C5404 транзистор характеристики: 2SC5404 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

2SC5404 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5404 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC5404 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение
Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный — — — 9,0/18 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 50 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 7,0 А
4		 — 8 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 7 A, Ib = 1,75 А — — 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения — — — 7,0 А
Ib Ток базы — — — 4,5 А
Tf Время спада импульса F = 64 кГц — 0,15 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы

микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (

серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии
ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15 0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий
Нагружаемый
выход		 Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50
12		 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ
Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема		 U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2 2 2
U0вх, В
схема		 0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема		Uи.п.= 4,5 В 0,4
0,35		 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема		 Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых
= -0,4 мА		 I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема		U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В 250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20
50
I0вых, мкА Состояние Z
схема		 U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В -40 -20 -50
I1вх, мкА
схема		U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1 1 0,1
I0вх, мА
схема		 U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

2SC5411 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5411 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC5411 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный — — — 14/28 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 60 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 11 А 4 — 8 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 11 A, Ib = 2,75 А — — 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения — — — 11 А
Ib Ток базы — — — 7,0 А
Tf Время спада импульса F = 64 кГц — 0,15 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SC5446 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5446 и его обозначение на схемеКорпус транзистора 2SC5446 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Неизолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база — — — 1700 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер — — — 600 В
Vebo Напряжение эмиттер-база — — — 5 В
Ic Ток коллектора постоянный/импульсный — — — 18/36 А
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C — — 200 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 14 А 4 — 8 —
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 14 A, Ib = 3,75 А — — 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения — — — 14 А
Ib Ток базы — — — 9 А
Tf Время спада импульса F = 64 кГц — 0,15 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

2SC5404 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — Спецификация

Корпус транзистора 2SC5404 и его обозначение на схеме Корпус транзистора 2SC5404 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

  • Четвертое поколение мощных высоковольтных транзисторов с высокой скоростью переключения.
  • Низкое напряжение насыщения.
  • Изолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
ВКБО Напряжение коллектор-база – – – 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер – – – 600 В
Вебо Напряжение эмиттер-база – – – 5 В
Ic коллектора постоянный / импульсный – – – 9,0 / 18 А
ПК Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25 ° С – – 50 Вт
ч FE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 7,0 А 4 – 8 –
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 7 А, Ib = 1,75 А – – 3,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения – – – 7,0 А
Ib Ток базы – – – 4,5 А
ТФ Время спада импульса F = 64 кГц – 0,15 0,3 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl + Enter .

.

Низкая Цена Нового И Оригинальный Транзистор 2sc5404 C5404

Краткая информация

Округ Колумбия:

Последняя

Упаковка:

Транзистор

Модели:

2SC5404 C5404

Тип:

Регулятор напряжения

Наименование:

Оригинальный бренд

Происхождение товара:

Япония

Напряжение питания:

Стандарт

Состояние:

Новый и оригинальный

Доставка компанией:

DHL \ UPS \ FedEx \ EMS \ TNT \ Aramex.

Оплата:

T / T, Paypal, Western Union, alibaba онлайн-оплата.

Скайп:

Бизониндустрия

Возможности поставки

Возможности поставки:
15000 Шт / штук в год

Упаковка и доставка

Подробности об упаковке
Обычная упаковка катушка, трубка, лоток, коробка и т.д.
Порт
Шэньчжэнь
.

irf540 транзистор характеристики на русском, цоколевка, аналоги

Из-за своих технических характеристик для решения сложных задач в импортной технике. Это мощный, N-канальный, полевой транзистор третьего поколения от International Rectifier (IR). Выпускается, в настоящее время, компанией Vishay с названием SiHF540. В статье рассмотрен классический irf540, его технические характеристики и особенности. Так же приведены примеры более современных версий, с улучшенными его функциями.

Распиновка

У irf540 следующая цоколевка, он имеет три гибких вывода, на право: затвор (G), сток (D) и исток (S). Радиатор физически соединен с выводом стока. Чаще всего представляет собой полупроводниковое устройство с изолированным затвором (IG-FET), в пластмассовом корпусе ТО-220AB. Между выводами стока и истока встроенный паразитный диод. Распиновка представлена ​​на рисунке.

irf540 распиновка

Примерно до 1990 года, некоторые экземпляры от IR, выпускались в корпусе для поверхностного монтажа SMD-220.IRF540FI от компании STM был исполнен в нестандартном корпусе ISOWATT220 или ТО-220FI. В настоящее время появились улучшенные модификации этого транзистора. Так Vishay, производит их в корпусе ТО-262, например IRF540ZL и D 2 PAK (он же TO-263 или SOT404), с маркировкой: IRF540S (SiHF540S), IRF540NS (SiHF540NS), IRF540ZS.

Характеристики

Если углубляться в технические тонкости, то все оригинальные «irf» сделаны по запатентованной IR технологии HEXFET, которая имеет более сложную структуру.Неоригинальные устройства, от других компаний, имеют свои технологии изготовления, но общий принцип един для всех. Ниже основные характеристики itf540, к ним:

  • Максимальное напряжение стока-истока (V DS ) — 100 В;
  • Максимальный постоянный ток стока (I D ) — 28 А; импульсный — 110 А;
  • Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon ) — 77 мОм;
  • Максимальный суммарный заряд затвора (Q G ( Max ) ) — 72 нКл;
  • Рассеиваемая мощность (P D ) — 150 Вт;
  • Диапазон рабочих температур (T J ) от — 55 до +175 ° C.

Максимальные

Транзистор выдерживает достаточно большой ток в нагрузке, до 28 А. В последнее время на рынке более современные модификации, такие как irf540n, irf540z. Они имеют улучшенные параметры. Так, у некоторых представителей этого семейства I D достигает 36 А, сопротивление открытого канала снижено до 26,5 мОм. Это связано с совершенствованием технического процесса производства. Рассмотрим предельно допустимые или так называемые максимальные для данного устройства.

Предельные параметры транзистора irf540

Электрические

Электрические характеристики, при температуре окружающей среды +25 ° C. Максимальное пороговое напряжение на затворе, при этом у всех производителей не более 4 В. Однако практика показывает, что для полного открытия перехода, необходимо подавать больше 5 В. А для использования с контроллером, лучше использовать рекомендуемый инструмент IRF540NL.

Электрические параметры транзистора IRF540

Тепловое сопротивление

Температуры окружающей среды +25 ° C, при работе транзистора, добиться в обычных условиях его использования.Поэтому все, без исключения, производители в своих технических паспортах действуют значения тепловых сопротивлений. Они могут потребиться для расчета элементов охлаждения в схеме.

Таблица тепловых значений irf540

Кроме вышеперечисленных параметров, необходимых для принятия решений об использовании устройства, необходимо принять ёмкостные характеристики, время переключения устройства и др.

Комплементарная пара

Комплементарной парой является MOSFET irf9540. Это полевик от IR, с фирменной HEXFET-структурой, в пластмассовом корпусе ТО-220AB.Соответственно, он имеет проводимость P-типа.

Аналоги

Полными зарубежными аналогами irf540 являются: BUZ21, D84EL2 (Siemens), STP22NE10L, STP24NF10 (STM). Ближайшим по параметрам будет 2SK2314 (Toshiba). В качестве российской замены можно порекомендовать: КП540, КП746А, КП746Б.

Принцип работы

IRF540 может быть включен или выключен при подаче необходимого порогового напряжения затвора (V GS ). Переход сток-исток закрыт, когда на него напряжение не подается.При подаче напряжения, переход открывается. В нашем случае, при появлении на затворе напряжения в 5 В, переход произойдет и будет пропускать ток. Схематично работа полевика представлена ​​на рисунке.

Пример проекта на irf540

Если переход открыт и надо его закрыть, то на затвор надо подать 0 В. До этого момента полевик останется открытым. Чтобы избежать этой проблемы, используйте устанавливающий резистор (R1). На рисунке от сопротивлением в 10 кОм. В таких приложениях, как управление скоростью двигателя или регулировка яркости света, используйте сигнал ШИМ для быстрого переключения.При этой емкости затвора MOSFET создает обратный ток из-за паразитного эффекта. Чтобы решить эту проблему, применяя ограничивающий конденсатор. На рисунке он представлен емкостью C1 — 470 пФ. Посмотрите видео на похожую тему с использованием вместо потенциометра.

Производители и DataSheet

Основным преимуществом irf540 является компания Vishay. Именно ее продукцию сейчас можно встретить на российских прилавках магазинов радиотоваров.В том числе и под торговой маркой International Rectifier. В тоже время, может встречаться продукция таких известных брэндов: Infineon, STM, Fairchild, Philips, Motorola. Или неизвестных: Бэй Лианер, Харрис.

.

No related posts.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *