Даташит 13003 транзистор: Страница не найдена — СхемаТок

alexxlab

Содержание

Транзистор 13003: характеристики, цоколевка, отечественные аналоги

13003 — кремниевый, со структрурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных и высоковольтных переключений, общепромышленного применения.

Основной материал представлен на основе характеристик транзистора MJE13003-P, выпускаемого в нескольких конструктивных исполнений: в корпусах TO-92 (NL), TO-126 (C/S), TO-251, TO-252.

Корпус и цоколевка

Выводы:

  • TO-92(NL) – 1 Эмиттер, 2 Коллектор, 3 База.
  • TO126(C/S), TO-251/252 – 1 База, 2 Коллектор, 3 Эмиттер.

Предназначение

Прибор разработан для высоковольтных и высокоскоростных силовых переключений в индуктивных цепях, где критичной является величина времени спадания импульса коллекторного тока. Эти транзисторы хорошо подходят для работы в ключевых режимах в цепях 115 и 220 В.

Области применения

  • Импульсные регуляторы и инверторы.
  • Устройства управления двигателями, соленоидами и реле.
  • Отклоняющие системы в телеаппаратуре.

Характерные особенности

Представлены области безопасной работы с обратным смещением при индуктивной нагрузке и температуре корпуса транзистора TC = 100°C.

Типичные диапазоны параметров индуктивных переключений: диапазон тока коллектора – 0,5…1,5 А; температура корпуса 25°С и 100°С; типичное время коммутационного процесса tC = 290 нс при токе 1 А и температуре 100°С.

Выдерживаемые напряжения до 700 В.

Предельные эксплуатационные характеристики

ХарактеристикаОбозначениеВеличина
Напряжение коллектор – база транзистора, ВUCBO700
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, ВUCEO (SUS)400
Напряжение эмиттер – база транзистора, ВUEBO9
Ток коллектора постоянный, АIC1,5
Ток коллектора импульсный, АICM 3
Ток базы постоянный, АIB0,75
Ток базы импульсный, АIBM1,5
Рассеиваемая мощность, ВтTa = 25°CTO-126, TO-126C, TO-126SPC1,4
TO-92, TO-92NL1,1
TO-251, TO-2521,56
Tc = 25°CTO-126, TO-126C, TO-126S20
TO-92, TO-92NL1,5
TO-251, TO-25225
Предельная температура полупроводниковой структуры, °СTj150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С° Tstg-55…+150

Электрические параметры

ХарактеристикаОбозначениеПараметры при измеренияхЗначения
Рабочее напряжение коллектор-эмиттер, В ٭UCEO(SUS) IC = 10 мА, IB = 0 А.400
Ток коллектора выключения, мА ٭Ta = 25°CICEOUCEO = номинальное значение,
UBE(OFF) = 1,5 В		1
Tc = 25°C5
Ток эмиттера выключения, мА ٭IEBOUEB = 9,0 В, IC = 01
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В ٭UCE(sat)IC = 0,5 А, IB = 0,1 А0,5
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А1
IC = 1,2 А, IB = 0,4 А3
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C1
Напряжение насыщения база-эмиттер, В ٭UBE(sat) IC = 0,5 А, IB = 0,1 А1
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А1,2
IC = 1,0 А, IB = 0,25 А, Tc = 100°C1,1
Статический коэффициент усиления по току ٭ hFE (1) UCE = 5,0 В, IC = 0,4 А14….57
hFE (2) UCE = 5,0 В, IC = 1,0 А5…30
Выходная емкость коллектора, pF CobUCB = 10 В, IE = 0, f = 0,1 МГц21
Частота среза, МГц fTUCE = 10 В, IC = 0,1 А10
Временные параметры транзистора при работе на резистивную нагрузку
Время задержки, мксtdСм. схему измерения временных параметров: UCC = 125 В, IC = 1 А, IB1 = IB2 = 0,2 А, tp = 25 мкс, скважность импульсов ≤ 1%0,05
Время нарастания импульса тока, мксtr0,5
Время сохранения импульса, мксts2
Время спадания импульса тока, мксtf0,4
Временные параметры транзистора при работе на индуктивную нагрузку с ограничениями напряжений
Время сохранения импульса, мксtsIC = 1 А, UCLAMP = 300 В, IB1 = 0,2 А, UBE(OFF) = 5 В, Tc = 100°C.1,7
Коммутационный промежуток, мксtc0,29
Время спадания импульса тока, мксtf0,15

٭ — определено в импульсном режиме: длительность импульса = 300 мкс, скважность импульсов ≤ 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C, если не указано иное.

Классификация по величине параметра h

FE
Обозначение группыABCDEFGH
Диапазон hFE14…2221…2726…3231…3736…4241…4746…5251…57

Модификации (версии) транзисторов серии 13003

Конструктивное исполнение — TO-92. Ta = 25°C.

Тип, маркировка на корпусе PC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
TS13003HU
Маркировка TSC13003H		0,59005301,51— / 4 / 0,7
3DD13003S1D
3DD13003V1D		0,83502001,50,451 / 4,5 / 1
3DD13003ULD0,83502001,80,41 / 4,5 / 1
13003DE0,86004001,30,221 / 5 /1
13003DF / DH0,86004001,50,31 / 5 /1
3DD13003h2D0,86004001,80,251 / 5 /1
BU13003D0,87004001,50,60,7 / 2,5 /0,9
APT13003LZ
Маркировка 13003LZ-G1		0,87004500,80,5—
3DD13003B0,97004001,50,8— / 4 / 0,7
CS130030,970048010,5—
13003DW135020020,211 / 4,5 / 1
MJE13003LF1
MJE13003VF1		14002001,20,8— / 4 / 0,6
MJE13003VG114002001,50,6— / 3,5 / 0,6
MJE13003Vh2140020021— / 3,5 / 0,6
MJE13003VI114002002,51,3— / 3,5 / 0,6
MJE13003VK1
BR3DD13003VK1K
Маркировка BR13003V		140020031,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003G1 / F116004000,750,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003h216004001,20,8— / 3,5 / 0,6
MJE13003DG116004001,30,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003DI1 / I116004001,50,8— / 3,5 / 0,6
MJE13003DK116004001,750,5— / 4 / 0,5
MJE13003B170040011— / — / 0,3
MJE13003M117004001,80,8— / 4 / 0,8
R13003F1
MJE13003E1		17004500,5 (0,45)0,5— / 4 / 0,6
13003ADA17004501,50,18— / 4 / 0,7
13003BS180045020,82 / 5 / 2
13003EDA18505001,30,21 / 5 / 1
SBN13003HB1850850 (530)111 / 4 / 0,7
MJE13003T1
MJE13003J1G		19005301,51— / 6 / 1,2
MJE13003L119005301,50,8— / 5 / 1,2
CSL13003
TSL13003		1,16004001,511,1 / 4 / 0,7
SBN13003A11,1 (1,14)7004001,51 0,25 / 1,32 / 0,23
STD13003Q
FJN13003
MJE13003A
MJE13003D-P
MJE13003E
KSB13003AR
KSB13003A
KSB13003ER		1,17004001,511 / 4 / 0,7
R13003F11,17004500,5 (0,45)0,5— / 4 / 0,6
MJE13003E1
APT13003SZ
Маркировка 13003SZ-G1		1,17004501,30,61 / 3 / 0,5
APT13003DZ
APT13003EZ
Маркировка 3003DZ		1,17004501,50,41 / 3 / 0,4
KSB13003CB
KSB13003C		1,18004501,50,51,1 / 4 / 0,7
APT13003HZ
Маркировка 13003HZ-G1		1,18004501,50,41 / 3 / 0,4
KSB13003H1,19005301,50,81,1 / 4 / 0,7
13003DF1,256004001,50,31 / 5 / 1
13003DH1,256004001,80,31 / 5 / 1
STX13003
Маркировка X13003		1,5700400111 / 4 / 0,7
TS13003CT
TS13003BCT
Маркировка TSC13003B		1,57004001,511 / 4 / 0,7
ST13003H1,59005001,511 / 4 / 0,7
TS13003HV1,59005301,511,1 / 2 / 0,4
PHE13003A2,17004001——
PHD13003C
PHE13003C		2,17004001,5——
TS13003MVCT
Маркировка TSC13003H		5,88004001,50,81 / 4 / 0,6
WBN13003B2D156004001,20,31 / 4 / 0,4
WBN13003A1186004001,20,8— / 4 / 0,7
WBN13003B186004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15

Конструктивное исполнение ТО-126 (D/F/S). Tc = 25°C.

Тип транзистораPC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
13003DE0,86004001,30,221 / 4 / 1
MJE13003HT1,385050010,5—
3N13003GP
BD13003B		1,57004001,50,61 / 4 / 0,5
MJE13003D-P1,57004001,511 / 4 / 0,7
P130031270040010,60,7 / 3,5 / 0,9
h23003H129006001,60,61 / 3,0 / 0,8
S13003AD-H158005001,60,61 / 3,5 / 0,8
WBR13003B31860045010,30,2 / — / 0,15
J13003187004001,20,60,7 / 4 / 0,9
WBR13003LD2035020030,5— / 4 / 0,8
MJE13003LF5204002001,20,8— / 4 / 0,6
MJE13003VH52040020020,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003VI5204002002,50,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003VK52040020030,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003F6206004000,50,5— / 4 / 0,6
MJE13003F5206004000,80,5— / 4 / 0,6
MJE13003BR2060040010,3— / 2,4 / 1
WBR13003B2
WBR13003B2D		206004001,20,30,2 / — / 0,18
WBR13003X206004001,20,8— / 4 / 0,7
WBR13003B1206004001,21,61 / 5 / 1
S13003206004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9
WBR13003206004001,50,18— / 4 / 0,7
13003207004001,50,51 / 4 / 0,7
13003D207004001,51,31 / 4 / 0,7
KSE13003207004001,511,1 / 4 / 0,7
MJE13003E207004001,52,50,5 / 2 / 0,4
P13003D207004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9
SBR13003BD207004001,50,20,2 / 1,5 / 0,15
APT13003SU
Маркировка EU13003S/GU13003S		207004501,30,61 / 3 / 0,5
13003ADA207004501,50,18— / 4 / 0,7
APT13003DU
Маркировка GU13003D		207004501,50,40,7 / 3 / 0,35
APT13003EU
Маркировка EU13003E/GU13003E		207004651,50,290,3 / 1,8 / 0,28
APT13003HU
Маркировка GU13003H		208004651,50,40,3 / 1,8 / 0,28
13003BS2080045020,82 / 5 / 2
13003EDA208505001,30,21 / 5 / 1
KSC13003H209005301,511,1 / 4 / 0,7
SBR13003H209005301,510,25 / 1,32 / 0,23
MJE13003HV209005301,52,51,1 / 3 / 0,7
S13003DL2240020030,60,7 / 2,5 / 0,9
13003A-D227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
13003A227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
S13003A227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9
h23003AH228807002,50,60,5 / 3,5 / 0,5
S13003ADL254002003,50,61 / 2,5 / 0,9
13003F
BU13003F
S13003AD		2565040020,61 / 3,1 / 0,8
SBR13003B1257004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15
h230032665040020,60,9 / 3,3 / 0,9
h23003D2665040020,60,5 / 3,3 / 0,5
h23003ADL2840020040,60,6 / 2,9 / 0,6
h23003AD287004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8
h23003DL2940020040,60,3 / 3 / 0,3
h23003VG5304002001,50,6— / 4 / 0,6
MJE13003G5/G6306004000,750,5— / 3,5 / 0,6
NJM13003-1.63306004001,50,35— / 3 / 0,8
WBR13003306004001,50,50,2 / 1,5 / 0,3
MJE13003BR3060040020,35— / 3 / 0,8
MJE13003DG5307004001,30,5— / 3 / 0,8
SBR13003B307004001,50,50,2 / 1,5 / 0,15
TS13003307004001,510,5 / 2 / 0,4
MJE13003HN63014008001,50,6— / 6 / 4
3DD13003U6D353502001,50,451 / 4,3 / 1
3DD13003V6D353502001,80,41 / 4,5 / 1
13003DW3535020020,211 / 4,5 / 1
13003C357004002——
WBR13003L2403502001,50,8— / 3 / 0,8
3DD13003W6D4035020020,41 / 4,5 / 1
MJE13003H5/H6406004001,20,8— / 3,5 / 0,6
3DD13003E6D406004001,30,41/ 4/ 1
MJE13003I6406004001,50,8— / 3,5 / 0,6
C13003406004001,511 / 4 / 0,7
WBR13003D4060040021,6— / 3 / 0,8
CR13003407004001,511 / 4 / 0,7
MJE13003407004001,510,5 / 2 / 0,4
SBR13003A407004001,50,5 0,2 / 1,5 / 0,15
SBR13003D407004001,51,6— / 3 / 0,8
MJE13003DJ5408004801,50,8— / 3,5 / 0,6
CD13003
CD13003D		456004001,511,1 / 4 / 0,7
13003E457004002,5——
MJE13003VN55040020050,6— / 4 / 0,6
13003DF
13003DH
3DD13003F6D		506004001,50,31 / 5 / 1
MJE13003DK5506004001,750,9— / 4 / 0,8
3DD13003H6D506004001,80,251 / 5 / 1
3DD13003K6507004001,8——
3DD13003I6D
3DD13003I7D		5070040020,51 / 5 / 0,8
3DD13003N55070040020,8— / 6 / 0,8
MJE13003DN55070040020,6— / 6 / 0,8
3DD13003X15070040020,31 / 4,5 / 2
3DD13003D507004002,50,51 / 5 / 0,8
MJE13003M5/M6507004501,80,8— / 4 / 0,8
MJE13003HK5509005301,20,8— / 5 / 1,2
MJE13003L5/L6509005301,50,8— / 6 / 1,2

Конструктивное исполнение ТО-220 (AB/HW/F). Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусе PC, ВтUCB, В UCE, ВIC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
ST130031,56004001,511 / 4 / 0,7
SBP13003207004001,50,5— / 4 / 0,8
13003B2865040020,60,5 / 3,3 / 0,5
13003AD307004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8
KSE13003T
KSh23003H		307004001,50,51,1 / 4 / 0,7
SBP13003H309005301,50,5 0,2 / 1,32 / 0,23
HMJE13003E357004001,50,5—
WBP13003D4060040020,5— / 4 / 0,8
MJE13003D407004001,50,51 / 4 / 0,7
SBP13003D407004001,50,5— / 4 / 0,8
SBP13003O407004001,50,5— / 4 / 0,3
XW13003-220456004001,5——
BR3DD13003VK7R
Маркировка BR13003V		5040020030,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003VK75040020030,5— / 3,5 / 0,6
MJE13003VN75040020050,6— / 4 / 0,6
MJE13003I7506004001,50,8— / 3,5 / 0,6
MJE13003K7
MJE13003K8		506004001,50,9— / 4 / 0,8
MJE13003DK7506004001,750,9— / 4 / 0,8
CDT13003506004001,80,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003M7
MJE13003M8		507004001,80,8— / 4 / 0,8
MJE13003N85070040020,8— / 6 / 0,8
3DD13003M8D606004001,80,251 / 5 / 1
3DD13003K8607004001,80,31 / 5 / 1
3DD13003J8D6070040020,51 / 4 / 1
3DD13003M8D6070040020,51 / 4 / 1

Конструктивное исполнение ТО-251. Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусеPC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), ВВременные параметры ton / ts / tf мкс
MJE13003HT1,085050020,5—
MJE13003K3107004501,50,9— / 4 / 0,8
13003ADA107004501,50,18— / 4 / 0,7
13003BS1080045020,82 / 5 / 2
13003EDA108505001,30,21 / 5 / 1
MJD13003157004001,50,51 / 4 / 0,7
SBU13003BD207004001,50,61 / 3 / 0,4
STD13003207004001,50,91 / 4 / 0,7
APT13003DI247004501,50,30,7 / 3 / 0,35
ALJ13003
ALJ13003-251		256004001,20,8— / 6 / 1
KSU13003E
KSU13003ER		257004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K257004001,50,51 / 4 / 0,7
MJE13003P257004001,50,51 / 4 / 0,7
KSU13003H
KSU13003HR		2590053020,81,1 / 4 / 0,7
3DD13003U3D303502001,80,41 / 4,5 / 1
MJE13003VK33040020031,5— / 3,5 / 0,6
3DD13003F3D306004001,50,31 / 4,5 / 1
MJE13003DK3307004001,750,9— / 4 / 0,8
MJE13003DI3308004801,50,8— / 3,5 / 0,6
13003DW3535020020,211 / 4,5 / 1
3DD13003W3D3535020020,41 / 4,5 / 1
3DD13003h4D356004001,80,251 / 5 / 1
HI13003407004001,50,5—
MJE13003M3407004001,80,8— / 4 / 0,8
MJE13003h4407004501,20,8— / 3,5 / 0,6
MJE13003L3409005301,50,8— / 6 / 1,2
13003DH506004001,80,31 / 5 / 1
MJE13003I506004001,50,8— / 3,5 / 0,6

Конструктивное исполнение ТО-252. Tc = 25°C (если не указано иное).

Тип, маркировка на корпусеPC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мкс
MJE13003HT1,085050020,5—
CZD130031,257004001,51— / 2,5 / 0,5
DXT13003DK
Маркировка 13003D		3,97004501,50,30,35 / 2,3 / 0,21
DXT13003EK
Маркировка 13003E		3,97004601,50,30,43 / 1,64 / 0,28
WBD13003D1060040020,5— / 4 / 0,8
HJ13003157004001,5——
STD13003D157004001,50,51,1 / 4 / 0,7
CJD13003157004001,50,51,1 / 4 / 0,7
STD13003207004001,50,51 / 4 / 0,7
KSD13003E
KSD13003ER		257004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K257004001,50,51 / 4 / 0,7
MJE13003P257004001,50,51 / 4 / 0,7
KSh23003
KSh23003I		407004001,50,51,1 / 4 / 0,7
MJE13003K4506004001,50,9— / 4 / 0,8

Конструктивные исполнения ТО-826, SOT23, SOT223, SOT89, LSTM. Tc = 25°C (если не указано иное).

PC, ВтUCB, В UCE, В IC, А UCE(sat), В Временные параметры ton / ts / tf мксТип, маркировка на корпусе
0,53502001,50,451 / 3,5 / 13DD13003SUD
Корпус SOT23, TO89S
0,53502001,50,451 / 4 / 13DD13003SUD
Корпус SOT23, TO89S
0,57004001,50,6— / 4 / 0,53DD13003/A/C/E/F
Корпус SOT89
0,96004001,510,4 / 1,4 / 0,2TTC13003L, LSTM
Маркировка 13003L
1,06004000,50,5— / 4 / 0,6MJE13003FT, SOT89
Маркировка H03F
1,257004501,511 / 4 / 0,7PZT13003
3,07004501,30,40,7 / 3 / 0,35DXT13003DG
Маркировка 13003D
206004001,50,60,7 / 2,5 / 0,9S13003, TO826
207004000,51,2— / 2,5 / 0,18ST13003N, SOT32
Маркировка 13003N
207004000,51,2— / 2,5 / 0,18 ST13003DN, SOT32 Маркировка 13003DN
227004001,80,60,7 / 2,5 / 0,9S13003A
2565040020,612 / 3,1 / 0,8S13003AD
2665040020,60,5 / 3,3 / 0,5h23003D
287004002,30,60,8 / 3,5 / 0,8h23003AD
407004001,511 / 4 / 0,7ST13003D-K, SOT32
Маркировка 13003D
407004001,511 / 4 / 0,7ST13003K, SOT32
Маркировка 13003
407004001,511 / 4 / 0,7STK13003, SOT82

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Схемы тестирования временных параметров транзистора

Диаграмма входного сигнала.

Схема измерения при резистивной нагрузке.

Параметры режима:

  • UCC = 125 В.
  • RC = 125 Ом.
  • RB = 47 Ом.
  • D1 диод 1N5820 или подобный.
  • SCOPE – осциллограф “Tektronics 475” или подобный.
  • tr, tf ˂ 10 нс; скважность ≤ 1%.

Схема измерений с параметрами элементов при индуктивной нагрузке транзистора.

  • Входной сигнал: прямоугольный импульс с амплитудой 5 В и протяженностью фронтов tr и tf не более 10 нс. Скважность импульсов 10%.
  • Протяженность импульса подбирается из требуемой величины коллекторного тока IC.
  • UCC подбирается из требуемой величины IC.
  • RB подбирается из требуемой величины IB1.
  • Диод MR826 выбирается на напряжение 1 кВ.
  • Напряжение ограничения UCLAMP = 300 В.

Диаграммы выходных токов и напряжений.

На рисунке:

  • tf CLAMPED – время спадания импульса тока при ограничении напряжения на уровне UCLAMPED.
  • IC(PK) максимальное достижимое значение тока, по которому подбираются значение UCC и длительность входного импульса.

Расчетные формулы: t1 = L × IC(PK) / UCC; t2 = L × IC(PK) / UCLAMP.

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначенные для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, схемах управления электродвигателями и др., аппаратуре общего применения.

Отечественное производство

Транзисторы, близкие по параметрам к серии 13003 (MJE13003).

ТипPC, ВтUCB, В UCE, В UBE, В IC, А UCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мксКорпус
MJE1300340700400920,615045…40— / 3,5 / 1TO-126
КТ8170А4070040092,25315045…401,1 / 4 / 0,7TO-126
КТ859А408008001031,5150˃ 3,3˃ 100,35 / 3,3 / 0,35TO-220AB
КТ841А/В50600/8003505101,51501012…450,08 / 0,8 / 0,2TO-3
КТ8118А50900800—3˂ 2,0150˃ 1510…40—TO-220
КТ8120А6060045058115020˃ 10— / 2 / 0,2TO-220
КТ840А/Б/В60900/750/800400/350/375560,61508…1510…600,2 / 3,5 / 0,6TO-3
КТ868А/Б70900/750400/375561,5150˃ 810…100—TO-3PML

Зарубежное производство

Аналоги транзистора E13003 (MJE13003).

ТипPC, ВтUCB, ВUCE, В UBE, В IC, АUCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мксКорпус
MJE1300340700400920,615045…40— / 3,5 / 1TO-126
3DD19104070040092,51150515…301 / 5 / 0,8TO-126A
3DD13005A740800400930,6150515…351 / 5 / 1TO-126F
WBR13005D140700400941150410…40— / 3,6 / 1,6TO-126
BTN3A60T340900700930,6150410…40—TO-126
HLD133D35700400921150—5…40— / 4 / 0,8TO-126
ST13007DFP3670040098315048…40— / 2,2 / 0,15TO-220FP
BUL310FP361000500951,1150—10— / 1,8 / 0,5TO-220FP

Аналоги транзисторов 13003BR (MJE13003BR) и 13003T (KSE13003T).

ТипPC, ВтUCB, В UCE, ВUBE, В IC, А UCE(sat), ВTj , °СfT , МГцhFEton / ts / tf, мкс Корпус
MJE13003BR30600400920,85150—5…40— / 3 / 0,8TO-126
BLD123D30600400920,9150—5…40— / 4 / 0,8TO-126
KSE13003T3070040091,5315045…401,1 / 4 / 0,7TO-220
FJPE33053070040094115048…400,8 / 4 / 0,9TO-220F
KSh23005AF3070040094115048…600,8 / 4 / 0,9TO-220F
MJE13005AF30800400105115048…350,15 / 5 / 0,8TO-220IS
MJE13005F30700400941150410…350,8 / 4 / 0,9TO-220IS
STD13005F/FC3070040094115048…400,8 / 4 / 0,9TO-220F-3L
STL128DFP30700400—41,5150—10…32— / 0,6 / 0,1TO-220FP
TS13005CI3070040094115048…400,7 / 3 / 0,5ITO-220
TSC236CI30700400941,3150—8…320,5 / 3 / 0,5ITO-220
BUL128FP31700400941,5150—10…45— / 2,9 / 0,4TO220FP

Примечание: данные таблиц получены из даташип компаний-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Зависимость времени задержки td и времени нарастания импульса tr от коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

При измерении времени задержки td установлено напряжение смещения UBE(OFF) = 5 В.

Рис. 2. Зависимость времени сохранения ts и времени спадания импульса tf от величины коллекторной нагрузки IC.

Характеристика снята при напряжении питания UCC = 125 В, температуре п/п структуры Tj = 25°C, и соотношении токов IC / IB = 5.

Рис. 3. Зависимость статического коэффициента усиления hFE транзистора в схеме с общим эмиттером от величины коллекторной нагрузки IC.

Зависимость снята для различных значений температуры структуры Tj и напряжений коллектор-эмиттер UCE.

Рис. 4. Изменение падения напряжения на транзисторе UCE при изменении управляющего тока базы IB. Зависимости сняты при различных нагрузках IC и температуре структуры Tj = 25°C.

Рис. 5. Изменение напряжения насыщения на базовом переходе UBE(sat) при разных нагрузках IC и разных температурах структуры Tj. Соотношение токов IC / IB = 3.

Пунктиром показано изменение напряжения включения UBE(ON) при напряжении на коллекторе UCE = 2 В.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер UCE(sat) от коллекторного тока IC при различных температурах и соотношении токов IC/ IB = 3.

Рис. 7. Область выключения транзистора. Зависимость коллекторного тока IC от напряжения база-эмиттер UBE.

Характеристика снята при разных температурах Tj структуры и напряжении коллектор-эмиттер UCE = 250 В.

FORWARD – напряжение база-эмиттер приложено в прямом направлении.

REVERS — напряжение база-эмиттер приложено в обратном направлении.

Рис. 8. Зависимости входной емкости Cib перехода эмиттер-база и выходной емкости Cob коллекторного перехода от величины обратного приложенного напряжения. Температура структуры Tj= 25°С.

Рис. 9. Область безопасной работы транзистора при резистивной нагрузке.

Предельные токи ограничены: значением максимального постоянного тока IC = 1,5 А и максимального импульсного тока ICM = 3,0 А.

При этих значениях тока разрушаются паяные соединения подводящих проводов со слоями п/п структуры. Показано штрихпунктирной линией.

Предельные напряжения ограничены максимальным рабочим напряжением UCEO(SUS) = 400 В.

Общее тепловое разрушение структуры наступает при превышении ограничений по току и напряжений, показанных пунктирной линией.

Сплошная линия обозначает ограничения, связанные с вторичным необратимым пробоем п/п структуры транзистора. Во всех режимах работы линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ограничений.

Рис. 10. Ограничение величины рассеиваемой мощности (нагрузки) транзистора при возрастании температуры окружающей среды Ta.

Характеристика снята для условий работы на резистивную нагрузку.

Рис. 11. Область безопасной работы транзистора с обратным смещением для случая с введенными ограничениями перенапряжений.

Предельное ограничение по напряжению (перенапряжению) UCLAMP = 700 В.

Величины напряжений обратного смещения UBE(OFF) соответственно 9 В, 5 В, 3 В и 1,5 В.

Характеристики построены для температуры структуры в пределах 100°С и при токе базы IB1 = 1 А.

Такая ОБР с обратным смещением характерна для схем работы транзистора на индуктивную нагрузку.

В этих режимах работы, линии нагрузки транзистора (зависимости IC от напряжения коллектор-эмиттер UCE) не должны превышать обозначенных ОБР ограничений.

Транзистор 13003 даташит. Основные параметры транзистора MJE13003 биполярного низкочастотного npn. Схемы транзистора MJE13003

Т ранзисторы кремниевые структуры n-p-n, высоковольтные усилительные. Производство транзисторов 13001 локализовано в странах Юго-восточной Азии и в Индии. Применяются в маломощных импульсных блоках питания, зарядных устройствах для различных мобильных телефонов, планшетов и т. п.

Внимание! При близких(почти идеинтичных) общих параметрах у разных производителей транзисторы 13001 могут отличаться по расположению выводов .

Выпускаются в пластмассовых корпусах TO-92, с гибкими выводами и TO-126 с жесткими. Тип прибора указывается на корпусе.
На рисунке ниже — цоколевка MJE13001 и 13001 разных производителей, с разными корпусами.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у 13001 может быть от 10 до 70 , в зависимости от буквы.
У MJE13001A — от 10 до 15 .
У MJE13001B — от 15 до 20 .
У MJE13001C — от 20 до 25 .
У MJE13001D — от 25 до

30 .
У MJE13001E — от 30 до 35 .
У MJE13001F — от 35 до 40 .
У MJE13001G — от 40 до 45 .
У MJE13001H — от 45 до 50 .
У MJE13001I — от 50 до 55 .
У MJE13001J — от 55 до 60 .
У MJE13001K — от 60 до 65 .
У MJE13001L — от 65 до 70 .

Граничная частота передачи тока — 8 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер — 400 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный) — 200 мА.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50мА, базы 10мА — 0,5 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер

при токе коллектора 50мА, базы 10мА — не выше 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора — в корпусе TO-92 — 0.75 Вт, в корпусе TO-126 — 1.2 Вт без радиатора.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)

Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61514
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».

Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора MJE13003 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)

Структура полупроводникового перехода: npn

Производитель: MOTOROLA
Сфера применения: Medium Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 61513
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора MJE13003

Обозначение контактов:
Международное: C — коллектор, B — база, E — эмиттер.
Российское: К — коллектор, Б — база, Э — эмиттер.

Коллективный разум. Дополнения для транзистора MJE13003.

Вы знаете больше о транзисторе MJE13003, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».

Если Вы заметили ошибку, огромная просьба .
Спасибо за терпение и сотрудничество.

1.7.4. Схема импульсного стабилизатора. Электронные самоделки

1.7.4. Схема импульсного стабилизатора

Схема импульсного стабилизатора ненамного сложней обычного (рис. 1.9), но она более сложная в настройке. Поэтому недостаточно опытным радиолюбителям, не знающим правил работы с высоким напряжением (в частности, никогда не работать в одиночку и никогда не настраивать включенное устройство двумя руками — только одной!), не рекомендую повторять эту схему.

На рис. 1.9 представлена электрическая схема импульсного стабилизатора напряжения для зарядки сотовых телефонов.

Схема представляет собой блокинг-генератор, реализованный на транзисторе VT1 и трансформаторе Т1. Диодный мост VD1 выпрямляет переменное сетевое напряжение, резистор R1 ограничивает импульс тока при включении, а также выполняет функцию предохранителя. Конденсатор С1 необязателен, но благодаря ему блокинг-генератор работает более стабильно, а нагрев транзистора VT1 чуть меньше (чем без С1).

При включении питания транзистор VT1 слегка приоткрывается через резистор R2, и через обмотку I трансформатора T1 начинает течь небольшой ток. Благодаря индуктивной связи, через остальные обмотки также начинает протекать ток. На верхнем (по схеме) выводе обмотки II положительное напряжение небольшой величины, оно через разряженный конденсатор С2 приоткрывает транзистор еще сильней, ток в обмотках трансформатора нарастает, и в итоге транзистор открывается полностью, до состояния насыщения.

Через некоторое время ток в обмотках перестает нарастать и начинает снижаться (транзистор VT1 все это время полностью открыт). Уменьшается напряжение на обмотке II, и через конденсатор С2 уменьшается напряжение на базе транзистора VT1. Он начинает закрываться, амплитуда напряжения в обмотках уменьшается еще сильней и меняет полярность на отрицательную. Затем транзистор полностью закрывается. Напряжение на его коллекторе увеличивается и становится в несколько раз больше напряжения питания (индуктивный выброс), однако благодаря цепочке R5, C5, VD4 оно ограничивается на безопасном уровне 400…450 В. Благодаря элементам R5, C5 генерация нейтрализуется не полностью, и через некоторое время полярность напряжения в обмотках снова меняется (по принципу действия типичного колебательного контура). Транзистор снова начинает открываться. Так продолжается до бесконечности в цикличном режиме.

На остальных элементах высоковольтной части схемы собраны регулятор напряжения и узел защиты транзистора VT1 от перегрузок по току. Резистор R4 в рассматриваемой схеме выполняет роль датчика тока. Как только падение напряжения на нем превысит 1…1,5 В, транзистор VT2 откроется и замкнет на общий провод базу транзистора VT1 (принудительно закроет его). Конденсатор С3 ускоряет реакцию VT2. Диод VD3 необходим для нормальной работы стабилизатора напряжения.

Стабилизатор напряжения собран на одной микросхеме — регулируемом стабилитроне DA1.

Для гальванической развязки выходного напряжения от сетевого используется оптрон VO1. Рабочее напряжение для транзисторной части оптрона берется от обмотки II трансформатора T1 и сглаживается конденсатором С4. Как только напряжение на выходе устройства станет больше номинального, через стабилитрон DA1 начнет течь ток, светодиод оптрона загорится, сопротивление коллектор-эмиттер фототранзистора VO 1.2 уменьшится, транзистор VT2 приоткроется и уменьшит амплитуду напряжения на базе VT1. Он будет слабее открываться, и напряжение на обмотках трансформатора уменьшится. Если же выходное напряжение, наоборот, станет меньше номинального, то фототранзистор будет полностью закрыт и транзистор VT1 будет «раскачиваться» в полную силу. Для защиты стабилитрона и светодиода от перегрузок по току, последовательно с ними желательно включить резистор сопротивлением 100…330 Ом.

Налаживание

Первый этап: первый раз включать устройство в сеть рекомендуется через лампу 25 Вт, 220 В, и без конденсатора С1. Движок резистора R6 устанавливают в нижнее (по схеме) положение. Устройство включают и сразу отключают, после чего как можно быстрей измеряют напряжения на конденсаторах С4 и С6. Если на них есть небольшое напряжение (согласно полярности!), значит, генератор запустился, если нет — генератор не работает, требуется поиск ошибки на плате и монтаже. Кроме того, желательно проверить транзистор VT1 и резисторы R1, R4.

Если все правильно и ошибок нет, но генератор не запускается, меняют местами выводы обмотки II (или I, только не обоих сразу!) и снова проверяют работоспособность.

Второй этап: включают устройство и контролируют пальцем (только не за металлическую площадку для теплоотвода) нагрев транзистора VT1, он не должен нагреваться, лампочка 25 Вт не должна светиться (падение напряжения на ней не должно превышать пары Вольт).

Подключают к выходу устройства какую-нибудь маленькую низковольтную лампу, например, рассчитанную на напряжение 13,5 В. Если она не светится, меняют местами выводы обмотки III.

И в самом конце, если все нормально работает, проверяют работоспособность регулятора напряжения, вращая движок подстроечного резистора R6. После этого можно впаивать конденсатор С1 и включать устройство без лампы-токоограничителя.

Минимальное выходное напряжение составляет около 3 В (минимальное падение напряжения на выводах DA1 превышает 1,25 В, на выводах светодиода — 1,5 В).

Если нужно меньшее напряжение, заменяют стабилитрон DA1 резистором сопротивлением 100…680 Ом. Следующим шагом настройки требуется установка на выходе устройства напряжения 3,9…4,0 В (для литиевого аккумулятора). Данное устройство заряжает аккумулятор экспоненциально уменьшающимся током (от примерно 0,5 А в начале заряда до нуля в конце (для литиевого аккумулятора емкостью около 1 А/ч это допустимо)). За пару часов режима зарядки аккумулятор набирает до 80 % своей емкости.

О деталях

Особый элемент конструкции — трансформатор.

Трансформатор в этой схеме можно использовать только с разрезным ферритовым сердечником. Рабочая частота преобразователя довольно велика, поэтому для трансформаторного железа нужен только феррит. А сам преобразователь — однотактный, с постоянным подмагничиванием, поэтому сердечник должен быть разрезным, с диэлектрическим зазором (между его половинками прокладывают один-два слоя тонкой трансформаторной бумаги).

Лучше всего взять трансформатор от ненужного или неисправного аналогичного устройства. В крайнем случае его можно намотать самому: сечение сердечника 3…5 мм2, обмотка I — 450 витков проводом диаметром 0, 1 мм, обмотка II — 20 витков тем же проводом, обмотка III — 15 витков проводом диаметром 0, 6…0, 8 мм (для выходного напряжения 4…5 В). При намотке требуется строгое соблюдение направления намотки, иначе устройство будет плохо работать, или не заработает совсем (придется прикладывать усилия при налаживании — см. выше). Начало каждой обмотки (на схеме) вверху.

Транзистор VT1 — любой мощностью 1 Вт и больше, током коллектора не менее 0,1 А, напряжением не менее 400 В. Коэффициент усиления по току Ь21э должен быть больше 30. Идеально подходят транзисторы MJE13003, KSE13003 и все остальные типа 13003 любой фирмы. В крайнем случае, применяют отечественные транзисторы КТ940, КТ969. К сожалению, эти транзисторы рассчитаны на предельное напряжение 300 В, и при малейшем повышении сетевого напряжения выше 220 В они будут пробиваться. Кроме того, они боятся перегрева, т. е. требуется их установка на теплоотвод. Для транзисторов KSE13003 и MJE13003 теплоотвод не нужен (в большинстве случаев цоколевка — как у отечественных транзисторов КТ817).

Транзистор VT2 может быть любым маломощным кремниевым, напряжение на нем не должно превышать 3 В; это же относится и к диодам VD2, VD3. Конденсатор С5 и диод VD4 должны быть рассчитаны на напряжение 400…600 В, диод VD5 должен быть рассчитан на максимальный ток нагрузки. Диодный мост VD1 должен быть рассчитан на ток 1 А, хотя потребляемый схемой ток не превышает сотни миллиампер — потому что при включении происходит довольно мощный бросок тока, а увеличивать сопротивление резистора Я1для ограничения амплитуды этого броска нельзя — он будет сильно нагреваться.

Вместо моста VD1 можно поставить 4 диода типа 1N4004…4007 или КД221 с любым буквенным индексом. Стабилизатор DA1 и резистор R6 можно заменить на стабилитрон, напряжение на выходе схемы будет на 1,5 В больше напряжения стабилизации стабилитрона.

«Общий» провод показан на схеме только для упрощения графики, его нельзя заземлять и (или) соединять с корпусом устройства. Высоковольтная часть устройства должна быть хорошо изолирована.

Данный текст является ознакомительным фрагментом.

Продолжение на ЛитРес

Маркировка радиодеталей, Коды SMD 13, 13 •, 13 **, 13**, 13-, 13003, 1301, 1308A, 1308AI, 1308B, 1308BI, 130P03LS, 132, 133G, 133L, 138, 1392B, 13A, 13N03LA, 13W, 13Y, 13p, 13t. Даташиты 1.5SMC13AT3, 3DD13003, BC847BPN, BSC130P03LS G, BSS138W, BSS84, BZV49-C13, CMSZDA36V, DTA123JUA, DTA123JUB, DTA143EE, DTA143EKA, DTA143EM, DTA143EUA, DTA143EUB, IPD13N03LA, IPU13N03LA, LR9101G-33-AL4-R, LR9101L-33-AL4-R, LT1308ACS8, LT1308AIS8, LT1308BCS8, LT1308BIS8, MMBD1503, MTP3413N3, MTP3415KN3, NCP1392BDR2G, PT1301E23F, PZM13NB2A, RT8068AZQW, ZD13-AE3, ZD13-CL2.

13 SOT-416 DTA143EEROHMЦифровой PNP транзистор
13 SOT-346 DTA143EKAROHMЦифровой PNP транзистор
13 VMT3 DTA143EMROHMЦифровой PNP транзистор
13 SOT-323 DTA143EUAROHMЦифровой PNP транзистор
13 UMT3F DTA143EUBROHMЦифровой PNP транзистор
13 SOT-23 MMBD1503FairchildДиоды
13 SOT-23 ZD13-AE3UTCСтабилитрон
13 SOD-323 ZD13-CL2UTCСтабилитрон
13 • SOT-23 MTP3413N3CYStechПолевой транзистор с P-каналом
13 ** WDFN-10 3×3 RT8068AZQWRichtekПонижающий преобразователь
13** SOT-23 MTP3415KN3CYStechПолевой транзистор с P-каналом
13- SOT-363 BC847BPNNXPNPN + PNP транзисторы
13- SOT-23 BSS84NXPПолевой транзистор с P-каналом
13003 SOT-89 3DD13003BL Galaxy ElectricalNPN транзистор
1301 SOT-26 PT1301E23FPowTechПовышающий пребразователь
1308A SO-8 LT1308ACS8LinearПовышающий пребразователь
1308AI SO-8 LT1308AIS8LinearПовышающий пребразователь
1308B SO-8 LT1308BCS8LinearПовышающий пребразователь
1308BI SO-8 LT1308BIS8LinearПовышающий пребразователь
130P03LS TDSON-8 BSC130P03LS GInfineonПолевой транзистор с P-каналом
132 SOT-323 DTA123JUAROHMЦифровой PNP транзистор
132 UMT3F DTA123JUBROHMЦифровой PNP транзистор
133G SOT-343 LR9101G-33-AL4-RUTCСтабилизатор напряжения
133L SOT-343 LR9101L-33-AL4-RUTCСтабилизатор напряжения
138 SOT-323 BSS138WFairchildN-канальный MOSFET
1392B SO-8 NCP1392BDR2GONПолу-мостовой драйвер со встроенным генератором
13A SMB 1.5SMC13AT3ONЗащитный диод
13A SOT-346 PZM13NB2APhilips (Now NXP)Стабилитроны
13N03LA TO-252-3-11 IPD13N03LAInfineonN-канальный MOSFET
13N03LA TO-251-3-21 IPU13N03LAInfineonN-канальный MOSFET
13W SOT-363 BC847BPNNXPNPN + PNP транзисторы
13W SOT-23 BSS84NXPПолевой транзистор с P-каналом
13W SOT-323 CMSZDA36VCentralСтабилитроны
13Y SOT-89 BZV49-C13NXPСтабилитрон
13p SOT-363 BC847BPNNXPNPN + PNP транзисторы
13p SOT-23 BSS84NXPПолевой транзистор с P-каналом
13t SOT-363 BC847BPNNXPNPN + PNP транзисторы
13t SOT-23 BSS84NXPПолевой транзистор с P-каналом

СЕКРЕТ 13-го ТРАНЗИСТОРА ✔️ NPN и PNP одновременно | Дмитрий Компанец

Транзистор 13003 обладает обоими типами проводимости

Транзистор 13003 обладает обоими типами проводимости

Транзисторы биполярные имеют всего Два типа проводимости npn pnp и чтобы вдруг у одного транзистора проявились оба этих типа, с точки зрения правильной электроники Невозможно, но реальность интереснее и сложнее.

При прозвонке специальным прибором — Тестером для транзисторов и микросхем, один из моих зрителей и читателей обнаружил странное поведение широко распространенного транзистора 13003 часто используемого в импульсной технике.
Результат измерения прибором может Удивить даже бывалых Электронщиков. При изменении расположения выводов при прозвонке, транзистор сменил свой тип проводимости, не утратив при этом значений емкости переходов и коэффициента передачи тока (усиления).

Структура PNP транзистора 13003 на приборе

Структура PNP транзистора 13003 на приборе

Теперь поменяем выводы транзистора местами

Структура NPN транзистора 13003

Структура NPN транзистора 13003

Ох и не даром числу 13 приписывают особые свойства….

Этот ФЕНОМЕН обнаружил Влад # смотрите его ролик https://youtu.be/TIg23cVNy78 Когда можно верить ,а когда нет надписи на корпусе.

Ранее я пытался исследовать и понять почему одинаковые по маркировке транзисторы 13003 при проверке и использовании ведут себя очень по разному. Я провел собственное расследование с результатами которого , а также с очень интересными фактами о транзисторе 13003 вы можете ознакомиться в видеороликах:

🚀 УДИВИТЕЛЬНЫЙ СЕКРЕТ ТРАНЗИСТОРА 13003 https://youtu.be/8NbtCA4taXk

🚀 РАЗГАДЫВАЕМ ТАЙНУ ТРАНЗИСТОРА 13003 ✅ PNP или NPN https://youtu.be/IuQhKkWDjDI

🚀 Секреты Феномена 13003 ✈️ Завеса Тайны Приоткрыта ✈️ ОН не всегда Транзистор! https://youtu.be/3hOAf-ezXM8

🚀 Транзистор 13003 это почти ✅ Микросхема https://youtu.be/k6H8izCzH9g

Конечно я использовал подручные инструменты, для прозвонки я использовал режим мультиметра для проверки диодов. Этого достаточно чтобы можно было судить о внутреннем устройстве, попавшего мне в руки электронного прибора.

Мои простые методики вызывают смех у «продвинутых» мастеров электроники, и все мои умозаключения обычно выставляются как ошибки неумелого при использовании методик. Фразы, что для тестирования Транзисторов нужно применять умные схемы и специальные тестеры просто изобилуют в комментариях к моим роликам.

Зато теперь в пору удивляться ВСЕМ ! Прибор предназначенный для проверки транзисторов любого типа показал ДВОЙНУЮ структуру 13003 транзистора. Для этого исследуемый транзистор был просто переподключен разными выводами.

То что я обнаружил методами слепого тыка теперь подтверждено приборами и проверить это вы сомжете самостоятельно , если разумеется, захотите и у вас есть такие приборы!

В статье НЕПРЕДСКАЗУЕМЫЙ ТРАНЗИСТОР 13003 я описал поведение самого распространенного транзистора взятого из лампы экономки.

Прозванивая его я натолкнулся на комбинацию выводов которые при прозвонке тестером ведут себя как транзистор структуры PNP , хотя традиционно транзисторы 13003 описаны как NPN структура.

Казалось бы, Что проще — Возьми описание и почитай! но первые попавшиеся Буквари и Дата Шиты только еще больше удивили разнообразием толкований. Давайте посмотрим вместе https://zen.yandex.ru/media/dima/tran…

В документах вроде все на месте и описано — вроде обычный транзистор и даже нарисована структура NPN.

Корпуса транзисторов разные

В разных корпусах выводы Базы , Коллектора и Эмиттера располагаются по разному, но все равно это Транзисторы 13003.

Обычные транзисторы 13003 и ничего особенного, НО ……Есть описание в котором ясно сказано, что транзисторы 13003 продаются как PNP и все описано. Ну тут возможно есть опечатка, да и на корпусе могут быть грамматические ошибки… а это уже странно!!!

Вот тут уже начинаются головоломки — Новые транзисторы массовых серий стали комплектоваться Защитным Диодом стоящим прямо в корпусе устройства, Называть такую сборку транзистором уже не корректно, но маркировка сохраняется 13003

Хорошо что у большинства 13003 в буквах присутствует буква D по которой можно догадаться , что такой транзистор будет проводить ток от эмиттера к коллектору. Это не хорошо для усилителей , но для импульсных устройств самое то.

Транзистор SBR13003D содержит в схеме диод и такие устройства (по моему) должны маркироваться по другому и называть их транзистором можно условно так же как нельзя назвать транзистором микросборки стабилизаторов LM78** тоже очень похожей на транзистор.

Но не все транзисторы 13003 содержат только защитный диод, есть такие что и составными транзисторами назвать сложно.

Эта сборка из двух транзисторов разного типа проводимости и защитного диода скорее может называться Стабилитроном или Двухбазовым диодом , режим её работы определяется характеристикой подобной стабилитронам а вот усилительные свойства как у большинства транзисторов сомнительны.

Даже самые малые корпуса такие как ТО-251 и ТО-92 содержат в себе схему состоящую из двух транзисторов разного типа и одного диода, а это уже никак не транзистор а целая микросхема!

То что по какой то традиции эти массовые детали до сих пор именуются как TRANSISTOR остается загадкой и тайной покрытой мраком производителей.

Разумеется для массового производства все детали идут с подробным описанием и маркировкой, но вот для самоделок из деталей лампы экономки таких описаний не сыщешь днем с огнем, и остается только догадываться о том что за деталь нам попала в руки — ведь Буквари и Описания мало что могут нам поведать про деталь промаркированную 13003.

MJE13003 (транзистор биполярный NPN) от 14.25 грн

MJE13003
Производитель: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO225
Supplier Device Package: TO-126
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency — Transition: 10MHz
Power — Max: 1.4W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 500mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max): 400V
Current — Collector (Ic) (Max): 1.5A
Transistor Type: NPN
Part Status: Obsolete
Packaging: Bulk
 товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
 MJE13003
Производитель: ON Semiconductor
Bipolar Transistors — BJT BIP NPN 2A 400V
 товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
 MJE13003
Производитель: STMicroelectronics
Bipolar Transistors — BJT NPN 400 Volt
 товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
 MJE13003
Производитель: onsemi
Bipolar Transistors — BJT BIP NPN 2A 400V
 товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
 MJE13003
Производитель: Infineon Technologies
Bipolar Transistors — BJT
 товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину
 MJE13003
Производитель: ON
0419
 под заказ 45 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)
 MJE13003
Производитель:

под заказ 2215 шт
срок поставки 14-28&nbspдня (дней)

KSE13003-2 (E13003-2) | Биполярные транзисторы

Код товара :M-112-7339
Обновление: 2018-03-28
Тип корпуса :TO-220

 

 

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить KSE13003-2 (E13003-2), чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

 

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

 

Что еще купить вместе с KSE13003-2 (E13003-2) ?

 

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

 

Сопутствующие товары
Код Наименование Краткое описание Розн. цена

** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
7339 KSE13003-2 (E13003-2) Транзистор KSE13003-2 (маркировка E13003-2) — NPN Bipolar Power Transistor 400V, 1.5A, TO-220 20 pyб.
612 MJE13003 to-126 Транзисторы MJE13003 (MJE13003F, MJE13003C) — NPN Bipolar Power Transistor 600V, 3A, TO-126 5 pyб.
5850 MJE13003 (to-92) Транзистор MJE13003 — NPN SILICON POWER TRANSISTOR, 400V, 1.5A, TO-92 2.4 pyб.
9659 Конденсатор 1000uF 25V (JCCON) Конденсаторы электролитические 1000 мкф 25в (JCCON, 105°C, размер 10×20мм) 6.5 pyб.
6908 MJE13003 (to-252) Транзисторы MJE13003 — NPN Bipolar Power Transistor 400V, 1.5A, TO-252 8 pyб.
6451 TIP102 Транзистор TIP102- NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor, 100V, 8A, TO-220 20 pyб.
1431 h30R1203 (IHW20N120R3) IGBT транзистор IHW20N120R3 (маркировка h30R1203) для индукционных печей, 1200V, 20A, аналог h30R1202 87 pyб.
9442 BD677 Транзистор BD677 — NPN Power Darlington transistors, 4A, 60V, TO-126 12 pyб.
4562 AZ431 to-92 Микросхема AZ431 (полный партномер AZ431AZ-AE1) — Voltage Regulator IC, TO-92 5 pyб.
303 IRF740 to-220 Транзистор IRF740 (IRF740N, IRF740B) — MOSFET, N-канал, 400В, 10А, 134Вт, 0.54 Ом, TO-220 25 pyб.

 

SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > транслировать Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows) BroadVision, Inc.2020-09-09T10: 33: 19 + 02: 002006-01-12T17: 39: 42-07: 002020-09-09T10: 33: 19 + 02: 00приложение / pdf

  • MJE13003 — Кремниевый силовой транзистор серии SWITCHMODE NPN
  • ON Semiconductor
    • uuid: 0e8bdac9-a353-4704-aa04-0e21f67ad3e2uuid: f5fcd45d-e56d-4599-b6a2-a19e04079fd2 конечный поток эндобдж 5 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > транслировать HWYSHG> R sK ڪ ZbH **! DIm uLO_ f4} c7 «(SpFNWFƽCN & H «T {oGwnz0b5Ș * 2 (ï ^ [8 [) a (ʠU @ ȪxUMt ^ Y ې # x ״ u7Ç.SmЍ> `qui`7G4VC.04 (\ QkKpʅ29yMNa $ ـ ‘LJ \ 2 & ؘ EczGN_D @ l> ٬ g2FC.9 ߶ hbM39 | 4urvp | G! W1 — @@ 69 =?] 3 & W (4 伺 LGa » т ȓxĘ [6or2

    m1 ݹ68 G & p cjs_m1’IV٢

    13003 Транзистор: техническое описание, распиновка, SMD, преимущества

    13003 транзистор Транзистор 13003

    В этой статье мы объясняем тип мощного транзистора, который обычно используется в схемах усилителя и схемах быстрого переключения. Транзистор 13003 — это NPN BJT-транзистор, способный работать в диапазонах высокого напряжения.

    Когда мы перечисляем возможности транзисторов 13003, обработка высокого напряжения и сверхбыстрая коммутация называются основными особенностями этого устройства.

    Здесь, в этом посте, мы включаем технические характеристики, эквивалентные схемы, а также технические и физические характеристики 13003.

    13003 лист данных на транзистор Технические данные транзисторов 13003

    Прежде чем перейти к подробному описанию выводов транзисторов 13003, у этого транзистора есть разные типы корпусов и разные детали распиновки для каждого из них.

    Распиновка 13003 транзистора
    1. ТО-92 корпус
    2. ТО-126 упаковка

    1.ТО-92 Упаковка

    TO-92 — это тип корпуса, используемый на транзисторах 13003, они сделаны из пластика и эпоксидного материала, по этой причине они менее дороги и компактны при меньших схемах.

    13003 TO-92 Распиновка корпуса

    13003 Распиновка транзистора

    Распиновка для этого корпуса типа TO-92 следующая:

    1. База (b) — Pin01
    2. Коллектор (с) — Pin02
    3. Эмиттер (e) — Pin03

    Эта конкретная версия транзистора относится к типу с низким энергопотреблением, в котором используется TO-92.

    2.ТО-126 Упаковка

    TO-126 — это еще один тип корпуса, используемый в транзисторах 13003, они сделаны из пластика и эпоксидной смолы, но ширина и длина этого типа больше, поэтому он подходит для более высоких требований.

    13003 Распиновка транзистора

    Для этого корпуса типа TO-126 детали распиновки отличаются следующим образом.

    1. Излучатель (e) — Pin01
    2. Коллектор (с) — Pin02
    3. База (b) — Pin03
    13003 Распиновка корпуса ТО-126

    Данная версия транзистора имела высокое напряжение и мощность, по этой причине доступен корпус ТО-126.

    Для транзисторов 13003, отличных от корпусов TO-92 и TO-126, доступно гораздо больше корпусов для различных схемотехнических приложений.

    Номинальное напряжение 13003
    • Макс коллектор — эмиттер = 400В
    • Макс.коллектор — базовое напряжение = 700 В
    • Макс.эмиттер — напряжение базы = 9 В

    Номинальное напряжение между коллектором и эмиттером составляет 400 В, а номинальное напряжение между коллектором и базой составляет 700 В, эти значения напряжения сделают его идеальным для использования в самых разных схемах высокого напряжения переменного и постоянного тока.

    Максимальное напряжение эмиттер-база составляет 9 В, это максимальное напряжение смещения для этого транзистора.

    Текущий рейтинг 13003
    • Максимальный ток коллектора = 1,5 A
    • Коэффициент передачи прямого тока или усиление постоянного тока = от 14 до 57 Hfe
    • Пиковый ток коллектора = 3A

    Максимальный ток коллектора составляет 1,5 А, это значение показывает максимальную нагрузочную способность по току 13003 транзисторов.

    Коэффициент усиления по постоянному току транзисторов составляет от 14 до 57 hfe, этот коэффициент усиления низкий по сравнению с другими типами транзисторов.

    Рассеиваемая мощность

    Рассеиваемая мощность транзистора 13003 отличается из-за разных типов корпусов, для TO-126 рассеиваемая мощность составляет 40 Вт, а для TO92 значение будет 1,1 Вт.

    Максимальная температура хранения и эксплуатации = от -65 до + 150 ° C

    Частота перехода = 10 МГц

    Время хранения = 1us

    Время падения = 0,7 мкс

    13003 эквивалент транзистора

    У транзисторов было много эквивалентных транзисторов, здесь мы перечисляем некоторые из них, например 5302D, BLD123D, HLD133D и STL128D.

    SMD версия 13003 транзистора

    SMD-версия транзисторов 13003 — TD13003SMD, характеристики для поверхностного монтажа почти такие же, как у этих транзисторов.

    13003 схема транзистора Схема усилителя транзистора

    1.13003

    Простая схема усилителя, состоящая из двух транзисторов, транзистор D882 выступает в качестве основного компонента схемы усилителя, а транзистор 13003 предназначен только для процесса усиления малой мощности, мы знаем, что коэффициент усиления по постоянному току транзисторов очень низкий.

    Схема усилителя транзистора 13003

    13003 транзистор преимущества
    • Стабильны при эксплуатации
    • Надежны для работы при высоких напряжениях.
    • Они способны работать на очень высокой скорости
    • Различные версии пакетов позволяют использовать их в универсальных приложениях
    • Они дешевле
    • Их легко найти на местном рынке

    13003 транзистор использует
    • Подходит для цепей высокого уровня переключения
    • Цепи усилителя
    • Цепи регулятора
    • Цепи зарядного устройства
    • Цепи драйвера двигателя
    • Цепи переключения высокого постоянного напряжения
    • ИМПС

    ST13003-K datasheet, Распиновка, прикладные схемы Высоковольтный быстродействующий силовой транзистор NPN

    ЗСТ-130-03-Г-Д-715 Samtec Inc Разъем для штабелирования плат, 60 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки,
    ЗСТ-130-03-Г-Д-740 Samtec Inc Разъем для штабелирования плат, 60 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки,
    ЗСТ-130-03-Т-Д-535 Samtec Inc Разъем для стекирования плат,
    ЗСТ-130-03-С-Д-670 Samtec Inc Разъем для штабелирования плат, 60 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки,
    ТСТ-130-03-Л-Д Samtec Inc Разъем для платы, 60 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки,
    QST-130-03-S-T Samtec Inc Разъем для штабелирования плат, 90 контактов, 3 ряда, гнездовой, прямой, 0.Шаг 079 дюймов, вывод для пайки, фиксатор, черный изолятор, гнездо, СООТВЕТСТВИЕ ROHS
    ТСТ-130-03-Т-Д Samtec Inc Разъем для платы, 60 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки,
    ТСТ-130-03-С-Д Samtec Inc Разъем для платы, 60 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки,
    QST-130-03-L-T Samtec Inc Разъем для штабелирования плат, 90 контактов, 3 ряда, гнездовой, прямой, 0.Шаг 079 дюймов, вывод для пайки, фиксатор, черный изолятор, гнездо, СООТВЕТСТВИЕ ROHS
    ЗСТ-130-03-С-Д-669 Samtec Inc Разъем для штабелирования плат, 60 контактов, 2 ряда, папа, прямой, клемма для пайки,

    MJE13003 Силовой транзистор NPN — Лист данных

    MJE13003 Силовой транзистор NPN разработан для высоковольтных, высокоскоростных индуктивных цепей переключения мощности, где критично время спада.Они особенно подходят для приложений SWITCHMODE 115 и 220 В, таких как регуляторы переключения, инверторы, средства управления двигателями, драйверы соленоидов / реле и отклоняющая цепь

    .

    MJE13003 Распиновка

    MJE13003 Конфигурация контактов

    Номер контакта Название контакта
    1 База
    2 Коллектор
    3 Излучатель

    MJE13003 Основные характеристики

    • SOA с обратным смещением и индуктивной нагрузкой @ TC = 100C
    • Матрица индуктивного переключения 0.От 5 до 1,5 А, 25 и 100 С. . . tc @ 1 A, 100C составляет 290 нс (тип.).
    • Возможность блокировки 700 В
    • Обозначение типа: HMJE13003
    • Материал транзистора: Si
    • Полярность: NPN

    MJE13003 Спецификация

    1.5
    Ic (мА) Pd Vce (макс.) Vcb hfe @ Ic
    40 400 700 8-40 500 10
    MJE13003 Эквивалент / Альтернативный :
    • MJE1101, MJE1102, MJE1103, MJE1123, MJE12007

    Приложение

    • Импульсные регуляторы, инверторы
    • Управление двигателем
    • Драйверы соленоидов / реле
    • Цепи отклонения

    Вы можете загрузить это техническое описание на силовой транзистор MJE13003 NPN по приведенной ниже ссылке:

    13003 Технический паспорт — [PDF-документ]

    Continental Device India Limited Сертифицированный производитель IS / ISO 9002 и IECQ

    IS / ISO 9002 Lic # QSC / L- 000019.2

    IS / IECQC 700000 IS / IECQC 750100

    КРЕМНИЙ NPN СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР

    CD13003 TO-126MARKING: CD 13003

    Приложения. Подходит для освещения, импульсного регулятора и управления двигателем. АБСОЛЮТНЫЕ МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ ОПИСАНИЕ СИМВОЛ ЗНАЧЕНИЕ VCBO 600 Коллектор-базовое напряжение VCEO 400 Коллектор-эмиттер (Sus) Напряжение VEBO 9.0 Эмиттер-базовое напряжение IC 1.5 Ток коллектора Непрерывный ICM 3.0 Пик (1) IB 0,75 Базовый ток Непрерывный IBM 1.5 Peak (1) IE 2.25 Emitter Current Continuous IEM 4.5 Пик (1) PD 1.4 Рассеиваемая мощность при Ta = 25 ° C 11.2 Снижение мощности выше 25 ° C PD 45 Рассеиваемая мощность при Tc = 25 ° C 320 Снижение мощности выше 25 ° C Tj, Tstg от -65 до +150 Температура перехода при эксплуатации и хранении Диапазон ТЕРМИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ Rth (jc) 3.12 Переход к корпусу Rth (ja) 89 Максимальная температура соединения с окружающей средой для целей пайки: 1/8 дюйма для корпуса TL 275 в течение 5 секунд. (1) Испытание импульсом: длительность импульса = рабочий цикл 5 мс = 10% ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Ta = 25 ° C, если не указано иное) ОПИСАНИЕ СИМВОЛ УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ МИН. ТИП VCBO IC = 1 мА, IE = 0 600 Напряжение коллектор-база VCEO (sus) * IC = 10 мА, IB = 0 400 Коллектор-эмиттер (sus) Напряжение ICBO VCB = 600 В, IE = 0 Ток отсечки коллектора VCB = 600 В, IE = 0, TC = 100 ° C IEBO VEB = 9 В, IC = 0 Ток отсечки эмиттера hFE * IC = 0.5A, VCE = 5V 8.0 Коэффициент усиления постоянного тока IC = 2A, VCE = 5V 5.0 —

    UNIT VVVAAAAAAW мВт / град CW мВт / градус C deg C

    градус C / Вт град C / W

    град C

    MAX 1.0 5.0 1.0 40 25

    UNIT VV mA mA mA

    Continental Device India Limited

    Лист данных

    Страница 1 из 3

    ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Ta = 25 ° C, если не указано иное) ОПИСАНИЕ СИМВОЛ УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЯ VCE (Sat) * IC = 0,5 А, IB = 0,1 А Напряжение насыщения коллектор-эмиттер IC = 1 А, IB = 0.25A IC = 1,5A, IB = 0,5A IC = 1A, IB = 0,25A, TC = 100 ° C VBE (Sat) * IC = 0,5A, IB = 0,1A Напряжение насыщения базового эмиттера IC = 1A, IB = 0,25A IC = 1A, IB = 0,25A, TC = 100 ° C ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ft IC = 100 мА, VCE = 10 В, коэффициент усиления по току — произведение ширины полосы f = 1 МГц Cob VCB = 10 В, f = 0,1 МГц ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ выходной емкости Время включения Время хранения Время спада * Импульсный тест: PW = 300 мкс, рабочий цикл = 2% тонны tstg tf VCC = 125 В IC = 1 A IB1 = 0,2 A, IB2 = 0,2 A

    МИН 4,0 —

    CD13003 TYP MAX UNIT 0,50 В 1,0 В 2,5 В 1.0 В 1,0 В 1,2 В 1,1 В 21 МГц пФ

    —

    —

    1,1 4,0 0,7

    us us us

    TO-126 (SOT-32) Пластиковый корпус C NP B1 2 3

    A

    D IM ABCDEFGLMNPS

    М ВН.

    M AX.

    S

    DMFEG

    Подробная информация об упаковке Подробная информация о пакете TO-126 СТАНДАРТНАЯ УПАКОВКА Вес нетто / Кол-во Размер 3 «x 7,5» x 7,5 «Типовой лист

    КОРОБКА ВНУТРЕННЕЙ КАРТОННОЙ КОРОБКИ 2.0K Размер

    Все размеры в мм.

    1 2 3

    L

    P IN CON FIG U RATIO N 1.EM ITTER 2. CO LLEC TO R 3. B AS E

    7,4 7,8 10,5 10,8 2,4 2,7 0,7 0,9 2,25 TY P. 0,49 0,75 4,5 TY P. 15,7 TY P. 1,27 TY P. 3,75 TY P. 3,0 3,2 2,5 TY P

    ВНЕШНЯЯ КОРОБКА КОРОБКИ 32,0 К Вес 31 кг Страница 2 из 3

    500 шт. / Полиэтиленовый пакет 340 г / 500 шт.

    17 дюймов x 15 дюймов x 13,5 дюймов

    Continental Device India Limited

    Примечания

    Отказ от ответственности Информация и руководства по выбору облегчают выбор дискретных полупроводниковых устройств CDIL, наиболее подходящих для применения в вашем продукте (ах) в соответствии с вашими требованиями.Рекомендуется полностью просмотреть наши листы данных, чтобы убедиться, что устройства соответствуют параметрам функциональности для вашего приложения. Информация, представленная на веб-сайте / компакт-диске CDIL, считается точной и надежной. Однако CDIL не несет ответственности за неточности или неполную информацию. Более того, CDIL не несет никакой ответственности, связанной с применением или использованием любого продукта CDIL; он также не передает никаких лицензий на свои патентные права или права других лиц.Эти продукты не предназначены для использования в устройствах или системах для спасения / поддержки людей. Клиенты CDIL, продающие эти продукты (либо как отдельные дискретные полупроводниковые устройства, либо в составе своих конечных продуктов), в любых спасательных / вспомогательных устройствах, системах или приложениях, делают это на свой страх и риск, и CDIL не несет ответственности за любой ущерб, возникший в результате такой продажи. (s). CDIL стремится к постоянному совершенствованию и оставляет за собой право изменять спецификации своей продукции без предварительного уведомления.

    CDIL является зарегистрированным товарным знаком

    Continental Device India LimitedC-120 Промышленная зона Нараина, Нью-Дели 110 028, Индия. Телефон + 91-11-579 6150 Факс + 91-11-579 9569, 579 5290 электронная почта [email protected] www.cdil.comContinental Device India Limited Лист данных Стр. 3 из 3

    Качественный транзистор 13003 для электронных проектов Бесплатный образец Сейчас

    О товарах и поставщиках: 
     Alibaba.com предлагает большой выбор. Транзистор  13003  на выбор в соответствии с вашими потребностями.. Транзистор  13003  являются жизненно важными частями практически любого электронного компонента. Их можно использовать для создания материнских плат, калькуляторов, радиоприемников, телевизоров и многого другого. Выбрав правильный.  транзистор 13003 , вы можете быть уверены, что продукт, который вы создаете, будет качественным и хорошо работать. Ключевые факторы выбора продуктов включают предполагаемое применение, материал и тип, среди других факторов. Транзистор 
      13003  изготовлен из полупроводниковых материалов и обычно имеет не менее трех выводов, которые можно использовать для подключения их к внешней цепи.Эти устройства работают как усилители или переключатели в большинстве электрических цепей. Транзистор  13003  охватывает два типа областей, которые возникают из-за включения примесей в процессе легирования. В качестве усилителей. Транзистор  13003  скрывают низкий входной ток в большую выходную энергию, и они направляют небольшой ток для управления огромными приложениями, работающими как переключатели. 
     
     Изучите прилагаемые спецификации вашего.  транзистор 13003  для определения ножек базы, эмиттера и коллектора для безопасного и надежного соединения.Файл. Транзистор  13003  на Alibaba.com использует кремний в качестве первичной полупроводниковой подложки благодаря своим превосходным свойствам и желаемому напряжению перехода 0,6 В. Основные параметры для. Транзистор  13003 и  для любого проекта включают в себя рабочие токи, рассеиваемую мощность и напряжение источника. 
     
     Откройте для себя удивительно доступный. Транзистор  13003  на Alibaba.com для всех ваших потребностей и предпочтений. Доступны различные материалы и стили для безопасной и удобной установки и эксплуатации.Некоторые аккредитованные продавцы также предлагают послепродажное обслуживание и техническую поддержку.

    c điểm của транзистор 13003

    Транзистор 13003 là транзистор lưỡng cực cấu tạo gồm 3 lớp bán dẫn ghép với nhau thành 2 mi nối P-N, thuộc loại транзистор nghịch NPN. Транзистор nguồn E13003 được sản xuất theo chuẩn TO126, thứ tự chân từ trái qua phải: B C E.

    Kích thước của Transistor E13003

    Транзистор Nguồn E13003 có iện áp giới hạn lên đến Uce = 400V, dòng iện giới hạn của Transistor nguồn E13003 là Ic = 1.5А.

    Транзистор 13003 может иметь значение -55 ° C n150 ° C. Транзистор Nguồn E13003 представляет собой транзистор ngun thường được sử dụng trong các bộ nguồn xung, d

    Лист данных E13003

    Thông số kỹ thuật:

    • iện áp cực đại: VCBO = 700V, VCEO = 400V, VEBO = 9V
    • Dòng điện cực đại: IC = 1,5A
    • Температура воздуха в помещении: -55 ° C ~ 150 ° C

    Транзистор MJE13003 с транзистором 13003.

    Loại chỉ định: транзистор 13003, MJE13003.

    Gói: TO-92, TO-92L, TO-252, TO-220, T0-251, TO-126.

    Chú ý MJE13003 trong các gói TO-92 và TO-126 có thể cách xếp chân khác nhau.

    Do ó, các chân của mỗi транзистор 13003 phải kiểm tra bằng đồng hồ vạn năng hoặc các thiết bị kiểm tra trước khi cài đặt.

    Nếu транзистор bị lỗi dẫn đến không xác định vị trí các chân bằng đồng hồ vạn năng hoặc máy kiểm tra, cần chú ý n kết nối của nó với bcha.

    • Cực phát (излучатель) thường được nối trực tiếp hoặc qua một điện trở có iện trở nhỏ so với chân âm của tụ làm mn đầu vào.

      No related posts.

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *