Datasheet fds6676as: fds6676as datasheet(1/8 Pages) FAIRCHILD | 30V N-Channel PowerTrench® SyncFET

Цена (условия и цену уточните у менеджеров)

Доступно: 14 шт.

Мин. кол-во	Цена
1	42. 05 р.

Отправить заявку

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.

Бесплатная доставка 10 шт. FDS6675BZ FDS6676AS FDS6679 FDS6679AZ FDS6680AS FDS6681Z FDS6682

Отзывы покупателей

CHUWI Hi9 Plus Helio X27 Дека Core Android 8 0 …

Доставили в Испании в 3 недели, несмотря на 11-11 и праздников. Планшет очень быстро. В Экран имеет качество отличное. Клавиатура очень полезно. (с наклейками включены, чтобы положить в испанский).

Оригинальный Vernee Mix 2 смартфон с двумя каме…

Продавца рекомендую.Микс2 пришел за 20 дней.Первое впечатление хорошее.Батарея была 16% так что сразу на зарядку.Будут проблемы добавлю отзыв. (Опубликован: 25.11.2020)

Кэшбэк на Aliexpress Сash5brands

Сервисом пользуюсь уже более года. Прекрасная возможность частично вернуть затраченные деньги. Вывод делал на телефон и на карточку. за некоторые виды покупаемых мной товаров возврат кэшбек вообще… (Опубликован: 25.11.2020)

Mpow BH028 Беспроводной одного автомобиля наушн…

Пользовался гарнитурой 3 месяца. Проста и примитивна: прием\отклоненние звонка голосом — отстутствует, что для нашего времени уже недостаток. Слышимость прямая и обратная — хорошие, шумоподавление … (Опубликован: 25.11.2020)

FDS6676AS Лист данных | Фэйрчайлд Полупроводник

ноябрь 2005

www.DataSheet4U.com

FDS6676AS

30 В N-Channel PowerTrench® SyncFET ™

Общее описание

FDS6676AS разработан для замены одного SO-8

МОП-транзистор и диод Шоттки в синхронном постоянном токе: постоянный ток

блоков питания. Этот полевой МОП-транзистор на 30 В разработан для

максимизирует эффективность преобразования энергии, обеспечивая низкий уровень

RDS (ON) и низкий заряд затвора.FDS6676AS

включает в себя интегрированный диод Шоттки с использованием Fairchild

монолитная технология SyncFET.

Приложения

• DC / DC преобразователь

• Ноутбук с нижней стороны

Характеристики

• 14,5 A, 30 В. RDS (ВКЛ) макс. = 6,0 мОм при VGS = 10 В

RDS (ON) макс. = 7,25 мОм при VGS = 4,5 В

• Включает корпусный диод Шоттки SyncFET

• Низкий заряд затвора (обычно 45 нКл)

• Высокопроизводительная траншейная технология для очень низких

RDS (ON) и быстрое переключение

• Высокая мощность и способность выдерживать ток

D

D

D

D

SO-8

G

SS

S

Абсолютные максимальные характеристики TA = 25oC, если не указано иное

Символ

VDSS

ВГСС

ID

PD

Параметр

Напряжение сток-исток

Напряжение затвор-исток

Ток утечки — постоянный

— Импульсный

Рассеиваемая мощность для одиночной операции

(Примечание 1а)

(Примечание 1а)

(Примечание 1b)

(Примечание 1c)

ТДж, ТСТГ

Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

Тепловые характеристики

RθJA Тепловое сопротивление, переход к окружающей среде

RθJC Термическое сопротивление, переход к корпусу

(Примечание 1а)

(Примечание 1)

Маркировка упаковки и информация для заказа

Маркировка устройства

Устройство

Размер катушки

FDS6676AS

13 ’’

FDS6676AS

FDS6676AS_NL (Примечание 3)

13 ’’

© 2004 Fairchild Semiconductor Corporation

54

63

72

81

Рейтинги

30

± 20

14. 5

50

2,5

1,2

1

–55 до +150

50

25

Ширина ленты

12 мм

12 мм

Шт.

В

В

А

Вт

° С

° C / Вт

Кол-во

2500 шт.

2500 шт.

FDS6676AS Ред. B

FDS6676 Лист данных | Фэйрчайлд Полупроводник

Электрические характеристики

Символ

Параметр

TA = 25 ° C, если не указано иное

Условия испытаний

Мин. Тип Макс. Единиц

Лавинный рейтинг «дренаж-источник» (Примечание 2)

WDSS

Дренажный источник одиночного импульса

Энергия лавин

VDD = 15 В,

Максимальный сток-исток IAR

Лавинное течение

Off Характеристики

ID = 20 А

370 мДж

20 А

BVDSS

∆BVDSS

∆TJ

IDSS

IGSSF

ИГССР

Напряжение пробоя сток – исток

Температура напряжения пробоя

Коэффициент

Ток утечки напряжения нулевого затвора

Затвор – корпус утечки, передний

Затвор – корпус утечки, задний ход

VGS = 0 В, ID = 250 мкА

ID = 250 мкА, при 25 ° C

VDS = 24 В,

ВГС = 16 В,

VGS = –16 В,

VGS = 0 В

VDS = 0 В

VDS = 0 В

30 В

24 мВ / ° C

1

100

–100

мкА

нА

нА

О характеристиках (Примечание 2)

ВГС (т. )

∆VGS (th)

∆TJ

RDS (вкл.)

Пороговое напряжение затвора

Пороговое напряжение затвора

Температурный коэффициент

Статический сток — Источник

On – Resistance

ID (на)

Ток утечки в открытом состоянии

VDS = VGS, ID = 250 мкА

ID = 250 мкА, при 25 ° C

1

VGS = 10 В, ID = 14.5 А

VGS = 4,5 В, ID = 13,5 А

VGS = 10 В, ID = 14,5 A, TJ = 125 ° C

VGS = 10 В, VDS = 5 В

50

1,5 3

В

–5 мВ / ° C

4,8 7

5,4 8

7,3 11,5

мОм

А

гФС

Прямая трансдуктивность

VDS = 5 В,

ID = 14,5 А

80 ю.ш.

Динамические характеристики

Входная емкость Ciss

VDS = 15 В, В GS = 0 В,

Выходная емкость Coss

f = 1.0 МГц

Crss обратная передаточная емкость

5103

836

361

пФ

пФ

пФ

Характеристики переключения (Примечание 2)

td (on) Время задержки включения

tr Время нарастания включения

td (выкл. ) Время задержки выключения

tf Время падения при выключении

Qg Общая стоимость затвора

Qgs Gate – Source Charge

Qgd Gate – Drain Charge

VDD = 15 В, ID = 1 А,

VGS = 10 В, RGEN = 6 Ом

VDS = 15 В,

ВГС = 5 В

ID = 14.5 А,

15 27

9 18

87 139

40 64

45 63

13

12

нс

нс

нс

нс

нКл

нКл

нКл

Характеристики и максимальные номиналы дренажного диода

IS Максимальный непрерывный прямой ток диода сток-исток

VSD

Вперед диод сток – исток

Напряжение

ВГС = 0 В,

IS = 2.1 А (Примечание 2)

2,1

0,7 1,2

А

В

FDS6676 Ред. D (Вт)

FDS6676AS (Fairchild) — N-канальный 30 В Powertrench Syncfet

2005 Fairchild Semiconductor Corporation

1

www. fairchildsemi.com

Апрель 2005 г.

FDS6676AS Ред. A (X)

FDS6676AS 30 В N-канал P

или

ВЕРТ

renc

ч

SyncFETTM

FDS6676AS

30 В N-Channel PowerTrench

SyncFETTM

Характеристики

14.5 А, 30 В. R

DS (ВКЛ)

макс. = 6,0 м

@ V

GS

= 10 В

R

DS (ВКЛ)

макс. = 7,25 м

@ V

GS

= 4,5 В

Включает корпусный диод Шоттки SyncFET

Низкий заряд затвора (обычно 45 нКл)

Высокопроизводительная траншейная технология для очень низких
R

DS (ВКЛ)

и быстрое переключение

Высокая мощность и способность выдерживать ток

Приложения

Преобразователь постоянного тока в постоянный

Ноутбук с нижней стороны

Общее описание

FDS6676AS разработан для замены одного полевого МОП-транзистора SO-8
и диода Шоттки в синхронных источниках питания постоянного тока.
Этот полевой МОП-транзистор на 30 В разработан для максимального повышения эффективности преобразования энергии
, обеспечивая низкий уровень R

DS (ВКЛ)

и низкий затвор.

FDS6676AS включает в себя интегрированный диод Шоттки, использующий детскую монолитную технологию SyncFET от Fair-
.

Абсолютные максимальные рейтинги

т

А

= 25 ° C, если не указано иное

Маркировка упаковки и информация для заказа

Символ

Параметр

Рейтинги

шт.

В

DSS

Напряжение сток-исток

30

В

В

GSS

Напряжение затвор-исток

20

В

Я

D

Ток утечки

Непрерывный

(Примечание 1а)

14.5

А

Импульсный

50

-П

D

Рассеиваемая мощность для одиночной операции

(Примечание 1а)

2,5

Вт

(Примечание 1b)

1,2

(Примечание 1c)

1

т

Дж

, Т

СТГ

Диапазон температур спая при эксплуатации и хранении

55 к +150

С

Тепловые характеристики

R

JA

Термическое сопротивление, переход к окружающей среде

(Примечание 1а)

50

с / ш

R

JC

Термическое сопротивление переход-к-корпусу

(Примечание 1)

25

с / ш

Маркировка устройства

Устройство

Размер катушки

Ширина ленты

Кол-во

FDS6676AS

FDS6676AS

13 дюймов

12 мм 2500

шт.

FDS6676AS

FDS6676AS_NL

(Примечание 3)

13 дюймов

12 мм 2500

шт.

S

Д

S

S

СО-8

Д

Д

Д

г

5

6

7

8

4

3

2

1

2

www.fairchildsemi.com

FDS6676AS Ред. A (X)

FDS6676AS 30 В N-канал P

или

ВЕРТ

renc

ч

SyncFETTM

Электрические характеристики

т

А

= 25 ° C, если не указано иное

Символ

Параметр

Условия испытаний

мин.

Тип

Макс

шт.

Off Характеристики

Б. В.

DSS

Напряжение пробоя DrainSource

В

GS

= 0 В, я

D

= 1 мА

30

В

Б.В.

DSS

т

Дж

Температура пробоя
Коэффициент

Я

D

= 1 мА, относительно 25

С

28

мВ /

С

Я

DSS

Ток утечки напряжения нулевого затвора

В

DS

= 24 В,

GS

= 0 В

500

А

Я

GSS

Утечка в корпусе ворот

В

GS

=

20 В, В

DS

= 0 В

100

нА

По характеристикам

(Примечание 2)

В

GS (тыс.)

Пороговое напряжение затвора

В

DS

= V

GS

, я

D

= 1 мА

1

1. 5

3

В

В

GS (тыс.)

т

Дж

Пороговое напряжение затвора
Температурный коэффициент

Я

D

= 1 мА, относительно 25

С

3,3

мВ /

С

R

DS (на)

Источник статического слива
OnResistance

В

GS

= 10 В, я

D

= 14.5 А

В

GS

= 4,5 В, I

D

= 13,2 А

В

GS

= 10 В, я

D

= 14,5 А, Т

Дж

= 125

С

4,9
5,9
6,7

6.0

7,25

8,5

м

Я

Д (по)

Ток утечки во включенном состоянии

В

GS

= 10 В,

DS

= 5 В

50

А

г

ФС

Прямая трансдуктивность

В

DS

= 10 В, я

D

= 14. 5 А

66

S

Динамические характеристики

С

мкс

Входная емкость

В

DS

= 15 В,

GS

= 0 В,

f = 1,0 МГц

2510

пФ

С

oss

Выходная емкость

710

пФ

С

RSS

Емкость обратной передачи

270

пФ

R

G

Сопротивление ворот

В

GS

= 15 мВ, f = 1.0 МГц

1,6

Характеристики переключения

(Примечание 2)

т

д (по)

Время задержки включения

В

DD

= 15 В, я

D

= 1 А,

В

GS

= 10 В, R

GEN

= 6

10

20

нс

т

r

Время нарастания включения

12

22

нс

т

д (выкл)

Время задержки выключения

43

69

нс

т

f

Время отключения выключения

29

46

нс

т

д (по)

Время задержки включения

В

DD

= 15 В, я

D

= 1 А,

В

GS

= 4. 5 В, R

GEN

= 6

17

31

нс

т

r

Время нарастания включения

22

35

нс

т

д (выкл)

Время задержки выключения

34

54

нс

т

f

Время отключения выключения

29

46

нс

квартал

г (ТОТ)

Общий заряд затвора при Vgs = 10 В

В

DD

= 15 В, я

D

= 14.5 А,

45

63

нКл

квартал

г

Общий заряд затвора при Vgs = 5 В

25

35

нКл

квартал

гс

GateSource Charge

7

нКл

квартал

gd

GateDrain Charge

8

нКл

3

www.fairchildsemi.com

FDS6676AS Ред. A (X)

FDS6676AS 30 В N-канал P

или

ВЕРТ

renc

ч

SyncFETTM

Примечания:

1.

R

JA

представляет собой сумму теплового сопротивления между переходом и корпусом и между корпусом и окружающей средой, где термическое значение корпуса определяется как поверхность для пайки сливных контактов.

R

JC

гарантируется дизайном, а

CA

определяется дизайном платы пользователя.

Масштаб 1: 1 на бумаге формата Letter

2.

Импульсный тест: ширина импульса <300

с, рабочий цикл <2.0%

3.

FDS6676AS_NL не содержит свинца. Маркировка FDS6676AS_NL появится на этикетке барабана.

Характеристики и максимальные номиналы дренажного диода

В

SD

Прямое напряжение диода DrainSource

В

GS

= 0 В, я

S

= 3,5 А

(Примечание 2)

В

GS

= 0 В, я

S

= 7 А

(Примечание 2)

0. 4
0,5

0,7

В

т

руб.

Время обратного восстановления диода

Я

Ф

= 14,5 А,

д

iF

/ д

т

= 300 А / с

(Примечание 3)

27

нС

Я

RM

Ток обратного восстановления диода

1,9

А

квартал

руб.

Диодный заряд с обратным восстановлением

26

нКл

a) 50 / Вт при установке

на 1 из

2

подушечки 2 унции

медь

b) 105 / Вт при установке

на с.04 из

2

подушечки 2 унции

медь

c) 125 / Вт при установке

на минимальной площадке.

См. «Характеристики корпусного диода Шоттки SyncFET

» ниже

Электрические характеристики

т

А

= 25 ° C, если не указано иное (продолжение)

Символ

Параметр

Условия испытаний

мин.

Тип

Макс

шт.

4

www.fairchildsemi.com

FDS6676AS Ред. A (X)

FDS6676AS 30 В N-канал P

или

ВЕРТ

renc

ч

SyncFETTM

Типовые характеристики

0

10

20

30

40

50

0

0,25

0,5

0,75

1

В

DS

, НАПРЯЖЕНИЕ ДРЕНАЖ-ИСТОЧНИК (В)

Я

Д

, ТОК СЛИВА (A)

2.5В

3,5 В

В

GS

= 10 В

4,5 В

3,0 В

6,0 В

0,8

1

1,2

1,4

1,6

1,8

2

2,2

2,4

0

10

20

30

40

50

Я

Д

, ТОК СЛИВА (A)

R

DS (ВКЛ)

, НОРМАЛИЗИРОВАННЫЙ

СОПРОТИВЛЕНИЕ ДРЕНАЖ-ИСТОЧНИК

В

GS

= 3. 0В

4,5 В

3,5 В

4,0 В

10 В

6,0 В

Рис. 1. Характеристики области.

Рис. 2. Изменение сопротивления на

Ток стока и напряжение затвора.

0,6

0,8

1

1,2

1,4

-55

-35

-15

5

25

45

65

85

105

125

т

Дж

, ТЕМПЕРАТУРА СОЕДИНЕНИЯ (

или

С)

R

DS (ВКЛ)

, НОРМАЛИЗИРОВАННЫЙ

СОПРОТИВЛЕНИЕ ДРЕНАЖ-ИСТОЧНИК

Я

D

= 14.5А

В

GS

= 10 В

0,004

0,006

0,008

0,01

0,012

0,014

0,016

2

4

6

8

10

В

GS

, ВОРОТА ИСТОЧНИКА НАПРЯЖЕНИЯ (В)

R

DS (ВКЛ)

, СОПРОТИВЛЕНИЕ (ОМ)

Я

D

= 7. 3 А

т

А

= 125

С

т

А

= 25

С

Рис. 3. Изменение сопротивления на

Температура.

Рис. 4. Изменение сопротивления при включении с

Напряжение затвор-исток.

0

10

20

30

40

50

1

1.5

2

2,5

3

3,5

В

GS

, ВОРОТА ИСТОЧНИКА НАПРЯЖЕНИЯ (В)

Я

Д

, ТОК СЛИВА (A)

т

А

= 125

С

25

С

-55

С

В

DS

= 5 В

0.001

0,01

0,1

1

10

100

0

0,2 ​​

0,4

0,6

0,8

В

SD

, НАПРЯЖЕНИЕ ПЕРЕДНЕГО ДИОДА КУЗОВА (В)

Я

S

, ТОК ОБРАТНОГО СЛИВА (A)

т

А

= 125

С

25

С

-55

С

В

GS

= 0 В

Рисунок 5. Передаточные характеристики.

Рисунок 6. Изменение прямого напряжения корпусного диода

с током источника и температурой.

5

www.fairchildsemi.com

FDS6676AS Ред. A (X)

FDS6676AS 30 В N-канал P

или

ВЕРТ

renc

ч

SyncFETTM

Типовые характеристики

FDS6676AS Ред. A (X)

0

2

4

6

8

10

0

10

20

30

40

50

Q

г

, ЗАРЯД ДЛЯ ВОРОТ (нКл)

В

GS

, ИСТОЧНИК НАПРЯЖЕНИЯ (В)

Я

D

= 14.5А

В

DS

= 10 В

20 В

15 В

0

500

1000

1500

2000

2500

3000

3500

0

5

10

15

20

25

30

В

DS

, СЛИВ НА ИСТОЧНИК НАПРЯЖЕНИЯ (В)

ЕМКОСТЬ (пФ)

С

мкс

С

RSS

С

oss

f = 1 МГц

В

GS

= 0 В

Рисунок 7. Характеристики заряда затвора.

Рисунок 8. Емкостные характеристики.

0,01

0,1

1

10

100

0,01

0,1

1

10

100

В

DS

, НАПРЯЖЕНИЕ ДРЕНАЖ-ИСТОЧНИК (В)

Я

Д

, ТОК СЛИВА (A)

DC

1 с

100 мс

R

DS (ВКЛ)

LIMIT

В

GS

= 10 В

ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС

R

JA

= 125

с / ш

т

А

= 25

С

10 мс

10 с

100

с

1 мс

0

10

20

30

40

50

0.001

0,01

0,1

1

10

100

1000

т

1

, ВРЕМЯ (сек)

P (pk), Пиковая переходная мощность (Вт)

ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС

R

JA

= 125

с / ш

т

А

= 25

С

Рисунок 9. Максимальная безопасная рабочая зона.

Рисунок 10.Одиночный импульс максимум

Рассеиваемая мощность.

0,001

0,01

0,1

1

0,0001

0,001

0,01

0,1

1

10

100

1000

т

1

, ВРЕМЯ (сек)

r (t), НОРМАЛИЗОВАННЫЙ ЭФФЕКТИВНЫЙ ПЕРЕХОДНОЙ

ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ

R

JC

(т) = г (т) *

JC

R

JC

= 125

с / ш

т

Дж

— Т

С

= P * R

JC

(т)

Рабочий цикл, D = t

1

/ т

2

П (уп)

т

2

т

1

ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС

0.01

0,02

0,05

0,1

0,2 ​​

D = 0,5

Рис. 11. Кривая переходного теплового отклика.

Термические характеристики выполнены в условиях, описанных в Примечании 1c.
Переходный тепловой отклик будет изменяться в зависимости от конструкции печатной платы.

6

www.fairchildsemi.com

FDS6676AS Ред. A (X)

FDS6676AS 30 В N-канал P

или

ВЕРТ

renc

ч

SyncFETTM

Типовые характеристики

(продолжение)

Характеристики диода Шоттки с корпусом SyncFET

Fairchild включает в себя диод Шоттки параллельно с полевым МОП-транзистором PowerTrench.Этот диод имеет характеристики, аналогичные характеристикам
дискретного внешнего диода Шоттки, подключенного параллельно полевому МОП-транзистору
. На рисунке 12 показана характеристика
обратного восстановления FDS6676AS.

Рис. 12. Корпусный диод SyncFET FDS6676AS

характеристика обратного восстановления.

Для сравнения на рисунке 13 показаны характеристики обратного восстановления корпусного диода MOS-
FET эквивалентного размера, изготовленного без SyncFET (FDS6676).

Рис. 13. Основной диод Non-SyncFET (FDS6676)

характеристика обратного восстановления.

демонстрируют значительную утечку при высокой температуре
и высоком обратном напряжении. Это увеличит мощность
в устройстве.

Рисунок 14. Обратная утечка на корпусном диоде SyncFET

в зависимости от напряжения и температуры сток-исток.

0,8 А / ДЕЛ

10 нс / дел

0.8A / DIV

10 нс / дел

0,00001

0,0001

0,001

0,01

0,1

0

5

10

15

20

25

30

В

DS

, ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ (В)

Я

DSS

, ОБРАТНЫЙ ТОК УТЕЧКИ (A)

Т = 125

т

А

= 25

т

А

= 100

А

С

С

С

7

www. fairchildsemi.com

FDS6676AS Ред. A (X)

FDS6676AS 30 В N-канал P

или

ВЕРТ

renc

ч

SyncFETTM

Типовые характеристики

В

DS

л

Рисунок 15. Индуктивный без зажима

Цепь испытания под нагрузкой

Рисунок 17.Схема проверки заряда затвора

Рисунок 18. Форма сигнала заряда затвора

Рисунок 19. Время переключения

Тестовая цепь

Рис. 19. Осциллограммы времени переключения

Рисунок 16. Индуктивный без зажима

Формы сигналов

R

GE

DUT

В

GS

Я

AS

0,01

В

DD

+

тп

0 В

различных т

-П

для получения

Требуемый пик I

AS

В

GS

т

AV

т

-П

Я

AS

В

DS

В

DD

Б. В.

DSS

В

DS

R

л

R

GEN

DUT

В

DD

В

GS

Ширина импульса

1 с

Рабочий цикл

0.1%

В

GS

+

т

r

т

f

т

д (ВКЛ)

т

д (ВЫКЛ)

т

ПО

т

ВЫКЛ

Ширина импульса

10%

10%

90%

10%

90%

50%

90%

50%

0 В

0 В

В

GS

В

DS

В

GS

квартал

GS

квартал

GD

квартал

г (ТОТ)

10 В

Заряд, (нКл)

DUT

В

DD

В

GS

Я

г (REF)

+

+

–

Тот же тип, что и

Ток утечки

1 F

10 F

10 В

50к

8

www. fairchildsemi.com

FDS6676AS Ред. A (X)

FDS6676AS 30 В N-канал P

или

ВЕРТ

renc

ч

SyncFETTM

ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ОСТАВЛЯЕТ ЗА ПРАВО ВНЕСЕНИЯ ИЗМЕНЕНИЙ В ЛЮБЫЕ ПРОДУКТЫ
ЗДЕСЬ БЕЗ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО УВЕДОМЛЕНИЯ, ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ, ФУНКЦИОНАЛЬНОСТИ ИЛИ ДИЗАЙНА. FAIRCHILD НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ
В РЕЗУЛЬТАТЕ ПРИЛОЖЕНИЯ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЛЮБОГО ПРОДУКТА ИЛИ ЦЕПИ, ОПИСАННЫХ ЗДЕСЬ;
НИКОГДА НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ ЛИЦЕНЗИЮ НА СВОИ ПАТЕНТНЫЕ ПРАВА, ИЛИ ПРАВА ДРУГИХ.

ТОВАРНЫЕ ЗНАКИ

Следующие ниже зарегистрированные и незарегистрированные товарные знаки принадлежат Fairchild Semiconductor или имеют право на их использование, и
не является исчерпывающим списком всех таких товарных знаков.

ПОЛИТИКА ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЖИЗНИ

FAIRCHILD НЕ РАЗРЕШЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ КРИТИЧЕСКИХ КОМПОНЕНТОВ ДЛЯ ЖИЗНЕННОЙ ПОДДЕРЖКИ УСТРОЙСТВ ИЛИ СИСТЕМ
БЕЗ ЯВНО ПИСЬМЕННОГО РАЗРЕШЕНИЯ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.
Используется в данном документе:
1. Устройства или системы жизнеобеспечения — это устройства или системы
, которые: (а) предназначены для хирургической имплантации в тело
, или (б) поддерживают или поддерживают жизнь, или (в) чьи
неспособны при правильном использовании в соответствии с
инструкциями по применению, приведенными на этикетке, можно разумно ожидать, что
может привести к значительным травмам пользователя
.

2. Критический компонент — это любой компонент вспомогательного устройства или системы Life
, отказ которого в работе
, как разумно ожидать, приведет к отказу вспомогательного устройства или системы Life
или повлияет на их безопасность или эффективность
.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТАТУСА ПРОДУКТА

Определение терминов

Идентификационный лист данных

Статус продукта

Определение

Предварительная информация

Предварительная

Идентификация не требуется

Устарело

Это техническое описание содержит технические характеристики для разработки продукта
. Технические характеристики могут быть изменены в
без предварительного уведомления.

Этот лист данных содержит предварительные данные, и
дополнительных данных будут опубликованы позже.
Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить
изменения в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции
.

Это техническое описание содержит окончательные спецификации. Fairchild
Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в номер
в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции.

Это техническое описание содержит спецификации продукта
, производство которого прекращено Fairchild Semiconductor.
Таблица данных распечатана только для справочной информации.

Formative или
In Design

Первая продукция

Полное производство

Не в производстве

IntelliMAXTM
ISOPLANARTM

LittleFETTM

MICROCOUPLERTM
MicroFETTM
MicroPakTM
MICROWIRETM
MSXTM
MSXProTM
OCXTM
OCXProTM
OPTOLOGIC

OPTOPLANARTM
PACMANTM

БЫСТРО

FASTrTM

кадров в секунду

FRFETTM
GlobalOptoisolatorTM
GTOTM
HiSeCTM
I

2

CTM

i-LoTM
ImpliedDisconnectTM

Ред. I15

ACExTM
ActiveArrayTM
BottomlessTM
CoolFETTM
CROSSVOLTTM
DOMETM
EcoSPARKTM
E

2

CMOSTM

EnSignaTM
FACTTM
FACT Quiet SeriesTM

POPTM
Power247TM
PowerEdgeTM
PowerSaverTM
PowerTrench

QFET

QSTM
QT OptoelectronicsTM
Quiet SeriesTM
RapidConfigureTM
RapidConnectTM
SerDesTM
SILENT SWITCHER

SMART STARTTM

SPMTM
StealthTM
SuperFETTM
SuperSOTTM-3
SuperSOTTM-6
SuperSOTTM-8
SyncFETTM
TinyLogic

TINYOPTOTM
TruTranslationTM
UHCTM
UltraFET

UniFETTM
VCXTM

По всем направлениям.Во всем мире TM
The Power Franchise

Программируемый Active DroopTM

fds6676as. техническое описание и примечания к применению

Резюме: MTD3055 FP1 C16
Текст: Текст файла недоступен

Аннотация: 216TQA6AVA12FG 218S6ECLA21FG max8774gtl IT8712F R61523 ATI RS690 ForteMedia FM34 ForteMedia FM36 amd SB600
Текст: Текст файла недоступен

Аннотация: fds8884 AM4825P_AP Entery-3802 ICS9LPRS355 Inventec alcor AU6371 CHENMKO_CHPZ6V2_3P CN506 Socket AM2
Текст: Текст файла недоступен

Аннотация: rtm870t RLT8100C WPC8763L realtek uwb ATI SB600 KB33 rtm870 ST330U2D5VDM-9GP EC565
Текст: Текст файла недоступен

2004 — Нет в наличии Резюме: абстрактный текст отсутствует. Текст: характеристика восстановления FDS6676AS. TA = 125oC 0,01 TA = 100oC 0,001 0,0001 TA = 25oC	Оригинал	PDF	FDS6676AS FDS6676AS
2005 — FDS6676AS Аннотация: FDS6676 Текст: параллельно с полевым МОП-транзистором.На рисунке 12 показана характеристика обратного восстановления FDS6676AS. 0.8A / DIV	Оригинал	PDF	FDS6676AS FDS6676AS FDS6676
2007 — FDS6676AS Аннотация: абстрактный текст отсутствует. Текст: характеристика FDS6676AS. Диоды с барьером Шоттки демонстрируют значительную утечку при высоких температурах и	Оригинал	PDF	FDS6676AS FDS6676AS
2008 — FDS6676AS Аннотация: FDS6676 Текст: параллельно с полевым МОП-транзистором. На рисунке 12 показана характеристика обратного восстановления FDS6676AS. TA =	Оригинал	PDF	FDS6676AS FDS6676AS FDS6676
2008 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен. Текст: параллельно с полевым МОП-транзистором. На рисунке 12 показана характеристика обратного восстановления FDS6676AS. TA =	Оригинал	PDF	FDS6676AS FDS6676AS
2007 — Нет в наличии Резюме: абстрактный текст отсутствует. Текст: характеристика восстановления FDS6676AS.TA = 125oC 0,01 0,001 TA = 100oC 0,0001 TA = 25oC	Оригинал	PDF	FDS6676AS FDS6676AS
2004 — FDS6676 Аннотация: FDS6676AS Текст: параллельно с полевым МОП-транзистором. На рисунке 12 показана характеристика обратного восстановления FDS6676AS. TA =	Оригинал	PDF	FDS6676AS FDS6676AS FDS6676
2009 — Шотцкий Резюме: Схема планшета RL-8250 FDS6676AS 2R5TPE330MC FDS6294 NX2147 NX2147CMTR Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	NX2147 NX2147 203REF 008REF 50BSC 059REF Schotcky RL-8250 схема планшета FDS6676AS 2R5TPE330MC FDS6294 NX2147CMTR
2009 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	NX2147 NX2147 203REF 008REF 50BSC 059REF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	NX2147 NX2147 203REF 50BSC 008REF 059REF
Оригинал	PDF	NX2715 NX2715 ШИМ MTD3055 MTD3055 FP1 C16
2008 — FDS6676AS Аннотация: МОП-транзистор и параллельный диод Шоттки FDS6688 NC4050 Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	FDS6688AS FDS6688AS FDS6676AS МОП-транзистор и параллельный диод Шоттки FDS6688 NC4050
2008 — Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	FDS6688AS FDS6688AS
CX20551 Аннотация: MTP81 R5538 BAV88 HP PAVILION G6 Quanta R52 isl6260 HP Pavilion g6 ICS954206AGT CF 309 Quanta Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	318 МГц MAX1845 56 контактов 16×16 MAX1544 OSC14M MAX1999 LED12 LED11 31CT6MB0016 CX20551 MTP81 R5538 BAV88 HP PAVILION G6 Quanta R52 isl6260 HP Pavilion g6 ICS954206AGT CF 309 кванты
Оригинал	PDF	638-контактный 200-PIN ICS951462 16×16 RS690T 400 МГц RTL8111B 300л300м FM2010 RS690T 216TQA6AVA12FG 218S6ECLA21FG max8774gtl IT8712F R61523 ATI RS690 ForteMedia FM34 ForteMedia FM36 AMD SB600
216TQA6AVA12FG Аннотация: 218S6ECLA21FG ForteMedia FM36 MAX8774GTL RN0402 ForteMedia FM34 AMD Athlon X4 630 RS690T uPGA638 fm2010 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	638-контактный 16×16 200-PIN ICS951462 RS690T 400 МГц RTL8111B 300л300м 216TQA6AVA12FG 218S6ECLA21FG ForteMedia FM36 MAX8774GTL RN0402 ForteMedia FM34 AMD Athlon X4 630 RS690T uPGA638 fm2010
Оригинал	PDF	FIX10 FIX11 FIX12 FIX37 FIX38 15 марта 2007 г. kbc1070 fds8884 AM4825P_AP Энтери-3802 ICS9LPRS355 Inventec alcor AU6371 ЧЕНМКО_ЧПЗ6В2_3П CN506 Разъем AM2
MC0628R Резюме: mc0628 MC0628R замена FAIRCHILD ПОЛУПРОВОДНИК Fairchild cross KA3846 FDD8896 «drop-in replace» FQPF3N60C FDS8884 FQP50N06 эквивалент Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	ST42091 F50188E NB5F009 74ABT646CMSA 74ABT646CMSAX 74ABT646CMTC 74ABT646CSC 74AC251SJ 74AC299SJX 74AC74CW MC0628R mc0628 Замена MC0628R ЧЕСТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Крест Fairchild KA3846 FDD8896 «оперативная замена» FQPF3N60C FDS8884 Эквивалент FQP50N06
Оригинал	PDF	ISL6264 ICS9LPR464 4W001 TPS51117 16X16 TPS51120 RS690T SCD1U16V2ZY-2GP ВЕСНА-24-ГП RTM870T-691 rtm870t RLT8100C WPC8763L Realtek uwb ATI SB600 KB33 rtm870 ST330U2D5VDM-9GP EC565
Sis 968 Аннотация: транзистор m21 sot23 BBBCR2032BX sis968 KBC-ITE-8512 транзистор m21 sot23 LG-2413S-1 SIS762 nec c1106 G784P81U Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	v5535) S1002 C1002 SW1001 6026B0057602 1BT002-0121L SW1002 C1003 Sis 968 m21 sot23 транзистор BBBCR2032BX sis968 KBC-ITE-8512 транзистор м21 сот23 LG-2413S-1 SIS762 nec c1106 G784P81U
29l50 Аннотация: sil3512 Marvell 88E8055 Inventec bq24721 kbc1122 SP8K10SFD5_ROHM SP8K10 CN152 rqa130n03 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	21UYOC 21SYGC BLM11A121S 16 марта 2006 г. 29l50 Sil3512 Марвелл 88E8055 Inventec bq24721 kbc1122 SP8K10SFD5_ROHM SP8K10 CN152 rqa130n03
ICS9LP306 Реферат: KBC1021 SC7652 Inventec kahuna Inventec VAIL 2.0 1981HD AM3446N TP772 47N217 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	R5000 D5000 R5004 SW5004 21SUYC S5005 S5004 S5001 C5002 1000ПФ ICS9LP306 KBC1021 SC7652 Inventec Кахуна Inventec VAIL 2.0 1981HD AM3446N TP772 47N217
2009 — а 7800 Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	NX2141 NX2141 7800
TC8703 Реферат: kbc1122 INVENTEC San Antonio 10 D6089 C5088 INVENTEC San Antonio INVENTEC CN17-4 SP8K10SFD5_ROHM 25LF040A Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF	TC8703 FIX20 FIX21 FIX22 FIX23 FIX24 FIX25 28 ноября 2005 г. TC8703 kbc1122 INVENTEC Сан-Антонио 10 D6089 C5088 INVENTEC Сан-Антонио ИНВЕНТЭК CN17-4 SP8K10SFD5_ROHM 25LF040A
ME2N7002E Аннотация: CH7021A ДИАГРАММА AVR ГЕНЕРАТОР 2Kv oz711 MB90F378 7476m s1l50552f33 Quanta FJ3 oz27C10 ich9 Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF	318 МГц MAX6640 ICS9LPRS395 72 контакта PAG17 PS8101 CH7021A 150 МБ 150 МБ ME2N7002E СХЕМА АВР ГЕНЕРАТОРА 2КВ oz711 MB90F378 7476м s1l50552f33 кванты FJ3 унция27C10 ich9

купить FDS6688AS | FDS6688AS Лист данных

Стр. 2

© 2008 Fairchild Semiconductor Corporation FDS6688AS Ред. C FDS6688AS 30 В N-Channel PowerTrench® SyncFET ™ Общее описание FDS6688AS разработан для замены одного SO-8 МОП-транзистор и диод Шоттки в синхронном DC: DC Источники питания. Этот полевой МОП-транзистор 30 В предназначен для максимизировать эффективность преобразования энергии, обеспечивая низкий RDS (ON) и низкий заряд затвора. FDS6688AS включает в себя встроенный диод Шоттки, использующий Fairchild’s монолитная технология SyncFET. Приложения • DC / DC преобразователь • Блокнот с нижней стороны Характеристики • 14,5 А, 30 В. RDS (ВКЛ) макс. = 6,0 мОм при VGS = 10 В RDS (ON) макс. = 7,3 мОм при VGS = 4,5 В • Включает корпусный диод Шоттки SyncFET • Низкий заряд затвора (обычно 45 нКл) • Высокопроизводительная траншейная технология для чрезвычайно низкой RDS (ON) и быстрое переключение • Высокая мощность и способность выдерживать ток S D S S SO-8 D D D грамм 4 3 2 1 5 6 7 8 Абсолютные максимальные рейтинги TA = 25oC, если не указано иное Символ Параметр Номинальные значения Единицы Напряжение сток-исток VDSS 30 В Напряжение затвор-исток VGSS ± 20 В Идентификационный ток утечки — непрерывный (Примечание 1а) 14. 5 А — импульсный 50 Рассеиваемая мощность для одиночной операции (примечание 1а) 2,5 (Примечание 1b) 1.2 PD (Примечание 1c) 1 W TJ, TSTG Диапазон рабочих температур и температур перехода от –55 до +150 ° C Тепловые характеристики RθJA Тепловое сопротивление, переход к окружающей среде (Примечание 1a) 50 ° C / Вт RθJC Тепловое сопротивление, переход к корпусу (Примечание 1) 25 Маркировка упаковки и информация для заказа Устройство Маркировка Устройство Размер рулона Ширина ленты Количество FDS6688AS FDS6688AS 13 ’’ 12 мм 2500 шт. FD S6688A S 3 0 V N -C час а п п е l P о ш е rT повторно п c час ® S у п c F E Т ™ тм • Соответствует RoHS Ноябрь 2008 г.

Стр. 3

FDS6688AS Ред. C Электрические характеристики T А = 25 ° C, если не указано иное Символ Параметр Условия испытаний Мин. Тип Макс. Off Характеристики BVDSS Напряжение пробоя сток – исток VGS = 0 В, ID = 1 мА 30 В ∆BVDSS ∆TJ Напряжение пробоя Температура Коэффициент ID = 10 мА, при 25 ° C 20 мВ / ° C IDSS Напряжение нулевого затвора Ток утечки VDS = 24 В, VGS = 0 В 500 мкА Утечка затвора IGSS в корпусе VGS = ± 20 В, VDS = 0 В ± 100 нА О характеристиках (Примечание 2) VGS (th) Пороговое напряжение затвора VDS = VGS, ID = 1 мА 1 1.5 3 В ∆VGS (th) ∆TJ Пороговое напряжение затвора Температурный коэффициент ID = 10 мА, при 25 ° C –4 мВ / ° C RDS (вкл.) Статический сток — Источник On – Resistance VGS = 10 В, ID = 14,5 А VGS = 4,5 В, ID = 13,2 А VGS = 10 В, ID = 14,5 A, TJ = 125 ° C 4.5 5.9 6,7 6.0 7.3 8,5 мОм ID (on) Ток утечки в открытом состоянии VGS = 10 В, VDS = 5 В 50 A gFS Forward Transconductance VDS = 10 В, ID = 14.5 А 66 Ю Динамические характеристики Входная емкость Ciss 2510 пФ Выходная емкость Coss 710 пФ Crss обратная передаточная емкость VDS = 15 В, V GS = 0 В, f = 1,0 МГц 270 пФ Сопротивление затвора RG VGS = 15 мВ, f = 1,0 МГц 1,6 2,8 Ом Характеристики переключения (Примечание 2) td (on) Время задержки включения 10 20 нс tr Время нарастания включения 12 22 нс td (off) Время задержки выключения 43 69 нс tf Время падения выключения VDD = 15 В, ID = 1 А, VGS = 10 В, RGEN = 6 Ом 29 46 нс td (on) Время задержки включения 17 31 нс tr Время нарастания включения 22 35 нс td (off) Время задержки выключения 34 54 нс tf Время падения выключения VDD = 15 В, ID = 1 А, ВГС = 4.5 В, RGEN = 6 Ом 29 46 нс Qg (TOT) Общий заряд затвора при Vgs = 10 В 45 63 нКл Qg Общий заряд затвора при Vgs = 5 В 25 35 нКл Qgs Gate – Source Charge 7 нКл Qgd Gate – Drain Charge VDD = 15 В, ID = 14,5 А, 8 нКл FD S6688A S 3 0 V N -C час а п п е l P о ш е rT повторно п c час ® S у п c F E Т ™

Стр. 4

FDS6688AS Ред. C Электрические характеристики T А = 25 ° C, если не указано иное Символ Параметр Условия испытаний Мин. Тип Макс. Характеристики и максимальные номиналы диодов сток-исток VSD сток-исток диод вперед вольтаж VGS = 0 В, IS = 3.5 А (Примечание 2) VGS = 0 В, IS = 7 А (Примечание 2) 0,4 0,5 0,7 В trr Время обратного восстановления диода 27 нС Ток обратного восстановления диода IRM 1,9 А Qrr диодный заряд с обратным восстановлением ЕСЛИ = 14,5 А, diF / dt = 300 А / мкс (Примечание 3) 26 нКл Примечания: 1. RθJA — это сумма теплового сопротивления между переходом и корпусом и между корпусом и окружающей средой, где тепловое значение корпуса определяется как поверхность для пайки сливные штифты. RθJC гарантируется конструкцией, а RθCA определяется конструкцией платы пользователя.а) 50 ° / Вт при установлен на 1 дюйм2 подушечка из 2 унций меди б) 105 ° / Вт при установлен на 0,04 дюйма2 подушечка из 2 унций меди FD S6688A S 3 0 V N -C час а п п е l P о ш е rT повторно п c час ® S у п c F E Т ™

Стр. 5

FDS6688AS Ред. C Типичные характеристики 0 10 20 30 40 50 0 0.25 0,5 0,75 1 VDS, НАПРЯЖЕНИЕ ДРЕНАЖ-ИСТОЧНИК (В) МНЕ БЫ , D р А В C U р р E N Т ( А ) 2,5 В 3.5ВВГС = 10В 4,5 В 3,0 В 6,0 В 0,8 1 1.2 1.4 1.6 1,8 2 2.2 2,4 0 10 20 30 40 50 ID, СЛИВНЫЙ ТОК (A) р D S (O N ), N О р M А L IZ E D D р А В -S О U р C E О N -Р E S ЯВЛЯЕТСЯ Т А N C E ВГС = 3.0 В 4,5 В 3,5 В 4,0 В 10В 6.0 В Рисунок 1. Характеристики области. Рис. 2. Изменение сопротивления при включении Ток стока и напряжение затвора. 0,6 0,8 1 1.2 1.4 -55-35-15 5 25 45 65 85 105 125 125 TJ, ТЕМПЕРАТУРА СОЕДИНЕНИЯ ( oC) р D S (O N ), N О р M А L IZ E D D р А В -S О U р C E О N -Р E S ЯВЛЯЕТСЯ Т А N C E ID = 14.5А VGS = 10 В 0,004 0,006 0,008 0,01 0,012 0,014 0,016 2 4 6 8 10 VGS, ВОРОТА ИСТОЧНИКА НАПРЯЖЕНИЯ (В) р D S (O N ), О N -Р E S ЯВЛЯЕТСЯ Т А N C E ( О ЧАС M ) ID = 7,3 А TA = 125 oC TA = 25 oC Рис. 3. Изменение сопротивления при включении Температура. Рис. 4. Изменение сопротивления при включении Напряжение затвор-исток.0 10 20 30 40 50 1 1,5 2 2,5 3 3,5 VGS, ВОРОТА ИСТОЧНИКА НАПРЯЖЕНИЯ (В) МНЕ БЫ , D р А В C U р р E N Т ( А ) TA = 125 oC 25oC -55oC VDS = 5 В 0,001 0,01 0,1 1 10 100 0 0,2 0,4 0,6 0,8 VSD, ПЕРЕДНЕЕ НАПРЯЖЕНИЕ КУЗОВА (В) ЯВЛЯЕТСЯ , Р E V E р S E D р А В C U р р E N Т ( А ) TA = 125 oC 25oC -55oC VGS = 0 В Рисунок 5.Передаточные характеристики. Рисунок 6. Изменение прямого напряжения корпусного диода. с током источника и температурой. FD S6688A S 3 0 V N -C час а п п е l P о ш е rT повторно п c час ® S у п c F E Т ™

Стр. 6

FDS6688AS Ред. C Типичные характеристики (продолжение) 0 2 4 6 8 10 0 10 20 30 40 50 Qg, ЗАРЯД ЗАРЯДА (нКл) V грамм S , ГРАММ А Т E -S О U р C E V О L Т А грамм E ( V ) ID = 14.5А VDS = 10 В 20В 15В 0 500 1000 1500 2000 г. 2500 3000 3500 0 5 10 15 20 25 30 VDS, СЛИВ НА ИСТОЧНИК НАПРЯЖЕНИЯ (В) C А п А C ЭТО А N C E ( п F ) Сисс Crss Coss f = 1 МГц VGS = 0 В Рисунок 7. Характеристики заряда затвора. Рисунок 8. Емкостные характеристики. 0,01 0,1 1 10 100 0,01 0,1 1 10 100 VDS, НАПРЯЖЕНИЕ ДРЕНАЖ-ИСТОЧНИК (В) МНЕ БЫ , D р А В C U р р E N Т ( А ) ОКРУГ КОЛУМБИЯ 1 с 100 мс ОГРАНИЧЕНИЕ RDS (ВКЛ.) VGS = 10 В ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС RθJA = 125 oC / Вт TA = 25 oC 10 мс 10 с 100us 1 мс 0 10 20 30 40 50 0.001 0,01 0,1 1 10 100 1000 t1, ВРЕМЯ (сек) п (п л) , п E А K Т р А N S IE N Т п О W E р ( W ) ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС RθJA = 125 ° C / Вт TA = 25 ° C Рисунок 9. Максимальная безопасная рабочая зона. Рисунок 10. Максимум одиночного импульса Рассеяние мощности. 0,001 0,01 0,1 1 0,0001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 1000 t1, ВРЕМЯ (сек) р( т) , N О р M А L IZ E D E F F E C Т IV E Т р А N S IE N Т Т ЧАС E р M А L р E S ЯВЛЯЕТСЯ Т А N C E RθJC (t) = r (t) * RθJC RθJC = 125 ° C / Вт TJ — TC = P * RθJC (т) Рабочий цикл, D = t1 / t2 P (pk t1 t2 ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС 0.01 0,02 0,05 0,1 0,2 D = 0,5 Рис. 11. Кривая переходного теплового отклика. Термические характеристики выполнены в условиях, описанных в Примечании 1с. Переходный тепловой отклик будет изменяться в зависимости от конструкции печатной платы. FD S6688A S 3 0 V N -C час а п п е l P о ш е rT повторно п c час ® S у п c F E Т ™

Стр.7

FDS6688AS Ред. C Типичные характеристики (продолжение) SyncFET Диод Шоттки с корпусом Характеристики Процесс SyncFET Fairchild включает диод Шоттки в параллельно с PowerTrench MOSFET.Этот диод демонстрирует характеристики аналогичные дискретному внешнему Шоттки диод параллельно с полевым МОП-транзистором. На рисунке 12 показан характеристика обратного восстановления FDS6688AS. Рисунок 12. Корпусный диод SyncFET FDS6676AS характеристика обратного восстановления. Для сравнения на рисунке 13 показано обратное характеристики восстановления корпусного диода MOSFET эквивалентного размера, произведенный без SyncFET (FDS6688). Рисунок 13.Корпус без SyncFET (FDS6688) характеристика обратного восстановления диода. Диоды с барьером Шоттки демонстрируют значительную утечку при высоких температура и высокое обратное напряжение. Это увеличит мощность в устройстве. 0,00001 0,0001 0,001 0,01 0,1 0 5 10 15 20 25 30 VDS, ОБРАТНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ (В) МНЕ БЫ S S , Р E V E р S E L E А K А грамм E C U р р E N Т ( А ) TA = 125 oC TA = 25 oC TA = 100 oC Рисунок 14.Корпусный диод SyncFET обратный утечка в зависимости от напряжения сток-исток и температура. 0. 8A / D IV 10 нс / дел 0. 8A / D IV 10 нс / дел FD S6688A S 3 0 V N -C час а п п е l P о ш е rT повторно п c час ® S у п c F E Т ™

Стр.8

FDS6688AS Ред. C Типичные характеристики VDS L Рисунок 15.Испытание на индуктивную нагрузку без зажима Схема Рис. 16. Индуктивный без зажима Формы волны Рисунок 20. Осциллограммы времени переключения. RGE DUT VGS МСФО 0,01 Ом VDD + — tp 0 В варьировать tP, чтобы получить требуемый пик IAS VGS tAV tP МСФО VDS VDD BVDSS Рисунок 19. Тест времени переключения. Схема VDS RL RGEN DUT VDD VGS Ширина импульса ≤ 1 мкс Рабочий цикл ≤ 0,1% VGS + — tr tf td (ВКЛ) td (ВЫКЛ ) тонны Ширина импульса 10% 10% 90% 10% 90% 50% 90% 50% 0 В 0 В VGS VDS Рисунок 17.Схема проверки заряда затвора Рисунок 18. Форма кривой заряда затвора VGS QGS QGD QG (ТОТ) 10В Заряд, (нКл) DUT VDD VGS Ig (REF + — + — Тот же тип, что и FD S6688A S 3 0 V N -C час а п п е l P о ш е rT повторно п c час ® S у п c F E Т ™

FDS6676ASNL FAIRCHILD Интегральные схемы (ИС)

FDS6676AS — это MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC, который включает в себя упаковку катушек, они предназначены для работы с псевдонимами деталей FDS6676AS_NL, вес блока указан в примечании к техническому описанию для использования в 0,006596 унции, который предлагает такие особенности стиля монтажа, как SMD / SMT, разработан корпус корпуса для работы в SOIC-Narrow-8, а также в технологии Si, устройство также может использоваться как 1 Channel Number of Channels. Кроме того, используется конфигурация с одним четырехканальным стоком и тройным источником, устройство предлагается с 1 типом транзистора с N-каналом, устройство имеет 2 типа.Рассеиваемая мощность Pd 5 Вт, максимальный диапазон рабочих температур + 150 C, минимальный диапазон рабочих температур — 55 C, время спада 29 нс, время нарастания 12 нс, Vgs Gate Source Напряжение составляет 20 В, постоянный ток стока Id составляет 14,5 А, напряжение пробоя источника стока Vds составляет 30 В, сопротивление истока стока составляет 7 мОм, а полярность транзистора — N-канальная, а типичная задержка выключения Время составляет 43 нс, а типичное время задержки включения составляет 10 нс, а минимальная прямая крутизна составляет 66 с, а режим канала — улучшение.

FDS6676 с руководством пользователя производства FAIRCHILD. FDS6676 доступен в пакете SOP-8 и является частью полевых транзисторов — Single.

FDS6676A_NL со схемой производства FAIRCHILD. FDS6676A_NL доступен в пакете SOP-8 и является частью микросхем IC.

FDS6676A-NL с моделями EDA / CAD, изготовленными FAIRCHILD. FDS6676A-NL доступен в пакете SOP-8 и является частью микросхем IC.

FDS6676AS_NL с PDF производства FAIRCHILD.FDS6676AS_NL доступен в пакете SOP-8 и является частью микросхем IC.