C3866 datasheet: C3866 Datasheet PDF — NPN Power Transistor

Datasheet26.com — поиск даташит, даташитов скачивание

Номер в каталоге Особенности Производители PDF
2SK2394 N-Channel JFET
ON Semiconductor
PDF
2SK3141 Silicon N-Channel MOS FET
Renesas
PDF
7410 Triple 3-input NAND gate
Philips
PDF
A1537 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
Sanyo
PDF
AN6912 Quadruple Comparators
Panasonic Semiconductor
PDF
AN6912S Quadruple Comparators
Panasonic Semiconductor
PDF
AS29LV400 3V 512K x 8 / 256K x 16 CMOS Flash EEPROM
Alliance Semiconductor
PDF
AS29LV800 3V 1M x 8/512K x 16 CMOS Flash EEPROM
Alliance Semiconductor
PDF
AS4C4M4F0 5V 4M x 4 CMOS DRAM
Alliance Semiconductor
PDF
AS4C4M4F1 5V 4M x 4 CMOS DRAM
Alliance Semiconductor
PDF
AS4LC1M16E5 3V 1M x 16 CMOS DRAM
Alliance Semiconductor
PDF
AS6WA25616
3.0V to 3.6V 256K X 16 Intelliwat low-power CMOS SRAM

C3866 Datasheet PDF Download,Hamamatsu Corporation C3866 Data Sheet-Datasheet PDF

Datasheet PDF For C3866 Search Results

  • Part No: C3866

    Manufacturer:
    Hamamatsu Corporation

    Temperature:

    Description:
    COMPACT BENCH-TOP TYPE

    PDF Size: Kb PDF Pages: Page

    Buy C3866

DatasheetPDF found 1 PDF documents matching your query:

Datasheet Download:

Related Part No

  • C38 Crystek Corporation
    32.768KHz Tuning Fork Crystal
  • C38-LF Crystek
    32.768KHz Tuning Fork Crystal
  • C380 POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes Average 1600 Volts
  • C380A POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes 100-1300 Volts
  • C380AX500 POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes Volts
  • C380AX555 POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes 100-1300 Volts
  • C380B POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes 100-1300 Volts
  • C380BX500 POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes Volts
  • C380BX555 POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes 100-1300 Volts
  • C380C POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes 100-1300 Volts
  • C380CX500 POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes Volts
  • C380CX555 POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes 100-1300 Volts
  • C380D POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes Average 1600 Volts
  • C380DX500 POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amperes Volts
  • C380DX555 POWEREX[Powerex Power Semiconductors]
    Phase Control Amoeres Average 1300 Volts

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam

▷ Как выбрать оперативная память

Объем памяти комплекта

Общий объем всех модулей комплекта оперативной памяти.

Зная этот параметр и количество планок в комплекте, можно оценить объем одной планки. Эта информация может пригодиться для оценки совместимости с конкретным ПК: любая материнская плата имеет ограничение на максимальный объем каждой отдельной планки.

Сейчас на рынке представлены комплекты с таким объем памяти: 2 ГБ, 4 ГБ, 8 ГБ, 16 ГБ и 32 ГБ. Сочетание нескольких планок позволяет продавать наборы 8 ГБ (2 планки по 4 ГБ), 16 ГБ (2 планки по 8 ГБ), 16 ГБ (4 планки по 4 ГБ), 32 ГБ (2 планки по 16 ГБ), 32 ГБ (4 планки по 8 ГБ). Оперативная память на 64 ГБ одной планкой не бывает, а комплекты представлены такими наборами: 64 ГБ (2 планки по 32 ГБ), 64 ГБ (4 планки по 16 ГБ) и 64 ГБ (8 планок по 8 ГБ).

Кол-во планок в комплекте

Количество отдельных планок, входящих в комплект оперативной памяти. Одна планка занимает один слот на материнской плате, поэтому для установки всего комплекта количество свободных слотов должно быть равно количеству планок или больше его.

Если планок в комплекте чётное число, для них может быть предусмотрен режим парной работы. Такой режим значительно увеличивает скорость, однако поддерживается далеко не всеми моделями материнских плат, поэтому в каждом конкретном случае этот момент стоит уточнять отдельно.

Сейчас на рынке представлены планки? поставляемые в таком количестве: одной планкой, комплект из 2 шт, комплект из 4 шт, комплект из 8 шт.

Форм-фактор памяти

Параметр, определяющий физические размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов на нём. На сегодняшний день наиболее популярны такие форм-факторы:

— DIMM. Классические полноразмерные планки памяти, применяемые в основном в настольных ПК. Количество контактов обычно составляет от 168 до 240.

— SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module). Уменьшенная версия форм-фактора DIMM, предназначена для применения в портативной компьютерной технике, такой как ноутбуки и планшетные ПК. Количество контактов варьируется от 72 до 200.

— FBDIMM (Fully Buffered Dual In-Line Memory Module). Модули памяти, имеющие повышенную надёжность работы за счёт применения в конструкции буфера (см. Поддержка буферизации (Registered)). Применяются чаще всего в серверах. Внешне аналогичны 240-контактным DIMM, однако не совместимы с ними.

Тип памяти

Тип памяти, используемый в модуле (модулях). Этот параметр напрямую определяет совместимость с материнской платой: последняя должна поддерживать тот же тип памяти, к которому относится планка, т. к. разные типы не совместимы между собой. Конкретные же варианты могут быть такими:

— DDR. Первое поколение памяти с т.н. удвоенной скоростью передачи данных. Было представлено в 2000 году, в наше время считается окончательно устаревшим и практически не применяется.

— DDR 2. Второе поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2003 году. На сегодняшний день такая память практически полностью вытеснена более продвинутыми стандартами DDR3 и DDR4, поддержку DDR2 можно встретить разве что в откровенно устаревшем ПК или ноутбуке.

— DDR 3. Третье поколение оперативной памяти с удвоенной передачей данных, выпущенное в 2007 году. По сравнению с DDR 2 имеет более высокую скорость работы и меньшее энергопотребление На смену данному стандарту постепенно приходит DDR4, однако поддержка DDR3 все еще встречается в относительно простых и недорогих «материнках».

— DDR 4. Дальнейшее развитие стандарта DDR, пришедшее на смену DDR3 в 2014 году. Предусматривает, в частности, повышение пропускной способности (в перспективе до 25,6 ГБ/с) и надежности при снижении энергопотребления..Является наи…более новым и продвинутым типом «оперативки» из широко применяемых в наше время; более продвинутый стандарт DDR5 пока только находится в разработке, его массового внедрения ожидают не раньше 2020 года.

Ранг памяти

Количество рангов, предусмотренное в планке памяти.

Рангом в данном случае называют один логический модуль — набор микросхем с общей разрядностью в 64 бита. Если рангов больше одного — это значит, что на одном физическом модуле реализовано несколько логических, а канал передачи данных они используют попеременно. Подобная конструкция используется для того, чтобы добиться больших объемов RAM при ограниченном количестве слотов под отдельные планки. При этом стоит сказать, что для бытовых компьютеров на ранг памяти можно не обращать особого внимания — точнее, для них вполне достаточно одноранговых модулей. А вот для серверов и мощных рабочих станций выпускаются двух-, четырех- и даже восьмиранговые решения.

Отметим, что при прочих равных большее число рангов позволяет добиться больших объемов, однако требует большей вычислительной мощности и повышает нагрузку на систему.

Тактовая частота

Тактовая частота модуля оперативной памяти.

Чем выше данный показатель — тем быстрее работает «оперативка», при прочих равных, тем выше ее эффективность в играх и других ресурсоемких приложениях. С другой стороны, высокая тактовая частота соответствующим образом сказывается на стоимости. Кроме того, для использования всех возможностей памяти соответствующую частоту должна поддерживать материнская плата, к которой подключен модуль.

Наиболее востребованными являются модули с частотой 2400 и 2666 МГц — так сказать универсальные рабочие лошадки. Есть также варианты скромнее — к примеру 2133 МГц (среди DDR3 это 1866 МГц). И продвинутые для серьезных задач — 3000, 3200, 3600 МГц. Также предусмотрены высокочастотные 4000+ МГц.

Пропускная способность

Количество информации, которую модуль памяти может принять или передать за одну секунду. От пропускной способности напрямую зависит скорость работы памяти и, соответственно, цена на неё. В то же время это довольно специфический параметр, актуальный в основном для высокопроизводительных систем — геймерских и рабочих станций, серверов и т. п. Если же модуль RAM покупается для обычной домашней или офисной системы, на пропускную способность можно не обращать особого внимания.

CAS-латентность

Под данным термином подразумевают время (точнее, количество циклов работы памяти), которое проходит от запроса процессора на чтение данных до предоставления доступа к первой из ячеек, содержащих выбранные данные. CAS-латентность является одним из таймингов (подробнее о них см п. «Схема таймингов памяти», там этот параметр обозначен как CL) — а значит, она влияет на быстродействие: чем ниже CAS, тем быстрее работает данный модуль памяти. Правда, это справедливо лишь для одной и той же тактовой частоты (подробнее см. там же).

Сейчас на рынке представлены модули памяти с такими значениями CAS-латентности: 9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18, 19.

Схема таймингов памяти

Тайминг — термин, обозначающий время, необходимое для выполнения какой-либо операции. Для понимания схемы таймингов нужно знать, что структурно оперативная память состоит из банков (от 2 до 8 на модуль), каждый из которых, в свою очередь, имеет строки и столбцы, подобно таблице; при обращении к памяти сначала выбирается банк, затем строка, затем столбец. Схема таймингов показывает время, за которое выполняются четыре основные операции при работе оперативной памяти, и обычно записывается четырьмя цифрами в формате CL-Trcd-Trp-Tras, где

CL — минимальная задержка между получением команды на чтение данных и началом их передачи;

Trcd — минимальное время между выбором строки и выбором столбца в ней;

Trp — минимальное время для закрытия строки, то есть задержка между подачей сигнала и фактическим закрытием. За один раз может быть открыта только одна строка банка; прежде чем открыть следующую строку, необходимо закрыть предыдущую.

Tras — минимальное время активности строки, иными словами — наименьшее время, через которое строке можно подать команду на закрытие после её открытия.

Время в схеме таймингов измеряется в тактах, поэтому реальное быстродействие памяти зависит не только от схемы таймингов, но и от тактовой частоты. Например, память со схемой 8-8-8-24 и тактовой частотой 1600 МГц будет работать с такой же скоростью, что и память со схемой 4-4-4-12 и частотой 800 МГц — и в том, и в том случае схема таймингов, если её выраз…ить в наносекундах, будет составлять 5-5-5-15.

Рабочее напряжение

Штатное электрическое напряжение, необходимое для работы модулю памяти. При выборе памяти необходимо обратить внимание на то, чтобы соответствующее напряжение поддерживалось материнской платой.

Тип охлаждения

Тип охлаждения, предусмотренный в конструкции оперативной памяти.

— Без охлаждения. Отсутствие специального охлаждения характерно для модулей памяти с небольшой и средней мощностью — они выделяют не так много тепла, чтобы его нужно было специально отводить.

— Радиатор. Приспособление в виде металлической конструкции с характерной ребристой поверхностью — такая форма увеличивает площадь соприкосновения с воздухом, что, в свою очередь, улучшает теплоотдачу. Простейшая разновидность систем охлаждения, по эффективности уступает радиатору с кулером и тем более водяному контуру (см. ниже), зато не создает шума, не потребляет лишней энергии и не требует подключения дополнительного питания или трубок. А упомянутой эффективности бывает достаточно даже для довольно мощных модулей RAM.

— Радиатор с кулером. Радиаторное охлаждение (см. выше), дополненное блоком с вентилятором (вентиляторами) для принудительной циркуляции воздуха. Такое дополнение заметно повышает эффективность радиатора, оно может применяться даже в довольно мощных комплектах RAM. С другой стороны, вентилятор создает шум при работе и заметно увеличивает энергопотребление.

— Водяное охлаждение. Охлаждение в виде жидкостного теплообменника, подключаемого к контуру водяного охлаждения компьютерной системы. Отличительно внешней особенностью такого охлаждения являются два характерных…патрубка. Водяные системы очень эффективны и подходят даже для самых мощных и «горячих» планок, однако сложны в подключении и требуют недешевого внешнего оборудования, а потому применяются в основном среди топовых моделей RAM, в которых без такого охлаждения в принципе не обойтись. Отметим, что некоторые из таких моделей допускают работу и «насухую», без воды, однако это не рекомендуется — на высоких нагрузках могут возникнуть сбои.

— Жидкостно-воздушное. В соответствии с названием, данный вариант предполагает использование сразу двух типов охлаждения — воздушного (радиатора) и водяного. О том и другом см. выше, однако стоит отметить, что водяное охлаждение в данном случае может предусматриваться в несколько «урезанном» виде — не в виде патрубков для подключения к общему контуру охлаждения, а в виде герметичной капсулы с теплопроводящей жидкостью. В эффективности такие системы, разумеется, заметно проигрывают классическим жидкостным — зато они не требуют сложного подключения; а капсула так или иначе улучшает эффективность работы радиатора, да и смотрится необычно.

Профиль планки

Размер планки памяти в высоту; высота в данном случае — это то, насколько планка выступает из материнской платы.

По данному параметру выделяют два основных варианта: модули со стандартной и низкой высотой («low profile» и «very low profile»). Первая разновидность рассчитана на обычные настольные ПК, вторая — на компактные корпуса, в которых места сравнительно немного (в частности, мультимедийные HTPC-системы и некоторые модели серверов).

Дополнительно

— Серия для разгона (overclocking). Принадлежность к подобной серии означает, что производитель изначально предусмотрел в модуле возможность разгона («оверклокинга») — то есть повышения производительности за счет изменения параметров работы, в частности, увеличения рабочего напряжения и тактовой частоты. «Разогнать» можно и обычную память, не относящуюся к оверклокерской — однако это сложно и чревато сбоями, вплоть до полного перегорания схем, тогда как в специализированных сериях разгон является документированной функцией, реализуется быстро и просто, к тому же чаще всего покрывается гарантией.

— Поддержка XMP. Совместимость модуля памяти с технологией XMP. Данная технология, созданная компанией Intel, применяется для разгона (см. соответствующий пункт). Ее ключевой принцип заключается в том, что в модуле памяти записаны определенные профили разгона — наборы настроек, проверенные на стабильность работы; и вместо того, чтобы вручную выставлять отдельные параметры, пользователю достаточно выбрать один из профилей. Это упрощает настройку системы и в то же время повышает ее надежность при разгоне. Однако стоит учитывать, что для использования XMP ее должна поддерживать не только память, но и материнская плата.

— Поддержка AMP. Совместимость модуля памяти с технологией AMP. По основным особенностям данная технология полностью аналогична описанной выше XMP и отличается лишь создателем — в данном случае это компания AMD.

— Поддержка буферизации (Registered). Наличие у модуля памяти т.н. буфера — раздела для быстрого сохранения поступивших данных — между контроллером памяти (управляющим устройством) и собственно чипами (запоминающими устройствами). Такая схема снижает нагрузку на контроллер, за счёт чего достигается более высокая надёжность; с другой стороны, буферизованные модули имеют слегка пониженное быстродействие вследствие задержки при передаче информации через буфер. Буферизованная память применяется в основном в серверных системах и отличается высокой стоимостью. При выборе памяти стоит учитывать, что в одной системе может использоваться либо только буферизованная, либо только небуферизованная память; совместить эти два типа памяти невозможно.

— Поддержка ECC. ECC (Error Checking and Correction) — технология, позволяющая исправлять мелкие ошибки, возникающие в процессе работы с данными. Для использования ECC необходимо, чтобы она поддерживалась не только модулем памяти, но и материнской платой; в основном такая поддержка применяется в серверах, однако встречается и в «материнках» для обычных десктопов.

— Совместимость с Mac. Возможность установки оперативной памяти на компьютеры, использующие аппаратную архитектуру Mac (на сегодняшний день это Macintosh и MacBook от Apple). Эта архитектура имеет значительные отличия от устройства остальных современных ПК и ноутбуков на потребительском рынке, из-за чего обычные модули оперативной памяти часто оказываются несовместимы с ней. Чаще всего совместимость с Mac означает, что память специально оптимизирована под использование в этих компьютерах, и производитель гарантирует её корректную работу; возможность установки в «обычные» ПК и ноутбуки при этом обычно не гарантируется (хотя и не исключается).

— Подсветка. Декоративная подсветка, обычно при помощи светодиодов. На функционал модуля памяти не влияет, однако придает ему яркий и необычный внешний вид, что ценят любители внешнего тюнинга компьютеров. Разумеется, чтобы эту подсветку было видно, корпус должен иметь как минимум смотровое окно, а в идеале — полностью прозрачную стенку.

Синхронизация подсветки

Технология синхронизации, предусмотренная в модуле памяти с подсветкой (см. «Дополнительно»).

Сама по себе синхронизация позволяет «согласовать» подсветку памяти с подсветкой других компонентов системы — материнской платы, процессора, видеокарты, корпуса, клавиатуры, мыши и т. п. Благодаря этому согласованию все компоненты могут синхронно менять цвет, одновременно включаться/отключаться и т. п. Конкретные особенности работы такой подсветки зависят от применяемой технологии синхронизации, а она, как правило, у каждого производителя своя (Aura Sync у Asus, RGB Fusion у Gigabyte и т. п.). Также от этого зависит совместимость компонентов: все они должны поддерживать одну технологию. Так что проще всего добиться совместимости подсветки, собрав комплектующие от одного производителя. Впрочем, существует немало модулей памяти формата multi compatibility — то есть способных работать сразу с несколькими технологиями подсветки. Как правило, такая память выпускается производителями, у которых своих технологий подсветки нет; конкретный список совместимых технологий стоит уточнять отдельно.

ESP8266 и Arduino, подключение, распиновка / Хабр

Привет geektimes. Тема ESP8266, как и IoT(интернет вещей), всё больше набирает популярности, и уже Arduino подхватывает инициативу — добавляя эти Wi-Fi модули в список поддерживаемых плат.
Но как же его подключить к ардуино? И возможно как-то обойтись вообще без ардуино? Сегодня именно об этом и пойдёт речь в этой статье.

Забегая наперёд, скажу, что будет вторая статья, уже более практическая, по теме прошивки и программирования модуля ESP8266 в среде разработки Arduino IDE. Но, обо всём по порядку.

Этот видеоролик, полностью дублирует материал, представленный в статье.



На данный момент, существует много разновидностей этого модуля, вот некоторые из них:

А вот распиновка ESP01, ESP03, ESP12:


* Данную картинку можно посмотреть в хорошем качестве на офф. сайте pighixxx.com.

Лично мне, больше всего нравится версия ESP07. Как минимум за то, что тут есть металлический экран (он защищает микросхемы от внешних наводок, тем самым обеспечивает более стабильную работу), своя керамическая антенна, разъём для внешней антенны. Получается, подключив к нему внешнюю антенну, например типа биквадрат, то можно добиться неплохой дальности. К тому же, тут есть немало портов ввода вывода, так называемых GPIO(General Purpose Input Output — порты ввода-вывода общего назначения), по аналогии с ардуино — пинов.

Давайте вернёмся к нашим баранам Wi-Fi модулям и Arduino. В этой статье, я буду рассматривать подключение ESP8266(модели ESP01) к Arduino Nano V3.

Но, данная информация будет актуальна для большинства модулей ESP8266 и так же разных Arduino плат, например самой популярной Arduino UNO.

Пару слов по ножкам ESP01:

Vcc и GND(на картинке выше это 8 и 1) — питание, на ножку Vcc можно подавать, судя по документации, от 3 до 3.6 В, а GND — земля (минус питания). Я видел, как один человек подключал этот модуль к двум AA аккумуляторам (напряжение питания в этом случае было примерно 2.7 В) и модуль был работоспособным. Но всё же разработчики указали диапазон напряжений, в котором модуль должен гарантированно работать, если вы используете другой — ваши проблемы.

Внимание! Этот модуль основан на 3.3 В логике, а Arduino в основном — 5 В логика. 5 В запросто могут вывести из строя ESP8266, потому на него нужно отдельно от ардуино подавать питание.

— На моей ардуинке есть ножка, где написано 3.3 В, почему бы не использовать её?

Наверное подумаете вы. Дело в том, что ESP8266 довольно таки прожорливый модуль, и в пиках может потреблять токи до 200 мА, и почти никакая ардуинка по умолчанию не способна выдать такой ток, разве что исключением является Arduino Due, у которой ток по линии 3.3 В может достигать 800 мА, чего с запасом хватит, в других же случаях советую использовать дополнительный стабилизатор на 3.3 В, например AMS1117 3.3 В. Таких валом как в Китае, так и у нас.

Ножка RST 6 — предназначена «железной» для перезагрузки модуля, кратковременно подав на неё низкий логический уровень, модуль перезагрузиться. Хоть и на видео я этим пренебрёг, но всё же вам советую «прижимать» данную ногу резистором на 10 кОм к плюсу питания, дабы добиться лучшей стабильности в работе модуля, а то у меня перезагружался от малейших наводок.

Ножка CP_PD 4(или по-другому EN) — служит, опять же, для «железного» перевода модуля в энергосберегающий режим, в котором он потребляет очень маленький ток. Ну и снова — не будет лишним «прижать» эту ногу резистором на 10 кОм к плюсу питалова. На видео я тупо закоротил эту ногу на Vcc, потому как под рукой не оказалось такого резистора.

Ноги RXD0 7 TXD0 2 — аппаратный UART, который используется для перепрошивки, но ведь никто не запрещает использовать эти порты как GPIO(GPIO3 и GPIO1 соотвественно). GPIO3 на картинке почему-то не размечен, но в даташите он есть:

К стати, к ножке TXD0 2 подключен светодиод «Connect», и горит он при низком логическом уровне на GPIO1, ну или когда модуль отправляет что-то по UART.

GPIO0 5 — может быть не только портом ввода/вывода, но и переводить модуль в режим программирования. Делается это подключив этот порт к низкому логическому уровню(«прижав» к GND) и подав питание на модуль. На видео я делаю это обычной кнопкой. После перепрошивки — не забудьте вытащить перемычку/отжать кнопку(кнопку во время перепрошивки держать не обязательно, модуль при включении переходит в режим программирования, и остаётся в нём до перезагрузки).

GPIO2 3 — порт ввода/вывода.

И ещё один немаловажный момент, каждый GPIO Wi-Fi модуля может безопасно выдавать ток до 6 мА, чтобы его не спалить, обязательно ставьте резисторы последовательно портам ввода/вывода на… Вспоминаем закон Ома R = U/I = 3.3В / 0.006 А = 550 Ом, то есть, на 560 Ом. Или же пренебрегайте этим, и потом удивляйтесь почему оно не работает.

В ESP01 все GPIO поддерживают ШИМ, так что к нашим четырём GPIO, то есть GPIO0-3 можно подключить драйвер двигателя, аля L293 / L298 и рулить двумя двигателями, например катера, или же сделать RGB Wi-Fi приблуду. Да, да, данный модуль имеет на борту много чего, и для простеньких проектов скрипач Arduino не нужен, только для перепрошивки. А если использовать ESP07 то там вообще портов почти как у Uno, что даёт возможность уже уверенно обходиться без ардуино. Правда есть один неприятный момент, аналоговых портов у ESP01 вообще нет, а у ESP07 только один, ADC зовётся. Это конечно усугубляет работу с аналоговыми датчиками. В таком случае ардуино аналоговый мультиплексор в помощь.

Всё вроде как по распиновке пояснил, и вот схема подключения ESP8266 к Arduino Nano:

Видите на Arduino Nano перемычка на ножках RST и GND? Это нужно для того, чтобы ардуинка не мешала прошивке модуля, в случае подключения ESP8266 при помощи Arduino — обязательное условие.

Так же если подключаете к Arduino — RX модуля должен идти к RX ардуинки, TX — TX. Это потому, что микросхема преобразователь уже подключена к ножкам ардуино в перекрестном порядке.

Так же немаловажен резистивный делитель, состоящий из резисторов на 1 кОм и 2 кОм (можно сделать из двух резисторов на 1 кОм последовательно соединив их) по линии RX модуля. Потому как ардуино это 5 В логика а модуль 3.3. Получается примитивный преобразователь уровней. Он обязательно должен быть, потому что ноги RXD TXD модуля не толерантные к 5 В.

Ну и можно вообще обойтись без ардуино, подключив ESP8266 через обычный USB-UART преобразователь. В случае подключения к ардуино, мы, по сути, используем штатный конвертер интерфейсов usb и uart, минуя мозги. Так зачем тратиться лишний раз, если можно обойтись и без ардуино вообще? Только в этом случае, мы подключаем RXD модуля к TXD конвертора, TXD — RXD.

Если вам лениво заморачиваться с подключением, возится с резисторами и стабилизаторами — есть готовые решения NodeMcu:

Тут всё значительно проще, воткнул кабель в компьютер, установил драйвера и программируй, только не забывай задействовать перемычку/кнопку на GPIO0 для перевода модуля в режим прошивки.

Ну вот, с теорией наверное всё, статья получилась пожалуй довольно таки большая, и практическую часть, аля прошивка и программирование модуля, я опубликую немного позже.

Я, у себя на ютуб канале, открыл целый плейлист посвящённый моим видео по теме этого Wi-Fi модуля. В планах построили машинку, или лодку, на Wi-Fi управлении, где вместо пульта ДУ будет обычный смарт. Но пока что я к этому ещё не пришёл, так что это всего лишь планы на будущее.

Продолжение этой статьи.

Даташиты на:
ASM1117 3.3 B;
ESP8266EX(микроконтроллер, что стоит в модуле);

Ещё ссылки:
Русскоязычное сообщество по ESP8266;
Схемы рисовал в программе Fritzing;
Почему многие не любят Arduino;
Все мои публикации на geektimes.

By Сергей ПоделкинЦ ака MrПоделкинЦ.

% PDF-1.7 % 435 0 объект > endobj xref 435 75 0000000016 00000 н. 0000003421 00000 н. 0000003611 00000 н. 0000003647 00000 н. 0000004268 00000 н. 0000004303 00000 п. 0000004442 00000 н. 0000004580 00000 н. 0000004732 00000 н. 0000005474 00000 п. 0000005741 00000 н. 0000006087 00000 н. 0000006199 00000 н. 0000006313 00000 н. 0000006350 00000 н. 0000006570 00000 н. 0000007399 00000 н. 0000010141 00000 п. 0000012680 00000 п. 0000012811 00000 п. 0000013134 00000 п. 0000013541 00000 п. 0000014099 00000 н. 0000014552 00000 п. 0000014579 00000 п. 0000015207 00000 п. 0000015544 00000 п. 0000015884 00000 п. 0000016166 00000 п. 0000016570 00000 п. 0000016914 00000 п. 0000017228 00000 п. 0000017854 00000 п. 0000020156 00000 п. 0000021813 00000 п. 0000022358 00000 п. 0000022489 00000 п. 0000024638 00000 п. 0000026004 00000 п. 0000026792 00000 п. 0000026881 00000 п. 0000027430 00000 н. 0000029266 00000 п. 0000029679 00000 н. 0000030048 00000 п. 0000031706 00000 п. 0000031997 00000 п. 0000032323 00000 п. 0000032580 00000 п. 0000032913 00000 п. 0000035562 00000 п. 0000035632 00000 п. 0000036029 00000 п. 0000036128 00000 п. 0000038342 00000 п. 0000043713 00000 п. 0000043974 00000 п. 0000050857 00000 п. 0000051161 00000 п. 0000051231 00000 п. 0000056709 00000 п. 0000056793 00000 п. 0000058811 00000 п. 0000060408 00000 п. 0000060678 00000 п. 0000060852 00000 п. 0000067346 00000 п. 0000067373 00000 п. 0000067673 00000 п. 0000068078 00000 п. 0000068100 00000 н. 0000068122 00000 п. 0000068144 00000 п. 0000068219 00000 п. 0000001796 00000 н. трейлер ] / Назад 524960 >> startxref 0 %% EOF 509 0 объект > поток h ެ V} le rzn ז c4 [ot} T1nN ct) — / DQh

2sk3866 Panasonic Corporation в Северной Америке, 2sk3866 Лист данных

Полевые транзисторы с кремниевым переходом (малый сигнал)

2SK3866

Кремниевый N-канальный переход на полевом транзисторе

Для преобразования сопротивления на низкой частоте

Для электретного конденсаторного микрофона

 Характеристики

 Абсолютные максимальные рейтинги T

 Электрические характеристики T

Примечание) 1.Методы измерения основаны на ЯПОНСКОМ ПРОМЫШЛЕННОМ СТАНДАРТЕ JIS C 7030 методов измерения транзисторов.

Дата публикации: апрель 2008 г.

 Малошумное напряжение NV

 Усиление высокого напряжения GV

 Тонкий корпус: TSSSMini3-F1 (1,2 мм × 1,2 мм × 0,33 мм)

Напряжение сток-исток (затвор открыт)

Напряжение на сток-затворе (Souece open)

Сток-исток (ворота открыты)

Ток сток-затвора (Souece open)

Рассеиваемая мощность

Температура канала

Температура хранения

Отводящий ток

Сток-исток

Взаимная проводимость

Шумовое напряжение

Коэффициент усиления по напряжению

Разница усиления напряжения

2.Защитный диод встроен между затвором и истоком транзистора. Однако если прямой ток течет между затвором и истоком транзистора

3. * 1: I

может быть поврежден. Так что будьте осторожны, не вставляйте реверс.

* 2: Ранговая классификация

* 3: Дизайн NV гарантирован.

* 4: D | G

D

Параметр

* 1

* 3

гарантировано для I

Параметр

Я

В

DSS

Я

D

.f | гарантирован для AQL 0,065%. (Метод измерения используется по схеме с заземлением источника.)

Рейтинг

(мА)

(мА)

* 2

DSS

от 100 до 220

от 107 до 210

.

S

а

= 25 ° C ± 3 ° C

а

= 25 ° С

G

Этот продукт соответствует Директиве RoHS (EU 2002/95 / EC).

DG

Символ

Символ

В

В

Я

V1

Я

т

ДГО

т

DSO

Я

ДГО

G

G

G

DSO

NV

В

stg

DSS

г

кан

Я

180 до 330

190 до 310

D

— G

D

V1

В2

V3

м

.f

V3

т

* 4

–55 до +125

Рейтинг

В

В

В

В

С

В

С

В

С

В

С

В

С

f = от 1 кГц до 70 Гц

100

125

20

20

DD

DD

DS

DD

O

DD

O

DD

O

DD

O

DD

O

2

2

= 5 пФ, А-кривая

= 5 пФ, э

= 5 пФ, э

= 5 пФ, э

= 5 пФ, э

= 2.0 В, В

= 2,0 В, R

= 2,0 В, R

= 2,0 В, R

= 2,0 В, R

= 12 В, R

= 1,5 В, R

= 2,0 В, R

SJF00095AED

G

G

G

G

Блок

мВт

= 10 мВ, f = 1 кГц

= 10 мВ, f = 1 кГц

= 10 мВ, f = 1 кГц

= 10 мВ

мА

мА

д

Условия

° С

° С

GS

д

д

д

д

д

д

В

В

= 2.2 кВт ± 1%

= 2,2 кВт ± 1%

= 2,2 кВт ± 1%, В

= 2,2 кВт ± 1%

= 2,2 кВт ± 1%

= 2,2 кВт ± 1%

= 2,2 кВт ± 1%

= 0, f = 1 кГц

 Пакет

 Обозначение: 4S

 Код

 PIN-код

GS

TSSSMini3-F1

1: слив

2: Источник

3: Выход

= 0

–5,0

–3,0

–7.0

мин.

100

107

660

1 500

Тип

–1,0

–1,5

3,0

0,0

0,5

Макс

330

310

1,7

1,0

8

Блок

мВ

мА

мА

дБ

дБ

мС

1

Hoja de datos (Datasheet PDF) компонентов Electrónicos

Número de pieza Описание Фабрика PDF
0603 Двухсторонний чип-резистор
Электроника TT
PDF
0805 Двухсторонний чип-резистор
Электроника TT
PDF
1206 Двухсторонний чип-резистор
Электроника TT
PDF
2010 Двухсторонний чип-резистор
Электроника TT
PDF
2512 Двухсторонний чип-резистор
Электроника TT
PDF
2SC4461 Кремниевый силовой транзистор NPN
Обменный полупроводник
PDF
2SC4574 Кремниевый силовой транзистор NPN
Обменный полупроводник
PDF
2SD1113 Кремниевый силовой транзистор NPN
Обменный полупроводник
PDF
2SD1245 Кремниевый силовой транзистор NPN
Обменный полупроводник
PDF
2SD1509 Кремниевый силовой транзистор NPN
Обменный полупроводник
PDF
2SD1684 Кремниевый силовой транзистор NPN
Обменный полупроводник
PDF
2SD1758 Кремниевый силовой транзистор NPN
Обменный полупроводник
PDF
2SD1758 Транзистор PNP

【t3866】 Купить сейчас 【Цена】 цена】 Запасы электронных компонентов в США 2020 【Техническое описание】 【PDF】

【t3866】 Купить Цена】 【цена】 Запасы электронных компонентов в США 2020 【Техническое описание】 【PDF】 HCacheDateZOZOIIZA

HPNumberIEEG HPReferer_AboutUs HPNLengthOS



Авторские права © 2020 Hong Kong Inventory Limited.Все права защищены. Обозначенные товарные знаки и бренды являются собственностью соответствующих владельцев. Использование этого веб-сайта означает принятие условий использования и политики конфиденциальности Hong Kong Inventory Limited

Новости в 2020 году

Ref: HKin20140128 в 2020 году

HKin.com — это онлайн-площадка, предназначенная для обслуживания промышленности электронных компонентов. Мы предлагаем рентабельный канал, который позволяет вам представить свой бизнес клиентам. Вы также можете воспользоваться нашими ежедневными исходящими рассылками по электронной почте для запросов предложений и предложений.Вы можете разместить свой баннер в наших электронных письмах и получать до 145 000 показов в день! Если у вас есть какие-либо вопросы, касающиеся нашего членства, обслуживания клиентов, загрузки инвентаря или маркетинговых инструментов, свяжитесь с нами по электронной почте [email protected]. Чем больше вы успешно выполняете заказы на депонирование, чем меньше возвратов, тем больше шансов стать нашими 10 лучшими поставщиками условного депонирования! Получите вознаграждение, если вы ведете дела с покупателями, запрашивающими метод оплаты NET. Во-первых, покупатель в качестве приманки разместит несколько заказов по выгодной цене.После нескольких сделок они запросят условия оплаты NET для предстоящих транзакций. После того, как вы отправите компоненты, покупатель может отсрочить оплату, оправдавшись всевозможными предлогами, и даже исчезнуть. Если вы сомневаетесь в совершении транзакции, вам рекомендуется проверить Зарегистрированные компании или использовать службу условного депонирования для ваших транзакций.
Керамические компоненты Химические вещества для печатных плат Одежда для чистых помещений Полупроводники со скидкой Защита от электромагнитных помех Эпоксидные компаунды Ферритовые сердечники / стержни / ЭУ Ферритовый порошок Ферритный пластик Детские кроватки Сухие элементы Перезаряжаемые батареи / блоки Таймеры Устройства защиты от молнии и перенапряжения Тахометры Преобразователи постоянного / постоянного тока Петли Нагревательные элементы Материалы упаковки ИС Изоляция материалы Железный порошок Ламинат Свинцовая проволока Линзы

.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *