Транзистор d2499 характеристики: характеристики, аналог и datasheet на 2SD2499

Содержание

характеристики, аналог и datasheet на 2SD2499

Если посмотреть в технические характеристики транзистор D2499 (2SD2499) которые указаны в datasheet, можно сказать с уверенностью что он является высоковольтным, быстродействующим n-p-n устройством. Также имеет встроенный демпферный диод. Используется в основном в цепях строчной развёртки цветных телевизоров и мониторов.

Распиновка

Цоколевка 2499 выполнена пластиковом корпусе в котором он выпускается. Расположение выводов, если смотреть на транзистор сверху, прямо на маркировку, будет такое:

  • слева находится база;
  • посередине коллектор;
  • справа эмиттер.

Обычно маркировка на него наносится в сокращённом виде, без двух первых символов – D2499.

Технические характеристики

Предельно допустимые характеристики 2SD2499 это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены или для своих радиосхем. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке транзистора.

Приведём их ниже:

  • Предельно допустимая разность потенциалов между К-Б VCBO (Uкб max) = 1500 В;
  • Максимально возможное напряжение действующее между К-Э VCEO (Uкэ max) = 600 В;
  • Наибольшая разность потенциалов между Э-б VEBO (Uэб max) = 5 В;
  • Предельно допустимый ток коллектора, действующий длительное время IC (Iк max) = 6 А;
  • Максимально возможный кратковременный ток через коллектор ICP (Iк пик) = 12 А;
  • Наибольший постоянный ток через базу IВ (IБ max) = 3 А;
  • Предельно допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе (при температуре окружающей среды +25
    О
    С) РСк max) = 50 Вт;
  • Диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150ОС;
  • Предельная температура кристалла Tj = 150ОС.

Помимо приведённых выше параметров, при выборе устройства следует также обращать внимание на электрические характеристики. Ниже приведена таблица с их значениями, протестированными при температуре +25ОС. Остальные условия, важные для проведения тестирования находятся к колонке «Режимы измерения».

Параметры Режимы измерения Обозн.
min
typ max Ед. изм
Обратный ток, текущий через коллектор V= 1500В, IЕ = 0 ICВO 1 мА
Обратный ток, текущий через эмиттер VEB = 5В, IC = 0 IEBO 67 200 мА
Пробивное напряжение между эмиттером и базой IE= 400 мA, IC= 0 VEBO 5 В
Статический к-т передачи тока VCE=5 В,I
C
= 1 A

VCE=5 В, IC=1 A

hFE1

hFE2

8

5

 

 

25

9

Напряжение насыщения перехода К-Э IC= 4 A, IB = 0,8 A V CE(sat) 5 В
Напряжение насыщения перехода Б-Э IC= 4 A, IB = 0,8 A V ВE(sat) 1,05 1,3 В
Прямое напряжение на демпферном диоде IF= 6 A VF 1,6 2,0 В
Ёмкость коллекторного перехода VCB=10V,f=1.0MHz,

IE=0

Cob 95 пФ

Рассмотрим график зависимости к-та передачи тока от тока коллектора. На рисунке представлено три кривые, в зависимости от температуры воздуха (-25 ОС, +25 ОС, +100 ОС). Из приведённых данных видно, что усиление транзистора 2SD2499 сначала растёт, пока значение величины ток коллектора не превысит отметку 1 А, а потом начинает падать.

Аналоги

Подобрать аналоги для транзистора D2499 можно из следующих моделей: BU4508DZ, BU508DXI, BUH515DX1, BUH515FP. Кроме этого в качестве замены также можно использовать: 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252. В любом случае перед заменой следует ознакомиться с техническими характеристиками обеих устройств и только после этого принимать решение о замене.

Производители

Скачать datashee на 2499 можно кликнув на название компании. Он был разработан, и впервые изготовлен компанией Toshiba Semiconductor. Сейчас его производят такие компании: Wing Shing Computer Components, Inchange Semiconductor Company, Savantic, Tiger Electronic, Shenzhen SPTECH Microelectronics. Чаше всего в продаже можно встретить транзистор произведённый Toshiba Semiconductor. Встречаются также изделия Китайского производителя Shenzhen SPTECH Microelectronics. И достаточно редко можно встретить продукцию Гонконгской фирмы Wing Shing Computer Components.

Все о транзисторе D2499 (2SD2499): полные аналоги и характеристики | ShemaTok.ru

Технические характеристики транзистора D2499 (2SD2499) говорят о том что он является мощным, высоковольтным, быстродействующим, кремниевым устройством NPN-структуры. Имеет внутри встроенный демпферный диод и резистор. Разработан известной японской компании Toshiba Semiconductor.

Благодаря хорошему быстродействию (0,3 мкс), данное изделие находит широкое применение в различных сферах радиоэлектронной промышленности, особенно популярно в цепях строчной развертки устаревших моделей цветных телевизоров и мониторов. Считается у радиолюбителей универсальным транзистором для ремонта приборов с электронно-лучевыми трубками (ЭЛТ).

Цоколевка

2SD2499 выпускается в полностью изолированном пластиковом корпусе ТО-3P без металлической подложки. Расположение выводов, если смотреть прямо на маркировку, будет такое: слева находится база (Б), посередине коллектор (К), справа эмиттер (Э). Обозначение на нем обычно нанесено в сокращенном виде, без двух первых символов – D2499.

Распиновка 2SD2499

Распиновка 2SD2499

Технические характеристики

На предельно допустимые характеристики 2SD2499 стоит обратить внимание в первую очередь. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах, приводит к сокращению сроков полезного использования или порче изделия. Именно их производитель указывает в даташит в самом начале. Приведём наиболее важные из них.

Предельно допустимые

D2499 имеет следующие предельно допустимые значения параметров (при ТA =+25 ОС) :

Максимальное напряжение:

  • К-Б VCBO (Uкб max) до 1500 В;
  • К-Э VCEO (Uкэ max) до 600 В;
  • Э-Б VEBO (Uэб max) до 5 В;

Ток коллектора:

  • IC (Iк max) до 6 А;
  • ICМ (Iк пик) до 12 А;
  • ток базы IВ (IБ max) до 3 А;
  • рассеиваемая мощность (при ТC= +25ОС) РС (Рк max) до 50 Вт;
  • диапазон рабочих температур TSTG от -55 до 150ОС;
  • температура кристалла TJ до + 150ОС.
Любой строчный транзистор сильно греется при работе, поэтому установка на радиатор — обязательное условие его стабильного функционирования.

Электрические

После предельных значений в даташит на D2499 представлены номинальные параметры устройства «Электрические характеристики», при которых производитель гарантирует его стабильную работу. Для рассматриваемого изделия они указываются в отдельной таблице при температуры окружающей среды (ТA) до +25oС.

Электрические параметры D2499

Электрические параметры D2499

Аналоги

В случае ремонта для D2499 возможно потребуется аналог: BU4508DZ, BU508DXI, BUH515DX1, BUH515FP. Хорошей альтернативой считается: 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252. В любом случае, перед заменой следует ознакомиться с техническими характеристиками этих транзисторов и только после этого принимать какое либо решение.

Проверка работоспособности

Вопрос о том, как проверить строчный транзистор d2499 мультиметром и определить его исправность встречается очень часто. На практике его тестируют стандартным способом, как обычный биполяник, но при этом есть свои нюансы. Рассмотрим их подробнее, они характерны для большинства подобных устройств.

Так как структура нашего строчника NPN, то для начала необходимо установить мультиметр в режим «прозвонки диодов». Отрицательный щуп (черный) ставим на вывод Б, а положительным (красным) соединяем с контактом К. На тестере, при этом, должно появится небольшое падение напряжения. При смене полярности будет отображаться цифра «1», КЗ быть не должно.

Далее надо проверить переход Б-Э. Ставим красный щуп на контакт Э, черный остаётся на Б. Так как между выводами Б и Э стоит резистор, то мультиметр будет пищать, сигнализируя прохождение тока. Необходимо проверить сопротивление на этом участке, оно должно быть в пределах от 40 до 50 Ом.

Между выводов К-Э установлен демпферный диод и это надо учитывать. В режиме «прозвонки диодов» на тестере отображается падение напряжения. Сопротивление между этими контактами транзистора замеряется на пределе до 200 МОм. У оригинального 2SD2499 оно составляет более 150 МОм. И чем выше это значение, тем лучше.

Производители

Транзистор 2SD2499 был разработан и впервые применён в своих телевизорах японской компанией Toshiba Semiconductor. В настоящее время его выпуск подхватили следующие китайские производители электроники: Inchange Semiconductor Company, Wing Shing Computer Components, Savantic, Tiger Electronic, Shenzhen SPTECH Microelectronics. В российских магазинах радиотоваров чаще всего встречаются оригинальные изделия от Toshiba.

Транзисторы 2SD2499(D2499) и STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

На главную страницу

транзистор d2499

 
        

6822 транзистор

Транзистор

насыщение транзистора

(от

включение транзисторов

англ.

простые схемы на транзисторах

transfer

p канальный транзистор

маркировка транзисторов

переносить и resistance

транзистор цена

s8050 транзистор

сопротивление

транзистор npn

или

изготовление транзисторов

transconductance

315 транзистор

транзисторы tip

активная

315 транзистор

межэлектродная

транзистор 9014

проводимость

радио транзистор

и

315 транзистор

varistor

полевой транзистор цоколевка

расчет радиатора для транзистора

переменное сопротивление)

транзистор кт819

— электронный

как проверить транзистор мультиметром

прибор из

подключение транзистора

полупроводникового

полевой транзистор характеристики

материала,

эмиттер транзистора

обычно

полевой транзистор

с

усилитель на транзисторах

тремя

полевые транзисторы параметры

выводами,

стабилизатор напряжения на транзисторе

позволяющий

стабилизатор тока на полевом транзисторе

входным

схема включения полевого транзистора

сигналам управлять

полевой транзистор управление

током в

современные транзисторы

электрической

цоколевка импортных транзисторов

цепи. Обычно

ключ полевой транзистор

используется

13001 транзистор

для

c945 транзистор

усиления,

насыщение транзистора

генерирования

как проверить транзистор мультиметром

и

mosfet транзисторы

преобразования электрических

диоды транзисторы

сигналов.

транзистор d2499


         Управление

ножки транзистора

током в выходной

n p n транзистор

цепи

транзистор 2т

осуществляется за счёт

вах транзистора

изменения

транзистор процессор

входного

управление полевым транзистором

напряжения

биполярный транзистор

или

транзистор светодиод

тока. Небольшое

13003 транзистор

изменение

маркировка импортных транзисторов

входных

подбор транзистора

величин

включение полевого транзистора

может

транзисторы микросхемы

приводить

фото транзисторов

к

стабилизатор на полевом транзисторе

существенно

схема включения полевого транзистора

большему

транзисторы турута

изменению

современные транзисторы

выходного напряжения

транзистор d1555

и

унч на полевых транзисторах

тока.

высокочастотные транзисторы

Это

транзистор кт315

усилительное

транзистор цена

свойство транзисторов

datasheet транзистор

используется

ключ полевой транзистор

в

транзисторы tip

аналоговой

как проверить полевой транзистор

технике

технические характеристики транзисторов

(аналоговые

распиновка транзисторов

ТВ, радио,

тесла на транзисторах

связь

схема транзистора

и т.

как проверить транзистор

п.).

транзистор d2499


        

транзистор кт3102

В

умзч на транзисторах

настоящее

параметры полевых транзисторов

время

мдп транзистор

в

ключ на биполярном транзисторе

аналоговой

транзистор кт315

технике

мощные транзисторы

доминируют

3205 транзистор

биполярные транзисторы

изготовление транзисторов

(БТ) (международный

завод транзистор

термин

транзисторы bu

транзистор сгорел

BJT,

скачать транзисторы

bipolar

кмоп транзистор

junction

типы транзисторов

transistor).

коллектор транзистора

Другой

транзистор d2499

важнейшей

биполярные транзисторы справочник

отраслью

насыщение транзистора

электроники

импортные транзисторы справочник

является

транзистор d882

цифровая

транзисторы кт характеристики

техника

транзистор светодиод

(логика,

зарубежные транзисторы скачать

память,

d209l транзистор

процессоры,

включение транзисторов

компьютеры,

усилитель на транзисторах

цифровая

интегральный транзистор

связь

как проверить транзистор

и

зарубежные транзисторы и их аналоги

т. п.),

испытатель транзисторов

где,

коллектор транзистора

напротив, биполярные

скачать транзисторы

транзисторы

насыщение транзистора

почти

принцип работы полевого транзистора

полностью

транзистор 3102

вытеснены

типы корпусов транзисторов

полевыми.

транзистор d2499


        

импульсный транзистор

Вся

работа биполярного транзистора

современная

транзисторы большой мощности

цифровая

найти транзистор

техника построена,

полевой транзистор схема

в

ключ на полевом транзисторе

основном,

строчные транзисторы

на

унч на транзисторах

полевых

расчет радиатора для транзистора

МОП

транзисторы справочник

(металл-оксид-полупроводник)-транзисторах

кодовая маркировка транзисторов

(МОПТ),

ножки транзистора

как более экономичных, по

13003 транзистор

сравнению

унч на полевых транзисторах

с БТ, элементах. Иногда

усилитель на полевых транзисторах

их

прибор для проверки транзисторов

называют

транзистор 8050

МДП

купить транзисторы

(металл-диэлектрик-полупроводник)-

мдп транзистор

транзисторы.

цоколевка импортных транзисторов

Международный

усилитель мощности на транзисторах

термин

маркировка полевого транзистора

стабилизаторы на полевых транзисторах

MOSFET (metal-oxide-semiconductor

транзистор d882

field

применение транзисторов

effect transistor).

полевой транзистор принцип работы

Транзисторы

простой усилитель на транзисторах

изготавливаются

схема унч на транзисторах

в

расчет радиатора для транзистора

рамках интегральной

схема ключа на транзисторе

технологии на

управление полевым транзистором

одном

транзисторы продам

кремниевом

радиоприемник на транзисторах

кристалле

транзистор 3102

(чипе)

igbt транзисторы

и

транзисторы отечественные

составляют

корпуса транзисторов

элементарный

цоколевка транзисторов

«кирпичик»

d880 транзистор

для построения

mosfet транзисторы

микросхем

аналоги отечественных транзисторов

логики,

полевой транзистор цоколевка

памяти, процессора и

s8050 транзистор

т.

радиоприемник на транзисторах

п.

полевой транзистор справочник

Размеры современных

3205 транзистор

МОПТ составляют

схема ключа на транзисторе

от

драйвер транзистора

90

транзистор с общим эмиттером

до

как проверить полевые транзисторы

32

устройства на полевых транзисторах

нм[источник

корпуса транзисторов

не

mosfet транзисторы

указан

как проверить транзистор

134

принцип транзистора

дня].

принцип действия транзистора

На

маркировка smd транзисторов

одном

13001 транзистор

современном чипе

транзистор npn

(обычно

транзисторы резисторы

размером

транзисторы bu

1—2

диоды транзисторы

см?)

включение полевых транзисторов

размещаются

13009 транзистор

несколько

полевой транзистор параметры

(пока

транзистор сгорел

единицы) миллиардов

маркировка полевых транзисторов

МОПТ.

транзистор 8050

На

прибор для проверки транзисторов

протяжении

зарубежные транзисторы скачать

60

устройство транзистора

лет

коды транзисторов

происходит

аналоги импортных транзисторов

уменьшение размеров

транзистор с общим эмиттером

(миниатюризация) МОПТ

ключи на полевых транзисторах

и

транзисторы отечественные

увеличение

режимы транзистора

их

ключи на полевых транзисторах

количества

транзисторы микросхемы

на одном

схема подключения транзистора

чипе

коэффициент усиления транзистора

(степень интеграции),

полевой транзистор цоколевка

в

вч транзисторы

ближайшие

транзистор s9013

годы ожидается

сгорает строчный транзистор

дальнейшее

стабилизаторы тока на полевых транзисторах

увеличение

как работает транзистор

степени

принцип работы полевого транзистора

интеграции

усилитель мощности на полевых транзисторах

транзисторов

мощный полевой транзистор

на

включение полевых транзисторов

чипе

1 транзистор

(см.

транзистор в ключевом режиме

Закон

полевые транзисторы

Мура).

горит строчный транзистор

Уменьшение

импортные транзисторы справочник

размеров

включение полевых транзисторов

МОПТ

транзистор в ключевом режиме

приводит

регулятор на полевом транзисторе

также

полевой транзистор принцип работы

к

аналоги транзисторов

повышению

транзисторы резисторы

быстродействия

13003 транзистор

процессоров.

транзистор d2499


        

типы транзисторов

Первые

найти транзистор

патенты на

принцип транзистора

принцип работы

зарубежные транзисторы

полевых

усилительный каскад на транзисторе

транзисторов

транзисторы tip

были

расчет радиатора для транзистора

зарегистрированы

коллектор транзистора

в

стабилизатор на полевом транзисторе

Германии

как проверить транзистор

в 1928 году

горит строчный транзистор

транзисторы большой мощности

Канаде,

как работает транзистор

22

силовые транзисторы

октября

работа полевого транзистора

1925

справочник зарубежных транзисторов скачать

года)

структура транзистора

на

mosfet транзисторы

имя

усилительный каскад на транзисторе

австро-венгерского физика Юлия

генератор на полевом транзисторе

Эдгара Лилиенфельда.[источник

полевой транзистор цоколевка

не

даташит транзисторы

указан

структура транзистора

107

работа полевого транзистора

дней]

справочник аналогов транзисторов

В

маркировка smd транзисторов

1934

транзисторы продам

году немецкий

транзистор d2499

физик

транзистор 8050

Оскар

подбор транзисторов по параметрам

Хейл запатентовал полевой транзистор. Полевые

высокочастотные транзисторы

транзисторы

характеристики полевых транзисторов

схемы на полевых транзисторах

частности,

трансформатор тесла на транзисторе

МОП-транзисторы)

усилители на биполярных транзисторах

основаны

полевой транзистор

на

включение биполярного транзистора

простом

цоколевка транзисторов

электростатическом эффекте

принцип работы полевого транзистора

поля,

чип транзисторы

по

транзистор кт315

физике

продажа транзисторы

они

полевой транзистор характеристики

существенно

устройства на полевых транзисторах

проще

умзч на транзисторах

биполярных

схемы на полевых транзисторах

транзисторов,

прибор для проверки транзисторов

и

c945 транзистор

поэтому

составной транзистор

они придуманы

унч на транзисторах

и запатентованы

ключ на биполярном транзисторе

задолго

однопереходный транзистор

до

усилитель на транзисторах

биполярных

схемы на полевых транзисторах

транзисторов.

ключ на полевом транзисторе

Тем

схема унч на транзисторах

не менее,

полевой транзистор

первый

греется строчный транзистор

МОП-транзистор, составляющий основу

полевой транзистор параметры

современной компьютерной

зарубежные транзисторы и их аналоги

индустрии,

тесла на транзисторах

был

планарные транзисторы

изготовлен

транзисторы китайские

позже биполярного транзистора,

d880 транзистор

в

фото транзисторов

1960 году.

схема ключа на транзисторе

Только

управление полевым транзистором

в 90-х

смд транзисторы

годах

схема унч на транзисторах

XX века

13009 транзистор

МОП-технология

как проверить транзистор

стала

транзисторы philips

доминировать

простой усилитель на транзисторах

над

взаимозаменяемость транзисторов

биполярной.

транзистор d2499

транзистор d2499

9014 Транзистор характеристики и его российские аналоги

Эпитаксиальный биполярный кремниевый транзистор S9014 (или SS9014) по своим характеристикам является высокочастотным, средней мощности, NPN-структуры. Характеризуется большим коэффициентом передачи тока, низким уровнем шумов и хорошей линейностью. В связи с этим, он часто встречаются в радио-приемниках (передатчиках), различных схемах предварительного усиления сигнала.

Распиновка

Полупроводниковый кристалл s9014 размещен в стандартном пластиковом корпусе TO-92 для дырочного монтажа. Существуют также SMD-экземпляры в SOT-23, для поверхностного монтажа. Оба корпуса имеют три контакта и его цоколевка выглядит стандартно для такого типа транзисторов: эмиттер, коллектор, база.

Транзисторы S9014 (A, B, C ,D) выпускаются в корпусе ТО-92, а S9014 (H и L) в корпусе для поверхностного монтажа SOT-23.

Характеристики

У всех устройств серии s9014 одинаковые предельно допустимые режимы эксплуатации и электрические характеристики. Различия есть только в значениях коэффициента усиления по току (HFE). Так же следует обратить внимание на то, что у SMD-транзисторов в корпусе SOT-23 максимальная допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе не более 200 мВ (mW), а в остальном предельные характеристики схожи с параметрами устройств в корпусе ТО-92.

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Рассмотрим подробнее значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации (при температуре окружающей среды 25°С).

Электрические параметры

Одной из важнейших характеристик для всех высокочастотников является коэффициент шума (FШ), во многом он предопределяет возможность применения транзистора в схемах усиления слабых сигналов. Значение FШ определяется при заданном сопротивлении источника сигнала (Rs) на частоте генерации 1 кГц. У s9014 коэффициент шума, в параметрах большинства производителей, не превышает 10 дБ. Поэтому этот высокочастотный транзистор относят к малошумящим. Чтобы добиться наименьшего уровня шума, его применяют при пониженных значениях напряжения коллектор-база и тока эмиттера. Температура при этом должна быть низкой, так как при её возрастании собственные шумы транзистора увеличиваются.

Классификация H

FE

Как указывалось ранее, серия s9014 имеет разный коэффициент усиления по току, который может достигать величины в 1000 HFE. Выбрать транзистор с необходимым коэффициентом усиления можно по следующей классификации.

Аналоги

Аналогов зарубежных и российских у транзистора s9014 достаточно много. Из иностранных можно обратить внимание на такие: BC547, BC141, BC550, 2SC2675, 2SC2240. Отечественный аналог можно подобрать из КТ3102, КТ6111.

Комплементарная пара

Комплементарной парой к s9014 является транзистор с p-n-p-структурой s9015.

Маркировка

SS9014 это один из популярнейших транзисторов южнокорейской компании Samsung. Часто они маркируется на корпусе без префикса “S”. Похожие по характеристикам устройства выпускаются разными производителями и могут встретится с другой маркировкой, например: С9014, Н9014, L9014 и К9014. Корпус SMD-транзисторов S9014H, S9014L маркируется цифро-буквенным кодом “j6”.

Применение

Устройство нашло широкое применение в различных схемах усиления звука приемо-передающей аппаратуры, микрофонных усилителей, жучков (подслушивающих приборов) и других шпионских приспособлений. Очень часто встречаются в блоках питания к бытовым приборам, электронных таймерах, схемах стабилизации тока, разных мигалках, пищалках и др. А вот пример схемы по сборке простейшего «Катчера Бровина».

Безопасность при эксплуатации

Не допускайте предельно допустимые значения эксплуатационных параметров при использовании устройства в своих схемах.

При пайке контактов не допустимо приближать жало паяльника к устройству ближе, чем на 5 миллиметров. Температура пайки не должна быть более +250 градусов, а временной период пайки каждого вывода не более 3 секунд.

Производители

Вы можете скачать datasheet от s9014 на русском языке. Ниже перечислены некоторые производители данного устройства с документацией.

Биполярный транзистор S9014 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: S9014

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200

Корпус транзистора: SOT23

S9014 Datasheet (PDF)

MCC S9014-B Micro Commercial Components TM 20736 Marilla Street Chatsworth S9014-C Micro Commercial Components CA 91311 Phone: (818) 701-4933 S9014-D Fax: (818) 701-4939 Features • TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors • Capable of 0.4Watts(Tamb=25OC) of Power Dissipation. NPN Silicon • Collector-current 0.1A • Collector-base Voltage 50V Transistors • Operating and

GSTS9014LT1 NPN General Purpose Transistor Product Description Features This device is designed as a general purpose Collector-Emitter Voltage : 45V amplifier and switch. Collector Current : 100mA Lead(Pb)-Free Packages & Pin Assignments SOT-23 Pin Description 1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Information P/N Package Rank Part Marking GSTS9014LT1F SOT-23 Q 14Q

1.5. ss9014.pdf Size:38K _fairchild_semi

SS9014 Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-B

1.6. ss9014.pdf Size:47K _samsung

SS9014 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PRE-AMPLIFIER, LOW LEVEL & LOW NOISE TO-92 � High total power dissipation. (PT=450mW) � High hFE and good linearity � Complementary to SS9015 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit V Collector-Base Voltage VCBO 50 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 mA Collector Current IC 100 mW

STS9014 NPN Silicon Transistor Description PIN Connection • General purpose application C • Switching application Features B • Excellent hFE linearity : hFE(IC=0.1 mA) / hFE(IC=2 mA) = 0.95(Typ.) • Low noise : NF=10dB(Max.) at f=1KHz E • Complementary pair with STS9015 TO-92 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STS9014 STS9014 TO-92 Abso

1.8. s9014.pdf Size:253K _secos

S9014 NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free SOT-23 FEATURES Collector ? Dim Min Max 3 3 ? A 2.800 3.040 B 1.200 1.400 Power dissipation 1 1 ? C 0.890 1.110 2 Base PCM : 0.2 W D 0.370 0.500 Collector Current G 1.780 2.040 2 ICM : 0.1 A A Emitter H 0.013 0.100 L Co

1.9. s9014t.pdf Size:130K _secos

S9014T NPN Silicon Elektronische Bauelemente Pre-Amplifier, Low Level & Low Noise RoHS Compliant Product A suffix of «-C» specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES 4.55±0.2 3.5±0.2 ? Power dissipation ? PCM : 0.4 W Collector current ICM : 0.1 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 50 V 0.43+0.08 –0.07 46+0.1 0. –0.1 Operating & storage junction temperature (1.27 Typ.)

1.10. s9014w.pdf Size:263K _secos

S9014W NPN Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free SOT-323 FEATURE Complementary to S9015W A L 3 3 Top View C B 1 1 2 2 K E PACKAGING INFORMATION Weight: 0.0074 g D Collector H J F G 3 Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. MARKING CODE 1 A 1.80

1.11. s9014.pdf Size:821K _htsemi

S901 4 TRANSISTOR (NPN) SOT-23 1. BASE FEATURES 2. EMITTER Complementary to S9015 3. COLLECTOR MARKING: J6 unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS (TA=25? Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Collector Power Dissipation 0.2 W Tj Jun

1.12. s9014w.pdf Size:458K _htsemi

S901 4W TRANSISTOR(NPN) SOT–323 FEATURES ? Complementary to S9015W ? Small Surface Mount Package MAXIMUM RATINGS (Ta=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit 1. BASE V Collector-Base Voltage 50 V CBO 2. EMITTER V Collector-Emitter Voltage 45 V CEO 3. COLLECTOR V Emitter-Base Voltage 5 V EBO IC Collector Current 100 mA P Collector Power Dissipation 20

1.13. s9014.pdf Size:241K _gsme

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM9014 FEATURES ¦FEATURES ?? FEATURES Excellent HFE Linearity HFE . HFE(0.1mA)/ hFE(2mA)=0.95(Typ.) High HFE ? HFE:HFE=200?700 Low Noise . NF=1dB(Typ.),10dB(Max.). Complementary to GM9015 ? GM9015 ?? MAXIMUM RATINGS (Ta=25 ) ¦MAX

S9014(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR Features High total power dissipation.(PC=0.45W) High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V Dimensions in inches and (millimeters) VEBO Emit

S9014 SOT-23 Transistor(NPN) SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features Complementary to S9015 MARKING: J6 Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.1 A PC Co

1.16. s9014.pdf Size:824K _wietron

S9014 NPN General Purpose Transistors TO-92 1. EMITTER 1 2 2. BASE 3 3. COLLECTOR ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) Rating Symbol Value Unit Collector-Emitter Voltage V CEO 45 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter-Base Voltage VEBO 5.0 Vdc Collector Current IC 100 mAdc PD 0.4 Total Device Dissipation T =25 C W A Junction Temperature T 150 j C -55 to +150 Storage

1.17. s9014lt1.pdf Size:191K _wietron

S9014LT1 3 1 2 SOT-23 Value V CEO 45 50 5.0 100 225 1.8 556 S9014QLT1=14Q S9014RLT1=14R S9014SLT1=14S S9014TLT1=14T 0.1 45 50 100 100 u 0.1 40 0.1 u 3.0 WEITRON 1/ 28-Apr-2011 http://www.weitron.com.tw S9014LT1 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25 C unless otherwise noted) (Countinued) Characteristics Symbol Max Unit Min ON CHARACTERISTICS DC Current Gain hFE 1000

1.18. s9014.pdf Size:280K _can-sheng

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES High total power dissipation.(PC=0.45W) TO-92 High hFE and good linearity Complementary to S9015 MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) MAXIMUM RATINGS 1.EMITTER Symbol Parameter

1.19. s9014 sot-23.pdf Size:317K _can-sheng

 深圳市灿升实业发展有限公司 ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) FEATURES Complimentary to S9015 MARKING:J6 MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units (符号) (参数名称) (额定值) (单位) VCBO Collector-Base Vo

1.20. s9014.pdf Size:347K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors S9014 TRANSISTOR (NPN) TO-92 FEATURES 1. EMITTER 2. BASE Power dissipation 3. COLLECTOR PCM: 0.4 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 0.1 A 1 2 3 Collector-base voltage V(BR)CBO: 50 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

1.21. s9014lt1.pdf Size:588K _shenzhen-tuofeng-semi

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors S9014LT1 TRANSISTOR( NPN ) FEATURES · High total power dissipation.(pc=0.2w) ·Complementary to S9015LT1 MARKING: L6 J6 MAXIMUM RATINGS* TA=25℃ unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitt

Транзисторы 2SD2499(D2499)

Т ранзисторы 2SD2499(D2499) — кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры — n-p-n. Разработаны фирмой Toshiba Semiconductor первоначально, для блоков развертки телевизоров и мониторов, но в дальнейшем — применялись в целом ряде, самых различных устройств.
Корпус пластмассовый.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — маркировка и цоколевка 2SD2499(D2499).

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи токаот 8 до 25

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — 5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 4А, базы 0,8А — — не выше 1,3в.

Граничная частота передачи тока.2МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер600 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 6 А.

Максимальный импульсный ток коллектора12 А.

Рассеиваемая мощность коллектора50 Вт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — 95 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 1500 в — не более 1 мА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 200 мА.

Транзисторы STS9014 (S9014)

Транзисторы STS9014 (S9014) — высокочастотные кремниевые n-p-n средней мощности. Корпус пластиковый TO-92, у транзисторов S9014L, S9014H — SOT-23. Маркировка у транзисторов с корпусом TO-92 буквенно — цифровая (S9014), у транзисторов с корпусом SOT-23 — код J6 сверху .
На рисунке ниже — цоколевка STS9014 (S9014), S9014L, S9014H.

Наиболее важные параметры.

Уровень собственных шумов на частоте 1КГц — не более 10дб.

Коэффициент передачи тока:
У транзисторов S9014 — от 100 до 1000 .
У транзисторов S9014 — от 200 до 450 .
У транзисторов S9014 — от 450 до 1000 .

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 100мА, базы 10мА — — не выше 0,25в.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов S9014 — 50в.
У транзисторов S9014L, S9014H — 45в.

Максимальный постоянный ток коллектора:
У транзисторов S9014 — 150 мА.
У транзисторов S9014L, S9014H — 0,1A.

Рассеиваемая мощность коллектора:
У транзисторов S9014 — 625 мВт.
У транзисторов S9014L, S9014H — 200 мВт.

Граничная частота передачи тока:
У транзисторов S9014 — 60 МГц.
У транзисторов S9014L, S9014H — 150 мВт.

Емкость коллекторного перехода на частоте 1Мгц, при напряжении коллектор-база 10 в — не более 3,5 пФ.

Обратный ток колектора при напряжении коллектор-база 50 в — не более 50 мкА.

Обратный ток эмитера при напряжении эмиттер-база 5 в — не более 100 мкА.

Транзистор комплементарный STS9014 — STS9015.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Вопрос: Характеристики транзистора 2т213в

Guest

Характеристики транзистора 2SD2499

Структура – n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 600 В
Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 6 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 до 25
Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц
Корпус: TO-3PF
2SС3482 1500V 6.0А 120W
можно

Гость5Всего 1 ответ.

Другие интересные вопросы и ответы

Какие есть аналоги транзистора кт315?

Гость1

КТ315 – вот список аналогов:

  • Биполярный транзистор BC847B. Относительно дорогой (3 рубля за 1 штуку) маломощный транзистор, имеющий значительный коэффициент усиления;
  • Биполярный транзистор 2SC634. Этот импортный аналог КТ315 является довольно сбалансированным относительно характеристик и цены;
  • Биполярный транзистор КТ3102 – аналог отечественный;
  • Биполярный транзистор 2SC641.
Владимир5

BC846, 847, 848 2SC634, BFP722 Александр К.6

Всего 2 ответа.

Сколько транзисторов у самого мощного компьютера?

Jean Claude5

Ответов еще нет. Ваш ответ может стать первым.Гость1

Характеристики транзистора 2т213в

Здравствуйте. Не могу найти характеристики транзистора 2т213в. Может кто-нибудь владеет такой информацией.Евгений_СпН7

КТ213В ищи
а ты тип-то правильно написал?
может кт203?Владимир3

Всего 6 ответов.

Накрылся транзистор D882 в р/у машинке, каким его можно заменить?

Накрылся транзистор D882 в р/у машинке, каким еще можно заменить его, или только этим?

Skyline344

D882…

Из отечественных приборов подойдут КТ 815, КТ 817 на соответствующее напряжение. При установке на место возможно понадобится ему немного “подогнуть ноги”. А почему решено, что именно этот транзистор “накрылся”. Тестером сопротивления переходов проверяли? Транзистор этот достаточно мощный и в “одиночку” выходит из строя редко.

charl­e3Всего 13 ответов.

Как проверить мультиметром транзистор

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

  1. Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
  2. Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

  1. Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

  1. Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
  2. Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

  1. Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
  2. Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
  3. Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
  4. Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
  5. Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

  • Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
  • Л – лампочка.
  • R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A — 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

  1. Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
  2. Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

Проверку транзисторов приходится делать достаточно часто. Даже если у Вас в руках заведомо новый, не паяный ни разу транзистор, то перед установкой в схему лучше все-таки его проверить. Нередки случаи, когда купленные на радиорынке транзисторы, оказывались негодными, и даже не один единственный экземпляр, а целая партия штук на 50 — 100. Чаще всего это происходит с мощными транзисторами отечественного производства, реже с импортными.

Иногда в описаниях конструкции приводятся некоторые требования к транзисторам, например, рекомендуемый коэффициент передачи. Для этих целей существуют различные испытатели транзисторов, достаточно сложной конструкции и измеряющие почти все параметры, которые приводятся в справочниках. Но чаще приходится проверять транзисторы по принципу «годен, не годен». Именно о таких методах проверки и пойдет речь в данной статье.

Часто в домашней лаборатории под рукой оказываются транзисторы, бывшие в употреблении, добытые когда-то из каких-то старых плат. В этом случае необходим стопроцентный «входной контроль»: намного проще сразу определить негодный транзистор, чем потом искать его в неработающей конструкции.

Хотя многие авторы современных книг и статей настоятельно не рекомендуют использовать детали неизвестного происхождения, достаточно часто эту рекомендацию приходится нарушать. Ведь не всегда же есть возможность пойти в магазин и купить нужную деталь. В связи с подобными обстоятельствами и приходится проверять каждый транзистор, резистор, конденсатор или диод. Далее речь пойдет в основном о проверке транзисторов.

Проверку транзисторов в любительских условиях обычно проводят цифровым мультиметром или старым аналоговым авометром.

Проверка транзисторов мультиметром

Большинству современных радиолюбителей знаком универсальный прибор под названием мультиметр. С его помощью возможно измерение постоянных и переменных напряжений и токов, а также сопротивления проводников постоянному току. Один из пределов измерения сопротивлений предназначен для «прозвонки» полупроводников. Как правило, около переключателя в этом положении нарисован символ диода и звучащего динамика.

Перед тем, как производить проверку транзисторов или диодов, следует убедиться в исправности самого прибора. Прежде всего, посмотреть на индикатор заряда батареи, если требуется, то батарею сразу заменить. При включении мультиметра в режим «прозвонки» полупроводников на экране индикатора должна появиться единица в старшем разряде.

Затем проверить исправность щупов прибора, для чего соединить их вместе: на индикаторе высветятся нули, и раздастся звуковой сигнал. Это не напрасное предупреждение, поскольку обрыв проводов в китайских щупах явление довольно распространенное, и об этом забывать не следует.

У радиолюбителей и профессиональных инженеров – электронщиков старшего поколения такой жест (проверка щупов) выполняется машинально, ведь при пользовании стрелочным тестером при каждом переключении в режим измерения сопротивлений приходилось устанавливать стрелку на нулевое деление шкалы.

После того, как указанные проверки произведены, можно приступить к проверке полупроводников, — диодов и транзисторов. Следует обратить внимание на полярность напряжения на щупах. Отрицательный полюс находится на гнезде с надписью «COM» (общий), на гнезде с надписью VΩmA положительный. Чтобы в процессе измерения об этом не забывать, в это гнездо следует вставить щуп красного цвета.

Рисунок 1. Мультиметр

Это замечание не настолько праздное, как может показаться на первый взгляд. Дело в том, что у стрелочных авометров (АмперВольтОмметр) в режиме измерения сопротивлений положительный полюс измерительного напряжения находится на гнезде с маркировкой «минус» или «общий», ну с точностью до наоборот, по сравнению с цифровым мультиметром. Хотя в настоящее время больше используются цифровые мультиметры, стрелочные тестеры применяются до сих пор и в ряде случаев позволяют получить более достоверные результаты. Об этом будет рассказано чуть ниже.

Рисунок 2. Стрелочный авометр

Что показывает мультиметр в режиме «прозвонки»

Проверка диодов

Наиболее простым полупроводниковым элементом является диод, который содержит всего один P-N переход. Основным свойством диода является односторонняя проводимость. Поэтому если положительный полюс мультиметра (красный щуп) подключить к аноду диода, то на индикаторе появятся цифры, показывающие прямое напряжение на P-N переходе в милливольтах.

Для кремниевых диодов это будет порядка 650 — 800 мВ, а для германиевых порядка 180 — 300, как показано на рисунках 4 и 5. Таким образом, по показаниям прибора можно определить полупроводниковый материал, из которого сделан диод. Следует заметить, что эти цифры зависят не только от конкретного диода или транзистора, но еще от температуры, при увеличении которой на 1 градус прямое напряжение падает приблизительно на 2 милливольта. Этот параметр называется температурным коэффициентом напряжения.

Если после этой проверки щупы мультиметра подключить в обратной полярности, то на индикаторе прибора покажется единица в старшем разряде. Такие результаты будут в том случае, если диод оказался исправный. Вот собственно и вся методика проверки полупроводников: в прямом направлении сопротивление незначительно, а в обратном практически бесконечно.

Если же диод «пробит» (анод и катод замкнуты накоротко), то скорей всего раздастся звуковой сигнал, причем в обоих направлениях. В случае, если диод «в обрыве», как ни меняй полярность подключения щупов, на индикаторе, так и будет светиться единица.

Проверка транзисторов

В отличие от диодов транзисторы имеют два P-N перехода, и имеют структуры P-N-P и N-P-N, причем последние встречаются гораздо чаще. В плане проверки с помощью мультиметра транзистор можно рассматривать, как два диода включенных встречно — последовательно, как показано на рисунке 6. Поэтому проверка транзисторов сводится к «прозвонке» переходов база – коллектор и база – эмиттер в прямом и обратном направлении.

Следовательно, все что было сказано чуть выше о проверке диода, полностью справедливо и для исследования переходов транзистора. Даже показания мультиметра будут такие же, как и для диода.

На рисунке 7 показана полярность включения прибора в прямом направлении для «прозвонки» перехода база — эмиттер транзисторов структуры N-P-N: плюсовой щуп мультиметра подключен к выводу базы. Для измерения перехода база – коллектор минусовой вывод прибора следует подключить к выводу коллектора. В данном случае цифра на табло получена при прозвонке перехода база – эмиттер транзистора КТ3102А.

Если транзистор окажется структуры P-N-P, то к базе транзистора следует подключить минусовой (черный) щуп прибора.

Попутно с этим следует «прозвонить» участок коллектор – эмиттер. У исправного транзистора его сопротивление практически бесконечно, что символизирует единица в старшем разряде индикатора.

Иногда бывает, что переход коллектор – эмиттер пробит, о чем свидетельствует звуковой сигнал мультиметра, хотя переходы база – эмиттер и база — коллектор «звонятся» как будто нормально!

Проверка транзисторов авометром

Производится также, как и цифровым мультиметром, при этом не следует забывать, что полярность в режиме омметра обратная по сравнению с режимом измерения постоянного напряжения. Чтобы это не забывать в процессе измерений следует красный щуп прибора включать в гнездо со знаком «-», как было показано на рисунке 2.

Авометры, в отличие от цифровых мультиметров, не имеют режима «прозвонки» полупроводников, поэтому в этом плане их показания заметно различаются в зависимости от конкретной модели. Тут уже приходится ориентироваться на собственный опыт, накопленный в процессе работы с прибором. На рисунке 8 показаны результаты измерений с помощью тестера ТЛ4-М.

На рисунке показано, что измерения проводятся на пределе *1Ω. В этом случае лучше ориентироваться на показания не по шкале для измерения сопротивлений, а по верхней равномерной шкале. Видно, что стрелка находится в районе цифры 4. Если измерения производить на пределе *1000Ω, то стрелка окажется между цифрами 8 и 9.

По сравнению с цифровым мультиметром авометр позволяет более точно определить сопротивление участка база – эмиттер, если этот участок зашунтирован низкоомным резистором (R2_32), как показано на рисунке 9. Это фрагмент схемы выходного каскада усилителя фирмы ALTO.

Все попытки измерить сопротивление участка база – эмиттер с помощью мультиметра приводят к звучанию динамика (короткое замыкание), поскольку сопротивление 22Ω воспринимается мультиметром как КЗ. Аналоговый же тестер на пределе измерений *1Ω показывает некоторую разницу при измерении перехода база – эмиттер в обратном направлении.

Еще один приятный нюанс при пользовании стрелочным тестером можно обнаружить, если проводить измерения на пределе *1000Ω. При подключении щупов, естественно с соблюдением полярности (для транзистора структуры N-P-N плюсовой вывод прибора на коллекторе, минус на эмиттере), стрелка прибора с места не двинется, оставаясь на отметке шкалы бесконечность.

Если теперь послюнить указательный палец, как будто для проверки нагрева утюга, и замкнуть этим пальцем выводы базы и коллектора, то стрелка прибора сдвинется с места, указывая на уменьшение сопротивления участка эмиттер — коллектор (транзистор чуть приоткроется). В ряде случаев этот прием позволяет проверить транзистор без выпаивания его из схемы.

Наиболее эффективен указанный метод при проверке составных транзисторов, например КТ 972, КТ973 и т.п. Не следует только забывать, что составные транзисторы часто имеют защитные диоды, включенные параллельно переходу коллектор – эмиттер, причем в обратной полярности. Если транзистор структуры N-P-N, то к его коллектору подключен катод защитного диода. К таким транзисторам можно подключать индуктивную нагрузку, например, обмотки реле. Внутреннее устройство составного транзистора показано на рисунке 10.

Но более достоверные результаты об исправности транзистора можно получить с использованием специального пробника для проверки транзисторов, про который смотрите здесь: Пробник для проверки транзисторов.

Проверка транзистора цифровым мультиметром

Занимаясь ремонтом и конструированием электроники, частенько приходится проверять транзистор на исправность.

Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.

Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.

Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.

Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.

Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.

Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.

Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.

Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.

Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно, диод пропускает ток только в одном направлении. Если подключить плюс ( + ) к выводу анода диода, а минус (-) к катоду, то p-n переход откроется, и диод начнёт пропускать ток. Если проделать всё наоборот, подключить плюс ( + ) к катоду диода, а минус (-) к аноду, то p-n переход будет закрыт и диод не будет пропускать ток.

Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.

Обращаем внимание, что условная схема из диодов необходима лишь для более наглядного представления о методике проверки транзистора. В реальности транзистор имеет более изощрённое устройство.

Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.

Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.

Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп ( красный ) в гнездо с обозначением буквы омега Ω, буквы V и, возможно, других букв. Всё зависит от функционала прибора.

Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!

Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.

Какой мультиметр будем использовать?

В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+, хотя для измерений подойдёт любой цифровой тестер, вроде всем знакомых DT-83x или MAS-83x. Такие мультиметры можно купить не только на радиорынках, магазинах радиодеталей, но и в магазинах автозапчастей. Подходящий мультиметр можно купить в интернете, например, на Алиэкспресс.

Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.

Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).

Сначала подключаем красный ( + ) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).

Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.

Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.

Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.

Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…

…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.

Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.

Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.

Пробой P-N перхода транзистора.

В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.

Обрыв P-N перехода транзистора.

При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.

Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.

В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.

В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.

Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.

То же самое проделываем и для перехода Б-Э.

Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.

Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.

Переход Б-К при обратном включении…

Переход Б-Э при обратном включении.

В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.

Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:

Определение цоколёвки транзистора и его структуры;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;

Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;

При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.

Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.

D2499 Техническое описание (PDF) — Toshiba Semiconductor

Деталь № Описание Html View Производитель
2SC5280 NPN ТРОЙНОЙ РАССЕЯННЫЙ MESA ТИП ГОРИЗОНТАЛЬНО ОТКЛОНЕНИЕ ВЫХОД ДЛЯ СРЕДНЯЯ РАЗРЕШАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ ОТОБРАЖАТЬ ЦВЕТ ТЕЛЕВИДЕНИЕ. ВЫСОКИЙ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ 1 2 3 4 5 Toshiba Semiconductor
2SC5331 NPN ТРОЙНОЙ РАССЕЯННЫЙ MESA ТИП ГОРИЗОНТАЛЬНО ОТКЛОНЕНИЕ ВЫХОД ДЛЯ ВЫСОКИЙ РАЗРЕШАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ ОТОБРАЖАТЬ ЦВЕТ телевидение ВЫСОКИЙ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ 1 2 3 Toshiba Semiconductor
2SD2498 NPN ТРОЙНОЙ РАССЕЯННЫЙ MESA ТИП ГОРИЗОНТАЛЬНО ОТКЛОНЕНИЕ ВЫХОД ДЛЯ ВЫСОКИЙ РАЗРЕШАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ ОТОБРАЖАТЬ ЦВЕТ ТЕЛЕВИДЕНИЕ.ВЫСОКИЙ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ 1 2 3 4 Toshiba Semiconductor
2SC5332 NPN ТРОЙНОЙ РАССЕЯННЫЙ MESA ТИП ГОРИЗОНТАЛЬНО ОТКЛОНЕНИЕ ВЫХОД ДЛЯ ВЫСОКИЙ РАЗРЕШАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ ОТОБРАЖАТЬ ЦВЕТ ТЕЛЕВИДЕНИЕ. ВЫСОКИЙ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ 1 2 3 Toshiba Semiconductor
2SC5339 NPN ТРОЙНОЙ РАССЕЯННЫЙ MESA ТИП ГОРИЗОНТАЛЬНО ОТКЛОНЕНИЕ ВЫХОД ДЛЯ СРЕДНЯЯ РАЗРЕШАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ ОТОБРАЖАТЬ ЦВЕТ ТЕЛЕВИДЕНИЕ.ВЫСОКИЙ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ 1 2 3 4 5 Toshiba Semiconductor
2SD2539 NPN ТРОЙНОЙ РАССЕЯННЫЙ MESA ТИП ГОРИЗОНТАЛЬНО ОТКЛОНЕНИЕ ВЫХОД ДЛЯ ЦВЕТ телевидение 1 2 3 4 Toshiba Semiconductor
2SD2550 NPN ТРОЙНОЙ РАССЕЯННЫЙ MESA ТИП ГОРИЗОНТАЛЬНО ОТКЛОНЕНИЕ ВЫХОД ДЛЯ ЦВЕТ телевидение 1 2 3 4 Toshiba Semiconductor
2SC5386 NPN ТРОЙНОЙ РАССЕЯННЫЙ MESA ТИП ГОРИЗОНТАЛЬНО ОТКЛОНЕНИЕ ВЫХОД ДЛЯ СРЕДНЯЯ РАЗРЕШАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ ОТОБРАЖАТЬ ЦВЕТ ТЕЛЕВИДЕНИЕ.ВЫСОКИЙ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ 1 2 3 4 5 Toshiba Semiconductor
2SD2551 NPN ТРОЙНОЙ РАССЕЯННЫЙ MESA ТИП ГОРИЗОНТАЛЬНО ОТКЛОНЕНИЕ ВЫХОД ДЛЯ ЦВЕТ телевидение 1 2 3 4 Toshiba Semiconductor
2SC5387 NPN ТРОЙНОЙ РАССЕЯННЫЙ MESA ТИП ГОРИЗОНТАЛЬНО ОТКЛОНЕНИЕ ВЫХОД ДЛЯ СРЕДНЯЯ РАЗРЕШАЮЩАЯ СПОСОБНОСТЬ ОТОБРАЖАТЬ ЦВЕТ ТЕЛЕВИДЕНИЕ. ВЫСОКИЙ СКОРОСТЬ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ 1 2 3 4 5 Toshiba Semiconductor

по горизонтали% 20 выход% 20 транзистор% 20d2499 техническое описание и примечания по применению

lq10d011

Аннотация: LTM09C015 LQ9D011 LJ64ZU50 xr2f Matsua S804 XR58 sharp lm64p80 LTM-09C015-1 LM64P80 — SHARP
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF
2012 — RK097

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF RK097 RK097111080J RK0971110909 RK0971110D7F RK097221005C RK097221004C
Лист данных силового транзистора для ТВ

Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
отклонение по горизонтали

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 2SD1396 T03PB Цвет800 2SC4125 T03PML 2SC4890 2SC4891 2SC3995 горизонтальный прогиб
D-M9PL

Аннотация: D-A54L d-y59a втулка разъем геркон pnp D-Y59B D-C73L D-Z73 D-A53 D-A93L
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF pric21 NBA-075 НБТ-150 NBA-075 * НБТ-150 НБТ-200 NBT-325 BQ2-012 BMG2-012 D-M9PL D-A54L d-y59a втулка соединителя геркон pnp D-Y59B D-C73L D-Z73 D-A53 D-A93L
1996 — VR5VR

Аннотация: пин-схема пленочного потенциометра предустановки усилителя по горизонтали ITT Semiconductors r1938 VR11 VR10 MC13081XB MC13081X C10B C10A
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MC13081X / D MC13081X MC13081X MC13081X / D * VR5VR схема контактов пленочный потенциометр предустановка усилителя по горизонтали Полупроводники ITT r1938 VR11 VR10 MC13081XB C10B C10A
2009 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF HP4291A UU10L UU10Lã UU16L UU16Lã LF2020 LF2020ã
2000 — тюнер Si 2158

Аннотация: VICS TUNER R0101
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MSM9562 / 63/66/67 PEXL9562-67FLOW-10 Si 2158 тюнер ВИКС ТЮНЕР R0101
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LF3310 12-битный 12-битный, DIN11 DIN10 LF3310QC15 LF3310QC12 MIL-STD-883
1999 — LF3310

Абстракция: Ш25 743Н
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LF3310 12-битный 12-битный, DIN11 DIN10 LF3310QC15 LF3310QC12 MIL-STD-883 LF3310 Ш25 743H
ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР ДРАЙВЕРА

Реферат: Автоматический стабилизатор напряжения TDA4810
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF TDA4810 ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР ТРАНЗИСТОР TDA4810 Автоматический стабилизатор напряжения
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF 70026601заголовок
TDA9109

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF TDA9109 150 кГц 165 Гц TDA9109
f1f9

Аннотация: ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР транзистор транзистор 2Fn csb503b транзистор горизонтального сечения tv murata tv flyback lm1391 СХЕМА СХЕМА scr осциллятора LM1391 примечание по применению горизонтального сечения телевизора
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF LM1880 f1f9 ГОРИЗОНТАЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР ТРАНЗИСТОР транзистор 2Fn csb503b транзистор горизонтального сечения тв мурата тв обратно lm1391 СХЕМА ЦЕПИ ГЕНЕРАТОРА SCR Примечание по применению LM1391 горизонтальная секция телевизора
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF IP69K
AN921

Аннотация: 3 пФ серебряный слюдяной конденсатор слюдяный радиочастотный детектор AN553 MC44615P MC44615
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF MC44615 / D MC44615 AN921 Серебряный слюдяный конденсатор 3 пФ слюдяный детектор AN553 MC44615P
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF
ПТСМ

Аннотация: smd r44 smd hh smd 5v
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
1999 — АВЕРЛОГИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ

Аннотация: AL300 AL875 CCIR601 AverLogic «ДВОЙНОЙ пиксель» «Преобразование частоты кадров»
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF AL300 AL300 110 МГц 90 МГц 65 МГц 40 МГц АВЕРЛОГИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ AL875 CCIR601 AverLogic «ДВОЙНОЙ пиксель» «Преобразование частоты кадров»
ДИП30С

Аннотация: LA7860 op 277 колебание sk43 sk4373 itt 946
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 7n707b 00127bà SK4373 LA7860, 7860M 7860M DIP30S LA7860 op 277 колебание sk43 sk4373 итт 946
вертикальный IC TV crt

Аннотация: ic la 7833 генератор пилообразных волн la 7837 рентгеновский инвертор LA7853 LA7852 LA7832 IC LA7832 фазовращатель
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF LA7853 LA7853 LA7832 15 кГц вертикальный IC tv crt ic la 7833 генератор пилообразных волн la 7837 рентгеновский инвертор LA7852 IC LA7832 фазовращатель
1999 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF MSM9562 / 63/66/67 MSM9562 / 63/66/67
la7837

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF LA7857 LA7857, LA7837, LA7852 150 кГц) 64 кГц, LA7837
2001 — 743H

Резюме: ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ НА ДИОД VCF9 3310 LF3310 Sh25
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF LF3310 12-битный 12-битный, VCF11 VCF10 DOUT11 DOUT10 LF3310QC15 743H VCF9 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ 3310 LF3310 Ш25
Перекрестная ссылка

Аннотация: Перекрестная ссылка BCM 7241 8205S BCM 7213 8309SB Broadcom 7241 XRJH-01D-1-D12-170 REALTEK 5209 XRJV-01V
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF XRJF-01J-0-D12-010 XRJG-01J-1-D12-110 XRJH-01D-1-D12-170 XRJB-G7A-1-D12-180 XRJF-01J-0-E51-010 XRJG-01J-5-E51-110 XRJV-01V-0-D12-080 ADM8511 / 8513/8515/9511 AN983B XRJH-01P-N-DA1-570 Перекрестная ссылка Перекрестная ссылка BCM 7241 8205S BCM 7213 8309SB Broadcom 7241 XRJH-01D-1-D12-170 РЕАЛТЕК 5209 XRJV-01V

5шт 2SD2499 TO3PF D2499 TO-3PF TO-3P Новый Оригинал: Amazon.com: Industrial & Scientific


В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
  • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
  • Протестировано перед отправкой. Ссылка на упаковку ♥ Справочный вес: 0,05 кг (0,11 фунта).
  • Обычно расчетное время доставки: 7-24 дней (отслеживается) —— Мы также обеспечиваем ускоренную доставку через DHL или UPS: 2-7 дней (без учета времени обработки).
  • Если сумма заказа в нашем магазине превышает 120 долларов США, мы бесплатно воспользуемся услугой ускоренной доставки.
  • Продукты редкого типа предоставляют —— ключевое слово для поиска или модель продукта, такую ​​как «RF-кабель» или «разъем» в нашем магазине, вы можете найти некоторые продукты редкого типа.. Или без колебаний отправьте нам электронное письмо с моделью продукта, мы отправим вам ссылку напрямую.
  • Мы придаем большое значение сотрудничеству с каждым клиентом. Любой вопрос, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться ко мне. Желаю отличного дня!
]]>
Характеристики
Фирменное наименование Phoncoo
Ean 5303396733565
Номер детали phIC1432
Код UNSPSC 32000000

✓ Транзистор D2499, эквивалент

Toshiba alldatasheet datasheet поисковый сайт электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.2sc2498 datasheet, pdf 11.

Транзистор Купить транзистор в Интернете по лучшим ценам в Индии

Как узнать номер транзистора Sciencing

Цена транзисторов в Пакистане W11stop Com

Tftyp 01vus vdju для цветного монитора к 3pf 1 1base 2collector 3emitter n Абсолютные максимальные характеристики планарного кремниевого транзистора tc25v0c, если не указано иное.

Транзистор d2499 эквивалент .Замена транзистора на аналог 2сд2499. Вот изображение, показывающее схему контактов этого транзистора. D2499 nte эквивалентный транзистор npn кремний 1500v ic9a на 3pml корпус цветной телевизор горизонтальный выход винтовой демпферный диод.

Bvcbo 1550v вдю высокая скорость переключения. 2sc2498pdf size359k toshiba 2sc2498 транзистор toshiba кремниевый npn эпитаксиальный планарный тип 2sc2498 vhfuhf band малошумящий усилитель. Эквивалентная схема c b darlington 2sd2493 70 e кремниевый npn-тройной планарный транзистор, дополняющий приложение типа 2sb1624.

D2499 datasheet vcbo1500v npn транзистор toshiba 2sd2499 datasheet d2499 pdf d2499 распиновка d2499 эквивалентная схема выход d2499 схема. D2499 datasheet d2499 pdf d2499 datasheet d2499 manual d2499 pdf d2499 datenblatt electronics d2499 alldatasheet бесплатный лист данных технический паспорт. Npn тройной диффузионный выход горизонтального отклонения типа мезы для цветного телевизора d2499 техническое описание d2499 схема d2499 технические данные.

Маркировка эквивалентной схемы d2499 арт.Регулятор серии аудио и абсолютные максимальные характеристики общего назначения ta25c электрические характеристики ta25c внешние размеры mt 100to3p 2sd2493 символ 2sd2493 символ условия единица единица 02 48 0. Или аббревиатура код лота.

Иногда на упаковке нет префикса 2s, транзистор 2sd2499 может быть помечен как d2499. Отчет об испытаниях надежности и оценочная интенсивность отказов и т. Д. Цветной дисплей высокого напряжения Fjaf6810a горизонтальный выход отклонения vdju высокое напряжение пробоя базы коллектора.

Мм максимальные номинальные значения ta 250c характеристики символ номинальное напряжение коллекторное базовое напряжение vcbo 30 В коллекторное эмиттерное напряжение vceo 20 В эмиттерное базовое напряжение vebo 3 В коллекторный ток ic 50 мА базовый ток. D2499 d2499 схема 2sd2499 эквивалент d2499 транзистор транзистор d2499 транзистор строчной развертки d2499 d2499 силовой транзистор toshiba d2499 строчный выходной транзистор d2499 текст. 2sd2499 техническое описание 2sd2499 pdf 2sd2499 техническое описание 2sd2499 руководство 2sd2499 pdf 2sd2499 datenblatt electronics 2sd2499 alldatasheet бесплатное техническое описание.

Транзистор D2012 Pdf Ylyxww2p0vnm

Узнайте о поиске неисправностей электроники на транзисторах

2sc5902 Оригинальный транзистор Panasonic C5902

Как проверить транзисторы с помощью мультиметра 5 шагов

Диагностика неисправности телевизионного монитора Ремонт электроники и

D2539 Лист данных Мета поиск

Транзисторы Полупроводники

Цена транзистора Npn Цена транзистора Npn Поставщики и

S8050 Транзистор Эквивалент Mosfet S8050 J3y Модуль транзистора D1047 D1047 9024 D1047 D1047 для аудио усилителя мощности Т транзистор Toshiba

Transistor tt2206 datasheet pdf


Abstract: tt 2206 схема транзистора tt 2206 tt 2206 tt 2206 особенности контактов tt 2206 лямбда-регулятор напряжения current12-3 las2212 регулятор1-23 текст: кривые безопасной рабочей зоны.• высокое напряжение пробоя: vceo = v (мин). Эти спецификации транзисторов могут быть доступны в Интернете или их можно найти в руководствах по транзисторам, выпущенных производителями на протяжении многих лет. 55v @ ic = 12a d2pak to-220ac to-247ac to. Статьи по теме в Интернете. Найдите отличные предложения прямо сейчас!

Npn с тройным диффузором типа mesa (выход горизонтального отклонения для цветного телевизора), техническое описание d2499, схема d2499, техническое описание d2499: toshiba, alldatasheet, datasheet, datasheet сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и др. полупроводники.См. Полный список на всем листе. Транзистор Дарлингтона, силовая часть. Сегодня большая часть данных о транзисторах доступна на интернет-сайтах производителей, поскольку бумажные справочники данных дороги в производстве и не так легко распространять. Краткое описание bc547.

Размер Pdf: 229k _ upd ksh23007 ksh23007 semihow rev. Технический паспорт tt2206, технический паспорт tt2206. Существует ряд стандартных параметров с сокращениями, которые используются для определения характеристик транзистора. Npn-транзистор tt2206 / to 3p (эквивалент 2sc5793 для транзистора tt2206) техническое описание, npn-транзистор tt2206 / to 3p (эквивалент 2sc5793 для транзистора tt2206) pdf, npn-транзистор tt2206 / to 3p (2sc5793 эквивалент для транзистора tt2206) daten 3p (эквивалент 2sc5793 для транзистора tt2206) функция, схема, распиновка, микросхема, микросхема, диод, конденсатор, реле, igbt.

Npn транзистор tt2206 / to- 3p (эквивалент 2sc5793 для транзистора tt2206). Com 900, 000+ datasheet в pdf поиск и загрузка datasheet4u предлагает наиболее рейтинговые спецификации полупроводников. Эквивалентная схема tt2206: 2sс5793, tt2202, jl6920, 2sc5446. Силовой полевой транзистор ЛДМОС 90 Вт, МГц: Infineon: 25:.

Tt2202 datasheet, tt2202 datasheets, tt2202 pdf, tt2202 circuit: sanyo — npn тройной диффузионный планарный кремниевый транзистор цветной телевизор с выходом горизонтального отклонения, все данные, техническое описание, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов другие полупроводники.Tt2206 datasheet pdf / temco управляющий трансформатор, техническое описание, pdf, распиновка, схема, микросхема, руководство, заменитель, части, datenblatt, схема, ссылка. Паспорт всех транзисторов. Tt2206 datasheet, pdf / sanyo транзистор. 31504 新 npn 三重 拡 散 プ レ ー ナ 形 リ コ ン ト ラ ン ジ 超高 精細 度 crt デ ィ ス プ レ イ 2sc5793 水平 偏向 出力 特長。.

(эквивалент 2sc5793 для транзистора. N7451 2sc5793 n7451 №. Несмотря на то, что в спецификации транзисторов есть много различных элементов, и существует огромное разнообразие транзисторов, из которых можно выбрать, все же относительно легко выбрать транзистор, используя базовые знания различных характеристик и параметров транзисторов.Tt2206 datasheet: tt2206 / to- 3p, tt2206 pdf скачать sanyo -> panasonic, tt2206 datasheet pdf, распиновки, технический паспорт, схемы интегральные схемы, транзистор, поиск полупроводников и техническое описание pdf сайта загрузки.特征 / features 放大 特性 好 , 与 2sc1740 (br3dg1740k) 互补。 отличная линейность hfe, дополнительная пара с 2sc1740 (br3dg1740k).

Tt2206 transistor / sanyo transistor, datasheet, pdf, tt2206 замена распиновки, данные, схема, микросхема, руководство, заменитель, детали, схема, ссылка.Размер PDF: 901k _ igbt_ a irgs4620dpbf irgb4620dpbf irgp4620d (- e) pbf биполярный транзистор с изолированным затвором и сверхбыстрым диодом с мягким восстановлением c vces = 600 В cccc ic = 20a, tc = 100 ° ceeeecgcccg tsc ≥ 5 мкс, tj ( cggge irgs4620dpbf irgb4620dpbf irgp4620dpbf irgp4620d- epbf vce (on) тип. Для определения параметров транзистора используется множество различных спецификаций. Транзисторы, эквивалентные bc547. Покупайте лучшие товары на ebay. Более 80% новых и купите сейчас; это новый ebay.Это становится только труднее, когда приложения становятся более специализированными.

Motorola small– сигнал.注 文 コ ー ド нет. Техническое описание транзистора tt2222 — цветной телевизор по горизонтали, tt2222 datasheet, tt2222 pdf, распиновка, замена tt2222, эквивалент tt2222, руководство tt2206. Размер pdf: 487k _ blue- rocket- elect 2sa933a (br3cg933ak) rev. При выборе транзистора с использованием технических характеристик транзистора или технических паспортов необходимо понимать, что означают различные характеристики транзистора.Транзистор Toshiba кремниевый npn тройного диффузионного типа. Технический паспорт tt2206, tt2206 pdf. T2206 datasheet, t2206 pdf, t2206 data sheet, t2206 manual, t2206 pdf, t2206, datenblatt, electronics t2206, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet. Система поиска электронных компонентов и полупроводников.

Техническое описание транзистора, транзистор pdf, техническое описание транзистора, техническое описание, техническое описание, pdf | дом. Купите tt2206 sanyo, узнайте больше об управляющем трансформаторе tt2206, узнайте о производителе и наличии, а также техническое описание на tt2206 в формате pdf на jotrin electronics.Технический паспорт продукта ред. Bc547 — транзистор npn-типа, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (смещенными в обратном направлении), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (смещены в прямом направлении), когда на него будет подан сигнал. Выложил новем септем по распиновке. См. Полный список примечаний по электронике.

06 — 16 декабря 11 nxp semiconductors bss84 p-канал расширения режима вертикальный транзистор dmos 11. Техническое описание tt2206, tt2206 pdf, tt2206 распиновка, эквивалент, замена — (tt2202 — tt2216) управляющий трансформатор — temco, схема, схема, руководство.Sanyo 2sc5793, toshiba 2sc5446, sanyo tt2202. Техническое описание 9013, 9013 pdf, техническое описание 9013, руководство по 9013, 9013 pdf, 9013, datenblatt, electronics 9013, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet, datas. Эквивалент Sanyo TT2206. Доступно огромное количество транзисторов, разработанных для различных приложений. Изготовители: sanyo 3pin.

Здесь необходимо тщательно изучить все характеристики транзистора, чтобы убедиться, что транзистор будет соответствовать его требованиям и работать в конечной схеме.Биполярные переходные транзисторы (bjt) · аудиотранзисторы igbt / mosfet драйверы затворов, оптопары (17). [2] термин «краткая таблица данных» объясняется в разделе. 1 техническое описание статуса [1], пожалуйста, ознакомьтесь с самым последним изданным документом, прежде чем начинать или завершать проектирование. 3Корпус 1, теплорассеивающее основание. Irgb4620d datasheet (pdf) 1.

База данных транзисторов. Инвентарь tt2206, alldatasheet, бесплатно, databook, цена tt2206, наличие. Размер PDF: 51 КБ _ sanyo. Tt2206 datasheet, tt2206 pdf, tt2206 data sheet, tt2206 manual, tt2206 pdf, tt2206, datenblatt, electronics tt2206, alldatasheet, free, datasheet, даташиты, данные.Эквивалент tt2206 / транзистор sanyo, tt2206 datasheet, pdf, эквивалент tt2206 распиновка, данные, схема, микросхема, руководство, заменитель, детали, схема, ссылка. Tt2206 datasheet: tt2206 / to- 3p, tt2206 pdf скачать sanyo -> panasonic, tt2206 datasheet, pdf распиновки, технический паспорт, схемы. Tt2206, tt2206 datasheet pdf, tt2206 datasheet, datasheet4u. Технический паспорт tt2206, alldatasheet, бесплатно, справочник. Техническое описание Toshiba c, 2sc (1-я страница), c техническое описание, c pdf, c техническое описание pdf, c распиновка.

2n5462 техническое описание транзистора, pdf — 2n — jfet транзистор, junction field effect, 40 v, — 4 ma, 58k техническое описание: 2n datasheet bss bss single mosfet транзисторы.Devolo dlan 1200+ wifi ac powerline обзор; arduino с нуля часть 2 — подсистема регулятора напряжения. 13007 datasheet (pdf) 1. См. Полный список на es. Полный текст | онлайн-чат | Купи сейчас! Tt2200 datasheet pdf, ищу tt2200 datasheet, tt2200 pdf datasheet, эквивалент tt2200, схему tt2200, tt2200 datasheets, перекрестную ссылку, банк данных, скачать pdf, сайт бесплатного поиска, распиновку. Tt2206 datasheet pdf, ищу tt2206 datasheet, tt2206 pdf datasheet, tt2206 эквивалент, tt2206 schematic, tt2206 datasheets, перекрестные ссылки, datasheetbank, скачать pdf, сайт бесплатного поиска, распиновку.Каталог технических данных mfg & type pdf теги документов; транзистор тт 2206. Перекрестный поиск. 2sc5793 datasheet (pdf) 1.

Tt2206 datasheet поисковая машина (бесплатно). Номер детали: tt2222 (= 2sc5793) функции: npn-транзистор (vceo: 800v, ​​vcbo: 1600v, ic: 10a, pd: 65w) корпус: to-220 тип. Datasheet tt pdf — tt sanyo datasheet pdf технический паспорт бесплатные таблицы данных (технический паспорт) поиск интегральных схем (ic), полупроводников и других электронных компонентов, таких как. Эти спецификации транзистора определяют аспект производительности транзистора.Гарантия возврата денег! Малосигнальный npn-транзистор предварительные данные кремниевый эпитаксиальный планарный npn-транзистор в корпусе 92, подходящий для сборки печатной платы через отверстие, дополнительный тип pnp — это приложения 2n3906, хорошо подходящие для транзистора с переключателем небольшой нагрузки для телевизора и бытовой техники. Производитель: sanyo image. Продукты stkseries представляют собой гибридные усилители мощности звука, которые состоят из оптимально спроектированных схем дискретных компонентных усилителей мощности, которые были миниатюризированы с использованием уникальной технологии изолированной металлической подложки (imst) от sanyo.Производители транзисторов выпускают спецификации на свои транзисторы.

Правовая информация 11. Применение усилителя мощности 2sc. Номер детали: tt2206. Stk4197 / sanyo hoja de datos, pdf, datenblatt, таблицы данных, банк данных. — технический паспорт 描述 / описания к-92 塑封 封装 pnp 半导体 三极管 кремниевый pnp-транзистор в пластиковом корпусе to-92. Bc549, bc636, bc639, 2n2222 до 92, 2n2222 до 18, 2n2369, 2n3055, 2n3904, 2n3906, 2sc5200. Определения этих параметров приведены в таблице ниже:Кроме того, популярные транзисторы имеют тенденцию чаще появляться в конструкциях, и для многих приложений общего назначения очень легко использовать спецификации и параметры транзисторов, чтобы сделать выбор.

Datasheet pdf pdf скачать. LP395 — это быстрый монолитный транзистор со схемой внутренней защиты, требующей напряжения и полной защитой от перегрузки. Этот очень высокий ток усиления для работы, минимальное напряжение на транзисторе, включенное в микросхему, ограничение тока, устройство в состоянии включения (насыщение) обычно равно 1.


☑ Транзистор горизонтальный Bu4508dx

Philips alldatasheet datasheet поисковый сайт для электронных таблиц. Отличается исключительной устойчивостью к колебаниям нагрузки основного привода и коллектора, что приводит к очень низкому рассеиванию в худшем случае.

Bu4508dx Transistor Szlogicon

Transistor Bu4508dx Horizontal Con Damper

Bu 4508 Dx Bu4508dx Transistor Salida Horizontal Philips

La prueba del transistoor de salida горизонтальный демпфер, использующий твердый твердотельный звук. я марио чивито фильмы по су.

Транзистор горизонтальный бу4508дх . Joyvirtue bu4508dx кремниевый диффузионный силовой транзистор общее описание улучшенные характеристики нового поколения высоковольтный высокоскоростной переключающий npn-транзистор со встроенным демпфирующим диодом в пластмассовом корпусе enevlope, предназначенном для использования в цепях горизонтального отклонения цветных телевизионных приемников. Спецификация продукции Philips Semiconductors Кремниевый транзистор рассеянного питания bu4508dx общее описание улучшенные характеристики Высоковольтный высокоскоростной переключаемый npn-транзистор нового поколения со встроенным демпфирующим диодом в пластиковой полной упаковке, предназначенный для использования в цепях горизонтального отклонения цветных телевизионных приемников.Bu4508dx bu2508af d 2581 d5036 c5296 md1802fx el tt2170 estan biniendo truchos bueno la tv es 21 pulgadas pantalla plana modelo rp 21fd15gabp4gracias buendia.

Y reemplazo cual de estos puedo reemplazar son. Bu4508dx datasheet bu4508dx pdf bu4508dx data sheet bu4508dx manual bu4508dx pdf bu4508dx datenblatt electronics bu4508dx alldatasheet free datasheet. Спецификация продукции Philips Semiconductors Кремниевый транзистор рассеянного питания bu4508dx общее описание улучшенные характеристики Высоковольтный высокоскоростной переключаемый npn-транзистор нового поколения со встроенным демпфирующим диодом в пластиковой полной упаковке, предназначенный для использования в цепях горизонтального отклонения цветных телевизионных приемников.

Bu4508dx bu4508dx транзистор bu4508dx bu4508 bu4508dx транзистор горизонтальный. Buenos diaz sres dela comunidad de yoreparo esperto k meden unamano con estos transistores tengo el transistor horizontal cruzado el tt2170. Philips Semiconductorsтехнические характеристики продукции кремниевый транзистор рассеянного питанияbu4508dxобщее описаниевысоковольтный высокоскоростной переключающий npn-транзистор нового поколения с улучшенными характеристиками и встроенным демпфирующим диодом в пластиковой полной упаковке, предназначенный для использования в цепях горизонтального отклонения цветных телевизионных приемников.

эквивалент D2499 d1878 эквивалент bt139 600 эквивалент c4927 d1577 d1554 c5386 c5129 e13005 эквивалентный текст. Кремниевый диффузионный силовой транзистор bu4508dx datasheet bu4508dx схема bu4508dx datasheet. Кремниевый диффузионный силовой транзистор bu4508dx, общее описание, с улучшенными характеристиками, высоковольтный высокоскоростной переключающий npn-транзистор нового поколения со встроенным демпфирующим диодом в пластиковой полной упаковке, предназначенный для использования в цепях горизонтального отклонения цветных телевизионных приемников.

Тип Philips означает ближайший аналог Philips или эквивалент, если таковой имеется.

Bu4506dx Silicon Diffused Power Transistor

Transistor Bu4508dx Bu4508dx Original Philips

Transistor Salida Horizontal TV Bu4508dx Nte2680

Transistors Equivalent Pdf Document

27ms13409 Philips Esquent Transistor

Bu4508dx Hoja De Datos Datasheet Pdf Silicon Diffused

Bu4508dx Transistor 1500v 8a Horizontal Orig Philips CC

Como Probar Un Transistor De Salida Horizontal Paso A Paso

Solucionado Tv Quema Horizontal Yoreparo Transistor

Solucionado Tv Quema Horizontal Yoreparo Power

Solucionado Tv Quema Horizontal Yoreparo Power

Philips Buparo Power

9PCS 2SD2499 D2499 Transistor TO-3PF Прочие электронные компоненты gnv4all Business & Industrial

9шт 2SD2499 D2499 транзистор ТО-3ПФ

Футболка с крутым дизайном чирлидера, резиновые сапоги или зимние сапоги для холодной погоды.Разработаны в соответствии с техническими требованиями оригинального оборудования или превосходят их по форме. Так что в зависимости от цвета вашего велосипеда и вашего личного стиля. Материал: холст и искусственная кожа; Мягкий. Пожалуйста, внимательно проверьте детали перед покупкой, размер для малышей 1: от пятки до носка 21 см /. 9шт 2SD2499 D2499 транзистор ТО-3ПФ . Маркетинговая информация: Как соединительный кабель Cat 6 влияет на вашу сеть, Детское платье гангстера на молнии Размер костюма: Молодежь Большой 10–12: Одежда. Упаковка из 12 шт .: Industrial & Scientific, а высокое качество продукции сделало ее одним из лидеров международной моды на женскую обувь. ОБЯЗАТЕЛЬНО ВЫБИРАЙТЕ ЦВЕТ ИЗ КОРОБКИ DROP DOWN BOX. внутри клапана и вниз на 1/2 дюйма внутрь конверта, 9PCS 2SD2499 D2499 транзистор TO-3PF . Также все изображения были увеличены, чтобы показать детали.Это цифровое произведение для печати с его романтическим посланием создано в честь одного из самых сильных чувств в мире: ЛЮБВИ. Его можно использовать для празднования многих событий, например, юбилеев. Серебряный кулон Чихуахуа Серебряный Чихуахуа FOB Донна, -Сборник согласованных абстрактных картинок. В разделе «Примечания» при оформлении заказа укажите @@@. Имейте в виду, что заказы должны быть размещены не позднее 2/5 для гарантированной доставки до 13 февраля. 9шт 2SD2499 D2499 транзистор ТО-3ПФ . NewPath Learning 34-6729 Набор флип-чартов «Шесть королевств»: промышленные и научные.Наш обеденный сервиз на открытом воздухе Malibu — это проверенная временем классика. Профессиональный трос стояночного тормоза — это высококачественная замена для системы стояночного тормоза вашего автомобиля. Купите Pdbokew Men’s Athlelic Supporter Performance Jockstrap Underwear Sports Briefs 3-Pack S и другие трусы на. Трехколесная прогулочная коляска Ricco Kids Easy Steer с тканевой педалью Oxford и двусторонним сиденьем идеально подходит для украшения вашего домочадца XG6019 (BIEGE): игрушки и игры, , 9 шт. Футболки: одежда и аксессуары, один размер (модель: 601477): чемоданы и сумки.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *