Диод кремниевый 1n4148: 1N4148,133, Диод 100В 150мА [DO-35], NXP

Данная гарантия не распространяется на: (a) повреждения или неисправности, вызванные или связанные с неправильным обращением, неправильным использованием, несоблюдением инструкций, неправильной установкой или обслуживанием, переделками, авариями, стихийными бедствиями (такими как наводнения или молнии) или превышением напряжения или текущий; (б) ненадлежащим или неправильно выполненным ремонтом лицами, не авторизованными сервисным центром RadioShack; (c) расходные материалы, такие как предохранители или батареи; (d) обычный износ или косметическое повреждение; (e) расходы на транспортировку, доставку или страхование; (f) затраты на снятие, установку, настройку, настройку или переустановку продукта; и (g) претензии лиц, не являющихся первоначальным покупателем.

В случае возникновения проблемы, на которую распространяется эта гарантия, доставьте продукт и товарный чек RadioShack в качестве доказательства даты покупки в место первоначальной покупки или посетите сайт www.radioshack.com/warranty. RadioShack по своему усмотрению, если иное не предусмотрено законом (а) заменит продукт таким же или сопоставимым продуктом, или (б) вернет покупную цену. Все замененные продукты и продукты, за которые производится возврат, становятся собственностью RadioShack.

RADIOSHACK ЯВНО ОТКАЗЫВАЕТСЯ ОТ ВСЕХ ГАРАНТИЙ И УСЛОВИЙ, НЕ УКАЗАННЫХ В ДАННОЙ ОГРАНИЧЕННОЙ ГАРАНТИИ.ЛЮБЫЕ ПОДРАЗУМЕВАЕМЫЕ ГАРАНТИИ, КОТОРЫЕ МОГУТ БЫТЬ НАЛОЖЕННЫМ ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВОМ, ВКЛЮЧАЯ ПОДРАЗУМЕВАЕМУЮ ГАРАНТИЮ КОММЕРЧЕСКОЙ ЦЕННОСТИ И, ЕСЛИ ПРИМЕНИМО, ПОДРАЗУМЕВАЕМУЮ ГАРАНТИЮ ПРИГОДНОСТИ ДЛЯ КОНКРЕТНОЙ ЦЕЛИ, ДЕЙСТВУЮТ ПО ДЕЙСТВУЮЩЕЙ ГАРАНТИИ.

, ЗА ИСКЛЮЧЕНИЕМ УКАЗАННОГО ВЫШЕ, RADIOSHACK НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ ПЕРЕД ПОКУПАТЕЛЕМ ПРОДУКТА ИЛИ ЛЮБЫМ ДРУГИМ ЛИЦОМ ИЛИ ЛИЦОМ В ОТНОШЕНИИ ЛЮБОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ПОТЕРЯ ИЛИ УЩЕРБ, ВЫЗВАННЫЙ НАПРЯМУЮ ИЛИ НЕПОСРЕДСТВЕННЫМ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОДУКЦИИ. НАРУШЕНИЕ ДАННОЙ ГАРАНТИИ, ВКЛЮЧАЯ, НО НЕ ОГРАНИЧИВАЯСЬ, ЛЮБЫЕ УБЫТКИ, ВЫЗВАННЫЕ НЕУДОБСТВАМИ И ЛЮБЫМИ УБЫТКАМИ ВРЕМЕНИ, ДАННЫХ, ИМУЩЕСТВА, ДОХОДА ИЛИ ПРИБЫЛИ И ЛЮБЫЕ КОСВЕННЫЕ, СПЕЦИАЛЬНЫЕ, СЛУЧАЙНЫЕ ИЛИ КОСВЕННЫЕ УБЫТКИ, ДАЖЕ ЕСЛИ ВОЗМОЖНОСТЬ ТАКИХ УБЫТКОВ.

В некоторых штатах не допускается ограничение срока действия подразумеваемой гарантии, а также исключение или ограничение случайных или косвенных убытков, поэтому указанные выше ограничения или исключения могут к вам не относиться. Эта гарантия дает вам определенные юридические права, и вы также можете иметь другие права, которые варьируются от штата к штату.

Вы можете связаться с RadioShack по телефону:

Служба поддержки клиентов RadioShack

www.radioshack.com
1-800-THE-SHACK
shop @ radioshack.com

Обновлено 06.10.

1N4148 300mA 75V Кремниевый эпитаксиальный планарный диод

Стоимость доставки почтой первого класса:

Стоимость доставки Priority Mail:

Canada First Class International (исключения см. На странице доставки)

Canada Priority Mail (исключения см. На странице доставки)

Международный — за пределами США / Канады (исключения см. На странице доставки)

1N4148 Кривая I-V с прямым смещением диода — 2N3904Blog

В этом сообщении в блоге будет измерено и проанализировано прямое смещение напряжение-ток диода 1N4148.{-19}} = 25,4 \ text {мВ} $$

Измерительная установка

Самая низкая шкала измерения тока составляет 10 мА на 34401A, поэтому для измерения низкого тока необходим другой подход. Для этого сообщения в блоге график I-V разделен на 2 области. Испытательные токи менее \ (\ приблизительно 100 \) мкА будут измеряться с использованием слаботочной установки. Для испытательных токов выше 100 мкА будет использоваться режим измерения DCI 34401.

Низкий ток

Режим DCI 34401A имеет минимальную шкалу 10 мА.Для измерения испытательных токов уровня от нА до мкА используются токовый шунт 100 кОм и вольтметр. Схема испытательной установки показана ниже.

\ (R_ {shunt} \) и вольтметр \ (V_1 \) измеряют прямой ток ИУ \ (I_D \) как,

$$ I_D = \ dfrac {V_1} {R_ {шунт}} $$

Вольтметр \ (V_2 \) измеряет прямое напряжение тестируемого устройства. Источник питания \ (V_ {s1} \) изменяется программно от 0 до 10 В. Тогда прямой ток на полной мощности равен

$$ I_D = \ dfrac {V_ {s1} — V_D} {R_ {shunt}} \ приблизительно \ dfrac {10 — 0.3} = 95 \; \; \; \ text {[uA]} $$

Оба вольтметра \ (V_1 \) и \ (V_2 \) настроены на входное сопротивление Hi-Z. Обратите внимание, что это ограничивает максимальный шунтирующий потенциал до 10 В постоянного тока, поскольку 10 В — это самый большой диапазон измерения постоянного напряжения, поддерживающий входное сопротивление Hi-Z (шкала измерения 100+ В постоянного тока составляет только входное сопротивление 10 МОм).

Сильный ток

Для испытательных токов от 100 мкА до 100 мА используется топология учебного класса. Схема испытательной установки показана ниже.

Настольный источник питания \ (V_ {s1} \) работает как программируемый источник тока.Тестовый ток ИУ измеряется последовательным амперметром \ (A_ {m1} \). Прямое напряжение ТУ измеряется вольтметром \ (V_ {m1} \). Стендовый источник питания \ (V_ {s1} \) имеет максимальное выходное напряжение 20 В постоянного тока. Все комбинированные линейные настольные источники питания с постоянным выходным напряжением имеют некоторую выходную байпасную / большую емкость между выходными клеммами. Когда выходной конденсатор полностью заряжен, нет тока, ограничивающего скорость его разряда (помимо механики цепей нагрузки). Для защиты ИУ от сильноточного разряда выходных шунтирующих конденсаторов используется последовательный ограничительный резистор \ (R_ {lim} \).При максимальном выходном напряжении источника питания пиковый ток разряда при переходе от постоянного напряжения к регулированию постоянного тока составляет

$$ I_ {pk} = \ dfrac {20-1} {10} = 1.9 \ text {[A]} $$

1N4148 рассчитан на пиковый импульсный ток нагрузки 2 А в течение короткого промежутка времени.

Рассеивание мощности тестируемого устройства важно для предотвращения перегрева полупроводникового перехода, что в конечном итоге может привести к отказу.

Предел рассеиваемой мощности 1N4148 показан в выдержке из таблицы ниже.

1N4148 рассчитан на максимальное рассеивание мощности 500 мВт при установке с проводами 4 мм при температуре 25 ° C.

На рисунке ниже мгновенная кривая ВАХ с ВАХ постоянной мощности.

Мы можем заметить, что если температура перехода остается постоянной, прямой ток при максимальном Pd составляет от 250 мА до 300 мА. В действительности при испытании статической нагрузкой температура перехода будет повышаться с рассеянием мощности, вызывая падение прямого напряжения. При более низком прямом напряжении и том же токе ИУ рассеивает меньшую мощность.Мы можем ожидать, что точка нагрузки максимальной рассеиваемой мощности будет где-то между 300 мА и 500 мА (с учетом самонагрева перехода).

Стеклянный корпус диода имеет длину 3,4 мм. Схема размеров упаковки показана ниже.

Для упрощения сборки тестируемые устройства будут устанавливаться в осевом направлении без формирования выводов. Вырезание паза шириной 11,4 мм дает монтажную конструкцию с длиной вывода 4 мм.

Фотография тестируемых устройств, установленных на испытательном стенде, показана ниже.oC \\
R_ {Шунт} \ ;: & 100.48 \; k \ Omega
\ end {matrix} $$

Полная совокупная модель IV (сочетающая высокие и низкие развертки) показана на рисунке ниже.

На приведенном выше графике ВАХ не очевидно, что кривые низкого тока не пересекаются с кривыми высокого тока. График, показывающий прерывистую область, показан ниже.

Обоснование этого разрыва чрезвычайно важно понять. Обратите внимание, что наклон двух сегментов примерно одинаков.Однако Y-пересечение строки журнала изменилось. Между двумя измерениями температура окружающей среды повысилась, и были проведены пробные прогоны разверток по рассеиванию мощности 500 мВт (повышение температуры испытательного стенда выше температуры окружающей среды). Фактически, ток насыщения \ (I_s \) кремниевого диода примерно удваивается при повышении температуры на +8 ° C. Вот почему принято рассматривать ВАХ диода, описываемого как мгновенный отклик или характеризуемого методами импульсных измерений. Однако показанный выше ответ по-прежнему является абсолютным, только он включает тепловое поведение устройства в дополнение к зависимости ВА.{b_0} $$

Результаты подгонки каждого DUT к модели журнала показаны на рисунках ниже.

Сильноточный фитинг модели

Следуя той же процедуре, которая описана в разделе подгонки слаботочной модели, каждое тестируемое устройство соответствует функции журнала. Данные, используемые для подбора логарифма, представляют собой точки измерения DUT, где \ (V_D \) <700 мВ. Результаты подгонки модели показаны ниже.

Сильноточное динамическое сопротивление

Сопротивление малого сигнала диода можно найти, линеаризуя уравнение диода относительно рабочей точки постоянного тока, как,

\ begin {align *}
\ dfrac {\ partial I_D} {\ partial V_D} & = \ left (\ dfrac {\ partial} {\ partial V_D} \ right) I_s e ^ {V_D / \ eta V_T} \ \
g_D & = \ left (I_s e ^ {V_D / \ eta V_T} \ right) \ dfrac {1} {\ eta V_T}
\ end {align *}
Принимая во внимание коэффициент \ (I_D \), проводимость слабого сигнала становится равной,
$$ g_D = \ dfrac {I_D} {\ eta V_T} $$
Эквивалентно, сопротивление слабого сигнала является обратной величиной проводимости, как,

$$ r_D = \ dfrac {\ eta V_T} {I_D} $$

Теоретическое динамическое сопротивление \ (r_D \) и измеренное динамическое сопротивление показаны на рисунке ниже.

Первое изменение динамического сопротивления при 1 мА потребует дальнейшего изучения. Второе отклонение на 10 мА связано с переключением диапазона цифрового мультиметра. При низком токе измеренное и теоретическое динамическое сопротивление показывает разумное согласие. В какой-то момент в эффективном сопротивлении слабого сигнала преобладает ESR диода. На рисунке ниже показано динамическое сопротивление 1N4148 вблизи области постоянного сопротивления.

Между стеклянным корпусом диода и измерительными точками датчика было измерено сопротивление проводника + зажимное приспособление, которое составило \ (\ приблизительно 5 м \ Омега \) для каждой клеммы, давая общее ESR от монтажа 10 мОм.Примерное значение ESR 500 мОм в первую очередь связано с механикой физического перехода диода, а не с выводами и испытательным приспособлением.

Типовое соглашение о слабом токе

Прямое напряжение, при котором ток диода равен его току насыщения, может быть решено следующим образом:
\ begin {align *}
Id = I_s & = I_s \ left (\ exp \ left ((\ dfrac {V_D} { \ eta V_T} \ right) — 1 \ right) \\
1 & = \ exp \ left (\ dfrac {V_D} {\ eta V_T} \ right) — 1 \\
2 & = \ exp \ left (\ dfrac {V_D} {\ eta V_T} \ right) \\
\ log (2) & = \ dfrac {V_D} {\ eta V_T}
\ end {align *}

$$ V_D = \ log (2) \ eta V_T $$

Рассмотрим, например, DUT-A, у которого будет прямое напряжение
$$ V_D (I_D = I_s) = (0.693) (1,91) (25,4 \; \ text {мВ}) = 33,6 \; \ text {мВ} $$

На рисунке ниже показано поведение IV ниже 1 \ (I_S \).

Хотя термин «-1» использовался для подгонки логарифмической модели, даже на текущих уровнях, где член «-1» сравним с экспоненциальной величиной, измерения показывают хорошее согласие. На рисунке ниже показаны как данные измерений, так и полная модель диода с использованием параметров модели, определенных выше.

Необработанные данные

Кривые I-V, собранные для 4 DUT, можно найти в виде файлов csv ниже:

Слаботочный

— DUT A (\ (T_ {amb} = 21.oC \))

Файлы имеют формат:
Напряжение ИУ [В], Ток ТУ [А]

Характеристики, типы и характеристики сигнального диода

В этом уроке мы узнаем о специальном диоде, называемом сигнальным диодом. Он используется в формировании волны, ограничении, схеме защиты, а основное применение сигнального диода — это обратный диод или обратный диод . Мы увидим 1N4148, очень часто используемый кремниевый коммутирующий сигнальный диод, его характеристики V-I и несколько важных спецификаций.

часто используются как простые выпрямители, как смесители при составлении сигналов и как переключатели для размыкания или замыкания цепи. Диоды в смесителях используются для обнаружения сигналов, и эти диоды обычно называют сигнальными диодами. Простое и традиционное применение сигнальных диодов состоит в том, что они действуют как основной диодный переключатель.

Сигнальный диод может быть доступным в последнее время нелинейным полупроводниковым устройством, которое формирует своего рода небольшие элементы электрических и электронных схем, сделанные из полупроводниковых кристаллов.

Сигнальные диоды широко известны, потому что они часто встречаются в электронных схемах, таких как телевизоры, радиоприемники, некоторые другие цифровые логические схемы, и они предназначены для управления очень небольшой мощностью или без нее, хотя высокочастотные токи исключительно в одном направлении.

Сигнальный диод с PN переходом обычно изготавливается в стеклянном или пластиковом корпусе и обычно имеет черную или красную полосу на катодном конце вывода.

Сигнальные диоды обладают преимуществом быстрого восстановления, а также могут применяться в самых разных областях обработки сигналов.Сигнальные диоды могут использоваться для функций синхронизации в цифровых устройствах, а также служат для предотвращения повреждения микроконтроллера обратным сигналом. Сигнальные диоды будут использоваться в приложениях переключения и ограничения, где обычно ограничиваются короткие импульсы.

Сигнальные диоды позволяют выдерживать ток до 100 миллиампер, и они известны своей способностью обрабатывать информацию, содержащуюся в электрических сигналах, посылаемых от электрического передатчика. Германиевые диоды имеют прямое падение напряжения около 0.2 вольта используются как цепи обнаружения в радиоприемниках.

В электронных схемах, которые не требуют точности германиевых диодов, кремниевых полупроводников, сигнальные диоды обычно используются из-за их более низкого сопротивления и их чувствительности к нагреванию.

НАЗАД В начало

Вот список некоторых часто используемых сигнальных диодов.

• 1N4973
• 1N4148
• 1N34A (германиевый диод)
• 1N4454

Малосигнальные диоды имеют низкие значения мощности и тока, около 500 мВт и 150 мА, почти по сравнению с традиционными выпрямительными диодами.Характеристики сигнального диода совершенно разные для сигнальных германиевых и кремниевых сигнальных диодов. Они даются следующим образом:

Германиевые сигнальные диоды — Эти диоды имеют очень небольшое количество значений сопротивления обратного смещения, что приводит к низкому прямому падению напряжения на PN-переходе, обычно около 0,2 В — 0,3 В, однако они имеют высокое значение сопротивления прямого смещения, связанное с малая площадь PN перехода.

Кремниевые сигнальные диоды — Эти диоды имеют очень высокое сопротивление обратного смещения, что приводит к прямому падению напряжения около 0.6 — 0,7В через PN переход. Они имеют умеренно низкие значения сопротивления прямого смещения, что приводит к более высоким значениям прямого тока и обратного напряжения смещения.

НАЗАД В начало

Если и положительная, и отрицательная клеммы внешнего источника питания подключены к соответствующим клеммам PN перехода, то говорят, что сигнальный диод находится в прямом смещении. Напряжение, подаваемое на диод при прямом смещении, создает прямой ток, обозначенный I _F .

Величина прямого тока прямо пропорциональна приложенному внешнему напряжению и обратно пропорциональна встроенному сопротивлению диода. Электростатическая сила, которая препятствует прохождению электронов и дырок из перехода из-за влияния заряженных ионов в обедненном слое, называется барьерным напряжением

Типичные значения барьерного напряжения на p-n-переходе германиевого диода составляют 0,2 В ~ 0,3 В, тогда как для кремниевого диода оно составляет 0,6 В ~ 0,7 В.

Если положительная клемма источника питания подключена к катоду сигнального диода, а отрицательная клемма подключена к аноду диода, то говорят, что сигнальный диод имеет обратное смещение. Когда внешнее напряжение прикладывается к диоду в режиме обратного смещения, небольшой ток, известный как ток утечки, возникает из-за того, что неосновные носители заряда пересекают обедненный слой и удаляются от него.

Этот ток утечки также называется током обратного насыщения, обозначаемым как или который не зависит от приложенного внешнего напряжения, но зависит от температуры устройства.

Если приложенное обратное напряжение смещения очень велико, неосновные носители заряда приобретают достаточно энергии, чтобы столкнуться и расщепить ковалентные связи, образуя значительное количество электронно-дырочных пар.

Явление генерации электронно-дырочных пар называется пробоем. Максимальное обратное напряжение, приложенное к диоду до его пробоя, можно назвать пиковым обратным напряжением или пиковым обратным напряжением.

При прямом смещении сигнальный диод действует как замкнутый переключатель и, таким образом, замыкается накоротко для возбуждения тока только в одном направлении (от положительной клеммы к отрицательной).При обратном смещении кремниевый диод действует как разомкнутый переключатель и, таким образом, разомкнутый контур для блокировки тока, протекающего в диоде.

Кремниевые сигнальные диоды действуют как выпрямители, схемы переключения, схемы ограничения и в схемах ограничения для ограничения коротких сигналов.

НАЗАД В начало

Подробная информация о параметрах характеристик сигнальных диодов и спецификациях сигнальных диодов приведена ниже.

Пиковое обратное напряжение (PIV)

Peak Inverse Voltage определяется как максимальное значение напряжения, которое может быть приложено к диоду в обратном направлении. Это пиковое напряжение не должно превышаться, потому что напряжение, превышающее это пиковое напряжение, может вызвать отказ устройства. Это также называется максимальным обратным напряжением, и оно меньше, чем состояние лавинного пробоя диода в характеристике обратного смещения.

Типичные значения пикового обратного напряжения могут варьироваться от нескольких вольт до тысяч вольт.В выпрямительных схемах в отношении амплитуды пиковое обратное напряжение называется крайним отрицательным значением синусоидальной волны, окруженной отрицательным чередованием цикла.

НАЗАД В начало

Рассеиваемая мощность (P

Общая рассеиваемая мощность определяется как максимальная мощность, которая будет рассеиваться на сигнальном диоде PN перехода во время прохождения тока. Избыточная мощность будет рассеиваться в виде тепла. Прямое сопротивление сигнального диода — это динамическое свойство, оно очень мало и иногда меняется.

В этом состоянии общая рассеиваемая мощность будет измеряться путем умножения напряжения, приложенного к диоду, и прямого тока, протекающего через сигнальный диод.

НАЗАД В начало

прямой ток (I

Параметр номинального прямого тока сигнального диода определяется как максимальная величина анодного тока, с которой сигнальный диод может легко справиться, не повредив устройство. Если ток превышает номинальное значение , прямого тока, тогда сигнальный диод может быть поврежден на переходе из-за тепловой перегрузки.

НАЗАД В начало

Рабочая температура (T)

Параметр максимальной рабочей температуры сигнального диода чаще связан с общей рассеиваемой мощностью, а также с температурой PN перехода. Он определяется как максимальная температура устройства, при которой достигается максимальный прямой ток.

При превышении этого значения температуры устройство выходит из строя и выходит из строя. Сигнальный диод на PN-переходе должен поддерживаться при температуре, при которой достигается максимальный прямой ток, прежде чем он ухудшится.

НАЗАД В начало

Вот некоторые характеристики сигнального диода 1N4148. Они следующие.

• Максимальное повторяющееся обратное напряжение = 100 В
• Средний выпрямленный прямой ток = 200 мА
• Максимальный прямой прямой ток = 300 мА
• Максимальное падение напряжения в прямом направлении = 1,0 В при 10 мА.
• Непериодический пиковый прямой импульсный ток = 1,0 A (длительность импульса = 1 с)
• Общая рассеиваемая мощность = 500 мВт
• Время обратного восстановления <4 нс

НАЗАД В начало

ПРЕДЫДУЩИЙ — ВИДЫ ДИОДОВ

ДАЛЕЕ — СИГНАЛЬНЫЕ ДИОДНЫЕ Массивы

1N4148 datasheet — Кремниевый коммутационный диод Do-35 Glass Package

Введение в 1N4148 — Инженерные проекты

Всем привет! Я надеюсь, что у вас все будет в порядке и весело.Сегодня я собираюсь провести Введение в 1N4148. Это в основном диод, используемый для быстрого переключения. Переключающие диоды обычно представляют собой одиночные P-N диоды, и их функции аналогичны функциям обычного переключателя.

Ниже определенного напряжения переключающие диоды, например, 1N4148, имеют высокое сопротивление. В то время как, как и выше, это удельное напряжение, они показывают низкое сопротивление. Это наиболее часто используемый диод из-за его меньшего размера, доступности и низкой стоимости. Хороший переключающий диод можно выбрать по его максимальному времени обратного восстановления и рассеиваемой мощности в диапазоне от 80 мВт до 1 кВт.Переключающие диоды, такие как 1N4148, 1N4007 и т. Д., Имеют очень широкий спектр применения, особенно во встроенных системах для целей переключения. Он в основном используется в переключателях с чрезвычайно быстрым срабатыванием. Он может использоваться для высокоскоростного выпрямления, коммутации общего назначения и быстрой коммутации также включены в его приложения, защиту телекоммуникационной промышленности, жилых домов и т. Д.

Введение в 1N4148

1N4148 — это стандартный диод, сделанный из кремния и используется для очень быстрых операций переключения.У него есть два режима работы:

1. Прямое смещение
2. Reverse Biased

В рабочем режиме с прямым смещением он позволяет току проходить через него и действует как замкнутый переключатель, а в рабочем режиме с обратным смещением он действует как открытый переключатель и не позволяет току проходить через него. Это. Я объяснил это на рисунке ниже:

Я разработал приведенную выше симуляцию в Proteus, и вы можете видеть это на изображении выше.

• В прямом смещенном состоянии диод IN4148 действует как замкнутый переключатель и пропускает ток, поэтому наш светодиод горит.
• В состоянии обратного смещения диод IN4148 действует как разомкнутый переключатель, и через него не протекает ток, поэтому наш светодиод не горит.
• На рисунке ниже я показал эквивалентную схему для обоих состояний диода:

1. 1N4148 Параметры механической конструкции

• Различные параметры механической конструкции этого диода показаны в таблице, приведенной ниже.

• Это некоторые из параметров для механического проектирования стабилитрона 1N4148.
• Некоторые другие механические параметры также показаны в таблице ниже.

• Параметры, приведенные в таблице выше, можно проверить по рисунку, показанному ниже:

• Из рисунка, показанного выше, мы можем видеть, что диод имеет четыре основные стороны: A, B , C и D соответственно.
• Каждая сторона имеет свои разные размеры, как указано в приведенной выше таблице.
• Итак, это было краткое обсуждение параметров механической конструкции этого диода.

2. 1N4148 Распиновка

• 1N4148 имеет только одну входную клемму и одну выходную клемму.
• Входная клемма называется анодом, а выходная клемма — катодом.
• Анод обозначен положительным ( ve ) зарядом, тогда как катод обозначен отрицательным ( ve ) зарядом.
• Пины и их заряды показаны в таблице ниже.

3. Схема выводов 1N4148

• Схема выводов для этого диода показана на рисунке ниже:

• Это правильно помеченная схема 1N4148, на которой анод с одной стороны обозначен как A , а катод с другой стороны — B.

4. Номинальная мощность 1N4148

• В приведенной ниже таблице указаны ток, напряжение и номинальная мощность диода 1N4148.

• В приведенной выше таблице показаны номинальные характеристики конкретного диода, а также их символы и значения.

5. 1N4148 Применения

Переключающий диод, например, 1N4148, имеет широкий спектр применений, несколько пФ, которые приведены ниже:

• Чрезвычайно жирные коммутационные цели.
• Высокоскоростное выпрямление.
• Коммутация общего назначения.
• Цепи защиты в телекоммуникационных отраслях, офисах, жилых домах и т. Д.
• Это были лишь немногие из областей применения, связанных с этим переключающим диодом.

Итак, это все из учебника Введение в 1N4148. Надеюсь, вам действительно понравился этот урок. Если у вас возникнут какие-либо проблемы по поводу чего-либо, вы можете спросить меня в любое время в комментариях, даже не испытывая никаких колебаний. Я постараюсь на своем уровне развлечь вас и, если возможно, лучше решить ваши проблемы.