Ir2111 datasheet на русском: Error 404 not found — FindIC

Содержание

International Rectifier (Infineon Technologies) — IR2111 Интернет-дистрибьютор

номер части	Производители	Описание	Склад	Цена
IR2111STRPBF DISTI #V72:2272_13892775	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No RoHS: уступчивый	3373	1 $2.7952 10 $2.1662 25 $1.9496 100 $1.74 250 $1.5659 500 $1.5133 1000 $1.2709 3000 $1.1271
IR2111PBF DISTI #V36:1790_13892771	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No RoHS: уступчивый	2987	1 $3. 0509 10 $2.3706 100 $2.0566 250 $1.8977 500 $1.7287 1000 $1.4459 3000 $1.394 6000 $1.3566 9000 $1.2816
IR2111SPBF DISTI #V36:1790_13892773	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No	381	1 $2.7968 10 $2.1673 100 $1.7408 500 $1.536 1000 $1.24
IR2111STRPBF DISTI #V36:1790_13892775	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No RoHS: уступчивый	0	2500 $1. 04 25000 $1.039 250000 $1.032 1250000 $1.025
IR2111STRPBF DISTI #IR2111SPBFCT-ND	Infineon Technologies AG	IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC RoHS: уступчивый	8839	1 $2.81 10 $2.522 100 $2.0272 500 $1.66552 1000 $1.37999
IR2111STRPBF DISTI #IR2111SPBFDKR-ND	Infineon Technologies AG	IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC RoHS: уступчивый	8839	1 $2.81 10 $2.522 100 $2.0272 500 $1.66552 1000 $1. 37999
IR2111STRPBF DISTI #IR2111SPBFTR-ND	Infineon Technologies AG	IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC RoHS: уступчивый	7500	2500 $1.2474
IR2111PBF DISTI #IR2111PBF-ND	Infineon Technologies AG	IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP RoHS: уступчивый	2001	1 $2.97 10 $2.666 100 $2.1847 500 $1.85978 1000 $1.56849
IR2111SPBF DISTI #IR2111SPBF-ND	Infineon Technologies AG	IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC RoHS: уступчивый	198	1 $2. 73 95 $2.31 190 $1.96811 570 $1.617 1045 $1.3398
IR2111 DISTI #IR2111-ND	Infineon Technologies AG	IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP RoHS: Не соответствует	0
IR2111S DISTI #IR2111S-ND	Infineon Technologies AG	IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS: Не соответствует	0
IR2111STR DISTI #IR2111STR-ND	Infineon Technologies AG	IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC RoHS: Не соответствует	0
IR2111STRPBF DISTI #32911815	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0. 5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No RoHS: уступчивый	5000	2500 $0.6751
IR2111STRPBF DISTI #29491890	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No RoHS: уступчивый	3373	11 $2.7952
IR2111PBF DISTI #30605231	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No RoHS: уступчивый	2990	13 $2.0125
IR2111PBF DISTI #33926874	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No RoHS: уступчивый	2987	9 $3. 0509
IR2111STRPBF DISTI #32731450	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No RoHS: уступчивый	2500	8 $3.2125
IR2111STRPBF DISTI #32716586	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No RoHS: уступчивый	2500	2500 $1.1
IR2111PBF DISTI #26151515	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No RoHS: уступчивый	2325	15 $0.6812
IR2111SPBF DISTI #27143796	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0. 5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No	784	14 $0.7426
IR2111SPBF DISTI #31669749	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No	460	7 $4.1125
IR2111SPBF DISTI #31941147	Infineon Technologies AG	Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No	381	10 $2.7968
IR2111PBF DISTI #IR2111PBF	Infineon Technologies AG	MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I RoHS: уступчивый	49	3000 $0. 79251 6000 $0.76389 9000 $0.73628 15000 $0.71151 30000 $0.69886
IR2111PBF DISTI #SP001533152	Infineon Technologies AG	MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I RoHS: уступчивый	1600	50 $0.9859 100 $0.8069 200 $0.7399 300 $0.6829 500 $0.6339
IR2111SPBF DISTI # SP001535352	Infineon Technologies AG	MOSFET and Power Driver 0.25A/0.5A 2-OUT High and RoHS: уступчивый	3325	95 $1.0749 190 $0.8799 380 $0.8059 570 $0.7439 950 $0.6909
IR2111PBF DISTI #IR2111PBF	Infineon Technologies AG	MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I RoHS: уступчивый	0	500 $1.49 1000 $1.39 1500 $1.39 2500 $1.29 5000 $1.29
IR2111PBF DISTI #19K8415	Infineon Technologies AG	MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I RoHS: уступчивый	0
IR2111SPBF DISTI #IR2111SPBF	Infineon Technologies AG	MOSFET and Power Driver 0.25A/0.5A 2-OUT High and RoHS: Не соответствует	0	475 $0.61429 950 $0.59722 1425 $0.58108 2375 $0.56579 4750 $0.55844 11875 $0.55128 23750 $0.5443
IR2111SPBF DISTI #IR2111SPBF	Infineon Technologies AG	MOSFET and Power Driver 0.25A/0.5A 2-OUT High and RoHS: уступчивый	0	3800 $0.7779 7600 $0.7499 15200 $0.7219 22800 $0.6979 38000 $0.6859
IR2111STRPBF DISTI #IR2111STRPBF	Infineon Technologies AG	MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I RoHS: уступчивый	0	2500 $0.7059 5000 $0.6799 10000 $0.6549 15000 $0.6329 25000 $0.6219
IR2111STRPBF DISTI #IR2111STRPBF	Infineon Technologies AG	MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I RoHS: уступчивый	0	2500 $0.55714 5000 $0.54167 7500 $0.52703 12500 $0.51316 25000 $0.50649 62500 $0.5 125000 $0.49367
IR2111STRPBF DISTI #IR2111STRPBF	Infineon Technologies AG	MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I	0
IR2111STRPBF DISTI #SP001536780	Infineon Technologies AG	MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I RoHS: уступчивый	0	2500 $0.9769 5000 $0.7999 10000 $0.7329 15000 $0.6759 25000 $0.6279
IR2111PBF. DISTI #27AC6976	Infineon Technologies AG	LEVEL SHIFT JUNCTION ISO ROHS COMPLIANT: YES	0	1 $3.22 10 $2.73 100 $2.37 500 $1.98 1000 $1.67 2500 $1.49 5000 $1.4
IR2111STRPBF. DISTI #32AC0800	Infineon Technologies AG	Driver Configuration:High Side and Low Side, Peak	0	1 $0.706 5000 $0.68 10000 $0.655 15000 $0.633 25000 $0.622
IR2111SPBF DISTI #63J7862	Infineon Technologies AG	IC, MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8, Driver Co	112	1 $2.62 10 $2.22 100 $1.78 500 $1.57 1000 $1.29 2500 $1.2 5000 $1.16
IR2111PBF DISTI #19K8415	Infineon Technologies AG	MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, DIP-8, Driver Configu	44	1 $3.15 10 $2.67 100 $2.32 500 $1.98 1000 $1.67 2500 $1.49 5000 $1.4
IR2111PBF DISTI #70017561	Infineon Technologies AG	HALF BRIDGE DRIVER, FIXED 650NS DEADTIME IN A 8-P RoHS: уступчивый	0	1 $2.4 10 $2.12 100 $1.84 500 $1.6 1000 $1.41
IR2111SPBF DISTI #70017296	Infineon Technologies AG	HALF BRIDGE DRIVER, FIXED 650NS DEADTIME IN A 8-L RoHS: уступчивый	0	1 $2.47 10 $2.17 100 $1.91 500 $1.65 1000 $1.45
IR2111STRPBF DISTI #70019449	Infineon Technologies AG	HALF BRIDGE DRIVER, FIXED 650NS DEADTIME IN A 8-L RoHS: уступчивый	0	2500 $1.573 5000 $1.542 12500 $1.494
IR2111STRPBF DISTI #942-IR2111STRPBF	Infineon Technologies AG	Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS: уступчивый	2714	1 $2.59 10 $2.2 100 $1.76 500 $1.55 1000 $1.28 2500 $1.19 5000 $1.15
IR2111PBF DISTI #942-IR2111PBF	Infineon Technologies AG	Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS: уступчивый	4166	1 $2.83 10 $2.41 100 $2.09 250 $1.98 500 $1.78 1000 $1.5 3000 $1.42
IR2111SPBF DISTI #942-IR2111SPBF	Infineon Technologies AG	Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA RoHS: уступчивый	239	1 $2.59 10 $2.2 100 $1.76 500 $1.55 1000 $1.28 2500 $1.19 5000 $1.15
VI-R2111-CWYY DISTI #492-VI-R2111-CWYY	Vicor Corporation	Isolated DC/DC Converters VI-R2111-CWYY	0	1 $926.25 5 $785.9 10 $730.56
VI-R2111-CWWW DISTI #492-VI-R2111-CWWW	Vicor Corporation	Isolated DC/DC Converters VI-R2111-CWWW	0	1 $937.6 5 $795.54 10 $739.52
VI-R2111-IWWW DISTI #492-VI-R2111-IWWW	Vicor Corporation	Isolated DC/DC Converters VI-R2111-IWWW	0	1 $1529.14 5 $1297.45
MI-R2111-MWWW DISTI #492-MI-R2111-MWWW	Vicor Corporation	Isolated DC/DC Converters MI-R2111-MWWW	0	1 $2838.62
IR2111STRPBF DISTI #	Infineon Technologies AG	IR2111S Series Dual 25 V Surface Mount Half Bridge RoHS: уступчивый	2500	2500 $0.67
IR2111PBF DISTI #	International Rectifier	Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.5A, CMOS, PDIP8 RoHS: уступчивый	2	1 $1.73 25 $1.61 100 $1.54 500 $1.48 1000 $1.41
IR2111SPBF DISTI #5412767P	Infineon Technologies AG	MOSFET/IGBT DRIVER IR2111S SOIC8 200MA, TU	314	10 $1.13 50 $1.01 100 $0.9 250 $0.82
IR2111SPBF DISTI #5412767	Infineon Technologies AG	MOSFET/IGBT DRIVER IR2111S SOIC8 200MA, EA	131	1 $1.99 10 $1.13 50 $1.01 100 $0.9 250 $0.82
IR2111PBF DISTI #5410654	Infineon Technologies AG	MOSFET/IGBT DRIVER IR2111 DIP8 200MA, EA	201	1 $3.34 10 $2 50 $1.82 100 $1.64 250 $1.5
IR2111PBF DISTI #5410654P	Infineon Technologies AG	MOSFET/IGBT DRIVER IR2111 DIP8 200MA, TU	748	10 $2 50 $1.82 100 $1.64 250 $1.5
IR2111 DISTI #	International Rectifier		1021	4 $1.575 14 $1.0237 50 $0.5906 171 $0.504 369 $0.441 875 $0.4095
IR2111SPBF DISTI #	International Rectifier		37
IR2111STR DISTI #	International Rectifier		4200
IR2111 DISTI #	International Rectifier	MOSFET Driver, Dual, 8 Pin, Plastic, DIP	160	1 $2.1 13 $1.05 58 $0.63
IR2111 DISTI #	International Rectifier	MOSFET Driver, Dual, 8 Pin, Plastic, DIP	1300	1 $4 325 $1.65 607 $1.5
IR2111 DISTI #	International Rectifier	MOSFET Driver, Dual, 8 Pin, Plastic, DIP	16	1 $4.5 3 $3 9 $2.25
IR21113-2 DISTI #	International Rectifier		1180	1 $4.5 361 $2.475 809 $2.25
IR2111S DISTI #	International Rectifier	MOSFET Driver, Dual, 8 Pin, Plastic, SOP	2476	1 $3 433 $1.2375 809 $1.125
IR2111SPBF DISTI #	International Rectifier		29	1 $3.216 4 $2.68 10 $2.3584
IR2111PBF DISTI #IR2111PBF	Infineon Technologies AG	Driver, high-/low-side, gate driver, -420÷200mA,	32	1 $1.49 5 $1.36 25 $1.11 100 $0.96
IR2111SPBF DISTI #IR2111SPBF	Infineon Technologies AG	Driver, high-/low-side, gate driver, -420÷200mA,	253	1 $1.55 5 $1.43 25 $1.11 95 $0.95
IR2111PBF DISTI #9101730	Infineon Technologies AG	IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, DIP-8 RoHS: уступчивый	12	1 $1.71
IR2111SPBF DISTI #8638861	Infineon Technologies AG	IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-8 RoHS: уступчивый	76	1 $3.9 10 $3.32 100 $2.65 500 $2.34 1000 $1.93 2500 $1.79 5000 $1.73 10000 $1.66
IR2111STRPBF DISTI #8639698	Infineon Technologies AG	RoHS: уступчивый	0	1 $3.9 10 $3.32 100 $2.65 500 $2.34
IR2111SPBF DISTI #8638861	Infineon Technologies AG	IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-8	74	1 $1.94 25 $1.71 50 $1.55 100 $1.38 250 $1.29
IR2111PBF DISTI #9101730	Infineon Technologies AG	IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, DIP-8 RoHS: уступчивый	0	1 $1.86 25 $1.78 50 $1.69 100 $1.61 250 $1.52
IR2111STRPBF DISTI #XSFP00000114194	Infineon Technologies AG	Transistor Output SSR, 1-Channel, 5300V Isolation RoHS: уступчивый	5000	2500 $0.9571 5000 $0.8933
IR2111SPBF DISTI #XSKDRABS0006577	Infineon Technologies AG	RoHS: уступчивый	1615	665 $1.07 1615 $1
IR2111PBF DISTI #XSKDRABV0021299	Infineon Technologies AG	RoHS: уступчивый	1300	700 $1.02 1300 $0.9533
IR2111SPBF DISTI #	International Rectifier	RoHS: уступчивый	440
IR2111SPBF DISTI #IR2111SPBF	Infineon Technologies AG	Half-Brdg Dr. 600V SO8 RoHS: уступчивый	895	5 $1.5 25 $0.9 100 $0.7 200 $0.68
IR2111PBF DISTI #IR2111PBF	Infineon Technologies AG	Half-Brdg Dr. 600V DIP8 RoHS: уступчивый	235	5 $1.43 25 $0.83 100 $0.63 200 $0.6

ADuM4137 Техническое описание и информация о продукте

Подробнее о продукте

The ADuM4137¹ is a single-channel gate driver specifically optimized for driving insulated gate bipolar transistors (IGBTs). Analog Devices, Inc., iCoupler^® technology provides isolation between the input signal and the output gate drive.

The Analog Devices chip scale transformers also provide isolated communication of control information between the high voltage and low voltage domains of the chip. Information on the status of the chip can be read back from the dedicated fault outputs. The ADuM4137 provides isolated fault reporting for overcurrent events, remote temperature overheating events, undervoltage lockout (UVLO), and thermal shutdown (TSD)

Integrated onto the ADuM4137 is an overcurrent detection feature that protects the IGBT in case of overcurrent events. The split emitter overcurrent detection is coupled with a high speed, two-level turn off in case of faults.

The ADuM4137 provides a Miller clamp control signal for the external metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) to provide robust IGBT turn off with a single rail supply when the gate voltage drops below 2.0 V (typical) and above GND₂. Operation with unipolar secondary supplies is possible, with or without the Miller clamp operation.

A low gate voltage detection circuit can trigger a fault if the gate voltage does not go above the internal threshold (V_VL) within the time allowed from turn on (t_DVL). This circuit allows detection of IGBT device failures that exhibit gate shorts or other causes of weak drive.

The secondary falling UVLO is set to 11.24 V (typical) for common IGBT two-level plateau voltage levels.

The ADuM4137 provides for in field programming of temperature. Two temperature sensor pins allow isolated monitoring of system temperatures at the IGBTs, sensing diode gains and offsets by means of a serial port interface (SPI) bus on the primary side of the device. Values are stored on an EEPROM located on the secondary side. Additionally, programming is available for specific voltage offsets, temperature sensing reporting frequencies, and important delays.

The ASC pin on the secondary side on the ADuM4137 allows the driver to be switched on from the secondary side if no faults are present.

Applications

MOSFET/IGBT gate drivers
Photovoltaic (PV) inverters
Motor drives
Power supplies

¹ Protected by U.S. Patents 5,952,849; 6,873,065; and 7,075,329. Other patents pending.

IR2111PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8], Infineon

Описание

DRIVER, MOSFET/IGBT, 2111, DIP8 Driver IC Type Power Outputs, No. of 2 Voltage, Output 620V Output Current 250mA Power, Dissipation Pd 1W Voltage, Supply Min 10V Case Style DIP No. of Pins 8 Operating Temperature Range -40°C to +125°C Base Number 2111 IC Generic Number 2111 Logic Function Number 2111 Temp, Op. Max 125°C Temp, Op. Min -40°C Termination Type Through Hole Voltage, Offset 600V Voltage, Output Max 20V Voltage, Output Min 10V Voltage, Supply Max 20V Logic IC Function Half Bridge Driver Output Sink Current Min 420mA Output Source Current Min 200mA Time, t Off 150ns Time, t On 850ns Voltage, Vcc Max 20V Voltage, Vcc Min 10V
Корпус DIP-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 250 мА, Максимальный выходной ток спада 500 мА

Технические параметры

Конфигурация	half-bridge
Тип канала	синхронный
Кол-во каналов	2
Тип управляемого затвора	IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В	10…20
Логическое напряжение (VIL), В	8.3
Логическое напряжение (VIH), В	12.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А	0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А	0.5
Тип входа	неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В	600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс	80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс	40
Рабочая температура, °C	-40…+150 (TJ)
Корпус	DIP-8 (0.300 inch)
Вес, г	1

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

IR2111 | Infineon Technologies | PMIC — Драйверы ворот

Быстрый запрос

IR2111

— Пожалуйста, выберите —United StatesChinaFranceGermanyIndiaJapanKorea, Республика ofRussian FederationTaiwanUnited KingdomAfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua и BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia и HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Индийский океан TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCayman IslandsCentral африканских RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Килинг) IslandsColombiaComorosCongoCongo, Демократическая Республика TheCook IslandsCosta RicaCote D’ivoireCroatiaCubaCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland острова ( Мальвинские острова) Фарерские острова ФиджиФинляндияФранцияФранцузская ГвианаФранцузская ПолинезияФранцузские Южные территорииГабонГамбияГрузияГерманияГанаГибралтарГрецияГренландияГренадаГваделупаГуамГватемалаГу ineaGuinea-bissauGuyanaHaitiHeard Island и МакДональда IslandsHoly Престол (Ватикан) HondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIran, Исламская Республика ofIraqIrelandIsraelItalyJamaicaJapanJordanKazakhstanKenyaKiribatiKorea, Корейская Народно-Демократическая Республика ofKorea, Республика ofKosovo, Республика ofKuwaitKyrgyzstanLao Народная Демократическая RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyan Арабская JamahiriyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacaoMacedonia, бывшая югославская Республика ofMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesia, Федеративные Штаты ofMoldova, Республика ofMonacoMongoliaMontenegro, РеспубликаМонсерратМароккоМозамбикМьянмаНамибияНауруНепалНидерландыНидерландские Антильские острова Новая КаледонияРегияНовая ЗеландияНикарагуаНигерНигерияНиуэНорфолкСеверные Марианские островаНорвегияОманПакистанПалауПалестинская территория Румынии, оккупированнаяПанамаПарагуа-Новая Гвань wandaSaint HelenaSaint Киттс и NevisSaint LuciaSaint Пьер и MiquelonSaint Винсент и GrenadinesSamoaSan MarinoSao Том и PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbia, Республика ofSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Грузия и Южный Сэндвич IslandsSpainSri LankaSudanSurinameSvalbard и Ян MayenSwazilandSwedenSwitzerlandSyrian Arab RepublicTaiwanTajikistanTanzania, Объединенная Республика ofThailandTimor-lesteTogoTokelauTongaTrinidad и TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks и Кайкос IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited арабского EmiratesUnited KingdomUnited Внешние малые острова США УругвайУзбекистан Вануату Венесуэла Вьетнам Виргинские острова, Британские Виргинские острова, СШАС. Уоллис и Футуна, Западная Сахара, Йемен, Замбия, Зимбабве,

. Техническое описание

ir2111 (1/15 страницы) IRF | ДРАЙВЕР ПОЛУМОСТА

Характеристики

• Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки

Полностью работоспособен до + 600 В

Устойчив к отрицательным переходным напряжениям

Устойчив к dV / dt

• Диапазон питания привода затвора от 10 до 20 В

• Блокировка минимального напряжения для обоих каналов

• CMOS-триггерные входы Шмитта с понижением

• Согласованная задержка распространения для обоих каналов

• Внутренне установленное время запаздывания

• Выход высокого напряжения в фазе со входом

• Также доступен без вывода LEAD

Типовое соединение

Лист данных №PD60028-M

ПРИВОД ПОЛУМОСТА

Краткое описание продукта

VOFFSET

600 В макс.

IO +/-

200 мА / 420 мА

VOUT

10-20 В

т / выкл (тип.)

750 и 150 нс

Мертвое время (тип.)

650 нс

www. irf.com

IR2111 (S) и (PbF)

От

до 600 В

ДО

НАГРУЗКА

(Для правильной конфигурации контактов см. Назначение выводов).На этой / этих схемах показаны только электрические соединения

. Пожалуйста, обратитесь к нашим указаниям по применению и советам по дизайну для правильной компоновки печатной платы.

Описание

IR2111 (S) — это высоковольтный, высокоскоростной драйвер

MOSFET и IGBT с зависимыми выходными каналами со стороны высокого и

низкого уровня, предназначенными для приложений моста на половину

. Запатентованные технологии HVIC и защелки

CMOS обеспечивают надежную монолитную конструкцию

.Логический вход совместим со стандартными выходами CMOS

. Выходные драйверы имеют буферный каскад высокого импульсного тока

, рассчитанный на минимальную перекрестную проводимость драйвера

. Предусмотрено внутреннее мертвое время

, чтобы избежать прострела в выходном полумосте. Плавающий канал

может использоваться для управления N-канальным силовым полевым МОП-транзистором

или IGBT в конфигурации со стороны высокого напряжения, который работает с напряжением до 600 В.

Пакеты

8-выводный PDIP

8-выводный SOIC

IR2111S — Технический паспорт PDF — Цена — PMIC — Драйверы ворот — Infineon Technologies

Рождество и Новый год 2021 Подробная информация о деятельности

Рождество и Новый год в 2021 году Приходя, Утмель хочет оказать вам дополнительную поддержку при заказе компонентов.
В период с 27 ноября по 10 января 2021 года при достижении другой стоимости заказа вы получите скидку непосредственно в период нашей деятельности. Деталь:

(1) При стоимости заказа более 1000 долларов в одном заказе вы получите прямую скидку в размере 20 долларов.
(2) Если стоимость одного заказа превышает 5000 долларов, вы получите прямую скидку в размере 100 долларов.
(3) Если стоимость одного заказа превышает 10000 долларов США, вы получите прямую скидку в размере 200 долларов США.
(4) Если стоимость одного заказа превышает 20000 долларов США, вы получите прямую скидку в размере 400 долларов США.
(5) «Большая» сделка: 27 ноября, 30 ноября и 4 января 2021 года, 4 января 2021 года, в пекинское время с 0:00 до 24:00, на все оплаченные заказы будет действовать скидка 10% непосредственно на ваш заказ. Для скидки подходит только стоимость продукта, не включая фрахт и банковский сбор / комиссию PayPal.
(6) Для автономного заказа вы можете воспользоваться бесплатной доставкой, если стоимость вашего заказа соответствует приведенному ниже условию:
6.1 При сумме заказа более 1000 долларов вы можете получить бесплатную перевозку с массой брутто в пределах 0,5 кг.
6.2 При сумме заказа более $ 2000 вы можете получить бесплатную перевозку с массой брутто в пределах 1 кг.

Вопросы и ответы 1. Как получить купон на скидку?

Выберите все товары, которые вам нужны, в корзину, вы увидите скидку при оформлении заказа.

2.Можно ли воспользоваться бесплатным фрахтом и скидкой вместе?

Да, Utmel предоставит вам бесплатную доставку и скидку вместе, если ваш заказ соответствует нашим условиям.

3.Как получить скидку на оффлайн заказ?

Наши специалисты по продажам сделают скидку непосредственно в PI для вас, если ваш заказ
соответствует стандарту нашего правила деятельности.

* Право на окончательную интерпретацию этой деятельности принадлежит Utmel Electronic Limited.

(PDF) Двухкаскадный генератор мощных наносекундных импульсов на основе DSRD

теория и эксперимент ”, IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 45, нет. 8, pp.

2341–2350, август 2017 г.

[13] D.Состановский, А.Бориссенко, «Настраиваемые генераторы импульсов на основе эффекта

с дрейф-ступенчатым восстановлением в диодах выпрямителя мощности COTS», Тр. IEEE

Int. Конф. Микроу. Commun. Антенны Электрон. Систем., 2013, с. 1-4.

[14] Л.М. Меренский, А.Ф. Кардо-Сысоев, Д. Шмиловиц и А.С. Кесар,

«Исследование эффективности импульсного генератора мощности 2,2 кВ, 1 нс и 1 МГц на основе

на диоде с дрейфом-ступенчатым восстановлением», IEEE Пер. Plasma Sci., Vol. 41, нет.

11, с.3138-3142, ноябрь 2013 г.

[15] Афанасьев А.В. и др. «Мегаваттный генератор наносекундных импульсов на базе карбидно-кремниевых дрейфовых диодов

с резким восстановлением», Новости

ВУЗов России. , Радиоэлектроника, т. 3, pp.

21-24 марта 2015 г.

[16] Кесар А.С., Меренский Л.М., Огранович М., Кардо-Сысоев А.Ф.,

Д. Шмиловиц, «6-кВ 130-пс нараст. импульсная силовая схема с

каскадным сжатием быстровосстанавливающимися и лавинными диодами // Электрон.

Lett., Vol. 49, нет. 24, стр. 1539-1540, ноябрь 2013 г.

[17] М.С. Никоо, «Генератор неоднородных линий для мощных приложений RF

», IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 46, нет. 1. С. 64-71, Jan.

2018.

[18] Дж. Деменик и др. Сопротивление ксеноновой плазмы при большой вспышке лампы

// Сов. Phys. — Tech. Phys., Т. 13, pp. 829–832, Dec. 1968.

[19] М.С. Нику и С.М.-А. Хашеми, «Компактный твердотельный самоконтроллер

с преобразователем РЧ-импульсов с компрессией малой мощности в высокую», IEEE

Trans.Plasma Sci., Vol. 44, нет. 10, pp. 2323–2330, Oct. 2016.

[20] Mietek Bakowski, et al. «Проектирование и характеристика недавно разработанного

SiC p-i-n диода 10 кВ 2 А для промышленного источника питания

с мягкой коммутацией», IEEE Trans. Электронные устройства, т. 62, нет. 2, 2015.

[21] Н. Каджи, Х. Нива, Дж. Суда и Т. Кимото, «Сверхвысоковольтные SiC p-i-n

диоды с улучшенными прямыми характеристиками», IEEE Trans. Электрон

Приборы, т.62, нет. 2, стр. 374-381, февраль 2015 г.

[22] С.Г. Сундаресан, К. Стердевант, М. Маррипелли, Э. Лизер и Р. Сингх,

“SiC-PiN-диоды на 12,9 кВ с малыми падениями напряжения в открытом состоянии и большой срок службы носителя

», Матер. Sci. Форум, т. 720, pp. 949-952, 2012.

Мохаммад Самизаде Нику (M’16) родился в

Тегеране, Иран, в 1992 году. Он получил степень бакалавра наук. и

M.Sc. дипломы по электротехнике

Технологического университета Шарифа, в 2015 и 2017 годах —

соответственно.Во время магистерского исследования он сосредоточился на

нелинейных линиях передачи (NLTL), чтобы разработать интегрированную теорию

, которая описывает генерацию UWB и РЧ-импульсов

через оконечные NLTL. Его магистерская диссертация

была выбрана как лучшая диссертация по электротехнике

в Технологическом университете Шарифа в 2017 году.

Он работает в Лаборатории электромагнетизма с 2014 года. .

[23] М. Моримото, Р. Араи, К. Омацу, К. Тераниши и Н. Шимомура,

«Внедрение натянутого внутреннего проволочного электрода для обработки NOx с помощью импульсной системы питания

наносекундной длительности», IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 44,

нет. 11, pp. 2874–2879, Nov. 2016.

[24] М. Моримото, Т. Ниномия, Т. Икемото, К. Тераниши и Н.

Шимомура, «Производство озона стримерными разрядами с использованием

наносекунды. импульсные мощности и коаксиальный реактор с натянутым внутренним электродом

», IEEE Trans.Plasma Sci., Vol. 44, нет. 10, pp. 2190-2195,

Oct. 2016.

[25] М. Моримото, К. Симидзу, К. Тераниши и Н. Шимомура, «Обработка поверхностно-активным веществом

с использованием наносекундной импульсной мощности и воздействия электрического тока

».

разряда жидкости в растворе », IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 44, нет. 10,

pp. 2167-2172, Oct. 2016.

Сейед Морад-Али Хашеми получил степень бакалавра наук. степень

Технологического университета Шарифа, Тегеран,

Иран, в 1991 г.Степень S. в Университете Тарбиат Модарес

, Тегеран, 1997 г., и докторская степень. степень

от К. Технологический университет Туси,

Тегеран, в 2010 году, все в области электротехники.

С 2012 по 2014 год он был научным сотрудником кафедры электротехники

Технологического университета Шарифа

. С

2014 года он был директором по науке в отделе электромагнетических технологий

. (ETSO) и Лаборатория электромагнитных исследований Технологического университета Шарифа

.В настоящее время занимается нелинейными

характеристиками СВЧ-плазменных взаимодействий, в частности, вакуумными

СВЧ-устройствами, солитонными генераторами и компрессорами импульсов, хаотическим

поведением вакуумных ВЧ-генераторов и распространением ВЧ-импульсов в нелинейных средах

. . Его текущие исследовательские интересы включают оптические солитоны и солитонную связь

в нелинейных средах.

Форухар Фарзане (S’83 – M’84 – SM’97) родился в

Тегеране, Иран, в 1957 году.Он получил степень бакалавра наук.

Электротехника из Университета Шираза,

Иран в 1980 году, степень магистра ENST-Париж в 1981 году,

DEA и докторская степень Университета Лиможа,

Франция в 1982 и 1985 годах соответственно. С 1985 по 1989 гг. Работал в

Тегеранском политехническом институте в качестве ассистента профессора

. С 1989 года он работает на кафедре электротехники

Технологического университета Шарифа

, где он является профессором.Он был со-

лауреатом Премии СВЧ Европейской микроволновой конференции в 1985 году

и получателем премии Максвелла IEE в 2001 году.

Его основные области интересов — СВЧ и миллиметровые волны

Коммуникационные цепи и Systems, и он является автором множества работ

в этой области. Он также является автором книги RF Communication Circuits на персидском языке

IRF IR2111

DtSheet

Загрузить

IRF IR2111

Открыть как PDF

Похожие страницы

IRF IR2110E6

IRF IR2110L6

IRF IR2181

IRF IR21091PBF

IRF IR2118PBF

IRF IRS2117SPBF

IRF IR2122S

IRF IR2127

IRF IR2117

IRF IR2151

WTE S2A

IRF IR2131

IRF IR2125

ПАНДЖИТ 1SMA5947

IRF IR2121

IR2110E6

SECOS SMA5921

IRF IR2111S

CTS MP150

IRF IRS2111STRPBF

PACELEADER SMA5924B

КОНЕКСАНТ CX23888

dtsheet © 2021 г.

No related posts.

International Rectifier (Infineon Technologies) — IR2111 Интернет-дистрибьютор

ADuM4137 Техническое описание и информация о продукте

Подробнее о продукте

IR2111PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8], Infineon

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация

IR2111 | Infineon Technologies | PMIC — Драйверы ворот

Быстрый запрос

ir2111 (1/15 страницы) IRF | ДРАЙВЕР ПОЛУМОСТА

IR2111S — Технический паспорт PDF — Цена — PMIC — Драйверы ворот — Infineon Technologies

(PDF) Двухкаскадный генератор мощных наносекундных импульсов на основе DSRD

IRF IR2111

IRF IR2111

Оставить комментарийОтменить комментарий