Поиск по сайту |
Диоды Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б, Д234Б — диффузионные, кремниевые. Основное предназначение — преобразование переменного напряжения с частотой до 1 кГц. Имеют жёсткие выводы и металлостеклянный корпус. Цоколёвка диодов написана на корпусе, как и их название. Электрические параметры Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б, Д234Б
Предельные характеристики диодов Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б, Д234Б
Рабочая частота (без ухудшения электрических параметров) — 1 кГц |
Диод д233вп характеристики – Telegraph
Диод д233вп характеристики
====================================
>> Перейти к скачиванию
====================================
Проверено, вирусов нет!
====================================
Основные технические характеристики диода Д233: • Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 500 В; • Inp max — Максимальный прямой ток: 10 А; • fд.
Д233, Тип диода выпрямительный, Максимальное постоянное обратное напряжение,В 500, Максимальный прямой (выпрямленный заКорзина: пока пуста. Д233. Характеристики.
Д231, Д232, Д233, Д234.Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения с частотой до 1,1 кГц в постоянное.
Вместе с комплектующими деталями (гайка, шайба и т.д.) диоды весят около 18 г.Предельные характеристики диодов Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б.
Характеристики диода Д233. Максимальное постоянное обратное напряжение 500 В. Максимальный постоянный прямой ток 10 А.
Диод Д233 имеет модификацию — Д233Б. Технические характеристики Д233: Средний обратный ток — не более 3 мА.
Основные технические характеристики диода Д232: • Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max — Максимальный прямой ток: 10 А; • fд.
Диоды Д231ВП кремниевые, диффузионные.Параметры и характеристики. Масса диодов с комплектующими деталями не более 18 г.
Технические характеристики. Рабочая частота. 1,1 kHz.Интервал рабочих температур. от -60 до +130°C. Выпрямительный диод Д214 кремниевый диффузионный предназначен для.
Нашими клиентами являются различные судоходные компании и объединения, предприятия судоремонта и ремонтные комплексы, портовые хозяйства и другие организации морской и.
Подробные характеристики, расшифровка маркировки, полярность, габаритные размеры, предельные прямые вольт-амперные характеристики, рекомендуемые охладители к диодам.
Справочные данные диодов, подробные характеристики с графиками.Полупроводниковый диод Д202, характеристики, график ВАХ, цена Полупроводниковый диод Д226.
плоскостной диод; какие существуют виды диодов; как устроен выпрямительный диод. Характеристики диодов Д231А
Масса диода 0,3 г. • Технические условия аА0.339.575 ТУ. Основные технические характеристики диода 2Д235А: • Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение.
В статье содержательно описаны характеристики диодов 1n4007, д242, д226, кд202в. Это основные данные по приведённым моделям кремниевых диодов.
до 20 кГц выпрямительный диод выпрямительный диод для выпрямления синусоидальноговольт-амперной характеристики (стабисторы) и для целей термокомпенсации для работы в.
В справочнике приведены тип корпуса, характеристики, параметры, вольт-амперная характеристика (ВАХ) следующих полупроводниковых диодов: Д202, Д203, Д204, Д205, Д206.
Корпус диода Д243. Описание. Диоды кремниевые, диффузионные. Характеристики диода Д243. Параметр. Обозначение.
Диоды Д226, Д226А, Д226Б, Д226В, Д226Г, Д226Д, Д226Е – представляют собой кремниевые диоды, корпус которых выполнен из металла и стекла.
Характеристики. КД237А, Диод. Модель
Диод Д233
Справочник количества содержания ценных металлов в диоде Д233 согласно паспорта на изделие и информационной литературы. Указано точное значение драгоценных металлов в граммах (Золото, серебро, платина, палладий и другие) на единицу изделия.
Содержание драгоценных металлов в диоде Д233
Золото: 0,0021 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Источник информации
Фото диода Д233:
Панель ламповая виды
Диод — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля. Электрод диода, подключаемый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключаемый к отрицательному полюсу — катодом.
О комплектующем изделии – Диод
Диод – видео.
Диод это полупроводниковый прибор основанный на PN-переходе. А если без теории, то диод в одном направлении пропускает ток, а в другом нет. Вот и все.
Как работает диод – видео.
В этом выпуске вы узнаете: что такое диод, принцип действия диода, как работает диод, что такое p – n переход; что такое прямой ток диода, что такое обратный ток диода; каково внутреннее сопротивление диода; что такое вольт- амперная характеристика диода; что такое пропускное и не пропускное напряжение диода; как работает диод в цепи постоянного тока, как работает диод в цепи переменного тока; как устроен плоскостной диод; какие существуют виды диодов; как устроен выпрямительный диод.
Характеристики диодов Д233:
Купить или продать а также цены на Диод Д233:
Оставьте отзыв о Д233:
Параметр |
Значение |
|
Средний обратный ток при максимальном постоянном обратном напряжении, не более |
1,5 мА |
|
Постоянный обратный ток при постоянном обратном напряжении 800 В, не более |
4,5 мА |
|
Постоянное обратное напряжение |
800 В |
|
Среднее прямое напряжение при среднем постоянном прямом током 10 А и частотой 50 Гц, не более |
1 В |
|
Импульсное обратное напряжение |
800 В |
|
Постоянный (средний) прямой ток диода 2Д210А при температуре: |
от -60 до +55°C |
10 А |
+100°C |
5 А |
|
+130°C |
1 А |
|
Импульсный прямой ток при частоте 50 Гц и интервале времени 50 мс при температуре: |
от -60 до +50°C |
50 А |
+100°C |
25 А |
|
+130°C |
|
|
Импульсный прямой ток диода при частоте 50 Гц, интервале времени 1,5 с и температуре: |
от -60 до +50°C |
30 А |
+100°C |
15 А |
|
+130°C |
3 А |
|
Импульсный обратный ток при интервале времени 100 мкс |
1,5 А |
|
Средняя прямая рассеиваемая мощность при температуре: |
от -60 до +50°C |
20 А |
+100°C |
10 А |
|
+130°C |
2 А |
|
Частота без снижения электрических режимов диода |
1 кГц |
|
Частота со снижением максимального среднего постоянно-обратного тока |
5 кГц |
|
Тепловое сопротивление переход-корпус |
3°C/Вт |
|
Температура перехода диода |
+140°C |
|
Температура окружающей среды |
от -60 до +130°C |
|
Габаритные размеры |
31 x 19,5 x 11 мм |
|
Масса с комплектующими деталями |
|
Диоды таблеточного исполнения Д233-630, Д233-800, Д233-1000
Общие сведенияДиоды Д233 таблеточного исполнения предназначены для применения в цепях постоянного и переменного тока частотой до 500 Гц различных силовых установок.

Условия эксплуатации
Климатическое исполнение и категория размещения УХЛ2 и Т3 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69.
Диоды предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма-излучения).
По прочности и устойчивости к воздействию механических нагрузок диоды соответствуют группе М27 условий эксплуатации по ГОСТ 17516.1-90.
Рекомендуемые охладители — ОР143-150 по ТУ У 32.1-30077685-015-2004. Допускается применение других охладителей с площадью поверхности не менее 3657 см2.
Диоды по своим параметрам и характеристикам соответствуют ТУ У 32.1-30077685-014-2004.
Обратные параметры
Параметр | Значение параметра | Условия установления | ||
Буквенное | Наименование, единица | Д233-630 | Д233-800 | норм на параметры |
обозначение | измерения | Д233-1000 | ||
U RSМ |
Неповторяющееся импульсное | Tjm=175°C‘ | ||
обратное напряжение, В, для | Импульс напряжения синусоидальный | |||
классов.![]() |
1100 | 1100 | однополупериодный одиночный | |
10 | длительностью не более 10 мс. | |||
11 | 1200 | 1200 | ||
12 | 1300 | 1300 | ||
14 | 1500 | 1500 | ||
16 | 1700 | 1700 | ||
18 | 1900 | 1900 | ||
20 | 2200 | 2200 | ||
22 | 2400 | 2400 | ||
24 | 2600 | 2600 | ||
26 | 2800 | — | ||
28 | 3000 | — | ||
30 | 3200 | — | ||
32 | 3400 | — | ||
U RRМ |
Повторяющееся импульсное | Tjm=175°C‘ | ||
обратное напряжение, В, для | Импульсы напряжения синусоидальные | |||
классов.![]() |
1000 | 1000 | однополупериодные длительностью не | |
10 | более 10 мс частотой 50 Гц. | |||
11 | 1100 | 1100 | ||
12 | 1200 | 1200 | ||
14 | 1400 | 1400 | ||
16 | 1600 | 1600 | ||
18 | 1800 | 1800 | ||
20 | 2000 | 2000 | ||
22 | 2200 | 2200 | ||
24 | 2400 | 2400 | ||
26 | 2600 | — | ||
28 | 2800 | — | ||
30 | 3000 | — | ||
32 | 3200 | — | ||
U | Рабочее импульсное обратное | 0 8U | ||
RWМ | напряжение, В | RRM | ||
U | Постоянное обратное | 0.![]() |
Повторяющийся импульсный | j |
обратный ток, мА, не более | 40 | Tjm=175°C‘ |
Параметр термодинамической стойкости
Параметр | Значение параметра |
Условия установления норм на параметр | |
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения | Д233-1000 | |
Ic(crit) | Ток термодинамической стойкости корпуса, кА | 13 | tj=5,8 мс |
Прямые параметры
Параметр | Значение параметра | Условия установления норм на параметры | ||||||||
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения | Д233-630 | Д233-800 | Д233-1000 | ||||||
IF(AV)M | Максимально допустимый средний прямой ток, A | 630 | 800 | 1000 | Тс=115°С Импульсы тока синусоидальные однополупериодные длительностью не более 10 мс частотой 50 Гц. ![]() |
Ударный прямой ток, кА | 12,1 | 13,2 | 17,6 | Ij=25°C |
11,0 | 12,0 | 16,0 | Tjm=175°C Импульс тока синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 10 мс. |
|||||||
U FM |
Импульсное прямое напряжение, B, не более | 1,6 | 1,55 | Т=25°С Т =3 14Т J 25 CТр 3,14TF(AV)M |
||||||
U TO |
Пороговое напряжение, B, не более | 0,91 | 0,93 | 0,9 | Tj=25°C | |||||
0,85 | 0,83 | 0,81 | Tjm=175°C | |||||||
rT | Динамическое сопротивление в прямом направлении, мОм, не более | 0,29 | 0,27 | 0,22 | Tj=25°C | |||||
0,39 | 0,37 | 0,315 | Tjm=175°C | |||||||
^F(AV) | Средний прямой ток на охладителе OP143-150 при Та=40°С, А | 230 | 235 | 245 | естественное охлаждение | |||||
555 | 570 | 600 | принудительное охлаждение v=6 м/с |
Тепловые параметры
Параметр | Значение параметра |
Условия установления норм на параметры | |
Буквенное обозначение |
Наименование, единица измерения | Д233-630 Д233-800 Д233-1000 |
|
T.![]() |
0.015 | ||
Rthj а | Тепловое сопротивление переход-среда с охладителем OP143-150, °C&r, не более | 0,551 | естественное охлаждение |
0,176 | принудительное охлаждение v = 6 м/с |
Защитные диоды и основные требования к их установке
Страница 9 из 14
Полупроводниковые диоды являются хорошими ограничителями напряжений. Если приложенное напряжение Uпр меньше обратного пробивного напряжения диода Uобр, то его динамическое сопротивление составляет десятки мегаом.
В этом случае диод закрыт и практически является изолятором. При пробое диода его динамическое сопротивление резко снижается до десятков омов (диод открыт). Открытие диода сопровождается соответствующим возрастанием обратного тока и, если его не ограничить, то, возможно, диод будет разрушен. Поэтому последовательно с диодом следует включать токоограничительное сопротивление, значение которого зависит от типа диода (не более 10—30 Ом). В некоторых случаях в качестве ограничительного сопротивления целесообразно использовать •отдельные элементы защитного прибора (индуктивности, резисторы, емкости). Открытый диод шунтирует входное сопротивление защищаемого прибора. При этом опасное напряжение на его входных зажимах не превышает пробивное обратное напряжение диода.
В электрических целях с низким уровнем передачи для ограничения опасного напряжения следует использовать прямую проводимость диода. Если напряжение, приложенное в прямом направлении диода, меньше 0,3—0,4 В, то его динамическое сопротивление составляет несколько килоом (диод закрыт). С увеличением напряжения (более 0,7—0,8 В) оно снижается, т. е. диод открывается. Хотя в этом случае динамическое сопротивление изменяется менее резко, чем при включении диода в обратном направлении, напряжение ограничивается до десятых долей вольта.
В обратном и прямом направлениях время открытия (срабатывания) диода измеряется миллимикросекундами (10-9с).
Таблица 3
Электрические параметры кремниевых стабилитронов
Стабилитрон | Напряжение стабилизации,В | Максимальный допустимый ток, мА | Максимальная мощность рас сеяния, Вт | Дифференциальное сопротивление, Ом | Емкость перехода при напряжении смещения, равном нулю, пФ | |
при токе, мА | Значение | |||||
2С133А—2С168А | 3—7,5 | 81—45 | 0,3 | 10 | 65—46 | 1000—700 |
Д808-Д813 | 7—14 | 33—20 | 0,28 | 5 | 6-18 | 400—320 |
Д814А—Д814Д | 7—14 | 40—24 | 0,34 | 5 | 11 | 440—290 |
Д815А—Д815Ж | 5,5—18 | 1400—450 | 8 | 500 | 0,6—3 | — |
Д816А—Д816В | 22—33 | 230—150 | 5 | 150 | 3—10 | — |
Таблица 4
Максимальные значения импульсных токов кремниевых стабилитронов
Для защитных целей предпочтительнее кремниевые стабилитроны (КС), имеющие крутые обратные характеристики и относительно высокую пропускную способность по току. Электрические характеристики КС приведены в табл. 3, значения разрушающего тока для некоторых типов КС — в табл. 4.
Учитывая, что волны. поперечных перенапряжений могут иметь разные полярности, для двустороннего ограничения перенапряжений следует, как правило·, использовать обратные проводимости диодов. В этом случае два КС следует включать последовательно противоположными полюсами (навстречу друг другу по проводимости) (рис. 15,а).
Для одностороннего ограничения перенапряжений целесообразно применять один диод. Чтобы он открывался в обоих направлениях одинаково (симметрично), на него следует подать отрицательное напряжение смещения, примерно равное половине значения его обратного пробивного напряжения (рис. 15,б).
В схемах защиты транзисторных усилителей целесообразно использовать прямую проводимость КС, включаемых противоположными полюсами параллельно друг другу и составляющими двухполярный (биполярный) блок (рис. 15, в). При превышении амплитудой напряжения сигналов 0,7 В следует включать два двухполярных блока последовательно (рис. 15, г).
В многоканальных системах связи необходимо применять мостовую схему с пятью (рис. 15, д) или четырьмя высокочастотными диодами и одним КС, включенным в диагональ моста (рис. 15, е). Следует заметить, что последняя схема является унифицированной, ее применяют для защиты усилителей всех типов в аппаратуру разделения каналов до 20 МГц. В этой схеме защиты использованы высокочастотные диоды Д233, имеющие емкость менее 15 пФ и выдерживающие большие импульсные токи.
Рис. 15. Схемы включения защитных диодов
Транзисторы и полупроводниковые диоды (1963) Николаевский И. Ф.
Настоящее второе издание справочника отличается от первого большей полнотой сведений, включением данных по новым транзисторам и большим количеством плоскостных и точечных диодов, а также вновь написанным общим разделом по транзисторам, более подробно поясняющим физику и значение каждого параметра и характеристики, приведённых в справочнике. Справочник состоит из двух частей: «Транзисторы» и «Полупроводниковые диоды», из которых каждая делится на два раздела: «Общие сведения» и «Справочные данные». Транзисторы и диоды для облегчения отыскания расположены по восходящим цифрам их маркировки.
Условные обозначения
Часть первая. Транзисторы
Раздел I. Общие сведения
Принципы маркировки и классификации
Схемы включения, области и режимы работы транзистора
Вольтамперные характеристики р-n перехода (диода)
Характеристики транзистора в схеме с общей базой
Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры области отсечки
Обратные токи *и*
Сквозной ток *и начальный ток*
Максимальные напряжения
Параметры активной области
Параметры малого сигнала
Параметры большого сигнала
Шумы
Максимальные напряжения
Максимальные токи
Время включения и выключения
Параметры области насыщения
Время задержки
Сопротивление и напряжение насыщения
Максимальный ток
Тепловые параметры
Максимальная температура перехода
Тепловое сопротивление
Теплоёмкость и тепловые постоянные времени
Максимальная мощность, рассеиваемая транзисторов
Предельно допустимые эксплуатационные данные
Особенности применения
Температурная стабилизация
Отвод тепла
Раздел II. Справочные данные
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р, низкочастотные мощные: П4А, П4Б, П4В, П4Г, П4Д (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П5А, П5Б, П5В, П5Г, П5Д, П5Е (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П6А, П6Б, П6В, П6Г, П6Д (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа * низкочастотные: П8, П9А, П10, П10А, П10Б, П11. П11А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П13, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р импульсные: П16, П16Л, П16Б (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р импульсные: П20, П21, П21А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П25, П25А, П25Б, П26, П26А, П26Б (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П27, П27А, П28 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П29, П29А, П30 (общие данные)
Транзисторы кремниевые сплавные типа n-р-n низкочастотные: П101, П101А, П101Б, П102, П103 (общие данные)
Транзисторы кремниевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П104, П105, П106 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р мощные: П201, П201А, П202, П203 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р мощные: П209, П209А, П210, П210А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П211, П212, П212А (общие данные)
Транзисторы кремниевые, сплавные типа р-n-р низкочастотные мощные: П302, П303, П303А, П304 (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П401, П402, П403, П403А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р высокочастотные: П12, П12А, П406, П407 (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П410, П410А, П411, П411А (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П416, П416А, П416Б (общие данные)
Транзисторы кремниевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П501, П501А, П502, П502А, П502Б, П501В, П503, П503А (общие данные)
Транзисторы германиевые конверсионные типа р-n-р высокочастотны с мощные: П601, П601А, П601Б, П602, П602А (общие данные)
Транзисторы германиевые конверсионные типа р-n-р импульсные мощные: П605, П605А, П606, П606А (общие данные)
Часть вторая. Полупроводниковые диоды
Раздел I. Общие Сведения
Принципы маркировки и классификации
Вольтамперные характеристики
Последовательное включение
Параллельное включение
Особенности эксплуатации
Раздел II. Справочные данные
Диоды германиевые точечные Д1А, Д1Б, Д1В, Л1Г, Д1Д, Д1Е, Д1Ж (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д2А, Д2Б, Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И (общие данные)
Диоды германиевые сплавные выпрямительные Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д, Д7Е, Д7Ж (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д9А, Д9Б, Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9Е, Д9Ж, Д9И, Д9К, Д9Л (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д10, Д10А, Д10Б (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д11, Д12, Д12А, Д13, Д14, Д14А (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д18 (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д101, Д101А, Д102, Д103, Д103А (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д107, Д107А, Д108, Д109 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные выпрямительные Д202, Д203, Д204, Д205 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д206, Д207, Д208, Д209, Д210, Д211 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д214, Д214А, Д215, Д215А (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д219А, Д220, Д220А, Д220Б (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д221, Д222 (общие данные)
Диоды кремниевые Д223, Д223А, Д223Б (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д231, Д232, Д233, Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б, Д231А, Д232А (общие данные)
Диоды германиевые сплавные Д302, Д303, Д304, Д305 (общие данные)
Стабилитроны кремниевые сплавные Д808, Д809, Д810, Д811, Д813 (общие данные)
Диоды германиевые сплавные ДГ-Ц21, ДГ-Ц22, ДГ-Ц23, ДГ-Ц24, ДГ-Ц25, ДГ-Ц26, ДГ-Ц27 (общие данные)
Название: Транзисторы и полупроводниковые диоды
Автор: Николаевский И. Ф.
Год издания: 1963
Формат: DjVu
Язык: Русский
Размер файла: 23,19 Мб
Скачать Николаевский И.Ф. Транзисторы и полупроводниковые диоды
d235 транзистор
Аннотация: транзистор d235 D235 T / транзистор d235 D237 транзистор D233B BD233 d233 BD235B D2-37
|
OCR сканирование |
BD233 / 235/237 250 мА 300 мкс, d235 транзистор транзистор d235 D235 Т / транзистор d235 D237 транзистор D233B BD233 d233 BD235B D2-37 | |
D237B
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
OCR сканирование |
BD235 / BD236 BD237 / BD238 BD235 BD237 ОТ-32 BD236 BD238 BD235 / B D236 / B D237 / B D237B | |
OCR сканирование |
T6A14 15 МГц T6A14 240 датских долларов D235X | ||
d209
Абстракция: D256 m d223 D-209 D252 d254 D253 D227 d193 D247
|
Оригинал |
RCM1277U-A 54мин.75 Макс. 75 мин. d209 D256 м d223 D-209 D252 d254 D253 D227 d193 D247 | |
d237
Аннотация: SD41 D-235 d235 21FQ DO-203AA SD-41
|
OCR сканирование |
60Апк От -65 до 150 D-237 D-238 d237 SD41 D-235 d235 21FQ DO-203AA СД-41 | |
OCR сканирование |
NJU6436 NJU6436là 30Ключ 30Keyà NJU6436F 60тВч NJU6436 1024 / f ir tk 69 D116 T240k D121 D120 D119 D118 D117 | ||
пл86
Аннотация: D116 ST P239 LCD KIS T240k NJU6436F NJU6436 D119 D118 D117
|
OCR сканирование |
NJU6436 6436Ià 240fe> 30Keyà NJU6436F NJU6436 1024 / f pl86 D116 ST P239 ЖК КИС T240k D119 D118 D117 | |
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
OCR сканирование |
D-237 4ASS452 | |
OCR сканирование |
От -65 до 150 D-237 D-238 IOR 235 | ||
СТ П239
Аннотация: PL86 aavb T240k NJU6436F NJU6436 D119 D118 D117 D116
|
OCR сканирование |
NJU6436 6436Ià 240fe> 30Keyà NJU6436F 1024 / f ST P239 PL86 aavb T240k NJU6436F NJU6436 D119 D118 D117 D116 | |
1999 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
QL80FC | |
SED1503F
Аннотация: SED1502F SED1501F
|
OCR сканирование |
SED1500F SED1500 100 пФ D-237 500Fсерии 80-контактный 10x40xn SED1501F) D-238 SED1503F SED1502F SED1501F | |
Оригинал |
LC75838E, 5838 Вт LC75838E LC75838W 3159-QIP64E LC75838E] QIP64E 3190-SQFP64 LC75838W] sanyo D315 D319 микросхема «D312» Схема применения транзистора D313 Sanyo D313 D288 Эквивалент D313 D313 Принципиальная схема транзистора D331 транзистор D313 | ||
d478
Абстракция: D636 R D476 D669 k d718 D768 D882, D772 d446 d772 D467
|
Оригинал |
LC75848T O2506 B8-6221 S1S95 COM1COM10 S1S95 S95 / COM9 d478 D636 R D476 D669 k d718 D768 D882, D772 d446 d772 D467 | |
Оригинал |
EN6473A LC75878W LC75878W 1/10 долга D478 D446 Встретил d248 D480 D482 D444 D636 R D468 D464 ic d591 | ||
2008 — «Схемы электроснабжения»
Аннотация: Аудиоразъем LK
|
Оригинал |
MIL-C-83503.«схемы питания» Аудиоразъем LK | |
B0646
Аннотация: BO650 80846 B0648 Bo648 bd648 Q62702-D235 D237 DIODE BD660 BD646
|
OCR сканирование |
fl23Sb05 DQ43CI1 Т-33-31 ОП-66) 644 / BD BD648, г. BD644. BO646. BO648. BD660 B0646 BO650 80846 B0648 Bo648 bd648 Q62702-D235 D237 ДИОД BD660 BD646 | |
Оригинал |
EN6473A LC75878W LC75878W 1 / 10дутя D478 D446 Д-436 D434 D526 D436 D452 D472 | ||
2004 — Д206
Аннотация: D207 8 pin D226 диод D234 D207 транзистор D227 d223 8 pin m d223 транзистор D222
|
Оригинал |
||
2014 — ТРАНЗИСТОР Д239
Аннотация: транзистор d358 d331 эквивалент транзистора d332 транзистор d427 эквивалент транзистора d331 транзистор d333 транзистор D417 транзистор транзистор d336 транзистор d327
|
Оригинал |
БУ97530КВТ-М 89segx5COM) БУ97530КВТ-М Д239 ТРАНЗИСТОР транзистор d358 d331 эквивалент транзистора транзистор d332 транзисторный эквивалент d427 D331 транзистор D333 транзистор D417 транзистор транзистор d336 d327 транзистор | |
Оригинал |
ru / us / produkte / 1840612 | ||
2008 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
||
2012 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ru / us / produkte / 1840638 4/10-GF-7 | |
2012 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
ru / us / produkte / 1840557 | |
Оригинал |
ru / us / produkte / 1840586 |
YA868C15R datasheet — Технические характеристики: Расположение: общий катод; Диод
2N6049 : Доступны варианты экранирования = ;; Полярность = PNP ;; Пакет = TO66 (TO213AA) ;; Vceo = 55V ;; IC (продолжение) = 4А ;; HFE (мин) = 25 ;; HFE (макс.) = 100 ;; @ Vce / ic = 4 В / 500 мА ;; FT = 3 МГц ;; PD = 75Вт.
2N720A : эпитаксиальный плоский NPN. Это кремниевый плоский эпитаксиальный NPN-транзистор в металлическом корпусе Jedec TO-18. Он подходит для широкого спектра применений в усилителях и коммутации. Обозначение V CBO V CEO V EBO IC P tot T stg Tj Параметр Напряжение коллектор-база = 0) Напряжение коллектор-эмиттер = 0) Напряжение эмиттер-база = 0) Общее рассеивание тока коллектора при комнатной температуре хранения.
2SD2219 :. Приложения Релейные драйверы, высокоскоростные инверторы, преобразователи и т. Д.Корпус без микрометров, облегчающий установку. Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: VCE (насыщ.) = 0,5 В (PNP), 0,4 В (NPN) макс. Большая текущая емкость. s Параметр Коллектор-база Напряжение Коллектор-эмиттер Напряжение Эмиттер-база Напряжение Коллектор Ток коллектор Ток (импульс) Коллектор.
FDB2500-FDB2510 :. 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA
MELFSM5818 : Выпрямитель с барьером Шоттки для поверхностного монтажа (диапазон напряжения — от 20 до 40 вольт, ток — 1,0 ампер).
PBLS6023D : PBLS6023D — 60 В, 1,5 A PNP Переключатель нагрузки BISS PNP low VCEsat Прорыв транзистора слабых сигналов (BISS) и транзистора с резистором NPN (RET) в малом устройстве поверхностного монтажа (SMD) SOT457 (SC-74) ) пластиковый пакет . .
02012R101J9B200 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, X7R, 0,0001 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 0201.s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1.00E-4 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Тип установки:.
KDV386S : УКВ-УВЧ ДИАПАЗОН, 46 пФ, КРЕМНИЙ, ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ. s: Тип диода: ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ.
LSP1012-150A : 20 В, КРЕМНИЙ, ПИН-ДИОД. s: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, КОРПУС 150A, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; PD: 500 милливатт.
MA46583 / A : ДИАПАЗОН КА, 1,5 пФ, 18 В, АРСЕНИД ГАЛИЯ, ГИПЕРАБРАПТОВЫЙ ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ. s: Тип диода: ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ.
MR100FF3 : 0,015 А, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: общего назначения; ЕСЛИ: 15 мА; trr: 0,0300 нс; Соответствует RoHS: RoHS.
RNL1 / 2 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 0,5 Вт, 0,5; 1; 2; 5%, 50; 100; 200 ppm, 10 Ом — 1000000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Рабочее напряжение постоянного тока: 350 вольт; Рабочая температура: от -40 до 70 C (от -40 до 158 F).
SGM3055 : МАЛЫЙ СИГНАЛ, FET. Elektronische Bauelemente 30V, RDS (ON) 28 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Соответствующий RoHS продукт Суффикс «-C» указывает на отсутствие галогенов и свинца. GM3055 предоставляет разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкое сопротивление при включении и экономичность. Пакет SOT-89 является универсальным для всех коммерческих и промышленных предприятий.
T2712S : ТЕЛЕКОМ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: Телеком; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).
1N3666-1 : 80 В, ГЕРМАНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: общего назначения; trr: 0,3000 нс.
203421 : ТРАНСФОРМАТОР DATACOM ДЛЯ ПРИЛОЖЕНИЙ 1000 BASE-T. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F).
934019370115 : ДИАПАЗОН УВЧ, 19,25 пФ, КРЕМНИЙ, ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ. s: Тип диода: ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ; Соответствует RoHS: RoHS.
Опытный поставщик тиристоров с фазовым регулированием, тиристоров высокой мощности для фазового регулирования, YZPST-ST280CH04
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И НОМИНАЛЫБлокировка — выключенное состояние
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
400 |
400 |
500 |
VRRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение
VDRM = повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии
VRSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)
Примечания:
Все номинальные значения указаны для Tj = 25 oC, если не указано иное.
(1) Все номинальные напряжения указаны для приложенной синусоидальной формы волны 50 Гц / 60 Гц в диапазоне температур от -40 до +125 ° C.
(2) 10 мсек. Максимум. ширина импульса
(3) Максимальное значение для Tj = 125 ° C.
(4) Минимальное значение для линейной и экспоненциальной формы волны до 80% номинального значения VDRM. Открытые ворота. Tj = 125 oC.
(5) Неповторяющееся значение.
(6) Значение di / dt установлено в соответствии со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет добавлено к значению, полученному от сети ubber, и будет содержать 0.Конденсатор 2 мкФ и сопротивление 20 Ом параллельно испытуемому тиристору.
YZPST может предоставить следующий список тиристоров
СЕМЕЙСТВО СПЕЦИАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ ДЛЯ ИНДУКТОРНОЙ ПЕЧИ | |||||
C430PB | C440L | C451L | C701L | C781L | C448PD |
C458PD | C712L | C770L | A696L | A740L | D860 |
R0910LS260 | Н280Ч24 | Н490Ч30 | R0878LS21E | Р216Ч26 | R1275NS20 |
R2619ZC21 | R2714ZC20J | SM18CXC924 | SW40CXC820 | SW14PHN (R) 380 | Р600Ч31 |
SM16PHN (R) 100 | Р395Ч31 | C648PB | Р200Ч30 | C702-42 | CXC924 |
СЕМЕЙСТВО ТИРИСТОРОВ УПРАВЛЕНИЯ ФАЗОЙ | |||||
N200CHX | N330CH | N350CH | N370CH | N320CH | N360CH |
N490CHX | N540CH | N560CH | N600CH | N640CH | N760CH |
N880CHX | N980CH | N880CH | N0910NC | N0882 | N630CH |
5STP04D5200 | 5STP25L5200 | 5STP33L2800 | 5STP08G6500 | 5СТП12К6500 | |
AT603 | AT604 | AT804 | AT803 | AT807 | AT480 |
AT1003 | AT1004 | AT1005 | AT607 | AT620 | AT636 |
AT671 | AT726 | AT708 | AT738 | AT866 | AT870 |
AT880 | AT708LT | AT720LT | AT866LT | AT720HT | AT866HT |
DCR504 | DCR604 | DCR804 | DCR1004 | DCR1278 | DCR1476 |
DCR1474 | DCR803 | DCR1003 | DCR840 | C390 | T720 |
T7SO | T820 | T9G0 | TA20 | TB20 | TD20 |
H505CH | H507CH | h2450CH | h2590CH | h3000CH | h4200CH |
SHXXC450 | SHXXC540 | SHXXC760 | SHXXC1850 | SHXXC2230 | SHXXC2770 |
BHtT72 | BHtT78 | BHtU66 | BHt U67 | BHtU77 | BHtV72 |
SKT441 | SKT551 | SKT760 | SKT1000 | SKT1200 | SKT1800 |
T233 | T243 | T253 | N500CH | N1661NC | N1718NS |
N1132NC | N0734YS | N0032 | N1718 | N1114 | N1467 |
N500CH | T458N | T708N | T1218N | T1869N | T2709N |
ST230 | ST280 | ST380 | ST780 | ST1280 | T4301N |
TV989 | BHTP45 | T345 | T625 | TC233 | TC143 |
СЕМЕЙСТВО ИНВЕРТОРОВ ТИРИСТОРОВ | |||||
R185CHX | R216CHX | R180CHX | R190CHX | R200CHX | R219CHX |
R220CHX | R270CHX | R305CHX | R325CHX | R350CHX | R395CHX |
R600CHX | R800CHX | R1200CHX | R200CH | R600CH | R325CH |
R0577YS | R0633YS | R0577YS | R0878LS | R0929LS | R0990LS |
R1178NS | R1275NS | R1279NS | R1280NS | R1446NS | R1448NS |
R2475ZD | R2619ZC | R2620ZC | R2714ZD | R3047TC | |
k ATF585 | ATF587 | ATF860 | ATF857 | ATF401 | ATF413 |
ATF414 | ATF827 | ATF427 | ATF828 | ATF820 | ATF420 |
ATF514 | ATF527 | ATF1040 | ATF530 | ATF543 | ATF614 |
ATF615 | ATF633 | ATF743 | DCR1259 | T318F | T340F |
T72H | T7S7 | T7SH | T82F | T82F | T9GH |
R0633 | R0830 | R0946 | R1007LS | R400CH | |
T408F | T599F | T1052S | TB333 | TB553 | TB273 |
СЕМЬЯ ДИОДОВ | |||||
AR371 | AR912 | AR1101 | AR1104 | AR1107 | AR480 |
AR509LT | AR2004LT | AR2004 | AR609LT | AR3001 | AR3004 |
AR670 | AR680 | AR649 | AR690 | AR709 | AR770 |
AR771 | AR772 | AR747LT | AR609 | AR507LT | R0577 |
R722 | R7S2 | R9G2 | SM18CXC924 | R7SS / R7SF | R82S / R82F |
R9GS / R9GF | R9GS | R9GF | RA2F | R822 | R1446 |
BHdK28 | BHdP60 | BHdP62 | BHdR60 | BHdR62 | BHdT60 |
XSDD303 | A880 / SDD217 | A801 / SDD211 | A800 / SDD208A | A782 / SDD119 | A780 / SDD108 |
A750 / SDD113 | A740 / SDD105 | A643 / SDD64 | A641 / SDD51 | W2624 | W1748 |
M0859LC | M1022LC | M1494NC | D233 | D243 | D253 |
R7S0 | R820 | R9G0 | RA20 | RB20 | W2052 |
SD823 | SD1053 | SD1553 | DS502 | DS804 | DS1104 |
DS1107 | ARF422 | DSF912 | ARF526 | AUS605 | |
МОДУЛЬ FAMICY | |||||
SKKT92 | SKKT162 | SKKT250 | SKKT310 | SKKT500 | SKKT800 |
IRKT91 | IRKT161 | IRKT251 | IRKT310 | IRKT500 | IRKT1000 |
MCC95 | MCC130 | MCC250 | MCC310 | MCC500 | MCC800 |
HTT / HTD 90N | HTT / HTD 132N | HTT / HTD 162 | HTT / HTD 250N | HTT500 | HTT800 |
HDD 55N | HDD 90N | HDD 105N | HDD 132N | HDD 170N | HDD 250N |
SKKD91 | SKKD161 | SKKD250 | SKKD320 | SKKD500 | SKKT91 |
MTD91 | MTD250 | MTD500 | MTD1000 | ADD700 | MEK300 |
MDD91 | MDD250 | MDD310 | MDD800 | SKKE600 | SKET380 |
SXHN55 | SXHBN200 | SXHN 250 | SXHFN400 | SXHN550 | SXHN860 |
MDS30 | MDS75 | MDS150 | MDS300 | DS250 | DS400 |
DS500 | SKBPC35 | SKBPC25 | KBPC25 | KBPC35 | SKET740 |
SKET400 | DSA450 | MEK300 | |||
СЕМЬЯ УСТРОЙСТВ | |||||
C150 | C180 | C110 | C147 | P200 | P214 |
ST110 | ST180 | ST330 | ST303 | ST173 | P0311 |
SD150 | SD300 | 25F | R5C | P0431 | P270 |
СКН150 | СКН240 | СКН300 | SKN400 | T607 | T707 |
40HF | 70HF | 85HF | 45L16 | 45LR16 | 300U (R) 120 |
300U (R) 40 | 300U (R) 60 | 25R1A | 70R1A | 110R1A | 300R1A |
D40 | D70 | D130 | D240 | D410 | D860 |
R600 | R601 | R700 | R701 | A197 | T210N 4 |
T70 | T85 | T100 | T125 | T250 | T500 |
T700 | T160N | T221N | T130N | T86N | R72S / R72F |
R502 / R503 | R602 / R603 | R622 | R702 / R703 | R50S / R50R | R60S / R60 |
H65TB | h225TB | h350TB | h400TB | h500 ТБ | H500 ТБ |
BHdL38 | BHdN12 | BHtM45 | BHtN46 | BHtP46 | BHtR68H |
SKR45 | SKR71 | 100 шведских крон | SKR130 | SKR240 | SKR320 |
СКН45 | SKN71 | СКН100 | СКН240 | СКН320 | SKT40 |
SKT55 | SKT100 | SKT130 | SKT160 | SKT250 | SKT300 |
Для получения дополнительной информации о тиристоре с фазовым управлением загрузите файл PDF, названный выше «YANGZHOU POSITIONING TECH CO Силовые тиристоры и диодные части»
Проверить скидку Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 Эмульси после бритья
Купить Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 Эмульсия после бритья Отзывы: Получите лучшее Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 Эмульсия после бритья с качеством. Вы хотите в лучшем магазине.
Читать: Где купить Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 Эмульсия после бритья Отзывы
Ищете Купить Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 Эмульсия после бритья ? Здесь вы можете купить эмульсию после бритья Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 по специальной цене.
Это просто, безопасно, быстро и с высокой надежностью. В магазине будет следующая информация.
У нас есть тенденция собирать важную информацию о Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 After Shave Emulsion на нашем веб-сайте.
Цены на светодиодные телевизоры были завышены. Национальная функция может открыться в красном цвете. Вслед за Samsung, Sony, Sharp представит, о чем много говорили после перехода на высококачественные светодиодные ЖК-телевизоры, по мере развития технологий, континентальный ЖК-телевизор со светодиодной подсветкой также призван поощрять потоки, в середине августа, Hisense 47-дюймовый светодиодный телевизор упал, чтобы помочь Юаню.
Skyworth, KONKA, TCL устно в «11» до абсолютной шкалы светодиодных ЖК-телевизоров, производители надеются на 11 золотую особенность. По сравнению с обычными ЖК-телевизорами, цветными и графическими светодиодными телевизорами с другой анимированной электрической мощностью, низкой герметичностью, длительным сроком службы, большей безопасностью и защитой окружающей среды, его внешний вид выглядит дополнительным светом.
Благодаря превосходным характеристикам светодиодного источника света телевизор, использующий эту технологию, может увеличить цвет любого значения поля, сделать ЖК-телевизоры с меньшим потреблением плотности для достижения более высокого уровня яркости и насыщенности цвета, а также исполнение компьютерной анимации.
Для телевизионного бизнеса, который представляет собой повседневный раздел новых товаров высокого класса. Светодиодный телевизор, чтобы увеличить истинную причину задержки. С мая по август, диагональ светодиодного ТЕЛЕВИЗОРА в течение 3-4 месяцев, внутренний рынок не видел бы лучше.
В соответствии с общими тенденциями в отрасли производства бытовых инструментов, постоянное консультирование по статистической информации, в 2009 году, касающееся продаж обученных светодиодных ЖК-телевизоров в десятках тысяч продаж традиционных ЖК-телевизоров, составивших 11 миллионов единиц.
Маркетинговая дубинка магазина жаловалась на плохие продажи светодиодных телевизоров, вызванные высокими ценами.46-дюймовый ЖК-телевизор Samsung с диагональю экрана более 21 000 юаней, с использованием установки RGB-светодиодной подсветки с краями. 40-дюймовый телевизор Sony DIRECTED TV оплата достигает 26 999 юаней, что равняется трем с размером обычной цены ЖК-телевизора.
Hisense, Skyworth 55-дюймовый ЖК-телевизор со светодиодной подсветкой взимается 16 000 юаней, цена около 8 900 традиционных ЖК-телевизоров аналогичного размера. Цены на LED LCD TELLY выше из-за высокой стоимости, связанной с источником света LCD модуля.
Светодиодная подсветка телевизора использовалась на светодиодах, это дороже, чем обычный источник излучения ТЕЛЕВИЗОРА.
Крупногабаритные светодиодные ЖК-телевизоры, подсветка может быть включена в стоимость модуля до 40%, а стоимость модуля составляет 70% от совокупного вознаграждения за телевизор.
Цинхуа Тонгфанг Ван Сяндун, заместитель генерального директора по производству бытовой электроники, собственный устный в государственных учреждениях в конце июля, светодиодная подсветка включает в себя ряд запатентованных технологий, позволяет производителям телевизоров взимать долговременные гонорары, цены на светодиодные ЖК-ТЕЛЕВИЗОРЫ снижаются. Китайский электронный слот, предоставленный заместителем помощника генерала по торговле Лу Ренбо, считает, что \ «это требует много времени \».
Плата за светодиодный телевизор появляется в этом примере премьер-министр ПРОДАЕТСЯ О продуктах является глобальным рано, в результате того, что площадь решений для светодиодных телевизоров меньше, в подделке заряда Шанхай относительно традиционного ЖК-ТЕЛЕВИЗОРА имеет существенный разрыв, во время действия, чем традиционный ЖК-ТЕЛЕВИЗОР масса обновлений, теперь светодиодный телевизор \ «имеет ужасные технологии стойкости предприятия, и представительное направление будущего развития продуктов \», в целом, цена / производительность, кроме того, является справедливым периодом времени. Предприятия, смотрящие вперед, в повседневную посуду В минувшем году, однако, он превратился в ЖК-телевизор со светодиодной подсветкой, решивший импортный период.
Иностранные телевизионные бренды заявили о своих планах в китайском LED TELEVISION.
Цзинь Жунся (Jin Rongxia), президент Samsung Electronics по маркетингу в китайской области, убедительно продемонстрировал, что в 2009 году компания Samsung нацелена на производство потребительской электроники со светодиодными ЖК-телевизорами. Продажи телевизионных продуктов достигли 10%.
Данные Sharp сопоставимы. Накануне дня штата отечественные производители телевизоров, скорее всего, запустят волну продвижения LED-ТЕЛЕВИЗОРА.
Скайворт Чжун Чжифэн, начальный менеджер Гуанчжоу Часть введения, группа, вероятно, будет «11» до и после перехода с 42-дюймового указа на 55-дюймовый полный выбор светодиодных ЖК-продуктов TELLY.
\ «Мы расширяемся в первую очередь до малых и средних размеров.
\» Командующий по маркетингу KONKA сказал, что компания представит в рамках гражданского дня новый светодиодный телевизор, и группа рекламных проектов LED 2 будет завершена в конце, когда Линия продуктов KONKA LED LCD TELEVISION от двадцати шести до 52 дюймов.
В настоящее время ЖК-телевизоры со светодиодной подсветкой в основном имеют большие размеры. Практики рынка считают, что в этот день — регулярный телевизионный сезон, производители домашних цветных телевизоров выбирают светодиодные телевизоры для гражданских коллективных автогонок, и ожидается, что они добьются успехов.
LED LCD TELEVISION — это телевизор, ваше следующее устройство для разработки, которое в конечном итоге станет новым предпочтением традиционных ЖК-телевизоров со светодиодной подсветкой.
Видно по новому телевизору за плату за пользование, под ЖК-экраном, а также за ЖК-телевизором со светодиодной подсветкой TELLY.
В таком же обычном сравнении ТЕЛЕВИЗОРА и 40-дюймового телевизора Samsung, полученного в прошлом году, и чтобы работать 5 часов в день, каждый год светодиодный телевизор Samsung может помочь потребителям сэкономить 40% энергии, 10 время, экономя электроэнергию. цены для потребителей достаточно, чтобы получить ЖК-телевизор. По данным офиса Tiongkok электронной Палаты потребительской электроники поиска информации, показывающей, что покупатель продукта LED TV озабоченность достигла 75%, китайские продавцы в этом году потребителей целых 34% для покупки LED TV.
China electronic Соответствующий слот заместителя администратора по коммерции Генеральный Лу Ренбо считает, что светодиодные телевизоры в конечном итоге станут основной торговой тенденцией, и в дальнейшем тенденция того времени будет не за горами, прогнозируется, что к 2011 году сверх обычных ЖК-ТЕЛЕВИЗОРОВ Часть рынка LED телевизоров, вероятно, будет.
Вы сможете проверить особенности, описание и отзывы покупателя обзор Buy Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 After Shave Emulsion .Давайте сейчас проверим.
Вы можете попробовать поискать сопутствующие товары и, как правило, помочь вам выбрать порядок, нажав кнопку или ссылку ниже.
Смотрите отзывы клиентов и покупайте сейчас!
LYM670-HK техническое описание — Mini Topled
MP7545BLN : Ic-12-битный ЦАП.
PI6CVF857 : Часы и синхронизация. 2,5 В / 2,6 В, 220 МГц, 10 выходов тактовый драйвер SSTL-2 для DDR Dimm.
SPX2954AT3-3.3 : регулятор низкого напряжения на 250 мА.Точность выхода 3,3 В, при 250 мА Выходной ток Очень низкий ток покоя Низкое падение напряжения Чрезвычайно жесткое регулирование нагрузки и линии Очень низкий температурный коэффициент Ограничение тока и температуры Улучшенная замена с высоким IOUT для розеток LP2954 ПРИМЕНЕНИЕ Системы с батарейным питанием Беспроводные телефоны Системы радиоуправления Портативные / карманные / Ноутбуки.
Rh5575UR : Опорные стабилитроны с температурной компенсацией 6,4 В. 1N4565 — DO-7 Опорные стабилитроны с компенсацией температуры 6,4 В Популярные серии опорных диодов с нулевым постоянным током от 1N4565 до 1N4584A-1 предоставляют выбор из 6 опорных диодов.Номинальное напряжение 4 В и температурный коэффициент до 0,0005% / oC для минимального изменения напряжения с температурой. На выбор доступны четыре различных рабочих тока.
SKIIP25AC125V10 : 3-фазный мостовой выпрямитель + тормозной прерыватель + 3-фазный мостовой инвертор. Абсолютные максимальные характеристики Символ Условия IGBT — инвертор, прерыватель MiniSKiiP 2 3-фазный мостовой выпрямитель + тормозной прерыватель + 3-фазный мостовой инвертор Характеристики Символ Условия IGBT — инвертор, прерыватель Рис.4 Безопасная рабочая зона с обратным смещением Рис. 10 Тип. входная мостовая прямая характеристика.
NCP03YS101 : для поверхностного монтажа. ! Примечание Этот каталог в формате PDF загружен с веб-сайта Murata Manufacturing co., Ltd. Поэтому он может быть изменен, или выпуск наших продуктов может быть прекращен без предварительного уведомления. Перед заказом проконсультируйтесь с нашими торговыми представителями или инженерами по продукту. В этом PDF-каталоге есть только типичные символы, потому что здесь нет места для подробностей.
AN6536 : 4-контактный отрицательный регулируемый регулятор напряжения.
VPK07R : ЛИНБИН, КРАСНЫЙ, РАЗМЕР 7, ПК5. Сополимер полипропилена дает превосходные бункеры, включая усиленные боковые стенки, вес и нагрузку, устойчивость к ударам, гладкие изогнутые внутренние поверхности и сцепление с пальцами, кислотами и растворителями. Этикетки для карт прилагаются. Монтаж в стек или панель Примечание. Не подходит для использования с решетчатыми панелями RAACO. * LBU (размер блока Linbin): это число используется для расчета вместимости бункера.
ACC31DRYS-S734 : Кромка карты со сквозным отверстием под золото, соединители Edgeboard, межкомпонентные соединения не указаны — Dual Edge; ПОДКЛЮЧЕНИЕ EDGECARD 62POS DIP .100 SLD. s: Толщина карты: 0,031 дюйма (0,79 мм); Тип карты: Не указано — Двойной край; Поверхность контакта: золото; Тип крепления: Сквозное отверстие;: -; Количество позиций: 62; Количество рядов: 2; Шаг: 0,100 «(2,54 мм); Упаковка:.
1500774 : подвесные (линейные) круглые соединители без полиамида, соединительный штекер, штыревые контакты; РАЗЪЕМ M12 5POS.s: Тип разъема: штекер, штекерные контакты; Размер корпуса — вставка: M12-5; Тип крепления: Свободный подвес (рядный); Тип крепления: резьбовое; : -; Упаковка: навалом; Количество позиций: 5; Окончание: Винт; Материал корпуса, отделка: полиамид; Ориентация :.
1062830011 : Съемный кабельный узел; QSFP MM50 OM2 В СБОРЕ OFNP. s: Без свинца Статус: Без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.
RG2012N-104-W-T1 : Чип резистор 100 кОм 0,125 Вт, 1/8 Вт — поверхностный монтаж; RES 100К ОМ 1 / 8Вт.05% 0805 SMD. s: Сопротивление (Ом): 100 кОм; Мощность (Вт): 0,125 Вт, 1/8 Вт; Допуск: 0,05%; Упаковка: Digi-Reel; Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 10ppm / C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.
ERJ-14NF6651U : Чип резистор 6,65 кОм 0,5 Вт, 1/2 Вт — поверхностный монтаж; RES 6.65K OHM 1 / 2W 1% 1210 SMD. s: Сопротивление (Ом): 6,65 кОм; Мощность (Вт): 0,5 Вт, 1/2 Вт; Допуск: 1%; Упаковка: Digi-Reel; Состав: толстая пленка; Температурный коэффициент: 100 ppm / C; Статус без свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS.
800A1R2BT250XT : Многослойные керамические конденсаторы MLCC — поверхностного монтажа 250volts 1. 2pF NP0. Керамические МЛК NPO высокой мощности серии ATC 800x предлагают самое низкое ESR в своем классе благодаря сочетанию систем металлических электродов с высокой проводимостью, оптимизированной геометрии корпуса и запатентованных диэлектриков. Разработаны новые прочные диэлектрики с низкими потерями в керамических МЛК NPO серии 800x.
CTIHLP104F-1R2M : 1 ЭЛЕМЕНТ, 1,2 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD.s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль вывода: ОБРАТНЫЙ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Литой / экранированный: экранированный; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 1,2 мкГн; Допуск индуктивности: 20 (+/-%); DCR: 0,0030 Ом; Тестирование.
CY28548LFXC : 400 МГц, ГЕНЕРАТОР ЧАСОВ ДЛЯ ПРОЦЕССА, QCC64. s: Тип устройства: Генератор часов; Тип корпуса: поверхностное крепление, QFN, 9 X 9 мм, БЕСПРОВОДНЫЙ, MO-220, QFN-64; Напряжение питания: 3.От 14 до 3,46 вольт; Частота: 14,32 МГц; Рабочая температура: от 0,0 до 85 ° C (от 32 до 185 F).
IDT72T20108L10BBG : 64K X 20 ДРУГОЙ FIFO, 4,5 нс, PBGA208. s: Категория памяти: FIFO; Плотность: 1311 кбит; Количество слов: 64 k; Биты на слово: 20 бит; Тип корпуса: BGA, 17 X 17 мм, шаг 1 мм, пластик, BGA-208; Контакты: 208; Семейство логики: CMOS; Напряжение питания: 2,5 В; Время доступа: 4,5 нс; Время цикла: 10 нс; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F).
920-123P-71P : КОНЕЧНЫЙ КАБЕЛЬ, НАРУЖНЫЙ, РАЗЪЕМ RF, ПАЙКА, ВИЛКА.s: Пол: Мужской; Импеданс: 75 Ом; Частота: 6.000 ГГц; КСВН: 1,12 1; Вносимая потеря: 0,0500 дБ.
.