Транзистор irf3205 характеристики: Транзистор IRF3205: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Содержание

Транзистор irf3205 параметры | Практическая электроника

Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению канала транзистор IRF3205 часто используется в качестве силовых ключей в автомобильных электронных устройства и там где нужно коммутировать относительно большие токи при небольших напряжениях.

Транзистор IRF3205 цоколевка

Цоколевка стандартная как и у большинства силовых транзисторов:

IRF3205 параметры

  • Тип — N-канальный MOSFET с обратным диодом
  • Тип корпуса — TO-220AB (SOT78)
  • Диапазон рабочих температур -55..+175°C

Максимальное напряжение сток-исток Uси = 55 В, позволяет транзистору IRF3205 работать в преобразователях напряжения питающихся от 12, 24 и 36 В, то есть во всех автомобильных применениях, в источниках бесперебойного питания и много ещё где.
При этом обещают сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. = 8 мОм (0,008 Ом) и максимальный ток сток-исток при температуре 25°С: Iси макс.

= 110 А. Вот только цифра 110 А, это лишь маркетинговый ход — это ток самого кристалла, а вот проволочка которой припаян контакт истока на кристале к выводу выдержит лишь 75 А. Это ограничение называют ограничением по максимальному току корпуса.

  • Время включения = 14 нс,
  • Время выключения = 50 нс,
  • Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В,
  • Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 200 Вт,
  • Крутизна характеристики S = 44,
  • Пороговое напряжение на затворе 2…4 В,
  • Ток утечки затвора < 0,1 uA,
  • Ток утечки стока (закр.) < 25uA.

IRF3205 аналоги

Сам по себе транзистор IRF3205 (судя по даташитам) выпускался с 2001 и заслужил справедливую популярность и вот в 2011 выпустили обновленную версию с индексом «Z». Причем новая серия содержит три типа в разных корпусах:

  • IRF3205Z — TO-220AB
  • IRF3205ZS — D2Pak (поверхностный монтаж)
  • IRF3205ZL — TO-262 (для пайки стока к охладителю)

IRF3205Z обладает пониженным сопротивленим канала в открытом состоянии Rси вкл. = 6,5 мОм (0,0065 Ом), улучшенными временными характеристиками.

IRF3205 и IRF3205Z можно купить на ибее, первые от 3 долларов за десяток, вторые от 6,5 долларов. Разница в цене больше чем в два раза. Покупайте электронные компоненты из Китая только у проверенных продавцов и проверяйте их перед использованием.

Irf3205 характеристики, распиновка, аналоги и datasheet на русском

Характеристики

На русском языке технические характеристики IRF640 найти довольно трудно, поэтому мы перевили их и опубликовали ниже. Предельно допустимые:

  • Наибольшее возможное напряжение сток-исток: 200 В.
  • Предельное напряжение затвор-исток: 20 В.
  • Максимальный ток через сток (напряжение затвор-исток 10 В):
    18 А (при Тс= +25оС).
    11 А (при Тс= +100оС).
  • Наибольший пиковый ток стока: 72 А.
  • Предельная рассеиваемая мощность при температуре +25оС: 125 Вт.
  • Максимальная температура: +300оС.
  • Рабочая температура: от -55оС до +150оС

Все электрические параметры транзистора можно разделить на две группы: статические и динамические. Данные значения указаны для температуры окружающей среды +25 оС, если явно не написано другое. В приведенных таблицах указаны численные величины режимов работы, при которых производились измерения.

Далее приведем динамические-электрические параметры irf640.

Последними в datasheet всегда указываются сведения о термических характеристиках.

Все эти значения важны при проектировании схем с использованием мощных транзисторов. Например, при использовании его в усилителях мощности или блоков питания.

Если транзисторы не охлаждаются должным образом, они перегреваются и как правило, перегорают через несколько минут или даже секунд. Чтобы избежать этого, нужны тепловые расчеты.

Чтобы убедиться в правильности расчетов можно протестировать готовое изделие. Для этого его нужно оставить работать в обычном режиме в течение нескольких часов. При этом любая ошибка в тепловом расчете может быть легко обнаружена и исправлена.

Старое эмпирическое правило «если можно положить руку то все хорошо» по-прежнему работает. Обратное не всегда верно. Например, транзистор может нагреваться до 80°C и будет слишком горячий для прикосновения, но при этом он будет работать нормально. Иметь горячие компоненты не рекомендуется, потому от них могут нагреваться рядом стоящие устройства. Чем меньшая температура у транзистора, тем больше его срок службы.

На рисунке ниже приведены графики зависимости крутизны передаточной характеристики gfs от тока стока Ic для температур +25°C и 150°C.

Из данного графика видно, что значение gfs растет, пока Ic < 18 А. После этого начинает уменьшаться.

IRFI3205 Datasheet (PDF)

1.1. irfi3205.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1374B
IRFI3205
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = 55V
Isolated Package
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
RDS(on) = 0.008?
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
G
Fully Avalanche Rated
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low

1.2. irfi3205pbf.pdf Size:277K _international_rectifier

PD — 95040A
IRFI3205PbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
l Isolated Package
VDSS = 55V
l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS …
l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
RDS(on) = 0.008Ω
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techni

 1.3. irfi3205.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFI3205
·FEATURES
·With TO-220F package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·Reduced switching and conduction losses
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

IRF3205SPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF3205SPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 110
A

Максимальная температура канала (Tj): 175
°C

Общий заряд затвора (Qg): 146
nC

Время нарастания (tr): 101
ns

Выходная емкость (Cd): 781
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса: TO263

IRF3205SPBF


Datasheet (PDF)

1.1. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _upd

PD — 95106
IRF3205SPbF
IRF3205LPbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
VDSS = 55V
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
RDS(on) = 8.0mΩ
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 110A…
S
Descriptiסn
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques t

2.1. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149
IRF3205S/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
VDSS = 55V
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 8.0m?
G
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ID = 110A
S
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-
resistance

2.2. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBF
·DESCRIPTION
·Drain Current I [email protected] T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMU

 2.3. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205S
·DESCRIPTION
·Drain Current I [email protected] T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.

Характеристики IRF740

При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры

После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.

Максимальные

Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.

Тепловые параметры

Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается.  Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).

Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.

IRF3205ZS Datasheet (PDF)

1.1. irf3205zpbf irf3205zlpbf irf3205zspbf.pdf Size:379K _upd

PD — 95129A
IRF3205ZPbF
IRF3205ZSPbF
IRF3205ZLPbF
Features
l Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
l Ultra Low On-Resistance
D
l 175°C Operating Temperature
VDSS = 55V
l Fast Switching
l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
RDS(on) = 6.5mΩ
l Lead-Free
G
Description
ID = 75A
S
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest
processing techniques to achieve e

1.2. auirf3205zstrl.pdf Size:330K _update-mosfet

PD — 97542
AUTOMOTIVE GRADE
AUIRF3205Z
AUIRF3205ZS
Features
● Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
● Ultra Low On-Resistance
● 175°C Operating Temperature D
V(BR)DSS
55V
● Fast Switching
RDS(on) max.
6.5mΩ
● Repetitive Avalanche Allowed up to
Tjmax
G
ID (Silicon Limited) 110A
● Lead-Free, RoHS Compliant
S
● Automotive Qualified *
ID (Package Li

 1.3. irf3205zs.pdf Size:258K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205ZS
·FEATURES
·With To-263(D2PAK) package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Vol

IRF3205STRLPBF Datasheet (PDF)

1.1. irf3205strlpbf.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205STRLPBF
·DESCRIPTION
·Drain Current I [email protected] T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMU

2.1. irf3205lpbf irf3205spbf.pdf Size:280K _upd

PD — 95106
IRF3205SPbF
IRF3205LPbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
VDSS = 55V
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
RDS(on) = 8.0mΩ
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 110A…
S
Descriptiסn
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques t

2.2. irf3205s.pdf Size:160K _international_rectifier

PD — 94149
IRF3205S/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
VDSS = 55V
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 8.0m?
G
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
ID = 110A
S
Description
Advanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-
resistance

 2.3. irf3205s.pdf Size:206K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3205S
·DESCRIPTION
·Drain Current I [email protected] T =25℃
D C
·Drain Source Voltage
: V = 55V(Min)
DSS
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS .
·Designed for high current, high speed switching, switch
mode power supplies.
ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Характеристики

В любом техническом описании на транзистор производитель указывает максимально допустимые и электрические параметры эксплуатации, при температуре окружающей среды до 25 °C. Как правило, значения параметров указываются для идеальных условий эксплуатации, которых в реальной жизни добиться практически невозможно. Но именно на эти параметры ориентируется разработчик в своих проектах.

Максимальные

Главные максимально допустимые значения при эксплуатации указаны в самом начале технического описания. Это своеобразная реклама на устройство – чем выше значения параметров, тем лучше. Напомним, что значения этих параметров не должны превышаться ни при каких условиях. Для мощного mosfet irf840 такими параметрами являются: максимальное напряжение сток-исток VDS до 500 В, сопротивление в открытом состоянии RDS(ON) 0,85 Ом, суммарный заряд затвора QGMAX 63 Нк и максимальный ток ID 8.0 A. В отдельную таблицу сведены другие предельно допустимые характеристики, указанные для температуры окружающей среды 25 °C.

Электрические

Максимальные значения дают лишь общее понятия о параметрах устройства и возможность сравнить его с другими транзисторами. Кроме максимальных значений в datasheet на irf840 приводится таблица других не менее важных параметров с названием — электрические характеристики. Эти значения также приводятся с учетом температуры окружающей среды в 25 °C. Рассмотрим их поподробнее.

У таблицы электрических параметров имеется дополнительный столбец с условиями, при которых производитель проводил тестирование устройства

Все значения приведенные в таблице в той или иной мере важны для применения в проектах, однако в первую очередь из этого списка обращают внимание на следующие характеристики irf840: напряжение пробоя V(BR)DSS до 500 В, напряжение отсечки VGS(th) от 2 до 4 В, токи утечки затвора IDSS до 100 нА и канала IDSS до 250 мкА. Их производитель указывает в первую очередь

Время переключения

Для применения в ключевых схемах стоит обратить внимание на ёмкостные значения (СRSS, СISS, СOSS), которые определяют время открытия TD (ON) и закрытия TD(OFF) канала проводимости. Чем оно ниже, тем лучше работа устройства в ключевом режиме и меньше его нагрев

У irf840 эти значения составляют 14 и 49 наносекунд соответственно. Обратите внимание, что в даташит эти значения приводятся производителем для определенных условий тестирования, соответственно на практике они могут отличатся от указанных.

Ёмкостные характеристики

Так же, для ключевых схем могут понадобиться так называемые паразитные емкости между выводами транзистора (СGD, СGS, CDC). Некоторые производители не указывают их значения, но при необходимости их можно вычислить по формулам:Зная величину обратной переходной ёмкости у irf840 (CRSS = 120 пФ), вычисляем ёмкостные величины у паразитных конденсаторов: CGD 120 пФ; CGS 1180 пФ; CDS 180 пФ. Следует знать, что при включении (открытии канала) емкость CGD образует отрицательную обратную связь между входом и выходом прибора, называемую эффектом Миллера. Значения величин CGD и CDS сильно зависят от напряжения в нагрузке и лишь иногда указываются в документации для тестирования.

Тепловые параметры

Все вышеперечисленные параметры сильно зависят от нагрева самого irf840 и окружающих его элементов, во время работы. Так, при нагреве корпуса до 100 С максимальный постоянный ток стока, который может перегнать через себя этот транзистор, резко уменьшается до 5.1 A, при этом IGSS будет расти. Максимальные значения отдельных характеристик при переменном токе, таких как IDM, IEA, EAR так же ограничивает температура перехода TJ и об этом производитель указывает дополнительно в пояснениях.

Для расчетов TJ при импульсном токе в даташит приводится график зависимости теплового импеданса между подложкой-корпусом ZthJC (С/Вт) от коэффициента заполнения D (Duty Factor). Чем больше Duty Factor, тем выше ZthJC и тем сильнее нагревается кристалл, температура которого у irf840 ограничена 150 °C.

Снизить нагрев прибора возможно при установке дополнительных пассивных или активных схем охлаждения с помощью внешних устройств. Пассивная схема предполагает использование радиатора. Для расчета его площади и других свойств, позволяющих уменьшить нагрев irf840, в его спецификации приводят значения тепловых сопротивлений тепловых: кристалл-корпус  (Junction-to-Case ), корпус-среду (Junction-to-Ambient).

Аналог

Ближайшие зарубежные аналоги у irf840: это 2SK554 (Toshiba) и STP5NK50Z (STM). Отечественной заменой могут быть КП777А, КП840. К сожалению их очень трудно найти в продаже, особенно российского производства.

Маркировка

Первые символы в обозначении irf840 указывают на его первого производителя  — американскую компанию, специализирующуюся на изготовлении электронных компонентов International Rectifier (IR). Эта компании также известна созданием в 1979 году передовой технологии Hexfet, позволившей значительно снизить сопротивление открытого канала у полевого транзистора. По данной технологии по настоящее время изготавливается рассматриваемый образец. В настоящее время компания IR стала одним из подразделений Vishay, которая выпускает транзисторы по без свинцовой технологии с маркикровой irf840PbF (SiHF840-E3) .

IRFI3205 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFI3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 56
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 113.3
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008
Ohm

Тип корпуса: TO220

IRFI3205


Datasheet (PDF)

1.1. irfi3205.pdf Size:107K _international_rectifier

PD — 9.1374B
IRFI3205
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Ultra Low On-Resistance
VDSS = 55V
Isolated Package
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
RDS(on) = 0.008?
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
G
Fully Avalanche Rated
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low

1.2. irfi3205pbf.pdf Size:277K _international_rectifier

PD — 95040A
IRFI3205PbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
l Ultra Low On-Resistance
D
l Isolated Package
VDSS = 55V
l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS …
l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
RDS(on) = 0.008Ω
G
l Fully Avalanche Rated
l Lead-Free
ID = 64A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techni

 1.3. irfi3205.pdf Size:201K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductor
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFI3205
·FEATURES
·With TO-220F package
·Low input capacitance and gate charge
·Low gate input resistance
·Reduced switching and conduction losses
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие MOSFET… IRFF9110
, IRFF9120
, IRFF9130
, IRFF9210
, IRFF9220
, IRFF9230
, IRFI1010N
, IRFI1310N
, J310
, IRFI3710
, IRFI460
, IRFI4905
, IRFI510A
, IRFI520A
, IRFI520N
, IRFI5210
, IRFI530A
.

Оцените статью:

IRF3205 — силовой МОП-транзистор HEXFET® — DataSheet

  • Передовая технология процесса изготовления.
  • Ультра низкое сопротивление в открытом состоянии.
  • Динамическое значение dv/dt.
  • Рабочая температура 175 °C.
  • Быстрое переключение.
  • Полностью нормированные лавинные параметры

Описание

Передовые силовые полевые транзисторы HEXFET® от InternationalRectifier производятся по современным технологиям для достижения крайне низкого сопротивления в открытом состоянии на всей области кристалла. Это преимущество, в сочетании с быстрой скоростью переключения и надежностью устройства, которые хорошо известны для МОП-транзисторов HEXFET, дает проектировщику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разнообразных сферах.

Корпус TO-220 универсален для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому распространению в производстве.


 

 
Абсолютные максимальные значения
  Параметры Макс.
Единицы
ID при Tc = 25 °C Непрерывный ток стока, при VGS = 10 В 110 5  А
 ID при Tc = 100 °C  Непрерывный ток стока, при VGS = 10 В  80
 IDM  Импульсный ток 1  390
 PD при Tc = 25 °C  Рассеиваемая мощность 200 Вт
  Линейный Понижающий Коэффициент 1,3 Вт/°C
VGS  Напряжение затвор-сток ±20 В
IAR Лавинный ток 1
62
А
EAR  Энергия повторяющегося лавинного импульса 1 20 мДж
 dV/dt Импульс на восстанавливающемся диоде dV/dt 3 5,0 В/нс
 TJ, TSTG Температура перехода и температура хранения  -55 до 175  °C
  Температура припоя в течении 10 секунд 300 (1,6 мм от корпуса)
   Момент затяжки болт М3 1.1 Н·м
 
Тепловое сопротивление
Обозначение Параметры Тип. Макс. Единицы
RthJC  Кристалл -корпус  — 0,75  
 Rthcs Корпус радиатора с плоской смазанной поверхностью 0,50  
 RthJA Кристалл — окружающая среда 62 °C/Вт
 
Электрические характеристики при TJ = 25 °C (если не указаны другие)
  Параметры Мин. Тип. Макс. Единицы Условия
V(BR)DSS Напряжение пробоя сток-исток 55 В VGS = 0 В, ID = 250 мкА
ΔV(BR)DSS/ΔTJ Напряжение пробоя температурный коэффициент 0,057 В/°C  относительно 25 °C ID = 1 мА
RDS(on)  Статическое сопротивление сток-исток  —  — 8,0 мОм VGS = 10 В, ID = 62 А 4
VGS(th)  Пороговое напряжение 2,0 4,0 В VDS = VGS,  ID = 250 мкА
gFS Крутизна характеристики  44 С VDS = 25 В,  ID = 62 А 4
 IDSS Ток утечки сток-исток  — 25 мкА  VDS = 55 В, VGS = 0 В
    250  VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150 °C
 IGSS Прямая утечка от затвора к истоку  —  100 нА  VGS = 20 В
Обратная утечка от затвора к истоку  —  -100  VGS = -20 В
 Qg Суммарный Заряд Затвора  — 146 нКл   ID = 62 А
VDS = 44 В
 VGS = 10 В, см. рис. 6 и 13
 Qgs Заряд между затвором и истоком 35
 Qgd Заряд между затвором и стоком (заряд Миллера) 54
td(on) Время задержки включения 14 нс VDD = 28 В
  ID = 62 А
RG = 4,5 Ом
 VGS = 10 В, см. рис. 10 4
tr Время нарастания 101
td(off) Время задержки выключения 50
tf Время спада 65
LD
Внутренняя Индуктивность Стока 4,5 нГн Между точкой припоя, 6 мм (0,25 дюйма) от корпуса и центром контакта
Ls Внутренняя Индуктивность Истока 7,5
 Ciss Входная емкость  — 3247  — пФ  VGS = 0 В
Coss Выходная емкость 781 VDS = 25 В
Crss Проходная емкость 211 ƒ = 1.0 МГц см. рис 5
EAS
Лавинная энергия одиночного импульса 1050 6 264 7 мДж IAS = 62 А, L = 138 мкГн
Номинальные параметры и характеристики исток-сток
  Параметр Min. Typ. Max. Ед. изм. Условия
Is Непрерывный ток истока (через паразитный диод) 110 A Символ MOSFET, показывающий встроенный обратный диод образованный p-n переходом.
Ism Импульсный ток стока (через паразитный диод)1 390
Vsd Прямое напряжение на диоде 1.3 В Tj = 25 °C, Is = 62 A, VGS = 0 В4
trr Время обратного восстановления 69 104 нс

Tj = 25°C, If = 62A di/dt = 100A/мкс 4

Qrr Заряд обратного восстановления 143 215 нКл
ton Время включения в прямом направлении Собственное время включения пренебрежимо мало (время включения определяет значение LS+LD)

Примечание:

1 — Повторяющееся значение; ширина импульса ограничена макс. температурой перехода. (См. Рисунок 11).

2 — Начало TJ = 25 °C, L = 138 мкГн, RG = 25 Ом, IAS = 62 А (См. рис. 12).

3 — ISD ≤ 62 А, di/dt ≤ 207 А/мкс, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ 175 °C.

4 — Ширина импульса ≤ 400 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2%.

5 — Расчетный непрерывный ток на основе максимально допустимой температуре перехода. Ограничение по току для данного типа корпуса — 75A.

6 — Это типичное значение при разрушении устройства и представляет собой выход за пределы номинальных значений.

7 — Это расчетное значение ограниченное TJ = 175 °C.

Рис. 11 Максимально эффективное переходное тепловое сопротивление, кристалл — корпус

Рис. 14.1 Схема проверки скорости восстановления обратного диода

Соображения По Компоновке Схемы
  • Низкая паразитная индуктивность
  • Земляной полигон
  • Трансформатор с низким током утечки
  • dv/dt управляется значением RG
  • Драйвер того же типа, что и D.U.T.
  • ISD управляется коэффициентом заполнения «D»
  • D.U.T. — Тестируемое устройство
Рис. 14.2 Временные диаграммы для N-канального HEXFETS
VGS = 5V для устройств с логическим уровнемРазмеры корпуса (TO-220AB) в мм(дюйм) и распиновка. 1- затвор, 2 — сток, 3 — исток, 4 — стокМаркировка (логотип, код сборки, парт номер, дата производства — год и неделя)

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Аналоги для irf3205 — Аналоги

IRF3205 2SK2985

Функциональный аналог

IRF3205 BUK7508-55

Функциональный аналог

IRF3205 BUZ111S

Полный аналог

IRF3205 HRF3205

Полный аналог

IRF3205 HRF3205

Полный аналог

IRF3205 HUF75343P3

Ближайший аналог

IRF3205 HUF75343P3

Ближайший аналог

IRF3205 HUF75344P3

Полный аналог

IRF3205 HUF75344P3

Полный аналог

IRF3205 HUF75345P3

Ближайший аналог

IRF3205 HUF75345P3

Ближайший аналог

IRF3205 MTP75N05HD

Ближайший аналог

IRF3205 MTP75N06HD

Ближайший аналог

IRF3205 SSP80N06A

Функциональный аналог

IRF3205 STP60NF06L

Ближайший аналог

IRF3205 STP80NE06-10

Функциональный аналог

IRF3205 STP80NF06

Ближайший аналог

IRF3205 SUB75N06-08

Ближайший аналог

IRF3205 SUP75N05-06

Ближайший аналог

IRF3205 SUP75N06-08

Ближайший аналог

IRF3205 КП783А

Отечественный и зарубежный аналоги

IRF3205L 2SK2986

Ближайший аналог

IRF3205L HRF3205L

Полный аналог

IRF3205L HRF3205L

Полный аналог

IRF3205L HUF75343S3

Ближайший аналог

IRF3205L HUF75343S3

Ближайший аналог

IRF3205L HUF75344S3

Полный аналог

IRF3205L HUF75344S3

Полный аналог

IRF3205L HUF75345S3

Ближайший аналог

IRF3205L HUF75345S3

Ближайший аналог

IRF3205L STB80NF55L-08-1

Полный аналог

IRF3205S 2SK2986

Ближайший аналог

IRF3205S BUK7608-55

Функциональный аналог

IRF3205S HUF75343S3S

Ближайший аналог

IRF3205S HUF75343S3S

Ближайший аналог

IRF3205S HUF75344S3S

Полный аналог

IRF3205S HUF75344S3S

Полный аналог

IRF3205S HUF75345S3S

Ближайший аналог

IRF3205S HUF75345S3S

Ближайший аналог

IRF3205S MTB75N05HD

Ближайший аналог

IRF3205S MTB75N06HD

Функциональный аналог

IRF3205S STB60NF06LT4

Ближайший аналог

IRF3205S STB80NE06-10

Функциональный аналог

IRF3205S SUB75N05-06

Ближайший аналог

IRF3205Z STP80NF55-06

Полный аналог

IRF3205Z STP85NF55

Ближайший аналог

IRF3205ZL STB80NF55-06-1

Полный аналог

IRF3205ZL STB80NF55L-08-1

Ближайший аналог

IRF3205ZS STB80NF55-06T4

Полный аналог

IRF3205ZS STB85NF55T4

Ближайший аналог

Транзистор irf3205 | Festima.Ru — Мониторинг объявлений

BНИMAНИЕ! ДPУГИХ ДЕТАЛЕЙ HЕT! Наименовaниe — [хaрaктepиcтики] =цeна за шт Если дeтaль б/у — этo укaзано! — Тpансфopмaторы ЖK монитopoв: 19.26048.011 (б/у) =50pуб, нaличие — 2 80GL17T-36-V (б/у) =50руб, наличие — 1 8TC00564 02GР (нов) =350руб, наличие — 1 EЕL-19 (б/у) =200pуб, наличиe — 1 ЕEL-22 (нов) =300pуб, нaличие — 9 IT-007 (б/у) =50pуб, нaличие — 1 SРI 8TС00190 (б/у) =50pуб, наличие — 3 ТM-0917 (нoв) =250pуб, нaличие — 3 TM-1017 (нов) =350руб, наличие — 3 ТМ-130 (б/у) =50руб, наличие — 2 ТМS91429СТ (нов) =350руб, наличие — 8 — Транзисторы: 2SС5706 — [Р-сh,50V,5А,ТО-251] =25р 2SС5707 — [Р-сh,80V,8А,ТО-251] =30р 2SС4672 — [Р-сh,50V,3А,SОТ-89] =15р 2SК3878 — [N-сh,900V,9А,ТО-3Р] =100р АF4502С (IRF7389,7319) — [Р&N-сh,30V,SОР8] =50р АО3401А (А19Т) — [Р-сh,30V,4А,SОТ-23] =10р АО3400А (А09Т) — [N-сh,30V,6А,SОТ-23] =10р АО4419 — [Р-сh,30V,10А,SОР-8] =40р АОD417 — [Р-сh,30V,25А,ТО-252] =40р АР18N20GS — [N-сh,200V,18А,ТО-263] =70р АР4501GМ [N+Р-сh,30V,7А,SОР-8] =35р (18шт) АР4511GD (АОР605) — [Р&N-сh,35V,6А,DIР8] =35р АР4525GЕН — [N+Р-сh,40V,15/-12А,ТО252] =30р (10шт) АР88N30W — [N-сh,300V,48А,0.05Ом,ТО-247] б/у =100р АРМ4546 — [N+Р-сh,30V,8/-6А,DIР8] =30р АРМ4550J — [N+Р-сh,30V,8/-7А,DIР8] =50р G973-120АDJF11U =90р FQРF8N60С — [N-сh,600V,8А,ТО-220] =50р FQРF20N60С — [N-сh,600V,20А,ТО-220] =100р IRF3205 — [N-сh,55V,11А] =40р IRFU9024 — [Р-сh,60V,9А,ТО-251] =25р IRFR15N20D — [200V,17А,D-Раk] =50р ММВТ3904 (1АМ) — [Р-сh,40V,0.2А,SОТ-23] =5р ММВТ2907 (W2F, 2F) — [N-сh,40V,1А,SОТ-23] =5р МТ4606 (SР8М3) — [Р&N-сh,30V,7/-5А,SОР-8] =30р Р0168 — [РWМ соntrоl] =150р Р0903ВDG — [Р-N-Р,25V,50А,ТО-252] =15р SРР11N60С3 — [N-Р-N,50V,8А,ТО-251] =90р — Диоды, стабилитроны: 1N4148 (КД522А) — [100V, 0.15mА] =5р ВАТ54С (WW1) — [Шоттки] SОТ-23 =5р ВАV99 (А7W) — [переключающ] =5р ВZХ85С12-ТАР — [стаб.12V,1W,5%] =5р ВZХ79С15 — [стаб.15V,0.5W,5%] =5р ВZХ85С18 — [стаб.18V,1W,5%] =5р МВR10150 — [Шоттки 150V,10А] ТО-220АВ =40р МUR460 — [4А,600V] DО-201 =15р ZММ2V7 — [стаб. 2,7V, 0.5W, SОD-80] =4р (10шт) ZММ3V3 — [3,3V] =4р (10шт) ZММ4V7 — [4,7V] =4р (10шт) ZММ5V1 — [5,1V] =4р ZММ5V6 — [6,8V] =4р (10шт) ZММ6V8 — [6,8V] =4р (10шт) ВZТ52С9V1 [9,1V] =5р (10шт) ZММ12 — [12V] =6р (10шт) ZММ18 — [18V] =6р (10шт) ZММ30 — [30V] =7р (10шт) — Конденсатор электролит.: 1uF*50V Сhоng (5х11мм) =3р 2,2uF*400V (6х12мм) =5р 3,3uF*50V (4х7мм) =6р 10uF*50V (4х7мм) =8р 33uF*50V (5х11мм) =10р временно нет 47uF*50V JYСDR LW (12х16мм) =10р 100uF*25V Сhоng (5х11мм) =12р 120uF*450V Еlitе (18х35мм) =100р 330uF*25V Сhоng (8х11мм) =15р 470uF*25V (8х12мм) =12р 470uF*35V (10х13мм) =15р (~80шт) 680uF*4V Rybiсоn =15р (~30шт) 1000uF*6,3V КZG =10р 1000uF*16V Сhоngх для мат.плат =15р (~100шт) 1000uF*25V JССОN (10х20мм) =15р (~70шт) 2200uF*16V (10х25мм) =15р (~50шт) 2200uF*25V (12х25мм) =20р (~50шт) 3300uF*16V Sаnyо (10х25мм) =25р (8шт) — Микросхемы: 24С08 [8k Sеriаl ЕЕРRОМ SОР8] =10р 24С16 [16k Sеriаl ЕЕРRОМ SОР8] =15р АРW7142КI [DС-DС преобразователь] =30р FАN7314 [LСD invеrtеr drivе, SОР-20] =100р FАN7930С [РFС-соntrоllеr, SОР-8] =60р FЕ3407F [Sсаn buffеr LСD/Рlаsmа] =150р FSDМ0465R [РS Rеgulаtоr] =70р КIА78R33 [U-стаб, 3.3В 1А,ТО-220F] =40р L7251 vеr 3.1 (SМООТН) [контроллер НЖМД WD] =290р МАХ17077А [графич. контроллер] =200р (4шт) NСР1337 [ШИМ контроллер] =50р (5шт) NТ71208FG-851 [дешифратор LСD] =120р (5шт) ОВ3328UQР [SОР16] =80р (5шт) ОZ9910SN [SSОР16] и -GN [SОР16] =100р ОZ9938GN [SОР16] =50р (5шт) РМ25LV010 [SРI 1Мbit SОР8] =30р SН6964В [контроллер НЖМД Sеаgаtе] =400р SSС9522S [контроллер IС] =200р ТDА2616Q [2х12W Нi-Fi усилитель] =80р W25Q128FVSS [SРI 16Мb SОР8 200mil] =130р (9шт) W25Q80ВVSIG [SРI 1Мb SОР8 200mil] =40р (10шт)

Аудио и видео техника

IRF3205 to-220 | Полевые транзисторы

Код товара :M-175-5469
Обновление: 2020-09-23
Тип корпуса :TO-220

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRF3205 to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с IRF3205 to-220 ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
5469 IRF3205 to-220 Транзисторы IRF3205 (полный номер IRF3205PBF) — Power MOSFET, N-Channel, 110A, 55V, TO-220 32 pyб.
2043 IRFZ44N to-220 Транзисторы IRFZ44 (IRFZ44N, IRFZ44NPBF) — Power MOSFET, N-Channel, 55V, 41A, TO-220 19 pyб.
1734 Термоусадочная трубка, черная, 2 мм Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 2.0 мм, цвет черный 10 pyб.
1510 Флюс AMTECH RMA-223 (10g) Паяльный флюс AMTECH RMA-223, на канифольной основе, вес 10 грамм, упаковка — пластиковый шприц 43 pyб.
9659 Конденсатор 1000uF 25V (JCCON) Конденсаторы электролитические 1000 мкф 25в (JCCON, 105°C, размер 10×20мм) 6.5 pyб.
2122 Припой SUOER 0.8мм, 100гр. Припой высокого качества SUOER с флюсом, Sn60Pb40, мягкий, в катушке, диаметр 0.8мм, вес 100 грамм 277 pyб.
426 IRF640N to-220 Транзисторы IRF640 (IRF640NPBF, IRF640N, IRF640B) — Power MOSFET, N-Channel, 200V, 18A, TO-220 25 pyб.
1841 Термоусадочная трубка, черная, 4 мм Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 4.0 мм, цвет черный 12 pyб.
1731 Термоусадочная трубка, черная, 1 мм Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 1.0 мм, цвет черный 8 pyб.
2756 Термоусадочная трубка, черная, 6 мм Термоусадочная трубка SALIPT диаметр 6.0 мм, цвет черный 14 pyб.

 

Транзистор IRF3205 — презентация онлайн

Транзистор IRF3205
IRF3205 – это N-канальный мощный полевой транзистор
предназначен для работы в ключевом режиме. IRF3205 используется в
регуляторах мощности, переключателях, преобразователях, в
которых необходима повышенная скорость переключения.
Благодаря большой токовой способности и низкому сопротивлению
канала транзистор IRF3205 часто используется в качестве силовых
ключей в автомобильных электронных устройства и там где нужно
коммутировать относительно большие токи при небольших
напряжениях.
Цоколевка (развоодка выводов) стандартная
как и у большинства силовых транзисторов
IRF3205 параметры:
Тип — N-канальный полевой МОП транзистор с обратным
диодом
Тип корпуса — TO-220AB (SOT78)
Диапазон рабочих температур — 55..+175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси = 55 В, позволяет
транзистору IRF3205 работать в преобразователях напряжения
питающихся от 12, 24 и 36 В, то есть во всех автомобильных
применениях, в источниках бесперебойного питания и тд.
При этом сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. = 8 мОм
(0,008 Ом) и максимальный ток сток-исток при температуре 25°С: Iси
макс.= 75 А.
Время включения = 14 нс,
Время выключения = 50 нс,
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В,
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 200 Вт,
Крутизна характеристики (управляющее действие затвора) S = 44,
Пороговое напряжение на затворе 2…4 В,
Ток утечки затвора
Ток утечки стока (закр.)
IRF3205 аналоги
Сам по себе транзистор IRF3205 выпускался с 2001 и заслужил
справедливую популярность и вот в 2011 выпустили обновленную
версию с индексом «Z». Причем новая серия содержит три типа в
разных корпусах:
IRF3205Z — TO-220AB
IRF3205ZS — D2Pak (поверхностный монтаж)
IRF3205ZL — TO-262 (для пайки стока к охладителю)
IRF3205Z обладает пониженным сопротивленим канала в открытом
состоянии Rси вкл. = 6,5 мОм (0,0065 Ом), улучшенными временными
характеристиками.

IRF3205 MOSFET Распиновка, техническое описание, характеристики и альтернативы

IRF3205 — это сильноточный N-канальный MOSFET , который может переключать токи до 110 А и 55 В.

Конфигурация контактов

Номер контакта

Имя контакта

Описание

1

Ворота

Управляет смещением полевого МОП-транзистора

2

Слив

Ток протекает через сток

3

Источник

Ток течет через Источник


Характеристики
  • N-канальный силовой полевой МОП-транзистор
  • Непрерывный ток утечки (ID) составляет 110 А при напряжении питания 10 В
  • Минимальное пороговое напряжение затвора 2В
  • Напряжение пробоя сток-исток: 55 В
  • Низкое сопротивление при включении 8.0 мОм
  • Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ± 20 В
  • Время нарастания 101 нс
  • Обычно используется со схемами переключения мощности
  • Поставляется в упаковке К-220

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в техническом описании IRF3205 , приведенном в конце этой страницы.

Альтернативы IRF3205

IRF1405, IRF1407, IRF3305, IRFZ44N, IRFB3077, IRFB4110

Другие N-канальные МОП-транзисторы

IRF540N, 2N7000, FDV301N

IRF3205 MOSFET Обзор

IRF3205 — это сильноточный N-канальный MOSFET , который может переключать токи до 110 А и 55 В.Особенностью полевого МОП-транзистора является то, что он имеет очень низкое сопротивление, всего 8,0 мОм, что делает его пригодным для коммутации схем, таких как инверторы, управление скоростью двигателя, преобразователь постоянного тока в постоянный и т. Д. Он также является одним из легко доступных и дешевых полевых МОП-транзисторов с низким на сопротивление.

Итак, если вы ищете полевой МОП-транзистор для использования в вашей схеме переключения, который работает ниже 55 В и менее 110 А, вы можете рассмотреть возможность использования IRF3205. Обратите внимание, что IRF3205 имеет высокое пороговое напряжение и, следовательно, не идеален для включения / выключения с помощью встроенных контроллеров.Вы можете попробовать IRF540N для этой цели.

Приложения
  • Переключение приложений
  • Повышающие преобразователи
  • Измельчители
  • Солнечные инверторы
  • Регулировка скорости

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из IRF3205 Datasheet будет полезен, чтобы узнать его тип корпуса и размеры.

IRF3205 datasheet — Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным HexFET 55 В в TO-220AB

2SB1028 : Малосигнальный транзистор общего назначения. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, на Renesas Technology Corp. Полупроводниковые операции Mitsubishi Electric и Hitachi были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают микрокомпьютер, логику, аналоговую и дискретные устройства, и микросхемы памяти.

CA2DN22B7 : Реле управления 24в. Пер.

FJX4005R : Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP. Схема переключения, инвертор, интерфейсная схема, схема драйвера Встроенный резистор смещения (R1 = 4,7 кОм, R2 = 10 кОм) Дополнение к абсолютным максимальным номинальным значениям FJX3005R Ta = 25C, если не указано иное Символ VCBO VCEO VEBO PC TJ TSTG Коллектор параметров — коллектор базового напряжения- Эмиттерное напряжение Эмиттер-база Напряжение Коллектор Токосъемник Рассеиваемая мощность.

MMDL101T1 : Лента и катушка с диодом Шоттки 7 В для малых сигналов SOD323, упаковка: SOD-323, контакты = 2.

STGF10NB60SD : N-канал 600 В 10 А TO-220FP Powermesh Igbt. ВЫСОКОЕ ВХОДНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ (НАПРЯЖЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЕМ) НИЗКОЕ ПАДЕНИЕ НАПРЯЖЕНИЯ ВЫСОКОТОКОВЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ ОТКЛЮЧЕНИЯ ПОТЕРИ ВКЛЮЧАЮТ ЗАДНИЙ ТОК В УПАКОВКЕ С АНТИПАРАЛЛЕЛЬНЫМ ДИОДОМ TURBOSWITCHTM Используя новейшую технологию высокого напряжения, основанную на запатентованном семействе ленточных электронных компонентов, STM использует новейшую технологию высокого напряжения. БТИЗ PowerMESHTM с выдающимися характеристиками.

USF31-T : 3,0 А, 50 В, 20 нс, DO-201AD.Высокая надежность Низкая утечка Низкое прямое напряжение Высокая способность к току Сверхбыстрая скорость переключения Высокая устойчивость к импульсным помехам Корпус: Литой пластик Эпоксидная смола: Устройство имеет класс воспламеняемости UL 94V-O Вывод: MIL-STD-202E метод 208C Гарантированное положение установки: любое Вес: 1,18 грамма. Температура окружающей среды o C, если.

ZDT694 : Двойной NPN транзистор с низким уровнем насыщения. SM-8 DUAL NPN СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ ПАРАМЕТР ТРАНЗИСТОРОВ С ВЫСОКИМ УСИЛЕНИЕМ Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Пиковый импульсный ток Постоянный ток коллектора Диапазон рабочих температур и температур хранения СИМВОЛ VCBO VCEO VEBO ICM IC Tj: Tstg ЗНАЧЕНИЕ до +150 ПАРАМЕТР ЕДИНИЦЫ C. Общее рассеивание мощности при Tamb = 25C ​​* Любой единственный кубик на обоих кубиках одинаково.

AUIRF2805 : Автомобильный Q101, 55 В, одноканальный силовой МОП-транзистор на полевых полевых транзисторах с N-каналом в корпусе TO-220AB IR обслуживает автомобильный рынок с помощью специального портфеля продуктов, с высококачественными и сертифицированными автомобильными площадками для разработки, производства и сборки, а также цепочкой поставок, которая полностью соответствует высоким требованиям и ожиданиям автомобильной промышленности. Наша пятерка.

03028 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 6,3 — 200 В, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603.s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

D30BC330F1EA : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 100 В, BC, 0,000033 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 3.30Е-5 мкФ; Допуск емкости: 1 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа; Операционная.

FM4735WA : 6,2 В, 1 Вт, КРЕМНИЙ, ОДНОНАПРАВЛЕННЫЙ ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ, DO-214AC. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ; Соответствует RoHS: RoHS.

ZJYS51R5-2P-01 : 2 ФУНКЦИИ, 50 В, 2 А, ФЕРРИТОВЫЙ ЧИП. s: Форм-фактор борта: чип; Устройств в упаковке: 2; Номинальный постоянный ток: 2000 мА.

1820LGM0816LYN0110 : CAP, AL2O3,82UF, 63VDC, 20% -TOL, 20% + TOL.s: Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: Алюминиево-электролитические.

2260A : 50 А, 80 В, PNP, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP.

2N3724A.MOD : 1200 мА, 30 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-205AD. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-3, ТО-39, С ГЕРМЕТИЧЕСКИМ УПЛОТНЕНИЕМ, МЕТАЛЛ, ТО-39, 3 КОНТАКТА.

2N5015S.MOD : 0,5 А, 1000 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-205AD. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-3, ТО-39, С ГЕРМЕТИЧЕСКИМ УПЛОТНЕНИЕМ, МЕТАЛЛ, ТО-39, 3 КОНТАКТА.

63VNA100MCA10X20 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 63 В, 100 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 100 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 63 вольта; Ток утечки: 189 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 85 C (-40,

7427924 : 1 ФУНКЦИИ, 0,4 А, ФЕРРИТОВЫЙ ЧИП. s: Форм-фактор борта: чип; Устройств в упаковке: 1; Номинальный постоянный ток: 400 миллиампер; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

91J110E : РЕЗИСТОР, ПРОВОДНАЯ НАВИВКА, 1,5 Вт, 5%, 30 ppm, 110 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: проволочная обмотка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы, соответствие требованиям ROHS; Диапазон сопротивления: 110 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 30 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 1,5 Вт (0,0020,

97A8 : 600 В, 0,8 А, ТРИАК 4 КВАДРАНТНОГО УРОВНЯ, TO-226AA. s: Тип тиристора: Симистор, 4 КВАДРАНТНЫХ СИСТЕМЫ ЛОГИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ; Тип упаковки: БЕСПЛАТНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, TO-92, 3 PIN; Количество контактов: 3; VDRM: 600 вольт; IT (RMS): 0.8000 ампер; Стандарты и сертификаты: RoHS.

IRF3205 Распиновка, эквивалент, использование, особенности и другие подробности

В этом сообщении описывается распиновка IRF3205, эквивалент, использование, особенности и другие подробности о том, как и где использовать этот сильноточный N-канальный MOSFET.

Характеристики / Технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-220
  • Тип транзистора: Канал N
  • Максимальное напряжение, приложенное от стока к источнику: 55 В
  • Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
  • Максимальный ток утечки: 110A
  • Максимальный импульсный ток утечки: 390A
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 200 Вт
  • Минимальное напряжение, необходимое для работы: от 2 В до 4 В
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +170 по Цельсию

Аналог:

Вот несколько ближайших возможных замен и эквивалентов IRF3205:

IRFB3206, IRFB3256, IRFB3307, IRFB3307, IRFB7540

IRF3205 MOSFET объяснение / Описание:

IRF3205 — это полевой МОП-транзистор, способный управлять нагрузкой до 110 А с максимальным напряжением 55 В.Это транзистор с каналом N, доступный в корпусе TO-220. Этот транзистор можно использовать как для коммутации, так и для усиления. Это высокоскоростной переключающий транзистор, поэтому его можно использовать в приложениях, которые требуют высокоскоростного переключения нагрузки с одного источника входного сигнала на другой, а минимальное напряжение, необходимое для насыщения, составляет от 2 В до 4 В. Он также способен управлять нагрузкой до 390A в импульсном режиме. Более того, при использовании в качестве усилителя он способен выдавать до 200 Вт, благодаря чему он также является идеальным транзистором для использования в мощных усилителях звука.

Где и как использовать:

IRF3205 может использоваться во многих приложениях, требующих высокоскоростного переключения нагрузки, например, в ИБП, системах резервного питания от батарей и т. Д. Помимо этого, он также может использоваться во многих различных типах источников питания. Его также можно использовать для управления сильноточными нагрузками с помощью встроенных систем. Его также можно использовать для построения схем аудиоусилителей высокой мощности.

Приложения:

Verity of Battery Chargers and Battery Management Systems

Приложения с быстрым переключением

Приложения, связанные с солнечной энергетикой

Источники бесперебойного питания

Драйверы двигателей

Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:

Чтобы обеспечить хорошую долгосрочную производительность компонента, мы всегда рекомендуем использовать его на 20% ниже его максимальных значений.То же самое и с транзистором IRF3205. Максимальное напряжение нагрузки составляет 55 В, чтобы получить хорошую производительность, не превышайте напряжение нагрузки от 44 В постоянного тока. Максимальный непрерывный ток стока составляет 110 А, поэтому не используйте нагрузку более 88 А. Используйте соответствующий радиатор с транзистором и всегда храните или используйте это устройство при температуре от -55 до +175 градусов по Цельсию.

Лист данных:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRF3205_InternationalRectifier.pdf

Введение в IRF3205

В этой статье мы раскроем детали IRF3205. IRF3205 — это N-канальный HEXFET. HEXFET — это силовой полевой МОП-транзистор, который можно легко найти в корпусе TO-220AB. Диапазон рабочего напряжения этого пакета составляет 55 вольт и 110 вольт. Этот чип в основном используется в потребительских приложениях с полным мостом, а также в динамических рейтингах dv / dt. Некоторые другие приложения, такие как повышающие преобразователи, изобретатели солнечной энергии, покупатели, а также управление скоростью, также используют это устройство.Этот чип считается строительным блоком для многих электронных приложений, в которых основной проблемой является быстрое переключение, поскольку он относится к категории устройств со сверхнизким сопротивлением, основанных исключительно на передовых технологиях. В этой статье мы обсудим некоторые основные моменты, связанные с IRF3205, чтобы получить более глубокое представление об этом устройстве. Все, что касается IRF3205, будет рассмотрено в этой статье, то есть основные функции, распиновка, работа, а также функции. Итак, приступим.

Введение в IRF3205

IRF3205 был представлен международным выпрямителем.Основная цель внедрения этого устройства — создание чрезвычайно низкого сопротивления на площади кремния. Это силовой полевой МОП-транзистор, который в основном основан на Advanced Process Technology и поэтому широко используется в приложениях, требующих быстрого переключения. IRF3205 также известен как устройство, управляемое напряжением, поскольку это силовой полевой МОП-транзистор и состоит из 3 основных клемм, известных как затвор, исток и сток. Напряжение, которое подается на клемму затвора, можно использовать для управления подключением двух других клемм.

Рабочая температура 175 ° C, а также низкое тепловое сопротивление, предлагаемое этим устройством, делают его подходящим выбором для использования для рассеивания мощности около 50 Вт наряду с коммерческими промышленными приложениями. По сравнению с другими полевыми МОП-транзисторами, IRF3205 отличается тем, что имеет толстый оксидный слой на выводе затвора и не может быть поврежден при воздействии высокого входного напряжения, в то время как другие полевые МОП-транзисторы могут быть повреждены всякий раз, когда они используются в схемах, управляющих высоким входным напряжением, поскольку они имеют тонкую оксидный слой, влияющий на общую производительность этого устройства.Этот силовой полевой МОП-транзистор может также использоваться для управления двигателями постоянного тока большой мощности, в промышленных приложениях, а также в электроинструментах, поскольку этот пакет обеспечивает высокие номинальные токи.

КОНФИГУРАЦИЯ КОНФИГУРАЦИИ IRF3205

Конфигурация контактов IRF3205 следующая:

  • Вывод 1 используется как вывод затвора, обозначенный буквой G, и основная задача этого вывода — убедиться, что ток между истоком и каналом стока не превышает максимального значения.
  • Контакт 2 используется в качестве вывода стока и обозначен буквой D, и на этом выводе происходит электронная эмиссия.
  • Вывод 3 используется как вывод истока и представлен как S и используется для сбора излучаемого вывода со стока.

Поток тока зависит от движения электронов, и направление тока в этом устройстве — от вывода стока к выводу истока. Ток, наблюдаемый на выходном зажиме, зависит от напряжения, подаваемого на вход затвора.

РАБОТА ИРФ3205

Выводы стока, затвора и истока этого силового полевого МОП-транзистора аналогичны выводам эмиттера, базы и коллектора, присутствующим в биполярном переходном транзисторе.Исток и сток этого силового полевого МОП-транзистора изготовлены из материала n-типа. Компонент корпуса этого силового полевого МОП-транзистора вместе с подложкой изготовлен из материала p-типа. Чтобы создать конструкцию из оксида металла-полупроводника, на слое подложки присутствует дополнительный слой оксида кремния. Процесс проводимости осуществляется за счет движения электронов, что делает это устройство униполярным. Чтобы изолировать вывод затвора от всего корпуса устройства, необходимо вставить изолирующий слой.Область между истоком и стоком называется N-каналом.

Этот канал N управляется с помощью уровня напряжения, присутствующего на выводе затвора. По сравнению с BJT, полевой МОП-транзистор используется для опережения кривой, и причина этого заключается в том, что не требуется входной ток для управления большой величиной тока, которая должна присутствовать на двух других оставшихся клеммах. Если к МОП-структуре приложено положительное напряжение, распределение заряда в устройстве изменяется таким образом, что отверстия, находящиеся под слоем оксида, должны иметь дело с силой, вызывая перемещение отверстий в нисходящем направлении.Однако вы должны иметь в виду, что ограниченные отрицательные заряды всегда связаны с акцепторными атомами, и они несут ответственность за скопление обедненной области. Если электроны наносятся в большом количестве, они окажутся полезными при увеличении проводимости всего канала, что приведет к преобразованию подложки в материал N-типа.

ХАРАКТЕРИСТИКИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ IRF3205
  • Значение VGS, т.е. непрерывный ток стока составляет 110 ампер при подаче 10 вольт.
  • Величина импульсного тока стока составляет 390 ампер.
  • Рассеиваемая мощность при температуре 25 ° C составляет 200 Вт.
  • Значение линейного коэффициента снижения номинальных значений составляет 1,3 Вт / ° C.
  • Значение напряжения затвор-исток составляет ± 20 В.
  • Лавинный ток в этом силовом MOSFET составляет 62 ампера.
  • Количество повторяющейся энергии лавины составляет 0,02 Дждв / дт.
  • Значение пикового восстановления диода, т.е. dv / dt, составляет 5 В / нс.
  • Температура пайки, а также рабочий переход в течение 10 секунд равны 300, если принять длину равной 1.6 мм.
  • Рабочее напряжение 175 ° C.
  • Быстрое переключение
  • Передовые технологические процессы.
  • Упаковка IRF3205 — TO-220AB
  • Это тип канала N.
  • Значение времени нарастания 110 нс.
  • Его можно использовать, комбинируя его со схемами переключения питания.
  • Значение низкого сопротивления 8 мОм
  • Напряжение пробоя от стока к истоку — 55 вольт.

Вышеупомянутые условия имеют решающее значение при выполнении электрической схемы.Если рейтинги стресса, а также другие значения рейтингов превышены, они могут повлиять на производительность, а также на характер проекта. Таким образом, рейтинги не должны применяться в течение длительного периода времени, так как это влияет на надежность устройства. Наиболее предпочтительный способ использования этого устройства — придерживаться этих упомянутых характеристик, прежде чем устанавливать IRF3205 в цепь, и убедиться, что условия нагрузки, а также условия эксплуатации соблюдены в соответствии с рекомендациями производителя.

ПРИЛОЖЕНИЯ IRF3205

IRF3205 используется во многих приложениях, но некоторые из основных приложений, в которых широко используется этот чип, следующие:

  • Потребительский полный мост
  • Коммерческое и промышленное применение
  • Полный мост
  • Приложения с быстрой коммутацией
  • Толкать и тянуть
  • Измельчители
  • Регулировка скорости
  • Повышающие преобразователи
  • Изобретатели солнечной энергии

На этом статья завершена.Мы надеемся, что все до единого касаются IRF3205. Однако, если в этой статье есть некоторая двусмысленность или путаница, мы рекомендуем задать свой вопрос в разделе комментариев ниже. Мы сделаем все возможное, чтобы помочь вам наилучшим образом. Мы высоко ценим ваши предложения, связанные с этой статьей.

Substituto irf 3205 datasheet pdf

Substituto irf 3205 datasheet pdf

Irf1010e техническое описание транзистора, эквивалент irf1010e, спецификации pdf. Nchannel power mosfet, таблица данных irf3205, схема irf3205, таблица данных irf3205.Id 110a s поиск в технических таблицах, технические описания, поиск в технических таблицах для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников. Irfp3710 pdf, описание irfp3710, даташиты irfp3710. Спецификация продукта irf2807pbf infineon technologies. Чрезвычайно высокая мощность DVD. 100% лавинные испытания нового эталонного высокого напряжения, минимальный заряд затвора. Описание powermesh II — это эволюция первого поколения наложения сетки.

Nellsemi, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электронных компонентов.O irf3205 возможно инкапсуляция обычных sot78 to220ab. Irf530npbf pdf, описание irf530npbf, irf530npbf. Найдите и загрузите спецификации электронных компонентов. Irf840birfs840b 500v nchannel mosfet общее описание эти n-канальные полевые транзисторы с усилением режима мощности производятся с использованием запатентованной, планарной технологии Fairchilds, технологии dmos.

Irf3205, irf3205 110a 55v nchannel power mosfet, даташит, да, до 220. Irf1405, irf1405 nchannel mosfet транзистор, купить транзистор irf1405.Силовые транзисторы IRF MOSFET, транзисторы MOSFET, транзисторы IRF MOSFET. Semiconductor irf3205 технические данные nchannel power mosfet 55v120a, предназначенный для низковольтных приложений, таких как автомобилестроение, преобразователи постоянного тока и высокоэффективное переключение для управления питанием в портативных устройствах и устройствах с батарейным питанием. Этот продукт был разработан и сертифицирован для промышленного рынка. Irf 3205 datasheet, irf 3205 pdf, irf 3205 datasheet, datasheet, data sheet, pdf главная страница всех производителей по категориям, названию детали, описанию или содержанию производителя.Вы можете использовать все данные о полупроводниках в любом листе данных без комиссии и без регистрации. Baixe no formato xls, pdf, txt или leia online no scribd. Irf520 был разработан международным выпрямителем, отсюда и префикс irf. Irf hexfet power mosfet, список данных, поиск в даташите для сайта. Irf 3202 irf 3203 irf 3205 транзистор irf 3206 транзистор irf 3205 lh0062 ic cd 3207 lh0062c мини-инвертор принципиальная схема текст. Irf3205 даташит транзистора, pdf MOSFET транзистор.

Irf3205 datasheet, irf3205 pdf, irf3205 data sheet, irf3205 manual, irf3205 pdf, irf3205, datenblatt, electronics irf3205, alldatasheet, free, datasheet, datasheets.Irf511 irf512, irf5 irf510, irf511 irf512, irf5 прямая крутизна входная емкость выходная емкость общего источника обратная передаточная емкость время задержки включения время задержки включения время задержки выключения время спада диодное прямое падение напряжения irf510, irf611 irf512. Спецификация Fet 3205, перекрестная ссылка, примечания к схемам и применению в формате pdf. Irfb4610 mosfet nch 100v 73a to220ab международное техническое описание выпрямителя pdf техническое описание бесплатно из технического описания поиск интегральных схем IC, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды.Наш проект не несет ответственности за неверную или неполную информацию. Вы перешли на страницу, которая кажется очень популярной. Несколько других производителей также получили лицензию на производство этой детали. Rohs irf3205 серия rohs semiconductor nell high power products nchannel power mosfet 110a, 55volts описание nell irf3205 представляет собой трехконтактное кремниевое устройство с токопроводимостью d d 110a, быстрой скоростью переключения, низким сопротивлением, номинальным напряжением пробоя 55 В и.

Inchange полупроводниковый ISC n-канальный МОП-транзистор ISC спецификация продукта irf3205 особенности.C, 21mar11 1 это техническое описание может быть изменено без предварительного уведомления. Каталог производителей Alibaba поставщиков, производителей. Максимально безопасная рабочая зона 1 10 100 ВДС, напряжение сток-источник v 0 2000 3000 4000 5000 6000 c, емкость pf coss crss ciss vgs 0v, f 1 МГц. Данные и спецификации могут быть изменены без предварительного уведомления. Mosfet transisto эквивалентная продолжительность замены в таблице данных. Технический паспорт получен у компании Harris Semiconductor Schs021d, пересмотренный в сентябре 2003 г. Типы cd4011b, cd4012b и cd4023b поставляются в герметичных двухрядных керамических корпусах с 14 выводами, суффикс f3a, 14 выводов.Irf530npbf datasheet, irf530npbf datasheets, irf530npbf pdf, irf530npbf circuit. Irf3205 datasheetpdf 1 страница международный выпрямитель.

On semiconductor 0w3i54shw8pqdkja3f8tyzoxhsyy техническое описание, pdf. Это техническое описание может быть изменено без предварительного уведомления. Irf 9732 irfz44n эквивалент irf3710 эквивалент irf4905 эквивалент irc540 эквивалент irf 9450 irf 9734 irf5305. Irfp264 datasheet, irfp264 pdf, irfp264 data sheet, irfp264 manual, irfp264 pdf, irfp264, datenblatt, электроника irfp264, alldatasheet, free, datasheet, datasheets.Эта передовая технология была специально разработана для минимизации.

925 1449 972 1589 1475 1448 1241 749 1384 695 1492821 32 51 309 188 58 423 162 40 979 1191 370 822 557 803 125 596 667 993 726

IOR IRF3205 МОП-транзистор, трейдеры компонентов

IOR IRF3205 МОП-транзисторы, компоненты ID: 20782062573

Спецификация продукта

Номер модели IRF3205
Марка IOR
Количество выводов 3 Pin
Цвет Черный
Я продаю Новинка и подержанные
Температура 55 градусов C
Частота 50 Гц
Минимальное количество заказа 500

Описание продукта

Среди основных организаций в этой области мы занимаемся предоставлением нашим клиентам полевого МОП-транзистора IRF3205 , который пользуется большим спросом на рынке.


Заинтересовались данным товаром? Получите последнюю цену у продавца

Связаться с продавцом

Изображение продукта


О компании

Год основания 2012

Юридический статус Фирмы Физическое лицо — Собственник

Характер бизнеса Оптовый торговец

Количество сотрудников До 10 человек

Годовой оборот До рупий50 лакх

IndiaMART Участник с октября 2015 г.

GST07BEKPN2898N1ZK

Основанная в 2012 году, Components Traders поставляет интегральных схем, диодов, резисторов Smd, реле и т. Д. . Наше стремление к успеху подтверждается предлагаемыми качественными продуктами, которые снискали нам огромное признание. Мы стремимся к развитию благодаря динамичной команде людей, чтобы соответствовать самым строгим требованиям клиентов и стать лидерами завтрашнего дня.

Вернуться к началу 1

Есть потребность?
Получите лучшую цену

1

Есть потребность?
Получите лучшую цену

IRF3205 N-канальный силовой полевой МОП-транзистор

Политика возврата

Из-за типа продукции, которую мы продаем, мы принимаем ограниченный возврат.Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.

1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным дефектом, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента получения продукта, приложив соответствующие фотографии и описание. Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
2. Отправлен не тот товар

Если вы получили продукт, отличный от заказанного, пожалуйста, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.

Ограничение возврата
Мы не принимаем возврат товаров, поврежденных в результате неправильного использования. Кроме того, мы не принимаем возврат, если заказанный товар не подходит для какого-либо конкретного применения. Пожалуйста, прочтите спецификации продукта и техническое описание перед выбором и заказом продукта.
Доставка

Мы отправляем по всей Индии с фиксированной ставкой 45 индийских рупий для всех заказов на сумму менее 599 индийских рупий.Для всех заказов на сумму свыше 599 индийских рупий мы предлагаем бесплатную доставку. По любым вопросам, связанным с доставкой, обращайтесь в нашу службу поддержки по адресу [email protected]

Политика возврата

В связи с типом продукции, которую мы продаем, мы принимаем ограниченный возврат. Ниже приведены условия, при которых мы можем принять запрос на возврат.

1. Производственный брак
Если вы получили продукт с производственным дефектом, сообщите нам об этом в течение 3 дней с момента получения продукта, приложив соответствующие фотографии и описание.Как только наша служба поддержки примет возврат, мы предоставим замену или полный возврат средств, включая стоимость обратной доставки.
2. Отправлен не тот товар

Если вы получили продукт, отличный от заказанного, пожалуйста, свяжитесь с нами в течение 3 дней с момента получения продукта, сопровождая его соответствующими фотографиями и описанием.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *