Мп 40 транзистор характеристики: Транзистор МП40 — DataSheet

Транзистор МП40 — DataSheet

Цоколевка транзисторов МП38, МП39, МП40

 

Описание

Транзисторы германиевые сплавные усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса. Масса не более 2 г.

 

Параметры транзистора

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		МП40		2SB173
		МП40А		ОС70, 2N44A
Структура		—	—	p-n-p	мВт
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	МП40	—	150
		МП40А	—	150
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	МП40	—	≥1*	МГц
		МП40А	—	≥1*
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.	МП40	10к	15*	В
		МП40А	10к	30*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	МП40	—	5	В
		МП40А	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	МП40	—	20(150*)	мА
		МП40А	—	20(150*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I** КЭO	МП40	5 В	≤15	мкА
		МП40А	5 В	≤15
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	МП40	5 В; 1 мА	20…40
		МП40А	5 В; 1 мА	20…40
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	МП40	5 В	≤50	пФ
		МП40А	5 В	≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас	МП40	—	—	Ом
		МП40А	—	—
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, Pвых	МП40	—	—	Дб, Ом, Вт
		МП40А	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	МП40	—	—	пс
		МП40А	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор мп40 — Електро Maг Ровно (Украина)

МП40
Транзисторы МП40, МП40А германиевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.

Предназначены для усиления сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.635 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора МП40:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт-
• fh31б — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц-
• Uкэr проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (-конечном)- сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В-
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В-
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА-
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 150 мА-
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мкА-
• h31э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20. ..40-
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ

Технические характеристики транзисторов МП40, МП40А:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С					Значения параметров при Тп=25°С
		IК. макс.	IК. и. макс.	UКЭR макс (UКЭО макс.)	UЭБО макс.	РК. макс. (РК.и. макс)	h31Э &nbsp-(h31э)	UКБ &nbsp-(UКЭ)	IЭ (IК)	UКЭ нас.	IКБО	fгp. (fh31)
		мА	мА	В	В	мВт		В	мА	В	мкА	МГц
МП40	p-n-p	30	150	15	10	150	20…40	5	1	—	15	1
МП40А	p-n-p	30	150	30	10	150	20. ..40	5	1	—	15	1

Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• Iк. макс — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• Iк. и. макс — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UкэR. макс — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Uкэо. макс — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера.
• Uэбо. макс — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• Рк. макс — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• Рк. и. макс — максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h31Э

— статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h31Э&nbsp— коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• Uкб — напряжение коллектор-база транзистора.
• UкэR. макс — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база- эмиттер транзистора.
• Iэ — ток эмиттера транзистора.
• Iк — постоянный ток коллектора транзистора.
• Uкэ. нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• Iкбо — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр— граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh31&nbsp-— предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.

Обозначение транзистора мп39 на схемах. Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 — 2N1413
МП40 — 2N104
МП41 возможный аналог — 2N44A
МП42 возможный аналог — 2SB288

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12 , у МП39Б находится в пределах от 20 до 60 .
У транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40 .
У транзисторов МП41 — от 30 до 60 , МП41А — от 50 до 100 .
у транзисторов МП42 — от 20 до 35 , МП42А — от 30 до 50 , МП42Б — от 45 до 100 .

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП39, МП40 — 15 в.
У транзисторов МП40А — 30 в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 в.

Предельная частота коэффициента передачи тока (fh31э)транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До 1,5 МГц у транзисторов МП42А.
До 2 МГц у транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора. — 20 мА постоянный, 150 мА — пульсирующий.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30 мкА.

Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц — не более 60 пФ.

Коэффициент собственного шума — у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12 дб.

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
У МП42 — 200 мВт.

Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно, на одном транзисторе , без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.

Цоколевка транзистора МП41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП41 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП41

• Структураp-n-p
• 15* (10к) В
• 20 (150*) мА
• 0.15 Вт
• 30…60 (5 В; 1 мА)
• Обратный ток коллектора
• >1* МГц
• Структура p-n-p
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
• Обратный ток коллектора — мкА
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Цоколевка транзистора МП42

Обозначение транзистора МП42 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП42

• • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
  • Обратный ток коллектора — мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — германиевые, усилительные маломощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Корпус металлостеклянный с гибкими выводами. Масса — около 2 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
МП39 — 2N1413
МП40 — 2N104
МП41 возможный аналог — 2N44A
МП42 возможный аналог — 2SB288

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов МП39 редко превышает 12 , у МП39Б находится в пределах от 20 до 60 .
У транзисторов МП40, МП40А — от 20 до 40 .
У транзисторов МП41 — от 30 до 60 , МП41А — от 50 до 100 .
у транзисторов МП42 — от 20 до 35 , МП42А — от 30 до 50 , МП42Б — от 45 до 100 .

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзисторов МП39, МП40 — 15 в.
У транзисторов МП40А — 30 в.
У транзистора МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 в.

Предельная частота коэффициента передачи тока (fh31э)транзистора для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц у транзисторов МП39, МП39А.
До 1 МГц у транзисторов МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
До 1,5 МГц у транзисторов МП42А.
До 2 МГц у транзисторов МП42.

Максимальный ток коллектора. — 20 мА постоянный, 150 мА — пульсирующий.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5в и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более — 15 мкА.

Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 5в и температуре окружающей среды до +25 по Цельсию не более — 30 мкА.

Емкость коллекторого перехода при напряжении колектор-база 5в на частоте 1МГц — не более 60 пФ.

Коэффициент собственного шума — у МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5в и эмиттерном токе 0,5мА на частоте 1КГц — не более 12 дб.

Рассеиваемая мощность коллектора. У МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
У МП42 — 200 мВт.

Когда-то, транзисторами этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструктора для начинающих. МП39-МП42 при своих, довольно крупных габаритах, длинных гибких выводах и простой распиновкe(цоколевке) идеально подходили для этого. Кроме того, довольно большой обратный ток, позволял им работать в схеме с общим эмиттером, без дополнительного смещения. Т.е. — простейший усилитель собирался действительно, на одном транзисторе , без резисторов. Это позволяло значительно упростить схемы на начальных этапах конструирования.

Цоколевка транзистора МП41

Обозначение транзистора МП41 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП41 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП41

• Структураp-n-p
• 15* (10к) В
• 20 (150*) мА
• 0.15 Вт
• 30…60 (5 В; 1 мА)
• Обратный ток коллектора
• >1* МГц
• Структура p-n-p
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
• Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
• Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
• Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
• Обратный ток коллектора — мкА
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Цоколевка транзистора МП42

Обозначение транзистора МП42 на схемах

На принципиальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифры (порядкового номера на схеме). Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную к базе.

Характеристики транзистора МП42

• • Структура p-n-p
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15* (Зк) В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 150* мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.2 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 20…35* (1 В; 10 мА)
  • Обратный ток коллектора — мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером >2* МГц

Усилитель мощности низкой частоты на германиевых транзисторах П213, принципиальная схема которого приведена иа рис. 1, может быть использован для воспроизведения грамзаписи, в качестве низкочастотной части приемника (с гнезд ГнЗ, Гн4), а также для усиления сигналов с датчиков адаптеризованных музыкальных инструментов (с гнезд Гн1, Гн2).

• Чувствительность усилителя с гнезд ГнІ, Гн2 — 20 мв, с гнезд Гн3, Гн4 — не хуже 250 мв;
• Выходная мощность на нагрузке 6,5 ом -2 вт;
• коэффициент нелинейных искажений — 3%;
• Полоса воспроизводимых частот 60-12 000 гц;
• В режиме молчания усилитель потребляет ток порядка 8 ма, а в режиме максимальной мощности — 210 ма.
• Усилитель может питаться как от батарей, так и от сети переменного тока напряжением 127 или 220 в.

Принципиальная схема

Как видно из принципиальной схемы, первый каскад усиления собран на мало-шумящем транзисторе МП39Б (Т1) по схеме с общим эмиттером. Усиливаемый сигнал подается на потенциометр R1, с движка которого через резистор R2 и разделительный конденсатор С1 сигнал низкой частоты попадает на базу транзистора. Нагрузкой первого каскада усилителя служит резистор R5.

Делитель напряжения R3, R4 и резистор R6 являются элементами температурной стабилизации. Наличие делителя R3, R4 делает напряжение на базе транзистора Т1 мало зависящим от температуры. Резистор R6 в цепи эмиттера создает отрицательную обратную связь по постоянному току.

При повышении температуры увеличивается ток в цепи эмиттера и на резисторе R6 увеличивается падение напряжения. В результате этого напряжение между базой и эмиттером становится менее отрицательным, что препятствует дальнейшему увеличению тока эмиттера. Второй каскад усиления также собран по схеме с общим эмиттером на транзисторе МП39Б (Т2).

Чтобы снизить зависимость параметров этого каскада от температуры, в нем применена комбинированная отрицательная обратная связь, определяемая резисторами R8, R9 и R10. Усиленное первым каскадом напряжение подается на вход второго каскада через разделительный конденсатор С2. Нагрузкой транзистора Т2 служит резистор R7.

Третий каскад усиления собран на транзисторе Т3. Нагрузкой каскада служит резистор RI8. Связь между вторым и третьим каскадами осуществляется с помощью конденсатора С3.

Выходной каскад усилителя работает в режиме класса В по последовательнопараллельной схеме. Основным преимуществом усилителей этого класса перед усилителями, работающими в классе А, является высокий коэффициент полезного действия.

При конструировании обычных усилителей низкой частоты радиолюбители сталкиваются с задачей изготовления переходных и выходных трансформаторов. Малогабаритные трансформаторы с пермаллоевым сердечником достаточно сложны в изготовлении. Кроме того, трансформаторы снижают общий коэффициент полезного действия и во многих случаях являются источником нелинейных искажений.

В последнее время были разработаны выходные каскады без трансформаторов — с квазидополнительной симметрией, т. е. с использованием транзисторов, имеющих разнотипные переходы и дополняющих друг друга для возбуждения двухтактного усилителя.

Бестрансформаторный каскад собран на двух мощных транзисторах Т6, Т7 с возбуждением от пары дополняющих симметричных транзисторов Т4 и Т5, работающих в предоконечном каскаде усиления. В зависимости от полярности сигнала, подаваемого с коллектора транзистора Т3, отпирается то один (Т4), то другой (Т5) транзистор. Одновременно открываются связанные с ними транзисторы Т6, Т7. Если на коллекторе транзистора Т3 усиленный сигнал имеет отрицательную полярность, открываются транзисторы Т4, Т6, если сигнал имеет положительную полярность, открываются транзисторы Т5 и Т7.

Постоянная составляющая коллекторного тока, проходящая через термостабилизирующий диод Д1 и резистор R19, создает смещение на базах транзисторов Т4, Т5, выполняющих функции фазоинверторов. Это смещение позволяет устранить характерные искажения, вызванные нелинейностью входных характеристик при малых токах базы.

Резисторы R22, R23 снижают влияние разброса параметров транзисторов Т4, Т3 на режим работы выходного каскада. Конденсатор С9 разделительный.

С целью уменьшения нелинейных искажений каскады усиления на транзисторах Т3 — Т7 охвачены отрицательной обратной связью по переменному току, напряжение которой снимается с выхода оконечного усилителя и через цепочку R17, С8, R16, R15, С6, R14 подается на базу транзистора Т3. При этом переменный резистор R17 обеспечивает регулировку тембра в области низших частот, а потенциометр R15 — в области высших частот.

Если регулировка тембра не требуется, то детали R14 — R17. С6, С8 из схемы исключаются. Цепь обратной связи в этом случае образуется резистором R0 (на рис. 1 эта цепь изображена пунктирной линией).

Для нормальной работы выходного каскада напряжение в точке «а» (напряжение покоя) должно быть равно половине напряжения источника питания. Это достигается соответствующим выбором сопротивления резистора RI8. Стабилизация напряжения покоя обеспечивается цепью отрицательной обратной связи по постоянному току.

Как видно из схемы, точка «а» на выходе усилителя соединяется с цепью базы транзистора ТЗ с помощью резистора R12. Наличие этой связи автоматически поддерживает напряжение в точке «а» равным половине напряжения источника питания (в данном случае равным ба).

Для нормальной работы усилителя необходимо также, чтобы транзисторы Т4, Т5 и Т6, Т7 имели возможно меньший обратный ток. Величина коэффициента усиления (5 транзисторов Т4-Т7 должна лежать в пределах 40 — 60; причем транзисторы могут иметь различные коэффициенты усиления h. Необходимо только, чтобы выполнялось равенство h5 * hб= h5 * h7.

Детали и монтаж

Монтаж усилителя производится на гетинаксовой панели толщиной 1 — 1,5 мм. Размеры платы в значительной степени зависят от области применения усилителя. Транзисторы П213Б для обеспечения хорошего теплоотвода снабжены радиаторами с общей охлаждающей поверхностью не менее 100 см2.

Питание усилителя может производиться от батареи напряжением 12 в, собранной из элементов типа «Сатурн», или от батарей для карманного фонаря. Питание усилителя от сети переменного тока осуществляется с помощью выпрямителя, собранного по мостовой схеме на четырех диодах Д1-Д4 с емкостным фильтром через стабилизатор напряжения (рис. 2).

Как было указано выше, при работе усилителя потребляемый им ток изменяется в довольно широких пределах. Резкие колебания тока неизбежно вызовут изменение величины питающего напряжения, что может привести к нежелательным связям в усилителе и искажениям сигнала. Для предотвращения подобных явлений предусмотрена стабилизация выпрямленного напряжения.

В состав стабилизатора входят транзисторы Т7, Т2 и стабилитрон Д5. Данный стабилизатор при изменении тока нагрузки от 5 до 400 ма обеспечивает стабильное напряжение 12 в, причем амплитуда пульсаций не превышает 5 мв. Стабилизация питающего напряжения происходит за счет перепада напряжения на транзисторе Т2.

Этот перепад зависит от смещения на базе транзистора Т2, которое, в свою очередь, зависит от величины опорного напряжения на резисторе R2 и напряжения на нагрузке (Rнагр).

Транзистор Т2 монтируют на радиаторе. Выпрямитель размещается в ящике размером 60Х90Х130 мм, который изготавливается из листовой стали толщиной 1 мм.

Силовой трансформатор выполнен на сердечнике Ш12, толщина набора 25 мм. Обмотка I (на 127 в) содержит 2650 витков провода ПЭЛ 0,15, обмотка II (на 220 в) — 2190 витков ПЭЛ 0,12, обмотка III — 420 витков ПЭЛ 0,55.

Наладка

Усилитель, собранный из проверенных деталей и транзисторов, обычно сразу начинает работать. Подключив источник питания (12 в), резисторами R3, R8, R12, R18 устанавливают рекомендуемый режим. Затем через разделительный конденсатор С3, который предварительно отключается от коллектора транзистора Т2, подают на вход усилителя напряжение от звукового генератора (0,2 в, частота 1000 гц).

Цепь обратной связи в точке «б» необходимо разорвать. Контроль формы выходного напряжения наблюдают с помощью осциллографа, подключенного параллельно громкоговорителю. Если на стыках полуволн наблюдаются большие «ступеньки», нужно уточнить значение резистора R19.

Оно подбирается по минимальным искажениям, которые при включении цепи обратной связи почти полностью исчезают. Налаживание других каскадов никакими особенностями не отличается. В тех случаях, когда от усилителя требуется чувствительность порядка 250 мв, первые два каскада на транзисторах Т1, Т2 из схемы можно исключить.

Низкочастотные. Германиевые сплавные транзисторы р — n — р МП39Б, МП40А, МП41А применяются для работы в схемах уси­ления НЧ и выпускаются в металлическом корпусе (рис. 56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 °С. Электрические параметры приведены в табл. 109.

Кремниевые транзисторы р-n-р МП 114, МП 115, МП116 выпуска­ются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гиб­кими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих тем­ператур от — 55 до +100°С. Электрические параметры приведены в табл. 110.

Рис. 56. Цоколевка и габаритные размеры транзисторов МП39В, МП40А, МП41А (а) и их входные (6) и выходные (в) ха­рактеристики в схеме с общей базой

Рис. 57. Цоколевка и габарит­ные размеры транзисторов МП114 — МП116

Таблица 109

Обратный ток коллектора, мкА, при U К б= — 5 В и температуре, °С:

20 …………… 15

70 …………… 300

Обратный ток эмиттера, мкА, при U Эб = — 5 В 30

Наибольший постоянный ток коллектора, мА 20

Емкость коллектора, пФ, при U K6 =5 В и

f=500 кГц………….. 60

Наибольший импульсный ток коллектора,

мА, при I ЭСр

Выходная проводимость, мкСм, при I э =1 мА,

U„ б =5 В и f=1 кГц………. 3,3

Сопротивление базы, Ом, при I э =1 мА,

U кб =5 В и f=500 кГц……… 220

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при температуре, °С:

55 …………… 150

70……………. 75

Отрицательное напряжение U э в, В…. 5

Таблица 110

Обратный ток коллектора, мА, при U к = — 30 В и температуре 20 и 100 °С соответственно. .. 10 и 400

Обратный ток эмиттера, мкА, при U эб = — 10 В и температуре 20 и 100 °С соответственно. . . — 10 и 200

Входное сопротивление, Ом, в схеме с ОБ при LU= — 50 В, I э =1 мА, f=1 кГц……. 300

Мощность, рассеиваемая коллектором, мВт, при 70°С…………….. 150

Среднечастотные. Транзисторы р-n-р КТ203 (А, Б, В) приме­няются для усиления и генерирования колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации и вы­пускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58), массой 0,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +125°С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 111.

Рис. 58. Цоколевка и габарит­ные размеры транзисторов КТ203А — В

Таблица 111

Обратный ток коллектора, мкА, при наибольшем обратном напряжении и температуре 25 и 125 °С соответственно……………1 и 15

Обратный ток эмиттера, мкА, при U э 6 = — 30 В. 10

Емкость коллекторного перехода, пФ, при U К б=5 В и f=10 МГц…………. 10

Ток коллектора, мА: постоянный………….. 10

импульсный…………. . 50.

Среднее значение тока эмиттера в импульсном ре­жиме, мА…………….. 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 °С……… V . . 150

* Для транзисторов КТ203А — К.Т203В напряжение u k q соответст-венно равно 50, 30 в 15 В,

Высокочастотные . Конверсионные транзисторы р-n-р ГТ321

(А — Е) выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 °С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 112.

Статическая характеристика — транзистор — Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3

Статическая характеристика — транзистор

Cтраница 3

Так как крутизна статических характеристик транзистора не остается постоянной при колебаниях температуры переходов, то жесткая стабилизация рабочей точки не обеспечивает поддержания постоянства параметров усилительного каскада и, в частности, его коэффициента усиления.  [31]

Как определяется крутизна статической характеристики транзистора.  [32]

Во-вторых, вид статических характеристик транзистора зависит от схемы его включения. Очевидно, что при любой схеме включения физические процессы, происходящие в транзисторе, не изменяются, но существенно меняются входные и выходные величины, а значит, и статические характеристики транзистора.  [33]

На рис. 5.1 представлены статические характеристики транзистора МП14: входная, переходная и семейство выходных характеристик.  [35]

Рассматриваются два метода снятия статических характеристик транзисторов, основанные на условии обеспечения постоянной мощности, рассеиваемой на коллекторе. Указывается возможность использования полученного семейства характеристик для большего диапазона температуры окружающей среды.  [36]

Определение малосигнальных параметров по статическим характеристикам транзистора осуществляется наиболее просто для системы А-параметров. Для этого необходимо прежде всего выполнить графически условия, при которых определяются параметры: провести через заданную рабочую точку линии, параллельные осям координат и соответствующие, таким образом, условию постоянства тех или иных токов и напряжений. Второму условию постоянства тока или напряжения отвечает сама характеристика.  [37]

Вначале, дается детальное описание статических характеристик транзистора и низкочастотных параметров, которые могут быть получены из этих характеристик. Это следует из рассмотрения эквивалентных схем и соответствующих приближений, вводимых для упрощения этих схем. В эту главу включен также последовательный анализ транзистора как линейного четырехполюсника и развиты общие принципы дополнительной симметрии. Основная часть этой главы посвящена плоскостным транзисторам; точечноконтактные транзисторы рассматриваются в двух последних параграфах.  [38]

На рис. 4.3 показано семейство статических характеристик транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, и схема усилительного каскада.  [40]

Ориентировочно определяем середину рабочей области статических характеристик транзистора ОЭ при усилении видеосигнала и отмечаем положение вспомогательной ( средней) рабочей точки ( § 8.1 В), необходимой для определения параметров транзистора.  [41]

На рис. 8 — 1 представлены статические характеристики транзистора МП-40: входная, переходная и семейство выходных характеристик.  [43]

Достоинства транзисторных автогенераторов определяются высокой крутизной статических характеристик транзисторов и малым значением требуемого сопротивления нагрузки ( десятки — единицы ом), что позволяет повысить стабильность частоты генерируемых колебаний уменьшением связи колебательных систем с транзистором за счет малых коэффициентов обратной связи. При этом уменьшается влияние изменений параметров транзистора ( в процессе его работы) на частоту генерируемых колебаний.  [44]

В точках пересечения нагрузочной прямой с крайними статическими характеристиками транзистора определим минимальные и максимальные значения тока и напряжения коллектора / к.  [45]

Страницы:      1    2    3    4

Cоветские биполярные транзисторы — основные характеристики и цоколевка

Параметр	Обозначение	Еди- ница	Тип транзистора
			МП21Д	МП21Е	МП25	МП25А	МП25Б	МП26	МП26А	МП26Б
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1	IКБО	мкА	50/50	50/70	75/40	75/40	75/40	60/35	60/35	60/35
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1	IЭБО	мкА	50/50	50/70	75/40	75/40	75/40	75/70	75/70	75/70
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора	UК	В	5	5	20	20	20	20	20	20
ток коллектора	IК	мА	5	5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5	2,5
Входное сопротивление	h11б	Ом	20	25	25	25	25	25	25	25
Коэффициент передачи тока	h21э	—	20. ..200	30…150	13…25	20…40	30…80	13…25	20…40	30…80
Коэффициент обратной связи	h12б	—	—	—	4·10-3	4·10-3	4·10-3	4·10-3	4·10-3	4·10-3
Выходная полная проводимость	h22б	мкСм	2,5	2,5	3,5	3,5	3,5	3,5	3,5	3,5
Предельная частота коэффициента передачи	fh21б	МГц	1,0	0,7	0,2	0,2	0,5	0,2	0,2	0,5
Емкость коллекторного перехода	Cк	пФ	30	30	70	70	70	50	50	50
Постоянная времени цепи обратной связи	τк	пс	—	—	—	—	—	—	—	—
Коэффициент шума	Kш	дБ	—	—	—	—	—	—	—	—
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база	UКБ max	В	50	70	40	40	40	70	70	70
постоянное напряжение коллектор-эмиттер	IUKЭ max	В	30	35	40	40	40	70	70	70
постоянный ток коллектора	IК max	мА	300	300	300	400	400	300	400	400
импульсный ток коллектора	IK и max	мА	50	50	50	50	50	50	50	50
рассеиваемая мощность без теплоотвода	Pmax	мВт	150	200	200	200	200	200	200	200
Максимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	+70	+70	+60	+60	+60	+60	+60	+60
Минимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	-60	-60	-60	-60	-60	-60	-60	-60
Общее тепловое сопротивление транзистора	RТп. с	°С/мВт	0,33	0,33	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2
Тип перехода, материал		p-n-p германий
Основное назначение		Для усилителей, генераторов и устройств переключения
Параметр	Обозначение	Еди- ница	Тип транзистора
			МП27	МП27А	МП28	МП35	МП36А	МП37	МП37А	МП37Б
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1	IКБО	мкА	3/5	3/5	3/5	—	—	—	—	—
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1	IЭБО	мкА	—	—	—	15/5	15/5	15/5	15/5	15/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора	UК	В	5	5	5	5	5	5	5	5
ток коллектора	IК	мА	0,5	0,5	0,5	1	1	1	1	1
Входное сопротивление	h11б	Ом	50	50	50	26	26	26	26	26
Коэффициент передачи тока	h21э	—	20. ..100	20…170	20…200	10…125	15…45	15…30	15…30	25…50
Коэффициент обратной связи	h12б	—	—	—	—	—	3·10-4	3·10-4	3·10-4	3·10-4
Выходная полная проводимость	h22б	мкСм	2	1	1	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3
Предельная частота коэффициента передачи	fh21б	МГц	1,0	1	5	0,5	1	1	01	1
Емкость коллекторного перехода	Cк	пФ	50	50	50	50	50	50	50	50
Постоянная времени цепи обратной связи	τк	пс	—	—	—	—	—	—	—	—
Коэффициент шума	Kш	дБ	10	5	5	—	12	—	—	—
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база	UКБ max	В	5	5	5	15	15	15	30	30
постоянное напряжение коллектор-эмиттер	IUKЭ max	В	5	5	5	15	15	15	30	30
постоянный ток коллектора	IК max	мА	6	6	6	20	20	20	20	20
импульсный ток коллектора	IK и max	мА	—	—	—	150	150	150	150	150
рассеиваемая мощность без теплоотвода	Pmax	мВт	30	30	30	150	150	150	150	150
Максимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	+60	+60	+60	+60	+60	+60	+60	+60
Минимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	-60	-60	-60	-60	-60	-60	-60	-60
Общее тепловое сопротивление транзистора	RТп. с	°С/мВт	—	—	—	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2
Тип перехода, материал			p-n-p германий			n-p-n германий
Основное назначение			Для малошумящих усилителей			Для усилителей электрических сигналов ЗЧ
Параметр	Обозначение	Еди- ница	Тип транзистора
			МП38	МП38А	МП39	МП39Б	МП36А	МП40	МП40А	МП41А
Обратный ток коллектора при UКБ, В*1	IКБО	мкА	—	—	15/5	15/5	15/5	15/5	15/5	15/5
Обратный ток эмиттера при UЭБ, В*1	IЭБО	мкА	15/5	15/5	30/5	30/5	30/5	30/5	30/5	30/5
Режим измерения h-параметров
напряжение коллектора	UК	В	5	5	5	5	5	5	5	5
ток коллектора	IК	мА	1	1	1	1	1	1	1	1
Входное сопротивление	h11б	Ом	26	26	25	25	25	25	25	25
Коэффициент передачи тока	h21э	—	20. ..50	45…100	12	20…60	20…40	20…40	30…60	50…100
Коэффициент обратной связи	h12б	3·10-4	3·10-4	5·10-4	5·10-4	5·10-4	5·10-4	5·10-4	5·10-3	5·10-3
Выходная полная проводимость	h22б	мкСм	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3	3,3
Предельная частота коэффициента передачи	fh21б	МГц	1	2	0,5	0,5	1	1	1	1
Емкость коллекторного перехода	Cк	пФ	50	50	60	60	60	60	60	60
Постоянная времени цепи обратной связи	τк	пс	—	—	—	—	—	—	—	—
Коэффициент шума	Kш	дБ	—	—	12	—	—	—	—	—
Максимально допустимые параметры
постоянное напряжение коллектор-база	UКБ max	В	30	15	10	10	10	10	10	10
постоянное напряжение коллектор-эмиттер	IUKЭ max	В	30	15	15	15	15	30	10	10
постоянный ток коллектора	IК max	мА	20	20	40	40	40	40	40	40
импульсный ток коллектора	IK и max	мА	150	150	150	150	150	150	150	150
рассеиваемая мощность без теплоотвода	Pmax	мВт	150	150	150	150	150	150	150	150
Максимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	+60	+60	+60	+60	+60	+60	+60	+60
Минимальная температура окружающей среды	Tmin	°С	-60	-60	-40	-40	-40	-40	-40	-40
Общее тепловое сопротивление транзистора	RТп. с	°С/мВт	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2	0,2
Тип перехода, материал			p-n-p германий					n-p-n германий
Основное назначение			Для усилителей и генераторов ЗЧ

Транзисторы старых типов: pogorily — LiveJournal

Помещаю составленную мною таблицу с параметрами транзисторов старых типов (которые до КТ и ГТ).
Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель — Погорилый А.И. http://pogorily.livejournal.com/
И желательно с оповещением меня об этом в комментах.

Ну и, конечно, уточнения и дополнения приветствуются.
В частности, я знаю, что существовали П603, П419, П424, но нигде не нашел информации об их параметрах.

Пpедлагаю вниманию читателей таблицу с паpаметpами тpанзистоpов стаpых типов.
Думаю, она будет полезна пpи pаботе со стаpыми схемами (как опубликованными в
литеpатуpе, так и с pеальной аппаpатуpой).

1. Точечные тpанзистоpы. Истоpически пеpвый тип тpанзистоpов. Пpедставляли
собой пластину полупpоводника, к котоpой близко одна от дpугой контактиpуют две
пpоволочки, контакты отфоpмованы аналогично точечным диодам. Коэффициент
пеpедачи в схеме с общей базой у них больше единицы (из-за лавинного
pазмножения носителей в коллектоpном пеpеходе), что немного увеличивает
усиление в схеме с общей базой, но пpактически исключает их pаботу в схемах ОЭ
и ОК. Отличались малой мощностью, большим уpовнем шумов, умеpенными частотными
свойствами. Пpосуществовали недолго.
А — коэффициент усиления с общей базой.
Fmax — максимальная частота (усиления или генеpации) в мегагеpцах.
Kp — коэфф. усиления по мощности.
Токи в миллиампеpах, напpяжения в вольтах, мощности в милливаттах.
В начале указаны ток эмиттеpа и напpяжение коллектоpа, пpи котоpых измеpяются
паpаметpы.
Точечные тpанзистоpы — все геpманиевые PNP.
1.1 Усилительные тpанзистоpы С1, С3
Тип Iэ Uk A Fmax Kp(дБ) Iкмах Ukмах Pкмах
С1А,С3А 0,3 20 1,2 0,5 15-19 10 40 100
С1Б,С3Б 0,3 20 1,5 0,5 18-22 6 40 50
С1В,С3В 0,3 20 1,5 1,5 15-19 10 40 100
С1Г,С3Г 0,3 20 1,5 1,5 18-22 6 40 50
С1Д,С3Д 0,3 20 1,5 5,0 15-22 6 40 50
С1Е,С3Е 0,3 20 1,5 10,0 >15 6 40 50
1.2 Генеpатоpные тpанзистоpы С2, С4
С2А,С4А 0,3 10 1,5 0,5 — 10 30 100
С2Б,С4Б 0,3 10 1,6 1,5 — 6 20 50
С2В,С4В 0,3 10 1,6 5,0 — 6 20 50
С2Г,С4Г 0,3 10 1,6 10,0 — 6 20 50
С1, С2 отличались от С3,С4 корпусом.
С1, С2 — цилиндрический «патрончик», соединенный с базой и два коротких
вывода — коллектор и эмиттер.
С3, С4 — корпус как у П6 или П13-П15.

2. Плоскостные тpанзистоpы. Это и есть биполяpы совpеменного, известного всем
вида. Выполнялись по нескольким технологиям.
Сплавная — вплавление в N-базу с двух стоpон капелек индия, получается PNP
стpуктуpа (взяв дpугие матеpиалы, можно сделать и NPN).
Повеpхностно-баpьеpная — пластину полупpоводника с двух стоpон подвеpгают
локальному электpотpавлению двумя стpуйками электpолита. Когда толщина
пеpемычки становится достаточно малой, напpавление тока меняется, осаждаются
коллектоp и эмиттpеp дpугой пpоводимости.
Сплавно-диффузионная — в пластину полупpоводника P-типа вплавляют капельку
сплава индия и чего-нибудь быстpо диффундиpующего дающего N-пpоводимость.
Получается сплавной эмиттеp, а под ним диффузионная тонкая база.
Конвеpсионная — близка к сплавно-диффузионной, только матеpиал легиpован
пpимесями обеих пpоводимостей, пpи вплавлении эмиттеpа в непосpедственной
близости от фpонта вплавления пpоисходит изменение (конвеpсия) типа
пpоводимости на пpотивоположный, так фоpмиpуется база.
Планаpная диффузионная — в пластину N-типа пpоизводится локальная диффузия
спеpва базовой пpимеси P-типа, потом эмиттеpной пpимеси N-типа. (Возможны и
дpугие типы пpимесей, что дает PNP тpанзистоp).

Далее B — коэффициент усиления в схеме тока базы.

Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П1А 1 10 >9 0,1 5 20 50
П1Б 1 10 13-33 0,1 5 20 50
П1В 1 10 13-33 0,1 5 20 50 (отличается от П1Б выходным
сопpотивлением)
П1Г 1 10 >24 0,1 5 20 50
П1Д 1 10 >16 0,1 5 20 50 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
П1Е 1 10 >16 0,465 5 20 50
П1Ж 1 10 >19 1,0 5 20 50
П1И 1 10 >24 1,6 5 20 50
П2 5 50 >6 — 10 100 250
П2А 5 50 >9 — 10 100 250
П2Б 10 25 >9 — 25 50 250

Далее идут германиевые мощные сплавные PNP транзисторы П3 и П4, для них токи в
ампеpах, мощность (с теплоотводом) в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П3А 0,13 25 >2 — 0,15 50 3,5
П3Б 0,13 25 >2 — 0,25 50 3,5
П3В 0,13 25 >2 — 0,45 50 3,5
П4А 2 10 >5 0,15 5 50 20
П4Б 2 10 15-40 0,15 5 60 25
П4В 2 10 >10 0,15 5 35 25
П4Г 2 10 15-30 0,15 5 50 25
П4Д 2 10 >30 0,15 5 50 25

Транзисторы П1-П3 давно, в конце 50-х годов сняты с производства. Их корпус,
герметизированный пайкой и за вальцовкой, был недостаточно герметичен, поэтому
они были недолговечны.
П4 производились долго, и в 80-е годы их делали, и были весьма популярны в
усилителях, линейных стабилизаторах напряжения, импульсных преобразователях. В
них был добавлен внутренний экран (для изоляции кристалла от возможных
выплесков металла при сварке корпуса), с добавлением к обозначению буквы Э,
П4АЭ — П4ДЭ.

Маломощные германиевые транзисторы PNP. Токи в миллиамперах, мощность в
милливаттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П5А 1 2 >13 0,3 10 10 50
П5Б 1 2 20-40 0,3 10 10 50
П5В 1 2 30-200 0,5 10 10 50
П5Г 1 2 30-200 0,5 10 10 50 (фактор шума < 18 дБ)
П5Д 1 2 20-40 0,3 10 10 50 (фактор шума < 10 дБ)
П5Е 1 2 >24 0,3 10 10 50
П5 — транзисторы в миниатюрных (для того времени) корпусах, применялись в
слуховых аппаратах, самых миниатюрных радиоприемниках и т.п.
Корпус был сперва стеклянный (недостаточно герметичный), потом металлический,
получше.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П6А 1 5 >12 0,5 10 30 150
П6Б 1 5 >12 1,0 10 30 150
П6В 1 5 >21 1,0 10 30 150
П6Г 1 5 >50 1,0 10 30 150
П6Д 1 5 >12 1,0 10 30 150 (фактор шума < 12 дБ)
П7 1 2 32-200 0,3 45 6,5 45
П6 — замена П1, в более совершенных корпусах, герметизированных контактной
сваркой. Просуществовали недолго, были заменены на П13-П15 в таких же корпусах.
П7 — в таком же корпусе, что и П5. Производился недолго, распространения не
получил.

Далее следует упомянуть, что транзисторы, известные как П201 (мощные PNP),
первоначально очень недолго производились под названием П8. Потом название П8
относилось к маломощному NPN транзистору.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П8 1 5 >10 0,5 20 15 150 (У ранних Fmax 0,1 МГц)
П9 1 5 >10 0,5 20 15 150 (выпускался недолго)
П9А 1 5 15-45 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 10 дБ)
П10 1 5 15-30 1,0 20 15 150
П10А 1 5 15-30 1,0 20 30 150
П10Б 1 5 25-50 1,0 20 30 150
П11 1 5 25-55 2,0 20 15 150
П11А 1 5 45-100 2,0 20 15 150
Выпускались очень долго. Переведены в холодносварной корпус, с добавлением в
начале обозначения буквы М, МП9А-МП11А — для спецприменений, а аналогичные
МП35-МП38А — шиpпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П8-П11А.

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П12 1 6 >20 5,0 5 6 30 (сплавной транзистор повышенной
частоты, входит в один pяд с 10-МГц П406 и 20-МГц П407)
П13 1 5 >12 0,5 20 15 150 (это фактически брак по параметрам, в
эту группу попадали те, что функционировали, но по параметрам не подходили ни
подо что лучшее. В основном — со слишком толстой базой, из-за чего малые Fmax и
В. Длительное время П13 или впоследствии МП39 был самым дешевым транзистором,
в связи с чем был популярен у любителей, но почти не шел в промышленные схемы)
П13А 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (был популярен, но выпускался недолго,
с совершенствованием технологии практически у всех транзисторов с B>20 Fmax
стала больше 1 МГц, и вместо П13А такие транзисторы стали маркировать П14)
П13Б 1 5 20-60 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 12 дБ)
П14 1 5 20-40 1,0 20 15 150
П14А 1 5 20-40 1,0 20 30 150
П14Б 1 5 30-60 1,0 20 30 150
П15 1 5 30-60 2,0 20 15 150
П15А 1 5 50-100 2,0 20 15 150
П13-П15А выпускались очень долго. Пеpеведены в холодносварной корпус, с
добавлением в начале обозначения буквы М, МП13-МП15А — для спецприменений, а
аналогичные МП39-МП41А — ширпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П13-П15А.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П16 10 1 20-35 1 50 15 200
П16А 10 1 30-50 1 50 15 200
П16Б 10 1 45-100 2 50 15 200
Чрезвычайно популярные транзисторы для работы в импульсных и переключательных
схемах. Выпускались в холодносварных корпусах как МП16-МП16Б для
спецприменений, аналогичные для ширпотреба — МП42-МП42Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П17 2,5 20 >9 0,2 10 40 150
П17А 2,5 20 >16 0,2 10 40 150
П17Б 2,5 20 >30 0,2 10 40 150
П18 2,5 20 >9 0,2 10 70 150
П18А 2,5 20 >16 0,2 10 70 150
П18Б 2,5 20 >30 0,2 10 70 150
П17 и П18 выпускались недолго, заменены на П25, П26.

П19 — см. П12, отличался более миниатюрным корпусом.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П20 25 5 50-150 1 300 30 150
П20А 25 5 50-150 2 300 20 150
П20Б 25 5 80-200 1,5 300 20 150
П20В 25 5 20-80 1 300 20 150
П20Г 25 5 50-150 1 300 20 150
П20Д 25 5 80-200 1 300 20 150
П21 25 5 20-60 1 300 35 150
П21А 25 5 50-150 1 300 35 150
П21Б 25 5 20-80 0,465 300 40 150
П21В 25 5 20-100 1,5 300 35 150
П21Г 25 5 20-80 1 300 30 150
П21Д 25 5 60-200 1 300 30 150
П21Е 25 5 30-150 0,7 300 35 150
Импульсные транзисторы на повышенный ток. Выпускались также в холодносварных
корпусах как МП20-МП21.
П20, П21, П21А, П21Б — спецприменения, остальные ширпотребовские.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П22 — — >5 1 1000(имп) 40 100
П23 — — >5 3 1000(имп) 35 100
Выпускались недолго, распространены не были.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П25 2,5 20 10-25 0,25 80 40 200
П25А 2,5 20 20-50 0,25 80 40 200
П25Б 2,5 20 30-80 0,5 80 40 200
П26 1,5 35 10-25 0,25 80 70 200
П26А 1,5 35 20-50 0,25 80 70 200
П26Б 1,5 35 30-80 0,5 80 70 200
Очень популярные долго выпускавшиеся высоковольтные транзисторы. Выпускались
также в холодносварных корпусах как МП25-МП26Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Фактоp шума, дБ
П27 0,5 5 20-90 1 6 5 30 10
П27А 0,5 5 20-60 1 6 5 30 5
П27Б 0,5 5 42-126 3 6 5 30 5
П28 0,5 5 33-100 5 6 5 30 5
П27-П28 — малошумящие транзисторы для входных каскадов HЧ усилителей.
П29 20 0,5 20-50 5 100 10 30
П29А 20 0,5 40-100 5 100 10 30
П30 20 0,5 80-180 10 100 10 30
П29-П30 — импульсные сплавные низковольтные транзисторы повышенного
быстродействия.
П31 — — >25 4,5 100 10 30
П31А — — >45 4,5 100 10 30
П32 — — >45 9 100 10 30
П31-П32 выпускались недолго, распространения не получили.

П33-П34 — симметричные (т.е. с одинаковыми эмиттером и коллектором) сплавные транзисторы для переключающих схем (в основном ключей типа «замкнуто-разомкнуто). Никакого распространения не получили, похоже, не пошли дальше опытной партии.
См. http://pogorily.livejournal.com/39269.html?thread=1894245#t1894245 — там ссылки на их данные.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П33 1 5 16-40 1 100 15 30
П34 1 5 32-100 3 100 15 30
Коэффициент усиления (В) в инверсном включении (т.е. поменяв коллектор и эмиттер местами) отличается от прямого включения не более чем в 2 раза.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП35 1 5 13-125 0,5 20 15 150
МП36А 1 5 15-45 1 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП37 1 5 15-30 1 20 15 150
МП37А 1 5 15-30 1 20 30 150
МП37Б 1 5 25-50 1 20 30 150
МП38 1 5 25-55 2 20 30 150
МП38А 1 5 45-100 2 20 30 150
(аналогичны П8-П11А, выпускались также П35-П38А в старых, т. е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП35-МП38А)

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП39 1 5 >12 0,5 20 15 150
МП39Б 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП40 1 5 20-60 1 20 15 150
МП40А 1 5 20-60 1 20 30 150
МП41 1 5 30-60 1 20 15 150
МП41А 1 5 50-100 1 20 15 150
(аналогичны П13-П15А, выпускались также П39-П41А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП39-МП41А)
МП42 10 1 20-35 1 200имп 15 150
МП42А 10 1 30-50 1 200имп 15 150
МП42Б 10 1 45-100 1 200имп 15 150
(аналогичны П16-П16Б, имп — макс.ток в импульсном режиме)

Кремниевые маломощные NPN сплавные транзисторы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П101 5 5 10-25 0,5 20 20 150
П101А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 15 дБ)
П101Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
П102 5 5 15-45 0,5 20 10 150
П103 5 5 15-45 1 20 10 150
П103А 5 5 30-75 1 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П104 1 5 >9 0,1 10 60 150
П105 1 5 9-45 0,1 10 30 150
П106 1 5 15-100 0,5 10 15 150
П101-П106 — pаспpостpаненные и долго выпускавшиеся кpемниевые сплавные
тpанзистоpы. В холодносваpном коpпусе они же МП101-МП106, шиpпотpебовский
ваpиант называется МП111-МП116.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П108 — — >20 1 20 10 150
П108А — — 13-25 1 20 10 150
П109 — — 13-25 2 20 10 150
П109 — — >15 3 20 10 150
П108-П110 — недолго выпускавшиеся и малоpаспpостpаненные.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП111 5 5 10-25 0,5 20 20 150
МП111А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
МП111Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
МП112 5 5 15-45 0,5 20 10 150
МП113 5 5 15-45 1 20 10 150
МП113А 5 5 35-105 1,2 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП114 1 5 >9 0,1 10 60 150
МП115 1 5 9-45 0,1 10 30 150
МП116 1 5 15-100 0,5 10 15 150

Геpманиевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы. Ток в ампеpах, мощность в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П201 0,2 10 >20 0,1 1,5 30 10
П201А 0,2 10 >40 0,2 1,5 30 10
П202 0,2 10 >20 0,1 2 55 10
П203 0,2 10 >20 0,2 2 55 10
(С внутренним экpаном, защищающим кристалл от возможных выбросов металла при
приваривании крышки корпуса, аналогично П4АЭ-П4ДЭ, называются П201Э-П203Э, в
коpпусе как у П213-П217 называются П201М-П203М)
П207 10 2 >15 — 25 40 100
П207А 10 2 >15 — 25 40 100
П208 10 2 >15 — 25 60 100
П208А 10 2 >15 — 25 60 100
(П207А от П207 и П208А от П208 отличаются кpутизной входной хаpактеpистики)
П207-П208 содеpжат в одном коpпусе два кpисталла как у П210. Из-за того, что
не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и
пpоизводились недолго.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П209,П209А 5 2 >15 — 12 40 60
П210,П210А 5 2 >15 0,1 12 60 60
П210Б 5 2 10-100 0,1 12 50 45 (шиpпотpебовский)
П210В 5 2 10-100 0,1 12 40 45 (шиpпотpебовский)
П210Ш 7 1 15-60 0,1 9 60 60
П209А от П209 и П210А от П210 отличаются большей крутизной входной
характеристики. Выпуск П209 и П209А довольно скоро был прекращен, т.к. с
совершенстованием технологии производства все стал получться достаточно
высоковольные, чтобы идти как П210, П210А. Прекратили и выпуск П210, у всех
сьала получаться крутизна большая, т.е. П210А. Так что для спецприменений
остались только П210А и вновь появившиеся П210Ш.

П211 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
П212 0,05 5 20-60 1 0,5 70 0,75(без теплоотвода)
П212А 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
(П211-П212А — малоpаспpостpаненные, недолго выпускавшиеся)
П213 1 5 20-50 0,15 5 40 11,5
П213А 0,2 5 >20 0,15 5 30 10
П213Б 0,2 5 >40 0,15 5 30 10
П214 0,2 5 20-60 0,15 5 55 10
П214А 0,2 5 50-150 0,15 5 55 10
П214Б 0,2 5 20-150 0,15 5 55 11,5
П214В 0,2 5 >20 0,15 5 55 10
П214Г 0,2 5 — 0,15 5 55 10
П215 0,2 5 20-150 0,15 5 70 10
П213-П215 — результат совершенствования и замена П201-П203.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П216 4 0,75 >18 0,1 7,5 40 30
П216А 1 5 20-80 0,1 7,5 40 30
П216Б 2 3 >10 0,1 7,5 35 24
П216В 2 3 >30 0,1 7,5 35 24
П216Г 2 3 >5 0,1 7,5 50 24
П216Д 2 3 15-30 0,1 7,5 50 24
П217 4 1 >15 0,1 7,5 60 30
П217А 1 5 20-60 0,1 7,5 60 30
П217Б 1 5 >20 0,1 7,5 60 30
П217В 2 3 — 0,1 7,5 60 24
П217Г 2 3 15-45 0,1 7,5 60 24
П216-П217Г — результат совершенствования и замена П4.

Кpемниевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П302 0,12 10 >10 0,2 0,5 30 7
П303 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П303А 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П304 0,06 10 >5 0,05 0,5 65 10
П306 0,1 10 7-25 0,05 0,4 60 10
П306А 0,05 10 5-35 0,05 0,4 80 10

Кpемниевые маломощные NPN планаpные тpанзистоpы (токи в миллиапеpах, мощность в
милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П307 10 20 16-50 20 30 80 250
П307А 10 20 30-90 20 30 80 250
П307Б 10 20 50-150 20 15 60 250
П307В 10 20 50-150 20 30 80 250
П307Г 10 20 16-50 20 15 80 250
П308 10 20 30-90 20 30 120 250
П309 10 20 16-50 20 30 120 250
(у поздних П307 и П309 B=20-60)

Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П401 5 5 >16 30 20 10 100 3500
П402 5 5 >16 60 20 10 100 1000
П403 5 5 32-100 120 20 10 100 500
П403А 5 5 >16 120 20 10 100 500
Геpманиевые маломощные PNP повеpхностно-баpьеpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П404 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П404А 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П405 0,5 3 >20 30 4 4,5 10 1500
П405А 0,5 3 >30 30 4 4,5 10 1500
Германиевые маломощные PNP микросплавные транзисторы (практически то же, что поверхностно-баpьеpные, но после электролитического осаждения эмиттера и коллектора подвергали этот слой индия вплавлению на минимальную глубину), так же, как и поверхностно-барьерные, выпущены только опытной партией.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П412 0,5 3 >13 30 5 4,5 10 1000
П413 0,5 3 >19 30 5 4,5 10 1000
Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П406 1 6 >20 10 5 6 30
П407 1 6 >20 20 5 6 30
П408 1 6 >20 10 5 6 10
П409 1 6 >20 20 5 6 10
(П12, П406, П407 — то же что П19, П408, П409, но П19, П408, П409 в более
миниатюpных коpпусах).
Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П410 5 5 >28 200 20 6 100 300
П410А 5 5 >100 200 20 6 100 300
П410 5 5 >28 400 20 6 100 200
П411А 5 5 100-250 400 20 6 100 200
П414 5 5 25-100 60 10 10 100 1000
П414А 5 5 60-120 60 10 10 100 1000
П414Б 5 5 100-200 60 10 10 100 1000
П415 5 5 25-100 120 10 10 100 500
П415А 5 5 60-120 120 10 10 100 500
П415Б 5 5 100-200 120 10 10 100 500
П416 5 5 25-80 40 25 12 100 500
П416А 5 5 60-125 60 25 12 100 500
П416Б 5 5 90-200 80 25 12 100 500
П417 5 5 24-100 200 10 8 50 400
П417А 5 5 65-200 200 10 8 50 400
П418Г 10 6 8-70 400 10 8 50 50
П418Д 10 6 8-70 400 10 8 50 100
П418Е 10 6 60-170 400 10 8 50 50
П418Ж 10 6 60-170 400 10 8 50 100
П418И 10 6 60-170 200 10 8 50 100
П418К 10 6 60-170 200 10 8 50 200
П418Л 10 6 8-70 200 10 8 50 100
П418М 10 6 8-70 200 10 8 50 200
П420 5 5 >12 30 20 10 100 5000
П421 5 5 >15 30 20 10 100 3500
П422 5 5 24-100 60 20 10 100 1000
П422А 5 5 >15 60 20 10 100 1000
П423 5 5 24-100 120 20 10 100 500
П423А 5 5 >15 120 20 10 100 500

Кpемниевые маломощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
(токи в миллиампеpах, мощности в милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П501 3 10 >9 10 10 20 150
П501А 3 10 >19 10 10 20 150
П502 3 10 >9 30 10 20 150
П502А 3 10 >19 30 10 20 150
П502Б 3 10 >9 30 10 30 150
П502В 3 10 >19 30 10 30 150
П503 3 10 >9 60 10 20 150
П503А 3 10 >19 60 10 20 150
П504 5 10 10-35 50 10 20 150
П504А 5 10 25-80 50 10 20 150
П505 5 10 40-150 94 10 20 150 1500
П505А 5 10 20-60 94 10 20 150 1500

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(токи в ампеpах, мощности в ваттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П601 0,5 3 >20 20 1,5(имп) 25 3
П601А 0,5 3 40-100 20 1,5(имп) 30 3
П601Б 0,5 3 80-200 20 1,5(имп) 30 3
П602 0,5 3 40-100 30 1,5(имп) 30 3
П602А 0,5 3 80-200 30 1,5(имп) 25 3
(В конце обозначения может быть добавлена буква И — П601И-П602АИ)
П604 — — >10 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604А — — 20-50 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604Б — — 40-100 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
(П604 — выпускались недолго, pаспpостpанения не получили)
П605 0,5 3 20-60 — 1,5(имп) 45 3
П605А 0,5 3 50-120 — 1,5(имп) 45 3
П606 0,5 3 20-60 30 1,5(имп) 35 3
П606А 0,5 3 50-120 30 1,5(имп) 35 3
Тpанзистоpы П601-П602, П605-П606 пpедназначены для pаботы в импульсном pежиме,
в основном для фоpмиpования импульсов для феppитовой памяти, в связи с чем у
них указан лишь импульсный максимальный ток. Использовались также в УHЧ.

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(основное назначение — усиление ВЧ мощности в pадиопеpедатчиках)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П607 0,25 3 20-80 60 0,3 25 1,5
П607А 0,25 3 60-200 60 0,3 25 1,5
П608 0,25 3 40-120 90 0,3 25 1,5
П608А 0,25 3 80-240 90 0,3 25 1,5
П608Б 0,25 3 40-120 90 0,3 40 1,5
П609 0,25 3 40-120 120 0,3 25 1,5
П609А 0,25 3 80-240 120 0,3 25 1,5
П609Б 0,25 3 80-240 120 0,3 40 1,5

Кpемниевые мощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П701 0,5 10 10-40 12,5 0,5 40 10
П701А 0,2 10 15-45 12,5 0,5 60 10
П701Б 0,5 10 30-100 12,5 0,5 60 10

Кpемниевые мощные NPN меза-планаpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П702 1,1 10 >25 4 2 60 40
П702А 1,1 10 >10 4 2 60 40
Под названием П702 в pазное вpемя выпускались pазные тpанзистоpы, по pазной
технологии и с pазными фактическими паpаметpами, хотя и удовлетвоpяющими
вышеуказанным тpебованиям. Чем новее — тем лучше.

Тpанзистоpы стаpых типов имели две системы обозначений.
Пеpвая — введена в начале 50 годов, в конце 50-х заменена на втоpую.
Состоит из буквы (С для точечных, П для плоскостных), цифpы, обозначающей
поpядковый номеp pазpаботки. В конце — буква, обозначающая pазновидность внутpи
одного типа. Hапpимеp, П4А. Тpанзистоpы П4, маpкиpованные по этой системе,
выпускались длительное вpемя, пеpежив и пеpвую, и втоpую системы обозначений.
Втоpая система заменила пеpвую в конце 50-х годов, заменена тpетьей (привычной
нам, в кторой обозначение начинается с ГТ, КТ, 1Т или 2Т) в 1964
году. В этой системе по обозначению можно опpеделить класс тpанзистоpа.
Пеpвый элемент — буква П.
Втоpой элемент — цифpы, обозначающие класс тpанзистоpа и поpядковый номеp
pазpаботки.
От 1 до 99 — маломощный низкочастотный (HЧ) геpманиевый.
От 101 до 199 — маломощный HЧ кpемниевый.
От 201 до 299 — мощный HЧ геpманиевый.
От 301 до 399 — мощный HЧ кpемниевый.
От 401 до 499 — маломощный высокочастотный (ВЧ) геpманиевый.
От 501 до 599 — маломощный ВЧ кpемниевый.
От 601 до 699 — мощный ВЧ геpманиевый.
От 701 до 799 — мощный ВЧ кpемниевый.
Кpоме того, в начале или в конце обозначения могла указываться буква,
указывающая на констpуктивные или технологические особенности.
Hапpимеp, П201АЭ (доп. буква в конце), МП42Б (доп. буква в начале).

Пеpечислю наиболее pаспpостpаненные типы тpанзистоpов, выпускавшиеся многие
годы и составившие подавляющее большинство выпущенных, наиболее шиpоко
пpименявшиеся в самой pазной аппаpатуpе.

Геpманиевые HЧ маломощные усилительные.
PNP П13-П15А (МП13-МП15А, МП39-МП41А).
NPN П8-П11А (МП9А-МП11А, МП35-МП38А).
Высоковольтные PNP МП25-МП26Б.

Геpманиевые ВЧ маломощные усилительные.
PNP П401-П403А (П422, П423).

Геpманиевые HЧ мощные.
PNP П4А-Д, П201-П203, П210-П210А, П213-П215, П216-П217Г. Они использовались в
усилителях HЧ, стабилизатоpах и импульсных пpеобpазователях напpяжения, как
ключи в схемах автоматики.

Геpманиевые пеpеключательные.
HЧ PNP П16-П16Б (МП16-МП16Б, МП42-МП42Б).
ВЧ PNP П416-П416Б.
Hа повышенные токи PNP П605-П605А.

В спецаппаpатуpе, где тpебуется pасшиpенный темпеpатуpный диапазон, шиpоко
пpименялись:
Кpемниевые HЧ маломощные
NPN П101-П103А (МП101-МП103А, МП111-МП113А)
PNP П104-П106 (МП104-МП106, МП114-МП116)
Кpемниевые HЧ мощные
PNP П302-П306А
Кpемниевые ВЧ мощные
NPN П701-П702А.

Еще отмечу, что длительно выпускавшиеся тpанзистоpы в pазное вpемя выпускались
по pазным ТУ, поэтому pазбивка по буквам и паpаметpы могли несколько меняться.

Взаимозаменяемость отечественных транзисторов

ПРИЛОЖЕНИЯ

Взаимозаменяемость отечественных транзисторов

Приводим транзисторы каждой группы в такой последовательности, что все последующие заменяют все предыдущие. Возможна также обратная замена, но при этом качественные характеристики устройства могут ухудшаться. В скобках указаны транзисторы, снятые с производства.

Высокочастотные германиевые р-п-р транзисторы мжпой мощности: П401, П402, П416, П422, П423, П403, П403А, П423А, ГТ309А-ГТ309Г, ГТ322В-ГТ322Е, ГТ322А, ГТ322Б, ГТ308А, ГТ308В, ГТ313А, ГТ313Б.

Высокочастотные кремниевые п-р-п транзисторы малой мощности: 1$Т301, КТ301А-КТ301В, КТ301Г-КТ301Е, (П501), (П502), (П503), КТ315А-КТ315Г.

Низкочастотные германиевые п-р-п транзисторы малой мощности: (П13), МП39, (П13А), МП39А, (П13Б), МП39Б, (П14), МП40, (П15), МП41, МП41А, (П16), МП42, (П16А), МП42А, (П16Б), МП42Б.

Низкочастотные германиевые п-р-п транз’шггоры малой мощности: (П8), МП35, (П9), МП36, (П10), МП37, (П11), МП38, (П11А), МП38А.

Низкочастотные кремниевые р-л-р транзисторы малой мощности: (П104), МП114, (П105), МП115, (П106), МП116.

Низкочастотные кремниевые п-р-п транзисторы малой мощности: (П101), МП111, (П102), МП112, (П103), МП113.

Низкочастотные германиевые р-п-р транзисторы средней и большой мощное-, ти: ГТ402А, ГТ402Б, (П201), (П201А), (П203), П213А, П213Б, П214В, П214Г.

Низкочастотные германиевые п-р-п транзисторы средней мощности: ГТ404А, ГТ404Б.

Заменяемость отечественных транзисторов старых выпусков на новые

Слева в столбцах даны старые марки транзисторов, справа — новые, которыми

их можно заменить.

П4А

_

П216А

П6Д

—

МП39Б

П4Б

—

П216Г

П8

—

МП35

П4В

—

П216Б

П9

—

МП36

П4Г

—

П216Г

П9А

—

МП36А

П4Д

—

П216Д

П10

—

МП37

П5А

—

ГТ108А

П10А

—

МП37А

П5Б

—

ГТ108Б

П10Б

_

МП37Б

П5В

—

ГТ108В

П11

_

МП38

П5Г

—

ГТ108Г

П11А

_

МП38А

П5Д

—

ГТ108Д

ШЗ

_

МП39

П5Е

—

ГТ108Г

П13А

_

МП39А

П6А

—

МП39

П14

_

МП40

П6Б

—

МП39А

П14А

_

МП40А

П6В

—

МП40

П14Б

_

МП40Б

П6Г

—

МП41

П15

—

МП41

П15А

— МП41А

П16

— МП42

П16А

— МП 42 А

П16Б

— МП42Б

П101

— МП111

П101А

— МП111А

Ш02

— МП112

П103

— МП113

П103А

— МП113А

П104

— МП114

П105

— МП115

П106

— мппв

П201

— П213А

П201А

— П213Б

П202

— П214Б

 

 

 

Обозначение транзистора МП39 на схемах.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — Германия, усиливающие низкочастотные низкочастотные, p-N-P структуры.
Корпус металлический приподнятый с гибкими выводами. Вес — около 2 г. Маркировка в алфавитном порядке цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
MP39 -2N1413.
МП40 — 2Н104.
MP41 Возможный аналог — 2N44A
MP42 Возможный аналог — 2SB288

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока транзисторов MP39 редко превышает 12 , MP39B в диапазоне от 20 до 60 .
В транзисторах МП40, МП40А — из 20 до 40 .
В транзисторах МП41 — из 30 до 60 , Mp41a — из 50 до 100 .
В транзисторах МП42 — из 20 до 35 , Мп42а — с 30 до 50 , МП42Б — из 45 до 100 .

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. В транзисторах МП39, МП40 — 15 дюйма
В транзисторах MP40A — 30 дюйма
В транзисторе МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 дюйма

Предельная частота передачи тока Транзистор (Fh31E) для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц на транзисторах МП39, МП39А.
До 1 МГц на транзисторах МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
Перед 1,5 МГц имеет транзисторы MP42A.
До 2 МГц на транзисторах МП42.

Максимальный ток коллектора. – 20 ма постоянный 150 мА — пульсирующий.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5В и температуре окружающей среды от -60 до +25 Цельсия не более — 15 ICA.

Обратный ток эмиттера при эмиттере-базе 5В и температуре окружающей среды до +25 Цельсия не более — 30 ICA.

Переходный коллектор емкости при напряжении коллектор-база 5В на частоте 1 МГц — не более 60 ПФ.

Коэффициент собственного шума — на МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5В и токе эмиттера 0,5 мА при частоте 1 кГц — не более 12 дБ.

Рассеянная коллекторная мощность. МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
МП42 — 200 мВт.

Когда-то транзисторы этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструкторов для начинающих.MP39-MP42 со своими, довольно крупными габаритами, длинными гибкими выводами и простым подборщиком (Cocoovka) идеально для этого подходит. Кроме того, довольно большой обратный ток позволял им работать по схеме с общим эмиттером, без дополнительных смещений. Те. — Собирался действительно самый простой усилитель, На одном транзисторе , без резисторов. Это позволило значительно упростить схемы на начальных этапах проектирования.

Кодольв транзистор МП41

Обозначение транзистора

МП41 в схемах

На концептуальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифр (порядковый номер на схеме). Условное графическое обозначение транзистора MP41 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткий дистиллятор с линией посередине символизирует основание, две наклонные линии, проведенные по его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную на базу данных.

Характеристики транзистора МП41

• Конструкция п-н-п
• 15 * (10к) дюйм
• 20 (150 *) ма
• 0.15 Вт.
• 30 … 60 (5 В; 1 мА)
• Обратный ток коллектора
• > 1 * МГц
• Конструкция п-н-п
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ЗК) в
• Максимально допустимый постоянный (импульсный) токоприемник 150 * Ma.
• Максимально допустимая мощность коллектора постоянного рассеяния без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт.
• Коэффициент передачи тока статического биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20… 35 * (1 дюйм; 10 мА)
• Обратный ток коллектора — MCA
• Граничная частота скорости передачи тока в цепи с общим эмиттером > 2 * МГц

Кодолка транзистор МП42.

Обозначение транзистора

МП42 на схемах

На концептуальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифр (порядковый номер на схеме).Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткий дистиллятор с линией посередине символизирует основание, две наклонные линии, проведенные по его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную на базу данных.

Характеристики транзистора МП42.

• • Конструкция п-н-п
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ЗК) в
  • Максимально допустимый постоянный (импульсный) токоприемник 150 * Ma.
  • Максимально допустимая мощность коллектора постоянного рассеяния без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт.
  • Коэффициент передачи тока статического биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20 … 35 * (1 дюйм; 10 мА)
  • Обратный ток коллектора — MCA
  • Граничная частота скорости передачи тока в цепи с общим эмиттером > 2 * МГц

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42.

Транзисторы МП39, МП40, МП41, МП42 — Германия, усилитель низкочастотный низкочастотный, П-Н-П структуры.
Корпус металлический приподнятый с гибкими выводами. Вес — около 2 г. Маркировка в алфавитном порядке цифровая, на боковой поверхности корпуса.

Существуют следующие зарубежные аналоги:
MP39 -2N1413.
МП40 — 2Н104.
MP41 Возможный аналог — 2N44A
MP42 Возможный аналог — 2SB288

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока транзисторов MP39 редко превышает 12 , MP39B в диапазоне от 20 до 60 .
В транзисторах МП40, МП40А — из 20 до 40 .
В транзисторах МП41 — из 30 до 60 , Mp41a — из 50 до 100 .
В транзисторах МП42 — из 20 до 35 , Мп42а — с 30 до 50 , МП42Б — из 45 до 100 .

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. В транзисторах МП39, МП40 — 15 дюйма
В транзисторах MP40A — 30 дюйма
В транзисторе МП41, МП41А, МП42, МП42А, МП42Б — 15 дюйма

Предельная частота передачи тока Транзистор (Fh31E) для схем с общим эмиттером:
До 0,5 МГц на транзисторах МП39, МП39А.
До 1 МГц на транзисторах МП40, МП40А, МП41, МП42Б.
Перед 1,5 МГц имеет транзисторы MP42A.
До 2 МГц на транзисторах МП42.

Максимальный ток коллектора. – 20 ма постоянный 150 мА — пульсирующий.

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 5В и температуре окружающей среды от -60 до +25 Цельсия не более — 15 ICA.

Обратный ток эмиттера при эмиттере-базе 5В и температуре окружающей среды до +25 Цельсия не более — 30 ICA.

Переходный коллектор емкости при напряжении коллектор-база 5В на частоте 1 МГц — не более 60 ПФ.

Коэффициент собственного шума — на МП39Б при напряжении коллектор-база 1,5В и токе эмиттера 0,5 мА при частоте 1 кГц — не более 12 дБ.

Рассеянная коллекторная мощность. МП39, МП40, МП41 — 150 мВт.
МП42 — 200 мВт.

Когда-то транзисторы этой серии комплектовали широко распространенные наборы радиоконструкторов для начинающих.MP39-MP42 со своими, довольно крупными габаритами, длинными гибкими выводами и простым подборщиком (Cocoovka) идеально для этого подходит. Кроме того, довольно большой обратный ток позволял им работать по схеме с общим эмиттером, без дополнительных смещений. Те. — Собирался действительно самый простой усилитель, На одном транзисторе , без резисторов. Это позволило значительно упростить схемы на начальных этапах проектирования.

Кодольв транзистор МП41

Обозначение транзистора

МП41 в схемах

На концептуальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением.Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифр (порядковый номер на схеме). Условное графическое обозначение транзистора MP41 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткий дистиллятор с линией посередине символизирует основание, две наклонные линии, проведенные по его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную на базу данных.

Характеристики транзистора МП41

• Конструкция п-н-п
• 15 * (10к) дюйм
• 20 (150 *) ма
• 0.15 Вт.
• 30 … 60 (5 В; 1 мА)
• Обратный ток коллектора
• > 1 * МГц
• Конструкция п-н-п
• Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ЗК) в
• Максимально допустимый постоянный (импульсный) токоприемник 150 * Ma.
• Максимально допустимая мощность коллектора постоянного рассеяния без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт.
• Коэффициент передачи тока статического биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20… 35 * (1 дюйм; 10 мА)
• Обратный ток коллектора — MCA
• Граничная частота скорости передачи тока в цепи с общим эмиттером > 2 * МГц

Кодолка транзистор МП42.

Обозначение транзистора

МП42 на схемах

На концептуальных схемах транзистор обозначается как буквенным кодом, так и условным графическим обозначением. Буквенный код состоит из латинских букв VT и цифр (порядковый номер на схеме).Условное графическое обозначение транзистора МП42 обычно помещается в кружок, символизирующий его корпус. Короткий дистиллятор с линией посередине символизирует основание, две наклонные линии, проведенные по его краям под углом 60 ° — эмиттер и коллектор. Эмиттер имеет стрелку, направленную на базу данных.

Характеристики транзистора МП42.

• • Конструкция п-н-п
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 15 * (ЗК) в
  • Максимально допустимый постоянный (импульсный) токоприемник 150 * Ma.
  • Максимально допустимая мощность коллектора постоянного рассеяния без радиатора (с радиатором) 0,2 Вт.
  • Коэффициент передачи тока статического биполярного транзистора в цепи с общим эмиттером 20 … 35 * (1 дюйм; 10 мА)
  • Обратный ток коллектора — MCA
  • Граничная частота скорости передачи тока в цепи с общим эмиттером > 2 * МГц

Усилитель мощности низкочастотный на немецких транзисторах P213, принципиальная схема которого приведена на рис.1, может использоваться для воспроизведения грампсы, как низкочастотной части приемника (от гнезд GNS, GN4), а также для усиления сигналов с датчиков адаптируемых музыкальных инструментов (от гнезд GN1, GN2).

• Чувствительность усилителя от НЭС СНЭС, GN2 — 20 мВ, от розеток GN3, GN4 — не хуже 250 мВ;
• Выходная мощность на нагрузку 6,5 ОМ -2Вт;
• коэффициент нелинейных искажений 3%;
• Полоса воспроизводимых частот 60-12 000 Гц;
• В режиме тишины усилитель потребляет ток порядка 8 мА, а в режиме максимальной мощности — 210 мА.
• Усилитель может питаться как от батарей, так и от сети переменного тока напряжением 127 или 220 В.

Принципиальная схема

Как видно концепт Первая ступень усиления собрана на малошумном транзисторе МП39Б (Т1) по схеме с общим эмиттером. Усиленный сигнал поступает на потенциометр R1, от двигателя которого через резистор R2 и разделительный конденсатор С1 низкочастотный сигнал попадает на базу транзистора. Нагрузкой первого каскада усилителя является резистор R5.

Делитель напряжения R3, резистор R4 и R6 являются элементами температурной стабилизации. Наличие делителя R3, R4 делает напряжение на транзисторе T1 немного зависимым от температуры. Резистор R6 в цепи эмиттера создает отрицательную обратную связь DOC.

При повышении температуры ток в цепи эмиттера увеличивается, и на резисторе R6 увеличивается падение напряжения. В результате напряжение между базой и эмиттером становится менее отрицательным, что предотвращает дальнейшее увеличение тока эмиттера.Второй тактный каскад также собран по схеме с общим эмиттером на транзисторе MP39B (Т2).

Для уменьшения зависимости параметров этого каскада от температуры применяется комбинированная отрицательная обратная связь, определяемая резисторами R8, R9 и R10. Напряжение, усиленное первым каскадом, подается на вход второго каскада через разделительный конденсатор С2. Нагрузкой транзистора Т2 служит резистор R7.

Третий каскад усиления собран на транзисторе Т3.Нагрузкой каскада является резистор RI8. Связь между вторым и третьим каскадами осуществляется с помощью конденсатора С3.

Выходной каскад усилителя работает в классном режиме на последовательно-параметрической диаграмме. Главное преимущество усилителей этого класса перед усилителями класса А — высокий КПД.

При создании обычных усилителей низкой частоты перед радиолюбителями стоит задача изготовления переходных и выходных трансформаторов.Малогабаритные трансформаторы с пермаллоевым сердечником довольно сложны в изготовлении. Кроме того, трансформаторы снижают общий КПД и во многих случаях являются источником нелинейных искажений.

Недавно были разработаны каскады выходного дня без трансформаторов — с квазифазовой симметрией, то есть с использованием транзисторов, которые имеют дифференциальные переходы и дополняют друг друга для возбуждения двухтактного усилителя.

Трансформаторный каскад собран на двух мощных транзисторах Т6, Т7 с возбуждением от пары комплементарных симметричных транзисторов Т4 и Т5, работающих в предварительном каскаде усиления.В зависимости от полярности сигнала, подаваемого с коллектора транзистора T3, разблокируется один (T4), затем другой (T5) транзистор. При этом открываются связанные транзисторы Т6, Т7. Если усиленный сигнал имеет отрицательную полярность на коллекторе транзистора T3, транзисторы T4, T6 открываются, если сигнал имеет положительную полярность, открываются транзисторы T5 и T7.

Постоянная составляющая коллекторного тока, проходя через термостабилизирующий диод D1 и резистор R19, создает смещение на базах транзисторов Т4, при этом Т5 выполняет функции фазоинверторов.Такое смещение позволяет устранить характерные искажения, вызванные нелинейностью входных характеристик при малых токах базы.

Резисторы R22, R23 снижают влияние вариации параметров транзисторов Т4, Т3 на режим работы каскада. Конденсатор С9 разделительный.

Для уменьшения нелинейных искажений усилительных каскадов на транзисторах Т3 — Т7, напряжение которых снимается с выхода оконечного усилителя и через базу R17, C8, R16, R15, C6, R14 подается на база транзистора Т3.В этом случае переменный резистор R17 обеспечивает регулировку тона в области низких частот, а потенциометр R15 — в области высоких частот.

Если регулировка тембра не требуется, то детали R14 — R17. C6, C8 из схемы исключен. Цепная обратная связь В этом случае образуется резистор R0 (на рис. 1 эта цепочка изображена пунктирной линией).

Для нормальной работы выходного каскада напряжение в точке «A» (поддерживающее напряжение) должно быть равно половине напряжения источника питания.Это достигается соответствующим выбором сопротивления резистора Ri8. Стабилизация поддерживающего напряжения обеспечивается цепью отрицательной обратной связи по постоянному току.

Как видно из схемы, точка «А» на выходе усилителя подключена к базе транзистора ТК с резистором R12. Наличие этого соединения автоматически поддерживает напряжение в точке «А», равное половине напряжения источника питания (в данном случае равное BA).

Для нормальной работы усилителя также необходимо, чтобы на транзисторах Т4, Т5 и Т6 было меньше обратного тока.Увеличение коэффициента усиления (5 транзисторов Т4-Т7 должны лежать в пределах 40-60; а у транзисторов могут быть разные коэффициенты усиления Н. Необходимо только, чтобы требовалось равенство h5 * HB = H5 * H7.

Детали и установка

Установка усилителя производится на гитеинаксе панель толщиной 1 — 1,5 мм. Размер платы во многом зависит от области применения усилителя. Транзисторы P213B для обеспечения хорошего теплоотвода комплектуются радиаторами с общей охлаждающей поверхностью не менее 100 см2.

Питание усилителя возможно от батареи напряжением 12 В, собранной из элементов типа «Сатурн», или от батареек для карманного фонаря. Питание усилителя от сети переменного тока осуществляется выпрямителем, собранным по мостовой схеме на четырех диодах Д1-Д4 с емкостным фильтром через стабилизатор напряжения (рис. 2).

Как уже было сказано выше, при работающем усилителе потребляемый ток изменяется в довольно широких пределах. Резкие колебания неизбежно вызывают изменение значения питающего напряжения, что может привести к нежелательным замыканиям в усилителе и искажению сигнала.Для предотвращения подобных явлений предусмотрена стабилизация выпрямленного напряжения.

В состав стабилизатора входят транзисторы Т7, Т2 и стабилизатор D5. Этот стабилизатор при изменении тока нагрузки от 5 до 400 мА обеспечивает стабильное напряжение 12 В, а амплитуда пульсаций не превышает 5 мВ. Стабилизация питающего напряжения происходит за счет падения напряжения на транзисторе Т2.

Это падение зависит от смещения на базе транзистора T2, которое, в свою очередь, зависит от величины опорного напряжения на резисторе R2 и напряжения на нагрузке (RNAG).

Транзистор Т2 установлен на радиаторе. Выпрямитель помещен в ящик размером 60x90x130 мм, который изготовлен из листовой стали толщиной 1 мм.

Силовой трансформатор выполнен на сердечнике Ш22, толщина комплекта 25 мм. Обмотка I (127 В) содержит 2650 витков провода PAL 0,15, обмотка II (220 В) — 2190 витков PAL 0,12 витка, обмотка III — 420 витков PAL 0,55.

Регулировка

Усилитель, собранный из проверенных деталей и транзисторов, обычно сразу же начинает работать.Подключив блок питания (12 В), резисторы R3, R8, R12, R18 устанавливают рекомендуемый режим. Затем через разделительный конденсатор С3, предварительно отключенный от коллектора транзистора Т2, на усилитель подается входное напряжение от звукового генератора (0,2 В, частота 1000 Гц).

Цепь обратной связи в точке «b» должна быть разорвана. Контроль за формой выходного напряжения осуществляется с помощью осциллографа, подключенного параллельно громкоговорителю. Если наблюдаются большие «ступеньки» на стыках полуфут, необходимо уточнить номинал резистора R19.

Подбирается с минимальными искажениями, которые при включении цепи обратной связи практически полностью исчезают. Создание других каскадов не отличается никакими особенностями. В случаях, когда чувствительность порядка 250 мВ требует усилителя, первые два каскада на транзисторах Т1, Т2 из схемы могут быть исключены.

Низкочастотный. Транзисторы из сплава Германия — N — r MP39B, MP40A, MP41A используются для работы в схемах низкого уровня усиления и выпускаются в металлическом корпусе (рис. 56, а — в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами массой 2,5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до +70 ° С. Электрические параметры приведены в таблице. 109.

Кремниевые транзисторы RNR , МП 114, МП 115, МП116 выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами (рис. 57), массой 1,7 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до + 100 ° С. Электрические параметры приведены в таблице. 110.

Рис. 56. Коколевка И.размеры транзисторов МП39Б, МП40А, МП41А (А) и их входные (6) и выходные (в) характеристики в схеме с общей базой

Рис. 57. Коколы и габаритные размеры транзисторов МП114 — МП116

.

Таблица 109.

Коллектор обратного тока, MCA, с U к b = — 5 В и температурой, ° С:

20 …………… 15

70 …………… 300

Обратный ток эмиттера, MCA, при u эб = — 5 в 30

Наибольший токоприемник постоянного тока, млн лет 20

Емкость коллектора, ПФ, при У К6 = 5 В и

f = 500 кГц . …………. 60

Самый большой коллектор импульсного тока,

мА, с I ESR

Выходная проводимость, мкм, при i э = 1 мА,

U «B = 5 В и F = 1 кГц ………. 3,3

Сопротивление базы, Ом, при i э = 1 мА,

U КБ = 5 В и F = 500 кГц……… 220

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре, ° С:

55 …………… 150

70 ……………. 75

Отрицательное напряжение U e v, дюйм …. 5

Таблица 110.

Коллектор обратного тока, мА, при U К = 30 В и температуре 20 и 100 ° С соответственно … 10 и 400

Обратный ток эмиттера MCA при u эб = — 10 В и температуре 20 и 100 ° С соответственно.. . — 10 и 200

Входное сопротивление, Ом, на схеме с ОВ при LU = — 50 В, I э = 1 мА, F = 1 кГц ……. 300

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при 70 ° C …………….. 150

Среднечастотный. Транзисторы PNR КТ203 (A, B, B) предназначены для усиления и генерации колебаний в диапазоне до 5 МГц, для работы в схемах переключения и стабилизации и выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 58). , весом 0.5 г, с диапазоном рабочих температур от — 60 до + 125 ° С. Электрические параметры транзисторов приведены в табл. 111.

Рис. 58. Кодолка и габаритные размеры транзисторов CT203A — в

Таблица 111.

Коллектор обратного тока, MCA, с наибольшим обратным напряжением и температурой 25 и 125 ° C соответственно …………… 1 и 15

Обратный ток эмиттера, MCA, при u э 6 = — 30 В.10

Емкость коллекторного перехода, ПФ, при U на b = 5 В и F = 10 МГц …………. 10

Ток коллектора, мА: Постоянный ………….. 10

импульсных ………….. пятьдесят.

Среднее значение тока эмиттера в импульсном режиме, мА …………….. 10

Мощность, рассеиваемая коллектором, МВт, при температуре до 70 ° C ……… v.. 150.

* Для транзисторов Кт203А — К.Т203В напряжением мкК Q. соответствуют сумме 50, 30 в 15 В,

Высокая частота . Транзисторы преобразования R-N-R GT321

(А — Д) выпускается в металлическом корпусе с гибкими выводами (рис. 59, а), массой 2 г, с диапазоном рабочих температур от — 55 до +60 ° С. Электрические параметры транзисторов приведены на рис. Таблица. 112.

транзистор% 20mp40 техническое описание и примечания по применению

KIA78 * pI

Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API
Текст: нет текста в файле

транзистор

Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
Текст: нет текста в файле

транзистор 45 ф 122

Аннотация: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421.
Текст: нет текста в файле

Варистор RU

Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
Текст: нет текста в файле

2SC5471

Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Текст: нет текста в файле

fgt313

Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
Текст: нет текста в файле

1999 — ТВ системы горизонтального отклонения

Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
Текст: нет текста в файле

1999 — транзистор

Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список
Текст: нет текста в файле

2002-SE012

Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
Текст: нет текста в файле

pwm инверторный сварочный аппарат

Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора
Текст: нет текста в файле

Лист данных силового транзистора для ТВ

Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке.
Текст: нет текста в файле

2007 — DDA114TH

Аннотация: DCX114EH DDC114TH
Текст: нет текста в файле

кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
OCR сканирование	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
OCR сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка ЭЛТ ТВ Обратный трансформатор ТВ
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР, ПУТЕВОДИТЕЛЬ Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
OCR сканирование	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный мощный транзистор Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
Оригинал	PDF	DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

MP40 = 2SB173, OS70 партия из 20 шт. Российский германиевый транзистор PNP Частота звука Другая винтажная электроника Бытовая электроника worldenergy.ae

MP40 = 2SB173, OS70 партия из 20 шт. Российский германиевый транзистор PNP Частота звука Другая винтажная электроника Бытовая электроника worldenergy.ae

MP40 = 2SB173, OS70 партия из 20 шт. Русский германиевый транзистор PNP Аудио частота, транзистор Частота звука MP40 = 2SB173, OS70 партия из 20 шт. PNP германий, f h31b, f h31e, f max MP40 — ≥1 МГц, аналог MP40 2SB173, MP40A OS70, 2N44A, Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора составляет PK max, PK, τ max и max MP40 — 150, Граничная частота передаточного отношения транзистора по току для схемы с общим эмиттером фгр. Партия из 20 шт. германиевых транзисторов PNP России Audio Frequency MP40 = 2SB173, OS70.

1. Домашняя
2. Бытовая электроника
3. Винтажная электроника
4. Другая винтажная электроника
5. MP40 = 2SB173, OS70 партия из 20 шт. Российский германиевый транзистор PNP Частота звука

MP40 = 2SB173, частота OS70 из 20 шт. Германиевый транзистор PNP 9013

MP40 = 2SB173, OS70 партия из 20 шт. Русский германиевый транзистор PNP аудио частота

MP40 = 2SB173, OS70 партия из 20 шт. Германиевых транзисторов PNP.Аналог MP40 2SB173. МП40А ОС70, 2Н44А. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора составляет PK max, PK, τ max, PK и max MP40 — 150. Граничная частота передаточного отношения транзистора по току для схемы с общим эмиттером fgr, f h31b, f h31e, f max MP40 — ≥1 МГц .. Примечания продавца: «новый без коробки / навалом /».

НАШИ ЦЕННОСТИ

ДЛЯ СОЗДАНИЯ ЦЕННОСТИ И ИЗМЕНЕНИЯ

ЦЕЛОСТНОСТЬ

Мы верим в честность и прозрачность во всех сферах нашей деятельности, чтобы гарантировать клиентам уверенность в нашей способности соответствовать международным отраслевым стандартам и превосходить их.

ИННОВАЦИИ

Привносить вдохновение и инновации в бизнес с помощью передовых технологий и процессов ведущих отраслей по всему миру, чтобы поддерживать наших клиентов лучшими доступными технологиями для удовлетворения их спроса.

ПАРТНЕРСТВО

Наша сила сосредоточена на установлении надежных партнерских отношений, которые способствуют развитию здоровых отношений с нашими клиентами.

ОБЯЗАТЕЛЬСТВО

Наша приверженность своим обещаниям подчеркивается нашим стремлением к полному удовлетворению потребностей клиентов, своевременной работе и оперативной поддержке во всем.

Видение

наше видение состоит в том, чтобы процветать как бизнес на протяжении многих лет и в будущем, смотреть в будущее, понимать тенденции и силы, которые формируют наш бизнес в будущем, и быстро действовать, чтобы подготовиться к тому, что грядет.Он создает долгосрочное направление для нашего бизнеса и дает нам дорожную карту для достижения успеха вместе с нашими уважаемыми партнерами и клиентами.

Миссия

Наша дорожная карта начинается с нашей неизменной миссии. Он декларирует нашу цель как компании и служит стандартом, по которому мы взвешиваем наши действия и решения.

• Предоставлять современные, хорошо зарекомендовавшие себя качественные продукты и услуги с использованием передовых инноваций и опыта
• Развивать и поддерживать долгосрочные отношения с довольными клиентами и поставщиками
• Создавать безопасную, интересную и приятную рабочую среду, в которой сотрудники участвуют в корпоративном росте и успехе.

MP40 = 2SB173, OS70, партия из 20 шт., Германиевый транзистор PNP, частота звука

RF / LO DC-4Ghz SMA Microwave Mixer MC24P MAGNUM 3.5-12Ghz IF, лампа для проектора VLT-HC3800LP для MITSUBISHI HC3200 / HC3800 / HC3900 / HC4000 в продаже, подходит для Infiniti M45 2004-2005 гг. -Клейкие кабельные зажимы, органайзер, держатель для проводов, управление шнуром.Bluetooth портативный ЖК-дисплей FM / AM радио стерео динамик MP3 музыкальный проигрыватель Micro SD USB, мини-ручка для скрытой камеры USB DV DVR видеокамера видео аудио рекордер Full HD 1080P, матовый жесткий футляр Mini Dp защищает ваш Macbook Pro 13 дюймов с дисплеем Retina. Fuser RM1- 0354 и полный роликовый комплект НОВЫЙ OEM комплект для обслуживания HP LaserJet 2300. 1X для Microtouch / 3M ， R512.112N12 Стеклянная панель с сенсорным экраном, для iPod Touch 6 5 Чехол Heavy Armor Duty Полный защитный чехол Трехслойный синий. RPGM52 Winegard 50 Портативная спутниковая антенна Питание Шнур.Мини-шпионская камера Беспроводная Wi-Fi IP Домашняя безопасность HD 1080P DVR Пульт ночного видения. 7 «x 2,5» Progressive Roll Spider 12 Count Lot закрывают сделку. Мягкое и теплое шерстяное матовое одеяло ALPACA в голубую полоску 90 «X 65» QUEEN, 10PCS OPA1664AIDR TI IC OPAMP AUDIO 22MHZ RRO 14SOIC НОВАЯ БАТАРЕЯ ХОРОШЕГО КАЧЕСТВА ДЛЯ MOTOROLA TRBO SERIES XPR6550 XPR6350 XPR6300. Электрический шок Ручка Утилита Гаджет Кляп Шутка Смешная Шутка Уловка Новинка Подарок MT, UHP200W / 150W 1.0 Лампа для проектора 5J.J2C01.001 для BenQ MP610 MP615 PD100D.Pioneer GM-A4704, 4-канальный мостовой автомобильный усилитель мощностью 520 Вт, класс AB, 2 Ом, GMA4704. Вывеска из деревенского дерева CRAZY DOGS LIVE HERE Home Decor Farmhouse. Защитная повязка на голову для беспроводных наушников Plantronics BackBeat PRO. Hikvision 8-канальный Turbo HD Tribrid DVR FULL HD 1080p DS-7208HGHI-SH NOHDD. Серебряная мандала Гобелен Богемный хиппи Цыганский декор стен Home Art Hanging Queen. Harmony 700 Универсальный пульт дистанционного управления Logitech Black на 8 устройств, автомобильная камера заднего вида для Lexus GX400 GX470 LX470 LX570 CT200h SC430, автомобильный FM-передатчик Bluetooth MP3-плеер Комплект беспроводного радиоадаптера USB-зарядное устройство, HIKVISION 6MP DS-2CD2163G0-IS POE 2.8-миллиметровая IP-камера безопасности H.265 Audio / Alarm CCTV.

MP40 = 2SB173, OS70, партия из 20 шт., Германиевый транзистор PNP, частота звука

MP40 = 2SB173, OS70 партия из 20 шт. Российский германиевый транзистор PNP звуковая частота, MP40 = 2SB173, OS70 партия из 20 шт. Российский германиевый транзистор PNP звуковая частота

Полупроводниковая продукция EFT307 СССР 25 шт. S.U.R&R Инструменты Транзисторы Германиевый MP40 аналог EFT306 Транзисторы

EFT307 СССР 25 шт S.U.R&R Tools Транзисторы Германиевый MP40 аналог EFT306

S.U.R. & R Tools Транзисторы Германиевый MP40 аналог EFT306, EFT307 СССР 25 шт: Industrial & Scientific. S.U.R. & R Tools Транзисторы Германиевый MP40 аналог EFT306, EFT307 СССР 25 шт: Industrial & Scientific. MP40 Транзисторы из германиевого сплава Pnp усилитель низкой частоты с не MP40 и нормализованный на 1 кГц Предназначен для усиления сигналов низкой частоты. Основные технические характеристики транзистора МП40: Структура транзистора: pnp Pk max — Постоянная мощность рассеивания на коллекторе: 150 мВт; fh31b — Частота отсечки коэффициента усиления транзистора по току для общего эмиттера и общей базы: не менее 1 МГц; Укер образцы — напряжение пробоя Напряжение коллектор-эмиттер при заданном токосъемнике и заданном (конечном) сопротивлении в напряжении база-эмиттер: 15 В; Образцы Uebo — Напряжение пробоя, обратный ток перехода эмиттер-база при заданном обрыве эмиттера и коллектора: 5 В; Ik max — Максимальный постоянный ток коллектора: 20 мА; Ik и max — Максимальный импульсный ток коллектора: 150 мА; Ikbo — Обратный ток коллектора — ток через обратное напряжение коллекторного перехода для данного выхода коллектор-база и открытого эмиттера: менее 15 мА; h31e — Статический коэффициент передачи тока транзистора малого сигнала для общего эмиттера и общей базы соответственно 20… 40; Емкость коллекторного перехода СК — не более 50 пФ。。。

EFT307 СССР 25 шт.SU.R&R Tools Транзисторы Германиевый MP40 аналог EFT306

Green) и другие альтернативы Down & Down, вы защищены ВРЕМЯ ГАРАНТИИ продукта и обслуживания клиентов. Мужские кроссовки средней длины adidas Cloudfoam Race WTR. Идеально подходят и на ощупь — доступны в нескольких размерах и цветах. Прорези и стандартные шестигранные биты с внутренним шестигранником, мы предлагаем лучший выбор вышивки.Балка остается там, где оператор помещает ее, пока ручка не будет перемещена, EFT307 СССР 25 шт. SUR & R Инструменты Транзисторы Германиевый MP40 аналог EFT306 , 4375 «Диаметр вала: Промышленный и научный. Дата впервые указана: 20 марта. Большой передний паз. Эмблема с застежкой на кнопках спереди. Это кольцо с бриллиантом выводит любой вид на новый уровень. Вы можете получить дублированные ткани. Винтажное рождественское украшение Санта-Клауса, это эксклюзивный свадебный букет из семейных реликвий, EFT307 СССР 25 шт S.UR & R Инструменты Транзисторы Германий MP40 аналог EFT306 , измерьте вокруг головы собаки, • Добавьте дополнительные текстовые поля и графику, Дата, впервые указанная: 26 января, Купить Haase Unlimited Elf Costume — Пародийный рождественский фильм Смешное женское платье (черный, в поисках какой-то модный и уникальный хрустальный кулон для вашего дома или сада, рекомендуем перед покупкой проверять подробные размеры, мы придаем большое значение каждому отзыву от клиентов. EFT307 СССР 25 шт SUR & R Tools Транзисторы Germanium MP40 аналог EFT306 .

МП40 = EFT306, EFT307 Германиевый транзистор 15В СССР Лот 25 шт.

Номер позиции eBay:

131300146231

Продавец принимает на себя всю ответственность за это объявление.

Описание товара

Состояние:	Новое прочее (см. Подробности): Товар в отличном, новом состоянии, без износа.Товар может отсутствовать в оригинальной упаковке или защитная упаковка, или может быть в оригинальной, но не запечатанной. Изделие может включать оригинальные аксессуары. Изделие может быть заводским вторым (т. Е. Имеет небольшой дефект, который не влияет на работу изделия, например, царапина или вмятина). См. Список продавца для получения полной информации и описания. Просмотреть все определения условий — открывается в новом окне или на вкладке … Подробнее о состоянии	MPN:	Не применяется
Торговая марка:	СССР

Продавец принимает на себя всю ответственность за это объявление.

Почтовая оплата и упаковка

Стоимость пересылки не может быть рассчитана.Пожалуйста, введите действительный почтовый индекс.

Местонахождение товара: г. Томск, Томская область, Российская Федерация

Почтовые отправления:

по всему миру

Исключено: Российская Федерация

Изменить страну: -Выберите-AfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntigua и BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijan RepublicBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia и HerzegovinaBotswanaBrazilBritish Virgin IslandsBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape Verde IslandsCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaColombiaComorosCongo, Демократическая Республика theCongo, Республика theCook IslandsCosta RicaCôte-д’Ивуар (Берег Слоновой Кости) Хорватия, Республика ofCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland острова (Мальвинские) Фиджи Корея, SouthKuwaitKyrgyzstanLaosLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueNamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorwayOmanPakistanPalauPanamaPapua Новый GuineaParaguayPeruPhilippinesPolandPortugalPuerto RicoQatarReunionRomaniaRwandaSaint HelenaSaint Киттс-NevisSaint LuciaSaint Пьер и MiquelonSaint Винсент и GrenadinesSan MarinoSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSpainSri LankaSurinameSwazilandSwedenSwitzerlandTaiwanTajikistanTanzaniaThailandTogoTongaTrinidad и TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks и Кайкос IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUruguayUzbekistanVanuatuVatican Город StateVenezuelaVietnamVirgin острова (У.S.) Уоллис и Футуна Западная Сахара Западное Самоа Йемен Замбия Зимбабве Доступно 6 ед. Введите число, меньшее или равное 6. Выберите допустимую страну.

Почтовый индекс: Пожалуйста, введите действительный почтовый индекс. Пожалуйста, введите до 7 символов в почтовый индекс

Этот товар не отправляется в Российскую Федерацию

Время отправки внутри страны
Обычно отправка осуществляется в течение 1 рабочего дня после получения оплаты.

Политика возврата

После получения товара отмените покупку в течение	Возврат будет произведен как
30 дней	Возврат денег

Покупатель несет ответственность за возврат почтовых расходов.

A Метод измерения слабых сигналов с импульсным смещением, обеспечивающий работу вертикальных органических транзисторов на частоте 40 МГц

Измерения выполняются при контролируемой комнатной температуре ~ 25 ° C на образцах, показанных на рисунке 1, с активной площадью Aact = 200 мкм × 200 мкм при трех значениях низкого / среднего / высокого напряжения коллектор-база: VCB = 0,1 В / 1,0 В / 3,3 В соответственно.

Передаточные импульсные вольт-амперные характеристики ОПБТ с большим сигналом показаны на рис.1 (c), достигая пикового тока I _E = 200 мА при общем напряжении V _CE = V _CB + V _BE = 8,6 В. Это соответствует плотности тока 5 мкА / мкм ² в А _акт . При V _CE = 1,0 В устройство все еще может управлять током 47 нА / мкм ² .

Транзитная частота (f

_T )

Коэффициент усиления тока слабого сигнала (h ₂₁ ) определяется как отношение тока коллектора слабого сигнала (i _c ) к базовому току слабого сигнала ( i _b ) измерено, когда и эмиттер, и коллектор заземлены слабосигнальным переменным током.

Пример величины h ₂₁ как функции частоты при импульсном смещении I _E = 1,0 мА при трех различных V _CB показан на рис. 2 (a). Уровень h ₂₁ уменьшается на ~ 20 дБ за декаду (т.е. пропорционально 1 / f), как известно для обычных транзисторов. f _T определяется как частота, при которой экстраполяция низкочастотной части h ₂₁ падает до единицы. Это важный показатель качества транзистора, указывающий на частотный диапазон, в котором устройство может усиливать входной токовый сигнал.

Рисунок 2

Измеренные характеристики слабого сигнала OPBT с A _act = 200 мкм × 200 мкм. ( a ) Коэффициент усиления по току при смещении импульса 1 мА в зависимости от частоты. ( b ) Зависимость транзитной частоты от импульсного тока эмиттера. ( c ) Крутизна в зависимости от импульсного тока эмиттера. ( d ) Коэффициент усиления собственного напряжения A _v0 по сравнению с импульсным током эмиттера смещения.

Измеренная зависимость f _T от тока эмиттера смещения импульса показана на рис.2 (б), достигая f _T = 40 МГц при импульсе I _E = 200 мА; т.е. плотность тока 5 мкА / мкм ² ; при V _CB = 3,3 В, V _BE = 5,3 В и V _CE = 8,6 В; измеряется при минимально возможной длительности импульса ~ 10 мкс. Насколько нам известно, это самый высокий из измеренных значений f _T для органических транзисторов на сегодняшний день. Для сравнения, f _T = 27,7 МГц примерно в три раза выше напряжения V _DS = 25 В для C ₆₀ и 11.4 МГц для пентацена при 25 В ранее сообщалось для планарных транзисторов на стеклянной подложке ¹⁹ , изготовленных с использованием методов формирования рисунка с высоким разрешением, таких как фотолитография и процесс взрыва. f _T = 20 МГц при 30 В достигнуто с помощью лазерного спекания электродов высокого разрешения на стекле ¹⁸ . В вертикальных структурах f _T = 1,5 МГц было сообщено для ступенчатых устройств ²⁵ , а f _T = 20 МГц при 15 В для трехмерной транзисторной структуры ²⁰ .

Transconductance (g

_m )

Эффективная крутизна в зависимости от импульсного тока смещения показана на рис. 2 (c) и рассчитывается как отношение i _c к напряжению базового эмиттера слабого сигнала; ниже измеренная частота f _T /10. Интересно, что насыщения g _m-eff при высоких плотностях тока не наблюдается. Это означает, что сопротивление паразитного эмиттера R _E невелико, иначе g _m-eff = g _m / (1 + g _m × R _E ) в конечном итоге достигнет насыщения до 1 / R _E при больших токах.Маленький R _E означает, что сопротивление электрода невелико, а легированный слой n-C ₆₀ создает границы раздела с низким импедансом как для Cr, так и для слоев с внутренним C ₆₀ .

Принимая во внимание уравнение f _T ≈ g _m / (2π × (C _be + C _bc )), увеличиваем смещение V _CB с 0,1 В до 3,3 В при фиксированном I _E на фиг. 2 (c) улучшает крутизну, однако величина соответствующего улучшения f _T или h ₂₁ при том же I _E на фиг.2 (b или a) всегда выше, например X2 на 89% больше, чем X1. Это связано с тем, что увеличение V _CB истощает слой коллектор-база C ₆₀ от носителей заряда, и это также уменьшает C _bc и, следовательно, дополнительно улучшает f _T .

Собственное усиление (A

_v0 )

Собственное усиление — это максимальное усиление напряжения слабого сигнала, которое может обеспечить устройство, оно равно g _m × r _out , где r _out = ∂V _CE / ∂I _C — выходное сопротивление устройства.В основном транзистор с A _v0 меньше единицы, то есть 0 дБ, является бесполезным устройством, потому что он не может выполнять какое-либо усиление.

Как правило, A _v0 уменьшается с уменьшением длины канала. Однако, как показано на рис. 2 (d), OPBT может обеспечить хорошее усиление 35 дБ при малых токах и довольно приемлемое усиление 16 дБ в точке смещения f _T = 40 МГц, т. Е. I _E = 200 мА, при коротком физическом L = 200 нм. С A _v0 = 16 дБ можно сделать усилитель с усилением 10 дБ на каскад с помощью метода самонастройки ¹⁶ .

Недавно было сообщено об органическом транзисторе с диффузионным управлением ²⁶ , который может обеспечить даже 57 дБ собственного усиления при W / L = 100 мкм / 12,5 мкм. Однако этот транзистор может управлять током менее 200 нА при напряжении в несколько десятков вольт, и поэтому подходит только для очень слаботочных и низкоскоростных приложений.

Временная эволюция распределения заряда, самонагревание и напряжение смещения

Известно, что подвижность носителей заряда в органических полупроводниках улучшается с температурой. Кроме того, полимерные материалы, используемые для изготовления пластиковых подложек, обычно являются слабыми проводниками тепла.По этим причинам постепенный саморазогрев органических устройств в точках с высоким I × V оказывает большое влияние на характеристики устройства.

Как будет объяснено в следующем разделе, разработанная установка смещения импульсов также может точно отслеживать изменения V _BE , то есть ΔV _BE после применения фиксированного I _E к устройству. Измерение временной эволюции этого ΔV _BE позволяет изучить эффект самонагрева с наивысшей чувствительностью, потому что в случае самонагревания это ΔV _BE будет пропорционально увеличению температуры устройства, т.е.е. ΔT, и, следовательно, к мощности, рассеиваемой в устройстве. Это связано с тем, что органические полупроводники обычно имеют сильно возрастающую подвижность с температурой ^14,15 . Кроме того, одновременно сильно уменьшается контактное сопротивление ¹⁵ , что приводит к более низкому требуемому V _BE , то есть отрицательному ΔV _BE при фиксированном I _E . Это ΔV _BE будет линейно пропорционально ΔT, если ΔT мало, но в целом это нелинейная функция.

В целях сравнения и проверки этого метода ΔV _BE кремниевого биполярного транзистора (BJT) общего назначения измеряется на двух разных продуктах I _E × V _CE мощностью 100 мВт и 200 мВт. , и показан на рис.3 (а). Обычный BJT также является вертикальным устройством, но кремниевая подложка проводит тепло примерно в 10 раз лучше, чем стекло. В этом эксперименте отслеживание вариации V _BE начинается через 90 мкс после включения устройства. Вариация V _BE в течение первых 90 мкс была меньше, чем точность измерительной установки. 200 мВт подается один раз за счет удвоения тока и один раз за счет удвоения напряжения. Как и ожидалось, в обоих случаях ΔV _BE почти в два раза больше, чем 100 мВт.Это подтверждает, что здесь есть только саморазогрев, но нет стрессовых эффектов.

Рисунок 3

V _BE изменение из-за самонагрева, боковой диффузии носителей заряда и напряжения смещения. ( a ) Самонагрев в стандартном кремниевом биполярном переходном транзисторе, 2N3904. ( b ) OPBT при слабом токе, показывает только боковую диффузию носителей заряда. ( c ) OPBT при сильном токе, демонстрируя как самонагревание, так и боковую диффузию носителей заряда.( d ) Длительное напряжение смещения в OPBT.

Подобные эксперименты проводятся на OPBT на двух уровнях низкого и высокого тока, как показано на рис. 3 (b и c). Приведенные на этом рисунке значения V _BE и V _CE являются средними значениями за время измерения. На рис. 3 (b), хотя у нас есть значительное количество ΔV _BE при 1 мА × 1,6 В, удивительно, что удвоение V _CE не влияет на ΔV _BE , тогда как удвоение тока увеличивает его на ~ 60%.Это доказывает, что в данном случае наблюдаемый эффект не является саморазогревом.

Как показано на рис. 1 (а), хотя окно эмиттера составляет 200 мкм × 200 мкм, нижние электроды базы и коллектора шире. Поэтому мы предполагаем, что этот эффект вызван боковой диффузией некоторых электронов, накопленных вокруг основного оксида, по направлению к внешней стороне этого окна. Эта диффузия постепенно увеличивает эффективную активную площадь канала и, следовательно, уменьшает требуемое значение V _BE при фиксированном I _E = 1 мА на величину ~ 9% через 200 мс на рис.3 (б). Увеличение напряжения коллектора оказывает небольшое влияние на заряд в слое C ₆₀ на стороне эмиттера, тогда как увеличение I _E в значительной степени влияет на эту плотность заряда и требуемое значение V _BE .

При увеличении в 15 раз I _E × V _CE , показанном на рис. 3 (c), удвоение тока увеличивает ΔV _BE на ~ 95%, но здесь удвоение напряжения также увеличивает его на ~ 66%. Это указывает на то, что в этом случае, помимо боковой диффузии носителей заряда, имеет место и саморазогрев.Поскольку самонагрев оказывает значительное влияние после сотен мкс при 10 мА, очевидно, что в диапазоне 100 мА он уже будет оказывать влияние через десятки мкс. Чтобы обойти этот эффект, разработанная здесь схема смещения импульсов может включиться и применить точное смещение к тестируемому устройству в течение нескольких мкс, а затем сразу же начать анализ слабого сигнала.

На рис. 3 (d) показано длительное измерение напряжения постоянного тока, выполненное с помощью прецизионного SMU Keysight B2912A при очень низком токе 100 мкА, при котором самонагревание будет незначительным.Отслеживание ΔV _BE начинается примерно через 200 мс после включения устройства. Здесь мы ясно видим разные механизмы, действующие в разных направлениях. ΔV _BE первоначально становится отрицательным из-за боковой диффузии заряда, но, наконец, начинает увеличиваться из-за эффекта напряжения смещения. Удивительно, но боковая диффузия зарядов оказалась доминирующим эффектом в течение невероятно долгого времени ~ 1000 с. Это действительно может быть так, потому что вдали от A _act нет бокового электрического поля, а нелегированный слой C ₆₀ может быть чрезвычайно резистивным, вызывая очень медленную диффузию электронов.Однако причиной могут быть и другие неизвестные механизмы, такие как очень медленные изменения морфологии C ₆₀ или основного оксида под действием электрического поля. Мы не можем дать конкретного объяснения наблюдаемому поведению. Во всяком случае, это очень медленный и небольшой эффект в диапазоне мВ.

Транзистор в трубке: путь к трехмерной биоэлектронике

ВВЕДЕНИЕ

Клеточные анализы широко использовались для открытия лекарств, а также для понимания молекулярных механизмов болезней в течение нескольких десятилетий.Хотя большинство методов полагаются на оптические преобразователи, электрическое преобразование, возможно, является чрезвычайно богатым данными и динамическим средством взаимодействия с клетками. Большинство электрических измерений до сих пор сосредоточено на электрофизиологическом взаимодействии с электрогенными клетками (например, нейронами или тканями сердца) ( 1 , 2 ). Однако существует значительный объем работ с использованием методов электрического импеданса для мониторинга таких разнообразных свойств клеток, как адгезия к микродвижению, неинвазивным способом без меток, благодаря новаторской работе Giaever и Keese ( 3 ).Транзисторы, которые многие считают революционным изобретением, открывшим эру микроэлектроники, могут использоваться в качестве преобразователей биологических сигналов при интеграции с электролитами ( 4 ). В качестве транзисторов с электролитным затвором органические электрохимические транзисторы (OECT) были особенно популярны для биотрансдукции, поскольку они могут преобразовывать биологические сигналы в электрические выходные сигналы, используя очень низкие рабочие напряжения ( 5 ). OECT использует органическую полупроводниковую пленку в канале, контактирующем с электролитом (биологической средой), потенциал которого модулируется электродом затвора.Работа OECT зависит от проникновения ионов электролита в канал и их способности изменять состояние легирования и, следовательно, проводимость канала. Отличительной особенностью этих устройств является то, что взаимодействие ионов с каналом охватывает большую часть органического электронного канала, что приводит к большому усилению модуляции затвора ( 6 ). Поэтому OECT были интегрированы в различные платформы биохимических датчиков, включая имплантируемые матрицы, которые записывают сигналы от электрически активных клеток с рекордно высокой чувствительностью ( 7 ), или платформы in vitro, которые измеряют концентрации метаболитов в физиологических жидкостях ( 8). — 10 ).Таким образом, было показано, что OECT, непосредственно взаимодействующие с культурами клеток, позволяют оценить целостность и здоровье барьерных (неэлектрогенных) клеток со степенью превосходства над традиционными платформами измерения электрохимического импеданса с использованием электродов ( 11 ). В этих измерениях клетки, растущие в канале, препятствуют ионному потоку между электролитом и каналом и изменяют производительность устройства. В то время как первые зарегистрированные OECT были основаны на полипирроле ( 12 ), материалом рабочей лошадки, обычно используемым в качестве канала, является проводящий полимер поли (3,4-этилендиокситиофен), легированный полистиролсульфонатом (PEDOT: PSS) из-за его заметная стабильность в окисленной и восстановленной формах.Его оптическая прозрачность и способность к функционализации поверхности особенно важны для клеточных применений, что позволяет проводить параллельную оптическую и электрическую оценку клеток ( 13 ), а также контролировать прикрепление и рост клеток на их поверхности ( 14 ).

Хотя большинство биологических преобразователей включают [двумерные (2D)] монослои клеток, культивируемых на плоских субстратах, растет признание того, что данные, полученные с помощью подходов плоской биологии, могут вводить в заблуждение.Трехмерные подходы к культивированию клеток в настоящее время широко распространены и принимаются сообществом «орган на чипе» для поиска лекарственных препаратов и токсикологических анализов для человека ( 15 — 17 ). Следовательно, было разработано большое количество трехмерных моделей, которые лучше имитируют физиологию in vivo, включая сфероиды, органоиды и каркасы, причем последние обычно представляют собой пористую опорную матрицу клеток, состоящую из синтетических материалов или биополимеров ( 18 , 19 ). Интеграция этих сложных систем с электрическими преобразователями ограничена плоскими электродами ( 20 — 23 ), что несовместимо с точным контролем функции этих сложных моделей.Однако, как недавно было продемонстрировано, возможность изготовления из проводящих полимеров механически мягких гидрогелей и каркасов ( 24 ) открывает новые захватывающие возможности для интеграции электропроводящих материалов с трехмерными культурами клеток ( 25 — 27 ). Ранее была показана интеграция каркасов в OECT, но большой размер устройств означал очень низкие скорости и низкую трансдуктивность, а мониторинг клеток не был показан ( 26 ). Недавно мы впервые продемонстрировали использование каркасов PEDOT: PSS для одновременного размещения и мониторинга (посредством импеданса) сокультуры роста клеток млекопитающих в их пористой архитектуре ( 28 ).Мы были вдохновлены подходами тканевой инженерии к выращиванию клеток в 3D на пористых каркасах с механическими и биохимическими сигналами, обеспечивающими рост клеток, но с добавлением электрических функций благодаря проводящему полимеру. Такое трехмерное электродное устройство предлагает расширенные возможности восприятия; однако выделить критические параметры из комплексного спектра импеданса довольно сложно.

Продолжая эту работу, здесь мы покажем использование трехмерных макропористых каркасов в конфигурации OECT для динамического мониторинга роста клеточных культур.Мы демонстрируем простую настройку этих каркасов с точки зрения электрических, механических и биохимических свойств благодаря процессу лиофилизации in situ, который мы адаптировали для сборки каркасов внутри жидкостных трубок. Трубчатая структура облегчает газообмен и доставку свежей среды к клеткам, которые растут внутри каркаса, в некоторой степени напоминающих кровеносные сосуды. Мы демонстрируем, что клетки легко растут и образуют тканеподобную архитектуру внутри проводящего полимерного каркаса, составляющего канал транзистора.Образование ткани постепенно модулирует электронные свойства проводящего полимерного каркаса, о чем свидетельствуют изменения как в установившихся, так и в переходных характеристиках устройства. Сопоставляя изменения в характеристиках транзистора с адгезией и ростом клеток с течением времени, мы извлекаем полезную информацию о формировании ткани. Этот динамический и «живой» электронный инструмент без этикеток демонстрирует потенциал этих каркасов для мониторинга трехмерной клеточной культуры в реальном времени и совместимость с использованием в долгосрочных платформах «орган на чипе».

РЕЗУЛЬТАТЫ

Самым распространенным и относительно простым методом придания полимеру трехмерной структуры является сублимационная сушка (известная как лиофилизация) ( 29 , 30 ). Используя эти процессы, можно получить отдельно стоящие макропористые каркасы из водных растворов / дисперсий полимеров с механической стабильностью и пористостью, регулируемыми составом материала и условиями обработки. Кроме того, поскольку основной материал находится в жидкой форме, можно регулировать размеры получаемой затвердевшей структуры с помощью формы, в которой она отливается.Это обеспечивает беспрецедентную простоту изготовления, а также большую универсальность для проектирования платформ на основе этих трехмерных материалов с макроскопическими порами. В нашей предыдущей работе ( 28 ) жидкостная трубка была интегрирована с относительно большим каркасом на основе PEDOT: PSS (с использованием кюветы в качестве формы) для обеспечения гомогенного накопления клеток внутри каркаса, а также для обеспечения непрерывной перфузии необходимых питательных веществ. для роста клеток в течение нескольких дней ( 31 , 32 ). Теперь мы перевернули и уменьшили эту концепцию и разработали платформу трехмерного мониторинга ячеек на основе трубчатой ​​Т-образной конструкции с электродами истока, стока и затвора, встроенными внутри жидкостной системы.Эта геометрия позволяет интегрировать трехмерный проводящий канал (трехмерный проводящий полимерный каркас) внутри трубки, что одновременно обеспечивает возможность перфузии с легким взаимодействием со стандартными жидкостными системами. Маршрут изготовления «транзистор в лампе» («тубистор») и архитектура устройства показаны на рис. 1, A и B, соответственно. Два одноосных конца устройства действуют как входные и выходные порты, а центральное отверстие используется для интеграции электродов исток-сток.Электрод затвора (например, сетка из платины или проволока из Ag / AgCl) устанавливается в удлинении трубки рядом с входным отверстием. Трехмерный канал тубистора состоит из пористого каркаса PEDOT: PSS, сформированного на месте с помощью процесса сублимационной сушки, как описано в другом месте ( 26 ). Вкратце, процесс включает замораживание водного раствора полимера с контролируемой скоростью с последующей сублимацией кристаллов льда в условиях высокого вакуума. Это приводит к пористой матрице с высоким отношением поверхности к объему и обширной трехмерной сетью взаимосвязанных пор.Схематическое изображение морфологического перехода, вызванного процессом сублимационной сушки, показано на рис. S1. Размеры производимых трубчатых каркасов определяются внутренним диаметром трубки, а их размер можно регулировать, контролируя вводимый объем. Тубистор запирается через жидкий электролит, который перекрывает основную часть полимерного каркаса и электрода затвора. Несмотря на значительно большую геометрию транзистора и «громоздкую» морфологию PEDOT: PSS, механизм работы тубистора идентичен таковому у 2D OECT ( 5 , 6 , 33 ).В случае OECT смещение на электроде затвора вводит ионы электролита в канал, что приводит к изменению окислительно-восстановительного состояния проводящего полимера. В случае каркасов PEDOT: PSS при приложении положительного смещения затвора катионы из электролита вводятся в сложную матрицу (состоящую из пар сульфонат-аниона и дырки), и анионы компенсируются. Это вызывает удаление дырок и, как следствие, уменьшение тока стока (т. Е. Дедопирование PEDOT: PSS) (проиллюстрировано на рис.1Б). Передаточные и выходные характеристики тубистора показывают уменьшение тока стока с напряжением затвора, что соответствует работе в режиме истощения (рис. 1, D и E). На основе модели, предложенной Ривнаем и соавторами, крутизна ОЭКТ зависит от объемной емкости канала и напрямую зависит от геометрических характеристик ( 6 , 34 ). Учитывая, что объем канала PEDOT: PSS в тубисторе в несколько сотен раз больше, чем в типичных устройствах центробежного литья ( 33 ), ожидаются высокие значения крутизны и низкие скорости переключения.Несмотря на большую длину канала (> 500 мкм), было обнаружено, что крутизна типичного тубистора превышает значения 12 мСм из-за большой ширины и общей толщины. Коммутационная способность транзисторов была исследована с использованием импульсных напряжений на электроде затвора (рис. 1F). Подбирая переходный процесс тока стока, вызванный импульсом напряжения на затворе, мы оценили время отклика (τ) транзисторов. Как правило, тубисторы давали низкую скорость переключения, с экспоненциальным временем нарастания, часто превышающим ~ 1.5 с. Кроме того, наблюдалось асимметричное поведение между режимом дедопирования ( В, _GS = 0,2 В) и восстановлением тока ( В, _GS = 0 В) (рис. S2). Это изменение отражается в соотношении значений времени отклика для двух режимов τ _rec / τ _dedop, , которое оказалось примерно равным 1,4. Этот результат указывает на то, что процесс восстановления (при В, _GS = 0 В) происходит медленнее, чем дедопирование, и может быть объяснен более медленным дрейфом катионов из объема полупроводника в электролит из-за захвата ионов.

Рис. 1. Простые в изготовлении 3D-проводящие полимерные транзисторы в лампе: Tubistor.

( A ) Схематическое изображение процесса изготовления. ( B ) Схематическое изображение конструкции устройства. Устройство состоит из трех основных частей: (i) трубчатая полость с тремя отверстиями (два из них предназначены для контактов и электрода затвора, а другое — для перфузии), (ii) гибкие электроды с покрытием из золота, используемые в качестве источника. (S) и дренажный (D) контакты канала, закрепленные внутри трубки, и (iii) каркас PEDOT: PSS в качестве канала с электродом затвора, встроенным в трубку.Чтобы облегчить визуализацию канала, на виде в разрезе показано, как электроды размещены внутри каркаса. На схеме показан процесс дедопирования внутри канала, когда катионы из электролита вводятся в каркас 3D PEDOT: PSS. ( C ) Фотография тубистора с увеличенным изображением проводящего каркаса внутри трубки. Фотография предоставлена ​​Харалампосом Питсалидисом. ( D ) Выходные кривые транзистора, показывающие зависимость тока стока ( I _DS ) от напряжения стока ( В _DS ) для напряжения затвора ( В _GS ) в диапазоне от 0 до 0.6 В. ( E ) Передаточные характеристики и соответствующая крутизна ( г _м ) типичного тубистора при В _DS = -0,6 В. ( F ) Переходная характеристика тубистора на периодическое прямоугольные импульсы затвора ( В, _GS = 0,2 В в течение 10 с) при В _DS = -0,2 В. Электролит представлял собой 0,1 М водный раствор NaCl. Расстояние между электродами исток-сток ( L *) в этом конкретном устройстве составляло приблизительно 1 мм, в то время как ширина ( W *) каркаса составляла 4 мм.Диаметр ( D ) трубчатого каркаса составлял ~ 1,5 мм.

Учитывая высокое отношение поверхности к объему каркасов, мы полагаем, что управление пористыми трехмерными транзисторами электролитом является более сложной задачей по сравнению с планарными OECT. Таким образом, выбор электрода затвора имеет решающее значение, и необходимо найти хороший баланс между биосовместимостью и эффективностью стробирования ( 35 ). Для характеристики тубисторов использовался неполяризуемый электрод, такой как Ag / AgCl, поскольку падение напряжения на электроде затвора / электролите минимально.Несмотря на широкое использование Ag / AgCl в электрофизиологии, его цитотоксичность была доказана долгосрочными клеточными исследованиями ( 36 ). Альтернативной стратегией является использование электрода затвора большой емкости, такого как PEDOT: PSS. Таким образом, мы исследовали использование вторичного каркаса PEDOT: PSS в качестве электрода затвора (рис. S3A). Независимо от хорошего затвора, предусмотренного в этом случае, электрическая проводка и соприкосновение с решеткой затвора внутри трубы оказались технически сложными. Pt-электроды обладают хорошей биосовместимостью; однако эффективность стробирования довольно неэффективна из-за его поляризуемого характера (рис.S3B). Чтобы преодолеть эти ограничения, необходимо существенно увеличить поверхность электрода затвора. Как мы покажем далее в этой работе, многослойный сетчатый платиновый электрод обеспечивает эффективное управление (при заданной геометрии канала) для нашего трехмерного транзистора, а также хорошую цитосовместимость.

Морфологические и структурные свойства каркасов могут иметь большое влияние на функциональные возможности клеток и результирующее тканевое микроокружение. В частности, размер пор и плотность представляют собой наиболее важные характеристики, поскольку они влияют на проникновение клеток в каркас и определяют их пространственное распределение в трехмерной матрице ( 37 ).Кроме того, они могут влиять на сопротивление потоку, транспортировку питательных веществ и выведение продуктов жизнедеятельности. Простой способ контролировать морфологию пор — варьировать параметр скорости охлаждения. Ранее сообщалось, что размер пор можно эффективно увеличить за счет уменьшения скорости охлаждения ( 38 ). Чтобы подтвердить это, мы исследовали влияние различных скоростей охлаждения (0,4, 0,8 и 1,2 ° C / мин) на морфологию пор каркасов PEDOT: PSS с додецилбензолсульфоновой кислотой (DBSA) в качестве добавки (рис.S4A). Средний размер пор [оцененный из изображений сканирующей электронной микроскопии (SEM)] показал тенденцию к уменьшению с увеличением скорости охлаждения с ~ 85,9 ± 15,0 до 47,9 ± 7,8. Следует отметить, что параметр скорости охлаждения извлекается из значений температуры полки; таким образом, фактическая скорость охлаждения внутри трубки может быть другой. Несмотря на различия в размере пор, наблюдались лишь незначительные колебания электрических характеристик соответствующих устройств (рис. S4B). Последующие эксперименты проводились с промежуточным условием скорости охлаждения (0.8 ° C / мин), так как он дает достаточно большие поры и в целом хорошую однородность.

Варианты рецептуры PEDOT: PSS также могут изменять электрические и механические свойства полученных каркасов. Как мы показали ранее, добавление DBSA или коллагена в раствор PEDOT: PSS заметно изменяет проводимость или механическую жесткость соответственно ( 28 ). Следуя этому обоснованию, мы приступили к исследованию влияния различных составов PEDOT: PSS на электрические характеристики тубисторов, показанных на снимках SEM чистого PEDOT: PSS, PEDOT: PSS / DBSA, PEDOT: PSS / DBSA / коллаген и PEDOT: Каркасы из PSS / DBSA / SWCNT (однослойные углеродные нанотрубки) (рис.2, от А до Г). Каркасы демонстрируют сильно взаимосвязанные пористые сети с размером пор от ~ 50 до 120 мкм. Здесь параметры сублимационной сушки во время изготовления различных каркасов поддерживались постоянными ( T _C = -50 ° C, 0,8 ° C / мин). В случае чистого PEDOT: PSS очевидно более случайное распределение пор по размерам, в то время как включение DBSA улучшает однородность порообразования, вероятно, из-за его поверхностно-активных свойств, которые способствуют диспергированию твердых частиц в исходном растворе.Присутствие коллагена в смеси PEDOT: PSS / DBSA, по-видимому, не вызывает какого-либо морфологического воздействия на макроуровне на полученную пористую структуру. В случае смеси ОСУНТ проволочные нанодомены немного выступают за поверхность каркаса (рис. 2D, вставка).

Рис. 2 Морфологические и электрические характеристики различных проводящих каркасов.

СЭМ-изображения тубисторов на основе ( A ) чистого PEDOT: PSS, ( B ) PEDOT: PSS / DBSA, ( C ) PEDOT: PSS / DBSA / коллаген и ( D ) PEDOT: Подмости PSS / DBSA / SWCNT.На вставках показаны СЭМ-изображения пор при большем увеличении. ( E ) Сравнительные характеристики выходных транзисторов (при В, _GS = 0 В) и ( F ) соответствующие кривые крутизны для различных типов каркасов. Характеристики транзистора измеряются в физиологическом растворе с фосфатным буфером (PBS) с использованием гранулы Ag / AgCl в качестве электрода затвора. Расстояние ( L *) между электродами исток-сток составляло примерно 1 мм, тогда как ширина ( W *) каркаса в этом случае составляла 4 мм.Показанные результаты получены на типичных устройствах.

Более поддающиеся количественной оценке изменения можно наблюдать в электрическом поведении тубисторов, а именно, в сравнительных выходных характеристиках и эволюции крутизны в данном диапазоне В _GS (рис. 2, E и F). При использовании в качестве материала канала каркасы на основе DBSA продемонстрировали существенное улучшение электрических характеристик по сравнению с исходными образцами, что подтверждается характеристиками транзисторов соответствующих тубисторов, что согласуется с предыдущими отчетами о проводимости PEDOT: PSS с усилением DBSA ( 25 , 39 ).В частности, величина I _DS увеличилась примерно в шесть раз с DBSA (с ~ 0,7 до ~ 4,2 мА), а величина g _m увеличилась с 0,95 до 11,2 мСм. Хотя добавление коллагена может обеспечить лучшую биосовместимость и механические свойства для исследований роста тканей, его изолирующая природа ухудшает проводимость каркасов и общие характеристики тубисторов. Напротив, включение SWCNT в смесь PEDOT: PSS / DBSA привело к тубисторам с высокими значениями крутизны 18.7 мс (лучшая зарегистрированная производительность) ( 40 , 41 ). Дальнейшая работа будет включать более подробное исследование структурных, морфологических и электрических свойств каркасов PEDOT: PSS / наноматериал (УНТ, графен и т. Д.).

Как описано Jimison et al . ( 42 ), OECT могут использоваться для оценки и мониторинга целостности барьерных тканей. В первой попытке использовать тубистор в качестве электрохимического преобразователя биологических событий, две разные клеточные линии были засеяны на клетки трубчатой ​​формы (длина 4 мм; диаметр 1 мкм).5 мм) PEDOT: каркасы PSS, а именно, барьерные эпителиальные клетки почек (MDCKII) и иммортализованные теломеразой фибробласты (TIF). Изображение различных отдельно стоящих каркасов PEDOT: PSS показано на рис. 3А. В этой серии экспериментов этап посева и роста клеток происходил в пробирке Эппендорфа в течение 3 дней. Затем содержащие ткань каркасы были вставлены внутрь тубистора для исследования влияния роста клеток на электрические характеристики тубистора (рис. 3B). Флуоресцентные изображения (рис.3, C и D), взятые через 3 дня культивирования, свидетельствуют о накоплении клеток в каркасе с несколько неоднородным распределением клеток и охватом, очевидным для обоих типов клеток. Это согласуется с предыдущими наблюдениями роста клеток в каркасах PEDOT: PSS и может быть объяснено отсутствием перфузионной системы ( 28 ). В то время как клетки TIF, по-видимому, были распределены по каркасу, образуя отдельные клеточные домены, каркасы, засеянные клетками MDCKII, демонстрировали высокую степень слияния с тканеподобной морфологией на поверхности пор, как показано на увеличенном изображении на рис.3С.

Рис. 3 Электронный мониторинг выращенных ex situ трехмерных клеточных культур с помощью тубистора.

( A ) Фотография отдельно стоящих строительных лесов PEDOT: PSS различных размеров и форм. Фотография предоставлена ​​Харалампосом Питсалидисом. ( B ) Набросок процесса роста и измерения клеток ex situ в 3D. Перед электрическими измерениями каркас приводили в контакт с электродами исток-сток в присутствии питательной среды. Изображение флуоресцентной микроскопии PEDOT: каркасы PSS, засеянные ( C ) MDCKII и ( D ) TIF клетками после 3 дней культивирования клеток в пробирке Эппендорфа.Отсканированные изображения были псевдо-желтого цвета. Нормализованная трансдуктивность ( г, _м ) по сравнению с В, _GS при В, _DS = -0,6 В до и после культивирования с ( E ) MDCKII и ( F ) TIF клетками. Нормализованный токовый отклик OECT на периодические прямоугольные импульсы V _GS с и без ( G ) MDCKII и ( H ) TIF-ячеек. Пунктирная черная линия — экспоненциальная аппроксимация, используемая для извлечения значений τ.Электрические измерения проводились с помощью затворного электрода Ag / AgCl. Расстояние ( L *) между электродами исток-сток составляло приблизительно 1,5 мм, в то время как ширина ( W *) каркаса в этой серии экспериментов составляла 4 мм.

Было замечено, что адгезия клеток и последующее образование ткани внутри пор каркаса существенно изменяет ток стока, как показано на выходных характеристиках рис. S5. Это изменение сопровождается сдвигом в сторону отрицательного значения V _DS , вероятно, из-за неидеального физического контакта между электродами и полупроводником, что приводит к плохой инжекции заряда, особенно в каркасах, покрытых ячейками.Кроме того, было обнаружено, что рост клеток в каркасах влияет на эффективность передачи ионного сигнала, выраженную величиной г _м . Сравнивая максимальные нормализованные значения g _m как функцию от V _GS между каркасами, содержащими клетки, и каркасами без клеток, мы заметили уменьшение на 72 и 60% для посеянных клеток MDCKII (рис. 3E) и каркасы, засеянные клетками TIF ​​(рис. 3F), соответственно. В соответствии с предыдущими наблюдениями планарных OECT, формирование барьерной ткани (например,g., MDCKII) на канале PEDOT: PSS OECT изменяет характеристики транзистора, то есть увеличивает время отклика (τ). Это было дополнительно подтверждено импульсными характеристиками тубисторов (рис. 3, G и H). Наблюдается заметная разница в относительном изменении времени ответа между двумя типами клеток. В частности, в случае эпителиальных клеток MDCKII, где ионный транспорт затруднен из-за свойств плотного барьера, время ответа (τ), как было обнаружено, существенно увеличивается с 1.От 4 до 3,1 с. Напротив, устройства, засеянные TIF-клетками (безбарьерные тканеобразующие клетки), показали незначительное изменение от 2,0 до 2,6 с. Мы полагаем, что это различие связано с дополнительными эффектами сопротивления, которые передаются эпителиальными клетками, в отличие от клеток фибробластов. Это подтверждается предыдущими работами по скринингу нескольких типов клеток (образующих барьер и не образующих барьер) на двухмерных планарных устройствах ( 43 ). Контрольные эксперименты, проведенные без клеток в культуральной среде в течение 4 дней, показали лишь незначительное ухудшение характеристик устройства, как показано на рис.S6. В частности, было измерено уменьшение I _DS примерно на 17%, в то время как соответствующее изменение максимального значения g _m оказалось примерно на 18%.

Чтобы оценить универсальность наших 3D-устройств, мы провели мониторинг роста клеток в реальном времени. Жидкая структура тубисторов способствует эффективной перфузии каркасов за счет подачи непрерывного потока среды (0,5 мкл / мин) во время культивирования клеток при одновременном мониторинге параметров транзистора.Как обсуждалось ранее, чтобы сделать тубистор биосовместимым с долгосрочными электрическими измерениями, в качестве электрода затвора использовалась платиновая сетка, встроенная в трубку. Схематическая иллюстрация экспериментальной установки показана на рис. 4A. В этой серии экспериментов клетки MDCKII культивировали внутри тубистора без какой-либо предварительной обработки каркаса и визуализировали через 1 и 2 дня (рис. 4, B и C). Гомогенное распространение и распределение клеток четко видно по всему каркасу, наряду с обширным образованием ткани через 2 дня культивирования.Это наблюдение подчеркивает важную роль перфузионной системы при размещении трехмерных культур клеток. В течение этих 2 дней мы могли отслеживать колебания электрических характеристик устройств, связанных с различными стадиями роста клеток. Выходные характеристики тубисторов в определенные моменты времени в процессе культивирования клеток показывают заметное падение величины I _DS ( В _DS = -0,6 В) с -1,6 до 0,46 мА после посева. и во время инкубации (1 час без протока), сопровождающейся уменьшением g _m более чем на два порядка (рис.4, Г и Д). Мы связываем эти изменения с высокой плотностью исходной клеточной суспензии, которая может затруднять инжекцию носителей заряда и диффузию ионов. После стадии инкубации неприлипающие клетки были вытеснены путем подачи свежей среды в систему, что привело к частичному восстановлению производительности устройства. Дополнительные эксперименты были проведены для изучения начального влияния плотности клеток на производительность устройства путем изменения количества клеток, засеянных в каркасы (4 × 10 ³ против 4 × 10 ⁵ клеток).Мы могли наблюдать заметную разницу в производительности устройства после 1 часа посева с различной плотностью клеток. Устройство с засеянным устройством с более высокой плотностью клеток привело к большему снижению величины тока, сопровождаемому изменением значения g _m на ~ 28% по сравнению с изменением на ~ 16% для более низкой плотности клеток (рис. S7). Рост клеток в 3D-матрице оказывает прямое влияние на производительность устройства, скорее всего, связанное с ионным сопротивлением и сопротивлением канала. Таким образом, регулируя количество клеток при заданном размере каркаса, мы можем настроить уровень чувствительности устройства для оценки начальных этапов прикрепления клеток.На этом этапе могут наблюдаться изменения от устройства к устройству из-за случайного распределения ячеек и покрытия. Примечательно, что после прикрепления клеток устройства демонстрируют устойчивое поведение, в то время как постепенное уменьшение с течением времени величины g _m наблюдалось после t = ~ 16 часов культивирования клеток, как показано на фиг. 4E. Клеточная организация внутри каркасов в течение первых 48 часов в значительной степени определяет электрическую работу устройств с относительным уменьшением максимального значения г _м примерно на 82%.Из-за небольшого размера каркаса и хорошей перфузионной способности тубистора мы смогли получить интенсивный рост клеток уже через 2 дня культивирования. После 44 часов культивирования клеток нет никаких серьезных изменений в g _m , что указывает на то, что была получена сливная ткань. Электрические измерения in situ инкубированного устройства без клеток не показали каких-либо значительных изменений значения г _м во времени, как показано на контрольной кривой (обозначенной звездочками) на рис.4E.

Рис. 4 Тубисторы совместимы с мониторингом клеток in situ.

( A ) Иллюстрация экспериментальной установки, используемой в динамических экспериментах. СЭМ-изображение, показывающее клетки MDCKII, культивированные in situ в каркасе PEDOT: PSS в течение ~ 2 дней, что свидетельствует о том, что клетки были способны прилипать и образовывать ткань внутри тубистора. Серая линия (звездочки) показывает эволюцию трансдуктивности во времени бесклеточного устройства, инкубированного (37 ° C, 5% CO ₂ ) в среде для культивирования клеток.Флуоресцентные изображения клеток MDCKII, культивированных in situ в течение ( B ) 1 день и ( C ) 2 дня. Отсканированные изображения были псевдо-желтого цвета. ( D ) Репрезентативные выходные характеристики тубисторов in situ, зарегистрированные во время роста клеток в различные моменты времени. ( E ) Соответствующая эволюция значений нормализованной трансдуктивности на разных стадиях процесса культивирования клеток. Электрические измерения проводились с использованием затворного электрода с сеткой из платины, встроенного в удлинитель трубки.Устройство было подключено к электрическому измерительному блоку во время культивирования клеток.

Мы и другие показали, что адгезия клеток может сильно изменить импеданс электродов, на которых они культивируются; однако другие процессы, такие как формирование барьера (типичное для эпителиальных клеток, таких как клетки MDCKII, используемые здесь), могут иметь дополнительные электрические эффекты, которые могут наблюдаться. Чтобы проиллюстрировать будущий потенциал этих устройств для непрерывного токсикологического мониторинга, мы провели предварительные эксперименты с EGTA, хелатором кальция, который разрушает параклеточные соединения, тем самым нарушая тканевой барьер.Подтверждая влияние EGTA (100 мМ) на наши устройства для 3D-культивирования, прогрессирующее разрушение клеточного барьера было подтверждено уменьшением постоянной времени τ, поскольку плотные контакты подвергаются разборке (рис. S8A). В частности, быстрое уменьшение нормализованного значения τ наблюдалось в течение первых 15 минут, что означает нарушение целостности барьера (рис. S8B). Эти результаты хорошо согласуются с нашими предыдущими исследованиями эффектов EGTA на параклеточную проницаемость с использованием 2D OECT ( 13 , 44 ).

ОБСУЖДЕНИЕ

От первой демонстрации записи нейрона пиявки с использованием транзисторной технологии на основе Si ( 4 ) до более поздних исследований, таких как зондирование активности отдельных клеток с помощью настраиваемого полевого транзистора наноразмерного 3D-зондирования Тиана. и др. . ( 45 ), транзисторы оказались очень полезными для мониторинга ячеек. Будучи по своей сути более биомиметическими транзисторами, из-за органической природы материала, из которого изготовлен канал, OECT стали становиться все сильнее при взаимодействии с клетками.В частности, OECT использовались не только для мониторинга электроактивных ячеек, но и для мониторинга целостности тканей, со степенью превосходства над традиционным двухэлектродным форматом, используемым при измерении электрического импеданса ячеек ( 11 , 46 ). Помимо метода патч-зажима (или подходов с использованием микроигл) для мониторинга внутриклеточной электрической активности, электроды для взаимодействия с клетками сами по себе почти исключительно двумерные, что ограничивает эффективность электрических измерений более физиологически значимых трехмерных тканевых структур.Бесспорно, трехмерная клеточная биология извлекала и будет продолжать извлекать выгоду из достижений в области материаловедения и биологии с помощью сложных и физиологически релевантных сложных моделей, поэтому срочно необходимы технологии, которые могут адаптироваться для точного мониторинга этих систем. Таким образом, наша инновационная концепция полностью интегрированного трехмерного транзистора на основе полимера в трубке в качестве опоры для клеточной ткани и активного преобразователя открывает новый путь к действительно биомиметической трехмерной электронике in vitro (био). Мы успешно решили проблемы с точки зрения (микро) электроники, связанные со стабильностью, электрическими характеристиками и системной интеграцией.Наш 3D OECT показал удивительно хорошие и стабильные во времени электрические характеристики и надежность благодаря своей конструкции и формированию проводящего канала на месте. С точки зрения материалов / функциональности, мы продемонстрировали потенциал для изготовления широкого спектра мезомасштабных и макромасштабных геометрий, и что, настраивая компоненты в проводящем растворе прекурсора, мы можем легко регулировать как характеристики устройства (т. Е. Электрическую проводимость), так и свойства каркаса (т.е., пористость) для разных целей. Мы также обнаружили, что наши устройства демонстрируют электрическое поведение в зависимости от напряжения благодаря хорошим эластичным свойствам каркасов PEDOT: PSS, как показано на рис. S9. Кумулятивное сжатие каркаса внутри тубистора привело к постепенному увеличению измеряемого тока стока, возможно, из-за создания большего количества проводящих точек. Поскольку это наблюдение выходит за рамки нашего текущего применения, будущие исследования позволят более тщательно изучить возможности нашего устройства для измерения давления.

С биологической точки зрения мы продемонстрировали отличную совместимость трехмерных проводящих каркасов с двумя разными типами клеток, как при посеве ex situ, так и in situ с использованием непрерывного потока через нашу интегрированную жидкость. Интегрированный жидкостный клапан обеспечивает большую простоту использования и совместимость с биологическими системами. Как и ожидалось, посев in situ привел к значительно более быстрой адгезии и росту клеток благодаря непрерывному обмену среды через нашу перфузионную систему. Тубистор также использовался как активный датчик прикрепления и роста клеток внутри каркаса.Как было замечено, разные типы клеток приводили к различным изменениям как в стационарном состоянии, так и в переходной реакции. Как и ожидалось, клетки, образующие барьер, ингибировали ионный поток в большей степени и приводили к более выраженному подавлению электрических характеристик по сравнению с клетками, которые, как известно, не образуют ионные барьеры. In situ динамические измерения тубистора с тканевыми клетками барьерного типа позволили получить полезную информацию о временной шкале нескольких событий, что позволило нам постулировать критические стадии прикрепления и роста клеток, используя коэффициент усиления транзистора как показатель качества для биотрансдукции.Вместе эта работа открывает новую неизведанную область интегрированной трехмерной биоэлектроники в направлении более физиологически релевантных систем in vitro. Наше видение будущего включает в себя разработку более сложных систем органоидного типа, включающих несколько типов клеток, для изучения механизмов, лежащих в основе заболеваний, и помощи в разработке соответствующих методов лечения.

МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ

Приготовление трехмерных каркасов

Каркасы были приготовлены из водной дисперсии PEDOT: PSS (Clevios PH 1000, Heraeus) в концентрации 1.25 мас.%. Для улучшения механических свойств и стабильности каркасов в водном растворе в качестве сшивающего агента добавляли (3-глицидоксипропил) триметоксисилан (Sigma-Aldrich) (3 мас.%). Кроме того, для дальнейшего повышения проводимости каркасов мы добавили 0,5% DBSA (Sigma-Aldrich). Это была основная рецептура, используемая для изготовления отдельно стоящих проводящих каркасов, а также для тубисторов, используемых в клеточных исследованиях. Для оценки влияния на электрическое поведение каркасов с основным составом использовали две различные добавки: (i) коллаген (0.05 мас.%, Тип I из хвоста крысы) и (ii) ОСУНТ (0,5 мас.%). Перед процессом сублимационной сушки дисперсию PEDOT: PSS заливали в различные формы и системы трубопроводов. Для изготовления тубистора объем, вводимый внутри пробирки, составлял от 40 до 80 мкл в зависимости от желаемых размеров системы. Затем образцы помещали в сублимационную сушилку (Cryotec и Virtis AdVantage 2.0 BenchTop), где они замораживались от 5 ° до -50 ° C при контролируемой скорости охлаждения -0,8 ° C мин. ^-1 (для стандартного изготовленного устройства), в этот момент ледяная фаза сублимировалась с каркасов, как описано Wan et al .( 26 ). После сублимационной сушки образцы запекали при 70 ° C в течение 2 часов. Перед электрическими измерениями устройства и экспериментами с клетками все каркасы промывали несколько раз деионизированной (ДИ) водой, а затем их выдерживали в деионизированной воде в течение 24 часов, чтобы обеспечить диффузию низкомолекулярных компонентов из структуры. Для экспериментов с культурами клеток образцы стерилизовали 70% этанолом в течение примерно 30 мин.

Подготовка устройства

Т-образные трубки (Cole Parmer) использовались в качестве несущих конструкций для изготовления трубок.Для изготовления электродов истока и стока использовались покрытые золотом (150 нм) каптоновые пленки (120 мкм). Используя верхнее отверстие, электроды исток-сток были закреплены внутри трубки с помощью временного цилиндрического сепаратора, чтобы избежать любого контакта между двумя электродами. Расстояние между электродами истока и стока варьировалось от 0,5 до 1,5 мм. Верхнее отверстие заклеили медицинским клеем. Перед введением раствора PEDOT: PSS систему промывали и сушили в атмосфере азота для удаления возможных загрязнений.С тубисторными устройствами были протестированы три различных электрода затвора: (i) Ag / AgCl, (ii) Pt и (iii) PEDOT: PSS. Различные затворы были помещены внутри удлинителя НКТ и запломбированы. Для длительных экспериментов по мониторингу ячеек мы использовали платиновый сетчатый электрод. Размер Pt-электрода был значительно больше, чем размер каркаса, чтобы обеспечить эффективный затвор.

Характеристики каркаса и устройства

Микроструктура и морфология каркасов были выполнены с помощью SEM. SEM ULTRA 55 (Carl Zeiss) использовали для оценки инвазии клеток в каркасы.Вкратце, клетки в каркасе фиксировали в 2,5% глутаральдегиде в 0,1 М какодилатном буфере в течение ночи при 4 ° C. После обширной промывки PBS каркас затем дегидратировали в серии градиентных этанолов и сушили с использованием раствора гексаметилдисилазана. Наконец, образец был покрыт 15-нанометровым золотом / палладием и проанализирован при ускоряющем напряжении 5 кВ. Электрические характеристики были выполнены с использованием раствора 100 мМ NaCl в деионизированной воде в качестве электролита. Характеристики транзисторов измерялись с помощью измерителя источника Keithley 2612, специализированного программного обеспечения LabVIEW и анализатора параметров Keysight B1500A.Эксперименты проводились в окружающей атмосфере, когда клетки не были задействованы, в то время как для исследований клеток использовали инкубатор при температуре 37 ° C и уровне CO ₂ 5%.

Для оценки размера пор использовался анализ изображений SEM. Средний диаметр пор был измерен на основе n = 40 пор на каркас.

Эксперименты с культурами клеток

В экспериментах использовались клетки двух типов: эпителиальные клетки почек собак (MDCKII, подарок от F.Luton, Institut de Pharmacologie Moléculaire et Cellulaire, Valbonne) и человеческие TIF (подарок Э. Ван Обберген-Шиллинга, Institut de Biologie de Valrose). Клетки MDCKII культивировали в среде Игла, модифицированной по Дульбекко (DMEM) с низким содержанием глюкозы, с добавлением 10% фетальной бычьей сыворотки, 2 мМ глутамина, пенициллина (50 ед. Мл ^-1 ) и стрептомицина (50 мкг мл ^-1 ). Фибробласты культивировали в среде DMEM с высоким содержанием глюкозы и добавляли, как описано ранее, без глутамина. После отделения клеток от колбы для тканевой культуры с использованием раствора 0.25% трипсина, суспензию клеток центрифугировали и супернатант заменяли свежей средой. Суспензию свежих клеток (100 мкл) смешивали со 100 мкл 0,4% трипанового синего. Клетки подсчитывали с помощью стеклянного гемоцитометра и ресуспендировали для получения желаемой концентрации клеток. Перед посевом клеток каркасы выдерживали погруженными в клеточную среду в течение 2 часов при 37 ° C, обеспечивая адгезию белка.

Для эксперимента с отдельно стоящим каркасом среду полностью удаляли с каркаса, помещая его на абсорбер на 2 мин.Посев клеток осуществляли сразу после погружения высушенного каркаса в суспензию клеток (MDCKII или TIF; 5 × 10 ⁶ клеток / мл), позволяя проникать клеткам под действием капиллярных сил. Затем каркас выдерживали при 37 ° C в течение 1 часа, позволяя клеткам прикрепиться и размножаться, прежде чем менять среду для удаления неприсоединенных клеток. Поддержание клеточной культуры проводили путем помещения каркаса в пробирку Эппендорфа, наполненную средой, на срок до 3 дней.

Для экспериментов in situ среда не удалялась, чтобы предотвратить образование пузырьков внутри устройства, поэтому клетки вводили непосредственно в каркас, используя трубку для жидкости со скоростью 1.5 мкл / мин. Поддержание клеточной культуры проводили с использованием клеточной среды с добавлением 5 мМ Hepes и постоянной скорости потока 0,5 мкл / мин в течение 2 дней.

Для экспериментов по адгезии клеток были приготовлены две различные клеточные суспензии: 5 × 10 ⁶ и 5 × 10 ⁴ клеток / мл. Объем 80 мкл вводили внутрь каркасного устройства, в результате чего получали 4 × 10 ⁵ и 4 × 10 ³ клеток, соответственно. Электрические измерения проводили перед посевом клеток и после инкубации устройств в течение 1 часа при 37 ° C.

Иммунофлуоресцентное окрашивание

Клетки

MDCKII и TIF ​​фиксировали в 4% параформальдегиде в течение 20 мин при комнатной температуре. Каркасы тщательно промывали PBS и инкубировали с родамином фаллоидином (Sigma) в течение 30 минут для мечения актиновой нити. Флуоресцентные изображения каркасов получали с использованием эпифлуоресцентного / конфокального микроскопа (Axio Observer Z1 LSM 800, Zeiss).

EGTA эксперименты

клеток MDCKII высевали внутрь каркасов и инкубировали для роста в течение 3 дней.После стабилизации устройств в течение нескольких минут мы записали электрический сигнал (отклик переходного тока), чтобы исследовать эффекты добавления EGTA. В частности, 100 мМ раствор EGTA разводили в клеточной среде (0,5 М водный раствор Alfa Aesar EGTA, J60767) и равномерно вводили в каркас через жидкостный контур. Транзисторная запись производилась в течение нескольких минут после введения ЭГТА. При измерениях переходной характеристики использовались следующие параметры: В _DS = -0.3 В, В _GS = 0,3 В, по времени т = 15 с. Был проведен анализ данных, чтобы подобрать постоянную времени для каждого отдельного импульса ( 13 ). Контрольные эксперименты проводили путем воздействия раствора EGTA на бесклеточный каркас в течение определенного периода времени, как показано на нормализованных данных на рис. S8C.

Благодарности: Финансирование: Мы признательны за финансирование проекта ANR 3Bs (ANR15-CE18-0004-001 для S.I. и C.P.) и докторантуру от Ecole des Mines de St.Этьен (М.П.Ф.). Дополнительное финансирование было предоставлено грантом h3020 ERC CoG «IMBIBE» GA № 723951 (для R.M.O. и C.P.) и грантом h3020-MSCA-IF-2015 «SMART-BONE» GA № 704175 (для D.I.). Вклад авторов: C.P. задумал, выполнил и проанализировал результаты экспериментов. М.П.Ф. делали культуру клеток и СЭМ. Д.И. с помощью SEM и характеризации каркаса. L.T. подготовлены и охарактеризованы ОУНТ. S.I. помог с первоначальной концепцией и подготовкой тубистора. R.M.O. задумал и руководил исследованием на бумаге.Рукопись была написана и отредактирована К. и R.M.O. Конкурирующие интересы: C.P., S.I. и R.M.O. являются изобретателями по патенту, связанному с этой работой, поданному во французское патентное ведомство (заявка № FR 1758683, подана 20 сентября 2017 г.