Диод Д211
Справочник количества содержания ценных металлов в диоде Д211 согласно паспорта на изделие и информационной литературы. Указано точное значение драгоценных металлов в граммах (Золото, серебро, платина, палладий и другие) на единицу изделия.
Содержание драгоценных металлов в диоде Д211
Золото: 0,0108 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Источник информации: .
Фото диода Д211:
Панель ламповая виды
Диод — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля. Электрод диода, подключаемый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключаемый к отрицательному полюсу — катодом.
О комплектующем изделии – Диод
Диод это полупроводниковый прибор основанный на PN-переходе. А если без теории, то диод в одном направлении пропускает ток, а в другом нет. Вот и все.
Как работает диод – видео.
В этом выпуске вы узнаете: что такое диод, принцип действия диода, как работает диод, что такое p – n переход; что такое прямой ток диода, что такое обратный ток диода; каково внутреннее сопротивление диода; что такое вольт- амперная характеристика диода; что такое пропускное и не пропускное напряжение диода; как работает диод в цепи постоянного тока, как работает диод в цепи переменного тока; как устроен плоскостной диод; какие существуют виды диодов; как устроен выпрямительный диод.
Характеристики диодов Д211:
Купить или продать а также цены на Диод Д211:
Оставьте отзыв о Д211:
Вольт-амперная характеристика — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Вольт-амперная характеристика
Cтраница 3
Вольт-амперная характеристика с учетом диффузионных и ге-нерационно-рекомбинационных токов ( рис. 1.12) свидетельствует о том, что наличие генерации и рекомбинации увеличивает токи полупроводникового диода. В результате изменения толщины области объемного заряда 6 с изменением напряжения обратный ток оказывается ненасыщенным. [31]
Вольт-амперные характеристики
Вольт-амперная характеристика показывает зависимость фототока от анодного напряжения при постоянном световом потоке. [34]
Вольт-амперные характеристики вакуумных сурьмяно-цезиевы. [35]
Вольт-амперные характеристики сохраняют линейность в очень широких пределах. Наклон нулевой характеристики ( Ф0) определяется темновым сопротивлением Ri или собственной проводимостью полупроводникового вещества. [37]
Вольт-амперная характеристика некоторых диодов имеет особенность, позволяющую использовать их в качестве стабилизаторов напряжения. В прямом направлении вольт-амперная характеристика таких диодов не отличается от характеристики обычных диодов ( рис. 3 — 18 а), но при воздействии напряжения, приложенного в обратном направлении, характеристика диода приобретает резкий излом при некотором напряжении ипр, называемом напряжением пробоя. [39]
Вольт-амперные характеристики снимаются экспериментально при постоянной температуре окружающей среды. На рис. 6 представлено семейство вольт-амперных характеристик для образца ОПТР, полученного на основе диацетила, по-лимеризованного при 450 С. [43]
Вольт-амперные характеристики должны измеряться для каждого поля электрофильтра при постоянных параметрах технологического процесса. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5
Покупаем на выгодных условиях: платы, радиодетали, микросхемы, АТС, приборы, лом электроники, катализаторы
Мы гарантируем Вам честные цены! Серьезный подход и добропорядочность — наше главное кредо.
Компания ООО «РадиоСкупка» (скупка радиодеталей) закупает и продает радиодетали , а также любое радиотехническое оборудование и приборы. У нас Вы сможете найти не только наиболее востребованные радиодетали, но и редкие производства СССР и стран СЭВ. Мы являемся партнером «ФГУП НИИ Радиотехники» и накопили огромный опыт за наши годы работы. Также многих радиолюбителей заинтересует наш уникальный справочник по содержанию драгметаллов в радиодеталях. В левом нижнем углу нашего сайта Вы сможете узнать актуальные цены на драгметаллы такие, как золото, серебро, платина, палладий (цены указаны в $ за унцию) а также текущие курсы основных валют. Работаем со всеми городами России и география нашей работы простирается от Пскова и до Владивостока. Наш квалифицированный персонал произведет грамотную и выгодную для Вас оценку вашего оборудования, даст профессиональную консультацию любым удобным Вам способом – по почте или телефону. Наш клиент всегда доволен!
Покупаем платы, радиодетали, приборы, АТС, катализаторы. Заинтересованы в выкупе складов с неликвидными остатками радиодеталей а также цехов под ликвидацию с оборудованием КИПиА.
Приобретаем:
- платы от приборов, компьютеров
- микросхемы любые
- транзисторы
- конденсаторы
- разъёмы
- реле
- переключатели
- катализаторы автомобильные и промышленные
- приборы (самописцы, осциллографы, генераторы, измерители и др.)
Купим Ваши радиодетали и приборы в любом состоянии, а не только новые. Цены на сайте указаны на новые детали. Расчет стоимости б/у деталей осуществляется индивидуально в зависимости от года выпуска, состоянии, а также текущих цен Лондонской биржи металлов. Работаем почтой России, а также транспортными компаниями. Наша курьерская служба встретит и заберет Ваш груз с попутного автобуса или поезда.
Честные цены, наличный и безналичный расчет, порядочность и клиентоориентированность наше главное преимущество!
Остались вопросы – звоните 8-961-629-5257, наши менеджеры с удовольствием ответят на все Ваши вопросы. Для вопросов по посылкам: 8-900-491-6775. Почта [email protected]
С уважением, директор Александр Михайлов.
Полупроводниковые электронные приборы. » Кремниевые диоды
Март 7, 2009
В .настоящее время наша промышленность выпускает ряд новых диодов. Их обозначения состоят из двух или трех элементов. Первый элемент — буква Д. Второй элемент — номер, присвоенный данному типу прибора. Плоскостные кремниевые диоды для работы при повышенной температуре имеют номера 201—300, а плоскостные германиевые диоды для работы при обычных температурах — номера 301—400. Третий элемент — буква, указывающая разновидность типа прибора (если разновидностей нет, то буква не ставится).
При окружающей температуре 125 °С и наличии шасси Uмакс составляет 400 ма, без шасси — 200 ма. Величины Uобр. макс для этих диодов соответственно 100, 200, 300 и 400 б при I обр. макс = — 0,5 ма. Напряжение Uпр при выпрямленном токе 400 ма не более 1,5 в. Кремниевые диоды Д206—Д211 оформлены, как показано на рис. 9 б и могут работать при температурах до 125 С. Они дают выпрямленный ток до 100 ма при Uoбp.макс от 100 б для Д206 до 600 в для Д211.
Рис.10 — Кремниевые диоды
Рабочая температура для них от —60° до +70 °С. Параметры этих диодов таковы: I=макс соответственно 1, 3, 5 и 10 a; Uoбр.макс составляет 200, 150, 100 и 50 в; Iобр. макс от 1 до 3 ма, a Unp при номинальном токе не превышает 0,3 в.
Выпускаются также германиевые выпрямительные столбы Д1001, Д1001А, Д1002, Д1002А и Д1003А для частот до 20 кгц, оформленные в металлическом прямоугольном корпусе, залитом эпоксидной смолой. Наибольшая допустимая температура корпуса +80°С. Величина Uпр у этих столбов равна соответственно 6,5; 3,5; 7,5; 4 и 2 б. Столбы с буквой А в обозначении имеют две самостоятельные ветви. Ток I=макс для каждой ветви составляет 100 ма у Д1001 и Д1001А и 300 ма у остальных. Напряжение Uoбр.макс равно 2 кв для Д1001 и Д1002, 1 кв для Д1001А и Д1002А, 0,5 кв для Д1003А. Обратный ток не превышает 150 мка для первых двух типов и 300 мка для последних трех.
отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru
1.Ищите по ключевым словам, уточняйте по каталогу слева
Допустим, вы хотите найти фару для AUDI, но поисковик выдает много результатов, тогда нужно будет в поисковую строку ввести точную марку автомобиля, потом в списке категорий, который находится слева, выберите новую категорию (Автозапчасти — Запчасти для легковых авто – Освещение- Фары передние фары). После, из предъявленного списка нужно выбрать нужный лот.
2. Сократите запрос
Например, вам понадобилось найти переднее правое крыло на KIA Sportage 2015 года, не пишите в поисковой строке полное наименование, а напишите крыло KIA Sportage 15 . Поисковая система скажет «спасибо» за короткий четкий вопрос, который можно редактировать с учетом выданных поисковиком результатов.
3. Используйте аналогичные сочетания слов и синонимы
Система сможет не понять какое-либо сочетание слов и перевести его неправильно. Например, у запроса «стол для компьютера» более 700 лотов, тогда как у запроса «компьютерный стол» всего 10.
4. Не допускайте ошибок в названиях, используйтевсегдаоригинальное наименованиепродукта
Если вы, например, ищете стекло на ваш смартфон, нужно забивать «стекло на xiaomi redmi 4 pro», а не «стекло на сяоми редми 4 про».
5. Сокращения и аббревиатуры пишите по-английски
Если приводить пример, то словосочетание «ступица бмв е65» выдаст отсутствие результатов из-за того, что в e65 буква е русская. Система этого не понимает. Чтобы автоматика распознала ваш запрос, нужно ввести то же самое, но на английском — «ступица BMW e65».
6. Мало результатов? Ищите не только в названии объявления, но и в описании!
Не все продавцы пишут в названии объявления нужные параметры для поиска, поэтому воспользуйтесь функцией поиска в описании объявления! Например, вы ищите турбину и знаете ее номер «711006-9004S», вставьте в поисковую строку номер, выберете галочкой “искать в описании” — система выдаст намного больше результатов!
7. Смело ищите на польском, если знаете название нужной вещи на этом языке
Вы также можете попробовать использовать Яндекс или Google переводчики для этих целей. Помните, что если возникли неразрешимые проблемы с поиском, вы всегда можете обратиться к нам за помощью.
Стабилизаторы напряжения и выпрямители | Выбор аппаратуры для испытаний электрооборудования | Архивы
Страница 8 из 18
Стабилизаторы напряжения.
На правильность отсчета тока утечки (проводимости) имеет большое влияние стабильность напряжения, подводимого от источника питания. При большой емкости объекта рекомендуется снабжать установку стабилизатором напряжения. Подобные устройства особенно необходимы в тех случаях, когда испытания проводятся в условиях, при которых возможны значительные и частые толчки напряжения питания. Желательно применение малоинерционных электронных стабилизаторов напряжения. Мощность стабилизаторов напряжения должна быть не менее мощности, потребляемой регулировочным устройством. Форма кривой напряжения после стабилизатора напряжения значения не имеет, если пульсация напряжения не превышает допустимые пределы.
Выпрямители.
В качестве выпрямляющего устройства в испытательных установках применяют полупроводниковые выпрямители (табл. 17—19). Применение полупроводниковых выпрямителей позволяет существенно упростить и облегчить конструкцию испытательных установок за счет отказа от кенотрона и накального устройства и других элементов схемы.
Кремниевые диоды (табл. 17) работают при допустимой рабочей температуре от —60 до + 125 °С и допускают пятикратную перегрузку по току в течение 50 мс. Диоды выполнены в металлическом герметизированном корпусе со стеклянным изолятором с жестким или гибким выводом. Выпрямительные столбы заключены в металлический корпус, залитый эпоксидной смолой.
Таблица 17. Технические данные кремниевых диодов
Тип |
прямого тока, А |
Допустимая амплитуда обратного напряжения, В |
Прямое падение напряжения при номинальном то. ке, В |
Среднее значение обратного тока при максимальном напряжении, мА |
Примечание |
Д210 |
0,1 |
500 |
1 |
0,1 |
Без теплоотвода |
Д211 |
0,1 |
600 |
1 |
0,1 |
То же |
Д217 |
0,1 |
800 |
0,7 |
0,05 |
» » |
Д218 |
0,1 |
1000 |
0,7 |
0,05 |
» » |
Д226 |
0,3 |
400 |
I |
0,03 |
» » |
Д230Б |
0,3 |
400 |
1 |
0,05 |
» » |
Д233 |
10 |
500 |
1 |
3 |
С теплоотводом |
Д233Б |
5 |
500 |
1.5 |
3 |
То же |
Д237Б |
0,1 |
600 |
1 |
0,1 |
» » |
Д247 |
5 |
500 |
1,2 |
3 |
С дополнительным теплоотводом |
Д247Б |
2 |
500 |
1,5 |
3 |
То же |
Д1004 |
0,1 |
2000 |
4 |
0,1 |
» » |
ДI005А |
0,05 |
4000 |
4 |
0,1 |
Без теплоотвода. Габариты столба Д1005А: 58x18x8 мм, масса 30,7 г; остальных столбов соответственно: 100Х18Х Х8 мм и 54,6 г. При допустимой рабочей температуре менее 85 °С |
Д1005Б |
0,1 |
4000 |
6 |
0,1 |
|
Д1006 |
0,1 |
6000 |
6 |
0,1 |
|
Д1007 |
0,075 |
8000 |
6 |
0,1 |
|
Д1008 |
0,05 |
10000 |
6 |
0,1 |
|
Д1009 |
0,1 |
2000 |
7 |
0,1 |
|
Д1009А |
0,1×2 |
1000×2 |
3,5X2 |
0,1 |
|
Д1010 |
0,1 |
2000 |
11 |
0,1 |
|
Д1010А |
0,3 |
1000 |
5,5 |
0,1 |
|
Д1011А |
0,3X2 |
500×2 |
2,5×2 |
0,1 |
Таблица 18. Технические данные силовых и высоковольтных вентилей
Таблица 19. Технические данные кремниевых выпрямительных столбов
* Длина столба, умноженная на диаметр основания.
При параллельном соединении диодов необходимо подобрать диоды с одинаковым падением напряжения или осуществить равномерное распределение тока путем включения резистора последовательно с каждым диодом или путем применения индуктивных делителей тока, которые представляют собой реактивную катушку с выводом от средней точки обмотки. Значение сопротивления резистора должно быть не менее 5 Ом для кремниевых диодов с допустимым выпрямленным током до 0,1 А и не менее 8 Ом для кремниевых диодов с допустимым выпрямленным током до 0,3—0,4 А.
При последовательном соединении диодов для равномерного распределения напряжения между вентилями каждый диод необходимо шунтировать резистором. В тех случаях, когда ожидаются большие переходные напряжения, следует параллельно шунтирующим резисторам подключать конденсаторы емкостью 50—250 пФ. Значение шунтирующего резистора выбирается из расчета 70 кОм на каждые 100 В обратного напряжения для диодов Д208— Д211, Д226 и аналогичных им, для диодов Д302—Д305 и аналогичных им —из расчета 10—15 кОм на каждые 100 В обратного напряжения.
Выпрямительные столбы серий Д1001—Д1003, Д1009— Д1011 при амплитуде обратного напряжения до 6 кВ и серий Д1004—Д1008 — до 30 кВ можно включать последовательно без шунтирующих резисторов.
Вентили ВЛ-200 и ВЛ5-200 (в керамическом корпусе, см. табл. 18) обладают контролируемым лавинообразованием на обратной ветви вольт-амперной характеристики, вследствие чего выдерживают значительные обратные перенапряжения. Напряжение лавинообразования вентилей 875—1500 В. Высоковольтные лавинные вентили серии ВВЛ предназначены для выпрямительных схем полупроводниковых преобразовательных устройств в диапазоне частот 50— 400 Гц и рассчитаны для длительной работы при погружении в трансформаторное масло с температурой от —50 до + 85 СС.
Столбы серии КЦ (см. табл. 19) — кремниевые высоковольтные, укомплектованы диффузионными лавинными элементами. Столбы серии СДЛ—диодные, лавинные, предназначены для работы в цепях постоянного и переменного тока высоковольтных установок при частоте до 500 Гц.
Рабочая среда столбов серий КЦ и СДЛ — трансформаторное масло в диапазоне температур от —40 до +45°С.
Допускается параллельное соединение столбов одного типа. При этом должны соблюдаться условия, обеспечивающие отсутствие перегрузок любого параллельно подключенного столба по максимально допустимому среднему прямому току. Допускается последовательное соединение столбов одного типа до 100 кВ. При этом каждый столб необходимо шунтировать конденсатором емкостью
С = 2,8Сст и2,
где Сет — емкость столбов относительно земли; п — число последовательно соединенных столбов.
Допускается последовательное соединение двух столбов КЦ 201Е и трех столбов одного типа КЦ 201 А, КЦ 201 Б, КЦ 201В, КЦ 201 Г, КЦ 201Д без применения внешних шунтирующих конденсаторов.
Практическая часть
-
Однополупериодная схема выпрямления.
Рис. 6. Однополупериодная схема выпрямления (диод Д242)
Рис. 7. Однополупериодная схема выпрямления со сглаживанием (диод Д242)
Рис. 8 Однополупериодная схема выпрямления с вольтодобавкой (диод Д226
и незапираемый тиристор КУ101А (на стенде VS2))
1.2.2 Двухполупериодные схемы выпрямления.
Рис. 9. Двухполупериодная схема выпрямления со средней точкой
(
R
используются сдвоенные диоды с моста КЦ402А)R24
VD1-VD4
~20
В
ЭО
R25
Рис. 10. Мостовая схема выпрямителя
Исследование выпрямительной схемы без конденсаторов.
(Используется диодный мост на диодах Д220, защищённый от перегрузок)
R
R24
C11
VD1-VD4
~20
В
ЭО
R25
C12
Рис. 11. Мостовая схема выпрямителя с конденсаторами
(Используется диодный мост на диодах Д220, защищённый от перегрузок)
Рисунок 12 – Схема переключения (пунктир — мостовую схему выпрямления со средней точкой,
сплошная – схема Латура).
1..2.3 Схемы выпрямления с умножением напряжения.
Рис. 13. Двухполупериодная схема выпрямления с удвоением напряжения (Схема Латура)
(Используются диоды Д220, конденсаторы С=0,25 мкФ, нагрузка RН=160 кОм)
Рис. 14 Двухполупериодная схема выпрямления с умножением напряжения
(Используются диоды Д211 и конденсаторы С=0,25 мкФ)
Собрать схему однополупериодного или двхполупериодного выпрямителя по указанию преподавателя, снять и построить внешнюю характеристику выпрямителя . Начертить осциллограмму напряжения на нагрузочном резисторе. Измерить переменную составляющую напряжения на нагрузочном резисторе. Во всех схемах, кроме тех, где это явно указанно, RH=200Ом, С=2700 пФ и С=25 мкФ – сопротивление нагрузки и сглаживающие конденсаторы. На лабораторном стенде установлена микросхема умножения напряжения К299ЕВ1, которая позволяет умножать напряжение до 2-х раз, при этом выпрямляя его.
Методика измерений и обработка результатов эксперимента
Среднее значение выпрямленного напряжения, равное постоянной составляющей, измеряется электронным цифровым вольтметром.
Напряжение переменной составляющей на нагрузке выпрямителя без фильтра измеряется тем же цифровым вольтметром, но в режиме измерения переменного тока.
Все переключения в схемах выполнять при отключенном источнике питания.
В схеме выпрямления с умножением напряжения значение напряжения снимается с помощью вольтметра с точек, указанных на плате.
Контрольные вопросы
Начертите осциллограммы напряжения на нагрузочном резисторе одно- и двухполупериодного выпрямителей.
Какие приборы и как необходимо включить для снятия внешней характеристики выпрямителя?
Прибором какой системы измеряют постоянную составляющую тока и напряжения?
В каком из выпрямителей постоянная составляющая напряжения Uн в нагрузке больше?
В каком из выпрямителей постоянная составляющая тока нагрузки меньше?
Какие параметры диодов ограничивают мощность нагрузочного устройства?
Как измеряется напряжение пульсаций?
Как изменится напряжение на нагрузке выпрямителя, если параллельно включить конденсатор Cф достаточно большой емкости?
Как изменятся пульсации напряжения в нагрузке, если параллельно конденсатору Cф подключить еще один такой же?
Как изменится максимальное обратное напряжение на запертом диоде при подключении конденсатора параллельно нагрузке?
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
CPS37 CPS37 06 / d2 08 / d2 10 / д2 | |
2007 — шпулька EER3542
Аннотация: EER3542 Samwha Electric SAMWHA SG samwha transformer FSFR2100 EER-3542 PILKOR Electronics h21AB17 24v transformer
|
Оригинал |
FEB212-004 FSFR2100 FSFR2100 FEB212 390 В постоянного тока, 00 В / дел) шпулька EER3542 EER3542 Samwha Electric SAMWHA SG самва трансформатор EER-3542 ПИЛКОР Электроника h21AB17 Трансформатор 24в | |
2011 — FEBFSFR2100_D015V1
Резюме: катушка EER3542 EER3542 core FSFR2100 h21AB17 FEBFSFR2100 samwha 220uF 35V fsfr2100-nd yageo 2200uF h21Ab17B-ND
|
Оригинал |
FEBFSFR2100 D015v1 FSFR2100 D015v1 FEBFSFR2100_D015V1 шпулька EER3542 EER3542 ядро FSFR2100 h21AB17 samwha 220 мкФ 35 В fsfr2100-nd yageo 2200 мкФ h21Ab17B-ND | |
2007 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
HL-A-5050D17W-D211 B0507 26 сентября 2007 г. | |
D111
Аннотация: D211 D211B Общие микросхемы
|
OCR сканирование |
Пакет-14 D111 D211 D211B Общие микросхемы | |
2007 — EER3542
Аннотация: катушка EER3542 h21AB17 SAMWHA SG c103 mosfet TRANSISTOR FSFR2100 h21Ab17B-ND samwha D211 оптопара Samwha Electric
|
Оригинал |
FEB212-003 FSFR2100 FSFR2100 FEB212 390 В постоянного тока, 00 В / дел) EER3542 шпулька EER3542 h21AB17 SAMWHA SG C103 MOSFET транзистор h21Ab17B-ND самва Оптопара D211 Samwha Electric | |
2002 — ФАРФОР
Аннотация: D213 D-197 D-210 d 317 транзистор D211 D210
|
Оригинал |
D-197 D-199 D-210 D-211 D-212 D-213 ФАРФОР D213 D-197 D-210 d 317 транзистор D211 D210 | |
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
CPS25 CPS25 04 / d2 06 / d2 07 / d2 | |
термистор ntc h3
Аннотация: 6d222 5D2-18 Термистор NTC 120 Ом D207 NTC 10010 8d218 8D2-18 Термистор 5 Ом термистор 160 c
|
Оригинал |
D2-07 D2-10 D2-14 D2-05 D2-08 D2-11 D2-13 термистор ntc h3 6d222 5Д2-18 Термистор NTC 120 Ом D207 NTC 10010 8d218 8D2-18 термистор 5 ом термистор 160 c | |
2009 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
||
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
OCR сканирование |
40 бит 8B / 10B SG2331 | |
D213
Абстракция: D208 D218 D211 d205 D222
|
Оригинал |
||
di760
Аннотация: диод d214 диод D214 диод D213 d214 d215 d216 le d211 D231 диод idr d06 0011 finisar ftm 7876A
|
OCR сканирование |
S2039 / S2040 S2039 S2040 8B / 10B 32-битный С-132 di760 d214 диод диод D214 диод D213 d214 d215 d216 le d211 Диод D231 idr d06 0011 Finisar ftm 7876A | |
2011 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D211 | |
2011 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D211 | |
2010 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) | |
2008 — MS27903-1
Аннотация: 8895K1 AN3223-1 K47-20 MS18152-1 MS25301-1 WC150PB6 K2520 K8016 8869K67
|
Оригинал |
AN3221-1 AN3223-1 AN3230-1 E1663-1 M3950 / 14A21 M3950 / 14C24 M5423 / 16-01 M8805 / 2 M8805 / 55-001 M8805 / 93-001 MS27903-1 8895K1 AN3223-1 К47-20 MS18152-1 MS25301-1 WC150PB6 K2520 K8016 8869K67 | |
2004 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
MW-C-098b 50 Ом) | |
2010 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) | |
2010 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D211 | |
2011 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
||
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
12345673589A7B26C7D6C9 23445167897A1 32BC1 4DED1F14DED E823F 8101D.D51C81 B1B12D D6623 11B1321 | |
2011 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D211 | |
2011 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D211 | |
2010 — D-Sub 25
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D-Sub 25 | |
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
CPS37 CPS37 06 / d2 08 / d2 10 / д2 | |
2007 — шпулька EER3542
Аннотация: EER3542 Samwha Electric SAMWHA SG samwha transformer FSFR2100 EER-3542 PILKOR Electronics h21AB17 24v transformer
|
Оригинал |
FEB212-004 FSFR2100 FSFR2100 FEB212 390 В постоянного тока, 00 В / дел) шпулька EER3542 EER3542 Samwha Electric SAMWHA SG самва трансформатор EER-3542 ПИЛКОР Электроника h21AB17 Трансформатор 24в | |
2011 — FEBFSFR2100_D015V1
Резюме: катушка EER3542 EER3542 core FSFR2100 h21AB17 FEBFSFR2100 samwha 220uF 35V fsfr2100-nd yageo 2200uF h21Ab17B-ND
|
Оригинал |
FEBFSFR2100 D015v1 FSFR2100 D015v1 FEBFSFR2100_D015V1 шпулька EER3542 EER3542 ядро FSFR2100 h21AB17 samwha 220 мкФ 35 В fsfr2100-nd yageo 2200 мкФ h21Ab17B-ND | |
2007 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
HL-A-5050D17W-D211 B0507 26 сентября 2007 г. | |
D111
Аннотация: D211 D211B Общие микросхемы
|
OCR сканирование |
Пакет-14 D111 D211 D211B Общие микросхемы | |
2007 — EER3542
Аннотация: катушка EER3542 h21AB17 SAMWHA SG c103 mosfet TRANSISTOR FSFR2100 h21Ab17B-ND samwha D211 оптопара Samwha Electric
|
Оригинал |
FEB212-003 FSFR2100 FSFR2100 FEB212 390 В постоянного тока, 00 В / дел) EER3542 шпулька EER3542 h21AB17 SAMWHA SG C103 MOSFET транзистор h21Ab17B-ND самва Оптопара D211 Samwha Electric | |
2002 — ФАРФОР
Аннотация: D213 D-197 D-210 d 317 транзистор D211 D210
|
Оригинал |
D-197 D-199 D-210 D-211 D-212 D-213 ФАРФОР D213 D-197 D-210 d 317 транзистор D211 D210 | |
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
CPS25 CPS25 04 / d2 06 / d2 07 / d2 | |
термистор ntc h3
Аннотация: 6d222 5D2-18 Термистор NTC 120 Ом D207 NTC 10010 8d218 8D2-18 Термистор 5 Ом термистор 160 c
|
Оригинал |
D2-07 D2-10 D2-14 D2-05 D2-08 D2-11 D2-13 термистор ntc h3 6d222 5Д2-18 Термистор NTC 120 Ом D207 NTC 10010 8d218 8D2-18 термистор 5 ом термистор 160 c | |
2009 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
||
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
OCR сканирование |
40 бит 8B / 10B SG2331 | |
D213
Абстракция: D208 D218 D211 d205 D222
|
Оригинал |
||
di760
Аннотация: диод d214 диод D214 диод D213 d214 d215 d216 le d211 D231 диод idr d06 0011 finisar ftm 7876A
|
OCR сканирование |
S2039 / S2040 S2039 S2040 8B / 10B 32-битный С-132 di760 d214 диод диод D214 диод D213 d214 d215 d216 le d211 Диод D231 idr d06 0011 Finisar ftm 7876A | |
2011 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D211 | |
2011 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D211 | |
2010 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) | |
2008 — MS27903-1
Аннотация: 8895K1 AN3223-1 K47-20 MS18152-1 MS25301-1 WC150PB6 K2520 K8016 8869K67
|
Оригинал |
AN3221-1 AN3223-1 AN3230-1 E1663-1 M3950 / 14A21 M3950 / 14C24 M5423 / 16-01 M8805 / 2 M8805 / 55-001 M8805 / 93-001 MS27903-1 8895K1 AN3223-1 К47-20 MS18152-1 MS25301-1 WC150PB6 K2520 K8016 8869K67 | |
2004 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
MW-C-098b 50 Ом) | |
2010 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) | |
2010 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D211 | |
2011 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
||
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
12345673589A7B26C7D6C9 23445167897A1 32BC1 4DED1F14DED E823F 8101D.D51C81 B1B12D D6623 11B1321 | |
2011 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D211 | |
2011 — D211
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D211 | |
2010 — D-Sub 25
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ПК-2009) D-Sub 25 | |
Оценочная плата универсального блока питания Руководство пользователя
% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > транслировать BroadVision, Inc.2020-08-11T13: 42: 18 + 02: 002020-08-11T13: 33: 54 + 02: 002020-08-11T13: 42: 18 + 02: 00application / pdf
qUnjzXt; km; 6> ~ \ ̀SNc
>! # G2 \ y (^? e4Ⱦ> $ LȈ’Ƨz * fc3S4dpNf0f {38 {? & Z @ LnZ * G > M 967_, u / ݢ mDQyI? -Xn_.yAnϾY% O 甁 b9) x \ akɰ «Rkm
Yamaha DV-C6280 Руководство по обслуживанию (стр. 58)
Page 1
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 1 0 0 7 2 8 обслуживание DVD-плеер с ручным управлением это руководство предназначено для использования авторизованными розничными продавцами Yamaha и их обслуживающим персоналом. Предполагалось, что основные процедуры обслуживания, присущие отрасли, и, в частности, продукции Yamaha, уже …
Page 2
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 ■ обслуживающему персоналу 1.Информация о критических компонентах Компоненты, имеющие особые характеристики, помечены буквой z и должны быть заменены деталями, имеющими технические характеристики, равные первоначально установленным. 2. Измерение тока утечки (только для моделей на 120 В), когда s …
Page 3
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 2 свойства лазерного диода длина волны: 665 нм мощность лазера: класс ii мощность лазера: макс. Выходное значение 1,0 мВт (непрерывное) определяется 21 CFR, глава 1, подраздел j varo! : avattaessa ja suojalukitus ohitettaessa olet alttiina nÄkymÄttÖmÄlle laser-sÄteilylle.ÄlÄ …
Page 4
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 3 ■ Предотвращение электростатического разряда (ЭСР) на электростатически чувствительных устройствах информация об управлении региональными настройками информация об управлении регионами: этот DVD-проигрыватель разработан и изготовлен с учетом записываемой информации управления региональными настройками …
Page 5
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 4 ■ меры предосторожности, лазерный диод ■ меры предосторожности при обращении в отношении траверсы: в этом устройстве используется лазер класса II.Видимое лазерное излучение испускается из линзы оптического считывающего устройства, когда устройство включено: 1. Не смотрите прямо в линзу считывающего устройства. 2. Не …
Page 6
DVD-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 ■ передние панели ▼ dvd-c996 ▼ dv-c6280 5 www. Сяоюй163. Com qq 376315150 9 9 2 8 9 4 2 9 8 тел 13942296513 9 9 2 8 9 4 2 9 8 0 5 1 5 1 3 6 7 3 qq тел 13942296513 qq 376315150 8299 тел 13942296513 qq 376315150 8299 http: //www.Xiaoyu163 .Com http: //www.Xiao…
Страница 7
DVD-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 ■ задние панели ▼ dvd-c996 u, модели c ▼ dv-c6280 u модель ▼ dvd-c996 r модель 240v 120v 110v 220v ▼ dvd-c996 модель 6 www. Сяоюй163. Com qq 376315150 9 9 2 8 9 4 2 9 8 тел 13942296513 9 9 2 8 9 4 2 9 8 0 5 1 5 1 3 6 7 3 qq тел 13942296513 qq 376315150 8299 te …
Страница 8
DVD-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 u ……………….. Модель для США c ………… канадская модель а………. австралийская модель b ……………. британская модель g ……….. европейская модель r ….. ……… Генеральная модель изготовлена по лицензии лицензионной корпорации dolby Laboratories. «d …
Page 9
DVD-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 8 ■ внутренний вид erwtyq 435 (17-1 / 8″) 16 (5/8 «) 100 (3 -15/16 дюймов) 116 (4-9 / 16 дюймов) 3 (1/8 дюйма) 6 (1/4 дюйма) 395 (15-9 / 16 дюймов) 404 (15-7 / 8 дюймов) ● единица измерения : мм (дюйм) q основной (3) блок PCB W cm-220 e фиксатор в сборе r модуль dvd стр.C.B. T лоток в сборе y основной (1) p.C.B. Www. Xi …
Page 10
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 9 ■ Самодиагностика оптического датчика и процедура замены, функция самодиагностики оптического датчика и функция проверки регулировки наклона были обновлены. добавлен к этому плееру. При ремонте используйте следующую процедуру для эффективной самодиагностики и регулировки наклона …
Page 11
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 10 ■ Функция самодиагностики и сервисные режимы 1.Таблица сервисных режимов 2. Приложение функции самодиагностики (УВЧ-дисплей), отображающее УВЧ-дисплей f_ _ _ запись текущего значения привода лазера после замены оптического датчика (не использовать ни для чего другого, кроме …
Page 12
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 11 ■ Меры предосторожности при обслуживании 3. Примеры ремонта с использованием кода ошибки 1. Инициализация DVD-плеера инициализируйте DVD-плеер при каждой замене микропроцессора, периферийных частей микропроцессора, модуля стр.C.B. Или главный p.C.B. Настройки клиента вернутся к фактическим …
Page 13
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 12 ■ Инструменты и оборудование для обслуживания 1. Таблица инструментов и оборудования для обслуживания 2. Испытание при хранении и обращении Точность поверхности дисков жизненно важна для тестовых DVD-дисков. Обязательно храните их и обращайтесь с ними осторожно. 1. Не кладите диски непосредственно на рабочий стол и т. Д. После использования. …
Page 14
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 13 ■ процедуры разборки (извлеките детали в порядке их нумерации.) Инжир. 2 1. Снятие верхней крышки a. Выкрутите 4 винта (q), а также 3 винта (w) на рис. 1. 2. Снятие лотка в сборе a. Выкрутите 1 винт (e) на рис. 1. B. Поверните шестерню / l0, как показано на рис. 2 счетчика c …
Page 15
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 14 4. Снятие блока cm-220 a. Выкрутите 5 винтов (y) на рис. 4. B. Отсоедините 2 гибких кабеля (# 501, # 503) от модуля p.C.B. Внимание! Для подключения траверсы (лазерного датчика) используется гибкий кабель №501. К его клеммам нельзя прикасаться.(лазерная картинка …
Page 16
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 15 7. Снятие узла зажима открутите 2 винта (! 2) на рис. 7. 8 . Снятие полиуретановой сборки a. Выкрутите 2 винта (! 3) на рис. 7. B. Медленно извлеките полиуретановую сборку. Рис. 8, рис. 7 9. Снятие траверсы a. Удалите 3 винта ( ! 4) на рис.8. Примечание: обязательно принять stati …
Page 17
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 16 ● сервисное положение проверяется подключением модуля p.C.B. И основной p.C.B. С удлинителями. Удлинительный кабель (14 контактов): aax16590 (vuc8026) удлинительный кабель (22 контакта): aax16610 (jgs0116) осторожно a. Поскольку заземление ослабляется, когда основной печатный плат …
Page 18
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 17 ■ сборка и разборка оптического датчика (механические части), оптический датчик может быть поврежденным статическим электричеством от вашего тела. Обязательно примите меры по предотвращению статического электричества при работе с оптическим датчиком.1. Обращение с оптическим датчиком …
Page 19
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 18 3. Меры по борьбе с статическим электричеством Лазерный диод внутри траверсного блока (оптический датчик) может быть поврежден статическим электричеством от вашего тела. Обязательно примите меры по предотвращению статического электричества при работе с оптическим датчиком. 1. Заземлите нас …
Page 20
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 19 5. Разборка оптического датчика 1.Удалите винт. 2. Освободите язычок, затем снимите держатель пружины 1. Обратите внимание, чтобы не потерять пружину. 3. Снимите направляющий вал. Обратите внимание, что после замены оптического датчика не забудьте отрегулировать наклон оптического датчика. (re …
Page 21
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 20 6. Разборка гайки и открутите винт. Примечания • Гайка не является частью оптического датчика. Перед заменой оптического датчика снимите гайку для использования с новым оптическим датчиком.• после установки используйте винтовой фиксатор, чтобы зафиксировать винт в положении …
Page 22
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 21 3. Снимите защитную паяльную перемычку с датчика. 5. Отрегулируйте наклон оптического датчика после удаления припоя. (см. стр. 23, регулировка наклона оптического датчика.) Удалите припой. Направление снятия припоя (увеличенное изображение) Разрыв цепи после короткого замыкания …
Page 23
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 22 10.Смазывая оптический датчик и периферийные детали при замене деталей, смажьте детали, отмеченные на схеме «xxx». Froil 946p (номер детали. Tx946410) 0,01 г винтовой фиксатор с тремя связями 1401c (0,02 г) (номер детали. Tx946400) винтовой фиксатор с тремя связями 1401c (0,02 …
Страница 24
Dvd-c996 / dv -c6280 dvd-c996 dv-c6280 23 ■ регулировка оптического датчика регулировки наклона основной блок сервисный дисплей винт тангенциальной регулировки наклона винт регулировки наклона t1 (внутренняя периферия) зазор t2 (внешняя периферия) зазор точка измерения точка регулировки режим точки измерения оборудование для измерения диска, инструменты регулировки значения…
Page 25
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 24 step8 step9 step10 зафиксируйте регулировочный винт в нужном положении с помощью винтового фиксатора (номер детали: tx946400). Step7 вытащите траверсу. (См. процедуру разборки в данном руководстве.) Снимите в порядке верхней крышки, лотка и основания зажима. С источником питания …
Page 26
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 25 1. Подтверждение видеовыхода (сигнал яркости) электрическое подтверждение сделайте это подтверждение после замены p.Диск в режиме точки измерения CB Цветная полоса воспроизведения 75% (заголовок 46): dvdt-s15 play (заголовок 10): измерительное оборудование dvdt-s01, инструменты c …
Страница 27
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 26 3. Подтверждение вывода компонентного видеосигнала (cb) сделайте это подтверждение после замены печатной платы Дисковый видеовыход в режиме точки измерения (y) (cb) цветовая шкала выходного терминала 75% воспроизведение (заголовок 46): воспроизведение dvdt-s15 (заголовок 10): измерительное оборудование dvdt-s01, to…
Page 28
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 27 ■ специальные функции для обслуживания 1. Тестовый режим микропроцессора панели ● как войти в тестовый режим 1) если было включено питание на пульте дистанционного управления нажмите кнопку «воспроизведение», одновременно нажимая кнопки «пауза» и «поиск e» на плеере. 2) если p …
Page 29
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 28 памятка www. Сяоюй163. Com qq 376315150 9 9 2 8 9 4 2 9 8 тел 13942296513 9 9 2 8 9 4 2 9 8 0 5 1 5 1 3 6 7 3 q q тел 13942296513 qq 376315150 8299 тел 13942296513 qq 376315150 8299 http: // www.Xiaoyu163.Com http://www.Xiaoyu163.Com.
Page 30
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 ■ Данные микросхемы ic351: mn101cp35d панель № процессора. Имя порта функция 1 p00 (txd, sbo0) вывод командного сигнала cmd в систему µ -com (mn102h55) 2 p01 (rxd, sbi0) вход сигнала состояния из системы µ -com (mn102h55) 3 p02 (sbt0) dspclk вход тактового сигнала из system µ -com (mn1 …
Page 31
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 № Имя порта функция 27 p10 (rmout, tm0io) вход сигнала переключателя открытия лотка opsw (l : active) 28 p11 (tm1io) clsw вход сигнала переключателя закрытия лотка (l: active) 29 p12 (tm2io) pwm выход сигнала привода двигателя 30 p13 (tm3io) cl_down зажим управления выходом 31 p14 (tm4io)…
Page 32
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 31 ic351: mn101cp35d панель № процессора. Имя порта функция 81 pc2 (seg24) pc2 nc 82 pc1 (seg25) pc1 nc 83 pc0 (seg26) pc0 nc 84 pb7 (seg27) pb7 nc 85 pb6 (seg28) pb6 nc 86 pb5 (seg29) pb5 nc 87 pb4 (seg30) pb4 nc 88 pb3 (seg31) pb3 nc 89 pb2 (seg32) pb2 nc 90 pb1 (seg …
Page 33
dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 32 функциональный логический вход, вывод на выберите банк или входы CV, RGB или Y / C.Внутренне подтянуты высоко. Нефильтрованный аналоговый композитный видеосигнал или вход яркостного видеосигнала. Внутренне подтянуты высоко. На cvinfa / y2 должен присутствовать композитный сигнал, сигнал яркости или зеленый …
Page 34
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 33 ■ данные дисплея ● v351: 13-bt -178gnk (v6267400) ● назначение сети ● область схемы подключения анода q # 5 примечание 1) f1, f2 ……… Нить накала 2) np ………….. Нет контакт 3) nc ………….. Нет связи 4) p1 ~ p15 ……. Линия базы 5) 1g ~ 13g…… сетка ● штырьковое соединение …
Page 35
Dvd-c996 / dv-c6280 ■ сокращения 34 35 e ec ошибка управления крутящим моментом ecr ошибка управления крутящим моментом эталонный энкодер выберите etmclk external m clock (81mhz / 40,5 МГц) etsclk etsclk external s clock (54 МГц) f fbalfclk баланс фокуса / частота кадров fe ошибка фокусировки ffi ошибка фокусировки amp инвертированный вход feo focus e …
Page 36
Dvd-c996 / dv-c6280 ■ печатная плата (компонент сторона) c6255 c6257 c6251 c6256 c3223 c3091 c3051 K6251 w3221 lb3201 lb3208 lb3203 lb3205 lb3206 lb3202 nj3201 l3091 c3228 c3201 c3092 c3229 lb3204 lb3207 ra3203 ra3204 c3085 8 5 1 4 ra3009 C3231 r3003 r3202 r3203 r3205 r3201 c3207 c3208 c3206 c3210…
Page 37
Dvd-c996 / dv-c6280 ■ печатная плата (со стороны фольги) c2035 c2037 c2026 c5205 c5219 c5218 c5224 c5225 c2039 tc5244 tc5248 fp2501 tc52c tc524c530 tc524c530 tc524c524 tc524 tc5245 tc5245 c2513 c2517 c2514 c2523 c3031 c3032 c3026 c2033 c2040 r2020 r2022 r2024 r2029 r203 …
Page 38
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 ■ печатная плата 40 41 (фольгированная сторона to: main (6) u, c, r, только pbprl сабвуфер 1 ys — video 2 r коаксиальный оптический w201 l204 # 332 основной (1) p.CB (устройство свинцового типа) от: см (4) от: модуля от: основного (3) от: основного (5) (…
Page 39
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd- c996 / dv-c6280 ■ печатная плата (сторона фольги) 42 43 1 12 24 13 8 1 4 5 8 1 4 5 8 1 4 5 16 9 1 8 14 8 1 7 1 3 5 4 1 4 8 5 основной (1 ) p. CB (устройство для поверхностного монтажа) u, c, r, a только g, b только g, b только cm (1) pCB To: cm (4) w400 # 400 настольный датчик от: cm (4) …
Page 40
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 ■ печатная плата (сторона фольги) 44 45 открыть / закрыть главный (2) стр.CB (устройство ведущего типа) 5 4 3 2 1 остановка пауза воспроизведение tyer disk play x изменение от: main (1) a c3,5 — d + 5 gnd st a tus upsw tbl — pos / res — p anel clsw cl — do w sclock sel1 — 25 a …
Page 41
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 ■ печатная плата (сторона фольги) 46 47 main (4) p. C. B. T o: основной (3) power wh be w 346 8 1 9 16 1 18 17 34 8 1 9 16 5 1 основной (5) p. C. B. (устройство для поверхностного монтажа) ● g, b только от: основного (1) входа основного (6) p.CB (устройство с выводом) ● u, c …
Page 42
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 ■ принципиальная схема (модуль PCB (1/6): раздел fep ) 48 49 2,6 3,3 (0) 0 (2,5) 4,9 (3,9) 1,4 (2,2) 4,6 (0) 0 1,6 0 0 (0,6) 0 1,7 1,7 1,9 1,6 3,3 3,3 3,3 (3,2) 1,6 4,4 (3,3) 0,6 (1,1 ) 3,2 0 (1,2) 0 1,7 1,7 1,7 1,7 3,3 3,3 0 (3,2) 0 (1,2) 2,2 (1,9) 0 (1,7) 0 (1,7) 0 (1 ….
Страница 43
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 ■ принципиальная схема (модуль стр.CB (2/6): раздел adsc) 50 51 0 5,0 (0) 5,0 (0) 5,1 (2,9) 5,1 (2,9) 5,1 (0,8) 5,1 (0) 5,1 (0) 0 (3,3) 2,7 (1,4) 3,3 1,7 (7,4) 1,6 (7,4) 1,5 (7,4) 9,0 9,0 0 (0,6) 1,7 (1,6) 1,7 (0) 5,0 0 1,7 9,0 1,7 1,7 9,0 1,7 1,7 1,7 1,6 (1,7) 2,0 (1,7) 2 …
Page 44
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 ■ принципиальная схема (модуль pCB (3/6): раздел odc) 52 53 остановить воспроизведение остановить воспроизведение остановить воспроизведение остановить воспроизведение остановить воспроизведение остановить воспроизведение остановить воспроизведение остановить воспроизведение 1 3,3 3,3 21 3,3 3,3 41 3,3 0 61 3,3 3.3 81 3,3 3,3 101 0 1,3 121 0 0 141 0 0 2 0,6 3,3 22 3,3 3,3 42 3,3 0 62 3 ….
Page 45
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv- c6280 ■ принципиальная схема (модуль PCB (4/6): AV-декодер) (модели u, c, r, a) 54 55 2,6 2,6 0 1,8 3,3 2,8 (3,1) 2,8 (3,1) 2,8 (3,3) 3,3 3,3 3,1 ( 3,3) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1,3 3,3 2,7 (3,3) 2,8 (0) 2,6 (0) 2,6 (0) 1,7 (0) 3,3 (0) 2,8 (2,6) 2,9 (2,7) 3.3 3 ….
Page 46
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 ■ принципиальная схема (модуль стр.CB (4/6): AV-декодер) (для моделей g, b) 56 57 2,6 2,6 0 1,8 3,3 2,8 (3,1) 2,8 (3,1) 2,8 (3,3) 3,3 3,3 3,1 (3,3) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1,3 3,3 2,7 (3,3) 2,8 (0) 2,6 (0) 2,6 (0) 1,7 (0) 3,3 (0) 2,8 (2,6) 2,9 (2,7) 3,3 3,3 …
Page 47
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 ■ принципиальная схема (модуль PCB (5/6): аудиораздел) 58 59 4,9 2,5 (0) 4,9 (0) 2,4 (0) 0,2 (4,2) 0 (4,9) 0 (2,4) 4,9 4,9 4,9 1,6 1,6 1,7 3,3 (0) 3,2 3,3 0 0 0 0 0 3,2 2,4 0 (1,2) 5,0 3.3 0 1,6 1,6 1,6 1,5 1,5 3,2 3,3 (0) 0 (1,6) 1,3 (1,4) 3,3 (0) 0 0 0 1,3 0 0 0 …
Страница 48
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 ■ принципиальная схема (модуль PCB (6/6): секция процессора) 60 61 0 (2,8) 3,3 2,9 (2,6) 0 0,4 (2,9) 1,3 (2,9) 0,4 (2,9) 2,1 (2,9) 3,3 0 (3,3) 0,9 (2,9) 0 (2,9) 0,9 (2,6) 1,3 (3,0) 1,2 (3,0) 0,4 (3,0) 2,1 (2,9) 1,6 (2,9) 1,3 (2,8) 1,1 (2,8) 1,2 (2,8) 1,1 (2,8) 3,1 (2,7) 3,0 (0) 0 …
Page 49
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 ijk 7 8 dvd-c996 / dv-c6280 ■ принципиальная схема (главная стр.C.B. (1/3) & traverse p.C.B.) * все напряжения измеряются с помощью электрического вольтметра постоянного тока 10 мОм / В. * компоненты со специальными характеристиками помечены буквой z и должны быть заменены деталями со спецификациями, равными …
Page 50
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 ijkl 7 8 dvd-c996 / dv-c6280 ■ принципиальная схема (основной PCB (2/3) и cm PCB) * все напряжения измеряются с помощью электрического вольтметра постоянного тока 10 мОм / В. * компоненты со специальными характеристиками помечены буквой z и должны быть заменены деталями с такими же характеристиками…
Page 51
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 ijk 7 8 dvd-c996 / dv-c6280 ■ принципиальная схема (главный PCB (3/3)) * все напряжения измерены с 10 м Ом / вольтметр постоянного тока. * компоненты с особыми характеристиками помечены буквой z и должны быть заменены деталями с такими же характеристиками, что и исходные …
Page 52
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 ijkl 7 8 dvd-c996 / dv-c6280 ■ блок-схема 65 стр. 64 стр. 63 стр. 48–61 стр. 64 стр. 62 стр. 62 стр. 64 блок оптического считывающего устройства блок двигателя шпинделя 1 21 www.Х я а о ю 1 6 3. Comqq 3 7 6 3 1 5 1 5 0 9 9 2 8 9 4 2 9 8 тел 1 3 9 4 2 2 9 6 5 1 3 9 9 2 8 9 4 2 9 8 …
Страница 53
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 66 67 b, только g — основная панель ic287 процессор ic351 лоток — поворотный электродвигатель зажим электродвигателя cm eeprom ic352 ■ блок-схема (модульный блок) www. Х я а о ю 1 6 3. Комqq 3 7 6 3 1 5 1 5 0 9 9 2 8 9 4 2 9 8 тел 1 3 9 4 2 2 9 6 5 1 3 9 9 2 8 9 4 2 9 8 0 5 1 5 1 3 …
Page 54
A bcdefgh 1 2 3 4 5 6 dvd-c996 / dv-c6280 68 69 ■ блок-схема (сервоблок) www.Х я а о ю 1 6 3. Комм. 3 7 6 3 1 5 1 5 0 9 9 2 8 9 4 2 9 8 тел 1 3 9 4 2 2 9 6 5 1 3 9 9 2 8 9 4 2 9 8 0 5 1 5 1 3 6 7 3 qq tel 13942296513 qq 376315150 8299 tel 13942296513 qq 376315150 829 …
Page 55: Передатчик дистанционного управления
A bcde 1 2 3 4 5 6 7 dvd-c996 / dv-c схема 6280 70 схема дистанционного управления 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ki2 ki3 ki4 ki5 ki6 rem vdd osc2 osc1 vss ki1 ki0 ko0 ref ko1 ko2 ko3 ko4 ko5 ko6 + r1 1 ir-led q1 2sd1781k r2 1k 3v c1 47 µ f / 16 x1 3.64 МГц u1: jt7060-12 8 …
Страница 56: Список деталей
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 ■ В этом списке указаны следующие сокращения электрических деталей: cAEl.Chp: чип алюминий. Электролитический колпачок c.Ce: керамический колпачок c.Ce. Массив: керамический колпачок c.Ce.Chp: керамический колпачок для стружки c.Ce.Ml: многослойный керамический колпачок c.Ce.M.Chp: многослойный керамический колпачок c.Ce .Sa …
Страница 57
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 72 pCB Главный счм исх. Деталь нет.Описание новых запчастей * счм исх. Деталь нет. Описание новых запчастей * * v6214300 p.C.B. Main (uc) * v6214400 p.C.B. Main (r) * v6214600 p.C.B. Main (a) * v6214700 p.C.B. Main (bg) * cb1 v6088500 cn tkc 14p te * cb2 v6088600 cn tkc 22p te …
Страница 58
DVD-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 p.C.B. Главная 73 счм исх. Деталь нет. Описание новых запчастей * счм исх. Деталь нет. Описание новых деталей * * c308 us135100 c.Ce.Chp 0.1uf 16v (bg) * c309 us062100 c.Ce.M.Chp 100pf 50v (bg) * c310 us062100 c.Ce.M.Chp 100pf 50v (bg) * c315 us135100 c.Ce.Chp 0,1uf 16v (bg) c31 …
Page 59
DVD-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 p.C.B. Главная и траверса 74 шм исх. Деталь нет. Описание новых запчастей * счм исх. Деталь нет. Описание новых запчастей * q7 vv655000 tr.Dgt dta114eka q8 vz725900 tr 2sd1938f s, t q9 vz725900 tr 2sd1938f s, t q10 vv655000 tr.Dgt dta114eka q201 id040040 tr 2sd400 q202 ib054483320 … / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 стр.C.B. См и микросхема резистор 75 шм арт. Деталь нет. Описание новых запчастей * счм исх. Деталь нет. Описание новых запчастей * v3172600 p.C.B. Cm cb400 vb858200 cn.Bs.Pin 3p cb401 vb858200 cn.Bs.Pin 3p cb402 vb858200 cn.Bs.Pin 3p cb403 vb858200 cn.Bs.Pin 3p cb404 vb858200 cn ….
стр. c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 pcb Модуль 76 сщм исх. Деталь нет. Описание примечания новые запчасти * счм исх. Деталь нет. Описание примечания новые детали * * v62
p.C.B module (uc) * v62
p.Модуль CB (r) * v62 модуль печатной платы (a) * v62 модуль печатной платы (bg) c2001 nx702100 c.El 100 мкФ 6,3v eevh …
Page 62
Dvd-c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv -c6280 pCB Модуль 77 сщм исх. Деталь нет. Описание примечания новые запчасти * счм исх. Деталь нет. Описание примечания новые детали * * c3046 aax15550 c.Tntl.Chp 10uf 6,3v ecst0jy106z c3051 fx611790 c.El 330uf 6,3vch ecev0ja331 c3052 fx611980 c.Ce 1uf 10v ch ecum1a105kbn c3053-0007 … c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 p.C.B. Module 78 schm ref. Деталь нет. Описание примечания новые запчасти * счм исх. Деталь нет. Описание примечания новые детали * c6501 fx611880 c.El 33uf 6,3v eevhb0j330 c6502 fx612220 c.Ce 0,1 мкФ 16v ch ecux1c104zfv c6503 fx612220 c.Ce 0,1 мкФ 16v ch ecux1c104zfv * c207000 909 … c996 / dv-c6280 dvd-c996 dv-c6280 pcb Модуль 79 сщм исх. Деталь нет. Описание примечания новые запчасти * счм исх. Деталь нет. Описание примечания новые детали * Катушка lb4001 nx702750. Катушка chp vlp0323a601t vlp0323a601t lb4002 nx702750.Катушка чп vlp0323a601t vlp0323a601t lb4003 nx702750.Chp vlp0323a601t vlp03 …
Стр.65
DVD-c996 / dv-c6280 dvd-c62996 dv-b.b. Модуль 80 счм исх. Деталь нет. Описание примечания новые запчасти * счм исх. Деталь нет. Описание примечания новые детали * r3059 aax06630 r.Mtl.Chp 7,5 кОм 1/16 Вт erj3rbd752 r3060 aax06630 r.Mtl.Chp 7,5 кОм 1/16 Вт erj3rbd752 r3061 hx609990 r.Mtl.Chp 100 Ом 1 / 16yw 9 …
Page 66
A bcde 1 2 3 4 5 6 7 dvd-c996 / dv-c6280 81 ■ покомпонентное изображение 62 8 34 62 64 8 66 75 9 55 58 68 39 8 56 57 65 69 8 38 38 76 63 35 64 50 64 35 64 31 39 61 65 33 200 61 62 8 74 62 32 65 14 13 62 62 32 62 62 62 8 66 66 8 32 62 52 53 62 36 51 3-18 3-17 3-15 3-11 3- 20 3-30 3-13 3-12 3-30 5-4 5-4 5-1 5-4 5-…
Page 67
Dvd-c996 / dv-c6280 82 83 ■ механические детали исх. № Деталь № Описание примечания рынки сбыта новых запчастей * исх. № Деталь № Описание примечания для рынков новых деталей * * 2‑1 v60
держатель / зажим / м * 2‑2 v6124800 зажим / м * 2‑3 v6248000 вес зажима vma0e54 2‑4 vz762600 рама, зажим * 2‑5 v6247900 mag …
Page 68
■ покомпонентное изображение (блок cm-220) abcde 1 2 3 4 5 6 7 84 dvd-c996 / dv-c6280 85 ■ механические детали (блок cm-220): нанесите смазку g31kb (vq472900) 26 30 27 14 15 25 30 1 17 30 19 8 28 16 30 24 30 30 13 23 30 22 16 1 2 28 30 6 1 31 31 1 7 8 14 15 11 13 30 30 12 8 21 14 18 20 30 32 10 30 30 (1) (2) (3…
Page 69
A b c d e 1 2 3 4 5 6 7 86 ■ покомпонентное изображение (траверса) ■ механические детали (траверса) dvd-c996 / dv-c6280 ref. № Деталь № Описание примечания рынки новых деталей * 87 * v6158100 DVD traverse mech vxk1580 * 61 aax15330 шпиндель ffc vwj1388 * 62 aax15170 двигатель шпинделя bml3e4cru * 63 aax15210 step …
Страница 70: DVD-C996 88 dv-C996 / dv-C996 -c996 / dv-c6280 список запчастей для углеродных резисторов 1 / 6w тип арт. Hf45 7100 hf45 7110 hf85 7120 hf45 7130 hf45 7150 hf45 7180 hf45 7220 hf45 7240 hf85 7270 hf45 7300 hf45 7330 hf45 7360 hf45 7390 hf45 7470 hf45 7510 hf45 7560 hf45 7620 hf45 7680 hf100 7820 hf45 812 hf45 812 hf45 812 hf45…
Патент США на испытательное устройство, тестовую систему, включая ее, и ее метод Патент (Патент № 9,329,225, выданный 3 мая 2016 г.)
ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА СООТВЕТСТВУЮЩИЕ ЗАЯВКИВ этой не предварительной заявке США испрашивается приоритет в соответствии с 35 U.S.C. §119 к заявке на патент Кореи № 2010-0126151, поданной 10 декабря 2010 г. в Корейское ведомство интеллектуальной собственности (KIPO), все содержание которой полностью включено в настоящий документ посредством ссылки.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ1. Область изобретения
Настоящая общая концепция изобретения относится к испытательным устройствам и способам их проведения. Более конкретно, настоящая общая концепция изобретения относится к тестовым устройствам, которые точно обнаруживают неисправность открытого типа, и тестовым системам, включая тестовые устройства, и их способу.
2. Описание предшествующего уровня техники
При обнаружении неисправности пассивных элементов полупроводникового модуля, на котором установлены полупроводниковые устройства, необходимо учитывать ограничения, связанные с установленными полупроводниковыми устройствами на печатной плате.Например, ограничения могут включать ошибку, вызванную электрическим откликом полупроводниковых устройств, ограниченный диапазон прикладываемого испытательного напряжения и т. Д. В частности, в случае, когда пассивные элементы соединены параллельно, ограничения затрудняют и неточно обнаруживает отказ пассивных элементов открытого типа. Отказ открытого типа включает отказ, который возникает, когда элементы в цепи отключены. Как правило, обнаружение неисправного элемента должно выполняться в рамках ограничений, так что на результат обнаружения неисправного элемента не может влиять конфигурация или работа полупроводниковых устройств.Кроме того, поскольку импеданс полупроводникового модуля может изменяться в соответствии с электрическим состоянием для тестирования полупроводниковых устройств, обнаружение неисправного элемента может выполняться неточно.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯНастоящая общая концепция изобретения обеспечивает испытательное устройство для обнаружения неисправности открытого типа пассивных элементов на основе информации об электрических характеристиках пассивных элементов.
Настоящая общая концепция изобретения также предусматривает испытательное устройство, включающее испытательное устройство.
Дополнительные признаки и возможности настоящей общей концепции изобретения будут изложены частично в описании, которое следует ниже, и частично будут очевидны из описания или могут быть изучены при практическом применении общей концепции изобретения.
Вышеупомянутые и / или другие особенности и полезности настоящей общей концепции изобретения могут быть достигнуты путем предоставления испытательного устройства, включающего блок измерения сигнала для генерации тестового выходного сигнала путем измерения сигнала от тестируемого устройства, тестируемого устройства. включая множество пассивных элементов, которые соединены параллельно, и блок обработки сигналов для обнаружения короткого замыкания открытого типа множества пассивных элементов путем измерения импеданса тестируемого устройства на основе информации о характеристиках элементов множества пассивных элементов .
Блок обработки сигнала может включать в себя блок преобразования сигнала для преобразования тестового выходного сигнала в цифровой сигнал и блок обработки цифрового сигнала для определения того, стабилизирована ли форма цифрового сигнала, и для обнаружения после формы сигнала цифровой сигнал стабилизируется, неисправность открытого типа множества пассивных элементов основана на стабилизированной форме цифрового сигнала и характеристической информации элемента.
Блок обработки цифрового сигнала может включать в себя блок памяти для хранения цифрового сигнала и блок измерения искажения формы сигнала для определения того, стабилизирована ли форма сигнала цифрового сигнала на основе цифрового сигнала, хранящегося в блоке памяти.
Блок обработки цифрового сигнала может включать в себя блок выделения признаков для генерации информации признаков на основе цифрового сигнала и блок обнаружения неисправных элементов для обнаружения неисправности открытого типа множества пассивных элементов на основе информации признаков и элемента. характерная информация.
Блок преобразования сигнала может выполнять преобразование среднеквадратичного значения в постоянный ток для тестового выходного сигнала, если частота тестового выходного сигнала выше, чем пороговая частота, и блок цифровой обработки сигналов может обнаруживать неисправность открытого типа множество пассивных элементов на основе результата преобразования среднеквадратичного значения в постоянный ток.
Блок преобразования сигнала может включать в себя преобразователь среднеквадратичного значения в постоянный ток, расположенный на первом пути прохождения сигнала, и для преобразования среднеквадратичного значения тестового выходного сигнала в значение постоянного тока первый аналого-цифровой преобразователь, расположенный на первом пути сигнала. путь сигнала, и для преобразования значения постоянного тока в цифровой сигнал, второй аналого-цифровой преобразователь, расположенный на втором пути сигнала, и для преобразования тестового выходного сигнала в цифровой сигнал, и переключатель для выборочной подачи первого сигнала путь или второй путь прохождения сигнала с тестовым выходным сигналом, полученным от блока измерения сигнала.
Блок преобразования сигнала может преобразовывать тестовый выходной сигнал через первый путь сигнала, если частота тестового выходного сигнала выше пороговой частоты, и может преобразовывать тестовый выходной сигнал через второй путь сигнала, если частота тестовый выходной сигнал равен или ниже пороговой частоты.
Множество пассивных элементов может включать в себя конденсаторы, и блок обработки сигналов может измерять общую емкость конденсаторов, может сравнивать измеренную емкость с эталонной емкостью, которая представляет собой общую емкость конденсаторов, не имеющих неисправности открытого типа, и может определить, какой из конденсаторов имеет неисправность открытого типа, на основе разницы измеренной емкости и эталонной емкости, информации о соответствующих емкостях конденсаторов и информации о количестве конденсаторов, соответствующих каждой емкости.
Блок измерения сигнала может последовательно подавать тестовые напряжения, имеющие разные тестовые частоты, на тестируемое устройство и может генерировать тестовый выходной сигнал путем измерения сигнала, генерируемого тестируемым устройством, в ответ на тестовые напряжения.
Блок обработки сигналов может обнаруживать неисправность открытого типа множества пассивных элементов на основе частотной характеристики, согласно которой полное сопротивление множества пассивных элементов изменяется в соответствии с частотой испытательного напряжения, приложенного к множеству пассивных элементов.
Блок обработки сигналов может обнаруживать неисправность открытого типа множества пассивных элементов на основе характеристики ошибки, заключающейся в том, что полное сопротивление множества пассивных элементов изменяется в соответствии с уровнем испытательного напряжения, приложенного к множеству пассивных элементов.
Множество пассивных элементов может включать в себя резисторы, и блок обработки сигналов может сравнивать уровень тестового выходного сигнала с опорным уровнем, который является уровнем тестового выходного сигнала в случае, когда резисторы не имеют неисправности открытого типа. , и может определять, какой из резисторов имеет неисправность открытого типа на основе разницы между уровнем тестового выходного сигнала и опорным уровнем, информация о соответствующих сопротивлениях резисторов в соответствии с уровнем тестового напряжения, приложенного к устройство и информацию о количестве резисторов, соответствующих каждому сопротивлению.
Вышеупомянутые и / или другие особенности и полезности настоящей общей концепции изобретения также могут быть достигнуты путем предоставления тестовой системы, включающей тестируемое устройство, включающее множество пассивных элементов, которые соединены параллельно, и тестового устройства, включающего датчик сигнала. блок для генерации тестового выходного сигнала путем измерения сигнала от тестируемого устройства и блок обработки сигналов для обнаружения неисправности открытого типа множества пассивных элементов путем измерения импеданса тестируемого устройства на основе информации о характеристиках элемента множество пассивных элементов.
Множество пассивных элементов может включать в себя множество конденсаторов, которые подключены параллельно между линиями напряжения источника питания, и тестируемое устройство может быть полупроводниковым модулем, включающим, по меньшей мере, одно полупроводниковое устройство и множество конденсаторов.
Множество пассивных элементов может включать в себя множество защитных диодов, которые подключены параллельно между линией напряжения источника питания и линией ввода / вывода, и тестируемое устройство может быть полупроводниковым модулем, содержащим по меньшей мере одно полупроводниковое устройство, имеющее множество защитных диодов.
Вышеупомянутые и / или другие особенности и полезности настоящей общей концепции изобретения также могут быть достигнуты путем предоставления тестовой системы, включая блок обработки сигналов для сравнения характеристик элементов множества элементов, соединенных параллельно, с опорным порогом, и для обнаружения неисправности открытого типа, соответствующей по меньшей мере одному из множества элементов, на основе результата сравнения, количества элементов из множества и характеристик каждого отдельного элемента из множества элементов.
Характеристики элемента могут включать в себя по меньшей мере одно из напряжения, тока, сопротивления, емкости и импеданса.
Тестовая система может дополнительно включать в себя блок восприятия сигнала для генерации тестового выходного сигнала на основе сигнала, выводимого из множества элементов, при этом блок обработки сигнала измеряет характеристики элементов множества элементов путем анализа тестового выходного сигнала.
Блок обработки сигналов может обнаруживать неисправность открытого типа путем преобразования тестового выходного сигнала в цифровой сигнал и может определять, стабилизирован ли цифровой сигнал, на основе того, становится ли отклонение формы цифрового сигнала меньше заданного значения. .
Вышеупомянутые и / или другие особенности и полезности настоящей общей концепции изобретения также могут быть достигнуты путем предоставления способа обнаружения неисправности открытого типа в тестируемом устройстве, содержащем множество пассивных элементов, соединенных параллельно, способ, включающий обнаружение сигнала, генерируемого тестируемым устройством, формирование выходного сигнала на основе обнаруженного сигнала и измерение импеданса тестируемого устройства на основе информации о характеристиках элементов множества пассивных элементов и выходного сигнала.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙЭти и / или другие особенности и полезности настоящей общей концепции изобретения станут очевидными и более понятными из следующего описания вариантов осуществления вместе с прилагаемыми чертежами, к которым:
ИНЖИР. 1 — блок-схема, иллюстрирующая испытательное устройство согласно примерному варианту осуществления настоящей общей концепции изобретения.
РИС. 2 — блок-схема, иллюстрирующая пример блока считывания сигналов, показанного на фиг.1.
ФИГ. 3A и 3B — блок-схемы, иллюстрирующие примеры схемы считывания сигнала, показанной на фиг. 2.
ФИГ. 4A и 4B — блок-схема, иллюстрирующая примеры блока обработки сигналов, показанного на фиг. 1.
РИС. 5A и 5B — блок-схемы, иллюстрирующие примеры блока преобразования сигнала, показанного на фиг. 4А.
РИС. 6 — блок-схема, иллюстрирующая пример блока обработки цифрового сигнала, показанного на фиг. 4А.
РИС.7 — блок-схема, иллюстрирующая тестовую систему согласно примерному варианту осуществления настоящей общей концепции изобретения.
РИС. 8 — схема, иллюстрирующая пример тестовой системы, показанной на фиг. 7.
ФИГ. 9A и 9B — диаграммы формы сигналов, иллюстрирующие примеры сигнала, измеренного тестовой системой по фиг. 8.
ФИГ. 10A и 10B — схемы, иллюстрирующие примеры тестируемого устройства, показанного на фиг. 7.
ФИГ. 11A, 11B и 11C — схемы, иллюстрирующие другие примеры тестируемого устройства, показанного на фиг.7.
РИС. 12 — блок-схема, иллюстрирующая способ тестирования тестируемого устройства в соответствии с примерным вариантом осуществления настоящей общей концепции изобретения.
РИС. 13 — блок-схема, иллюстрирующая пример метода испытания, показанного на фиг. 12.
РИС. 14 — блок-схема, иллюстрирующая пример преобразования сигнала, показанного на фиг. 13.
РИС. 15 — блок-схема, иллюстрирующая другой способ тестирования тестируемого устройства согласно примерному варианту осуществления настоящей общей концепции изобретения.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫХ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯТеперь будет сделана подробная ссылка на варианты осуществления настоящей общей идеи изобретения, примеры которых проиллюстрированы на сопроводительных чертежах, на которых одинаковые ссылочные позиции относятся к аналогичным элементам. Варианты осуществления описаны ниже для объяснения настоящей общей идеи изобретения со ссылкой на чертежи.
Следует понимать, что когда элемент или слой упоминается как находящийся «на», «соединенный с» или «соединенный с» другим элементом или слоем, он может быть непосредственно на, соединен или соединен с другим элементом или слоем. или могут присутствовать промежуточные элементы или слои.Напротив, когда элемент упоминается как находящийся «непосредственно на», «непосредственно соединенный с» или «непосредственно связанный с» другим элементом или слоем, промежуточные элементы или слои отсутствуют. Повсюду одинаковые цифры относятся к одинаковым элементам. Используемый здесь термин «и / или» включает в себя любые и все комбинации одного или нескольких связанных перечисленных элементов.
Следует понимать, что, хотя термины первый, второй, третий и т. Д. Могут использоваться здесь для описания различных элементов, компонентов, областей, слоев и / или секций, эти элементы, компоненты, области, слои и / или секции должны не ограничиваться этими условиями.Эти термины используются только для того, чтобы отличить один элемент, компонент, область, слой или секцию от другой области, слоя или секции. Таким образом, первый элемент, компонент, область, слой или секция, обсуждаемые ниже, можно было бы назвать вторым элементом, компонентом, областью, слоем или секцией без отступления от идей настоящего изобретения.
Термины, относящиеся к пространству, такие как «внизу», «внизу», «ниже», «вверху», «верхний» и т.п. s) или функции, как показано на рисунках.Следует понимать, что пространственно относительные термины предназначены для охвата различных ориентаций устройства при использовании или работе в дополнение к ориентации, изображенной на фигурах. Например, если устройство на фигурах перевернуто, элементы, описанные как «внизу» или «под» другими элементами или признаками, тогда будут ориентированы «над» другими элементами или признаками. Таким образом, примерный термин «ниже» может охватывать как ориентацию сверху, так и снизу. Устройство может быть ориентировано иначе (например,g., повернутый на 90 градусов или в других ориентациях), и пространственно относительные дескрипторы, используемые в данном документе, интерпретируются соответствующим образом.
Терминология, используемая в данном документе, предназначена только для описания конкретных примерных вариантов осуществления и не предназначена для ограничения настоящей идеи изобретения. Используемые здесь формы единственного числа предназначены для включения и форм множественного числа, если контекст явно не указывает иное. Кроме того, будет понятно, что термины «содержит» и / или «содержащий», когда они используются в этой спецификации, определяют наличие заявленных функций, целых чисел, шагов, операций, элементов и / или компонентов, но не исключают наличие или добавление одной или нескольких других функций, целых чисел, шагов, операций, элементов, компонентов и / или их групп.
Примерные варианты осуществления описаны здесь со ссылкой на иллюстрации в поперечном сечении, которые являются схематическими иллюстрациями идеализированных примерных вариантов осуществления (и промежуточных структур). Таким образом, следует ожидать отклонений от форм иллюстраций в результате, например, технологий изготовления и / или допусков. Таким образом, примерные варианты осуществления не следует истолковывать как ограниченные конкретными формами областей, проиллюстрированных здесь, но должны включать отклонения в формах, которые возникают, например, в результате производства.Например, имплантированная область, изображенная в виде прямоугольника, обычно будет иметь закругленные или изогнутые элементы и / или градиент концентрации имплантата на ее краях, а не бинарное изменение от имплантированной к не имплантированной области. Точно так же скрытая область, образованная имплантацией, может привести к некоторой имплантации в области между скрытой областью и поверхностью, через которую происходит имплантация. Таким образом, области, показанные на фигурах, являются схематическими по своей природе, и их формы не предназначены для иллюстрации фактической формы области устройства и не предназначены для ограничения объема концепции настоящего изобретения.
Если не указано иное, все термины (включая технические и научные термины), используемые в данном документе, имеют то же значение, которое обычно понимается специалистом в данной области техники, к которой принадлежит эта изобретательская концепция. Далее следует понимать, что термины, такие как те, которые определены в обычно используемых словарях, должны интерпретироваться как имеющие значение, которое согласуется с их значением в контексте соответствующего искусства, и не будут интерпретироваться в идеализированном или чрезмерно формальном смысле, если только прямо так определено в данном документе.
РИС. 1 — блок-схема, иллюстрирующая испытательное устройство согласно примерному варианту осуществления настоящей общей концепции изобретения.
Как показано на фиг. 1, испытательное устройство 10 включает в себя блок обнаружения сигнала 100 и блок обработки сигналов 300 .
Блок восприятия сигнала 100 генерирует тестовый выходной сигнал SS, считывая выходной сигнал от тестируемого устройства. Тестируемое устройство включает в себя множество пассивных элементов, соединенных параллельно.Испытательное устройство 10 может обнаруживать неисправность открытого типа, по меньшей мере, части пассивных элементов, которая возникает при разрыве цепи, путем измерения полного импеданса пассивных элементов. Блок , 100, считывания сигнала может подавать тестовый сигнал на тестируемое устройство через тестовую линию TLA. Тестовый сигнал может быть тестовым напряжением или тестовым током. Блок , 100, считывания сигнала может воспринимать сигнал напряжения и / или сигнал тока, генерируемый тестируемым устройством в ответ на тестовый сигнал через TLB тестовой линии.Блок , 100, считывания сигнала может генерировать тестовый выходной сигнал SS, считывая выходной сигнал от тестируемого устройства через TLB тестовой линии. Блок , 100, восприятия сигнала может регулировать амплитуду, частоту и / или уровень тестового сигнала, чтобы воспринимать выходной сигнал от тестируемого устройства в соответствии с настроенной амплитудой, частотой и / или уровнем тестового сигнала. В некоторых вариантах реализации тестируемое устройство может быть полупроводниковым модулем, содержащим по меньшей мере одно полупроводниковое устройство.Пассивные элементы тестируемого устройства будут описаны ниже со ссылкой на фиг. 10A, 10B, 11A, 11B и 11C.
Блок 300 обработки сигналов может измерять импеданс тестируемого устройства путем анализа формы волны тестового выходного сигнала SS на основе информации EDI характеристик элементов пассивных элементов, включенных в тестируемое устройство. Блок , 300, обработки сигналов может определить, имеют ли пассивные элементы неисправность открытого типа, на основе измеренного импеданса и информации EDI о характеристиках элемента.
Информация о характеристиках элементов EDI может включать в себя, по меньшей мере, одну из информации о соответствующих импедансах пассивных элементов, информацию о количестве пассивных элементов, соответствующих каждому импедансу, и информацию об изменениях импедансов пассивных элементов в соответствии с уровнем напряжения или тока, приложенного к пассивным элементам. В некоторых вариантах осуществления информация EDI о характеристиках элемента может использоваться устройством 10 тестирования, чтобы определить, какой из пассивных элементов имеет отказ открытого типа.Например, испытательное устройство 10 может сравнивать измеренное полное сопротивление пассивных элементов с эталонным импедансом пассивных элементов, не имеющих замыкания открытого типа, и может определять, какой из пассивных элементов имеет замыкание открытого типа на основе о разнице между измеренным импедансом и эталонным импедансом, информацию о соответствующих импедансах пассивных элементов и информацию о количестве пассивных элементов, соответствующих каждому импедансу.В некоторых вариантах осуществления информация EDI о характеристиках пассивных элементов может включать в себя информацию о неоднородности шаблона отклика в соответствии с сигналом напряжения и / или тока, приложенным к пассивным элементам, такую как информацию о характеристике напряжения и / или тока. изменение в соответствии с частотой сигнала, подаваемого на пассивные элементы, информация об изменении импеданса в соответствии с уровнем напряжения / тока сигнала, подаваемого на пассивные элементы, и т. д.
В некоторых вариантах осуществления пассивные элементы могут включать в себя множество конденсаторов, которые соединены параллельно, а характеристика EDI элементов пассивных элементов может включать в себя соответствующие емкости конденсаторов и количество конденсаторов, соответствующих каждой емкости. . В других вариантах осуществления пассивные элементы могут включать в себя множество защитных диодов, а характеристическая информация EDI пассивных элементов может включать в себя соответствующие сопротивления защитных диодов и количество защитных диодов, соответствующих каждому сопротивлению.
В некоторых вариантах осуществления, как будет описано ниже со ссылкой на фиг. 10A и 10B, испытательное устройство 10 может обнаруживать неисправность разомкнутого типа конденсаторов, которые подключены параллельно в тестируемом устройстве, на основе информации EDI характеристик элемента, включая информацию о частотной характеристике конденсаторов. Информация о частотной характеристике конденсаторов может быть информацией об изменении действующего напряжения, приложенного к конденсаторам, или об изменении эффективного тока, протекающего через конденсаторы, в соответствии с частотой тестового сигнала, подаваемого на тестируемое устройство.В других вариантах осуществления испытательное устройство 10 может обнаруживать неисправность разомкнутого типа конденсаторов на основе информации EDI о характеристиках элемента, включая информацию о характеристике ошибок конденсаторов. Информация о характеристике погрешности конденсаторов может быть информацией об изменении емкостей конденсаторов в соответствии с уровнем напряжения, приложенного к конденсаторам. Обычно конденсатор, имеющий небольшую диэлектрическую проницаемость, может иметь кажущуюся погрешность.
В других вариантах осуществления, как будет описано ниже со ссылкой на фиг. 11A, 11B и 11C, испытательное устройство 10 может обнаруживать неисправность открытого типа внутренней соединительной линии, включенной по меньшей мере в один каскад ввода / вывода по меньшей мере одного полупроводникового устройства, на основе информации EDI о характеристиках пассивных элементов. включены как минимум в один входной / выходной каскад. Например, информация EDI характеристики элемента может включать в себя информацию о характеристике изменения импеданса защитных диодов, включенных в по меньшей мере один входной / выходной каскад, в соответствии с уровнем напряжения, приложенного к защитным диодам.Как правило, полное сопротивление защитных диодов может изменяться в соответствии с уровнем напряжения, приложенного к защитным диодам, а характеристика изменения полного сопротивления защитных диодов может изменяться в соответствии с типами защитных диодов. Используя характеристику изменения импеданса в качестве информации EDI характеристики элемента, испытательное устройство 10 может точно измерить импеданс тестируемого устройства. Соответственно, точность обнаружения неисправного элемента устройством 10 тестирования или точность обнаружения неисправности открытого типа внутренней соединительной линии может быть улучшена посредством использования информации EDI о характеристиках элемента.
В некоторых вариантах осуществления блок 300 обработки сигналов может обнаруживать неисправность открытого типа пассивных элементов на основе частотной характеристики, согласно которой полное сопротивление пассивных элементов изменяется в соответствии с частотой испытательного напряжения, приложенного к пассивным элементам. . В других вариантах осуществления блок , 300, обработки сигналов может обнаруживать неисправность открытого типа пассивных элементов на основе характеристики ошибки, заключающейся в том, что полное сопротивление пассивных элементов изменяется в соответствии с уровнем испытательного напряжения, приложенного к пассивным элементам.
Как описано выше, испытательное устройство 10 согласно примерному варианту осуществления настоящей общей концепции изобретения может измерять импеданс пассивных элементов, которые соединены параллельно, с использованием информации EDI о характеристиках пассивных элементов. Таким образом, испытательное устройство 10 может точно обнаруживать неисправность открытого типа пассивных элементов, включенных в тестируемое устройство, например полупроводникового модуля, на котором установлены полупроводниковые устройства.
РИС. 2 является блок-схемой, иллюстрирующей пример модуля 100 восприятия сигнала, показанного на фиг. 1.
Как показано на фиг. 2, блок 100 восприятия сигнала включает в себя источник испытательного напряжения 110 и схему обнаружения сигнала 120 .
Источник испытательного напряжения 110 может быть подключен между испытательными линиями TLA и TLC и может подавать испытательное напряжение на тестируемое устройство через испытательную линию TLA. Тестируемое устройство может генерировать сигнал напряжения или тока в ответ на тестовое напряжение, полученное от поставщика 110 тестового напряжения.Сигнал напряжения или тока может изменяться в зависимости от электрических характеристик пассивных элементов, включенных в тестируемое устройство. Схема , 120, восприятия сигнала может воспринимать сигнал напряжения или тока от тестируемого устройства через TLB тестовой линии и может генерировать тестовый выходной сигнал SS на основе обнаруженного сигнала.
В некоторых вариантах осуществления, когда тестирующее устройство 10 на ФИГ. 1 обнаруживает отказ открытого типа множества конденсаторов, которые соединены параллельно, испытательное напряжение может быть напряжением переменного тока (AC), имеющим испытательную частоту и испытательный уровень.Тестовая частота и тестовый уровень могут быть определены в соответствии с емкостью конденсатора, на котором выполняется обнаружение неисправности разомкнутого типа. Например, испытательная частота может быть определена так, чтобы измеренная емкость конденсатора, подлежащего испытанию, имела большую разницу по сравнению с эталонной емкостью в случае, когда конденсатор не имеет неисправности открытого типа. В других вариантах осуществления, когда тестирующее устройство 10 на ФИГ. 1 обнаруживает короткое замыкание открытого типа множества резистивных элементов (например,g., резисторы, защитные диоды и т. д.), которые соединены параллельно, испытательное напряжение может быть напряжением постоянного тока (DC).
РИС. 3A и 3B являются блок-схемами, иллюстрирующими примеры схемы восприятия сигнала , 120, , показанной на фиг. 2.
Как показано на фиг. 3A, схема обнаружения сигнала 120 a включает в себя переменный резистор R 11 и усилитель 121 a . Усилитель , 121, , а может генерировать тестовый выходной сигнал SS на основе напряжения между двумя концами переменного резистора R 11 .Чтобы сгенерировать тестовый выходной сигнал SS, имеющий диапазон, который может быть воспринят и обработан блоком обработки сигналов 300 , показанным на фиг. 1, усилитель , 121, , и может усиливать напряжение переменного резистора R 11 посредством усиления, так что диапазон тестового выходного сигнала SS может соответствовать входному диапазону блока обработки сигналов 300 . . В этом случае блок , 300, обработки сигналов может использовать усиление для измерения и анализа тестового выходного сигнала SS.Сопротивление переменного резистора R 11 может быть отрегулировано таким образом, чтобы напряжение переменного резистора R 11 могло иметь небольшую ошибку при измерении общей емкости множества конденсаторов, включенных в тестируемое устройство. То есть сопротивление переменного резистора R 11 может регулироваться на основе емкости тестируемого устройства.
Ссылаясь на фиг. 3B, схема обнаружения сигнала 120 b включает в себя переменный резистор R 21 , резистор шкалы R 22 и блок измерения тока 121 b .Поскольку внутренний резистор блока измерения тока 121 b обычно пренебрежимо мал, величина тока, протекающего через блок измерения тока 121 b , может быть определена на основе тока, протекающего между тестовыми линиями TLB и TLC. и отношение сопротивления переменного резистора R 21 к сопротивлению масштабного резистора R 22 . Блок 121 b измерения тока может генерировать тестовый выходной сигнал SS путем измерения тока, протекающего через блок 121 b измерения тока.Сопротивление масштабного резистора R 22 может быть определено таким образом, что блок измерения тока 121 b может генерировать тестовый выходной сигнал SS, имеющий диапазон, который может быть воспринят и обработан блоком обработки сигналов 300. , проиллюстрированный на фиг. 1. Сопротивление переменного резистора R 21 может быть отрегулировано таким образом, чтобы напряжение переменного резистора R 21 могло иметь небольшую ошибку при измерении общего сопротивления множества резисторов, включенных в тестируемое устройство.То есть сопротивление переменного резистора R 21 может регулироваться на основе сопротивления тестируемого устройства.
РИС. 4A и 4B — блок-схема, иллюстрирующая примеры блока обработки сигналов 300 , показанного на фиг. 1.
Как показано на фиг. 4A, блок 300 a обработки сигналов включает в себя блок 310 преобразования сигнала и блок 350 обработки цифрового сигнала.
Блок 310 преобразования сигнала может преобразовывать тестовый выходной сигнал SSa в цифровой сигнал DSa.Блок , 350, обработки цифрового сигнала может определять, стабилизирована ли форма цифрового сигнала. Например, блок , 350, обработки цифрового сигнала может определять, становится ли отклонение формы сигнала цифрового сигнала DSa меньше порогового или заранее определенного значения. Здесь отклонение формы сигнала может быть разницей между значениями размаха в соседних циклах формы сигнала переменного тока. То есть блок , 350 обработки цифрового сигнала может решить, что форма сигнала цифрового сигнала DSa должна быть стабилизирована, если разница между размахом сигнала в соседних циклах формы сигнала переменного тока цифрового сигнала DSa становится меньше порогового значения. ценить.После того, как форма цифрового сигнала DSa стабилизируется, или после того, как отклонение цифрового сигнала DSa становится меньше порогового значения, блок 350 обработки цифрового сигнала может обнаруживать неисправность открытого типа множества пассивных элементов на основе стабилизированная форма цифрового сигнала DSa и характеристическая информация EDIa пассивных элементов.
Как показано на фиг. 10A и 10B, блок 300 a обработки сигналов может использоваться для обнаружения неисправности открытого типа множества конденсаторов, включенных в тестируемое устройство.В этом случае к тестируемому устройству может быть приложено испытательное напряжение переменного тока, а амплитуда или размах цифрового сигнала DSa может изменяться со временем до тех пор, пока цепь, образованная конденсаторами и блоком измерения сигнала 100 на ФИГ. 1 находится почти в установившемся состоянии или до тех пор, пока форма цифрового сигнала DSa не стабилизируется. Если емкость тестируемого устройства измеряется на основе цифрового сигнала DSa, форма волны которого не стабилизируется, неисправность конденсаторов открытого типа может быть неточно обнаружена из-за отклонения формы волны тестового выходного сигнала SSa. .Таким образом, чтобы точно измерить емкость тестируемого устройства, блок , 350, обработки цифрового сигнала может определить, стабилизирована ли форма сигнала цифрового сигнала DSa таким образом, чтобы отклонение формы сигнала цифрового сигнала DSa с течением времени было меньше, чем пороговое значение.
Ссылаясь на фиг. 4B, блок 300 b обработки сигналов включает в себя блок 370 сравнения уровня сигнала и блок 390 обнаружения неисправной линии.
Блок сравнения уровней сигналов 370 может сравнивать уровень тестового выходного сигнала SSb с уровнем опорного сигнала SR и может генерировать цифровой сигнал DSb, соответствующий разнице между уровнем тестового выходного сигнала SSb и уровень опорного сигнала SR. Опорный сигнал SR может быть ожидаемым тестовым выходным сигналом, когда резистивные элементы, соединенные параллельно, не имеют неисправности или работают нормально. На основе цифрового сигнала DSb и информации о характеристиках элемента EDIb защитных диодов по крайней мере одного полупроводникового устройства, включенного в тестируемое устройство, блок 390 обнаружения неисправной линии может обнаруживать либо неисправность открытого типа внутренней соединительной линии для соединения входные / выходные каскады хотя бы одного полупроводникового прибора или обрыв защитных диодов.
Как показано на фиг. 11A, 11B и 11C, блок обработки сигналов 300 b может использоваться для обнаружения неисправности открытого типа защитных диодов, включенных в тестируемое устройство. В этом случае испытательное напряжение постоянного тока может быть приложено к тестируемому устройству, и тестовый выходной сигнал SSb может соответствовать уровню тока, протекающего через тестовые линии TLA и TLB в цепи, образованной защитными диодами и датчиком сигнала. блок 100 , проиллюстрированный на фиг.1. Поскольку импеданс диода обычно изменяется в соответствии с приложенным напряжением, блок 390 обнаружения неисправной линии может обнаруживать неисправность разомкнутого типа защитных диодов путем анализа цифрового сигнала DSb, который является результатом сравнения, используя электрические характеристики защитных диодов или информацию об изменении импеданса в зависимости от приложенного напряжения.
РИС. 5A и 5B — блок-схемы, иллюстрирующие примеры блока 310 преобразования сигнала, показанного на фиг.4А.
Ссылаясь на фиг. 5A, блок преобразования сигнала 310 a включает преобразователь среднеквадратичного значения в постоянный ток (RMS-to-DC) 320 a , первый аналого-цифровой преобразователь 330 a , второй аналого-цифровой преобразователь 335 a и переключатель 340 a.
Преобразователь 320 a среднеквадратичного значения в постоянный ток может быть расположен на первом пути сигнала и может преобразовывать среднеквадратичное значение тестового выходного сигнала SS в сигнал постоянного тока.Первый аналого-цифровой преобразователь , 330, , и может быть расположен на первом пути сигнала и может преобразовывать сигнал постоянного тока в первый цифровой сигнал DS 1 . Второй аналого-цифровой преобразователь 335, , и может быть расположен на втором пути сигнала и может преобразовывать тестовый выходной сигнал SS во второй цифровой сигнал DS 2 . Переключатель , 340, , и может выборочно применять тестовый выходной сигнал SS к первому пути сигнала или второму пути сигнала в ответ на управляющий сигнал CNT.Управляющий сигнал CNT может выборочно иметь первый логический уровень или второй логический уровень в соответствии с частотой тестового выходного сигнала SS. Частота тестового выходного сигнала SS может быть по существу такой же, как тестовая частота тестового напряжения, приложенного к тестируемому устройству. Например, когда частота тестового выходного сигнала SS (или тестовая частота тестового напряжения) выше, чем пороговая частота, управляющий сигнал CNT может иметь первый логический уровень, и тестовый выходной сигнал SS может применяться к первый путь прохождения сигнала.Таким образом, преобразователь среднеквадратичного значения 320 a и первый аналого-цифровой преобразователь 330 a могут выводить первый цифровой сигнал DS 1 , на котором выполняется преобразование среднеквадратичного значения в постоянный ток. выполненный. Когда частота тестового выходного сигнала SS равна или меньше пороговой частоты, управляющий сигнал CNT может иметь второй логический уровень, и тестовый выходной сигнал SS может подаваться на второй путь сигнала. В некоторых вариантах осуществления управляющий сигнал CNT может генерироваться блоком обработки сигналов 300 , показанным на фиг.1. В других вариантах осуществления управляющий сигнал CNT может генерироваться внешней схемой.
Снова обратимся к фиг. 1 и 5A, когда тестовая частота тестового напряжения, приложенного к тестируемому устройству, выше, чем пороговая частота, блок 300 обработки сигналов может генерировать первый цифровой сигнал DS 1 , на котором RMS-to-DC преобразование выполняется. Когда тестовая частота сигнала тестового напряжения равна или меньше пороговой частоты, блок 300 обработки сигналов может генерировать второй цифровой сигнал DS 2 , в который тестовый выходной сигнал SS преобразуется напрямую без RMS- преобразование в постоянный ток.Таким образом, полное сопротивление множества пассивных элементов может быть вычислено путем выборочного использования первого цифрового сигнала DS 1 или второго цифрового сигнала DS 2 . То есть блок 310 преобразования сигнала может преобразовывать тестовый выходной сигнал SS через первый путь сигнала, когда частота тестового выходного сигнала SS выше, чем пороговая частота, и может преобразовывать тестовый выходной сигнал SS через второй путь прохождения сигнала, когда частота тестового выходного сигнала SS равна или меньше пороговой частоты.В некоторых вариантах осуществления пороговая частота может составлять примерно половину частоты дискретизации первого аналого-цифрового преобразователя 330 a и / или второго аналого-цифрового преобразователя 335 a.
Как описано выше, поскольку блок преобразования сигнала 310 a включает в себя первый и второй пути сигнала для преобразования тестового выходного сигнала SS, блок преобразования сигнала 310 a может выборочно генерировать первый цифровой сигнал DS 1 , соответствующий среднеквадратичному значению тестового выходного сигнала SS или второму цифровому сигналу DS 2 , соответствующему дискретному значению тестового выходного сигнала SS в соответствии с частотой тестового выходного сигнала SS или тестовой частотой испытательного напряжения.Первый и второй цифровые сигналы DS 1 и DS 2 могут храниться в блоке памяти 351 , показанном на фиг. 6.
Ссылаясь на фиг. 5B, блок преобразования сигнала 310 b включает преобразователь среднеквадратичного значения в постоянный ток 320 b , аналого-цифровой преобразователь 330 b и переключатель 340 b.
Блок преобразования сигнала 310 b может управлять переключателем 340 b в ответ на управляющий сигнал CNT, так что тестовый выходной сигнал SS выборочно проходит через преобразователь среднеквадратичного значения в постоянный ток 320 b согласно частоте тестового выходного сигнала SS.В некоторых вариантах осуществления блок преобразования сигнала 310 b может не включать в себя переключатель 340 b , а тестовый выходной сигнал SS может быть преобразован обоими преобразователями среднеквадратичного значения в постоянный ток 320 b и аналого-цифровой преобразователь 330 б.
Блок преобразования сигналов 310 b на ФИГ. 5B может быть по существу аналогичным блоку преобразования сигналов 310 a на фиг.5A, за исключением того, что аналого-цифровой преобразователь , 330, , b, используется совместно первым и вторым трактами прохождения сигнала.
РИС. 6 — блок-схема, иллюстрирующая пример блока 350 обработки цифрового сигнала, показанного на фиг. 4А.
Как показано на фиг. 6 блок 350 a цифровой обработки сигналов включает в себя блок 351 памяти и блок 352 микропроцессорной обработки.
Блок памяти 351 может хранить цифровой сигнал DS.Блок памяти , 351, может включать в себя запоминающее устройство, такое как динамическая память с произвольным доступом (DRAM), статическая память с произвольным доступом (SRAM), флэш-память и т.д., но не ограничивается этим.
Блок 352 микропроцессора может включать в себя блок 353 измерения искажения формы сигнала. Блок 353 измерения искажения формы сигнала может принимать цифровой сигнал DS из блока 351 памяти или непосредственно из блока 310 преобразования сигнала по фиг.4A, и может определить, стабилизирована ли форма цифрового сигнала DS, путем анализа формы сигнала цифрового сигнала DS. Например, блок 353 измерения искажения формы волны может измерять степень искажения формы волны цифрового сигнала DS, чтобы определить, стабилизирована ли форма волны цифрового сигнала DS. Блок , 353, измерения искажения формы волны может решить, что форма волны цифрового сигнала DS должна быть стабилизирована, если отклонение формы волны цифрового сигнала DSa становится меньше порогового значения.После того, как форма цифрового сигнала DS стабилизируется, блок 300 обработки сигналов по фиг. 1 может обнаруживать отказ пассивных элементов открытого типа на основе цифрового сигнала DS и информации EDI о характеристиках элементов.
В некоторых вариантах осуществления блок 352 микропроцессора может дополнительно включать в себя блок 357 выделения признаков и блок 359 обнаружения неисправных элементов.
Блок выделения признаков 357 может извлекать информацию о признаках FV из цифрового сигнала DS.В некоторых вариантах осуществления тестовый выходной сигнал SS является сигналом переменного тока, а информация о характеристиках FV может включать в себя по меньшей мере одно из амплитуды сигнала переменного тока, размаха сигнала переменного тока и среднеквадратичного значения переменного тока. сигнал. Например, в случае, когда цифровой сигнал DS генерируется через первый путь сигнала, проиллюстрированный на фиг. 4A, или в случае, когда цифровой сигнал DS является первым цифровым сигналом DS 1 , включающим в себя среднеквадратичные значения тестового выходного сигнала SS, информация FV о характеристиках может включать в себя среднеквадратичные значения тестового выходного сигнала SS.В случае, когда цифровой сигнал DS генерируется через второй путь сигнала, проиллюстрированный на фиг. 4A, или в случае, когда цифровой сигнал DS является вторым цифровым сигналом DS 2 , включающим выборочные значения тестового выходного сигнала SS, информация о характеристиках FV может включать в себя амплитуды или значения размаха тестового выходного сигнала SS. .
Блок 359 обнаружения неисправного элемента может обнаруживать отказ пассивного элемента открытого типа на основе информации FV о характеристиках и информации EDI о характеристиках элемента.Например, информация характеристики элемента EDI пассивных элементов может включать в себя информацию о неоднородности шаблона отклика согласно сигналу напряжения / тока, приложенному к пассивным элементам, такую как информацию об изменении характеристики напряжения / тока в соответствии с частотой сигнала, подаваемого на пассивные элементы, информацию об изменении импеданса в соответствии с уровнем напряжения / тока сигнала, подаваемого на пассивные элементы, и т. д. В некоторых вариантах реализации пассивные элементы могут включать в себя множество конденсаторов и характеристику элемента информация EDI может включать в себя информацию о соответствующих емкостях конденсаторов и информацию о количестве конденсаторов, соответствующих каждой емкости.
В некоторых вариантах осуществления блок 359 обнаружения неисправного элемента может обнаруживать неисправность открытого типа пассивных элементов на основе частотной характеристики, согласно которой полное сопротивление пассивных элементов изменяется в соответствии с частотой испытательного напряжения, приложенного к пассивному элементу. элементы. В других вариантах осуществления блок , 359, обнаружения неисправных элементов может обнаруживать неисправность открытого типа пассивных элементов на основе характеристики ошибки, заключающейся в том, что полное сопротивление пассивных элементов изменяется в соответствии с уровнем испытательного напряжения, приложенного к пассивным элементам.Например, в случае, когда пассивные элементы представляют собой множество конденсаторов, имеющих малую диэлектрическую проницаемость, погрешности емкостей конденсаторов могут увеличиваться в соответствии с уровнем испытательного напряжения, приложенного к конденсаторам, а информация EDI характеристик элемента может включать в себя характеристика погрешности, заключающаяся в том, что погрешности емкостей увеличиваются в зависимости от уровня испытательного напряжения.
Снова обратимся к фиг. 1, 5A и 6, блок , 100, считывания сигнала может подавать испытательное напряжение на тестируемое устройство, включающее в себя множество конденсаторов, которые соединены параллельно.Испытательное напряжение может иметь испытательную частоту, определяемую в соответствии с информацией о соответствующих емкостях конденсаторов. Блок , 100, считывания сигнала может генерировать тестовый выходной сигнал SS, считывая сигнал напряжения, генерируемый конденсаторами в ответ на тестовое напряжение. Блок обработки сигналов , 300, может преобразовывать тестовый выходной сигнал SS в первый цифровой сигнал DS 1 , выполняя преобразование среднеквадратичного значения в постоянный ток, если тестовая частота выше пороговой частоты, и может генерировать информацию о первой характеристике FV. 1 на основе первого цифрового сигнала DS 1 .Блок , 300, обработки сигналов может преобразовывать тестовый выходной сигнал SS во второй цифровой сигнал DS 2 без выполнения преобразования среднеквадратичного значения в постоянный ток, если тестовая частота равна или меньше пороговой частоты. Блок , 300, обработки сигналов может генерировать информацию о второй характеристике FV 2 на основе второго цифрового сигнала DS 2 . Например, первая информация о характеристиках FV 1 может включать в себя среднеквадратичные значения тестового выходного сигнала SS, а вторая информация о характеристиках FV 2 может включать в себя амплитуды или значения размаха тестового выходного сигнала SS.Блок , 300, обработки сигналов может обнаруживать неисправность открытого типа конденсаторов, анализируя информацию о первой характеристике FV 1 и / или информацию о второй характеристике FV 2 , используя информацию о соответствующих емкостях конденсаторов и информацию о количество конденсаторов, соответствующих каждой емкости.
Следовательно, испытательное устройство на ФИГ. 1 может измерять емкость пассивных элементов, которые соединены параллельно, путем подачи испытательного напряжения переменного тока, и, таким образом, может точно обнаруживать, на основе информации о характеристиках пассивных элементов, неисправность открытого типа пассивных элементов, включенных в устройство, находящееся под тест, например полупроводниковый модуль, на котором установлены полупроводниковые приборы.
РИС. 7 — блок-схема, иллюстрирующая тестовую систему согласно примерному варианту осуществления настоящей общей концепции изобретения.
Как показано на фиг. 1 и 7, тестовая система 30 включает в себя тестируемое устройство 500 и тестовое устройство 10 .
Тестируемое устройство 500 может включать в себя множество пассивных элементов, которые соединены параллельно. В некоторых вариантах реализации пассивные элементы могут включать конденсаторы, защитные диоды и т. Д., но не ограничиваются этим. Примеры пассивных элементов будут описаны ниже со ссылкой на фиг. 10A, 10B, 11A, 11B и 11C.
Испытательное устройство 10 может обнаруживать отказ открытого типа на основе информации EDI о характеристиках пассивных элементов. Устройство 10 тестирования может включать в себя блок , 100, восприятия сигнала и блок , 300, обработки сигналов. Блок , 100, обнаружения сигнала может генерировать тестовый выходной сигнал SS, считывая сигнал от тестируемого устройства 500 .Блок , 300, обработки сигналов может обнаруживать неисправность открытого типа пассивных элементов путем измерения импеданса тестируемого устройства 500 на основе информации EDI о характеристиках пассивных элементов.
В некоторых вариантах осуществления тестовая система 30 может дополнительно включать в себя пользовательский интерфейс 700 . Тестовая система , 30, может управлять трактом преобразования сигнала тестового выходного сигнала SS в ответ на управляющий сигнал CNT, предоставляемый из пользовательского интерфейса , 700, , в соответствии с частотой тестового выходного сигнала SS.В этом случае устройство 10 тестирования может включать в себя один из блоков преобразования сигналов 310 a на фиг. 5A или блок преобразования сигнала 310 b на фиг. 5Б.
Пользовательский интерфейс 700 может включать в себя устройство ввода и устройство вывода для предоставления результата пользователю. В некоторых вариантах осуществления пользовательский интерфейс , 700, может дополнительно включать в себя запоминающее устройство для хранения информации EDI о характеристиках элемента. Пользовательский интерфейс , 700, может предоставлять характеристическую информацию EDI элемента и управляющий сигнал CNT через устройство ввода.
Испытательная система 30 согласно некоторым примерным вариантам осуществления может измерять емкость параллельно соединенных конденсаторов, прикладывая испытательное напряжение переменного тока, имеющее заданную испытательную частоту, и может анализировать измеренную емкость с использованием информации о характеристиках элементов конденсаторов. Например, испытательная частота испытательного напряжения переменного тока может быть определена так, чтобы измеренная емкость конденсаторов имела большую разницу по сравнению с эталонной емкостью в случае, когда конденсаторы не имеют неисправности открытого типа.Тестовая система 30, согласно другим примерным вариантам осуществления может измерять сопротивление параллельно соединенных защитных диодов, прикладывая испытательное напряжение постоянного тока, и может анализировать измеренное сопротивление с использованием информации о характеристиках элементов защитных диодов. Тестовая система 30 может точно обнаружить неисправность открытого типа путем точного измерения емкости или сопротивления.
РИС. 8 — схема, иллюстрирующая пример тестовой системы 30 , показанной на фиг.7.
Как показано на фиг. 8, тестовая система 35 включает в себя тестируемое устройство 505 и тестовое устройство 15 . Устройство 15 для тестирования включает в себя блок 105 восприятия сигнала и блок 305 обработки сигнала. Блок 305 обработки сигналов включает в себя блок 315 преобразования сигнала и блок 360 обработки цифрового сигнала.
В некоторых вариантах реализации тестируемое устройство 505 может включать в себя конденсатор C 5 .Конденсатор C 5 может быть образован множеством конденсаторов, которые соединены параллельно, каждый из которых может иметь короткое замыкание открытого типа. Для удобства один конденсатор C 5 , имеющий емкость, соответствующую полной емкости множества конденсаторов, показан на фиг. 8.
Блок 105 считывания сигнала может включать в себя источник испытательного напряжения 115 , переменный резистор R 5 и усилитель 125 .Поставщик , 115 испытательного напряжения может подавать испытательное напряжение переменного тока синусоидальной формы через испытательную линию TLA. Переменный резистор R 5 может образовывать RC-цепь с конденсатором C 5 . Напряжение между обоими концами переменного резистора R 5 может изменяться в соответствии с частотой испытательного напряжения переменного тока, подаваемого от источника 115 испытательного напряжения на RC-цепь.
Блок восприятия сигнала 105 на ФИГ. 8 может быть по существу аналогичным блоку восприятия сигнала 100 на фиг.2. Блок 315 преобразования сигнала по фиг. 8 может быть по существу аналогичным блоку преобразования сигналов 310 a на фиг. 5А. Блок 360 обработки цифрового сигнала по фиг. 8 может быть по существу аналогичным блоку обработки цифрового сигнала 350 a на фиг. 6.
РИС. 9A и 9B — это диаграммы формы сигналов, иллюстрирующие примеры сигнала, измеренного тестовой системой 35 по фиг. 8. На фиг. 9A и 9B горизонтальная ось представляет время, а вертикальная ось представляет напряжение измеренного сигнала.
Ссылаясь на фиг. 8 и 9A, генератор 115 испытательного напряжения может подавать испытательное напряжение VS переменного тока на RC-цепь, образованную конденсатором C 5 и переменным резистором R 5 . Размах VOPP измеренного напряжения VO между обоими концами переменного резистора R 5 может зависеть от частоты переменного испытательного напряжения VS, емкости конденсатора C 5 и сопротивления переменный резистор R 5 . Емкость конденсатора C 5 может быть вычислена по уравнению 1 с использованием размаха VOPP измеренного напряжения VO.
C5 = 12πfR5 (VSPPVOPP) 2-1, [Уравнение1]
где VSPP представляет собой размах испытательного напряжения переменного тока VS, f представляет частоту испытательного напряжения переменного тока VS, которая является мультипликативной обратной величиной для периода TF испытательного напряжения переменного тока VS, R 5 представляет сопротивление переменного резистора R 5 , а C 5 представляет измеренное емкость испытуемого устройства 505 . В качестве альтернативы, измеренная емкость конденсатора C 5 может быть рассчитана с использованием среднеквадратичных значений испытательного напряжения VS переменного тока и измеренного напряжения VO вместо значений размаха испытательного напряжения VS переменного тока и измеренного напряжения VO.
РИС. 9B иллюстрирует пример, в котором значения размаха или амплитуды измеренного напряжения VO изменяются с течением времени. Для удобства отклонение значений размаха или разница между двумя значениями размаха VPP 1 и VPP 2 на фиг. 9B. Обращаясь к фиг. 8 и 9B, первое значение VPP 1 размаха измеренного напряжения VO в начальный период может быть ниже, чем второе значение VPP 2 размаха измеренного напряжения VO в период после заданное время истекает с начального периода.Если отклонение двух значений размаха VPP 1 и VPP 2 , измеренных в двух соседних циклах, равно или ниже порогового значения, можно определить, что форма сигнала измеренного напряжения VO стабилизируется. . Хотя выше описано, что определение стабилизации формы сигнала выполняется с использованием измеренного напряжения VO, в некоторых вариантах осуществления блок 360 обработки цифрового сигнала может выполнять определение стабилизации формы сигнала с использованием тестового выходного сигнала SS, генерируемого усилителем 125 .
РИС. 10A и 10B — схемы, иллюстрирующие примеры тестируемого устройства 500 , показанного на фиг. 7.
Как показано на фиг. 10A, тестируемое устройство 500 a может включать в себя множество конденсаторов C 1 a , C 2 a и Can, которые соединены параллельно. Множество конденсаторов C 1 a , C 2 a и Cna могут быть разделительными конденсаторами, подключенными между линиями напряжения питания TLA и TLB в модуле памяти.В некоторых вариантах реализации каждый конденсатор C 1 a , C 2 a и Cna может иметь одну из различных емкостей, например примерно 3,3 пФ, примерно 2,2 нФ, примерно 22 нФ, примерно 100 нФ, примерно 220 нФ, примерно 1 мкФ, примерно 4,7 мкФ, примерно 10 мкФ и т. д. Количество конденсаторов, имеющих разные емкости, может быть одинаковым или различным. То есть количество конденсаторов, имеющих емкость, может быть таким же или отличаться от количества конденсаторов, имеющих другую емкость. Здесь информация о количестве конденсаторов, имеющих соответствующие емкости, может упоминаться как информация о количестве элементов, а информация о соответствующих емкостях может упоминаться как информация о емкости элементов.Информация о количестве элементов и информация о емкости элементов могут быть включены в характеристическую информацию EDI элемента, описанную выше.
Ссылаясь на фиг. 1 и 10A, блок 300 обработки сигналов может сравнивать измеренную общую емкость конденсаторов C 1 a , C 2 a и Cna с эталонной емкостью, которая является ожидаемой полной емкостью в случае где неисправность открытого типа не возникает. Блок обработки сигналов , 300, может обнаруживать неисправность разомкнутого типа конденсаторов C 1 a , C 2 a и Cna на основе результата сравнения, информации о номере элемента и емкости элемента. Информация.Разница в емкостях между эталонной емкостью и измеренной емкостью может зависеть от количества конденсаторов, имеющих разомкнутый тип повреждения, и емкостей конденсаторов, имеющих разомкнутый тип повреждения. Таким образом, блок 300 обработки сигналов может определить, какой из конденсаторов C 1 a , C 2 a и Cna имеет отказ открытого типа на основе разницы емкостей, информации о количестве элементов и информация о емкости элемента.
В некоторых вариантах осуществления, поскольку разность емкостей может находиться в пределах погрешности измерения, испытательная частота испытательного напряжения может быть отрегулирована в соответствии с соответствующими емкостями конденсаторов C 1 a , C 2 a и Cna. Например, испытательная частота испытательного напряжения может быть определена так, чтобы измеренная емкость имела большую разницу по сравнению с эталонной емкостью в случае, когда конденсаторы C 1 a , C 2 a и У Cna нет неисправности открытого типа.Испытательная частота для обнаружения отказа открытого типа конденсатора, имеющего емкость, может отличаться от испытательной частоты для обнаружения отказа открытого типа конденсатора, имеющего другую емкость. Таким образом, блок обнаружения сигнала , 100, может последовательно подавать тестовые напряжения, имеющие разные тестовые частоты, на тестируемое устройство для обнаружения неисправности разомкнутого типа конденсаторов C 1 a , C 2 a и Cna. имеющие разные емкости. Блок , 100, восприятия сигнала может воспринимать сигнал напряжения, генерируемый конденсаторами C 1 a , C 2 a и Cna, включенными в тестируемое устройство.Блок 300 обработки сигналов может вычислить общую емкость конденсаторов C 1 a , C 2 a и Cna на основе измеренного сигнала напряжения, импеданса блока измерения сигнала 100 , уровень испытательного напряжения и частота испытательного напряжения.
Ссылаясь на фиг. 1 и 10B, тестируемое устройство 500 b может быть полупроводниковым модулем, содержащим по крайней мере одно полупроводниковое устройство с 5101 по 510 n и множество конденсаторов C 1 b через Cnb которые включены параллельно между линиями напряжения питания TLA и TLB.
В некоторых вариантах реализации тестируемое устройство 500 b может быть модулем памяти, например, двухрядным модулем памяти (DIMM), одним встроенным модулем памяти (SIMM) и т. Д., Но не ограничивается этим. Модуль памяти может включать в себя множество полупроводниковых запоминающих устройств с 5101 по 510 n . Полупроводниковые запоминающие устройства , 5101, и 510, , n могут быть подключены к линиям данных, соответственно. Кроме того, полупроводниковые запоминающие устройства с , 5101, по , 510, , n могут быть связаны с командными / адресными линиями в древовидной топологии.Конденсаторы C 1 b, — Cnb могут быть разделительными конденсаторами, подключенными между линиями напряжения питания TLA и TLB модуля памяти. Например, каждый конденсатор C 1 b — Cnb может иметь одну из различных емкостей, например около 3,3 пФ, около 2,2 нФ, около 22 нФ, около 100 нФ, около 220 нФ, около 1 мкФ, около 4,7 мкФ. , около 10 мкФ и т. д.
В случае, когда один пассивный элемент имеет короткое замыкание среди множества параллельно соединенных пассивных элементов, сформированных на модуле памяти, закороченный пассивный элемент имеет низкий импеданс и полный импеданс пассивных элементов может в основном зависеть от полного сопротивления закороченного пассивного элемента.Таким образом, поскольку общий импеданс пассивных элементов сильно изменяется, короткое замыкание может быть относительно легко обнаружено. То есть испытательное устройство для обнаружения короткого замыкания параллельно соединенных пассивных элементов не обязательно должно иметь высокую точность. Например, в случае, когда параллельно соединенные резисторы имеют общее сопротивление порядка десятков кОм, общее сопротивление может варьироваться от порядка десятков Ом до порядка сотен Ом, если происходит короткое замыкание. Однако испытательное устройство для обнаружения неисправности открытого типа параллельно соединенных пассивных элементов должно иметь высокую точность.
Как правило, поскольку полупроводниковое устройство может включать в себя схему защиты, такую как защитные диоды, уровень испытательного напряжения, подаваемого на тестируемое устройство, может быть ограничен диапазоном напряжений, в котором защитные диоды не работают. То есть для измерения неисправности открытого типа пассивных элементов испытательное напряжение, прикладываемое к тестируемому устройству, может иметь ограниченный диапазон. Обычное испытательное устройство измеряет емкость параллельно соединенных конденсаторов путем измерения времени, необходимого для заряда и / или разряда конденсаторов, а также напряжения заряда и / или разряда с использованием испытательного напряжения постоянного тока.Традиционный метод, использующий испытательное напряжение постоянного тока, может не иметь высокой точности для обнаружения короткого замыкания открытого типа из-за ограничений, вызванных защитными диодами в полупроводниковом устройстве.
Тестовая система 30 согласно фиг. 10A и 10B, может измерять емкость тестируемого устройства с использованием тестового напряжения, имеющего тестовую частоту, определенную таким образом, что измеренная емкость имеет большую разницу по сравнению с эталонной емкостью, и может анализировать измеренную емкость с использованием информации о характеристиках элемента конденсаторы.Соответственно, тестовая система 30 может точно измерять емкость тестируемого устройства, проиллюстрированного на фиг. 10A и 10B, тем самым точно обнаруживая неисправность конденсаторов открытого типа.
РИС. 11A, 11B и 11C — схемы, иллюстрирующие различные примерные варианты осуществления тестируемого устройства 500 , показанного на фиг. 7.
Как показано на фиг. 11A, тестируемое устройство 500 c может включать в себя множество диодов D 21 , D 22 и D 2 m , которые соединены параллельно.Множество диодов D 21 , D 22 и D 2 m могут быть защитными диодами во входном / выходном каскаде полупроводникового устройства, такого как полупроводниковое запоминающее устройство или микросхема полупроводниковой схемы.
Как показано на фиг. 7 и 11B, тестируемое устройство 500 d может включать в себя по меньшей мере одно полупроводниковое устройство 5201 , 5202 и 520 m , имеющее по меньшей мере один каскад ввода / вывода, которые соединены друг с другом.Каждое полупроводниковое устройство 5201 , 5202 и 520 м может включать по крайней мере один защитный диод D 211 , D 212 , D 221 , D 222 1255 2 1 и D 2 м 2 . Испытательное устройство 10 может измерять полное сопротивление пути прохождения сигнала, образованного входной / выходной линией TLA, защитными диодами D 211 , D 221 и D 2 м 2 и мощностью TLB линии питания для обнаружения неисправности открытого типа по меньшей мере одной внутренней соединительной линии по меньшей мере одного полупроводникового устройства 5201 , 5202 и 520 м .Хотя это не проиллюстрировано, тестируемое устройство 500 d может дополнительно включать в себя демпфирующий резистор между линией ввода / вывода TLA и линией TLB источника питания для уменьшения коэффициента Q (т. Е. «Качества») внутри схемы. и тем самым исключить звон.
В некоторых вариантах реализации тестируемое устройство 500 d может быть модулем памяти, таким как DIMM, SIMM и т. Д., И полупроводниковыми устройствами 5201 , 5202 и 520 m могут быть полупроводниковыми запоминающими устройствами.Как и в случае с модулем памяти, если полупроводниковые устройства памяти и различные пассивные элементы установлены на печатной плате (PCB), испытательное напряжение может быть приложено к сигнальному тракту, включая диоды защиты от электростатического разряда (ESD) внутри модуль памяти для измерения импеданса печатной платы. Поскольку импедансы диодов защиты от электростатического разряда изменяются в соответствии с напряжением, подаваемым на диоды защиты от электростатического разряда, калибровка может выполняться на измеренном импедансе печатной платы на основе информации вольт-амперной характеристики защитных диодов от электростатического разряда.
Как показано на фиг. 7 и 11C, тестируемое устройство 500 e может включать в себя по меньшей мере одно полупроводниковое устройство 5301 , 5302 и 530 m , имеющее по меньшей мере один каскад ввода / вывода, которые соединены друг с другом. Каждое полупроводниковое устройство 5301 , 5302 и 530 м может включать в себя как минимум один защитный диод D 311 , D 312 , D 321 , D 322 1255 3 1 и D 3 м 2 .Испытательное устройство 10 может измерять полное сопротивление пути прохождения сигнала, образованного линией ввода / вывода TLA, защитными диодами D 312 , D 322 и D 3 м 2 и мощностью TLB линии питания для обнаружения неисправности открытого типа по меньшей мере одной внутренней соединительной линии по меньшей мере одного полупроводникового устройства 5301 , 5302 и 530 m.
Снова обратимся к фиг. 1 и 11A, блок 300 обработки сигналов может сравнивать измеренные уровни тестовых выходных сигналов с опорным уровнем в случае, когда неисправность открытого типа не возникает, и может обнаруживать неисправность открытого типа пассивных элементов D 21 , D 22 и D 2 m на основе информации EDI о характеристиках элемента.В этом случае информация EDI о характеристиках элементов может включать в себя информацию о соответствующих сопротивлениях пассивных элементов D 21 , D 22 и D 2 m в соответствии с уровнем приложенного напряжения и информацию о количестве пассивных элементов D 21 , D 22 и D 2 м , соответствующих каждому сопротивлению. Подобное обнаружение может быть выполнено на тестируемых устройствах, показанных на фиг. 11B и 11C.
Снова обратимся к фиг. 1, 7 и 11B, характеристика EDI элемента защитных диодов D 211 , D 221 и D 2 m 1 может содержать информацию об изменении сопротивления защитных диодов D 211 , D 221 и D 2 m 1 в соответствии с приложенным напряжением, и точность блока обнаружения сигнала 310 может быть улучшена на основе информации об изменении сопротивления.Блок , 300, обработки сигналов может сравнивать тестовый выходной сигнал с эталонным сопротивлением, которое является ожидаемым сопротивлением в случае, когда неисправность открытого типа не возникает, и обнаруживать неисправность открытого типа внутренней соединительной линии между входом / выходные каскады по крайней мере одного полупроводникового прибора 5201 , 5202 , 520 m на основе характеристической информации элемента EDI защитных диодов D 211 , D 221 и D 2 m 1 .Разница в сопротивлении между эталонным сопротивлением и измеренным сопротивлением может зависеть от количества пассивных элементов, имеющих замыкание открытого типа, типов пассивных элементов, имеющих замыкание открытого типа, и уровня приложенного напряжения. В случае, когда разность сопротивлений находится в пределах погрешности измерения, уровень приложенного напряжения может быть отрегулирован, а опорное сопротивление может быть отрегулировано в соответствии с отрегулированным уровнем приложенного напряжения.
Как описано выше, испытательное устройство 10 может обнаруживать неисправность открытого типа внутренней соединительной линии между входными / выходными каскадами по крайней мере одного полупроводникового устройства 5201 , 5202 и 520 м на основе характеристической информации элемента EDI защитных диодов D 211 , D 221 и D 2 m 1 .Точность обнаружения неисправности разомкнутого типа внутренней соединительной линии может быть повышена на основе характеристической информации элемента EDI, включая информацию об изменении сопротивления защитных диодов D 211 , D 221 и D 2 м 1 по приложенному напряжению.
РИС. 12 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую способ тестирования тестируемого устройства 500 согласно примерному варианту осуществления настоящей общей концепции изобретения.
Как показано на фиг. 1 и 12, блок 100 измерения сигнала генерирует тестовый выходной сигнал SS, считывая сигнал от тестируемого устройства 500 (S 100 ). Блок обработки сигналов 300 может измерять полное сопротивление тестируемого устройства 500 путем анализа формы сигнала тестового выходного сигнала SS и может обнаруживать неисправность открытого типа пассивных элементов, включенных в тестируемое устройство 500 на основе информации EDI о характеристиках пассивных элементов (S 300 ).Метод испытания, проиллюстрированный на фиг. 12, может выполняться тестовым устройством 10 по фиг. 1 или тестовая система 30 по фиг. 7.
РИС. 13 — блок-схема, иллюстрирующая пример метода испытания, показанного на фиг. 12.
Как показано на фиг. 1, 2, 7 и 13, блок 100 восприятия сигнала может подавать испытательное напряжение переменного тока на тестируемое устройство 500 (S 110 ). Блок , 100, обнаружения сигнала может генерировать тестовый выходной сигнал SS путем измерения напряжения или тока, выходящего из тестируемого устройства 500 в ответ на тестовое напряжение переменного тока (S 120 ).Напряжение или ток на выходе тестируемого устройства 500 может зависеть от амплитуды и / или частоты испытательного напряжения переменного тока и электрических характеристик пассивных элементов, включенных в тестируемое устройство 500 . Блок 300 обработки сигналов может преобразовывать тестовый выходной сигнал SS в цифровой сигнал DS (S 310 ). Блок 300 обработки сигналов может определять, стабилизирована ли форма цифрового сигнала DS (S 330 ).Например, может быть принято решение о стабилизации формы волны цифрового сигнала DS, если отклонение формы волны цифрового сигнала DS меньше порогового значения. После того, как форма цифрового сигнала DS стабилизируется, блок 300 обработки сигналов может обнаруживать отказ пассивных элементов открытого типа на основе цифрового сигнала DS и информации EDI о характеристиках элементов пассивных элементов (S 350 ). . Метод обнаружения, проиллюстрированный на фиг. 13 может выполняться тестовым устройством 10 по фиг.1 или тестовая система 30 по фиг. 7.
РИС. 14 — блок-схема, иллюстрирующая пример преобразования сигнала, показанного на фиг. 13.
Как показано на фиг. 1, 2, 5A, 7 и 14, если тестовая частота тестового напряжения выше пороговой частоты (S 311 : ДА), блок 300 обработки сигналов может выполнить преобразование среднеквадратичного значения в постоянное и аналого-цифровое преобразование тестового выходного сигнала SS для генерации первого цифрового сигнала DS 1 (S 312 , S 313 ).Блок , 300, обработки сигналов может генерировать информацию о первом признаке FV 1 на основе первого цифрового сигнала DS 1 . Если тестовая частота равна или ниже пороговой частоты (S 311 : НЕТ), блок 300 обработки сигналов может выполнить аналого-цифровое преобразование тестового выходного сигнала SS для генерации второго цифрового сигнала. DS 2 (S 314 ). Блок , 300, обработки сигналов может генерировать информацию о второй характеристике FV 2 на основе второго цифрового сигнала DS 2 .Блок , 300, обработки сигналов может обнаруживать неисправность открытого типа множества конденсаторов, анализируя информацию о первой характеристике FV 1 или информацию о второй характеристике FV 2 , используя информацию о соответствующих емкостях конденсаторов и информацию о количество конденсаторов, соответствующих каждой емкости. Преобразование сигнала, показанное на фиг. 14 может выполняться тестовым устройством 10 по фиг. 1 или тестовая система 30 по фиг.7.
РИС. 15 представляет собой блок-схему, иллюстрирующую другой способ тестирования тестируемого устройства 500 согласно примерному варианту осуществления настоящей общей концепции изобретения.
Ссылаясь на фиг. 1, 2, 4B и 15, блок 100 восприятия сигнала может подавать испытательное напряжение постоянного тока на тестируемое устройство 500 (S 130 ). Блок , 100, обнаружения сигнала может генерировать тестовый выходной сигнал SS путем измерения напряжения или тока, выходящего из тестируемого устройства 500 в ответ на тестовое напряжение постоянного тока (S 140 ).Напряжение или ток на выходе тестируемого устройства 500 может зависеть от уровня испытательного напряжения постоянного тока и электрических характеристик пассивных элементов, включенных в тестируемое устройство 500 . Блок обработки сигналов 300 b может сравнивать уровень тестового выходного сигнала SSb с уровнем опорного сигнала SR для генерации цифрового сигнала DSb, соответствующего разнице между уровнем тестового выходного сигнала SSb и уровнем опорного сигнала SR.Блок обработки сигналов 300 b может обнаруживать неисправность открытого типа внутренних соединительных линий между входными / выходными каскадами по крайней мере одного полупроводникового устройства, включенного в тестируемое устройство 500 , или неисправность открытого типа защитных диодов. включены по меньшей мере в одно полупроводниковое устройство на основе цифрового сигнала DSb и информации EDIb о характеристиках элементов защитных диодов (S 370 ). Метод обнаружения, проиллюстрированный на фиг. 15 может выполняться тестовым устройством 10 по фиг.1 или тестовая система 30 по фиг. 7.
Как описано выше, способ обнаружения неисправности открытого типа пассивных элементов согласно примерным вариантам осуществления может измерять полное сопротивление пассивных элементов, которые соединены параллельно, с использованием информации о характеристиках элементов пассивных элементов, тем самым точно обнаруживая разомкнутый контакт. неисправность пассивных элементов, включенных в тестируемое устройство, например печатную плату, на которой установлены полупроводниковые устройства.
Хотя примеры тестируемых устройств, включая конкретное количество полупроводниковых устройств и конкретное количество пассивных элементов, описаны выше, тестируемое устройство, включая различное количество полупроводниковых устройств и разное количество пассивных элементов, может быть протестировано методом обнаружения открытого неисправность -типа согласно примерным вариантам осуществления. Кроме того, хотя примеры тестируемых устройств, включая защитные диоды, описаны выше, тестируемое устройство, включающее в себя различные типы схем защиты, может быть протестировано методом обнаружения короткого замыкания открытого типа согласно примерным вариантам осуществления.Кроме того, примеры тестируемых устройств, которые являются полупроводниковыми модулями, включающими в себя множество полупроводниковых устройств, описаны выше, любое устройство или модуль, включающий пассивные элементы, которые соединены параллельно, может быть протестирован методом обнаружения неисправности открытого типа согласно примерным вариантам осуществления. . Кроме того, примеры тестируемых устройств, включая конденсаторы или резисторы, описаны выше, тестируемое устройство, включающее в себя другие типы пассивных элементов, таких как катушки индуктивности, может быть протестировано методом обнаружения неисправности открытого типа согласно примерным вариантам осуществления.
Как описано выше, испытательное устройство, испытательная система и способ их в соответствии с примерными вариантами осуществления могут измерять импеданс параллельно соединенных пассивных элементов и могут точно обнаруживать неисправность открытого типа пассивных элементов, включенных в устройство. при тестировании с использованием информации о характеристиках пассивных элементов. Таким образом, настоящая общая концепция изобретения может быть применена для обнаружения неисправности открытого типа любого устройства или модуля, такого как печатная плата, включающая полупроводниковые устройства.В частности, настоящая общая концепция изобретения может быть применена для тестирования полупроводникового модуля памяти.
Хотя несколько вариантов осуществления настоящей общей концепции изобретения были показаны и описаны, специалистам в данной области техники будет понятно, что в эти варианты осуществления могут быть внесены изменения без отступления от принципов и духа общей концепции изобретения, объем которого определен в прилагаемой формуле изобретения и ее эквивалентах.
Настройка электрооптических свойств тетрафенилциклопентадиенона путем замещения кислорода группами со стерически затрудненным отводом электронов
Abstract
В этом отчете замещение кислородной группы (= O) тетрафенилциклопентадиенона на группу = CR 2 926 R = метиловый эфир или нитрил), как было обнаружено, регулирует электрооптические свойства молекулы.Хотя обе группы по своей природе отводят электроны, их поглощение при анализе спектров УФ-видимой области было обнаружено смещением в синий цвет при замещении метилового эфира и сдвиг в красную область при замещении нитрила. Интересно, что эти замещения помогли увеличить общую интенсивность эмиссии, особенно в контексте замещения метилового эфира, в результате чего эмиссия значительно усилилась при более высоких концентрациях из-за предполагаемых ограничений внутримолекулярных движений. Эти наблюдения были объяснены подробным описанием электроноакцепторной способности и стерических свойств заместителей на основе расчетов теории функционала плотности.
Тематические термины: Аналитическая химия, Координационная химия, Органическая химия, Фотохимия, Супрамолекулярная химия
Введение
Органические молекулы малых и средних размеров с расширенным π-сопряжением были изучены в качестве фотонных материалов для светодиодов. биоанализ, тонкопленочные транзисторы и фотоэлектрические устройства 1 — 13 . Это было связано с высокой подвижностью электронов, наделяющей эти молекулы «металлическими» характеристиками, а также с очень доступной запрещенной зоной HOMO-LUMO, которая позволяла поглощать УФ-видимый свет.Общая форма и динамика π-сопряженного каркаса, возникающего из электроноакцепторных или донорных функциональных групп, очень важны для определения электрооптических свойств материалов. Это, в свою очередь, также предполагает, что хорошо спроектированный органический синтез может точно настраивать электрооптические свойства. Кроме того, органические соединения хорошо растворимы и поэтому легко могут применяться для изготовления устройств. Следовательно, именно эта уникальная способность настраивать органические сопряженные молекулы в качестве потенциальной замены неорганических полупроводников дала необходимый импульс для подробных исследований систем π-сопряжения 14 .
Обычные π-сопряженные соединения представляют собой, по существу, плоские молекулы D-π-A (D для электронодонорной группы и A для электроноакцепторной группы), где в возбужденном состоянии может наблюдаться разделение зарядов. В последние годы крупным прорывом в области органических эмиттеров стал синтез и функционализация гексафенилсилола спиральной формы (HPS) и тетрафенилэтилена (TPE), которые являются π-сопряженными молекулами, но не имеют номинального D-π -A 15 — 23 .Интересно, что эти соединения обладают многими практическими свойствами. В отличие от традиционных излучателей D-π-A, они показали повышенный уровень излучения при более высокой концентрации и в конденсированной фазе. Это явление часто описывается механизмами, включающими ограниченные внутримолекулярные движения. Следовательно, молекулы D-π-A без каких-либо планарных структур широко исследуются из-за этого повышенного излучения в концентрированных растворах 24 — 27 , и такое приращение часто рационализируется за счет образования J-агрегатов, которые, в свою очередь, увеличивает и красное смещение эмиссии 28 .
В фотовольтаике соединения спиральной формы часто рассматривались как эффективная замена фуллерена в объемных солнечных элементах с гетеропереходом 29 . Спиральная форма позволяет использовать домены меньшего размера, в то же время обеспечивая достаточную подвижность электронов. Более того, эти соединения обычно хорошо растворяются в органических растворителях даже без длинных алифатических цепей, что очень полезно в процессе изготовления устройства. Некоторыми из преимуществ этих молекул являются сходство свойств, близких к свойствам фуллеренов с меньшими молекулярными пространственными объемами, а также снижение затрат с точки зрения производства и очистки.Тетрафенилциклопентадиенон является одной из таких π-сопряженных молекул спиральной формы, которая обладает однонаправленной подвижностью электронов из-за присутствия полярной группы -C = O (рис.). Его диапазон поглощения УФ-видимого света находится в диапазоне 250-600 нм, что шире по сравнению с другими π-сопряженными полными органическими молекулами. Как показано на рис., Молекулярная структура состоит из циклопентадиенона, связанного с четырьмя фенильными группами.
Молекулярная структура с полярностью ( a ) и трехмерной спиральной конформацией ( b ) с электронной подвижностью (e-) тетрафенилциклопентадиенона.
Об электронных свойствах тетрафенилциклопентадиенона и его производных, полученных в результате преднамеренной модификации фенильных колец, сообщалось ранее 30 — 34 . Эти производные впоследствии используются в качестве синтетических промежуточных продуктов для производства полифениленовых дендримеров, а также в качестве строительных блоков для гелеобразователей, которые поглощают и излучают в УФ-видимых частотах 35 — 43 . Чтобы обеспечить дальнейшее понимание синтеза новых π-сопряженных соединений спиральной формы для электрооптических применений, здесь были исследованы эффекты замещения кислородной группы на = CR 2 частей (где R представляет собой –COOMe и –CN).Соединения, исследованные в этом исследовании, представляли собой 2,3,4,5-тетрафенилфульвены, в которых углерод в положении 6 связан с двумя электроноакцепторными группами. Пентафульвен представляет собой молекулярный модуль, который в результате химической модификации углерода в положении 6 будет переключаться с ароматической на антиароматическую электронную конфигурацию с замещением в пентеновом кольце, что позволяет точно настроить зазор HOMO-LUMO 44 — 48 . Мы показали, что превращение тетрафенилциклопентадиенона в тетрафенилпентафульвен с различными заместителями в положении углерода 6 может регулировать электрооптические свойства в широком диапазоне.Спектры поглощения и излучения, в сочетании с расчетами по теории функционала плотности (DFT) и измерениями фемтосекундного датчика накачки, были подтверждены, чтобы создать общую картину, касающуюся электронного распределения и взаимодействия этих соединений со светом.
Результаты и обсуждение
Синтез соединений 1a и 1b
Синтез соединений 1a и 1b показан на схеме. Обработка тетрафенилциклопентадиенона 3 и соединения 2a (диметилмалонат) или 2b (малононитрил) TiCl 4 и пиридином позволила выделить соединения 1a или 1b соответственно.Соединение 1b известно в литературе, и сообщалось о двух методах его получения. Процедура, принятая в этой работе, основана на отчете Эндрю и др. . и был также использован для синтеза 1a с получением высоких выходов 49 — 51 .
Синтез излучающих молекул 1a и 1b .
ЯМР-характеристика
Ароматические 1H-ЯМР-сигналы соединения 1a были смещены при более низких м.д. относительно 1b (протоны 1, 2, 3 из 1a находятся на 6.73, 7,02, 7,09 м.д. протоны 1, 2, 3 из 1b находятся при 6,87, 7,07, 7,16 м.д., как показано на рис.) Из-за наивысшего электроноакцепторного характера группы -CN по сравнению с -COOMe , как определено из значений констант заместителей Гаммета σ p и σ m двух функциональных групп (σ m и σ p составляют 0,56 и 0,66 для –CN, 0,37 и 0,45 для –COOMe) 52 . Сигналы протонов фенильных колец ближе к электроноакцепторным группам были различимы (протоны 1, 2, 3 на рис.). Было обнаружено, что сигналы других фенильных групп перекрываются (протоны 1 ‘, 2’, 3 ‘на рис.). В соединении 3 в сигналах ЯМР 1H протонов 1, 2, 3, как сообщалось ранее, наблюдались самые высокие химические сдвиги относительно 1a и 1b (протоны 1 находятся при 6,90–6,94 м.д. протоны 2 находятся при 7,15–7,19 м.д., а протоны 3 находятся при 7,23–7,26 м.д. вместе с протонами 1 ‘, 2’ и 3 ‘) 53 .
Ароматические 1H ЯМР сигналы соединений ( a ) 1a и ( b ) 1b .
Анализ оптических свойств соединений 1a, 1b и 3
Профиль поглощения
УФ-спектры соединений 1a , 1b и 3 в CH 3 CN показаны на рис. другие растворители (толуол, ДМФА и МеОН) представлены на рис. S5 . Все наблюдаемые пики поглощения были разделены на три отдельные области: 250–260 нм, 320–380 нм, 500–510 нм, и их λ max были обозначены как λ 1 , λ 2 , λ 3 соответственно. (Стол ).Λ 1 не было обнаружено во всех растворителях из-за точки отсечки растворителя. Соединение 3 демонстрировало сигналы при 330-340 нм (λ 2 ) и 500-510 нм (λ 3 ), в то время как изменение сильно зависело от типа растворителя. Зависимость от соединений оказалась следующей. Λ 3 соединения 3 было четко различимо во всех растворителях, хотя оно показало низкий молярный коэффициент поглощения по сравнению с сигналами других соединений при λ 2 .Спектры поглощения 1a при 320–330 нм (λ 2 ) и 460 нм (λ 3 ) наблюдались на более коротких длинах волн по сравнению с соединением 3 . 1b демонстрирует полосы поглощения на более длинных волнах по сравнению с двумя другими соединениями при 370–380 нм (λ 2 ) и 500–545 нм (λ 3 ). Молярный коэффициент поглощения при λ 3 для обоих соединений 1a и 1b был ниже, чем при λ 2 с частично перекрывающимися сигналами в толуоле, CH 3 CN и CH 2 Cl 2 .С другой стороны, в полярных растворителях, таких как ДМФА и МеОН, наблюдалось уширение пика, и его было трудно различить. Константы молярного поглощения при λ 2 были самыми высокими для 1a и 1b , тогда как самые высокие для 3 при λ 3 .
УФ-видимые спектры 1a , 1b , 3 в CH 3 CN, спектральный диапазон 240–700 нм и на вставке для спектрального диапазона 400–700 нм.
Таблица 1
Оптические свойства соединений 1a, 1b и 3.
| Растворитель (диполярный момент) | 1a | 1b | 3 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| λ абс. em [b] нм (Φ [[c] ) | λ abs [a] λ 1 , λ 2 , λ 3 | λ em 9267 [b] нм (Φ [c] ) | λ абс. [a] λ 1 , λ 2 , λ 3 | λ em [b] нм (Φ [c] ) | ||
| Толуол (μ = 0.4 D Δ f = 0,015) | 330 (13) 460 (0,8) | 929 (0,13) 380 (15) 500 (0,4)(0,4) | 435 (0,34) 500 (0,4) | 330 (7,5) 510 (1,5) | 929 (0,0031)||
| CH 2 Класс 2 (μ = 1,8 D Δ f = 0,218) | 250 (19) 320 (8.0) 460 (0,03) | 435 (0,13) | 270 (17) 380 (13) 545 (0,03 0009)(0,045) | 260 (26) 330 (6,3) 510 (1,1) | 435 (0,015) | |
| 320 (13) 460 (0.02) | — | 375 (15) 500 (0,02) | — | 330 (7,5) 510 (1,3) | — | |
| CH 3 CN ( μ = 3,2 D Δ f = 0,305) | 250 (27) 320 (12) 460 (0,5) | 430 (0,0095) | 260 (20) 370 (14) 500 (0,3) | 929 260 (23) 330 (5.2) 500 (0,5) | 929 (0,001) ||
| MeOH (μ = 1,7 D Δ f = 0,309) | 322 (16) 464 (0,05) | 430 (0,01) | 374 (19) 500 (0,05) | 435 (0,02) | 435 (0,001) | |
Спектры излучения
Длина волны возбуждения флуоресценции была установлена на λ 2 для всех типов растворителей и всех соединений. Все соединения 1a , 1b и 3 проявляли флуоресценцию при 430–435 нм в толуоле, CH 3 CN, MeOH, CH 2 Cl 2 . Соединение 3 показало самый слабый сигнал флуоресценции среди всех трех соединений для всех растворителей.Интересно, что в ДМФА (растворитель с наивысшим дипольным моментом) флуоресценция не наблюдалась для всех соединений. Интенсивность флуоресценции всех соединений снижалась с увеличением полярности растворителей. Тушение флуоресценции в ДМФ может быть связано с высоким дипольным моментом растворителя, а также другими причинами, о которых ранее сообщалось в литературе, то есть взаимодействием энергетически возбужденных молекул эмиттера с молекулами растворителя или присутствием примесей в растворитель (даже в коммерчески доступном ДМФ высокой чистоты), который может привести к прекращению выделения растворенного вещества 54 .В таблице перечислены все соответствующие оптические свойства соединений 1a , 1b и 3 . Значения диполярных моментов (μ) и ориентационной поляризуемости (Δ f ) растворителей указаны в литературе 55 .
Все эмиссионные спектры соединений в разных растворителях и при разных концентрациях показаны на рис. S6 SI. Соединение 3 демонстрирует усиление флуоресценции с концентрацией в толуоле и CH 2 Cl 2 , в то время как в MeOH и CH 3 N определение точных максимумов пиков технически затруднительно из-за низкой интенсивности флуоресценции Соединение 1a проявляет наивысшую интенсивность флуоресценции при увеличении концентрации с 30–60 × 10 −7 M до 30–60 × 10 −6 M во всех растворителях, за исключением CH 2 Cl 2 .Спектры флуоресценции при шести различных концентрациях соединения 1a в толуоле показаны на рис. Была прямая корреляция между интенсивностью флуоресценции и концентрацией, которая была более интенсивной при максимальной концентрации. График максимумов флуоресценции при различных концентрациях, показанный на вставке к фиг. 4, можно было бы аппроксимировать уравнением Хилла. Было возможно исследовать эмиссию соединения 1a в толуоле с той же модальностью, что и другие явления, где физические измерения зависят от супрамолекулярной агрегации между молекулами 25 , 57 , 58 .Межмолекулярная агрегация увеличила интенсивность излучения и уравнение. ( 1 ) можно использовать для корреляции с наблюдаемым графиком, как показано на рисунке:
ΔEm = ΔEmmax [x] nKa (1 + Ka [x] n)
1
Где ΔEm — вариация интенсивности излучения, [ x ] — концентрация свободной молекулы в растворе, Ka — величина константы образования агрегата. Коэффициент Хилла для кривой на рис. n = 0.85. Значение n <1 указывает на некооперативное взаимодействие, и это предполагает, что агрегаты являются олигомерами. Было обнаружено, что соединение 1b демонстрирует гашение флуоресценции при увеличении концентрации во всех растворителях, за исключением CH 2 Cl 2 .
Спектры флуоресценции 1a в толуоле при различных концентрациях, на вставке — график интенсивностей флуоресценции (как площадь под кривой) 1a в толуоле относительноконцентрация.
Фемтосекундный спектроскопический анализ с временным разрешением
Чтобы изучить динамику при фотовозбуждении и лучше понять механизм испускания соединений 1a и 1b , были проведены измерения вырожденного фемтосекундного датчика накачки 59 . выполняется в ДМФА и толуоле. Растворы отбирали в кварцевую кювету толщиной 1 мм. Растворы образцов возбуждались импульсом накачки (спектральный и временной профиль приведены на рис. S8 ) и разность пропускания зонда (ΔΤ) с наличием и без накачки собирались при каждой задержке накачки относительно зондирующего импульса. Дифференциальное поглощение рассчитывали с использованием уравнения: ΔA = — log (1 + ΔT / T), где T — коэффициент пропускания образца в отсутствие насоса. Дифференциальное поглощение (ΔA) для выбранных длин волн зонда было нанесено на график для каждой задержки, и константы времени были извлечены путем подбора данных с использованием экспоненциальных функций.
В ДМФ наблюдался сильный отрицательный сигнал (ΔA <0) в УФ-диапазоне (<450 нм).Поскольку этот диапазон длин волн перекрывается с резонансным поглощением соответствующих соединений, сигнал может быть отнесен к обесцвечиванию в основном состоянии 60 . Временная динамика на длине волны зонда ~ 440 нм для соединений 1a и 1b в ДМФА представлена на рис. Время восстановления населения в основном состоянии оценивалось с помощью подобранных постоянных времени. Постоянные времени оказались в диапазоне 0,16–0,28 пс для 1a и 0.60–1,08 пс для 1b в растворителе ДМФ. В ДМФА оба соединения не проявляли фотолюминесценции, и возбужденная популяция, возможно, распадалась безызлучательно.
Временная динамика ( a ) соединения 1a при длине волны зонда 440 нм и ( b ) соединения 1b при длине волны зонда 435 нм в растворах DMF. Концентрация растворов составляла 0,5 мМ. Красная линия — экспоненциальная аппроксимация распада.
С другой стороны, временная динамика в диапазоне 380–460 нм в толуоле для обоих соединений ( 1a и 1b ) показала существование гораздо более быстрого времени жизни распада (0.07–0.25 пс), который не обнаружен в ДМФА. Отрицательный сигнал (ΔA <0) в области 380–460 нм для соединения 1a и 425–460 нм для соединения 1b можно отнести к вынужденному излучению из возбужденного состояния. Однако перекрытие полос поглощения приводит к обесцвечиванию основного состояния в сигнале датчика накачки (ΔA) на более низких длинах волн. Временная динамика соединений 1a и 1b в толуоле при длине волны зонда 434 нм представлена на рис.. Распад был описан двухэкспоненциальной функцией, дающей две постоянные времени. Первая постоянная времени была сопоставима с длительностью импульса (~ 8,1 фс, как показано на рис. S8 ). Вторые постоянные времени приписывались спаду заселенности возбужденного состояния. Эти постоянные времени затухания оказались равными 0,1–0,2 пс для 1a и 0,07–0,17 пс для 1b в толуоле, как показано на рис. Однако в области более низких длин волн (<410 нм для 1a и <430 нм для 1b ) из-за перекрытия резонансного поглощения в дополнение к стимулированному излучению будет присутствовать сигнал обесцвечивания основного состояния и, следовательно, постоянные времени из вышеупомянутой области нельзя рассматривать для обсуждения восстановления населенности возбужденного состояния.Затем были проведены измерения с помощью зондового насоса и проанализированы при различных концентрациях для наблюдения влияния агрегации на константы времени распада в растворителе толуоле.
Временная динамика соединения 1a и соединения 1b в толуоле при длине волны зонда 434 нм.
Спектрально-зависимые постоянные времени, полученные при измерениях зондового насоса для различных концентраций соединений ( a ) 1a и ( b ) 1b в толуоле.Розовая заштрихованная область показывает полосу излучения, а синяя заштрихованная область показывает поглощение соответствующих соединений в толуоле.
Постоянные времени при выбранной длине волны зонда для трех различных концентраций для раствора соединения 1a в толуоле (6.5 × 10 −3 M, 4 × 10 −3 M и 1 × 10 −3 M) и 1b (3,2 × 10 −3 M, 6,5 × 10 −5 M, 2 × 10 −6 M) были отображены на рис. Соответственно.Было обнаружено, что при увеличении концентрации 1a постоянные времени также постепенно увеличивались на длинах пробных волн, которые перекрывались с полосой излучения (420-440 нм) 1a . Однако для соединения 1b постоянные времени оставались почти постоянными, и с самой высокой концентрацией (3,2 × 10 −3 M) 1b мы не смогли наблюдать какой-либо сигнал зонда-накачки, поскольку гашение излучения могло иметь произошло при этой концентрации.Наблюдения показали, что радиационный распад занимает больше времени в фазе агрегации (то есть при более высокой концентрации в толуоле) 1a через процесс RIM (ограниченные внутримолекулярные движения) и, следовательно, усиление излучения из-за более длительного времени возбужденного состояния.
Анализ флуоресценции в растворителях с разной вязкостью
Флуоресценция соединений 1a и 1b была проанализирована в растворах с различной вязкостью, как показано на рис., чтобы изучить эмиссию в средах с различной жесткостью. Ожидается, что повышенная вязкость растворов (повышенная жесткость среды) ограничит внутримолекулярные движения. Разбавленный раствор 1a в смесях метанол / глицерин привел к большему выбросу, когда вязкость увеличивалась с увеличением процентного содержания глицерина. Увеличение эмиссии не обнаруживается, когда процентное содержание глицерина увеличивается с 0 до 20%, но увеличение на 40% и 60% усиливает эмиссию.Растворы 1b (фиг. S15 ) демонстрируют увеличение светового излучения, когда процентное содержание глицерина составляет 40% и 60%, но эффект менее очевиден в отношении соединения 1a . Эксперименты показывают, что в соединении 1a RIM увеличивает эмиссию.
СпектрыФЛ и УФ-видимые спектры (вставка) 1a 30 × 10 −7 M в смесях с разными скоростями MeOH / глицерин. Увеличение процентного содержания глицерина от 0% до 60% с последующим увеличением вязкости раствора не приводит к усилению поглощения УФ-видимого излучения, но увеличивает излучение, когда процентное содержание глицерина составляет 40-60%.
Анализ электронной структуры
Граничные молекулярные орбитали
В этом вычислительном разделе мы стремимся качественно понять корреляцию между эффектами замещения в молекулярной структуре и максимальной длиной волны, наблюдаемой в спектре адсорбции, путем вычисления их геометрических свойств, формы и энергии граничных молекулярных орбиталей (МО) соединений 1a , 1b и 3 . Основываясь на исследовании Поттерса и Хьюза о хорошей корреляции рассчитанного методом DFT разрыва HOMO-LUMO с экспериментальным поглощением соединения 3 33 , вместо использования подхода DFT, зависящего от времени (TD), мы соединили разрывы HOMO / LUMO, HOMO / LUMO + 1, HOMO-1 / LUMO с основным вкладом пиков вблизи видимой области; такой дескриптор с меньшими вычислительными затратами будет полезен для будущего молекулярного дизайна оптико-электронных свойств.В данном исследовании МО соединений 1a , 1b и 3 можно рассматривать как возмущения ядра фульвена ( 1a и 1b ) и ядра циклопентадиенона ( 3 ) за счет замены атомов водорода с фенильными кольцами в положениях C2, C3, C4 и C5 на рис. и заменой = CH 2 на = CR 2 и = O в положении 1. Прежде чем анализировать МО соединений с фенильными кольцами, мы сначала опишем МО фульвена, как ранее сообщал R.Э. Дьюка и схематически изображена на рис. 61 . На рис. Шесть МО фульвена представлены комбинацией пяти p-орбиталей циклопентеновых углеродов и одной p-орбитали экзоциклического углерода; в случае циклопентадиенона экзоциклическая р-орбиталь обеспечивается кислородом. Шесть π-электронов фульвена занимают три самых высоких занятых МО.
Схематическое изображение молекулярных орбиталей фульвена и циклопентадиенона, как описано в литературе 60 .
МО соединений 1a , 1b и 3 и их энергии представлены на рис. Наиболее сильное возмущение фенильных колец на орбиталях фульвена ожидается, когда взаимное расположение компланарно.
Графическое представление результатов расчета МО для граничных МО соединений 1a , 1b и 3 . Значения относятся к их уровням энергии в эВ.
Оптимизированная геометрия, изображенная на рис. S16 показывают, что двугранный угол между фенильными кольцами в положениях 2 и 5 циклопентенового кольца и фульвеновой группой составляет 39 ° для соединения 3 , 80 ° для соединения 1b , 63 ° для соединения 1a . Геометрии можно объяснить стерическими затруднениями групп в положении 6. Размер кислорода в соединении 3 (= O) меньше, чем группы = CR 2 двух других соединений и, как следствие, фенильные группы в положениях 2 и 5 циклопентенового кольца более свободны для принятия компланарного расположения по отношению к фульвену.Группа = C (CN) 2 соединения 1b проявляет более сильное взаимодействие с фенильными кольцами, чем группа = C (COOMe) 2 из 1a , поскольку группы –CN компланарны циклопентадиену и находятся вблизи фенильные группы в положениях 2 и 5. В соединении 1a вращение группы –COOMe выводит –C = O и –OMe из плоскости циклопентадиена. Электронная плотность орбитального ВЗМО Aπ является самой высокой на атомах углерода циклопентадиена и наиболее дестабилизирована возмущением фенильных колец.Как следствие, HOMO Aπ-орбитали соединения 3 и 1b соответственно являются наиболее и менее дестабилизированными. Эти результаты демонстрируют важность стерических препятствий группы R в определении электронного распределения вдоль молекулярной структуры и, как следствие, в настройке электрооптических свойств соединений.
Электроны группы, связанной с углеродом 1 циклопентадиена, дестабилизируют орбитальную НСМО Bπ *, электронная плотность которой является самой высокой в положении 6.Группа = C (COOMe) 2 в соединении 1a содержит четыре атома кислорода и восемь неподеленных электронных пар, = O соединения 3 содержит две неподеленные пары, = C (CN) 2 соединения 1b содержит два атома азота и две неподеленные пары электронов. Как следствие, соединение 1a демонстрирует самую высокую электронную плотность и самую высокую дестабилизацию орбитального НСМО Bπ *. Наименьшая дестабилизация в соединении 1b по сравнению с соединением 3 обусловлена более высокой протяженностью группы, в которой расположены неподеленные пары электронов.
Корреляция между рассчитанной длиной волны и наблюдаемыми максимумами поглощения
В этом разделе корреляция между вычисленными пограничными разностями энергии МО и их соответствующими длинами волн проиллюстрирована на рис. Расчетная λ 1 (243 нм для 1a , 232 нм для 1b , 251 нм для 3 ), λ 2 (330 нм для 1a , 389 нм для 1b и 338 нм для 3 ) и λ 3 (391 нм для 1a , 451 нм для 1b , 433 нм для 3 ) хорошо коррелировали со средними максимумами поглощения в различных растворителях, λ 1 (250 нм для 1a , 260 нм для 1b , 260 нм для 3 ), λ 2 (325 нм для 1a , 375 нм для 1b , 330 нм для 3 ) и λ 3 (460 нм для 1a , 500 нм для 1b , 505 нм для 3 ) и показаны в таблице.Незначительное расхождение между нашими расчетными переходами HOMO Aπ — LUMO Bπ * с наблюдаемым экспериментальным λ 3 может быть связано с влиянием растворителя на энергию орбитального HOMO Aπ, которое не учитывалось при расчетах методом DFT. На λ 3 могла влиять полярность растворителя, поскольку орбиталь ВЗМО Aπ полярна, как ранее описано Diedrich et al . 44 , и стабилизируется растворителями с наибольшей ориентационной поляризуемостью и дипольным моментом.В CH 3 CN λ 3 соединений 1a , 1b и 3 были смещены в синий цвет по сравнению с толуолом и CH 2 Cl 2 при расширении в DMF и MeOH. Расчетные значения переходов также показали, что соединения 1a и 1b λ 2 и λ 3 частично перекрываются (расчетная разница λ 3 -λ 2 составляет всего 60 нм), тогда как в соединении 3 они разделены (вычисленная разница λ 3 -λ 2 составляет 100 нм) из-за сильной дестабилизации HOMO Aπ, которая могла сместить λ 3 в красную область.
Корреляция между рассчитанными длинами волн и переходами МО.
Таблица 2
Расчетные значения разностей энергий, выраженные в нм, между граничными МО соединений 1a, 1b и 3.
| Расчетные электронные переходы | 1a | 1b | 3 |
|---|---|---|---|
| LUMO + 1 Aπ * — HOMO Aπ (λ 1 нм) | 243 | 232 | 251 |
| LUMO Bπ * — HOMO-1 Bπ (λ 2 нм) | 330 | 389 | 338 |
| LUMO Bπ * — HOMO Aπ (λ 3 нм) | 391 | 451 | 433 |
Короче говоря, это согласованное соотношение между тремя рассчитанными длинами волн и спектральными пиками поглощения подразумевает, что каждый из трех идентифицированных переходов ассоциирован с одним преобладающим одноэлектронным возбуждением.Таким образом, разумно ожидать, что будет существовать корреляция между разницей соответствующих молекулярных орбитальных энергий при помощи DFT и наблюдаемыми переходами из экспериментального спектра, хотя более полные вклады МО в каждое возбужденное состояние могут быть выполнены с помощью сложных вычислений TDDFT 62 .
Выводы
В этой работе мы заменили кислородный (= O) фрагмент циклопентадиенона двумя разными = CR 2 группами, несущими разные стерические затруднения.Было показано, что замещение является эффективным методом настройки оптических и электронных свойств молекулы. Хотя группы R соединений 1a и 1b обе являются отводящими электроны, сдвиг пика поглощения по отношению к соединению 3 был обратным между двумя соединениями (смещение синего и красного цветов соответственно). Соединения 1a и 1b показали повышенную флуоресценцию по сравнению с соединением 3 из-за наиболее напряженного молекулярного расположения.Как подтверждено с помощью фемтосекундной спектроскопии с временным разрешением, соединение 1a проявляет повышенную флуоресценцию в более концентрированных растворах. Спектры флуоресценции 1a в растворителе с различной вязкостью показали, что ограниченное внутримолекулярное вращение могло способствовать увеличению флуоресценции. Результаты вычислений подтвердили, что состояния МО -COOMe и -CN также помогли точно настроить электронную подвижность вдоль молекулярного скелета из-за различного стерического взаимодействия с фенильными кольцами, связанными с атомами углерода C2 и C5.В соединении 3 МО циклопентадиенона сильно расширены на фенильных кольцах, которые связаны с атомами углерода C2 и C5. В соединении 1a МО фульвена вытянуты вдоль четырех фенильных колец и группы = C (COOMe) 2 . В соединении 1b МО ядра фульвена расширены на группу = C (CN) 2 и на фенильные кольца, связанные с атомами углерода C3 и C4. Прямое описание DFT позволило идентифицировать два возбужденных состояния S 1 (HOMO → LUMO) и S 2 (HOMO-1 → LUMO), которые были обнаружены в других производных фульвена, таких как дифенилдибензофульвен, полоса поглощения которых находится в диапазоне длин волн 320–510 нм 63 .Блок Фульвена отображает шов конического пересечения между основным состоянием S 0 и возбужденным состоянием S 1 , доступ к которому осуществляется путем скручивания вокруг экзоциклической связи C1-C6 на фиг. 64 , 65 . Группа Бланкафорта обнаружила, что эмиссия дифенилдибензофульвена зависит от доступности шва конического пересечения между состояниями S 1 и S 0 66 , 67 . В растворе конический шов с пересечением более доступен, чем в твердом состоянии, потому что скручивание через экзоциклическую связь C1-C6 менее затруднено, и, как следствие, эмиссия более гасится.Соединения 1a , 1b показывают, что спектры поглощения и излучения аналогичны дифенилдибензофульвену, что указывает на то, что оптические свойства определяются фульвеновым фрагментом. Самая низкая полярность (самая низкая солюбилизирующая способность), самая высокая вязкость растворителя и самая высокая концентрация растворов — это условия, которые ограничивают внутримолекулярные движения и, таким образом, более четко увеличивают эмиссию 1a и менее явно эмиссию 1b .Это свидетельство согласуется с тем фактом, что молекула 1b более затруднена, чем 1a . Внутреннее препятствие в 1b (и ограниченная внутримолекулярная конформационная свобода) подразумевает, что внешние условия имеют меньшее влияние на внутримолекулярные движения. Сходство с дифенилдибензофульвеном продемонстрировало, что флуоресценция зависит от шва конического пересечения между состояниями S 1 -S 0 и скручиванием C1-C6.Точные механизмы могут быть проанализированы с помощью строгого компьютерного анализа, который выходит за рамки данной рукописи.
Здесь мы продемонстрировали, что замещенные тетрафенилфульвены могут служить действительной отправной точкой для синтеза новых соединений D-π-A и новых излучающих молекул. Соединения демонстрируют настраиваемые электронные свойства в сочетании с простотой манипулирования, которая обеспечивается некопланарным расположением фенильных колец. Это усиление излучения за счет ограничения внутримолекулярного движения также может иметь важное значение для биосенсоров, особенно с точки зрения стыковочных датчиков на основе химии хозяина и гостя.Дальнейшая работа, относящаяся к этому исследованию, будет касаться дополнительных химических модификаций соединений 1a и 1b , которые служат в качестве соединений фенильных колец с электроноакцепторными или электронодонорными группами.
Экспериментальная часть
Детали эксперимента
Тетрафенилциклопентадиенон, диметилмалонат, TiCl4, пиридин (сухой), дихлорметан были приобретены из коммерческих источников. Дихлорметан сушили молекулярными ситами.Спектры ЯМР 1 H и 13C были записаны для растворов в CDCl 3 на зонде Bruker Avance III 500 МГц BBFO с сигналом остаточных протонов растворителя. Флэш-хроматографию на колонке проводили с использованием Silicycle Silica gel 60 (7–230 меш, pH 7).
Синтез соединения 1a
TiCl 4 (2,2 мл, 3,8 г, 20 ммоль) добавляли по каплям к охлажденному льдом раствору тетрафенилциклопентадиенона (1,5 г, 3,9 ммоль) и диметилмалоната (1,98 г, 15 ммоль, 0,85 ммоль). мл) в дихлорметане (50 мл) в атмосфере аргона.После завершения добавления по каплям в течение 10 минут добавляли сухой пиридин (7,5 мл). Реакционной смеси давали нагреться до комнатной температуры и перемешивали в атмосфере аргона в течение ночи. Раствор охлаждали до 0 ° C и медленно добавляли 10% HCl (20 мл). Смесь экстрагировали дихлорметаном (50 мл × 3), органическую фазу собирали и сушили над Na 2 SO 4 . После выпаривания растворителя неочищенный продукт получали в виде красного порошка. Остаток очищали колоночной хроматографией, используя гексан / этилацетат 10: 1 в качестве элюента.Продукт выделяли в виде красного порошка, который фильтровали с гексаном для удаления остаточного диметилмалоната (1,8 г, 3,6 ммоль, 92%). 1 HNMR, (500 МГц, CDCl 3 ) м.д., δ: 7,21 (м, 10H), 7,09 (м, 2H), 7,02 (м, 4H), 6,73 (м, 4H), 3,07 (с, 6H) ). 13 CNMR, (140 МГц, CDCl 3 ) м.д., δ: 164,7, 150,4, 148,1, 135,0, 133,9, 132,7, 131,5, 130,6, 129,9, 127,7, 127,3, 127,1, 126,8, 52,3. ESI масса [M + Na + ] + выч. 521.1723, эксп. 521,1767, [M + H + ] + выч.499.1904, эксп. 499.1915.
Синтез соединения 1b
TiCL 4 (2,2 мл, 3,8 г, 20 ммоль) добавляли по каплям к охлажденному льдом раствору тетрафенилциклопентадиенона (1,5 г, 3,9 ммоль) и малононитрила (0,5 г, 7,5 ммоль) в Дихлорметан (50 мл) в атмосфере аргона. После завершения добавления по каплям в течение 10 минут добавляли сухой пиридин (7,5 мл). Реакционной смеси давали нагреться до комнатной температуры и перемешивали в атмосфере аргона в течение ночи. Раствор охлаждали до 0 ° C и медленно добавляли 10% HCl (20 мл).Смесь экстрагировали дихлорметаном (50 мл × 3), органическую фазу собирали и сушили над Na 2 SO 4 . После выпаривания растворителя неочищенный продукт получали в виде зеленого порошка. Остаток очищали колоночной хроматографией, используя гексан / дихлорметан 7: 3 в качестве элюента. Продукт выделяли в виде желто-зеленого порошка. (1,5 г, 3,5 ммоль, 44%). 1 HNMR, (500 МГц, CDCl 3 ) м.д., δ: 7,36 (м, 10H), 7,16 (т, 2H), 7,07 (т, 4H), 6,87 (д, 4H), 13 CNMR, (140 МГц, CDCl 3 ) м.д., δ: 168.48, 151,1, 145,1, 132,4, 131,7, 131,1, 129,7, 129,0, 128,7, 128,6, 127,5, 111,2. ESI масса [M + Na + ] + выч. 455.1519, эксп. 455,1519, [M + H + ] + выч. 433.1699, эксп. 433.1694.
Фотофизические измерения
Спектры поглощения и фотолюминесценции регистрировали с помощью спектрометра Spectra Max M2. QY были получены с использованием фенотиазина в ацетонитриле в качестве эталона, который составляет 0,01 35 . Измерения вырожденного фемтосекундного зонда накачки были выполнены для исследования сверхбыстрой динамики в фульвеновых соединениях.В данной работе использовался спектр от 390 нм до 450 нм и длительность импульса источника света ~ 8 фс. Спектральный и временной профиль в толуоле и ДМФА для всех частот и концентраций показан в SI. Пики на спектральном профиле появляются из-за сжатия источника света. В среднем было выполнено 50 сканирований для каждого прямого и обратного сканирования. Были выбраны пять длин волн зонда (398 нм, 403 нм, 410 нм, 424 нм, 434 нм для соединения 1a; 397 нм, 410 нм, 423 нм, 434 нм, 444 нм для соединения 1b), которые показали лучшее соотношение сигнал / шум.Обратное и прямое сканирование были подобраны отдельно, и среднее значение обоих параметров с полосой погрешности приведено на рис. Кинетика показывает отрицательную ΔA, что означает фотообесцвечивание в основном состоянии (PB) или вынужденное излучение (SE) из первого возбужденного состояния. PB возникает, когда длина волны зонда перекрывается с полосой поглощения, а SE возникает, когда длина волны зонда перекрывается с полосой излучения молекулы. В обоих соединениях 1a и 1b кинетика на более коротких длинах волн в основном определяется как PB, так и SE.Однако основной вклад в сигнал накачки-зонд ΔA на более длинных волнах вносит SE.
Кинетика при трех различных концентрациях была измерена для соединения 1a (0,0065 M, 0,004 M и 0,001 M). Пики около нулевой задержки связаны с когерентными артефактами, вызванными интерференцией и нелинейным взаимодействием между импульсами накачки и зонда вблизи нулевой задержки. Кинетика была подобрана двухэкспоненциально, и более длинные постоянные времени были нанесены на график при различных концентрациях.Значение более быстрой постоянной времени сравнимо или меньше, чем значение длительности импульса, и, следовательно, ожидается основной вклад когерентного артефакта. Более длинные постоянные времени можно отнести к скорости восстановления популяции в возбужденном состоянии. В SI отображается амплитуда или весовой коэффициент большей постоянной времени. Очевидно, что в значения амплитуды на более коротких длинах волн будут вносить вклад как PB, так и SE. Когда речь идет о более длинных волнах, вклад PB уменьшает и увеличивает амплитуду.
Также была проведена кинетика при трех различных концентрациях соединения 1b (0,0032 M, 0,0065 M, 0,002 M). Однако образец с наивысшей концентрацией не смог наблюдать какой-либо сигнал насоса-зонда, так как гашение излучения происходило при этой концентрации. Самые низкие концентрации показывают отрицательный сигнал насоса-зонда ΔA, и кинетика подобрана двухэкспоненциально.
Детали вычислений
Расчеты теории функционала плотности (DFT) были выполнены для оптимизации геометрии и собственных значений молекулярных орбиталей.Функционал обменно-корреляции B3LYP 68 — 70 и двойной числовой базис с поляризацией (DNP), реализованный в программном пакете DMol 3 71 , 72 использовались для всех численные расчеты.
Вспомогательная информация
Вспомогательная информация предоставляет все экспериментальные данные, которые цитируются и не показаны в статье, такие как УФ-спектры в ДМФА, толуоле, метаноле, CH 2 Cl 2 , спектры ФЛ соединений 1a , 1b и 3 в толуоле, CH 3 CN, метанол, CH 2 Cl 2 , все эксперименты по фемтосекундной спектроскопии, все УФ-видимые спектры и спектры ФЛ в смесях МеОН / Глицерин.
Ссылки
1. Батул Ф. Обзорный доклад по технологии и применению органических светоизлучающих диодов (OLED). Международный журнал перспективных исследований в области компьютерной и коммуникационной техники. 2016; 5: 152–156. DOI: 10.17148 / IJARCCE.2016.51233. [CrossRef] [Google Scholar] 2. Коропчану В. и др. Перенос заряда в органических полупроводниках. Химические обзоры. 2007; 107: 926–52. DOI: 10.1021 / cr050140x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 3. Eftaiha AF, Sun JP, Hill IG, Welch GC. Последние достижения нефуллеренов, низкомолекулярных акцепторов для солнечных элементов с объемным гетеропереходом.J Mater Chem A. 2014; 2: 1201–1213. DOI: 10.1039 / C3TA14236A. [CrossRef] [Google Scholar] 4. Форрест С.Р., Томпсон МЭ. Введение: Органическая электроника и оптоэлектроника. Химические обзоры. 2007; 107: 923–925. DOI: 10,1021 / cr0501590. [CrossRef] [Google Scholar] 5. Канг Х. и др. Органические солнечные элементы с объемным гетеропереходом: пять основных технологий для их коммерциализации. Современные материалы. 2016; 28: 7821–7861. DOI: 10.1002 / adma.201601197. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 6. Lo SC, Burn PL. Разработка дендримеров: макромолекулы для использования в органических светодиодах и солнечных элементах.Химические обзоры. 2007; 107: 1097–1116. DOI: 10.1021 / cr050136l. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 7. Mishra A, Fischer MKR, Bäuerle P. Безметалловые органические красители для сенсибилизированных красителями солнечных элементов: от структуры: отношения свойств к правилам проектирования. Angewandte Chemie (международное издание на английском языке) 2009; 48: 2474–99. DOI: 10.1002 / anie.200804709. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 8. Мерфи А.Р., Фреше Дж.М.Дж. Органические полупроводниковые олигомеры для использования в тонкопленочных транзисторах. Химические обзоры. 2007; 107: 1066–1096.DOI: 10,1021 / cr0501386. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]9. Оояма Ю. и Харима Ю. Молекулярные конструкции и синтез органических красителей для сенсибилизированных красителями солнечных элементов. Европейский журнал органической химии , 2903–2934 (2009).
10. Прасад П. Н. Введение в биофотонику . (Wiley — Interscience, 2003).
11. Roncali J, Leriche P, Blanchard P. Молекулярные материалы для органических фотоэлектрических элементов: Маленький — красивый. Современные материалы. 2014; 26: 3821–3838.DOI: 10.1002 / adma.201305999. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 12. Теджо Кальяни Н, Дхобл С.Дж. Органические светодиоды: Энергосберегающая осветительная техника — Обзор. Обзоры возобновляемых и устойчивых источников энергии. 2012; 16: 2696–2723. DOI: 10.1016 / j.rser.2012.02.021. [CrossRef] [Google Scholar] 13. Широта Ю., Кагеяма Х. Молекулярные материалы, переносящие зарядные носители, и их применение в устройствах. Химические обзоры. 2007; 107: 953–1010. DOI: 10,1021 / cr050143 +. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 14.Милиан-Медина Б., Гиршнер Дж. Π-Сопряжение. Междисциплинарные обзоры Wiley: вычислительная молекулярная наука. 2012; 2: 513–524. [Google Scholar] 15. Чен Дж и др. Синтез, световое излучение, наноагрегация и ограниченное внутримолекулярное вращение 1,1-замещенных 2,3,4,5-тетрафенилсилолов. Химия материалов. 2003; 15: 1535–1546. DOI: 10,1021 / см021715z. [CrossRef] [Google Scholar] 16. Дин Д., Ли К., Лю Б., Тан Б.З. Биозонды на основе флуорогенов АИЭ. Счета химических исследований. 2013; 46: 2441–2453.DOI: 10,1021 / ar3003464. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 17. Hong Y, Lam JWY, Tang BZ. Эмиссия, вызванная агрегацией. Обзоры химического общества. 2011; 40: 5361. DOI: 10.1039 / c1cs15113d. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 18. Хонг, Ю., Лам, Дж. У. Я. и Танг, Б. З. Эмиссия, вызванная агрегацией: явление, механизм и приложения. Chemical Communications , 4332–4353 (2009). [PubMed] 19. Лю Б., Чжан Р. FDEmiss17 Заключительные замечания Выбросы, вызванные агрегированием: Заключительные замечания. Фарадей Обсуди.2017; 196: 461–472. DOI: 10.1039 / C6FD00258G. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 20. Луо Дж и др. Вызванная агрегацией эмиссия 1-метил-1,2,3,4,5-пентафенилсилола. Химические коммуникации. 2001; 381: 1740–1741. DOI: 10.1039 / b105159h. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 21. Ren Y, Dong Y, Lam JWY, Tang BZ, Wong KS. Исследования вызванного агрегацией излучения силольной пленки и кристалла методом флуоресценции с временным разрешением. Письма по химической физике. 2005; 402: 468–473. DOI: 10.1016 / j.cplett.2004.12.103. [CrossRef] [Google Scholar] 22. Ren Y, Lam JWY, Dong Y, Tang BZ, Wong KS. Повышенная эффективность излучения и время жизни возбужденного состояния за счет ограниченного внутримолекулярного движения в агрегатах силола. Журнал физической химии B. 2005; 109: 1135–1140. DOI: 10.1021 / jp046659z. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 23. Тан Б.З. и др. Эффективное синее излучение из силолов. Журнал химии материалов. 2001; 11: 2974–2978. DOI: 10.1039 / b102221k. [CrossRef] [Google Scholar] 24. Cariati E, et al. Излучающие материалы, вызванные эффективной кристаллизацией, основаны на простой двухтактной молекулярной структуре.Физическая химия Химическая физика. 2011; 13: 18005–18014. DOI: 10.1039 / c1cp22267h. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 25. Coluccini C, et al. Переключение эмиссионных и NLO свойств у двухтактных хромофоров с серповидными PPV-подобными структурами. Физическая химия химическая физика: PCCP. 2013; 15: 1666–1674. DOI: 10.1039 / C2CP43140H. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 26. Нитти А. и др. Взаимосвязь структура-активность для твердотельной эмиссии нового семейства «пушпульных» π-удлиненных хромофоров.Фарадеевские дискуссии. 2017; 196: 143–161. DOI: 10.1039 / C6FD00161K. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 27. Юань В.З. и др. Эффективные твердые излучатели с характеристиками эмиссии, вызванной агрегацией и внутримолекулярного переноса заряда: молекулярный дизайн, синтез, фотофизическое поведение и OLED-приложения. Химия материалов. 2012; 24: 1518–1528. DOI: 10,1021 / см300416y. [CrossRef] [Google Scholar] 28. Вюртнер Ф., Кайзер Т.Э., Саха-Мёллер CR. J-агрегаты: от случайного открытия до супрамолекулярной инженерии функциональных красителей.Angewandte Chemie — Международное издание. 2011; 50: 3376–3410. DOI: 10.1002 / anie.201002307. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 29. Лю Ю. и др. Маломолекулярный акцептор с трехмерной структурой на основе тетрафенилэтиленового ядра, обеспечивающий эффективные нефуллереновые органические солнечные элементы. Современные материалы. 2015; 27: 1015–1020. DOI: 10.1002 / adma.201404152. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 30. Коан С.Б., Дальнобойщик Д.Е., Беккер Е.И. Спектры поглощения тетрациклонов. Журнал Американского химического общества. 1953; 75: 900–903.DOI: 10.1021 / ja01100a037. [CrossRef] [Google Scholar] 31. Коан С.Б., Дальнобойщик Д.Е., Беккер Э.И. Спектры поглощения тетрациклонов. IV 1,2. Журнал Американского химического общества. 1955; 77: 60–66. DOI: 10.1021 / ja01606a018. [CrossRef] [Google Scholar] 32. Пал Р., Мукерджи С., Чандрасекхар С., Гуру Роу, штат Теннеси. Изучение антиароматичности циклопентадиенона: исследования плотности заряда различных тетрациклонов. Журнал физической химии А. 2014; 118: 3479–3489. DOI: 10,1021 / jp5010924. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 33.Поттер Р.Г., Хьюз Т.С. Предсказание УФ-видимых спектров тетраарилциклопентадиенонов: использование молекулярных орбитальных энергий DFT для моделирования электронных переходов органических материалов. Журнал органической химии. 2008. 73: 2995–3004. DOI: 10.1021 / jo701676x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 34. Шапиро Э.Л., Беккер Э.И. Стерические эффекты и спектры в тетрациклонах. Журнал Американского химического общества. 1953; 75: 4769–4775. DOI: 10.1021 / ja01115a045. [CrossRef] [Google Scholar] 35. Бернхардт С., Баумгартен М., Вагнер М., Мюлен К.Множественная функционализация бензофенонов внутри полифениленовых дендримеров — к захваченным ионам и радикалам. Журнал Американского химического общества. 2005; 127: 12392–12399. DOI: 10.1021 / ja052856f. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 36. Boiani M, et al. Новый низкомолекулярный гелеобразователь на основе тетраарилциклопентадиенона: синтез, свойства самосборки и распознавание анионов. Новый химический журнал. 2012; 36: 1469–1478. DOI: 10.1039 / c2nj40073a. [CrossRef] [Google Scholar] 37. Иньеста Дж. И др.Электрохимическое окисление тетрациклонов и тетрафенилтиофен-S-оксида. Electrochimica Acta. 2006; 51: 5682–5690. DOI: 10.1016 / j.electacta.2006.03.001. [CrossRef] [Google Scholar] 38. Малый KE, Gagnon E, Maris T, Wuest JD. Разработка молекулярных кристаллов с водородными связями, построенных из производных гексафенилбензола и родственных соединений. Журнал Американского химического общества. 2007. 129: 4306–4322. DOI: 10.1021 / ja067571x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 39. Эстерлинг И., Мюлен К. Мультихромофорные полифениленовые дендримеры: к ярким излучателям света с увеличенным количеством флуорофоров.Журнал Американского химического общества. 2007. 129: 4595–4605. DOI: 10.1021 / ja067174m. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 40. Рен Х и др. Синтез и люминесцентные свойства дендримеров с периленбисимидным сердечником и карбазольными поверхностными группами. Полимер. 2011. 52: 3639–3646. DOI: 10.1016 / j.polymer.2011.06.019. [CrossRef] [Google Scholar] 41. Рен Х и др. Синтез и свойства новых дендримеров с периленбисимидной сердцевиной. Красители и пигменты. 2011; 91: 298–303. DOI: 10.1016 / j.dyepig.2011.04.008. [CrossRef] [Google Scholar] 42.Ren H, Tao Q, Gao Z, Liu D. Синтез и свойства новых дендримеров со спиробифлуореновой сердцевиной. Красители и пигменты. 2012; 94: 136–142. DOI: 10.1016 / j.dyepig.2011.12.005. [CrossRef] [Google Scholar] 43. Сян Цюань, Сунь Синь, Чжу Гоюй, Сунь Хайин, Ван Юйчунь, Си Чжэньцзюнь, Дуань Цянь. 2,3,4,5-Тетрафенилбифенилсодержащие комплексы CuI / ReIC: синтез, анализ свойств и теоретические исследования. Европейский журнал неорганической химии. 2012; 2012 (25): 4012–4019. DOI: 10.1002 / ejic.201200276. [CrossRef] [Google Scholar] 44.Финке А.Д., Дидерих Ф. 6,6-Дицианопентафульвен: Обучение старой собаки новым трюкам. Химическая запись. 2015; 15: 19–30. DOI: 10.1002 / tcr.201402060. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 45. Кляйнпетер Э., Феттке А. Количественная оценка (анти) ароматичности фульвенов в зависимости от размера кольца. Буквы тетраэдра. 2008. 49: 2776–2781. DOI: 10.1016 / j.tetlet.2008.02.137. [CrossRef] [Google Scholar] 46. Крыговски Т.М., Озимински В.П., Палусиак М., Фаулер П.В., Маккензи А.Д. Ароматичность замещенных производных фульвена: Зависимые от заместителей кольцевые токи.Физическая химия Химическая физика. 2010; 12: 10740–10745. DOI: 10.1039 / c003686b. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 47. Наджафиан К., Шлейер ПВР, Тидуэлл ТТ. Ароматичность и антиароматичность фульвенов, кетоциклополиенов, фульвенонов и диазоциклополиенов. Органическая и биомолекулярная химия. 2003; 1: 3410–3417. DOI: 10,1039 / B304718K. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 48. Розенберг М., Оттоссон Х., Килсо К. Влияние ароматичности возбужденного состояния в низших возбужденных синглетных состояниях производных фульвена.Физическая химия Химическая физика. 2011; 13: 12912–12919. DOI: 10.1039 / c0cp02821e. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 49. Эндрю Т.Л., Кокс-младший, Swager TM. Синтез, реакционная способность и электронные свойства 6,6-дицианофульвенов. Органические буквы. 2010; 12: 5302–5. DOI: 10.1021 / ol102384k. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 50. Finke AD, et al. 6,6-Дицианопентафульвены: электронная структура и региоселективность в реакциях [2 + 2] циклоприсоединения-ретроэлектроциклизации. Журнал Американского химического общества.2012; 134: 18139–46. DOI: 10.1021 / ja309141r. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]51. Кинг, Р. Б. и Саран, М. С. Циклизация дициановинилидена двумя дифенилацетиленовыми звеньями с образованием производного 6,6-дицианофульвена. Журнал химического общества , Chemical Communications , 851–852 (1974).
52. Hansch C, Leo A, Taft RW. Обзор констант заместителей Гаммета, резонансных и полевых параметров. Химические обзоры. 1991; 91: 165–195. DOI: 10.1021 / cr00002a004.[CrossRef] [Google Scholar] 53. Луо, К., Ван, К., Чжан, В.-Х. & Xi, Z. CuCl-опосредованная тандемная вставка CO и аннелирование 1,4-дилитио-1,3-диенов: образование многократно замещенных циклопентадиенонов и / или их димеров «голова к голове». Chemical Communications , 1593–1595 (2008). [PubMed] 54. Чаттерджи С., Басу С., Гош Н., Чакрабарти М. Уникальное поведение ДМФА как растворителя в процессе гашения флуоресценции. Письма по химической физике. 2004. 388: 79–83. DOI: 10.1016 / j.cplett.2004.02.067.[CrossRef] [Google Scholar]55. Смоллвуд, И. М. Справочник по свойствам органических растворителей . Справочник по свойствам органических растворителей (Elsevier Ltd, 1996).
56. Нат С., Пал Х, Палит Д. К., Сапре А. В., Миттал Дж. П. Стационарные и временные исследования фотоиндуцированного взаимодействия фенотиазина и 10-метилфенотиазина с хлоралканами. Журнал физической химии А. 1998; 102: 5822–5830. DOI: 10,1021 / jp9726145. [CrossRef] [Google Scholar] 57. Карикато М., Колуччини К., Вандер Гринд Д.А., Форни А., Пасини Д.Смещение от красного к синему: переключение аффинности связывания с акцептора на донорный конец путем увеличения π-мостика в двухтактных хромофорах с координационными концами. Новый химический журнал. 2013; 37: 2792–2799. DOI: 10.1039 / c3nj00466j. [CrossRef] [Google Scholar] 58. Колуччини С., Пасини Д., Ригетти П., Вандер Гринд Д.А. Динамическое переключение между сайтами связывания в комплексообразовании макроциклических «пушпульных» хромофоров с лантаноидами. Тетраэдр. 2009; 65: 10436–10440. DOI: 10.1016 / j.tet.2009.10.024.[CrossRef] [Google Scholar] 59. Хашимото С., Хамада К., Ивакура И., Ябушита А., Кобаяши Т. Механизмы фотохимических реакций 4, 5-диметокси-2-нитробензилацетата проанализированы с помощью импульсного лазера в ближнем ультрафиолетовом диапазоне со скоростью менее 10 фс. Химическая физика. 2019; 524: 70–76. DOI: 10.1016 / j.chemphys.2019.04.031. [CrossRef] [Google Scholar]60. Клод, Дж., Р. Явления ультракоротких лазерных импульсов — основы , Методы , и приложения на фемтосекундной шкале времени , 2-е издание .(Эльзевир, США, 2006).
61. Houk KN, George JK, Duke RE. Передовая молекулярно-орбитальная обработка фульвеновых циклоприсоединений. Тетраэдр. 1974. 30: 523–533. DOI: 10.1016 / S0040-4020 (01) 96997-2. [CrossRef] [Google Scholar] 62. Дреув А., Хед-Гордон М. Однократные ab initio методы расчета возбужденных состояний больших молекул. Химические обзоры. 2005; 105: 4009–4037. DOI: 10,1021 / cr0505627. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 63. Тонг Х и др. Эмиссия, вызванная агрегацией: влияние молекулярной структуры, твердотельной конформации и морфологического устройства упаковки на светоизлучающее поведение производных дифенилдибензофульвена.Журнал физической химии C. 2007; 111: 2287–2294. DOI: 10,1021 / jp0630828. [CrossRef] [Google Scholar] 64. Диб О., Коган С., Зильберг С. Природа конического пересечения S1 / S0 фульвены. Химическая физика. 2006. 325: 251–256. DOI: 10.1016 / j.chemphys.2005.12.033. [CrossRef] [Google Scholar]65. Sicilia, F., Bearpark, MJ, Blancafort, L. & Robb, MA. Аналитическое описание второго порядка шва пересечения S 0 / S 1: новый взгляд на фульвен, 241–251 ( 2007).
66. Креспо-Отеро, Р., Ли, К. и Бланкафорт, Л. Исследование поверхностей потенциальной энергии для эмиссии, вызванной агрегацией — от раствора к кристаллу (2019). [PubMed] 67. Online, V.A. Модель конического пересечения для объяснения эмиссии, индуцированной агрегацией в дифенилдибензофульвене †, 5966–5968 (2013). [PubMed] 68. Becke AD. Плотностная функциональная термохимия. III. Роль точного обмена Плотно-функциональная термохимия. III. Роль точного обмена. J Chern Phys. 2005; 98: 5648–5652. DOI: 10,1063 / 1,464913. [CrossRef] [Google Scholar] 69.Ли К., Ян В., Парр Р. В функционал электронной плотности F F. Physical Review B. 1988; 37: 785–789. DOI: 10.1103 / PhysRevB.37.785. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 70. Стивенс П.Дж., Девлин Ф.Дж., Чабаловски К.Ф., Фриш М.Дж. Ab Initio расчет спектров колебательного поглощения и кругового дихроизма с использованием силовых полей функционала плотности. Journal of Physical Chemistry® 1994; 98: 11623–11627. DOI: 10.1021 / j100096a001. [CrossRef] [Google Scholar] 71. Делли Б. Полностью электронный численный метод решения функционала локальной плотности для многоатомных молекул.Журнал химической физики. 1990; 92: 508–517. DOI: 10,1063 / 1.458452. [CrossRef] [Google Scholar] 72. Делли Б. От молекул к твердым телам с подходом DMol3. Журнал химической физики. 2000; 113: 7756–7764. DOI: 10,1063 / 1,1316015. [CrossRef] [Google Scholar]% PDF-1.3 % 1 0 объект > поток конечный поток эндобдж 2 0 obj > / Родительский 3 0 R / Тип / Страница / Содержание 4 0 R / Ресурсы> / ProcSet [/ PDF / Text] / Font >>> / MediaBox [0 0 595.