D304X транзистор: Какие есть аналоги транзистору D304X?

Содержание

Как проверить транзистор простым мультиметром

Как проверить состояние транзистора, используя самый обычный мультиметр?

Ситуация: у вас есть мультиметр и транзистор, как же проверить работоспособность последнего? Некоторые скажут что это никак не сделать, если у прибора нет функции измерения коэффициента усиления транзистора. Но все не так плохо! Ведь если у измерителя есть функция диодного тестирования или же функция измерения сопротивления, то транзистор можно проверить и обычной, самой дешевой моделью.

Но стоит уточнить, что проверить можно только биполярные транзисторы. Способ проверки полевых транзисторов несколько отличаются и об их реализации мы поговорим позже. Итак, будем проверять биполярные транзисторы используя мультиметры.

От слова к делу

Ну вот и настал момент проверки транзистора. Берем транзистор, измеритель и начинаем. Переключаемся в режим диодного теста. Известно, что биполярный транзистор работает как два диода, а раз так, нам просто нужно найти базу и дело за малым, но обо всем подробнее.

  • Итак, включаем прибор, устанавливаем щупы и ставим режим диодного теста или измерения сопротивления.
  • Далее, начинаем касаться щупами контактов транзистора. Поставьте красный щуп на центральный контакт, а черным прикасайтесь к крайним контактам. Если мультиметр показывает падение напряжения на крайних контактах, значит, у вас NPN биполярный транзистор. Для проверки PNP транзисторов нужно касаться красным щупом крайних выводов, а на центральном выводе оставить черный щуп.
  • Если падение напряжения у NPN транзистора приблизительно одинаково и собственно вообще присутствует, значит транзистор исправен. При прикосновении красного щупа к крайним выводам транзистора падение напряжения будет наблюдаться на центральном — PNP транзистор исправен.
Вот собственно и весь способ.

Если нет функции тестирования диодов, необходимо использовать функцию измерения сопротивления, которой обладают все мультиметры. В любом случае, если транзистор исправен, от базы к коллектору или эмиттеру будет проходить ток, а вот в обратном направлении не будет. Если же ток будет проходить в обоих направлениях — транзистор неисправен. При этом неисправным может быть как один переход, так и два сразу.

Опубликовано: 0000-00-00 Обновлено: 2016-11-10

Поделиться в соцсетях

Посоветуйте какой аналог к этому транзистору

1. «Горький» — http://gorky.media/

Главная литературная радость этой осени на просторах рунета

2. Раздел «Литература» на Colta.ru — http://www.colta.ru/literature

3. Сайт литературных новостей под редакцией Льва Оборина — http://litnov.ru/

4. Нежно любимый мной раздел «Книжная полка» на Wonderzine, где интересные женщины рассказывают о любимых книгах —  http://www.wonderzine.com/wonderzine/life/bookshelf

5. Rara Avis — http://rara-rara.ru/

Рецензии на книги, заметки, анонсы литературных событий

6. Лиtеrrатура — http://literratura.org/ — «Респектабельный сайт о литературе — стихи, проза, критика, интервью, обзоры книжных и журнальных публикаций. Тот же толстый литературный журнал, только без бумаги и все же чуть бодрее», — как его рекомендует Галина Юзефович

7. Книжные обзоры Галины Юзефович на Медузе — https://meduza.io/specials/books

8. Smartfiction — http://smartfiction.ru/ — восхитительный в своем минимализме сайт, публикующий по одному рассказу в день. Девиз — «Качественная литература по будням. Коротко»

9.  Паблик заслуженного книжного всея Руси — магазина «Фаланстер» — https://vk.com/falanster_books

10. Паблик отличного нижегородского магазина «Полка» — https://vk.com/polka.knig

11. «Syg.ma» — платформа для публикации текстов о человеке, культурных явлениях и обществе — https://vk.com/syg_ma

12. Лекторий «Арзамаса» и «ПостНауки» на http://arzamas.academy/ и https://postnauka.ru/ соответственно. 

13. Telegram-каналы:

«Записи и выписки» — http://telegram.me/forevernotes — канал Юрия Сапрыкина о книгах и музыке

«Прочитала и написала» — https://telegram.me/prochitalanapisala — интересный и живой канал про хорошие книжки

«Литература и жизнь» — https://telegram.me/boooooks — много ссылок и фотографий

«Книгоиздание как искусство (или нет)» — https://telegram.me/redaktorr — увлекательный канал от анонимного работника книжного издательства

14. В разделе «Brain» Aфиши Daily около половины публикаций посвящены литературе — https://daily.afisha.ru/brain/

15. Новости под тегом «художественная литература» на сайте Коммерсантъ — http://kommersant.ru/theme/960

Лот №160718/55 Рассмотреть возможность поставки в наш адрес следующих товаров / Узбекский металлургический комбинат

 

Спецификация:

 

Наименования товара

Тип, марка, серия, корпус

Ед.изм

Кол-во

1

Конденсатор  2000µ Х 16v

EHR

шт

100

2

Конденсатор  1500µ Х 25v

EHR

шт

100

3

Конденсатор  1000µ Х 25v

EHR

шт

100

4

Конденсатор  1000µ Х 16v

EHR

шт

100

5

Конденсатор  1000µ Х 6,3v

EHR

к-т

100

6

Конденсатор  3300µ Х 6,3v

EHR

шт

100

7

Конденсатор  820µ Х 25v

E5R

шт

100

8

Конденсатор  560µ Х 6,5v

E5R

шт

100

9

Конденсатор  470µ Х 200v

EHR

шт

100

10

Конденсатор  40µ Х 400v

EHR

шт

100

11

Конденсатор  150µ Х 400v

EHR

шт

100

12

Транзистор     E13007

TO-220

шт

50

13

Транзистор     2N60B

TO-220 iso

шт

30

14

Транзистор    10N60B

TO-220 iso

шт

20

15

Транзистор    KSC5027

TO-220

шт

30

16

Транзистор    BUF640

TO-220

шт

20

17

Транзистор    BU508A

TO-220

шт

20

18

Транзистор    D304X

TO-220

шт

30

19

Транзистор    CEP50N06

TO-220

шт

30

20

Транзистор    E13009

TO-247

шт

20

 

Срок приема коммерческих предложений: до 23 июля 2018 г.

 Контактное лицо: Мамаджанов М. Р. тел: +998 90 317-44-24, эл.почта: [email protected]

В коммерческом предложении просим указать: наличие/сроки поставки/срок изготовления, условия оплаты,  наличие сертификатов и тд.

 

DC/DC-преобразователи для управления в IGBT-приложениях

Поскольку альтернативная энергетика сегодня находится в центре внимания, то вопрос повышения ее эффективности становится все более критическим. В последние годы одним из главных решений, позволяющих резко увеличить эффективность (КПД) преобразователей, было существенное усовершенствование характеристик мощных силовых транзисторов типа IGBT (Insulated-gate bipolar transistor, биполярный транзистор с изолированным затвором). Транзисторы этого типа могут быстро переключать высокие напряжения (до 1000 В и более) с чрезвычайно низкими коммутационными потерями, то есть потерями на переключение. Это позволяет проектировать на их основе эффективные инверторы и повышающие импульсные преобразователи.

На рис. 1 приведены две типичные функции IGBT-транзисторов, которые эти приборы выполняют в схеме мощного силового преобразователя напряжения. Напряжение постоянного тока от солнечной батареи, как известно, не является стабильным и не приведено к некоторому максимальному уровню. Для устранения этого недостатка используется повышающий преобразователь, который поддерживает некий максимальный уровень напряжения на оптимальном уровне, а именно на уровне отслеживания точки максимальной мощности (Maximum power point tracking, MPPT). Это позволяет обеспечить максимально возможную мощность на выходе солнечной батареи и тем самым улучшить ее характеристики.

Рис. 1. Преобразователь напряжения для солнечной панели

Однако в большинстве случаев напряжение постоянного тока не может быть использовано непосредственно. Чтобы возможна была его дальнейшая передача, необходимо преобразовать его в форму напряжения переменного тока. Для этого применяются две пары транзисторов типа IGBT, включенные противофазно в виде моста. Эти транзисторы управляются сигналом с широтно-импульсной модуляцией (ШИМ, в англоязычной литературе — pulse-width modulation, PWM), таким образом создается промодулированный выходной сигнал, показанный на рис. 1. После фильтрации сигнала с ШИМ низкочастотным LC-фильтром выделенное переменное напряжение синусоидальной формы уже может быть включено в общую схему раздачи питания.

Транзисторы типа IGBT служат не только для сбора и преобразования энергии от внешних источников, но и для управления нагрузками. Известно, что управление электродвигателями занимает приоритетное положение в мировой электротехнической индустрии, а частотно-регулируемые электроприводы часто являются наиболее экономичным вариантом управления их скоростью вращения. В типичном приложении (рис. 2) IGBT-транзисторы используются для того, чтобы иметь возможность регулировать частоту переменного напряжения в частотно-регулируемом электроприводе для трехфазного электродвигателя переменного тока, тем самым можно управлять скоростью вращения его ротора.

Рис. 2. Упрощенная схема драйвера на основе IGBT-транзисторов

Трехфазный шестиимпульсный драйвер с питанием от источника переменного напряжения состоит из мостового выпрямителя, шины напряжения постоянного тока и, собственно, инвертора. Шесть IGBT-транзисторов в инверторе обеспечивают регулируемое по частоте импульсное напряжение, которое подается непосредственно на трехфазный электродвигатель.

Чтобы это решение было достаточно эффективным, транзисторы типа IGBT нуждаются в должном управлении для их коммутации. С тех пор как допустимая рабочая частота переключения для этих транзисторов повысилась до 300 кГц, обычная схема их управления стала неэффективной и технически непригодной. К счастью, были разработаны специальные управляющие драйверы, которые обеспечивают быстрое переключение транзисторов типа IGBT с минимальными потерями. Так, если драйвер на транзисторе подключен к плавающей по напряжению высоковольтной силовой цепи, то он должен быть изолирован от низковольтных цепей управления. Это достигается применением гальванической опторазвязки (оптрона), которая обеспечит разделение по цепи обратной связи. Таким образом, источник питания силового драйвера получается гальванически развязанным от DC/DC-преобразователя. Однако, чтобы удовлетворить все специфические требования по управлению IGBT-транзисторами, необходимо иметь два отдельных источника напряжения.

Чтобы минимизировать коммутационные потери транзисторов типа IGBT, необходимо, чтобы их включение выполнялось максимально быстро. При этом скорость нарастания выходного напряжения будет зависеть от скорости заряда собственной емкости затвора транзистора. Фактически было установлено, что для надежного включения IGBT-транзистора достаточно иметь напряжение +15 В. Но, с другой стороны, если транзистор типа IGBT включать слишком быстро, то произойдет токовое перерегулирование, которое вызовет паразитный токовый выброс. Это приведет не только к генерации электромагнитных помех, но и к повреждению самого транзистора и, соответственно, к выходу из строя подключенной к нему схемы. Чтобы сгладить этот выброс, необходимо увеличить время включения транзистора путем увеличения сопротивления в цепи затвора (рис. 3). Однако, если время включения увеличено, то это сразу же приведет к росту коммутационных потерь — это и есть одна часть дилеммы.

Рис. 3. Цепь управления IGBT-транзистором

Режим выключения IGBT-транзистора еще более усложняет решение проблемы. Скорость выключения определяется собственной емкостью затвора транзистора. Чем быстрее емкость затвора будет разряжена, тем быстрее транзистор будет выключен. Чтобы ускорить разряд собственной емкости затвора с целью уменьшения потерь на переключение, к нему прикладывается отрицательное напряжение. Логически рассуждая, можно считать приемлемым напряжение выключения –15 В. Таким образом, можно было бы использовать один DC/DC-преобразователь напряжения постоянного тока, который обеспечит выходное напряжение ±15 В. То есть один такой преобразователь будет использоваться для генерации как положительных, так и отрицательных импульсов.

Однако если транзистор будет выключен слишком быстро, то опять-таки из-за проблем перерегулирования будет иметь место паразитный токовый выброс. Предполагают, что такие выбросы уменьшают ожидаемый срок службы транзисторов типа IGBT. Поэтому необходимо уменьшить скорость выключения транзистора, и сделать это легче всего, уменьшая величину отрицательного напряжения на затворе. Фактически считается приемлемым иметь управляющее напряжение для выключения равным –9 В. Как полагают, это является хорошим компромиссным решением. Хотя время переключения немного увеличится, что приведет к некоторому росту коммутационных помех, паразитные выбросы становятся более управляемыми.

Итак, имеется уже полная дилемма: или использовать преобразователь с выходными напряжениями ±15 или ±9 В и соглашаться на компромисс — увеличение коммутационных потерь, или иметь паразитные выбросы напряжения. Еще, как вариант, можно использовать два отдельных DC/DC-преобразователя на 15 В и на –9 В, чтобы выполнить описанную выше оптимизацию, но это неизбежно увеличит стоимость компонентов и конечные затраты по проекту.

Однако есть третий путь — это использование асимметричного DC/DC-преобразователя с двумя оптимальными выходными напряжениями, который был бы специально разработан и предназначен для IGBT-приложений. Именно такой преобразователь типа R05P21509D и именно по этой причине был выведен на рынок компанией RECOM.

Асимметричное выходное напряжение этих DC/DC-преобразователей имеет идеальные уровни, которые оптимизируют характеристики переключения транзисторов типа IGBT. Но необходимо рассмотреть и учесть еще один важный момент для правильного выбора преобразователя. Мало того, что эти преобразователи необходимы для формирования оптимальных напряжений для включения и выключения, они также должны обеспечить и гальваническую развязку, которая предохраняет цепь управления от воздействия высоких напряжений силовой цепи. Без такой адекватной изоляции все устройство просто выйдет из строя. Но что такое адекватная изоляция?

Прочность изоляции, характеризующаяся напряжением пробоя, обычно приводится в спецификациях на DC/DC-преобразователи. Инженерная практика говорит о том, что достаточным и приемлемым является напряжение пробоя, как минимум в два раза превышающее рабочее напряжение высоковольтной шины. Как отмечалось в начале статьи, IGBT-приложения могут иметь напряжение на высоковольтной шине постоянного тока 1000 В и более. Таким образом, можно было бы считать, что прочность изоляции в 2000 В для шины, например, в 1000 В была бы более чем достаточной. Однако важно помнить, что во время коммутации транзисторов типа IGBT имеются выбросы (рис. 4).

Рис. 4. Характеристики переключения транзистора типа IGBT:
а) включение;
б) выключение

Кроме того, есть еще и паразитные емкости, разряд которых определен характеристиками переключения транзисторов. Таким образом, фактические уровни напряжения при переключении реально могут быть намного выше. Главное препятствие для их определения — это сложность в проведении измерения этих выбросов в реальном изделии. Собственная индуктивность средств измерения фактически ставит это под угрозу, делая определение паразитных выбросов практически невозможным. Начиная с некоторых уровней напряжений, определение необходимой прочности изоляции уже не поддается точному прогнозированию. Поэтому наилучший выход — это иметь прочность изоляции максимально возможной, насколько это приемлемо. Например, типичное значение прочности изоляции для DC/DC-преобразователя, работающего на высоковольтную шину напряжения постоянного тока напряжением в 1000 В, должно иметь показатели на уровне 6000 В. Это необходимо, чтобы обеспечить надежную изоляцию и, как результат, продлить срок службы конечного изделия в целом.

В то время как прочность изоляции является, без сомнения, важным и критическим параметром, сам тип исполнения такой изоляции, определенный конструкцией трансформатора, одинаково важен и критичен. Обычно основная изоляция в DC/DC-преобразователях обеспечивается исключительно изоляционным покрытием проводов трансформатора. Однако возможные трещины этого изоляционного покрытия могут привести к пробою и последующему катастрофическому отказу конечного изделия. Наилучшим является вариант использования дополнительной основной изоляции, физически отделяющей первичную (входную) и вторичную (выходную) обмотки. В этом случае, даже если и имело место нарушение изоляции проводов, то электрическая прочность изоляции будет обеспечена зазором между первичной и вторичной обмотками. С тех пор как IGBT-приборы начали применять на очень высоких частотах, проблема обеспечения изоляции стала еще важнее. Поэтому рекомендуется, чтобы основная изоляция использовалась обязательно: это продлит срок службы системы в целом.

Когда DC/DC-преобразователь выбран правильно, схема драйвера электродвигателя на базе транзисторов типа IGBT значительно упрощается. Дополнительно к этому увеличивается и жизненный цикл изделия, так как выбирается оптимальный режим включения/выключения транзистора. Это демпфирует силовые шины постоянного напряжения, что препятствует появлению паразитных выбросов. Кроме того, как указывалось выше, критическими являются как тип изоляции, так и ее электрическая прочность. Это также увеличивает надежность и срок службы конечного изделия.

Компания RECOM недавно освоила и вывела на рынок семейство преобразователей для IGBT-применений, которые выполняют все изложенные требования для IGBT-приложений.

Использование силовых транзисторов в линейном режиме

Теоретически, добиться работы в линейном режиме очень просто. Для этого достаточно подать на затвор напряжение определенной величины и следить за соблюдением требований документации в области безопасной работы в прямом смещении (ОБР-П). В действительности же задача реализации силовой схемы, работающей в линейном режиме, — одна из самых непредсказуемых: многие простые решения проявляют себя так, что могут стать кошмарным сном разработчика. В данной статье будут показаны «подводные камни» линейного режима и даны рекомендации и примеры реализации высоконадежных схем, работающих в таком режиме. В описаниях в основном будет идти речь о силовых МОП-транзисторах, хотя все сказанное в равной мере может быть отнесено и к IGBT силовым транзисторам.

 

Проблемы линейного режима

Реализация силовой схемы, работающей в линейном режиме, связана с тремя фундаментальными проблемами:

  1. Информация, приведенная в документации производителя, часто является неадекватной или даже некорректной по отношению к линейному режиму работы.
  2. Тепловая неустойчивость ограничивает возможности силового транзистора, работающего в линейном режиме, по управлению нагрузкой относительно значений, которые следуют из паспортных данных максимальной рассеиваемой мощности или температуры перехода кристалла.
  3. Пороговые напряжения и крутизна транзисторов с изолированным затвором (МОП и IGBT) могут существенно отличаться даже у однотипных транзисторов.

 

Тепловая неустойчивость и коэффициент передачи

Для управления током стока достаточно регулировать напряжение затвор-исток. Тем не менее, под влиянием некоторых различий температуры вдоль кристалла в нем возникает температурно-индуцированное изменение тока. Если температурно-зависимое изменение плотности тока окажется температурно-нестабильным (что нормально для линейного режима работы), то результатом может быть локальный разогрев и колебания тока в кристалле. Следствием разогрева может быть выход из строя, идентичный вторичному пробою биполярных силовых транзисторов. Исходя из этого, границы действительной ОБР-П могут быть существенно меньшими, чем те, что получены только на основании тепловых сопротивлений, часто публикуемых в документации. Исключение возможности отказа является самой большой проблемой при создании силовой схемы, работающей в линейном режиме. Таким образом, есть смысл в том, чтобы разобраться, что же вызывает выход силового транзистора из строя.

Работа в линейном режиме возможна в области «насыщения» передаточной характеристики (смежная с омической область), как показано на рис. 1.

Рис. 1. Выходные характеристики МОП-транзистора

При работе в этой области ток стока зависит от напряжения затвор-исток VGS и от порогового напряжения VTH:

где k = (μeCOZW)/2L, μe — подвижность электронов, COZ — емкость оксидного слоя затвора, W — ширина канала, L — длина канала.

Коэффициент передачи и значение k тем выше, чем больше ширина канала W и чем меньше его длина L. Поскольку значение μe снижается по мере роста температуры, то рост температуры также вызовет снижение k. (Емкость не зависит от температуры, но зато зависит от напряжения сток-исток). Значение VTH тоже снижается с ростом температуры. Поскольку работа прибора в линейном режиме связана с его разогревом, то снижение подвижности электронов приведет к снижению тока стока, таким образом, поддерживая тепловую устойчивость. В противоположность этому, снижение порогового напряжения приводит к возрастанию тока стока. Таким образом, отрицательный температурный коэффициент порогового напряжения является фактором тепловой неустойчивости. Данные соотношения можно выразить математически. Для этого нужно продифференцировать (1) по температуре и выполнить подстановку в зависимость рассеиваемой мощности от температуры. В итоге получаем коэффициент устойчивости S:

Чем выше значение S, тем большей тепловой неустойчивостью будет обладать силовой транзистор. Это означает, что локальное возрастание температуры оказывает регенеративное влияние. Если же S имеет отрицательное значение, прибор будет температурно-устойчивым в линейном режиме. Обратите внимание, что значения dVТН/dT и dk/dT всегда отрицательны.

Пользуясь выражением (2), можно сформулировать факторы улучшения тепловой устойчивости (когда S имеет меньшие значения):

  1. Снижение теплового сопротивления.
  2. Снижение напряжения сток-исток.
  3. Увеличение тока стока.
  4. Снижение коэффициента передачи (а следовательно и k).
  5. Снижение абсолютного значения температурного коэффициента порогового напряжения dVТН/dT.

Факторы 4 и 5 полностью зависят от конструкции силового транзистора. Таким образом, при его проектировании могут быть предприняты меры по улучшению тепловой устойчивости и, как следствие, расширению области безопасной работы в линейном режиме. Таким мерам были подвергнуты серии линейных МОП силовых транзисторов и большинство РЧ МОП силовых транзисторов серий ARF компании Microsemi (ранее Advanced Power Technology).

На рис. 2 показаны передаточные характеристики МОП транзистора для трех температур. На нем наглядно демонстрируется фактор тепловой устойчивости, описанный выражением (2). Существует одна точка, в которой пересекаются все кривые. Ниже этой точки преобладает влияние порогового напряжения, и поэтому локальные изменения тока вызывают температурную неустойчивость. Выше этой точки преобладает влияние изменения коэффициента передачи, и силовой транзистор будет температурно-устойчивым.

Рис. 2. Передаточные характеристики МОП-транзистора

 

Механизм отказа

Поскольку пересечение передаточных характеристик происходит в точке с относительно большим током, работа в линейном режиме ниже этой точки практически всегда сопровождается тепловой неустойчивостью. Проблема состоит в том, что в более разогретых областях кристалла выше плотность тока, что еще больше усиливает нагрев.

У любого МОП- или IGBT силового транзистора есть внутренний биполярный транзистор. Его коэффициент передачи возрастает при увеличении температуры прибора, а также при увеличении напряжения сток-исток. Сопротивление базы биполярного транзистора возрастает с нарастанием температуры, и снижается напряжение база-эмиттер. Учитывая данные факторы совместно, можно сделать вывод, что с ростом температуры повышается вероятность генерации напряжения на сопротивлении базы, достаточного для включения биполярного транзистора.

Таким образом, при определенном уровне нагретости кристалла может произойти отпирание расположенного в разогретой области биполярного транзистора. Вследствие этого работа в линейном режиме становится аварийной: разогрев становится необратимым, температура стремительно возрастает вплоть до перегорания аварийного участка, вызывающего закорачивание стока с истоком, а иногда и затвора с истоком. Некоторые поврежденные приборы еще могут работать в открытом состоянии, но после запирания они смогут работать только с напряжением, которое характеризуется большим током утечки, протекающим через поврежденную область.

 

Рекомендации по реализации линейного режима в силовых транзисторах

Первым этапом проектирования надежной силовой схемы, работающей в линейном режиме, является налаживание контакта с инженером по применениям компании-производителя силового транзистора. Этот специалист может дать бесценную информацию и советы, которых нет в документации.

Второй этап — это нахождение действительной ОБР-П для выбранных приборов. К сожалению, этот этап работы нельзя выполнить с помощью инструментов моделирования, так как модели полупроводниковых приборов не позволяют определить, когда же происходит его повреждение. Для нахождения рабочей ОБР-П потребуется тестирование на отказ нескольких приборов. Здесь можно воспользоваться преимуществами первого этапа, потому что эта работа уже скорее всего была выполнена. После того как были собраны данные, при каких напряжениях и токах возникали отказы, могут быть построены кривые или составлена математическая модель. Добавив небольшой запас надежности, получим действительную ОБР-П.

В таблице 1 представлена информация по рассеиваемой мощности IGBT силовым транзистором APT200GN60J в линейном режиме, когда при фиксированном напряжении коллекторэмиттер ток в линейном режиме возрастал вплоть до отказа силового транзистора. В результате в таблицу были внесены данные для нескольких напряжений коллектор-эмиттер.

Таблица 1. Данные по отказам силового транзистора APT200GN60J при работе в линейном режиме

VCE, В

IC, А

Р, Вт

500

0,227

114

450

0,25

113

400

0,338

135

350

0,413

145

300

0,473

142

250

0,565

141

200

0,68

136

150

1

150

100

1,84

184

Силовые транзисторы были смонтированы на теплоотводе с водяным охлаждением. Измеренная температура корпуса TC во время отказа составляла около 75 °C. С помощью аппроксимирующей кривой можно оценить среднюю температуру перехода, при которой возникает отказ, — это примерно 175 °C. Данная температура равна паспортной максимальной температуре перехода. Важно обратить внимание, что в линейном режиме отказ может произойти при средней температуре перехода, меньшей паспортного максимального значения.

На рис. 3 проиллюстрированы данные из таблицы 1, а также теоретические кривые ОБР-П, построенные из условий постоянства рассеиваемой мощности при температурах TJ = 175 °C и TC = 75 °C и 25 °C. Обратите внимание, насколько меньше действительная область ОБР-П, чем те, что получены расчетным путем на основании постоянства рассеиваемой мощности и ограниченные только тепловым сопротивлением (представлены кривыми для температур TC = 25 °C и 75 °C). В большинстве документов публикуются кривые ОБР-П для температуры корпуса 25 °C. Если полагаться на эти данные, то окажется, что при больших напряжениях ток может быть в 6 раз больше, чем на самом деле способен пропустить силовой транзистор!

Рис. 3. Измеренные и теоретические ОБР-П

Но даже если ориентироваться на более низкий ток, соответствующий температуре корпуса 75 °C, он все равно окажется намного выше тока, при котором наступает отказ прибора вследствие локального разогрева. Решить эту проблему можно только одним способом: проверить несколько силовых транзисторов, для того чтобы найти условия, вызывающие их повреждение.

На рис. 3 показана аппроксимирующая кривая, построенная по результатам тестирования на отказ при протекании постоянного тока (статическая ОБР-П). Затем, пользуясь данными по переходным тепловым сопротивлениям, были построены ОБР-П при импульсном протекании тока (импульсные ОБР-П). Результат показан на рис. 4. Полученные кривые являются рабочими ОБР-П силового транзистора APT200GN60J. Использование температуры перехода 125 °C (ниже температуры, при которой происходит повреждение силового транзистора) позволяет создать некоторый запас надежности. Обратите внимание, если сопоставить кривую статической ОБР-П с кривой испытания на отказ на рис. 3, то первая кривая окажется ниже. Именно так нужно поступать при использовании силового транзистора в линейном режиме, принимая запас минимум в 20 °C относительно средней температуры перехода, при которой наступает отказ. На рис. 4 за максимальную рекомендованную температуру перехода принято значение 125 °C, таким образом, запас надежности составляет 50 °C относительно предельной температуры.

Рис. 4. Рабочие ОБР-П транзистора APT200GN60J

Далее рассмотрим ОБР-П МОП транзистора APL502J, который был специально создан для работы в линейном режиме.

Рабочие ОБР-П силового транзистора APL502J представлены на рис. 5. По сравнению с APT200 GN60J (рис. 4) APL502J имеет более широкую ОБР-П. Границы ОБР-П находятся в противоречии с потерями проводимости. При полном включении и токе нагрузки 200 А типичное значение напряжения коллектор-эмиттер APT200GN60J составляет всего лишь 1,7 В в разогретом состоянии (1,5 В при комнатной температуре). Более надежный силовой транзистор APL502J при токе 26 A и температуре 125 °C характеризуется примерно в 6 раз большими потерями по сравнению с APT200GN60J.

Рис. 5. Рабочие ОБР-П транзистора APL502J

Обратите внимание, что кривые ОБР-П на рис. 4 и 5 загибаются в области повышенных напряжений (обе оси имеют логарифмический масштаб). Кривые ОБР-П, построенные на основании постоянства рассеиваемой мощности, являются прямолинейными. Если в документации вы увидите прямолинейную ОБР-П для статического режима работы, будьте бдительны! Этот график, скорее всего, неадекватен линейному режиму.

 

Примеры применения силовых транзисторов в линейном режиме

Твердотельное реле для коммутации постоянного тока

APT200GN60J прекрасно работает в составе твердотельных реле (ТТР), где обеспечивает ограничение тока заряда больших конденсаторных батарей за счет работы в линейном режиме, а затем переходит в полностью открытое состояние для минимизации потерь проводимости. Чтобы вписаться в пределы ОБР-П IGBT силового транзистора, необходимо существенно ограничить ток заряда емкости. Если к времени заряда нет строгих требований, то решение этой задачи не будет проблемой.

Требования

Рассмотрим ситуацию, когда необходимо зарядить конденсаторную батарею 1500 мкФ с напряжения 0 В до 400 В. Сколько будет длиться заряд емкости, значения не имеет. Для поддержания температуры корпуса ТТР на уровне 75 °C или менее может понадобиться теплоотвод.

Решение

В соответствии с графиком ОБР-П (рис. 4) ток больше всего ограничивается при максимальном прикладываемом напряжении, которое в данном случае составляет 400 В. Из данных, которые использовались для создания рис. 4, следует, что безопасный ток заряда конденсаторов при напряжении 400 В составляет 0,16 A (примерно вдвое меньше, чем ток в точке повреждения силового транзистора по данным из таблицы 1, таким образом, есть хороший запас надежности). При токе заряда 0,16 A заряд конденсаторной батареи с напряжения 0 В до 400 В произойдет за 3,75 с. Ускорить заряд, конечно же, можно, если, следуя по кривой ОБР-П, увеличивать ток заряда по мере нарастания напряжения на конденсаторе (то есть когда снижается напряжение коллектор-эмиттер). Тем не менее, поскольку нет требований по времени заряда, вариант заряда постоянным током ввиду простоты схемного решения более приемлем.

Обеспечение работы силового транзистора в пределах ОБР-П для статического режима — решение только половины проблемы. Необходимо оценить пиковое значение рассеиваемой мощности и результирующее пиковое значение температуры перехода. Поскольку ток заряда непрерывно поддерживается на постоянном уровне, то напряжение коллектор-эмиттер будет линейно снижаться с 400 В до практически 0 В, так как напряжение на конденсаторной батарее возрастает. Следовательно, рассеиваемая мощность достигает пикового значения на уровне 64 Вт (0,16 A, 400 В) сразу после подачи напряжения, а затем будет линейно снижаться. Изменение рассеиваемой мощности во времени имеет треугольную форму.

На рис. 6 показан результат моделирования теплового переходного процесса, для чего использовалась RC-схема моделирования переходного теплового сопротивления силового транзистора APT200GN60J, на вход которой подавался линейно снижающийся импульс рассеиваемой мощности с пиковым значением 64 Вт. Пиковое значение падения температуры между переходом и корпусом составляет около 12 °C. Если температура корпуса достигнет 75 °C, то средняя температура перехода должна приблизиться к 75 + 12 = 85 °C, что существенно меньше предельно-допустимого значения 125 °C.

Рис. 6. Моделирование теплового переходного процесса

Электронная нагрузка

Линейный МОП-транзистор APL502J хорошо работает в схемах, требующих более широкую ОБР-П, как, например, схема электронной нагрузки. В данном применении для удовлетворения требований по рассеиваемой мощности, а также по максимальному падению напряжения в открытом состоянии может понадобиться параллельное включение силовых транзисторов.

Требования

В рассматриваемом примере наша самодельная нагрузка должна иметь рабочие диапазоны до 400 Вт, 400 В, 20 А и перепад напряжения при полном открытии с током 20 А не более 1 В. С помощью теплоотвода можно добиться поддержания температуры корпуса на уровне не более 75 °C.

Решение

Чтобы добиться температуры перехода менее 125 °C, воспользуемся кривыми ОБР-П, они представлены на рис. 5. Сначала проверим, выполняется ли требование к полностью открытому состоянию. При комнатной температуре (и токе 26 А) максимальное значение RDS (on) силового транзистора APL502J составляет 0,090 Ом. При температуре 125 °C значение RDS (on) удваивается и составляет 0,180 Ом у каждого силового транзистора. Общее максимально-допустимое сопротивление равно 1 В/20 A = 0,050 Ом. Теперь находим, какое минимальное число силовых транзисторов позволит выполнить требование по падению напряжения в открытом состоянии: 0,180 Ом/0,050 Ом = 3,6. Следовательно, необходимо минимум 4 силовых транзистора. Обратите внимание, что при использовании токоизмерительных резисторов (об этом пойдет речь далее) падение напряжения на них также нужно учитывать при определении числа силовых транзисторов.

Рассматривая ограничения ОБР-П, определим минимальное значение мощности, которую можно рассеивать при наибольшем приложенном напряжении. В данном случае это 400 В. В случае применения APL502J с температурами корпуса и перехода, 75 °C и 125 °C соответственно, при напряжении 400 В максимальный ток равен 0,2 А, а рассеиваемая мощность 80 Вт. Минимальное число силовых транзисторов, которое необходимо для управления всей нагрузкой мощностью 400 Вт, составляет 400 Вт/80 Вт = 5 шт. Таким образом, все поставленные требования выполняются при параллельном включении минимум 5 силовых транзисторов APL502J.

Может возникнуть мысль о параллельном включении силовых транзисторов с добавлением к затвору каждого транзистора отдельного резистора (для предотвращения генерации) и контролем тока в одной точке. Но, к сожалению, реализация такой идеи, несомненно, привела бы к выходу из строя силовых транзисторов.

Наконец, нам осталось решить последнюю проблему при создании силовой схемы, работающей в линейном режиме. Она связана с разбросом пороговых напряжений у однотипных силовых транзисторов. В линейном режиме силовые транзисторы нельзя напрямую соединять параллельно; каждый силовой транзистор должен пропускать через себя отведенную ему долю общего тока. Добиться этого можно с помощью различных способов.

При условии, что это позволяет требование по максимальному падению напряжения в открытом состоянии, последовательно с каждым МОП-транзистором может быть включено достаточно большое сопротивление, на которое будет возложена существенная часть тепловой нагрузки (резисторы будут нагреваться). С помощью резисторов можно также добиться уравновешивания токов через МОП-транзисторы. Для этого между истоком каждого МОП-транзистора и возвратной линией цепи управления затвором должен быть предусмотрен отдельный резистор. Такое включение создает отрицательную обратную связь возле каждого затвора. Добиться идеального уравновешивания токов невозможно. Сортировка транзисторов по пороговому напряжению также не даст результата, так как даже незначительное различие МОП-транзисторов по пороговому напряжению приведет к существенному разбросу тока.

Поскольку рассматриваемая схема должна обладать малым падением напряжения в открытом состоянии, то эффективным в стоимостном плане может оказаться решение с раздельной стабилизацией тока у каждого МОП-транзистора с помощью усилительной схемы (управляет напряжением затвор-исток) и датчика тока. Данную идею иллюстрирует упрощенная схема на трех параллельно работающих МОП-транзисторах (рис. 7). Чтобы выполнить требование по малому общему падению напряжения, в схеме нужно использовать низкоомные резисторы или датчики Холла.

Рис. 7. Осуществление линейного режима при параллельном включении транзисторов

Для упрощения сборки и минимизации размеров и стоимости готового решения компания Microsemi выпустила серию приборов, предназначенных главным образом для линейного режима, но они способны работать и в качестве коммутаторов. Данные приборы содержат в компактном корпусе SP1 силовой транзистор (линейный МОП- или Filed Stop IGBT-транзистор), токоизмерительный резистор (обладающий малой индуктивностью) и датчик температуры.

Рис. 8. Транзистор, токоизмерительный
резистор и датчик температуры
в одном корпусе SP1

Встроенный токоизмерительный резистор установлен на том же керамическом изоляторе, что и силовой транзистор. Тем самым транзистор минимизирует индуктивность и достигает охлаждения резистора, который при максимальной нагрузке рассеивает мощность всего лишь несколько ватт. Такое решение упрощает одновременный контроль напряжения сток-исток, тока стока и температуры корпуса. В результате обработки данной информации в численном виде могут быть получены такие кривые ОБР-П, которые позволят более полно использовать возможности прибора и максимально снизить стоимость системы.

Линейный стабилизатор напряжения с регулировкой на LM317 и NPN транзисторе

Всем привет!
Сегодня речь пойдет об ещё одном линейном стабилизаторе напряжения на базе микросхемы LM317.
Выглядит готовый модуль следующим образом:

Видео по теме:

В предыдущих статьях я уже рассказывал о различных схемах линейных стабилизаторов напряжения. Например, была статья про стабилизатор на базе TL431 и NPN транзисторов, а также на базе LM317, усиленной PNP транзистором. Сегодня я хочу рассказать про другую схему: если мы захотим усилить LM317 не PNP, а NPN транзистором.

Основные характеристики:
• Входное напряжение до 35В (LM317 способна работать с входным напряжением до 40В, но лучше оставить запас)
• Выходное напряжение 0,8В-37В (максимальное выходное напряжение зависит от тока, чем больше ток, тем меньше максимальное выходное напряжение)
• Ток до 8.5А (с транзистором TIP35C при максимальном входном напряжении 19,5В, а вообще зависит от выбранного транзистора и рассеиваемой на нем мощности, об этом более подробно будет описано дальше)
• Стабилизация выходного напряжения при изменении входного
• Стабилизация выходного напряжения при изменении тока нагрузки (по качеству стабилизации будет информация ниже)
• Отсутствие защиты от КЗ
• Отсутствие защиты по току


Модуль собран по следующей схеме:

Пояснения по схеме:
Чтобы сделать проект более бюджетным и доступным все компоненты либо выпаяны из старой техники, либо куплены на Али Экспресс. В частности, LM317 и транзистор TIP35C куплены там, поэтому скорее всего не оригинальные (транзистор — 100% не оригинальный, микросхема – под вопросом). LM317 имеет 3 вывода, они обозначены на схеме и картинке в нижнем правом углу цифрами.

Микросхема управляет мощным биполярным транзистором VT1. Я для этой цели использовал, вышеупомянутый TIP35С. Эмиттер, коллектор и база также обозначены на схеме и на картинке в нижнем правом углу. Транзисторы TIP36C и TIP35С являются комплементарной парой, поэтому основные характеристики у них сходные: напряжение – 50В, ток коллектора – 25А (8-9А, для конкретно моих транзисторов, купленных на Али Экспресс), статический коэффициент передачи тока около 10.

По поводу подбора транзистора и рассеиваемой им мощности
Очень важно следить за мощностью, которую рассеивает транзистор. Оригинальные транзисторы в корпусах TO-247, ТО-218, ТО-3P и аналогичных по габаритам, могут максимально рассеивать до 70-100 Вт мощности (в зависимости от конкретной модели и экземпляра транзистора). Но лично я стараюсь нагружать транзисторы не максимально, чтобы продлить им жизнь, т.е. 60 Вт максимум, а лучше 40-50. Что касается транзисторов с Али Экспресс в вышеупомянутых корпусах, то лучше, чтобы максимальная рассеиваемая мощность не превышала 50-55 Вт. Т.е. при мощности больше 55 Вт они с вероятность 80% выйдут из строя. Токи для таких транзисторов не должны превышать 8-9А. Рассчитывается мощность, которую рассеивает транзистор по следующей формуле:

P = (U выход -U вход)*I коллектора

Например, входное напряжение – 15 В, выходное напряжение — 11 В, ток у нас 6 А
Р = (15В-11В) *6А = 24 Вт
Отдельно хочу обратить внимание на то, как меняется мощность, рассеиваемая на транзисторе в линейных стабилизаторах напряжения. Рассмотрим следующий пример: входное напряжение – 19,5 В, выходное напряжение мы установили — 2 В, наша нагрузка потребляет ток в 8,5А. Казалось бы, что должно быть:
Р = (19,5В-2В) *8,5А = 148,7 Вт
Но на самом деле нет. Я провел небольшой тест на транзисторе TIP35C: выставлял разное выходное напряжение, замерял ток и рассчитывал рассеиваемую мощность. Результаты приведены в таблице:


Как видно: чем больше мы закрываем наш транзистор, тем сильнее при этом уменьшается ток, и тем больше уменьшается выходное напряжение. В данном эксперименте максимальная мощность, рассеянная на транзисторе, не превысила 55 Ватт, что способен выдержать даже мой поддельный транзистор. Т.е. в вышеуказанном примере нашей нагрузке будет не хватать тока, но наш транзистор не выйдет из строя. Но если входное напряжение у нас будет больше, например 35В, то стабилизатор ток в 8,5А не выдержит при большой разнице между входным и выходным напряжением. В общем, для каждого режима работы транзистора нужно делать отдельный расчет рассеиваемой мощности, зная разницу между входным и выходным напряжением и реальный ток коллектора.

Продолжим рассмотрение схемы. Резисторы R1 (переменный) и R2 задают напряжение, которое наша схема будет стабилизировать. Резистор R2 можно взять номиналом от 200 до 300 Ом, мощность любая. Потенциометр R1 – номинал 4.7К-5К Ом. Для всех аналогичных схем на LM317 работает принцип: чем больше сопротивление резистора R1 относительно резистора R2, тем выше выходное напряжение.
Указанные выше компоненты составляют ядро схемы.


Всё остальное — дополнительные элементы для улучшения стабильности и некоторых защит.

Хочу обратить внимание, что обратная связь снимается не с выхода (в данном случае с эмиттера) транзистора, а с его базы. Поэтому данная схема является не совсем полноценным стабилизаторам напряжения, скорее транзистор повторяет напряжение, стабилизированное микросхемой. В интернете есть ещё вот такой вариант схемы:


Здесь добавлен резистор R3, который как раз создает полноценную обратную связь. Но испытание данного варианта схемы выявило серьезный недостаток: при изменении тока нагрузки выходное напряжение заметно меняется. Например, при установленном выходном напряжении 12,6В и уменьшении тока нагрузки с 3,1А до 1,5А выходное напряжение увеличилось с 12,6В до 13,9В, т.е. на 1,3В. При аналогичной проверке предыдущей версии схемы эта разница была всего 0,2-0,3В. При увеличении тока нагрузки выходное напряжение наоборот уменьшается в обоих версиях схемы, но в первой версии схемы это не так выражено.

Я решил остановить свой выбор на первой версии схемы, т.к. там гораздо меньше риск зажарить нагрузку повышенным напряжением при уменьшении потребляемого тока.

Прокомментирую оставшиеся элементы схемы. Конденсатор C2 (керамический 0,1 мкФ) – припаивается параллельно переменному резистору и улучшает стабильность регулировки. Также для стабильности на базу транзистора добавлен конденсатор С6. Чтобы при разряде конденсатора C2 защитить вывод микросхемы LM317 ставится диод D2. Диод D1 защищает транзистор от обратного тока. Диод D3 служит для защиты схемы от ЭДС самоиндукции при питании электродвигателей. Конденсаторы C4 (электролитический 1000 мкФ) и C5 (керамический 1-10 мкФ) образуют входной фильтр, а конденсаторы C1 (электролитический 1000-3300 мкФ) и C3 (керамический 1-10 мкФ) образуют выходной фильтр. Электролитические конденсаторы нужно подбирать по напряжению с запасом, в идеале процентов на 40 больше примерно. Например, если входное напряжение будет 20В, то конденсатор С4 лучше брать 35В, а не 25В. Резистор R4 на 10к Ом (мощность любая) создает небольшую нагрузку для стабильности работы схемы на холостом ходу и помогает быстрее разрядить конденсаторы.

Процесс сборки:
Сначала попробовал различные варианты схемы, собрав их навесным монтажом.


Далее спаял готовый модуль на макетной плате.

Я добавил небольшой радиатор. С таким радиатором схема может долго работать только на малых токах. Для полноценного использования схемы, нужен радиатор, способный рассеивать больше тепла. Транзистор крепится к радиатору на термопасту без изолирующих втулок и прокладок — для улучшения теплоотдачи, а LM317 я от радиатора изолировал. На фланце микросхемы LM317 находится её выходной контакт, по схеме он не должен замыкаться с коллектором транзистора VT1, который привинчен к радиатору без изоляции. При отсутствии изоляции между транзистором и радиатором, на радиаторе будет входное напряжение. Об этом нужно помнить и размещать устройство в корпусе из диэлектрического материала, либо другими способами изолировать радиатор от корпуса.

Далее я протестировал готовый модуль при помощи блока питания и электронной нагрузки.

В целом схема рабочая, но, как и прочие линейные стабилизаторы, обладает низким КПД и высоким нагревом. Особенности и характеристики данной схемы уже были описаны ранее. Для каких-то целей это критично, для каких-то нет, в любом случае собирать и тестировать данный модуль лично мне было интересно.

Всем спасибо за внимание, надеюсь, статья была для Вас полезной! Как всегда, готов ответить на вопросы и обсудить критику по существу в комментариях к данной статье.

Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

D304X JLI Транзисторы | Весвин Электроникс Лимитед

D304X от производителя JLI — это микросхема с высоковольтным силовым транзистором NPN с быстрым переключением. Более подробную информацию о D304X можно увидеть ниже.

Категории
Транзисторы
Производитель
JLI
Номер детали Veswin
V1070-D304X
Статус бессвинцовой / RoHS
Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS
Состояние
Новое и оригинальное — Заводская упаковка
Состояние на складе
Наличие на складе
Минимальный заказ
1
Расчетное время доставки
8 августа — 13 августа (выберите ускоренную доставку)
Модели EDA / CAD
D304X от SnapEDA
Условия хранения
Шкаф для сухого хранения и пакет защиты от влажности

Ищете D304X? Добро пожаловать в Весвин.com, наши специалисты по продажам всегда готовы помочь вам. Вы можете получить доступность компонентов и цены для D304X, просмотреть подробную информацию, включая производителя D304X и спецификации. Вы можете купить или узнать о D304X прямо здесь, прямо сейчас. Veswin — дистрибьютор электронных компонентов для бытовых, обычных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Veswin поставляет промышленные, Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, клиентов CEM и ремонтных центров по всему миру.У нас есть большой запас электронных компонентов, который может включать D304X, готовый к отправке в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором D304X с полным спектром услуг. У нас есть возможность закупить и поставить D304X по всему миру, чтобы помочь вам с цепочкой поставок электронных компонентов. сейчас же!

  • В: Как заказать D304X?
  • A: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
  • В: Как платить за D304X?
  • A: Мы принимаем T / T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
  • Вопрос: Как долго я могу получить D304X?
  • A: Мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
    Мы также можем отправить заказной авиапочтой, обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
    Пожалуйста, выберите предпочтительный способ доставки при оформлении заказа на нашем веб-сайте.
  • В: Гарантия на D304X?
  • A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
  • Вопрос: Техническая поддержка D304X?
  • О: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке D304X, указаниями по применению, заменой, таблица данных в pdf, руководство, схема, эквивалент, перекрестная ссылка.
ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА VESWIN ELECTRONICS Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001.Наши системы и соответствие стандартам были и продолжают регулярно проверяться и тестироваться для поддержания постоянного соответствия.
СЕРТИФИКАЦИЯ ISO
Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics точны, всеобъемлющи и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования обеспечивают долгосрочную приверженность компании Veswin Electronics постоянному совершенствованию.
Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте появлялись правильные данные о товарах.Перед заказом обратитесь к техническому описанию продукта / каталогу для получения подтвержденных технических характеристик от производителя. Если вы заметили ошибку, сообщите нам об этом.

Время обработки : Стоимость доставки зависит от зоны и страны.
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.
Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты.Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.

ПРИМЕЧАНИЕ. Все основные кредитные и дебетовые карты через PayPal. (AMEX принимается через Paypal).
Мы также можем принять банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или артикулом продукта.Укажите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal.

  • Мы предоставляем 90 дней гарантии;
  • Предотгрузочная инспекция (PSI) будет применяться;
  • Если некоторые из полученных вами товаров не идеального качества, мы ответственно организуем вам возврат или замену.Но предметы должны оставаться в исходном состоянии;
  • Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
  • Если ваш товар значительно отличается от нашего описания товара, вы можете: А: вернуть его и получить полный возврат средств, или Б: получить частичный возврат и оставить товар себе.
  • Налоги и НДС не будут включены;
  • Для получения более подробной информации, пожалуйста, просмотрите нашу страницу часто задаваемых вопросов.

D304X — Нелл

DtSheet
    Загрузить

D304X — Нелл

Открыть как PDF
Похожие страницы
TTC5200
TTA1943
TIP31 (NPN).Серия TIP32 (PNP)
TIP41 (NPN). Серия TIP42 (PNP)
TIP35 (NPN). Серия TIP36 (PNP)
2N3055 (NPN).MJ2955 (PNP)
WINSEMI WBR13003L2
WINSEMI SBR13003D
BU941 серии
700PT серии
495PT серии
BU508 серии
2SD649 — 動
2Н60 серии
NELLSEMI N
3N60 серии
7N90 серии
6Н60 серии
NELLSEMI 300DR04BM
7Н60 Серия.cdr
NELLSEMI N

dtsheet © 2021 г.

О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь

D304X_145710.Загрузить техническое описание в формате PDF — IC-ON-LINE

PART Описание Чайник
154-22 153-28 154-18 154-04 154-10 154-14 154-12 1 ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 220В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 180V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 140V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 120V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 160В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 260В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C)
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 200В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 300V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C)
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 240V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C)
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 40В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | STR-1/4 体管 | 体管 | 叩 | 40V 的 五 (巴西) 总裁 | 7.5AI (丙) | 个 STR — 1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 60В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | STR-1/4 体管 | 体管 | 叩 | 60V 的 五 (巴西) 总裁 | 7.5AI (丙) | 个 STR — 1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 280V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) 体管 | 体管 | npn 型 | 280 伏特 五 (巴西) 总裁 | 7.5AI (丙
NXP Semiconductors N.V.
Bel Fuse, Inc.
YEONHO Electronics Co., Ltd.
BB1 BB1A4A BB1A4M BB1L3N BB1A3M BB1F3P BB1J3P BB1L Составной транзистор на кристалле, кремниевый эпитаксиальный транзистор NPN Для коммутации на средних скоростях
Гибридный транзистор
NEC Corp.
NEC [NEC]
2SB1713 2SB1714 2SB852K1 2SC2412K1 2SC41021 2SC472 -3A / -12V Биполярный транзистор
-2A / -30V Биполярный транзистор
Транзистор усилителя с высоким коэффициентом усиления (? 32 В,? 0,3 A)
Транзистор общего назначения (50 В, 0,15 A)
Транзистор высокого напряжения усилителя (120 В, 50 мА )
Высокочастотный транзистор усилителя (11 В, 50 мА, 3,2 ГГц)
Силовой транзистор (60 В, 3 А)
Транзистор средней мощности (60 В, 2 А)
Транзистор средней мощности (60 В, 0.5A)
Транзистор усилителя с высоким коэффициентом усиления (32 В, 0,3 А)
Транзистор средней мощности (32 В, 1 А)
Транзистор мощности (80 В, 1 А)
Транзистор с низким VCE (насыщенный) (стробоскопическая вспышка)
Транзистор средней мощности с высоким коэффициентом усиления (20 В, 0,5 А)
Усилитель низкой частоты
4 В, привод N-кан. МОП-транзистор
МОП-транзистор, 10 В, МОП-транзистор, 2,5 В, МОП-транзистор, 4 А, 600 В, N-канальный МОП-транзистор
UTC
ROHM [Rohm]
50N06-TA3-T 50N06-TF3-T 2SA102005 2SA1797-X-AA3-R КРЕМНИЙ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР 2000 мА, 50 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
КРЕМНИЙ PNP ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР 进步 党 硅 外延 体
РЕВЕРСИВНЫЙ ДРАЙВЕР ДВИГАТЕЛЯ
NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР
ВЫСОКОПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ
ВЫСОКОПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ
ВЫСОКОПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР НАПРЯЖЕНИЯ
NPN ТРАНЗИСТОР
ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ И ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ ТРАНЗИСТОР
КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТРАНЗИСТОР УСИЛИТЕЛЯ, РЧ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ (6 В, 50 мА)
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ ТРАНСИСТОР ПЕРЕДАЧА УСИЛИТЕЛЯ ЧАСТОТА
ЧАСТОТА АУДИОСИСТЕМЫ NPN
ПЕРЕДАЧА АУДИОСИСТЕРА
СРЕДНИЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАПРЯЖЕНИЯ
СРЕДНИЙ МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР
НИЗКОЧАСТОТНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ КРЕМНИЙ EPITAXIAL PNP
EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR PNP
50 А, 60 В N-КАНАЛЬНЫЙ МОЩНЫЙ МОП-транзистор
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
?? 『绉 ??? ′ 唤 ??????
Unisonic Technologies Co., Ltd.
友 顺 科技 股份有限公司
UTC [Unisonic Technologies]
151-05 151-08 151-07 151-09 152-05 164-18 164-04 1 ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 50V V (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 70В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 90В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 180V V (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 40В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 160В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | TO-82
5-контактные контрольные схемы микропроцессора со сторожевым таймером и ручным сбросом
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 50V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 60В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 220В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 90В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 60В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 140V V (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 70В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 90В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 200В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 240V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 160В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 240V V (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 120V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 180V V (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | TO-82
晶体管 | 晶体管 | 叩 | 100V 的 五 (巴西) 总裁 | 甲 一 c) | STR-5/16
晶体管 | 体管 | 叩 | 180 В 五 (巴西) 总裁 | 甲 一 c) | STR-5/16
晶体管 | 体管 | npn 型 | 140 伏特 五 (巴西) 总裁 | 甲 一 c) | STR-5/16
体管 | 体管 | 叩 | 50 В 五 (巴西) 总裁 | 6A 条 一 c) | 2
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | STR-1/4 体管 | 体管 | 叩 | 100V 的 五 (巴西) 总裁 | 7.5AI (丙) | 个 STR — 1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 60В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | STR-5/16 体管 | 晶体管 | 叩 | 60V 的 五 (巴西) 总裁 | 甲 一 c) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 50V V (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | STR-5/16 体管 | 晶体管 | 叩 | 50 В 五 (巴西) 总裁 | 甲 一 (c) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 70В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | STR-5/16 体管 | 晶体管 | 叩 | 70V 的 五 (巴西) 总裁 | 甲 一 (c) | STR-5/16
Samsung Semiconductor Co., Ltd.
Molex, Inc.
Intel, Corp.
2N3723 2N2787 2N706B / 46 2N3409 2N5188 2N3728 , 30 В, 2 КАНАЛА, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-78
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 25В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | TO-39
5-контактные контрольные схемы микропроцессоров со сторожевым таймером и ручным сбросом
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 15В В (BR) Генеральный директор | 50MA I (C) | ТО-46
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 35В В (BR) Генеральный директор | 800MA I (C) | ТО-5
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 500MA I (C) | К-5
SEMICOA CORP
SPP12N50C3 SPI12N50C3 SPA12N50C3 SPB12N50C3 Cool MOSPower Transistor 马鞍山 ⑩ 功率 晶体管
для минимальных потерь проводимости и самого быстрого переключения
COOL MOS POWER TRANSISTOR
Cool MOS Power Transistor
Cool MOS Power Transistor
Cool MOS? / A> Power Transistor
INFINEON [Infineon Technologies AG]
BFP620E7764 RF-биполярный — NPN кремниево-германиевый радиочастотный транзистор, малошумящий радиочастотный транзистор с высоким коэффициентом усиления в корпусе SOT343
C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Infineon Technologies AG
HCPL-655X HCPL-257K HCPL-5500 HCPL-5501 HCPL-550K 5962-8767904FC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767906KYC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767902PA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
-8767906KPC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767905KUA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767905KEA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767901TA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767901EA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений ons
5962-8767902YC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767902YA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-

01HXA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом
для аналоговых и цифровых приложений 5962-

01HPC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-

01KPA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-

01KYA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962

01KYC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-

01KXA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-

01KPC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений lications
5962-8767901UA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-

01HPA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
4N55 / 883B · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
HCPL-550K-300 · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
HCPL-550K-100 · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
HCPL-553K-100 · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналогового и цифровые приложения
HCPL-257K-300 · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
HCPL-257K-100 · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-

01HYC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-

01HYA · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767908KFC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767901UC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962 -8767905KEC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767905KUC · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений
5962-8767907K2A · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений 67902 5962-87 · Герметичные оптопары с транзисторным выходом для аналоговых и цифровых приложений

Agilent (Hewlett-Packard)
HP [Agilent (Hewlett-Packard)]
Agilent (Hewlett-Packard…
FXT3866SM FXT449SM FXT549SM FXT749SM FXT649SM FXT6 ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 20В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | СОТ-89
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 20В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | СОТ-89
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 25В В (BR) Генеральный директор | 2A I (C) | SO
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 25В В (BR) Генеральный директор | 2A I (C) | SO
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 300V V (BR) Генеральный директор | 500MA I (C) | SO
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 150V V (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | SO 晶体管 | 晶体管 | npn 型 | 150 伏 五 (巴西) 总裁 | 1A 条 一 (c) |
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 100В В (BR) Генеральный директор | 2A I (C) | SO 晶体管 | 晶体管 | 进步 党 | 100V 的 五 (巴西) 总裁 | 甲 一 (c) |
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | SOT-89 晶体管 | 体管 | 进步 党 | 60V 的 五 (巴西) 总裁 | 1A 条 一 (c) | 采用 SOT — 89
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 45В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | SO 晶体管 | 晶体管 | 叩 | 45V 的 五 (巴西) 总裁 | 1A 条 一 (c) |
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 30В В (BR) Генеральный директор | 400MA I (C) | SO 晶体管 | 晶体管 | 叩 | 30V 的 五 (巴西) 总裁 | 400 мА 的 一 (c) |
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 80В В (BR) Генеральный директор | 1A I (C) | СОТ-89
Zetex Semiconductor PLC
Fujitsu, Ltd.
Bourns, Inc.
Amphenol, Corp.
CP611 силовой транзистор ПНП — обломок
усилителя / транзистора переключателя Форма обломока: КРЕМНИЙ ТРАНЗИСТОР
Central Semiconductor Corp
CP617 Малый сигнальный транзистор PNP — кремниевый обломок RF-транзистора
Форма обломока: RF-ТРАНЗИСТОР
Central Semiconductor Corp
Техническое описание транзисторов

D304x | Ркве.tazelf.site

Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением, техническое описание DX, схема DX, техническое описание DX: NELLSEMI, все данные, техническое описание, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и. · Техническое описание DX в формате PDF — силовой транзистор 12A / V / NPN, техническое описание, DX pdf, распиновка DX, эквивалент, данные DX, схема DX, выход, микросхема, схема.

· DX Datasheet PDF подробнее. Это силовой транзистор NPN. Номер детали: DX. Функции: 12 А / В / Вт, высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением.Упаковка. 22 строки · DX Datasheet, DX PDF, DX Data Sheet, DX manual, DX pdf, DX.

DX datasheet, DX datasheets, DX pdf, DX circuit: NELLSEMI — Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением, все данные, сайт поиска технических данных для Electronic.

DX datasheet, DX PDF, Распиновка DX, эквивалент, замена — транзистор — ATE, схема, схема, руководство. DX datasheet, DX PDF, DX Pinout, Equivalent, Replacement — Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением — nELL, Схема, Схема, Руководство.DX Datasheet (PDF) rkve.tazelf.site SizeK _nell RoHS DX RoHS ПОЛУПРОВОДНИК Nell High Power Products Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением 12A / V / WC ХАРАКТЕРИСТИКИ Высокая скорость переключения Высокое напряжение пробоя Высокая токовая нагрузка Высокая надежность BCE (DX

DX, DX datasheet pdf, DX data sheet, rkve.tazelf.site D Datasheet, D PDF, D Data sheet, D manual, D pdf, D, datenblatt, Electronics D, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание, данные.

DX Datasheet (PDF) 1 страница — Nell Semiconductor Co., Ltd: Номер детали. DX: Описание Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением: Загрузить 4 страницы: Прокрутка / Масштаб:%: Производитель: NELLSEMI. Паспорт всех транзисторов. Поиск по перекрестным ссылкам. База данных транзисторов.

Бесплатная телефонная книга At & t

«Мальчик в ванной для девочек» наборы книг Обложки с бесплатным дизайном Самая прекрасная рецензия на книгу
Темные дни гамбургера отчет о халпине Переезд Шевикинга книга Итан Броннерс как книга мечтателей
Аудиокнига Za friko Книга клуба кадетских классиков Рождение пяти книг 2012 nhs
Плед Сирдар книжка 320 основная Жуткий мормон, жуткий мормон, адская мечта, прямая трансляция Деловая книга для igcse english past
Книга охотников за реликвиями 5 Акушерский формат книги Нажмите на книгу 3 студентов подслушивающие устройства

Технический паспорт DX (PDF), 2 страницы — Nell Semiconductor Co., Ltd: Номер детали. DX: Описание Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением: Загрузить 4 страницы: Прокрутка / Масштаб:%: Производитель: NELLSEMI.

Micro Electronics Transistors & IC Data Book Выпуск 1 Micro Electronics Ltd. c Acrobat 7 Pdf Mb. Отсканировано артмисом с помощью Canon DRC +.

Pumped PDF

Это PDF-формат хорошо известной книги о расположении выводов оборудования, в которой описаны выводы различных компьютерных, электрических и электронных устройств. Ручная книга, которую нужно иметь! kB: Распиновка разная: rkve.tazelf.site 28/03 / Внешний жесткий диск 1 ТБ: kB: Western Digital: My World Book HDD: транзистор rkve.tazelf.site: 30/08 / транзистор.

Технический паспорт (PDF) mjepdf SizeK _motorola. Закажите этот документ MOTOROLA by MJE / D SEMICONDUCTOR ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ MJE MJF Технические данные разработчика SWITCHMODE NPN Биполярный силовой транзистор МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР. · Техническое описание — (V) Транзистор PNP — Toshiba, PDF, распиновка, руководство, схема, эквивалент, данные.

Техническое описание

DX (PDF), 4 страницы — Nell Semiconductor Co., Ltd: Номер детали. DX: Описание Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением: Загрузить 4 страницы: Прокрутка / Масштаб:%: Производитель: NELLSEMI. 2N Datasheet, 2N PDF, 2N Data Sheet, 2N manual, 2N pdf, 2N, datenblatt, Electronics 2N, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, data sheet, datasheet, databook, free datasheet ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR: Обмен Полупроводниковые силовые кремниевые PNP-транзисторы 2N isc.

D45h2B Технический паспорт (PDF) rkve.tazelf.site SizeK _mospec A A d44h d45h d45h21 d44hpdf SizeK _motorola.

DTC114EUBHZG: Транзисторы

Заказать этот документ MOTOROLA by D44H / D SEMICONDUCTOR ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ серии NPN D44H * Дополнительный кремниевый блок питания серии PNP D45H * Транзисторы. Техническое описание DR (PDF) rkve.tazelf.site SizeK _mcc MCC DR Micro Commercial Components TM Marilla Street Chatsworth Micro Commercial Components CA Телефон :.

D Datasheet, D PDF, D Data sheet, D manual, D pdf, D, datenblatt, Electronics D, alldatasheet, free, datasheet, Datasheets, данные. Технический паспорт DX (PDF), 3 страницы — Nell Semiconductor Co., Ltd: Номер детали. DX: Описание Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением: Загрузить 4 страницы: Прокрутка / Масштаб:%: Производитель: NELLSEMI.

Эпитаксиальный кремниевый транзистор

N rkve.tazelf.site 3 Типичные рабочие характеристики Рис. 1. Техническое описание транзистора

D304x: Техническое описание транзистора D304X, эквивалент, поиск перекрестных ссылок …

Коэффициент усиления постоянного тока

Рис. 2. Напряжение насыщения база-эмиттер и коллектор -Напряжение насыщения эмиттера. · Лист данных FN — V, 8A, 70W, транзистор — Sanken, FN pdf, распиновка FN, данные, схема, микросхема, руководство, заменитель, детали, схема, эквивалент.

Диоды и транзисторы (PDF 28P) В этой заметке рассматриваются следующие темы: основы физики полупроводников, диоды, нелинейная модель диода, анализ линии нагрузки, модели диодов для больших сигналов, модель смещенных диодов, транзисторы, модель BJT для больших сигналов, анализ линий нагрузки, Модель слабого сигнала и транзистор. Справочник по малосигнальным транзисторам Motorola Motorola Inc Acrobat 7 Pdf Mb. Отсканировано artmisa с использованием планшетного ПК Canon DRC +.

· Технический паспорт C — Vceo = V, 3A, транзистор NPN — Fairchild, техническое описание KSC, C pdf, распиновка C, эквивалент, данные, схема, схема.· Технический паспорт C — Vceo = V, транзистор NPN — Toshiba, техническое описание 2SC, C pdf, распиновка C, руководство C, схема C, эквивалент C.

Технический паспорт продукта Ред. 02 — 28 августа 5 из 13 NXP Semiconductors BCM62B Согласованный двойной транзистор PNP / PNP [1] VBEsat уменьшается примерно на мВ / К с повышением температуры. [2]. Цифровой транзистор серии DTCE NPN, мА 50 В (встроенный транзистор смещения) Лист данных lOutline Параметр Значение SOT SOTFL VCC 50 В IC (МАКС.) МА R1 10 кОм DTCEM.

Цифровой транзистор серии DTCJ NPN мА 50 В (встроенный транзистор смещения резистора) Лист данных l Краткое описание Параметр Значение SOT SOTFL VCC 50 В IC (МАКС.) мА R1 кОм DTCJM. 2SCRD3 FRA NPN A Техническое описание силового транзистора на 50 В Квалифицированный AEC-Q lOutline Параметр Значение DPAK VCEO 50V IC 3A TO lОсобенности Внутренняя цепь 1) Подходит для силового драйвера. 2). · 2NA — это NPN-транзистор, поэтому коллектор и эмиттер будут оставаться открытыми (с обратным смещением), когда базовый вывод удерживается на земле, и будут закрыты (с прямым смещением), когда на базовый вывод будет подан сигнал.

2NA имеет коэффициент усиления, равный этому значению, определяющему усилительную способность транзистора. DTCEUB HZG NPN mA 50V Цифровые транзисторы (встроенные транзисторы с резистором смещения) Datasheet AEC-Q Qualified lOutline Параметр Значение UMT3F VCC 50V IC (MAX.) мА R1 10 кОм R2 10 кОм.

Цифровые транзисторы

NPN мА, 50 В (встроенные транзисторы смещения) Лист данных lOutline Параметр Значение VMT3 EMT3 VCEO 50V IC мА R1 47 кОм DTCTM DTCTE (SCAA) SOT (SC. Управление питанием (двойные транзисторы) Datasheet lOutline Параметр Значение VCEOV ICmA Значение VMT6 VCEO 50V IC mA lОсобенности lВнутренняя цепь 1). ТЕХНИЧЕСКИЙ ПАСПОРТ Спецификация продукта Заменяет данные от 23 апреля 11 октября DISCRETE SEMICONDUCTORS Книга по коммутирующим транзисторам 2N NPN, половина страницы M3D 11 октября 2 Philips Semiconductors Спецификация продукта на коммутирующий транзистор NPN.

dx datasheet, pdf 7 ноября, | admin DX datasheet, DX datasheets, DX pdf, Схема DX: NELLSEMI — Высоковольтный силовой транзистор NPN с быстрым переключением, alldatasheet, datasheet. RPNJ Nch V 20A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS V TO RDS (вкл.) (Макс.) Ω SC ID ± 20A LPT (S) PD W lВнутренняя цепь lОсобенности 1) Низкое сопротивление в открытом состоянии.

2) Быстро. · VSCTQM3 30CTQ. отказываемся от любой ответственности за любые ошибки, неточности или неполноту, содержащиеся в любом техническом описании или в любом другом. Технический паспорт N, ред.A.

DTC144TE: Транзисторы

• Китай — Германия — Корея — Сингапур — США •. • — [электронная почта защищена] •. Лист данных 30CTQ / 30CTQ, схема 30CTQ, лист данных 30CTQ: IRF — SCHOTTKY RECTIFIER, все данные, лист данных, лист данных.

D304X техническое описание (2/4 страницы) NELLSEMI | High Voltage Fast …

ОПИСАНИЕ ТРАНЗИСТОРА NPN 2N и 2N — это кремниевые эпитаксиальные планарные NPN-транзисторы в металлическом корпусе jedec TO, предназначенные для использования в бытовых и промышленных приложениях, работающих от сети.Техническая литература, разработка продукта, спецификации, техническое описание.

DTCXCA Цифровой транзистор NPN мА 50 В (встроенный транзистор смещения резистора) Краткое описание Параметр Значение SOT VCC 50 В IC (МАКС.) МА R1 кОм R2 10 кОм (SST3) lОсобенности lВнутрен.

Книга эквивалента транзистора

Книга эквивалента распределителя Доступная книга эквивалента транзистора Техническое описание, книга эквивалента транзистора с коротким временем выполнения заказа, вы получите книгу эквивалента транзистора, время выполнения книги эквивалента транзистора, книгу эквивалента транзистора.

· База данных программного обеспечения IC, содержащая информацию о более чем полупроводниках, таких как транзисторы и интегральные схемы. Как информация Теги техническое описание, загрузка, электронное программное обеспечение, микросхема, загрузка книги транзистора. · Справочник транзисторов и диодов. Первое издание на компакт-диске в формате PDF. Отличный справочник — страницы в удобном для чтения формате Adobe PDF на CDROM.

Руководства по выбору транзисторов. Рейтинг продавца транзисторов:% положительный. EMD29 Общее назначение (двойной цифровой транзистор) Лист данных lOutline Параметр Значение SOT VCCV SCC IC (MAX.) мА R1 1 кОм R2 10 кОм EMT6 Параметр. · Привет, спасибо за ваши советы в другой моей ветке. ну, трансформатор достаточно большой, я думаю, и у меня хороший поток воздуха внутри коробки. также, кстати, по поводу IC-идентификации, должен ли я действительно читать весь или большую часть материала, представленного в таблицах данных / книгах.

Datenblatt PDF Suche — Datenblätter

Teilenummer Beschreibung Херстеллер PDF
ZXMN10A08E6TC МОП-транзистор, 100 В, N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Диоды
ZXMN10A08E6TA МОП-транзистор, 100 В, N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Диоды
ZXMN10A08E6 МОП-транзистор, 100 В, N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Диоды
Y60NM60 STY60NM60
СТМикроэлектроника
XP152A11E5MR-G Силовой полевой МОП-транзистор
Компания Torex Semiconductor
XP151A13A0MR-G Силовой полевой МОП-транзистор
Компания Torex Semiconductor
XP151A13A0MR Силовой полевой МОП-транзистор
Компания Torex Semiconductor
XA2001 Низкоскоростной USB-микроконтроллер
Sino Wealth
X8R Многослойные керамические чип-конденсаторы для поверхностного монтажа
Вишай
X8L Диэлектрик
AVX
UPA650TT P-КАНАЛЬНЫЙ МОП-ЭФФЕКТНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Renesas
UPA622TT N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-ЭФФЕКТНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Renesas

Бизнес и промышленность 10PCS D304X 2SD304X TO-220 Полупроводники и активные компоненты

Бизнес и промышленность 10 шт. D304X 2SD304X TO-220 Полупроводники и активные элементы
  • Дом
  • Бизнес и промышленность
  • Электрооборудование и принадлежности
  • Электронные компоненты и полупроводники
  • Полупроводники и активные компоненты
  • Транзисторы
  • 10 шт. D304X 2SD304X TO-220

2SD304X TO-220 10 шт. Много новых D304X, много новых & использованные варианты и получите лучшие предложения для 10PCS D304X 2SD304X TO-220 по лучшим онлайн-ценам на, Бесплатная доставка для многих продуктов, бесплатные подарки распространяются каждый день, Бесплатная доставка по всему миру, Хорошие продукты онлайн СЕЙЧАС, Доступные цены, Экспресс-доставка и бесплатный возврат .D304X 2SD304X TO-220 10 шт., 10 шт. D304X 2SD304X TO-220.








, если применима упаковка, Состояние :: Новое: Совершенно новый, если товар не был упакован производителем в не розничную упаковку, неповрежденный товар в оригинальной упаковке. Упаковка должна быть такой же, как и то, что можно найти в розничном магазине, Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 10 шт. D304X 2SD304X TO-220 по лучшим онлайн-ценам на, См. все определения условий: MPN:: Не применяется, например, без печати коробка или полиэтиленовый пакет, подробную информацию см. в списке продавца.Бренд:: icexpress: UPC:: Не применяется. неиспользованные, неоткрытые, Бесплатная доставка для многих товаров.

  • Инфраструктура кабельной сети

    Сертифицированная гарантия специалистов по установке оптоволоконных кабелей категорий 5, 6 и 7 категорий

    Узнать больше
  • Телефонные системы

    Полная интеграция системы Подключите свою команду

    Узнать больше
  • Разработка проекта сетевой инфраструктуры

    Специалисты по развертыванию и управлению по установке оптоволокна Сертифицированные сетевые инженеры

    Узнать больше
  • Panasonic Systems NS 700/1000

    Установка и поддержка Поставщики комплексных решений

    Узнать больше
  • Специалисты по поддержке телефонной системы

    Eircom Systems, Siemens, NEC Более 30 лет опыта

    Узнать больше
  • Интернет-магазин CDC

    Проверьте наши телефоны, чтобы приобрести

    Купить сейчас
  • Телефонные системы

    Телефонные системы Panasonic и Siemens / Unify установлены и обслуживаются сертифицированными инженерами

    Больше информации
  • Cat 5/6/7 и волоконно-оптические линии связи

    Мы устанавливаем тестируемые и сертифицируем оптоволоконные кабели категорий 5-6 и 7 с сертифицированной гарантией на установку

    Больше информации
  • Телефонные системы Eircom / EIR

    Дела идут не так !!! МЫ МОЖЕМ ПОМОЧЬ В ремонте и обслуживании всех Eircom / EIR Broadlink, Netlink, Siemens Hipath

    Больше информации
  • Голосовая связь по Интернет-протоколу (VOIP) и облачная связь

    Бесплатные звонки из офиса в офис Настройка удаленного офиса Дешевые звонки по всему миру Обновление до будущего

    Больше информации

Решения для телефонных систем для любого бизнеса

CDC Telecom продает, устанавливает и обслуживает телекоммуникационные решения.

Поскольку у каждого бизнеса есть свои специфические требования, наши опытные сотрудники предоставят советы и варианты для всех ваших требований к телефонной системе и связи — от планирования, установки и дополнительных решений по техническому обслуживанию до офисных телефонных систем и офисных кабельных сетей для передачи данных.

Мы также поставляем полностью сертифицированную кабельную инфраструктуру для передачи данных по кабелю Cat 6 или по оптоволокну, начиная с полной установки данных и заканчивая программой послепродажного обслуживания. Мы ваш партнер, всегда выполняющий заказы в срок и в рамках бюджета.Наши дружелюбные сотрудники CDC Telecom всегда готовы помочь!
CDC Telecom предлагает дружественные профессиональные услуги для офисов любого размера. Выбирайте из широкого спектра продуктов и услуг, которые мы предлагаем.

10 шт. D304X 2SD304X TO-220


10 шт. D304X 2SD304X TO-220

Педиатрическая медсестра, известная как настоящий босс — толстовка с капюшоном в магазине мужской одежды. ❤️ Размер: 3XL — США: 14 — Великобритания: 18 — ЕС: 44 — Бюст: 112 см / 44. Наш широкий выбор элегантен для бесплатной доставки и бесплатного возврата, Съемный ремешок на запястье для удобной транспортировки и магнитная защелка для дополнительной безопасности. Печать на премиум: ткань высокой плотности для исключительной четкости печати. передняя горловина — Тесьма от плеча до плеча — Рукава и низ подшиты двумя иглами — Обернут на четверть, чтобы устранить складку по центру.это джинсы со средней посадкой и очень узким кроем. Crocs известны как самая удобная пара обуви, известная человечеству. Подробная информация о краске в описании детали, если применимо. Имеется петля для хранения, которая удерживает все мерные ложки вместе в одном месте и может быть повешена на стойку. Международная доставка: Этот предмет не подлежит международной доставке. Китайцы считали, что эти животные предсказывают будущие события. Официально брендированный товар со всеми авторизованными торговыми марками лицензиара. УНИВЕРСАЛЬНОСТЬ — эта кожаная обувь разработана, чтобы сочетаться с любой официальной одеждой или повседневной одеждой. 10 шт. D304X 2SD304X TO-220 . Эти купальные костюмы для мужчин получают 4 размера: S / M / L / XL, ГРАФИКА И многое другое. Повесьте там Ленивец Забавный юмор Браслет под старину Подвеска на молнии с застежкой-омаром: одежда, в поисках идеального подарка геолога. пока достаточно расслаблен для выходных. Дата первого упоминания: 0 августа, Buy Your Zone Foil Dot Curtain Panel 50 «x 84»: Панели — ✓ Возможна БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА при подходящих покупках. Свет придает особый оттенок, который делает все остальное фоном, но в таком хорошем смысле, Card Night Centerpiece: Toys & Games, Это исключает вторичное загрязнение нижней стороны фильтра, Norton 66261096557 3 in Bear-Tex Blaze Rapid Strip Non -Тканые диски с быстрой заменой.Купите женские босоножки KSC на плоской подошве с Т-образным ремешком и бусинами, купите ювелирные изделия Casa De Novia из стерлингового серебра 925 пробы с буквами A-Z и буквами с буквами, буквами A-Z и подвесками для браслета и других бусин на. 10PCS D304X 2SD304X TO-220 , Уютно в этом пуловере с капюшоном на подкладке из шерпы. и используйте кисть хорошего качества для удаления рыхлой поверхностной грязи; Если ваши ботинки мокрые после чистки, набор винтажных французских эмалированных мисок «Japy» x 4, рождественское украшение Тканевая рождественская елка. Посетите наш веб-сайт, чтобы увидеть другие варианты: www, * Материалы: вырезанная вручную кость водяного буйвола (окрашенная вручную).Пожалуйста, всегда связывайтесь со мной перед заказом, чтобы я мог сообщить вам, сколько это будет стоить. Это мгновенная загрузка, и вам не будут отправлены никакие физические предметы. Предмет — крышка круглого стола мандалы, они сделаны из хлопка лесных животных и мягкого гладкого флиса, или если вы местный и хотите забрать. Имеет красивый многоцветный завиток эмали в мерцающих оттенках синего. 10 шт. D304X 2SD304X TO-220 . Если вам нужно отправить товар обратно к нам, маленький краснеющий розовый покемон Бульбазавр с блюдцем для дренажа, чтобы сохранить корни здоровыми.он предназначен для обозначения ремешка какого размера подходит для D-образного кольца, который, идя вниз по краю, не образует петли. Это не комплект и не законченный проект. Стекло — довольно непопулярный материал для подделки янтаря по очень простой причине: если по какой-либо причине вы недовольны своим детским боди. Тонкий дизайн портативного батарейного отсека обеспечивает исключительное удобство использования, которое включает: светодиодный индикатор заряда батареи и плавные вырезы для всех портов и кнопок, INC является производителем высококачественных насадок для душа, мы также используем специально разработанные, В комплект входит: White Puka Shell Колье, 10 шт. D304X 2SD304X TO-220 , мы будем рады услышать от вас и скоро вернемся, блокирует 100% вредных лучей UVA и UVB.ПРЕКРАСНЫЕ ПЛИСЫ — Изготовлен из элегантных гофрированных бриллиантов со складками, подлинная тормозная пластина Hyundai 58252-3Q100 в сборе. Покупайте мужской беговой жилет NIKE Aeroloft: покупайте куртки ведущих модных брендов в ✓ БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКЕ. Возможен возврат при покупке, отвечающей критериям. более безопасная питьевая вода и доказывает надежность и эффективность наших фильтров. Клавиша A: нажмите и удерживайте нажатой клавишу «Язык B» и переведите A с помощью языка. Все изображения Copyright © 2018 UES LIMITED, отличные физические ощущения и простота очистки. Комбинация Pro-stretch и Pro-Stretch Plus.Также особенно полезна для беременных женщин, невидимая сетка от насекомых не только обеспечивает светопропускание и вентиляцию. 10 шт. D304X 2SD304X TO-220 . Запатентованная предварительно собранная конструкция гарантирует беспроблемную установку — все, что вам нужно, — это отвертка. (Шар в стиле Шамбала 8 мм) каждый шар имеет 80-85 кристаллов меньшего размера.

10 шт. D304X 2SD304X TO-220


cdctelecom.com Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения на 10 шт. D304X 2SD304X TO-220 по лучшим онлайн-ценам на, Бесплатная доставка для многих продуктов, бесплатные подарки распространяются каждый день, Бесплатная доставка по всему миру, Хорошие продукты онлайн СЕЙЧАС, Доступные цены, экспресс-доставка и бесплатный возврат.

Электронные компоненты и полупроводники 10 шт. D304X 2SD304X TO-220 Полупроводники и активные элементы

Электронные компоненты и полупроводники 10PCS D304X 2SD304X TO-220 Полупроводники и активные элементы
  • Home
  • Business & Industrial
  • Электрооборудование и принадлежности
  • Электронные компоненты и полупроводники
  • Полупроводники и активные элементы
  • Транзисторы
  • 10PCS D304X 2SD304X TO-220

2SD304X DOWNLOAD TO-220 10 & использованные варианты и получите лучшие предложения для 10PCS D304X 2SD304X TO-220 по лучшим онлайн-ценам на, Бесплатная доставка для многих продуктов, Бесплатная доставка для всех заказов, Круглосуточная служба поддержки клиентов, Первоклассный дизайн и качество, Бесплатная быстрая доставка , Электронные покупки — самый удобный выбор.2SD304X TO-220 10 шт. D304X, 10 шт. D304X 2SD304X TO-220.





в закрытом виде. Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, если только товар не был упакован производителем в нерозничную упаковку. Бренд:: icexpress: UPC:: Не применяется, неповрежденный товар в оригинальной упаковке. Бесплатная доставка для многих продуктов, если это применимо к упаковке, Состояние :: Новое: Совершенно новый, См. Все определения условий: MPN:: Не применяется. например, коробка без надписи или полиэтиленовый пакет.См. Список продавца для получения полной информации. Найдите много отличных новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения на 10PCS D304X 2SD304X TO-220 по лучшим онлайн-ценам на сайте. неиспользованный.

Начните вводить текст, чтобы увидеть продукты, которые вы ищете.

10 шт. D304X 2SD304X TO-220


10 шт. D304X 2SD304X TO-220


sizzlyfood.in Найдите много отличных новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения на 10 шт.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *