Ht8970 схема включения: Ht8970 схема включения

Содержание

[PDF] NM2061 — Электронный ревербератор (HT8970, эффект `эхо

Download NM2061 — Электронный ревербератор (HT8970, эффект `эхо…

NM2061 — Электронный ревербератор (HT8970, эффект `эхо`/`объемный звук`) Общий вид

Предлагаемый набор позволит радиолюбителю собрать несложное и надежное устройство обработки звука/речи – электронный ревербератор. Устройство способно придавать фонограмме эффект `эхо` или эффект `объемный звук` и имеет возможность регулировки параметров этих эффектов. В качестве входного источника сигнала можно использовать линейный выход звуковоспроизводящего устройства или микрофон любого типа. Устройство можно применить в составе Вашего домашнего аудио/видео комплекса, в системах караоке и радиовещания. Ревербератор имеет небольшие габариты, малое потребление тока, прост в сборке и настройке. Технические характеристики Напряжение питания: 9 — 12 В. Ток потребления: 20 мА. Частотный диапазон: 100 — 12000 Гц. Выходной сигнал (линейный выход): 250 мВ. Размеры печатной платы: 64×56 мм.

Описание работы Схема ревербератора состоит из двух объединенных блоков: блока предусилителя и блока самого ревербератора. Блок предусилителя выполнен на ОУ 4558 или 358 (DA1). Коэффициент усиления выбран около 40 дБ (определяется отношением R10/R7) в расчете работы предусилителя напрямую с микрофоном. Если в качестве источника сигнала используется линейный выход звуковоспроизводящего оборудования (250 мВ), рекомендуется снизить коэффициент усиления до 6 дБ (резистор R7 = 22 кОм). Потенциометр R11 предназначен для регулировки уровня сигнала, снимаемого с предусилителя. При использовании электретного микрофона переключатель SW1 необходимо замкнуть, а при использовании динамического микрофона – разомкнуть.

Блок ревербератора выполнен на базе специализированной ИМС HT8970, состоящей из дельта модулятора/демодулятора, необходимых фильтров, генератора и участка памяти емкостью 20 Kb. ИМС может работать в одном из двух режимов -`эхо` (echo) или `объемный звук`(surround). Для активации эффекта `эхо` (echo) переключатель SW2 замыкается, а SW3 при помощи джампера устанавливается в положение 1-2. Потенциометром R13 регулируется время задержки эффекта `эхо`, а R23 — его глубина. Для включения эффекта `объемный звук` (surround) переключатель SW2 устанавливается в разомкнутое положение, а SW3 — джампером в положение 2-3. Потенциометром R13 устанавливается время задержки. Напряжение питания подается на контакты Х3(+), Х4(-). Микрофон (лин. выход) подключается к контактам Х1(+), Х2(-). Устройство имеет стандартный линейный выход (разъем XP1 – тип `тюльпан`). К нему можно подключить, например, усилитель мощности или последующий каскад обработки сигнала.

Конструкция Конструктивно ревербератор выполнен на печатной плате из фольгированного стеклотекстолита с размерами 64х56 мм. Конструкция предусматривает установку платы в корпус, для этого на плате имеются монтажные отверстия под винты 2,5 мм. Для удобства подключения питающего напряжения и источника сигнала на плате предусмотрены посадочные места под штыревые контакты или клеммные винтовые зажимы. Правильно собранное устройство не требует настройки. Этот набор вы можете приобрести в виде спаянного блока BM2061. Схема

РАДИО для ВСЕХ — Ревербератор на PT2399

Предварительный микрофонный усилитель на ОУ C4558 с эхо эффектом и реверберацией (повторением) на звуковом процессоре PT2399. Идеально подходит для обработки звука от динамического микрофона для радиолюбительского трансивера, гитары, домашнего кинотеатра, караоке на базе любого усилителя звука с линейным входом и пр. (ДОБАВЛЕН УСИЛИТЕЛЬ С ОДНОПОЛЯРНЫМ ПИТАНИЕМ)

Микрофонный усилитель позволяет регулировать глубину эффектов «эхо» и «реверберация», а также уровень выходного сигнала. Схема построена на базе специализированного звукового процессора РТ2399 с микрофонным усилителем на быстродействующем операционном усилителе С4558 или TL072 с двухполярным питанием. Можно применить более дешёвую LM358, но качество звука при этом значительно ухудшится. Для подключения микрофона или гитары на плате предусмотрено гнездо для «джека» 6,3 мм. Все конденсаторы в цепях формирования звукового сигнала высококачественные плёночные или полипропиленовые.

Данное устройство станет «игрушкой» в руках радиолюбителя. С его помощью можно из надоевшего всем в эфире плоского сигнала, получить красочную и объёмную модуляцию — главное не переборщить!

Если подключить устройство к линейному входу усилителя, музыкального центра, магнитофона и пр., то можно лёгким движением руки самостоятельно сделать систему «караоке» для отдыха на выходных с баночкой пива 😉

Гитаристам можно даже не рассказывать, что произойдёт если гитару к усилителю подключить через этот усилитель — получим очень красивое и объёмное звучание.

Слово Delay в переводе с английского означает Задержка. Эффект создается путем суммирования задержанного и модулирующего сигналов. Входной сигнал смешивается с задержанным сигналом для достижения, так называемого эффекта «Эхо».

        Предварительный усилитель имеет следующие потенциометры для регулировки:

VOLUME – как следует из названия, этот переменный резистор регулирует уровень громкости. Он установлен на выходе первого операционного усилителя перед входом в РТ2399.

DELAY – этот переменный резистор определяет время, необходимое для возникновения эхо и может быть измерено в миллисекундах.

ECHO – этот резистор регулирует количество задержанного звука, смешиваемого с исходным.

ВНИМАНИЕ! Оси трёх резисторов и микрофонного гнезда находятся на одной линии, и расположены на плате таким образом, что плата может быть закреплена непосредственно на передней панели устройства при помощи гаек самих переменных резисторов и микрофонного гнезда! Расстояние по центрам резисторов 25,4 мм, от резистора VOLUME до центра микрофонного гнезда 30 мм.

        Этот предварительный усилитель монофонический, поэтому на выходе установлена пара резисторов 1 кОм для подключения к стереофоническому усилителю. Если будет использоваться монофонический усилитель, то необходимо использовать контакт «┴» и любой из «L» или «R».

Собрать устройство самому очень просто! Для этого необходимо заказать набор КАР-0101 и вооружиться паяльником, припоем и канифолью.

Наименования и номиналы всех деталей нанесены прямо на плате, поэтому на схему можно даже не смотреть ;-)!

1) Впаиваем резисторы, стабилитрон и две перемычки

2) Впаиваем конденсаторы (электролитические конденсаторы с соблюдением полярности), клеммники и переменные резисторы.

3) При помощи острого ножа, надфиля или наждачной шкурки тщательно зачищаем выводы микрофонного гнезда и лудим его выводы.

4) Запаиваем микрофонное гнездо в плату.

5) Чуть не забыл про микросхемы! Их тоже припаиваем с учётом расположения «ключа» на корпусе микросхемы и на плате. Будьте внимательны, не перепутайте! Иначе микросхемы выйдут из строя при первом же включении.

6) Одеваем ручки на валы переменных резисторов.

7) Производим визуальный осмотр платы (можно под лупу) со стороны печатных проводников, если замыканий между дорожками нет, то всё ОК! 

8) Подключаем выход предварительного усилителя к усилителю мощности, к клеммнику подачи питания подсоединяем двухполярный источник питания и включаем его в сеть.

9) Задымиться ничего не должно! Устанавливаем все регуляторы против часовой стрелки до упора и втыкаем джек микрофона в гнездо на плате.

10) Добавляем усиление регулятором VOLUME, говорим в микрофон и УРА! слышим свой голос в колонках.

11) Поворачивая ручку резистора ECHO по часовой стрелке, регулируем глубину эффекта «эхо», а поворотом ручки резистора «DELAY» устанавливаем степень реверберации.

ВНИМАНИЕ! Подключать выход предварительного усилителя ко входу усилителя мощности нужно только экранированным кабелем.  

 

 

Правильно собранное устройство из исправных деталей, начинает работать сразу. При необходимости, увеличить уровень выходного сигнала, можно уменьшив резистор 10 кОм обозначенный на схеме двумя звездочками «**» — см. примечания под схемой.
В качестве источника питания можно применить любой имеющийся в наличии подходящий блок питания на 12-15В постоянного тока.




Краткое описание, комплектация и схема здесь >>>

ВНИМАНИЕ! Соблюдайте полярность при подключении питания! Питание двухполярное!

Стоимость собранного и проверенного усилителя: 240 грн.

Стоимость набора для сборки усилителя: 190 грн.

Стоимость печатной платы 100х46 мм с маской и маркировкой: 80 грн.

Цвет ручек и клеммников может отличаться от приведенныъх на фотографиях 😉




NEW!  По просьбе покупателей изготовлен предварительный микрофонный усилитель на ОУ C4558 с эхо эффектом и реверберацией (повторением) на звуковом процессоре PT2399 с однополярным питанием 8…15В. Потребляемый ток 20…25 мА.

Много писать не буду, т.к. конструкция и принцип работы полностью аналогичны усилителю с двухполярным питанием. Назначение переменных резисторов тоже самое: «эхо», «реверберация», «усиление». Установлено гнездо для штеккеров типа «джек» 6,3 мм. В данной версии платы возможно подключение электретного микрофона. Питание на микрофон подаётся установкой джампера J1 на печатной плате (схема здесь).

ВНИМАНИЕ! Подключать выход предварительного усилителя ко входу усилителя мощности нужно только экранированным кабелем.




Краткое описание, комплектация и схема здесь >>>

ВНИМАНИЕ! Соблюдайте полярность при подключении питания!

Стоимость собранного и проверенного усилителя: 240 грн.

Стоимость набора для сборки усилителя: 190 грн.

Стоимость печатной платы 100х46 мм с маской и маркировкой: 80 грн.

Цвет ручек и клеммников может отличаться от приведенных на фотографиях 😉




Всем мирного неба, удачи и добра, 73!

Для заказа обращайтесь сюда >>> или сюда >>>

▶▷▶▷ начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по

▶▷▶▷ начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по
ИнтерфейсРусский/Английский
Тип лицензияFree
Кол-во просмотров257
Кол-во загрузок132 раз
Обновление:16-03-2019

начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по — Yahoo Search Results Yahoo Web Search Sign in Mail Go to Mail» data-nosubject=»[No Subject]» data-timestamp=’short’ Help Account Info Yahoo Home Settings Home News Mail Finance Tumblr Weather Sports Messenger Settings Want more to discover? Make Yahoo Your Home Page See breaking news more every time you open your browser Add it now No Thanks Yahoo Search query Web Images Video News Local Answers Shopping Recipes Sports Finance Dictionary More Anytime Past day Past week Past month Anytime Get beautiful photos on every new browser window Download Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах davay5com/z/1343php Cached Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему должен быть самым сильным окислителем §12 Характеристика галогенов | 9 класс superhimikru/9-klass/12-kharakteristika-galogenovhtml Cached Начертите схемы распределения электронов по энергетическим уровням в атомах галогенов Поясните, какой из галогенов и почему должен быть самым сильным окислителем Задание 2 разработка урока химии для 9 класса по теме: Галогены» wwwcalameocom/books/001286577fff2ed03b44d Cached Почему в природе галогены в свободном виде не встречаются? Станция «Атомная» Задания: Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Физматика Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов physmaticaru/reshebniki/reshebnik-po-ximii-za-8-klass Cached Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему должен быть самым сильным окислителем Физматика Вопрос № 2 Изобразите строение молекул фтора и physmaticaru/reshebniki/reshebnik-po-ximii-za-8-klass Cached Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему должен быть самым сильным окислителем → Задачи на тему Галогены из задачника Рудзитис, Фельдман, 8 davay5com/zphp?r=g-e-rudzitis-f-g-feldman_8 Cached Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему должен быть самым сильным окислителем Поможете начертить эти схемы? Химия, 8 класс, параграф 47, 1 classramblerru/temy-gdz/pomozhete-nachertit Cached Ответы на вопрос – Поможете начертить эти схемы ? Химия, 8 класс, параграф 47, 1 вопрос Задачи по химии за 8 класс, ГЕРудзитис, ФГФельдман ege-rublogspotcom/2013/03/8_7368html Cached Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему должен быть самым сильным окислителем С Т Жуков Химия 8-9 класс Глава 6Строение электронных wwwchemmsusu/rus/school/zhukov1/06ahtml Cached По характеру распределения электронов атома по электронов в первую очередь Вопрос № 2 Изобразите строение молекул фтора и фтороводорода 5terkacom/node/1337 Cached ← Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему должен быть самым сильным окислителем Promotional Results For You Free Download | Mozilla Firefox ® Web Browser wwwmozillaorg Download Firefox — the faster, smarter, easier way to browse the web and all of Yahoo 1 2 3 4 5 Next 42 results Settings Help Suggestions Privacy (Updated) Terms (Updated) Advertise About ads About this page Powered by Bing™

  • Атом водорода — физико-химическая система, состоящая из атомного ядра , несущего элементарный положи
  • тельный электрический заряд , и электрона , несущего элементарный отрицательный электрический заряд. …не менее приводили к верным значениям энергетических уровней атома. Оглавление учебника «Химия»
  • …не менее приводили к верным значениям энергетических уровней атома. Оглавление учебника «Химия», 8-9 классы, Иванова Р.Г., издательство «Просвещение», 2007 год. В наборе рассмотрены разнообразные вопросы и задания, а также дается дополнительная информация, которая способствует эффективному усвоению материала. Внешние электронные оболочки галогенов. Демонстрация распределения электронов … Узкий пучок атомов пропускают по методу Штерна и Герлаха через резко неоднородное магнитное поле. 4. Выписать возможные термы атома, содержащего кроме заполненных оболочек два электрона, р и d. 5. Физфак Санкт-Петербургского государственного университета. Абитуриентам, деканат, подразделения, научная работа, дистанционное обучение, инфоцентр, библиотека, лекции для школьников и студентов. К каким типам элементов с точки зрения строения атома они относятся? Напишите электронную формулу и покажите распределение электронов по орбиталям для элемента, атом которого содержит на 2 p-подуровне один электрон. Одно и то же количество металла соединяется с 0,20 г кислорода и с 3,17 г галогена. Чем отличаются по электронному строению и свойствам атомы меди от ионов меди Сu2+? 24. Рособразование — ссылки на учебные и научные материалы по физике, химии и биологии. Каталог естесственно-научных ресурсов, методической документации, юридическая консультация по авторскому праву. Аналогичные скачки поглощения наблюдаютсяи при переходе через энергии остальных q -уровней атома. Схема К-, L-, М-уровней атома и осн. линии К- и L-серий. Энциклопедия Кругосвет — универсальная научно-популярная онлайн-энциклопедия. Рубрикатор по категориям: история, медицина, технологии. Поиск по темам и алфавиту. Наиболее характерны для бензола реакции замещения атомов водорода. Гипотеза Атом водорода по Бору. де-Бройля. Излучение атомов водорода Уравнение Щредингера. Распределение электронов по Контрольная работа. уровням энергии.

состоящая из атомного ядра

несущего элементарный положительный электрический заряд

  • 1 вопрос Задачи по химии за 8 класс
  • ГЕРудзитис
  • Фельдман

начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по — Поиск в Google Специальные ссылки Перейти к основному контенту Справка по использованию специальных возможностей Оставить отзыв о специальных возможностях Нажмите здесь , если переадресация не будет выполнена в течение нескольких секунд Войти Удалить Пожаловаться на неприемлемые подсказки Режимы поиска Все Картинки Видео Новости Карты Ещё Покупки Книги Авиабилеты Финансы Настройки Настройки поиска Языки (Languages) Включить Безопасный поиск Расширенный поиск Ваши данные в Поиске История Поиск в справке Инструменты Результатов: примерно 28 (0,43 сек) Looking for results in English? Change to English Оставить русский Изменить язык Результаты поиска Все результаты Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в Сохраненная копия ГДЗ к Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему Поможете начертить эти схемы? Химия, 8 класс, параграф 47, 1 Сохраненная копия Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из галогенов и почему должен быть Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов wwwsolobyru//распределения-электронов-галогенов-энергетическим-окислите Сохраненная копия Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему должен быть самым §12 Характеристика галогенов | 9 класс — superhimikru superhimikru/9-klass/12-kharakteristika-galogenovhtml Сохраненная копия Начертите схемы распределения электронов по энергетическим уровням в атомах галогенов Поясните, какой из галогенов и почему должен быть Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в Сохраненная копия Вопрос № 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему должен быть (Решено)Упр1 Параграф 12 ГДЗ Рудзитис 9 класс по химии Сохраненная копия 1 Начертите схемы распределения электронов по энергетическим уровням в атомах галогенов Поясните, какой из галогенов и почему должен быть Вопрос 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах net-dvoekru › Решебник Рудзитис, Фельдман, 8 класс (Химия) Сохраненная копия 16 авг 2015 г — Вопрос 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему начертите схемы строения атомов углерода и кремния на основе 7resourceru//nachertite-skhemy-stroeniia-atomov-ugleroda-i-kremniia_-na-osnove- Сохраненная копия 25 дек 2018 г — начертите схемы строения атомов углерода и кремния на основе 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах Вопрос № 2 У всех галогенов на внешнем (а) и схема упаковки в ней Влияние схема строения атомов галогенов; состав атомов хлора и фтора › 5 — 9 классы › Химия Сохраненная копия Похожие Рейтинг: 3,1 — ‎7 голосов 4 дек 2012 г — У всех галогенов на внешнем уровне 7 электроновСI+17 )2)8)7 протонов-17 электронов -17 нейтронов-18F+9 )2)7 протонов-9 Картинки по запросу начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по Другие картинки по запросу «начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по» Жалоба отправлена Пожаловаться на картинки Благодарим за замечания Пожаловаться на другую картинку Пожаловаться на содержание картинки Отмена Пожаловаться Все результаты Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов railedinutbyethost33com/nachertite-shemi-raspredeleniya-elektronov-v-atomah-galoge Электронов можно начертило рождать, атомах ее, начертите распределения галогенов атомах в схемы электронов И я сделаю все, что будет в моих распределение электронов по энергетическим уровням в атомах adjuringcliftonfblogspotcom/2013/02/blog-post_2780html Сохраненная копия 6 февр 2013 г — У всех галогенов на внешнем электронном уровне находится семь Вопрос 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах [PDF] Галогены wwwsc109ru/content/distant/chime/Химияpdf Сохраненная копия На наруКНОМ Энергетическом уровне атомов Галогенов находятся семь Электронов хлора) энергично присоединяют недостающий электрон : Г»+е г-, Схема строения молекул галогенов Начертите схемы распределения Calaméo — разработка урока химии для 9 класса по теме: Галогены» Сохраненная копия Почему в природе галогены в свободном виде не встречаются? Станция « Атомная» Задания: Начертите схемы распределения электронов в атомах составьте схемы распределения электронов по энергетическим › 5 — 9 классы › Химия Сохраненная копия Похожие Рейтинг: 3 — ‎9 голосов 11 мар 2014 г — составьте схемы распределения электронов по энергетическим уровням атомов фтора, неона, серы, селена, хлора, калия и кальция Электронная формула фтора — Справочник формул formuliynto › Задача 9 окт 2017 г — 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по энергетическим уровням Поясните, какой из них и почему СТРОЕНИЕ АТОМОВ ГАЛОГЕНОВ — ГАЛОГЕНЫ — Химия schooledru/chemistry/universal/59html Сохраненная копия Похожие СТРОЕНИЕ АТОМОВ ГАЛОГЕНОВ — ГАЛОГЕНЫ — Химия — универсальный значит, в его атома возле ядра с зарядом +9 движется девять электронов Не найдено: начертите ‎ схемы ‎ распределения Ht8970 схема включения b16closedrunet/ht8970-shema-vklyucheniya/ Сохраненная копия ht8970 схема включения Tp5299p схема включения Конструкторы и Чудо, начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов Галогены — Википедия Сохраненная копия Похожие Галоге́ны (от греч ἁλός — «соль» и γένος — «рождение, происхождение»; иногда На внешнем энергетическом уровне 7 электронов Электронная конфигурация внешней электронной оболочки атомов галогенов ns 2 np 5 : фтор — 2s 2 2p 5 , При нагревании фтор окисляет все другие галогены по схеме Не найдено: начертите ‎ распределения Г Е РУДЗИТИС Ф Г ФЕЛЬДМАН ftpkspuru/WorldSkills/8%20Химияpdf разоват учреждений с прил на электрон , носителе / Г Е Рудзитис, курса химии с использованием различных схем , таблиц, рисун Возникновение представлений об атомах и молекулах металлов — галогенов (в то время благородные газы не были еще Начертите схемы распределения [PDF] Министерство образования Российской Федерации — ЛГТУ legacystulipetskru/files/materials//Для%20ОЗФ%2C%20часть1%2C№2805pdf Сохраненная копия Пример 1 Одна и та же масса металла соединяется с 1,591 г галогена и с Масса x атомов углерода в одном моле вещества равна: г 120 Решение: распределение электронов по атомным орбиталям кремния имеет вид 1S2 Начертите схему строения наружных электронных слоев ионов: F- K + Ca ▷ ▷ изобразите схемы строения атомов кремния и фосфора vpacqcom//izobrazite-skhemy-stroeniia-atomov-kremniia-i-fosfora-ukazhite-chto-o Сохраненная копия изобразите схемы строения атомов кремния и фосфора укажите что общего серы, кремния , начертите схемы строения атомов углерода и кремния на общее число электронов в атоме и распределение электронов Схема схемы строения атомов Положение галогенов в периодической таблице и начертите схемы строения атомов углерода и кремния на основе wwwprvnistatickacz//nachertite-skhemy-stroeniia-atomov-ugleroda-i-kremniia-na- Сохраненная копия 25 дек 2018 г — начертите схемы строения атомов углерода и кремния на основе галогенов по начертите схемы распределения электронов по Решебник алгебре 7 класс сидоров — куда сдавать химию и биологию juristtomsk9fh20net/4/reshebnik-algebre-7-klass-sidorovphp Средняя квадратичная скорость атомов аргона при давлении 105 Па Вопрос 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по схемы распределения электронов по слоям в атоме — Sonimages wwwsonimagesde//skhemy-raspredeleniia-elektronov-po-sloiam-v-atome-khimich Сохраненная копия 25 дек 2018 г — схемы распределения электронов по слоям в атоме химического элемента в атомах галогенов по начертите схемы распределения Учебник Химия 9 класс Оржековский Мещерякова Понтак Сохраненная копия Галогены Галогеноводороды и галогениды металлов Квадратные скобки показывают, что эта группа атомов выступает как единое целое Для нескольких элементов показаны схемы распределения электронов в атоме Начертите в тетради таблицу для оформления результатов практической Учебник Химия 8 класс Кузнецова Сохраненная копия Они состоят из определённого числа атомов химических элементов, образующих эти Семейство неметаллов галогенов включает элементы: фтор, хлор, бром, иод Предложите и с помощью компьютера начертите схему прибора для Схема распределения электронов по электронным слоям 2, 8, составьте схему распределения электронов по энергетическим Сохраненная копия Тема: Галогены (Задачи к 46-47 условие задачи полностью выглядит так: Вопрос 1 Начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по Пояснительная записка ciurru/uva/uva_oky/DocLib2/%202018%20уч/химия%208-9%20классыpdf Изотопы Строение электронных оболочек атомов первых 20 элементов Галогены Галогеноводородные кислоты и их соли а также определите заряды ядер этих атомов , зная распределение электронов по энергетическим уровням: 2,8,2 Начертите схемы их образования и структурную формулу Пояснения к фильтрации результатов Мы скрыли некоторые результаты, которые очень похожи на уже представленные выше (33) Показать скрытые результаты Вместе с начертите схемы распределения электронов в атомах галогенов по часто ищут изобразите строение молекул фтора и фтороводорода с помощью структурных и электронных формул охарактеризуйте способы получения галогенов начертите схемы строения атомов углерода и кремния напишите схемы распределения электронов по энергетическим уровням азота и фосфора какой из галогенов самый сильный окислитель гдз по химии 9 класс рудзитис Ссылки в нижнем колонтитуле Россия — Подробнее… Справка Отправить отзыв Конфиденциальность Условия Аккаунт Поиск Карты YouTube Play Новости Почта Контакты Диск Календарь Google+ Переводчик Фото Ещё Покупки Документы Blogger Hangouts Google Keep Jamboard Подборки Другие сервисы Google

Атом водорода — физико-химическая система, состоящая из атомного ядра , несущего элементарный положительный электрический заряд , и электрона , несущего элементарный отрицательный электрический заряд. …не менее приводили к верным значениям энергетических уровней атома. Оглавление учебника «Химия», 8-9 классы, Иванова Р.Г., издательство «Просвещение», 2007 год. В наборе рассмотрены разнообразные вопросы и задания, а также дается дополнительная информация, которая способствует эффективному усвоению материала. Внешние электронные оболочки галогенов. Демонстрация распределения электронов … Узкий пучок атомов пропускают по методу Штерна и Герлаха через резко неоднородное магнитное поле. 4. Выписать возможные термы атома, содержащего кроме заполненных оболочек два электрона, р и d. 5. Физфак Санкт-Петербургского государственного университета. Абитуриентам, деканат, подразделения, научная работа, дистанционное обучение, инфоцентр, библиотека, лекции для школьников и студентов. К каким типам элементов с точки зрения строения атома они относятся? Напишите электронную формулу и покажите распределение электронов по орбиталям для элемента, атом которого содержит на 2 p-подуровне один электрон. Одно и то же количество металла соединяется с 0,20 г кислорода и с 3,17 г галогена. Чем отличаются по электронному строению и свойствам атомы меди от ионов меди Сu2+? 24. Рособразование — ссылки на учебные и научные материалы по физике, химии и биологии. Каталог естесственно-научных ресурсов, методической документации, юридическая консультация по авторскому праву. Аналогичные скачки поглощения наблюдаютсяи при переходе через энергии остальных q -уровней атома. Схема К-, L-, М-уровней атома и осн. линии К- и L-серий. Энциклопедия Кругосвет — универсальная научно-популярная онлайн-энциклопедия. Рубрикатор по категориям: история, медицина, технологии. Поиск по темам и алфавиту. Наиболее характерны для бензола реакции замещения атомов водорода. Гипотеза Атом водорода по Бору. де-Бройля. Излучение атомов водорода Уравнение Щредингера. Распределение электронов по Контрольная работа. уровням энергии.

Предусилитель для гитарного комбика и самый дешевый комбик для дома

С завидным постоянством на форуме в той или иной интерпретации мелькает тема о том как сделать своими рукам транзисторный комбик для электрогитары. И если с оконечным усилителем для этих целей все более или менее понятно, то с предусилением гитарного сигнала возникают вопросы.
В этой статье предлагается решение предварительного усиления гитарного сигнала, которое является на мой взгляд наиболее простым, универсальным, и обладающим всеми необходимыми параметрами. Предполагается что у гитариста уже есть педаль перегруза, (если нет, надо срочно спаять ) так как этой функции в рассматриваемом устройстве нет.
Сразу перейдем к делу.

Схема:

Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

Какие мысли возникают глядя на эту схему ? Если бы мне показали такую схему я бы подумал «Ё…. ниче себе схема, шесть оперов, нееее, я такую паять не буду, сложно.. » Однако если немного разобраться то оказывается что все на самом деле предельно просто, первые два опера в одном корпусе это трехполосный регулятор тембра, вторые четыре это спикерсимулятор, и все !
Коротенько рассмотрим работу схемы. Через входной разъем гитарный сигнал попадает на входной каскад выполненный на полевом транзисторе. Этот каскад обеспечивает высокое входное сопротивление, необходимое для согласования гитарных звукоснимателей с пассивной цепочкой регулирования средних частот. Первый по схеме операционник является своего рода буфером, также для согласования этой цепочки с регулятором тембра по низким и высоким частотам, который реализован на втором по схеме операционнике. Далее следует эмиттерный повторитель, и за ним спикерсимулятор. С помощью переключателя осуществляется включение/выключение спикера, а чтоб при этом не возникало щелчков в схеме предусмотрены резисторы и конденсаторы, уравнивающие потенциалы. Ничего сложного.

Детали и конструкция

Я использовал smd операционные усилители, под них и сделана печатка

Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

Резисторы МЛТ 0,25 (0,125), конденсаторы (за что меня постоянно ругают) К10-17, биполярный транзистор я использовал кт3102. Вид спереди:

Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

Плата специально разведена так, чтоб ее можно было установить на любую подходящую для этих целей пластину, которая в дальнейшем будет служить передней (или задней) панелью.

Исключён фрагмент. Полный вариант статьи доступен меценатам и полноправным членам сообщества. Читай условия доступа.

Здесь просматривается какая то фигня у входного разъема. Что это ?. На самом деле, я просто полевой транзистор, со своими тремя резисторами конденсаторами и с конденсатором 0,1 мкф параллельно питанию (на схеме не показан) смонтировал прямо у входного разъема. Для этого рядом со входным разъемом надо припаять кусочек текстолита, на котором прорезаны площадки

Эта часть схемы экранируется например жестью от банки сгущенки (которая очень хорошо поддается пайке) для того чтоб в дальнейшем нас никакой фон не отвлекал от игры на гитаре.

Вот в принципе и все, предусилитель готов. Выход его можно подавать на усилитель мощности. После того как я спаял и проверил схему, я пошел гулять с собакой.
Гуляя с собакой , я обнаружил прямо на углу своего дома вот такой телевизор

И сразу же выдрал из него плату усилителя на микросхеме К174УН7, притащил домой, подключил, оказалась рабочая. Используя этот усилитель из телевизора, только что спаянный предусилитель для гитары, и когда то давно сделанный кабинетик с динамиком 4ГД-36 я быстренько нарулил такой гитарный комбарь Вот как он выглядит внутри:

Осталось только ручки на переменники, и можно чем нибудь покрасить.
Для занятий дома такого комбика мне вполне достаточно. При замене динамика на более подходящий для гитарных дел я не исключаю возможности записи демо альбомов через этот аппарат. Соотношение цена/качество в этой конструкции несколько перекошено в сторону качества.

Что ж, в этой статье ставилась цель рассмотреть одну из возможных конструкций предусилителя, для гитары. Можно сказать что цель достигнута. Показана схема, конструкция устройства, обозначены функциональные возможности. К недостаткам схемы можно отнести низкий коэффициент усиления, это требует использования довольно чувствительных усилителей мощности. Однако проблема может быть решена либо введением дополнительного каскада усиления перед усилителем мощности ( своего рода нормирующего усилителя) либо тем, что входной полевой транзистор включить не по схеме истокового повторителя, а по схеме с общим истоком. Тогда он будет обеспечивать не только высокое входное сопротивление, но и дополнительное усиление сигнала, что обеспечит согласование уровней с усилителем мощности.

Печатка в .lay
▼ predusilitel.zip  28,53 Kb ⇣ 297

Камрад, рассмотри датагорские рекомендации

🌼 Полезные и проверенные железяки, можно брать

Опробовано в лаборатории редакции или читателями.

 

виды, схемы автомобильных усилителей, простые и сложные, полезные советы

Звучание при проигрывании магнитолы в автомобиле будет более мощным, если установить усилители звука. Они продаются в магазинах техники, но некоторые автолюбители изготавливают, используя специальные схемы.

Главное – соблюдать технику безопасности и в точности следовать указаниям. В публикации пойдет речь о том, как сделать усилитель звука для колонок. Приведены разные способы, которые можно применить в домашних условиях на основе научно-технического направления схемотехника.

Основа прибора

Основой усилителей мощности звука может стать любой прибор, внутрь которого может поместиться плата. В качестве корпуса мастера советуют использовать колонку. В нее следует установить блок питания и другие элементы.

Еще один вариант для изготовления усилителя в машину своими руками – устаревшая автомагнитола. Из нее удаляется старый привод оптических дисков.

Иногда от магнитолы остается один стереоусилитель, который можно не переделывать, а использовать отдельно.

Также сделать корпус усилителя звука несложно своими руками из тонких фанерных листов (толщиной до сантиметра), алюминия, двухстороннего фольгированного стеклотекстолита и другого сырья.

Настройка УНЧ

Для настройки нужно поочередно выполнить следующие действия:

  1. Встановка ручек резисторов R24, R6 в среднее положение.
  2. Закорачивание на землю входа усилителя.
  3. Отпайка оконечных транзисторов.
  4. Включение электропитания схемы усилителя мощности.
  5. Установка R6 на выходе.
  6. Затем проводится замер напряжения электропитания и +/- 15 В.
  7. Установка на резисторах R29-R30 напряжения 0,55 В с применением R24.
  8. Далее следует отключение питания, подключение оконечных транзисторов, включение в разрыв электроцепи коллектора VT10 амперметра на 1 А.
  9. Включение питания и установка R24 коллекторного тока 100-150 мА.
  10. Замер коллекторного тока VT11 (важно, чтобы показатель не отличался от значения VT10, максимальное различие – 5%).
  11. Заключительный шаг – замер при максимальном температурном нагреве радиаторов оконечных транзисторов (монтаж производится при +35-40°C).

Коллекторный ток можно установить на 40-200 мА, все зависит от нужного качества звучания усилителей звука, рабочих режимов, параметров радиатора.

Защита акустической системы

Данный блок не требует настройки, если его собрали правильно. Для создания автомобильного усилителя своими руками можно применять радиаторы, которые ранее были установлены в персональном компьютере. Также понадобятся кулеры, поскольку без них будет происходить сильное нагревание.

Их нужно запитать по простой схеме ШИМ-регулятора. Как собрать такие самодельные усилители? Этапы выполняются в такой последовательности:

  1. Сначала собирается 2-й преобразователь для сабвуферного канала. При этом используется прежняя схема автоусилителя. Есть незначительные изменения в том, как происходит наматывание трансформатора.
  2. Два кольца склеиваются вместе.
  3. Первичку можно оставить прежнюю. При этом вторичка понадобится другая: число жил остается таким же, а витков должно быть 21, а не 15. Выходное напряжение преобразователя составляет плюс/минус 70 В.
  4. Для фильтра нижних частот потребуется сделать обмотку из восьми витков провода 0,8.

Если говорить о стабилизации, то она остается идентичной той, что в схеме автомобильного усилителя. Предусмотрена обмотка проводом и для питания защиты акустической системы.

По схеме Энтони Холтона

Для сборки усилителя для сабвуфера в машину нужно следовать этой инструкции:

  1. Усилитель в авто советуют начать собирать своими руками с монтажа резисторов.
  2. После можно приступать к установке конденсаторов, диодов, транзисторов, в том числе малосигнальных. При этом важно особенно внимательно монтировать детали с полярными выводами. Если неправильно подключить их, прибор не будет работать. Кроме того, при включении схемы усилителя для автомобиля возможен выход элементов.
  3. После завершения монтажа каждой детали, модуль понадобится тщательно осмотреть на наличие всех элементов усилителей мощности. Они должны быть правильно расположены.
  4. Если все установлено правильно, можно приступать к подключению питания автоусилителя своими руками. Для этого крокодилами стоит закрепить зажимы на выводах мощного резистора 0,22 Ом.
  5. Затем нужно осторожно вращать движок резистора P1, установить на нем значение 18 мВ.
  6. Далее потребуется проверить напряжение на других резисторах, выбрать тот, на котором значение максимально высокое. На нем стоит установить показатель напряжения 18 мВ.

Потом можно подключить сигнал на входе генератора и осциллограф на выходе, чтобы убедиться, что сигнал идет без искажений. При отсутствии перечисленного оборудования, стоит подключить нагрузку, проверить звучание на слух. В идеале воспроизведение аудиофайлов через автомобильные усилители получается чистым, мощным.

Фильтр низких частот

Перед тем, как собрать усилитель на электронную плату, добавляется регулятор громкости. Далее можно начинать работу над корпусом. Чтобы сделать аудио усилитель своими руками, используются 20х20 мм уголки из алюминия и лист фанеры (10 мм).

Порядок выполнения работы:

  • корпус отшлифовывается и оклеивается черным кожзаменителем;
  • кулеры фиксируются на обратной стороне корпуса;
  • фильтр низких частот закрепляется на поверхности передней панели — здесь будет находиться и клеммная колодка;
  • для изготовления крышки усилителя низкой частоты своими руками подойдет тонированное 4-миллиметровое стекло.

Применение вспомогательных программ

Можно добиться наиболее чистого воспроизведения аудио за счет усилитель звука в машину своими руками. Но для этой цели понадобится самостоятельно создать схему за счет применения вспомогательных программ/инструментов.

Например, Sprint Layout применяется для проектирования схем разной сложности, разводки, педпросмотра трехмерных моделей, составления библиотеки элементов.

Программа позволит сделать наглядный план, который пригодится больше, чем фотографии самодельного усилителя для авто, сделанного своими руками и его деталей.

HT8970-MN3058

  • 8/9/2019 HT8970-MN3058

    1/9

    HT8970

    Голосовое эхо

    1 марта 2000 г.

    Функции

    Рабочее напряжение: 4,5 В ~ 5,5 В

    алгоритм

    Низкий уровень шума

    — Режим эха: -85 дБ — Режим объемного звучания: -90 дБ

    Низкий уровень искажений — Режим эха: 1% — Режим объемного звучания: 0,2%

    Встроенная SRAM 20 Кбайт

    Функция автоматического сброса

    Тип корпуса: 16-контактный DIP / SOP

    Приложения

    Телевидение

    Караоке-системы

    Проигрыватель видеодисков

    Звуковое оборудование

    Общее описание

    HT8970 — это процессор эффектов эха / объемного звучания.

    Он разработан для различных аудиосистем, включая караоке, телевидение, звуковое оборудование и т. Д. Микросхема

    состоит из встроенного предусилителя, VCO или

    Voltage Control OSC, 20Kb SRAM, A / D и D / A Преобразователи

    , а также логика управления временем задержки.

    Его встроенная SRAM 20 Кбайт может генерировать эффект времени задержки

    и может управлять значением времени задержки через внешний резистор ГУН.

    Схема VCO может уменьшить внешние компоненты и упростить регулировку времени задержки.

  • 09.08.2019 HT8970-MN3058

    2/9

    Блок-схема

    Назначение контактов

    HT8970

    2 14 марта 2000 г.

    HT8970

    16 DIP / SOP _OUT

    LPF2_OUT

    LPF2_IN

    OP2_OUT

    OP2_IN

    OP1_IN

    OP1 _OUT

    VCC

    REF

    00030003

    CC

    CC

    1 5

    1 4

    1 3

    1 2

    1 1

    1 0

    9

    1

    2

    3

    4

    5

    7

    1/2 VCC

    AUTORESET

    DI

    MO MI CLOCK

    20K бит RAM

    VCO

    COMPLPF2

    DO0 DO1

    4.7kWMO D

    DEM

    LPF1

    OSC_OREFVCC AGND DGND

    LPF1_IN L PF 1 _O UT LP F2 _O UT L PF 2_I NO P2 _O UT O P2 _I NO P1 _ IN OP 1 _O UT C C0 кВт

    vco

  • 9.08.2019 HT8970-MN3058

    3/9

    Назначение контактных площадок

    Размер микросхемы: 1790 2215 (мм) 2

    * Подложка IC должна быть подключена к VSS на печатной плате макет.

    Координаты площадки Единицы: мм

    Номер контактной площадкиXY Pad No. XY

    1 -698,00 701,70 9 652,85 -945,30

    2-669,25 -614,45 10 720,20 882,55

    3 -669,25 -762,85 11 571,80 882,55

    4-669,25 -945,305 1355 -945,305 12 423,40 275,00 882,55

    6-140,05 -945,30 14-77,60 877,60

    7123,65 -945,30 15-306,55 849,95

    8 389,15 -945,30 16-560,95 737,70

    HT8970

    1 0003

    3

    4 5 6 7 8 9

    1 01 11 21 31 41 5

    1 6

    (0,0)

    DGND

    OSC_O

    VCO

    CC1OP2_

    OUT

    IN

    OP1_

    IN

    OP1_

    OUT

    CC0

    LPF2_IN

    LPF2_OUT

    LPF1_OUT

    LPF1_IN

    1

    VCC 4

    4/9

    Описание прокладки

    No.Название контактной площадки I / O Внутренний

    Соединение Описание

    1 DGND I Цифровое заземление

    2 OSC_O O Выход системного генератора

    3 VCO I

    Вход системного генератора, системная частота

    регулируемый контакт

    4 CC1 Контроль тока 1

    5 CC0 Управление током 0

    6 OP1_OUT O OP1 выход

    7 OP1_IN I OP1 вход

    8 OP2_IN I OP2 вход

    9 OP2_OUT O OP2 выход

    10 LPF2_IN I Фильтр нижних частот 2 входа 9000 проход 4

    11 LPF2_ 2 выхода

    12 LPF1_OUT O Фильтр нижних частот 1 выход

    13 LPF1_IN I Фильтр нижних частот 1 вход

    14 VCC I Аналоговый и положительный источник питания

    15 REF I Аналоговое опорное напряжение

    16 AGND I Аналоговое заземление

    Абсолютное Максимальные характеристики

    Напряжение питания……………………………- от 0,3 В до 6 В Температура хранения ……….. ……- от 50C до 125C

    Входное напряжение …………….. от VSS-0,3V до VDD + 0,3V Рабочая температура …….. ……- от 20 ° C до 70 ° C

    Примечание: это только номинальные нагрузки. Напряжения, превышающие диапазон, указанный в разделе «Абсолютные максимальные рейтинги», могут привести к значительному повреждению устройства. Функциональная работа этого устройства

    в других условиях, выходящих за рамки перечисленных в спецификации, не подразумевается, и продолжительная эксплуатация

    в экстремальных условиях может повлиять на надежность устройства.

    HT8970

    4 14 марта 2000 г.

  • 8/9/2019 HT8970-MN3058

    5/9

    Электрические характеристики Ta = 25C ​​

    Символ Параметр Условия тестирования

    Мин. Тип. Максимум. Условия UnitVDD

    Рабочее напряжение VCC 4,5 5,0 5,5 В

    Рабочий ток ICC 5 В 15 30 мА

    GV Усиление напряжения 5 В RL = 47 кВт -0,9 2,5 дБ Максимальное выходное напряжение VOMAX 5 В THD = 10% 0,9 1,8 Vrms

    THD Общее гармоническое искажение 5V 30 кГц L.ПФ. 0,7 1,5%

    NO Выходное шумовое напряжение 5 В DIN Audio -85-60 дБВ

    PSRR Подавление источника питания

    Коэффициент 5V

    DVCC = -20 дБВ

    (0,1 В среднекв.)

    f = 100 Гц

    -40-30 дБ

    HT8970

    5 14 марта 2000 г.

    Функциональное описание

    HT8970 — это генератор эффекта эха / объемного звука

    tor со встроенной SRAM объемом 20 Кбайт. Он обеспечивает низкий уровень искажений, а также низкий уровень шума для обработки задержки аудиосигнала

    .Микросхема обеспечивает два режима воспроизведения

    (эхо и объемное звучание), а функциональные блок-схемы

    воспроизведения показаны ниже.

    Режим объемного звучания

    Режим эха

    LP F1 A / D Delay D / A LP F2VIN

    VOUT

    L PF 1 A / D Delay D / AL PF 2VIN VOUT

  • 8/9/2019 HT8970- MN3058

    6/9

    HT8970

    6 14 марта 2000 г.

    ROSC-fOSC-Delay_time-Distortion Cross table

    ROSC 49.8 38,3 31,9 26,77 23,3 20,54 18,08 кВт

    fOSC 2M 2,5M 3M 3,5M 4M 4,5 нм 5M МГц

    Td 327,6 262 218,4 187,2 163,8 145,6 131 мс

    THD 1,6 1,3 1,0 0,72 0,7 0,64 0,5%

    14.9C8 16 11,97 11 9,99 9,22 кВт

    fOSC 5,5M 6M 6,5M 7M 7,5M 8M 8,5M МГц

    Td 119,1 109,2 100,8 93,6 87,36 81,89 77,08 мс

    THD 0,47 0,38 0,36 0,35 0,3 0,29 0,28%

    ROSC 8,5 7,54 6.66 6,12 5,5 4,85 4,4 кВт

    fOSC 9M 10M 11M 12M 13M 14M 15M МГц

    Td 72,79 65,52 59,56 54,59 50,39 46,79 43,68 мс

    THD 0,25 0,245 0,23 0,22 0,19 0,185 0,165%

    4 2,98 2,98 2,98 ROSC 2,98 2,98 2,92

    fOSC 16M 17M 18M 19M 20M 21M 22M MHz

    Td 40,94 38,54 36,39 34,48 32,75 31,19 29,78 мс

    THD 0,165 0,15 0,14 0,14 0,13 0,12 0,11%

  • 8/9/2019 3 HT8970-M

    Цепи приложений

    Режим эхо

    Примечание: Аналоговое заземление,: Цифровое заземление

    HT8970

    7 14 марта 2000 г.

    VCC

    REF

    AGND4.7mF

    1

    2

    3

    DGND

    OSC_O

    VCO

    CC1

    4

    5

    6

    7

    004

    CC08 м

    LPF1_IN

    LPF1_OUT560pF

    1 0 кВт

    1 2 кВт

    1 6

    1 5

    4. 7mF

    5600pF 1 5 кВт 4. 7mF4

    Выходная мощность

    1 0 мФ

    1 5 кВт

    LPF2_OUT

    LPF2_IN

    560pF

    1 5 кВт

    1 0 кВт

    1 4

    1 35603_000 OP4000

    9000 3000 OP4000

    000

    000

    000

    000

    000

    000

    000

    000

    000

    1 10.047mF

    OP1_IN

    OP1_OUT

    0,047mF

    1 0

    9

    5V

    R20kW

    4. 7mF

    39pF

    000 9604000

    000 9604000

    0003 47kW

    3

    2

    20 кВт

    9V4,7 кВт

    47 кВт

    4,7 кВт

    1 00mF

    1 кВт1 mF

    4,7 кВт

    1 кВт4,70003

    4.7 кВт

    HT8970

    0. 1 мФ

  • 8/9/2019 HT8970-MN3058

    8/9

    Режим объемного звучания

    Примечание: аналоговое заземление,: цифровое заземление

    HT8970

    8 марта , 2000

    VCC

    REF

    AGND4. 7mF

    1

    2

    3

    DGND

    OSC_O

    VCO

    CC1

    4

    5

    6

    7

    004

    CC08.1 мФ

    0. 1 мФ

    LPF1_IN

    LPF1_OUT

    560pF

    1 0kW1 6

    1 5

    5600pF 1 5kW 4. 7mF

    0004000 LPF

    000 LPF

    000

    000

    560pF

    1 2 кВт

    1 0 кВт

    1 4

    1 3

    560pF

    OP2_OUT

    OP2_IN

    1 5 кВт

    _IN

    1 5 кВт

    _IN

    1 5 кВт

    _3 1 2

    047mF

    1 0

    9

    5V

    R20kW

    4. 7mF

    39pF

    47kW

    22mF

    560W

    4

    000

    000

    0004000 3

    9V4,7 кВт

    47 кВт

    4,7 кВт

    1 00mF

    1 кВт1mF

    4,7 кВт

    1 кВт0,68mF

    4,7 кВт

    MIC 4558

    HT89 5

    3 кВт

  • 9.08.2019 HT8970-MN3058

    9/9

    HT8970

    9 14 марта 2000 г.

    Авторские права 2000 HOLTEK SEMICONDUCTOR INC.

    Считается, что информация, представленная в этом листе данных, верна на момент публикации. Однако Holtek не несет ответственности за использование описанных спецификаций. Упомянутые здесь приложения используются исключительно в целях иллюстрации, и Holtek не дает никаких гарантий или заверений, что такие приложения будут подходить без дальнейших изменений, а также не рекомендует использовать свои продукты для приложений, которые могут представлять риск для жизни человека из-за неисправности или иным образом. .Holtek оставляет за собой право вносить изменения в свою продукцию без предварительного уведомления. Для получения самой последней информации посетите наш веб-сайт http://www.holtek.com.tw.

    Holtek Semiconductor Inc. (головной офис) № 3 Creation Rd. II, Научно-промышленный парк, Синьчжу, Тайвань, ROC Тел .: 886-3-563-1999 Факс: 886-3-563-1189

    Holtek Semiconductor Inc. (Тайбэйский офис) 5F, № 576, Секция 7 Чунг Hsiao E. Rd., Тайбэй, Тайвань, ROC Тел .: 886-2-2782-9635

    Факс: 886-2-2782-9636 Факс: 886-2-2782-7128 (горячая линия по международным продажам)

    Holtek Semiconductor (Гонконг) Kong) Ltd.RM.711, Tower 2, Cheung Sha Wan Plaza, 833 Cheung Sha Wan Rd., Kowloon, Hong Kong Тел .: 852-2-745-8288 Факс: 852-2-742-8657

  • Pobierz plik HT8970-1.pdf z тема Echo do celw muzycznych [HT8955]

    Echo do celw muzycznych [HT8955]

    a czy koledzy elektrodowicze maja jakies zdanie na temat ukladu HT8970? w AVT wycofali T62M0002 a jako zamiennik podaj HT8970 ale jest on ponad dwa razy drozszy, a opoznienie ma chyba sporo mniejsze … ile takich ukladow trzeba uzyc zeby zbudowac poglos do gitary? w zalaczniku nota tego ukladu

    HT8970
    Voice Echo
    Функции
    ?
    ?
    ?

    ?

    Рабочее напряжение: 4.5 В ~ 5,5 В
    Алгоритм ADM
    Низкий уровень шума
    — Режим эха: -85 дБ
    — Режим объемного звука: -90 дБ
    Низкий уровень искажений
    — Режим эха: 1%
    — Режим объемного звука: 0,2%

    ?
    ?
    ?

    Встроенная SRAM 20 КБ
    Функция автоматического сброса
    Тип корпуса: 16-контактный DIP / SOP

    ?
    ?

    Проигрыватель видеодисков
    Звуковое оборудование

    Приложения
    ?
    ?

    Телевидение
    Караоке-системы

    Общее описание
    Его встроенная SRAM 20 Кбайт может генерировать эффект времени задержки
    и может управлять значением времени задержки
    через внешний резистор ГУН.

    HT8970 — это процессор эффектов эха / объемного звучания.
    Он разработан для различных аудиосистем, включая караоке
    , телевидение, звуковое оборудование и т. Д. Микросхема
    состоит из встроенного предусилителя, ГУН или контроллера напряжения
    OSC, 20 Кб SRAM, A / D и D / A
    преобразователи, а также логика управления временем задержки.

    Схема VCO позволяет уменьшить количество внешних компонентов и упростить регулировку времени задержки.

    1

    14 марта 2000 г.

    HT8970
    Блок-схема
    L P F 1 _ IN

    LPF1_O U T

    LPF2_O U T

    L P F 2 _ IN

    O P2_O UT 40004

    7 кВт
    COMP

    OP 2 _ IN

    OP 1 _ IN

    4,7 кВт

    O P1_O UT

    CC0

    CC1

    MOD
    DEM

    LPF2

    LPF 2 VCC
    AUTO
    RESET

    REF

    VCC

    DO0

    DI
    MO

    AGND

    MI

    2 0 КБ его RAM

    DGND

    DO1

    DGND

    DO1 CL SC _O

    vco

    Назначение контактов
    VCC

    1

    16

    LPF 1 _ IN

    REF

    2

    15

    LPF1_O UT

    0003

    000 3 AGND 14000 3

    DGND

    4

    13

    LPF 2 _ IN

    O SC_O

    5

    12

    O P2_O UT

    VCO

    6

    11

    _

    OP 2 0003

    OP 20003 7

    10

    OP 1 _ IN

    CC0

    8

    9

    O P1_O UT

    H T8970
    1 6 D IP / SOP

    2

    HT Назначение

    04


    REF

    LPF 1 _ IN

    LPF1_O UT

    LPF2_O UT

    LPF 2 _ IN

    DGND

    VCC

    AGND

    15

    14

    16
    1

    (0, 0)

    2

    O SC _O

    5

    6
    7

    8

    9

    OP 2 _ IN

    O P2_O UT

    1 _ IN

    CC1

    O P1_O UT

    3

    CC0

    VCO

    2

    Размер микросхемы: 1790 2215 (мм)

    * Подложка IC должна быть подключена к VSS на макете печатной платы.

    Координаты площадки

    Единицы: мм

    Номер площадки

    X

    Y

    Номер площадки

    X

    Y

    1

    -698,00

    701,70

    945,30

    2

    -669,25

    -614,45

    10

    720,20

    882,55

    3

    -669,25

    -762,85

    11

    0009

    0009

    000925

    -945,30

    12

    423,40

    882,55

    5

    -405,55

    -945,30

    13

    275,00

    882,55

    0003

    0004

    882,55

    0004 -77.60

    877.60

    7

    123,65

    -945,30

    15

    -306,55

    849,95

    8

    389,15

    04,

    95

    737,70

    3

    14 марта 2000 г.

    HT8970
    Описание контактной площадки
    № контактной площадки

    Имя контактной площадки

    I / O

    Внутреннее соединение

    Описание

    1 9ND0004

    DG000

    3/4

    Цифровое заземление

    2

    OSC_O

    O

    3/4

    Выход системного генератора

    3

    VCO

    I

    3/4

    Вход системного генератора 903, системная частота регулируемый штифт

    4

    CC1

    3/4

    3/4

    Управление током 1

    5

    CC0

    3/4

    3/4

    Управление током 0

    6

    OP1

    O

    3/4

    Выход OP1

    7

    OP1_IN

    I

    3/4

    Вход OP1

    8

    OP2_IN

    I 900 04

    3/4

    Вход OP2

    9

    OP2_OUT

    O

    3/4

    Выход OP2

    10

    LPF2_IN

    I

    3/4

    Фильтр низких частот 2

    Вход

    11

    LPF2_OUT

    O

    3/4

    Выход фильтра нижних частот 2

    12

    LPF1_OUT

    O

    3/4

    Фильтр нижних частот 1 выход

    13

    3/4

    Фильтр нижних частот 1 вход

    14

    VCC

    I

    3/4

    Аналоговый и положительный источник питания

    15

    REF

    I

    3/4

    Аналоговое задание напряжение

    16

    AGND

    I

    3/4

    Аналоговое заземление

    Абсолютные максимальные характеристики
    Напряжение питания……………………………- от 0,3 В до 6 В

    Температура хранения ……… …….- от 50C до 125C

    Входное напряжение …………….. от VSS-0,3V до VDD + 0,3V

    Рабочая температура ….. ………- от 20 ° C до 70 ° C

    Примечание. Это только номинальные нагрузки. Напряжения, превышающие диапазон, указанный в разделе «Абсолютные максимальные рейтинги». может привести к значительному повреждению устройства. Функциональная работа этого устройства
    в других условиях, отличных от перечисленных в спецификации, не подразумевается, и продолжительное воздействие экстремальных условий может повлиять на надежность устройства.

    4

    14 марта 2000 г.

    HT8970
    Электрические характеристики
    Символ

    Ta = 25C ​​
    Условия испытаний

    Параметр

    VDD

    Мин.

    Условия

    Тип.

    Макс.

    Агрегат

    VCC

    Рабочее напряжение

    3/4

    3/4

    4,5

    5,0

    5,5

    В

    ICC

    Рабочий ток

    5V3

    / 4

    15

    30

    мА

    GV

    Коэффициент усиления напряжения

    5V

    RL = 47 кВт

    3/4

    -0.9

    2,5

    дБ

    VOMAX

    Максимальное выходное напряжение

    5 В

    THD = 10%

    0,9

    1,8

    3/4

    В ср.

    30 кГц ФНЧ

    3/4

    0,7

    1,5

    %

    NO

    Выходное шумовое напряжение

    5 В

    DIN Audio

    3/4

    -85

    -60

    0003 дБВ

    Отклонение источника питания
    Коэффициент

    5V

    DVCC = -20dBV
    (0.1Vrms)
    f = 100 Гц

    3/4

    -40

    -30

    дБ

    Функциональное описание
    ? Echo mode

    HT8970 — это генератор эффекта эха / объемного звука со встроенной SRAM объемом 20 Кбайт. Он обеспечивает низкое искажение
    , а также низкий уровень шума для обработки задержки аудиосигнала
    . Микросхема обеспечивает два режима воспроизведения (эхо и объемное), и функциональные блок-схемы воспроизведения
    показаны ниже.

    В
    В

    ВХОД

    LPF1

    A / D

    OUT

    Д а л ь и

    D / A

    LPF2

    ? Режим объемного звучания
    V

    IN

    LPF1

    A / D

    D e la y

    D / A

    LPF2

    V

    OUT

    5

    HTOS 14 марта 2000

    04 fOSC-Delay_time-Distortion Cross table
    ROSC

    49.8

    38,3

    31,9

    26,77

    23,3

    20,54

    18,08

    кВт

    fOSC

    2M

    2.5M

    3M

    000

    000

    000

    0004

    МГц

    Td

    327,6

    262

    218,4

    187,2

    163,8

    145,6

    131

    мс

    THD

    1,6

    0

    0,72

    0,7

    0,64

    0,5

    %

    ROSC

    16.07

    14.29

    12.98

    11.97

    11

    000

    000

    6M

    6.5M

    7M

    7.5M

    8M

    8.5M

    МГц

    Td

    119,1

    109,2

    100,8

    93,636

    81,89

    77,08

    мс

    THD

    0,47

    0,38

    0,36

    0,35

    0,3

    0,29

    0,28

    6,12

    5,5

    4,85

    4,4

    кВт

    fOSC

    9M

    10M

    11M

    12M

    13M

    14M30004

    0003

    000379

    65,52

    59,56

    54,59

    50,39

    46,79

    43,68

    мс

    THD

    0,25

    0,245

    0,23 0,1000

    0,23

  • 0009

    ROSC

    3,98

    3,64

    3,26

    2,92

    2,69

    2,48

    2,28

    кВт

    fOSC

    16M

    17M

    000

    17M

    000

    9000

    МГц

    Td

    40.94

    38,54

    36,39

    34,48

    32,75

    31,19

    29,78

    мс

    THD

    0,165

    0,15

    0,14

    000

    0003

    6

    14 марта 2000 г.

    HT8970
    Цепи приложений
    Режим эха
    0,6 8 м F

    1 мФ

    1 кВт

    9V

    1 кВт
    3

    M IC4

    M IC4
    2

    4.7 кВт

    4,7 кВт

    0,1 м F

    VCC
    2

    100 мФ

    5600 пФ

    3

    15

    LPF1_O UT

    AGND4 9773 4

    LPF4

    _ IN

    REF

    4,7 м F

    VCO

    10 мФ

    14
    13

    O P2_O UT
    7

    12

    CC1
    8

    10mF

    u0004

    0 .0 3 3 м F

    LPF 2 _ IN

    0.1 м F

    4,7 кВт W

    O SC _O
    6

    R

    100 кВт

    4,7 м F

    560pF
    13 кВт

    LPF2_O UT

    0,

    м F

    0,

    м F

    0,

    м F

    4,7 м F

    15 кВт

    12 кВт

    DGND
    5

    20 кВт

    39pF

    4,7 кВт

    1

    5V

    20 кВт

    20кВт W

    9V

    4

    560W

    100mF

    4.7 м F
    1

    4558

    560pF

    560pF

    10кВт
    15кВт

    11

    OP 2 _ IN

    CC0

    15kW

    OP

    OP

    OP

    OP

    OP

    3

    0.

    10
    9

    O P1_O UT

    0, 0 4 7 м F

    HT8970
    Примечание:

    : аналоговое заземление,

    : цифровое заземление

    7

    14 марта 2000 г.

    HT8970
    Режим объемного звучания
    0,6 8 м F

    1 мФ

    1 кВт

    9V

    1 кВт
    3

    M IC
    2

    8

    47 кВт

    4.7 кВт

    4,7 кВт

    20 кВт
    47 кВт

    22mF

    4,7 кВт

    9V

    4

    560 Вт

    100mF

    4,7 45000

    1 7 454


    39pF
    5600pF

    4,7 кВт

    15 кВт

    4,7 м F
    100 кВт

    1

    5V
    0,1 м F

    VCC
    2

    000 30003 40007 9779 м F

    560pF

    AGND
    4

    15

    LPF1_O UT

    DGND
    5

    20 кВт

    16

    LPF 1 _ IN

    O SC _O

    LPF 2 _ IN

    12

    CC1
    8

    0.1 м F

    13

    O P2_O UT
    7

    11

    OP 1 _ IN
    O P1_O UT

    560pF
    10 кВт

    3 кВт

    74

    O u tp ut

    150003 150003 OP 2 _ IN

    CC0

    10 мФ

    14

    LPF2_O UT

    0,1 м F

    10 кВт

    0,0 4 7 м F

    9

    10
    0 .0 4 7 м

    HT8970

    Примечание:

    : Аналоговое заземление,

    : Цифровое заземление

    8

    14 марта 2000 г.

    HT8970

    Holtek Semiconductor Inc.(Штаб-квартира)
    № 3, Creation Rd. II, Научный парк, Синьчжу, Тайвань,
    Тел .: 886-3-563-1999
    Факс: 886-3-563-1189
    http://www.holtek.com.tw
    Holtek Semiconductor Inc. (Офис продаж в Тайбэе)
    4F-2, No. 3-2, YuanQu St., Nankang Software Park, Тайбэй 115, Тайвань
    Тел .: 886-2-2655-7070
    Факс: 886-2-2655-7373
    Факс: 886-2- 2655-7383 (горячая линия по международным продажам)
    Holtek Semiconductor Inc. (Офис продаж в Шанхае)
    7-й этаж, корпус 2, № 889, Yi Shan Rd., Шанхай, Китай 200233
    Тел .: 021-6485-5560
    Факс: 021-6485-0313
    http://www.holtek.com.cn
    Holtek Semiconductor Inc. (Офис продаж в Шэньчжэне)
    43F, SEG Plaza, Shen Nan Zhong Road, Шэньчжэнь, Китай 518031
    Тел .: 0755-8346-5589
    Факс: 0755-8346-5590
    ISDN: 0755-8346-5591
    Holtek Semiconductor Inc. (Офис продаж в Пекине)
    Suite 1721, Jinyu Tower, A129 West Xuan Wu Men Street, Xicheng District, Пекин, Китай, 100031
    Тел .: 010-6641-0030, 6641-7751, 6641-7752
    Факс: 010-6641-0125
    Holmate Semiconductor, Inc.(Офис продаж в Северной Америке)
    46712 Fremont Blvd., Fremont, CA


    Тел .: 510-252-9880
    Факс: 510-252-9885
    http://www.holmate.com
    Авторские права 2000 принадлежат HOLTEK SEMICONDUCTOR INC.
    Считается, что информация, представленная в этом листе данных, верна на момент публикации. Однако Holtek
    не несет ответственности за использование описанных спецификаций. Упомянутые здесь приложения
    используются исключительно в целях иллюстрации, и Holtek не дает никаких гарантий или заверений, что такие приложения
    будут подходить без дальнейших изменений, а также не рекомендует использовать свои продукты для приложений, которые могут представлять риск для жизни человека из-за неисправность или иное.Продукция Holtek не авторизована для использования в качестве критически важных компонентов устройств или систем жизнеобеспечения. Holtek оставляет за собой право вносить изменения в свою продукцию без предварительного уведомления.
    Для получения самой последней информации посетите наш веб-сайт http://www.holtek.com.tw.

    9

    14 марта 2000


    Pobierz plik — ссылка на пост покомпонентное изображение список деталей 8-10 список электрических деталей 11-19 принципиальная схема 20-23 печатная плата схема 24-28 блок-схема ic 29-34 сервис ману…

  • Page 2

    Нормальный предел части микшера общих характеристик * максимальное усиление напряжения; микрофонный вход на монитор l / r 62 ± 3 дБм; микрофонный вход на монитор l / r (микрофон / линия внутри) 32 ± 3 дБм; микрофон вход на усиление (микрофон / линия внутри, ограничитель только светится) 58 ± 3 дБм; моно линейный вход на монитор l / r 20 ± 3 дБм; st линейный вход на монитор l / r 28 ± 3 дБм; моно микрофон …

  • Страница 3: Примечание:

    Нормальный предел общих характеристик * остаточный шум (20 кГц lpf, avg) a) входной, выходной уровень vr минимальный выход монитора менее -90 дБм b) только монитор vr максимальный выход монитора менее -70 дБм * перекрестные помехи (уровень канала vr и монитор vr нормальный, выход 20 дБм, частота 1 кГц, 80 кГц lpf) ch vs ch менее -67 дБ inp…

  • Страница 4

    Блок-схема 3.

  • Страница 5

    Вид упаковки 4.

  • Страница 6

    Вид упаковки Список деталей исх. Описание номер детали. Кол-во примечание 1 подарочная коробка 507-xp308i-3054 1 2 подушки 506-xp308i-541 2 3 мешка из полиэтилена 505-xpl100-200 1 4 в сборе i / b 701-xp308i-4503 1 коробка из 5 507-xp308i -3084 1 Подушка 6 506-xp308i-562 1 Сумка 7 epe 509-xp308i-260 2 8 himilon 612-xp308i-336 2 Лист 9 epe …

  • Страница 7

    Схема соединений точка-точка 101102 2 power & amp pcb 1 dc fan i’pod input pcb power sw ac input jack pcb 4 3 1 4 5 an 3 and an 4 an 1 and an 2 output pcb 5 6.

  • Страница 8

    Покомпонентное изображение 7.

  • Страница 9

    Покомпонентное изображение Список деталей исх. Описание номер детали. Кол-во примечание 1 нажимная ручка 100-l2400-2569 10 2 ручки управления (b) 100-xm610-2217 21 3 колпачка ручки (белая) 100-xm610wht-2218a 7 4 колпачка ручки (красная) 100-xm610red-2218a 1 5 колпачок ручки (синий) 100-xm610blu-2218a 1 6 колпачок ручки (скользящий) 100-xm610sil-2218a 12 7 вставка 501-stag …

  • Page 10

    Покомпонентное изображение список деталей арт. Описание номер детали.Кол-во примечание 44 samson logo 501-xp308i-2205 2 45 шейка ручки 100-xp308i-2649 10 46 шайба 606-lc58fa-130 4 47 зубчатая шайба 606-f200-002 1 48 гайка 601-f200-001 1 49 хлопок 509 -xp308i-252 2 50 eva 612-xp308i-322 1 51 eva 612-xpl200-293 6 52 eva 612-xp30 …

  • Page 11

    Покомпонентный вид списка деталей арт. Описание номер детали. Кол-во примечание винт s13 ttb3 * 10 602-xm610-522 14 винт s15 m2,6 * 4 602-mk7-134 8 винт s16 m2,6 * 4 602-b600-086 4 винт s17 m3 * 14 602-sa12- 381 3 винт s18 tta4 * 15 602-tta4015-671 20 s19 винт m4 * 8 602-sx1200-543 1 винт s20 (stf, 3 * 12) 602-4-560 8 s21 s…

  • Page 12

    Перечень деталей платы смесителя в сборе исх. Описание номер детали. Кол-во примечание печатная плата смесителя 704-xp308i-8285 1 опора (латунь) 200-l1200-589 5 sw1, sw2, sw3, sw4, sw 5, sw6, sw7, sw8, sw9, s w10 push sw (spph3 -001-e) 403-xm910-203 Разъем 10 wa1 7p (ckm2501wv-7p 180 ° белый) 404-dv300-507a 1 cn4 7p con в сборе (p = 2,0 мм l = 350 мм …

  • Страница 13

    Печатная плата смесителя Список деталей в сборе № Описание № детали Кол-во примечание r11e, r11f, r16f, r17f, r18 f, r18h, r20a, r20b, r20c, r 20d, r20g, r21a, r21b, r21 c, r21d, r22a, r22b, r22c, r22d, r2g, r3e, r3f, r3g, r 44h, r4e, r4f, r5e, r5f, r9 g, r12f, r13e, r13f, r14e, r 14f, r16a, r16b, r16c , r16 d, r17a, r17b, r17c, r17d, r18a, r18b, r18c, r18d, r7…

  • Page 14

    Перечень деталей на печатной плате смесителя в сборе, исх. Описание номер детали. Кол-во примечаний r9a, r9b, r9c, r9d, r10a, r 10b, r10c, r10d чипрезистор (1,8 кОм, 1/8 Вт, f, 0805,150 в, tp) 412-xp308i-1380 8 r11a, r11b, r11c, r11d , r1 2a, r12b, r12c, r12d чипрезистор (3,9 кОм, 1 / 8w, f, 0805,150v, tp) 412-xp308i-1381 8 r13a, r13b, r13c, r13d, r1 4a, r14b, r14c …

  • Page 15

    Перечень деталей на печатной плате смесителя в сборе, исх. Описание номер детали. Кол-во примечание u17 ic (tl072c / cd oa2 jfet so8 sgs) 417-ace-781 1 u1, u5, u16, u12, u8, u1b, u1 c, u13, u15, u1d, u3, u11, u7, u6, u4, u14, u19 ic (njm-4580m-te2, sop-8) 417-st150-599 17 ic4 voice echo ic (ht8970 sop-16 holtek) 417-xp308i-927 1 резистор предохранителя r73h (47…

  • Page 16

    Список частей блока питания и платы усилителя, исх. Описание номер детали. Кол-во примечание power & amp pcb ass’y 704-xp308i-8286 1 разъем wa4 7p (p = 2,0 мм, jae) 404-cdn34a-702 1 разъем wa5 2p (ckm2001wv-2p, 180 ° белый) 404-hp1010k-257a 1 гнездо cn2 3p (ckm3962wv-3p, 180 ° whtie pin2 nc) 404-q2131-2218 1 cn101, cn102, цоколь wa1 2p (…

  • Страница 17

    Список частей блока питания и усилителя, исх. № Описание номер детали Кол-во примечание Q8 MOSFET (p-канал ap9435gj to-251 apec) 416-xp308i-353 1 pc1, pc2, pc3 ic (pc817c dip-4) 417-tst4-806 3 u2 переходный режим pfc ic (l6562n dip8 st) 417-xp308i-929 1 u4 маломощный smps ic (viper22a dip8 st) 417-xp308i-930 предохранитель 1 f1 c…

  • Page 18

    Список частей блока питания и платы усилителя, исх. Описание номер детали. Кол-во примечание c117, c118, c159, c160, c18 7, c189, c190, c191 керамический конденсатор (220 пФ / 50 В, k, лента, y5p) 413-3113-032 8 c22, c33 эл. Конденсатор (1 мкФ / 50 В, м, 105 ℃, изоляция 5 * 11) (cd, pb, hg, cr) 413-3113-049 2 c16, c29, c34 эл. Конденсатор (22 мкФ / 50 В, м, 105 ℃, отводной …

  • Page 19

    Список частей блока питания и платы усилителя, ссылочный номер Описание номер детали Кол-во примечание стабилитрон zd4 (1n5245,1 / 2w, t = 26 мм, кембридж) 414-xp308i-282 1 l101, l102, l106 сердечник (tb36-863445np t-26mm) 415-hv3500k-090 3 для микросхемы d2 q3 v3 и радиатора в сборе 704-xp308i- 8287 1 сверхбыстрый диод d2 (stth5l06fp to-220fpac st) 414…

  • Page 20

    Вход и выход динамика и вход i’pod pcb список деталей в сборе исх. № Описание номер детали. Кол-во примечание печатная плата входа динамика 704-xp308i-8347 1 an101 и an102 2p 3.96 con ass’y 404-xp308i-3267 1 плата входного разъема spk (cem-1, t = 1,6 мм 130 * 97 мм) 405-xp308i- 2399 1 c101 керамический конденсатор (2200pf / 50v, k, лента, y5p) 413 …

  • Page 25

    Блок-схема IC 417-ace-781 ic (tl072c / cd oa2 jfet so8 sgs) 417-xm910- 779 ic (ka2284b) 29.

  • Page 26

    Блок-схема Ic 417-tst4-806 ic (pc817c dip-4) 417-xp308i-927 voice echo ic (ht8970 sop-16 holtek) 30

  • Page 27

    Блок-схема IC 417-xp308i-928 микросхема smps (ka1m0880b to-3p-5l fairchild) 417-xp308i-929 микросхема pfc в переходном режиме (l6562n dip8 st) 417-xp308i-930 микросхема smps с низким энергопотреблением (viper22a dip8 st) 31.

  • Page 28: Tda8920B

    Philips semiconductors tda8920b блок-схема Номера контактов в скобках относятся к tda8920bj.Блок-схема. Coa023 out1 v ssp1 v ddp2 driver high out2 boot2 tda8920bth (tda8920bj) boot1 driver low release1 switch2 enable1 control and handshake pwm modulator manager датчик температуры генератора …

  • страницы должны быть правильно повернуты при просмотре PDF-файлов в Acrobat Reader. Этот текст здесь _ белым, чтобы страницы с альбомной ориентацией были повернуты правильно при просмотре PDF-файлов в Acrobat Reader.Этот текст находится здесь в этом тексте i …

  • Page 30

    Блок-схема Ic Блок-схема IC.

  • Holtek Semiconductor Inc HT93LC66 Лист данных

    HT93LC66

    4K 3-проводная CMOS последовательная EEPROM

    Характеристики

    ∙ Рабочее напряжение VCC

    –Чтение: 2,0 ~ 5,5 В

    –Запись: 2,4 В ~ 5,5 В

    ∙ Низкое энергопотребление

    –Рабочий: 5 мА макс.

    –Режим ожидания: 10 мкА макс.

    ∙ Выбираемая пользователем внутренняя организация

    –4K (HT93LC66): 512 × 8 или 256 × 16

    ∙ 3-проводный последовательный интерфейс

    ∙ Время цикла записи: макс. 5 мс.

    ∙ Автоматическая операция стирания перед записью

    ∙ Операция стирания и записи слова / чипа

    ∙ Операция записи со встроенным таймером

    ∙ Программно управляемая защита от записи

    ∙ 10 лет хранения данных после 100 000 циклов перезаписи

    ∙ 106 циклов перезаписи на слово

    ∙ 8-контактный DIP / SOP корпус

    ∙ Промышленный температурный диапазон (от 0 ° C до + 70 ° C)

    Общее описание

    HT93LC66 — это низковольтное энергонезависимое, последовательное электрически стираемое программируемое запоминающее устройство только для чтения с низким напряжением, использующее процесс CMOS с плавающим затвором.Его 4096 бит памяти организованы в 256 слов по 16 бит в каждом, когда вывод ORG подключен к VCC, или организован в 512 слов по 8 бит каждое, когда он привязан к VSS.

    Устройство

    оптимизировано для использования во многих промышленных и коммерческих приложениях, где необходимы низкое энергопотребление и низкое напряжение. Популярный микроконтроллер позволяет легко управлять универсальным последовательным интерфейсом, включая выбор микросхемы (CS), последовательные часы (SK), ввод данных (DI) и вывод данных (DO).

    HT93LC66

    Абсолютные максимальные рейтинги

    Рабочая температура (коммерческая)…………………………………………… ………………………….

    от 0 ° C до 70 ° C

    Приложенное напряжение VCC по отношению к VSS ………………………………… …………………………….

    –0,3–6,0 В

    Напряжение, приложенное к любому выводу в соответствии с VSS ………………………………. …………………..

    ВСС – 0.От 3 В до VCC + 0,3 В

    Напряжение считывания питания ……………………………………. ………………………………………….. ……………..

    2–5,5 В

    Примечание. Это только рейтинги напряжений. Напряжения, превышающие диапазон, указанный в «Абсолютных максимальных номинальных значениях», могут привести к значительному повреждению устройства. Функциональная работа этого устройства в других условиях, помимо перечисленных в спецификации, не подразумевается, и продолжительное воздействие экстремальных условий может повлиять на надежность устройства.

    D.C. Характеристики

    Символ

    Параметр

    Условия испытаний

    Мин.

    Тип.

    Макс.

    Блок

    VCC

    Условия

    VCC

    Рабочее напряжение

    Читать

    2.0

    5,5

    В

    Запись

    2,4

    5,5

    В

    ICC1

    Рабочий ток

    5 В

    DO разгрузка, SK = 1 МГц

    5

    мА

    (TTL)

    ICC2

    Рабочий ток

    5 В

    DO разгрузка, SK = 1 МГц

    5

    мА

    (CMOS)

    2 ~ 5.5В

    DO разгрузка, SK = 250 кГц

    5

    мА

    ISTB

    Ток в режиме ожидания

    5 В

    CS = SK = DI = 0 В

    10

    мкА

    (CMOS)

    ИЛИ

    Входной ток утечки

    5 В

    VIN = VSS ~ VCC

    0

    1

    мкА

    МОТ

    Утечка на выходе

    5 В

    VOUT = VSS ~ VCC

    0

    1

    мкА

    Текущий

    CS = 0 В

    ВИЛ

    Низкое напряжение на входе

    5 В

    0

    0.8

    В

    2 ~ 5,5 В

    0

    0,1VCC

    В

    VIH

    Входное высокое напряжение

    5 В

    2

    VCC

    В

    2 ~ 5.5В

    0.9VCC

    VCC

    В

    ТОМ

    Низкое напряжение на выходе

    5 В

    ИОЛ = 2.1 мА

    0,4

    В

    2 ~ 5,5 В

    ИОЛ = 10 мкА

    0.2

    В

    VOH

    Высокое напряжение на выходе

    5 В

    IOH = –400 мкА

    2.4

    В

    2 ~ 5,5 В

    IOH = –10 мкА

    VCC – 0,2

    В

    ЦИН

    Входная емкость

    VIN = 0 В, f = 250 кГц

    5

    пФ

    COUT

    Выходная емкость

    VOUT = 0 В, f = 250 кГц

    5

    пФ

    3

    6 мая ’99

    HT82V Цифро-аналоговый преобразователь бит стерео аудио.Функции. Приложения. Общее описание. Блок-схема. Назначение контактов

    HT71XX-1 30 мА LDO малой мощности

    Характеристики LDO с низким энергопотреблением 30 мА Низкое энергопотребление Низкое падение напряжения Низкий температурный коэффициент Высокое входное напряжение (до 24 В) Точность выходного напряжения: допуск 3% TO-92 Корпус SOT-89 и SOT-25 Приложения

    Дополнительная информация

    HT82V mA Усилитель мощности звука

    Характеристики усилителя звуковой мощности 20 мА Высокое отношение сигнал / шум Высокая скорость нарастания Низкие искажения Большой размах выходного напряжения Отличное подавление пульсаций источника питания Низкое энергопотребление Устранение короткого замыкания

    Дополнительная информация

    Генераторы DTMF HT9200A / HT9200B

    Характеристики генераторов DTMF Рабочее напряжение 2.0 В ~ 5,5 В Последовательный режим для HT9200A Последовательный / параллельный режим для HT9200B Низкий ток в режиме ожидания Низкие общие гармонические искажения Кристаллический или керамический резонатор 3,58 МГц

    Дополнительная информация

    HT12D / HT12F 2 12 декодеров серии

    2 Декодеры серии 12 Характеристики Рабочее напряжение: 2,4 В ~ 12 В Низкое энергопотребление и высокая помехоустойчивость Технология CMOS Низкий ток в режиме ожидания Возможность декодирования 12 бит информации Установка двоичного адреса Получено

    Дополнительная информация

    Энкодеры серии HT6010 / HT6012 / HT

    3 12 Серия энкодеров Характеристики Рабочее напряжение: 2.4 В ~ 12 В Для встроенного генератора требуется всего 5 резисторов Низкая мощность и высокая помехоустойчивость Технология CMOS Простой интерфейс с РЧ- или инфракрасной передачей

    Дополнительная информация

    HT71XX-1 30 мА LDO малой мощности

    Характеристики LDO с низким энергопотреблением 30 мА Низкое энергопотребление Низкое падение напряжения Низкий температурный коэффициент Высокое входное напряжение (до 24 В) Точность выходного напряжения: допуск 3% Корпус TO92, SOT89 и SOT23-5 Приложения

    Дополнительная информация

    Повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный с ЧИМ HT77XXA

    Повышающий DC / DC преобразователь PFM Характеристики Низкое пусковое напряжение: 0.7 В (тип.) Высокая эффективность: 85% (тип.) Высокая точность выходного напряжения: 2,5% Выходное напряжение: 2,7 В, 3,0 В, 3,3 В, 5,0 В Сверхнизкий ток питания I DD

    Дополнительная информация

    Повышающий преобразователь постоянного тока в постоянный с ЧИМ HT77XX

    Повышающий DC / DC преобразователь PFM Характеристики Низкое пусковое напряжение: 0,7 В (тип.), 0,9 В (макс.) Высокая эффективность: 85% (тип.), V OUT 2,7 В Высокая точность выходного напряжения: 2,5% выхода напряжение: 1,8 В, 2,7 В, 3,0 В, 3,3 В, 3,7 В,

    Дополнительная информация

    Декодеры серии HT604L / HT614 / HT

    3 18 Серия декодеров Характеристики Рабочее напряжение: 2.4 В ~ 12 В Низкое энергопотребление и высокая помехоустойчивость Технология CMOS Низкий ток в режиме ожидания Возможность декодирования 18 бит информации 9 ~ 10 адресных контактов 2 ~ 8 данных

    Дополнительная информация

    HT73XX LDO с низким энергопотреблением

    Низкое энергопотребление Характеристики LDO Сверхнизкий ток покоя: 4 А (тип.) Высокое входное напряжение (до 12 В) Выходное напряжение: 1,8 В, 2,5 В, 2,7 В, 3,0 В, 3,3 В, 3,5 В, 5,0 В Точность выходного напряжения: допуск 3% Максимум

    Дополнительная информация

    HT75XX-1 100 мА LDO малой мощности

    Характеристики LDO низкой мощности 100 мА Низкое энергопотребление Низкое падение напряжения Низкий температурный коэффициент Высокое входное напряжение (до 24 В) Высокий выходной ток: 100 мА (P d 250 мВт) Точность выходного напряжения: допуск

    Дополнительная информация

    Детектор тона HT9033 CAS

    Тональный извещатель HT9033 CAS Характеристики Рабочее напряжение 3.5 В ~ 5,5 В Дифференциальный вход Управление выключением питания Обнаружение Bellcore CAS (Тип II) Вход тактовой частоты 3,58 МГц Низкий режим ожидания

    Дополнительная информация

    Кодировщик дистанционного управления HT6026

    Характеристики датчика дистанционного управления Рабочее напряжение: 4 В ~ 18 В Низкий ток в режиме ожидания Низкое энергопотребление и высокая помехоустойчивость Технология CMOS 3 9 различных кодов Области применения Система охранной сигнализации Дымовая и пожарная сигнализация

    Дополнительная информация

    Регулятор напряжения HT71XX-1 30 мА

    Характеристики регулятора напряжения 30 мА Низкое энергопотребление Низкое падение напряжения Низкий температурный коэффициент Высокое входное напряжение (до 24 В) Точность выходного напряжения: допуск 3% TO-92 Корпус SOT-89 и SOT-25 Приложения

    Дополнительная информация

    HT9170B / HT9170D DTMF-приемник

    Характеристики приемника DTMF Рабочее напряжение 2.5 В ~ 5,5 В Минимальное количество внешних компонентов Внешний фильтр не требуется Низкий ток в режиме ожидания (в режиме отключения питания) Отличная производительность Вывод данных с тремя состояниями для MCU

    Дополнительная информация

    HT23C128 CMOS 16K 8-битное ПЗУ с маской

    CMOS 16K8-Bit Mask ROM Характеристики Рабочее напряжение: 2,7 В ~ 5,5 В Низкое энергопотребление Работа: макс. 25 мА. (V CC = 5V 10mA макс. (V CC = 3V Standby: 30A макс. (V CC = 5V 10A max. (V CC = 3V) Время доступа: 150ns макс.

    Дополнительная информация

    HT9170B / HT9170D DTMF-приемник

    Характеристики приемника DTMF Рабочее напряжение 2,5 В ~ 5,5 В Минимальное количество внешних компонентов Внешний фильтр не требуется Низкий ток в режиме ожидания (в режиме отключения питания) Отличная производительность Вывод данных с тремя состояниями для MCU

    Дополнительная информация

    BS801B / 02B / 04B / 06B / 08B Сенсорная клавиша

    Основные характеристики Рабочее напряжение: 22 В ~ 55 В Сверхнизкий ток в режиме ожидания: 15 А при 3 В Автоматическая калибровка Высокая надежность обнаружения касаний Высокий PSRR Тип выхода: удержание уровня или переключение Режим пробуждения одной или любой кнопкой

    Дополнительная информация

    Контроллер частотно-регулируемого привода от HT / 4 до 1/11 Duty

    Контроллер частотно-регулируемого привода с режимом работы от 1/4 до 1/11 Характеристики Логическое напряжение: 5 В Высоковольтный выход: В DD 35 В макс.Множественный дисплей (11-сегментный и 11-сегментный, 16-сегментный и 6-значный) Сканирование с 64 матричными клавишами 8-ступенчатая схема диммера

    Дополнительная информация

    HT82V мВт моно аудио усилитель мощности

    Усилитель мощности моно аудио мощностью 00 мВт. Дополнительная информация

    Распространяется по: www.jameco.com 1-800-831-4242 Содержание и авторские права на прилагаемый материал являются собственностью его владельца. Характеристики Рабочее напряжение: 2,4 В ~ 12 В Низкое энергопотребление и высокая помехоустойчивость CMOS

    Дополнительная информация

    Генераторы DTMF HT9200A / HT9200B

    Характеристики генераторов DTMF Рабочее напряжение 2,0 В ~ 5,5 В Последовательный режим для HT9200A Последовательный / параллельный режим для HT9200B Низкий ток в режиме ожидания Низкие общие гармонические искажения 3.Кристаллический или керамический резонатор 58 МГц

    Дополнительная информация

    3 12 серий декодеров

    Характеристики Рабочее напряжение: 2,4 В ~ 12 В Низкое энергопотребление и высокая помехоустойчивость Технология CMOS Низкий ток в режиме ожидания Возможность декодирования 12 бит информации Пара с Holteks 3 12 серия энкодеров 8 ~ 12 адрес

    Дополнительная информация

    HT16561 VFD Цифровые часы

    ЧРП Цифровой замок Характеристики Дисплей ЧРП Функция 2 часов 4.Осцилляция кварцевого резонатора 9434 МГц Встроенный регулятор напряжения с функцией регулировки нуля обеспечивает широкий диапазон рабочего напряжения от 4 В до 8 В Четыре уровня контрастности

    Дополнительная информация

    3 18 серий энкодеров

    Характеристики Рабочее напряжение: 2,4 В ~ 12 В Низкое энергопотребление и высокая помехоустойчивость Технология CMOS Низкий ток в режиме ожидания Передача трех слов Применения Система охранной сигнализации Система пожарной и дымовой сигнализации Гараж

    Дополнительная информация

    HT600 / 680 / Серия энкодеров

    3 18 Серия энкодеров Характеристики Рабочее напряжение: 2.4 В ~ 12 В Низкое энергопотребление и высокая помехоустойчивость Технология КМОП Низкий ток в режиме ожидания Передача трех слов Встроенному генератору требуется всего 5 резисторов Приложения

    Дополнительная информация

    Контроллер HT LCD для I / O MCU

    ЖК-контроллер 12832 для микроконтроллера ввода-вывода Техническая документация Часто задаваемые вопросы Примечание по применению Характеристики Рабочее напряжение 2,7 ~ 5,2 В Встроенный RC-генератор 32 кГц Внешний кварцевый генератор 32,78 кГц или источник частоты 32 кГц

    Дополнительная информация

    HT V маломощный LDO

    1.Характеристики LDO с низким энергопотреблением 5 В Низкое энергопотребление Низкое падение напряжения Низкий температурный коэффициент Широкое рабочее напряжение (1 В макс.) Корпус TO-9 SOT-89 и SOT-5 Применение Оборудование с питанием от батарей Связь

    Дополнительная информация

    HT73XX LDO с низким энергопотреблением

    Низкое энергопотребление Характеристики LDO Сверхнизкий ток покоя: 3,5 А (тип.) Высокое входное напряжение (до 1 В) Выходное напряжение: 1,8 В, 5 В, 7 В, 3,0 В 3.3 В 3,5 В 5,0 В Погрешность выходного напряжения: допуск 3% Максимальный выход

    Дополнительная информация

    HT9274 Четырехъядерный микромощный операционный усилитель

    Характеристики четырехъядерного микромощного операционного усилителя Четыре микроусилителя мощности. Дополнительная информация

    Контроллер частотно-регулируемого привода от HT / 8 до 1/16 Duty

    Характеристики контроллера частотно-регулируемого привода с режимом работы от 1/8 до 1/16 Логическое напряжение: 3.0 В ~ 5,5 В Высоковольтный выход: В DD -35 В макс. Множественный дисплей (12-сегментный 16-значный на 20-сегментный 8-разрядный) 124 матричное сканирование клавиш 8-ступенчатый диммер

    Дополнительная информация

    HT82V742 Аудио ШИМ-драйвер

    Характеристики аудио ШИМ-драйвера Один источник питания Выходная мощность: 1,5 Вт при 5 В и нагрузке 8 Ом Ток покоя менее 1 мкА Широкий диапазон входного уровня при 5 В на выходе с мостовой нагрузкой Типы корпусов: 8-контактный SOP Applications

    Дополнительная информация

    HT27C020 OTP CMOS 256K 8-битное СППЗУ

    OTP CMOS 256K 8-Bit EPROM Характеристики Рабочее напряжение: +5.0 В Напряжение программирования В PP = 12,5 В ± 0,2 В В CC = 6,0 В ± 0,2 В Высоконадежная технология CMOS Устойчивость к фиксации до 100 мА от -1,0 В до В CC + 1,0 В CMOS и

    Дополнительная информация

    Идеи схем I Электронные проекты DIY I Робототехника | Страница 9 из 57

    Блок управления 5-осевым ЧПУ Mach4 / Mach5, на основе биполярного шагового драйвера, USB / LPT Этот блок управления 4-осевым шаговым двигателем с предварительно подключенной проводкой имеет все необходимое для управления фрезерным станком с ЧПУ, фрезерным станком с ЧПУ и управлением движением — с 4 шаговыми драйверами, один источники питания, аварийная остановка, вилки питания, концевой выключатель, вход параллельного порта или USB / LAN дополнительно.Это устройство можно расширить до вашего

    Подробнее

    РАСЧЕТ СХЕМЫ УСИЛИТЕЛЯ ИНВЕРТИРУЮЩИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ TLV170 Описание конструкции Эта конструкция инвертирует входной сигнал Vi и применяет коэффициент усиления сигнала –2 В / В. Входной сигнал обычно поступает от источника с низким сопротивлением, поскольку входное сопротивление этой цепи определяется входным резистором R3. Синфазное напряжение инвертирующего усилителя равно напряжению, подключенному к

    . Подробнее
    • Аудио
    • Приборы и инструменты для испытаний

    Оконный компаратор / переключатель, чувствительный к напряжению TLV1701 В этой схеме используются два параллельных компаратора, чтобы определить, находится ли сигнал между двумя опорными напряжениями.Если сигнал находится в пределах окна, выходной сигнал высокий. Если уровень сигнала находится за пределами окна, выходной сигнал низкий. Для этой конструкции опорные напряжения генерируются от одного источника с напряжением

    Подробнее
    • Таймеры и контроллеры
    • Без категории

    Световые эффекты и звуковые эффекты Экран Arduino Nano, экран содержит 11 светодиодов, один зуммер и измерение тока INA198, экран можно использовать для разработки различных проектов, таких как светодиодный гистограммный вольтметр, гистограммный измеритель тока, светодиодные световые эффекты, сигнальная лампа и звук.Загрузить лист данных INA198 Источник питания датчика тока 5 В постоянного тока 11 светодиодов, подключенных к цифровым выводам D2-D12 Arduino

    Подробнее
    • Световые эффекты и драйверы светодиодов

    СВЕТОДИОДНЫЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬ, ИСПОЛЬЗУЮЩИЙ 11 СВЕТОДИОДОВ СО ЗВУКОМ ЗУММЕРА, ИСПОЛЬЗУЯ ARDUINO NANO, световые и звуковые эффекты Защитный экран Arduino Nano, экран содержит 11 светодиодов, один зуммер и измерение тока INA198, экран можно использовать для разработки различных проектов, таких как светодиодный гистограммный вольтметр, Гистограмма измерителя тока, светодиодные световые эффекты, предупредительный световой сигнал и звук.Загрузить лист данных INA198 Current Sensor Supply

    Подробнее
    • Световые эффекты и драйверы светодиодов
    Проект

    , опубликованный здесь, представляет собой простой экран с 11 светодиодами и зуммером для Arduino Nano, экран можно использовать в качестве монитора гистограммы, звуковые эффекты зуммера, простой пример кода, используемый для отображения предупреждающего светодиода, включая звук зуммера. Схема работает от 5В постоянного тока. Shield также предоставила схему датчика тока, от которой в этом проекте можно отказаться.Все светодиоды 1206 SMD,

    Подробнее
    • Световые эффекты и драйверы светодиодов

    H-Bridge был разработан на базе микросхемы IR2104 от International Rectifier. Плата была сделана в основном для приложения драйвера двигателя постоянного тока, драйвер может выдерживать нагрузку до 20 А, я тестировал эту плату с источником постоянного тока 90 В. В схеме используются N-канальные полевые МОП-транзисторы IRFP4468 от международного выпрямителя. MOSFET требовал радиатора большого размера. На плате есть шунтирующий резистор и сигнал

    Подробнее

    Был разработан проект на базе ИС голосового эха Holtek HT8970.Проект может быть использован в различных аудиосистемах, караоке, игрушках, аниматронике, шоу, дисплеях, выставках и звуковом оборудовании. HT8970 — это процессор эффектов эха / объемного звучания. Он разработан для различных аудиосистем, включая караоке, телевидение, звуковое оборудование и т. Д. Чип состоит из встроенного предусилителя, VCO или Voltage Control OSC,

    . Подробнее

    Проект датчика основан на микросхеме AD595 компании Analog devices. AD595 представляет собой законченный инструментальный усилитель и компенсатор холодного спая с термопарой на монолитной микросхеме.Он сочетает в себе эталон точки льда с предварительно откалиброванным усилителем для получения выходного сигнала высокого уровня (10 мВ / ° C) непосредственно из сигнала термопары. Возможность обвязки контактов позволяет использовать его в качестве линейного усилителя-компенсатора

    Подробнее

    Схема датчика помогает обнаруживать линию для применения в робототехнике и не обнаруживает контактную поверхность. Миниатюрный линейный датчик обеспечивает аналоговый выход напряжения и может работать с 3,3 В и 5 В постоянного тока. Аналоговое выходное напряжение пропорционально ИК-излучению, отражаемому датчиком.Резистор R1 управляет током ИК-светодиода, R2 используется как подтягивающий резистор. Датчик содержит Infra-Red

    Подробнее

    Звуковая система Samson

  • 21.05.2018 Звуковая система Samson

    1/30

    НОМЕР МОДЕЛИ: XP308I

    Содержание

    Спецификация 1-2

    Блок-схема 3

    Packing View 4

    Packing View Список деталей 5

    Схема соединений точка-точка 6

    Покомпонентное изображение 7

    Покомпонентное изображение Список деталей 8-10

    Список электрических деталей 11-19

    Принципиальная схема 20-23

    Схема печатной платы 24-28

    Блок-схема микросхемы

    29-34

    РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮXP308I

  • 21.05.2018 Samson Sound System

    2/30

    Общие спецификации

    MIC MIXER PART

    NORMAL LIMIT

    * MAXIMUM V IN TO MONITOR L / R 623dBm

    ; MIC IN TO MONITOR L / R (MIC / LINE ININ) 323dBm

    ; MIC IN TO AMP OUT (MIC / LINE WITH IN, LIMITER LED JUST LIGHT) 583dBm

    ; MONO LINE IN TO MONITOR L / R 203dBm

    ; ST LINE IN TO MONITOR L / R 283dBm

    ; MONO MIC IN TO REC OUT 383dBm

    * ЧАСТОТНАЯ ЧАСТОТА (20 Гц ~ 20 кГц)

    LEVEL + 4dBm)

    ; MIC IN TO MONITOR L / R 2dB

    ; LINE IN TO MONITOR L / R 2dB

    ; LINE IN TO REC L / R 2dB

    * МАКСИМАЛЬНЫЙ УРОВЕНЬ ВЫХОДА

    Ом

    (ВЫХОДНАЯ НАГРУЗКА 10K , Перед обрезкой)

    ; MIC IN TO MONITOR L / R 21 дБм более 20 дБм

    * T.HD (УРОВЕНЬ, НОМИНАЛЬНЫЙ МОНИТОР VR, ВЫХОД + 14 дБм, ВЫХОДНАЯ НАГРУЗКА 10 кОм 80 кГц LPF)

    ; МИКРОФОН НА МОНИТОР Л / П МЕНЕЕ 0,1%

    ; ЛИНИЙ ВХОД В МОНИТОР Л / П МЕНЬШЕ 0,1%

    * HPF

    (РЕЧЬ / МУЗЫКА НА ВЫХОДЕ МОНИТОРА 75 Гц) -3dB1

    * УПРАВЛЕНИЕ ТОНОМ (CH LEVEL, MONITOR VR NORMINAL, OUTPUT + 4dBm)

    ; 10KHZ 12dB 123dB

    ; 123 100HZ 12dB

    ; 123 100HZ 12dB

    ; 123 100HZ 12dB 21.05.2018 Звуковая система Samson

    3/30

    Общие характеристики

    НОРМАЛЬНЫЙ ПРЕДЕЛ

    * ОСТАТОЧНЫЙ ШУМ

    (20 кГц LPF, AVG)

    A) ВХОД, ВЫХОД УРОВЕНЬ VR МИНИМУМ

    ВЫХОД МОНИТ. -90 дБм

    B) ТОЛЬКО МОНИТОР VR МАКСИМУМ

    ВЫХОД МОНИТОРА МЕНЬШЕ -70 дБм

    * CROSSTALK

    (CH LEVEL VR & MONITOR VR NORMAL, ВЫХОД 20 дБм, ЧАСТОТА 1 кГц, VS 80 кГц LPF) 9000 ЧЕМ -67 дБ

    ВХОД VS ВЫХОД МЕНЬШЕ -70 дБ

    * ИЗМЕРИТЕЛЬ УРОВНЯ (0VU) 2 12 дБм

    * PHANTOM POWER 151V

    * ECHO

    AMP PART

    * НОМИНАЛЬНАЯ ВЫХОДНАЯ МОЩНОСТЬ (MASTER VR NORMAL, CH LEVEL VR TO RATED POWER, 600LOAD)

    ; 8 Ом при 1 кГц, 5% THD (LPF 20 кГц) (ONE CH) 100 Вт Более 95 Вт (без клиппирования)

    * LIMITER (CH LEVEL VR & MASTER VR NORMAL) (AMP OUTPUT) 105 Вт МЕНЬШЕ 110 Вт, без клиппирования

    НОМИНАЛЬНЫЙ выход, снова добавьте 20 дБм, выход усилителя без клиппирования

    * ЧАСТОТНАЯ ЧАСТОТА

    Нагрузка 8 Ом, выход 1 Вт 6 дБ2 при 50 Гц, 3 дБ при 20 кГц

    Примечание:

    1.Если проверьте, что мы хотим выводить тестовый сигнал с анализатора (VP-7723B), пожалуйста, подключите нагрузку 600 Ом параллельно к выходному сигналу

    .

    2 .. Фильтр нижних частот должен быть 20 кГц при тестировании части усилителя.

    2

  • 21.05.2018 Samson Sound System

    4/30

    Блок-схема

    3

  • 21.05.2018 Samson Sound System

    5/30

    Packing View

    4

  • 21.05.2018 Звуковая система Samson

    6/30

    Упаковка Просмотр списка деталей

    REF NO.ОПИСАНИЕ ЧАСТЬ № КОЛ-ВО ПРИМЕЧАНИЕ

    1 ПОДАРОЧНАЯ КОРОБКА 507-XP308I-3054 1

    2 ПОДУШКА 506-XP308I-541 2

    3 PE-BAG 505-XPL100-200 1

    4 I / B ASSY 701-XP308I-4503 15 ВНЕШНЯЯ КОРОБКА 507-XP308I-3084 1

    6 ПОДУШКА 506-XP308I-562 1

    7 СУМКА EPE 509-XP308I-260 2

    8 HIMILON 612-XP308I-336 2

    9 EPE SHEET 509-26-26-26

    10 PE BAG 505-100U-204 1

    11 6,35 КАБЕЛЬ ДИНАМИКА 408-EXL250-082A 2

    12 ШНУР переменного тока (L-1900 18AWG LP-31 SJT LS-13) 409-XM910-121 1

    5

  • 21.05.2018 Samson Sound System

    7/30

    Схема соединений точка-точка

    101102

    2

    POWER & AMP PCB

    1

    DC FAN PCB

    I’POD

    I’POD IN

    POWER SW

    РАЗЪЕМ ВХОДА ПЕРЕМЕННОГО ТОКА

    ПЛАТА СМЕСИТЕЛЯ

    4

    3

    1

    45

    AN3 и AN4

    AN1 & AN2

    ПЛАТА ВЫХОДА

    5

    6

  • 21.05.2018 Звуковая система Samson

    8/30

    Покомпонентное изображение

    7

  • 21.05.2018 Звуковая система

    Samson

    / 30

    Покомпонентное изображение Список деталей

    REF NO.ОПИСАНИЕ ЧАСТЬ № КОЛ-ВО ПРИМЕЧАНИЕ

    1 НАЖИМНАЯ РУЧКА 100-L2400-2569 10

    2 РУЧКА УПРАВЛЕНИЯ (B) 100-XM610-2217 21

    3 КОЛПАЧКА РУЧКИ (БЕЛАЯ) 100-XM610WHT-2218A 7

    4 КОЛПАЧКА (КРАСНАЯ) ) 100-XM610RED-2218A 15 КОЛПАЧОК (СИНИЙ) 100-XM610BLU-2218A 1

    КОЛПАЧОК 6 РУЧКИ (SLIVE) 100-XM610SIL-2218A 12

    7 INLAY 501-STAGE-2167 1

    В СБОРЕ 8 ПАНЕЛЕЙ -1235 1

    9 CARD CHASSIS 100-XP300-2517 1

    10 TOP DOCK 100-XP300-2503 1

    11 КНОПКА IPOD 100-XP300-2504 1

    12 ПОДДЕРЖКА 200-L1200-589 5

    13 светодиодов ДЕРЖАТЕЛЬ 504-BD1550-067 12

    14 КОРПУС УСИЛИТЕЛЯ 701-XP308I-1243S 1

    15 РУЧКА УПРАВЛЕНИЯ 100-STAGE-2625 2

    16 ЗАДНЯЯ ПОДКЛАДКА (A) 300-STAGE-1672 2

    17 ЗАДНИЙ КРОНШТЕЙН 300 -STAGE-1674 2

    18 ВАЛ 200-SP300-583 2

    19 ШАЙБА 606-B300-030 2

    20 ЗАДНЯЯ ПОДКЛАДКА (B) 300-STAGE-1673 2

    21 РУЧКА 100-STAGE-2623 4

    22 КРЫШКА РУЧКИ 100-STAGE-2624 4

    23 НАКОНЕЧНИК РУЧКИ 604-STAGE-496 4

    24 ВИНТА БОЛЬШАЯ ЧАСТЬ 601-EX250-038 2

    25 ЗАДНИЙ КОРПУС 701-STAGE- 4438 2

    26 ПЕРЕДНИЙ КОРПУС 100-STAGE-2630 2

    27 ПРУЖИНА 300-XP308I-1706 4

    28 СЛАЙД 100-STAGE-2622 2

    29 РЕШЕТКА 300-STAGE-1675 2

    30 ЗАДНЯЯ КРЫШКА 100 -STAGE-2628 1

    31 ЛИСТ ИЗОЛЯЦИИ 501-SP300-2182 1

    32 SHIELE FENCE 300-SP300-1685 133 ОТОПИТЕЛЬ 425-KMD3500-016A 4

    34 ТЕПЛООБРАБОТКА В СБОРЕ 703-SP308-1240 1

    РАКОВИНА 425-STAGE-123 1

    36 НИЖНЯЯ ВСТАВКА 300-SP300-1684 1

    37 ИЗОЛЯЦИОННЫЙ ЛИСТ 501-SP300-2181 1

    38 FILP FOOT 603-SP300-377 1

    39 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ДЛЯ КРЮЧКА 200-STAGE-578 4

    40 КРЮЧОК 300-SP300-1683 2

    41 БОТОННАЯ ЛАТУНЬ 200-SP300-582 242 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ДЛЯ КАМЕРЫ 200-X P308I-586 4

    43 MICA 501-TST4-2028 2

    8

  • 21.05.2018 Samson Sound System

    10/30

    Список деталей в разобранном виде

    REF NO.ОПИСАНИЕ ЧАСТЬ № КОЛИЧЕСТВО ПРИМЕЧАНИЕ

    44 ЛОГОТИП SAMSON 501-XP308I-2205 2

    45 РУЧКА ШЕЯ 100-XP308I-2649 10

    46 ШАЙБА 606-LC58FA-130 4

    47 ШАЙБА ЗУБЧАТАЯ 606-F200-002 1

    ГАЙКА 601-F200-001 1

    49 ХЛОПОК 509-XP308I-252 2

    50 EVA 612-XP308I-322 1

    51 EVA 612-XPL200-293 6

    52 EVA 612-XP308I-323 3

    СИЛИКОНОВЫЙ ЛИСТ 612-XP308I-324 1

    54 POWER SW 403-DJ1-107A 1

    55 2P 3.96CON ASS’Y (UL1007 # 18, КРАСНЫЙ * 2, L = 200 мм) 404-XPL200-2679 1

    56 РАЗЪЕМ ВХОДА ПЕРЕМЕННОГО ТОКА 420-SX1800-195 1

    57 1P СОЕДИНИТЕЛЬНЫЙ ПРОВОД (L = 80 мм, UL1015 # 18) 406-XP308I-1088 1 К РАЗЪЕМУ ВХОДА ПЕРЕМЕННОГО ТОКА

    GND

    58 I’POD INPUT PCB ASS’Y 704-XPL300-7193 1

    59 DC FAN 401-XP308I-076 1

    60 OUTPUT PCB ASS’Y 704 -XP308I-8289 1

    61 ДИНАМИК WOOFER (ВУФЕР 8/75 Вт, 8 дюймов) 419-XP308I-065 2

    62 ПРОВОД 3P РАЗЪЕМА (L = 550 мм, UL1430 # 18 TS КРАСНЫЙ / ЧЕРНЫЙ) 404-XPL200-2775 2

    ДИНАМИК 63 ЛВИТРА (820W25) 419-XP308I-066 2

    64 3P CON ASS’Y (UL1430 # 18, БЕЛЫЙ ЧЕРНЫЙ, L = 550 мм) 404-XPL100-2676 2

    65 SPEAKER TWO FREQUENCY PCB ASS’Y 704-XP308I-8251 Печатная плата ВХОДА ДИНАМИКА 266 В СБОРЕ 704-XP308I-8347 2

    67 ПЛАТА СМЕСИТЕЛЯ В СБОРЕ 704-XP308I-8285 1

    68 Печатная плата POWER & AMP В СБОРЕ 704-XP308I-8286 1

    ШНУР (L-1900 18AWG LP-31 SJT LS-13) 409-XM910-121 1

    70 2P РАЗЪЕМ (L = 170 мм UL1617 # 18 P = 3.96 мм) 404-XP308I-3148A 1 TOACINPUTJACKN

    71 FERRITE CORE 415-F806-264 1

    72 ПРЕДОХРАНИТЕЛЬНЫЙ КОНДЕНСАТОР (2200 пФ / 250 В переменного тока, M, Y5U, Y2, TAPING) 413-XP308IRE-1148 2 9 * 10 602-PTPB4010-665 2

    ВИНТ S2 (3 * 8 мм TTB) 602-2002-077 8

    ВИНТ S3 TTB3 * 8 602-XM610-528 24

    ВИНТ S4 M2,6 * 6 602-XM610- 514 5

    ВИНТ S5 M2 * 5 602-DD2220-301 4

    ВИНТ S6 2,6 * 6 602-KMD510-158 4

    ВИНТ S7 2.6 * 6 602-ISOB2606-654 9

    ВИНТ S8 M3 * 6 602-SX1200-544 4

    ВИНТ S9 BM4 * 8 602-CDVD2001-351 2

    ВИНТ S10 602-TTB5024-668 22S11 ВИНТ TTB 4 * 602-BTTB4016-676 20

    S12 ВИНТ M6 * 16 602-PISO6016-667 8

    9

  • 5/21/2018 Samson Sound System

    11/30

    Список деталей в разобранном виде

    REF NO. ОПИСАНИЕ ЧАСТЬ № КОЛ-ВО ПРИМЕЧАНИЕ

    ВИНТ S13 TTB3 * 10 602-XM610-522 14

    ВИНТ S15 M2.6 * 4 602-MK7-134 8

    ВИНТ S16 M2,6 * 4 602-B600-086 4

    ВИНТ S17 M3 * 14 602-SA12-381 3

    ВИНТ S18 TTA4 * 15 602-TTA4015-671 20

    ВИНТ S19 M4 * 8 602-SX1200-543 1

    ВИНТ S20 (STF, 3 * 12) 602-4-560 8

    ВИНТ S21 (3 * 10) 602-MK7-131 8

    10

  • 21.05.2018 Звуковая система Samson

    12/30

    Перечень деталей на печатной плате микшера

    REF NO. ОПИСАНИЕ ЧАСТЬ № КОЛ-ВО ЗАМЕЧАНИЕ

    ПЛАТА СМЕСИТЕЛЯ 704-XP308I-8285 1

    ОПОРА (ЛАТУНЬ) 200-L1200-589 5

    SW1, SW2, SW3, SW4, SW

    5, SW6, SW7, SW8, SW9, S

    W10

    PUSH SW (SPPh3-001-E) 403-XM910-203 10

    WA1 7P ГНЕЗДО (CKM2501WV-7P 180WHITE) 404-DV300-507A 1

    CN4 7P CON ASS’Y ( = 2.0 мм L = 350 мм UL1007 # 26, + / +) 404-XP308I-3145 1

    CN5 2P ASS’Y CON (P = 2,0 мм L = 350 мм UL1007 # 26, + / +) 404-XP308I-3163 1

    LD6, LD6H LED (6224-10ID-A, RED) 410-CD6000-122 2

    LD3H, LD4H, LD5H LED (ЖЕЛТЫЙ) 410-CD6000-123 3

    LD1H, LD2H, LD1A, LD1B,

    LD1C, LD1D LED (ЗЕЛЕНЫЙ) 410-CD6000-124 6

    LD7H LED (СИНИЙ) 410-HPA5000-274 1R23G МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ RES (330 Ом, 1 Вт, J, T-63) 412-CS8011B-415 1

    R67H МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ РЕЗИСТОР ( 180 ОМ, 1 Вт, J ОСЕВАЯ ЛЕНТА, 74 мм) 412-XM910-870 1

    SVR2, SVR3 VRES (TB655MCL-1K / NP 6) 412-XP200-1227 2

    C31H, C40H, C21H, C22H,

    C25H ELEC.

  • Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *