TC4420MJA Datasheet PDF Download,Microchip Technology TC4420MJA Data Sheet-Datasheet PDF
Datasheet PDF For TC4420MJA Search Results
-
Part No: TC4420MJA
Manufacturer:
Microchip TechnologyTemperature:
Description:
HIGH-SPEED MOSFET DRIVERSPDF Size: Kb PDF Pages: Page
Buy TC4420MJA
DatasheetPDF found 1 PDF documents matching your query:
Datasheet Download:
Related Part No
- TC4420 TelCom Semiconductor,
HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS - TC442004 MICROCHIP[Microchip Technology]
High-Speed MOSFET Drivers - TC4420CAT Microchip Technology
HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS - TC4420CATNBSP Microchip Technology
MOSFET Driver - TC4420CG MICROCHIP[Microchip Technology]
High-Speed MOSFET Drivers - TC4420CJA MICROCHIP[Microchip Technology]
High-Speed MOSFET Drivers - TC4420CMF MICROCHIP[Microchip Technology]
High-Speed MOSFET Drivers - TC4420CMF713 MICROCHIP[Microchip Technology]
High-Speed MOSFET Drivers - TC4420COA TelCom Semiconductor,
- TC4420COA713 MICROCHIP[Microchip Technology]
High-Speed MOSFET Drivers - TC4420COANBSP Microchip Technology
MOSFET Driver - TC4420CPA TelCom Semiconductor,
HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS - TC4420CPANBSP Microchip Technology
MOSFET Driver - TC4420EAT MICROCHIP[Microchip Technology]
High-Speed MOSFET Drivers - TC4420EG MICROCHIP[Microchip Technology]
High-Speed MOSFET Drivers
English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian
Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam
Разрабатываем частотник. Часть первая, силовая часть.
Самостоятельная разработка частотника для трехфазного электродвигателя, дело достаточно затратное и хлопотное. Но если есть желание и интерес к данной теме огромен, то можно попробовать. Данный пост непретендует на оригинальность и писатель из меня честно говоря плохой. Итак обо всем по порядку.
Начнем с общей структурной схемы.
Данная структурная схема построена по так называемой схеме двойного преобразования. Трехфазное напряжение 380В частотой 50 Гц поступает на вход неуправляемого выпрямителя. На выходе выпрямителя напряжение составляет около 540 В. Это и есть первый этап преобразования. На втором этапе напряжение при помощи инвертора преобразуется в широтно-модулированные импульсы, которые и поступают на обмотки электродвигателя. Статорные обмотки имеют активно-индуктивный характер сопротивления и являются фильтрами, сглаживающими ток. Среднее значение тока будет зависеть от среднего значения приложенного напряжения, то есть от соотношения длительностей внутри периода ШИМ. Блок управления реализует основные алгоритмы управления инвертором. Обеспечивает диагностику силового модуля, а также выполняет функции противоаварийной защиты. Блок питания предназначен для питания цепей управления.
Выпрямитель.
Схема выпрямителя предельно проста.
На вход силового блока поступает трехфазное напряжение сети амплитудой 380 В, и частотой 50 Гц. Для защиты от перенапряжения в схеме используются варисторы VR1- VR3. Далее входное напряжение поступает на выпрямитель с промежуточным звеном постоянного тока. Выпрямитель 36МТ160 представляет собой трехфазную мостовую схему (т.н схема Ларионова) конструктивно выполненную в одном модуле.
Во время зарядки конденсатора промежуточного контура протекает очень большой кратковременный ток. Это может вывести из строя выпрямитель. Ток зарядки ограничивается включением балластного резистора R4 последовательно с конденсаторами DC-звена, который активизируется только при включении преобразователя. После зарядки конденсаторов резистор шунтируется, контактными реле К1. Большая емкость конденсаторов требуется для сглаживания напряжения промежуточного звена. После выключения инвертора из сети, конденсаторы сохраняют высокое напряжение в течение определенного времени.
Вот что получилось в итоге.
Блок питания.
Собран на микросхеме UC3843. Вообще, что касается блока питания, то вовсе не важно какой будет использован.
Хоть самодельный хоть купленный. Главное, на мой взгляд, по возможности питание драйвера IGBT и питания блока управления было от отдельных обмоток трансформатора.
Схема.
Фото.
Инвертор.
Схема инвертора.
IGBT-драйвер собран на транзисторах FGA25N120 и связке оптопары TLP250 и микросхемы TC4420. Что касается микросхемы TC4420 то ее мне посоветовал использовать один мой друг который занимается усилителями «класса D».
Готовый инвертор.
Подопытный кролик Электродвигатель.
Двигатель взял для начала малой мощности. Закрепил на нем инкрементальный энкодер «RO6345» фирмы «IFM».
Все это протестировано, проверено и ждет изготовления блока управления. Будем надеется что у меня хватит терпения, времени и сил довести этот проект до работающего прототипа.
Продолжение следует…
Усилитель мощности звука на 1000 ватт
Представляем полностью цифровой усилитель НЧ класса D на мощность обеих каналов 1000 Вт. Корпус был взят от предыдущих проектов не слишком устраивавших по работе усилителей. Инвертор также используемая из предыдущих проектов, только эта версия была улучшена. Управление на SG3525 скопировано и чуть модифицировано с автомобильного усилителя Grundig PA240 + управляющий трансформатор и транзисторы. Блок питания 2×75 В, постоянная мощность выхода 1100 Вт и сердечник ETD49 прекрасно делают свое дело. Все работает с частотой 60 кГц. Полумостовая топология.
Схема УНЧ на 1 кВт класс D
Модули УМЗЧ класса D сделаны в соответствии с имеющимся проектом IRAUDAMP 9 (скачать полную документацию), плюс внесены минимальные изменения. Три пары транзисторов IRFP4332 на канал работают с тактовой частотой 300 кГц. DT 105 нс. Основа усилителя — IRS2092 + TC4420. Дроссель БП в феррите, индуктивность 22uH / 30A.
Модули будут выдавать 2500 Вт / 2 Ом при 10% и напряжении питания +/- 95 В постоянного тока, при тестах удалось выжать 1800 Вт, измеренные на динамиках.
Использовались популярные и эффективные средства защиты из серии биполярных усилителей. Те же схемы в модулях класса D имеют защиту от короткого замыкания и постоянного тока, также сделано дополнительное отключение этих защит на реле. За стандартной защитой находится ограничитель стартового тока, плавный запуск.
Самое приятное то, что весь усилитель имеет целых 14 предохранителей, чтобы избежать возгорания печатной платы в случае форс-мажора. Охлаждение, инвертор и модули имеют принудительное охлаждение, включающееся после достижения температуры 50C, но модули УМ при работе не нагреваются, а инвертор достигает максимальной температуры всего 40С.
Если подвести итоги общего времени на проект — это, вероятно, будет целая рабочая неделя. Спасло то, что не было серьезных проблем с запуском. После тщательной проверки и старта усилитель заработал сразу. Устройство при скачках с сетевым напряжением питания, то есть выше 250 В или ниже 200 В переменного тока, отключается. Если в громкоговорителе имеется короткое замыкание или перегрузка, усилитель также отключится, после его необходимо перезапустить с помощью переключателя.
Технические параметры УМЗЧ D класса
- Непрерывное энергопотребление 1240 Вт при 228 В переменного тока.
- Общая эффективность 84% (преобразователь имеет 89%).
- Заявленная выходная мощность 2×500 Вт / 4 Ом RMS.
- Мощность подается на оба канала 1050 Вт.
- Минимальная нагрузка 2х2 Ом.
Все тестировалось с использованием среднеквадратичных измерителей и осциллографа, резистор 4 Ом 150 Вт. Напряжение 2×75 в режиме ожидания. Под нагрузкой оно падает до 65 В постоянного тока.
Что касается охлаждения, то воздух поступает через соответствующие. Вентиляторы никогда не включались и не включатся. Они только на тот случай, если УНЧ работает, например, в жаркую погоду на солнце. Раньше были модули класса AB, и здесь нужен был вентилятор. Самым нагревающимся элементом является выходной дроссель, он достигает постоянной температуры около 100С независимо от того, работает ли усилитель на полную мощность или стоит без сигнала.
Звучание усилителя и итоги работы
Конечно у большинства аудиофилов свои мнения и вкусы. Скажем лишь одну вещь от себя: по сравнению с классами AB и H, класс D имеет более линейный и детальный звук. Бас быстрый и динамичный, центр ровный, но ВЧ выше 10 кГц кажется затухающими. Мощность есть, контроль очень хороший.
Проект полностью оправдал ожидания. Единственным слабым звеном в целом является блок питания, если бы он был по мощнее, на выходе снималось бы и 2 х 1500 Вт. В настоящее время ведутся работы над новой версией блока питания мощностью 2 кВт, который в настоящее время несколько не вписывается в заданный размер.
Этому проекту, вероятно, 5 лет, и он все еще работает нормально. Было продано около десятка таких самодельных УМЗЧ, и они тоже работают. Регулярно этот импульсный усилитель с оконечником ADS LX 2000 берут для специальных мероприятий и концертов. Усилитель весит чуть более 5 кг. Для сравнения, тот же ADS LX 2000 весит около 30 кг, так что преимущества D класса налицо.
tc4420 техническое описание (1/5 страницы) TELCOM | 6A ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ ДРАЙВЕРЫ MOSFET
4-225
TELCOM SEMICONDUCTOR, INC.
7
6
5
4
3
1
000
000
000 TC
000 6A ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ МОП-транзисторы
ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА
Темп.
Деталь №
Логика
Корпус
Диапазон
TC4420CAT
Неинвертирующий
5-контактный TO-220
0
° C до + 70 ° C
TC44 9202COA
TC44 9202COA
Вывод SOIC0
° C до + 70 ° C
TC4420CPA
Неинвертирующий
8-контактный PDIP
0
° C до + 70 ° C
TC4420EOA
Pin
Неинвертирующий
-40
° C до + 85 ° C
TC4420EPA
Неинвертирующий
8-контактный PDIP
-40
° C до + 85 ° C
TC4420IJA
Pin
Неинвертирующий
–25
° C до + 85 ° C
TC4420MJA
Неинвертирующий
8-контактный CerDIP — 55
° C до + 125 ° C
TC4429CAT
Инвертирующий
9000 22020
° C до + 70 ° C
9000 2 TC4429COAИнвертирующий
8-контактный SOIC
0
° C до + 70 ° C
TC4429CPA
Инвертирующий
8-контактный PDIP
0
° C от
° C до +
° C
Инвертирование
8-контактный SOIC
-40
° C до + 85 ° C
TC4429EPA
Инвертирование
8-контактный PDIP
-40
° C до + 85 ° C
93
Инвертирующий
8-контактный CerDIP
-25
° C до + 85 ° C
TC4429MJA
Инвертирующий
8-контактный CerDIP — 55
° C до + 125 ° C
ES
ES
s
Защищено от фиксации…………. выдержит> 1,5 A
обратный выходной ток
с
логический вход выдержит отрицательное скачкообразное напряжение
до 5 В
с
Защита от электростатического разряда ….. ………………………………………… 4кВ
с
Согласованное время нарастания и спада ………………… 25 нс
с
Высокий пиковый выходной ток ……… ……………. 6A, пик.
с
Широкий рабочий диапазон …………………….. от 4,5 В до 18 В
с
Привод с высокой емкостной нагрузкой ………………… 10,000 пФ
с
Время короткой задержки ……………………………. 55 нс Тип
с
Логический высокий Вход, любое напряжение …………. 2,4 В по VDD
с
Низкий ток питания с логическим входом «1» … 450
мкА
с
Низкое выходное сопротивление ……………………………… 2,5
Ом
с
Размах выходного напряжения в пределах 25 мВ заземления
или VDD
ПРИМЕНЕНИЯ
с
Импульсные источники питания
с
Элементы управления двигателем
с
Драйвер импульсного трансформатора
с
000
9000 Коммутационный усилитель Подключен
к VDD
8-контактный DIP
TO-220-5
TC4420
TC4429
8-контактный SOIC
НЕТ TE: Для правильной работы должны быть подключены одинаковые контакты
.
18
27
36
45
ЗЕМЛЯ
ЗЕМЛЯ
NC
ВХОД
VDD
ВЫХОД
ВЫХОД
000
000 GND
GND
NC
INPUT
VDD
OUTPUT
OUTPUT
VDD
TC4420
TC4429
TC4420
000 5002000
000
0003000
000
000
000
000
000
000
000
000
000
000
000
ВХОД
C = 38 пФ
VDD
300 мВ
TC4429
TC4420
4.7V
TC4420 / 9-6 10/18/96
ОБЩЕЕ ОПИСАНИЕ
TC4420 / 4429 — это драйверы MOSFET
с одним выходом, 6 А (пик). TC4429 — это инвертирующий драйвер (
, совместимый с TC429), а TC4420 — неинвертирующий драйвер.
Эти драйверы изготовлены в КМОП-матрице для снижения энергопотребления и повышения эффективности работы
по сравнению с биполярными драйверами.
Оба устройства имеют TTL-совместимые входы, которые могут иметь
, управляемые до VDD + 0.3 В или ниже — 5 В без сбоев
или повреждения устройства. Это устраняет необходимость в схеме внешнего сдвига уровня
и связанной с этим стоимости и размера
. Размах выходного сигнала является линейным, что обеспечивает лучший запас по напряжению привода
, особенно во время последовательного включения / выключения питания
. Время задержки распространения составляет всего 55 нс (тип.)
, а время нарастания и спада на выходе составляет всего 25 нс (тип.) До
2500 пФ во всем используемом диапазоне источника питания.
В отличие от других драйверов, TC4420 / 4429 практически защищен от защелкивания
. Они заменяют три или более дискретных компонента, сохраняя площадь печатной платы, детали и улучшая общую систему.
Техническое описание TC4420 — TC4420 / 4429 — 6A (пик), полевой МОП-транзистор с одним выходом
CS3865C : Контроллеры PWM текущего режима. Высокопроизводительный двухканальный контроллер текущего режима с включенной функцией.
HIP6008 : Широтно-импульсный модулятор Buck. Контроллер широтно-импульсного модулятора (ШИМ) Бакка и монитор выходного напряжения HIP6008 обеспечивает полный контроль и защиту преобразователя постоянного тока, оптимизированного для высокопроизводительных микропроцессорных приложений.Он предназначен для управления N-канальным MOSFET в стандартной понижающей топологии. HIP6008 объединяет все функции управления, настройки вывода и мониторинга.
LTC3407-2 : Двойной синхронный, 800 мА, понижающий преобразователь постоянного / постоянного тока 2,25 МГц LTC3407-2 представляет собой сдвоенный синхронный понижающий преобразователь постоянного / постоянного тока с постоянной частотой. Предназначенный для приложений с низким энергопотреблением, он работает в диапазоне входного напряжения от 2,5 В до 5,5 В и имеет постоянную частоту переключения 2,25 МГц, что позволяет использовать крошечные недорогие конденсаторы и катушки индуктивности с профилем.
LTC4054L : Линейные зарядные устройства. LTC4054L, автономное линейное зарядное устройство для литий-ионных аккумуляторов 150 мА с терморегулятором в Thinsot.
MAX1793 : Линейный регулятор с малым падением напряжения, низким IQ, 1 А. Линейный стабилизатор с малым падением напряжения (LDO) MAX1793 работает от напряжения до +5,5 В и обеспечивает гарантированный ток нагрузки 1 А с низким падением напряжения 210 мВ. Выходное напряжение с высокой точностью (1%) предварительно устанавливается на внутреннем подстроечном напряжении (см. Информацию для заказа) или может быть отрегулировано от до 5.0В с внешним резистивным делителем. Внутренний проходной транзистор PMOS позволяет.
MC33163DWR2 : Преобразователи. Мульти-топология, пакетный режим, 50 кГц, регулятор напряжения с переключателем 40 В / 3 А, корпус: Soic, контакты = 16.
MC33761SNT1-25 : Сверхмалошумящий стабилизатор напряжения с малым падением напряжения с контролем включения / выключения 1 В. Сверхмалошумящий стабилизатор напряжения с малым падением напряжения с управлением ВКЛ / ВЫКЛ 1 В Это стабилизатор с малым падением напряжения (LDO) с превосходными шумовыми характеристиками. Благодаря своей инновационной концепции схема достигает невероятного уровня шума 40 В (среднеквадратичное значение) без внешнего байпасного конденсатора.Размещенный в небольшом корпусе, напоминающем 5 выводов SOT23, он представляет собой идеального дизайнера.
MPIC2112 : Драйвер верхней и нижней стороны. Это высоковольтный, высокоскоростной, мощный драйвер MOSFET и IGBT с независимыми выходными каналами со стороны высокого и низкого уровня. Запатентованные технологии HVIC и CMOS с защитой от защелок позволяют создавать прочную монолитную конструкцию. Логические входы совместимы со стандартными выходами CMOS или LSTTL. Выходные драйверы имеют буферный каскад с высоким импульсным током.
PT4801 :. Изолированный преобразователь постоянного тока в постоянный ток 25 Вт с тройным выходом для приложений DSL Тройные выходы DSL: + 3,3 В, + 1,5 В (с независимой регулировкой) Диапазон входного напряжения: 75 В 1500 В постоянного тока Изоляция Вкл. / Выкл. «Ожидание» Ограничение тока управления Защита от короткого замыкания ) Работа с фиксированной частотой Отключение при перегреве Блокировка при пониженном напряжении Пакет для экономии места: Площадь печатной платы 1,6 кв. Дюйма.
PT5542A : Подключаемые блоки питания-> Неизолированные-> Однопозиционные. ti PT5542, 15 В 0.75A, повышающий входной сигнал 5 В (Boost) Isr.
PT6981 : Преобразователи постоянного тока в постоянный без изоляции. Идеальный источник питания для DSP Входные выходы 12 В Регулируемое дистанционное зондирование и Vo2) Функция ожидания Мягкий пуск Внутренняя последовательная защита от короткого замыкания 23-контактный компактный корпус Паяемый медный корпус Силовые модули серии PT6980 ExcaliburTM представляют собой интегрированные импульсные стабилизаторы с двумя выходами (ISR) специально разработан для питания ИС со смешанными сигналами.
TA78L020AP : Трехконтактные положительные регуляторы.
TPIC6596DW : Управление и мониторинг-> Power + Logic. ti TPIC6596, 8-битный регистр сдвига.
TPS1110D : переключатели PMOS. ti TPS1110, одиночный P-канальный МОП-транзистор логического уровня. Низкое rDS (включено). 65 м Тип при VGS 4,5 В Допустимый высокий ток A при VGS 4,5 В привод затвора логического уровня (совместим с 3 В) VGS (th) 0,9 В Макс. Низкий ток утечки сток-источник 100 нА От 75 ° C при быстром переключении VDS. 5,8 нс Тип td (вкл.) Компактный силовой агрегат для поверхностного монтажа Это одиночный силовой МОП-транзистор с P-канальным расширением с низким rDS (вкл.).Устройство.
TPS767D318PWP : ti TPS767D318, Стабилизаторы напряжения с малым падением напряжения (LDO) с двумя выходами. Области применения Диапазон выходного тока 1,0 А на регулятор 3,3 В / 2,5 В, 3,3 / 1,8 В и 3,3 В / Регулируемый выход Быстрая переходная характеристика 2% Допуск при перегрузке и перепаде температуры Обычно 1 А Сверхнизкое 85 Типичный ток покоя 1 А Ток покоя во время отключения Двойной открытый сток Сброс при включении питания с задержкой 200 мс для каждого регулятора 28-контактный.
UC3827DW-1 : Текущий режим.ti UC3827-1, Двухтактные ШИМ-контроллеры с понижающим током / напряжением.
VUO28 : Трехфазный выпрямительный мост Eco-pac ™. Условия испытаний = 100C, модуль TVJ = 0 TVJ = TVJM мс (50 Гц), синус мс (60 Гц), синус мс (50 Гц), синус мс (60 Гц), синус мс (50 Гц), синус мс (60 Гц). Гц), синусоидальный мс (50 Гц), синусоидальный мс (60 Гц), синусоидальный Пакет с Д керамической плиты основания напряжения изоляции 3000 в ~ Planar пассивируются чипы Низкого прямого падение напряжения потенциальных пригодный для пайки печатной платы Применения Supplies.
SRDB-07A500 : НЕИЗОЛИРОВАННЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА Модули Bel SRDB-07A представляют собой серию неизолированных понижающих преобразователей постоянного тока в постоянный, которые работают от номинального источника 12 В. Эти преобразователи доступны в диапазоне выходных напряжений от 1,2 В до 5,0 В. Они упакованы в компактный низкопрофильный корпус DIP для поверхностного монтажа, что упрощает компоновку и позволяет сэкономить место. Максимум 7А.
XC6224 : Серия XC6224 представляет собой высокоскоростной стабилизатор LDO с высокой точностью, низким уровнем шума, высоким уровнем подавления пульсаций, низким падением напряжения и низким энергопотреблением.Серия состоит из опорного напряжения, ошибки усилителя, водитель Transistor, ограничитель тока, а фаза схемы компенсации. Эта ИС подходит для локального источника питания, размещенного рядом с системой.
XRP6668 : Двухканальный синхронный понижающий стабилизатор на 1,5 МГц, 1A / 1A XRP6668 — это двухканальный понижающий (понижающий) преобразователь PWM в синхронном режиме тока, способный выдавать ток до 1 А на канал и оптимизированный для портативных аккумуляторов. управляемые операции.Основываясь на схеме управления ШИМ с постоянной частотой 1,5 МГц в текущем режиме, устройства уменьшают общую мощность.
TC4420 / TC A Драйверы высокоскоростных полевых МОП-транзисторов. Общее описание. Характеристики. Приложения. Типы упаковки (1)
1 6A Высокоскоростные драйверы MOSFET с защитой от взлома: выдерживают> 1.Обратный выходной ток 5A Входной сигнал ogic выдерживает отрицательные колебания до 5 В Защита от электростатического разряда: 4 кВ Согласованное время нарастания и спада: — 25 нс (нагрузка 2500 пФ) Высокий пиковый выходной ток: 6 А Рабочий диапазон входного напряжения питания: — от 4,5 В до 18 В Высокая емкостная нагрузка. Емкость привода: 10 000 пФ. Короткое время задержки: 55 нс (тип.) CMOS / TT-совместимый входной поток Потребляемый ток с входом ogic 1: входной сигнал μa (тип.) Выходное сопротивление: 2,5 Ом Выходное напряжение колебания с точностью до 25 мВ Заземление или V DD Компактные 8-контактные SOIC и 8-контактные блоки DFN 6×5 Общее описание TC4420 / TC4429 представляют собой драйверы MOSFET с одним выходом на 6 А (пик).TC4429 — это инвертирующий драйвер (совместимый по выводам с TC429), а TC4420 — неинвертирующий драйвер. Эти драйверы изготовлены в КМОП-матрице для снижения энергопотребления и повышения эффективности работы по сравнению с биполярными драйверами. Оба устройства имеют TT / CMOS-совместимые входы, на которые можно подавать напряжение до V DD + 0,3 В или до 5 В без нарушения работы или повреждения устройства. Это устраняет необходимость во внешней схеме смещения уровня и связанных с этим затрат и размеров. Размах выходного сигнала является линейным, что обеспечивает лучший запас по напряжению привода, особенно при последовательном включении / выключении питания.Время задержки распространения составляет всего 55 нс (тип.), А время нарастания и спада на выходе составляет всего 25 нс (тип.) При 2500 пФ во всем используемом диапазоне источника питания. В отличие от других драйверов, TC4420 / TC4429 практически защищены от защелкивания. Они заменяют три или более дискретных компонента, экономя площадь печатной платы, детали и повышая общую надежность системы. Области применения Импульсные источники питания Управление двигателем Импульсный трансформатор Драйвер Класс D Импульсные усилители Типы корпусов (1) 8-контактный CERDIP / PDIP / SOIC V DD INPUT NC GND TC4420 TC TC4420 TC4429 V DD V DD OUTPUT OUTPUT OUTPUT GND GND V DD INPUT NC GND 1 8-контактный DFN (2) 8 2 TC TC TC4420 TC4429 V DD V DD ВЫХОД ВЫХОД ВЫХОД ВЫХОД ЗАЗЕМЛЕНИЕ 5-контактный заземление TO-220 TC4420 TC4429 Вкладка является общей для V DD Примечание 1: дублирующиеся контакты должны быть подключены для правильная работа.2: Открытая площадка корпуса DFN электрически изолирована. ВХОД GND V DD GND ВЫХОД 2004 Microchip Technology Inc. DS21419C-page 1
2 Функциональная блок-схема 500 мкА TC4429 Инвертирующий V DD 300 мВ Выходной вход 4,7 В TC4420 Неинвертирующий GND Эффективный вход C = 38 пФ DS21419C-страница Microchip Technology Inc.
3 1.0 EECTRICA ХАРАКТЕРИСТИКИ Абсолютные максимальные номинальные значения Напряжение питания … +20 В Входное напряжение … от 5 В до В DD + 0,3 В Входной ток (В IN> В DD) ma Рассеиваемая мощность (TA 70 C) 5-контактный разъем TO W CERDIP mw DFN …… Примечание 2 PDIP мВт SOIC мВт Рассеиваемая мощность корпуса (TA 25 C) 5-контактный TO-220 (с радиатором) Вт Тепловое сопротивление (к корпусу) 5-контактный TO-220 R θj-c … 10 C / W Напряжения, превышающие указанные в разделе «Абсолютные максимальные значения», могут привести к необратимому повреждению устройства. Это только номинальные нагрузки, и функциональная работа устройства при этих или любых других условиях, превышающих указанные в рабочих разделах спецификаций, не подразумевается.Воздействие условий абсолютного максимума рейтинга в течение длительного времени может повлиять на надежность устройства. ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОСТОЯННОГО ТОКА Электрические характеристики: Если не указано иное, T A = +25 C при 4,5 В DD 18 В. Параметры Сим Мин Тип Макс Единицы Условия Вход ogic 1, High Input V IH V Voltage ogic 0, ow Входное напряжение VIV Диапазон входного напряжения V IN 5 В DD +0,3 В Входной ток I IN µa 0V V IN V DD Выходное высокое выходное напряжение V OH V DD V DC TEST ow Выходное напряжение VOV DC TEST Выходное сопротивление, высокое R OH Ω I OUT = 10 мА, V DD = 18 В Выходное сопротивление, ow RO Ω I OUT = 10 мА, V DD = 18 В Пиковый выходной ток I PK 6.0 AV DD = 18 В Защита при повышении I REV> 1,5 A Рабочий цикл 2%, t 300 мкс Время переключения выдерживаемого обратного тока (Примечание 1) Время нарастания t R нс Рисунок 4-1, C = 2500 пФ Время спада t F нс Рисунок 4-1, C = 2500 пФ Время задержки t D нс Рисунок 4-1 Время задержки t D нс Рисунок 4-1 Ток источника питания IS мА µa V IN = 3V V IN = 0V Рабочее входное напряжение V DD V Примечание 1: Время переключения обеспечивается конструкцией. 2: Рассеиваемая мощность корпуса зависит от площади медной площадки на печатной плате Microchip Technology Inc.DS21419C-стр. 3
4 ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОСТОЯННОГО ТОКА (ПРЕВЫШЕНИЕ ДИАПАЗОНА РАБОЧИХ ТЕМПЕРАТУР) Электрические характеристики: Если не указано иное, превышение рабочего диапазона температур с 4,5 В В DD 18 В. Параметры Сим Мин Тип Макс Единицы Условия Вход ogic 1, High Input V IH 2,4 V Voltage ogic 0, ow Входное напряжение VI 0,8 V Диапазон входного напряжения V IN 5 В DD V Входной ток I IN µa 0V V IN V DD Выходное высокое выходное напряжение V OH V DD V DC TEST ow Выходное напряжение VOV DC TEST Выходное сопротивление, высокое R OH 3 5 Ом I OUT = 10 мА, V DD = 18 В Выходное сопротивление, поток RO Ω I OUT = 10 мА, V DD = 18 В Время переключения (Примечание 1) Время нарастания t R нс Рисунок 4-1, C = 2500 пФ Время спада t F нс Рисунок 4-1, C = 2500 пФ Время задержки t D нс Рисунок 4-1 Время задержки t D нс Рисунок 4-1 Источник питания Ток источника питания ЯВЛЯЕТСЯ ТЕМПЕРАТУРНЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ Рабочее входное напряжение, В DD В Примечание 1: Время переключения обеспечивается конструкцией.ma µa V IN = 3V V IN = 0V Электрические характеристики: Если не указано иное, все параметры применимы для 4.5V V DD 18V. Параметры Сим Мин Тип Макс Единицы Условия Температурные диапазоны Заданный диапазон температур (C) Заданный диапазон температур TAC (I) Заданный диапазон температур TAC (E) Заданный диапазон температур TAC (В) Максимальная температура перехода TAC TJ +150 C Диапазон температур хранения TAC Термоупаковка Сопротивления Тепловое сопротивление, 5-TO-220 θ JA 71 C / W Тепловое сопротивление, 8-CERDIP θ JA 150 C / W Тепловое сопротивление, 8-6×5 DFN θ JA 33.2 C / W Типичная четырехслойная плата с переходными отверстиями на землю. Тепловое сопротивление, 8-PDIP θ JA 125 C / W Тепловое сопротивление, 8-SOIC θ JA 155 C / W DS21419C-page Microchip Technology Inc.
5 2.0 TYPICA ХАРАКТЕРИСТИКИ Примечание. Графики и таблицы, представленные после этого примечания, представляют собой статистическую сводку, основанную на ограниченном количестве образцов и предоставлены только для информационных целей.Перечисленные здесь рабочие характеристики не проверяются и не гарантируются. На некоторых графиках или таблицах представленные данные могут выходить за пределы указанного рабочего диапазона (например, за пределы указанного диапазона электропитания) и, следовательно, за пределами гарантированного диапазона. Примечание: Если не указано иное, TA = +25 C с 4.5VV DD 18V Время (нс) C = 10000 пФ C = 4700 пФ Время (нс) C = 10000 пФ C = 4700 пф 20 C = 2200 пф 20 C = 2200 пФ Напряжение питания (В) Напряжение питания (В) РИСУНОК 2-1: Напряжение. Время нарастания в зависимости от источника питания РИСУНОК 2-4: Напряжение.Время спада в зависимости от времени подачи питания (нс) V DD = 5 В V DD = 12 В V DD = 18 В Время (нс) V DD = 5 В V DD = 12 В В DD = 18 В, 000 Емкостная нагрузка (pf), 000 Емкостная нагрузка (pf ) РИСУНОК 2-2. Время нарастания в зависимости от емкости РИС. 2-5: нагрузка. Время спада в зависимости от емкостной задержки (нс) C = 2200 пФ V DD = 18 В t D2 t DTA (C) Ток питания (мА) V DD = 15 В 500 кГц 200 кГц 20 кГц, 000 Емкостная нагрузка (пФ) РИСУНОК 2- 3: Температура. Время задержки распространения в зависимости от РИСУНОК 2-6: Емкостная нагрузка. Ток питания против Microchip Technology Inc.DS21419C-стр. 5
6 Примечание: Если не указано иное, T A = +25 C при 4,5 В DD 18 В. Время (нс) C = 2200 пФ В DD = 18 В tfa t RISE R OUT (Ом) ма 100 ма 50 ма T A (C) Напряжение питания (В) РИСУНОК 2-7: Температура. Время нарастания и спада в зависимости от РИСУНОК 2-10: Сопротивление на выходе в высоком состоянии в зависимости от напряжения питания oad = 2200 пФ Время задержки (нс) t D2 t D1 Время задержки (нс) Вход 2.Вход 4 В Вход 3 В Вход 5 В Напряжение питания 8 В и 10 В (В) В DD (В) РИСУНОК 2-8: Напряжение питания. Время задержки распространения в зависимости от РИСУНОК 2-11: Задержка распространения. Влияние входной амплитуды на 1000 C = 2200 пФ 18 В 2.5 Ток питания (ма) В 5 В R OUT (Ом) ма 50 ма 10 ма, 000 Частота (кгц) Напряжение питания (В) РИСУНОК 2-9: Частота. Ток питания в зависимости от РИС. 2-12: Выходное сопротивление в текущем состоянии в зависимости от напряжения питания. DS21419C-страница Microchip Technology Inc.
7 Примечание: Если не указано иное, T A = +25 C с 4.5В В ДД 18В. 4 Площадь кроссовера (A S) x напряжение питания (В). Значения на этом графике представляют потери, наблюдаемые драйвером в течение одного полного цикла. Для одиночного перехода разделите значение на 2. РИСУНОК 2-13: Crossover Energy Microchip Technology Inc. DS21419C-page 7
8 3.0 ОПИСАНИЕ КОНТАКТОВ Описание контактов приведено в Таблице 3-1. ТАБЛИЦА 3-1: ТАБЛИЦА НАЗНАЧЕНИЯ ПИН.8-контактный CERDIP / PDIP / SOIC № контакта 8-контактный DFN № контакта 5-контактный TO-220 Символ Описание 1 1 В DD Вход питания, от 4,5 В до 18 В ВХОД Управляющий вход, TT / CMOS-совместимый вход 3 3 NC Нет Подключение GND Земля GND Земля ВЫХОД Двухтактный выход CMOS 7 7 ВЫХОД Двухтактный выход CMOS V DD Вход питания, от 4,5 В до 18 В PAD NC Открытая металлическая площадка TAB V DD Металлическая пластина находится на уровне V DD Потенциал 3.1 Вход питания (V DD ) Вход V DD является источником смещения для драйвера MOSFET и рассчитан на напряжение от 4,5 В до 18 В относительно контактов заземления.Вход V DD должен быть соединен с землей с помощью местного керамического конденсатора. Емкость конденсатора следует выбирать в зависимости от управляемой емкостной нагрузки. Рекомендуется минимальное значение 1,0 мкФ. 3.2 Управляющий вход Вход драйвера MOSFET — это вход с высоким сопротивлением, совместимый с TT / CMOS. Входная схема драйвера MOSFET TC4420 / TC4429 также имеет конденсатор ускорения. Это помогает уменьшить время задержки распространения драйвера. Из-за этого не следует использовать входные сигналы с медленными нарастающими или спадающими фронтами, так как это может привести к двойным импульсам на выходе драйвера MOSFET.3.3 Двухтактный выход CMOS Выход драйвера MOSFET представляет собой двухтактный КМОП-выход с низким импедансом, способный управлять емкостной нагрузкой с пиковыми токами 6,0 А. Выход драйвера MOSFET способен выдерживать пиковые обратные токи 1,5 А любой полярности. 3.4 Земля Контакты заземления — это обратный путь для тока смещения и высоких пиковых токов, разряжающих нагрузочный конденсатор. Контакты заземления должны быть связаны с заземляющей пластиной или иметь очень короткие дорожки для возврата источника питания смещения.3.5 Открытая металлическая площадка Открытая металлическая площадка корпуса DFN 6×5 внутренне не подключена к какому-либо потенциалу. Следовательно, эту площадку можно подключить к заземляющей пластине или другой медной пластине на печатной плате (PCB), чтобы способствовать отводу тепла от корпуса. DS21419C-страница Microchip Technology Inc.
9 4.0 ИНФОРМАЦИЯ О ПРИЛОЖЕНИЯХ 0,1 мкФ Вход V DD = 18 В Вход: 100 кгц, прямоугольная волна, t RISE = t FA 10 нс 0.1 мкФ 4,7 мкФ Выход + 5 В Вход + 18 В Выход 0 В + 5 В C = 2,500 пФ Вход + 18 В Выход 10% 10% Примечание. Показанная распиновка предназначена для пакетов PDIP, SOIC, DFN и CERDIP. 0V 0V 0V t D1 90% t F 10% Инвертирующий драйвер TC4429 t 90% D1 t R Неинвертирующий драйвер TC4420 t D2 90% t D2 90% t R 10% 10% 10% 90% 90% t F РИСУНОК 4- 1: Испытательные схемы времени переключения Microchip Technology Inc. DS21419C-page 9
10 5.0 ИНФОРМАЦИЯ ОБ УПАКОВКЕ 5.1 Информация о маркировке на упаковке 5-ead TO-220 Пример: XXXXXXXXX XXXXXXXXX YYWWNNN TC4420CAT ead CERDIP (300 мил) Пример: XXXXXXXX XXXXXNNN YYWW TC4420 MJA ead DFN Пример: XXXXXN XXW TC4420 MJA ead DFN Пример: XXXXX N XXXX конкретная информация * YY Код года (последние 2 цифры календарного года) WW Код недели (неделя 1 января — неделя 01) NNN Буквенно-цифровой код отслеживания Примечание: если полный номер детали микрочипа не может быть отмечен в одной строке, он будет переносится на следующую строку, тем самым ограничивая количество доступных символов для информации о клиенте.* Стандартная маркировка OTP состоит из номера детали микрочипа, кода года, кода недели и кода отслеживания. DS21419C-страница Microchip Technology Inc.
11 Информация о маркировке упаковки (продолжение) 8-ead PDIP (300 мил) Пример: XXXXXXXX XXXXXNNN YYWW TC4420 CPA ead SOIC (150 мил) Пример: XXXXXXXX XXXXYYWW NNN TC4420 EOA Microchip Technology Inc. DS21419C-стр. 11
12 5-контактный пластиковый контур транзистора (AT) (TO-220) h2 Q b e1 e e3 E ШТИФТ ЭЖЕКТОРА ØP a (5X) J1 C1 D A F * Примечания к управляющим параметрам: Размеры D и E1 не включают заусенцев или выступов формы.Выступы или выступы пресс-формы не должны превышать 0,254 мм с каждой стороны. Эквивалент JEDEC: Номер чертежа TO-220 Единицы ДЮЙМЫ * МИМЕТРЫ Размер имитирует МИН МАКС МИН МАКС шаг шага e Общие центры точки e Расстояние между ребрами e Общая высота A Общая ширина E Общая длина D Ширина флажка H Толщина флажка F Центр сквозного отверстия Q Диаметр отверстия между выступом от основания до нижней части выступа Толщина выступа Ширина выступа b Угол уклона формы a DS21419C-страница Microchip Technology Inc.
13 8-сторонняя керамическая двойная линия 300 мил (JA) (CERDIP) E1 2 n 1 DE A2 A c eb B1 A1 B p Единицы измерения Кол-во штифтов n Шаг p От верха к плоскости сиденья A Стойка A1 плечом к плечу Ширина E Керамика Уп.Ширина E1 Общая длина D Толщина выступа от края до плоскости посадки c Ширина верхнего выступа B1 Ширина выступа B Общее расстояние между рядами eb * Управляющий параметр Эквивалент JEDEC: MS-030 Номер чертежа C МИН. ДЮЙМЫ * НОМ. DS21419C-стр. 13
14 8-сторонний пластиковый двойной плоский корпус (MF), корпус 6×5 мм (DFN-S), пила с изоляцией DS21419C-page Microchip Technology Inc.
15 8-контактный пластиковый двойной ряд (PA) 300 мил (PDIP) E1 2 D n 1 α EA A2 c A1 β eb B1 B p Единицы ДЮЙМЫ * МИМЕТРЫ Размер imits МИН. НОМ. МАКС. МИН. НОМ. Макс. Количество контактов n 8 8 Шаг p От верха к плоскости сиденья A Толщина формованного пакета От основания до плоскости сиденья A Ширина от плеча до плеча E Ширина формованного пакета E Общая длина D От наконечника до плоскости сиденья Толщина выступа c Ширина верхнего края корпуса Ширина выступа B Общее расстояние между рядами eb Черновик формы Угол Вверху α Угол уклона формы Вниз β * Контрольный параметр Важные характеристики Примечания: Размеры D и E1 не включают заусенцев или выступов формы.Выступы или выступы пресс-формы не должны превышать 010 (0,254 мм) с каждой стороны. Эквивалент JEDEC: MS-001 Чертеж № C Microchip Technology Inc. DS21419C-стр. 15
16 8-гранный пластиковый малый контур (OA) Узкий, 150 мил (SOIC) E E1 p 2 DB n 1 45 h α c A A2 φ β A1 Единицы ДЮЙМЫ * МИМЕТРЫ 8 8 Шаг p Общая высота A Толщина формованного пакета A Ступень A Общая ширина E Ширина формованного пакета E Общая длина D Расстояние фаски h Длина опоры Угол опоры φ ead Толщина c ead Ширина B Угол уклона формы Вверху α Угол уклона формы Низ β * Управляющий параметр Важные примечания к характеристикам: Размеры D и E1 не включают заусенцев или выступов формы.Выступы или выступы пресс-формы не должны превышать 010 (0,254 мм) с каждой стороны. Эквивалент JEDEC: MS-012 чертеж № C DS21419C-страница Microchip Technology Inc.
17 СИСТЕМА ИДЕНТИФИКАЦИИ ИЗДЕЛИЯ Чтобы заказать или получить информацию, например, о ценах или доставке, обратитесь на завод или в указанный офис продаж. ЧАСТЬ № X XX Диапазон температур устройства Пакет XXX Лента и катушка Устройство: TC4420: Драйвер высокоскоростного полевого МОП-транзистора на 6 А, неинвертирующий TC4429: Драйвер высокоскоростного полевого МОП-транзистора на 6 А, диапазон температур инвертирования: C = от 0 C до +70 C (PDIP, SOIC, и только TO-220) I = от -25 C до +85 C (только CERDIP) E = от -40 C до +85 CV = от -40 C до +125 C Корпус: AT = TO-220, 5-выводный (C- Только для температуры) JA = керамический двойной рядный (корпус 300 мил), 8-выводный (только I-Temp) MF = двойной, плоский, без наконечника (корпус 6×5 мм), 8-выводный MF713 = двойной, плоский, нет -головок (корпус 6X5 мм), 8-выводный (лента и катушка) PA = пластиковый DIP (корпус 300 мил), 8-выводной OA = пластик SOIC, (корпус 150 мил), 8-выводный OA713 = пластик SOIC, (150 mil Body), 8-выводный (лента и катушка) PB Free G = устройство без электронных наушников * = Пусто * Доступно в выбранных упаковках.Свяжитесь с вашим местным торговым представителем для получения информации о наличии X PB Бесплатные примеры: a) TC4420CAT: драйвер высокоскоростного полевого МОП-транзистора на 6 А, неинвертирующий, в корпусе TO-220, от 0 до +70 С. b) TC4420EOA: драйвер высокоскоростного полевого МОП-транзистора на 6 А, Неинвертирующий, корпус SOIC, от -40 ° C до +85 ° C c) TC4420VMF: драйвер высокоскоростного полевого МОП-транзистора на 6 A, неинвертирующий, корпус DFN, от -40 ° C до +125 ° C. A) TC4429CAT: высокоскоростной полевой МОП-транзистор на 6 A Драйвер, инвертирующий, корпус TO-220, от 0 ° C до +70 ° C b) TC4429EPA: драйвер высокоскоростного полевого МОП-транзистора на 6 А, инвертирование, пакет PDIP, от -40 ° C до +85 ° C c) TC4429VMF: драйвер высокоскоростного полевого МОП-транзистора на 6 A, инвертирующий , Пакет DFN, от -40 C до +125 C Таблицы данных о продажах и поддержке Продукты, поддерживаемые предварительными техническими данными, могут иметь список исправлений с описанием незначительных эксплуатационных отличий и рекомендуемых обходных путей.Чтобы определить, существует ли список исправлений для конкретного устройства, обратитесь в один из следующих источников: 1. Ваш местный офис продаж Microchip 2. Корпоративный итерационный центр Microchip Факс в США: (480) Всемирный сайт Microchip (укажите, какое устройство, версия кремния и лист данных (включая номер итерации), которые вы используете. Система уведомлений клиентов Зарегистрируйтесь на нашем веб-сайте (чтобы получать самую последнюю информацию о наших продуктах Microchip Technology Inc. DS21419C-page 17
18 ПРИМЕЧАНИЯ: DS21419C-страница Microchip Technology Inc.
19 Обратите внимание на следующие детали функции защиты кода на устройствах Microchip: Продукция Microchip соответствует спецификациям, содержащимся в их конкретном листе данных Microchip. Microchip считает, что это семейство продуктов является одним из самых безопасных на рынке сегодня, если используется по назначению и в нормальных условиях. Существуют нечестные и, возможно, незаконные методы нарушения функции защиты кода.Все эти методы, насколько нам известно, требуют использования продуктов Microchip способом, выходящим за рамки рабочих характеристик, содержащихся в технических паспортах Microchip. Скорее всего, это лицо занимается хищением интеллектуальной собственности. Microchip готов работать с заказчиком, который обеспокоен целостностью своего кода. Ни Microchip, ни другие производители полупроводников не могут гарантировать безопасность своего кода. Кодовая защита не означает, что мы гарантируем целостность продукта.Защита кода постоянно развивается. Мы в Microchip стремимся постоянно улучшать функции защиты кода наших продуктов. Попытки взломать функцию защиты кода Microchip могут быть нарушением Закона об авторском праве в цифровую эпоху. Если такие действия допускают несанкционированный доступ к вашему программному обеспечению или другой работе, защищенной авторским правом, вы можете иметь право подать иск о компенсации в соответствии с этим Законом. Информация, содержащаяся в этой публикации о приложениях для устройств и т.п., предназначена только для предположений и может быть заменена обновлениями.Вы несете ответственность за то, чтобы ваше приложение соответствовало вашим спецификациям. Компания Microchip Technology Incorporated не предоставляет никаких заверений или гарантий и не принимает на себя никаких обязательств в отношении точности или использования такой информации или нарушения патентов или других прав интеллектуальной собственности, возникающих в результате такого использования или иным образом. Использование продуктов Microchip в качестве критически важных компонентов в системах жизнеобеспечения не разрешается, кроме как с письменного разрешения Microchip. Никакие лицензии не передаются, косвенно или иным образом, в рамках каких-либо прав интеллектуальной собственности.Товарные знаки Название и логотип Microchip, логотип Microchip, Accuron, dspic, KEEOQ, microid, MPAB, PIC, PICmicro, PICSTART, PRO MATE, PowerSmart, rfpic и SmartShunt являются зарегистрированными товарными знаками Microchip Technology Incorporated в США и других странах. Ampab, Filterab, MXDEV, MXAB, PICMASTER, SEEVA, SmartSensor и The Embedded Control Solutions Company являются зарегистрированными товарными знаками компании Microchip Technology Incorporated в США Analog-for-the-Digital Age, Application Maestro, dspicdem, dspicdem.net, dspicworks, ECAN, ECONOMONITOR, FanSense, FlexROM, fuzzyab, последовательное программирование в цепи, ICSP, ICEPIC, переносимая память, MPASM, MPIB, MPINK, MPSIM, PICkit, PICDEM, PICDEM.net, PICAB, PICtail, PowerCal, PowerCal, PowerCal , PowerMate, PowerTool, rfab, rfpicdem, Select Mode, Smart Serial, SmartTel и Total Endurance являются товарными знаками Microchip Technology Incorporated в США и других странах. SQTP является знаком обслуживания Microchip Technology Incorporated в США. Все другие упомянутые здесь товарные знаки являются собственностью соответствующих компаний.2004, Microchip Technology Incorporated, Отпечатано в США, Все права защищены. Отпечатано на бумаге из вторсырья. Microchip получила сертификат системы качества ISO / TS-16949: 2002 для своей штаб-квартиры по всему миру, проектирования и производства пластин в Чандлере и Темпе, Аризона и Маунтин-Вью, Калифорния, в октябре. Микроконтроллеры, устройства переключения кода KEEOQ, последовательные EEPROM, микропериферийные устройства, энергонезависимая память и аналоговые продукты.Кроме того, система качества Microchip для проектирования и производства систем разработки сертифицирована по стандарту ISO 9001: 2000 Microchip Technology Inc. DS21419C-page 19
20 WORDWIDE SAES AND SERVICE AMERICAS Корпоративный офис 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Тел .: Факс: Техническая поддержка: Веб-адрес: Atlanta Alpharetta, GA Телефон: Факс: Boston Westford, MA Тел .: Факс: Chicago Itasca, I Тел .: Факс: Dallas Addison, TX Тел: Факс: Detroit Farmington Hills, MI Тел: Факс: Kokomo Kokomo, IN Тел: Факс: os Angeles Mission Viejo, CA Тел: Факс: San Jose Mountain View, CA Тел: Факс: Торонто Миссиссауга, Онтарио, Канада Тел: Факс: ASIA / PACIFIC Australia — Sydney Тел: Факс: Китай — Пекин Тел: Факс: Китай — Чэнду Тел: Факс: Китай — Фучжоу Тел: Факс: Китай — САР Гонконг Тел: Факс: Китай — Шанхай Тел: Факс: Китай — Шэньчжэнь Тел .: Факс: Китай — Шунде Тел. : Факс: Китай — Циндао Тел .: Факс: АЗИЯ / ТИХООКЕАНСКИЙ РЕГИОН Индия — Бангалор Тел .: Факс: Индия — Нью-Дели Тел .: Факс: Япония — Канагава Тел .: Факс: Корея — Сеул Тел .: Факс: или Сингапур Тел .: Факс: Тайвань — Гаосюн Тел .: Факс: Тайвань — Тайбэй Тел .: Факс: Тайвань — Синьчжу Тел .: Факс: ЕВРОПА Австрия — Вайс Тел .: Факс: Дания — Баллеруп Тел: Факс: Франция — Масси Тел: Факс: Германия — Исманинг Тел .: Факс: Италия — Милан Тел .: Факс: Нидерланды — Drunen Тел .: Факс: Англия — Беркшир Тел .: Факс: / 24/04 DS21419C-page Microchip Technology Inc.
| SIT8008AC-22-33E-27.000000D | SiTIME, OSC MEMS 27,0000 МГц LVCMOS SMD, 4-SMD, без вывода, — | Посмотреть | |
| 2225J2000222GCT | Ноулз Сайфер, CAP CER 2225, -, — | Посмотреть | |
| AQ12EA2R4BAJWE | Корпорация AVX, CAP CER 2.4PF 150V 0606, 0606 (1616 метрическая система), — | Посмотреть | |
| ZR40401R50 | Diodes Incorporated, IC VREF SHUNT 5V TO92-3, TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), — | Посмотреть | |
| RM270 | TE Connectivity Переключатели ALCOSWITCH, SWITCH KEYLOCK 3 POS 6A 120V, -, — | Посмотреть | |
| ч 41210800000 г | Амфенол Anytek, ПРУЖИНА 750 ТБ 45D, -, — | Посмотреть | |
| 3-644101-6 | TE Connectivity AMP Connectors, CONN RCPT 6POS 24AWG MTA-100, -, — | Посмотреть | |
| CA06COMF22-14SB | ITT Cannon, LLC, CONN PLUG 19POS INLINE W / SKTS, -, — | Посмотреть | |
| 97-3106A28-19PZ-417 | Amphenol Industrial Operations, AB 10C 6 # 16, 4 # 12 КОНТАКТНЫЙ РАЗЪЕМ, -, — | Посмотреть | |
| GSM12DTBD-S189 | Sullins Connector Solutions, CONN EDGE DUAL FMALE 24POS 0.156, -, — | Посмотреть | |
| SI5345B-B05655-GM | Silicon Labs, IC CLK MULTIPLIER ATTENUATOR, -, — | Посмотреть | |
| SI5341B-D07249-GM | Silicon Labs, ГЕНЕРАТОР IC ЧАСОВ PLL 64QFN, -, — | Посмотреть |
ТК 4420
- Puanlama Sistemi
- Gizlilik ve Güvenlik
- İletişim
- Üye Ol
- Гириш Яп
- Facebook ile Bağlan
Sepetiniz boş!
Категория
-
АДАПТОР
ADAPTÖR
- ADAPTÖR JAKI
- АНАХТАР (ВКЛ-ВЫКЛ) EİTLERİ
- ARDUİNO
- БОБИН ЧЕШИТЛЕРИ
- DİREN
- ДИСПЛЕЙ
- DİYOT
- ENTEGRE
- ENTEGRE SOKETLERİ
- ФАН ЧЕЧИТЛЕРИ
- ПЛОСКОЕ КАБЛО
- IGBT
- КАБЛО ТЕРМИНАЛИ
- КЛЕМЕНС
- KOMBİ RÖLE
- КОМБИ ТРИМПОТЛАРИ
- КОМУТАТОР
- КОНДАНСАТОР
- КОННЕКТОР
- KRİSTAL EŞİTLERİ
- LDR EİTLERİ
- СВЕТОДИОД
- ЛЕХИМ ТЕЛИ — ПАСТА — ХАВЬЯ
- МИКРОКОНТРОЛЛЕР
- MOSFET EİTLERİ
- МУХТЕЛИФ МАЛЬЗЕМЕЛЬЕР
- NTC EİTLERİ
- OPTOCOUPLOR EİTLERİ
- PİL KONDANSATÖR FRT
- PİN HEADER
- ПОТАНСИЙОМЕТРЕ
- РОЛЬ
- SENSÖR EŞİTLERİ
- SİGORTA EŞİTLERİ VE YUVASI
- ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
- ТЕРМОСТАТ
- TRAFO
- TRANSİSTÖR
- TRİAC
- ТРИМПОТ
- TRİSTÖR
- ВАРИСТЁР ЧЕШИТЛЕРИ
- VOLTAJ REGÜLATÖRÜ
- Анасайфа
- Hakkımızda
- Toptan Satış
- Хаберлер
- Дуюрулар
- Карго Такип
- Teklif Formu
-
АДАПТОР
- ADAPTÖR JAKI
- ANAHTAR (ON-OFF) EŞİTLERİ
| Характеристики | Описания |
| Физические характеристики | |
| Размеры | 48 мм x 48 мм 95 мм |
| Класс защиты | NEMA 4X (IP65 спереди, IP20 сзади) |
| Установка | Стационарная установка |
| Температура хранения / эксплуатации | от -40 ° C до + 85 ° C / от 0 ° C до + 50 ° C |
| Влажность при хранении / эксплуатации | 90% макс.(Без конденсации) |
| Электрические характеристики | |
| Напряжение питания и мощность | 230 В перем. Тока (+% 15) 50/60 Гц. 1,5 ВА 115 В перем. Тока (+% 15) 50/60 Гц. 1,5 ВА 24 В переменного тока (+% 15) 50/60 Гц. 1,5 ВА 24 В перем. / Пост. Тока (+% 15, +% 10) 50/60 Гц. 1,5 ВА |
| Входы датчиков | J, K, R, S, T (IEC584.1) (ITS90) Выбирается из параметров PT-100 (IEC751) (ITS90) |
| Дополнительные входы датчиков | |
| Масштаб | Fe CuNi -200 ° C, 900 ° C NiCr Ni -200 ° C, 1300 ° C Pt13% Rh 0 ° C, 1700 ° C Pt10% Rh 0 ° C, 1700 ° C Cu CuNi -200 ° C, 400 ° C PT 100-200 ° C, 650 ° C PT 100-199.9 ° С, 650,0 ° С |
| Точность | ±% 0,25 полной шкалы для термопары и терморезистора |
| Выход | |
| Релейный выход | 5 А при 250 В перем.
|