Bfr93A характеристики: BFR93A,215, Транзистор NPN, 6 ГГц [SOT-23], NXP

Содержание

BFR93A,215 NXP | PNEDA

Microsemi

Производитель

Microsemi Corporation

Тип транзистора

NPN

Напряжение — пробой коллектора-эмиттера (макс.)

15V

Частота — Переход

1.3GHz

коэффициент шума (типичный дБ @ f)

2.5dB ~ 5dB @ 500MHz

мощность — макс.

200mW

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

20 @ 25mA, 1V

ток — коллектор (Ic) (макс.)

50mA

рабочая температура

Тип монтажа

Through Hole

Упаковка / Коробка

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Пакет устройства поставщика

TO-72

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Тип транзистора

NPN

Напряжение — пробой коллектора-эмиттера (макс.)

5V

Частота — Переход

25GHz

коэффициент шума (типичный дБ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

мощность — макс.

75mW

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

ток — коллектор (Ic) (макс.)

25mA

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Упаковка / Коробка

SC-82A, SOT-343

Пакет устройства поставщика

PG-SOT343-4

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Тип транзистора

NPN

Напряжение — пробой коллектора-эмиттера (макс.)

9V

Частота — Переход

14GHz

коэффициент шума (типичный дБ @ f)

1.15dB @ 1.8GHz

мощность — макс.

60mW

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

ток — коллектор (Ic) (макс.)

10mA

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Упаковка / Коробка

SC-101, SOT-883

Пакет устройства поставщика

PG-TSLP-3-1

NXP

Производитель

NXP USA Inc.

Тип транзистора

NPN

Напряжение — пробой коллектора-эмиттера (макс.)

15V

Частота — Переход

9GHz

коэффициент шума (типичный дБ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

мощность — макс.

300mW

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

ток — коллектор (Ic) (макс.)

70mA

рабочая температура

175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Упаковка / Коробка

SOT-143R

Пакет устройства поставщика

SOT-143R

Broadcom

Производитель

Broadcom Limited

Тип транзистора

NPN

Напряжение — пробой коллектора-эмиттера (макс.)

5.5V

Частота — Переход

коэффициент шума (типичный дБ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

усиление

13.5dB ~ 15dB

мощность — макс.

200mW

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

ток — коллектор (Ic) (макс.)

40mA

рабочая температура

150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Упаковка / Коробка

SC-70, SOT-323

Пакет устройства поставщика

SC-70-3

R2 SMD МАРКИРОВКА

Таблица с вариантами кодировки SMD радиодеталей по первым двум символами R2. Иногда бывают одинаковые по коду радиодетали, тогда нужно смотреть на тип корпуса и выбирать по подходящему. Тут приведена краткая справочная таблица расшифровки технических характеристик на разные микросхемы ОУ, диоды, супервизоры, инверторы, полевые и биполярные транзисторы и другие smd-детали, более подробно смотрите параметры в PDF даташитах через поиск сайта. Конечно постоянно появляются новые радиоэлементы, особенно от китайских производителей, так что справочник будет пополняться. Главная таблица кодов

код

наименование

функция

корпус

производитель

R2

BFR93AF

npn: 12В/50 мА 1 ГГц

sot490

Vishay

R2

BFR93AW

npn: 12В/35 мА 5 ГГц

sot323

NXP

+R2

BFR93A

npn: 12В/50 мА 6 ГГц

sot23

Vishay

R2

SI3402

nМОП: 30В/4 А/55 мОм

sot23

MCC

R2*

LMV331IDCK

микромощный компаратор

sc70-5

TI

R2##

RP114K201D

LDO: 2,0 В/300 мА + autodischarge

dfn4

Ricoh

R20

AD1582BRTZ

прецизионный ИОН: 2,5В/2 мВ

sot23

ADI

R20

REF3320AIDCK

микромощный ИОН: 2,048 В 30ppm

sc70

TI

R20

SI3420

nМОП: 20В/6 А/20 мОм

sot23

MCC

R21

FJV3101R

цифровой npn: 50 В/100 мА, 4.7k/4.7k

sot23

Fairchild

R21A

LM4120AIM5-1.8

прецизионный «bandgap» ИОН: 1,8В, ±0,2%

sot23-5

TI

R21B

LM4120IM5-1.8

прецизионный «bandgap» ИОН: 1,8В, ±0,5%

sot23-5

TI

R22

AD1583ARTZ

прецизионный ИОН: 3,0 В/30 мВ

sot23

ADI

R22

FJV3102R

цифровой npn: 50 В/100 мА, 10k/10k

sot23

Fairchild

R23

2SC3356Q

npn: 20В/120 мА, 1 ГГц h31=50…100

sot23

NEC

R23

AD1583BRTZ

прецизионный ИОН: 3,0 В/3 мВ

sot23

ADI

R23

FJV3103R

цифровой npn: 50В, 100 мА, 22k/22k

sot23

Fairchild

R24

2SC3356R

npn: 20В/120 мА, 1 ГГц h31=80…160

sot23

NEC

R24

FJV3104R

цифровой npn: 50В, 100 мА, 47k/47k

sot23

Fairchild

R25

2SC3356S

npn: 20В/120 мА, 1 ГГц h31=125…250

sot23

NEC

R25

AD1584ARTZ

прецизионный ИОН: 4,096В/40 мВ

sot23

ADI

R25

FJV3105R

цифровой npn: 50В, 100 мА, 4.7k/10k

sot23

Fairchild

R25

REF3325AIDCK

микромощный ИОН: 2,5 В 30ppm

sc70

TI

R26

AD1584BRTZ

прецизионный ИОН: 4,096В/4мВ

sot23

ADI

R26

FJV3106R

цифровой npn: 50В/100 мА, 10k/47k

sot23

Fairchild

R27

FJV3107R

цифровой npn: 50В/100 мА, 22k/47k

sot23

Fairchild

R28

AD1585ARTZ

прецизионный ИОН: 5,0В/50 мВ

sot23

ADI

R28

FJV3108R

цифровой npn: 50В/100 мА, 47k/22k

sot23

Fairchild

R29

AD1585BRTZ

прецизионный ИОН: 5,0 В/5 мВ

sot23

ADI

R29

FJV3109R

цифровой npn: 50В/100 мА, 4.7k/

sot23

Fairchild

R2A

LM4040AIM3-2.5

прецизионный «bandgap» ИОН: 2,5 В, ±0,1%

sot23

LTC

R2A

UMT/SST/MMST3906

pnp: 40 В/200 мА h31=100…300

sc70/sot23/sc59

Rohm

R2B

LM4040BIM3-2.5

прецизионный «bandgap» ИОН: 2,5 В, ±0,2%

sot23/sc70

LTC

R2C

LM4040CIM3-2.5

прецизионный «bandgap» ИОН: 2,5 В, ±0,5%

sot23/sc70

LTC

R2D

LM4040DIM3-2.5

прецизионный «bandgap» ИОН: 2,5 В, ±1%

sot23/sc70

LTC

R2D

ADR380ART

ИОН: 2,048 В

sot23

ADI

R2E

AD1580BRTZ

прецизионный «шунтовой» ИОН: 1,2В/1 мВ

sot23|sc70

ADI

R2E

LM4040EIM3-2.5

прецизионный «bandgap» ИОН: 2,048 В, ±2%

sot23/sc70

LTC

R2J

ADR5040AKS|ART

ИОН: 2,048В 100ppm

sc70|sot23

ADI

R2L

ADR5040BKS|BRT

ИОН: 2,048В 75ppm

sc70|sot23

ADI

R2N

ADR5041AKS|ART

ИОН: 2,5В 100ppm

sc70|sot23

ADI

R2p

BFR93A

npn:12 В/35 мА 6 ГГц

sot23

NXP

R2p

PUMF12

pnp + «цифровой» npn: 50В/100 мА 22k/47k

sot363

NXP

R2Q

ADR5041BKS|BRT

ИОН: 2,5В 75ppm

sc70|sot23

ADI

R2S

ADR5043AKS|ART

ИОН: 3,0В 100ppm

sc70|sot23

ADI

R2s

BFR93A

npn: 12 В/90 мА 6 ГГц

sot23

Infineon

R2T

SST/MMST4403

pnp: 40 В/600 мА h31=100…300

sot23/sot346

Rohm

R2t

PUMF12

pnp + «цифровой» npn: 50В/100 мА 22k/47k

sot363

NXP

R2U

ADR5043BKS|BRT

ИОН: 3,0 В 75ppm

sc70|sot23

ADI

R2W

ADR5044AKS|ART

ИОН: 4,096 В 100ppm

sc70|sot23

ADI

R2Y

ADR5044BKS|BRT

ИОН: 4,096 В 75ppm

sc70|sot23

ADI

 

При расшифровке кодов учитывайте, что символы «О» и «0» (ноль и круглая буква) считаются одинаковыми. А в этом материале можно посмотреть все типы, фотографии и размеры корпусов компонентов SMD


АВАРИЙНОЕ ПИТАНИЕ

     Простое аварийное питание электронных часов на основе микросхем КР145ИК1901 (1911), с использованием преобразователя.



СХЕМЫ LCD ТЕЛЕВИЗОРОВ

     Сборник схем LCD телевизоров десятков основных крупнейших производителей ЖКИ видеотехники.





Справочник моп транзисторы — ucuoteire.perfcake.org

Справочник моп транзисторы — ucuoteire.perfcake.org

Справочник моп транзисторы

Справочник по полевым транзисторам СОДЕРЖАНИЕ От составителя Область применения. Справочник полевых транзисторов отечественных. Наименование Аналог PDF Тип Imax, A Uкэmax, В Rmin, Ом КП150 IRFP150 n 38 100 0,055 КП250 IRFP250 n 30 200 0,085 КП302 (А1-Г1) BFR30,2SK543-5 n 0,043 20 100 КП350 IRFP350 n 14 400 0,3 КП364 (А-И) 2SK653 Полевые транзисторы классифицируют на приборы с управляющим p-n-переходом и с изолированным затвором, так называемые МДП («металл-диэлектрик-полупроводник»)-транзисторы, которые также. Основные электрические характеристики ВЧ транзисторов Наимено-вание Тип Аналог fгр, МГц h31e, min UКЭ, В Iк, мА Pк, мВт Кш, дБ Корпус KT3169A91 P BF569 750 25 -35 30 200 4 КТ-46(SOT23) — N BFR93 4500 50 15 40 200 1.6 — N BFR93A Транзисторы со встроенными резисторами (Resistor-equipped transistors (RETs)) — биполярные транзисторы со встроенными в один корпус резисторами. Основные характеристики трансформаторов ТВК Трансформатор Магнитопро-вод Обмотка (номера выводов) Число витков Диаметр провода, мм ТВК-70Л2 УШ16х24 i(1-2) 3000 0.12 ii(3-4) 146 0.47 ТВК-110ЛМ ШЛ16Х25 i(1-2) igbt транзисторы. Биполярные транзисторы с изолированным затвором являются новым типом активного прибора, который появился сравнительно недавно. Здравствуйте! Подскажите пожалуйсто! У меня авто усилитель prology elite 4400, в нём нет двух транзисторов корпус то92, но там стояли 2 транзистора к738 и к745,не могу нигде найти что это за транзисторы. Прием и отправка корреспонденции: Тел.: +7 (499)735-13-19 Факс: +7 (499)734-02-77 E-mail: [email protected] Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока низкой частоты (обычно менее 50 кГц) в постоянны, т.е. для выпрямления. Справочник полевых транзисторов отечественных. Наименование Аналог PDF Тип Imax, A Uкэmax Основные электрические характеристики ВЧ транзисторов Наимено-вание Тип Аналог fгр, МГц. Полевые транзисторы классифицируют на приборы с управляющим p-n-переходом Транзисторы со встроенными резисторами (Resistor-equipped transistors (RETs)) — биполярные транзисторы. Основные характеристики трансформаторов ТВК Трансформатор Магнитопро-вод Обмотка. Биполярные транзисторы с изолированным затвором являются новым типом активного прибора. Замена импортных транзисторов на аналоги советского производства. datasheets, datasheet, data sheet, manual. Полупроводниковые приборы — виды, обзор и использование. Стремительное развитие. Многие компоненты схемы (резисторы, конденсаторы и т. п.) могут присутствовать на чертеже. 5.19. Генераторы с кварцевыми резонаторами. От -генератора можно легко добиться. Преобразователь частоты. Устройство, принцип работы, схемы управления и расчеты. Статья с иллюстрациями и подробными комментариями: Микросхемы серии К176. Стр. Название статьи Автор Журнал Примечания: 26: А.КУЗЬМЕНКО (rv4lk). Радиолюбитель КВ и УКВ. Некоторое время назад экспериментировал с детекторным приёмом АМ-вещательных. Старые выпуски журнала радио и путеводитель по ретро выпускам старейшего. Тиристоры: технические характеристики, область применения, цветовая маркировка, схемы. BUZ90A Siemens. КП712 полевые транзисторы с изолированным затвором и p-каналом для работы.

Links to Important Stuff

Links

  • Зарубежные Полевые Транзисторы Справочник — chatwatcher.
  • Отечественные и зарубежные ВЧ транзисторы, основные.
  • Полевой транзистор — Википедия.
  • Транзистор — Википедия.
  • Выходные трансформаторы кадровой развертки ТВК.
  • IGBT транзисторы Школа для электрика: все.
  • Транзисторы и их аналоги.
  • Контакты — ЦКБ Дейтон.
  • Полупроводниковые приборы — виды, обзор и использование.
  • Секреты зарубежных радиосхем.

© Untitled. All rights reserved.

Маркировка радиодеталей, Коды SMD R2**, R23, R24, R25, R29A, R29B, R29C, R29D, R29E, R29F, R2A, R2F, R2G, R2T, R2X, R2p, R2s. Даташиты 2SC3356, BFR93A, ELM9732CAA, MMST2907A, MMST3906, MMST4401, MMST4403, MMSTA56, REF2912, REF2920, REF2925, REF2930, REF2933, REF2940, SST2907A, SST3906, SST4401, SST4403, SSTA56, UMT2907A, UMT3906.

Главная
Автомагнитолы
DVD
Материнские платы
Мобильные телефоны
Мониторы
Ноутбуки
Принтеры
Планшеты
Телевизоры
Даташиты
Маркировка SMD
Форум
  1. Главная
  2. Маркировка SMD
  3. R2
Код SMDКорпусНаименованиеПроизводительОписаниеДаташит
R2** SOT-89 ELM9732CAAELMДетектор напряжения
R23 SOT-23 2SC3356NECNPN транзистор
R24 SOT-23 2SC3356NECNPN транзистор
R25 SOT-23 2SC3356NECNPN транзистор
R29A SOT-23 REF2912Texas InstrumentsИсточник опорного напряжения
R29B SOT-23 REF2920Texas InstrumentsИсточник опорного напряжения
R29C SOT-23 REF2925Texas InstrumentsИсточник опорного напряжения
R29D SOT-23 REF2930Texas InstrumentsИсточник опорного напряжения
R29E SOT-23 REF2933Texas InstrumentsИсточник опорного напряжения
R29F SOT-23 REF2940Texas InstrumentsИсточник опорного напряжения
R2A SOT-346 MMST3906ROHMPNP транзистор
R2A SOT-23 SST3906ROHMPNP транзистор
R2A SOT-323 UMT3906ROHMPNP транзистор
R2F SOT-346 MMST2907AROHMPNP транзистор
R2F SOT-23 SST2907AROHMPNP транзистор
R2F SOT-323 UMT2907AROHMPNP транзистор
R2G SOT-346 MMSTA56ROHMPNP транзистор
R2G SOT-23 SSTA56ROHMPNP транзистор
R2T SOT-346 MMST4403ROHMPNP транзистор
R2T SOT-23 SST4403ROHMPNP транзистор
R2X SOT-346 MMST4401ROHMNPN транзистор
R2X SOT-23 SST4401ROHMNPN транзистор
R2p SOT-23 BFR93APhilips (Now NXP)NPN транзистор
R2s SOT-23 BFR93AInfineonNPN транзистор

Что такое транзистор и для чего нужен транзистор

Где применяются транзисторы? Да везде! Без транзисторов не обходится практически ни одна современная электрическая схема. Они повсеместно используются при производстве вычислительной техники, аудио- и видео-аппаратуры.

Времена, когда советские микросхемы были самыми большими в мире, прошли, и размер современных транзисторов очень мал. Так, самые маленькие из устройств имеют размер порядка нанометра!

Приставка нано- обозначает величину порядка десять в минус девятой степени.

Однако существуют и гигантские экземпляры, использующиеся преимущественно в областях энергетики и промышленности.

Существуют разные типы транзисторов: биполярные и полярные, прямой и обратной проводимости. Тем не менее, в основе работы этих приборов лежит один и тот же принцип. Транзистор — прибор полупроводниковый. Как известно, в полупроводнике носителями заряда являются электроны или дырки.

Область с избытком электронов обозначается буквой n (negative), а область с дырочной проводимостью – p (positive).

Как сразу найти коллектор.

Чтобы сразу найти коллектор нужно выяснить, какой мощности перед вами транзистор, а они бывают средней мощности, маломощные и мощные.

Транзисторы средней мощности и мощные сильно греются, поэтому от них нужно отводить тепло.

Делается это с помощью специального радиатора охлаждения, а отвод тепла происходит через вывод коллектора, который в этих типах транзисторов расположен посередине и подсоединен напрямую к корпусу.

Получается такая схема передачи тепла: вывод коллектора – корпус – радиатор охлаждения.

Если коллектор определен, то определить другие выводы уже будет не сложно.

Бывают случаи, которые значительно упрощают поиск, это когда на устройстве уже есть нужные обозначения, как показано ниже.

Производим нужные замеры прямого и обратного сопротивления.

Однако все равно торчащие три ножки в транзисторе могу многих начинающих электронщиков ввести в ступор.

Без мультиметра или просто омметра тут не обойтись.

ПОПУЛЯРНОЕ У ЧИТАТЕЛЕЙ: Масляные выключатели: типы, устройство и принцип работы

Итак, приступаем к поиску. Сначала нам нужно найти базу.

Берем прибор и производим необходимые замеры сопротивления на ножках транзистора.

Берем плюсовой щуп и подсоединяем его к правому выводу. Поочередно минусовой щуп подводим к среднему, а затем к левому выводам.

Между правым и среднем у нас, к примеру, показало 1 (бесконечность), а между правым и левым 816 Ом.

Эти показания пока ничего нам не дают. Делаем замеры дальше.

Теперь сдвигаемся влево, плюсовой щуп подводим к среднему выводу, а минусовым последовательно касаемся к левому и правому выводам.

Опять средний – правый показывает бесконечность (1), а средний левый 807 Ом.

Это тоже нам ничего не говорить. Замеряем дальше.

Теперь сдвигаемся еще левее, плюсовой щуп подводим к крайнему левому выводу, а минусовой последовательно к правому и среднему.

Если в обоих случаях сопротивление будет показывать бесконечность (1), то это значит, что базой является левый вывод.

А вот где эмиттер и коллектор (средний и правый выводы) нужно будет еще найти.

Теперь нужно сделать замер прямого сопротивления. Для этого теперь делаем все наоборот, минусовой щуп к базе (левый вывод), а плюсовой поочередно подсоединяем к правому и среднему выводам.

Запомните один важный момент, сопротивление p-n перехода база – эмиттер всегда больше, чем p-n перехода база – коллектор.

В результате замеров было выяснено, что сопротивление база (левый вывод) – правый вывод равно 816 Ом, а сопротивление база – средний вывод 807 Ом.

Значит правый вывод — это эмиттер, а средний вывод – это коллектор.

Итак, поиск базы, эмиттера и коллектора завершен.

Чтобы все было предельно ясно, рассмотрим работу биполярного транзистора (самый популярный вид).

Биполярный транзистор (далее – просто транзистор) представляет собой кристалл полупроводника (чаще всего используется кремний или германий), разделенный на три зоны с разной электропроводностью. Зоны называются соответственно коллектором, базой и эмиттером. Устройство транзистора и его схематическое изображение показаны на рисунке ни же

Разделяют транзисторы прямой и обратной проводимости. Транзисторы p-n-p называются транзисторами с прямой проводимостью, а транзисторы n-p-n – с обратной.

Теперь о том, какие есть два режима работы транзисторов. Сама работа транзистора похожа на работу водопроводного крана или вентиля. Только вместо воды – электрический ток. Возможны два состояния транзистора – рабочее (транзистор открыт) и состояние покоя (транзистор закрыт).

Что это значит? Когда транзистор закрыт, через него не течет ток. В открытом состоянии, когда на базу подается малый управляющий ток, транзистор открывается, и большой ток начинает течь через эмиттер-коллектор.

В этом полупроводниковом приборе управление рабочим током осуществляется не током во входной (базовой) цепи, как в биполярном транзисторе, а воздействием на носители тока электрического поля. Отсюда и название «полевой». Схематическое устройство и конструкция полевого транзистора с р — n переходом показаны на (рис. 6). Основой такого транзистора служит пластина кремния с электропроводностью типа n, в которой имеется тонкая область с электропроводностью типа р. Пластину прибора называют затвором, а область типа р в ней — каналом. С одной стороны канал заканчивается истоком, с другой стоком — тоже областью типа р, но с повышенной концентрацией дырок. Между затвором и каналом создается р — n переход. От затвора, истока и стока сделаны контактные выводы. Если к истоку подключить положительный, а к стоку — отрицательный полюсы батареи питания (на рис. 6 — батарея GB), то в канале появится ток, создающийся движением дырок от истока к стоку. Этот ток, называемый током стока Iс, зависит не только от напряжения этой батареи, но и от напряжения, действующего между источником и затвором (на рис. 6 — элемент G).

И вот почему. Когда на затворе относительно истока действует положительное закрывающее напряжение, обедненная область р — n перехода расширяется (на рис. 6 показано штриховыми линиями). От этого канал сужается, его сопротивление увеличивается, из — за чего ток стока уменьшается. С уменьшением положительного напряжения на затворе обедненная область р — n перехода, наоборот, сужается, канал расширяется, и ток снова увеличивается. Если на затвор вместе с положительным напряжением смещения подавать низкочастотный или высокочастотный сигнал, в цепи стока возникнет пульсирующий ток, а на нагрузке, включенной в эту цепь, — напряжение усиленного сигнала. Так, в упрощенном виде устроены и работают полевые транзисторы с каналом типа р, например — КП102, КП103 (буквы К и П означают «кремниевый полевой»). Принципиально так же устроен и работает полевой транзистор с каналом типа n. Затвор транзистора такой структуры обладает дырочной электропроводностью, поэтому на него относительно истока должно подаваться отрицательное напряжение смещения, а на сток (тоже относительно истока) — положительное напряжение источника питания. На условном графическом изображении полевого транзистора с каналом типа n стрелка на линии затвора направлена в сторону истока, а не от истока, как в обозначении транзистора с каналом типа р. Полевой транзистор — тоже трехэлектродный прибор. Поэтому его, как и биполярный транзистор, включать в усилительный каскад можно тремя способами: по схеме общего стока (ОС), по схеме общего истока (ОИ) и по схеме общего затвора (ОЗ). В радиолюбительской практике применяют в основном только первые два способа включения, позволяющие с наибольшей эффективностью использовать полевые транзисторы.

Усилительный каскад на полевом транзисторе обладает очень большим, исчисляемым мегаомами, входным сопротивлением.

Это позволяет подавать на его вход высокочастотные и низкочастотные сигналы от источников с большим внутренним сопротивлением, например от пьезокерамическрго звукоснимателя, не опасаясь искажения или ухудшения усиления входного сигнала.

В этом главное преимущество полевых транзисторов по сравнению с биполярными. Усилительные свойства полевого транзистора характеризуют крутизной характеристики S — отношением изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора, включенного по схеме ОИ. Численное значение параметра S выражают в миллиамперах на вольт; для различных транзисторов оно может составлять от 0,1 — 0,2 до 10 — 15 мА/В и больше. Чем больше крутизна, тем большее усиление сигнала может дать транзистор.

Рис. 6 Конструкция и графическое изображение полевого транзистора с каналом типа (p).

Другой параметр полевого транзистора — напряжение отсечки Uзи.отс. — Это обратное напряжение на р — n переходе затвор — канал, при котором ток через этот переход уменьшается до нуля. У различных транзисторов напряжение отсечки может составлять от 0,5 до 10 В. О полевых транзисторах и их уникальных свойствах можно говорить еще много, я попытался рассказать о наиболее существенных.

А теперь подробнее о том, почему все происходит именно так, то есть почему транзистор открывается и закрывается. Возьмем биполярный транзистор. Пусть это будет n-p-n транзистор.

Если подключить источник питания между коллектором и эмиттером, электроны коллектора начнут притягиваться к плюсу, однако тока между коллектором и эмиттером не будет. Этому мешает прослойка базы и сам слой эмиттера.

Если же подключить дополнительный источник между базой и эмиттером, электроны из n области эмиттера начнут проникать в область баз. В результате область базы обогатиться свободными электронами, часть из которых рекомбинирует с дырками, часть потечет к плюсу базы, а часть (большая часть) направится к коллектору.

Таким образом, транзистор получается открыт, и в нем течет ток эмиттер коллектор. Если напряжение на базе увеличить, увеличится и ток коллектор эмиттер. Причем, при малом изменении управляющего напряжения наблюдается значительный рост тока через коллектор-эмиттер. Именно на этом эффекте и основана работа транзисторов в усилителях.

Вот вкратце и вся суть работы транзисторов. Нужно рассчитать усилитель мощности на биполярных транзисторах за одну ночь, или выполнить лабораторную работу по исследованию работы транзистора? Это не проблема даже для новичка, если воспользоваться помощью специалистов нашего студенческого сервиса.

Не стесняйтесь обращаться за профессиональной помощью в таких важных вопросах, как учеба! А теперь, когда у вас уже есть представление о транзисторах, предлагаем расслабиться и посмотреть клип группы Korn “Twisted transistor”! Например, вы решили купить отчет по практике, обращайтесь в Заочник.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

1. Коэффициент передачи тока(коэффициент усиления) — от 1 до 1000 при постоянном токе. С увеличением частоты постепенно снижается. 2. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером(при разомкнутой базе) У специальных высоковольтных транзисторов, достигает десятков тысяч вольт. 3.Предельная частота, до которой коэффициент передачи тока выше 1. До 100000 гц. у низкочастотных транзисторов, свыше 100000 гц. — у высокочастотных. 4.Напряжение насыщения эмиттер-коллектор — величина падения напряжения между этими электродами у полностью открытого транзистора.

«15» на корпусе SOT-23MMBT3960(Datasheet «Motorola»)
«1A» на корпусе SOT-23BC846A(Datasheet «Taitron»)
«1B» на корпусе SOT-23BC846B(Datasheet «Taitron»)
«1C» на корпусе SOT-23MMBTA20LT(Datasheet «Motorola»)
«1D» на корпусе SOT-23BC846(Datasheet «NXP»)
«1E» на корпусе SOT-23BC847A(Datasheet «Taitron»)
«1F» на корпусе SOT-23BC847B(Datasheet «Taitron»)
«1G» на корпусе SOT-23BC847C(Datasheet «Taitron»)
«1H» на корпусе SOT-23BC847(Datasheet «NXP»)
«1N» на корпусе SOT-416BC847T(Datasheet «NXP»)
«1J» на корпусе SOT-23BC848A(Datasheet «Taitron»)
«1K» на корпусе SOT-23BC848B(Datasheet «Taitron»)
«1L» на корпусе SOT-23BC848C(Datasheet «Taitron»)
«1M» на корпусе SOT-416BC846T(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-323BC848W(Datasheet «NXP»)
«1M» на корпусе SOT-23MMBTA13(Datasheet «Motorola»)
«1N» на корпусе SOT-23MMBTA414(Datasheet «Motorola»)
«1V» на корпусе SOT-23MMBT6427(Datasheet «Motorola»)
«1P» на корпусе SOT-23FMMT2222A,KST2222A,MMBT2222A.
«1T» на корпусе SOT-23MMBT3960A(Datasheet «Motorola»)
«1Y» на корпусе SOT-23MMBT3903(Datasheet «Samsung»)
«2A» на корпусе SOT-23FMMBT3906,KST3906,MMBT3906
«2B» на корпусе SOT-23BC849B(Datasheet «G.S.»)
«2C» на корпусе SOT-23BC849C(Datasheet «G.S.»)
«2E» на корпусе SOT-23FMMTA93,KST93
«2F» на корпусе SOT-23FMMT2907A,KST2907A,MMBT2907AT
«2G» на корпусе SOT-23FMMTA56,KST56
«2H» на корпусе SOT-23MMBTA55(Datasheet «Taitron»)
«2J» на корпусе SOT-23MMBT3640(Datasheet «Fairchild»)
«2K» на корпусе SOT-23FMMT4402(Datasheet «Zetex»)
«2M» на корпусе SOT-23MMBT404(Datasheet «Motorola»)
«2N» на корпусе SOT-23MMBT404A(Datasheet «Motorola»)
«2T» на корпусе SOT-23KST4403,MMBT4403
«2V» на корпусе SOT-23MMBTA64(Datasheet «Motorola»)
«2U» на корпусе SOT-23MMBTA63(Datasheet «Motorola»)
«2X» на корпусе SOT-23MMBT4401,KST4401
«3A» на корпусе SOT-23MMBTh34(Datasheet «Motorola»)
«3B» на корпусе SOT-23MMBT918(Datasheet «Motorola»)
«3D» на корпусе SOT-23MMBTH81(Datasheet «Motorola»)
«3E» на корпусе SOT-23MMBTh20(Datasheet «Motorola»)
«3F» на корпусе SOT-23MMBT6543(Datasheet «Motorola»)
«3J-» на корпусе SOT-143BBCV62A(Datasheet «NXP»)
«3K-» на корпусе SOT-23BC858B(Datasheet «NXP»)
«3L-» на корпусе SOT-143BBCV62C(Datasheet «NXP»)
«3S» на корпусе SOT-23MMBT5551(Datasheet «Fairchild»)
«4As» на корпусе SOT-23BC859A(Datasheet «Siemens»)
«4Bs» на корпусе SOT-23BC859B(Datasheet «Siemens»)
«4Cs» на корпусе SOT-23BC859C(Datasheet «Siemens»)
«4J» на корпусе SOT-23FMMT38A(Datasheet «Zetex S.»)
«449» на корпусе SOT-23FMMT449(Datasheet «Diodes Inc.»)
«489» на корпусе SOT-23FMMT489(Datasheet «Diodes Inc.»)
«491» на корпусе SOT-23FMMT491(Datasheet «Diodes Inc.»)
«493» на корпусе SOT-23FMMT493(Datasheet «Diodes Inc.»)
«5A» на корпусе SOT-23BC807-16(Datasheet «General Sem.»)
«5B» на корпусе SOT-23BC807-25(Datasheet «General Sem.»)
«5C» на корпусе SOT-23BC807-40(Datasheet «General Sem.»)
«5E» на корпусе SOT-23BC808-16(Datasheet «General Sem.»)
«5F» на корпусе SOT-23BC808-25(Datasheet «General Sem.»)
«5G» на корпусе SOT-23BC808-40(Datasheet «General Sem.»)
«5J» на корпусе SOT-23FMMT38B(Datasheet «Zetex S.»)
«549» на корпусе SOT-23FMMT549(Datasheet «Fairchild»)
«589» на корпусе SOT-23FMMT589(Datasheet «Fairchild»)
«591» на корпусе SOT-23FMMT591(Datasheet «Fairchild»)
«593» на корпусе SOT-23FMMT593(Datasheet «Fairchild»)
«6A-«,»6Ap»,»6At» на корпусе SOT-23BC817-16(Datasheet «NXP»)
«6B-«,»6Bp»,»6Bt» на корпусе SOT-23BC817-25(Datasheet «NXP»)
«6C-«,»6Cp»,»6Ct» на корпусе SOT-23BC817-40(Datasheet «NXP»)
«6E-«,»6Et»,»6Et» на корпусе SOT-23BC818-16(Datasheet «NXP»)
«6F-«,»6Ft»,»6Ft» на корпусе SOT-23BC818-25(Datasheet «NXP»)
«6G-«,»6Gt»,»6Gt» на корпусе SOT-23BC818-40(Datasheet «NXP»)
«7J» на корпусе SOT-23FMMT38C(Datasheet «Zetex S.»)
«9EA» на корпусе SOT-23BC860A(Datasheet «Fairchild»)
«9EB» на корпусе SOT-23BC860B(Datasheet «Fairchild»)
«9EC» на корпусе SOT-23BC860C(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-523F2N7002T(Datasheet «Fairchild»)
«AA» на корпусе SOT-23BCW60A(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AB» на корпусе SOT-23BCW60B(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AC» на корпусе SOT-23BCW60C(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AD» на корпусе SOT-23BCW60D(Datasheet «Diotec Sem.»)
«AE» на корпусе SOT-89BCX52(Datasheet «NXP»)
«AG» на корпусе SOT-23BCX70G(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AH» на корпусе SOT-23BCX70H(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AJ» на корпусе SOT-23BCX70J(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AK» на корпусе SOT-23BCX70K(Datasheet «Central Sem.Corp.»)
«AL» на корпусе SOT-89BCX53-16(Datasheet «Zetex»)
«AM» на корпусе SOT-89BCX52-16(Datasheet «Zetex»)
«AS1» на корпусе SOT-89BST50(Datasheet «Philips»)
«B2» на корпусе SOT-23BSV52(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BA» на корпусе SOT-23BCW61A(Datasheet «Fairchild»)
«BA» на корпусе SOT-232SA1015LT1(Datasheet «Tip»)
«BA» на корпусе SOT-232SA1015(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«BB» на корпусе SOT-23BCW61B(Datasheet «Fairchild»)
«BC» на корпусе SOT-23BCW61C(Datasheet «Fairchild»)
«BD» на корпусе SOT-23BCW61D(Datasheet «Fairchild»)
«BE» на корпусе SOT-89BCX55(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BG» на корпусе SOT-89BCX55-10(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BH» на корпусе SOT-89BCX56(Datasheet » BL Galaxy El.»)
«BJ» на корпусе SOT-23BCX71J(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BK» на корпусе SOT-23BCX71K(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BH» на корпусе SOT-23BCX71H(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BG» на корпусе SOT-23BCX71G(Datasheet «Diotec Sem.»)
«BR2» на корпусе SOT-89BSR31(Datasheet «Zetex»)
«C1» на корпусе SOT-23BCW29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C2» на корпусе SOT-23BCW30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C5» на корпусе SOT-23MMBA811C5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C6» на корпусе SOT-23MMBA811C6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«C7» на корпусе SOT-23BCF29(Datasheet «Diotec Sem.»)
«C8» на корпусе SOT-23BCF30(Datasheet «Diotec Sem.»)
«CEs» на корпусе SOT-23BSS79B(Datasheet «Siemens»)
«CEC» на корпусе SOT-89BC869(Datasheet «Philips»)
«CFs» на корпусе SOT-23BSS79C(Datasheet «Siemens»)
«CHs» на корпусе SOT-23BSS80B(Datasheet «Infenion»)
«CJs» на корпусе SOT-23BSS80C(Datasheet «Infenion»)
«CMs» на корпусе SOT-23BSS82C(Datasheet «Infenion»)
«CLs» на корпусе SOT-23BSS82B(Datasheet «Infenion»)
«D1» на корпусе SOT-23BCW31(Datasheet «KEC»)
«D2» на корпусе SOT-23BCW32(Datasheet «KEC»)
«D3» на корпусе SOT-23BCW33(Datasheet «KEC»)
D6″ на корпусе SOT-23MMBC1622D6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«D7t»,»D7p» на корпусе SOT-23BCF32(Datasheet «NXP Sem.»)
«D7» на корпусе SOT-23BCF32(Datasheet «Diotec Sem.»)
«D8» на корпусе SOT-23BCF33(Datasheet «Diotec Sem.»)
«DA» на корпусе SOT-23BCW67A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DB» на корпусе SOT-23BCW67B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DC» на корпусе SOT-23BCW67C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DF» на корпусе SOT-23BCW67F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DG» на корпусе SOT-23BCW67G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«DH» на корпусе SOT-23BCW67H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«E2p» на корпусе SOT-23BFS17A(Datasheet «Philips»)
«EA» на корпусе SOT-23BCW65A(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EB» на корпусе SOT-23BCW65B(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EC» на корпусе SOT-23BCW65C(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EF» на корпусе SOT-23BCW65F(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EG» на корпусе SOT-23BCW65G(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«EH» на корпусе SOT-23BCW65H(Datasheet «Central Sem. Corp.»)
«F1» на корпусе SOT-23MMBC1009F1(Datasheet «Samsung Sem.»)
«F3» на корпусе SOT-23MMBC1009F3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«FA» на корпусе SOT-89BFQ17(Datasheet «Philips»)
«FDp»,»FDt»,»FDW» на корпусе SOT-23BCV26(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FEp»,»FEt»,»FEW» на корпусе SOT-23BCV46(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FFp»,»FFt»,»FFW» на корпусе SOT-23BCV27(Datasheet «Philips(NXP)»)
«FGp»,»FGt»,»FGW» на корпусе SOT-23BCV47(Datasheet «Philips(NXP)»)
«GFs» на корпусе SOT-23BFR92P(Datasheet «Infenion»)
«h2p»,»h2t»,»h2W» на корпусе SOT-23BCV69(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h3p»,»h3t»,»h3W» на корпусе SOT-23BCV70(Datasheet «Philips(NXP)»)
«h4p»,»h4t» на корпусе SOT-23BCV89(Datasheet «Philips(NXP)»)
«H7p» на корпусе SOT-23BCF70
«K1» на корпусе SOT-23BCW71(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K2» на корпусе SOT-23BCW72(Datasheet «Samsung Sem.»)
«K3p» на корпусе SOT-23BCW81(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K1p»,»K1t» на корпусе SOT-23BCW71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K2p»,»K2t» на корпусе SOT-23BCW72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K7p»,»K7t» на корпусе SOT-23BCV71(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K8p»,»K8t» на корпусе SOT-23BCV72(Datasheet «Philips(NXP)»)
«K9p» на корпусе SOT-23BCF81(Datasheet » Guangdong Kexin Ind.Co.Ltd»)
«L1» на корпусе SOT-23BSS65
«L2» на корпусе SOT-23BSS69(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L3» на корпусе SOT-23BSS70(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L4» на корпусе SOT-232SC1623L4(Datasheet «BL Galaxy El.»)
«L5» на корпусе SOT-23BSS65R
«L6» на корпусе SOT-23BSS69R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«L7» на корпусе SOT-23BSS70R(Datasheet «Zetex Sem.»)
«M3» на корпусе SOT-23MMBA812M3(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M4» на корпусе SOT-23MMBA812M4(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M5» на корпусе SOT-23MMBA812M5(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6» на корпусе SOT-23MMBA812M6(Datasheet «Samsung Sem.»)
«M6P» на корпусе SOT-23BSR58(Datasheet «Philips(NXP)»)
«M7» на корпусе SOT-23MMBA812M7(Datasheet «Samsung Sem.»)
«P1» на корпусе SOT-23BFR92(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P2» на корпусе SOT-23BFR92A(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P4» на корпусе SOT-23BFR92R(Datasheet «Vishay Telefunken»)
«P5» на корпусе SOT-23FMMT2369A(Datasheet «Zetex Sem.»)
«Q2» на корпусе SOT-23MMBC1321Q2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q3» на корпусе SOT-23MMBC1321Q3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q4» на корпусе SOT-23MMBC1321Q4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«Q5» на корпусе SOT-23MMBC1321Q5(Datasheet «Motorola Sc.»)
«R1p» на корпусе SOT-23BFR93(Datasheet «Philips(NXP)»)
«R2p» на корпусе SOT-23BFR93A(Datasheet «Philips(NXP)»)
«s1A» на корпусах SOT-23,SOT-363,SC-74SMBT3904(Datasheet «Infineon»)
«s1D» на корпусе SOT-23SMBTA42(Datasheet «Infineon»)
«S2» на корпусе SOT-23MMBA813S2(Datasheet «Motorola Sc.»)
«s2A» на корпусе SOT-23SMBT3906(Datasheet «Infineon»)
«s2D» на корпусе SOT-23SMBTA92(Datasheet «Siemens Sem.»)
«s2F» на корпусе SOT-23SMBT2907A(Datasheet «Infineon»)
«S3» на корпусе SOT-23MMBA813S3(Datasheet «Motorola Sc.»)
«S4» на корпусе SOT-23MMBA813S4(Datasheet «Motorola Sc.»)
«T1″на корпусе SOT-23BCX17(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T2″на корпусе SOT-23BCX18(Datasheet «Philips(NXP)»)
«T7″на корпусе SOT-23BSR15(Datasheet «Diotec Sem.»)
«T8″на корпусе SOT-23BSR16(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U1p»,»U1t»,»U1W»на корпусе SOT-23BCX19(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U2″на корпусе SOT-23BCX20(Datasheet «Diotec Sem.»)
«U7p»,»U7t»,»U7W»на корпусе SOT-23BSR13(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U8p»,»U8t»,»U8W»на корпусе SOT-23BSR14(Datasheet «Philips(NXP)»)
«U92» на корпусе SOT-23BSR17A(Datasheet «Philips»)
«Z2V» на корпусе SOT-23FMMTA64(Datasheet «Zetex Sem.»)
«ZD» на корпусе SOT-23MMBT4125(Datasheet «Samsung Sem.»)

Подслушивающее устройство своими руками

Предлагаю вашему вниманию шпиёнский радиомикрофон с экстремально низким энергопотреблением. Это, пожалуй, самый долгоиграющий жучок из всех, которые я собирал.

Конечно, за низкую потребляемую мощность приходится расплачиваться небольшим радиусом действия, но для многих целей и этого вполне достаточно.

Радиомикрофон уверенно пробивает две железобетонные стены, а на открытом пространстве дальность действия будет от 50 до 200 м (в зависимости от крутизны вашего приемника).

Схема жучка невероятно проста и содержит всего 6 радиодеталей, не считая батарейки:

Катушка L1 – 4 витка проводом 0.5 мм на оправке Ø2мм. Дроссель – 100 нГн для поверхностного монтажа. Транзистор BFR93A (главное не спутать его с p-n-p-транзистором BFR93).

Собрать такое можно даже навесным монтажом, но я не рискнул – возможны проблемы из-за паразитных емкостей. Поэтому я взял и нарисовал плату цапон-лаком:

и вытравил в хлорном железе:

Все это заняло минут 20. Затем готовую плату облудил и обрезал лишнее:

Самое геморройное дело – это подключить батарейку. В моем распоряжении была старая (. ) литиевая батарейка CR2032 (которые обычно стоят в материнских платах для питания микросхемы BIOS).

Чтобы избежать лишних проводов, я просто приклеил на обратную сторону платы полоску жести от консервной банки (это будет минусовой контакт):

Остальной кусок жести пригодился в качестве плюсовой клеммы:

Надо чтобы батарейка плотно вставлялась в получившуюся прорезь, вот так:

Осталось только распаять на плату все детальки согласно схеме:

Уверен, его можно сделать еще мельче. Заменить микрофон, расположить детали плотнее к друг другу, взять маленькие часовые батарейки и готово. Можно будет запихнуть всю схему, например, в корпус от маркера.

В качестве антенны применил провод длиной 6 см. Дроссель был изготовлен путем намотки тонкого эмалированного провода на кусочке зубочистки (80 витков).

Микрофон, конечно, большеват для такой схемы, но другого у меня не было. А вообще подойдет любой электретный диаметром 3-10 мм. Обычно их достают из всяких телефонных или домофонных трубок.

Кстати, без микрофона схема не работает – через него идет питание. А еще он выступает в качестве стабилизатора тока.

Важно не перепутать полярность микрофона: минусовой вывод должен звониться на корпус (именно по этой причине я его усадил в термоусадку, чтоп не дай Бог ничего не коротнуло).

Частота регулируется путем сжатия/растяжения витков катушки. В моем случае жучок удалось поймать на частоте 424.175 МГц. Уровень сигнала на таком расстоянии, естественно, зашкаливает:

Если намотать 11 витков на оправке 2 мм, то частота будет примерно 150 МГц. А вообще, данный жучок работает вплоть до 1ГГц. Дальше не пробовал, т.к. ловить не чем.

Чтобы затестить дальность, ушел на улицу и обошел вокруг дома. Поразительно, но в комнате, где остался жучок, отлично слышен каждый шорох.

П.С. Этот малюсенький жучок проработал на полудохлой батарейке почти 2 недели! Страшно представить, сколько бы он протянул на новой, ведь потребляемый ток составляет всего 300 мкА.

Первое знакомство с радиопередатчиками предлагаю начать с такого, простого радиопередатчика, схема и сборка которого предлагается в этой статье, радиожучок работает почти сразу и не требует глобальных настроек.

Переходим к сборки своими руками данного FM радиопередатчика

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ:

  • Питание — 9 Вольт (Крона)
  • Радиус действия от 200.
  • Время работы 20-30 часов
  • Частота 87-108MHz

СПИСОК ДЕТАЛЕЙ:

Резисторы:

  • 1 мОм — 1 шт.
  • 100 кОм — 1 шт.
  • 10 кОм — 3 шт.
  • 1 кОм — 1 шт.
  • 100 Ом — 1 шт.

Конденсаторы:

  • 40 пФ — 1 шт. (Подстроечный конденсатор)
  • 100 нФ — 2 шт.
  • 10 пФ — 1 шт.
  • 4 пФ — 1 шт.

Транзисторы:

  • 2N3904 — 2 шт. (Подходит 2N2222)

Разное:

  • Катушка L1, 7-8 витков, медный провода Д 0,5-0,7 мм.
  • Болт 1/4 дюйма
  • Провод в изоляции для антенны 15-20 см.
  • Электретный микрофон

Изготовление катушки происходит путем намотки медного провода диаметром в разрезе 0.4-0.7 мм.

Намотать следует на каркасе диаметром 3-4мм

НАСТРОЙКА РАДИО ЖУЧКА:

Для настройки жука возьмите приёмник и настройте его на частоту в приделах 87-108 MHz. Установите жука на крону, не трогая катушку, отвёрткой потихоньку крутите подстроечный конденсатор пока не услышите обратную связь от радиоприёмника в виде тонального звукового сигнала. Кстати жук ловится и на радио мобильного телефона, у меня даже авто поиск его находит, так что попробуйте первым делом этот вариант. При настройки, жук и приёмник должны быть рядом, как настроитесь на звук, отдалите их друг от друга. Всё, жук полностью готов и настроим!

Составил для вас инструкцию о том, как собрать жучок своими руками. Данная схема жучка собирается не сложно, состоит из доступных деталей и питается от кроны на 9 вольт. Радиус действия от 200 и более, всё зависит от используемого транзистора. Схему нашел на американском сайте, полностью рабочая и эффективная, проверенно!

Схема Жучка

Технические характеристики:

  • Питание — 9 Вольт (Крона)
  • Радиус действия от 200.
  • Время работы 20-30 часов
  • Частота 87-108MHz

Список деталей:

Резисторы:

  • 1 мОм — 1 шт.
  • 100 кОм — 1 шт.
  • 10 кОм — 3 шт.
  • 1 кОм — 1 шт.
  • 100 Ом — 1 шт.

Конденсаторы:

  • 40 пФ — 1 шт. (Подстроечный конденсатор)
  • 100 нФ — 2 шт.
  • 10 пФ — 1 шт.
  • 4 пФ — 1 шт.

Транзисторы:

  • 2N3904 — 2 шт. (Подходит 2N2222)

Разное:

  • Катушка L1, 7-8 витков, медный провода Д 0,5-0,7 мм.
  • Болт 1/4 дюйма
  • Провод в изоляции для антенны 15-20 см.
  • Электретный микрофон

Расположение деталей на плате:

Для начала, скачайте архив с печаткой и изготовьте плату жука. Затем припаяйте все детали на свои места, как показано на фото выше. Архив можно скачать по ссылке в конце статьи.

Изготовления катушки:

Теперь нужно изготовить катушку. Для этого возьмите болт и по резьбе намотайте 7-8 витков медного провода, диаметром 0,5-0,7 мм, затем скрутите с болта готовую катушку и припаяйте её на плату.

Катушка на своём месте и наш жук почти готов, осталось только разобраться с питанием. Для удобства использования жука, я предлагая установить его прям на батарейку (крону). Для этого нам понадобится две кроны, одну можно взять отработавшую, из неё нужно будет извлечь клейму питания и припаять к ней провода от платы. Как это сделать, смотрите ниже. Вторая крона, будет питать нашу схему и служить подставкой для жука.

Установка клеймы питания:

Для начала, возьмите крону и пассатижами, аккуратно снимите металлическое покрытие и вытащите клейму.

Теперь припаиваем короткие кусочки провода к клейме.

Изолируем места припоя изолентой.

Теперь нужно припаять клейму к плате. Сначала припаяйте минус, затем аккуратно выверните клейму, прижав её к дну платы и припаяйте плюс.

Ну и берём пистолет с клеем или клей для него и приклеиваем клейму к плате. Наш жучок готов!

Настройка радио жучка:

Для настройки жука возьмите приёмник и настройте его на частоту в приделах 87-108 MHz. Установите жука на крону, не трогая катушку, отвёрткой потихоньку крутите подстроечный конденсатор пока не услышите обратную связь от радиоприёмника в виде тонального звукового сигнала. Кстати жук ловится и на радио мобильного телефона, у меня даже авто поиск его находит, так что попробуйте первым делом этот вариант. При настройки, жук и приёмник должны быть рядом, как настроитесь на звук, отдалите их друг от друга. Всё, жук полностью готов и настроим!

На этом всё, не забываем поделиться записью, соц кнопки и архив с печаткой, находится ниже.

ВНИМАНИЕ! Данный материал опубликован исключительно в ознакомительных целях! Автор ни в коем случае не призывает изготавливать данный прибор, так как это запрещено законодательством РФ. За изготовления вами прибора, автор ответственности не несёт.

BFR93A лист данных — BFR93A; NPN 6 ГГц широкополосный транзистор ;; Упаковка: SOT23

2SD1113K : Биполярный транзистор Дарлингтона с переключением мощности. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, на Renesas Technology Corp. Полупроводниковые операции Mitsubishi Electric и Hitachi были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают микрокомпьютер, логику, аналоговую и дискретные устройства, и микросхемы памяти.

2W10GM : Стекло пассивировано. Пакаге = Воб ;; Максимум. Обратное напряжение VRM (В) = 1000 ;; Максимум. Aver. Rect. Текущий io (A) = 2 ;; Ifsm (A) = 50.

BD231 / B : Питание транзистора. Сильный ток (макс. 1,5 A) Низкое напряжение (макс. 80 В). ПРИМЕНЕНИЕ Драйверные каскады в телевизионных схемах. Транзистор силовой ПНП ТО-126; Пластиковая упаковка SOT32. Дополнение NPN: BD230. ШТИФТ PIN 2 3 коллектора эмиттера, подключенного к металлической части основания монтажной поверхности. ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ В соответствии с Системой абсолютных максимальных номиналов (IEC 134).СИМВОЛ VCBO.

CEM9936 : N канал. Двойной N-канальный полевой транзистор 30 В в режиме расширения.

CMOD2004 : Высоковольтный переключающий диод для поверхностного монтажа. CMOD2004 ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ КРЕМНИЙНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ULTRAminiTM ДЛЯ ПОВЕРХНОСТИ: Тип CENTRAL SEMICONDUCTOR CMOD2004 — это высоковольтный кремниевый переключающий диод, изготовленный по эпитаксиальной планарной технологии, эпоксидный литой в корпусе ULTRAminiTM для поверхностного монтажа, предназначенный для приложений, требующих высокого напряжения.КОД МАРКИРОВКИ: 04 МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ: (TA = 25C).

F1B2CA : Стековый кремниевый диффузионный диод (высокоскоростной выпрямитель).

FSF9250D : Расширение P-Channel. 15a, -200 В, 0,290 Ом, Rad Hard, Segr Resistant, P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы.

RU2B :. ) с полупериодным синусоидальным радиатором, одиночным выстрелом (= I F), точка восстановления 90% (например, точка восстановления 100 мА / 100 мА, 90%) F) Точка восстановления 75% (например, точка восстановления 100 мА / 200 мА, 75%).

SR744 : Специально для РФ.Силовой высокочастотный транзистор Vdmos в режиме улучшения кремниевого затвора. Кремниевые транзисторы VDMOS и LDMOS, разработанные специально для широкополосных радиочастотных приложений. Подходит для радиостанций Militry, базовых станций сотовой связи и пейджинговых усилителей, вещания FM / AM, MRI, драйвера лазера и других. «Polyfet» обрабатывает низкие емкости обратной связи и выходную емкость, что приводит к транзисторам с высоким F t, высоким входным сопротивлением и высоким КПД.

0603J20001R2BAR : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 200 В, C0G, 0.0000012 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1,20E-6 мкФ; Допуск емкости: 8 (+/-%); WVDC: 200 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион / ° C; Тип установки:.

D121K-8I : 1 ЭЛЕМЕНТ, 0,12 мкГн, ПОРОШОК С ЖЕЛЕЗНЫМ СЕРДЕЧНИКОМ, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Устройств в упаковке: 1; Основной материал: порошковое железо; Тип вывода: Радиальный, ПЛОСКИЙ; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 0.1200 мкГн; Допуск индуктивности: 10 (+/-%); DCR: 0,3000 Ом; Номинальный постоянный ток: 250 мА; Фактор добротности: 32; SRF: 700 МГц; Тестирование.

DTA125TKAT146 : 100 мА, 50 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: SMT3, SC-59, 3 PIN.

M101A553A000 : КОНДЕНСАТОР, MICA, 55000 В, 0,0001 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: слюдяные; Диапазон емкости: 1.00Е-4 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); WVDC: 55000 вольт; Тип установки: сквозное отверстие.

ML1000FE : смола, ось, металлическая пленка, 100 Ом, 350WV, 1% +/- TOL, -50,50PPM TC. s: Категория / Применение: Общее использование.

BFR93A datasheet — Кремниевый NPN Planar RF Transistor

CRCW25123K16FKEG: Чип-резистор 3,16 кОм, 1 Вт — поверхностный монтаж; RES 3.16K OHM 1W 1% 2512 SMD Технические характеристики: Сопротивление (Ом): 3.16K; Мощность (Вт): 1 Вт; Допуск: 1%; Упаковка: Лента для резки (CT); Состав: толстая пленка; Температурный коэффициент: 100 ppm / C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: соответствует требованиям RoHS

CPWN20: РЕЗИСТОР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 20 Вт, 1; 2; 3; 5%, 30; 50; 90 частей на миллион, 0.18 Ом — 22500 Ом, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ Технические характеристики: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, зеленые; Рабочая температура: от -65 до 275 C (от -85 до 527 F)

D2510060400,5% P5: РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 0,125 Вт, 0,5%, 100 ppm, 604 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 1206 Технические характеристики: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 1206, CHIP; Диапазон сопротивления: 604 Ом; Допуск: 0.5000 +/-%; Температурный коэффициент: 100 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,1250 Вт (1,

GN002768R0FE12: РЕЗИСТОР, ПРОВОДНАЯ НАВИВКА, 1,5 Вт, 1%, 20 ppm, 768 Ом, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ Технические характеристики: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 768 Ом; Допуск: 1 +/-%; Температурный коэффициент: 20 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 1,5 Вт (0,0020 л.с.);

S-2920OHM0.01%: РЕЗИСТОР, 1 Вт, 0,01%, 920 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 2616 Технические характеристики: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), ЧИП, СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Диапазон сопротивления: 920 Ом; Допуск: 0,0100 +/-%; Номинальная мощность: 1 Вт (0,0013 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока: 58 вольт; Рабочая температура: от -55 до 275 C (-6

T70HF10PBF: 70 А, 100 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Конфигурация: одиночный; Пакет: Д-56, Т-МОДУЛЬ-3; Количество контактов: 3; Количество диодов: 1; IF: 70000 мА; VRRM: 100 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

TNPW040251R1BXED: РЕЗИСТОР, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 0.063 Вт, 0,1%, 15 частей на миллион, 51,1 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0402 Технические характеристики: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0402, ЧИП, СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Диапазон сопротивления: 51,1 Ом; Допуск: 0,1000 +/-%; Температурный коэффициент: 15 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0

5KP14A-T3: 5000 Вт, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ, КРЕМНИЙ, ТВС ДИОД Технические характеристики: Конфигурация: Одиночный; Направление: однонаправленное; Корпус: ПЛАСТИКОВЫЙ, КОРПУС P600, 2 КОНТАКТА; Количество контактов: 2; Количество диодов: 1; VBR: 15.От 6 до 17,2 вольт; Соответствует RoHS: RoHS

BFR93A Datasheet, NXP USA Inc.

1997 Oct 29 11

NXP Semiconductors Спецификация продукта

NPN 6 ГГц широкополосный транзистор BFR93A

DATA SHEET STATUS

Notes

1. Пожалуйста, ознакомьтесь с самым последним изданным документом или завершение дизайна.

2. Статус продукта устройств, описанных в этом документе, мог измениться с момента публикации этого документа

и может отличаться в случае использования нескольких устройств.Самая последняя информация о состоянии продукта доступна в Интернете по адресу

URL http://www.nxp.com.

ДОКУМЕНТ

СОСТОЯНИЕ (1) ПРОДУКТ

СОСТОЯНИЕ (2) ОПРЕДЕЛЕНИЕ

Технический паспорт разработки Этот документ содержит данные из объективной спецификации для разработки продукта

.

Предварительный лист данных Квалификация Этот документ содержит данные из предварительной спецификации.

Паспорт продукта Производство Этот документ содержит спецификацию продукта.

ОПРЕДЕЛЕНИЯ

Спецификация продукта  Информация и данные

, представленные в техническом паспорте продукта, должны определять спецификацию продукта

по согласованию между NXP

Semiconductors и его покупателем, если NXP

Semiconductors и заказчик явно не согласовали

в противном случае в письменной форме. Однако ни в коем случае не должно быть действительным соглашение

, в котором продукт NXP Semiconductors

обладает функциями и качествами, превосходящими

, которые описаны в листе технических данных продукта.

ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ

Ограниченная гарантия и ответственность  Информация в этом документе

считается точной и надежной.

Однако NXP Semiconductors не дает

заявлений или гарантий, явных или подразумеваемых, в отношении точности или полноты такой информации, а

не несет ответственности за последствия использования такой информации

.

Ни при каких обстоятельствах NXP Semiconductors не несет ответственности за любые

косвенные, случайные, штрафные, специальные или косвенные убытки

(включая, помимо прочего, упущенную выгоду, потерю сбережений

, прерывание деятельности, расходы, связанные с удалением

или замену любых продуктов или доработку

обвинений) независимо от того, были ли такие убытки основаны на правонарушении

(включая халатность), гарантии, нарушении контракта или любой другой правовой теории

.

Несмотря на любые убытки, которые заказчик может понести

по любой причине, совокупная и кумулятивная ответственность NXP Semiconductors

перед покупателем за

описанных здесь продуктов ограничивается

в соответствии с коммерческими условиями

продажа полупроводников NXP.

Право на внесение изменений  NXP Semiconductors

оставляет за собой право вносить изменения в информацию

, опубликованную в этом документе, включая, помимо прочего,

спецификации и описания продуктов, в любое время и

без предварительного уведомления.Этот документ заменяет всю информацию

, предоставленную до его публикации.

Пригодность для использования  Продукты NXP Semiconductors

не предназначены, не авторизованы и не имеют гарантии для использования

в системах жизнеобеспечения, жизненно важных или критически важных для безопасности системах или оборудовании

, а также в приложениях, в которых возникают отказы или неисправности

продукта NXP Semiconductors с разумной степенью вероятности может быть

, что может привести к травмам, смерти или серьезному ущербу собственности или окружающей среде

.NXP Semiconductors

не несет ответственности за включение и / или использование продуктов NXP

Semiconductors в таком оборудовании или приложениях

, и поэтому заказчик несет ответственность за такое включение и / или использование на свой страх и риск

.

Приложения  Приложения, описанные здесь для

любого из этих продуктов, предназначены только для иллюстративных целей.

NXP Semiconductors не делает никаких заявлений и не дает гарантии

, что такие приложения будут подходить для указанного использования

без дальнейшего тестирования или модификации.

Заказчики несут ответственность за разработку и эксплуатацию

своих приложений и продуктов, использующих продукты NXP

Semiconductors, и NXP Semiconductors

не несет ответственности за любую помощь с приложениями или разработкой продуктов

клиентов. Только заказчик несет ответственность за определение того, подходит ли продукт NXP

Semiconductors и подходит ли он для приложений и запланированных продуктов заказчика

, а также

для запланированного применения и использования третьим сторонним заказчиком

. ).Заказчики должны обеспечить соответствующие меры безопасности при проектировании и эксплуатации

, чтобы минимизировать риски

, связанные с их приложениями и продуктами.

PHILIPS BFR93A

DtSheet
    Загрузить

ФИЛИПС BFR93A

Открыть как PDF
Похожие страницы
PHILIPS BFG92A / X
PHILIPS BFR53
PHILIPS BFQ67T
ETC BFR92AW / T1
PHILIPS BFG425W
PHILIPS BFG540W / X
PHILIPS BFG25AX
PHILIPS BFR505T
PHILIPS BFG25AW
PHILIPS BFG35
PHILIPS BFG590W / X
ФИЛИПС PRF957
PHILIPS BFG505W
PHILIPS BFG590 / X
PHILIPS BFG520W
PHILIPS BFR54
PHILIPS BFR520T
ETC BFG67 / T1
PHILIPS BFG67W
ETC BFG540 / T1
PHILIPS BFQ135
PHILIPS BFT92W

dtsheet © 2021 г.

О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь

BFR93A, 235 NXP | PNEDA

Microsemi

Производитель

Корпорация Microsemi

Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.)

65 В

Частота — переход

1.025 ~ 1,15 ГГц

Коэффициент шума (дБ, тип. @ F)

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Ток — коллектор (Ic) (макс.)

17.8А

Рабочая температура

200 ° С

Тип крепления

Крепление на шасси

Комплект поставки устройства

M216

Infineon Technologies

Производитель

Infineon Technologies

Тип транзистора

2 NPN (двойной)

Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.)

12В

Частота — переход

8 ГГц

Коэффициент шума (дБ, тип. @ F)

0.9 дБ ~ 1,2 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

70 при 5 мА, 8 В

Ток — коллектор (Ic) (макс.)

20 мА

Рабочая температура

150 ° C (ТДж)

Тип крепления

Крепление на поверхность

Упаковка / ящик

6-ВССОП, СК-88, СОТ-363

Комплект поставки устройства

PG-SOT363-6

Microsemi

Производитель

Корпорация Microsemi

Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.)

Коэффициент шума (дБ, тип. @ F)

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

Ток — коллектор (Ic) (макс.)

Комплект поставки устройства

Microsemi

Производитель

Корпорация Microsemi

Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.)

50 В

Частота — переход

1 ГГц ~ 1.4 ГГц

Коэффициент шума (дБ, тип. @ F)

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

Ток — коллектор (Ic) (макс.)

1A

Рабочая температура

200 ° C (ТДж)

Тип крепления

Крепление на шасси

Комплект поставки устройства

55LV

CEL

Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.)

15 В

Частота — переход

2 ГГц

Коэффициент шума (дБ, тип. @ F)

Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce

50 при 5 мА, 10 В

Ток — коллектор (Ic) (макс.)

50 мА

Рабочая температура

125 ° C (ТДж)

Тип крепления

Крепление на поверхность

Упаковка / ящик

ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3

Комплект поставки устройства

СОТ-23

Электронные компоненты и полупроводники 50PCS BFR93A 6 ГГц NPN RF широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT23 NEW Электрооборудование и материалы

Электронные компоненты и полупроводники 50PCS BFR93A 6GHz NPN RF Wideband Transistor 12V / 300mW SOT23 NEW Электрооборудование и материалы
  • Home
  • Business & Industrial
  • Электрооборудование и принадлежности
  • Электронные компоненты и полупроводники
  • Полупроводники и активные компоненты
  • Транзисторы
  • 50PCS BFR93A 6 ГГц NPN RF Широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT231 широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт

    Широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT231 300 мВт SOT23 NEW 50PCS BFR93A 6GHz NPN, Найдите много новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 50PCS BFR93A 6GHz NPN RF Широкополосный транзистор 12V / 300mW SOT23 NEW по лучшим онлайн-ценам, Бесплатная доставка для многих продуктов, получите свой собственный стиль Теперь покупайте прямо с завода, вот ваша самая идеальная цена, лучшие цены, тысячи лучших интернет-магазинов и брендов.НОВЫЙ 50PCS BFR93A 6 ГГц NPN RF широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT23, 50PCS BFR93A 6 ГГц NPN RF широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT23 NEW.








    См. Все определения условий: Торговая марка:: Небрендовые / универсальные. См. Список продавца для получения полной информации. Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 50PCS BFR93A 6GHz NPN RF Wideband Transistor 12V / 300mW SOT23 NEW по лучшим онлайн-ценам на. например, коробка без надписи или полиэтиленовый пакет.в закрытом виде, если применима упаковка, UPC:: Не применяется: MPN:: Не применяется. неиспользованный, Состояние :: Новое: Совершенно новая, Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине. Неповрежденный товар в оригинальной упаковке. Бесплатная доставка для многих товаров, если товар не был изготовлен вручную или не был упакован производителем в не розничной упаковке.

    • Инфраструктура кабельной сети

      Сертифицированная гарантия специалистов по установке оптоволоконных кабелей категорий 5, 6 и 7 категорий

      Узнать больше
    • Телефонные системы

      Полная интеграция системы Подключите свою команду

      Узнать больше
    • Разработка проекта сетевой инфраструктуры

      Специалисты по развертыванию и управлению по установке оптоволокна Сертифицированные сетевые инженеры

      Узнать больше
    • Панасоник Систем НС 700/1000

      Установка и поддержка Поставщики комплексных решений

      Узнать больше
    • Специалисты по поддержке телефонной системы

      Eircom Systems, Siemens, NEC Более 30 лет опыта

      Узнать больше
    • Интернет-магазин CDC

      Проверьте наши телефоны, чтобы приобрести

      Купить сейчас
    • Телефонные системы

      Телефонные системы Panasonic и Siemens / Unify установлены и обслуживаются сертифицированными инженерами

      Больше информации
    • Cat 5/6/7 и волоконно-оптические линии связи

      Мы устанавливаем тестируемые и сертифицируем оптоволоконные кабели категорий 5-6 и 7 с сертифицированной гарантией установки

      Больше информации
    • Телефонные системы Eircom / EIR

      Дела идут не так !!! МЫ МОЖЕМ ПОМОЧЬ В ремонте и обслуживании всех Eircom / EIR Broadlink, Netlink, Siemens Hipath

      Больше информации
    • Передача голоса по Интернет-протоколу (VOIP) и облачная связь

      Бесплатные звонки из офиса в офис Настройка удаленного офиса Дешевые звонки по всему миру Обновление до будущего

      Больше информации

    Решения для телефонных систем для любого бизнеса

    CDC Telecom продает, устанавливает и обслуживает телекоммуникационные решения.

    Поскольку у каждого предприятия есть свои специфические требования, наш опытный персонал предоставит советы и варианты для всех ваших требований к телефонной системе и связи — от планирования, установки и дополнительных решений по техническому обслуживанию до офисных телефонных систем и офисных кабельных сетей для передачи данных.

    Мы также поставляем полностью сертифицированную кабельную инфраструктуру для передачи данных по кабелю Cat 6 или по оптоволокну, начиная с полной установки данных и заканчивая программой послепродажного обслуживания. Мы ваш партнер, всегда выполняющий заказы в срок и в рамках бюджета.Наши дружелюбные сотрудники CDC Telecom всегда готовы помочь!
    CDC Telecom предлагает дружественные профессиональные услуги для офисов любого размера. Выбирайте из широкого спектра продуктов и услуг, которые мы предлагаем.

    50 шт. BFR93A 6 ГГц NPN RF широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT23 NEW


    50 шт. BFR93A 6 ГГц NPN RF широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT23 NEW

    Футболка унисекс с короткими рукавами Canna Nuclear Trump и другие модные худи и свитшоты на.iLXHD Mens Hip Hop Oversize Long Sleeve Pullover Hoodie Loose Hooded Sweatshirt Coat в магазине мужской одежды. Настройте подвеску так, как вам нравится. Покрытие Maxx-Shield для линз из поликарбоната, полностью новый материал Pro-Lite с 4-сторонним растяжением. Эластичная застежка на талии обеспечивает более плотную, но удобную посадку. ➤ Регулируемый и гибкий ремешок: шлемы для скейтборда специально разработаны с регулируемыми ремнями. Номер модели позиции: ban-T942-011-P. Гарантия: Наша мужская одежда абсолютно качественная и невысокая.ROCK ATOLL Мужская классическая синяя удобная рубашка с длинным рукавом стандартного кроя Henley S-XXL в магазине мужской одежды, , 50 шт., BFR93A, 6 ГГц, NPN RF, широкополосный транзистор, 12 В / 300 мВт, SOT23 NEW , JIN + D Платья: Одежда, длина подошвы 280 мм, а в обуви 43/44 длина около 270 мм. Кольцо FTL из стерлингового серебра 925 пробы с кристаллами Lucky Beast Guardian Ювелирные изделия для женщин Обручальные обручальные кольца: одежда, разработанная в соответствии с техническими требованиями оригинального производителя или превосходящими их по форме.Сделано в США из одобренного FDA пластика PETG, защищающего ваши глаза от резкого и яркого света. Сделано вручную в Великобритании с запонками Flag, 50% хлопок / 50% полиэстер NuBlend® предварительно усаженный флис. Основа: 100% нейлон; Подкладка: 100% нейлон; Наполнитель: 90% утиный пух. Подробная информация о продукте • Кольцо из чистого 14-каратного золота • Циркониевые бриллианты Swaroski • Размер: ширина кольца 3 мм • Устойчивость к потускнению и поту • Гипоаллергенный, 50PCS BFR93A 6 ГГц NPN RF широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT23 NEW . Рисунок был напечатан вручную на высококачественном носителе. Рисунок помещен в окно с тиснением, которое вручную тиснено на поверхности бумаги.6 x 4, без дырок и потяжек. Отличное винтажное состояние. Посередине нанесено клеймо из девяти синих символов Маджонга. На наших персонализированных разделочных досках выгравированы сувениры на память. опал. Это медальон, поэтому вы можете поместить в него изображение кого-то особенного (= в дизайне не используются металлы), но он по-прежнему СУПЕР ВЕСЕЛЫЙ и имеет оригинальную пуховку. 50PCS BFR93A 6 ГГц NPN RF широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT23 NEW , содержащий 4 карты каждого из 5 дизайнов, ИНДИВИДУАЛЬНОЕ Современное свадебное меню DL Меню с фольгой, синяя ткань с черными словами супергероя, ~ крышка из хлопчатобумажной ткани и наволочка Minky, это пары из начала 90-х созданы, чтобы служить долго, и в них до сих пор остались годы износа.Купить pliab Bobble Head Украшение для автомобиля Украшение с милым котом Моделирование интерьера с изображением кота Украшение для дисплея Аксессуары для дома Декор автомобиля Подарочные аксессуары Приборная панель Подвеска для куклы Bobblehead: Коллекционные куклы — ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках. Несложный с подробными инструкциями, ◆ Easy-to-Match — эти рваные джинсовые короткие брюки можно носить повседневно с балетками или кроссовками и непринужденной футболкой. Разделители полностью входят в корпус. Цените опыт покупок и удовлетворение каждого покупателя, 50PCS BFR93A 6 ГГц NPN RF широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT23 NEW .Kimdio Геометрический террариум Прозрачное стекло Настольный горшок для растений Держатель для воздушных растений Дисплей для суккулентов, папоротника, мха, для воздушных растений, Миниатюрный открытый сказочный сад, сделай сам, подарок (L-черный): Сад и Открытый. ПРОСТО НАЖМИТЕ НА ДИСК НА СООТВЕТСТВИИ СООТВЕТСТВУЮЩУЮ ЗАЩИТУ ОТ ПЕРЕГРУЗКИ. Поддерживаемая операционная система: Windows 98. Простая и естественная отделка сумки позволяет рисовать или печатать логотип компании для продвижения экологически чистых джутовых пакетов и полностью исключает пластиковые пакеты. Этот трехуровневый блок быстро монтируется и идеально подходит для хранения ваших снастей. и другие предметы первой необходимости вместе во время сеанса.Бесплатная доставка на следующий день для наиболее подходящих модных заказов. предварительно загрунтованный плинтус из МДФ, который может быть установлен для отображения любого профиля и позволяет скрыть кабель.
    Измельчающие части соляной мельницы Peugeot использовались для сухого измельчения. Наконечники этих зажимов изготовлены из гладкой резины — это обеспечивает отличный захват, а также защищает ваши предметы от повреждений из-за мягкой и довольно плоской поверхности, может быть небольшая разница в цвете с реальным объектом, 50PCS BFR93A 6GHz NPN RF Wideband Transistor 12 В / 300 мВт SOT23 NEW , семена кукурузного мака Richters: Patio, без бисфенола А и сертифицированы для кошерного парве.

    50 шт. BFR93A 6 ГГц NPN RF широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT23 NEW


    cdctelecom.com Найдите много новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 50PCS BFR93A 6 ГГц NPN RF широкополосный транзистор 12 В / 300 мВт SOT23 NEW по лучшим онлайн-ценам на, Бесплатная доставка для многих продуктов, Создайте свой собственный стиль сейчас, Купить напрямую с завода, вот ваша самая идеальная цена, лучшие цены, тысячи лучших интернет-магазинов и брендов.

    BFR93A Транзисторы NXP / PHILIPS | Весвин Электроникс Лимитед

    BFR93A от производителя NXP / PHILIPS — это транзисторы — биполярные (BJT) — RF с транзистором, RF, NPN, 12V, 35MA.Более подробную информацию о BFR93A можно увидеть ниже.

    Категории
    Транзисторы
    Производитель
    NXP / PHILIPS
    Veswin Номер детали
    V1070-BFR93A
    Статус бессвинца / Статус RoHS
    Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS
    Состояние
    Новое и оригинальное — заводская упаковка
    Состояние на складе
    На складе
    Минимальный заказ
    1
    Расчетное время доставки
    9 августа — 14 августа (выберите ускоренную доставку)
    EDA / CAD модели
    BFR93A от SnapEDA
    Условия хранения
    Шкаф для сухого хранения и пакет защиты от влажности
    Максимальное напряжение пробоя коллектора-эмиттера
    12В
    Тип транзистора
    НПН
    Комплект устройства поставщика
    СОТ-23 (ТО-236АБ)
    Макс мощность
    300 мВт
    Упаковка
    Катушка
    Digi-ReelR
    Чемодан в упаковке
    ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
    Коэффициент шума дБ Тип f
    1.9 дБ ~ 3 дБ при 1 ГГц ~ 2 ГГц
    Монтажный тип
    Крепление на поверхность
    Прирост
    Частотный переход
    6 ГГц
    Коэффициент усиления постоянного тока hFE Min Ic Vce
    40 при 30 мА, 5 В
    Токосъемник Ic Max
    35 мА

    Ищете BFR93A? Добро пожаловать в Весвин.com, наши специалисты по продажам всегда готовы помочь вам. Вы можете получить доступность компонентов и цены для BFR93A, просмотреть подробную информацию, включая производителя BFR93A и спецификации. Вы можете купить или узнать о BFR93A прямо здесь, прямо сейчас. Veswin — дистрибьютор электронных компонентов для бытовых, обычных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Veswin поставляет промышленные, Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, клиентов CEM и ремонтных центров по всему миру.У нас есть большой запас электронных компонентов, который может включать BFR93A, готовый к отправке в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором BFR93A с полным спектром услуг. У нас есть возможность закупить и поставить BFR93A по всему миру, чтобы помочь вам с цепочкой поставок электронных компонентов. сейчас же!

    • Q: Как заказать BFR93A?
    • A: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
    • Q: Как платить за BFR93A?
    • A: Мы принимаем T / T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
    • В: Как долго я могу получить BFR93A?
    • A: Мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
      Мы также можем отправить заказной авиапочтой, обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
      Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем веб-сайте.
    • Вопрос: Гарантия на BFR93A?
    • A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
    • Вопрос: Техническая поддержка BFR93A?
    • A: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке BFR93A, примечаниями по применению, заменой, таблица данных в pdf, руководство, схема, эквивалент, перекрестная ссылка.
    ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОНИКИ VESWIN Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001.Наши системы и соответствие стандартам были и продолжают регулярно проверяться и тестироваться для поддержания постоянного соответствия.
    СЕРТИФИКАЦИЯ ISO
    Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics точны, всеобъемлющи и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *