Транзистор кт818 характеристики: КТ818 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Содержание

КТ818 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Технические характеристики серии транзисторов КТ818, можно определить по группе, обозначенной на корпусе. Она указана в конце маркировки буквами от А до Г (АМ-АГ). Немаловажное значение при этом имеют виды корпуса, которые будут рассмотрены ниже. Вся серия относится к низкочастотным биполярным полупроводниковым триодам большой мощности, имеющим p-n-p-структуру.

Эти устройства производятся с применением эпитаксиально-планарной технологии. Из-за неплохих выходных параметров и невысокой стоимости они были широко распространены в советское время в различных бытовых приборах: выходных каскадах УНЧ, стабилизаторах напряжения, а также различных схемах в качестве силового ключа.

Цоколевка

Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9(ТО3). Обозначение типа приводится на корпусе. Таким устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.

КТ818 распиновка

Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).

В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это с их моральным устареванием и непригодностью применения при создании новой техники. Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.

На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818(КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства – это контакт К.

Металлический корпус КТ-9 у КТ818БМ

Технические характеристики

Серия кремниевых биполярных транзисторов КТ818, в зависимости от групповой принадлежности, обладает такими максимальными эксплуатационными параметрами:

  • напряжение между выводами: К-Э – 40…90 В; К-Б – 40…90 В; Э-Б – 5 В;
  • ток коллектора:  постоянный до 10 А; импульсный до 15 А;
  • ток базы: постоянный до 3 А; импульсный до 5 А;
  • рассеиваемая мощность с использование радиатора от 60 до 100  Вт, без него  1,5-3 Вт;
  • температура перехода от +125 до +150 oC;
  • диапазон рабочих температур от -45 до +100 oC;

В техописаний транзистора, по современным меркам, данных не так много. В некоторых версиях документации отсутствует даже информация о статическом коэффициенте передачи по току H21Э – в графе стоит прочерк. Многие значения тестирования вообще не указываются. Это связано моральным устареванием серии и нежеланием современных производителей заниматься её совершенствованием, а так же разрабатывать на неё новую документацию. Электрические параметры приводятся с указанием дополнительных условий их измерения, с учетом температуры окружающей среды до +25

oC.

Электрические параметры серии КТ818

Комплементарная пара

КТ819 являются комплементарными транзисторами с n-p-n-структурой, по отношению к семейству КТ818.

Аналоги

Отечественным аналогом для серии КТ818 считается КТ816. Также рассмотрим в качестве возможных вариантов для его замены импортные транзисторы. Распределим их по группам:

для устройств в корпусе КТ-28 (ТО220):

  • А- 2N6111, BD292, 2N6132;
  • Б- 2N6132, 2SB754, BD202, BD294, BD534, BD664, BD706, BD950, BDT92, BDV92, TIP42;
  • В- 2N5194, 2N6109, 2N6133, 2SB1019, 2SB553, BD204, BD296, BD536,BDT94, BDW94, КТ816В;
  • Г-2N5195, 2N6107, 2N6134, 2SB1016, 2SB1018, BD538, BD710, BD954, BDT96,   BDV96;

для устройств в корпусе КТ-9(ТО3):

  • АМ – аналогов нет;
  • БМ -2N6469, BDW22, BDW52, BDX92, 2N6246;
  • ГМ- 2N6247, 2N6248, 2SB558, BDW22B, BDW22C, BDW52B, BDW52C, BDX18, BDX96;
  • ВМ — 2N6246, BDW22A, BDW52A, BDX94.

Маркировка

Ознакамливаясь со свойствами необходимо знать, что они так же имеют и другую, отличную от привычной маркировку. В свое время, для того чтобы выполнить условия ОСТ 11.336.919-81, производители применяли наименование 2Т818. Таким образом обозначали устройства, выпускавшиеся для нужд армии. Они имели лучшие характеристики по отношению версии КТ. При их изготовлении использовались более дорогие материалы. Для того, чтобы избежать путаницы у конечного потребителя, в новых версиях даташит приводятся оба варианта обозначений.

Производители

На российский рынок старичёк КТ818 продолжает поступать благодаря минскому предприятию «Интеграл». Сейчас такие устройства уже являются раритетом и их производство продолжает неумолимо сокращаться. Небольшие партии также изготавливаются отечественным заводом «Кремний» в г.Брянск. Рекомендуем скачать техническое описание советских времен, содержащее более полные данные.

Транзистор КТ818 — характеристики, цоколевка, параметры, аналоги

Транзистор КТ818 — отечественный кремниевый, мощный, низкочастотный транзистор с p-n-p структурой. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Изготовляется в металлическом корпусе с жесткими выводами (2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ) и пластмассовом с жесткими выводами (КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г).

Цоколевка транзистора КТ818

Характеристики транзистора КТ818

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h31э fгр., МГц
КТ818А 40 40 10 (15) 1.5 (60) 15-225 3
КТ818Б 50 50 10 (15) 1.5 (60) 20-225 3
КТ818В 70 70 10 (15) 1.5 (60) 15-225 3
КТ818Г 90 90 10 (15) 1.5 (60) 12-225 3
КТ818АМ 40 40 15 (20) 2 (100) 15-225 3
КТ818БМ 50 50 15 (20) 2 (100) 20-225 3
КТ818ВМ 70 70 15 (20) 2 (100) 15-225 3
КТ818ГМ 90 90 15 (20) 2 (100) 12-225 3
2Т818А 100 100 15 (20) 3 (100) 20-225 3
2Т818Б 80 80 15 (20) 3 (100) 20-225 3
2Т818В 60 60 15 (20) 3 (100) 20-225 3

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ818

КТ818А — 2N5193
КТ818Б — 2N6132
КТ818В — 2N5194

КТ818БМ — 2N6469
КТ818ВМ — 2N6246
КТ818ГM — 2N6247
2Т818А — BD292
2Т818Б — BD202
2Т818В — BD177

Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.


Транзисторы КТ825

Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах. Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.

КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока — У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в.
У транзисторов КТ825Е — 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в.
У транзисторов КТ825Г —

70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.

Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.

Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт.
Без радиатора — 3 Вт.

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе коллектора 10 А и базовом токе 40 мА
3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА — не более 2в.

Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.

Граничная частота передачи тока 4 МГц.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ825

КТ825Г — 2N6051.
КТ825Д — 2N6050.
КТ825Е — BDX64.
КТ825ГM — 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б — 2N6286.
2Т825А — TIP147, TIP142

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х? образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться выпаять необходимые транзисторы из ее схем.
Например, транзисторы КТ818(вместе с КТ819) можно обнаружить в выходных каскадах усилителей «Амфитон», «Вега», «Эстония», «Ода».

На главную страницу

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распространению в странах СНГ.

В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металлическом корпусе.

КТ819 , 2Т819 — кремниевый транзистор структуры n-p-n.

кремниевый транзистор, n-p-n

Рис. 1. Изображение транзистора КТ819 на принципиальных схемах.

КТ819 (А...Г), 2Т819 (А2...В2) размеры и цоколевка

Рис. 2. КТ819 (А…Г), 2Т819 (А2…В2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

КТ819 (АМ...ГМ), 2Т819 (А...В) размеры и цоколевка

Рис. 3. КТ819 (АМ…ГМ), 2Т819 (А…В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ819:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
    при T = 25°C                        
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКЭ
(UКБ),
В
IК (IЭ), А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ819А 10 15 25   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819Б 10 15 40   5 60 25 125 100 20 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819В 10 15 60   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819Г 10 15 80   5 60 25 125 100 12 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819АМ 15 20 25   5 100 25 125 100 15 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819БМ 15 20 40   5 100 25 125 100 20 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819ВМ 15 20 60   5 100 25 125 100 15 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819ГМ 15 20 80   5 100 25 125 100 12 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
2Т819А 15 20 80 100 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819Б 15 20 60 80 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819В 15 20 40 60 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819А2 15 20 80 100 5 40

Характеристики транзисторов кт818, аналоги, цоколевка

КТ818 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты.

Зарубежный аналог КТ818

  • В некоторых случаях можно заменить на TIP42C (расположение выводов другое, ток меньше и т.д.)

Особенности

  • Комплиментарная пара – КТ819

Корпусное исполнение и цоколевка КТ818

  • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)

Характеристики транзистора КТ818

Предельные параметры КТ818

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

  • КТ818А — 10 А
  • КТ818Б — 10 А
  • КТ818В — 10 А
  • КТ818Г — 10 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

  • КТ818А — 15 А
  • КТ818Б — 15 А
  • КТ818В — 15 А
  • КТ818Г — 15 А

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю (UКЭ0 гр) при Тп = 25° C:

  • КТ818А — 25 В
  • КТ818Б — 40 В
  • КТ818В — 60 В
  • КТ818Г — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:

  • КТ818А — 5 В
  • КТ818Б — 5 В
  • КТ818В — 5 В
  • КТ818Г — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (PК max) при Тк = 25° C:

  • КТ818А — 60 Вт
  • КТ818Б — 60 Вт
  • КТ818В — 60 Вт
  • КТ818Г — 60 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

  • КТ818А — 125 ° C
  • КТ818Б — 125 ° C
  • КТ818В — 125 ° C
  • КТ818Г — 125 ° C

Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):

  • КТ818А — 100 ° C
  • КТ818Б — 100 ° C
  • КТ818В — 100 ° C
  • КТ818Г — 100 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ818 при Тп = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 5 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 5 А:

  • КТ818А — 15
  • КТ818Б — 20
  • КТ818В — 15
  • КТ818Г — 12

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)

  • КТ818А — 2 В
  • КТ818Б — 2 В
  • КТ818В — 2 В
  • КТ818Г — 2 В

Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

  • КТ818А — 1 мА
  • КТ818Б — 1 мА
  • КТ818В — 1 мА
  • КТ818Г — 1 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ818А — 3 МГц
  • КТ818Б — 3 МГц
  • КТ818В — 3 МГц
  • КТ818Г — 3 МГц

Емкость коллекторного перехода (CК)

  • КТ818А — 1000 пФ
  • КТ818Б — 1000 пФ
  • КТ818В — 1000 пФ
  • КТ818Г — 1000 пФ

Время выключения биполярного транзистора (tвыкл)

  • КТ818А — 2,5 мкс
  • КТ818Б — 2,5 мкс
  • КТ818В — 2,5 мкс
  • КТ818Г — 2,5 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)

  • КТ818А — 1,67 ° C/Вт
  • КТ818Б — 1,67 ° C/Вт
  • КТ818В — 1,67 ° C/Вт
  • КТ818Г — 1,67 ° C/Вт

Опубликовано 05.02.2020

DC-DC понижающий преобразователь — ссылка на товар.

Транзистор КТ818 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ818А BD292, BD202, 2N6132 *2, TIP42 *2
КТ818Б BD202, BDT92, 40876, BD664, 

BD244 *2, BD246 *2

КТ818В BD204, BDT94, RCA1C08, 

BD500A,  BD244A *2

КТ818Г BD538, BDT96, BD500B *2, NTE197 *2, ECG197 *2, BDW22B *3, BD710, BD244B *2
КТ818АМ 2N6469, BDW52, MJ2901
КТ818БМ BDW22, BDX92, 2N6469, BDW52
КТ818ВМ BDW52A, 2N5867, 2N6246 *2, BDX18N, 2N5879, BDW52A, 

MJ2940 *2, 2N5875 *2, 2N4908 *2, BDX92 *2

КТ818ГМ BDW22C, BDX18, SM2183 *1, АР1119, BD910 *1, BD710 *3, BDW22B *2
КТ818А-1 BD546C, MJE1290 *1, TIP34F *3
КТ818Б-1 BD546B, BD906 *3, BDW52 *1, BD706 *1, BD664 *3, TIP74 *3
КТ818В-1 BD546A, BD908, BD500A, 

BD708 *2, BD244A *2

КТ818Г-1 BD546, АР1119 *1, BD910, BD710 *2, SM2183
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ818А 60* Вт
КТ818Б 60*
КТ818В 60*
КТ818Г 60*
КТ818АМ 100*
КТ818БМ 100*
КТ818ВМ 100*
КТ818ГМ 100*
КТ818А-1 100*
КТ818Б-1 100*
КТ818В-1 100*
КТ818Г-1 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ818А(М,-1) ≥3 МГц
КТ818Б(М,-1) ≥3
КТ818В(М,-1) ≥3
КТ818Г(М,-1) ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ818А(М,-1) 0.1к 40* В
КТ818Б(М,-1) 0.1к 50*
КТ818В(М,-1) 0.1к 70*
КТ818Г(М,-1) 0.1к 90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ818А(М,-1) 5 В
КТ818Б(М,-1) 5
КТ818В(М,-1) 5
КТ818Г(М,-1) 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ818А 10(15*) А
КТ818Б 10(15*)
КТ818В 10(15*)
КТ818Г 10(15*)
КТ818АМ(-1) 15(20*)
КТ818БМ(-1) 15(20*)
КТ818ВМ(-1) 15(20*)
КТ818ГМ(-1) 15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ818А(М,-1) 40 В ≤1 мА
КТ818Б(М,-1) 40 В ≤1
КТ818В(М,-1) 40 В ≤1
КТ818Г(М,-1) 40 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ818А(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ818Б(М,-1) 5 В; 5 А ≥20*
КТ818В(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ818Г(М,-1) 5 В; 5 А ≥12*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ818А(М,-1) 5 В ≤1000 пФ
КТ818Б(М,-1) 5 В ≤1000
КТ818В(М,-1) 5 В ≤1000
КТ818Г(М,-1) 5 В ≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ818А(М) ≤0.27 Ом, дБ
КТ818Б(М) ≤0.27
КТ818В(М) ≤0.27
КТ818Г(М) ≤0.27
КТ818А-1 ≤0.4
КТ818Б-1 ≤0.4
КТ818В-1 ≤0.4
КТ818Г-1 ≤0.4
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ818А(М,-1) Дб, Ом, Вт
КТ818Б(М,-1)
КТ818В(М,-1)
КТ818Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ818А(М,-1) ≤2500** пс
КТ818Б(М,-1) ≤2500**
КТ818В(М,-1) ≤2500**
КТ818Г(М,-1) ≤2500**

КТ818, 2Т818 — биполярный кремниевый PNP транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


Основные технические параметры транзистора КТ818, 2Т818

Модель Максимальные параметры Параметры при температуре = 25°C RТ п-к, °C/ватт
    при температуре =25°C                        
IК, макс, ампер IК и, макс, ампер UКЭ0 гран, вольт UКБ0 макс, вольт UЭБ0 макс, вольт PК макс, ватт TК, °C Tп макс, °C TК макс, °C h21Э UКЭ
(UКБ),
вольт
IК(IЭ), ампер UКЭ насыщ, вольт IКБ0, мАмпер fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ818А 10 15 25   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818Б 10 15 40   5 60 25 125 100 20 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818В 10 15 60   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818Г 10 15 80   5 60 25 125 100 12 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818АМ 15 20 25   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818БМ 15 20 40   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ВМ 15 20 60   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ГМ 15 20 80   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
2Т818А 15 20 80 100 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818Б 15 20 60 80 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818В 15 20 40 60 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818А2 15 20 80 100 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818Б2 15 20 60 80 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818В2 15 20 40 60 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13

Обозначение на схеме КТ818, 2Т818

 

Цоколёвка транзистора КТ818, 2Т818

Цоколёвка транзистора КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ

Внешний вид транзистора на примере КТ818А

 

Внешний вид транзистора на примере  КТ818ГМ

КТ818 характеристики транзистора, паспорт, цоколевка и аналоги

Технические характеристики серии транзисторов КТ818, можно определить по группе, обозначенной на корпусе. Она указана в конце маркировки буквами от А до Г (АМ-АГ). Немаловажное значение при этом имеют виды корпуса, которые будут рассмотрены ниже. Вся серия относится к низкочастотным биполярным полупроводниковым триодам большой мощности, имеющим p-n-p-структуру.

Эти устройства производятся с применением эпитаксиально-планарной технологии.Из-за неплохих выходных параметров и невысокой стоимости они были широко распространены в различных бытовых приборах: выходных каскадах УНЧ, стабилизаторах напряжения, а также различных схемах в качестве силового ключа.

Цоколевка

Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9 (ТО3). Обозначение типа на корпусе.Такое устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.

КТ818 распиновка

Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).

В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это устаревшим устареванием и непригодностью применения при создании новой техники.Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.

На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818 (КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства — это контакт К.

Металлический корпус КТ-9 у КТ818БМ

Технические характеристики

Серия кремниевых биполярных транзисторов КТ818, в зависимости от групповых характеристик, обладает такими максимальными эксплуатационными параметрами:

  • напряжение между выводами: К-Э — 40… 90 В; К-Б — 40… 90 В; Э-Б — 5 В;
  • ток коллектора: постоянный до 10 А; импульсный до 15 А;
  • ток базы: постоянный до 3 А; импульсный до 5 А;
  • рассеиваемая мощность с использованием радиатора от 60 до 100 Вт, без него 1,5-3 Вт;
  • температура перехода от +125 до +150 o С;
  • диапазон рабочих температур от -45 до +100 o C;

В техописаний транзистора, по современным меркам, данных не так много.В некоторых версиях документации отсутствует даже информация о статическом коэффициенте передачи по току H 21Э — в графе стоит прочерк. Многие значения тестирования вообще не указываются. Это морально устаревшая система устаревания, несовместимая с современными производителями, ее совершенствованием, а так же разрабатывать новую документацию. Электрические параметры приводятся с указанием дополнительных условий их измерения с учетом температуры окружающей среды до +25 o C.

Электрические параметры серии КТ818

Комплементарная пара

КТ819 являются комплементарными транзисторами с n-p-n-структурой, по отношению к семейству КТ818.

Аналоги

Отечественным аналогом для серии КТ818 считается КТ816. Также рассмотрим в качестве вариантов его замены импортные транзисторы. Распределим их по группам:

для устройств в корпусе КТ-28 (ТО220):

  • А- 2Н6111, БД292, 2Н6132;
  • Б- 2N6132, 2SB754, BD202, BD294, BD534, BD664, BD706, BD950, BDT92, BDV92, TIP42;
  • В- 2N5194, 2N6109, 2N6133, 2SB1019, 2SB553, BD204, BD296, BD536, BDT94, BDW94, КТ816В;
  • Г-2N5195, 2N6107, 2N6134, 2SB1016, 2SB1018, BD538, BD710, BD954, BDT96, BDV96;

для устройств в корпусе КТ-9 (ТО3):

  • АМ — аналогов нет;
  • БМ -2N6469, BDW22, BDW52, BDX92, 2N6246;
  • ГМ- 2N6247, 2N6248, 2SB558, BDW22B, BDW22C, BDW52B, BDW52C, BDX18, BDX96;
  • ВМ — 2N6246, BDW22A, BDW52A, BDX94.

Маркировка

Ознакамливаясь со свойствами необходимо знать, что они так же имеют и другую, отличную от привычной маркировку. В свое время, чтобы выполнить условия ОСТ 11.336.919-81, производители наименование 2Т818. Таким образом обозначали устройства, выпускавшиеся для нужд армии. Они имели лучшие характеристики по отношению к версии КТ. При их изготовлении использовались более дорогие материалы. Для того, чтобы избежать путаницы у конечного потребителя, в новых версиях даташит приводятся оба варианта обозначений.

Производители

На российский рынок старичёк КТ818 продолжает поступать благодаря минскому предприятию «Интеграл». Сейчас такие устройства уже являются раритетом и их производство продолжает неумолимо сокращаться. Небольшие партии также изготавливаются отечественным заводом «Кремний» в г.Брянск. Рекомендуем скачать техническое описание советских времен, содержащее более полные данные.

.

Транзистор КТ818 — характеристики, цоколевка, параметры, аналоги

Транзистор КТ818 — отечественный кремниевый, мощный, низкочастотный транзистор с p-n-p структурой. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройств. Изготовляется в металлическом корпусе с жесткими выводами (2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ) и пластмассовым с жесткими выводами (КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г).

Цоколевка транзистора КТ818

Характеристики транзистора КТ818

Транзистор Uкбо (и), В Uкэо (и), В Iкmax (и), А Pкmax (т), Вт х31э фгр., МГц
КТ818А 40 40 10 (15) 1,5 (60) 15-225 3
КТ818Б 50 50 10 (15) 1,5 (60) 20-225 3
КТ818В 70 70 10 (15) 1.5 (60) 15-225 3
КТ818Г 90 90 10 (15) 1,5 (60) 12-225 3
КТ818АМ 40 40 15 (20) 2 (100) 15-225 3
КТ818БМ 50 50 15 (20) 2 (100) 20-225 3
КТ818ВМ 70 70 15 (20) 2 (100) 15-225 3
КТ818ГМ 90 90 15 (20) 2 (100) 12-225 3
2Т818А 100 100 15 (20) 3 (100) 20-225 3
2Т818Б 80 80 15 (20) 3 (100) 20-225 3
2Т818В 60 60 15 (20) 3 (100) 20-225 3

Uкбо (и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо (и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax (и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax (т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора по схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота передачи тока в схеме с общей эмиттерной частотой

Аналоги транзистора КТ818

КТ818А — 2Н5193
КТ818Б — 2Н6132
КТ818В — 2Н5194
КТ818БМ — 2Н6469
КТ818ВМ — 2Н6246
КТ818ГМ — 2Н6247
2Т818А — БД292
2Т818Б — БД202
2Т818В — БД177

.

Транзистор КТ818 — Паспорт

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ818А BD292, BD202, 2N6132 * 2 , TIP42 * 2
КТ818Б BD202, BDT92, 40876, BD664,

BD244 * 2 , BD246 * 2

КТ818В BD204, BDT94, RCA1C08,

BD500A, BD244A * 2

КТ818Г BD538, BDT96, BD500B * 2 , NTE197 * 2 , ECG197 * 2 , BDW22B * 3 , BD710, BD244B * 2
КТ818АМ 2N6469, BDW52, MJ2901
КТ818БМ BDW22, BDX92, 2N6469, BDW52
КТ818ВМ BDW52A, 2N5867, 2N6246 * 2 , BDX18N, 2N5879, BDW52A,

MJ2940 * 2 , 2N5875 * 2 , 2N4908 * 2 , BDX92 * 2

КТ818ГМ BDW22C, BDX18, SM2183 * 1 , АР1119, BD910 * 1 , BD710 * 3 , BDW22B * 2
КТ818А-1 BD546C, MJE1290 * 1 , TIP34F * 3
КТ818Б-1 BD546B, BD906 * 3 , BDW52 * 1 , BD706 * 1 , BD664 * 3 , TIP74 * 3
КТ818В-1 BD546A, BD908, BD500A,

BD708 * 2 , BD244A * 2

КТ818Г-1 BD546, АР1119 * 1 , BD910, BD710 * 2 , SM2183
Структура п-н-п
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора P K макс, P * K, τ макс , P ** K, и макс КТ818А 60 * Вт
КТ818Б 60 *
КТ818В 60 *
КТ818Г 60 *
КТ818АМ 100 *
КТ818БМ 100 *
КТ818ВМ 100 *
КТ818ГМ 100 *
КТ818А-1 100 *
КТ818Б-1 100 *
КТ818В-1 100 *
КТ818Г-1 100 *
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером f гр, f * h31б, f ** h31э, f *** max КТ818А (М, -1) ≥3 МГц
КТ818Б (М, -1) ≥3
КТ818В (М, -1) ≥3
КТ818Г (М, -1) ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера У КБО проб., У * КЭР проб., У ** КЭО проб. КТ818А (М, -1) 0,1к 40 * В
КТ818Б (М, -1) 0,1к 50 *
КТ818В (М, -1) 0,1к 70 *
КТ818Г (М, -1) 0,1к 90 *
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора У ЭБО проб., КТ818А (М, -1) 5 В
КТ818Б (М, -1) 5
КТ818В (М, -1) 5
КТ818Г (М, -1) 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора I К макс, I * К, и макс КТ818А 10 (15 *) А
КТ818Б 10 (15 *)
КТ818В 10 (15 *)
КТ818Г 10 (15 *)
КТ818АМ (-1) 15 (20 *)
КТ818БМ (-1) 15 (20 *)
КТ818ВМ (-1) 15 (20 *)
КТ818ГМ (-1) 15 (20 *)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутый вывод эмиттера И КБО , И * КЭР , И ** КЭО КТ818А (М, -1) 40 В ≤1 мА
КТ818Б (М, -1) 40 В ≤1
КТ818В (М, -1) 40 В ≤1
КТ818Г (М, -1) 40 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h 21э , h * 21Э КТ818А (М, -1) 5 В; 5 А ≥15 *
КТ818Б (М, -1) 5 В; 5 А ≥20 *
КТ818В (М, -1) 5 В; 5 А ≥15 *
КТ818Г (М, -1) 5 В; 5 А ≥12 *
Емкость коллекторного перехода с к , с * 12э КТ818А (М, -1) 5 Â ≤1000 пФ
КТ818Б (М, -1) 5 Â ≤1000
КТ818В (М, -1) 5 Â ≤1000
КТ818Г (М, -1) 5 Â ≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером r КЭ нас , r * БЭ нас, К ** у.р. КТ818А (М) ≤0,27 Ом, дБ
КТ818Б (М) ≤0,27
КТ818В (М) ≤0,27
КТ818Г (М) ≤0,27
КТ818А-1 ≤0.4
КТ818Б-1 ≤0,4
КТ818В-1 ≤0,4
КТ818Г-1 ≤0,4
Коэффициент шума транзистора К ø , r * б , P ** вых КТ818А (М, -1) Дб, Ом, Вт
КТ818Б (М, -1)
КТ818В (М, -1)
КТ818Г (М, -1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τ к , т * рас , т ** выкл , т *** пк (нс) КТ818А (М, -1) ≤2500 ** пс
КТ818Б (М, -1) ≤2500 **
КТ818В (М, -1) ≤2500 **
КТ818Г (М, -1) ≤2500 **
.

KT818 Лист данных | ETC — Datasheetspdf.com


Деталь КТ818
Описание линейный транзистор
Элемент www.DataSheet.in www.DataSheet.in .
Производство ETC
Лист данных Загрузить KT818 Лист данных

www.DataSheet.in www.DataSheet.in kt818 Лист данных
kt818A Лист данных
kt818AM Лист данных
kt818B Лист данных
kt818BM Лист данных
Транзисторы биполярные p-n-p большой мощности низкой и средн kt818G Лист данных

.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *