Микросхемы.
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | |
Динамические параметры микросхем ТТЛ серииПри совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток I
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | |||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи.п.= 4,5 В | 2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п. |
250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, Uвых |
-40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 0,1 | ||||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
| Iк.з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
К155ИР13
Микросхема представляет собой восьмиразрядный реверсивный сдвиговый регистр. Содержит 385 интегральных элементов.
Назначение выводов:
1 — вход режимный S0;
2 — вход последовательного ввода
информации при сдвиге вправо DR;
3 — вход информационный D0;
4 — выход Q0;
5 — вход D1;
6 — выход Q1;
7 — вход D2;
8 — выход Q2;
9 — вход D3;
10 — выход Q3;
11 — вход синхронизации C;
12 — общий;
13 — вход инверсный «сброс» R;
14 — выход Q4;
15 — вход D4;
16 — выход Q5;
17 — вход D5;
18 — выход Q6;
19 — вход D6;
20 — выход Q7;
21 — вход D7;
22 — вход последовательного ввода
информации при сдвиге влево DL;
23 — вход режимный S1;
Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 В ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 2,4 В
Помехоустойчивость при низком и высоком уровнях . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 0,4 В
Напряжение на антизвонном диоде . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ -1,5 В
Входной ток низкого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ -1,6 мА
Входной ток высокого уровня . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,04 мА
Входной пробивной ток . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1 мА
Ток короткого замыкания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -18…-57 мА
Ток потребления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 116 мА
Потребляемая мощность . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 609 мВт
Время задержки распространения при включении по входу «сброс» . . . . . . . . ≤ 35 нс
Время задержки распространения при выключении . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 26 нс
Время установки для входов управления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 30 нс
Рабочая частота . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 МГц
| Параметры | 54/74 (133,155) |
54F/74F (1531) |
| Выходной ток лог. 0 мА | 16 | 20 |
| Выходной ток лог. 1 мА | 0.8 | 1 |
| Входной ток лог. 0 мА | 1.6 | 0.6 |
| Входной ток лог. 1 мкА | 40 | 20 |
| Ток короткого замыкания мА | 20-57 | 60-150 |
| Ток потребления, мА | -90-127 | -10.2 |
| Задержки распространения (нс) | ||
| Выход » Q» от входа «Cl» Q= H—>L | -23-35 | -12 |
| Выход » Q» от входа «Cк» Q= L—>H | -20-30 | -7 |
| Выход » Q» от входа «Cк» Q= H—>L | -17-26 | -7 |
| Длительность импульса «Clock», «Clear» | 20- | 5- |
| Время предустановки «S0″,»S1» | 30- | 8- |
| Время предустановки данных, нс | 20- | 4- |
| Время удержания данных, нс | 0- | 0- |
| Максимальная тактовая частота, Мгц | 25-35- | 105- |
К155ИР13 — восьмиразрядный реверсивный сдвиговый регистр.
Что-то не так?
Пожалуйста, отключите Adblock.
Портал QRZ.RU существует только за счет рекламы, поэтому мы были бы Вам благодарны если Вы внесете сайт в список исключений. Мы стараемся размещать только релевантную рекламу, которая будет интересна не только рекламодателям, но и нашим читателям. Отключив Adblock, вы поможете не только нам, но и себе. Спасибо.
Как добавить наш сайт в исключения AdBlockКорпус ИМС К155ИР13
Условное графическое обозначение
Электрические параметры
Зарубежные аналоги
Литература
Микросхема представляет собой четырехразрядный универсальный сдвиговый регистр. Корпус К155ИР13 типа 239.24-1, масса не более 4 г.
Корпус ИМС К155ИР13
Условное графическое обозначение
1 — вход режимный S0;
2 — вход последовательного ввода информации при сдвиге вправо DR;
3 — вход информационный D0;
4 — выход Q0;
5 — вход D1;
6 — выход Q1;
7 — вход D2;
8 — выход Q2;
9 — вход D3;
10 — выход Q3;
11 — вход синхронизации С;
12 — общий;
13 — вход инверсный «сброс» R;
14 — выход Q4;
15 — вход D4;
16 — выход Q5;
17 — вход D5;
18 — выход Q6;
19 — вход D6;
20 — выход Q7;
21 — вход D7;
22 — вход последовательного ввода информации при сдвиге влево DL;
23 — вход режимный S1;
24 — напряжение питания;
Электрические параметры
| 1 | Номинальное напряжение питания | 5 В
5 % |
| 2 | Выходное напряжение низкого уровня | не более 0,4 В |
| 3 | Выходное напряжение высокого уровня | не менее 2,4 В |
| 4 | Помехоустойчивость | не менее 0,4 В |
| 5 | Входной ток низкого уровня | не более -1,6 мА |
| 6 | Входной ток высокого уровня | не более 0,04 мА |
| 7 | Ток короткого замыкания | -18…-57 мА |
| 8 | Потребляемая мощность | не более 609 мВт |
| 9 | Рабочая частота | 25 МГц |
Зарубежные аналоги
SN74198N
Литература
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. — М.:ИП РадиоСофт, 1998г. — 640с.:ил.
Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. «НТЦ Микротех», 1998г.,376 с. - ISBN-5-85823-006-7
Микросхемы.
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи.п.= 4,5 В | 2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В | -40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
| Iк.з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
П2.5.Микросхема регистр сдвига 8- разрядный к155ир13
Схема представляет собой 8-разрядный двунаправленный регистр сдвига с последовательным и параллельным занесением информации. Функциональная схема регистра приведена на рис.П2.5.-1.
Схема имеет входы последовательного занесения D+ при сдвиге вправо а D— при сдвиге влево, восемь входов параллельного занесения D1- D8, тактовый счетный вход С, управляющие входы V1 и V2 для выбора режима работы, вход установки в «0» R и восемь выходов каждого разряда 1-8.
В зависимости от состояний установочных входов V1, V2 и R схема может работать в различных режимах:
последовательного занесения со сдвигом вправо,
последовательного занесения со сдвигом влево,
параллельного занесения,
хранения,
установки в «0».
При работе схемы в режиме последовательного занесения со сдвигом информации вправо на вход V1 подается уровень логического «0», а на вход V2 — уровень логической «I».
Информация в последовательном коде поступает на информационный вход D+. Сдвиг вправо на один разряд выполняется синхронно при каждом положительном перепаде тактового импульса.
Если на управляющий вход V1 подать уровень: логической «I», а на вход V2 уровень логического «0», то на каждый положительный перепад тактового импульса будет осуществляться сдвиг влево. При этом вновь поступающая информация подается на поcледовательный вход сдвига влево D_. .
Параллельное занесение информации осуществляется через информационные входы D1-D8, когда оба установочных входа находятся в состоянии логической «1». На выходах регистра информация в параллельном коде появится синхронно по положительному перепаду тактового импульса.
При отсутствии тактового импульса информация будет храниться в регистре до прихода следующего положительного перепада тактового импульса.
Режимы работы, в которых может работать регистр, в зависимости от состояний кодов приведены в табл.П2. 5-1.
ТаблицаП2. 5.-1
|
Режим работы |
V1 |
V2 |
R |
D+ |
D— |
C |
|
Установка в «0» |
X |
X |
0 |
X |
X |
X |
|
Последовательное занесение, сдвиг вправо |
0 |
I |
I |
0/1 |
0 |
|
|
Последователькое занесение, сдвиг влево |
I |
0 |
I |
0 |
0/1 |
|
|
Параллельное занесение |
I |
I |
I |
. 0 |
0 |
|
|
Хранение |
0 |
0 |
I |
0 X |
X 0 |
X |
Триггеры не переключаются, когда на обоих управляющих входах уровень логического «0».
Состояние управляющих входов VI, У2 может меняться только тогда, когда тактовый вход находится в состоянии логической «I».
Временные диаграммы входных и выходных сигналов схемы при сдвиге информации вправо приведены на рис.П2.5.-2, при сдвиге информации влево — на рис.П2.5.-3,
Временные соотношения входных и выходных сигналов приведены на рис.П2.5.-4.
Рис.П2.5.-1. Схема функциональная
Рис.П2.5.-2. Временная диаграмма работы регистра при сдвиге вправо
Рис.П2.5.-3. Временная диаграмма работы регистра при сдвиге влево
Рис.П2.5.-4. Временные соотношения входных и выходных импульсов
Микросхемы.
Микросхемы ТТЛ (74…).
На рисунке показана схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти серии принято называть стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие tзд,р,ср.= 13 нс. и среднее значение тока потребления Iпот = 1,5…2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая этим элементом на перенос одного бита информации, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U1вых. 2,5 В в схему на рисунке потребовалось добавить диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке (серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | Pпот. мВт. | tзд.р. нс | Эпот. пДж. | Cн. пФ. | Rн. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 дают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов сквозного тока короткого замыкания выходных транзисторов логических элементов. При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КM155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т. е. расположенных в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (часто их специально «закладывают про запас») Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом ток Ioвх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями И, ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня. Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U1вх, В схема |
U1вх или U0вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U0вх, В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U0вых, В схема | Uи.п.= 4,5 В | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I0вых= 16 мА | I0вых= 8 мА | I0вых= 20 мА | ||||||||||
| U1вых, В схема |
Uи.п.= 4,5 В | 2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I1вых= -0,8 мА | I1вых= -0,4 мА | I1вых= -1 мА | ||||||||||
| I1вых, мкА с ОК схема | U1и.п.= 4,5 В, U1вых=5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I1вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, U1вых= 2,4 В на входе разрешения Е1 Uвх= 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I0вых, мкА Состояние Z схема |
U1и.п.= 5,5 В, Uвых= 0,4 В, Uвх= 2 В | -40 | -20 | -50 | ||||||||
| I1вх, мкА схема | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I1вх, max, мА | U1и.п.= 5,5 В, U1вх= 10 В | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I0вх, мА схема |
U1и.п.= 5,5 В, U0вх= 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
| Iк.з., мА | U1и.п.= 5,5 В, U0вых= 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
Микросхемы.
Микросхемы ТТЛ (74 …).
На самом деле схема самого распространенного логического элемента — основы микросхем серии К155 и ее зарубежного аналога — серии 74. Эти принципы приняты называть серии стандартными (СТТЛ). Логический элемент микросхем серии К155 имеет среднее быстродействие t , р, ср. = 13 нс. и среднее значение тока потребления I пот = 1,5 … 2 мА. Таким образом, энергия, затрачиваемая информация этим на перенос одного бита, примерно 100 пДж.
Для обеспечения выходного напряжения высокого уровня U 1 вых. 2,5 В в схеме на рисунке потребовалось диод сдвига уровня VD4, падение напряжения на котором равно 0,7 В. Таким способом была реализована совместимость различных серий ТТЛ по логическим уровням. Микросхемы на основе инвертора, показанного на рисунке ( серии К155, К555, К1533, К1531, К134, К131, К531 ), имеют очень большую номенклатуру и широко применяются.
| ТТЛ серия | Параметр | Нагрузка | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| Российские | Зарубежные | P пот. мВт. | т зд.р. нс | Э пот. пДж. | C н. пФ. | R н. кОм. |
| К155 КМ155 | 74 | 10 | 9 | 90 | 15 | 0,4 |
| К134 | 74L | 1 | 33 | 33 | 50 | 4 |
| К131 | 74H | 22 | 6 | 132 | 25 | 0,28 |
| К555 | 74LS | 2 | 9,5 | 19 | 15 | 2 |
| К531 | 74S | 19 | 3 | 57 | 15 | 0,28 |
| К1533 | 74ALS | 1,2 | 4 | 4,8 | 15 | 2 |
| К1531 | 74F | 4 | 3 | 12 | 15 | 0,28 |
При совместном использовании микросхем ТТЛ высокоскоростных, стандартных и микромощных следует учитывать, что микросхемы серии К531 обеспечивают увеличенный уровень помех по шинам питания из-за больших по силе и коротких по времени импульсов прямого тока короткого замыкания выходных транзисторовских логических цепей. элементов.При совместном применении микросхем серий К155 и К555 помехи невелики.
| Нагружаемый выход |
Число входов-нагрузок из серий | ||
|---|---|---|---|
| К555 (74LS) | К155 (74) | К531 (74S) | |
| К155, КМ155, (74) | 40 | 10 | 8 |
| К155, КM155, (74), буферная | 60 | 30 | 24 |
| К555 (74LS) | 20 | 5 | 4 |
| К555 (74LS), буферная | 60 | 15 | 12 |
| К531 (74S) | 50 | 12 | 10 |
| К531 (74S), буферная | 150 | 37 | 30 |
Выходы однокристальных, т.е. в одном корпусе, логических элементов ТТЛ, можно соединять вместе. При этом надо учитывать, что импульсная помеха от сквозного тока по проводу питания пропорционально возрастет. Реально на печатной плате остаются неиспользованные входы и даже микросхемы (их специально «закладывают про запас»). Такие входы логического элемента можно соединять вместе, при этом токе I или вх. не увеличивается. Как правило, микросхемы ТТЛ с логическими функциями ИЛИ потребляют от источников питании меньшие токи, если на всех входах присутствуют напряжения низкого уровня.Из-за этого входы таких неиспользуемых элементов ТТЛ следует заземлять.
| Параметр | Условия измерения | К155 | К555 | К531 | К1531 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Тип. | Макс. | Мин. | Макс. | ||
| U 1 вх , В схема |
U 1 вх или U 0 вх Присутствуют на всех входах | 2 | 2 | 2 | 2 | |||||||
| U 0 вх , В схема |
0,8 | 0,8 | 0,8 | |||||||||
| U 0 вых , В схема | U и.п. = 4,5 Â | 0,4 | 0,35 | 0,5 | 0,5 | 0,5 | ||||||
| I 0 вых = 16 мА | I 0 вых = 8 мА | I 0 вых = 20 мА | ||||||||||
| U 1 вых , В схема |
У и.п. = 4,5 Â | 2,4 | 3,5 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | 3,4 | 2,7 | ||||
| I 1 вых = -0,8 мА | I 1 вых = -0,4 мА | I 1 вых = -1 мА | ||||||||||
| I 1 вых , мкА с ОК схема | U 1 и.п. = 4,5 В, U 1 вых = 5,5 В | 250 | 100 | 250 | ||||||||
| I 1 вых , мкА Состояние Z |
У 1 и.п. = 5,5 В, U 1 вых = 2,4 В на входе разрешение Е1 U вх = 2 В | 40 | 20 | 50 | ||||||||
| I 0 вых , мкА Состояние Z |
У 1 и.п. = 5,5 В, U вых = 0,4 В, U вх = 2 В | -40 | -20 | -50 | ||||||||
| I 1 вх , мкА схема | U 1 и.п. = 5,5 В, U 1 вх = 2,7 В | 40 | 20 | 50 | 20 | |||||||
| I 1 вх, max , мА | У 1 и.п. = 5,5 В, U 1 вх = 10 Â | 1 | 0,1 | 1 | 0,1 | |||||||
| I 0 вх , мА схема |
У 1 и.п. = 5,5 В, U 0 вх = 0,4 В | -1,6 | -0,4 | -2,0 | -0,6 | |||||||
| I к.з. , мА | U 1 и.п. = 5,5 В, U 0 вых = 0 В | -18 | -55 | -100 | -100 | -60 | -150 | |||||
.
К155ИР13
Микросхема представляет собой восьмиразрядный реверсивный сдвиговый регистр. Содержит 385 интегральных элементов.
Назначение выводов:
1 — вход режимный S0;
2 — вход последовательного ввода
информации при сдвиге вправо DR;
3 — вход информационный D0;
4 — выход Q0;
5 — вход D1;
6 — выход Q1;
7 — вход D2;
8 — выход Q2;
9 — вход D3;
10 — выход Q3;
11 — вход сигналов C;
12 — общий;
13 — вход инверсный «сброс» R;
14 — выход Q4;
15 — вход D4;
16 — выход Q5;
17 — вход D5;
18 — выход Q6;
19 — вход D6;
20 — выход Q7;
21 — вход D7;
22 — вход последовательного ввода
информации при сдвиге влево DL;
23 — вход режимный S1;
24 — напряжение питания.
Электрические параметры:
Номинальное напряжение питания. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 ± 5%
Выходное напряжение низкого уровня. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 0,4 В
Выходное напряжение высокого уровня. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 2,4 В
Помехоустойчивость при низком и высоком уровнях. . . . . . . . . . . . . . . .. . . ≥ 0,4 В
Напряжение на антизвонном диоде. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≥ -1,5 В
Входной ток низкого уровня. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ -1,6 мА
Входной ток высокого уровня. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 0,04 мА
Входной пробивной ток. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 1 мА
Ток короткого замыкания.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -18… -57 мА
Ток потребления. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤ 116 мА
Потребляемая мощность. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .≤ 609 мВт
Время задержки распространения при включении по входу «сброс». . . . . . . . ≤ 35 нс
Время задержки распространения при выключении. . . . . . . . . . . . . .. . . . . . ≥ 26 нс
Время установки для входов управления. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≥ 30 нс
Рабочая частота. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 МГц
.