Ir2111 datasheet на русском: Error 404 not found — FindIC

International Rectifier (Infineon Technologies) — IR2111 Интернет-дистрибьютор

номер части Производители Описание Склад Цена

IR2111STRPBF

DISTI #V72:2272_13892775

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No

RoHS: уступчивый

3373
1
$2.7952
10
$2.1662
25
$1.9496
100
$1.74
250
$1.5659
500
$1.5133
1000
$1.2709
3000
$1.1271

IR2111PBF

DISTI #V36:1790_13892771

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No

RoHS: уступчивый

2987
1
$3. 0509
10
$2.3706
100
$2.0566
250
$1.8977
500
$1.7287
1000
$1.4459
3000
$1.394
6000
$1.3566
9000
$1.2816

IR2111SPBF

DISTI #V36:1790_13892773

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No 381
1
$2.7968
10
$2.1673
100
$1.7408
500
$1.536
1000
$1.24

IR2111STRPBF

DISTI #V36:1790_13892775

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No

RoHS: уступчивый

0
2500
$1. 04
25000
$1.039
250000
$1.032
1250000
$1.025

IR2111STRPBF

DISTI #IR2111SPBFCT-ND

Infineon Technologies AG IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC

RoHS: уступчивый

8839
1
$2.81
10
$2.522
100
$2.0272
500
$1.66552
1000
$1.37999

IR2111STRPBF

DISTI #IR2111SPBFDKR-ND

Infineon Technologies AG IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC

RoHS: уступчивый

8839
1
$2.81
10
$2.522
100
$2.0272
500
$1.66552
1000
$1. 37999

IR2111STRPBF

DISTI #IR2111SPBFTR-ND

Infineon Technologies AG IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC

RoHS: уступчивый

7500
2500
$1.2474

IR2111PBF

DISTI #IR2111PBF-ND

Infineon Technologies AG IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP

RoHS: уступчивый

2001
1
$2.97
10
$2.666
100
$2.1847
500
$1.85978
1000
$1.56849

IR2111SPBF

DISTI #IR2111SPBF-ND

Infineon Technologies AG IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC

RoHS: уступчивый

198
1
$2. 73
95
$2.31
190
$1.96811
570
$1.617
1045
$1.3398

IR2111

DISTI #IR2111-ND

Infineon Technologies AG IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP

RoHS: Не соответствует

0

IR2111S

DISTI #IR2111S-ND

Infineon Technologies AG IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC

RoHS: Не соответствует

0

IR2111STR

DISTI #IR2111STR-ND

Infineon Technologies AG IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC

RoHS: Не соответствует

0

IR2111STRPBF

DISTI #32911815

Infineon Technologies AG Driver 600V 0. 5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No

RoHS: уступчивый

5000
2500
$0.6751

IR2111STRPBF

DISTI #29491890

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No

RoHS: уступчивый

3373
11
$2.7952

IR2111PBF

DISTI #30605231

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No

RoHS: уступчивый

2990
13
$2.0125

IR2111PBF

DISTI #33926874

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No

RoHS: уступчивый

2987
9
$3. 0509

IR2111STRPBF

DISTI #32731450

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No

RoHS: уступчивый

2500
8
$3.2125

IR2111STRPBF

DISTI #32716586

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No

RoHS: уступчивый

2500
2500
$1.1

IR2111PBF

DISTI #26151515

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No

RoHS: уступчивый

2325
15
$0.6812

IR2111SPBF

DISTI #27143796

Infineon Technologies AG Driver 600V 0. 5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No 784
14
$0.7426

IR2111SPBF

DISTI #31669749

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No 460
7
$4.1125

IR2111SPBF

DISTI #31941147

Infineon Technologies AG Driver 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/No 381
10
$2.7968

IR2111PBF

DISTI #IR2111PBF

Infineon Technologies AG MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I

RoHS: уступчивый

49
3000
$0.
79251
6000
$0.76389
9000
$0.73628
15000
$0.71151
30000
$0.69886

IR2111PBF

DISTI #SP001533152

Infineon Technologies AG MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I

RoHS: уступчивый

1600
50
$0.9859
100
$0.8069
200
$0.7399
300
$0.6829
500
$0.6339

IR2111SPBF

DISTI #

SP001535352

Infineon Technologies AG MOSFET and Power Driver 0.25A/0.5A 2-OUT High and

RoHS: уступчивый

3325
95
$1.0749
190
$0.8799
380
$0.8059
570
$0.7439
950
$0.6909

IR2111PBF

DISTI #IR2111PBF

Infineon Technologies AG MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I

RoHS: уступчивый

0
500
$1.49
1000
$1.39
1500
$1.39
2500
$1.29
5000
$1.29

IR2111PBF

DISTI #19K8415

Infineon Technologies AG MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I

RoHS: уступчивый

0

IR2111SPBF

DISTI #IR2111SPBF

Infineon Technologies AG MOSFET and Power Driver 0.25A/0.5A 2-OUT High and

RoHS: Не соответствует

0
475
$0.61429
950
$0.59722
1425
$0.58108
2375
$0.56579
4750
$0.55844
11875
$0.55128
23750
$0.5443

IR2111SPBF

DISTI #IR2111SPBF

Infineon Technologies AG MOSFET and Power Driver 0.25A/0.5A 2-OUT High and

RoHS: уступчивый

0
3800
$0.7779
7600
$0.7499
15200
$0.7219
22800
$0.6979
38000
$0.6859

IR2111STRPBF

DISTI #IR2111STRPBF

Infineon Technologies AG MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I

RoHS: уступчивый

0
2500
$0.7059
5000
$0.6799
10000
$0.6549
15000
$0.6329
25000
$0.6219

IR2111STRPBF

DISTI #IR2111STRPBF

Infineon Technologies AG MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I

RoHS: уступчивый

0
2500
$0.55714
5000
$0.54167
7500
$0.52703
12500
$0.51316
25000
$0.50649
62500
$0.5
125000
$0.49367

IR2111STRPBF

DISTI #IR2111STRPBF

Infineon Technologies AG MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I 0

IR2111STRPBF

DISTI #SP001536780

Infineon Technologies AG MOSFET DRVR 600V 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg I

RoHS: уступчивый

0
2500
$0.9769
5000
$0.7999
10000
$0.7329
15000
$0.6759
25000
$0.6279

IR2111PBF.

DISTI #27AC6976

Infineon Technologies AG LEVEL SHIFT JUNCTION ISO ROHS COMPLIANT: YES 0
1
$3.22
10
$2.73
100
$2.37
500
$1.98
1000
$1.67
2500
$1.49
5000
$1.4

IR2111STRPBF.

DISTI #32AC0800

Infineon Technologies AG Driver Configuration:High Side and Low Side, Peak 0
1
$0.706
5000
$0.68
10000
$0.655
15000
$0.633
25000
$0.622

IR2111SPBF

DISTI #63J7862

Infineon Technologies AG IC, MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, SOIC-8, Driver Co 112
1
$2.62
10
$2.22
100
$1.78
500
$1.57
1000
$1.29
2500
$1.2
5000
$1.16

IR2111PBF

DISTI #19K8415

Infineon Technologies AG MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, DIP-8, Driver Configu 44
1
$3.15
10
$2.67
100
$2.32
500
$1.98
1000
$1.67
2500
$1.49
5000
$1.4

