Bd140 параметры: BD140, Транзистор PNP 80В 1.5А 12.5Вт [TO-126], ST Microelectronics

Содержание

Транзисторы BD136,BD138,BD140 — параметры, расположение выводов(цоколевка), отечественные аналоги.

Транзисторы BD136,BD138,BD140

Транзисторы BD136,BD138,BD140 — кремниевые, биполярные, p-n-p, усилительные. Область применения — выходные каскады усилителей звуковой частоты и телевизионные схемы. Корпус TO-126,SOT32 с жесткими выводами.
Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе.

Основные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 8 Вт(на радиаторе).

Предельная частота коэффициента передачи тока ( fh31э )транзистора для схем с общим эмиттером — 160 МГц;

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — Для BD136 45в, для BD138 60в, для BD140 80в.

Максимальное напряжение коллектор — база — Для BD136 45

в, для BD138 60в, для BD140 100в.

Максимальное напряжение эмиттер — база5в.

Коэффициент передачи тока — от 63 , до 250 при коллекторном токе — 150 mА и напряжении коллектор-эмиттер — 2 в.

Максимальный постоянный ток коллектора 1,5 А, пульсирующий — 2 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 500 mА, базы 50 мА —

0,5в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 500 mА,напряжении колектор — эмиттер 2 в — 1в.

Транзисторы BD136, BD140 комплементарны BD135, BD139.


Отечественные аналоги транзисторов BD136,BD138,BD140.

BD136 можно заменить на КТ8271А,
BD138 на КТ8271Б,

BD140 на КТ8271В.

На главную страницу

Транзистор BD140, PNP, 80V, 1.5A, корпус TO-126

Описание товара Транзистор BD140, PNP, 80V, 1.5A, корпус TO-126

Транзистор BD140, PNP, 80V, 1.5A, корпус TO-126 от интернет-магазина Electronoff — уникальный, качественный радиокомпонент. Биполярные транзисторы применяются в различных современных цифровых и аналоговых устройствах. Наиболее часто биполярные транзисторы применяют в радиоприемниках, телевизорах и передающих устройствах. А все благодаря уникальным свойствам этих радиокомпонентов.

Технические характеристики

  • Тип транзистора: PNP
  • Рабочее напряжение: 80V
  • Рабочий ток: 1.5A
  • Тип корпуса: TO-126

Особенности транзисторов BD140, PNP, 80V, 1.5A, корпус TO-126
Современные биполярные транзисторы являются отличными, функциональными и качественными радиокомпонентами. Биполярные транзисторы применяются в современных аналоговых и цифровых устройствах. Довольно часто их можно встретить схемах современных радиоприемников, а также в телевизорах, различных усилителях сигнала, в радиопередатчиках и прочих устройствах.

Устройство современных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют довольно простое устройство — практически все транзисторы производят из кремниевых кристаллов. Транзистор состоит из трех слоев полупроводника, к каждому из которых подключен электрод. Как правило средний электрод является базой, а два остальных — эмиттером и коллектором.

Свойства транзистора зависят от свойств полупроводниковых слоев, материала, формы и прочих факторов. Собственно от этого зависит и размер транзисторов и тип их корпуса.

Режимы работы биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы имеют несколько режимов работы:

  • В нормальном режиме работы переход транзистора эмиттер-база открыт, а вот переход коллектор-база закрыт.
  • Если же переходы транзистора будут открыты в обратном порядке — эмиттер-база закрыт, а коллектор-база открыт, то получим инверсный активный режим.
  • Если оба перехода открыты и направлены к базе, такой режим называют режимом насыщения. При этом, токи насыщения эмиттера и коллектора направлены к базе.
  • Существует так называемый режим отсечки, при котором переход коллектора смещается обратно, а на переход эмиттера будет подаваться как прямое, так и обратное смещение напряжения.
  • В барьерном режиме транзистор будет работать как своеобразный диод. Чтобы активировать такой режим работы транзистора, перед эмиттером или коллектором устанавливают резистор.

Правила безопасности при работе с биполярными резисторами
Биполярные транзисторы могут работать в цепях с довольно высоким напряжением, поэтому необходимо соблюдать элементарные правила безопасности. Не прикасайтесь к контактам транзистора включенного в высоковольтную сеть.

Если вы меняете испорченный транзистор на новый, внимательно проследите за тем, чтобы параметры нового компонента были аналогичны таковым у старого. Особенно если вы берете не такой же компонент, а его аналог.

Ну и конечно всегда нужно учитывать как параметры электросети, так и самого транзистора. Если через цепь будет протекать 100 вольт, а транзистор будет рассчитан максимум на 90, он может просто сгореть.

аналоги отечественные, характеристики транзистора, микросхема, даташит, аналог

Аналоги (замена) транзистора Bd140:

Type  Mat  Struct  Pc  Ucb  Uce  Ueb  Ic  Tj  Ft  Hfe  Caps
2SA1178  Si  PNP 20,00 150,00 1,00 175,00 200,00 80,00  TO126
2SA1220  Si  PNP 20,00 120,00 5,00  1.2 150,00 160,00 150,00  TO126
2SA1220A  Si  PNP 20,00 160,00 5,00  1.2 150,00 160,00 150,00  TO126
2SA1486  Si  PNP 15,00 600,00 1,00 175,00 80,00  TO126
2SA1714  Si  PNP 12,00 100,00 100,00 8,00 3,00 150,00 2000,00  TO126
2SA1930S  Si  PNP 20,00 180,00 180,00 5,00 2,00 150,00 200,00 50,00  TO126
2SB1004  Si  PNP 30,00 100,00 80,00 5,00 4,00 175,00 4000,00  TO126
2SB1012  Si  PNP 20,00 120,00 120,00 7,00  1.5 150,00 2000,00  TO126
2SB1012K  Si  PNP 20,00 120,00 120,00 7,00  1.5 150,00 2000,00  TO126
2SB1054  Si  PNP 60,00 100,00 80,00 5,00 5,00 175,00 120,00  TO126
2SB1055  Si  PNP 70,00 120,00 100,00 5,00 6,00 175,00 120,00  TO126
2SB1056  Si  PNP 80,00 140,00 120,00 5,00 7,00 175,00 120,00  TO126
2SB1057  Si  PNP 100,00 150,00 130,00 6,00 9,00 175,00 120,00  TO126
2SB1088  Si  PNP 60,00 100,00 100,00 5,00 10,00 175,00 6000,00  TO126
2SB1112  Si  PNP 40,00 120,00 120,00 5,00 6,00 175,00 5000,00  TO126
2SB1113  Si  PNP 40,00 120,00 120,00 7,00 8,00 175,00 5000,00  TO126
2SB1149  Si  PNP 20,00 100,00 80,00 5,00 3,00 175,00 10000,00  TO126
2SB1153  Si  PNP 150,00 170,00 150,00 5,00 15,00 175,00 90,00  TO126
2SB1154  Si  PNP 70,00 130,00 100,00 5,00 10,00 175,00 90,00  TO126
2SB1155  Si  PNP 80,00 130,00 100,00 5,00 15,00 175,00 90,00  TO126
2SB1156  Si  PNP 100,00 130,00 100,00 5,00 20,00 175,00 90,00  TO126
2SB1157  Si  PNP 60,00 100,00 100,00 5,00 5,00 175,00 90,00  TO126
2SB1158  Si  PNP 70,00 120,00 120,00 5,00 6,00 175,00 90,00  TO126
2SB1159  Si  PNP 100,00 140,00 140,00 5,00 7,00 175,00 90,00  TO126
2SB1160  Si  PNP 100,00 150,00 150,00 5,00 9,00 175,00 90,00  TO126
2SB1161  Si  PNP 120,00 160,00 160,00 5,00 12,00 175,00 90,00  TO126
2SB1162  Si  PNP 120,00 160,00 160,00 5,00 12,00 175,00 90,00  TO126
2SB1163  Si  PNP 150,00 170,00 170,00 5,00 15,00 175,00 90,00  TO126
2SB1167  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 6,00 3,00 150,00 130,00 70,00  TO126
2SB1167Q  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 6,00 3,00 150,00 130,00 70,00  TO126
2SB1167R  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 6,00 3,00 150,00 130,00 100,00  TO126
2SB1167S  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 6,00 3,00 150,00 130,00 140,00  TO126
2SB1167T  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 6,00 3,00 150,00 130,00 200,00  TO126
2SB1168  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 6,00 4,00 150,00 130,00 70,00  TO126
2SB1168Q  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 6,00 4,00 150,00 130,00 70,00  TO126
2SB1168R  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 6,00 4,00 150,00 130,00 100,00  TO126
2SB1168S  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 6,00 4,00 150,00 130,00 140,00  TO126
2SB1168T  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 6,00 4,00 150,00 130,00 200,00  TO126
2SB1213  Si  PNP 30,00 120,00 100,00 20,00 10,00 175,00 5000,00  TO126
2SB1253  Si  PNP 50,00 130,00 130,00 5,00 6,00 175,00 15000,00  TO126
2SB1254  Si  PNP 70,00 160,00 160,00 5,00 7,00 175,00 15000,00  TO126
2SB1255  Si  PNP 100,00 160,00 160,00 5,00 8,00 175,00 15000,00  TO126
2SB1280  Si  PNP 25,00 120,00 120,00 5,00 3,00 175,00 5000,00  TO126
2SB1281  Si  PNP 25,00 120,00 120,00 5,00 6,00 175,00 5000,00  TO126
2SB1304  Si  PNP 20,00 100,00 100,00 5,00 4,00 175,00 120,00  TO126
2SB1345  Si  PNP 80,00 100,00 100,00 5,00 7,00 175,00 160,00  TO126
2SB1347  Si  PNP 120,00 160,00 160,00 5,00 12,00 175,00 120,00  TO126
2SB1353  Si  PNP 15,00 120,00 120,00 5,00  1.5 175,00 120,00  TO126
2SB1355  Si  PNP 25,00 80,00 80,00 5,00 4,00 175,00 120,00  TO126
2SB1356  Si  PNP 25,00 100,00 100,00 5,00 7,00 175,00 120,00  TO126
2SB1358  Si  PNP 25,00 80,00 80,00 5,00 5,00 175,00 120,00  TO126
2SB1359  Si  PNP 15,00 100,00 100,00 5,00 2,00 175,00 2000,00  TO126
2SB1360  Si  PNP 25,00 100,00 100,00 5,00 5,00 175,00 120,00  TO126
2SB1361  Si  PNP 100,00 150,00 150,00 5,00 9,00 175,00 120,00  TO126
2SB1371  Si  PNP 70,00 120,00 120,00 6,00 6,00 175,00 120,00  TO126
2SB1372  Si  PNP 80,00 140,00 140,00 6,00 7,00 175,00 120,00  TO126
2SB1373  Si  PNP 120,00 160,00 160,00 6,00 12,00 175,00 120,00  TO126
2SB1419  Si  PNP 120,00 160,00 160,00 5,00 12,00 175,00 90,00  TO126
2SB571  Si  PNP 40,00 80,00 80,00 5,00 4,00 150,00 6000,00  TO126
2SB574  Si  PNP 30,00 80,00 80,00 5,00 3,00 150,00 50,00  TO126
2SB577  Si  PNP 40,00 80,00 80,00 5,00 4,00 150,00 50,00  TO126
2SB583  Si  PNP 75,00 80,00 80,00 5,00 8,00 150,00 3000,00  TO126
2SB584  Si  PNP 75,00 100,00 100,00 5,00 8,00 150,00 3000,00  TO126
2SB649  Si  PNP 20,00 160,00 120,00  1.5 150,00 140,00 60,00  TO126
2SB649A  Si  PNP 20,00 180,00 160,00  1.5 150,00 140,00 60,00  TO126
2SB649AB  Si  PNP 20,00 180,00 160,00  1.5 150,00 140,00 60,00  TO126
2SB649AC  Si  PNP 20,00 180,00 160,00  1.5 150,00 140,00 100,00  TO126
2SB649B  Si  PNP 20,00 160,00 120,00  1.5 150,00 140,00 60,00  TO126
2SB649C  Si  PNP 20,00 160,00 120,00  1.5 150,00 140,00 100,00  TO126
2SB649D  Si  PNP 20,00 160,00 120,00  1.5 150,00 140,00 160,00  TO126
2SB840L  Si  PNP 20,00 180,00 120,00 5,00  1.5 175,00 70,00 50,00  TO126
2SB841L  Si  PNP 20,00 180,00 160,00 5,00  1.5 175,00 70,00 100,00  TO126
2SB842L  Si  PNP 20,00 200,00 180,00 5,00  1.5 175,00 70,00 100,00  TO126
2SB874  Si  PNP 20,00 100,00 80,00 5,00 2,00 175,00 125,00 60,00  TO126
2SB874B  Si  PNP 20,00 100,00 80,00 5,00 2,00 175,00 125,00 60,00  TO126
2SB874C  Si  PNP 20,00 100,00 80,00 5,00 2,00 175,00 125,00 100,00  TO126
2SB875  Si  PNP 20,00 100,00 80,00 5,00 2,00 175,00 125,00 200,00  TO126
2SB876  Si  PNP 20,00 120,00 100,00 5,00  1.5 175,00 90,00  TO126
2SB877  Si  PNP 20,00 120,00 110,00 5,00  1.5 175,00 90,00  TO126
2SB897  Si  PNP 80,00 100,00 100,00 5,00 10,00 150,00 5000,00  TO126
2SB965  Si  PNP 70,00 120,00 120,00 6,00 7,00 175,00 120,00  TO126
2SB966  Si  PNP 80,00 120,00 120,00 6,00 8,00 175,00 120,00  TO126
2SB974  Si  PNP 30,00 100,00 80,00 7,00 5,00 175,00 8000,00  TO126
2SB975  Si  PNP 40,00 100,00 80,00 7,00 8,00 175,00 8000,00  TO126
2SB997  Si  PNP 40,00 100,00 100,00 5,00 7,00 175,00 6000,00  TO126
2SB998  Si  PNP 40,00 80,00 80,00 5,00 7,00 175,00 6000,00  TO126
3CA1930S  Si  PNP 20,00 180,00 180,00 5,00 2,00 150,00 200,00 50,00  TO126 TO225
BD140  Si  PNP 12,00 80,00 80,00 5,00 1,00 150,00 50,00 40,00  TO126
BD140-10  Si  PNP 12,00 80,00 80,00 5,00 1,00 150,00 50,00 63,00  TO126
BD140-16  Si  PNP 12,00 80,00 80,00 5,00 1,00 150,00 50,00 100,00  TO126
BD140-25  Si  PNP  12.5 100,00 80,00 5,00  1.5 150,00 160,00  TO126
BD140-6  Si  PNP 12,00 80,00 80,00 5,00 1,00 150,00 50,00 40,00  TO126
BD140G  Si  PNP 12,00 80,00 80,00 5,00 1,00 150,00 50,00 40,00  TO126
BD238G  Si  PNP 30,00 100,00 100,00 5,00 4,00 150,00 50,00 40,00  TO126
BD348  Si  PNP 20,00 80,00 80,00 5,00 3,00 150,00 50,00 50,00  TO126
BD380-10  Si  PNP 25,00 100,00 80,00 5,00 2,00 150,00 50,00 63,00  TO126
BD380-16  Si  PNP 25,00 100,00 80,00 5,00 2,00 150,00 50,00 100,00  TO126
BD380-25  Si  PNP 25,00 100,00 80,00 5,00 2,00 150,00 50,00 150,00  TO126
BD380-6  Si  PNP 25,00 100,00 80,00 5,00 2,00 150,00 50,00 40,00  TO126
BTB1236AT3  Si  PNP 20,00 180,00 160,00 5,00  1.5 150,00 140,00 160,00  TO126
CSA1220  Si  PNP 20,00 120,00 120,00 5,00  1.2 150,00 175,00 60,00  TO126
CSA1220A  Si  PNP 20,00 160,00 160,00 5,00  2.5 150,00 175,00 60,00  TO126
CSB649  Si  PNP 20,00 180,00 120,00 5,00  1.5 150,00 140,00 60,00  TO126
CSB649A  Si  PNP 20,00 180,00 160,00 5,00  1.5 150,00 140,00 60,00  TO126
CSB649AB  Si  PNP 20,00 180,00 160,00 5,00  1.5 150,00 140,00 60,00  TO126
CSB649AC  Si  PNP 20,00 180,00 160,00 5,00  1.5 150,00 140,00 100,00  TO126
CSB649B  Si  PNP 20,00 180,00 120,00 5,00  1.5 150,00 140,00 60,00  TO126
CSB649C  Si  PNP 20,00 180,00 120,00 5,00  1.5 150,00 140,00 100,00  TO126
CSB649D  Si  PNP 20,00 180,00 120,00 5,00  1.5 150,00 140,00 160,00  TO126
ECG2346  Si  PNP 60,00 120,00 6,00 150,00 750,00  TO126
ECG258  Si  PNP 70,00 80,00 5,00 150,00 750,00  TO126
ECG260  Si  PNP 75,00 100,00 8,00 150,00 250,00  TO126
ECG374  Si  PNP 20,00 180,00 160,00  1.5 150,00 140,00 100,00  TO126
ECG378  Si  PNP 50,00 80,00 80,00 10,00 150,00 50,00 60,00  TO126
FTA1220  Si  PNP 20,00 120,00 120,00 5,00  1.2 150,00 175,00 60,00  TO126
FTA1220A  Si  PNP 20,00 160,00 160,00 5,00  1.2 150,00 175,00 60,00  TO126
FTB649A  Si  PNP 15,00 180,00 160,00 5,00  1.5 150,00 140,00 60,00  TO126
H649A  Si  PNP 20,00 180,00 160,00 5,00  1.5 150,00  140(TYP) 60,00  TO126
HA1011  Si  PNP 25,00 180,00 160,00 6,00  1.5 150,00  100(TYP) 60,00  TO126
HBD682  Si  PNP 40,00 100,00 100,00 5,00 4,00 150,00 750,00  TO126F
HS649A  Si  PNP 20,00 180,00 160,00 5,00  1.5 150,00  140(TYP) 60,00  TO126
HSB649A  Si  PNP 20,00 180,00 160,00 5,00  1.5 150,00 140,00 60,00  TO126ML
HSB649T  Si  PNP 20,00 180,00 160,00 5,00  1.5 150,00 140,00 100,00  TO126
HSBD140  Si  PNP  12.5 80,00 80,00 5,00  1.5 150,00 40,00  TO126
HSBD380  Si  PNP 25,00 100,00 80,00 5,00 2,00 150,00 40,00  TO126
KSA1220  Si  PNP 20,00 120,00 120,00 5,00  1.2 150,00 175,00 60,00  TO126
KSA1220A  Si  PNP 20,00 160,00 160,00 5,00  1.2 150,00 175,00 60,00  TO126
KSA1220AO  Si  PNP 20,00 160,00 160,00 5,00  1.2 150,00 175,00 100,00  TO126
KSA1220AR  Si  PNP 20,00 160,00 160,00 5,00  1.2 150,00 175,00 60,00  TO126
KSA1220AY  Si  PNP 20,00 160,00 160,00 5,00  1.2 150,00 175,00 160,00  TO126
KSA1220O  Si  PNP 20,00 120,00 120,00 5,00  1.2 150,00 175,00 100,00  TO126
KSA1220R  Si  PNP 20,00 120,00 120,00 5,00  1.2 150,00 175,00 60,00  TO126
KSA1220Y  Si  PNP 20,00 120,00 120,00 5,00  1.2 150,00 175,00 160,00  TO126
KSB1149  Si  PNP 15,00 100,00 100,00 8,00 3,00 150,00 3000,00  TO126
KSB1149O  Si  PNP 15,00 100,00 100,00 8,00 3,00 150,00 8000,00  TO126
KSB1149R  Si  PNP 15,00 100,00 100,00 8,00 3,00 150,00 3000,00  TO126
KSB1149Y  Si  PNP 15,00 100,00 100,00 8,00 3,00 150,00 12000,00  TO126
KSE172  Si  PNP  12.5 100,00 80,00 7,00 3,00 150,00 50,00 50,00  TO126
KSE702  Si  PNP 40,00 80,00 80,00 5,00 4,00 150,00 750,00  TO126
KSE703  Si  PNP 40,00 80,00 80,00 5,00 4,00 150,00 750,00  TO126
KTA1704  Si  PNP 20,00 120,00 120,00 5,00  1.2 150,00 110,00 100,00  TO126
MJE172  Si  PNP 12,00 100,00 80,00 7,00 3,00 150,00 50,00 50,00  TO126
MJE702  Si  PNP 40,00 80,00 80,00 5,00 4,00 150,00 750,00  TO126
MJE702G  Si  PNP 40,00 80,00 80,00 5,00 4,00 150,00 100,00  TO126
MJE703  Si  PNP 40,00 80,00 80,00 5,00 4,00 150,00 750,00  TO126
MJE703G  Si  PNP 40,00 80,00 80,00 5,00 4,00 150,00 100,00  TO126
MJE712  Si  PNP 20,00 80,00 80,00 5,00  1.5 150,00 40,00  TO126
NTE2346  Si  PNP 60,00 120,00 120,00 5,00 6,00 750,00  TO126
NTE254  Si  PNP 40,00 80,00 80,00 5,00 4,00 2000,00  TO126

Биполярный транзистор BD140 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BD140

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
  • Корпус транзистора: TO126

Маркировка

Транзистор промаркирован по система Pro Electron, применяющейся в Европе и европейской ассоциацией производителей радиокомпонентов. Первые две “BD ”указывают на то, что перед нами кремнёвый, мощный транзистор низкой частоты. В европейской Pro Electron нет транзисторов средней мощности, по ней они маркируются маломощными или мощными. Далее идет серийный номер устройства “140”.

Первые выпуски bd140 проводила компания Philips. По некоторым сведениям, эта она прекратила их выпуск. Однако в некоторых магазинах еще можно найти ее устройства. Из-за хорошего качества сборки и своих характеристик они будут стоить дороже своих клонов.

Замена и эквиваленты

У bd140 есть аналоги как зарубежные так и отечественные которые можно использовать в качестве замены: MJE254, MJE171, MJE702, BD238G, BD792, BD140G, BD231, BD238, BD238G, BD380, BD792. Российский — КТ814Г. Он размещен в корпусе КТ-17 (аналог ТО-126), имеет схожее расположение выводных контактов, но может значительно отличатся по возможной граничной частоты FГР от рассматриваемого образца.

Применение

Сфера применения транзистора это — ключевые режимы, регуляторы питания, стабилизаторы и различные схемы усиления звуковых частот.

Встречается в схемах стабилизации питания усилителей и предвыходных каскадах усиления.

Широко используется в паре с комплементарным аналогом bd139 в симметричных низкочастотных усилителях, стабилизаторах питания малой мощности. Для ремонта отечественного оборудования, в котором встречается КТ814Г так же подойдет BD140.

Характеристики популярных аналогов

Наименование производителя: 2SA1178

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO126

Наименование производителя: 2SA1220

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 29 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
  • Корпус транзистора: TO126

Наименование производителя: 2SA1220A

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
  • Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
  • Корпус транзистора: TO126

Наименование производителя: 2SA1486

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
  • Корпус транзистора: TO126

Наименование производителя: 2SA1714

  • Тип материала: Si
  • Полярность: PNP
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
  • Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
  • Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
  • Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
  • Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000
  • Корпус транзистора: TO-126

Автор: Редакция сайта

Транзистор bd139 (n–p–n)

1 эмиттер

2 коллектор, соединенный с металлической частью корпуса

3 база

Основные параметры транзистора bd139

Обозн.

(Symbol)

Параметр

(Parameter)

Условия

(Conditions)

Мин. (Min)

Макс. (Mаx)

Ед. изм. (Unit)

Uкб

(VCBO)

Напряжение коллектор–база

(Collector–base voltage)

Открытый эмиттер

(Open emitter)

100

B

(V)

Uкэ

(VCEO)

Напряжение коллектор–эмиттер

(Collector-emitter voltage)

Открытая база

(Open base)

80

B

(V)

Uэб

(VEBO)

Напряжение эмиттер–база (Emitter-base voltage)

Открытый коллектор

(Open collector)

5

B

(V)

Iк

(IC)

Постоянный ток коллектора

(Collector current)

1.5

А

Iк max

(IKM)

Амплитуда тока коллектора

(Peak base current)

2

А

Iб max

(IBM)

Амплитуда тока базы

(Peak base current)

1

А

Pк

(Ptot)

Рассеиваемая мощность (Total power dissipation)

tamb ≤ 70 °C

8

Вт (W)

h21Э

(hFE)

Статический коэффициент передачи

IC = 150 мA;

VCE = 2 В

63

250

tокр

(tamb)

Температура окружающей среды

(Operating ambient temperature)

-65

150

°C

Транзистор bd140 (p–n–p)

1 эмиттер

2 коллектор, соединенный с металлической частью корпуса

3 база

Основные параметры транзистора bd140

Обозн.

(Symbol)

Параметр

(Parameter)

Условия

(Conditions)

Мин. (Min)

Макс. (Mаx)

Ед. изм. (Unit)

Uкб

(VCBO)

Напряжение коллектор–база

(Collector–base voltage)

Открытый эмиттер

(Open emitter)

-100

B

(V)

Uкэ

(VCEO)

Напряжение коллектор–эмиттер

(Collector-emitter voltage)

Открытая база

(Open base)

-80

B

(V)

Uэб

(VEBO)

Напряжение эмиттер–база (Emitter-base voltage)

Открытый коллектор

(Open collector)

-5

B

(V)

Iк

(IC)

Постоянный ток коллектора

(Collector current)

-1.5

А

(A)

Iк max

(IKM)

Амплитуда тока коллектора

(Peak base current)

-2

А

(A)

Iб max

(IBM)

Амплитуда тока базы

(Peak base current)

-1

А

(A)

Pк

(Ptot)

Рассеиваемая мощность (Total power dissipation)

tamb ≤ 70 °C

8

Вт (W)

h21Э

(hFE)

Статический коэффициент передачи

IC = -150 мA;

VCE = -2 В

63

250

tокр

(tamb)

Температура окружающей среды

(Operating ambient temperature)

-65

150

°C

Как собрать драйвер полевого транзистора из дискретных компонентов

Как собрать драйвер полевого транзистора из дискретных компонентов

Драйвером обычно называется отдельное устройство или отдельный модуль, микросхема в устройстве, обеспечивающие преобразование электрических управляющих сигналов в электрические или другие воздействия, пригодные для непосредственного управления исполнительными или сигнальными элементами.

Одно дело, когда для скоростного управления мощным полевым транзистором с тяжелым затвором есть готовый драйвер в виде специализированной микросхемы наподобие UCC37322, и совсем другое, когда такого драйвера нет, а схему управления силовым ключом необходимо реализовать здесь и сейчас.

В таких случаях нередко приходится прибегать к помощи дискретных электронных компонентов, которые есть в наличии, и уже из них собирать драйвер затвора. Дело, казалось бы, не хитрое, однако для получения адекватных временных параметров переключения полевого транзистора, все должно быть сделано качественно и работать правильно.

Весьма стоящая, лаконичная и качественная идея с целью решения аналогичной задачи была предложена еще в 2009 году Сергеем BSVi в его блоге «Страничка эмбеддера».

Схема была успешно протестирована автором в полумосте на частотах до 300 кГц. В частности, на частоте 200 кГц, при нагрузочной емкости в 10 нФ, удалось получить фронты длительностью не более 100 нс. Давайте же рассмотрим теоретическую сторону данного решения, и попробуем подробно разобраться, как эта схема работает.

Основные токи заряда и разряда затвора при отпирании и запирании главного ключа текут через биполярные транзисторы выходного каскада драйвера. Данные транзисторы должны выдержать пиковый ток управления затвором, а их максимальное напряжение коллектор-эмиттер (по datasheet) обязано быть больше чем напряжение питания драйвера. Обычно для управления затвором полевика достаточно 12 вольт. Что касается пикового тока, то предположим, что он не превысит 3А.

Если для управления ключом необходим ток более высокий, то и транзисторы выходного каскада должны быть более мощными (разумеется, с подходящей граничной частотой передачи тока).

Для нашего примера в качестве транзисторов выходного каскада подойдет комплиментарная пара — BD139 (NPN) и BD140 (PNP). У них предельное напряжение коллектор-эмиттер составляет 80 вольт, пиковый ток коллектора 3А, граничная частота передачи тока 250 МГц (важно!), а минимальный статический коэффициент передачи тока 40.

Для повышения коэффициента усиления по току в схему выходного каскада добавлена дополнительная комплиментарная пара слаботочных транзисторов КТ315 и КТ361 с максимальным обратным напряжением 20 вольт, минимальным статическим коэффициентом передачи тока 50, и граничной частотой 250 МГц — такой же высокой, как у выходных транзисторов BD139 и BD140.

В итоге на выходе получаем две пары транзисторов, включенных по схеме Дарлингтона с общим минимальным коэффициентом передачи по току 50*40 = 2000 и с граничной частотой равной 250 МГц, то есть теоретически в пределе скорость переключения может достигать единиц наносекунд. Но поскольку здесь речь идет об относительно продолжительных процессах заряда и разряда емкости затвора, то это время будет на порядок выше.

Управляющий сигнал необходимо подавать на объединенные базы транзисторов КТ315 и КТ361. Токи открывания баз NPN (верхних) и PNP (нижних) транзисторов должны быть разделены.

Для этого в схему можно было бы установить разделительные резисторы, но гораздо более эффективным для данной конкретной схемы оказалось решение с установкой вспомогательного блока на КТ315, резисторе и диоде 1n4148.

Функция этого блока — быстро активировать базы верхних транзисторов слаботочного каскада при подаче высшего напряжения на базу данного блока, и так же быстро через диод подтянуть базы к минусу, когда на базе блока появится сигнал низшего уровня.

Чтобы иметь возможность управлять данный драйвером от слаботочного источника сигнала с выходным током порядка 10 мА, в схему установлены слаботочный полевой транзистор КП501 и высокоскоростная оптопара 6n137.

При подаче управляющего тока через цепь 2-3 оптопары, выходной биполярный транзистор внутри нее переходит в проводящее состояние, причем на выводе 6 находится открытый коллектор, к которому и присоединен резистор, подтягивающий затвор слаботочного полевого транзистора КП501 к плюсовой шине питания оптопары.

Таким образом, когда на вход оптопары подается сигнал высокого уровня, на затворе полевика КП501 будет сигнал низкого уровня, и он закроется, тем самым обеспечив возможность для протекания тока через базу верхнего по схеме КТ315 — драйвер станет заряжать затвор главного полевика.

Если же на входе оптопары сигнал низкого уровня или сигнал отсутствует, то на выходе из оптопары будет сигнал высокого уровня, затвор КП501 зарядится, его стоковая цепь замкнется, а база верхнего по схеме КТ315 подтянется к нулю.

Выходной каскад драйвера начнет разряжать затвор управляемого им ключа. Важно учесть, что в данном примере напряжение питания оптопары ограничено 5 вольтами, а главный каскад драйвера питается напряжением 12 вольт.

Ранее ЭлектроВести писали, почему в современных инверторах используют транзисторы, а не тиристоры.

По материалам: electrik.info.

Транзистор BD140: характеристики (параметры), отечественный аналог

BD140 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности и низкой частоты, с PNP структурой. Изготавливается в пластиковом корпусе ТО-126. В классификации JEDEC обновленный корпус называется ТО-225АА.

Корпус, размеры и цоколевка

Предназначение

Основной особенностью является высокая зависимость коллекторного тока от температуры, что позволяет использовать транзистор в устройствах термостабилизации в усилителях мощности.

Кроме этого, BD140 получил широкое применение в регуляторах питания, ключах и стабилизаторах.

Характерные особенности

  • Рабочая температура до 150 °C;
  • Пластиковый корпус;
  • Низкая частота;
  • Низкая стоимость, в сравнении с аналогичными транзисторами подобной мощности;
  • Высокая зависимость коллекторного тока от температуры.

Стоит отметить, что за счет пластикового корпуса и отсутствия радиатора, данный транзистор необходимо устанавливать на дополнительный радиатор охлаждения.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Граничное напряжение транзистораVCEO80 В DC
Пробивное напряжение коллектор-базаVCBO100 В DC
Пробивное напряжение эмиттер-базаVEBO5 В DC
Максимальный ток коллектораIC1.5 А DC
Максимальный ток базыIB0,5 А DC
Максимальный импульсный ток коллектораICM2 А DC
Рассеиваемая мощность транзистораPtot8 Вт
Максимальная температура при храненииTstg+150 °C
Максимальная температура при переходеTj+150 °C
Максимальная температура окружающей средыTamb+150 °C

Типовые термические характеристики

ХарактеристикаОбозначениеМаксимальная величина
Теплопередача от кристалла к окружающей средеRth j-a10 °C/Вт
Теплопередача от кристалла к монтажному основаниюRth j-mb100 °C/Вт

Электрические параметры

Данные в таблице приведены для работы при температуре 25°C.

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Обратный ток коллектораICBO10 мкА DC
Обратный ток эмиттераIEBO10 мкА DC
Пробивное напряжение коллектор-эмиттерVCEO(sus)80 V DC
Напряжение насыщения колектор-эмиттерVCE(sat)0.5 V DC
Напряжение на переходе база-эмиттерVBE1 V DC
Коэффициент передачиhFEДля группы 10 от 63 до 160
Для группы 16 от 100 до 250

Маркировка

Полное название радиоэлемента — биполярный кремниевый транзистор BD140, где:

  • BD – символы обозначают, что транзистор является кремниевым и обладает высокой мощностью и низкой частотой;
  • 140 – серийный номер транзистора.

Первым кто выпустил радиокомпонент является фирма Philips. В настоящее время она производством не занимается. И чаще всего можно встретить транзисторы BD140 следующих производителей:

  • Motorola;
  • Siemens;
  • UTC;
  • SPC;
  • STM;
  • TEL;
  • FAIRCHILD.

Аналоги

ТипPc, WUcb, V DCUce, V DCUeb, V DCIc, A DCTj, °C
Оригинал
BD140128010051150
Зарубежные аналоги
BD238G 30 100  100  5  4  150
BD348 20 80  80  5  3  150
BD380-25 25 100  80  5  2  150
MJE17212 100  80  7  3  150
MJE702 40 80  80  5  4  150
MJE703 40 80  80  5  4  150
HBD682 0 100  100  5  4  150
Отечественные аналоги
КТ814Г101001001.5150

Стоит отметить, что Российский аналог значительно отличается по значению граничной частоты от оригинала.

Примечание: данные в таблице взяты из даташип компаний-производителя.

Основные графические зависимости

Рис 1. Область безопасной работы транзистора. В области токов ограничением является максимальное значение тока коллектора, а в области напряжения — максимальное напряжение коллектор-эмиттер.

Рис 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току hFE транзистора от величины коллекторной нагрузки IC.

Рис 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от величины коллекторной нагрузки IC.

Рис 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора IC от напряжения управления (базы) UBE.

Рис 5. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса TC.

Транзистор КТ639 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ639А FXT51SM *3, CTN636 *3, BD372A6 *1, BD370A6 *1, KC636 *3, BD136-6 *1, BD227 *1, KD840 *1, BD136 *1, KD136A *1, KD136 *1
КТ639Б BD136-10 *1, KD136B *1, BD372A10 *1, MPS-U52 *3, BD370A10 *1
КТ639В BD136-16 *1, BD372A16 *1, KD136C *1, BD370A16 *1, BCX51-16 *3, СХ958 *3
КТ639Г BD370B6 *1, BD372B6 *1, FXT52SM *3, ВСХ52 *3, КС638 *3, BD138-6 *1, BD229 *1, BD828-6 *1, BD138 *1, BD842 *1, KCY38 *3, ВС161А *3, ВС161 *3, KD138A *1, KD138 *1
КТ639Д BD372B10 *1, BD370B10 *1, 2SB1169Q *1, BCX52-10 *3, BC161-10 *3, BSV16-6 *3, BD138-10 *1, BD828-10 *1, KD138B *1
КТ639Е BDC02D *1, 2N5679 *3, КС640 *3, BD372C6 *3, BD370C6 *3, 2SB1169AR *3, 2SB1169А *3, SDT3504 *1, BD140-6 *1, BD231 *1, BD830-6 *3, BD830-10 *3, BD140 *1, BD844 *1, KD140A *3, KD140 *3
КТ639Ж 2N6730 *3, 2SA815О *3, 2SA815 *3, BD140-10 *1, ВСР53-10 *3, BSV17-10 *3, NTE25 *3, ECG25 *3, ВСХ53-10 *3, BD372C10 *3
КТ639И 2SA966 *1, ВСР69Т1 *3, ВСР69-25 *3, BCP69 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ639А 1(12.5*) Вт
КТ639Б 1(12.5*)
КТ639В 1(12.5*)
КТ639Г 1(12.5*)
КТ639Д 1(12.5*)
КТ639Е 1
КТ639Ж 1
КТ639И 1
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ639А ≥80 МГц
КТ639Б ≥80
КТ639В ≥80
КТ639Г ≥80
КТ639Д ≥80
КТ639Е ≥80
КТ639Ж ≥80
 КТ639И ≥80
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ639А 45 В
КТ639Б 45
КТ639В 45
КТ639Г 60
КТ639Д 60
КТ639Е 100
КТ639Ж 100
КТ639И 30
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ639А 5 В
КТ639Б 5
КТ639В 5
КТ639Г 5
КТ639Д 5
КТ639Е 5
КТ639Ж 5
КТ639И 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ639А 1.5(2*) А
КТ639Б 1.5(2*)
КТ639В 1.5(2*)
КТ639Г 1.5(2*)
КТ639Д 1.5(2*)
КТ639Е 1.5(2*)
КТ639Ж 1.5(2*)
КТ639И 1.5(2*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ639А 30 В ≤0.1 мкА
КТ639Б 30 В ≤0.1
КТ639В 30 В ≤0.1
КТ639Г 30 В ≤0.1
КТ639Д 30 В ≤0.1
КТ639Е 30 В ≤0.1
КТ639Ж 30 В ≤0.1
КТ639И 30 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ639А 2 В; 0.15 А 40…100*
КТ639Б 2 В; 0.15 А 63…160*
КТ639В 2 В; 0.15 А 100…250*
КТ639Г 2 В; 0.15 А 40…100*
КТ639Д 2 В; 0.15 А 63…160*
КТ639Е 2 В; 0.15 А 40…100*
КТ639Ж 2 В; 0.15 А 60…100*
КТ639И 2 В; 0.15 А 180…400*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ639А 10 В ≤50
пФ
КТ639Б 10 В ≤50
КТ639В 10 В ≤50
КТ639Г 10 В ≤50
КТ639Д 10 В ≤50
КТ639Е 10 В ≤50
КТ639Ж 10 В ≤50
КТ639И 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ639А ≤1 Ом, дБ
КТ639Б ≤1
КТ639В ≤1
КТ639Г ≤1
КТ639Д ≤1
КТ639Е ≤1
КТ639Ж ≤1
КТ639И ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ639А Дб, Ом, Вт
КТ639Б
КТ639В
КТ639Г
КТ639Д
КТ639Е
КТ639Ж
КТ639И
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ639А ≤200* пс
КТ639Б ≤200*
КТ639В ≤200*
КТ639Г ≤200*
КТ639Д ≤200*
КТ639Е ≤200*
КТ639Ж ≤200*
КТ639И ≤200*

bd140% 20 эквивалент% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

BD139

Аннотация: BD140 BD139 приложение BD140 схемы приложения BD139 NPN транзистор BD136 транзистор NPN BD140 BD140 npn BD135 микросхемы BD140
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD135 BD136 BD139 BD140 ОТ-32 ОТ-32 BD139, г. BD140. BD140 Приложение BD139 Схемы приложений BD140 Транзистор BD139 NPN BD136 ТРАНЗИСТОР NPN BD140 BD140 npn микросхемы BD140
2008 — BD135 КРИВЫЕ

Реферат: Приложение BD140, схемы, схемы, BD139, ТРАНЗИСТОР, NPN, BD140, BD139, приложение, BD140, транзистор, NPN, BD139, BD136, транзистор, BD135, BD140, npn.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD135 BD136 BD139 BD140 ОТ-32 ОТ-32 BD139, г. BD140.BD135 КРИВЫЕ Схемы приложений BD140 ТРАНЗИСТОР NPN BD140 Приложение BD139 BD140 ТРАНЗИСТОР NPN BD139 BD136 транзистор BD135 BD140 npn
2001 — BD136

Аннотация: Транзистор BD140 NPN, BD140, BD140, npn, BD138, транзистор BD140, BD140, схемы транзистора BD138, транзистора BD136, транзистора BD140.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 / BD140 BD136-10 BD136-16 BD138 BD140 BD136 BD140 ТРАНЗИСТОР NPN BD140 BD140 npn BD138 транзистор BD140 Схемы BD140 транзистор BD138 транзистор bd136 транзистора BD140
BD138

Реферат: Транзисторы BDXXX bd136 bd140 силовой транзистор bd136 транзистор bd138
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD136 BD138 BD140 ОТ-32 BD135, г. BD137 BD139 BD136, г. BD138 BD140 BDXXX транзисторы bd136 силовой транзистор bd136 транзистор bd138
2002 — транзистор БД140

Аннотация: транзистор BD140, эквивалент BD140, транзистор BD136, BD138, таблица данных транзистора BD140, BD136, BD140, схемы применения, схемы, силовой транзистор, BD136, эквивалент BD140
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 BD140 О-126 BD136, г. BD138, г. BD140 ХАРАКТЕРИСТИКИ10 транзистор BD140 bd140 эквивалентный транзистор транзистор bd136 BD138 даташит транзистора BD140 BD136 Схемы приложений BD140 силовой транзистор bd136 эквивалент bd140
bd138

Аннотация: BD140 npn BD140 BD139 BD136-BD138-BD140 BD140 схемы BD136 PHILIPS BD136 BD140 philips BD136 pin
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD136; BD138; BD140 О-126; BD135, г. BD137 BD139.BD136 BD138 BD140 npn BD140 BD139 BD136-BD138-BD140 Схемы BD140 BD136 ФИЛИПС BD140 Philips BD136 контактный
2008 — BD139

Резюме: BD139-10 bd140-10
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD135 BD136 BD139 BD140 ОТ-32 ОТ-32 BD139, г. BD140. BD139-10 bd140-10
2001 — BD138

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 / BD140 BD136, г. BD138 BD140 ОТ-32 BD135 BD137 BD139.ОТ-32
2008 — Схемы приложений BD140

Аннотация: транзистор bd140, эквивалентный BD140, конфигурация выводов транзистора bd140, bd140, техническое описание, техническое описание транзистора bd140, BD140, схемы BD140, BD140 N 7333 A
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD140 О-126 Схемы приложений BD140 bd140 эквивалентный транзистор BD140 конфигурация выводов транзистора bd140 bd140 технический паспорт паспорт bd140 транзистор BD140 Схемы BD140 BD140 N 7333 А
2003 — БД140 Н

Аннотация: Транзистор BD140, BD140 N, BD138, BD136, транзистор, BD138, BD136-16, BD140-16, BD136, контакт BD138-16
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 BD140 О-126 BD136, г. BD138, г. BD140 Tmb70 BD140 N транзистор BD140 N BD138 BD136 транзистор BD138 BD136-16 BD140-16 BD136 контактный BD138-16
8D140

Аннотация: BDXXX 8d136 BD140 BD136-BD138-BD140 BD136 транзисторы bd136 BD138 транзисторы сот t06 BD139
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD136 BD138 BD140 ОТ-32 BD135, г. BD137 BD139are BD136, г. BD138 BD140 8D140 BDXXX 8d136 BD136-BD138-BD140 BD136 транзисторы bd136 транзистор сот т06 BD139
BD138

Аннотация: BD136-BD138-BD140 BD136 bd138 hfe bd136 hfe микросхемы BD140 силовой транзистор BD140 транзистор bd136 транзистора bd138
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136, г. BD138, г. BD140 О-126 BD136 BD138 BD138 BD136-BD138-BD140 BD136 bd138 hfe bd136 hfe микросхемы BD140 силовой транзистор BD140 транзистор bd136 ТРАНЗИСТОРА BD138
2001 — БД140 нпн

Аннотация: BD140 BD136 BD138 BD140 схемы транзистора BD140 BD140 pnp транзистор BD140-16 BD140-10 BD140 01
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 / BD140 BD136-10 BD136-16 BD138 BD140 npn BD140 BD136 BD138 Схемы BD140 транзистор BD140 BD140 pnp транзистор BD140-16 BD140-10 BD140 01
2012 — BD136

Реферат: Транзистор BD138, транзистор BD140, bd136
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 BD140 О-126 BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD138-16 транзистор BD140 транзистор bd136
BD140

Аннотация: BD136 BD138 BD140 схемы bd138 hfe BD136 pin bd136 hfe BD136-16 BD138-16 BD140-10
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 BD140 О-126 BD135 / 137/139 BD136 BD138 BD140 Схемы BD140 bd138 hfe BD136 контактный bd136 hfe BD136-16 BD138-16 BD140-10
BD136

Аннотация: Транзистор BD140 транзистор BD140 BD140 BD138 bd136 hfe bd140 эквивалентный транзистор транзистор BD138 bd138 транзистор hfe bd136
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 / 138/140 BD136 / BD138 / BD140 О-126 BD136 -30 мА, BD138 BD140 BD136 BD140 Транзистор транзистор BD140 BD140 BD138 bd136 hfe bd140 эквивалентный транзистор транзистор BD138 bd138 hfe транзистор bd136
BD139

Аннотация: Транзисторы BD136 bd136 bd136 N
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD136; BD138; BD140 BD135, г. BD139.BD138 BD139 BD136 транзисторы bd136 bd136 с.ш.
1997 — BD140 Филипс

Аннотация: ТРАНЗИСТОР NPN BD140 ТРАНЗИСТОР NPN BD139 BD140 схемы применения схемы bd140 эквивалентный транзистор BD136 PHILIPS bd140 эквивалент bd140 технический паспорт BD139 N BD140
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF M3D100 BD136; BD138; BD140 О-126; SCA53 117047/00/02 / pp8 BD140 Philips ТРАНЗИСТОР NPN BD140 ТРАНЗИСТОР NPN BD139 Схемы приложений BD140 bd140 эквивалентный транзистор BD136 ФИЛИПС эквивалент bd140 bd140 технический паспорт BD139 N BD140
1995 — Схемы приложений BD140

Аннотация: транзистор BD136, транзистор BD 140, вывод BD140, BD140-10, BD140, транзистор BD140, BD136, транзистор BD138, 136, 138 140
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 / D * BD136 / D Схемы приложений BD140 транзистор bd136 транзистор BD 140 bd140 распиновка BD140-10 BD140 транзистор BD140 BD136 BD138 транзистор 136 138 140
BD140 pnp транзистор

Аннотация: ТРАНЗИСТОР NPN BD140 BD136, транзистор bd138, BD140, npn, транзистор PNP, BD140, BD140, транзистор, BD140, BD140, схемы BD138.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 / 138/140 BD136 / BD138 / BD140 BD135 / BD137 / BD139.О-126 BD136 BD138 BD140 BD140 pnp транзистор ТРАНЗИСТОР NPN BD140 BD136 транзистор bd138 BD140 npn ТРАНЗИСТОР ПНП БД140 BD140 ТРАНЗИСТОР BD140 Схемы BD140 BD138
1995 — БД140 pnp транзистор

Аннотация: BD140 N транзистора BD140 транзистора BD140 N BD140 схемы bd136 N BD140 npn транзистора BD139 N Характеристики транзистора BD136 NPN bd136
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 / BD140 BD136, г. BD138 BD140 ОТ-32 BD135 BD137 BD139.BD140 pnp транзистор BD140 N транзистора BD140 транзистор BD140 N Схемы BD140 bd136 с.ш. BD140 npn транзистор BD139 N BD136 Характеристики транзистора NPN bd136
Схемы приложений BD140 схемы

Резюме: BD140 BD138 BD140 схемы BD136 bd140 техническое описание BD136-BD138-BD140 эквивалент bd140 BD140-16 BD136-16
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 BD140 О-126 BD135 / 137/139 BD136 BD138 Схемы приложений BD140 BD140 Схемы BD140 bd140 технический паспорт BD136-BD138-BD140 эквивалент bd140 BD140-16 BD136-16
транзистор BD 378

Реферат: BD140 pnp транзистор BD136 транзисторы bd136 bd136 N bd140
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD136 BD138 BD140 ОТ-32 BD140 транзистор BD 378 BD140 pnp транзистор транзисторы bd136 bd136 с.ш.
to225aa

Аннотация: Схема выводов ТО-225АА BD140 Силовые транзисторы Корпус ТО-225аа к.225aa 225AA to225aa корпус 77 BD136G BD136 BD140 СХЕМА КОНТАКТОВ
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136, г. BD138, г. BD140 BD136 BD138 to225aa ТО-225АА схема контактов BD140 Силовые транзисторы TO-225aa Case to.225aa 225AA to225aa чехол 77 BD136G BD136 СХЕМА КОНТАКТОВ BD140
2013 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136, г. BD138, г. BD140 BD136 BD138 BD136 / D

bd140% 20npn техническое описание и примечания к применению

BD139

Аннотация: BD140 BD139 приложение BD140 схемы приложения BD139 NPN транзистор BD136 транзистор NPN BD140 BD140 npn BD135 микросхемы BD140
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD135 BD136 BD139 BD140 ОТ-32 ОТ-32 BD139, г. BD140.BD140 Приложение BD139 Схемы приложений BD140 Транзистор BD139 NPN BD136 ТРАНЗИСТОР NPN BD140 BD140 npn микросхемы BD140
2008 — BD135 КРИВЫЕ

Реферат: Приложение BD140, схемы, схемы, BD139, ТРАНЗИСТОР, NPN, BD140, BD139, приложение, BD140, транзистор, NPN, BD139, BD136, транзистор, BD135, BD140, npn.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD135 BD136 BD139 BD140 ОТ-32 ОТ-32 BD139, г. BD140.BD135 КРИВЫЕ Схемы приложений BD140 ТРАНЗИСТОР NPN BD140 Приложение BD139 BD140 ТРАНЗИСТОР NPN BD139 BD136 транзистор BD135 BD140 npn
2001 — BD136

Аннотация: Транзистор BD140 NPN, BD140, BD140, npn, BD138, транзистор BD140, BD140, схемы транзистора BD138, транзистора BD136, транзистора BD140.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 / BD140 BD136-10 BD136-16 BD138 BD140 BD136 BD140 ТРАНЗИСТОР NPN BD140 BD140 npn BD138 транзистор BD140 Схемы BD140 транзистор BD138 транзистор bd136 транзистора BD140
BD138

Реферат: Транзисторы BDXXX bd136 bd140 силовой транзистор bd136 транзистор bd138
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD136 BD138 BD140 ОТ-32 BD135, г. BD137 BD139 BD136, г. BD138 BD140 BDXXX транзисторы bd136 силовой транзистор bd136 транзистор bd138
2002 — транзистор БД140

Аннотация: транзистор BD140, эквивалент BD140, транзистор BD136, BD138, таблица данных транзистора BD140, BD136, BD140, схемы применения, схемы, силовой транзистор, BD136, эквивалент BD140
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 BD140 О-126 BD136, г. BD138, г. BD140 ХАРАКТЕРИСТИКИ10 транзистор BD140 bd140 эквивалентный транзистор транзистор bd136 BD138 даташит транзистора BD140 BD136 Схемы приложений BD140 силовой транзистор bd136 эквивалент bd140
bd138

Аннотация: BD140 npn BD140 BD139 BD136-BD138-BD140 BD140 схемы BD136 PHILIPS BD136 BD140 philips BD136 pin
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD136; BD138; BD140 О-126; BD135, г. BD137 BD139.BD136 BD138 BD140 npn BD140 BD139 BD136-BD138-BD140 Схемы BD140 BD136 ФИЛИПС BD140 Philips BD136 контактный
2008 — BD139

Резюме: BD139-10 bd140-10
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD135 BD136 BD139 BD140 ОТ-32 ОТ-32 BD139, г. BD140. BD139-10 bd140-10
2001 — BD138

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 / BD140 BD136, г. BD138 BD140 ОТ-32 BD135 BD137 BD139.ОТ-32
2008 — Схемы приложений BD140

Аннотация: транзистор bd140, эквивалентный BD140, конфигурация выводов транзистора bd140, bd140, техническое описание, техническое описание транзистора bd140, BD140, схемы BD140, BD140 N 7333 A
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD140 О-126 Схемы приложений BD140 bd140 эквивалентный транзистор BD140 конфигурация выводов транзистора bd140 bd140 технический паспорт паспорт bd140 транзистор BD140 Схемы BD140 BD140 N 7333 А
2003 — БД140 Н

Аннотация: Транзистор BD140, BD140 N, BD138, BD136, транзистор, BD138, BD136-16, BD140-16, BD136, контакт BD138-16
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 BD140 О-126 BD136, г. BD138, г. BD140 Tmb70 BD140 N транзистор BD140 N BD138 BD136 транзистор BD138 BD136-16 BD140-16 BD136 контактный BD138-16
8D140

Аннотация: BDXXX 8d136 BD140 BD136-BD138-BD140 BD136 транзисторы bd136 BD138 транзисторы сот t06 BD139
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD136 BD138 BD140 ОТ-32 BD135, г. BD137 BD139are BD136, г. BD138 BD140 8D140 BDXXX 8d136 BD136-BD138-BD140 BD136 транзисторы bd136 транзистор сот т06 BD139
BD138

Аннотация: BD136-BD138-BD140 BD136 bd138 hfe bd136 hfe микросхемы BD140 силовой транзистор BD140 транзистор bd136 транзистора bd138
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136, г. BD138, г. BD140 О-126 BD136 BD138 BD138 BD136-BD138-BD140 BD136 bd138 hfe bd136 hfe микросхемы BD140 силовой транзистор BD140 транзистор bd136 ТРАНЗИСТОРА BD138
2001 — БД140 нпн

Аннотация: BD140 BD136 BD138 BD140 схемы транзистора BD140 BD140 pnp транзистор BD140-16 BD140-10 BD140 01
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 / BD140 BD136-10 BD136-16 BD138 BD140 npn BD140 BD136 BD138 Схемы BD140 транзистор BD140 BD140 pnp транзистор BD140-16 BD140-10 BD140 01
2012 — BD136

Реферат: Транзистор BD138, транзистор BD140, bd136
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 BD140 О-126 BD136-6 BD136-10 BD136-16 BD138-6 BD138-10 BD138-16 транзистор BD140 транзистор bd136
BD140

Аннотация: BD136 BD138 BD140 схемы bd138 hfe BD136 pin bd136 hfe BD136-16 BD138-16 BD140-10
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 BD140 О-126 BD135 / 137/139 BD136 BD138 BD140 Схемы BD140 bd138 hfe BD136 контактный bd136 hfe BD136-16 BD138-16 BD140-10
BD136

Аннотация: Транзистор BD140 транзистор BD140 BD140 BD138 bd136 hfe bd140 эквивалентный транзистор транзистор BD138 bd138 транзистор hfe bd136
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 / 138/140 BD136 / BD138 / BD140 О-126 BD136 -30 мА, BD138 BD140 BD136 BD140 Транзистор транзистор BD140 BD140 BD138 bd136 hfe bd140 эквивалентный транзистор транзистор BD138 bd138 hfe транзистор bd136
BD139

Аннотация: Транзисторы BD136 bd136 bd136 N
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD136; BD138; BD140 BD135, г. BD139.BD138 BD139 BD136 транзисторы bd136 bd136 с.ш.
1997 — BD140 Филипс

Аннотация: ТРАНЗИСТОР NPN BD140 ТРАНЗИСТОР NPN BD139 BD140 схемы применения схемы bd140 эквивалентный транзистор BD136 PHILIPS bd140 эквивалент bd140 технический паспорт BD139 N BD140
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF M3D100 BD136; BD138; BD140 О-126; SCA53 117047/00/02 / pp8 BD140 Philips ТРАНЗИСТОР NPN BD140 ТРАНЗИСТОР NPN BD139 Схемы приложений BD140 bd140 эквивалентный транзистор BD136 ФИЛИПС эквивалент bd140 bd140 технический паспорт BD139 N BD140
1995 — Схемы приложений BD140

Аннотация: транзистор BD136, транзистор BD 140, вывод BD140, BD140-10, BD140, транзистор BD140, BD136, транзистор BD138, 136, 138 140
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 / D * BD136 / D Схемы приложений BD140 транзистор bd136 транзистор BD 140 bd140 распиновка BD140-10 BD140 транзистор BD140 BD136 BD138 транзистор 136 138 140
BD140 pnp транзистор

Аннотация: ТРАНЗИСТОР NPN BD140 BD136, транзистор bd138, BD140, npn, транзистор PNP, BD140, BD140, транзистор, BD140, BD140, схемы BD138.
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 / 138/140 BD136 / BD138 / BD140 BD135 / BD137 / BD139.О-126 BD136 BD138 BD140 BD140 pnp транзистор ТРАНЗИСТОР NPN BD140 BD136 транзистор bd138 BD140 npn ТРАНЗИСТОР ПНП БД140 BD140 ТРАНЗИСТОР BD140 Схемы BD140 BD138
1995 — БД140 pnp транзистор

Аннотация: BD140 N транзистора BD140 транзистора BD140 N BD140 схемы bd136 N BD140 npn транзистора BD139 N Характеристики транзистора BD136 NPN bd136
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 / BD140 BD136, г. BD138 BD140 ОТ-32 BD135 BD137 BD139.BD140 pnp транзистор BD140 N транзистора BD140 транзистор BD140 N Схемы BD140 bd136 с.ш. BD140 npn транзистор BD139 N BD136 Характеристики транзистора NPN bd136
Схемы приложений BD140 схемы

Резюме: BD140 BD138 BD140 схемы BD136 bd140 техническое описание BD136-BD138-BD140 эквивалент bd140 BD140-16 BD136-16
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136 BD138 BD140 О-126 BD135 / 137/139 BD136 BD138 Схемы приложений BD140 BD140 Схемы BD140 bd140 технический паспорт BD136-BD138-BD140 эквивалент bd140 BD140-16 BD136-16
транзистор BD 378

Реферат: BD140 pnp транзистор BD136 транзисторы bd136 bd136 N bd140
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF BD136 BD138 BD140 ОТ-32 BD140 транзистор BD 378 BD140 pnp транзистор транзисторы bd136 bd136 с.ш.
to225aa

Аннотация: Схема выводов ТО-225АА BD140 Силовые транзисторы Корпус ТО-225аа к.225aa 225AA to225aa корпус 77 BD136G BD136 BD140 СХЕМА КОНТАКТОВ
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136, г. BD138, г. BD140 BD136 BD138 to225aa ТО-225АА схема контактов BD140 Силовые транзисторы TO-225aa Case to.225aa 225AA to225aa чехол 77 BD136G BD136 СХЕМА КОНТАКТОВ BD140
2013 — Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF BD136, г. BD138, г. BD140 BD136 BD138 BD136 / D

BD140 Лист данных — Силовой транзистор PNP

Номер детали: BD140

Функция: КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP

Упаковка: TO-126, SOT32 Тип

Производство: NXP, Philips

Изображение

Описание

Транзистор силовой ПНП в ТО-126; Пластиковая упаковка SOT32.

NPN дополняет: BD135, BD137 и BD139.

Предельные значения

1. Напряжение коллектор-база: Vcbo = -100V

2. Напряжение коллектор-эмиттер: Vceo = -80В

3. Напряжение эмиттер-база: Vceo = -5V

4. Ток коллектора (DC): Ic = -1,5A

Распиновка

Характеристики
1. Большой ток (макс. 1,5 A)
2. Низкое напряжение (макс. 80 В).

Приложения

Силовые приложения общего назначения, e.грамм. каскады драйверов в Hi-Fi усилителях и телевизионных схемах.

BD140 Лист данных

Сообщения, связанные с «PNP»

Каталожный номер Описание
КТА1282N PNP Транзистор
2SA1030 Vceo = 50 В, транзистор PNP
BC143 60 В, 1 А, транзистор PNP
2N6296 PNP транзистор Дарлингтона
RN2304 PNP Транзистор
B1202 Транзистор PNP — 2SB1202
2SA1476 200В, 0.2A, транзистор PNP — Sanyo
2N2904 40 В, 600 мА, PNP-транзистор
A940 A940 — Эпитаксиальный кремниевый транзистор PNP
A1350 30 В, 100 мА, PNP-транзистор — Hitachi

Статьи по теме в Интернете

ModuleFly NE5532 Плата усилителя для наушников BD139 BD140 для динамика 32-600 Ом переменного тока 12В-0-12В или AC15V-0-AC15V T0288: Электроника


В настоящее время недоступен.
Мы не знаем, когда и появится ли этот товар в наличии.
  • Убедитесь, что это подходит введя номер вашей модели.
  • Мы являемся профессиональным производителем электронных компонентов и модулей. Вы можете искать ключевые слова в нашем магазине. Я считаю, что вы можете найти нужные вам модули.
  • Проверьте перед отправкой.
  • Расчетное время доставки в США и Канаду: 6-24 дня (отслеживается), —— Мы обеспечиваем ускоренную доставку: 3-8 дней (без учета времени обработки). Если сумма заказа превышает 150 долларов США, мы будем использовать ускоренную доставку сервис бесплатно.
  • Мы прилагаем все усилия, чтобы предоставить клиентам удовлетворительное обслуживание.любой вопрос, пожалуйста, не стесняйтесь обращаться ко мне.
]]>
Характеристики
Фирменное наименование ModuleFly
Ean 7433857318524
Номер детали aaMF_amodule1254
Код UNSPSC 32000000

BD140 datasheet — Технические характеристики: Тип аксессуара:

44-015 : RAWLBOLT, LOOSE, M610L.Свободный тип болта Подходит для использования, когда болт необходимо вставить после установки приспособления: тяжелая техника, защитные ограждения, сиденья, балюстрады, строительные леса, промышленные двери, тяжелые переключатели, структурные крепления и т. Д.

D00776 : КОМПЛЕКТ ШЕСТИГРАННОЙ ГАЙКИ, НЕЙЛОК, A2, ST / ST. Этот комплект содержит шестигранные гайки из нержавеющей стали Nyloc размером от M12: x 160 шт. X 100 шт. X 100 шт. X 70 шт. X 50 шт. X 35 шт. X 30 шт.

0.87.0098.0 : ПЕТЛЯ, ЦИНК.Fcherscheibe A6,4-DIN6798 стопорная шайба с зубцами Sechkantmutter M6-St-ISO4032 шестигранная гайка M 1: 1 Weitergabe sowie Vervielfltigung dieses Dokuments, Verwertung und Mitteilung seines Inhalts sind verboten, soweit nicht ausdrcklich gestat. Все материалы по стандарту DIN34.

0.87.0101.0 : ПЕТЛЯ, ФИКСИРОВАННАЯ, СТАЛЬНОЙ ШТИФТ, 40ММ. Weitergabe sowie Vervielfltigung dieses Dokuments, Verwertung und Mitteilung seines Inhalts sind verboten, soweit nicht ausdrcklich gestattet. Все материалы по стандарту DIN34.

N602 : Гайка из никелированной латуни.

M4- NWA2-S50- : ГАЙКА КРЫЛЬЯ, S / S, A2, M4. Гайки-барашки из нержавеющей стали класса A2 (18/8). Коррозионностойкий при нормальных атмосферных условиях. Цена за упаковку Резьба M6 M8 Кол-во в упаковке Код заказа.

M5- NWA2-S50- : КРЫЛЬЕВАЯ ГАЙКА, S / S, A2, M5. Гайки-барашки из нержавеющей стали класса A2 (18/8). Коррозионностойкий при нормальных атмосферных условиях. Цена за упаковку Резьба M6 M8 Кол-во в упаковке Код заказа.

WYYD055FA.: ГАЙКА, КРЫШКА, M4.

M0279-SS : ВИНТЫ ДЛЯ ПАНЕЛИ С МЕТРИЧЕСКИМ ЗАЖИМОМ, нержавеющая сталь, 14,5 мм.

1123-6-AL-7 : РАСПОРКА АЛЮМИНИЕВАЯ.

2101-440-SS : ПОДСТАВКА ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ.

2104-440-SS : ПОДСТАВКА ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ.

M61 STST-ZC1- : ШТИФТ, СТАЛЬ, BZP, M6X1M. Покрытый полированным цинком стержень с резьбой из низкоуглеродистой стали Din 975 с полной резьбой. Можно отрезать на месте. Оцинковка. Цена каждой резьбы x длина x код заказа 3M.

15-1048-3 : Крепежные детали, гайки.

8105-832-A-24 : КРУГЛАЯ РУЧКА. s: Внешняя высота — английская система мер: 1 & QUOT; ; Внешняя высота — метрическая система: 25,4 мм; Внешний диаметр — дюймовые: 0,25 & QUOT; ; Внешний диаметр — метрический: 6,35 мм; Внешняя ширина — дюймовая: 1,75 & QUOT; ; Внешняя ширина — метрическая система: 44,45 мм; Материал ручки: алюминий; Тип ручки: оборудование.

M6125-4007-A-24 : КРУГЛАЯ РУЧКА. s: Внешняя высота — английская система мер: 0.984 & QUOT; ; Внешняя высота — метрическая система: 25 мм; Внешний диаметр — дюймовые: 0,248 & QUOT; ; Внешний диаметр — метрический: 6,3 мм; Внешняя ширина — дюймовая: 2,48 & QUOT; ; Внешняя ширина — метрическая система: 63 мм; Материал ручки: алюминий; Тип ручки: оборудование.

M6129-4007-A-24 : КРУГЛАЯ РУЧКА. s: Внешняя высота — английская система мер: 0,984 & QUOT; ; Внешняя высота — метрическая система: 25 мм; Внешний диаметр — дюймовые: 0,248 & QUOT; ; Внешний диаметр — метрический: 6,3 мм; Внешняя ширина — дюймовая: 5 & QUOT; ; Внешняя ширина — метрическая система: 127 мм; Материал ручки: алюминий; Тип ручки: оборудование.

3349.1001 : РЕМЕНЬ БОЛЬШОЙ. s: Внешняя высота — английская система мер: 11.02 & QUOT; ; Внешняя высота — метрическая система: 280 мм; Внешний диаметр — дюймовые: -; Внешний диаметр — метрический: -; Внешняя ширина — дюймовая: 1,12 & QUOT; ; Внешняя ширина — метрическая система: 28,5 мм; Материал ручки: -; Тип ручки: переноска.

MS91528-1C1B : КРУГЛАЯ РУЧКА С ТОЧКОЙ, 3,175 мм. s: Тип ручки / циферблата: Круглый с точкой индикатора; Диаметр вала: 3,175 мм; Диаметр ручки: 17,78 мм; Тип вала: Круглый; Материал ручки: пластик.

052P11BI1024 : РУЧКА ЗАХВАТА ПАЛЬЦА С 2 ШЕСТЕРНЯМИ. s: Тип ручки / циферблата: Рукоятка для пальцев; Диаметр вала: — ; Диаметр ручки: -; Тип вала: Круглый; Материал ручки: термопласт.

Транзистор биполярный, PNP, THT, 80V, 1,5A, 12,5W, TO126 BD140-16

Транзистор биполярный, PNP, THT, 80V, 1,5A, 12,5W, TO126 BD140-16 | GM электронный COM

Для правильной работы и отображения веб-страницы, пожалуйста, включите JavaScript в вашем браузере

Биполярный PNP-транзистор — Ic = 1,5 А, Pd = 12,5 Вт, корпус ТО126 Параметры: Ic = 1,5 А Uce0 = 80 В, Ucb0 = 80…

Брендовое название СТ МИКРОЭЛЕКТРОНИКС / THOMSON Код товара 211-012 Kód výrobce BD140-16 Вес 0.00139 кг

Цена с НДС от 500 шт. 0,18 € / 0,1502 € Цена нетто Цена с НДС от 100 шт. € 0,20 / 0.1618 € Цена нетто Цена с НДС от 50 Шт. 0,22 € / 0,1849 € Цена нетто Цена с НДС от 10 Шт. 0,25 € / 0,208 € Цена нетто О доставке Твоя цена € 0,32

Склад В наличии (2422 кс)

Пражский филиал На складе (18 шт.)

Брненский филиал На складе (12 шт.)

Остравский филиал На складе (31 шт.)

Пльзенский филиал Распродано

Филиал в Градец-Кралове в наличии 5 шт.

Братиславский филиал На складе (50 шт.)

Код товара 211-012
Масса 0.00139 кг
Монтаж электрика:
Поуздро: TO126 —
h (21E): 100..250 —
Pd: 12,5 Вт
U (CB0): 80 В
U (CE0): 80 В
IC: 1,5 А
Полярита транзистору: ПНП —

Биполярный PNP-транзистор — Ic = 1,5 A, Pd = 12,5 Вт, корпус TO126

Параметры:
Ic = 1,5 А
Uce0 = 80 В,
Ucb0 = 80 В,
Pd = 12,5 Вт,
h31E = 100..250,
fT = МГц,
case = TO126

Код товара 211-012
Масса 0,00139 кг
Монтаж электрика:
Поуздро: TO126 —
h (21E): 100.0,250 —
Pd: 12,5 Вт
U (CB0): 80 В
U (CE0): 80 В
IC: 1,5 А
Полярита транзистору: ПНП —

Подобные товары

В наличии

Биполярный транзистор PNP — Ic = 2 А, Pd = 25 Вт, корпус Т…

0,32 € Цена нетто € 0,38

Код 211-015

В наличии

Биполярный PNP-транзистор — Ic = 4 А, Pd = 36 Вт, корпус T …

0,32 € Цена нетто € 0,38

Код 211-104

В наличии

Биполярный транзистор PNP SMD — Ic = 1,5 A, Pd = 1,5 Вт ,…

0,22 € Цена нетто € 0,27

Код 912-071

В наличии

Биполярный PNP-транзистор — Ic = 0,5 A, Pd = 20 Вт, корпус …

0,31 € Цена нетто € 0,37

Код 211-108

В наличии

Биполярный транзистор PNP — Ic = 1,5 A, Pd = 12,5 Вт, ок…

0,28 € Цена нетто € 0,33

Код 211-011

В наличии

Биполярный транзистор PNP — Ic = 1,5 A, Pd = 12,5 Вт, ок …

0,22 € Цена нетто € 0,27

Код 211-084

В наличии

Биполярный транзистор PNP — Ic = 1,5 A, Pd = 12,5 Вт, ок…

0,26 € Цена нетто € 0,32

Код 211-008

Nejprodávanější výrobci

Введите имя пользователя и пароль или зарегистрируйтесь для новой учетной записи.

Параллельно подключенные транзисторы и регуляторы исключают необходимость в радиаторах

и т. Д.

Схемы на транзисторах

Рассмотрим следующие пары транзисторов NPN / PNP, часто используемые в аудиодрайверах:

TIP29 / TIP30 (NPN / PNP, 40 В, 1 А, 2 Вт, Ftmin = 3 МГц, TO-220),

BD139 / BD140 (NPN / PNP, 80 В, 1,5 А, 1,25 Вт, Ftmin> 3 МГц или не указано, TO-126)

BC639 / BC640 (NPN / PNP, 80 В, 1 А, 0.8 Вт, Ft = 130 МГц / 50 МГц, TO-92)

BC327 / BC337 (NPN / PNP, 45 В, 0,8 A, 0,625 Вт, фут (тип.). 100 МГц / 100 МГц, TO-92)

BC550 / BC560 (NPN / PNP, 45 В, 0,1 А, 0,5 Вт, Ftmin = 100 МГц / 100 МГц, TO-92)

Некоторые параметры этих транзисторов могут отличаться от разных производителей или могут быть указаны не всеми производителями.

Мы видим, что рассеиваемая мощность двух параллельно включенных BC639 составляет около 1,6 Вт, что выше рассеиваемой мощности одного BD135 / 137/139 с рассеиваемой мощностью 1.25Вт.

Также гарантированная переходная частота пары BC639 / BC640 намного выше, чем Ft (которая не всегда гарантируется в технических данных) пары BD139 / BD140. Коэффициент усиления по постоянному току маломощных транзисторов обычно намного выше, чем коэффициент усиления более мощных транзисторов. Следовательно, мы можем попробовать использовать два или более транзистора малой мощности вместо одного более мощного транзистора с небольшим радиатором или без него.

На рисунке 1 представлена ​​схема аудиоусилителя, построенного на ОУ с шестью маломощными транзисторами вместо усилителя, построенного с одним ОУ и парой более мощных транзисторов, таких как BD135 / BD136, без радиаторов.

Рисунок 1: Схема ОУ с шестью маломощными транзисторами вместо ОУ с двумя более мощными транзисторами с радиаторами или без них.

Уравнивающие резисторы в эмиттерах от R6 до R11 следует считать обязательными. Эти резисторы в некоторой степени уменьшают разницу между параллельно включенными транзисторами. Обычно они составляют от 2 до 10% общей нагрузки усилителя. Падение напряжения на этих резисторах должно быть измерено, чтобы быть уверенным, что выходные токи должным образом распределяются между всеми параллельно включенными транзисторами.

Резистор

.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *