Маркировка полевой транзистор: Обозначение полевого транзистора.

Цветовая маркировка полевых транзисторов

КП312А 

 КП312Б 

 2П312А 

 2П312Б 

маркируется двумя желтыми точками 

 маркируется двумя синими точками 

 маркируется одной желтой точкой 

 маркируется одной синей точкой 

3П320А-2

 3П320Б-2

маркируется одной красной точкой 

 маркируется одной зеленой точкой 

КП323А-2

 КП323Б-2

маркируется черным символом "+" 

 маркируется синим символом "+" 

3П324А-2

 3П324Б-2

маркируется одной красной точкой 

 маркируется одной синей точкой 

АП325А-2

 3П325А-2

маркируется черной полосой и точкой 

 маркируется черной полосой 

3П326А-2

 3П326Б-2

не маркируется 

 маркируется черной точкой 

КП327А 

 КП327Б 

 КП327В 

 КП327Г 

маркируется одной белой точкой 

 маркируется двумя белыми точками 

 маркируется одной красной точкой 

 маркируется двумя красными точками 

3П328А-2

маркируется черной точкой 

КП329А 

 КП329Б 

маркируется одной цветной точкой 

 маркируется двумя цветными точками 

3П330А-2

 3П330Б-2

 3П330В-2

не маркируется 

 маркируется белой точкой 

 маркируется черной точкой 

3П331А-2

маркируется черной полосой 

3П339А-2

маркируется черными точкой и полосой 

3П343А-2

маркируется двумя черными точками 

3П344А-2

маркируется черной точкой 

КП346А-9

 КП346Б-9

маркируется белой точкой 

 маркируется желтой точкой 

3П606А-2

 3П606Б-2

 3П606В-2

маркируется черной точкой 

 маркируется двумя черными точками 

 маркируется тремя черными точками 

3П608А-2

 3П608Б-2

 3П608Г-2

маркируется желтой точкой 

 маркируется двумя желтыми точками 

 маркируется зеленой точкой 

3П927А-2

 3П927Б-2

 3П927В-2

 3П927Г-2

 3П927Д-2

маркируется красной точкой 

 маркируется белой точкой 

 маркируется черной точкой 

 маркируется красной и белой точками 

 маркируется красной и черной точками 

Справочник по полевым транзисторам

Справочник по полевым транзисторам

Справочник по полевым транзисторам

Полевой транзистор с управляющим PN-переходом (JFET-транзистор)

Полевой транзистор с управляющим PN-переходом – это очень мутная тема для многих начинающих электронщиков.

Электрическое поле

Как вы знаете, поле бывает разным. Бывает такое:

А бывает и такое))

Но речь пойдет совсем о других полях: невидимых… Мы их не видим, не слышим, но можем почувствовать. Например, гравитационное поле Земли тянет нас к центру Земли, хотим мы этого или нет. Некоторые виды полей без специальных приборов мы даже и не заметим. Это электрическое и магнитное поле. В данной статье мы с вами разберем электрическое поле.

Представьте себе, что мы взяли пару металлических пластинок. На одну из них мы подаем плюс питания, а на другую – минус.

В результате, они заряжаются, и между этими двумя пластинами создается однородное электрическое поле, которое характеризуется таким параметром, как напряженность. По идее, чем больше мы подадим напряжения между пластинами, тем напряженнее стает поле между этими пластинами.  Физика, 7-8 класс 😉

Но самое интересное, что это поле может влиять непосредственно на электроны. Если электрон пролетит между этими двумя пластинами, плюсовая пластина  начнет притягивать его к себе и траектория полета электрона будет уже искривлена. Чем больше напряженность поля, тем больше оно будет влиять на траекторию движения электрона. На этом принципе основана работа кинескопных телевизоров.

Какой вывод можно сделать из всего этого? Электрическое поле влияет на электроны и не только на электроны, но и на другие частицы, обладающие положительным, либо отрицательным зарядом. Это утверждение запомним. Оно нам еще пригодится.

Также вы со школы должны помнить еще одно утверждение: одноименные заряды отталкиваются, а разноименные – притягиваются:

Взаимодействие полупроводников

Мы с вами  знаем из статьи Биполярный транзистор, что есть два типа искусственных легированных полупроводников. Это полупроводник N-типа и полупроводник P-типа. Как вы помните, в полупроводнике N-типа у нас избыток электронов (там их ОЧЕНЬ много):

А в полупроводнике P-типа избыток дырок:

Если вы не забыли, электроны у нас обладают отрицательным зарядом ( – ), а дырки – положительным зарядом ( + ). Поэтому, на картинках мы заполнили наши бруски полупроводников соответствующими зарядами.

А что будет, если соединить их друг с другом?

Так как электроны и дырки постоянно находятся в хаотическом движении, на границе соединения P и N полупроводников начнется диффузия. Что такое диффузия? Как говорит нам Википедия, диффузия – это процесс взаимного проникновения молекул или атомов одного вещества между молекулами или атомами другого вещества.

Пример:

Если пустить шептуна на парах, то в этом случае ваши вонючие молекулы из пукана будут смешиваться с молекулами воздуха и сосед через парту учует ваш запах пельменей, которые вы съели на ужин.

На границе полупроводников происходит то же самое! Электроны и дырки начинают смешиваться.

Но если ваши вонючие молекулы, выпущенные из пукана, могут спокойно смешиваться с воздухом пока не займут все пространство кабинета, то на границе P-N перехода есть камень преткновения. И он заключается в том, что электроны и дырки обладают зарядом и начинают взаимодействовать с друг другом. Начинает работать правило, одноименные заряды отталкиваются, а разноименные притягиваются. Так как электроны и дырки разноименных зарядов, они начинают притягиваться к друг другу. То есть с одной стороны идет диффузия, а с другой стороны взаимодействие зарядов. Когда все это устаканивается, получается вот такая картинка:

Что такое запирающий слой

Область, которая возникает между этими зарядами, называется запирающим слоем. Его также называют обедненным, от слова “бедный”, так как в нем нет основных носителей. Как вы помните, основные носители в N полупроводнике – это электроны, а в P полупроводнике – дырки. А раз нет свободных зарядов, то и электрический ток течь не может, так как электрический ток – это не что иное, как упорядоченное движение заряженных частиц в одном направлении. Получается, эта область по сути стает  диэлектриком , то есть областью, которая не проводит электрический ток.

Ну а теперь самое интересное. Оказывается, мы можем управлять толщиной этого запирающего слоя! Для этого достаточно увеличить напряженность электрического поля с помощью источника питания, то есть увеличить подаваемое напряжение, соблюдая необходимую полярность. Плюс источника напряжения подаем на N полупроводник, а минус источника – на P полупроводник.

Вот что у нас получится:

Электроны стремятся всей толпой к плюсовой клемме батареи, а дырки – к минусовой. В результате этого, запирающий слой стает намного шире. Это равносильно тому, что мы подаем обратное смещение на P-N переход. Чем больше напряжения мы подаем на P и N полупроводник, тем больше ширина запирающего слоя. Все элементарно и просто 😉

Если бы мы подали на P полупроводник  плюс, а на N  – минус, то у нас бы запирающий слой равнялся бы нулю и электрический ток прошел бы беспрепятственно через P-N переход. Как вы помните, это называется прямым включением P-N перехода. Но в этом случае мы должны подать напряжение больше, чем контактная разность потенциалов на границе переходов. Она равняется 0,6-0,7 Вольт, если используется материал кремний. Как только напряжение стает больше, чем 0,6-0,7 Вольт, начинается движение электрических зарядов. Диффузия усиливается еще тем, что электроны бегут к плюсовой клемме, а дырки – к минусовой.

Применение запирающего слоя в JFET транзисторах

Но где же можно применить свойство “изменение толщины диэлектрика под воздействием напряженности электрического поля”? А давайте рассмотрим небольшой пример. Может быть вам потом станет ясно, где можно применить это свойство 😉

Итак, провинциальный городок X. Обычный будний день. Поток людей спешит по своим делам. Около тротуара стоит лавка с хот-догами. Пока что она еще не открылась, так как продавец сладко спит,  поэтому все проходят мимо этой лавки:

Но вот она открывается, и первые зеваки начинают “тусить” возле нее, чтобы отведать позавчерашних холодных протухших хот-догов)).

Продавец видит, что дела идут в гору и начинает еще быстрее обслуживать клиентов. То есть он вкладывает всю свою энергию, чтобы выдержать темп. Он начинает работать напряженнее. Чем напряженнее он обслуживает клиентов, тем их становиться больше. Зевакам ведь интересно, что за тусовка там намечается. А раз все покупают, то и они тоже хотят. Народу становится чуток больше.

Народ тихонько подваливает и продавец, чтобы не упустить выгоду, начинает работать изо всех сил. Наш бедный продавец работает, как белка в колесе. Тут уже не расслабишься, иначе народ уйдет к продавцу пончиков. На лбу у него выступил пот, напряжен так, что вот-вот уже лопнет от усталости! Но гляньте на тротуар… Движение ПЕРЕКРЫЛИ зеваки, которые жить не быть хотят купить эти протухшие хот-доги.

Мораль сей басни такова:

Коль хочешь жрать, готовь с утра).

Теперь давайте представим, что тротуар – это проводник. Люди – это электроны. Продавец – это какой-либо заряд, который если захочет, может работать либо напряженнее, либо вообще закрыть лавку.

Итак, что у нас тогда получается. Пока лавка закрыта, толпа зевак спокойно идет по своим делам в одном направлении. Продавца нет на месте. То есть заряд ноль. Это значит, что в данном направлении у нас спокойно течет электрический ток,  так как упорядоченное движение заряженных частиц – это и есть электрический ток

Как только продавец открыл лавку и стал работать,  некоторые зеваки стали толпиться у лавки. Но эта кучка зевак теперь мешается на тротуаре людям, которые действительно куда-то спешат по делам. То есть эта кучка зевает оказывает сопротивление потоку людей, спешащим по делам. Уже интереснее. Раз мешаются, значит меньше людей сможет пройти ниже толпы зевак за какое-то время. А что у нас значит этот параметр? Не силу тока ли случайно? Вот именно! Сила тока стала меньше!

Итак, теперь главный вопрос: от чего зависит поток людей? Да от продавца, мать его за ногу!

Как только он начинает орать: “Свежие хот-доги, бери, налетай, теще покупай!”, народу стает больше. То есть как только он начинает работать напряженнее, так и толпа зевак начинает больше заграждать тротуар. И все может закончится тем, что движение на тротуаре встанет колом. И да, кстати. Стоящая толпа зевак – это уже не электроны. Это обедненный слой, диэлектрик)

И вот ученые инженеры, которые поняли, что можно менять силу тока, управляя напряженностью электрического поля, создали радиоэлемент, который назвали в честь электрического поля, и имя его полевой транзистор.

Схема полевого JFET-транзистора с управляющим PN-переходом

В нашем примере мы тоже будем использовать вместо “тротуара” полупроводник N-типа. То есть мы имеем какой-либо брусочек из N полупроводника. В нем преобладают электроны. Конечно, их не так много, как в проводниках, но все же их достаточно, чтобы через этот брусок  мало-мальски тёк электрический ток.

Что будет, если на него подать напряжение? Как я уже сказал, хотя в  N полупроводнике избыток электронов, но их все равно не так много, как в проводниках. Поэтому через этот кусок N полупроводника побежит электрический ток, если мы приложим к нему постоянное или переменное напряжение.

Вы ведь не забыли, что хотя электроны и бегут к плюсу, но за направление электрического тока  во всем мире принято движение от плюса к минусу источника напряжения?

А теперь давайте впаяем в этот брусок полупроводник P-типа. Получится что-то типа этого:

Можно сказать, что у нас уже получился полевой транзистор.

На границе касания теперь образовался PN-переход с небольшим запирающим слоем!

Итого, у нас получился “кирпич” с тремя выводами.

Что такое сток, исток и затвор

Полевой транзистор имеет три вывода. Вывод, с которого начинают свой путь электроны (основные носители) называется ИСТОКОМ. От слова “источник”. В разговорной речи мы источником называем родник, из которого бьет чистая вода. Поэтому нетрудно будет запомнить, что ИСТОК – это тот вывод, откуда начинают свой путь основные носители заряда. В данном случае это электроны. Место, куда они стекаются, называются СТОКОМ.

Эти два понятия нетрудно будет запомнить, если вспомнить водосточную систему с крыш ваших домов.

Истоком будет труба, которая собирает всю капли дождя с шифера или профнастила

А стоком будет конец  трубы, из которой вся дождевая вода будет выбегать на землю:

Но опять же, не забывайте, что мы говорим об электронах! А электроны бегут к плюсу. То есть по-нашенски получается что на СТОК мы подаем плюс, а на ИСТОК – минус.

А для чего нужен третий вывод?

Так, а давайте по приколу где-нибудь обрежем нашу водосточную трубу и воткнем туда вот такой прибамбас:

Называется он дисковым затвором. Чего бы мы добились, если бы воткнули этот дисковый затвор в нашу водосточную трубу? Да покрутив за баранку, мы могли бы регулировать поток воды! Мы можем вообще полностью перекрыть трубу, тогда в этом случае на стоке не стоит ждать дождевую водичку. А можем открыть наполовину, и регулировать поток воды со стока, чтобы при ливне у нас поток воды не смыл грядки и не сделал большую яму в земле. Удобно? Удобно.

Так вот, третий вывод полевого транзистора, который соединяется с P полупроводником называется тоже ЗАТВОРОМ и служит как раз для того, чтобы регулировать силу тока в бруске, через который бежит электрический ток 😉 Для этого достаточно подать на него напряжение, чтобы P-N переход был включен в обратном направлении, то есть в нашем случае подать МИНУС относительно ИСТОКА. Вся картина в целом будет выглядеть как-то вот так:

Канал полевого JFET-транзистора

В этом случае, как вы видите на рисунке выше, запрещенный слой увеличивается в глубину бруска и начинает перекрывать дорогу электронам. В результате получается, что ширина “тротуара” для электронов стает меньше, и только некоторые электроны могут достичь назначенной цели, то есть СТОКА. Этот “тротуар” в полевом транзисторе называют каналом.

Так как у нас брусок сделан из N-полупроводника, следовательно и канал тоже у нас N-проводимости. Следовательно, такой  полевой транзистор называется N-канальным полевым транзистором с управляющим P-N переходом. На буржуйский манер это звучит как Junction Field-Effect-Transistors или просто JFET. Также неплохо было бы запомнить английские название выводов: Drain – сток, Source – исток, Gate – затвор.

А что будет, если на Bat2 мы еще больше добавим напряжения? То есть мы сделаем так, чтобы U2>U1. В этом случае у нас запирающий слой еще больше уйдет в брусок. Канал станет еще тоньше. Следовательно, увеличится сопротивление канала, что в свою очередь вызовет уменьшение силы тока через канал:

Если мы еще увеличим напряжение (U3>U2), то заметим, что при каком-то напряжении U3 у нас вообще перестанет течь ток через канал. Запирающий слой ПОЛНОСТЬЮ его перекроет:

Все, приехали… В этом случае мы ПОЛНОСТЬЮ перекрыли канал для дальнейшего движения электронов. А раз движуха электронов закончилась, то  откуда взяться электрическому току?  Ведь электрический ток – упорядоченное движение заряженных частиц, не так ли? Поэтому через исток-сток электрический бежать не будет.

Как работает полевой JFET-транзистор на практике

Ну что же, приступаем к практике.

В гостях у нас полевой N-канальный полевой транзистор с управляющим P-N переходом 2N5485:

Его распиновка будет выглядеть вот так:

В живую он выглядит вот так:

Для того, чтобы проверить писанину, которую вы прочитали,  соберем  вот такую схемку по рисункам выше:

Для удобства восприятия я нарисовал полевой транзистор, как он выглядит визуально.

Какие же напряжения допускаются при его эксплуатации? Если кому интересно, вот  на него даташит . Оттуда я взял безопасное напряжение для его проверки 15 Вольт, поэтому на Bat1 выставляю напряжение в 15 Вольт:

На Bat2 пока что устанавливаю 0 Вольт.

То есть это значит, что напряжение на Затвор-Истоке U_ЗИ=0 Вольт. А раз 0 Вольт, то канал у нас полностью открыт и электрончики в N полупроводнике спокойно бегут в одном направлении по своим делам. Но опять же, N полупроводник считается плохим проводником, так как в нем мало электронов. Поэтому, сила тока полностью открытого канала у нас будет 6,2 мА при напряжении в 15 Вольт. Сейчас даже можно вычислить сопротивление канала из закона Ома. R=U/I=15/6,2×10^-3=2,42 КилоОма.

Если сравнивать эту ситуацию с продавцом хот-догов, то у нас это аналогично моменту, когда продавец еще дрыхнет дома:

А давайте добавим напряжение на Bat2 до полувольта.

Смотрим на миллиамперметр

Видели да? Сила тока через сток-исток уменьшилась!

Этот момент аналогичен тому, когда продавец только открыл свою лавку, и первые зеваки начинают тусить возле нее

А давайте еще добавим напряжение на Bat2 до 1 вольта:

Что мы видим на миллиамперметре?

Сила тока через Сток-Исток стала еще меньше! Но почему она стает меньше? Да дело в том, что запирающий слой стает все более толще от напряжения, тем самым уменьшая токопроводящий канал.

Это аналогично, когда продавец начинает уже тихонька напрягаться:

Давайте еще добавим полвольта на Bat2:

Смотрим на миллиамперметр:

Сила тока через канал стала еще меньше!

До какого же значения можно добавлять напряжение на Bat2? Уже при напряжении 2,3 Вольта

Электрический ток через канал полностью перестает бежать.

Канал стает полностью перекрытым.

Ну а этот момент аналогичен, когда продавец настолько напрягся, что перекрыл весь тротуар зеваками:

Дальнейшее увеличение напряжения на Bat2 уже ни к чему не приведет. Всегда можно подобрать такое обратное напряжение на ЗАТВОРЕ, при котором токопроводящий канал СТОК-ИСТОК будет полностью перекрыт.

Минуточку внимания. Все, что написано выше, мы применяли к N-канальному транзистору. Почему N-канальный, я думаю, вы уже догадались. Его внутреннее строение, как вы уже читали выше в статье, выглядит вот так:

И на схемах такой транзистор изображается вот так:

Р-канальный JFET-транзистор с изолированным PN-переходом

Но есть также и P-канальный полевой транзистор с управляющим P-N переходом. Как вы уже догадались из названия, его канал сделан и полупроводника P-типа. Его внутреннее строение выглядит вот так:

На схемах обозначается так:

Обратите внимания на стрелочку по сравнению с N-канальным транзистором.

Принцип его действия точно такой же, просто основными носителями заряда будут являться уже дырки. Следовательно, все напряжения в схеме  меняем на противоположные:

Также не забываем, что вывод, откуда начинают движение основные носители (как вы помните в P полупроводнике это дырки), называется ИСТОКОМ.

Внутреннее строение транзистора с управляющим PN-переходом

Для того, чтобы проверить полевой транзистор с управляющим PN-переходом, достаточно вспомнить его внутреннее строение.

N-канальный выглядит вот так:

А P-канальный вот так:

Теперь давайте вспомним, какой радиоэлемент у нас состоит из PN-перехода? Все верно, это диод. Получается что Затвор и Исток образуют один диод, а Затвор и Сток – другой диод. Сам канал обладает каким-то сопротивлением, а это есть нечто иное как резистор.

Для N-канального транзистора

Эквивалентная схема будет выглядеть вот так:

Для P-канального

Эквивалентная схема будет выглядеть вот так:

Получается, для того, чтобы узнать целостность транзистора, нам достаточно проверить все эти три элемента 😉

Как проверить транзистор с управляющим PN-переходом с помощью мультиметра

У нас в гостях уже знакомый вам из прошлой статьи N-канальный полевой транзистор с PN-переходом 2N5485

Сейчас мы будем проверять его на работоспособность.

Впрочем, не так быстро! Полевые транзисторы больше всего боятся статического электричества, особенно МОП-транзисторы. Поэтому, прежде чем начинать проверку, стоит снять статику с себя (и с того, чем ещё можем его коснуться). Можно заземлить себя, скажем, с помощью водосточной или отопительной трубы (коснувшись металлической части трубы без лакокрасочного покрытия). Но лучше всего для этого дела подойдет антистатический браслет.

Для этого нам понадобится мультиметр:

Для проверки полевого транзистора с управляющим PN-переходом первым делом качаем на него даташит и смотрим расположение его выводов (цоколевку).

Вот кусочек даташита моего транзистора с цоколевкой:

Если его повернуть задом к нам, как в даташите, то слева-направо у нас идет Затвор, Исток, Сток

Там же в даташите указано, что он N-канальный.

Ну что же? Начнем проверку?

Так как транзистор N-канальный, следовательно, встаем на Затвор красным щупом мультиметра и проверяем диоды. Проверяем диод Затвор-Исток:

Норм.

Проверяем  диод Затвор-Сток:

Норм.

Как вы помните, диод пропускает электрический ток только в одном направлении. Поэтому, когда мы поменяем полярность и снова проверим диоды, то увидим на экране мультиметра очень большое сопротивление:

Ну а теперь остается проверить сопротивление между Истоком и Стоком. Для того, чтобы его замерить, мы должны подать на Затвор 0 Вольт. Будет большим заблуждением, если мы оставим Затвор болтаться в воздухе, так как в этом случае вывод Затвора – это как маленькая антенна, которая ловит различные наводки, а следовательно имеет уже какой-то потенциал, что конечно же, сказывается на сопротивлении Исток-Сток. Поэтому, цепляемся мультиметром к Стоку и Истоку, а Затвор берем в руку. В идеале, хорошо было бы взяться другой рукой за отопительную батарею, чтобы полностью заземлить Затвор. На мультике должно высветится какое-либо сопротивление:

Что-то показывает? Значит все ОК ;-). Транзистор жив и здоров.

Как проверить транзистор с управляющим PN-переходом с помощью RLC-транзисторметра

Также есть второй способ проверки транзистора с управляющим PN-переходом. Но для этого нам понадобиться транзисторметр, прибор который умеет замерять почти всё. Вставляем транзистор в кроватку и зажимаем рычажком. Нажимаем зеленую кнопку “Пуск” и прибор нам выдает схемотехническое обозначение нашего подопечного с обозначением выводов:

Ну разве не чудо?

N-JFET – N-канальный транзистор с управляющим P-N переходом. G-Gate-Затвор, D-Drain-Сток, S-Source-Исток. Также навскидку даются два параметра: Ugs и I.  Ugs – это напряжение между Затвором и Истоком (Gate-Source). I – сила тока через канал, то есть через Исток-Сток. Следовательно, прибор показывает, какая сила тока будет течь через Исток-Сток, при таком-то напряжении на Затворе. По идее, эти два параметры на практике не нужны. Они вам просто показывают, что транзистор живой и что с него можно выжать.

Все те же самые операции касаются и P-канального транзистора. Только  в этом случае “диоды” меняют свое направление на противоположное.

Заключение

P-канальный транзистор используется еще реже, чем N-канальный. Да и вообще, полевой транзистор с PN- переходом давно уже канул в лету, но все таки кое-где до сих пор применяются. На смену им пришли полевые транзисторы (MOSFET, МОП) , о которых я поведу речь в следующих статьях.

Условные обозначения полевых транзисторов

В электронике полевым транзистором называется электронный компонент, в котором ток проходящий через канал регулируется электрическим полем, образующимся в результате подачи напряжения между его истоком и затвором. Основным отличием полевого транзистора от транзистора биполярного является то, что выходное и входное сопротивление у него существенно выше.

Плевые транзисторы нередко именуют униполярными, поскольку основным принципом их действия является перемещение при помощи поля носителей зарядов одного и того же типа. Конструктивно эти приборы представляют собой изготовленные из полупроводниковых материалов пластинки одного типа проводимости, на противоположных сторонах которых способом диффузии создается область другого типа проводимости. На их границах образуется обладающий большим сопротивлением p—n-переход.

В полевых транзисторах существуют области полупроводника которые называют каналами. Их поперечное сечение, а вместе с ним и ток носителей заряда изменяются под воздействием электрического поля.

Структура полевого транзистора
с управляющим p—n-переходом и каналом n-типа

В случае, если между p-областью и n-областью приложить некоторое напряжение Uзи., как показано на рисунке выше, то p—n-переход окажется включенным в обратном направлении, следовательно его толщина увеличится, а толщины канала уменьшается. При этом принято p-область называть затвором полевого транзистора, или же его управляющим электродом. Если к этому каналу подключить еще один источник напряжения Ucи., то через него начнёт протекать ток в направлении от нижнего к верхнему участку n-области. Часть этой области, от которой основные носители зарядов начинают свое движение, называется истоком, а та часть, по направлению к которой они перемещаются – стоком.

Что касается величины тока, который протекает через канал, то определяющим для нее является сопротивление. Оно, в свою очередь, напрямую зависит от толщины канала. Таким образом, если изменяется величина приложенного к каналу напряжения, то вслед за этим происходит изменение величины тока.

В тех случаях, когда для производства этого электронного компонента в качестве основы берут полупроводник p-типа, то получается полевой транзистор, имеющий канал р-типа и управляющий p—n-переход. Канал в нем образуется n-областью.

Структура и схема подключения МДП-транзистора
с индуцированным каналом

Полевые транзисторы с изолированным затвором

Помимо тех полевых транзисторов, которые имеют в своей конструкции управляющий затвор, имеются и такие, у которых он изолирован. В электронике для обозначения таких транзисторов используют аббревиатуры МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник). Соответственно, такие приборы называют МОП-транзисторами или МДП-транзисторами.

Для МДП—транзистора характерно то, что в нем между истоком и стоком располагается n-область, представляющая собой подложку. Поэтому образуется два p—n-перехода, которые включены навстречу друг другу. При этом вне зависимости от того, какую именно полярность имеет питающее напряжение, один из этих переходов всегда закрыт, так что в в направлении «исток-сток» ток равен нулю.

Если на затвор подается отрицательное напряжение, то ток в цепи начинает течь. Дело в том, что на расположенные в подложке электроны действует электрическое поле, и они начинают передвигаться вглубь нее.

Существует некоторое пороговое значение напряжения, при котором количество дырок, расположенных у самой поверхности подложки, становится существенно больше, чем электронов. В результате этого происходит так называемая инверсия типа электроповодности: она обретает p-тип. В результате этого между стоком и истоком получается канал, связывающий их. Его толщина зависит от того, какое именно значение имеет приложенное напряжение. Если изменять его, то можно регулировать и толщину канала, поскольку сопротивление участка, располагающегося между истоком и стоком, также будет изменяться.

Обозначения полевых транзисторов на схеме

Что такое полевой транзистор? — Определение, конструкция и классификация

Определение: FET — это аббревиатура, используемая для «полевого транзистора ». Это трехполюсное униполярное устройство, в котором проводимость регулируется с помощью приложенного электрического поля . Само название дает краткое представление о принципе его работы, «эффект поля», эти два слова ясно указывают на то, что это транзистор, управляемый электрическим полем.

Таким образом, его также называют устройством, управляемым напряжением, в котором только основные носители заряда участвуют в механизме проводимости.Он состоит из трех выводов: истока, затвора и стока. Обозначение схемы, описанное на схеме ниже, ясно иллюстрирует три вывода полевого транзистора.

История полевого транзистора

В 1926 году идею полевого транзистора (FET) представил Lilienfield. После этого, в 1935 году, компания Heil также осветила полевой транзистор. Но к этому времени полевые транзисторы не пользовались большой популярностью.Это было в 1940 году, когда значение полевых транзисторов стало расти. Это связано с тем, что в 1940-е годы исследования полупроводников проводились в лабораториях Bell .

Значение полевого транзистора

Прежде чем обсуждать значение полевого транзистора, я хотел бы поделиться ключевой концепцией, касающейся полевого транзистора. Транзистор в названии часто путают с биполярным транзистором. Но существует огромная разница между полевым транзистором и биполярным транзистором.

Хотя оба являются транзисторами, и оба связаны с проводимостью тока, и оба имеют три вывода, но на этом сходство заканчивается.BJT использует инжекцию и сбор неосновных носителей заряда, и этот процесс инжекции и сбора выполняется во время прямого смещения P-N перехода. Напротив, полевые транзисторы используют электрическое поле для изменения ширины обеднения во время обратного смещения перехода.

Таким образом, в проводимости BJT участвуют как основные, так и неосновные носители, но механизм проводимости в полевых транзисторах обусловлен только основными носителями заряда. Это причина того, что полевые транзисторы называют униполярными устройствами.

Водная аналогия для понимания концепции FET

Чтобы понять, как работает полевой транзистор, давайте воспользуемся аналогией. Аналогии часто упрощают понимание даже сложной концепции. Источник воды можно понимать как источник полевого транзистора, емкость, собирающая воду, аналогична дренажному выводу полевого транзистора. Давайте быстро взглянем на диаграмму ниже, после чего понимание концепции FET будет легкой прогулкой.

Теперь вы можете догадаться, чему аналогичен терминал ворот? Если вы думаете о водопроводном кране, то да, вы правы.Это не что иное, как регулирующий кран, который контролирует поток воды. Теперь, способ, которым управляющий кран регулирует количество воды, поступающей из выхода, точно так же, как напряжение на выводе затвора управляет потоком тока от истока к выводу стока.

Конструкция и работа полевого транзистора

Полупроводник — основа всех полевых транзисторов. В зависимости от того, какой канал мы используем, то есть N-канал или P-канал, будет использоваться образец полупроводника. Если мы проектируем N-канальные полевые транзисторы, то канал будет из полупроводника N-типа.А в середине противоположных фаз образца будет рассеиваться полупроводник P-типа.

Полупроводниковая шина P-типа будет действовать как вывод затвора. Противоположные концы полупроводника P-типа будут соединены вместе, чтобы сформировать общий вывод затвора. Таким образом, по обе стороны от затвора будет два перехода P-N, которые будут называться терминалами истока и стока.

Компоненты полевых транзисторов

1. Канал: Это область, в которой протекает большинство носителей заряда.Когда большинство носителей заряда вводятся в полевой транзистор, то только по этому каналу они перетекают от истока к стоку.
2. Источник: Источник — это терминал, через который в полевой транзистор вводятся основные носители заряда.
3. Дренаж: Дренаж — это приемный терминал, в который входят основные носители заряда и, таким образом, участвуют в процедуре проводимости.
4. Затвор: Вывод затвора формируется путем диффузии одного типа полупроводника с другим типом полупроводника.Это в основном создает область с высоким содержанием примесей, которая контролирует поток носителя от истока к стоку.

Классификация полевых транзисторов

Классификацию полевых транзисторов можно понять с помощью диаграммы, представленной на изображении ниже. Полевые транзисторы в основном описаны в двух типах: JFET (Junction field effect transistor) и полевой транзистор с изолированным затвором.

Полевой транзистор перехода: Полевой транзистор перехода — это не что иное, как полевой транзистор, в котором проводимость устанавливается путем изменения ширины истощения при обратном смещении перехода.По конструкции он бывает двух типов: N-канал и P-канал.

Полевой транзистор с изолированным затвором: Полевой транзистор с изолированным затвором — это тот, в котором затвор изолирован от образца полупроводника изоляционным материалом. Это два типа MESFET (полевой транзистор с металлическим полупроводником), и MISFET (полевой транзистор с металлическим диэлектриком и полупроводником).

И MESFET, и MISFET используют переход металл-полупроводник, а не обычный P-N переход.Но особенность, которая отличает оба, — это использование изоляционного материала в случае MISFET, в то время как в MESFET изоляционного материала нет.

MOSFET — это подтип MISFET, в котором оксидный слой играет решающую роль в обеспечении изоляции между затвором и другими выводами. МОП-транзисторы работают в двух режимах: Depletion mode и Enhancement Mode . В режиме истощения существует физический канал, в то время как в режиме улучшения его нет.

Полевой МОП-транзистор с истощением и расширением может быть снова разработан двумя способами, используя N-канал или P-канал.Это было краткое описание полевых транзисторов.

Полевой транзистор

Функция полевых транзисторов аналогична биполярным транзисторам (особенно того типа, который мы обсудим здесь), но есть несколько отличий. У них есть 3 клеммы, как показано ниже. Два основных типа полевых транзисторов — это полевые МОП-транзисторы с каналом «N» и «P». Здесь мы будем обсуждать только канал N. Фактически, в этом разделе мы будем обсуждать только наиболее часто используемый N-канальный MOSFET в режиме улучшения (полевой транзистор с металлическим оксидом и полупроводником).Его схематический символ находится ниже. Стрелки показывают, как НОЖКИ реального транзистора соответствуют условному обозначению.

Current Control:
Терминал управления называется воротами. Помните, что через базовый вывод биполярного транзистора проходит небольшой ток. Затвор на полевом транзисторе практически не пропускает ток при управлении постоянным током.При управлении затвором с помощью высокочастотных импульсных сигналов постоянного или переменного тока может протекать небольшой ток. «Включение» транзистора (a.k.a. пороговое) напряжение варьируется от одного полевого транзистора к другому, но составляет примерно 3,3 вольта по отношению к источнику.

Когда полевые транзисторы используются в секции аудиовыхода усилителя, Vgs (напряжение от затвора до источника) редко превышает 3,5 В. Когда полевые транзисторы используются в импульсных источниках питания, Vgs обычно намного выше (от 10 до 15 вольт). Когда напряжение затвора превышает примерно 5 вольт, он становится более эффективным (что означает меньшее падение напряжения на полевом транзисторе и, следовательно, меньшее рассеивание мощности).

Обычно используются полевые МОП-транзисторы, потому что их легче использовать в сильноточных приложениях (например, в импульсных источниках питания в автомобильных аудиоусилителях). Если используется биполярный транзистор, часть тока коллектор / эмиттер должна протекать через переход базы. В ситуациях с высоким током, когда имеется значительный ток коллектора / эмиттера, ток базы может быть значительным. Полевые транзисторы могут работать при очень небольшом токе (по сравнению с биполярными транзисторами). Единственный ток, который течет из схемы возбуждения, — это ток, протекающий из-за емкости.Как вы уже знаете, когда на конденсатор подается постоянный ток, возникает первоначальный скачок, после чего ток прекращается. Когда затвор полевого транзистора приводится в действие высокочастотным сигналом, схема управления по существу видит только конденсатор небольшой емкости. Для низких и промежуточных частот схема возбуждения должна обеспечивать небольшой ток. На очень высоких частотах или когда задействовано много полевых транзисторов, схема возбуждения должна обеспечивать больший ток.

Примечание:
Затвор полевого МОП-транзистора имеет некоторую емкость, что означает, что он будет удерживать заряд (сохранять напряжение).Если напряжение затвора не разряжено, полевой транзистор будет продолжать проводить ток. Это не означает, что вы можете заряжать его и ожидать, что полевой транзистор будет продолжать проводить бесконечно долго, но он будет продолжать проводить до тех пор, пока напряжение на затворе не станет ниже порогового напряжения. Вы можете убедиться, что он отключился, если вы подключите понижающий резистор между затвором и истоком.

Сильноточные клеммы:
«Управляемые» клеммы называются истоком и стоком. Это клеммы, отвечающие за пропускание тока через транзистор.

Пакеты транзисторов:
В полевых МОП-транзисторах используются те же «корпуса», что и в биполярных транзисторах. Самым распространенным в автомобильном стереоусилителе в настоящее время является корпус TO-220 (показан выше).

Транзистор в цепи:
На этой диаграмме показаны напряжения на резисторе и полевом транзисторе с 3 различными напряжениями затвора. Вы должны увидеть, что на резисторе нет напряжения, когда напряжение затвора составляет около 2,5 вольт. Это означает, что ток не течет, потому что транзистор не открыт.Когда транзистор частично включен, на обоих компонентах возникает падение напряжения (напряжения). Когда транзистор полностью открыт (напряжение затвора около 4,5 В), полное напряжение питания подается на резистор, и на транзисторе практически нет падения напряжения. Это означает, что оба вывода (исток и сток) транзистора имеют по существу одинаковое напряжение. Когда транзистор полностью включен, нижний вывод резистора эффективно заземлен.

В следующей демонстрации вы можете увидеть, что к лампе подключен полевой транзистор. Когда напряжение ниже примерно 3 вольт, лампа полностью выключена. Нет тока, протекающего через лампу или полевой транзистор.Когда вы нажимаете кнопку, вы можете видеть, что конденсатор начинает заряжаться (на это указывает восходящая желтая линия и точка пересечения кривой зарядки конденсатора с белой линией, идущей слева направо. Когда полевой транзистор начинает включаться, напряжение на стоке начинает падать (обозначено спадающей зеленой линией и точкой, где зеленая кривая пересекается с белой линией). Когда напряжение затвора приближается к пороговому напряжению (~ 3,5 В), напряжение на лампе начинает снижаться. увеличение.Чем больше он увеличивается, тем ярче становится лампа. После того, как напряжение на затворе достигнет примерно 4 вольт, вы увидите, что лампочка полностью горит (на ее выводах есть полные 12 вольт). Напряжение на полевом транзисторе практически отсутствует. Вы должны заметить, что полевой транзистор полностью выключен при напряжении ниже 3 вольт и полностью включен после четырех вольт. Любое напряжение затвора ниже 3 вольт практически не влияет на полевой транзистор. Выше 4 вольт мало влияет.

Напряжение затвора:
Как вы уже знаете, полевой транзистор управляется напряжением затвора.Для этого типа полевого МОП-транзистора максимальное безопасное напряжение затвора составляет ± 20 вольт. Если на затвор (относительно источника) будет подано более 20 вольт, это приведет к разрушению транзистора. Транзистор будет поврежден, потому что напряжение будет проходить через изолятор, который отделяет затвор от части стока / истока полевого транзистора.

Ток:
Как и биполярные транзисторы, каждый полевой транзистор предназначен для безопасной передачи определенного количества тока. Если температура полевого транзистора выше 25 ° C (приблизительно 77 градусов Фаренгейта), «безопасные» токонесущие способности транзистора будут уменьшены.Безопасная рабочая зона (S.O.A) продолжает уменьшаться при повышении температуры. Когда температура приближается к максимальной безопасной рабочей температуре, номинальный ток транзистора приближается к нулю.

Напряжение: полевые транзисторы
будут повреждены, если будет превышено указанное максимальное напряжение сток-исток. Информационный листок можно получить у производителя. Лист данных предоставит вам всю информацию, необходимую для его использования.

Рассеивание мощности: полевые транзисторы
похожи на биполярные транзисторы по корпусам и рассеиваемой мощности, и вы можете перейти по этой ссылке обратно на страницу биполярных транзисторов для получения дополнительной информации.Нажмите кнопку «назад», чтобы вернуться.

металл-оксид-полупроводник

Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник (MOSFET) имеет три вывода: источник, ворота и сток. В n-MOSFET (или p-MOSFET) исток S и сток D — это N-тип (или P-тип), а подложка между ними — P-тип (или N-тип). Затвор и подложка P-типа изолированы тонким слоем диоксида кремния. ().Благодаря этой изоляции нет тока затвора ни к источнику, ни к слив.

Обычно полярности напряжений, подаваемых на МОП-транзистор такие, что

МОП-транзистор может использоваться как в аналоговых схемах, так и в качестве переключателя. в двоичной логической схеме:

Более того, ток стока и напряжение затвора могут быть смоделирован

На ток также влияет напряжение. Это может поэтому рассматривается как функция обоих и график ниже (похож на биполярный транзистор ):

Эту функцию можно разделить на три области:

• Область отсечения:

  (155)

  где — пороговое напряжение,, т.е., нет тока протекает через S и D (из-за двух стыковых PN-переходов).
• Область триода:

  и

  (156)

  Напряжения и на концах S и D инверсионный слой превышает, некоторые электроны в P-типе субстрат (неосновные носители) притягиваются к воротам, чтобы сформировать инверсионный слой рядом с затвором, чтобы сформировать N-тип канал с определенным сопротивлением между S и D. линейно возрастает с увеличением с коэффициентом (Закон Ома), и нелинейно как увеличивается (притягивает больше электронов к затвору, чтобы увеличить проводимость n-канала).Обратите внимание, что как , то инверсионный слой на конце D уже, чем на конце S.
• Область насыщенности:

  но

  (157)

  Напряжение на конце S превышает, но на D конец ниже чем. С одной стороны, повышенное напряжение с другой стороны, имеет тенденцию к увеличению, делает инверсионный слой на конце D максимально узким что он почти закрыт ( отщипывание ). В результате выше напряжение не вызывает больше тока (насыщение), и на него влияет только.

На графике vs триодная область и насыщенность области разделены кривой .

Пример: Допустим.

Пример: Предположить и оба полевых МОП-транзистора в Следующая схема находится в области насыщения. Найдите выходное напряжение.

Поскольку оба полевых МОП-транзистора находятся в области насыщения с одинаковым значением определяется только, но не зависит от быть таким же. Верхний полевой МОП-транзистор должен иметь то же самое, что и нижний. , я.е., выходное напряжение должно быть.

Сравнение между BJT и FET

BJT и FET можно сравнить со старой технологией вакуумная труба. Хотя конкретная физика каждого из этих устройств совершенно разная. от других, принципы работы этих устройств по сути тем же. На все три устройства подается небольшое входное напряжение переменного тока (сигнал). к входному разъему устройства (база, ворота или решетка) для управления ток, протекающий через устройство (от коллектора, стока или пластины к эмиттер, источник или катод соответственно), вызывая сильно усиленное напряжение появиться на выходной клемме (коллектор, сток или пластина) устройства.

Органический полевой транзистор: физика устройства, материалы и процесс

1. Введение

Органические полевые транзисторы (OFET) привлекли большое внимание в пластиковой электронике из-за их хорошей технологичности, низкой температуры осаждения, низкой стоимости, и совместимость с технологией печати на больших площадях. Хотя обычные полупроводники на основе аморфного кремния достигли большого прогресса с подвижностью носителей заряда около 1.0 см ² V ^-1 с ^-1 , для осаждения тонких пленок обычных полупроводников обычно требуется высокотемпературный процесс и беспыльные условия, что значительно увеличивает стоимость изготовления. Что наиболее важно, материалы на основе кремния редко обрабатываются на гибких подложках из-за их плохих характеристик растяжения. Тем не менее, по сравнению с обычными полупроводниками на основе кремния, полупроводники на органической основе обладают низкой стоимостью, хорошей технологичностью и могут быть изготовлены на гибких подложках.Следовательно, использование органических полупроводниковых материалов стало важной темой при разработке недорогих, больших по площади, гибких и легких устройств.

Полупроводники на органической основе находят различное применение в качестве ключевых компонентов многочисленных электронных и оптоэлектронных устройств, включая полевые транзисторы (FET), фотоэлектрические элементы (PV) и светоизлучающие диоды (LED). Специально для полевого транзистора было приложено много усилий для разработки новых органических материалов для улучшения характеристик устройства с высокой подвижностью носителей заряда и хорошей стабильностью на воздухе.В любом случае, OFET рассматриваются как ключевой компонент органических интегральных схем для применения в гибких смарт-картах, недорогих метках радиочастотной идентификации (RFID), сенсорных устройствах, дисплеях с органической активной матрицей и т. Д. [1–6]. Однако для практического применения он еще далек от удовлетворительного. В последнее время основное внимание уделяется повышению производительности и стабильности устройств, снижению стоимости изготовления, исследованию новых приложений и разработке простых методов изготовления.Преодоление этих проблем зависит от разработки новых органических полупроводников и оптимизации устройств.

В этой главе органические полевые транзисторы будут обсуждаться с трех аспектов: физика устройства, материалы устройства и обработка устройства. В первом разделе будет рассказано о переносе заряда и связанных с ним механизмах в органических полупроводниковых материалах и методах, используемых для характеристики подвижности носителей заряда, таких как время пролета, полевой транзистор и метод ограничения тока пространственным зарядом (SCLC).Во втором разделе мы обсуждаем органический полевой транзистор с точки зрения базового принципа, структуры устройства и основных параметров, таких как подвижность носителей заряда, коэффициент включения / выключения тока, пороговое напряжение, подпороговое напряжение и соответствующие факторы влияния в OFET. В третьем разделе будет рассказано о выборе органических материалов, в том числе наиболее часто используемых ароматических полупроводников p-типа и полупроводников n-типа. В четвертом разделе будут обсуждаться методы изготовления органических полевых транзисторов, включая осаждение из паровой фазы, осаждение из раствора и некоторые методы выравнивания тонких пленок.

2. Физика устройства

2.1. Транспорт заряда и связанные с ним механизмы

Изучение переноса электронов и дырок в органических материалах имеет долгую историю, уходящую корнями в 60 лет назад. Многие группы приложили усилия по этой теме. В середине 1970-х группа Шер заложила теоретическое описание прыжкового переноса в неупорядоченных материалах с помощью модели случайных блужданий в непрерывном времени [7]. До сих пор точная природа переноса заряда в органических полупроводниках остается предметом дискуссий.Однако общее представление можно получить, используя в качестве эталонов неупорядоченные полупроводники и высокоупорядоченные органические монокристаллы. В органических полупроводниках механизм переноса носителей заряда зависит от степени упорядоченности и находится между зонным и прыжковым переносом, которые являются двумя крайними случаями переноса. Обычно полосный перенос можно наблюдать в высокоочищенных молекулярных кристаллах при низких температурах. Однако ширина полосы в органических полупроводниках меньше, чем в неорганических полупроводниках (обычно несколько kT только при комнатной температуре) из-за слабой электронной делокализации [8].Следовательно, величина подвижности в молекулярных монокристаллах при комнатной температуре достигает только в пределах от 1 до 10 см ² V ^-1 с ^-1 . В другом крайнем случае аморфного органического твердого вещества преобладает прыжковый транспорт, что приводит к гораздо более низким значениям подвижности (в лучшем случае около 10 ⁻³ см ² V ⁻¹ s ⁻¹ ).

Когда локализация происходит в сопряженных органических материалах, поляроны, возникающие в результате деформации сопряженной цепи под действием заряда, могут образовываться (или заряд самозахватывается в результате деформации) [9].Этот механизм самозахвата часто описывают как создание локализованных состояний в щели между валентной зоной и зоной проводимости.

Чтобы лучше понять перенос заряда в органических материалах, Холстейн разработал одномерную одноэлектронную модель, модель малых поляронов [9]. В этой модели предполагается, что электрон-электронными взаимодействиями пренебрегают, а энергия решетки, энергия дисперсии электронов и энергия полосатости поляронов являются тремя членами, которые составляют полную энергию системы [9].

Подвижность носителей заряда зависит от температуры и поля. Для зависящей от температуры подвижности, когда подвижность экстраполирована на предел нулевого поля, результаты аппроксимации Монте-Карло (MC) приводят к следующему выражению:

, где μ ₀ — подвижность при комнатной температуре, а T ₀ — комнатная температура. Поскольку температура помогает преодолевать барьеры, создаваемые энергетическим беспорядком в системе, температура, о которой здесь говорится, зависит только от амплитуды ширины диагонального беспорядка.Это выражение отклоняется от закона типа Аррениуса, и это выражение в целом хорошо согласуется с экспериментальными данными в результате ограниченного диапазона доступных температур.

Воздействие внешнего электрического поля должно снизить энергетический барьер для переноса зоны электронной проводимости, поскольку часть этой энергии может быть обеспечена движущей силой электрического поля. Только при наличии энергетического беспорядка результаты Монте-Карло обычно дают поведение Пула-Френкеля, когда электрические поля превышают 10 ⁴ –10 ⁵ В / см:

, где μ ₀ — низкий подвижность поля, β — коэффициент Пула-Френкеля, а E — приложенное электрическое поле [10].Зависимость от поля становится более выраженной по мере роста энергетического беспорядка. Увеличение амплитуды электрического поля также сопровождается увеличением постоянной диффузии.

2.2. Характеристика подвижности носителей заряда

Подвижность носителей заряда может быть определена различными методами [11, 12]. Подвижность, измеряемая методами с измерением в макроскопических масштабах (~ 1 мм), часто зависит от порядка и чистоты материала. Вместо этого, когда измерение подвижности осуществляется в микроскопических масштабах, результат измерения меньше зависит от этих характеристик.В этом разделе будет кратко описан основной принцип наиболее часто используемых методов измерения подвижности, времяпролетного (TOF), полевого транзистора (FET) и тока, ограниченного пространственным зарядом (SCLC).

2.2.1. Время пролета (TOF)

Для измерения TOF органический активный слой толщиной в несколько микрон помещается между двумя металлическими электродами (рис. 1). Как показано на рисунке 1, сначала материал облучают для генерации зарядов лазерным импульсом рядом с одним электродом. Затем фотогенерированные дырки или электроны мигрируют через материал к другому электроду в зависимости от полярности приложенного смещения и соответствующего электрического поля (в диапазоне 10 ⁴ –10 ⁶ В / см).После этого ток на этом электроде регистрируется как функция времени. Наконец, для упорядоченных материалов будет получен резкий сигнал, в то время как для неупорядоченных систем произойдет расширение сигнала из-за распределения переходных времен по материалу. Подвижность дырок или электронов оценивается с помощью следующего уравнения:

Рисунок 1.

Схема метода TOF.

, где d — расстояние между электродами, F — электрическое поле, t — усредненное время переходного процесса и В — приложенное напряжение.Измерения TOF четко показывают влияние структурных дефектов, имеющихся в материале, на подвижность носителей заряда. Подвижности носителей заряда в органических материалах были впервые измерены методом TOF Кеплером [13] и Лебланом [14].

2.2.2. Конфигурация полевого транзистора (FET)

Электрические характеристики, измеренные в конфигурации полевого транзистора (FET), также могут быть использованы для определения подвижностей носителей заряда (рисунок 2). Как ранее говорил Хоровиц [15], полученные выражения «ток-напряжение» для неорганических транзисторов как в линейном, так и в насыщенном режиме также применимы к органическим полевым транзисторам (OFET).Эти выражения в линейном режиме:

Рисунок 2.

Структура тонкопленочного транзистора.