Транзистор 2sc2625 характеристики: 2SC2625 , , datasheet, , , C2625

Содержание

2sc2654 — параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

2SC3686 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc3686.pdf Size:92K _sanyo

Ordering number:EN1938A
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC3686
Ultrahigh-Definition CRT Display
Horizontal Deflection Output Applications
Applications Package Dimensions
Ultrahigh-definition color display horizontal deflec-
unit:mm
tion output.
2022A

Features
Fast speed (tf typ=100ns).
High breakdown voltage (VCBO=1500V).
High reliability (adoptio

1.2. 2sc3686.pdf Size:99K _jmnic

Product Specification www.jmnic.com
Silicon NPN Power Transistors 2SC3686
ESCRIPTION
·High breakdown voltage
·High reliability (adoption of HVP process).
·Fast speed
·Adoption of MBIT process.
·With TO-3PN package
APPLICATIONS
·Ultrahigh-definition color display horizontal
deflection output.
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base

 1.3. 2sc3686.pdf Size:198K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3686
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: V = 800V(Min)
CEO(SUS)
·High Switching Speed
·Wide Area of Safe Operation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for ultrahigh-definition color display horizontal
deflection output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM R

2SC2625 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2625b.pdf Size:238K _update

RoHS
2SC2625B RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
Silicon NPN triple diffusion planar transistor
(High voltage switching transistor)
10A/400V/80W
15.6±0.4
4.8±0.2
9.6
2.0±0.1
Φ3.2±0,1
TO-3P(B)
2
3
FEATURES
+0.2
+0.2
0.65
1.05
-0.1
-0.1
High-speed switching
High collector to base voltage VCBO
5.45±0.1 5.45±0.1
1.4
Satisfactory linearity of foward cur

1.2. 2sc2625.pdf Size:129K _mospec

A
A
A

 1.3. 2sc2625.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2625
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃

2SC2624 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2624.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2624
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXI

4.1. 2sc2625b.pdf Size:238K _update

RoHS
2SC2625B RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
Silicon NPN triple diffusion planar transistor
(High voltage switching transistor)
10A/400V/80W
15.6±0.4
4.8±0.2
9.6
2.0±0.1
Φ3.2±0,1
TO-3P(B)
2
3
FEATURES
+0.2
+0.2
0.65
1.05
-0.1
-0.1
High-speed switching
High collector to base voltage VCBO
5.45±0.1 5.45±0.1
1.4
Satisfactory linearity of foward cur

4.2. 2sc2626.pdf Size:101K _fuji

Fuji Semiconductor, Inc. — P.O. Box 702708 — Dallas, TX 75370 — 972-733-1700 — www.fujisemiconductor.com

 4.3. 2sc2620.pdf Size:24K _hitachi

2SC2620
Silicon NPN Epitaxial Planar
Application
VHF amplifier, Local oscillator
Outline
MPAK
3
1
1. Emitter
2. Base
2
3. Collector
2SC2620
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector to base voltage VCBO 30 V
Collector to emitter voltage VCEO 20 V
Emitter to base voltage VEBO 4V
Collector current IC 20 mA
Collector power dissipation PC 100 mW
Junct

4.4. 2sc2628.pdf Size:138K _mitsubishi

 4.5. 2sc2627.pdf Size:135K _mitsubishi

4.6. 2sc2629.pdf Size:135K _mitsubishi

4.7. 2sc2625.pdf Size:129K _mospec

A
A
A

4.8. 2sc2621 3da2621.pdf Size:231K _no

2SC2621(3DA2621) 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途:用于彩电色度信号输出。
Purpose: Color TV chroma output applications.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号 数值 单位
Symbol Rating Unit
V 300 V
CBO
V 300 V
CEO
V 6.5 V
EBO
I 200 mA
C
I 700 mA
CP
P (Ta=25℃) 1.2 W
C
P (Tc=25℃) 10 W
C
T 150 ℃

4.9. 2sc2626.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2626
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXI

4.10. 2sc2625.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2625
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃

4.11. 2sc2620.pdf Size:337K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC2620
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=20mA
1 2
● Collector Emitter Voltage VCEO=20V
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 30
Collect

2SC2954 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2954.pdf Size:103K _nec

DATA SHEET
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC2954
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
POWER MINI MOLD
DESCRIPTION
The 2SC2954 is an NPN epitaxial silicon transistor disigned for
PACKAGE DIMENSIONS
low noise wide band amplifier and buffer amplifier of OSC, for VHF
(Unit: mm)
and CATV bnad.
4.50.1
FEATURES
1.50.1
1.60.2
Low Noise and High Gain.
f = 200 MHz, 500 MHz
NF: 2.3 dB, 2.4

1.2. 2sc2954.pdf Size:182K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN RF Transistor 2SC2954
DESCRIPTION
·Low Noise and High Gain
NF = 2.3 dB TYP. ; ︱S ︱2 = 20 dB TYP.
21e
@ f = 200 MHz
NF = 2.4 dB TYP. ; ︱S ︱2 = 12.5 dB TYP.
21e
@ f = 500 MHz
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low noise wide band amplifier and buffer
amplifie

 4.1. 2sc2958 2sc2959.pdf Size:80K _nec

DATA SHEET
SILICON TRANSISTORS
2SC2958, 2959
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS
FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
Ideal for use of high voltage current such as TV vertical
deflection (drive and output), audio output, pin cushion
correction
Complementary transistor with 2SA1221 and 2SA1222
VCEO = 140 V: 2SA1221/2SC2958
VCEO = 160 V: 2SA1222/2SC2959

4.2. 2sc2951.pdf Size:21K _advanced-semi

2SC2951
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI 2SC2951 is a High
PACKAGE STYLE .200 2L FLG
Frequency Transistor Designed for
General Purpose Oscillator
Applications up to 10 GHz.
FEATURES:
• POSC = 630 mW Typical at 7.5 GHz



• Omnigold Metallization System



MAXIMUM RATINGS
IC 440 mA
VCE 16 V
VCB 25 V
PDISS 9.7

 4.3. 2sc2952.pdf Size:28K _advanced-semi

2SC2952
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
PACKAGE STYLE TO-39
DESCRIPTION:
The 2SC2592 is a High Frequency
Transistor Designed for General
Purpose VHF-UHF Amplifier
Applications.
MAXIMUM RATINGS
IC 250 mA
VCE 30 V
PDISS 3.5 W @ TC = 25 OC
TJ -65 to +200 OC
TSTG -65 to +200 OC
1 = Emitter 2 = Base
3 & 4 = Collector (Case)
50 OC/W
θJC
θ
θ
θ
CHARACTERISTICS TC = 25 OC

2SC5858 Datasheet (PDF)

4.1. 2sc5856.pdf Size:235K _update

2SC5856
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5856
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC S

4.2. 2sc5859.pdf Size:200K _toshiba

2SC5859
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5859
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV
High Voltage : V = 1700 V
CBO
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (Typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 1700 V
Collector-Emi

 4.3. 2sc5855.pdf Size:194K _toshiba

2SC5855
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5855
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

4.4. 2sc5850.pdf Size:85K _renesas

To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (

 4.5. 2sc5855.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5855
DESCRIPTION
·High speed switching
·High voltage
·Low saturation voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Horizontal deflection output for super high resolution
·Display color TV digital TV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

2SC5859 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5859.pdf Size:200K _toshiba

2SC5859
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5859
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV
High Voltage : V = 1700 V
CBO
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (Typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 1700 V
Collector-Emi

4.1. 2sc5856.pdf Size:235K _update

2SC5856
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5856
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC S

4.2. 2sc5855.pdf Size:194K _toshiba

2SC5855
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5855
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

 4.3. 2sc5850.pdf Size:85K _renesas

To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (

4.4. 2sc5855.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5855
DESCRIPTION
·High speed switching
·High voltage
·Low saturation voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Horizontal deflection output for super high resolution
·Display color TV digital TV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

Биполярный транзистор 2SC5859 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5859

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 210
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 23
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2
MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 320
pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4.5

Корпус транзистора: 2-21F2A

2SC5859


Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5859.pdf Size:200K _toshiba

2SC5859
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5859
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
HDTV, DIGITAL TV, PROJECTION TV
High Voltage : V = 1700 V
CBO
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (Typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 1700 V
Collector-Emi

4.1. 2sc5856.pdf Size:235K _update

2SC5856
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5856
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC S

4.2. 2sc5855.pdf Size:194K _toshiba

2SC5855
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
2SC5855
HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR
Unit: mm
SUPER HIGH RESOLUTION
DISPLAY, COLOR TV, DIGITAL TV
HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS
High Voltage : VCBO = 1500 V
Low Saturation Voltage : VCE (sat) = 3 V (max)
High Speed : tf(2) = 0.1 µs (typ.)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING

 4.3. 2sc5850.pdf Size:85K _renesas

To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (

4.4. 2sc5855.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5855
DESCRIPTION
·High speed switching
·High voltage
·Low saturation voltage
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Horizontal deflection output for super high resolution
·Display color TV digital TV
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

2SC3619 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc3619.pdf Size:213K _toshiba



1.2. 2sc3619.pdf Size:191K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3619
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 300V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·High voltage switching and amplifier applications.
·Color TV horizontal driver applications.
·Color TV chroma output applications.
ABSOL

 4.1. 2sc3613.pdf Size:241K _toshiba



4.2. 2sc3617.pdf Size:225K _nec

 4.3. 2sc3618.pdf Size:228K _nec

4.4. 2sc3616.pdf Size:168K _nec

 4.5. 2sc3615.pdf Size:164K _nec

4.6. 2sc3611.pdf Size:70K _panasonic

Power Transistors
2SC3611
Silicon NPN epitaxial planar type
Unit: mm
For video amplifier
8.0+0.5
0.1
3.20.2
? 3.160.1
Features
High transition frequency fT
Small collector output capacitance Cob
Wide current range
TO-126B package which requires no insulation plate for installa-
tion to the heat sink
Absolute Maximum Ratings TC = 25C
0.750.1
0.50.1
Parameter Symbol

4.7. 2sc3617.pdf Size:1269K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC3617
SOT-89
Unit:mm
1.70 0.1
■ Features
● Collector Current Capability IC=0.3A
● Collector Emitter Voltage VCEO=50V
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 50
Collector — Emitter Voltage VCEO 50 V
Emitter — Base Voltage VE

4.8. 2sc3618.pdf Size:1258K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC3618
SOT-89
Unit:mm
1.70 0.1
■ Features
● Collector Current Capability IC=0.7A
● Collector Emitter Voltage VCEO=25V
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 25
Collector — Emitter Voltage VCEO 25 V
Emitter — Base Voltage VE

2SC2786 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2786.pdf Size:286K _nec

4.1. 2sc2783.pdf Size:117K _toshiba



4.2. 2sc2782.pdf Size:137K _toshiba

2SC2782
TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE
2SC2782
VHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS
Unit in mm
Output Power : Po = 80W (Min.)
(f = 175MHz, VCC = 12.5V, Pi = 18W)
MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)
CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT
Collector-Base Voltage VCBO 36 V
Collector-Emitter Voltage VCEO 16 V
Emitter-Base Voltage VEBO 4 V
Collector Current IC 20 A

 4.3. 2sc2780.pdf Size:209K _nec

4.4. 2sc2784.pdf Size:185K _nec

 4.5. 2sc2787.pdf Size:228K _nec

4.6. 2sc2785.pdf Size:281K _nec

4.7. 2sc2788.pdf Size:200K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2788
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
·Collector-Emitter Breakdown Voltage
·Good Linearity of h
FE
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for switching regulators applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
S

4.8. 2sc2785.pdf Size:494K _lge

2SC2785
TO-92S Transistor (NPN)
1. EMITTER
TO-92S
2. COLLECTOR
3. BASE
1 2 3
Features

High voltage VCEO:50V
Excellent hFE Linearity:0.92 TYP hFE1 (0.1mA)/ hFE2 (1mA)
Complementary to 2SA1175 PNP transistor
MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted)
Symbol Value Units
Parameter
VCBO 60 V
Collector-Base Voltage
VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V
VEBO Emit

4.9. 2sc2780.pdf Size:1171K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC2780
SOT-89
Unit:mm
1.70 0.1
■ Features
● Collector Current Capability IC=50mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=140V
● Complementary to 2SA1173
0.42 0.1
0.46 0.1
1.Base
2.Collector
3.Emitter
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 140
Collector — Emitter Voltage VCEO

2SC2634 Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2634 e.pdf Size:42K _panasonic

Transistor
2SC2634
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency and low-noise amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1127
5.0 0.2 4.0 0.2
Features
Low noise voltage NV.
High foward current transfer ratio hFE.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Ratings Unit
+0.2 +0.2
Collector to base voltage VCBO 60 V 0.45 0.1 0.45 0.1
1.27 1.27
Collector to emitter v

1.2. 2sc2634.pdf Size:38K _panasonic

Transistor
2SC2634
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency and low-noise amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1127
5.0 0.2 4.0 0.2
Features
Low noise voltage NV.
High foward current transfer ratio hFE.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Ratings Unit
+0.2 +0.2
Collector to base voltage VCBO 60 V 0.45 0.1 0.45 0.1
1.27 1.27
Collector to emitter v

 4.1. 2sc2639.pdf Size:127K _toshiba



4.2. 2sc2638.pdf Size:128K _toshiba



 4.3. 2sc2632.pdf Size:34K _panasonic

Transistor
2SC2632
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1124
5.9 0.2 4.9 0.2
Features
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.
High collector to emitter voltage VCEO.
Small collector output capacitance Cob.
0.7 0.1
2.54 0.15
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Rat

4.4. 2sc2632 e.pdf Size:38K _panasonic

Transistor
2SC2632
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1124
5.9 0.2 4.9 0.2
Features
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.
High collector to emitter voltage VCEO.
Small collector output capacitance Cob.
0.7 0.1
2.54 0.15
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Rat

 4.5. 2sc2636 e.pdf Size:59K _panasonic

Transistor
2SC2636
Silicon NPN epitaxial planer type
For high-frequency amplification/oscillation
Unit: mm
6.9 0.1 2.5 0.1
1.5
1.5 R0.9 1.0
Features
R0.9
High transition frequency fT.
M type package allowing easy automatic and manual insertion as
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.
0.85
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
0.55 0.1 0.45 0.05
Parameter Symbol

4.6. 2sc2631 e.pdf Size:38K _panasonic

Transistor
2SC2631
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1123
5.0 0.2 4.0 0.2
Features
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.
High collector to emitter voltage VCEO.
Small collector output capacitance Cob.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Ratings Unit
+0.2 +0.2

4.7. 2sc2631.pdf Size:34K _panasonic

Transistor
2SC2631
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification
Unit: mm
Complementary to 2SA1123
5.0 0.2 4.0 0.2
Features
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.
High collector to emitter voltage VCEO.
Small collector output capacitance Cob.
Absolute Maximum Ratings (Ta=25?C)
Parameter Symbol Ratings Unit
+0.2 +0.2

4.8. 2sc2636.pdf Size:126K _panasonic

4.9. 2sc2630.pdf Size:135K _mitsubishi

Биполярный транзистор 2SC5252 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SC5252

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3

Корпус транзистора: TO-3PFM

2SC5252


Datasheet (PDF)

1.1. 2sc5252.pdf Size:38K _hitachi

2SC5252
Silicon NPN Triple Diffused Planar
ADE-208-391A (Z)
2nd. Edition
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf ? 0.15 sec(typ.)
Isolated package
TO3PFM
Outline
TO-3PFM
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5252
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit

1.2. 2sc5252.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5252
DESCRIPTION
·High speed switching
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Character display horizontal deflection output
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage 1500 V
CBO
V Collector-Emitter Vo

 4.1. 2sc5255.pdf Size:180K _toshiba

2SC5255
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5255
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1

4.2. 2sc5256ft.pdf Size:104K _toshiba



 4.3. 2sc5257.pdf Size:126K _toshiba



4.4. 2sc5256.pdf Size:164K _toshiba



 4.5. 2sc5259.pdf Size:182K _toshiba



4.6. 2sc5254.pdf Size:177K _toshiba

2SC5254
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type
2SC5254
VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• Low noise figure: NF = 1.5dB (f = 2 GHz)
• High gain: Gain = 8.5dB (f = 2 GHz)
Maximum Ratings (Ta =
= 25°C)
=
=
Characteristics Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 15 V
Collector-emitter voltage VCEO 7 V
Emitter-base voltage VEBO 1

4.7. 2sc5258.pdf Size:103K _toshiba



4.8. 2sc5251.pdf Size:35K _hitachi

2SC5251
Silicon NPN Triple Diffused Planar
Preliminary
Application
Character display horizontal deflection output
Features
High breakdown voltage
VCBO = 1500 V
High speed switching
tf = 0.2 sec (typ)
Isolated package
TO-3PFM (N)
Outline
TO-3PFM (N)
1. Base
2. Collector
3. Emitter
1
2
3
2SC5251
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
Item Symbol Ratings Unit
Collector

4.9. 2sc5250.pdf Size:71K _hitachi

Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freetradezone.com, a service of Partminer, Inc.
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
Printed from www.freet

4.10. 2sc5250.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5250
DESCRIPTION
·Silicon NPN diffused planar transistor
·High speed switching
·Built-in damper diode type
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for display horizontal deflection output
Switching regulator and general purpose
AB

4.11. 2sc5259.pdf Size:1007K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5259
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9 -0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=15mA
1 2
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
+0.1
+0.05
0.95-0.1 0.1-0.01
+0.1
1.9-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto

4.12. 2sc5254.pdf Size:1019K _kexin

SMD Type Transistors
NPN Transistors
2SC5254
SOT-23
Unit: mm
+0.1
2.9-0.1
+0.1
0.4 -0.1
3
■ Features
● Collector Current Capability IC=40mA
● Collector Emitter Voltage VCEO=7V
1 2
+0.05
0.95+0.1
-0.1 0.1 -0.01
1.9+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Symbol Rating Unit
Collector — Base Voltage VCBO 15
Collecto

Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.

2SC2625B Datasheet (PDF)

1.1. 2sc2625b.pdf Size:238K _update

RoHS
2SC2625B RoHS
SEMICONDUCTOR
Nell High Power Products
Silicon NPN triple diffusion planar transistor
(High voltage switching transistor)
10A/400V/80W
15.6±0.4
4.8±0.2
9.6
2.0±0.1
Φ3.2±0,1
TO-3P(B)
2
3
FEATURES
+0.2
+0.2
0.65
1.05
-0.1
-0.1
High-speed switching
High collector to base voltage VCBO
5.45±0.1 5.45±0.1
1.4
Satisfactory linearity of foward cur

3.1. 2sc2625.pdf Size:129K _mospec

A
A
A

3.2. 2sc2625.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC2625
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 400V(Min)
(BR)CEO
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Switching regulators
·Ultrasonic generators
·High frequency inverters
·General purpose power amplifiers
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃

Оцените статью:

отзывы, фото и характеристики на Aredi.ru

Мы доставляем посылки в г. Калининград и отправляем по всей России

  • 1

    Товар доставляется от продавца до нашего склада в Польше. Трекинг-номер не предоставляется.

  • 2

    После того как товар пришел к нам на склад, мы организовываем доставку в г. Калининград.

  • 3

    Заказ отправляется курьерской службой EMS или Почтой России. Уведомление с трек-номером вы получите по смс и на электронный адрес.

!

Ориентировочную стоимость доставки по России менеджер выставит после оформления заказа.

Гарантии и возврат

Гарантии
Мы работаем по договору оферты, который является юридической гарантией того, что мы выполним свои обязательства.

Возврат товара
Если товар не подошел вам, или не соответсвует описанию, вы можете вернуть его, оплатив стоимость обратной пересылки.

  • У вас остаются все квитанции об оплате, которые являются подтверждением заключения сделки.
  • Мы выкупаем товар только с проверенных сайтов и у проверенных продавцов, которые полностью отвечают за доставку товара.
  • Мы даем реальные трекинг-номера пересылки товара по России и предоставляем все необходимые документы по запросу.
  • 5 лет успешной работы и тысячи довольных клиентов.

5 шт. 2SC2625 TO 3P C2625 TO3P Силовые транзисторы (10A,400 В, 80 Вт) Новые и оригинальные|transistor 2sc2625|transistor 10atransistor power

Прочие электронные компоненты

Электронный компонент


Посылка комплекта электронных компонентов       Плата модуля         Печатная плата

 

Интегральная схема


Оптопара        74-серия         Микроконтроллер         Прочее

 

Диод


SMD       DO-41 DO-35       Светодиодный Диод       Мостовые выпрямители          Прочее

 

Резистор


0603 SMD       0805 SMD      1206 SMD       2512 SMD       Резистор в корпусе DIP        Сетевой резистор       Прочее

 

Транзистор


IR MOSFET       Регулятор напряжения (78 79)         (MOSFET) трубка с полевым эффектом       ТРАНЗИСТОР TO-92       Транзистор SMD       Прочее

 

Конденсатор


0603 SMD      0805 SMD     1206 SMD      Электролитический конденсатор       Танталовый конденсатор      Монолитный конденсатор  

 

 CBB      Регулируемый конденсатор       275AVC X2 конденсатор       Прочее

 

Прочая Электроника


Кристаллический осциллятор         IC розетка        Потенциометр

 

 

Какие есть аналоги транзистору D304X?

  • Ходят разговоры, что транзисторы D304X работают не очень хорошо — сделаны никудышно и даже взрываются. (в Интернете встречал не одно такое сообщение)

    А вот чем можно заменить D304X:

  • Раз вы спрашиваете, значит на даташит информации не нашли. Скорее всего у вас SLD304XT полное название или SLD304XT-1 Казалось бы мелочь в названии но это уже разные приборы. Где они стоят, на радиаторах или без. можно подобрать по рабочим функциям. Я лиш предположу это транзистор средней мощности, полярный, обратной проводимости. внешний вид по типу кт-805?

  • Bir göz atın даташит этого транзистора. Из даташита понятно, что

    • транзистор типа NPN
    • максимально допустимый ток коллектора 10 А
    • максимальное допустимое напряжение коллектор-эмиттер 400 В
    • максимальное допустимое напряжение коллектор-база 700 В
    • максимальная рассеиваемая мощность 80 ватт
    • корпус ТО220

    Вот, зная эти параметры, можно подбирать аналог. Таких транзисторов достаточно много. Можно подобрать аналог, например, воспользовавшись onlayn xidmət или посмотрев параметры транзисторов, которые есть в наличии дома, магазине, базаре. Один из таких транзисторов, который у меня есть в наличии 2SC4237, думаю, что подошел бы на замену.

  • Для того что бы найти вам аналог транзистора, вам понадобится знать максимально о вашем транзисторе, это для того что бы вы правильно подобрали характеристики. Например для нашего транзистора D304X есть несколько транзисторов по типу оболочки КТ-805. лучше всего аналог подойдет 2SC2625, он более стабилен чем D304X.

  • Стоит он на плате индивидуального отопления. Вырабатывает высокое напряжение для запальника. ддлина-9,5мм, высота-7 мм, толщина-4,5 мм, справа корпус скошен до толщины 3 мм, без такого радиатора, как на КТ-805 в пластмассе Стоит без радиатора .

  • Посмотрите вот этот транзистор- 2sc2625.Возможно есть другие аналоги при подборе аналогов нужно

    обратить внимание на мощность транзистора,его полярность,допустимое напряжение коллектор-база,коллектор-эмиттер,эмиттер-база,максимальный постоянный ток коллектора,частота коэффициента передачи тока.

  • Множество транзисторов могут подойди по похожим характеристикам с этим. Например, транзистор моделью 2SC2625 — он почти такой же, как и D304X, но только чуть быстрее и надежнее, хотя и значительно дороже. если покупаете себе, и на долгое время, я бы посоветовала бы его.

  • Идеальное питание для голодного компьютера — Ferra.ru

    Производитель последней модели проявил чудеса экономии веса. Все дешевые модели ИП примерно похожи на этот. Видимо не зря Denso вместо Octek стал использовать ИП Seasonic. Но у них тоже есть схемная недоработка — низкая надежность работы цепи STB в ИП Seasonic. Это связано с большой тепловой нагруженностью MOSFET транзистора 2SK3067, а т.к. он не установлен на радиатор, то наблюдаются частые отказы, связанные с выходом из строя этого транзистора. В ИП FSP используется новая ИС ШИМ генератора KA3511 c частотой генерации до 200 кГц вместо классической 494 (100 кГц).

    Премущества ее использования: надежная защита всех цепей от понижения и повышения напряжений, минимальное количество внешних элементов, точность установки опорного напряжения 2%. ИС 594 имеет еще большую точность опорного напряжения-1,5% и больших ток выходного каскада (0,5А вместо 0,2А). ИС UC3843 специально разработана для управления мощными MOSFET транзисторами с частотой до 500 кГц. Точность поддержания опорного напряжения — 1%, максимальный выходной ток 1А. Для понимания серьезности схемотехники приводим характеристики ключевых биполярных транзисторов: 2SC4109 — 400В, 16А (32А имп.), 140Вт, 0.5 мкс, MJE13009 — максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер — 400В (700В имп.), масимальный постоянный ток коллектора —12A (24A имп), максимальная рассеиваемая мощность 100Вт, время включения 0,5 мкс; 2SC2625 — 400В, 10А (20А имп.), 80Вт, время включения 1 мкс. Последний транзистор выпускается в пластмассовом корпусе ТО-247, вместо обычно применяемого ТО-220АВ и поэтому не нуждается в изолирующей прокладке, увеличивающей тепловое сопротивление корпус транзистора- радиатор и уменьшающую надежность работы. Характеристики полевого тразистора 10N90 — максимальное напряжение сток-исток — 900В, максимальный ток стока —10А (40А имп.), максимальное сопротивление в открытом состоянии — 1,1 Ом, максимальная рассеиваемая мощность 300Вт, время включения — 50 нс. На основании этих данных видно, что применение полевых транзисторов в ИП из-за их высоких параметров более предпочтительно, чем биполярных, несмотря на большую стоимость.

    Подводя итог можно сформулировать критерии выбора качественного ИП:

    1.  вес не менее 2 кг, мощность 300Вт, произведен известной фирмой;
    2.  шлейф проводов должен иметь достаточную длину и количество разъемов. В настоящее время поставляются корпуса InWin c 250Вт ИП для Р4 с укороченным шлейфом и уменьшенным числом разъемов. Для сравнения длина шлейфов питания у ИП HPC 20+8“;
    3.  наличие дросселя. Определяется по дополнительным 2-3 винтам на крышке.

    2SC2625 лист данных —

    2SC5840 : телевизор / дисплей. VCBO (V) = 80 ;; IC (A) = 3 ;; HFE (мин) = 80 ;; HFE (макс.) = 280 ;; Пакет = TO-220D-A1.

    BAT15-099R : Кремниевый диод Шоттки. Силиконовое кроссоверное кольцо с четырьмя диодами Шоттки ESD: устройство, чувствительное к электростатическому разряду, соблюдайте меры предосторожности при обращении! Максимальные характеристики (на диод) Параметр Прямой ток Общая рассеиваемая мощность 70 C Диапазон рабочих температур Температура хранения Символ IF Ptot Top Tstg Значение Единица мВт C Термическое сопротивление (на диод) Соединение — точка пайки 1) RthJS.

    EXB850 : IGBT-привод Hydrid ic.

    FDD3680 : логический уровень. 100 В N-канальный полевой МОП-транзистор Powertrench. Этот N-канальный полевой МОП-транзистор был разработан специально для повышения общей эффективности преобразователей постоянного тока в постоянный, использующих синхронные или обычные импульсные ШИМ-контроллеры. Эти полевые МОП-транзисторы имеют более быстрое переключение и меньший заряд затвора, чем другие полевые МОП-транзисторы с сопоставимыми RDS (ON) s. В результате получается полевой МОП-транзистор, которым легче и безопаснее управлять (даже при очень низкой цене.

    HBD675 : 4A 5V NPN эпитаксиальный планарный транзистор для использования в качестве выходных устройств в дополнительных усилителях общего назначения.

    MTB3N100E : 2 Amp D2pak Surface Mount Products, N-channel, VDSS 1000. TM Data Sheet TMOS E-FET.TM High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount В корпусе D2PAK можно разместить кристалл большего размера, чем любой существующий Корпус для поверхностного монтажа, который позволяет использовать в приложениях, требующих использования компонентов для поверхностного монтажа с более высокой мощностью и меньшими возможностями RDS (on). Этот высоковольтный полевой МОП-транзистор использует усовершенствованный.

    DSEA29-06AC : Быстрые диоды HiPerFRED 2-го поколения * Классы напряжения блокировки: 200 В, 300 В, 400 В, 600 В и 1200 В.* Низкие обратные токи утечки при высоких температурах. * Диапазон тока: 8A — 120A в среднем ..

    045MD22AAMK1STD : CAP, AL2O3,45UF, 10% -TOL, 10% + TOL. Применение Диапазон алюминиевых электролитических конденсаторов, специально разработанных для переменного тока. операция, которая помогает запустить двигатель путем подачи тока на вспомогательную обмотку. Конденсатор не подключен постоянно к обмотке двигателя и отключается после запуска, как правило, автоматически. Прерывистый запуск двигателя переменного тока 6.3 мм двойной.

    CMRDM3590TR : 160 мА, 20 В, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 20 вольт; rDS (вкл.): 3 Ом; PD: 125 милливатт; Тип упаковки: ПАКЕТ, СООТВЕТСТВУЮЩИЙ ROHS-6; Количество блоков в ИС: 2.

    EPR1532S-RCTR : ТЕЛЕКОМ ТРАНСФОРМАТОР. s: Категория: Сигнал; Другие типы трансформаторов / применение: Телеком; Монтаж: чип-трансформатор; Рабочая температура: от 0 до 70 C (от 32 до 158 F); Стандарты: RoHS.

    HJ44h21-AA3-R : 8 А, 80 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: SOT223, SOT-223, 4 PIN.

    R5020818FSWL : 175 А, 800 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, DO-8. s: Пакет: DO-8, DO-8, 1 PIN; Количество диодов: 1; VRRM: 800 вольт; IF: 175000 мА; trr: 1,5 нс.

    254DCN5R4M : КОНДЕНСАТОР, ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ, 5,4 В, 250000 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Технология: ДВОЙНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СЛОЙ; Приложения: общего назначения; Соответствует RoHS: Да; Диапазон емкости: 250000 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 5.4 вольта; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 65 C (от -40 до 149 F).

    2N4960LEADFREE : 1000 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-39. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-3, ТО-39, ТО-39, 3 ПИН.

    380L127M160J012 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 160 В, 270 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s:: Поляризованный; Диапазон емкости: 270 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 160 вольт; Ток утечки: 624 мкА; СОЭ: 737 миллиом; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

    2sc2625 техническое описание и примечания к применению

    2SC2625

    Резюме: 2sc2625 эквивалент
    Текст: Спецификация продукта Inchange Semiconductor Кремниевые силовые транзисторы 2SC2625 NPN ОПИСАНИЕ ・ С корпусом TO-3PN ・ Высокое напряжение, высокая скорость переключения ・ Высокая надежность ПРИМЕНЕНИЯ ・ Импульсные регуляторы ・ Ультразвуковые генераторы ・ Высокочастотные инверторы


    Оригинал
    PDF 2SC2625 2SC2625 2sc2625 эквивалент
    2SC2625

    Резюме: 2sc2625 эквивалент 2SC2625 техническое описание
    Текст: SavantIC Semiconductor Спецификация продукта Силовые кремниевые NPN транзисторы 2SC2625 ОПИСАНИЕ • С корпусом TO-3PN · Высокое напряжение, высокая скорость переключения · Высокая надежность ПРИМЕНЕНИЯ · Импульсные регуляторы · Ультразвуковые генераторы · Высокочастотные инверторы


    Оригинал
    PDF 2SC2625 2SC2625 2sc2625 эквивалент 2SC2625 лист данных
    2sC2625 транзистор

    Аннотация: 2SC2625 транзистор 2sc2625 npn транзистор 2sc2625 силовой транзистор 2sc2625 npn транзистор 2sc2625 эквивалент 2SC2625-T3P-T 2sc2625 эквивалент 2sc2625 * эквивалентный силовой транзистор 2sc2625 datasheet
    Текст: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC2625 NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ * Высокое напряжение, высокая скорость переключения * Высокая надежность 1 TO-3P * Номер продукта с бессвинцовым покрытием: 2SC2625L ИНФОРМАЦИЯ О ПИН. 1 2 3 ИМЯ ПИН


    Оригинал
    PDF 2SC2625 2SC2625L 2SC2625-T3P-T 2SC2625L-T3P-T QW-R214-009 2sC2625 транзистор 2SC2625 транзистор 2sc2625 npn транзистор 2sc2625 силовой транзистор 2sc2625 npn транзистор 2sc2625 эквивалент 2SC2625-T3P-T 2sc2625 эквивалент 2sc2625 * эквивалент силовой транзистор 2sc2625 лист данных
    силовой транзистор 2sc2625

    Резюме: 2SC2625 транзистор 2sc2625 2sC2625 транзистор 2sc2625 эквивалентный силовой транзистор 2sc2625 техническое описание SC-65
    Текст: 2SC2625 СИЛОВЫЙ ТРАНЗИСТОР FUJI ТРОЙНОЙ ДИФФУЗИРОВАННЫЙ ПЛАНЕР ТИП ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, БЫСТРОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Конструктивные чертежи Применение, переключение высокоскоростных регуляторов Характеристики Высокоскоростное переключение Характеристики Ультразвуковые генераторы Преобразователи высокой частоты


    Оригинал
    PDF 2SC2625 силовой транзистор 2sc2625 2SC2625 транзистор 2sc2625 2sC2625 транзистор 2sc2625 эквивалент силовой транзистор 2sc2625 лист данных SC-65
    2SC2625

    Реферат: транзистор 2sc2625 npn + транзистор 2sc2625 + эквивалент 2sC2625 транзистора
    Текст: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC2625 NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ * Высокое напряжение, высокая скорость переключения * Высокая надежность TO-3P * Номер продукта с бессвинцовым покрытием: 2SC2625L ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Номер заказа Нормальный


    Оригинал
    PDF 2SC2625 2SC2625L 2SC2625-T3P-T 2SC2625L-T3P-T QW-R214-009 2SC2625 транзистор 2sc2625 npn + транзистор + 2sc2625 + аналог 2sC2625 транзистор
    2SC2625

    Аннотация: силовой транзистор 2sc2625, техническое описание, транзистор 2sc2625, 2sc2625, аналог 2sC2625, транзистор, силовой транзистор 2sc2625,
    Текст: 2SC2625 СИЛОВЫЙ ТРАНЗИСТОР FUJI ТРОЙНОЙ ДИФФУЗИРОВАННЫЙ ПЛАНЕР ТИПА ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, БЫСТРОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Конструктивные чертежи Применение Ультра-высокоскоростных регуляторов Высокая надежность переключения Высокоскоростные регуляторы генераторы Преобразователи высокой частоты


    Оригинал
    PDF 2SC2625 SC-65 2SC2625 силовой транзистор 2sc2625 лист данных транзистор 2sc2625 2sc2625 эквивалент 2sC2625 транзистор силовой транзистор 2sc2625
    sn76131

    Резюме: tlo72cp TOSHIBA 2N3055 2N3055 M53207P TOSHIBA KIA7313AP kia7640ap LA5530 M5L8155P TBB1458B
    Текст: АКТИВНЫЙ КОМПОНЕНТЫ ЭЛЕКТРОНИКИ Перекрестная руКоводство 2SC429GTM 2SC458 2SC458LG 2SC503 2SC504 2SC510 2SC512 2SC519 2SC520A 2SC594 2SC699A 2SC780 2SC809-1 2SC945 2SC3012 2SC3074 2SC3114 2SC3115 2SC3116 2SC3117 2SC3134 2SC3135 2SC3138 2SC3143 2SC3144 2SC3145 2SC3157


    Оригинал
    PDF 2SC429GTM 2SC458 2SC458LG 2SC503 2SC504 2SC510 2SC512 2SC519 2SC520A 2SC594 sn76131 tlo72cp TOSHIBA 2N3055 M53207P 2N3055 TOSHIBA KIA7313AP kia7640ap LA5530 M5L8155P TBB1458B
    SKC10C75

    Аннотация: SKC10C70 SKC10A75 2sc2303 BUY70 STI403 2SC2650 idc33
    Текст: СИЛОВЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Номер позиции Номер детали Производитель Тип> c Max V BR CEO (A) Of) PD Max hFE fT ON) Min (Hz) ICBO t0N r (CE) sat Toper Макс Макс (A) (8) Макс (Ом) Макс (° C) Тип корпуса D тиски 20 Вт или более, (продолжение) 5 10 15 20 25 30 35 40 45


    Оригинал
    PDF XGSR7535 SPT4624 BUW22 SML02354 BUW24 XGSR10035 SVT350-5 2N6579 2N6582 SKC10C75 SKC10C70 SKC10A75 2sc2303 КУПИТЬ70 STI403 2SC2650 idc33
    к2645

    Реферат: k4005 U664B mosfet k4005 MB8719 транзисторный mosfet k4004 SN16880N stk5392 STR451 BC417
    Текст: 1 BHIAB Electronics Du söker besvärliga IC & transistorer, börja Ditt sökande hos oss — vi har fler typer etna röva »» visar lagerartiklar men tyvärr saknas priser och viss information Men uppdatering sker kontinuerligt


    Оригинал
    PDF MK135 MK136 MK137 MK138 MK139 MK140 Mk142 MK145 MK155 157 шведских крон k2645 k4005 U664B mosfet k4005 MB8719 транзистор mosfet k4004 SN16880N stk5392 STR451 BC417
    СТК411-230Э

    Реферат: STK411-220E stk442-130 PAL005A UPC2581V FN1016 STRG6153 RSN313h35 STK407-070B MCZ3001D
    Текст: R Обслуживание электронной промышленности с 1982 года Сделать заказ в Dalbani очень просто Перейти на: www.dalbani.com Поиск и проверка запасов Busque y revise nuestro inventoryario A Search Введите номер вашей позиции и нажмите GO Entre el numero del producto y haga clicsobre GO Система перенесет вас прямо к позиции, которую вы ищете


    Оригинал
    PDF СТВДСТ-01 CAT22 СТК411-230Э СТК411-220Е stk442-130 PAL005A UPC2581V FN1016 STRG6153 РСН313х35 СТК407-070Б MCZ3001D
    Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен.
    Текст: i, Una.£ .mL-L, ona.uctot ТЕЛЕФОН: 973 376-2922, 20 STERN AVE. СПРИНГФИЛД, НЬЮ-ДЖЕРСИ 07081 США (212) 227-6005 ФАКС: (973) 376-8960 СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN СЕРИИ SVMTCHMODE. разработан для использования в высоковольтных, высокоскоростных, переключателях питания в индуктивных цепях и в режимах быстрого переключения, таких как переключение


    Оригинал
    PDF 2SC2625 2SC2626 800 мА) ВКК-150В 30 Ом
    2SC2625

    Аннотация: ET191 et190 эквивалент 2sc2625 эквивалент ET206 2SD1072 2SD982 et188 2SC2438 2SC2542
    Текст: パ ワ ー デ バ イ ス / Силовые устройства • パ ワ ー ト ラ ン ジ ス タ (モ ー ル ド タ イ プ) Типы питания Транзисторы Формованные 超 高速 ス イ ッ チ ン グ ト ラ ン ジ ス タ Высокая скорость переключения транзисторов 形 式 Тип устройства VCBO VCEO 2SC2438 2SC2767


    Оригинал
    PDF 2SC2438 2SC2767 2SC2768 2SC2769 2SC2944 2SC2626 2SC2929 2SC2542 2SC3723 2SC3317 2SC2625 ET191 et190 эквивалент 2sc2625 эквивалент ET206 2SD1072 2SD982 et188 2SC2438 2SC2542
    d4515

    Аннотация: транзистор d209l D208L
    Текст: Поиск продуктов Домой Продукты Категория О нас Новости продуктов Применение Сообщение для нас Связаться с нами Вы здесь:> Домой> Витрина продуктов> Транзисторы / IC продукты Показать диодный мост сверхбыстрый диод сверхбыстрый диод FRD диод STD диод диод Шоттки Transil / TVS


    Оригинал
    PDF О-126 D1148D D1151 D1160 D1173A BUT11A D4515 2SC3320 BUS13 d4515 d209l транзистор D208L
    ПАСПОРТ ТРАНЗИСТОРА
    D1555

    Аннотация: d1555 транзистор TRANSISTOR D1651 D1555 D1557 D1554 d1651 транзистор S1854 транзистор d1555 транзистор d1878
    Текст: 型号 2N109 2N1304 2N1305 2N1307 2N1613 2N1711 2N1893 2N2102 2N2148 2N2165 2N2166 2N2219A 2N2222A 2N2223 2N2223A 2N2243A 2N2369A 2N2857 2N2894 2N2905A 2N2906A 2N2907A 2N2917 2N2926 2N2955 2N3019 2N3053 2N3054 2N3055 2N3055 2N3055H 2N3251 2N3375 2N3439 2N3440


    Оригинал
    PDF 2N109 2N1304 2N1305 2N1307 2N1613 2N1711 2N1893 2N2102 2N2148 2N2165 ПАСПОРТ ТРАНЗИСТОРА D1555 d1555 транзистор ТРАНЗИСТОР D1651 D1555 D1557 D1554 d1651 транзистор с1854 транзистор d1555 транзистор d1878
    2SC2625

    Резюме: F151 SC-65 T760 ajo3
    Текст: 2SC2625 * ± ‘ ì> 7 i 9 t ì & T R IP L E D IF F U S E D * »JE.l95t / R89 2SC2625 F151 SC-65 T760 ajo3

    2SC2625

    Аннотация: t930 SC-65 T151 T460 ajo3
    Текст: 2SC2625 * ± ‘ ì> 7 i 9 t ì & T R IP L E * »JE. m ax 4 v *> # m D IF F U S E D PLA N ER T Y PE H, G H v o l tage, h ig h s p e e d s w i t c h i n g: F e a tu re s • KM JE, «iSX -f • JKflMRtt Высокое напряжение, высокая скорость переключения Высокая надежность


    OCR сканирование
    PDF SC-65 I95t / R89) 2SC2625 t930 SC-65 T151 T460 ajo3
    ET-191

    Аннотация: Текст аннотации недоступен.
    Текст: ТРАНЗИСТОРЫ IC AM PS Макс.3 5 IC AM PS Макс. VceoV Pc su s W 800 Pc W 80 Тип устройства NPN 2SC3550 400 60180 80 2SD921 800 40 Тип устройства NPN 2SC2929 2SC3549 800 80 2SC3551 50 25 2SD1157 1000 * 80 ET383 200 25 2SD834 250 60 2SD1073 100 80 ET393 -80 30 2SB862 *


    OCR сканирование
    PDF 2SD921 2SC2929 2SC3549 2SC3551 2SD1157 2SC3550 ET383 2SD834 2SD1073 ET393 ET-191
    2sc4977

    Аннотация: транзистор 2SC4977 25c2625 2SC2625 2SC2047 2SC4977 транзистор ET-191 2SC4795 2SC3320 ET391
    Текст: FUJI


    OCR сканирование
    PDF 2SC3550 2SD921 2SC3551 ET383 2SC3505 2SC4419 2SC2656 2SC3030 ET190 2SD923 2sc4977 транзистор 2SC4977 25c2625 2SC2625 2SC2047 2SC4977 транзистор ET-191 2SC4795 2SC3320 ET391
    Нет в наличии

    Аннотация: Текст аннотации недоступен. — f Высокоскоростные переключающие транзисторы m * Vceo Volts 80 Ic Com.Aflips. 7 200 200 200 200 300 400 5 6 10 15 15 3 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 500 5 5 5 7 7 10 V ceo


    OCR сканирование
    PDF О-220АБ
    2SC2625

    Реферат: npn транзистор 2sc2625 силовой транзистор 2sc2625 NPN транзистор 400v to247 2SC262 транзистор 2sc2625 БЛОК ПЕРЕХОДНОЙ ТРАНЗИСТОР 2sC2625 транзистор
    Текст: / zAMOS PEC SWITCHMODE СЕРИЯ NPN СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ. разработан для использования в высоковольтных, высокоскоростных, силовых переключателях в индуктивных цепях и в импульсных приложениях, таких как импульсные регуляторы, преобразователи.> M 2SC2556 £ fâT 2SC2556A 2SC2553-KA B U 2 S C 2 5 5 8 —M A an n nn œ. sn 2SC2559-KA 2SC2559-MA 2SC2562 2SC2570A s 2SC2585 fâ «F B € 2SC2590 fâT 2SC2582 и 2SC2591 2SC2592 для 2SC2594 и T 2SC2603 VcBO Vce o (V (V)


    OCR сканирование
    PDF 01l3Tc 2SC2556 2SC2556A 2SC2558-KA 800 МГц 2SC2558-MA 2SC2559-KA 2SC2559-MA 2SC2625 2SC2559 2SC2626 2SC2624 251C 2sc2592 2SC2585 2SC2594
    2SC2625

    Аннотация: SC-65 TFCMF ajo3
    Текст: N P N = M $ u W [‘7 l’— i mM T R IP L E D IF F U S E D P L A N E R T Y P E # »JS.ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ . H IG H S P E D S W I T C H I N G: Характеристики • KiW / E, ftiS X — f «j + ‘s? • JKflMRtt Высокое напряжение, высокая скорость переключения Высокая надежность: Приложения


    OCR сканирование
    PDF SC-65 2SC2625 SC-65 TFCMF ajo3
    2SC4977

    Аннотация: «Биполярные транзисторы» 2sc4977
    Текст: БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ФОРМОВОГО ТИПА Номинальные характеристики и характеристики Q Высокоскоростные переключаемые транзисторы • Исключение для переключателей класса 50 кГц в регуляторах • Уменьшение размеров малых трансформаторов Тип устройства VcB OV o lts


    OCR сканирование
    PDF 50 кГц 2SC2438 2SC4383 2SC2767 2SC2768 2SC2769 2SC2944 2SC2626 2SC2440 2SC3723 2SC4977 «Биполярные транзисторы» 2sc4977

    Бизнес и промышленные транзисторы 5 шт. 2SC2625 2625 Fuji Power Transistor TO-3P US Stock p

    Уменьшите счета за электричество и газ

    • Положения и условия

    • Я прочитал и согласен с Условиями использования.
    • Я согласен с этими условиями: *
    • Комментарии

    • У вас есть дополнительные комментарии или вопросы?

    Начать экономить легко

    Мы стремимся предоставить вам бесплатные и беспристрастные консультации по лучшим доступным тарифам на природный газ и электроэнергию.

    ШАГ 1

    ЗАПОЛНИТЬ ФОРМУ

    ШАГ 2

    ВЫ МОЖЕТЕ НАЧАТЬ ЭКОНОМИТЬ 408 ДОЛЛАРОВ В ГОД

    ШАГ 3

    МЫ ПОМОЖЕМ БЕСПЛАТНО ПЕРЕКЛЮЧИТЬ

    Почему выбирают нас среди других?

    Сообщается, что Эдмонтон и Калгари входят в восьмерку самых дорогих городов Северной Америки по электроэнергии и газу.

    Если вы покупаете коммунальные услуги у одной из четырех крупнейших компаний Альберты, то, скорее всего, вы платите слишком много.

    С отменой государственного регулирования в Альберте у вас теперь есть выбор. Даже после дерегулирования эти четыре компании практически не снизили ставки, а в некоторых случаях повысились.

    Если у вас есть контракт с одной из этих компаний, мы можем показать вам, как детали контракта позволяют вам перейти на Energy For Less без штрафа.

    • Без платы за регистрацию
    • Без штрафа за отмену
    • Безбумажный биллинг

    Одна маленькая ошибка, которая стоит многих домохозяйств?

    Расточительство

    408 $ в год! *

    С Energy For Less вы сэкономите…
    G гарантировано!

    5 шт. 2SC2625 2625 Fuji Power Transistor TO-3P US Stock p

    Оптовые цены

    Электричество
    $.03 за кВт · ч

    Природный газ
    1,79 долл. США за ГДж

    Администрация
    9,95 долларов США в месяц

    Без платы за регистрацию. Никаких выходных сборов.

    «Энергия за меньшую цену» всегда продает электроэнергию и природный газ по переменным ценам. История Альберты показывает, что те, кто выбирает переменную ставку, платят намного меньше, чем те, кто выбирает фиксированную ставку. Другие компании любят продавать по фиксированным ставкам, потому что они могут заработать гораздо больше денег.Указанные выше переменные ставки — это фактические цены, указанные в счетах за последний месяц. В дополнение к переменным оптовым ценам, указанным выше, с вас будут взиматься транзакционные сборы в размере 0,01 доллара США за кВтч, 0,90 доллара США за ГДж, административные сборы в размере 9,95 долларов США, расходы на распределение, плату за передачу, фиксированные и переменные сборы поставщика, тарифы, муниципальные франчайзинговые сборы и другие сборы, взимаемые различными поставщиками и косвенно регулируемые провинциальным законодательством.

    5Pcs 2SC2625 2625 Fuji Power Transistor TO-3P US Stock p

    5 шт. 2SC2625 2625 Fuji Power Transistor TO-3P Наличие на складе США стр.5Pcs TO-3P Power Transistor 2SC2625 2625 Fuji New Ic .. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный элемент в оригинальной упаковке (если применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, за исключением случаев, когда товар изготовлен вручную или был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую ​​как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий : Торговая марка: : Без торговой марки , MPN: : Не применяется : UPC: : Не применяется AN EAN: : Не применяется ,。

    5Pcs 2SC2625 2625 Fuji Power Transistor TO-3P US Stock p





    5 шт. 2SC2625 2625 Fuji Power Transistor TO-3P US Stock p

    M5 Винт с шестигранной головкой и потайной головкой Винты с потайной головкой Титановые винты с плоской головкой 2 шт., 17504-1-06 ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОГО ДАТЧИКА 4.5-24 В постоянного тока, 100 мА, макс. 4 фута, 3 провода, PHD INC, D&D PowerDrive B54 или 5L570 Клиновой ремень 5/8 x 57 дюймов, клиновой ремень 6061, длина пластины 2 «T6511 Мельница 1/2» x 1 «Алюминиевый плоский пруток 0,5″, Blue Sky Дабни Ли 2019 2020 Academic Weekly Calendar Planner Fashion Pink Flor. Спиральная вставка, нержавеющая сталь, M12 x 1,50,18 мм L, PK5 ZORO SELECT 3520-12.00X1.5D. 4 PCS черненая СВОБОДНЫЙ корабль 5/8” Диаметр цилиндра Сплит вала Стоп Воротник, 5шт TP4056 Charge De La Batterie Puce SOP-8 Tp сноска, блок 2 блок 2,90″ х 5,70″ х 1,45» Высокое качество Черный Delrin Acetal.Amram 300RP Обычная замена иглы Иглы для маркировочного пистолета 50-4 Упаковки 200 игл, новые излишки General Electric GE SRPE150A125. AC100-250V 6-значный дисплей электромеханический счетчик моточасов, счетчик моточасов, 2061-771640-B03 AB WD10EARS-00Y5B1 WD SATA 3.5 PCB, B & A расширитель ствола предохранителя FBR-24. TESLA TR161 75 кОм УЛЬТРА-НИЗКОШУМНЫЕ ВЫСОКОУСТОЙЧИВЫЕ РЕЗИСТОРЫ ИЗ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ 100шт. 2-1 / 2 «торцевая фреза со сменными пластинами 90 градусов, торцевое фрезерование CAT40 # 506-FMT-212-new, MC1496P IC DEMODLTR, 14-КОНТАКТНЫЙ МОДУЛЯТОР ПОГРУЖЕНИЯ, СБАЛАНСИРОВАННЫЙ МОДУЛЯТОР 1, 80 калибр 18 дюймов X 1500 стретч-пленка для жесткой упаковки коробок Термоусадочная пленка для поддонов.10PCS 2N5109 TO-39 5109 Новый качественный Lron Cap L2KE. Облегченная стальная защитная обувь NASONBERG со стальным носком, мужские рабочие ботинки, пешеходные кроссовки, инфракрасный передатчик NE555, модуль ИК-приемника с держателем 38K для Arduino MA. ZME87 Лот из 20 керамических конденсаторов серии CHV 4700pF 10% 2KV X7R 1812 SMD. 2 компл. GX12-4, 4-контактный разъем, 12 мм, винтовой тип, переходник для панельного разъема, авиационная вилка, Pizza By the Slice Special для sus, труба Charlotte Abs Foam Core Pipe 4 «X 2 ‘Pack 1. СЧЕТЧИК 15X AMD SN74S161N 4-БИТ. DIP16.D&D PowerDrive 122XL037 Ремень ГРМ, поворотный шкив Нержавеющий Коррозионностойкий Серебряный блок M15-32 Водонепроницаемый,

    Дайте нам 90 дней на обслуживание вашего дома электричеством и газом, и мы гарантируем, что сэкономим вам не менее 408 долларов в год * (это 102 доллара за 90 дней).
    Мы переключим вас бесплатно… без платы за регистрацию, без проблем.

    Кто мы?

    Energy For Less работает с 2003 года. Мы специализируемся на продаже электроэнергии, природного газа и высокоскоростного Интернета (см. Www.internetforless.ca) в Альберте. У нас есть рейтинг A + от Better Business Bureau.

    Лучшие тарифы на энергию?

    Чтобы облегчить вам задачу, мы предоставляем гарантию. Если мы не сэкономим вам хотя бы 102 доллара в течение первых 3 месяцев после перехода (что составляет 408 долларов в год), и вы решите вернуться, то мы выплатим вам 102 доллара *. Вы не можете проиграть.

    Какие области мы обслуживаем?

    Вся Альберта.

    Нет контрактов?

    Наши клиенты могут уйти от нас, когда захотят, без штрафных санкций.Нам просто нужно уведомление за 10 дней.

    Будет ли уведомлен мой текущий розничный продавец, когда я перейду на Energy For Less?

    При переходе на «Энергия за меньшую цену» нет необходимости связываться с существующим поставщиком для отмены услуги. Energy for Less выполнит все шаги, необходимые для того, чтобы стать вашим поставщиком услуг без прерывания обслуживания.

    Copyright © 2020 Energy For Less and Sponsor Energy Ltd. Все права защищены.
    * Экономия 408 долларов рассчитана на людей, перешедших на Energy For Less из других компаний.Расчет основан на анекдотических свидетельствах, о том, что клиенты рассказывали нам о компаниях, с которыми они имели дело. Некоторые люди экономят всего 10 долларов в месяц, в то время как другие экономят более 100 долларов в месяц. Эта экономия часто достигается за счет перехода с плана с фиксированной ставкой на план с гораздо более низким тарифом «Энергия за меньшую плату» с переменной ставкой. Клиенты часто не осознают, сколько еще они платят по своим планам с фиксированной процентной ставкой, и как только они видят разницу, они устремляются к нашему плану с плавающей процентной ставкой. Не все спасут, хотя большинство из них.Однако гарантия по-прежнему действует. Мы гарантируем, что каждому, кто перейдет на Energy For Less, вы сэкономите минимум 34 доллара в месяц. Если вы этого не сделаете, мы выпишем вам чек на 102 доллара США при соблюдении следующих условий. Если вы попробуете Energy For Less в течение 3 месяцев, если вам не нравится получаемая вами сумма сбережений, отправьте свой предыдущий счет от вашей предыдущей компании вместе с вашими 3 счетами от Energy For Less и следующим счетом от прошлой компании, с которой вы работали, в которую вы вернулись.Это предложение действует только после вашего третьего счета, но до четвертого счета. Затем, как только мы получим эти 5 счетов, мы отправим вам чек на 102 доллара при условии, что они покажут, что вы не сэкономили по крайней мере 34 доллара в месяц. У нас очень высокий уровень удержания. Когда люди начинают использовать Energy For Less, они редко переключаются на другие компании. Цены, указанные на этом веб-сайте, основаны на фактических счетах-фактурах за май 2020 года за переменную энергию, которые будут указаны в вашем счете.Однако эти цены колеблются. Обратите внимание, что другие элементы вашего счета, такие как сборы дистрибьютора, сборы за передачу данных, сборы балансирующего пула, сборы гонщиков и другие, регулируются законодательством провинции и не изменяются независимо от того, какой розничный торговец вы используете.

    Energy For Less является торговым наименованием Sponsor Energy Inc. Sponsor Energy — лицензированный продавец электроэнергии (розничная лицензия № 343969) и природного газа (розничная лицензия № 343970) в провинции Альберта.

    Главный офис: 408, 1040 7th Ave SW, Calgary, AB T2P3G9 Телефон 1-800-929-8966

    Транзистор 2SC2625 NPN 400 В 10 А 80 Вт TO-247 / 3P /

    Модель: 2SC2625
    Тип: биполярный
    Полярность: NPN
    Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
    Максимальное напряжение эмиттер-база: 7 В
    Максимальное напряжение коллектор-база: 450 В
    Постоянный ток коллектора: 10 А
    Ток отключения коллектора: 1 мА
    Мощность: 80 Вт
    Максимальная рабочая температура: 150 ° C
    Корпус: ТО-3ПН
    Монтаж: THT

    Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uceo:

    Максимальный ток коллектора Ic:

    Макcимально допустимое напряжение коллектор-база Ucbo:

    Ссылка на объект не указана для экземпляра объекта.

    Ссылка на объект не установлена ​​на экземпляр объекта.

    Ссылка на объект не установлена ​​на экземпляр объекта. Описание: Необработанное исключение во время выполнения текущего веб-запроса. Просмотрите трассировку стека для получения дополнительных сведений об ошибке и ее происхождении в коде.

    Сведения об исключении: System.NullReferenceException: ссылка на объект не установлена ​​на экземпляр объекта.

    Ошибка источника:

    Исходный код, создавший это необработанное исключение, может быть показан только при компиляции в режиме отладки. Чтобы включить это, выполните один из следующих шагов, затем запросите URL-адрес:

    1. Добавьте директиву «Debug = true» в верхнюю часть файла, вызвавшего ошибку. Пример:

    <% @ Page Language = "C #" Debug = "true"%>

    или:

    2) Добавьте следующий раздел в файл конфигурации вашего приложения:





    Обратите внимание, что этот второй метод приведет к компиляции всех файлов в данном приложении в режиме отладки. Первый метод приведет к компиляции только этого конкретного файла в режиме отладки.

    Важно: Запуск приложений в режиме отладки вызывает накладные расходы на память / производительность. Перед развертыванием в производственном сценарии необходимо убедиться, что в приложении отключена отладка.


    Трассировка стека:
    [NullReferenceException: ссылка на объект не соответствует экземпляру объекта.]
       ASP.page_not_found_aspx .__ Renderform1 (HtmlTextWriter __w, Control parameterContainer) +243
       System.Web.UI.Control.RenderChildrenInternal (писатель HtmlTextWriter, дочерние элементы ICollection) +130
       System.Web.UI.HtmlControls.HtmlForm.RenderChildren (писатель HtmlTextWriter) +314
       System.Web.UI.HtmlControls.HtmlContainerControl.Render (писатель HtmlTextWriter) +47
       System.Web.UI.Control.RenderChildrenInternal (писатель HtmlTextWriter, дочерние элементы ICollection) +245
       System.Web.UI.Page.Render (писатель HtmlTextWriter) +39
       Artistika.Web.UI.WebControls.ArtistikaBasePage.Render (писатель HtmlTextWriter) в D: \ ARTISTIKA \ Project \ loging-elektronics \ Artistika \ Web \ UI \ WebControls \ ArtistikaBasePage.cs: 125
       Система.Web.UI.Page.ProcessRequestMain (логическое includeStagesBeforeAsyncPoint, логическое includeStagesAfterAsyncPoint) +5289
     


    Информация о версии: Microsoft .NET Framework Версия: 4.0.30319; Версия ASP.NET: 4.0.30319.272

    5PCS 2SC2625 2625 FUJI Power Transistor TO-3P NEW S3 Бизнес и промышленные транзисторы alberdi.com.mx

    5PCS 2SC2625 2625 Силовой транзистор FUJI TO-3P NEW S3 Деловые и промышленные транзисторы alberdi.com.mx

    5PCS 2SC2625 2625 FUJI Power Transistor TO-3P NEW S3, FUJI Power Transistor TO-3P NEW S3 5PCS 2SC2625 2625, Найдите много новых и использованных опций и получите лучшие предложения для 5PCS 2SC2625 2625 FUJI Power Transistor TO-3P NEW S3 по лучшим онлайн ценам на, Бесплатная доставка для многих товаров. Силовой транзистор TO-3P NEW S3 5PCS 2SC2625 2625 FUJI.

    Ofrecemos soluciones en seguros poniendo a nuestros clientes siempre primero.

    Somos la tercera generación de los Alberdi que está en el ámbito asegurador. Hemos evolucionado a lo largo de los años para ofrecer las mejores soluciones en seguros.

    {«wp_error»: «ошибка cURL 7: не удалось подключиться к порту 443 ekr.zdassets.com: истекло время ожидания подключения»}

    5PCS 2SC2625 2625 FUJI Силовой транзистор TO-3P NEW S3

    TCMT 21.51 MP3 TCMT 110204 ПОДХОДИТ ДЛЯ KENNAMETAL ISCAR ETC, КВАДРАТНАЯ МОДЕЛЬ D 5 ПИТАТЕЛЬНЫЙ ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ НА 100 АМПЕР MCC MCCB КОВШ 9 ». CASE # h536647 Один НОВЫЙ двухрядный радиально-упорный подшипник SKF 5209 A / C3 1, подшипник FERSA 29685/20 73.025×112.713×25.400, зарядное устройство Topcon BC-10B, 1 шт. HSS-машина 1 / 4-36 UNS Plug Tap и 1 шт. 1 / 4-36 Инструмент для нарезания резьбы штампом UNS, непроходной калибр для пальцев NoGo 3W Z-Check Zero-Check 0,262 и 0,266 Go. 12V / 24V 80A / 100A Автомобильные реле Автомобильное реле 4 / 5Pin SPDT Car Control Device. DNGA150408T-MC IB55 1 DNGA432T-MC LOC1139A Кол-во вставок из карбида Iscar CBN, универсальный манометр 1-1 / 2 дюйма, черный.Сталь 1/8 «NPT Центральная задняя часть 15 фунтов на кв. Дюйм, MOTOROLA MC34262P DIP8 LOT-4 шт., SERGE MIST 2-1000000416 Фильтр SP-540, 3 шт., Оригинальный Roland SP-300. 2SC4387 Кремниевые силовые транзисторы NPN в корпусе TO-3PML от SANKEN, WESTWARD 30PA68 Angle Finder, 90 градусов, 5 дюймов, синий. 20 шт., 6 x 6 x 5 мм, 4-контактных тактильных сенсорных кнопочных переключателя, тактовые переключатели, повышающий преобразователь постоянного / постоянного тока, стабилизатор 140 Вт, от 12 В до 28 В, водонепроницаемые 5A. 3/8-дюймовые плоские шайбы из углеродного волокна 5 Пакет. DIN 97 Senkschrauben Holzschrauben Messing blank Schlitz 4,0 мм от 10 до 50 мм.CASE 430 530 470 570 ТРАКТОР СЕРВИСНЫЙ РЕМОНТ РУКОВОДСТВО МАГАЗИНА КНИГА КАПИТАЛЬНЫЙ РЕМОНТ. Стальной степлер Vintage Swingline 747 Army Green # 94-41 Сделано в США. PEPPERL + FUCHS KFD2-UT2-Ex1 Универсальный преобразователь температуры 4-20 мА. Ремень D&D PowerDrive AX98, клиновой ремень 1/2 x 100 дюймов, DS18B20 DS1833 Qt sup neg DS1813 Capteur température au choix 2N2222 DS18S20, Сделано в США, тумблер Northwestern 45404 1 / 2-13 Размер резьбы Лот / 4 колодки. 3 рулона X 75 ярдов. Фирменная упаковочная лента БОПП. Упаковка и транспортировочные материалы.

    5PCS 2SC2625 2625 FUJI Силовой транзистор TO-3P NEW S3

    5 шт. 2SC2625 2625 силовой транзистор FUJI TO-3P новый S3, 5 шт. 2SC2625 2625 силовой транзистор FUJI TO-3P новый S3

    Посмотреть 2SC2625-T3P-T_749643.Техническое описание в формате PDF онлайн — IC-ON-LINE

    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC2625
    ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ
    ХАРАКТЕРИСТИКИ
    * Высокое напряжение, высокая скорость переключения * Высокая надежность
    NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР
    1
    TO-3P
    * Номер продукта с бессвинцовым покрытием: 2SC2625L
    ИНФОРМАЦИЯ О ПИН. 1 2 3 НАИМЕНОВАНИЕ КОНТАКТОВ Базовый коллектор Эмиттер
    ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Номер для заказа Нормальное Покрытие без содержания свинца
    2SC2625-T3P-T 2SC2625L-T3P-T
    Упаковка
    TO-3P
    Упаковка
    Трубка
    www.unisonic.com.tw Copyright (c) 2005 Unisonic Technologies Co., LTD
    1 из 3
    QW-R214-009, B
    2SC2625
    ПАРАМЕТР Коллектор База Напряжение Коллектор Эмиттер Напряжение Эмиттер База Напряжение Коллектор Ток База Ток Мощность Рассеяние Температура перехода Хранение Температура
    NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОР
    АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ (TC = 25)
    СИМВОЛ VCBO VCEO VCEO (SUS) VEBO IC IB PD TJ TSTG RATINGS 450400400 7 10 3 80 +150-40 ~ +150 UNIT VVVVAAWEC
    ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ( TC = 25, если не указано иное)
    ПАРАМЕТР Коллектор База Напряжение Коллектор Эмиттер Напряжение База Эмиттера Напряжение Коллектор-Эмиттер Насыщение Напряжение База Эмиттер Насыщение Напряжение Насыщения Коллектор Ток отключения Эмиттера Ток отключения постоянного тока Время переключения усиления по постоянному току СИМВОЛ VCBO VCEO VCEO (SUS) VEBO VCE (Sat) VBE (Sat) ICBO IEBO hFE tON tSTG tF УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ ICBO = 1mA ICEO = 10mA IC = 1A IEBO = 0.1 мА IC = 4 А, IB = 0,8 А VCBO = 450 В VEBO = 7 В IC = 4 А, VCE = 5 В IC = 7,5 А, IB1 = -IB2 = 1,5 А RL = 20, Pw = 20 с, нагрузка 2% МИН 450 400 400 7 TYP MAX UNIT VVVVVV mA mA sss
    1,2 1,5 1,0 0,1 10 1,0 2,0 1,0
    ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
    ПАРАМЕТР Термическое сопротивление переход к корпусу СИМВОЛ
    JC
    НОМИНАЛЫ 1,55
    ЕДИНИЦ / Вт
    ВРЕМЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ИСПЫТАТЕЛЬНАЯ ЦЕПЬ
    RL = 20
    IB1 IB1 IB2
    IC
    0.9IC IC PW = 20 с тонна 0,1IC t stg tf
    UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
    www.unisonic.com.tw
    2 из 3
    QW-R214-009, B
    2SC2625
    ТИПОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Выходные характеристики коллектора
    14 12
    Ток коллектора, IC (A)
    NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР
    Усиление постоянного тока 300 200
    Усиление постоянного тока, hFE
    TC = 25
    A 9 00 м 70 0 мА
    VCE = 5V
    100 50 30 10 5 3 1 0,03 0,05 0,1 0,3 0,5 1 3 5 10 TC = 120 25-20-40
    10 8 6 4 2 0 0 2 4 6
    5 00 мА
    300 мА 200 мА IB = 100 мА
    8
    10
    12
    14
    Напряжение коллектора-эмиттера, VCE (В)
    Напряжение насыщения базы и коллектора
    Напряжение насыщения, VCE (Sat), VBE (Sat) ( V)
    Ток коллектора, IC (A)
    Зона безопасной эксплуатации 30 TC = 25 10 Однопульсный
    Ток коллектора, IC (A)
    3 1 0.5 0,3 0,1 0,05 0,03 0,01 0,03 0,05 0,1 0,3 0,5 1 VCE (насыщ.) VBE (насыщ.)
    TC = 25 IC = 5I B
    50 с 100 с 200 с 500 с PW = 1 мс
    5 3 1 0,5 0,3 0,1 0,05 0,03 1 3 5 10
    3
    5
    10
    30 50100
    300500
    Ток коллектора, IC (A)
    Напряжение коллектора-эмиттер, VCE (В)
    Время переключения 3 tSTG
    Время переключения (с)
    TC = 25 IC = 5IB1 = 5IB2
    1 0,5 0,3 tON tF
    0,1 0,3
    0,5
    1
    3
    5
    10
    Ток коллектора, IC (A)
    UTC не несет ответственности за отказы оборудования, вызванные использованием продуктов при значениях, превышающих: обычно, номинальные значения (такие как максимальные номинальные параметры, диапазоны рабочих условий или другие параметры), перечисленные в технических характеристиках всех без исключения продуктов UTC, описанных или содержащихся в данном документе.Продукция UTC не предназначена для использования в приборах, устройствах или системах жизнеобеспечения, в которых неисправность этих продуктов может привести к травмам. Полное или частичное воспроизведение запрещено без предварительного письменного согласия правообладателя.

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *