13009 транзистор параметры и его характеристики
Чем является 13009 транзистор? Параметры аппарата и его характеристики будут рассмотрены далее. Что он собой представляет, для чего используется? Каковы все его места применения и лучшие способы использования? Маленький и удобный аппарат в ваших руках может сделать именно то, что требуется.
Что такое транзистор?
Транзистор представляет собой радиоэлектронный компонент, созданный из материала полупроводникового характера. Обычно в нем имеется три вывода, он способен, используя небольшой входной сигнал, управлять весомым количеством тока в выходной цепи. Его можно использовать ради усилений, генерирования, коммутаций и преобразований электрического сигнала разных видов. Сейчас транзистор можно считать основным аппаратом, подавляющим большинство электронных устройств.
Транзистор 13009: характеристики
Теперь о характеристиках устройства. Ниже приведены параметры транзистора 13009. Сам по себе он имеет кремниевую структуру n-p-n, а также относится к мощным высоковольтным переключающим аппаратам. Это устройство используется в электронных трансформаторах, транзистор замечен в преобразователе напряжения, приводе и регуляторе. Параметры транзистора 13009 делают его достаточно востребованным. Аппарат имеет корпус ТО-220. Взглянув на него, можно узнать, какого типа прибор находится в руках пользователя.
Транзистор 13009: параметры
Наиболее важными параметрами являются значения коэффициента передачи тока (от 10 и до 60). Граничной частотой передачи всегда будут 4 МГц. Максимальным напряжением коллектора-эмиттера будет целых 400 ватт. Максимальное значение тока коллектора в виде переменного — 8 А, в виде постоянного — 4 А. Сами транзисторы этой модели отличаются своей мощностью, низкочастотностью и высоковольтностью, а также структурностью. Корпус сделан из пластика.
Имеется на корпусе буквенно-цифровая маркировка. Это и были параметры транзистора 13009.
Характеристики транзистора MJE13009, цоколевка, аналоги
MJE13009 — Кремниевые NPN Силовые Транзисторы.
Отечественный аналог MJE13009
Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.
Корпусное исполнение, цоколевка MJE13009
- пластмассовый корпус TO-220С
№1 — База
№2 — Коллектор
№3 — Эмиттер
Характеристики транзистора MJE13009
Предельные параметры MJE13009
Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO):
Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO):
Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO):
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICM):
Ток эмиттера (IE):
Импульсный ток эмиттера (IEM):
Ток базы (IB):
Импульсный ток базы (IBM):
Общая рассеиваемая мощность (P
Максимально допустимая температура перехода (Tj):
Температура хранения (Tstg):
Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Тj=25oС если не указано иное)
Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (VCEO(sus))
- 400 V при IC = 10 mA, IB = 0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))
- 1 V при IC = 5 A, IB = 1 A
- 1.5 V при IC = 8 A, IB = 1.6 A
- 3 V при IC = 12 A, IB = 3 A
Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE(sat))
- 1.2 V
- 1.6 V при IC = 8 A, IB = 1.6 A
Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)
Коэффициент усиления транзистора по току(hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 5 V:
- 8 — 40 при IC = 5 A
- 6 — 30 при IC = 8 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT)
- 4 MHz при IC = 0.5 A, VCE = 10 V, f = 1MHz
Опубликовано 11.02.2020
Транзистор MJE13009 — DataSheet
Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле
Особенности
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Аналоги: BUJ106A
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Коллектор |
Цоколевка транзистора MJE13005, MJE13007. MJE13009
| Обозначение | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| Vceo | Напряжение коллектор-эмиттер | — | — | — | 400 | В |
| Vebo | Напряжение эмиттер-база | — | — | 9 | В | |
| Ic | Ток коллектора постоянный | — | — | — | 12 | А |
| Icm | Ток коллектора импульсный | — | — | — | 24 | А |
| Ib | Ток базы | — | — | — | 6 | А |
| Ibm | Ток базы импульсный | — | — |
— | 12 | А |
| Pc | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Т = 25°С | — | — | 100 | Вт |
| Iebo | Обратный ток эмиттера | Veb = 9 В, Ic = 0 А | — | — | 1 | мА |
| hFE | Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ | Vce = 5 В, Ic = 5 А | 8 | — |
40 | |
| Vce = 5 В, Ic = 8 А | 6 | — | 30 | |||
| Vce_sat | Напряжение насыщения К-Э | Ic = 5 А, Ib = 1 А | — | — | 1 | В |
| Ic = 8 А, Ib = 1.6 А | — | — | 1.5 | В | ||
| Ic = 12 А, Ib = 3 А | — | — |
3 | В | ||
| Vbe_sat | Напряжение насыщения Б-Э | Ic = 5 А, Ib = 1 А | — | — | 1.2 | В |
| Ic = 8 А, Ib = 1.6 А | — | — | 1.6 | В | ||
| Cob | Выходная емкость | Vcb = 10 В,f = 0.1 МГц | — | 180 | — |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
аналоги, чем заменить, характеристики, аналог
Аналоги транзистора 13009:
| Type | Mat | Struct | Pc | Ucb | Uce | Ueb | Ic | Tj | Ft | Hfe | Caps |
| 3DD13009A8 | Si | NPN | 100,00 | 700,00 | 400,00 | 12,00 | 150,00 | 4,00 | 20,00 | TO220AB | |
| 3DD13009C8 | Si | NPN | 100,00 | 700,00 | 400,00 | 9,00 | 12,00 | 150,00 | 5,00 | 20,00 | TO220AB |
| 3DD13009_A8 | Si | NPN | 100,00 | 700,00 | 400,00 | 9,00 | 12,00 | 150,00 | 4,00 | 20,00 | TO220AB |
| 3DD13009_C8 | Si | NPN | 100,00 | 700,00 | 400,00 | 9,00 | 12,00 | 150,00 | 5,00 | 20,00 | TO220AB |
| 3DD13012A8 | Si | NPN | 750,00 | 400,00 | 10,00 | 15,00 | 150,00 | 5,00 | 20,00 | TO220AB | |
| 3DD13012_A8 | Si | NPN | 100,00 | 750,00 | 400,00 | 10,00 | 15,00 | 150,00 | 5,00 | 15,00 | TO220AB |
| 13009,00 | Si | NPN | 100,00 | 700,00 | 400,00 | 9,00 | 12,00 | 150,00 | 4,00 | 15,00 | TO220 |
| 13009A | Si | NPN | 110,00 | 700,00 | 400,00 | 9,00 | 12,00 | 150,00 | 4,00 | 15,00 | TO220 |
| BUL743 | Si | NPN | 100,00 | 1200,00 | 500,00 | 15,00 | 12,00 | 150,00 | 24,00 | TO220 | |
| ECG379 | Si | NPN | 100,00 | 700,00 | 400,00 | 12,00 | 175,00 | 4,00 | 20,00 | TO220 | |
| MJE13009D | Si | NPN | 100,00 | 700,00 | 400,00 | 9,00 | 12,00 | 150,00 | 4,00 | 40,00 | TO220 |
| 3DD13012A8 | Si | NPN | 100,00 | 750,00 | 400,00 | 10,00 | 15,00 | 150,00 | 5,00 | 20,00 | |
| 3DD13012_A8 | Si | NPN | 100,00 | 750,00 | 400,00 | 10,00 | 15,00 | 150,00 | 5,00 | 15,00 | TO220AB |
| 13009SDL | Si | NPN | 100,00 | 400,00 | 200,00 | 9,00 | 15,00 | 150,00 | 4,00 | 15,00 | TO220 |
| BUT62 | Si | NPN | 125,00 | 400,00 | 300,00 | 15,00 | 200,00 | 40,00 | TO220 | ||
| 2SD1930 | Si | NPN | 1.2 | 100,00 | 2,00 | 150,00 | TO92 | ||||
| 2SD1931 | Si | NPN | 1.2 | 60,00 | 2,00 | 150,00 | TO92 | ||||
| 2SD1981 | Si | NPN | 1,00 | 100,00 | 80,00 | 6,00 | 2,00 | 150,00 | TO92 | ||
| 2SD2206A | Si | NPN | 0.9 | 120,00 | 2,00 | TO92MOD | |||||
| 3DG2500 | Si | NPN | 0.9 | 30,00 | 10,00 | 6,00 | 2,00 | 150,00 | 150,00 | 27,00 | TO92L |
| BTC2655K3 | Si | NPN | 0.9 | 120,00 | 60,00 | 7,00 | 2,00 | 150,00 | 250,00 | 13,00 | TO92L |
| CE1N2R | Si | NPN | 1,00 | 60,00 | 60,00 | 15,00 | 2,00 | 150,00 | TO92 | ||
| CE2F3P | Si | NPN | 1,00 | 60,00 | 60,00 | 15,00 | 2,00 | 150,00 | TO92 | ||
| KSC2500 | Si | NPN | 0.9 | 30,00 | 10,00 | 6,00 | 2,00 | 150,00 | 150,00 | 27,00 | TO92 |
| KSC2500A | Si | NPN | 0.9 | 30,00 | 10,00 | 6,00 | 2,00 | 150,00 | 150,00 | 27,00 | TO92 |
| KSC2500B | Si | NPN | 0.9 | 30,00 | 10,00 | 6,00 | 2,00 | 150,00 | 150,00 | 27,00 | TO92 |
| KSC2500C | Si | NPN | 0.9 | 30,00 | 10,00 | 6,00 | 2,00 | 150,00 | 150,00 | 27,00 | TO92 |
| KSC2500D | Si | NPN | 0.9 | 30,00 | 10,00 | 6,00 | 2,00 | 150,00 | 150,00 | 27,00 | TO92 |
| KTD1145 | Si | NPN | 1,00 | 20,00 | 5,00 | 175,00 | TO92 |
Автор: Редакция сайта
Транзистор MJE13009 — Лист данных
Кремниевый n-p-n эпитаксиальный планарный транзистор для импульсных источников питания и схем управления моторами и реле
Особенности
- Мощный высоковольтный транзистор с высокой скоростью переключения.
- Аналоги: BUJ106A
| Вывод | Назначение |
|
| 1 | База | |
| 2 | Коллектор | |
| 2 | Эмиттер | |
| Корпус | Коллектор |
| Обозначение | Параметр | Условия | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. |
| V генеральный директор | Напряжение коллектор-эмиттер | – | – | – | 400 | В |
| В ebo | Напряжение эмиттер-база | – | – | – | 9 | В |
| I c | Ток коллектора постоянный | – | – | – | 12 | А |
| I см | Ток коллектора импульсный | – | – | – | 24 | А |
| I b | Ток базы | – | – | – | 6 | А |
| I BM | Ток базы импульсный | – | – | – | 12 | А |
| п в | Мощность, рассеиваемая на коллекторе | Т = 25 ° С | – | – | 100 | Вт |
| I ebo | Обратный ток эмиттера | В eb = 9 В, I c = 0 А | – | – | 1 | мА |
| ч FE | Коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ | В ce = 5 В, I c = 5 А | 8 | – | 40 | |
| В ce = 5 В, I c = 8 А | 6 | – | 30 | |||
| В ce_sat | Напряжение насыщения К-Э | I c = 5 А, I b = 1 А | – | – | 1 | В |
| I c = 8 А, I b = 1.6 А | – | – | 1,5 | В | ||
| I c = 12 А, I b = 3 А | – | – | 3 | В | ||
| В be_sat | Напряжение насыщения Б-Э | I c = 5 А, I b = 1 А | – | – | 1.2 | В |
| I c = 8 А, I b = 1,6 А | – | – | 1,6 | В | ||
| С об | Выходная емкость | В cb = 10 В, f = 0,1 МГц | – | 180 | – | пФ |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl + Enter .
.13009 транзистор параметры и его характеристики
Чем является 13009 транзистор? Параметры аппарата и его характеристики будут рассмотрены далее. Что он собой представляет, для чего используется? Каковы все его места применения и лучшие способы использования? Маленький и удобный аппарат в ваших руках может сделать именно то, что требуется.
Что такое транзистор?
Транзистор представляет собой радиоэлектронный компонент, созданный из материала полупроводникового характера.Обычно имеется три вывода, он способен, небольшой входной сигнал, управлять весомым током в выходной цепи. Его можно использовать ради усилений, генерирования, коммутаций и преобразований электрического сигнала разных видов. Сейчас транзистор можно считать основным аппаратом, подавляющим большинством электронных устройств.
Транзистор 13009: характеристики
Теперь о характеристиках устройства. Ниже приведены параметры транзистора 13009. Сам по себе он имеет кремниевую структуру n-p-n, а также относится к мощным высоковольтным переключающим аппаратам.Это устройство используется в электронных трансформаторах, транзистор замечен в преобразователе напряжения, приводе и регуляторе. Параметры транзистора 13009 делают его достаточно востребованным. Аппарат имеет корпус ТО-220. Взглянув на него, можно узнать, какого типа прибор находится в руках пользователя.
Транзистор 13009: параметры
Наиболее важными значениями коэффициента передачи тока (от 10 и до 60). Граничной частоты передачи всегда будут 4 МГц.Максимальным напряжением коллектора-эмиттера будет целых 400 ватт. Максимальное значение тока коллектора в виде переменного — 8 А, в виде постоянного — 4 А. С транзисторами этой модели отличаются своей мощностью, низкочастотной и высоковольтностью, а также структурностью. Корпус сделан из пластика.
Имеется на корпусе буквенно-цифровая маркировка. Это и были параметры транзистора 13009.
.