.).
N DIM MILLIMETERS
·Low Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz.
A 4.70 MAX
E
K
B 4.80 MAX
·Complementary to KTC9015A. G
C 3.70 MAX
D
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
_
MAXIMUM RA

STS9014 Datasheet (PDF)

1.1. gsts9014lt1.pdf Size:221K _upd

GSTS9014LT1
NPN General Purpose Transistor
Product Description Features
This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V
amplifier and switch. Collector Current : 100mA
Lead(Pb)-Free
Packages & Pin Assignments
SOT-23
Pin Description
1 Base
2 Emitter
3 Collector
Marking Information
P/N Package Rank Part Marking
GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.2. sts9014.pdf Size:207K _auk

STS9014
NPN Silicon Transistor
Description
PIN Connection
• General purpose application
C
• Switching application
Features
B
• Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) /
hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.)
• Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz
E
• Complementary pair with STS9015
TO-92
Ordering Information
Type NO. Marking Package Code
STS9014 STS9014 TO-92
A

4.1. sts9013.pdf Size:197K _auk

4.2. sts9012.pdf Size:106K _auk

4.3. sts9015.pdf Size:97K _auk

4.4. sts9018.pdf Size:232K _auk

Биполярный транзистор 2SC9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO-92

2SC9014

Datasheet (PDF)

1.1. 2sc9014.pdf Size:76K _update

Transistors
2SC9014

1.2. 2sc9014.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC9014
DESCRIPTION
·High total power dissipation
·High hFE and good linearity
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for Switching and amplification
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 50 V
CBO
V Coll

4.1. 2sc9013.pdf Size:84K _usha

Transistors
2SC9013
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor

4.2. 2sc9018.pdf Size:77K _usha

Transistors
2SC9018
This datasheet has been downloaded from:
www.DatasheetCatalog.com
Datasheets for electronic components.

KTC9014SC Datasheet (PDF)

1.1. ktc9014sc.pdf Size:651K _update

2.1. ktc9014s.pdf Size:396K _kec

3.1. ktc9014.pdf Size:349K _kec

3.2. ktc9014a.pdf Size:343K _kec

Биполярный транзистор DMBT9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: DMBT9014

Маркировка: J6

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT-23

DMBT9014

Datasheet (PDF)

1.1. dmbt9014.pdf Size:157K _upd

3.1. dmbt9013.pdf Size:144K _upd

3.2. dmbt9018.pdf Size:77K _upd

3.3. dmbt9012.pdf Size:173K _upd

Биполярный транзистор L9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: L9014

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.2
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Корпус транзистора: TO-92

L9014

Datasheet (PDF)

1.1. l9014.pdf Size:127K _upd

1.2. sihfl9014.pdf Size:169K _upd-mosfet

1.3. irfl9014.pdf Size:222K _international_rectifier

1.4. irfl9014pbf.pdf Size:256K _international_rectifier

1.5. irfl9014 sihfl9014.pdf Size:168K _vishay

1.6. l9014slt1g.pdf Size:98K _lrc

1.7. l9014tlt1g.pdf Size:99K _lrc

1.8. l9014rlt1g.pdf Size:99K _lrc

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
NPN Silicon
FEATURE
Complementary to L9014. L9014QLT1G
We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
Series
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site
S-L9014QLT1G
and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
Series
DEVICE MARKING AND ORDERING IN

1.9. l9014qlt1g.pdf Size:105K _lrc

2SC9014 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc9014.pdf Size:76K _update

Transistors
2SC9014

1.2. 2sc9014.pdf Size:222K _inchange_semiconductor

4.1. 2sc9013.pdf Size:84K _usha

Transistors
2SC9013
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor
Downloaded from Elcodis.com electronic components distributor

4.2. 2sc9018.pdf Size:77K _usha

Transistors
2SC9018
This datasheet has been downloaded from:
www.DatasheetCatalog.com
Datasheets for electronic components.

Оцените статью:

S9014 to-92 | Биполярные транзисторы

Код товара :	M-128-7396
Обновление:	2017-06-30
Тип корпуса :	SOT-23

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить S9014 to-92, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

Что еще купить вместе с S9014 to-92 ?

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Сопутствующие товары
Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
7396	S9014 to-92	Транзистор S9014 — Plastic-Encapsulate Transistors NPN, 25V, 50mA, 0.2W, TO-92	1.4 pyб.
1928	S9012 to-92	Транзистор S9012 — PNP Transistor, 40V, 0.5A, TO-92	1.6 pyб.
7055	2N2222 to-92	Транзистор 2N2222A (2N2222) — NPN Transistor 40V, 800mA, 30 MHz, TO-92	1.6 pyб.
9659	Конденсатор 1000uF 25V (JCCON)	Конденсаторы электролитические 1000 мкф 25в (JCCON, 105°C, размер 10×20мм)	6.5 pyб.
9039	Конденсатор 1000uF 16V (JCCON)	Конденсатор электролитический 1000 мкф 16в, LOW ESR, 105°C, 10х17мм, JCCON, радиальные выводы	3.8 pyб.
9803	Конденсатор 1500uF 16V (JCCON)	Конденсаторы электролитические 1500 мкф 16в (JCCON, LOW ESR, 105°C, размер 10х20мм)	6.5 pyб.
7235	BC327	Транзистор BC327 (BC327B, BC327-25) — PNP Transistor 45V, 800mA, TO-92	1.6 pyб.
9804	Конденсатор 100uF 50V (JCCON)	Конденсаторы электролитические 100 мкф 50в (JCCON, LOW ESR, 105°C, размер 8х12мм)	3.2 pyб.
282	TL431A to-92	Микросхемы TL431 (TL431A) — Voltage Regulator IC (источник опорного напряжения), TO-92	3.2 pyб.
1927	S8050 to-92	Транзистор SS8050 (маркировка S8050) — NPN Epitaxial Silicon Transistor 40V, 0.5A	5 pyб.

S9080 транзистор характеристики – Telegraph

S9080 транзистор характеристики

====================================

>> Перейти к скачиванию

====================================

Проверено, вирусов нет!

====================================

Дискретные полупроводники · Высокочастотные полевые канальные транзисторы. на сайте . Схожие по характеристикам.

Характеристики товара. Тип упаковки: Для наружного монтажа. Индивидуальное изготовление: Да. Тип: Полевой транзистор. Бренд: Hyncdz. Состояние: Новое. Партномер: MRF9080S.

РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала HV5 900MHZ 80W. Цена элементаТехнические характеристики / даташит для MRF5S9080NR1.

MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4 MRF5S9080NR1 Дискретные полупроводниковые элементы Каталог РЧ полевые транзисторы.

Цена: Запрос. Описание: РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала HV5 900MHZ 80W.Технические характеристики MRF5S9080NR1.

MRF5S9080NR1 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET). Блок-схема. Группа компонентов.

MRF5S9080NR1 Datasheet. MRF5S9080NR1 — RF Power Field Effect Transistors by FREESCALE. Название/Part No

Транзисторы » Транзисторы NXP / Freescale » MRF5S9080NBR1 РЧ МОП- транзисторы HV5 900MHZ 80W.Характеристики. Максимальная рабочая температура. + 150 C.

MRF5S9080NR1 Даташит datasheet. Технические описания и даташиты микросхем, реле, диодов, генераторов, транзисторов, конденсаторовХарактеристики MRF5S9080NR1. Серия.

модель Изготовитель. MRF5S9080NR1. Описание.РЧ МОП-транзисторы. Техническая спецификация. MRF5S9080NR1.

Вы можете купить MRF5S9080NR1 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней.Характеристики

Главная » Транзисторы » Другие зарубежные производители » MOSFET транзисторы » MRF5S9080NBR1.Характеристики товара: MRF5S9080NBR1.

Параметры и характеристики транзистора S9014, его цоколевка (распиновка), маркировка, отечественные и импортные аналоги, его обозначение на схеме.

Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник.Тип транзистора: MOSFET. Полярность: N. Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 15 W.

Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.Вт. 35. Крутизна характеристики, S. 2.Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров Типы корпусов отечественных транзисторов.

Транзисторы биполярные импортные. Наименование. 2N1112 2N1212 2N1217 2N1711 2N2219A 2N2222.

Новая утечка технических характеристик OnePlus 5. Обзор модема Huawei E8372 с 4g, LTE, WiFi.Опубликовал: Alex в Транзисторы 2013-05-08 0 4,106 Просмотров. Want create site?

Параметры транзистора 2SD880-Y биполярного низкочастотного npn, его основные характеристики и схемы.

MJE13002(13002) при необходимости, можно заменить на любой из транзисторов, превосходящий его по характеристикам.

Навигатор по MOSFET транзисторам, рекомендуемым для новых разработок с сортировкойSupIRBuck™ POL регуляторы напряжения. Общие характеристики. Наим-е. Размер корпуса.

1В340Ф30 Станок токарно-револьверный с ЧПУ. Паспорт, схемы, характеристики, описание

Сведения о производителе токарно-револьверного станка модели 1В340Ф30

Изготовитель токарно-револьверного станка модели 1В340Ф30 — Бердичевский станкостроительный завод «Комсомолец», г. Бердичев, Житомирской область, Украина.

В 1929-1931 гг. на базе предприятия был основан трансмиссионный завод.

В 1932 г. заводу присваивается имя «Комсомолец». В этот период завод освоил выпуск трубопроводно-запорной арматуры и запасных частей.

С 1980 года завод осваивает выпуск новой гаммы токарно-револьверных станков, в состав которой входят автоматизированные станки модели 1Г340П, станки с цикловым программным управлением модели 1Г340ПЦ, станки с числовым программным управлением модели 1В340Ф30 и роботизированные комплексы на их базе.

В 1984 году на заводе начинается выпуск многоцелевых токарно-револьверных станков модели 1П420ПФ40, которые кроме токарной обработки выполняют сверлильно-фрезерную доработку детали за одну установку в патроне.

Станки, выпускаемые Бердичевским станкостроительным заводом

1В340Ф30 Станок токарно-револьверный повышенной точности с ЧПУ. Назначение, область применения

Станок токарно-револьверный 1В340Ф30 с вертикальной инструментальной головкой на крестовом суппорте предназначен для токарной обработки деталей с прямолинейным, ступенчатым и криволинейным профилем из прутка в автоматическом цикле и из штучных заготовок — в полуавтоматическом цикле в условиях серийного и мелкосерийного производств; на нем можно производить обточку, расточку, проточку канавок, подрезку торцов, сверление, зенкерование, развертывание, нарезку резьб плашками и метчиками, а также резцом по программе.

Принцип работы и особенности конструкции станка

Восьмипозицнонная револьверная головка на крестовом суппорте в сочетании с однокоординатным поперечным гидрофицированным суппортом обеспечивает высокие технологические возможности станка, фиксируется с помощью зубчатых полумуфт и управляется гидравликой.

Продольное и поперечное перемещения осуществляются высокомоментными двигателями постоянного тока через шариковые винтовые пары.

Токарно-револьверный станок 1В340Ф30 оснащен оперативной системой управления типа «Электроника НЦ-31».

Станок 1В340Ф30 изготавливается в двух исполнениях:

для обработки прутковых материалов диаметром до 40 мм
для обработки штучных заготовок диаметром до 200 мм.

Зажим и подача прутков, а также зажим штучных заготовок осуществляются гидравлическим механизмом зажима и подачи прутка.

В станке 1В340Ф30 реализована возможность быстрой переналадки с пруткового исполнения для обработки прутковых материалов и в патроне для обработки штучных заготовок, что значительно расширяет его технические возможности.

Зажим и подача прутков, а также зажим штучных заготовок производятся гидравлическим механизмом зажима и подачи прутка.

Наибольшее допускаемое колебание диаметра прутка ±1 мм, штучных заготовок ±3 мм.

Станок обеспечивает точность обработки изделий по 8 квалитету с шероховатостью поверхностей Ra 2,5 мкм. Основные преимущества станка:

конструкция восьмипозиционной револьверной головки обеспечивает высокую жесткость (фиксация головки на плоские зубчатые колеса) и высокое быстродействие;
наличие гидравлического отрезного суппорта позволяет совмещать операцию отрезки или прорезки канавок с другими операциями при обработке детали;
обработка деталей из прутка в автоматическом цикле;
широкий диапазон нарезаемых резьб, включая многозаходные;
крестовый суппорт с вертикальной осью револьверной головки позволяет производить все виды токарной обработки малым числом инструмента;
наличие оперативной системы управления дает возможность рабочему на рабочем месте в ходе обработки первой детали при помощи средств ручного управления и, используя элементы автоматического управления, формировать управляющую программу, позволяющую следующую деталь обрабатывать в автоматическом цикле;
значительно сокращается время на составление и отладку управляющей программы по сравнению с имеющимися станками с ЧПУ.

Станок предназначен для работы в условиях серийного и мелкосерийного производства.

Корректированный уровень звуковой мощности LpA не должен превышать 96 дБА.

Разработчик — Бердичевский станкостроительный завод «Комсомолец».

1В340Ф30 Габарит рабочего пространства станка

Габаритные размеры рабочего пространства станка 1в340ф30

1В340Ф30 Посадочные и присоединительные базы станка. Шпиндель

Посадочные и присоединительные базы станка 1в340ф30

1В340Ф30 Посадочные и присоединительные базы станка. Инстументальная револьверная головка

Посадочные и присоединительные базы станка 1в340ф30

1В340Ф30 Фото токарного станка с ЧПУ

Фото токарного револьверного станка 1в340ф30

1В340Ф30 Фото револьверной головки токарного станка с ЧПУ

Фото токарного револьверного станка 1в340ф30

1В340Ф30 Пульт управления токарного станка с ЧПУ

Пульт управления револьверного станка 1в340ф30

Пульт управления револьверного станка 1в340ф30. Смотреть в увеличенном масштабе

Управление станком может производиться с пульта и от устройства числового программного управления.

Наличие напряжения на пульте станка (рис. 10.13) подтверждается свечением сигнальной лампы 14.

Включение гидропривода осуществляется нажатием кнопки 5.

Перед началом работы переключатель 20 режима работы станка ставится в требуемое положение: наладочный, полуавтоматический и автоматический режимы.

В положении «наладочный режим» станок управляется с помощью кнопок и переключателей, расположенных на пультах станка.

Например, переключателем 2 можно выбрать позицию револьверной головки, а нажатием кнопки 1 осуществить ее поворот; переключателем 18 установить требуемое направление вращения шпинделя, а кнопкой 17 осуществить пуск или кнопкой 15 — останов шпинделя.

На пульте станка имеется кнопка 23 — аварийный стоп, при нажатии которой выключаются все системы станка.

1В340Ф30 Схема кинематическая токарного станка с ЧПУ

Кинематическая схема токарного револьверного станка 1в340ф30

Кинематическая схема токарного револьверного станка 1в340ф30. Смотреть в увеличенном масштабе

Главное движение (вращение шпинделя) осуществляется от двухскоростного электродвигателя M1 мощностью 15 кВт с числом оборотов 4500 через ременную передачу на входной вал со шкивом D2 коробки скоростей 1.

Коробка скоростей имеет четыре вала с зубчатыми колесами, которые попарно находятся в зацеплении, и электромагнитные муфты. Электромагнитные муфты включаются попарно, что обеспечивает ступенчатое изменение частоты вращения выходного вала коробки скоростей. Выходной вал коробки скоростей связан плоскозубчатой передачей со шкивом D1, который передает вращение на шпиндель станка 2. Ступенчатое изменение частоты вращения шпинделя 2 может производиться на холостом ходу и под нагрузкой. Торможение шпинделя осуществляется включением электромагнитных муфт коробки скоростей. Контроль за частотой вращения шпинделя при резьбонарезании осуществляется датчиком обратной связки К1.

Движение подач — продольные и поперечные перемещения револьверного суппорта осуществляются электродвигателями постоянного тока с регулируемым числом оборотов от 0 до 1500 об/мин посредством пар винт — гайка качения с ходом винтов, соответственно, 10 и 5 мм.

В продольном направлении он перемещается винтовой передачей с гайкой качения 7, которая получает вращение через ременную передачу от электродвигателя М2 с регулируемой частотой вращения. Контроль за частотой вращения винтовой пары качения осуществляется датчиком обратной связи КЗ; этим контролируется величина подачи револьверного суппорта.

Поперечное перемещение револьверной головки 5 на револьверном суппорте 6 осуществляется винтовой передачей с гайкой качения 9, которая получает вращение от электродвигателя МЗ с регулируемой частотой вращения. При этом перемещение револьверной головки контролируется датчиком обратной связи К4. Поворот револьверной головки осуществляется гидродвигателем М4 через червячную передачу 4; контроль положения револьверной головки — датчиком обратной связи К2, который связан с ее осью вращения зубчатой передачей.

Быстрые хода (в 8 м/мин) и рабочие подачи (5..600 мм/мин) отрезного суппорта осуществляются при помощи гидравлики.

Гидроцилиндром 3 осуществляются подвод и рабочая подача отрезного суппорта, гидроцилиндром 5 — фиксация револьверной головки в рабочем положении.

1В340Ф30 Установочный чертеж токарного станка

Установочный чертеж токарного револьверного станка 1в340ф30

Читайте также: Производители токарных станков в России

Читайте также: Поколения систем ЧПУ. Термины и понятия систем ЧПУ

1В340Ф30 Станок токарно-револьверный с числовым программным управлением (ЧПУ). Видеоролик.

Технические характеристики станка 1В340Ф30

Наименование параметра	1В340Ф30
Основные параметры станка
Обозначение системы ЧПУ	НЦ-31
Наибольший диаметр обрабатываемого изделия над станиной, мм	400
Наибольший диаметр обрабатываемого прутка на переднем зажиме, мм	50
Наибольший диаметр обрабатываемого прутка в зажимной и подающей трубе, мм	40
Диаметр отверстия в шпинделе, мм
Наибольшая длина изделия устанавливаемого в центрах (РМЦ), мм	120
Шпиндель
Мощность двигателя главного движения, кВт	6
Количество рабочих скоростей шпинделя	12
Пределы чисел оборотов шпинделя, об/мин	45…2000
Частота вращения шпинделя в I диапазоне, об/мин	45…1400
Частота вращения шпинделя во II диапазоне, об/мин	63…2000
Пределы чисел оборотов шпинделя (обратное вращение), об/мин	45…250
Конец шпинделя фланцевый по ГОСТ 12595-75	1-6Ц
Наибольший крутящий момент на шпинделе не менее, Нм (кг*м)	40
Подачи
Наибольшее перемещение револьверного суппорта: продольное (Z) / поперечное (X), мм	310/ 110
Диапазон скоростей продольных и поперечных подач револьверного суппорта, мм/мин	1..2500
Число подач револьверного суппорта	б/с
Скорость быстрых продольных/ поперечных ходов, м/мин	10/ 5
Диапазон скоростей продольных и поперечных подач отрезного суппорта, мм/мин	5..600
Число подач отрезного суппорта	б/с
Скорость быстрых ходов отрезного суппорта, м/мин	8
Количество позиций (инструментов) в револьверной головке	8
Наибольшее усилие продольных/ поперечных подач, кгс	600/ 300
Параметры системы ЧПУ
Обозначение системы ЧПУ	НЦ-31
Число координат	2
Количество одновременно управляемых координат	2
Дискретность задания координат в продольном/ поперечном направлении (дискретность задания по оси Z, X)	0,001
Электрооборудование станка
Количество электродвигателей на станке, кВт	6
Электродвигатель главного привода, кВт	6
Электродвигатель продольных подач, кВт	1,5
Электродвигатель поперечных подач, кВт	1,5
Электродвигатель станции смазки, кВт	0,37
Электродвигатель гидростанции, кВт	2,2
Электродвигатель насоса охлаждения, кВт	0,12
Электродвигатель инструментальной головки, кВт
Суммарная мощность электродвигателей, кВт	11,69
Суммарная мощность станка, кВт
Габариты и масса станка
Габаритные размеры станка с ЧПУ (длина, ширина, высота), мм	2840 1770 1670
Масса станка с ЧПУ, кг	3600

Список литературы:

Станок токарно-револьверный с вертикальной головкой на крестовом суппорте, с ОСУ, повышенной точности 1В340Ф30. Руководство по эксплуатации 1В340Ф30.00.000 РЭ, 1987

Богуславский Б.Л. Токарные полуавтоматы, автоматы и автоматические линии, 1961
Волкевич Л.И., Кузнецов М.М., Усов Б.А. Автоматы и автоматические линии, 1976
Зазерский Е.И., Митрофанов Н.Г., Сахновский А.Г. Справочник молодого наладчика токарных автоматов и полуавтоматов, 1987
Итин А.М., Родичев Ю.Я. Наладка и эксплуатация токарных многошпиндельных полуавтоматов, 1977
Камышный Н.И., Стародубов В.С. Конструкция и наладка токарных автоматов и полуавтоматов, 1975
Лисовой А.И. Устройство, наладка и эксплуатация металлообрабатывающих станков и автоматических линий, 1971
Пожитков А.Я., Сафро И.Д. Наладка одношпиндельных токарных автоматов. Справочное пособие,1978
Проников А.С. Металлорежущие станки и автоматы,1981
Фещенко В.Н. Обработка на токарно-револьверных станках, 1989
Фомин С.Ф. Устройство и наладка токарно-револьверных станков, 1976

Связанные ссылки. Дополнительная информация

9014 Транзистор — 50В, 0,1А, NPN, ТО-92

Этот пост объясняет транзистор 9014 .

Номер детали: 9014.

Пакет ТО-92 Тип

Назначение этого транзистора — кремниевый NPN-транзистор.

Производители: Wing Shing Computer Components

Изображение

Описание: Кремниевый NPN транзистор

Характеристики

1. Рассеиваемая мощность, PCM: 0,4 Вт Tamb = 25
2.Ток коллектора, ICM: 0,1 А
3. Напряжение коллектор-база, В (BR) CBO: 50 В

Распиновка

Абсолютные максимальные значения (Ta = 25 ° C)

1. Напряжение от коллектора к базе: Vcbo = 50 В
2. Напряжение от коллектора к эмиттеру: Vceo = 45 В
3. Напряжение от эмиттера к базе: Vebo = 5 В
4. Ток коллектора: Ic = 100 мА
5. Всего Рассеивание: Pc = 450 мВт
6. Температура перехода: Tj = 150 ° C
7. Температура хранения: Tsg = -55 ~ + 150 ° C

Приложения

: предусилитель, низкий уровень и низкий уровень шума

Лист данных транзистора 9014

Сообщения, связанные с «NPN»

Каталожный номер	Описание
BUH515D	VCBO = 1500 В, силовой транзистор NPN
C2610	300 В, 100 мА, транзистор NPN — Hitachi
BF195	NPN Транзистор
3DD13009	Vcbo = 700 В, транзистор NPN
C5339	Vcbo = 1500 В, транзистор NPN
JC107	JC107 — сисиконовый npn-транзистор
KTD1304	VEBO = 12 В, транзистор кремниевый NPN
J6806D	1500 В, транзистор NPN — Fairchild
BC109	0.Транзистор 2А, 25В, NPN — Multicomp
2SD1885	Vcbo = 1500 В, транзистор NPN — Sanyo

Статьи по теме в Интернете

9014 datasheet — Кремниевый транзистор NPN

ICS9169C-22 : Clock Circuits. Генератор частоты для систем на базе Pentium (TM). Это недорогой частотный генератор, разработанный специально для систем на базе процессоров Pentium. Встроенный буфер минимизирует перекос и обеспечивает все необходимые тактовые частоты.Генератор XTAL 14,318 МГц обеспечивает опорную частоту для генерации стандартных частот Pentium. Тактовая частота ЦП постепенно меняет частоту, не нарушая синхронизации ФАПЧ.

IDT72221 : CMOS Syncfifoo 64 X 9, 256 X 9, 512 X 9, 1024 X 9, 2048 X 9 и 4096 X 9.

OM1327N2M : 3-контактный отрицательный стабилизатор высокого напряжения с регулируемым напряжением. РЕГУЛЯТОР ОТРИЦАТЕЛЬНОГО РЕГУЛИРУЕМОГО НАПРЯЖЕНИЯ 1,5 А, УТВЕРЖДЕННЫЙ ПО ОПИСАНИЮ ЧЕРТЕЖА 7703408 Трехконтактный прецизионный регулируемый регулятор отрицательного напряжения в герметичных корпусах (LM137AHV), аналогичный отраслевому стандарту LM137AHV, утвержден для DESC.

SPP80N06S2L-11 : например, OptiMOS®. Функция Режим расширения Уровень логики Максимальные номинальные значения dv / dt, номинальное значение для лавин, = 25 C, если не указано иное Обозначение Температурные характеристики Параметр Характеристики Термическое сопротивление, переход — корпус Тепловое сопротивление, переход — окружающая среда, версия SMD с выводами, устройство на печатной плате: электрические характеристики = 25 C, если не указано иное Параметр.

TS68020 : Военная и авиакосмическая промышленность-> микропроцессоры с высоким коэффициентом защиты.Hcmos 32-битная виртуальная память Mpu, 16/20/25 МГц.

CDB4245 : стереофонический аудиокодек 104 дБ, 24 бита, 192 кГц. Многобитный дельта-сигма-модулятор 104 дБ Динамический диапазон -90 дБ THD + N до 192 кГц Частота дискретизации Односторонняя аналоговая архитектура Регулировка громкости с плавным изменением уровня Многобитный дельта-сигма-модулятор 104 дБ Динамический диапазон -95 дБ THD + N Стерео 6: 1 входной мультиплексор Усилитель с программируемым коэффициентом усиления (PGA) Размер шага 0,5 дБ, переход через нуль, переходы без щелчков, усиление 12 дБ ,.

EKRE100ESS150MD05D : Миниатюрные алюминиевые электролитические конденсаторы.@ Высота 5 мм, при 105 ° C @ стойкий к растворителям (см. МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ И РЕКОМЕНДАЦИИ) @ Бессвинцовая конструкция согласно F6.3) Категория Диапазон температур Номинальный диапазон напряжения Допуск по емкости Коэффициент рассеяния тока утечки (tane) Низкотемпературные характеристики (макс. Коэффициент импеданса ) Долговечность 50 В пост. Тока P20% (М) (при или 3 мА, в зависимости от того, что больше. Где, I: Макс. Ток утечки.

35NW533M5X5 : Миниатюрные алюминиевые электролитические конденсаторы.

BCM2050 : Эталонный дизайн клиента Airforce 54G 802.11a / b / g PCI Express.Клиентское решение IEEE 802.11a / g CMOS MAC / Baseband с BroadRangeTM для соединений PCI Express. Гибкая конструкция обеспечивает решение 802.11a / g в сочетании с подходящим радиомодулем. Архитектура DSP снижает мощность, необходимую для передачи данных, на 30%. Низкое энергопотребление увеличивает время автономной работы устройств Wi-Fi, поддерживает беспроводной форм-фактор (WFF) PCI Express.

935C2W10K-F : Металлизированные полипропиленовые пленочные конденсаторы с осевыми выводами, тип 935. Конденсаторы из металлизированной полипропиленовой пленки с осевыми выводами Тип 935 Конденсаторы для источников питания и сильноточных цепей Конденсаторы из металлизированного полипропилена с осевыми выводами типа 935 предназначены для входной фильтрации импульсных источников питания 20-100 кГц, блокировки постоянного тока и выходных фильтров, где большой ток и высокая емкость и низкие значения СОЭ важны.

AIC1620COTR : Высокоэффективный синхронный повышающий преобразователь постоянного / постоянного тока. Высокоэффективный синхронный повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный AIC1620 / AIC1621 / AIC1622 — это высокоэффективный повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный. Пусковое напряжение составляет всего 0,8 В, а входное напряжение — 0,7 В. Потребляет всего 20А тока покоя. Эти устройства имеют встроенный синхронный выпрямитель, который уменьшает размер и стоимость за счет устранения необходимости.

ADPFF3B14AC : переключатели мгновенного действия общего назначения./ Преимущества Низкая стоимость — высокая производительность Длительный срок службы электричества Доступен вариант с однополюсным и двухполюсным приводом Типичные области применения Оборудование для шкафов Устройства для открывания гаражных ворот Торговые автоматы НОМИНАЛ ДЛЯ КОНТАКТОВ: от низкого уровня * до 30,1 А, 277 В переменного тока. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СРОК СЛУЖБЫ: 75 000 циклов при 25 А, 250 В переменного тока, 200 000 циклов при 15 А, 250 В переменного тока. ИЗОЛЯЦИОННОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ:.

M37530T-PTC : Преобразователь для подключения 42-контактного MCU эмулятора типа RSS к 32-контактному SDIP с шагом 1,778 мм (для групп 7531, 7540, 7542 и 7544).

LZ1-10CW03 : Светодиоды высокой мощности — белый холодный белый, 5500K 170 лм, 700 мА. »» »Светодиоды для общего освещения Это охватывает очень широкую группу, включая приложения, в которых светодиодное освещение может использоваться вместо обычных источников освещения. s: Производитель: LedEngin; Категория продукта: Светодиоды высокой мощности — белые; RoHS: подробности; Освещение.

SSC-770A : Картридж для паяльных инструментов, длина 1,78 мм (0,07 дюйма). S: Производитель: OK International; Категория продукта: Паяльные инструменты; RoHS: Подробности; Размер наконечника: 0.07 дюйм; Тип: Паяльные жала с долотом; / Назначение: Пайка картриджа с длинным долотом, серия 700 0,07 дюйма

D38999 / 26WC35SBL : Алюминий, оливковое покрытие с кадмиевым покрытием, свободно висящие (линейные) круглые — соединители корпуса, соединительный штекер для гнездовых контактов; CONN HSG РАЗЪЕМ 22POS STRGHT SCKT. s:: экранированный; Упаковка: навалом; Тип разъема: штекер для женских контактов; Тип крепления: Свободный подвес (рядный); Размер корпуса — Вставка: 13-35; Тип контакта: обжимной; Тип крепления: резьбовое.

AB1521001412PN00 : ЦИРКУЛЯРНЫЙ СОЕДИНИТЕЛЬ. s: Области применения: круглые / цилиндрические разъемы.

TK8A50D : 8 А, 500 В, 0,85 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 500 вольт; rDS (вкл.): 0,8500 Ом; Тип корпуса: ROHS COMPLIANT, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN; Количество блоков в ИС: 1.

Br 9014 транзистор pdf

Страница 2 из 4 электрические характеристики t ambient25.Условия установки v напряжение пробоя коллектора передатчика brcbo 20 i v c1ma, ib0 v напряжение пробоя базы коллектора brcbo 40 v ic0. A, i e0 50 В напряжение пробоя коллектора передатчика v br ceo ic 0. S9014 datasheet, s9014 pdf, s9014 data sheet, s9014 manual, s9014 pdf, s9014, datenblatt, electronics s9014, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet.

Базовое напряжение 2n5550 2n5551 vcbo 160 180 vdc эмиттер. A, i e0 50 v напряжение пробоя коллектора передатчика v brceo ic 0. C9014 datasheet, 2sc9014 pdf npn 50v транзистор usha, c9014 datasheet, c9014 pdf, c9014 распиновка, данные, схема, ic, руководство, заменитель, эквивалент.A, i c0 5 v ток отсечки коллектора i cbo v cb50 v, i e0 0. Коллектор 1 2 3 электрические характеристики параметр коллектор-база напряжение пробоя коллектор-передатчик. S9014 — это эпитаксиальный кремниевый планарный транзистор npn, предназначенный для использования в схемах выходного аудиосигнала и преобразователя-инвертора. Параметр коллектор-база пробойное напряжение коллектор-эмиттер пробивное напряжение эмиттер-база пробивное напряжение коллектор отсечка. Mcc s9014b микрокоммерческие компоненты tm 20736 marilla street chatsworth s9014c микрокоммерческие компоненты ca 911 phone.Абсолютные максимальные номинальные значения максимальная температура хранения 555. Условия установки v br ceo напряжение пробоя коллектора передатчика 20 i v c1ma, ib0 v br cbo напряжение пробоя коллекторной базы 40 v ic0. Напряжение эмиттера 2n5550 2n5551 vceo 140 160 vdc коллектор. Страница 2 из 4 электрические характеристики t ambient 25. Маркировка радиодеталей, коды smd br, br, br.

Ic перекрестная ссылка перекрестная ссылка ci stk перекрестная ссылка ci tda перекрестная ссылка ci четкая перекрестная ссылка Hitachi аудио перекрестная ссылка и схемы приложения SMD перекрестная ссылка и эквивалент Мы прилагаем все усилия, чтобы обеспечить точность материалов на этом сайте, однако мы делаем не гарантируют и не заявляют, что информация является бесплатной.В качестве дополнительного типа рекомендуется pnp-транзистор ch 9015. По специальному запросу эти транзисторы могут быть изготовлены с различной конфигурацией выводов. Абсолютные максимальные рейтинги ta25c, если не указано иное.

У них в наличии несколько разновидностей по гроши каждая. В качестве дополнительного типа рекомендуется использовать pnp-транзистор st 9015. K170 datasheet, k170 pdf, распиновка k170, аналог, замена 2sk170 toshiba, схема, схема, инструкция. Характеристики рассеиваемой мощности pcm w tamb25 ток коллектора a icm.Общие характеристики транзистора pnp кремния это устройства без pbfree максимальные номинальные характеристики номинальный символ значение единица измерения напряжение передатчика vceo60 vdc напряжение базы коллектора vcbo60 vdc напряжение базы эмиттера vebo5. Br 9014 транзистор st 9014 c br 9014 c c транзистор 9014 br 9014 c транзистор v. Температурная пайка выводов, даташит 9014, даташит 9014, 9014 pdf, схема 9014. Br ebo i e100ma, i c0 5 В ток отсечки коллектора i cbo v cb60v, i e0 0. Транзистор подразделяется на четыре группы, a, b, c и d, в соответствии с коэффициентом усиления по постоянному току.Полную техническую информацию можно найти в таблице данных в конце этой страницы. To92 Пластиковые капсулы транзисторов s9014 транзистор npn особенности z 2. S9014 datasheet vcbo50v, npn транзистор Fairchild, s9014 pdf, распиновка s9014, руководство s9014, схема s9014, эквивалент s9014, данные s9014. Коллекторный npn эпитаксиальный кремниевый транзистор Абсолютные максимальные значения ta25c, если не указано иное, обозначение номинальных значений параметров единиц vcbo collector1.

Коллектор 123 электрические характеристики параметр коллектор-база напряжение пробоя коллектор-передатчик напряжение пробоя эмиттер-база пробивное напряжение коллектор ток отсечки ток отсечки коллектора ток отсечки эмиттера.Техническое описание S9014, перекрестная ссылка, примечания к схемам и применению в формате. Br 9014 c. Техническое описание транзистора, перекрестная ссылка, примечания к схемам и применению в формате pdf. S представляет собой эпитаксиальный кремниевый планарный транзистор npn, предназначенный для использования в схемах выходного аудиосигнала и преобразователя-инвертора. Это техническое описание содержит технические характеристики для.

Условия установки v br ceo напряжение пробоя коллектора передатчика 25 v ic0. Nte123ap кремниевый транзисторный усилитель звука npn-типа, переключатель соответствует абсолютным максимальным номинальным значениям nte159.C9014, c9014 datasheet, c9014 npn малосигнальный транзистор, купить транзистор c9014. St 9014 npn кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор для коммутации и применения в усилителях низкой частоты. Кремниевый транзистор Wings npn, все данные, технические данные, поисковый сайт электронных компонентов и. Ss9014 npn эпитаксиальный кремниевый транзистор Mouser Electronics. Найдите качественные транзисторные блоки питания s9014, транзисторы. Бесплатные устройства, максимальные рейтинги, рейтинг, символ, единица измерения, коллектор. Транзисторы усилителя bc546b, bc547a, b, c, bc548b, c.C представляет собой малосигнальный npn-транзистор общего назначения, используемый для коммутации. Таблица данных печатается только для справочной информации. Распиновка биполярного npn-транзистора ss9014, аналог, характеристики. Напряжение пробоя эмиттер-база vbrebo5 v ie 50a, i c0.

A3, май 2002 г. ss9014 npn эпитаксиальный кремниевый транзистор абсолютные максимальные значения ta25c, если не указано иное, электрические характеристики ta25c, если иное не указано единиц измерения параметров символа классификации hfe. Sts9014 npn кремниевый транзистор 7 описание универсальное приложение переключения приложений отличается превосходной линейностью hfe.Полупроводниковый транзистор, диод, перекрестная ссылка на микросхему. Коллектор комплементарен с9015 до максимальных рейтингов та25. St 9015 кремниевый планарный эпитаксиальный транзистор pnp для коммутации и применения в усилителях низкой частоты. Техническое описание транзистора C9014 epub загрузить 17 dec c техническое описание, 2sc pdf npn 50v транзистор usha, техническое описание c, c pdf, распиновка c, данные, схема.

Nte123ap кремниевый транзисторный усилитель звука npn, переключатель. A, февраль 2000 г. ss9015 pnp эпитаксиальный кремниевый транзистор абсолютные максимальные значения ta25c, если не указано иное, электрические характеристики ta25c, если не указано иное, единицы измерения параметров символа классификации hfe.Pdf 25 кГц an946b br 9014 транзистор an946b fd9014 br 9014 c корпус транзистора высокой мощности класса d. S9014 транзистор npnfeatureshigh общая мощность рассеивания. Электрические характеристики tamb25, если не указано иное. Доступны бесплатные пакеты максимальные номинальные значения номинальный символ значение единица коллектор-эмиттер напряжение bc546 bc547 bc548 vceo 65 45 30 vdc базовое напряжение коллектора bc546 bc547 bc548 vcbo 80 50 30 vdc базовое напряжение эмиттера vebo 6. Если вы ищете этот транзистор, ознакомьтесь с электроникой mouser по адресу .Bc546b, bc547a, b, c, bc548b, c транзисторы усилителя npn кремниевые особенности pb. В качестве дополнительного типа рекомендуется транзистор npn st 9014. Транзистор C945 npn отличается превосходной линейностью и низким уровнем шума.

S9014 datasheet, s9014 pdf, s9014 datasheet, s9014 manual, s9014 pdf, s9014. Ch 9014 npn кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор для коммутации и применения в усилителях низкой частоты. Транзисторы общего назначения pn2907a adafruit Industries. Условия установки vbrceo напряжение пробоя коллектора передатчика 25 В ic0.C, если не указано иное выкл. Характеристики символ описание мин. Классификация рангового диапазона hfe1 120200 200350 300400 электрические характеристики tamb250c, если не указано иное, тип макс 0. Npn-транзистор средней мощности имеет сильноточное низкое напряжение насыщения, дополнение к приложениям 2sb772, регулятор напряжения, драйвер реле, общий переключатель, усилитель мощности звука, преобразователь постоянного тока, описание, устройство является транзистором npn. изготовлены с использованием планарной технологии, в результате чего получаются прочные высокопроизводительные устройства.

Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, три вывода выходят из транзистора. Техническое описание транзистора C9014 epub загрузить 17 dec c техническое описание, 2sc pdf npn 50v транзистор usha, техническое описание c, c pdf, c распиновка, данные, схема, микросхема, руководство, заменитель. Спецификация продукции bl galaxy электрическая кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор s9014 номер документа. Техническое описание транзистора Br 9014, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf. Транзистор S9014 npn имеет знак z, дополняющий маркировку s9015.

502950497 79 1053 3 1466 1484349400335335 1493 543 300 1344 340 697 78 1499 1003 1093 415 789 1423 702550 1231 1262 1091 288 1281 1039 751 1064 199 1276 1453 46782 101210 1178 397794

% PDF-1.4 % 103 0 объект > эндобдж xref 103 176 0000000016 00000 н. 0000003872 00000 н. 0000003967 00000 н. 0000004570 00000 н. 0000007661 00000 н. 0000007702 00000 н. 0000007759 00000 н. 0000007940 00000 п. 0000007981 00000 п. 0000008011 00000 н. 0000008068 00000 н. 0000008249 00000 н. 0000008437 00000 н. 0000008617 00000 н. 0000009094 00000 н. 0000009281 00000 п. 0000009902 00000 н. 0000010097 00000 п. 0000010210 00000 п. 0000010302 00000 п. 0000010614 00000 п. 0000010637 00000 п. 0000012180 00000 п. 0000012203 00000 п. 0000013464 00000 п. 0000014680 00000 п. 0000014878 00000 п. 0000014901 00000 п. 0000016482 00000 п. 0000016504 00000 п. 0000017577 00000 п. 0000018797 00000 п. 0000019240 00000 п. 0000019470 00000 п. 0000019701 00000 п. 0000019905 00000 п. 0000020109 00000 п. 0000021329 00000 п. 0000021560 00000 п. 0000022787 00000 п. 0000024014 00000 п. 0000024037 00000 п. 0000025360 00000 п. 0000025383 00000 п. 0000027011 00000 п. 0000028231 00000 п. 0000028435 00000 п. 0000028639 00000 п. 0000029859 00000 п. 0000029882 00000 н. 0000031644 00000 п. 0000032149 00000 п. 0000032671 00000 п. 0000032694 00000 п. 0000034391 00000 п. 0000034816 00000 п. 0000035079 00000 п. 0000035762 00000 п. 0000036445 00000 п. 0000036870 00000 п. 0000037388 00000 п. 0000037595 00000 п. 0000037854 00000 п. 0000038115 00000 п. 0000038960 00000 п. 0000042348 00000 п. 0000042389 00000 п. 0000043186 00000 п. 0000045864 00000 п. 0000048542 00000 п. 0000064698 00000 п. 0000067376 00000 п. 0000069267 00000 п. 0000069290 00000 п. 0000070091 00000 п. 0000071187 00000 п. 0000071209 00000 п. 0000071250 00000 п. 0000071329 00000 п. 0000071407 00000 п. 0000071485 00000 п. 0000071563 00000 п. 0000071641 00000 п. 0000071719 00000 п. 0000071797 00000 п. 0000072222 00000 п. 0000072905 00000 п. 0000073168 00000 п. 0000073593 00000 п. 0000074276 00000 п. 0000074539 00000 п. 0000074964 00000 п. 0000075647 00000 п. 0000075910 00000 п. 0000076335 00000 п. 0000077018 00000 п. 0000077277 00000 п. 0000077702 00000 п. 0000078385 00000 п. 0000078644 00000 п. 0000079069 00000 п. 0000079752 00000 п. 0000080011 00000 п. 0000080436 00000 п. 0000081119 00000 п. 0000081378 00000 п. 0000081803 00000 п. 0000082486 00000 п. 0000082745 00000 п. 0000083170 00000 п. 0000083853 00000 п. 0000084112 00000 п. 0000084537 00000 п. 0000085220 00000 п. 0000085479 00000 п. 0000085557 00000 п. 0000085635 00000 п. 0000085713 00000 п. 0000085791 00000 п. 0000085869 00000 п. 0000085947 00000 п. 0000086372 00000 п. 0000087055 00000 п. 0000087318 00000 п. 0000087743 00000 п. 0000088426 00000 п. 0000088689 00000 п. 0000089114 00000 п. 0000089797 00000 п. 00000 00000 п. 0000090485 00000 н. 0000091168 00000 п. 0000091427 00000 н. 0000091852 00000 п. 0000092535 00000 п. 0000092794 00000 н. 0000093219 00000 п. 0000093902 00000 п. 0000094161 00000 п. 0000094586 00000 п. 0000095269 00000 п. 0000095528 00000 п. 0000095953 00000 п. 0000096636 00000 п. 0000096895 00000 п. 0000097320 00000 н. 0000098003 00000 п. 0000098262 00000 п. 0000098687 00000 п. 0000099370 00000 н. 0000099629 00000 н. 0000100054 00000 н. 0000100737 00000 н. 0000100996 00000 н. 0000101421 00000 н. 0000102104 00000 п. 0000102363 00000 н. 0000102788 00000 н. 0000103471 00000 п. 0000103730 00000 н. 0000104155 00000 н. 0000104838 00000 н. 0000105097 00000 н. 0000105522 00000 н. 0000106205 00000 н. 0000106464 00000 н. 0000106889 00000 н. 0000107572 00000 н. 0000107835 00000 н. 0000108260 00000 п. 0000108943 00000 н. 0000109204 00000 н. 0000109722 00000 н. 0000110567 00000 п. 0000004115 00000 п. 0000004548 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 104 0 объект > эндобдж 105 0 объект > / Кодировка> >> / DA (/ Helv 0 Tf 0 г) >> эндобдж 277 0 объект > транслировать Hb«g`f`g`ed @

Business, Office & Industrial 100 x bc848b SMD Transistor NPN 45v 0,5a 250mw Code 1kp SOT-23 Transistors

Business, Office & Industrial 100 x bc848b SMD Transistor NPN 45v 0, Транзисторы SOT-23 5a 250 мВт Code 1kp

Дом
Бизнес, офис и промышленность
Электрооборудование и расходные материалы
Электронные компоненты и полупроводники
Полупроводники и активные компоненты
Транзисторы
100 x bc848b Транзистор SMD NPN 45v 0,5a 250mw Код

Транзистор NPN 45v 0,5a 250mw Код 1kp SOT-23 100 x bc848b SMD, стабильные характеристики, подходит для современных применений коммутационных плат, с различными электронными продуктами, SMD9014 (J6) Транзистор SOT-23 NPN General New Transistor 100pcs, — Полярность: NPN, 100-компонентный триодный транзистор SMD, — Характеристики: малый размер SMD 9014, самая лучшая цена, разумный выбор, подлинные товары продаются в Интернете, непревзойденные цены, безопасный и надежный заказ.0,5a 250 мВт Код 1kp SOT-23 100 x bc848b SMD-транзистор NPN 45v, 100 x bc848b SMD-транзистор NPN 45v 0,5a 250 мВт Код 1kp SOT-23.

Количество:: 100: UPC:: Не применяется. с разнообразными электронными продуктами, стабильными характеристиками, — Полярность: NPN, неоткрытый и неповрежденный товар в оригинальной розничной упаковке. подходит для современных приложений на коммутационной плате. Состояние :: Новое: Совершенно новый, J6, где применима упаковка, 5a 250 мВт Код 1kp SOT-23, — Характеристики: SMD 9014 малый размер, ISBN:: Не применяется: EAN:: Не применяется.100 x bc848b SMD Transistor NPN 45v 0. Он может быть доставлен не в розничной упаковке, Transistor SOT-23 NPN General New Transistor 100pcs, Основной цвет:: Черный: MPN:: Не применяется, Дизайнер / Бренд:: Unbranded: Unit Размер: как описано, если товар идет напрямую от производителя. SMD9014, например, обычная или незапечатанная коробка или пластиковый пакет, неиспользованный, см. Список продавца для получения полной информации. Материал: Мульти: Страна / регион производства: Китай. См. Все определения условий: Торговая марка: Триодный SMD-транзистор 100 шт. Других производителей.

100 кс бк848б СМД транзистор НПН 45в 0,5а 250 мвт код 1кп СОТ-23

БИЛИН S9014

Загрузить

БИЛИН С9014

Открыть как PDF

Похожие страницы

БИЛИН С9013

БИЛИН С8550

БИЛИН С8050

БИЛИН S9013W

2SC1815 pdf

Эпитаксиальный плоский транзистор 2SC945 кремния BL Galaxy электрический

БИЛИН SS8050

БИЛИН SS8550

БИЛИН 2SC2411

Эпитаксиальный плоский эпитаксиальный плоский транзистор СС8050В кремния галактики БЛ электрический

БИЛИН КТК3875

БИЛИН 2SC5343

Планарный транзистор 2СА1797 кремния ПНП галактики БЛ электрический эпитаксиальный

БИЛИН 2SC5344

БИЛИН SS8050W

БИЛИН ФММТ491

БИЛИН 2SC4102W

БИЛИН SS8550W

БИЛИН С9016

БИЛИН КТЦ3876

БИЛИН ФММТ591

БИЛИН С9018

dtsheet © 2021 г.
О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь
S9014 Лист данных.Www.s manuals.com. Galaxy

Руководство пользователя: Маркировка электронных компонентов, коды SMD J6, J6-, J6 — ***, J6 = ***, J6A, J6B, J6S. Даташиты M1MA174, RT9166A-18PX, RT9818A-18GV, RT9818A-18PV, S9014, S9014W, ZC835, ZC835A, ZC835B.

Непосредственное открытие PDF: Просмотр PDF.
Количество страниц: 5

BL Galaxy Electrical Спецификация продукции Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор ОСОБЕННОСТИ z Дополняет S9015. z Превосходная линейность HFE. z Рассеяние мощности.(ПК = 0,2 Вт) S9014 Pb Без свинца ПРИЛОЖЕНИЯ z Низкий уровень и низкий уровень шума для каждого усилителя. СОТ-23 ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Тип № Маркировка S9014 Код пакета J6 СОТ-23 МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ @ Ta = 25 ℃, если не указано иное Условное обозначение Параметр Ценить Единицы VCBO Напряжение коллектор-база 50 V VCEO Напряжение коллектор-эмиттер 45 V ВЭБО Напряжение эмиттер-база 5 V IC Ток коллектора - непрерывный 100 мА ПК Коллектор Диссипация 200 мВт Tj, Tstg Температура перехода и хранения -55 ~ 150 ℃ Номер документа: BL / SSSTC083 Ред.А www.galaxycn.com 1 BL Galaxy Электрические Спецификация продукции Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор S9014 ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ @ Ta = 25 ℃, если не указано иное Параметр Условное обозначение Условия испытаний MIN Напряжение пробоя коллектор-база V (BR) CBO IC = 100 мкА, IE = 0 50 V Напряжение пробоя коллектор-эмиттер V (BR) генеральный директор IC = 0,1 мА, IB = 0 45 V Напряжение пробоя эмиттер-база V (BR) EBO IE = -100 мкА, IC = 0 5 V Ток отключения коллектора ICBO VCB = 50 В, IE = 0 0,1 мкА Ток отключения коллектора ICEO VCE = 35 В, IB = 0 0.1 мкА Ток отключения эмиттера IEBO VEB = 3V, IC = 0 0,1 мкА Коэффициент усиления постоянного тока hFE VCE = 5 В, IC = 1 мА Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE (сб) IC = 100 мА, IB = 5 мА 0,3 V Напряжение насыщения база-эмиттер VBE (сб) IC = 100 мА, IB = 5 мА 1 V Частота перехода fT VCE = 6 В, IC = 20 мА f = 30 МГц КЛАССИФИКАЦИЯ ИЗ Классифицировать Диапазон Номер документа: BL / SSSTC083 Rev.A ТИП 200 МАКСИМУМ ЕД. ИЗМ 1000 150 МГц hFE (1) L ЧАС 200-450 450–1000 www.galaxycn.com 2 BL Galaxy Электрические Спецификация продукции Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор S9014 ТИПИЧНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ @ Ta = 25 ℃, если не указано иное Номер документа: BL / SSSTC083 Ред.А www.galaxycn.com 3 BL Galaxy Электрические Спецификация продукции Кремниевый эпитаксиальный планарный транзистор S9014 ОПИСАНИЕ ПАКЕТА Пластиковый корпус для поверхностного монтажа СОТ-23 СОТ-23 Тусклый Мин. Максимум А 2,85 2,95 B 1,25 1,35 C 1.0 Типичный D 0,37 0,43 E 0,35 0,48 грамм 1,85 1,95 ЧАС 0,02 0,1 J K 0,1 Типичный 2.35 2,45 Все размеры указаны в мм. ОТПЕЧАТКИ ПАЙКИ Единица измерения: мм УПАКОВКА ИНФОРМАЦИЯ Устройство Упаковка Перевозки S9014 СОТ-23 3000 / Лента и катушка Номер документа: BL / SSSTC083 Rev.A www.galaxycn.com 4 www.s-manuals.com

Источник данных Exif:
Тип файла: PDF Расширение типа файла: pdf Тип MIME: приложение / pdf Версия PDF: 1.4 Линеаризованный: Нет XMP Toolkit: Adobe XMP Core 4.0-c316 44.253921, вс, 01 октября 2006 г., 17:14:39 Производитель: Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows) Инструмент для создания: PScript5.dll версии 5.2 Дата изменения: 2012: 11: 22 01: 47: 17 + 02: 00 Дата создания: 2008: 01: 18 11: 36: 07 + 08: 00 Дата метаданных: 2012: 11: 22 01: 47: 17 + 02: 00 Формат: заявка / pdf Название: S9014 - Datasheet.www.s-manuals.com. Создатель: Тема: S9014 - Лист данных. www.s-manuals.com. Идентификатор документа: uuid: dffb1858-27f1-42de-b954-a754f59bea85 Идентификатор экземпляра: uuid: 79b1bcad-ca78-4a98-adaa-d08735877d46 Количество страниц: 5 Ключевые слова: S9014, -, Datasheet., Www.s-manuals.com. Предупреждение: [Незначительное] Игнорирование дублирующего информационного словаря.
EXIF Метаданные предоставлены EXIF.инструменты .

No related posts.

S9014 транзистор характеристики и его российские аналоги

Распиновка

Характеристики

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Электрические параметры

Классификация H

Аналоги

Комплементарная пара

Маркировка

Применение

Безопасность при эксплуатации

Производители

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

S9014 Datasheet (PDF)

Транзисторы 2SD2499(D2499)

Наиболее важные параметры.

Транзисторы STS9014 (S9014)

Наиболее важные параметры.

S9014 транзистор: характеристики, аналоги, параметры, цоколевка

Цоколевка транзистора s9014

Характеристики транзистора s9014

Комплементарная пара s9014

Аналоги транзистора s9014

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Электрические параметры

Маркировка

Характеристики популярных аналогов

S9015 транзистор характеристики, аналоги, datasheet, параметры

Биполярный транзистор STS9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

STS9014

DMBT9014 Datasheet (PDF)

L9014 Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор KTC9014SC — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

KTC9014SC

STS9014 Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор 2SC9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

2SC9014

KTC9014SC Datasheet (PDF)

Биполярный транзистор DMBT9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

DMBT9014

Биполярный транзистор L9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

L9014

2SC9014 Datasheet (PDF)

S9014 to-92 | Биполярные транзисторы

Что еще купить вместе с S9014 to-92 ?

S9080 транзистор характеристики – Telegraph

1В340Ф30 Станок токарно-револьверный с ЧПУ. Паспорт, схемы, характеристики, описание

Сведения о производителе токарно-револьверного станка модели 1В340Ф30

Станки, выпускаемые Бердичевским станкостроительным заводом

1В340Ф30 Станок токарно-револьверный повышенной точности с ЧПУ. Назначение, область применения

Принцип работы и особенности конструкции станка

1В340Ф30 Габарит рабочего пространства станка

1В340Ф30 Посадочные и присоединительные базы станка. Шпиндель

1В340Ф30 Посадочные и присоединительные базы станка. Инстументальная револьверная головка

1В340Ф30 Фото токарного станка с ЧПУ

1В340Ф30 Фото револьверной головки токарного станка с ЧПУ

1В340Ф30 Пульт управления токарного станка с ЧПУ

1В340Ф30 Схема кинематическая токарного станка с ЧПУ

1В340Ф30 Установочный чертеж токарного станка

1В340Ф30 Станок токарно-револьверный с числовым программным управлением (ЧПУ). Видеоролик.

Технические характеристики станка 1В340Ф30

Список литературы:

9014 Транзистор — 50В, 0,1А, NPN, ТО-92

Лист данных транзистора 9014

Сообщения, связанные с «NPN»

Статьи по теме в Интернете

9014 datasheet — Кремниевый транзистор NPN

Br 9014 транзистор pdf

Business, Office & Industrial 100 x bc848b SMD Transistor NPN 45v 0,5a 250mw Code 1kp SOT-23 Transistors

100 кс бк848б СМД транзистор НПН 45в 0,5а 250 мвт код 1кп СОТ-23

100 кс бк848б СМД транзистор НПН 45в 0,5а 250 мвт код 1кп СОТ-23

БИЛИН S9014

БИЛИН С9014

S9014 Лист данных.Www.s manuals.com. Galaxy

Оставить комментарийОтменить комментарий