Bd135 параметры: BD135 , , datasheet, , ,

Содержание

Транзисторы BD135,BD139 — параметры, расположение выводов(цоколевка), отечественные аналоги.

Транзисторы BD135,BD139

Транзисторы BD135,BD139 — кремниевые, биполярные, p-n-p, усилительные. Область применения — выходные каскады усилителей звуковой частоты и телевизионные схемы. Корпус TO-126,SOT32 с жесткими выводами.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе.

Основные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 12.5 Вт(на радиаторе).

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером — 160 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — Для BD135 45в, для BD139 80в.

Максимальное напряжение коллектор — база — Для BD135 45в, для BD139 80

в.

Максимальное напряжение эмиттер — база — 5в.

Коэффициент передачи тока — от 40 , до 250 при коллекторном токе — 150 mА и напряжении коллектор-эмиттер — 2 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 1,5 А, пульсирующий — 3 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500 mА, базы 50 мА — 0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500 mА,напряжении колектор — эмиттер 2 в — 1в.

Транзисторы BD135,BD139 комплементарны BD136, BD140.

Отечественные аналоги транзисторов BD135,BD139.

BD135 можно заменить на КТ815Б,В,Г а BD139 на КТ815Г в схемах усилителей низкой (звуковой) частоты и стабилизаторов напряжения,
BD135 можно заменить на КТ943А, а BD139 на КТ943В в импульсных устройствах, но нужно учитывать что КТ943 уступают по fh31э (30 МГц против 160).
На главную страницу

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Приведенные ниже данные составил Козак Виктор Романович

Аналоги биполярных транзисторов
КТ209	MPS404
КТ368А9	BF599
КТ3102АМ КТ3102БМ КТ3102ВМ КТ3102ДМ	BC547A BC547B BC548B BC549C
КТ3107БМ КТ3107ГМ КТ3107ДМ КТ3107ЖМ КТ3107ИМ КТ3107КМ КТ3107ЛМ	BC308A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C
КТ3117А КТ3117Б	2N2221 2N2222A
КТ3126А	BF506
КТ3127А	2N4411
КТ3129Б9 КТ3129В9 КТ3129Г9	BC857A BC858A BC858B
КТ3130А9 КТ3130Б9 КТ3130В9	BCW71 BCW72 BCW31
КТ3142А	2N2369
КТ3189А9 КТ3189Б9 КТ3189В9	BC847A BC847B BC847C
КТ635Б	2N3725
КТ639А КТ639Б КТ639В КТ639Г КТ639Д КТ639Е КТ639Ж	BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD140-6 BD140-10
КТ644А КТ644Б КТ644В КТ644Г	PN2905A PN2906 PN2907 PN2907A
КТ645А КТ645Б	2N4400 2N4400
КТ646А КТ646Б	2SC495 2SC496
КТ660А КТ660Б	BC337 BC338
КТ668А КТ668Б КТ668В	BC556 BC557 BC558
КТ684А КТ684Б КТ684В	BC636 BC638 BC640
КТ685А КТ685Б КТ685В КТ685Г	PN2906 PN2906A PN2907 PN2907A
КТ686А КТ686Б КТ686В КТ686Г КТ686Д КТ686Е	BC327-16 BC327-25 BC327-40 BC328-16 BC328-25 BC328-40
КТ6109А КТ6109Б КТ6109В КТ6109Г КТ6109Д	SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H
КТ6110А КТ6110Б КТ6110В КТ6110Г КТ6110Д	SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H
КТ6111А КТ6111Б КТ6111В КТ6111Г	SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D
КТ6112А КТ6112Б КТ6112В	SS9015A SS9015B SS9015C
КТ6113А КТ6113Б КТ6113В КТ6113Г КТ6113Д КТ6113Е	SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I
КТ6114А КТ6114Б КТ6114В	SS8050B SS8050C SS8050D
КТ6115А КТ6115Б КТ6115В	SS8550B SS8550C SS8550D
КТ6116А КТ6116Б	2N5401 2N5400
КТ6117А КТ6117Б	2N5551 2N5550
КТ6128А КТ6128Б КТ6128В КТ6128Г КТ6128Д КТ6128Е	SS9016D SS9016E SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I
КТ6136А	2N3906
КТ6137А	2N3904
КТ728А КТ729А	MJ3055 2N3055
КТ808АМ КТ808БМ	2SC1619A 2SC1618
КТ814Б КТ814В КТ814Г	BD136 BD138 BD140
КТ815Б КТ815В КТ815Г	BD135 BD137 BD139
КТ817Б КТ817В КТ817Г	BD233 BD235 BD237
КТ818Б	TIP42
КТ819Б	TIP41
КТ840А КТ840Б	BU326A BU126
КТ856А КТ856Б	BUX48A BUX48
КТ867А	BUY21
КТ872А КТ872Б КТ872Г	BU508A BU508 BU508D
КТ878А КТ878Б КТ878В	BUX98 2N6546 BUX98A
КТ879А КТ879Б	2N6279 2N6278
КТ892А КТ892Б КТ892В	TIP661 BU932Z TIP662
КТ899А	2N6388
КТ8107А	BU508A
КТ8109А	TIP151
КТ8110А	2SC4242
КТ8121А	MJE13005
КТ8126А КТ8126Б	MJE13007 MJE13006
КТ8164А КТ8164Б	MJE13005 MJE13004
КТ8170А1 КТ8170Б1	MJE13003 MJE13002
КТ8176А КТ8176Б КТ8176В	TIP31A TIP31B TIP31C
КТ8177А КТ8177Б КТ8177В	TIP32A TIP32B TIP32C
КТ928А КТ928Б КТ928В	2N2218 2N2219 2N2219A
КТ940А КТ940Б КТ940В	BF458 BF457 BF459
КТ961А КТ961Б КТ961В	BD139 BD137 BD135
КТ969А	BF469
КТ972А КТ972Б	BD877 BD875
КТ973А КТ973Б	BD878 BD876
KT9116A KT9116Б	TPV-394 TPV-375
KT9133A	TPV-376
KT9142A	2SC3218
KT9150	TPV-595
KT9151A	2SC3812
KT9152A	2SC3660

Параметры КТ815

Поделиться ссылкой:

Среднемощный кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор n-p-n структуры. Широко применяется в виде ключа и в линейных схемах. Часто в усилителях звуковой частоты, в импульсных схемах, преобразователях и генераторах.


Структура	Цоколевка КТ815	Корпус КТ815


Маркировка КТ815 (кодированая)	Маркировка КТ815 (некодированая)

Выпускаются в двух корпусах из пластмассы, КТ-27 (ТО-126) и КТ-89 (DPAK).

Маркировка КТ815 бывает кодированая, четыре знака в одну строку и некодированая в две строки. В кодированной первая буква означает принадлежность к серии 815, вторая буква группу (характеристики), а две последующие месяц и год когда он был выпущен. В некодированной маркировке в верхней строке указывается дата выпуска а во второй сама маркировка. У транзисторов в корпусе КТ-89 (DPAK) после буквы означающей группу присутствует цифра 9, пример — КТ815А9.

Кроме того существует цветовая маркировка КТ815. Торец транзистора (сверху) окрашен в серый или сиренево — фиолетовый цвет обозначающий принадлежность к серии 815. Группа в этом случае никак не обозначаются.

Транзистор КТ815является комплементарной парой транзистору КТ814.

Аналоги КТ815 — BD135, BD137, BD139, TIP29C, TIP61C

Основные электрические параметры КТ815 при Т окр. среды = 25 °С

	КТ815А	КТ815Б	КТ815В	КТ815Г
Граничное напряжение к-э (Uкэо гp.), В	30	45	65	85
Обратный ток коллектора (Iкбо), мкА	50	50	50	50
Обратный ток кол.-эмиттер (Iкэr), мкА	100	100	100	100
Коэффициент передачи тока, h31э	275	275	275	275
Напряжение насыщения к-э (Uкэ нас), В	0,5	0,6	0,6	0,6

Характеристики КТ815:

	КТ815А	КТ815Б	КТ815В	КТ815Г
Напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ max), В	40	50	70	100
Напряжение эмиттер-база (Uэб max), В	5	5	5	5
Постоянный ток коллектора (Iк max), А	1,5	1,5	1,5	1,5
Импульсный ток коллектора (Iки max), А	3	3	3	3
Максимально допустимый ток базы (Iб max), А	0,5	0,5	0,5	0,5
Рассеиваемая мощность коллектора (Pк max), Вт	10	10	10	10
Температура перехода (Tпер), град. цельсия	150	150	150	150

Анекдот:

Пиво -это жидкий хлеб
Водка — жидкое мясо
Бывает, как наделаю бутербродов…

Транзистор КТ961 — DataSheet

Цоколевка транзисторов КТ961, КТ961-1

**Параметры транзистора КТ961**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ961А		*BD139, BD165 ^2, BD230 ^2, KD137A ^1, KD139A ^1, KD137 ^1, KD139 ^1, KD135A ^3, BSS15 ^3, KD135 ^3, 2N6178 ^2, BD375 ^2, 2N5320 ^3, BD375-6 ^2, BDC01D ^3*
		КТ961Б		*2N6408, KD137B ^1, BD135-10 ^1, KD135В ^1**
		КТ961В		*NSD103 ^1, KD135С ^1, BSX45-16 ^3**
		КТ961Г		*BD109 ^1, DTL3405 ^3, DTL3425 ^3, S15-28 ^3*
		КТ961Б1		BD137, BD371C
		КТ961В1		BD135
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ961А	—	*1(12.5)**	Вт
		КТ961Б	—	*1(12.5)**
		КТ961В	—	*1(12.5)**
		КТ961Г	—	*1(12.5)**
		КТ961А1	—	0.5
		КТ961Б1	—	0.5
		КТ961В1	—	0.5
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ961А	—	≥50	МГц
		КТ961Б	—	≥50
		КТ961В	—	≥50
		КТ961Г	—	≥50
		КТ961А1	—	≥50
		КТ961Б1	—	≥50
		КТ961В1	—	≥50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ961А	1к	100*	В
		КТ961Б	1к	80*
		КТ961В	1к	60*
		КТ961Г	1к	40*
		КТ961А1	—	100
		КТ961Б1	—	80
		КТ961В1	—	60
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ961А	—	5	В
		КТ961Б	—	5
		КТ961В	—	5
		КТ961Г	—	5
		КТ961А1	—	5
		КТ961Б1	—	5
		КТ961В1	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ961А	—	*1.5(2)**	А
		КТ961Б	—	*1.5(2)**
		КТ961В	—	*1.5(2)**
		КТ961Г	—	*2(3)**
		КТ961А1	—	1
		КТ961Б1	—	1
		КТ961В1	—	1
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ961А	60 В	≤10	мА
		КТ961Б	60 В	≤10
		КТ961В	60 В	≤10
		КТ961Г	60 В	≤10
		КТ961А1	60 В	≤10
		КТ961Б1	60 В	≤10
		КТ961Г1	60 В	≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ961А	2 В; 0.15 А	40…100*
		КТ961Б	2 В; 0.15 А	63…160*
		КТ961В	2 В; 0.15 А	100…250*
		КТ961Г	2 В; 0.15 А	20…500*
		КТ961А1	2 В; 0.15 А	40…100
		КТ961Б1	2 В; 0.15 А	63…160
		КТ961Г1	2 В; 0.15 А	100…250
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ961А	—	—	пФ
		КТ961Б	—	—
		КТ961В	—	—
		КТ961Г	—	—
		КТ961А1	—	≤45
		КТ961Б1	—	≤45
		КТ961Г1	—	≤45
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ961А	—	≤1	Ом, дБ
		КТ961Б	—	≤1
		КТ961В	—	≤1
		КТ961Г	—	≤1
		КТ961А1	—	≤1
		КТ961Б1	—	≤1
		КТ961Г1	—	≤1
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ961А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ961Б	—	—
		КТ961В	—	—
		КТ961Г	—	—
		КТ961А1	—	—
		КТ961Б1	—	—
		КТ961Г1	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ961А	—	—	пс
		КТ961Б	—	—
		КТ961В	—	—
		КТ961Г	—	—
		КТ961А1	—	—
		КТ961Б1	—	—
		КТ961Г1	—	—

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Bembi Art.BD135-500 Бодик без рукавов — Каталог / Одежда и Обувь / Одежда для малышей / BabyStore.lt

Описание:

Бемби — практичная, удобная и стильная одежда, в которой всегда будет комфортно вашему ребенку. Bembi (Бемби) — ведущий украинский производитель детской одежды с широким ассортиментом. Товар сертифицирован в Украине и ЕС.

Сезон: Всесезон
Доступные размеры:62-74см
Состав: Высококачественный 100% хлопок

Таблица размеров:

0-3 мес (56-62 cm; 3-5 kг)
3-6 мес (62-68 cm; 5-7 kг)
6-9 мес (68-74 cm; 7-8 kг)
9-12 мес (74-80 cm; 8-10 kг)

Параметры:

Материал	cotton
Возрастное ограничение	0+ m

Магазин	Размер		Количество

В данный момент товар недоступен в наших магазинах, но его можно заказать

Количество несёт информативный характер, товар может быть зарезервирован

Биполярные транзисторы серии КТ8хх

Предприятия, отмеченные таким цветом, прекратили свое существование.

тип	аналог	класс	Uкэ, В	Iк, А	h31	Uнас, В	tрас, мкс [fгр, МГц]	корпус	производитель	подробности
Подробная информация о производителях — в ПУТЕВОДИТЕЛе и о корпусах — здесь
2Т803А	BDY23	npn	60	10	18…80	2.5	[20]	КТЮ-3-20	ИСКРА	Ге3.365.008ТУ
2Т808А	BLY47	npn	120	10	10…50	1.5	[7]	КТЮ-3-20	ИСКРА	Ге3.365.004ТУ
2Т809А	BLY49	npn	400	3	15…100	1.5	[40]	КТЮ-3-20	ИСКРА	Ге3.365.017ТУ
2Т812А		npn	700	10	5…30	2.5	3,5	КТ9	ФЗМТ	аА0.339.193ТУ
КТ814Г	BD135	pnp	100	1.5	40	0.6		КТ27	КРЕМНИЙ \| ТРАНЗИСТОР
КТ815Г	BD140	npn	100	1.5	40	0.6		КТ27	КРЕМНИЙ \| ТРАНЗИСТОР
КТ816Г		pnp	100	3	25	0.6		КТ27	КРЕМНИЙ \| ТРАНЗИСТОР
КТ817Г		npn	100	3	25	0.6		КТ27	КРЕМНИЙ \| ТРАНЗИСТОР
КТ818Г/Г2	BD239	pnp	90	10	15…275	1	[3]	КТ28/dpak	КРЕМНИЙ \| ИСКРА
КТ819Г/Г2	BD244	npn	100	10	15…275	1	[3]	КТ28/dpak	КРЕМНИЙ \| ИСКРА
КТ820В		pnp	100	0.5	40	0.2		б/к	КРЕМНИЙ
КТ821В		npn	100	0.5	40	0.2		б/к	КРЕМНИЙ
КТ822В		pnp	100	2	25	0.3		б/к	КРЕМНИЙ
КТ823В		npn	100	2	25	0.2		б/к	КРЕМНИЙ
КТ825А	BDX64	pnpD	100	20	750	2	4.5	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ825А2		pnpD	100	15	500	2	4.5	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ826А	2SC1101	npn	700	1	120	2,5	1.5	КТ9	ФЗМТ
КТ827А	2N6284	npnD	100	20	>750	2	4,5	KT9	КРЕМНИЙ \| ФЗМТ	аА0.336.356ТУ
КТ828А	2SC1413	npn	800	5	4	0.5	5	КТ9	ЭЛИЗ
КТ829А/А2	BD649	npnD	100	8	750	2	[4]	KT28/dpak	ИСКРА \| КРЕМНИЙ \| ЭПЛ
КТ830Г	2N4236	pnp	100	2	30	0.6	1	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ831Г	2N4239	npn	100	2	42	0.6	2	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ832А		npn	500	0.1	50	2	6
КТ834А	BUX30	npnD	500	15	>150	2	6	KT9	КРЕМНИЙ \| ФЗМТ	аА0.336.471ТУ
КТ835А	2N6107	pnp	30	3	25	0.35		КТ28	ЭЛЕКТРОНИКА
КТ836А		pnp	90	3	20	0.6	1	КТ3	КРЕМНИЙ
КТ837А	2N6111	pnp	80	7.5	120	0.9	1	КТ28	ЭЛЕКТРОНИКА \| КРЕМНИЙ \| ТРАНЗИСТОР
КТ838А	BU208	npn	1500	5		5	10	KT9	ЭЛЕКТРОНПРИБОР \| КРЕМНИЙ
КТ839А	BU2520	npn	1500	10	7	1.5	10	КТ9	ФЗМТ	аА0.336.485ТУ
КТ840А	BU326А	npn	400	6	10	1	3.5	КТ9	КРЕМНИЙ \| ИСКРА
КТ841А	BDX96	npn	600	10	20	1.5	1.0	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ841А1		npn	600	10	10	1.5	2.0	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ842А	2SB506A	pnp	300	5	20	1.8	0.8	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ842А1		pnp	300	5	10	1.8	2.2	КТ28	КРЕМНИЙ
2Т844А	UPT732	npn	250	10	10…50	2.3	2	KT9	ФЗМТ
КТ845А	BU126	npn	400	5	100	1.5	4.0	КТ9	ФЗМТ	аА0.336.595ТУ
КТ846А	BU209	npn	1500	5		1	10	KT9	КРЕМНИЙ
КТ847А	BUW76	npn	360	15	10	1.5	3.0	KT9	КРЕМНИЙ \| ФЗМТ	аА0.336.576ТУ
КТ848А	BUX37	npn	400	15	>20	1.5		KT9	ЭЛИЗ
КТ850А/А2	MJD340	npn	200	2	4…200	1	[20]	КТ28/dpak	КРЕМНИЙ
КТ851А/А2	MJD350	pnp	200	2	40…200	1	[20]	КТ28/dpak	КРЕМНИЙ
КТ852А	TIP117	pnpD	100	2.5	500	2,5	2,0	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ853А/A2	MJD127	pnpD	100	8	750	2	[7]	КТ28/dpak	КРЕМНИЙ
КТ854А	MJE3007	npn	500	10	20	2	1,2	КТ28	КРЕМНИЙ \| ИСКРА
КТ855А	MJE5852	pnp	250	5	20	1		КТ28	КРЕМНИЙ
КТ856А	BUX48A	npn	400	10	30	1.5	[8]	КТ9	КРЕМНИЙ \| ИСКРА	аАО.339.383ТУ
КТ857А	BU409	npn	150	7	>8	1	2,5	КТ28	КРЕМНИЙ \| ИСКРА
КТ858А	BU406	npn	200	7	>10	1	1,2	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ859А	BUX84	npn	400	3	10	1.5	3,5	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ860А		pnp	90	2	160	0.35	0.1	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ861А		npn	90	2	100	0.35	0.1	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ862А		npn	450	15	100	2	1	КТ57	ПУЛЬСАР
КТ863А/А2		npn	30	10	30…100	0.3	[4]	KT28/dpak	КРЕМНИЙ
КТ863БС/1		npn	160	12	200	0.55		to220/to263	СИТ
КТ864А		npn	200	10	200	0.7	3	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ865А		pnp	200	10	200	2		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ866А		npn	160	20	100	1.5	0,4		ПУЛЬСАР
КТ867А	BUY21	npn	200	25	>10	1.5	[25]	КТ9	ИСКРА	аАО.339.439ТУ
КТ868А	BU426A	npn	400	6	>10	1.5	0.6	КТ43	КРЕМНИЙ \| ИСКРА
КТ872А	BU508А	npn	1500	8	>6	1	<1,0	KT43	КРЕМНИЙ
КТ873А		npnD	200	8	1000	1.6		КТ23
КТ874А		npn	100	30	15	1	0,5	КТ57	ПУЛЬСАР
КТ875А		npn	90	10	80	0.5	0.4	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ876А		pnp	90	10	80	0.5	1.0	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ877А		pnpD	80	10	>10k	2	0.7	КТ9	КРЕМНИЙ
КТ878А	BUX98	npn	400	25	50	1.5	[10]	КТ9	КРЕМНИЙ \| ИСКРА	аАО.339.574ТУ
КТ879А	2N6279	npn	200	50	>20	1.1	[3]	КТ5	ИСКРА	аАО.339.609ТУ
КТ880А		pnp	100	2	250	0.35	0.5	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ881А		npn	100	2	250	0.35	0.5	КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ882А		npn	350	1	15	1	1,4	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ883А		pnp	300	1	25	1.8	2,8	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ884А		npn	800	2	25	0.8	2	КТ28	КРЕМНИЙ
КТ885А		npn	400	40	12	2.5	2	КТ9
КТ886А		npn	1400	10	6	1.0	3.5	КТ9	ЭЛЕКТРОНПРИБОР	развертка
КТ886А1	2SC3412	npn	1400	10	6	1.0	3.5	КТ43	ЭЛИЗ
КТ887А		pnp	600	2	>10	5.0		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ888А		pnp	800	0.1	100	1.0		КТ2-7	КРЕМНИЙ
КТ889А		npn	350	10		1,5	0.3	КТ9	ИСКРА
КТ890А	BU931ZP	npn	350	20		<2.0		КТ43	ЭЛИЗ	автозажигание
КТ891А		npn	250	40	50	0.7	1.0	КТ61А	ПУЛЬСАР
КТ892А	BUZ931ZD	npnD	350	15	300	1,8	5	КТ9	ИСКРА
КТ892А1	TIP661	npnD	350	15	300	1,8	5	КТ43	ИСКРА
КТ893А	BU826	npnD	800	6	500	2.0	0.8	KT43	ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ894А	2SC3889	npn	700	8		2.0	4.5	КТ43	ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ895А	BU508DF	npn	700	8		1.0	6.5	КТ43С	ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ896A	BDW64A	pnpD	90	5	18k			KT43	КРЕМНИЙ
КТ897A	BU937	npnD	350	20	400	1.8		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ898А	BU931ZP	npnD	350	20	400	1.6		КТ43	КРЕМНИЙ
КТ899А	2N6388	npn	150	10	1000	1.3		КТ28	ИСКРА	{=КТ829А}
КТ8101А	BD245	npn	200	16	>20	2		КТ43	КРЕМНИЙ
КТ8102А	BD246	pnp	200	16	>20	2		КТ43	КРЕМНИЙ
КТ8104А		pnpD	200	20	10k	2.2		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ8105А		npnD	200	20	10k	2.2		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ8106А	BDW65A	npnD	90	20	18k	2,0		КТ43	КРЕМНИЙ
КТ8107А	BU508	npn	700	8	>10	1.0	0.5	КТ43	КРЕМНИЙ \| ИСКРА
КТ8108А	2SC3750	npn	850	5	>10	1.0	3.2	КТ28	ЭЛИЗ
КТ8109А	TIP151	npn	350	7	>180	1.5	1.5	КТ28	КРЕМНИЙ \| ИСКРА
КТ8110А	2SC4242	npn	400	7	>15	0.8	0.3	КТ28	КРЕМНИЙ \| ИСКРА
КТ8111А		npnD	100	20	>750	2.0	1.5	КТ43	ЭЛИЗ
КТ8112А		npn	400	0.5	>300	2	[10]	КТ27	КРЕМНИЙ \| ИСКРА
КТ8113А		npn	1000	1	100	2.5	1.5	КТ43	ЭЛИЗ
КТ8114А									ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ8115А	TIP127	pnpD	100	8	>1000	2.0	[4]	КТ28	ИСКРА \| ТРАНЗИСТОР
КТ8116А	TIP122	npnD	100	8	>1000	2.0	[4]	КТ28	ИСКРА \| ТРАНЗИСТОР
КТ8117А	2SC3306	npn	400	10	50	1.5	1.0	КТ43	ИСКРА
КТ8118А	2SC3150	npn	800	3	10	2.0	0.7	КТ28	ИСКРА
КТ8120А		npn	450	8		1.0	0.5
КТ8121А	MJE13005	npn	400	4		1.0	3,5	КТ28	ИСКРА
КТ8121А2	BU208	npn	700	8		1.0	0,5	КТ9	ИСКРА	{=КТ838}
КТ8124А		npn	200	7		1.0	0.7
КТ8125А		npn	100	6		1.5	0.3
КТ8126А	MJE13007	npn	400	8	>10	1.0	0.4	КТ28	ИСКРА \| ТРАНЗИСТОР
КТ8127А	BU508	npn	1500	5		1.0	0.7	КТ43	ЭЛИЗ
КТ8127А1	BU508A	npn	1500	5		1.0	0.7	КТ43	ЭЛИЗ
КТ8129А		npn	700	5		5.0		КТ9	КРЕМНИЙ
КТ8130В	2N6036	pnpD	80	4	15k	2.0		КТ27	КРЕМНИЙ
КТ8131В	2N6039	npnD	80	4	15k	2.0		КТ27	КРЕМНИЙ
КТ8134Г		pnp	60	3				КТ27	ЭЛЕКТРОНИКА
КТ8135Г		npn	60	3				КТ27	ЭЛЕКТРОНИКА
КТ8136А	2SC4106	npn	600	10	50	<1,0	2.5	КТ28	ЭЛИЗ
КТ8136А1		npn	600	10	50	<1,0	2.5	КТ28	ЭЛИЗ	+диод
КТ8137А	NJE13003	npn	400	1.5	50	1.0	0.4	КТ27	ИСКРА
КТ8138Г		npn	400	7	50	0,8	0.5	КТ28	ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ8140А1	BU406D	npn	400	7	>10	<1,0		КТ28	ЭЛИЗ
2Т8143х	ТК235-40	npn	240	50	15	0,8		КТ9М \| КТ5	ИСКРА	АЕЯР.432140.137ТУ
2Т8144В\|В1	BUX98	npn	450	25				КТ9 \| КТ9М	ИСКРА	АЕЯР.432140.261ТУ
КТ8145А		npn	400	12		1.0	0.9
КТ8146А	BUX48	npn	450	15		1,5	2,5	КТ9	ИСКРА	{=КТ856}
КТ8149А	MJ2955	pnp	60	15	120	1.1	[4]	КТ9	ИСКРА
КТ8150А	2N3055	npn	60	15	120	1.1	[4]	КТ9	ИСКРА
КТ8154А		npn	450	30		1,5	2,5	КТ9	ИСКРА
КТ8155А	BUX348	npn	450	50		1,5	2,5	КТ9М	ИСКРА
КТ8156Б	BU807	npnD	200	8	100	1.5		КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8157А	2SC3688	npn	800	15	8	1.5	3,0	КТ9	ИСКРА
КТ8158B	BDV65C	npnD	100	12	>1000	2.0		КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8159B	BDV64C	pnpD	100	12	>1000	2.0		КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8164А	MJE13005	npn	600	4				КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8170А1	MJE31003	npn	400	1.5	40	1.0	[0.004]	КТ27	ТРАНЗИСТОР
КТ8174А		npnD	500	40		2,5	4,0	КТ9М	ИСКРА	{=2ТКД155-40}
КТ8175А	MJE13003	npn	700	1.5	40		0.4	КТ27	ЭЛИЗ
КТ8176B	TIP31C	npn	100	3.0	25	1.2	[0.003]	КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8177B	TIP32C	pnp	100	3.0	25	1.2	[0.003]	КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8181А	MJE13005	npn	700	4	50		0.4	КТ28	ЭЛИЗ
КТ8182А	MJE13007	npn	700	8	50		0.15	КТ28	ЭЛИЗ
КТ8183А	2SD900B	npn	1500	5	3		0.3	КТ9	ЭЛИЗ
КТ8183А1	2SD1911	npn	1500	5	3		0.3	КТ43	ЭЛИЗ
КТ8190Г	ESM3003	npn	300	100	10	1,5	2,5	КТ9М	ИСКРА
КТ8191А	SK200DA060D	npnD	600	200				модуль	ИСКРА
КТ8192А	BUh2215	npn	700	30	10	1,5	3,0	isotop	ИСКРА
КТ8199А	D45h3A	pnp	30	10	85			КТ28	МИКРОН
КТ8201А	MJE13001	npn	400	0.6	40		0.3	КТ27	МИКРОН
КТ8203А	MJE13003	npn	400	1.5	25		0.7	КТ27	МИКРОН
КТ8205А	MJE13005	npn	400	4	40		0.9	КТ28	МИКРОН
КТ8207А	MJE13007	npn	400	8	30		0.7	КТ28	МИКРОН
КТ8209А	MJE13009	npn	400	12	30			КТ28	МИКРОН
КТ8210А	SK100DB060D	npnD	600	100				модуль	ИСКРА
КТ8212А	TIP41C	npn						КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8213А	TIP42C	pnp						КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8214А	TIP110	npn						КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8215А	TIP115	npn						КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8216Г1	MJD31C	npn	100	10	12…275	1,5	[3]	dpak	КРЕМНИЙ
КТ8217Г1	MJD32C	pnp	100	10	12…275	1,5	[3]	dpak	КРЕМНИЙ
КТ8218Г1	MJD112	npnD	100	4	100…15k	3	[25]	dpak	КРЕМНИЙ
КТ8219Г1	MJD117	pnpD	100	4	100…15k	3	[25]	dpak	КРЕМНИЙ
КТ8221А	ESM7007	npn	700	200				модуль	ИСКРА
КТ8223А	SK1500A100D	npn	800	150				модуль	ИСКРА
КТ8224А	BU2508A	npn	700	8	5	1	6	КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8224Б	BU2508D	npn	700	8	5	1	6	КТ43	ТРАНЗИСТОР	с обратным диодом
КТ8225А	BU941ZP	npn						КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8228А	BU2525А	npn						КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8229А	TIP35F	npn						КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8230А	TIP36F	pnp						КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8232А1	BU941	npn	350	20	>300	1,8	[10]	КТ43	ВЗПП-С	Darl \| АДБК.432140.837ТУ
КТ8247А	BUL45D2	npn	400	5,0	>22	0.5		КТ28	ТРАНЗИСТОР	с антинасыщающим элементом
КТ8248А	BU2506F	npn	700	5.0	9	3.0		КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8251А	BDV65F	npn						КТ43	ТРАНЗИСТОР
КТ8Д.252А	BU941	npnD	350	15	2k	1.8		to218 \| to220 \| to263	ЭПЛ	зажигание
КТ8254А	КТ506А	npn	400	2	30	0,6	[10]	dpak	КРЕМНИЙ
КТ8255А	BU407C	npn	160	7.0	>15	1.0		КТ28	ТРАНЗИСТОР
КТ8Д.257В	КТ829	npnD	100	15	850	1.8		to220 \| to263	ЭПЛ	зажигание
КТ8258А	MJE13005	npn	400	4	60	0.8		to220 \| to263	ЭПЛ	зажигание
КТ8259А	MJE13007	npn	400	8	60	1.2		to220 \| to263	ЭПЛ	зажигание
КТ8260А	MJE13009	npn	400	12	60	1.2		to220 \| to263	ЭПЛ	зажигание
КТ8261А	BUD44D2	npn	400	2.0	>10	0.65		КТ27	ТРАНЗИСТОР	с антинасыщающим элементом
КТ8Д.262А	КТ8133	npnD	300		300	1.8		to218	ЭПЛ	зажигание
2Т8266А	ESM3001	npn	200	300	10	2,0	1,0	модуль	ИСКРА
КТ8270А	MJE13001	npn	400	5.0	90	0.5		КТ27	ТРАНЗИСТОР
КТ8271А	BD136	pnp						КТ27	ТРАНЗИСТОР
КТ8272А	BD135	npn						КТ27	ТРАНЗИСТОР
КТ8277А	BUh2215	npn	700	16		1,2	0,2	КТ9М	ИСКРА
КТ8290А	BUh200	npn	400	10.0	>10	1.0		КТ28	ТРАНЗИСТОР	Р 9/06
КТ8292А	BUX348	npn	450	60		0,9	2,5	КТ9М	ИСКРА
КТ8295АС		npn	850	4.0		1.2	1,0	КТ19A-3	ФЗМТ	Р9/06 сборка
2Т8308А9\|А91	BCP56	npn	80	1	63…250	0,5		КТ99-1 \| КТ47	КРЕМНИЙ
2Т8309А9\|А91	BCP53	pnp	80	1	100…250	0,5		КТ99-1 \| КТ47	КРЕМНИЙ
2Т8310А9\|А91	FZT658	npn	400	0,5	>40	0,5		КТ99-1 \| КТ47	КРЕМНИЙ

Расчет связного транзисторного передатчика — Курсовая

Расчет структурной схемы передатчика.

Проведем предварительный расчет и разработаем структурную схему транзисторного передатчика.

В соответствии с заданием, мощность в антенне P_A = 10 Вт, диапазон частот 26 ÷ 27.8 МГц . В качестве активного элемента усилителя мощности выбран биполярный транзистор КТ912А.

В соответствии со справочными данными η =70/100 = 0,7 и коэффициент усиления K_P = 15, примем для расчета КПД каждого УМ η = 0,7.

Для обеспечения требуемой мощности в антенне, решено использовать 2 каскада усиления (УМ1, УМ2) с параметрами:

Р_ВЫХ2 = Р_А/η = 10/0,7 = 15 Вт

Р_ВХ2 = Р_ВЫХ2/К_Р = 15/15 = 1 Вт

Р_ВЫХ1 = Р_ВХ2/η = 1/0,7 = 1,45 Вт

Р_ВХ1 = Р_ВЫХ1/К_Р = 1,45 /25 = 0,06 Вт

Для УМ1 выбран транзисторы:

BD135, структураnpn

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5

Статический коэффициент передачи тока h31э мин40

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт12.5

2N5551, структураnpn

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В180

Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В160

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.6

Статический коэффициент передачи тока h31э мин50

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.35

Перед УМ1 устанавливаются каскады предварительного усиления:

Р_ВЫХ3 = 0,06 /0,7 = 0,09 Вт

Р_ВХ3 = 0,1/50 = 2 мВт

Р_ВЫХ2 = 2/0,7 = 2.9 мВт

Р_ВХ2 = 2.9 /50 = 0,06 мВт

Р_ВЫХ1 = 0,06 /0,7 = 0,086 мВт

Р_ВХ1 = 0,086 /50 = 2 мкВт.

В передатчике применен высокостабильный, Δf/f = 10^-6, КАГ выдающий сигнал на рабочей частоте. Исходя из предварительного расчета, строим структурную схему радиопередатчика (рис. 1). В соответствии с полученной структурной схемой (рис. 1) и ее параметрами построим электрическую принципиальную схему связного транзисторного передатчика и рассчитаем параметры ее элементов.

Рис.1. Структурная схема передатчика с прямой ЧМ.

Пластиковые кремниевые NPN-транзисторы средней мощности

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток application / pdf

BD135 — Пластиковые кремниевые NPN-транзисторы средней мощности

ON Semiconductor

Эта серия пластиковых кремниевых NPN-транзисторов средней мощности разработана для использования в качестве усилителей звука и драйверов с использованием дополнительных или квазикомплементарных схем.

2013-12-09T14: 16: 41 + 01: 00BroadVision, Inc.2020-08-24T13: 02: 06 + 02: 002020-08-24T13: 02: 06 + 02: 00Acrobat Distiller 9.0.0 (Windows) uuid: 47e03865-ffc8-48df-9106-15bd59935c3duuid: fb8b1001-7dad-4ec2- 9bf7-f059d32f0128Печать конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > поток HVMo8 {s7Ih] A> RINОEEIg >> 7pB% G`.N.6 = х> с? 1X`Uu & SEgb3_e: hМCuFaU

YF (eEmvpm 㚡: cx8e «UL 7DB & sD

Jt *>, dhImr ف (K7af89fb gDj g [bO rm tk60Q / ΘP’g) VNHiiKa, $ R_RE1E (r} ΰP6pĊ0 ‘ks JSµxTSYweTSty] Wp ~ [ϯG \ GdIX (L˵U \] _ rzyW6Qf} \ s5 & jKr

BD135; трансформаторы питания BD135; NPT — BD135

AM27PS191A25B3A : 16,384-бит (2048 X 8), биполярный пром.

HFA240NJ40D : Шестигранный удвоитель 400 В, 240 А в неизолированном корпусе TO-244AB. = 400 В VF (тип.) = 1 В IF (AV) = 240 A Qrr (тип.) = 290 нКл IRRM (тип.) = 7,5 A trr (тип.) = 50 нс di (rec) M / dt (тип.) = 270 A / с Сниженные RFI и EMI Снижение демпфирования. Подробная характеристика параметров восстановления. HEXFRED-диоды оптимизированы для снижения потерь и EMI / RFI в высокочастотных системах преобразования мощности. Обширная характеристика восстановления.

P1200SA : Устройство асимметричного дискретного сидератора Teccor® Lcas ;; Пакет = DO-214 Два вывода.

SBA50-04Y :. Диод с барьером Шоттки (двойной катод с общим катодом) Применение Высокочастотное выпрямление (импульсные регуляторы, преобразователи, прерыватели).Низкое прямое напряжение (VF max = 0,55 В). Быстрое обратное время восстановления. Низкий коммутационный шум. Высокая надежность за счет высоконадежной планировочной конструкции. Устройство для поверхностного монтажа сокращает время сборки и облегчает работу.

SM4TY : Зажимные диоды TVS Automotive 400 Вт Transil \ «. Пиковая импульсная мощность: Вт (10/1000 с) кВт (8/20 с) Диапазон выдерживаемого напряжения: от 58 В однонаправленный и двунаправленный типы низкий ток утечки: 85 C рабочая Tj max: 150 C Высокая мощность при Tj max: Вт (10/1000 с) Смола для контуров корпуса, зарегистрированная в JEDEC, соответствует требованиям V0 AEC-Q101. Серия SM4TY Transil была разработана для защиты чувствительных элементов.

CIMD6ABK : 100 мА, 50 В, 2 КАНАЛА, NPN И PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: Дополнительная; Тип упаковки: СУПЕРМИНИ-6.

CPF-110R7DT-9 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 1 Вт, 0,5%, 25 ppm, 10,7 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Диапазон сопротивления: 10,7 Ом; Допуск: 0,5000 +/-%; Температурный коэффициент: 25 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 1 Вт (0.0013 л.с.); Операционная.

F34429-000 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ С ПЕРЕЗАГРУЗОЧНЫМ РЕЖИМОМ PTC, КРЕПЛЕНИЕ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы, соответствие требованиям ROHS; Номинальная мощность: 7 Вт (0,0094 л.с.); Рабочее напряжение переменного тока: 16 вольт; Стандарты и сертификаты: RoHS.

MXIN4678CUR-1 : ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ. s: Тип диода: ДИОД РЕГУЛЯТОРА НАПРЯЖЕНИЯ.

SIR846ADP-T1-GE3 : ПИТАНИЕ, FET.TrenchFET Power MOSFET% Rg и категоризация протестированных материалов UIS: определения соответствия см. На сайте www.vishay.com/doc?99912 ПРИМЕНЕНИЯ Преобразователи постоянного / постоянного тока с изолированным переключателем первичной стороны Полный мост, вид снизу Информация для заказа: SiR846ADP-T1-GE3 (ведущий ( Без Pb) и без галогенов) АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНКИ (TA = 25 C, если не указано иное).

SPD48 : 1.0006 А, 50 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ УПАКОВКА-2; Количество диодов: 1; VRRM: 50 вольт; IF: 1001 мА; trr: 0.0050 нс.

SST441-1 : 2 КАНАЛА, ДИАПАЗОН УВЧ, Si, N-КАНАЛ, МАЛЫЙ ВЧ СИГНАЛ, JFET. s: Полярность: N-канал; PD: 500 милливатт; Тип упаковки: ПЛАСТИК, CJ1, SOP-8; Количество блоков в ИС: 2.

ZV111K05A : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ НАПРЯЖЕНИЯ, 14 В, 0,3 Дж, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, радиальные выводы, радиальные выводы; Номинальная мощность: 0,0050 Вт (6,70E-6 л.с.); Рабочее напряжение постоянного тока: 14 вольт; Рабочая температура: от -40 до 125 C (от -40 до 257 F); Стандарты и сертификаты: RoHS.

35NA22MCA5X11 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, НЕПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 35 В, 22 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Соответствует RoHS: Да; Диапазон емкости: 22 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 35 вольт; Ток утечки: 23,1 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

BD135-16-BP — Datasheet PDF — Цена — Транзисторы — Биполярный (BJT) — Single — Micro Commercial Co

Рождество и Новый год 2021 Подробности деятельности

Приближается Рождество и Новый год 2021, Утмель хочет дать вам больше поддержка заказа компонентов.
В период с 27 ноября по 10 января 2021 года при достижении другой стоимости заказа вы получите скидку непосредственно в период нашей деятельности. Деталь:

. (1) При стоимости заказа более 1000 долларов в одном заказе вы получите прямую скидку в размере 20 долларов.
(2) Если стоимость одного заказа превышает 5000 долларов США, вы получите прямую скидку в размере 100 долларов США.
(3) При сумме заказа более 10000 долларов в одном заказе вы получите прямую скидку в размере 200 долларов.
(4) Если стоимость одного заказа превышает 20000 долларов, вы получите прямую скидку в размере 400 долларов.
(5) «Большая» сделка: 27 ноября, 30 ноября и 4 января 2021 года, в пекинское время с 0:00 до 24:00, на все оплаченные заказы будет действовать скидка 10% непосредственно на ваш заказ. Только стоимость продукта будет подходить для скидки, не включая фрахт и банковский сбор / плату Paypal.
(6) Для автономного заказа вы можете воспользоваться бесплатной доставкой, если стоимость вашего заказа соответствует приведенному ниже условию:
6.1 При сумме заказа более 1000 долларов вы можете получить бесплатную перевозку с массой брутто в пределах 0,5 кг.
6.2 При сумме заказа более $ 2000 вы можете получить бесплатную перевозку груза с массой брутто в пределах 1 кг.

Вопросы и ответы 1. Как получить купон на скидку?

Выберите весь товар, который вам нужен, в корзину, вы увидите скидку при оформлении заказа.

2.Можно ли воспользоваться бесплатным фрахтом и скидкой вместе?

Да, Utmel предоставит вам бесплатную доставку и скидку, если ваш заказ соответствует нашим условиям.

3.Как получить скидку на оффлайн заказ?

Наши специалисты по продажам сделают скидку непосредственно в PI для вас, если ваш заказ
соответствует стандарту нашего правила деятельности.

* Право на окончательную интерпретацию этой деятельности принадлежит Utmel Electronic Limited.

Philips Semiconductors — Discretes — Concise Catalog 2000

• BD135
• BD135-10
• BD135-16

Значения моделирования
* .МОДЕЛЬ QBD135 NPN ( + IS = 4,815E-14 + NF = 0,9897 + ISE = 1,389E-14 + NE = 1,6 + BF = 124,2 + IKF = 1,6 + VAF = 222 + NR = 0,9895 + ISC = 1,295E-13 + NC = 1,183 + BR = 13,26 + ИКР = 0,29 + VAR = 81,4 + РБ = 0,5 + IRB = 1E-06 + RBM = 0,5 + RE = 0,165 + RC = 0,096 + XTB = 0 + EG = 1,11 + XTI = 3 + CJE = 1.243E-10 + VJE = 0,7313 + MJE = 0,3476 + TF = 6.478E-10 + XTF = 29 + VTF = 2,648 + ITF = 3,35 + ПТФ = 0 + CJC = 3.04E-11 + VJC = 0,5642 + MJC = 0,4371 + XCJC = 0,15 + TR = 1E-32 + CJS = 0 + VJS = 0,75 + MJS = 0,333 + FC = 0,9359) *

Посмотреть эту модель

Значения моделирования
* .МОДЕЛЬ QBD135-10 NPN ( + IS = 4,815E-14 + NF = 0,9897 + ISE = 1,389E-14 + NE = 1,6 + BF = 124,2 + IKF = 1,6 + VAF = 222 + NR = 0,9895 + ISC = 1,295E-13 + NC = 1,183 + BR = 13,26 + ИКР = 0,29 + VAR = 81,4 + РБ = 0,5 + IRB = 1E-06 + RBM = 0,5 + RE = 0,165 + RC = 0,096 + XTB = 0 + EG = 1,11 + XTI = 3 + CJE = 1.243E-10 + VJE = 0,7313 + MJE = 0,3476 + TF = 6.478E-10 + XTF = 29 + VTF = 2,648 + ITF = 3,35 + ПТФ = 0 + CJC = 3.04E-11 + VJC = 0,5642 + MJC = 0,4371 + XCJC = 0,15 + TR = 1E-32 + CJS = 0 + VJS = 0,75 + MJS = 0,333 + FC = 0,9359) *

Посмотреть эту модель

Значения моделирования
* .МОДЕЛЬ QBD135-16 NPN ( + IS = 4,815E-14 + NF = 0,9897 + ISE = 1,389E-14 + NE = 1,6 + BF = 124,2 + IKF = 1,6 + VAF = 222 + NR = 0,9895 + ISC = 1,295E-13 + NC = 1,183 + BR = 13,26 + ИКР = 0,29 + VAR = 81,4 + РБ = 0,5 + IRB = 1E-06 + RBM = 0,5 + RE = 0,165 + RC = 0,096 + XTB = 0 + EG = 1,11 + XTI = 3 + CJE = 1.243E-10 + VJE = 0,7313 + MJE = 0,3476 + TF = 6.478E-10 + XTF = 29 + VTF = 2,648 + ITF = 3,35 + ПТФ = 0 + CJC = 3.04E-11 + VJC = 0,5642 + MJC = 0,4371 + XCJC = 0,15 + TR = 1E-32 + CJS = 0 + VJS = 0,75 + MJS = 0,333 + FC = 0,9359) *

Посмотреть эту модель

FAIRCHILD BD13716STU

DtSheet

Загрузить

FAIRCHILD BD13716STU

Открыть как PDF

Похожие страницы

TIP125 — Fairchild Semiconductor

TIP102 — Fairchild Semiconductor

MJD44h21 — Полупроводник Fairchild

KSP94TA — Полупроводник Fairchild

ЯРМАРКА KSA473_09

ВЫСТАВКА KSC5026M_11

ВЫСТАВКА TIP141T_09

ВЫСТАВКА TIP42C_09

ЯРМАРКА TIP146TU

ЯРМАРКА MJD47_12

ЯРМАРКА Д44х21ТУ

FAIRCHILD MJD31CTF

ВЫСТАВКА BC636TFR_09

ЯРМАРКА KSC2331_11

FAIRCHILD MMBT3906SL_12

ЯРМАРКА БУ406ТУ

FAIRCHILD FJT44KTF

FAIRCHILD BC559BTA

ЯРМАРКА NZT560A_09

ЯРМАРКА КСЦ2073х3

ЯРМАРКА KST92_09

FAIRCHILD 2N6520TA

dtsheet © 2021 г.
О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь
BD135 BD137 BD139 КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN / Кремний-транзистор bd135-bd137-bd139-npn-npn.pdf / PDF4PRO

Транскрипция BD135 BD137 BD139 КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN

1 BD135 . БД137 / БД139 . NPN КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОР . ПРЕДПОЧТИТЕЛЬНЫЕ ВИДЫ ПРОДАЖИ SGS-THOMSON. ОПИСАНИЕ. BD135 , BD137 и BD139 — это SILICON эпитаксиальные планарные NPN-транзисторы в Jedec SOT-32. пластиковый корпус, предназначенный для усилителей звука и драйверов, использующих комплементарные или квазикомплементарные схемы.Дополнительные типы PNP — это BD136 1. BD138 и BD140. 2. 3. СОТ-32. ВНУТРЕННЯЯ СХЕМА. АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ ЗНАЧЕНИЯ. Символ Параметр Значение Единица BD135 BD137 BD139 . В Напряжение коллектор-база CBO (IE = 0) 45 60 80 В. V Напряжение коллектор-эмиттер CEO (IB = 0) 45 60 80 В. В Напряжение эмиттер-база EBO (IC = 0) 5 В. Ток коллектора IC A .I CM Пиковый ток коллектора 3 A. IB Базовый ток A. o P tot общее рассеивание при Tc 25 C W.

2 OP total Общее рассеивание при Tamb 25 C W.o T s tg Температура хранения от -65 до 150 C. o Tj Макс. Рабочая температура соединения 150 C. Октябрь 1995 г. 1/4. BD135 / BD137 / BD139 . ТЕПЛОВЫЕ ДАННЫЕ. o R thj -ca se Термическое сопротивление соединительного корпуса Макс. 10 C / W. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Tcase = 25 oC, если не указано иное). Symbo l Параметр T est Con ditio ns Мин. Т ип. Максимум. Блок I CBO Отключение коллектора V CB = 30 В A. Ток (I E = 0) V CB = 30 В TC = 125 o C 10 A. I EBO Ток отключения эмиттера V EB = 5 В 10 A.(I C = 0). V CEO (sus) Коллектор-эмиттер I C = 30 мА. Поддерживаемое напряжение для BD135 45 В. для BD137 60 В. для BD139 80 В. V CE (насыщ.) Коллектор-эмиттер IC = A IB = A В. Напряжение насыщения V BE Напряжение база-эмиттер IC = A VCE = 2 В 1 В.

3 H FE Коэффициент усиления постоянного тока IC = 5 мА V CE = 2 В 25. IC = A VCE = 2 В 25. IC = 150 мА VCE = 2 В 40 250. h FE h FE Группы IC = 150 мА В CE = 2 В. для BD139 группа 10 63 160. Импульсный: Длительность импульса = 300 с, скважность%.2/4. BD135 / BD137 / B139. МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ SOT-32. мм дюйм РАЗМ. МИН. ТИП. МАКСИМУМ. МИН. ТИП. МАКСИМУМ. A B b b1 C c1 D e e3 F G 3 H 0016114. 3/4. BD135 / BD137 / BD139 . Предоставленная информация считается точной и надежной. Однако SGS-THOMSON Microelectronics не несет ответственности за последствия использования такой информации, а также за нарушение патентов или других прав третьих лиц, которое может возникнуть в результате ее использования.Никакая лицензия не предоставляется косвенно или иным образом на основании каких-либо патентов или патентных прав SGS-THOMSON Microelectronics.

4 Технические характеристики, упомянутые в этой публикации, могут быть изменены без предварительного уведомления. Эта публикация заменяет всю ранее предоставленную информацию. Продукты SGS-THOMSON Microelectronics не разрешены для использования в качестве критических компонентов в устройствах или системах жизнеобеспечения без письменного разрешения SGS-THOMSON Microelectonics. 1995 SGS-THOMSON Microelectronics — Все права защищены ГРУППА КОМПАНИЙ SGS-THOMSON Microelectronics.Австралия — Бразилия — Франция — Германия — Гонконг — Италия — Япония — Корея — Малайзия — Мальта — Марокко — Нидерланды — Сингапур — Испания — Швеция — Швейцария — Тайвань — Таиланд — Великобритания -. 4/4.

[PDF] ETC BD135 / D — Скачать бесплатно PDF

Скачать ETC BD135 / D …
ON Semiconductor
BD135 BD137 BD139

Пластиковый кремниевый NPN-транзистор средней мощности. . . разработан для использования в качестве усилителей звука и драйверов с использованием дополнительных или квазикомплементарных схем.

МОЩНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ НА 1,5 АМПЕР NPN SILICON 45, 60, 80 Вольт 10 Вт

• Коэффициент усиления постоянного тока — •

hFE = 40 (мин) при IC = 0,15 Adc BD 135, 137, 139 дополняют BD 136, 138 , 140

КОРПУС 77–09 TO – 225AA ТИП

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ МАКСИМАЛЬНЫЕ РЕЙТИНГИ

Рейтинг

Символ

Тип

Значение

Единица

Напряжение коллектор – эмиттер

VCEO

BD 135 BD 137 BD 139

45 60 80

Vdc

Напряжение коллектор 9–2 базы

В постоянного тока
BD 137 BD 139

45 60100

В постоянного тока

Напряжение эмиттер – база

VEBO

5

В постоянного тока

Ток коллектора

IC

1.5

Adc

Базовый ток

IB

0,5

Adc

Общее тепловыделение устройства при TA = 25C Снижение номинальных значений выше 25 ° C

PD

1,25 10

Вт, мВт / C

Общее тепловыделение устройства = TC 25C Снижение номинальных значений выше 25C

PD

12,5 100

Ватт мВт / C

TJ, Tstg

–55 до +150

C

Диапазон рабочих температур и температур спая при хранении

 Semiconductor Components, LLC, 2001 Industries

Март 2001 г. — Ред.9

1

Номер заказа на публикацию: BD135 / D

BD135 BD137 BD139

ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Характеристика

Обозначение

Макс.

Единица

Тепловое сопротивление, переход к корпусу

θJC

10
Вт к окружающей среде

θJA

100

C / W

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (TC = 25C, если не указано иное) Характеристика

Symbol

Поддерживающее напряжение коллектор-эмиттер * (IC = 0.03 Adc, IB = 0)

BVCEO *

Ток отсечки коллектора (VCB = 30 В постоянного тока, IE = 0) (VCB = 30 В постоянного тока, IE = 0, TC = 125C)

ICBO

Ток отсечки эмиттера (VBE = 5,0 В постоянного тока, IC = 0)

IEBO

Коэффициент усиления постоянного тока (IC = 0,005 A, VCE = 2 В) (IC = 0,15 A, VCE = 2 В) (IC = 0,5 A VCE = 2 В)

hFE *

Тип

Мин.

Макс.

BD 135 BD 137 BD 139

45 60 80

— — —

— —

0.1 10

—

10

25 40 25

— 250 —

UnIt Vdc

µAdc

µAdc —

Напряжение насыщения коллектора – эмиттера * (IC = 0,5 Adc, IB 9 = 0,09 Adc) VCE (нас.) *

—

0,5

Vdc

Напряжение включения базы – эмиттера * (IC = 0,5 Adc, VCE = 2,0 Vdc)

VBE (on) *

—

1

Vdc

* Импульсный тест: ширина импульса 300 мкс, рабочий цикл 2,0%.

IC, ТОК КОЛЛЕКТОРА (AMP)

10.0 5,0 5 мс

2,0 1,0

TJ = 125 ° C

0,5

0,1 мс

0,5 мс постоянного тока

0,1 0,05

BD135 BD137 BD139

0,02 0,01

1
50009 5 VCE, НАПРЯЖЕНИЕ КОЛЛЕКТОРА-ИЗЛУЧАТЕЛЯ (ВОЛЬТ)

Рис. 1. Зона безопасной работы в активной зоне

http://onsemi.com 2

80

BD135 BD137 BD139 РАЗМЕРЫ УПАКОВКИ TO – 225AA CASE 77–09 ВЫПУСК W

–B– U

F

Q –A–

ПРИМЕЧАНИЯ: 1.РАЗМЕРЫ И ДОПУСКИ В СООТВЕТСТВИИ С ANSI Y14.5M, 1982 г. 2. КОНТРОЛЬНЫЕ РАЗМЕРЫ: ДЮЙМ.

CM

1 2 3

H

K

J

VGS

R 0,25 (0,010)

A

M

M

B

D
D
0,25 )

M

A

M

B

M

http://onsemi.com 3

РАЗМЕР ABCDFGHJKMQRSUV

ДЮЙМОВ МИН МАКС 0.425 0,435 0,295 0,305 0,095 0,105 0,020 0,026 0,115 0,130 0,094 BSC 0,050 0,095 0,015 0,025 0,575 0,655 5 TYP 0,148 0,158 0,045 0,065 0,025 0,035 0,145 0,155 0,040 —

МИЛЛИМЕТРОВ MIN MAX 10,80 11,04 7,50 7,74 2,42 2,66 0,51 0,66 2,93 3,30 2,39 BSC 2,41 0,39 0,63 14,61 16,63 5 TYP 3,76 4,01 1,15 1,65 0,64 0,88 3,69 3,93 1,02 —

BD135 BD137 BD139

ON Semiconductor и являются товарными знаками компании Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC оставляет за собой право вносить изменения в любые продукты без предварительного уведомления.SCILLC не дает никаких гарантий, не делает заявлений или гарантий относительно пригодности своих продуктов для какой-либо конкретной цели, а также SCILLC не принимает на себя никакой ответственности, возникающей в связи с применением или использованием любого продукта или схемы, и, в частности, отказывается от любой ответственности, включая, помимо прочего, особые , косвенный или случайный ущерб. «Типичные» параметры, которые могут быть предоставлены в таблицах данных и / или спецификациях SCILLC, могут и действительно изменяются в разных приложениях, а фактическая производительность может меняться со временем.Все рабочие параметры, включая «Типовые», должны проверяться техническими экспертами для каждого приложения клиента. SCILLC не передает никаких лицензий в соответствии со своими патентными правами или правами других лиц. Продукты SCILLC не разработаны, не предназначены и не разрешены для использования в качестве компонентов в системах, предназначенных для хирургической имплантации в тело, или других приложениях, предназначенных для поддержки или поддержания жизни, или для любого другого приложения, в котором отказ продукта SCILLC может создать ситуация, при которой возможны травмы или смерть.Если Покупатель приобретает или использует продукты SCILLC для любого такого непреднамеренного или несанкционированного применения, Покупатель должен возместить и обезопасить SCILLC и его должностных лиц, сотрудников, дочерние компании, филиалы и дистрибьюторов от всех претензий, затрат, убытков и расходов, а также разумных гонораров адвокатам. из-за, прямо или косвенно, любого иска о травмах или смерти, связанных с таким непреднамеренным или несанкционированным использованием, даже если в таком иске утверждается, что SCILLC проявил небрежность в отношении конструкции или производства детали.SCILLC — работодатель, предоставляющий равные возможности / позитивные действия.

ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА ИЗДАНИЯ СЕВЕРНАЯ АМЕРИКА Поставка литературы: Центр распространения литературы для ON Semiconductor P.O. Box 5163, Денвер, Колорадо 80217 США Телефон: 303–675–2175 или 800–344–3860 Бесплатный номер в США / Канаде Факс: 303–675–2176 или 800–344–3867 Бесплатный номер в США / Канаде Электронная почта: [адрес электронной почты защищен] Линия ответа по факсу: 303–675–2167 или 800–344–3810. Бесплатный звонок в США / Канаде. Северная Америка. Техническая поддержка в США: 800–282–9855. Бесплатный звонок в США и Канаде. ЕВРОПА: LDC для ON Semiconductor — служба поддержки в Европе. 1) 303–308–7140 (пн – пт с 14:30 до 19:00 по центральноевропейскому времени) Электронная почта: ONlit– [адрес электронной почты защищен] Французский Телефон: (+1) 303–308–7141 (пн – пт с 14:00 до 19:00: 00pm CET) Электронная почта: ONlit– [электронная почта защищена] Английский Телефон: (+1) 303–308–7142 (Пн – Пт 12:00 до 17:00 GMT) Электронная почта: [Электронная почта защищена]

ЦЕНТРАЛЬНАЯ / ЮЖНАЯ АМЕРИКА: Испанский Телефон: 303–308–7143 (пн – пт с 8:00 до 17:00 MST) Электронная почта: ONlit– [адрес электронной почты защищен] Бесплатный звонок из Мексики: наберите 01–800–288–2872 для доступа, затем наберите 866–297 –9322 ASIA / PACIFIC: LDC for ON Semiconductor — Телефон службы поддержки в Азии: 1–303–675–2121 (вт – пт с 9:00 до 13:00 по гонконгскому времени).

No related posts.

Транзисторы BD135,BD139 — параметры, расположение выводов(цоколевка), отечественные аналоги.

Транзисторы BD135,BD139

Основные параметры.

Отечественные аналоги транзисторов BD135,BD139.

Таблица аналогов биполярных транзисторов

Параметры КТ815

Транзистор КТ961 — DataSheet

Bembi Art.BD135-500 Бодик без рукавов — Каталог / Одежда и Обувь / Одежда для малышей / BabyStore.lt

Параметры:

Биполярные транзисторы серии КТ8хх

Расчет связного транзисторного передатчика — Курсовая

Пластиковые кремниевые NPN-транзисторы средней мощности

BD135; трансформаторы питания BD135; NPT — BD135

BD135-16-BP — Datasheet PDF — Цена — Транзисторы — Биполярный (BJT) — Single — Micro Commercial Co

Philips Semiconductors — Discretes — Concise Catalog 2000

FAIRCHILD BD13716STU

FAIRCHILD BD13716STU

BD135 BD137 BD139 КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN / Кремний-транзистор bd135-bd137-bd139-npn-npn.pdf / PDF4PRO

Транскрипция BD135 BD137 BD139 КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN

[PDF] ETC BD135 / D — Скачать бесплатно PDF

Оставить комментарийОтменить комментарий