IR2111PBF

DISTI #70017561

Infineon Technologies AG HALF BRIDGE DRIVER, FIXED 650NS DEADTIME IN A 8-P

RoHS: уступчивый

0
1
$2.4
10
$2.12
100
$1.84
500
$1.6
1000
$1.41

IR2111SPBF

DISTI #70017296

Infineon Technologies AG HALF BRIDGE DRIVER, FIXED 650NS DEADTIME IN A 8-L

RoHS: уступчивый

0
1
$2.47
10
$2.17
100
$1.91
500
$1.65
1000
$1.45

IR2111STRPBF

DISTI #70019449

Infineon Technologies AG HALF BRIDGE DRIVER, FIXED 650NS DEADTIME IN A 8-L

RoHS: уступчивый

0
2500
$1.573
5000
$1.542
12500
$1.494

IR2111STRPBF

DISTI #942-IR2111STRPBF

Infineon Technologies AG Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA

RoHS: уступчивый

2714
1
$2.59
10
$2.2
100
$1.76
500
$1.55
1000
$1.28
2500
$1.19
5000
$1.15

IR2111PBF

DISTI #942-IR2111PBF

Infineon Technologies AG Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA

RoHS: уступчивый

4166
1
$2.83
10
$2.41
100
$2.09
250
$1.98
500
$1.78
1000
$1.5
3000
$1.42

IR2111SPBF

DISTI #942-IR2111SPBF

Infineon Technologies AG Gate Drivers HALF BRDG DRVR 600V 650ns 200mA

RoHS: уступчивый

239
1
$2.59
10
$2.2
100
$1.76
500
$1.55
1000
$1.28
2500
$1.19
5000
$1.15

VI-R2111-CWYY

DISTI #492-VI-R2111-CWYY

Vicor Corporation Isolated DC/DC Converters VI-R2111-CWYY 0
1
$926.25
5
$785.9
10
$730.56

VI-R2111-CWWW

DISTI #492-VI-R2111-CWWW

Vicor Corporation Isolated DC/DC Converters VI-R2111-CWWW 0
1
$937.6
5
$795.54
10
$739.52

VI-R2111-IWWW

DISTI #492-VI-R2111-IWWW

Vicor Corporation Isolated DC/DC Converters VI-R2111-IWWW 0
1
$1529.14
5
$1297.45

MI-R2111-MWWW

DISTI #492-MI-R2111-MWWW

Vicor Corporation Isolated DC/DC Converters MI-R2111-MWWW 0
1
$2838.62

IR2111STRPBF

DISTI #

Infineon Technologies AG IR2111S Series Dual 25 V Surface Mount Half Bridge

RoHS: уступчивый

2500
2500
$0.67

IR2111PBF

DISTI #

International Rectifier Half Bridge Based MOSFET Driver, 0.5A, CMOS, PDIP8

RoHS: уступчивый

2
1
$1.73
25
$1.61
100
$1.54
500
$1.48
1000
$1.41

IR2111SPBF

DISTI #5412767P

Infineon Technologies AG MOSFET/IGBT DRIVER IR2111S SOIC8 200MA, TU 314
10
$1.13
50
$1.01
100
$0.9
250
$0.82

IR2111SPBF

DISTI #5412767

Infineon Technologies AG MOSFET/IGBT DRIVER IR2111S SOIC8 200MA, EA 131
1
$1.99
10
$1.13
50
$1.01
100
$0.9
250
$0.82

IR2111PBF

DISTI #5410654

Infineon Technologies AG MOSFET/IGBT DRIVER IR2111 DIP8 200MA, EA 201
1
$3.34
10
$2
50
$1.82
100
$1.64
250
$1.5

IR2111PBF

DISTI #5410654P

Infineon Technologies AG MOSFET/IGBT DRIVER IR2111 DIP8 200MA, TU 748
10
$2
50
$1.82
100
$1.64
250
$1.5

IR2111

DISTI #

International Rectifier 1021
4
$1.575
14
$1.0237
50
$0.5906
171
$0.504
369
$0.441
875
$0.4095

IR2111SPBF

DISTI #

International Rectifier 37

IR2111STR

DISTI #

International Rectifier 4200

IR2111

DISTI #

International Rectifier MOSFET Driver, Dual, 8 Pin, Plastic, DIP 160
1
$2.1
13
$1.05
58
$0.63

IR2111

DISTI #

International Rectifier MOSFET Driver, Dual, 8 Pin, Plastic, DIP 1300
1
$4
325
$1.65
607
$1.5

IR2111

DISTI #

International Rectifier MOSFET Driver, Dual, 8 Pin, Plastic, DIP 16
1
$4.5
3
$3
9
$2.25

IR21113-2

DISTI #

International Rectifier 1180
1
$4.5
361
$2.475
809
$2.25

IR2111S

DISTI #

International Rectifier MOSFET Driver, Dual, 8 Pin, Plastic, SOP 2476
1
$3
433
$1.2375
809
$1.125

IR2111SPBF

DISTI #

International Rectifier 29
1
$3.216
4
$2.68
10
$2.3584

IR2111PBF

DISTI #IR2111PBF

Infineon Technologies AG Driver, high-/low-side, gate driver, -420÷200mA, 32
1
$1.49
5
$1.36
25
$1.11
100
$0.96

IR2111SPBF

DISTI #IR2111SPBF

Infineon Technologies AG Driver, high-/low-side, gate driver, -420÷200mA, 253
1
$1.55
5
$1.43
25
$1.11
95
$0.95

IR2111PBF

DISTI #9101730

Infineon Technologies AG IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, DIP-8

RoHS: уступчивый

12
1
$1.71

IR2111SPBF

DISTI #8638861

Infineon Technologies AG IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-8

RoHS: уступчивый

76
1
$3.9
10
$3.32
100
$2.65
500
$2.34
1000
$1.93
2500
$1.79
5000
$1.73
10000
$1.66

IR2111STRPBF

DISTI #8639698

Infineon Technologies AG

RoHS: уступчивый

0
1
$3.9
10
$3.32
100
$2.65
500
$2.34

IR2111SPBF

DISTI #8638861

Infineon Technologies AG IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, SOIC-8 74
1
$1.94
25
$1.71
50
$1.55
100
$1.38
250
$1.29

IR2111PBF

DISTI #9101730

Infineon Technologies AG IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW SIDE, DIP-8

RoHS: уступчивый

0
1
$1.86
25
$1.78
50
$1.69
100
$1.61
250
$1.52

IR2111STRPBF

DISTI #XSFP00000114194

Infineon Technologies AG Transistor Output SSR, 1-Channel, 5300V Isolation

RoHS: уступчивый

5000
2500
$0.9571
5000
$0.8933

IR2111SPBF

DISTI #XSKDRABS0006577

Infineon Technologies AG

RoHS: уступчивый

1615
665
$1.07
1615
$1

IR2111PBF

DISTI #XSKDRABV0021299

Infineon Technologies AG

RoHS: уступчивый

1300
700
$1.02
1300
$0.9533

IR2111SPBF

DISTI #

International Rectifier

RoHS: уступчивый

440

IR2111SPBF

DISTI #IR2111SPBF

Infineon Technologies AG Half-Brdg Dr. 600V SO8

RoHS: уступчивый

895
5
$1.5
25
$0.9
100
$0.7
200
$0.68

IR2111PBF

DISTI #IR2111PBF

Infineon Technologies AG Half-Brdg Dr. 600V DIP8

RoHS: уступчивый

235
5
$1.43
25
$0.83
100
$0.63
200
$0.6

ADuM4137 Техническое описание и информация о продукте

Подробнее о продукте

The ADuM41371 is a single-channel gate driver specifically optimized for driving insulated gate bipolar transistors (IGBTs). Analog Devices, Inc., iCoupler® technology provides isolation between the input signal and the output gate drive.

The Analog Devices chip scale transformers also provide isolated communication of control information between the high voltage and low voltage domains of the chip. Information on the status of the chip can be read back from the dedicated fault outputs. The ADuM4137 provides isolated fault reporting for overcurrent events, remote temperature overheating events, undervoltage lockout (UVLO), and thermal shutdown (TSD)

Integrated onto the ADuM4137 is an overcurrent detection feature that protects the IGBT in case of overcurrent events. The split emitter overcurrent detection is coupled with a high speed, two-level turn off in case of faults.

The ADuM4137 provides a Miller clamp control signal for the external metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) to provide robust IGBT turn off with a single rail supply when the gate voltage drops below 2.0 V (typical) and above GND2. Operation with unipolar secondary supplies is possible, with or without the Miller clamp operation.

A low gate voltage detection circuit can trigger a fault if the gate voltage does not go above the internal threshold (VVL) within the time allowed from turn on (tDVL). This circuit allows detection of IGBT device failures that exhibit gate shorts or other causes of weak drive.

The secondary falling UVLO is set to 11.24 V (typical) for common IGBT two-level plateau voltage levels.

The ADuM4137 provides for in field programming of temperature. Two temperature sensor pins allow isolated monitoring of system temperatures at the IGBTs, sensing diode gains and offsets by means of a serial port interface (SPI) bus on the primary side of the device. Values are stored on an EEPROM located on the secondary side. Additionally, programming is available for specific voltage offsets, temperature sensing reporting frequencies, and important delays.

The ASC pin on the secondary side on the ADuM4137 allows the driver to be switched on from the secondary side if no faults are present.

Applications

  • MOSFET/IGBT gate drivers
  • Photovoltaic (PV) inverters
  • Motor drives
  • Power supplies

1 Protected by U.S. Patents 5,952,849; 6,873,065; and 7,075,329. Other patents pending.

IR2111PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8], Infineon

Описание

DRIVER, MOSFET/IGBT, 2111, DIP8 Driver IC Type Power Outputs, No. of 2 Voltage, Output 620V Output Current 250mA Power, Dissipation Pd 1W Voltage, Supply Min 10V Case Style DIP No. of Pins 8 Operating Temperature Range -40°C to +125°C Base Number 2111 IC Generic Number 2111 Logic Function Number 2111 Temp, Op. Max 125°C Temp, Op. Min -40°C Termination Type Through Hole Voltage, Offset 600V Voltage, Output Max 20V Voltage, Output Min 10V Voltage, Supply Max 20V Logic IC Function Half Bridge Driver Output Sink Current Min 420mA Output Source Current Min 200mA Time, t Off 150ns Time, t On 850ns Voltage, Vcc Max 20V Voltage, Vcc Min 10V
Корпус DIP-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 250 мА, Максимальный выходной ток спада 500 мА

Технические параметры

Конфигурация half-bridge
Тип канала синхронный
Кол-во каналов 2
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 10…20
Логическое напряжение (VIL), В 8.3
Логическое напряжение (VIH), В 12.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.5
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 40
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус DIP-8 (0.300 inch)
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных микросхем

IR2111 | Infineon Technologies | PMIC — Драйверы ворот

Быстрый запрос

IR2111

— Пожалуйста, выберите —United StatesChinaFranceGermanyIndiaJapanKorea, Республика ofRussian FederationTaiwanUnited KingdomAfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua и BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia и HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Индийский океан TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape VerdeCayman IslandsCentral африканских RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Килинг) IslandsColombiaComorosCongoCongo, Демократическая Республика TheCook IslandsCosta RicaCote D’ivoireCroatiaCubaCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland острова ( Мальвинские острова) Фарерские острова ФиджиФинляндияФранцияФранцузская ГвианаФранцузская ПолинезияФранцузские Южные территорииГабонГамбияГрузияГерманияГанаГибралтарГрецияГренландияГренадаГваделупаГуамГватемалаГу ineaGuinea-bissauGuyanaHaitiHeard Island и МакДональда IslandsHoly Престол (Ватикан) HondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIran, Исламская Республика ofIraqIrelandIsraelItalyJamaicaJapanJordanKazakhstanKenyaKiribatiKorea, Корейская Народно-Демократическая Республика ofKorea, Республика ofKosovo, Республика ofKuwaitKyrgyzstanLao Народная Демократическая RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyan Арабская JamahiriyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacaoMacedonia, бывшая югославская Республика ofMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesia, Федеративные Штаты ofMoldova, Республика ofMonacoMongoliaMontenegro, РеспубликаМонсерратМароккоМозамбикМьянмаНамибияНауруНепалНидерландыНидерландские Антильские острова Новая КаледонияРегияНовая ЗеландияНикарагуаНигерНигерияНиуэНорфолкСеверные Марианские островаНорвегияОманПакистанПалауПалестинская территория Румынии, оккупированнаяПанамаПарагуа-Новая Гвань wandaSaint HelenaSaint Киттс и NevisSaint LuciaSaint Пьер и MiquelonSaint Винсент и GrenadinesSamoaSan MarinoSao Том и PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbia, Республика ofSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Грузия и Южный Сэндвич IslandsSpainSri LankaSudanSurinameSvalbard и Ян MayenSwazilandSwedenSwitzerlandSyrian Arab RepublicTaiwanTajikistanTanzania, Объединенная Республика ofThailandTimor-lesteTogoTokelauTongaTrinidad и TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks и Кайкос IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited арабского EmiratesUnited KingdomUnited Внешние малые острова США УругвайУзбекистан Вануату Венесуэла Вьетнам Виргинские острова, Британские Виргинские острова, СШАС. Уоллис и Футуна, Западная Сахара, Йемен, Замбия, Зимбабве,

. Техническое описание

ir2111 (1/15 страницы) IRF | ДРАЙВЕР ПОЛУМОСТА

Характеристики

• Плавающий канал, предназначенный для работы в режиме начальной загрузки

Полностью работоспособен до + 600 В

Устойчив к отрицательным переходным напряжениям

Устойчив к dV / dt

• Диапазон питания привода затвора от 10 до 20 В

• Блокировка минимального напряжения для обоих каналов

• CMOS-триггерные входы Шмитта с понижением

• Согласованная задержка распространения для обоих каналов

• Внутренне установленное время запаздывания

• Выход высокого напряжения в фазе со входом

• Также доступен без вывода LEAD

Типовое соединение

Лист данных №PD60028-M

ПРИВОД ПОЛУМОСТА

Краткое описание продукта

VOFFSET

600 В макс.

IO +/-

200 мА / 420 мА

VOUT

10-20 В

т / выкл (тип.)

750 и 150 нс

Мертвое время (тип.)

650 нс

www. irf.com

1

IR2111 (S) и (PbF)

V

CC

V

B

V

S

HO

LO

IN

IN

От

до 600 В

ДО

НАГРУЗКА

В

CC

(Для правильной конфигурации контактов см. Назначение выводов).На этой / этих схемах показаны только электрические соединения

. Пожалуйста, обратитесь к нашим указаниям по применению и советам по дизайну для правильной компоновки печатной платы.

Описание

IR2111 (S) — это высоковольтный, высокоскоростной драйвер

MOSFET и IGBT с зависимыми выходными каналами со стороны высокого и

низкого уровня, предназначенными для приложений моста на половину

. Запатентованные технологии HVIC и защелки

CMOS обеспечивают надежную монолитную конструкцию

.Логический вход совместим со стандартными выходами CMOS

. Выходные драйверы имеют буферный каскад высокого импульсного тока

, рассчитанный на минимальную перекрестную проводимость драйвера

. Предусмотрено внутреннее мертвое время

, чтобы избежать прострела в выходном полумосте. Плавающий канал

может использоваться для управления N-канальным силовым полевым МОП-транзистором

или IGBT в конфигурации со стороны высокого напряжения, который работает с напряжением до 600 В.

Пакеты

8-выводный PDIP

8-выводный SOIC

IR2111S — Технический паспорт PDF — Цена — PMIC — Драйверы ворот — Infineon Technologies

Рождество и Новый год 2021 Подробная информация о деятельности

Рождество и Новый год в 2021 году Приходя, Утмель хочет оказать вам дополнительную поддержку при заказе компонентов.
В период с 27 ноября по 10 января 2021 года при достижении другой стоимости заказа вы получите скидку непосредственно в период нашей деятельности. Деталь:

(1) При стоимости заказа более 1000 долларов в одном заказе вы получите прямую скидку в размере 20 долларов.
(2) Если стоимость одного заказа превышает 5000 долларов, вы получите прямую скидку в размере 100 долларов.
(3) Если стоимость одного заказа превышает 10000 долларов США, вы получите прямую скидку в размере 200 долларов США.
(4) Если стоимость одного заказа превышает 20000 долларов США, вы получите прямую скидку в размере 400 долларов США.
(5) «Большая» сделка: 27 ноября, 30 ноября и 4 января 2021 года, 4 января 2021 года, в пекинское время с 0:00 до 24:00, на все оплаченные заказы будет действовать скидка 10% непосредственно на ваш заказ. Для скидки подходит только стоимость продукта, не включая фрахт и банковский сбор / комиссию PayPal.
(6) Для автономного заказа вы можете воспользоваться бесплатной доставкой, если стоимость вашего заказа соответствует приведенному ниже условию:
6.1 При сумме заказа более 1000 долларов вы можете получить бесплатную перевозку с массой брутто в пределах 0,5 кг.
6.2 При сумме заказа более $ 2000 вы можете получить бесплатную перевозку с массой брутто в пределах 1 кг.

Вопросы и ответы 1. Как получить купон на скидку?

Выберите все товары, которые вам нужны, в корзину, вы увидите скидку при оформлении заказа.

2.Можно ли воспользоваться бесплатным фрахтом и скидкой вместе?

Да, Utmel предоставит вам бесплатную доставку и скидку вместе, если ваш заказ соответствует нашим условиям.

3.Как получить скидку на оффлайн заказ?

Наши специалисты по продажам сделают скидку непосредственно в PI для вас, если ваш заказ
соответствует стандарту нашего правила деятельности.

* Право на окончательную интерпретацию этой деятельности принадлежит Utmel Electronic Limited.

(PDF) Двухкаскадный генератор мощных наносекундных импульсов на основе DSRD

теория и эксперимент ”, IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 45, нет. 8, pp.

2341–2350, август 2017 г.

[13] D.Состановский, А.Бориссенко, «Настраиваемые генераторы импульсов на основе эффекта

с дрейф-ступенчатым восстановлением в диодах выпрямителя мощности COTS», Тр. IEEE

Int. Конф. Микроу. Commun. Антенны Электрон. Систем., 2013, с. 1-4.

[14] Л.М. Меренский, А.Ф. Кардо-Сысоев, Д. Шмиловиц и А.С. Кесар,

«Исследование эффективности импульсного генератора мощности 2,2 кВ, 1 нс и 1 МГц на основе

на диоде с дрейфом-ступенчатым восстановлением», IEEE Пер. Plasma Sci., Vol. 41, нет.

11, с.3138-3142, ноябрь 2013 г.

[15] Афанасьев А.В. и др. «Мегаваттный генератор наносекундных импульсов на базе карбидно-кремниевых дрейфовых диодов

с резким восстановлением», Новости

ВУЗов России. , Радиоэлектроника, т. 3, pp.

21-24 марта 2015 г.

[16] Кесар А.С., Меренский Л.М., Огранович М., Кардо-Сысоев А.Ф.,

Д. Шмиловиц, «6-кВ 130-пс нараст. импульсная силовая схема с

каскадным сжатием быстровосстанавливающимися и лавинными диодами // Электрон.

Lett., Vol. 49, нет. 24, стр. 1539-1540, ноябрь 2013 г.

[17] М.С. Никоо, «Генератор неоднородных линий для мощных приложений RF

», IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 46, нет. 1. С. 64-71, Jan.

2018.

[18] Дж. Деменик и др. Сопротивление ксеноновой плазмы при большой вспышке лампы

// Сов. Phys. — Tech. Phys., Т. 13, pp. 829–832, Dec. 1968.

[19] М.С. Нику и С.М.-А. Хашеми, «Компактный твердотельный самоконтроллер

с преобразователем РЧ-импульсов с компрессией малой мощности в высокую», IEEE

Trans.Plasma Sci., Vol. 44, нет. 10, pp. 2323–2330, Oct. 2016.

[20] Mietek Bakowski, et al. «Проектирование и характеристика недавно разработанного

SiC p-i-n диода 10 кВ 2 А для промышленного источника питания

с мягкой коммутацией», IEEE Trans. Электронные устройства, т. 62, нет. 2, 2015.

[21] Н. Каджи, Х. Нива, Дж. Суда и Т. Кимото, «Сверхвысоковольтные SiC p-i-n

диоды с улучшенными прямыми характеристиками», IEEE Trans. Электрон

Приборы, т.62, нет. 2, стр. 374-381, февраль 2015 г.

[22] С.Г. Сундаресан, К. Стердевант, М. Маррипелли, Э. Лизер и Р. Сингх,

“SiC-PiN-диоды на 12,9 кВ с малыми падениями напряжения в открытом состоянии и большой срок службы носителя

», Матер. Sci. Форум, т. 720, pp. 949-952, 2012.

Мохаммад Самизаде Нику (M’16) родился в

Тегеране, Иран, в 1992 году. Он получил степень бакалавра наук. и

M.Sc. дипломы по электротехнике

Технологического университета Шарифа, в 2015 и 2017 годах —

соответственно.Во время магистерского исследования он сосредоточился на

нелинейных линиях передачи (NLTL), чтобы разработать интегрированную теорию

, которая описывает генерацию UWB и РЧ-импульсов

через оконечные NLTL. Его магистерская диссертация

была выбрана как лучшая диссертация по электротехнике

в Технологическом университете Шарифа в 2017 году.

Он работает в Лаборатории электромагнетизма с 2014 года. .

[23] М. Моримото, Р. Араи, К. Омацу, К. Тераниши и Н. Шимомура,

«Внедрение натянутого внутреннего проволочного электрода для обработки NOx с помощью импульсной системы питания

наносекундной длительности», IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 44,

нет. 11, pp. 2874–2879, Nov. 2016.

[24] М. Моримото, Т. Ниномия, Т. Икемото, К. Тераниши и Н.

Шимомура, «Производство озона стримерными разрядами с использованием

наносекунды. импульсные мощности и коаксиальный реактор с натянутым внутренним электродом

», IEEE Trans.Plasma Sci., Vol. 44, нет. 10, pp. 2190-2195,

Oct. 2016.

[25] М. Моримото, К. Симидзу, К. Тераниши и Н. Шимомура, «Обработка поверхностно-активным веществом

с использованием наносекундной импульсной мощности и воздействия электрического тока

».

разряда жидкости в растворе », IEEE Trans. Plasma Sci., Vol. 44, нет. 10,

pp. 2167-2172, Oct. 2016.

Сейед Морад-Али Хашеми получил степень бакалавра наук. степень

Технологического университета Шарифа, Тегеран,

Иран, в 1991 г.Степень S. в Университете Тарбиат Модарес

, Тегеран, 1997 г., и докторская степень. степень

от К. Технологический университет Туси,

Тегеран, в 2010 году, все в области электротехники.

С 2012 по 2014 год он был научным сотрудником кафедры электротехники

Технологического университета Шарифа

. С

2014 года он был директором по науке в отделе электромагнетических технологий

. (ETSO) и Лаборатория электромагнитных исследований Технологического университета Шарифа

.В настоящее время занимается нелинейными

характеристиками СВЧ-плазменных взаимодействий, в частности, вакуумными

СВЧ-устройствами, солитонными генераторами и компрессорами импульсов, хаотическим

поведением вакуумных ВЧ-генераторов и распространением ВЧ-импульсов в нелинейных средах

. . Его текущие исследовательские интересы включают оптические солитоны и солитонную связь

в нелинейных средах.

Форухар Фарзане (S’83 – M’84 – SM’97) родился в

Тегеране, Иран, в 1957 году.Он получил степень бакалавра наук.

Электротехника из Университета Шираза,

Иран в 1980 году, степень магистра ENST-Париж в 1981 году,

DEA и докторская степень Университета Лиможа,

Франция в 1982 и 1985 годах соответственно. С 1985 по 1989 гг. Работал в

Тегеранском политехническом институте в качестве ассистента профессора

. С 1989 года он работает на кафедре электротехники

Технологического университета Шарифа

, где он является профессором.Он был со-

лауреатом Премии СВЧ Европейской микроволновой конференции в 1985 году

и получателем премии Максвелла IEE в 2001 году.

Его основные области интересов — СВЧ и миллиметровые волны

Коммуникационные цепи и Systems, и он является автором множества работ

в этой области. Он также является автором книги RF Communication Circuits на персидском языке

.

IRF IR2111

DtSheet
    Загрузить

IRF IR2111

Открыть как PDF
Похожие страницы
IRF IR2110E6
IRF IR2110L6
IRF IR2181
IRF IR21091PBF
IRF IR2118PBF
IRF IRS2117SPBF
IRF IR2122S
IRF IR2127
IRF IR2117
IRF IR2151
WTE S2A
IRF IR2131
IRF IR2125
ПАНДЖИТ 1SMA5947
IRF IR2121
IR2110E6
SECOS SMA5921
IRF IR2111S
CTS MP150
IRF IRS2111STRPBF
PACELEADER SMA5924B
КОНЕКСАНТ CX23888

dtsheet © 2021 г.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *