Маркировка импортных полевых транзисторов: Маркировка радиоэлементов (импортных, активных) « РадиоГазета – принципиальные схемы для меломанов и аудиофилов

Содержание

Маркировка радиоэлементов (импортных, активных) « РадиоГазета – принципиальные схемы для меломанов и аудиофилов

Опубликовано: 18 сентября, 2017 • Рубрика: Разное

В последние годы производители полупроводников оптимизировали номенклатуру своих изделий, и количество предлагаемых устройств несколько сократилось. Однако, это трудно заметить при просмотре каталогов компонентов, где количество различных устройств только одного типа может составлять не менее нескольких сотен. Для крупного, профессионального поставщика в каталогах будет доступно несколько тысяч полупроводников.

Именно поэтому при подборе элементов даже опытным радиоинженерам следует проявлять осторожность, потому что легко ошибиться, когда имеется так много компонентов одного типа, многие из которых имеют схожую маркировку. Иначе вы рискуете купить неправильный прибор/компонент или правильный компонент, но неправильную его версию.

Анатомия маркировки

Ошибок не будет, если вы понимаете основную анатомию маркировки полупроводникового компонента.

Конечно, всех проблем это не решит, но три составные части маркировки надо знать обязательно.

Обычно в маркировке есть префикс, который предоставляет некоторую базовую информацию об устройстве, но используемые методы кодирования очень просты и никогда не рассказывают вам о конкретном устройстве. Однако при покупке компонентов префикс может быть (и довольно часто) очень важен.

Вторая часть является основной (как бы серийный номер изделия) и имеет три или четыре цифры.

Третья часть – суффикс, предоставляет некоторую дополнительную информацию об устройстве, но он не всегда присутствует, особенно у транзисторов и диодов. Он необходим только при наличии двух или более

разных версий устройства.

Опять же, это важно при покупке компонентов, и вы можете легко получить неправильную версию, если у устройства будет неправильный суффикс. Есть много примеров идентичных устройств, которые имеют разные суффиксы.

Менеджмент «среднего звена»

Основная часть – это наиболее простая часть маркировки полупроводниковых элементов. Первое устройство такого типа, которое должно быть зарегистрировано, может иметь номер «0001», следующий — «0002» и т. д.

На практике это работает не совсем так, и некоторые производители транзисторов начинают маркировку своих изделий с «100», а не «001». Но это и не важно.

Существенным недостатком такого метода маркировки является наличие большего числа полупроводниковых приборов, чем доступных номеров (3-х или 4-х значных).

Для примера, устройство, промаркированное «555», может быть популярной интегральной схемой таймера (ИС), транзистором с европейским типом номера и, возможно, чем-то другим, например, другим типом интегральной схемы или оптическим устройством.

Таким образом, базовая числовая маркировка важна, но сама по себе недостаточна для точной идентификации элемента.

Чтобы выбрать подходящий элемент нужно обязательно обращать внимание и на другие части маркировки.

Начать с начала

Первая часть маркировки (префикс) выполняет две функции, и для европейских производителей эта часть маркировки даёт некоторую базовую информацию о типе устройства. Она чем-то похожа и берёт истоки у маркировки вакуумных ламп, но применительно к твёрдотельным устройствам первая буква указывает на тип используемого полупроводникового материала или тип интегральной схемы:

*Первый символ*	*Тип элемента*
A	Германий
B	Кремний
C	Арсенид галия
F	Интегральная логическая схема
R	Фотоэлемент
S	Цифровая интегральная схема
T	Линейная интегральная схема

Вторая буква указывает тип устройства, так как в таблице 2.

*Второй символ*	*Тип прибора*
A	Сигнальный диод
B	Варикап
C	Маломощный транзистор для аудио
D	Мощный транзистор для аудио
E	Туннельный диод
F	Маломощный высокочастотный транзистор
L	Мощный высокочастотный транзистор
P	Фототранзистор
S	Транзистор для ключевых схем
T	Тиристор
Y	Фильтр
Z	Стабилитрон

Заметим, что элементы для промышленных применений имеют в маркировке три буквы.

Для примера, BC550 представляет собой небольшой кремниевый транзистор для аудио или других низкочастотных приложений, в то время как BF181 представляет собой маломощный кремниевый транзистор для использования на радиочастотах.

На один меньше

Простые полупроводники американских производителей маркируются по системе JEDEC (Joint Electron Devices Engineering Council) и имеют префикс, состоящий из цифры, за которой следует буква N . Цифра на единицу меньше количества выводов, которое имеет устройство, что на практике означает 1 — для диодов и стабилитронов (т.е. два вывода), «2» для обычных транзисторов и «3» или более для специальных устройств, таких как двухзатворные МОП-транзисторы и прочее.

Таким образом, 1N4148 является устройством, которое имеет два вывода, что обычно означает диод. Это на самом деле небольшой диод, но эта информация не отображается в маркировке типа JEDEC, которая получается менее информативна, чем европейская Pro Electron.

Сейчас не часто встречается маркировка японской системы JIS (Японские промышленные стандарты), но первая цифра в ней снова является числом, которое на один меньше, чем количество выводов у элемента. Затем следуют две буквы, которые идентифицируют общий тип устройства:

*Маркировка*	*Тип устройства*
SA	Высокочастотный PNP транзистор
SB	Высокочастотный NPN транзистор
SC	PNP транзистор для аудио
SD	NPN транзистор для аудио
SE	Диод
SJ	P-канальный полевой транзистор (в том числе и MOSFET)
SK	N-полевой транзистор (в том числе и MOSFET)
SR	Фильтр

Как нетрудно заметить, для обычных типов транзисторов первые две цифры всегда получаются «2S» и, возможно, они немного бесполезны, поэтому эти две цифры часто опускаются при маркировке элементов.

Производитель

Большинство электронных компонентов маркируются согласно перечисленным стандартным методам. Но бывают и исключения. (рис.1).

Здесь префикс TIP этого силового транзистора указывает, что он является мощным транзистором в пластиковом корпусе от Texas Instruments. Однако впереди производитель нанёс логотип MOSPEC, поэтому префикс стал вторым элементом маркировки.

Такое часто встречается в маркировке интегральных микросхем, где к стандартной маркировке типа производитель добавляет свою кодировку.

Рис.2. Эта интегральная схема имеет обозначение «LM» в качестве префикса, что указывает на то, что это изделие фирмы National Semiconductor.

Как несколько примеров: префиксы «CA» и «MC» используются соответственно фирмы KCA и Motorola. Из-за того, что один и тоже элемент может выпускаться разными производителями и маркироваться по своему, возникают трудности с идентификацией элементов.

Конечно, наличие на рынке нескольких производителей порождает конкуренцию, что, как следствие, снижает цены на радиоэлементы. Для нас это хорошо. С другой стороны, каждый производитель вносит что-то своё в маркировку элементов, тем самым затрудняет нам их идентификацию.

При просмотре каталога интегральных микросхем, вероятно, лучше всего

игнорировать префикс и сосредоточиться на двух других элементах маркировки. Тем более, что часто поставщики компонентов не гарантируют поставку устройств от конкретных производителей. Если вы заказываете (скажем) MC1458CP. но вам прислали СА1458Е. или наоборот, нет повода беспокоиться. Обе микросхемы являются 1458 — двойными операционными усилителями, и нет никакой практической разницы между ними. MC1458CP производится Motorola или Texas Instruments, а СА1458Е – фирмой RCA.

Полный список префиксов производителей смотрите на сайте: https://en.wikibooks.org/wiki/Practical_Electronics/Manufacturers_Prefix

Многообразие вариантов

Большинство транзисторов не имеют суффикса в маркировке. Там, где он присутствует, суффикс обычно представляет собой одну букву и указывает на коэффициент усиления или другой какой-то параметр.

Обычно буквой «А» маркируются транзисторы с низким коэффициентом усиления, буквой «В» со средним и буквой «С» с высоким коэффициентом усиления. Конкретные значения или диапазон указывается в даташите на элемент.

Поэтому, если на схеме указан транзистор с суффиксом «В», заменить его безопасно можно на транзистор с суффиксом «С». При замене на элемент с суффиксом «А» может не хватить его усиления и устройство откажется работать или будет часто уходить в перегрузку.

Бывают ситуации (к счастью, довольно редкие), когда суффикс указывает на расположение выводов элемента. Для транзисторов это обозначения «L» или «K». Большинство транзисторов имеют одну типовую конфигурацию выводов. Но если ваше устройство не работает по непонятным причинам, проверьте, не попались ли вам транзисторы с такими суффиксами.

С интегральными микросхемами ситуация противоположная. Тут производители часто используют суффикс для обозначения типа корпуса. И если вы при заказе проигнорируете суффикс или укажите неверный, вы рискуете получить микросхему в таком исполнении, которое будет не совместимо с вашим вариантом печатной платы.

Ситуация осложняется тем, что стандартов на суффиксы нет и каждый производитель использует свои типы маркировки. Так что будьте предельно внимательны при заказе микросхем!

Маркировка частоты

Некоторые интегральные схемы имеют суффикс, который указывает на тактовую частоту устройства. Эта система используется совместно с памятью и некоторыми другими компьютерными чипами, такими как микроконтроллеры и микропроцессоры. В большинстве случаев дополнительные цифры на самом деле являются расширением основной части маркировки, а не суффиксом, так как в маркировке суффикс будет присутствовать и, как говорилось выше, скорее всего будет обозначать тип корпуса.

Некоторые микроконтроллеры PIC, например, имеют в обозначении что-то вроде « -20», добавленное к базовому типу номера. Дополнительная маркировка указывает максимальную тактовую частоту (в мегагерцах) для чипа. Вы можете вполне безопасно использовать элемент с более высокой тактовой частотой, чем тот, который указан в списке компонентов. Однако, более быстрые версии, как правило, значительно дороже, чем медленные.

И технологии…

Но, увы, не всё так просто. Особенно с интегральными микросхемами. 74-я серия (TTL) логических интегральных схем была основной, прародительницей других серий и первоначально маркировалась по изложенным правилам: префикс-основная часть-суффикс. При маркировке последующих, улучшенных серий, от стандартной маркировки производители начали отклоняться — между префиксом «74» и базовым номером стали добавлять маркировку, обозначающую семейство микросхем:

Эта маркировка может указывать на технологию изготовления и, как следствие, на скорость (частоту), напряжения питания и другие параметры.

Поэтому исходное устройство 7420 сегодня может маркироваться как 74HC20, 74MCT20 и 74LS20. Это всё различные семейства микросхем, которые несовместимы между собой. Поэтому и тут при заказе важно выбрать правильный тип!

И тока!

Подобная ситуация есть и у всенародно любимых интегральных стабилизаторов L78XX и L79XX. Здесь к базовому обозначению добавляются две цифры, указывающие на выходное напряжение стабилизаторов: L7805 — выходное напряжение 5В, L7912 — выходное напряжение -12В.

Но в середине номера могут присутствовать буквы, которые обозначают максимальный выходной ток стабилизатора. Возможны три варианта маркировки, как представлено в таблице:

*Символ*	*Максимальный ток*
L	0.1 A (100mA)
M	0.5A (500mA)
S	2A

Так стабилизатор с маркировкой «78L15» будет выдавать на выходе напряжение 15В и максимальный ток 100мА.

Проявляйте внимательность при чтении каталогов производителей и соблюдайте осторожность при заказе радиоэлектронных элементов!

Статья подготовлена по материалам журнала «Практическая электроника каждый день»

Автор: Роберт Пенфолд

Вольный перевод: Главный редактор «РадиоГазеты»

Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Все чаще и чаще в своих разработках отечественные радиолюбители применяют импортные радиодетали. Обусловлено это многими причинами. Например, если для жителей крупных городов-миллионников проблем с приобретением радиодеталей практически не существует, то для жителей регионов проблема становиться все актуальнее, чем дальше он проживает от областного центра. Поэтому, с развитием интернет торговли, многие переходят на покупку деталей в онлайн, и все чаще на сайты зарубежных магазинов. Еще одна из причин — отсутствие необходимых радиоэлементов в отечественной промышленности. И параметры элементов. Да и просто эстетический вид элемента.

Не так важно, почему мы применяем импортные радиоэлементы, важно разобраться как они обозначаются, что бы иметь представление о том, с чем мы имеем дело. Поэтому пишу для себя небольшую шпаргалку по обозначению импортных полупроводниковых радиоэлементов.

Для обозначения полупроводниковых приборов в странах дальнего зарубежья (относительно бывшего СССР) существует три системы обозначения радиоэлементов:

Некоторые крупные производители полупроводников вводят свои системы обозначений. Например, Samsung, Nec, и другие. Рассмотрим системы обозначений более подробно.

Американская система обозначений JEDEK

Обозначение элементов состоит из четырех элементов.

Элемент 1. Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:

1 — диод

2 — транзистор

3 — тиристор

Элемент 2. После цифры идет буква N (номинал?).

Элемент 3. Содержит серийный номер.

Элемент 4. Может содержать буквы или буквы и цифры. Этот элемент обозначает разные параметры для приборов одного типа.

Пример обозначений: 1N4148, 2N2906A, 2N7002LT1.

Элемент 1	Элемент 2	Элемент 3	Элемент 4
Число P-N переходов: 1 — диод 2 — транзистор 3 — тиристор	Буква N	Серийный номер: 100-9999	Буква: модификация прибора

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Европейская система более богата в обозначениях. Основа обозначения состоит из пяти символов. Элементы для широкого применения обозначаются как ДВЕ буквы и ТРИ цифры. Элементы для специальных применений — ТРИ буквы и ДВЕ цифры. В любом случае, значение имеют только первые две буквы. Оставшиеся цифры или буква и цифры означают порядковый номер или особое обозначение прибора.

После этого может следовать буква, которая обозначает модификацию параметров приборов одного типа. Как правило, для биполярных транзисторов она означает коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока.

Элемент 1. Первая буква — код материала.

А — германий

В — кремний

С — арсенид галлия

R — сульфид кадмия

Элемент 2. Вторая буква — назначение

А — маломощный диод

В — варикап

С — маломощный низкочастотный транзистор

D — мощный низкочастотный транзистор

Е — туннельный диод

F — маломощный высокочастотный транзистор

G — несколько приборов в одном корпусе

Н — магнитодиод

L — мощный высокочастотный транзистор

М — датчик Холла

Р — фотодиод, фототранзистор

Q — светодиод

R — маломощный регулирующий или переключающий прибор

S — маломощный переключательный транзистор

Т — мощный регулирующий или переключающий прибор

U — мощный переключательный транзистор

Х — умножительный диод

Y — мощный выпрямительный диод

Z — стабилитрон

Элемент 3. Цифры или буква и цифры: 100…999 — приборы широкого применения, Z10…A99 — приборы для промышленной и специальной аппаратуры

Элемент 4 и 5. Буквы или буква и цифры:

для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).

На предприятиях Польши перед тремя цифрами для приборов широкого применения ставится Р и перед двумя цифрами для приборов промышленного или специального назначения ставится ZP, YP, ХР или WP.

Пример обозначений: BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.

Элемент 1	Элемент 2	Элемент 3	Элемент 4
Буква — код материала: А – германий В – кремний С – арсенид галлия R – сульфид кадмия	Буква – назначение А — маломощный диод В — варикап С — маломощный низкочастотный транзистор D — мощный низкочастотный транзистор Е — туннельный диод F — маломощный высокочастотный транзистор G — несколько приборов в одном корпусе Н — магнитодиод L — мощный высокочастотный транзистор М — датчик Холла Р — фотодиод, фототранзистор Q — светодиод R — маломощный регулирующий или переключающий прибор S — маломощный переключательный транзистор Т — мощный регулирующий или переключающий прибор U — мощный переключательный транзистор Х — умножительный диод Y — мощный выпрямительный диод Z — стабилитрон	Серийный номер: 100-999 приборы общего назначенияZ10…A99 приборы для промышленного и специального назначения	Буква: модификация прибора

Японская система обозначений JIC

Наверно самая универсальная система обозначений. Система JIC — это комбинация обозначений по системам JEDEC и Pro-Electron. Условное обозначение в этой системе состоит из пяти элементов:

Элемент 1. Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзистор

1 — диод

2 — транзистор

3 — тиристор

Элемент 2. Буква S (Semiconductor).
Элемент 3. Тип полупроводникового прибора:

А — высокочастотный p-n-p транзистор

В — низкочастотный p-n-p транзистор

С — высокочастотный n-p-n транзистор

D — низкочастотный n-p-n транзистор

Е — диод Есаки

F — тиристор

G — диод Ганна

Н — однопереходный транзистор

I — полевой транзистор с p-каналом

К — полевой транзистор с n-каналом

М — симметричный тиристор (симистор)

Q — светодиод

R — выпрямительный диод

S — слаботочный диод

Т — лавинный диод

V — варикап

Z — стабилитрон

Элемент 4. Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.

Элемент 5. Одна или две буквы, которые обозначают разные параметры для приборов одного типа (для биполярных транзисторов это коэффициент шума или статический коэффициент передачи тока, реже допустимое напряжение).Может отсутствовать.

Элемент 6. Дополнительный индекс «N», «М» или «S», показывающий отношение к требованиям специальных стандартов. У фотоприборов третий элемент маркировки отсутствует.

Пример обозначений: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Маркировка на корпусе прибора часто наносится без первой цифры и буквы. Например: 2SA733 маркируется как А733; 2SB1116A — B1U6A; 2SC945-С945; 2SD1555 — D1555 и т. д.

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Некоторые фирмы для обозначения своих разработок используют собственную маркировку. Например, фирма SAMSUNG в обозначении некоторых транзисторов использует буквы SS (SS8050B, SS9014C). Фирма MOTOROLA — MJ, MJE, MM, MMT, MPQ, MPS (MJ3521, MJ13003, MJE350, MM1812, MPS5551M, MPS A-92).

Популярные транзисторы фирмы Samsung — SS8050, SS8550, SS9012, SS9013, SS9014 и SS9015 маркируются без первой буквы S. Аналоги этих транзисторов выпускают многие фирмы разных стран. Поэтому, например, транзистор S9014 Вы можете встретить с маркировкой — С9014, Н9014, L9014 или К9014. Транзистор S8050 — С8050 и т. п.

Еще примеры:

RCA — RCA
RCS — RCS
TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
TIPL — TI planar power transistor
TIS — TI small signal transistor (plastic case)
ZT — Ferranti
ZTX — Ferranti

Пример обозначений: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

Система условных обозначений зарубежных транзисторов

Три наиболее распространенных стандартных способа обозначения

1. Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC)
digit, letter, serial number, [suffix]

digit — цифра на единицу меньше, чем количество ножек транзистора, т.е, обычно 2. 4 и 5 соответствуют оптопарам

letter — всегда N

serial number — серийный номер от 100 до 9999, который ничего определенного не говорит о транзисторе, кроме его приблизительного времени выпуска

suffix — (необязательный параметр) группа коэффициента усиления: А- низкий к.у., B- средний к.у., C- высокий к.у.

Примеры:

2. Japanese Industrial Standard (JIS)- Японский стандарт
digit, two letters, serial number, [suffix]

digit — цифра на единицу меньше, чем количество ножек транзистора, т.е, обчыно 2. 4 и 5 соответствуют оптопарам

two letters — 2 буквы указывают на функциональную принадлежность прибора

SA — PNP HF transistor

SB — PNP AF transistor

SC — NPN HF transistor

SD — NPN AF transistor

SE — Diodes

SF — Thyristors

SG — Gunn devices

SH — UJT

SJ — P-channel FET/MOSFET

SK — N-channel FET/MOSFET

SM — Triac

SQ — LED

SR — Rectifier

SS — Signal diodes

ST — Avalanche diodes

SV — Varicaps

SZ — Zener diodes

serial number — серийный номер от 10 до 9999

suffix — (необязательный параметр) указывает на то, что прибор одобрен для использования различными организациями Японии

Примечание:

Примеры:

3. Pro-electron
1 letter, 2 letter, [3 letter], serial number, [suffix]

1 letter — Первая буква указывает на материал, из которого изготовлен прибор: А- Ge, B- Si, C- GaAs, R- составной материал. Большинство начинается с B.

2 letter — Вторая буква указывает на функциональную принадлежность:

A — Diode RF

B — Variac

C — Transistor, AF, small signal

D — Transistor, AF, power

E — Tunnel diode

F — Transistor, HF, small signal

K — Hall effect device

L — Transistor, HF, power

N — Optocoupler

P — Radiation sensitive device

Q — Radiation producing device

R — Thyristor, Low power

T — Thyristor, Power

U — Transistor, power, switching

Y — Rectifier

Z — Zener, or voltage regulator diode

3 letter — (необязательный параметр) Третья буква указывает на то, что прибор предназначен больше для промышленного чем для коммерческого использования. Обычно эта буква- W,X,Y или Z.

serial number — серийный номер от 100 до 9999

suffix — (необязательный параметр) группа коэффициента усиления: А- низкий к.у., B- средний к.у., C- высокий к.у.

Примеры:

Прочие
Кроме систем маркировки JEDEC, JIS и Pro-electron фирмы-производители часто вводят собственные типы. Это происходит по коммерческим причинам (для увековечения инициалов названия своей фирмы), либо при маркировке специальных типов приборов.
Наиболее распространенные префиксы:

MJ — Motorolla power, metal case

MJE — Motorolla power, plastic case

MPS — Motorolla low power, plastic case

RCA — RCA

RCS — RCS

TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)

TIPL — TI planar power transistor

TIS — TI small signal transistor (plastic case)

ZT — Ferranti

ZTX — Ferranti

Примеры:

Цветная маркировка импортных транзисторов. Японская система JIS. Японская система обозначений JIC

Некоторые крупные производители полупроводников вводят . Например, Samsung, Nec, и другие. Рассмотрим системы обозначений более подробно.

Американская система обозначений JEDEK

Обозначение элементов состоит из четырех элементов.

Элемент 1. Содержит цифру, которая показывает количество p-n переходов:

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Элемент 1. Первая буква — код материала.

Элемент 2. Вторая буква — назначение

А — маломощный диод

В — варикап

С — маломощный низкочастотный транзистор

D — мощный низкочастотный транзистор

Е — туннельный диод

F — маломощный высокочастотный транзистор

G — несколько приборов в одном корпусе

Н — магнитодиод

L — мощный высокочастотный транзистор

М — датчик Холла

Р — фотодиод, фототранзистор

Q — светодиод

R — маломощный регулирующий или переключающий прибор

S — маломощный переключательный транзистор

Т — мощный регулирующий или переключающий прибор

U — мощный переключательный транзистор

Х — умножительный диод

Y — мощный выпрямительный диод

Z — стабилитрон

Элемент 4 и 5. Буквы или буква и цифры:

для стабилитронов — допустимое изменение номинального напряжения стабилизации (буква) и напряжение стабилизации в вольтах (цифра): А = 1 %; В = 2%; С = 5%; D = 10%; Е = 15%.
Для выпрямительных диодов, у которых анод соединен с корпусом (R) — максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).
Для тиристоров, анод которых соединен с корпусом (R) — меньшее из значений максимального напряжение включения или максимальная амплитуда обратного напряжения в вольтах (цифра).

Пример обозначений: BZY56, ВС548B, BF492, BU301, BZV55C15.

Элемент 1	Элемент 2	Элемент 3	Элемент 4
Буква — код материала : А – германий В – кремний С – арсенид галлия R – сульфид кадмия	Буква – назначение А — маломощный диод В — варикап С — маломощный низкочастотный транзистор D — мощный низкочастотный транзистор Е — туннельный диод F — маломощный высокочастотный транзистор G — несколько приборов в одном корпусе Н — магнитодиод L — мощный высокочастотный транзистор М — датчик Холла Р — фотодиод, фототранзистор Q — светодиод R — маломощный регулирующий или переключающий прибор S — маломощный переключательный транзистор Т — мощный регулирующий или переключающий прибор U — мощный переключательный транзистор Х — умножительный диод Y — мощный выпрямительный диод Z — стабилитрон	Серийный номер: 100-999 приборы общего назначенияZ10…A99 приборы для промышленного и специального назначения	Буква: модификация прибора

Японская система обозначений JIC

Элемент 1. Цифра, обозначающая класс полупроводникового прибора:

0 — фотодиод, фототранзистор

1 — диод

2 — транзистор

3 — тиристор

Элемент 2. Буква S (Semiconductor).
Элемент 3. Тип полупроводникового прибора:

Элемент 4. Обозначает регистрационный номер и начиная с числа 11.

Пример обозначений: 2SA733, 2SB1116A, 2SC945, 2SD1555.

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Еще примеры:

RCA — RCA
RCS — RCS
TIP — Texas Instruments power transistor (platic case)
TIPL — TI planar power transistor
TIS — TI small signal transistor (plastic case)
ZT — Ferranti
ZTX — Ferranti

Пример обозначений: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.

26.09.2014
Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора. Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …
21.09.2016
NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …
20.09.2014
Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …
29.09.2014
Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …

26.09.2014
Простейшая схема такого устройства показана на рис.1. Его принцип действия основан на свойстве полевого транзистора изменять свое сопротивление под действием наводок на выводе затвора. Транзистор VT1 типа КП103, КП303 с любым буквенным индексом (у последнего вывод корпуса соединяют с выводом затвора). Телефон BF1 высокоомный, сопротивлением 1600…2200 Ом. Полярность подключения батареи …
21.09.2016
NE555 — универсальный таймер — устройство для формирования (генерации) одиночных и повторяющихся импульсов со стабильными временными характеристиками. Представляет собой асинхронный RS-триггер со специфическими порогами входов, точно заданными аналоговыми компараторами и встроенным делителем напряжения (прецизионный триггер Шмитта с RS-триггером). Применяется для построения различных генераторов, модуляторов, реле времени, пороговых устройств и прочих …
20.09.2014
Предлагаемый автогенераторный ИИП (импульсный источник питания) имеет малые габариты и высокий КПД. Его особенностью является то, что магнитопровод импульсного трансформатора работает с заходом в область насыщения. При проектировании автогенераторных ИИП в большинстве случаев мощный трансформатор используют в линейном режиме, а маломощный переключательный — в режиме насыщении магнитопровода. Отдельные обмотки этих …
29.09.2014
Задающий генератор выполнен на VT1(К342А), частота стабилизирована кв. резонатором. В пред оконечном усилителе использован VT2 типа КТ603Б. Модуляция осуществляется при помощи транзистора VT4 импульсами положительной полярности с мультивибратора или другого источника сигнала. Выходной каскад усилителя мощности выполнен на VT3 пита КТ902А. На выходе усилителя мощности включен П — образный фильтр …

На сегодняшний день маркировка транзисторов, согласно которой их различают и выпускают на производствах, состоит из четырех элементов.
Например: ГТ109А, ГТ328, 1Т310В, КТ203Б, КТ817А, 2Т903В.

Первый элемент – буква Г , К , А или цифра 1 , 2 , 3 – характеризует полупроводниковый материал и температурные условия работы транзистора.

1 . Буква Г или цифра 1 присваивается германиевым транзисторам;
2 . Буква К или цифра 2 присваивается кремниевым транзисторам;
3 . Буква А или цифра 3 присваивается транзисторам, полупроводниковым материалом которых служит арсенид галлия .

Цифра, стоящая вместо буквы, указывает на то, что данный транзистор может работать при повышенных температурах: германий – выше 60ºС, а кремний – выше 85ºС.

Второй элемент – буква Т от начального слова «транзистор».

Третий элемент – трехзначное число от 101 до 999 – указывает порядковый заводской номер разработки и назначение транзистора. Эти параметры даны в справочнике по транзисторам.

Четвертый элемент – буква от А до К – указывает разновидность транзисторов данной серии.

10.Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом — это полевой транзистор, затвор которого изолирован (то есть отделён в электрическом отношении) от канала p-n-переходом, смещённым в обратном направлении. Электроды полевого транзистора называются следующим образом:

· исток (англ. source ) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;

· сток (англ. drain ) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;

· затвор (англ. gate ) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.

Полевой транзистор с изолированным затвором — это полевой транзистор, затвор которого отделён в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика.

Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ).

Маркировка полевых транзисторов , применяемая с 1972 г., предусматривает шестисимвольное буквенно-цифровое обозначение. При этом каждый символ несет следующую информацию о транзисторе.

§ Первый символ — буква или цифра , указывает (как и в случае маркировке диодов ) исходный полупроводниковый материал;

§ Второй символ — буква , обозначает класс прибора: П — полевые, Т — биполярные транзисторы;

§ Третий символ — цифра (от 1 до 9 ), указывает на энергетическую и частотную характеристики биполярного и полевого транзисторов;

§ Четвертый и пятый символы — цифры (от 01 до 99 ), указывают порядковый номер разработки приборов. Деление по группам (шестой символ — буква) осуществляют по каким-либо параметрам прибора: коэффициенту передачи тока, обратному напряжению и др.

11. Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние, то есть состояние низкой проводимости, и открытое состояние, то есть состояние высокой проводимости.

Тиристор можно рассматривать как электронный выключатель (ключ). Основное применение тиристоров — управление мощной нагрузкой с помощью слабых сигналов, а также переключающие устройства. Существуют различные виды тиристоров, которые подразделяются, главным образом, по способу управления и по проводимости. Различие по проводимости означает, что бывают тиристоры, проводящие ток в одном направлении (например тринистор , изображённый на рисунке) и в двух направлениях (например, симисторы, симметричные динисторы).

Тиристор имеет нелинейную вольт-амперную характеристику (ВАХ) с участком отрицательного дифференциального сопротивления.

Вольт-амперная характеристика диодного тиристора, приведенная на рисунке 7.4, имеет несколько различных участков. Прямое смещение тиристора соответствует положительному напряжению V G , подаваемому на первый p 1 -эмиттер тиристора.

Участок характеристики между точками 1 и 2 соответствует закрытому состоянию с высоким сопротивлением. В этом случае основная часть напряжения V G падает на коллекторном переходе П 2 , который в смещен в обратном направлении. Эмиттерные переходы П 1 и П 2 включены в прямом направлении. Первый участок ВАХ тиристора аналогичен обратной ветви ВАХ p-n перехода.

При достижении напряжения V G , называемого напряжением включения U вкл, или тока J, называемого током включения J вкл, ВАХ тиристора переходит на участок между точками 3 и 4, соответствующий открытому состоянию (низкое сопротивление). Между точками 2 и 3 находится переходный участок характеристики с отрицательным дифференциальным сопротивлением, не наблюдаемый на статических ВАХ тиристора.

V G — напряжение между анодом и катодом; I у, V у — минимальный удерживающий ток и напряжение; I в, V в — ток и напряжение включения

Транзистор выступает основным компонентом любой электрической схемы. Он является своего рода усилительным ключом. В основе этого полупроводникового прибора находится кремниевый или германиевый кристалл. Транзисторы бывают однополярными и двухполярными и, соответственно, полевыми и биполярными. По типу проводимости они встречаются двух видов — прямые и обратные. Для начинающих радиолюбителей основной проблемой становится распознавание и расшифровка кодировки этих элементов. В нашей статье мы рассмотрим основные виды записи как отечественных, так и зарубежных изделий, а также разберем, что означает маркировка транзисторов.

Виды записи

Производители транзисторов применяют два основных типа шифрования — это цветовая и кодовая маркировки. Однако ни один, ни другой не имеют единых стандартов. Каждый завод, производящий (транзисторы, диоды, стабилитроны и т. д.), принимает свои кодовые и цветовые обозначения. Можно встретить транзисторы одной группы и типа, изготовленные разными заводами, и маркированы они будут по-разному. Или наоборот: элементы будут различными, а обозначения на них — идентичными. В таких случаях различать их можно только по дополнительным признакам. Например, по длине выводов эмиттера и коллектора либо по окраске противоположной (или торцевой) поверхности. Маркировка ничем не отличается от меток на других приборах. Такая же ситуация и с полупроводниковыми элементами зарубежного производства: каждым заводом-изготовителем применяются свои типы обозначений.

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Рассмотрим, что означает маркировка транзисторов отечественного производства. Данный тип корпуса наиболее популярен среди производителей полупроводниковых приборов. Он имеет форму цилиндра с одной скошенной стороной, три вывода выходят из нижнего основания. В данном случае используют принцип смешанной маркировки, содержащий и кодовые символы, и цветовые. На верхнее основание наносят цветную точку, означающую группу транзистора, а на скошенную сторону — кодовый символ или цветную точку, соответствующие типу прибора. Кроме типа, могут наноситься год и месяц выпуска.

Для обозначения группы используется следующая цветная маркировка транзисторов: группе А соответствует темно-красная точка, Б — желтая, В — темно-зеленая, Г — голубая, Д — синяя, Е — белая, Ж — темно-коричневая, И — серебристая, К — оранжевая, Л — светло-табачная, М — серая.

Тип обозначают посредством указанных ниже символов и красок.

Маркировка года и месяца изготовления

В соответствии с ГОСТ 25486-82, для обозначения даты используют две буквы или букву и цифру. Первый символ соответствует году, а второй — месяцу. Такой вид кодирования применяется не только для транзисторов, но и для других отечественных полупроводниковых элементов. На зарубежных приборах дата обозначается четырьмя цифрами, первые две из которых соответствуют году, а последние — номеру недели. Рассмотрим, что означает кодовая маркировка транзисторов, соответствующая дате изготовления. Год выпуска/символ: 1986 — U, 1987 — V, 1988 — W, 1989 — X, 1990 — А, 1991 — В, 1992 — С, 1993 — D, 1994 — Е, 1995 — F, 1996 — Н, 1997 — I, 1998 — К, 1999 — L, 2000 — М и т. д. Месяц выпуска: первые девять месяцев соответствуют цифрам от 1 до 9 (январь — 1, февраль — 2), а последние — начальным буквам слова: октябрь — О, ноябрь — N, декабрь — D.

Транзисторы в корпусе типа КТ-27

На эти полупроводниковые элементы принято наносить либо буквенно-цифровой код, либо шифр, состоящий из геометрических фигур. Рассмотрим, что означает графическая маркировка транзисторов.

КТ972А — один «лежачий» прямоугольник.
КТ972Б — два прямоугольника: левый лежит, правый стоит.
КТ973А — один квадрат.
КТ973Б — два квадрата.
КТ646А — один треугольник.
КТ646Б — слева круг, справа треугольник.

Кроме того, существует и маркировка торца корпуса, который противоположен выводам:

КТ 814 — серо-бежевый;
КТ 815 — сиренево-фиолетовый или серый;
КТ 816 — розово-красный;
КТ 817 — серо-зеленый;
КТ 683 — фиолетовый;
КТ9115 — голубой.

Транзисторы серии КТ814-817 группы Б могут маркироваться только путем окрашивания торца, без нанесения символьного кода.

Европейская система PRO-ELECTRON

Маркировка транзисторов и других полупроводниковых приборов у европейских производителей осуществляется следующим образом. Код представляет собой символьную запись. Первая буква означает материал полупроводника: кремний, германий и т. п. Наиболее распространен кремний, ему соответствует литера В. Следующий символ — это тип прибора. Далее ставится номер серии продукта. У этого номера существует несколько диапазонов. Например, если указаны цифры от 100 до 999, то эти элементы относятся к изделиям общего назначения, а если перед ними ставится буква (Z10 — А99), то эти полупроводники считаются деталями специального или промышленного назначения. Кроме того, к общей кодировке может добавляться дополнительный символ модификации прибора. Ее определяет непосредственно производитель полупроводниковых элементов.

Первый символ (материал): А — германий, В — кремний, С — арсенид галлия, R — сульфид кадмия. Второй элемент означает тип транзистора: С — маломощный низкочастотный; D — мощный низкочастотный; F — маломощный высокочастотный; G — несколько приборов в одном корпусе; L — мощный высокочастотный; S — маломощный переключающий; U — мощный переключающий.

Американская система JEDEC

Американские производители полупроводниковых приборов используют символьную кодировку, состоящую из четырех элементов. Первая цифра означает число п-н переходов: 1 — диод; 2 — транзистор;3 — тиристор; 4 — оптопара. Вторая буква обозначает группу. Третий знак — это серийный номер элемента (диапазон от 100 до 9999). Четвертый символ — буква, соответствующая модификации прибора.

Японская система JIS

Данная система состоит из символов и содержит в себе пять элементов. Первая цифра соответствует типу полупроводникового прибора: 0 — фотодиод или фототранзистор; 1 — диод; 2 — транзистор. Второй элемент — буква S, она ставится на всех элементах. Следующая буква соответствует типу транзистора: А — высокочастотный PNP; В — низкочастотный PNP; С — высокочастотный NPN; D — низкочастотный NPN; Н — однопереходной; J — полевой с N-каналом; К — полевой с P-каналом. Далее следует серийный номер продукта (10 — 9999). Последний, пятый, элемент — это модификация прибора (зачастую он может отсутствовать). Иногда наносится и шестой символ — это дополнительный индекс (литеры N, M или S), означающий требование соответствия специальным стандартам. В японской системе цветовая маркировка транзисторов не применяется.

SMD элементы

Маркировка SMD-транзисторов бывает только символьной. Из-за миниатюрных размеров этих элементов цветовую кодировку не используют. Единого стандарта шифрования для них не существует. Каждый завод-производитель использует свои символы. Буквенно-цифровой код в данном случае может содержать от одной до трех букв или цифр. Каждый завод выпускает свои таблицы маркировок полупроводниковых элементов.

маркировка полевой транзистор

использование транзисторов

Транзистор

транзисторы продам

(от

мп39 транзистор

англ.

драйвер транзистора

transfer

схема полевого транзистора

— переносить

коммутатор транзистор

обозначение транзисторов

resistance

усилитель на полевом транзисторе

— сопротивление

datasheet транзистор

или

n p n транзистор

transconductance

схема унч на транзисторах

—

полевые транзисторы характеристики

активная

полевые транзисторы справочник

межэлектродная

как работает транзистор

проводимость

как прозвонить транзистор

транзисторы большой мощности

varistor —

зарубежные транзисторы скачать

переменное

транзистор ру

сопротивление)

igbt транзисторы

— электронный

мощные транзисторы

прибор

цоколевка полевого транзистора

из полупроводникового

транзистор кт827

материала,

унч на полевых транзисторах

обычно

транзисторы tip

биполярный транзистор принцип работы

тремя

транзистор принцип работы

выводами, позволяющий входным

генератор на транзисторе

сигналам

как сделать транзистор

управлять

работа полевых транзисторов

током

полевой транзистор принцип работы

транзисторы большой мощности

электрической цепи.

mosfet транзисторы

Обычно

импульсный транзистор

используется

планарные транзисторы

для

проверка транзисторов

усиления,

схема унч на транзисторах

генерирования

полевой транзистор применение

и преобразования

кодовая маркировка транзисторов

электрических

параметры транзисторов

сигналов.

маркировка полевой транзистор

транзисторы отечественные

Управление

металлоискатель на транзисторах

током в

советские транзисторы

выходной

полевой транзистор принцип работы

цепи

параметры транзисторов

осуществляется за счёт

igbt транзисторы

изменения

кодовая маркировка транзисторов

входного

фото транзисторов

напряжения или

защита транзистора

тока.

биполярный транзистор принцип работы

Небольшое

igbt транзисторы

изменение

схема транзистора

входных величин

смд транзисторы

может

транзисторы irf

приводить к

трансформатор тесла на транзисторе

существенно

полевых транзисторов

большему

биполярный транзистор

изменению

советские транзисторы

выходного

скачать бесплатно справочник по транзисторам

напряжения

стабилизатор напряжения на транзисторе

1 транзистор

тока.

Это

транзисторы продам

усилительное

усилитель звука на транзисторах

свойство

использование транзисторов

транзисторов используется

транзистор 3102

структура транзистора

аналоговой

транзистор 9014

технике

принцип работы полевого транзистора

(аналоговые

биполярные транзисторы справочник

ТВ, радио,

транзистор кт819

связь

стабилизатор напряжения на транзисторе

советские транзисторы

т.

транзистор d2499

п.).

маркировка полевой транзистор

цифровой транзистор

настоящее

13003 транзистор

время

зарубежные транзисторы и их аналоги

полевой транзистор параметры

аналоговой

преобразователь на полевом транзисторе

технике

прямой транзистор

доминируют биполярные

маркировка импортных транзисторов

транзисторы

маркировка smd транзисторов

(БТ)

смд транзисторы

(международный

регулятор на полевом транзисторе

термин

трансформатор тесла на транзисторе

—

работа полевых транзисторов

BJT,

принцип транзистора

bipolar

s8050 транзистор

junction

транзистор d1555

transistor).

мощный полевой транзистор

Другой

ключ на биполярном транзисторе

важнейшей

усилитель мощности на полевых транзисторах

отраслью

блок питания на полевом транзисторе

электроники

блокинг генератор на транзисторе

является

устройство транзистора

цифровая

цветовая маркировка транзисторов

техника

радио транзистор

(логика,

блокинг генератор на транзисторе

память, процессоры,

транзистор pnp

компьютеры,

как подключить транзистор

цифровая

блокинг генератор на транзисторе

связь

импортные транзисторы справочник

база транзисторов

т.

вах транзистора

п.), где,

маркировка полевого транзистора

напротив,

маркировка полевого транзистора

биполярные транзисторы почти

завод транзистор

полностью

применение транзисторов

вытеснены

принцип транзистора

полевыми.

маркировка полевой транзистор

как проверить транзистор

Вся

13009 транзистор

современная цифровая

мощный полевой транзистор

техника

мдп транзистор

построена,

транзисторы продам

транзисторы irf

основном,

продажа транзисторы

на

13001 транзистор

полевых

транзистор процессор

МОП

типы транзисторов

(металл-оксид-полупроводник)-транзисторах

аналоги импортных транзисторов

(МОПТ),

регулятор на полевом транзисторе

как более

транзистор процессор

экономичных,

полевой транзистор схема

по

характеристики полевых транзисторов

сравнению

транзистор pnp

конструкция транзистора

БТ,

d880 транзистор

элементах. Иногда

транзистор мп

их

подключение транзистора

называют

преобразователь напряжения на транзисторах

МДП

работа транзистора

(металл-диэлектрик-полупроводник)-

n p n транзистор

транзисторы.

315 транзистор

Международный

маркировка полевого транзистора

термин

принцип действия транзистора

—

транзисторы тиристоры

MOSFET

транзистор кт827

(metal-oxide-semiconductor

параметры транзисторов

field effect

полевой транзистор схема

transistor).

триггер на транзисторах

Транзисторы изготавливаются

вч транзисторы

полевые транзисторы параметры

рамках

преобразователь на полевом транзисторе

интегральной технологии

усилитель звука на транзисторах

на

маркировка импортных транзисторов

одном

испытатель транзисторов

кремниевом

транзисторы отечественные

кристалле

транзисторы микросхемы

(чипе) и

фото транзисторов

составляют

цоколевка транзисторов

элементарный

тесла на транзисторах

«кирпичик» для

стабилизатор тока на транзисторе

построения

полевой транзистор схема

микросхем логики,

p канальный транзистор

памяти,

схема включения полевого транзистора

процессора

мощные биполярные транзисторы

транзистор кт3102

т.

транзисторы микросхемы

п.

маркировка полевого транзистора

Размеры

стабилизатор напряжения на транзисторе

современных МОПТ

справочник по зарубежным транзисторам

составляют

транзисторы bu

от

тесла на транзисторах

n p n транзистор

до

включение биполярного транзистора

принцип работы полевых транзисторов

нм[источник

ключи на полевых транзисторах

не указан

испытатель транзисторов

134

подбор транзисторов по параметрам

дня].

как проверить транзистор

На одном

цоколевка импортных транзисторов

современном

аналоги транзисторов

чипе

генератор на полевом транзисторе

(обычно размером

6822 транзистор

1—2

импортные транзисторы справочник

см?)

mosfet транзисторы

размещаются

работа биполярного транзистора

несколько

мощные полевые транзисторы

(пока единицы)

маркировка транзисторов

миллиардов

13009 транзистор

МОПТ.

d209l транзистор

На

принцип действия транзистора

протяжении

аналоги отечественных транзисторов

транзисторы куплю

лет происходит уменьшение размеров

цветовая маркировка транзисторов

(миниатюризация) МОПТ и

биполярные транзисторы справочник

увеличение их

схемы включения полевых транзисторов

количества

цоколевка транзисторов

на

цветовая маркировка транзисторов

одном

усилитель на транзисторах

чипе (степень

мосфет транзисторы

интеграции),

транзистор кт

полевой транзистор цоколевка

ближайшие

коммутатор транзистор

годы

коллектор транзистора

ожидается дальнейшее

советские транзисторы

увеличение

коэффициент усиления транзистора

степени интеграции

схема включения полевого транзистора

транзисторов

строчные транзисторы

на

реле на транзисторе

чипе

параметры полевых транзисторов

(см.

1 транзистор

Закон

унч на полевых транзисторах

Мура).

транзистор принцип работы

Уменьшение размеров

транзистор это просто

МОПТ

включение биполярного транзистора

приводит

скачать бесплатно справочник по транзисторам

также

радиоприемник на транзисторах

транзистор это просто

повышению быстродействия процессоров.

маркировка полевой транзистор

маркировка импортных транзисторов

Первые патенты

цоколевка импортных транзисторов

на

транзистор дарлингтона

принцип работы

прибор для проверки транзисторов

полевых

умзч на транзисторах

транзисторов

конструкция транзистора

были зарегистрированы

высокочастотные транзисторы

принцип транзистора

Германии в

n p n транзистор

1928

силовые транзисторы

году

лавинный транзистор

(в

справочник полевых транзисторов

Канаде, 22

полевые транзисторы импортные справочник

октября

транзисторы куплю

1925

блок питания на полевых транзисторах

года)

обозначение транзисторов на схеме

на

транзисторы tip

имя

простой усилитель на транзисторах

австро-венгерского

мп39 транзистор

физика

транзистор затвор сток исток

Юлия Эдгара

составной транзистор

Лилиенфельда.

[источник

схема подключения транзистора

не

генератор на транзисторе

указан

драйвер транзистора

107

лавинный транзистор

дней] В

транзисторы irf

1934 году

типы корпусов транзисторов

немецкий

принцип работы полевого транзистора

физик

ключи на полевых транзисторах

Оскар

транзистор в ключевом режиме

Хейл

конструкция транзистора

запатентовал

усилитель звука на транзисторах

полевой

полевые транзисторы импортные справочник

транзистор.

радио транзистор

Полевые

регулятор на полевом транзисторе

транзисторы

315 транзистор

(в

как проверить транзистор мультиметром

частности, МОП-транзисторы)

аналоги отечественных транзисторов

основаны

как работает транзистор

на

схема включения полевого транзистора

простом

конструкция транзистора

электростатическом

13003 транзистор

эффекте

как сделать транзистор

поля,

тесла на транзисторах

по

схема включения полевого транзистора

физике

транзистор 3102

они

как проверить полевые транзисторы

существенно

биполярный транзистор принцип работы

проще

n p n транзистор

биполярных транзисторов,

блок питания на полевом транзисторе

и поэтому

усилительный каскад на транзисторе

они

зарубежные транзисторы и их аналоги

придуманы

мощные полевые транзисторы

выходная характеристика транзистора

запатентованы

стабилизатор на полевом транзисторе

задолго

как прозванивать транзисторы

до биполярных

поиск транзисторов

транзисторов.

транзистор принцип работы

Тем

ключ на биполярном транзисторе

не

драйвер транзистора

менее,

транзисторы irf

первый

параметры биполярных транзисторов

МОП-транзистор,

управление полевым транзистором

составляющий

стабилизатор на полевом транзисторе

основу

транзистор кт

современной компьютерной

справочник аналогов транзисторов

индустрии,

мощные транзисторы

был

datasheet транзистор

изготовлен

аналоги импортных транзисторов

позже биполярного

прямой транзистор

транзистора,

советские транзисторы

13003 транзистор

1960

коэффициент усиления транзистора

году. Только

полевой транзистор характеристики

биполярный транзистор принцип работы

90-х

параметры транзисторов

годах XX

включение биполярного транзистора

века МОП-технология

полевой транзистор принцип работы

стала

полевой транзистор принцип работы

доминировать

полевой транзистор применение

над биполярной.

маркировка полевой транзистор

Справочник мощных импортных полевых транзисторов.

Особенностью справочника является то, что импортные полевые транзисторы взяты из прайсов интернет-магазинов.							Справочник предназначен для подбора полевых транзисторов по электрическим параметрам, для выбора замены (аналога) транзистору с известными характеристиками. За основу спраочника взяты отечественные транзисторы, расположенные в порядке возрастания напряжения и тока. Импортные MOSFET транзисторы в справочник взяты из прайс-листов магазинов. Импортные и отечественные транзисторы, расположенные в одной колонке, имеют близкие параметры, хотя и не обязательно являются полными аналогами.
							MOSFET транзисторы обладают следующими достоинствами: малая энергия, которую нужно затратить для открывания транзистора. Этот параметр хоть и растет с увеличением частоты, но все равно остается гораздо меньшей, чем у биполярных транзисторов. У MOSFET транзисторов не времени обратного восстановления , как у биполярных и «хвоста», как у IGBT транзисторов, в связи с чем могут работать в силовых схемах на более высоких частотах. Кроме того, у MOSFET нет вторичного пробоя, и поэтому они более стойки к выбросам самоиндукции.


Отечеств.	Корпус	PDF	Тип	Imax, A	Импортн.	Корпус
Ограничения по длительному току, накладываемые корпусом: ТО220 не более 75А, ТО247 не более 195А. В реальных условиях отвода тепла эти цифры в несколько раз меньше.
Полевые транзисторы на напряжение до 40В:
КП364	ТО-92		n	0. 02			кп364 — полевой транзистор 40В 0.1А, характеристики
КП302	ТО-92		n	0.04			транзистор кп302 на 40В 0.1А
2П914А	ТО-39		n	0.1(0.2)	BSS138 2SK583	sot23 TO-92	полевой транзистор 2п924 на 40В 0.1А
КП601	ТО-39		n	0.4			полевой транзистор кп601 на 40В 0.15А
КП507	ТО-92		p	0.6 1.1	TP2104	TO-92, sot23 sot23	полевой транзистор кп507на 40В 0.3А
			n	1.6	BSP295	sot223	импортный полевой smd транзистор BSP295
			n	2	RTR020N05	sot23	полевой транзистор для поверхностного монтажа на 40В 2А с защитным стабилитроном в затворе
			n	4	NTR4170	sot23
			n	5	PMV60EN	sot23
			n	6	BSP100	sot223
КП921А	TO-220		n	10			мощный полевой транзистор КП921 на 40В 10А для применения в быстродействующих переключающих устройствах
КП954Г	TO-220		n	20(18)	FDD8424	TO-252	мощный полевой транзистор КП954 на 40В 20А для источников питания
			n	34	BUZ11	TO-220	импортный MOSFET транзистор BUZ11 на 40В 34А
2П7160А	TO-258		n	46(42)	IRFR4104	TO-252	характеристики мощного MOSFET IRF4104
			n	100	IRF1104	TO-220	MOSFET транзистор IRF1104 на 40В 100А
			n	162	IRF1404	TO-220	MOSFET транзистор IRF1404 на 40В 162А. Подробные характеристики см. в datasheet
			n	210	IRF2204	TO-220	импортный полевой транзистор IRF2204 на 40В 210А
			n	280	IRF2804	TO-220	импортный полевой транзистор IRF2804 на 40В 280А
			n	350	IRFP4004	TO-247	мощный полевой транзистор с изолированным затвором IRFP4004 с током до 195А
MOSFET транзисторы на напряжение до 60-75В:
			n	0.2 0.5	2N7000 BS170	TO-92, sot23	smd маломощный полевой транзистор BS170 на 60В 0.2А для поверхностного монтажа
КП804А	ТО-39		n	1
КП505 А-Г	ТО-92		n	1. 4 2.7	IRFL014	sot223	импортный полевой транзистор irfl014 на 60В 0.1А для поверхностного монтажа
КП961Г	ТО-126		n	5			транзистор КП961Г на 60В 0.5А
КП965Г	ТО-126		n	5			транзистор КП965Г на 60В 0.5А
КП801 (А,Б)	ТО-3		n	5
КП739 (А-В)	ТО-220		n	10	IRF520	ТО-220	импортный полевой транзистор IRF520, характеристики
КП740 (А-В)	ТО-220		n	17	STP16NF06	TO-220	на 60В 15А
КП7174А	ТО-220		n	18
КП784А	ТО-220		p	18
КП954 В,Д	ТО-220		n	20	STP20NF06	TO-220	мощный полевой транзистор КП954 на 60В 20А
2П912А	ТО-3		n	25			полевой транзистор 2П912А на 60В и ток 25А
КП727(А,Б)	ТО-220		n p	30 31	STP36NF06 IRF5305	ТО-220	мощный полевой транзистор КП727А на 60В 30А
КП741 (А,Б)	ТО-220		n	50	IRFZ44	TO-220	мощный полевой транзистор irfz44 на 60В и ток 50А. Подробные характеристики см. в datasheet.
КП723(А-В)	ТО-220		n	50	STP55NF06	TO-220	отечественный мощный полевой транзистор КП723 на 60В и ток до 50А
КП812(А1-В1)	ТО-220		n	50			отечественный MOSFET транзистор КП812 на 60В и ток до 50А
2П7102Д	ТО-220		n	50			MOSFET транзистор 2П7102 на 60В и ток до 50А
КП775(А-В)	ТО-220		n	50(60)	STP60NF06	TO-220	полевой транзистор КП775 на напряжение до 60В и ток до 50А
КП742(А,Б)	ТО-218		n n n p	80 80 82 74	SPB80N08 IRF1010 IRF2807 IRF4905	TO-220, D2PAK ТО-220 ТО-220 ТО-220	полевой транзисторы irf1010, irf2807, irf4905 на 60В и ток до 80А
			n	140 169	IRF3808 IRF1405	ТО-220 ТО-220	MOSFET транзистор irf3808 на 60В и ток до 140А
			n	210	IRFB3077	ТО-220	полевой транзистор irfb3077 на 75В и ток 210А
			n	350	IRFP4368	ТО-247	мощный полевой транзистор irfp4368 на напряжение 75В ток до 195А
MOSFET на напряжение до 100-150В:
КП961В	ТО-126		n	5
КП965В	ТО-126		p	5(6. 8)	IRF9520	ТО-220	p-канальный импортный полевой транзистор IRF9520 на напряжение до 100В, ток до7А
КП743 (А1-В1)	ТО-126		n	5.6
КП743 (А-В)	ТО-220		n	5.6	IRF510	ТО-220	mosfet транзистор IRF510 на напряжение до 100В, ток до 6А.
КП801В	ТО-3		n	8	IRFR120	DPAK
КП744 (А-Г)	ТО-220		n	9.2	IRF520	TO-220	импортный полевой транзистор IRF520 на напряжение до 100В и ток до 9А
КП922 (А,Б)	ТО-3		n	10	BUZ72	TO-220	mosfet транзистор BUZ72 с током до 10А
КП745 (А-В)	ТО-220		n	14	IRF530	ТО-220	транзистор IRF530 на напряжение до 100В и ток до 14А
КП785А	ТО-220		p	19	IRF9540	ТО-220	импортный p-канальный полевой транзистор IRF9540 на ток до 19А
2П7144А	ТО-220		p	19			мощный p-канальный полевой транзистор 2П7144 на 100В и ток до 19А
КП954Б	ТО-220		n	20	IRFB4212	TO-220	параметры мощного MOSFET транзистора IRFB4212
2П912А	ТО-3		n	20			мощный n-канальный полевой транзистор 2П912 на напряжение 100В и ток до 20А
КП746(А-Г)	ТО-220		n	28	IRF3315	ТО-220	импортный полевой транзистор IRF3315 на ток до 28А
2П797Г	ТО-220		n	28	IRF540	ТО-220	импортный полевой транзистор IRF540 на ток до 28А
КП769(А-Г)	ТО-220		n	28			мощный полевой транзистор КП769 на напряжение до 100В и ток до 28А
КП150	ТО-218		n	33 34 38	IRF540NS BUZ22	TO-220, D2PAK TO-220	мощный полевой транзистор irf540 на 100В и ток 34А
КП7128А,Б	ТО-220		p	40	IRF5210	ТО-220	mosfet транзистор irf5210 на 100В и ток до 40А
КП771(А-Г)	ТО-220		n	40 42 47	IRF1310 PHB45NQ10	ТО-220 TO-247, D2PAK	отечественный полевой транзистор КП771 на 100В 40А и его импортный аналог irf1310
			n	57	STB40NF10 IRF3710	smd ТО-220	мощный полевой транзистор irf3710 на 100В 57А
			n	72	IRFP4710	ТО-247	mosfet транзистор irf4710 на 100В и ток до 72А
			n	171	IRFP4568	ТО-247	полевой тразистор irf4568 на 150В 171А
			n	290	IRFP4468	ТО-247	мощный полевой транзистор irf4468 на 100В 195А
Полевые транзисторы на напряжение до 200В:
КП402А	ТО-92		p	0. 15	BSS92	TO-92
КП508А	ТО-92		p	0.15
КП501А	ТО-92		n	0.18	BS107	TO-92
КП960В	ТО-126		p	0.2
КП959В	ТО-126		n	0.2
КП504В	ТО-92		n	0.2	BS108	ТО-92
КП403А	ТО-92		n	0.3
КП932А	ТО-220		n	0.3
КП748 (А-В)	ТО-220		n	3. 3	IRF610	ТО-220	mosfet транзистор IRF610 с напряжением до 200В и на ток до 3А
КП796В	ТО-220		p	4.1	BUZ173	TO-220
КП961А	ТО-126		n	5	IRF620	TO-220	полевой транзистор IRF620 на 200В 5А
КП965А	ТО-126		p	5
КП749 (А-Г)	ТО-220		n	5.2
КП737 (А-В)	ТО-220		n	9	IRF630	ТО-220	mosfet транзистор irf630 на ток до 9А и напряжение до 200В
КП704 (А,Б)	ТО-220		n	10			mosfet на 200В 10А
КП750 (А-В)	ТО-220		n	18	IRF640 IRFB17N20	TO-220	mosfet транзистор IRF640 (200В 18А)
КП767 (А-В)	ТО-220		n	18
КП813А1,Б1	ТО-220		n	22	BUZ30A IRFP264	TO-220 TO-247	мощный полевой транзистор irf264 на 200В 20А
КП250	ТО-218		n	30(25)	IRFB4620	TO-220
2П7145А,Б	КТ-9		n	30	IRFB31N20	TO-220	мощный полевой транзистор 2П7145 (200В 30А)
КП7177 А,Б	ТО-218		n	50(62)	IRFS4227	D2PAK	характеристики MOSFET транзистора на 200В 50А
			n	130	IRFP4668	TO-247	мощный импортный полевой транзистор irfp4668 на 200В 130А
Полевые транзисторы на напряжение до 300В:
КП960А	ТО-126		p	0. 2
КП959А	ТО-126		n	0.2
КП796Б	ТО-220		p	3.7
2П917А	ТО-3		n	5
КП768	ТО-220		n	10
КП934Б	ТО-3		n	10
КП7178А	ТО-218 ТО-3		n	40
Полевые транзисторы до 400В:
КП502А	ТО-92		n	0.12
КП511А,Б	ТО-92		n	0. 14
КП733А	ТО-220		n	1.5
КП731 (А-В)	ТО-220		n	2	IRF710	ТО-220	mosfet транзистор IRF710
КП751 (А-В)	ТО-220		n	3.3	BUZ76 IRF720	ТО-220 TO-220	mosfet транзистор IRF720, характеристики
КП931 В	ТО-220		n	5	IRF734	ТО-220	mosfet транзистор IRF734
КП768	ТО-220		n	5.5	IRF730	ТО-220	mosfet транзистор IRF730
КП707А1	ТО-220		n	6
КП809Б	ТО-218 ТО-3		n	9.6
КП934А	ТО-3		n	10	IRF740	ТО-220	mosfet транзистор IRF740
КП350	ТО-218		n	14	BUZ61	TO-220	mosfet транзистор BUZ61
2П926 А,Б	ТО-3		n	16.5
			n	18.4	STW18NB40	TO-247	импортный полевой транзистор на 400В 18А
КП707А	ТО-3		n	25	IRFP360	TO-247	mosfet на 400В 25А
Полевые транзисторы на напряжение до 500В:
КП780 (А-В)	ТО-220		n	2.5	IRF820	ТО-220	mosfet транзистор IRF820
КП770	ТО-220		n	8	IRF840	TO-220	mosfet транзистор IRF840
КП809Б,Б1	ТО-218 ТО-3		n	9.6	2SK1162	ТО-3Р	mosfet транзистор 2SK1162
КП450	ТО-218		n	12	IRFP450	TO-247	мощный полевой транзистор 500В 14А
КП7182А	ТО-218		n	20	IRFP460	ТО-247
КП460	ТО-218		n	20(23)	IRFP22N50	TO-247	мощный полевой транзистор IRF22N50 на 500В 20А
КП7180А,Б	ТО-218 ТО-3		n	26(31)	IRFP31N50 STW30NM50	TO-247 TO-247,TO-220	мощный полевой транзистор 500В 31А
			n	32	SPW32N50	TO-247	мощный полевой транзистор на 500В 32А
			n	46	STW45NM50 IRFPS40N50	TO-247 S-247	мощный полевой транзистор на 500В 46А
Полевые транзисторы на напряжение до 600В:							Раздел: высоковольтные полевые транзисторы.
КП7129А	ТО-220		n	1.2	SPP02N60	TO-220	высоковольтный полевой транзистор SPP02N60 на 600В
КП805 (А-В)	ТО-220		n	4(3)	SPP03N60	TO-220	высоковольтный MOSFET транзистор SPP03N60, характеристики
КП709(А,Б)	ТО-220		n	4	IRFBC30	ТО-220	высоковольтный MOSFET транзистор IRFBC30, характеристики
КП707Б1	ТО-220		n	4	SPP04N60	ТО-220	мощный высоковольтный полевой транзистор SPP04N60 на 600В
КП7173А	ТО-220		n	4
КП726 (А,Б)	smd ТО-220		n	4.5
КП931Б	ТО-220		n	5(6.2) 7	IRFBC40 SPP07N60	TO-220 TO-220	MOSFET транзистор 600В 5А
КП809В	ТО-218 ТО-3		n	9.6	IRFB9N65A	TO-220	мощный высоковольтный полевой транзистор IRFB9N65 на 600В
2П942В	ТО-3		n	10	SPP11N60	ТО-220	MOSFET транзистор 600В 10А
КП953Г	ТО-218		n	15
КП707Б	ТО-3		n	16.5	SPP20N60 SPW20N60	ТО-220 TO-247	MOSFET транзистор 600В 15А
			n	30	STW26NM60	TO-247	полевой транзистор 600В 30А
КП973Б	ТО-218		n	30	IRFP22N60 IRFP27N60	TO-247	MOSFET транзистор 600В 30А
			n	40	IRFPS40N60	S-247	MOSFET транзистор 600В 40А
			n	47	SPW47NM60 FCh57N60	TO-247	MOSFET транзистор 600В 47А
			n	60	IPW60R045	TO-247	MOSFET транзистор 600В 47А
Полевые транзисторы на напряжение до 700В:
КП707В1	ТО-220		n	3
КП728 (Г1-С1)	ТО-220		n	3.3
КП810 (А-В)	ТО-218		n	7
КП809Е	ТО-218 ТО-3		n	9.6			мощный высоковольтный полевой транзистор на 700В
2П942Б	ТО-3		n	10			MOSFET транзистор 700В 10А
КП707В	ТО-3		n	12.5			мощный полевой транзистор 700В 12А
КП953В	ТО-218		n	15			MOSFET транзистор 700В 15А
КП973А	ТО-218		n	30 39	IPW60R075	TO-247	полевой транзистор (IRF) 650В 25А
			n	60	IPW60R045	TO-247	полевой транзистор (IRF) 650В 38А
Полевые транзисторы на напряжение до 800В:
			n	1.5	BUZ78 IRFBE20	ТО-220 TO-220	высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE20, характеристики
КП931А	ТО-220		n	5	IRFBE30	ТО-220	высоковольтный MOSFET транзистор IRFBE30, характеристики
КП705Б,В	ТО-3		n	5.4	SPP06N80	ТО-220	высоковольтный MOSFET транзистор SPP06N80, характеристики
КП809Д	ТО-218 ТО-3		n	9.6	STP10NK80	TO-220	мощный полевой транзистор 800В 10А
2П942А	ТО-3		n	10	STP12NK80	TO-247	MOSFET транзистор 800В 10А
КП7184А	ТО-218		n	15	SPP17N80	ТО-220	мощный полевой транзистор 800В 15А
КП953А,Б,Д	ТО-218		n	15			MOSFET транзистор 800В 15А
КП971Б	ТО-218		n	25(55)	SPW55N80	TO-247	MOSFET транзистор 800В 25А
MOSFET транзисторы на напряжение до 900-1000В:
2П803А,Б			n	4.5(3.1)	IRFBG30	TO-220	высоковольтный полевой транзистор IRFG30 на 900В
КП705А	ТО-3		n	5.4(8)	IRFPG50 2SK1120	TO-247 TO-218	мощный высоковольтный полевой транзистор 2SK1120 на 1000В
КП971А	ТО-218		n	25(36)	IPW90R120	TO-247	высоковольтный mosfet 900В 30А

Справочники по отечественным электронным компонентам с Datasheet

Краткое содержание справочников по электронике.

В приведенных выше электронных справочниках содержится информация (при условии, что она присутствовала в отсканированном первоисточнике), которую невозможно получить из скупых табличных данных. Эти данные могут быть полезны при ремонте бытовой техники и для подбора подходящего аналога. Чтоб скачать соответствующий pdf — файл с документацией на выбранный компонент, необходимо кликнуть по ярлыку pdf в таблице.

Этот справочник по транзисторам отечественным для поверхностного монтажа составлен из выпускавшихся во времена СССР типов. Хотя отечественные smd транзисторы встречаются в магазинах.

В справочник вошли транзисторы с максимальным током не более 400ма, не предназначенные для работы с теплоотводом. Чаще всего это высокочастотные транзисторы.

В нем приведены справочные данные транзисторов серий КТ601 -КТ698, КТ902-КТ978 и КТ6102-КТ6117.

В справочники по транзисторам кт… включена подробная сканированная документация с графиками на биполярные отечественные транзисторы и даташиты на их импортные аналоги. Кроме популярных и широко распространенных транзисторов (КТ502, КТ503, КТ805, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ837 и проч.), приведены и новые транзисторы, ими справочник дополнен с сайтов производителей. В таблице кратких справочных данных приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения коллектор — эмиттер и максимальный возможный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером. В pdf документации описана типичная область применения транзисторов в бытовой и промышленной технике. Для маломощных транзисторов кт…, где используется цветовая или символьная маркировка, приведена расшифровка. Для мощных транзисторов приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока коллектора ( h31э может изменяться на порядок), зависимость напряжения насыщения от тока (что важно для расчета тепловых потерь), область безопасной работы и зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры корпуса. Составные транзисторы (например, КТ829) в справочнике выделены цветом. Их также можно найти по коэффициенту усиления, он, как правило, больше 500.

Приборы расположены в порядке возрастания напряжения и тока с целью упростить подбор транзисторов по параметрам, поиск аналогов, близких по характеристикам транзисторов и комплементарных пар.

В кратком описании приведены тип проводимости транзистора, значение максимального допустимого постоянного тока, предельного напряжения сток — исток и сопротивление сток — исток. В справочном листе на полевой транзистор описана типичная область применения. Приведено пороговое напряжение затвора для MOSFET (напряжение отсечки для транзисторов с неизолированным затвором). На некоторые приборы приведены графики допустимой мощности рассеивания в зависимости от температуры корпуса и другие характеристики. Приборы упорядочены по наименованию, приведены импортные аналоги и производители. Этот справочник подходит для уточнения характеристик и поиска аналогов известного транзистора.

В справочнике по MOSFET транзисторам приборы рассортированы в порядке возрастания напряжения и тока, приведен тип корпуса, что удобно для подбора транзистора в справочнике по параметрам под конкретную задачу. Справочник подойдет и для подбора аналогов, хотя транзисторы с одинаковым током и напряжением могут и не быть взаимозаменяемыми — необходимо внимательно сравнивать характеристики. Импортные взяты исключительно из прайсов магазинов, и это повышает их шансы на доставаемость. В практических применениях полевые транзисторы конкурируют с БТИЗ (смотри IGBT справочник). И те, и другие управляются напряжением, приложенным к затвору и выбор между IGBT и MOSFET чаще всего определяется частотами переключения и рабочим напряжением. На низких частотах и высоких напряжениях эффективнее IGBT, а на высоких частотах и низких напряжениях предпочтительнее MOSFET. В середине этого диапазона все определяется параметрами конкретных приборов. Производители IGBT выпускают транзисторы со все более высокими скоростями переключения, а производители MOSFET, в свою очередь, разрабатывают приборы с высокими рабочими напряжениями, умудряясь сохранять низкое сопротивление стока. Например, весьма хорош полевой транзистор IPW60R045.

В этом справочнике IGBT транзисторы рассортированы в порядке возрастания максимального допустимого тока, дано падение напряжения на транзисторе при этом токе. Причем ток указан при температуре корпуса 100ºС, что чаще всего соответствует реальным рабочим условиям эксплуатации транзисторов (некоторые производители лукавят, указывая ток IGBT транзистора при температуре 25ºС, что на практике недостижимо, а при разогреве допустимый ток может уменьшиться вдвое). Также приведен тип корпуса и указаны важные особенности (тип прибора по рабочей частоте и наличие обратного диода). Приведены MOSFET транзисторы с близкими характеристиками (в некоторых случаях они могут быть заменой IGBT). В IGBT справочник включены транзисторы из прайсов интернет-магазинов.

В справочниках приведены тип корпуса, основные электрические характеристики, предельные параметры и температурные характеристики. В справочнике по диодам выпрямительным приведены ВАХ (вольт-амперная характеристика) диодов и графики изменения параметров в зависимости от температуры. Кроме того, перечислены современные отечественные производители диодов с ссылками на соответствующий раздел сайта производителя.

В справочнике диодов Шоттки компоненты упорядочены по напряжению и току, что удобно для выбора диода по параметрам и подбора аналогов. Приведены типы корпусов, даны ссылки на сайты отечественных производителей.

В справочнике по радиолампам приведены подробные характеристики распространенных электронных ламп: диодов, триодов, тетродов и пентодов.

В справочнике по тиристорам и симисторам (симметричным тиристорам) приведены вид корпуса, основные электрические характеристики и предельные эксплуатационные параметры. На графиках приведена зависимость допустимого тока в открытом состоянии от температуры и зависимость допустимого напряжения в закрытом состоянии от температуры. Описана область применения тиристоров. Дана максимальная допустимая рассеиваемая мощность.

В документации по стабилитронам и стабисторам приведена цветовая маркировка компонентов, разброс напряжений стабилизации при разных температурах, графики изменения дифференциального сопротивления, допустимая рассеиваемая мощность и пр. Стабилитроны в справочнике разбиты на функциональные группы.

В справочных данных по постоянным резисторам приведена зависимость допустимой рассеиваемой мощности от температуры, габариты, область применения. Резисторы разбиты на группы по назначению (общего применения, прецизионные, высоковольтные, нагрузочные). Если какой-либо тип резисторов справочник и не охватил, то документацию по нему можно найти на сайтах производителей резисторов (пройдя по ссылке). Для некоторых типов указаны импортные аналоги резисторов. Калькулятор цветовой маркировки резисторов.

Для переменных резисторов в справочнике приведен внешний вид, указаны размеры, мощность, тип характеристики, предельное рабочее напряжение, износоустойчивость. Для резисторов с выключателем приведены данные по контактам выключателя. Описаны переменные резисторы типов СП-хх и РП-хх.

В справочных данных по конденсаторам указаны область применения, типоразмеры, графики зависимости эквивалентного последовательного сопротивления от температуры и частоты, зависимости допустимого импульсного тока от частоты, время наработки, тангенс угла потерь и другие характеристики.

Отечественные операционные усилители. Справочник.

В справочниках по отечественным операционным усилителям указаны типовая схема включения, электрические и частотные характеристики, допустимая рассеиваемая мощность. На операционники К140УД17, К140УД18, К140УД20, К140УД22, К140УД23, К140УД24, К140УД25, К140УД26, сдвоенные и счетверенные ОУ серий К1401УД1 — К1401УД6, микросхемы для звуковой аппаратуры К157 и широкополосные усилители К574 приведена весьма подробная информация: цоколевка, импортный аналог, внутренняя схема операционного усилителя, графики, характеристики, схемы балансировки, включения в качестве инвертирующего и неинвертирующего усилителя — в общем, не хуже импортных datasheets. Операционные усилители в справочнике расположены в алфавитном порядке. В таблице приведено краткое описание, а подробные характеристики содержатся в pdf файле.

В справочнике по параметрическим стабилизаторам напряжения приведены подробные параметры и характеристики, цоколевка, типовые электрические схемы включения микросхем.

В справочнике по цифровым микросхемам (микросхемы серий К561, К176, К1561, 564) приведены статические и динамические электрические характеристики (допустимое напряжение питания, ток потребления, входной ток, максимальный допустимый выходной ток, задержка распространения сигнала, максимальная рабочая частота). В справочнике описана внутренняя структурная схема и логика работы. Для некоторых микросхем даны временные диаграммы работы.

Представлены микросхемы ШИМ контроллеров для импульсных источников питания

В документации по реле приведены паспорта, конструктивные данные и электрические схемы, сопротивление обмотки, износостойкость, режимы коммутации и другие параметры.

Даташиты на электрические соединители взята с сайтов производителей (ссылка на них здесь же) и сведена воедино. В справочнике по разъемам в таблице для начала представлены основные параметры разъемов — количество контактов, максимальный допустимый ток на контакт и максимальное напряжение. Подробная информация о конкретном разъеме в справочнике (габаритные размеры, сопротивление контактов, количество контактов разного сечения в одном разъеме, маркировка и т.д.) содержится в datasheet. В справочник вошли как силовые разъемы на токи до 200 А (типа 2РТТ, ШР), так и электрические соединители для подключения слабых сигналов.

Отечественные оптроны. Справочник.

В справочнике по отечественным оптопарам описан принцип действия, основные характеристики и применение диодных, транзисторных, транзисторных оптронов с составными транзисторами на выходе (по схеме Дарлингтона) и тиристорных оптронов. Указан отечественный производитель микросхем. В datasheet на компоненты приведена цоколевка, внутренняя схема, зависимости параметров, коэффициент усиления и напряжение гальваноразвязки.

В справочнике по отечественным светодиодам на первой странице приведены основные параметры светодиодов: номинальный ток светодиода, напряжение светодиодов при номинальном токе и разброс значения силы света для каждого типа приборов. Более подробные характеристики приведены в pdf. Указан отечественный производитель. В самих datasheet приведены подробные характеристики для каждого прибора. Данные взяты с сайтов предприятий, занимающихся производством светодиодов.

В справочнике по импортным диодным мостам приведены однофазные и трехфазные мосты. Однофазные мосты собраны с характеристиками по напряжению от 50 до 1200 вольт и токами от 0.5 до 50 ампер. Корпусное исполнение: для поверхностного монтажа, выводного исполнения для пайки в плату и для внешнего монтажа. Трехфазные диодные мосты представлены приборами на токи от 20 до 110 ампер и на напряжение от 50 до 1600В. Для удобства выбора в справочник включены фото диодных мостов. Отдельный раздел посвящен диодным мостам для генераторов отечественных авто (преимущественно семейства ВАЗ, начиная «Копейкой» и заканчивая «Приорой»). В datasheet от украинского производителя «ВТН» описана применяемость, совместимость с разными типами генераторов, приведены технические характеристики, электрическая схема, габаритный чертеж и фотографии.

Примеры расчетов параметров схем с использованием документации:

*параметры транзисторы справочник условных обозначений* карта сайта

контактный адрес:

Оригинальный импортный демонтаж W10NK80Z ST 10N80 10A800V MOS field effect — Kartzapper.com

Pengshun microelectronics firm Компоненты всемирно известных брендов, включая Полевой транзистор , трехконтактный стабилизатор, трубку быстрого восстановления Шоттки, Дарлингтон, индукционную плитуIGBT, тиристор, интегральную микросхему, транзистор звука IC.

Разнообразие моделей и большой инвентарь Качественная продукция, доступные цены.（У компании есть инструменты, которые могут быстро и точно проверять каждый компонент и производить каждый компонент） Обеспечение все более и более стабильной продукции клиентов. Это снижает затраты и снижает скорость ремонта.

Наша компания специализируется на: TO252 TO251 TO263 TO262 TO220 TO3P SOT223 SOP8

упаковке и т. Д. На протяжении многих лет наша компания придерживается «принципа« Качество прежде всего, обслуживание прежде всего ». стабильные отношения сотрудничества со многими производителями.Он получил широкую репутацию и поддержку.

Разнообразие моделей и большой инвентарь. Он может предоставить полный спектр быстрых и точных, всеобъемлющих и высококачественных вспомогательных услуг для всех видов технологий и компонентов для реализации вашей продукции. Продукты широко используются Инвертор , импульсный источник питания, источник питания, автомобильное освещение, энергосберегающие лампы, игрушки, Контроллер электромобиля мотоцикл ( воспламенитель) , выпрямитель, сварочный аппарат, Бытовая техника , связь, инструменты и военная и другие области в той же отрасли.

контакт QQ 28355 Г-н Линь: 15817922869

Сердечно приветствуем новых и старых клиентов дома и за рубежом, производители звонят нам, чтобы обсудить сотрудничество, мы предоставляем вам самое искреннее отношение, отличные услуги!

Доставка, отслеживание заказа и доставка?
Наши торговые представители доступны пн-сб: с 9:30 до 18:00 , Вы можете отслеживать свои заказы по номеру службы поддержки клиентов 8448188526. Если вы используете мобильный веб-сайт Kartzapper.com , вы можете нажать один раз, чтобы позвонить в нашу службу поддержки клиентов.

Какова политика Kartzapper.com в отношении оптовых заказов в отношении доставки?
Мы стремимся доставлять грузы, закупленные через Kartzapper.com, в отличном состоянии и в кратчайшие сроки. Ваш заказ будет застрахован от повреждений, связанных с транспортировкой, и может быть востребован в случае любого непредвиденного ущерба. Мы доставляем ваши заказы в течение 7-60 дней в зависимости от размера и индивидуальных требований.Однако, если ваш заказ не будет доставлен вам в течение 75 дней с момента оплаты, вы должны потребовать возмещения, которое наша команда с радостью одобрит.

Как мне проверить статус моего заказа?
Нажмите на раздел «Мои заказы» в главном меню приложения / веб-сайта, чтобы проверить статус вашего заказа. Мы также будем отправлять сообщение и электронное письмо на каждом этапе процесса доставки.

Как я могу проверить, выполняет ли Kartzapper.com мой ПИН-код?
Пин-код, как правило, не является ограничением в Индии для крупных заказов, поскольку мы доставим посылку в ближайший к вам контакт-центр.
Мы связались с контактными центрами по всей стране. Чтобы снизить стоимость доставки, от вас могут потребовать организовать вывоз партии товара из ближайшего контакт-центра наиболее экономичным и подходящим для вас способом.

Доставляет ли Kartzapper.com оптовые поставки за пределы Индии?
Да, мы отправляем товары и за пределы Индии, однако оплата будет отдельной, и вы должны будете предоставить документы, удостоверяющие личность. Пожалуйста, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов, если вы находитесь за пределами Индии и хотите сделать заказ через Kartzapper.com.

Как я могу быстрее доставить свой груз?
У вас есть возможность самостоятельно выбрать срок доставки на вкладке доставки на каждой странице продукта. Как правило, рекомендуется выбирать наиболее экономичную услугу в соответствии с вашим бизнесом.

Какова политика Kartzapper.com в отношении доставки образцов?
Мы стремимся доставить образцы, полученные через Kartzapper.com, в отличном состоянии и в кратчайшие сроки. Для образцов мы взимаем с вас часть стоимости доставки на основе вашего пин-кода.То же самое будет добавлено к стоимости вашего заказа перед оформлением заказа.

Если посылка утеряна или не будет доставлена в желаемое место, мы вернем полную сумму заказа, включая все расходы по доставке, при оплате онлайн.
Если вы вернете доставленный вам заказ, стоимость доставки также будет возмещена. Kartzapper.com просто вычтет расходы на возврат и доставку из вашего возмещения, которое будет основано на фактической стоимости. Однако, если вы отправите свой возврат самостоятельно, мы возместим расходы на самовывоз на основе Kartzapper.com Политика возврата. Для учетных записей, поведение которых при возврате нарушает нашу политику справедливого использования, стоимость доставки не возвращается.
* Стоимость заказа рассчитывается с учетом скидок / НДС / GST или любых других применимых сборов.

Мы стремимся доставлять грузы, закупленные через Kartzapper.com, в отличном состоянии и в кратчайшие сроки. Ваш заказ будет застрахован от повреждений, связанных с транспортировкой, и может быть востребован в случае любого непредвиденного ущерба. Мы доставляем ваши заказы в течение 7-60 дней в зависимости от размера и индивидуальных требований.Однако, если ваш заказ не будет доставлен вам в течение 75 дней с момента оплаты, вы должны потребовать возмещения, которое наша команда с радостью одобрит.

Что такое Политика добросовестного использования Kartzapper.com?
Мы стремимся предоставить нашим клиентам лучший сервис. Тем не менее, некоторые учетные записи возвращают большую часть товаров или предпочитают не принимать наши поставки. Мы хотим воспрепятствовать несправедливому использованию нашей либеральной политики возвращения. Чтобы защитить права наших клиентов, мы оставляем за собой право взимать плату за доставку по всем заказам и отключать опцию наложенного платежа для счетов, которые имеют высокий процент возвратов и отправлений, не принятых по стоимости размещенных заказов.

Как мне проверить статус моего заказа?
Нажмите на раздел «Мои заказы» в главном меню приложения / веб-сайта, чтобы проверить статус вашего заказа.

Как я могу проверить, выполняет ли Kartzapper.com мой ПИН-код?
Вы можете узнать, выполняет ли Kartzapper.com ваш ПИН-код, с помощью инструмента для курьерского обслуживания, доступного на странице продукта. Нажмите «Проверить варианты доставки» и введите ПИН-код своего региона в соответствующее поле, чтобы получить необходимую информацию о стандартном времени доставки заказа и наличии наложенного платежа для выбранного продукта.ПИН-коды, которые мы обслуживаем, часто обновляются, поэтому, если мы не доставим ваш ПИН-код сегодня, вернитесь и проверьте, не изменилось ли оно. Этот инструмент не требуется для оптовых заказов, так как мы отправим товары в ближайший пункт выдачи в вашем районе, где вы сможете забрать посылку, если доставка на пороге невозможна.

Как мне доставляются образцы, приобретенные на Kartzapper.com?
Все заказы, размещенные на Kartzapper.com, отправляются через нашу собственную курьерскую службу — Kartzapper.com Logistics или через других курьерских партнеров, таких как Blue Dart, Delhivery, Ecom-express и т. д.

Доставляет ли Kartzapper.com образцы за пределы Индии?
Да, мы доставляем образцы и за пределы Индии, однако оплата будет отдельной, и вы должны будете предоставить документы, удостоверяющие личность. Пожалуйста, свяжитесь с нашей службой поддержки клиентов, если вы находитесь за пределами Индии и хотите заказать образец на Kartzapper.com.

Как я могу быстрее доставить свой заказ?
Извините, в настоящее время у нас нет услуг по ускорению доставки заказа.В будущем, если мы будем предлагать такую услугу и пин-код вашего региона пригоден для обслуживания, вы получите сообщение с нашей стороны.

Некоторые товары будут отмечены как образцы быстрой доставки, и вы можете заказать их, чтобы получить быструю доставку в течение 2-7 дней.

Я получил частичный / частичный заказ или Нежелательный / недействительный пакет?
Пожалуйста, свяжитесь с нами по поводу кражи в течение 48 часов с момента доставки, в противном случае претензия не будет рассмотрена. В ходе расследования мы просим вас принять к сведению следующие моменты.

Не используйте товар, по которому предъявляются претензии.
Вам может потребоваться такая информация, как краткое описание дела (будет предложено несколько вопросов, чтобы помочь нам разобраться в сценарии)
Снимки пакета и других коробок (если есть) (Попытайтесь закрыть стороны, которые, по мнению пользователей, выглядят испорченными / поврежденными.
Возврат по предоплате / заказам наложенным платежом будет произведен после расследования
Вы не несете ответственности за возмещение, если он / она попадает в любой из сценариев, указанных ниже:
Непредоставление надлежащей информации по делу:
Отсутствие снимков пакета и коробки (если есть)
Если была получена посылка о хищении, претензии о хищении должны быть предъявлены в тот же день.
Запрещается выбрасывать упаковку в течение 3-4 дней после доставки. Возможно, нам потребуется забрать вашу упаковку для расследования на нашей стороне.
Вы использовали товар, по которому была подана претензия.
В случае отсутствия какого-либо компонента в многокомпонентном элементе, таком как Kurta, Простыни, комплекты внутреннего износа и т. Д., Будет предоставлена только возможность обмена на основе обслуживания и типа продукта

Данные об импорте и цена транзистора в соответствии с кодом ГС 85411000

(INR) 9017 Июн 21 год 2016 9017 9017 9017 9017 9017 9017 9017 9017 9017 9017 Может 22 2015 Может 22 2015 9017 Июн 27 2014 Янв 20 2014

Дата

Код ГС

Описание

Страна происхождения

Порт разгрузки

Единица

Количество

Стоимость (INR)

Авг 17 2016

85411000

ЭЛЕКТРОННЫЙ КОМПОНЕНТ ТРАНЗИСТОРА FET TK10A80ES4X (S (TOSHIBA) (КИТАЙ)

Китай

Bombay Air Cargo

PCS

20,000

373,393

70 19 Авг 04 2016

85411000

TRANSISTOR FET N CH 30V SOT23 1758055

United Kingdom

Banglore Air Cargo

NOS

595

Авг 02 2016

85411000

ТРАНЗИСТОР N КАНАЛ DMOS FET 20V 105A 3SOT2 2395532

Сингапур

Banglore Air Cargo

NOS

Июл 04 2016

85411000

FET, IRF530NPBF, 14A, 100V, МОП-транзистор на транзисторе

США

Bombay Air Cargo

UNT

200

10,347

85411000

DS994400 FET-MOS N DUAL 60V / 3A LF SMD SO-8 T (ТРАНЗИСТОР) (ДЕТАЛИ ДЛЯ ОБОРУДОВАНИЯ СВЯЗИ)

Израиль

Delhi Air Cargo

PCS

500

6,178

Ноя 05 2015

85411000

ТРАНЗИСТОР (IRLML5203TRPBF P CHANNAL FET SOT23)

Сингапур

Banglore Air Cargo

PCS

12,000

55,433

Может 22 2015

85411000

BARH-B133930 Q # IRF805 FN P SO8 МОП-транзистор с полевым эффектом (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА)

Малайзия

Delhi Air Cargo

PCS

85411000

BARH-P232255 Q # IRF5210S FP P D2PAK МОП-транзистор с полевым эффектом (ЧАСТИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА)

Малайзия

Delhi Air Cargo

PCS

1,151

85411000

BARH-B173253 Q # IRF7410 FP P SO8 МОП-транзистор с полевым эффектом (ЧАСТИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА)

Малайзия

Delhi Air Cargo

PCS

2,881

Может 22 2015

85411000

BARH-B173022 Q # IRF7204 МОП-транзистор с полевым эффектом на полевом транзисторе SO8 (ДЕТАЛИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА)

Малайзия

Delhi Air Cargo

PCS

597

9017 Апр 20 2015

85411000

ТРАНЗИСТОР — P / N полевой транзистор IRFP150 (ВСТРОЕННАЯ ЦЕПЬ) (ДЛЯ ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ УСИЛИТЕЛЯ И ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ СИГНАЛОВ И ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ

США

Chennai Air Cargo

Янв 05 2015

85411000

IRF6646TRPBF МОП-транзистор N CH 80V 12A 7 PIN DIRECT FET MN T / R B137128 (ЧАСТИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА)

Малайзия

Delhi Air Cargo

PCS

4,800

Декабрь 05 2014

85411000

0505-002652 КРЕМНИЙ FET RUM002N02GT2L, N, 20V, 200MA, 1.(ТРАНЗИСТОР ДЛЯ МОБИЛЬНОГО ТЕЛЕФОНА)

Южная Корея

Delhi Air Cargo

PCS

32000

25,067

Авг 16 2014

85411000

ЗАПЧАСТИ ДЛЯ СИСТЕМЫ ВИБРАЦИОННЫХ ИСПЫТАНИЙ (ТРАНЗИСТОРЫ -IGBT-FET-APT50GS60BRDQ2G)

Соединенные Штаты

Hyderabad Air Cargo

NOS

2917270 500

70 500

85411000

ДВОЙНОЙ J-FET (ТРАНЗИСТОР)

Сингапур

Hyderabad Air Cargo

NOS

6000

74683

Июн 04 2014

85411000

ACS-01TR0002 Полевой транзистор, N-КАНАЛЬНЫЙ, 25 В, 0.22 ТРАНЗИСТОР

США

Banglore Air Cargo

PCS

139

Мар 14 2014

85411000

ДИОД — ТРАНЗИСТОР FET P CHAN BSS84 — 429410140117 (PO NO: 4200108466)

Соединенные Штаты

Delhi Air Cargo

NOS

695

876

70 1

85411000

ТРАНЗИСТОР FET P CHAN BSS84 -429410140117 — PONO: 4100024828 (DIODES)

Соединенные Штаты

Delhi Air Cargo

NOS

3000

3493

70 1

Янв 20 2014

85411000

ТРАНЗИСТОР FET P CHAN BSS84 -429410140117 — PONO: 4200105931 (ДИОДЫ)

США

Delhi Air Cargo

NOS

3000

3,493

70 1

Ноя 05 2013

85411000

BARH-B173006 Q # LRF7811AV FN P SO8 МОП-транзистор с эффектом поля (ЧАСТИ ДЛЯ ПРОЕКТОРА ДАННЫХ)

Германия

Delhi Air Cargo

PCS

2,883 Полевые транзисторы JFET

1.Введение

В этом документе показано, как использовать транзистор JFET в моделировании SPICE. Мы используем ngspice. Полученные данные импортируются в python с помощью функции, описанной в разделе «Чтение выходных данных SPICE с помощью Python».

2. Определите параметры модели

Объявление транзистора JFET выполняется со следующим синтаксисом:

 Jxxx ND NG NS МОДЕЛЬ

Имя транзистора должно начинаться с Q. ND, NG и NS — это узлы стока, затвора и истока.МОДЕЛЬ — это название модели.

Транзисторы

JFET представлены в SPICE 14-параметрической моделью. Если название модели не указано, применяются настройки по умолчанию. Предпочтительно использовать набор параметров, точно соответствующий моделируемому транзистору. Производители компонентов предоставляют модели SPICE для наиболее часто используемых компонентов.

Вот, например, модель для канала JFET N 2N3819:

 .MODEL 2N3819 NJF VTO = -2,9985 BETA = 1,3046M LAMBDA = 2.2507М РД = 1 РС = 1
+ CGD = 1,5964P CGS = 2,4199P PB = 500M IS = 33,582F KF = 0 AF = 1

3. Статическая характеристика

Статическая характеристика (постоянный ток) JFET-транзистора получается с помощью следующей схемы:

JFET транзистор

Вот определение этой схемы SPICE:

. ВКЛЮЧИТЬ modeles.cir
Vgs 1 0 DC 0
Vds 2 0 DC 0
Дж 2 1 0 2N3819

Команда .INCLUDE используется для включения файла, в котором находится определение модели 2N3819.

Переход затвор-исток должен иметь обратное смещение, поэтому Vgs должен быть отрицательным. Начнем с построения кривой, показывающей зависимость тока стока (равного току истока) от напряжения сток-исток для различных значений Vgs.

Команда .DC используется для изменения как напряжения затвор-исток, так и напряжения сток-исток. Транзистор-1.cir

. ВКЛЮЧИТЬ modeles.cir
Vgs 1 0 DC 0
Vds 2 0 DC 0
Дж 2 1 0 2N3819
.контроль
Постоянный ток Vds 0 10 0,1 Vgs 0-4-0,5
ПЕЧАТЬ I (Vds)> экспорт-1.текст
.endc
.конец

 ngspice -b транзистор-1.cir

Таблица экспортируемых значений включает все напряжения Vds и соответствующие токи холостого хода. Напряжение затвор-исток явно не указано в таблице. Напряжение, называемое v-разверткой, является первым, которое проверяется регулятором постоянного тока, то есть Vds. Поскольку мы знаем количество точек на кривую, мы можем разделить разные кривые после импорта таблицы:

 из лекции
из матплотлиб.импорт pyplot *
импортировать numpy как np

data = lectureSpicePrint ("экспорт-1.txt")
npts = 101
фигура (figsize = (10,5))
я = 0
для k в диапазоне (9):
    Vgs = -0,5 * k
    Vds = данные ["v-развертка"] [i: i + npts]
    id = -data ["i (vds)"] [i: i + npts] * 1e3
    сюжет (Vds, id, label = "Vgs =% f V"% Vgs)
    я + = npts
xlabel ("Vds (V)")
ylabel ("идентификатор (мА)")
ось ([0,20, -5,20])
легенда (loc = "верхний правый")
сетка()

В активной области при Vds> 2 В ток стока регулируется напряжением затвор-исток.Когда Vgs <-3 В, ток стока равен нулю: транзистор заблокирован.

Когда напряжение сток-исток фиксировано в активной зоне, транзистор ведет себя как источник тока, управляемый напряжением. Поэтому мы должны построить график зависимости тока стока от напряжения затвор-исток (характеристика крутизны): transistor-2.cir

. ВКЛЮЧИТЬ modeles.cir
Vgs 1 0 DC 0
Vds 2 0 DC 5
Дж 2 1 0 2N3819
.контроль
Постоянный ток ВГС 0-4-0,04
ПЕЧАТЬ I (Vds)> export-2.txt
.endc
.конец

 ngspice -b транзистор-2.Cir

 data = lectureSpicePrint ("экспорт-2.txt")
Vgs = данные ["v-sweep"]
Id = -data ["i (vds)"] * 1e3
фигура (figsize = (5,5))
сюжет (Vgs, Id)
сюжет (Vgs [25], Id [25], 'r.')
xlabel ("Vgs (V)")
ylabel ("Идентификатор (мА)")
сетка()

На кривой помещена рабочая точка при Vgs = -1 В. Если к этому напряжению добавить небольшое переменное напряжение, ток стока также изменится около своего среднего значения (примерно 5 мА). Отношение амплитуды изменения тока стока к амплитуде изменения напряжения затвор-исток представляет собой динамическую крутизну: g = ΔIdΔVgs (1)

Это наклон предыдущей кривой, которая получается следующим образом:

 n = Vgs.размер
g = np. нули (n-1)
для k в диапазоне (n-1):
    g [k] = (Id [k + 1] -Id [k]) / (Vgs [k + 1] -Vgs [k])
фигура (figsize = (5,5))
сюжет (Vgs [0: n-1], g)
сюжет (ВГС [25], г [25], «р.»)
xlabel ("Vgs (V)")
ylabel ("g (mS)")
сетка()

Для рабочей точки, приведенной в качестве примера, динамическая крутизна составляет около 5 мСм. Обратите внимание, что крутизна изменяется линейно. Уравнение: g = gmax1-VgsVgsb (2)

, где Vgsb — напряжение блокировки затвор-исток (здесь -3 вольта). Это означает, что кривая Id = f (Vgs) является параболой.

Это может вас заинтересовать

сообщение навигации

Данные об импорте транзистора Mosfet в Россию по коду HS 85412

Дата	Код ТН ВЭД	Описание продукта	Товарный знак	Страна происхождения	Кол. Акций	Установка	Вес нетто [KGS]	Общая стоимость [долл. США]
07 ноября 2017 г.	85412	Кремниевые полупроводниковые пластины с полевым транзистором (MOSFET), которые используются в ПРОИЗВОДСТВЕ МОП-транзисторов и гибридных сборок.	DMS	КИТАЙ	1057	ПК	0,6	1169,47
10 ноября 2017 г.	85412	POWER Полевые транзисторы с изолированным затвором, используются для DC / DC преобразователей (НЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ЛОМА).СБОРКА- транзисторные силовые модули MOSFET, ТИП ПОЛУПРОВОДНИК — карбид кремния. Рассеиваемая мощность 1668 БТ,	БЕЗ ТОВАРНОГО ЗНАКА	***	6	ПК	1.3	2677,5
14 ноября 2017 г.	85412	ПОЛУПРОВОДНИКИ, НЕ УДАЛЯЕМЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИМИ: МОП-ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ В ПРИБОРАХ для поверхностного монтажа. ТИП ПОЛУПРОВОДНИК — кремний, рассеиваемая мощность 46 Вт.	INFINEON	***	5673	ПК	0.98	4657,61
27 ноября 2017 г.	85412	TRAZISTORY ПОЛУПРОВОДНИК, ДИСПЕРСИЯ ПО МОЩНОСТИ 1 Вт: N-канальный полевой униполярный МОП-транзистор GIGAMOS POWER MOSFET; Рассеиваемая мощность 1390Вт; ТИП ПОЛУПРОВОДНИК — кремний, применяется для поверхностного монтажа на печатных платах	IXYS	***	80	ПК	0.8	510,07
07 ноября 2017 г.	85412	Полевой транзистор — это интегрированный силовой полевой МОП-транзистор с дополнительной ЗАЩИТой схемы. Для использования в телекоммуникационном оборудовании. НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРОООБРУДОВАНИЯ. ПРОМЫШЛЕННОЕ ПРИМЕНЕНИЕ	СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА	***	10000	ПК	1.1	2259,02
13 ноября 2017 г.	85412	Полевой транзистор — это интегрированный силовой полевой МОП-транзистор с дополнительной ЗАЩИТой схемы. Для использования в телекоммуникационном оборудовании. НЕ ЛОМ ЭЛЕКТРОООБРУДОВАНИЯ. ПРОМЫШЛЕННОЕ ПРИМЕНЕНИЕ	СТМИКРОЭЛЕКТРОНИКА	***	2000	ПК	0.22	450,69
17 ноября 2017 г.	85412	Транзистор: МОП-транзисторы СЕРИИ COOLMOS «IPD50R3K0CEAUMA1», с мощ. ДИФФУЗИЯ 26 Вт; СЕРИЯ СУПЕРМЕШ «СТН1ХНК60» С мощным. ДИСПЕРСИЯ 3.3 Вт. ТИП КРЕМНИЙ ПОЛУПРОВОДНИК.	INFINEON ТЕХНОЛОГИИ	***	11500	ПК	5.732	1419,41
07 ноября 2017 г.	85412	ПОЛЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР IRLR120NPBF TIR (металл-изолятор — ПОЛУПРОВОДНИК) МОП-транзистор, N-КАНАЛЬНЫЙ, большой мощности (> 1 Вт). ВИД МОНТАЖА — ПОВЕРХНОСТЬ. НАПРЯЖЕНИЕ «сток-исток» — 100 В; Напряжение пробоя затвор-исток — 16 В; Рассеиваемая мощность	ОТСУТСТВУЕТ	***	2025	ПК	1.332	471,91
08 ноября 2017 г.	85412	Детали для сборки и ремонта автомобильного усилителя звуковой частоты на металлооксидных полевых транзисторах IRF 3205 MOSFET 200W (MOS METALL OCSIDE) 2600 шт. ПОСТАВЛЯЕТСЯ В КАЧЕСТВЕ КОМПОНЕНТОВ для собственных нужд ПРЕДПРИЯТИЯ.ПОГРЕШНОСТЬ ОТГРУЗКИ +/- 5% СО	PRIDE	КОРЕЙСКАЯ РЕСПУБЛИКА	2600	ПК	5.2	390
13 сентября 2017 г.	85412	Транзистор с рассеиваемой мощностью не менее 1 Вт. (БЕЗ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ОБРАБОТКИ) Рассеиваемая мощность МОП-транзистора 200 Вт МЕЖДУНАРОДНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ БЕЗ ТОРГОВОЙ МАРКИ B / N IRF5210PBF B / 10 H	***	КИТАЙ	0,06	кг	0.06	21,75
13 сентября 2017 г.	85412	Транзистор с рассеиваемой мощностью не менее 1 Вт. (NO ELECTRICAL SCRAP) Рассеиваемая мощность MOSFET 2,5 Вт МЕЖДУНАРОДНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ БЕЗ ТОВАРНОЙ МАРКИ B / N IRF7416TRPBF B / 30 H	***	КИТАЙ	0,07	кг	0.07	32,37
11 сентября 2017 г.	85412	ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, рассеивание мощности 32-375 BT, импортируемые в качестве сырья (материалов) для сборки электронного модуля (карты), студийных вспышек, переносного сетевого источника питания, устройства подъема и опускания ламп-вспышек, MOSFET	***	КИТАЙ	0,7	кг	0.7	270,25
04 / сен / 2017	85412	ПОЛУПРОВОДНИКИ НЕ ЛОМАЮТСЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ: N-канальные МОП-транзисторы ТИП ПОЛУПРОВОДНИК — кремний, ИСТОЧНИК НАПРЯЖЕНИЯ SRT-65В, выходная мощность 60Вт, рабочая частота 1ГГц, рассеиваемая мощность 79Вт, ток стока 7А. STMICROELECTRONICS NV	***	ЯПОНИЯ	0,03	кг	0.03	192,56
01 / сен / 2017	85412	Другие транзисторы, фототранзисторы ИСКЛЮЧАЯ: ТРАНЗИСТОР, низковольтный полевой МОП-транзистор, КОРПУС — TO-263-3, КОЛИЧЕСТВО КАНАЛОВ — 1 ИСТОЧНИК ТОКА ПРОБОЙНОГО НАПРЯЖЕНИЯ — — 40 В, УТЕЧКА / ПОТОК ПОСТОЯННОГО ТОКА — — 100 А, СОПРОТИВЛЕНИЕ ТОКА ИСТОЧНИК — 3.5 МОм, НАПРЯЖЕНИЕ	***	КИТАЙ	1,6	***	1,6	1704,5
13 сентября 2017 г.	85412	FET TRANSISTOR PD55003-E STMICROELECTRONICS ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ КОМПАНИЯ — МОП-транзисторы РФ.ПРЕИМУЩЕСТВА: НИЗКИЙ РАБОЧИЙ ТОК И НИЗКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ. Используется в сетевых выключателях, клапанах. Полярность транзистора: N-КАНАЛ. ID	***	СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ	1,94	кг	1.94	13068

«Полевые транзисторы Шоттки и схемы КМОП Шоттки» Рейнальдо Вега

Аннотация

Основной целью (и результатом) представленной работы была эмпирическая демонстрация работы КМОП (т. Е. Передаточных характеристик инвертора) с использованием полевых МОП-транзисторов типа металл / исток / сток (SFET — полевые транзисторы Шоттки), изготовленных на кремнии на изоляторе ( SOI) субстратов — впервые в истории исследований SFET.Из-за того, что он является кандидатом в настоящую и будущую технологию CMOS, многие различные исследовательские группы исследовали различные архитектуры SFET в попытке максимизировать производительность. В представленной работе архитектура, известная как SFET с «массовым переключением», была изготовлена с использованием технологии «имплантат-силицид» (ITS), которая обеспечивает высокую степень снижения барьера Шоттки и, следовательно, увеличение подачи тока с минимальной сложностью процесса. Другой механизм переключения, реализованный с помощью этого метода, также снижает амбиполярный ток утечки, который так часто преследует SFET более традиционной конструкции.Кроме того, эти устройства были использованы в подходе, на который подана заявка на патент, который может способствовать увеличению плотности схемы для устройств заданного размера. Другими словами, например, можно достичь плотности схемы, эквивалентной технологии 65 нм, используя процесс 90 нм, в то же время сохраняя или уменьшая плотность локальных межсоединений для повышения общей скорости системы. Будут обсуждены детали изготовления и электрические результаты, а также некоторые начальные усилия по моделированию, направленные на понимание деталей инжекции тока на границе раздела металл-полупроводник (M-S).Будут обсуждены проблемы, возникающие при использовании подхода ITS в агрессивных масштабах, а также потенциальные преимущества и недостатки других подходов к технологии SFET.

Использование полевых транзисторов с кремниевыми нанопроводами для обнаружения сердечного биомаркера, сердечного тропонина I и их применения на моделях животных

Конструкция и характеристики устройства SiNW-FET

SiNW-FET были разработаны с использованием нисходящей методологии и привели к неизменным размерам с морфологическими особенностями при массовом производстве.Эти датчики могут обеспечить получение прибыльных наноустройств на практике. На рисунке 1 показано схематическое изображение химического процесса, участвующего в модификации поверхности.

Рисунок 1

Схематическое изображение химического процесса, участвующего во время модификации поверхности устройств SiNW: ( a ) Добавление APTES к SiNW-FET. ( b ) Добавление бифункционального линкера глутаральдегида. ( c ) Присоединение антитела. ( d ) Обнаружение антигена.

В этом исследовании обнаружение сердечного cTnI было достигнуто с использованием МОП-совместимых SiNW-FET путем иммобилизации антител cTnI на поверхности SiNW после процесса изготовления, как показано на рис. 2. СЭМ-изображения SiNW-FET были записаны для учета морфологические особенности устройства. Изображения устройства SiNW-FET показаны на рис. 2а, б. На рис. 2c, d показано подробное изображение SEM и характерная область нанопроволоки. SiNW-FET показал хорошее выравнивание и форму и был хорошо унифицирован со средней длиной 13.5 мкм и шириной 652 нм. Метод SEM – EDS был принят для определения химического состава на поверхности SiNW-FET (Таблица S1). На рисунке 2e представлена принципиальная схема одиночного SiNW-полевого транзистора.

Рисунок 2

( a , b ) Изображения изготовленного SiNW-полевого транзистора. ( c , d ) показали SEM-изображения репрезентативной области нанопроволоки со средней длиной и шириной. ( e ) Принципиальная схема одиночного SiNW-полевого транзистора.

Электрические характеристики SiNW-FET

Электрические измерения, включая поведение на выходе SiNW-FET, были представлены на рис. S1 с напряжениями затвора в диапазоне от 1 до 16 В. В этом исследовании для подтверждения тока использовался измеритель источника. стабильность пластины, а также для оценки дефекта решетки материала, вызванного нестабильностью сигнала. Точность тренда потока была отмечена путем изменения напряжений от 1 до 16 В путем наблюдения за их изменениями тока. Результаты показали, что источники высокого напряжения увеличивают силу тока и указывают на то, что SiNW-FET хорошо функционирует как проводящий материал.При более высоком напряжении кривая искажалась из-за разрушения структуры SiNW-FET, что приводило к дефектам и нестабильным выходам. Хотя неисправность возникла около 16 В, питание при низком напряжении все еще оставалось стабильным. Наблюдаемые токи составляли от 4 × 10 9 10 30 –9 9 10 31 до 7 10 9 10 30 –5 9 10 31 А для различных напряжений (2, 4, 8 и 16 В). Однако сигналы нанопроволоки не генерировались, когда токи превышали 2,1 · 10 9 · 1030 –4 9 · 1031 А. В целом, электрические характеристики были проверены и 0.7 В применялось для всех следующих измерений биочувствительности.

Реакция тока на химическую модификацию SiNW-FET

Изменения тока были зарегистрированы после химической модификации датчика SiNW-FET. Завершение процесса модификации было подтверждено измерением изменения тока при 0,7 В, и сила тока пустого чипа оказалась равной 1,14 × 10 9 10 30–9 9 10 31 А (рис. S2). Кроме того, FESEM использовался для подтверждения модификации поверхности SiNW-FET. FESEM — это высокопроизводительный СЭМ исследовательского класса с отличными характеристиками для визуализации поверхностей.На рисунке S3 показаны изображения FESEM КНН, модифицированных APTES и глутаральдегидом, и их элементный состав представлен в таблицах S2 и S3.

Дебаевское экранирование

Дебаевская длина — один из важных параметров, позволяющих настроить производительность устройства. Длины Дебая, записанные для буфера PBS при различных концентрациях, отображены на рис. S4. Хорошо известно, что ионная сила обратно пропорциональна длине Дебая и силе тока ²⁸, и при использовании буферного раствора с низкой ионной силой можно заметить большую разницу в сигнале тока.Текущие измерения cTnI (0,5 нг / мл) в 0,01 × PBS, 0,1 × PBS, 0,5 × PBS, 0,8 × PBS и 1 × PBS были выполнены для изучения влияния различной ионной силы PBS на обнаружение антигена cTnI. Уменьшение длины Дебая наблюдалось при увеличении PBS с 0,01 × до 1 ×. Этот результат указывает на то, что при увеличении концентрации буферного раствора изменения в отклике по току становятся небольшими и, следовательно, снижает чувствительность. В этом исследовании наименьшая длина Дебая, сопровождаемая большим изменением тока и высокой чувствительностью для сенсорного устройства, была достигнута при использовании 0.01 × PBS, который использовали в следующих экспериментах.

Обнаружение человеческих антигенов cTnI

Обнаружение и различение антигенов cTnI в различных концентрациях в 0,01 × PBS буферном растворе были изучены с целью создания нового чипа матрицы SiNW-FET для обнаружения cTnI в сверхнизких концентрациях в биологических образцах. Подходящее количество чистого антигена cTnI готовили в 1 × PBS-растворе в качестве исходного раствора, и этот исходный раствор разбавляли для получения антигена cTnI в различных концентрациях путем серийных разведений.Обнаружение антигена cTnI в различных концентрациях в 0,01 × растворе PBS показано на рис. 3а. Биосенсор показал стабильный и постоянный отклик, когда в качестве холостого раствора использовался только PBS, и показал превосходную стабильность устройства SiNW-FET и всей его измерительной системы. После стабильного считывания с 0,01 × PBS, был добавлен антиген cTnI в различных концентрациях, и наблюдалось снижение проводимости с повышенными концентрациями cTnI. Было очень ясно, что проводящие свойства устройства SiNW-FET очень чувствительны в присутствии cTnI.Эти результаты ясно показали, что большая разница в текущем ответе в устройстве SiNW-FET, связанном с антителами, обусловлена специфическим связыванием антигенов cTnI с антителами cTnI. При каждом добавлении cTnI наблюдалось быстрое снижение сигнала, и ток становился стабильным в течение 5–10 с. Предполагается, что начальное падение сигнала связано с тем, что наш чип становится стабильным в режиме истощения ²⁹. Датчик SiNW-FET достиг устойчивого состояния через 10 секунд после того, как произошли события связывания между антителами cTnI и антигенами, и поддерживался до 25 секунд.SiNW-FET показал высокую эффективность и быстрое время отклика при взаимодействии с антигенами cTnI.

Рисунок 3

( a ) Проводимость SiNW-FET, иммобилизованного анти-cTnI, для обнаружения cTnI в различных концентрациях. ( b ) Калибровочная кривая 3a. ( c ) Неспецифическое связывание LH, HCG, FSH, TSH и cTnT на функционализированной поверхности SiNW-FET, определяемое текущими изменениями. ( d ) Электрический отклик трех сенсорных чипов, полученных из трех разных партий, для обнаружения трех разных концентраций cTnI (0.025 нг / мл, 0,2 нг / мл и 0,5 нг / мл).

Калибровочная кривая была построена с использованием различных результатов, полученных из реакций антител cTnI, а калибровочная кривая с ее значением R ² = 0,9978 показана на рис. 3b, что позволяет предположить, что это устройство SiNW-FET можно использовать в качестве эффективный инструмент для точной и быстрой диагностики повреждений миокарда. Текущее изменение было замечено, когда конкретная концентрация была загружена на чип. Между добавлением антигена и текущим изменением существует всего несколько секунд задержки.Биосенсор достиг стабильного тока в течение 5 с (рис. S5) после того, как произошло событие связывания между белком cTnI и его антителом. В таблице S4 обобщено сравнение результатов, материалов и методов предложенного SiNW-FET с другими зарегистрированными биосенсорами cTnI. Из таблицы S4, изготовленное устройство в этом исследовании показало более низкий предел обнаружения и более широкий линейный диапазон для обнаружения cTnI по сравнению с зарегистрированными биосенсорами. Мезопористый материал MCM-41 для обнаружения cTnI показал широкий диапазон обнаружения 0.8–5,0 нг / мл с пределом обнаружения 0,5 нг / мл ³⁰. Используя суперпарамагнитные частицы, Dittmer et al. Достигли линейного диапазона 0,03–6,5 нг / мл и 0,03 нг / мл (LOD). ³¹. С другой стороны, функционализированные наночастицы золота показали низкий предел обнаружения 0,002 нг / мл с высоким диапазоном обнаружения ³². Используя кремниевую нанопроволоку, Kong et al. Достигли линейного диапазона 0,092–46 нг / мл и 0,092 нг / мл (LOD). ²³. Разработанный биосенсор SiNW-FET в этом исследовании показал диапазон обнаружения 0.От 025 до 0,5 нг / мл и предел обнаружения 0,016 нг / мл, что было лучше, чем указанные материалы. Впервые это исследование было направлено на определение потенциальных пороговых значений параметров магнитной томографии сердца, ЭКГ и SVC, измеренных на ранних этапах после сердечных травм, вызванных ожирением. До сих пор в литературе не использовалось сочетание исследований in vitro и in vivo для определения уровней cTnI для сердечных повреждений, вызванных ожирением. Это первый отчет, в котором сирийские хомяки используются в качестве экспериментальных моделей мышей для определения уровней cTnI in vivo с использованием методов отбора проб ЭКГ, МРТ и SVC, которые являются преимуществами этой работы.Помимо этих преимуществ, необходимо позаботиться о повышении чувствительности устройства при создании нового устройства SiNW-FET и изменении протоколов изготовления в будущем.

Селективность и воспроизводимость

Для изучения неспецифического связывания гормонов на функционализированной поверхности SiNW-FET были проведены контрольные эксперименты и были отмечены ответы в реальном времени. Пять различных гликопротеинов лютеинизирующего гормона (ЛГ), хорионического гонадотропина человека (ХГЧ), фолликулостимулирующего гормона (ФСГ), тиреотропного гормона (ТТГ) и cTnT были применены к SiNW-FET для исследования селективности устройства для cTnI путем инъекции 0.5 мкг / мл их в микрофлюидные каналы. На рисунке 3c показаны изменения тока после прохождения cTnI, LH, HCG, FSH, TSH и cTnT через модифицированный SiNW-FET. ЛГ, ХГЧ, ФСГ, ТТГ и cTnT снижались последовательно более чем на 70%, тогда как cTnI по-прежнему сохранял самый высокий текущий сигнал. Эти результаты показали специфичность биосенсора SiNW-FET в отношении cTnI, а не других протестированных гликопротеинов, и предположили возможность захвата антигенов cTnI в присутствии других гликопротеинов. Воспроизводимость датчика на полевых транзисторах является важным параметром для практических приложений.Таким образом, изготовленные устройства из трех различных партий (1, 2 и 3) были протестированы на обнаружение 0,025 нг / мл, 0,2 нг / мл и 0,5 нг / мл cTnI, и результаты показаны на рис. 3d. Результаты продемонстрировали, что все протестированные устройства, полученные из разных партий, показали очень похожие отклики по току, что указывает на хорошую воспроизводимость устройств для обнаружения cTnI.

Физиологический анализ сирийских хомяков, вызванных сердечно-сосудистыми заболеваниями

Исследования на животных проводились с использованием сирийских хомяков.Животных кормили контролируемой диетой, и вес тела измеряли каждые три дня в течение 54 дней (рис. S6). В то время как вес сирийских хомяков нормальной группы увеличился после 54 дней приема нормальной диеты, их вес был на 18% меньше, чем у жирной группы.

Электрокардиограмма

Основная информация для кардиологического диагноза может быть предоставлена некоторыми устройствами, которые могут записывать физиологические сигналы, производимые человеческим телом. ЭКГ — это процесс измерения электрической активности сердца для диагностики сердечных заболеваний или других неисправностей.Результаты ЭКГ сирийских хомяков представлены на рис. 4.

Рис. 4

Результаты ЭКГ сирийских хомяков.

Для измерения ЭКГ пара электродов фиксируется на поверхности тела с помощью ЭКГ, что позволяет измерить электрическое изменение-деполяризацию, вызванное сокращением мышц. Отведения ЭКГ — это воображаемые линии, возникшие между электродами ЭКГ. Каждое отведение представляет активность, связанную с электрическими изменениями, полученными от сердечных мышц под разным углом и приводящими к электрическим изображениям, представляющим разные амплитуды и формы в зависимости от положения электродов на поверхности тела.Это также позволяет увидеть работу сердца под разными углами. Всего доступно 12 отведений ЭКГ, которые подразделяются на 2 основные группы: отведения от конечностей и отведения от груди. Отведения от конечностей далее подразделяются на 3 (I, II и III) биполярных отведения от конечностей. В этом исследовании электроды фиксировали на левой руке (Отведение III), левой ноге (Отведения II и III) и правой руке (Отведения II и I) для записи ЭКГ. Этот метод генерирует последовательность положительных и отрицательных сигналов, известную как волны PQRST. Комплексные волны P и QRS указывают на деполяризацию желудочков и предсердий соответственно.Различия в этих формах сигналов помогают идентифицировать сердечные нарушения. Модель инфаркта миокарда, индуцированного животным, представлена на рис. 4, на котором показаны разные формы волны для нормальной группы и группы с жиром. Также были показаны типичные серии волн ЭКГ и соответствующие им формы волн, сгенерированные исследуемой моделью. Результаты ЭКГ продемонстрировали стабильную форму волны PQRST для нормальной группы. В группе жира наблюдалась непрерывная, более быстрая и широкая форма волны QRS, которая, как предполагается, является блокадой пучковой ветви (BBB), типом проблемы проводимости, вызванной этим субклиническим повреждением миокарда, и может перестать проводить электрические импульсы надлежащим образом и приводит к потере желудочковая синхронизация и вызывает длительную деполяризацию желудочков с соответствующим падением сердечного выброса.На рисунке S7 показан анализ ЭКГ с использованием квадратной сетки. Более высокие квадраты наблюдались для нормальной группы по сравнению с толстой группой. Эти результаты показали, что у нормальной группы колебания выше, чем у жирной группы.

Анализ магнитно-резонансной томографии

Для оценки сердечного выброса было зарегистрировано сердцебиение для модели животных, вызванной повреждением миокарда, как в нормальной, так и в жировой группах путем визуализации непрерывного движения в сердце с использованием мобилизации коронального обзора, и изображения были импортированы в выполнять программирование Matlab в соответствии с выбранной областью интересов.В этом исследовании Matlab использовался в качестве языка программирования для анализа 10 динамических изображений с интервалом времени 0,026 с и отмеченными временем (с) по оси x и скоростью (см / с) по оси y, а также для получения кривая скорость-время. Кривая скорость-время использовалась для расчета прямого и обратного кровотока в соответствии с интересующей областью. Синтаксис Matlab, используемый для расчета разницы кровотока между нормальной и толстой группами, показан на рис. S8.

Магнитно-резонансная томография для сирийских хомяков нормальной и жирной группы показана на рис.5а, б. Анимация первого столбца с левой стороны была разрезана на 10 изображений и отображена в коронарной проекции. Длительное повторение времени (TR) и короткое время эхо (TE) привело к тому, что кровь имела яркий сигнал, а изображения показали разную яркость из-за изменения кровотока. ROI был выбран для левого желудочка и показан в столбце 2. Была рассчитана разница между прямым и обратным потоком для нормальных 1, нормальных 2 и нормальных 3 хомяков, и значения были равны 0.0022, 0,0024 и 0,0032 соответственно. Точно так же была рассчитана разница между прямым и обратным потоком для хомяков с жиром 1, жиром 2 и жиром 3, и значения составили 0,0011, 0,0015 и 0,0014 соответственно. Анализ приведенных выше результатов показал, что нормальная группа имела более высокий кровоток, чем жировая группа (Таблица S5), что указывает на больший прямой кровоток, чем обратный кровоток. Это также означает, что прежний объем кровотока больше, чем объем притока крови у нормальной группы хомяков.Все эти результаты показали, что сердечный выброс в нормальной группе был лучше, чем в группе с жиром. Значения кровотока в здоровых группах и группах с жиром приведены в таблице S5. Согласно анализу ЭКГ и МРТ соответственно, ГЭБ имел место в группе с ожирением, а ухудшение сердечного выброса из-за внутрижелудочковой сократительной диссинхронии было выявлено в группе с жиром. Кроме того, прямой кровоток был выше, чем обратный кровоток в нормальной группе, но был противоположным в группе с жиром.Измерение антигена cTnI в крови с помощью SiNW-FET.

Рисунок 5

( a ) Магнитно-резонансная томография для нормальной группы сирийских хомяков. ( b ) Магнитно-резонансная томография сирийских хомяков жирной группы. Столбец в правом конце показывает соответствующие изображения области интереса.

Верхняя полая вена

После анализа ЭКГ и МРТ у сирийских хомячков были взяты образцы крови из верхней полой вены (SVC). Кровь из верхней полой вены нормальной и жирной групп капали на SiNW-FET для оценки концентрации cTnI (рис.S9 и Таблица S6). CTnI (%) был рассчитан с использованием следующего уравнения:

$$ {\ text {cTnI}} \; \ left (\% \ right) = \ left \ {{\ left ({{\ text {cTnI}} \ ; {\ text {modified}} \; {\ text {chip}} — {\ text {blank}} \; {\ text {chip}}} \ right) / {\ text {cTnI}} \, {\ text {modified}} \; {\ text {chip}}} \ right \} \ times {1} 00 $$

Наблюдаемые результаты показали, что нормальная группа показала более низкий процент концентрации cTnI по сравнению с группой с жиром .

Сравнение предложенного SiNW-FET с электрохемилюминесцентным иммуноанализом (ECLIA) в анализе cTnI

Кроме того, было выполнено коммерчески доступное ECLIA для определения значения cTnI и сравнения со значениями, полученными из предложенного SiNW-FET (Таблица S6) .И предложенный SiNW-FET, и ECLIA показали аналогичные результаты для определения cTnI.

В этой работе основная работа заключалась в создании биосенсора SiNW-FET для быстрого обнаружения cTnI, сердечного биомаркера повреждения миокарда. Это устройство обеспечивает электрическое обнаружение cTnI с быстрым временем реакции, высокой чувствительностью и специфичностью с пределом обнаружения 0,016 нг / мл. Это первый отчет, в котором сирийские хомяки используются в качестве модели животных для сравнения нормальной диеты (нормальная группа) и диеты с высоким содержанием жиров (жирная группа) по массе тела, сердечной функции по ЭКГ и МРТ, а также cTnI, биомаркеру повреждения миокарда с использованием недавно разработанный датчик SiNW-FET.Предложенное устройство SiNW-FET сравнивали со стандартным клиническим лабораторным методом ECLIA при определении уровней cTnI в крови у хомяков, и оба метода наблюдали совместимые значения cTnI. Благодаря своей стабильности и самому низкому пределу обнаружения это недавно разработанное устройство SiNW-FET может предоставить потенциальную платформу обнаружения для быстрого скрининга cTnI при ранней диагностике острого инфаркта миокарда.

Полевые транзисторы по цене 50 рупий / штука | Лагерь | Пуна

О компании

Год основания 2007

Юридический статус Фирмы Физическое лицо — Собственник

Характер бизнеса Оптовик

Количество сотрудников До 10 человек

Годовой оборот Rs.1-2 крор

Участник IndiaMART с июля 2012 г.

GST27AADPJ7898Q1ZM

Код импорта и экспорта (IEC) 03090 *****

Экспорт в Бахрейн, Таиланд, Шри-Ланку, Азербайджан, Танзанию

Основанная в году 2007 , Dhwaj International является ведущей организацией, занимающейся экспортом и оптовой торговлей, поставщиком, поставщиком услуг, импортером и торговцем качественными электронными компонентами.Наша широкая гамма продуктов включает интегральные схемы, электронные компоненты и полупроводники и IGBT, силовые модули и тиристоры, которые используются в различном оборудовании, таком как системы сигнализации, кабельное телевидение, оборудование связи, электронные кассовые аппараты, электроинструменты, солнечные системы и телекоммуникационные системы. . С момента основания нашей организации мы были связаны с известными продавцами на рынке, которые достаточно эффективны, чтобы выполнять оптовые и срочные заказы клиентов в установленный график.Помимо этого, мы считаем нашу команду самой сильной стороной нашей фирмы, которая помогает нам на каждом этапе всей нашей деловой процедуры. Мы экспортируем нашу качественную продукцию по всему миру . Для лучшего результата пришлите нам электронный номер детали.

Мы создали собственное устройство контроля качества, в котором предлагаемая нами гамма подвергается строгим испытаниям в соответствии с заранее определенными отраслевыми параметрами. Каждый продукт тщательно проверяется нашими инспекторами по качеству перед его окончательной доставкой клиенту.В дополнение к этому у нас есть просторная и большая складская единица, которая помогает нам поддерживать наш предлагаемый ассортимент в безопасной и надежной среде. С помощью этих эффективных и умных профессионалов мы предоставляем клиентам продукцию самого высокого качества, и мы поддерживаем дружеские деловые отношения с нашими престижными клиентами, разбросанными по всему рынку. Мы следуем этической деловой политике и поддерживаем прозрачность в сделках, которые позволили нам достичь максимального удовлетворения наших клиентов по всему миру и завоевать репутацию в отрасли .

No related posts.

Навигация по записям

Термостат на ардуино ds18b20: 403 Forbidden — Apache
Усилитель 6п15п схема: 6П15П это тоже просто | paseka24.ru

Оставить комментарийОтменить комментарий
Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Найти:
Архивы

Декабрь 2021

Ноябрь 2021

Октябрь 2021

Сентябрь 2021

Август 2021

Июль 2021

Июнь 2021

Май 2021

Апрель 2021

Март 2021

Февраль 2021

Январь 2021

Декабрь 2020

Ноябрь 2020

Октябрь 2020

Сентябрь 2020

Август 2020

Июль 2020

Июнь 2020

Май 2020

Апрель 2020

Март 2020

Февраль 2020

Январь 2020

Декабрь 2019

Ноябрь 2019

Октябрь 2019

Сентябрь 2019

Август 2019

Июль 2019

Июнь 2019

Май 2019

Апрель 2019

Март 2019

Февраль 2019

Январь 2019

Декабрь 2018

Ноябрь 2018

Октябрь 2018

Сентябрь 2018

Август 2018

Июль 2018

Июнь 2018

Май 2018

Апрель 2018

Март 2018

Февраль 2018

Январь 2018

Февраль 1980

Январь 1980

Декабрь 1979

Ноябрь 1979

Октябрь 1979

Сентябрь 1979

Август 1979

Июль 1979

Июнь 1979

Май 1979

Апрель 1979

Март 1979

Февраль 1979

Январь 1979

Декабрь 1978

Ноябрь 1978

Октябрь 1978

Сентябрь 1978

Август 1978

Июль 1978

Июнь 1978

Май 1978

Апрель 1978

Март 1978

Февраль 1978

Январь 1978

Декабрь 1977

Ноябрь 1977

Октябрь 1977

Сентябрь 1977

Август 1977

Июль 1977

Июнь 1977

Май 1977

Апрель 1977

Март 1977

Февраль 1977

Январь 1977

Декабрь 1976

Ноябрь 1976

Октябрь 1976

Сентябрь 1976

Август 1976

Июль 1976

Июнь 1976

Май 1976

Апрель 1976

Март 1976

Февраль 1976

Январь 1976

Декабрь 1975

Ноябрь 1975

Октябрь 1975

Сентябрь 1975

Август 1975

Июль 1975

Июнь 1975

Май 1975

Апрель 1975

Март 1975

Февраль 1975

Январь 1975

Декабрь 1974

Ноябрь 1974

Октябрь 1974

Сентябрь 1974

Август 1974

Июль 1974

Июнь 1974

Май 1974

Апрель 1974

Март 1974

Февраль 1974

Январь 1974

Декабрь 1973

Ноябрь 1973

Октябрь 1973

Сентябрь 1973

Август 1973

Июль 1973

Июнь 1973

Май 1973

Апрель 1973

Март 1973

Февраль 1973

Январь 1973

Декабрь 1972

Ноябрь 1972

Октябрь 1972

Сентябрь 1972

Август 1972

Июль 1972

Июнь 1972

Май 1972

Апрель 1972

Март 1972

Февраль 1972

Январь 1972

Декабрь 1971

Ноябрь 1971

Октябрь 1971

Сентябрь 1971

Август 1971

Июль 1971

Июнь 1971

Май 1971

Апрель 1971

Март 1971

Февраль 1971

Январь 1971

Декабрь 1970

Ноябрь 1970

Октябрь 1970

Сентябрь 1970

Август 1970

Июль 1970

Июнь 1970

Май 1970

Апрель 1970

Март 1970

Февраль 1970

Январь 1970

Рубрики

Для начинающих

Маркировка

Разное

Своими руками

Советы

Схемы

Характеристики

2019 © Все права защищены. Карта сайта

Маркировка радиоэлементов (импортных, активных) « РадиоГазета – принципиальные схемы для меломанов и аудиофилов

Анатомия маркировки

Менеджмент «среднего звена»

Начать с начала

На один меньше

Производитель

Многообразие вариантов

Маркировка частоты

И технологии…

И тока!

Похожие статьи:

Системы обозначения импортных полупроводниковых элементов

Американская система обозначений JEDEK

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Японская система обозначений JIC

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

Система условных обозначений зарубежных транзисторов

Цветная маркировка импортных транзисторов. Японская система JIS. Японская система обозначений JIC

Американская система обозначений JEDEK

Европейская система обозначений PRO ELECTRON

Японская система обозначений JIC

Другие системы обозначения полупроводниковых элементов

26.09.2014

21.09.2016

20.09.2014

29.09.2014

26.09.2014

21.09.2016

20.09.2014

29.09.2014

Виды записи

Транзисторы в корпусе типа КТ-26

Маркировка года и месяца изготовления

Транзисторы в корпусе типа КТ-27

Европейская система PRO-ELECTRON

Американская система JEDEC

Японская система JIS

SMD элементы

маркировка полевой транзистор

использование транзисторов

транзисторы продам

драйвер транзистора

схема полевого транзистора

обозначение транзисторов

усилитель на полевом транзисторе

datasheet транзистор

схема унч на транзисторах

как работает транзистор

как прозвонить транзистор

транзисторы большой мощности

мощные транзисторы

биполярный транзистор принцип работы

транзистор принцип работы

как сделать транзистор

полевой транзистор принцип работы

mosfet транзисторы

импульсный транзистор

планарные транзисторы

проверка транзисторов

схема унч на транзисторах

кодовая маркировка транзисторов

параметры транзисторов

параметры транзисторов

кодовая маркировка транзисторов

фото транзисторов

полевых транзисторов

советские транзисторы

транзисторы продам

усилитель звука на транзисторах

использование транзисторов

структура транзистора

биполярные транзисторы справочник

транзистор кт819

полевой транзистор параметры

преобразователь на полевом транзисторе

прямой транзистор

маркировка импортных транзисторов

трансформатор тесла на транзисторе

работа полевых транзисторов

принцип транзистора