Диоды 242 характеристики: 242, 243, 244, 245, 246, 247, 248, d242, d243, d244, d245, d246, d247, d248 , ,

Содержание

Диод д242б технические характеристики — Вместе мастерим

Д242Б

Диоды Д242Б кремниевые, диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диодов с комплектующими деталями не более 18 г.
Тип корпуса: КДЮ-11-4.
Технические условия: аА0.336.206 ТУ.

Основные технические характеристики диода Д242Б:
• Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max — Максимальный прямой ток: 5 А;
• fд — Рабочая частота диода: 1,1 кГц;
• Unp — Постоянное прямое напряжение: не более 1,5 В при Inp 5 А;
• Ioбp — Постоянный обратный ток: не более 3000 мкА при Uoбp 100 В

Основные технические характеристики диодов Д242, Д242А, Д242Б:

Диод Uпр/Iпр Ioбр t вос обр Uобр max Uобр имп max Iпр max Iпр имп max fд max Т
В/А мА мкс В В А А пФ кГц °C
Д242 1,25/10 3 100 10 1,1 -60. +130
Д242А 1,0/10 3 100 10
1,1 -60. +130
Д242Б 1,5/5 3 100 5 1,1 -60. +130

Условные обозначения электрических параметров диодов:

Uпр/Iпр — Постоянное прямое напряжение (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него;
Iобр— Обратный ток диода при предельном обратном напряжении;
tвoc обр — Время обратного восстановления;

Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение;
Uобр имп max — Максимальное импульсное обратное напряжение;
Inp max — Максимальный прямой ток;
Inp имп max — Максимальный импульсный прямой ток;
Сд — Общая емкость диода;
fд max — Максимальная рабочая частота диода;
Т — температура окружающей среды.

Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.

Описание

Диоды кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. Выпускаются
в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.

Масса диода с комплектующими деталями не более 18 г.

Пои креплении диодов усилие затяжки должно быть не более 1,96 Н·м (0,2 кгс·м). При этом запрещается прилагать к изолированному выводу усилие, превышающее 9,8 Н (1 кгс), так как это может привести к нарушению целостности стеклянного изолятора.

Размеры радиатора (теплоотвода) рассчитываются из условия, что диод является точечным источником теплоты, рассеивающим мощность 2Uпр.срIпр.ср.

При последовательном соединении диодов рекомендуется применять диоды одного типа и шунтировать каждый резистором сопротивлением 10… 15 кОм на каждые 100 В амплитуды обратного напряжения.

Характеристики диода Д242
Параметр Обозначение Маркировка Значение Ед. изм.
Аналог Д242 1N2248
Максимальное постоянное обратное напряжение. Uo6p max, Uo6p и max Д242 100 В
Д242А 100
Д242Б 100
Максимальный постоянный прямой ток. Iпp max, Iпp ср max, I*пp и max Д242 10 А
Д242А 10
Д242Б 5
Максимальная рабочая частота диода fд max Д242 1.1 кГц
Д242А 1.1
Д242Б 1.1
Постоянное прямое напряжение
Uпр не более (при Iпр, мА)
Д242 1.25 (10 А) В
Д242А 1 (10 А)
Д242Б 1.5 (5 А)
Постоянный обратный ток Iобр не более (при Uобр, В) Д242 3000 (100) мкА
Д242А 3000 (100)
Д242Б 3000 (100)
Время обратного восстановления — время переключения диода с за данного прямого тока на задан ное обратное напряжение от мо мента прохождения тока через нулевое значение до момента до стижения обратным током задан ного значения tвос, обр Д242 мкс
Д242А
Д242Б
Общая емкость Сд (при Uобр, В) Д242 пФ
Д242А
Д242Б

Описание значений со звездочками(*) смотрите в буквенных обозначениях параметров диодов.

Зависимость допустимого прямого тока от температуры

Зависимость среднего прямого тока от частоты

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Диоды Д242, Д242А, Д242Б, Д243, Д243А, Д245, Д245А, Д246, Д247, Д248 — диффузионные, кремниевые. Основное назначение — преобразование переменного напряжения. Граничная частота — 1 кГц. Корпус диодов — металлостеклянный. Имеются жёсткие выводы. На корпусе диодов нанесена их цоколёвка и тип.

Вместе с комплектующими деталями диоды весят около 18 г.

Диод Д242

Справочник количества содержания ценных металлов в диоде Д242 согласно паспорта на изделие и информационной литературы. Указано точное значение драгоценных металлов в граммах (Золото, серебро, платина, палладий и другие) на единицу изделия.

Содержание драгоценных металлов в диоде Д242

Золото: 0,00151 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.

Источник информации: Из справочника Связь-Инвест.

Фото диода Д242:

Панель ламповая виды

Диод — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля. Электрод диода, подключаемый к положительному полюсу источника тока, когда диод открыт (то есть имеет маленькое сопротивление), называют анодом, подключаемый к отрицательному полюсу — катодом.

О комплектующем изделии – Диод

Диод – видео.

Диод это полупроводниковый прибор основанный на PN-переходе. А если без теории, то диод в одном направлении пропускает ток, а в другом нет. Вот и все.

Как работает диод – видео.

В этом выпуске вы узнаете: что такое диод, принцип действия диода, как работает диод, что такое p – n переход; что такое прямой ток диода, что такое обратный ток диода; каково внутреннее сопротивление диода; что такое вольт- амперная характеристика диода; что такое пропускное и не пропускное напряжение диода; как работает диод в цепи постоянного тока, как работает диод в цепи переменного тока; как устроен плоскостной диод; какие существуют виды диодов; как устроен выпрямительный диод.

Характеристики диодов Д242:

Купить или продать а также цены на Диод Д242:

Оставьте отзыв о Д242:

Электроника

Автор: Administrator   
08.02.2018 13:49

Тип прибора

Uобр., макс., В

Iпрямой., макс., А

Iобр., макс., мкА

Д242

100

10

3

Д242А

100

10

3

Д242Б

100

5

3

Д243

200

10

3

Д243А

200

10

3

Д243Б

200

5

3

Д244

50

10

3

Д244А

50

10

3

Д244Б

50

5

3

Д245

300

10

3

Д245А

300

10

3

Д245Б

300

5

3

Д246

400

10

3

Д246А

400

10

3

Д246Б

400

5

3

Д247

500

10

3

Д247Б

500

5

3

Д248

600

5

3

 
Автор: Administrator   
08.02.2018 13:50

Диоды предназначены для   использования в бортовой сети автомобиля, автомобильной электронике и генераторах в качестве выпрямительно-ограничительных.  Выполнены в пластмассовом  корпусе типа КТ-28-1 (ТО-220АС). Рассчитаны на работу при температурах от -60 до +125°С.

Внешний вид диодов серии КД2972

.

Электрическая схема диода

.

Предельно допустимые эксплуатационные параметры

Параметр

Диод

А2

Б2

В2

Средний прямой ток, А 35 35 35
Неповторяющийся импульсный прямой ток, А 180 180 180
Обратный ток (режим ограничения), А 45 45 45
Повоторяющееся импульсное обратное напряжение, В 20 36 15

Номинальные электрические параметры

Параметр

Мин

Макс

Постоянный обратный ток, мА
КД2972А2 при Uобр.=20В 0.2
КД2972Б2 при Uобр.=36В 0.4
КД2972В2 при Uобр.=14В 0.2
Напряжение импульсноепрямое при Iпр.и=35А, В
КД2972А2 1.15
КД2972Б2 1.2
КД2972В2 1.1
Напряжение пробивное при Iобр.=10мА, В
КД2972А2 22 32
КД2972Б2 40 50
КД2972В2 18 23
Импульсное напряжение граничения пробивное при Iогр.=45А, В
КД2972А2 43
КД2972Б2 73
КД2972В2 33
 
Автор: Administrator   
08.02.2018 13:51

 
Автор: Administrator   
09.02.2018 12:33

Корпус диода изготовлен из негорючей пластмассы, рабочее положение любое.
Цветной полосой обозначен вывод катода.

Размеры указаны в дюймах (миллиметрах)

Маркировка диода:
AL– производитель
1N
400х – 1N400х, где х – 1,2,3,4,5,6,7
YYWW – YY – год выпуска, WW – неделя выпуска

Основные электрические характеристики

 

1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007
максимально допустимое обратное напряжение, В 50 100 200 400 600 800 1000
максимальное RMS напряжение, В 35 70 140 280 420 560 700
максимальное запирающее напряжение, В 50 100 200 400 600 800 1000
максимальный долговременный прямой ток, А при 75°С

1.0

максимальный импульсный ток, А при длительности импульса 3.8 мс

30

падение напряжения на диоде при токе 1.0А, В

1.1

интервал рабочих температур, °С

-65…+175

максимальная рабочая частота, мГц

1

 

 
Страница 91 из 362

Диоды

  • Технические параметрыМаксимальное постоянное обратное напряжение, В..

    Цена по запросу

  • Основные технические параметры 2В102Б:Варикапы 2В102Б кремниевые, диффузионно-сплавные, подстроечные. Предназначены для применения в схемах подстройки контуров резонансных усилителей. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип варикапа приводится на упаковке. Положительный вывод мар..

    Цена по запросу

  • Технические параметрыМинимальная общая емкость варикапа,пФ..

    Цена по запросу

  • Технические параметры Минимальная общая емкость варикапа,пФ 18 Максимальная общая емкость варикапа,пФ 26 при Uобр,В 4 Добротность варикапа 300 Минимальный коэффициент перекрытия по емкости 2.5 Максимальный коэффициент перекрытия по емкости 3 Максимальное постоянное обратное напряжение,В 45 ..

    Цена по запросу

  • Основные технические параметры 2Д204А: Диоды 2Д204А кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода..

    Цена по запросу

  • Основные технические параметры 2Ц202Г:2Ц202ГСтолбы из кремниевых, лавинных, диффузионных диодов, импульсные. Предназначены для преобразования переменного импульсного напряжения частотой до 1 кГц. Выпускаются в пластмассовых корпусах. Тип столба и схема соединения электродов с выводами приводятся на ..

    Цена по запросу

  • Столбы из кремниевых, лавинных, диффузионных диодов, импульсные. Предназначены для преобразования переменного импульсного напряжения частотой до 1 кГц. Выпускаются в пластмассовых корпусах. Тип столба и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.Масса столбов:    2Ц202А, 2Ц202Б не ..

    Цена по запросу

  • Основные технические параметры 2Ц202Е:2Ц202ЕСтолбы из кремниевых, лавинных, диффузионных диодов, импульсные. Предназначены для преобразования переменного импульсного напряжения частотой до 1 кГц. Выпускаются в пластмассовых корпусах. Тип столба и схема соединения электродов с выводами приводятся на ..

    Цена по запросу

  • Диод кремниевый, диффузионный. Предназначен для работы в цепях статических преобразователей электроэнергии постоянного и переменного токов на частотах до 2 кГц. Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибким выводом. Диод имеет 15 классов по напряжению (от 1,5 до 14). Охлаждение воздушное естестве..

    Цена по запросу

  • Столбы из кремниевых, сплавных диодов, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами. Тип столба и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.Масса столбов: Д1004, Д1005А не более ..

    Цена по запросу

  • Основные технические параметры Д1005Б:Д1005БСтолбы из кремниевых, сплавных диодов, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами. Тип столба и схема соединения электродов с выводами приводятся на ко..

    Цена по запросу

  • Столбы из кремниевых, сплавных диодов, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами. Тип столба и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.Масса столбов Д1007 не более 60 г.Осно..

    Цена по запросу

  • Основные технические параметры Д1007:Д1007Столбы из кремниевых, сплавных диодов, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами. Тип столба и схема соединения электродов с выводами приводятся на корп..

    Цена по запросу

  • Основные технические параметры Д1008:Д1008Столбы из кремниевых, сплавных диодов, выпрямительные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1 кГц. Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами. Тип столба и схема соединения электродов с выводами приводятся на корп..

    Цена по запросу

  • Диоды Д226Г кремниевые, сплавные.  Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.  Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.  Масса диода не более 2 г. Основные технические характеристики диода Д226Г: Uoбp max — Максимальное ..

    Цена по запросу

  • Диоды Д231А кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 1,1 кГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.Масса диодов с комплектующими деталями не более 18 ..

    Цена по запросу

  • Тип диода выпрямительный Максимальное постоянное обратное напряжение,В 400 Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А 0.3 Максимальное время восстановления ,мкс — Максимальное импульсное обратное напряжен..

    Цена по запросу

  • Диоды Д237В кремниевые, диффузионные. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Масса диода не более 2 г.Основные технические характеристики диода Д237В:Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение:..

    Цена по запросу

  • ОписаниеТип диода выпрямительный Максимальное постоянное обратное напряжение,В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 10 Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А ..

    Цена по запросу

  •   Описание  Тип диода выпрямительный Максимальное постоянное обратное напряжение,В 100 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А 10 Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А..

    Цена по запросу

  • Технические параметрыМаксимальное постоянное обратное напряжение, В..

    Цена по запросу

  • Кремниевый выпрямительный диод — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1

    Кремниевый выпрямительный диод

    Cтраница 1

    Современные кремниевые выпрямительные диоды выпускаются на предельные токи до 30 А, обратные напряжения до 2000 В при частотах до 100 кГц, время обратного восстановления — десятые и сотые доли мкс.  [1]

    Промышленность выпускает кремниевые выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности, рассчитанные на допустимый прямой ток до нескольких сотен ампер.  [3]

    Новая серия кремниевых выпрямительных диодов типа КД202, рассчитанная на выпрямленный ток до 5 а и рабочее напряжение до 600 в, заполняет существовавший разрыв по мощности кремниевых выпрямительных диодов.  [4]

    Например, Д226Е обозначает кремниевый выпрямительный диод, разновидность Е, а Д1010А — кремниевый выпрямительный столб.  [5]

    Вместо стабистора можно использовать кремниевые выпрямительные диоды в прямом включении, если требуется стабильное напряжение 0 7 — 1 0 В. Иногда несколько диодов соединяют последовательно и получают стабилизированное напряжение больше I В.  [6]

    Помимо метода вплавления для производства кремниевых, выпрямительных диодов применяется также метод диффузии. Между пластинами кремния с разными типами электропроводности помещают алюминиевую фольгу и нагревают.  [7]

    Отечественной промышленностью выпускается широкая номенклатура германиевых и кремниевых выпрямительных диодов на токи до 500 А и обратные напряжения до 1000 В.  [8]

    В области каких температур могут работать германиевые и кремниевые выпрямительные диоды.  [9]

    В статье описываются технологические и конструктивные особенности новой серии диффузионных кремниевых выпрямительных диодов средней мощности КД202В — КД202С на прямой ток до 5 а ср и обратное напряжение до 600 в ампл. Подробно рассмотрена производственная система определения параметров приборов: оценка предельно допустимой температуры р-п перехода, определение максимально допустимого обратного напряжения и среднего значения прямого тока, режим технологической тренировки диодов.  [10]

    Характеристики тиристора имеют такую же полярность, как и у обычного кремниевого выпрямительного диода при подаче напряжения между анодом и катодом. Однако характеристики тиристора по сравнению с диодами имеют большое преимущество, так как позволяют путем подачи небольших напряжений и при очень малой мощности управлять током значительной величины.  [11]

    Ветвь вольтамлерной характеристики стабилитрона в проводящем направлении практически ничем не отличается от характеристики обычного кремниевого выпрямительного диода.  [13]

    Новая серия кремниевых выпрямительных диодов типа КД202, рассчитанная на выпрямленный ток до 5 а и рабочее напряжение до 600 в, заполняет существовавший разрыв по мощности кремниевых выпрямительных диодов.  [14]

    Диоды VD1 — VD4 — Д242, Д242Б, Д245, КД202А — КД202К или аналогичные мощные; VD6, VD7 — КД105Б, КД105Г, КД103А, КД103Б, а также другие кремниевые выпрямительные диоды.  [15]

    Страницы:      1    2

    1N914 Распиновка диода, техническое описание, аналог и характеристики

    1N914 — Быстрый переключающий диод слабых сигналов

    1N914 Диод

    1N914 Диод

    1N914 Распиновка

    нажмите на картинку для увеличения

    1N914 — это небольшой сигнальный диод, который может работать с низким напряжением и низким током.Диод может переключаться с высокой скоростью и, следовательно, обычно используется в коммутационных приложениях, а не в выпрямителях.

    Конфигурация контактов

    № контакта

    Имя контакта

    Описание

    1

    Анод

    Ток всегда проходит через анод

    2

    Катод

    Ток всегда выходит через катод

    Характеристики
    • Диод быстрой коммутации
    • Пиковое повторяющееся Обратное напряжение 100 В
    • RMS обратное напряжение 75В
    • Пиковый прямой импульсный ток 4А
    • Постоянный ток в прямом направлении Если 300 мА
    • Время обратного восстановления 8 нс
    • Доступен в пакете DO-35

    Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных 1N914 в конце этой страницы.

    1N914 Эквивалентный диод

    1N4148

    Альтернативные диоды

    1N4007, 1N4733A, 1N5408, 1N5822

    Обзор

    Диод — это устройство, пропускающее ток только в одном направлении. То есть ток всегда должен течь от анода к катоду. Катодный вывод можно определить по серой полосе, как показано на рисунке выше.

    Для диода IN914 максимальная допустимая токовая нагрузка составляет 300 мА, он может выдерживать пики до 4 А. Особенностью этого диода является его быстрое время восстановления 8 нс при прямом токе 10 мА, поэтому этот диод используется там, где требуется быстрое переключение. Диод очень похож на диод 1N4148, за исключением того, что этот диод может выдерживать высокие обратные токи.

    Применение диода
    • Может использоваться для предотвращения проблем с обратной полярностью
    • Полуволновые и полноволновые выпрямители
    • Используется как устройство защиты
    • Регуляторы тока

    2D-представление (DO-41)

    PN Соединительный диод ENGI 242 ELEC 222.Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 2222 PN Анализ модели диодного диода с переходным соединением — идеальное — приближение — точная спецификация диода.

    Презентация на тему: «PN Junction Diode ENGI 242 ELEC 222. Январь 2004 ENGI 242 / ELEC 2222 PN Junction Diode Diode Model Analysis — Ideal — Approximation — Exact Diode Specification.» — Стенограмма презентации:

    1 PN переходной диод ENGI 242 ELEC 222

    2 Январь 2004 ENGI 242 / ELEC 2222 PN Анализ модели диода с переходным диодом –Идеально –Приближение –Точные спецификации диода Сопротивление диода –Статическое сопротивление R D –Динамическое сопротивление r d –Среднее сопротивление r dav Моделирование характеристических кривых диода

    3 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 2223 Идеальный диод: (а) символ; (б) характеристики.

    4 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 2224 Состояние проводимости идеального диода на основе приложенного смещения.

    5 Январь 2004 г. Типичные диодные кривые ENGI 242 / ELEC 2225

    6 Январь 2004 г. Кривая прямого смещения ENGI 242 / ELEC 2226 является экспоненциальной

    7 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 2227 Отклик диода в зависимости от температуры

    8 Январь 2004 г. Характеристики полупроводникового диода ENGI 242 / ELEC 2228

    9 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 2229 Определение сопротивления постоянному току

    10 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22210 r d — Динамическое сопротивление (переменный ток)

    11 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22211 Определение r d — сопротивление переменному току в точке Q

    12 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22212 Определение r d — сопротивления переменному току

    13 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22213 r dav — Средняя линия сопротивления переменному току через 2 точки + V P и -V P

    14 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22214 Схема для отображения ВАХ

    15 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22215 Редактор модели PSpice — Параметры D1N914

    16 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22216 Настройки моделирования развертки постоянного тока

    17 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22217 PS График прямого смещения при 25 ° C

    18 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22218 Настройки моделирования развертки по постоянному току Примечание Сначала выберите «Редактировать модель Pspice» и измените IBV на 10.

    19 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22219 PS Характеристики графиков, сгенерированных для специй при 25 ° C Этот выходной сигнал датчика показывает как прямую, так и обратную разбивку

    20 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22220 Вывод списка соединений PSpice, часть 1

    21 год Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22221 Вывод списка цепей PSpice, часть 2

    22 Анализ диодной цепи ENGI 242 ELEC 222

    23 Январь 2004 ENGI 242 / ELEC 22223 Анализ диодных цепей — Графический анализ с использованием линий нагрузки — Аналитический анализ с использованием светодиодов KVL и KCL Стабилитроны Сопротивление диодов — Статическое сопротивление R D — Динамическое сопротивление r d — Среднее сопротивление r dav Моделирование характеристических кривых диодов

    24 Январь 2004 г. Конфигурация диодов серии ENGI 242 / ELEC 22224

    25 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22225 Построение линии нагрузки для определения точки Q.

    26 год Январь 2004 г. Схема и характеристики диода ENGI 242 / ELEC 22226.

    27 Январь 2004 г. Пример грузовой марки ENGI 242 / ELEC 22227

    28 год Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22228 Определение неизвестных сетевых величин

    29 Январь 2004 г. Пример сети ENGI 242 / ELEC 22229

    30 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22230 Определение неизвестных сетевых величин

    31 год Январь 2004 г. Пример сети ENGI 242 / ELEC 22231

    32 Январь 2004 г., эквиваленты стабилитронов ENGI 242 / ELEC 22232

    33 Январь 2004 г., базовый стабилитрон ENGI 242 / ELEC 22233

    34 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22234 Определение состояния стабилитрона

    35 год Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22235 Работа схемы, эквивалентной стабилитрону

    36 Январь 2004 г. Стабилитрон ENGI 242 / ELEC 22236

    37 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22237 Определение V для регулятора

    38 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22238 Q-Point для сети

    39 Январь 2004 г.ENGI 242 / ELEC 22239 Сеть в проводящем состоянии


    LN242RPH (Продукция, снятая с производства) — Светодиоды для ламп — Светоизлучающие диоды

    Продукты, описанные на этом веб-сайте, были разработаны и изготовлены для стандартных приложений, таких как общие электронные устройства, офисное оборудование, оборудование для передачи данных и связи, измерительные приборы, бытовая техника и аудио- видеооборудование.

    Для специальных применений, в которых требуется качество и надежность, или если отказ или неисправность продуктов могут напрямую угрожать жизни или вызвать угрозу травм (например, для самолетов и аэрокосмического оборудования, дорожного и транспортного оборудования, оборудования для сжигания, медицинского оборудования , устройства для предотвращения несчастных случаев и защиты от кражи, а также защитное оборудование), пожалуйста, используйте только после того, как ваша компания в достаточной степени проверит пригодность наших продуктов для этого применения.

    Независимо от области применения, при использовании наших продуктов в оборудовании, для которого ожидается высокий уровень безопасности и надежности, убедитесь, что схемы защиты, схемы резервирования и другие устройства установлены для обеспечения безопасности оборудования при оценке области применения путем независимой проверки безопасности. тесты.

    Обратите внимание, что продукты и технические характеристики, размещенные на этом веб-сайте, могут быть изменены без предварительного уведомления в целях улучшения. Независимо от области применения, пожалуйста, подтвердите последнюю информацию и спецификации до окончательного этапа проектирования, покупки или использования.

    Техническая информация на этом веб-сайте содержит примеры типичных операций и схем применения продуктов. Он не предназначен для гарантии ненарушения или предоставления лицензии на права интеллектуальной собственности этой компании или любой третьей стороны.

    Если какие-либо продукты, спецификации продуктов и техническая информация на этом веб-сайте подлежат экспорту или предоставлению нерезидентам, необходимо соблюдать законы и постановления страны-экспортера, особенно те, которые касаются безопасного экспортного контроля.

    Информация, содержащаяся на этом веб-сайте, не может быть перепечатана или воспроизведена полностью или частично без предварительного письменного разрешения Panasonic Corporation.

    Инструменты и программы, представленные на этом веб-сайте, будут использоваться по вашему усмотрению.Panasonic не гарантирует каких-либо результатов от использования этих инструментов и программ и не несет ответственности за любые убытки, возникшие в результате использования вами.

    <о письме для получения сертификата соответствия директиве ЕС RoHS>
    Дата перехода на продукт, соответствующий требованиям RoHS, зависит от номера детали или серии.
    При использовании инвентаря, в котором неясно соответствие требованиям RoHS, выберите «Запрос на продажу».
    в форме веб-запроса.

    Извещение о передаче полупроводникового бизнеса


    Полупроводниковый бизнес Panasonic Corporation (далее именуемой «Компания») будет передан 1 сентября 2020 года Nuvoton Technology Corporation (далее именуемой «Nuvoton»). Соответственно, Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd., которая управляла полупроводниковым бизнесом Panasonic, перейдет под эгидой Nuvoton Group с новым названием Nuvoton Technology Corporation Japan (далее именуемой «NTCJ»).
    В соответствии с этой передачей, полупроводниковая продукция, размещенная на этом веб-сайте, после 1 сентября 2020 года будет считаться продукцией, произведенной NTCJ. Однако такая продукция будет постоянно продаваться через Компанию.
    Обратите внимание, что при запросе о полупроводниковой продукции, размещенной на этом веб-сайте, клиенты должны перейти на веб-сайт, управляемый NTCJ (далее «веб-сайт NTCJ»), и подтвердить, что NTCJ является компанией, ответственной за управление личной информацией, предоставляемой клиентами на ее веб-сайте.Мы ценим ваше понимание по этому поводу.

    Ex Parte Cooke, 13454155 | Casetext

    Ведомство США по патентам и товарным знакам ДЕПАРТАМЕНТ ТОРГОВЛИ США Ведомство США по патентам и товарным знакам Адрес: КОМИССАР ПО ПАТЕНТАМ Почтовый ящик 1450 Александрия, Вирджиния 22313-1450 www.uspto.gov ПРИМЕНЕНИЕ № ДАТА ПОДАЧИ ПЕРВОГО НАЗВАНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ АДВОКАТ № ПОДТВЕРЖДЕНИЕ № 13 / 454,155 24.04.2012 Лоуренс Х. Кук 688970-1US 1072 570 7590 13.04.2017 PANITCH SCHWARZE BELISARIO & NADEL LLP ОДНА ТОРГОВАЯ ПЛОЩАДЬ 2005 РЫНОЧНАЯ УЛИЦА, ЛЮКС 2200 ФИЛАДЕЛЬФИЯ, ПА 19103 ЭКЗАМЕН ТРИВИЗОННО, АНДЖЕЛО АРТ. НОМЕР БУМАГИ 1759 ДАТА УВЕДОМЛЕНИЯ РЕЖИМ ДОСТАВКИ 13.04.2017 ЭЛЕКТРОННЫЙ Пожалуйста, найдите ниже и / или прикрепите сообщение Офиса, касающееся этого заявления или процедуры.Срок для ответа, если таковой имеется, устанавливается в прикрепленном сообщении. Уведомление о сообщении Управления было отправлено в электронном виде в указанную выше «Дату уведомления» в адрес следующий адрес (а) электронной почты: u sptomail @ panitchlaw. ком ПТОЛ-90А (Ред. 04/07) ВЕДОМСТВО ПО ПАТЕНТАМ И ТОВАРНЫМ ЗНАКАМ США ДО ПАТЕНТНОГО ИССЛЕДОВАНИЯ И АПЕЛЛЯЦИОННОЙ КОМИССИИ Ex parte ЛОРЕНС Х. КУК Обращение 2016-001223 Приложение 13 / 454,1551 Технологический центр 1700 Перед ДЖОРДЖОМ БЕСТОМ, ДОННОЙ М. ХВАЛЕЙ и ЭЛИЗАБЕТ М. РОЗЕЛ, административные судьи по патентам.ЛУЧШИЙ, административный патентный судья. РЕШЕНИЕ ОБ АПЕЛЛЯЦИИ Эксперт окончательно отклонил пункты 1–3, 5, 6, 8–10 и 24–29 Заявление 13/454155 согласно 35 USC. § 103 (a) очевиден. Заключительный акт. (17 марта 2015 г.). Заявитель добивается отмены этих отказов в соответствии с 35 U.S.C. § 134 (а). У нас юрисдикция ниже 35 USC. § 6. По причинам, изложенным ниже, мы УТВЕРЖДАЕМ. ФОН Как поясняется в Спецификации приложения ’155, выпрямители для преобразование высокочастотных сигналов переменного тока в постоянный ток было известно 1 NovaSolix, Inc.идентифицируется как реальная заинтересованная сторона. Апелляция Br. 3. Обращение 2016-001223 Приложение 13 / 454,155 более 20 лет. Спец. 12. В частности, сочетание особый тип диодного выпрямителя, соединенного с антенной, называемый Rectenna — также был известен на протяжении десятилетий. Идентификатор. Ректенны, которые могут конвертировать эффективность микроволн в электричество может достигать 40%. Идентификатор. 14. Пока Однако в последнее время размеры Rectenna ограничивают частоты которые можно преобразовать в электрическую энергию.Идентификатор. Приложение ’155 описывает массивы Rectennas, сконфигурированных для преобразования солнечного света в электрические. энергия и способы изготовления таких массивов. Спец. 11. Претензия 1 — единственная независимая апелляционная жалоба — воспроизводится ниже. из Приложения о претензиях к апелляционной записке: 1. Солнечная антенная решетка, сконфигурированная для преобразования солнечного света в электрическая мощность массива, содержащего: чередование практически параллельных линий питания и заземления ориентирован в первом направлении; ряды практически параллельных антенн, ориентированных по второе направление, перпендикулярное первому направлению, при этом концы антенн совмещены с линиями питания и заземления; и два типа диодов металл-оксид-металл (MOM), в которых соответствующие первого типа из двух типов диодов MOM сконфигурированы для соединения соответствующих концов соответствующих антенны к линиям электропередачи и соответствующие антенны второго Тип двух типов диодов MOM настроен для подключения соответствующие концы соответствующих антенн на землю линии при этом диоды MOM копланарны антеннам, линии электропередач и заземления в плоскости, образованной первое направление и второе направление.Апелляция Br. 9. 2 Обращение 2016-001223 Приложение 13 / 454,155 ОТКАЗЫ При рассмотрении апелляции экзаменатор сохраняет следующие отклонения: 1. Претензии 1–3, 9, 10, 24, 25, 27 и 29 отклонены согласно 35 USC. § 103 (a) считается непатентоспособным по сравнению с комбинацией Ito2 и Kotter. Заключительный акт. 3. 2. Претензии 5, 6, 8, 26 и 28 отклонены согласно 35 USC. § 103 (а) как непатентованным по сравнению с комбинацией Ито, Коттера и Новака. Заключительный акт. 8–9. ОБСУЖДЕНИЕ Отказ 1. Заявитель представляет только существенные аргументы в пользу отмена этого отказа в отношении п.1.См. Апелляцию Br. 5–7. Зависимые пункты 2, 3, 9, 10, 24, 25, 27 и 29, которые в конечном итоге зависят от из пункта 1 формулы изобретения — заявлены как патентоспособные на основании их зависимости из патентоспособного независимого пункта формулы изобретения. Идентификатор. на 7. Соответственно выбираем претензию 1 в качестве представителя претензий, подпадающих под данное основание для отклонения. 37 C.F.R. §41.37 (c) (l) (iv). Заявитель утверждает, что отклонение п.1 следует отменить. потому что Эксперт не установил достаточных доказательств очевидности. Апелляция Br. 5. В частности, истец утверждает, что сочетание ссылки, представленные экспертом, не описывают и не предполагают использование «Два типа диодов металл-оксид-металл (MOM)» по п.1.Идентификатор. в 5-7. 2 US 2010/0244656 Al, опубликовано 30 сентября 2010 г. 3 US 2013/0249771 Al, опубликовано 26 сентября 2013 г. 4 US 2011/0277805 A1, опубликовано 17 ноября 2011 г. 3 Обращение 2016-001223 Приложение 13 / 454,155 Отклоняя претензию 1, эксперт пришел к выводу, что претензия 1 требование, чтобы заявленная солнечная антенная решетка включала «два типа» Следует понимать, что диоды требуют наличия двух наборов диодов для каждого. из которых имеют общие черты или характеристики, которые отличают членов набора как группа или класс.См. Ответ 4. На основании этого утверждения интерпретации, Исследователь обнаружил, что Ито описывает антенную решетку, имеющую два типа диодов. В частности, Examiner «утверждает, что все первые диоды 242 — это диоды первого соединительного электрода первого типа, а все вторые диоды 244 — это второй тип диодов второго соединительного электрода ». Идентификатор. Заявитель утверждает, что Эксперт ошибся, обнаружив, что диоды Ито 242 и 244 представляют собой диоды двух разных типов. Апелляция Br. 5–7. Апеллянт подчеркивает, что Ито описывает эти диоды как идентичные конструкции.Идентификатор. в 5 (цитируется Ито 172). По сути, аргумент истца основан на предположении, что конструкция претензии эксперта ошибочна. Хотя не прямо заявлено, что истец толкует требование пункта 1 о том, что солнечная антенна матрица имеет «два типа» диодов, поскольку требует, чтобы диоды имели два разные конструкции. См. Id. в 5–6. Заявитель, однако, не предоставляет любое основание для толкования претензии, которое подразумевается в каждом из Доводы в пользу отмены отклонения п.1.Изучив спецификацию приложения ’155, мы делаем вывод что Исследователь допустил ошибку, истолковав термин «два типа» диодов. слишком широко. В частности, мы заключаем, что экзаменатор ошибся, потому что Пункт 1 сам определяет характеристики каждого класса рассматриваемых диодов. Как изложено в п.1 формулы изобретения, диод первого типа «сконфигурирован для подключения соответствующие концы соответствующих антенн к линиям электропередачи », а второй тип диода «сконфигурирован для подключения соответствующих концов 4 Обращение 2016-001223 Приложение 13 / 454,155 соответствующие антенны к линиям заземления.”В качестве поддержки часть п.1, в которой говорится «два типа диодов металл-оксид-металл (MOM)», Апеллянт направляет нас к Спецификации в параграфах 40, 41, 48 и 50 и Рис. 7 и 8. Апелляция Br. 4. Эти части Спецификации не поддерживают неявную конструкцию Апеллянта о том, что «два типа» диодов должны имеют две разные структуры. Напротив, на рисунке 7 изображен диод MOM. 71 между антенной 53 и линией 65 заземления как имеющую структуру, аналогичную MOM-диод 72 между антенной 53 и линией питания 63.Однако мы считаем, что ошибка экзаменатора безвредна. потому что, отклоняя претензию 1, эксперт прямо установил, что Ито описывает два типа диодов, при этом первый тип диода сконфигурирован для подключения конца антенны к линии электропередачи и второго типа Диод предназначен для подключения конца антенны к линии заземления. Ответ 4. Соответственно, мы подтверждаем отклонение Экспертом пунктов 1–3, 9, 10, 24, 25, 27 и 29 как непатентоспособные по сравнению с комбинацией Ито и Коттер.Отказ 2. Заявитель утверждает, что Новак не устраняет предполагаемые недостатки комбинации Ито и Коттера. Апелляция Br. 7. Как обсуждалось выше, мы подтверждаем, что Эксперт отклонил претензию 1. Таким образом, мы также подтверждают отклонение экспертом пунктов 5, 6, 8, 26 и 28 как непатентованным по сравнению с комбинацией Ито, Коттера и Новака. ВЫВОД По причинам, изложенным выше, мы подтверждаем решение экзаменатора отклонить пункты 1–3, 5, 6, 8–10 и 24–29 заявки ’155. 5 Обращение 2016-001223 Приложение 13 / 454,155 Нет срока для принятия каких-либо последующих действий в связи с эта апелляция может быть продлена согласно 37 C.F.R. § 1.136 (а). ПОДТВЕРЖДЕНО 6

    Анализ диодных цепей ENGI 242 ELEC 222. 1 февраля 2005 г. ENGI 242 / ELEC 2222 Анализ диодных цепей — графический анализ с использованием линий нагрузки — аналитический анализ.

    Если вы не умеете читать, загрузите документ

    • дата пост

      05 января 2016
    • Категория

    • просмотр

      215
    • скачать

      1

    Размер встраивания (пикс.)

    344 x 292429 x 357514 x 422599 x 487

    Расшифровка анализа диодной цепи ENGI 242 ELEC 222.1 февраля 2005 г.ENGI 242 / ELEC 2222 Анализ диодных цепей …

    • Анализ диодных цепей ENGI 242ELEC 222

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Анализ диодных цепейАнализ диодных цепейГрафический анализ с использованием линий нагрузкиЭлектрический анализ сопротивления Сопротивление rdСреднее сопротивление rdavМоделирование характеристик диода

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Конфигурация диодов серии

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Построение линии нагрузки для определения точки Q.

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Схема и характеристики диода.

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Пример линии нагрузки

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Определение неизвестных сетевых величин

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Пример сети ENGI

      ELEC

    • Определение неизвестных сетевых величин

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Пример сети

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Выходные данные примера сети

      ENGI 242 / ELEC 222

    • ENGI 242 / ELEC 222

    • Полуволновой выпрямитель

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Полноволновой выпрямитель

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Полноволновой выпрямитель ENGI

      ELEC

    • Полноволновой мостовой выпрямитель

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Полноволновой мостовой выпрямитель

      9000 2 ENGI 242 / ELEC 222

    • Эквиваленты стабилитрона

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Базовый стабилитрон

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Определение состояния стабилитрона

      000 ELEC

      222

    • Работа эквивалентной схемы стабилитрона

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Стабилитрон

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Определение напряжения V для регулятора

      ENGI 242

      ENGI 242

      Q-Point для сети

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Сеть в проводящем состоянии

      ENGI 242 / ELEC 222

    • Выход сети стабилитрона

      ENGI 242 / ELEC 222

      ENGI 242 / ELEC 222 Анализ диодных цепей ENGI 242 / ELEC 222 Анализ диодных цепей ENGI 242 / ELEC 222 Анализ диодных цепей

    % PDF-1.4 % 358 0 объект > эндобдж xref 358 81 0000000016 00000 н. 0000002681 00000 п. 0000002786 00000 н. 0000003222 00000 н. 0000003369 00000 н. 0000003509 00000 н. 0000003662 00000 н. 0000003803 00000 н. 0000003955 00000 н. 0000004097 00000 н. 0000004249 00000 п. 0000004391 00000 п. 0000004543 00000 н. 0000004685 00000 н. 0000004837 00000 н. 0000004979 00000 п. 0000005131 00000 п. 0000005272 00000 н. 0000005424 00000 н. 0000005566 00000 н. 0000005719 00000 н. 0000005861 00000 н. 0000006014 00000 н. 0000006156 00000 н. 0000006309 00000 н. 0000006450 00000 н. 0000006601 00000 п. 0000006742 00000 н. 0000006892 00000 н. 0000007033 00000 н. 0000007183 00000 н. 0000007324 00000 н. 0000007474 00000 н. 0000007615 00000 н. 0000007765 00000 н. 0000007906 00000 н. 0000008056 00000 н. 0000008093 00000 п. 0000008130 00000 н. 0000008260 00000 н. 0000008395 00000 н. 0000008906 00000 н. 0000009415 00000 н. 0000009924 00000 н. 0000010429 00000 п. 0000011032 00000 п. 0000011469 00000 п. 0000011968 00000 п. 0000012257 00000 п. 0000076724 00000 п. 0000076753 00000 п. 0000079420 00000 п. 0000079490 00000 п. 0000100167 00000 н. 0000100419 00000 н. 0000100758 00000 н. 0000100785 00000 н. 0000101317 00000 н. 0000101387 00000 н. 0000128505 00000 н. 0000128751 00000 н. 0000129153 00000 н. 0000129180 00000 н. 0000129709 00000 н. 0000310318 00000 п. 0000310556 00000 н. 0000310635 00000 н. 0000310713 00000 н. 0000310796 00000 п. 0000310882 00000 н. 0000310964 00000 н. 0000311006 00000 н. 0000311073 00000 н. 0000311146 00000 н. 0000311215 00000 н. 0000311299 00000 н. 0000311381 00000 п. 0000311465 00000 н. 0000311549 00000 н. 0000311633 00000 н. 0000001916 00000 н. трейлер ] / Назад 805423 >> startxref 0 %% EOF 438 0 объект > поток h | SLaǿgw $ + 2] `R» y ֶ Z [[۾ 8 ElRJFA? eb \ pa ٵ T3 | = 9

    Радиационное повреждение в 4H-SiC и его влияние на характеристики силового устройства

    [1] Информация на http: / www.кри. com.

    [2] SJEP170R550 Лист данных, ред. 1. 4, SemiSouth, февраль.(2011).

    [3] Дж. П. Дойл, М. Линнарссон, П. Пеллегрино, Н.Кескитало, Б. Свенссон, А. Шёнер, Н. Норделл, Дж. Л. Линдстрём, Электрически активные точечные дефекты в 4H-SiC n-типа, J. ​​Appl. Phys. 84 (1998) 1354-1357.

    DOI: 10.1063 / 1.368247

    [4] С.Хеммингссон, Н. Сон, О. Кордина, Дж. П. Бергман, Э. Янзен, Дж. Л. Линдстрем, С. Сэвидж, Н. Норделл, Дефекты глубоких уровней в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, облученных электронами, J. Appl. Phys. 81 (1997) 6155.

    DOI: 10.1063 / 1.364397

    [5] А.Кастальдини, А. Каваллини, Л. Ригутти, Ф. Нава, Низкотемпературный отжиг дефектов, индуцированных облучением в 4H-SiC, Appl. Phys. Lett. 85 (2004) 3780-2982.

    DOI: 10.1063 / 1.1810627

    [6] Л.Стораста, Дж. П. Бергман, Э. Янзен, А. Генри, Дж. Лу, Глубокие уровни, созданные облучением электронами низкой энергии в 4H-SiC, J. Appl. Phys. 96 (2004) 4909-4915.

    DOI: 10.1063 / 1.1778819

    [7] ГРАММ.Альфиери, Э. Монахов, Б. Свенссон, М. К. Линнарсон, Поведение при отжиге между комнатной температурой и 2000 ° C дефектов глубокого уровня в электронно-облученном карбиде кремния 4H n-типа, J. ​​Appl. Phys. 98 (2005) 043518.

    DOI: 10.1063 / 1.2009816

    [8] Т.Далибор, Г. Пенсл, Х. Мацунами, Т. Кимото, В. Дж. Чойк, А. Шёнер и Н. Норделл, Центры глубоких дефектов в карбиде кремния, контролируемые с помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней, Phys. стат. соль (а) 162 (1997) 199-225.

    DOI: 10.1002 / 1521-396x (199707) 162: 1 <199 :: aid-pssa199> 3.0.co; 2-0

    [9] ГРАММ.Иззо, Г. Литрико, Л. Кальканьо, Г. Фоти и Ф. Ла Виа, электрические свойства облученных ионами высокой энергии 4H-SiC диодов Шоттки, J. Appl. Phys. 104 (2008) 093711.

    DOI: 10.1063 / 1.3018456

    [10] П.Хаздра, В. Захлава, Й. Вобецки, Точечные дефекты в эпитаксиальных слоях 4H-SiC, вызванные электронным облучением с энергией 4,5 МэВ, и их влияние на характеристики силового диода JBS SiC, Твердотельные явления, т. 205-206 (2014) 451 — 456.

    DOI: 10.4028 / www.scientific.net / ssp.205-206.451

    [11] Дж.Вобецки, П. Хаздра, С. Попелка, Р.К. Шарма, Влияние электронного облучения на характеристики открытого состояния 4H – SiC JBS-диода, IEEE Trans. на электронных устройствах 62 (2015) 1964 — (1969).

    DOI: 10.4028 / www.scientific.net / ssp.205-206.451

    [12] П.Хаздра, В. Захлава, Я. Вобецки, М. Берту, А. Михайла, Радиационные дефекты, возникающие в эпитаксиальных слоях 4H-SiC с помощью протонного и альфа-облучения, Матем. Sci. Форум, 740-742 (2013) 661-664.

    DOI: 10.4028 / www.scientific.net / msf.740-742.661

    [13] Р.К. Шарма, П. Хаздра, С. Попелка, Влияние облучения легкими ионами на характеристики силового диода 4H-SiC MPS: эксперимент и моделирование, IEEE Trans. по ядерной науке 62 (2014) 534 — 541.

    DOI: 10.1109 / tns.2015.2395712

    [14] С.Попелка, П. Хаздра, Р.К. Шарма, В. Захлава, Й. Вобецки, Влияние нейтронного облучения на характеристики вертикального полевого транзистора из 4H-SiC высокого напряжения: характеристика и моделирование, IEEE Trans. по ядерной науке 61 (2014) 3030 — 3036.

    DOI: 10.1109 / tns.2014.2358957

    [15] А.Актюрк, Дж. М. МакГаррити, С. Потбхэр и Н. Голдсман, Радиационные эффекты в промышленных полевых МОП-транзисторах из карбида кремния на 1200 В, 24 А, IEEE Trans. по ядерной науке 59 (2012) 3258-3264.

    DOI: 10.1109 / tns.2012.2223763

    .

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *