Характеристики транзистор кт315г: КТ315Г характеристики транзистора, аналог, цоколевка, даташит

Содержание

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Р

Поиск по сайту

Транзистор КТ315 — кремниевый, эпитаксиально-планарный, обратный (структуры n-p-n), усилительный. Предназначен для генерирования и усиления ВЧ колебаний. Может также работать в различных импульсных схемах. Часто применяется в паре с «прямыми» транзисторами КТ361. Имеет герметичный пластмассовый корпус. Буква соответствующего типономинала указывается на корпусе прибора, а также на этикетке. Выводы — гибкие, в форме полоска. Весит не более 0,18г.

КТ315 цоколевка

Цоколевка КТ315 показана на рисунке. Проще можно объяснить его цоколёвку так. Если смотреть на транзистор КТ315 со стороны нанесённой буквы его типономинала и выводы расположить вниз или на себя, то цоколёвка будет следующая, слева направо: эмиттер, коллектор, база.

Электрические параметры КТ315

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером. U_кэ = 10В, I_к = 1 мА:
КТ315А, КТ315В	30 ÷ 120
КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е	50 ÷ 350
КТ315Д	20 ÷ 90
КТ315Ж	30 ÷ 250
КТ315И	не менее 30
КТ315Р	150 ÷ 350

• Граничная частота коэффициента передачи тока U_кэ = 10В, I_к = 1 мА.	не менее 250 МГц

• Постоянная времени цепи обратной связи. I_э = 5 мА, U_кб = 10В, не более:
КТ315А	300 пс
КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р	500 пс
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж	1000 пс
КТ315И	950 пс

• Граничное напряжение. I_э = 5 мА, не менее:
КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж	15 В
КТ315В, КТ315Д, КТ315И	30 В
КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р	25 В

• Напряжение насыщения К-Э. I_б = 2 мА, I_к = 20 мА, не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р	0.4 В
КТ315Д, КТ315Е	0.6 В
КТ315Ж	0.5 В
КТ315И	0.9 В

• Напряжение насыщения Б-Э. I_б = 2 мА, I_к = 20 мА, не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р	1 В
КТ315Д, КТ315Е	1. 1 В
КТ315Ж	0.9 В
КТ315И	1.3 В

• Ток коллектора (обратный). U_кб = 10 В	не более 1 мкА

• Ток К-Э (обратный). R_бэ = 10 кОм, U_кэ = U_{кэ, max}, не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р	1 мкА
КТ315Ж	10 мкА
КТ315И	100 мкА

• Ток Э (обратный). U_эб = 5 В, не более:	50 мкА

• Ёмкость коллекторного перехода. U_кб = 10 В, не более:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р	7 пФ
КТ315Ж, КТ315И	10 пФ

Предельные эксплуатационные характеристики КТ315

• Напряжение К-Э (постоянное). R_бэ = 10 кОм:
КТ315А	25 В
КТ315Б, КТ315Ж	20 В
КТ315В, КТ315Д	40 В
КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р	35 В
КТ315И	60 В

• Постоянное напряжение Б-Э	6 В

• Ток коллектора (постоянный):
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р	100 мА
КТ315Ж, КТ315И	50 мА

• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная). Т ≤ +25°C:
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Р	150 мВт
КТ315Ж, КТ315И	100 мВт

• Температура перехода (p-n)	+120°C

• Рабочая температура (окружающей среды)	−60 ÷ +100°C

В особых случаях возможна эксплуатация транзисторов КТ315 при I_к = 20 мА и U_кб = 12. 5 В в режиме P_к = 250 мВт.

КТ315 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ315 — кремниевый, маломощный, высокочастотный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Используется в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты. Также может работать в различных импульсных схемах. КТ315 нашел самое широкое применение в отечественной электронной технике.

Цоколевка транзистора КТ315

Характеристики транзистора КТ315

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), мВт	h31э	fгр., МГц
КТ315А	25	25	100	150	30-120	250
КТ315Б	20	20	100	150	50-350	250
КТ315В	40	40	100	150	30-120	250
КТ315Г	35	35	100	150	50-350	250
КТ315Д	40	40	100	150	20-90	250
КТ315Е	35	35	100	150	50-350	250
КТ315Ж	20	20	50	100	30-250	150
КТ315И	60	60	50	100	>30	250
КТ315Н	25	25	100	100	50-350	250
КТ315Р	35	35	100	100	150-350	250

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер

Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ315

КТ315А: BFP719
КТ315Б: 2N2712, 2SC633, BFP720
КТ315В: BFP721
КТ315Г: 2SC634, 2SC641, BFP722
КТ315Е: 2N3397
КТ315Ж: 2N2711

Биполярный транзистор КТ315Г — описание, параметры и цоколевка

Описание транзистора КТ315Г

Транзистор КТ315Г кремниевый эпитаксиально-планарный структура n-p-n усилительный.

Предназначен для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.
Масса транзистора не более 0,18 г.

Цоколевка и размеры транзистора КТ315Г

Характеристики транзистора КТ315Г

Структура	n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база	35 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер	35 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора	100 мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с теплоотводом)	0,15 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером	50-350
Обратный ток коллектора
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером	=>250 МГц
Коэффициент шума транзистора	-

Справочник маломощных биполярных транзисторов (отечественных).

На главную

Транзистор КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315К — маркировка, аналоги, характеристики входные и выходные (ВАХ), подробные электрические параметры. КТ315 предназначен для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Для транзистора КТ315 комплементарной парой является транзистор КТ361, аналог — КТ3102
Маломощные транзисторы КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К маркировка, аналоги, характеристики входные и выходные, параметры. Биполярный транзистор КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д, КТ3102Е, КТ3102АМ, КТ3102БМ, КТ3102ВМ, КТ3102ДМ, КТ3102ЕМ характеристики, pdf, аналоги, цоколевка, маркировка, параметры и графики. КТ3102 выпускается в пластмассовом и металлическом корпусе.
Биполярные маломощные транзисторы КТ3107А, КТ3107Б, КТ3107В, КТ3107Д, КТ3107Е, КТ3107Г, КТ3107Ж, КТ3107И, КТ3107К, КТ3102Л — аналоги, маркировка, характеристики, параметры

На примере характеристик транзистора КТ315 описаны особенности использования транзисторов . В частности, рассматривается такой параметр КТ315, как коэффициент усиления по току. Из документации следует, что транзисторы КТ315 и КТ361 выгоднее всего использовать при токе коллектора около 20 ма, в этом случае они имеют максимальный коэффициент усиления по току. При рабочих токах менее 5 ма коэффициент усиления у транзисторов КТ315 и КТ361 резко падает, и эффективность использования характеристик транзисторов снижается. Те же самые выводы можно сделать и в отношении характеристик КТ3102. По сравнению с КТ315 транзистор КТ3102 имеет гораздо меньший уровень собственных шумов.

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные. Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,18 гр.

Чертёж транзистора КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И

Электрические параметры.

Граничное напряжение при I_Э=5 мА, не менее
КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж	15 В
КТ315В, КТ315Д, КТ315И	30 В
КТ315Г, КТ315Е	25 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I_К=20 мА, I_Б=2 мА, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г	0,4 В
КТ315Д, КТ315Е	1 В
КТ315Ж	0,5 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при I_К=20 мА, I_Б=2 мА, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г	1,1 В
КТ315Д, КТ315Е	1,5 В
КТ315Ж	0,9 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КЭ=10 В, I_К=1 мА
КТ315А, КТ315В, КТ315Д	20-90
КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е	50-350
КТ315Ж	30-250
КТ315И, не менее	30
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при U_КБ=10 В, I_Э=5 мА, не более
КТ315А	300 нс
КТ315Б, КТ315В, КТ315Г	500 нс
КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж	1000 нс
Модуль коэффициента передачи тока при U_КЭ=10 В, I_К=1 мА, ƒ=100 МГц, не менее
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И	2,5
КТ315Ж	1,5
Ёмкость коллекторного перехода при U_КБ=10 В, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И	7 пФ
КТ315Ж	10 пФ
Входное сопротивление при U_КЭ=10 В, I_К=1 мА, не менее	40 Ом
Выходная проводимость при U_КЭ=10 В, I_К=1 мА, не более	0,3 мкСм
Обратный ток коллектора при U_КБ=10 В, не более	1 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при R_БЭ=10 кОм, U_КЭ=U_{КЭ,макс}, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е	1 мкА
КТ315Ж	10 мкА
КТ315И	100 мкА
Обратный ток эмиттера при U_БЭ=5 В, не более
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж	30 мкА
КТ315И	50 мкА

Предельные эксплуатационные данные КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R_БЭ=10 кОм
КТ315А	25 В
КТ315Б	20 В
КТ315В, КТ315Д	40 В
КТ315Г, КТ315Е	35 В
КТ315Ж	15 В
КТ315И	60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер	6 В
Постоянный ток коллектора
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е	100 мА
КТ315Ж, КТ315И	50 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213-298 К
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е	150 мВт
КТ315Ж, КТ315И	100 мВт
Температура перехода	119,85°С
Температура окружающей среды	От -60,15 до 99,85°С

Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т=298-373 К определяется по формуле:

Р_Кмакс=(393-Т)/0,67

Допускается эксплуатация транзисторов в режиме Р_К=250 мВт при U_КБ=12,5 В, I_К=20 мА.

2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора.

При включении транзистора в схему, находящуюся под напряжением, базовый вывод должен подсоединяться первым и отсоединяться последним. Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всём интервале температур.

1. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы.

Чем заменить транзистор кт315

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Т ранзисторы КТ315 — кремниевые, маломощные высокочастотные, структуры — n-p-n.
Корпус пластиковый — желтого, красного, темно — зеленого, оранжевого цветов. Масса — около 0,18г. Маркировка буквенно — цифровая, либо буквенная. Цоколевка легко определяется с помощью буквы, обозначающей подкласс транзистора. Она распологается напротив вывода эмиттера. Вывод коллектора — посередине, базы — оставшийся, крайний.

Наиболее широко распространенный отечественный транзистор. При изготовлении КТ315 впервые массово была применена планарно — эпитаксиальная технология. На пластине из материала n — проводимости формировался участок базы, проводимостью — p, затем, уже в нем — n участок эмиттера. Эта технология способствовала значительному удешевлению производства, при меньшем разбросе параметрических характеристик, по тому времени — довольно высоких.

Благодаря плоской форме корпуса и выводов КТ315 хорошо подходит для поверхностного монтажа.
Таким образом, применение КТ315 позволило в свое время значительно уменьшить размеры элементов ТТЛ советских ЭВМ второго поколения. Область применения КТ315 черезвычайно широка, кроме элементов логики это — низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, генераторы, все что сотавляло основу огромного количества бытовых и промышленных электронных устройств советской эпохи.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.
Примечательно, что КТ315 до сих пор производятся в Белоруссии, в корпусе ТО-92.

Наиболее важные параметры.

Граничная частота передачи тока — 250 МГц.
Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д — от 20 до 90.
У транзисторов КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е — от 50 до 350.
У транзистора КТ315Ж, — от 30 до 250.
У транзистора КТ315Ж, не менее 30.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. транзистора КТ315А — 25в.
Транзистора КТ315Б — 20в, транзистора КТ315Ж — 15в. У транзисторов КТ315В, КТ315Д — 40 в.
у транзисторов КТ315Г, КТ315Е — 35 в.
У транзистора КТ315И — 60 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы — 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 1,1 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1,5 в.
У транзисторов КТ315Ж — 0,9 в.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе коллектора 20 мА, а токе базы 2 мА:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г — 0,4 в.
У транзисторов КТ315Д, КТ315Е — 1 в.
У транзисторов КТ315Ж — 0,5 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.

Обратный ток коллектор-эмиттер при предельном напряжении : У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 1 мкА.
У транзисторов КТ315Ж — 10 мкА.
У транзисторов КТ315И — 100 мкА.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Максимальный ток коллектора. У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 100 мА.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 50 мА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, не более:
У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г,КТ315Д, КТ315Е, КТ315И — 7 пФ.
У транзисторов КТ315Ж — 10 пФ.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Прямых зарубежных аналогов у КТ315 нет. Наиболее близкий аналог(полное совпадение параметров) транзистора КТ315А — BFP719.

Аналог КТ315Б — 2SC633. Параметры этих транзисторов в основном совпадают, но у 2SC633 несколько ниже граничная частота передачи тока — 200МГц.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.

Транзисторы КТ3102 — кремниевые, усилительные маломощные высокочастотные, структуры n-p-n.
Пониженный коэффициент шума на частоте 1000 гц позволяет использовать эти транзисторы в каскадах предварительных усилителей звуковой частоты.
Кроме того, они применяются в усилительных и генераторных схемах высокой частоты. Корпус металлостеклянный(у более древних экземпляров) или пластиковый — ТО-92, с гибкими выводами. Масса — около 0,5 г. Маркировка буквенно — цифровая, либо цветовая — на боковой и верхней поверхностях корпуса.

При цветовой маркировке, темно-зеленое пятно на боковой поверхности определяет тип(КТ3102). Цветовое пятно сверху обозначает группу:
Бордовое — группа А(КТ3102А).
Желтое — группа Б(КТ3102Б).
Темно-зеленое — группа В(КТ3102В).
Голубое — группа Г(КТ3102Г).
Синие — группа Д(КТ3102Д).
Цвета «электрик» — группа Е(КТ3102Е).

Цоколевка КТ3102 — на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ3102А — от 100, до 250.
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д — от 200, до 500.
У транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е — от 400, до 1000.

Коэффициент шума при напряжении коллектор-эмиттер 5в, коллекторном токе 0,2мА, на частоте 1КГц:
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102А, КТ3102Г — не более 10дБ.
У транзисторов КТ3102Д, КТ3102Е — не более 10дБ. 1000.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102Е — 50в.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д — 30в.
У транзистора КТ3102Г — 20в.

Максимальный ток коллектора — 100мА.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 5в.

Обратный ток коллектор-эмиттер : У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более0,1мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более0,05мкА.

Обратный ток коллектора не более: У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более 0,05мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85 — не более 5мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и у КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более 0,015мкА, при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85, обратный ток может вырасти до 5мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 250мВт.

Граничная частота коэффициента передачи тока — 150 МГц.

Транзистор комплиментарный КТ3102 — КТ3107.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора. — 3А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Транзисторы КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315И, КТ315Ж.

Наиболее важные параметры.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 6 в.

Обратный ток коллектора при напряжении колектор-база 10в — 1 мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора.

У транзисторов КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е — 150 мВт.
У транзисторов КТ315Ж, КТ315И — 100 мВт.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ315.

Аналог КТ315Г — BFP722, КТ315Д — BC546B

Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.

Цоколевка КТ3102 — на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Максимальный ток коллектора — 100мА.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 5в.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 250мВт.

Граничная частота коэффициента передачи тока — 150 МГц.

Транзистор комплиментарный КТ3102 — КТ3107.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Характеристики транзистора КТ315 – сделали его самым популярным и самый известным во времена СССР, изготовлялся в пластиковом корпусе по эпитаксиально-планарной технологии. По своему устройству является кремниевым, биполярным, NPN-транзистором, малой мощности и высокой частоты. Начал выпускаться в далеком 1967 г., а в уже 1968 г. на его основе стали производить первые электронные приборы.

С ростом современных технологий популярность этого транзистора начала резко таять. Однако на многих форумах молодые радиолюбители продолжают спорить со старожилами о качестве данного устройства и возможности его применения. Сравнения ведутся зачастую с современными зарубежными решениями. На наш взгляд такое сравнение некорректно. Несомненно, современные аналоги обгоняют кт315 по своим свойствам и параметрам. Однако стоит признать, что для своего времени он был действительно прорывным и технически совершенным.

Распиновка

В советское и перестроечное время производился в корпусе КТ-13, который никогда не использовался зарубежными производителями. Притом, что КТ315 рабочая лошадка советской радиопромышленности. В наши дни, его продолжают выпускать в корпусе КТ-26 (TO-92) и КТ-46А (SOT-23), а так же в ограниченных количествах в КТ-13. Посмотрите внимательней на фотографии цоколевки КТ315 в разных корпусах и на буквы обозначающие назначение его электродов.

Несмотря на внешние различия транзисторов, их распиновка совпадает. Так, если смотреть на маркировку любого из них, то электроды слева на право будут всегда иметь следующее назначение: эмиттер (Э), коллектор (К) и база (Б), соответственно. Исходя из этого, становится понятной аббревиатура из трех букв «ЭКБ», которая встречается на технических форумах.

Характеристики

Технические свойства этого биполярника на удивление хороши, даже по сегодняшним меркам. К сожалению, в даташит современного производителя КТ315, представлена только основная информация. В них не найти графиков, отражающих поведение устройство в различных условиях эксплуатации, которыми наполнены современные технические описания на другие подобные устройства от зарубежных производителей.

Максимальные характеристики

Максимальные значения допустимых электрических режимов эксплуатации КТ315 до сих пор впечатляют начинающих радиолюбителей. Например, максимальный ток коллектора может достигать уровня в 100 мА, а рабочая частота у некоторых экземпляров превышает заявленные 250 МГц. Его более дорогие современники из серии КТ2xx/3xx, даже имея металлический корпус, не могли похвастаться такими показателями. КТ315 был долгое время своеобразным техническим лидером, пока ему на смену не пришёл усовершенствованный КТ3102. Рассмотрим максимально допустимые электрические режимы эксплуатации КТ315, в корпусе ТО-92, белорусского ОАО «Интеграл». В конце обозначения таких приборов присутствует цифра «1».

Основные электрические параметры

Будьте внимательны, несмотря на свои достаточно хорошие характеристики, КТ315 не может конкурировать с современными устройствами по некоторым параметрам. Так у современной серии КТ315, как и 50 лет назад, относительно небольшой диапазон рабочих температур от — 45 до + 100°C. А коэффициент шума (К_Ш) достигает 40 Дб, что уже много для современного устройства, предназначенного для усиления в низкочастотных трактах.

Классификация

Кроме основных параметров, в техническом описании можно найти распределение устройств по группам. Таблица классификации дает представление о параметрах всей серии КТ315. Используя её можно подобрать нужное устройство, путем сравнения основных характеристик всей серии.

Комплементарная пара

У КТ315 имеется комплементарная пара – КТ361. Эти устройства довольно часто применялись вместе, особенно в бестрансформаторных двухтактных схемах. Совместное применение данной пары безусловно вошло в историю российской электроники.

Историческая справка

Созданию первого транзистора по планарной технологии способствовали знания и опыт, полученные СССР при разработке интегральных микросхем. Их разработка в 60-е годы велась в НИИ «Пульсар», НИИ-35 и различных опытно-конструкторских бюро на предприятиях советской промышленности. В 1962 году в НИИ «Пульсар» перешли на планарную кремневую технологию, которая в последующем дала жизнь КТ315.

В 1962 году, под руководством инженера Осокина Ю.Н., были созданы первые советские германиевые микросхемы Р12–2 (Рижский завод полупроводниковых приборов). Эти микросхемы были своеобразным ответом СССР на первые подобные устройства появившиеся в США у компании Texas Instruments.

Небольшой временной период от разработки до серийного выпуска этого устройства, позволяет судить о высоком уровне развития электронной промышленности СССР в те времена. Судите сами, на сколько быстро и оперативно это было сделано. В 1966 г. министр энергетической промышленности Шокин А.И. узнал о появлении в США технологии промышленного изготовления транзисторов по планарной технологии. Уже в 1967 г. Фрязинский завод полупроводниковых приборов так же начинает выпускать первый в СССР высокочастотник в пластиковом корпусе, по аналогичной технологии – КТ315.

В 1968 г. начался выпуск первого электронного калькулятора — «Электроника-68», в котором насчитывалось около 400 транзисторов данного вида. А к 1973 он стал основой для разработки более 20 подобных полупроводниковых устройств. Примерно до начала 90-х годов КТ315 оснащалась почти вся отечественная электроника, так как, несмотря на свою дешевизну, он получился весьма надежным и технологичным. В настоящее время, в мире насчитывается более 7 миллиардов этих транзисторов. Они были выпущены не только в нашей стране, но и за рубежом по государственной лицензии от СССР.

Аналоги

Зарубежные аналоги КТ315, с похожими параметрами являются: BC547, 2SC9014, 2N3904, PN2222. Российской заменой можно считать усовершенствованный КТ3102 (ТО-92), но он имеет другую цоколевку. Зарубежных аналогов в корпусе КТ-13 в настоящее время не существует. Для министерства обороны СССР выпускались идентичные устройства в метало-стеклянных корпусах с маркировкой 2Т312, 2Т316.

Маркировка

По маркировке кт315 можно точно понять, что перед нами именно он, рассмотрим его в корпусе КТ13. Он имеет цифробуквенное обозначение и может отличается от своих собратьев цветом. Чаще всего встречается в оранжевом исполнении. В правом верхнем углу корпуса размещен знак завода-изготовителя, а в левом группа коэффициента усиления. Под условными обозначениями группы и предприятия-изготовителя указана дата выпуска. Вот их фотографии во всем цветовом разнообразии.

Устройства в таком исполнении до 1986 года имели золоченные контакты. После 1986 года количество содержания драгметаллов в них значительно снизилось. А в современных устройствах его практически нет. Усовершенствованный KT315 выпускается в корпусах для дырочного КТ-26 (TO-92) и поверхностного монтажа КТ-46А (SOT-23). На фотографии пример такого устройства — КТ315Г1 (TO-92).

Цифра «1», в конце указывает на современный КТ315(TO-92), а предпоследняя буква «Г» на группу, к которой относится транзистор из этой серии. На основе значений параметров в группе, можно определить его основное назначение. Например, КТ315Н1 использовался ранее в цветных телевизорах, а KT315P и КТ315Р1 применялись в видеомагнитофонах «Электроника ВМ».

Схема мультивибратора

Этот транзистор до сих пор применяется в учебных целях в различных радиолюбительских кружках. В сети интернет представлено множество схем, собранных на его основе. Наиболее популярная у начинающих радиолюбителей схема мультивибратора на кт315.

Проверка мультиметром

С помощью мультиметра можно проверить кт315, да и собственно любой полупроводниковый триод в два этапа. На первом этапе надо посмотреть состояние p-n переходов между базой и другими выводами. Как известно, p-n переходы у транзистора представляют собой два диода. Для их проверки надо установить на мультиметре режим измерения для диодов.

Далее приложите положительный щуп «+» мультиметра к базе, а отрицательны «-» на любой из электродов. Если переходы рабочие, то падение напряжения на них должно быть в пределах 500-700 милливольт. При подключения тестера по другому, когда отрицательный щуп установлен на базе, на экране мультиметра должна отображается единица. Единица указывает на бесконечно большое сопротивление перехода. Если эти условия не выполняются, то транзистор не проходит первый этап проверки и считается не исправным.

Падение напряжения на переходе база-эммитер должно быть больше чем на базе-коллектор. Обычно так определяют его контакты.

На втором этапе проверяется проводимость между выводами коллектора и эммитера. Щупы прикладываются разными способами между этими электродами, при этом на мультиметре должна отображаться единица. Если это не так –полупроводниковый прибор не исправен.

Нестандартное применение

А вот пример нестандартного применения нашего героя. На одном из технических форумов выложена интересная поделка из радиодеталей. Таким изящным образом радиолюбители продлевают жизнь давно вышедшим из строя, но дорогим сердцу радиодеталям.

Производители

В настоящее время производство данного транзистора значительно снизилось. Многие предприятия больше его не выпускают, в связи растущим применением в электронике более современных решений. Небольшими партиями транзистор КТ315 иногда впускается в корпусе КТ-13 компанией СКБ «Элькор» в Республике Кабардино-Балкария г. Нальчик. Белорусский конкурент ОАО «Интеграл» (холдинг завод «Транзистор») производит его в корпусе ТО-92. Скачать полную версию datasheet на этот прибор в формате pdf можно по ссылке.

Кт815б характеристики транзистора, цоколевка, аналог, datasheet

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать
на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены
для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает
сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц,
на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень
регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки
уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой
каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается
схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока.
Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного
сигнала.
При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы
германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры.
Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измерения	Обозначение	Норма параметра
КГ315А	КГ315Б	КГ315В	КГ315Г	КТЗ15Д	КГ315Е	КГ315Ж	КГ315И	КТ315Н	КТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (RBE = 10 кОм), В 1)	UCERmax	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)	UCES max	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)	UCB max	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)	UEB max	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)	IC max	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)	PC max	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰С	tj max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Примечание: 1. Для всего диапазона рабочих температур. 2. При tатв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С PCmax рассчитывается по формуле:

где Rt hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.

Рисунок 3 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ315 при UCE = 0, tатв = (25±10) °С

Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315 при tатв = (25±10) °С

Рисунок 5 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов КТ315 при IC/IB = 10, tатв = (25±10) °С

Рисунок 6 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315 при UCB = 10, tатв = (25±10) °С

Рисунок 7 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при UCB = 10, f = 100 МГц, tатв = (25±10) °С

Рисунок 8 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315

Рисунок 9 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при UCB = 10 В, f = 5 МГц, tатв = (25±10) °С для КТ315

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

напряжение между: К-Б — V_CBO (U_кб_max) до 40 В; К-Е — V_CEO (U_кэ_max) до 30 В;Э-Б — V_EBO (U_эб_max) до 6 В;
коллекторный ток: постоянный I_C (I_к_max) = 3 А; переменный, при t_P < 5ms — I_C_M (I_ки_max) до 6 А;
ток базы I_B (I_{Б max}) = 3 А до 1 А;
мощность рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_к_max) до 1.25 Вт;
тепловое сопротивление перехода Rthj-case — 10 ° C/Вт;
диапазон температур хранения и использования T_stg = -55 … 150 оС;
температура кристалла T_J до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Транзистор КТ815

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
КТ815А	—	BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 3 , DTL1651 1 , 2SD146 1 , 2SD236 1
КТ815Б	—	BD167, MJE720, 2SC1419 3 , BD233 2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В	—	BD169, MJE721, KD235, BD815 3 , BD167, 2N1481 1 , 2N1479 3 , 2N4922 2 , 2N4911 3 , 2SD147 3
КТ815Г	—	BD818, MJE722, 2N1482 1 , 2N1480 1 , BD169 2 , 2N4923, 2N4912 3 , DT41653 *3
Структура	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_{K max,}P * _{K, τ max},P ** _{K, и max}	КТ815А	—	10*	Вт
КТ815Б	—	10*
КТ815В	—	10*
КТ815Г	—	10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр, f * _h31б, f _h31э, f * _max	КТ815А	—	≥3	МГц
КТ815Б	—	≥3
КТ815В	—	≥3
КТ815Г	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб. ,} U * _{КЭR проб.,} U ** _{КЭО проб.}	КТ815А	0.1к	40*	В
КТ815Б	0.1к	50*
КТ815В	0.1к	70*
КТ815Г	0.1к	100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ815А	—	5	В
КТ815Б	—	5
КТ815В	—	5
КТ815Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I * _{К , и max}	КТ815А	—	1.5(3*)	А
КТ815Б	—	1.5(3*)
КТ815В	—	1.5(3*)
КТ815Г	—	1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I * _КЭR, I ** _КЭO	КТ815А	40 В	≤0. 05	мА
КТ815Б	40 В	≤0.05
КТ815В	40 В	≤0.05
КТ815Г	40 В	≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h * _21Э	КТ815А	2 В; 0.15 А	≥40*
КТ815Б	2 В; 0.15 А	≥40*
КТ815В	2 В; 0.15 А	≥40*
КТ815Г	2 В; 0.15 А	≥30*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с * _12э	КТ815А	5 В	≤60	пФ
КТ815Б	5 В	≤60
КТ815В	5 В	≤60
КТ815Г	5 В	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К} * _у.р.	КТ815А	—	≤1. 2	Ом, дБ
КТ815Б	—	≤1.2
КТ815В	—	≤1.2
КТ815Г	—	≤1.2
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r * _b, P ** _вых	КТ815А	—	—	Дб, Ом, Вт
КТ815Б	—	—
КТ815В	—	—
КТ815Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t * _выкл, t *** _пк(нс)	КТ815А	—	—	пс
КТ815Б	—	—
КТ815В	—	—
КТ815Г	—	—

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Зарубежные прототипы

КТ815Б — BD135
КТ815В — BD137
КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип

Структура

PК max, PК* т. max, мВт

fгр, МГц

UКБО max, UКЭR*max, В

UЭБО max, В

IК max, мА

IКБО, мкА

h31э, h31Э*

CК, пФ

rКЭ нас, Ом

rб, Ом

τк, пс

KT315A1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Б1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315В1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Г1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Д1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Е1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Ж1

n-p-n

100

≥250

100

≤0,5

30…250 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315И1

n-p-n

100

≥250

100

≤0,5

30 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Н1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

–

KT315Р1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

150…350 (10 В; 1 мА)

≤7

–

КТ315А

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

30…120* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

КТ315Б

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315В

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

30…120* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315Г

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315Д

n-p-n

150 (250*)

≥250

40* (10к)

100

≤0,6

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤30

≤40

≤1000

КТ315Е

n-p-n

150 (250*)

≥250

35* (10к)

100

≤0,6

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤30

≤40

≤1000

КТ315Ж

n-p-n

100

≥250

20* (10к)

≤0,6

30…250* (10 В; 1 мА)

≤7

≤25

–

≤800

КТ315И

n-p-n

100

≥250

60* (10к)

≤0,6

≥30* (10 В; 1 мА)

≤7

≤45

–

≤950

КТ315Н

n-p-n

150

≥250

35* (10к)

100

≤0,6

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤5,5

–

≤1000

КТ315Р

n-p-n

150

≥250

35* (10к)

100

≤0,5

150…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

–

≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h3lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h3lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых

, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение

. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзистор	Зарубежный аналог	Возможность купить	Предприятие производитель	Страна производитель
КТ315А	BFP719	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Б	BFP720	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315В	BFP721	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Г	BFP722	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Д	2SC641	есть	Hitachi	Япония
КТ315Е	2N3397	есть ~ 4$	Central Semiconductor	США
КТ315Ж	2N2711	есть ~ 9$	Sprague electric corp.	США
BFY37, BFY37i	есть	ITT Intermetall GmbH	Германия
КТ315И	2SC634	есть ~ 16$	New Jersey Semiconductor	США
есть	Sony	Япония
КТ315Н	2SC633	есть ~ 1$	Sony	Япония
КТ315Р	BFP722	нет	Unitra CEMI	Польша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв. см.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

Параметры	Обозначение	Значение
Напряжение эмиттер — база	Uэб max	5 В
Постоянный ток коллектора	Iк max	1,5 А
Импульсный ток коллектора	Iк max	3 А
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	10 Вт
Температура перехода	Tпер	150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр. среды = 25°С

Паpаметpы	Обозначение	Режимы измеpения	Min	Maх	Ед.измеp
Обратный ток коллектора	Iкбо	Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)	50	мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэо	Rэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)	100	мкА
Статический коэффициент передачи тока	h31э	Uкб=2 В, Iэ=0,15 А	40,30(Г)	275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас	Iк=0,5 А, Iб=50 мА	0,6	В

Оцените статью:Эквивалент транзистора

Kt315 pdf

Эквивалент транзистора Kt315 pdf

Bu515 можно заменить на bu508, потому что оба используются в секции горизонтального отклонения телевизора. Kt315 datasheet, kt315 pdf, kt315 data sheet, kt315 manual, kt315 pdf, kt315, datenblatt, electronics kt315, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. Ищу что-нибудь может заменить эти транзисторы. Наша компания занимается поставкой на экспорт электронных компонентов, произведенных в России и бывшем Советском Союзе.Транзисторный эквивалент c945 может быть недостаточной информацией для определения точного устройства для замены. Ss8050 ss8050c ss8050d 55oc ss8050 эквивалент ss8050d ss8050c npn-транзистор ss8050d 800ma ss8050 транзистор ss8050d 1. 2n3904 — это обычный npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для универсальных маломощных усилительных или коммутационных приложений. Идентификатор, напечатанный на компонентах, может вводить в заблуждение и иногда является сокращенной версией всей информации, необходимой для точной перекрестной ссылки.Просмотр сообщений форума личное сообщение просмотр записей блога просмотр статей полный уровень членства 4. Kt315i datasheet, аналог, поиск по перекрестным ссылкам. KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто использовался в паре с ним в двухтактных каскадах, транзисторы KT315 и KT361 стали первыми когда. Не выбирайте транзистор с гораздо большим ft, так как это может увеличить риск колебаний.

Символ параметр условия единица значения rthja тепловое сопротивление от перехода к окружающей среде примечание 1 500 кВт.Pc max ucb max uce max ueb max ic max ft max cctip pf hfe tj эквивалент в евро, эквивалент сша. Примечания к выбору транзисторной замены электроники. Российские электронные компоненты трейдер диод, терморезистор. Kt315g — параметры, поиск аналогов. Это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилителей или коммутационных устройств общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. Список перекрестных ссылок полупроводников и транзисторов. База данных биполярных транзисторов содержит более 46000 транзисторов.K3569 datasheet vdss600v, nch транзистор toshiba, 2sk3569 datasheet, k3569 pdf, распиновка k3569, эквивалент k3569, данные, схема k3569, схема k3569. C1815 перекрестные ссылки на электронные схемы, схемы телевизоров. Ic перекрестная ссылка перекрестная ссылка ci stk перекрестная ссылка ci tda перекрестная ссылка ci четкая перекрестная ссылка Hitachi аудио IC перекрестная ссылка и схемы приложения SMD перекрестная ссылка и эквивалент Мы делаем все возможное, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем или представить это.

Знание того, как заменить транзистор другого типа, может ускорить работу. Очевидно, усилители и генераторы должны работать несколько ниже этой частоты. Инструкции по определению теплового сопротивления rths для ребер охлаждения можно найти на странице 11. 21 сентября 2009 г. для kt315 используйте практически любой маломощный тип npn. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315. Апидиктор был разработан в начале 1950-х годов и содержал три типа транзисторов, каждый из которых мог быть двух указанных типов, но на начало 2000-х годов ни один из них не был общедоступным.Kt361a datasheet, kt361a pdf, kt361a распиновка, аналог, замена pnp транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство. 2n3904 демонстрирует свой бета-пик прямого усиления при более низком токе, чем 2n2222, и может использоваться в усилителях с пониженным i c, e. Irfz43 ka3842d irf510 транзистор-переключатель mc7805ct транзистор mc7812ct ka336z irfz44 pnp высоковольтный pnp-транзистор 700в ks82c670n. Перекрестная ссылка на универсальный транзистор, ссылка на страницу 1.

K3569 datasheet vdss600v, mosfet транзистор toshiba.KT315 — это советский кремниевый биполярный npn-транзистор общего назначения. Ссылки слева могут помочь вам найти собственные транзисторы для замены. Транзисторные эквиваленты для замены современных транзисторов в старых проектах. Если используется слюдяная изоляция, необходимо добавить тепловое сопротивление слюдяной шайбы, которое составляет около 0. Выберите заменяющий транзистор с эквивалентными футами. Первоначально он был изготовлен из металлической банки to18, как показано на рисунке, рассматривается 2n2222. очень распространенный транзистор, и есть.Без дополнительных деталей схемы я не могу сказать наверняка, но, вероятно, рассчитан как минимум на 10 ампер и 30 вольт. Если к транзистору приложить напряжение, превышающее максимально допустимое, он может быть необратимо поврежден. Посмотреть все форматы и редакции, скрыть другие форматы и редакции. Перекрестные ссылки — это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее. Транзисторные эквиваленты на замену современным. 2n2222 — это обычный npn-транзистор с биполярным переходом bjt, используемый для усиления или коммутации малой мощности общего назначения.Таблицы эквивалентов между русской и западной частями.

Замена транзистора Распайка и замена транзистора занимает очень мало времени. Больше времени уходит на то, чтобы выяснить, какой заменить, а иногда и чем заменить. При максимальном напряжении, также называемом напряжением пробоя bv, электроны. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor datasheetcafe. Оригинальный транзистор может нуждаться в особом заказе или быть снят с производства и быть недоступным. KT361 является дополнительным к транзистору KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах.Поскольку распределение тепла в кристалле транзистора неравномерно и зависит от напряжения и. Kt315b — параметры поиска по каталогам. Полупроводниковый транзистор, диод, перекрестная ссылка на микросхему. Для kt315 используйте практически любой тип npn малой мощности.

Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, даташит kt315a, pdf kt315, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, kt315. Если вы найдете какую-либо информацию, которая может заполнить любой из пробелов в таблице ниже. Эквивалентная таблица данныхpdf a1425apl84c microsemi corporation.KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Здесь я собрал всю имеющуюся у меня информацию о заменах западных частей на российские компоненты, которые я использую в своих конструкциях. Npn-транзистор средней мощности имеет сильноточное низкое напряжение насыщения, дополняющее 2sb772, драйвер реле регулирования напряжения, общий переключатель, аудио усилитель мощности, преобразователь постоянного тока, описание, устройство представляет собой транзистор npn, изготовленный с использованием планарной технологии, что приводит к созданию прочных высокопроизводительных устройств.Форум схем, проектов транзисторной эквивалентной электроники. Так называемые эквивалентные части, или альтернативные компоненты, могут вообще не работать в некоторых случаях, потому что они были хуже в некоторых спецификациях, или схема была спроектирована с предположением, что часть имеет довольно низкую полосу пропускания.

Необходимо убедиться, что заменяемый транзистор сможет работать на соответствующих частотах, поэтому рекомендуется использовать аналогичный или немного более высокий ft. Замещающий транзистор должен иметь ту же полярность (pnp или npn), что и исходный.Kt315a — параметры поиска по каталогам. Диод 1n9148 1n4307 1n4532 диод 1n3605 2n2222 микросхема 2n2369 транзистор se708 ma1704 ma1703 текст. Если вы установите неправильную полярность, бутерброд не подойдет. 25 августа 2011 г. перекрестные ссылки — это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее. 2n3904 очень часто используется в проектах по хобби-электронике, включая самодельные любительские радиоприемники, генераторы кодовых практик, аналоговые усилители и устройства сопряжения для. Кт315а 2н2712, 2с633, бфп719 транзистор ссср лот. Характеристики tj 25 c, если не указано иное. 24 октября 2015 г. Я ищу что-нибудь, что может заменить эти транзисторы. База данных биполярных транзисторов содержит более 46000 данных транзисторов npn и pnp. 9 декабря 2016 г. это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. C1815 перекрестные ссылки электронные схемы, схемы тв, аудио.Nte — компания, специализирующаяся на деталях с перекрестными ссылками.

Мы можем предложить вам доставку комплектующих с нашего склада, заводов, а также поиск компонентов, которые больше не производятся. 2n3904 — это npn-транзистор, который может включать только треть тока, чем 2n2222, но имеет в остальном аналогичные характеристики. Эпитаксиальный процесс pct кремния pnp транзистора Toshiba. Он разработан для низкого и среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. 30.11.2015 усиление транзистора падает с увеличением частоты. Эквивалентный datasheetpdf microsemi corporation a1425apl84c datasheet, до 10 000 вентильных матриц, эквивалентных вентилей, до 25 000 эквивалентных вентилей pld, micropac industries 66191 datasheet, hammond Manufacturing ltd. Bf199, bf494, 2n4001, 2n4003, mpsa18 и все, что у меня есть. Данные о мировых эквивалентах транзисторов az by eca author 4.

Мы можем предложить вам доставку комплектующих с нашего склада, заводов, а также поиск, который вам сложно найти.Kt805 datasheet, kt805 pdf, распиновка kt805, аналог, замена транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство. KT315 — это советский кремниевый npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt. Эквивалентную схему транзистора теперь можно развить с помощью двухполюсных формул для основной цепи транзистора, показанной на рис. Ic перекрестная ссылка перекрестная ссылка ci stk перекрестная ссылка ci tda перекрестная ссылка ci четкая перекрестная ссылка Hitachi аудио IC перекрестная ссылка и схемы приложения SMD перекрестная ссылка и эквивалент Мы делаем все возможное, чтобы материалы на этом сайте были точными, однако мы не гарантируем или заявляем, что информация бесплатна. Irfz43 ka3842d irf510 транзистор-переключатель mc7805ct транзистор mc7812ct ka336z irfz44 pnp высоковольтный pnp-транзистор 700в. Это транзистор на 200 мА, 40 В, 625 мВт с переходной частотой 300 МГц, с минимальным коэффициентом усиления бета или тока 100 при токе коллектора 10 мА. Kt315 npn компоненты транзистора техническое описание pdf техническое описание бесплатно из технического описания поиск для интегрированного. Этот тип был зарегистрирован Motorola Semiconductor в середине 1960-х годов вместе с дополнительным pnp-типом 2n3906 и представлял собой значительное улучшение производительности, поскольку пластиковый корпус to92 заменял металлические банки.

Pc max ucb max uce max ueb max ic max ft max cctip pf hfe tj эквивалент в евро, эквивалент сша, эквивалент ссср, эквивалент в Японии. 26 июня 2017 г. k3569 datasheet vdss600v, nch транзистор toshiba, 2sk3569 datasheet, k3569 pdf, распиновка k3569, эквивалент k3569, данные, схема k3569, схема k3569. Но 8050 и 8550 кажутся подходящими для создания двухтактных усилителей. Схема испытания, эквивалентная времени задержки и нарастания. 2. 28 апреля 2014 г. скачайте бесплатно базу данных по биполярным транзисторам.

50x KT315G кремниевый высокочастотный биполярный транзистор Н-П-Н СССР Электронные компоненты и полупроводники Электрооборудование и материалы

50x KT315G кремниевый высокочастотный биполярный транзистор НПН СССР Электронные компоненты и полупроводники Электрооборудование и материалы

Дом
Бизнес и промышленность
Электрооборудование и материалы
Электронные компоненты и полупроводники
Полупроводники и активные элементы
Транзисторы
50x KT315G кремниевый высокочастотный биполярный транзистор НПН СССР

50х КТ315Г транзистор биполярный высокочастотный кремниевый Н-П-Н.СССР. Характеристики транзистора кт315г. Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 50-350. Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора составляет 100 мА. Состояние: Новое: новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный предмет в оригинальной упаковке (если применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, если только товар не был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет.См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий ： Продукт не для отечественного производства: ： Нет ， Пользовательский комплект: ： Нет ： Модель: ： KT315G ， MPN: ： Не применяется ： Измененный элемент: ： Нет ， Бренд: ： Electronica ： Страна / регион производства: ： Русский Федерация ， Тип транзистора: ： NPN BJT ，。

50x КТ315Г транзистор кремниевый высокочастотный биполярный Н-П-Н СССР

Эта страница используется для проверки правильности работы HTTP-сервера Apache после его установки.Если вы можете прочитать эту страницу, значит, этот сайт работает правильно. Этот сервер работает на CentOS.

50х КТ315Г транзистор кремниевый высокочастотный биполярный Н-П-Н СССР

50х КТ315Г транзистор кремниевый высокочастотный биполярный НПН СССР, транзистор кремниевый высокочастотный биполярный КТ315Г НПН СССР 50х, Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 50-350, Максимально допустимый постоянный (импульсный) коллектор ток 100 мА, Характеристики транзистора kt315g, вот ваша самая идеальная цена 100% оригинал + БЕСПЛАТНАЯ доставка Современная мода Непревзойденное качество и ценность Интернет-активность со скидкой! 50х КТ315Г транзистор кремниевый высокочастотный биполярный Н-П-Н СССР зопли.com.

50х КТ315Г транзистор кремниевый высокочастотный биполярный Н-П-Н СССР

Кулон Полумесяц Полумесяц из желтого золота 585 пробы, полированная отделка Подлинная 11 x 10 мм: Одежда, дата первого упоминания: 12 сентября. Этот дизайн присутствует на многих других предметах. Они также устойчивы к царапинам и покрыты супергидрофобной и антибликовой обработкой без дополнительных затрат, кремниевый высокочастотный биполярный транзистор 50x KT315G N-P-N СССР . Купите Chrysler Genuine 82203875AB Брызговик Комплект: Брызговики и Брызговики — ✓ БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА возможна при определенных покупках. Разработан с упором на уменьшение пыли, рекомендуемый диапазон мощности лампы составляет 30-40 Вт.СРЕДНИЙ: — 8 ЖЕЛТЫЙ Зажим для ремня, 50x КТ315Г кремниевый высокочастотный биполярный транзистор Н-П-Н СССР , Цвет: Пурпурный / Черный / Темно-серый / Розовый. Держите ноги в удобстве в течение дня, это может эффективно улучшить мышечную силу. ЗАЩИТНАЯ УПАКОВКА: Поставляется в надежной мягкой упаковке с защитой от угла до угла. 50х КТ315Г транзистор кремниевый высокочастотный биполярный Н-П-Н СССР . Кошелек для повседневного использования изготовлен из высококачественной кожи из микрофибры. Классная рубашка с длинным рукавом: покупайте футболки лучших модных брендов в ✓ БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКЕ. Возможен возврат при покупке, отвечающей критериям.Идеально подходит в самые холодные дни года и в качестве особого подарка для ваших близких, наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата, кремниевый высокочастотный биполярный транзистор 50x KT315G NPN СССР , имеет несколько внутренних карманов на молнии, вам необходимо иметь 1 рабочий ключ, который запускает автомобиль для самостоятельного программирования нового пульта дистанционного управления. Технические характеристики Допуски по размерам и геометрии DIN 620, водонепроницаемость IP66 и конструкция, устойчивая к непогоде. 50х КТ315Г транзистор кремниевый высокочастотный биполярный Н-П-Н СССР .заглушки и множество подобных склеенных продуктов. полиэфирное волокно и система спиральных пружин карманного типа с независимой обмоткой.

Вы администратор?

Вам следует добавить содержимое вашего веб-сайта в каталог / var / www / html /.

Чтобы предотвратить использование этой страницы, следуйте инструкциям в файле /etc/httpd/conf.d/welcome.conf.

Продвижение Apache и CentOS

Вы можете свободно использовать изображения ниже на HTTP-серверах Apache и CentOS Linux.Спасибо за использование Apache и CentOS!

50х КТ315Г транзистор кремниевый высокочастотный биполярный Н-П-Н СССР

Коэффициент передачи статического тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 50-350, Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора 100 мА, Характеристики транзистора КТ315г, Вот ваша самая Идеальная цена 100% оригинал + БЕСПЛАТНО Доставка современной моды Непревзойденное качество и ценность Интернет-акции со скидкой! zopli.

com
50x КТ315Г транзистор кремниевый высокочастотный биполярный Н-П-Н СССР zopli.com

видов, схем, простых и сложных Усилители ВЧ бытовые

Усилитель мощности 10Вт

Усилитель рассчитан на работу с трансвером с P out до 1 Вт. Нагрузкой возбудителя, обеспечивающей стабильную работу на всех диапазонах, является резистор R1. Настройка заключается в установке тока покоя VT2 в пределах 0.3 А (при отсутствии сигнала на входе).

Сигнал 1 В на входе увеличивает выходную мощность антенны до 10 Вт. Переключение передача-прием осуществляется от внешней цепи управления, которая замыкается на корпус при переключении на передачу. Это срабатывает реле K1 и подключает антенну к выходу усилителя мощности. При разрыве цепи управления на базе VT1 появляется положительное напряжение, размыкающее его. Соответственно коллектор VT1 около нуля.Транзистор VT2 закрывается. Реле типа РПВ2 / 7 по паспорту РС4. 521.952 Дроссели Л1 и Л2 типа Д1 (1А) с индуктивностью 30 и 10 мкГн соответственно. Диаметр рамки L3 — 15 мм, провод ПЭВ2 1,5 мм

Широкополосный усилитель мощности

Дроздов В.В. (РА3АО)

Для работы в связке с всеполосным трансивером KB можно использовать широкополосный усилитель мощности, принципиальная схема которого приведена на рис. 1. В диапазонах 1,8-21 МГц его максимальная выходная мощность в диапазоне телеграфный режим при напряжении питания +50 В и сопротивлении нагрузки 50 Ом составляет около 90 Вт, в диапазоне 28 МГц — около 80 Вт.Пиковая выходная мощность в режиме усиления однополосного сигнала при уровне интермодуляционных искажений менее -36 дБ составляет около 80 и 70 Вт соответственно. При правильно подобранных транзисторах усилителя уровень второй гармоники меньше -36 дБ, третьей гармоники меньше -30 дБ в режиме линейного усиления и меньше -20 дБ в режиме максимальной мощности.

Усилитель собран по двухтактной схеме на мощных полевых транзисторах VT1, VT2. Трансформатор длинной линии T1 обеспечивает переход от несимметричного источника возбуждения к симметричному входу двухтактного каскада.Резисторы R3, R4 позволяют согласовать входное сопротивление каскада с коаксиальной линией 50 Ом при КСВН не более 1,5 в диапазоне 1,8–30 МГц. Их низкий импеданс дает усилителю очень хорошее сопротивление самовозбуждению. Для задания начального смещения, соответствующего работе транзисторов в режиме B, используется схема Rl, R2, R5. Диоды VD1, VD2 и VD3, VD4 вместе с конденсатором C7 образуют пиковый детектор цепи ALC и защиту транзисторов от перенапряжения в цепи стока.Порог срабатывания этой схемы в основном определяется напряжением стабилизации стабилитрона VD9 и близок к 98 В. Диоды VD5-VD8 используются для «мгновенной» защиты цепи стока от перенапряжений. Трансформатор длинной линии Т3 обеспечивает переход от симметричного выхода усилителя к несимметричной нагрузке. Чтобы облегчить требования к полосе пропускания этого трансформатора и уменьшить возможные скачки напряжения в цепи стока, перед трансформатором подключен сбалансированный фильтр нижних частот C8L1C10, C9L2C11 с частотой среза около 30 МГц.

Крепление усилителя навесное. Усилитель собран на оребренном радиаторе-радиаторе из дюралюминия размером 110х90х45 мм. Ребра фрезерованы с двух сторон радиатора, их количество 2х13, толщина каждого 2 мм, высота 15 мм со стороны установки транзисторов и 20 мм со стороны гаек их крепления. На продольной оси радиатора на расстоянии 25 мм от поперечной оси фрезерованы площадки диаметром 30 мм для установки транзисторов, а с обратной стороны — для крепления гаек.Между транзисторами на ребрах радиатора проложена шина «общий провод», вырезанная из листовой меди толщиной 0,5 мм и прикрепленная к основанию радиатора двумя винтами М3, пропущенными между двумя центральными ребрами на расстоянии 10 мм от его края. Размеры шин — 90х40 мм. К шине крепятся монтажные стойки. Катушки L1 и L2 бескаркасные и намотаны неизолированным медным проводом диаметром 1,5 мм на оправке 8 мм. При длине намотки 16 мм они имеют пять витков. Трансформатор Т1 намотан двумя многожильными проводами ПЭЛ.ШО 0,31 с шагом закрутки около трех витков на сантиметр на кольцевом магнитопроводе из феррита М400НН типоразмера К10х6х5 и содержит 2х9 витков. Трансформаторы Т2 и Т3 намотаны на круглых магнитопроводах из феррита той же марки типоразмера К32х20х6. Трансформатор Т2 содержит 2х5 витков скрутки из проводов ПЭЛШО 0,8 с шагом два витка на сантиметр, Т3-2х8 витков такой скрутки. Конденсаторы С1 — С3 — типа КМ5 или КМ6, С4-С7-КМ4, С8-С11-КТ3.

Создание правильно собранного усилителя с обслуживаемыми частями сводится к настройке индуктивностей катушек L1 и L2 до максимальной отдачи в диапазоне 30 МГц путем сжатия или растяжения витков катушек и установки начального смещения с помощью резистора R1 на минимизировать интермодуляционные искажения в режиме усиления однополосного сигнала.

Следует отметить, что уровень искажений и гармоник во многом зависит от точности подбора транзисторов. Если нет возможности подобрать транзисторы с похожими параметрами, то для каждого транзистора следует сделать отдельные схемы установки начального смещения, а также по минимуму гармоник выбрать один из резисторов R3 или R4, подключив дополнительные резисторы параллельно к нему.

В режиме линейного усиления в диапазонах 14-28 МГц за счет наличия фильтров нижних частот C8L1C10, C9L2C11 уровень гармоник на выходе усилителя не превышает допустимую норму 50 мВт, и его можно подключить прямо к антенне.В диапазонах 1,8-10 МГц усилитель должен быть подключен к антенне через простейший фильтр нижних частот, аналогичный схеме C8L1C10, и достаточно двух фильтров, один для диапазонов 1,8 и 3,5 МГц, другой для диапазона 7. и диапазоны 10 МГц. Емкость обоих конденсаторов первого фильтра по 2200 пФ, второго по 820 пФ, индуктивность первого фильтра около 1,7 мкГн, второго — около 0,6 мкГн. Катушки удобно делать бескаркасными из неизолированной медной проволоки диаметром 1.5 — 2 мм, намотанные на оправку диаметром 20 мм (диаметр витков около 25 мм). Катушка первого фильтра содержит 11 витков с длиной намотки 30 мм, второго — шесть витков с длиной намотки 25 мм. Фильтры настраиваются путем растягивания и сжатия витков катушек до максимальной отдачи в диапазонах 3,5 и 10 МГц. Если усилитель используется в режиме перенапряжения, на каждую полосу следует включать отдельные фильтры.

Вход усилителя также можно согласовать с коаксиальной линией 75 Ом.Для этого номиналы резисторов R3, R4 взяты на 39 Ом. В этом случае мощность, потребляемая от возбудителя, уменьшится в 1,3 раза, но может увеличиться отсечка усиления в высокочастотных диапазонах. Для выравнивания АЧХ последовательно с конденсаторами С1 и С2 можно включить катушки с экспериментально подобранной индуктивностью, которая должна быть около 0,1-0,2 мкГн.

Усилитель можно напрямую нагружать на 75 Ом. За счет действия контура ALC линейный пониженный режим его работы сохранится, но выходная мощность снизится на 1.5 раз.

Усилитель мощности на КП904

Е. Иванов (РА3ПАО)

При повторении усилителя мощности UY5DJ (1) оказалось, что наиболее критичным узлом, снижающим надежность всего усилителя, является выходной каскад. После экспериментов с различными типами биполярных транзисторов мне пришлось перейти на полевые.

За основу взят выходной каскад широкополосного усилителя УТ5ТА (2). Схема представлена на рис.1. новые детали выделены жирными линиями. Небольшое количество деталей позволило смонтировать каскад на печатной плате и радиатор от UY5DJ вместо деталей и транзисторов усилителя UY5DJ. Ток покоя транзисторов 100 … 200 мА.

Простейший транзисторный усилитель может стать хорошим пособием при изучении свойств устройств. Схемы и конструкции достаточно простые, вы можете самостоятельно изготовить прибор и проверить его работу, измерить все параметры.Благодаря современным полевым транзисторам миниатюрный микрофонный усилитель можно сделать буквально из трех элементов. И подключите его к персональному компьютеру, чтобы улучшить параметры записи звука. И собеседники во время разговора будут намного лучше и отчетливее услышать вашу речь.

Частотные характеристики

Усилители низкой (звуковой) частоты встречаются практически во всей бытовой технике — музыкальных центрах, телевизорах, радиоприемниках, магнитолах и даже персональных компьютерах.Но есть еще усилители ВЧ на транзисторах, лампах и микросхемах. Их отличие в том, что УНЧ позволяет усилить сигнал только той звуковой частоты, которую воспринимает человеческое ухо. Усилители звука на транзисторах могут воспроизводить сигналы с частотами от 20 Гц до 20 000 Гц.

Следовательно, даже простейшее устройство способно усилить сигнал в этом диапазоне. Причем делает это максимально равномерно. Коэффициент усиления напрямую зависит от частоты входного сигнала.График зависимости этих значений практически прямой. Если на вход усилителя подать сигнал с частотой вне диапазона, качество работы и КПД устройства быстро снизятся. УНЧ-каскады собираются, как правило, на транзисторах, работающих в диапазоне низких и средних частот.

Классы работы усилителей звука

Все усилительные устройства делятся на несколько классов, в зависимости от того, какая степень протекания тока через каскад в период эксплуатации:

Класс «А» — ток не течет. остановка на весь период работы усилительного каскада.
В рабочем классе «B» ток течет половину периода.
Класс «AB» означает, что ток протекает через каскад усилителя в течение времени, равного 50–100% периода.
В режиме «C» электрический ток течет меньше половины рабочего времени.
Режим «D» УНЧ применяется в радиолюбительской практике совсем недавно — чуть более 50 лет. В большинстве случаев эти устройства реализованы на основе цифровых элементов и имеют очень высокий КПД — более 90%.

Искажения в разных классах усилителей НЧ

Рабочая зона транзисторного усилителя класса А характеризуется достаточно низкими нелинейными искажениями. Если входной сигнал испускает импульсы с более высоким напряжением, это вызывает насыщение транзисторов. В выходном сигнале около каждой гармоники начинают появляться более высокие (до 10 или 11). Из-за этого издается металлический звук, характерный только для транзисторных усилителей.

При нестабильном питании выходной сигнал будет имитироваться по амплитуде, близкой к частоте сети.В левой части частотной характеристики звук станет более жестким. Но чем лучше стабилизация мощности усилителя, тем сложнее становится конструкция всего устройства. УНЧ класса «А» имеют относительно невысокий КПД — менее 20%. Причина в том, что транзистор постоянно включен и через него постоянно течет ток.

Для увеличения (пусть и незначительного) КПД можно использовать двухтактные схемы. Один из недостатков состоит в том, что полуволны выходного сигнала становятся несбалансированными.Если перейти из класса «А» в «АВ», нелинейные искажения увеличатся в 3-4 раза. Но КПД всей схемы устройства все равно увеличится. УНЧ классов «AB» и «B» характеризует нарастание искажений при снижении уровня сигнала на входе. Но даже если увеличить громкость, полностью от недостатков не избавится.

Работа в промежуточных классах

Каждый класс имеет несколько разновидностей. Например, есть усилители класса «А +».В нем транзисторы на входе (низкое напряжение) работают в режиме «А». А вот высоковольтные, установленные в выходных каскадах, работают либо в «В», либо в «АВ». Такие усилители намного экономичнее, чем работающие в классе «А». Заметно меньшее количество нелинейных искажений — не более 0,003%. Лучших результатов можно добиться при использовании биполярных транзисторов. Принцип работы усилителей на этих элементах будет рассмотрен ниже.

Но все же в выходном сигнале много высших гармоник, что делает звук характерным металлическим.Также существуют схемы усилителя, работающие в классе «АА». У них еще меньше гармонических искажений — до 0,0005%. Но главный недостаток транзисторных усилителей все же есть — характерный металлический звук.

«Альтернативные» конструкции

Нельзя сказать, что они альтернативные, просто некоторые специалисты, занимающиеся проектированием и сборкой усилителей для качественного воспроизведения звука, все чаще отдают предпочтение ламповым конструкциям. К достоинствам ламповых усилителей можно отнести:

Очень низкое значение уровня гармонических искажений выходного сигнала.
Высшие гармоники меньше, чем в транзисторных конструкциях.

Но есть один огромный минус, который перевешивает все достоинства — это обязательная установка устройства для согласования. Дело в том, что ламповый каскад имеет очень высокое сопротивление — несколько тысяч Ом. А вот сопротивление обмотки динамика 8 или 4 Ом. Чтобы соответствовать им, нужно установить трансформатор.

Конечно, это не очень большой недостаток — есть транзисторные устройства, которые используют трансформаторы для согласования выходного каскада и акустической системы.Некоторые эксперты утверждают, что наиболее эффективная схема — гибридная, в которой используются несимметричные усилители, не охваченные отрицательной обратной связью. Причем все эти каскады работают в режиме УНЧ класса «А». Другими словами, в качестве повторителя используется транзисторный усилитель мощности.

Причем КПД таких устройств довольно высокий — около 50%. Но не стоит ориентироваться только на показатели эффективности и мощности — они не говорят о высоком качестве воспроизведения звука усилителем.Гораздо важнее линейность и качество. Поэтому в первую очередь нужно обращать внимание на них, а не на мощность.

Несимметричная схема УНЧ на транзисторе

Простейший усилитель с общим эмиттером работает по классу «А». В схеме используется полупроводниковый элемент со структурой n-p-n. В цепи коллектора установлено сопротивление R3, ограничивающее протекающий ток. Цепь коллектора подключена к положительному проводу питания, а цепь эмиттера — к отрицательному.В случае использования полупроводниковых транзисторов с p-n-p структурой схема будет точно такой же, только нужно поменять полярность.

С помощью блокирующего конденсатора C1 можно отделить входной сигнал переменного тока от источника постоянного тока. В этом случае конденсатор не является препятствием для протекания переменного тока по пути база-эмиттер. Внутреннее сопротивление перехода эмиттер-база вместе с резисторами R1 и R2 является простейшим делителем питающего напряжения.Обычно резистор R2 имеет сопротивление 1-1,5 кОм — наиболее типичные значения для таких схем. В этом случае напряжение питания делится ровно пополам. А если запитать схему напряжением 20 Вольт, то можно увидеть, что значение коэффициента усиления по току h31 будет 150. Следует отметить, что транзисторные ВЧ усилители выполнены по аналогичным схемам, только работают они немного иначе. .

В данном случае напряжение на эмиттере 9 В, а падение на участке цепи «EB» равно 0.7 В (что характерно для транзисторов на кристаллах кремния). Если рассматривать усилитель на германиевых транзисторах, то в этом случае падение напряжения на участке «ЭБ» будет равно 0,3 В. Ток в цепи коллектора будет равен тому, который течет в эмиттере. Рассчитать его можно, разделив напряжение эмиттера на сопротивление R2 — 9В / 1 кОм = 9 мА. Для расчета тока базы нужно 9 мА разделить на коэффициент усиления h31 — 9 мА / 150 = 60 мкА. Биполярные транзисторы обычно используются в конструкциях УНЧ.Принцип его работы отличается от полевых.

На резисторе R1 теперь можно рассчитать величину падения — это разница между базовым и питающим напряжениями. В этом случае базовое напряжение можно найти по формуле — сумма характеристик эмиттера и перехода «ЭБ». При питании от источника на 20 Вольт: 20 — 9,7 = 10,3. Отсюда можно рассчитать значение сопротивления R1 = 10,3В / 60 мкА = 172 кОм. Схема содержит емкость C2, которая необходима для реализации схемы, через которую может проходить переменная составляющая эмиттерного тока.

Если не установить конденсатор C2, переменная составляющая будет очень ограничена. По этой причине такой транзисторный усилитель звука будет иметь очень низкий коэффициент усиления по току h31. Необходимо обратить внимание на то, что в приведенных выше расчетах базовый и коллекторный токи считались равными. Причем за базовый ток был принят тот, который втекает в цепь от эмиттера. Это происходит только в том случае, если на вывод базы транзистора подается напряжение смещения.

Но нужно учитывать, что в цепи базы абсолютно всегда, независимо от наличия смещения, обязательно течет ток утечки коллектора. В схемах с общим эмиттером ток утечки усиливается не менее чем в 150 раз. Но обычно это значение учитывается только при расчете усилителей на германиевых транзисторах. В случае использования кремния, в котором ток цепи «К-Б» очень мал, этим значением просто пренебрегают.

Усилители на МИС-транзисторах

Усилитель на полевых транзисторах, показанный на схеме, имеет множество аналогов. В том числе с использованием биполярных транзисторов. Поэтому в качестве аналогичного примера можно рассмотреть конструкцию усилителя звука, собранного по схеме с общим излучателем. На фото представлена схема, выполненная по схеме общего источника. Перемычки R-C собраны на входных и выходных цепях, так что устройство работает в режиме усилителя класса «А».

Переменный ток от источника сигнала отделяется от постоянного напряжения конденсатором C1.Крайне важно, чтобы усилитель на полевом транзисторе имел потенциал затвора ниже, чем у источника. На схеме затвор подключен к общему проводу через резистор R1. Сопротивление у него очень большое — обычно в конструкциях используются резисторы 100-1000 кОм. Такое высокое сопротивление выбрано, чтобы сигнал на входе не шунтировался.

Это сопротивление практически не пропускает электрический ток, в результате чего потенциал затвора (при отсутствии сигнала на входе) совпадает с потенциалом земли.У источника потенциал оказывается выше, чем у земли, только из-за падения напряжения на сопротивлении R2. Отсюда ясно, что потенциал затвора ниже, чем у источника. А именно это то, что требуется для нормального функционирования транзистора. Следует отметить, что C2 и R3 в этой схеме усилителя имеют то же назначение, что и в конструкции, рассмотренной выше. А входной сигнал смещен от выхода на 180 градусов.

УНЧ с трансформатором на выходе

Такой усилитель можно сделать своими руками для домашнего использования.Выполняется по схеме, действующей в классе «А». Конструкция такая же, как обсуждалось выше — с общим эмиттером. Одна из особенностей заключается в том, что для согласования необходимо использовать трансформатор. Это недостаток такого транзисторного усилителя звука.

Коллекторная цепь транзистора нагружена первичной обмоткой, которая формирует выходной сигнал, который через вторичную обмотку передается на динамики. На резисторах R1 и R3 собран делитель напряжения, что позволяет выбрать рабочую точку транзистора.Эта цепь подает напряжение смещения на базу. Все остальные компоненты имеют то же назначение, что и в схемах, рассмотренных выше.

Двухтактный аудиоусилитель

Нельзя сказать, что это простой транзисторный усилитель, поскольку его работа немного сложнее, чем у рассмотренных ранее. В двухтактных УНЧ входной сигнал разбивается на две полуволны, различающиеся по фазе. И каждая из этих полуволн усиливается собственным каскадом, выполненным на транзисторе. После усиления каждой полуволны оба сигнала подключаются и отправляются на динамики.Такие сложные преобразования могут вызвать искажение сигнала, поскольку динамические и частотные свойства двух, даже одного типа, транзисторов будут разными.

В результате качество звука на выходе усилителя значительно снижается. При эксплуатации двухтактного усилителя класса «А» невозможно качественно воспроизвести сложный сигнал. Причина в том, что по плечам усилителя постоянно протекает повышенный ток, полуволны асимметричны, возникают фазовые искажения.Звук становится менее разборчивым, а при нагревании искажения сигнала усиливаются еще больше, особенно на низких и сверхнизких частотах.

Бестрансформаторный УНЧ

Усилитель НЧ на транзисторе, выполненный с использованием трансформатора, несмотря на то, что конструкция может иметь небольшие габариты, все же остается несовершенной. Трансформеры по-прежнему тяжелые и громоздкие, поэтому от них лучше избавиться. Намного более эффективна схема, основанная на дополнительных полупроводниковых элементах с разными типами проводимости.Большинство современных УНЧ выполняется по таким схемам и работают в классе «В».

Два мощных транзистора, использованные при проектировании, работают в цепи эмиттерного повторителя (общий коллектор). В этом случае входное напряжение передается на выход без потерь и усиления. Если на входе нет сигнала, значит, транзисторы вот-вот включатся, но все равно выключены. Когда на вход подается гармонический сигнал, положительная полуволна первого транзистора открывается, а второй в это время находится в режиме отсечки.

Следовательно, только положительные полуволны могут проходить через нагрузку. А вот отрицательные открывают второй транзистор и полностью выключают первый. В этом случае в нагрузке находятся только отрицательные полуволны. В результате на выходе устройства оказывается усиленный по мощности сигнал. Такая схема усилителя на транзисторах достаточно эффективна и способна обеспечить стабильную работу, качественное воспроизведение звука.

Схема УНЧ на одном транзисторе

Изучив все вышеперечисленные особенности, можно собрать усилитель своими руками на простой элементной базе.Транзистор может использоваться как отечественным КТ315, так и его зарубежными аналогами — например, VS107. В качестве нагрузки нужно использовать наушники с сопротивлением 2000-3000 Ом. Напряжение смещения должно подаваться на базу транзистора через резистор 1 МОм и развязывающий конденсатор 10 мкФ. Схема может питаться от источника с напряжением 4,5-9 Вольт, током — 0,3-0,5 А.

Если сопротивление R1 не подключено, то в базе и коллекторе не будет тока.Но при подключении напряжение достигает 0,7 В и пропускает ток около 4 мкА. В этом случае коэффициент усиления по току будет около 250. Отсюда можно произвести простой расчет транзисторного усилителя и узнать ток коллектора — он оказывается равным 1 мА. Собрав эту схему транзисторного усилителя, можно ее проверить. К выходу подключаем нагрузку — наушники.

Коснитесь пальцем входа усилителя — должен появиться характерный шум. Если его нет, то, скорее всего, конструкция собрана неправильно.Еще раз проверьте все соединения и номиналы элементов. Для наглядности демонстрации подключите источник звука к УНЧ входу — выходу плеера или телефона. Слушайте музыку и наслаждайтесь качеством звука.

Широкополосные усилители являются неотъемлемой частью многих радиосистем и устройств. В некоторых случаях, помимо других, они должны соответствовать стандартному 50- или 75-омному тракту. Одно из самых удачных схемотехнических решений для построения таких

Усилители

— это использование перекрестной обратной связи (L1, L2, L3), обеспечивающее согласование на входе и выходе, постоянное значение верхней частоты среза при увеличении количества каскадов усилителя и высокую повторяемость их характеристик.Кроме того, усилители с перекрестной обратной связью практически не требуют настройки.

Характеристики усилителя

Диапазон рабочих частот .. 0,5-70 МГц.
Выходное напряжение, не менее … 1 В.
Усиление ….. 20 ± 1 дБ.
Входное / выходное сопротивление .. 50 Ом.
Потребляемый ток …….. 120 мА.
Напряжение питания ………. 12 В.
Входной КСВН, не более ……… 1.5.
Выходной КСВ, не более ……… 3.
Габаритные размеры….. 70×45 мм.

Принципиальная схема

На рис. 1 представлена принципиальная схема усилителя с перекрестной обратной связью, в котором выходной каскад реализован по схеме Дарлингтона, то есть используется последовательно-параллельное соединение транзисторов, позволяющее увеличить уровень выходного напряжения ( Л.4). На рис.

2 показывает чертеж печатной платы.

Усилитель содержит два предварительных каскада на транзисторах ME1 и ME2 и выходной каскад на транзисторах MEZ и ME4, соединенных по схеме Дарлингтона.

Все каскады усилителя работают в режиме класса А с токами потребления 27 мА, которые задаются подбором номиналов резисторов R1, R5, R9, R13. Резисторы R3, R7, R10, R14 являются резисторами локальной обратной связи. Резисторы R4, R8, R12 — обычные резисторы обратной связи.

Рисунок: 1. Принципиальная схема широкополосного ВЧ усилителя.

Печатная плата (рис. 2) размером 70х45 мм изготовлена из стеклопластиковой фольги толщиной 2 … 3 мм с обеих сторон.Пунктирные линии на рис.

2 показаны места металлизации торцов, которую можно сделать с помощью металлической фольги, которая припаяна к нижней и верхней части платы.

Рис. 2. Печатная плата ВЧ усилителя.

Настройка усилителя

состоит из следующих шагов. Сначала с помощью резисторов R1, R5, R9, R13 задаются токи покоя транзисторов усилителя. Затем, изменяя номинал резистора R4 в небольших пределах, коэффициент стоячей волны по напряжению на входе усилителя минимизируется.

Коэффициент стоячей волны напряжения на выходе усилителя минимизирован с помощью резистора R12. Изменяя номинал резистора R8, регулируют полосу пропускания и коэффициент усиления усилителя.

При необходимости можно увеличить верхнюю частоту среза усилителя. Для этого следует заменить транзисторы КТ315Г на более высокочастотные. В этом случае для схемы, представленной на рис.

1, верхняя частота среза будет примерно 0,25 … 0,3 Ft, где Ft — частота среза передаточного отношения базового тока транзистора (L.5). Использование рассмотренной схемотехники позволяет создавать усилители с верхней частотой среза до 2 ГГц (Л.2). При их построении следует учитывать, что общие цепи обратной связи, состоящие из элементов С4, R4; C6, R8; C7, R12 должны быть как можно короче.

Это связано с необходимостью устранить ненужную фазовую задержку сигнала в этих схемах. В противном случае АЧХ усилителя в области высоких частот оказывается с нарастанием.При значительном удлинении этих цепей возможно самовозбуждение усилителя.

Титов А. Rk2005, 1.

Литература:

Титов А.А. Упрощенный расчет широкополосного усилителя. Радиотехника, 1979, № 6, с. 88-90.
Авдоченко Б.И., Дьячко А.Н. и другие. Сверхширокополосные усилители на биполярных транзисторах. Коммуникационное оборудование. Сер. Радиоизмерительная техника, 1985, выл. 3, стр. 57-60.
Абрамов Ф.Г., Волков Ю.А. и другие. Соответствующий широкополосный усилитель. Приборы и методика экспериментов. 1984. № 2, с. 111-112.
Титов А.А., Ильющенко В.Н. Широкополосный усилитель. Патент на полезную модель № 35491 Рус. агентства по патентам и товарным знакам. Publ. 10.01.2004 Бюл. 1.
Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги: Справочник в 4-х томах.

Необходимая вещь, особенно если необходимо поднять уровень ВЧ сигнала в диапазоне от 45 до 860 МГц и разбить его на нескольких потребителей — телевизоры, тюнеры, музыка.центры и т. д. Это особенно актуально для цифровых пакетов, поскольку при низком уровне сигнала устройства (цифровое телевидение и тюнер) перестают работать.

Официальный сайт производителя

Характеристики:

Диапазон частот (МГц) 45 ~ 860
Номинальное усиление (дБ) 30 ± 2
Неравномерность полосы (дБ) ± 0,75
Максимальный выходной уровень (дБмкВ) 109
Номинальный входной уровень (дБмкВ) 72
Диапазон регулировки усиления (дБ) 0 ~ 10
Предустановка крутизны (дБ) 3 ~ 18
Коэффициент шума (дБ) ≤5
Обратные потери (дБ) ≥10
Источник питания 220 В ~ 50-60 Гц
потребляемая мощность (Вт) 2
Количество выходов 3
Размеры: 135 * 78 * 38мм

Сам усилитель был в картонной коробке.В комплект поставки входят переходники для подключения с наконечниками, 4 шт. и адаптер для сетевой вилки, т.к. в комплекте с сетевой вилкой плоского типа.
Усилитель имеет 3 сигнальных выхода на 3 потребителя (хотя есть и другие модификации на другое количество выходов, см. Официальный сайт выше). Корпус алюминиевый, разборный саморезами. Снаружи корпуса по краям корпуса есть два отверстия для крепления.

Встроенный трансформаторный блок питания.Индикация питания — красный светодиод. Вид на усилитель со снятой крышкой. На плате 5 шт. SMD-транзисторы с маркировкой R24. (Исправлено, спасибо Kid_Alex за информацию о транзисторах. Нам удалось их идентифицировать, судя по всему, это транзисторы 2SC3356 с низким коэффициентом шума. Информацию по этому транзистору от различных производителей можно найти здесь).

Пайка качественная, соплей не заметил. Есть два переменных резистора (красные ручки) для плоской отвертки для регулировки усиления и изменения характеристик кривой усиления.Именно наличие последней регулировки сыграло решающую роль при покупке именно этой модели, так как требовалось получить максимальное усиление РЧ сигнала в определенном диапазоне частот. В частности, этот усилитель используется для усиления сигнала пакета оператора кабельного телевидения (DVB-C на 202 МГц и каналов в аналоговой форме в диапазоне VHF от 48 до примерно 270 МГц), а также для маршрутизации сигнала к нескольким потребителям и компенсации потери в пассивных разветвителях. Поскольку рабочий диапазон от 45 до 860 МГц, то этот усилитель может использоваться для усиления сигналов ВЧ для диапазонов VHF и FM от одной антенны до нескольких потребителей, сигналов наземного и кабельного диапазонов (метровые диапазоны — VHF и дециметровые — UHF (470 — 860 МГц)).Подчеркиваю любой сигнал для усиления — аналоговые или цифровые ТВ или радиоканалы на частотах от 45 до 860 МГц.

Работает больше месяца, без вопросов.
Покупкой доволен.

Планирую купить +59 Добавить в избранное Обзор понравился +28 +76

Простой усилитель с одним транзистором может быть сделан для усиления слабого радиосигнала для радиоприемника, телевизора или радиостанции.

В статье ниже представлены две простые схемы усилителя.При покупке в магазине дешевле собрать усилитель самостоятельно, с характеристиками порой не хуже магазинного.

Для его сборки нужно всего несколько деталей. Со сборкой усилителя справится даже начинающий радиолюбитель. В нем нет индукторов, усилители широкополосные и улавливают весь диапазон усиливаемого сигнала, включая ДМВ. В любом случае результат оказался больше, чем я ожидал. Большая часть местного телерадиовещания на УКВ стала приниматься качественнее, картинка стала четче.

Схема усилителя

Основной частью этой схемы является высокочастотный транзистор обратной проводимости (n-p-n) Q1 (2SC2570), схема, специально разработанная для усиления УКВ-сигнала без индуктора.

Если вы собираетесь использовать усилитель постоянно, вы можете исключить S2, который необходим для обхода усилителя.

Усилитель собран на печатной плате.

Печатная плата

Расположение элементов на плате

Второй вариант схемы с дополнительным усилителем для ВЧ диапазона

Принципиальная схема двухдиапазонного усилителя HF / VHF

Эта схема добавляет усилитель на ВЧ полевых транзисторах (Q1 MFE201 с двойным затвором с N-каналом и Q2 (кремниевый транзистор 2SC2570 npn RF), которые обеспечивают два независимых усилителя, переключаемых переключателем S1.Простая активная антенна, предназначенная для усиления сигналов от 3 до 3000 МГц (три диапазона: высокочастотные (HF) сигналы 3–30 МГц; очень высокочастотные (VHF) сигналы 3–300 МГц; сверхвысокие (VHF) 300–3000 МГц) UHF) частоты сигнала.

Печатная плата усилителя

Расположение элементов

P O P U L Y R N O E:

Сделать из фетра сказочно красивый цветок легко и просто — ромашка .

Если сшить несколько таких цветов разных оттенков, то ими можно будет интересно украсить, например, подарок, подушку, декоративный венок и т. Д.

Для украшения сумки цветы можно использовать как подвеску.

Вы также можете пришить ромашку к обручу для волос или закрепить на шпильке.

ElectroM 3D — Бесплатное программное обеспечение для рисования, расчета и отображения электрических цепей в 3D.

ElectroM 3D — простая бесплатная программа для начинающих радиолюбителей. Ранее мы смотрели похожую программу -. ElectroM 3D программа попроще. В нем можно создать простейшие электрические схемы и наглядно увидеть, как они будут работать.В схеме можно использовать аккумулятор, выключатель, лампочки, реостаты, диоды и т. Д. Все ваши эксперименты можно наблюдать в красиво отрисованном 3D режиме!

% PDF-1.7 % 1 0 obj> эндобдж 2 0 obj> эндобдж 3 0 obj> / Метаданные 103 0 R / Контуры 762 0 R / Страницы 6 0 R / StructTreeRoot 327 0 R / Viewer Настройки 634 0 R >> эндобдж 4 0 obj> эндобдж 5 0 obj> эндобдж 6 0 obj> эндобдж 7 0 obj> эндобдж 8 0 obj> эндобдж 9 0 obj> эндобдж 10 0 obj> / MediaBox [0 0 595.2 841.8] / Parent 6 0 R / Resources> / ExtGState> / Font> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC / ImageI] / XObject >>> / StructParents 0 / Tabs / S >> эндобдж 11 0 obj> эндобдж 12 0 obj> эндобдж 13 0 obj> эндобдж 14 0 obj> эндобдж 15 0 obj> эндобдж 16 0 obj> эндобдж 17 0 obj> эндобдж 18 0 obj> эндобдж 19 0 obj> эндобдж 20 0 obj> эндобдж 21 0 obj> эндобдж 22 0 obj> эндобдж 23 0 obj> эндобдж 24 0 obj> эндобдж 25 0 obj> эндобдж 26 0 obj> / BS> / F 4 / Rect [152,74 33,95 249.76 47.749] / Подтип / Ссылка >> эндобдж 27 0 obj> эндобдж 28 0 obj> эндобдж 29 0 obj> эндобдж 30 0 obj> эндобдж 31 0 объект> эндобдж 32 0 obj> эндобдж 33 0 obj> эндобдж 34 0 obj> эндобдж 35 0 obj> эндобдж 36 0 obj> эндобдж 37 0 obj> эндобдж 38 0 obj> эндобдж 39 0 obj> эндобдж 40 0 obj> эндобдж 41 0 объект> эндобдж 42 0 obj> эндобдж 43 0 obj> эндобдж 44 0 obj> эндобдж 45 0 obj> эндобдж 46 0 obj> эндобдж 47 0 obj> эндобдж 48 0 obj> эндобдж 49 0 obj> эндобдж 50 0 obj [53 0 R] эндобдж 51 0 obj> эндобдж 52 0 obj> эндобдж 53 0 obj> эндобдж 54 0 obj> эндобдж 55 0 obj> эндобдж 56 0 obj> эндобдж 57 0 obj> эндобдж 58 0 obj> эндобдж 59 0 obj> эндобдж 60 0 obj> эндобдж 61 0 объект> эндобдж 62 0 obj> эндобдж 63 0 obj> эндобдж 64 0 obj> эндобдж 65 0 obj [68 0 R] эндобдж 66 0 obj> эндобдж 67 0 obj> эндобдж 68 0 obj> эндобдж 69 0 obj> эндобдж 70 0 obj> эндобдж 71 0 объект> эндобдж 72 0 obj> эндобдж 73 0 obj> эндобдж 74 0 obj> эндобдж 75 0 obj> эндобдж 76 0 obj> эндобдж 77 0 obj> эндобдж 78 0 obj> эндобдж 79 0 obj> эндобдж 80 0 obj> эндобдж 81 0 объект> эндобдж 82 0 объект> эндобдж 83 0 obj> эндобдж 84 0 obj> эндобдж 85 0 объект> / MediaBox [0 0 595.> jG` => s) k} U; 뾃

Транзисторный переключатель питания. Логические схемы на токовых выключателях Коммутация двух ламп 12в на транзисторах

При работе со сложными схемами полезным является использование различных технических приемов, позволяющих достичь цели без особых усилий. Одно из них — создание транзисторных ключей. Кто они такие? Зачем их создавать? Почему их еще называют «электронными ключами»? Какие особенности у этого процесса и на что следует обратить внимание?

Какие транзисторные ключи сделаны на

Выполняются полевыми или Первые дополнительно делятся на MDP и ключи которые имеют контрольный pn переход.Среди биполярных различают ненасыщенные. Транзисторный переключатель на 12 Вольт сможет удовлетворить базовые потребности радиолюбителя.

Статическая операция

Анализирует частное и открытое состояние ключа. Первый вход имеет низкий уровень напряжения, что означает сигнал логического нуля. В этом режиме оба перехода имеют противоположное направление (получается отсечка). И только термическое может повлиять на ток коллектора. В разомкнутом состоянии на входе ключа присутствует высокий уровень напряжения, соответствующий сигналу логической единицы.Возможна работа в двух режимах одновременно. Эта операция может быть в области насыщения или в линейной области выходной характеристики. Остановимся на них подробнее.

Насыщение ключа

В таких случаях переходы транзистора смещены в прямом направлении. Следовательно, если базовый ток изменится, то значение на коллекторе не изменится. В кремниевых транзисторах для получения смещения требуется примерно 0,8 В, в то время как для германиевых транзисторов напряжение колеблется в диапазоне 0.2-0,4 В. Как в целом достигается насыщенность клавиш? Для этого увеличивают базовый ток. Но всему есть свои пределы, как и увеличение сытости. Итак, когда достигается определенное текущее значение, оно перестает увеличиваться. Зачем насыщать ключ? Есть специальный коэффициент, который отражает состояние дел. С его увеличением увеличивается нагрузочная способность, которую имеют транзисторные ключи, дестабилизирующие факторы начинают влиять с меньшей силой, но производительность ухудшается. Поэтому значение коэффициента насыщения выбирается из компромиссных соображений, ориентируясь на задачу, которую нужно выполнить.

Недостатки ненасыщенного ключа

Что произойдет, если не будет достигнуто оптимальное значение? Тогда появятся такие недостатки:

Напряжение открытого ключа упадет примерно до 0,5 В.
Помехозащищенность ухудшится. Это связано с повышенным входным сопротивлением, которое наблюдается у клавиш, когда они находятся в разомкнутом состоянии. Поэтому такие помехи, как скачки напряжения, также приведут к изменению параметров транзисторов.
Насыщенный ключ обладает значительной температурной стабильностью.

Как видите, этот процесс все же лучше провести, чтобы в конечном итоге получить более совершенное устройство.

Скорость

Для этого используются элементы связи. Так, если первый ключ на выходе имеет высокий уровень напряжения, то на входе второго происходит размыкание и работает в заданном режиме. И наоборот. Такая коммуникационная цепочка существенно влияет на переходные процессы, возникающие во время переключения, и ключевые характеристики.Так работает транзисторный переключатель. Наиболее распространены схемы, в которых взаимодействие происходит только между двумя транзисторами. Но это вовсе не означает, что этого нельзя сделать с устройством, которое будет использовать три, четыре и даже больше элементов. Но на практике для этого сложно найти применение, поэтому работа транзисторного ключа такого типа не используется.

Что выбрать

С чем лучше работать? Представим, что у нас есть простой транзисторный ключ, напряжение питания которого равно 0.5 В. Тогда с помощью осциллографа можно будет фиксировать все изменения. Если ток коллектора установить на 0,5 мА, то напряжение упадет на 40 мВ (у базы будет около 0,8 В). По меркам задачи можно сказать, что это довольно существенное отклонение, которое накладывает ограничение на использование в целом ряде схем, например, в переключателях. Поэтому используют специальные, где есть контрольный pn-переход. Их преимущества перед биполярными аналогами следующие:

Незначительное остаточное напряжение на ключе в состоянии проводки.
Высокое сопротивление и, как следствие, низкий ток, протекающий через замкнутый элемент.
Низкое энергопотребление, поэтому не требуется значительного источника управляющего напряжения.
Можно переключать электрические сигналы низкого уровня в микровольтах.

Транзисторное переключающее реле идеально подходит для использования в полевых условиях. Конечно, этот пост размещен здесь исключительно для того, чтобы дать читателям представление об их приложении. Немного знаний и смекалки — и возможностей реализаций, в которых есть транзисторные переключатели, будет изобретено великое множество.

Пример работы

Рассмотрим подробнее, как работает простой транзисторный ключ. Коммутируемый сигнал передается с одного входа и удаляется с другого выхода. Для блокировки ключа используется подача напряжения на затвор транзистора, которое превышает значения истока и стока на величину больше 2-3 В. Но следует быть осторожным, чтобы не выйти за допустимый диапазон. Когда ключ закрыт, его сопротивление относительно высокое — более 10 Ом.Это значение получено за счет того, что на ток обратного смещения дополнительно влияет. p-n переход … В том же состоянии емкость между коммутируемой сигнальной цепью и управляющим электродом колеблется в диапазоне 3-30 пФ. Теперь откроем транзисторный ключ. Схема и практика покажут, что тогда напряжение электрода затвора будет близко к нулю и сильно зависит от сопротивления нагрузки и характеристик коммутируемого напряжения. Это связано со всей системой взаимодействий между затвором, стоком и истоком транзистора.Это создает определенные проблемы для работы в режиме прерывателя.

В качестве решения этой проблемы были разработаны различные схемы, обеспечивающие стабилизацию напряжения, протекающего между каналом и затвором. Более того, благодаря своим физическим свойствам в этом качестве можно использовать даже диод. Для этого его следует включить в прямом направлении блокирующего напряжения. При создании необходимой ситуации диод закроется, а pn переход откроется. Чтобы при изменении коммутируемого напряжения он оставался открытым, а сопротивление его канала не изменялось, между источником и входом ключа можно подключить резистор с высоким сопротивлением.А наличие конденсатора значительно ускорит процесс перезарядки емкостей.

Расчет ключа транзистора

Для понимания приведу пример расчета, можно подставить свои данные:

1) Коллектор-эмиттер — 45 В. Суммарная рассеиваемая мощность — 500 мВт. Коллектор-эмиттер — 0,2 В. Частота среза — 100 МГц. База-эмиттер — 0,9 В. Ток коллектора — 100 мА. Статистический коэффициент передачи тока равен 200.

2) Резистор на ток 60 мА: 5-1.35-0,2 = 3,45.

3) Номинальное сопротивление коллектора: 3,45 \ 0,06 = 57,5 Ом.

4) Для удобства берем номинал 62 Ом: 3,45 \ 62 = 0,0556 мА.

5) Считаем ток базы: 56 \ 200 = 0,28 мА (0,00028 А).

6) Сколько будет на базе резистора: 5 — 0,9 = 4,1В.

7) Определяем базу: 4,1 \ 0,00028 = 14,642,9 Ом.

Заключение

И напоследок про название «электронные ключи».Дело в том, что состояние меняется под действием тока. Какой он? Правда, сборник электронных зарядов. Отсюда и второе название. Вот и все в общем. Как видите, принцип работы и схема устройства транзисторных ключей не представляет собой чего-то сложного, поэтому разобраться в этом нам под силу. Следует отметить, что даже автору этой статьи понадобилось немного справочной литературы, чтобы освежить собственную память. Поэтому, если у вас есть вопросы по терминологии, предлагаю вспомнить о наличии технических словарей и поискать там новую информацию о транзисторных ключах.

Сенсорный выключатель — очень простая схема, состоящая всего из двух транзисторов и нескольких радиоэлементов.

Датчик — датчик — с англ. — чувствительный или воспринимающий элемент. Эта схема позволяет подавать напряжение на нагрузку, касаясь пальцем датчика. В этом случае у нас будет проводка датчика, идущая от базы. Итак, рассмотрим схему:

Рабочее напряжение схемы 4-5 Вольт. Может немного больше.

Схема очень простая.На миллиметровом макете это будет выглядеть примерно так:

Желтый провод от цоколя транзистора КТ315, который находится в воздухе, будет датчиком.

Кто не помнит где эмиттер, коллектор и база, на фото ниже распиновка (распиновка) транзистора КТ361 (слева) и транзистора КТ315 (справа). КТ361 и КТ315 отличаются расположением буквы. Для КТ361 эта буква находится посередине, а для КТ315 — слева. Какая там буква — без разницы.В данном случае буква «Г» означает, что используются транзисторы КТ361Г и КТ315Г

В моем случае я использовал транзисторы КТ315Б (ну то, что попалось под руку).

Вот видео, как эта схема работает:

Что делать, если с помощью этого сенсорного переключателя управлять большой нагрузкой? Например, лампа накаливания на 220 вольт? Мы можем просто поставить SSR вместо светодиода.

В этой схеме я использовал твердотельное реле (SSR), хотя можно также использовать электромеханическое реле.При использовании электромеханического реле не забудьте поставить параллельно катушке реле защитный диод

Моя модифицированная схема ТТП выглядит так:

А вот как это работает:

В интернете это Схема использует три транзистора. Я его немного упростил. Принцип работы схемы очень простой. При касании пальцем вывода базы транзистора VT2 на базу поступает синусоидальный сигнал от нашего тела.Откуда это взялось? Гиды от сети 220 Вольт. Итак, этих звукоснимателей достаточно, чтобы транзистор VT2 открылся, затем сигнал с VT2 поступает на базу VT1 и там усиливается еще больше. Мощность этого сигнала достаточна, чтобы загореться светодиод или послать управляющий сигнал на реле. Все гениально и просто!

»В мир современной электроники … Это последняя часть курса.

Шаг 10: светодиоды

Индикаторы, обычно называемые светодиодами, — настоящие незамеченные герои в мире электроники.Они формируют числа на электронных часах, передают информацию с удаленных устройств, освещают приборные панели и уведомляют пользователей о том, что устройства, которые они используют, включены. Собранные вместе, они могут формировать изображение на гигантском экране телевизора или зажигать светофор.

По сути, светодиоды — это простые крошечные лампочки, которые легко «вмонтировать» в электрическую цепь … Но в отличие от обычных ламп накаливания, у них нет нити накаливания, которая может перегореть, и они не нагреваются так же горячо, как лампы.Они излучают свет исключительно за счет движения электронов в полупроводнике. Срок службы светодиода превышает срок службы лампы накаливания на тысячи часов.

светодиода используются для подсветки или индикации.

Обычные светодиоды являются хорошими индикаторами, поскольку они обеспечивают мягкий и равномерный свет, который хорошо виден под любым углом. Яркие светодиоды имеют прямой и мощный свет, но вы не сможете увидеть, как они светятся под углом, потому что свет направлен только вперед.

Светодиод — это диод, на который влияет ток, а не напряжение. Он «питается» током в прямом направлении (плюс к минусу или анод к катоду) и начинает излучать свет с минимальным током. Типичный красный светодиод потребляет от 10 мА до 20 мА. Если вы укажете значение, превышающее допустимое значение, светодиод просто загорится.

Поскольку работа светодиода не зависит от тока и напряжения, его нельзя подключить напрямую к батарее или источнику питания.Самый простой способ защитить светодиод от убивающего тока — подключить его через резистор. Резистор снизит ток и доведет его до приемлемого уровня.

Рассчитаем номинал резистора светодиода по формуле:

Номинал резистора светодиода, R = (напряжение питания — напряжение светодиода) / ток светодиода.

В нашем примере:

Берем аккумулятор на 9 вольт (напряжение питания = 9 вольт).Напряжение на красный светодиод 2 В, ток 20 мА.

Если у вас нет резистора с определенным номиналом, выберите ближайшее стандартное сопротивление, которое немного больше расчетного. Если вы хотите увеличить время освещения, вы можете выбрать более высокое сопротивление резистора, чтобы уменьшить ток. Для 15 мА R = (9 — 2,0) / 15 мА = 466 Ом (используйте более высокое стандартное значение = 470 Ом).

Шаг 11: транзистор

Транзисторы можно рассматривать как тип электронного переключателя.

(Для справки: транзисторный ключ намного быстрее механического)

Существует два основных типа транзисторов: биполярный транзистор и MOSFET (металлооксидный полупроводник). Биполярные транзисторы, в свою очередь, делятся на структуры N-P-N и P-N-P. В большинстве схем используется структура N-P-N. Транзисторы бывают разных форм, но все они имеют три вывода. База — ведущая и отвечает за активацию транзистора. У коллекционера вывод положительный.Излучатель — отрицательная клемма. (Каждый элемент имеет контакты в определенном порядке).

Транзистор — Миниатюрный электронный компонент, который может служить двум целям. Это может быть усилитель или выключатель.

Когда он работает как усилитель, он принимает небольшой ток (входной ток) и увеличивает его значение (выходной ток). Другими словами, это усилитель тока (используется в слуховых аппаратах).

Кроме того, транзисторы могут действовать как переключатели. Небольшой электрический ток, протекающий через одну сторону транзистора, может активировать другую сторону.Так работают все микросхемы. Например, микросхема памяти содержит сотни миллионов или даже миллиарды транзисторов, каждый из которых может быть включен или выключен индивидуально. Поскольку каждый транзистор может работать в двух разных режимах, он может хранить два разных числа, ноль и единицу. С миллиардами транзисторов микросхема может хранить миллиарды нулей и почти столько же общих символов.

Режимы работы

В отличие от резисторов, работа которых основана на линейной зависимости между напряжением и током, транзисторы являются нелинейными устройствами.У них есть четыре различных режима работы.

(Когда говорят об электрическом токе, который проходит через транзистор), мы обычно имеем в виду ток, текущий от коллектора к эмиттеру транзистора со структурой N-P-N.

Насыщенность — Транзистор действует как перемычка. Ток свободно течет от коллектора к эмиттеру.

Ограничение — Транзистор действует как прерыватель цепи. От коллектора к эмиттеру токи не текут.

Активный — ток от коллектора к эмиттеру пропорционален току, протекающему к базе.

Реверс активен — как и в активном режиме, ток пропорционален базовому току, но течет в противоположном направлении.

Переведя транзистор в режим отсечки или насыщения, вы можете создать двойной эффект включения-выключения. Переключающие транзисторы используются для питания микроконтроллеров, микропроцессоров и других интегральных схем.

Переключатель транзисторный (ТВ)

Рассмотрим принципиальную схему «телевизионных» структур N-P-N … Воспользуемся ею для управления мощным светодиодом.

В то время как обычный выключатель «попадает в линию», телевизор управляется напряжением, которое поступает на базу. Вывод ввода / вывода микроконтроллера может быть запрограммирован на пропускание высокого или низкого тока, что позволяет включать или выключать схему.

Когда напряжение базы больше 0,6 В, транзистор начинает насыщаться, что похоже на короткое замыкание между коллектором и эмиттером. Когда напряжение меньше 0,6 В, транзистор находится в режиме отсечки — ток не течет, это похоже на разрыв цепи между коллектором и эмиттером.

Это соединение называется переключателем «низкого уровня». В качестве альтернативы мы можем использовать структуру транзистора PNP для создания переключателя «высокого уровня».

Базовые резисторы

Вы заметите, что каждая из описанных схем использует последовательный резистор между управляющим входом и базой транзистора. Не забудьте добавить этот резистор! Транзистор без резистора на базе похож на светодиод без токоограничивающего резистора.

Помните, что в некотором смысле транзистор — это просто пара соединенных диодов.Некоторые транзисторы могут быть рассчитаны только на ток 10–100 мА. Если вы пропустите ток, превышающий максимальный, транзистор может взорваться.

Имя	тип	VCE	Ic	Вт	футов
2N2222	НПН	40 В	800 мА	625 мВт	300 МГц
BC548	НПН	30 В	100 мА	500 мВт	300 МГц
2N3904	НПН	40 В	200 мА	625 мВт	270 МГц
2N3906	PNP	-40В	-200 мА	625 мВт	250 МГц
BC557	PNP	-45В	-100 мА	500 мВт	150 МГц
TIP120 (мощность)	НПН	60 В	5A	65 Вт	—

МОП-транзистор

MOS — это еще один тип транзистора, используемый для усиления или переключения электронных сигналов.

Основным преимуществом МОП перед обычными транзисторами является то, что для включения требуется низкий ток (менее 1 мА) при выводе более высокого тока нагрузки (10-50 А и более).

МОП имеет чрезвычайно высокий входной импеданс затвора с током, протекающим через канал между истоком и стоком, управляемым напряжением затвора. Из-за этого высокого входного импеданса МОП может быть легко поврежден статическим электричеством.

МОП-ТРАНЗИСТОР идеально подходит для использования в качестве электронных переключателей или усилителей с общим источником, так как их потребляемая мощность очень низка.

Шаг 12: стабилизаторы напряжения

Стабилизатор напряжения генерирует фиксированное выходное напряжение заданного значения, которое остается постоянным независимо от изменений входного напряжения и нагрузки. Есть два типа регуляторов напряжения:

линейный;
Напряжение переменного тока.

Рассеиваемая мощность линейного регулятора прямо пропорциональна выходному току для входного и выходного напряжений, поэтому типичный КПД составляет 50% или меньше.Используя оптимальные компоненты, стабилизатор переменного напряжения может достичь КПД 90%. Однако мощность шума на выходе линейного регулятора намного ниже, чем у переменного тока с такими же выходными напряжениями и аналогичными характеристиками. Как правило, переменный ток может выдерживать более высокие токовые нагрузки, чем линейный регулятор.

Линейный стабилизатор — это не что иное, как делитель напряжения, на вход которого подается входное (нестабильное) напряжение, а выходное (стабилизированное) напряжение снимается с нижнего плеча делителя.Стабилизация осуществляется изменением сопротивления одного из плеч делителя: сопротивление постоянно поддерживается таким образом, чтобы напряжение на выходе стабилизатора находилось в заданных пределах.

Есть два типа линейных регуляторов:

Стационарный

«Фиксированные» линейные регуляторы с тремя выводами для стабилизации постоянного напряжения 3 В, 5 В, 6 В, 9 В, 12 В или 15 В при нагрузке менее 1,5 А. Серия «78xx» (7805, 7812 и т. Д.) .) регулирует положительные напряжения, а 79xx (7905, 7912 и т. д.)) регулируют отрицательные напряжения. Часто последние две цифры представляют собой выходное напряжение (например, 7805 — это регулятор +5 В, а 7915 — регулятор -15 В).

Переменные

Этот тип генерирует фиксированное низкое номинальное напряжение между выходом и клеммой коррекции (эквивалентно клемме заземления в фиксированной клемме). Семейство продуктов включает LM723 (малой мощности) и LM317 и L200 (средней мощности). Несколько переменных доступны в сборках с более чем тремя контактами, включая двухрядные пакеты.Они предоставляют возможность регулировки выходного напряжения с помощью внешних резисторов с известными значениями.

Серия LM317 (+ 1,25 В) регулирует положительное напряжение, а серия LM337 (-1,25 В) регулирует отрицательное напряжение.

Применение линейных стабилизаторов

L7805 (регулятор напряжения — 5 В): это основной регулятор напряжения, положительный регулятор с тремя выводами с фиксированным выходным напряжением 5 В. Максимальный выходной ток до 1,5 А.

L7812 (Voltage Regulator — 12V): это основной стабилизатор напряжения, положительный стабилизатор с тремя выводами с фиксированным выходным напряжением 12В.Максимальный выходной ток до 1,5 А.

LM317 (подстроечный резистор от 1,25 В до 37 В): — стабилизатор положительного напряжения с тремя выводами, способный выдавать более 1,5 А в диапазоне выходного напряжения от 1,25 В до 37 В. Требуется два внешних резистора, установленных на выходном напряжении.

Стабилизаторы переменного напряжения

— это устройства, предназначенные для поддержания постоянного значения напряжения независимо от его колебаний во входной цепи.

Стабилизатор наддува

Это преобразователь постоянного тока в постоянный с выходным напряжением, превышающим его входное напряжение.

Типичный пример повышающего преобразователя LM27313. Эта ИС предназначена для использования в системах с низким энергопотреблением, таких как камеры, мобильные телефоны и устройства GPS. Другой распространенный регулируемый преобразователь — LM2577.

Шаг 13: интегральные схемы

Интегральная схема (ИС) (иногда называемая микросхемой или микрочипом) — это полупроводниковая пластина, в которой размещены тысячи или миллионы крошечных резисторов, конденсаторов и транзисторов. ИС может функционировать как усилитель, генератор, таймер, счетчик, компьютерная память или микропроцессор.

Линейные ИС

имеют постоянно изменяемый вывод (теоретически способный достигать бесконечного числа состояний), который зависит от уровня входного сигнала. Линейные ИС используются в качестве усилителей звуковой частоты (AF) и радиочастоты (RF). Операционный усилитель (операционный усилитель) — распространенное устройство в этих приложениях.

Цифровые ИС

работают только на нескольких определенных уровнях или состояниях, а не в непрерывном диапазоне амплитуд сигнала. Эти устройства используются в компьютерных компьютерных сетях, модемах и частотомерах.Основные строительные блоки цифровых ИС — логические элементы, которые работают с двоичными данными, то есть сигналами, которые имеют только два разных состояния: низкий (логический 0) и высокий (логическая 1).

В зависимости от способа изготовления интегральные схемы можно разделить на две группы: гибридные и монолитные.

Нумерация контактов (распиновка)

Каждая «ножка» микросхемы имеет свой определенный номер и ряд функций, которые она выполняет. На рисунке изображена этикетка, благодаря которой можно определить первый контакт микросхемы.

Одной из основных характеристик корпуса является способ его монтажа на печатной плате. Либо это выводные контакты, либо поверхностный монтаж.

Спасибо за внимание!

В настоящее время электронные переключатели часто используются в электронном оборудовании, в котором одна кнопка может использоваться для его включения и выключения. Чтобы такой переключатель получился мощным, экономичным и малогабаритным, можно использовать полевой переключающий транзистор и цифровую КМОП-микросхему.

Схема простого переключателя представлена на рис.1. Транзистор VT1 выполняет функции электронного ключа, а триггер DD1 управляет им. Устройство постоянно подключено к источнику питания и потребляет небольшой ток — единицы или десятки микроампер.

Если на прямом выходе триггера высокий логический уровень, то транзистор закрыт, нагрузка обесточена. При замыкании контактов кнопки SB1 триггер перейдет в обратное состояние, на его выходе появится низкий логический уровень. Транзистор VT1 откроется и на нагрузку будет подано напряжение.Устройство будет оставаться в этом состоянии до тех пор, пока контакты кнопки снова не замкнутся. Тогда транзистор закроется, нагрузка будет обесточена.

Указанный на схеме транзистор имеет сопротивление канала 0,11 Ом, а максимальный ток стока может достигать 18 А. Следует учитывать, что напряжение затвор-сток, при котором открывается транзистор, составляет 4 … 4,5 В. .При напряжении питания 5,7 В ток нагрузки не должен превышать 5 А, иначе падение напряжения на транзисторе может превышать 1 В.При более высоком напряжении питания ток нагрузки может достигать 10 … 12 А.

При токе нагрузки не более 4 А можно использовать транзистор без радиатора. Если ток выше, требуется радиатор или следует использовать транзистор с меньшим сопротивлением канала. Подобрать его несложно по справочной таблице, приведенной в статье «Мощные переключающие транзисторы от International Rektifier» в «Радио», 2001, № 5, с. 45.

Такому переключателю могут быть назначены и другие функции, например, автоматическое отключение нагрузки при падении напряжения питания или превышении заданного значения.В первом случае это может понадобиться при питании оборудования от аккумулятора, чтобы не допустить его чрезмерного разряда, во втором — для защиты оборудования от перенапряжения.

Схема электронного ключа с функцией отключения при понижении напряжения представлена на рис. 2. В него дополнительно входят транзистор VT2, стабилитрон, конденсатор и резисторы, один из которых регулируемый (R4).

При нажатии кнопки SB 1 открывается полевой транзистор VT1, на нагрузку подается напряжение.Из-за зарядки конденсатора С1 напряжение на коллекторе транзистора в начальный момент не будет превышать 0,7 В, т.е. будет иметь низкий логический уровень. Если напряжение на нагрузке станет больше, чем значение, установленное подстроечным резистором, база транзистора получит напряжение, достаточное для его открытия. В этом случае на входе «S» триггера останется низкий логический уровень, и с помощью кнопки можно будет включать и выключать питание нагрузки.

Как только напряжение упадет ниже установленного значения, напряжение на двигателе триммера станет недостаточным для открытия транзистора VT2 — он закроется.В этом случае напряжение на коллекторе транзистора повысится до высокого логического уровня, который поступит на вход «S» триггера. Также на выходе триггера появится высокий уровень, что приведет к закрытию полевого транзистора. Нагрузка будет обесточена. Нажатие на кнопку в этом случае приведет только к кратковременному включению нагрузки и ее последующему отключению.

Для введения защиты от превышения напряжения питания автомат следует дополнить транзистором VT3, стабилитроном VD2 и резисторами R5, R6.В этом случае устройство работает аналогично описанному выше, но при повышении напряжения выше определенного значения откроется транзистор VT3, что приведет к закрытию VT2, появлению высокого уровня на входе «S» триггер и закрытие полевого транзистора VT1.

Помимо указанных на схеме, в приборе могут использоваться микросхема К561ТМ2, биполярные транзисторы КТ342А-КТ342В, КТ3102А-КТ3102Е, стабилитрон КС156Г. Постоянные резисторы — МЛТ, С2-33, Р1-4, регулируемые — СПЗ-3, СПЗ-19, конденсаторные — К10 17, кнопочные — любые малогабаритные с самовозвратом.

При использовании деталей для поверхностного монтажа (микросхема CD4013, биполярные транзисторы КТ3130А-9 — КТ3130Г-9, стабилитрон BZX84C4V7, постоянные резисторы П1-И2, конденсатор К10-17в) их можно размещать на печатной плате ( Рис. 3) из одностороннего фольгированного стеклотекстолита размером 20х20 мм. Внешний вид смонтированной платы показан на рис. 4.

Производители полупроводниковых приборов разрабатывают новые, более совершенные продукты, что позволяет радиолюбителям, в свою очередь, создавать простые, компактные устройства с улучшенными параметрами, которые были недостижимы всего несколько лет назад.Один из примеров этого представлен в опубликованной ниже статье, в которой описывается мощный электронный переключатель включения / выключения, способный во многих случаях подтолкнуть своего электромагнитного конкурента.

На рис. 1 представлена схема одного из вариантов мощного электронного реле, рассчитанного на коммутацию тока нагрузки до 20 А при напряжении 5 … 20 В. Устройство собрано на базе мощного n-канального транзистор MDP ARM2556NU), имеющий сопротивление канала не более 5.7 мОм при напряжении затвор-исток 10 В или не более 10 мОм при 4,5 В. Столь низкое сопротивление открытого канала позволяет с помощью этого устройства коммутировать большой ток, а установку транзистора на радиаторе при низкая частота переключения (единицы — десятки килогерц) обычно не требуется. Устройство может использоваться, например, в качестве электронного переключателя для выходного напряжения в мощном источнике питания, мощных источников света в аккумуляторных фонариках, низковольтных электродвигателях, тяговых электромагнитах и для многих других приложений.
Использование в качестве основного коммутирующего элемента мощного транзистора МДП по сравнению с электромагнитными реле позволяет получить меньшее сопротивление «замкнутых контактов», отсутствие их перегорания и искровых помех, более высокую скорость срабатывания (с электронным управлением). Кроме того, такой электронный переключатель будет иметь меньшие габариты и вес, чем электромагнитные реле на ток 10 … 20 А, а также значительно меньший ток, потребляемый цепями управления.
Электронный переключатель может работать с двумя небольшими кнопками без фиксации, например, язычковыми, мембранными или резиновыми с проводящим покрытием.

На рис. 2 для сравнения габаритов показано электромагнитное реле Omron C71-2A-P, контакты которого рассчитаны на коммутацию током 20 А, и модель электронного реле на транзисторе
TIR. Электронный блок даже при относительно просторной установке занимает в четыре раза меньше объема (кнопки и светодиоды вынесены за пределы платы) и намного легче.
При подаче напряжения на вход устройства полевой транзистор VT2 остается закрытым, нагрузка, подключенная к выходу, обесточивается, светодиод HL1 не горит.Чтобы подать напряжение на нагрузку, необходимо кратковременно нажать кнопку SB1. Это приведет к открытию транзистора VT1, а после него — транзистора VT2.
Напряжение, подаваемое на нагрузку, будет отображаться включенным светодиодом HL1. Конденсаторы СЗ и С4, а также С1, С2, С5, С6 исключают возможное влияние различных помех на состояние транзисторов. Диоды VD2-VD5 предназначены для принудительного отключения прибора при падении входного напряжения примерно до 3 В, что предохраняет полевой транзистор VT2 от перегрева.
Дело в том, что такое глубокое снижение напряжения затвор-исток транзистора \\ / T2 резко увеличивает сопротивление канала и, как следствие, выделяемую в нем тепловую мощность, особенно при большом токе нагрузки. Для защиты полевого транзистора от перегрева предусмотрена схема R5VD2-VD5, замыкающая оба транзистора.
Варистор RU1 и стабилитрон VD1 защищают относительно низковольтный полевой транзистор от скачков напряжения, например, от ЭДС самоиндукции электродвигателя, подключенного к входу или выходу устройства, или, например, от случайного повреждение статическим электричеством при прикосновении к затвору транзистора \ / Т2 отверткой (или другим металлическим предметом).
Для выключения прибора достаточно кратковременного замыкания контактов кнопки SB2. Управлять состоянием транзистора VT2 можно не только маломощными миниатюрными кнопками, но и, например, двумя оптопарами или герконовыми реле малой мощности. Следует отметить, что в выключенном состоянии коммутатор практически не потребляет энергии.
Опытный образец устройства был смонтирован на печатной плате размером 46×27 мм из стеклопластика методом поверхностного монтажа. Сильноточные цепи выполняются короткими отрезками монтажного провода сечением не менее 1.2 мм.
Транзистор APM2556NU в миниатюрном корпусе T0252 обеспечивает максимальное напряжение сток-исток 25 В. При токе стока 40 А и напряжении затвор-исток 10 В или 20 А при напряжении затвор-исток 4,5 В Типичное значение сопротивления открытого канала не превышает 4, 5 и 7,5 мОм соответственно. Максимально допустимый постоянный ток сток транзистора при температуре корпуса 25 ° С — 60 А.
Транзистор следует припаять к радиатору с полезной площадью поверхности не менее 7 см / 2 в случае работы при пониженном напряжении питания с большим током нагрузки.При установке транзистора необходимо принять меры по его защите от пробоя статическим электричеством. Транзисторы
ARM2556NU, предназначенные для работы в понижающих импульсных стабилизаторах напряжения, сейчас широко используются в современных высокопроизводительных видеокартах и материнских платах компьютеров … Этот транзистор можно заменить двумя параллельно соединенными миниатюрными, но имеющими вдвое больший открытый канал сопротивления, транзисторы APM25101NU (8,5 МОм при U3 = 10 В) или другие аналогичные, управляемые низким напряжением затвор-исток.При использовании транзисторов с сопротивлением канала больше, чем у ARM25561NU, для поддержания низкого сопротивления переключающего элемента можно включить несколько параллельно включенных полевых транзисторов одного типа.
Транзистор 2SA733B можно заменить любым из серии 2SA733. 2СА992, СС9015, КТ3107, КТ6112. Вместо BZV55C15 подойдет стабилитрон 1N744A, TZMS-15, 2S215ZH, KS215ZHA, а вместо 1N148 — диод 1 N914 (или любой из серий KD522, KD521) LED — любого общего применения, желательно с повышенной светоотдачей, для Например, из серии KIPD40, KIPD66.Для каждого конкретного напряжения на нагрузке следует выбирать резистор, не превышающий номинальный ток светодиода.
Конденсаторы оксидные — К50-68, К53-19 или импортные. Остальные — К10-17, К10-50. Варистор ФНР-05К220 можно заменить любым маломощным 18 … 22 В, например ФНР-05К180.
Безошибочно собран из исправных деталей, прибор не требует регулировки.
Предлагаемый переключатель для повтора может быть упрощен или улучшен в зависимости от конкретного приложения.Например, если исключены скачки напряжения со стороны блока питания или подключенная нагрузка, можно обойтись без варистора RU1. Также можно отказаться от защитного стабилитрона VD1, если напряжение источника питания не превышает 15 В и любое касание вывода затвора транзистора VT2 исключено.
Если в цепь нагрузки ввести последовательно обмотку самодельного герконового реле, разомкнутые контакты которой соединены параллельно с контактами кнопки SB2, то питание нагрузки будет автоматически отключено при потреблении тока на нее увеличивается выше указанного.Для изготовления такого реле на цилиндр геркона КЭМЗ необходимо намотать несколько витков толстого (диаметром 0,7 … 1,2 мм) обмоточного провода. Так, например, при катушке из семи витков провода ПЭВ-2 0,68 реле будет работать при токе около 5 А. Необходимое количество витков для требуемого тока срабатывания защиты для конкретного экземпляра геркона составляет определяется экспериментально.

Принцип действия схемы мультивибратора. LED мигалка

Мультивибратор — устройство для создания несинусоидальных колебаний.На выходе будет любой сигнал, кроме синусоидального. Частота сигнала в мультивибраторе определяется сопротивлением и емкостью, а не индуктивностью и емкостью. Мультивибратор состоит из двух усилительных каскадов, выход каждого каскада подается на вход другого каскада.

Принцип работы мультивибратора

Мультивибратор может создавать волну практически любой формы, в зависимости от двух факторов: сопротивления и емкости каждого из двух каскадов усилителя и того, откуда в схеме берется выходной сигнал.

Например, если сопротивление и емкость двух ступеней равны, одна ступень тратит 50% времени, а другая — 50% времени. При обсуждении мультивибраторов в этом разделе предполагается, что сопротивление и емкость обоих каскадов равны. Когда эти условия существуют, на выходе получается прямоугольная волна.

Бистабильные мультивибраторы (или «триггеры») имеют два стабильных состояния. В установившемся режиме один из двух каскадов усилителя находится в состоянии проводимости, а другой каскад не проводит.Для перехода из одного стабильного состояния в другое бистабильный мультивибратор должен получить внешний сигнал.

Этот внешний сигнал называется внешним запускающим импульсом. Он инициирует переход мультивибратора из одного состояния в другое. Еще один импульс запуска необходим, чтобы вернуть схему в исходное состояние. Эти триггерные импульсы называются «запуском» и «перезапуском».

В дополнение к бистабильному мультивибратору есть также моностабильный мультивибратор, который имеет только одно устойчивое состояние, и нестабильный мультивибратор, у которого нет устойчивого состояния.

В этой статье мы расскажем о мультивибраторе, о том, как он работает, о том, как подключить нагрузку к мультивибратору и о расчете транзисторного симметричного мультивибратора.

Мультивибратор Это простой генератор прямоугольных импульсов, работающий в режиме генератора. Для работы ему требуется только питание от батареи или другого источника питания. Рассмотрим простейший симметричный транзисторный мультивибратор. Его схема представлена на рисунке. Мультивибратор может быть сложен в зависимости от того, какие функции необходимо выполнять, но все элементы, показанные на рисунке, являются обязательными, без них мультивибратор работать не будет.

Работа симметричного мультивибратора основана на процессах заряда-разряда конденсаторов, которые вместе с резисторами образуют RC-цепочку.

О том, как работают RC-схемы, я писал ранее в своей статье «Конденсатор», которую вы можете прочитать на моем сайте. В Интернете, если вы найдете материал о симметричном мультивибраторе, он изложен кратко и не внятно. Это обстоятельство не дает ничего понять начинающим радиолюбителям, а лишь помогает опытным электронщикам что-то запомнить.По просьбе одного из посетителей моего сайта я решил устранить этот пробел.

Как работает мультивибратор?

В начальный момент подачи питания конденсаторы С1 и С2 разряжены, поэтому их сопротивление току невелико. Низкое сопротивление конденсаторов приводит к тому, что происходит «быстрое» открытие транзисторов, вызванное протеканием тока:

— VT2 по пути (показано красным): «+ питание> резистор R1. > низкое сопротивление разряженного С1> эмиттерный переход база-эмиттер VT2> — блок питания »;

— VT1 по пути (показано синим цветом): «+ блок питания> резистор R4> низкое сопротивление разряженного С2> переход база-эмиттер VT1> — блок питания».

Это «переходный» режим работы мультивибратора. Он длится очень короткое время, определяемое только скоростью транзисторов. И двух абсолютно одинаковых по параметрам транзисторов не существует. Какой транзистор откроется быстрее, останется открытым — «победитель». Допустим, на нашей диаграмме это оказался VT2. Тогда за счет низкого сопротивления разряженного конденсатора С2 и низкого сопротивления перехода коллектор-эмиттер VT2 база транзистора VT1 будет замкнута на эмиттер VT1.В результате транзистор VT1 будет вынужден закрываться — «выйти из строя».

Поскольку транзистор VT1 закрыт, по пути происходит «быстрый» заряд конденсатора С1: «+ питание> резистор R1> низкое сопротивление разряженного С1> переход база-эмиттер VT2> — источник питания». Этот заряд происходит почти до напряжения питания.

При этом конденсатор С2 заряжается током обратной полярности по пути: «+ блок питания> резистор R3> низкое сопротивление разряженного С2> переход коллектор-эмиттер VT2> — блок питания «.Продолжительность заряда определяется рейтингами R3 и C2. Они определяют время, в которое VT1 находится в закрытом состоянии.

При зарядке конденсатора С2 до напряжения, примерно равного напряжению 0,7-1,0 вольт, его сопротивление увеличится и транзистор VT1 откроется с напряжением, приложенным по пути: «+ блок питания> резистор R3. > переход база-эмиттер VT1> — блок питания ». В этом случае напряжение заряженного конденсатора C1 через открытый переход коллектор-эмиттер VT1 будет подаваться на переход эмиттер-база транзистора VT2 с обратной полярностью.В результате VT2 закроется, а ток, который ранее прошел через открытый переход коллектор-эмиттер VT2, будет течь по цепи: «+ питание> резистор R4> низкое сопротивление C2> переход база-эмиттер VT1> — источник питания». По этой цепи произойдет быстрая перезарядка конденсатора С2. С этого момента начинается «устойчивый» режим автогенерации.

Симметричная работа мультивибратора в «установившемся» режиме генерации

Начинается первый полупериод работы (колебания) мультивибратора.

При открытом транзисторе VT1 и закрытом VT2, как я только что написал, происходит быстрая перезарядка конденсатора С2 (с напряжения 0,7 … 1,0 вольт одной полярности, до напряжения питания противоположная полярность) по цепи: «+ блок питания> резистор R4> низкое сопротивление C2> переход база-эмиттер VT1> — блок питания». Кроме того, идет медленная подзарядка конденсатора С1 (от напряжение источника питания одной полярности, до напряжения 0.7 … 1,0 вольт противоположной полярности) по цепи: «+ блок питания> резистор R2> правая пластина С1> левая пластина С1> коллектор-эмиттерный переход транзистора VT1> — -питание».

Когда в результате перезаряда C1 напряжение на базе VT2 достигнет +0,6 В относительно эмиттера VT2, транзистор откроется. Следовательно, напряжение заряженного конденсатора C2 через переход открытый коллектор-эмиттер VT2 будет подаваться на переход эмиттер-база транзистора VT1 с обратной полярностью.VT1 закроется.

Начинается второй полупериод работы (колебания) мультивибратора.

Когда транзистор VT2 открыт, а VT1 закрыт, конденсатор C1 быстро перезаряжается (от напряжения 0,7 … 1,0 вольта одной полярности до напряжения источника питания противоположной полярности) вдоль схема: «+ блок питания> резистор R1> низкое сопротивление C1> база- эмиттерный переход VT2> — блок питания». Кроме того, идет медленная подзарядка конденсатора С2 (от напряжения источника питания той же полярности, до напряжения 0.7 … 1,0 вольт противоположной полярности) по цепи: «правая пластина С2> коллектор-эмиттерный переход транзистора VT2> — блок питания> + источник питания> резистор R3> левая пластина С2». Когда напряжение на базе VT1 достигнет +0,6 вольт относительно эмиттера VT1, транзистор откроется. Следовательно, напряжение заряженного конденсатора C1 через открытый переход коллектор-эмиттер VT1 будет подаваться на переход эмиттер-база транзистора VT2 с обратной полярностью.VT2 закроется. На этом второй полупериод колебаний мультивибратора заканчивается, и первый полупериод начинается снова.

Процесс повторяется до тех пор, пока мультивибратор не будет отключен от источника питания.

Способы подключения нагрузки к симметричному мультивибратору

Прямоугольные импульсы снимаются с двух точек симметричного мультивибратора — коллекторов транзистора. Когда на одном коллекторе присутствует «высокий» потенциал, то на другом коллекторе «низкий» потенциал (его нет), и наоборот — когда на одном выходе потенциал «низкий», то на другом он в приоритете».Это ясно показано на временной шкале ниже.

Нагрузка мультивибратора должна быть подключена параллельно одному из коллекторных резисторов, но ни в коем случае не параллельно переходу коллектор-эмиттер транзистора. Не шунтируйте транзистор с нагрузкой. Если это условие не выполняется, то как минимум изменится длительность импульса, и как максимум мультивибратор работать не будет. На рисунке ниже показано, как правильно подключать нагрузку, а как этого не делать.

Чтобы нагрузка не влияла на сам мультивибратор, он должен иметь достаточное входное сопротивление.Для этого обычно используются буферные транзисторные каскады.

В примере показано подключение низкоомной динамической головки к мультивибратору. … Дополнительный резистор увеличивает входное сопротивление буферного каскада и тем самым устраняет влияние буферного каскада на мультивибраторный транзистор. Его значение должно быть как минимум в 10 раз больше номинала резистора коллектора. Соединение двух транзисторов по схеме «составной транзистор» значительно увеличивает выходной ток. В этом случае правильно подключать схему база-эмиттер буферного каскада параллельно с коллекторным резистором мультивибратора, а не параллельно переходу коллектор-эмиттер мультивибратора транзистора.

Для подключения к мультивибратору высокоомной динамической головки буферный каскад не требуется. Головка подключается вместо одного из коллекторных резисторов. Единственное условие должно быть соблюдено — ток, проходящий через динамическую головку, не должен превышать максимальный ток коллектора транзистора.

Если вы хотите подключить к мультивибратору обычные светодиоды — сделайте «мигалку», то для этого буферные каскады не требуются. Их можно подключать последовательно с коллекторными резисторами.Это связано с тем, что ток светодиода небольшой, а падение напряжения на нем при работе составляет не более одного вольта. Следовательно, они не влияют на работу мультивибратора. Правда, это не касается сверхъярких светодиодов, которые имеют больший рабочий ток и падение напряжения от 3,5 до 10 вольт. Но в этом случае выход есть — увеличить напряжение питания и использовать транзисторы большой мощности, обеспечивающие достаточный ток коллектора.

Обратите внимание, что оксидные (электролитические) конденсаторы подключены плюсами к коллекторам транзисторов.Это связано с тем, что на базах биполярных транзисторов напряжение не поднимается выше 0,7 вольт относительно эмиттера, а в нашем случае эмиттеры имеют отрицательный источник питания. Но на коллекторах транзисторов напряжение меняется практически от нуля до напряжения источника питания. Оксидные конденсаторы не могут выполнять свою функцию при подключении с обратной полярностью. Естественно, если использовать транзисторы другой структуры (не NPN, а PNP структур), то помимо изменения полярности блока питания необходимо включить светодиоды с катодами «вверх по цепи», а конденсаторы с плюсами к базам транзисторов.

Разберемся теперь какие параметры элементов мультивибратора задают выходные токи и частоту генерации мультивибратора?

На что влияют номиналы коллекторных резисторов? Я видел в каких-то посредственных интернет-статьях, что номиналы коллекторных резисторов незначительны, но влияют на частоту мультивибратора. Все это ерунда полная! При правильном расчете мультивибратора отклонение номиналов этих резисторов более чем в пять раз от расчетного не изменит частоту мультивибратора.Главное, чтобы их сопротивление было меньше, чем у базовых резисторов, ведь коллекторные резисторы обеспечивают быстрый заряд конденсаторов. Но с другой стороны, номиналы коллекторных резисторов являются основными для расчета потребляемой мощности от источника питания, величина которой не должна превышать мощность транзисторов. Если посмотреть, то при правильном подключении они даже напрямую не влияют на выходную мощность мультивибратора. Но время между переключениями (частота мультивибратора) определяется «медленной» перезарядкой конденсаторов.Время перезарядки определяется номиналами RC-цепочек — базовых резисторов и конденсаторов (R2C1 и R3C2).

Мультивибратор, хотя и называется симметричным, это относится только к схеме его конструкции, и он может производить как симметричные, так и несимметричные выходные импульсы по длительности. Длительность импульса (высокий уровень) на коллекторе VT1 определяется значениями R3 и C2, а длительность импульса (высокий уровень) на коллекторе VT2 определяется значениями R2 и C1. .

Продолжительность перезарядки конденсатора определяется по простой формуле, где Tau — длительность импульса в секундах, R — сопротивление резистора в Ом, FROM — емкость конденсатора в Фарадах:

Таким образом , если вы уже не забыли, что было написано в этой статье парой абзацев ранее:

При равенстве R2 = R3 и C1 = C2 на выходах мультивибратора будет «меандр» — прямоугольные импульсы с длительностью, равной паузам между импульсами, которые вы видите на рисунке.

Полный период колебаний мультивибратора — T равен сумме длительностей импульса и паузы:

Частота колебаний F (Гц) связана с периодом T (сек) соотношением :

Как правило, если в Интернете есть какие-то расчеты радиосхем, то их мало. поэтому рассчитаем элементы симметричного мультивибратора на примере .

Как и у любых транзисторных каскадов, расчет нужно вести с конца — выхода.А на выходе буферный каскад, потом коллекторные резисторы. Коллекторные резисторы R1 и R4 служат нагрузкой для транзисторов. Коллекторные резисторы не влияют на частоту генерации. Они рассчитываются исходя из параметров выбранных транзисторов. Таким образом, мы сначала рассчитываем резисторы коллектора, затем резисторы базы, затем конденсаторы, а затем буферный каскад.

Порядок и пример расчета транзисторного симметричного мультивибратора

Исходные данные:

Напряжение питания Ui.п. = 12В .

Требуемая частота мультивибратора F = 0,2 Гц (T = 5 секунд) , а длительность импульса 1 (одна) секунда.

В качестве нагрузки используется автомобильная лампа накаливания. 12 вольт, 15 ватт .

Как вы уже догадались, мы рассчитаем «мигающий свет», который будет мигать каждые пять секунд, а продолжительность свечения составляет 1 секунду.

Выбор транзисторов для мультивибратора. Например, у нас самые обычные в советское время транзисторы. КТ315Г .

Для них: Pmax = 150 мВт; Imax = 150 мА; h31> 50 .

Транзисторы для буферного каскада выбираются в зависимости от тока нагрузки.

Чтобы не изображать схему дважды, обозначения элементов на схеме я уже подписал. Их расчет приведен далее в Решении.

Решение:

1. Прежде всего, необходимо понимать, что работа транзистора на больших токах в ключевом режиме более безопасна для самого транзистора, чем работа в режиме усиления.Следовательно, расчет мощности для переходного состояния в момент прохождения переменного сигнала через рабочую точку «В» статического режима транзистора — нет необходимости осуществлять переход из открытого состояния в закрытое состояние и обратно. Для импульсных схем, построенных на биполярных транзисторах, мощность обычно рассчитывается для транзисторов в открытом состоянии.

Сначала мы определяем максимальную рассеиваемую мощность транзисторов, которая должна быть на 20 процентов меньше (коэффициент 0.8) чем максимальная мощность транзистора, указанная в справочнике. Но зачем загонять мультивибратор в жесткие рамки больших токов? Да и от повышенной мощности потребление энергии от источника питания будет большим, но пользы мало. Поэтому, определив максимальную рассеиваемую мощность транзисторов, уменьшим ее в 3 раза. Дальнейшее снижение рассеиваемой мощности нежелательно, поскольку работа мультивибратора на биполярных транзисторах в режиме малых токов является «нестабильным» явлением.Если блок питания используется не только для мультивибратора, или он не совсем стабилен, частота мультивибратора тоже будет «плавать».

Определите максимальную рассеиваемую мощность: Pras.max = 0,8 * Pmax = 0,8 * 150 мВт = 120 мВт

Определите номинальную рассеиваемую мощность: Pras.nom. = 120/3 = 40мВт

2. Определить ток коллектора в открытом состоянии: Iк0 = Прас.ном. / Ui.p. = 40мВт / 12В = 3,3мА

Примем за максимальный ток коллектора.

3. Найдем значение сопротивления и мощности коллекторной нагрузки: Rk.total = Ui.p. / Ik0 = 12В / 3,3мА = 3,6 кОм

Выбираем резисторы в существующем номинальном диапазоне, максимально приближенные к 3,6 кОм. В номинальном ряду резисторов есть номинал 3,6 кОм, поэтому сначала рассмотрим номинал коллекторных резисторов R1 и R4 мультивибратора: Rk = R1 = R4 = 3,6 кОм .

Мощность коллекторных резисторов R1 и R4 равна номинальной рассеиваемой мощности транзисторов Pras.ном. = 40 мВт. Мы используем резисторы с мощностью, превышающей указанное Прас.ном. — типа МЛТ-0,125.

4. Перейдем к расчету базовых резисторов R2 и R3 … Их величина находится исходя из коэффициента усиления транзисторов h31. При этом для надежной работы мультивибратора значение сопротивления должно быть в пределах: 5-кратного сопротивления коллекторных резисторов и меньше произведенного Rк * h31. Rmin = 3,6 * 5 = 18 кОм, а Rmax = 3.6 * 50 = 180 кОм

Таким образом, значения сопротивления Rb (R2 и R3) могут находиться в диапазоне 18 … 180 кОм. Предварительно выбираем среднее значение = 100 кОм. Но это не окончательно, так как нам нужно обеспечить нужную частоту мультивибратора, и, как я писал ранее, частота мультивибратора напрямую зависит от базовых резисторов R2 и R3, а также от емкости конденсаторов.

5. Рассчитываем емкость конденсаторов С1 и С2 и при необходимости пересчитываем значения R2 и R3 .

Значения емкости конденсатора С1 и сопротивления резистора R2 определяют длительность выходного импульса на коллекторе VT2. Именно во время действия этого импульса должна загореться наша лампочка. И в условии, длительность импульса была установлена на 1 секунду.

определяем емкость конденсатора: С1 = 1сек / 100кОм = 10 мкФ

В номинальном диапазоне имеется конденсатор емкостью 10 мкФ, поэтому он нам подходит.

Значения емкости конденсатора С2 и сопротивления резистора R3 определяют длительность выходного импульса на коллекторе VT1. Именно при действии этого импульса на коллектор VT2 действует «пауза» и наша лампочка не должна гореть. Причем в условии был указан полный период 5 секунд с длительностью импульса 1 секунда. Следовательно, продолжительность паузы составляет 5 секунд — 1 секунда = 4 секунды.

Преобразуя формулу для продолжительности перезарядки, определяем емкость конденсатора: C2 = 4сек / 100кОм = 40 мкФ

Конденсатор емкостью 40 мкФ отсутствует в номинальном диапазоне, поэтому он нам не подходит, и мы возьмем конденсатор на 47 мкФ как можно ближе к нему.Но, как вы понимаете, изменится и время «паузы». Чтобы этого не произошло, пересчитаем сопротивление резистора R3 исходя из длительности паузы и емкости конденсатора С2: R3 = 4 сек / 47 мкФ = 85 кОм

По Номинальный ряд, ближайшее значение сопротивления резистора 82 кОм.

Итак, мы получили номиналы элементов мультивибратора:

R1 = 3,6 кОм, R2 = 100 кОм, R3 = 82 кОм, R4 = 3.6 кОм, С1 = 10 мкФ, С2 = 47 мкФ .

6. Рассчитайте номинал резистора R5 буферного каскада .

Сопротивление дополнительного ограничивающего резистора R5 с целью исключения влияния на мультивибратор выбирается как минимум в 2 раза большим, чем сопротивление коллекторного резистора R4 (а в некоторых случаях даже больше). Его сопротивление вместе с сопротивлением переходов эмиттер-база VT3 и VT4 в этом случае не повлияет на параметры мультивибратора.

R5 = R4 * 2 = 3,6 * 2 = 7,2 кОм

По номинальной строке ближайший резистор 7,5 кОм.

При номинале резистора R5 = 7,5 кОм управляющий ток буферного каскада будет:

Icont. = (Ui.p. — Ube) / R5 = (12В — 1,2В) / 7,5кОм = 1,44 мА

Кроме того, как я уже писал ранее, коллекторная нагрузка транзисторов мультивибратора не влияет на его частота, поэтому, если у вас нет такого резистора, вы можете заменить его другим «близким» номиналом (5… 9 кОм). Лучше, если он будет нисходящим, чтобы не было падения управляющего тока в буферном каскаде. Но учтите, что дополнительный резистор является дополнительной нагрузкой транзистора VT2 мультивибратора, поэтому ток, протекающий через этот резистор, складывается с током коллекторного резистора R4 и является нагрузкой для транзистора VT2: Itotal = Ik + Icont. = 3,3 мА + 1,44 мА = 4,74 мА

Суммарная нагрузка на коллекторе транзистора VT2 находится в пределах нормы.Если он превышает максимальный ток коллектора, указанный в справочнике и умноженный на коэффициент 0,8, увеличивайте сопротивление R4 до тех пор, пока ток нагрузки не уменьшится в достаточной степени, или используйте более мощный транзистор.

7. Нам нужно подать ток на лампочку В = Rn / Ui.p. = 15Вт / 12В = 1,25 А

Но управляющий ток буферного каскада составляет 1,44 мА. Ток мультивибратора необходимо увеличить на величину, равную соотношению:

In / Icont.= 1,25А / 0,00144А = 870 раз .

Как это сделать? Для значительного увеличения выходного тока используются транзисторные каскады, построенные по схеме «составной транзистор». Первый транзистор обычно маломощный (будем использовать КТ361Г), он имеет наибольшее усиление, а второй должен обеспечивать достаточный ток нагрузки (возьмем не менее распространенный КТ814Б). Затем их передаточные числа h31 умножаются. Итак, для транзистора КТ361Г h31> 50, а для транзистора КТ814Б h31 = 40.И суммарный коэффициент передачи этих транзисторов, подключенных по схеме «составной транзистор»: х31 = 50 * 40 = 2000 … Эта цифра больше 870, так что этих транзисторов хватит для зажигания лампочки. .

Ну вот и все!

Мультивибратор (от латинского я делаю много) — это нелинейное устройство, преобразующее постоянное напряжение питания в почти прямоугольную энергию импульса. В основе мультивибратора лежит усилитель с положительной обратной связью.

Различают автоколебательные и ожидающие мультивибраторы.Рассмотрим первый тип.

На рис. 1 показана обобщенная схема усилителя обратной связи.

Схема содержит усилитель с комплексным коэффициентом усиления k = Ke-ik, схему ООС с коэффициентом передачи m и схему ПОС с комплексным коэффициентом передачи B = e-i. Из теории генераторов известно, что для возникновения колебаний на любой частоте необходимо, чтобы на ней выполнялось условие Bk> 1. Импульсный периодический сигнал содержит набор частот, образующих линейчатый спектр (см. Лекцию 1).Так что для генерации импульсов необходимо выполнение условия Bk> 1 не на одной частоте, а в широкой полосе частот. Причем, чем короче импульс и с более короткими фронтами сигнала требуется получить, для более широкой полосы частот требуется выполнение условия Bk> 1. Вышеупомянутое условие разделяется на два:

условие баланса амплитуд — модуль полного коэффициента передачи генератора должен превышать 1 в широком диапазоне частот — K> 1;

условие фазового баланса — суммарный фазовый сдвиг колебаний в замкнутом контуре генератора в том же диапазоне частот должен быть кратным от 2 — до + = 2n.

Качественно процесс скачка напряжения происходит следующим образом. Пусть в какой-то момент времени в результате колебаний напряжение на входе генератора увеличилось на небольшую величину u. В результате выполнения обоих условий генерации на выходе устройства появится приращение напряжения: uout = Vkuin> uin, которое передается на вход синфазно с исходным uin. Соответственно, это увеличение приведет к дальнейшему увеличению выходного напряжения.Лавинообразный процесс роста напряжения происходит в широком диапазоне частот.

Задача построения практической схемы генератора импульсов сводится к подаче части выходного сигнала с разностью фаз = 2 на вход широкополосного усилителя. Поскольку один резистивный усилитель сдвигает фазу входного напряжения на 1800, использование двух последовательно соединенных усилителей может удовлетворить условие фазового баланса. В этом случае условие баланса амплитуд будет выглядеть так:

Одна из возможных схем, реализующих этот метод, представлена на рис.2. Схема автоколебательного мультивибратора с коллекторно-базой связи. В схеме используются два каскада усилителя. Выход одного усилителя соединен со входом второго конденсатором С1, а выход последнего соединен со входом первого — конденсатором С2.

Качественно рассмотрим работу мультивибратора, используя временные диаграммы (схемы) напряжения, представленные на рис. 3.

Пусть мультивибратор переключается в момент времени t = t1.Транзистор VT1 переходит в режим насыщения, а VT2 — в режим отсечки. С этого момента начинаются процессы перезарядки конденсаторов С1 и С2. До момента t1 конденсатор C2 был полностью разряжен, а C1 был заряжен до напряжения питания Ep (полярность заряженных конденсаторов показана на рис. 2). После разблокировки VT1 он начинает заряжаться от источника Ep через резистор Rk2 и базу разблокированного транзистора VT1. Конденсатор заряжен практически до напряжения питания Ер постоянным зарядом

charge2 = C2Rk2

Поскольку C2 подключен параллельно VT2 через открытый VT1, его скорость зарядки определяет скорость изменения выходного напряжения Uout2.. Если предположить, что процесс зарядки завершен при Uвых2 = 0,9Uп, легко получить длительность

t2-t1 = С2Rк2ln102,3С2Rк2

Одновременно с зарядкой C2 (начиная с момента t1) происходит зарядка конденсатора C1. Его отрицательное напряжение, приложенное к базе VT2, поддерживает заблокированное состояние этого транзистора. Конденсатор С1 заряжается по цепи: En, резистор Rb2, C1, E-K открытого транзистора VT1. случай постоянной времени

разр1 = C1Rb2

Так как Rb> Rk, то заряд

t3-t1 = 0.7C1Rb2

В момент t3 появляется ток коллектора VT2, падает напряжение Uke2, что приводит к замыканию VT1 и соответственно к увеличению Uke1. Это приращение напряжения передается через C1 на базу VT2, что влечет за собой дополнительное открытие VT2. Транзисторы переходят в активный режим, происходит лавинообразный процесс, в результате которого мультивибратор переходит в другое квазистационарное состояние: VT1 закрыт, VT2 открыт. Время опрокидывания мультивибратора намного короче, чем у всех других переходных процессов, и его можно считать равным нулю.

С момента t3 процессы в мультивибраторе будут происходить аналогично описанному, нужно лишь поменять местами индексы элементов схемы.

Таким образом, длительность фронта импульса определяется процессами заряда конденсатора связи и численно равна:

Длительность нахождения мультивибратора в квазистабильном состоянии (длительность импульса и паузы) определяется процессом разряда конденсатора связи через базовый резистор и численно равна:

При симметричной схеме мультивибратора (Rk1 = Rk2 = Rk, Rb1 = Rb2 = Rb, C1 = C2 = C) длительность импульса равна длительности паузы, а период повторения импульсов составляет:

Т = u + n = 1.4CRb

Сравнивая длительность импульса и фронта, необходимо учитывать, что Rb / Rk = h31e / s (h31e для современных транзисторов — 100, а s2). Следовательно, время нарастания всегда меньше длительности импульса.

Частота выходного напряжения симметричного мультивибратора не зависит от напряжения питания и определяется только параметрами схемы:

Для изменения длительности импульсов и периода их повторения необходимо варьировать значения Rb и C.Но возможности здесь невелики: пределы изменения Rb ограничены с большей стороны необходимостью сохранить открытый транзистор, с меньшей стороны — неглубоким насыщением. Плавно изменить значение C даже в небольших пределах сложно.

Для выхода из затруднения обратимся к временному периоду t3-t1 на рис. 2. Из рисунка видно, что указанный временной интервал, а, следовательно, и длительность импульса, можно регулировать с помощью изменение наклона линии разряда конденсатора.Этого можно добиться, подключив базовые резисторы не к источнику питания, а к дополнительному источнику напряжения Ecm (см. Рис. 4). Тогда конденсатор имеет тенденцию перезаряжаться не до En, а до Ecm, и наклон показателя степени будет меняться с изменением Ecm.

Импульсы, генерируемые рассматриваемыми цепями, имеют большое время нарастания. В некоторых случаях это значение становится неприемлемым. Для сокращения φ в цепь вводятся отсечные конденсаторы, как показано на рис. 5. Конденсатор C2 заряжается в этой цепи не через Rc, а через Rd.Диод VD2, оставаясь закрытым, «отсекает» напряжение на С2 с выхода и напряжение на коллекторе увеличивается практически одновременно с закрытием транзистора.

В мультивибраторах в качестве активного элемента может использоваться операционный усилитель. Автоколебательный мультивибратор на ОУ показан на рис. 6.

ОУ покрыт двумя цепями обратной связи: положительной

и отрицательное

Xc / (Xc + R) = 1 / (1 + wRC).

Пусть генератор включен в момент t0.На инвертирующем входе напряжение равно нулю, на неинвертирующем входе одинаково вероятно положительное или отрицательное. Для определенности возьмем позитив. Благодаря PIC на выходе будет установлено максимально возможное напряжение — Uout m. Время установления этого выходного напряжения определяется частотными характеристиками операционного усилителя и может быть установлено равным нулю. Начиная с момента t0, конденсатор C будет заряжаться с постоянной времени = RC. До момента времени t1 Ud = U + — U-> 0, а на выходе ОУ удерживается положительный Uoutm.При t = t1, когда Ud = U + — U- = 0, выходное напряжение усилителя изменит свою полярность на — Uout m. После момента t1 емкость C перезаряжается, стремясь к уровню — Uout m. До момента t2 Ud = U + — U-

Т = 2RCln (1 + 2R2 / R1).

Мультивибратор, показанный на рис. 6, называется симметричным, потому что времена положительного и отрицательного выходных напряжений равны.

Для получения асимметричного мультивибратора резистор в ООС следует заменить схемой, как показано на рис.7. Различная длительность положительных и отрицательных импульсов обеспечивается разными постоянными времени для зарядки конденсаторов:

R «C, — = R» C.

Мультивибратор на операционном усилителе можно легко превратить в одиночный вибратор или мультивибратор ожидания. Сначала в цепи OOS параллельно с C подключите диод VD1, как показано на рис. 8. Благодаря диоду схема имеет одно стабильное состояние при отрицательном выходном напряжении. Действительно, поскольку Uout = — Uout m, то диод открыт и напряжение на инвертирующем входе примерно равно нулю.Пока напряжение на неинвертирующем входе

U + = — Uвых м R2 / (R1 + R2)

и стабильное состояние схемы сохраняется. Для генерации одного импульса в схему нужно добавить схему триггера, состоящую из диода VD2, C1 и R3. Диод VD2 остается закрытым и может открываться только при положительном входном импульсе, поступившем на вход в момент времени t0. При открытии диода знак меняется и схема переходит в состояние с положительным напряжением на выходе. Uвых = Uвых м.После этого конденсатор С1 начинает заряжаться с постоянной времени = RC. В момент t1 сравниваются входные напряжения. U- = U + = Uout m R2 / (R1 + R2) и = 0. В следующий момент дифференциальный сигнал становится отрицательным и схема возвращается в установившееся состояние. Диаграммы показаны на рис. 9.

Используются схемы ожидающих мультивибраторов на дискретных и логических элементах.

Схема рассматриваемого мультивибратора аналогична рассмотренной ранее.

Радиосхемы для начинающих радиолюбителей

В этой статье мы представляем несколько устройств на одной схеме — асимметричный мультивибратор на транзисторах разной проводимости.

мигалка

По этой схеме можно собрать устройство с мигалкой электрической лампочки (см. Рис. 1) и использовать его для различных целей. Например, установите на велосипед для включения указателя поворота или в модели маяка — сигнальный свет, на модель автомобиля или корабля в качестве мигающего огня.

Нагрузкой асимметричного мультивибратора, собранного на транзисторах Т1, Т2, является лампа Л1. Частота следования импульсов определяется величиной емкости конденсатора С1 и резисторов R1, R2. Резистор R1 ограничивает максимальную частоту вспышек, а резистор R2 может плавно изменять их частоту. Начать работу необходимо с максимальной частоты, которая соответствует верхнему положению ползунка резистора R2 по схеме.

Обратите внимание, что устройство питается от аккумулятора емкостью 3336 л, что дает 3.5 В под нагрузкой, а на лампу L1 подается напряжение всего 2,5 В. Она перегорит? Нет! Продолжительность его свечения очень мала, и нить не успевает перегреться. Если транзисторы имеют большой коэффициент усиления, то вместо лампочки 2,5 В х 0,068 А можно использовать лампочку 3,5 В х 0,16 А. В качестве транзистора Т1 подходят транзисторы типа МП35-МП38, а Т2 — МП39-МП42.

Метроном

Если вместо лампочки в той же схеме установить громкоговоритель, то получится другое устройство — электронный метроном.Он используется в обучении музыке, для хронометража в ходе физических экспериментов и в фотопечати.

Если немного изменить схему — уменьшить емкость конденсатора С1 и ввести резистор R3, то длительность импульса генератора увеличится. Звук усилится (рис. 2). Это устройство может выступать в роли квартирного звонка, модели клаксона или педального автомобиля для детей. (В последнем случае напряжение необходимо увеличить до 9 В.) И его также можно использовать для обучения азбуке Морзе.Только тогда вместо кнопки Кн1 надо поставить телеграфный ключ. Тональность звука выбирается конденсатором С1 и резистором R2. Чем выше R3, тем громче звук генератора. Однако если его значение больше одного килоом, то колебания в генераторе могут не возникать.

В генераторе используются те же транзисторы, что и в предыдущей схеме, а в качестве динамика — наушники или голова с сопротивлением катушки от 5 до 65 Ом.

Индикатор влажности

Асимметричный мультивибратор на транзисторах разной проводимости имеет интересное свойство: во время работы оба транзистора либо открыты, либо заблокированы одновременно.Ток, потребляемый заблокированными транзисторами, очень мал. Это позволяет создавать экономические индикаторы изменения неэлектрических величин, например индикаторы влажности. Принципиальная схема такого индикатора представлена на рисунке 3. Как видно из схемы, генератор постоянно подключен к источнику питания, но не работает, так как оба транзистора заблокированы. Уменьшает потребление тока и резистор R4. К розеткам G1, G2 подключается датчик влажности — два тонких луженых провода 1.5 см в длину. Их пришивают к ткани на расстоянии 3-5 мм друг от друга. Сопротивление сухого датчика высокое. При намокании падает. Транзисторы открываются, генератор начинает работать. Для уменьшения громкости необходимо уменьшить напряжение питания или номинал резистора R3. Этот индикатор влажности можно использовать при уходе за новорожденными.

Индикатор влажности со звуковым и световым сигналом

Если контур немного расширить, то индикатор влажности одновременно со звуковым сигналом подаст световой сигнал — загорится лампочка L1.При этом, как видно из схемы (рис. 4), в генераторе устанавливаются два несимметричных мультивибратора с транзисторами разной проводимости. Один собран на транзисторах Т1, Т2 и контролируется датчиком влажности, подключенным к гнездам G1, G2. Лампа L1 служит нагрузкой на этот мультивибратор. Напряжение с коллектора Т2 управляет работой второго мультивибратора, собранного на транзисторах Т3, Т4. Он работает как генератор звуковой частоты, а на его выходе включен громкоговоритель Gr1.Если в звуковом сигнале нет необходимости, то второй мультивибратор можно отключить.

Транзисторы, лампа и динамик в этом индикаторе влажности такие же, как и в предыдущих устройствах.

Симулятор сирены

Интересные устройства можно построить, используя зависимость частоты несимметричного мультивибратора на транзисторах разной проводимости от тока базы транзистора Т1. Например, генератор, имитирующий звук сирены.Такое устройство может быть установлено на модели машины скорой помощи, пожарной машины, спасательного катера.

Принципиальная схема устройства представлена на рисунке 5. В исходном положении кнопка Kn1 разомкнута. Транзисторы заблокированы. Генератор не работает. Когда кнопка замкнута, конденсатор С2 заряжается через резистор R4. Транзисторы открываются и мультивибратор начинает работать. По мере заряда конденсатора C2 ток базы транзистора T1 увеличивается, а частота мультивибратора увеличивается.При открытии кнопки все повторяется в обратном порядке. Звук сирены имитируется периодическим закрытием и открытием кнопки. Скорость нарастания и спада звука выбирается резистором R4 и конденсатором C2. Звук сирены задается резистором R3, а громкость звука — подбором резистора R5. Транзисторы и динамик подобраны так же, как и в предыдущих устройствах.

Тестер транзисторов

Учитывая, что в этом мультивибраторе используются транзисторы разной проводимости, вы можете использовать его как устройство для проверки транзисторов путем замены.Принципиальная схема такого устройства представлена на рисунке 6. За основу взята схема звукового генератора, но с не меньшим успехом можно использовать и генератор световых импульсов.

Изначально закрыв кнопку Kn1 проверяем работоспособность устройства. В зависимости от типа проводимости подключите проверяемый транзистор к гнездам G1 — G3 или G4-G6. В этом случае используйте переключатель P1 или P2. Если при нажатии кнопки в динамике слышен звук, значит транзистор исправен.

В качестве переключателей П1 и П2 можно принять тумблеры с двумя контактами для переключения. На рисунке показаны переключатели в положении «Контроль». Устройство питается от аккумулятора емкостью 3336 л.

Звуковой генератор для тестирования усилителей

На основе того же мультивибратора можно построить довольно простой генератор для тестирования приемников и усилителей. Его принципиальная схема представлена на рисунке 7. Отличие от звукового генератора в том, что вместо громкоговорителя на выходе мультивибратора включен 7-ступенчатый регулятор уровня напряжения.

ТАРАСОВ Е.
Рис Ю. ЧЕСНОКОБА
UT Для умелых рук 1979 №8

Мультивибраторы — это еще одна разновидность генераторов. Генератор — это электронная схема, способная поддерживать на выходе сигнал переменного тока. Он может генерировать прямоугольные, линейные или импульсные сигналы. Для генерации генератор должен удовлетворять двум условиям Баркгаузена:

Тл, коэффициент усиления схемы должен быть чуть больше единицы.

Фазовый сдвиг цикла должен составлять 0 или 360 градусов.

Для выполнения обоих условий генератор должен иметь какой-либо усилитель, и часть его выхода должна быть восстановлена на входе. Если коэффициент усиления усилителя меньше единицы, схема не будет колебаться, а если больше единицы, схема будет перегружена и будет генерировать искаженную форму волны. Простой генератор может генерировать синусоидальную волну, но не может генерировать прямоугольную волну. Прямоугольную волну можно создать с помощью мультивибратора.

Мультивибратор — это форма генератора, имеющая две ступени, благодаря которым мы можем выйти из любого из состояний.По сути, это две схемы усилителя, объединенные с рекуперативной обратной связью. В этом случае ни один из транзисторов не проводит одновременно. В каждый момент времени только один транзистор является проводящим, а другой выключен. Некоторые схемы имеют определенные состояния; состояние с быстрым переходом называется процессами переключения, когда происходит быстрое изменение тока и напряжения. Этот переключатель называется пусковым переключателем. Следовательно, мы можем запустить схему внутри или снаружи.

Схемы имеют два состояния.

One — это стабильное состояние, в котором цепь остается навсегда без срабатывания.
Другое состояние нестабильно: в этом состоянии схема остается в течение ограниченного периода времени без какого-либо внешнего запуска и переключается в другое состояние. Следовательно, использование мультивибраторов осуществляется в двух состояниях схем, таких как таймеры и триггеры.

Неустойчивый мультивибратор на транзисторе

Это автономный генератор, который постоянно переключается между двумя нестабильными состояниями. При отсутствии внешнего сигнала транзисторы поочередно переключаются из выключенного состояния в состояние насыщения с частотой, определяемой постоянными времени RC цепей связи.Если эти постоянные времени равны (R и C равны), то будет генерироваться прямоугольная волна с частотой 1 / 1,4 RC. Следовательно, нестабильный мультивибратор называется генератором импульсов или генератором прямоугольных импульсов. Чем больше значение базовой нагрузки R2 и R3 по отношению к нагрузке коллектора R1 и R4, тем больше усиление по току и более резкий фронт сигнала.

Основной принцип работы нестабильного мультивибратора — небольшое изменение электрических свойств или характеристик транзистора.Эта разница приводит к тому, что один транзистор включается быстрее, чем другой, когда сначала подается питание, что вызывает колебания.

Описание схемы

нестабильный мультивибратор состоит из двух сшитых RC-усилителей.
Схема имеет два нестабильных состояния
Когда V1 = LOW и V2 = HIGH, то Q1 включен, а Q2 OFF.
Когда V1 = HIGH и V2 = LOW, Q1 выключен. и Q2 ON.
В данном случае R1 = R4, R2 = R3, R1 должно быть больше R2
C1 = C2
При первом включении схемы ни один из транзисторов не включается.
Базовое напряжение обоих транзисторов начинает расти. Любой из транзисторов включается первым из-за разницы в легирующих свойствах и электрических характеристиках транзистора.

Рисунок: 1: Принципиальная схема работы транзисторного нестабильного мультивибратора

Мы не можем сказать, какой транзистор проводит первым, поэтому мы предполагаем, что Q1 проводит первым, а Q2 выключен (C2 полностью заряжен).

Q1 проводит, а Q2 выключен, поэтому VC1 = 0 В, поскольку весь ток на землю происходит из-за короткого замыкания в Q1, а VC2 = Vcc, поскольку все напряжение на VC2 падает из-за разрыва цепи в TR2. (равно напряжению питания)…
Из-за высокого напряжения VC2 конденсатор C2 начинает заряжаться через Q1 через R4, а C1 начинает заряжаться через R2 через Q1. Время, необходимое для зарядки C1 (T1 = R2C1), больше, чем время, необходимое для зарядки C2 (T2 = R4C2).
Поскольку правая пластина C1 подключена к основанию Q2 и заряжается, это означает, что эта пластина имеет высокий потенциал, и когда он превышает напряжение 0,65 В, она включает Q2.
Поскольку C2 полностью заряжен, его левая пластина имеет напряжение -Vcc или -5V и подключена к базе Q1.Значит отключает Q2
TR Теперь TR1 выключен, а Q2 проводит, поэтому VC1 = 5V и VC2 = 0V. Левая пластина C1 ранее была на -0,65 В, которая начинает повышаться до 5 В и подключается к коллектору Q1. C1 сначала разряжается от 0 до 0,65 В, а затем начинает заряжаться через R1 через Q2. Во время зарядки правая пластина C1 находится под низким потенциалом, что отключает Q2.
Правая пластина C2 подключена к коллектору Q2 и предварительно настроена на + 5V. Таким образом, C2 сначала разряжается с 5 В до 0 В, а затем начинает заряжаться через R3.Левая пластина C2 находится под высоким потенциалом во время зарядки, который включает Q1, когда он достигает 0,65 В.

Рисунок: 2: Принципиальная схема работы транзисторного нестабильного мультивибратора

Сейчас Q1 проводит, а Q2 выключен. Вышеупомянутая последовательность повторяется, и мы получаем сигнал на обоих коллекторах транзистора, который не совпадает по фазе друг с другом. Чтобы получить идеальную меандр любым коллектором транзистора, в качестве сопротивления коллектора транзистора возьмем сопротивление базы, то есть (R1 = R4), (R2 = R3), а также такую же ёмкость конденсатора, которая делает нашу схему симметричной.Следовательно, рабочий цикл для низкого и высокого значения выходного сигнала такой же, как при генерации прямоугольной волны.
Constant Постоянная времени формы сигнала зависит от сопротивления базы и коллектора транзистора. Мы можем рассчитать его временной период по формуле: Постоянная времени = 0,693RC

Принцип работы мультивибратора на видео с пояснением

В этом видеоуроке телеканала «Паяльник» мы покажем, как между собой соединяются элементы электрической схемы и познакомимся с процессами, происходящими в ней.Первая схема, на основании которой будет рассмотрен принцип работы, представляет собой схему мультивибратора на транзисторах. Схема может находиться в одном из двух состояний и периодически переходить из одного в другое.

Анализ 2-х состояний мультивибратора.

Все, что мы сейчас видим, — это два попеременно мигающих светодиода. Почему это происходит? Рассмотрим первое условие .

Первый транзистор VT1 закрыт, а второй транзистор полностью открыт и не мешает протеканию коллекторного тока.Транзистор в этот момент находится в режиме насыщения, что позволяет снизить падение напряжения на нем. И вот правый светодиод горит на полную мощность. Конденсатор С1 в первый момент времени был разряжен, и ток беспрепятственно прошел на базу транзистора VT2, полностью открыв его. Но через мгновение конденсатор начинает быстро заряжаться током базы второго транзистора через резистор R1. После того, как он полностью зарядится (а как известно, полностью заряженный конденсатор не пропускает ток), то транзистор VT2 в результате закрывается и светодиод гаснет.

Напряжение на конденсаторе C1 равно произведению тока базы и сопротивления резистора R2. Перенесемся вперед во времени. Пока транзистор VT2 был открыт и правый светодиод светился, конденсатор С2, ранее заряженный в предыдущем состоянии, начинает медленно разряжаться через открытый транзистор VT2 и резистор R3. Пока он не разряжен, напряжение на базе VT1 будет отрицательным, что полностью перекрывает транзистор. Первый светодиод не горит. Оказывается, к моменту затухания второго светодиода конденсатор C2 успевает разрядиться и становится готовым пропускать ток на базу первого транзистора VT1.Когда второй светодиод погаснет, загорится первый.

И во втором состоянии все то же самое, но наоборот, транзистор VT1 открыт, VT2 закрыт. Переход в другое состояние происходит при разряде конденсатора С2, напряжение на нем падает. После полной разрядки он начинает заряжаться в обратном направлении. Когда напряжение на переходе база-эмиттер транзистора VT1 достигает напряжения, достаточного для его открытия, около 0.7 В этот транзистор начнет открываться и загорится первый светодиод.

Давайте еще раз посмотрим на диаграмму.

Конденсаторы заряжаются через резисторы R1 и R4, а разряжаются через R3 и R2. Резисторы R1 и R4 ограничивают ток первого и второго светодиодов. От их сопротивления зависит не только яркость светодиодов. Они также определяют время зарядки конденсаторов. Сопротивления R1 и R4 выбраны намного ниже, чем R2 и R3, так что конденсаторы заряжаются быстрее, чем разряжаются.Мультивибратор используется для приема прямоугольных импульсов, которые снимаются с коллектора транзистора. В этом случае нагрузка подключается параллельно одному из коллекторных резисторов R1 или R4.

На графике показаны прямоугольные импульсы, производимые этой схемой. Одна из областей называется фронтом импульса. Лицевая сторона имеет наклон, и чем больше время зарядки конденсаторов, тем больше этот наклон.

Если в мультивибраторе используются одинаковые транзисторы, конденсаторы одинаковой емкости, а резисторы имеют симметричное сопротивление, то такой мультивибратор называется симметричным.У него одинаковая длительность импульса и паузы. А если будут отличия в параметрах, то мультивибратор будет несимметричным. Когда мы подключаем мультивибратор к источнику питания, в первый момент времени оба конденсатора разряжаются, а это значит, что на базу обоих конденсаторов будет течь ток и появится нестационарный режим работы, при котором только один из транзисторов должен открыться. Поскольку эти элементы схемы имеют некоторые погрешности в номиналах и параметрах, первым откроется один из транзисторов и запустится мультивибратор.

Если вы хотите смоделировать эту схему в программе Multisim, то вам необходимо установить номиналы резисторов R2 и R3 так, чтобы их сопротивления отличались не менее чем на десятую долю Ом. То же самое проделайте с емкостью конденсаторов, иначе мультивибратор может не запуститься. При практической реализации этой схемы рекомендую подавать напряжение от 3 до 10 Вольт, а теперь вы узнаете параметры самих элементов. При условии использования транзистора КТ315.Резисторы R1 и R4 не влияют на частоту импульсов. В нашем случае они ограничивают ток светодиода. Сопротивление резисторов R1 и R4 можно принять от 300 Ом до 1 кОм. Сопротивление резисторов R2 и R3 составляет от 15 кОм до 200 кОм. Емкость конденсаторов от 10 до 100 мкФ. Представьте себе таблицу со значениями сопротивления и емкости, которая показывает приблизительную ожидаемую частоту импульсов. То есть, чтобы получить импульс длительностью 7 секунд, то есть длительность свечения одиночного светодиода, равную 7 секундам, необходимо использовать резисторы R2 и R3 сопротивлением 100 кОм и конденсатор емкостью 100 мкФ.

Выход.

Элементами синхронизации этой схемы являются резисторы R2, R3 и конденсаторы C1 и C2. Чем ниже их номиналы, тем чаще будут переключаться транзисторы и тем чаще будут мигать светодиоды.

Мультивибратор может быть реализован не только на транзисторах, но и на микросхемах. Оставляйте свои комментарии, не забудьте подписаться на канал «Пайка ТВ» на YouTube, чтобы не пропустить новые интересные ролики.

Еще одна интересная вещь о радиопередатчике.

Принцип работы симметричного мультивибратора. Подборка простых и эффективных схем

Мультивибраторы с ожиданием После прихода короткого запускающего импульса генерируется один выходной импульс. Они относятся к классу моностабильных устройств и имеют одно долговременное стабильное и одно квазиустойчивое состояние равновесия. Схема простейшего ждущего мультивибратора на биполярных транзисторах, имеющего одно резистивное и одно емкостное соединение коллектор-база, представлена на рис.8. Благодаря соединительной базе VT 2 с напряжением питания + E через R b2 в цепи базы протекает ток разблокировки, достаточный для насыщения этого транзистора. В этом случае выходное напряжение, снимаемое с коллектора VT 2, близко к нулю. Транзистор VT 1 запирается отрицательным напряжением, полученным делением напряжения источника смещения — E см. Делитель R b1 R от. Таким образом, после включения блоков питания определяется состояние цепи.В этом состоянии конденсатор ИЗ 1 заряжен до напряжения источника + E, (плюс слева, минус на правой крышке).

Рисунок: 8. Мультивибратор ожидания на транзисторах

Мультивибратор ожидания может находиться в этом состоянии сколь угодно долго — до прихода триггерного импульса. Положительный пусковой импульс (рис. 9) включает транзистор VT 1, что приводит к увеличению коллекторного тока и уменьшению коллекторного потенциала этого транзистора.Отрицательное усиление потенциала на конденсаторе ОТ 1 передается на базу VT 2, выводит этот транзистор из состояния насыщения и заставляет его перейти в активный режим. Коллекторный ток транзистора уменьшается, коллекторное напряжение получает положительное приращение, которое от коллектора VT 2 через резистор R c передается на базу VT 1, вызывая его дальнейшую разблокировку. Для уменьшения времени разблокировки VT 1 параллельно R c включают ускоряющий конденсатор С ускорения.Процесс переключения транзисторов происходит лавинообразно и завершается переходом мультивибратора во второе квазиустойчивое состояние равновесия. В этом состоянии конденсатор разряжен ОТ 1 через резистор R b2 и насыщенный транзистор VT 1 на блок питания + E. Положительно заряженная пластина ОТ 1 через насыщенный транзистор VT 1 подключена к общему провод, а отрицательно заряженный к базе VT 2.За счет этого транзистор VT 2 удерживается заблокированным. После разряда ОТ 1 базы потенциал VT 2 становится неотрицательным. Это приводит к лавинообразному переключению транзисторов ( VT 2 разблокирован, а VT 1 заблокирован). Формирование выходного импульса заканчивается. Таким образом, длительность выходного импульса определяется процессом разряда конденсатора ИЗ 1

Амплитуда выходного импульса

По окончании формирования выходного импульса начинается этап восстановления, во время которого конденсатор заряжается ОТ 1 от истока + E через резистор R k1 и эмиттерный переход насыщенного транзистора VT 2.Время восстановления

Минимальный период повторения, с которым могут следовать триггерные импульсы, составляет

Рисунок: 9. Временные диаграммы напряжений в цепи ожидающего мультивибратора

Операционные усилители

Операционные усилители (OA) относятся к высококачественным усилителям постоянного тока (DCA), предназначенным для выполнения различных операций по аналоговым сигналам при работе в цепи отрицательной обратной связи.

Усилители постоянного тока

позволяют усиливать медленно меняющиеся сигналы, так как имеют нулевую нижнюю частоту среза полосы усиления (f n = 0).Соответственно, в таких усилителях нет реактивных компонентов (конденсаторов, трансформаторов), которые не пропускают постоянную составляющую сигнала.

На рис. 10, и показан символ OU. Показанный усилитель имеет одну выходную клемму (показано справа) и две входных клеммы (показано слева). Знак Δ или> характеризует усиление. Вход, напряжение на котором не совпадает по фазе на 180 0 с выходным напряжением, называется , инвертируя , и обозначается знаком инверсии ○, а вход, напряжение на котором находится в фазе с выходом, равен неинвертирующий … Операционный усилитель усиливает дифференциальное напряжение между входами. Операционный усилитель также содержит выводы для подачи напряжения питания и может содержать выводы частотной коррекции (FC), балансировочные выводы (NC). Для облегчения понимания назначения выводов и увеличения информативности в символе допускается введение одного или двух дополнительных полей по обе стороны от основного поля, в которых указываются метки, характеризующие выходные функции (рис. 10, б).Операционные усилители теперь доступны в виде интегральных схем. Это позволяет рассматривать их как отдельные компоненты с определенными параметрами.

Параметры и характеристики операционного усилителя можно условно разделить на характеристики входа, выхода и передачи.

Входные параметры.

Рисунок: 10. Условное обозначение операционного усилителя: а — без дополнительного поля; б — с дополнительным полем; NC — балансировочные отводы; FC — выходы частотной коррекции; U — клеммы напряжения питания; 0V — общий выход

Передаточные характеристики.

Коэффициент усиления напряжения TO U (10 3 — 10 6)

где U дюйм1 , U in2 — напряжение на входах ОУ.

Синфазное усиление TO U SF

Коэффициент подавления синфазного сигнала TO os sf

Частота единичного усиления f 1 — это частота, на которой усиление по напряжению равно единице (единицы — десятки МГц).

Скорость нарастания выходного напряжения V U out — это максимально возможная скорость изменения выходного сигнала.

Выходные параметры.

Максимальное выходное напряжение ОС U out макс. Обычно это напряжение на 2-3 В ниже, чем напряжение источника питания.

Выходное сопротивление R out (десятки — сотни Ом).

Принципиальные схемы включения операционного усилителя.

Операционные усилители обычно используются с глубокой отрицательной обратной связью, поскольку они имеют значительное усиление по напряжению.В этом случае результирующие параметры усилителя зависят от элементов цепи обратной связи.

В зависимости от того, к какому входу операционного усилителя подключен источник входного сигнала, различают две основные схемы переключения (рис. 11). При подаче входного напряжения на неинвертирующий вход (рис. 11, а) коэффициент усиления по напряжению определяется выражением

. (1)

Такое включение операционного усилителя используется, когда требуется повышенное входное сопротивление. Если диаграмма на рис.11, и сняв сопротивление R 1 и закоротив сопротивление R 2, получится повторитель напряжения ( К u = 1), который используется для согласования высокого сопротивления источника сигнала и низкого сопротивления приемника.

Рисунок: 11. Схема усилителя на операционном усилителе: а — неинвертирующий усилитель; б — инвертирующий усилитель

При подаче входного напряжения на инвертирующий вход (рис. 11, б) коэффициент усиления составляет

. (2)

Как видно из выражения (2), при таком включении входное напряжение инвертируется.

В рассмотренных схемах к одному из входов подключено сопротивление R e. Он не влияет на коэффициент усиления и вводится, когда необходимо уменьшить колебания выходного напряжения, вызванные временными или температурными колебаниями входных токов. Сопротивление R e выбрано таким образом, чтобы эквивалентные сопротивления, подключенные ко входам операционного усилителя, были одинаковыми. Для схем на рис. 10
.

Модифицируя схему на рис. 11, б, можно получить сумматор (рис. 12, а), в котором

.(3)

При одновременной подаче напряжения на оба входа ОУ получается вычитатель (рис. 12, б), для которого

. (4)

Это выражение действительно, если выполняется условие
.

Рисунок: 12. Схемы включения ОС: а — сумматор напряжения; б — вычитатель

Простые схемы самодельных светодиодных мигалок на основе транзисторных мультивибраторов. На рисунке 1 представлена схема мультивибратора, который переключает два светодиода. Светодиоды мигают поочередно, то есть, когда HL1 горит, светодиод HL2 не горит, и наоборот.

Можно установить схему в елочное украшение. При включении питания игрушка будет мигать. Если светодиоды разного цвета, игрушка будет одновременно мигать и менять цвет свечения.

Частоту мигания можно изменить, подобрав сопротивления резисторов R2 и R3, кстати, если эти резисторы имеют разные сопротивления, можно добиться, чтобы один светодиод светился дольше другого.

Но, двух светодиодов даже на самую маленькую настольную елку как-то не хватило.На рисунке 2 показана схема, которая переключает две цепочки по три светодиода в каждой. Больше светодиодов, больше и напряжение, необходимое для их питания. Поэтому теперь источник не 5 вольт, а 9 вольт (или 12 вольт).

Рис. 1. Схема простейшего мигалки на светодиодах и транзисторах.

Рис. 2. Схема простого мигалки на шести светодиодах и двух транзисторах.

Рисунок: 3. Схема светодиодного мигалки с мощными выходами нагрузки.

В качестве источника питания можно использовать блок питания от старой игровой приставки типа «Денди» или купить в магазине недорогой «сетевой адаптер» с выходным напряжением 9В или 12В.

И все же даже шести светодиодов для домашней елки мало. Было бы неплохо утроить количество светодиодов. А светодиоды не простые в использовании, но суперяркие. Но, если в каждой гирлянде уже девять последовательно подключенных светодиодов, причем даже сверхъярких, то суммарное напряжение, необходимое для их свечения, уже будет 2,3Вх9 = 20,7В.

Кроме того, для работы мультивибратора необходимо еще несколько вольт. Причем в продаже обычно идут «сетевые адаптеры» из числа недорогих, не более 12В.

Из ситуации можно выйти, разделив светодиоды на три группы по три. И включать группы параллельно. Но это приведет к увеличению тока через транзисторы и нарушит работу мультивибратора. Однако можно сделать дополнительные усилительные каскады еще на двух транзисторах (рис. 3).

Две лампочки — это нормально, но они просто мигают попеременно. Теперь хоть три! Для такого случая существует схема так называемого «трехфазного мультивибратора». Это показано на рисунке 4.

Рис. 4. Схема мультивибратора на трех транзисторах.

Если включить светодиодные гирлянды в коллекторных цепях транзисторов (рис. 5), то получится своеобразный эффект бегущего огня. Скорость воспроизведения светового эффекта можно регулировать заменой конденсаторов С1, С2 и С3 на конденсаторы другой емкости. А также замена резисторов R2, R4, R6 на резисторы разного сопротивления. По мере увеличения емкости или сопротивления скорость переключения светодиода уменьшается.

Рисунок: 5. Схема мультивибратора для получения эффекта бегущего огня.

А на рисунке 6 — мощный вариант из 27 светодиодов. В «мигалках» по схемам на рисунках 3 и 6 можно использовать практически любой светодиод, но все же желательно, чтобы они были суперяркими или суперяркими.

Рисунок: 6. Схема мощной версии прошивальщика на 27 светодиодах.

Установка может быть выполнена на макетных платах, которые можно приобрести в магазинах радиотехники.Или вообще без плат, спаяв детали вместе.

Принципиальная схема мощного транзисторного мультивибратора с управлением, построенного на транзисторах КТ972, КТ973. Многие радиолюбители начали свой творческий путь со сборки простых радиоприемников с прямым усилением, простых усилителей мощности звуковой частоты и сборки простых мультивибраторов, состоящих из пары транзисторов, двух или четырех резисторов и двух конденсаторов.

Традиционный симметричный мультивибратор имеет ряд недостатков, включая относительно высокий выходной импеданс, длительные фронты импульсов, ограниченное напряжение питания и низкий КПД при работе с нагрузкой с низким импедансом.

Принципиальная схема

На рис. 1 представлена схема управляемого симметричного двухфазного мультивибратора, работающего на звуковых частотах, нагрузка к которому подключена по мостовой схеме, благодаря чему амплитуда сигнала на нагрузке почти вдвое превышает напряжение питания мультивибратора. , что позволяет получить гораздо большую громкость, чем если бы нагрузка была включена в одно из плеч мультивибратора.

Кроме того, на нагрузку подается «реальное» переменное напряжение, что значительно улучшает условия работы динамической головки, подключенной в качестве нагрузки — отсутствует эффект прижатия или выступа диффузора (в зависимости от полярности динамика) .Также нет щелчков при включении и выключении мультивибратора.

Рисунок: 1. Принципиальная схема мощного мультивибратора на транзисторах КТ972, КТ973.

Симметричный двухфазный мультивибратор состоит из двух двухтактных рычагов, напряжение на которых попеременно меняется с низкого на высокое. Допустим, при включении питания первым открывается составной транзистор VT2.

Тогда напряжение на выводах коллекторов транзисторов VT1, VT2 станет близким к нулю (VT1 открыт, VT2 закрыт).Составной pnp-транзистор VT5 подключен к месту соединения своих коллекторов через токоограничивающий резистор R12, который откроется. На нагрузку будет подаваться напряжение около 8 В при напряжении питания мультивибратора 9 В. При перезарядке конденсаторов С2, С4 мультивибратор переключается — VT1, VT6 размыкается, VT2, VT5 замыкается.

На нагрузку будет подаваться такое же напряжение, но с обратной полярностью. Частота переключения мультивибратора зависит от емкости конденсаторов C2, C4 и, в меньшей степени, от установленного сопротивления подстроечного резистора R7.При напряжении питания 9 В частоту можно настраивать от 1,4 до 1,5 кГц.

Когда сопротивление R7 уменьшается ниже условного значения, генерация звуковых частот прерывается. Следует отметить, что после запуска мультивибратор может работать без резисторов R5, R11. Форма волны напряжения на выходе мультивибратора близка к прямоугольной.

Резисторы R6, R8 и диоды VD1, VD2 защищают эмиттерные переходы транзисторов VT2, VT6 от пробоя, что особенно важно при напряжении питания мультивибратора более 10В.Резисторы R1, R13 необходимы для стабильной генерации; при их отсутствии мультивибратор может «хрипеть». Диод VD3 защищает мощные транзисторы от перепадов напряжения питания. Если он отсутствует и при достаточной мощности источника питания, встроенные защитные красители транзисторов могут выйти из строя при реверсе напряжения.

Для расширения функциональных возможностей этого мультивибратора в него введена возможность включения / выключения при подаче напряжения положительной полярности на управляющий вход.Если управляющий вход нигде не подключен или напряжение на нем не более 0,5 В, транзисторы VTZ, VT4 закрыты, мультивибратор работает.

Когда на управляющий вход подается напряжение высокого уровня, например, с выхода ТТЛШ. КМОП микросхемы, датчик электрических или неэлектрических величин, например датчик влажности, транзисторы VTZ, VT4 открываются, мультивибратор тормозится. В этом состоянии мультивибратор потребляет ток менее 200 мкА, не считая тока через R2, R3, R9.

Детали и установка

Мультивибратор может быть установлен на печатной плате размером 70 * 50 мм, эскиз которой представлен на рис. 2 Постоянные резисторы можно использовать с любыми малыми габаритами. Подстроечный резистор РП1-63М, СП4-1 или аналогичный импортный. Конденсаторы оксидные К50-29, К50-35 или аналоги Конденсаторы С2, С4 — К73-9, К73-17, К73-24 или любые малогабаритные пленочные.

Рисунок: 2. Печатная плата для схемы мощного транзисторного мультивибратора.

Диоды КД522А можно заменить на КД503. КД521. D223 с любым буквенным индексом или импортированные 1N914, 1N4148. Вместо диодов КД226А и КД243А подойдет любой из серий КД226, КД257, КД258, 1 N5401 … 1 N5407.

Композитные транзисторы КТ972А можно заменить любыми из этой серии или из серии КТ8131, а вместо КТ973 — любыми из серии КТ973, КТ8130. При необходимости на небольшие радиаторы устанавливаются мощные транзисторы. При отсутствии таких транзисторов их можно заменить аналогами из двух транзисторов, соединенных по схеме Дарлингтона, рис.3. Вместо маломощных p-p-p транзисторов КТ315Г подойдут любые из серий КТ312, КТ315, КТ342, КТ3102, КТ645, SS9014 и им подобных.

Рисунок: 3. Принципиальная схема эквивалентной замены транзисторов КТ972, КТ973.

Нагрузкой мультивибратора может быть динамическая головка, телефонная капсула, пьезокерамический излучатель звука, импульсный повышающий / понижающий трансформатор.

При использовании динамической головки с сопротивлением обмотки 8 Ом следует учитывать, что при напряжении питания 9 В на нагрузку будет подаваться 8 Вт переменного напряжения.Следовательно, динамическая головка мощностью 2 … 4 Вт может выйти из строя через 1 … 2 минуты работы.

Заведение

На рабочую частоту мультивибратора существенно влияют грузоподъемность и напряжение питания. Например, при изменении напряжения питания от 5 до 15 В частота меняется от 2850 до 1200 Гц при работе мультивибратора на нагрузку в виде телефонной капсулы с сопротивлением обмотки 56 Ом. В области низких напряжений питания изменение рабочей частоты более значимо

Выбирая сопротивления резисторов R5, R11, R6, R8, вы можете установить почти строго прямоугольную форму импульсов, когда мультивибратор работает с определенной подключенной нагрузкой при заданном напряжении питания.

Этот мультивибратор может использоваться в различных сигнальных устройствах, устройствах звуковой сигнализации, когда при небольшом доступном напряжении источника питания требуется получить значительную мощность на излучателе звука. Кроме того, его удобно использовать в преобразователях низкого напряжения в высокое, в том числе работающих на низкой частоте осветительной сети 50 Гц.

Бутов А.Л. РК-2010-04.

Мультивибраторы — это еще одна разновидность генераторов. Генератор — это электронная схема, способная поддерживать на выходе сигнал переменного тока.Он может генерировать прямоугольные, линейные или импульсные сигналы. Для генерации генератор должен удовлетворять двум условиям Баркгаузена:

Тл, коэффициент усиления схемы должен быть чуть больше единицы.

Фазовый сдвиг цикла должен составлять 0 или 360 градусов.

Для выполнения обоих условий генератор должен иметь какой-либо усилитель, и часть его выхода должна быть восстановлена на входе. Если коэффициент усиления усилителя меньше единицы, схема не будет колебаться, а если больше единицы, схема будет перегружена и будет генерировать искаженную форму волны.Простой генератор может генерировать синусоидальную волну, но не может генерировать прямоугольную волну. Прямоугольную волну можно создать с помощью мультивибратора.

Мультивибратор — это форма генератора, имеющая две ступени, благодаря которым мы можем выйти из любого из состояний. По сути, это две схемы усилителя, объединенные с рекуперативной обратной связью. В этом случае ни один из транзисторов не проводит одновременно. В каждый момент времени только один транзистор является проводящим, а другой выключен. Некоторые схемы имеют определенные состояния; состояние с быстрым переходом называется процессами переключения, когда происходит быстрое изменение тока и напряжения.Этот переключатель называется пусковым переключателем. Следовательно, мы можем запустить схему внутри или снаружи.

Схемы имеют два состояния.

Одно из них — стабильное состояние, в котором цепь остается навсегда без запуска.
Другое состояние нестабильно: в этом состоянии схема остается в течение ограниченного периода времени без какого-либо внешнего запуска и переключается в другое состояние. Следовательно, использование мультивибраторов осуществляется в двух состояниях схем, таких как таймеры и триггеры.

Неустойчивый мультивибратор на транзисторе

Это автономный генератор, который постоянно переключается между двумя нестабильными состояниями. При отсутствии внешнего сигнала транзисторы поочередно переключаются из выключенного состояния в состояние насыщения с частотой, определяемой постоянными времени RC цепей связи. Если эти постоянные времени равны (R и C равны), то будет генерироваться прямоугольная волна с частотой 1 / 1,4 RC. Поэтому нестабильный мультивибратор называют генератором импульсов или генератором прямоугольных импульсов.Чем больше значение базовой нагрузки R2 и R3 по отношению к нагрузке коллектора R1 и R4, тем больше усиление по току и более резкий фронт сигнала.

Основной принцип работы нестабильного мультивибратора — небольшое изменение электрических свойств или характеристик транзистора. Эта разница приводит к тому, что один транзистор включается быстрее, чем другой, когда сначала подается питание, что вызывает колебания.

Описание схемы

Рисунок: 1: Принципиальная схема работы транзисторного нестабильного мультивибратора

Q1 является проводящим, а Q2 выключен, поэтому VC1 = 0 В, поскольку весь ток на землю происходит из-за короткого замыкания в Q1, а VC2 = Vcc, поскольку все напряжение на VC2 падает из-за разомкнутой цепи TR2 (равно напряжению питания) …
Из-за высокого напряжения VC2 конденсатор C2 начинает заряжаться через Q1 через R4, а C1 начинает заряжаться через R2 через Q1.Время, необходимое для зарядки C1 (T1 = R2C1), больше, чем время, необходимое для зарядки C2 (T2 = R4C2).
Поскольку правая пластина C1 подключена к основанию Q2 и заряжается, это означает, что эта пластина имеет высокий потенциал, и когда он превышает напряжение 0,65 В, она включает Q2.
Поскольку C2 полностью заряжен, его левая пластина имеет напряжение -Vcc или -5V и подключена к базе Q1. Значит отключает Q2
TR Теперь TR1 выключен, а Q2 проводит, поэтому VC1 = 5V и VC2 = 0V.Левая пластина C1 ранее была на -0,65 В, которая начинает повышаться до 5 В и подключается к коллектору Q1. C1 сначала разряжается от 0 до 0,65 В, а затем начинает заряжаться через R1 через Q2. Во время зарядки правая пластина C1 находится под низким потенциалом, что отключает Q2.
Правая пластина C2 подключена к коллектору Q2 и предварительно настроена на + 5V. Таким образом, C2 сначала разряжается с 5 В до 0 В, а затем начинает заряжаться через R3. Левая пластина C2 находится под высоким потенциалом во время зарядки, который включает Q1, когда он достигает 0.65 В.

Рисунок: 2: Принципиальная схема работы транзисторного нестабильного мультивибратора

Сейчас Q1 проводит, а Q2 выключен. Вышеупомянутая последовательность повторяется, и мы получаем сигнал на обоих коллекторах транзистора, который не совпадает по фазе друг с другом. Чтобы получить идеальную прямоугольную волну любым коллектором транзистора, возьмем в качестве сопротивления коллектора транзистора сопротивление базы, то есть (R1 = R4), (R2 = R3), а также такую же емкость конденсатора, которая составляет наша схема симметрична.Следовательно, рабочий цикл для низкого и высокого значения выходного сигнала такой же, как при генерации прямоугольной волны.
Constant Постоянная времени формы сигнала зависит от сопротивления базы и коллектора транзистора. Мы можем рассчитать его временной период по формуле: Постоянная времени = 0,693RC

Принцип работы мультивибратора на видео с пояснением

Анализ 2-х состояний мультивибратора.

Давайте еще раз посмотрим на диаграмму.

Если в мультивибраторе используются одинаковые транзисторы, конденсаторы одинаковой емкости, а резисторы имеют симметричное сопротивление, то такой мультивибратор называется симметричным.У него одинаковая длительность импульса и паузы. А если будут отличия в параметрах, то мультивибратор будет несимметричным. Когда мы подключаем мультивибратор к источнику питания, то в первый момент времени оба конденсатора разряжаются, а это значит, что на базу обоих конденсаторов будет течь ток и появится нестационарный режим работы, при котором только один из транзисторы должны открыться. Поскольку эти элементы схемы имеют некоторые погрешности в номиналах и параметрах, первым откроется один из транзисторов и запустится мультивибратор.

Если вы хотите смоделировать эту схему в программе Multisim, то вам необходимо выставить номиналы резисторов R2 и R3 так, чтобы их сопротивления отличались хотя бы на десятую часть Ом. То же самое проделайте с емкостью конденсаторов, иначе мультивибратор может не запуститься. При практической реализации этой схемы рекомендую подавать напряжение от 3 до 10 Вольт, а теперь вы узнаете параметры самих элементов. При условии использования транзистора КТ315.Резисторы R1 и R4 не влияют на частоту импульсов. В нашем случае они ограничивают ток светодиода. Сопротивление резисторов R1 и R4 можно принять от 300 Ом до 1 кОм. Сопротивление резисторов R2 и R3 составляет от 15 кОм до 200 кОм. Емкость конденсаторов от 10 до 100 мкФ. Представьте себе таблицу со значениями сопротивления и емкости, которая показывает приблизительную ожидаемую частоту импульсов. То есть, чтобы получить импульс длительностью 7 секунд, то есть длительность свечения одного светодиода, равную 7 секундам, нужно использовать резисторы R2 и R3 сопротивлением 100 кОм и конденсатор. емкостью 100 мкФ.

Выход.

Еще одна интересная вещь о радиопередатчике.

Совершенство достигается не тогда, когда нечего добавить
, а когда нечего убирать.
Antoine de Saint-Exupery

Многие радиолюбители, конечно, сталкивались с технологиями поверхностного монтажа (SMT), SMD (устройство поверхностного монтажа), поверхностным монтажом и слышали о преимуществах поверхностного монтажа, который по праву называют четвертым революция в электронной технике после изобретения лампы, транзистора и интегральной схемы.

Некоторые люди считают, что поверхностный монтаж сложно осуществить в домашних условиях из-за небольшого размера SMD-элементов и… отсутствие отверстий под детали выводов.
Отчасти это так, но при ближайшем рассмотрении оказывается, что небольшие размеры элементов просто требуют аккуратной установки, конечно, при условии, что речь идет о простых SMD-компонентах, не требующих специального оборудования для установки. Отсутствие ориентиров, то есть отверстий для выводов деталей, только создает иллюзию сложности изготовления чертежа печатной платы.

Требуется практика в создании простых конструкций на элементах SMD, чтобы приобрести навыки, уверенность в себе и убедиться, что поверхностный монтаж является перспективным для вас.Ведь процесс изготовления печатной платы упрощается (не нужно сверлить отверстия, формовать выводы деталей), а получаемый прирост плотности монтажа заметен невооруженным глазом.

В основе наших разработок лежит несимметричная схема мультивибратора на транзисторах различной конструкции.

Соберем на светодиодах «мигалку», которая послужит оберегом, а также создаст задел для будущих разработок, сделав популярный у радиолюбителей, но не совсем доступный прототип микросхемы.

Асимметричный мультивибратор на транзисторах разной структуры

(рис. 1) — настоящий «бестселлер» в радиолюбительской литературе.

Рисунок: 1. Схема асимметричного мультивибратора

Подключив определенные внешние цепи к схеме, можно собрать более десятка конструкций. Например, звуковой зонд, генератор для изучения азбуки Морзе, средство от комаров, основа однотонного музыкального инструмента. А использование внешних датчиков или управляющих устройств в базовой схеме транзистора VT1 позволяет получить сторожевой таймер, индикатор влажности, освещенности, температуры и многие другие конструкции.

—
Спасибо за внимание!
Игорь Котов, основатель журнала «Датагор»

Список источников

1. Мосягин В.В. Секреты радиолюбительского мастерства. — М .: СОЛОН-Пресс. — 2005, 216 с. (стр. 47 — 64).
2. Шустов М.А. Практическая схемотехника. 450 полезных схем для радиолюбителей. Книга 1. — М .: Альтекс-А, 2001. — 352 с.
3. Шустов М.А. Практическая схемотехника. Контроль и защита источников питания. Книга 4. — М .: Альтекс-А, 2002. — 176 с.
4. Низковольтная «мигалка».(За рубежом) // Радио, 1998, № 6, с. 64.
5.
6.
7.
8. Сапожник Ч. Любительские схемы управления и сигнализации на ИС. — М .: Мир, 1989 (схема 46. Простой индикатор разряда аккумулятора, стр. 104; схема 47. Маркер Фалина (мигающий), стр. 105).
9. Генератор на LM3909 // Радиосхема, 2008, №2. Диплом по специальности — радиоинженер, к.т.н.

Автор книг «Юному радиолюбителю, чтобы читать с паяльником», «Секреты радиолюбительского мастерства», соавтор серии книг «Читать с паяльником» в издательстве «СОЛОН- Пресса », публикации в журналах« Радио »,« Приборы и экспериментальная техника »и др….