Fr157 параметры: FR157, Диод импульсный 1.5А 1000В [DO-15], Китай

Школа 157 5а одноклассники — lenta_mx0007 — LiveJournal

FR157, Диод импульсный 1.5А 1000В, Диоды импортные импульсные / Чип и Дип

Технические параметры позиции FR157, Диод импульсный 1.5А 1000В.Наличие в магазинах* «Чип и Дип» позиции FR157, Диод импульсный 1.5А 1000В. Нажмите «Обновить» для получения текущего наличия товара в магазинах.

Источник: www.chipdip.ru; Размер документа: 8 КБ

Школа полного дня ГБОУ СОШ №700, Филёвский парк — Школа№700, Школа творческого развития

С 2006 года школа работает в режиме школы полного дня. Для учащихся 1-9 классов организованы класс группы полного дня в соответствии Положением о ШПД.Адрес: 121096, Москва, ул.Барклая, д.5—а. Район филёвский парк.

Источник: www.vita700.com; Размер документа: 62 КБ

Nokia хочет запатентовать нанотелефон-трансформер

одноклассники трейлер 2010 одноклассники школа комарова школа 157

5а одноклассники одноклассникиъ\.

Источник: news4y.info; Размер документа: 5 КБ

одноклассники украина полтава

odnoklassniki.ru/profile/326459… копия.ОДНОКЛАССНИКИ 10 А ПОЛТАВА 4 … Полтава Украина , Poltava Ukraineby erkannarli157 views; Полтавская юридическая академия …

Источник: odnoklassniki-serg.ru; Размер документа: 91 КБ

sch157.minsk.edu.by/ru/main.aspx?guid=2201

ГУО Средняя школа №157 г.Минска. Одно окно О школе Профсоюз школы Учительская Ученикам Родителям Фотогалерея Контактная информация Сервисы.

Источник: sch257.minsk.edu.by; Размер документа: 105 КБ

Статусы для одноклассников

про море

Статусы про школу.Статусы для одноклассников про море. Милый, если бы не ты, мы были бы отличной парой: Р. Красиво жить не запретишь.

Источник: www.tvoi-status.ru; Размер документа: 6 КБ

Одноклассники рудыка яна школа 95 харьков

1995 школа 119 класс г одноклассники харьков с фото. www.leto-odnoklassniki.ru · 1740 КБ.Школа 157 (Украина, Харьков). Ира Мироненко Юля Жук Яна Рябко(Антоненко) Андрей Москаленко Luiza 95 Luiza Марина Рудык.

Источник: jbnxo.se4rm7jd.ru; Размер документа: 19 КБ

наш любимый 5А 29 школы

Одноклассники3.

Источник: 5aclass.mirtesen.ru; Размер документа: 10 КБ

5А класс школа № 29 г.Балашиха — Моя безопасность

Всего ответов: 157.Будь всегда рядом со своими учителями, одноклассниками (друзьями). Не ходи в одиночку в безлюдные помещения школы, тем более чердаки, подвалы, кусты.

Источник: school29.ucoz.ru; Размер документа: 11 КБ

Московская городская детская музыкальная школа №2 им. И.О.Дунаевского — Чапаевский переулок, 5А — Научиться, Школы искусств Москвы — 2do2go

Научиться, Школы искусств. Адрес: Чапаевский переулок, 5А. Телефоны: +7 499 157-07-77.

Источник: www.2do2go.ru; Размер документа: 24 КБ

Tags: видео в однокласниках, знаю логин одноклассники пароль, как быстро развиться в игре запорожье од, поиск маил однокласники, разрешенные символы в одноклассниках

Простой импульсный источник питания на UC3842 — Блоки питания (импульсные) — Источники питания

Любой разработчик может столкнуться с проблемой создания простого и надежного источника питания для конструируемого им устройства. В настоящее время существуют достаточно простые схемные решения и соответствующая им элементная база, позволяющие создавать импульсные источники питания на минимальном количестве элементов. Вашему вниманию предлагается описание одного из вариантов простого сетевого импульсного блока питания. Блок питания реализован на основе микросхемы UC3842. Эта микросхема получила широкое распространение, начиная со второй половины 90-х годов. На ней реализовано множество различных источников питания для телевизоров, факсов, видеомагнитофонов и другой техники. Такую популярность UC3842 получила благодаря своей малой стоимости, высокой надежности, простоте схемотехники и минимальной требуемой обвязке. На входе блока питания (рис. 5.34), расположен сетевой выпрямитель напряжения, включающий плавкий предохранитель FU1 на ток 5 А, варистор Р1 на 275 В для защиты блока питания от превышения напряжения в сети, конденсатор С1, терморезистор R1 на 4,7 Ом, диодный мост VD1…VD4 на диодах FR157 (2 А, 600 В) и конденсатор фильтра С2 (220 мкФ на 400 В). Терморезистор R1 в холодном состоянии имеет сопротивление 4,7 Ом, и при включении питания ток заряда конденсатора С2 ограничивается этим сопротивлением. Далее резистор разогревается за счет проходящего через него тока, и его сопротивление падает до десятых долей ома. При этом он практически не влияет на дальнейшую работу схемы. Резистор R7 обеспечивает питание ИМС в период запуска блока питания. Обмотка II трансформатора Т1, диод VD6, конденсатор С8, резистор R6 и диод VD5 образуют так называемую петлю обратной связи (Loop Feedback), которая обеспечивает питание ИМС в рабочем режиме, и за счет которой осуществляется стабилизация выходных напряжений. Конденсатор С7 является фильтром питания ИМС. Элементы R4, С5 составляют времяза-дающую цепочку для внутреннего генератора импульсов ИМС. Резистивный делитель R2, R3 задает напряжение, вырабатываемое петлей обратной связи, на входе усилителя ошибки, другими словами, определяет напряжение стабилизации. Элементы R5, С6 необходимы для компенсации АЧХ усилителя ошибки. Резистор R9 — токоограничиваюший, резистор R13 защищает полевой транзистор VT1 в случае обрыва резистора R9. Резистор R11 является измерительным для определения тока через транзистор VT1. Элементы RIO, C10 образуют интегрирующую цепочку, через которую напряжение с резистора R11, являющееся эквивалентом тока через транзистор VTI, поступает на второй компаратор ИМС. Элементы VD7, R8, С9, VD8, СП и R12 формируют требуемую форму импульсов, устраняют паразитную генерацию фронтов и защищают транзистор от мощных импульсов напряжения. Трансформатор преобразователя намотан на ферритовом сердечнике с каркасом ETD39 фирмы Siemens+Matsushita. Этот набор отличается круглым центральным керном феррита и большим пространством для толстых проводов. Пластмассовый каркас имеет выводы для восьми обмоток. Сборка трансформатора осуществляется с помощью специальных крепежных пружин. Следует обратить особое внимание на тщательность изоляции каждого слоя обмоток с помощью лакоткани, а между обмотками I, II и остальными обмотками следует проложить несколько слоев лакоткани, обеспечив надежную изоляцию выходной части схемы от сетевой. Обмотки следует наматывать способом «виток к витку», не перекручивая провода. Естественно, не следует допускать перехлеста проводов соседних витков и петель. Намоточные данные трансформатора приведены в табл. 5.5. Выходная часть блока питания представлена на рис.1 Она гальванически развязана от входной части и включает в себя три функционально идентичных блока, состоящих из выпрямителя, LC-фильтра и линейного стабилизатора. Первый блок — стабилизатор на 5 В (5 А) — выполнен на ИМС линейного стабилизатора А2 SD1083/84 (DV, LT). Эта микросхема имеет схему включения, корпус и параметры, аналогичные МС KPI42Eh22, однако рабочий ток составляет 7,5 А для SD1083 и 5 А для SD1084. Второй блок — стабилизатор +12/15 В (1 А) — выполнен на ИМС линейного стабилизатора A3 7812 (12 В) или 7815 (15 В). Отечественные аналоги этих ИМС — КР142ЕН8 с соответствующими буквами (Б, В), а также Kl 157Eh22/15. Третий блок — стабилизатор -12/15 В (1 А) — выполнен на ИМС линейного стабилизатора А4 7912 (12 В) или 7915 (15 В). Отечественные аналоги этих ИМС — K1162Eh22J5. Резисторы R14, R17, R18 необходимы для гашения излишнего напряжения на холостом ходу. Конденсаторы С12, С20, С25 выбраны с запасом по напряжению ввиду возможного возрастания напряжения на холостом ходу. Рекомендуется использовать конденсаторы С17, С18, С23, С28 типа К53-1А или К53-4А. Все ИМС устанавливаются на индивидуальные пластинчатые радиаторы с площадью не менее 5 см2. Таблица 5.5 Обмотка Контакты Назначение Провод Предельный ток, А Напряжение холостого хода, В 1 1-16 Первичная 4ХПЭВ-2, 0,15 2 — II 2-15 Обратной связи ЗхПЭВ-2, 0,15 0,1 18 III 3-14 Выход +5 В 4ХПЭВ-2, 0,35 6 16 IV 4-13 Выход+15/12 В 2ХПЭВ-2, 0,35 1,5 20 V 5-12 Выход-15/12 В 2ХПЭВ-2, 0,35 1,5 20 Конструктивно блок питания выполнен в виде одной односторонней печатной платы, установленной в корпус от блока питания персонального компьютера. Вентилятор и входные сетевые разъемы используются по назначению. Вентилятор подключен к стабилизатору + 12/15 В, хотя возможно сделать дополнительный выпрямитель или стабилизатор на +12 В без особой фильтрации. Все радиаторы установлены вертикально, перпендикулярно выходящему через вентилятор воздушному потоку. К выходам стабилизаторов подключены по четыре провода длиной 30…45 мм, каждый комплект выходных проводов обжат специальными пластиковыми зажимами-ремешками в отдельный жгут и оснащен разъемом того же типа, который используется в персональном компьютере для подключения различных периферийных устройств. Параметры стабилизации определяются параметрами ИМС стабилизаторов. Напряжения пульсаций определяются параметрами самого преобразователя и составляют примерно 0,05% для каждого стабилизатора.

Даташит на диод ed68 — Морской флот

Обозначение, применение и параметры диодов Шоттки

К многочисленному семейству полупроводниковых диодов названных по фамилиям учёных, которые открыли необычный эффект, можно добавить ещё один. Это диод Шоттки.

Немецкий физик Вальтер Шоттка открыл и изучил так называемый барьерный эффект возникающий при определённой технологии создания перехода металл-полупроводник.

Основной «фишкой» диода Шоттки является то, что в отличие от обычных диодов на основе p-n перехода, здесь используется переход металл-полупроводник, который ещё называют барьером Шоттки. Этот барьер, так же, как и полупроводниковый p-n переход, обладает свойством односторонней электропроводимости и рядом отличительных свойств.

В качестве материала для изготовления диодов с барьером Шоттки преимущественно используется кремний (Si) и арсенид галлия (GaAs), а также такие металлы как золото, серебро, платина, палладий и вольфрам.

На принципиальных схемах диод Шоттки изображается вот так.

Как видим, его изображение несколько отличается от обозначения обычного полупроводникового диода.

Кроме такого обозначения на схемах можно встретить и изображение сдвоенного диода Шоттки (сборки).

Сдвоенный диод – это два диода смонтированных в одном общем корпусе. Выводы катодов или анодов у них объединены. Поэтому такая сборка, как правило, имеет три вывода. В импульсных блоках питания обычно применяются сборки с общим катодом.

Так как два диода размещены в одном корпусе и выполнены в едином технологическом процессе, то их параметры очень близки. Поскольку они размещены в едином корпусе, то и температурный режим их одинаков. Это увеличивает надёжность и срок службы элемента.

У диодов Шоттки есть два положительных качества: весьма малое прямое падение напряжения (0,2-0,4 вольта) на переходе и очень высокое быстродействие.

К сожалению, такое малое падение напряжения проявляется при приложенном напряжении не более 50-60 вольт. При дальнейшем его повышении диод Шоттки ведёт себя как обычный кремниевый выпрямительный диод. Максимальное обратное напряжение для Шоттки обычно не превышает 250 вольт, хотя в продаже можно встретить образцы, рассчитанные и на 1,2 киловольта (VS-10ETS12-M3).

Так, сдвоенный диод Шоттки (Schottky rectifier) 60CPQ150 рассчитан на максимальное обратное напряжение 150V, а каждый из диодов сборки способен пропустить в прямом включении 30 ампер!

Также можно встретить образцы, выпрямленный за полупериод ток которых может достигать 400А максимум! Примером может служит модель VS-400CNQ045.

Очень часто в принципиальных схемах сложное графическое изображение катода попросту опускают и изображают диод Шоттки как обычный диод. А тип применяемого элемента указывают в спецификации.

К недостаткам диодов с барьером Шоттки можно отнести то, что даже при кратковременном превышении обратного напряжения они мгновенно выходят из строя и главное необратимо. В то время как кремниевые силовые вентили после прекращения действия превышенного напряжения прекрасно самовосстанавливаются и продолжают работать. Кроме того обратный ток диодов очень сильно зависит от температуры перехода. На большом обратном токе возникает тепловой пробой.

К положительным качествам диодов Шоттки кроме высокого быстродействия, а, следовательно, малого времени восстановления можно отнести малую ёмкость перехода (барьера), что позволяет повысить рабочую частоту. Это позволяет использовать их в импульсных выпрямителях на частотах в сотни килогерц. Очень много диодов Шоттки находят своё применение в интегральной микроэлектронике. Выполненные по нано технологии диоды Шоттки входят в состав интегральных схем, где они шунтируют переходы транзисторов для повышения быстродействия.

В радиолюбительской практике прижились диоды Шоттки серии 1N581x (1N5817, 1N5818, 1N5819). Все они рассчитаны на максимальный прямой ток (I_F(AV)) – 1 ампер и обратное напряжение (V_RRM) от 20 до 40 вольт. Падение напряжения (V_F) на переходе составляет от 0,45 до 0,55 вольт. Как уже говорилось, прямое падение напряжения (Forward voltage drop) у диодов с барьером Шоттки очень мало.

Также достаточно известным элементом является 1N5822. Он рассчитан на прямой ток в 3 ампера и выполнен в корпусе DO-201AD.

Также на печатных платах можно встретить диоды серии SK12 – SK16 для поверхностного монтажа. Они имеют довольно небольшие размеры. Несмотря на это SK12-SK16 выдерживают прямой ток до 1 ампера при обратном напряжении 20 – 60 вольт. Прямое падение напряжения составляет 0,55 вольт (для SK12, SK13, SK14) и 0,7 вольт (для SK15, SK16). Также на практике можно встретить диоды серии SK32 – SK310, например, SK36, который рассчитан на прямой ток 3 ампера.

Применение диодов Шоттки в источниках питания.

Диоды Шоттки активно применяются в блоках питания компьютеров и импульсных стабилизаторах напряжения. Среди низковольтных питающих напряжений самыми сильноточными (десятки ампер) являются напряжения +3,3 вольта и +5,0 вольт. Именно в этих вторичных источниках питания и используются диоды с барьером Шоттки. Чаще всего используются трёхвыводные сборки с общим катодом. Именно применение сборок может считаться признаком высококачественного и технологичного блока питания.

Выход из строя диодов Шоттки одна из наиболее часто встречающихся неисправностей в импульсных блоках питания. У него может быть два «дохлых» состояния: чистый электрический пробой и утечка. При наличии одного из этих состояний блок питания компьютера блокируется, так как срабатывает защита. Но это может происходить по-разному.

В первом случае все вторичные напряжения отсутствуют. Защита заблокировала блок питания. Во втором случае вентилятор «подёргивается» и на выходе источников питания периодически то появляются пульсации напряжения, то пропадают.

То есть схема защиты периодически срабатывает, но полной блокировки источника питания при этом не происходит. Диоды Шоттки гарантированно вышли из строя, если радиатор, на котором они установлены, разогрет очень сильно до появления неприятного запаха. И последний вариант диагностики связанный с утечкой: при увеличении нагрузки на центральный процессор в мультипрограммном режиме блок питания самопроизвольно отключается.

Следует иметь в виду, что при профессиональном ремонте блока питания после замены вторичных диодов, особенно с подозрением на утечку, следует проверить все силовые транзисторы выполняющие функцию ключей и наоборот: после замены ключевых транзисторов проверка вторичных диодов является обязательной процедурой. Всегда необходимо руководствоваться принципом: беда одна не приходит.

Проверка диодов Шоттки мультиметром.

Проверить диод Шоттки можно с помощью рядового мультиметра. Методика такая же, как и при проверке обычного полупроводникового диода с p-n переходом. Но и тут есть подводные камни. Особенно трудно проверить диод с утечкой. Прежде всего, элемент необходимо выпаять из схемы для более точной проверки. Достаточно легко определить полностью пробитый диод. На всех пределах измерения сопротивления неисправный элемент будет иметь бесконечно малое сопротивление, как в прямом, так и в обратном включении. Это равносильно короткому замыканию.

Сложнее проверить диод с подозрением на «утечку». Если проводить проверку мультиметром DT-830 в режиме «диод», то мы увидим совершенно исправный элемент. Можно попробовать измерить в режиме омметра его обратное сопротивление. На пределе «20кОм» обратное сопротивление определяется как бесконечно большое. Если же прибор показывает хоть какое-то сопротивление, допустим 3 кОм, то этот диод следует рассматривать как подозрительный и менять на заведомо исправный. Стопроцентную гарантию может дать полная замена диодов Шоттки по шинам питания +3,3V и +5,0V.

Где ещё в электронике используются диоды Шоттки? Их можно обнаружить в довольно экзотических приборах, таких как приёмники альфа и бета излучения, детекторах нейтронного излучения, а в последнее время на барьерных переходах Шоттки собирают панели солнечных батарей. Так, что они питают электроэнергией и космические аппараты.

ДИОДЫ, АНАЛОГИ

Здесь представлена самая большая таблица взаимозаменяемости импортных и отечественных диодов собраных в интернете. Часть 2. Полные и функциональные аналоги диодов. Даташит на каждый диод можно посмотреть введя её название в поисковую форму datasheet вправой части сайта. Цены на радиодетали можно посмотреть в любом интернет магазине.

1N3064 КД521А
1N3064M КД521А
1N3065 КД521А
1N3067 КД521Г
1N3082 КД205Г
1N3083 КД205Б
1N3121 Д220
1N3184 КД205А
1N3193 КД205Л
1N3194 Д229Л
1N3228 КД105Г
1N3229 КД205А
1N3238 Д229Ж
1N3239 КД205Л
1N3253 КД205Л
1N3254 Д229Л
1N3270 Д246Б
1N3277 КД205Л
1N3278 Д229Л
1N3282 МД218
1N3545 КД205Г
1N3547 Д229Л
1N3600 КД209А
1N3604 КД521А
1N3606 КД521А
1N3607 КД521А
1M3639 КД205Л
1N3640 Д229Л
1N3657 Д246Б
1N3659 КД205Л
1N3748 КД205Г
1N3749 КД205Б
1N3750 КД205Ж
1N3827 КС456А
1N3827A КС456А
1N3873 КД509А
1N3873H КД509А
1N3954 КД509А
1N4001 КД208, КД209, КД226А, КД243А
1N4002 КД243Б
1N4003 КД243В
1N4004 КД243Г
1N4005 КД243Д
1N4006 КД243Е
1N4007 КД243Ж
1N4008 МД3Б
1N4099 КС168А
1N4147 КД503А
1N4148 КД510, КД521А, КД522Б, КД106А
1N4149 КД521А
1N4150 КД522Б, КД106А
1N4153 КД521А
1N4305 КД521А
1N4364 Д229Ж
1N4365 КД205Л
1N4366 Д229К
1N4367 Д229Л
1N4437 Д246
1N4438 КД206В
1M4439 КД210Б
1N4446 КД521А, КД522Б
1N4447 КД521А
1N4448 КД521А
1N4449 КД521А
1N4454 КД521А
1N4531 КД521А
1N4622 КС139А
1N4624 КС147А
1N4655 КС456А
1N4686 КС139А
1N4688 КС147А
1N4734 КС456А
1N4817 КД208А
1N5151 КД521А
1N5209 Д223Б
1N5216 КД205Б
1N5217 КД205Ж
1N5318 КД521А
1N5392 КД208А
1N5393 КД258А
1N5395 КД258Б
1N5397 КД258В
1N5398 КД258Г
1N5399 КД258Д
1N5400 КД280А
1N5401 КД227А, КД280Б
1N5402 КД280В
1N5404 КД280Г
1N5406 КД280Д
1N5407 КД280Е
1N5408 КД280Ж
1N5624 КД257А
1N5720 КД503А
1N5819 КДШ2105В
1P644 Д229В
1P647 Д229Е
1S032 КД205Л
1S034 Д229Л
1S41 КД205Л
1S43 Д229Л
1S101 КД205Л
1S103 Д229Л
1S113 Д229Е
1S148 Д229К
1S162 Д243
1S163 Д245
1S164 Д246
1S165 КД206Б
1S307 Д18
1S313 КД205В
1S314 КД205Б
1S315 КД205А
1S421 Д243
1S423 Д246
1S427 КД210Б
1S473 Д811
1S544 КД210Б
1S558 КД205А
1S559 КД205В
1S1219 КД521Г
1S1220 КД521Г
1S1230 КД205Б
1S1231 КД205А
1S1232 КД205Ж
1S1473 КД521Г
1S1763 КД205Б
1S1943 КД205Б
1S1944 КД205Ж
1T502 КД205Г
1T504 КД205Б
1T505 КД205А
1T506 КД205Ж
20S5 КД205Г
20TQ045 КДШ2965Б
20TQ060 КДШ2965А
24J2 Д223Б
2A04 КД411ЕМ
2A05 КД411ВМ-ДМ
2A06 КД411АМ, БМ, НМ
2T502 КД205Г
2T504 КД205Б
2T505 КД205А
2T506 КД205Ж
3C15 Д303
3T502 КД205Г
4T502 КД205Г
7,00E+01 Д229Ж
7J1 Д229Ж
7J2 КД205Л
75R2B КД205Л
BAS32 КД811А
BAV682 КД811Б
BY296P КД266А
BY297P КД226Б
BY298P КД226В
BY299P КД226Д
DL4148 КД521А, 522Б-SMD
ESP5300 Д245Б
F0100 КД509А
F1E3 Д245Б
F1K3 Д248Б
F2B3 Л242
F2h4 КД206Б
F2M3 КД203Г
F2N3 КД210Б
FD600 КД521А
FDN600 КД521А
FPZ5V6 КС456А
FR101 КД247Е
FR102 КД247А
FR103 КД247Б
FR104 КД247В
FR105 КД247Г
FR106 КД247Д
FR153 КД258А
FR154 КД258Б
FR155 КД258В
FR156 КД258Г
FR157 КД258Д
FR202 КД226А
FR203 КД226Б
FR204 КД226В
FR205 КД226Г
FR206 КД226Д
FR303 КД257А
FR304 КД257Б
FR305 КД257В
FR306 КД257Г
FR307 КД257Д
G65HZ Д248Б
G1010 Д242
G3010 Д245
G4010 Д246
GP15d КД258А
GP15g КД258Б
GP15j КД258В
GP15k КД258Г
GP15m КД258Д
HDS901 КД521Г
HDS9003 КД509А
HMG626A Д220
HMG662 Д220Б
HMG662A Д220Б
HMG663 Д220Б
HMG844 Д220Б
HMG904 КД521Г
HMG904A КД521Г
HMG907 КД521Г
HMG907A КД521Г
HMG2873 КД509А
HMG3064 КД521А
HMG3596 КД521Г
HMG3598 КД521А
HMG3600 КД509А
HMG4150 КД509А
HMG4319 КД521А
HMG4322 КД509А
HR9 Д818А
HS033A КС133А
HS033B КС133А
HS2039 КС139А
HS7033 КС133А
HS9010 КД521Г
HS9501 КД521А
HS9504 КД521А
HS9507 КД521А
JE2 КД205Л
LAC2002 КС147А
LD57C АЛ336В
LDD5 КД521Б
LDD10 КД521Б
LDD15 КД521Б
LDD50 КД521Б
LR33H КС133А
M1B1 КД208А
M1B5 КД208А
M1B9 КД208А
M4HZ Д229Е
M14 Д229В
M68 Д229Ж
M69B КД205Л
M69C КД205Г
M500B КД205Е
M500C КД205А
R604 Д246
R606 КД206В
R612 Д243
R614 Д246
R616 КД206В
RGP10a КД247Е
RGP10b КД247А
RGP10d КД247Б
RGP10g КД247В
RGP10j КД247Г
RGP10k КД247Д
RGP15d КД258А
RGP15g КД258Б
RGP15j КД258В
RHP15k КД258Г
RGP15m КД258Д
RGP30d КД257А
RGP30g КД257Б
RGP20j КД257В
RGP30k КД257Г
RGP30m КД257Д
RL204 КД411ЕМ
RL205 КД411ВМ-ДМ
RL206 КД411АМ, БМ, НМ
RZ18 КС218Ж
RZ22 КС222Ж
RZZ11 КС211Ж
S1,5-0,1 КД208А
S2A-12 Д243
S2E20 КД205Г
S2E60 КД205Ж
S5A1 Д304
S5A2 Д243Б
S5A3 Д245Б
S5A6 Д248Б
S5AN12 КД206Б
S6AN12 КД206В
S7AN12 КД203Г
S8AN12 КД210Б
S15 КД205А
S17 КД205Г
S18 КД205А
S18A КД205А
S19 Д7Ж
S20-06 Д248Б
S23A КД205Ж
S26 Д229К
S28 КД105Г
S30 КД205Ж
S31 КД205В
S83 Д229К
S92A КД205Л
S101 КД205Г
S106 Д7Ж
S205 Д210
S206 Д211
S208 МД217
S210 МД218
S219 Д7Ж
S222 КД205Г
S223 КД205В
S234 КД105Г
S252 КД205Г
S253 КД205В
S256 КД105Ж
S425 КД206В
S427 КД210Б
S65250 КД509А
SD1A КД205Ж
SD11 Д101
SD17Z КД205Г
SD91A Д229Ж
SD92A КД205Л
SD93 Д229К
SE05B КД205Ж
SE05S КД205Г
SE1,5SS КД208А
SFD43 КД521Г
SFD83 КД521Г
SG203E, K Д243Б
SG5200 КД521А
SG5260 КД521А
SJ103E, K Д304
SJ104E, K Д242
SJ204E, K Д243
SL3 Д245Б
SM20 КД205Л
SM230 Д229К
SV131 Д818А
SV134 Д811
SVM91 Д818А
SVM905 Д818А
SVM9010 Д818А
SVM9011 Д818А
SVM9020 Д818А
SVM9021 Д818А
SW05B КД205Ж
SW05S КД205Г
SW1S Д229Ж
SW1SS КД205Л
SZ9 Д818А
SZ11 Д811
TIC106 КУ223И
TF24 Д226В
TK20 КД205Л
TK40 Д229Л
TMD45 Д207
TS1 Д229Ж
TS2 КД205Л
TS4 Д229Л
UR215 Д303
UP12069 КД205Л
UP12070 Д229Л
UP12070A Д229Л
URE100X Д304
URF100X Д304
URG100X Д304
UT112 Д229Ж
UT113 КД205Л
UT114 Д229К
UT115 Д229Л
UT212 Д229К
UT213 Д229Л
XS10 Д229Ж
XS17 КД205Л
Z1550 КС156А
Z1555 КС156А
Z1560 КС156А
Z1565 КС156А
Z1570 КС156А
Z1A5,6 КС156А
Z1A6,8 КС168А
Z1A11 Д811
Z1B5,6 КС156А
Z1B6,8 КС168А
Z1B11 Д811
Z1C5,6 КС156А
Z1C11 Д811
Z1D6,8 КС168А

Даташит поиск по электронным компонентам в формате pdf на русском языке. Бесплатная база содержит более 1 000 000 файлов доступных для скачивания. Воспользуйтесь приведенной ниже формой или ссылками для быстрого поиска (datasheet) по алфавиту.Если вы не нашли нужного Вам элемента, обратитесь к администрации проекта .

Полупроводниковые приборы компании CDIL — Компоненты и технологии

Изначально деятельность компании была направлена на разработку и производство полупроводниковых приборов на основе кремния, став таким образом первой в Индии компанией, выпускающей кремниевые полупроводниковые компоненты. В 1970-е годы в CDIL работал Винод Дхам (Vinod Dham, 1950 г.р.) (рис. 1), впоследствии получивший всемирную известность как разработчик процессоров Pentium компании Intel.

Рис. 1. Винод Дхам

После завершения в 1971 году образования в Делийском инженерном колледже (в настоящее время Делийский технологический университет) Винод Дхам получил степень бакалавра в области электроники и поступил на работу в компанию CDIL на должность инженера, где проработал четыре года. В 1975-м В. Дхам уехал в США и поступил в университет Цинциннати (штат Огайо), после окончания которого получил степень магистра в области твердотельной электроники. В команду разработчиков энергонезависимой памяти компании Intel В. Дхам пришел в 1979-м, результатом деятельности этой команды стала первая флэш-память Intel — ETOX.

Созданием процессора Pentium в 1989 году занялась команда, прежде работавшая над процессорами i386 и i486, в группу входило около двухсот сотрудников Intel под руководством Джона Кроуфорда и Дональда Альперта, главным руководителем проекта был Винод Дхам. Презентация Pentium состоялась в марте 1993-го, несколько месяцев спустя появились и первые ПК на его основе, а Винода Дхама стали называть отцом «Пентиума» [1].

Более половины продукции CDIL поставляет в 35 стран мира, в том числе и в Россию. Клиентами компании являются многие ведущие производители бытовой, автомобильной и промышленной электроники, телекоммуникационного оборудования, в их числе ABB, APC, Bajaj Auto, Celestica, Emerson Electric, Flextronics, Robert Bosch, Samsung, Tata Motors и другие. В 2005 году открыт центр продаж и склад компании в Гонконге — CDIL (HK) Ltd., обеспечивающий поставки продукции в страны ЮВА, Азиатско-Тихоокеанского региона и КНР.

CDIL стала первой в своей стране компанией, осуществившей выпуск полупроводниковых приборов космического класса для Индийской организации космических исследований (Indian Space Research Organization). Полупроводниковые приборы промышленного, космического и военного классов поставляются таким компаниям, как Alcatel, Honeywell, Robert Bosch, Siemens. CDIL стала первой индийской полупроводниковой компанией, сертифицированной по стандартам IS/ISO9002, ISO14001, ISO/TS16949 и получившей статус экспортной фирмы (Export House) правительства Индии [2].

CDIL — это полностью вертикально интегрированная компания, в ее составе дизайн-центр, производства с высокой степенью автоматизации и участки конечного тестирования продукции. Компания располагает чистыми помещениями для производства полупроводниковых приборов общей площадью более 16 000 м

2 и производственным оборудованием ведущих мировых компаний США, Японии, Швейцарии и Германии. Подразделение исследований и разработок полностью покрывает потребности компании в разработке собственных технологий. Ключевые направления исследований и разработок:

• Разработка новых полупроводниковых приборов и улучшение характеристик серийно выпускаемых продуктов.
• Постоянное совершенствование используемых технологических процессов и создание новых процессов и технологий.
• Бенчмаркинг технологических процессов и характеристик выпускаемых полупроводниковых приборов в сравнении с лучшими образцами конкурентов, позволяющий обеспечивать высокую надежность и качественные параметры изготавливаемой продукции на уровне лучших мировых образцов.
• Проведение анализа видов и последствий отказов компонентов (Failure Mode Effect Analysis — FMEA).
• Обучение и подготовка производственного персонала к работе с новыми технологическими процессами [3].

Кроме разработки и производства полупроводниковых приборов, с 1982 года CDIL осуществляет контрактное производство электроники (EMS), для чего в сотрудничестве с компанией Messers Hamlin Inc. (штат Висконсин, США) в городе Чандигарх (Chandigarh) было создано подразделение Deltron Ltd. (рис. 2). Производство полностью автоматизировано и сертифицировано по стандартам ISO9001:2009, TS16949:2009, ISO14001:2004, OHSAS18001:2007, ISO13485:2003 [4].

Рис. 2. Здание компании Deltron

Еще одно направление деятельности CDIL — производство светодиодных модулей, панелей и осветительных приборов под торговой маркой Dynel Lights. В настоящее время компания выпускает широкую номенклатуру портативных, бытовых, офисных и промышленных осветительных приборов для наружного и внутреннего освещения [5].

В каталоге компании 2015 года полупроводниковые приборы представлены в следующих категориях: выпрямительные диоды и мосты, диоды, транзисторы, тиристоры и симисторы, стабилизаторы напряжения, TVS-диоды [6].

В категорию выпрямительных диодов и мостов входят высокоэффективные выпрямительные диоды, диоды с быстрым и сверхбыстрым восстановлением обратного сопротивления, выпрямительные диоды общего назначения, выпрямительные мосты и диоды Шоттки для выпрямителей.

Высокоэффективные выпрямительные диоды (High Efficiency Rectifier) представлены сериями HER10X в корпусе DO-41P (рис. 3) и HER20X в корпусе DO-15. В серию HER10X входят 8 типов приборов HER101-HER108 на допустимые рабочие напряжения U_p от 50 до 1000 В (35-700 В RMS) и выпрямленный ток 1 А. Прямое напряжение при токе 1 А находится в пределах (1-1,7 В), пиковый прямой ток 30 А при длительности импульса 8,3 мс. Обратный ток 5 мкА, время восстановления обратного сопротивления 50-75 нс. Диапазон рабочих температур -55…+150 °C. В серию HER20X также входят 8 типов приборов HER201-HER208, отличающихся только допустимым выпрямленным током — 2 А — и пиковым прямым током — 60 А, остальные параметры как у приборов серии HER10X.

Рис. 3. Корпус DO-41

Ультрабыстрые диоды (Ultra Fast Recovery) представлены сериями UF400X в корпусе DO-41P, UF540X в корпусе D0-20 (внешний вид как у DO-41 на рис. 3), UF1, UF2 в корпусах для монтажа на поверхность DO-214 (рис. 4). В серии UF540X представлено восемь типов приборов UF5400-UF5408, их основным отличием от вышерассмотренных приборов являются только больший прямой ток (3 А) и пиковый прямой ток (150 А). Диоды в корпусах для монтажа на поверхность серий UF1 отличаются отсутствием исполнений на напряжения 900 и 1000 В, остальные параметры в основном такие, как и у приборов серии HER10X. Основные параметры диодов серии UF2 практически совпадают с параметрами приборов серии HER20X.

Рис. 4. Корпус DO-214

В группу выпрямительных диодов общего назначения входит шесть серий приборов в следующих корпусах: DO-41 (серия 1N400X, рис. 3), D0-20 (серия 1N540X, рис. 3), DO-213 (серия SM400X, рис. 5), DO214 (серии GS1, S1, S2, рис. 4). Основные особенности приборов серии:

• 1N4001-1N4007 — допустимое рабочее напряжение U_р от 50 до 1000 В, прямой ток 1 А, рабочий диапазон температур кристалла -55…+125 °C, время восстановления не нормировано.
• 1N5400-1N5408 — отличия от предыдущих: прямой ток 3 А, диапазон рабочих температур -55…+150 °C.
• GS1A/M1-GS1M/M7; S1A-S1M — U_p = 50-1000 В, I_пр = 1 А, время восстановления t_rr = 2,5 мкс, Т_р = -55…+150 °C.

Рис. 5. Корпус DO-213

Быстрые диоды представлены следующими сериями приборов:

• 1N4933-1N4937 — U_р = 50-600 В, I_пр = 1 А, t_rr = 0,2 мкс, Т = -65…+150 °C, корпус DO-41.
• FR101-FR107 — U_p = 50-1000 В, I_пр = 1 А, t_rr = 150-500 нс, Т = -55…+150 °C, корпус DO-41P.
• FR150-FR157 — отличия от предыдущих: I_пр = 1,5 А, корпус DO-15.
• FR201-FR207 — отличия от предыдущих: I_пр = 2 А.
• FR301-FR307 — отличия от предыдущих: I_пр = 3 А, Т = -65…+150 °C.
• RS1A-RS1M, отличия от FR10X — корпус DO-214.

Компания выпускает 12 серий выпрямительных мостов на переменное напряжение U_RMS = 35-700 В, отличающихся в основном корпусами и допустимым выпрямленным током, электрические параметры встроенных диодов во многом совпадают с параметрами вышеописанных дискретных диодов. Теперь рассмотрим особенности некоторых выпрямительных мостов:

• Приборы с прямым током 1 А: DB101-DB107 — корпус DB-1 для монтажа в отверстия (рис. 6), прямое напряжение U_пр = 1,1 В, Т = -55… +150 °C. Приборы серии DF005S-DF10S с такими же параметрами выпускаются в корпусах для монтажа на поверхность. Идентичные по параметрам мосты серии GBU8005-GBU80 выполнены в SIP-корпусах GBU (рис. 7).

  Рис. 6. Корпус DB-1

  Рис. 7. Корпус GBU

• Приборы с прямым током 1,5 А: RB151-RB157 — корпус WOM (внешний вид как у RB-15 на рис. 8), U_пр = 1 В, Т = -55…+150 °C, мосты серии W005M-W10M отличаются только диапазоном рабочих температур (-55…+125 °C).

  Рис. 8. Корпус RB-15

• Приборы с рабочим током 2 А: 2W005M-2W10M — корпус WOM, U_пр = 1,1 В, Т = -55… +125 °C. Мосты серии КВР2005-КВР210 отличаются только корпусом (КВР, внешний вид как у GBU на рис. 7).
• КВР3005-КВР310 — от КВР2005-КВР210 отличаются только величиной тока — 3 А.
• KBU6005-KBU610 — корпус KBU (внешний вид как у GBU на рис. 7), прямой ток 6 А, другие параметры, как у КВР2005-КВР210.
• КВРС8005-КВРС810 — корпус КВРС (рис. 9), прямой ток 8 А, U_пр = 1 В, Т = -55…+125 °C.

  Рис. 9. Корпус КВРС-8

• КВРС10005-КВРС1010 — корпус КВРС, прямой ток 10 А, U_np = 1,1 В, Т = -55…+125 °C.

Диоды Шоттки представлены 12 сериями приборов в корпусах для монтажа в отверстия и на поверхность (рис. 3, 4). Приборы этой группы отличаются меньшими прямыми напряжениями и меньшими допустимыми рабочими напряжениями (до 40-80 В RMS), что предопределяет их использование во вторичных низковольтных выпрямителях импульсных источников питания. Допустимые рабочие токи приборов от 200 мА (BAT85) до 5 А (серия SK52-S10), прямые напряжения диодов находятся в пределах 0,5-0,8 В при номинальных значениях прямых токов. Диапазон рабочих температур большинства приборов составляет -55…+125 °C, некоторые серии диодов обеспечивают работоспособность при температурах -65 и +150 °C.

В категорию диодов входят триггерные диоды, диоды Шоттки, коммутационные диоды и стабилитроны. Триггерные диоды (р-n-р-n) представлены сериями DB3, DB4, DB3-22 (Р_расс. = 150 мВт) в корпусах с осевыми выводами и LLDB3 (Р_расс. = 500 мВт) в безвыводных цилиндрических корпусах (рис. 5).

Диоды Шоттки представлены сериями BAT42, BAT43 (I_пр = 200 мА, U_пр = 0,26-0,65 В) с осевыми выводами и BAR43 в корпусах для монтажа на поверхность, с одним или двумя диодами в корпусе в различных конфигурациях.

Коммутационные диоды представлены семью сериями приборов с осевым выводами, для монтажа на поверхность и безвыводными. Для данной категории наиболее важными параметрами являются малая емкость в закрытом состоянии (С_д), скорость переключения (t_rr) и мощность рассеяния в открытом состоянии (Р_д). Емкости С_д приборов находятся в пределах единиц пикофарад, время восстановления t_rr — единиц наносекунд, Р_д — сотен милливатт. Диапазон рабочих температур большинства приборов -55…+125 °C, устройства некоторых серий могут работать при температурах -65 и +150 °C, а приборы LL4448, 1N914, 1N916 допускают работу при температуре кристалла -65…+200 °C, LS4148, LS4448 -65… +175 °C.

Компания выпускает большую номенклатуру стабилитронов, представленных 15 сериями с мощностью рассеяния от 200 мВт до 1,3 Вт, выполненных в корпусах для монтажа на поверхность, безвыводных и с осевыми выводами. Напряжения стабилизации приборов перекрывают диапазон от 2,4 до 120 В, диапазон рабочих температур большинства приборов -65…+150 °C, приборы серий CLL5227-CLL5281, 1N5223B-1N5273B, 1N4728A-1N4764A, 1N4187B-1N4188B могут работать при температурах -65…+200 °C, а приборы BZX55C, BZX85C при -65.+175 °C.

Рис. 10. Корпус ТО-18

В категорию транзисторов входят малосигнальные приборы, транзисторы средней и большой мощности, а также составные приборы; 11 серий малосигнальных транзисторов выполнены в металлических корпусах ТО-18, ТО-39 (рис. 10) и могут работать в диапазоне температур -65…+200 °C. Рассмотрим особенности некоторых приборов этой группы:

• 2N2221A, 2N2222A, 2N2218A, 2N2219A — n-р-n-транзисторы для ВЧ- и линейных схем с граничной частотой f_t не менее 300 МГц, фактором шума менее 4 дБ (1 кГц) и коэффициентом усиления hfe 30-300. Приборы BC107/108/109/177/178/179 отличаются более высоким значением hfe (до 900).
• BCY58/59 (n-р-n) и BCY78/79 (р-n-р) — комплементарные пары планарных транзисторов с граничной частотой более 125 МГц и hfe до 700.
• 2N3439, 2N3440 — высоковольтные (U_кэ = 250-350 В) n-р-n-транзисторы с граничной частотой не менее 15 МГц, предназначенные для работы в усилителях мощности и высоковольтных приложениях.
• ВС140, ВС141 — n-р-n-приборы с током коллектора до 1 А, U_кэ = 40-60 В и hfe до 400.
• В группу приборов средней мощности включена серия n-р-n-приборов BD135-BD140 в корпусе ТО-126 с током коллектора 1,5 А и U_кэ = 45-80 В, диапазон рабочих температур приборов -55…+150 °C.
• Мощные приборы представлены 15 сериями транзисторов в пластиковых (Т0-220, ТО-3Р) и металлических корпусах ТО-3.
• 2N3055HV — n-р-n-транзистор в металлическом корпусе ТО-3 с допустимым током коллектора 15 А, U_кэ = 100 В и мощностью рассеяния 100 Вт. Тепловое сопротивление кристалл/корпус прибора 1,75 °С/Вт, что способствует его работе в диапазоне температур -65…+200 °C, граничная частота транзистора f_t не менее 2,5 МГц.
• TIP2955F (р-n-р), TIP3055F (n-р-n) — мощные транзисторы в корпусе ТО-3Р (рис. 11), имеют близкие к 2N3055HV параметры, однако диапазон рабочих температур приборов -65…+150 °C.

  Рис. 11. Корпус ТО-3 Р

• MJE15028/MJE15030 (n-р-n), MJE15029/MJE15031 (р-n-р) — мощные ВЧ (f_t не менее 30 МГц) комплементарные транзисторы в корпусах Т0-220 (рис. 12), ориентированные на применение в высококачественных усилителях звуковых частот и в других устройствах с высоким быстродействием. Основные параметры приборов: I_K = 8 А, U_КЭ = 120/150 В, Р_расс. = 50 Вт, диапазон рабочих температур -65…+150 °C.

  Рис. 12. Корпус Т0-220

• MJE13004, MJE13005 — мощные высоковольтные (U_КЭ = 600/700 В) транзисторы в корпусах Т0-220 с током коллектора 4 А, мощностью Р_расс. = 75 Вт и граничной частотой f_t не менее 4 МГц, рабочий диапазон температур -65…+150 °C, приборы предназначены для коммутации импульсов в мощных преобразователях напряжения.
• CDT13003A/B/C/E/F — n-р-n-транзисторы в корпусе Т0-220, предназначенные для применения в схемах освещения, импульсных преобразователей и управления двигателями. Основные параметры приборов: U_КЭ = 600 В, I_K = 1,8 А (3,5 А в импульсе), f_t не менее 4 МГц, Т = -65…+150 °C.

Составные транзисторы представлены тремя сериями приборов и отличаются повышенным коэффициентом усиления по току.

• TIP100/101/102 (n-р-n), TIP105/106/107 — составные транзисторы в корпусах ТО-220 с током коллектора 8 А, U_КЭ = 60-100 В, hfe от 1000 до 20 000, Т = -65…+150 °C. Приборы предназначены для применения в линейных и ключевых схемах.

В категории тиристоров и симисторов представлено шесть и восемь серий приборов соответственно, рассмотрим особенности некоторых из них:

• CJD136, 136D, 137D — симисторы в корпусе DPAK (TO-252, рис. 13), предназначенные для коммутации переменного тока в силовых схемах, включая управление двигателями, освещением, нагревателями промышленного и бытового назначения. Основные параметры: коммутируемый ток I_т = 4 А RMS, максимальное напряжение между катодом и анодом U_drm = 600 В, максимальная скорость нарастания напряжения dv/dt составляет 5 В/мкс, максимальная температура кристалла равна +125 °C.

  Рис. 13. Корпус ТО-252

• BT151X — тиристор в корпусе T0-220FP с током I_т = 9 А RMS, напряжением U_drm = 650 В.
• CDR05 — тиристор в корпусе ТО-126 с током I_т = 4 А RMS, U_drm = 600 В.

Стабилизаторы напряжения представлены пятью сериями микросхем в корпусах ТО-92, Т0-220, ТО-252, все приборы классифицированы для работы при температурах корпусов 0…+150 °C и не могут быть использованы в аппаратуре специального назначения.

TVS-диоды, или супрессоры (Transient Voltage Suppressor), являющиеся специальными лавинными стабилитронами, представлены 10 сериями приборов в корпусах с осевыми выводами и для монтажа на поверхность. TVS-диоды компании способны выдерживать импульсные мощности перегрузки от 400 Вт до 5 кВт, что во многих случаях достаточно для защиты любых электронных приборов и цепей как от статического электричества, так и от случайного попадания повышенных напряжений в защищаемые цепи.

Заключение

Компания CDIL выпускает полупроводниковые приборы, способные надежно работать в самых жестких условиях — в диапазоне температур -55/65…+150/200 °C, при высоком уровне вибраций и ударов, повышенной влажности и ионизирующих излучениях. Контрактное производство электроники под ключ включает весь спектр услуг по изготовлению и поставке продукции, в том числе по закупке необходимых электронных компонентов у сторонних поставщиков.

Литература

1. www
   .lpost.ru/day/2013/03/22/15856
2. www
   .cdil.com/company-profile
3. www
   .cdil.com/research-development
4. www
   .deltron.in/about_us.html
5. www
   .dynel.in/about-us.html
6. www
   .cdil.com/devices-1

FR157 datasheet — Пакет = DO-15 ;; Максимум. Обратное напряжение VRM (В) = 1000

2SD2114K :. z 1) Высокое усиление постоянного тока. hFE = 1200 (тип.) 2) Высокое напряжение эмиттер-база. VEBO = 12 В (мин.) 3) Низкое напряжение VCE (сб.). VCE (насыщ.) = 0,18 В (тип.) (IC / 20 мА) z Внешние размеры (единицы: мм) z Структура Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN Параметр Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Ток коллектора Мощность коллектора. BUT11 : Коммутация.Кремниевые диффузионные силовые транзисторы То-220аб. Продукт заменяет данные февраля 1996 г. Файл в разделе «Дискретные полупроводники», SC06 1997, 13 августа. Высоковольтный, быстродействующий силовой транзистор NPN с пассивированным стеклом, корпус TO-220AB. ПРИМЕНЕНИЕ Преобразователи Инверторы Импульсные регуляторы Системы управления двигателями. ШТИФТ ПИН 2 3 цокольный коллектор; подключен к монтажной базе излучателя СИМВОЛ БЫСТРЫХ СПРАВОЧНЫХ ДАННЫХ. BYP102 : Фред Диод. Диод FRED Эпитаксиальный диод с быстрым восстановлением Характеристики плавного восстановления Максимальные характеристики Параметр Средний прямой ток Символ Значения 28 Единица 50 125 RMS прямой ток Импульсный прямой ток, синусоидальная полуволна, апериодический Повторяющееся пиковое обратное напряжение Пиковое пиковое обратное напряжение Рассеиваемая мощность VRRM VRSM Ptot Tj Tstg RthJC RthJA Chip или рабочая температура. FBR12 :. Сверхминиатюрный размер: сетка 0,2 дюйма 0,1 дюйма, 12-контактный DIP, что на 50% меньше объема и площади платы по сравнению с телекоммуникационным реле предыдущего поколения. Тонкий тип для монтажа с высокой плотностью монтажа. Соответствует требованиям Bellcore TR-NWT-001089 и FCC, часть 68. Признан UL и сертифицирован CSA. Низкое энергопотребление. Соответствует IEC 950 (только для типа W) 2,5 мм зазор и путь утечки. IRFM460 : Одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel 500 В в корпусе TO-254AA. Технология HEXFET MOSFET — это ключ к передовой линейке силовых MOSFET-транзисторов International Rectifier.Эффективная геометрическая конструкция обеспечивает очень низкое сопротивление в открытом состоянии в сочетании с высокой крутизной. Транзисторы HEXFET также обладают всеми хорошо зарекомендовавшими себя преимуществами полевых МОП-транзисторов, такими как контроль напряжения, очень быстрое переключение, простота параллельного подключения. MC74F51D : Двойной 2-канальный с 2 ​​входами, 2-канальный с 3 входами и с инвертированием Gate Faste Schottky TTL. Rh4G :. ) с полупериодным синусоидальным радиатором, одиночным выстрелом (= I F), точка восстановления 90% (например, точка = 100 мА / 100 мА, точка восстановления 90%) F) Точка восстановления 75% (пример.= 100 мА / 200 мА точка восстановления 75%). PSMN5R5-30KL : N-канал 30 В 5,8 M? МОП-транзистор логического уровня в режиме расширения N-канала на логическом уровне SO8 МОП-транзистор в корпусе SO8 с квалификацией 150 C. Этот продукт разработан и сертифицирован для использования в широком спектре промышленного оборудования, оборудования связи и источников питания. CP-33-S : РЕЗИСТОР, УГЛЕРОДНАЯ ПЛЕНКА, 0,333 Вт, 2; 5; 10%, 1 Ом — 10000000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: углеродная пленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Рабочее напряжение постоянного тока: 300 вольт; Рабочая температура: 70 C (158 F). MPR20HR22J : РЕЗИСТОР, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 20 Вт, 5%, 250 ppm, 0,22 Ом, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: сквозное отверстие, TO220, ROHS COMPLIANT; Диапазон сопротивления: 0,2200 Ом; Допуск: 5 +/-%; Температурный коэффициент: 250 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 20 Вт (0,0268 л.с.); Операционная. MSFC110-08 : 172,7 А, 800 В, SCR. s: VDRM: 800 вольт; VRRM: 800 вольт; IT (RMS): 173 ампера; IGT: 150 мА; Тип упаковки: F1, 5 контактов; Количество контактов: 5. RA351GP-BP : 35 А, 50 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: СООТВЕТСТВИЕ ROHS, ПЛАСТИК, RA, 2 КОНТАКТА; Количество диодов: 1; VRRM: 50 вольт; IF: 35000 мА; Соответствует RoHS: RoHS. RS3A-E3 : 3 А, 50 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, DO-214AB. s: Пакет: БЕСПЛАТНЫЙ, ПЛАСТИКОВЫЙ, SMC, 2 PIN; Количество диодов: 1; VRRM: 50 вольт; IF: 3000 мА; trr: 0,1500 нс; Соответствует RoHS: RoHS. T0-65 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 1 Вт, 0.1; 0,5; 1%, 100 ppm, 10 Ом — 3010000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Рабочее напряжение постоянного тока: 350 вольт; Рабочая температура: 70 C (158 F). 2N6578LEADFREE : 15 А, 120 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, ТО-3. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: ТО-3, ТО-3, 2 контакта.

Купить ультрасовременный микрофонный диод fr157 для ваших нужд Бесплатный образец сейчас

О продуктах и ​​поставщиках:

 
 Выберите. fr157 микрофонный диод  из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив.  fr157 микрофонный диод  включая, помимо прочего, светодиод, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающий диод лампы. Вы можете выбрать.  fr157 микрофонный диод  с широким выбором основных параметров, спецификаций и номиналов для ваших целей. Микрофонный диод 
 fr157 на Alibaba.com удобен в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев.Они доступны в кремнии и германии.  fr157 Микрофонный диод  используется в различных отраслях промышленности для различных электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3.0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-карте, мобильной одежде, беспроводной связи, автомобильном генераторе и лазерной эпиляции. Они используются как выпрямитель, датчик света, излучатель света, для рассеивания нагрузки и т. Д. Различная физическая упаковка для.  fr157 микрофонный диод  предлагается для монтажа на печатной плате, радиатора, проводного и поверхностного монтажа.
 Основные особенности.  fr157 микрофонный диод  - это толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокая токовая нагрузка, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое сопротивление скачку напряжения, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. Д. Технические характеристики, предлагаемые на.  fr157 микрофонный диод  имеет различные оптические и электрические характеристики, такие как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т. Д.  fr157 микрофонный диод  производятся в соответствии со стандартными процедурами для поддержания высочайшего качества.Они соответствуют требованиям RoHS и IEEE 1394. 
 
 Получите лучшее. Микрофонный диод  fr157  предлагает на Alibaba.com различные поставщики и оптовики. Получите высшее качество.  fr157 микрофонный диод  для требований вашего проекта. 
 
 

Купить ультрасовременный диод fr157 для ваших нужд Бесплатный образец сейчас

О продуктах и ​​поставщиках:

 
 Выберите.  fr157 диод  из огромной коллекции на Alibaba.com. Вы можете купить массив.  fr157, диод , включая, помимо прочего, светодиод, микрофон, выпрямитель, лазер, стабилитрон, триггер, Шоттки, SMD, энергосберегающие диодные лампы.Вы можете выбрать.  fr157 diode  с широким выбором основных параметров, спецификаций и номиналов для ваших целей. Диод 
 fr157 на Alibaba.com удобен в установке и использовании. Используемый пластик более высокого качества обеспечивает изоляцию, снижающую нагрев. Они доступны в кремнии и германии.  fr157 диод  используется во многих отраслях промышленности для множества электрических функций и датчиков. Они используются в инверторах, светодиодах, автомобильной электронике, потребительских товарах, USB 2.0 и USB 3.0, HDMI 1.3 и HDMI 1.4, SIM-карта, мобильная одежда, беспроводная связь, автомобильный генератор и лазерная эпиляция. Они используются как выпрямитель, датчик света, излучатель света, для рассеивания нагрузки и т. Д. Различная физическая упаковка для.  fr157 диод  предлагается для монтажа на печатной плате, радиатора, проводного и поверхностного монтажа. 
 Основные особенности. Диод  fr157  - это толстая медная опорная пластина, низкая утечка, высокая токовая нагрузка, низкое прямое падение напряжения, легирование золотом, низкое сопротивление инкрементному скачку напряжения, отличная зажимная способность, быстрое время отклика и т. Д.Технические характеристики, предлагаемые на сайте.  fr157 диод  имеет различные оптические и электрические характеристики, такие как максимальная мощность, напряжение, оптический выход, время обратного восстановления, рабочая температура и т. Д. Диоды  fr157  производятся в соответствии со стандартными процедурами для поддержания высочайшего качества. Они соответствуют требованиям RoHS и IEEE 1394. 
 
 Получите лучшее. Диод  fr157  предлагает на Alibaba.com различные поставщики и оптовики. Получите высшее качество.  fr157 диод  для требований вашего проекта.
 
 

Диод Fr157 pdf

Максимальное действующее напряжение. pdf datasheets, электронные компоненты, полупроводники, диоды, транзисторы, RFQ, ICS. в условном обозначении вершина треугольника с линией наверху является катодом. 1, прямая таблица данных com кривой снижения номинальных характеристик (таблица данных) поиск интегральных схем (IC), полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. поиск в таблицах данных, в таблицах данных, на сайте поиска в таблицах данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников.вариации диода одиночный кристалл do- 201ad максимальные характеристики (ta = 25 ° C, если не указано иное) символ параметра uf5400 uf5401 uf5402 uf5403 uf5404 uf5405 uf5406 uf5407 uf5408 единица максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение vrrmv максимальное среднеквадратичное напряжение vrmsv.

максимум повторяющихся пиков в обратном направлении. fr даташит (pdf) — synsemi, inc. fr151 — fr157- str выпрямительные диоды с быстрым восстановлением прв: вольт fr157 диод pdf io: 1. диод fr157 имеет катод (-) и анод (+). i, средний выходной ток (a) (av) t, температура окружающей среды (° c) a рис.

диапазон рабочих температур и температур хранения t j, t stg fr fr fr fr fr fr fr единиц a a fr техническое описание 50 в, 1 a, выпрямительный диод с быстрым восстановлением. Корпус с механическими данными: do-41 (do-204al), формовочная масса на основе эпоксидной смолы соответствует стандарту воспламеняемости ul 94 v-0, базовый p / n- e3 — соответствует требованиям RoHS, клеммы коммерческого класса: выводы с матовым луженым покрытием, паяемые на j- std- 002 и jesd 22- b102. Характеристики 5 ампер: * высокая токовая способность * высокая стойкость к импульсным токам * высокая надежность * низкий обратный ток поиск по техническим данным, таблицам данных, сайту поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов и других полупроводников.Характеристики 5 ампер: * высокая токовая способность * высокая стойкость к импульсным токам * высокая надежность * низкий обратный ток * низкое прямое падение напряжения * быстрое переключение для обеспечения высокой эффективности механические характеристики: * корпус: формованный пластик do-41 * эпоксидная смола: пламя ul94v-o rate замедлитель. админ авг авг нет комментариев к fr157 diode pdf. оставьте отзыв на диод fr157 pdf. fr157 diode pdf fr157 diode datasheet pdf — примечания: (1) условия тестирования обратного восстановления: if = a, ir = a, irr = a. Kingtronics производит и продает различные виды диодов и выпрямителей, диоды общего назначения m7, 1n4007, 1n5408, переключающие диоды ll4148, стабилитроны bzv55c, диоды быстрого восстановления и т. д.

5a 500ns do- 15 диодов — выпрямители — быстрое восстановление rohs. 5 a, выпрямительный диод с быстрым восстановлением fr156g, 50 В, длина выводов 1,5 мм, пиковый импульсный ток (a) fsm, количество циклов при 60 Гц. Эти диодные продукты широко используются в ЖК-телевизорах, цветных телевизорах с ЭЛТ, мониторах, динамиках, энергосберегающих лампах, микроволновых печах, принтерах, телевизионных приставках, малогабаритных.

5 Ампер низкое прямое падение напряжения низкий ток утечки высокий прямой импульсный импульс высокая надежность высокотемпературная пайка гарантирована: 260 ℃ / 10 секунд, 0.1, кривая снижения номинального тока прямого тока однофазная полуволна 60 Гц резистивная или индуктивная нагрузка 9. 5a быстрое восстановление диодных характеристик! fr157 datasheet, fr157 pdf, fr157 data sheet, fr157 manual, fr157 pdf, fr157, datenblatt, electronics fr157, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание. fr157 datasheet, fr157 datasheets, fr157 pdf, fr157 схема: диоды — 1. fr151 — fr1571 из 4 © won- top electronicspbfr151 — fr1571. fr технические характеристики компонентов выпрямителя с быстрым восстановлением техническое описание pdf техническое описание бесплатно из технического паспорта поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды.мостовой выпрямитель. максимальное повторяющееся пиковое обратное напряжение.

Mouser предлагает инвентарь, цены и спецификации для выпрямителей fr157. из 2-х fr301- fr307 www. 5 мм) длина провода при 5 фунтах (2. (2), измеренная на частоте МГц и приложенное обратное напряжение вольт. 1, прямая кривая снижения номинальных характеристик. Описание: 1 кВ 1. от fr151 до fr157 выпрямитель с быстрым восстановлением обратное напряжение от 50 до 1000 вольт прямой ток 1. стандартные и нестандартные диоды, выпрямители и конденсаторы для удовлетворения любых потребностей и в короткие сроки.5a выпрямитель с быстрым восстановлением, alldatasheet, datasheet, datasheet, поисковый сайт для электроники. pdf — это таблица.

com 0 i, средний прямой выпрямленный ток (amperesav t, температура окружающей среды (ºc) a рис. 5 a, выпрямитель с быстрым восстановлением с пассивированным стеклом fr157 50 v, 1. выпрямительный диод с быстрым восстановлением. 5a диоды с быстрым восстановлением другие с такими же файл для datasheet: fr155p, fr157p: скачать fr157 datasheet от leshan radio company: pdf 54 kb: 1.

у нас есть почти все на ebay.диффузный переход! Проверьте диод fr157 на ebay. Техническое описание компонентов диода с быстрым восстановлением, pdf, техническое описание бесплатно из datasheet4u. 5 А, выпрямительный диод с быстрым восстановлением. Корпус на 5 ампер: литой пластиковый корпус jedec do-15, клеммы: осевые выводы с гальваническим покрытием, допускающие пайку на мил-стандарт-750, полярность метода: цветная полоса обозначает монтажное положение на конце катода: любой вес: 0. Высокоэффективный выпрямительный диод.

fr157 datasheet, fr157 datasheets, fr157 pdf, fr157 circuit: lrc — 1. все названия частей, для которых находится файл fr153.малосигнальный диод Шоттки. Dean Technology специализируется на производстве диодов, керамических конденсаторов, выпрямителей и сборок.

Выпрямители

fr доступны на сайте Mouser российская федерация. библиотеки easyeda модель easyeda. высоковольтный диод. Выпрямитель с быстрым восстановлением на 5 ампер от 50 до 1000 вольт. 5а, выпрямительный диод с быстрым восстановлением, высокая способность к току, высокий импульсный ток, высокая надежность, низкий обратный ток, низкое прямое падение напряжения, быстрое переключение для высокой эффективности. Выпрямители fr157 можно приобрести в магазине Mouser Electronics.fr207 datasheet, fr207 pdf, fr207 data sheet, fr207 manual, fr207 pdf, fr207, datenblatt, electronics fr207, alldatasheet, бесплатно, техническое описание, техническое описание, техническое описание. от fr151 до fr157 выпрямители с быстрым восстановлением обратного напряжения — от 50 до 1000 вольт прямого тока — 1. катод отмечен на корпусе диода полосой, как показано ниже. fr151 — fr157- strfast выпрямительные диоды prv: voltsio: 1.

fr datasheet, pdf, rectron semiconductor qdatasheet. fr thru fr выпрямители с быстрым восстановлением обратного напряжения 50 вольт прямого тока таблица данных.fr157: lcsc fr157 diode pdf part # c2467: package: do- 15: customer # datasheet: mdd (микродиодная электроника) fr157. 5a диоды быстрого восстановления, alldatasheet, datasheet, datasheet поисковый сайт для электроники. (3) импульсный тест: импульсный. инверторы, преобразователи и обгонные диоды для потребителей и телекоммуникаций. fr157 диод pdf — fr fr — str. 3 кг) механические характеристики напряжения. выпрямительный диод сверхбыстрого восстановления. ищите диод fr157?

а на ebay проверяли?

40 Свода федеральных правил, § 63.3968 — Каковы требования к установке, эксплуатации и техническому обслуживанию системы непрерывного мониторинга параметров? | CFR | Закон США

(а) Общие. Вы должны установить, использовать и поддерживать каждую CPMS, указанную в параграфах (c), (e), (f) и (g) этого раздела, в соответствии с параграфами (a) (1) — (6) этого раздела. Вы должны установить, использовать и поддерживать каждую CPMS, указанную в параграфах (b) и (d) этого раздела, в соответствии с параграфами (a) (3) — (5) этого раздела.

(1) CPMS должна выполнять как минимум один рабочий цикл за каждый последующий 15-минутный период.У вас должно быть не менее четырех последовательных циклов работы CPMS с равным интервалом в 1 час.

(2) Вы должны определить среднее значение всех записанных показаний за каждый последующий 3-часовой период работы системы улавливания выбросов и дополнительного устройства контроля.

(3) Вы должны записывать результаты каждой проверки, калибровки и валидации CPMS.

(4) До 5 января 2021 г. вы должны постоянно обслуживать CPMS и иметь в наличии необходимые детали для текущего ремонта оборудования для мониторинга.С 5 января 2021 г. и после этой даты вы должны постоянно поддерживать CPMS в соответствии с § 63.3900 (b) и иметь под рукой необходимые детали для текущего ремонта оборудования для мониторинга.

(5) До 5 января 2021 г. вы должны использовать CPMS и собирать данные о параметрах системы улавливания выбросов и дополнительного устройства управления во все время, когда выполняется операция контролируемого покрытия, за исключением периода мониторинга неисправностей, связанных ремонтов и требуемого качества. мероприятия по обеспечению или контролю (включая, если применимо, проверки калибровки и требуемые корректировки нуля и диапазона).5 января 2021 г. и позднее вы должны использовать CPMS и постоянно собирать данные о параметрах системы улавливания выбросов и дополнительных устройств контроля в соответствии с § 63.3900 (b).

(6) Вы не должны использовать систему улавливания выбросов или данные о параметрах дополнительного устройства контроля, записанные во время мониторинга неисправностей, связанных ремонтов, неконтролируемых периодов или требуемых мероприятий по обеспечению качества или контролю при вычислении средних значений данных. Вы должны использовать все данные, собранные в течение всех других периодов, при вычислении средних значений данных для определения соответствия системе улавливания выбросов и эксплуатационным пределам дополнительного устройства контроля.

(7) Неисправность мониторинга — это любой внезапный, нечастый, не поддающийся разумному предотвращению отказ системы CPMS предоставить достоверные данные. Сбои в мониторинге, частично вызванные плохим обслуживанием или небрежной эксплуатацией, не являются неисправностями. До 5 января 2021 года любой период, в течение которого система мониторинга выходит из-под контроля и данные для необходимых расчетов недоступны, является отклонением от требований мониторинга. 5 января 2021 г. и после этой даты, за исключением периодов требуемых мероприятий по обеспечению качества или контролю, любой период, в течение которого CPMS не работает и не записывает данные непрерывно, как требуется параграфом (a) (5) настоящего раздела, или генерирует данные, которые не могут быть включены в расчет средних значений, как указано в (а) (6) данного раздела, представляет собой отклонение от требований мониторинга.

(b) Линия байпаса системы улавливания. Вы должны соответствовать требованиям параграфов (b) (1) и (2) этого раздела для каждой системы улавливания выбросов, которая содержит байпасные линии, которые могут отводить выбросы от дополнительного устройства контроля в атмосферу.

(1) Вы должны контролировать или закреплять клапан или запорный механизм, управляющий байпасной линией, в положении, не допускающем отклонения, таким образом, чтобы нельзя было открыть клапан или запорный механизм без создания записи о том, что клапан был открыт.Метод, используемый для контроля или фиксации клапана или запорного механизма, должен соответствовать одному из требований, указанных в параграфах (b) (1) (i) — (v) этого раздела.

(i) Индикатор положения регулятора потока. Установите, откалибруйте, обслуживайте и эксплуатируйте в соответствии со спецификациями производителя индикатор положения управления потоком, который снимает показания не реже одного раза в 15 минут и обеспечивает запись, указывающую, направляются ли выбросы на дополнительное устройство управления или отводятся от него. -на контрольном устройстве.Необходимо записывать время возникновения и положение регулятора потока, а также каждый раз, когда направление потока изменяется. Индикатор положения регулятора потока должен быть установлен на входе в любую байпасную линию, которая может отводить выбросы от дополнительного устройства регулирования в атмосферу.

(ii) Автомобильные пломбы или запорные клапаны. Закрепите любой клапан байпасной линии в закрытом положении с помощью автомобильной пломбы или конфигурации с замком и ключом. Вы должны визуально проверять уплотнение или запорный механизм не реже одного раза в месяц, чтобы убедиться, что клапан находится в закрытом положении, а выбросы не отводятся от дополнительного устройства управления в атмосферу.

(iii) Контроль закрытия клапана. Убедитесь, что любой клапан байпасной линии находится в закрытом (непереводном) положении, отслеживая положение клапана не реже одного раза в 15 минут. Вы должны проверять систему мониторинга не реже одного раза в месяц, чтобы убедиться, что монитор показывает положение клапана.

(iv) Система автоматического отключения. Используйте систему автоматического отключения, в которой операция нанесения покрытия останавливается, когда поток отводится байпасной линией от дополнительного устройства управления в атмосферу во время операции нанесения покрытия.Вы должны проверять систему автоматического отключения не реже одного раза в месяц, чтобы убедиться, что она обнаруживает отклонение потока и останавливает операцию по нанесению покрытия.

(v) Индикатор направления потока. Установите, откалибруйте, обслуживайте и эксплуатируйте в соответствии со спецификациями производителя индикатор направления потока, который снимает показания не реже одного раза в 15 минут и обеспечивает запись, указывающую, направляются ли выбросы на дополнительное устройство управления или отводятся от дополнительного устройства. на устройстве управления.Каждый раз при изменении направления потока необходимо записывать следующее показание времени возникновения и направления потока. Индикатор направления потока должен быть установлен в каждой байпасной линии или линии подачи подпитки, чтобы отводить выбросы от дополнительного устройства контроля в атмосферу.

(2) Если какая-либо обходная линия открыта, вы должны включить описание того, почему была открыта обходная линия, и продолжительность времени, в течение которого она оставалась открытой в полугодовых отчетах о соответствии, требуемых в § 63.3920.

(c) Термические окислители и каталитические окислители. Если вы используете термоокислитель или каталитический окислитель в качестве дополнительного устройства управления (включая те, которые используются с концентраторами или с угольными адсорберами для обработки потоков десорбированного концентрата), вы должны соблюдать требования параграфов (c) (1) — ( 3) данного раздела:

(1) Для термического окислителя установите датчик температуры газа в топке термического окислителя или в воздуховоде сразу после топки, прежде чем произойдет существенный теплообмен.

(2) Для каталитического окислителя установите датчики температуры газа до и / или после слоя катализатора, как требуется в § 63.3967 (b).

(3) Для всех термоокислителей и каталитических окислителей вы должны соответствовать требованиям параграфов (a) и (c) (3) (i) — (v) этого раздела для каждого устройства контроля температуры газа. Для целей этого параграфа (c) (3) термопара является частью датчика температуры.

(i) Разместите датчик температуры в месте, обеспечивающем репрезентативную температуру.

(ii) Используйте датчик температуры с чувствительностью измерения 5 градусов по Фаренгейту или 1,0 процента от значения температуры, в зависимости от того, что больше.

(iii) Перед использованием датчика в первый раз или при перемещении или замене датчика выполните проверку достоверности, сравнив выходной сигнал датчика с откалиброванным устройством измерения температуры или сравнив выходной сигнал датчика с смоделированной температурой.

(iv) Ежеквартально и после каждого отклонения проводить аудит точности.Методы аудита точности включают сравнение выходного сигнала датчика с резервными датчиками температуры, с откалиброванными устройствами измерения температуры или с устройствами моделирования температуры.

(v) Ежеквартально проводите визуальный осмотр каждого датчика, если не используются резервные датчики температуры.

(d) Рекуперативные угольные адсорберы. Если вы используете регенеративный угольный адсорбер в качестве дополнительного устройства управления, вы должны контролировать общий массовый расход газа, десорбирующего регенерацию (например, пар или азот), для каждого цикла регенерации, температуру углеродного слоя после каждого цикла регенерации и охлаждения и соблюдать параграфы (a) (3) — (5) и (d) (1) — (3) этого раздела.

(1) Монитор массового расхода газа, десорбирующего регенерацию, должен быть интегрирующим устройством, имеющим чувствительность измерения плюс-минус 10 процентов, способным регистрировать общий массовый расход газа, десорбирующего регенерацию, для каждого цикла регенерации.

(2) Монитор температуры углеродного слоя должен быть способен регистрировать температуру в течение 15 минут после завершения любого цикла охлаждения углеродного слоя.

(3) Для всех регенеративных углеродных адсорберов вы должны соответствовать требованиям параграфов (c) (3) (i) — (v) этого раздела для каждого устройства контроля температуры.

е) Конденсаторы. Если вы используете конденсатор, вы должны контролировать температуру газа на выходе из конденсатора (на стороне продукта) и соблюдать параграфы (a) и (e) (1) и (2) этого раздела.

(1) Датчик температуры должен обеспечивать запись температуры газа не реже одного раза в 15 минут.

(2) Для всех конденсаторов вы должны соответствовать требованиям параграфов (c) (3) (i) — (v) этого раздела для каждого устройства контроля температуры.

(е) Концентраторы.Если вы используете концентратор, такой как цеолитовое колесо или вращающийся концентратор с угольным слоем, вы должны соблюдать требования параграфов (f) (1) и (2) этого раздела.

(1) Вы должны установить датчик температуры в потоке десорбционного газа. Монитор температуры должен соответствовать требованиям параграфов (a) и (c) (3) этого раздела.

(2) Вы должны установить устройство для контроля падения давления на цеолитовом колесе или вращающемся углеродном слое. Устройство контроля давления должно соответствовать требованиям параграфов (a) и (g) (2) этого раздела.

(g) Системы улавливания выбросов. Система мониторинга системы захвата должна соответствовать применимым требованиям параграфов (g) (1) и (2) этого раздела. Если источником является машина для нанесения покрытия на магнитную проволоку, вы можете использовать процедуры, описанные в разделе 2.0 приложения А к этому подразделу в качестве альтернативы.

(1) Для каждого расходомера вы должны соответствовать требованиям параграфов (a) и (g) (1) (i) — (vii) этого раздела.

(i) Установите датчик потока в положение, обеспечивающее репрезентативное измерение потока в воздуховоде от каждого улавливающего устройства в системе улавливания выбросов до дополнительного устройства управления.

(ii) Используйте датчик потока с точностью не менее 10 процентов от расхода.

(iii) Выполните первоначальную калибровку датчика в соответствии с требованиями производителя.

(iv) Выполните контрольную проверку перед первым использованием или при перемещении или замене датчика. Проверочные проверки включают сравнение значений датчика с имитацией электронного сигнала или посредством тестирования относительной точности.

(v) Ежеквартально и после каждого отклонения проводить аудит точности.Методы аудита точности включают сравнение значений датчиков с имитацией электронного сигнала или с помощью тестирования относительной точности.

(vi) Ежемесячно проводить проверки на утечки.

(vii) Выполняйте визуальный осмотр сенсорной системы ежеквартально, если нет дублирующего сенсора.

(2) Для каждого устройства измерения падения давления вы должны соблюдать требования параграфов (a) и (g) (2) (i) — (vii) этого раздела.

(i) Разместите датчик (и) давления в месте или как можно ближе к месту, которое обеспечивает репрезентативное измерение падения давления на каждом контролируемом отверстии.

(ii) Используйте датчик давления с точностью не менее 0,5 дюйма водяного столба или 5 процентов от измеренного значения, в зависимости от того, что больше.

(iii) Выполните первоначальную калибровку датчика в соответствии с требованиями производителя.

(iv) Проведите валидационную проверку перед вводом в эксплуатацию или при перемещении или замене датчика. Проверочные проверки включают сравнение значений датчика с откалиброванными устройствами измерения давления или с моделированием давления с использованием откалиброванных источников давления.

(v) Ежеквартально и после каждого отклонения проводить аудиты точности. Аудиты точности включают сравнение значений датчиков с откалиброванными устройствами измерения давления или с моделированием давления с использованием откалиброванных источников давления.

(vi) Выполняйте ежемесячные проверки герметичности соединений под давлением. Давление на соединение не менее 1,0 дюйма водяного столба должно обеспечивать стабильный результат датчика в течение как минимум 15 секунд.

(vii) Выполняйте визуальный осмотр датчика не реже одного раза в месяц, если нет дублирующего датчика.

Публикации | Institut Jacques-Monod

2014

Caburet S, Arboleda VA, Llano E, Overbeek PA, Barbero JL, Oka K, Harrison W, Vaiman D, Ben-Neriah Z, García-Tuñón I, Fellous M, Pendás AM, Veitia RA, Vilain E. Мутант Cohesin при преждевременной недостаточности яичников.
Медицинский журнал Новой Англии , 2014; ; 370: 943-949.
Реферат

2013

Гибсон Т.Дж., Зайлер М., Вейтия РА. Мимолетность преходящей сверхэкспрессии.
Натальные методы .2013 август; 10 (8): 715-21.
Реферат

2012

Мэй Пенрад-Мобайед, Кэролайн Перрен, Жан-Антуан Лепесан. Своевременное обнаружение на хромосомах ламповых щеток ооцитов амфибий тонких изменений клеточной локализации белка Ro52, вызванных культивированием in vitro.
Исследование хромосом : Том 20, выпуск 8 (2012), стр. 1033-1044
Аннотация

Бирчлер Дж. А., Вейтия Р. А.. Гипотеза баланса генов: объединение вопросов дозовой чувствительности в биологических дисциплинах.
Proc Natl Acad Sci U S A . 2012 сентября 11; 109 (37): 14746-53.
Abstract

Benayoun BA, Anttonen M, L’hôte D, Bailly-Bechet M, Andersson N, Heikinheimo M, Veitia RA. Транскриптомика опухолей гранулезных клеток яичников у взрослых: преобладание неправильной регуляции генов-мишеней FOXL2 дает представление о патогенетическом механизме соматической мутации p.Cys134Trp.
Онкоген. 16 июля 2012 г.
Abstract

L’Hôte D, Georges A, Todeschini AL, Kim JH, Benayoun BA, Bae J, Veitia RA.Открытие новых белковых партнеров фактора транскрипции FOXL2 позволяет понять его физиопатологические роли.
Hum Mol Genet. 15 июля 2012 г .; 21 (14): 3264-74.
Abstract

M. Penrad − Mobayed, C. Perrin, J.−A. Lepesant (2012) Своевременное обнаружение на хромосомах ламповых щеток ооцитов амфибий тонких изменений клеточной локализации белка Ro52, вызванных культивированием in vitro.
Хромосома Res .
Abstract

Fillatre J, Delacour D, Van Hove L, Bagarre T., Houssin N, Soulika M, Veitia RA, Moreau J.Динамика субклеточной локализации RalBP1 / RLIP в клеточном цикле: роль сигналов нацеливания и межбелковых взаимодействий. FASEB J. 2012 8 февраля.

2011

Baillet A, Mandon-Pépin B, Veitia R, Cotinot C. [Генетика ранней дифференцировки яичников: последние данные]. Biol Aujourdhui. 2011; 205 (4): 201-21. Французкий язык.

Georges A, Benayoun BA, Marongiu M, Dipietromaria A, L’Hôte D, Todeschini AL, Auer J, Crisponi L, Veitia RA.SUMOylation фактора транскрипции Forkhead FOXL2 способствует его стабилизации / активации посредством временного рекрутирования в тельца PML. PLoS One. 2011; 6 (10): e25463.

Caburet S, Georges A, L’hôte D, Todeschini AL, Benayoun BA, Veitia RA. Фактор транскрипции FOXL2: на стыке физиологии и патологии яичников. Mol Cell Endocrinol. 8 июля 2011 г. [Epub перед печатью]

Lelièvre EC, Benayoun BA, Mahieu L, Roger JE, Sahel JA, Sennlaub F, Veitia RA, Goureau O, Guillonneau X.Регуляторный домен необходим для активности foxn4 во время ретиногенеза. J Mol Neurosci. Февраль 2012; 46 (2): 315-23.

Todeschini AL, Dipietromaria A, L’hôte D, Boucham FZ, Georges AB, Pandaranayaka PJ, Krishnaswamy S, Rivals I, Bazin C, Veitia RA. Мутационное зондирование домена вилки транскрипционного фактора FOXL2 позволяет понять патогенность встречающихся в природе мутаций. Hum Mol Genet. 1 сентября 2011 г .; 20 (17): 3376-85.
Реферат

Бенаюн Б.А., Кабюре С., Вейтия РА.Факторы транскрипции Forkhead: ключевые факторы здоровья и болезней. Trends Genet. Июнь 2011; 27 (6): 224-32. Рассмотрение.

Bouhali K, Dipietromaria A, Fontaine A, Caburet S, Barbieri O, Bellessort B, Fellous M, Veitia RA, Levi G. Аллельное сокращение Dlx5 и Dlx6 приводит к раннему истощению фолликулов: новая модель первичной недостаточности яичников на мышах. Hum Mol Genet. 1 июля 2011 г .; 20 (13): 2642-50.

R. Kanhoush, D. Praseuth, C. Perrin, D. Chardard, J. Vinh, M.Пенрад-Мобайед (2011). Дифференциальная РНК-связывающая активность белка hnRNP G коррелировала с генотипом пола в ооците амфибии. Nucleic Acid Rearch. 39: 4109-4121

Барон Д., Дюбуа Э, Бихуэ А., Тюсан Р., Стинман М., Журдон П., Магот А., Перион И., Вейтия Р., Савагнер Ф., Рамштейн Г., Ульгатт Р. Мета-анализ мышечного транскриптома данные, полученные с использованием базы данных MADMuscle, выявляют биологически релевантные генные паттерны. BMC Genomics. 16 февраля 2011 г .; 12: 113.

Benayoun BA, Georges AB, L’Hôte D, Andersson N, Dipietromaria A, Todeschini AL, Caburet S, Bazin C, Anttonen M, Veitia RA.Фактор транскрипции FOXL2 защищает клетки гранулезы от стресса и задерживает клеточный цикл: роль его регуляции деацетилазой SIRT1. Hum Mol Genet. 1 мая 2011 г .; 20 (9): 1673-86.
Abstract

Вейтиа Р.А., Вайман Д. Изучение механистических основ гетерозиса с точки зрения макромолекулярных комплексов. FASEB J. Февраль 2011 г .; 25 (2): 476-82.

2010

Берчлер Дж.А., Яо Х., Чудалаянди С., Вайман Д., Вейтия Р.А. Гетерозис. Растительная клетка. 2010. Июл; 22 (7): 2105-12.

Veitia RA. FOXL2 против SOX9: пожизненная «битва полов». Bioessays. Май 2010 г .; 32 (5): 375-80.

Lakhal B, Braham R, Berguigua R, Bouali N, Zaouali M, Chaieb M, Veitia RA, Saad A, Elghezal H. Цитогенетический анализ преждевременной недостаточности яичников с использованием кариотипирования и межфазной флуоресценции in situ гибридизации (FISH) в группе 1000 пациентов. Clin Genet. август 2010 г .; 78 (2): 181-5.

М. Пенрад-Мобайед, Р.Канхауш, К. Перрин (2010). Советы и рекомендации по приготовлению хромосомных разрастаний ламповой щетки из ооцитов Xenopus tropicalis . Методы . 51: 37-44

Д’Анэ Б., Невадо Дж., Пугеат М., Пьеркин Дж., Лоури Р. Б., Рирдон В., Деликадо А., Гарсия-Миньяур С., Паломарес М., Куртенс В., Стефанова М., Уоллес С., Уоткинс В., Shelling AN, Wieczorek D, Veitia RA, De Paepe A, Lapunzina P, De Baere E. Изменения числа копий FOXL2 в молекулярном патогенезе BPES: уникальная когорта из 17 делеций. Hum Mutat. Май 2010 г .; 31 (5): E1332-47.

Benayoun BA, Caburet S, Dipietromaria A, Georges A, D’Haene B, Pandaranayaka PJ, L’Hôte D, Todeschini AL, Krishnaswamy S, Fellous M, De Baere E, Veitia RA. Функциональное исследование соматической мутации FOXL2 p.Cys134Trp (c.402C> G), связанной с опухолью взрослых клеток гранулезы яичника. PLoS One. 20 января 2010 г .; 5 (1): e8789.

L’Hôte D, Laissue P, Serres C, Montagutelli X, Veitia RA, Vaiman D. Межвидовые ресурсы: основной инструмент для количественного исследования клонирования локусов и видообразования. Bioessays. Февраль 2010; 32 (2): 132-42.

De Baere E, Fellous M, Veitia RA. Фактор транскрипции FOXL2 в функции и дисфункции яичников. Folia Histochem Cytobiol. 2009; 47 (5): S43-9.

Вейтиа Р.А., Боттани С. Дупликации всего генома и «функция» мусорной ДНК? Факты и гипотезы. PLoS One. ; 4 (12): e8201.

Veitia RA. Обобщенная модель дозировки генов и доминирующих негативных эффектов в макромолекулярных комплексах. FASEB J., апрель 2010 г .; 24 (4): 994-1002.

Birchler JA, Veitia RA. Гипотеза баланса генов: последствия для регуляции генов, количественные характеристики и эволюция. New Phytol. апрель 2010 г .; 186 (1): 54-62.

Veitia RA, Birchler JA. Доминирование и баланс дозировки генов в здоровье и болезнях: почему уровни важны! J Pathol. Январь 2010 г .; 220 (2): 174-85.

Méduri G, Bachelot A, Duflos C, Bständig B, Poirot C, Genestie C, Veitia R, De Baere E, Touraine P. Мутации FOXL2 приводят к различным фенотипам яичников у пациенток с BPES: клинический случай. Hum Reprod. Январь 2010 г .; 25 (1): 235-43.

Georges AB, Benayoun BA, Caburet S, Veitia RA. Общие сайты связывания, общие ДНК-связывающие домены: откуда происходит распознавание специфического промотора? FASEB J. 2010 февраль; 24 (2): 346-56.

Benayoun BA, Kalfa N, Sultan C, Veitia RA. Фактор вилки FOXL2: новый опухолевый супрессор? BBA Reviews on Cancer Январь 2010 г .; 1805 (1): 1-5.

2009

Kalfa N, Veitia RA, Benayoun BA, Boizet-Bonhoure B, Sultan C.Новая молекулярная биология гранулезно-клеточных опухолей яичника. Genome Med. 25 августа 2009 г .; 1 (8): 81.

Veitia RA, Caburet S. Обширный оборот последовательности сигнальных пептидов членов семейства GDF / BMP: изучение их эволюционного ландшафта. Biol Direct. 2009 16; 4:22.

Veitia RA. Доминирующие негативные факторы в отношении здоровья и болезней. J Pathol. 2009; 218 (4): 409-18.

Dipietromaria A, Benayoun BA, Todeschini AL, Rivals I, Bazin C, Veitia RA.К функциональной классификации патогенных мутаций FOXL2 с использованием репортерных систем трансактивации. Hum Mol Genet. 1 сентября 2009 г .; 18 (17): 3324-33

Лакхал Б., Ляссуэ П., Брахам Р., Эльгезал Х., Саад А., Феллоус М., Вейтия Р.А. BMP15 и преждевременная недостаточность яичников: причинные мутации, варианты, полиморфизмы? Clin Endocrinol (Oxf). 2009 8 июн.

М. Пенрад-Мобайед, А. Эль-Джамиль, Р. Канхуш, К. Перрин (2009). Рабочая карта хромосом ламповых щеток Xenopus tropicalis : новый инструмент для цитогенетических анализов. Dev Dyn 30, 238 (6): 1492-1501

Р. Канхуш, Б. Бендерс, К. Перрин, Дж. Моро, М. Беллини, М. Пенрад-Мобайед (2009). Новые домены в белке hnRNPG / RBMX с разными ролями в связывании РНК и нацеливании на растущие транскрипты. Ядро 1 (1): 109-122

Benayoun BA, Veitia RA. Код посттрансляционной модификации факторов транскрипции: сортировка моря сигналов. Trends Cell Biol. Май 2009 г .; 19 (5): 189-97.

Laissue P, Lakhal B, Benayoun B, Dipietromaria A, Braham R, Elghezal H, Philibert P, Saâd A, Sultan C, Fellous M. и Veitia R.A. Функциональные доказательства участия FOXL2 в несиндромальной преждевременной недостаточности яичников и в регуляции фактора транскрипции OSR2. J. Med Genet.

Lakhal B, Laissue P, Braham R, Elghezal H, Saâd A, Fellous M. и Veitia R.A. Новый вариант BMP15, потенциально влияющий на сигнальный пептид в семейном случае преждевременной недостаточности яичников. Clin Endocrinology (Oxford)

Veitia RA. О дозовом балансе генов в белковых комплексах. Комментарий к Семплу Дж. И., Вавури Т., Ленеру Б. Простой принцип, касающийся устойчивости активности белкового комплекса к изменениям в экспрессии генов.BMC Syst Biol. 2008, 3:16.

Benayoun BA, Batista F, Auer J, Dipietromaria A, L’hôte D, De Baere E, Veitia RA. Положительная и отрицательная обратная связь регулирует фактор транскрипции FOXL2 в ответ на клеточный стресс: свидетельство регуляторного дисбаланса, вызванного болезнетворными мутациями. Hum Mol Genet. 2009, 18 (4): 632-44.

Penrad-Mobayed M., El Jamil A, Kanhoush R, Perrin C. Рабочая карта хромосом типа ламповых щеток Xenopus tropicalis: новый инструмент для цитогенетического анализа Dev Dyn (в печати)

2008

A.Эль Джамиль, С. Магре, А. Мазабро, М. Пенрад-Мобайед (2008). Ранние аспекты дифференциации пола гонад у Xenopus tropicalis со ссылкой на переднезадний градиент. J Exp Zool 309A: 127-137

А. Эль-Джамиль, Р. Канхуш, С. Магре, Брижит Буазе-Бонхуре, М. Пенрад-Мобайед (2008). Специфическая для пола экспрессия SOX9 во время гонадогенеза у амфибий Xenopus tropicalis . Dev Dyn 237: 2996 –3005

Veitia RA. Тысяча и один способ создания функционально похожих энхансеров транскрипции.Биологические исследования. 2008 ноя; 30 (11-12): 1052-7.

Albà MM, Tompa P, Veitia RA. Аминокислотные повторы, структура и эволюция белков. Genome Dyn. 2007; 3: 119-30.

L’Hôte D, Serres C, Veitia RA, Montagutelli X, Oulmouden A, Vaiman D. Регуляция экспрессии генов в контексте межвидовых мозаичных геномов мышей. Genome Biol. 2008; 9 (8): R133.

Vinci G, Xia X, Veitia RA. Сохранение генов, участвующих в метаболизме стеролов у ауксотрофов холестерина: факты и гипотезы.PLoS ONE. 6 августа 2008 г .; 3 (8): e2883.

Beysen D, De Jaegere S,…, Veitia RA, De Paepe A, De Baere E. Идентификация 34 новых и 56 известных мутаций FOXL2 у пациентов с синдромом блефарофимоза. Hum Mutat. 2008 ноя; 29 (11): E205-19.

Benayoun BA, Caburet S, Dipietromaria A, Bailly-Bechet M, Batista F, Fellous M, Vaiman D, Veitia RA. Идентификация и характеристика элемента ответа FOXL2 дает представление о патогенезе мутантных аллелей. Hum Mol Genet. 15 октября 2008 г .; 17 (20): 3118-27.

Benayoun BA, Auer J, Caburet S, Veitia RA. Профиль посттрансляционной модификации фактора транскрипции вилки FOXL2 предполагает существование параллельных процессивных / согласованных путей модификации. Протеомика. 2008 август; 8 (15): 3118-23.

Veitia RA, Bottani S, Birchler JA. Клеточные реакции на дисбаланс дозировки генов: геномные, транскриптомные и протеомные эффекты. Тенденции Genet. 2008 августа; 24 (8): 390-7.

Наллатамби Дж., Ляссуэ П., Батиста Ф., Бенаюн Б.А., Лесаффр К., Мумне Л., Пандаранайака П.Е., Уша К., Кришнасвами С., Сундаресан П., Вейтия Р.А.Дифференциальные функциональные эффекты новых мутаций фактора транскрипции FOXL2 у пациентов с BPES. Hum Mutat. 2008 16 мая; 29 (8): E123-E131.

Beysen D, Moumné L, Veitia R, Peters H, Leroy BP, De Paepe A, De Baere E. Миссенс-мутации в вилочном домене FOXL2 приводят к субклеточной неправильной локализации, агрегации белков и нарушенной трансактивации. Hum Mol Genet. 1 июля 2008 г .; 17 (13): 2030-8.

Hersmus R, Kalfa N, de Leeuw B, Stoop H, Oosterhuis JW, de Krijger R, Wolffenbuttel KP, Drop SL, Veitia RA, Fellous M, Jaubert F, Looijenga LH.FOXL2 и SOX9 как параметры дифференцировки женских и мужских гонад у пациентов с различными формами нарушений полового развития (DSD). J Pathol. 2008 Май; 215 (1): 31-8.

Laissue P, Vinci G, Veitia RA, Fellous M. Последние достижения в изучении генов, участвующих в несиндромальной преждевременной недостаточности яичников. Mol Cell Endocrinol. 30 января 2008 г .; 282 (1-2): 101-11.

Moumné L, Dipietromaria A, Batista F, Kocer A, Fellous M, Pailhoux E, Veitia RA. Дифференциальная агрегация и функциональные нарушения, вызванные экспансией полиаланина в FOXL2, факторе транскрипции, участвующем в черепно-лицевом развитии и развитии яичников.Hum Mol Genet. 2008 г., 1 апреля; 17 (7): 1010-9.

Moumné L, Batista F, Benayoun BA, Nallathambi J, Fellous M, Sundaresan P, Veitia RA. Мутации и потенциальные мишени фактора транскрипции вилки FOXL2. Mol Cell Endocrinol. 30 января 2008 г .; 282 (1-2): 2-11.

Хемадеви Б., Вейтия Р.А., Сринивасан М., Арункумар Дж., Праджна Н.В., Лесаффре С., Сундаресан П. Идентификация мутаций в гене SLC4A11 у пациентов с рецессивной врожденной наследственной эндотелиальной дистрофией. Arch Ophthalmol.2008 Май; 126 (5): 700-8.

Эль Джамиль А., Магре С., Мазабро А. и Пенрад-Мобайед М. Ранние аспекты дифференциации пола гонад у Xenopus tropicalis со ссылкой на переднезадний градиент. Журнал Эксперт Зоол, 309A: 127-137.

Эль-Джамиль А., Канхауш Р., Магре С., Бойзе-Бонхур Б. и Пенрад-Мобайед М. Специфическая для пола экспрессия SOX9 во время гонадогенеза у амфибий Xenopus tropicalis. Дев Дин 237: 2996–3005.

2007

Veitia RA. Изучение молекулярной этиологии доминантно-отрицательных мутаций.Растительная клетка. 2007 декабрь; 19 (12): 3843-51.

Винчи Г., Кристин-Мэтр С., Паскье М., Бушар П., Феллоус М., Вейтия РА. Варианты FOXO3a у пациенток с преждевременной недостаточностью яичников. Клин Эндокринол (Oxf). Март 2008 г .; 68 (3): 495-7.

Veitia RA, Salazar-Ciudad I. Общие черты в эмбриогенезе мух и формировании паттерна гипофиза млекопитающих. Trends Endocrinol Metab. 18 (7): 261-5.

Вейтиа Р.А., Глюкман Э., Феллоус М., Сулье Дж. Восстановление женской фертильности после химиотерапии, облучения и аллотрансплантата костного мозга: дополнительные доказательства против массивной регенерации ооцитов стволовыми клетками зародышевой линии костного мозга.Стволовые клетки. 25 (5): 1334-5.

Nallathambi J, Moumne L, De Baere E, Beysen D, Usha K, Sundaresan P, Veitia RA. Новое расширение полиаланина в FOXL2: первое доказательство рецессивной формы синдрома блефарофимоза (ДПБЭ), связанной с дисфункцией яичников. Hum Genet. 121 (1): 107-12.

Батиста Ф, Вайман Д., Дауссет Дж., Феллоус М., Вейтия, РА. Потенциальные мишени для FOXL2, фактора транскрипции, участвующего в черепно-лицевом и фолликулярном развитии, идентифицированы с помощью транскриптомики.Proc Natnl Acad Sci. СОЕДИНЕННЫЕ ШТАТЫ АМЕРИКИ. 104 (9): 3330-5.

Birchler JA и Veitia RA. Гипотеза баланса генов: от классической генетики к современной геномике. Растительная клетка. 19 (2): 395-402.

Mularoni L, Veitia RA, Alba M. Белки с высокими ограничениями содержат неожиданно большое количество тандемных повторов аминокислот. Геномика 89 (3): 316-25.

Ettwiller L и Veitia RA. Совместная эволюция белков и изоэкспрессия в макромолекулярных комплексах дрожжей. Сравнительная функциональная геномика. 58721.

Laissue P, Christin-Maitre S, Bouchard P, Fellous M, Veitia RA.Мутации в гене NOG не являются частой причиной несиндромной преждевременной недостаточности яичников. Клин Эндокринол (Oxf). 66 (6): 900.

Nallathambi J, Moumne L, De Baere E, Beysen D, Usha K, Sundaresan P, Veitia RA. Новое расширение полиаланина в FOXL2: первое доказательство рецессивной формы синдрома блефарофимоза (ДПБЭ), связанной с дисфункцией яичников. Гм. Genet. 121 (1): 107-12.

2006

Laissue P, Copelli S, Bergada I, Bergada C, Barrio G, Karaboga S, Wurtz JM, Fellous M, Lalli E, Veitia RA.Частичные дефекты транскрипционной активности двух новых мутаций DAX-1 при врожденной гипоплазии надпочечников у детей. Clin. Эндокринол. (Oxf). 65: 681-6.

Pannetier M, Fabre S, Batista F, Kocer A, Renault L, Jolivet G, Mandon-Pepin B, Cotinot C, Veitia R, Pailhoux E. FOXL2 активирует транскрипцию гена ароматазы P450: для лучшей характеристики ранних этапов развитие яичников у млекопитающих. J. Mol. Эндокринол. 36: 399-413.

Laissue L, Christin-Maitre SC, Touraine P,…, Fellous M и Veitia RA.Мутации и варианты последовательности в GDF9 и BMP15 у пациентов с преждевременной недостаточностью яичников. Евро. J. Endo. 154: 739-44.

Veitia RA и Nijhout HF. Изучение устойчивости транскрипционного ответа на дозовые изменения в морфогенетических градиентах. Биологические исследования. 28: 282-9.

Moumné L. и Veitia RA. Reprise traductionnelle en aval d’un codon stop prématuré et agrégation protéique. [Перезапуск трансляции после преждевременного стоп-кодона и агрегации белка.] Med. Sci.(Париж). 22: 232-234.

Cocquet J, Chong A, Zhang G, Veitia RA. Переключение шаблона обратной транскриптазы и ложные альтернативные транскрипты. Геномика. 88: 127-31

2005

Moumne L, Fellous M, Veitia RA. Делеции в содержащем полиаланин факторе транскрипции FOXL2 приводят к внутриядерной агрегации. Гм. Мол. Genet. 14 (23): 3557-64.

Бейсен Д., Раес Дж,…, Вейтиа Р.А., ДеПаепе А., Де Баере Э. Делеции, включающие длинные консервативные негенные последовательности выше и ниже FOXL2 как новый механизм, вызывающий заболевание при синдроме блефарофимоза.Являюсь. J. Hum. Genet. 77: 205-18

Caburet S, Cocquet J, Vaiman D, Veitia RA. Повторы кодирования и эволюционная «маневренность». Биологические исследования. 27: 581-7.

Veitia RA. Делеции, дупликации и доминирование генов. Тенденции в генетике. 21 (1): 33-5

Veitia RA. Паралоги полиплоидных растений: один за всех и все за одного? Растительная клетка. 17: 4-11

Cocquet J, Pannetier M, Fellous M et Veitia RA. Смысловые и антисмысловые транскрипты FOXL2 у мышей. Геномика. 85: 531-541

Veitia RA.Стохастичность или фатальное несовершенство клонирования. J. Biosciences. 30: 101-110

Birchler JA, Riddle N, Auger D, Veitia RA. Баланс доз в регуляции генов: биологические последствия. Тенденции в генетике. 21: 219-226

FR151 SERIES_F14.pdf

DtSheet

Загрузить

FR151 СЕРИЯ_F14.pdf

Открыть как PDF

Похожие страницы

Руководство TSC Web Selector

FR151-FR157 — Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co.ООО

MCC FR152

ДАЯ FR154

DCCOM FR157

CHENG-YI FR155

TAITRON FR156

SECOS FR153

ЧЕНИ FR157

fr151-fr157.pdf

SF11S СЕРИЯ_F14.pdf

MUR160 SERIES_J14.pdf

SF2L4G СЕРИЯ_A15.pdf

dtsheet © 2021 г.

О нас DMCA / GDPR Злоупотребление здесь .

No related posts.