Диод обращенный: Туннельные и обращенные диоды: Обращенные диоды

Туннельные и обращенные диоды: Туннельные диоды

 

Туннельный переход электронов через \(p\)-\(n\)-переход возможен, если толщина перехода мала и энергетическим уровням, заполненным электронами в одной области, соответствуют такие же свободные разрешенные энергетические уровни в соседней области. Эти условия выполняются в переходах, образованных полупроводниками с высокой концентрацией примесей (вырожденные полупроводники). При этих условиях ширина \(p\)-\(n\)-перехода очень мала, что обусловливает высокую напряженность электрического поля в переходе и вероятность туннельного прохождения электронов через его потенциальный барьер.

Туннельный диод — это полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом напряжении участка отрицательной дифференциальной проводимости. Вольт-амперная характеристика туннельного диода приведена на рис.

2.7‑1.

 

Рис. 2.7-1. Вольт-амперная характеристика туннельного диода

 

Туннельный ток может проходить через переход в обоих направлениях. Однако в области прямого смещения туннельный ток сначала резко растет, а достигнув некоторого максимального значения, затем резко убывает. Снижение тока связано с тем, что с увеличением напряженности электрического поля в переходе в прямом направлении уменьшается число электронов, способных совершить туннельный переход. При некотором значении прямого напряжения число таких электронов становится равным нулю и туннельный ток исчезает совсем. Дальнейшее увеличение прямого напряжения оказывает влияние только на прямой диффузионный ток, который увеличивается с ростом напряжения также, как и у обычных выпрямительных или универсальных диодов. В области обратного смещения у туннельных диодов наблюдается только резкий рост туннельного тока при увеличении обратного напряжения.

Ввиду очень малой толщины \(p\)-\(n\)-перехода туннельного диода время перехода электронов через него очень мало, поэтому туннельный диод в области малых напряжений — практически безынерционный прибор. Его частотные характеристики определяются в основном барьерной емкостью перехода и различными утечками.

Наличие на вольт-амперной характеристике туннельного диода участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением (отношение приращения напряжения к приращению тока) позволяет использовать диод в усилителях и генераторах электрических колебаний, а также в разнообразных импульсных устройствах, что тем более оправдано, учитывая высокое быстродействие туннельных диодов. Качественные показатели таких устройств определяются длиной и линейностью участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на ВАХ диода. В зависимости от того, для применения в каких из перечисленных выше устройств они предназначены, туннельные диоды делятся на

усилительные, генераторные и переключательные.

Каждый из типов туннельных диодов имеет свои особенности. Например, для генераторных диодов очень важна линейность участка отрицательного дифференциального сопротивления, поскольку это обеспечивает отсутствие гармоник в генерируемом сигнале, а для переключательных диодов наиболее важной является крутизна этого участка.

Поскольку для изготовления туннельных диодов используются вырожденные полупроводники, по характеру проводимости приближающиеся к металлам, рабочая температура этих диодов приближается к 400 °C. Однако из-за низких рабочих напряжений и малых площадей переходов туннельные диоды имеют очень маленькую мощность.

 

 

< Предыдущая   Следующая >

Туннельные и обращенные диоды: Параметры туннельных и обращенных диодов

 

К основным параметрам туннельных диодов относятся: напряжение пика (\(U_п\)), ток пика (\(I_п\)), напряжение впадины (\(U_в\)), ток впадины (\(I_в\)), отношение токов (\(I_п/I_в\)), напряжение раствора (\(U_{рр}\)), а также некоторые другие, характеризующие ВАХ диода и его импульсные свойства.

Обращенные диоды имеют те же параметры, что и туннельные, за исключением некоторых характеристик ВАХ.

Напряжение пика (\(U_п\)) и пиковый ток (\(I_п\)). На ВАХ туннельного диода имеются точки, в которых значение дифференциальной активной проводимости равно нулю. Одна из них находится в вершине изгиба (холма) на прямой ветви ВАХ. Значения тока и напряжения, характеризующие эту точку ВАХ, называются током пика (\(I_п\)) и напряжением пика (\(U_п\)).

Напряжение впадины (\(U_в\)) и ток впадины (\(I_в\)). Второй точкой на ВАХ туннельного диода, в которой значение дифференциальной активной проводимости равно нулю, является точка, находящаяся в нижней точке впадины на прямой ветви ВАХ. Значения тока и напряжения, характеризующие эту точку ВАХ, называются

током впадины (\(U_в\)) и напряжением впадины (\(I_в\)).

Отношение токов (\(I_п/I_в\)). Для описания ВАХ туннельного диода удобно оперировать не только абсолютными значениями токов и напряжений в ее ключевых точках, но и таким параметром, как отношение пикового тока к току впадины (\(I_п/I_в\)), который характеризует степень возможного изменения тока прибора при работе на отрицательной ветви ВАХ.

Напряжение раствора (\(U_{рр}\)). Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви ВАХ туннельного диода, при котором ток равен пиковому току диода, называется напряжением раствора (\(U_{рр}\)). Для обращенных диодов напряжение раствора фактически задает максимальную амплитуду сигнала подаваемого на диод, поскольку при ее превышении обращенный диод перестает проявлять выпрямляющие свойства и становится проводящим в обоих направлениях.

Отрицательная проводимость (\(g_{пер}\)). Проводимость, определяемая на середине падающего участка вольт-амперной характеристики, называется отрицательной проводимостью туннельного диода

(\(g_{пер} = \operatorname{d}I/ \operatorname{d}U\)). Отрицательная проводимость характеризует крутизну участка спада на ВАХ прибора и имеет значение при использовании туннельных диодов в самых разных режимах работы.

Предельная резистивная частота (\(f_r\)). Учитывая, что переход туннельного диода имеет некоторую зависящую от напряжения емкость, а также то, что у диода есть вполне конкретные значения сопротивления потерь и индуктивности, полное сопротивление диода с увеличением частоты изменяется. Значение частоты, при которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода обращается в нуль, называется

предельной резистивной частотой (\(f_r\)). Это значение может быть найдено по формуле:

\( f_г = \cfrac{\left| g_{пер} \right|}{2 \pi C_д} \sqrt{\cfrac{1}{\left| g_{пер} \right| r_п} — 1} \), где \(r_п\) — сопротивление потерь диода.

Максимальным значение предельной резистивной частоты получается, если \(r_п = \cfrac{1}{2 \left| g_{пер} \right|}\), при этом \(f_{r max} = \cfrac{1}{(4 \pi r_п C_д)}\). Т.е. частотные свойства туннельного диода определяются его постоянной времени \(\tau = r_п C_д\).

 

Рис. 2.7-1. Специальные параметры туннельных и обращенных диодов

 

 

< Предыдущая   Следующая >

ОБРАЩЁННЫЙ ДИОД — это… Что такое ОБРАЩЁННЫЙ ДИОД?


ОБРАЩЁННЫЙ ДИОД

полупроводниковый диод, выполненный на основе ПП (обычно германия или арсенида галлия) с высокой концентрацией примесей, в к-ром протекание тока обусловлено при обратном напряжении туннельным эффектом, а при прямом — только инжекц. процессами. От

туннельного диода отличается низким значением силы пикового тока (ок. 100 мкА). В О. д. уже при малых обратных напряжениях (десятки мВ) сила обратного тока оказывается больше силы прямого (диффузионного) тока; эта особенность послужила основанием для назв. прибора. Применяется гл. обр. в СВЧ детекторах и смесителях, в быстродействующих переключателях и импульсных схемах.

Большой энциклопедический политехнический словарь. 2004.

  • ОБРАЩЕНИЕ ФОТОГРАФИЧЕСКОЕ
  • ОБСАДНАЯ ТРУБА

Смотреть что такое «ОБРАЩЁННЫЙ ДИОД» в других словарях:

  • Обращённый диод — Вольт амперная характеристика обращённого диода (сплошная линяя), и туннельного диода (пунктирная) Обращённый диод  полупроводниковый диод, на свойства которого значительно влияет туннельный эффект в области p n перехода …   Википедия

  • обращённый диод — atvirkštinis diodas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. backward diode; inversed diode vok. Rückwärtsdiode, f rus. обращённый диод, m pranc. diode inverse, f …   Automatikos terminų žodynas

  • обращённый диод — atvirkštinis diodas statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. backward diode; inverse diode vok. Inversionsdiode, f; Rückwärtsdiode, f rus. обращённый диод, m pranc. diode inverse, f …   Fizikos terminų žodynas

  • Туннельный диод — У этого термина существуют и другие значения, см. Диод (значения). Обозначение на схемах …   Википедия

  • Туннельный эффект —     Квантовая механика …   Википедия

  • ОД — областной депозитарий обращённый диод оперативный дежурный опись документов охладитель дренажей …   Словарь сокращений русского языка

  • Rückwärtsdiode — atvirkštinis diodas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. backward diode; inversed diode vok. Rückwärtsdiode, f rus. обращённый диод, m pranc. diode inverse, f …   Automatikos terminų žodynas

  • atvirkštinis diodas — statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. backward diode; inversed diode vok. Rückwärtsdiode, f rus. обращённый диод, m pranc. diode inverse, f …   Automatikos terminų žodynas

  • backward diode — atvirkštinis diodas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. backward diode; inversed diode vok. Rückwärtsdiode, f rus. обращённый диод, m pranc. diode inverse, f …   Automatikos terminų žodynas

  • diode inverse — atvirkštinis diodas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. backward diode; inversed diode vok. Rückwärtsdiode, f rus. обращённый диод, m pranc. diode inverse, f …   Automatikos terminų žodynas

Туннельные и обращенные диоды — Студопедия

Тунельные диоды представляют собой полупроводниковый прибор на основе высоколегированного полупроводникового материала, используется в быстродействующих электронных переключателях (до переключений в секунду), генераторах и усилителях электрических колебаний сверхвысоких частот.

Обращенные диоды используются для переключения, детекттирования и преобразования частоты.

Эти диоды изготавливают из германия и арсенида галия с высокой концентрацией примеси, что позволяет получить очень узкий pn переход.

В таких переходах возникают условия для относительно свободного туннельного прохождения электронов через потенциальный барьер (туннельный эффект). Вероятность этого процесса возрастает при увеличении напряженности электрического поля в области перехода.

Туннельный эффект приводит к появлению на прямой ветви ВАХ диода падающего участка (а. б.) с отрицательным сопротивлением (рисунок 11, а)

а) ВАХ туннельного б) ВАХ обращенного диода Рисунок 11

Поскольку туннельный ток не связан со сравнительно медленными процессами диффузии или дрейфа электронов, туннельные диоды являются практически безинерционными приборами, туннельный эффект слабо зависит от температуры, поэтому туннельные диоды можно использовать в диапазоне температур от – 100 до +150 .


В обращенных диодах концентрация примесей меньше, чем в туннельных, несколько изменяет их ВАХ (рисунок 11, б). Ток максимума на прямой ветви ВАХ незначительный или полностью отсутствует. В таких диодах при прямом смещении pn – перехода протекает ток, обусловленный инжекционными процессами, а при обратном смещении туннельным механизмом. Следовательно, характеристика обращенного диода представляет собой обратную характеристику туннельного диода, а при обратном смещении – прямую характеристику обычного диода, однако с туннельным характером тока.

К основным параметрам туннельных и обращенных диодов относятся:

и – максимальный и минимальный токи, соответствующие максимуму и впадине ВАХ.

и – напряжение на диоде соответствующее максимальному и минимальному току.

. – отношение максимального тока к минимальному.

– средняя величина отрицательного сопротивления падающей ветви ВАХ.

Обращённый диод — Карта знаний

  • Обращённый дио́д — полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого обусловлена туннельным эффектом в области p-n-перехода.

    Прямая ветвь вольт-амперной характеристики обращённого диода аналогична прямой ветви ВАХ типичного выпрямительного диода с p-n-переходом, а в отличие от туннельного диода, практически не имеет «горба», что обусловлено немного меньшей, чем у туннельного диода, концентрацией примесей в полупроводнике.

    По сути, обращённые диоды — это вырожденные туннельные диоды. Обратные токи у них велики уже при ничтожно малых обратных напряжениях (десятки милливольт) и значительно превосходят прямые токи в при таком же прямом напряжении.

    Из-за неполного легирования обладает значительной температурной зависимостью параметров.

    Так как полупроводниковый материал относительно сильно легирован, эти диоды малочувствительны к ионизирующему излучению.

Источник: Википедия

Связанные понятия

Диод Шоттки — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. В специальной литературе часто используется более полное название — Диод с барьером Шоттки. Высокочасто́тный дио́д — полупроводниковый диод с p-n переходом, имеющий малую собственную конструктивную и барьерную ёмкости и малое время восстановления обратного сопротивления. Дио́д Га́нна (изобретён Джоном Ганном в 1963 году) — тип полупроводниковых диодов, в полупроводниковой структуре не имеет p-n-переходов и используется для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от 0,1 до 100 ГГц. И́мпульсный дио́д — диод, предназначенный для работы в высокочастотных импульсных схемах. Полупроводнико́вый стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей oма до сотен oм. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью…

Подробнее: Стабилитрон

Дио́д (от др.-греч. δις — два и -од — от окончания -од термина электрод; букв. «двухэлектродный»; корень -од происходит от др.-греч. ὁδός «путь») — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора. Одноперехо́дный транзи́стор (двухбазовый диод, ОПТ) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству полупроводниковых приборов с вольт-амперной характеристикой, имеющей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Варика́п (акроним от англ. vari(able) — «переменный», и cap(acitance) — « ёмкость») — электронный прибор, полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения. Фототранзи́стор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, вариант биполярного транзистора. Отличается от обычного биполярного транзистора тем, что полупроводниковый базовый слой прибора доступен для воздействия внешнего оптического облучения, за счёт этого ток через прибор зависит от интенсивности этого облучения. Тунне́льный дио́д — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, на вольт-амперной характеристике которого при приложении напряжения в прямом направлении появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный туннельным эффектом. Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния… Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Лави́нный дио́д — электронный прибор, полупроводниковый диод, разновидность стабилитрона, обычно изготавливаемый из кремния, работа которого основана на обратимом лавинном пробое p-n перехода при обратном включении, то есть при подаче на слой полупроводника с p-типом проводимости (анода) отрицательного относительно n-слоя (катода) напряжения. Тетро́д — электронная лампа, имеющая четыре электрода: термоэлектронный катод (прямого или косвенного накала), две сетки (управляющую и экранирующую) и анод. Изобретён Вальтером Шоттки в 1919 году. Приёмо-усилительные тетроды применялись в радиоприёмных трактах до массового распространения пентодов. Генераторные и модуляторные тетроды применяются по сей день в силовых каскадах радиопередатчиков. Лучевые тетроды нашли применение в выходных каскадах усилителей низкой частоты (УНЧ) и до сих пор широко… Пенто́д (от др.-греч. πέντε пять, по числу электродов) — вакуумная электронная лампа с экранирующей сеткой, в которой между экранирующей сеткой и анодом размещена третья (защитная или антидинатронная) сетка, подавляющая динатронный эффект. Как правило, в лампах прямого накала третья сетка соединяется со средней точкой катода, в лампах косвенного накала — с любой точкой катода. В большинстве пентодов третья сетка и катод соединены внутри баллона, поэтому у них всего четыре сигнальных вывода. В исторической… Конденса́тор (от лат. condensare — «уплотнять», «сгущать» или от лат. condensatio — «накопление») — двухполюсник с постоянным или переменным значением ёмкости и малой проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля. Драйвер лазерного диода в самом простом варианте представляет собой источник постоянного тока, который является током инжекции лазерного диода. Так как для полупроводниковых излучателей выходная оптическая мощность прямо пропорциональна току, то в итоге установка рабочей точки для источника тока определяет оптический сигнал. В отличие от источника напряжения, который иногда используется для управления диодами, источник тока позволяет линейно управлять оптической мощностью (после преодоления порога. .. Бандга́п (англ. bandgap, запрещённая зона) — стабильный транзисторный источник опорного напряжения (ИОН), величина которого определяется шириной запрещённой зоны используемого полупроводника. Для легированного монокристаллического кремния, имеющего при Т=0 К ширину запрещённой зоны Eg=1,143 эВ, напряжение VREF на выходе бандгапа обычно составляет от 1,18 до 1,25 В или кратно этой величине, а его предельное отклонение от нормы во всём диапазоне рабочих температур и токов составляет не более 3 %. Бандгапы… МОП-структура — полупроводниковая структура, применяемая при производстве микросхем и дискретных полевых транзисторов. Полупроводниковые приборы на основе этой структуры называют МОП-транзисторами (от слов «металл-оксид-полупроводник», англ. metal-oxide-semiconductor field effect transistor, сокращенно «MOSFET»), МДП-транзисторами (от слов «металл-диэлектрик-полупроводник») или транзисторами с изолированным затвором (так как у таких транзисторов затвор отделён от канала тонким слоем диэлектрика). В… Вари́стор (лат. vari(able) — переменный (resi)stor — резистор) — полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление (проводимость) которого нелинейно зависит от приложенного напряжения, то есть обладающий нелинейной симметричной вольт-амперной характеристикой и имеющий два вывода. Обладает свойством резко уменьшать своё сопротивление с миллиардов до десятков Ом при увеличении приложенного к нему напряжения выше пороговой величины. При дальнейшем увеличении напряжения сопротивление уменьшается… Умножи́тель напряже́ния ба́за-эми́ттер (умножитель Vбэ) — двухвыводной электронный источник опорного напряжения, пропорционального напряжению на прямо смещённом эмиттерном переходе биполярного транзистора (Vбэ). Простейший умножитель Vбэ состоит из резистивного делителя напряжения, задающего коэффициент умножения, и управляемого им биполярного транзистора. При подключении умножителя Vбэ к источнику тока падение напряжения на умножителе, как и само Vбэ, комплементарно абсолютной температуре: с ростом. .. Стаби́стор (ранее нормистор) — полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики (то есть в области прямого смещения напряжение на стабисторе слабо зависит от тока). Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации, которое составляет примерно 0,7 В. Последовательное соединение двух или трёх стабисторов даёт возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения… То́чечный дио́д — полупроводниковый диод с очень малой площадью p-n перехода, который образуется в результате контакта тонкой металлической иглы с нанесенной на неё примесью и полупроводниковой пластинки с определенным типом проводимости. С целью стабилизации параметров и повышения надёжности точечные диоды могут проходить электроформовку, для этого при изготовлении через диод пропускается импульс тока в несколько ампер и острие иглы вплавляется в кристалл. Стабилитрон со скрытой структурой (ССС, англ. buried zener) — интегральный кремниевый стабилитрон в котором, в отличие от обычных стабилитронов, под p-n-переходом создана скрытая область (островок) с высокой концентрацией акцепторных примесей. Благодаря тому, что ток пробоя такого стабилитрона концентрируется не в приповерхностных, а в скрытых слоях, его характеристики стабильны и предсказуемы. Прецизионные интегральные источники опорного напряжения (ИОН) на ССС — наиболее точные и стабильные из… Баре́ттер (англ. barretter, iron-hydrogen resistor) — электронный газонаполненный прибор, двухполюсник — стабилизатор тока. Выпрями́тель (электрического тока) — преобразователь электрической энергии; механическое, электровакуумное, полупроводниковое или другое устройство, предназначенное для преобразования входного электрического тока переменного направления в ток постоянного направления (то есть однонаправленный ток), в частном случае — в постоянный выходной электрический ток. Лави́нно-пролётный дио́д (ЛПД, IMPATT-диод) — диод, основанный на лавинном умножении носителей заряда. Лавинно-пролётные диоды применяются в основном для генерации колебаний в диапазоне СВЧ. Процессы, происходящие в полупроводниковой структуре диода, ведут к тому, что активная составляющая комплексного сопротивления на малом переменном сигнале в определённом диапазоне частот отрицательна. На вольт-амперной характеристике лавинно-пролётного диода, в отличие от туннельного диода, отсутствует участок… Составно́й транзи́стор — электрическое соединение двух (или более) биполярных транзисторов, полевых транзисторов или IGBT-транзисторов, с целью улучшения их электрических характеристик. К этим схемам относят так называемую пару Дарлингтона, пару Шиклаи, каскодную схему включения транзисторов, схему так называемого токового зеркала и др. Лучево́й тетро́д — четырёхэлектродная экранированная лампа, в которой для подавления динатронного эффекта создаётся пространственный заряд высокой плотности. Благодаря особой конструкции сеток и специальных лучеобразующих электродов поток электронов в лучевом тетроде формируется в узкие пучки (лучи). Высокая плотность пространственного заряда создаёт вблизи анода лампы потенциальный барьер, препятствующий оттоку вторичных электронов с анода на экранирующую сетку. Исто́чник, или генера́тор, опо́рного напряже́ния (ИОН) — базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных источников электропитания, шкал цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, режимов работы аналоговых и цифровых интегральных схем и систем, и как эталоны напряжения в составе измерительных приборов. Точности измерения, преобразования и стабильность… Электровакуумный диод — вакуумная двухэлектродная электронная лампа. Катод диода нагревается до температур, при которых возникает термоэлектронная эмиссия. При подаче на анод отрицательного относительно катода напряжения все эмитированные катодом электроны возвращаются на катод, при подаче на анод положительного напряжения часть эмитированных электронов устремляется к аноду, формируя его ток. Таким образом, диод выпрямляет приложенное к нему напряжение. Это свойство диода используется для выпрямления… Вторичный источник электропитания — устройство, которое преобразует параметры электроэнергии основного источника электроснабжения (например, промышленной сети) в электроэнергию с параметрами, необходимыми для функционирования вспомогательных устройств.Источник электропитания может быть интегрированным в общую схему (обычно в простых устройствах; либо когда недопустимо даже незначительное падение напряжения на подводящих проводах — например материнская плата компьютера имеет встроенные преобразователи. .. Драйвер полупроводникового излучателя — электронное устройство, предназначенное для преобразования электрических сигналов, целью которого является регулирование тока инжекции, а также, в некоторых случаях, температуры полупроводниковых излучателей. Симистор (симметричный триодный тиристор) или триак (от англ. TRIAC — triode for alternating current) — полупроводниковый прибор, являющийся разновидностью тиристоров и используемый для коммутации в цепях переменного тока. В электронике часто рассматривается как управляемый выключатель (ключ). В отличие от тиристора, имеющего катод и анод, основные (силовые) выводы симистора называть катодом или анодом некорректно, так как в силу структуры симистора они являются тем и другим одновременно. Однако… Умножи́тель напряже́ния (или каска́дный генера́тор) — устройство для преобразования низкого переменного(пульсирующего) напряжения в высоковольтное постоянное напряжение. В отдельных каскадах переменное напряжение выпрямляется, а выпрямленные напряжения включаются последовательно и суммируются. Связь каскадов с источниками питания осуществляется через ёмкости или посредством взаимной индукции. Питание каскадов может быть как последовательным, так и параллельным. Ква́рцевый резона́тор (жарг. «кварц») — электронный прибор, в котором пьезоэлектрический эффект и явление механического резонанса используются для построения высокодобротного резонансного элемента электронной схемы. Варико́нд (англ. vari(able) — переменный и англ. cond(enser) — конденсатор) — электрический конденсатор, ёмкость которого нелинейно изменяется в широких пределах в зависимости от напряжения, приложенного к его обкладкам. Кату́шка индукти́вности (иногда дроссель) — винтовая, спиральная или винтоспиральная катушка из свёрнутого изолированного проводника, обладающая значительной индуктивностью при относительно малой ёмкости и малом активном сопротивлении. Как следствие, при протекании через катушку переменного электрического тока наблюдается её значительная инерционность. Время восстановления обратного сопротивления базы диода — это переходный процесс, возникающий при переключении диода из проводящего состояния (прямого) в закрытое.

Подробнее: Обратное восстановление

Клистро́н — электровакуумный прибор, в котором преобразование постоянного потока электронов в переменный происходит путём модуляции скоростей электронов электрическим полем СВЧ (при пролёте их сквозь зазор объёмного резонатора) и последующей группировки электронов в сгустки (из-за разности их скоростей) в пространстве дрейфа, свободном от СВЧ-поля. Тензорези́стор (от лат. tensus — напряжённый и лат. resisto — сопротивляюсь) — резистор, сопротивление которого изменяется в зависимости от его деформации. Тензорезисторы используются в тензометрии. С помощью тензорезисторов можно измерять деформации механически связанных с ними элементов. Тензорезистор является основной составной частью тензодатчиков, применяющихся для косвенного измерения силы, давления, веса, механических напряжений, крутящих моментов и пр. Генера́тор Ко́крофта — Уо́лтона — один из типов умножителя напряжения, устройство для преобразования относительно низкого переменного напряжения или пульсирующего напряжения в высоковольтное постоянное напряжение. Резонансный туннельный диод — полупроводниковый элемент электрической цепи с нелинейной вольт-амперной характеристикой, в котором используется туннелирование носителей заряда через окруженную двумя потенциальными барьерами потенциальную яму. Дио́дный мо́ст — электрическое устройство, предназначенное для преобразования («выпрямления») переменного тока в пульсирующий (постоянный). Такое выпрямление называется двухполупериодным.

Лавинный диод — Карта знаний

  • Лави́нный дио́д — электронный прибор, полупроводниковый диод, разновидность стабилитрона, обычно изготавливаемый из кремния, работа которого основана на обратимом лавинном пробое p-n перехода при обратном включении, то есть при подаче на слой полупроводника с p-типом проводимости (анода) отрицательного относительно n-слоя (катода) напряжения.

    Лавинный пробой возникает при напряжённости электрического поля в p-n переходе достаточном для ударной ионизации, при которой носители заряда, ускоренные полем в переходе генерируют пары электрон-дырка. При увеличении поля количество порожденных пар нарастает, что вызывает нарастание тока, поэтому напряжение на диоде остаётся практически постоянным.

    Вообще в стабилитронах при обратном смещении перехода имеются два механизма обратимых пробоев: туннельный (зенеровский) и лавинный, но их вклад зависит от удельного сопротивления базы (при низких удельных сопротивлениях пробой носит туннельный характер, а при высоких — лавинный), которая в свою очередь зависит от материала полупроводника и типа проводимости базы (так, например, для электронного германия равенство лавинной и туннельной составляющей наблюдается при 1 Ом см), при этом напряжение пробоя зависит от степени легирования полупроводника, чем слабее легирование, тем выше напряжение начала пробоя (то есть стабилизации, для стабилитронов).

    Для лавинного пробоя характерно увеличение напряжения стабилизации при повышении температуры, для пробоя по зенеровскому механизму — наоборот. При напряжении начала пробоя ниже 5,1 В преобладает пробой по зенеровскому типу, выше — преобладает лавинный пробой, поэтому у стабилитронов с напряжением стабилизации 5,1 В нет температурного дрейфа напряжения стабилизации, так как температурные дрейфы пробоя по этим двум механизмам взаимно компенсируют друг друга.

    Таким образом, любые стабилитроны с напряжением стабилизации более 5,1 В можно считать лавинными диодами.

    Применяется в электронике в качестве стабилитронов. Также применяются для защиты электрических цепей от перенапряжений. Защитные лавинные диоды конструируют так, чтобы исключить повышенную концентрацию (шнурование) тока в одной или нескольких точках p-n перехода, приводящее к локальному перегреву полупроводниковой структуры, для избежания необратимого разрушения диода. Диоды, предназначенные для защиты от перенапряжения, часто называют супрессорами.

    Лавинный механизм обратного пробоя используется также в лавинных фотодиодах и диодных генераторах шума.

Источник: Википедия

Связанные понятия

Туннельный пробой (эффект Зенера) — электрический пробой p-n перехода, вызванный туннельным эффектом, то есть «просачиванием» электронов сквозь тонкий потенциальный барьер. При обратном смещении возникает перекрытие энергетических зон (рис), вследствие чего электроны могут переходить из валентной зоны p-области в зону проводимости n-области. Полупроводнико́вый стабилитро́н, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей oма до сотен oм. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью…

Подробнее: Стабилитрон

Дио́д Га́нна (изобретён Джоном Ганном в 1963 году) — тип полупроводниковых диодов, в полупроводниковой структуре не имеет p-n-переходов и используется для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от 0,1 до 100 ГГц. Варика́п (акроним от англ. vari(able) — «переменный», и cap(acitance) — « ёмкость») — электронный прибор, полупроводниковый диод, работа которого основана на зависимости барьерной ёмкости p-n-перехода от обратного напряжения. Тепловой пробой — это необратимый вид пробоя p-n-перехода, являющийся следствием увеличения обратного напряжения. Тунне́льный дио́д — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, на вольт-амперной характеристике которого при приложении напряжения в прямом направлении появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением, обусловленный туннельным эффектом. Биполя́рный транзи́стор — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. В полупроводниковой структуре сформированы два p-n-перехода, перенос заряда через которые осуществляется носителями двух полярностей — электронами и дырками. Именно поэтому прибор получил название «биполярный» (от англ. bipolar), в отличие от полевого (униполярного) транзистора. Вари́стор (лат. vari(able) — переменный (resi)stor — резистор) — полупроводниковый резистор, электрическое сопротивление (проводимость) которого нелинейно зависит от приложенного напряжения, то есть обладающий нелинейной симметричной вольт-амперной характеристикой и имеющий два вывода. Обладает свойством резко уменьшать своё сопротивление с миллиардов до десятков Ом при увеличении приложенного к нему напряжения выше пороговой величины. При дальнейшем увеличении напряжения сопротивление уменьшается… Обращённый дио́д — полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого обусловлена туннельным эффектом в области p-n-перехода. И́мпульсный дио́д — диод, предназначенный для работы в высокочастотных импульсных схемах. Конденса́тор (от лат. condensare — «уплотнять», «сгущать» или от лат. condensatio — «накопление») — двухполюсник с постоянным или переменным значением ёмкости и малой проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля. Тири́стор — полупроводниковый прибор, выполненный на основе монокристалла полупроводника с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния… Стабилитрон со скрытой структурой (ССС, англ. buried zener) — интегральный кремниевый стабилитрон в котором, в отличие от обычных стабилитронов, под p-n-переходом создана скрытая область (островок) с высокой концентрацией акцепторных примесей. Благодаря тому, что ток пробоя такого стабилитрона концентрируется не в приповерхностных, а в скрытых слоях, его характеристики стабильны и предсказуемы. Прецизионные интегральные источники опорного напряжения (ИОН) на ССС — наиболее точные и стабильные из… Лави́нно-пролётный дио́д (ЛПД, IMPATT-диод) — диод, основанный на лавинном умножении носителей заряда. Лавинно-пролётные диоды применяются в основном для генерации колебаний в диапазоне СВЧ. Процессы, происходящие в полупроводниковой структуре диода, ведут к тому, что активная составляющая комплексного сопротивления на малом переменном сигнале в определённом диапазоне частот отрицательна. На вольт-амперной характеристике лавинно-пролётного диода, в отличие от туннельного диода, отсутствует участок… Одноперехо́дный транзи́стор (двухбазовый диод, ОПТ) — полупроводниковый прибор с тремя электродами и одним p-n переходом. Однопереходный транзистор принадлежит к семейству полупроводниковых приборов с вольт-амперной характеристикой, имеющей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лави́нный пробо́й — электрический пробой в диэлектриках и полупроводниках, обусловленный тем, что, разгоняясь в сильном электрическом поле на расстоянии свободного пробега, носители заряда могут приобретать кинетическую энергию, достаточную для ударной ионизации атомов или молекул материала при соударениях с ними. Дио́д (от др.-греч. δις — два и -од — от окончания -од термина электрод; букв. «двухэлектродный»; корень -од происходит от др.-греч. ὁδός «путь») — электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического тока. Диод Шоттки — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. В специальной литературе часто используется более полное название — Диод с барьером Шоттки. Гетероэлектреты (гетероэлектретные материалы) получают при нагреве диэлектрика, как правило, полимера из полярных молекул, выше точки стеклования в сильном электрическом поле. При этом полярные молекулы поворачиваются (выстраиваются) вдоль электрического поля, а при охлаждении повернутые молекулы «застывают» и их ориентация вдоль поля сохраняется. После охлаждения (ниже точки стеклования) внешнее электрическое поле можно отключить. Чем выше напряженность электрического поля, тем большее число полярных… Варико́нд (англ. vari(able) — переменный и англ. cond(enser) — конденсатор) — электрический конденсатор, ёмкость которого нелинейно изменяется в широких пределах в зависимости от напряжения, приложенного к его обкладкам. Фототранзи́стор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, вариант биполярного транзистора. Отличается от обычного биполярного транзистора тем, что полупроводниковый базовый слой прибора доступен для воздействия внешнего оптического облучения, за счёт этого ток через прибор зависит от интенсивности этого облучения. Полево́й (униполя́рный) транзи́стор — полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на управлении электрическим сопротивлением токопроводящего канала поперечным электрическим полем, создаваемым приложенным к затвору напряжением. Вторичный источник электропитания — устройство, которое преобразует параметры электроэнергии основного источника электроснабжения (например, промышленной сети) в электроэнергию с параметрами, необходимыми для функционирования вспомогательных устройств.Источник электропитания может быть интегрированным в общую схему (обычно в простых устройствах; либо когда недопустимо даже незначительное падение напряжения на подводящих проводах — например материнская плата компьютера имеет встроенные преобразователи… Высокочасто́тный дио́д — полупроводниковый диод с p-n переходом, имеющий малую собственную конструктивную и барьерную ёмкости и малое время восстановления обратного сопротивления. Баре́ттер (англ. barretter, iron-hydrogen resistor) — электронный газонаполненный прибор, двухполюсник — стабилизатор тока. Симистор (симметричный триодный тиристор) или триак (от англ. TRIAC — triode for alternating current) — полупроводниковый прибор, являющийся разновидностью тиристоров и используемый для коммутации в цепях переменного тока. В электронике часто рассматривается как управляемый выключатель (ключ). В отличие от тиристора, имеющего катод и анод, основные (силовые) выводы симистора называть катодом или анодом некорректно, так как в силу структуры симистора они являются тем и другим одновременно. Однако… Электровакуумный диод — вакуумная двухэлектродная электронная лампа. Катод диода нагревается до температур, при которых возникает термоэлектронная эмиссия. При подаче на анод отрицательного относительно катода напряжения все эмитированные катодом электроны возвращаются на катод, при подаче на анод положительного напряжения часть эмитированных электронов устремляется к аноду, формируя его ток. Таким образом, диод выпрямляет приложенное к нему напряжение. Это свойство диода используется для выпрямления… Умножи́тель напряже́ния ба́за-эми́ттер (умножитель Vбэ) — двухвыводной электронный источник опорного напряжения, пропорционального напряжению на прямо смещённом эмиттерном переходе биполярного транзистора (Vбэ). Простейший умножитель Vбэ состоит из резистивного делителя напряжения, задающего коэффициент умножения, и управляемого им биполярного транзистора. При подключении умножителя Vбэ к источнику тока падение напряжения на умножителе, как и само Vбэ, комплементарно абсолютной температуре: с ростом… Исто́чник, или генера́тор, опо́рного напряже́ния (ИОН) — базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных источников электропитания, шкал цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, режимов работы аналоговых и цифровых интегральных схем и систем, и как эталоны напряжения в составе измерительных приборов. Точности измерения, преобразования и стабильность… Радиационно стойкая интегральная схема — интегральная схема, к которой предъявлены повышенные требования устойчивости к сбоям, вызванным воздействием радиации. Основная область применения подобных схем — это космические аппараты, военная техника и медицинская электроника. Кату́шка индукти́вности (иногда дроссель) — винтовая, спиральная или винтоспиральная катушка из свёрнутого изолированного проводника, обладающая значительной индуктивностью при относительно малой ёмкости и малом активном сопротивлении. Как следствие, при протекании через катушку переменного электрического тока наблюдается её значительная инерционность. Стаби́стор (ранее нормистор) — полупроводниковый диод, в котором для стабилизации напряжения используется прямая ветвь вольт-амперной характеристики (то есть в области прямого смещения напряжение на стабисторе слабо зависит от тока). Отличительной особенностью стабисторов по сравнению со стабилитронами является меньшее напряжение стабилизации, которое составляет примерно 0,7 В. Последовательное соединение двух или трёх стабисторов даёт возможность получить удвоенное или утроенное значение напряжения… Время восстановления обратного сопротивления базы диода — это переходный процесс, возникающий при переключении диода из проводящего состояния (прямого) в закрытое.

Подробнее: Обратное восстановление

Плазма непосредственного пьезо-разряда является типом холодной неравновесной плазмы генерируемой непосредственным разрядом высоковольтного пьезотрансформатора в атмосфере рабочего газа в широком диапазоне давлений, включая атмосферное. Благодаря компактности и эффективности пьезотрансформатора, этот способ генерации плазмы отличается особой компактностью, энергетической эффективностью и дешевизной. Трансформа́тор (от лат. transformare — «превращать, преобразовывать») — статическое электромагнитное устройство, имеющее две или более индуктивно связанные обмотки на каком-либо магнитопроводе и предназначенное для преобразования посредством электромагнитной индукции одной или нескольких систем (напряжений) переменного тока в одну или несколько других систем (напряжений), без изменения частоты. Терморези́стор (термистор, термосопротивление) — полупроводниковый прибор, электрическое сопротивление которого изменяется в зависимости от его температуры. Импульсный трансформатор (ИТ) — трансформатор, предназначенный для преобразования тока и напряжения импульсных сигналов с минимальным искажением исходной формы импульса на выходе. Датчик давления — устройство, физические параметры которого изменяются в зависимости от давления измеряемой среды (жидкости, газа, пара). В датчиках давление измеряемой среды преобразуется в унифицированный пневматический, электрический сигналы или цифровой код. Бандга́п (англ. bandgap, запрещённая зона) — стабильный транзисторный источник опорного напряжения (ИОН), величина которого определяется шириной запрещённой зоны используемого полупроводника. Для легированного монокристаллического кремния, имеющего при Т=0 К ширину запрещённой зоны Eg=1,143 эВ, напряжение VREF на выходе бандгапа обычно составляет от 1,18 до 1,25 В или кратно этой величине, а его предельное отклонение от нормы во всём диапазоне рабочих температур и токов составляет не более 3 %. Бандгапы… Разря́дник — электрический аппарат, предназначенный для ограничения перенапряжений в электротехнических установках и электрических сетях. Первоначально разрядником называли устройство для защиты от перенапряжений, основанный на технологии искрового промежутка. Затем, с развитием технологий, для ограничения перенапряжений начали применять устройства на основе полупроводников и металл-оксидных варисторов, применительно к которым продолжают употреблять термин «разрядник». Стабилиза́тор напряже́ния (англ. Voltage regulator) — электромеханическое или электрическое (электронное) устройство, имеющее вход и выход по напряжению, предназначенное для поддержания выходного напряжения в узких пределах, при существенном изменении входного напряжения и выходного тока нагрузки. Барьер искрозащиты — узел законченной конструкции, удовлетворяющий требованиям, предъявляемым к искробезопасным цепям, служащий барьером между искробезопасными и искроопасными электрическими цепями. Барьер искрозащиты отличается от блока искрозащиты тем, что является законченым узлом. Блок искрозащиты входит в состав связанного с искробезопасным электрооборудованием. Тензорези́стор (от лат. tensus — напряжённый и лат. resisto — сопротивляюсь) — резистор, сопротивление которого изменяется в зависимости от его деформации. Тензорезисторы используются в тензометрии. С помощью тензорезисторов можно измерять деформации механически связанных с ними элементов. Тензорезистор является основной составной частью тензодатчиков, применяющихся для косвенного измерения силы, давления, веса, механических напряжений, крутящих моментов и пр. Сглаживающий фильтр — устройство для сглаживания пульсаций после выпрямления переменного тока. Простейшим сглаживающим фильтром является электролитический конденсатор большой ёмкости, включённый параллельно нагрузке. Нередко параллельно электролитическому конденсатору устанавливается плёночный (или керамический) ёмкостью в доли или единицы микрофарада для устранения высокочастотных помех. Генера́тор Ма́ркса — генератор импульсного высокого напряжения, принцип действия которого основан на зарядке электрическим током соединённых параллельно (через резисторы) конденсаторов, соединяющихся после зарядки последовательно при помощи различных коммутирующих устройств (например, газовых разрядников или тригатронов). Таким образом выходное напряжение увеличивается пропорционально количеству соединённых конденсаторов. Мультивибратор Ройера или генератор Ройера (Встречается написание Роера), как правило транзисторный релаксационный генератор колебаний с формой импульсов близкой к прямоугольной, использующий трансформатор или индуктивность с насыщающимся сердечником. Схема изобретена в 1954 году Джоржем Роером (George H. Royer). Запатентована в 1957 году (US2783384).

Туннельный диод. Принцип действия Параметры Электроники, …


Обозначение на схемах

ВАХ туннельного диода. В диапазоне напряжений от U1 до U2 дифференциальное сопротивление отрицательное.

Туннельный диод — полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором при приложении напряжения в прямом направлении туннельный эффект проявляется в появлении участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением на вольт-амперной характеристике.

Устройство

Обычные диоды с увеличением прямого напряжения монотонно увеличивают передаваемый ток. В туннельном диоде квантово-механическое туннелирование электронов добавляет горб на вольт-амперной характеристике, и из-за высокой степени легирования p- и n-областей напряжение пробоя снижается почти до нуля. Эффект туннелирования позволяет электронам преодолевать энергетический барьер в переходной зоне шириной 50-150 Å при таких напряжениях, когда зона проводимости в n-области имеет равные энергетические уровни с валентной зоной p-области.При дальнейшем увеличении прямого напряжения уровень Ферми n-области повышается относительно p-области, попадая в запрещенную зону p-области, и, поскольку туннелирование не может изменить полную энергию электрона, вероятность переход электрона из n-области в p-область резко уменьшается. Таким образом создается участок на прямом участке ВАХ, где увеличение прямого напряжения сопровождается уменьшением силы тока.Эта область отрицательного дифференциального сопротивления используется для усиления слабых микроволновых сигналов.

Один из вариантов конструкции диода показан на рис. 5.2. В качестве подложки структуры GaAs используется наиболее высокоомный материал, который обычно называют «полуизолирующим». Эпитаксиальный слой p +, выращенный на подложке, защищен слоем оксида SiO2. В оксиде открываются отверстия необходимого диаметра, в них осаждается Sn для образования n + -области и сплава Au + Ge для создания омического контакта.Когда конструкция нагревается, наплавленные материалы плавятся; после охлаждения и рекристаллизации образуется n + -область туннельного диода. В необходимых точках припаиваются металлические шариковые контакты, к которым в последующем контактируют внешние клеммы. Также распространены варианты конструкции диодов с пучковыми выводами.

Рис. 5.2. Вариант конструкции туннельного диода

История изобретения

В начале 20-х годов прошлого века в России Олег Лосев обнаружил эффект кристадина в диодах из кристаллического ZnO, выращенного гидротермически из водного раствора гидроксида цинка и цинката калия — эффект отрицательного дифференциального сопротивления.

Впервые туннельный диод на основе Ge был изготовлен в 1957 г. Лео Эсаки, получившим в 1973 г. Нобелевскую премию по физике за экспериментальное открытие эффекта туннелирования электронов в этих диодах.

принцип работы туннельного диода

Туннельные диоды с очень низким сопротивлением относятся к вырожденным. у них:

  • переход электрон-дырка в десять раз тоньше по сравнению с обычными диодными устройствами;
  • потенциальный барьер — в 2 раза выше по сравнению со стандартными полупроводниковыми деталями;
  • наличие напряженности поля даже при отключенном питающем напряжении составляет 106 В / см.

Уникальные свойства туннельного диода проявляются в его вольт-амперной характеристике (ВАХ) с прямым смещением в полупроводнике.

На схеме видно, что в секции A ток увеличивается с увеличением напряжения. На участке В полупроводник проявляет отрицательное сопротивление (туннельный эффект), что приводит к тому, что с увеличением вольт-амперной характеристики ток уменьшается. В разделе C устройство снова обеспечивает прямую зависимость между током и напряжением.

Туннельные диоды предназначены для работы именно на участке, который характеризуется отрицательным сопротивлением. Небольшое повышение напряжения выключает его, а понижение — включает.

Основные параметры туннельных диодов

При выборе данного полупроводника учитывать:

  • пиковый ток — максимальный прямой ток;
  • пиковая вольт-амперная характеристика пикового тока;
  • минимальный ток (ток впадины) и его характеристическое напряжение;
  • перенапряжение — максимальное падение напряжения;
  • емкость — емкость между выводами полупроводника при определенной вольтовой характеристике смещения.

Достоинства и недостатки

Преимущества туннельных диодов:

  • специальная вольт-амперная характеристика в определенном диапазоне напряжений;
  • уникальные характеристики, низкая инерция;
  • устойчивость к ионизирующему излучению;
  • уменьшено потребление энергии от источника питания.

Все туннельные диоды имеют компактные размеры. Часто это изделия в герметичных ящиках цилиндрической формы диаметром 3-4 мм, высотой 2 мм и весом менее 1 грамма.

Существенным недостатком полупроводников этого типа является значительное старение, которое приводит к изменению их свойств, а значит, и к нарушению нормальной функциональности устройства. «Туннели» могут потерять свои прежние параметры не только из-за превышения условий эксплуатации, но даже из-за длительного хранения, после которого они превращаются в «перевернутые» полупроводники. Это обстоятельство часто является причиной выхода из строя промышленных осциллографов.

Есть еще «инвертированные» промышленные полупроводники.От туннельных они отличаются меньшей концентрацией примесей, хотя общий принцип их действия тот же.

Проверка и диагностика туннельного диода на работоспособность

Запрещается проверять работоспособность туннельного диода авометром — комбинированным прибором для измерения тока, напряжения и частоты, так как полупроводники некоторых групп могут выйти из строя. Если неизвестно, что деталь относится к определенной категории, то безопаснее использовать генераторный пробник, позволяющий контролировать КПД туннельного диода в активном режиме.

Примеры схем туннельного диода

Приложение

Наибольшее распространение на практике получили туннельные диоды из Ge, GaAs, а также из GaSb. Эти диоды широко используются в качестве генераторов и высокочастотных ключей, они работают на частотах, во много раз превышающих частоту тетродов, до 30 … 100 ГГц.

см. Также

  • Обратный диод
  • Туннельный эффект

3-диодная модель с инвертированным диодом

Прикладная механика и материалы

Достижения в науке и технологиях

Международный журнал инженерных исследований в Африке

Форум передовых инженеров

Журнал биомиметики, биоматериалов и биомедицинской инженерии

Форум о дефектах и ​​распространении

Ключевые инженерные материалы

Расширенные исследования материалов

Журнал метастабильных и нанокристаллических материалов

Нано-гибриды и композиты

Электроника и компонент: Инверторский аппарат за варенье, Ди, IGBTMOS 08.11.2020 — ID 10053770

CO2 aparati, dioda 120A do 250A, koja zamenjuje 3 or 4 diode na jednoj ploci, moze se staviti jedna koja je laksa za montazu (na sloi) i manje se greje,
Цена: 1 диода — 800 дин.

Квалификационные тесты, ультратонкие диодные модули на двух диодах, инверторные устройства за варенье.
Характеристики:
BYV255V200 diodni modul sa dve nezavisne dide
Struja: 150 A
Napon: 200 V
Cena: 2200 din
Slika: 1

DSEI2X121-02A diodni modul
Cena1 900 din с двумя диодами и заедницким катодом
Struja: 400A
Napon: 400V
Цена: 1500 din
Slika: 2 i 3

Sotki (Schottky) diode- modul 400A, 100V (na sloi)
Цена: 1500 din./ ком. (u cenu uracunati troskovi slanja)
slika 9
Sotki (Schottky) diode- modul 600A, 100V (na sloi)
Цена: 1750 din. / ком. (u cenu uracunati troskovi slanja)
slika 9

-Brza duodioda za aparat za zavarivanje 400V / 80A (2X40A), kuciste TO-3P, 700 din / kom

TRANZISTORI:
IK40N60FZ, TRANZISTORI:
K40N60Fz , 290W
Цена: 800 din.
Slika: 4

K2372 MOSFET
N-наконечник, 500 В, 10 А, 160 Вт, 0,22 Ом
Цена: 700 din.
Slika: 5
SKD 31F / 16,31A / 1600V, тройной диодный мост
Цена: 3500 din.

SKD 62 / 16,60A / 1600V, тройной диодный мост
Цена: 4000 din.
slika 6

PM20CSJ060 IGBT modul
Цена: 4600 din.
slika 7

HCPL-J312, DIP8,400 din. / ком.
ACPL-P343, smd, 400 din. / ком.
Драйвери на транзисторе IGBT

IKW50N60h4 (K50H603), 600V, 100A / 50A, IGBT-транзистор на диоде, проверено на инверторном устройстве, заваривающемся (может быть и на одном уровне, когда требуется 700 секунд) . / ком.
IKW75N60h4 (K75H603), 600V / 80A / 75A, транзистор IGBT на диоде, 800,00 din. / ком.
IKW75N60T (K75T60), 600V / 80A / 75A, транзистор IGBT на диоде, 800,00 din. / ком.

HGTG40N60B3 (G40N60B3), 600V, 70A, IGBT-транзистор за инверторское устройство за заваривание, гарантом за квалитет (Americki proizvodjac), 1300,00дин.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *