FGh50N60SFD — мощный IGBT транзистор (600В, 40А, TO-247)
ПОПОЛНЕНИЕ ПРИБУДЕТ В АВГУСТОВСКОМ КОНТЕЙНЕРЕ (2 КОРОБКИ). Ожидаем: 25-27 августа 2020 г.
Пожалуй самые популярные мощные IGBT транзисторы FGh50N60SFD производства фирмы ON Semiconductor (до 2017 года Fairchild). Применяются в широком спектре силового оборудования: инверторные сварочные аппараты, выпрямители, стабилизаторы, мощные блоки питания и зарядные устройства.
Современная отрасль силовой аппаратуры развивается по нескольким направлениям, основой для которых являются технологии ключевой схемотехники. Современные технические решения должны быть рассчитаны на уровни напряжений не менее 600 вольт при токах коммутации в районе нескольких десятков ампер. При этом необходимо учитывать высокую частоту переключений, что позволяет уменьшить размеры трансформаторов. Также ключевым требованием является стойкость к короткому замыканию.
Благодаря совмещению структуры биполярного и полевого транзисторов удалось получить своего рода гибрид — Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором (по английски IGBT). Типовым и востребованным в современной схемотехнике является IGBT транзистор FGh50N60SFD корпусе ТО-247 со встроенным быстродействующим диодом.
Краткие характеристики
- Полное наименование: FGh50N60SFDTU IGBT транзистор
- Максимальное напряжение VCES: 600 Вольт
- Максимальный ток коллектора IC: 40 Ампер при Тс=100°C (80 Ампер при Тс=25°C)
- Максимальная мощность:
- Максимальная температура: 150°C
- Тип корпуса: TO-247A
Подробные характеристики вы можете найти в прилагаемом datasheet на транзисторы FGh50N60SFD последней ревизии (предоставлен компанией ON Semi) — ссылка на документ внизу текущей страницы.
Распиновка и внешний вид
Рис. №2 Назначение выводов БТИЗ транзистора FGh50N60SFD
Рис. №3 Типовые размеры и форма корпуса оригинальных транзисторов FGh50N60SFD
Рис. №4 Сравнение оригинальных IGBT транзисторов FGh50N60SFD, произведенных до и после 2018 года
Гарантии
Закупка IGBT транзисторов FGh50N60SFD производится исключительно в запечатанных заводских упаковках напрямую у производителя в составе крупнооптовых заказов для производственных сборочных линий.
Мы снимаем на видео вскрытие заводских упаковок и выкладываем на нашем канале на youtube (ссылка внизу страницы).
В 2017 годe компания ON Semiconductor выкупила фирму Fairchild, поэтому все новые оригинальные транзисторы, произведенные после 2017 года, имеют на корпусе логотип «ON» (вместо прежней «F»)!
В настоящее время встречается огромное количество подделок на IGBT транзисторы. Оригинальный FGh50N60SFD не может стоить дешевле отпускной оптовой цены производителя — 1.9334$/шт!
Рис. №5 Отпускная оптовая цена на транзисторы FGh50N60SFD на официальном сайте производителя
Гарантия надежной работы это 100% оригиналы! При рабочей обвязке работоспособность гарантируется! Встречались случаи неоднократного выхода из строя из-за проблем в схеме — пожалуйста, доверьте ремонт устройства профессиональным мастерам!
Дополнительной гарантией является тот факт, что мы продаем транзисторы FGh50N60SFD в нашем магазине на торговой площадке ebay (ссылки внизу данной страницы), где очень жестко наказывают за продажу некачественного товара.
Покупателями оставлены только положительные отзывы.
Рис. №6 Отзывы покупателей IGBT транзисторов FGh50N60SFD в нашем магазине на ebay
Оптовые поставки
Для желающих купить IGBT транзисторы FGh50N60SFD оптом у нас имеются автоматические скидки:
- от 10 штук — по 150 руб/шт.
- от 30 штук (1 рейка) — по 145 руб/шт.
- от 90 штук (3 рейки) — по 140 руб/шт.
- от 150 штук (5 реек) — по 130 руб/шт.
- от 450 штук (1 короб) — по 120 руб/шт.
- от 900 штук (от 2-х коробок) — по 110 руб/шт.
Для представителей промышленности и сервисных центров по ремонту сварочного оборудования мы производим поставки IGBT транзисторов proweld.com.ua-270x270.jpg)
Благодаря большим закупкам на протяжении более 10 лет мы вышли на прямые поставки от производителей. Оптовые поставки производятся в составе ежемесячных контейнеров. Окончательные цены обсуждаются индивидуально.
Статистические данные: величина закупленной партии для промышленного заказчика — 13 тыс штук (в 2016 г.) и 4500 шт (в 2017 г.). Третья закупка произведена в июне 2018 г. (3 коробки по 450 штук в каждой). Текущая партия от 2019 года — 3 коробки по 450 штук (уже с логотипом «ON» на корпусе).
UPD: из-за возросшей популярности пришлось закупить в октябре 2019 г. еще две коробки. 26 октября — в прямом эфире на нашем инстаграм канале будет показана распаковка новых коробок.
Обращений на подозрение брака: 0 человек
Доставка
Отправка транзисторов FGh50N60SFD производится в любой город России с доставкой от 2 до 7 рабочих дней для срочных заказов и от 5 до 10 дней для обычных.
Заказы с количеством транзисторов от 10 штук отправляются в распиленных пластиковых рейках, помещенных в толстые картонные коробки. На коробку наклеивается адресный ярлык.
Оптовые заказы транзисторов FGh50N60SFD в количестве от 450 штук (одна заводская коробка) отправляются в промышленной упаковке без вскрытия (заводская пломба не нарушается). По желанию покупателя может быть вскрыто и отправлено фото погрузки (после поступления оплаты).
Ссылки
FGH60N60SMD ON Semiconductor | ON Semiconductor FGH60N60SMD IGBT, 120 A 600 V, 3-Pin TO-247AB | 739-4945
Выбор упаковки:
Компоненты поставляются в промышленной заводской упаковке производителя для автоматизированного монтажа.
Original New 600v 60a Igbt Transistor Fgh60n60smd
- Происхождение товара:
-
Taiwan, China
- Наименование:
-
Оригинал
- Модели:
-
FGH60N60SMD
- Тип упаковки:
-
Сквозное отверстие
- Рабочая температура:
-
°C
- Рассеивание мощность:
-
W
- Применение:
-
Компьютер
- Напряжение питания:
-
V
- Доставка компанией:
-
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
- Оплата:
-
T/T; PayPal; торговая гарантия
- Без свинца статус:
-
Без свинца
- Упаковка:
-
Лента и катушка; трубка; лоток
- Гарантия:
-
60 дней
- Состояние:
-
Бренд Newand оригинал
- Тип:
-
Биполярный плоскостной транзистор
Возможности поставки
- Возможности поставки:
- 1000 Piece/Pieces per Day
Упаковка и доставка
Hot Offer Transistors Fgh60n60smd Fgh60n60 Smd To247 In Stock
Краткая информация
- Происхождение товара:
-
Germany
- Наименование:
-
Оригинал
- Модели:
-
FGH60N60SMD
- Тип упаковки:
-
Сквозное отверстие
- Категория:
-
Дискретная полупроводниковые
- Для всей семьи:
-
IGBT-один
- Упаковка:
-
Трубка
- Доступны IGBT:
-
Поле стоп
-
Тококоллектор (Ic) (макс.
):
-
120A
- Импульсный коллектор тока (Icm):
-
180A
- Vce (ВКЛ) (макс.) @ Vge, Ic:
-
2,5 в @ 15 В, 60 А
- Мощность макс:
-
600 W
- Импульсный источник энергии:
-
1.26mJ (ВКЛ), 450uJ (ВЫКЛ)
- Тип:
-
Транзисторы-IGBTs-одиночные
Возможности поставки
- Возможности поставки:
- 65900 Piece/Pieces per Week
Упаковка и доставка
- Подробности об упаковке
- Тру
Fgh60n60smd 600v,60a Field Stop Igbt 600w To-247-3
Уважаемые покупатели, обратите внимание,
Наши модели слишком много, чтобы загружать их онлайн.
| Стандартный пакет | 30 |
|---|---|
| Категория | Дискретная полупроводниковые |
| Для всей семьи | IGBT-один |
| Серия | — |
| Упаковка | Трубка |
| Доступны IGBT | Поле стоп |
| Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.) | 600V |
| Коллектор тока (Ic) (макс) | 120A |
| Импульсный коллектор тока (Icm) | 180A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2,5 в @ 15 в, 60А |
| Мощность макс | 600W |
| Импульсный источник энергии | 1. 26mJ (вкл.), 450 & micro;J (ВЫКЛ.) |
| Входной разъем | Стандарт |
| Заряд затвора | 189nC |
| Td (вкл/выкл) при 25 °C | 18ns/104ns |
| Условие для испытаний | 400 В, 60А, 3 ом, 15 в |
| Время обратного восстановления (trr) | 39ns |
| Тип корпуса | До-247-3 |
| Тип установки | Сквозное отверстие |
| Поставщик упаковка устройства | До-247-3 |
Способы оплаты:
Мы часто делаем T/T,Western Union,Paypal, Escrow и так далее. Если у вас есть другие требования, пожалуйста, дайте нам знать, мы постараемся сделать все возможное, чтобы удовлетворить ваши требования.
Доставка:
1. Мы отправим товары в течение 3 рабочих дней после получения оплаты
2. Мы часто отправляем клиентам через UPS/DHL/Fedex и т. Д., мы хотели бы отправить вам, что удобно для вас. Пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую, и мы будем использовать ваши предпочтительные способы.
3. Мы не несем ответственности за несчастные случаи, задержки или другие проблемы, которые мы не могли контролировать, но мы свяжемся с транспортной компанией, которая является нашим долгосрочным опытом сотрудничества.
4. Любые импортные сборы или сборы оплачиваются покупками.
Условия возврата или замены:
1. Как только покупатель получил детали, покупатель должен дать нам обратную связь в течение 96 часов, в противном случае продукты будут считать приемлемыми.
2. Мы предоставляем только послепродажное обслуживание деталей, и мы не берем на себя потери, вызванные использованием продуктов.
3. Мы не обменяем их для вас, если товар был припаян или на плате.
4. Покупатель несет ответственность за все расходы по доставке.
Добро пожаловать, чтобы узнать. Спасибо!
FGH60N60SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 600В, 60А, [TO-247]
Покупатель Заказ оформлен через корзину
Заказал два трансформатора, один пришел не исправным. Продавец утверждает, что он проверял их прибором и оба показали исправно. Однако высоковольтные трансформаторы никаким прибором на 100% не проверишь, только установка в телевизор может дать правду.
Старый трансформатор в тв работает, только периодически шьет высокое. А он мне мол у вас тв неисправный. Я 40 лет занимаюсь ремонтом быт. техники. Я предложил ему вернуть половину стоимости, но он молчит. Много заказываю в Китае, так вот китайцы порядочнее этого продавца, они всегда идут на встречу и вопрос решается .Заказывать у него больше не буду и другим не советую, Раньше заказывал у него подсветку в телевизор, так она у него в 2 раза дороже чем в Китае.
- Цена актуальна
- Наличие актуально
- Заказ выполнен вовремя
- Описание неактуально
FGH60N60SMD Лист данных | Фэйрчайлд Полупроводник
Ноябрь 2013 г.
FGH60N60SMD
600 В, 60 А IGBT полевого останова
Характеристики
• Максимальная температура перехода: TJ = 175oC
• Положительный температурный коэффициент для упрощения параллельной работы
• Возможность высокого тока
• Низкое напряжение насыщения: VCE (насыщ.) = 1,9 В (тип.) При IC = 60 A
• Высокое входное сопротивление
• Быстрое переключение: EOFF = 7.5 мкДж / А
• Усиленное распределение параметров
• Соответствует RoHS
Приложения
• Солнечный инвертор, ИБП, Сварщик, PFC, Телеком, ESS
Общее описание
Использование нового поля технологии остановки IGBT, новая серия Fairchild по
БТИЗ 2-го поколения с полевым остановом обеспечивают оптимальную производительность
для солнечного инвертора, ИБП, сварочного аппарата, телекоммуникационного оборудования, приложений ESS и PFC-
, где необходимы низкие потери проводимости и переключения.
E
С
G
КОЛЛЕКТОР
(ФЛАНЕЦ)
Абсолютные максимальные рейтинги
Символ
VCES
ВГЭС
IC
ICM (1)
IF
IFM (1)
PD
ТДж
Тстг
TL
Описание
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение затвор-эмиттер
Переходное напряжение затвор-эмиттер
Ток коллектора
Ток коллектора
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
Импульсный ток коллектора
Прямой ток диода
Прямой ток диода
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
Максимальный прямой ток импульсного диода
Максимальное рассеивание мощности
Максимальное рассеивание мощности
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
Рабочая температура перехода
Диапазон температур хранения
Максимальная температура свинца.для пайки
Цели, 1/8 дюйма от футляра на 5 секунд
Примечания:
1: Повторяемость: длительность импульса ограничена макс.
температура перехода
С
G
E
Рейтинги
600
20
30
120
60
180
60
30
180
600
300
-55 до +175
-55 до +175
300
Блок
В
В
В
А
А
А
А
А
А
Вт
Вт
oC
oC
oC
© Корпорация Fairchild Semiconductor, 2010
FGH60N60SMD Ред.C1
1
www.fairchildsemi.com
FGH60N60SFD Лист данных | Фэйрчайлд Полупроводник
FGH60N60SFD
600 В, 60 А IGBT полевого останова
Характеристики
• Возможность высокого тока
• Низкое напряжение насыщения: VCE (насыщ.) = 2,3 В при IC = 60 A
• Высокое входное сопротивление
• Быстрое переключение
• Соответствует RoHS
Приложения
• Солнечный инвертор, ИБП, сварочный аппарат, PFC
Март 2015
Общее описание
С использованием новой технологии полевого упора IGBT, полевого упора Fairchild
IGBT обеспечивают оптимальную производительность для солнечного инвертора, ИБП,
сварочные аппараты и устройства коррекции коэффициента мощности с низкой проводимостью и переключатели-
убытков существенны.
E
С
G
КОЛЛЕКТОР
(ФЛАНЕЦ)
Абсолютные максимальные рейтинги
Символ
VCES
ВГЭС
IC
ICM (1)
PD
ТДж
Тстг
TL
Описание
Напряжение коллектор-эмиттер
Напряжение затвор-эмиттер
Переходное напряжение затвор-эмиттер
Ток коллектора
Ток коллектора
Импульсный ток коллектора
Максимальное рассеивание мощности
Максимальное рассеивание мощности
Рабочая температура перехода
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
@ TC = 25oC
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
Диапазон температур хранения
Максимальная температура свинца.для пайки
Цели, 1/8 дюйма от футляра на 5 секунд
Примечания:
1: Повторный тест, длительность импульса ограничена макс. температура перехода
Тепловые характеристики
Символ
RθJC (IGBT)
RθJC (диод)
RθJA
Параметр
Термическое сопротивление, переход к корпусу
Термическое сопротивление, переход к корпусу
Термическое сопротивление, переход к окружающей среде
С
G
E
Рейтинги
600
± 20
± 30
120
60
180
378
151
-55 до +150
-55 до +150
300
Тип.
–
–
–
Макс.
0,33
1,1
40
Блок
В
В
А
А
А
Вт
Вт
oC
oC
oC
Блок
oC / Вт
oC / Вт
oC / Вт
© 2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGH60N60SFD Ред. 1.4
1
www.fairchildsemi.com
купить FGH60N60SMD | FGH60N60SMD Лист данных
Стр. 2
Чтобы узнать больше о ON Semiconductor, посетите наш веб-сайт по адресу
www.onsemi.com
Обратите внимание: в рамках интеграции Fairchild Semiconductor некоторые из номеров деталей Fairchild, которые можно заказать
необходимо будет изменить, чтобы соответствовать системным требованиям ON Semiconductor.
Поскольку ON Semiconductor
системы управления продуктом не имеют возможности управлять номенклатурой деталей, в которой используется подчеркивание
(_) символ подчеркивания (_) в номерах деталей Fairchild будет заменен тире (-). Этот документ может содержать
номера устройств с подчеркиванием (_). Посетите веб-сайт ON Semiconductor, чтобы убедиться в обновлении
номера устройств. Самую свежую и актуальную информацию для заказа можно найти на сайте www.onsemi.com. пожалуйста
присылайте любые вопросы относительно интеграции системы по адресу Fairchild_questions @ onsemi.com.
Теперь часть
ON Semiconductor и логотип ON Semiconductor являются товарными знаками компании Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor или ее дочерних компаний в США и / или других странах. ON Semiconductor владеет правами на ряд
патентов, товарных знаков, авторских прав, коммерческих секретов и другой интеллектуальной собственности. Список продуктов / патентов ON Semiconductor можно найти на сайте www.
onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. ON Semiconductor оставляет за собой право
без предварительного уведомления вносить изменения в любые продукты, приведенные здесь.ON Semiconductor не дает никаких гарантий, заявлений или гарантий относительно пригодности ее продуктов для каких-либо конкретных целей, а также ON Semiconductor не несет никакой ответственности.
возникшие в результате применения или использования любого продукта или схемы, и, в частности, отказывается от какой-либо ответственности, включая, помимо прочего, особые, косвенные или случайные убытки. Покупатель несет ответственность за свои продукты и приложения, использующие ПО.
Полупроводниковые продукты, включая соответствие всем законам, постановлениям и требованиям или стандартам безопасности, независимо от любой информации о поддержке или приложениях, предоставленной ON Semiconductor.«Типовые» параметры, которые могут быть предоставлены в ON
Таблицы данных и / или спецификации полупроводников могут различаться в разных приложениях, а фактическая производительность может меняться со временем.
Все рабочие параметры, включая «Типовые», должны быть подтверждены для каждого приложения клиента.
технические специалисты. ON Semiconductor не передает никаких лицензий в рамках своих патентных прав или прав других лиц. Продукция ON Semiconductor не разработана, не предназначена и не авторизована для использования в качестве критического компонента в системах жизнеобеспечения или каких-либо FDA.
Медицинские устройства класса 3 или медицинские устройства с такой же или аналогичной классификацией в иностранной юрисдикции или любые устройства, предназначенные для имплантации в человеческое тело.Если Покупатель приобретет или использует продукты ON Semiconductor для любых таких непреднамеренных
или несанкционированного применения, Покупатель должен освободить ON Semiconductor и его должностных лиц, сотрудников, дочерние компании, аффилированные лица и дистрибьюторов от всех претензий, издержек, убытков и расходов, а также разумных гонораров адвокатам, возникающих в связи с этим.
о, прямо или косвенно, любых претензиях о травмах или смерти, связанных с таким непреднамеренным или несанкционированным использованием, даже если в таком иске утверждается, что ON Semiconductor проявил халатность в отношении конструкции или производства детали.
ON Semiconductor
является работодателем равных возможностей / позитивных действий. На эту литературу распространяются все применимые законы об авторском праве, и она не предназначена для перепродажи каким-либо образом.
Стр. 3
© Корпорация Fairchild Semiconductor, 2010 1 www.fairchildsemi.com
FGH60N60SMD Ред.C1
F
грамм
ЧАС
60N
60S
M
D
—
600 В
, 60 А
F
поле
S
к
п
IG
B
Т
Ноябрь 2013
Абсолютные максимальные значения
Примечания:
1: Повторяемость: длительность импульса ограничена макс. температура перехода
Символ Описание Номинальные значения Ед. Изм.
VCES Напряжение коллектор-эмиттер 600 В
ВГЕС
Напряжение затвор-эмиттер 20 В
Переходное напряжение затвор-эмиттер 30 В
IC
Ток коллектора @ TC = 25
oC 120 А
Ток коллектора @ TC = 100
oC 60 А
ICM (1) Импульсный ток коллектора 180 А
ЕСЛИ
Прямой ток диода @ TC = 25
oC 60 А
Прямой ток диода @ TC = 100
oC 30 А
IFM (1) Максимальный прямой ток импульсного диода 180 A
PD
Максимальное рассеивание мощности при TC = 25
oC 600 Вт
Максимальное рассеивание мощности @ TC = 100
oC 300 Вт
Рабочая температура перехода TJ от -55 до +175
oC
Диапазон температур хранения Tstg от -55 до +175
oC
TL
Максимальная температура свинца.
для пайки
Цели, 1/8 дюйма от футляра на 5 секунд 300
oC
грамм
E
CE
C
грамм
КОЛЛЕКТОР
(ФЛАНЕЦ)
FGH60N60SMD
600 В, 60 А, полевой останов IGBT
Характеристики
• Максимальная температура перехода: TJ = 175
oC
• Положительный температурный коэффициент для облегчения параллельной работы
• Возможность высокого тока
• Низкое напряжение насыщения: VCE (насыщ.) = 1,9 В (тип.) @ IC = 60 A
• Высокое входное сопротивление
• Быстрое переключение: EOFF = 7,5 мкДж / А
• Усиленное распределение параметров
• Соответствует RoHS
Приложения
• Солнечный инвертор, ИБП, сварочный аппарат, PFC, телекоммуникации, ESS
Общее описание
Используя новую технологию полевого останова IGBT, новая серия Fairchild
полевые транзисторы IGBT 2-го поколения обеспечивают оптимальную производительность
для солнечного инвертора, ИБП, сварщика, телекоммуникаций, приложений ESS и PFC
там, где необходимы низкие потери проводимости и переключения.
Стр.
4
F грамм ЧАС 60N 60S M D — 600 В , 60 А F поле S к п IG B Т © 2010 Fairchild Semiconductor Corporation 2 www.fairchildsemi.com FGH60N60SMD Ред. C1 Тепловые характеристики Маркировка упаковки и информация для заказа Электрические характеристики IGBT TC = 25 ° C, если не указано иное Символ Параметр Тип.Максимум. Ед. изм RJC (IGBT) Тепловое сопротивление переход к корпусу — 0,25 oC / Вт RJC (диод) Термическое сопротивление переход к корпусу — 1,1 oC / Вт RJA Термическое сопротивление, переход к окружающей среде — 40 oC / Вт Номер детали Метка сверху Упаковка Метод упаковки Размер рулона Ширина ленты Количество FGH60N60SMD FGH60N60SMD TO-247 Трубка Н / Д Н / Д 30 Символ Параметр Условия испытаний Мин. Тип. Максимум. Ед. изм Off Характеристики BVCES Напряжение пробоя между коллектором и эмиттером VGE = 0 В, IC = 250 A 600 — — В BVCES TJ Температурный коэффициент пробоя вольтаж VGE = 0 В, IC = 250 мкА — 0.6 — В / oC Ток отключения коллектора ICES VCE = VCES, VGE = 0 В — — 250 A Ток утечки IGES G-E VGE = VGES, VCE = 0 В — — ± 400 нА О характеристиках VGE (th) G-E Пороговое напряжение IC = 250 A, VCE = VGE 3,5 4,5 6,0 В VCE (sat) Напряжение насыщения от коллектора к эмиттеру IC = 60 А, VGE = 15 В — 1,9 2,5 В IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 175 oC — 2.1 — В Динамические характеристики Входная емкость Cies VCE = 30 В, VGE = 0 В, f = 1 МГц — 2915 — пФ Выходная емкость Coes — 270 — пФ Церес обратная передаточная емкость — 85 — пФ Характеристики переключения td (on) Время задержки включения VCC = 400 В, IC = 60 А, RG = 3, VGE = 15 В, Индуктивная нагрузка, TC = 25 oC — 18 27 нс tr Время нарастания — 47 70 нс td (off) Время задержки выключения — 104 146 нс tf Fall Time — 50 68 нс Потеря переключения при включении Eon — 1.26 1,94 мДж Потери при выключении Eoff при выключении — 0,45 0,6 мДж Полная потеря переключения Ets — 1,71 2,54 мДж td (on) Время задержки включения VCC = 400 В, IC = 60 А, RG = 3, VGE = 15 В, Индуктивная нагрузка, TC = 175 oC — 18 — нс tr Время нарастания — 41 — нс td (off) Время задержки выключения — 115 — нс tf Fall Time — 48 — нс Потери при включении Eon — 2,1 — мДж Потеря переключения при выключении Eoff — 0,78 — мДж Ets Общие потери переключения — 2,88 — мДж
Стр.5
F грамм ЧАС 60N 60S M D — 600 В , 60 А F поле S к п IG B Т © 2010 Fairchild Semiconductor Corporation 3 www.fairchildsemi.com FGH60N60SMD Ред. C1 Электрические характеристики IGBT (продолжение) Электрические характеристики диода TC = 25 ° C, если не указано иное Символ Параметр Условия испытаний Мин. Тип. Макс Единица Qg Total Gate Charge VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В — 189 284 нКл Qge Gate to Emitter Charge — 20 30 нКл Qgc Gate to Collector Charge — 91 137 нКл Символ Параметр Условия испытаний Мин. Тип. Макс Единица Прямое напряжение VFM-диода IF = 30 A TC = 25 oC — 2.1 2,7 V TC = 175 oC — 1,7 — Энергия обратного восстановления Erec IF = 30 A, diF / dt = 200 A / мкс TC = 175 oC — 79 — uJ trr Время обратного восстановления диода TC = 25 oC — 30 39 нс TC = 175 oC — 72 — Qrr диодный заряд с обратным восстановлением TC = 25 oC — 44 62 nC TC = 175 oC — 238 —
Стр.6
F грамм ЧАС 60N 60S M D — 600 В , 60 А F поле S к п IG B Т © 2010 Fairchild Semiconductor Corporation 4 www.fairchildsemi.com FGH60N60SMD Ред. C1 Типичные рабочие характеристики Рисунок 1. Типичные выходные характеристики Рисунок 2. Типовые выходные характеристики Рисунок 3. Типичное напряжение насыщения Рисунок 4. Передаточные характеристики Характеристики Рисунок 5. Напряжение насыщения в зависимости от случая Рисунок 6. Напряжение насыщения в зависимости от VGE Температура на уровне переменного тока 0 2 4 6 0 30 60 90 120 150 180 VGE = 8 В 20В TC = 25 oC 15 В 12 В 10В C о lle ct о р C ты rr en т, IC [ А ] Напряжение коллектор-эмиттер, VCE [В] 0 2 4 6 0 30 60 90 120 150 180 VGE = 8 В 20В TC = 175 oC 15В 12 В 10В C о lle ct о р C ты rr en т, IC [ А ] Напряжение коллектор-эмиттер, VCE [В] 0 1 2 3 4 5 0 30 60 90 120 150 180 Общий эмиттер VGE = 15 В TC = 25 oC TC = 175 oC C о ll ec к р C ты rr en т, IC [ А ] Напряжение коллектор-эмиттер, VCE [В] 2 4 6 8 10 12 0 30 60 90 120 150 180 Общий эмиттер VCE = 20 В TC = 25 oC TC = 175 oC C о ll е c к р C ты rr е п т, IC [ А ] Напряжение затвор-эмиттер, ВГЭ [В] 4 8 12 16 20 0 4 8 12 16 20 IC = 30А 60А 120А Общий эмиттер TC = -40 oC C о lle ct о р- E м Это te р V о lt аг е, V C E [ V ] Напряжение затвор-эмиттер, ВГЭ [В] 25 50 75 100 125 150 175 1.0 1.5 2.0 2,5 3.0 3.5 120А 60А IC = 30А Общий эмиттер VGE = 15 В C о ll ec к р- E м Это te р V о lt а грамм е , V C E [ V ] Температура корпуса, TC [ oC]
Стр.7
F грамм ЧАС 60N 60S M D — 600 В , 60 А F поле S к п IG B Т © 2010 Fairchild Semiconductor Corporation 5 www.fairchildsemi.com FGH60N60SMD Ред. C1 Типичные рабочие характеристики Рисунок 7. Напряжение насыщения в зависимости от VGE. Рисунок 8. Напряжение насыщения в зависимости от VGE. Рисунок 9. Характеристики емкости Рисунок 10. Характеристики заряда затвора. Рисунок 11. Характеристики SOA Рисунок 12. Характеристики включения в сравнении с Сопротивление ворот 4 8 12 16 20 0 4 8 12 16 20 IC = 30А 60А 120А Общий эмиттер TC = 25 oC C о lle ct о р- E м Это te р V о lt аг е, V C E [ V ] Напряжение затвор-эмиттер, ВГЭ [В] 4 8 12 16 20 0 4 8 12 16 20 120А IC = 30А 60А Общий эмиттер TC = 175 oC C о lle ct о р- E м Это te р V о lt аг е, V C E [ V ] Напряжение затвор-эмиттер, ВГЭ [В] 0.1 1 10 0 1000 2000 г. 3000 4000 5000 6000 7000 Общий эмиттер VGE = 0 В, f = 1 МГц TC = 25 oC Црес Coes Cies C ap а ci та п ce [ п F ] Напряжение коллектор-эмиттер, VCE [В] 30 0 40 80 120 160 200 0 3 6 9 12 15 400 В Общий эмиттер TC = 25 oC 300 В VCC = 200 В грамм а te -E м Это te р V о lt аг е , V грамм E [ V ] Заряд затвора, Qg [нКл] 1 10 100 1000 0.01 0,1 1 10 100 300 1 мс 10 мс ОКРУГ КОЛУМБИЯ *Примечания: 1. TC = 25 oC 2. TJ = 175 oC 3. Одиночный импульс 10 мкс 100с C о lle ct о р C ты rr en т, IC [ А ] Напряжение коллектор-эмиттер, VCE [В] 0 10 20 30 40 50 10 20 40 60 80 100 Общий эмиттер VCC = 400 В, VGE = 15 В IC = 60А TC = 25 oC TC = 175 oC тд (на) tr S ш Это ch в грамм Т я е [п s] Сопротивление ворот, RG []
Стр.8
F грамм ЧАС 60N 60S M D — 600 В , 60 А F поле S к п IG B Т © 2010 Fairchild Semiconductor Corporation 6 www.fairchildsemi.com FGH60N60SMD Ред. C1 Типичные рабочие характеристики Рисунок 13. Сравнение характеристик выключения и рисунка 14. Характеристики включения и характеристики. Ток коллектора сопротивления затвора Рисунок 15. Характеристики отключения по сравнению с рисунком 16. Зависимость потерь переключения от Сопротивление затвора коллектора тока Рисунок 17.Сравнение потерь при переключении с рис. 18. Выключение переключения Коллекторные текущие характеристики SOA 0 30 60 90 120 1 10 100 1000 Общий эмиттер VGE = 15V, RG = 3 TC = 25 oC TC = 175 oC tr тд (на) S ш Это ch в грамм Т я е [ п s] Ток коллектора, IC [A] 0 10 20 30 40 50 10 100 1000 6000 Общий эмиттер VCC = 400 В, VGE = 15 В IC = 60А TC = 25 о C TC = 175 oC тд (выкл) tf S ш Это c час в грамм Т я е [ п s ] Сопротивление ворот, RG [] 0 10 20 30 40 50 0.1 1 5 Общий эмиттер VCC = 400 В, VGE = 15 В IC = 60А TC = 25 oC TC = 175 oC Eon Eoff S ш Это ch в грамм L о сс [ м J] Сопротивление ворот, RG [] 0 30 60 90 120 1 10 100 1000 Общий эмиттер VGE = 15V, RG = 3 TC = 25 oC TC = 175 oC тд (выкл) tf S ш Это ch в грамм Т я е [п s] Ток коллектора, IC [A] 0 30 60 90 120 0.01 0,1 1 10 Общий эмиттер VGE = 15V, RG = 3 TC = 25 oC TC = 175 oC Eon Eoff S ш Это c час в грамм L о сс [ м J ] Ток коллектора, IC [A] 1 10 100 1000 1 10 100 300 Безопасная рабочая зона VGE = 15 В, TC = 175 oC C о lle ct о р C ты rr е п т, я C [ А ] Напряжение коллектор-эмиттер, VCE [В]
Стр.9
F грамм ЧАС 60N 60S M D — 600 В , 60 А F поле S к п IG B Т © 2010 Fairchild Semiconductor Corporation 7 www.fairchildsemi.com FGH60N60SMD Ред. C1 Типичные рабочие характеристики Рисунок 19. Снижение номинальных значений тока Рисунок 20. Отношение тока нагрузки к току. Частота Рисунок 21. Прямые характеристики Рисунок 22. Обратный ток Рисунок 23. Сохраненный заряд Рисунок 24. Время обратного восстановления. 25 50 75 100 125 150 175 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 Общий эмиттер VGE = 15 В C о lle ct о р C ты rr en т, IC [ А ] Температура корпуса, TC [ oC] 1k 10k 100k 1 млн 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 Tc = 75oC Квадратная волна TJ
Стр.10
F грамм ЧАС 60N 60S M D — 600 В , 60 А F поле S к п IG B Т © 2010 Fairchild Semiconductor Corporation 8 www.fairchildsemi.com FGH60N60SMD Ред. C1 Типичные рабочие характеристики Рисунок 25. Переходное тепловое сопротивление IGBT. Рисунок 26 — Переходное тепловое сопротивление диода 1E-5 1E-4 1E-3 0,01 0,1 1 1E-3 0,01 0,1 0,5 0,01 0,02 0,1 0,05 0,2 одиночный импульс Т час э м аль р е зр о п se [ Z th jc ] Длительность прямоугольного импульса [сек] Коэффициент заполнения, D = t1 / t2 Пик Tj = Pdm x Zthjc + TC 0.5 t1 PDM t2 1E-5 1E-4 1E-3 0,01 0,1 1 1E-3 0,01 0,1 1 0,01 0,02 0,1 0,05 0,2 одиночный импульс Т час э м аль р es п о п se [ Z th jc ] Длительность прямоугольного импульса [сек] Коэффициент заполнения, D = t1 / t2 Пик Tj = Pdm x Zthjc + TC 0,5 5 t1 PDM t2
2010 — FGH60N60SMD
Аннотация: FGH60N60 FGH60 |
Оригинал |
FGH60N60SMD FGH60N60SMD FGH60N60 FGH60 | |
2010 — Нет в наличии
Резюме: абстрактный текст недоступен. |
Оригинал |
FGH60N60SMD | |
2010 — FGH60N60
Аннотация: FGH60N60SMD FGH60N60SMDF igbt 60a fgh60n60sm FGH60 25Transient |
Оригинал |
FGH60N60SMD 175oC FGH60N60 FGH60N60SMD FGH60N60SMDF igbt 60a fgh60n60sm FGH60 25 переходный | |
2011 — FGH60N60SMD
Аннотация: CO300 FGH60N60 |
Оригинал |
FGH60N60SMD 175oC FGH60N60SMD CO300 FGH60N60 | |
2011 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст отсутствует. |
Оригинал |
FGH60N60SMD 175oC | |
2013 — FGH60N60SMD-F085
Аннотация: FGH60N60SMD_F085 FGH60N60 |
Оригинал |
FGH60N60SMD 175oC FGH60N60SMD-F085 FGH60N60SMD_F085 FGH60N60 |
| Характеристики Максимальная температура перехода TJ = 175oC Положительный температурный коэффициент для упрощения параллельной работы Возможность высокого тока Низкое напряжение насыщения: VCE (насыщ.) = 60A Высокое входное сопротивление Быстрое переключение Затянуть распределение параметров Соответствует RoHS Используя новую технологию Field Stop IGBT, новая серия Field Stop IGBT от Fairchild предлагает оптимальную производительность для солнечных инверторов, ИБП, SMPS, IH и PFC, где необходимы низкие потери проводимости и переключения. ПриложенияСолнечный инвертор, ИБП, SMPS, PFC Индукционный нагрев Описание Напряжение от коллектора к эмиттеру Напряжение от затвора к эмиттеру Напряжение коллектора Токосъемник Импульсный ток коллектора Диод Прямой ток Диод Импульсный ток прямого тока Диод Максимальный прямой ток Максимальная рассеиваемая мощность Максимальная рассеиваемая мощность Рабочая температура перехода Диапазон температур хранения Максимальная температура свинца. для пайки, 1/8 дюйма от корпуса на 5 секунд = 100oC Примечания: 1: Повторяемость: длительность импульса ограничена макс.температура переходаТермическое сопротивление, тепловое сопротивление перехода к корпусу, тепловое сопротивление перехода к корпусу, переход к окружающей среде Напряжение пробоя между коллектором и эмиттером VGE = 250A Температурный коэффициент напряжения пробоя Ток отключения коллектора G-E Ток утечки VGE = 250A VCE = VCES, VGE = 0V VGE = VGES, VCE = 0V On Характеристики VGE (th) VCE (sat) G-E Пороговое напряжение между коллектором и эмиттером Напряжение насыщения = 250A, VCE = VGE = 60A, VGE = 60A, VGE 175oC V Динамические характеристики Cies Coes Cres Входная емкость Выходная емкость Обратная передаточная емкость VCE = 30 В, VGE 85 пФ Характеристики переключения td (on) tr td (off) tf Eon Eoff Ets td (on) tr td (off) tf Eon Eoff Ets Время задержки включения Время нарастания Время задержки выключения Время задержки Время спада Время потери включения при включении Turn- Потери при выключении Общие потери при переключении Время задержки включения Время нарастания Время задержки выключения Время падения Время спада Потеря переключения при выключении Общие потери переключения VCC = 3, VGE = 15 В, индуктивная нагрузка, = 175oC VCC = 3, VGE = 15 В, индуктивная нагрузка, нс мДж Полная зарядка затвора От затвора к эмиттеру Зарядка от затвора к заряду коллектораПрямое напряжение диода Обратное восстановление Энергия Время обратного восстановления диода = 30 А |