D2499 транзистор параметры: Страница не найдена — Телемастерская

Содержание

Транзистор D2499: характеристики, распиновка, аналоги

D2499 — кремниевый транзистор со структурой NPN, мезапланарный, высоковольтный, высокоскоростной, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение – TO-3PHIS.

Предназначение

Транзистор разработан для применения в системах горизонтальной развертки цветных телеприемников и других импульсных высокоскоростных переключающих устройствах.

Корпус, распиновка и размеры

Характерные особенности

Высокое пробивное напряжение: U_CBO = 1500 В.
Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер: U_CE₍_sat₎ = 5 В (max).
Высокая скорость переключения: t_f = 0,3 мкс (типовое).
Встроенный демпфирующий диод и резистор 40 Ом (типовое).
Металлическая пластина коллектора полностью покрыта формовочной смолой.
Минимальные отличия по параметрам транзисторов от партии к партии при поставке.

Предельные эксплуатационные характеристики

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	U_CBO	1500
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	U_CEO	600
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	U_EBO	5
Ток коллектора постоянный, А	I_C	6
Ток коллектора импульсный, А	I_CP	12
Ток базы постоянный, А	I_B	3
Рассеиваемая мощность (T_a = 25°C), Вт	P_C	50
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	T_j	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	T_stg	-55…+150

Электрические параметры

Характеристика		Обозначение	Параметры при измерениях	Значения
Пробивное напряжение эмиттер-база, В		U_(BR)EBO	I_C = 400 мА, I_B = 0	˃ 5,0
Ток коллектора выключения, мА		I_CBO	U_CB = 1500 В, I_E = 0	˂ 1,0
Ток эмиттера выключения, мА		I_EBO	U_EB = 5,0 В, I_C = 0	˂ 200,0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В		U_CE(sat)1	I_C = 4,0 А, I_B = 0,8 А	˂ 5,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, В		U_BE(sat)	I_C = 4,0 А, I_B = 0,8 А	˂ 1,3
Статический коэффициент усиления по току		h_FE(1)	U_CE = 5,0 В, I_C = 1,0 А	8…25
Статический коэффициент усиления по току		h_FE(2)	U_CE = 5,0 В, I_C = 4,0 А	5…9
Частотная полоса передачи (частота среза), МГц		f_T	U_CE = 10 В, I_C = 0,1 А	2
Выходная емкость коллекторного перехода, пФ		C_ob	U_CB = 10 В, I_E = 0, f = 1 МГц	95
Время переключения, мкс	Время сохранения	t_s	I_CP = 4 А, I_B1 = 0,8 А, f_H = 15,75 кГц	˂ 11
Время переключения, мкс	Время спадания	t_f	См. схему измерений на Рис. 1.	˂ 0,6
Падение напряжения на демпфирующем диоде, В		U_F	I_F = 6 А	˂ 2,0

Примечание: данные в таблице действительны при температуре корпуса T_с = 25°C.

Схема измерения временных параметров

Рис. 1. Схема измерения временных параметров t_s и t_f.

На рисунке:

INPUT – вход.
U_DD – напряжение смещения сигнала базы испытываемого транзистора (T.U.T).
U_CC – напряжение питания.

Диаграммы входного тока (базы) I_B и выходного тока (коллектора) I_CP испытываемого транзистора:

Модификации (версии) транзистора

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус


2SD2499	50	1500	600	5	6/12	150	˂ 5	˂ 1,3	2	95	5…25	— / 11,0 / 0,6	TO-3PHIS
3DD2499	50	1500	600	5	6/12	150	˂ 5	˂ 1,3	˃ 1	—	10…40	— / — / 1,0	TO-3PHIS

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые со структурой NPN, мезапланарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
2SD2499	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,3	2	95	5…25	— / 11,0 / 0,6	TO-3PHIS
КТ839А	50	1500	—	5	10	150	˂ 1,5	—	5	240	˃ 5	—	TO-3
КТ872А	100	1500	700	6	8	150	˂ 1,0	—	—	—	6	— / 7,5 / 1,0	TO-218
КТ872А1	34	1200	700	6	8	150	˂ 1,5	—	—	—	6	— / 7,5 / 1,0	TO-218
КТ8107А	100	1500	700	6	10	125	˂ 3,0	—	—	—	2,3	— / 3,5 / 0,5	TO-3
КТ710А	50	—	3000	5	5	—	˂ 3,5	—	˃ 1,5	—	˃ 3,5	—	TO-3
2Т856А	125	950	950	5	10	—	˂ 1,5	—	—	—	10…60	— / — / 0,5	TO-3
КТ8118	50	900	800	—	3	—	—	—	˃ 15	—	10…40	—	TO-220

Зарубежное производство

Тип	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C/I_CP	T_J	U_{CE (sat)}	U_{BE (sat)}	f_T	C_ob	h_FE	Временные параметры: t_on/ t_stg/ t_f мкс	Корпус
2SD2499	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,3	2	95	5…25	— / 11,0 / 0,6	TO-3PHIS
2SD2498	50	1500	600	5	6	150	˂ 5	˂ 1,2	2	95	5…30	— / 10 / 0,7	TO-3PHIS
2SD2500	50	1500	600	5	10	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	135	10	— / 11 / 0,7	TO-3PHIS
2SD5702	60	1500	800	6	6	150	˂ 5	˂ 1,5	3	—	10	— / — / 0,4	TO-3PHIS
2SC5048	50	1500	600	5	12	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	160	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5129	50	1500	600	5	10	150	˂ 3	˂ 1,4	1,7	135	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5150	50	1700	700	5	10	150	˂ 3	˂ 1,2	2	185	10	— / 4 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5280	50	1500	600	5	8	150	˂ 5	˂ 1,5	2	115	10	— / 5 / 0,5	TO-3PHIS
2SC5339	50	1500	600	5	7	150	˂ 5	˂ 1,3	2,4	82	10	— / 8 / 0,5	TO-3PHIS
2SC5386	50	150	600	5	8	150	˂ 3	˂ 1,5	1,7	105	15	— / 3,5 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5404	50	1500	600	5	9	150	˂ 3	˂ 1,5	2,5	115	10	— / 3,5 / 0,3	TO-3PHIS
2SC5802	60	1500	800	6	10	150	˂ 3	˂ 1,5	—	—	15	— / — / 0,3	TO-3PHIS
BU4508DZ	32	1500	800	—	8	150	˂ 3	˂ 1,03	—	—	7	— / 3,75 / 0,4	SOT186A
BU508DXI	45	1500	700	—	8	150	˂ 1	˂ 1,3	7	125	˂ 30	— / 6,5 / 0,7	ISO218
BUH515DX1	50	1500	700	5	8	150	˂ 1,5	˂ 1,3	—	—	3…10	— / 3,6 / 0,26	ISO218
BUH515FP	38	1500	700	10	8	150	˂ 1,5	˂ 1,3	—	—	4…12	— / 3,9 / 0,28	TO-220FP

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 2. Внешние характеристики транзистора. Зависимость тока коллектора I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных значениях тока базы I_B.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).

Температура корпуса T_c = 25°C.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления h_FE от величины коллекторной нагрузки I_C при различных температурах корпуса T_c и значении напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).

Рис. 4. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер U_CE от величины тока управления (базы) I_B при нескольких значениях коллекторного тока I_C.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”).

Температура корпуса T_c = 25°C.

Рис. 5. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер U_CE от величины тока управления (базы) I_B при нескольких значениях коллекторного тока I_C.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером (на поле рисунка: “COMMON EMITTER”). Температура корпуса T_c = 100°C.

Рис. 6. Передаточная характеристика транзистора. Зависимость тока нагрузки I_C от величины входного напряжения U_BE.

Характеристики сняты в схеме с общим эмиттером при трех различных температурах корпуса T_c и при напряжении на коллекторе U_CE = 5 В.

Рис. 7. Кривая ограничения рассеиваемой мощности транзистора P_C при увеличении температуры корпуса T_c.

Теплоемкость охладителя предполагается бесконечно большой (пояснение на поле рисунка — INFINITE YEAT SINK).

Рис. 8. Зависимость изменения переходного теплового сопротивления r_th₍_j_—_c₎ (коллектор-корпус) от длительности t_w одиночного неповторяющегося импульса тока.

Температура корпуса транзистора T_c = 25°C, то есть транзистор снабжен охладителем с бесконечно большой теплоемкостью.

Зависимость должна учитываться при всех тепловых ограничениях.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора.

Ограничения нагрузок:

I_C max (PULSED)٭ — импульсные токи коллектора, одиночные неповторяющиеся импульсы различной длительности (10 мкс, 100 мкс, 1 мс, 10 мс, 100 мс). Длительности также помечены символом «٭».
I_C max (CONTINUOUS) – постоянный ток нагрузки при T_c = 25°C (пояснение на поле рисунка DC OPERATION).
U_CEO max – предельное напряжение коллектор-эмиттер.

Ординаты всех кривых должны линейно уменьшаться с увеличением температуры.

Качество транзисторы d2499 для электронных проектов Free Sample Now

О продукте и поставщиках:

Alibaba.com предлагает большой выбор. транзисторы d2499 на выбор в соответствии с вашими потребностями. транзисторы d2499 являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбирая правильно. транзисторы d2499, вы можете быть уверены, что создаваемый вами продукт будет высокого качества и очень хорошо работает. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди прочего.

транзисторы d2499 состоят из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех клеммы, которые можно использовать для подключения к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. транзисторы d2499 охватывают два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. транзисторы d2499 скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые таблицы данных вашего. транзисторы d2499 для определения опорных ног, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. транзисторы d2499 на сайте Alibaba.com используют кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря их превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. транзисторы d2499 для любого проекта включает в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. транзисторы d2499 на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

2SC5250 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

Корпус транзистора 2SC5250 и его обозначение на схеме

Описание

Кремниевый NPN диффузионный транзистор для выходных каскадов строчной развертки телевизионных приемников и мониторов.

Особенности:

Мощный высоковольтный транзистор с высокой скорость переключения.
Высокое напряжение пробоя Vcbo = 1500 В.
Встроенный демпферный диод.


Предельно допустимые и основные электрические параметры
Символы	Параметр	Условия	Мин. значение	Тип. значение	Макс. значение	Единицы
Vcbo	Напряжение коллектор-база	—	—	—	1500	В
Vceo	Напряжение коллектор-эмиттер	—	—	—	800	В
Vebo	Напряжение эмиттера-база	—	—	—	6	В
Ic	Ток коллектора постоянный	—	—	—	8,0	А
Ip	Ток коллектора импульсный	—	—	—	16	А
Pc	Мощность, рассеиваемая на коллекторе	T = 25 °C	—	—	50	Вт
V(br)ceo	Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	Ic = 10,0 мА, Rbe = ∞	800	—	—	В
V(br)ebo	Напряжение пробоя эмиттер-база	Ie = 600 мА, Ic = 0	6	—	—	В
Ices	Обратный ток коллектора	Vcb = 1500 В, Rbe = 0 В	—	—	500	мкА
h_FE	Коэффициент передачи тока в схеме ОЭ	Vce = 5 В, Ic = 5,0 А	4	—	7	—
Vce_sat	Напряжение насыщения К-Э	Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А	—	—	5	В
Vbe_sat	Напряжение насыщения Б-Э	Ic = 5,0 А, Ib = 1,25 А	—	—	1,5	В
Vf	Падение напряжения на прямосмещенном диоде	I_F = 8 А	—	—	2	В
Tf	Время спада импульса	Ic = 5,0 А, Ib = 1,0 А, F = 31,5 кГц	—	0,2	0,4	мкс

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

В помощь радиолюбителю. Выпуск 20 — Никитин В А

Устройство и принцип действия полевых транзисторов

Полевые транзисторы относятся к категории полупроводниковых приборов. Их усиливающие свойства создаются потоком основных носителей, который протекает через проводящий канал и управляется электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют основные носители заряда, расположенные в полупроводнике. По своим конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы разделяются на две группы: элементы с управляющим р-п-переходом и устройства с изолированным затвором.

К первому варианту относятся элементы, затвор которых отделяется от канала р-п-переходом, смещенным в обратном направлении. Носители заряда входят в канал через электрод, называемый истоком. Выходной электрод, через который носители заряда уходят, называется стоком. Третий электрод – затвор выполняет функцию регулировки поперечного сечения канала.

Когда к истоку подключается отрицательное, а к стоку положительное напряжение, в самом канале появляется электрический ток. Он создается за счет движения от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов. Еще одной характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов вдоль всего электронно-дырочного перехода.

Между затвором и каналом создается электрическое поле, способствующее изменению плотности носителей заряда в канале. То есть, изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит с помощью обратно смещенного р-п-перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет велико, а мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, очень мала. За счет этого обеспечивается усиление электромагнитных колебаний не только по току и напряжению, но и по мощности.

Существуют полевые транзисторы, у которых затвор отделяется от канала слоем диэлектрика. В состав элемента с изолированным затвором входит подложка – полупроводниковая пластина, имеющая относительно высокое удельное сопротивление. В свою очередь, она состоит из двух областей с противоположными типами электропроводности. На каждую из них нанесен металлический электрод – исток и сток. Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика. Таким образом, в полученную структуру входят металл, диэлектрик и полупроводник. Данное свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая. Поэтому данный вид транзисторов сокращенно называют МДП. Они различаются наличием индуцированных или встроенных каналов.

Измерение параметров полевых транзисторов

Измерительная техника

Главная Радиолюбителю Измерительная техника

Прибор для проверки основных параметров маломощных полевых транзисторов выполнен на основе недорогих цифровых мультиметров, возможно, даже с неисправными переключателями пределов измерения. Это минимизировало затраты труда по монтажу и изготовлению конструкции. Цифровые показания несколько облегчают сравнение транзисторов и подбор пар для дифференциальных каскадов. Крутизну транзисторов определяют простейшим расчетом.

По роду своей деятельности мне часто приходится ремонтировать контрольно-измерительную аппаратуру с полевыми транзисторами. Они применяются в модуляторах, входных каскадах усилителей в осциллографах и цифровых вольтметрах, коммутационных устройствах и пр. Например, в вольтметре В7-38 установлено около 30 транзисторов серии КП301. Эти транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, и малейшее несоблюдение технологии монтажа приводит к выходу их из строя. Большинство неисправностей приборов, которые связаны с выходом из строя полевых транзисторов, удается устранить простой заменой, но если транзисторы используют в дифференциальных или «симметричных» каскадах, их необходимо подобрать по основным параметрам.

Рис. 1

К основным параметрам полевых транзисторов относятся начальный ток стока, напряжение отсечки и крутизна характеристики. Определить их, а следовательно, и принять решение о пригодности полевого транзистора к использованию возможно с помощью устройства, схема которого изображена на рис. 1. Изменяя напряжение на затворе и контролируя ток стока, можно узнать все три основных параметра. Для транзисторов с затвором на основе р-n перехода или с изолированным затвором и встроенным каналом начальный ток стока IСнач — это ток стока при нулевом значении напряжения на затворе. Напряжение отсечки U3иотс — напряжение на затворе, при котором ток стока достигает близкого к нулю значения. Крутизна характеристики определяется как отношение изменения тока стока ΔIС (мА) к вызвавшему его изменению напряжения между затвором и истоком ΔUзи (В): S = ΔIС/Δ U3и- Применив в приборе цифровые измерители тока и напряжения, вычислить значение крутизны для транзисторов любой структуры будет несложно.

Крутизна S полевого транзистора с управляющим р-n переходом зависит от напряжения затвор- исток U3и и имеет максимальное значение Smax при напряжении на затворе, равном нулю. Если измерены значения начального тока стока IСнач и напряжения отсечки U3иотс. крутизну можно приблизительно оценить по формулам:

Smax = 2Iснач/Uзиотс

S = √Iснач·Ic/Uзиотс

где напряжение — в вольтах, ток — в миллиамперах, крутизна — в размерности мА/В [1].

Для транзисторов с изолированным затвором крутизну при токе стока Ic и напряжении Uзи можно рассчитать по формуле

S = 2Ic/|Uзи — Uзиотс|

где UЗИотс — напряжение отсечки либо пороговое напряжение (для транзисторов с индуцированным затвором).

На основе макета этого устройства изготовлен прибор для оперативного измерения основных параметров полевых транзисторов и контроля их работоспособности.

Технические характеристики Измеряемое напряжение на затворе, В …………..-12…+12 Разрешающая способность вольтметра, мВ…………….10 Измеряемый ток стока, мА . .-20… +20 Разрешающая способность миллиамперметра, мкА………10 Погрешность измерения IСнач и Uзи, %, не более ………..1 Ток потребления прибора, мА, не более ………………60

Рис. 2

В приборе есть защита проверяемого транзистора от повреждения.

Схема измерителя изображена на рис. 2. Для изменения напряжения на затворе транзистора используется переменный резистор R2, подключенный к двухполярному источнику питания 2×12 В, что позволяет получить характеристику крутизны любого полевого транзистора малой мощности как с n-каналом, так и с р-каналом. Резистор R3 необходим для ограничения тока затвора. Полярность напряжения на стоке изменяют переключателем SB1. Для исключения перегрузки миллиамперметра использован ограничитель тока на транзисторе VT1 и резисторе R1. Ограничение возникает при токе 25 мА, поскольку максимальный измеряемый ток выбран равным 20 мА. Диодный мост VD1 обеспечивает действие ограничителя при любом направлении тока стока. Реле К1 и К2 предотвращают выход из строя измеряемого полевого транзистора от статического электричества: пока не нажата кнопка «Измерение» SB2, обмотка реле отключена, а контакты для подключения транзистора замкнуты между собой и на общий провод. При измерении кнопка нажата и через контакты реле транзистор подключен к измерительным цепям. Светодиод HL1 сигнализирует о том, что происходит процесс измерения.

Главная часть устройства — миллиамперметр РА1 и вольтметр PV1 — собрана из готовых узлов мультиметров M890D. Основа этих мультиметров — широко известная микросхема ICL7106. Эти приборы выбраны из-за удобного большого корпуса, чтобы снизить трудозатраты при изготовлении измерителя параметров. Питание аналого-цифрового преобразователя (АЦП) мульти-метра — от двухполярного источника питания +5/-5 В, необходимого для микросхем АЦП и остальных частей устройства. Микросхема АЦП имеет такую возможность, если мультиметр доработать так, как показано на фрагменте схемы на рис. 3 (нумерация элементов условная).

Рис. 3

В основном включении, используемом при батарейном питании, выводы 30,32 и 35 соединены вместе. При двух-полярном питании вывод 30 (низкоуровневая цепь АЦП) отключают от этой точки. В этом случае микросхема измеряет разность потенциалов между выводами 30 и 31, при этом вход АЦП отвязан от цепей питания. Единственное условие — напряжение в любой из измерительных цепей не должно превышать напряжения питания АЦП относительно общего провода. Такая доработка описана в [2].

При минимальных переделках микросхема обеспечивает измерение напряжения до 200 мВ без делителей. Для построения вольтметра с пределом 20 В, необходимого для измерения напряжения затвора, использован делитель 1:100, состоящий из резисторов R5 и R6. Для построения миллиамперметра с пределом измерения 20 мА служит резистор R7. При токе 20 мА на нем падает напряжение 200 мВ, которое и измеряет АЦП. Миллиамперметр установлен в цепь истока и измеряет ток транзистора. Такое решение продиктовано невозможностью измерять ток в цепи стока, потому что на измерительных выводах миллиамперметра может присутствовать напряжение, превышающее питающее для микросхемы АЦП. Вольтметр включен между затвором и истоком, поэтому через делитель R5R6 будет протекать ток с максимальным значением не более 12мкА, что будет вызывать ошибку в показаниях миллиамперметра в одну единицу младшего разряда, которая оказывается несущественной.

Схема блока питания прибора изображена на рис. 4.

Рис. 4

Для понижения сетевого напряжения до 12 В используется трансформатор Т1. Далее переменное напряжение выпрямляется диодным мостом VD1 и фильтруется конденсаторами С1, С2. Стабилизаторами двухполярного напряжения +12/-12В служат микросхемы DA1, DA2. Двухполярное напряжение +5/-5 В стабилизирует микросхемы DA3 и DA4. Стабилизаторы включены последовательно для уменьшения падения напряжения на стабилизаторах DA3 и DA4. Схема двухполярного источника питания может быть любой другой; возможно даже использовать автономное питание, например от батарей «Корунд». Для этого потребуется добавить преобразователь напряжения батареи в необходимое для питания остальных узлов измерителя.

Рис. 5

Детали и конструкция. В приборе можно применить следующие детали. Резисторы R5-R7 — С2-29 или другие с допуском не более ±0,5 %, хотя номиналы могут отличаться от указанных на схеме; главное — стабильность сопротивления. Остальные резисторы — любые, например МЛТ0.125. Переменный резистор R2 — многооборотный, например, РП1-53 или предназначенный для прецизионной регулировки (по гру-боточной схеме) — СП5-35, СП5-40.

Если найти такой не удастся, резисторы R2 и R3 можно заменить аналогом — узлом из двух переменных и двух постоянных резисторов, как это сделано в моей конструкции. Схема такого узла изображена на рис. 5. Резистором R1 напряжение устанавливают грубо, a R2 — точно.

Светодиод можно заменить другими, например, из серий АЛ 102, АЛ307, КИПД, лучше красного цвета свечения. Диодные мосты — КЦ407 с любой буквой, вместо них можно применить отдельные кремниевые диоды с допустимым средним током не менее 200 мА в выпрямителе и 100 мА — в ограничителе тока. Для упрощения конструкции применены микросхемы интегральных стабилизаторов 7812, 7912, 7805 и 7905, отечественные аналоги которых — соответственно КР142ЕН8Б, КР1162ЕН12А, КР142ЕН5А и КР1162ЕН5А.

Реле — РЭС60 (исполнение РС4.569.435-07) или аналогичные с двумя контактными группами на переключение.

Сетевой трансформатор Т1 -любой, обеспечивающий выходные напряжения 2х 15 В и ток не менее 100 мА, его можно взять из сетевого адаптера мощностью не менее 6 Вт. Вторичную обмотку такого трансформатора перематывают для получения нужного двухполярного напряжения. Трансформатор и выпрямитель размещены в корпусе адаптера, а элементы стабилизатора расположены в корпусе прибора. Прибор соединяется с адаптером трехпроводным кабелем.

Весь измеритель сооран в корпусе одного из мультиметров. При изготовлении прибора мультиметры были вскрыты и после удаления ненужных частей плат объединены в одном корпусе, как показано на рис. 6.

Рис. 6

Лишние детали — резисторы делителя, переключатель и прочее — удаляют (поэтому поводом для изготовления такого прибора может быть неустранимый дефект переключателя подобного мультиметра). Оставляют только часть платы с микросхемой ICL7106, индикатором, элементами «обвязки» микросхемы и индикатора и кнопками включения, которые выполнят роль переключателей SB1, SB2. Печатные проводники, идущие к этим переключателям, должны быть обрезаны.

Нижнюю крышку мультиметра обработке не подвергают, а верхнюю придется доработать. У одного прибора крышку спиливают так, чтобы осталась только часть с индикатором и кнопкой. У второго вырезают середину там, где находится переключатель пределов, и на это место вклеивают вырезанную часть конструкции первого прибора. При вырезании частей от верхних крышек сохраняют стойки, в которые ввинчивают винты-саморезы, скрепляющие верхнюю и нижнюю крышки. Сверху, около кнопки, крепят резистор, регулирующий напряжение на затворе. Снизу устанавливают разъем для подключения полевых транзисторов. В качестве разъема использована цанговая панель для микросхем. Середину панели вырезают, и ряд контактов склеивают. Выбор цанговой панели обусловлен высокой износостойкостью.

В моей конструкции применена небольшая плата из фольгированного текстолита, на которой устанавливают панель, светодиод и реле. В свою очередь, плату двумя винтами крепят к лицевой панели. Лишние отверстия на лицевой панели заклеивают вырезанной по размеру пластиной из пластмассы или электрокартона, на которую приклеивают отпечатанную на принтере накладку, ее вид показан на рис. 7.

Рис. 7

Большинство транзисторов имеют цилиндрический корпус с меткой-ключом для определения выводов. Контакты разъема для подключения полевых транзисторов соединяются между собой согласно назначению таким образом, чтобы у каждого типа транзисторов было свое место без необходимости уточнять цоко-левку. В предлагаемом варианте транзисторы устанавливают ключом вверх. Соединения отдельного вывода корпуса транзисторов с истоком, а второго затвора транзисторов серий КП306, КП350 — со стоком обеспечивают через разъем перемычками между соответствующими гнездами. Внешний вид готового прибора показан на рис. 8.

Рис. 8

Перед первым включением прибора необходимо проверить значения выходных напряжений стабилизатора. Налаживание прибора заключается в настройке ограничителя тока и установке образцовых напряжений миллиамперметра и вольтметра. Для настройки ограничителя надо подключить образцовый миллиамперметр между контактами «С» и «И» разъема для подключения измеряемого транзистора, нажать на кнопку «Измерение» и подобрать резистор R1, добиваясь показаний 25…30 мА. Можно заранее подобрать транзистор по параметру ограничения тока, тогда резистор R1 заменяют перемычкой. Далее образцовый миллиамперметр последовательно с переменным резистором подсоединяют к этим же контактам, устанавливают ток 10 мА и резистором настройки образцового напряжения добиваются тех же показаний миллиамперметра прибора. Для настройки вольтметра образцовый вольтметр подключают к выводам «3» и «И», резистором прибора устанавливают напряжение затвора 10 В и резистором регулировки вольтметра прибора устанавливают те же показания.

Ввиду того что полевые транзисторы могут выйти из строя из-за статического электричества, может быть рекомендована следующая методика работы с прибором. Перед подключением все выводы полевого транзистора следует замкнуть проволочной перемычкой между собой. На приборе устанавливают тип проводимости канала (п- или р-канал), кнопка «Измерение» отжата. Полевой транзистор подключают к своему гнезду, перемычку с выводов снимают, нажимают на кнопку «Измерение» и контролируют его параметры. После измерения отжать кнопку, замкнуть выводы транзистора между собой и вынуть транзистор из панельки.

С помощью прибора легко диагностировать любой вид неисправности полевых транзисторов. Как показала практика, большинство неисправностей транзисторов сводится к большому току утечки затвора, пробою или обрыву канала либо внутреннему разрыву одного из выводов. Если при нажатии на кнопку «Измерение» напряжение на затворе уменьшится по сравнению с установленным, то имеет место утечка тока с затвора. Показания миллиамперметра не будут нулевыми при любом напряжении на затворе. Во всех других случаях невозможность измерить начальный ток стока и напряжение отсечки говорит о неисправности измеряемого полупроводникового прибора.

ЛИТЕРАТУРА

Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. — М.: Мир, 1983.
Садченков Д. А. Современные цифровые мультиметры. — М.: СОЛОН-Р, 2001.

Автор: В. Андрюшкевич, г. Тула

Дата публикации: 20.12.2007

Проверка мультиметром

Перед началом проверки на исправность полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности, с целью предотвращения выхода транзистора из строя. Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед их проверкой необходимо организовать заземление. Для снятия с себя накопленных статических зарядов, следует воспользоваться антистатическим заземляющим браслетом, надеваемым на руку. В случае отсутствия такого браслета можно просто коснуться рукой батареи отопления или других заземленных предметов.

Хранение полевых транзисторов, особенно с малой мощностью, должно осуществляться с соблюдением определенных правил. Одно из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период, находятся в замкнутом состоянии между собой. Конфигурация цоколей, то есть расположение выводов в различных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор по-английски означает Gate, сток – Drain, исток – Source, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. Если маркировка отсутствует необходимо воспользоваться специальным справочником или официальным документом от производителя электронных компонентов.

Проверку можно выполнить с помощью стрелочного омметра, но более удобной и эффективной будет прозвонка цифровым мультиметром, настроенным на тестирование p-n-переходов. Полученное значение сопротивления, отображаемое на дисплее, на пределе х100 численно будет соответствовать напряжению на р-п-переходе в милливольтах. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. Прежде всего нужно знать, что исправный транзистор обладает бесконечным сопротивлением между всеми его выводами. Прибор должен показывать такое сопротивление независимо от полярности щупов, то есть прикладываемого напряжения.

Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком. В результате, при решении задачи, как прозвонить полевой транзистор мультиметром, канал сток-исток, ведет себя аналогично обычному диоду. Отрицательным щупом черного цвета необходимо коснуться подложки – стоку D, а положительным красным щупом – вывода истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милливольт. В обратном смещении, когда транзистор закрыт, прибор будет показывать бесконечно высокое сопротивление.

Читать также: Маркировка электрических цепей гост

Далее, черный щуп остается на месте, а красный щуп касается вывода затвора G и вновь возвращается к выводу истока S. В этом случае мультиметр покажет значение, близкое к нулю, независимо от полярности приложенного напряжения. Транзистор откроется в результате прикосновения. Некоторые цифровые устройства могут показывать не нулевое значение, а 150-170 милливольт.

Если после этого, не отпуская красного щупа, коснуться черным щупом вывода затвора G, а затем возвратить его к выводу подложки стока D, то в этом случае произойдет закрытие транзистора, и мультиметр вновь отобразит падение напряжения на диоде. Такие показания характерны для большинства п-канальных устройств, используемых в видеокартах и материнских платах. Проверка р-канальных транзисторов осуществляется таким же образом, только со сменой полярности щупов мультиметра.

Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя. Расскажем (не перегружая теорией), как проверить работоспособность различных типов транзисторов (npn, pnp, полярных и составных) пользуясь тестером или мультиметром.

Прибор для проверки мощных IGBT и MOSFET транзисторов (n-канал)

Прибор для проверки мощных
IGBTиMOSFETтранзисторов (n-канал)
Такая необходимость возникает каждый раз при ремонте сварочного инвертора – необходимо проверить мощный IGBT или MOSFET транзистор на предмет исправности, либо подобрать к исправному транзистору пару, либо при покупке новых транзисторов, убедиться, что это не «перемаркер». Существуют, конечно, методики для проверки транзисторов при помощи цифрового тестера, они всем известны, я ими тоже пользовался. Но некоторые транзисторы вообще нельзя проверить при помощи тестера, транзистор просто не открывается. Эта тема неоднократно поднималась на множестве форумов, но так и не найдя готового (испытанного) или кем то сконструированного прибора, решил изготовить его самостоятельно.

Идея состоит в том, что необходимо иметь какую-то базу данных различных типов транзисторов, с которой сравнивать характеристики испытываемого транзистора, и если характеристики укладываются в определенные рамки, то его можно считать исправным. Все это делать по какой-то упрощенной методике и простым оборудованием. Необходимую базу данных придется собирать конечно же самому, но это все решаемо.

Прибор позволяет:

— определить исправность (неисправность) транзистора

— определить напряжение на затворе, необходимое для полного открытия транзистора

— определить относительное падение напряжения на К-Э выводах открытого транзистора

— определить относительную емкость затвора транзистора, даже в одной партии транзисторов есть разброс и его косвенно можно увидеть

— подобрать несколько транзисторов с одинаковыми параметрами

Принципиальная схема прибора представлена на рисунке. Он состоит из источника питания 16В постоянного тока, цифрового милливольтметра 0-1В, стабилизатора напряжения +5В на LM7805 для питания этого милливоль, Стабилизатора тока на лампе – для питания испытуемого транзистора, стабилизатора тока на LM317 — для создания регулируемого напряжения (при стабильном токе) на затворе испытуемого транзистора при помощи переменного резистора, и двух кнопок для открытия и закрытия транзистора.

Или так, покрасивше будет

Прибор очень прост по устройству и собран из общедоступных деталей. У меня в наличии был какой-то трансформатор с габаритной мощностью около 40Вт и напряжением на вторичной обмотке 12В. При желании, и в случае необходимости прибор можно питать от АКБ 12В / 0,6 Ач.(например). Так же был в наличии китайский цифровой вольтметр-показометр с пределом измерения 0-1В.

Я решил использовать питание от сети 220В, т. к на рынок для покупок с прибором не сильно пойдешь, да и сеть все же стабильнее, чем «севший» АКБ. Но… дело вкуса.

Далее, изучая и адаптируя вольтметр, обнаружил интересную его особенность, если на его клеммы L0 и HI подать напряжение, превышающее его верхний порог измерения (1В), то табло просто тухнет и он ничего не показывает, но стоит снизить напряжение и все возвращается к нормальной индикации (это все при постоянном питании +5В между клеммами 0V и 5V). Я решил использовать эту особенность. Думаю, что очень многие цифровые «показометры» имеют такую же особенность. Взять, к примеру, любой китайский цифровой тестер, если в режиме 20В на него подать 200В, то ничего страшного не произойдет, он лишь только высветит «1» и все. Такие табло, подобные моему сейчас есть в продаже.

Дальше расскажу о четырех интересных моментах по схеме и ее работе:

1. Применение лампы накаливания в цепи коллектора испытуемого транзистора обусловлено стремлением (первоначально было такое желание) визуально видеть, что транзистор ОТКРЫЛСЯ. Кроме того, лампа выполняет здесь еще 2 функции, это защита схемы при подключении «пробитого» транзистора и некоторая стабилизация тока (54-58 mA), протекающего через транзистор при изменении сети от 200 до 240В. Но «особенность» моего вольтметра позволила первую функцию игнорировать, при этом даже выиграв в точности измерений, но об этом позже…

2. Применение стабилизатора тока на LM317 позволило НЕ сжечь случайно переменный резистор (когда он в верхнем по схеме положении) и случайно нажатых двух кнопках одновременно, или при испытании «пробитого» транзистора. Величина ограниченного тока в этой цепи даже при коротком замыкании равна12 mA.

3. Применение 4 шт диодов IN4148 в цепи затвора испытуемого транзистора для медленного разряда емкости затвора транзистора, когда напряжение на его затворе уже снято, а транзистор находится еще в открытом состоянии. Диоды имеют какой-то ничтожный ток утечки, которым и разряжается емкость.

4. Применение «моргающего» светодиода в качестве измерителя времени (световые часы) при разряде емкости затвора.

Из всего вышесказанного становится абсолютно понятно, как все работает, но об этом чуть позже более подробно…

Далее был приобретен корпус и все эти комплектующие расположены внутри.

Внешне получилось даже не плохо, за исключением того, что не умею я пока рисовать шкалы и надписи на компьютере, но… В качестве гнезд для испытуемых транзисторов замечательно подошли остатки каких то разъемов. Одновременно был изготовлен выносной кабель для транзисторов с «корявыми» ногами, которые не влезут в разъем.

Ну и вот так это выглядит в работе:

Как этим прибором работать

1. Включаем прибор в сеть, при этом начинает моргать светодиод, «показометр» не светится

2. Подключаем испытуемый транзистор (как на фото выше)

3. Устанавливаем ручку регулятора напряжения на затворе в крайнее левое положение (против часовой стрелки), задав таким образом «ноль» Вольт на затворе транзистора.

4. Нажимаем на кнопку «Откр» и одновременно потихоньку прибавляем регулятор напряжения по часовой стрелке, увеличивая напряжение на затворе транзистора до момента зажигания «показометра»

5. Останавливаемся, отпускаем кнопку «Откр», снимаем показания с регулятора и записываем. Это есть напряжение открытия.

6. Поворачиваем регулятор до упора по часовой стрелке

7. Нажимаем кнопку «Откр», зажжется «показометр», снимаем с него показания и записываем. Это есть напряжение К-Э на открытом транзисторе

8. Возможно, что за время, потраченное на записи, транзистор уже закрылся, тогда открываем его еще раз кнопкой, и после этого отпускаем кнопку «Откр» и нажимаем кнопку «Закр» — транзистор должен закрыться и «показометр» соответственно потухнуть. Это есть проверка целостности транзистора – открывается и закрывается

9. Опять открываем транзистор кнопкой «Откр» (регулятор напряжения в максимуме) и, дождавшись ранее записанных показаний, отпускаем кнопку «Откр» одновременно начиная подсчитывать количество вспышек (морганий) светодиода

10. Дождавшись потухания «показометра» записываем количество вспышек светодиода. Это и есть относительное время разряда емкости затвора транзистора или время закрытия (до увеличения падения напряжения на закрывающемся транзисторе более чем 1В). Чем это время (количество) больше, тем соответственно емкость затвора больше.

Дальше проверяем все имеющиеся транзисторы, и все данные сводим в таблицу.

Именно из этой таблицы и происходит сравнительный анализ транзисторов – , соответствуют своим характеристикам или нет.

Ниже приведена таблица, которая получилась у меня. Желтым выделены транзисторы, которых не оказалось в наличии, но я ими точно когда то пользовался, поэтому оставил их на будущее. Безусловно, в ней представлены не все транзисторы, которые проходили через мои руки, кое что просто не записал, хотя пишу вроде всегда. Безусловно у кого то при повторении этого прибора может получиться таблица с несколько иными цифрами, это возможно, т. к цифры зависят от многих вещей: от имеющейся лампочки или трансформатора или АКБ, например.

Из таблицы видно, чем отличаются, транзисторы, например G30N60A4 от GP4068D. Отличаются временем закрытия. Оба транзистора применяются в одном и том же аппарате – Телвин, Техника 164, только первые применялись немного раньше (года 3, 4 назад), а вторые применяются сейчас. Да и остальные характеристики по ДАТАШИТ у них приблизительно одинаковы. А в данной ситуации все наглядно видно – все налицо.

Получить полный текст

Кроме того, если у Вас получилась табличка всего из 3-4 или 5 типов транзисторов, и остальных просто нет в наличии, то можно, наверное, посчитать коэффициент «согласованности» ваших цифр с моей таблицей и, используя его, продолжить свою таблицу, используя цифры из моей таблицы. Думаю, что зависимость «согласованности» в этой ситуации будет линейной. Для первого времени, наверное хватит, а потом подкорректируете свою таблицу со временем.

На этот прибор я потратил около 3 дней, один из которых покупал некоторую мелочевку, корпус и еще один на настройку и отладку. Остальное работа.

Безусловно, в приборе возможны варианты исполнения: например применение более дешевого стрелочного милливольтметра (необходимо подумать об ограничении хода стрелки вправо при закрытом транзисторе), использовании вместо лампочки еще одного стабилизатора на LM317, применении АКБ, установить дополнительно переключатель для проверки транзисторов с p-каналом и т. д. Но принцип при этом в приборе не изменится.

Еще раз повторюсь, прибор не измеряет величин (цифр) указанных в ДАТАШИТАХ, он делает почти то же самое, но в относительных единицах, сравнивая один образец с другим. Прибор не измеряет характеристик в динамическом режиме, это только статика, как обычным тестером. Но и тестером не все транзисторы IGBT поддаются проверке, да и не все параметры можно увидеть. Некоторые транзисторы вообще нельзя открыть при помощи тестера. На таких я обычно ставлю маркером знак вопроса_______??? Можно соорудить и проверку в динамике, поставить маленький ШИМ на К176 серии, или что-то подобное. Но прибор вообще простой и бюджетный, а главное, он привязывает всех испытуемых к одним рамкам.

Ну, вкратце, где то так.

Зато все получилось очень просто.

В радиолюбительских конструкциях все чаще встречаются полевые транзисторы (ПТ), особенно в схемах УКВ аппаратуры. Но многие отказываются от их сборки, хотя схемы простые, проверенные временем, так как в них применяются ПТ к которым предъявляются особые требования по описанию схем. В журналах и интернете описано много приборов и испытателей ПТ (5,6), но они сложны, ведь в домашних условиях сложно измерить основные параметры ПТ. Приборы для испытания ПТ очень дороги и покупать их ради подбора двух, трех ПТ нет смысла.

Схема испытателя для полевых транзисторов (уменьшенная)

В домашних условиях возможно измерить, приблизительно, основные параметры ПТ и подобрать их. Для этого необходимо иметь как минимум два прибора, одним из которых измеряют ток, а другим напряжение, и два источника питания. Собрав схему (1, 2) вначале необходимо резистором R1 установить нулевое напряжение на затворе VT1, движок R1 в нижнем положение резистором R2 установить напряжение сток-исток Uси VT1 по справочнику, для проверяемого транзистора, обычно 10-12 вольт. Затем подключают прибор PA2, переведенный в режим измерения тока, в цепь стока и снимают показание, Iс.нач это начальный ток стока, его еще называют током насыщения ПТ при заданном напряжение сток-исток и нулевом напряжение затвор-исток. Затем медленно перемещая движок R1 за показанием PA2 и как только ток упадет практически до нуля (10-20 мкА) измерить напряжение между затвором и истоком, данное напряжение будет напряжением отсечки Uотс..

Чтобы измерить крутизну характеристики SмА/В ПТ нужно снова устанавливают нулевое напряжение Uзи резистором R1, PA2 покажет Iс.нач. Резистором R1 так же медленно увеличивают напряжение Uзи до одного вольта по PA1, для упрощения расчета, PA2 покажет меньший ток Ic.измер. Если теперь разность двух показаний PA2 разделить на напряжение Uзи получившийся результат будет соответствовать крутизне характеристики:

SмА/В=Iс.нач — Iс.измер/Uзи.

Так проверяются транзисторы с управляющим с p-n переходом и каналом p-типа, для ПТ n-типа нужно поменять полярность включения Uпит на обратное.

Существуют также полевые транзисторы с изолированным затвором. Существуют две разновидности МДП-транзисторов с индуцированным и со встроенным каналами.

Транзисторы первого типа можно использовать только в режиме обогащения. Транзисторы второго типа могут работать как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП-транзисторами или МОП-транзисторами (металл — оксид- полупроводник).

В МОП-транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями истока и стока и, следовательно, заметный ток стока появляются только при определенной полярности и при определенном значении напряжения на затворе относительно истока (отрицательного при р-канале и положительного при n-канале). Это напряжение называют пороговым (Uпор). Так как появление и рост проводимости индуцированного канала связаны с обогащением его основными носителями заряда, эти транзисторы могут работать только в режиме обогащения.
В МОП — транзисторах со встроенным каналом проводящий канал, изготавливается технологическим путем, образуется при напряжении на затворе равном нулю. Током стока можно управлять, изменяя значение и полярность напряжения между затвором и истоком. При некотором положительном напряжении затвор — исток транзистора с р — каналом или отрицательном напряжении транзистора с n -каналом ток в цепи стока прекращается. Это напряжение называют напряжением отсечки (Uотс ). МОП — транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения канала основными носителями заряда.

Работа МОП-транзистора с индуцированным p-каналом. При отсутствии смещения (Uзи = 0; Uси = 0) приповерхностный слой полупроводника обычно обогащен электронами. Это объясняется наличием положительно заряженных ионов в пленке диэлектрика, что является следствием предшествующего окисления кремния и фотолитографической его обработки.

Напряжение на затворе, при котором индуцируется канал, называют пороговым напряжением Unoр. Так как канал возникает постепенно, по мере увеличения напряжения на затворе, то для исключения неоднозначности в его определении обычно задается определенное значение тока стока, при превышении которого считается, что потенциал затвора достиг порогового напряжения Unop.

В транзисторах с встроенным каналом ток в цепи стока будет протекать и при нулевом напряжении на затворе. Для прекращения его необходимо к затвору приложить положительное напряжение (при структуре с каналом p-типа), равное или большее напряжения отсечки Uотc.
При приложении отрицательного напряжения канал расширяется и ток увеличивается. Таким образом, МДП-транзисторы с встроенными каналами работают как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения.

Иногда в структуре полевого МОП транзистора между истоком и стоком присутствует встроенный диод. На работу транзистора диод не влияет, поскольку в схему он включен в обратном направлении. В последних поколениях мощных МОП-транзисторов встроенный диод используется для защиты транзистора.

Основными параметрами полевых транзисторов считаются;

1. Начальный ток стока Iс.нач — ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю. Измеряют при заданном для транзистора данного типа значении постоянного напряжения Uси.

2. Остаточный ток стока Iс.ост — ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки.

3. Ток утечки затвора Iз.ут — ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.

4. Обратный ток перехода затвор — сток Iзс.о — ток, протекающий в цепи затвор — сток при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами.

5. Обратный ток перехода затвор — исток Iзи.о — ток, протекающий в цепи затвор — исток при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами.

6. Напряжение отсечки Uотс — напряжение между затвором и истоком транзистора с р-n переходом или изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (обычно 10 мкА).

7. Пороговое напряжение полевого транзистора Uпор — напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (обычно 10 мкА).

8. Крутизна характеристик полевого транзистора S — отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.

Для этих измерений необходимо ввести еще и переключатель полярности напряжения между затвором и истоком. Комутируя этим переключателем полярность подаваемую на затвор проверяемого транзистора измеряют параметры ПТ. Процедура довольно долгая, а как быть если в наличие только один тестер. И в этом случае возможно проверить полевой транзистор, процесс проверки тот же что и описан выше, но только еще более длительный, так как нужно будет сделать очень много переключений и других операций. Такой способ для проверки и подборки ПТ не пригоден при покупке в магазинах и радиорынках.

Как известно собрать вольтметр постоянного тока намного проще чем миллиамперметр, имея одну и туже головку, а комбинированные приборы есть у каждого радиолюбителя, даже у начинающих. Собрав прибор по схеме приведенной на рисунке, можно значительно облегчить процедуру проверки ПТ во много раз. Данный прибор могут сделать даже начинающие радиолюбители не имеющие опыта работы с ПТ. Прибор питается от 9 вольт от стабилизированного преобразователя напряжения собранной по схеме из журнала Радио (3).

Принцип измерений параметров ПТ. Установив переключатели SA1-SA3, SB2 в нужное полжения, в зависимости от типа и канала проверяемого ПТ, подключают любой тестер, стрелочный или цифровой (предпочтительней), в гнезда XS1, XS2, переведенном в режим измерения постоянного тока, к гнездам XS3 подключить в соответствие с цоколем ПТ и включают прибор переключателем SA4.

Все компоненты прибора установлены в подходящий корпус, размер которого зависит от размеров компонентов и примененной головки PA1. На лицевой стороне расположены PA1, SA1-SA3, XS1-XS2, R1, R2 с соответствующими надписями обозначающими функции. Преобразователь установлен в корпусе прибора, из которого выведен разъем для подключения к батарейке GB1.

Таблица данных для проверки IGBT и MOSFET транзисторов
Марка	Напряжение	Напряжение (К-Э)	Время
транзистора	открытия	на открытом	Закрытия
(n-канал)	транзисторе	(кол-во
( В )	( миливольт )	вспышек)
G12N60A4
G20N60	6	577	8
G20N60A4	8	658	7
G20N60С3	2	9	16
G30N60A4	7	637	13
G80N60	6	628	12
G160N60	6,5	597	16
K20N60HS	6	557	8
K30N60HS	6,5	525	11
GP40N60D
GP4062D	8	580	3
GP4063D	7,5	540	5
GP4068D	6,5	545	5
G4PC50W	6,5	624	10
IRGP50B60PD1	6,2	481	13
IRGPS30N60K
RJH60F5	8	620	5
FGh50N60	7	555	7
FGH60N60	6,5	532	12
К2698	5	22	3
K2837	5	12	4
2SK1081
2SK1082	6	120	4
K2611
K4N90	6	209	2
6NK90ZFP	6	111	4
IRFP 450	5	20	10
IRFP 460	5	13	13
IRFP 460А	5	11	8
W20N60	6	26	4
W26NМ60	6,2	7	3
W29NK50Z	5,5	6	9
IXTQ22N50P	6	14	5
IXTQ36N50P	6,5	8	8
IXGH60N60C2	6	620	11
IRFPE40	6	83	8
IRF730	5	53	3
IRF740	5	29	5
IRFZ24N	5	7	2
IRFZ34N	4,5	5	3
IRFZ48	5,2	5	6

С чего начать?

Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики. Сделать это можно по маркировке. Узнав ее, не составит труда найти техническое описание (даташит) на тематических сайтах. С его помощью мы узнаем тип, цоколевку, основные характеристики и другую полезную информацию, включая аналоги для замены.

Например, в телевизоре перестала работать развертка. Подозрение вызывает строчный транзистор с маркировкой D2499 (кстати, довольно распространенный случай). Найдя в интернете спецификацию (ее фрагмент показан на рисунке 2), мы получаем всю необходимую для тестирования информацию.

Рисунок 2. Фрагмент спецификации на 2SD2499

Большая вероятность, что найденный даташит будет на английском, ничего страшного, технический текст легко воспринимается даже без знания языка.

Определив тип и цоколевку, выпаиваем деталь и приступаем к проверке. Ниже приведены инструкции, с помощью которых мы будем тестировать наиболее распространенные полупроводниковые элементы.

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Это наиболее распространенный компонент, например серии КТ315, КТ361 и т.д.

С тестированием данного типа проблем не возникнет, достаточно представить pn переход в как диод. Тогда структуры pnp и npn будут иметь вид двух встречно или обратно подключенных диодов со средней точкой (см. рис.3).

Рисунок 3. «Диодные аналоги» переходов pnp и npn

Присоединяем к мультиметру щупы, черный к «СОМ» (это будет минус), а красный к гнезду «VΩmA» (плюс). Включаем тестирующее устройство, переводим его в режим прозвонки или измерения сопротивления (достаточно установить предел 2кОм), и приступаем к тестированию. Начнем с pnp проводимости:

Присоединяем черный щуп к выводу «Б», а красный (от гнезда «VΩmA») к ножке «Э». Смотрим на показания мультиметра, он должен отобразить величину сопротивления перехода. Нормальным считается диапазон от 0,6 кОм до 1,3 кОм.
Таким же образом проводим измерения между выводами «Б» и «К». Показания должны быть в том же диапазоне.

Если при первом и/или втором измерении мультиметр отобразит минимальное сопротивление, значит в переходе(ах) пробой и деталь требует замены.

Меняем полярность (красный и черный щуп) местами и повторяем измерения. Если электронный компонент исправный, отобразится сопротивление, стремящееся к минимальному значению. При показании «1» (измеряемая величина превышает возможности устройства), можно констатировать внутренний обрыв в цепи, следовательно, потребуется замена радиоэлемента.

Тестирование устройства обратной проводимости производится по такому же принципу, с небольшим изменением:

Красный щуп подключаем к ножке «Б» и проверяем сопротивление черным щупом (прикасаясь к выводам «К» и «Э», поочередно), оно должно быть минимальным.
Меняем полярность и повторяем измерения, мультиметр покажет сопротивление в диапазоне 0,6-1,3 кОм.

Отклонения от этих значений говорят о неисправности компонента.

Проверка работоспособности полевого транзистора

Этот тип полупроводниковых элементов также называют mosfet и моп компонентами. На рисунке 4 показано графическое обозначение n- и p-канальных полевиков в принципиальных схемах.

Рис 4. Полевые транзисторы (N- и P-канальный)

Для проверки этих устройств подключаем щупы к мультиметру, таким же образом, как и при тестировании биполярных полупроводников, и устанавливаем тип тестирования «прозвонка». Далее действуем по следующему алгоритму (для n-канального элемента):

Касаемся черным проводом ножки «с», а красным – вывода «и». Отобразится сопротивление на встроенном диоде, запоминаем показание.
Теперь необходимо «открыть» переход (получится только частично), для этого щуп с красным проводом соединяем с выводом «з».
Повторяем измерение, проведенное в п. 1, показание изменится в меньшую сторону, что говорит о частичном «открытии» полевика.
Теперь необходимо «закрыть» компонент, с этой целью соединяем отрицательный щуп (провод черного цвета) с ножкой «з».
Повторяем действия п. 1, отобразится исходное значение, следовательно, произошло «закрытие», что говорит об исправности компонента.

Читать также: Паяльник для радиаторов медный

Для тестирования элементов p-канального типа последовательность действий остается той же, за исключением полярности щупов, ее нужно поменять на противоположную.

Заметим, что биполярные элементы, у которых изолированный затвор (IGBT), тестируются также, как описано выше. На рисунке 5 показан компонент SC12850, относящийся к этому классу.

Рис 5. IGBT транзистор SC12850

Для тестирования необходимо выполнить те же действия, что и для полевого полупроводникового элемента, с учетом, что сток и исток последнего будут соответствовать коллектору и эмиттеру.

В некоторых случаях потенциала на щупах мультиметра может быть недостаточно (например, чтобы «открыть» мощный силовой транзистор), в такой ситуации понадобится дополнительное питание (хватит 12 вольт). Подключать его нужно через сопротивление 1500-2000 Ом.

Настройка испытателя полевых транзисторов

Налаживание прибора практически не требуется. Правильно собранный преобразователь, из исправных деталей, начинает работать сразу, выходное напряжение 15 В устанавливают подстроечным резистором R4 контролируя напряжение вольтметром.

Затем движки резисторов R1, R2 устанавливают в нижнее по схеме положение, что соответствует нулевым напряжениям. Переключатель SA3 переводят в положение 1,5 В, а SA2 в положение Uзи. Подключив контрольный вольтметр к движку R1 перемещают его контролируя показание PA1 по контрольному вольтметру и если оно отличается подбирают сопротивление резистора R3. После подбора резистора R3 переключают SA3 в положение 15 В и далее перемещают движок R3 контролируя напряжение и если оно также не соответствует подбирают R4. Таким образом настраивают внутренний вольтметр прибора. После всех настроек закрывают заднюю крышку, прибор готов к работе.

Как показывает практика, для радиолюбителя важны следующие положения:

1. Проверить исправность ПТ. Для этого обычно достаточно убедиться, что параметры его стабильны, не «плывут» и находятся в пределах справочных данных.

2. Выбрать по определенным характеристикам из имеющихся у радиолюбителя всего нескольких экземпляров ПТ те, что больше подходят для применения в собираемой схеме. Обычно здесь работает качественный принцип «больше — меньше».

Например, нужен полевой транзистор с большей S или меньшим напряжением отсечки. И из нескольких экземпляров выбирают тот, у которого лучше (больше или меньше) выбранный показател. Таким образом, высокая точность измеряемых параметров на практике часто не столь важна, как можно было бы думать. Тем не менее, предлагаемый прибор позволяет с достаточно высокой точностью проверить работоспособность и важнейшие характеристики ПТ.

Проверка составного транзистора

Такой полупроводниковый элемент еще называют «транзистор Дарлингтона», по сути это два элемента, собранные в одном корпусе. Для примера, на рисунке 6 показан фрагмент спецификации к КТ827А, где отображена эквивалентная схема его устройства.

Рис 6. Эквивалентная схема транзистора КТ827А

Проверить такой элемент мультиметром не получится, потребуется сделать простейший пробник, его схема показана на рисунке 7.

Рис. 7. Схема для проверки составного транзистора

Обозначение:

Т – тестируемый элемент, в нашем случае КТ827А.
Л – лампочка.
R – резистор, его номинал рассчитываем по формуле h31Э*U/I, то есть, умножаем величину входящего напряжения на минимальное значение коэффициента усиления (для КТ827A – 750), полученный результат делим на ток нагрузки. Допустим, мы используем лампочку от габаритных огней автомобиля мощностью 5 Вт, ток нагрузки составит 0,42 А (5/12). Следовательно, нам понадобится резистор на 21 кОм (750*12/0,42).

Тестирование производится следующим образом:

Подключаем к базе плюс от источника, в результате должна засветиться лампочка.
Подаем минус – лампочка гаснет.

Такой результат говорит о работоспособности радиодетали, при других результатах потребуется замена.

составитель. В.А. Никитин

«В помощь радиолюбителю» Выпуск 20

Глава 1 ПРИЕМНИКИ БЕЗ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ

1.1. Первый радиоприемник

Андерсон И. [1]

Любой радиоприемник должен содержать антенну, частотный селектор, детектор и звуковоспроизводящее устройство. Антенна предназначена для приема сигналов высокой частоты, излучаемых разными радиостанциями. Частотный селектор служит для выделения одного радиосигнала из всех остальных. Детектор необходим, чтобы из высокочастотного промодулированного сигнала выделить огибающую, которая представляет собой сигнал звука. А звуковоспроизводящее устройство преобразует электрические колебания в колебания воздуха.

Предлагаемый радиоприемник содержит все перечисленные компоненты. Его принципиальная схема приведена на рис. 1.

Рис. 1.Принципиальная схема первого радиоприемника

Если использовать наружную антенну WA1, обязательно необходимо хорошее заземление, с которым нужно соединять антенну во время грозы. Но наружная антенна не обязательна, и можно использовать магнитную антенну из ферритового стержня диаметром 8 мм и длиной около 100 мм. На него наматывается несколько слоев бумаги, последний слой которой приклеивается. Намотка катушки L1 производится между щечками по 50 витков в каждой секции (всего 250 витков) проводом ПЭЛШО диаметром 0,12 мм, как показано на рис. 2.

Рис. 2.Эскиз магнитной антенны

Детектор собран на диоде VD1 с нагрузкой — головными телефонами BF1. Конденсатор С3 отфильтровывает высокочастотную составляющую продетектированного сигнала. Настройка на радиостанции производится конденсатором переменной емкости С2.

1.2. Улучшенный детекторный приемник

Андерсон И

.
[2]
Этот радиоприемник также является детекторным и не нуждается в питании от батарей или других источников питания. Тем не менее, если поблизости расположена мощная радиостанция, можно получить громкоговорящий прием. Принципиальная схема приемника представлена на рис. 3.

Рис. 3.Принципиальная схема громкоговорящего приемника

Главное отличие этой схемы состоит в применении двухполупериодного детектора, собранного на транзисторах VT1 и VT2, обладающего более высоким коэффициентом передачи по сравнению с диодным однополупериодным детектором. Кроме того, в этой схеме используется выходной трансформатор Т2, позволяющий применить низкоомную динамическую головку ВА1. Более сложной оказалась магнитная антенна, катушки которой расположены в соответствии с рис. 4.

Рис. 4.Расположение катушек магнитной антенны

Все катушки расположены на ферритовом стержне диаметром 10 мм, длиной 150 мм и намотаны проводом ПЭВ-2 диаметром 0,35 мм за исключением обмоток III и IV. Катушка I, рассчитанная на диапазон средних волн, содержит две секции 1а и 1б по 18 витков в каждой. Обмотка II содержит 30 витков с отводом от середины. Обмотки III и IV содержат по 10 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,45 мм. Для длинноволнового диапазона обмотка I должна содержать по 63 витка провода ПЭВ-2 диаметром 0,18 мм в каждой секции.

Транзисторы должны быть германиевыми, типа ГТ109 или ГТ309, с одинаковыми значениями статического коэффициента передачи тока. Трансформатор Т2 берется от абонентского трансляционного громкоговорителя. Динамическая головка — типа ЗГД-38Е.

1.3. Громкоговорящий детекторный приемник

Поляков В. [3]

Громкоговорящий радиоприемник, вовсе не получающий электропитания, создать невозможно. В качестве источника питания в таких приемниках используют энергию электромагнитного поля радиостанций. Уровень полученной энергии зависит от габаритов приемной антенны. Поэтому при использовании антенны разумных размеров приходится создавать крайне экономичную схему приемника. Такая схема приведена на рис. 5.

Рис. 5.Принципиальная схема громкоговорящего детекторного приемника

К антенне WA1 подключен последовательный колебательный контур, образованный конденсатором переменной емкости С1 и контурной катушкой индуктивности L1. Сигнал частотой, равной резонансной частоте контура, создает на катушке L1 падение напряжения, которое в Q раз больше напряжения на выходе антенны, где Q — добротность контура. Огибающая промодулированного сигнала выделяется детектором, образованным диодом VD1 и конденсатором С2.

Переменная составляющая продетектированного напряжения через конденсаторы С3 и С4 поступает на базы транзисторов выходного усилительного каскада, а постоянная составляющая через дроссель L2 заряжает накопительный конденсатор С5, от которого питаются транзисторы выходного усилителя. Усилитель работает в режиме класса АВ на комплементарной паре транзисторов VT1 и VT2, включенных по схеме с общим коллектором. Динамическая головка ВА1 подключена к выходу усилителя с помощью выходного трансформатора Т1 через разделительный конденсатор С6.

Глава 2 Металлоискатели

2.1. Простейший металлоискатель

Борноволоков Э. [4]

Предлагаемый металлоискатель представляет собой генератор звуковой частоты, собранный на одном транзисторе по схеме, показанной на рис. 6.

Рис. 6.Принципиальная схема простейшего металлоискателя

Генератор собран на транзисторе Т1 по схеме с общим эмиттером и индуктивной обратной связью. Для этого используется трансформатор звуковой частоты Тр1, в базовую обмотку которого включен конденсатор С1, емкость которого подбирается в целях получения звука приемлемого тона.

В цепь коллекторного тока включен телефонный капсюль Тлф, воспроизводящий звук. Питание схемы производится от батареи Б1 типа 3336Л.

Стальной сердечник трансформатора собирается только из Ш-образных пластин, которые набраны в пакет с одинаковым расположением всех пластин. Пластины типа «лапша» удаляются. Выводы трансформатора собираются в жгут длиной около метра. Если открытую часть сердечника трансформатора приблизить к металлу, частота звука, воспроизводимого телефонным капсюлем, изменяется.

2.2. Транзисторный искатель

Гордеев В. [5]

Этот прибор предназначен для обнаружения скрытой электропроводки во избежание ее повреждения или короткого замыкания во время сверления отверстий в стенах. Попадание сверла в токонесущий провод может также привести к поражению электрическим током. Поэтому перед сверлением стен целесообразно использовать такие приборы. Принципиальная схема предлагаемого искателя изображена на рис. 7.

Рис. 7.Принципиальная схема транзисторного искателя

Истоковый повторитель, собранный на транзисторе V1, обладает очень большим входным сопротивлением и чувствителен к слабым наводкам на щуп W1. Эти наводки с частотой переменного тока 50 Гц сначала усиливаются двухкаскадным усилителем на транзисторах V2 и V3, включенных по схеме с общим эмиттером, после чего усиливаются по току транзистором V4, который включен по схеме с общим коллектором. В его эмиттерную цепь включен телефонный капсюль, воспроизводящий звук. Переменный резистор R6 позволяет регулировать начальное напряжение на затворе полевого транзистора.

В процессе эксплуатации, перемещая щуп по поверхности стены, можно достаточно точно определить местоположение скрытых проводов электросети.

2.3. Искатель скрытой проводки

Борисов А. [6]

Этот достаточно простой прибор также позволяет легко определить место прохождения в стене скрытой электрической проводки. Принципиальная схема искателя приведена на рис. 8. Она содержит всего три транзистора.

Рис. 8.Принципиальная схема искателя скрытой проводки

На комплементарной паре транзисторов VT1 и VT3 собран импульсный генератор, который после подачи питания тумблером SB1 заперт благодаря открытому состоянию транзистора VT2. Но если на затвор этого транзистора поступит наводка от близко расположенных проводов электросети, он запрется и генератор начнет работать. В результате начнутся вспышки светодиода HL1. Питание схемы осуществляется от батареи «Крона» напряжением 9 В.

Устройство вместе с батареей помещается в пластмассовый футляр с выступающим щупом. На одной из стенок устанавливается тумблер включения питания и светодиод.

2.4. Простой металлоискатель на микросхеме [7]

Этот металлоискатель собран по классической схеме с использованием двух генераторов и биений между колебаниями, которые они генерируют. Принципиальная схема этого металлоискателя приведена на рис. 9.

Рис. 9.Принципиальная схема металлоискателя на микросхеме

Схема содержит два почти одинаковых LC-генератора, первый из которых собран на элементах DD1.1 и DD1.2, а второй — на элементах DD1.3 и DD1.4. При включении питания первый генератор самовозбуждается на резонансной частоте последовательного колебательного контура L1, С1, который настроен на 465 кГц. Частота колебаний второго контура определяется индуктивностью поисковой катушки L2 и емкостью конденсатора С2, который позволяет настроить второй генератор на частоту, близкую к частоте 465 кГц. Сигналы с выходов генераторов через конденсаторы СЗ и С4 поступают на детектор с удвоением напряжения, собранный на диодах VD1 и VD2. Детектор нагружен головными телефонами BF1, которыми воспроизводится частота биений.

Как проверить однопереходной транзистор

В качестве примера приведем КТ117, фрагмент из его спецификации показан на рисунке 8.

Рис 8. КТ117, графическое изображение и эквивалентная схема

Проверка элемента осуществляется следующим образом:

Переводим мультиметр в режим прозвонки и проверяем сопротивление между ножками «Б1» и «Б2», если оно незначительное, можно констатировать пробой.

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Этот вопрос довольно актуальный, особенно в тех случаях, если необходимо тестировать целостность smd элементов. К сожалению, только биполярные транзисторы можно проверить мультиметром не выпаивая из платы. Но даже в этом случае нельзя быть уверенным в результате, поскольку не редки случаи, когда p-n переход элемента зашунтирован низкоомным сопротивлением.

При проведении ремонтных работ электронной техники, возникает вопрос проверки функционального состояния тех или иных полупроводниковых элементов. Решение этой проблемы сильно облегчает наличие специализированных приборов, однако, во многих случаях вполне можно обойтись и без них.

Есть ряд способов, как проверить транзистор мультиметром без использования сложных приборов и каких-либо дополнительных электрических схем. Рассматриваются алгоритмы проверки различных типов транзисторов.

Проверка trz (транзистора), равно как и любого другого элемента схемы, начинается с определения его типа. Эту информацию несложно найти в интернете. У опытного мастера всегда есть под рукой ссылки на проверенные ресурсы. Если таковых нет, то, обычно достаточно вбить маркировку компонента в поисковой системе и нужная информация найдется уже на первой странице поисковой выдачи. Наиболее распространенные типы транзисторов: биполярные, полевые, составные, однопереходные. Определив тип элемента, можно начинать его функциональную проверку.

Биполярный транзистор

Наиболее распространенные транзисторы. Используются в основном в схемах усиления или генерации сигнала: в усилителях, генераторах, модуляторах, инверторах и т. д. Бывают двух типов: p-n-p и n-p-n. Не углубляясь в структуру полупроводникового прибора, достаточно будет сказать, что каждый p-n переход представляет собой диод. Строго говоря, это не совсем так, но для проверки работоспособности такое представление вполне допустимо. Таким образом, последовательность p-n-p представима в виде двух диодов, соединенных катодами, а n-p-n – двух диодов, соединенных анодами. Чтобы проверить, работоспособность такого элемента, нужно мультиметром замерить сопротивление переходов.

Определение работоспособности p-n-p полупроводника:

Берется мультиметр. Черный провод (обозначим его как Ч) помещается в гнездо COM (минус).
Красный (К) – в гнездо VΩmA (плюс).
Тестер выставляется на замер электрического сопротивления. Предельное значение выбирается 2 кОм. Это означает, что мультиметр может корректно измерять сопротивление от 0 до 2000 Ом. При превышении данного порога, на экране прибора загорится «1».
Для замера прямых сопротивлений Ч закрепляется на базе элемента.
Чтобы замерить величину сопротивления эмиттерного перехода, К помещается на эмиттер.
Измеренное значение должно быть от 500 до 1200 Ом. Аналогично и для коллектора.
Для измерения обратных сопротивлений на базе элемента закрепляется К. Ч поочередно помещается на коллектор и эмиттер. Полученные значения должны превышать установленный порог в 2кОм. Об этом, в обоих случаях, будет свидетельствовать цифра «1» на экране тестера.
Для n-p-n полупроводника применяется та же самая методика. За исключение того, что в п.1 Ч и К помещаются в противоположные гнезда. Тем самым меняется полярность щупов тестера.

Читать также: Где в резисторах драгметаллы

Если изначально нет информации относительно расположения базы, коллектора, эмиттера, это нетрудно определить. Измерительный прибор устанавливается в состояние п. 1 и п. 2 вышеприведенной схемы. К (плюс) помещается на правый вывод полупроводника. Ч (минус) поочередно замыкается на средний и левый выводы. Если в обоих случаях тестер покажет «1», то данный контакт и есть база. В противном случае аналогичным образом тестируем оставшиеся контакты.

Остается найти эмиттер и коллектор. Для этого необходимо просто замерить сопротивление коллекторных и эмиттерных переходов. Ч помещается на базу. К поочередно замыкается на оставшиеся выводы. Полученные значения должны лежать в диапазоне от 500–1200 Ом. При этом большее значение будет относиться к коллекторному переходу, а меньшее, соответственно к эмиттерному.

Простые пробники транзисторов без выпаивания из схемы

Существует множество различных схем для проверки транзисторов и измерения их параметров. Но на практике чаще всего нужно бывает лишь быстро убедиться в том, что транзистор в схеме исправен, не вдаваясь в тонкости его вольт-амперных характеристик.

Ниже приведены две простейших схемы таких пробников. Они имеют минимум деталей и не требуют никакой специальной наладке. При этом с их помощью можно легко и быстро проверить практически любой транзистор (кроме полевых), как маломощный, так и большой мощности, не выпаивая его из схемы. Также с помощью этих схем можно опытным путем определить цоколевку транзистора, расположение его выводов, если транзистор вам неизвестен и нет справочной информации по нему. Токи через проверяемый транзистор в этих схемах очень малы, поэтому даже при «переполюсовке» транзистор вы не повредите.

Первая схема собрана с использованием маломощного трансформатора Tr1 (такой можно найти почти в любом старом карманном или переносном транзисторном приемнике, например «Нева», «Чайка», «Сокол»).

Такие трансформаторы называются переходными и служат для согласования каскадов усиления в приемнике. Вторичную обмотку трансформатора (она со средним выводом) надо уменьшить до 150 – 200 витков.

Измеритель можно собрать в подходящем корпусе небольших размеров. Батарея типа «Крона» располагается в корпусе и подключается через соответствующий разъем. Переключатель S1 – типа «П2-К» или любой другой с двумя группами контактов на переключение. Конденсатор можно взять емкостью от 0,01 до 0,1 мкФ, при этом изменится тональность звука. Измерительные щупы «э», «б», «к» сделать из отрезков провода разных цветов, причем удобно сделать так, чтобы первая буква цвета провода соответствовала букве вывода транзистора. Например: Красный – «Коллектор», Белый – «База» , Эмиттер – любой другой цвет (потому что нет цвета на букву «Э»! ). На концы проводов нужно припаять небольшие отрезки медного провода в качестве наконечников. Собрать пробник можно навесным монтажом, запаяв резистор и конденсатор прямо па контакты переключателя и трансформатора.

При исправном проверяемом транзисторе в телефонном капсюле, подключенном ко второй обмотке трансформатора раздастся звук. Нужно использовать высокоомный звуковой излучатель (типа «ДЭМШ», например), так как громкость его звучания достаточна для хорошей слышимости на расстоянии, поэтому его можно расположить в корпусе устройства, а не выносить наружу. Низкоомные же наушники и динамики будут шунтировать вторичную обмотку трансформатора и устройство может не работать. Можно включить в качестве излучателя телефонный капсюль (вытащить из старой телефонной трубки. Хотя и из новой тоже подойдет). Если же вообще нет никакого подходящего звукового излучателя с высоким сопротивлением, то можно использовать светодиод, подключив его вместо капсюля через добавочное сопротивление (сопротивление подобрать с учетом выходного напряжения на трансформаторе чтобы яркость его была достаточной), тогда при исправном транзисторе светодиод будет загораться.

Вторая схема пробника бестрансформаторная. Устройство и принцип работы аналогичны предыдущей схеме

Подобная схема используется мною уже много лет и способна проверять любые транзисторы. В качестве Т1 и Т2 использованы транзисторы старого типа МП-40, которые можно заменить на любые из этой серии (МП-39, -40, -41, -42). Это германиевые транзисторы, ток открывания которых заметно меньше, чем у кремниевых (типа КТ-361, КТ-3107 и др.) и при проверке транзисторов без выпаивания из схемы никаких проблем не возникает (влияние на активные элементы проверяемой схемы минимально). Вполне возможно, что подойдут и современные кремниевые транзисторы, но лично мною такой вариант на практике не проверялся.

Батарею в этой схеме следует отключать после работы, иначе она будет разряжаться через открытые переходы транзисторов Т1 и Т2.

Как уже было сказано в начале, с помощью этих пробников можно определить маркировку выводов и тип проводимости ( p – n – p / n – p – n )неизвестных транзисторов. Для этого выводы транзистора нужно поочередно подключать к щупам пробника в разной комбинации и при разных положениях переключателя S1 до проявления звукового сигнала.

Список радиоэлементов

Обозначение	Тип	Номинал	Количество	Примечание	Магазин	Мой блокнот
Вариант 1.
Конденсатор	0.047 мкФ	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Резистор	22 кОм	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Звуковой излучатель	ДЭМШ	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Tr1	Трансформатор	1	От старого транзисторного приемника	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
S1	Переключатель	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Батарея питания	9 В	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Вариант 2.
Т1, Т2	Транзистор	МП-40	2	Можно и другие	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R1, R4	Резистор	39 кОм	2	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R2, R3	Резистор	1 кОм	2	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
С1, С2	Конденсатор	0.1 мкФ	2	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
ЕР1	Звуковой излучатель	ДЭМШ	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
S1	Переключатель	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Выключатель	1	В схеме не указан, но нужен	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Батарея питания	9 В	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
						Добавить все

Определение функциональности n-канального полупроводника.

Поскольку у таких компонентов между стоком и истоком часто встраивается диод, то, для проверки функциональности, на измерительном устройстве устанавливается в режим проверки диодов. Ч идет на минус тестера, а К – на плюс.

К помещается на исток элемента, а Ч – на сток. Напряжение должно быть от 500 до 700 мВ.
К – на сток, а Ч – на исток. Значение в этом случае должны выходить за пределы измерений мультиметра. Об этом свидетельствует цифра «1» на экране прибора.
Ч – на истоке. Касание К затвора открывает транзистор. Ч остается на истоке, а К соединяется со стоком. Замеренное напряжение должно лежать в диапазоне от 0 до 800 мВ и не зависеть от смены полярности проводов тестера.
Замыкание К на исток, а Ч – на затвор проводит к закрытию прибора и переводу его в изначальное состояние.

Для определение работоспособности p-канального полупроводника Ч подключается к плюсу мультиметра, а К – к минусу. Дальнейшая последовательность действий аналогична методике проверки элемента n-канального типа.

Проверка элемента без выпаивания его из схемы

Часто возникает вопрос, как проверить smd транзистор мультиметром. SMD – это аббревиатура от английского Surface Mounted Device (устройство, монтируемое на поверхность). Такие полупроводники не вставляются в отверстия плат. Их просто напаивают сверху на контактные дорожки. В современных платах плотность таких дорожек невероятно велика. Более того, часто они располагаются в несколько слоев. Поэтому если какая-то из дорожек располагается в середине такого «пирога», то ее может быть просто не видно.

Становится понятно, что поскольку демонтаж и обратный монтаж smd компонентов на контактные дорожки печатных плат зачастую сопряжен со значительными сложностями, то лучше всего было бы осуществить проверку функциональности элемента, не выпаивая его. К сожалению, такое подход возможен только для биполярных транзисторов. Однако даже при положительных итогах проверки нельзя быть полностью уверенным в результате. В большинстве же случаев только лишь демонтаж элемента с печатной планы позволяет гарантированно проверить его работоспособность.

Прибор для проверки любых транзисторов

Часто, занимаясь ремонтом электронных приборов, сталкиваются с необходимостью проверки транзисторов. Прозвонить его впаянным в схему иногда невозможно. Приходится выпаивать, а это часто чревато порчей печатных плат, иногда выходят со строя и сами транзисторы.

Для того чтобы не усложнять себе жизнь, лучше обзавестись устройством, позволяющим проверять транзисторы, не выпаивая их из платы. Сделать его можно самому, тем более, что схемы не сложные, их много разных на просторах интернета.

Предлагаемая схема прибора построена на классическом блокинг-генераторе, с выхода которого выходят короткие импульсы прямоугольного типа. Его запускают, подсоединяют к имеющемуся разъему все три выхода испытываемого транзистора.

Благодаря обмотке связи, имеющейся в трансформаторе, образуются колебания. Их оптимальная величина подбирается путем вращение переменного резистора. Если к его ручке приделать шкалу, то угол ее смещения будет можно привязать к усилительным свойствам транзистора.

Прибор запитывается тремя гальваническими элементами типа ААА или одной квадратной батарейкой. Имеющийся в схеме переключатель позволяет менять полярность включения батарей. Последнее необходимо для проверки транзисторов разных структур.

Для возникновения генерации в сети используют два светодиода, которые обеспечивают работу пробника при смене полярности питания. Трансформатор изготавливают самостоятельно на Ш-образном сердечника размером 6х8. Во всех обмотках применяется одинаковый провод – ПЭВ1-2. В обмотке обратной связи нужно устроить 200 витков; в выходной – 30; в коллекторной – 100.

При сборке трансформатора его пластины располагают встык, что делается у дросселя, работающего от постоянного тока. Ш-образные пластины располагают в отверстиях каркаса; перемычки кладут поверх них, предварительно устроив прокладку из тонкой бумаги.

Подключать трансформатор нужно, учитывая полярность. Если он не работает, то пробуют менять концы обмоток, например, базовой и коллекторной.

Схема частично использовалась ранее в приборе, которым проверялись транзисторы ППТ-5 на предприятиях, которые их выпускали. Дальнейшая ее доработка упростила процесс, сделала его надежнее и быстрее. В полученном приборе реализована идея изменения полярности питания, что расширило перечень транзисторов, которые им можно проверять.

Новые публикации выходят ежедневно на нашем канале в Яндекс.Дзене
Перейти в Яндекс.Дзен.

транзистор% 20 по горизонтали% 20d2499 техническое описание и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
транзистор 91330 Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91330 ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120

1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220
1999 — транзистор Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список
транзистор 835 Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР. Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке. Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH

Качественный транзистор d2499 npn для электронных проектов Бесплатный образец сейчас

О продуктах и поставщиках:

Alibaba.com предлагает большой выбор. d2499 npn-транзистор на выбор в соответствии с вашими конкретными потребностями. d2499 npn-транзистор являются жизненно важными частями практически любого типа электронных компонентов. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный. d2499 npn транзистор , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет высокого качества и работать очень хорошо. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов.

, , d2499, npn-транзистор , изготовлены из полупроводниковых материалов и обычно имеют не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи. Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. d2499 npn-транзистор охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. d2499 npn-транзистор скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели.

Изучите прилагаемые спецификации вашего. d2499 npn-транзистор для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения. Файл. d2499 npn-транзистор на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки, благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. d2499 npn транзистор для любого проекта включают в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника.

Откройте для себя удивительно доступный. d2499 npn транзистор на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации. Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

Книга эквивалентов транзисторов Tt2142

Я бы назвал транзисторы сверхгигантов искусством. Я также считаю, что Half Life 2 — это искусство. Перекрестные ссылки — это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее.20 мая 2014 года Transistor поставил меня на место Рыжего, одаренного и популярного музыканта, живущего в киберпанк-фэнтези-городе Клаудбанк. Система нумерации деталей для мощных транзисторов to3. Купить международное руководство по эквивалентам транзисторов Бернарда Бабани, издательство книг по радио и электронике Майклса, Адриана Исбна. Проверяет все типы диодов германиевые, кремниевые, силовые, светодиоды и стабилитроны, указывает катодные или анодные выводы диода. Высокая частота ограничивает wmax биполярных переходных транзисторов. В транзисторе с гетеропереходом база обычно очень сильно легирована, в то время как эмиттер более легирован.Transistor — это всегда красивая игра, но в этих случаях она демонстрирует редкое умение сочетать визуальные эффекты и музыку с максимальной эффективностью. Проверьте наш раздел бесплатных электронных книг и руководств по транзисторным схемам. Примечания к выбору транзисторной замены электроники. Эта книга easytouse охватывает все типы транзисторов, в том числе. Там, где Bastion была простой игрой в жанре экшн, транзистор использует более стратегическую систему, нажимающую правый триггер или. Август 08, 2016 tt2146 datasheet коммутирующий транзистор tt2146 sanyo, tt2146 pdf, распиновка tt2146, руководство tt2146, схема tt2146, эквивалент tt2146, данные tt2146, схема.

Tt2142 — Справочник транзисторов. Так называемые эквивалентные части или замены могут вообще не работать в некоторых случаях, потому что они были хуже в некоторых спецификациях, или схема была разработана с предположением, что часть имеет довольно низкую полосу пропускания. Около 31% из них — транзисторы, 50% — интегральные схемы и 18% — конденсаторы. Список перекрестных ссылок полупроводников и транзисторов. Больше всего Transistor отличается от своего предшественника боевой механикой.

Tt2142 цветной телевизор приложения вывода горизонтального отклонения.5 апреля 2008 г. В 80-е и 90-е годы я искал эквиваленты компонентов в книгах. Tt2148 — параметры, поиск аналогов. Tt2146 datasheet коммутирующий транзистор tt2146 sanyo, tt2146 pdf, распиновка tt2146, руководство tt2146, схема tt2146, эквивалент tt2146, данные tt2146, схема.

В этой книге также есть очень подробный глоссарий, указатель и уравнения. 25 августа 2011 г. перекрестные ссылки — это не волшебство, понимание схемы и параметрический поиск важных параметров намного надежнее.По каким книгам изучать mosfet, bjt транзистор. Перекрестная ссылка на универсальную справочную страницу транзисторов 1. Транзистор пытается сделать что-то подобное с пляжем, который может посещать красный цвет, но это также не работает, в основном потому, что к нему можно получить доступ только в определенных точках, а у него просто нет доступа. Диод 1n9148 1n4307 1n4532 диод 1n3605 2n2222 микросхема 2n2369 транзистор se708 ma1704 ma1703 текст. Nte — компания, специализирующаяся на деталях с перекрестными ссылками. Бесплатные книги по транзисторным схемам, скачать электронные книги онлайн.Общее руководство по электрическим транзисторам, если эта ссылка пропадает, иногда вы можете найти ее за абсурд. Транзисторный эквивалент книги pdf скачать бесплатно с corfikome. Он предназначен для общего применения с высоким напряжением и размещается в сот. Эффективность эмиттера транзистора по-прежнему рассчитывается по электронному току относительно полного тока эмиттера и равна. Tt2206 datasheet, tt2206 pdf, распиновка, схема sanyo. Полупроводниковый транзистор, диод, перекрестная ссылка на микросхему.

T2142f — параметры, поиск аналогов.Transistor — всегда красивая игра, но в этих случаях она демонстрирует редкое умение сочетать визуальные эффекты и музыку, чтобы мощно передать как повествовательную информацию, так и тон, управляя автомобилем. Sanyo, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. Начальный 2n идентифицирует деталь как транзистор, а остальная часть кода идентифицирует конкретный транзистор. Tt2142 даташит цветной телевизор с горизонтальным отклонением выходных приложений.Приложения вывода горизонтального отклонения цветного телевизора, таблица данных tt2142, схема tt2142, таблица данных tt2142. Tt2146 datasheet vceo400v, переключающий транзистор sanyo. Для этого транзистора значение hfe около 500 указывает на то, что транзистор работает правильно. Входное сопротивление транзисторной цепи электрическое. Справочник по полупроводникам в мягкой обложке июль 1996 г. Электронные схемы с перекрестными ссылками Ka2206, схемы телевизоров. Сборник дампов для теле-, видео- и аудиоаппаратуры, устройств связи, бытовой и оргтехники, паспортов радиодеталей atmel, паспортов радиодеталей компании cirrus logic, паспортов радиодеталей компании maxim, паспортов радиодеталей по микрочипам, данных листы радиодеталей mitsubishi, данные.

Бесплатные книги по транзисторным схемам скачать электронные книги онлайн-учебники. Пытался закрутить тему колонки по быстродействию получил перегоревший транзистор q43. Если он вам нужен, я бы порекомендовал вам купить одно из предыдущих изданий 2000 года или ранее. В итоге я купил копию восьмого издания 1998 года, а. Supergiants, продолжение Bastion — это невероятно умная ролевая игра, которая полностью доверяет вашему интеллекту. В большинстве проектов указывается конкретный транзистор, но при необходимости вы можете заменить его.Другой способ проверки транзистора — использовать функцию проверки диодов и проверять каждый из них. Джонсон отличная книга для изучения электроники простым простым языком. Dt100 представляет собой динамический тестер транзисторов и диодов. Планарный кремниевый транзистор tt2142 цветной телевизор с выходом горизонтального отклонения пакет функций. Игра начинается драматично, красный вытаскивает гигантский меч. Transistor — это меньший по размеру и более узкий игровой процесс, чем любая из этих игр.

Но его миниатюрный рост только заставляет его чувствовать себя большим триумфом, учитывая лигу, в которую он поместил его.Я не могу найти местного поставщика, чтобы поставить tt2146, высоковольтный, высокоскоростной, переключающий транзистор в корпусе to220. Pc o a i tt r f a t, pplication sch em atic 2150m h z 2142 rev a2 9

rf2146 химическая оценочная плата. Enn0000 tt2148 npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор tt2148 импульсный стабилизатор приложения предварительные характеристики размеры корпуса высокое напряжение пробоя и высокая надежность. Enn7550 tt2142 npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор tt2142 цветной телевизор с горизонтальным отклонением выходных приложений имеет размеры корпуса высокая скорость.У нас есть более 32000 различных номеров микросхем и транзисторов на нашем обширном складе, а также множество других изделий, конденсаторов, резисторов, диодов, обратных переходников для замены, предохранителей. Есть ли какая-либо веб-программа или отдельная программа для такого обслуживания транзисторов и микросхем. Я не могу найти местного поставщика, который бы поставил tt2146, высоковольтный, высокоскоростной, переключающий транзистор, в. Есть игры, есть иммерсивные, подробные опыты, которые намного ближе к интерактивному искусству. D2499 datasheet vcbo1500v, npn-транзистор toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499.

Enn7550 tt2142 npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор tt2142 цветной телевизор с выходом горизонтального отклонения. Принципы транзисторных схем — очень хорошая книга, но этот отпечаток девятого издания 2003 года сильно страдает от оцифровки, так как иллюстрации почти неразборчивы. Показанная выше конфигурация называется npn-транзистором. Решение состоит в том, чтобы ввести тонкую нелегированную распорку с широкой запрещенной зоной. Есть ли транзистор, который я могу использовать вместо 2n 904. Это PDF-формат хорошо известной книги по распайке оборудования, в которой описаны распиновки различных компьютеров, электрических и электронных устройств.Таблица данных транзистора tt2142, pdf, эквивалент tt2142. В таком случае легирующая добавка легко диффундирует в эмиттер и легирует его p-тип. Электронные компоненты на биполярных транзисторах от родных. Терминал слева называется эмиттером, а терминал справа. Транзисторный эквивалент или аналог, используемый для усилителя мощности.

Эта страница содержит список бесплатных электронных книг, онлайн-учебников и учебных пособий по транзисторным схемам. Он включает в себя тестирование схемы и индикаторы полярности как для транзисторов, так и для диодов.Я в 80-е и 90-е годы искал эквиваленты компонентов в книгах. Ena0996 2sc6090ls sanyo semiconductors техническое описание npn тройной диффузный планарный кремниевый транзистор цветной телевизор горизонтальное отклонение 2sc6090ls выходных приложений отличается высокой скоростью. Эмиттер, коллектор и база по своей сути транзистор состоит из двух диодов, расположенных спина к спине. Руководство по тиристорам и диодам RCA SC14, а также большой выбор сопутствующих книг, произведений искусства и предметов коллекционирования доступны сейчас на сайте.

Использование транзисторов, правила транзисторов, схема с общим эмиттером, усиление малого сигнала, полевые транзисторы, рабочие области jfet.Биполярный, силовой, ВЧ, цифровой, IGBT, однопереходный, FET, JFET и МОП-транзисторы. Международный справочник по эквивалентам транзисторов Бернар Бабани. Посмотреть все 2 формата и редакции, скрыть другие форматы и редакции. Ферма такая же, как вы видите на фоне последнего экрана, вы можете восстановить и изменить дизайн города так, как вы хотели, с помощью мощности транзистора, который является ключом и средством формирования технологического материала, но вместо этого вы восстанавливаете тело своего любовника. и убить себя рядом с ним, чтобы навсегда присоединиться к нему внутри транзистора.В большинстве проектов указывается конкретный транзистор, но при необходимости вы обычно можете заменить эквивалентный транзистор из широкого ассортимента. Доступно большое количество вариантов транзистора tt2140. Высокочастотные ограничения wmax биполярных транзисторов bjts. 20 мая 2014 года транзистор больше всего отличается от своего предшественника боевой механикой. Ежедневные низкие цены и бесплатная доставка соответствующих заказов. Форум по высокоскоростной коммутационной транзисторной электронике tt2146 hv. Transistor поставил меня на место Рэда, одаренного и популярного музыканта, живущего в киберпанк-фантастическом городе Клаудбанк.21 августа 2014 г. Общее руководство по электрическим транзисторам, если эта ссылка исчезнет, вы иногда можете найти ее за абсурд.

Эквивалент транзистора tt 2142, техническое описание, перекрестная ссылка, примечания по схемам и применению в формате pdf. Кремниевый npn-транзистор в пластиковом корпусе to3p foshan blue rocket electronics co. Коды транзисторов поверхностный монтаж, pnp, npn, выбор. Там, где Bastion была простой игрой в жанре экшн, транзистор использует расширение. В этой книге представлены практические рекомендации и информация по применению при использовании транзисторов в электронных и электрических схемах.25 мая 2018 г. d2499 datasheet vcbo1500v, npn-транзистор toshiba, 2sd2499 datasheet, d2499 pdf, распиновка d2499, эквивалент d2499, схема, выход, схема d2499. Tt2146 hv высокоскоростная переключающая транзисторная электроника. Категория полярность значение bvceo 704 x y zzz x нечетное число 7 pnp x четное число 8 npn y текущее значение, где задано усиление hfe. Сборник дампов для теле-, видео- и аудиоаппаратуры, устройств связи, бытовой и оргтехники, паспортов радиодеталей atmel, паспортов радиодеталей компании cirrus logic, паспортов радиодеталей компании maxim, паспортов радиодеталей по микрочипам, данных листы радиодеталей от mitsubishi.

Или мне нужно укусить пулю и заказать еще несколько советов. Таблица данных T2142, аналоги, поиск по ссылкам. Техническое описание транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34. Mmbt5551m3 npn-транзистор высокого напряжения устройство mmbt5551m3 — это спин.

✓ Расчет тока трехфазного асинхронного двигателя

Введите номинальную мощность и КПД в вольтах, чтобы найти ток, протекающий через двигатель.Таким образом, мы получаем соотношение p 2.

Расчет нагрузки трехфазного двигателя

Однофазные асинхронные двигатели Двигатели переменного тока Учебник по электронике

Трехфазные асинхронные двигатели Authorstream

Фазный ток i в амперах a в 1000 раз больше мощности p в киловаттах кВт, деленных на 3-кратный коэффициент мощности pf, умноженный на действующее значение напряжения vln между фазой и нейтралью в вольтах v.

Расчет тока трехфазного асинхронного двигателя .Формула расчета тока трехфазного двигателя: p 3xvxpfxeff или p 1732xvxpfxeff, обе они одинаковы. Калькулятор тока трехфазного асинхронного двигателя используется для расчета номинального тока и ампер полной нагрузки двигателя. Расчет по напряжению от линии к нейтрали.

Типичные значения коэффициента мощности. Калькулятор тока трехфазного асинхронного двигателя. Эти потери в меди ротора выражаются как p c 3i 22 r 2, мы знаем, что ток ротора подставляет это значение i 2 в уравнение потерь в меди ротора p c.

Не используйте типичные значения коэффициента мощности для точных расчетов. С этой целью предполагается, что двигатель представляет собой сбалансированную трехфазную нагрузку, соединенную звездой, и поэтому вам нужно будет измерить только одно линейное напряжение нейтрали, только один линейный ток и только одну фазную мощность, чтобы полностью охарактеризовать p. Для расчета силы тока трехфазного двигателя используется следующая формула.

В трехфазном асинхронном двигателе возникают потери меди в роторе.R 1 0342. Один 3-х фазный асинхронный двигатель работает с напряжением 415 ток 08 л.с.75 оборотов 1440 об / мин pf08.

Трехфазный y, подключенный к линии 460 В, 25 лошадиных сил, 60 Гц, 8-полюсный асинхронный двигатель, имеет следующие константы в омах на фазу относительно статора. 1 с где. Калькулятор тока полной нагрузки двигателя рассчитывает ток полной нагрузки двигателя по следующим параметрам.

Итак, мощность нашего двигателя составляет 15 кВт при 15 x 1000 15000 Вт. Для этого примера обратитесь к эквивалентной схеме двигателя и расчетам, описанным выше.Напряжение двигателя составляет 380 вольт, eff — 089 и pf — 085, согласно вышеприведенной паспортной табличке.

Как рассчитать КПД двигателя и крутящий момент, дайте формулу. Напряжение между фазами для трехфазного источника питания или напряжение между фазой и нейтралью для однофазного источника питания. P m 1.

Напряжение питания однофазное или трехфазное.

Как использовать трехфазный двигатель в однофазном источнике питания

Калькулятор скольжения асинхронного двигателя переменного тока

Индукционные машины

Решенный трехфазный асинхронный двигатель с конструкцией B Char

Коэффициент мощности Индуктивная нагрузка

27 Номинальная мощность трехфазного двигателя При токе 51 А Что должно быть

Модель асинхронного двигателя

и результаты выборки

Эквивалентная цепь постоянного тока 3-фазного асинхронного двигателя

Подключение трехфазного трансформатора и основные сведения

Как проверить трехфазные двигатели переменного тока Изучение электрической части

Vfds для однофазного Приложения Преимущества Затраты и

Решено Q1 A 415 В, 50 Гц, 4 полюса, трехфазная индукция M

D25NF ST Транзисторы — Jotrin Electronics

Детали D25NF, производимые ST, доступны для покупки на веб-сайте Jotrin Electronics.Здесь вы можете найти большое количество различных типов и номиналов электронных компонентов от ведущих мировых производителей. Компоненты D25NF компании Jotrin Electronics тщательно отбираются, проходят строгий контроль качества и успешно соответствуют всем необходимым стандартам.

Статус производства отмечен на Jotrin.com только для справки. Если вы не нашли то, что искали, вы можете получить дополнительную информацию о ценности по электронной почте, такую как инвентарный объем D25NF, льготная цена и производитель. Мы всегда рады услышать от вас, поэтому не стесняйтесь обращаться к нам.

D25K8K0E — РЕГУЛЯТОР МОЩНОСТИ РЕЗИСТОРА 8 кОм 25 Вт, который включает серию DividohmR210, они предназначены для работы с оптовой упаковкой, длина указана в примечании к техническому описанию для использования в 2.000 дюймов (50,80 мм), который предлагает такие функции корпуса, как цилиндр, трубка, заделка, предназначен для работы в наконечнике для пайки, а также в качестве типа монтажа на шасси, устройство также может использоваться в качестве мощности 25 Вт. Сопротивление в Ом равно, устройство предлагается с допуском ± 10%, устройство имеет ползунок регулируемого типа, диаметр — 0,563 дюйма, внутренний диаметр — 0,313 дюйма (14,30 мм x 7,94 мм).

D25K9K0 — это РЕГУЛИРОВКА МОЩНОСТИ РЕЗИСТОРА 9 кОм 25 Вт, который включает допуск ± 10%, они предназначены для работы с выводом под пайку, серия показана в примечании к техническому описанию для использования в DividohmR210, который предлагает функции сопротивления сопротивления, такие как мощность Watts рассчитан на работу с мощностью 25 Вт, а также с оптовой упаковкой, устройство также может использоваться как цилиндр, чехол для трубки.Кроме того, тип монтажа — монтаж на шасси, длина устройства составляет 2.000 дюймов (50,80 мм), внешний диаметр — 0,563 дюйма, внутренний диаметр — 0,313 дюйма (14,30 мм x 7,94 мм), а тип регулировки — скользящий.

D25K9K0E — РЕГУЛИРОВКА МОЩНОСТИ РЕЗИСТОРА 9 кОм 25 Вт, который включает тип регулировки слайда, они предназначены для работы с внешним диаметром 0,563 дюйма, внутренним диаметром 0,313 дюйма (14,30 мм x 7,94 мм). Диаметр, длина указана в примечании к техническому описанию для использования в 2.000 дюймов (50,80 мм), который предлагает такие особенности типа монтажа, как крепление на шасси, корпус, предназначенный для работы в цилиндре, трубе, а также в большой упаковке, устройство также может использоваться в качестве мощности 25 Вт.Кроме того, сопротивление составляет Ом, устройство предлагается в серии DividohmR210, устройство имеет наконечник для пайки, а допуск составляет ± 10%.

D25N06 с моделями EDA / CAD, изготовленными HARRIS. D25N06 доступен в корпусе TO-252 и является частью полевых транзисторов — Single.

Используйте транзистор HBT для электронного проекта. Бесплатный образец сейчас. Транзистор

HBT не используется.Транзистор HBT zijn essentiële onderdelen van vrijwel elk type elektronische component. Ze kunnen worden gebruikt om moederborden, rekenmachines, radio, tv’s en nog veel meer te maken. Дверь het goede te kiezen. Транзистор HBT , этот продукт уже давно прошел. De belangrijkste selectiefactoren voor de producten zijn onder meer de beoogde toepassing, het materiaal en het type.

Транзистор HBT лучше всего подходит для использования в десятикратном порядке, когда используется внешняя цепь.Deze apparaten werken als versterkers of schakelaars in de meeste elektrische цепи. Транзистор HBT может быть использован для допинга. Als versterkers zijn de. Транзистор HBT содержит больше энергии, чем каналы, так и другие приложения.

Лист данных Bestudeer de bijbehorende van uw. Транзистор HBT на основе базисного сигнала, собранный и собранный, поэтому его можно использовать для скрытого ввода.Де. Транзистор HBT на сайте Alibaba.com используется кремний, как первичный, половинный, так и второй разрядный, на 0,6 В. De essentiële parameters voor. Транзистор HBT для проекта лося, обеспечивающего надежную работу, рассеивание вермогенов и расширение.

Ontdek verbazingwekkend betaalbaar. Транзистор HBT на Alibaba.com для всех возможных вариантов. Er zijn verschillende materialen en stijlen beschikbaar voor een veilige en gemakkelijke installatie en bediening.Bepaalde geaccrediteerde verkopers bieden ook aftersalesdiensten en technische ondersteuning.

% PDF-1.3 % 2061 0 объект > эндобдж xref 2061 109 0000000016 00000 н. 0000002555 00000 н. 0000002740 00000 н. 0000002884 00000 н. 0000002935 00000 н. 0000003000 00000 н. 0000003057 00000 н. 0000003126 00000 н. 0000005187 00000 н. 0000005446 00000 н. 0000005516 00000 н. 0000005647 00000 н. 0000005740 00000 н. 0000005923 00000 н. 0000005989 00000 п. 0000006167 00000 н. 0000006297 00000 н. 0000006464 00000 н. 0000006604 00000 н. 0000006732 00000 н. 0000006877 00000 н. 0000007016 00000 н. 0000007160 00000 н. 0000007309 00000 н. 0000007462 00000 н. 0000007601 00000 н. 0000007742 00000 н. 0000007894 00000 н. 0000008072 00000 н. 0000008204 00000 н. 0000008336 00000 н. 0000008490 00000 н. 0000008632 00000 н. 0000008777 00000 н. 0000008960 00000 н. 0000009100 00000 н. 0000009271 00000 н. 0000009397 00000 н. 0000009553 00000 н. 0000009721 00000 н. 0000009875 00000 п. 0000010065 00000 п. 0000010195 00000 п. 0000010327 00000 п. 0000010481 00000 п. 0000010638 00000 п. 0000010778 00000 п. 0000010921 00000 п. 0000011108 00000 п. 0000011236 00000 п. 0000011418 00000 п. 0000011576 00000 п. 0000011715 00000 п. 0000011852 00000 п. 0000011997 00000 н. 0000012150 00000 п. 0000012300 00000 п. 0000012449 00000 п. 0000012632 00000 п. 0000012759 00000 п. 0000012888 00000 п. 0000013030 00000 н. 0000013170 00000 п. 0000013287 00000 п. 0000013409 00000 п. 0000013576 00000 п. 0000013761 00000 п. 0000013886 00000 п. 0000014016 00000 п. 0000014158 00000 п. 0000014289 00000 п. 0000014422 00000 п. 0000014569 00000 п. 0000014634 00000 п. 0000014754 00000 п. 0000014818 00000 п. 0000014930 00000 п. 0000014994 00000 п. 0000015101 00000 п. 0000015165 00000 п. 0000015267 00000 п. 0000015369 00000 п. 0000015612 00000 п. 0000015794 00000 п. 0000015849 00000 п. 0000015873 00000 п. 0000017390 00000 п. 0000017414 00000 п. 0000018815 00000 п. 0000018839 00000 п. 0000020358 00000 п. 0000020382 00000 п. 0000022026 00000 п. 0000022050 00000 н. 0000023827 00000 п. 0000023851 00000 п. 0000025493 00000 п. 0000025604 00000 п. 0000025710 00000 п. 0000025734 00000 п.

Транзистор D2499: характеристики, распиновка, аналоги

Предназначение

Корпус, распиновка и размеры

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

Электрические параметры

Схема измерения временных параметров

Модификации (версии) транзистора

Аналоги

Отечественное производство

Зарубежное производство

Графические иллюстрации характеристик

Качество транзисторы d2499 для электронных проектов Free Sample Now

2SC5250 — кремниевый NPN диффузионный транзистор — DataSheet

В помощь радиолюбителю. Выпуск 20 — Никитин В А

Устройство и принцип действия полевых транзисторов

Измерение параметров полевых транзисторов

Рекомендуем к данному материалу …

Мнения читателей

Проверка мультиметром

Прибор для проверки мощных IGBT и MOSFET транзисторов (n-канал)

С чего начать?

Проверка биполярного транзистора мультиметром

Проверка работоспособности полевого транзистора

Настройка испытателя полевых транзисторов

Проверка составного транзистора

составитель. В.А. Никитин

Глава 1 ПРИЕМНИКИ БЕЗ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ

1.1. Первый радиоприемник

1.2. Улучшенный детекторный приемник

1.3. Громкоговорящий детекторный приемник

Глава 2 Металлоискатели

2.1. Простейший металлоискатель

2.2. Транзисторный искатель

2.3. Искатель скрытой проводки

2.4. Простой металлоискатель на микросхеме [7]

Как проверить однопереходной транзистор

Как проверить транзистор мультиметром, не выпаивая их схемы?

Биполярный транзистор

Простые пробники транзисторов без выпаивания из схемы

Список радиоэлементов

Определение функциональности n-канального полупроводника.

Проверка элемента без выпаивания его из схемы

Прибор для проверки любых транзисторов

транзистор% 20 по горизонтали% 20d2499 техническое описание и примечания по применению

кб * 9Д5Н20П

KIA78 * pI

2SC4793 2sa1837

транзистор

CH520G2

транзистор 45 ф 122

CTX12S

Варистор RU

Q2N4401

fn651

2SC5471

Mosfet FTR 03-E

fgt313

транзистор 91330

1999 — ТВ системы горизонтального отклонения

транзистор

1999 — транзистор

транзистор 835

2002 — SE012

2SC5586

pwm инверторный сварочный аппарат

варикап диоды

Лист данных силового транзистора для ТВ

2009 — 2sc3052ef

2007 — DDA114TH

Качественный транзистор d2499 npn для электронных проектов Бесплатный образец сейчас

Книга эквивалентов транзисторов Tt2142

✓ Расчет тока трехфазного асинхронного двигателя

D25NF ST Транзисторы — Jotrin Electronics

Используйте транзистор HBT для электронного проекта. Бесплатный образец сейчас. Транзистор

Оставить комментарийОтменить комментарий