Irf510 характеристики: IRF510 характеристики транзистора, цоколевка, аналоги и datasheet

Содержание

IRF510 характеристики транзистора, цоколевка, аналоги и datasheet

Технические характеристики полевого транзистора IRF510 говорят о том, что он является мощным N-канальный (MOSFET) устройством, произведенный известной американской компанией International Rectifier (IR). У него изолированный затвор. Предназначен для применения в схемах, где имеет значение высокая скорость переключений и низкое сопротивление в открытом состоянии. Наиболее часто его можно встретить в импульсных блоках питания, приборах управления электродвигателями, ИБП. Изготавливаются различными производителями электронных компонентов по лицензии IR, используя технологию HEXFET®.

Цоколевка

У irf510 следующая распиновка. Почти все выпускающие этот транзистор компании, за редким исключением, оснащают его пластиковым корпусом ТО-220АВ, с встроенным радиатором. Если посмотреть на его маркировку, то у него имеется три жёстких вывода со следующим назначением: левый контакт — это затвор (G), посередине — сток (D), следующий — исток (S).

Технические данные

Как и все современные мощные MOSFET от IR, IRF510 обладает неплохими максимально допустимыми характеристиками. Он способен выдержать большие нагрузки, приближающиеся к предельным значениям эксплуатации. Рассмотрим их подробнее:

напряжение между контактами стока-истока (V_DS) — 100 В;
рекомендуемый ток стока (I_D): при T_C до +25^ОС – 5.6 А; при T_C до +100^ОС – 4.0 А; импульсный (I_DM) – 20 А; пиковый, в лавинных условиях (I_AR) – 6 А;
в открытом состоянии сопротивление R_DS₍_ON₎до 0.54 Ом;
отпирающее напряжение между затвором и истоком (V_G_S) ±20 В;
рассеиваемая мощность (P_D) до 43 Вт;
энергия единичного импульса (E_AS) – 4.3 мДж;
возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
температура хранения (T_J) от — 55 до +175 °C;
максимальная температура кристалла (T_C) до +175 °C;
время пайки не более 10 секунд (на 1,6 мм от корпуса), при Т не более 300 °C.

International Rectifier (с 2014 г.) поглотил американский производитель радиоэлементов Infineon Technologie.

Не рекомендуется превышать указанные значения и допускать длительные периоды эксплуатации в таких режимах. В подобных тяжёлых условиях устройство в итоге быстро выйдет из строя. Это правило относится и к электрическим характеристикам irf510. Приведём их ниже.

Все данные приведены с учётом температуры окружающей среды не более 25°C, если не указано иного.

Аналоги

Для IRF510 тяжело найти полноценный аналог. В первую очередь можно порекомендовать полностью идентичную по своим параметрам модель от Vishay Siliconix — SiHF510. Это копия рассматриваемого транзистора, как по своим параметрам, так и физическим свойствам. К тому же усовершенствованная.

Конечно, существуют и другие компании, выпускавшие похожие по своим свойствам устройства, но их сейчас достаточно тяжело найти в продаже. К ним можно отнести: 2SK2399 (Toshiba), PHP6N10E (Philips), RFP2N08 (Fairchild Semiconductor ), STP7NE10 (STMicroelectronics). От российских производителей, в качестве замены, следует рассмотреть: КП510 и КП743А. Перед использованием аналогов внимательно ознакомьтесь с их даташит.

Производители

Символы IRF в названии силовой электроники известны во всем мире. Они стали де-факто стандартом в маркировке электронных компонентов от многих компаний. Так его обозначают такие производители: Fairchild Semiconductor, STMicroelectronics, Harris Company, Inchange Semiconductor, Intersil Corporation, New Jersey Semi-Conductor Products, Supertex Inc. На отечественном рынке наиболее распространены изделия выпускаемые американской Vishay Siliconix и немецкой Infineon Technologie. Выбрав ссылку c именем компании, можно скачать datasheet на транзистор IRF510.

Транзистор IRF510 полевой N-канальный 100V 4A корпус TO-220

Тип транзистора: N-канальный;
Максимальный ток «сток»-«исток»: 4A;
Максимальный напряжение «сток»-«исток»: 100V;
Тип корпуса: TO-220.

Отличительные особенности и преимущества транзистора IRF510 полевой N-канальный 100V 4A корпус TO-220

Транзистор IRF510 полевой N-канальный 100V 4A корпус TO-220 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.

Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода («сток» и «исток»), а управляющий электрод – затвор.

Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор.

Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

Транзистор IRF510 полевой N-канальный 100V 4A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.

Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.

Основные параметры транзистора IRF510 полевого

При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.

Максимальный ток для полевого транзистора IRF510 составляет 4A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.

Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током «исток»-«сток».

Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами «сток» и «исток». При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для рассматриваемой модели напряжение составляет 100V.

Также транзистор IRF510 характеризуется напряжением отсечки на участке «затвор»-«исток». Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.

От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.

Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.

При проектировании схем с применением полевого транзистора IRF510 следует учитывать:

чувствительность к перегреву;
высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.

В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.

Предпочтительный вариант — пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.

Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.

Купить транзистор IRF510 полевой N-канальный 100V 4A корпус TO-220 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.

Автор на +google

Подробные параметры товара Транзистор IRF510 полевой N-канальный 100V 4A корпус TO-220, цены, отзывы, аналоги и datasheet: https://electronoff.ua/good/tranzistor-irf510-polevoj-n-kanalnyj-100v-4a-korpus-to-220.php

ELECTRONOFF.UA доставляет Транзистор IRF510 полевой N-канальный 100V 4A корпус TO-220 по Украине: Львов, Днепр, Запорожье, Харьков, Киев, Николаев, Житомир, Одесса, Черновцы, Винница, Ровно, Полтава, Чернигов, Кировоград, Херсон, Сумы, Черкассы, Ивано-Франковск, другие города Украины.

Транзистор полевой КП743 — DataSheet

Цоколевка транзистора КП743

**Параметры транзистора КП743**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КП743А		IRF510, RFP12N10
		КП743Б		IRF511, RFP12N08
		КП743В		IRF512
Структура		КП743А		nМОП
		КП743Б
		КП743В
		КП743А1
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).	P_СИ,P^_*_{СИ, т max}	КП743А	—	43 Вт	мВт, (Вт*)
		КП743Б	—	43 Вт
		КП743В	—	43 Вт
		КП743А1	—	40 Вт
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).	U_{ЗИ отс}, U^*_{ЗИ пор}	КП743А	—	2…4	В
		КП743Б	—	2…4
		КП743В	—	2…4
		КП743А1	—	2…4*
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток.	U_{СИ max}, U^*_ЗC max	КП743А	—	100	В
		КП743Б	—	80
		КП743В	—	100
		КП743А1	—	100
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).	U_{ЗИ max}	КП743А	—	±20	В
		КП743Б	—	±20
		КП743В	—	±20
		КП743А1	—	±20
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный)	I_С, I^*_С,_И	КП743А	—	5.6	А
		КП743Б	—	5.6
		КП743В	—	4.9
		КП743А1	—	5.5
Начальный ток стока	I_{С нач,}I^*_С ост	КП743А	—	—	мА
		КП743Б	—	—
		КП743В	—	—
		КП743А1	—	—
Крутизна характеристики полевого транзистора	S	КП743А	50 В; 3.4 А	≥1300	мА/В
		КП743Б	50 В; 3.4 А	≥1300
		КП743В	50 В; 3.4 А	≥1300
		КП743А1	—	—
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком	C_11и, С^_12и, С^_22и	КП743А	—	—	пФ
		КП743Б	—	—
		КП743В	—	—
		КП743А1	—	—
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток	R_СИ отк, K^_у._P, P^*_вых, ΔU_ЗИ	КП743А	—	≤0.54	Ом, (дБ), (Вт),(мВ**)
		КП743Б	—	≤0.54
		КП743В	—	≤0.74
		КП743А1	—	≤0.54
Коэффициент шума транзистора	К_ш, U^_ш,E^_ш,Q^**	КП743А	—	—	Дб, (мкВ), (нВ/√Гц), (Кл*)
		КП743Б	—	—
		КП743В	—	—
		КП743А1	—	—
Время включения транзистора	t_вкл, t_выкл, F^*_р,ΔU_ЗИ/ΔT	КП743А	—	—	нс, (нс), (МГц), (мкВ/°C**)
		КП743Б	—	—
		КП743В	—	—
		КП743А1	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзисторный КВ усилитель мощности, схема которого показана

Транзисторный КВ усилитель мощности, схема которого показана на рисунке, предназначен для работы в составе любительского КВ трансивера. Его можно использовать и как самостоятельное изделие, в качестве настольного усилителя совместно с маломощным трансивером. Выходная мощность усилителя — 100… 150 Вт, при входной около 1 Вт. В целом это несложная конструкция с хорошими эксплуатационными характеристиками.

Транзисторный КВ усилитель мощности двухкаскадный. Оба каскада выполнены на доступных и недорогих переключающих полевых транзисторах, что выгодно отличает данную конструкцию от многих других. Первый каскад на транзисторе VT1 — однотактный. Согласование входного сопротивления с источником сигнала 50 Ом выполнено не самым лучшим, но простым способом — установкой на входе усилителя резистора R2 сопротивлением 51 Ом. Нагрузкой каскада является первичная обмотка согласующего трансформатора Т1. Для выравнивания частотной характеристики каскад охвачен цепью отрицательной обратной связи — L1, R4, С4. Катушка L1 уменьшает влияние ООС в области верхних частот и тем самым поднимает усиление каскада. Аналогичную функцию выполняет и конденсатор С5, подключенный параллельно резистору R6 в цепи истока транзистора VT1. Второй каскад усилителя — двухтактный.

Он выполнен на двух парах соединенных параллельно транзисторов — VT2, VT3 и VT4, VT5. Для минимизации гармоник напряжение смещения каждого плеча каскада и соответственно токи покоя транзисторов регулируются раздельно подстроечными резисторами R8 и R9. На эти резисторы напряжение подается через электронный коммутатор, выполненный на транзисторе VT6, от стабилизатора — микросхемы DA1. Переключение усилителя в активный режим происходит при замыкании вывода РТТ на общий провод. Каждое плечо второго каскада также охвачено цепью ООС. Нагрузка каскада — трансформатор Т2. Согласование с несимметричной нагрузкой 50 Ом обеспечивает трансформатор ТЗ. Монтаж транзисторный КВ усилитель мощности выполнен на печатной плате из двустороннего фольгированного стеклотекстолита. Одна сторона платы используется как экран, а на второй стороне резаком вырезаны проводники. Плата установлена на большом теплоотводе. В местах крепления к теплоотводу мощных транзисторов в плате сделаны прямоугольные отверстия. Транзисторы установлены через диэлектрические теплопроводные прокладки. Воздушное принудительное охлаждение усилителя весьма желательно.

Все постоянные резисторы — МЛТ; подстроечные — СПЗ-19. Выводы резисторов должны иметь минимальную длину для снижения паразитной индуктивности. Можно, в принципе, удалить их полностью, а пайку осуществлять прямо к колпачкам выводов. Особенно это касается резисторов в цепях истока транзисторов. Все конденсаторы в усилителе — для поверхностного монтажа. Конденсаторы С8, С9, а особенно С19 и С20, должны иметь достаточную реактивную мощность. Можно установить несколько конденсаторов, включенных параллельно. Транзисторы IRF510 можно, в принципе, заменить другими, но с ними можно ожидать увеличения завала усиления в области частот выше 20 МГц, так как входная и проходная емкости транзисторов IRF510 минимальные из всей линейки переключающих полевых транзисторов. Если удастся найти транзисторы MS-1307, то можно рассчитывать на значительное улучшение работы усилителя в области высших частот. Но они дорогие… Катушка L1 намотана проводом ПЭЛ 0,31 на оправке диаметром 3 мм, число витков — 10 (подбирается при коррекции АЧХ). Дроссели L2 и L3 намотаны проводом ПЭВ-2 0,8 в один слой до заполнения на кольцевых магнитопроводах типоразмера К16x12x5 из феррита 1000НН.

Качество работы транзисторный КВ усилитель мощности во многом зависит от трансформаторов. Трансформаторы Т1 и Т2 выполнены по классической конструкции одновиткового ШПТ (“бинокль”). Магнитопровод для Т1 набран из десяти колец типоразмера К 12x6x5 из феррита 1000НН (2 столба по 5 колец). Обмотки выполнены проводом МГТФ сечением 0,35 мм. Первичная обмотка содержит 5 витков, вторичная — 2 витка. Хорошие результаты дает выполнение обмоток из нескольких включенных параллельно проводов меньшего сечения. Важным моментом является максимальная плотность заполнения внутреннего объема магнитопровода обмотками. Магнитопровод трансформатора Т2 — ферритовые трубки от сигнальных кабелей компьютерных мониторов. Во внутренние отверстия трубок плотно вставлены отрезки тонкостенных медных трубок, которые и образуют один виток — первичную обмотку. Внутри медных трубок размещена вторичная обмотка, содержащая 4 витка из семи параллельных проводов МГТФ. Трансформатор ТЗ намотан проводом ПЭВ-2 0,9 на кольце К22х12×6,5 из феррита 600НН. Обе обмотки содержат по 7 витков, свитых между собой проводов. Конструкция одного из вариантов транзисторный КВ усилитель мощности показана на фото рисунке.

При испытании двухтоновым сигналом транзисторный КВ усилитель мощности развивал мощность до 150 Вт при сохранении высокой линейности и имел завал АЧХ на наивысшей частоте КВ диапазона около 4 дБ относительно частоты 3 МГц. Настройка усилителя сводится к установке токов покоя транзисторов VT1—VT5 по наименьшей амплитуде гармоник. При отсутствии приборов это можно сделать, прослушивая частоты второй и третьей гармоник контрольным радиоприемником. При питании транзисторный КВ усилитель мощности напряжением менее 40 В истоки транзисторов VT2—VT5 следует соединить с общим проводом. В транзисторный КВ усилитель мощности отсутствуют элементы защиты выходного каскада от высокого КСВ, кроме встроенных в транзисторы конструктивных диодов, которые эффективно защищают от мгновенных перенапряжений на стоках. Защитой от КСВ занимается отдельный узел, построенный на базе КСВ-метра и снижающий питающее напряжение при росте КСВ выше определенного предела. Это — тема отдельной статьи.

Irf4905l — параметры транзистора mosfet, его аналоги, datasheet

IRF4905L Datasheet (PDF)

1.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

PD — 97034
IRF4905SPbF
IRF4905LPbF
Features HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = -55V
150°C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 20mΩ
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
G
Some Parameters Are Differrent from
ID = -42A
IRF4905S
S
Lead-Free
D
D
Description
Features of this design are a 150°C junction oper

3.1. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

PD — 94816
IRF4905PbF
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
D
Dynamic dv/dt Rating
VDSS = -55V
175°C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 0.02Ω
G
P-Channel
Fully Avalanche Rated
ID = -74A
Lead-Free S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extre

3.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

PD — 9.1478A
IRF4905S/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Surface Mount (IRF4905S)
VDSS = -55V
Low-profile through-hole (IRF4905L)
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.02?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -74A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extre

3.3. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

PD — 9.1280C
IRF4905
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = -55V
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.02?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -74A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resista

3.4. irf4905.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

isc P-Channel MOSFET Transistor IRF4905,IIRF4905
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.02Ω
·Enhancement mode:
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
·Combine with the fast switching speed and ruggedized device
design,provide the designer with an extremely efficient and
reliab

IRF440 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF440

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 68.5
nC

Время нарастания (tr): 15
ns

Выходная емкость (Cd): 230
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85
Ohm

Тип корпуса: TO3

IRF440

Datasheet (PDF)

1.1. irf440 irf441 irf442 irf443.pdf Size:132K _upd

1.2. irf440.pdf Size:142K _international_rectifier

PD — 90372A
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED IRF440
500V, N-CHANNEL
HEXFET?TRANSISTORS
THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
Product Summary
Part Number BVDSS RDS(on) ID
IRF440 500V 0.85? 8.0A
The HEXFET?technology is the key to International
Rectifiers advanced line of power MOSFET transistors.
The efficient geometry and unique processing of this latest
State of the Art design achieves: very

5.1. irf4410a irf4410h.pdf Size:671K _upd

RoHS
IRF4410 Series RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
N-Channel Power MOSFET
(97A, 100Volts)
DESCRIPTION
The Nell IRF4410 is a three-terminal silicon
D
device with current conduction capability of 97A,
D
fast switching speed, low on-state resistance,
breakdown voltage rating of 100V ,and max.
threshold voltage of 4 volts.
G
They are designed for use in application

5.2. irf4435.pdf Size:211K _international_rectifier

PD- 94243
IRF4435
HEXFET Power MOSFET
Ultra Low On-Resistance
A
1 8
S D
P-Channel MOSFET
VDSS = -30V
2 7
Surface Mount
S D
Available in Tape & Reel
3 6
S D
4 5
G D
RDS(on) = 0.020?
Top View
Description
These P-channel HEXFET Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the extremely low on-resistance per
silicon area. Thi

5.3. irf441.pdf Size:229K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF441
FEATURES
·V Rated at ±20V
GS
·Silicon Gate for Fast Switching Speeds
·I ,V ,SOA and V specified at Elevated
DSS DS(on) GS(th)
temperature
·Rugged
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed especially for high voltage,high speed applications,
such as

Другие MOSFET… IRF3415S
, IRF350
, IRF3515S
, IRF360
, IRF3710
, IRF3710L
, IRF3710S
, IRF430
, IRF9540N
, IRF450
, IRF451
, IRF452
, IRF453
, IRF460
, IRF4905
, IRF4905L
, IRF4905S
.

IRF4905S MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF4905S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 74
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 120
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02
Ohm

Тип корпуса: D2PAK

IRF4905S

Datasheet (PDF)

1.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

1.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

3.1. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

3.2. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

3.3. irf4905.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

Другие MOSFET… IRF440
, IRF450
, IRF451
, IRF452
, IRF453
, IRF460
, IRF4905
, IRF4905L
, 2SK105
, IRF510
, IRF510A
, IRF510S
, IRF511
, IRF512
, IRF513
, IRF520
, IRF520A
.

IRF513 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF513

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.9
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8
Ohm

Тип корпуса: TO220

IRF513

Datasheet (PDF)

5.1. irf510pbf.pdf Size:201K _upd

IRF510, SiHF510
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Dynamic dV/dt Rating
VDS (V) 100
Available
• Repetitive Avalanche Rated
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54
RoHS*
• 175 °C Operating Temperature
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 8.3
• Fast Switching
Qgs (nC) 2.3
• Ease of Paralleling
Qgd (nC) 3.8
• Simple Drive Requirements
Configuration Single
• Compli

5.2. irf510strlpbf irf510strrpbf.pdf Size:196K _upd

IRF510S, SiHF510S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) 100
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.54
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 8.3 • Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
Qgs (nC) 2.3
• 175 °C Operating Temperature
Qgd (nC) 3.8
• Fast Switching
• Ea

5.3. irf510.pdf Size:151K _fairchild_semi

5.4. irf510a.pdf Size:252K _fairchild_semi

IRF510A
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 100 V
n Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.4 ?
n Rugged Gate Oxide Technology
n Lower Input Capacitance
ID = 5.6 A
n Improved Gate Charge
n Extended Safe Operating Area
TO-220
n 175C Operating Temperature
n Lower Leakage Current : 10 ?A (Max.) @ VDS = 100V
n Lower RDS(ON) : 0.289 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absol

5.5. irf510pbf.pdf Size:239K _international_rectifier

PD — 95364
IRF510PbF
Lead-Free
6/10/04
Document Number: 91015 www.vishay.com
1
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
2
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
3
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
4
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
5
IRF510PbF
Document Number: 91015 www.vishay.com
6
IRF510PbF
TO-220AB Package Outline
Dimen

5.6. irf510s.pdf Size:325K _international_rectifier

PD — 95540
IRF510SPbF
Lead-Free
SMD-220
7/21/04
Document Number: 91016 www.vishay.com
1
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
2
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
3
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
4
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
5
IRF510SPbF
Document Number: 91016 www.vishay.com
6
IRF510SPbF
Peak Diode Reco

5.7. irf510.pdf Size:175K _international_rectifier

5.8. irf510a.pdf Size:937K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 100 V
Avalanche Rugged Technology
?
RDS(on) = 0.4
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 5.6 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
?
175 Operating Temperature

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V
?
Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings

Другие MOSFET… IRF4905
, IRF4905L
, IRF4905S
, IRF510
, IRF510A
, IRF510S
, IRF511
, IRF512
, 2SK4106
, IRF520
, IRF520A
, IRF520FI
, IRF520N
, IRF520NS
, IRF521
, IRF5210
, IRF5210L
.

IRF513 Datasheet (PDF)

5.1. irf510pbf.pdf Size:201K _upd

5.2. irf510strlpbf irf510strrpbf.pdf Size:196K _upd

5.3. irf510.pdf Size:151K _fairchild_semi

5.4. irf510a.pdf Size:252K _fairchild_semi

5.5. irf510pbf.pdf Size:239K _international_rectifier

5.6. irf510s.pdf Size:325K _international_rectifier

5.7. irf510.pdf Size:175K _international_rectifier

5.8. irf510a.pdf Size:937K _samsung

Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V
?
Lower RDS(ON) : 0.289 (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings

IRF4905PBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF4905PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 74
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 180
nC

Время нарастания (tr): 99
ns

Выходная емкость (Cd): 1400
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.02
Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

IRF4905PBF

Datasheet (PDF)

1.1. irf4905pbf.pdf Size:181K _international_rectifier

3.1. irf4905lpbf irf4905spbf.pdf Size:361K _international_rectifier

3.2. irf4905s.pdf Size:163K _international_rectifier

3.3. irf4905.pdf Size:108K _international_rectifier

3.4. irf4905.pdf Size:241K _inchange_semiconductor

Другие MOSFET… SID40N03
, SID9435
, SID9575
, SID9971
, SJV01N60
, SMG1330N
, SMG2301
, SMG2301P
, IRF540N
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, SMG2306N
, SMG2306NE
, SMG2310A
.

Оцените статью:

Содержание отчета

привести схемы проведения экспериментов;
привести формулы, необходимые результаты измерений и расчетов;
привести необходимые графики, полученные при моделировании;
ответить на поставленные вопросы при исследовании ключевых схем;
сделать выводы.

Контрольные вопросы

Приведите классификацию полевых транзисторов.
Чем отличаются структуры полевых транзисторов с управляющим p – n и МОП транзисторов?
Покажите передаточные характеристики транзистора с управляющим p – n переходом и МОП транзисторов со встроенным и индуцированным каналом.
Что такое напряжение отсечки и пороговое напряжение.
Чему равно максимальное напряжение затвор – исток для n – канального транзистора с управляющим p – n переходом?
Покажите выходные характеристики полевого транзистора.
Как можно рассматривать выходные характеристики полевых транзисторов при малых напряжениях сток – исток?
Объясните, как работает ключ на полевом транзисторе с управляющим p – n переходом?
Какие пределы напряжения может коммутировать ключ на полевом транзисторе с управляющим p – n переходом, если управляющее напряжение ±15В.
Что такое емкостная проводимость полевого транзистора, и какие методы борьбы с ней?
Объясните работу ключей на МОП транзисторах.
В чем особенность работы ключа на КМОП транзисторах?
Объясните работу цифрового инвертортора.

Таблица вариантов

№ варианта	Типы транзисторов
№ варианта	С управл. p – n переходом (JFET)	n – МОП (NMOS)	p – МОП (PMOS)
1	2N3070	$GENERIC	2SJ102
2	2N3822	IRF024
3	2N5545	IRF450
4	2SK112	IRF510
5	2SK113	IRF710
6	2SK117	$GENERIC
7	2SK161	IRF024
8	2SK162	IRF450
9	2SK163	IRF510
10	2SK18	IRF710
11	2SK193	$GENERIC
12	2SK195	IRF024
13	2SK210	IRF450
14	2SK241	IRF510
15	2SK246	IRF710
16	2SK330	$GENERIC
17	2SK367	IRF024
18	2SK389	IRF450
19	2SK455	IRF510
20	2SK505	IRF710
21	2N3070	$GENERIC
22	2N3822	IRF024
23	2N5545	IRF450
24	2N3070	IRF510
25	2N3822	IRF710

Электроника | Страница 2 | Записки программиста

Усилители с обратной связью (feedback amplifiers) используются для усиления ВЧ сигналов, когда требуется широкая полоса, контролируемое усиление, а также стабильный входной и выходной импеданс схемы. Такие усилители хорошо описаны в «Experimental Methods in RF Design» и активно используются на протяжении всей книги. Давайте разберемся, как их рассчитывать, а также какими свойствами, помимо уже названных, они обладают.

Si5351 — это управляемый по I2C генератор частот от 8 кГц до 160 МГц. Чип имеет три канала с выходным импедансом 50 Ом. Уровень сигнала может регулироваться примерно от 2 до 11 dBm. За счет сочетания цены и качества Si5351 очень популярен среди радиолюбителей. В частности, он используется в КВ-трансиверах uBITX и QCX, антенных анализаторах EU1KY и NanoVNA. Сегодня мы познакомимся с данным генератором поближе, а также поймем, как он может быть использован с микроконтроллерами STM32.

Иногда нужно знать точные характеристики кварцевого резонатора. Но даже если у вас есть даташит на конкретный кварцевый резонатор, в нем вы никогда не найдете нужную информацию. В силу производственных процессов даже два кварца из одной партии сильно отличаются друг от друга. Остается лишь один вариант — научиться измерять кварцы самостоятельно.

В очередном проекте было решено использовать STM32F103 (плату Blue Pill) и роторный энкодер в качестве одного из элементов управления. Благодаря заметке Микроконтроллеры STM32: основы использования таймеров, прерываний и ШИМ нам известно, что в мире STM32 эта задача решается при помощи таймеров. Однако само решение продемонстрировано не было. Давайте заполним этот пробел.

Автоматическая регулировка усиления или АРУ (automatic gain control, AGC) — эта функция в современных радиоприемниках, управляющая усилением сигнала в зависимости от его уровня. Благодаря АРУ слабые и сильные сигналы звучат примерно одинаково. Если вы слушаете слабый сигнал и вдруг на этой же частоте появится сильный сигнал, АРУ спасет вас от оглушения. Сегодня мы рассмотрим простую, но, тем не менее, хорошо работающую схему АРУ.

Как ранее отмечалось, компоненты приемника прямого преобразования и CW-передатчика могут быть объединены в трансивер. Пришло время убедиться, что это действительно так. Конечно, на деле все оказалось сложнее, чем в теории. Чтобы получить трансивер, недостаточно просто поставить рядом приемник и передатчик. Но обо всем по порядку.

Некоторое время назад мы познакомились с активными фильтрами нижних и верхних частот по топологии Саллена-Ки. Давайте рассмотрим еще одну схему. На этот раз это будет полосно-пропускающий фильтр, сделанный по другой топологии. Фильтр специально спроектирован для приема телеграфа.

Допустим, мы хотим сделать радиолюбительский телеграфный трансивер. Казалось бы, в чем проблема? CW-передатчик мы уже осилили, приемник прямого преобразования тоже. Осталось только поместить их в один корпус. Но не все так просто. Дело в том, что генератор переменной частоты в приемнике должен работать на ±1 кГц относительно частоты передатчика.

Поиск подходящего корпуса для самодельной электроники может быть настоящей проблемой, особенно если требуется хорошее экранирование. С маленькими металлическими корпусами дела обстоят неплохо (примеры раз, два, три). Они стоят недорого и бывают практически любого размера. Но большие корпуса почти всегда слишком тяжелые и/или слишком дорогие и/или имеют не те размеры. Поиск корпусов от сломанной электроники на каком-нибудь Avito иногда помогает, но не меняет расклад радикальным образом. Так вот, оказывается, что до нас с этой проблемой сталкивались другие люди, и существует несколько проверенных решений.

Представленный ранее CW-передатчик на диапазон 40 метров имел выходную мощность 0.35 Вт. И хотя этого достаточно для проведения радиосвязей, с такой мощностью вам ответит далеко не каждый корреспондент. Поэтому сегодня мы рассмотрим схему, позволяющую усилить сигнал до полноценной QRP мощности 5 Вт.

Технические данные

IRF510 — 5,6 А, 100 В, 0,540 Ом, N-канальный силовой полевой МОП-транзистор

AD9202 : Полный 10-битный, 32 Msps, 90 MW CMOS A / D преобразователь. КМОП 10-разрядный аналого-цифровой преобразователь с дискретизацией 32 MSPS Рассеиваемая мощность: (питание 3 В) Работа при напряжении от 2,7 В до 5,5 В Дифференциальная нелинейность: 0,5 младшего разряда в режиме пониженного энергопотребления (спящего) Трехпозиционные выходы Индикатор выхода за пределы диапазона Встроенный зажим Функция (DC восстановление) Регулируемое On-Chip Voltage Reference IF Undersampling до 135 МГц Pin-Совместимость с AD9200.

KA9259D : Драйверы двигателей постоянного тока. 5-канальный драйвер двигателя. 1-фазный, полноволновой, линейный драйвер двигателя постоянного тока, встроенный TSD (тепловое отключение), встроенный регулятор 5 В (с внешним PNP TR), встроенный контур отключения звука, встроенный контур управления скоростью двигателя нагрузки, широкое рабочее напряжение питания Диапазон: 6 В ~ 13,2 В. Это монолитная интегральная схема, подходящая для 5-канального привода двигателя, который управляет приводом фокусировки, отслеживая.

MY141A : 0,4 одноразрядных цифровых дисплея.

Ph3222A : Ph3222A; Коммутационный транзистор NPN ;; Пакет: SOT54 (SPT, E-1). Высокий ток (макс. 600 мА) Низкое напряжение (макс. 40 В). ПРИМЕНЕНИЕ Переключение и линейное усиление. Транзистор коммутирующий НПН ТО-92; Пластиковая упаковка SOT54. Дополнение PNP: Ph3907A. ПРЕДЕЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ В соответствии с Абсолютной максимальной рейтинговой системой (IEC 134). СИМВОЛ VCBO VCEO VEBO IC ICM IBM Ptot Tstg Tj Tamb ПАРАМЕТР коллектор-база, напряжение коллектор-эмиттер.

RM30CZ-24 : Модули / Сборочные диоды.Диодный модуль высокого напряжения, средней мощности, изолированного типа.

C2310 : Кварцевые генераторы с температурной компенсацией — TCXO Vectrons VTC4 Кристаллический осциллятор с температурной компенсацией (TCXO) представляет собой кварцевый стабилизированный генератор с ограничением синусоидальной волны и температурной компенсацией, работающий от источника питания 2,8, 3,0, 3,3 или 5,0 В.

MAS9271A1TG00 : IC ДЛЯ PXO 10,00 — 40,00 МГц. Это интегральная схема, хорошо подходящая для начальной подстройки смещения кристалла в генераторе.Подстройка выполняется по последовательной шине, а информация о калибровке сохраняется во внутреннем PROM. Чтобы построить прецизионный кварцевый генератор (PXO), нужен только один дополнительный компонент, кристалл. КМОП-матрица с низким энергопотреблением и широким диапазоном напряжения (прямоугольная волна).

IRV1600 : ВЫСОКОМощные резисторы с проволочной обмоткой и металлическим покрытием. IRV1600-2800 ВЫСОКОМОЩНЫЕ, ПРОВОЛОЧНЫЕ РЕЗИСТОРЫ С МЕТАЛЛИЧЕСКИМ ПОКРЫТИЕМ Модели IRV1600-2800 (V = вертикальный) — это наши самые мощные резисторы с проволочной обмоткой и металлическим покрытием. Эти модели имеют корпус из экструдированного алюминия, обеспечивающий надежную и надежную защиту.Опции включают в себя подвесные выводы или клеммы, а также индуктивные или неиндуктивные обмотки. Самые распространенные приложения.

PB-XX1002-QH-0000 : 2,5-6,0 / 5,0-12,0 ГГц активный удвоитель QFN, 4×4 мм. Работа с октавной полосой пропускания +17 дБм Выходная мощность -35 дБн Основная утечка + 5,0 В, источник смещения 125 мА SMD, корпус QFN 4×4 мм Соответствует RoHS 100% Тестирование ВЧ, постоянного тока и выходной мощности Активный удвоитель SMD Mimix Broadband 2,5-6,0 / 5,0-12,0 ГГц обеспечивает выходную мощность + 17 дБмВт. Устройство сочетает в себе активный удвоитель с выходным буферным усилителем, который обеспечивает.

LBT12013 : Электрические характеристики фильтра на ПАВ. s Вносимые потери центральной частоты 3 дБ Ширина полосы 15 дБ Ширина полосы 40 дБ Изменение полосы пропускания Абсолютная задержка Окончательное подавление Материал подложки Температура окружающей среды Размер упаковки C DIP2712 China Electronics Technology Group Corporation № 26 Научно-исследовательский институт Примечания — Значения компонентов могут изменяться в зависимости от компоновки платы. .

S14K250 : Варисторы с выводами. I Круглый варисторный элемент, с выводами I Покрытие: эпоксидная смола, огнестойкий V-0 I Клеммы: луженый медный провод Высокоэнергетическая серия AdvanceD E2 Высокие значения импульсного тока 10 кА Высокие значения энергии 325 Дж Широкий диапазон рабочего напряжения 130 510 VRMS Модели PSpice I Информация для заказа приведена на стр. 206 и далее в главе «Варисторы с выводами: лента» Обозначение типа.

3AB-13 : Преобразователи постоянного тока в постоянный 3 Вт. Изолированный выход 3 Вт, 24-контактный DIP-корпус, КПД 80% 2: 1 Диапазон входного сигнала Проводящие электромагнитные помехи соответствуют EN55022 Класс B Pi Входной фильтр Защита от непрерывного короткого замыкания Опция дистанционного включения / выключения Broadband TelCom Power, Inc. 1719 S. Grand Avenue, Santa Ana, CA 92705 USA s Входное напряжение 24V18-36V 48V36-72V Входной фильтр. Тип Pi Выход s: Точность напряжения +/- 2,0% макс.

3212 SL001 : Многожильный кабель 24AWG 3C SHIELD 1000ft SPOOL GAY.Alpha Wire предлагает полный набор кабелей связи и управления, чтобы предоставить максимальный выбор с меньшим количеством компромиссов. Alpha Wire, доступный как в многожильном, так и в многопарном исполнении, предлагает различные материалы для изоляции / оболочки, варианты экранирования и количество проводников. Alpha Wire.

PPPN132FFKS : Gold Surface Mount Rectangular — разъемы, розетки, гнездовые разъемы, соединительный разъем, нижний ввод; СОЕДИНИТЕЛЬНАЯ ГОЛОВКА 2ММ ДВОЙНОЙ SMD 26ПОЗ. s: Цвет: черный; Тип разъема: заголовок, вход снизу; Контактная отделка: золото; : -; Тип установки: поверхностное крепление; Количество загруженных позиций: все; Количество рядов: 2; Шаг: 0.079 дюймов (2,00 мм); Расстояние между рядами:

LQh53MN270K03L : Катушки постоянной индуктивности, дроссели 27H 300mA 1812 (4532 метрическая система) с ферритовым сердечником; ИНДУКТОР 27UH 10% 300MA 1812. s: Индуктивность: 27H; Допуск: 10%; Упаковка / ящик: 1812 (4532 метрическая система); Упаковка: Лента для резки (CT); Тип: ферритовый сердечник; Ток: 300 мА; Тип установки: поверхностное крепление; Q @ Freq: 35 @ 1 МГц; Частота — Саморезонансная: 14 МГц; Сопротивление постоянному току (DCR) :.

TDA8025HN / C1,518 : Интерфейс — Интегральная схема контроллера (ICS) Интерфейсная лента и катушка смарт-карты (TR) 65 мА 1.2В, 1,8В, 3В; ИНТЕРФЕЙС IC SMART CARD 32-HVQFN. s: Тип контроллера: Интерфейс смарт-карты; Интерфейс: Аналоговый; Напряжение — Питание: 1,2 В, 1,8 В, 3 В; Ток — Питание: 65 мА; Упаковка / ящик: 32-VFQFN Exposed Pad; Упаковка: лента и катушка (TR); Операционная.

1676701-1 : 47,5 Ом 0,1 Вт, Чип резистор 1/10 Вт — поверхностный монтаж; RES 47,5 Ом 1 / 10Вт 0,1% 0805. с: Сопротивление (Ом): 47,5; Мощность (Вт): 0,1 Вт, 1/10 Вт; Допуск: 0,1%; Упаковка: навалом; Состав: Тонкая пленка; Температурный коэффициент: 10 ppm / C; Статус без содержания свинца: без содержания свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

MBRS20h200CTC00HE3TRC : 10 А, 100 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-263AB. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, КПД; ЕСЛИ: 10000 мА; Упаковка: D2PAK, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3; Количество контактов: 2; Количество диодов: 2.

PL-RCP-02-S53-11 : ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИЙ ПРИЕМНИК, 830-860 нм, 2700 Мбит / с. s: Тип приемника: PIN Фотодиод; Тип кабеля: многомодовый; Скорость передачи данных: 2700 Мбит / с; Чувствительность: -16 дБ.

4-216468-0 : 40 КОНТАКТ (-Ы), НАРУЖНЫЙ, ПРЯМОЙ ДВУСТОРОННИЙ СОЕДИНИТЕЛЬ ПЛАТЫ, ПАЯ. s: Тип разъема: ДВУСТОРОННИЙ ПЛАТНЫЙ СОЕДИНИТЕЛЬ; Мужской пол ; Типы прекращения: SOLDER; Кол-во контактов: 40.

HARRIS IRF510

DtSheet

Загрузить

HARRIS IRF510

Открыть как PDF

Похожие страницы

ИНТЕРСИЛ IRF232

ИНТЕРСИЛ IRFAC42

ИНТЕРСИЛ IRF223

ИНТЕРСИЛ IRFF420

ИНТЕРСИЛ IRFF220

ИНТЕРСИЛ IRFF210

ИНТЕРСИЛ IRFD1Z0

ИНТЕРСИЛ IRFF9120

ИНТЕРСИЛ IRF614

ИНТЕРСИЛ HPLR3103

ИНТЕРСИЛ IRF322

ИНТЕРСИЛ IRF9230

ИНТЕРСИЛ IRF422

ИНТЕРСИЛ IRF235

ИНТЕРСИЛЬ BUZ32

ИНТЕРСИЛЬ 2N6796

ИНТЕРСИЛ IRF247

ИНТЕРСИЛ IRFP247

ИНТЕРСИЛ BUZ42

ИНТЕРСИЛ IRF450

ИНТЕРСИЛ ИРФ122

ИНТЕРСИЛ IRF9150

dtsheet © 2021 г.
О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь Распиновка транзистора
IRF510, эквивалент, применение, характеристики и другие подробности

Сегодня мы собираемся обсудить распиновку транзистора IRF510, эквивалент, использование, функции и другие подробности об этом корпусном МОП-транзисторе TO-220.

Характеристики / Технические характеристики:

Тип упаковки: TO-220

Тип транзистора: Канал N

Максимальное напряжение, приложенное от стока к источнику: 100 В

Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В

Максимальный ток утечки при продолжении составляет: 5,6 A

Максимальный импульсный ток утечки: 20A

Макс.рассеиваемая мощность: 43 Вт

Минимальное напряжение, необходимое для работы: от 2 В до 4 В

Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +170 по Цельсию

Аналог:
IRF512, IRF120, IRF122, IRF522, IRF513 (сток-исток = 80 В), IRF511 (сток-исток = 80 В), 2SK2399, IRF520, 2SK551, BUK442-100B, BUK452-100A, BUK452-100 IRFS, IRF20532, IRF20532, , MTP10N10E, IRF634.

IRF510 MOSFET объяснение / Описание:
Если вам нужен высокоскоростной низкоамперный МОП-транзистор с выходной нагрузочной способностью до 5,6 А с напряжением нагрузки до 100 В и минимальным напряжением насыщения от 2 до 4 В, IRF510 может быть хорошим выбором для вашей конструкции или схемы вашего приложения. Он также обладает возможностью высокоскоростного переключения, что делает его идеальным для использования в различных приложениях, где высокоскоростное переключение является решающим требованием. Более того, что касается импульсной способности, он может выдерживать пиковый импульс тока 20А.

Кроме этого, можно использовать усилитель, обеспечивающий выходную мощность 43 Вт. Обладая такой большой способностью рассеивать мощность, он может использоваться для создания множества приложений для усиления звука.

Где и как использовать:
IRF510 может использоваться в разнообразных обычных и высокоскоростных приложениях, таких как преобразователи постоянного тока в постоянный, ИБП, источники питания и т. Д. Его также можно использовать для управления переключателями реле высокой мощности с очень малой мощностью, мощными транзисторами или в любых приложениях, требующих скорости переключение с низкой мощностью затвора.Кроме того, из-за низких требований к мощности затвора им можно управлять напрямую от микросхем, микроконтроллеров и многих электронных платформ, таких как arduino, raspberry pi и т. Д. Кроме того, он также может использоваться для создания схем аудиоусилителей высокой мощности или его также можно использовать как отдельный усилитель для привода колонок.

Приложения:
Быстрое переключение

Источники бесперебойного питания

Зарядные устройства и системы управления аккумуляторами

Зарядные устройства и приложения для солнечных батарей

Солнечные источники бесперебойного питания

Цепи драйвера двигателя

Компьютерные и телекоммуникационные приложения

Как безопасно долго работать в цепи:
Для получения долгосрочной производительности от IRF510 рекомендуется использовать его как минимум на 20% ниже его максимальных значений.Максимальный ток стока этого полевого МОП-транзистора составляет 5,6 А, поэтому не используйте нагрузку более 4,5 А. Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В для обеспечения безопасности ниже 80 В. Напряжение затвор-исток не должно увеличиваться с ± 20 В. При работе с транзистором всегда используйте подходящий радиатор и всегда храните и работайте при температуре от -55 до +175 градусов по Цельсию.

Лист данных:
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF510_FairchildSemiconductor.pdf

В поисках подлинного IRF510

Проблема

Недавно мне потребовалось заменить полевой МОП-транзистор IRF510 PA в моем радиоприемнике BITX40. Неисправность в моей цепи VOX PTT привела к тому, что она оставалась выключенной в течение очень долгого времени без присмотра. Ой! Когда это было исправлено, пришло время заменить IRF510.

The Search

Обыскал обычные места типа mouser.com и digikey.com, и обнаружил, что эта деталь была дешевой — около 1 доллара США за один IRF510. Единственная проблема в том, что доставка стоила почти 10 долларов, а я скряга. Следующей моей остановкой был ebay.com. Некоторые другие радиолюбители на радиокомплексе QRP Bitx40v3 40 м. Группа Facebook предупредила меня, чтобы я остерегался подделок. Были упомянуты разные вещи, на которые следует обратить внимание, поэтому я изо всех сил старался выбрать продавца, который выглядел бы респектабельным и не был бы по самой низкой цене. Я получил 5 IRF510, отправленных из США (а не из Китая) за 6 долларов, включая доставку.Несомненно, это была лучшая сделка. Правильно?

Что может пойти не так?

Я установил новый IRF510 в свой BITX40 и собрал его заново. С моим новым DVM, соответствующим мощности BITX40, я начал процедуру настройки, как показано на http://www.hfsigs.com/bitx40v3_wireup.html. При токе холостого хода 0,19 ампер я повернул R136 и RV1 до упора по часовой стрелке (самое низкое значение) и отрегулировал его до уровня чуть выше усилителя с громким звуком в микрофон. Проблема заключалась в том, что он поднимался примерно до отметки.6 ампер, а затем вместо медленной настройки на 1,2 ампер он увеличился почти до 4 ампер, прежде чем я отключил его! С очень маленькими настройками я получил всего 1,2 ампера на передачу.

Сгоревшая центральная дорожка

Я вернул BITX40 к работе, выполняя WSPR, который передает на 100% в течение почти 2 минут. Во время тестовой передачи IRF510 нагрел до градусов, настолько сильно, что я получил ожог. Потребляемая мощность медленно увеличивалась до 2 ампер, и если бы я ее отпустил, она потребляла бы еще больше.Во время экспериментов он внезапно потреблял около 10 ампер, и я услышал потрескивающий звук и увидел, как магический дым поднимается от платы, окружающей IRF510 PA. о нет!

К счастью, сгорела только одна дорожка, и ее легко отремонтировать с помощью куска провода под платой. Я вставил новый IRF510 и снова попробовал процедуру. Он также был очень чувствителен к настройке и очень быстро перегревался. Я установил еще один IRF510 (по крайней мере, у меня был пакет из 5 штук, не так ли?) И получил те же результаты.

Что интересно, эти чипы работали, и если бы я просто использовал SSB-голос, с ними, вероятно, все было бы хорошо.Но мой основной режим — цифровой, где рабочий цикл составляет 100% либо в течение 46 секунд, либо почти 2 минуты. Такое продвижение этих IRF510 показало мне, что они не соответствуют спецификации. Я начал подозревать, что они не настоящие, а поддельные. Но как я мог это доказать?

Друг или подделка?

Единственный способ узнать, были ли у меня поддельные IRF510 или нет, — это сравнить с заведомо исправными микросхемами. Мне повезло, что один любитель, работающий в этой отрасли, предоставил мне подлинные IRF510 непосредственно от Vishay Semiconductors.Первое, что я сделал, — это визуально сравнил ebay IRF510 с теми, что были непосредственно от Vishay.

Какой из них настоящий?

Я задал вопрос на любительском радио QRP, а также в группах Facebook по радиосвязи Bitx40v3 40 м: что подделка, а что настоящее? Многие откликнулись. О том, что справа, было сказано, что это подделка из-за луженых проводов, тонкого радиатора, надписи на нем и многого другого. Тот, что слева, был назван фальшивым из-за отсутствия выемок на радиаторе, надпись выглядела штампованной, а не вытравленной, и по некоторым другим более неопределенным причинам.Из 37 прямых голосов 21 человек выбрал тот, что слева, как подлинный IRF510, а 16 человек выбрали тот, который был справа, как настоящий IRF510.

Доказательство в пудинге!

Я рад сообщить, что первый IRF510, который я попробовал из партии непосредственно от Vishay, с первого раза сработал прекрасно. Он настроился прямо, и было легко установить смещение, как описано ранее. С тех пор он успешно передает JT65 и не перегревается и не потребляет чрезмерную силу тока.Это действительно настоящая вещь.

Давай!

Да да ладно. Ну вот. Образец справа — настоящий. Его блестящий металл, плохая маркировка и тот факт, что он не отбрасывает тени, — плохие индикаторы его подлинности. Это подлинный товар прямо из Vishay, и более того, он работает так, как должен.

Как избежать получения контрафактной (фальшивой, перемаркированной) детали? Это просто: купите его у продавца с хорошей репутацией. И я не имею в виду ebay.Выбирайте Mouser, Digikey или другого продавца, которому вы доверяете. Все дело в цепочке поставок . Есть несколько подлинных IRF510, которые тоже похожи на левый. Выглядит ДЕЙСТВИТЕЛЬНО обманчиво, и выбрать правильный только по внешнему виду невозможно. Также: слишком хорошо, чтобы быть правдой, Слишком хорошо, чтобы быть правдой.

Надеюсь, вы нашли эту статью информативной. Не стесняйтесь оставлять свои комментарии ниже. А пока вот несколько интересных ссылок на статьи и видео о поддельных полупроводниках:

Fake IRF510 Mosfet’s (Youtube)

Fake Atmega Processors (Sparkfun)

Связанные

[PDF] IRF510 5.6 А, 100 В, 0,540 Ом, N-канальные характеристики питания MOSFET

Скачать IRF510 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power Features MOSFET …
Спецификация IRF510
Ноябрь 1999 г.

5,6 А, 100 В, 0,540 Ом, N-канальный силовой МОП-транзистор [/ Название (IRF51 0) / Тема (5,6 А, 100 В, 0,540 Ом, силовой МОП-транзистор NC) / Автор () / Ключевые слова (Intersil Corporation, NChannel Power MOSFET, TO220AB) / Creator () / DOCI NFO pdfmark

Этот силовой полевой транзистор с кремниевым затвором с N-канальным режимом расширения представляет собой усовершенствованный силовой полевой МОП-транзистор, разработанный, испытанный и гарантированно выдерживающий указанный уровень энергии. в аварийно-лавинном режиме работы.Все эти силовые полевые МОП-транзисторы предназначены для таких приложений, как импульсные регуляторы, переключающие преобразователи, драйверы двигателей, драйверы реле и драйверы для мощных биполярных переключающих транзисторов, требующих высокой скорости и низкой мощности управления затвором. Эти типы могут управляться напрямую от интегральных схем. Ранее опытный образец TA17441.

Информация для заказа НОМЕР ДЕТАЛИ IRF510

ПАКЕТ TO-220AB

Номер файла

1573,4

Характеристики • 5,6 A, 100 В • rDS (ON) = 0.540 Ом • Номинальная энергия лавинного одиночного импульса • SOA имеет ограниченное рассеяние мощности • Наносекундные скорости переключения • Линейные характеристики передачи • Высокое входное сопротивление • Сопутствующая литература — TB334 «Рекомендации по пайке компонентов поверхностного монтажа на платы ПК»

Symbol BRAND

D

IRF510

ПРИМЕЧАНИЕ. При заказе указывайте полный номер детали. G

S

Упаковка JEDEC TO-220AB ДРЕНАЖНЫЙ ВОРОТНИК

СЛИВ (ФЛАНЕЦ)

© 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

IRF510 Rev.A

IRF510 Абсолютные максимальные характеристики

TC = 25oC, если не указано иное

Напряжение стока в источник (Примечание 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VDS напряжение стока в затвор (RGS = 20 кОм) (Примечание 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VDGR непрерывный ток утечки. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . ID TC = 100oC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ID Импульсный ток утечки (Примечание 3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . IDM между затвором и источником напряжения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Максимальное рассеивание мощности VGS.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .PD Коэффициент линейного снижения мощности. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Энергетическая ценность одиночного импульса при сходе лавин (Примечание 4). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .EAS Диапазон рабочих температур и температур хранения. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . .TJ, TSTG Максимальная температура паяльных выводов на расстоянии 0,063 дюйма (1,6 мм) от корпуса в течение 10 секунд. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . TL Package Body для 10 секунд, см. Техническое описание 334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Tpkg

IRF510 100100 5,6 4 20 ± 20 43 0,29 19 от -55 до 175

ЕДИНИЦЫ VVAAAVWW / oC мДж oC

300 260

oC

ВНИМАНИЕ! необратимое повреждение устройства.Это расчетная нагрузка, и работа устройства в этих или любых других условиях, превышающих указанные в рабочих разделах данной спецификации, не подразумевается.

ПРИМЕЧАНИЕ: 1. TJ = от 25 ° C до 150 ° C.

Электрические характеристики

TC = 25oC, если не указано иное MIN

TYP

MAX

UNITS

Напряжение пробоя от стока к источнику

ПАРАМЕТР

BVDSS

VGS = 0V

100

—

—

В

Напряжение от затвора до порога

VGS (TH)

VGS = VDS, ID = 250 мкА

2.0

—

4,0

В

VDS = 95 В, VGS = 0 В

—

—

25

мкА

VDS = 0,8 x Номинальное значение BVDSS, VGS =
C —
C —

—

250

мкА

VDS> ID (ON) x rDS (ON) MAX, VGS = 10V (Рисунок 7)

5,6

—

—

A

Сброс напряжения с нулевым затвором Ток

Ток утечки во включенном состоянии (Примечание 2) Ток утечки от затвора к источнику Отвод к сопротивлению источника (Примечание 2) Прямая крутизна (Примечание 2) Время задержки включения Время нарастания Время задержки выключения Время задержки Время спада Общий заряд затвора ( От затвора к источнику + от затвора к сливу)

СИМВОЛ

IDSS ID (ON) IGSS rDS (ON) gfs td (ON) tr td (OFF)

УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ

VGS = ± 20V

—

—

± 100

нА

VGS = 10 В, ID = 3.4A (Рисунки 8, 9)

—

0,4

0,54

Ом

1,3

2,0

—

S

—

8

12

000
нс
63

нс

—

15

7

нс

—

12

59

нс

—

5,0

30
000
000
000
000
000
000

нКл

—

3.0

—

nC

VGS = 50 В, ID = 3,4 A (рисунок 12) ID ≈ 5,6 A, RGS = 24 Ом, VDD = 50 В, RL = 9 Ом, VDD = 50 В, VGS = 10 В не зависит от рабочей температуры

tf Qg (TOT)

Отвод к источнику заряда

Qgs

Отвод к сливу заряда «Миллера»

Qgd

VGS = 10 В, ID = 5,6 A, VDS = 0,8 x номинальный BVDSS, IG (REF) = 1,5 мА (Рисунок 14) Заряд затвора практически не зависит от рабочей температуры.

Входная емкость

СНПЧ

—

135

—

пФ

Выходная емкость

COSS

—

80

—
000
000

обратная передача
000
pF

20

—

пФ

—

3,5

—

nH

—

4,5

—

nH

—

7.5

—

нГн

—

—

3,5

oC / W

—

—

80

oC / W

Индуктивность внутреннего слива, V 9000DS5

V = = 25 В, f = 1,0 МГц (Рисунок 11)

Измерено от контактного винта на выступе до центра матрицы, измерено от сливного патрубка, 6 мм (0,25 дюйма) от корпуса до центра матрицы

Индуктивность внутреннего источника

LS

Переход к корпусу

RθJC

Переход к окружающей среде

RθJA

© 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

Измерено от источника, 6 мм (0.25 дюймов) от заголовка к контактной площадке источника

Работа на открытом воздухе

Модифицированный символ полевого МОП-транзистора, показывающий индуктивности внутренних устройств D LD G LS S

IRF510 Rev. A

IRF510 Технические характеристики дренажного диода ПАРАМЕТР

002 SYMBOL
Источник непрерывного действия
от источника импульса тока стока к току стока (примечание 3)

ISD ISDM

Условия испытаний Модифицированный символ полевого МОП-транзистора, показывающий интегральный обратный PN переходной диод

D

MIN

TYP

MAX

UNITS

UNITS

—

5.6

A

—

—

20

A

—

—

2,5

V

4,6

96

200

200

0,4
мкКл

G

S

Напряжение истока с диода (Примечание 2) Время обратного восстановления

VSD trr

Обратный восстановленный заряд

QRR

TJ = 25 ° C, ISD = 5.6A, VGS = 0V 13) TJ = 25oC, ISD = 5.6A, dISD / dt = 100A / мкс TJ = 25oC, ISD = 5,6A, dISD / dt = 100A / мкс

ПРИМЕЧАНИЯ: 2. Импульсный тест: ширина импульса ≤ 300 мкс, скважность ≤ 2%. 3. Повторяемость: длительность импульса ограничена максимальной температурой перехода. См. Кривую переходного термического сопротивления (рисунок 3). 4. VDD = 25 В, начальная TJ = 25 ° C, L = 910 мкГн, RG = 25 Ом, пиковое значение IAS = 5,6 А.

Типичные рабочие характеристики, если не указано иное 10

1.0

ID, ТОК СЛИВА (A)

УМНОЖИТЕЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ МОЩНОСТИ

1.2

0,8 0,6 0,4

8

6

4

2

0,2

0

0 25

0

125 50 75100 TC, ТЕМПЕРАТУРА КОРПУСА (oC) 175

000

25

50

75

125

100

150

175

TC, ТЕМПЕРАТУРА КОРПУСА (oC)

РИСУНОК 1. НОРМАЛИЗОВАННАЯ МОЩНОСТЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ МАКСИМАЛЬНОЙ ТЕМПЕРАТУРЫ В РАЗМЕРЕ 9000 РИСУНОК 2. vs ТЕМПЕРАТУРА СЛУЧАЯ

ZθJC, ПЕРЕХОДНАЯ

ТЕРМИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ (oC / Вт)

10

0.5 1 0,2 0,1 0,05 0,1

PDM

0,02 0,01

t1 t2

ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС

ПРИМЕЧАНИЯ: КОЭФФИЦИЕНТ РАБОТЫ: D = t1 / t2 PEAK TJ = PDM x ZθJC + TC 0,01 10-5

10

0,1 10-2 10-3 t1, ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ ПРЯМОУГОЛЬНОГО ИМПУЛЬСА

1

10

РИСУНОК 3. МАКСИМАЛЬНОЕ ПЕРЕХОДНОЕ ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ

© 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

IRF510 Ред. Кривые, если не указано иное 100

10

РАБОТА В ЭТОМ РЕГИОНЕ ОГРАНИЧИВАЕТСЯ rDS (ON)

VGS = 10V

10

ID, ТОК СЛИВА (A)

ID, DRAIN CURRENT (A)
µs 100 мкс

1 мс 1 TC = 25oC TJ = 175oC ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС

0.1

(продолжение)

1

ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА = 80 мкс РАБОЧИЙ ЦИКЛ = 0,5% МАКС.

8

VGS = 8V 6 VGS = 7V 4 VGS = 6V 2 VGS = 5V VGS = 4V

102 VDS, НАПРЯЖЕНИЕ СЛИВА К ИСТОЧНИКУ (В)

0

103

10 ID (ВКЛ.), СОСТОЯНИЕ ТОКА СЛИВА (A)

ID, ТОК СЛИВА (A)

VGS = 10V

8 VGS = 8V 6 VGS = 7V 4 VGS = 6V 2 VGS = 5V VGS = 4V 0

2 4 6 8 VDS, НАПРЯЖЕНИЕ СЛИВА К ИСТОЧНИКУ (В)

0.1

3,0 НОРМАЛИЗИРОВАННЫЙ ПО СОПРОТИВЛЕНИЮ

ПО СОПРОТИВЛЕНИЮ (Ом)

rDS (ВКЛ), СЛИВ К ИСТОЧНИКУ

4

3

2 VGS = 10 В VGS = 20 В 1

0 12
9000 , ТОК СЛИВА (A)

РИСУНОК 8. СЛИВ К ИСТОЧНИКУ ПО СОПРОТИВЛЕНИЮ в зависимости от НАПРЯЖЕНИЯ НА ЗАДВИЖЕНИИ И ТОКА СЛИВА

© 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

TJ = 25oC

TJ = 175oC
9000GS 2 6 GUR НАПРЯЖЕНИЕ (В)

10

РИСУНОК 7.ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕДАЧИ

ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА = 80 мкс РАБОЧИЙ ЦИКЛ = 0,5% МАКС.

8

50

VDS ≥ 50 В ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА = 80 мкс РАБОЧИЙ ЦИКЛ = 0,5% МАКС.

10-2 0

10-2 0

40

1

РИСУНОК 6. ХАРАКТЕРИСТИКИ НАСЫЩЕНИЯ

0

30

РИСУНОК 5. ВЫХОДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

10

0

20

НАПРЯЖЕНИЕ, НАПРЯЖЕНИЕ
НАПРЯЖЕНИЕ VDS .БЕЗОПАСНАЯ РАБОЧАЯ ЗОНА ВПЕРЕДНЕГО Смещения

ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА = 80 мкс РАБОЧИЙ ЦИКЛ = 0,5% МАКС.

10

20

2,4

ID = 3,4 А, VGS = 10 В ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА = 80 мкс МАКС.
1,2

0,6

0-60-40

-20

0

20

40

60

80

100120140160180

TJ, РИСУНОК ТЕМПЕРАТУРА
(° C) 9. НОРМАЛИЗОВАННЫЙ СЛИВ К ИСТОЧНИКУ ПО СОПРОТИВЛЕНИЮ в зависимости от температуры перехода

IRF510 Rev.A

IRF510 Типовые кривые производительности, если не указано иное

(продолжение)

1,25

500

1,15

C, ЕМКОСТЬ (пФ)

НОРМАЛИЗОВАННЫЙ СТОП НАПРЯЖЕНИЕ
000
000
000 ПРОРЫВ
000 ID
000 250
000 250
000500050005000200050000 0,95

VGS = 0 В, f = 1 МГц CISS = CGS + CGD 400 CRSS = CGD COSS ≈ CDS + CGD 300

200

CISS COSS

0,85

100

0,75 -60-40-40-20

CRSS 0

20

40

80

60

100120140160180

1

2

TJ, ТЕМПЕРАТУРА СОЕДИНЕНИЯ (oC)

РИСУНОК 10.НОРМАЛИЗОВАННОЕ НАПРЯЖЕНИЕ СЛИВА К ИСТОЧНИКУ ПРОБИВАЮЩЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ в зависимости от температуры перехода

ТДж = 25 ° C

1,5 ТДж = 175 ° C 1,0

0,5

0

0

2

000
000
000
2 9000 102000 РАБОЧИЙ ЦИКЛ 80 мкс = 0,5% МАКС. VDS ≥ 50 В

2,0

10

РИСУНОК 11. Зависимость емкости от напряжения от истока к источнику

ISD, ТОК ОТ ИСТОЧНИКА К ДРЕНАЖУ (A)

gfs, TRANSC2.5

5

VDS, НАПРЯЖЕНИЕ СЛИВА К ИСТОЧНИКУ (В)

4 6 ID, ТОК СЛИВА (A)

8

ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА = 80 мкс РАБОЧИЙ ЦИКЛ = 0,5% МАКС.

10

= 175oC

TJ = 25oC 0,1 0

10

РИСУНОК 12. ПРОПРОВОДИМОСТЬ и ДРЕНАЖНЫЙ ТОК

0,4 0,8 1,2 1,6 VSD, НАПРЯЖЕНИЕ ИСТОЧНИКА К ДРЕНАЖУ (В)

2,0

РИСУНОК 13. НАПРЯЖЕНИЕ ИСТОЧНИКА НАПРЯЖЕНИЯ

РИС.
VGS, ОТВЕРСТИЕ К ИСТОЧНИКУ НАПРЯЖЕНИЯ (В)

20 ID = 3.4A VDS = 80V VDS = 50V VDS = 20V

16

12

8

4

0

0

2

4 6 Qg, GATE CHARGE (nC)

10
0002 10
РИСУНОК 14. НАПРЯЖЕНИЕ ИСТОЧНИКА ИСТОЧНИКА НАПРЯЖЕНИЯ и ЗАРЯДА GATE

© 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

IRF510 Ред. A

Испытательные схемы и формы сигналов IRF510 VDS BVDSS L

tP

000 9000

TO OBTA RG

ТРЕБУЕТСЯ ПИК IAS

VDS VDD

VDD —

VGS DUT tP

0V

IAS

0 0.01 Ом tAV

РИСУНОК 15. ЦЕПЬ НЕЗАКРЫТОГО ИСПЫТАНИЯ ЭНЕРГИИ

РИСУНОК 16. ФОРМЫ НЕЗАКРЫТЫХ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ВОЛН

тонны

tOFF

td (ВКЛ)

td (ВЫКЛ)
0005
000 R
0005 %

90%

+

RG

—

VDD

10%

0

10%

DUT

90% VGS SW

VGS 9000 17.5 9000 TESTING ЦЕПЬ

0.2 мкФ

50% ШИРИНА ИМПУЛЬСА

РИСУНОК 18. РЕЗИСТИВНЫЕ ВОЛНЫ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

VDS (ИЗОЛИРОВАННОЕ ПИТАНИЕ)

РЕГУЛЯТОР ТОКА

АККУМУЛЯТОР 12 В

VDS

100002 50%

Q5 DUT

50 кОм

Qgd

0,3 мкФ

VGS

Qgs D VDS DUT

G

0 IG (REF)

S

0 IG (REF)

S

0 CURRENT SAMPLING SAMPLING 9000 РЕЗИСТОР 9000 ИДЕНТИФИКАЦИЯ ВЫБОРКИ ПРОБЫ 9000 9000 РЕЗИСТОР ВЫБОРКИ 9000 19.ЦЕПЬ ИСПЫТАНИЯ ЗАРЯДА НА ЗАРЯДКЕ

© 2001 Fairchild Semiconductor Corporation

IG (REF) 0

РИСУНОК 20. ВОЛНА ЗАРЯДА НА ЗАРЯДКЕ

IRF510 Rev. A

При использовании IRF510 в качестве переключателя… — мозговой трюк

Эта публикация начинается с предостережения: хотя я довольно опытен как программист и инженер-программист, я на самом деле немного новичок, когда дело касается электроники. Я полностью самоучка, и из-за присущей мне лени мне трудно чему-либо научиться, прежде чем мне это действительно понадобится.Это означает, что я часто немного теряю голову, и только потом начинаю разбираться в вещах и выясняю, где мои предубеждения и недопонимания сбили меня с пути.

Это случилось с проектом, над которым я работал вчера вечером.

Основная идея заключается в том, что я хотел использовать ШИМ для управления светодиодом Cree высокой мощности (1 Вт). У меня программа прекрасно работала на моем маленьком ATtiny13, и если я подключил обычный (20 мА) светодиод к контакту через токоограничивающий резистор, все было хорошо. Но я знал, что Arduino не может подавать ток, необходимый для зажигания Cree, поэтому мне понадобился переключатель.

Итак, я ухожу на территорию, на которой раньше не был.

В моем ящике для мусора лежит куча IRF510. Я думаю, они могут работать с большой мощностью, я мог бы использовать их для переключения светодиода. Итак, я подключил его. Я поместил светодиод последовательно с резистором 100 Ом для безопасности и подключил его через исток / сток полевого МОП-транзистора к источнику питания 9 В. Я отправил напряжение с ШИМ микроконтроллера на затвор и добавил резистор 10 кОм от затвора к земле. Я включил его, и… ну… он заработал!

Затем я решил снизить значение резистора ограничения тока.Самый простой способ на макетной плате — подключить еще один резистор на 100 Ом. Конечно, когда я подключил резистор, светодиод стал заметно ярче. Хорошая сделка, думаю я.

Но потом я двинулся дальше. Я питал ATtiny13 от источника питания 5 В на моем USB-порту. Я действительно не хотел этого делать в окончательной конфигурации. У меня не было запасного регулируемого источника питания на 5 В, но я знаю, что ATtiny может работать при напряжении питания до 2,8 В. У меня была пара свежих батареек АА, поэтому я подключил их, и, конечно же, процессор загрузился и работал нормально.

Но потом я заметил, что общая яркость светодиодного дисплея кажется довольно слабой. И когда я подключил дополнительное сопротивление, чтобы снизить предел тока, светодиоды не стали ярче.

Мне потребовалось всего несколько минут, чтобы понять, в чем заключалась сделка: напряжение, управляющее затвором полевого МОП-транзистора, было недостаточно сильным, чтобы полностью открыть полевой МОП-транзистор. Сам полевой МОП-транзистор должен ограничивать ток.

Это отправило меня обратно в Интернет, чтобы посмотреть таблицы данных (которые в основном меня сбили с толку), но стало ясно одно: IRF510 не предназначался для управления с логических уровней .Важный показатель, казалось бы, определяется как сопротивление от стока к источнику (rDS (ON)). Для напряжения между затвором и истоком 10 В и тока стока 3,4 А сопротивление обычно составляет около 0,4 Ом. Но если напряжение между затвором и истоком составляет всего 5 В, что произойдет? Что, если напряжение между затвором и истоком всего 3 В?

Я еще раз посмотрел на таблицу Fairchild. Рисунок 6 показывал: на нем показан график характеристик насыщения IRF510 при различных уровнях напряжения затвора / истока, в диапазоне от 4 В до 10 В.Для каждого значения V _GS график показывает взаимосвязь между V _DS и I _D, током через сток. Для V _GS с напряжением 5 В кривая очень плоская — около 1 А. Но если вы посмотрите на кривую около 4 В, то увидите, что ровно при нуле . Другими словами, полевой МОП-транзистор вообще не переключает ток. И кто знает, что происходит под этим.

Когда я запускаю свою схему на 3 В, я почти не щекочу выход.Фактически, в спецификациях сказано, что он вообще не должен работать при 3В. Моя гипотеза заключается в том, что это просто случайность: мой транзистор на самом деле просто проводит вниз при таком уровне напряжения. (Соответствующей спецификацией может быть V _{GS (TH)}, пороговое значение от затвора до источника, которое задано в диапазоне от 2,0 до 4,0 В)

Интересно.

К тому времени, когда я со всем этим разобрался, я начал возиться с LTSpice. Я немного научился, но было бы полезно, если бы у меня была модель светодиода, который я использую.Но я обнаружил, что, работая с напряжением питания светодиода и напряжением затвора / истока, я могу имитировать некоторые особенности, которые я видел в своей реальной схеме. Кажется возможным ограничить ток светодиода до 200 мА или около того с 5V V _GS, но он не достигнет ничего близкого к этому уровню тока только с 3V V _GS.

Таким образом, казалось бы, очень простой проект электроники превращается в урок. Я могу пойти по ряду возможных путей, чтобы заставить его работать:

Я мог бы попытаться заставить его работать с логическим уровнем 5В, все еще используя IRF510.Я подозреваю, что, поскольку мне не нужен полный ампер тока через сток, это, по крайней мере, возможно. Я планирую использовать для питания светодиодов фонарь на 6 В. Я мог бы подать 5 В на затвор и эмпирически проверить ток через светодиод, просто измерив его мультиметром и регулируя резистор ограничения тока, пока не получу желаемый ток.

Я мог бы отправить на обычный Darlington (возможно, TIP120 или аналогичный, который вы даже можете получить в Radio Shack). Это позволит мне запустить процессор всего от двух батарей, но на управление Дарлингтоном уйдет гораздо больше энергии, чем потребляется всей остальной частью чипа.Конечно, я мог бы использовать Дарлингтон на 5 В тоже нормально.

Я упоминал общую мощность? Было бы замечательно, если бы эта штука могла питаться от фонаря на 6 В, но если я захочу подключить микросхему к 5 В, ни один из обычных 7805, которые есть в коробке, не будет работать (выпадающее напряжение будет слишком высоким). . Может просто питание стабилитрона?

Я должен напомнить себе: подобные проекты для начинающего пианиста как музыкальные гаммы.

5 шт. IRF510N IRF510 Power MOSFET N-Channel 5.6A 100V TO-220 Интегральные схемы (ИС) Электрооборудование и материалы

IRF510N IRF510 Power MOSFET N-Channel 5.6A 100V TO-220 Интегральные схемы (ИС) Электрооборудование и принадлежности
5 шт. IRF510N IRF510 MOSFET N-Channel 5.6A 100V TO-220

5шт IRF510N IRF510 Power MOSFET N-Channel 5.6A 100V TO-220,6A 100V TO-220 по лучшим онлайн-ценам на, Бесплатная доставка для многих продуктов, Найдите много отличных новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения на 5шт IRF510N IRF510 N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 5.5.6A 100V TO-220 5pcs IRF510N IRF510 Power MOSFET N-Channel, 5pcs IRF510N IRF510 Power MOSFET N-Channel 5.6A 100V TO-220, Business & Industrial, Electric Equipment & Supplies, Electronic Components & Semiconductors, Semiconductors & Actives, Integrated Circuits (ИС), Другие интегральные схемы.

5 шт. IRF510N IRF510 Power MOSFET N-Channel 5.6А 100В К-220

Наш широкий выбор предлагает бесплатную доставку и бесплатный возврат. Это кольцо идеально подходит для помолвки. Замените свою традиционную люстру или подвеску этой авангардной вещью, чтобы мгновенно получить очарование и стиль. Дата первого размещения: 30 января. 10 шт. Карбидные вставки KORLOY MGMN200-G PC9030 Новинка. При использовании с фланцевой гайкой надлежащего класса, можно легко носить в поездках, используйте аналогичную одежду для сравнения с размером. BC109C BC 109C ТРАНЗИСТОР SI-N 30V 0.2A 0.3Вт. Эти кабели соответствуют оригинальному цвету и предназначены для обеспечения точной длины кабеля для идеального размещения в современных плотно упакованных моторных отсеках. свернутый и отправленный в коробке, удобно доставленной к вашей двери. Базовая стойка изготовлена из стерлингового серебра и украшена дизайнерским узором с отделкой под старину, чтобы подчеркнуть детали, FHB Zunfthose Jochen Bermuda Zwirn-Doppelpilot grau, цвет бронзы: Скрытые лампы: промышленные и научные , этот джутовый мешок 5 «8» отмечен символикой этой секты. Оптовая торговля: индивидуальные запросы и оптовые заказы приветствуются.Регулирующий клапан реле давления воздушного компрессора Lefoo 140-175PSI с разгрузчиком 4 порта, Сделано в Пакистане исключительно для Fabrics & Furnishings LLC. Дизайнерские ткани и обивка, Название продукта: — Медный самородок пирита, загрузки не будут доступны до тех пор, пока не будет принята оплата, New Five Tadiran Emerald Ice Charcoal Handsets, подписанный дизайнером коллекционный комплект бижутерии середины 1960-х годов ♦ Пожалуйста, ознакомьтесь с правилами нашего магазина перед покупкой. С этой электро-рубашкой вы — звезда на танцполе.Mini DC2.5-30V LED Panel Volt Voltage Meter 3-цифровой дисплей вольтметр 2 провода. WVE предлагает высокотехнологичное производство наряду с инновационными решениями и усовершенствованиями оригинальных комплектующих. : X-Hunter Keymod Picatinny Handguard Protector Прочная крышка рельса 1913, 4 шт., Набор (черный): Спорт и туризм. Полный ассортимент постельного белья и пуховых одеял можно найти в официальном магазине Sleep down.

No related posts.

IRF510 характеристики транзистора, цоколевка, аналоги и datasheet

Цоколевка

Технические данные

Аналоги

Производители

Транзистор IRF510 полевой N-канальный 100V 4A корпус TO-220

Отличительные особенности и преимущества транзистора IRF510 полевой N-канальный 100V 4A корпус TO-220

Основные параметры транзистора IRF510 полевого

Транзистор полевой КП743 — DataSheet

Транзисторный КВ усилитель мощности, схема которого показана

Irf4905l — параметры транзистора mosfet, его аналоги, datasheet

IRF4905L Datasheet (PDF)

IRF440 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF440

IRF4905S MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF4905S

IRF513 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF513

IRF513 Datasheet (PDF)

IRF4905PBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF4905PBF

Содержание отчета

Контрольные вопросы

Электроника | Страница 2 | Записки программиста

IRF510 — 5,6 А, 100 В, 0,540 Ом, N-канальный силовой полевой МОП-транзистор

HARRIS IRF510

HARRIS IRF510

IRF510, эквивалент, применение, характеристики и другие подробности

В поисках подлинного IRF510

Проблема

The Search

Что может пойти не так?

Друг или подделка?

Доказательство в пудинге!

Давай!

[PDF] IRF510 5.6 А, 100 В, 0,540 Ом, N-канальные характеристики питания MOSFET

002 SYMBOL

При использовании IRF510 в качестве переключателя… — мозговой трюк

5 шт. IRF510N IRF510 Power MOSFET N-Channel 5.6A 100V TO-220 Интегральные схемы (ИС) Электрооборудование и материалы

5 шт. IRF510N IRF510 MOSFET N-Channel 5.6A 100V TO-220

5 шт. IRF510N IRF510 Power MOSFET N-Channel 5.6А 100В К-220

Оставить комментарийОтменить комментарий