Диод д233 характеристики: 231, 232, 233, 234, d231, d232, d233, d234 , ,

Содержание

Диод Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б, Д234Б

Поиск по сайту


Диоды Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б, Д234Б — диффузионные, кремниевые. Основное предназначение — преобразование переменного напряжения с частотой до 1 кГц. Имеют жёсткие выводы и металлостеклянный корпус. Цоколёвка диодов написана на корпусе, как и их название.
Вместе с комплектующими деталями (гайка, шайба и т.д.) диоды весят около 18 г.

Электрические параметры Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б, Д234Б

Прямое напряжение (среднее)
Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233   1 В
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б   1.5 В
Обратный ток (средний), не более   3 мА


Предельные характеристики диодов Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б, Д234Б

Обратное напряжение (импульсное)
Д231, Д231А, Д231Б 300 В
Д232, Д232А, Д232Б 400 В
Д233, Д233Б 500 В
Д234Б 600 В
Прямой ток (средний)
Д231, Д231А, Д232, Д232А, Д233 10 А
Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б 5 А

Рабочая частота (без ухудшения электрических параметров) — 1 кГц
Температура перехода — 150°C
Рабочая температура: -60.

..+130°C



Диод д233вп характеристики – Telegraph


Диод д233вп характеристики

====================================

>> Перейти к скачиванию

====================================

Проверено, вирусов нет!

====================================

Основные технические характеристики диода Д233: • Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 500 В; • Inp max — Максимальный прямой ток: 10 А; • fд.

Д233, Тип диода выпрямительный, Максимальное постоянное обратное напряжение,В 500, Максимальный прямой (выпрямленный заКорзина: пока пуста. Д233. Характеристики.

Д231, Д232, Д233, Д234.Диоды кремниевые диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения с частотой до 1,1 кГц в постоянное.

Вместе с комплектующими деталями (гайка, шайба и т.д.) диоды весят около 18 г.Предельные характеристики диодов Д231, Д231А, Д231Б, Д232, Д232А, Д232Б, Д233, Д233Б.

Характеристики диода Д233. Максимальное постоянное обратное напряжение 500 В. Максимальный постоянный прямой ток 10 А.

Диод Д233 имеет модификацию — Д233Б. Технические характеристики Д233: Средний обратный ток — не более 3 мА.

Основные технические характеристики диода Д232: • Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 400 В; • Inp max — Максимальный прямой ток: 10 А; • fд.

Диоды Д231ВП кремниевые, диффузионные.Параметры и характеристики. Масса диодов с комплектующими деталями не более 18 г.

Технические характеристики. Рабочая частота. 1,1 kHz.Интервал рабочих температур. от -60 до +130°C. Выпрямительный диод Д214 кремниевый диффузионный предназначен для.

Нашими клиентами являются различные судоходные компании и объединения, предприятия судоремонта и ремонтные комплексы, портовые хозяйства и другие организации морской и.

Подробные характеристики, расшифровка маркировки, полярность, габаритные размеры, предельные прямые вольт-амперные характеристики, рекомендуемые охладители к диодам.

Справочные данные диодов, подробные характеристики с графиками.Полупроводниковый диод Д202, характеристики, график ВАХ, цена Полупроводниковый диод Д226.

плоскостной диод; какие существуют виды диодов; как устроен выпрямительный диод. Характеристики диодов Д231А

Масса диода 0,3 г. • Технические условия аА0.339.575 ТУ. Основные технические характеристики диода 2Д235А: • Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение.

В статье содержательно описаны характеристики диодов 1n4007, д242, д226, кд202в. Это основные данные по приведённым моделям кремниевых диодов.

до 20 кГц выпрямительный диод выпрямительный диод для выпрямления синусоидальноговольт-амперной характеристики (стабисторы) и для целей термокомпенсации для работы в.

В справочнике приведены тип корпуса, характеристики, параметры, вольт-амперная характеристика (ВАХ) следующих полупроводниковых диодов: Д202, Д203, Д204, Д205, Д206.

Корпус диода Д243. Описание. Диоды кремниевые, диффузионные. Характеристики диода Д243. Параметр. Обозначение.

Диоды Д226, Д226А, Д226Б, Д226В, Д226Г, Д226Д, Д226Е – представляют собой кремниевые диоды, корпус которых выполнен из металла и стекла.

Характеристики. КД237А, Диод. Модель

Диод Д233

Справочник количества содержания ценных металлов в диоде Д233 согласно паспорта на изделие и информационной литературы. Указано точное значение драгоценных металлов в граммах (Золото, серебро, платина, палладий и другие) на единицу изделия.

Содержание драгоценных металлов в диоде Д233

Золото: 0,0021 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.

Источник информации

: .

Фото диода Д233:

Панель ламповая виды

Диод — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля. Электрод диода, подключаемый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключаемый к отрицательному полюсу — катодом.

О комплектующем изделии – Диод

Диод – видео.

Диод это полупроводниковый прибор основанный на PN-переходе. А если без теории, то диод в одном направлении пропускает ток, а в другом нет. Вот и все.

Как работает диод – видео.

В этом выпуске вы узнаете: что такое диод, принцип действия диода, как работает диод, что такое p – n переход; что такое прямой ток диода, что такое обратный ток диода; каково внутреннее сопротивление диода; что такое вольт- амперная характеристика диода; что такое пропускное и не пропускное напряжение диода; как работает диод в цепи постоянного тока, как работает диод в цепи переменного тока; как устроен плоскостной диод; какие существуют виды диодов; как устроен выпрямительный диод.

Характеристики диодов Д233:

Купить или продать а также цены на Диод Д233:

Оставьте отзыв о Д233:

Диод 2Д210А

Параметр

Значение

Средний обратный ток при максимальном постоянном обратном напряжении, не более

1,5 мА

Постоянный обратный ток при постоянном обратном напряжении 800 В, не более

4,5 мА

Постоянное обратное напряжение

800 В

Среднее прямое напряжение при среднем постоянном прямом током 10 А и частотой 50 Гц, не более

1 В

Импульсное обратное напряжение

800 В

Постоянный (средний) прямой ток диода 2Д210А при температуре:

от -60 до +55°C

10 А

+100°C

5 А

+130°C

1 А

Импульсный прямой ток при частоте 50 Гц и интервале времени 50 мс при температуре:

от -60 до +50°C

50 А

+100°C

25 А

+130°C

5 А

Импульсный прямой ток диода при частоте 50 Гц, интервале времени 1,5 с и температуре:

от -60 до +50°C

30 А

+100°C

15 А

+130°C

3 А

Импульсный обратный ток при интервале времени 100 мкс

1,5 А

Средняя прямая рассеиваемая мощность при температуре:

от -60 до +50°C

20 А

+100°C

10 А

+130°C

2 А

Частота без снижения электрических режимов диода

1 кГц

Частота со снижением максимального среднего постоянно-обратного тока

5 кГц

Тепловое сопротивление переход-корпус

3°C/Вт

Температура перехода диода

+140°C

Температура окружающей среды

от -60 до +130°C

Габаритные размеры

31 x 19,5 x 11 мм

Масса с комплектующими деталями

8,32 г

Диоды таблеточного исполнения Д233-630, Д233-800, Д233-1000

Общие сведения
Диоды Д233 таблеточного исполнения предназначены для применения в цепях постоянного и переменного тока частотой до 500 Гц различных силовых установок.
 
Условия эксплуатации
Климатическое исполнение и категория размещения УХЛ2 и Т3 для эксплуатации в атмосфере типа I и II по ГОСТ 15150-69.
Диоды предназначены для эксплуатации во взрывобезопасных и химически неактивных средах, в условиях исключающих воздействие различных излучений (нейтронного, электронного, гамма-излучения).
По прочности и устойчивости к воздействию механических нагрузок диоды соответствуют группе М27 условий эксплуатации по ГОСТ 17516.1-90.
Диоды допускают воздействие вибрационных нагрузок в диапазоне частот от 10 до 100 Гц с ускорением 50 м/с2 и одиночных ударов длительностью импульса 50 мс и ускорением 40 м/с2.
Рекомендуемые охладители — ОР143-150 по ТУ У 32.1-30077685-015-2004. Допускается применение других охладителей с площадью поверхности не менее 3657 см2.
Диоды по своим параметрам и характеристикам соответствуют ТУ У 32.1-30077685-014-2004.
 

Обратные параметры

 
  Параметр Значение параметра Условия установления
       
       
Буквенное Наименование, единица Д233-630 Д233-800 норм на параметры
обозначение измерения Д233-1000  
U
RSМ
Неповторяющееся импульсное     Tjm=175°C
  обратное напряжение, В, для     Импульс напряжения синусоидальный
  классов. 1100 1100 однополупериодный одиночный
  10 длительностью не более 10 мс.
  11 1200 1200
  12 1300 1300  
  14 1500 1500  
  16 1700 1700  
  18 1900 1900  
  20 2200 2200  
  22 2400 2400  
  24 2600 2600  
  26 2800  
  28 3000  
  30 3200  
  32 3400  
U
RRМ
Повторяющееся импульсное     Tjm=175°C
обратное напряжение, В, для     Импульсы напряжения синусоидальные
  классов. 1000 1000 однополупериодные длительностью не
  10 более 10 мс частотой 50 Гц.
  11 1100 1100
  12 1200 1200  
  14 1400 1400  
  16 1600 1600  
  18 1800 1800  
  20 2000 2000  
  22 2200 2200  
  24 2400 2400  
  26 2600  
  28 2800  
  30 3000  
  32 3200  
U Рабочее импульсное обратное 0 8U    
RWМ напряжение, В RRM  
U Постоянное обратное 0. RRM Повторяющийся импульсный j
обратный ток, мА, не более 40 Tjm=175°C
 
 

Параметр термодинамической стойкости

 

Параметр Значение
параметра
Условия установления норм на параметр
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измерения Д233-1000
Ic(crit) Ток термодинамической стойкости корпуса, кА 13 tj=5,8 мс
 
 

Прямые параметры
 

Параметр Значение параметра Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измерения Д233-630 Д233-800 Д233-1000
IF(AV)M Максимально допустимый средний прямой ток, A 630 800 1000 Тс=115°С
Импульсы тока синусоидальные однополупериодные длительностью не более 10 мс частотой 50 Гц. FSM
Ударный прямой ток, кА 12,1 13,2 17,6 Ij=25°C
11,0 12,0 16,0 Tjm=175°C
Импульс тока синусоидальный однополупериодный одиночный длительностью не более 10 мс.
U
FM
Импульсное прямое напряжение, B, не более 1,6 1,55 Т=25°С Т =3 14Т
J 25 CТр 3,14TF(AV)M
U
TO
Пороговое напряжение, B, не более 0,91 0,93 0,9 Tj=25°C
0,85 0,83 0,81 Tjm=175°C
rT Динамическое сопротивление в прямом направлении, мОм, не более 0,29 0,27 0,22 Tj=25°C
0,39 0,37 0,315 Tjm=175°C
^F(AV) Средний прямой ток на охладителе OP143-150 при Та=40°С, А 230 235 245 естественное охлаждение
555 570 600 принудительное охлаждение v=6 м/с
 
 

Тепловые параметры

 
Параметр Значение
параметра
Условия установления норм на параметры
Буквенное
обозначение
Наименование, единица измерения Д233-630
Д233-800
Д233-1000
T. Вт, не более 0.015  
Rthj а Тепловое сопротивление переход-среда с охладителем OP143-150, °C&r, не более 0,551 естественное охлаждение
0,176 принудительное охлаждение v = 6 м/с

 

 
 

Защитные диоды и основные требования к их установке

Страница 9 из 14

Полупроводниковые диоды являются хорошими ограничителями напряжений. Если приложенное напряжение Uпр меньше обратного пробивного напряжения диода Uобр, то его динамическое сопротивление составляет десятки мегаом.
В этом случае диод закрыт и практически является изолятором. При пробое диода его динамическое сопротивление резко снижается до десятков омов (диод открыт). Открытие диода сопровождается соответствующим возрастанием обратного тока и, если его не ограничить, то, возможно, диод будет разрушен. Поэтому последовательно с диодом следует включать токоограничительное сопротивление, значение которого зависит от типа диода (не более 10—30 Ом). В некоторых случаях в качестве ограничительного сопротивления целесообразно использовать •отдельные элементы защитного прибора (индуктивности, резисторы, емкости). Открытый диод шунтирует входное сопротивление защищаемого прибора. При этом опасное напряжение на его входных зажимах не превышает пробивное обратное напряжение диода.
В электрических целях с низким уровнем передачи для ограничения опасного напряжения следует использовать прямую проводимость диода. Если напряжение, приложенное в прямом направлении диода, меньше 0,3—0,4 В, то его динамическое сопротивление составляет несколько килоом (диод закрыт). С увеличением напряжения (более 0,7—0,8 В) оно снижается, т. е. диод открывается. Хотя в этом случае динамическое сопротивление изменяется менее резко, чем при включении диода в обратном направлении, напряжение ограничивается до десятых долей вольта.
В обратном и прямом направлениях время открытия (срабатывания) диода измеряется миллимикросекундами (10-9с).

Таблица 3
Электрические параметры кремниевых стабилитронов


Стабилитрон

Напряжение стабилизации,В

Максимальный допустимый ток, мА

Максимальная мощность рас сеяния, Вт

Дифференциальное сопротивление, Ом

Емкость перехода при напряжении смещения, равном нулю, пФ

при токе, мА

Значение

2С133А—2С168А

3—7,5

81—45

0,3

10

65—46

1000—700

Д808-Д813

7—14

33—20

0,28

5

6-18

400—320

Д814А—Д814Д

7—14

40—24

0,34

5

11

440—290

Д815А—Д815Ж

5,5—18

1400—450

8

500

0,6—3

Д816А—Д816В

22—33

230—150

5

150

3—10

Таблица 4
Максимальные значения импульсных токов кремниевых стабилитронов              

Для защитных целей предпочтительнее кремниевые стабилитроны (КС), имеющие крутые обратные характеристики и относительно высокую пропускную способность по току. Электрические характеристики КС приведены в табл. 3, значения разрушающего тока для некоторых типов КС — в табл. 4.
Учитывая, что волны. поперечных перенапряжений могут иметь разные полярности, для двустороннего ограничения перенапряжений следует, как правило·, использовать обратные проводимости диодов. В этом случае два КС следует включать последовательно противоположными полюсами (навстречу друг другу по проводимости) (рис. 15,а).
Для одностороннего ограничения перенапряжений целесообразно применять один диод. Чтобы он открывался в обоих направлениях одинаково (симметрично), на него следует подать отрицательное напряжение смещения, примерно равное половине значения его обратного пробивного напряжения (рис. 15,б).
В схемах защиты транзисторных усилителей целесообразно использовать прямую проводимость КС, включаемых противоположными полюсами параллельно друг другу и составляющими двухполярный (биполярный) блок (рис. 15, в). При превышении амплитудой напряжения сигналов 0,7 В следует включать два двухполярных блока последовательно (рис. 15, г).
В многоканальных системах связи необходимо применять мостовую схему с пятью (рис. 15, д) или четырьмя высокочастотными диодами и одним КС, включенным в диагональ моста (рис. 15, е). Следует заметить, что последняя схема является унифицированной, ее применяют для защиты усилителей всех типов в аппаратуру разделения каналов до 20 МГц. В этой схеме защиты использованы высокочастотные диоды Д233, имеющие емкость менее 15 пФ и выдерживающие большие импульсные токи.


Рис. 15. Схемы включения защитных диодов

Транзисторы и полупроводниковые диоды (1963) Николаевский И. Ф.

Настоящее второе издание справочника отличается от первого большей полнотой сведений, включением данных по новым транзисторам и большим количеством плоскостных и точечных диодов, а также вновь написанным общим разделом по транзисторам, более подробно поясняющим физику и значение каждого параметра и характеристики, приведённых в справочнике. Справочник состоит из двух частей: «Транзисторы» и «Полупроводниковые диоды», из которых каждая делится на два раздела: «Общие сведения» и «Справочные данные». Транзисторы и диоды для облегчения отыскания расположены по восходящим цифрам их маркировки.

Предисловие
Условные обозначения

Часть первая. Транзисторы

Раздел I. Общие сведения
Принципы маркировки и классификации
Схемы включения, области и режимы работы транзистора
Вольтамперные характеристики р-n перехода (диода)
Характеристики транзистора в схеме с общей базой
Характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером

Параметры области отсечки
Обратные токи *и*
Сквозной ток *и начальный ток*
Максимальные напряжения

Параметры активной области
Параметры малого сигнала
Параметры большого сигнала
Шумы
Максимальные напряжения
Максимальные токи
Время включения и выключения

Параметры области насыщения
Время задержки
Сопротивление и напряжение насыщения
Максимальный ток

Тепловые параметры
Максимальная температура перехода
Тепловое сопротивление
Теплоёмкость и тепловые постоянные времени

Максимальная мощность, рассеиваемая транзисторов
Предельно допустимые эксплуатационные данные

Особенности применения
Температурная стабилизация
Отвод тепла

Раздел II. Справочные данные
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р, низкочастотные мощные: П4А, П4Б, П4В, П4Г, П4Д (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П5А, П5Б, П5В, П5Г, П5Д, П5Е (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П6А, П6Б, П6В, П6Г, П6Д (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа * низкочастотные: П8, П9А, П10, П10А, П10Б, П11. П11А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П13, П13Б, П14, П14А, П14Б, П15, П15А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р импульсные: П16, П16Л, П16Б (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р импульсные: П20, П21, П21А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П25, П25А, П25Б, П26, П26А, П26Б (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П27, П27А, П28 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П29, П29А, П30 (общие данные)
Транзисторы кремниевые сплавные типа n-р-n низкочастотные: П101, П101А, П101Б, П102, П103 (общие данные)
Транзисторы кремниевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П104, П105, П106 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р мощные: П201, П201А, П202, П203 (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р мощные: П209, П209А, П210, П210А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р низкочастотные: П211, П212, П212А (общие данные)
Транзисторы кремниевые, сплавные типа р-n-р низкочастотные мощные: П302, П303, П303А, П304 (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П401, П402, П403, П403А (общие данные)
Транзисторы германиевые сплавные типа р-n-р высокочастотные: П12, П12А, П406, П407 (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П410, П410А, П411, П411А (общие данные)
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П414, П414А, П414Б, П415, П415А, П415Б
Транзисторы германиевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П416, П416А, П416Б (общие данные)
Транзисторы кремниевые диффузионные типа р-n-р высокочастотные: П501, П501А, П502, П502А, П502Б, П501В, П503, П503А (общие данные)
Транзисторы германиевые конверсионные типа р-n-р высокочастотны с мощные: П601, П601А, П601Б, П602, П602А (общие данные)
Транзисторы германиевые конверсионные типа р-n-р импульсные мощные: П605, П605А, П606, П606А (общие данные)

Часть вторая. Полупроводниковые диоды

Раздел I. Общие Сведения
Принципы маркировки и классификации
Вольтамперные характеристики
Последовательное включение
Параллельное включение
Особенности эксплуатации

Раздел II. Справочные данные
Диоды германиевые точечные Д1А, Д1Б, Д1В, Л1Г, Д1Д, Д1Е, Д1Ж (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д2А, Д2Б, Д2В, Д2Г, Д2Д, Д2Е, Д2Ж, Д2И (общие данные)
Диоды германиевые сплавные выпрямительные Д7А, Д7Б, Д7В, Д7Г, Д7Д, Д7Е, Д7Ж (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д9А, Д9Б, Д9В, Д9Г, Д9Д, Д9Е, Д9Ж, Д9И, Д9К, Д9Л (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д10, Д10А, Д10Б (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д11, Д12, Д12А, Д13, Д14, Д14А (общие данные)
Диоды германиевые точечные Д18 (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д101, Д101А, Д102, Д103, Д103А (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д104, Д104А, Д105, Д105А, Д106, Д106А (общие данные)
Диоды кремниевые точечные Д107, Д107А, Д108, Д109 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные выпрямительные Д202, Д203, Д204, Д205 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д206, Д207, Д208, Д209, Д210, Д211 (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д214, Д214А, Д215, Д215А (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д219А, Д220, Д220А, Д220Б (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д221, Д222 (общие данные)
Диоды кремниевые Д223, Д223А, Д223Б (общие данные)
Диоды кремниевые сплавные Д231, Д232, Д233, Д231Б, Д232Б, Д233Б, Д234Б, Д231А, Д232А (общие данные)
Диоды германиевые сплавные Д302, Д303, Д304, Д305 (общие данные)
Стабилитроны кремниевые сплавные Д808, Д809, Д810, Д811, Д813 (общие данные)
Диоды германиевые сплавные ДГ-Ц21, ДГ-Ц22, ДГ-Ц23, ДГ-Ц24, ДГ-Ц25, ДГ-Ц26, ДГ-Ц27 (общие данные)

Название: Транзисторы и полупроводниковые диоды
Автор: Николаевский И. Ф.
Год издания: 1963
Формат: DjVu
Язык: Русский
Размер файла: 23,19 Мб

Скачать Николаевский И.Ф. Транзисторы и полупроводниковые диоды

d237% 20диод, техническое описание и примечания по применению

D235X

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле

ИК ТК 69

Аннотация: NJU6436F D116 T240k NJU6436 D121 D120 D119 D118 D117
Текст: нет текста в файле

ИОР 235

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле

2001 — Саньо D315

Аннотация: D319 микросхема «D312» транзистор D313 принципиальная схема приложения Sanyo D313 D288 D313 эквивалент D313 транзистор D331 принципиальная схема приложения транзистор D313
Текст: нет текста в файле

2010 — Д478

Аннотация: D446 Met d248 D480 D482 D444 D636 R D468 D464 ic d591
Текст: нет текста в файле

D478

Абстракция: D446 D-436 D434 D526 D436 D452 D472
Текст: нет текста в файле

2012 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле

2012 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле

d235 транзистор

Аннотация: транзистор d235 D235 T / транзистор d235 D237 транзистор D233B BD233 d233 BD235B D2-37
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD233 / 235/237 250 мА 300 мкс, d235 транзистор транзистор d235 D235 Т / транзистор d235 D237 транзистор D233B BD233 d233 BD235B D2-37
D237B

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD235 / BD236 BD237 / BD238 BD235 BD237 ОТ-32 BD236 BD238 BD235 / B D236 / B D237 / B D237B

OCR сканирование
PDF T6A14 15 МГц T6A14 240 датских долларов D235X
d209

Абстракция: D256 m d223 D-209 D252 d254 D253 D227 d193 D247
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF RCM1277U-A 54мин.75 Макс. 75 мин. d209 D256 м d223 D-209 D252 d254 D253 D227 d193 D247
d237

Аннотация: SD41 D-235 d235 21FQ DO-203AA SD-41
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 60Апк От -65 до 150 D-237 D-238 d237 SD41 D-235 d235 21FQ DO-203AA СД-41

OCR сканирование
PDF NJU6436 NJU6436là 30Ключ 30Keyà NJU6436F 60тВч NJU6436 1024 / f ir tk 69 D116 T240k D121 D120 D119 D118 D117
пл86

Аннотация: D116 ST P239 LCD KIS T240k NJU6436F NJU6436 D119 D118 D117
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF NJU6436 6436Ià 240fe> 30Keyà NJU6436F NJU6436 1024 / f pl86 D116 ST P239 ЖК КИС T240k D119 D118 D117
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF D-237 4ASS452

OCR сканирование
PDF От -65 до 150 D-237 D-238 IOR 235
СТ П239

Аннотация: PL86 aavb T240k NJU6436F NJU6436 D119 D118 D117 D116
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF NJU6436 6436Ià 240fe> 30Keyà NJU6436F 1024 / f ST P239 PL86 aavb T240k NJU6436F NJU6436 D119 D118 D117 D116
1999 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF QL80FC
SED1503F

Аннотация: SED1502F SED1501F
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF SED1500F SED1500 100 пФ D-237 500Fсерии 80-контактный 10x40xn SED1501F) D-238 SED1503F SED1502F SED1501F

Оригинал
PDF LC75838E, 5838 Вт LC75838E LC75838W 3159-QIP64E LC75838E] QIP64E 3190-SQFP64 LC75838W] sanyo D315 D319 микросхема «D312» Схема применения транзистора D313 Sanyo D313 D288 Эквивалент D313 D313 Принципиальная схема транзистора D331 транзистор D313
d478

Абстракция: D636 R D476 D669 k d718 D768 D882, D772 d446 d772 D467
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LC75848T O2506 B8-6221 S1S95 COM1COM10 S1S95 S95 / COM9 d478 D636 R D476 D669 k d718 D768 D882, D772 d446 d772 D467

Оригинал
PDF EN6473A LC75878W LC75878W 1/10 долга D478 D446 Встретил d248 D480 D482 D444 D636 R D468 D464 ic d591
2008 — «Схемы электроснабжения»

Аннотация: Аудиоразъем LK
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MIL-C-83503.«схемы питания» Аудиоразъем LK
B0646

Аннотация: BO650 80846 B0648 Bo648 bd648 Q62702-D235 D237 DIODE BD660 BD646
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF fl23Sb05 DQ43CI1 Т-33-31 ОП-66) 644 / BD BD648, г. BD644. BO646. BO648. BD660 B0646 BO650 80846 B0648 Bo648 bd648 Q62702-D235 D237 ДИОД BD660 BD646

Оригинал
PDF EN6473A LC75878W LC75878W 1 / 10дутя D478 D446 Д-436 D434 D526 D436 D452 D472
2004 — Д206

Аннотация: D207 8 pin D226 диод D234 D207 транзистор D227 d223 8 pin m d223 транзистор D222
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
2014 — ТРАНЗИСТОР Д239

Аннотация: транзистор d358 d331 эквивалент транзистора d332 транзистор d427 эквивалент транзистора d331 транзистор d333 транзистор D417 транзистор транзистор d336 транзистор d327
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF БУ97530КВТ-М 89segx5COM) БУ97530КВТ-М Д239 ТРАНЗИСТОР транзистор d358 d331 эквивалент транзистора транзистор d332 транзисторный эквивалент d427 D331 транзистор D333 транзистор D417 транзистор транзистор d336 d327 транзистор

Оригинал
PDF ru / us / produkte / 1840612
2008 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
2012 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ru / us / produkte / 1840638 4/10-GF-7
2012 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF ru / us / produkte / 1840557

Оригинал
PDF ru / us / produkte / 1840586

YA868C15R datasheet — Технические характеристики: Расположение: общий катод; Диод

2N6049 : Доступны варианты экранирования = ;; Полярность = PNP ;; Пакет = TO66 (TO213AA) ;; Vceo = 55V ;; IC (продолжение) = 4А ;; HFE (мин) = 25 ;; HFE (макс.) = 100 ;; @ Vce / ic = 4 В / 500 мА ;; FT = 3 МГц ;; PD = 75Вт.

2N720A : эпитаксиальный плоский NPN. Это кремниевый плоский эпитаксиальный NPN-транзистор в металлическом корпусе Jedec TO-18. Он подходит для широкого спектра применений в усилителях и коммутации. Обозначение V CBO V CEO V EBO IC P tot T stg Tj Параметр Напряжение коллектор-база = 0) Напряжение коллектор-эмиттер = 0) Напряжение эмиттер-база = 0) Общее рассеивание тока коллектора при комнатной температуре хранения.

2SD2219 :. Приложения Релейные драйверы, высокоскоростные инверторы, преобразователи и т. Д.Корпус без микрометров, облегчающий установку. Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: VCE (насыщ.) = 0,5 В (PNP), 0,4 В (NPN) макс. Большая текущая емкость. s Параметр Коллектор-база Напряжение Коллектор-эмиттер Напряжение Эмиттер-база Напряжение Коллектор Ток коллектор Ток (импульс) Коллектор.

FDB2500-FDB2510 :. 18020 Hobart Blvd., Unit B Gardena, CA USA Тел .: (310) 767-1052 Факс: (310) 767-7958 Номинальные параметры PRV от до 1000 Вольт, Максимальное значение перегрузки до 300 ампер. Применение на печатных платах Быстрое переключение для высокой эффективности + Корпус: Металл (заливочная эпоксидная смола имеет рейтинг воспламеняемости U / L 94V-0).

MELFSM5818 : Выпрямитель с барьером Шоттки для поверхностного монтажа (диапазон напряжения — от 20 до 40 вольт, ток — 1,0 ампер).

PBLS6023D : PBLS6023D — 60 В, 1,5 A PNP Переключатель нагрузки BISS PNP low VCEsat Прорыв транзистора слабых сигналов (BISS) и транзистора с резистором NPN (RET) в малом устройстве поверхностного монтажа (SMD) SOT457 (SC-74) ) пластиковый пакет . .

02012R101J9B200 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, X7R, 0,0001 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 0201.s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1.00E-4 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Тип установки:.

KDV386S : УКВ-УВЧ ДИАПАЗОН, 46 пФ, КРЕМНИЙ, ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ. s: Тип диода: ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ.

LSP1012-150A : 20 В, КРЕМНИЙ, ПИН-ДИОД. s: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, КОРПУС 150A, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; PD: 500 милливатт.

MA46583 / A : ДИАПАЗОН КА, 1,5 пФ, 18 В, АРСЕНИД ГАЛИЯ, ГИПЕРАБРАПТОВЫЙ ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ. s: Тип диода: ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ.

MR100FF3 : 0,015 А, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: общего назначения; ЕСЛИ: 15 мА; trr: 0,0300 нс; Соответствует RoHS: RoHS.

RNL1 / 2 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 0,5 Вт, 0,5; 1; 2; 5%, 50; 100; 200 ppm, 10 Ом — 1000000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Рабочее напряжение постоянного тока: 350 вольт; Рабочая температура: от -40 до 70 C (от -40 до 158 F).

SGM3055 : МАЛЫЙ СИГНАЛ, FET. Elektronische Bauelemente 30V, RDS (ON) 28 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Соответствующий RoHS продукт Суффикс «-C» указывает на отсутствие галогенов и свинца. GM3055 предоставляет разработчику наилучшее сочетание быстрого переключения, надежной конструкции устройства, низкое сопротивление при включении и экономичность. Пакет SOT-89 является универсальным для всех коммерческих и промышленных предприятий.

T2712S : ТЕЛЕКОМ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: Телеком; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

1N3666-1 : 80 В, ГЕРМАНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: общего назначения; trr: 0,3000 нс.

203421 : ТРАНСФОРМАТОР DATACOM ДЛЯ ПРИЛОЖЕНИЙ 1000 BASE-T. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применения: импульсные трансформаторы, DATACOM TRANSFORMER; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F).

934019370115 : ДИАПАЗОН УВЧ, 19,25 пФ, КРЕМНИЙ, ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ. s: Тип диода: ДИОД ПЕРЕМЕННОЙ ЕМКОСТИ; Соответствует RoHS: RoHS.

Опытный поставщик тиристоров с фазовым регулированием, тиристоров высокой мощности для фазового регулирования, YZPST-ST280CH04

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И НОМИНАЛЫ
Блокировка — выключенное состояние

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

400

400

500

VRRM = повторяющееся пиковое обратное напряжение
VDRM = повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии
VRSM = неповторяющееся пиковое обратное напряжение (2)

Примечания:
Все номинальные значения указаны для Tj = 25 oC, если не указано иное.
(1) Все номинальные напряжения указаны для приложенной синусоидальной формы волны 50 Гц / 60 Гц в диапазоне температур от -40 до +125 ° C.
(2) 10 мсек. Максимум. ширина импульса
(3) Максимальное значение для Tj = 125 ° C.
(4) Минимальное значение для линейной и экспоненциальной формы волны до 80% номинального значения VDRM. Открытые ворота. Tj = 125 oC.
(5) Неповторяющееся значение.
(6) Значение di / dt установлено в соответствии со стандартом EIA / NIMA RS-397, раздел 5-2-2-6. Определенное значение будет добавлено к значению, полученному от сети ubber, и будет содержать 0.Конденсатор 2 мкФ и сопротивление 20 Ом параллельно испытуемому тиристору.

YZPST может предоставить следующий список тиристоров

СЕМЕЙСТВО СПЕЦИАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ ДЛЯ ИНДУКТОРНОЙ ПЕЧИ
C430PB C440L C451L C701L C781L C448PD
C458PD C712L C770L A696L A740L D860
R0910LS260 Н280Ч24 Н490Ч30 R0878LS21E Р216Ч26 R1275NS20
R2619ZC21 R2714ZC20J SM18CXC924 SW40CXC820 SW14PHN (R) 380 Р600Ч31
SM16PHN (R) 100 Р395Ч31 C648PB Р200Ч30 C702-42 CXC924
СЕМЕЙСТВО ТИРИСТОРОВ УПРАВЛЕНИЯ ФАЗОЙ
N200CHX N330CH N350CH N370CH N320CH N360CH
N490CHX N540CH N560CH N600CH N640CH N760CH
N880CHX N980CH N880CH N0910NC N0882 N630CH
5STP04D5200 5STP25L5200 5STP33L2800 5STP08G6500 5СТП12К6500
AT603 AT604 AT804 AT803 AT807 AT480
AT1003 AT1004 AT1005 AT607 AT620 AT636
AT671 AT726 AT708 AT738 AT866 AT870
AT880 AT708LT AT720LT AT866LT AT720HT AT866HT
DCR504 DCR604 DCR804 DCR1004 DCR1278 DCR1476
DCR1474 DCR803 DCR1003 DCR840 C390 T720
T7SO T820 T9G0 TA20 TB20 TD20
H505CH H507CH h2450CH h2590CH h3000CH h4200CH
SHXXC450 SHXXC540 SHXXC760 SHXXC1850 SHXXC2230 SHXXC2770
BHtT72 BHtT78 BHtU66 BHt U67 BHtU77 BHtV72
SKT441 SKT551 SKT760 SKT1000 SKT1200 SKT1800
T233 T243 T253 N500CH N1661NC N1718NS
N1132NC N0734YS N0032 N1718 N1114 N1467
N500CH T458N T708N T1218N T1869N T2709N
ST230 ST280 ST380 ST780 ST1280 T4301N
TV989 BHTP45 T345 T625 TC233 TC143
СЕМЕЙСТВО ИНВЕРТОРОВ ТИРИСТОРОВ
R185CHX R216CHX R180CHX R190CHX R200CHX R219CHX
R220CHX R270CHX R305CHX R325CHX R350CHX R395CHX
R600CHX R800CHX R1200CHX R200CH R600CH R325CH
R0577YS R0633YS R0577YS R0878LS R0929LS R0990LS
R1178NS R1275NS R1279NS R1280NS R1446NS R1448NS
R2475ZD R2619ZC R2620ZC R2714ZD R3047TC
k ATF585 ATF587 ATF860 ATF857 ATF401 ATF413
ATF414 ATF827 ATF427 ATF828 ATF820 ATF420
ATF514 ATF527 ATF1040 ATF530 ATF543 ATF614
ATF615 ATF633 ATF743 DCR1259 T318F T340F
T72H T7S7 T7SH T82F T82F T9GH
R0633 R0830 R0946 R1007LS R400CH
T408F T599F T1052S TB333 TB553 TB273
СЕМЬЯ ДИОДОВ
AR371 AR912 AR1101 AR1104 AR1107 AR480
AR509LT AR2004LT AR2004 AR609LT AR3001 AR3004
AR670 AR680 AR649 AR690 AR709 AR770
AR771 AR772 AR747LT AR609 AR507LT R0577
R722 R7S2 R9G2 SM18CXC924 R7SS / R7SF R82S / R82F
R9GS / R9GF R9GS R9GF RA2F R822 R1446
BHdK28 BHdP60 BHdP62 BHdR60 BHdR62 BHdT60
XSDD303 A880 / SDD217 A801 / SDD211 A800 / SDD208A A782 / SDD119 A780 / SDD108
A750 / SDD113 A740 / SDD105 A643 / SDD64 A641 / SDD51 W2624 W1748
M0859LC M1022LC M1494NC D233 D243 D253
R7S0 R820 R9G0 RA20 RB20 W2052
SD823 SD1053 SD1553 DS502 DS804 DS1104
DS1107 ARF422 DSF912 ARF526 AUS605
МОДУЛЬ FAMICY
SKKT92 SKKT162 SKKT250 SKKT310 SKKT500 SKKT800
IRKT91 IRKT161 IRKT251 IRKT310 IRKT500 IRKT1000
MCC95 MCC130 MCC250 MCC310 MCC500 MCC800
HTT / HTD 90N HTT / HTD 132N HTT / HTD 162 HTT / HTD 250N HTT500 HTT800
HDD 55N HDD 90N HDD 105N HDD 132N HDD 170N HDD 250N
SKKD91 SKKD161 SKKD250 SKKD320 SKKD500 SKKT91
MTD91 MTD250 MTD500 MTD1000 ADD700 MEK300
MDD91 MDD250 MDD310 MDD800 SKKE600 SKET380
SXHN55 SXHBN200 SXHN 250 SXHFN400 SXHN550 SXHN860
MDS30 MDS75 MDS150 MDS300 DS250 DS400
DS500 SKBPC35 SKBPC25 KBPC25 KBPC35 SKET740
SKET400 DSA450 MEK300
СЕМЬЯ УСТРОЙСТВ
C150 C180 C110 C147 P200 P214
ST110 ST180 ST330 ST303 ST173 P0311
SD150 SD300 25F R5C P0431 P270
СКН150 СКН240 СКН300 SKN400 T607 T707
40HF 70HF 85HF 45L16 45LR16 300U (R) 120
300U (R) 40 300U (R) 60 25R1A 70R1A 110R1A 300R1A
D40 D70 D130 D240 D410 D860
R600 R601 R700 R701 A197 T210N 4
T70 T85 T100 T125 T250 T500
T700 T160N T221N T130N T86N R72S / R72F
R502 / R503 R602 / R603 R622 R702 / R703 R50S / R50R R60S / R60
H65TB h225TB h350TB h400TB h500 ТБ H500 ТБ
BHdL38 BHdN12 BHtM45 BHtN46 BHtP46 BHtR68H
SKR45 SKR71 100 шведских крон SKR130 SKR240 SKR320
СКН45 SKN71 СКН100 СКН240 СКН320 SKT40
SKT55 SKT100 SKT130 SKT160 SKT250 SKT300

Для получения дополнительной информации о тиристоре с фазовым управлением загрузите файл PDF, названный выше «YANGZHOU POSITIONING TECH CO Силовые тиристоры и диодные части»

Проверить скидку Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 Эмульси после бритья

Купить Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 Эмульсия после бритья Отзывы: Получите лучшее Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 Эмульсия после бритья с качеством. Вы хотите в лучшем магазине.

Читать: Где купить Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 Эмульсия после бритья Отзывы

Ищете Купить Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 Эмульсия после бритья ? Здесь вы можете купить эмульсию после бритья Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 по специальной цене.

Это просто, безопасно, быстро и с высокой надежностью. В магазине будет следующая информация.

У нас есть тенденция собирать важную информацию о Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 After Shave Emulsion на нашем веб-сайте.

Цены на светодиодные телевизоры были завышены. Национальная функция может открыться в красном цвете. Вслед за Samsung, Sony, Sharp представит, о чем много говорили после перехода на высококачественные светодиодные ЖК-телевизоры, по мере развития технологий, континентальный ЖК-телевизор со светодиодной подсветкой также призван поощрять потоки, в середине августа, Hisense 47-дюймовый светодиодный телевизор упал, чтобы помочь Юаню.

Skyworth, KONKA, TCL устно в «11» до абсолютной шкалы светодиодных ЖК-телевизоров, производители надеются на 11 золотую особенность. По сравнению с обычными ЖК-телевизорами, цветными и графическими светодиодными телевизорами с другой анимированной электрической мощностью, низкой герметичностью, длительным сроком службы, большей безопасностью и защитой окружающей среды, его внешний вид выглядит дополнительным светом.

Благодаря превосходным характеристикам светодиодного источника света телевизор, использующий эту технологию, может увеличить цвет любого значения поля, сделать ЖК-телевизоры с меньшим потреблением плотности для достижения более высокого уровня яркости и насыщенности цвета, а также исполнение компьютерной анимации.

Для телевизионного бизнеса, который представляет собой повседневный раздел новых товаров высокого класса. Светодиодный телевизор, чтобы увеличить истинную причину задержки. С мая по август, диагональ светодиодного ТЕЛЕВИЗОРА в течение 3-4 месяцев, внутренний рынок не видел бы лучше.

В соответствии с общими тенденциями в отрасли производства бытовых инструментов, постоянное консультирование по статистической информации, в 2009 году, касающееся продаж обученных светодиодных ЖК-телевизоров в десятках тысяч продаж традиционных ЖК-телевизоров, составивших 11 миллионов единиц.

Маркетинговая дубинка магазина жаловалась на плохие продажи светодиодных телевизоров, вызванные высокими ценами.46-дюймовый ЖК-телевизор Samsung с диагональю экрана более 21 000 юаней, с использованием установки RGB-светодиодной подсветки с краями. 40-дюймовый телевизор Sony DIRECTED TV оплата достигает 26 999 юаней, что равняется трем с размером обычной цены ЖК-телевизора.

Hisense, Skyworth 55-дюймовый ЖК-телевизор со светодиодной подсветкой взимается 16 000 юаней, цена около 8 900 традиционных ЖК-телевизоров аналогичного размера. Цены на LED LCD TELLY выше из-за высокой стоимости, связанной с источником света LCD модуля.

Светодиодная подсветка телевизора использовалась на светодиодах, это дороже, чем обычный источник излучения ТЕЛЕВИЗОРА.

Крупногабаритные светодиодные ЖК-телевизоры, подсветка может быть включена в стоимость модуля до 40%, а стоимость модуля составляет 70% от совокупного вознаграждения за телевизор.

Цинхуа Тонгфанг Ван Сяндун, заместитель генерального директора по производству бытовой электроники, собственный устный в государственных учреждениях в конце июля, светодиодная подсветка включает в себя ряд запатентованных технологий, позволяет производителям телевизоров взимать долговременные гонорары, цены на светодиодные ЖК-ТЕЛЕВИЗОРЫ снижаются. Китайский электронный слот, предоставленный заместителем помощника генерала по торговле Лу Ренбо, считает, что \ «это требует много времени \».

Плата за светодиодный телевизор появляется в этом примере премьер-министр ПРОДАЕТСЯ О продуктах является глобальным рано, в результате того, что площадь решений для светодиодных телевизоров меньше, в подделке заряда Шанхай относительно традиционного ЖК-ТЕЛЕВИЗОРА имеет существенный разрыв, во время действия, чем традиционный ЖК-ТЕЛЕВИЗОР масса обновлений, теперь светодиодный телевизор \ «имеет ужасные технологии стойкости предприятия, и представительное направление будущего развития продуктов \», в целом, цена / производительность, кроме того, является справедливым периодом времени. Предприятия, смотрящие вперед, в повседневную посуду В минувшем году, однако, он превратился в ЖК-телевизор со светодиодной подсветкой, решивший импортный период.

Иностранные телевизионные бренды заявили о своих планах в китайском LED TELEVISION.

Цзинь Жунся (Jin Rongxia), президент Samsung Electronics по маркетингу в китайской области, убедительно продемонстрировал, что в 2009 году компания Samsung нацелена на производство потребительской электроники со светодиодными ЖК-телевизорами. Продажи телевизионных продуктов достигли 10%.

Данные Sharp сопоставимы. Накануне дня штата отечественные производители телевизоров, скорее всего, запустят волну продвижения LED-ТЕЛЕВИЗОРА.

Скайворт Чжун Чжифэн, начальный менеджер Гуанчжоу Часть введения, группа, вероятно, будет «11» до и после перехода с 42-дюймового указа на 55-дюймовый полный выбор светодиодных ЖК-продуктов TELLY.

\ «Мы расширяемся в первую очередь до малых и средних размеров.

\» Командующий по маркетингу KONKA сказал, что компания представит в рамках гражданского дня новый светодиодный телевизор, и группа рекламных проектов LED 2 будет завершена в конце, когда Линия продуктов KONKA LED LCD TELEVISION от двадцати шести до 52 дюймов.

В настоящее время ЖК-телевизоры со светодиодной подсветкой в ​​основном имеют большие размеры. Практики рынка считают, что в этот день — регулярный телевизионный сезон, производители домашних цветных телевизоров выбирают светодиодные телевизоры для гражданских коллективных автогонок, и ожидается, что они добьются успехов.

LED LCD TELEVISION — это телевизор, ваше следующее устройство для разработки, которое в конечном итоге станет новым предпочтением традиционных ЖК-телевизоров со светодиодной подсветкой.

Видно по новому телевизору за плату за пользование, под ЖК-экраном, а также за ЖК-телевизором со светодиодной подсветкой TELLY.

В таком же обычном сравнении ТЕЛЕВИЗОРА и 40-дюймового телевизора Samsung, полученного в прошлом году, и чтобы работать 5 часов в день, каждый год светодиодный телевизор Samsung может помочь потребителям сэкономить 40% энергии, 10 время, экономя электроэнергию. цены для потребителей достаточно, чтобы получить ЖК-телевизор. По данным офиса Tiongkok электронной Палаты потребительской электроники поиска информации, показывающей, что покупатель продукта LED TV озабоченность достигла 75%, китайские продавцы в этом году потребителей целых 34% для покупки LED TV.

China electronic Соответствующий слот заместителя администратора по коммерции Генеральный Лу Ренбо считает, что светодиодные телевизоры в конечном итоге станут основной торговой тенденцией, и в дальнейшем тенденция того времени будет не за горами, прогнозируется, что к 2011 году сверх обычных ЖК-ТЕЛЕВИЗОРОВ Часть рынка LED телевизоров, вероятно, будет.

Вы сможете проверить особенности, описание и отзывы покупателя обзор Buy Cartier 39 D 233 claration d 39 un Soir 39 After Shave Emulsion .Давайте сейчас проверим.

Вы можете попробовать поискать сопутствующие товары и, как правило, помочь вам выбрать порядок, нажав кнопку или ссылку ниже.

Смотрите отзывы клиентов и покупайте сейчас!

LYM670-HK техническое описание — Mini Topled

MP7545BLN : Ic-12-битный ЦАП.

PI6CVF857 : Часы и синхронизация. 2,5 В / 2,6 В, 220 МГц, 10 выходов тактовый драйвер SSTL-2 для DDR Dimm.

SPX2954AT3-3.3 : регулятор низкого напряжения на 250 мА.Точность выхода 3,3 В, при 250 мА Выходной ток Очень низкий ток покоя Низкое падение напряжения Чрезвычайно жесткое регулирование нагрузки и линии Очень низкий температурный коэффициент Ограничение тока и температуры Улучшенная замена с высоким IOUT для розеток LP2954 ПРИМЕНЕНИЕ Системы с батарейным питанием Беспроводные телефоны Системы радиоуправления Портативные / карманные / Ноутбуки.

Rh5575UR : Опорные стабилитроны с температурной компенсацией 6,4 В. 1N4565 — DO-7 Опорные стабилитроны с компенсацией температуры 6,4 В Популярные серии опорных диодов с нулевым постоянным током от 1N4565 до 1N4584A-1 предоставляют выбор из 6 опорных диодов.Номинальное напряжение 4 В и температурный коэффициент до 0,0005% / oC для минимального изменения напряжения с температурой. На выбор доступны четыре различных рабочих тока.

SKIIP25AC125V10 : 3-фазный мостовой выпрямитель + тормозной прерыватель + 3-фазный мостовой инвертор. Абсолютные максимальные характеристики Символ Условия IGBT — инвертор, прерыватель MiniSKiiP 2 3-фазный мостовой выпрямитель + тормозной прерыватель + 3-фазный мостовой инвертор Характеристики Символ Условия IGBT — инвертор, прерыватель Рис.4 Безопасная рабочая зона с обратным смещением Рис. 10 Тип. входная мостовая прямая характеристика.

NCP03YS101 : для поверхностного монтажа. ! Примечание Этот каталог в формате PDF загружен с веб-сайта Murata Manufacturing co., Ltd. Поэтому он может быть изменен, или выпуск наших продуктов может быть прекращен без предварительного уведомления. Перед заказом проконсультируйтесь с нашими торговыми представителями или инженерами по продукту. В этом PDF-каталоге есть только типичные символы, потому что здесь нет места для подробностей.

AN6536 : 4-контактный отрицательный регулируемый регулятор напряжения.

VPK07R : ЛИНБИН, КРАСНЫЙ, РАЗМЕР 7, ПК5. Сополимер полипропилена дает превосходные бункеры, включая усиленные боковые стенки, вес и нагрузку, устойчивость к ударам, гладкие изогнутые внутренние поверхности и сцепление с пальцами, кислотами и растворителями. Этикетки для карт прилагаются. Монтаж в стек или панель Примечание. Не подходит для использования с решетчатыми панелями RAACO. * LBU (размер блока Linbin): это число используется для расчета вместимости бункера.

ACC31DRYS-S734 : Кромка карты со сквозным отверстием под золото, соединители Edgeboard, межкомпонентные соединения не указаны — Dual Edge; ПОДКЛЮЧЕНИЕ EDGECARD 62POS DIP .100 SLD. s: Толщина карты: 0,031 дюйма (0,79 мм); Тип карты: Не указано — Двойной край; Поверхность контакта: золото; Тип крепления: Сквозное отверстие;: -; Количество позиций: 62; Количество рядов: 2; Шаг: 0,100 «(2,54 мм); Упаковка:.

1500774 : подвесные (линейные) круглые соединители без полиамида, соединительный штекер, штыревые контакты; РАЗЪЕМ M12 5POS.s: Тип разъема: штекер, штекерные контакты; Размер корпуса — вставка: M12-5; Тип крепления: Свободный подвес (рядный); Тип крепления: резьбовое; : -; Упаковка: навалом; Количество позиций: 5; Окончание: Винт; Материал корпуса, отделка: полиамид; Ориентация :.

1062830011 : Съемный кабельный узел; QSFP MM50 OM2 В СБОРЕ OFNP. s: Без свинца Статус: Без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

RG2012N-104-W-T1 : Чип резистор 100 кОм 0,125 Вт, 1/8 Вт — поверхностный монтаж; RES 100К ОМ 1 / 8Вт.05% 0805 SMD. s: Сопротивление (Ом): 100 кОм; Мощность (Вт): 0,125 Вт, 1/8 Вт; Допуск: 0,05%; Упаковка: Digi-Reel; Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 10ppm / C; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

ERJ-14NF6651U : Чип резистор 6,65 кОм 0,5 Вт, 1/2 Вт — поверхностный монтаж; RES 6.65K OHM 1 / 2W 1% 1210 SMD. s: Сопротивление (Ом): 6,65 кОм; Мощность (Вт): 0,5 Вт, 1/2 Вт; Допуск: 1%; Упаковка: Digi-Reel; Состав: толстая пленка; Температурный коэффициент: 100 ppm / C; Статус без свинца: содержит свинец; Статус RoHS: не соответствует требованиям RoHS.

800A1R2BT250XT : Многослойные керамические конденсаторы MLCC — поверхностного монтажа 250volts 1. 2pF NP0. Керамические МЛК NPO высокой мощности серии ATC 800x предлагают самое низкое ESR в своем классе благодаря сочетанию систем металлических электродов с высокой проводимостью, оптимизированной геометрии корпуса и запатентованных диэлектриков. Разработаны новые прочные диэлектрики с низкими потерями в керамических МЛК NPO серии 800x.

CTIHLP104F-1R2M : 1 ЭЛЕМЕНТ, 1,2 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD.s: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль вывода: ОБРАТНЫЙ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Литой / экранированный: экранированный; Применение: общего назначения, силовой дроссель; Диапазон индуктивности: 1,2 мкГн; Допуск индуктивности: 20 (+/-%); DCR: 0,0030 Ом; Тестирование.

CY28548LFXC : 400 МГц, ГЕНЕРАТОР ЧАСОВ ДЛЯ ПРОЦЕССА, QCC64. s: Тип устройства: Генератор часов; Тип корпуса: поверхностное крепление, QFN, 9 X 9 мм, БЕСПРОВОДНЫЙ, MO-220, QFN-64; Напряжение питания: 3.От 14 до 3,46 вольт; Частота: 14,32 МГц; Рабочая температура: от 0,0 до 85 ° C (от 32 до 185 F).

IDT72T20108L10BBG : 64K X 20 ДРУГОЙ FIFO, 4,5 нс, PBGA208. s: Категория памяти: FIFO; Плотность: 1311 кбит; Количество слов: 64 k; Биты на слово: 20 бит; Тип корпуса: BGA, 17 X 17 мм, шаг 1 мм, пластик, BGA-208; Контакты: 208; Семейство логики: CMOS; Напряжение питания: 2,5 В; Время доступа: 4,5 нс; Время цикла: 10 нс; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F).

920-123P-71P : КОНЕЧНЫЙ КАБЕЛЬ, НАРУЖНЫЙ, РАЗЪЕМ RF, ПАЙКА, ВИЛКА.s: Пол: Мужской; Импеданс: 75 Ом; Частота: 6.000 ГГц; КСВН: 1,12 1; Вносимая потеря: 0,0500 дБ.

.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *