Irf740 параметры: Транзистор IRF740. Характеристики, аналог, datasheet.

Содержание

IRF740 характеристики транзистора, аналоги, datasheet на русском

IRF740 — это N-канальный мощный полевой MOSFET-транзистор компании International Rectifier (IR) с изолированным затвором. В настоящее время производится компанией Vishay (преемницей IR) с другим наименованием, указанным в даташит — SiHF740. Он способен переключать нагрузки до 400 В, потребляющие до 10 А c пороговым напряжением на затворе до 10 В. При этом мощность рассеивания не должна превышать 125 Вт. Заявленное производителем сопротивление в открытом состоянии достаточно низкое и составляет 0,55 Ом.

Поскольку этот mosfet предназначен для переключения силовых линий, он имеет относительно высокое напряжение затвора, поэтому не может использоваться непосредственно с выходом микроконтроллера. Для использования с микроконтроллером потребуется дополнительная обвязка.

Распиновка

IRF740 встречается в стандартном корпусе ТО-220AB, выдерживающем достаточно высокие температуры и мощность рассеивания до 50 Вт. Распиновка (цоколевка) характерна для большинства полевиков компании IR — левая ножка — затвор, средняя — сток и крайняя правая -исток. Для определении распиновки всегда смотрите на лицевую сторону устройства, на которую нанесена маркировка. При непосредственном монтаже на плату надо учитывать физическое соединение корпуса с выводом стока. На рисунке распиновка irf740 представлена более наглядно.

Характеристики IRF740

При ознакомлении с характеристиками полевого транзистора IRF740 изначально обращают внимание на его максимальные (предельно допустимые) характеристики. Затем, исходя из поставленной задачи, изучают электрические параметры. После этого переходят к графикам типовых выходных, передаточных и других характеристик. Рассмотрим основные фрагменты из DataSheet irf740 на русском языке.

Максимальные

Ниже представлены предельно допустимые значения МОП-транзистора IRF740. Не следует воспринимать их как основные, при которых mosfet будет работать стабильно. Превышение любого из них, даже на короткий промежуток времени, может привести к выходу устройства из строя.

Электрические

В электрических характеристиках IRF740 содержится информация проверенная производителем при определенных условия. Эти условия указываются дополнительно, в одном из столбцов таблицы. Например, из дополнительных условий можно узнать, что irf740 при напряжении 400 вольт между стоком-истоком, при отсутствующем напряжении на затворе, начинает проводить слабый ток — 250 микроампер.

Тепловые параметры

Основным параметром, который ограничивает применение полевого транзистора, является его рабочая температура. А точнее её увеличение, которое связанно с ростом сопротивления транзистора при прохождении через него электрического тока. Несмотря на низкое сопротивление mosfet, на нём все равно рассеивается некоторая мощность, из-за этого он нагревается. Для упрощения расчётов связанных с нагревом IRF740, в даташит приводятся значения его тепловых сопротивлений: от кристалла к корпусу (Junction-to-Case ) и от корпуса в окружающую среду (Junction-to-Ambient).

Неправильные расчеты тепловых параметров для использования в проектах и плохая пайка приводит к перегреву mosfet. На одном из форумов радиолюбитель жаловался на то, что в собранной им схеме металлоискатель пират на irf740 сильно греется. После продолжительных разбирательств причина перегрева выяснилась и оказалась самой банальной – плохая пайка прибора на плату и охлаждение.

Аналоги

Полными зарубежными аналогами устройства являются: STP11NK40Z (STM), D84EQ2 (National Semiconductor). Аналогичный вид корпуса, распиновка и характеристики этих устройств не потребуют вносить изменения в схему проекта в случае замены. Так же, наиболее подходящим для замены, моно сказать отечественным аналогом irf740, является транзисторы серии КП776. КП776 производит ОАО «ИНТЕГРАЛ», г.Минск, Республика Беларусь. В его даташит транзистор irf740 указан как прототип. Вот максимальные предельно допустимые электрические режимы эксплуатации КП776:

Проверка мультиметром

Большинство полевых n-канальных mosfet можно проверить обычным мультиметром. Сначала проверяют работу, так называемого паразитного диода между выводами стока (D) и истока (S). Затем проводится проверка открытия и закрытие мосфета путем одновременного, кратковременного касания щупами мультиметра контактов «S» и затвора (G). Если при такой подаче плюса на вывод «G» транзистор открывается, а между его выводами «D» — «S» появляется короткое замыкание (в обоих направлениях, несмотря на наличие паразитного диода), то он считается рабочим. Соответственно, если не открывается, то он считается нерабочим.

Для проверки irf740 одним мультиметром не обойтись, так для его открытия требуется напряжение на затворе не менее 4-5 вольт, а мультиметр способен выдать не более 0,3. Поэтому при проверке необходимо запастись источникам питания, например обычной кроной. Кратковременным касанием минусовой клеммой кроны контакта И, а плюсовой «G» можно открыть транзистор. Если после этого ток между «D» и «S» течет в обоих направлениях, то значит транзистор исправен. Конечно, перед проверкой на открытие/закрытие, необходимо проверить исправность паразитного диода. Предлагаем посмотреть видео на эту тему.

Производители

На российском рынке irf740 наиболее распространен под торговой маркой Vishay. Это связано с поглощением этой компанией подразделения IR в 2007 году. Подробнее про этот момент, а так же распространенную маркировку «irf» можно прочитать в статье про IRFZ44n. Даташиты некоторых производителей можно скачать, кликнув мышкой по ссылке: Vishay; National Semiconductor.

Транзистор IRF740 параметры | Практическая электроника

Дешевый n-канальный MOSFET на 400В и 10А. Был разработан и производился International Rectifier, потом IR продала большое количество своей номенклатуры вместе с производственными мощностями VISHAY и та стала выпускать транзистор под названием SiHF740A.
Кроме того IRF740 выпускают и другие производители: Infineon, ST, Fairchild.

IRF740 параметры

Структура — n-канал;
Максимальное напряжение сток-исток Uси = 400 В;
Максимальный ток сток-исток при 100°С Iси макс. = 6,3 А;
Максимальный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 10 А;
Максимальный импульсный ток сток-исток при 25°С Iси макс. = 40 А;
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс. = ±20 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. < 550 мОм (0,55 Ом);
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. = 125 Вт;
Тепловое сопротивление кристалл-корпус Rt = 1.0 °C/Вт;
Температурный диапазон работы T = — 55 .. + 150 °C;
Крутизна характеристики S = 7;
Пороговое напряжение на затворе Ugs = 2 .. 4 В;
Входная емкость Ciss = 1259 пФ;
Выходная емкость Cоss = 206 пФ;

Транзистор IRF740 выпускается в различных корпусах, от классического TO-220AB до компактных I2PAK (TO-262) и поверхностных D2PAK (TO-263)

IRF740 нашел применение в качестве высокочастотных ключей импульсных источников питания:
В источниках питания с входным переменным напряжение 220-240 В для мостовой и полумостовой топологии, конечно если нет вероятности работы при повышенных сетевых напряжениях.

В источниках питания рассчитанных на 100-120 В могут использоваться в прямоходовом и обратноходовом включении.

Кроме того IRF740 применяется в металлоискателях, например в простом и популярном металлодетекторе PIRAT.

Аналоги IRF740

Полные: STP11NK40Z (ST), D84EQ2, VN2340N5.
Существует отечественный аналог IRF740 и с теми же цифрами КП740!

Этот транзистор дешево купить можно на алиэкспрессе по 2 доллара за 10 штук.

IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор — DataSheet

Расположение выводов IRF740

Описание

Третье поколение МОП-транзисторов от компании Vishay дают проектировщику схемы лучшее сочетание быстрого переключения и запаса прочности, низкое сопротивление в открытом состоянии, небольшую стоимость и высокую эффективность. Исполнение в корпусе TO-220AB является оптимальным для применения в схемах промышленных устройств с уровнем рассеиваемой мощности до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и небольшая стоимость сделали его, часто используемым, в схемах различных устройств.

**Абсолютные максимальные значения**
Параметр			Обозначение	Значение	Ед. изм.
Напряжение сток-исток			V_DS	400	В
Напряжение затвор-исток			V_GS	± 20
Ток стока (постоянный)	V_GS = 10 В	T_C = 25 °C	I_D	10	А
		T_C = 100 °C		6.3
Ток стока (импульсный) ^a			I_DM	40
Линейный коэффициент снижения мощности				1.0	Вт/°C
Энергия одиночного лавинного импульса ^b			E_AS	520	мДж
Повторяющийся лавинный ток ^a			I_AR	10	А
Энергия повторяющегося лавинного импульса ^a			E_AR	13	мДж
Максимальная рассеиваемая мощность	T_C = 25 °C		P_D	125	Вт
Импульс на восстанавливающемся диоде dV/dt^c			dV/dt		В/нс
Температура перехода и температура хранения			T_J, T_stg	-55…+150	°C
Максимальная температура припоя	в течение 10 с			300^d
Момент затяжки	болт М3			1.1	Н·м

Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
V_DD = 50 В, начальные условия T_J = 25 °C, L = 9.1 мГн, R_g = 25 Ом, I_AS = 10 A (см. Рис. 12).
I_SD ≤ 10 A, dI/dt ≤ 120 A/мкс, V_DD ≤ V_DS, T_J ≤ 150 °C.
На расстоянии 1.6 мм от корпуса.

**Тепловое сопротивление**
Параметр	Обозначение	Тип.	Макс.	Ед. изм.
Максимум кристалл-окружающая среда	R_thJA	—	62	°C/Вт
Корпус-радиатор с плоской смазанной поверхностью	R_thCS	0.5	—
Максимум кристалл-корпус (сток)	R_thJC	—	1.0

**Спецификации (T_J = 25 °C)**
Параметр	Обозначение	Условия		Мин.	Тип.	Макс.	Ед. изм.
Статические
Напряжение пробоя сток-исток	V_DS	V_GS = 0 В, I_D = 250 мкA		400	—	—	В
Температурный коэффициент V_DS	ΔV_DS/T_J	Относительно 25 °C, I_D = 1 мA		—	0.49	—	В/°C
Пороговое напряжение затвор-исток	V_GS(th)	V_DS = V_GS, I_D = 250 мкA		2.0	—	4.0	В
Ток утечки затвор-исток	I_GSS	V_GS = ± 20 В		—	—	± 100	нА
Начальный ток стока	I_DSS	V_DS = 400 В, V_GS = 0 В		—	—	25	мкА
Начальный ток стока	I_DSS	V_DS = 320 В, V_GS = 0 В, T_J = 125 °C		—	—	250	мкА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии	R_DS(on)	V_GS = 10 В	I_D = 6.0 A^b	—	—	0.55	Ом
Крутизна характеристики	g_fs	V_DS = 50 В, I_D = 6.0 A^b		5.8	—	—	мА/В
Динамические
Входная емкость	C_iss	V_GS = 0 В, V_DS = 25 В, f = 1.0 МГц, см. Рис. 5		—	1400	—	пФ
Выходная емкость	C_oss			—	330	—
Емкость обратной связи	C_rss			—	120	—
Суммарный заряд затвора	Q_g	V_GS = 10 В	I_D = 10 A, V_DS = 320 В, см. Рис 6 и 13^b	—	—	63	нКл
Заряд затвор-исток	Q_gs			—	—	9.0
Заряд затвор-сток	Q_gd			—	—	32
Время задержки включения	t_d(on)	V_DD = 200 В, I_D = 10 A R_g = 9.1 Ом, R_D = 20 Ом, см. Рис. 10^b		—	14	—	нс
Время нарастания	t_r			—	27	—
Время задержки выключения	t_d(off)			—	50	—
Время спада	t_f			—	24	—
Внутренняя индуктивность стока	L_D	Между точками на расстоянии 6 мм от корпуса и центром вывода		—	4.5	—	нГн
Внутренняя индуктивность истока	L_S			—	7.5	—	нГн
Характеристики встроенного паразитного диода
Постоянный ток через паразитный диод	I_S	Обозначение, показывающее встроенный обратный p-n переход диода		—	—	10	А
Импульсный ток через диод в прямом направлении	I_SM			—	—	40	А
Напряжение на внутреннем диоде	V_SD	T_J = 25 °C, I_S = 10 A, V_GS = 0 В^b		—	—	2.0	В
Время обратного восстановления диода	t_rr	T_J = 25 °C, I_F = 10 A, dI/dt = 100 A/мкс^b		—	370	790	нс
Обратное восстановление заряда	Q_rr	T_J = 25 °C, I_F = 10 A, dI/dt = 100 A/мкс^b		—	3.8	8.2	нКл
Время открытия в прямом направлении	t_on	Внутренние время включения (открытия) незначительно (определяется значением параметров L_S и L_D)

Повторяющиеся значения; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода (см. Рис. 11).
Ширина импульса ≤ 300 мкс; коэффициент заполнения ≤ 2 %.

Графики типовых характеристик

Рис.1 Типовые выходные характеристики, T_C = 25 °C	Рис. 2 Типовые выходные характеристики, T_C = 150 °C
Рис. 3 Типовые передаточные характеристики	Рис. 4 Нормированное сопротивление в открытом состоянии от температуры
Рис. 5 Емкость от напряжения сток-исток	Рис. 6 Заряд на затворе от напряжения сток-исток
Рис. 7 Прямое напряжение на диоде	Рис. 8 Максимальная безопасная рабочая область
Рис. 9 Максимальный ток стока от температуры корпуса

Рис. 10а Схема для проверки времени переключения

Рис. 10b Осциллограммы определения времени переключения

Рис. 11 Максимальное эффективное переходное тепловое сопротивление, кристалл-корпус

Рис. 12a Проверка цепи с индуктивностью

Рис. 12b Осциллограммы цепи проверки индуктивности

Рис. 12c Максимальная энергия лавинного импульса от тока стока

Рис 13a График заряда на затворе

Рис. 13b Схема проверки заряда на затворе

Рис. 14 Схема проверки диода

Графики к Рис. 14

Купить IRF740

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор IRF740 полевой N-канальный 400V 10A корпус TO-220

Описание товара Транзистор IRF740 полевой N-канальный 400V 10A корпус TO-220

Тип транзистора: N-канальный;
Максимальный ток «сток»-«исток»: 10A;
Максимальный напряжение «сток»-«исток»: 400V;
Тип корпуса: TO-220.

Отличительные особенности и преимущества транзистора IRF740 полевой N-канальный 400V 10A корпус TO-220

Транзистор IRF740 полевой N-канальный 400V 10A корпус TO-220 выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.

Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода («сток» и «исток»), а управляющий электрод – затвор.

Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор.

Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.

Транзистор IRF740 полевой N-канальный 400V 10A корпус TO-220 допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.

Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.

Основные параметры транзистора IRF740 полевого

При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.

Максимальный ток для полевого транзистора IRF740 составляет 10A. При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.

Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током «исток»-«сток».

Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами «сток» и «исток». При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для рассматриваемой модели напряжение составляет 400V.

Также транзистор IRF740 характеризуется напряжением отсечки на участке «затвор»-«исток». Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.

От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.

Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.

При проектировании схем с применением полевого транзистора IRF740 следует учитывать:

чувствительность к перегреву;
высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.

В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.

Предпочтительный вариант — пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.

Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.

Купить транзистор IRF740 полевой N-канальный 400V 10A корпус TO-220 в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.

Автор на +google

IRF740 to-220 | Полевые транзисторы

Код товара :	M-127-303
Обновление:	2019-10-15
Тип корпуса :	TO-220

Дополнительная информация:

Обратите внимание, что транзисторы одной марки могут иметь различный тип корпуса (исполнение), поэтому смотрите картинку и параметры корпуса. На нашем сайте опубликованы только основные параметры и характеристики. Полная информация о том как проверить IRF740 to-220, чем его заменить, схема включения, отечественный аналог, цоколевка, полный Datasheet и другие данные по этому транзистору, может быть найдена в PDF файлах раздела DataSheet и на сайтах поисковых систем Google, Яндекс и тд.

В магазине указаны розничные цены. Для оптовиков, мы готовы предложить оптовые цены (скидки), в этом случае, присылайте ваш запрос на наш емайл, мы отправим вам коммерческое предложение.

Что еще купить вместе с IRF740 to-220 ?

Огромное количество электронных компонентов и технической информации на сайте Dalincom, может затруднить Вам поиск и выбор требуемых дополнительных радиотоваров, радиодеталей, инструментов и тд. Следующую информационную таблицу мы подготовили для Вас, на основании выбора других наших покупателей.

Сопутствующие товары
Код	Наименование	Краткое описание	Розн. цена
** более подробную информацию (фото, описание, маркировку, параметры, технические характеристики, и тд.) вы сможете найти перейдя по ссылке описания товара
303	IRF740 to-220	Транзистор IRF740 (IRF740N, IRF740B) — MOSFET, N-канал, 400В, 10А, 134Вт, 0.54 Ом, TO-220	25 pyб.
609	IRF840	Транзистор IRF840 — Power MOSFET N-Channel, 500V, 8A, TO-220	32 pyб.
36	FQPF7N60C	Транзистор FQPF7N60C (FQPF7N60, 7N60) — Power MOSFET, N-Channel, 600V, 7A, TO-220FP	34 pyб.
221	UC3842AN dip-8	Микросхемы UC3842AN (UC3842) — ШИМ контроллер Von 16V, Vof 10V, макс.скважность 100%	9.7 pyб.
272	2SC5707 to-251	Транзистор 2SC5707 = NPN 80V, 8A, 30/455ns, 15W, TO-251	12 pyб.
1940	LM317T to-220	Микросхемы LM317T — Linear Regulators 1.5A Adj Vol, TO-220	13.2 pyб.
526	R2M	Стабилитроны R2M — 130V	13 pyб.
568	FQPF6N60C	Транзистор FQPF6N60 (FQPF6N60C, 6N60) — Power MOSFET Transistor, N-Channel, 600V, 6A, TO-220FP	25 pyб.
1929	NE555P dip-8	Микросхемы NE555P — PRECISION TIMER IC, DIP-8	4.3 pyб.
353	1N4007 dip	Диод 1N4007 — RECTIFIER STANDARD RECOVERY GPP, 1A, 1000V, DO-41	0.8 pyб.

Irf740 характеристики транзистора, аналоги, datasheet на русском

IRF740SPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF740SPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 63
nC

Время нарастания (tr): 27
ns

Выходная емкость (Cd): 330
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55
Ohm

Тип корпуса: TO-263

IRF740SPBF

Datasheet (PDF)

1.1. irf740spbf.pdf Size:195K _upd-mosfet

IRF740S, SiHF740S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) 400
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.55
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 63
• Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 9.0
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
Qgd (nC) 32
• Ease of Paralleling
Configuration Sin

1.2. irf740spbf.pdf Size:951K _international_rectifier

PD — 95204
IRF740SPbF
Lead-Free
4/29/04
Document Number: 91055 www.vishay.com
1
IRF740SPbF
Document Number: 91055 www.vishay.com
2
IRF740SPbF
Document Number: 91055 www.vishay.com
3
IRF740SPbF
Document Number: 91055 www.vishay.com
4
IRF740SPbF
Document Number: 91055 www.vishay.com
5
IRF740SPbF
Document Number: 91055 www.vishay.com
6
IRF740SPbF
D2Pak Package Outline
D

3.1. irf740s.pdf Size:93K _st

IRF740S
?
N — CHANNEL 400V — 0.48 ? — 10A- D2PAK
PowerMESH? MOSFET
TYPE VDSS RDS(on) ID
IRF740S 400 V 3.2. irf740s.pdf Size:171K _international_rectifier

Другие MOSFET… IRF7406PBF-1
, IRF740ALPBF
, IRF740APBF
, IRF740ASPBF
, IRF740B
, IRF740LC
, IRF740LCPBF
, IRF740PBF
, IRF830
, IRF7410GPBF
, IRF7410PBF-1
, IRF7410PBF
, IRF7413GPBF
, IRF7413PBF
, IRF7413PBF-1
, IRF7413QPBF
, IRF7413ZGPBF
.

IRF740AS Datasheet (PDF)

1.1. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _upd-mosfet

PD- 95532
SMPS MOSFET
IRF740AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55Ω 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
2

1.2. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier

PD- 92005
SMPS MOSFET
IRF740AS/L
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
Pak
Avalanche Volt

1.3. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier

PD- 95532
SMPS MOSFET
IRF740AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262

IRF740AL Datasheet (PDF)

1.1. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _upd-mosfet

3.1. irf740apbf.pdf Size:206K _upd-mosfet

IRF740A, SiHF740A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 400
Requirement
Available
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.55
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 36
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.9
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 16
and Current
Configur

3.2. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier

3.3. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier

3.4. irf740a.pdf Size:196K _international_rectifier

PD- 94828
SMPS MOSFET
IRF740APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Volt

3.5. irf740a.pdf Size:937K _samsung

Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 400 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.55
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 10 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V
Lower RDS(ON) : 0.437 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Unit

3.6. irf740a sihf740a.pdf Size:205K _vishay

IRF740A, SiHF740A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 400
Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.55
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 36
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.9
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 16
and Current
Configuration Singl

3.7. irf740a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

isc N-Channel Mosfet Transistor IRF740A
·FEATURES
·Drain Source Voltage-
: V = 400V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.55Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·Switch mode power supply
·Uninterruptable power supply
·High speed power switching
·ABSOLUTE MAXIMUM

IRF7416 Datasheet (PDF)

1.1. irf7416pbf-1.pdf Size:228K _upd-mosfet

IRF7416PbF-1
HEXFET Power MOSFET
VDS -30 V
A
1 8
S D
RDS(on) max
0.020 Ω
2 7
(@V = -10V) S D
GS
Qg (typical) 61 nC
3 6
S D
ID
4 5
-10 A
G D
(@T = 25°C)
A
SO-8
Top View
Features Benefits
Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility
⇒
Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing
RoHS Compliant, Halogen-Free Environmen

1.2. irf7416pbf.pdf Size:234K _upd-mosfet

PD — 95137A
IRF7416PbF
l Generation V Technology HEXFET Power MOSFET
l Ultra Low On-Resistance
A
l P-Channel Mosfet
1 8
S D
l Surface Mount
VDSS = -30V
2 7
S D
l Available in Tape & Reel
3 6
l Dynamic dv/dt Rating
S D
l Fast Switching
4
5
G D
RDS(on) = 0.02Ω
l Lead-Free
Top View
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced proces

1.3. irf7416gpbf.pdf Size:233K _upd-mosfet

PD — 96252A
IRF7416GPbF
HEXFET Power MOSFET
l Generation V Technology
l Ultra Low On-Resistance A
1 8
S D
l P-Channel Mosfet
VDSS = -30V
l Surface Mount 2 7
S D
l Available in Tape & Reel
3 6
l Dynamic dv/dt Rating
S D
l Fast Switching
4
5
G D
l Lead-Free
RDS(on) = 0.02Ω
l Halogen-Free
Top View
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize

1.4. irf7416qpbf.pdf Size:269K _upd-mosfet

PD — 96124
IRF7416QPbF
HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
A
1 8
l Ultra Low On-Resistance
S D
l P Channel MOSFET
VDSS = -30V
2 7
S D
l Surface Mount
3 6
l Available in Tape & Reel
S D
l 150°C Operating Temperature
4
5
G D
RDS(on) = 0.02Ω
l Automotive Qualified
l Lead-Free
Top View
Description
Specifically designed for Automotive applications,

1.5. irf7416.pdf Size:116K _international_rectifier

PD — 9.1356D
IRF7416
HEXFET Power MOSFET
Generation V Technology
A
1 8
Ultra Low On-Resistance
S D
P-Channel Mosfet VDSS = -30V
2 7
S D
Surface Mount
3 6
S D
Available in Tape & Reel
4 5
Dynamic dv/dt Rating
G D
RDS(on) = 0.02?
Fast Switching
Top View
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve

IRF740LC Datasheet (PDF)

1.1. irf740lc irf740lcpbf.pdf Size:197K _upd-mosfet

IRF740LC, SiHF740LC
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Ultra Low Gate Charge
VDS (V) 400
• Reduced Gate Drive Requirement Available
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.55
• Enhanced 30 V VGS Rating
RoHS*
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 39
• Reduced Ciss, Coss, Crss
Qgs (nC) 10
• Extremely High Frequency Operation
Qgd (nC) 19 • Repetitive Avalanche Rated
• Comp

1.2. irf740lcpbf.pdf Size:1404K _international_rectifier

PD — 94880
IRF740LCPbF
Lead-Free
12/10/03
Document Number: 91052 www.vishay.com
1
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
2
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
3
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
4
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
5
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
6
IRF740LCPbF
Document Number:

1.3. irf740lc.pdf Size:174K _international_rectifier

1.4. irf740lc sihf740lc.pdf Size:197K _vishay

IRF740LC, SiHF740LC
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Ultra Low Gate Charge
VDS (V) 400
Reduced Gate Drive Requirement Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.55
Enhanced 30 V VGS Rating
RoHS*
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 39
Reduced Ciss, Coss, Crss
Qgs (nC) 10
Extremely High Frequency Operation
Qgd (nC) 19 Repetitive Avalanche Rated
Compliant to RoHS Dire

IRF740APBF Datasheet (PDF)

1.1. irf740apbf.pdf Size:206K _upd-mosfet

3.1. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _upd-mosfet

3.2. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier

3.3. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier

3.4. irf740a.pdf Size:196K _international_rectifier

3.5. irf740a.pdf Size:937K _samsung

3.6. irf740a sihf740a.pdf Size:205K _vishay

3.7. irf740a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

IRF740A MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF740A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 134
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 36
nC

Выходная емкость (Cd): 1180
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55
Ohm

Тип корпуса: TO220

IRF740A

Datasheet (PDF)

1.1. irf740apbf.pdf Size:206K _upd-mosfet

1.2. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _upd-mosfet

1.3. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier

1.4. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier

1.5. irf740a.pdf Size:196K _international_rectifier

1.6. irf740a.pdf Size:937K _samsung

1.7. irf740a sihf740a.pdf Size:205K _vishay

1.8. irf740a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor

Другие MOSFET… IRF734
, IRF7353D1
, IRF737LC
, IRF740
, IRF7401
, IRF7403
, IRF7404
, IRF7406
, RFP50N06
, IRF740AL
, IRF740AS
, IRF740FI
, IRF740S
, IRF741
, IRF7413
, IRF7413A
, IRF7416
.

IRF740LC MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRF740LC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 39
nC

Время нарастания (tr): 31
ns

Выходная емкость (Cd): 190
pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55
Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

IRF740LC

Datasheet (PDF)

1.1. irf740lc irf740lcpbf.pdf Size:197K _upd-mosfet

1.2. irf740lcpbf.pdf Size:1404K _international_rectifier

1.3. irf740lc.pdf Size:174K _international_rectifier

1.4. irf740lc sihf740lc.pdf Size:197K _vishay

Другие MOSFET… IRF7404PBF
, IRF7406GPBF
, IRF7406PBF
, IRF7406PBF-1
, IRF740ALPBF
, IRF740APBF
, IRF740ASPBF
, IRF740B
, IRFP450
, IRF740LCPBF
, IRF740PBF
, IRF740SPBF
, IRF7410GPBF
, IRF7410PBF-1
, IRF7410PBF
, IRF7413GPBF
, IRF7413PBF
.

IRFI740G MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: IRFI740G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40
W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400
V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.4
A

Максимальная температура канала (Tj): 150
°C

Общий заряд затвора (Qg): 66
nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55
Ohm

Тип корпуса: TO220

IRFI740G

Datasheet (PDF)

1.1. irfi740g.pdf Size:925K _international_rectifier

PD — 94854
IRFI740GPbF
Lead-Free
11/19/03
Document Number: 91156 www.vishay.com
1
IRFI740GPbF
Document Number: 91156 www.vishay.com
2
IRFI740GPbF
Document Number: 91156 www.vishay.com
3
IRFI740GPbF
Document Number: 91156 www.vishay.com
4
IRFI740GPbF
Document Number: 91156 www.vishay.com
5
IRFI740GPbF
Document Number: 91156 www.vishay.com
6
IRFI740GPbF
TO-220 Full-Pak

1.2. irfi740glc.pdf Size:221K _international_rectifier

1.3. irfi740g sihfi740g.pdf Size:1583K _vishay

IRFI740G, SiHFI740G
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Isolated Package
VDS (V) 400
High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.55
f = 60 Hz)
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 66
COMPLIANT
Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
Qgs (nC) 10
Dynamic dV/dt Rating
Qgd (nC) 33
Low Thermal Resistance
Configuration Single
Lead (P

1.4. irfi740glc sihfi740glc.pdf Size:1296K _vishay

IRFI740GLC, SiHFI740GLC
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Ultra Low Gate Charge
VDS (V) 400
Reduced Gate Drive Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.55
Enhanced 30 V VGS Rating
RoHS*
Isolated Package
Qg (Max.) (nC) 39
COMPLIANT
High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,
Qgs (nC) 10
f = 60 Hz)
Qgd (nC) 19
Sink to Lead Creepage Distance

Другие MOSFET… IRFI644G
, IRFI710A
, IRFI720A
, IRFI720G
, IRFI730A
, IRFI730G
, IRFI734G
, IRFI740A
, BUK455-200A
, IRFI740GLC
, IRFI744G
, IRFI820A
, IRFI820G
, IRFI830A
, IRFI830G
, IRFI840A
, IRFI840G
.

Оцените статью:

IRF740 TO-220AB

Выберите категорию:

Все Инструменты » Для пайки Светодиодная подсветка для телевизоров » LED подсветка BBK » LED подсветка ERISSON » LED подсветка LG » LED подсветка Mystery » LED подсветка Panasonic » LED подсветка Samsung » LED подсветка Sharp » LED подсветка SONY » LED подсветка TCL » LED подсветка Telefunken » LED подсветка Toshiba » Ремкомплект для подсветки Электронные компоненты » Диоды »» Выпрямительные диоды »» Диодные мосты »» Стабилитроны »» Диоды Шоттки »» Диоды импульсные »» Диоды высокоскоростные » Конденсаторы »» Электролитические »» Высоковольтные конденсаторы » ЖК драйвер cof/tab » Микросхемы »» Преобразователи DC-DC »» Память »»» Flash Memory »»» NUND Flash »»» SPI »»» EEPROM »»» eMMC »» для источников питания »» LED Driver for LCD »» Процессоры »»» Процессор аудио »» Усилитель мощности аудио »» Гаммакорректоры »» Кадровой развертки » Оптопары » Резисторы » Светодиодная продукция »» SMD светодиоды » Транзисторы »» IGBT »» MOSFET »» NPN »» PNP » Трансформаторы Платы для телевизоров » Main » PSU Расходные материалы » Флюсы » Термоскотч Источники питания » DC-DC понижающий » DC-DC повышающий

Производитель:

ВсеCeliusDeltaDieresisEitvaErmiusEslemEszettFriedrichHeinrichHekiuKhajroKisneKivenmasMujhVacatVenelusWhaiparaXofferКитай

IRF740 datasheet — N-channel 400V 0.46 Ohm 10A TO-220 Powermesh ii MOSFET

2SD1238L : Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN, применение переключения 80 В / 12 А.

EMG9 :. ! 1) Два в пакете ЕМТ, UMT или SMT. 2) Стоимость монтажа и площадь можно сократить вдвое. ! Внешние размеры (Единицы: мм)! Структура Эпитаксиальный планарный тип NPN кремниевый транзистор (Тип встроенного резистора) Параметр Напряжение питания Входное напряжение Обозначение VCC VIN IO IC (макс.) Pd Tj Tstg Пределы (ИТОГО) 300 (ИТОГО) -55 +150 C Единица В Выходной ток EMG9, UMG9N.

ESAB85M-009 : Диод с барьером Шоттки.

FSU20B60 : Устройство = FRD () ;; Пиковое обратное напряжение (В) = 600 ;; Средний выпрямленный ток (А) = 15 ;; Условия (cace или температура окружающей среды) = Tc = 51 ;; Импульсный прямой ток (A) = 160 ;; Максимальная рабочая температура перехода (C) = 150 ;; Температура хранения (C) = от -40 до 150 ;; Пиковое прямое напряжение (В) = 2,6 ;; Пиковый прямой ток (A) = 20 ;; Пик обратный.

GP350MHB06S : Полумостовой модуль Igbt на 900 В.КЛЮЧЕВЫЕ ПАРАМЕТРЫ VCES VCE (sat) * (тип) IC25 IC75 IC (PK) (max) 350A 1000A n — Канал Высокая скорость переключения Низкое прямое напряжение с изоляцией от падения напряжения ПРИМЕНЕНИЕ Диапазон модулей Powerline включает полумост, прерыватель, двойной и одиночный переключатель конфигурации для напряжений от 3300В до 2400А. Это усовершенствованный полумост на 600 В n.

KU10N16 : Защита-> Сетевые фильтры. Сидак / однонаправленный тиристор (серия G1V).

MGFC45V4450A : 4.Диапазон 4–5,0 ГГц, 32 Вт, внутреннее согласование на полевом транзисторе GAAS.

05002-3R3CDMP : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 200 В, BP, 0,0000033 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Диэлектрик: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 3,30E-6 мкФ; Допуск емкости: 15 (+/-%); WVDC: 200 вольт; Температурный коэффициент: 30 частей на миллион / ° C; Тип установки:.

APM2050NDC-TRG : 5 А, 20 В, 0.035 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор, TO-243AA. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 20 вольт; rDS (вкл.): 0,0350 Ом; Тип упаковки: ЗЕЛЕНЫЙ ПАКЕТ-3; Количество блоков в ИС: 1.

KBAF66U186QAPI : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННАЯ ПЛЕНКА, СМЕШАННАЯ (БУМАГА + ПОЛИПРОПИЛЕН), 18 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: полипропиленовые; Диапазон емкости: 18 мкФ; Допуск емкости: 10 (+/-%); Тип установки: КРЕПЛЕНИЕ ШАССИ; Рабочая Температура:.

SBR60A40CT : 60 А, 40 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-220AB. s: Аранжировка: Common Catode; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, КПД; IF: 60000 мА; Пакет: ТО-220, ПЛАСТИК, ТО-220, 3 контакта; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2.

UT131-5 : TRIAC, 500V V (DRM), 1A I (T) RMS, TO-92. s: Тип тиристора: Симистор. Пассивированные, чувствительные затворы в пластиковом корпусе, предназначенные для использования в системах двунаправленного переключения и управления фазой общего назначения.Эти устройства предназначены для непосредственного подключения к микроконтроллерам. логические интегральные схемы и другие схемы запуска затвора малой мощности. Повторяющееся пиковое напряжение в закрытом состоянии UT131-6 UT131-8 RMS в открытом состоянии.

160PK220MCA10X12.5 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 160 В, 22 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 22 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 160 вольт; Ток утечки: 241 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -40 до 85 C (-40.

2330VBM1825RYN4110 : CAP, AL2O3,33UF, 450VDC, 20% -TOL, 20% + TOL. s: Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: Алюминиево-электролитические.

Какие параметры следует учитывать при выборе полевого МОП-транзистора?

Все параметры важны в той или иной ситуации (поэтому они указаны в даташите!). В этом случае у вас есть (предположительно) цепь с медленным переключением, которая либо включена, либо выключена.

Первое, на что вы должны обратить внимание, это напряжение привода для его включения (в случае IRF740 требуется 10 В, поэтому он не подходит для прямого логического привода).Посмотрите на номинальное напряжение. МОП-транзисторы с более высоким номинальным напряжением будут иметь тенденцию быть более дорогими и / или иметь более высокое сопротивление для тока. IRF740 рассчитан на 400 В. Если у вас есть только источник питания 12 В, так что номинала 25 В или 30 В вполне достаточно, тогда вы оставляете деньги (или кремний) на столе, используя излишне высокое номинальное напряжение, которое, вероятно, работает горячее, чем какая-либо альтернатива.

Затем посмотрите на Rds (on) и тепловые свойства, чтобы оценить, сколько мощности он будет рассеивать при включении (и, следовательно, если требуется радиатор, и если он требуется, какое тепловое сопротивление окружающей среде должно быть).

В случае IRF740 он имеет Rds (on) с приводом 10 В на 0,55 Ом, которое увеличивается, возможно, на 50% при высокой температуре перехода. Назовите его 0,83 Ом. При токе 5 А он рассеивает 20,6 Вт, что требует большого радиатора или радиатора и вентилятора.

Если вы используете полевой МОП-транзистор на 25 В, такой как PSMN0R9, вы можете управлять им с 4,5 В, и у него будет 1 м \ $ \ Omega \ $ Rds (вкл.) С приводом 10 В или 1,25 \ $ \ Omega \ $ с приводом 4,5 В (с аналогичный температурный эффект). Предполагая, что 1,9m \ $ \ Omega \ $, рассеиваемая мощность при 5A составляет менее 50 мВт, и он не нагреется даже без радиатора (так что Rds (on) на самом деле снова будет немного ниже).

Есть и другие эффекты, когда вы пытаетесь быстро переключить полевой МОП-транзистор (заряд затвора) и так далее, но вышеупомянутые, вероятно, являются параметрами, на которые вы должны сначала обратить внимание в вашем конкретном приложении.

И, конечно, есть практические соображения, такие как упаковка, стоимость и доступность, а также статус детали (активный или устаревший), если вы собираетесь в производство.

irf740% 20 техническое описание и примечания к приложению

1996 — IRF740 Аннотация: IRF740FI Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 IRF740FI 100oC О-220 ISOWATT220 IRF740 IRF740FI
2006 — irf740 Аннотация: силовой МОП-транзистор IRF740 irf740 mosfet irf740 application IRF740 400V 10A Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 О-220 IRF740 IRF740 @ силовой полевой МОП-транзистор IRF740 IRF740 MOSFET — описание производителя приложение irf740 IRF740 400 В 10 А
irf740 Аннотация: irf740 mosfet power MOSFET IRF740 IRF740 ir irf741 F7403 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740 / 741/742/743 IRF740 IRF741 IRF742 IRF743 IRF740 MOSFET — описание производителя силовой полевой МОП-транзистор IRF740 IRF740 ИК F7403
MOSFET 1RF740 Аннотация: 1rf740 IRF740 IRF741 irf740 mosfet IRF742 power MOSFET IRF740 IRF743 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740, IRF741, IRF742, IRF743 IRF743 IRF74 75BVdss MOSFET 1RF740 1rf740 IRF740 IRF741 IRF740 MOSFET — описание производителя IRF742 силовой полевой МОП-транзистор IRF740
IRF740 Аннотация: IRF740FI Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740 IRF740FI IRF740 IRF740FI О-220 ISOWATT220 IRF740 / FI ISOWATT22Q
1998 — IRF740 Аннотация: IRF740N МОП-транзистор IRF740 IRF740 МОП-транзистор IRF740 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 О-220 IRF740 irf740n силовой полевой МОП-транзистор IRF740 IRF740 MOSFET — описание производителя МОП-транзистор IRF740
irf740 spice модель Аннотация: IRF740 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	SS452 IRF740 IRF74Ã IRF742 IRF743 T0-220AB IRF741 С-299 irf740 spice модель IRF740
Схема управления затвором для силового полевого МОП-транзистора IRF740 Аннотация: irf740 irf741 irf740 mosfet IRF740D IRF743 irf740 СТЕНД ДЛЯ IRF740 ir Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740, IRF741, IRF742, IRF743 TA17424.схема управления затвором для силового MOSFET IRF740 irf740 irf741 IRF740 MOSFET — описание производителя IRF740D IRF743 irf740 СТЕНД ДЛЯ IRF740 ИК
F741 Аннотация: силовой МОП-транзистор RF74 IRF740 irf740 mosfet IRF741 TA17424 IRF740 ir IRF740D IRF740 F742 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740, IRF741, IRF742, IRF743 TB334 F741 rf74 силовой полевой МОП-транзистор IRF740 IRF740 MOSFET — описание производителя IRF741 TA17424 IRF740 ИК IRF740D IRF740 F742
1994 — IRF740 Реферат: транзисторный эквивалент IRF740FI irf740 irf740 DATA SHEET Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 IRF740FI 100oC О-220 ISOWATT220 IRF740 IRF740FI транзисторный эквивалент irf740 irf740 ТЕХНИЧЕСКИЙ ЛИСТ
IRF740 Аннотация: диод lt 341 IRFP340 LT 741 S IRF740 400V 10A силовой полевой МОП-транзистор IRF740 irf741 irf742 irf740 mosfet IRFP341 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740 / 741/742/743 IRFP340 / 341/342/343 40 / IRFP34Û IRF741-IRFP341 IRF742 / IRFP342 IRF743 / IRFP343 IRF740 диод lt 341 IRFP340 LT 741 S IRF740 400 В 10 А силовой полевой МОП-транзистор IRF740 irf741 irf742 IRF740 MOSFET — описание производителя IRFP341
2002 — IRF740 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	О-220 IRF740 IRF740
1998 — IRF740 Аннотация: irf740 mosfet irf740n power MOSFET IRF740 транзисторный эквивалент irf740 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 IRF740 IRF740 MOSFET — описание производителя irf740n силовой полевой МОП-транзистор IRF740 транзисторный эквивалент irf740
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740, SiHF740 2002/95 / EC О-220АБ 2011/65 / EU 2002/95 / ЕС.2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. 12-мар-12

Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740 / 741/742/743 IRFP340 / 341/342/343 F740 / IRFP340 IRF741 / IRFP341 F742 / IRFP342 F743 / IRFP343 IRF740 IRFP340 IRF741
2003 — irf740 Аннотация: IRF740 MOSFET 53A2 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 irf740 IRF740 MOSFET — описание производителя 53A2
2006 — IRF7405 Аннотация: irf740 irf740 mosfet power MOSFET IRF740 IRF740 application TO-220 DATASHEET IRF740 транзисторный эквивалент irf740 JESD97 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 IRF7405 irf740 IRF740 MOSFET — описание производителя силовой полевой МОП-транзистор IRF740 Приложение IRF740 К-220 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ IRF740 транзисторный эквивалент irf740 JESD97
2006 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220
1999 — IRF740 MOSFET — описание производителя. Аннотация: силовой МОП-транзистор IRF740 IRF740 TA17424 IRF740 TB334 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220АБ IRF740 MOSFET — описание производителя силовой полевой МОП-транзистор IRF740 транзистор IRF740 TA17424 IRF740 TB334
2001 — силовой полевой МОП-транзистор IRF740 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 TA17424 IRF740 силовой полевой МОП-транзистор IRF740
1997 — IRF470 Аннотация: Схема драйвера эквивалентного силового МОП-транзистора IR2110 IRF740 Драйвер затвора IR2110 для МОП-транзистора irf740 Эквивалентная схема драйвера затвора для МОП-транзистора IR2110 Эквивалентная схема управления затвором IR2112 для силового МОП-транзистора IRF740 irf740 МОП-транзистор IRF740LC Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Ан-944А: Ан-937Б: IRF470 Эквивалент IR2110 Схема драйвера силового полевого МОП-транзистора IRF740 Драйвер затвора IR2110 для MOSFET эквивалент irf740 Схема драйвера для MOSFET IR2110 Эквивалент IR2112 схема управления затвором для силового MOSFET IRF740 IRF740 MOSFET — описание производителя IRF740LC
2011 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740, SiHF740 2002/95 / EC О-220АБ 11.03.11
743 LEM Аннотация: IRF340 fairchild 741 741 LEM 8N40 fairchild 742 IRF740 AM / усилитель LEM 741 MTM8N35 MTM8N40 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF340-343 / IRF740-743 MTM8N35 / 8N40 O-204AA О-220АБ IRF340 IRF341 IRF342 IRF343 MTM8N35 MTM8N40 743 LEM IRF340 Fairchild 741 741 LEM 8N40 Fairchild 742 IRF740 AM / усилитель LEM 741 MTM8N35 MTM8N40
VN64GA Аннотация: диод 1rf820 343 18a irf150 IRF340 IRF742 irf740 220 125w 10a VNP002A IRF450 IRF440 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	О-220 О-237 О-202 IRF450 IRF840 IRF440 VN5001D / IRF830 VNP002A * IRF820 VN5001A / IRF430 VN64GA 1rf820 диод 343 18а irf150 IRF340 IRF742 irf740 220 125 Вт 10 А VNP002A
2002 — IRF740 MOSFET — описание производителя . Аннотация: примечание по применению irf740 МОП-транзистор irf740 IRF740 в качестве переключателя TA17424 TB334 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220АБ IRF740 MOSFET — описание производителя Примечание по применению irf740 irf740 MOSFET IRF740 в качестве переключателя TA17424 TB334

irf740% 20 Паспорт оптопары и примечания по применению

1996 — IRF740 Аннотация: IRF740FI Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 IRF740FI 100oC О-220 ISOWATT220 IRF740 IRF740FI
2006 — irf740 Аннотация: силовой МОП-транзистор IRF740 irf740 mosfet irf740 application IRF740 400V 10A Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 О-220 IRF740 IRF740 @ силовой полевой МОП-транзистор IRF740 IRF740 MOSFET — описание производителя приложение irf740 IRF740 400 В 10 А
irf740 Аннотация: irf740 mosfet power MOSFET IRF740 IRF740 ir irf741 F7403 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740 / 741/742/743 IRF740 IRF741 IRF742 IRF743 IRF740 MOSFET — описание производителя силовой полевой МОП-транзистор IRF740 IRF740 ИК F7403
MOSFET 1RF740 Аннотация: 1rf740 IRF740 IRF741 irf740 mosfet IRF742 power MOSFET IRF740 IRF743 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740, IRF741, IRF742, IRF743 IRF743 IRF74 75BVdss MOSFET 1RF740 1rf740 IRF740 IRF741 IRF740 MOSFET — описание производителя IRF742 силовой полевой МОП-транзистор IRF740
IRF740 Аннотация: IRF740FI Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740 IRF740FI IRF740 IRF740FI О-220 ISOWATT220 IRF740 / FI ISOWATT22Q
1998 — IRF740 Аннотация: IRF740N МОП-транзистор IRF740 IRF740 МОП-транзистор IRF740 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 О-220 IRF740 irf740n силовой полевой МОП-транзистор IRF740 IRF740 MOSFET — описание производителя МОП-транзистор IRF740
irf740 spice модель Аннотация: IRF740 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	SS452 IRF740 IRF74Ã IRF742 IRF743 T0-220AB IRF741 С-299 irf740 spice модель IRF740
Схема управления затвором для силового полевого МОП-транзистора IRF740 Аннотация: irf740 irf741 irf740 mosfet IRF740D IRF743 irf740 СТЕНД ДЛЯ IRF740 ir Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740, IRF741, IRF742, IRF743 TA17424.схема управления затвором для силового MOSFET IRF740 irf740 irf741 IRF740 MOSFET — описание производителя IRF740D IRF743 irf740 СТЕНД ДЛЯ IRF740 ИК
F741 Аннотация: силовой МОП-транзистор RF74 IRF740 irf740 mosfet IRF741 TA17424 IRF740 ir IRF740D IRF740 F742 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740, IRF741, IRF742, IRF743 TB334 F741 rf74 силовой полевой МОП-транзистор IRF740 IRF740 MOSFET — описание производителя IRF741 TA17424 IRF740 ИК IRF740D IRF740 F742
1994 — IRF740 Реферат: транзисторный эквивалент IRF740FI irf740 irf740 DATA SHEET Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 IRF740FI 100oC О-220 ISOWATT220 IRF740 IRF740FI транзисторный эквивалент irf740 irf740 ТЕХНИЧЕСКИЙ ЛИСТ
IRF740 Аннотация: диод lt 341 IRFP340 LT 741 S IRF740 400V 10A силовой полевой МОП-транзистор IRF740 irf741 irf742 irf740 mosfet IRFP341 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740 / 741/742/743 IRFP340 / 341/342/343 40 / IRFP34Û IRF741-IRFP341 IRF742 / IRFP342 IRF743 / IRFP343 IRF740 диод lt 341 IRFP340 LT 741 S IRF740 400 В 10 А силовой полевой МОП-транзистор IRF740 irf741 irf742 IRF740 MOSFET — описание производителя IRFP341
2002 — IRF740 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	О-220 IRF740 IRF740
1998 — IRF740 Аннотация: irf740 mosfet irf740n power MOSFET IRF740 транзисторный эквивалент irf740 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 IRF740 IRF740 MOSFET — описание производителя irf740n силовой полевой МОП-транзистор IRF740 транзисторный эквивалент irf740
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740, SiHF740 2002/95 / EC О-220АБ 2011/65 / EU 2002/95 / ЕС.2002/95 / EC 2011/65 / ЕС. 12-мар-12

Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF740 / 741/742/743 IRFP340 / 341/342/343 F740 / IRFP340 IRF741 / IRFP341 F742 / IRFP342 F743 / IRFP343 IRF740 IRFP340 IRF741
2003 — irf740 Аннотация: IRF740 MOSFET 53A2 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 irf740 IRF740 MOSFET — описание производителя 53A2
2006 — IRF7405 Аннотация: irf740 irf740 mosfet power MOSFET IRF740 IRF740 application TO-220 DATASHEET IRF740 транзисторный эквивалент irf740 JESD97 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220 IRF7405 irf740 IRF740 MOSFET — описание производителя силовой полевой МОП-транзистор IRF740 Приложение IRF740 К-220 ТЕХНИЧЕСКАЯ ИНФОРМАЦИЯ IRF740 транзисторный эквивалент irf740 JESD97
2006 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220
1999 — IRF740 MOSFET — описание производителя. Аннотация: силовой МОП-транзистор IRF740 IRF740 TA17424 IRF740 TB334 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220АБ IRF740 MOSFET — описание производителя силовой полевой МОП-транзистор IRF740 транзистор IRF740 TA17424 IRF740 TB334
2001 — силовой полевой МОП-транзистор IRF740 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 TA17424 IRF740 силовой полевой МОП-транзистор IRF740
1997 — IRF470 Аннотация: Схема драйвера эквивалентного силового МОП-транзистора IR2110 IRF740 Драйвер затвора IR2110 для МОП-транзистора irf740 Эквивалентная схема драйвера затвора для МОП-транзистора IR2110 Эквивалентная схема управления затвором IR2112 для силового МОП-транзистора IRF740 irf740 МОП-транзистор IRF740LC Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	Ан-944А: Ан-937Б: IRF470 Эквивалент IR2110 Схема драйвера силового полевого МОП-транзистора IRF740 Драйвер затвора IR2110 для MOSFET эквивалент irf740 Схема драйвера для MOSFET IR2110 Эквивалент IR2112 схема управления затвором для силового MOSFET IRF740 IRF740 MOSFET — описание производителя IRF740LC
2011 — Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740, SiHF740 2002/95 / EC О-220АБ 11.03.11
743 LEM Аннотация: IRF340 fairchild 741 741 LEM 8N40 fairchild 742 IRF740 AM / усилитель LEM 741 MTM8N35 MTM8N40 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	IRF340-343 / IRF740-743 MTM8N35 / 8N40 O-204AA О-220АБ IRF340 IRF341 IRF342 IRF343 MTM8N35 MTM8N40 743 LEM IRF340 Fairchild 741 741 LEM 8N40 Fairchild 742 IRF740 AM / усилитель LEM 741 MTM8N35 MTM8N40
VN64GA Аннотация: диод 1rf820 343 18a irf150 IRF340 IRF742 irf740 220 125w 10a VNP002A IRF450 IRF440 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	О-220 О-237 О-202 IRF450 IRF840 IRF440 VN5001D / IRF830 VNP002A * IRF820 VN5001A / IRF430 VN64GA 1rf820 диод 343 18а irf150 IRF340 IRF742 irf740 220 125 Вт 10 А VNP002A
2002 — IRF740 MOSFET — описание производителя . Аннотация: примечание по применению irf740 МОП-транзистор irf740 IRF740 в качестве переключателя TA17424 TB334 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	IRF740 О-220АБ IRF740 MOSFET — описание производителя Примечание по применению irf740 irf740 MOSFET IRF740 в качестве переключателя TA17424 TB334

Идеальный N-канальный MOSFET для коммутационных приложений

Описание

Блок MOSFET (Ideal, Switching) моделирует идеальный поведение переключения n-канального полевого транзистора металл-оксид-полупроводник (МОП-транзистор).

Характеристики переключения n-канального MOSFET таковы, что если затвор-исток напряжение превышает заданное пороговое напряжение, полевой МОП-транзистор находится во включенном состоянии. В противном случае устройство в выключенном состоянии. На этом рисунке показан типичный i-v. характеристика :

Чтобы определить ВАХ полевого МОП-транзистора, установите поведение во включенном состоянии и коммутационные потери параметр на Укажите постоянную значения или Введите в таблицу температуру и ток .Таблица с температурой и текущей опцией доступна только если выставить термопорт блока.

Во включенном состоянии путь сток-исток ведет себя как линейный резистор с сопротивлением, Р _{дс_он} . Однако если выставить термопорт блока и параметризуйте устройство, используя табличные данные I-V, табулированное сопротивление равно функция температуры и силы тока.

В выключенном состоянии путь сток-исток ведет себя как линейный резистор с низким уровнем выключенного состояния. проводимость, G _от .

Определяющие уравнения Simscape ™ для блока равны:

, если G> Vth v == i * Rds_on; иначе v == я / Гофф; end

где:

G — напряжение затвор-исток.
Vth — пороговое напряжение.
В — напряжение сток-исток.
i — ток сток-исток.
Rds_on — сопротивление в открытом состоянии.
Goff — проводимость в закрытом состоянии.

Используя настройки интегрального диода , вы можете включить основной диод или встроенный защитный диод. Встроенный диод обеспечивает путь проводимости для обратного Текущий. Например, чтобы обеспечить путь для высокого всплеска обратного напряжения, который генерируется когда полупроводниковый прибор внезапно отключает подачу напряжения на индуктивный нагрузка.

Установите параметр в соответствии с вашим Цель.

Цель	Ценность для выбора	Поведение блока
Установите приоритет скорости моделирования.	`Защитный диод без динамики`	Блок включает в себя целостную копию блока Diode. Чтобы параметризовать внутренний блок диода, используйте Защита параметров.
Точно укажите динамику заряда в обратном режиме.	`Защитный диод с динамикой заряда`	Блок включает в себя целостную копию динамической модели блока Diode. Чтобы параметризовать внутренний блок диода, используйте Защита параметров.

Варианты моделирования

Блок предоставляет четыре варианта моделирования. Для выбора желаемого вариант, щелкните правой кнопкой мыши блок в вашей модели. В контекстном меню выберите>, а затем один из этих вариантов:

— Содержит физический сигнальный порт, связанный с терминалом ворот.Этот вариант используется по умолчанию.
— Содержит порт сохранения электроэнергии, связанный с терминал ворот.
— Содержит тепловой порт и физический сигнальный порт, который связан с терминалом ворот.
— Содержит термопорт и порт для сохранения электроэнергии, который связанный с терминалом ворот.

Варианты этого блока без термопорта не имитируют тепловыделение в устройстве.

Варианты с тепловым портом позволяют моделировать тепло, которое переключает события и потери проводимости генерируют. По умолчанию тепловой порт скрыт. Чтобы включить тепловую порт, выберите термоблок вариант.

Тепловые потери

На рисунке показано идеализированное представление выходного напряжения, V _out , а выходной ток, I _out , полупроводникового прибора.В Показанный интервал включает в себя все n ^th цикл переключения, во время которого блок отключается, а затем включается.

Коммутационные потери являются одним из основных источников тепловых потерь в полупроводниках. В течение при каждом переключении включения-выключения паразитные параметры MOSFET сохраняются, а затем рассеиваются. энергия.

Коммутационные потери зависят от напряжения в закрытом состоянии и тока в открытом состоянии. Когда коммутационное устройство включено, потери мощности зависят от начального напряжения в выключенном состоянии через устройство и конечный ток в открытом состоянии, когда устройство полностью находится во включенном состоянии.Точно так же, когда коммутирующее устройство выключено, потери мощности зависят от начального ток в открытом состоянии через устройство и конечное напряжение в закрытом состоянии через устройство, когда в полностью выключенном состоянии.

В этом блоке коммутационные потери применяются путем повышения температуры перехода с значение, равное потерям переключения, деленным на общую тепловую массу в переходе. В Потери при включении, Eon (Tj, Ids) и Потери при включении, Значения параметра Eoff (Tj, Ids) задают размеры коммутационных потерь и фиксированы или зависят от температуры перехода и тока сток-исток.В обоих В случаях потери масштабируются напряжением в выключенном состоянии до последнего включения устройства. мероприятие.

Примечание

Поскольку конечный ток после события переключения неизвестен во время моделирования, Блок записывает ток в открытом состоянии в момент, когда на устройство поступает команда выключения. Точно так же блок записывает напряжение в выключенном состоянии в точке, в которой устройство приказал дальше. По этой причине журнал simlog не сообщает о коммутационных потерях в тепловая сеть до одного цикла переключения позже.

Для всех идеальных коммутационных устройств коммутационные потери отражаются в журнале simlog как lastTurnOffLoss и lastTurnOnLoss и записывается как импульс с амплитудой, равной потерям энергии. Если вы используете сценарий для суммирования общей суммы потерь за определенный период моделирования, вы должны суммировать значения импульсов для каждого импульса фронт. В качестве альтернативы вы можете использовать функции ee_getPowerLossSummary и ee_getPowerLossTimeSeries для извлечения проводимости и переключения. потери от зарегистрированных данных.

Переменные

Параметры Переменные позволяют указать приоритет и начальные целевые значения для переменных блока перед симуляцией. Для получения дополнительной информации см. Установка приоритета и начальной цели для блочных переменных.

Чтобы включить настройки Variables для этого блока, установите вариант на или же .

На рисунке показаны имена портов блока.

IRF740 Таблицы данных | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы

На главную Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные даташиты IRF740 | Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — Single N-Channel 400V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

IRF7341TRPBF Таблицы данных | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — массивы Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 4.7A 2W поверхностный монтаж 8-SO

Информационные листы IRF7404PBF | Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночный P-канал 20 В, 6,7 А (Ta) 2,5 Вт (Ta), поверхностный монтаж 8-SO

Автор & nbspapogeeweb, & nbsp & nbspIRF740, Техническое описание IRF740, IRF740 PDF, STMicroelectronics

Обзор продукта

Изображение:
Номер детали производителя:	IRF740
Категория продукта:	Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные
Наличие:	№
Производитель:	STMicroelectronics
Описание:	N-канал 400 В 10 A (Tc) 125 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Лист данных:	IRF740
Упаковка:	К-220-3
Минимум:	1
Время выполнения:	3 (168 часов)
Количество:	Под заказ
Отправить запрос предложений:	Запрос

IRF740 Изображения только для справки.

Модели CAD

Атрибуты продукта

Упаковка / ящик:	К-220-3
Серия:	PowerMESH ™ II
Номер базового продукта:	IRF7
Пакет устройств поставщика:	К-220АБ
Рассеиваемая мощность (макс.):	125 Вт (TC)
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:	1400pF при 25 В
Напряжение сток-источник (Vdss):	400 В
Технологии:	МОП-транзистор (оксид металла)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C:	10A (TC)
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения):	10 В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs:	550 мОм при 5．3A 10 В
Vgs (th) (макс.) @ Id:	4 В при 250 мкА
Vgs (макс.):	± 20 В
Функция полевого транзистора:	–
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs:	43 нКл при 10 В

Альтернативные модели

Деталь	Сравнить	Производителей	Категория	Описание
Производитель.Номер детали: IRF740	Сравните: Текущая часть	Производитель: ST Microelectronics	Категория: МОП-транзисторы	Описание: Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3Pin (3 + Tab) TO-220
Производитель.Номер детали: STP11NB40	Сравните: IRF740 VS STP11NB40	Производитель: ST Microelectronics	Категория: МОП-транзисторы	Описание: Trans MOSFET N-CH 400V 10.7A, 3 контакта (3 + вкладка) TO-220
Номер детали: IRF740PBF	Сравните: IRF740 VS IRF740PBF	Производитель: VISHAY	Категория: МОП-транзисторы	Описание: TO-220-3 N-CH 400V 10A 550mΩ
Производитель.Часть #: IRF740APBF	Сравните: IRF740 VS IRF740APBF	Производитель: VISHAY	Категория: МОП-транзисторы	Описание: TO-220-3 N-CH 400V 10A 550mΩ

Описания

Для этой части пока нет релевантной информации.

ОСОБЕННОСТИ

ECCN / UNSPSC

USHTS:	85412
CNHTS:	85412
MXHTS:	85412999
ТАРИК:	85412
ECCN:	EAR99

Экологическая и экспортная классификации

Статус RoHS:	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL):	1 (без ограничений)
Статус REACH:	REACH Без изменений
ECCN:	EAR99
HTSUS:	8541.29.0095

Производитель продукта STMicroelectronics — глобальная независимая полупроводниковая компания, которая является лидером в разработке и поставке полупроводниковых решений для всего спектра приложений микроэлектроники. Непревзойденное сочетание опыта в области микросхем и систем, производственной мощи, портфеля интеллектуальной собственности (IP) и стратегических партнеров ставит компанию на передовые позиции в области технологии System-on-Chip (SoC), а ее продукты играют ключевую роль в обеспечении современных тенденций конвергенции.

Дистрибьюторы

IRF740	STMicroelectronics	N-канал 400V 10A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB	Под заказ	НЕТ
IRF740	Vishay / Siliconix	МОП-транзистор N-Chan, 400 В, 10 А,	Под заказ	НЕТ
IRF740	Харрис Полупроводник	Силовой полевой транзистор ， 10 А I (D) ， 400 В 0.55 Ом, 1 элемент, N-канал, Кремний, Металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор, TO-220AB	Под заказ	1,8000

Популярность по регионам

1.Литва

100

IRF740 Популярность по регионам

Вас также может заинтересовать

FAQ:

что такое irf740?

IRF740 — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, который может переключать нагрузки до 400 В.Mosfet может переключать нагрузки, потребляющие до 10 А, он может включаться, обеспечивая пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. … Следовательно, этот МОП-транзистор не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения.

Связанный параметр

Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные, N-канальный, 20A (Tc) 192W (Tc), поверхностный монтаж D2PAK
Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы P-CH 20V 76A 8SON
Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 600V 0.16А ТО92-3
Транзисторы — полевые, полевые МОП-транзисторы — одиночные, полевые МОП-транзисторы N-CH 30V 18A TO252
Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные, P-канальный, 20 В, 3,7 А (Ta) 1,3 Вт (Ta), поверхностный монтаж Micro3 ™ / SOT-23
Транзисторы — полевые транзисторы, полевые МОП-транзисторы — одиночные, N-канальные 560V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Статьи по теме

IRF3205 MOSFET: распиновка, эквивалент, техническое описание [видео]

Миа 26 янв.2021 г. 1898 г.

IRF3205 — это сильноточный N-канальный полевой МОП-транзистор, который может коммутировать токи до 110 А и 55 В.Его легко найти в упаковке TO-220AB. Этот чип в основном используется в потребительских устройствах полного моста …

IRF540N MOSFET: Распиновка, эквивалент, схема [FAQ]

Игги 23 декабря 2020 1661

IRF540N — N-канальный МОП-транзистор.В этом блоге рассказывается о распиновке IRF540N MOSFET, таблице данных, эквиваленте, функциях и другой информации о том, как использовать и где использовать это устройство. Топ-5 проектов в области электроники …

IRF520 Power MOSFET: распиновка, техническое описание, спецификации [FAQ]

Миа 21 декабря 2020 745

IRF520 — это силовой МОП-транзистор 9.Ток коллектора 2А и напряжение пробоя 100В. МОП-транзистор имеет низкое пороговое напряжение затвора 4 В и поэтому обычно используется с микроконтроллерами …

IRFZ44N MOSFET: Техническое описание, применение, эквивалент [видео]

Биллили 21 ноя 2020 1524

Описание IRFZ44N — это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, в этом блоге описывается распиновка, техническое описание, характеристики и другая информация о том, как использовать это устройство, и где использовать это устройство.Каталог D …

N-канал 400V 10A (Tc) 125W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB

Атрибуты продукта
Описания
Характеристики
Модели CAD

Упаковка / ящик:	К-220-3
Серия:	PowerMESH ™ II
Номер базового продукта:	IRF7
Пакет устройств поставщика:	К-220АБ
Рассеиваемая мощность (макс.):	125 Вт (TC)
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:	1400pF при 25 В
Напряжение сток-источник (Vdss):	400 В
Технологии:	МОП-транзистор (оксид металла)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C:	10A (TC)
Напряжение привода (макс. Показания при включении, мин. Значения):	10 В
Rds вкл. (Макс.) @ Id Vgs:	550 мОм при 5．3A 10 В
Vgs (th) (макс.) @ Id:	4 В при 250 мкА
Vgs (макс.):	± 20 В
Функция полевого транзистора:	–
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs:	43 нКл при 10 В

По этой части пока нет релевантной информации.

ОСОБЕННОСТИ

По этой части пока нет релевантной информации.

Схема инвертора Irf740.IRF740 Не выключается полностью

IRF740 N-Channel Power Mosfet Features, Application

Примечание. Полную техническую информацию можно найти в таблице данных IRF по ссылке внизу страницы. Mosfet может переключать нагрузки, потребляющие до 10 А, он может включаться, обеспечивая пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source. Следовательно, этот МОП-транзистор не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Mosfet требует, чтобы схема драйвера обеспечивала 10 В на выводе затвора этого Mosfet. Простейшая схема драйвера может быть построена с использованием транзистора.

Он относительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, кроме того, МОП-транзистор также имеет хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока в постоянный. Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных IRF будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса. Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники. Спецификация компонентов. Информационный лист IRF. Получите нашу еженедельную рассылку! Корпуса Armor IPX имеют прочную тандемную конструкцию со сквозными отверстиями, которая упрощает установку.

High Performance 2.

Описание проекта

2. Разъемы серии SMP. Разъемы серии SMP обычно используются в миниатюрных высокочастотных коаксиальных модулях. Разъемы EZ. Разъемы EZ имеют оплетку без обрезки, что устраняет трудоемкий этап и снижает FOD. Этот силовой полевой транзистор с N-канальным улучшенным режимом кремниевого затвора отличается улучшенной мощностью.

Это техническое описание содержит технические характеристики для.

Параметры и характеристики.Каталог электронных компонентов. Выходное напряжение инвертора имеет форму импульсов с расчетным пиковым значением около v. Это усовершенствованный силовой МОП-транзистор, разработанный, испытанный и гарантированно выдерживающий определенные спецификации. Таблица данных irf, таблицы данных irf, irf pdf, схема irf. Небольшие заказы на транзисторы, микросхемы и конденсаторы и многое другое. Irr paperiese ec irf paper i set d 1. Силовой полевой транзистор tmos с кремниевым затвором и режимом усиления n-канала Motorola, все технические данные, технические данные, сайт поиска технических данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников.

Таблица данных шестнадцатеричных транзисторов показывает все хорошо известные преимущества МОП-транзисторов, такие как контроль напряжения, очень быстрое переключение, простота параллельного подключения и температурная стабильность электрических параметров.

Схема испытания индуктивной нагрузки без зажимов устаревшие продукты устаревшие продукты рисунок Irf datasheet, irf pdf, irf data sheet, irf manual, irf pdf, irf, datenblatt, electronics irf, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data. Информация предназначена для технически конкурентоспособных инженеров по ремонту.

Эти биты конфигурации позволяют пользователю использовать практически любой осциллятор от 4 до 48 МГц для управления текущим представлением таблицы данных pic18f в 2 КБ, mfg может отличаться. Схема испытания для переключения индуктивной нагрузки и времени восстановления диода. Таблица данных Irf, Таблица данных транзистора IRF mosfet nchannel, купить транзистор IRF. Ремонтные работы гитарных усилителей, ленточного оборудования, л до о. Irf, irf транзистор, irf nchannel mosfet транзистор, купить irf irf nchannel mosfet v 10a trmos fieldeffect транзистор — это тип униполярного транзистора, который использует электрическое поле для управления проводимостью канала.

Предусилитель urf симметричный вход q симметричный и несимметричный выходы q 3-полосный эквалайзер q паук для прыжков с земли, простое новое зарядное устройство для проекта с глубоким циклом 12 В. B абсолютные максимальные значения t c 25 o c, если не указано иное. Scribd — это крупнейший в мире сайт для чтения и публикации в социальных сетях. Для этого эксперимента была построена простая схема двухтранзисторного инвертора.

Power ird irf, sihf vishay Siliconeix отличается динамическим рейтингом DVD, повторяющимся лавинным рейтингом, быстродействием, легкостью параллельного выполнения требований к простым приводам в соответствии с описанием директивы RoHS.Щелкните логотип vishay на любой странице lrf, чтобы перейти на главную страницу содержания. Epe pic микроконтроллер электротехника. Технический паспорт январь Fairchild Semiconductor Corporation irf rev.

Это техническое описание может быть изменено без предварительного уведомления. Richardson rfpd, стрелочная компания, является специализированным дистрибьютором электронных компонентов, предоставляющим инженерам-конструкторам глубокие технические знания и локализованную глобальную проектную поддержку новейших продуктов от ведущих мировых поставщиков радиочастотных, беспроводных, энергетических и энергетических технологий.Таблица данных IRF, схема IRF, лист данных IRF. Общие термины были использованы, чтобы сделать эту информацию менее специфичной для модели, например, термины, такие как заменить транзисторный набор данных, не использовались.

Каталог микросхем микроконтроллер на русском языке. Краткие инструкции по ремонту гитарных усилителей, бандажного оборудования, l — o ниже представлены краткие инструкции по ремонту различного оборудования.

Схема измерения времени переключения для определения резистивной нагрузки. Проектирование инверторного трансформатора может быть сложной задачей.

Наилучшие фиксированные совпадения 1×2

Однако использование различных формул и использование одного практического примера, показанного здесь, наконец, сделают необходимые операции очень простыми.В данной статье на практическом примере объясняется процесс применения различных формул для изготовления инверторного трансформатора. Различные формулы, необходимые для проектирования трансформатора, уже обсуждались в одной из моих предыдущих статей. Инвертор — это ваша личная электростанция, которая способна преобразовать любой сильный источник постоянного тока в легко пригодную для использования мощность переменного тока, очень похожую на мощность, получаемую от ваших домашних розеток переменного тока.

Хотя инверторы сегодня широко доступны на рынке, разработка собственного индивидуального инверторного блока может доставить вам огромное удовлетворение и, более того, это очень весело.В Bright Hub я уже опубликовал множество схем инверторов, от простых до сложных синусоидальных и модифицированных синусоидальных схем.

Однако люди продолжают спрашивать меня о формулах, которые можно легко использовать для проектирования инверторного трансформатора. Популярный спрос побудил меня опубликовать одну такую статью, в которой подробно рассматриваются расчеты конструкции трансформатора.

Pt basf indonesia bergerak dibidang

Хотя объяснение и содержание были на должном уровне, к большому сожалению, многие из вас просто не смогли понять процедуру.Это побудило меня написать эту статью, которая включает в себя один пример, подробно иллюстрирующий, как использовать и применять различные шаги и формулы при разработке собственного трансформатора.

Теперь простое деление на 12 дает 10 ампер, это становится требуемым вторичным током. Хотите узнать, как спроектировать базовые схемы инвертора?

Значение 1. TypeTongueWinding Нет. Если у вас есть запрос, связанный со схемой, вы можете взаимодействовать с ним через комментарии, я буду очень рад помочь! Ваш адрес электронной почты:.

Iptv m3u reddit

Привет, Swag, мне нравятся твои статьи.Где найти хороший онлайн-источник стержней и катушек, подходящих для этих проектов, предпочтительно в США? Спасибо, Грэм, вы можете купить их в интернет-магазинах, таких как digikey, mouser и т. Д. 48 В на входе и на выходе. У меня также есть 4 батареи по 12 В, каждая по усилителю для этой цели. Q1, Q2 образуют начальный каскад дифференциального усилителя, который соответствующим образом повышает синусоидальный сигнал 1vpp на своем входе до уровня, который становится подходящим для запуска каскада драйвера, состоящего из Q3, Q4, Q5.МОП-транзисторы также сформированы в двухтактном формате, который эффективно перетасовывает все 60 вольт на обмотки трансформатора 50 раз в секунду, так что на выходе трансформатора генерируется заданная мощность переменного тока на уровне сети.

Каждая пара отвечает за обработку ватт на выходе, вместе все 10 пар сбрасывают ватты в трансформатор. Для получения намеченного выхода чистой синусоидальной волны требуется соответствующий входной синусоидальный сигнал, который реализуется с помощью простой схемы генератора синусоидальной волны.

Инвертор мощностью 1000 Вт — от 12 В до 220 В переменного тока Без IC

Он состоит из пары операционных усилителей и нескольких других пассивных частей. Он должен работать с напряжением от 5 до 5%. Это напряжение должно быть соответствующим образом получено от одной из батарей, которые используются для управления схемой инвертора.

На приведенной ниже диаграмме показана простая схема генератора синусоидальной волны, которая может использоваться для управления вышеуказанной схемой инвертора, однако, поскольку выходной сигнал этого генератора является экспоненциальным по своей природе, это может вызвать сильный нагрев МОП-транзисторов.Лучшим вариантом было бы включение схемы на основе ШИМ, которая будет снабжать вышеуказанную схему оптимизированными импульсами ШИМ, эквивалентными стандартному синусоидальному сигналу. Схема ШИМ, использующая ИС, также упоминается на следующей схеме, которая может использоваться для запуска вышеупомянутой схемы инвертора ватт.

Предлагаемый инвертор на 1 кВА, описанный в предыдущих разделах, может быть значительно упрощен и уменьшен в размерах, как показано в следующей конструкции: На схеме также показан способ подключения батареи и подключения питания для каскадов синусоидального или ШИМ-генератора.В приведенном выше разделе мы узнали о конструкции полного моста, в которой задействованы две батареи для обеспечения требуемой выходной мощности в 1 кВА.

Теперь давайте исследуем, как можно построить полную мостовую схему с использованием 4-канального МОП-транзистора и одной батареи.

В следующем разделе показано, как можно построить схему полномостового инвертора мощностью 1 кВА без включения сложных схем или микросхем драйверов на стороне высокого напряжения.

Вышеупомянутая схема инвертора синусоидального сигнала мощностью 1 кВА также может управляться через Arduino для достижения почти идеального синусоидального сигнала на выходе.Меньшее число означает более высокую частоту обновления. Если вы изучите следующую схему, разработанную мной, вы обнаружите, что, в конце концов, проектировать такие сети не так уж и сложно, и это можно сделать даже с помощью обычных компонентов.

Мы изучим концепцию с помощью представленной принципиальной схемы, которая представляет собой модифицированную схему инвертора на 1 кВА, использующую 4 N-канальных МОП-транзистора. В предлагаемой схеме сеть самонастройки формируется с помощью шести вентилей НЕ и нескольких других пассивных компонентов.Выход вентилей НЕ, которые сконфигурированы как буферы, генерируют напряжение, вдвое превышающее диапазон питания, то есть, если питание составляет 12 В, выходы вентилей НЕ генерируют около 22 В.

Так как эти транзисторы должны переключаться таким образом, чтобы диагонально противоположные МОП-транзисторы проводились одновременно, в то время как сопряженные по диагонали МОП-транзисторы на двух плечах моста проводили попеременно. Частота сети самонастройки должна быть отрегулирована так, чтобы выходная частота трансформатора была оптимизирована до требуемой степени 50 или 60 Гц в соответствии с требуемыми характеристиками.Вышеупомянутая конструкция была протестирована и подтверждена г-ном. Этот Mosfet может переключать нагрузки, которые используют до 10 А, он может включаться, обеспечивая пороговое напряжение затвора 10 В на выводах Gate и Source.

Одним из существенных недостатков этого МОП-транзистора является его высокая стоимость RDS в открытом состоянии, которая составляет около 0. Но МОП-транзистор IRF не может использоваться в приложениях, где требуется высокая эффективность переключения. Mosfet требует, чтобы схема драйвера обеспечивала 10 вольт на выводе затвора этого Mosfet. Самая простая схема драйвера может быть сделана с использованием транзистора.Он сравнительно дешев и имеет очень низкое тепловое сопротивление, добавленный к этому МОП-транзистору, также имеет очень хорошие скорости переключения и, следовательно, может использоваться в схемах преобразователя постоянного тока в постоянный.

Распиновка IRF состоит всего из 3 контактов. Эти выводы вместе с названиями и типами приведены в таблице выше. Электроны текут от слива к клемме источника. Выходной ток зависит от напряжения, приложенного к клемме затвора. Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий. Оглавление.Просмотры поста: 1, Предыдущие ваттные схемы инвертора и приложения. Оставить ответ Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован. Последние проекты Образование.

JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в своем браузере, прежде чем продолжить. Автор темы Ахмед Аббас 1 Дата начала 3 окт, Искать по форуму Новые сообщения.

Уважаемый All У меня есть инвертор W VA со встроенным зарядным устройством и защитой от короткого замыкания и все это думает. Здесь я размещаю изображения, может ли кто-нибудь сказать мне, почему он быстро замыкается, или есть ли какой-либо другой MOSFET более высокого значения, который может отлично работать с этим инвертором, тогда, пожалуйста, скажите мне.

Прокрутите, чтобы продолжить содержимое. По-прежнему нет ответов! GopherT присоединился 23 ноября 8 г. Если все они выглядят нормально, вам придется их измерить.

Может быть, полевые транзисторы пропускают чрезмерный ток из-за отказа какого-то другого компонента? Последний раз редактировалось: 7 октября, спасибо за ваши ответы. Ахмед Аббас 1 сказал: Вы должны войти или зарегистрироваться, чтобы ответить здесь. Вам также может понравиться. Продолжить на сайте. Схема драйвера Mosfet Gate для инвертора.

Общий чат электроники. 13 декабря, 12 июня, 3 мая, 2 мая, Расчет потерь и выбор МОП-транзистора для однофазного инвертора.

Test per terreno

24 апреля, Последние проекты Education. JavaScript отключен. Для лучшего опыта, пожалуйста, включите JavaScript в своем браузере, прежде чем продолжить. IRF не выключается полностью. Автор темы Айвар Дата начала 16 апр, Искать по форуму Новые сообщения.

Автор темы Айвар (Aivar) присоединился 4 декабря 8. Первоначально у меня были только оптопары, а затем я добавил BJT, когда они не работали.

Но после того, как я их добавил, он все равно не работает. Это переключатель высокого напряжения, и да, у меня сток подключен к Vin, а источник — к плюсу двигателя.Я проверил внутренний диод, все в порядке. Вот схема. Когда Arduino выдает 5 В на цифровой вывод 9, я получаю 7 В между затвором и истоком, включается mosfet.

Когда Arduino выдает 0 В на цифровой вывод 9, я получаю 1,25 В между затвором и истоком, а МОП-транзистор все еще включен, но лишь немного, 16 В на выходе.

IRF740 характеристики транзистора, аналоги, datasheet на русском

Распиновка

Характеристики IRF740

Максимальные

Электрические

Тепловые параметры

Аналоги

Проверка мультиметром

Производители

Транзистор IRF740 параметры | Практическая электроника

IRF740 параметры

Аналоги IRF740

IRF740 — Мощный MOSFET (полевой МОП) транзистор — DataSheet

Описание

Графики типовых характеристик

Транзистор IRF740 полевой N-канальный 400V 10A корпус TO-220

IRF740 to-220 | Полевые транзисторы

Что еще купить вместе с IRF740 to-220 ?

Irf740 характеристики транзистора, аналоги, datasheet на русском

IRF740SPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF740SPBF

IRF740AS Datasheet (PDF)

IRF740AL Datasheet (PDF)

IRF7416 Datasheet (PDF)

IRF740LC Datasheet (PDF)

IRF740APBF Datasheet (PDF)

IRF740A MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF740A

IRF740LC MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRF740LC

IRFI740G MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

IRFI740G

IRF740 TO-220AB

IRF740 datasheet — N-channel 400V 0.46 Ohm 10A TO-220 Powermesh ii MOSFET

Какие параметры следует учитывать при выборе полевого МОП-транзистора?

irf740% 20 техническое описание и примечания к приложению

1996 — IRF740

2006 — irf740

irf740

1RF740

IRF740

1998 — IRF740

irf740 spice модель

для силового полевого МОП-транзистора IRF740

F741

1994 — IRF740

IRF740

2002 — IRF740

1998 — IRF740

Нет в наличии

Нет в наличии

2003 — irf740

2006 — IRF7405

2006 — Нет в наличии

1999 — IRF740 MOSFET — описание производителя.

2001 — силовой полевой МОП-транзистор IRF740

1997 — IRF470

2011 — Нет в наличии

743 LEM

VN64GA

2002 — IRF740 MOSFET — описание производителя

irf740% 20 Паспорт оптопары и примечания по применению

1996 — IRF740

2006 — irf740

irf740

1RF740

IRF740

1998 — IRF740

irf740 spice модель

для силового полевого МОП-транзистора IRF740

F741

1994 — IRF740

IRF740

2002 — IRF740

1998 — IRF740

Нет в наличии

Нет в наличии

2003 — irf740

2006 — IRF7405

2006 — Нет в наличии