Транзистор c114 характеристики: DTC114ES, NPN цифровой транзистор, управляемый [TO-92S], Rohm

Source Электронный компонент, транзистор c114 для NET/OA/AMS, 30 дней on m.alibaba.com

Категория продукта

Описание продукта:

ТРАНЗИСТОР для электронных компонентов c114 для сети/OA/AMS 30 дней

Детальные данные по продукции

Полярность транзистора	Самонастраиваемым устройством
Кол	230 V
VCEO	230 V
VEBO	5 V
Тип	Высокомощный усилитель сопряжения труб
Ключевые слова продукта	C114, c114,c114

Упаковка & Доставка

Комплект поставки:

Стандартная экспортная картонная упаковка.

Время доставки:

3-20 дней после подтверждения заказа, дата доставки должна быть определена в соответствии с
Сезон производства и количество заказа.

Информация о компании

Профиль компании

Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipisicing elit, sed do eiusmod tempor

Incididunt ut labore et dolore magna aliqua. Ut enim ad minim veniam, quis

Nostrud тренажер ullamco laboris nisi ut aliquip exea commodo

Sequat. serunt mt dolore magnam aliquam

Quaerat voluptatem.

Просмотреть Подробнее>

Вопросы и ответы

Q

Как я могу получить образец для проверки качества?

А

После подтверждения цены, вы можете потребовать образцы для проверки качества нашей продукции. Если вам просто нужен пустой образец, чтобы проверить дизайн и качество. Мы предоставим вам образец бесплатно, если вы оплачиваете Экспресс-доставку.

Q

Какую цену я могу получить?

А

Мы обычно указываем в течение 24 часов после получения вашего запроса. Если вам срочно нужно получить цену, пожалуйста, сообщите нам по электронной почте, чтобы мы расценили Ваш запрос в первую очередь.

Q

Какой у вас срок доставки?

А

Мы принимаем EXW, FOB Шэньчжэнь или FOB Гуанчжоу. Вы можете выбрать тот, который является наиболее удобным или экономически эффективным для вас.

Q

Что насчет времени выполнения для массового производства?

А

Честно говоря, это зависит от количества заказа и сезона, когда вы размещаете заказ.

Сертификаты

Наши преимущества

Высокая производительность

Lorem ipsum dolor sit consectetur adipisicing Lorem ipsum dolor.

Высокий стандарт

Lorem ipsum dolor sit consectetur adipisicing Lorem ipsum dolor.

Мы работаем по OEM и ODM

Lorem ipsum dolor sit consectetur adipisicing Lorem ipsum dolor.

Профессиональная команда обслуживания

Lorem ipsum dolor sit consectetur adipisicing Lorem ipsum dolor.

История

История

2017

Lorem ipsum dolor sit consectetur adipisicing Lorem ipsum dolor.

2016

Lorem ipsum dolor sit consectetur adipisicing Lorem ipsum dolor.

2014

Lorem ipsum dolor sit consectetur adipisicing Lorem ipsum dolor.

2012

Lorem ipsum dolor sit consectetur adipisicing Lorem ipsum dolor.

2008

Lorem ipsum dolor sit consectetur adipisicing Lorem ipsum dolor.

2004

Lorem ipsum dolor sit consectetur adipisicing Lorem ipsum dolor.

Выбор активного элемента усилительных каскадов

Обычно для всех каскадов приемника стараются выбрать одинаковые транзисторы для уменьшения уровня шума, простоты расчета.

Для обеспечения независимости усиления от частоты, граничная частота транзистора, по крайней мере, в 3 раза должна превышать верхнюю частоту диапазона.

Выберем маломощный сверхвысокочастотный транзистор КТ366А

Его основные параметры:

Определим граничную частоту характеристики транзистора [1, c114]:

(19)

(20)

(21)

Предельная частота удовлетворяет требованию [1, c225]

Определим постоянную времени входа транзистора

(22)

Найдем входное сопротивление транзистора

(23)

Рассчитаем Y-параметры и высокочастотные параметры транзистора КТ366А на рабочей частоте (для УРЧ в схеме с ОЭ). [1, c110]

(24)

Найдем- выходное сопротивление транзистора

(25)

где .

Определим входную емкость транзистора

(26)

Определим выходную емкость транзистора

(27)

Рассчитаем Y-параметры и высокочастотные параметры транзистора КТ366А на промежуточной частоте .

Найдем- выходное сопротивление транзистора

где .

Определим входную емкость транзистора

Определим выходную емкость транзистора

Коэффициент шума приемника

Чтобы приемник удовлетворял требованиям к чувствительности, коэффициент шума приемника должен удовлетворять неравенству [1, с13]:

, (28)

где — чувствительность приемника; — отношение сигнал/шум на входе приемника; — напряженность поля внешних помех; — действующая высота приемной антенны; — шумовая полоса линейного тракта; — постоянная Больцмана; — стандартная температура приемника; — внутреннее сопротивление приемной антенны.

В дальнейшем условимся, что антенна идеальная и помех не улавливает, поэтому ЭДС помех . Величину внутреннего сопротивления приемной антенны примем стандартной для большинства приемников и равной . Шумовую полосу линейного тракта вычислим по формуле [1, с13]:

(29)

При этом допустимый коэффициент шума всего приемника равен:

Определим коэффициент шума супергетеродинного приемника по формуле, приняв, что коэффициент передачи мощности фидерной лини равен 1 [1, c14]:

, (30)

где , , , — коэффициенты шума входной цепи, усилителя радиочастоты, преобразователя частоты, усилителя промежуточной частоты; , , — коэффициенты передачи по мощности входной цепи, усилителя радиочастоты, и преобразователя частоты.

Рассчитаем коэффициенты передачи отдельных блоков приемника по формулам таблицы 1.3 из [1, c16]. Коэффициент передачи мощности входной цепи:

, (31)

где и — принятое и оптимальное значения коэффициента связи антенны и входного контура приемника. Обычно, перестраиваемых приемниках применяют одноконтурные входные цепи с ненастроенной антенной, приняв коэффициент связи входной цепи с антенной не более половины оптимального значения [5]. Пусть .

Тогда согласно формуле (31) получим

Коэффициент передачи УРЧ:

(рассчитано для транзистора КТ366А)

Коэффициент передачи ПЧ:

Рассчитаем коэффициенты шума элементов приемника.

Коэффициент шума входной цепи:

Коэффициент шума усилителя радиочастоты:

где — минимальный коэффициент шума транзистора КТ366А.

Коэффициент шума преобразователя частоты:

Коэффициент шума усилителя промежуточной частоты:

Тогда возможный коэффициент шума приемника равен (30):

Полученный коэффициент шума меньше допустимого коэффициента шума, , а значит, требования к чувствительности приемника выполнены.

Реле транзисторное — Справочник химика 21

    Основным элементом схемы реле РИ-2 является двухкаскадный транзисторный усилитель мощности, работающий в релейном режиме. Сопротивление обмотки базового электромагнитного реле является нагрузкой коллекторной цепи транзистора выходного каскада усилителя. [c.159]

    Транзисторное реле. Очевидно, что при замене электронной лампы или тиратрона на транзистор транзисторный вариант реле в общем случае будет обладать примерно такими же характеристиками. В случае применения специальных транзисторов можно резко улучшить отдельные характеристики транзисторного реле. Например, применение полевого транзистора позволяет резко снизить мощность управляющего сигнала, использование высокочастотных транзисторов позволяет увеличить быстродействие и т. д. Возможность получения заданных технических характеристик в сочетании с высокой надежностью (полученной в результате замены контактной системы транзистором, работающим в ключевом режиме), малые габариты и низкая стоимость обеспечили конкурентоспособность и широкое распространение транзисторных реле в схемах электроавтоматики и вычислительной техники. 

[c.45]

    Газ к горелкам 7 должен поступать в таком количестве,. чтобы постоянно обеспечивалась необходимая паропроизводительность котла, т. е. сохранялось соответствие между выработкой и потреблением пара, показателем которого служит постоянство давления пара в барабане котла. При изменении давления пара регулятором 36 (транзисторным усилителем) меняется расход газа. Первичным прибором этого регулятора служит электрический дистанционный манометр 10 типа МЭД. При заданном значении давления пара в барабане котла 15 напряжение в электрической линии, соединяющей МЭД с усилителем 36, равно нулю. При отклонении давления от заданного на усилитель подается определенный электрический сигнал. Усилитель воздействует на электрогидравлическое реле 26 и через него на сервомотор 16, который перемещает регулирующую газовую заслонку 8. С возрастанием давления пара в барабане котла заслонка прикрывается и подача газа уменьшается. Падение давления пара приводит к дополнительному открытию заслонки и увеличению подачи газа. [c.391]

    Режим Гз определяется величиной сопротивления резисторов / 21—/ 22-2б, входящих вместе с конденсатором Св во время задающую цепочку транзисторного реле времени. [c.114]

    Блок защиты состоит из датчика-трансформатора тока нулевой последовательности Тр1, транзисторного усилителя и реле защитй [c.109]

    Для согласования ДИ с исполнительными устройствами используются как транзисторные, так и тиристорные пороговые усилители. Такие реле времени отличаются высокой экономичностью, потребляемая мощность в процессе выдержки времени находится в пределах нескольких милливатт [59—61]. Однако используемые тиристорные усилители имеют сравнительно небольшое входное сопротивление. Это приводит к дополнительной погрешности выдержки времени. Для уменьшения ее и осуществления регулировки напряжения отсечки в широком диапазоне (от 100 мВ до 1 В) целесообразно использовать согласующие усилители на полевых транзисторах, обладающих более высоким входным сопротивлением. Большое входное сопротивление полевого транзистора и малый ток затвора (менее 10 А) позволяют снизить допустимые токи инте- [c.149]

    Блок защиты состоит из трансформатора тока нулевой последовательности ТА, трехкаскадного частотно-избирательного транзисторного усилителя УТ1—УТЗ, на выход которого включено исполнительное реле К, и стабилизированного узла У07— УОЮ питания. Блок защиты соединен с контактором и кнопочной станцией жесткими проводниками. Потребитель подключают к силовым зажимам блока защиты. [c.86]

    Для снятия коммутированных полярограмм предложены вращающиеся механические устройства, электронные реле и транзисторная установка [68], позволяющие осуществить быстрое (с частотой 5—100 Гц) переключение вспомогательного потенциала на рабочий. Эти установки легко могут быть подключены в качестве приставок к стандартным полярографам. [c.97]

    Бестрансформаторная схема питания от сети позволяет значительно уменьшить габариты и вес устройства, хотя при этом увеличивается потребляемая мощность. Подключение реле к регистру через полупроводниковые ключи на транзисторах (Л-2) уменьшает в 8—10 раз потребляемую мощность, но требует отдельного блока питания для транзисторных ключей. [c.62]

    Приборы управления смазочных систем. Приборы управления смазочными устройствами служат для управления режимом смазывания, контроля за работой системы и сигнализации о ее состоянии. Эти приборы создают на основе электромеханических или транзисторных реле времени либо на базе электронных микросхем. В зависимости от служебного назначения управляющего устройства обеспечивается пауза между последовательными включениями нагнетателя, задержка срабатывания питателей, управление электрогидравлическими золотниковыми распределителями, а также сигнализация о работе системы и характере возникших неисправностей, автоматическая прокачка и некоторые другие функции. [c.384]

    Чтобы релейная автоматическая схема могла безотказно включать и выключать соленоид вентиля прн замыкании датчика водой, имеющей относительно высокое омическое сопротивление, применены два транзисторных усилителя постоянного тока — УС-] и УС-2 (рис. 36). Вход усилителя УС-1 соединен с контактами ДК-1, а вход усилителя УС-2 — с контактами ДК-2 датчика, находящегося в трубке манометра. Под воздействием разрежения в приборе уровень воды в манометре поднимается и, приближаясь к заданному пределу, замыкает пару контактов ДК-2. Ток в коллекторной цепи транзистора возрастает, вследствие чего первичное реле Рз срабатывает. Его рабочие контакты включены последовательно в цепь питания обмотки реле переменного тока Рг (РПТ-100). Это реле (Рг) может срабатывать только после того, как будут перекрыты водой и контакты ДК-1 датчика, и сработает реле Рь рабочие контакты которого также включены последовательно в цепь питания обмотки реле Рг. Реле Рг предназначено для выключения соленоида газового вентиля с помощью контактов К . При включении оно самоблокируется контактами К. Пока вентиль открыт, давление газа в системе повышается и уровень воды в манометре понижается. Когда контакты ДК-2 датчика освобождаются от замыкающей их воды, выключается реле Рз и за ним реле Рг, газовый клапан закрывается, [c.150]

    На передней стороне установки для полумикроректификации (см. рис. 2576) расположены специальные вставки, выдвигаемые с помощью телескопических направляющих. Все функциональные элементы размещаются на штеккерной печатной плате, используемой в транзисторной технике. Установка имеет следующие системы регулирования температуры масляной бани с помощью пропорционального электронного регулятора, работающего по предварительно заданной температуре в пределах от О до 300 °С, или переключаемого по предварительно заданной нагрузке, выражаемой числом капель в 1 мин температуры компенсационного нагревателя кожуха колонны по предварительно заданной температуре от О до 300 °С, или с помощью переключения регулятора подстройки по температуре пара в верхней части колонны флегмового числа путем деления парового потока с периодами включения и выключения реле времени от 0,5 до 200 с других температур и объема отбираемых фракций работы сборника фракций путем замены сосудов через заданный промежуток времени (в минутах). Кроме того, установка снабжена системами, обеспечивающими стабилиза- [c.422]

    Подобные транзисторные реле, используемые также и для регулирования мощности потребителей электроэнергии с помощью контактных манометров (см. разд. 8.3.1 и 8.4.2), выпускаются комбинированными в виде реле уровня, совмещенного с реле подстройки. Универсальные лабораторные реле снабжены переключателями для работы в нормальноразомкнутом и нормальнозамкнутом положениях. При замыкании контактов термометра реле, работающее в нормальноразомкнутом положении, включает потребитель электроэнергии, например сигнальные звонок и [c.435]

    Схема включает силовой трансформатор Тр1, выпрямительный мост на диодах Д1 — Д8, транзисторный стабилизатор тока Т — Тд ВрВд, 10 — 12, реле перегрузки Р , механическое реле времени р6, пе- решшчатель П], амперметр постоянного тока А, предохранители Пр1, Пр2, сигнальные лампочки и Л2 электролизер Э. [c.51]

    В отличие от них БВК герметичны, т. е. безразличны к внешней среде (лишь бы не разъедалась или не растворялась пластмассовая оболочка), имеют большой срок службы, свойственный транзисторным схемам, число срабатываний не влияет на срок службы и как следствие перечисленного — высокая надежность. На выход БВК может подключаться любая нагрузка, не только обмотка реле. В данном случае на выходы всех БВК подключены реле, так как на установке размещены только управляющие (чувствительные) и исполнительные элементы электрической схемы, а все промежуточные и преобразующие элементы установлены в герметически закрытом пульте. [c.208]

    Установка ИКС-АКХ смонтирова-на в унифицированном стальном шкафу. В верхней части каркаса закреплена осветительная лампа 1 (рис. 8). Под ней расположена ниша, в которой смонтирован электронный блок (транзисторное реле времени и спусковая схема с источником питания). Ниша имеет дверцу 2 на шарнирах. Справа от ниши установлены контрольные приборы — амперметр 3 и вольтметр 5 постоянного тока. За лицевой панелью смонтированы тиристоры ВКДУ-150 4, охладители которых находятся в вентиляционном канале. Силовой трансформатор ТР 7 установлен в нижней части каркаса. Справа от трансформатора смонтирован щиток с плавкими предохранителями ПР и ПР 6, пакетным выключателем 8, штепсельной розеткой 10 и плавким предохранителем ПР 9. [c.22]

    В устройстве ЗОУП-25 применен узкополосный частотно-избирательный транзисторный усилитель, что позволяет резко снижать возможность ложных отключений как при пусках защищаемых электроустановок, так и при наводках из сети. Контур, состоящий из резистора Я5, обмотки реле Р и конденсатора С2 (/ 1С-контур), ограничивает максимальную частоту усиливаемого сигнала до 80 Гц. Усилитель имеет максимальное усиление на частотах 45— 65 Гц. Для проверки работоспособности устройства предусмотрена цепь имитации тока утечки двукратной величины по сравнению с током уставки и кнопка Контроль , при нажатии которой устройство отключается. [c.112]

    Блок чувствительной защиты состоит из трансформатора тока нулевой последовательности (ТТНП), трехкаскадного частот-но-избирательного транзисторного усилителя, на выход которого включено исполнительное реле, стабилизированного узла питания катушки магнитного пускателя. [c.89]

    С точки зрения аппаратуры задачу регулирования можно, например, решить тем, что указатель электропневматического регулятора с электрической измерительной системой дополнительно управляет двумя высокочастотными осцилляторами, которые при регулируемых предельных значениях через дополнительно подключенные транзисторные опрокидывающиеся контуры и реле приводят в действие двигатель привода конвейера. Рекомендуется разработать такую электродинамическую измерительиук> систему регулятора, чтобы в диапазоне регулирования получилась бы растянутая градуировка, а при высокой силе тока — сильно суженная. Так можно защитить измерительную систему от механической перегрузки. [c.587]

    Бесконтактное реле перехода БРП7 (рис. 134) состоит из двух одинаковых транзисторных узлов, каждый из которых представляет собой полупроводни- [c.154]

    Реле ультратермостата (типа ТС-15, УТ-12) заменено на транзисторное, что существенно удлиняет- срок службы контакт-гого термометра и несколько улучшает точность термостатирова-шя. Схема этого реле изображена на рис. 54. В качестве испол-штельного реле может быть использовано реле МКУ-2. [c.151]

    Спусковая схема используется для запуска транзисторного реле времени. Питание спусковой схемы и транзисторного реле времени осуществляется от двух раздельных ста1билизиро1ванных выпрямителей. [c.94]

---

Китай Цифровой транзистор Назад, DTC114TE завод и производители

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА

 

номер части	ОБОЗНАЧЕНИЯ (1)	пакет	Упаковка Метод	Количество в упаковке
DTC114TM	04 Ÿ	SOT-723	бобина	8000pcs / Reel
DTC114TE	04 Ÿ	SOT-523	бобина	3000pcs / Reel
DTC114TUA	04 Ÿ	SOT-323	бобина	3000pcs / Reel
DTC114TKA	04 Ÿ	SOT-23-3L	бобина	3000pcs / Reel
DTC114TCA	04 Ÿ	SOT-23	бобина	3000pcs / Reel
DTC114TSA	C114 (2) T  ŸXXX	TO-92S	насыпной	1000шт / сумка
DTC114TSA-TA	C114 (2) T  ŸXXX	TO-92S	лента	3000pcs / Box

Примечания: (1). Твердая точка = Зеленый прессмасса устройство, если ни, нормальное устройство.

(2). XXX = код

 

Максимальные значения (Ta = 25 ℃ , если не указано иное)

Условное обозначение	параметр	Пределы (DTC114T □ )						Единица измерения
		М	Е	UA	KA	Калифорния	SA
В СВО	Напряжения коллектор-база	50						В
В генеральный директор	Напряжение коллектор-эмиттер	50						В
В ЕВО	Излучатель-Base Voltage	5						В
Я C	Ток коллектора -Непрерывная	100						мА
P D	Рассеяние мощности	100	150	200	200	200	300	мВт
T J	Температура соединения	150						℃
T СТГ	Температура хранения	-55 ~ + 150						℃

 

Электрические характеристики (Ta = 25 ℃ , если не указано иное)

 

параметр	Условное обозначение	условия	Min	Typ	Максимум	Единица измерения
Коллектор-база напряжение пробоя	В (БР) СВО	Ic = 50 мкА, я Е = 0	50			В
Коллектор-эмиттер напряжение пробоя	В (БР) генеральный директор	Ic = 1м, я Б = 0	50			В
Эмиттер-база напряжение пробоя	V (BR) EBO	Я Е = 50 мкА, я C = 0	5			В
Ток коллектора отсечка	ICBO	В СВ = 50В, I Е = 0			0,5	мкА
Излучатель отсечка тока	IEBO	В ЕВ = 4V, я C = 0			0,5	мкА
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE (сел)	Я C = 10 мА, я Б = 1мА			0,3	В
DC коэффициент усиления по току	HFE	В CE = 5V, я C = 1мА	100	300	600
Входное сопротивление	Р1		7	10	13	кОм
частота перехода	е T	В CE = 10V, я Е = -5mA, F = 100MHz		250		МГц

 

SOT-723 Пакет Outline Размеры

SOT-723 Похожие Pad Layout

SOT-723 Лента и  бобина

 

SOT-523 Пакет Outline Размеры

SOT-523 Похожие Pad Layout

SOT-523 Лента и  бобина

SOT-323 Упаковка Габаритные размеры

SOT-323 Похожие Pad Layout

SOT-323 Лента и  бобина

 

SOT-23-3L Пакет Outline Размеры

SOT-23-3L Похожие Pad Layout

SOT-23-3L Лента и  бобина

SOT-23 Комплект Outline Размеры

SOT-23 Похожие Pad Layout

SOT-23 Лента и  бобина

SOT-23-3L Похожие Pad Layout

 

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА

 

номер части	ОБОЗНАЧЕНИЯ (1)	пакет	Упаковка Метод	Количество в упаковке
DTC114TM	04 Ÿ	SOT-723	бобина	8000pcs / Reel
DTC114TE	04 Ÿ	SOT-523	бобина	3000pcs / Reel
DTC114TUA	04 Ÿ	SOT-323	бобина	3000pcs / Reel
DTC114TKA	04 Ÿ	SOT-23-3L	бобина	3000pcs / Reel
DTC114TCA	04 Ÿ	SOT-23	бобина	3000pcs / Reel
DTC114TSA	C114 (2) T  ŸXXX	TO-92S	насыпной	1000шт / сумка
DTC114TSA-TA	C114 (2) T  ŸXXX	TO-92S	лента	3000pcs / Box

Примечания: (1). Твердая точка = Зеленый прессмасса устройство, если ни, нормальное устройство.

(2). XXX = код

 

Максимальные значения (Ta = 25 ℃ , если не указано иное)

Условное обозначение	параметр	Пределы (DTC114T □ )						Единица измерения
		М	Е	UA	KA	Калифорния	SA
В СВО	Напряжения коллектор-база	50						В
В генеральный директор	Напряжение коллектор-эмиттер	50						В
В ЕВО	Излучатель-Base Voltage	5						В
Я C	Ток коллектора -Непрерывная	100						мА
P D	Рассеяние мощности	100	150	200	200	200	300	мВт
T J	Температура соединения	150						℃
T СТГ	Температура хранения	-55 ~ + 150						℃

 

Электрические характеристики (Ta = 25 ℃ , если не указано иное)

 

параметр	Условное обозначение	условия	Min	Typ	Максимум	Единица измерения
Коллектор-база напряжение пробоя	В (БР) СВО	Ic = 50 мкА, я Е = 0	50			В
Коллектор-эмиттер напряжение пробоя	В (БР) генеральный директор	Ic = 1м, я Б = 0	50			В
Эмиттер-база напряжение пробоя	V (BR) EBO	Я Е = 50 мкА, я C = 0	5			В
Ток коллектора отсечка	ICBO	В СВ = 50В, I Е = 0			0,5	мкА
Излучатель отсечка тока	IEBO	В ЕВ = 4V, я C = 0			0,5	мкА
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE (сел)	Я C = 10 мА, я Б = 1мА			0,3	В
DC коэффициент усиления по току	HFE	В CE = 5V, я C = 1мА	100	300	600
Входное сопротивление	Р1		7	10	13	кОм
частота перехода	е T	В CE = 10V, я Е = -5mA, F = 100MHz		250		МГц

 

SOT-723 Пакет Outline Размеры

SOT-723 Похожие Pad Layout

SOT-723 Лента и  бобина

 

SOT-523 Пакет Outline Размеры

SOT-523 Похожие Pad Layout

SOT-523 Лента и  бобина

SOT-323 Упаковка Габаритные размеры

SOT-323 Похожие Pad Layout

SOT-323 Лента и  бобина

 

SOT-23-3L Пакет Outline Размеры

SOT-23-3L Похожие Pad Layout

SOT-23-3L Лента и  бобина

SOT-23 Комплект Outline Размеры

SOT-23 Похожие Pad Layout

SOT-23 Лента и  бобина

SOT-23-3L Похожие Pad Layout

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА

 

номер части	ОБОЗНАЧЕНИЯ (1)	пакет	Упаковка Метод	Количество в упаковке
DTC114TM	04

ŸSOT-723

бобина

8000pcs / Reel

DTC114TE04

 

ŸSOT-523

бобина

3000pcs / Reel

DTC114TUA04

 

ŸSOT-323

бобина

3000pcs / Reel

DTC114TKA04

 

ŸSOT-23-3L

бобина

3000pcs / Reel

DTC114TCA04

 

ŸSOT-23

бобина

3000pcs / Reel

 

 

DTC114TSAC114 ⁽²⁾

T  ŸXXXTO-92S

насыпной

1000шт / сумка

 

 

DTC114TSA-TAC114 ⁽²⁾

T  ŸXXX 

TO-92S 

лента

3000pcs / Box

Примечания: (1). Твердая точка = Зеленый прессмасса устройство, если ни, нормальное устройство.

(2). XXX = код

 

Максимальные значения (Ta = 25 ℃ , если не указано иное)

Условное обозначение	параметр	Пределы (DTC114T □ )						Единица измерения
		М	Е	UA	KA	Калифорния	SA
В СВО	Напряжения коллектор-база	50						В
В генеральный директор	Напряжение коллектор-эмиттер	50						В
В ЕВО	Излучатель-Base Voltage	5						В
Я C	Ток коллектора -Непрерывная	100						мА
P D	Рассеяние мощности	100	150	200	200	200	300	мВт
T J	Температура соединения	150						℃
T СТГ	Температура хранения	-55 ~ + 150						℃

 

Электрические характеристики (Ta = 25 ℃ , если не указано иное)

 

параметр	Условное обозначение	условия	Min	Typ	Максимум	Единица измерения
Коллектор-база напряжение пробоя	В (БР) СВО	Ic = 50 мкА, я Е = 0	50			В
Коллектор-эмиттер напряжение пробоя	В (БР) генеральный директор	Ic = 1м, я Б = 0	50			В
Эмиттер-база напряжение пробоя	V (BR) EBO	Я Е = 50 мкА, я C = 0	5			В
Ток коллектора отсечка	ICBO	В СВ = 50В, I Е = 0			0,5	мкА
Излучатель отсечка тока	IEBO	В ЕВ = 4V, я C = 0			0,5	мкА
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	VCE (сел)	Я C = 10 мА, я Б = 1мА			0,3	В
DC коэффициент усиления по току	HFE	В CE = 5V, я C = 1мА	100	300	600
Входное сопротивление	Р1		7	10	13	кОм
частота перехода	е T	В CE = 10V, я Е = -5mA, F = 100MHz		250		МГц

 

SOT-723 Пакет Outline Размеры

SOT-723 Похожие Pad Layout

SOT-723 Лента и  бобина

 

SOT-523 Пакет Outline Размеры

SOT-523 Похожие Pad Layout

SOT-523 Лента и  бобина

SOT-323 Упаковка Габаритные размеры

SOT-323 Похожие Pad Layout

SOT-323 Лента и  бобина

 

SOT-23-3L Пакет Outline Размеры

SOT-23-3L Похожие Pad Layout

SOT-23-3L Лента и  бобина

SOT-23 Комплект Outline Размеры

SOT-23 Похожие Pad Layout

SOT-23 Лента и  бобина

SOT-23-3L Похожие Pad Layout

---

Предыдущий: Цифровой транзистор Назад, DTC114TCA

Далее: Цифровой транзистор Назад, DTC114YE

---

силовые модули – тема научной статьи по электротехнике, электронной технике, информационным технологиям читайте бесплатно текст научно-исследовательской работы в электронной библиотеке КиберЛенинка

Компоненты и технологии, № 8’2003

SEMITRANS

один в пяти лицах

Компания БЕМЖГОЫ является одним из ведущих мировых производителей, специализирующихся на разработке компонентов для изделий силовой электронной техники — электротранспорта, приводов, блоков вторичного электропитания, устройств промышленной автоматизации и энергетики, автомобильной промышленности. Основные усилия разработчиков БЕМЖГОЫ направлены на удовлетворение жесточайших требований, предъявляемых к современным силовым электронным компонентам. В первую очередь, это требования по надежности, энергосбережению и электромагнитной совместимости.

Андрей Колпаков

[email protected]

Продукция фирмы SEMIKRON насчитывает более 11000 различных наименований полупроводников в диапазоне мощности от единиц ватт до нескольких мегаватт. В номенклатуре SEMIKRON — модули IGBT, интеллектуальные модули IGBT, модули MOSFET, драйверы, тиристоры и диоды. Первый в мире изолированный модуль IGBT SEMIPACK был разработан специалистами фирмы SEMIKRON. К настоящему времени во всем мире продано более 56 млн таких модулей. SEMIKRON — единственный в мире производитель интеллектуальных силовых модулей IGBT с током до 2400 А. По основным техническим характеристикам изделия SEMIKRON превосходят ближайших конкурентов на 10-20%.

Многие изделия SEMIKRON стали промышленным стандартом благодаря своей компактности, надежности и отличным техническим характеристикам. Продукция SEMIKRON имеет высший сертификат качества QS 9000, требуемый для автомобильного производства.

Несмотря на то что компания SEMIKRON прославилась в первую очередь благодаря своим уникальным разработкам, она выпускает широкую гамму стандартных продуктов, к которым относятся и модули IGBT SEMITRANS. Однако, в отличие от многих производителей, SEMIKRON предлагает 5 вариантов технологии изготовления этих модулей, что позволяет пользователю выбрать элемент, наиболее полно удовлетворяющий его требованиям.

Характеристики модулей SEMITRANS

Модули и транзисторы IGBT ранних поколений не имели разделения по области применения, фирмы, выпускающие их, непрерывно работали над комплексным улучшением параметров, и это было оправдано. Однако в процессе развития технологии производства IGBT оказалось, что гораздо выгоднее улучшать какую-либо из характеристик, даже в ущерб остальным, и производить компоненты, предназначенные для конкретного применения. В результате появились классы транзисторов и модулей, отличающиеся, как правило, по частотным свойствам. Например, у фирмы International Rectifier, одного из идеологов специализации, таких классов было 3: Standard, Fast, UltraFast. Впоследствии в производственной программе IR появились ульт-рабыстрые транзисторы WARP, WARP II, а стандартные низкочастотные были сняты с производства. Перечисленные классы относятся к дискретным

Компоиеиты и технологии, № 8’2003

Таблица 1. Основные характеристики различных технологий производства кристаллов IGBT

Параметр UltraFast Trench FS SPT Единица измерения

Ti _ 25 °C 3,3 1,7 2,0 B

VCEsat Ti_ 125 °C 4,1 2,0 2,3 B

Темп. коэффициент положит. положит. положит. —

Etot § ° AC 15 25 21 мДж

Qg IC_ 100 A 1000 700 1000 нКл

Sch _ 100 мм2 620 700 620 нКл

VCEsa, — напряжение насыщения;

Etot — общая энергия переключения;

Qg — заряд затвора;

Tj — температура кристалла;

Ic — ток коллектора;

Sch — площадь кристалла.

транзисторам IR, модули, производимые данной фирмой, имеют в настоящее время 2 модификации: Fast и Ultrafast.

Примерно такой же классификации придерживается большинство ведущих производителей. Фирма SEMIKRON предлагает пять типов модулей IGBT в стандартных конструктивах (рис. 1) с рабочим напряжением 600, 1200 и 1700 В. Среди модулей с рабочим напряжением 1200 В: серия 123 — стандартные Non Punch Through (NPT) IGBT, серия 124 — Low Loss NPT-IGBT (транзисторы с низкими потерями проводимости), серия 125 — Ultrafast NPT-IGBT (транзисторы с низкими потерями переключения), серия 126 — Trench Field-Stop (Trench-FS) IGBT (транзисторы со сверхнизкими потерями проводимости), серия 128 — Soft Punch Through (SPT) IGBT (транзисторы с оптимизированным соотношением потерь проводимости и переключения). Основная цель производства такого многообразия компонентов — обеспечение максимального количества возможных потребителей, получение минимальных потерь мощности для каждого конкретного применения.

На практике можно выделить 3 основных типа устройств, требующих оптимального соотношения определенных параметров:

1. низкочастотные преобразователи (ветро-генераторы, конверторы для энергосистем, использующих энергию солнца, некоторые типы источников бесперебойного питания) — для этих применений главными являются потери проводимости;

2. импульсные преобразователи частоты (привода, некоторые типы источников бесперебойного питания) — для этих применений требуются низкие потери проводимости и переключения одновременно;

3. высокочастотные устройства (системы индукционного нагрева, сварочное оборудование, резонансные инверторы) — для этих применений определяющими являются потери переключения.

В таблице 1 приведены наиболее важные параметры, характеризующие различные типы технологий кристаллов IGBT, а на рис. 2 показаны частотные диапазоны для различных модификаций модулей SEMITRANS. Как видно из таблицы и графиков, Trench-FS-IGBT имеют минимальные потери проводимости, UltraFast NPT-IGBT — минималь-

126 Trench

125 Ultrafast

124 Low Loss

m

m

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

16 17 18 19 20

21 22 23 24 25

Рис.ЛЫБ

ные потери переключения, а SPT-IGBT — это компромиссный тип транзисторов с оптимальным сочетанием статических и динамических характеристик. Все приведенные классы транзисторов характеризуются положительным температурным коэффициентом напряжения насыщения, что позволяет использовать их параллельное соединение.

Большое влияние на суммарное значение потерь в импульсных усилителях, особенно при индуктивном характере нагрузки, имеют потери, создаваемые антипараллельны-ми диодами. Для снижения уровня этих потерь SEMIKRON разработал серию диодов, названных CAL (Controlled Axial Lifetime) и CAL HD (High Density). При разработке технологии CAL особое внимание уделялось обеспечению хороших характеристик проводимости, низких динамических потерь и повышению плавности кривой обратного восстановления dIrr/dt. Последняя характеристика влияет на потери выключения, уровень переходных перенапряжений и уровень EMI.

Основной особенностью диодов CAL является наличие т. н. центра рекомбинации, позволяющего регулировать время жизни носителей и влияющего таким образом на время обратного восстановления и плавность кривой восстановления. Центр рекомбинации индуцируется за счет облучения кристалла электронами высокой энергии и в процессе ионной имплантации. По пара-

LA

т 1

— 27 °С— 125 °С

CALHD /

CAL

0,40

2,40

V„B

Рис. 3. Зависимость прямого падения напряжения Ур от тока !р диодов СЛ1.РМТ становится положительным, что дает преимущество при параллельном соединении, когда рост температуры кристалла компенсируется снижением рассеиваемой мощности. Отрицательный температурный коэффициент может привести к разбалансу токов в предельных режимах работы. При параллельном включении диодов предыдущего поколения необходимо подбирать элементы с идентичным значением прямого напряжения.

Диоды CAL HD имеют некоторый проигрыш в динамических параметрах, что компенсируется значительным снижением прямого падения напряжения, увеличением допустимой плотности тока и предельного значения тока. Сочетание низких потерь проводимости, присущих транзисторам ТгепЛ-Р8 и диодам CAL HD, обеспечивает модулям серии 126 уникальные характеристики проводимости. В таблице 2 указаны типы диодов, используемые в различных модификациях ЮБТ. На графиках (рис. 4) приведена зависимость максимально допустимого тока от рабочей частоты для модулей, использующих различные типы транзисторов и ан-типараллельных диодов.

Таблица 2. Типы антипараллельных диодов,

примененных в различных типах модулей ЮБТ

Компонент модуля Технология изготовления

IGBT Trench FS SPT Ultrafast

Диод CAL HD CAL CAL

Компоненты и технологии, № 8’2003

SPT/CAL: SKM400GB128D Trench-FS/CAL-HD: SKM600GB126D

UsA ——— NPT/CAL: SKM400GB123D

400

300

200

100

Uout = 400V Vdc = 600V Rthha = 0,03 cosf = 0,8

* N .,№а — тепловое сопротивление «радиатор — окружающая среда»;

Та — температура окружающей среды

На рис. 5 приведены графики, демонстрирующие зависимость максимального выходного тока IRMS (среднеквадратичное значение) от частоты ШИМ для 3-фазного инвертора, в котором применены полумосто-вые модули различных производителей. Все модули имеют одинаковый конструктив и близкий размер кристалла, для сравнения взяты компоненты классов Trench и SPT SEMIKRON и Fast/Ultrafast остальных производителей. Обратите внимание, что во всем диапазоне частот модули SEMIKRON имеют большее значение предельного тока. Сравнительные характеристики этих изделий даны

в таблице 3, куда добавлены также параметры модулей International Rectifier и EUPEC. В таблице 4 приведены аналоги некоторых модулей Trench и SPT SEMITRANS с рабочим напряжением 1200 В.

Особенности технологии производства кристаллов IGBT

Основными параметрами, по соотношению которых определяются частотные свойства кристалла IGBT, его «специализация», являются напряжение насыщения, заряд затвора и энергия переключения. Для получе-

Таблица 3. Сравнительные характеристики модулей ЮВТ различных производителей (полумост, рабочее напряжение 1200 В)

Тип элемента, производитель Ic, A (25/80 °С) VcEsat, В Pd, Вт Rthjc, С/Вт Qg, мкК Eon, мДж Eoff, мДж

SKM200GB126D SEMIKRON 240/170 1,7 1400 0,15 — 17 21

SKM200GB128D SEMIKRON 285/205 1,0 1400 0,09 1,5 18 15

BSM200GB120DN2 EUPEC 290/200 2,5 1400 0,09 1,4 43 27

GA200TD120U IR 200/- 2,3 1040 0,12 1,6 44 44

CM200DU-24H Mitsubishi 200/- 2,9 1130 0,11 1,0 — —

MG150Q2YS40 Toshiba 200/150 2,8 1250 0,11 1,0 35 20

2MBI150SC-120 Fuji 200/150 2,3 1000 0,12 1,5 30 17

1С — ток коллектора;

УСЕ5а, — напряжение насыщения;

Р[) — максимальная рассеиваемая мощность;

1?Л|С — тепловое сопротивление «кристалл — корпус» Таблица 4. Аналоги модулей БЕМ1Т1?АМ5

SEMIKRON EUPEC Mitsubishi

SPT, Trench Standard Trench Прим. Trench Серия H

SKM75GB128DN BSM75GB120DN2 — CM75DY-24H

SKM100GB128DN BSM100GB120DN2 — CM100DY-24H

SKM145GB128DN BSM150GB120DN2 — * CM150DU-24F CM150DY-24H

SKM200GB128DN BSM200GB120DN2 FF200R12KE3 ** CM200DU-24F CM200DY-24H

SKM300GB128DN BSM300GB120DN2 FF300R12KE3 ** CM300DU-24F CM300DY-24H

SKM400GB128DN — FF300R12KE3 * — —

SKM400GА128DN BSM400GА120DN2 FZ300R12KE3G * — —

SKM500GА128DN — FZ400R12KE3 * CM400HU-24F CM400HA-24H

SKM800GА126DN — FZ600R12KE3 CM600HU-24F CM600HA-24H

Примечания:

* Модули Trench SEMITRANS имеют меньшие потери при всех условиях эксплуатации; ** Модули Trench SEMITRANS имеют меньшие потери на частотах более 5 кГц.

ния требуемых характеристик SEMIKRON использует три типа технологии — NPT, SPT, Trench-FS. На рис. 6 показаны основные отличия конструкции кристаллов IGBT, производимых по этим технологиям, а их типовые характеристики приведены в таблице 1.

Как показано на рис. 6, а, при производстве стандартных чипов NPT используется однородная диффузионная n- подложка толщиной около 200 мкм. Сверху на ней располагается структура затвора, а биполярный PNP-транзистор формируется с помощью добавления слоя р+ в основание подложки. Описанная гомогенная структура IGBT имеет очевидные достоинства, в частности, это высокая стойкость к короткому замыканию, положительный температурный коэффициент напряжения насыщения, прямоугольная область безопасной работы (RBSOA — Reverse Biased Safe Operating Area).

Транзисторы SPT содержат дополнительный буферный слой n+, расположенный между подложкой и слоем р+. Буферный слой повышает стойкость транзистора к пробою, опасность которого возрастает из-за уменьшения толщины подложки. Меньшая толщина кристалла SPT-транзистора позволяет снизить потери проводимости SPT. Структу-

Эмиттер Затвор

Эмиттер Затвор Эмиттер Затвор

p С

—

n подложка

‘

P+ — _

Колектор

Ь. SPT-IGBT с- Trench-FS-IGBT

Рис. 6. Особенности технологии изготовления кристаллов:

NPT, SPT, Trench-FS

Компоненты и технологии, № 8’2003

2150

50

\ Uitrafast IGBT Trench-Fiend Stop IGBT — Soft-Punch Through IGBT

Режимы измерения: Vout=400B Vdc=<560B cos (Phi) = 0,85 Ti = 90 °C Ta = 40 °C fouT = 50 °C Tj = 125 °C Rthcs= 0,038 К/Вт Ritiia = 0,029 К/Вт

0 10 Частота, кГц м

Рис. 7. Зависимость максимального тока (среднеквадратичное значение) от частоты для различного типа кристаллов IGBT

ра затвора SPT-IGBT, так же как и NPT-IGBT — стандартная планарная.

Транзисторы SPT-IGBT имеют оптимизированные характеристики выключения: линейное нарастание напряжения при выключении, более плавный переходный процесс, меньшее перенапряжение, сокращенный «хвост» тока. Напомним, что «хвостом» называется остаточный ток коллектора IGBT после запирания, возникающий из-за рассасывания неосновных носителей в «биполярной» области IGBT. Энергия переключения транзисторов SPT ниже, чем у транзисторов, выполненных по стандартной NPT-технологии. Площадь кристалла и тепловые характеристики транзисторов NPT и SPT соизмеримы.

При изготовлении Trench-FS-транзисто-ров также используется буферный слой n+ в основании подложки (рис. 6, с). Однако у этого типа кристаллов затвор выполнен в виде глубокой канавки (trench) в теле подложки. Такая структура затвора в сочетании с модифицированной конструкцией эмиттера позволяет оптимизировать распределение носителей в области подложки. В результате напряжение насыщения транзисторов Trench-FS оказывается на 30% ниже, чем у NPT, а размер кристалла — меньше почти на 70%. Соответственно, технология Trench-FS позволяет получить большую плотность тока. «Платой» за все описанные улучшения является повышенное значение теплового сопротивления. По сравнению с SPT-IGBT, процесс изготовления Trench-FS-IGBT несколько сложнее, но это компенсируется уменьшенной площадью кристалла Trench-FS.

Технологии изготовления транзисторов SPT и Trench являются наиболее современными, имеющими очевидные преимущества перед стандартными технологиями производства IGBT. Главное их отличие состоит в том, что применение транзисторов Trench-FS-IGBT позволяет получить сверхнизкие потери проводимости, а SPT-IGBT имеют отличные динамические характеристики. Оба типа транзисторов обладают высокой стойкостью к короткому замыканию. Допустимый ток короткого замыкания для этих типов транзисторов превышает 6-кратное значение номинального тока. Кроме того, они имеют повышенное напряжение изоляции (4 кВ против 2,5 кВ для стандартных модулей).

На рис. 7 приведена зависимость максимально допустимого тока 3-фазного инвертора от частоты ШИМ для разного типа кристаллов IGBT. Условия эксплуатации и тепловые режимы, при которых были сделаны расчеты тока, также приведены на рисунке. Вычисления и построение графиков производились с помощью программы SEMISEL, разработанной специалистами SEMIKRON [4].

Оптимизация распределенных параметров модулей SEMITRANS

Импульсные процессы, происходящие в мощных преобразователях, неизбежно приводят к возникновению высокочастотных шумов и помех. Частотный диапазон генерируемых шумов простирается от несущей частоты ШИМ (как правило, 10 кГц) до радиочастот (до 30 МГц). Низкочастотные помехи проникают в питающую сеть, высокочастотные составляющие создают мощные радиопомехи. Сетевые помехи обычно характеризуются дискретными гармониками на частотах примерно до 2 кГц. Гармонические составляющие с частотами выше 10 кГц называются радиопомехами, их уровень измеряется в дБ/мкВ.

Электрические характеристики транзисторов и диодов, используемых в мощных модулях, оказывают существенное влияние на уровень излучаемых радиопомех, так же как и распределенные характеристики элементов конструкции. Специалистами SEMIKRON разработана методика моделирования процессов распространения помех, создаваемых импульсными каскадами, с помощью программ схемотехнического моделирования. Для анализа спектра токов помех используются эквивалентные схемы, одна из которых приведена на рис. 8. Вместо источника питания в схеме используется т. н. цепь стабилизации импеданса сети — LISN (Line Impedance Stabilization Network). Чтобы отобразить частотную зависимость компонентов устройства, они заменяются эквивалентными RLC-цепями.

Силовой модуль также представлен эквивалентной схемой «Модуль». Источники помех заданы генератором импульсного тока IS для симметричных токов помех и источником импульсного напряжения VS для асим-

0,01 0,1 F, МГц 1

Рис. 9. Спектр помех стандартного и оптимизированного модуля IGBT SEMITRANS

метричных токов помех. Схема VS содержит полумостовой каскад IGBT-транзисторов и генератор импульсов. Для анализа процесса образования асимметричных помех были разработаны специальные SPICE-модели силовых ключей и антипараллельных диодов, особое внимание в которых было уделено корректному отображению временных характеристик тока коллектора и напряжения «коллектор — эмиттер». Данные модели максимально достоверно имитируют процессы включения и выключения транзисторов с учетом процесса обратного восстановления оппозитного диода и токового «хвоста» IGBT-транзистора.

Стандартным способом подавления радиопомех является использование сетевых фильтров, включаемых в линиях питания импульсных преобразовательных устройств. Применение подобных фильтров заметно увеличивает стоимость и габариты устройства. Для упрощения и удешевления фильтра необходимо максимально снизить уровень помех, генерируемых силовым модулем на этапе его проектирования. Именно такой подход используется при разработке модулей SEMIKRON. Оптимизация конструкции модуля с точки зрения снижения уровня EMI стала возможной благодаря разработке эквивалентных схем, позволяющих анализировать пути возникновения и распространения сигналов помехи и эквивалентных схем модулей IGBT, учитывающих влияние паразитных элементов конструкции.

На рис. 9 показаны эпюры спектрального состава сигналов помех, измеренные для стандартного модуля IGBT и модуля SEMI-TRANS, имеющего оптимизированную топологию. Измерения проводились для полу-мостового каскада при следующих условиях

Компоненты и технологии, № 8’2003

Таблица S. Ток коллектора и типы новых модулей SEMITRANS (GB — полумост, GA — одиночный модуль, рабочее напряжение 1200 В)

Ic, A Ultrafast (12S) Trench (12б) SPT (128)

75 SMK75GB128DN

100 SKM100GB125DN SMK100GB128DN

150 SMK145GB128DN SMK150GB128D

200 SKM200GB125D SKM195GB126DN SKM200GB126D SMK200GB128D

300 SKM300GB125D SKM300GB126D SMK300GB128D

400 SKM400GB125D SKM400GB126D SMK400GB128D

500 SMK500GB128D

600 SKM600GА125D SKM600GB126D

800 SKM800GА126D

эксплуатации: напряжение шины питания — 450 В, ток нагрузки — 20 А, частота ШИМ — 20 кГц. Эпюры показывают значительное снижение EMI модуля SEMIKRON. Как видно из графиков, на некоторых частотах уровень помех снижен более чем на 20 дБ.

Программа SEMISEL

В таблице 5 приведены типы новых модулей SEMITRANS, разработанных в последнее время. Модули ранних серий 123 и 124 рекомендуется применять, если к изделию не предъявляются серьезные требования по эффективности, а главным является минимальная стоимость. Однако, особенно в условиях России, ценовые характеристики изделия, соотношение «цена — качество» имеют немаловажное значение.

В преобразователях с мощностью, достигающей сотен киловатт, увеличение эффективности даже на 1% позволяет не только сэкономить электроэнергию, но и улучшить тепловые режимы работы силовых компонентов, повысить надежность изделия, увеличить его ресурс. Именно поэтому выбор силового модуля, позволяющего минимизировать потери в конкретных условиях эксплуатации, является очень важной задачей.

Для сравнения различных компонентов необходимо произвести расчет потерь при одинаковых условиях эксплуатации, определить температуру кристалла в наиболее тяжелых условиях эксплуатации. Однако далеко не все разработчики достаточно хорошо владеют методиками теплового расчета. Для упрощения этого процесса SEMIKRON предлагает программу SEMISEL — простой и точный инструмент, позволяющий осуществить оптимальный выбор [4]. На рис. 10 показано исходное меню программы, в котором пользователь указывает рабочие режимы проектируемого изделия. Далее, после выбора одного из предлагаемых модулей, программа осуществляет расчет и выводит на экран тепловые режимы его работы с учетом всех особенностей конструкции модуля. В процессе работы с программой можно выбрать подходящий драйвер SEMIKRON, изменить исходные данные, условия охлаждения или тип радиатора.

На рис. 7 показаны графики зависимости выходного тока инвертора от частоты, полу-

Рис. 10. Экран задания исходных данных для расчета программы SEMISEL

Таблица б. Рабочая температура модулей различного типа

Тип SKM400GB123 SKM400GB124 SKM400GB12S SKM400GB128

модуля Standard NPT Low Loss NPT Ultrafast NPT SPT

fOUT, Гц SO 2 SO 2 SO 2 SO 2

ртот, Вт 607 582 533 528 519 480 454 456

TjD, °C 117 120 108 111 107 111 98 101

j °C 118 120 109 110 107 107 99 100

Tc, °C 114 114 105 105 104 103 96 96

T„ °C 107 107 99 99 97 97 90 90

ченные с помощью программы SEMISEL. Пользуясь средствами программы, определим для примера, какой из модулей SEMI-TRANS с током 400 А имеет наименьшие потери в одинаковых рабочих режимах. В таблице 6 приведены результаты расчетов суммарной рассеиваемой мощности РТОТ, максимальной температуры кристалла IGBT Tj и антипараллельного диода TjD, температуры корпуса модуля Tc и температуры теплостока Ts модулей различного типа в схеме 3-фазного преобразователя частоты при двух значениях частоты огибающей fOUT и следующих условиях эксплуатации:

• напряжение шины питания VDC = 600 B;

• выходное напряжение VOUT = 400 B;

• выходной ток IOUt = 50 A;

• cos ф = 0,85;

• частота ШИМ, fsw = 8 кГц;

• охлаждение — принудительное воздушное, 85 м3/ч;

• температура окружающей среды — 40 °С;

• тепловое сопротивление теплостока Rthsa— 0,11 °С/Вт

На сегодняшний день программу SEMISEL SEMIKRON следует признать наиболее автоматизированной, точной и простой в использовании, так как она охватывает практически все существующие схемы и требует от пользователя ввода только числовых ис-

ходных данных. Удобный интерфейс, пояснения, данные для всех режимов работы, позволяют использовать программу разработчикам средней квалификации.

Главным ограничением для использования SEMISEL является то, что эта программа предназначена для выбора и расчета компонентов производства SEMIKRON, так как все коэффициенты, использованные в формулах и выражениях, рассчитаны применительно к данным компонентам. Однако номенклатура выпускаемых SEMIKRON компонентов столь широка, что потребитель всегда может найти среди изделий подходящий элемент для своих разработок. ЖЯ

Литература

1. Ralph Annacker, Markus Hermwille. 1200V Modules with Optimised IGBT and Diode Chips. Semikron Elektronik GmbH.

2. J. Li, R. Hetzer, R Annacker, B. Koenig. Modern IGBT/FWD chip sets for 1200V applications. Semikron Elektronik GmbH.

3. Колпаков А. Оптимизация параметров ан-типараллельных диодов SEMIKRON // Компоненты и технологии. 2003. № 2.

4. Колпаков А. И. Программа автоматического теплового расчета SEMISEL // Компоненты и технологии. 2002. № 9.

Дислокационная структура эпитаксиальных слоев гетероструктур AlGaN/GaN/α-Al2O3 при легировании слоя GaN углеродом и железом | Русак

1. Liliental-Weber Z., dos Reis R., Weyher J. L., Staszczak G., Jakieła R. The importance of structural in homogeneity in GaN thin films // J. Crystal Growth. 2016. V. 456. P. 160—167. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2016.08.059

2. Morkoç H. Handbook of nitride semiconductors and devices. Vol. 1. Materials properties, physics and growth. Weinhiem: Wiley-VCH Verlag GmbH& Co. KGaA, 2008. P. 817—1191. DOI: 10.1002/9783527628438

3. Polyakov A. Y., Lee I.-H. Deep traps in GaN-based structures as affecting the performance of GaN devices // Materials Science and Engineering: R: Reports. 2015. V. 94. P. 1—56. DOI: 10.1016/j.mser.2015.05.001

4. Dong-Seok Kim, Chul-Ho Won, Hee-Sung Kang, Young-Jo Kim, Yong Tae Kim, In Man Kang, Jung-Hee Lee. Growth and characterization of semi-insulating carbon-doped/undoped GaN multiple-layer buffer // Semicond. Sci. Technol. 2015. V. 30, N 3. P. 035010 (6 p). DOI: 10.1088/0268-1242/30/3/035010

5. Li X., Bergsten J., Nilsson D., Danielsson Ö., Pedersen H., Rorsman N., Janzén E., Forsberg U. Carbon doped GaN buffer layer using propane for high electron mobility transistor applications: Growth and device results // Appl. Phys. Lett. 2016. V. 107, Iss. 26. P. 26105 (15 p). DOI: 10.1063/1.4937575

6. Feng Z. H., Liu B., Yuan F. P., Yin J. Y., Liang D., Li X. B., Feng Z., Yang K. W., Cai S. J. Influence of Fe-doping on GaN grown on sapphire substrates by MOCVD // J. Cryst. Growth. 2007. V. 309, Iss. 1. P. 8—11. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2007.08.032

7. Manmohan Agrawal, Shreyash Pratap Singh, Nidhi Chaturvedi. Concept of buffer doping and backbarrier in GaN HEMT // International Journal of ChemTech Research. 2014–2015. V. 7, N 2. P. 921—927. URL: http://sphinxsai.com/2015/ch_vol7_no2_ICONN/7/NE26%20(921-927).pdf

8. Cui Lei, Yin Haibo, Jiang Lijuan, Wang Quan, Feng Chun, Xiao Hongling, Wang Cuimei, Gong Jiamin, Zhang Bo, Li Baiquan, Wang Xiaoliang, Wang Zhanguo. The influence of Fe doping on the surface topography of GaN epitaxial material // Journal of Semiconductors. 2015. V. 36, N 10. P. 103002. DOI: 10.1088/1674-4926/36/10/103002

9. Lipski F. Semi-insulating GaN by Fe-doping in hydride vapor phase epitaxy using a solid iron source // Annual Report. Ulm University, Institute of Optoelrctronucs, 2010. P. 63—70. URL: https://pdfs.semanticscholar.org/befe/2434893df4f74d14ca62dc740f709a13190d.pdf

10. Fariza A., Lesnik A., Neugebauer S., Wieneke M., Hennig J., Bläsing J., Witte H., Dadgar A., Strittmatter A. Leakage currents and Fermi-level shifts in GaN layers upon iron and carbon-doping // J. Appl. Phys. 2017. V. 122, Iss. 2. P. 025704-1—025704-6. DOI: 10.1063/1.4993180

11. Polyakov A. Y., Smirnov N. B., Dorofeev A. A., Gladysheva N. B., Kondratyev E. S., Shemerov I. V., Turutin A. V., Ren F., Pearton S. J. Deep traps in AlGaN/GaN high electron mobility transistors on SiC // ECS J. Solid State Sci. Technol. 2016. V. 5, Iss. 10. P. Q260—Q265. DOI: 10.1149/2.0191610jss

12. Simpkins B. S., Yu E. T., Waltereit P., Speck J. S. Correlated scanning Kelvin probe and conductive atomic force microscopy studies of dislocations in gallium nitride // J. Appl. Phys. 2003. V. 94, Iss. 3. P. 1448—1453. DOI: 10.1063/1.1586952

13. Енишерлова К. Л., Русак Т. Ф., Корнеев В. И., Зазулина А. Н. Влияние качества подложек SiC на структурное совершенство и некоторые электрические параметры пленок AlGaN/GaN» // Известия вузов. Материалы электрон. техники. 2015. Т. 18, № 3. С. 221—228. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-3-221-228

14. Говорков А. В., Поляков А. Я., Югова Т. Г., Смирнов Н. Б., Петрова Е. А., Меженный М. В., Марков А. В., Ли И. Х., Пиртон С. Д. Идентификация дислокаций и их влияние на процессы рекомбинации носителей тока в нитриде галлия // Поверхность, Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. 2007. № 7. C. 18—20.

15. Енишерлова К. Л., Горячев В. Г., Сарайкин В. В., Капилин С. А. Нестабильность емкости ВФ-характеристик при измерении гетероcтруктур AlGaN/GaN и НЕМТ-транзисторов на их основе // Известия вузов. Материалы электрон. техники. 2016. Т. 19, № 2. C. 114—122. DOI: 10.17073/1609-3577-2016-2-114-122

16. Енишерлова К. Л., Лютцау А. В., Темпер Э. М. Однокристальная рентгеновская дифрактометрия гетероструктур. М.: ОАО НПП «Пульсар», 2016. С. 144.

17. Lei Zhang, Yongliang Shao, Yongzhong Wu, Xiaopeng Hao, Xiufang Chen, Shuang Qu, Xiangang Xu. Characterization of dislocation etch pits in HVPE-grown GaN using different wet chemical etching methods // J. Alloys and Compounds. 2010. V. 504, Iss. 1. P. 186—191. DOI: 10.1016/j.jallcom.2010.05.085

18. Zhang H., Miller E. J., Yu E. T. Analysis of leakage current mechanisms in Schottky contacts to GaN and Al0.25Ga0.75N∕GaN grown by molecular-beam epitaxy // J. Appl. Phys. 2006. V. 99, Iss. 2. P. 023703. DOI: 10.1063/1.2159547

19. Choi Y. C., Pophristic M., Peres B., Spencer M. G., Eastman L. F. Fabrication and characterization of high breakdown voltage AlGaN∕GaN heterojunction field effect transistors on sapphire substrates // J. Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena. 2006. V. 24, Iss. 6. P. 2601—2605. DOI: 10.1116/1.2366542

Публикации | ИИФиРЭ СФУ

Монографии и статьи

1. Громыко А.И. Развитие интеллектуальных способностей молодежи в школе и вузе. Сборник трудов конференции «Оптика и образование- 2010»/ Под общ. Ред. Проф. А.А. Шехонина. – СПб: СПбГУ ИТМО, 2010. с. 122-123.
2. Громыко А.И. Современные проблемы радиоэлектроники: сб. науч. Тр./ под ред. А.И. Громыко, Г.С. Патрина; отв. За вып. А.А. Левицкий; Сиб. Федер. Ун-т. – Красноярск, 2010. –435 с.
3. Громыко, А. И. Контроль токораспределения в аноде алюминиевого электролизера // Цветные металлы. № 11, 2010. – С.51-54.
4. Прибор для измерения величины тока в узлах электролизных ванн. Тен В.П., Громыко А.И. Современные проблемы радиоэлектроники: сб. науч. Тр./ под ред. А.И. Громыко, Г.С. Патрина; отв. За вып. А.А. Левицкий; Сиб. Федер. Ун-т. – Красноярск, 2010. –21-264.
5. Громыко А.И. Мониторинг технологических параметров алюминиевого электролизера. Свидетельство о гос. Регистрации программы для ЭВМ от 29.08.2011. Тен В.М., Соболев А.Н. Громыко А.И.
6. Bulbik, Yanis I. Electrical Power Quality at Oil Processing Plants in Russia / Yanis I. Bulbik, Vasily I. Panteleyev, Sergey V. Kuzmin // Межд. конф. «Качество электрической энергии и ее использование». – Лиссабон, 17–19 октября, 2011
7. Bulbik Ya. et al. Electrical Power Quality at Oil Processing Plants in Russia // EPQU11, Lisbon, 2011. – Paper 179.
8. Громыко А.И. Измерение составляющих комплексного сопротивления электролизера. И.Е. Нефёдов, А.И. Громыко Сборник докладов Международной конференции выставки «АЛЮМИНИЙ СИБИРИ-2012», 10-12 Сентября 2012 года, С. 152- 153.
9. Громыко А.И. Качество инженерного образования Развитие социально устойчивой инновационной среды непрерывного педагогического образования: сборник материалов II Всероссийской научно-практической конференции с международным участием // под ред. И.М. Купчигиной. — Абакан: Издательство ФГБОУ ВПО «Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова», 2012. — 278с.
10. Бульбик Я.И., Беев Е.Е., Столяров Т.И. Электронные средства оценки уровня кавитации в жидкой технологической среде / Сб. научных трудов «Современные проблемы радиоэлектроники», Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ, 2012. – с. 373 – 376;
11. Бульбик Я.И., Великсар М.П., Тарасевич А.А. Вычислительные оценки неоднородности магнитного поля в осесимметричной системе двух круговых намагничивающих контуров / Сб. научных трудов «Современные проблемы радиоэлектроники», Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ, 2012. – с. 383-386;
12. Бульбик Я.И., Шеракажуков М.В. Особенности идентификации электрофизических и микроструктурных параметров высокотемпературных электрокерамик / Сб. научных трудов «Современные проблемы радиоэлектроники», Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ, 2012. – с. 447-450;
13. Бульбик Я.И., Белоглазова И.А., Черных Е.В. Математическое моделирование электродинамических сил в осесимметричной системе двух круговых контуров с током / Сб. научных трудов «Современные проблемы радиоэлектроники», Институт инженерной физики и радиоэлектроники СФУ, 2012. – с. 459-461.
14. Золотухин В.В. Имитационное моделирование процессов отказа в сетях SDH со сложной топологией / А.С. Сидоренко, В.В. Золотухин // Математическое и имитационное моделирование систем. МОДС 2013: Восьмая международная научно-практическая конференция. Тезисы докладов. – Чернигов, Черниг. Госуд. Технологич. Ун-т, 2013. – С. 441 – 443.
15. Золотухин В.В. Моделирование системы восстановления голосового трафика, передаваемого по IP сетям, с помощью искусственных нейронных сетей типа самоорганизующихся карт Кохонена / О.А. Гергарт, В.В. Золотухин // Математическое и имитационное моделирование систем. МОДС 2013: Восьмая международная научно-практическая конференция. Тезисы докладов. – Чернигов, Черниг. Госуд. Технологич. Ун-т, 2013. – С. 367 – 370.
16. Гаипов К.Э., Заленская М.К. Применение тензорного метода двойственных сетей для анализа распределенных систем обработки информации // Современные проблемы науки и образования. – 2013. – № 4; URL: http://www.science-education.ru/110-9766 (дата обращения: 30.07.2013).
17. Золотухин В.В. Система моделирования информационных потоков с удалённым доступом / В.Н. Егоров, В.В. Золотухин // Современные проблемы радиоэлектроники: сб. науч. Тр. – Красноярск, Сиб. Федер. Ун-т, 2013. – С. 426 – 428.
18. Золотухин В.В. Оптимизация структурной надежности сетей связи нового поколения / М. Н. Петров, В. В. Золотухин // Проблемы безопасности и чрезвычайных ситуаций. – 2013. — № 3. – С. 72-78.
19. Пикалева Е.В., Турбов А.Ю. Рейтинг востребованности электронных услуг, как показатель их компетентности населения региона // Восточно-Сибирская открытая
    академия.-  2013 — 364 с.
20. Черников Д.Ю., Нелипа С.Б. Влияние цифрового неравенства на уровень профессиональной компетентности специалистов информационно-коммуникационного профиля // Восточно-Сибирская открытая академия.-  2013 — 364 с.
21. Решение задачи управления трафиком в сетях MPLS/Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. науч. Тр. – Красноярск: ИПК СФУ. – 2013. – С. 409-414.
22. Коловский Ю. В. Полевой нейропроцессор. / Ю. В. Коловский, П. А. Моренко // Современные проблемы радиоэлектроники: сб. науч. тр. – Красноярск: ИПК СФУ, 2013, С. 415 – 420.
23. Коловский Ю. В. Автономный комплекс контроля и управления поведением технического объекта на примере антенной системы космического аппарата / Ю. В. Коловский // Материалы XVII Междунар. науч. конф. «Решетневские чтения», в 2 ч. СибГАУ – Красноярск, 2013. – Ч. 1. – С. 264 – 267.
24. Ковалев В.Н., Таскин А.В. Черников Д.Ю., Романова Н.В. Автоматизированная информационная система (АИС) «Дошкльник». Альманах ПРОФ-IT 2013 г. Сыктывкар , с.40
25. Черников Д.Ю., Ковалев В.Н., Нелипа С.Б. Региональная IT – система оповещения населения о прогнозе и статусе чрезвычайных ситуаций средствами сотовой связи и сети информационных терминалов. Альманах ПРОФ-IT 2014 г. Рязань

Защита докторских, кандидатских и магистерских диссертаци

Громыко А.И.: Защита кандидатской диссертации Есин А.- 2012 г.

Защита кандидатской диссертации старшего преподавателя Гаипова К.Э. – 15 ноября 2013 г.

Защита магистерских диссертаций

2012 год: выпускники направления 210700.68  «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»: Васильев Д.Е., Гергарт О.А., Егоров В.Н., Коломеец О.М., Сидоренко А.С.

2013 г.: выпускники направления 210700.68  «Инфокоммуникационные технологии и системы связи»: Бирюков К.Г., Бровкин А.В., Емельяненко Р.Н., Козлова В.В., Лазарева М.Е., Леонов К.Ю., Шутов С.Ю.

Участие в научных конференциях и семинарах

1. III Международная научно-практическая конференция. Профессиональное развитие, ради сохранения восточноевропейской цивилизации, 6-9 декабря 2013 год. Россия, Болгария.
2. Международная конференция «Математическое и имитационное моделирование систем МОДС 2013», 24-28 июня 2013 года. Украина, г. Чернигов.
3. Всероссийская конференция «Современные проблемы радиоэлектроники» 6-7 мая 2013 года. Россия, г. Красноярск.
4. Международная конференция «Решетнёвские чтения», 12-14 ноября 2013 г. Россия, г. Красноярск.
5. Конкурс краевого государственного автономного учреждения «Красноярский краевой фонд поддержки научной и научно-технической деятельности»; май – июнь 2013.
6. Всероссийская конференция «Современные проблемы радиоэлектроники» 5-8 мая 2014 г., Россия, г. Красноярск.
7. Всероссийский конкурс проектов региональной информатизации « ПРОФ-IT» , 2013 г., Россия, г Сыктывкар,
8. Всероссийский конкурс проектов региональной информатизации «ПРОФ-IT», 29-30 мая 2014 г., Россия, г. Рязань
9. VI- международный ИТ-форум с участием  стран БРИКС. 4-5 июня 2014 г. Россия, г. Ханты-Мансийск
10. Всероссийский конкурс проектов региональной  информатизации «ПРОФ-IT», 5-6 июня, 2015 г. Россия, г. Ханты-Мансийск  .Получен диплом  III степени в номинации «Информационные системы для внутренней информатизации.

 

транзистор% 20c114% 20est техническое описание и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N ​​2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор	Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор	ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 — транзистор Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР, ПУТЕВОДИТЕЛЬ Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочной цепи KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке. Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

C114-EL, C114EL, DTC114EL, DTC114ELT1G, 2SC114-EL Список поставщиков

Номер детали	Дистрибьютор Склад DC Производитель Описание
C114-EL	80500 12 0925 AA 800 04 — — 15532 ATV ROHM 05 19396 04 — 0,22 ROHM — 15532 2021 ROHM ATV
C114EL	48 Вт ROHM SIP3 15532 ATV ROHM 05 19396 05 ROHM ATV — 0,22 15532 2021 ROHM ATV
DTC114EL	87410 12 — — 1190 11 UTC SOT-323 116000 — ROHM . 32654 08PBF UTC SOT23 2654 SOT23 UTC 08PBF 2654 08F UTC SOT23 2654 — UTC — 7500 2021 ROHM ATV
DTC114ELTL2	87410 12 — — 87410 12 — — 15000 18 ВКЛ СОТ-23 2298 1999 ROHM — 3510000 SOT-23 ON / LRC 09 1500 — ROHM 1999
2SC114-EL	61285 12 — — 800 — — TO-92LM 800 — AA TO-92LM 19396 — ROHM TO-92LM — 0,18 800 2021 ROHM TO-92LM
DTC114-EL	87410 12 — — 9937 1994 ROHM — 15532 ATV ROHM 05 19396 05 ROHM ATV — 0,22
DTC114EL TL2	5378 06PB ROHM TO-92L
DTC114EL-T92-K	720 — UnisonicTech ТО-92 (ТО-92-3)
DTC114ELA
DDTC114ELP-7	3000 — ДИОДЫ O402 87410 12 — — 3000 1051 ДИОДЫ O402 33000 1051 ДИОДЫ O402 3000 O402 ДИОДЫ 1051 5025 новые Diodes Incorporated Биполярные транзисторы — с предварительным смещением 250 мВт, одиночный (R1 / 6110 2019 Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 250 МВт 3DFN 3000 — Diodes Incorporated TRANS PREBIAS NPN 250 МВт 3DFN
LDTC114ELT1H	3000 1133 LRC SOT23 1000 1133 LRC SOT-23 2970 1132 LRC SOT23 24000 2020 LRC / AOEc SOT23 3000 1133 LRC SOT23 1780 1133 LRC SOT-23 41254 2021 LRC —
LDTC114ELT1G	52085 12 — — 2017 LRC / SOT-23 150000 12 LRC SOT-23 120000 12 LRC SOT-23 840000 20PB LRC — DDTC114ELP 87410 12 — — 62782 15 ZETEX / DOIDEOS SOT-723 3000 O402 ДИОДЫ 1051 DDTC114ELP-7B 10000 — Диоды / ок. 2013 TDTC114E, LM 0 новый Toshiba Биполярные транзисторы — BRT с предварительным смещением 0.1А 50В 10КО Цифровые транзисторы (BRT) R1 = 10 кОм, R2 = 10 кОм % PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > ручей application / pdf onsemi DTC114E — Цифровые транзисторы (BRT) R1 = 10 кОм, R2 = 10 кОм Эта серия цифровых транзисторов разработана для замены отдельного устройства и его цепи внешнего резистора смещения.Транзистор с резистором смещения (BRT) содержит один транзистор с монолитной цепью смещения, состоящей из двух резисторов; последовательный базовый резистор и резистор база-эмиттер. BRT устраняет эти отдельные компоненты, объединяя их в одно устройство. Использование BRT может снизить как стоимость системы, так и место на плате. 2021-08-05T15: 20: 38 + 02: 00BroadVision, Inc.2021-08-05T15: 21: 46 + 02: 002021-08-05T15: 21: 46 + 02: 00Acrobat Distiller 19.0 (Windows) uuid: 69c6d679- c5d1-4e04-8945-dfcc2a331ed5uuid: fab0833a-b467-4c0f-9fe8-981b258f1665 конечный поток эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > эндобдж 24 0 объект > эндобдж 25 0 объект > эндобдж 26 0 объект > эндобдж 27 0 объект > эндобдж 28 0 объект > эндобдж 29 0 объект > ручей HtWK- ВВЕРХ + золь ~ ݽ C ) n «i + 럿 _> UridTG ~ |%» C114 datasheet pdf storage C114 datasheet pdf storage Чистое хранилище flasharrayx, первый в мире 100% allflash endtoend nvme и nvmeof массив, теперь дополнительно включает в себя увеличение памяти класса хранения до удовлетворяют самые высокие требования к производительности корпоративных приложений.Mun2211, mmun2211l, mun5211, dtc114ee, dtc114em3, nsbc114ef3 цифровые транзисторы brt r1 10 к, r2 10 к npn транзисторы с монолитной сетью резисторов смещения Эта серия цифровых транзисторов предназначена для замены одного устройства и его цепи внешнего резистора смещения. Английский даташит высокоточного преобразователя температуры. Предоставляйте новости отечественной и международной телекоммуникационной отрасли, включая информацию о политике, нормативных требованиях, операторах связи, производителях оборудования, терминалах и ИКТ. Процесс pct кремниевого npn-транзистора Toshiba эпитаксиального типа.Технические характеристики трехцветных микросхем Agilent hsmfc114 для поверхностного монтажа имеют общий анод small 1. Технические данные pure storage flasharrayx ускоряют основные приложения и предоставляют современные возможности обработки данных. Hsmfc118 выдает множество цветов с возможностью смешивать 3 основных цвета для соответствия любому приложению и теме продукта. Справочник транзисторов A1270, поиск аналогов. Портативный насос cpe c114 идеально подходит для систем объемом до 30 баррелей в зависимости от области применения. Четырехместные мультиплексоры на 2 входа с таблицей данных для хранения. Транзистор 2sc3330 может иметь коэффициент усиления по току от 100 до 800. Приложения Vceo250vmin для регуляторов напряжения, инверторов, импульсных источников питания. Коэффициент усиления 2sc3330r будет в диапазоне от 100 до 200, 2sc3330s в диапазоне от 140 до 280, 2sc3330t в диапазоне от 200 до 400, 2sc3330u в диапазоне от 280 до 560, 2sc3330v в диапазоне от 400 до 800. Базовое напряжение mpsa43 mpsa42 vcbo 200 300 эмиттер vdc. Tl431 tl432 — прецизионный программируемый справочный лист данных. Портативный насос cpe c114 — самый популярный насос для пивоваренных заводов.Qualipoly тайвань технический паспорт полиэстера c114. Поддерживает до 8 МБ внешней параллельной флэш-памяти x8x16. Военные спецификации Kemet на оборотной стороне, все технические данные, технические данные, сайты поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Dtc114em dtc114ee dtc114eua транзисторы dtc114eka dtc114esa rev. Таблица данных C114, таблицы данных c114, c114 pdf, схема c114. Kemet алюминиевые электролитические конденсаторы, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электроники.Масштабируемый буфер памяти Intel c112c114, таблица данных, май 2015 г., введение 1, введение 1. Информация, важная для конструкции масштабируемого буфера памяти Intel c112c114, представлена ​​в. C114el datasheet, c114el pdf, c114el data sheet, c114el manual, c114el pdf, c114el, datenblatt, electronics c114el, alldatasheet, бесплатно, даташит, даташит, данные. Если флажок не отображается, соответствующий документ не может быть загружен в пакетном режиме. C114 datasheet, c114 pdf, c114 data sheet, datasheet, data sheet, pdf home все производители по категориям, названию детали, описанию или содержанию производителя.Hsmfc114 tricolor chipled broadcom hsmfc114 tricolor chipled разработан в сверхмалом корпусе и является самым тонким корпусом для трехцветной упаковки. Доступен также c114 lszh, c114 pe custom, этот продукт может быть изготовлен по индивидуальному заказу также в pur, и во всех других вариантах производства с металлической броней. Информацию о первой помощи и дополнительных мерах предосторожности см. На этикетке на боковой панели. Номер круглосуточной службы экстренной помощи. Поворотный вал с резьбой acme для насосов c114, код продукта рамы nema 140tc. Переносной насос C114 с тележкой из нержавейки 3 л.Mcc kta1270o микрокоммерческие компоненты tm 20736 marilla street chatsworth микрокоммерческие компоненты ca 911 kta1270y phone. Каталог технических данных транзисторов резисторов смещения серии dtc114e. Система поиска электронных компонентов и полупроводников. Рабочее колесо и вал представляют собой одну деталь, которая соединяется непосредственно с валом двигателя. Это самые прочные насосы на рынке, и каждый пивовар скажет вам, что надежный насос — это насос. C114english sites — профессиональный англоязычный новостной сайт в области телекоммуникаций.C114 — это один из компактных контроллеров vme powerpc последнего поколения от aitech, основанный на многоядерных процессорах qoriq systemonchip soc серии nxps new t1t2, с многочисленными интегрированными контроллерами шины, памяти и io. Технический паспорт Cl114 Федеральные правила запрещают использование пропеллентов cfc в аэрозолях. Hsmfc114, трехцветные микросхемы для поверхностного монтажа Broadcom. C114 datasheet, c114 pdf, c114 data sheet, datasheet, data sheet, pdf, page 5 главная страница всех производителей по категориям, названию детали, описанию или содержанию производителя. Разработан для тяжелых условий эксплуатации с высокой эффективностью.Благодаря диапазонам для термопар и датчиков pt100, блоки предлагают исключительное значение. C114 datasheet, c114 pdf, c114 data sheet, c114 manual, c114 pdf, c114, datenblatt, electronics c114, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet, datas. Cisco серии 1100 идеально подходит для филиалов малых и средних предприятий. Обратитесь к таблице данных для формальных определений свойств и функций продукта. C114 datasheet, c114 pdf, c114 data sheet, c114 manual, c114 pdf, c114, datenblatt, electronics c114, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet.C114 pdf, описание c114, таблицы данных c114, просмотр c114. Трехцветный светодиодный чип hsmfc114 разработан в сверхкомпактном корпусе для миниатюрных размеров. Предельные значения 1 устройство, установленное на печатной плате fr4, односторонняя медь, луженая и стандартная площадь основания. Создавайте самые разные цвета, смешивая 3 основных цвета, чтобы они подходили к любому применению и тематике продукта. В основном новости — это телекоммуникационная индустрия Китая. Vmt3 emt3f sot416 sot323fl l имеет 1 встроенный резистор смещения, r1 r2 10 кОм.Предложение hsmfc114 broadcom limited от kynix semiconductor hong kong limited. Qualipoly, тайвань, технический паспорт. Полиэфир c114 c114 — это тиксотропная, промотированная ортофталевая смола с низким уровнем выбросов стирола, разработанная для ручной укладки и распыления деталей, где требуется короткая оборачиваемость формы и низкий пик экзотермичности, подходит для нанесения 315 мм мокрым по мокрому. Уточните у поставщика системы, поддерживает ли ваша система эту функцию, или обратитесь к системным характеристикам материнской платы, процессора, набора микросхем, блока питания, жесткого диска, графического контроллера.Эта функция может быть доступна не во всех вычислительных системах. Найдите 2sda в Интернете на сайте elcodis, просмотрите и загрузите техническое описание диодов, выпрямителей в формате pdf. Toshiba транзистор кремния npn эпитаксиальный тип pct процесс 2sc1815 звуковая частота универсальный усилитель приложений драйвер каскадный усилитель приложений высокое напряжение и высокий ток. При соблюдении необходимых мер предосторожности возможно производство с напряжением менее 500 ВГМ. Последние списки производителей в каталоге позволяют мгновенно получить представление о любом электронном компоненте.Значения маркетингового статуса определяются следующим образом. Номер продукта для заказа Обозначение инвентарного номера pxc001. Таблица данных масштабируемого буфера памяти Intel c112 и c114. B 23 z Технические характеристики упаковки z эквивалентная схема tl emt3 smt3 sptumt3 dtc114ee dtc114em арт. Спецификация модели c114 waukesha cherryburrell, an spx. Dtc114e series npn 100ma 50v цифровой транзистор резистор смещения встроенный транзистор техническое описание loutline значение параметра sot723 sot416fl vcc 50v icmax. Vceo 50 В мин., IC 150 мА макс. Отличная линейность hfe.Номер абзаца номер страницы mpc555 mpc555 содержание руководство пользователя motorola ред. Дополнительные функции к s9012 превосходный коллектор базы эмиттера линейности hfe s90 transistornpn to92 2. Нажимая «Принять», вы понимаете, что мы используем файлы cookie для улучшения вашего опыта на нашем веб-сайте. Cc1121 высокопроизводительный маломощный радиочастотный трансивер 1 Обзор устройства 1. c114 техническое описание и примечания по применению Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: KEMET Номер детали: M39014 / 05-2619 C114T101K1X5CM, CKR11BX101KM Конденсатор, керамический, 100 пФ, +/- 10% допуска, 100 В, BX Общая информация Производитель: KEMET Электрические характеристики Емкость: Температурный коэффициент: Напряжение: Допуск: Размеры символа () Оригинал PDF M39014 / 05-2619 C114T101K1X5CM, CKR11BX101KM) b67515b3-27a9-4cb5-9982-f78f2c350cd3 транзистор с114 Реферат: схема транзистора С114 АН-1142 HSMF-C114 Текст: HSMF-C114 Трехцветные светодиоды с микросхемой для поверхностного монтажа Описание Трехцветные светодиоды с микросхемой HSMF-C114 разработаны в сверхкомпактном корпусе для миниатюризации.Это первая в своем роде упаковка, обеспечивающая такие компактные размеры и являющаяся самой тонкой упаковкой в ​​отрасли для Оригинал PDF HSMF-C114 HSMF-C114 5989-3351EN 5989-4809EN транзистор c114 схема транзистора c114 Ан-1142 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: Power LED ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ W11491, W11492 N11491, N11492 B11491, B11492 G11491, G11492 R11491, R11492 C11491, C11492 A11491, A11492 SEOUL SEMICONDUCTOR CO., ООО 148-29, Kasan-Dong, Keumchun-Gu, Сеул, Корея ТЕЛ: 82-2-3281-6269 ФАКС: 82-2-857-5430 Rev07 — 2006/05 Оригинал PDF W11491, W11492 N11491, г. N11492 B11491, B11492 G11491, G11492 R11491, R11492 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: КМОП-камера Scientific серии C11440-50 OEutM ion Sol Ядром камеры серии C11440-50 является новый научный датчик изображения FL-280, усовершенствованный CMOS-детектор, который одновременно обеспечивает высокое разрешение, высокую скорость считывания и низкий уровень шума. .Благодаря небольшому размеру, дизайн на уровне платы Оригинал PDF C11440-50 ФЛ-280, IEEE1394b C11440-50B B1201 SCAS0076E05 АПРЕЛЬ / 2015 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: 科学 計 測 用 CMOS ボ ー ド カ メ ラ OEM 対 応 C11440-52 U C11440-52U は 最新 技術 を 用 い た 科学 計 測 用 CMOS イ メ ー ーコ ン パ ク ト な Оригинал PDF C11440-52 C11440-52Uã SCAS0090J03 АПРЕЛЬ / 2015 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: シ ス テ ム 構成 例 C11440-52U 画像 取 り 込 み ボ ー ド USB 3.0 A-MicroB ケ ー ブ ル 3 м 付 M9982-22 USB 3.0 ケ ー ブ ル A-MicroB 3 м A12046-03 装置 組 み 込 み 用 装置 み 込 ー ド カ ア ッ ПК エ Оригинал PDF C11440-52U M9982-22 A12046-03 C11440-50B IEEE1394b M9982-19 IEEE1394bã A12344-05 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: KEMET Номер детали: M39014 / 05-2837 C114T102K1X5CP, CKR11BX102KP Конденсатор, керамический, 1000 пФ, +/- 10% допуска, 100 В, BX Общая информация Производитель: KEMET Электрические характеристики Емкость: Температурный коэффициент: Напряжение: Допуск: Символ Размеры () Оригинал PDF M39014 / 05-2837 C114T102K1X5CP, CKR11BX102KP) 70c55189-90dd-4041-9f4e-5b32f983d5bb Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: KEMET Номер детали: M39014 / 05-2243 C114T222K1X5CS, CKR11BX222KS Конденсатор, керамический, 2200 пФ, +/- 10% допуска, 100 В, BX Общая информация Производитель: KEMET Электрические характеристики Емкость: Температурный коэффициент: Напряжение: Допуск: Размеры символа () Оригинал PDF M39014 / 05-2243 C114T222K1X5CS, CKR11BX222KS) 5d0f6430-da5f-4030-841b-81c84cd81acb Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: C114C150J2G5CA aka C114C150J2G5CA Конденсатор, керамический, 15 пФ, допустимо +/- 5%, 200 В, C0G Размеры в спецификациях ID Размер Допуск D L LL F 0.09 0,16 1,5 0,02 +/- 0,01 +/- 0,01 мин -0,003 2006-2012 IntelliData.net Производитель: Емкость: Температурный коэффициент: Оригинал PDF C114C150J2G5CA Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: KEMET Номер детали: C114C101K2G5CA C114C101K2G5CA Конденсатор, керамический, 100 пФ, допустимо +/- 10%, 200 В, C0G Общая информация Производитель: KEMET Электрические характеристики Емкость: 100 пФ Температурный коэффициент: C0G Напряжение: 200 В Допуск: +/- 10 % Телосложение: Оригинал PDF C114C101K2G5CA C114C101K2G5CA) Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: KEMET Номер детали: C114C102M1R5CA C114C102M1R5CA Конденсатор, керамический, 1000 пФ, допустимо +/- 20%, 100 В, X7R Общая информация Производитель: KEMET Электрические характеристики Емкость: Температурный коэффициент: Напряжение: Допуск: 1000 пФ X7R 100 В +/- % Телосложение: Оригинал PDF C114C102M1R5CA C114C102M1R5CA) Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: KEMET Номер детали: C114C101K1R5CA7200 Конденсатор, керамический, 100 пФ, +/- 10% допуска, 100 В, X7R Общая информация Производитель: KEMET Электрические характеристики Емкость: Температурный коэффициент: Напряжение: Допуск: 100 пФ X7R 100 В +/- 10% Тип корпуса: осевое литье Оригинал PDF C114C101K1R5CA7200 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: KEMET Номер детали: C114C102K1R5CA7200 Конденсатор, керамический, 1000 пФ, +/- 10% допуска, 100 В, X7R Общая информация Производитель: KEMET Электрические характеристики Емкость: Температурный коэффициент: Напряжение: Допуск: 1000 пФ X7R 100 В +/- 10% Тип корпуса: осевое литье Оригинал PDF C114C102K1R5CA7200 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: KEMET Номер детали: C114C101K2G5CA7200 Конденсатор, керамический, 100 пФ, +/- 10% допуска, 200 В, C0G Общая информация Производитель: KEMET Электрические характеристики Емкость: 100 пФ Температурный коэффициент: C0G Напряжение: 200 В Допуск: +/- 10% Тип корпуса: осевое литье Оригинал PDF C114C101K2G5CA7200 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: C114C100M1R5CA aka C114C100M1R5CA Конденсатор, керамический, 10 пФ, допустимо +/- 20%, 100 В, X7R Размеры в спецификациях ID Размер Допуск D L LL F 0.09 0,16 1,5 0,02 +/- 0,01 +/- 0,01 мин -0,003 2006-2012 IntelliData.net Производитель: Емкость: Температурный коэффициент: Оригинал PDF C114C100M1R5CA Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: ФОТОНИЧЕСКИЙ Кремниевый фотодиод, Голубой улучшенный фотопроводящий изолированный ДЕТЕКТОРЫ типа PDB-C114-I DETECTORS INC. РАЗМЕРЫ УПАКОВКИ ДЮЙМЫ [мм] ЗАГЛУШКА НА ОКНА, СВАРНАЯ 0,030 [0,76] Ø0.325 [8,25] Ø0,250 [6,35] CL 0,168 [4,26] 0,095 [2,41] ПРОВОЛОЧНЫЕ УЗЛЫ 0,500 [12,70] МИН. 45 ° Ø0,358 Оригинал PDF PDB-C114-I 100-PDB-C114-I HSMF-C114 Реферат: транзистор с114, схема транзистора с114, схема транзистора с114, АН-1142 Текст: HSMF-C114 Трехцветные светодиоды с микросхемой для поверхностного монтажа Описание Трехцветные светодиоды с микросхемой HSMF-C114 разработаны в сверхкомпактном корпусе для миниатюризации.Это первая в своем роде упаковка, обеспечивающая такие компактные размеры и являющаяся самой тонкой упаковкой в ​​отрасли для Оригинал PDF HSMF-C114 HSMF-C114 5989-3351EN 5989-4809EN транзистор c114 схемы транзистора c114 схема транзистора c114 Ан-1142 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: Copyrightⓒ 2003 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Все права защищены. Светодиод питания ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ W11491, W11492 B11491, B11492 G11491, G11492 R11491, R11492 A11491, A11492 C11491, C11492 2004.10.13 Ред. 1 СЕУЛ ПОЛУПРОВОДНИК КО., ЛТД. 148-29, Kasan-Dong, Keumchun-Gu, Сеул, Корея Оригинал PDF W11491, W11492 B11491, B11492 G11491, G11492 R11491, R11492 A11491, г. A11492 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: KEMET Номер детали: M39014 / 05-2806 C114T180K1X5CP, CKR11BX180KP Конденсатор, керамический, 18 пФ, +/- 10% допуска, 100 В, BX Общая информация Производитель: KEMET Электрические характеристики Емкость: Температурный коэффициент: Напряжение: Допуск: Размеры символа () Оригинал PDF M39014 / 05-2806 C114T180K1X5CP, CKR11BX180KP) be8c03d5-5071-42cc-9b5b-f29c39882742 Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: M39014 / 05-2642 aka C114T182K1X5CM CKR11BX182KM Конденсатор, керамический, 1800 пФ, допустимо +/- 10%, 100 В, BX Размеры Технические характеристики ID Размер Допуск D L LL F 0.09 0,16 1,5 0,02 мин -0,003 2006-2012 IntelliData.net Производитель: Емкость: Температурный коэффициент: Оригинал PDF M39014 / 05-2642 C114T182K1X5CM CKR11BX182KM Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: M39014 / 05-2047 он же C114T332M1X5CR CKR11BX332MR Конденсатор, керамический, 3300 пФ, допустимо +/- 20%, 100 В, BX Размеры Технические характеристики ID Размер Допуск D L LL F 0.09 0,16 1,5 0,02 мин -0,003 2006-2012 IntelliData.net Производитель: Емкость: Температурный коэффициент: Оригинал PDF M39014 / 05-2047 C114T332M1X5CR CKR11BX332MR Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: M39014 / 05-2206 aka C114T180K1X5CS CKR11BX180KS Конденсатор, керамический, 18 пФ, допустимо +/- 10%, 100 В, BX Размеры Технические характеристики ID Размер Допуск D L LL F 0.09 0,16 1,5 0,02 мин -0,003 2006-2012 IntelliData.net Производитель: Емкость: Температурный коэффициент: Оригинал PDF M39014 / 05-2206 C114T180K1X5CS CKR11BX180KS Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: M39014 / 05-2808 aka C114T220M1X5CP CKR11BX220MP Конденсатор, керамический, 22 пФ, допустимость +/- 20%, 100 В, BX Размеры Технические характеристики ID Размер Допуск D L LL F 0.09 0,16 1,5 0,02 мин -0,003 2006-2012 IntelliData.net Производитель: Емкость: Температурный коэффициент: Оригинал PDF M39014 / 05-2808 C114T220M1X5CP CKR11BX220MP C114 e s j Абстракция: 74hc114 c114 Текст: C114, C114 DUAL JK ОТРИЦАТЕЛЬНЫЕ ШЛАНГИ С ОТКЛЮЧЕНИЕМ КРАЯ С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ. ОБЩИЙ ПРОЗРАЧНЫЙ. И ОБЩИЕ ЧАСЫ D 26B4, D ECEM BER 1 9 8 2 -R E V IS E D SEPT EMB ER 1987 S N 54H C 114.. . J УПАКОВКА SN 74H C114. . . УПАКОВКА D ИЛИ N Варианты упаковки включают пластиковый «маленький» OCR сканирование PDF SM54HC114, SM74HC114 300-м C114 e s j 74hc114 c114 Паспорт транзистора A114, pdf Tamb = 25 c, если не указано иное. Характеристики полевого транзистора в режиме расширения с N-каналом • низкое сопротивление в открытом состоянии • низкое пороговое напряжение затвора • низкая входная емкость • высокая скорость переключения • низкие утечки на входе / выходе • сверхмалый корпус для поверхностного монтажа • совместимость без свинца / rohs • esd hbm = v (типичное: 3000 v) согласно jesd22 a114 и esd cdm = v as.Список наблюдения заполнен. Npn-транзистор c114 datasheet (pdf) — твердотельные устройства, inc — sft5321 datasheet, 2 amp npn — 2 amp pnp 75 в npn — 75 в pnp npn и pnp биполярный комплементарный транзистор, unisonic technologies — dtc114t datasheet, m / a- com technology решения, вкл. Транзистор с резистором смещения (brt) содержит одиночный транзистор с монолитным смещением Номер паспорта: ds42112 rev. Motorola small– сигнал. Технические характеристики транзисторов, перекрестные ссылки, схемы и указания по применению в формате pdf.Этот транзистор дополнительно разделен на четыре группы в соответствии с коэффициентом усиления по постоянному току o, y, g и l и имеет коэффициент усиления по постоянному току 140, 240, 4 hfe соответственно. (vcbo = 12v) 3) низкое напряжение насыщения. Этот очень высокий ток усиления для работы, минимальное напряжение на транзисторе, включенное в микросхему, ограничение тока, устройство в рабочем состоянии (насыщение) обычно составляет 1. Ay datasheet, pdf — alldatasheet. Таблица данных A114, pdf a114, таблица данных a114, таблица данных, таблица данных, pdf, стр. 9. Таблица данных транзистора 2sa, pdf, эквивалент 2sa.2sa1145: кремниевый транзистор pnp эпитаксиального типа (процесс pct) звуковой частоты. Выберите тип транзистора транзистора: см. Другие пункты подробнее подробнее о состоянии. Vce (sat) = 300 мВ при ic / ib = 50 / 5ma) lapplication усилитель низкой частоты l Технические характеристики упаковки арт. Характеристики малосигнального транзистора Sipmos® • p-канал • режим улучшения • логический уровень • лавинный класс • номинальный dv / dt • свинцовое покрытие без содержания свинца; Максимальные номинальные характеристики, соответствующие требованиям RoHS, при t j = 25 ° C, если не указано иное, символ параметра условия устройства непрерывный ток стока i d t a = 25 ° c 1) a t a = 70 ° c 1) импульсный ток стока i d.Mj1509 high power rf ldmos fet components datasheet pdf data sheet free from datasheet4u. R 3 / 8- 32 резьба a115 sp, индекс 45 °, 3 поз. Таблица данных по транзисторам и диодам Texas Instruments 1-е изд. Спецификации для диодов от 1n и транзисторов от 2n на acrobat 7 pdf bd datasheet, bd pdf, bd data sheet, bd manual, bd pdf, bd, datenblatt, electronics bd, alldatasheet, free, datasheet , даташиты, техпаспорт. Com / любые изменения. Цифровые транзисторы (brt) r1 = 10 кОм, r2 = 47 кОм Транзисторы pnp с монолитной цепью резисторов смещения Эта серия цифровых транзисторов предназначена для замены одного устройства и его цепи внешнего резистора смещения.Обновление Covid-19: июнь в великобритании наблюдаются значительные задержки с размещением заказов на этом веб-сайте. Elektronische bauelemente a1015 — 0. Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. — даташит mrf10031. 50 В, 100 мА транзисторы с pnp-резистором rev. Характеристики [1] характеристики встроенного транзистора. Типичная производительность в непрерывном режиме при 220 МГц: vdd = 50vdc, idq = 30ma, pout = 10w. Тип монтажа a114 sp, индекс 90 °, 2-поз. Параметры и характеристики. Размер Pdf: 138k _ toshiba 2sa1145 транзистор toshiba кремниевый pnp эпитаксиальный тип (процесс pct) 2sa1145 применения усилителя звуковой частоты единица измерения: мм • дополнительно к 2sc2705. При использовании в качестве усилителя звуковой частоты общего назначения, может работать в активной области. Разъемы контактов (вид сверху) 31draina 42drainb gatea gateb Примечание: на задней стороне корпуса находится контакт истока для транзистора. М, контакты a205 dp, индекс 30 °, 5 поз. Размер PDF: 205 КБ _ lge. Цифровые транзисторы (brt) r1 = 10 кОм, r2 = 10 кОм Транзисторы pnp с монолитной сетью резисторов смещения Эта серия цифровых транзисторов предназначена для замены одного устройства и его цепи внешнего резистора смещения.Ni- — 780gs- — 4l afv10700gs — nxp b. Реферат: a103 поворотный a124 a105 транзистор код a106 a106 даташит a109 a402 диод a106 транзистор a106 текст :, 12 поз. Это часто определяется корпусом, в котором размещен транзистор. Транзисторы dtc114eka / dtc114esa rev. Предварительная подготовка к первому выпуску. Настоящая таблица данных содержит предварительные данные, а дополнительные данные будут опубликованы по адресу: a. Lm2907- n, lm2917- n snas555d — июнь — обновленная декабрьская версия lm2907 и lm2917 преобразователь частоты в напряжение 1 1 особенности.Транзисторы dtc114eka / dtc114esa rev. Таблица данных транзистора 2n5462, pdf — 2n — jfet-транзистор, junction field effect, 40 v, — 4 ma, 58k Техническое описание: 2n datasheet bss bss single mosfet транзисторы. 1) встроенные резисторы смещения позволяют конфигурировать схему инвертора без подключения внешних входных резисторов (см. Эквивалентную схему). ВЧ силовые полевые транзисторы с n — канальным расширением — боковые МОП-транзисторы, предназначенные в первую очередь для непрерывного вывода большого сигнала и приложений драйвера с частотами до 450 МГц.Этот веб-сайт использует файлы cookie для улучшения вашего опыта. Bu208 даташит pdf; транзистор а114 pdf; ic ca3140 datasheet pdf; 2n4401 даташит pdf; размещен в среде. 7kω (sst3) lОсобенности внутренней схемы 1) встроенные резисторы смещения позволяют конфигурировать схему инвертора без подключения. 10 — 21 декабря 7 из 17 nxp semiconductors pdta114e series pnp резисторы, оборудованные транзисторами; r1 = 10 k, r2 = 10 k 7. Определение статуса продукта в техническом паспорте, определение статуса продукта, предварительная информация, формирующая или при проектировании, эта таблица данных содержит проектные спецификации для разработки продукта.Важное примечание в конце этого листа данных касается доступности, гарантии, изменений, использования в критически важных для безопасности приложений, вопросов интеллектуальной собственности и других важных отказов от ответственности. LP395 — это быстрый монолитный транзистор со схемой внутренней защиты, требующей напряжения и полной защиты от перегрузки. Ipb80n06s3l- 08ipi80n06s3l- 08, ipp80n06s3l- 08optimos® — t особенности силового транзистора • n-канал — логический уровень — режим улучшения бесплатно) • поиск в технических таблицах со сверхнизким значением rds (on), в таблицах данных, на сайте поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем.Fmmt416 — это кремниевый планарный биполярный транзистор, предназначенный для. Транзистор общего назначения (50 В, 150 мА) Таблица значений параметра sot- 346 sc- 59 vceo 50v ic 150ma smt3 lfeatures linner circuit 1) высокое усиление постоянного тока. 2) высокое напряжение эмиттер-база. Техническое описание A114, a114 pdf, техническое описание a114, техническое описание, техническое описание, pdf | дом. Размер PDF: 222k _ nec 1. 140v pnp-транзистор средней мощности с низкой насыщенностью в sot223 имеет bv ceo> — 140v ic = — 4a высокий постоянный ток коллектора i cm = — 10a пиковый импульсный ток низкое напряжение насыщения v ce (sat) A114 , таблица данных a114 pdf, таблица данных a114, таблица данных4u.2sa114 транзистор 2sa114wt 2sa114 — wt a114 a114wt. Com datasheet (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. Устройства не имеют себе равных и подходят для использования в промышленных, медицинских и научных целях. Его также можно использовать для переключения, как и другие pnp-транзисторы. A114 datasheet, a114 pdf, a114 data sheet, a114 manual, a114 pdf, a114, datenblatt, electronics a114, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet, datas.Транзистор с резистором смещения (brt) содержит одиночный транзистор с монолитным смещением. 2sa114 datasheet (pdf) 1. Транзистор pnp 15a, — 50v в пластиковом корпусе 04- mar- rev. Абсолютные максимальные характеристики базового pnp эпитаксиального кремниевого транзистора ta = 25 ° C, если не указано иное символ номинальные значения параметров единицы vcbo коллектор — база напряжение — 60 v vceo напряжение коллектор — эмиттер — 50 v vebo эмиттер — напряжение базы — 5 v ток коллектора ic — 1. Техническое описание и примечания к применению транзистора bc — datasheet archive. Цифровой транзистор 500 мА / 50 В (со встроенными резисторами) таблица данных loutline значение параметра sot ic 500ma r1 4. Лист технических данных ред. B стр. 2 из 2 secosgmbh. Bss131h6327 datasheet (pdf) 1 страница — infineon technologies ag: номер детали. C1740 datasheet, pdf — 0. Jesd22- a114 datasheet, jesd22- a114 datasheets, jesd22- a114 pdf, jesd22-a114 circuit: vishay — выпрямитель для поверхностного монтажа, ESD, полный перечень данных, техническое описание, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников. схемы, диоды, симисторы и другие полупроводники.См. Спецификации Jedec jesd22-a114 и jesd22-a115. Bss131h6327: описание sipmos® малосигнальный транзистор скачать 9 страниц: прокрутка / масштабирование: 100%. Кремниевый pnp-транзистор Toshiba эпитаксиального типа (процесс pct) 2sa1013 цветной телевизор приложения с выходом вертикального отклонения приложения для переключения мощности • высокое напряжение: vceo = — 160 В • большой постоянный ток коллектора • рекомендуется для выходного сигнала вертикального отклонения и вывода звука для телевизоров с линейным питанием . C5929 датащит — vcbo = 1550v, npn транзистор — panasonic rjh4047 datasheet, pdf — 330v, 50a igbt — renesas rjp30h2 datasheet, pdf — n channel igbt — renesas.7 к dfn1010d- 3 (sot1215) pdtc143eqa pdta114eqa 10 к 10 к pdtc114eqa pdta124eqa 22 к 22 к pdtc124eqa pdta144eqa 47 к 47 к pdtc144eqa. Таблица характеристик 8. Условие параметра символа мин. Тип макс. Ед. Коллектор icbo — отсек основания. DTC114E SERIES_D15.pdf DtSheet Загрузить DTC114E SERIES_D15.pdf Открыть как PDF Похожие страницы DTC114T СЕРИЯ_D15.pdf УИЛЛАС DTC114EKA DTC114W SERIES_D15.pdf TSC DTC114-YE TSC DTC114TUA SECOS DTC114EM ETC DTC114EH MCC DTC114ESA ROHM DTC114EM_11 DTC114E: Транзисторы SECOS DTC114ESA WEITRON DTC143ZE DTC144E СЕРИЯ_C15.pdf DTA143E SERIES_D15.pdf СЕРИЯ DTC143T _D15.pdf DTC143X СЕРИЯ_C15.pdf DTA144E SERIES_D15.pdf DTA124E SERIES_E15.pdf DTC123J СЕРИЯ_C15.pdf DTC123Y SERIES_D15.pdf dtsheet © 2021 г. No related posts. Оставить комментарийОтменить комментарий Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *