IRFZ24N характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги
По своим техническим характеристикам IRFZ24N является мощным n-канальным МОП (MOSFET) транзистором. Он изготавливается по технологии HEXFET® пятого поколения, разработанной компанией International Rectifier (IR). Этот способ производства позволяет добиться минимального сопротивления n-канала полевика, при большой скорости переключения и высокой надежности. Благодаря этим преимуществам хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, системах управления электрическим приводом.
Многие путают рассматриваемое устройство с транзистором IRFZ24. Имейте ввиду, что последний имеет близкие по своим значениям, но все же немного другие параметры.
Цоколевка
Распиновка IRFZ24N у большинства производителей выполнена в стандартном пластиковом корпусе ТО-220AB, с максимальной рассеиваемой мощностью около 50 Вт. Благодаря низкому тепловому сопротивлению и невысокой стоимости эта упаковка завоевала широкое распространение. Расположение выводов показано на рисунке. Цифрой 1 обозначен затвор (G), под номером 2 – сток (D), 3 – исток (S). Радиатор имеет характерное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт со стоком.
На российском рынке встречаются и более совершенные транзисторы данного типа. Таким устройством является IRFZ24N, также в корпусе ТО220AB, от компании Philips Semiconductor. Они отличаются от классических тем, что выпускаются с применением так называемой «траншейной» технологии (Trench MOSFET) и имеют в сравнении с ними немного лучшие характеристики. Например, сопротивление открытого n-канала у них меньше, чем у обычного планарного полевого транзистора MOSFET. Кроме того предусмотрена защита от электростатических разрядов, при использовании в импульсных источниках питания до 2 кВ.
Технические характеристики
Рассмотрим максимально возможные характеристики MOSFET-транзистора IRFZ24N:
- напряжение сток-исток (VDSSmax) до 55 В;
- сопротивление открытого N-канала (RDS(ON)) до 0.07 Ом;
- допустимый рабочий ток стока(ID max): при температуре кристалла TC = +25ОС до 17 А; при TC = +100ОС до 12 А;
- пиковый (импульсный) ток стока (IDМ max) — 68 А;
- рассеиваемая мощность при TC = +25ОС (PD) — 45 Вт;
- предельно допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS max) ±20 В;
- максимальная энергия единичного импульса (EAS) – 71 мДж;
- пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (IAR) – 10 А;
- неповторяющаяся энергия, которая может быть рассеяна в условиях лавинного пробоя (EAR) – 4,5 мДж;
- наибольший возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
- диапазон температур, при которых может храниться изделие от — 55 до +175 °C;
- температура пайки (не более 10 секунд) – 300 (на расстоянии 1,6 миллиметра от упаковки).
При этом надо знать, что реальные рабочие значения у устройства должны быть меньше предельно допустимых примерно на 20-30%.
Электрические
Электрические параметры IRFZ24N приведены в таблице ниже. Других значения при которых производились измерения, приведены в отдельном столбе. Температура перехода (TJ) равна +25ОС, если не указано другого.
Аналоги
Полным аналогом irfz24n считается транзистор STB140NF55 (STMicroelectronics) . Правда у них корпус ТО220, но расположение выводов (распиновка) совпадает с оригиналом. В большинстве случаев, при его использовании, не потребуется вносить дополнительных изменений в схему. А вот еще возможные варианты замены для рассматриваемого устройства с похожими параметрами: 2SK1114, BUZ10, BUZ101, BUZ101S, BUZ104, BUZ104S, HUF75307P3, HUF75309P3, IRFZ24A, MTP15N06V, MTP20N06V, RFP14N05, RFP14N06, RFP15N06, SFP16N06, STP140NF55, STP16NE06, STP20N06, STPNE06, STP20NF06, 2SK2311, IRFIZ24A, 2SK2311, IRFWZ24A, STB16NF06LT.
Производители
Выпуском этого изделия занимаются такие зарубежные фирмы: Inchange Semiconductor, International Rectifier, TRANSYS Electronics, Philips Semiconductors, ARTSCHIP Electronics, Kersemi Electronic, NXP Semiconductors.
В России продаются транзисторы, изготовленные следующими компаниями: International Rectifier, Philips Semiconductors. Нажав на название можно скачать datasheet на irfz24n от интересующего производителя.
|
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ НАПРЯЖЕНИЯ =12В в =220В ДЛЯ ПИТАНИЯ ЭНЕРГОСБЕРЕГАЮЩИХ ЛАМП
Необходимость получения напряжения 220В от аккумуляторной батареи часто возникает в повседневной жизни. Например в автомобиле, когда Вы «на природе», с ночёвкой, и требуется осветить место дислокации, или в домашней обстановке, если вдруг отключилась подача электроэнергии и Вам «светит» сидеть в тёмной комнате. Экономичнее всего для этого использовать светильник с энергосберегающей лампой, питаемой от автомобильного аккумулятора через преобразователь напряжения . Схем подобных преобразователей в Интернете множество, но большинство из них требуют трудоёмкого изготовления повышающего трансформатора и имеют низкий КПД, что не радует любителей самостоятельно изготавливать полезные вещи. Потребность изготовления нескольких преобразователей вынудила автора сайта искать приемлемый вариант схемы с доступной элементной базой. Возникла идея использовать в качестве импульсного трансформатора силовой трансформатор от ненужного устаревшего компьютерного блока питания at-200 … 250, atx-250 и т.д. Большинство подобных блоков питания собирались по двухтактной схеме на двух транзисторах MJE13005… MJE13007 или подобных, которые через небольшой разделительный трансформатор запускались от задающего генератора на микросхеме TL494. Выход преобразователя через конденсатор 1 мкФ подключался к первичной обмотке выходного трансформатора. Проблема была в том, что коэффициент трансформации оказался недостаточным, чтобы на выходе самодельного конвертера получить достаточное для запуска энергосберегающих ламп напряжение. Наиболее простым оказалось решение использовать доступную микросхему для построения преобразователей напряжения — VD2, VD7, подключенных к «12В» отводам трансформатора. Выход схемы вольтодобавки подключен к «минусу» диодного моста на VD3 … VD6, что позволило получить на нагрузке напряжение 190 …. 220В, достаточное для нормального запуска и свечения люминесцентных ламп, питания адаптеров ноутбука, сотового телефона или небольшого стационарного телевизора.
Использование силовых полевых транзисторов ( MOSFET) накладывает ограничение на минимальную величину запускающих импульсов — при снижении амплитуды импульсов ниже 10В сильно возрастает сопротивление открытого канала транзисторов, увеличивается их нагрев, снижается КПД и максимальная мощность в нагрузке. Для исключения увеличения потерь преобразователя при разряде аккумулятора в схеме применён узел «вольтодобавки» для питания микросхемы. При подаче питания напряжение на микросхему поступает через диод VD1, а после начала генерации — с «вольтодобавки» на диодах VD2, VD7, через резистор R3, номинал которого подбирается в пределах 470 Ом … 1,5 кОм, с расчётом, чтобы при нормальной работе напряжение питания микросхемы составляло около 20В. При этом, даже при глубоко разряженном аккумуляторе, напряжение питания микросхемы составляет не менее 15В, что полностью открывает каналы полевых транзисторов. Потери становятся настолько низки, что даже при нагрузке преобразователя до 40Вт для полевых транзисторов можно не использовать радиаторы. При использовании небольшого радиатора (пластина из алюминия 92*30*1,5 мм) мощность преобразователя достигает 100 … 200 Вт и полностью зависит от выбора импульсного трансформатора и выходных полевых транзисторов. В схеме можно использовать любые доступные MOSFET транзисторы с низким сопротивлением открытого канала. Чем меньше RDC(on), тем лучше. Хорошо подходят транзисторы IRFZ24N, IRFZ34N, IRFZ44N, IRFZ46N, IRFZ48N, 2SK2985 и т.д. Диоды VD2 … VD7 должны быть рассчитаны на рабочую частоту 100 кГц, рабочее напряжение не менее 400В и ток 1 … 3А, в качестве которых хорошо подходят доступные FR204…FR207, HER204 … HER207, FR154 … 157, 1N4936 … 1N4937, BYT52G, BYT53G, FR304 … FR307 и т.д. Можно использовать распространённые отечественные диоды КД226В … КД226Д. Допустимый разброс ёмкости электролитических конденсаторов достаточно велик, так ёмкость конденсатора С3 может быть от 1000 мкФ и выше, на напряжение от 16В. Ёмкость С5 может быть от 4,7 мкФ и напряжение от 300В. Конденсатор С1 служит для «мягкого» пуска преобразователя и в большинстве случаев может не устанавливаться, т.к. он создаёт задержку включения преобразователя, что не всегда желательно. Рабочая частота генератора определяется номиналами резистора R2 и конденсатора C2. При сопротивлении резистора R2 = 5,1K ёмкость конденсатора может быть от 1000 до 3300 пФ. Оптимальная частота для конкретного импульсного трансформатора подбирается из условия получения максимального напряжения на номинальной нагрузке. На время настройки резистор R2 можно заменить подстроечным, а после заменить постоянным. Для контроля разряда аккумуляторной батареи до 11,8 В конвертер можно дополнить узлом индикации нормального напряжения, в основе которого лежит использование широко распространённой микросхемы TL431A.
Этот прецизионный регулятор, иногда называемый управляемым стабилитроном,
часто применяется в блоках питания телевизоров и мониторов для
регулирования выходного напряжения посредством оптрона,
подключенному к драйверу БП. Микросхема
содержит 3 вывода: анод, катод и управляющий электрод
REF. При напряжении на входе REF
ниже 2,50 В проводимость между анодом и катодом
при обратной полярности напряжения низка. При незначительном
повышении напряжения свыше 2,50 В проводимость резко возрастает, что приводит к
зажиганию светодиода. Для индикации нормального напряжения свыше
11,8 В необходимо точно подобрать делитель R1/R2.
Соотношение резисторов должно быть равно Резистор R3 предназначен для исключения подсветки светодиода за счёт протекания небольшого тока между анодом и катодом микросхемы при напряжении на выводе REF ниже 2,50 В. Устройство подключают отдельными проводами прямо на клеммы аккумулятора. Устройство собрано на небольшой печатной плате размером около 93 х 38 мм (в авторском варианте используется трансформатор от БП at-200).
При использовании иных элементов печатную плату придётся немного подкорректировать. Разрядный резистор R4 подключается непосредственно к выходной розетке. Его сопротивление может быть любым от 200кОм до 4,7мОм, а допустимое рабочее напряжение должно быть не менее 300В.
|
Irfz24n характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги
IRLZ34N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLZ34N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 27
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 16.7
nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035
Ohm
Тип корпуса: TO220AB
IRLZ34N
Datasheet (PDF)
1.1. irlz34nspbf irlz34nlpbf.pdf Size:293K _upd
PD — 95583
IRLZ34NSPbF
IRLZ34NLPbF
l Logic-Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET
l Advanced Process Technology
D
l Surface Mount (IRLZ34NS)
VDSS = 55V
l Low-profile through-hole (IRLZ34NL)
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) = 0.035Ω
l Fast Switching
G
l Fully Avalanche Rated
ID = 30A
l Lead-Free
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utiliz
1.2. irlz34npbf.pdf Size:225K _upd
PD — 94830
IRLZ34NPbF
HEXFET Power MOSFET
l Logic-Level Gate Drive
l Advanced Process Technology
D
l Dynamic dv/dt Rating
VDSS = 55V
l 175°C Operating Temperature
RDS(on) = 0.035Ω
l Fully Avalanche Rated
G
l Lead-Free
ID = 30A
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
lowest
1.3. irlz34n 1.pdf Size:51K _philips
Philips Semiconductors Product specification
N-channel enhancement mode IRLZ34N
Logic level TrenchMOSTM transistor
GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
level field-effect power transistor in a
plastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 55 V
technology. The device features very ID Drain current (DC) 30 A
low on
1.4. irlz34ns.pdf Size:180K _international_rectifier
PD — 91308A
IRLZ34NS/L
HEXFET Power MOSFET
Logic-Level Gate Drive
Advanced Process Technology
D
VDSS = 55V
Surface Mount (IRLZ34NS)
Low-profile through-hole (IRLZ34NL)
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.035?
Fast Switching
G
Fully Avalanche Rated
ID = 30A
Description
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to ach
1.5. irlz34n.pdf Size:104K _international_rectifier
PD — 9.1307B
IRLZ34N
HEXFET Power MOSFET
Logic-Level Gate Drive
D
Advanced Process Technology
VDSS = 55V
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.035?
Fast Switching
G
Fully Avalanche Rated
ID = 30A
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve the
lowest possible on-resistance per
1.6. irlz34n 1.pdf Size:51K _international_rectifier
Philips Semiconductors Product specification
N-channel enhancement mode IRLZ34N
Logic level TrenchMOSTM transistor
GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
level field-effect power transistor in a
plastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 55 V
technology. The device features very ID Drain current (DC) 30 A
low on
1.7. irlz34n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRLZ34N， IIRLZ34N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤35mΩ
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM R
Другие MOSFET… IRLZ24
, IRLZ24A
, IRLZ24N
, IRLZ24NL
, IRLZ24NS
, IRLZ30
, IRLZ34
, IRLZ34A
, STF5N52U
, IRLZ34NL
, IRLZ34NS
, IRLZ40
, IRLZ44
, IRLZ44A
, IRLZ44N
, IRLZ44NL
, IRLZ44NS
.
IRF9Z34N Datasheet (PDF)
1.1. irf9z34npbf.pdf Size:240K _upd-mosfet
IRF9Z34NPbF
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
D
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
Ω
l Fully Avalanche Rated G
l Lead-Free
Description S
1.2. irf9z34nlpbf irf9z34nspbf.pdf Size:1102K _upd-mosfet
PD- 95769
IRF9Z34NSPbF
IRF9Z34NLPbF
• Lead-Free
www.irf.com 1
04/25/05
IRF9Z34NS/LPbF
2 www.irf.com
IRF9Z34NS/LPbF
www.irf.com 3
IRF9Z34NS/LPbF
4 www.irf.com
IRF9Z34NS/LPbF
www.irf.com 5
IRF9Z34NS/LPbF
6 www.irf.com
IRF9Z34NS/LPbF
www.irf.com 7
IRF9Z34NS/LPbF
D2Pak Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches)
D2Pak Part Marking Information
THIS IS
1.3. irf9z34n.pdf Size:108K _international_rectifier
PD — 9.1485B
IRF9Z34N
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Dynamic dv/dt Rating
VDSS = -55V
175C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 0.10?
P-Channel
G
Fully Avalanche Rated
ID = -19A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
1.4. irf9z34ns.pdf Size:162K _international_rectifier
PD — 9.1525
IRF9Z34NS/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Surface Mount (IRF9Z34NS)
VDSS = -55V
Low-profile through-hole (IRF9Z34NL)
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.10?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -19A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
ext
1.5. irf9z34n.pdf Size:242K _inchange_semiconductor
isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9Z34N,IIRF9Z34N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.1Ω
·Enhancement mode:
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
·Combine with the fast switching speed and ruggedized device
design,provide the designer with an extremely efficient and
relia
IRFI9Z34N Datasheet (PDF)
1.1. irfi9z34n.pdf Size:120K _international_rectifier
PD — 9.1530A
IRFI9Z34N
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Isolated Package
VDSS = -55V
High Voltage Isolation = 2.5KVRMS
Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm
RDS(on) = 0.10?
P-Channel
G
Fully Avalanche Rated
ID = -14A
Description
S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resista
2.1. irfi9z34g-pbf.pdf Size:1417K _upd
IRFI9Z34G, SiHFI9Z34G
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Isolated Package
VDS (V) — 60
• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;
Available
f = 60 Hz)
RDS(on) (Ω)VGS = — 10 V 0.14
RoHS*
• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
Qg (Max.) (nC) 34 COMPLIANT
• P-Channel
Qgs (nC) 9.9
• 175 °C Operating Temperature
Qgd (nC) 16
• Dynamic dV/
2.2. irfi9z34g.pdf Size:911K _international_rectifier
PD — 94866
IRFI9Z34GPbF
Lead-Free
12/04/03
Document Number: 91172 www.vishay.com
1
IRFI9Z34GPbF
Document Number: 91172 www.vishay.com
2
IRFI9Z34GPbF
Document Number: 91172 www.vishay.com
3
IRFI9Z34GPbF
Document Number: 91172 www.vishay.com
4
IRFI9Z34GPbF
Document Number: 91172 www.vishay.com
5
IRFI9Z34GPbF
Document Number: 91172 www.vishay.com
6
IRFI9Z34GPbF
TO-220 Fu
2.3. irfi9z34g sihfi9z34g.pdf Size:1415K _vishay
IRFI9Z34G, SiHFI9Z34G
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Isolated Package
VDS (V) — 60
High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;
Available
f = 60 Hz)
RDS(on) (?)VGS = — 10 V 0.14
RoHS*
Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
Qg (Max.) (nC) 34 COMPLIANT
P-Channel
Qgs (nC) 9.9
175 C Operating Temperature
Qgd (nC) 16
Dynamic dV/dt Rating
Config
IRFZ24N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFZ24N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 13.3
nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.07
Ohm
Тип корпуса: TO220AB
IRFZ24N
Datasheet (PDF)
1.1. irfz24npbf.pdf Size:242K _update
IRFZ24NPbF
l Advanced Process Technology
D
l Dynamic dv/dt Rating
l 175°C Operating Temperature DSS
l Fast Switching
l Fully Avalanche Rated
DS(on) Ω
G
l Lead-Free
Description
D
S
Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the lowest possible on-res
1.2. irfz24nspbf.pdf Size:672K _update
PD — 95147
IRFZ24NS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRFZ24NS)
D
VDSS = 55V
Low-profile through-hole (IRFZ24NL)
175°C Operating Temperature
RDS(on) = 0.07Ω
Fast Switching
G
Fully Avalanche Rated
Lead-Free ID = 17A
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
1.3. irfz24nlpbf.pdf Size:675K _update-mosfet
PD — 95147
IRFZ24NS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
Surface Mount (IRFZ24NS)
D
VDSS = 55V
Low-profile through-hole (IRFZ24NL)
175°C Operating Temperature
RDS(on) = 0.07Ω
Fast Switching
G
Fully Avalanche Rated
Lead-Free ID = 17A
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
1.4. irfz24n 1.pdf Size:53K _philips
Philips Semiconductors Product specification
N-channel enhancement mode IRFZ24N
TrenchMOSTM transistor
GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
standard level field-effect power
transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V
trench technology. The device ID Drain current (DC) 17 A
features very low on-state re
1.5. irfz24n.pdf Size:123K _international_rectifier
PD — 91354A
IRFZ24N
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Dynamic dv/dt Rating
VDSS = 55V
175C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 0.07?
Fully Avalanche Rated
G
Description
ID = 17A
S
Fifth Generation HEXFET power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve the lowest possible on-resistance
per silicon area
1.6. irfz24n 1.pdf Size:53K _international_rectifier
Philips Semiconductors Product specification
N-channel enhancement mode IRFZ24N
TrenchMOSTM transistor
GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA
N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT
standard level field-effect power
transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V
trench technology. The device ID Drain current (DC) 17 A
features very low on-state re
1.7. irfz24ns.pdf Size:159K _international_rectifier
PD — 9.1355B
IRFZ24NS/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
VDSS = 55V
Surface Mount (IRFZ24NS)
Low-profile through-hole (IRFZ24NL)
175C Operating Temperature RDS(on) = 0.07?
Fast Switching
G
Fully Avalanche Rated
ID = 17A
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-res
1.8. irfz24nlpbf.pdf Size:214K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ24NLPbF
·FEATURES
·With TO-262(DPAK) packaging
·Surface mount
·High speed switching
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operationz
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Volt
1.9. irfz24nspbf.pdf Size:203K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ24NSPbF
·FEATURES
·With TO-263(D2PAK) packaging
·Surface mount
·High speed switching
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operationz
·APPLICATIONS
·Switching applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
V Drain-Source Vol
Другие MOSFET… IRFZ12
, IRFZ14
, IRFZ14A
, IRFZ15
, IRFZ20
, IRFZ22
, IRFZ24
, IRFZ24A
, IRFP150N
, IRFZ24NL
, IRFZ24NS
, IRFZ25
, IRFZ30
, IRFZ32
, IRFZ34
, IRFZ34A
, IRFZ34E
.
IRF9Z34NS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF9Z34NS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 68
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 19
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 23.3
nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1
Ohm
Тип корпуса: D2PAK
IRF9Z34NS
Datasheet (PDF)
1.1. irf9z34nlpbf irf9z34nspbf.pdf Size:1102K _upd-mosfet
PD- 95769
IRF9Z34NSPbF
IRF9Z34NLPbF
• Lead-Free
www.irf.com 1
04/25/05
IRF9Z34NS/LPbF
2 www.irf.com
IRF9Z34NS/LPbF
www.irf.com 3
IRF9Z34NS/LPbF
4 www.irf.com
IRF9Z34NS/LPbF
www.irf.com 5
IRF9Z34NS/LPbF
6 www.irf.com
IRF9Z34NS/LPbF
www.irf.com 7
IRF9Z34NS/LPbF
D2Pak Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches)
D2Pak Part Marking Information
THIS IS
1.2. irf9z34ns.pdf Size:162K _international_rectifier
PD — 9.1525
IRF9Z34NS/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Surface Mount (IRF9Z34NS)
VDSS = -55V
Low-profile through-hole (IRF9Z34NL)
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.10?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -19A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
ext
2.1. irf9z34npbf.pdf Size:240K _upd-mosfet
IRF9Z34NPbF
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
D
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
Ω
l Fully Avalanche Rated G
l Lead-Free
Description S
2.2. irf9z34n.pdf Size:108K _international_rectifier
PD — 9.1485B
IRF9Z34N
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Dynamic dv/dt Rating
VDSS = -55V
175C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 0.10?
P-Channel
G
Fully Avalanche Rated
ID = -19A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
2.3. irf9z34n.pdf Size:242K _inchange_semiconductor
isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9Z34N,IIRF9Z34N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.1Ω
·Enhancement mode:
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
·Combine with the fast switching speed and ruggedized device
design,provide the designer with an extremely efficient and
relia
Другие MOSFET… IRF9Z24NS
, IRF9Z24S
, IRF9Z25
, IRF9Z30
, IRF9Z32
, IRF9Z34
, IRF9Z34N
, IRF9Z34NL
, IRFZ24N
, IRF9Z34S
, IRF9Z35
, IRFB11N50A
, IRFB9N30A
, IRFB9N60A
, IRFB9N65A
, IRFBA1404
, IRFBA22N50A
.
IRF9Z34NS Datasheet (PDF)
1.1. irf9z34nlpbf irf9z34nspbf.pdf Size:1102K _upd-mosfet
PD- 95769
IRF9Z34NSPbF
IRF9Z34NLPbF
• Lead-Free
www.irf.com 1
04/25/05
IRF9Z34NS/LPbF
2 www.irf.com
IRF9Z34NS/LPbF
www.irf.com 3
IRF9Z34NS/LPbF
4 www.irf.com
IRF9Z34NS/LPbF
www.irf.com 5
IRF9Z34NS/LPbF
6 www.irf.com
IRF9Z34NS/LPbF
www.irf.com 7
IRF9Z34NS/LPbF
D2Pak Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches)
D2Pak Part Marking Information
THIS IS
1.2. irf9z34ns.pdf Size:162K _international_rectifier
PD — 9.1525
IRF9Z34NS/L
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Surface Mount (IRF9Z34NS)
VDSS = -55V
Low-profile through-hole (IRF9Z34NL)
175C Operating Temperature
RDS(on) = 0.10?
Fast Switching
G
P-Channel
ID = -19A
Fully Avalanche Rated
S
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
ext
2.1. irf9z34npbf.pdf Size:240K _upd-mosfet
IRF9Z34NPbF
l Advanced Process Technology
l Dynamic dv/dt Rating
D
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
l P-Channel
Ω
l Fully Avalanche Rated G
l Lead-Free
Description S
2.2. irf9z34n.pdf Size:108K _international_rectifier
PD — 9.1485B
IRF9Z34N
HEXFET Power MOSFET
Advanced Process Technology
D
Dynamic dv/dt Rating
VDSS = -55V
175C Operating Temperature
Fast Switching
RDS(on) = 0.10?
P-Channel
G
Fully Avalanche Rated
ID = -19A
Description S
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
extremely low on-resistance per silicon area. This
2.3. irf9z34n.pdf Size:242K _inchange_semiconductor
isc P-Channel MOSFET Transistor IRF9Z34N,IIRF9Z34N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on)≤0.1Ω
·Enhancement mode:
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
·Combine with the fast switching speed and ruggedized device
design,provide the designer with an extremely efficient and
relia
Irf9z34n datasheet на русском — Клуб строителей
| Главная | О сайте | Теория | Практика | Контакты |
|
Высказывания: Основные параметры IRF9Z34N полевого транзистора p-канального.Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального IRF9Z34N. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Структура (технология): MOSFET |
| Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Tj max, °C | Fr (Ton/of) | Ciss tip | Rds |
| 56W | 55V | – | 10V | 17A | 150°C | – | – | 0.1 |
Производитель: IRF
Сфера применения: –
Популярность: 3913
Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRF9Z34N
| Общий вид транзистора IRF9Z34N. | Цоколевка транзистора IRF9Z34N. |
Обозначение контактов:
Международное: G – затвор, D – сток, S – исток.
Российское: З – затвор, С – сток, И – исток.
Коллективный разум. Дополнения для транзистора IRF9Z34N.
Другие разделы справочника:
Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
IRF9Z34N MOSFET – описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF9Z34N
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 56 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 23.3 nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
IRF9Z34N Datasheet (PDF)
1.1. irf9z34npbf.pdf Size:240K _upd-mosfet
IRF9Z34NPbF l Advanced Process Technology l Dynamic dv/dt Rating D l 175°C Operating Temperature l Fast Switching l P-Channel Ω l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free Description S
PD- 95769 IRF9Z34NSPbF IRF9Z34NLPbF • Lead-Free www.irf.com 1 04/25/05 IRF9Z34NS/LPbF 2 www.irf.com IRF9Z34NS/LPbF www.irf.com 3 IRF9Z34NS/LPbF 4 www.irf.com IRF9Z34NS/LPbF www.irf.com 5 IRF9Z34NS/LPbF 6 www.irf.com IRF9Z34NS/LPbF www.irf.com 7 IRF9Z34NS/LPbF D2Pak Package Outline (Dimensions are shown in millimeters (inches) D2Pak Part Marking Information THIS IS
1.3. irf9z34ns.pdf Size:162K _international_rectifier
PD – 9.1525 IRF9Z34NS/L HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D Surface Mount (IRF9Z34NS) VDSS = -55V Low-profile through-hole (IRF9Z34NL) 175�C Operating Temperature RDS(on) = 0.10? Fast Switching G P-Channel >1.4. irf9z34n.pdf Size:108K _international_rectifier
PD – 9.1485B IRF9Z34N HEXFET� Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = -55V 175�C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.10? P-Channel G Fully Avalanche Rated >
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
Advanced Process Technology
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
P-Channel
Fully Avalanche Rated
IRFZ24N datasheet — Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор с N-канальным полевым транзистором, 55 В в TO-220AB
2SC2636 : Высокочастотные усилители. VCEO (V) = 20 ;; IC (A) = 0,05 ;; HFE (мин) = 25 ;; HFE (макс.) = ;; Пакет = M-A1.
BC807-T : PNP, SOT23, GEN PUR, 45 В, 0,8 А. Абсолютные максимальные номинальные характеристики (Ta = 25oC, если не указано иное) Описание Напряжение коллектор-эмиттер = 0 В) Напряжение коллектора-эмиттера (открытая база) Базовое напряжение эмиттера Ток коллектора (DC) Ток коллектора — пиковый ток эмиттера — пиковый базовый ток — (DC) базовый ток — Пиковая общая рассеиваемая мощность до Tamb 25 C Температура хранения Температура перехода.
CN611216 : Модуль Pow-r-blok с двумя и одним диодами ISOlated 160 А / до 1600 Вольт.
PXT-10.024 : Температура процесса реле.
SJ5436 : Доступны варианты досмотра = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = TO63 ;; Vceo = 80V ;; IC (прод.) = 20А ;; HFE (мин) = 30 ;; HFE (макс.) = — ;; @ Vce / ic = 15V / 2A ;; FT = 30 МГц ;; PD = 150Вт.
SRA2212M : Кремниевый транзистор PNP. Применение коммутации Интерфейсная схема и схема драйвера Применение встроенных резисторов смещения Упрощение конструкции схемы Уменьшение количества деталей и производственного процесса Высокая плотность упаковки Коллектор-база напряжения коллектор-эмиттер напряжение эмиттер-база напряжения коллектор Ток Рассеиваемая мощность Соединение Температура хранения Температурный коллектор.
T659N : SCR / диодные пресс-пакеты. Periodische Vorwrts- und RckwrtsSpitzensperrspannung Vorwrts-Stospitzensperrspannung Rckwrts-Stospitzensperrspannung Durchlastrom-Grenzeffektivwert Dauergrenzstrom Ststrom-Grenzwert Grenzlastintegritegral Пиковое значение прямого и обратного пикового напряжения.
ZXT12N50DXTA : Двойной кремниевый переключающий транзистор 50 В NPN с низкой насыщенностью.В этом новом транзисторе со сверхнизким насыщением 4-го поколения используется матричная структура Zetex в сочетании с передовыми технологиями сборки, что обеспечивает чрезвычайно низкие потери состояния. Это делает его идеальным для коммутации с высоким КПД и низким напряжением. Чрезвычайно низкое эквивалентное сопротивление Чрезвычайно низкое напряжение насыщения hFE, характеризуемое 5A, IC = 3A, непрерывно.
AUIRL3705N :: Automotive Q101 Одноканальный силовой полевой МОП-транзистор на полевых транзисторах на 55 В с N-каналом в корпусе TO-220AB IR обслуживает автомобильный рынок с помощью специализированного портфеля продуктов с высококачественными и сертифицированными автомобильными площадками для разработки, производства и сборки, а также цепочкой поставок, которая полностью соответствует высоким требованиям и ожиданиям автомобильной промышленности.
03028BR561AJU : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 50 В, BR, 0,00056 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0603. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Диапазон емкости: 5.60E-4 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.
06032B105J5B20D : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 6,3 В, X5R, 1 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ, 0603.s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 6,3 вольт; Тип монтажа: Поверхность.
CW11005 : РЕЗИСТОР, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 2 Вт, 2; 5%, 10 Ом — 200 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 1005. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 01005, CHIP, ROHS COMPLIANT; Рабочая температура: от -55 до 150 C (от -67 до 302 F).
LL6650 : 1 А, КРЕМНИЙ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД, DO-213AB. s: Количество диодов: 1; ЕСЛИ: 1000 мА.
1210Z102M101C : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 100 В, Z5U, 0,001 мкФ, УСТАНОВКА НА ПОВЕРХНОСТИ, 1210. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1.00E-3 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 100 вольт; Тип установки:.
2N1772ALEADFREE : 8 А, SCR, TO-64. s: VRRM: 100 вольт; IT (RMS): 8 ампер; IGT: 15 мА; Стандарты и сертификаты: RoHS; Количество выводов: 2.
| Номер детали | Функция | Производители | |
| 2SC1400 | Транзистор NPN | ETC |
|
| A8437 | Зарядное устройство для конденсатора с ксеноновой вспышкой для мобильных телефонов | Allegro MicroSystems |
|
| AP01L60H-H | МОП-МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения | Усовершенствованная силовая электроника |
|
| AP01L60J-H | МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения | Усовершенствованная силовая электроника |
|
| AP02N60H-H-HF | МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения | Усовершенствованная силовая электроника |
|
| AP02N60H-HF | МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения | Усовершенствованная силовая электроника |
|
| AP02N60J-H-HF | МОП-МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения | Усовершенствованная силовая электроника |
|
| AP02N60J-HF | МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения | Усовершенствованная силовая электроника |
|
| AP03N40AH-HF | МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения | Усовершенствованная силовая электроника |
|
| AP03N40AI-HF | МОП-транзистор с N-канальным режимом расширения | Усовершенствованная силовая электроника |
1996 — IRFZ24N
Аннотация: эквивалент IRFZ24N IRF1010
|
Оригинал |
IRFZ24N О-220 IRF1010 IRFZ24N Эквивалент IRFZ24N IRF1010 | |
IRFZ24N
Аннотация: IRFZ24N4
|
OCR сканирование |
IRFZ24N T0220AB IRFZ24N IRFZ24N4 | |
1996 — IRF1010
Аннотация: IRFZ24N
|
Оригинал |
IRFZ24N О-220 промышленно-промышленный IRF1010 IRFZ24N | |
1999 — irf * 24n
Реферат: стабилизатор тока IRFZ24N IRFZ24N аналог IRF (10A) 55V IRFZ24N
|
Оригинал |
1354A IRFZ24N О-220 irf * 24n регулятор тока IRFZ24N Эквивалент IRFZ24N IRF (10А) 55В IRFZ24N | |
компакт-диск c422
Аннотация: диод c423 91354A диод c424 c422
|
OCR сканирование |
IRFZ24N О-220 С-423 С-424 cd c422 c423 диод 91354A диод c424 c422 | |
IRF (10A) 55 В
Аннотация: международный выпрямитель с МОП-транзисторами на шестнадцатеричных транзисторах IRF1010 IRFZ24N ISR9246
|
OCR сканирование |
О-220 50 Вт.IRF (10А) 55В hexfet power mosfets международный выпрямитель IRF1010 IRFZ24N ISR9246 | |
1999 — транзистор irfz24n
Аннотация: IRFZ24N
|
Оригинал |
O220AB IRFZ24N транзистор irfz24n IRFZ24N | |
1999 — IRF (10А) 55В
Реферат: Регулятор тока IRFZ24N IRFZ24N
|
Оригинал |
1354A IRFZ24N О-220 IRF (10А) 55В IRFZ24N регулятор тока IRFZ24N | |
усилитель 12в 100вт
Аннотация: 12 В к усилителю 100 Вт 100 Вт принципиальная схема усилителя звука класса D IRFZ24N эквивалент 12 В 100 Вт регулятор 100 Вт бас схема J2 Q24A B IRF9Z34N 100 Вт MOSFET схема усилителя звука 100 Вт АУДИОУСИЛИТЕЛЬ
|
Оригинал |
AKD4730-100W] AKD4730-100W AK4730-100W AKD4730-100W AK4730, г. AKD4730 2200у Усилитель 12 в 100 вт 12 В на усилитель 100 Вт Принципиальная схема усилителя звука мощностью 100 Вт, класс D Эквивалент IRFZ24N Регулятор 12v 100W 100 Вт басовая схема J2 Q24A B IRF9Z34N Принципиальная схема усилителя звука MOSFET 100 Вт АУДИОУСИЛИТЕЛЬ 100 Вт | |
1998 — эквивалент IRF3205
Аннотация: IRF 9732 IRFz44n эквивалент IRF3710 эквивалент IRF4905 эквивалент IRC540 эквивалент IRF 9450 IRF 9734 IRF5305 эквивалент IRF 9740
|
Оригинал |
О-220 / Д2ПАК IRF9630 IRF9510L IRF9520 IRF9510 IRF9Z14 IRF9Z34 IRCZ34 IRCZ44 IRC540 Эквивалент IRF3205 IRF 9732 Эквивалент IRFz44n Эквивалент IRF3710 Эквивалент IRF4905 Эквивалент IRC540 irf 9450 IRF 9734 Эквивалент IRF5305 irf 9740 | |
1RFPC50
Аннотация: 1RFPC50LC IRF840LC IRlz24n IRFz44n IRF540n 1RFPc
|
OCR сканирование |
T0-220AB IRF740LC IRF840LC IRFBC40LC IRL3803 IRL3705N IRLZ14 IRLZ24N IRLZ34N IRLZ44N 1RFPC50 1RFPC50LC IRFz44n IRF540n 1RFPc | |
1998 — IRFZ44N дополнительный
Аннотация: IRF3205 ДОПОЛНИТЕЛЬНОЕ приложение IRF3205 для поверхностного монтажа IRFZ44N NBP6060 philips 435-2 BUZ110S IRF3205 TO-220 harris 4365 motorola 4360
|
Оригинал |
BUK7508-55 БУК7514-55А БУК7524-55А БУК7530-55А БУК7570-55А BUZ100S BUZ102S BUZ110S BUZ111S IRF1010N IRFZ44N дополнительный ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ к IRF3205 Приложение IRF3205 a / поверхностный монтаж IRFZ44N NBP6060 Филипс 435-2 IRF3205 TO-220 Харрис 4365 моторола 4360 | |
ST ДИОД C427
Аннотация: диод c427 z24n st c426 fz24n c429 diode
|
OCR сканирование |
IRFZ24NS) IRFZ24NL) IRFZ24NS / L G-428 С-429 СТ ДИОД C427 c427 диод z24n ул с426 fz24n c429 диод | |
1998 — эквивалент IRF4905
Аннотация: 800 В IRF эквивалент IRFBE30 транзистор эквивалент IRF510 IRF3415 эквивалент IRF3205 IRF1010E IRFBg30 эквивалент IRFP064N эквивалент IRF3205
|
Оригинал |
О-220 О-247 IRL3302 IRL3202 9169IRFPC50LC IRFBC40LC IRFIBC40GLC IRFBE30 IRFIBE30G Эквивалент IRF4905 800 в irf Эквивалент IRFBE30 транзисторный эквивалент irf510 Эквивалент IRF3415 IRF3205 IRF1010E Эквивалент IRFBg30 Эквивалент IRFP064N Эквивалент IRF3205 | |
IRFz24n эквивалент
Аннотация: IRFI840G IRFZ24N
|
Оригинал |
ИРФИЗ24НПбФ О-220 IRFZ24N IRFI84 IRFI840G Эквивалент IRFz24n IRFI840G | |
ДИОД e2l
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
OCR сканирование |
IRFZ24NS / L IRFZ24NS) IRFZ24NL) ДИОД e2l | |
эквивалент IRFZ24N
Реферат: диод IRFIZ24E c324
|
OCR сканирование |
IRFIZ24E О-220 С-323 С-324 Эквивалент IRFZ24N IRFIZ24E диод c324 | |
1994 — IRF5905
Аннотация: MOSFET IRF 9732 эквивалент транзистора irf510 IRF3710 эквивалент IRFz44n эквивалент IRF 9732 irf2807 эквивалент IRF3205 приложение HTGB IRD110
|
Оригинал |
О-220 / Д2ПАК IRF5905 МОП-транзистор IRF 9732 транзисторный эквивалент irf510 Эквивалент IRF3710 Эквивалент IRFz44n IRF 9732 эквивалент irf2807 Приложение IRF3205 HTGB IRD110 | |
эквивалент irf1010e
Аннотация: эквивалент irfp250n Эквивалент IRF744 Эквивалент IRFP260n Эквивалент IRF730A Эквивалент IRF9540N Эквивалент IRFBE30 Эквивалент IRF4905 эквивалент irfp260n Эквивалент IRFU9120
|
Оригинал |
О-220АБ О-220 IRFZ24N * IRFIZ24N IRFD024 IRF1010E * IRFI1310N IRFD014 IRFZ44E * IRFI540N эквивалент irf1010e эквивалент irfp250n Эквивалент IRF744 Эквивалент IRFP260n Эквивалент IRF730A Эквивалент IRF9540N Эквивалент IRFBE30 Эквивалент IRF4905 irfp260n Эквивалент IRFU9120 | |
IRFR024N
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
OCR сканирование |
IRFR024N) IRFU024N) IRFR / U024N С-383 С-384 IRFR024N | |
1999 — выключатель irf510
Аннотация: IRFBA40N60C IRF634L IRF540NL IRL2505 800v irf IRF9540NL IRFU3910 IRL3215 91811
|
Оригинал |
О-262 О-220 IRL3302 IRL3202 IRL3102 IRL3402 IRL3502 Super220TM О-247 irf510 переключатель IRFBA40N60C IRF634L IRF540NL IRL2505 800 в irf IRF9540NL IRFU3910 IRL3215 91811 | |
эквивалент IRFZ24N
Аннотация: диод c329 c328, диод c328 эквивалент 12014A
|
OCR сканирование |
IRFIZ24N О-220 С-328 С-329 Эквивалент IRFZ24N диод c329 c328 диод эквивалент c328 12014A | |
2000 — IRFZ44N дополнительный
Аннотация: эквивалент IRFz44n эквивалент HRF3205 эквивалент IRF3710 эквивалент IRF3205 эквивалент IRFP064N IRFP064N IRF3205 ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ эквивалент IRF3415 IRF3205
|
Оригинал |
LC-00005 LC-00011 HUF75823D3 HUF75823D3S HUF75829D3 HUF75829D3S HUF75831SK8 HUF75842P3 HUF75842S3S HUF75852G3 IRFZ44N дополнительный Эквивалент IRFz44n Эквивалент HRF3205 Эквивалент IRF3710 Эквивалент IRF3205 Эквивалент IRFP064N IRFP064N ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ИНФОРМАЦИЯ Эквивалент IRF3415 IRF3205 | |
1999 — эквивалент HRF3205
Аннотация: эквивалент IRFP064N эквивалент IRF3205 эквивалент IRFz44n irf3205 ИБП эквивалент irf3710 эквивалент HUF75337P3 эквивалент IRFZ48N эквивалент irfp064n эквивалент HUF75343P3
|
Оригинал |
LC00004 HUF75545P3 О-220АБ SUP75N08-10 HUF75545S3S O-263AB HUF75645P3 HUF75645S3S Эквивалент HRF3205 Эквивалент IRFP064N Эквивалент IRF3205 Эквивалент IRFz44n irf3205 ибп эквивалент irf3710 Эквивалент HUF75337P3 Эквивалент IRFZ48N irfp064n Эквивалент HUF75343P3 | |
IRFIZ24E
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
OCR сканирование |
IRFIZ24E IRFIZ24E | |
IRFZ24N 17A 55V N-канальный силовой МОП-транзистор
IRFZ24N 17A, 55 В, N-канальный силовой полевой МОП-транзистор используется в передовых технологиях обработки для достижения минимально возможного сопротивления на площади кремния.Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые полевые МОП-транзисторы HEXFET, предоставляет разработчикам чрезвычайно эффективное устройство для использования в самых разных приложениях. Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому применению в промышленности.
IRFZ24 Распиновка
Конфигурация контактов IRFZ24
| Номер контакта | Имя контакта |
|---|---|
| 1 | Затвор |
| 2 | Дренаж |
| 3 | Источник |
IRFZ24 Основные характеристики
- Advanced Process Technology
- Динамический dv / dt Рейтинг
- 175 ° C Рабочая температура
- Быстрое переключение
- Полностью лавинный режим
- Обозначение типа: IRFZ24
- Тип транзистора: MOSFET
- Тип канала управления: N Канал
IRFZ24 Спецификация
| Id (A) | Pd (W) | Vds (макс.) | Rds (вкл.) | Vgs (макс.) | 60 | 60 | 0.1 | 10 |
|---|
IRFZ24 Эквивалент / альтернатива
- IRF034, IRF044, IRF044SMD, IRF054, IRF054SMD, IRF100B201
Приложение
Вы можете скачать это техническое описание для IRFZ24N 17A 55V N-Channel Power MOSFET по ссылке, указанной ниже:
IRFZ24N Распиновка, аналог, приложения и другая важная информация
IRFZ24N — это N-канальный транзистор в корпусе TO-220, в этом посте описывается распиновка IRFZ24N, эквивалент, приложения и другая важная информация о том, как и где использовать этот MOSFET.
Характеристики / Технические характеристики
- Тип корпуса: TO-220
- Тип транзистора: Канал N
- Максимальное напряжение, приложенное от стока к источнику: 55 В
- Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
- Максимальный ток непрерывного слива: 17A
- Максимальный импульсный ток утечки: 68A
- Макс.рассеиваемая мощность: 45 Вт
- Сопротивление от стока к источнику во включенном состоянии (RDS включен): 0.07 Ом
- Максимальная температура хранения и эксплуатации должна быть: от -55 до +150 по Цельсию
Запасной и аналогичный
IRFZ24, IRFZ34, IRFZ34A, IRFZ34E, IRFZ34N, IRLIZ24G, IRLIZ24N, IRLR024, IRLZ24, IRLIZ34G, BUZ101S, BUZ101SL, BUZ103S, BUZ103SL, BUZ104S, BUZ104SL, BUZ10S2, BUZ71S2, IRFIZ24E, IRFIZ24G, IRFIZ24N, IRFSZ24A, IRFIZ34E, IRFIZ34G, IRFIZ34N , IRFP153 (R), STP80N05-09, MTP75N05HD, 2SK2232, 2SK2782, 2SK2311, BUK453-60A, BUK453-60B, BUK455-60B, BUK473-60A, BUK475-60B, BUK543-60A, BUK543-60A, BUK54545 БУК553-60А, БУК554-60Н, БУК555-60А, БУК555-60Б, БУК574-60Н, БУК7570-55, БУК9570-55, МТП15Н06Е, МТП15Н06В, МТП15Н06ВЛ, НДП4060, НДП5060, ПХ15Н06Е, СТР.
IRFZ24N MOSFET объяснение / описание
IRFZ24N — это N-канальный MOSFET, изготовленный в корпусе TO-220. Транзистор предназначен для использования в самых разных приложениях общего назначения. МОП-транзистор отличается высокой скоростью, низким сопротивлением и обеспечивает защиту от неожиданных скачков напряжения переходных процессов до 2 кВ. Транзистор может управлять максимальной нагрузкой 17 А при напряжении нагрузки до 55 В, а также способен управлять нагрузкой 68 А за один импульс.Все вышеперечисленные особенности делают этот MOSFET идеальным для использования в таких приложениях, как высокоскоростное переключение, источники питания и т. Д.
Кроме этого, это устройство также может использоваться как отдельный усилитель, а также в каскадах мощных звуковых усилителей.
Где и как использовать МОП-транзистор
IRFZ24N разработан для использования в приложениях с высокоскоростной коммутацией, поэтому его можно использовать в любом коммутационном приложении, где высокая скорость имеет решающее значение, например, в цепи ИБП.Помимо этого, он также может использоваться в широком спектре импульсных источников питания, схем контроллера двигателя, схем преобразователя и т. Д. Его также можно использовать в местах, где существует риск неожиданных скачков напряжения.
Кроме этого, его можно использовать в любом приложении общего назначения, подпадающем под его рейтинг. Более того, его также можно использовать для создания усилителей звука высокой мощности.
Приложения
Источники бесперебойного питания
Преобразователи напряжения
Источники питания
Телекоммуникационные цепи
Схемы зарядного устройства
Солнечные зарядные устройства и источники питания
Как безопасно и долго работать в цепи
Чтобы получить долгосрочную и стабильную работу с IRFZ24N, всегда используйте на 20% ниже его максимальных значений.Максимальный непрерывный ток стока транзистора составляет 17 А, поэтому не управляйте нагрузкой более 13,6 А, максимальное напряжение стока до истока составляет 55 В, поэтому не управляйте нагрузкой более 44 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните или используйте этот транзистор при температуре выше -55 градусов по Цельсию и ниже +150 градусов по Цельсию.
Лист данных
Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте приведенную ниже ссылку в свой браузер.
https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRFZ24N_InternationalRectifier.pdf
IRFZ24N Лист данных_PDFļ_оƬϲѯ_άг
ͺ
汾
или
МОЩНЫЙ МОП-транзистор с шестеренчатым транзистором
IRF [Интер…
или
МОП-транзистор с полевым HEXFET
IRF [Между …
или
ШЕСТИГРАННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
IRF [Интер…
или
ШЕСТИГРАННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
IRF [Между …
или
HEXFET? МОП-транзистор мощности
или
Power MOSFET (Vdss = 55 В, Rds (on) = 0.040 Ом, Id = 26A)
IRF [Между …
или
Силовые полевые транзисторы
MOTOROLA […
или
N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-МОП-транзистор
SAMSUNG [S…
или
N — МОП-МОП-ТРАНЗИСТОРЫ В РЕЖИМЕ РАСШИРЕНИЯ КАНАЛА
СТМИКРОЭЛЕКТРОН …
или
Силовые полевые транзисторы
MOTOROLA […
или
N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-МОП-транзистор
SAMSUNG [S …
или
N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-МОП-транзистор
SAMSUNG [S…
или
N-канальный режим улучшения транзистора TrenchMOS
ФИЛИПС [P …
или
Power MOSFET (Vdss = 55 В, Rds (on) = 17.5 МОм, Id = 49A)
IRF [Между …
или
N-КАНАЛЬНЫЙ МОП-МОП-транзистор
SAMSUNG [S …
или
Power MOSFET (Vdss = 50 В, Rds (on) = 0.024 Ом, Id = 50 * A)
IRF [Между …
или
Силовой МОП-транзистор (Vdss = 55 В, Rds (on) = 16,5 МОм, Id = 53 A)
IRF [Между …
или
N-канальный режим улучшения транзистора TrenchMOS
ФИЛИПС [П…
или
Силовой МОП-транзистор (Vdss = 60 В, Rds (on) = 0,018 Ом, Id = 50 * A)
IRF [Между …
или
HEXFET? МОП-транзистор мощности
IRFZ24N ИК-транзисторы | Весвин Электроникс Лимитед
IRFZ24N от производителя IR представляет собой транзисторы с N-канальным полевым МОП-транзистором, 55 В, 17 А, ток непрерывного стока, Id: 17 А, напряжение истока стока, Vds: 55 В, сопротивление Rds (вкл.): 70 МОм.Более подробную информацию о IRFZ24N можно увидеть ниже.
Категории- Транзисторы
- Производитель
- Международный выпрямитель
- Номер детали Veswin
- V1070-IRFZ24N
- Статус бессвинцовой / RoHS
- Бессвинцовый / соответствует требованиям RoHS
- Состояние
- Новое и оригинальное — заводская упаковка
- Состояние на складе
- Товарно-складской запас
- Минимальный заказ
- 1
- Расчетное время доставки
- 26 сентября — 01 октября (выберите ускоренную доставку)
- Модели EDA / CAD
- IRFZ24N от SnapEDA
- Условия хранения
- Шкаф для сухого хранения и пакет защиты от влажности
Ищете IRFZ24N? Добро пожаловать в Весвин.com, наши специалисты по продажам всегда готовы помочь вам. Вы можете получить доступность компонентов и цены для IRFZ24N, просмотреть подробную информацию, включая производителя IRFZ24N и спецификации. Вы можете купить или узнать о IRFZ24N прямо здесь, прямо сейчас. Veswin — дистрибьютор электронных компонентов для бытовых, обычных, устаревших / труднодоступных электронных компонентов. Veswin поставляет промышленные, Коммерческие компоненты и компоненты Mil-Spec для OEM-клиентов, клиентов CEM и ремонтных центров по всему миру.У нас есть большой запас электронных компонентов, который может включать IRFZ24N, готовый к отправке в тот же день или в короткие сроки. Компания Veswin является поставщиком и дистрибьютором IRFZ24N с полным спектром услуг для IRFZ24N. У нас есть возможность закупить и поставить IRFZ24N по всему миру, чтобы помочь вам с цепочкой поставок электронных компонентов. Теперь!
- Q: Как заказать IRFZ24N?
- A: Нажмите кнопку «Добавить в корзину» и перейдите к оформлению заказа.
- Q: Как платить за IRFZ24N?
- A: Мы принимаем T / T (банковский перевод), Paypal, оплату кредитной картой через PayPal.
- В: Как долго я могу получить IRFZ24N?
-
A: Мы отправим через FedEx, DHL или UPS, обычно доставка в ваш офис занимает 4 или 5 дней.
Мы также можем отправить заказной авиапочтой, обычно доставка в ваш офис занимает 14-38 дней.
Пожалуйста, выберите предпочитаемый способ доставки при оформлении заказа на нашем веб-сайте. - Вопрос: IRFZ24N Гарантия?
- A: Мы предоставляем 90-дневную гарантию на наш продукт.
- Вопрос: Служба технической поддержки IRFZ24N?
- О: Да, наш технический инженер поможет вам с информацией о распиновке IRFZ24N, указаниями по применению, заменой, таблица данных в pdf, руководство, схема, эквивалент, перекрестная ссылка.
ОБЕСПЕЧЕНИЕ КАЧЕСТВА ЭЛЕКТРОНИКИ VESWIN Регистратор систем качества, сертифицированный Veswin Electronics по стандартам ISO 9001.Наши системы и соответствие стандартам были и продолжают регулярно проверяться и тестироваться для поддержания постоянного соответствия.
СЕРТИФИКАЦИЯ ISO
Регистрация ISO дает вам уверенность в том, что системы Veswin Electronics точны, всеобъемлющи и соответствуют строгим требованиям стандарта ISO. Эти требования обеспечивают долгосрочную приверженность компании Veswin Electronics постоянному совершенствованию.
Примечание. Мы делаем все возможное, чтобы на нашем веб-сайте появлялись правильные данные о товарах.Перед заказом обратитесь к техническому описанию продукта / каталогу для получения подтвержденных технических характеристик от производителя. Если вы заметили ошибку, сообщите нам об этом. .