BU508A — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор — DataSheet
Корпус транзистора BU508A и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | Vbe = 0 В | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | Ib = 0 В | — | — | 700 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | Ic = 0 В | — | — | 10 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 8,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 15,0 | — |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 125 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 1500 В, Veb = 0 В, T = 25 °C | — | — | 1,0 | мА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 0,1 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 4,5 А | — | — | 10 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А | — | — | 5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А | — | — | 1,3 | В |
| Ft | Граничная частота эффективного усиления | I = 5,0 A | — | 7 | — | МГц |
| Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | 0,55 | — | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор BU508 — DataSheet
Кремниевый n-p-n диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
BU508AF Особенности
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Изолированный |
Цоколевка транзистора BU508AF
BU508AW Особенности
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Коллектор |
BU508DF Особенности
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Изолированный |
BU508DW Особенности
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Коллектор |
Цоколевка транзистора BU508DW
| Обозначение | Параметр | Маркировка | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Bu508AF | Vbe = 0 B | — | — | 1000 | В |
| Bu508AW | 1500 | ||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключенной) | Bu508AF | — | — | — | 700 | |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| Ic | Ток коллектора постоянный | Bu508AF | — | — | — | 8 | А |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 15 | А | |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Bu508AF | Т = 25°С | — | — | 34 | Вт |
| Bu508AW | 125 | ||||||
| Bu508DF | 34 | ||||||
| Bu508DW | 125 | ||||||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Bu508AF | Ic = 4.5 А, Ib = 1.6 А | — | — | 1 | В |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения К-Э | F = 16 кГц | — | 4.5 | — | А | |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| Ib | Ток базы | Bu508AF | — | — | — | 4 | А |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF |
|||||||
| Bu508DW | |||||||
| Ibm | Ток базы пиковое значение | Bu508AF | — | — | — | 6 | А |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| Vf | Падение напряжения на открытом диоде | Bu508DF | I = 4.5 А | — | 1.6 | 2 | В |
| Bu508DW | |||||||
| Tf | Время спада импульса | Bu508AF | Ic_sat = 4.5 А, F = 16 кГц | — | 0.7 | — | мкс |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| hfe | Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ | Bu508AF | Ic = 100 мА, Vce = 5 В | — | 13 | 30 | |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
BU508AFI — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора BU508AFI и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Изолированный корпус.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcbo | Напряжение коллектор-база | Vbe = 0 В | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | Ib = 0 В | — | — | 700 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | Ic = 0 В | — | — | 10 | В |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 8,0 | А |
| Ip | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | — | — | — | 15,0 | — |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 50 | Вт |
| Icbo | Обратный ток коллектора | Vcb = 1500 В, Veb = 0 В, T = 25 °C | — | — | 1,0 | мА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 В | — | — | 100 | мкА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 4,5 А | — | — | 10 | — |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А | — | — | 1 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 4,5 A, Ib = 2,0 А | — | — | 1,3 | В |
| Ft | Граничная частота эффективного усиления | I = 5,0 A | — | 7 | — | МГц |
| Tf | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | — | 0,55 | — | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
BU508DF — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet
Корпус транзистора BU508DF и его обозначение на схемеОписание
Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
- Встроенный демпферный диод.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| Vcesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Vbe = 0 V | — | — | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключ. базой) | — | — | — | 700 | В |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 4,5 А, Ib = 1,6 А | — | — | 1,0 | В |
| Ic_sat | Коллекторный ток насыщения | F = 16 кГц | — | 4,5 | — | А |
| Ic | Ток коллектора | — | — | — | 8,0 | А |
| Icm | Ток коллектора, пиковое значение | — | — | — | 15,0 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 4 | А |
| Ibm | Ток базы, пиковое значение | — | — | — | 6 | А |
| Vf | Падение напряжения на прямосмещенном диоде | I = 4,5 А | — | 1,6 | 2,0 | В |
| Ptot | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | T = 25 °C | — | — | 34 | Вт |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 100 mA | — | 13 | 30 | — |
| Tf | Время спада импульса | Ic_sat = 4,5 А, F = 16 кГц | — | 0,7 | — | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
BU508A — кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор — DataSheet
Корпус транзистора BU508A и его обозначение на схеме Описание
Кремниевый NPN эпитаксиальный мезотранзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
Особенности:
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя.
- Неизолированный корпус.
| Предельно допустимые и основные электрические параметры | ||||||
| Символы | Параметр | Условия | Мин. значение | Тип. значение | Макс. значение | Единицы |
| ВКБО | Напряжение коллектор-база | Vbe = 0 Â | – | – | 1500 | В |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | Ib = 0 Â | – | – | 700 | В |
| Вебо | Напряжение эмиттер-база | Ic = 0 Â | – | – | 10 | В |
| Ic | Ток коллектора | – | – | – | 8,0 | А |
| IP | Ток коллектора импульсный (t≤5 мс) | – | – | – | 15,0 | – |
| ПК | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Т = 25 ° С | – | – | 125 | Вт |
| Икбо | Обратный ток коллектора | Vcb = 1500 В, Veb = 0 В, T = 25 ° C | – | – | 1,0 | мА |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 5 В, Ic = 0 Â | – | – | 0,1 | мА |
| ч FE | Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 4,5 А | – | – | 10 | – |
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 4,5 А, Ib = 2,0 А | – | – | 5 | В |
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 4,5 А, Ib = 2,0 А | – | – | 1,3 | В |
| Ft | Граничная частота эффективного усиления | I = 5,0 А | – | 7 | – | МГц |
| ТФ | Время спада импульса | индуктивная нагрузка | – | 0,55 | – | мкс |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl + Enter .
.Транзистор BU508 — Спецификация
Кремниевый n-p-n диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников.
BU508AF Особенности
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Изолированный |
BU508AW Особенности
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Высокое напряжение пробоя
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Коллектор |
BU508DF Особенности
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Изолированный |
BU508DW Особенности
- Высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Встроенный демпферный диод
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Коллектор |
| Обозначение | Параметр | Маркировка | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| В cesm | Напряжение коллектор-эмиттер, пиковое значение | Bu508AF | В быть = 0 В | – | – | 1000 | В |
| Bu508AW | 1500 | ||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| V Генеральный директор | Напряжение коллектор-эмиттер (с отключенной) | Bu508AF | – | – | – | 700 | В |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| I c | Ток коллектора постоянный | Bu508AF | – | – | – | 8 | А |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| I см | Ток коллектора, пиковое значение | Bu508AF | – | – | – | 15 | А |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| P общ | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Bu508AF | Т = 25 ° С | – | – | 34 | Вт |
| Bu508AW | 125 | ||||||
| Bu508DF | 34 | ||||||
| Bu508DW | 125 | ||||||
| В ce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Bu508AF | Я с = 4.5 А, I б = 1,6 А | – | – | 1 | В |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| I c_sat | Коллекторный ток насыщения К-Э | Bu508AF | F = 16 кГц | – | 4.5 | – | А |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| I b | Ток базы | Bu508AF | – | – | – | 4 | А |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| I BM | Ток базы пиковое значение | Bu508AF | – | – | – | 6 | А |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| В f | Падение напряжения на открытом диоде | Bu508DF | Я = 4.5 А | – | 1,6 | 2 | В |
| Bu508DW | |||||||
| T f | Время спада импульса | Bu508AF | I c_sat = 4.5 А, F = 16 кГц | – | 0,7 | – | мкс |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW | |||||||
| h fe | Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ | Bu508AF | I c = 100 мА, В ce = 5 Â | – | 13 | 30 | |
| Bu508AW | |||||||
| Bu508DF | |||||||
| Bu508DW |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl + Enter .
.