D83 004 параметры: D83-004 Diode — 30A, 40V, Rectifier ( ESAD83-004 )

Содержание

S30d45cs характеристики на русском

Во время сборки блоков питания и преобразователей напряжения для автомобильных усилителей часто возникает проблема с выпрямлением тока с трансформатора. Раздобыть мощные импульсные диоды довольно серьезная проблема, поэтому решил напечатать статью, в которой приводится полный перечень и парметры мощных диодов Шоттки. Некоторое время назад лично у меня возникла проблема с выпрямителем преобразователя для авто усилителя. Преобразователь довольно мощный (500-600 ватт), частота выходного напряжения 60кГц, любой распространенный диод, который можно найти в старом хламе, сразу сгорит, как спичка. Единственным доступным вариантом в то время были отечественные КД213А. Диоды достаточно хорошие, держат до 10 Ампер, рабочая частота в пределах 100кГц, но и они под нагрузкой страшно перегревались.

На самом деле мощные диоды можно найти почти у каждого. Компьютерный БП является импульсным блоком питания, который питает целый компьютер. Как правило их делают с мощностью от 200 ватт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, значит в блоке питания должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используют мощные диодные сборки Шоттки – именно у них минимальный спад напряжения на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 Герц. Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, откуда и были сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает – в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004) – Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 Вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А – пожалуй, один из самых мощных диодов, который можно встретить в компьютерных блоках питания.

STPS3045CW – Сдвоенный диод Шоттки, ток выпрямленный 15A, прямое напряжение 570мВ, обратный ток утечки 200мкА, напряжение обратное постоянное 45 Вольт.

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49V
Ультрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20A
Шоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30A
Шоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30A
Шоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15A
Шоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10A
Шоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15A
Шоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20A
Ультрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:

Также выпускаются высоковольтные диоды Шоттки, которые можно использовать например в БП ламповых усилителей и другой аппаратуры с повышенным питанием. Список приведён ниже:

Хотя более предпочтительным является применение диодов Шоттки в низковольтных мощных выпрямителях с выходными напряжениями в пару десятков вольт, на высоких частотах переключения.

Haven’t found the right supplier yet ?

1 request,multiple quotations
1-click quotation comparison
OEM,ODM & multi-category buying

Want product and industry knowledge ?

Trade Alert

Trade Alerts are FREE updates on topics such as trending hot products, buying requests and supplier information – sent directly to your email inbox!

Обозначение, применение и параметры диодов Шоттки

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один. Это диод Шоттки.

Немецкий физик Вальтер Шоттка открыл и изучил так называемый барьерный эффект возникающий при определённой технологии создания перехода металл-полупроводник.

Основной «фишкой» диода Шоттки является то, что в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, здесь используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств.

В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки преимущественно используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам.

На принципиальных схемах диод Шоттки изображается вот так.

Как видим, его изображение несколько отличается от обозначения обычного полупроводникового диода.

Кроме такого обозначения на схемах можно встретить и изображение сдвоенного диода Шоттки (сборки).

Сдвоенный диод – это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов у них объединены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных блоках питания обычно применяются сборки с общим катодом.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

У диодов Шоттки есть два положительных качества: весьма малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 вольта) на переходе и очень высокое быстродействие.

К сожалению, такое малое падение напряжения проявляется при приложенном напряжении не более 50-60 вольт. При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает 250 вольт, хотя в продаже можно встретить образцы, рассчитанные и на 1,2 киловольта (VS-10ETS12-M3).

Так, сдвоенный диод Шоттки (Schottky rectifier) 60CPQ150 рассчитан на максимальное обратное напряжение 150V, а каждый из диодов сборки способен пропустить в прямом включении 30 ампер!

Также можно встретить образцы, выпрямленный за полупериод ток которых может достигать 400А максимум! Примером может служит модель VS-400CNQ045.

Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают и изображают диод Шоттки как обычный диод. А тип применяемого элемента указывают в спецификации.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

К положительным качествам диодов Шоттки кроме высокого быстродействия, а, следовательно, малого времени восстановления можно отнести малую ёмкость перехода (барьера), что позволяет повысить рабочую частоту. Это позволяет использовать их в импульсных выпрямителях на частотах в сотни килогерц. Очень много диодов Шоттки находят своё применение в интегральной микроэлектронике. Выполненные по нано технологии диоды Шоттки входят в состав интегральных схем, где они шунтируют переходы транзисторов для повышения быстродействия.

В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). Все они рассчитаны на максимальный прямой ток (I_F(AV)) – 1 ампер и обратное напряжение (V_RRM) от 20 до 40 вольт. Падение напряжения (V_F) на переходе составляет от 0,45 до 0,55 вольт. Как уже говорилось, прямое падение напряжения (

Forward voltage drop) у диодов с барьером Шоттки очень мало.

Также достаточно известным элементом является 1N5822. Он рассчитан на прямой ток в 3 ампера и выполнен в корпусе DO-201AD.

Также на печатных платах можно встретить диоды серии SK12 – SK16 для поверхностного монтажа. Они имеют довольно небольшие размеры. Несмотря на это SK12-SK16 выдерживают прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении 20 – 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 вольт (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 вольт (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 – SK310, например, SK36, который рассчитан на прямой ток 3 ампера.

Применение диодов Шоттки в источниках питания.

Диоды Шоттки активно применяются в блоках питания компьютеров и импульсных стабилизаторах напряжения. Среди низковольтных питающих напряжений самыми сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольта и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания и используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трёхвыводные сборки с общим катодом. Именно применение сборок может считаться признаком высококачественного и технологичного блока питания.

Выход из строя диодов Шоттки одна из наиболее часто встречающихся неисправностей в импульсных блоках питания. У него может быть два «дохлых» состояния: чистый электрический пробой и утечка. При наличии одного из этих состояний блок питания компьютера блокируется, так как срабатывает защита. Но это может происходить по-разному.

В первом случае все вторичные напряжения отсутствуют. Защита заблокировала блок питания. Во втором случае вентилятор «подёргивается» и на выходе источников питания периодически то появляются пульсации напряжения, то пропадают.

То есть схема защиты периодически срабатывает, но полной блокировки источника питания при этом не происходит. Диоды Шоттки гарантированно вышли из строя, если радиатор, на котором они установлены, разогрет очень сильно до появления неприятного запаха. И последний вариант диагностики связанный с утечкой: при увеличении нагрузки на центральный процессор в мультипрограммном режиме блок питания самопроизвольно отключается.

Следует иметь в виду, что при профессиональном ремонте блока питания после замены вторичных диодов, особенно с подозрением на утечку, следует проверить все силовые транзисторы выполняющие функцию ключей и наоборот: после замены ключевых транзисторов проверка вторичных диодов является обязательной процедурой. Всегда необходимо руководствоваться принципом: беда одна не приходит.

Проверка диодов Шоттки мультиметром.

Проверить диод Шоттки можно с помощью рядового мультиметра. Методика такая же, как и при проверке обычного полупроводникового диода с p-n переходом. Но и тут есть подводные камни. Особенно трудно проверить диод с утечкой. Прежде всего, элемент необходимо выпаять из схемы для более точной проверки. Достаточно легко определить полностью пробитый диод. На всех пределах измерения сопротивления неисправный элемент будет иметь бесконечно малое сопротивление, как в прямом, так и в обратном включении. Это равносильно короткому замыканию.

Сложнее проверить диод с подозрением на «утечку». Если проводить проверку мультиметром DT-830 в режиме «диод», то мы увидим совершенно исправный элемент. Можно попробовать измерить в режиме омметра его обратное сопротивление. На пределе «20кОм» обратное сопротивление определяется как бесконечно большое. Если же прибор показывает хоть какое-то сопротивление, допустим 3 кОм, то этот диод следует рассматривать как подозрительный и менять на заведомо исправный. Стопроцентную гарантию может дать полная замена диодов Шоттки по шинам питания +3,3V и +5,0V.

Где ещё в электронике используются диоды Шоттки? Их можно обнаружить в довольно экзотических приборах, таких как приёмники альфа и бета излучения, детекторах нейтронного излучения, а в последнее время на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей. Так, что они питают электроэнергией и космические аппараты.

S20c40 datasheet pdf ( даташит )

Диод в цепи переменного тока

Кто забыл, что такое переменный ток, читаем . Итак, для того, чтобы рассмотреть работу диода в цепи переменного тока, давайте составим схему. Здесь мы видим генератор частоты G, диод и два клеммника Х1 и Х2, с которых мы будем снимать сигнал с помощью осциллографа.

Мой генератор частоты выглядит вот так.

генератор частот

Осциллограмму будем снимать с помощью цифрового осциллографа

Генератор выдает переменное синусоидальное напряжение.

синусоидальный сигнал

Что же будет после диода? Цепляемся к клеммам X1 и X2 и видим вот такую осциллограмму.

переменное напряжение после диода

Диод вырезал нижнюю часть синусоиды, оставив только верхнюю часть.

А что будет, если мы поменяем выводы диода? Схема примет такой вид.

переменый ток после диода

Что же получим на клеммах Х1 и Х2 ? Смотрим на осциллограмму.

переменный ток после диода

Ничего себе! Диод срезал только положительную часть синусоиды!

S20C40CE Datasheet Download — Mospec Semiconductor

Номер произв	S20C40CE
Описание	(S20C30CE — S20C60CE) Schottky Barrier Rectifiers
Производители	Mospec Semiconductor
логотип
1Page MOSPEC www.DataSheet4U.com S20C30CE thru S20C60CE Schottky Barrier Rectifiers Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes. Low Forward Voltage. Low Switching noise. High Current Capacity Guarantee Reverse Avalanche. Guard-Ring for Stress Protection. Low Power Loss & High efficiency. 150 Operating Junction Temperature Low Stored Charge Majority Carrier Conduction. Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES 30-60 VOLTS TO-220AB MAXIMUM RATINGS Characteristic Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage S20C Symbol Unit 30CE 35CE 40CE 45CE 50CE 60CE VRRM VRWM 30 35 40 45 50 60 VR V RMS Reverse Voltage VR(RMS) 21 25 28 32 35 42 V Average Rectifier Forward Current Total Device (Rated VR), TC=100 IF(AV) 10 20 A Peak Repetitive Forward Current (Rate VR, Square Wave, 20kHz) Non-Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rate load conditions halfware, single phase, 60Hz) IFM IFSM 20 200 A A Operating and Storage Junction Temperature Range TJ , Tstg -65 to +150 ELECTRIAL CHARACTERISTICS Characteristic S20C Symbol 30CE 35CE 40CE 45CE 50CE 60CE Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage ( IF =10 Amp TC = 25 ) ( IF =10 Amp TC = 125 ) VF 0.57 0.46 0.70 V 0.57 Maximum Instantaneous Reverse Current ( Rated DC Voltage, TC = 25 ) ( Rated DC Voltage, TC = 125 ) IR 0.5 mA 20 DIM MILLIMETERS MIN MAX A 14.68 15.32 B 9.78 10.42 C 5.02 6.52 D 13.06 14.62 E 3.57 4.07 F 2.42 2.66 G 1.12 1.36 H 0.72 0.96 I 4.22 4.98 J 1.14 1.38 K 2.20 2.98 L 0.33 0.55 M 2.48 2.98 O 3.70 3.90 Common cathode Suffix “C” S20C30CE Thru S20C60CE www.DataSheet4U.com FIG-1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE FIG-2 TYPICAL FORWARD CHARACTERISITICS S20C30CE-45CE S20C50CE-60CE CASE TEMPERATURE ( ) FIG-3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS S20C30CE-45CE S20C50CE-60CE PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE ( ) FIG-5 PEAK FORWARD SURGE CURRENT FORWARD VOLTAGE (Volts) FIG-4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE S20C30CE-45CE S20C50CE-60CE REVERSE VOLTAGE (Volts) NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Всего страниц	2 Pages
Скачать PDF

S30D40C Datasheet Download — Won-Top Electronics

Номер произв	S30D40C
Описание	(S30D30C — S30D60C) 30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Производители	Won-Top Electronics
логотип
1Page WTE POWER SEMICONDUCTORS S30D30C – S30D60C Pb 30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ! Schottky Barrier Chip ! Guard Ring for Transient Protection ! Low Forward Voltage Drop ! Low Reverse Leakage Current ! High Surge Current Capability ! Plastic Material has UL Flammability S R Classification 94V-O L H J PIN1 2 3 K P Mechanical Data ! Case: TO-3P, Molded Plastic ! Terminals: Plated Leads Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 ! Polarity: See Diagram ! Weight: 5.6 grams (approx.) ! Mounting Position: Any ! Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max. ! Lead Free: For RoHS / Lead Free Version, Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4 N M A B C GD TO-3P Dim Min Max A 3.20 3.50 B 4.70 5.30 C — 23.00 D 19.00 — E 2.80 3.20 G 0.45 0.85 H — 16.20 J 1.70 2.70 K 3.15 Ø 3.65 Ø L— 4.50 M 5.25 5.65 N 1.10 1.40 P— 2.50 R 11.70 12.70 S 5.00 6.00 All Dimensions in mm PIN 1 — PIN 3 — + Case, PIN 2 E Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. www.DataSheet4U.com Characteristic Symbol S30D 30C S30D 35C S30D 40C S30D 45C S30D 50C Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage VRRM VRWM 30 35 40 45 50 VR S30D 60C 60 RMS Reverse Voltage VR(RMS) 21 25 28 32 35 42 Average Rectified Output Current @TC = 95°C Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) IO IFSM 30 275 Forward Voltage @IF = 15A Peak Reverse Current At Rated DC Blocking Voltage @TA = 25°C @TA = 100°C Typical Junction Capacitance (Note 1) VFM IRM Cj 0.55 1.0 60 1100 0.65 Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 2) RJC 1.4 Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG -65 to +150 Unit V V A A V mA pF °C/W °C Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink. S30D30C – S30D60C 1 of 4 2006 Won-Top Electronics 30 24 18 12 6 300 250 50 100 TC, CASE TEMPERATURE (°C) Fig. 1 Forward Derating Curve 150 8.3 ms single half-sine-wave JEDEC method 200 150 100 S30D30C — S30D45C 10 S30D50C — S30D60C 1.0 Tj = 25°C Pulse width = 300 µs 2% duty cycle 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) Fig. 2 Typical Fwd Characteristics per Element 4000 Tj = 25°C f = 1MHz 1000 100 50 1 10 100 www.DataSheet4U.com NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current 100 100 0.1 1.0 10 100 VR, REVERSE VOLTAGE (V) Fig. 4 Typical Junction Capacitance per Element TC = 100°C 10 TC = 75°C 1.0 TC = 25°C 0.1 S30D30C – S30D60C 0.01 0 40 80 120 PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE (%) Fig. 5 Typical Reverse Characteristics per Element 2 of 4 2006 Won-Top Electronics MARKING INFORMATION S30DxxC S30DxxC xx Polarity = Device Number = 30, 35, 40, 45, 50 or 60 = As Marked on Body PACKAGING INFORMATION BULK Tube Size L x W x H (mm) 505 x 46 x 6.5 Quantity (PCS) 30 Inner Box Size L x W x H (mm) 520 x 145 x 95 Quantity (PCS) 1,200 Carton Size L x W x H (mm) 540 x 306 x 115 Quantity (PCS) 2,400 Approx. Gross Weight (KG) 18.0 Note: 1. Anti-static tube, water clear color. RECOMMENDED SCREW MOUNTING ARRANGEMENT www.DataSheet4U.com Recommended isolated mounting when screw is at heatsink potential. 6-32 hardware is used. A conical washer should be used to apply proper force to the device. Screw should not be tightened with any type of air-forced torque or equipment that may cause high impact on device package. The interface should apply a layer of thermal grease or a highly conductive thermal pad for better heat dissipation. 6-32 HEX Head Screw Plain Washer Rectifier Insulator Heatsink Conical Washer 6-32 HEX Nut S30D30C – S30D60C 3 of 4 2006 Won-Top Electronics
Всего страниц	4 Pages
Скачать PDF

S20C40 Datasheet Download — Mospec Semiconductor

Номер произв	S20C40
Описание	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
Производители	Mospec Semiconductor
логотип
1Page MOSPEC Schottky Barrier Rectifiers Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes. Features Low Forward Voltage. Low Switching noise. High Current Capacity Guarantee Reverse Avalanche. Guard-Ring for Stress Protection. Low Power Loss & High efficiency. 150 Operating Junction Temperature Low Stored Charge Majority Carrier Conduction. Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O ESD: 4KV(Min.) Human-Body Model In compliance with EU RoHs 2002/95/EC directives S20C30 thru S20C60 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES 30-60 VOLTS TO-220AB MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol 30 Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage VRRM VRWM VR 30 RMS Reverse Voltage VR(RMS) 21 Average Rectifier Forward Current ( Per diode ) Total Device (Rated VR), TC=125 IF(AV) Peak Repetitive Forward Current (Rate VR, Square Wave, 20kHz) Non-Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rate load conditions halfware, single phase, 60Hz) IFM IFSM Operating and Storage Junction Temperature Range TJ , Tstg S20C 35 40 45 50 60 35 40 45 50 60 25 28 32 35 42 10 20 20 200 -65 to +150 Unit V V A A A THERMAL RESISTANCES Typical Thermal Resistance junction to case Per diode Total Coupling Rθjc Rθ c 3.8 3.4 3.0 /w DIM MILLIMETERS MIN MAX A 14.68 15.32 B 9.78 10.42 C 5.02 6.52 D 13.06 14.62 E 3.57 4.07 F 2.42 2.66 G 1.12 1.36 H 0.72 0.96 I 4.22 4.98 J 1.14 1.38 K 2.20 2.98 L 0.33 0.55 M 2.48 2.98 O 3.70 3.90 ELECTRIAL CHARACTERISTICS Characteristic Maximum Instantaneous Forward Voltage ( IF =10 Amp TC = 25 ) ( IF =10 Amp TC = 100 ) Maximum Instantaneous Reverse Current ( Rated DC Voltage, TC = 25 ) ( Rated DC Voltage, TC = 100 ) Symbol S20C Unit 30 35 40 45 50 60 VF 0.55 0.70 V 0.48 0.60 IR 0.5 mA 20 S20C30 Thru S20C60 FIG-1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE CASE TEMPERATURE ( ) FIG-3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS Tj=100oc Tj=75oc Tj=25oc PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE ( ) FIG-5 PEAK FORWARD SURGE CURRENT FIG-2 TYPICAL FORWARD CHARACTERISITICS TJ=125 S20C50-60 TJ=125 S20C30-45 TJ=25 S20C50-60 TJ=25 S20C30-45 FORWARD VOLTAGE (Volts) FIG-4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE S20C30-S20C45 S20C50-S20C60 REVERSE VOLTAGE (Volts) NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz DJ-A
Всего страниц	2 Pages
Скачать PDF

S30D45C Datasheet Download — Won-Top Electronics

Номер произв	S30D45C
Описание	(S30D30C — S30D60C) 30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Производители	Won-Top Electronics
логотип
1Page WTE POWER SEMICONDUCTORS S30D30C – S30D60C Pb 30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Features ! Schottky Barrier Chip ! Guard Ring for Transient Protection ! Low Forward Voltage Drop ! Low Reverse Leakage Current ! High Surge Current Capability ! Plastic Material has UL Flammability S R Classification 94V-O L H J PIN1 2 3 K P Mechanical Data ! Case: TO-3P, Molded Plastic ! Terminals: Plated Leads Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 ! Polarity: See Diagram ! Weight: 5.6 grams (approx.) ! Mounting Position: Any ! Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max. ! Lead Free: For RoHS / Lead Free Version, Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4 N M A B C GD TO-3P Dim Min Max A 3.20 3.50 B 4.70 5.30 C — 23.00 D 19.00 — E 2.80 3.20 G 0.45 0.85 H — 16.20 J 1.70 2.70 K 3.15 Ø 3.65 Ø L— 4.50 M 5.25 5.65 N 1.10 1.40 P— 2.50 R 11.70 12.70 S 5.00 6.00 All Dimensions in mm PIN 1 — PIN 3 — + Case, PIN 2 E Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. www.DataSheet4U.com Characteristic Symbol S30D 30C S30D 35C S30D 40C S30D 45C S30D 50C Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage VRRM VRWM 30 35 40 45 50 VR S30D 60C 60 RMS Reverse Voltage VR(RMS) 21 25 28 32 35 42 Average Rectified Output Current @TC = 95°C Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) IO IFSM 30 275 Forward Voltage @IF = 15A Peak Reverse Current At Rated DC Blocking Voltage @TA = 25°C @TA = 100°C Typical Junction Capacitance (Note 1) VFM IRM Cj 0.55 1.0 60 1100 0.65 Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 2) RJC 1.4 Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG -65 to +150 Unit V V A A V mA pF °C/W °C Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C. 2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink. S30D30C – S30D60C 1 of 4 2006 Won-Top Electronics 30 24 18 12 6 300 250 50 100 TC, CASE TEMPERATURE (°C) Fig. 1 Forward Derating Curve 150 8.3 ms single half-sine-wave JEDEC method 200 150 100 S30D30C — S30D45C 10 S30D50C — S30D60C 1.0 Tj = 25°C Pulse width = 300 µs 2% duty cycle 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) Fig. 2 Typical Fwd Characteristics per Element 4000 Tj = 25°C f = 1MHz 1000 100 50 1 10 100 www.DataSheet4U.com NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current 100 100 0.1 1.0 10 100 VR, REVERSE VOLTAGE (V) Fig. 4 Typical Junction Capacitance per Element TC = 100°C 10 TC = 75°C 1.0 TC = 25°C 0.1 S30D30C – S30D60C 0.01 0 40 80 120 PERCENT OF PEAK REVERSE VOLTAGE (%) Fig. 5 Typical Reverse Characteristics per Element 2 of 4 2006 Won-Top Electronics MARKING INFORMATION S30DxxC S30DxxC xx Polarity = Device Number = 30, 35, 40, 45, 50 or 60 = As Marked on Body PACKAGING INFORMATION BULK Tube Size L x W x H (mm) 505 x 46 x 6.5 Quantity (PCS) 30 Inner Box Size L x W x H (mm) 520 x 145 x 95 Quantity (PCS) 1,200 Carton Size L x W x H (mm) 540 x 306 x 115 Quantity (PCS) 2,400 Approx. Gross Weight (KG) 18.0 Note: 1. Anti-static tube, water clear color. RECOMMENDED SCREW MOUNTING ARRANGEMENT www.DataSheet4U.com Recommended isolated mounting when screw is at heatsink potential. 6-32 hardware is used. A conical washer should be used to apply proper force to the device. Screw should not be tightened with any type of air-forced torque or equipment that may cause high impact on device package. The interface should apply a layer of thermal grease or a highly conductive thermal pad for better heat dissipation. 6-32 HEX Head Screw Plain Washer Rectifier Insulator Heatsink Conical Washer 6-32 HEX Nut S30D30C – S30D60C 3 of 4 2006 Won-Top Electronics
Всего страниц	4 Pages
Скачать PDF

Применение диодов

Не следует думать, что диоды применяются лишь как выпрямительные и детекторные приборы. Кроме этого можно выделить еще множество их профессий. ВАХ диодов позволяет использовать их там, где требуется нелинейная обработка аналоговых сигналов. Это преобразователи частоты, логарифмические усилители, детекторы и другие устройства. Диоды в таких устройствах используются либо непосредственно как преобразователь, либо формируют характеристики устройства, будучи включенными в цепь обратной связи. Широкое применение диоды находят в стабилизированных источниках питания, как источники опорного напряжения (стабилитроны), либо как коммутирующие элементы накопительной катушки индуктивности (импульсные стабилизаторы напряжения).

Выпрямительные диоды.

С помощью диодов очень просто создать ограничители сигнала: два диода включенные встречно – параллельно служат прекрасной защитой входа усилителя, например, микрофонного, от подачи повышенного уровня сигнала. Кроме перечисленных устройств диоды очень часто используются в коммутаторах сигналов, а также в логических устройствах. Достаточно вспомнить логические операции И, ИЛИ и их сочетания. Одной из разновидностей диодов являются светодиоды. Когда-то они применялись лишь как индикаторы в различных устройствах. Теперь они везде и повсюду от простейших фонариков до телевизоров с LED – подсветкой, не заметить их просто невозможно.

Будет интересно Как устроен туннельный диод?

Параметры диодов

Параметров у диодов достаточно много и они определяются функцией, которую те выполняют в конкретном устройстве. Например, в диодах, генерирующих СВЧ колебания, очень важным параметром является рабочая частота, а также та граничная частота, на которой происходит срыв генерации. А вот для выпрямительных диодов этот параметр совершенно не важен. Основные параметры выпрямительных диодов приведены в таблице ниже.

Таблица основных параметров выпрямительных диодов.

В импульсных и переключающих диодах важна скорость переключения и время восстановления, то есть скорость полного открытия и полного закрытия. В мощных силовых диодах важна рассеиваемая мощность. Для этого их монтируют на специальные радиаторы. А вот диоды, работающие в слаботочных устройствах, ни в каких радиаторах не нуждаются. Но есть параметры, которые считаются важными для всех типов диодов, перечислим их:

U пр.– допустимое напряжение на диоде при протекании через него тока в прямом направлении. Превышать это напряжение не стоит, так как это приведёт к его порче.
U обр.– допустимое напряжение на диоде в закрытом состоянии. Его ещё называют напряжением пробоя. В закрытом состоянии, когда через p-n переход не протекает ток, на выводах образуется обратное напряжение. Если оно превысит допустимое значение, то это приведёт к физическому «пробою» p-n перехода. В результате диод превратиться в обычный проводник (сгорит).

Очень чувствительны к превышению обратного напряжения диоды Шоттки, которые очень часто выходят из строя по этой причине.

Обычные диоды, например, выпрямительные кремниевые более устойчивы к превышению обратного напряжения. При незначительном его превышении они переходят в режим обратимого пробоя. Если кристалл диода не успевает перегреться из-за чрезмерного выделения тепла, то изделие может работать ещё долгое время.

I пр.– прямой ток диода. Это очень важный параметр, который стоит учитывать при замене диодов аналогами или при конструировании самодельных устройств. Величина прямого тока для разных модификаций может достигать величин десятков и сотен ампер. Особо мощные диоды устанавливают на радиатор для отвода тепла, который образуется из-за теплового действия тока. P-N переход в прямом включении также обладает небольшим сопротивлением. На небольших рабочих токах его действие не заметно, но вот при токах в единицы-десятки ампер кристалл диода ощутимо нагревается. Так, например, выпрямительный диодный мост в сварочном инверторном аппарате обязательно устанавливают на радиатор.
I обр.– обратный ток диода. Обратный ток – это так называемый ток неосновных носителей. Он образуется, когда диод закрыт. Величина обратного тока очень мала и его в подавляющем числе случаев не учитывают.
U стаб.– напряжение стабилизации (для стабилитронов). Подробнее об этом параметре читайте в статье про стабилитрон.

Будет интересно SMD транзисторы

Кроме того следует иметь в виду, что все эти параметры в технической литературе печатаются и со значком “max”. Здесь указывается предельно допустимое значение данного параметра. Поэтому подбирая тип диода для вашей конструкции необходимо рассчитывать именно на максимально допустимые величины.

Диоды высокого тока.

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10AШоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15AУльтрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5AУльтрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8AУльтрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20AШоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49VУльтрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20AШоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30AШоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15AШоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30AШоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15AШоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15AШоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10AШоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15AШоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20AУльтрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:

Haven’t found the right supplier yet ?

1 request,multiple quotations 1-click quotation comparison OEM,ODM & multi-category buying

Want product and industry knowledge ?

S20C45CE Datasheet Download — Mospec Semiconductor

Номер произв	S20C45CE
Описание	(S20C30CE — S20C60CE) Schottky Barrier Rectifiers
Производители	Mospec Semiconductor
логотип
1Page MOSPEC www.DataSheet4U.com S20C30CE thru S20C60CE Schottky Barrier Rectifiers Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes. Low Forward Voltage. Low Switching noise. High Current Capacity Guarantee Reverse Avalanche. Guard-Ring for Stress Protection. Low Power Loss & High efficiency. 150 Operating Junction Temperature Low Stored Charge Majority Carrier Conduction. Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES 30-60 VOLTS TO-220AB MAXIMUM RATINGS Characteristic Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage S20C Symbol Unit 30CE 35CE 40CE 45CE 50CE 60CE VRRM VRWM 30 35 40 45 50 60 VR V RMS Reverse Voltage VR(RMS) 21 25 28 32 35 42 V Average Rectifier Forward Current Total Device (Rated VR), TC=100 IF(AV) 10 20 A Peak Repetitive Forward Current (Rate VR, Square Wave, 20kHz) Non-Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rate load conditions halfware, single phase, 60Hz) IFM IFSM 20 200 A A Operating and Storage Junction Temperature Range TJ , Tstg -65 to +150 ELECTRIAL CHARACTERISTICS Characteristic S20C Symbol 30CE 35CE 40CE 45CE 50CE 60CE Unit Maximum Instantaneous Forward Voltage ( IF =10 Amp TC = 25 ) ( IF =10 Amp TC = 125 ) VF 0.57 0.46 0.70 V 0.57 Maximum Instantaneous Reverse Current ( Rated DC Voltage, TC = 25 ) ( Rated DC Voltage, TC = 125 ) IR 0.5 mA 20 DIM MILLIMETERS MIN MAX A 14.68 15.32 B 9.78 10.42 C 5.02 6.52 D 13.06 14.62 E 3.57 4.07 F 2.42 2.66 G 1.12 1.36 H 0.72 0.96 I 4.22 4.98 J 1.14 1.38 K 2.20 2.98 L 0.33 0.55 M 2.48 2.98 O 3.70 3.90 Common cathode Suffix “C” S20C30CE Thru S20C60CE www.DataSheet4U.com FIG-1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE FIG-2 TYPICAL FORWARD CHARACTERISITICS S20C30CE-45CE S20C50CE-60CE CASE TEMPERATURE ( ) FIG-3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS S20C30CE-45CE S20C50CE-60CE PERCENT OF RATED REVERSE VOLTAGE ( ) FIG-5 PEAK FORWARD SURGE CURRENT FORWARD VOLTAGE (Volts) FIG-4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE S20C30CE-45CE S20C50CE-60CE REVERSE VOLTAGE (Volts) NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz
Всего страниц	2 Pages
Скачать PDF

S30D40C Datasheet – 30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Search Keywords: S30D40C, datasheet, pdf, WON-TOP, 30A, DUAL, SCHOTTKY, BARRIER, RECTIFIER, stock, pinout, distributor, price, schematic, inventory, databook, Electronic, Components, Parameters, parts, cross reference, chip, Semiconductor, circuit, Electric, manual, substitute, Equivalent

WON-TOP ELECTRONICS S30D30C – S30D 100C 30A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIE R Pb Features  Schottky Barrier Ch ip H  Guard Ring for Transient Pro tection  Low Forward Voltage Drop � � Low Power Loss, High Efficiency  H igh Surge Current Capability  Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  Ideal ly Suited for Use in High Frequency SJ RK PIN1 2 3 SMPS, Inverters and As Free Whe

471 шт. со склада г.Москва,срок 3-4 недели
− +

В корзину

U30D40C является двойным быстродействующим диодом с возможностями работы с высокими скачками тока, высокой эффективностью и низкими потерями мощности. Выпрямитель обладает пассивированным стеклом переходом, низким уровнем хранения заряда и конфигурацией с двойным общим катодом.

• Низкое прямое напряжение и высокая мощность• Обратное напряжение 280В СКЗ• Типичное значение емкости перехода 150пФ

Полупроводники – ДискретныеДиодыВыпрямители с Быстрым и Ультра Быстрым Восстановлением

Оцените статью:

Диодный мост из двойных диодов шоттки

Дата: 14.06.2018 //

Для самодельных схем, радиолюбители частенько применяют выпрямительные мосты на диодах Шоттки. Использование диодов Шоттки в мостах обусловлено низким падением напряжения на диоде, что влечет за собой меньшие потери на мосту и снижает его нагрев. Большинство диодов Шоттки выпускаются сдвоенными, в корпусах с общим катодом, и сборка моста из такого диода вводит новичка в тупик. Сегодня мы рассмотрим, какими способами можно собрать диодный мост из диодов Шоттки.

Диодный мост из четырех диодов Шоттки

Самый простой способ собрать мост на диодах Шоттки – соединить аноды диодной сборки и получить со сдвоенного диода обычный. Такой вариант позволит использовать по полной оба диода каждой диодной сборки.

Диодный мост из трех диодов Шоттки

Подбирая диоды Шоттки для моста, нужно учитывать, что производители указывают максимальный ток диодной сборки, а не каждого диода, который в нее входит. Например, диодная сборка MBR20100CT рассчитана на ток 20А, то каждый из двух диодов рассчитан на 10А. Если параметры используемых диодных сборок позволяют, можно немного сэкономить и построить диодный мост всего из трех диодов Шоттки.

Диодный мост из двух диодов Шоттки

Построить диодный мост из двух диодов Шоттки с общим катодом – НЕВОЗМОЖНО. Необходимо иметь в наличии диод с общим катодом и с общим анодом. Купить диоды Шоттки с общим анодом крайне тяжело, они очень редко встречаются в продаже. Если все же получилось их приобрести, схема моста будет выглядеть вот так.

Источник: diodnik.com

Сообщества › ВАЗ: Ремонт и Доработка › Блог › Самопальный диодный мост генератора

Сразу оговорюсь, это не совсем про ВАЗы. Но, надеюсь, будет любопытно достопочтенной публике

1. «Первый», блин, в коме. Как я писал ранее, «в прошлой жизни» на нуль-одиннадцатой, мною был установлен генератор на 95А от Ауди-100 «селёдки» с эл-нагнетателем (ни разу живьём его повидать так и не удалось, было бы любопытно

). Видимо, эти машины комплектовались более мощным генератором www.drive2.ru/b/2031288/

юзал я этого Геннадия, наслаждался жизнью, и бед не знал. Пока однажды, во время экстремального лазания по г@внам не рас@#ячил его ж@пу об острый камень. Пострадал щёточный узел, и выпрямитель. Жалко было до соплей. Вариантов выхода из ситуации было несколько: искать другой такой или похожий, поставить ТАЗогенератор, или сделать самопальный выпрямитель

как понятно, я выбрал последнее. Заранее прошу пардону, хороших фоток не сохранилось. Остались только пару фоток, где он просто попал в кадр

Т.к. генератор на 95А, а ещё в СССР меня преподы учили, что юзают компоненты на >60% предельных параметров, либо недоумки, либо жадные барыги загнивающего капитализьма, то диоды были выбраны следующие: диоды с барьером Шоттки КД2998, они на 30А, попарно (т.е. 12штук)

взял 2 шт радиатора от советских электронных конструкторов «усил 25Вт», поставил их через распорки рёбрами внутрь, так, чтобы в торец встал вентилятор 80х80мм. Диоды смонтировал через изолирующие теплопроводящие слюдяные проставки. Тут же смонтировал вспомогательный выпрямитель «собственных нужд» в виде 3шт КД213. Такие диоды (не Шоттки) взял специально, чтобы прямое напряжение было повыше, а выпрямленное — пониже. Чтобы поднялось выходное напряжение на батарейке.

Отдельно пару слов скажу за вентилятор. Для подобных целей пригодны только вентиляторы с 2мя подшипниками (2 ball bearing). Про гидродинамические подшипники, плавающие втулки, и прочие высеры маркетолухов и продаванов не слушать, покупать только 2-подшипниковые. Любые другие мрут стремительно.

В результате применения диодов с барьером Шоттки, при токе 95А, потери в выпрямителе снижены с 142 до 47Вт. В реальности, это означает то, что даже с максимальной нагрузкой, радиаторы еле-тёплые

за время эксплуатации этого диодного моста, однажды, после запуска двигателя и зарядки высаженной вхлам батарейки 190АЧ, генератор смог сжечь шунт 100А/75мВ. Толщину шунта представляете себе? на последней фотке он справа. Выпрямитель не пострадал.

2. Намного позже, американец FORD TAURUS 1го поколения (да, да, именно такой, на котором рассекал Робокоп). Генератор на 130А. Сдох выпрямитель. По причине кривых рук конструкторов. Посмотрите на фото: диоды, что в голубенькой пластинке, разве могут нормально охладиться?

найти в продаже эту деталь мне не удалось. Покупать б/у генератор я не хотел: там будет точно такая же мина замедленного действия. Принял решение ваять самопальный выпрямитель.

да, у этого генератора применён 4-фазный диодный мост с парой диодов в цепи нейтрали.

Диодов КД2998 у меня не нашлось. Решил ваять из сдвоенных сборок диодов Шоттки в корпусе ТО-247, которые я надёргал из комповых БП. Как и в первом случае, я использовал по 2шт диодных сборки в качестве каждого диода моста, только в цепи нейтрали взял по 1шт сборке.

аналогично, была устроена «тепловая труба» в виде 2шо радиаторов от компа на сокет 478, в них была нарезана резьба М3, и через изолирующие теплопроводящие прокладки были прикручены сборки диодов. Сбори я подобрал попарно по прямому напряжению.

Тут же смонтировал вспомогательный выпрямитель, и регулятор напряжения

Источник: www.drive2.ru

Диод Шоттки отличается от обычных кремниевых диодов

Диод Шоттки делают из кремния (Si), арсенида галлия (GaAs) и редко — на основе германия (Ge). Металл в соединении с полупроводником определяет многие параметры диода. Этим металлом, может быть, золото (Au), ралладий (Pd), платина (Pt), вольфрам (W) которые наносятся на полупроводники.

А также как и обычный диод соединение полупроводник-металл обладает односторонней проводимостью с рядом положительных, а также отрицательных качеств.

Вольт-амперная характеристика диода шоттки

Вольт-амперная характеристика диода Шоттки отличается от обычного полупроводникового большей нелинейностью.

Что дает использование соединения металл-полупроводник? Два положительных момента:

Очень небольшое падение напряжения на прямом переходе — 0,2-0,4 В. Для кремниевого диода «среднее» значение этого параметра — 0,7 В. Правда, малое падение напряжения имеют только приборы с небольшим напряжением пробоя — до 100 В. Для более мощных это падение только чуть ниже, чем у кремниевых.
Высокое быстродействие. То есть, он быстро меняет своё состояние. Переход из открытого состояния в закрытое и обратно происходит за очень короткий промежуток времени и определяется только барьерной ёмкостью. Их применяют в системах коммутации, где важна скорость реакции.

Что такое диод Шоттки и как он обозначается на схеме

Есть у них и минусы. При повышении температуры у них значительно возрастает обратный ток.

Второй недостаток — при превышении максимально допустимого обратного напряжения происходит необратимый пробой. То есть, прибор выходит из строя. Есть и ещё один минус — малое падение прямого напряжения только у диодов Шоттки с малым напряжением пробоя (до сотни вольт). У вариантов с более высоким напряжением потери сравнимы с кремниевыми.

Обозначение, применение и параметры диодов Шоттки

Условное обозначение и характеристики

На схеме диод Шоттки имеет особое обозначение. Отличие от обычного состоит в том, что перекладина у треугольника имеет загнутые края. Не один, как у стабилитрона, а оба. И края эти загнуты в разные стороны. На рисунке приведено обозначение по ГОСТу.

Диод Шоттки на схеме: условное обозначение

Про характеристики уже говорили. Это три основных параметра:

Приведённые параметры — средние. Есть довольно серьёзный разбег и для каждого случая можно подобрать нужные характеристики по каждому из пунктов. Иногда ещё важен такой параметр, как скорость переключения (быстродействие).

Диодные сборки Шоттки в компьютерных блоках питания

На самом деле мощные диоды можно найти почти у каждого. Компьютерный БП является импульсным блоком питания, который питает целый компьютер. Как правило их делают с мощностью от 200 ватт до 1кВт и более, а поскольку компьютер питается от постоянного тока, значит в блоке питания должен быть выпрямитель. В современных блоках питания для выпрямления напряжения используют мощные диодные сборки Шоттки — именно у них минимальный спад напряжения на переходе и возможность работы в импульсных схемах, где рабочая частота намного выше сетевых 50 Герц. Недавно на халяву принесли несколько блоков питания, откуда и были сняты диоды для этого небольшого обзора. В компьютерных блоках питания можно найти самые разные диодные сборки, единичных диодов тут почти не бывает — в одном корпусе два мощных диода, часто (почти всегда) с общим катодом. Вот некоторые из них:

D83-004 (ESAD83-004)

— Мощная сборка из диодов Шоттки, обратное напряжение 40 Вольт, допустимый ток 30А, в импульсном режиме до 250А — пожалуй, один из самых мощных диодов, который можно встретить в компьютерных блоках питания.

STPS3045CW

— Сдвоенный диод Шоттки, ток выпрямленный 15A, прямое напряжение 570мВ, обратный ток утечки 200мкА, напряжение обратное постоянное 45 Вольт.

Обратное напряжение диода Шоттки

Итак, как вы помните, диод пропускает электрический ток только в одном направлении, а в другом направлении блокирует прохождение электрического тока до какого-то критического значения, называемым обратным напряжением диода.

Это значение можно найти в даташите

обратное напряжение диода

Для каждой марки диода оно разное

Если превысить это значение, то произойдет пробой, и диод выйдет из строя.

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10A Шоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15A Ультрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5A Ультрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8A Ультрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57 Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20A Шоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49V Ультрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20A Шоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30A Шоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A Шоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30A Шоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15A Шоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A Шоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10A Шоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15A Шоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20A Ультрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:

Источник: tehnoobzor.com

Диод Шоттки в ВЧ цепях

Также диоды Шоттки обладают быстрой скоростью переключения. Это значит, что мы можем использовать их в высокочастотных (ВЧ) цепях.

Итак, возьмем генератор частоты и выставим синус частотой в 60 Гц

Возьмем диод 1N4007 и диод Шоттки 1N5817. Подключим их по простой схеме однополупериодного выпрямителя

и будем снимать с них показания

Как вы видите, оба они прекрасно справляются со своей задачей по выпрямлению сигнала на частоте в 60 Гц.

Но что будет, если мы увеличим частоту до 300 кГц?

Ого! Диод Шоттки более-менее справляется со своей задачей, что нельзя сказать о простом диоде 1N4007. Простой диод не может справиться со своей задачей не пропускать обратный ток, поэтому на осциллограмме мы видим отрицательный выброс

Отсюда можно сделать вывод: диоды Шоттки рекомендуется использовать в ВЧ цепях.

Отдел сбыта и маркетинга: т/ф,, [email protected]

Мощные диоды Шоттки 2ДШ2942 АЕЯР.432120.555ТУ

Область применения

Кремниевые эпитаксиально — планарные мощные выпрямительные диоды с барьером Шоттки 2ДШ2942 и диодные сборки на их основе с общим катодом, с общим анодом, по схеме удвоения (далее по тексту — «диоды и диодные сборки») в беспотенциальных герметичных металлокерамических корпусах с планарными гибкими плоскими выводами, предназначенные для работы в устройствах преобразовательной техники и электроприводах аппаратуры специального назначения.

Категория качества диодов и диодных сборок — «ВП».

Основные характеристики диодов

Для начала вспомним, что такое обычный диод и как он работает. Это полупроводниковый прибор, который стоит из двух зон. При определённых условиях через этот переход перемещаются электроны.

Устройство и обозначение диода

Основное свойство элемента — он пропускает ток в одном направлении, и не пропускает в другом. Диоды Шоттки имеет такие же характеристики, как и обычные. На некоторых заострим внимание поподробнее. Это падение напряжения, обратный ток, обратное напряжение, частота.

Обозначение на схеме и маркировка

Обозначение диода Шоттки на схеме отличается от остальных диодов. Вот все виды на одном рисунке – как они помечаются на схеме:

На самом деле редко кто из опытных радиолюбителей не использует Шоттки на практике. При невысокой цене таких радиодеталей они лучше своих аналогов. Наиболее популярные виды диодов Шоттки с маркировкой:

1N5817.
1N5818.
1N5819.
1N5822.
SK12.
SK13.
SK14.

Все эти варианты имеют как корпус цилиндрической формы, так и SMD. Surface Mounted Device (SMD) – прибор, монтируемый на поверхность. Если стабилитрон стандартной цилиндрической формы имеет длинные контактные ножки и монтируется через отверстия в электрической плате, то SMD аналоги – прямо на плату или, так как имеют короткие выводы.

Найти данные стабилитроны можно во многой электронике. Смотрите ниже в главе «Применение и где можно выпаять».

Схема подключения и назначение диодного моста

Полезные советы. Диодный мост генератора, что это и как проверить его работоспособность. Проверка работоспособности генератора — Лада Калина Блог. Как заменить диодный мост своими силами? Подробная инструкция Диодный мост генератора автомобиля, устройство, принцип действия Диодный мост генератора выпрямительный блок — Chery Е5.

Как проверить диодный мост генератора правильно и самому Ваз замена диодного моста в генераторе своими руками MasteraVAZa. Диодный мост и как его заменить без ошибок. Как проверить диодный мост на целостность. Краткий обзор. Динамо-втулка в качестве генератора для ветряка фото отчет. Диодный мост генератора на ВАЗ замена своими руками, проверка Как распаять диодный мост генератора. Совет от автоэлектрика ВЧ Неисправности генератора: как проверить диодный мост своими руками.

Как проверить диодный мост автомобильного генератора — YouTube. Ремонт диодного моста генератора. Как заменить диоды? Самодельное зарядное устройство для авто мото аккумуляторов — YouTube. Диод, диодный мост. Схемотехника на двух пальцах — YouTube. Диодный мост генератора AUDI 1. Диодный мост генератора Lucas на Ford Transit 2. Диодный мост ВАЗ признаки неисправности, проверка и замена Диодный мост генератора на Ford Transit 2.

Диодный мост ВАЗ, генератора Диодный мост ВАЗ генератора Г Простой способ проверки диодов генератора. Особенности конструкции Диодный мост ВАЗ инж. Диодный мост генератора для Opel Combo 1.

Опель Комбо 1. Самодельное зарядное устройство для автомобильного аккумулятора из Получайте первыми самую свежую информацию! Также рекомендуем:.

Что такое диодный мост схема устройства

Трансформатор — преобразует напряжение питания сети Вольт в необходимо для нас 12 Вольт либо в некоторых устройствах до 14,4 Вольта последнее соответствует напряжению питания электросети автомобиля при работающем генераторе. Диодный мост — это четыре соединенных между собой диода которые преобразуют переменное электричество в постоянное. Блок управления зарядом — один из самых важных элементов, который управляет токами заряда. Позволяет зарядить аккумулятор полностью и при этом не перезарядить его не позволяет закипеть электролиту внутри аккумулятора.

Применение в электронике

Такие свойства, как быстродействие и малое падение напряжения позволяет использовать диоды Шоттки в высокочастотных схемах. Например, в силовых высокочастотных выпрямителях (до сотен килогерц), где они работают как высокочастотные выпрямители. Применяют их и в усилителях звука, так как по сравнению с обычными диодами они дают меньший уровень помех.

Если вы посмотрите на плату источника питания, точно увидите диод Шоттки

Ещё одна область применения — составная часть более сложных полупроводниковых приборов. Например, МОП — транзисторы, диодные сборки и силовые диоды со встроенным диодом Шоттки имеют лучшие характеристики.

Сфера применения изделий велика, но наиболее часто их применяют в блоках питания компьютеров. А также в схемах для модуляции света в приёмниках излучения, солнечных батареях.

Бестрансформаторное зарядное устройство

Бестрансформаторная схема несложного зарядного устройства для зарядки кислотных аккумуляторная батарей с емкостью от 0,5 до 120 Ампер

Занимательной по конструкции есть схема самодельного устройства, которое не имеет трансформатора. Его роль в данном устройстве делает комплект конденсаторов, рассчитанных на напряжение в 250 В. Таких конденсаторов должно быть не меньше 4. Сами конденсаторы подключаются параллельно.

К комплекту конденсаторов параллельно подключается резистор, предназначенный для

гашения остаточного напряжения по окончании отключения прибора от сети.

Потом потребуется диодный мост для работы с допустимым током не меньше 6 А. Он подключается в схему по окончании комплекта конденсаторов. А потом уже к нему подсоединяются провода, которыми устройство будет подключаться к АКБ.

В обязательном порядке к прочтению:

Как сделать простейшее зарядное устройство.

Статьи как раз той тематики,которой Вы интересуетесь:

Все то время, пока двигатель автомобиля не работает, питание электросети автомобиля происходит от аккумулятора — эта азбучная истина не испытывает недостаток в комментариях. Но, сказать о том, что ее…

Опыты с конструкцией транзистора привели ученых и инженеров всей земли к основательному ответу отказаться от таковой конструкции. Главная причина для того чтобы шага стали тяжелые потери на…

Свинцово-сурьмянским автомобильным аккумуляторным батареям характерно весьма скоро разряжаться при сильных морозах. И в случае если в таких обстановках шофер транспортного средства вовремя не…

Автоаксессуары На практике практически любой автомобилист сталкивался с таковой проблемой, как разряд аккумулятора. Тут имеется лишь одно ответ – осмотр источника питания на факт неисправностей и…

Не каждый обладатель авто имеет у себя в гараже зарядное устройство для аккумулятора. В данной статье обрисованы этапы создания собственными руками качественного зарядного устройства, в котором возможно…

Конструкция и принцип работы зарядного устройства

Дабы произвести зарядку аккумулятора употребляются зарядные устройства. Эти устройства трудятся от сети 220 В. В действительности зарядное устройства есть простым преобразователем электроэнергии.

Он берет переменный ток сети 220 В, понижает его и преобразовывает в постоянный ток напряжением до 14 В, другими словами до напряжения, которое выдает сам АКБ.

на данный момент производится много всевозможных зарядных устройств – от примитивных и несложных до устройств с громадным числом всевозможных дополнительных функций.

Продаются и зарядные устройства, каковые кроме вероятной подзарядки АКБ, установленной на авто, смогут еще и произвести запуск силовой установки. Такие устройства именуются зарядно-пусковыми.

Имеется и независимые зарядно-пусковые устройства, каковые смогут подзарядить АКБ либо запустить мотор без подключения самого устройства к сети 220 В. В же для того чтобы прибора кроме оборудования, преобразующего электрическую энергию, имеется еще и простой аккумулятор, что совершает таковой прибор независимым, не смотря на то, что батарее прибора также по окончании каждой отдачи электричества требуется зарядка.

Видео: Как сделать простейшее зарядное устройство

Что касается простых зарядных устройств, то простейшее из них состоит всего из нескольких элементов. Главным элементом у для того чтобы устройства есть понижающий трансформатор. В нем производится понижение напряжение с 220 В до 13,8 В, каковые являются самыми оптимальными для зарядки АКБ.

Но трансформатор лишь понижает напряжение, а вот преобразование его с переменного тока на постоянный выполняется вторым элементом устройства – диодным мостом, что создаёт разделение и выпрямление тока его на хороший и отрицательный полюса.

За диодным мостом в большинстве случаев в схему включен амперметр, что показывает силу тока. В несложном устройстве употребляется стрелочный амперметр. В более дорогих устройствах, он бывает цифровым, кроме этого кроме амперметра возможно встроен и вольтметр.

В некоторых зарядных устройствах существует возможность выбора напряжения, например, им возможно заряжать как 12-вольтовые АКБ, так и 6-вольтовые.

От диодного моста выходят провода с «плюсовой» и «минусовой» клеммами, которыми и производится подключение прибора к аккумулятору.

Все это заключено в корпус, из которого выходит провод с вилкой для подключения к сети, и провода с клеммами. Дабы обезопасить всю схему от вероятного повреждения, в нее включен плавкий предохранитель.

В целом, это и вся схема несложного зарядного устройства. Выполнить им зарядку аккумулятора относительно легко. К разряженной батарее подключаются клеммы прибора, наряду с этим

принципиально важно не перепутать полюса.

После этого прибор подключается к сети.

В начале зарядки прибор будет подавать напряжение с силой тока в 6-8 ампер, но по мере зарядки, сила тока будет уменьшаться. Все это

будет отображаться на амперметре. В случае если батарея всецело зарядится, то стрелка амперметра опустится до нуля.

Это и имеется целый процесс зарядки аккумулятора.

Простота схемы зарядного устройства снабжает возможность независимого его изготовления.

Сфера применения и популярные модели

Полупроводниковый радиотехнический элемент Шоттки характеризуется отсутствием диффузной емкости из-за отсутствия неосновных носителей. Поэтому этот элемент в первую очередь — это СВЧ-диод широкого спектра применения. Его используют в роли следующих элементов:

тензодатчик;
приемник излучения;
модулятор света;
детектор ядерного излучения;
выпрямитель тока высокой частоты.

Малое падение напряжения, к сожалению, наблюдается у большинства этих элементов при рабочем напряжении в пределах 55−60 В. Если напряжение выше этого значения, то диод Шоттки имеет такие же качества, как и обычный полупроводниковый элемент на кремниевой основе. Максимум обратного напряжения обычно составляет порядка 250 В, но есть особые модели, которые выдерживают и 1200 В (например, VS-10ETS12-M3).

Из сдвоенных моделей популярной среди радиолюбителей является 60CPQ150. Этот радиоэлемент имеет максимум обратного напряжения 150 В, а каждый отдельный диод из сборки рассчитан на пропускание тока в прямом включении силой 30 А. В мощных импульсных источниках питания иногда можно встретить модель VS-400CNQ045, у которой сила тока на выходе после выпрямления достигает 400 А.

У радиолюбителей пользуются популярностью диоды Шоттки серии 1N581x. Такие образцы, как 1N5817, 1N5818, 1N5819 имеют максимальный номинальный прямой ток 1 А, а обратное напряжение у них составляет 20−40 В. Падение напряжения на барьере (переходе) в диапазоне от 0.45 до 0.55 В. Также в радиолюбительской практике встречается элемент 1N5822 с прямым током до 3 А.

Практическое применение

На практике диодный мост имеет довольно широкий спектр применения – это и цифровая техника, блоки питания в персональных компьютерах, ноутбуках, различных устройствах, автомобильных генераторах, питающихся от низкого постоянного напряжения. Помимо этого их можно встретить в системах звуковоспроизведения, измерительной техники, теле- радиовещания, они устанавливаются в ряде различных устройств по всему дому. Для лучшего понимания роли диодного моста в этих приборах мы рассмотрим несколько конкретных схем, в которых он применяется.

Примеры схем с диодным мостом и их описание

Одна из наиболее простых схем с применением диодного моста – это зарядное устройство, применяемое для оборудования, питаемого низким напряжением. Один из таких вариантов рассмотрим на следующем примере

Рис. 5. Схема зарядного устройства

Как видите на рисунке, от понижающего трансформатора Т1 напряжение из переменного 220В преобразуется в переменное на уровне 7 – 9В. После этого пониженное напряжение подается на диодный мост VD, от которого выпрямленное через сглаживающий конденсатор С1 на микросхему КР. От микросхемы выпрямленное напряжение стабилизируется и выдается на клеммы разъема.

Рис. 6. Схема карманного фонаря

На рисунке выше приведен пример схемы карманного фонаря, данная модель подключается к бытовой сети 220В через розетку, что представлено соединением разъема Х1 и Х2. Далее напряжение подается на мост VD, а с него уже на микросхему DA1, которая при наличии входного питания сигнализирует об этом через светодиод HL1. После этого напряжение питания приходит на аккумулятор GB, который заряжается и затем используется в качестве основного источника питания для лампы фонарика.

Пример схемы сварочного агрегата

Здесь представлен пример схемы сварочного агрегата, в котором диодный мост устанавливается сразу после понижающего трансформатора для выпрямления электрического тока. Из-за сложности схемы дальнейшее рассмотрение работы устройства нецелесообразно. Стоит отметить, что существуют и другие устройства с еще более сложным принципом работы – импульсные блоки питания, ШИМ модуляторы, преобразователи и т.д.

Диод шоттки как подключить

Основные диоды Шоттки, которые встречаются в блоках питания

Шоттки TO-220 SBL2040CT 10A x 2 =20A 40V Vf=0.6V при 10A
Шоттки TO-247 S30D40 15A x 2 =30A 40V Vf=0.55V при 15A
Ультрафаст TO-220 SF1004G 5A x 2 =10A 200V Vf=0.97V при 5A
Ультрафаст TO-220 F16C20C 8A x 2 =16A 200V Vf=1.3V при 8A
Ультрафаст SR504 5A 40V Vf=0.57
Шоттки TO-247 40CPQ060 20A x 2 =40A 60V Vf=0.49V при 20A
Шоттки TO-247 STPS40L45C 20A x 2 =40A 45V Vf=0.49V
Ультрафаст TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 45V Vf=0.58V при 20A
Шоттки TO-220 63CTQ100 30A x 2 =60A 100 Vf=0.69V при 30A
Шоттки TO-220 MBR2545CT 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-247 S60D40 30A x 2 =60A 40-60V Vf=0.65V при 30A
Шоттки TO-247 30CPQ150 15A x 2 =30A 150V Vf=1V при 15A
Шоттки TO-220 MBRP3045N 15A x 2 =30A 45V Vf=0.65V при 15A
Шоттки TO-220 S20C60 10A x 2 =20A 30-60V Vf=0.55V при 10A
Шоттки TO-247 SBL3040PT 15A x 2 =30A 30-40V Vf=0.55V при 15A
Шоттки TO-247 SBL4040PT 20A x 2 =40A 30-40V Vf=0.58V при 20A
Ультрафаст TO-220 U20C20C 10A x 2 =20A 50-200V Vf=0.97V при 10A

Существуют и современные отечественные диодные сборки на большой ток. Вот их маркировка и внутренняя схема:

Дата: 14.06.2018 // 0 Комментариев

Диодный мост из четырех диодов Шоттки

Диодный мост из трех диодов Шоттки

Диодный мост из двух диодов Шоттки

Создайте аккаунт или войдите для комментирования

Вы должны быть пользователем, чтобы оставить комментарий

Создать аккаунт

Зарегистрируйтесь для получения аккаунта. Это просто!

Обзор блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P GECID.com.

В сегодняшнем обзоре мы протестируем блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P достаточно новой серии A-80. Эта линейка состоит из четырех моделей мощностью от 350 до 500 Вт. В наше же распоряжение попала самая мощная модель этой серии, что особенно интересно в случае выбора между недорогими источниками питания для домашнего игрового компьютера.

Компания CHIEFTEC позиционирует серию A-80, как первую недорогую линейку блоков питания, которая соответствует высоким стандартам эффективности 80 PLUS и разработана специально для Европейской зоны с высокими стандартами качества напряжения электросети. Поэтому источники питания серии CHIEFTEC A-80 имеют только одно фиксированное входное напряжение питания равное 230 В, в отличие от большинства источников питания с двумя пределами входных напряжений или просто с одним большим диапазоном рабочих напряжений от 100 до 240 В. Однако, ни для кого не секрет, что качество напряжения в электросетях Украины не очень высокое, хотя в больших городах оно оказывается на приемлемом уровне, вписываясь в рамки 10% отклонения от номинального напряжения 220 В. Поэтому изначально на серию блоков питания CHIEFTEC A-80 стоит обращать внимание пользователям из районов где не возникает проблем с электропитанием или же они для перестраховки используют хороший стабилизатор питания.

Итак, давайте же посмотрим, что из себя представляет блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P.

Поставляется блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P в OEM-комплектации, то есть без упаковки и шнура питания, что, в некотором роде, и обеспечивает ему повышенную доступность.

Спецификация CHIEFTEC CTG-500-80P:

Торговая марка	CHIEFTEC
Модель	CTG-500-80P
Тип	ATX12V v2.3
Максимальная мощность, Вт	500
Мощность по каналу 12В, Вт	400
Линий +12V	2, «виртуальные»
Выходы	+3.3V – 24A, +5V – 20A, +12V1 – 20A, +12V2 – 20A, -12V – 0.3A, +5VSB – 2.5A
PCI-E разъемов	6-контактные 2 шт.
SLI	Нет
CrossFireX	Нет
Модульный	Нет
КПД	>80%
80 PLUS сертифицирован	Да
Коэффициент мощности (PF)	>0,9
Метод компенсации коэффициента мощности	Активный
Входное напряжение, В	230
Частота входного напряжения, Гц	50
Входной ток, А	4 А
Размер вентилятора, мм	120x120x25
Уровень шума, дБ	24
Регулятор скорости вращения вентилятора	Есть
Электромагнитные безопасность и совместимость (EMI/EMC)	CE, FCC, CB
Соответствие RoHS (низкое содержание в припое свинца и кадмия)	Есть
Размеры (ШхДхВ), мм	140 х 150 х 87
Комплектация	нет
Гарантия	—
Сайт производителя	http://www.chieftec.com/

Так как упаковки у блока питания нет, то и сопутствующей информации пусть даже маркетингового характера почерпнуть не откуда. Остается лишь заглянуть на официальный сайт CHIEFTEC. Там можно найти график зависимости КПД от загрузки блока питания, который построена по трем точкам результатов проведенного компанией тестирования. Как и подразумевает стандарт 80 PLUS эффективность блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P при нагрузках 20%, 50% и 100% не опускается ниже 80%. Таким образом, CHIEFTEC CTG-500-80P является наглядным примером того, что постепенно стандарт 80 PLUS становится все более распространенным и его уже поддерживают и не очень дорогие модели.

Блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P имеет стандартные размеры. Его корпус выполнен из SECC стали белого цвета, а 120 мм вентилятор системы охлаждения с внешней стороны закрыт вентиляционной решеткой типа «гриль». Задняя же панель блока питания, как это часто встречается, представляет вентиляционную сетку с шестигранными ячейками вроде сот. Также на задней панели находится кнопка отключения от электросети и разъем для подключения шнура питания.

Количества разъемов и длины кабелей блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P должно быть достаточно при сборке игровой системы среднего класса, так как он оснащен двумя 6-контактными разъемами PCIE и 8-контактным разъемом для питания процессора. Для питания периферийных устройств предусмотрено целых шесть разъемов SATA и всего три разъема PATA. Более старые модели блоков питания в основном оснащались разъемами PATA, а SATA наоборот были в гораздом меньшем числе. Но времена меняются и блоки питания вместе с ними. На данный момент именно разъемы SATA является наиболее распространенным у накопителей, поэтому при желании собрать RAID при использовании блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P проблем точно не должно возникнуть. Таким образом, учитывая потребности современных ПК и проектную мощность блока питания можно утверждать, что CHIEFTEC CTG-500-80P имеет оптимальный набор разъемов.

Также можно заметить наличие «лапок» на разъемах PATA, что особенно удобно при отсоединение разъема от устройства. Все разъемы и длина проводов блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P собранны в таблице:

Типы разъемов	Длина проводов до разъема (разъемов), см
20+4-контактный разъем питания материнской платы	40
8-контактный и 4-контактный разъем питания процессора	40-55
Два 6-контактных разъема PCIe	40-55
2 х Три разъема для устройств SATA	40-55-70
Три разъема для периферийных устройств PATA и FDD	40-55-70-85 (FDD)

Как небольшую экономию на проводах можно рассматривать наличие ответвляющихся линий на кабеле питания с 8-контактным и 4-контактным разъемом питания процессора, а также двух 6-контактных разъемов PCIe. На практике такое исполнение не должно сильно повлиять на удобство.

Блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P мощностью 500 Вт имеет две «виртуальные» линии питания +12 В с нагрузочной способностью по 20 А каждая. Если сравнивать CHIEFTEC CTG-500-80P с некоторыми моделями блоков питания такой же мощности 500 Вт, например CHIEFTEC APS-500C или Seasonic M12II-500, можно отметить еще больший акцент на линию +12 В. Вместо 18 А на виртуальную линию в блоке питания CHIEFTEC CTG-500-80P заложено 20 А, а вот возможности менее актуальных линий +5 В и +3,3 В уменьшены до 120 Вт, вместо 130-150 Вт.

Кроме того, на этикетке блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P отмечается поддержка стандарта высокой энергоэффективности 80 PLUS, а также соответствие стандартам по ограниченному содержанию вредных веществ RoHS. Здесь отмечена и сертификация организациями CUL, TUV, CB.

Разбирается блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P привычно просто. Панель с вентилятором держится на четырех винтах, которые нужно выкрутить.

Схема блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P выполнена на однослойном PCB. Внутри корпуса имеется достаточно много свободного пространства, да и сам по себе источник питания довольно легкий.

Для охлаждения схемы блока питания служит 120 мм вентилятор Global Fan S1202512L на подшипнике скольжения, хотя для охлаждения блоков питания более подходящими считаются вентиляторы на шарикоподшипниках, так как они больше рассчитаны на работу в условиях повышенных температур. Максимальная скорость вращения вентилятора Global Fan S1202512L составляет 2000 об/мин, его воздушный поток — 67,28 CFM, а уровень шума до 34 дБ. В действительности же вентилятор работает заметно тише, так как его скорость вращения регулируется автоматической схемой управления. Для более эффективного распределения воздушного потока почти половина вентилятора закрыта пластиковой заслонкой.

Схема блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P предусматривает все необходимое для современного источника питания, но ничего более. Так, например, для фильтрации помех в электросети прямо на разъем питания 230 В напаян фильтр, состоящий из нескольких конденсаторов.

Система охлаждения силовых полупроводниковых элементов блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P состоит из трех алюминиевых радиаторов с оребрением в верхней части.

Первый радиатор с входной стороны служит для охлаждения диодного моста цепи выпрямителя и элементов узла активной компенсации коэффициента мощности. В цепи выпрямления установлен электролитический конденсатор производства KG емкостью 220 мкФ, 400В, 85ºC. Мы знаем, что в зависимости от мощности блока питания подбираются и соответствующие по емкости конденсаторы. И если вспоминать другие модели блоков питания мощностью 500 Вт, то можно отметить, что в них обычно устанавливают конденсаторы емкостью 300 мкФ. Поэтому в случае с блоком питания CHIEFTEC CTG-500-80P видна своеобразная экономия.

В тоже время основной трансформатор по габаритным размерам вполне соответствует блоку питания мощностью 500 Вт. В выходных цепях блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P удалось рассмотреть диоды KCQ60A06 и D83-004.

К качеству пайки платы блока питания сложно предъявить претензии, она выполнена очень аккуратно.

В выходных цепях источника питания установлены высокотемпературные конденсаторы с максимальной рабочей температурой в 105ºС.

Тестирование

За неимением в наличии полноценного нагрузочного стенда, для тестирования мы использовали компьютерную систему, которую по энергопотреблению на данный момент относят к достаточно производительным игровым конфигурациям, так как она состоит из одного двухчипового видеоускорителя на GeForce 9800 GX2 и разогнанного до 3,8 ГГц четырехъядерного процессора.

Тестовая конфигурация, выполняющая роль нагрузки блока питания:

Материнская плата	ZOTAC NForce 790i-Supreme (NVIDIA nForce 790i Ultra SLI)
Процессор	Intel Core 2 Quad Q9550 (LGA775, 2,83 ГГц, L2 2х6 МБ) @3,8 ГГц
Кулер	Noctua NH-U12P
Оперативная память	2x DDR3-2000 Kingston KHX16000D3T1K3 1024 MБ
Видеокарта	ASUS EN9800GX2/HTDI/512M
Жесткий диск	Samsung HD080HJ 80 ГБ 7200rpm 8 МБ SATA-300
Корпус	Spire SwordFin SP9007B с двумя 120 мм вентиляторами

C помощью цифрового мультиметра MASTECH MY64 мы проводили замеры напряжений на основных линиях питания +12В; +5В; +3,3В, а прибором Seasonic Power Angel определяли коэффициент мощности и общую мощность потребления всей системой вместе с блоком питания.

Измерение величин напряжения и мощности потребления проводились в режиме максимальной нагрузки и в простое. Максимальную нагрузку на систему мы создавали запуском проверки стабильности видеоподсистемы в приложении FurMark 1.7.0 с одновременным запуском стресс-теста FPU в приложении Everest.

Отклонения и «просадки» напряжения на выходных линиях

В результате измерения напряжения питания на выходных линиях питания были получены следующие значения:

	CHIEFTEC CTG-500-80P		CHIEFTEC GPS-500A		Power Lux WL-720 APFC		Seasonic M12II SS-500GM
	Величина, В	Отклонение, %	Величина, В	Отклонение, %	Величина, В	Отклонение, %	Величина, В	Отклонение, %
+12V
Idle	12,18	+1,5	12,11	+0,9	12,31	2,6	12,3	+2,5
Burn	12,11	+0,9	11,76	-2,0	12,17	1,4	12,06	+0,5
+5V
Idle	5,14	+2,8	5,07	+1,4	5,28	5,6	5,03	+0,6
Burn	5,16	+3,2	5,13	+2,6	5,31	6,2	5,09	+1,8
+3.3V
Idle	3,41	+3,3	3,39	+2,7	3,46	4,8	3,33	+0,9
Burn	3,44	+4,2	3,39	+2,7	3,45	4,5	3,33	+0,9

Величины напряжений на основных линиях питания в режиме простоя и нагрузки находятся в рамках допустимых 5% отклонений. Также по результатам замеров можно утверждать, что блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P достаточно хорошо справился с предложенной нагрузкой. Это видно, если сравнивать его отклонения с другими моделями блоков питания такой же мощности, на фоне которых просадки при нагрузке выглядят незначительными, не достигая даже 1%.

Пульсации на линии +12 В и + 5 В

Напряжение на линии +5 В в простое системы

Напряжение на линии +12 В в простое системы

При постоянном характере небольшой нагрузки пульсации на линиях питания +12 В и +5 В входят в допустимые рамки. Если пульсации напряжение на линии +5 В почти вплотную приближается к граничным +50 мВ, то на линии +12 В до граничных 120 мВ остается еще достаточно много. Поэтому к качеству фильтрации выходного напряжения у нас претензий нет, оно достаточно хорошее.

Напряжение на линии +5 В в режиме нагрузки

Напряжение на линии +12 В в режиме нагрузки

Худшая ситуация складывается при высокой нагрузке вследствие недостаточно большой емкости конденсатора в цепи высоковольтного выпрямления. Так как видеокарта во время работы создает переменную нагрузку, то вместе с пульсациями напряжения одновременно можно наблюдать и обычные просадки напряжения. По всей видимости именно здесь явно сказывается не очень большая емкость конденсатора в цепи выпрямления. При нагрузках близких к максимальной мощности блока питания амплитуда колебаний напряжения на линии +12 В составляет около 500 мВ. Колебания же напряжения на линии +5 В оказывается меньше – около 110 мВ. В итоге, констатируем достаточно качественную фильтрацию на выходных линиях и малую емкость конденсатора в цепи первичного выпрямления, как для мощности блока питания 500 Вт.

Коэффициент мощности

Активный модуль компенсации коэфициента мощности просто отлично выполняет свои функции, поддерживая коэффициент мощности на уровне 0,97-0,98.

Коэффициент мощности блока питания CHIEFTEC CTG-500-80P очень высокий.

Эффективность преобразования

По эффективности преобразования CHIEFTEC CTG-500-80P также выглядит очень хорошо, как для своего класса источников питания. Сравнивая с другими моделями заметно, что его КПД достаточно высок. Хотя он и уступает более дорогим блокам питания Seasonic, особенно модели M12D-850, которая построена по схеме DC-DC. В тоже время решения менее известных производителей, таких как Power Lux, с номинально большей заявленной мощностью демонстрируют на порядок больший уровень энергопотребления, а соответственно и более низкий КПД.

Также блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P был протестирован на соответствие стандарту ENERGY STAR Ver. 4.0, который требует обеспечить потребление системой в режиме Standby (в выключенном состоянии) до 2 Вт, а в Sleep (спящем) режиме до 4 Вт. В результате мы выяснили, что CHIEFTEC CTG-500-80P полностью удовлетворяет этим требованиям.

Система охлаждения

Порадовал блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P и очень тихой системой охлаждения. Только при очень большой загруженности, когда ускоряется вентилятор, блок питания начинает создавать некоторый фон. Но если учитывать, что и остальные компоненты компьютерной системы во время загрузке будут шуметь, то среди них сложно будет заметить CHIEFTEC CTG-500-80P.

Выводы

В целом блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P оставил хорошее впечатление. Несмотря на относительно невысокую стоимость, он имеет достаточно качественное исполнение и соответствует многим современным требованиям, как по оснащению, так и по энергоэффективности. Блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P вполне можно установить в конфигурации с производительным процессором и одной мощной видеокартой или двумя ускорителями среднего класса, объединенными по технологии SLI или CrossFireX. К тому же блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P имеет довольно тихую систему охлаждения, что немаловажно. Единственной особенностью, на которую следует обратить внимание при использование CHIEFTEC CTG-500-80P – это фиксированное входное напряжение 230 В, что может сказаться на стабильности системы в случае, если возникнут проблемы с качеством напряжения в электросети.

К достоинствам можно отнести:

высокий КПД;
тихую систему охлаждения;
приемлемую стоимость;
оптимальное количество разъемов;
сертификацию 80 PLUS.

К недостаткам можно отнести:

фиксированное входное напряжение 230 В;
в цепи выпрямителя высокого напряжения установлен конденсатор относительно малой емкости.

Автор: Дмитрий Масюк

Выражаем благодарность компании «Техника для бизнеса», официальному дистрибутору CHIEFTEC, за предоставленный для тестирования блок питания CHIEFTEC CTG-500-80P.

Выражаем благодарность компаниям ASUS, Kingston, Noctua, Spire и ZOTAC за предоставленное для тестового стенда оборудование.

ДИФФЕРЕНЦИАЦИЯ ОБЩЕГО ПЕРЕМЕННОГО ИММУНОДЕФИЦИТА ОТ ДЕФИЦИТА IgG

Резюме

Предпосылки:

Общий вариабельный иммунодефицит (CVID) и дефицит IgG — два наиболее распространенных первичных гуморальных иммунных дефекта. В то время как первый определяется на основе консенсуса с критериями количественных и качественных дефектов антител, последний используется для описания пациентов со сниженным уровнем IgG, которые обычно имеют рецидивирующие синопульмональные инфекции, но не соответствуют критериям CVID.Однако этим пациентам часто ставят такой диагноз.

Цель:

Мы сравнили иммунологические данные и клинические проявления двух больших групп пациентов с ОВИН или дефицитом IgG, чтобы лучше обозначить различия между этими синдромами.

Методы:

Мы извлекли клинические и лабораторные данные из электронных медицинских карт пациентов нашего учреждения, получивших коды Международной классификации болезней для CVID или дефицита IgG.Мы собрали уровни иммуноглобулинов, количество субпопуляций лимфоцитов и серологические реакции на вакцины. У некоторых пациентов мы провели проточную цитометрию, чтобы определить процентное содержание В-клеток памяти и переключаемой памяти. Мы собрали и статистически сопоставили клинические данные, связанные с инфекционными проявлениями, бронхоэктазами, аутоиммунными заболеваниями, инфильтративными воспалительными процессами и лимфоидными злокачественными новообразованиями.

Результаты:

В отличие от пациентов с дефицитом IgG, мы обнаружили, что пациенты с ОВИН имели более низкий уровень IgG, большую невосприимчивость к большинству вакцин, более низкий процент памяти и В-клеток с переключением изотипа, а также более низкое количество Т-лимфоцитов CD4.Клинически пациенты с ОВИН имели одинаковую частоту синуситов и пневмоний, но имели значительно более высокую распространенность бронхоэктазов и особенно неинфекционных осложнений.

Заключение:

CVID и дефицит IgG не имеют одного и того же спектра заболеваний, первый связан с иммунодисрегуляторными проявлениями и маркерами более серьезного иммунного дефекта. Эти данные могут позволить клиницистам различать эти состояния и различия в лечении, которые представляют эти пациенты.

Ключевые слова: Первичный иммунодефицит, общий вариабельный иммунодефицит, дефицит IgG, когортное исследование, В-клеточное фенотипирование ). ¹ Этот дефект определяется заметно сниженным уровнем сывороточного IgG в сочетании со сниженными уровнями IgA и / или IgM, недостаточным или отсутствующим ответом антител на инфекции или иммунизацию, а также отсутствием других определенных первичных или вторичных иммунных дефектов.^2,3 Помимо рецидивирующих синопульмональных инфекций, у 30-50% субъектов есть или разовьются неинфекционные проявления: аутоиммунитет (цитопения, витилиго, артрит и т. Д.), Гранулемы, интерстициальные заболевания легких, энтеропатия, лимфоидная гиперплазия или лимфоидные злокачественные новообразования. . ^4-6 В то время как определение ОВИН менялось по-разному ^7,8, субъекты с симптоматической гипогаммаглобулинемией не всегда соответствуют всем критериям ОВИН, имея нормальные IgA и IgM и / или нормальные ответы на вакцины, и более логично попадают в категорию Дефицит IgG, которому присвоен отдельный код Международной классификации болезней (МКБ-10; D80.3). Однако субъекты с дефицитом как CVID, так и IgG обычно обращаются к врачу из-за рецидивирующих синопульмональных инфекций, и, по общему мнению, ⁹, субъекты с очевидным дефицитом антител лечат заменой IgG. Однако во многих случаях им по-прежнему присваиваются диагностические коды МКБ для «ОВИН», что вызывает беспокойство и дополнительное наблюдение со стороны других лиц, осуществляющих уход, на предмет развития неинфекционных осложнений и потенциальных патологических состояний, связанных с этим диагнозом.⁶ Изучая большие группы субъектов с ОВИН или дефицитом IgG, нашей целью было сравнить иммунологические маркеры и клинические проявления обеих групп субъектов, чтобы выявить ключевые различия.

МЕТОДЫ

Медицинские записи:

Используя протокол, одобренный институциональным наблюдательным советом с подписанным согласием, мы извлекли данные из медицинских и лабораторных записей субъектов, направленных в нашу службу для снижения уровня иммуноглобулинов за четырехлетний период (с января 2011 года по февраль). 2015) в системе электронных медицинских карт Epic (Epic Systems Corporation).Чтобы облегчить поиск записей, МКБ кодирует как дефицит IgG (ICD-9 279.03; и, в последнее время, D80.3 в МКБ-10), так и CVID (ICD-9 279.06; или D83.0; D83.1; D83. 2; D83.8; D83.9 в МКБ-10). Пациенты, получившие любой код, были исключены из анализа, если обзор диаграммы выявил другую причину дефицита IgG, такую как кишечная потеря, хронический лимфолейкоз, кортикостероиды или лечение ритуксимабом и т. Д. В обеих группах пациенты были исключены, если в медицинской карте было недостаточно данных. .Кроме того, пациенты, получившие коды 279.03 и 279.06, оставались только в одной категории после того, как правильный диагноз был установлен при просмотре диаграммы.

Лабораторные данные и иммунизация:

Используя электронные медицинские карты (EMR), были собраны исходные уровни сывороточных IgG, IgA и IgM. Были получены титры IgG к белку и конъюгированным антигенам ( Haemophilus influenzae тип b, корь, эпидемический паротит, краснуха, столбняк, дифтерия и ветряная оспа), и положительный результат был определен с использованием предоставленных лабораторных пороговых значений.Ответы антител на 23-валентную полисахаридную пневмококковую вакцину (PPV23) считались защитными, когда титр составлял ≥ 1,3 мкг / мл. ¹⁰ Для каждого пациента мы ввели сумму (из 14 титров) защитных титров к серотипам пневмококков. Популяции лимфоцитов T (CD3, CD4, CD8) и B (CD19 или CD20) были получены из клинических лабораторий и скомпилированы для анализа.

Субпопуляции В-клеток:

Четырехцветная проточная цитометрия с помощью цитометра LSRII и программного обеспечения FacsDIVA (BD Biosciences) была выполнена на мононуклеарных клетках периферической крови пациента с использованием моноклональных антител против человека CD19 PC5 (Beckman Coulter), CD27 FITC (Dako), IgM APC (Jackson ImmunoResearch Inc) и IgD PE (BD Pharmingen).Анализ проводился с помощью программного обеспечения FlowJo (FlowJo, LLC). Клетки памяти B (smB) с переключением изотипа (CD19 + CD27 + IgD-) выражены в процентах от общей популяции клеток CD19 +. ¹¹

Клинические записи:

На основании истории болезни мы собрали информацию о наличии или отсутствии аутоиммунных проявлений (ревматоидный артрит, системная красная волчанка, серонегативный артрит, васкулит, аутоиммунный тиреоидит, диабет 1 типа, пернициозная анемия , витилиго и другие аутоиммунные процессы), инфильтративные воспалительные состояния (интерстициальное заболевание легких, лимфоидная гиперплазия, гранулемы, узловая регенеративная гиперплазия, спленомегалия, энтеропатия), лимфоидные злокачественные новообразования, а также пневмонии, рецидивирующие синуситы и бронхоэктазы.Также были записаны данные об использовании замены Ig.

Статистика:

Описательные данные представлены как среднее ± стандартное отклонение. Мы сравнили категориальные и непрерывные переменные между группами с помощью хи-квадрат X ² или точного критерия Фишера и t-критерия Стьюдента или непараметрического U-критерия Манна – Уитни, соответственно, при необходимости. Данные анализировали с помощью Prism 7 (GraphPad Software, Inc). Значение p ≤0,05 считалось статистически значимым.

РЕЗУЛЬТАТЫ

Характеристики популяции:

Первоначальный список пациентов, полученный из системы Epic EMR, включал 147 пациентов, отнесенных к категории с ОВИН (МКБ-9 279.06 код). Двадцать девять пациентов были исключены из-за недостатка данных, у двух пациентов были разные ВЗОМТ (один случай Х-связанной агаммаглобулинемии и один случай преходящей гипогаммаглобулинемии в младенчестве), и у двух пациентов была вторичная гипогаммаглобулинемия (у одного диагностирован хронический лимфолейкоз и у одного с неходжкинской лимфомой). Среди 172 пациентов с кодом 279.03 (дефицит IgG или другого иммуноглобулина) 17 были более правильно диагностированы как ОВИН и перешли в эту когорту. Одиннадцать пациентов имели альтернативный ВЗОМТ (10 с дефицитом подкласса IgG и еще один с синдромом ДиДжорджи), 8 были исключены из-за недостаточности данных EMR, 7 пациентов имели вторичный иммунодефицит (три с хроническим лимфолейкозом, три с лимфомой, один с лимфопенией, вторичной по отношению к хроническому употреблению). кортикостероидов), а у 5 не было обнаруживаемого ВЗОМТ (нормальное обследование).Таким образом, наш окончательный анализ включал 128 пациентов с ОВИН и 124 пациента с дефицитом IgG. Средний возраст (в годах) пациентов в группах с ОВИН и дефицитом IgG был сходным (45,4 против 48,1 соответственно). Хотя наблюдалась тенденция к более высокому проценту женщин в группе с дефицитом IgG (62,9 против 52,0%), эти различия не были значимыми (p = 0,08).

Сравнение иммунологических параметров:

Сначала мы сравнили иммунологические параметры между 128 CVID и 124 субъектами с дефицитом IgG.У субъектов с ОВИН сывороточный IgG был значительно ниже, чем у субъектов с дефицитом IgG (означает 255 мг / дл, диапазон от 226 до 285 против 556 мг / дл, диапазон от 527 до 584; p <0,0001). По определению ^2,7 Уровни IgA и IgM были, конечно, значительно ниже у субъектов с ОВИН, чем у пациентов с дефицитом только IgG: IgA означает 19,8 мг / дл (от 15,2 до 24,5) против 102 мг / дл (от 90 до 113), p <0,0001; и IgM 45,8 мг / дл (от 31,6 до 60,0) против 99,5 мг / дл (от 87,1 до 112), p <0,0001) (,).

Средние уровни иммуноглобулинов у пациентов с ОВИН и дефицитом IgG.Уровни IgG, IgA и IgM были статистически ниже у пациентов с ОВИН.

ТАБЛИЦА I.

Сравнение иммунологических параметров между когортами пациентов с ОВИН и дефицитом IgG

	ОВИН (всего n = 128)	Дефицит IgG (всего n = 124)	значение p
Средние значения уровня иммуноглобулина (в мг / дл)
IgG (nl 767–1590 мг / дл)	255 (226 — 285) (n = 120)	556 (527 — 584) (n = 124)	<0.0001
IgA (nl 61-356 мг / дл)	19,8 (15,2 — 24,5) (n = 126)	102 (90,0 — 113) (n = 124)	<0,0001
IgM (nl 37-286 мг / дл)	45,8 (31,6 — 60,0) (n = 126)	99,5 (87,1 — 112) (n = 124)	<0,0001
Процент пациенты с серологическими титрами защитного белка / конъюгата
Haemophilus influenzae B	46.2 (30,3 — 62,1) (n = 39)	66,3 (55,9 — 76,7) (n = 80)	0,036
Корь	57,8 (43,2 — 72,4) (n = 45)	88,5 (81,8 — 95,3) (n = 87)	<0,0001
Свинка	54,5 (39,6 — 69,4) (n = 44)	80,9 (72,7 — 89,1) (n = 89)	0,001
Краснуха	84,4 (73,7 — 95,1) (n = 45)	93,2 (87,9 — 98.5) (n = 88)	0,11
Столбняк	63,3 (49,7 — 76,9) (n = 49)	96,7 (93,1 — 100) (n = 88)	<0,0001
Дифтерия	71,1 (56,5 — 85,7) (n = 38)	93,2 (87,3 — 99,0) (n = 73)	0,001
Ветряная оспа	58,3 (42 — 74,6) (n = 36)	93,4 (87,8 — 99,0) (n = 76)	<0,0001
Сумма защитных серологий к серотипам пневмококков (средние значения)
	3.08 (2,12 — 4,04) (n = 60)	6,51 (5,78 -7,24) (n = 121)	<0,0001
Популяции Т-клеток (среднее абсолютное количество в клетках / мм3)
CD3 + (nl 900-2100)	1209 (1070-1350) (n = 94)	1344 (1150-1530) (n = 65)	0,25
CD3 + CD4 + (nl 500- 1500)	680 (606 — 753) (n = 92)	957 (812 — 1100) (n = 65)	0.0004
CD3 + CD8 + (nl 150-1000)	489 (403 — 574) (n = 92)	362 (304 — 421) (n = 65)	0,03
Популяции В-клеток (средние значения)
CD19 + (абсолютные, клеток / мм3) nl = 74,4-441,1	205 (158-251) (n = 94)	258 (202-313) (n = 67)	0,15
CD19 + CD27 + (% В-клеток) nl = 33,6-44,2	24.8 (20,9 — 28,8) (n = 111)	41,0 (33,6 — 48,5) (n = 33)	0,0002
CD19 + CD27 + (абсолютных клеток / мм3)	31,2 (22,4 — 40,0) (n = 85)	97,5 (54,2 — 141) (n = 22)	<0,0001
CD19 + CD27 + IgD- (% B-клеток) nl = 20,8-24,3%	2,85 ( 1,72 — 3,98) (n = 111)	10,9 (8,28 — 13,4) (n = 33)	<0,0001
CD19 + CD27 + IgD- (абсолютные, клеток / мм3)	3.65 (1,53 — 5,77) (n = 85)	29,6 (16,5 — 42,7) (n = 22)	<0,0001

С точки зрения сравнения антител мы исследовали титры IgG к наиболее часто используемому белку или конъюгированные вакцины ( Haemophilus influenzae тип b [Hib], корь, эпидемический паротит, краснуха, столбняк, дифтерия и ветряная оспа). После иммунизации субъекты CVID имели значительно меньшие защитные титры, чем субъекты с дефицитом IgG, для каждого из этих серологических тестов, за исключением краснухи (Hib: 46.2% для CVID против 66,3% для пациентов с дефицитом IgG, p = 0,04; корь: 57,8% против 88,5% p <0,0001; эпидемический паротит: 54,5% против 80,9%, p = 0,001; краснуха: 84,4% против 93,2%, p = 0,11; столбняк: 63,3% против 96,7%, p <0,0001; дифтерия: 71,1% против 93,2% p = 0,001; ветряная оспа: 58,3% против 93,4%, p <0,0001) (,). Мы также суммировали защитные титры для каждого пациента и сравнивали средние значения в каждой группе (). Как и ожидалось, субъекты с дефицитом IgG имели защитные антитела к значительно большему количеству белков / конъюгированных антигенов, чем субъекты CVID (означает 4.21 (диапазон от 3,78 до 4,63) против 1,46 (от 1,09 до 1,84) защитных титров, p <0,0001).

Серология белковой / конъюгированной вакцины для пациентов с ОВИН и дефицитом IgG. (А) Процент защитных титров в каждой группе пациентов. Пациенты с ОВИН были значительно менее защищены от Haemophilus influenzae типа B, кори, эпидемического паротита, столбняка, дифтерии и ветряной оспы. (B) Сумма защитных и незащищенных титров в каждой группе. Пациенты с ОВИН имели меньшее количество защитных титров (среди протестированных), чем пациенты с дефицитом IgG.

Мы также сравнили ответы антител у субъектов, которые получили PPV23 и у которых ответы были проверены через четыре недели после вакцинации. Используя ≤ 1,3 мкг / мл в качестве порогового значения для каждого серотипа, субъекты с дефицитом IgG имели защитные титры в два раза больше серотипов, чем субъекты с диагнозом ОВИН (означает 6,51 (5,78–7,24) против 3,08 (2,12–4,04) серотипов, p <0,0001) (,).

Титры пневмококков после вакцинации против PPV23. Пациенты с ОВИН имели защитные титры против меньшего количества серотипов пневмококка после вакцинации PPV23, чем пациенты с дефицитом IgG.

Число и фенотип В-клеток:

При сравнении пациентов с ОВИН и дефицитом IgG не было статистической разницы между двумя группами в отношении абсолютного количества В-клеток в периферической крови. Однако 22,3% (21 из 94) субъектов ОВИН имели В-клеточную лимфопению по сравнению с 11,9% (8 из 67) субъектов с дефицитом IgG. Были протестированы субпопуляции В-клеток памяти 111 субъектов с ОВИН и 33 субъектов с дефицитом IgG. Как и ожидалось, у пациентов с ОВИН процент как smB, так и B-клеток памяти был значительно ниже, чем у 27 здоровых взрослых людей в контрольной группе (2.85% (от 1,72 до 3,98) против 22,6% (от 20,8 до 24,3), p <0,0001; 24,8% (от 20,9 до 28,8) против 40,3% (от 33,6 до 44,2), p = 0,0005). Однако пациенты с дефицитом IgG имели аналогичный процент В-клеток памяти по сравнению с нормальным контролем (среднее значение от 41,0% (от 33,6 до 48,5) против 40,3% (от 33,6 до 44,2)), но значительно меньшее количество клеток smB (10,9% (от 8,28 до 13,4). против 22,6% (от 20,8 до 24,3), p <0,0001).

При сравнении ОВИН и субъектов с дефицитом IgG, процент как клеток smB, так и В-клеток памяти был значительно ниже у субъектов ОВИН (2.85% против 10,9%), p <0,0001; 24,8% против 41,0%, p = 0,0002) (). При сравнении абсолютного количества клеток (доступно для 85 субъектов с ОВИН и 22 субъектов с дефицитом IgG), как smB, так и В-клетки памяти также были значительно ниже у пациентов с ОВИН (3,65 / мкл против 29,6 / мкл, p <0,0001; 31,2 / мкл против 97,5 / мкл, р <0,0001) (). Среди субъектов ОВИН у 80 (71%) был очень низкий процент smB-клеток (≤2% от общего количества B-клеток). ()

популяции В-клеток у пациентов с ОВИН и дефицитом IgG. (A) В-клетки памяти и переключенные В-клетки памяти, выраженные в процентах от общего количества В-клеток.Пациенты с ОВИН имели значительно более низкий процент В-клеток памяти и переключенной памяти по сравнению с пациентами с дефицитом IgG и нормальной контрольной группой. У пациентов с дефицитом IgG процент В-клеток памяти был примерно таким же, но уровень В-клеток с переключаемой памятью был ниже по сравнению с нормальной контрольной группой. (B) Популяции и субпопуляции B-клеток (абсолютное количество). Подобные недостатки были продемонстрированы при сравнении абсолютного количества клеток.

Как было показано ранее, очень низкое количество клеток smB коррелировало со спленомегалией, аутоиммунитетом и гранулематозным заболеванием при ОВИН.^11,12 Таким образом, как и ожидалось, все формы неинфекционных осложнений у пациентов с ОВИН встречались у большего числа субъектов с очень низким уровнем клеток smB, чем у пациентов с более высоким числом (68,8% против 42,0%). Кроме того, среди 33 испытуемых с дефицитом IgG, которые были протестированы, только один (4,3%), пациент с историей склеродермии, болезни Рейно и иммунной тромбоцитопенической пурпуры, принадлежал к группе клеток с низким уровнем smB.

субпопуляций Т-клеток:

Функциональные дефекты Т-клеток при ОВИН были описаны в ряде исследований ^13-19, а также количественные дефекты.²⁰ Сравнивая абсолютное количество субпопуляций Т-клеток у 94 субъектов с ОВИН и 65 субъектов с дефицитом IgG, не было различий между общим количеством CD3 + -клеток, но у субъектов с ОВИН было меньшее количество CD3 + CD4 + Т-клеток (680 / мкл против 957 / мкл, p = 0,0004) и большее количество CD3 + CD8 + Т-клеток (489 / мкл против 362 / мкл, p = 0,03), чем у пациентов с дефицитом IgG (). В то время как средние значения субпопуляции Т-клеток находились в пределах нормы, 31,5% (29 из 92) субъектов с ОВИН имели Т-хелперную лимфопению по сравнению с 7,7% (5 из 65) субъектов с дефицитом IgG.

Подсчет Т-лимфоцитов. У пациентов с ОВИН было значительно меньше Т-хелперов и больше Т-лимфоцитов CD8, чем у пациентов с дефицитом IgG.

Клинические проявления:

Дефицит как CVID, так и IgG обусловливает предрасположенность к инфекциям дыхательных путей, пневмонии и рецидивирующему синуситу, и никаких различий в распространенности этих заболеваний в этих группах пациентов не наблюдалось (,). Однако, в то время как у субъектов с дефицитом IgG были многочисленные синопульмональные инфекции (39,5% пациентов имели пневмонию, а 57.3% имели рецидивирующий синусит, аналогичный ОВИН (42,2% и 51,6% соответственно), неинфекционные осложнения, как следует из обсуждаемого выше фенотипа В-клеток, были довольно редки у субъектов с дефицитом IgG. У пациентов с ОВИН было значительно больше аутоиммунных осложнений (p <0,0001), аутоиммунных цитопений (p <0,0001), интерстициального заболевания легких (p = 0,003), гранулематозных поражений при биопсии (p <0,0001), спленомегалии (p <0,0001) и лимфоидных злокачественных новообразований. (p = 0,03) и неинфекционные осложнения в целом (p <0.0001). Несмотря на то, что хронические респираторные инфекции были обнаружены в обеих группах, у пациентов с ОВИН было больше доказательств бронхоэктазов (p = 0,03). Хотя среди пациентов с ОВИН было также больше подтвержденных биопсией случаев энтеропатии (9 случаев против 4 случаев среди субъектов с дефицитом IgG), эти различия существенно не различались.

Клиническая характеристика. Пациенты с ОВИН имели значительно более высокую распространенность бронхоэктазов, аутоиммунных заболеваний (все типы проявлений), аутоиммунных цитопений, интерстициальных заболеваний легких, гранулем, спленомегалии, бронхоэктазов и неинфекционных осложнений (всех причин).

ТАБЛИЦА II.

Сравнение клинических проявлений у пациентов с ОВИН и дефицитом IgG

до 2,39) 50–119

	ОВИН (всего n = 128)	Дефицит IgG (всего n = 124)	p-значение
Инфекционный проявления и осложнения (в процентах)
Пневмония	42,2 (от 33,6 до 50,8)	39,5 (от 30,9 до 48,2)	0,67
Рецидивирующий синусит	51.6 (от 42,9 до 60,3)	57,3 (от 48,5 до 66)	0,37
Бронхоэктазы	14,9 (от 8,66 до 21)	6,45 (2,11 до 10,8)	0,03
Неинфекционные осложнения (в процентах)
Аутоиммунные заболевания (все причины)	39,1 (от 30,6 до 47,6)	15,3 (от 8,95 до 21,7)	<0,0001
Аутоиммунные цитопении	32,8 9011 .84 (от 1,05 до 8,63)	<0,0001
Интерстициальное заболевание легких	7,03 (от 2,58 до 11,5)	0	0,003
Гранулемы	15,6 (912–900,7119 0,8 (912–900,7119)	<0,0001
Спленомегалия	20,3 (от 13,3 до 27,3)	2,42 (от -0,301 до 5,14)	<0,0001
Энтеропатия	7,0323 (0,106–6,35)	0,17
Лимфоидные злокачественные новообразования	3,91 (0,536–7,28)	0	0,03
Неинфекционные осложнения (любой тип осложнений) 58	25,8 (от 18,1 до 33,5)	<0,0001

Замещение IgG:

Как и у пациентов с CVID, у субъектов с дефицитом IgG был ряд значительных инфекций, но в отличие от пациентов с CVID, которые все получали IgG заменой, только определенный процент пациентов с дефицитом IgG получали эту терапию.Чтобы лучше понять иммунологические или клинические особенности, которые могли повлиять на процесс принятия решения, мы сравнили 34 пациента с дефицитом IgG, которые получали заместительную терапию IgG, с 90 пациентами с IgG, которые этого не сделали. Во-первых, сравнивая исходные уровни IgG в сыворотке, мы не обнаружили разницы между средними значениями для леченных и нелеченных пациентов с дефицитом IgG (569 против 550 мг / дл), а также не было различий в уровнях конкретных подклассов IgG между двумя группами. При изучении продукции антител скорость ответов также была одинаковой для обеих групп.Наблюдалась тенденция к более низкому ответу на вакцину против ветряной оспы среди пролеченных пациентов, но это не было значимым (81,8% против 95,4%, p = 0,09). Однако агрегирование ответов на вакцины показало, что пациенты, которые в конечном итоге получали лечение IgG, имели базовые защитные титры против меньшего количества антигенов, чем пациенты, которые не получали лечения (титры 2,7 (1,8–3,6) против 4,7 (4,3–5,2), p <0,0001). Кроме того, ответы на вакцину PPV23 были значительно слабее у пациентов, у которых затем была начата замена IgG (5.4 (4,7–6,3) против 6,9 (6,5–7,8) положительных серотипов, p <0,05). Во-вторых, среди пациентов с дефицитом IgG у тех, кому вводили замену IgG, было больше эпизодов пневмонии до лечения (58,8% (от 42,0 до 75,6) против 32,2% (от 22,5 до 41,9), p = 0,007), с большей вероятностью имели бронхоэктазы. (14,7% (от 6,61 до 22,8) против 3,33% (от 1,397 до 5,06), p = 0,02), и больше исторических эпизодов синусита (70,6% против 52,2%). При сравнении отдельных неинфекционных осложнений (аутоиммунные цитопении, интерстициальное заболевание легких, гранулемы и энтеропатия) между двумя группами не выявлено значительных различий.Однако при объединении всех неинфекционных проявлений вместе пациенты в группе лечения IgG с большей вероятностью имели хотя бы одно неинфекционное проявление до начала лечения (41,2% (24,4-58,0) против 20,0% (17,0-23,0), p = 0,02). ).

ОБСУЖДЕНИЕ

Мы демонстрируем отчетливые клинические и иммунологические различия между субъектами с согласованным CVID и другими пациентами с дефицитом изотипа IgG. В то время как оба являются дефектами B-клеток с переменной потерей защитных антител, субъекты CVID имеют дополнительные потери IgA и IgM, что отражает более глубокий дефект B-клеток.² Для дальнейшего определения CVID, Ameratunga et al. ⁷ предложили поддерживающие лабораторные критерии, включая низкий уровень клеток smB, увеличение субпопуляций CD21 ^до и генные мутации, связанные с CVID (такие как TACI и BAFFR), в то время как текущее рабочее клиническое определение ESID ⁸ включает снижение уровня IgG и IgA и низкий уровень клетки smB как альтернатива ответам антител. Хотя эти дополнительные тесты могут дополнительно выделить подкатегории ОВИН, у большинства субъектов ОВИН нет известных генетических дефектов, панели В-клеток памяти не стандартизированы, и клиницисты обычно полагаются на концентрации иммуноглобулинов и ответы на вакцины для диагностики ОВИН в соответствии с опубликованными практическими рекомендациями ^{2. 3}.С другой стороны, дефицит IgG по-прежнему имеет более жидкое определение и охватывает любого субъекта с более низким, чем обычно, уровнем сывороточного IgG для возраста, с потерей задокументированной функции антител или без нее. Поскольку субъектов с низким уровнем сывороточного IgG обычно называют «ОВИН», в этом исследовании мы спросили, каким образом определяемые ОВИН и дефицит IgG перекрываются или различаются? Ранее, отвечая на часть этого вопроса, Driessen et al. ²¹ обнаружили, что при сравнении 44 субъектов с ОВИН и 21 субъекта с дефицитом IgG у обеих групп пациентов были синопульмональные инфекции, которые мы также обнаружили здесь.Однако, что касается исследуемых здесь когорт, у группы ОВИН с большей вероятностью были бронхоэктазы, что, возможно, было связано с более низкими исходными уровнями сывороточного IgG у этих субъектов. В нашей когорте субъекты CVID также имели значительно более слабый ответ на вакцинацию как на белковые, так и на полисахаридные вакцины, чем субъекты с дефицитом IgG, но также имели довольно значительные различия в клинических фенотипах. Пациенты с ОВИН имели гораздо более высокую частоту аутоиммунных цитопений, интерстициальных заболеваний легких, гранулем, спленомегалии, лимфоидных злокачественных новообразований и неинфекционных осложнений в целом, чем группа с дефицитом IgG.

Низкое количество клеток smB (CD19 + CD27 + IgD-) не является патогномоничным для ОВИН, поскольку связано с рядом других первичных иммунных дефектов. ^22-26 Однако очень низкое количество клеток smB коррелировало с более высокой частотой спленомегалии, гранулем и аутоиммунных заболеваний у пациентов с ОВИН, как было показано ранее. ^11,12 Как и ожидалось, это было обнаружено в этой группе ОВИН, подтверждая, что уменьшение клеток smB связано с более тяжелыми фенотипами ОВИН, которые, как правило, проявляются с особенностями иммунодисрегуляции в дополнение к восприимчивости к инфекциям.В то время как меньшее количество наших субъектов с дефицитом IgG было исследовано на предмет популяции В-клеток памяти, мы обнаружили, что процентное содержание и абсолютное количество smB-клеток были значительно выше у субъектов с дефицитом IgG, чем у субъектов с ОВИН. Более 70% субъектов с ОВИН можно было отнести к когорте с дефицитом клеток smB, тогда как только 4,3% (только 1 субъект) из группы пациентов с дефицитом IgG относились к этой категории. При анализе субпопуляций В-клеток в их когорте субъектов с ОВИН и дефицитом IgG Driessen et al.получили аналогичные результаты: 57% субъектов с ОВИН и 10% с дефицитом IgG могут быть классифицированы как клетки с дефицитом smB. Эти два набора результатов предполагают, что дефекты В-клеток при дефиците IgG возникают после созревания зародышевого центра, в то время как у большинства субъектов ОВИН обнаруживается более ранний и более серьезный дефект. ²⁷ На практике, хотя нормальное количество клеток smB изотипа, вероятно, исключает диагноз ОВИН, нарушение реакции на вакцинацию обычно считается важным для этого диагноза и более широко доступно.Интересное применение фенотипирования субпопуляции В-клеток может быть у субъектов, уже находящихся на замене IgG и у которых пересматривается диагноз ОВИН либо из-за более мягкого фенотипа, либо из-за подозрения на другой ВЗОМТ. В этих случаях клетки smB могут служить полезным маркером, который следует учитывать, поскольку неоантигены легко доступны.

Как показано Malphettes et al. ²⁰, у небольшого процента пациентов с ОВИН наблюдается более комбинированный иммунодефицит с низким уровнем CD4 Т-лимфоцитов.В нашей когорте у субъектов с ОВИН были более низкие концентрации вспомогательных Т-клеток (со средними показателями в пределах нормы), чем у субъектов с дефицитом IgG. Мы также обнаружили, что почти треть наших пациентов с ОВИН страдала лимфопенией Т-хелперных клеток; для них неинфекционные проявления были более распространенными. Как показали другие исследования, для субъектов с более глубокими дефектами Т-лимфоцитов и / или оппортунистическими инфекциями необходимо исключить ряд комбинированных иммунных дефектов. ^28-33

Сравнение клинических и иммунологических характеристик пациентов с ОВИН и дефицитом IgG в большой когорте позволяет лучше дифференцировать эти две клинические сущности и позволяет сделать вывод о том, что эти группы пациентов существенно различаются, что может повлиять на клиническое ведение.ОВИН можно отличить от дефицита IgG с более выраженным дефицитом IgG, более слабым ответом на вакцину, более низким уровнем smB-клеток и умеренной Т-клеточной лимфопенией. Более клинически важным является то, что пациенты с ОВИН значительно более склонны к развитию тяжелого аутоиммунитета, интерстициального заболевания легких, гранулематозных инфильтраций и лимфоидной гиперплазии, а также лимфоидных злокачественных новообразований.

В то время как субъект с дефицитом IgG может иметь совершенно нормальные реакции на вакцину и не всегда лечится замещением Ig, большая потеря антител и / или клинические показатели, такие как хронические инфекции или бронхоэктатическая болезнь у этих пациентов, остаются наиболее распространенными факторами, вызывающими возражения. пользу замены IgG.³⁴ Замена IgG также может иметь положительное влияние на частоту синусита ³⁵ в дополнение к уже продемонстрированной пользе для профилактики пневмонии у пациентов с первичным дефицитом антител. Однако, что касается выбора наиболее экономически эффективного лечения, необходимы проспективные исследования пациентов с дефицитом IgG, чтобы полностью оценить успех таких методов лечения, как периодическая бустерная вакцинация, профилактика антибиотиками по сравнению с заместительной терапией IgG.

Kualitas transistor D83 004 Untuk Proyek Elektronik Free Sample Now

Количество продуктов и товаров:

Alibaba.com menawarkan banyak pilihan. транзистор D83 004 для дипилий для меменух кебутухан специфик .. транзистор D83 004 добавить дари хампир сема jenis komponen elektronik. Mereka dapat digunakan Untukmbuat motherboard, kalkulator, radio, TV, dan banyak lagi. Денган мемили ян тепат. транзистор D83 004 , Anda dapat memastikan bahwa produk yang Anda buat akan bermutu tinggi dan berkinerja sangat baik. Faktor pilihan utama untuk produk mencakup aplikasi янь diinginkan, bahan, дан jenis, di antara faktor-faktor lainnya.

транзистор D83 004 terdiri dari bahan semikonduktor dan biasanya memiliki setidaknya tiga terminal yang dapat Anda gunakan untuk menghubungkannya ke sirkuit eksternal. Perangkat ini bekerja sebagai penguat atau sakelar di sebagian besar sirkuit listrik .. транзистор D83 004 mencakup dua jenis wilayah янь terjadi dari memasukkan kotoran melalui proses doping. Себагайский пингвин, itu. транзистор D83 004 menyembunyikan arus masukan rendah menjadi energi keluaran besar, дан мерека menyalurkan arus kecil untuk menggerakkan aplikasi besar yang bekerja sebagai sakelar.

Pelajari lembar data yang menyertai Anda. транзистор D83 004 untuk menentukan kaki dasar, emitor, dan kolektor untuk koneksi yang aman dan terjamin. Иту. транзистор D83 004 di Alibaba.com menggunakan silikon sebagai substrat semikonduktor utama, berkat sifatnya yang sangat baik dan tegangan sambungan 0,6V yang diinginkan. Параметр penting untuk. транзистор D83 004 Untuk proyek apa pun termasuk arus yang berfungsi, disipasi daya, dan tegangan sumber.

Temukan dengan harga yang sangat terjangkau. транзистор D83 004 на Alibaba.com для всех желающих и предпочтительных. Berbagai bahan дан гая tersedia untuk pemasangan дан pengoperasian ян аман дан ньяман. Penjual terakreditasi tertentu juga menawarkan layanan purna jual dan dukungan teknis.

Pagina non trovata — Bardiani Valvole

Подписаться на информационный бюллетень Bardiani Valvole

* указывает на обязательный

Страна * ItalyAaland IslandsAfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua И BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia и HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Индийский океан TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCayman IslandsCentral африканских RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Килинг) IslandsColombiaComorosCongoCook IslandsCosta RicaCote D’IvoireCroatiaCubaCuracaoCyprusCzech RepublicDemocratic Республика CongoDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEast TimorEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland IslandsFaroe IslandsFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench PolynesiaFrench Южный TerritoriesGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuernseyGuineaGuinea-BissauGuyanaHaitiHeard и Mc Donald IslandsHondurasHong KongHungary IcelandIndiaIndonesiaIranIraqIrelandIsle из ManIsraelJamaicaJapanJersey (Нормандские острова) JordanKazakhstanKenyaKiribatiKuwaitKyrgyzstanLao Народной Демократической RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesia, Федеративные Штаты ofMoldova, Республика ofMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorth KoreaNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPalestinePanamaPapua Нового GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarRepublic из KosovoReunionRomaniaRussiaRwandaSaint Китса и NevisSaint LuciaSaint Винсента и GrenadinesSamoa (Independent) Сан MarinoSao Тома и PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSint MaartenSlovakiaSloveniaSolomon ОстроваСомалиЮжная АфрикаЮжный Геор gia и Южные Сандвичевы островаЮжная КореяЮжный СуданИспания Шри-ЛанкаSt.Елена Пьер и MiquelonSudanSurinameSvalbard и Ян Майен IslandsSwazilandSwedenSwitzerlandSyriaTaiwanTajikistanTanzaniaThailandTogoTokelauTongaTrinidad и TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks & Кайкос IslandsTurks и Кайкос IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited Арабские EmiratesUnited Штаты AmericaUruguayUzbekistanVanuatuVenezuelaVietnamVirgin острова (Британские) Виргинские острова (США) Уоллис и Футуна IslandsWestern SaharaYemenZambiaZimbabwe

Запрос согласия, Регламент (ЕС) 2016/679 *

Я разрешаю обработку моих личных данных, переданных в соответствии с Законодательным декретом Италии 196/03 и Регламентом (ЕС) 2016/679 (GDPR: Общий регламент по защите данных).Обработка данных заключается в рассылке Bardiani Valvole S.p.A. периодического информационного бюллетеня. Щелкните здесь, чтобы прочитать полную Политику конфиденциальности.

Библиографии: ‘JEL D83’ — Grafiati

Создайте точную ссылку в стилях APA, MLA, Chicago, Harvard и других стилях

Выберите тип источника:

См. Списки соответствующих статей, книг, тезисов, отчетов конференций и других научных источников по теме «JEL D83.’

Рядом с каждым источником в списке литературы есть кнопка «Добавить в библиографию». Нажмите на нее, и мы автоматически сгенерируем библиографическую ссылку на выбранную работу в нужном вам стиле цитирования: APA, MLA, Гарвард, Чикаго, Ванкувер и т. Д.

Вы также можете загрузить полный текст академической публикации в формате pdf и прочитать в Интернете его аннотацию, если таковая имеется в метаданных.

Облако тегов позволяет получить доступ к еще большему числу связанных тем исследования, а соответствующие кнопки после каждого раздела страницы позволяют просматривать расширенные списки книг, статей и т. Д. По выбранной теме.

Журнальные статьи по теме «JEL D83»: +

де Клипель, Жоффруа.«Поведенческая реализация». Американский экономический обзор 104, нет. 10 (октябрь 2014 г.): 2975–3002. http://dx.doi.org/10.1257/aer.104.10.2975.

Полный текст Добавить в библиографию