C1815 транзистор: C1815GR , , datasheet, , ,

Содержание

Микросхемы.

Микросхемы ТТЛ (74…).

На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.

Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.

Динамические параметры микросхем ТТЛ серии

ТТЛ серия Параметр Нагрузка
Российские Зарубежные Pпот. мВт. tзд.р. нс Эпот. пДж. Cн. пФ. Rн. кОм.
К155 КМ155 74 10 9 90 15 0,4
К134 74L 1 33 33 50 4
К131 74H 22 6 132 25 0,28
К555 74LS 2 9,5 19 15 2
К531 74S 19 3 57 15 0,28
К1533 74ALS 1,2 4 4,8 15 2
К1531 74F 4 3 12 15
0,28

При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.

Взаимная нагрузочная способность логических элементов ТТЛ разных серий

Нагружаемый
выход
Число входов-нагрузок из серий
К555 (74LS) К155 (74) К531 (74S)
К155, КM155, (74) 40 10 8
К155, КM155, (74), буферная 60 30 24
К555 (74LS) 20 5 4
К555 (74LS), буферная 60 15 12
К531 (74S) 50 12 10
К531 (74S), буферная 150 37 30

Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I

oвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.

Статические параметры микросхем ТТЛ

Параметр Условия измерения К155 К555 К531 К1531
Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Тип. Макс. Мин. Макс.
U1вх, В
схема
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах 2 2
2 2
U0вх, В
схема
0,8 0,8 0,8
U0вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 0,4 0,35 0,5 0,5 0,5
I0вых= 16 мА I0вых= 8 мА
I0вых= 20 мА
U1вых, В
схема
Uи.п.= 4,5 В 2,4 3,5 2,7 3,4 2,7 3,4 2,7
I1вых= -0,8 мА I1вых= -0,4 мА I1вых= -1 мА
I1вых, мкА с ОК
схема
U1и.п.
= 4,5 В, U1вых=5,5 В
250 100 250
I1вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В 40 20 50
I0вых, мкА Состояние Z
схема
U1и.п.= 5,5 В, Uвых
= 0,4 В, Uвх= 2 В
-40 -20 -50
I1вх, мкА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В 40 20 50 20
I1вх, max, мА U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В 1 0,1
1
0,1
I0вх, мА
схема
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В -1,6 -0,4 -2,0 -0,6
Iк.з., мАU1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В -18 -55 -100 -100 -60 -150

2SC1815 транзистор (1815 NPN 000A15 0050V TO-92 2SC1815Y NXP)

  1. Продукция
  2. Транзисторы
  3. 2SC… KSC…

Производитель: NXP

Код товара: Т0000007490

Маркировка: C1815Y

Количество приборов:

Параметры
Наименование Значение Единица измерения Режим изменения
Проводимость
NPN
Функциональное назначение выводов 1=E 2=K 3=B
Напряжение коллектор-эмиттер 50 Vdc @25*C
Напряжение коллектор-база 60 Vdc @25*C
Напряжение эмиттер-база 5 Vdc @25*C
Ток коллектора max 150 mA @25*C
Ток базы max 50 mA @25*C
Обратный ток коллектора 0,1 mA @[email protected]=0
Обратный ток эмиттера 0,1 mA @[email protected]=0
Коэфф. усиления при схеме вкл с ОЕ 70…700 @[email protected]=5V
Граничная частота 80 MHz @[email protected]=5V
Мощность рассеивания 400 mW @25*C
Емкость коллекторного перехода 3,5 pF @[email protected][email protected]=30MHz
Коэффициент шумов 1 dB @[email protected][email protected][email protected]
Температура рабочая -65…+150 *C

NPN транзистор 2sc1815 C1815 к-92 0,15A/50V линейный транзистор

NPN транзистор 2SC1815 C1815 К-92 0, 15A/50V линейный транзистор

 

 


 

Преимущества —————————————————————————————————————————————————————————

1)Высокое качество и низкие цены, быстрая доставка
2)профессиональные электронные компоненты
3)Вашей собственной инвентаризации требуется 3-5 дней срок поставки
4)100% хорошего качества, примечания новых и оригинальных
5)перевозки UPS, DHL, TNT, FedEx или на ваши собственные forwarde грузовых перевозок

О нас ——————————————————————————————————————————————————————————

Шэньчжэнь, Submit Jindapeng Technology Co. Была создана в 1998 году и является одним из  Хорошо известных контура  (IC)  коллектора. Компания является
Professional enterprise интеграции R  & D, производства и продаж. высококачественные независимые торговые марки электронных компонентов

Сертификация——————————————————————————————————————————————————————

От 2015 до 2018, он был выбран в качестве десять лучших торговых марок компании в отрасли электронных компонентов в Шэньчжэне Huaqiang
Электронные сети на протяжении четырех лет подряд

Упаковка  И доставка  ————————————————————————————————————————————————————

1. Мы можем судоходства во всем мире путем DHL, UPS, FedEx, TNT и EMS. Пожалуйста обратитесь к нам напрямую и мы будем использовать таким образом вы предпочитаете
2. Это займет у вас всего 3-15 дней для достижения ваших рук  
3. Любой импорт платежей или сборов, покупатель несет ответственность за

Другие товары  —————————————————————————————————————————————————————-

 

Транзистор

C1815 Подробная информация о распиновке, эквиваленте, использовании, характеристиках и многом другом

C1815 — это транзистор BJT общего назначения, в этом посте мы расскажем о деталях транзистора C1815 о распиновке, эквиваленте, использовании, характеристиках, описании, а также где и как использовать этот транзистор в электронной схеме.

Характеристики / технические характеристики:
  • Тип упаковки: TO-92
  • Тип транзистора: NPN
  • Максимальный ток коллектора (I C ): 150 мА
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (В CE ): 50 В
  • Максимальное напряжение коллектор-база (В CB ): 60 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO): 5V
  • Макс.рассеиваемая мощность коллектора (шт.): 400 милиВт
  • Максимальная частота перехода (fT): 80 МГц
  • Минимальное и максимальное усиление постоянного тока (h FE ): 70-700
  • Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию

PNP Дополнительный:

PNP Дополнительным к C1815 является A1015

Аналог:

2N2222, 2N3904, C945, 2SC3198 (Конфигурация контактов НЕКОТОРЫХ транзисторов отличается от C1815.(Рекомендуется проверить конфигурацию выводов транзистора перед заменой в цепи.)

C1815 Транзистор объяснен / Описание:

C1815 — широко используемый транзистор, он используется в коммерческих и образовательных проектах. Он предназначен для усиления звуковых частот и генераторов высоких частот. Напряжение коллектор-база транзистора составляет 50 В, поэтому его можно легко использовать в цепях с напряжением ниже 50 В постоянного тока. Коллекторный ток транзистора составляет 150 мА, поэтому он может управлять любой нагрузкой ниже предела 150 мА.Значения рассеиваемой мощности коллектора и коэффициента усиления по постоянному току транзистора достаточно хорошие, поэтому он идеально подходит для использования в целях усиления звука и электронного сигнала. Кроме того, его также можно использовать в качестве переключателя для управления нагрузками до 150 мА.

Где и как использовать:
Транзистор

C1815 может использоваться в каскадах усиления звука, небольшом аудиоусилителе (если используется для управления небольшим динамиком), предусилителе, а также в каскадах предварительного усилителя.Его также можно использовать в электронных схемах для управления нагрузками до 150 мА, например, для управления реле, другими мощными транзисторами, маломощными светодиодами и другими частями электронной схемы и т. Д. Его также можно использовать для создания пары Дарлингтона.

Приложения:

Цепи датчика

Предварительные усилители звука

Ступени усилителя звука

Коммутационная нагрузка до 150 мА

RF Схемы

Как безопасно работать в цепи в течение длительного времени:

Чтобы обеспечить долговременную работу этого транзистора, рекомендуется не управлять нагрузкой выше 150 мА с этим транзистором, всегда работать с ним ниже максимального напряжения коллектор-эмиттер, всегда использовать подходящий базовый резистор для обеспечения требуемого базового тока транзистора, не Храните или используйте транзистор ниже -55 по Цельсию и выше +150 по Цельсию.

C1815 Лист данных | Toshiba Semiconductor

TOSHIBA Кремниевый NPN-транзистор эпитаксиального типа (процесс PCT)

2SC1815

2SC1815

Применение усилителей звуковой частоты общего назначения

Приложения для каскадных усилителей

Единица: мм

• Высокое напряжение и большой ток: VCEO = 50 В (мин),

IC = 150 мА (макс.)

• Превосходная линейность hFE: hFE (2) = 100 (тип.)

при VCE = 6 В, IC = 150 мА

: hFE (IC = 0.1 мА) / hFE (IC = 2 мА)

= 0,95 (тип.)

• Низкий уровень шума: NF = 1 дБ (тип.) При f = 1 кГц

• Дополняет 2SA1015 (класс O, Y, GR)

Абсолютные максимальные характеристики (Ta = 25 ° C)

Характеристики

Символ

Рейтинг

Блок

Напряжение коллектор-база

VCBO 60 В

Напряжение коллектор-эмиттер

VCEO 50 В

Напряжение эмиттер-база

ВЭБО 5 В

Коллекторный ток

IC 150 мА

Базовый ток

IB

50 мА

JEDEC

К-92

Рассеиваемая мощность коллектора

ПК

400 мВт

JEITA

SC-43

Температура перехода

Диапазон температур хранения

Tj

Тстг

125

−55 ~ 125 www.DataSheet.co.kr

° С

° С

TOSHIBA

2-5Ф1Б

Примечание: постоянное использование при высоких нагрузках (например, применение высоких

Вес: 0,21 г (тип.)

температура / ток / напряжение и значительное изменение в

температуры и т. Д.) Может привести к значительному снижению надежности этого продукта, даже если работающий

условий (т.е. рабочая температура / ток / напряжение и т. Д.) Находятся в пределах абсолютных максимальных значений.

Пожалуйста, разработайте подходящую надежность, изучив Руководство Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(«Меры предосторожности» / «Концепция и методы снижения номинальных характеристик») и индивидуальные данные о надежности (например, тест надежности

Отчет

и предполагаемая частота отказов и т. Д.).

Электрические характеристики (Ta = 25 ° C)

Характеристики

Ток отключения коллектора

Ток отключения эмиттера

Коэффициент усиления постоянного тока

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Напряжение насыщения база-эмиттер

Частота перехода

Выходная емкость коллектора

Базовое внутреннее сопротивление

Уровень шума

Символ

Условия проверки

ICBO

VCB = 60 В, IE = 0

IEBO

VEB = 5 В, IC = 0

hFE (1)

(Примечание)

VCE = 6 В, IC = 2 мА

hFE (2)

VCE = 6 В, IC = 150 мА

VCE (насыщ.) IC = 100 мА, IB = 10 мА

VBE (насыщ.) IC = 100 мА, IB = 10 мА

fT VCE = 10 В, IC = 1 мА

Cob VCB = 10 В, IE = 0, f = 1 МГц

руб. ‘

VCE = 10 В, IE = -1 мА

f = 30 МГц

NF VCE = 6 В, IC = 0.1 мА

f = 1 кГц, RG = 10 кОм

Мин. Тип. Максимальное количество единиц

⎯ ⎯ 0,1 мкА

⎯ ⎯ 0,1 мкА

70 ⎯ 700

25 100 ⎯

⎯ 0,1 0,25 В

⎯ ⎯ 1,0 В

80 ⎯ ⎯ МГц

⎯ 2,0 3,5 пФ

⎯ 50 ⎯

Ом

⎯ 1,0 10 дБ

Примечание: классификация hFE O: 70 ~ 140, Y: 120 ~ 240, GR: 200 ~ 400, BL: 350 ~ 700

1

2007-11-01

Datasheet, pdf — http: // www.DataSheet4U.net/

C1815 npn-транзистор, дополнительный pnp, замена, распиновка, конфигурация контактов, замена, аналог smd, лист данных

Характеристики биполярного транзистора C1815

  • Тип — NPN
  • Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
  • Напряжение коллектор-база: 60 В
  • Напряжение эмиттер-база: 5 В
  • Ток коллектора: 0.15 A
  • Рассеиваемая мощность коллектора — 0,4 Вт
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h fe ) — 70 700
  • Частота перехода — 80 МГц
  • Диапазон температур перехода при эксплуатации и хранении — От 55 до +125 ° C
  • Упаковка — TO-92

Конфигурация контактов (расположение выводов) C1815

C1815 изготовлен в пластиковом корпусе TO-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, три вывода, выходящие из транзистора, слева направо — это выводы эмиттера, коллектора и базы.
Вот изображение, показывающее схему контактов этого транзистора.

Классификация h FE

Транзистор C1815 может иметь коэффициент усиления по току от 70 до 700 . Коэффициент усиления C1815O будет в диапазоне от 70 до 140 , C1815Y в диапазоне от 120 до 240 , C1815GR в диапазоне от 200 до 400 , C1815BL в диапазоне от 350 до 700 .

Дополнительный транзистор PNP

Дополнительный транзистор PNP к C1815 — это A1015.

Эквивалент SMD

SMD-версии C1815 доступны как 2SC2712 (SOT-23), 2SC4116 (SOT-323), 2SC4738 (SOT-23), FJX945 (SOT-323), KTC3875 (SOT-23) и KTC3875S (SOT-23).

Сменный и аналогичный транзистор для C1815

Вы можете заменить C1815 на 2SC1815, 2SC2458, 2SC3198, 2SC3199, 2SC3916, 2SC3917, 2SC3918, 2SC3919, 2SC3920, 2SC3921, 2SC3922, 2SC393SC8 или CTC19C15, KTC193C, CTC1945 KTC3199 Назначение выводов транзистора

C1815, эквивалент, применение, характеристики

C1815 — это NPN-транзистор с биполярным переходом, широко используемый в коммерческих и образовательных проектах.Он используется для усиления звука и генератора высоких частот (OSC). Его можно легко использовать в цепях с напряжением ниже 50 В постоянного тока, поскольку напряжение коллектор-база этого транзистора составляет 50 В. Коллекторный ток транзистора составляет 150 мА, поэтому он может выдерживать нагрузку ниже 150 мА. Он идеально подходит для использования при усилении звука, потому что рассеиваемая мощность коллектора и коэффициент усиления постоянного тока очень хорошие. Более того, его также можно использовать в качестве переключателя для управления нагрузками до 150 мА.

Конфигурация контактов (расположение выводов) C1815

C1815 выпускается в пластиковом корпусе TO-92.Он состоит из 3 штырей

  • Коллектор
  • Излучатель
  • База
    Детали контакта приведены ниже на рисунке

Характеристики биполярного транзистора C1815

  • Тип — NPN общего назначения
  • Max Collector- Напряжение эмиттера: 50 В
  • Напряжение коллектор-база: 60 В
  • Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
  • Ток коллектора: 0.15 A
  • Макс.рассеиваемая мощность коллектора (Pc): 0,4 Вт
  • Коэффициент усиления постоянного тока (h fe ): 70 до 700
  • Макс.частота перехода: 80 МГц
  • Эксплуатация и хранение Температурный диапазон от -55 до +125 ° C
  • Упаковка — TO-92

Классификация h FE

Диапазон усиления тока транзистора C1815 может составлять от 70 до 700 .Текущий диапазон усиления C1815O составляет от 70 до 140 , диапазоны C1815Y от 120 до 240 , текущий диапазон усиления C1815GR составляет от 200 до 400 и C1815BL диапазоны от 350 от до 700 .

Сменный и эквивалентный транзистор для C1815

Вы можете заменить C1815 на следующие транзисторы (конфигурация контактов у меня отличалась, поэтому перед заменой на эти транзисторы необходимо проверить контакты:

2SC1815, C945, BC547, BC548, 2N2222A, 2SC3918 , 2SC2458, 2SC3198, 2SC3920, 2SC3199, 2SC3916, 2SC3917, 2SC3919, 2SC3921, 2SC3922, 2SC3923, KSC1815, KSC945C, KTC3198 и KTC3199.

Дополнительный транзистор PNP

Дополнительный транзистор PNP для C1815 — это BC557.

SMD эквивалент C1815

SMD C1815 доступны как KTC3875 (SOT-23), 2SC4116 (SOT-323), 2SC4738 (SOT-23), FJX945 (SOT-323), KTC3875S (SOT-23) ) и 2SC2712 (SOT-23)

Приложения

  • Используется для коммутации общего назначения
  • Используется в усилителях класса A и B
  • Цепи предусилителя
  • Цепи двухтактной конфигурации

Просмотры сообщений: 11544

C1815 (Hi-Sincerity) — Эпитаксиальный планарный транзистор Npn

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

Спец. №: HE6523
Дата выдачи: 1992.11.25
Дата изменения: 2001.06.06
Стр. №: 1/3

HSC1815

Спецификация продукции HSMC

HSC1815

NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ ТРАНЗИСТОР

Описание

HSC1815 разработан для использования в каскаде усилителя ЗЧ усилителя
общего назначения.

Абсолютные максимальные рейтинги

Максимальные температуры

Температура хранения…………………………………………… ………………………………….. -55 ~ +150

С

Температура перехода ……………………………………….. ……………………………… +150

C Максимум

Максимальное рассеивание мощности

Суммарное рассеивание мощности (Ta = 25

C) ……………………………………….. ………………………….. 400 мВт

Максимальные напряжения и токи (Ta = 25

С)

Коллектор VCBO — напряжение базы…………………………………………… ………………………………. 60 В
VCEO Напряжение коллектора-эмиттера ….. ………………………………………….. ………………………… 50 В
Напряжение эмиттера VEBO относительно базы ………… ………………………………………….. …………………………. 5 В
IC Ток коллектора …………. ………………………………………….. …………………………………. 150 мА
IB Базовый ток…………………………………………… ………………………………………….. ………. 50 мА

Характеристики

(Ta = 25

С)

Символ

Мин.

Тип.

Макс.

Блок

Условия испытаний

BVCBO

60

В

IC = 100 мкА, IE = 0

BVCEO

50

В

IC = 1 мА, IB = 0

БВЕБО

5

В

IE = 10 мкА, IC = 0

ICBO

100

нА

VCB = 60 В, IE = 0

IEBO

100

нА

VEB = 5V, IC = 0

* VCE (сб.)

250

мВ

IC = 100 мА, IB = 10 мА

* VBE (сб.)

1

В

IC = 100 мА, IB = 10 мА

* hFE1

120

700

VCE = 6 В, IC = 2 мА

* hFE2

25

VCE = 6 В, IC = 150 мА

фт

80

МГц

VCE = 10 В, IC = 1 мА, f = 100 МГц

Початок

3.5

пФ

VCB = 10 В, частота = 1 МГц, IE = 0

* Импульсный тест: ширина импульса

380us, рабочий цикл

2%

Классификация hFE1

Рейтинг

Я

GR

BL

Диапазон

120–240

200-400

350-700

HI-SINCERITY

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА КОРП.

Спец. №: HE6523
Дата выдачи: 1992.11.25
Дата изменения: 2001.06.06
Стр. №: 2/3

HSC1815

Спецификация продукции HSMC

Кривая характеристик

Коэффициент усиления по току и ток коллектора

1

10

100

1000

0,01

0,1

1

10

100

1000

Ток коллектора (мА)

hF

E

В

CE

= 6 В

Напряжение насыщения и ток коллектора

0.01

0,1

1

0,01

0,1

1

10

100

1000

Ток коллектора (мА)

S

а

ту

r
a
ti
o

н
В

или

л
т
а

г

e
(

м

В

)

В

BE (сб)

@ I

С

= 10I

В

В

CE (сб)

@ I

С

= 10I

В

Емкость и обратное смещение

1

10

0.1

1

10

100

Напряжение обратного смещения (В)

Ca

п.
а

c
i
t
a

n
c
e

(
п.

Ф

)

Початок

Частота отсечки и ток коллектора

1

10

100

1000

1

10

100

Ток коллектора (мА)

С

u
до

и далее F

r
e

q
u
e

n
c
y
(

м

H

z
)

В

CE

= 10 В

Зона безопасной эксплуатации

1

10

100

1000

10000

1

10

100

прямое напряжение-В

CE

(В)

Co

л
л
е

c
t
o

r
Cu

r
r
e

n
t

I

С

А

)

т

= 1 мс

т

= 100 мс

т

= 1 с

ПД-Та

0

50

100

150

200

250

300

350

400

450

0

50

100

150

200

Температура окружающей среды-Ta (

или

С)

или

Вт

e

г D

i
s
s
i
p
a

т
и
о

н

D

(
м

Вт

)

HI-SINCERITY

MICROELECTRONICS CORP.

Спец. №: HE6523
Дата выдачи: 1992.11.25
Дата изменения: 2001.06.06
Стр. №: 3/3

HSC1815

Спецификация продукции HSMC

TO-92 Размер

*: Типичный

дюймов

Миллиметров

дюймов

Миллиметров

DIM

Мин.

Макс.

Мин.

Макс.

DIM

Мин.

Макс.

Мин.

Макс.

А

0,1704

0,1902

4,33

4,83

G

0,0142

0,0220

0,36

0,56

В

0,1704

0,1902

4,33

4,83

H

*

0,1000

*

2,54

С

0,5000

12,70

Я

*

0.0500

*

1,27

D

0,0142

0,0220

0,36

0,56

1

*

5

*

5

E

*

0,0500

*

1,27

2

*

2

*

2

Ф

0.1323

0,1480

3,36

3,76

3

*

2

*

2

Примечания:

1. Размеры и допуски основаны на наших спецификациях. от 25 апреля 1996 г.

2. Контрольный размер: миллиметры.
3. Максимальная толщина свинца включает толщину поверхности свинца, а минимальная толщина свинца — это минимальная толщина основного материала.
4. Если у вас возникнут какие-либо вопросы относительно характеристик упаковки или способа упаковки, обратитесь в местное торговое представительство HSMC.

Материал:

Свинец: сплав 42; покрытие припоем

Состав формы: семейство эпоксидных смол, класс горючести твердого тела: UL94V-0

Важное примечание:

Все права защищены. Полное или частичное воспроизведение запрещено без предварительного письменного разрешения HSMC.

HSMC оставляет за собой право вносить изменения в свои продукты без предварительного уведомления.

Полупроводниковые продукты HSMC не подлежат гарантии пригодности для использования в приложениях или системах жизнеобеспечения.

HSMC не несет ответственности за любые последствия, связанные с разработкой продукта заказчиком, нарушением патентов или помощью в применении.

Головной офис и завод:

Головной офис (Hi-Sincerity Microelectronics Corp.): 10F., No. 61, п. 2, Chung-Shan N. Rd. Тайбэй Тайвань R.O.C.
Тел .: 886-2-25212056 Факс: 886-2-25632712, 25368454

Завод 1: No. 38, Kuang Fu S. Rd., Fu-Kou Hsin-Chu Industrial Park Hsin-Chu Taiwan.R.O.C
Тел .: 886-3-5983621 ~ 5 Факс: 886-3-5982931

3

1

А

D

В

С

Я

1

E

Ф

2

3

G

H

2

Стиль: вывод 1. эмиттер 2. коллектор 3. база

Пластиковый корпус TO-92 с 3 выводами

Код упаковки HSMC: A

Артикул:

Логотип HSMC

Номер детали

Код даты

Серия продуктов

Рейтинг

Лазерная метка

Логотип HSMC

Номер детали

Серия продуктов

Чернильная метка

Что такое транзистор C1815? (с изображениями)

Транзистор C1815 — это транзистор общего назначения, который также может использоваться в качестве усилителя звуковой частоты.Большинство транзисторов имеют код для облегчения идентификации, хотя эти обозначения могут отличаться в зависимости от производителя. За одной или двумя буквами обычно следует серия цифр, а затем, возможно, еще несколько цифр. Следовательно, транзистор C1815 также может быть идентифицирован как транзистор 2SC1815. Буква C в этой серии обозначает транзистор общего назначения.

C1815, второй слева, является одним из самых популярных типов транзисторов общего назначения.

Сделанный из полупроводниковых материалов, транзистор имеет три вывода или вывода, а иногда и больше. Они используются для переключения электронных сигналов или импульсов или для усиления сигналов. Дополнительную информацию также можно получить по номеру детали. Часть номера «2S» указывает на то, что транзистор C1815 подходит для высокочастотных приложений и находится в конфигурации «отрицательно-положительно-отрицательно» (NPN). Другая конфигурация трехпозиционного транзистора — положительно-отрицательно-положительный (PNP).

Транзисторы обычно кодируются одной или двумя буквами, за которыми следует серия цифр.

Первый отрицательный конец транзистора подключен к отрицательной стороне цепи и контролирует поток электронов в положительную область в середине.Другой отрицательный конец транзистора контролирует электроны, покидающие положительную среднюю часть. Полупроводниковый материал, из которого изготовлен транзистор, определяет конфигурацию NPN или PNP.

Выводы транзистора идентифицируются как эмиттер, база и коллектор.Эмиттер — это выход для источника питания. База действует как управляющий вентиль для большего электрического входа на коллекторе, который, как следует из названия, собирает энергию. Например, когда в видеоприложении используется транзистор C1815, эмиттер отправляет выходной видеосигнал. Это обрабатывается через базу, которая может быть слабым видеосигналом, и питается от коллектора, который может быть источником энергии 5 вольт.

Изменяя электрический ток на базе транзистора, можно контролировать количество мощности, протекающей от коллектора к эмиттеру.Например, в цифровых схемах транзистор включен, когда он получает 5 вольт, и выключен, когда он получает меньше, чем это количество. Общие характеристики транзистора C1815 включают рассеиваемую мощность 0,4 Вт при температуре окружающей среды 77 ° по Фаренгейту (25 ° Цельсия). Транзистор рассчитан на ток коллектора 0,15 ампер. Напряжение между коллектором и базой может достигать 60 вольт.

Термин «транзистор» произошел от комбинации слов передаточный и резистор .Полевой транзистор (FET) изначально был разработан как замена триода — части старой технологии электронных ламп. Использование транзисторов помогло электронной промышленности быстро измениться, а усовершенствования технологий позволяют использовать более мелкие компоненты для производства небольших устройств.

.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *