Транзистор bu508a характеристики: BU508A — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор — DataSheet

BU508A — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор — DataSheet

Корпус транзистора BU508A и его обозначение на схемеКорпус транзистора BU508A и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  •  Высокое напряжение пробоя.
  • Неизолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база Vbe = 0 В 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 В 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В 10 В
Ic Ток коллектора 8,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 15,0
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 125 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В, T = 25 °C 1,0 мА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В 0,1 мА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 4,5 А 10
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А 1,3 В
Ft Граничная частота эффективного усиления  I = 5,0 A 7 МГц
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка 0,55 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор BU508 — DataSheet

Кремниевый n-p-n диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

BU508AF Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя
BU508AF Корпус SOT199
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508AFЦоколевка транзистора BU508AF

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Изолированный

 

BU508AW Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя

 

BU508AW Корпус SOT429
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508AW

Цоколевка транзистора BU508AW

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

 

BU508DF Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Встроенный демпферный диод

 

BU508DF Корпус SOT119
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508DF

Цоколевка транзистора BU508DF

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Изолированный

 

 

BU508DW Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Встроенный демпферный диод

 

BU508DW Корпус SOT429
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508DWЦоколевка транзистора BU508DW

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

 

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Маркировка Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Bu508AF Vbe = 0 B 1000 В
Bu508AW 1500
Bu508DF
Bu508DW
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключенной) Bu508AF 700
В
 Bu508AW
Bu508DF
 Bu508DW
Ic Ток коллектора постоянный Bu508AF 8 А
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Icm Ток коллектора, пиковое значение
Bu508AF
15 А
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе Bu508AF Т = 25°С 34 Вт
Bu508AW  125
Bu508DF 34
Bu508DW 125
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Bu508AF Ic = 4.5 А, Ib = 1.6 А 1 В
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Ic_sat Коллекторный ток насыщения К-Э
Bu508AF
F = 16 кГц 4.5 А
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Ib Ток базы Bu508AF 4 А
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Ibm Ток базы пиковое значение Bu508AF 6 А
Bu508AW 
Bu508DF
Bu508DW
Vf Падение напряжения на открытом диоде Bu508DF I = 4.5 А 1.6 2 В
Bu508DW
Tf Время спада импульса Bu508AF Ic_sat = 4.5 А, F = 16 кГц 0.7 мкс
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW
hfe Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ Bu508AF Ic = 100 мА, Vce = 5 В 13 30
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

BU508AFI — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора BU508AFI и его обозначение на схемеКорпус транзистора BU508AFI и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  •  Высокое напряжение пробоя.
  • Изолированный корпус.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcbo Напряжение коллектор-база Vbe = 0 В 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 В 700 В
Vebo Напряжение эмиттер-база Ic = 0 В 10 В
Ic Ток коллектора 8,0 А
Ip Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 15,0
Pc Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 50 Вт
Icbo Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В, T = 25 °C 1,0 мА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 В 100 мкА
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 4,5 А 10
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А 1 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А 1,3 В
Ft Граничная частота эффективного усиления  I = 5,0 A 7 МГц
Tf Время спада импульса индуктивная нагрузка 0,55 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

BU508DF — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора BU508DF и его обозначение на схемеКорпус транзистора BU508DF и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
  • Встроенный демпферный диод.
 
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
Vcesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Vbe = 0 V 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) 700 В
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 А, Ib = 1,6 А 1,0 В
Ic_sat Коллекторный ток насыщения F = 16 кГц 4,5 А
Ic Ток коллектора 8,0 А
Icm Ток коллектора, пиковое значение 15,0 А
Ib Ток базы 4 А
Ibm Ток базы, пиковое значение 6 А
Vf Падение напряжения на прямосмещенном диоде I = 4,5 А 1,6 2,0 В
Ptot Мощность, рассеиваемая на коллекторе T = 25 °C 34 Вт
hFE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 100 mA 13 30
Tf Время спада импульса Ic_sat = 4,5 А, F = 16 кГц 0,7 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

BU508A — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор — DataSheet

Корпус транзистора BU508A и его обозначение на схеме Корпус транзистора BU508A и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

Особенности:

  • Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя.
  • Неизолированный корпус.
Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы Параметр Условия Мин. значение Тип. значение Макс. значение Единицы
ВКБО Напряжение коллектор-база Vbe = 0 Â 1500 В
Vceo Напряжение коллектор-эмиттер Ib = 0 Â 700 В
Вебо Напряжение эмиттер-база Ic = 0 Â 10 В
Ic Ток коллектора 8,0 А
IP Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) 15,0
ПК Мощность, рассеиваемая на коллекторе Т = 25 ° С 125 Вт
Икбо Обратный ток коллектора Vcb = 1500 В, Veb = 0 В, T = 25 ° C 1,0 мА
Iebo Обратный ток эмиттера Veb = 5 В, Ic = 0 Â 0,1 мА
ч FE Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ Vce = 5 В, Ic = 4,5 А 10
Vce_sat Напряжение насыщения К-Э Ic = 4,5 А, Ib = 2,0 А 5 В
Vbe_sat Напряжение насыщения Б-Э Ic = 4,5 А, Ib = 2,0 А 1,3 В
Ft Граничная частота эффективного усиления I = 5,0 А 7 МГц
ТФ Время спада импульса индуктивная нагрузка 0,55 мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl + Enter .

.

Транзистор BU508 — Спецификация

Кремниевый n-p-n диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.

BU508AF Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя
BU508AF Корпус SOT199
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508AF Цоколевка транзистора BU508AF

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Изолированный

BU508AW Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Высокое напряжение пробоя

BU508AW Корпус SOT429
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508AW Цоколевка транзистора BU508AW

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

BU508DF Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Встроенный демпферный диод

BU508DF Корпус SOT119
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508DF Цоколевка транзистора BU508DF

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Изолированный

BU508DW Особенности

  • Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
  • Встроенный демпферный диод

BU508DW Корпус SOT429
Вывод Назначение

Цоколевка транзистора BU508DW Цоколевка транзистора BU508DW

1 База
2 Коллектор
2 Эмиттер
Корпус Коллектор

Предельно допустимые и основные электрические параметры
Обозначение Параметр Маркировка Условия Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
В cesm Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение Bu508AF В быть = 0 В 1000 В
Bu508AW 1500
Bu508DF
Bu508DW
V Генеральный директор Напряжение коллектор-эмиттер (с отключенной) Bu508AF 700 В
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW
I c Ток коллектора постоянный Bu508AF 8 А
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW
I см Ток коллектора, пиковое значение Bu508AF 15 А
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW
P общ Мощность, рассеиваемая на коллекторе Bu508AF Т = 25 ° С 34 Вт
Bu508AW 125
Bu508DF 34
Bu508DW 125
В ce_sat Напряжение насыщения К-Э Bu508AF Я с = 4.5 А, I б = 1,6 А 1 В
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW
I c_sat Коллекторный ток насыщения К-Э Bu508AF F = 16 кГц 4.5 А
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW
I b Ток базы Bu508AF 4 А
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW
I BM Ток базы пиковое значение Bu508AF 6 А
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW
В f Падение напряжения на открытом диоде Bu508DF Я = 4.5 А 1,6 2 В
Bu508DW
T f Время спада импульса Bu508AF I c_sat = 4.5 А, F = 16 кГц 0,7 мкс
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW
h fe Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ Bu508AF I c = 100 мА, В ce = 5 Â 13 30
Bu508AW
Bu508DF
Bu508DW

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl + Enter .

.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *