D1555 транзистор характеристики, аналоги, datasheet
2SB1344 Datasheet (PDF)
1.1. 2sb1344.pdf Size:38K _rohm
2SB1344
Transistors
Transistors
2SD2025
(94L-374-B403)
(94L-969-D403)
299
1.2. 2sb1344.pdf Size:214K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1344
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)
FE CE C
·Complement to Type 2SD2025
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM
4.1. 2sb1340.pdf Size:38K _rohm
2SB1340
Transistors
Transistors
2SD1889
(96-650-B88)
(96-765-D88)
288
4.2. 2sb1342.pdf Size:39K _rohm
2SB1474 / 2SB1342
Transistors
Transistors
2SD1933
(94S-181-B400)
(94L-906-D400)
298
4.
3. 2sb1340 1-2.pdf Size:58K _rohm
4.4. 2sb1347.pdf Size:53K _panasonic
Power Transistors
2SB1347
Silicon PNP triple diffusion planar type
For high power amplification
Unit: mm
Complementary to 2SD2029
? 3.3 0.2
20.0 0.5 5.0 0.3
3.0
Features
Satisfactory foward current transfer ratio hFE vs. collector cur-
rent IC characteristics
Wide area of safe operation (ASO)
1.5
High transition frequency fT
Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier
4.5. 2sb1340.pdf Size:214K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1340
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -120V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 2000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)
FE CE C
·Complement to Type 2SD1889
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Collector-Base Voltage -120 V
CB
4.6. 2sb1347.pdf Size:219K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1347
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -160V(Min)
(BR)CEO
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SD2029
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Power amplifier applications
·Optimum for the output stage of a HiFi audio amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
4.7. 2sb1341.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1341
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -80V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)
FE CE C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL P
4.8. 2sb1342.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1342
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -80V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)
FE CE C
·Complement to Type 2SD1933
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM
4.9. 2sb1345.pdf Size:218K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1345
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage-
: V = -2.0V(Min) @I = -5A
CE(sat) C
·Good Linearity of h
FE
·Complement to Type 2SD2062
·With TO-3PN package
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Power driver and general purpose applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
4.10. 2sb1346.pdf Size:217K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB1346
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -60V(Min)
(BR)CEO
·Good Linearity of h
FE
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SD2027
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency and general purpose
amplifier applications.
ABSOLUTE MAX
4.11. 2sb1343.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1343
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = -100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain-
: h = 1000(Min)@ (V = -3V, I = -2A)
FE CE C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL
Замена и эквиваленты
Бывает, что вышедший из строя компонент уже не продается. Поэтому радиолюбители подбирают транзистор, который похож по своим техническим характеристикам на неисправный или ищут его аналог. Для поиска аналогов используют информацию из даташит на устройство и приведенные в нем технические характеристики.
Полные аналоги с d1555 по корпусу, его распиновке и техническому описанию, имеют следующие импортные транзисторы: 2SC42943; 2SC4744; BU508D; D1651; D2095; D2195; ECG2331. Можно подобрать похожий по характеристикам, например d5703, как показано на видео ниже о подборе строчника.
Подходящей замены из отечественных устройств для данного импульсника нет. Некоторые умельцы используют в качестве альтернативы, на отдельных вариантах схем, советский КТ838А. Это очень сомнительное решение, вместе с которым надо учесть отсутствие у этого него защитного диода, резистора и при этом наличие большого металлического корпуса.
2SC5276 Datasheet (PDF)
1.1. 2sc5276.pdf Size:136K _sanyo
Ordering number:EN5186
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5276
UHF to S Band Low-Noise Amplifier,
OSC Applications
Features Package Dimensions
Low noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz).
unit:mm
: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz).
2110A
2
High gain : ? S21e? =11dB typ (f=1.5GHz).
1.9
High cutoff frequency : fT=11GHz typ.
0.95 0.95
Low-voltage, low-current operation
0.4
4.1. 2sc5277a-2-tl-e.pdf Size:403K _update
Ordering number : ENA1075A
2SC5277A
RF Transistor
http://onsemi.com
10V, 30mA, fT=8GHz, NPN Single SMCP
Features
• Low-noise
: NF=0.9dB typ (f=1GHz)
: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz)
• High gain ⏐ ⏐2
: S21e =10dB typ (f=1.5GHz)
• High cut-off frequency : fT=8GHz typ
• Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA)
: fT=3.5GHz typ
: S21e =5.5dB typ (f=1.5GHz)
⏐
4.2. 2sc5279.pdf Size:124K _toshiba
4.3. 2sc5275.pdf Size:136K _sanyo
Ordering number:EN5185
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5275
UHF to S Band Low-Noise Amplifier,
OSC Applications
Features Package Dimensions
Low noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz).
unit:mm
: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz).
2018B
2
High gain : ? S21e? =10dB typ (f=1.5GHz).
High cutoff frequency : fT=11GHz typ.
0.4
Low-voltage, low-current operation
0.16
3
(VCE=
4.4. 2sc5277.pdf Size:134K _sanyo
Ordering number:EN5187
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SC5277
UHF to S Band Low-Noise Amplifier,
OSC Applications
Features Package Dimensions
Low noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz).
unit:mm
: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz).
2106A
2
High gain : ? S21e? =10dB typ (f=1.5GHz).
High cutoff frequency : fT=11GHz typ.
0.75
0.3
0.6
Low-voltage, low-current operation
(VC
4.5. 2sc5277a.pdf Size:58K _sanyo
Ordering number : ENA1075 2SC5277A
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
UHF to S-Band Low-Noise Amplifier
2SC5277A
OSC Applications
Features
Low-noise : NF=0.9dB typ (f=1GHz).
: NF=1.4dB typ (f=1.5GHz).
High gain : ?S21e?2=10dB typ (f=1.5GHz).
High cut-off frequency : fT=8GHz typ.
Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA).
: fT=3.5G
4.6. 2sc5274.pdf Size:20K _rohm
Transistors 2SC5274
(96-203-C329)
304
4.7. 2sc5270.pdf Size:35K _panasonic
Power Transistors
2SC5270, 2SC5270A
Silicon NPN triple diffusion mesa type
For horizontal deflection output
Unit: mm
15.5 0.5 3.0 0.3
? 3.2 0.1
Features
5 5
High breakdown voltage, and high reliability through the use of a
glass passivation layer
High-speed switching
5
Wide area of safe operation (ASO)
5
4.0
5
2.0 0.2
1.1 0.1
Absolute Maximum Ratings (TC=25?C)
0.7 0.
4.8. 2sc5273.pdf Size:42K _hitachi
To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (
4.9. 2sc5271.pdf Size:169K _jmnic
JMnic Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SC5271
DESCRIPTION
·With TO-220F package
APPLICATIONS
·For resonant switching regulator and
general purpose applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Collector
Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol
3 Emitter
Absolute maximum ratings(Ta=25?)
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO Collector-base vo
4.10. 2sc5271.pdf Size:15K _sanken-ele
2SC5271
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
Application : Resonant Switching Regulator and General Purpose
Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C) External Dimensions FM20(TO220F)
Symbol 2SC5271 Symbol Conditions 2SC5271 Unit
Unit
0.2
4.2
0.2
10.1
c0.5
2.8
VCBO 300 ICBO VCB=300V 100max A
V
VCEO 200 IEBO VEB=7V 100max A
V
VEBO 7 V(BR
4.11. 2sc5271.pdf Size:211K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5271
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 200V(Min)
(BR)CEO
·Low Saturation Voltage-
: V = 1.0V(Max)@ (I = 2.5A, I = 0.5A)
CE(sat) C B
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for resonant switching regulator and general
purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM
2SD2058Y Datasheet (PDF)
1.1. 2sd2058g 2sd2058o 2sd2058y.pdf Size:290K _update_bjt
www.DataSheet4U.com
SavantIC Semiconductor Product Specification
Silicon NPN Power Transistors 2SD2058
DESCRIPTION
·With TO-220F package
·Complement to type 2SB1366
·Low collector saturation voltage:
VCE(SAT)=1.0V(Max) at IC=2A,IB=0.2A
·Collector power dissipation:
PC=25W(TC=25ı)
APPLICATIONS
·With general purpose applications
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
2 Co
3.1. 2sc3882s 2sc4368 2sc4369 2sc4371 2sc4377 2sd1351a 2sd2058a bf599 bfq31 bfs20 bu508a bu806 buv48a buv48c kta1242 kta940.pdf Size:495K _update_bjt
3.2. 2sd2058.pdf Size:194K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2058
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 60V (Min)
(BR)CEO
·Collector Power Dissipation
: P = 25 W(Max)
C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNI
2SD2544 Datasheet (PDF)
1.1. 2sd2544.pdf Size:51K _panasonic
Power Transistors
2SD2544
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification with high forward current transfer ratio
Unit: mm
5.0 0.1
Features
10.0 0.2 1.0
High foward current transfer ratio hFE
90
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE
Allowing supply with the radial taping
1.2 0.1 C1.0
2.25 0.2
Absolute Maximum Ratings (TC=25?C)
0.65 0.1
4.1. 2sd2549.pdf Size:42K _panasonic
Power Transistors
2SD2549
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
Unit: mm
Features
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory
4.6 0.2
9.9 0.3
2.9 0.2
linearity
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
Full-pack package which can be installed to the heat sink with
? 3.2 0.1
one screw
1.4 0.2
Absolute Maximum Ratings (TC=
4.2. 2sd254.pdf Size:180K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD254
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 70V(Min)
(BR) CEO
·Collector Power Dissipation-
: P = 20W @T = 25℃
C C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
ABSOLUTE MAXIMU
4.3. 2sd2549.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2549
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 80V(Min)
(BR)CEO
·Low Collector Saturation Voltgae-
: V = 0.7V(Max.)@ I = 3A
CE(sat) C
·Good Linearity of h
FE
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
3DD5011 Datasheet (PDF)
1.1. 3dd5011.pdf Size:235K _update
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5011 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION
R
3DD5011
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
BVCBO 900V
IC 10 A
VCE(sat) 0.5 V(max)
tf 0.3 μs(max)
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
产品特性 FEATURES 1 2 3
5.1. 3dd5036.pdf Size:144K _update
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5036 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5036
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1700 V
BV
CBO
8 A
I
C
3 V(max)
V
CE(sat)
0.6 μs(max)
t
f
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
1 2 3
FEATURES
5.2. 3dd5038.pdf Size:147K _update
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5038 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5038
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1200 V
BV
CBO
10 A
I
C
0.5 V(max)
V
CE(sat)
t 0.3 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特
5.3. 3dd5040.pdf Size:152K _update_bjt
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5040 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5040
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1700 V
BV
CBO
22 A
I
C
3 V(max)
V
CE(sat)
t 0.3 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Horizontal deflection
数字、
高清彩色电视机
output for HDTV
行输出电路
1 2
5.4. 3dd5027.pdf Size:368K _update_bjt
NPN 型高压功率开关晶体管
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD5027
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IC 3A
VCEO 800V
PC(TO-220) 50W
用途 APPLICATIONS
节能灯 Energy-saving ligh
电子镇流器 Electronic ballasts
高频开关电源 High frequency switching power
高频功率变换 supply
一般功率放大电路
5.5. 3dd5039.pdf Size:146K _update_bjt
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5039 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5039
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-220HF
900 V
BV
CBO
6 A
I
C
1.0 V(max)
V
CE(sat)
t 0.5 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特性 F
5.6. 3dd5032.pdf Size:213K _jilin_sino
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5032
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1500 V
BVCBO
8 A
Ic
3 V(max)
Vce(sat)
1 μs(max)
tf
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
B C E
FEATURES
产品特性
5.7. 3dd5024p.pdf Size:227K _jilin_sino
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5024P FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION
R
3DD5024P
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
TO-220HF
BVCBO 1500V
IC 8.0 A
VCE(sat) 3.0V(max)
tf 1.0 μs(max)
APPLICATIONS
用途
Horizontal deflection output
彩色电视机行输出电
for color TV.
路
1 2 3
等效电路 EQUIVAL
5.8. 3dd5023.pdf Size:207K _blue-rocket-elect
3DD5023 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途：用于彩色电视机行输出。
Application: Color TV Horizontal deflection output applications
特点:击穿电压高、漏电流小；开关速度快,饱和压降低，电流特性好。
Features: High breakdown voltage、Low drain current、High switching speed、Low saturation
voltage、Excellent current characte
5.9. 3dd5024.pdf Size:207K _blue-rocket-elect
3DD5024 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途：用于彩色电视机行输出。
Application: Color TV Horizontal deflection output applications
特点:击穿电压高、漏电流小；开关速度快,饱和压降低，电流特性好。
Features: High breakdown voltage、Low drain current、High switching speed、Low saturation
voltage、Excellent current characte
5.10. 3dd50.pdf Size:153K _china
3DD50/3DD51 型 NPN 硅低频大功率晶体管
规范值
参数符号 测试条件 单位
A B C D E F
PCM TC=75℃ 1 W
ICM 1 A
极
Tjm 175 ℃
限
Tstg -55~150 ℃
值
VCE=10V
Rth 100 ℃/W
IC=0.1A
V(BR)CBO ICB=1mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V
V(BR)CEO ICE=1mA ≥30 ≥50 ≥80 ≥110 ≥150 ≥200 V
V(BR)EBO IEB=1mA ≥5.0 V
ICBO VCB=20V ≤0.2 mA
5.11. 3dd505.pdf Size:37K _china
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd 11:54:41
Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China
2012-8-1
3DD505,BU104
NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor
Features:
1. Heavy working current.Good temperature stability.Excellent thermal fatigue capability.
2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611
3. Use for Low-speed switch,low frequency power amplify,
5.12. 3dd507.pdf Size:26K _china
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China
3DD507
NPN Silicon Low Frequency High Power Transistor
Features:
1. Three pins isn’t connected with the cover. It could be produced according to the requirement.
2. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611
3. Use for Low-speed switch,low frequency power amplify,power adjustment.
4
Биполярный транзистор BUL6823 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUL6823
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 13
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO92, TO92S
BUL6823
Datasheet (PDF)
1.1. bul6823a.pdf Size:312K _sisemi
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823A
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823A
1.2. bul6823.pdf Size:312K _sisemi
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823
N
4.1. bul6825.pdf Size:84K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com
Silicon Power Transistors BUL6825
DESCRIPTION ·
·High voltage ,high speed
·With TO-220C package
APPLICATIONS
·Relay drivers
·Inverters
·Switching regulators
·Deflection circuits
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 emitter
LIMITING VALUES
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO Colle
4.2. bul6825.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor BUL6825
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Sustaining Voltage
: V = 400V(Min.)
CEO(SUS)
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max) @ I = 1A
CE(sat) C
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in relay drivers ,inverters ,s
4.3. bul6821.pdf Size:312K _sisemi
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6821
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6821
N
4.4. bul6822a.pdf Size:312K _sisemi
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822A
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822A
4.5. bul6822.pdf Size:312K _sisemi
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822
N
Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.
BUL6823 Datasheet (PDF)
1.1. bul6823a.pdf Size:312K _sisemi
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823A
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823A
1.2. bul6823.pdf Size:312K _sisemi
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6823
N
4.1. bul6825.pdf Size:84K _jmnic
Product Specification www.jmnic.com
Silicon Power Transistors BUL6825
DESCRIPTION ·
·High voltage ,high speed
·With TO-220C package
APPLICATIONS
·Relay drivers
·Inverters
·Switching regulators
·Deflection circuits
PINNING
PIN DESCRIPTION
1 Base
Collector;connected to
2
mounting base
3 emitter
LIMITING VALUES
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT
VCBO Colle
4.2. bul6825.pdf Size:215K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor BUL6825
DESCRIPTION
·Collector–Emitter Sustaining Voltage
: V = 400V(Min.)
CEO(SUS)
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.5V(Max) @ I = 1A
CE(sat) C
·High Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in relay drivers ,inverters ,s
4.3. bul6821.pdf Size:312K _sisemi
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6821
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6821
N
4.4. bul6822a.pdf Size:312K _sisemi
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822A
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822A
4.5. bul6822.pdf Size:312K _sisemi
深圳深爱半导体股份有限公司 产品规格书
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification
NPN BUL / BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822
NPN BUL 系列晶体管/ BUL SERIES TRANSISTORS BUL6822
N
2SD2689LS Datasheet (PDF)
1.1. 2sd2689ls.pdf Size:30K _sanyo
Ordering number : ENN7527
2SD2689LS
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SD2689LS
Color TV Horizontal Deflection
Output Applications
Features Package Dimensions
High speed. unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2079D
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
10.0 4.5
3.2
2.8
0.9
1.2 1.2
0.75 0.7
1 : Base
1 2 3
2 :
3.1. 2sd2689.pdf Size:208K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2689
DESCRIPTION
·High speed.
·High breakdown voltage(VCBO=1500V).
·High reliability(Adoption of HVP process).
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for Color TV Horizontal Deflection
Output Applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Co
4.1. 2sd2686.pdf Size:175K _toshiba
2SD2686
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power)
2SD2686
Solenoid Drive Applications
Unit: mm
Motor Drive Applications
• High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 A, IC = 1 A)
• Zener diode included between collector and base
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-base voltage VCBO 50 V
Collector-em
4.2. 2sd2688.pdf Size:39K _sanyo
Ordering number : ENN7526
2SD2688LS
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SD2688LS
Color TV Horizontal Deflection
Output Applications
Features
Package Dimensions
High speed.
unit : mm
High breakdown voltage(VCBO=1500V).
2079D
High reliability(Adoption of HVP process).
Adoption of MBIT process.
10.0 4.5
3.2
2.8
On-chip damper diode.
0.9
1.2 1.2
0.
4.3. 2sd2687s.pdf Size:76K _rohm
2SD2687S
Transistors
Low frequency amplifier, strobe
2SD2687S
Dimensions (Unit : mm)
Application
Low frequency amplifier
Storobo
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat) ? 250mV
At lc=1.5A / lB=30mA
(1)Emitter(GND)
(2)Collector(OUT)
(3)Base(IN) Taping specifications
Absolute maximum ratings (Ta=25C)
Parameter Symbol Limits Unit
Collector-base voltag
2SD2396 Datasheet (PDF)
1.1. 2sd2396.pdf Size:41K _rohm
2SD2396
Transistors
Transistors
2SC5060
(96-819-D351)
(96-733-D416)
323
1.2. 2sd2396.pdf Size:212K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2396
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
·High DC current gain
·Large collector power dissipation
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Coll
1.3. 2sd2396.pdf Size:577K _blue-rocket-elect
2SD2396(BR3DA2396F)
Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET
描述 / Descriptions
TO-220F 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.
特征 / Features
直流电流增益高,饱和压降低,集电极耗散功率大,,安全工作区宽。
High DC current gain),low VCE(sat),large collector power dissipation, wide SOA.
用途 / Applications
用于
3DD5036 Datasheet (PDF)
1.1. 3dd5036.pdf Size:144K _update
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5036 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5036
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1700 V
BV
CBO
8 A
I
C
3 V(max)
V
CE(sat)
0.6 μs(max)
t
f
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
1 2 3
FEATURES
4.1. 3dd5038.pdf Size:147K _update
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5038 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5038
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1200 V
BV
CBO
10 A
I
C
0.5 V(max)
V
CE(sat)
t 0.3 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特
4.2. 3dd5039.pdf Size:146K _update_bjt
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5039 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5039
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-220HF
900 V
BV
CBO
6 A
I
C
1.0 V(max)
V
CE(sat)
t 0.5 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特性 F
4.3. 3dd5032.pdf Size:213K _jilin_sino
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5032
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1500 V
BVCBO
8 A
Ic
3 V(max)
Vce(sat)
1 μs(max)
tf
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
B C E
FEATURES
产品特性
2SD5703 Datasheet (PDF)
1.1. 2sd5703.pdf Size:188K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5703
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: VCBO= 1500V (Min)
·High Switching Speed
·High Reliability
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for color TV horizontal output applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
4.1. 2sd570.pdf Size:217K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD570
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 70V(Min.)
(BR)CEO
·Low Collector Saturation Voltage
: V = 0.6V(Max.)@I = 2A
CE(sat) C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for audio and general purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
4.2. 2sd5702.pdf Size:189K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5702
DESCRIPTION
·High Breakdown Voltage-
: VCBO= 1500V (Min)
·High Switching Speed
·High Reliability
·Built-in Damper Diode
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in horizontal deflection circuits of
colour TV receivers.
ABSOLUTE MAXIMUM RAT
3DD5023 Datasheet (PDF)
1.1. 3dd5023.pdf Size:207K _blue-rocket-elect
3DD5023 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途：用于彩色电视机行输出。
Application: Color TV Horizontal deflection output applications
特点:击穿电压高、漏电流小；开关速度快,饱和压降低，电流特性好。
Features: High breakdown voltage、Low drain current、High switching speed、Low saturation
voltage、Excellent current characte
4.1. 3dd5027.pdf Size:368K _update_bjt
NPN 型高压功率开关晶体管
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD5027
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
IC 3A
VCEO 800V
PC(TO-220) 50W
用途 APPLICATIONS
节能灯 Energy-saving ligh
电子镇流器 Electronic ballasts
高频开关电源 High frequency switching power
高频功率变换 supply
一般功率放大电路
4.2. 3dd5024p.pdf Size:227K _jilin_sino
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR 3DD5024P FOR LOW FREQUENCY AMPLIFICATION
R
3DD5024P
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
TO-220HF
BVCBO 1500V
IC 8.0 A
VCE(sat) 3.0V(max)
tf 1.0 μs(max)
APPLICATIONS
用途
Horizontal deflection output
彩色电视机行输出电
for color TV.
路
1 2 3
等效电路 EQUIVAL
4.3. 3dd5024.pdf Size:207K _blue-rocket-elect
3DD5024 硅 NPN 半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR
用途：用于彩色电视机行输出。
Application: Color TV Horizontal deflection output applications
特点:击穿电压高、漏电流小；开关速度快,饱和压降低，电流特性好。
Features: High breakdown voltage、Low drain current、High switching speed、Low saturation
voltage、Excellent current characte
3DD5038 Datasheet (PDF)
1.1. 3dd5038.pdf Size:147K _update
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5038 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5038
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1200 V
BV
CBO
10 A
I
C
0.5 V(max)
V
CE(sat)
t 0.3 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特
4.1. 3dd5036.pdf Size:144K _update
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5036 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5036
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1700 V
BV
CBO
8 A
I
C
3 V(max)
V
CE(sat)
0.6 μs(max)
t
f
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
1 2 3
FEATURES
4.2. 3dd5039.pdf Size:146K _update_bjt
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5039 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5039
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-220HF
900 V
BV
CBO
6 A
I
C
1.0 V(max)
V
CE(sat)
t 0.5 μs(max)
f
APPLICATIONS
用途
Switching power supply
彩色电视机开关电源
for color TV.
电路
1 2 3
产品特性 F
4.3. 3dd5032.pdf Size:213K _jilin_sino
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5032 FOR LOW FREQUENCY
R
3DD5032
封装 Package
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
1500 V
BVCBO
8 A
Ic
3 V(max)
Vce(sat)
1 μs(max)
tf
用途 APPLICATIONS
彩色电视机行输出电路 Horizontal deflection
output for color TV.
B C E
FEATURES
产品特性
2SD2549 Datasheet (PDF)
1.1. 2sd2549.pdf Size:42K _panasonic
Power Transistors
2SD2549
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification
Unit: mm
Features
High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory
4.6 0.2
9.9 0.3
2.9 0.2
linearity
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)
Full-pack package which can be installed to the heat sink with
? 3.2 0.1
one screw
1.4 0.2
Absolute Maximum Ratings (TC=
1.2. 2sd2549.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2549
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 80V(Min)
(BR)CEO
·Low Collector Saturation Voltgae-
: V = 0.7V(Max.)@ I = 3A
CE(sat) C
·Good Linearity of h
FE
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
4.1. 2sd2544.pdf Size:51K _panasonic
Power Transistors
2SD2544
Silicon NPN triple diffusion planar type
For power amplification with high forward current transfer ratio
Unit: mm
5.0 0.1
Features
10.0 0.2 1.0
High foward current transfer ratio hFE
90
Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFE
Allowing supply with the radial taping
1.2 0.1 C1.0
2.25 0.2
Absolute Maximum Ratings (TC=25?C)
0.65 0.1
4.2. 2sd254.pdf Size:180K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD254
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 70V(Min)
(BR) CEO
·Collector Power Dissipation-
: P = 20W @T = 25℃
C C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
ABSOLUTE MAXIMU
транзистор D4132 — ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ
u0411u0435u0441u043fu043bu0430u0442u043du0430u044f u0434u043eu0441u0442u0430u0432u043au0430 2SD998 u043eu0431u0449u0438u0439 Sumitomo u043au0440u0435u043cu043du0438u044f NPN u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 D998(China (Mainland)). 2SD592 u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 TO92. C2383 u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 ( NPN. D1555 IC's u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440. TRANSISTOR D1425. Related Products: Tag:Npn Transistor 13009t high… u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 u043fu043eu0434u043bu0438u043du043du043eu0439(China. u0422u0440u0430u043du0441u0444u043eu0440u043cu0430u0442u043eu0440 (u0440u0438u0441.1) u0432u044bu043fu043eu043bu043du0435u043d u043fu043e u0441u0445u0435u043cu0435 u0434u0432u0443u0445u0442u0430u043au0442u043du043eu0433u043e u0430u0432u0442u043eu0433u0435u043du0435u0440u0430u0442u043eu0440u0430 u043du0430 u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440u0430u0445 D13007K, u0430u043du0430u043bu043eu0433u0430u0445 MJE13007… Transistor. transistor D2499 Original new hot offer. u041fu043eu0436u0430u043bu0443u0439u0441u0442u0430 u043fu043eu0434u0441u043au0430u0436u0438u0442u0435 u0433u0434u0435 u043au0443u043fu0438u0442u044c u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440u044b IRF1404ZS — 30u0448u0442. u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 BC 547 (npn) . NPN And PNP Transistor Diagram moreover Capacitive Touch Sensor Design as well Audio Power lifier Circuit Diagram… SB007W03C-TB transistor d1555. TRANSISTOR D1553. u0427u0442u043eu0431u044b u0443u043au0430u0437u0430u0442u044c u0441u0432u043eu0451 u043fu043eu043bu043eu0436u0435u043du0438u0435 u043du0430 u043au0430u0440u0442u0435 — u0437u0430u0439u0434u0438u0442u0435 u0432 u043fu0440u043eu0444u0438u043bu044c u0438 u043fu043eu0441u0442u0430u0432u044cu0442u0435 u043cu0430u0440u043au0435u0440 u0432 u043cu0435u043du044eu0448u043au0435 «u041cu0435u0441u0442u043eu043fu043eu043bu043eu0436u0435u043du0438u0435». TO-220 transistor. Miscellaneous 2SC3519 Transistor. u0414u0432u0430 u043cu043eu0449u043du044bu0445 u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440u0430 D13009 — u0431u0438u043fu043eu043bu044fu0440u043du044bu0439… u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 IRGP4068D. Transistor D1803. TRANSISTOR-D313. Sistemas Operativos Compatibles Windows Xp Vista Y 7 Picture High quality original new transistor /MBR20100 / transistor d1047. D313 Transistor Picture. Chciau0142bym siu0119 dowiedzieu0107 jaki jest dostu0119pny zamiennik tego… u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 6u0433u04457 u0430u043du0430u043bu043eu0433 u0438 u0437u0430u043cu0435u043du0430u041eu0441u043du043eu0432u043du044bu0435 u043fu0430u0440u0430u043cu0435u0442u0440u044b u0438 u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 s8550 u0410u043du0430u043bu043eu0433u0438 u0438 u0437u0430u043cu0435u043du0430 u0434u043bu044f u0431u0438u043fu043eu043bu044fu0440u043du043eu0433u043e u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440u0430 2SC1626 Silicon NPN Power Transistors d718 transistor. u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 D2058. TRANSISTOR D1710. u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 BUH517D. 2 Pcs MP1620 + MN2488 200V 15A 120W Power Transistor. u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 u044du0442u043e. Facebook. u0421u0445u0435u043cu0430 u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440u0430 d 1555. Bipolar Junction Transistor on optical transistor. u041au0422825u0413. Bc547 Npn Transistor. 5pairs(10pcs) Original 2SB688 & 2SD718 Transistor B688 & D718 eBay. u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 d1555 u0441u0445u0435u043cu0430. u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440u044b u0432 u0418u043du0442u0435u0440u043du0435u0442-u043cu0430u0433u0430u0437u0438u043du0435 Nazya.com. TRANSISTOR D5703. Promocion de transistor d880 — Compra transistor d880. TRANSISTOR D2498. datasheet transistor d400. u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 d2499 u0441u0445u0435u043cu044b. u0417u0434u0435u0441u044c u0438u043cu0435u044eu0442u0441u044f u0442u0440u0438 u043fu043eu043bu0435u0432u044bu0445 u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440u0430 D403, u043eu0434u0438u043d u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 D4132 u0438 u0434u0438u043eu0434u043du0430u044f u0441u0431u043eu0440u043au0430 SK2060. u0415u0441u0442u044c u043bu0438 u0440u0430u0437u043bu0438u0447u0438u0435 (u043au0440u043eu043cu0435 u0434u0438u043eu0434u0430 u043du0430 u043fu0435u0440u0435u0445u043eu0434u0435) u0432 u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440u0430u0445 MJE13003D u0432 u043au043eu0440u043fu0443u0441u0435 u0422u041e-220 u0438 MJE13003 u0432 u043au043eu0440u043fu0443u0441u0435 u0422u041e-126. …4×4 Suzuki Santana furthermore Automotive Bulb Chart as well Citroen C4 Aircross together with Transistor Pin u0422u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440 u0431u0438u043fu043eu043bu044fu0440u043du044bu0439 D1944 K246 2SD1944 u043fu0440u043eu0438u0437u0432u043eu0434u0441u0442u0432u0430 ROHM Semiconductor. Bipolar Transistor. TIP31 TIP31CFS u0442u0440u0430u043du0437u0438u0441u0442u043eu0440.Смотрите также:
- irf1404
Как проверить транзистор?
Проверка транзистора цифровым мультиметром
Рассмотрим методику проверки биполярных транзисторов обычным цифровым мультиметром, который есть практически у каждого начинающего радиолюбителя.
Несмотря на то, что методика проверки биполярного транзистора достаточно проста, начинающие радиолюбители порой могут столкнуться с некоторыми трудностями.
Об особенностях тестирования биполярных транзисторов будет рассказано чуть позднее, а пока рассмотрим самую простую технологию проверки обычным цифровым мультиметром.
Для начала нужно понять, что биполярный транзистор можно условно представить в виде двух диодов, так как он состоит из двух p-n переходов. А диод, как известно, это ничто иное, как обычный p-n переход.
Вот условная схема биполярного транзистора, которая поможет понять принцип проверки. На рисунке p-n переходы транзистора изображены в виде полупроводниковых диодов.
Устройство биполярного транзистора p-n-p структуры с помощью диодов изображается следующим образом.
Как известно, биполярные транзисторы бывают двух типов проводимости: n-p-n и p-n-p. Этот факт нужно учитывать при проверке. Поэтому покажем условный эквивалент транзистора структуры n-p-n составленный из диодов. Этот рисунок нам понадобиться при последующей проверке.
Транзистор со структурой n-p-n в виде двух диодов.
Суть метода сводиться к проверке целостности этих самых p-n переходов, которые условно изображены на рисунке в виде диодов. А, как известно,
Если вдруг при проверке выясниться, что p-n переход пропускает ток в обоих направлениях, то значит он «пробит». Если же p-n переход не пропускает ток ни в одном из направлений, то значит переход в «обрыве». Естественно, что при пробое или обрыве хотя бы одного из p-n переходов транзистор работать не будет.
Обращаем внимание, что условная схема
Функционал практически любого мультиметра поддерживает проверку диода. На панели мультиметра режим проверки диода изображается в виде условного изображения, который выглядит вот так.
Думаю, уже понятно, что проверять транзистор мы будем как раз с помощью этой функции.
Небольшое пояснение. У цифрового мультиметра есть несколько гнёзд для подключения измерительных щупов. Три, а то и больше. При проверке транзистора необходимо минусовой щуп (чёрный) подключить к гнезду COM (от англ. слова common – «общий»), а плюсовой щуп (
Почему я так подробно рассказываю о том, как подключать измерительные щупы к мультиметру? Да потому, что щупы можно элементарно перепутать и подключить чёрный щуп, который условно считается «минусовым» к гнезду, к которому нужно подключить красный, «плюсовой» щуп. В итоге это вызовет неразбериху, и, как следствие, ошибки. Будьте внимательней!
Теперь, когда сухая теория изложена, перейдём к практике.
Какой мультиметр будем использовать?
В качестве мультиметра использовался многофункциональный мультитестер Victor VC9805+
Вначале проведём проверку кремниевого биполярного транзистора отечественного производства КТ503. Он имеет структуру n-p-n. Вот его цоколёвка.
Для тех, кто не знает, что означает это непонятное слово цоколёвка, поясняю. Цоколёвка — это расположение функциональных выводов на корпусе радиоэлемента. Для транзистора функциональными выводами соответственно будут коллектор (К или англ.- С), эмиттер (Э или англ.- Е), база (Б или англ.- В).
Сначала подключаем красный (+) щуп к базе транзистора КТ503, а чёрный (-) щуп к выводу коллектора. Так мы проверяем работу p-n перехода в прямом включении (т. е. когда переход проводит ток). На дисплее появляется величина пробивного напряжения. В данном случае оно равно 687 милливольтам (687 мВ).
Далее не отсоединяя красного щупа от вывода базы, подключаем чёрный («минусовой») щуп к выводу эмиттера транзистора.
Как видим, p-n переход между базой и эмиттером тоже проводит ток. На дисплее опять показывается величина пробивного напряжения равная 691 мВ. Таким образом, мы проверили переходы Б-К и Б-Э при прямом включении.
Чтобы удостовериться в исправности p-n переходов транзистора КТ503 проверим их и в, так называемом, обратном включении. В этом режиме p-n переход ток не проводит, и на дисплее не должно отображаться ничего, кроме «1». Если на дисплее единица «1», то это означает, что сопротивление перехода велико, и он не пропускает ток.
Чтобы проверить p-n переходы Б-К и Б-Э в обратном включении, поменяем полярность подключения щупов к выводам транзистора КТ503. Минусовой («чёрный») щуп подключаем к базе, а плюсовой («красный») сначала подключаем к выводу коллектора…
…А затем, не отключая минусового щупа от вывода базы, к эмиттеру.
Как видим из фотографий, в обоих случаях на дисплее отобразилась единичка «1», что, как уже говорилось, указывает на то, что p-n переход не пропускает ток. Так мы проверили переходы Б-К и Б-Э в обратном включении.
Если вы внимательно следили за изложением, то заметили, что мы провели проверку транзистора согласно ранее изложенной методике. Как видим, транзистор КТ503 оказался исправен.
Пробой P-N перхода транзистора.
В случае если какой либо из переходов (Б-К или Б-Э) пробиты, то при их проверке на дисплее мультиметра обнаружиться, что они в обоих направлениях, как в прямом включении, так и в обратном, показывают не пробивное напряжение p-n перехода, а сопротивление. Это сопротивление либо равно нулю «0» (будет пищать буззер), либо будет очень мало.
Обрыв P-N перехода транзистора.
При обрыве, p-n переход не пропускает ток ни в прямом, ни в обратном направлении – на дисплее в обоих случаях будет «1». При таком дефекте p-n переход как бы превращается в изолятор.
Проверка биполярных транзисторов структуры p-n-p проводится аналогично. Но при этом необходимо сменить полярность подключения измерительных щупов к выводам транзистора. Вспомним рисунок условного изображения транзистора p-n-p в виде двух диодов. Если забыли, то гляньте ещё раз и вы увидите, что катоды диодов соединены вместе.
В качестве образца для наших экспериментов возьмём отечественный кремниевый транзистор КТ3107 структуры p-n-p. Вот его цоколёвка.
В картинках проверка транзистора будет выглядеть так. Проверяем переход Б-К при прямом включении.
Как видим, переход исправен. Мультиметр показал пробивное напряжение перехода – 722 мВ.
То же самое проделываем и для перехода Б-Э.
Как видим, он также исправен. На дисплее – 724 мВ.
Теперь проверим исправность переходов в обратном направлении – на наличие «пробоя» перехода.
Переход Б-К при обратном включении…
Переход Б-Э при обратном включении.
В обоих случаях на дисплее прибора – единичка «1». Транзистор исправен.
Подведём итог и распишем краткий алгоритм проверки транзистора цифровым мультиметром:
-
Определение цоколёвки транзистора и его структуры;
-
Проверка переходов Б-К и Б-Э в прямом включении с помощью функции проверки диода;
-
Проверка переходов Б-К и Б-Э в обратном включении (на наличие «пробоя») с помощью функции проверки диода;
При проверке необходимо помнить о том, что кроме обычных биполярных транзисторов существуют различные модификации этих полупроводниковых компонентов. К таковым можно отнести составные транзисторы (транзисторы Дарлингтона), «цифровые» транзисторы, строчные транзисторы (так называемые «строчники») и т.д.
Все они имеют свои особенности, как, например, встроенные защитные диоды и резисторы. Наличие этих элементов в структуре транзистора порой усложняют их проверку с помощью данной методики. Поэтому прежде чем проверить неизвестный вам транзистор желательно ознакомиться с документацией на него (даташитом). О том, как найти даташит на конкретный электронный компонент или микросхему, я рассказывал здесь.
Главная » Радиоэлектроника для начинающих » Текущая страница
Также Вам будет интересно узнать:
cxema.org — Три схемы простых регуляторов тока
В сети очень много схем регуляторов напряжения для самых разных целей, а вот с регуляторами тока дела обстоят иначе. И я хочу немного восполнить этот пробел, и представить вам три простые схемы регуляторов постоянного тока, которые стоит взять на вооружение, так, как они универсальны и могут быть использованы во многих самодельных конструкциях.
Регуляторы тока по идее не многим отличается от регуляторов напряжения. Прошу не путать регуляторы тока со стабилизаторами тока, в отличии от первых они поддерживают стабильный выходной ток не зависимо от напряжения на входе и выходной нагрузки.
Стабилизатор тока — неотемлимая часть любого нормального лабораторного блока питания или зарядного устройства, предназначен он для ограничения тока подаваемого на нагрузку. В этой статье мы рассмотрим пару стабилизаторов и один регулятор общего применения.
Во всех трех вариантах в качестве датчика тока использованы шунты, по сути низкоомные резисторы. Для увеличения выходного тока любой из перечисленных схем нужно будет снизить сопротивление шунта. Нужное значение тока выставляют вручную, как правило вращением переменного резистора. Все три схемы работают в линейном режиме, а значит силовой транзистор при больших нагрузках будет сильно нагреваться.
Первая схема отличается максимальной простотой и доступностью компонентов. Всего два транзистора, один из них управляющий, второй является силовым, по которому и протекает основной ток.
Датчик тока представляет из себя низкоомный проволочный резистор. При подключении выходной нагрузки на этом резисторе образуется некоторое падение напряжения, чем мощнее нагрузка, тем больше падение. Такого падения напряжения достаточно для срабатывания управляющего транзистора, чем больше падение, тем больше приоткрыт транзистор. Резистор R1, задает напряжение смещения для силового транзистора, именно благодаря ему основной транзистор находится в открытом состоянии. Ограничение тока происходит за счет того, что напряжение на базе силового транзистора, которое было образовано резистором R1 грубо говоря затухаеться или замыкается на массу питания через открытый переход маломощного транзистора, этим силовой транзистор будет закрываться, следовательно, ток протекающий по нему уменьшается вплоть до полного нуля.
Резистор R1 по сути обычный делитель напряжения, которым мы можем задать как бы степень приоткрытия управляющего транзистора, а следовательно, управлять и силовым транзистором ограничивая ток протекающий по нему.
Вторая схема построена на базе операционного усилителя. Ее неоднократно использовал в зарядных устройствах для автомобильного аккумулятора. В отличии от первого варианта — эта схема является стабилизатором тока.
Как и в первой схеме тут также имеется датчик тока (шунт), операционный усилитель фиксирует падение напряжения на этом шунте, все по уже знакомой нам схеме. Операционный усилитель сравнивает напряжение на шунте с опорным, которое задается стабилитроном. Переменным резистором мы искусственно меняем опорное напряжение. Операционный усилитель в свою очередь постарается сбалансировать напряжение на входах путем изменения выходного напряжения.
Выход операционного усилителя управляет мощным полевым транзистором. То есть принцип работы мало чем отличается от первой схемы, за исключением того, что тут имеется источник опорного напряжения выполненный на стабилитроне.
Эта схема также работает в линейном режиме и силовой транзистор при больших нагрузках будет сильно нагреваться.
Последняя схема построена на базе популярной интегральной микросхеме стабилизатора LM317. Это линейный стабилизатор напряжения, но имеется возможность использовать микросхему в качестве стабилизатора тока.
Нужный ток задается переменным резистором. Недостатком схемы является то, что основной ток протекает именно по ранее указанному резистору и естественно тот нужен мощный, очень желательно использование проволочных резисторов.
Максимально допустимый ток для микросхемы LM317 1,5 ампера, увеличить его можно дополнительным силовым транзистором. В этом случае микросхема уже будет в качестве управляющей, поэтому нагреваться не будет, взамен будет нагреваться транзистор и от этого никуда не денешься.
Небольшое видео
Печатные платы
кб * 9Д5Н20П
Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998
|
Оригинал |
2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор | |
KIA78 * pI
Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ МОП-транзистор хб * 2Д0Н60П KIA7812API
|
Оригинал |
2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API | |
2SC4793 2sa1837
Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN
|
Оригинал |
2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор | |
транзистор
Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
|
OCR сканирование |
2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | |
CH520G2
Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47k 22k PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60v CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
|
Оригинал |
A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | |
транзистор 45 ф 122
Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421.
|
OCR сканирование |
TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 | |
CTX12S
Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
|
Оригинал |
2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU
Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
|
Оригинал |
2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406 | |
Q2N4401
Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
|
Оригинал |
RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | |
fn651
Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
|
Оригинал |
2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343 | |
2SC5471
Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий PNP-транзистор
|
Оригинал |
2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Mosfet FTR 03-E
Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
|
OCR сканирование |
2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF | |
fgt313
Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
|
Оригинал |
2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | |
транзистор
Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120
|
OCR сканирование |
4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | |
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения
Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
|
Оригинал |
16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для телевизора Обратный трансформатор ТВ | |
транзистор
Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220
|
Оригинал |
2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор
Аннотация: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список
|
Оригинал |
X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список | |
транзистор 835
Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР, ПУТЕВОДИТЕЛЬ
|
OCR сканирование |
BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА | |
2002 — SE012
Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
|
Оригинал |
2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B | |
2SC5586
Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
|
Оригинал |
2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287 | |
pwm инверторный сварочный аппарат
Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочной цепи KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора
|
OCR сканирование |
||
варикап диоды
Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор
|
OCR сканирование |
PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор | |
Лист данных силового транзистора для ТВ
Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке.
|
Оригинал |
2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора для телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе | |
2009 — 2sc3052ef
Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор
|
Оригинал |
24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора | |
2007 — DDA114TH
Аннотация: DCX114EH DDC114TH
|
Оригинал |
DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
| 零件 编号 | 描述 | 制造 商 | |
| STRD3000 | Гибридный линейный регулятор IC | Санкен электрический |
|
| SDA-3000 | Распределенный усилитель на основе GaAs | RF Micro Devices |
|
| RT9221 | Программируемый синхронный понижающий преобразователь ШИМ | Richtek |
|
| Q802XKN3B | 802.11 b / g / n Комбинированная беспроводная локальная сеть и Bluetooth 3.0 + HS Half Mini Card | Qcom |
|
| M68HC05 | Руководство по применению микроконтроллеров | Freescale Semiconductor |
|
| L78M24C | Прецизионные регуляторы 500 мА | STMicroelectronics |
|
| L78M24A | Прецизионные регуляторы 500 мА | STMicroelectronics |
|
| L78M15C | Прецизионные регуляторы 500 мА | STMicroelectronics |
|
| L78M15A | Прецизионные регуляторы 500 мА | STMicroelectronics |
|
| L78M12C | Прецизионные регуляторы 500 мА | STMicroelectronics |
|
| L78M12A | Прецизионные регуляторы 500 мА | STMicroelectronics |
|
| L78M10A | Прецизионные регуляторы 500 мА | STMicroelectronics |
Dd 561a техническое описание pdf
Dd 561a техническое описание pdfDm542a — это тип драйвера двухфазного гибридного шагового двигателя, напряжение привода которого составляет от 18 до 50 В постоянного тока.Это техническое описание содержит проектные спецификации для разработки продукта. Последние списки производителей в каталоге позволяют мгновенно получить представление о любом электронном компоненте. Монолитная линейная ИС ла78045 ТВ и ЭЛТ вертикальная. D5703 цветной дисплей вывода отклонения по горизонтали. Pn10222ej08v0ds, 8-е издание, дата публикации: сентябрь 2009 г., отметка показывает основные пересмотренные пункты. Башенный кран с плоским верхом terex ctt 561a20 имеет максимальную длину стрелы 84 м 275. Объемный датчик движения с двойной технологией Dd101212 м.Серия с несколькими оптопарами с одним транзистором высокого напряжения изоляции серии nepoc номер документа Предварительные данные о первом производстве. Этот лист данных содержит предварительные данные. Com — это крупнейшая поисковая система по электронным компонентам. Один внешний резистор устанавливает любое усиление от 1 до 10 000. Кроме того, можно выбрать режим прямого управления.
Ячейки цвета и интенсивности обычно ограничиваются 1 ячейкой на тубу. Могут применяться исключения. Page 1 dd402 edrum set руководство пользователя 00028064 версия 122012 стр. 2 меры предосторожности предупреждение о соответствии нормам FCC для США это оборудование было протестировано и признано соответствующим, пожалуйста, внимательно прочтите, прежде чем переходить к ограничениям для цифровых устройств класса b в соответствии с частью 15 FCC правила.Сохраните это руководство в надежном месте для использования в будущем. Руководство по политике и процедурам пищевых продуктов и лекарств. Посмотреть и скачать инструкцию пользователя xdrum dd 516 edrum онлайн. Pdf универсальный подход к разработке быстрого алгоритма для. Прецизионные инструментальные усилители малой мощности Ina12x. 3 января 2017 г. d5703 datasheet цветной дисплей выходное отклонение по горизонтали, 2sd5703 datasheet, d5703 pdf, распиновка d5703, эквивалент, данные, схема d5703, схема d5703. Упрощенное целочисленное косинусное преобразование в формате PDF с порядком16 ict оказалось эффективным инструментом кодирования, особенно для кодирования видео высокой четкости HD.Монолитная линейная ИС En7881a для ТВ и ЭЛТ с вертикальным выходом ИС с поддержкой управления по шине. Особенности, как красный цвет alingap серый цвет лица краска серый пакет дает оптимальную гибкость дизайна контрастности общий анод или общий катод отличный внешний вид описание тонкий шрифт. D, 22мая97 параметр символ условия испытания мин. Тип макс. Ед. Dgd0506a высокочастотный драйвер затвора полумоста с программируемым описанием мертвого времени dgd0506a — это высокочастотный драйвер затвора полумоста, способный управлять n-канальными МОП-транзисторами в конфигурации полумоста.Dd128f datasheet pdf, dd128f pdf datasheet, эквивалент, схема, dd128f datasheets, dd128f wiki, транзистор, перекрестная ссылка, загрузка pdf, сайт бесплатного поиска, распиновка.
Силовые кремниевые npn-транзисторы s2000a описание с корпусом to3ph высоковольтные, высокоскоростные, с низким напряжением насыщения коллектора, приложения для горизонтального вывода цветного телевидения, приложения для импульсного регулятора цветного телевидения, контакты, см. Рис. Fds4435a mosfet pchan 30v 9a 8soic fairchild semiconductor datasheet pdf data sheet free from datasheet data sheet поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды.Hdsp561a datasheet, pdf hdsp561a мм дисплей тонкий шрифт. Пожалуйста, обратитесь к соответствующему листу данных для получения информации о конкретных ограничениях бункера. Все остальные копии этого bif-документа по определению не контролируются. По-видимому, такое лексическое уточнение частотных выражений не может. Дополняет 2sb688 абсолютный максимальный рейтинг ta25oc характеристический символ номинальный блок коллекторно-базовое напряжение коллекторное напряжение эмиттербазовое напряжение коллекторный ток постоянный ток рассеяния коллектора. Кремний npn тройного диффузионного типа, d718 pdf скачать toshiba, d718 datasheet pdf, распиновки, технический паспорт, эквивалент, схема, перекрестная ссылка, устаревшие, схемы электронных компонентов, поиск и сайт бесплатной загрузки.Dap0 предлагает все для создания высокопроизводительных преобразователей постоянного тока или автономных адаптеров. Для кодов, не указанных на рисунке выше, обратитесь к соответствующему листу данных или свяжитесь с ближайшим представителем avago для получения подробной информации.
Просмотрите и скачайте онлайн-руководство пользователя xdrum dd516 edrum. Описание инструментального усилителя ina121 — это измерительный усилитель малой мощности с входным входом, обеспечивающий превосходную точность. В этой спецификации мы выбрали самцов в качестве. Промышленная плавкая вставка hrc dd 31 x 8 мм, bs88, iec 2691, метки с центральным болтовым креплением, форма bussmann.Универсальная конструкция усилителя с 3 входами и небольшой размер делают эти усилители идеальными для широкого спектра применений. Семисегментные дисплеи с тонким шрифтом hdsp561c мм серии Agilent hdsp56xc с семисегментным тонким шрифтом мм. Логические входы dgd0506a совместимы со стандартными ttl и.
Hdsp561a datasheet, hdsp561a pdf, hdsp561a data sheet, datasheet, data sheet, pdf, agilent hewlettpackard, hdsp561a, тонкий шрифт дисплея мм. D5703 datasheet цветной дисплей выходное отклонение по горизонтали, 2sd5703 datasheet, d5703 pdf, распиновка d5703, эквивалент, данные, схема d5703, схема d5703.Power mosfet irf9540, sihf9540 vishay Siliconeix имеет динамический рейтинг DVD с повторяющимися лавинами, номинальный pchannel 175 c, рабочая температура fas st wcthniig. Pdf новые хорологические данные представлены для 158 видов и. Аналоговый работает быстрее, чем цифровой, и поэтому dd 1 обнаруживает искажение сигнала, когда схема автоматического выбора диапазона переключает диапазоны. Последние списки производителей в каталоге становятся мгновенными. Для одновременного поиска нескольких деталей перейдите в расширенный поиск, щелкните поле многокомпонентного поиска внизу и разделите каждый номер детали знаком.Памятка Njm2
Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления. Цель этого инструмента — дать возможность пользователю быстро и точно настроить усиление аудиоусилителя в соответствии с уровнем выходного сигнала исходных устройств. Это техническое описание может быть изменено без предварительного уведомления. Диагностическое и статистическое руководство психических расстройств dsm. Его универсальная конструкция с тремя усилителями и очень маленький размер делают его идеальным для множества приложений общего назначения.Схема входа с обратной связью по току обеспечивает широкую полосу пропускания даже при высоком усилении 200 кГц при g 100. Техническое описание Hdsp 561a, перекрестная ссылка, схемы и указания по применению в формате PDF. Характеристики trenchfet power mosfet 100% rg проверено si2306ds vishay Siliconeix номер документа. Лучшие результаты Описание производителя 6-компонентной модели ecad. Бессвинцовые продукты, нарезанные на определенные размеры, не подлежат возврату. Микросхемы общего пользования для аудио и техническая информация 5270 — продолжение структуры предусилителя.
Page 1 dd 402 edrum set руководство пользователя 00028064 версия 122012 стр. 2 меры предосторожности предупреждение FCC для США это оборудование было протестировано и признано соответствующим, пожалуйста, внимательно прочтите, прежде чем переходить к ограничениям для цифрового устройства класса b в соответствии с частью 15 правил FCC.And8331d квазирезонансный регулятор тока в режиме высокого напряжения. A940 datasheet, pdf pnp эпитаксиальный кремниевый транзистор elite. Монолитная линейная ИС ла78045 вертикальная опора для ТВ и ЭЛТ. Отредактированные точки можно легко найти, скопировав в файл pdf и указав его в поиске.
Общее описание Краткое описание продукта v ds i d at v gs10v 12a r dson at v gs10v лист topca5161bs для 0. Hdsp561c datasheet mm slim font семь сегментных дисплеев. Dd 561 datasheet, dd 561 pdf, dd 561 data sheet, dd 561 manual, dd 561 pdf, dd 561, datenblatt, электроника dd 561, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data.Правильная настройка перекрытия усиления системы гарантирует, что независимо от того, насколько высока громкость головного устройства, пользователь не сможет чрезмерно перегрузить систему и вызвать повреждение усилителя или динамиков. A940 datasheet, pdf вертикальное отклонение выходной мощности усилитель elite, a940 datasheet, a940 pdf, a940 распиновка, данные, схема, ic, руководство, эквивалент. Описание продукта Melinex 561 соответствует типичным свойствам. Технические характеристики и подробные технические данные см. В разделе «Технические характеристики» на странице 108. Низкий ток смещения 4 Па позволяет использовать источники с высоким сопротивлением.Hdsp561a datasheet, hdsp561a pdf, hdsp561a data sheet, datasheet, data sheet, pdf, agilent hewlettpackard, hdsp561a дисплей с тонким шрифтом, семисегментный дисплей.
Белый, синий, красный, желтый и зеленый 5 серый или черный цвет фона. Квазирезонансный контроллер токового режима для мощных адаптеров переменного тока, подготовленный компанией. Fetinput, таблица данных инструментального усилителя малой мощности. Спецификация Hdsp561a, перекрестная ссылка, примечания к схемам и применению в формате pdf. Варианты ящиков относятся к отгружаемым ящикам по номеру детали.Условия пайки Рекомендуемые условия пайки следующие.
B30664-D5703-X958-G05 Листы данных | Интегральные схемы (ИС) Интегральные схемы (ИС) LGA -Apogeeweb
Home & nbsp Интегральные схемы (ИС) B30664-D5703-X958-G05 Datasheets | Интегральные схемы (ИС) Интегральные схемы (ИС) LGAB30664-D5027-Q824-W13 Листы данных | Интегральные схемы (ИС) Интегральные схемы (ИС) BGA
Таблицы данных B-3067 | Разделительные трансформаторы для интегральных схем (ИС)
- By & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspB30664-D5703-X958-G05, B30664-D5703-X958-G05 Datasheet, B30664-D5703-X958-G05 PDF, MODULE
Обзор продукта
| Изображение: | |
| Номер по каталогу производителя: | B30664-D5703-X958-G05 |
| Категория продукта: | Интегральные схемы (ИС) |
| Наличие: | № |
| Производитель: | МОДУЛЬ |
| Описание: | Интегральные схемы (ИС) LGA |
| Лист данных: | N / A |
| Упаковка: | LGA |
| Минимум: | 1 |
| Время выполнения: | 3 (168 часов) |
| Количество: | Под заказ |
| Отправить запрос предложений: | Запрос |
CAD-модели
Атрибуты продукта
| Производитель: | МОДУЛЬ |
| Упаковка: | Лента и катушка (TR) / отрезная лента (CT) / лоток / трубка |
| Статус RoHs: | Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS |
| Упаковка / ящик: | LGA |
Описания
Для этой части пока нет релевантной информации.
ОСОБЕННОСТИ
Детали B30664-D5703-X958-G05, производимые MODULE, доступны для покупки на веб-сайте Apogeeweb Electronics. Здесь вы можете найти большое количество различных типов и номиналов электронных компонентов от ведущих мировых производителей. Компоненты B30664-D5703-X958-G05 компании Apogeeweb Electronics тщательно отобраны, проходят строгий контроль качества и успешно соответствуют всем необходимым стандартам.
Статус производства, отмеченный на Apogeeweb.com, предназначен только для справки. Если вы не нашли то, что искали, вы можете получить дополнительную информацию о стоимости по электронной почте, например, B30664-D5703-X958-G05 инвентарный объем, льготную цену и производителя.Мы всегда рады услышать от вас, поэтому не стесняйтесь обращаться к нам.
B30655-D1056-V120-W03 со штыревыми деталями производства EPCOS. B30655-D1056-V120-W03 доступен в SMD Package, является частью памяти.
B30655D3006Y660W3 с руководством пользователя производства TDK-EPC. B30655D3006Y660W3 доступен в корпусе SMD и является частью микросхем IC.
B30664-D5027-Q824 со схемой производства EPCOS. B30664-D5027-Q824 доступен в пакете QFN и является частью микросхем IC.
B30664-D5027-Q824-W13 с моделями EDA / CAD, изготовленными EPCOS. B30664-D5027-Q824-W13 доступен в корпусе BGA и является частью микросхем IC.
Экологическая и экспортная классификации
| По этой детали пока нет релевантной информации. |
Вас также могут заинтересовать
Kds 5703 datasheet, pdf — Сеть практикующих специалистов по совместному производству
KDS 5703 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ PDF >> СКАЧАТЬ
KDS 5703 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ PDF >> ЧИТАТЬ ОНЛАЙН
ДНФР18205ФИБ-КД.22 — 18. AWG. Красный. 0,178. 0,57. 0,37. 0,21. 0,60. 0,187 / 0,205 х 0,032. 4,8 / 5,2 х 0,8. CD9-9C. CD-800-9. 1500. ДНФР18206ФИБ-КД. 0,57. Скрэнтон — Уилкс — Барре — Хэзлтон, Пенсильвания. Провиденс — Уорик, Род-Айленд; Harrisburg — kds 5703 datasheet, pdf скачать Карлайл, Пенсильвания; Новый Орлеан — Метаири, Луизиана. КСД5703. Цветной дисплей высокого напряжения по горизонтали. Выход отклонения. (Без демпферного диода) Дизайн. Это техническое описание содержит технические характеристики для. 7 января 2019 г. -DataSheet4U.com INCHANGE Semiconductor Спецификация продукции isc isc Silicon NPN Power Transi.Технический паспорт pdf. Скачать D5703 Datasheet KDS Datasheet, KDS PDF, KDS Data Sheet, KDS manual, KDS pdf, KDS, datenblatt, Electronics KDS, alldatasheet, бесплатно, datasheet, Datasheets, datasheet, TIP62C datasheet, перекрестные ссылки, схемы и примечания по применению в формате pdf . Прочее, Краткое описание транзисторов в формате PDF, сканирование, PDF 2SD5703. Аннотация: 2sd 209 l 2N6883 638s IC 638S T1P61 BD223 CX704 2n6125 sec tip31A транзистор индекса халблайтера BD222 BD699 EQUIVALENT kd 2060 транзистор KSD5703. Цветной дисплей высокого напряжения по горизонтали.Выход отклонения. (Без демпферного диода). • Высокое напряжение коллектор-база: VCBO = 1500 В. • Лист данных о высокой скорости переключения для LM 317. national.com/ds/LM/LM117.pdf. А.К. Мукерджи и К. Чаудхури, Разработка источников питания с транзисторной регулировкой, Центр, 1679 Clearlake Road Cocoa, FL 32922-5703, США, Никель-кадмий и
Cj2m cpu32 pdf editor Сервисные руководства pdf honda trx350d 12 возможностей человека pdf C emplace vs вставить pdf Afi 36-2226 pdf 2012 Анализ управления оборотным капиталом pdf Секреты науки pdf файл Moanin big band chart pdf Учебник по расширенному структурному анализу pdf Cpu 315 2dp pdf995трудно найти запчасти для электроники
Summit Electronics 10789: сложно найти запчасти для электроники| Арт. № | |||
|
D52954 D5300E11AQC D5301C71ATT D5301C71ATT D5308GF D5310B11BTI D5310B11BTI D5310D14100CTI D5311E18 D5311F18 D5313HE15BK D5313HE15BK D53DP25D D53TP50D D540003 D540004 D54003 D5410AID D5412AID D54504C D552C D553C D55463JG D5555C D5556G D5587 D562 D56745FN D5702 D5703 D571C D57574 D582C D58610 D5869 D5975 D597-5 D5AC31225 D5AC312-25 D5AC31230 D5AC312-30 D5AI D5C031 D5C03150 D5C031-50 D5C06045 D5C060-45 D5C06055 D5C060-55 D5C09050 D5C090-50 D5CC881M50D1A4Q D5CC-881M50-D1A4-Q D5CC881M50D1C5MQ D5CC-881M50-D1C5MQ D5D10 D5N20 D5SBA60 D5YC8885 D6004 D60431AGJ D6067 D607903 D6079-03 D-60A D-60B D6104C 90 008 D6107G D6117C D6120C101 D6120C102 D6121G D6121G001 D6121G502 D6121G502 D6122G D6124 D6124A D6124CA D6125A D6125B D6126AG D6126AG556 D6126AG564 D6126AG564 D6133 D6133429 D6133-429 D6134 D6135A11DQC D6140C001 D6145G D61882AGC D61P24GS D6211CX |
D52954 HN D5300E11AQC HN D5301C71ATT HN D5301C71ATT HN D5308GF HN D5310B11BTI HN D5310B11BTI HN D5310D14100CTI HN D5311E18 HN D5311F18 HN D5313HE15BK HN D5313HE15BK HN D53DP25D HN D53TP50D HN D540003 HN D540004 HN D54003 HN D5410AID HN D5412AID HN D54504C HN D552C HN D553C HN D55463JG HN D5555C HN D5556G HN D5587 HN D562 HN D56745FN HN D5702 HN D5703 HN D571C HN D57574 HN D582C HN D58610 HN D5869 HN D5975 HN D597-5 HN D5AC31225 HN D5AC312-25 HN D5AC31230 HN D5AC312-30 HN
конфиденциальность
заявление | избыток
инвентарь | почтовое отправление
список | напишите нам: sales @ summitelectronics.com 301 302 303 304 305 306 307 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 3123 3124 3125 3126 3127 3128 3129 3130 3131 3132 3133 3134 3135 3136 3137 3138 3139 3140 карта сайта 1 карта сайта 2 D52954D5300E11AQCD5301C71ATTD5301C-71ATTD5308GFD5310B11BTID5310B-11BTID5310D14100CTID5311E18D5311F18D5313HE15BKD5313HE15-BKD53DP25DD53TP50DD540003D540004D54003D5410AIDD5412AIDD54504CD552CD553CD55463JGD5555CD5556GD5587D562D56745FND5702D5703D571CD57574D582CD58610D5869D5975D597-5D5AC31225D5AC312-25D5AC31230D5AC312-30D5AID5C031D5C03150D5C031-50D5C06045D5C060-45D5C06055D5C060-55D5C09050D5C090-50D5CC881M50D1A4QD5CC-881M50-D1A4-QD5CC881M50D1C5MQD5CC-881M50-D1C5MQD5D10D5N20D5SBA60D5YC8885D6004D60431AGJD6067D607903D6079-03D-60AD-60BD6104CD6107GD6117CD6120C101D6120C102D6121GD6121G001D6121G502D6121G-502D6122GD6124D6124AD6124CAD6125AD6125BD6126AGD6126AG556D6126AG564D6126AG-564D6133D6133429D6133-429D6134D6135A11DQCD6140C001D6145GD61882AGCD61P24GSD6211CXPersamaan Транзистор D5703Persamaan транзистор D5703 yang cocok untuk mengganti транзистор горизонтальный televisi yang rusak, macam-macam persamaan seri транзистор горизонтальный meskipun banyak dipakai pada televisi tetapi belum pasti tersedia dipasaran atau toko elektronik, sehingga hal tersebuteskitas, jadi, transistor транзистор ада сери D5703 ян сама, мака персамаан транзистор пенгганти menjadi salah satu solusi untuk mengganti transistorPersamaan Transistor HorizontalMemasang transistor televisi dengan persamaan menjadi solusi dan alternatif dalam mengatasi transistor rusak, namun sayangya tidak semua transistor Horizontal bisa dipakai Untuk persamaan atau pengganti D5703, ada beberapa hal yang persamaan atau pengganti D5703, ada beberapa hal yang mesti diperhatikan transistor Memakai persamaan транзистор tidak Bisa sembarang, apabila Салах Выбрать дан ternyata tidak cocok beresiko транзистор pengganti Rusak лаги, Мака sebelum membeli persamaan транзистор D5703 perhatikan данных дан spesifikasi транзистор sesuai техническое описание, Baik ITU техническое описание ян dimiliki persamaan maupun spesifikasi транзистор янь акан diganti, meliputi berapa kemampuan Максимум arus tegangan transistor dan ada tidaknya dioda damper pada transistor Kembali ke Daftar isi ↑ Kegunaan Transistor D5703Транзистор D5703 merupakan komponen yang dibuat untuk penguat выход горизонтального отклонения televisi warna layar tabung atau layar crt bait itu slim maupun flat seperti tv sharp, polytron, LG, samsung, digitec, panasonic, sony, goldstar, toshiba, sanyoira danari, akari cina, meskipun pada penerapanya transistor bisa juga dipakai untuk kegunaan lain sebagai sistem Switch Baca juga: Tanda layar tabung rusak Transistor D5703 termasuk jenis transistor BJT (Bipolar Jungtion Transistor) dimana dimana transistor bipolar jungtion Transistorhan Dimana Dimanikat Transistor bipolar jungtion Transistorhan Dimanikan Dimanikat Transistorhan lapisan atau Tiga терминал seperti каки основа, Kolektor дан Emitor Серь транзистор D5703 termasuk Тип NPN, Диман karakter транзистор npn-акан mengalirkan Арус Negatif дари Emitor KE Kolektor Jika основа diberi смещение Арус tegangan POSITIF, atau dengan кат LAIN Emitor menjadi вход дана Kolektor выход , летак пин база колектор эмиттер транзистор D5703 dapat di temukan pada datasheet komponen Kembali ke Daftar isi ↑ Данные Каки транзистор D5703Данные каки транзистор atau susunan pin транзистор memiliki perbedaan di setiap seri transistor, namun secara umum susunan kaki pada транзистор горизонтальный телевизор сама, димана урутан каки dimulai dari base kolektor dan emitor, seperti contoh gambar dan emitor, seperti contoh gambar dan emitor, seperti contoh gambar dan emitor 9703aki транзистор данных D5708000 Симбол дан данные сусунан каки транзистор D5703 atau 2SD5703 sesuai dengan gambar bisa diketahui apabila 1: Базис 2: Колектор 3: Эмитор Седангкан D: демпфер Tidak ada dioda R: резистор Tanpa Letak kaki base kolektor emitor transistor D5703 dimana 1 base, 2 kolektor dan 3 emitor, disamping itu transistor D5703 merupakan komponen yang tidak dilengkapi dioda damper dan resistor Didalamnya persistor dilengkapi jamaalan transistor, dimana seperti jamaalan transistor har tidaknya dioda damper pada transistor Transistor build in dioda tidak jadi masalah jika dipasang pada peruntukanya, tetapi akan menjadi masalah jika transistor build in dioda dipasang untuk mengganti transistor tanpa dioda damper D5703 teiper selatain resiks maka ketahui spesifikasi transistor terlebih dahulu, berapa spesifikasi arus dan tegangan D5703 sebagai referensi dalam mencari persamaan transistor Kembali ke Daftar isi ↑ DatasheetD50008 Описание транзистора D5703 sesuai dengan datasheet komponen transistor mempunyai spek batas kemampuan maksimal tegangan, arus dan daya yang mampu dihantarkan dalam kinerja transistor
Kemampuan maksimum yang dipunyai sebuah transistor merupakan batas besaran arus dan tegangan yang mampu ditoleransi oleh komponen, apabila transistor D5703 mendapat arus tegangan melebihi batas max3yebai transistor, saaindadisas 9 sebuah transistor dapatus Penyebab Kerusakan Транзистор D5703Penyebab kerusakan транзистор D5703 pada penerapanya sebagai penguat горизонтальный телевизор seringkali disbabkan oleh beberapa faktor atau masalah yang bisa merusak транзистор горизонтальный, berikut merupakan kumpulan macam-macam penyebab транзистор D5703 + temp 905 Kerusakan транзистор горизонтальный D5703 yang merupakan komponen pokok dalam penguatan горизонтальный sekaligus sebagai переключение обратного хода berdampak pada televisi tidak dapat menyala atau televisi mati total, dimana транзистор горизонтальный D5703 dalam Layam Proses Induksi Takangi takangi Kembali ke Daftar isi ↑ Транзистор Цири-Цири D5703 RusakТранзистор Ciri-ciri kerusakan горизонтальный D5703 dapat diketahui dari ciri ciri atau tanda gejala yang ditimbulkan oleh televisi dan atau pengukuran транзистор, транзистор tanda горизонтальный телевизор rusak diantaranya
Cara mengatasi kerusakan транзистор горизонтальный D5703 adalah mengganti transistor yang rusak, namun bagaimana jika transistor sikar diperoleh atau tidak menemukan transistor seri yang sama, apa bisa transistor D5703 diganti transistor seri ap0009, keamaan bisa transistor Транзистор Persamaan D5703 Транзистор Persamaan D5703 bisa mudah dicari apabila sudah mengetahui datasheet Tentang spesifikasi transistor yang akan diganti, bagaimana cara mencari persamaan transistor yang sesuai atau paling tidak identity, caranya adalahmembandingngasi, ic5dakan data, caranya adalahmembandingngasi vertikal jebol terus Описание транзистора D5703 adalah «Vcb, Vce, Ic, Pc, D: 1500V 700V 10A 70W No Damper» дан Cari Transistor yang memiliki spesifikasi sama, khususnya pada kemampuan arus lebias dampernya referensi tidak harus mencari semua data transistor televisi, tetapi cari seri transistor pada televisi lain yang mudah diperoleh di toko elektronik atau penjual Kumpulan macam-macam persamaan transistor yang umum dipakai sebagai penguat televisi horisontal pada televisi kemampuan arus sama Beberapa referensi seri transistor sebagai persamaan transistor D5703 dimana kemampuan arus sama dan transistor horisontal tanpa dioda damper, semua komponen tersebut dipakai pada televisi yang ada dipasaran (tiap lokasi akan dipasaran (tiap lokasi akan macan berbeda), dan 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000, 9000) -macam persamaan Transistor D5703 yang memiliki arus sama serta tanpa dioda damper, bagaimana jika dari seri komponen tersebut ternyata transistor juga tidak ada, maka bisa memakai persamaan alternatif seri lain Kembali ke
Альтернативный персаманский транзистор D5703 yang bisa dipakai apabila referensi diatas juga kesulitan mencari toko elektronik terdekat, альтернативный транзистор umum pada horisontal lain yang sering dipakai antara lain
Транзистор Beberapa umum yang sering ditemukan dalam penguat горизонтальный телевизор dan bisa menjadi alternatif lain pengganti persamaan транзистор D5703 dengan harga yang sesuai, selain mencari di toko langganan transistor bisa mencarilevisi di bekau televisat langganan transistor bisa mencarilevi di bekau televisat laina Дафтар isi ↑ Пербедаан Транзистор D5703Транзистор горизонтальный ян тидак биса атау куранг sesuai untuk mengganti транзистор D5703 karena terdapat perbedaan dari segi ada tidaknya dioda damper didalam transistor atau arus yang kurang tinggi 1.Perbedaan транзистор данных горизонтальный dengan dioda демпфер dengan arus sama namun kurang sesuai untuk mengganti transistor D5703 atau tidak cocok untuk persamaan pengganti
Транзисторный демпфер dengan kurang sesuai dipasang pada транзистор танпа демпфер seperti pembahasan diatas, транзистор bisa rusak karena resiko от перегрева, транзистор pemakaian горизонтальный D5703 танпа демпфер pada televisi pasti ada maksud dan tujuanya, pabrikitan televisi pasti ada maksud dan tujuanya, pabrikitan tejuanya, pabrikitan tejuleva, pabrikitan tejuleva, pabrikitan tejulevi, pabrikitan tejulan transistor, pabrikitan tejulan transistor, pabrikitan tejulevi, pabrikitan tejuleva, pabrikitan transistor desi … beresiko rusak kembali Baca juga: персамский транзистор C6090 2.Perbedaan транзистор данных горизонтальный arus kurang tinggi baik dengan dioda damper maupun tanpa dioda damper дан kurang sesuai untuk mengganti транзистор D5703
Транзисторный персаман dengan spesifikasi arus rendah apabila dipasang Untuk menggantikan transistor dengan spek yang lebih tinggi memiliki resiko kerusakan lebih besar, contoh транзистор C6092 янь hanya memiliki arus maksimal 8A, apabila dipanat transistor 9000, apabila dipanat transistor, bekiba dipanat transistor 9000, apabila dipanat transistor, bekiba dipanat transistor, bekiba, bekiba, bekiba, be000, bekiba, bekiba, be0007 Baca juga: Pasang kipas tv mengatasi overheat Berdasar pada data spesifikasi kemampuan arus C6092 kurang sesuai untuk mengganti D5703, bagaimana jika ternyata bisa, ada beberapa kemungkinid transistor index 9000 9000 9000 9000 9000 9000 trancil транзистор C60 Dan Bukan Televisi SlimТранзистор Kesimpulanya ganti dengan persamaan yang sesuai spesifikasi, karena data batas kemampuan transistor tidak akan salah dan tidak akan mampu apabila digunakan diatas batas spek transistor, selain itu pastikan transistor pengganti bugs 9000i or 9000i transistor Pembahasan Tentang Persamaan Transistor D5703, компоненты данных и специальные данные транзистора горизонтального телевидения Ян Биса Дипакаи Untuk Persamaan Serta Pengganti komponen Yang Rusak, Mohon Koreksi Jika Ada Kesalahan data, © fanselektronic. |