Характеристики кт312б: Интернет магазин радиодеталей и их компонентов

Содержание

Биполярный транзистор КТ312Б — описание, параметры и цоколевка

Характеристики транзистора КТ312Б

Структура	n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	35 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	35 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	30(60) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	0,225 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	25-100
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	=>120 МГц
Коэффициент шума транзистора	-

Биполярный транзистор КТ312В — описание, параметры и цоколевка

Характеристики транзистора КТ312В

Структура	n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	20 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	20 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	30(60) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	0,225 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50-280
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	=>120 МГц
Коэффициент шума транзистора	-

1 Исходные данные

Введение

Курсовая работа по дисциплине «Схемотехника аналоговых электронных устройств» заключается в расчете типового усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером.

Целью курсовой работы является:

— закрепление теоретических знаний, полученных при изучении дисциплины;

— формирование углубленного понимания физических процессов в усилительных устройствах;

— изучение методов расчета усилительных устройств и их основных параметров;

— ознакомление с элементной базой аналоговых электронных устройств;

— получение навыков информационного поиска и пользования справочной информацией;

— ознакомление с системой стандартизации и приобретение опыта применения стандартов в практической деятельности;

— усвоение правил составления и оформления технической документации.

Выполнение данной курсовой работы призвано активизировать самостоятельную работу студентов, и является важным этапом в формировании профессиональных компетенций.

Тип транзистора	КТ312В
Напряжение источника питания, E	15 В
Сопротивление в цепи коллектора, R_К	430 Ом
Сопротивление нагрузке, R_Н	620 Ом

Проектируемое устройство основано на биполярном транзисторе КТ312В.

Транзистор КТ312В — кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n типа, используемый для усиления и генерирования колебаний высокой частоты, для работы в быстродействующих импульсных схемах.

Таблица 1 — Электрические параметры транзистора КТ312В

Наименование	Обозначение	Значения
Наименование	Обозначение	min	типовое	max
1.1. Обратный ток эмиттера при Uэ=4В, мкА	I_эбо		0,1	10
1. 2. Обратный ток коллектора, мкА	I_кбо		0,2	10
1.3. Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала	h_21б			3·10^-9
1.4. Модуль коэффициента передачи на высокой частоте — 20 М Гц	\|h_21э\|	6	9
1.5. Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ при Т с = +85 ⁰С при Т_с= — 40 ⁰С	h_21э	50 50 25		280 560 280
1. 6. Емкость коллекторного перехода, пФ (при Uк=10 В)	Ск		3,5	5
1.7. Постоянная времени цепи ОС на высокой частоте, пс				500

Таблица 2: Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды Т_с= –40…+85 ⁰С

I_к_max – постоянный ток коллектора, мА	30
I_к и_max – импульсный ток коллектора, мА	60
U_к б_max – постоянное напряжение коллектор-база, В	20
U_кэ_max– постоянное напряжение коллектор-эмиттер (при Rб  100Ом), В	20
U_бэ_max – постоянное напряжение эмиттер-база, В	4
P_к_max– постоянная рассеиваемая мощность (Тс25), мВт	225
R_{п мах} — температура перехода, ⁰С / мВт	0,4
Допустимая температура окружающей среды, ⁰С	-60…+120

Таблица 2: Входные и выходные характеристики биполярных транзисторов.

Транзисторы

Входные характеристики

Выходные характристики

КТ312,

КТ312Б,

КТ312В,

2 Выбор режима работы транзистора

Схема включения биполярного транзистора:

Рисунок 1 — Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией

Описание схемы:

Входной сигнал U_ВХ подается на базу транзистора через конденсатор С_Б. Усиленный сигнал U_ВЫХ снимается с резистора R_К и через конденсатор С_К подается в нагрузку. Конденсатор С_Б исключает влияние источника сигнала на режим работы транзистора по постоянному току. Емкость конденсатора C_Бвыбирают такой, чтобы его сопротивление в полосе пропускания усилителя было пренебрежимо мало по сравнению с входным сопротивлением каскада. Конденсатор С_К исключает влияние нагрузки на режим работы транзистора по постоянному току. Емкость конденсатора С_Квыбирают такой, чтобы его сопротивление в полосе пропускания усилителя было пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки.

Конденсаторы С_Б и С_Кназывают переходными или разделительными. В первом случае подчеркивается их роль по переменному току, а во втором случае – по постоянному току.

Режим работы транзистора по постоянному току задается делителем

напряжения в цепи базы R_Б1, R_Б2 и сопротивлением R_Э в цепи эмиттера. Делитель напряжения должен быть достаточно низкоомным, чтобы возможные в процессе эксплуатации изменения тока базы транзистора (например, при изменении температуры окружающей среды, смене транзистора и т. п.) не приводили к заметному изменению напряжения на базе транзистора.

На семействе выходных характеристик транзистора, рисунок 3, построим нагрузочную прямую по постоянному току. Сопротивление в цепи эмиттера возьмём из соотношения: R_Э= 0,2 R_К.

Такое сопротивление обеспечит достаточно высокую стабильность рабочей точки и не сильно уменьшит коэффициент использования напряжения источника питания.

R_э =0,2*R_к(1)

R_э =0,2*430=86 Ом.

По номинальному ряду Е24 выбираю R_э=330 Ом. В последующих вычислениях используем стандартное значение сопротивления R_Э.

Уравнение нагрузочной прямой имеет вид:

, (2)

Нагрузочную прямую построим по двум точкам:

1. при I_к=0, = U_кэ=Е при I_к=0, = U_кэ=15В

2. при U_кэ=0, => при U_кэ=0,=> I_к=0,03A

По формуле (3) рассчитываем напряжение коллектор-эмиттер в рабочей точке U_КЭ рт:

(3)

По рисунку 2 определим значение I_Крт:

Рисунок 2 — Выходные характеристики транзистора КТ208Г

По рисунку 2 определим значения I_{Б рт}и U_БЭ_рт:

Рисунок 3 — Входные характеристики транзистора КТ312Г

Параметры рабочей точки (РТ):

3 Расчет делителя в цепи базы

Рассчитаем сопротивления делителя R_Б1, R_Б2в цепи базы. Чем больше будет сквозной ток делителя I_Д= , тем стабильнее будет режим работы при замене транзистора и изменении температуры окружающей среды, но тем больше будет ток, потребляемый каскадом от источника питания, поэтому сквозной ток делителя выбирают из компромиссных соображений. На практике сквозной ток делителя выбирают из условия I_Д= (3÷10) I_Б рт.

Ток делителя I_д, протекающий через R₂ выберем из условия, возьмем:

_I_д=5* I_Б
рт=5*0,15=0,75 мА

Согласно закону Ома, сопротивление резистора составляет:

(4)

Определим величины резисторов R_Б1 и R_Б2:

(5)

По номинальному ряду Е24 выбираю R_Б2=1 кОм

Пересчитаем ток делителя:

(6)

По номинальному ряду Е24 выбираем R_Б1= 91 Ом

4 Определение h-параметров транзистора по статическим характеристикам

По статическим характеристикам транзистора можно определить три из четырех h-параметров: входное сопротивление h_11Э, статический коэффициент передачи тока базы транзистора h_21Э и выходную проводимость h_22Э.

Входное сопротивление (формула 7) при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (U_КЭ= const) определим по входным характеристикам транзистора. Для этого зададим приращение напряжения база-эмиттер ΔU_БЭ симметрично относительно рабочей точки и определим соответствующее приращение тока базы ΔI_Б (рисунок 5).

Рисунок 4 — Приращение тока базы и напряжения база-эмиттер

(7)

Статический коэффициент передачи тока базы транзистора (формула 8) при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора (U_КЭ= const) определим по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h_21Э зададим приращение тока базы ΔI_Б и определим соответствующее приращение тока коллектора ΔI_К (рисунок 6

Рисунок 5 — Приращение тока коллектора и тока базы

Выходную проводимость h₂₂ (формула 9) в режиме холостого хода на входе транзистора (I_Б= const) определим также как и параметр h_21Э по выходным характеристикам транзистора. Для нахождения параметра h_22Э зададим приращение напряжения коллектор-эмиттер ΔU_КЭ и определим соответствующее приращение тока коллектора ΔI_К (рисунок 7). Условию I_Б= const будут отвечать точки, лежащие на выходной характеристике, проходящей через рабочую точку транзистора. Поскольку выходные характеристики линейны в широком диапазоне напряжений, то приращение ΔU_КЭ может быть достаточно большим, при этом его симметричность относительно рабочей точки не имеет значения.

Рисунок 6 – приращение тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер

Четвертый параметр – коэффициент обратной связи по напряжению h_12Э по приводимым в справочниках статическим характеристикам определить невозможно. У маломощных транзисторов коэффициент обратной связи по напряжению h_12Э= (1÷10)·10^–4.

h_12Э=8*10^-4=0,0008

Ход решения задачи — Студопедия

В системах управления электроники в качестве усилителей, коммутаторов, компараторов, а также различного типа генераторов широко используются транзисторы.

При расчете системы управления на транзисторах необходимо знать параметры статического режима, которые принимаются по справочным данным или определяются по статическим характеристикам.

В справочниках обычно изображают характеристики для одной из схем. Входные и выходные ВАХ аналогичны характеристикам полупроводниковых диодов. Так как эмиттерный переход при подаче входного напряжения смещается в прямом направлении, то и его входные характеристики подобны прямым ветвям ВАХ диода. К коллекторному переходу транзисторов прикладывается обратное напряжение и выходной ток определяется неосновными носителями базы и коллектора, поэтому выходная характеристика по форме совпадает с обратной ветвью ВАХ диода. Если входной ток транзистора равен нулю, что соответствует разомкнутой входной цепи, то выходной ток равен сквозному току, то есть току собственных носителей коллекторного перехода.

Следовательно, при I_вх= 0 выходная характеристика полностью совпадает с обратной ветвью ВАХ диода. Увеличение входного тока ведет к увеличению выходного, поэтому все выходные характеристики при I_вх> 0 располагаются выше относительно характеристики с I_вх= 0. Например, для схемы с общим эмиттером входным является ток базы, а выходным – ток коллектора (на рис. 13.1 при I_б> 0 все выходные характеристики смещены вверх). Увеличение тока базы I_б, который является составной частью тока эмиттера I_э, возможно только при увеличении последнего. Токи эмиттера, базы и коллектора связаны между собой соотношением: .

Рис. 13.1. Характеристики транзистора: а – входные; б – выходные (для КТ312А, КТ312Б DI_б= 0,1 мА; для КТ312В DI_б= 0,05 мА)

Основные носители из эмиттера при открытом эмиттерном переходе попадают в базу, где, являясь неосновными, втягиваются увеличенным внешним полем коллекторного перехода и большей частью попадают в коллектор. Таким образом, чем больше ток базы, тем больше и ток коллектора при неизменном напряжении на коллекторе. Это подтверждают выходные статические характеристики транзистора (рис. 13.1).

По статическим входным и выходным характеристикам рассчитываются параметры транзистора, определяющие возможности его использования в различных схемах. С помощью этих параметров можно определить практически все элементы любой схемы в соответствии с поставленной задачей.

Параметры транзисторов разделяют на первичные (собственные) и вторичные. Первичные характеризуют свойства самого транзистора и не зависят от схемы его включения. Они определяются эквивалентной схемой замещения с генератором напряжения или тока. На рис. 13.2 представлен пример такой Т-образной схемы замещения с общим эмиттером и генератором тока.

Рис. 13.2. Схема замещения транзистора с общим эмиттером

Данную Т-образную схему можно считать несколько упрощенной. На схеме замещения показаны основные первичные (собственные) параметры транзистора: сопротивление эмиттера r_э, базы r_б и коллектора r_к.

Первичные и вторичные параметры между собой находятся во взаимной связи.

Расчеты вторичных параметров основаны на том, что транзистор представляется в виде активного четырехполюсника. При расчете и анализе схем информационной электроники пользуются системой h-параметров. Если входные ток и напряжение обозначить I_вх, U_вх, а выходные – I_вых, U_вых, то их связь через h-параметры выражается в виде уравнений:

Из уравнений независимо от схемы включения можно определить все h-параметры: h₁₁, h₁₂, h₂₁, h₂₂.

Как правило, в справочниках приводятся данные только по некоторым из h-параметров, чаще всего – h₂₁. Этого недостаточно для расчета транзисторных схем.

Для определения остальных h-параметров, а также уточнения h₂₁, используются статические входные и выходные характеристики. При этом на прямолинейных участках ВАХ выбираются рабочие точки, строятся характеристические треугольники, где отмечаются приращения токов и напряжений, и по их отношению рассчитываются все h-параметры, соответствующие выбранной схеме включения. Далее по рассчитанным значениям h-параметров определяются первичные или собственные параметры транзистора.

Расчета h-параметров для одного из транзисторов малой мощности, например КТ 312А. По семейству входных характеристик можно определить входное сопротивление и коэффициент обратной связи по напряжению. Для расчета этих параметров на характеристиках выбирается прямолинейный участок, строятся характеристические треугольники и определяются приращения напряжений и токов.

Входное сопротивление h₁₁ при коротком замыкании на входе ( , ): Ом, В.

Коэффициент обратной связи по напряжению при разомкнутой входной цепи ( , ): , мА.

Выходные характеристики транзисторов дают возможность определить параметры, характеризующие не только усилительные свойства транзистора, но и выходное сопротивление, которое важно знать для согласования с последующим усилительным каскадом.

Коэффициент усиления по току определяется при коротком замыкании на выходе по приращениям тока коллектора и базы ( , ): , В.

Выходная проводимость рассчитывается при неизменном токе базы по приращениям тока и напряжения коллекторной цепи (холостой ход на входе):

См.

Выходное сопротивление – это параметр, обратный выходной проводимости.

По рассчитанным вторичным параметрам можно определить первичные по следующим соотношениям:

– входное сопротивление: ;

– коэффициент обратной связи: ;

– коэффициент усиления: ;

– выходную проводимость: .

Собственные параметры схемы замещения определяются путем совместного решения этих уравнений, откуда .

Сопротивление коллекторного перехода можно рассчитать по формуле через вычисленные ранее вторичные параметры:

кОм.

Сопротивление эмиттерного перехода:

Ом.

Сопротивление цепи базы: Ом.

При расчетах значение r_б может оказаться отрицательной величиной, это означает, что рассчитанные для выбранной рабочей точки параметры являются несовместимыми.

При несовместимости параметров необходимо выбрать другую рабочую точку, для которой h-параметры будут иными, и снова повторить расчет до получения положительного значения сопротивления базы. Эта точка может быть выбрана не обязательно на прямолинейных участках входных и выходных характеристик. Иногда при несовместимости h-параметров в качестве исходных данных за верные принимают три из четырех, а затем четвертый определяют с учетом трех остальных.

Статические параметры определяют свойства самого транзистора и являются вспомогательными для расчетов при наличии нагрузки. При работе транзистора под нагрузкой все напряжения и токи в его цепях изменяются одновременно. Этот режим называют динамическим, и он характеризуется динамическими параметрами, которые в общем случае являются комплексными величинами. К ним относятся: динамические входное z_вх и выходное z_вых сопротивления, а также коэффициенты усиления по току к_i, напряжению к_u и мощности к_p. При работе биполярного транзистора на низких частотах сопротивления можно считать чисто активными и использовать любую систему параметров и схему замещения. Используя общеизвестную Т-образную схему замещения, можно получить формулы для определения динамических параметров:

где z_и – внутреннее сопротивление источника; z_н – сопротивление нагрузки.

Параметр определяется по рассчитанным ранее h-параметрам из выражения

Биполярные транзисторы, КТ301, ГТ305, КТ306, КТ307, ГТ308, ГТ309, ГТ310, ГТ311, КТ312, ГТ313, КТ313, КТ315, КТ316, КТ317, КТ318, КТ319, ГТ320

ТИП	B1-B2/Iк /мА	Fт МГц	Cк/Uк пф/В	Cэ/Uэб пф/В	Rб*Cк псек	tр нс	Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА)	Iко мкА	Uкб В	Uкэ/R В/кОм	Uэб В	Iкм/Iкн мА/мА	Pк мВт	Пер	Цок
КТ301 КТ301А КТ301Б КТ301В КТ301Г КТ301Д КТ301Е КТ301Ж	20- 60/3 40-120/3 10- 32/3 20- 60/3 10- 32/3 20- 60/3 40-120/3 110-250/3	30 30 30 30 30 30 30 30	10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10	80/0. 5 80/0.5 80/0.5 80/0.5 80/0.5 80/0.5 80/0.5 80/0.5	2000 2000 4500 4500 2000 2000 2000 2000		3/(10/1 ) 3/(10/1 ) 3/(10/1 ) 3/(10/1 ) 3/(10/1 ) 3/(10/1 ) 3/(10/1 ) 3/(10/1 )	10 10 10 10 10 10 10 10	20 20 30 30 20 20 20 20	20/ 20/ 30/ 30/ 20/ 20/ 20/ 20/	3 3 3 3 3 3 3 3	10/ 10/ 10/ 10/ 10/ 10/ 10/ 10/	150 150 150 150 150 150 150 150	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N	2 2 2 2 2 2 2 2
КТ302А	110-250/0. 1							1	15	15/0.1	4	10/	100	N-P-N	2
КТС303А2	40-180/1	300	8/5		50000		0.9/(10/1)	0.5		45/10		100/500	250	N-P-N +P-N-P	17
ГТ305А ГТ305Б ГТ305В	25- 80/10 60-180/10 40-120/5	140 160 160	7/5 7/5 5. 5/5	50/0.5 50/0.5 50/0.5	500 500 300		0.5/(10/ ) 0.5/(10/ )	4 4 4	15 15 15	15/ 15/ 15/	1.5 1.5 0.5	40/100 40/100 40/100	75 75 75	P-N-P P-N-P P-N-P	2 2 2
КТ306А КТ306Б КТ306В КТ306Г КТ306Д КТ306АМ КТ306БМ КТ306ВМ КТ306ГМ КТ306ДМ	20- 60/10 40-120/10 20-100/10 40-200/10 30-150/10 20- 60/10 40-120/10 20-100/10 40-200/10 30-150/10	300 500 300 500 200 300 500 300 500 200	5/5 5/5 5/5 5/5 5/5 5/5 5/5 5/5 5/5 5/5	4. 5/0 4.5/0 4.5/0 4.5/0 4.5/0 4.5/0 4.5/0 4.5/0 4.5/0 4.5/0	— — 500 500 300 — — 500 500 300	30 30 — — — 30 30 — — —	0.3/(10/1) 0.3/(10/1) — — — 0.3/(10/1) 0.3/(10/1) — — —	0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5	15 15 15 15 15 15 15 15 15 15	10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3	4 4 4 4 4 4 4 4 4 4	30/50 30/50 30/50 30/50 30/50 30/50 30/50 30/50 30/50 30/50	150 150 150 150 150 150 150 150 150 150	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N	43 43 43 43 43 61 61 61 61 61
КТ307А1 КТ307Б1 КТ307В1 КТ307Г1	20- /10 40- /10 40- /10 80- /10	250 250 250 250	6/1 6/1 6/1 6/1	3/1 3/1 3/1 3/1		30 30 50 30	0. 4/(20/2) 0.4/(20/2) 0.4/(20/2) 0.4/(20/2)	0.5 0.5 0.5 0.5	10 10 10 10	10/3 10/3 10/3 10/3	4 4 4 4	20/50 20/50 20/50 20/50	15 15 15 15	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N	9 9 9 9
ГТ308А ГТ308Б ГТ308В	20- 75/10 50-125/10 80-155/10	90 120 120	8/5 8/5 8/5	25/1 25/1 25/1	400 400 500		1.5/(50/10) 1.5/(50/10) 1. 5/(50/10)	5 5 5	20 20 20	12/1 12/1 12/1	3 3 3	50/120 50/120 50/120	150 150 150	P-N-P P-N-P P-N-P	19 19 19
ГТ309А ГТ309Б ГТ309В ГТ309Г ГТ309Д ГТ309Е	20- 70 /1 60-180 /1 20- 70 /1 60-180 /1 20- 70 /1 60-180 /1	120 120 80 80 40 40	10/5 10/5 10/5 10/5 10/5 10/5		500 500 1000 1000 1000 1000			5 5 5 5 5 5	10 10 10 10 10 10	10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10		10/ 10/ 10/ 10/ 10/ 10/	50 50 50 50 50 50	P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P	2 2 2 2 2 2
ГТ310А ГТ310Б ГТ310В ГТ310Г ГТ310Д ГТ310Е	20- 70/1 60-180/1 20- 70/1 60-180/1 20- 70/1 60-180/1	160 160 120 120 80 80	4/5 4/5 5/5 5/5 5/5 4/5		300 300 300 300 500 500			5 5 5 5 5 5	12 12 12 12 12 12	10/10 10/10 10/10 10/10 10/10 10/10		10/ 10/ 10/ 10/ 10/ 10/	20 20 20 20 20 20	P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P	4 4 4 4 4 4
ГТ311А ГТ311Б ГТ311В ГТ311Г ГТ311Д ГТ311Е ГТ311Ж ГТ311И ГТ311К ГТ311Л	15-180/15 30-180/15 / 30- 80/15 60-180/15 15- 80/15 50-200/15 100-300/15 60-180/15 150-300/15	450 600 — 450 600 250 300 450 450 600	2. 5/5 2.5/5 — 2.5/5 2.5/5 2.5/5 2.5/5 2.5/5 2.5/5 2.5/5	5/ 5/ / 5/ 5/ 5/0.25 5/0.25 5/0.25 5/ 5/	50 100 — 75 75 75 100 100 75 75		0.3/(15/1.5) 0.3/(15/1.5) — 0.3/(15/1.5) 0.3/(15/1.5) 0.3/(15/1.5) 0.3/(15/1.5) 0.3/(15/1.5) 0.3/(15/1.5) 0.3/(15/1.5)	5 5 — 5 5 10 10 10 5 5	12 12 — 12 12 12 12 10 12 12	12/ 12/ / 12/ 12/ 12/ 12/ 10/ 12/ 12/	2 2 2 2 2 2 2 2 2 2	50/ 50/ 50/ 50/ 50/ 50/ 50/ 50/ 50/ 50/	150 150 150 150 150 150 150 150 150 150	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N	20 20 20 20 20 20 20 20 20 20
КТ312А КТ312Б КТ312В	10-100/20 25-100/20 50-280/20	80 120 120	5/10 5/10 5/10	20/1 20/1 20/1	500 500 500		0. 8/(20/2) 0.8/(20/2) 0.8/(20/2)	10 10 10	20 35 20	20/ 35/ 20/	4 4 4	30/60 30/60 30/60	225 225 225	N-P-N N-P-N N-P-N	21 21 21
ГТ313А ГТ313Б ГТ313В	20-250/5 20-250/5 30-170/5	300 450 350	2.5/5 2.0/5 2.5/5	14/0.25 14/0.25 18/	75 40 75		0.7/(15/2) 0.7/(15/2) 0.7/(15/2)	5 5 5	15 15 15	15/ 15/ 15/	0. 2 0.2 0.2	30/ 30/ 30/	100 100 100	P-N-P P-N-P P-N-P	20 20 20
КТ313А КТ313Б КТ313В КТ313Г КТ313А1 КТ313Б1 КТ313В1 КТ313Г1	30-120/1 80-300/1 200-520/ 400-800/ 30-120/1 80-300/1 200-520/ 400-800/	200 200 200 200 200 200 200 200	12/10 12/10 / / 12/10 12/10 / /		120 120 120 120 120 120 120 120		0.5/(150/15) 0.5/(150/15) 0.5/(150/ ) 0.5/(150/ ) 0.5/(150/15) 0. 5/(150/15) 0.5/(150/ ) 0.5/(150/ )	0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5	60 60 50 30 60 60 50 30	50/1 50/1 45/1 25/1 50/1 50/1 45/1 25/1	5 5 5 5 5 5 5 5	350/700 350/700 350/ 350/ 350/700 350/700 350/ 350/	300 300 300 300 300 300 300 300	P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P	11 11 11 11 15 15 15 15
КТ314А2	30-120/0.25	300	10/5	20/0	—	300	0. 3/(30/6)	0.075	55	50/10	4	60/70	500	N-P-N	22
КТ315А КТ315Б КТ315В КТ315Г КТ315Д КТ315Е КТ315Ж КТ315И КТ315Р	20- 90/1 50-350/1 20- 90/1 50-350/1 20- 90/1 50-350/1 30-250/1 30- / 150-350/	250 250 250 250 250 250 250 150 250	7/10 7/10 7/10 7/10 7/10 7/10 10/10 / /		300 300 500 500 1000 1000 — — —		0.4/(20/2 ) 0. 4/(20/2 ) 0.4/(20/2 ) 0.4/(20/2 ) 1.0/(20/2 ) 1.0/(20/2 ) 0.5/(20/2 ) — 0.4/(20/2 )	1 1 1 1 1 1 10 100 0.5	25 20 40 35 40 35 — — 35	20/10 15/10 30/10 25/10 40/10 35/10 15/10 60/10 35/10	6 6 6 6 6 6 6 6 6	100/ 100/ 100/ 100/ 100/ 100/ 50/ 50/ 100/	150 150 150 150 150 150 100 100 150	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N	23 23 23 23 23 23 23 23 23
КТ316А КТ316Б КТ316В КТ316Г КТ316Д КТ316АМ КТ316БМ КТ316ВМ КТ316ГМ КТ316ДМ	20- 60/10 40-120/10 40-120/10 20-100/10 60-300/10 20- 60/10 40-120/10 40-120/10 20-100/10 60-300/10	600 800 800 600 800 600 800 800 600 800	3/5 3/5 3/5 3/5 3/5 3/5 3/5 3/5 3/5 3/5	2. 5/0 2.5/0 2.5/0 2.5/0 2.5/0 2.5/0 2.5/0 2.5/0 2.5/0 2.5/0	— — — 150 150 — — — 150 150	10 10 15 — — 10 10 15 — —	0.4/(10/1 ) 0.4/(10/1 ) 0.4/(10/1 ) 0.4/(10/1 ) 0.4/(10/1 ) 0.4/(10/1 ) 0.4/(10/1 ) 0.4/(10/1 ) 0.4/(10/1 ) 0.4/(10/1 )	0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5	10 10 10 10 10 10 10 10 10 10	10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3	4 4 4 4 4 4 4 4 4 4	30/50 30/50 30/50 30/50 30/50 50/ 50/ 50/ 50/ 50/	150 150 150 150 150 150 150 150 150 150	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N	11 11 11 11 11 15 15 15 15 15
КТ317А1 КТ317Б1 КТ317В1	25- 75/1 35-120/1 80-250/1	100 100 100	11/1 11/1 11/1	22/1 22/1 22/1		130 130 130	0. 3(10/1.7) 0.3(10/1.0) 0.3(10/0.7)	1 1 1	5 5 5	5/3 5/3 5/3	3.5 3.5 3.5	15/45 15/45 15/45	15 15 15	N-P-N N-P-N N-P-N	12 12 12
КТ318А1 КТ318Б1 КТ318В1 КТ318Г1 КТ318Д1 КТ318Е1	30- 90/10 50-150/10 70-280/10 30- 90/10 50-150/10 70-280/10	430 430 430 350 350 350	3.5/5 3.5/5 3.5/5 4.5/5 4.5/5 4.5/5	4/0 4/0 4/0 5/0 5/0 5/0		15 15 15 25 25 25	0. 27(10/1) 0.27(10/1) 0.27(10/1) 0.37(10/1) 0.37(10/1) 0.37(10/1)	0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5	10 10 10 10 10 10	10/3 10/3 10/3 10/3 10/3 10/3	3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5	20/45 20/45 20/45 20/45 20/45 20/45	15 15 15 15 15 15	N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N	12 12 12 12 12 12
КТ319А КТ319Б КТ319В	15- /1 25- /1 40- /1	100 100 100	11/ 11/ 11/			130 130 130	0. 3(10/ ) 0.3(10/ ) 0.3(10/ )	1 1 1	5 5 5	5 5 5	3 3 3			N-P-N N-P-N N-P-N
ГТ320А ГТ320Б ГТ320В	20- 80/10 50-160/10 80-250/10	80 120 160	8/10 8/10 8/10	25/1 25/1 25/1	500 500 600		1.7(100/20) 1.7(100/20) 1.7(100/20)	10 10 10	20 20 20	12/0 11/0 9/0	3 3 3	150/300 150/300 150/300	200 200 200	P-N-P P-N-P P-N-P	19 19 19

hcb & = * DXTZ ޺ j «- = B5CB5 ! L} kQUJY Т_т] / т «Фл9Р» $ bdE – KF

Транзистор Silicio Ruso КТ312В (КТ312б), н.

Иничио Formulario de pedido Condiciones generales Política de privacidad Контакты Información de contacto

Búsqueda de productos

Retroamplis

Artículos en promoción
Алиментация
Amplificadores
Botones de control
B-Stock
Кабели
Cajas y chasis
Conectores y clavijas
Цифровые технологии и робототехника
Предохранители и предохранители
Инструменты
Interruptores / Conmutadores
Наборы
Новедады
Оптоэлектроники
Pasivos
Relés
Repuestos de aparatos, maquinas y dispositivos varios
Servicios
Полупроводники
- Diodos
- Circuitos Integrados
- Transistores
  - Germanio
  - Silicio
- Transistores (Emparejados / Selec)
- Отрос (симистор / диод / и т. Д.)
- Полулюкс

БЮЛЛЕТЕНЬ SCOTT 312C Загрузка руководства по обслуживанию, схемы, eeprom, информация по ремонту для специалистов по электронике

Sziasztok! A fenti arm kódjára lenne szükségem, mert javítás után bekapcsol, de csak a «SAFE» feliratig jut.Az alaplap SONY. Sorozatszáma * VWZ3Z3Y7616788 * Köszönöm. Üdv.

Sziasztok, BEAG HEC-11MR műszaki dokumentációt keresek. Esetleg Magyar Rádiós kontaktot. Üdv M

Sziasztok! Aki tud eladó távirányítót DENON PMA-425R típusú erősítőhöz, az legyen szíves dobjon egy mailt a [email protected]! Köszönöm

A közelmúltban ‘vateráztam’ egy -hibásként árult- Grundig V4200 erősítőt. A leírás szerint be lehetett kapcsolni, a LED-ek világítottak rajta, de hangfalakat nem kötött ra az eladó, így konkrétan a végfok része ‘zsákbamacska’.Egy kis izgalom után (законный győztes nem én lettem, de mivel no1, csak ‘feelolta’ az árat, de a termékért nem jelentkezett, 2.

lehetőségként az enyém lett) kézhez kaptam, a hibajele 24V nyugalmi helyzetben … Hát erre nem kéne hangfalat csatlakoztatni! Персе, роза végfok biztosítékai kiszedve, az előlapi dolgok meg még biztosíték előttről megtáplálva, ezért világított rajta minden, mint ha jó lenne! 🙂 Később jól — это jött ez a gyári megoldás, mert a végfokot leválaszthattam -további kellemetlenségek elkerülése végett:) — amíg az elő fokozatban kerestem a hiba okozóját.Hamar kiméregettem -mivel a másik csatornát jónak találtam, azzal összehasonlítva- a gyári rajzon megadott feszültségértékek alapján, hogy már az elő fokozatnát jónak találtam, azzal összehasonlítva- a gyári rajzon megadott feszültségértékek alapján, hogy már az elő fokozatnál fúrtznélnekélés. T15 kivesz és kimér -ami, így utólag kiderült, hogy ‘megvezetett’- elsőre jónak tűnt, hát így visszaraktam. Többi tranyót (T9-T12) — это kivesz, kimér, de ezek — это jónak mutatkoztak. Akkor itt valami árulás van! T15-t újra kivettem és lám-lám kicsit jobban odafigyeltem a mérésnél, hát csak nem ‘százas’ a tranyó, CE között kOhm-os ellenállás.J tranyó befigyel a helyére és láss csodát minden feszültségérték szinte a gyárival megegyező! Próbahangszórók fel, bemenetre jel és már szól is tökéletesen mind a két oldala! Kérdésem csak annyi lenne, hogy van két kis BC556B tranyó (T14-T15) az elő fokozatban, amik eléggé melegednek, lehet emiatt is ‘szállnak’ el? Most ez mennyire lehet ‘gyári’, valaki találkozott már ilyen erősítővel és ott is ue. вольт? Mivel úgy láttam az előerősítő résznek, a fólia oldalán, hogy már volt javítva ezen része…Talán többször есть. Én most átmeneti (vagy végleges :)) megoldásként 1-1 kis hűtőzászlóval láttam el a tranyókat, talán így tovább bírják. Номер телефона: V4200 .