Fds6675 datasheet: FDS6675 Datasheet(PDF) — Fairchild Semiconductor

Содержание

FDS6675A Datasheet PDF Download,Fairchild Semiconductor FDS6675A Data Sheet-Datasheet PDF

Datasheet PDF For FDS6675A Search Results

Part No: FDS6675A

Manufacturer:
Fairchild Semiconductor

Temperature:

Description:
30V P-Channel PowerTrench MOSFET

PDF Size: Kb PDF Pages: Page

Buy FDS6675A

DatasheetPDF found 1 PDF documents matching your query:

Datasheet Download:

Related Part No

FDS6609A FAIRCHILD
P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDS6612A FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
FDS6612A03 Fairchild Semiconductor
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
FDS6612A_03 Fairchild Semiconductor
Single N-Channel, Logic-Level, PowerTrench MOSFET
FDS6614A Fairchild Semiconductor
N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDS6630 Fairchild Semiconductor
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
FDS6630A Fairchild Semiconductor
N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

FDS6644 Fairchild Semiconductor
N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS6670A FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDS6670A03 Fairchild Semiconductor
Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDS6670AS Fairchild Semiconductor
N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6670AS08 Fairchild Semiconductor
N-Channel PowerTrench? SyncFET?
FDS6670ASNL Fairchild Semiconductor
N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6670AS_08 Fairchild Semiconductor
30V N-Channel PowerTrench SyncFET
FDS6670AS_NL Fairchild Semiconductor
30V N-Channel PowerTrench SyncFET

English Chinese Spanish Arabic Portuguese Russian Japanese German Korean French Italian

Norsk Svenska Български Polski Dansk Suomi Nederlands Česky Hrvatski Română Ελληνική हिन्दी Philippine latviešu lietuvių српски Slovenski slovenskom українська עברית Indonesia Việt Nam

FDS4559, Транзистор N/P-CH 60V 4. 5/3.5A [SO-8]

Описание

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

Технические параметры

Структура	n/p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	60/-60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. .А	4.5/-3.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.055 ом при 4.5a, 10в/0.105 ом при-3.5a, -10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	14/9
Корпус	so8
Особенности	комплементарная пара транзисторов
Пороговое напряжение на затворе	±1…3
Вес, г	0.15

Техническая документация

Дополнительная информация

Datasheet FDS4559
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Преобразователь сигнала термопары K-типа MAX6675

Преобразователь сигнала термопары K-типа с компенсацией холодного спая, модуль совместно с термопарой позволяет измерять температуру до +600℃ и кратковременно до +1024℃, имеет SPI совместимый интерфейс, доступный только для чтения.

Характеристики:

Прямое цифровое преобразование термопары K-типа с компенсацией холодного спая.
Простой SPI-совместимый последовательный интерфейс.
Диапазон температур: от 0°C до +1024°C.
Разрешение: 12-бит или 0,25 °C.
Обнаружение не подключенной термопары.

Купить:

на Али: тут. в магазине banggood: тут

Подключение модуля к Arduino:

Софт:

Для работы с модулем в среде Arduino, написаны готовые библиотеки, например библиотека в репозитории adafruit: https://github.com/adafruit/MAX6675-library

Можно воспользоваться немного исправленным примером для библиотеки.

Пример для библиотеки.

#include "max6675.h"     // 
https://github.com/adafruit/MAX6675-library

                        /// подключение модуля
#define thermoDO 5       // SO
#define thermoCS 6       // CS
#define thermoCLK 7      // SCK

MAX6675 thermocouple(thermoCLK, thermoCS, thermoDO);
 
  
void setup() {
    Serial. begin(9600); 
    Serial.println("MAX6675 test");  
    delay(500);
}

void loop() {
                           // отправляем в монитор порта данные о температуре
   Serial.print("C = "); 
   Serial.print(thermocouple.readCelsius());
   Serial.print("  F = ");
   Serial.println(thermocouple.readFahrenheit());
 
   delay(1000);
}

Скриншот

Видео:

Запись опубликована 11.03.2018 автором admin в рубрике Обзоры с метками MAX6675, датчик температуры, термопара. Технические данные

FDS6675 — Один P-канальный логический уровень PowerTrench # 174; МОП-транзистор

74LVQ14: CMOS / BiCMOS-> Семейство LV / LVQ / LVX-> Низковольтный шестигранный инвертор низкого напряжения с триггерным входом Шмитта

FOD053LV: SO8, высокоскоростной двухканальный транзистор 1 Мбит / с — 1 кВ / мкс 3,3 В Оптопары FOD250L, FOD050L и FOD053L состоят из светодиода Algaas, оптически соединенного с высокоскоростным транзистором фотодетектора. Эти устройства предназначены для работы при напряжении питания 3,3 В. Отдельное подключение для

MV8U03: Super Blue Super Bright T-1 3/4 (5 мм) Led Lamp — Water Clear

х21А4.300: 6-контактные оптопары на фототранзисторах общего назначения

FLZ33VA: стабилитроны

74VHC164MX_NLX: 8-битный регистр сдвига последовательного входа и параллельного выхода

TIP110TU: Транзисторы Darlington NPN Epitaxial Sil Darl Технические характеристики: Производитель: Fairchild Semiconductor; Категория продукта: Транзисторы Дарлингтона; RoHS: подробности; Конфигурация: одиночный; Полярность транзистора: NPN; Напряжение коллектор-эмиттер VCEO Макс .: 60 В; Напряжение эмиттер-база VEBO: 5 В; Коллектор-база напряжение VCBO: 60 В; Максимальный постоянный ток Co

J174_D75Z: Дискретный полупроводниковый продукт Jfet (переходный полевой эффект) 20 мА при 15 В — 350 мВт, сквозное отверстие; IC SWITCH P-CHAN 30V 50MA TO-92 Технические характеристики: Тип установки: на сквозное отверстие; Тип полевого транзистора: P-канал; Напряжение стока в источник (Vdss): -; Ток — сток (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20 мА @ 15 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: -; Мощность — макс .

: 350 мВт; Упаковка: лента и коробка (ТБ); Упаковка / ящик: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Lea

BC213: Транзистор (bjt) — одиночный дискретный полупроводниковый продукт, 500 мА, 30 В, 625 мВт, PNP; ТРАНЗИСТОР ПНП 30В ТО-92 Технические характеристики: Тип транзистора: ПНП; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 30В; Ток коллектора (Ic) (макс.): 500 мА; Мощность — Макс: 625 мВт; Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) При Ic, Vce: 80 при 2 мА, 5 В; Vce Saturation (макс.) При Ib, Ic: 600 мВ при 5 мА, 100 мА; Частота — переход: 200 МГц; Текущий —

MMBF5457LT3: N-КАНАЛ, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛ, JFET Технические характеристики: Полярность: N-канал; Количество блоков в ИС: 1

FDS6675 (Fairchild) — один P-канал, логический уровень, Powertrenchtm Mosfet

Октябрь 1998 г.

FDS6675

Один P-канал, логический уровень, PowerTrench

ТМ

МОП-транзистор

Общее описание Характеристики

Абсолютные максимальные рейтинги

= 25

или

C, если не указано иное

Обозначение

Параметр

FDS6675

шт.

DSS

Напряжение сток-исток

-30

GSS

Напряжение затвор-исток

Ток утечки — постоянный

(Примечание 1а)

-11

— Импульсный

-50

-П

Рассеиваемая мощность для одиночной операции

(Примечание 1а)

2.5

Вт

(Примечание 1b)

1,2

(Примечание 1c)

Дж

, Т

СТГ

Диапазон рабочих температур и температур хранения

-55 до 150

ТЕПЛОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Термическое сопротивление, переход к окружающей среде

(Примечание 1а)

с / ш

Термическое сопротивление переход-к-корпусу

(Примечание 1)

с / ш

FDS6675 Ред. C1

-11 А, -30 В. R

DS (ВКЛ)

= 0,014

@ V

= -10 В,

DS (ВКЛ)

= 0,020

@ V

= -4,5 В.

Низкий заряд затвора (обычно 30 нКл).

Высокопроизводительная траншейная технология для очень низких
R

DS (ВКЛ)

Высокая мощность и способность выдерживать ток.

СОТ-23

SuperSOT

ТМ

-8

СОИК-16

СО-8

СОТ-223

SuperSOT

ТМ

-6

Этот полевой МОП-транзистор с P-каналом логического уровня изготовлен
с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench
от Fairchild Semiconductor, который был специально разработан для минимизации сопротивления
в открытом состоянии при сохранении низкого заряда затвора
для превосходных характеристик переключения.

Эти устройства хорошо подходят для приложений ноутбука
: переключение нагрузки и управление питанием, схемы зарядки аккумулятора
и преобразование постоянного / постоянного тока.

СО-8

контакт

ФДС

6675

1998 Fairchild Semiconductor Corporation

Электрические характеристики

(

= 25

C, если не указано иное)

Обозначение

Параметр

Условия

Мин.

Тип

Макс

шт.

ВЫКЛ. ХАРАКТЕРИСТИКИ

Б. В.

DSS

Напряжение пробоя сток-исток

= 0 В, я

= -250 А

-30

Б.В.

DSS

Дж

Темп. Напряжения пробоя.Коэффициент

= -250 А, ссылка на 25

или

-22

мВ /

или

DSS

Ток утечки напряжения нулевого затвора

= -24 В,

= 0 В

–1

Дж

= 55C

-10

GSSF

Ворота — утечка через корпус, вперед

= 20 В,

= 0 В

100

нА

ГССР

Ворота — утечка через корпус, задний ход

= -20 В,

= 0 В

-100

нА

ПО ХАРАКТЕРИСТИКАМ

(Примечание 2)

GS (тыс. )

Пороговое напряжение затвора

= V

, я

= -250 А

–1

-1.7

-3

GS (тыс.)

Дж

Пороговое напряжение затвора Темп. Коэффициент

= 250 А, согласно 25

или

4,3

мВ /

или

DS (ВКЛ)

Статический сток-источник сопротивления при включении

= -10 В, я

= -11 А

0.011

0,014

Дж

= 125C

0,016

0,023

= -4,5 В, I

= -9 А

0,015

0,02

Д (ОН)

Ток утечки в открытом состоянии

= -10 В,

= -5 В

-50

ФС

Прямая трансдуктивность

= -10 В, я

= -11 А

ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

мкс

Входная емкость

= -15 В,

= 0 В,

f = 1. 0 МГц

3000

пФ

oss

Выходная емкость

870

пФ

RSS

Емкость обратной передачи

360

пФ

ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

(Примечание 2)

Д (по)

Время задержки включения

= -15 В, я

= -1 А

нс

Время нарастания при включении

GEN

= -10 В, R

GEN

= 6

нс

D (выкл.)

Время задержки выключения

нс

Время отключения выключения

100

140

нс

квартал

Общая стоимость ворот

= -15 В, я

= -11 А,

нКл

квартал

гс

Заряд затвор-исток

= -5 В

нКл

квартал

Плата за осушение ворот

нКл

ХАРАКТЕРИСТИКИ И МАКСИМАЛЬНЫЕ НОМИНАЛЫ ДРЕНАЖНОГО ДИОДА

Максимальный непрерывный прямой ток сток-исток диода

-2. 1

Прямое напряжение сток-исток

= 0 В, я

= -2,1 А

(Примечание 2)

-0,72

-1,2

Примечания:

рэнд

представляет собой сумму теплового сопротивления между переходом и корпусом и между корпусом и окружающей средой, где термическое значение корпуса определяется как поверхность для пайки сливных контактов.R

это

гарантировано дизайном, а

рэнд

определяется дизайном платы пользователя.

Масштаб 1: 1 на бумаге формата Letter

2. Импульсный тест: длительность импульса <300 с, рабочий цикл <2,0%.

FDS6675 Ред. C1

г. 125

C / W на 0,006 дюйма

колодка

из меди 2 унции.

г. 105

C / W на 0.04 из

прокладка из меди 2 унции.

а. 50

C / W на 1 из

колодка

из меди 2 унции.

FDS6675 Ред. C1

Типовые электрические характеристики

Рисунок 1. Характеристики области .

Рис. 2. Изменение сопротивления на

Ток Dain и напряжение затвора .

Рисунок 3.Вариация сопротивления с

Температура .

Рисунок 5. Передаточные характеристики.

Рисунок 6. Прямое напряжение корпусного диода

Изменение тока источника
и температуры.

Рисунок 4. Сопротивление в открытом состоянии Вариация с

Напряжение затвор-исток.

0,6

1.2

1,8

2,4

— В, НАПРЯЖЕНИЕ ДРЕНАЖ-ИСТОЧНИК (В)

— Я, Д

ТОК ИСТОЧНИКОВ ДОЖДЯ (

А)

-6,0 В

-3,5 В

-3,0 В

В = -10 В

-4,5 В

0. 5

1,5

2,5

— I, ТОК СЛИВА (A)

AIN-SOURCE ON-RESIST

ANC

В = -3,5 В

, НОРМАЛИЗ

ЭД

DS (ВКЛ)

-10 В

-7,0 В

-4,0 В

-5,5 В

-4,5 В

0.01

0,02

0,03

0,04

0,05

— В, ЗАБОР К ИСТОЧНИКУ НАПРЯЖЕНИЯ (В)

, ОН-

РЕЗИСТ

ANC

(Ом)

DS (ВКЛ)

25 С

I = -5,5 А

Т = 125 ° С

Дж

— В, ЗАБОР К ИСТОЧНИКУ НАПРЯЖЕНИЯ (В)

— Я, Д

AIN CU

RRE

NT (А)

В = -5. 0В

Т = -55 ° С

Дж

125 К

25 С

0,4

0,8

1,2

0,001

0,01

0,1

— В, НАПРЯЖЕНИЕ ПЕРЕДНЕГО ДИОДА КУЗОВА (В)

— I, R

ERSE DR

AIN CU

RRE

NT (А)

25 С

-55 С

В = 0 В

Т = 125 ° С

Дж

-50

-25

100

125

150

0.6

0,8

1,2

1,4

1,6

T, ТЕМПЕРАТУРА ПЕРЕДАЧИ (C)

AIN-SOURCE ON-R

ESIST

ANC

Дж

, NO

МАЛИЗ

ЭД

DS (ВКЛ)

В = -10 В

I = -11A

FDS6675 Ред. C1

Типовые электрические характеристики

(продолжение)

Рисунок 10.Максимальная мощность одиночного импульса

Рассеивание.

Рисунок 8. Емкостные характеристики.

Рисунок 7. Характеристики заряда затвора.

Рисунок 9. Максимальная безопасная рабочая зона .

Рис. 11. Кривая переходного теплового отклика.

Термическое определение характеристик выполнено в условиях, описанных в Примечании 1c.

Переходный тепловой отклик будет изменяться в зависимости от конструкции печатной платы.

Q, ЗАРЯД ВОРОТ (нКл)

— V, GAT

-ИСТОЧНИК ВОЛЬТ

ВОЗРАСТ (В)

I = -11A

В = -5 В

-10 В

-15В

0,1

0. 2

0,5

100

200

500

1000

2000

4000

6000

— В, СЛИВ НА ИСТОЧНИК НАПРЯЖЕНИЯ (В)

ЕМКОСТЬ

(пФ)

мкс

f = 1 МГц
V = 0 В

oss

RSS

0.05

0,1

0,3

0,01

0,05

0,5

100

— В, НАПРЯЖЕНИЕ ДРЕНАЖ-ИСТОЧНИК (В)

— Я, Д

AIN CURRENT (A)

RDS (ВКЛ) LI

MIT

1 с

В = -10 В

ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС

R = 125 C / W

Т = 25 ° С

100 мс

10 мс

1 мс

10 с

100us

0. 001

0,01

0,1

100

300

ВРЕМЯ ОДНОГО ИМПУЛЬСА (СЕК)

МОЩНОСТЬ (Вт)

ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС

R = 125C / Вт

Т = 25С

0,0001

0,001

0,01

0,1

100

300

0.001

0,002

0,005

0,01

0,02

0,05

0,1

0,2

0,5

t, ВРЕМЯ (сек)

ПЕРЕХОДНОЕ ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ

r (t), НОРМАЛИЗИРОВАННЫЙ ЭФФЕКТИВНОСТЬ

одиночный импульс

D = 0,5

0,1

0,05

0,02

0,01

0,2

Рабочий цикл, D = т / т

R (t) = r (t) *

R = 125C / Вт

Т — Т = П * Р (т)

Дж

П (уп)

ТОВАРНЫЕ ЗНАКИ

ACExTM
CoolFETTM
CROSSVOLTTM
E

КМОП

FACTTM
FACT Quiet SeriesTM
FAST

FASTrTM
GTOTM
HiSeCTM

Следующие ниже товарные знаки являются зарегистрированными и незарегистрированными товарными знаками, принадлежащими Fairchild Semiconductor или уполномоченными на их использование, и
не является исчерпывающим списком всех таких товарных знаков.

ПОЛИТИКА ПОЖИЗНЕННОЙ ПОДДЕРЖКИ

ПРОДУКТЫ

FAIRCHILD НЕ РАЗРЕШЕНЫ ДЛЯ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В КАЧЕСТВЕ КРИТИЧЕСКИХ КОМПОНЕНТОВ ДЛЯ ЖИЗНЕННОЙ ПОДДЕРЖКИ УСТРОЙСТВ ИЛИ СИСТЕМ
БЕЗ ЯВНОГО ПИСЬМЕННОГО РАЗРЕШЕНИЯ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.
Используемый здесь:
1. Устройства или системы жизнеобеспечения — это устройства или системы
, которые: (а) предназначены для хирургической имплантации
в тело, или (б) поддерживают или поддерживают жизнь, или (в) чьи
неспособны при правильном использовании в соответствии с
с инструкциями по применению, приведенными на этикетке, можно разумно ожидать, что
приведет к значительным травмам пользователя
.

2. Критический компонент — это любой компонент вспомогательного устройства или системы Life
, отказ которого
в работе может привести к отказу вспомогательного устройства или системы Life
или повлиять на ее безопасность или

эффективность.

ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТАТУСА ИЗДЕЛИЯ

Определение терминов

Идентификационный лист данных

Статус продукта

Определение

Предварительная информация

Предварительная

Идентификация не требуется

Устарело

Это техническое описание содержит технические характеристики для разработки продукта
. Технические характеристики
могут быть изменены без предварительного уведомления.

Этот лист данных содержит предварительные данные, а
дополнительные данные будут опубликованы позже.
Fairchild Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения
в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции
.

Это техническое описание содержит окончательные спецификации. Fairchild
Semiconductor оставляет за собой право вносить изменения в номер
в любое время без предварительного уведомления с целью улучшения конструкции.

Это техническое описание содержит спецификации продукта
, производство которого прекращено Fairchild Semiconductor.
Таблица данных печатается только для справки.

Formative или
In Design

Первая продукция

Полное производство

Не в производстве

ОТКАЗ ОТ ОТВЕТСТВЕННОСТИ

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR оставляет за собой право вносить изменения без дальнейшего уведомления
В ЛЮБЫЕ ПРОДУКТЫ, НАХОДЯЩИЕСЯ ЗДЕСЬ, ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ НАДЕЖНОСТИ, ФУНКЦИОНИРОВАНИЯ ИЛИ ДИЗАЙНА. FAIRCHILD
НЕ НЕСЕТ НИКАКОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТИ, ВОЗНИКАЮЩЕЙ ИЗ-ЗА ПРИЛОЖЕНИЯ ИЛИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ ЛЮБОГО ПРОДУКТА
ИЛИ ЦЕПИ, ОПИСАННЫХ ЗДЕСЬ; ОН НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТ НИКАКИХ ЛИЦЕНЗИЙ ПО СВОЕМ ПАТЕНТУ
И ПРАВАМ ДРУГИХ.

TinyLogicTM
UHCTM
VCXTM

ISOPLANARTM
MICROWIRETM
POPTM
PowerTrenchTM
QFETTM
QSTM
Quiet SeriesTM
SuperSOTTM-3
SuperSOTTM-6
SuperSOTTM-8

Ноутбук Ic Fds6675bz 6675bz Fds6675 6675

KaiLiYuan Electronic Technology Co., Ltd.

[Описание продукта]

ИС ноутбука FDS6675BZ 6675BZ FDS6675 6675

Номер модели:	FDS6675BZ 9661775	FDS6675BZ 6675 6675	FDS6675BZ 6675BZ
Детали упаковки:	Трубка, лоток, лента и катушка, лента и коробка, насыпная упаковка, сумка и т. Д.Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения более подробной информации.
КОД ДАТЫ:	Самый новый, соответствует требованиям ROHS
Сведения о доставке:	Отправка в тот же день или в течение 3-5 дней после получения платежа
Состояние:	Новые и оригинальные, заводская герметичная упаковка
Описание:	Справочный лист данных

[Гарантия]

Все компоненты 60-180 дней Возврат с качеством полис со дня отгрузки.

[Платежные данные]

1. T / T (банковский перевод)

2 WESTERN UNION

3.Paypal

4.Alipay

0, если

0 у вас есть предпочтительный способ оплаты.

[Срок доставки]

1. Мы отправим весь ваш заказ в течение 2-3 рабочих дней после получения оплаты.В противном случае мы заранее укажем это в счете.

2. Мы можем доставить по всему миру через DHL, UPS, FEde, TNT и EMS. Упаковка очень надежная и прочная. Пожалуйста, придирайтесь ко мне, у вас есть особые потребности.
На то, чтобы дотянуться до ваших рук, потребуется около 3-6 дней.

3. Что касается заявленной стоимости посылки для таможенного оформления, мы с удовольствием следуем вашим пожеланиям, просто сообщите нам об этом при оформлении заказа.

4.Ответственность за любые импортные пошлины или сборы несет покупатель.

www.digichip.ru .

| |

Partfind — , , , , ,
FDS6675BZ ON Semiconductor | МОП-транзистор с каналом P, 11 А, 30 В, 8-контактный SOIC ON Semiconductor FDS6675BZ | 671-0598

Максимальная рабочая температура

+150 ° С

Максимальный непрерывный ток утечки

11 А

Максимальное рассеивание мощности

2. 5 Вт

Тип монтажа

Поверхностное крепление

Количество элементов на чип

1

Конфигурация транзистора

Один

Минимальная рабочая температура

-55 ° С

Минимальное пороговое напряжение затвора

1В

Максимальное сопротивление дренажному источнику

13 мОм

Максимальное напряжение истока стока

30 В

Типичный заряд затвора @ Vgs

44 нКл при 10 В

Максимальное напряжение источника затвора

-25 В, +25 В
.

No related posts.

FDS6675A Datasheet PDF Download,Fairchild Semiconductor FDS6675A Data Sheet-Datasheet PDF

Datasheet PDF For FDS6675A Search Results

DatasheetPDF found 1 PDF documents matching your query:

Related Part No

FDS4559, Транзистор N/P-CH 60V 4. 5/3.5A [SO-8]

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация

Преобразователь сигнала термопары K-типа MAX6675

Характеристики:

Купить:

Подключение модуля к Arduino:

Софт:

Видео:

FDS6675 — Один P-канальный логический уровень PowerTrench # 174; МОП-транзистор

FDS6675 (Fairchild) — один P-канал, логический уровень, Powertrenchtm Mosfet

Ноутбук Ic Fds6675bz 6675bz Fds6675 6675

FDS6675BZ ON Semiconductor | МОП-транзистор с каналом P, 11 А, 30 В, 8-контактный SOIC ON Semiconductor FDS6675BZ | 671-0598

Оставить комментарийОтменить комментарий