| K1 | SOT-23 | BCW71 | Zetex (Now Diodes) | NPN транзистор | |
| K1 | SOD-323 | BZX384-B2V4 | NXP | Стабилитрон | |
| K1 | EMT6 | EM6K1 | ROHM | N-канальные MOSFETы | |
| K1 | SOD-123 | MMSZ5251 | Vishay | Стабилитрон | |
| K1 | SOT-25 | SP6641AEK-3.3 | Sipex | Повышающий пребразователь | |
| K1 | SOT-353 | UM5K1N | ROHM | N-канальные MOSFETы | |
| K1 | SOT-363 | UM6K1N | ROHM | N-канальные MOSFETы | |
| K1*** | SOT-23 | TN2404K | Vishay | N-канальный MOSFET | |
| K1- | SOT-363 | BAV99S | NXP | Переключающие диоды | |
| K1- | SOT-89 | RT9170-33PX | Richtek | Стабилизатор напряжения | |
| K1-*** | SOT-23 | RT9818E-30PV | Richtek | Детектор напряжения | |
| K101 | SOT-25 | TS951 | STMicroelectronics | Операционный усилитель | |
| K13 | SOT-363 | MMDT4413 | BL Galaxy Electrical | NPN + PNP транзисторы | |
| K14 | SOT-346 | DTA114GKA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K14 | SOT-323 | DTA114GUA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K15 | SOT-346 | DTA124GKA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K1529 | SC-65 | 2SK1529 | Toshiba | N-канальный MOSFET | |
| K16 | SOT-346 | DTA144GKA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K16 | SOT-323 | DTA144GUA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K1648 | SO-8 | MC100EL1648 | ON | Voltage controlled oscillator amplifier | |
| K19 | SOT-346 | DTA115GKA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K19 | SOT-323 | DTA115GUA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K1=*** | SOT-23 | RT9818E-30GV | Richtek | Детектор напряжения | |
| K1N | SOT-23 | MMBT3904 | Diodes | NPN транзистор | |
| K1O | SOT-23 | KSC3265 | Fairchild | NPN транзистор | |
| K1P | SOT-23 | MMBT2222A | Diodes | NPN транзистор | |
| K1P | SOT-363 | MMDT2222A | BL Galaxy Electrical | NPN транзисторы | |
| K1W | SOT-363 | BAV99S | NXP | Переключающие диоды | |
| K1Y | SOT-23 | KSC3265 | Fairchild | NPN транзистор | |
| K1p | SOT-363 | BAV99S | NXP | Переключающие диоды | |
| K1t | SOT-363 | BAV99S | NXP | Переключающие диоды |
K1 SMD маркировка | Все для ремонта электроники
Радиоэлементы с маркировкой на корпусе K1
Алфавитный указатель по SMD маркировкам
| Даташит | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| K1 | SOT-23 | BCW71 | Zetex (Now Diodes) | NPN транзистор | |
| K1 | SOD-323 | BZX384-B2V4 | NXP | Стабилитрон | |
| K1 | EMT6 | EM6K1 | ROHM | N-канальные MOSFETы | |
| K1 | SOD-123 | MMSZ5251 | Vishay | Стабилитрон | |
| K1 | SOT-25 | SP6641AEK-3.3 | Sipex | Повышающий преобразователь | |
| K1 | SOT-353 | UM5K1N | ROHM | N-канальные MOSFETы | |
| K1 | SOT-363 | UM6K1N | ROHM | N-канальные MOSFETы | |
| K1*** | SOT-23 | TN2404K | Vishay | N-канальный MOSFET | |
| K1- | SOT-363 | BAV99S | NXP | Переключающие диоды | |
| K1- | SOT-89 | RT9170-33PX | Richtek | Стабилизатор напряжения | |
| K1-*** | SOT-23 | RT9818E-30PV | Richtek | Детектор напряжения | |
| K101 | SOT-25 | TS951 | STMicroelectronics | Операционный усилитель | |
| K13 | SOT-363 | MMDT4413 | BL Galaxy Electrical | NPN + PNP транзисторы | |
| K14 | SOT-346 | DTA114GKA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K14 | SOT-323 | DTA114GUA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K15 | SOT-346 | DTA124GKA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K1529 | SC-65 | 2SK1529 | Toshiba | N-канальный MOSFET | |
| K16 | SOT-346 | DTA144GKA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K16 | SOT-323 | DTA144GUA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K1648 | SO-8 | MC100EL1648 | ON | Voltage controlled oscillator amplifier | |
| K19 | SOT-346 | DTA115GKA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K19 | SOT-323 | DTA115GUA | ROHM | Цифровой PNP транзистор | |
| K1=*** | SOT-23 | RT9818E-30GV | Richtek | Детектор напряжения | |
| K1N | SOT-23 | MMBT3904 | Diodes | NPN транзистор | |
| K1O | SOT-23 | KSC3265 | Fairchild | NPN транзистор | |
| K1P | SOT-23 | MMBT2222A | Diodes | NPN транзистор | |
| K1P | SOT-363 | MMDT2222A | BL Galaxy Electrical | NPN транзисторы | |
| K1p | SOT-363 | BAV99S | NXP | ||
| K1t | SOT-363 | BAV99S | NXP | Переключающие диоды | |
| K1W | SOT-363 | BAV99S | NXP | Переключающие диоды | |
| K1Y | SOT-23 | KSC3265 | Fairchild | NPN транзистор |
РКС Компоненты — РАДИОМАГ
Внимание! Изменение графика работы на праздничные дни.
В сети магазинов Радиомаг:
22.08.2021 — Выходной день.
23.08.2021 — Выходной день.
24.08.2021 — Выходной день.
В отделе продаж и интернет магазине:
21.08.2021 — Выходной день.
22.08.2021 — Выходной день.
23.08.2021 — Выходной день.
24.08.2021 — Выходной день.
17/08/2021
Наш склад пополнился припоями и флюсами производства CYNELПрипои с флюсом, припои без флюса, серебросодержащие припои, флюсы.Полный список поставки смотрите ниже либо на странице нашего сайта по ссылке |
21/04/2021
Полный список смотрите по ссылке.
02/04/2021
Контроллер температуры и влажности, Тестер емкости аккумулятора, Тестер полупроводников, Компактный усилитель мощности,
Bluetooth аудиомодуль ,Цветной USB тестер (вольтметр, амперметр, контроллер заряда), Цифровой портативный осциллограф,
Двухсторонняя клейкая акриловая лента, Антистатические пинцеты
Полный список поставки смотрите по ссылке
02/04/2021
Пополнение склада и расширение ассортимента от производителя Hantek Electronics.
Измерительные приборы
Аксессуары для инструмента и оборудования
01/04/2021
Пополнение склада и расширение ассортимента от производителя LiitoKala.
Аккумуляторы и батарейки
Блоки питания, сетевые адаптеры, зарядные устройства
01/04/2021
Расширен ассортимент радиомодулей с интерфейсами: UART, UART/IO, IO, USB, SPI.
Полный список поставки по ссылке HOPE RF
Паяльное оборудование производителей YIHUA и AOYUE на складе, а также в сети магазинов РАДИОМАГ
На нашем складе обновился ассортимент таких товарных групп как: паяльные станции, паяльники, фены, жала, насадки на фен, уловитель дыма.
Полный перечень пополнения смотрите по ссылке, либо в разделе
Паяльное оборудование, расходные для пайки24/11/2020
Просим обратить внимание.
Магазин Радиомаг в Киеве меняет свой график работы:
Пн. — Сб. работает 9:00-16:00
Вс. — Выходной
23/11/2020
Расширен складской запас энкодеров
Перечень поставки смотрите по ссылке либо в разделе сайта.
01/11/2020
Таблица SMD транзисторов
Таблица условных обозначений (
маркировки) на корпусах SMD транзисторов для поверхностного монтажа, их тип и аналоги| Обозначение на корпусе | Тип транзистора | Условный аналог |
15 | MMBT3960 | 2N3960 |
1A | BC846A | BC546A |
1B | BC846B | BC546B |
1C | MMBTA20 | MPSA20 |
1D | BC846 | — |
1E | BC847A | BC547A |
1F | BC847B | BC547B |
1G | BC847C | BC547C |
1H | BC847 | — |
1J | BC848A | BC548A |
1K | BC848B | BC548B |
1L | BC848C | BC548C |
1M | BC848 | — |
1P | FMMT2222A | 2N2222A |
1T | MMBT3960A | 2N3960A |
1X | MMBT930 | — |
1Y | MMBT3903 | 2N3903 |
2A | FMMT3906 | 2N3906 |
2B | BC849B | BC549B |
2C | BC849C | BC549C / BC109C / MMBTA70 |
2E | FMMTA93 | — |
2F | BC850B | BC550B |
2G | BC850C | BC550C |
2J | MMBT3640 | 2N3640 |
2K | MMBT8598 | — |
2M | MMBT404 | — |
2N | MMBT404A | — |
2T | MMBT4403 | 2N4403 |
2W | MMBT8599 | — |
2X | MMBT4401 | 2N4401 |
3A | BC856A | BC556A |
3B | BC856B | BC556B |
3D | BC856 | — |
3E | BC857A | BC557A |
3F | BC857B | BC557B |
3G | BC857C | BC557C |
3J | BC858A | BC558A |
3K | BC858B | BC558B |
3L | BC858C | BC558C |
3S | MMBT5551 | — |
4A | BC859A | BC559A |
4B | BC859B | BC559B |
4C | BC859C | BC559C |
4E | BC860A | BC560A |
4F | BC860B | BC560B |
4G | BC860C | BC560C |
4J | FMMT38A | — |
449 | FMMT449 | — |
489 | FMMT489 | — |
491 | FMMT491 | — |
493 | FMMT493 | — |
5A | BC807-16 | BC327-16 |
5B | BC807-25 | BC327-25 |
5C | BC807-40 | BC327-40 |
5E | BC808-16 | BC328-16 |
5F | BC808-25 | BC328-25 |
5G | BC808-40 | BC328-40 |
549 | FMMT549 | — |
589 | FMMT589 | — |
591 | FMMT591 | — |
593 | FMMT593 | — |
6A | BC817-16 | BC337-16 |
6B | BC817-25 | BC337-25 |
6C | BC817-40 | BC337-40 |
6E | BC818-16 | BC338-16 |
6F | BC818-25 | BC338-25 |
6G | BC818-40 | BC338-40 |
9 | BC849BLT1 | — |
AA | BCW60A | BC636 / BCW60A |
AB | BCW60B | — |
AC | BCW60C | BC548B |
AD | BCW60D | — |
AE | BCX52 | — |
AG | BCX70G | — |
AH | BCX70H | — |
AJ | BCX70J | — |
AK | BCX70K | — |
AL | MMBTA55 | — |
AM | BSS64 | 2N3638 |
AS1 | BST50 | BSR50 |
B2 | BSV52 | 2N2369A |
BA | BCW61A | BC635 |
BB | BCW61B | — |
BC | BCW61C | — |
BD | BCW61D | — |
BE | BCX55 | — |
BG | BCX71G | — |
BH | BCX71H | BC639 |
BJ | BCX71J | — |
BK | BCX71K | — |
BN | MMBT3638A | 2N3638A |
BR2 | BSR31 | 2N4031 |
C1 | BCW29 | — |
C2 | BCW30 | BC178B / BC558B |
C5 | MMBA811C5 | — |
C6 | MMBA811C6 | — |
C7 | BCF29 | — |
C8 | BCF30 | — |
CE | BSS79B | — |
CEC | BC869 | BC369 |
CF | BSS79C | — |
CH | BSS82B / BSS80B | — |
CJ | BSS80C | — |
CM | BSS82C | — |
D1 | BCW31 | BC108A / BC548A |
D2 | BCW32 | BC108A / BC548A |
D3 | BCW33 | BC108C / BC548C |
D6 | MMBC1622D6 | — |
D7 | BCF32 | — |
D8 | BCF33 | BC549C / BCY58 / MMBC1622D8 |
DA | BCW67A | — |
DB | BCW67B | — |
DC | BCW67C | — |
DE | BFN18 | — |
DF | BCW68F | — |
DG | BCW68G | — |
DH | BCW68H | — |
E1 | BFS17 | BFY90 / BFW92 |
EA | BCW65A | — |
EB | BCW65B | — |
EC | BCW65C | — |
ED | BCW65C | — |
EF | BCW66F | — |
EG | BCW66G | — |
EH | BCW66H | — |
F1 | MMBC1009F1 | — |
F3 | MMBC1009F3 | — |
FA | BFQ17 | BFW16A |
FD | BCV26 | MPSA64 |
FE | BCV46 | MPSA77 |
FF | BCV27 | MPSA14 |
FG | BCV47 | MPSA27 |
GF | BFR92P | — |
h2 | BCW69 | — |
h3 | BCW70 | BC557B |
h4 | BCW89 | — |
H7 | BCF70 | — |
K1 | BCW71 | BC547A |
K2 | BCW72 | BC547B |
K3 | BCW81 | — |
K4 | BCW71R | — |
K7 | BCV71 | — |
K8 | BCV72 | — |
K9 | BCF81 | — |
L1 | BSS65 | — |
L2 | BSS70 | — |
L3 | MMBC1323L3 | — |
L4 | MMBC1623L4 | — |
L5 | MMBC1623L5 | — |
L6 | MMBC1623L6 | — |
L7 | MMBC1623L7 | — |
M3 | MMBA812M3 | — |
M4 | MMBA812M4 | — |
M5 | MMBA812M5 | — |
M6 | BSR58 / MMBA812M6 | 2N4858 |
M7 | MMBA812M7 | — |
O2 | BST82 | — |
P1 | BFR92 | BFR90 |
P2 | BFR92A | BFR90 |
P5 | FMMT2369A | 2N2369A |
Q3 | MMBC1321Q3 | — |
Q4 | MMBC1321Q4 | — |
Q5 | MMBC1321Q5 | — |
R1 | BFR93 | BFR91 |
R2 | BFR93A | BFR91 |
S1A | SMBT3904 | — |
S1D | SMBTA42 | — |
S2 | MMBA813S2 | — |
S2A | SMBT3906 | — |
S2D | SMBTA92 | — |
S2F | SMBT2907A | — |
S3 | MMBA813S3 | — |
S4 | MMBA813S4 | — |
T1 | BCX17 | BC327 |
T2 | BCX18 | — |
T7 | BSR15 | 2N2907A |
T8 | BSR16 | 2N2907A |
U1 | BCX19 | BC337 |
U2 | BCX20 | — |
U7 | BSR13 | 2N2222A |
U8 | BSR14 | 2N2222A |
U9 | BSR17 | — |
U92 | BSR17A | 2N3904 |
Z2V | FMMTA64 | — |
ZD | MMBT4125 | 2N4125 |
Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте, как обрабатываются ваши данные комментариев.
Батарея химических источников тока
Изобретение относится к вторичным источникам тока. Техническим результатом изобретения является повышение надежности. Согласно изобретению батарея из n химических источников тока отличается от известной тем, что в качестве электропроводящих элементов используются плавкие вставки. Каждая плавкая вставка обладает тем свойством, что при замыкании какого-либо i-го (i=1,2,3, …n) ключевого элемента, шунтирующего цепь последовательно подключенных i-й плавкой вставки и i-го химического источника тока, i-я плавкая вставка разрушается током, генерируемым энергией i-го химического источника тока. Кроме того, в батарее химических источников тока параллельно каждому ключевому элементу подключена цепь из последовательно соединенных второго ключевого элемента и резистора, используемая для выравнивания напряжений химических источников тока. Все ключевые элементы батареи могут быть выполнены на базе транзисторов, в частности полевых транзисторов. Батарея химических источников тока содержит также датчики тока батареи и напряжений отдельных химических источников тока, а также устройство управления ключевыми элементами, которое имеет встроенный программируемый микроконтроллер, измеряющий ток батареи и напряжение на химических источниках тока и управляющий состоянием ключевых элементов в соответствии с заложенной в него программой или по командам, поступающим от внешнего устройства управления. 6 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при создании вторичных источников тока.
Известен источник тока [1], включающий множество идентичных единичных батарей, связанных последовательно и/или параллельно соответствующими выключателями. Указанные выключатели приводятся в действие центральным блоком управления в соответствии с требованиями нагрузки.
Недостатками известного источника тока [1] при использовании перезаряжаемых химических источников тока (единичных элементов или модулей из химических аккумуляторов или электрохимических конденсаторов) являются:
выход из строя всей батареи при отказе одного из химических источников тока из-за невозможности его дистанционного вывода из электрической цепи;
разбаланс напряжений химических источников тока с течением времени при осуществлении большого числа циклов «заряд-разряд» источника тока.
Наиболее близким к заявляемому техническому решению является батарея химических источников тока, содержащая множество единичных химических источников тока или модулей из нескольких единичных химических источников тока, коммутируемых с помощью ключевых элементов в единую электрическую цепь [2].
Недостатком технического решения [2] является то, что в последовательной цепи химических источников тока присутствует группа ключевых элементов (К11, К12…K1n на фиг.1 описания технического решения [2]). Эти ключевые элементы используются для управляемого вывода из состава (отключения) одного или нескольких химических источников тока в случае их деградации (существенного необратимого снижения энергоемкости). При этом непрерывность электрической цепи батареи в целом обеспечивается шунтированием отключаемого участка цепи при помощи одного из ключевых элементов из другой группы ключевых элементов (К21, К22…K2n на фиг.1 описания технического решения [2]).
В случае, когда указанные ключевые элементы являются нормально замкнутыми контактами реле, при длительной эксплуатации возможны как увеличенное сопротивление контактного соединения в замкнутом положении контактов контактной пары (вследствие, например, действия вибрации или иных внешних воздействий), так и возможность неразмыкания контактной пары при срабатывании реле вследствие так называемой «холодной сварки».
В случае, когда указанные ключевые элементы являются транзисторами, существует опасность случайного непреднамеренного изменения их рабочего состояния (например, включения в отключенном состоянии или отключения во включенном состоянии от действия помех по цепи управления).
Указанные недостатки существенно снижают уровень надежности батареи химических источников тока.
Задача, на решение которой направлено заявляемое техническое решение, заключается в обеспечении надежного электрического соединения (с очень малым омическим сопротивлением) последовательно включенных химических источников тока, образующих батарею, а также надежного управляемого отключения одного или нескольких химических источников тока в случае их деградации путем замены вышеуказанных ключевых элементов (К11, К12…K1n на фиг.1 описания технического решения [2]) плавкими вставками. Характеристики плавких вставок выбираются так, чтобы любая плавкая вставка могла неограниченно долго выдерживать максимальный рабочий ток батареи, но разрушалась током, генерируемым энергией химического источника тока, в цепи которого она установлена, при шунтировании этого участка цепи соответствующим ключевым элементом, аналогичным элементам К21, К22…K2n (на фиг.1 описания технического решения [2]).
Достигаемый технический результат заключается в повышении уровня надежности батареи химических источников тока.
Поставленная задача решается благодаря тому, что в батарее химических источников тока, содержащей n химических источников тока, представляющих собой единичные химические источники тока или модули из нескольких единичных химических источников тока, причем каждый из химических источников тока имеет два разнополярных электрических вывода: первый (положительный или отрицательный) и второй (отрицательный или положительный) и n электропроводящих элементов; химические источники тока подключены одинаковым образом в последовательную цепь так, что второй вывод первого химического источника тока при помощи первого электропроводящего элемента подключен к первому выводу второго химического источника тока, второй вывод второго химического источника тока при помощи второго электропроводящего элемента подключен к первому выводу третьего химического источника тока и так далее до (n-1)-го химического источника тока, второй вывод которого при помощи (n-1)-го электропроводящего элемента подключен к первому выводу n-го химического источника тока; первый вывод первого химического источника тока образует собой первый вывод для подключения батареи химических источников тока к внешней электрической цепи, второй вывод n-го химического источника тока при помощи n-го электропроводящего элемента подключен к второму выводу для подключения батареи химических источников тока к внешней электрической цепи; батарея химических источников тока содержит также n ключевых элементов, каждый из которых имеет первый и второй силовые, а также управляющий выводы, силовые выводы упомянутых ключевых элементов подключены к выводам химических источников тока следующим образом: первый вывод первого ключевого элемента подключен к первому выводу первого химического источника тока, второй вывод первого ключевого элемента, а также первый вывод второго ключевого элемента подключены к первому выводу второго химического источника тока, второй вывод второго ключевого элемента, а также первый вывод третьего ключевого элемента подключены к первому выводу третьего химического источника тока и так далее до n-го химического источника тока, к первому выводу которого подключены второй вывод (n-1)-го ключевого элемента, а также первый вывод n-го ключевого элемента, второй вывод которого подключен к второму выводу для подключения батареи химических источников тока к внешней электрической цепи; батарея химических источников тока содержит датчики напряжения химических источников тока, датчик тока батареи химических источников тока, а также устройство управления ключевыми элементами, согласно заявляемому техническому решению в качестве n электропроводящих элементов используются плавкие вставки, каждая из которых обладает тем свойством, что при замыкании какого-либо i-го (i=1,2,3, …n) ключевого элемента, шунтирующего цепь последовательно включенных i-й плавкой вставки и i-го химического источника тока, i-я плавкая вставка разрушается током, генерируемым энергией i-го химического источника тока.
Поставленная задача решается также благодаря тому, что в батарее химических источников тока ключевые элементы выполнены на базе транзисторов.
Поставленная задача решается также благодаря тому, что в батарее химических источников тока в качестве транзисторов используются полевые транзисторы.
Поставленная задача решается также благодаря тому, что в батарее химических источников тока параллельно каждому ключевому элементу подключена цепь из последовательно соединенных второго ключевого элемента и резистора, причем ключевые элементы могут быть выполнены на базе транзисторов, в частности полевых транзисторов.
Поставленная задача решается также благодаря тому, что в батарее химических источников тока устройство управления ключевыми элементами имеет встроенный программируемый микроконтроллер, измеряющий ток батареи и напряжение на химических источниках тока и управляющий состоянием ключевых элементов в соответствии с заложенной в него программой или по командам, поступающим от внешнего устройства.
Сущность предложенного технического решения поясняется электрической схемой, приведенной на фиг.1.
Батарея химических источников тока содержит n химических источников тока G1, G2, …Gn, представляющих собой единичные химические источники тока или модули из нескольких единичных химических источников тока, причем каждый из химических источников тока имеет два разнополярных электрических вывода 1 и 2 (на фиг.1 положительные выводы обозначены «1», а отрицательные — «2») и n электропроводящих элементов. Согласно заявляемому техническому решению в качестве n электропроводящих элементов используются n плавких вставок F1, F2, …Fn. Надежность электрического контакта при последовательном подключении химических источников тока G1, G2, …Gn в батарею при помощи плавких вставок F1, F2, …Fn может быть обеспечена различными способами, например пайкой или сваркой.
Химические источники тока G1, G2, …Gn подключены одинаковым образом в последовательную цепь так, что вывод 2 химического источника тока G1 при помощи плавкой вставки F1 подключен к выводу 1 химического источника тока G2, вывод 2 химического источника тока G2 при помощи плавкой вставки F2 подключен к выводу 1 химического источника тока G3 и так далее до химического источника тока Gn-1, вывод 2 которого при помощи плавкой вставки Fn-1 подключен к выводу химического источника тока Gn. Вывод 1 химического источника тока G1 образует собой первый вывод «+АБ» для подключения батареи химических источников тока к внешней электрической цепи, вывод 2 химического источника тока Gn при помощи плавкой вставки Fn подключен к второму выводу «-АБ» для подключения батареи химических источников тока к внешней электрической цепи.
Батарея химических источников тока содержит также n ключевых элементов К1, К2, …Kn, каждый из которых имеет первый и второй силовые, а также управляющий выводы. Силовые выводы ключевых элементов К1, К2, …Kn подключены к выводам химических источников тока G1, G2, …Gn следующим образом: первый вывод ключевого элемента К1 подключен к первому выводу химического источника тока G1, второй вывод ключевого элемента К1, а также первый вывод ключевого элемента К2 подключены к первому выводу химического источника тока G2, второй вывод ключевого элемента К2, а также первый вывод ключевого элемента К3 подключены к первому выводу химического источника тока G3 и так далее до химического источника тока Gn, к первому выводу которого подключены второй вывод ключевого элемента Kn-1, а также первый вывод ключевого элемента Kn, второй вывод которого подключен к второму выводу «-АБ» для подключения батареи химических источников тока к внешней электрической цепи. Таким образом, каждый ключевой элемент Ki (i=1,2,3, …n) подключен параллельно цепи, состоящей из последовательно соединенных химического источника тока Gi и плавкой вставки Fi.
Батарея химических источников тока содержит также n цепочек, каждая из которых состоит из последовательно соединенных второго ключевого элемента Si и резистора Ri (i=1,2,3, …n). Каждая i-я цепочка подключена параллельно каждому ключевому элементу Ki.
Батарея химических источников тока содержит также блок управления (микроконтроллер) ключевыми элементами К1, К2, …Kn и S1, S2, …Sn. При этом выходные сигналы управления от блока управления (микроконтроллера) поступают на управляющие выводы ключевых элементов К1, К2, …Kn и S1, S2, …Sn. В блок управления (микроконтроллер) поступают сигналы U1, U2, …Un от датчиков напряжения химических источников тока G1, G2, …Gn (на фиг.1 датчики напряжения не показаны), а также сигнал Iаб от датчика тока ДТ батареи химических источников тока. Блок управления (микроконтроллер) обменивается информацией с внешним управляющим устройством, которое может корректировать программу работы блока управления (микроконтроллера).
В качестве ключевых элементов К1, К2, …Kn и S1, S2, …Sn могут быть применены как контакты реле, так и транзисторы, при этом наибольший эффект может дать применение полевых (MOSFET) транзисторов, имеющих малое падение напряжения в открытом состоянии и малую мощность цепей управления.
Батарея химических источников тока работает следующим образом.
При заряде батареи блок управления (микроконтроллер) (далее — БУ) контролирует напряжение на каждом химическом источнике тока G1, G2…Gn, а также ток батареи, получая сигналы U1, U2, …Un от датчиков напряжения и сигнал Iаб от датчика тока ДТ. В процессе эксплуатации батареи напряжения химических источников тока G1, G2, …Gn становятся различными — возникает т.н. разбаланс напряжений. Для нивелирования возникающего разбаланса напряжений в батарее БУ вычисляет значение среднее напряжение химических источников тока в батарее и осуществляет сравнение значений напряжений химических источников тока G1, G2, …Gn со средним значением напряжения. При превышении напряжением химического источника тока Gi среднего значения на заданную в программе БУ величину ΔU (например, 50 мВ) БУ на некоторое время (например, 30 с) подает управляющий сигнал на ключевой элемент Si, ключевой элемент Si замыкается, в результате чего химический источник тока Gi разряжается через резистор Ri.
В случае снижения емкости одного из химических источников тока (например, Gj, где j=1,2,3, …n) относительно емкости остальных химических источников тока Gi (i≠j) в батарее химический источник тока Gj будет ограничивать разрядную емкость всей батареи. Возникновение такой ситуации определяет БУ по величине контролируемых напряжений U1, U2, …Un. Если напряжение Uj химического источника тока Gj ниже минимально допустимого Uмин (например, 2,8 В), в то время как остальные химические источники тока Gi (i≠j) в батарее имеют напряжение, например, на 0,7 В выше, то БУ подает управляющий сигнал на ключевой элемент Kj и ключевой элемент Kj (контакт реле или транзистор) замыкается.
В качестве ключевого элемента Kj, например, может быть применена группа параллельно включенных транзисторов, имеющих общий управляющий вход. После включения транзисторов образуется электрическая цепь, состоящая из группы транзисторов (ключевого элемента Kj), химического источника тока Gj и плавкой вставки Fj. Поскольку сопротивление плавкой вставки Fj и группы транзисторов (ключевого элемента Kj) весьма мало (единицы миллиом), ток в цепи может превосходить максимальный рабочий ток химического источника тока Gj в 3…15 раз (например, для химического источника тока с рабочим током 40 А составлять несколько сотен ампер), т.е. рассматриваемый процесс аналогичен короткому замыканию химического источника тока и плавкая вставка Fj разрушается током, генерируемым энергией химического источника тока Gj.
В результате срабатывания (перегорания) плавкой вставки Fj химический источник тока Gj оказывается отключенным от батареи, а участок цепи, состоящий из химического источника тока Gj и плавкой вставки Fj, оказывается замкнутым транзисторной группой (ключевым элементом Kj).
В итоге цепь последовательно подключенных химических источников тока Gi (i≠j) не теряет непрерывности после вывода деградировавшего химического источника тока Gj.
Выбор плавкой вставки и транзисторов производится с учетом следующих условий.
1. Плавкая вставка не должна срабатывать при наибольшем рабочем токе батареи. В то же время плавкая вставка должна сработать (перегореть) за сравнительно короткое время (например, единицы секунд), в течение которого спадающий ток закороченного химического источника тока имеет достаточно большую величину. Для плавких вставок (предохранителей) в справочных данных дается значение I2t, исходя из которого, зная зависимость величины тока короткого замыкания химического источника тока от времени, можно рассчитать время срабатывания плавкой вставки. Например, для химических источников тока с максимальным рабочим разрядным током 40 А может быть применена плавкая вставка (предохранитель) с характеристиками, аналогичными характеристикам быстродействующего предохранителя 0498060 фирмы Littelfuse (габариты 41×12×8 мм), время срабатывания которого при токе больше трехкратного номинального тока 0,5…3 с.
2. Поскольку время срабатывания плавкой вставки может составлять несколько секунд, транзисторы должны быть выбраны таким образом, чтобы ток длительного режима, на который они рассчитаны, был не меньше тока закороченного химического источника тока. Для рассматриваемого примера могут быть выбраны, например, транзисторы с характеристиками, аналогичными характеристикам транзисторов IRFB3004PbF (длительный ток 195 А, сопротивление не более 1,75 мОм).
Исходя из вышеизложенного, задача обеспечения надежного электрического соединения (с очень малым омическим сопротивлением) последовательно включенных химических источников тока, образующих батарею, и надежного управляемого отключения одного или нескольких химических источников тока в случае их деградации путем применения плавких вставок вместо других электропроводящих элементов, например контактов реле, решена.
Это обеспечивает достижение повышения уровня надежности батареи химических источников тока.
Источники информации
1. Пат. США №5461264, опубл. 1995.
2. Пат. РФ №2404490, опубл. 2010.
1. Батарея химических источников тока, содержащая n химических источников тока, представляющих собой единичные химические источники тока или модули из нескольких единичных химических источников тока, причем каждый из химических источников тока имеет два разнополярных электрических вывода: первый (положительный или отрицательный) и второй (отрицательный или положительный) и n электропроводящих элементов; химические источники тока подключены одинаковым образом в последовательную цепь так, что второй вывод первого химического источника тока при помощи первого электропроводящего элемента подключен к первому выводу второго химического источника тока, второй вывод второго химического источника тока при помощи второго электропроводящего элемента подключен к первому выводу третьего химического источника тока и так далее до (n-1)-го химического источника тока, второй вывод которого при помощи (n-1)-го электропроводящего элемента подключен к первому выводу n-го химического источника тока; первый вывод первого химического источника тока образует собой первый вывод для подключения батареи химических источников тока к внешней электрической цепи, второй вывод n-го химического источника тока при помощи n-го электропроводящего элемента подключен ко второму выводу для подключения батареи химических источников тока к внешней электрической цепи; батарея химических источников тока содержит также n ключевых элементов, каждый из которых имеет первый и второй силовые, а также управляющий выводы, силовые выводы упомянутых ключевых элементов подключены к выводам химических источников тока следующим образом: первый вывод первого ключевого элемента подключен к первому выводу первого химического источника тока, второй вывод первого ключевого элемента, а также первый вывод второго ключевого элемента подключены к первому выводу второго химического источника тока, второй вывод второго ключевого элемента, а также первый вывод третьего ключевого элемента подключены к первому выводу третьего химического источника тока и так далее до n-го химического источника тока, к первому выводу которого подключены второй вывод (n-1)-го ключевого элемента, а также первый вывод n-го ключевого элемента, второй вывод которого подключен ко второму выводу для подключения батареи химических источников тока к внешней электрической цепи; батарея химических источников тока содержит датчики напряжения химических источников тока, датчик тока батареи химических источников тока, а также устройство управления ключевыми элементами, отличающаяся тем, что в качестве n электропроводящих элементов используются плавкие вставки, каждая из которых обладает тем свойством, что при замыкании какого-либо i-го (i=1,2,3, …n) ключевого элемента, шунтирующего цепь последовательно включенных i-й плавкой вставки и i-ro химического источника тока, i-я плавкая вставка разрушается током, генерируемым энергией i-го электрического накопителя.
2. Батарея химических источников тока по п.1, отличающаяся тем, что ключевые элементы выполнены на базе транзисторов.
3. Батарея химических источников тока по п.2, отличающаяся тем, что в качестве транзисторов используются полевые транзисторы.
4. Батарея химических источников тока по п.1, отличающаяся тем, что параллельно каждому ключевому элементу подключена цепь из последовательно соединенных второго ключевого элемента и резистора.
5. Батарея химических источников тока по п.4, отличающаяся тем, что ключевые элементы выполнены на базе транзисторов.
6. Батарея химических источников тока по п.5, отличающаяся тем, что в качестве транзисторов используются полевые транзисторы.
7. Батарея химических источников тока по любому из пп.1-6, отличающаяся тем, что устройство управления ключевыми элементами имеет встроенный программируемый микроконтроллер, измеряющий ток батареи и напряжение на химических источниках тока и управляющий состоянием ключевых элементов в соответствии с заложенной в него программой или по командам, поступающим от внешнего устройства.
батарея электрических накопителей энергии — патент РФ 2404490
Изобретение относится к вторичным источникам тока, в частности к батареям на основе литий-ионных аккумуляторов. Техническим результатом изобретения является исключение разбаланса напряжений накопителей при циклировании батареи. Согласно изобретению батарея электрических накопителей энергии (ЭНЭ) содержит множество единичных накопителей энергии (НЭ) или модулей из нескольких единичных НЭ, коммутируемых с помощью ключевых элементов (КЭ) в единую электрическую цепь, а также устройство управления КЭ. Для дистанционного выведения отказавшего ЭНЭ из электрической цепи, последовательно с каждым ЭНЭ подключен первый ключевой элемент, а второй ключевой элемент в замкнутом состоянии их шунтирует. Для нивелирования разбаланса напряжений в батарее параллельно каждому второму ключевому элементу подключена цепь из последовательно соединенных третьего ключевого элемента и резистора. Ключевые элементы могут быть выполнены на базе транзисторов, в частности полевых транзисторов. Ключевые элементы управляются измеряющим ток и напряжения в батарее микроконтроллером в соответствии с введенной в него программой или по командам, получаемым им от внешнего устройства. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
Формула изобретения
1. Батарея электрических накопителей энергии, содержащая множество единичных электрических накопителей энергии или модулей из нескольких единичных электрических накопителей энергии, коммутируемых с помощью ключевых элементов в единую электрическую цепь, а также устройство управления ключевыми элементами, отличающаяся тем, что в цепь коммутации каждого единичного электрического накопителя энергии или модуля включено по крайней мере 2 ключевых элемента, причем первый ключевой элемент соединен с единичным электрическим накопителем энергии или модулем последовательно, а второй ключевой элемент в замкнутом состоянии их шунтирует.
2. Батарея электрических накопителей энергии по п.1, отличающаяся тем, что в цепи коммутации каждого единичного электрического накопителя энергии или модуля параллельно второму ключевому элементу подключена цепь из последовательно соединенных третьего ключевого элемента и резистора.
3. Батарея электрических накопителей энергии по п.2, отличающаяся тем, что ключевые элементы выполнены на базе транзисторов.
4. Батарея электрических накопителей энергии по п.3, отличающаяся тем, что в качестве транзисторов используются полевые транзисторы.
5. Батарея электрических накопителей энергии по п.4, отличающаяся тем, что резисторы последовательно включены в цепи управления транзисторов третьих ключевых элементов.
6. Батарея электрических накопителей энергии по любому из пп.1-5, отличающаяся тем, что устройство управления ключевыми элементами имеет встроенный программируемый микроконтроллер, измеряющий ток батареи и напряжение на единичных электрических накопителях энергии или модулях и управляющий состоянием ключевых элементов в соответствии с заложенной в него программой или по командам, поступающим от внешнего устройства.
Описание изобретения к патенту
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при создании вторичных источников тока.
Наиболее близким к данному изобретению является источник тока, включающий множество идентичных единичных батарей, связанных последовательно и/или параллельно соответствующими выключателями. Указанные выключатели приводятся в действие центральным блоком управления в соответствии с требованиями нагрузки [Пат. США № 5461264, опубл. 1995].
Недостатками известного источника тока при использовании перезаряжаемых электрических накопителей энергии (единичных элементов или модулей из химических аккумуляторов, или электрохимических конденсаторов) являются:
1) Выход из строя всей батареи при отказе одного из электрических накопителей энергии из-за невозможности его дистанционного вывода из электрической цепи.
2) Разбаланс напряжений электрических накопителей энергии при циклировании источника тока.
Задачей изобретения является создание батареи электрических накопителей энергии, позволяющей обеспечить дистанционный автоматический вывод отказавшего электрического накопителя энергии, а также уменьшить или практически полностью исключить разбаланс напряжений электрических накопителей при циклировании батареи.
Указанный технический результат достигается следующим.
В батарее электрических накопителей энергии, содержащей множество единичных электрических накопителей энергии или модулей из нескольких единичных электрических накопителей энергии, коммутируемых с помощью ключевых элементов в единую электрическую цепь, а также устройство управления ключевыми элементами, в цепь коммутации каждого единичного электрического накопителя энергии или модуля включено по крайней мере два ключевых элемента, причем первый ключевой элемент соединен с единичным электрическим накопителем энергии или модулем последовательно, а второй ключевой элемент в замкнутом состоянии их шунтирует.
В батарее электрических накопителей энергии в цепи коммутации каждого единичного электрического накопителя энергии или модуля параллельно второму ключевому элементу подключена цепь из последовательно соединенных третьего ключевого элемента и резистора.
В батарее электрических накопителей энергии ключевые элементы выполнены на базе транзисторов.
В батарее электрических накопителей энергии в качестве транзисторов используются полевые транзисторы.
В батарее электрических накопителей энергии транзисторы третьих ключевых элементов работают в линейном режиме, а резисторы используются для управления режимами их работы.
В батарее электрических накопителей энергии устройство управления ключевыми элементами имеет встроенный программируемый микроконтроллер, измеряющий ток батареи и напряжение на единичных электрических накопителях энергии или модулях и управляющий состоянием ключевых элементов в соответствии с заложенной в него программой или по командам, поступающим по цифровому каналу связи от внешнего устройства.
Пример № 1 выполнения батареи.
Конструкция батареи.
Батарея из n литий-ионных аккумуляторов G1, G2 Gn выполнена по электрической схеме, приведенной на фиг.1. В цепи коммутации каждого аккумулятора Gi включены 3 электромагнитных реле: первое К1i, второе K2i и третье K3i. Последовательно с каждым аккумулятором включены первые электромагнитные реле K11, K12 K1n с одной нормально замкнутой контактной группой K11 1, K121 K1n1. Параллельно каждому аккумулятору G1, G2 Gn и соответствующему аккумулятору первому электромагнитному реле K111, K121 K1n1 включены вторые электромагнитные реле K21, К22 K2n с одной нормально разомкнутой контактной группой K21 1, K221 K2n1. Параллельно каждому второму электромагнитному реле K211 (K221 K2n1) включены последовательно соединенные резистор R1 (R2 Rn) и третье электромагнитное реле К31 (К32 K3n) с одной нормально разомкнутой контактной группой K31 1 (K321 K3n1). Управляющие обмотки всех реле K11, K12 K1n, K21, К22 K2n и К31, К32 K3n подключены к блоку управления ключевыми элементами (БУКЭ). В БУКЭ имеется микроконтроллер, который через цепь измерения подключен к каждому аккумулятору G1, G2 Gn.
Алгоритм работы батареи.
При заряде батареи микроконтроллер БУКЭ контролирует напряжение на каждом аккумуляторе G1, G2 Gn. Для нивелирования возникающего разбаланса напряжений в батарее при превышении напряжения аккумулятора Gi среднего значения на заданную в программе микроконтроллера величину U (например, 50 мВ), по команде микроконтроллера БУКЭ на время t (например, 30 с) подает напряжение на управляющую обмотку третьего реле K3i, в результате чего замыкается контактная группа K3i1 и аккумулятор Gi разряжается через резистор Ri.
В случае снижения емкости одного из аккумуляторов (например, Gj) относительно емкости остальных аккумуляторов в батарее, этот аккумулятор будет ограничивать разрядную емкость всей батареи. Возникновение такой ситуации определяет микроконтроллер по величине контролируемых напряжений. Если напряжение аккумулятора Gj ниже минимально допустимого Uмuн (например, 2,8 В), в то время как остальные аккумуляторы в батарее имеют напряжение на 0,7 В выше, то по команде микроконтроллера БУКЭ подается напряжение на управляющие обмотки первого K1j и второго реле K2j и размыкается контактная группа K1j1 и замыкается контактная группа K2j1, в результате чего аккумулятор Gi исключается из силовой цепи батареи.
Пример № 2 выполнения батареи.
Конструкция батареи.
Батарея из n литий — ионных аккумуляторов G1, G2 Gn выполнена по электрической схеме, приведенной на фиг.2. В цепи коммутации каждого аккумулятора Gi включены 2 электромагнитных реле: первое K1i, второе K2i и транзистор Tpi. Последовательно с каждым аккумулятором включены первые электромагнитные реле K11, K12 K1n с одной нормально замкнутой контактной группой K11 1, K121 K1n1. Параллельно каждому аккумулятору G1, G2 Gn и соответствующему аккумулятору первому электромагнитному реле K111, K121 K1n1 включены вторые электромагнитные реле K21, К22 K2n с одной нормально разомкнутой контактной группой K21 1, K221 K2n1. Параллельно каждому второму электромагнитному реле K211 (K221 K2n1) включены последовательно соединенный резистор R1 (R2 Rn) и транзистор Tp1 (Тр2 Tpn), работающий в линейном режиме. Управляющие обмотки реле K11, K12 K1n, K21 и К22 K2n подключены к блоку управления ключевыми элементами (БУКЭ), а резисторы R1, R2 Rn используются в качестве датчиков тока в цепи управления транзисторами Tp1, Тр2 Tpn. В БУКЭ имеется микроконтроллер, который через цепь измерения подключен к каждому аккумулятору G1, G2 Gn и к датчику тока ДТ, измеряющему ток батареи. БУКЭ также имеет цифровой канал связи (например, интерфейс RS-232) с внешним устройством (например, персональным компьютером).
Алгоритм работы батареи.
При заряде батареи микроконтроллер БУКЭ контролирует напряжение на каждом аккумуляторе G1, G2 Gn. Для нивелирования возникающего разбаланса напряжений в батарее при превышении напряжения аккумулятора Gi среднего значения на заданную в программе микроконтроллера величину U (например, 20 мВ), по команде микроконтроллера БУКЭ в течение времени t (например, 60 с) аккумулятор Gi разряжается током 100 мА через транзистор TPi и резистор Ri.
В случае снижения емкости одного из аккумуляторов (например, Gj) относительно емкости остальных аккумуляторов в батарее, этот аккумулятор будет ограничивать разрядную емкость всей батареи. Возникновение такой ситуации определяет персональный компьютер, обрабатывая информацию о токе и напряжениях в батарее, получаемую от микроконтроллера по интерфейсу RS-232. По этому же интерфейсу микроконтроллер получает от компьютера соответствующую команду и БУКЭ подает напряжение на управляющие обмотки первого K1j и второго реле K2j. В результате контактная группа K1j1 размыкается, контактная группа K2j1 замыкается, а аккумулятор Gi исключается из силовой цепи батареи.
Диоды | UTSOURCE
*Страна/Регион : *Страна/РегионUnited StatesCanadaBrazilFranceGermanyItalyMexicoSpainUnited Kingdom—————-AfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntarcticaAntigua and BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijanBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia and HerzegovinaBotswanaBouvet IslandBrazilBritish Indian Ocean TerritoryBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape Verde IslandsCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaChristmas IslandCocos (Keeling) IslandsColombiaComorosCongo (DEM. REP. OF)Congo (REP. OF)Cook IslandsCosta RicaCote D’IvoireCroatiaCubaCuracaoCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland Islands (Malvinas)Faroe IslandsFederated States of MicronesiaFijiFinlandFranceFrench GuianaFrench PolynesiaFrench Southern TerritoriesGabonGambiaGeorgiaGermanyGhanaGibraltarGreeceGreenlandGrenadaGuadeloupeGuamGuatemalaGuineaGuinea-bissauGuyanaHaitiHeard and Mc Donald IslandsHondurasHong KongHungaryIcelandIndiaIndonesiaIran (Islamic Republic of)IraqIrelandIsraelItalyJamaicaJapanJordanKazakhstanKenyaKiribatiKosovoKuwaitKyrgyzstanLao People’s Democratic RepublicLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyan Arab JamahiriyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueMyanmarNamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorfolk IslandNorth KoreaNorthern Mariana IslandsNorwayOmanPakistanPalauPanamaPapua New GuineaParaguayPeruPhilippinesPitcairnPolandPortugalPuerto RicoQatarReunionRomaniaRussiaRwandaSaint Kitts and NevisSaint LuciaSaint Vincent and the GrenadinesSamoaSan MarinoSao Tome and PrincipeSaudi ArabiaSenegalSerbiaSerbia and MontenegroSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakia (Slovak Republic)SloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSouth Georgia & South Sandwich IslandsSouth KoreaSpainSri LankaSt. HelenaSt. Pierre and MiquelonSudanSurinameSvalbard and Jan Mayen IslandsSwazilandSwedenSwitzerlandSyrian Arab RepublicTahitiTaiwanTajikistanTanzaniaThailandTogoTokelauTongaTrinidad and TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks and Caicos IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUnited States minor outlying islandsUruguayUzbekistanVanuatuVatican City State (Holy See)VenezuelaVietnamVirgin Islands (British)Virgin Islands (U.S.)Wallis and Futuna IslandsWestern SaharaYemenZambiaZimbabwe
*Грузополучатель :
*Мобильник:+
* Пожалуйста, заполните номер мобильного телефона правильно, чтобы получить информацию об отслеживании вовремя.
Кодекс страны*Улица :
*Город :
Область :
*Область : Select OneAlabama(AL)Alaska(AK)American Samoa(AS)Arizona(AZ)Arkansas(AR)California(CA)Colorado(CO)Connecticut(CT)Delaware(DE)District of Columbia(DC)Florida(FL)Georgia(GA)Guam(GU)Hawaii(HI)Idaho(ID)Illinois(IL)Indiana(IN)Iowa(IA)Kansas(KS)Kentucky(KY)Louisiana(LA)Maine(ME)Maryland(MD)Massachusetts(MA)Michigan(MI)Minnesota(MN)Mississippi(MS)Missouri(MO)Montana(MT)Nebraska(NE)Nevada(NV)New Hampshire(NH)New Jersey(NJ)New Mexico(NM)New York(NY)North Carolina(NC)North Dakota(ND)Northern Mariana Islands(MP)Ohio(OH)Oklahoma(OK)Oregon(OR)Pennsylvania(PA)Puerto Rico(PR)Rhode Island(RI)South Carolina(SC)South Dakota(SD)Tennessee(TN)Texas(TX)Utah(UT)Vermont(VT)Virgin Islands(VI)Virginia(VA)Washington(WA)West Virginia(WV)Wisconsin(WI)Wyoming(WY)Armed Forces(AA)Armed Forces(AE)Armed Forces(AP)
*Почтовый индекс :Please enter a new 5-digit zip code..
Название компании :
Постоянный адрес по умолчанию
Отмена
Представлять
|
|
||||||||||||||||||||
кб * 9Д5Н20П
Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998
|
Оригинал |
2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор | |
KIA78 * pI
Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API
|
Оригинал |
2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API | |
2SC4793 2sa1837
Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN
|
Оригинал |
2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор | |
транзистор
Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP
|
OCR сканирование |
2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | |
CH520G2
Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT
|
Оригинал |
A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | |
транзистор 45 ф 122
Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421.
|
OCR сканирование |
TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 | |
CTX12S
Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
|
Оригинал |
2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU
Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406
|
Оригинал |
2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406 | |
Q2N4401
Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751
|
Оригинал |
RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | |
fn651
Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343
|
Оригинал |
2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343 | |
2SC5471
Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий PNP-транзистор
|
Оригинал |
2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Mosfet FTR 03-E
Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF
|
OCR сканирование |
2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF | |
fgt313
Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a
|
Оригинал |
2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | |
транзистор |
OCR сканирование |
4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор | ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120|
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения
Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ AN363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
|
Оригинал |
16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ | |
транзистор
Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220
|
Оригинал |
2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор
Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список
|
Оригинал |
X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список | |
транзистор 835
Аннотация: Усилитель с транзистором BC548, стабилизатор транзистора AUDIO Усилитель с транзистором BC548, транзистор 81 110 Вт, 85 транзистор, 81 110 Вт, 63 транзистор, транзистор, 438, транзистор, 649, ТРАНЗИСТОР.
|
OCR сканирование |
BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА | |
2002 — SE012
Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B
|
Оригинал |
2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B | |
2SC5586
Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 СВЧ диод 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287
|
Оригинал |
2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287 | |
pwm инверторный сварочный аппарат
Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора
|
OCR сканирование |
||
варикап диоды
Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор
|
OCR сканирование |
PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор | |
Лист данных силового транзистора для ТВ
Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный транзистор 2SC5387, компоненты 2SC5570 в строчной развертке.
|
Оригинал |
2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе | |
2009 — 2sc3052ef
Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор
|
Оригинал |
24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора | |
2007 — DDA114TH
Аннотация: DCX114EH DDC114TH
|
Оригинал |
DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
||
2006 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
||
1Н диод
Аннотация: 1N5400 диод 5400 1N 5400 диод DIODE IN 5408 5408 диод 1N 5408 диод 1N 5408 IN 5408 диод K1N диоды
|
Оригинал |
||
2006 г. — 567 г. до н.э.
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
||
2002 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Аннотация: K1n td маркировка код k1n k1n ic маркировка MMBT3904 транзистор k1n MMBT3906 MMBT3904-7 J-STD-020A K1N y
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) ОТ-23 ОТ-23, J-STD-020A DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР К1н тд код маркировки k1n k1n ic маркировка MMBT3904 транзистор к1н MMBT3906 MMBT3904-7 J-STD-020A K1N y | |
2004 — К1Н ТРАНЗИСТОР
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) ОТ-23 J-STD-020C MIL-STD-202, DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР | |
2005 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Аннотация: K1N SOT23 MMBT3904 K1N MMBT3904 MMBT3904-7-F транзистор k1n
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) ОТ-23 J-STD-020C MIL-STD-202, DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР K1N SOT23 MMBT3904 K1N MMBT3904 MMBT3904-7-F транзистор к1н | |
2005 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) AEC-Q101 ОТ-23 ОТ-23 J-STD-020C DS30036 | |
2003 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Аннотация: K1n td mmbt3904 комплементарный дополнительный mmbt3904 k1n IC маркировка MMBT3904-7-F MMBT3904-7 код маркировки k1n MMBT3906 J-STD-020A
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) ОТ-23 ОТ-23, DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР К1н тд mmbt3904 дополнительный дополнительный mmbt3904 k1n ic маркировка MMBT3904-7-F MMBT3904-7 маркировочный код k1n MMBT3906 J-STD-020A | |
2005 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Аннотация: K1N SOT23
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) AEC-Q101 ОТ-23 ОТ-23 J-STD-020C DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР K1N SOT23 | |
2003 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Реферат: транзистор k1n K1n td K1N SOT23 k1n ic маркировка код маркировки k1n
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) ОТ-23 ОТ-23, J-STD-020A MIL-STD-202, DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР транзистор к1н К1н тд K1N SOT23 k1n ic маркировка маркировочный код k1n | |
2013 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) AEC-Q101 J-STD-020 MIL-STD-202, DS30036 | |
2005 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Реферат: MMBT3904-7-F транзистор к1н
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) AEC-Q101 ОТ-23 ОТ-23 J-STD-020C DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР MMBT3904-7-F транзистор к1н | |
2004 — К1Н ТРАНЗИСТОР
Аннотация: MMBT3904-7-F маркировочный код k1n k1n ic маркировочный транзистор k1n
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) ОТ-23 ОТ-23, J-STD-020A MIL-STD-202, DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР MMBT3904-7-F код маркировки k1n k1n ic маркировка транзистор к1н | |
2002 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Реферат: транзистор к1н маркировка К1Н К1Н СОТ23 К1н тд код маркировки к1н
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) ОТ-23 ОТ-23, MIL-STD-202, DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР транзистор к1н маркировка К1Н K1N SOT23 К1н тд маркировочный код k1n | |
2012 — сот23 маркировка C1N
Абстракция: mmbt3904 MMBT3904 c1n
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) AEC-Q101 J-STD-020 MIL-STD-202, DS30036 sot23 маркировка C1N mmbt3904 MMBT3904 c1n | |
2012 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Аннотация: MMBT3904 k1n маркировка код sot23 маркировка C1N MMBT3904 40V SOT23 маркировка K1N K1N диоды MMBT3904 c1n
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) AEC-Q101 J-STD-020 MIL-STD-202, DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР MMBT3904 маркировочный код k1n sot23 маркировка C1N MMBT3904 40 В SOT23 маркировка К1Н К1Н диоды MMBT3904 c1n | |
R1A ТРАНЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТИ
Аннотация: К1Н ТРАНЗИСТОР R1A Маркировка npn MMBT3904 MMBT3906 MMBT3906 SOT-23
|
OCR сканирование |
MMBT3904 MMBT3906) ОТ-23, MIL-STD-202, ОТ-23 100 МГц 100нА, 300 нс, DS30036 MMBT3904 R1A ТРАНЗИСТОР ДЛЯ ПОВЕРХНОСТИ К1Н ТРАНЗИСТОР R1A Маркировка npn MMBT3906 MMBT3906 СОТ-23 | |
2012 — MMBT3904
Аннотация: Диоды К1Н MMBT3904Q-7-F sot23 маркировка C1N k1n sot-23 маркировка
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) AEC-Q101 J-STD-020 MIL-STD-202, DS30036 MMBT3904 К1Н диоды MMBT3904Q-7-F sot23 маркировка C1N маркировка к1н сот-23 | |
2008 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Аннотация: код маркировки k1 MMBT3904 комплементарный mmbt3904 код маркировки транзистора MMBT3906 MMBT3904-7-F J-STD-020D MMBT3904-7 mmbt3904 комплементарный
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) AEC-Q101 ОТ-23 J-STD-020D MIL-STD-202, 20 корпоративных DS30036 К1Н ТРАНЗИСТОР код маркировки k1 MMBT3904 дополнительный mmbt3904 код маркировки транзистора MMBT3906 MMBT3904-7-F J-STD-020D MMBT3904-7 mmbt3904 дополнительный | |
2014 — Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
DXT3904 DXT3906) AEC-Q101 J-STD-020 MIL-STD-202, DS31141 | |
Нет в наличии
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
DXT3904 DXT3906) ОТ89-3Л J-STD-020C MIL-STD-202, DS31141 | |
2008 — mmbt3904
Аннотация: Код маркировки транзистора K1N k1 дополнительный mmbt3904 код маркировки k1n MMBT39047F MMBT3906 MMBT3904-7-F J-STD-020D MMBT3904-7
|
Оригинал |
MMBT3904 MMBT3906) AEC-Q101 ОТ-23 J-STD-020D DS30036 mmbt3904 К1Н ТРАНЗИСТОР код маркировки k1 дополнительный mmbt3904 маркировочный код k1n MMBT39047F MMBT3906 MMBT3904-7-F J-STD-020D MMBT3904-7 | |
2007 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Резюме: КОД МАРКИРОВКИ DXT3904 DXT3906 SOT89
|
Оригинал |
DXT3904 DXT3906) ОТ89-3Л J-STD-020C MIL-STD-202, DS31141 К1Н ТРАНЗИСТОР DXT3904 DXT3906 КОД МАРКИРОВКИ SOT89 | |
2007 — ТРАНЗИСТОР К1Н
Аннотация: абстрактный текст недоступен
|
Оригинал |
DXT3904 DXT3906) ОТ89-3Л ОТ89-3Л J-STD-020C MIL-STD-202, DS31141 К1Н ТРАНЗИСТОР | |
|
Главная Автозвук DVD Материнские платы Мобильные телефоны Мониторы Ноутбуки Принтеры Планшеты Телевизоры Даташиты Маркировка SMD Forum |
|
Поиск
может быть отправлен в тот же день.Paypal принят, закажите онлайн сегодня!
Тщательно выберите номер детали, производителя и упаковку из приведенной ниже таблицы, а затем добавьте в корзину, чтобы перейти к оформлению заказа.
Купите сейчас, и вы получите удовольствие
✓Отправьте заказ в тот же день!
✓Доставка по всему миру!
✓ Распродажа с ограниченным сроком
✓ Легкий возврат.
| Обзор продукта | |
| Название продукта | Поиск |
| Доступное количество | Возможна немедленная отправка |
| Модель NO. | |
| Код ТН ВЭД | 8529 | 0
| Минимальное количество | От одной штуки |
| Атрибуты продукта | |
| Категории |
|
| идентификатор товара | |
| арт. | |
| gtin14 | |
| mpn | |
| Статус детали | Активный |
Paypal (AMEX принимается через Paypal)
Мы также принимаем банковский перевод. Просто отправьте нам электронное письмо с URL-адресами или кодами продукта. Включите свой адрес доставки и предпочтительный способ доставки. Затем мы отправим вам полные инструкции по электронной почте.
Мы никогда не храним данные вашей карты, они остаются в Paypal
Товары доставляются почтовыми службами и оплачиваются по себестоимости.Товары будут отправлены в течение 1-2 рабочих дней с момента оплаты. Доставка может быть объединена при покупке большего количества.
Другие способы перевозки могут быть доступны при оформлении заказа — вы также можете сначала связаться со мной для уточнения деталей.
| Судоходная компания | Расчетное время доставки | Информация для отслеживания |
|---|---|---|
| Плоская транспортировка | 30-60 дней | Не доступен |
| Заказная Авиапочта | 15-25 дней | В наличии |
| DHL / EMS / FEDEX / TNT | 5-10 дней | В наличии |
| Окончательный срок поставки Может быть задержан вашей местной таможней из-за таможенного оформления. | ||
Благодарим за покупку нашей продукции на нашем веб-сайте.
Чтобы иметь право на возмещение, вы должны вернуть товар в течение 30 календарных дней с момента покупки. Товар должен быть в том же состоянии, в котором вы его получили, и не иметь каких-либо повреждений.
После того, как мы получим ваш товар, наша команда профессионалов проверит его и обработает ваш возврат. Деньги будут возвращены на исходный способ оплаты, который вы использовали при покупке. При оплате кредитной картой возврат средств может появиться в выписке по кредитной карте в течение 5–10 рабочих дней.
Если продукт поврежден каким-либо образом или вы инициировали возврат по прошествии 30 календарных дней, вы не имеете права на возмещение.
Если что-то неясно или у вас есть вопросы, обращайтесь в нашу службу поддержки.
Получите заказанный товар или верните свои деньги.
Покрывает вашу закупочную цену и первоначальную доставку.
Если вы не получите товар в течение 25 дней, просто сообщите нам, будет выпущена новая посылка или замена.
PayPal Защита покупателей
Защита вашей покупки от клика до доставки
Вариант 1) Полный возврат средств, если вы не получили свой заказ
Вариант 2) Полный или частичный возврат, если товар не соответствует описанию
Если ваш товар значительно отличается от нашего описания продукта, вы можете: A: вернуть его и получить полный возврат, или B: получить частичный возврат и сохранить товар.
Паспорт или техническая спецификация в формате PDF доступны по запросу для загрузки.
Почему выбирают нас?
Каковы ваши основные продукты?
| Наша основная продукция | ||
| Интегральные схемы (ИС) | Дискретный полупроводник | Потенциометры, переменные R |
| Аудио специального назначения | Принадлежности | Реле |
| Часы / синхронизация | Мостовые выпрямители | Датчики, преобразователи |
| Сбор данных | Diacs, Sidacs | Резисторы |
| Встроенный | Диоды | Катушки индуктивности, дроссели |
| Интерфейс | МОП-транзисторы | Фильтры |
| Изоляторы — драйверы ворот | БТИЗ | Кристаллы и генераторы |
| Линейный | JFET (эффект поля перехода) | Разъемы, межкомпонентные соединения |
| Логика | РФ полевые транзисторы | Конденсаторы |
| Память | РЧ Транзисторы (БЮТ) | Изоляторы |
| PMIC | SCR | светодиод |
| Транзисторы (БЮТ) | ||
| Транзисторы | ||
| Симисторы |
Какая цена?
Какой способ оплаты?
Что такое возврат и замена?
Каков минимальный объем заказа вашей продукции?
Когда вы пришлете мне детали?
Как разместить заказ?
Предлагаете ли вы техническую поддержку?
Предлагаете ли вы гарантию?
Как сделать наш бизнес долгосрочным и хорошим?
Если у Вас возникнут другие вопросы, свяжитесь с нами.Мы всегда к вашим услугам!
Оптические, электрохимические, тепловые и их использование в органических тонкопленочных транзисторах
2.1. Общие методы и процедуры
Реагенты 2,6-дибромантрацен (Lumtec Corp., Тайбэй, Тайвань), 2,6-дифенилантрацен (Lumtec Corp., Тайбэй, Тайвань), 4-фторфенилбороновая кислота (Oakwood Products Inc., Estill, SC, США), 3-фторфенилбороновая кислота (Oakwood Products Inc., Estill, SC, США), 2-фторфенилбороновая кислота (Oakwood Products Inc., Estill, SC, США) 3,4,5-трифторфенилбороновая кислота (Oakwood Products Inc., Estill, SC, США), 4-трифторметилфенилбороновая кислота (Oakwood Products Inc., Estill, SC, США), 3-трифторметилфенилбороновая кислота (Oakwood Products Inc., Estill, SC, USA) карбонат калия (K 2 CO 3 ) (Oakwood Products Inc., Estill, SC, USA), тетракис (трифенилфосфин) палладий (0) (Pd (PPh 3 ) ) 4 ) (Strem Chemicals, Ньюберипорт, Массачусетс, США), толуол, N-метил-2-пирролидон (NMP) (Caledon Laboratories Ltd., Джорджтаун, Онтарио, Канада) и этанол были коммерчески получены и использовались в том виде, в каком они были получены. Все использованные растворители были класса ACS. В качестве атмосферы использовался сухой газообразный азот. Все реакции проводили в атмосфере сухого азота.
ТГА проводили в тигле из оксида алюминия объемом 70 мкл с использованием прибора TGA / DSC 1 Mettler Tolledo (Mettler Tolledo, Columbus, OH, USA) в атмосфере азота со скоростью нагрева 5,0 ° C мин. -1 . Аппарат Mel-Temp использовался для измерения всех температур плавления и представлены как нескорректированные значения.ИК-Фурье-спектрометр Agilent Technologies Cary 630 использовали для записи ИК-спектров каждого соединения. Спектрофотометр Varian Cary Series 6000 UV-Vis-NIR (Agilent, Санта-Клара, Калифорния, США) использовали для измерения спектров УФ-видимой области, а флуоресцентный спектрофотометр Varian Cary Eclipse использовали для получения спектров фотолюминесценции. Растворы DCM класса HQGC использовались для измерения всех спектров УФ-видимой и флуоресценции в кварцевых кюветах с точностью 1 см. Все спектры ЯМР снимали на спектрометре Bruker 400 МГц (Bruker, Billerica, MA, USA) в растворе ДМСО при комнатной температуре.Профилометр Bruker DektakXT (Bruker, Billerica, MA, USA) использовался для измерения толщины пленки. Газовая хроматография / масс-спектрометрия (ГХ / МС) выполнялась с использованием Agilent 6890 GC (Agilent, Санта-Клара, Калифорния, США), соединенного с Agilent 5975 M, оснащенным колонкой HP-5MS (30 м × 250 мкм × 0,25 мкм), и расход 1,6 мл мин. -1 . Начальная температура печи составляла 275 ° C, выдерживалась в течение 15 минут, затем повышалась до 300 ° C (40 ° C / мин) и выдерживалась в течение 25 минут. Смесь растворителей 1,2-дихлорэтан и толуол использовали для всех экспериментов ГХ / МС.Для всех соединений использовали одну и ту же процедуру. Стехиометрические нагрузки и температура сублимации варьировались в зависимости от производной.
2.1.1. Получение 2,6-бис (2-фторфенил) антрацена (o-FPh)
Барботированный дегазированный раствор NMP и воды (9: 1, 150 мл) переносили в смесь 2,6-дибромантрацена (1,50 мл). г, 4,46 ммоль), 2-фторфенилбороновая кислота (1,62 г, 11,60 ммоль), K 2 CO 3 (1,62 г, 11,74 ммоль) и Pd (PPh 3 ) 4 (52.6 мг, 0,59 ммоль). Реакционную смесь перемешивали 16 ч при 90 ° C. После охлаждения реакционной смеси до комнатной температуры к реакционной смеси добавляли 1,0 М раствор NaOH (1,5 л). Полученный осадок отфильтровывали, промывали водой и сушили. Сублимация в интервале температур 185–205 ° C под давлением 10 −3 Торр с CO 2 в качестве газа-носителя, что дало o-FPh в виде слабых желтых кристаллов (выход 1,36 г, 4,04 ммоль, 91% ). По данным ГХ / МС, время элюирования составило 6,517 мин при содержании 2.2 × 10 5 , а также сообщил о пике M + 366,0 m / z по сравнению с прогнозом 366,32 m / z. Т.пл .: 195–205 ° C. 1 H ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 8,61–8,72 (3H, м), 8,40–8,43 (1H, м), 8,29–8,36 (1H, м), 8,18–8,25 (1H, м), 8,07–8,11 (1H, м), 7,71–7,77 (3H, м), 7,61–7,66 (1H, м), 7,45–7,56 (2H, м), 7,34–7,42 (3H, м). 19 F ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 117,72–117,88 (м). 13 C ЯМР (δ, 100 МГц, ДМСО): 159,72 (2C), 133,28 (2C), 131,89 (2C), 130,59 (2C), 129.03 (2C), 133.01 (2CH), 131.01 (2CH), 130.21 (2CH), 127,28 (2CH), 125,82 (2CH), 125,51 (2CH), 124,81 (2CH), 114,74 (2CH). ИК-Фурье (ν макс ): 1801 (шир.), 1705 (шир.), 1701 (шир.), 1686 (шир.), 1664 (шир.), 1653 (шир.), 1611 (шир.), 1575 (шир.), 1565 (ш), 1527 (ш), 1495 (ш), 1467 (ш), 1447 (ш), 1402 (ш), 1310 (ш), 1267 (ш), 1262 (ш), 1234 (ш), 1204 (ш), 1156 (ш), 1103 (ш), 1049 (ш), 1017 (ш), 941 (ш), 904 (ш), 872 (ш), 840 (ш), 820 (ш), 796 (с), 749 (с), 712 (с), 710 (с), 667 (с) см -1 .
2.1.2. Получение 2,6- (3-фторфенил) антрацена (m-FPh)
Получают аналогично o-FPh с использованием 3-фторфенилбороновой кислоты (1,62 г, 11,60 ммоль) с получением неочищенного твердого вещества не совсем белого цвета. Сублимация при температуре 185–205 ° C под давлением 10 –3 Торр с CO 2 в качестве газа-носителя давала m-FPh в виде белых кристаллов (выход 1,31 г, 3,58 ммоль, 81%). ГХ / МС сообщают о времени элюирования 6,717 мин при содержании 4,6 × 10 5 и сообщают о пике M + , равном 366.2 m / z по сравнению с прогнозом 366,46 m / z. Т.пл .: 250–258 ° C. 1 H ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 8,60-8,70 (3H, м), 7,22-7,30 (1H, м). 8,32–8,36 (1H, м), 8,18–8,25 (1H, м), 8,05–8,11 (1H, м), 7,89–7,98 (2H, м), 7,74–7,77 (3H, м), 7,52–7,65 (3H , м), 7.34–7.42 (1H, м). 19 F ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 60,80–60,84 (с), 112,60–112,66 (м). 13 C ЯМР (δ, 100 МГц, ДМСО): 161,02 (2C), 141,77 (2C), 133,34 (2C), 132,19 (2C), 131,29 (2C), 130,18 (2CH), 127,51 (2CH), 127,32. (2CH), 125.79 (2CH), 125,53 (2CH), 122,47 (2CH), 116,33 (2CH), 114,39 (2CH). ИК-Фурье (ν макс. ): 2103 (шир.), 1933 (шир.), 1803 (шир.), 1609 (с), 1583 (шир.), 1521 (м), 1471 (с), 1445 (м), 1394 (ш), 1333 (ш), 1283 (ш), 1238 (ш), 1159 (ш), 1140 (ш), 1120 (ш), 1073 (ш), 1049 (ш), 1014 (ш), 964 (м), 913 (м), 900 (с), 865 (м), 840 (м), 796 (с), 740 (шир.), 710 (с), (м), 667 (шир.), 665 (ш) см −1 .
2.1.3. Получение 2,6-бис (4-фторфенил) антрацена (p-FPh)
Получают аналогично o-FPh с использованием 4-фторфенилбороновой кислоты (1.62 г, 11,60 ммоль) с получением неочищенного твердого вещества не совсем белого цвета. Сублимация при температуре 185–205 ° C под давлением 10 –3 Торр с CO 2 в качестве газа-носителя давала p-FPh в виде белых кристаллов (выход 1,29 г, 3,57 ммоль, 80%). ГХ / МС сообщали о времени элюирования 6,780 мин при содержании 1,1 × 10 6 и сообщали о пике M + 366,2 m / z по сравнению с прогнозом 380,41 m / z. Т.пл .: 255–265 ° C. 1 H ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 8,59-8,69 (3H, м), 8.37–8,42 (3H, м). 8,16–8,22 (1H, м), 8,05–8,11 (2H, м), 7,85–7,96 (3H, м), 7,66–7,61 (2H, м), 7,33–7,41 (2H, м). 19 F ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 114,86–115,16 (м). 13 C ЯМР (δ, 100 МГц, ДМСО): 161,77 (2C), 137,18 (2C), 133,45 (2C), 132,28 (2C), 130,68 (2C), 133,22 (2CH), 131,56 (2CH), 131,18 (2CH), 126,79 (2CH), 126,56 (2CH), 125,78 (2CH), 116,02 (2CH), 116,10 (2CH). FT-IR (ν макс ): 1805 (ширина), 1657 (ширина), 1606 (ширина), 1517 (ширина), 1464 (ширина), 1444 (ширина), 1406 (ширина), 1335 (ширина), 1301 (ш), 1283 (ш), 1249 (ш), 1178 (ш), 1159 (ш), 1152 (ш), 1100 (ш), 1070 (ш), 1048 (ш), 1012 (ш), 962 (м), 913 (м), 900 (с), 865 (м), 845 (м), 796 (с), 733 (шир.), 710 (с), (м), 691 (шир.), 654 (ш) см −1 .
2.1.4. Получение 2,6-бис (3- (трифторметил) фенил) антрацена (m-CF
3 Ph)Получают аналогично o-FPh с использованием 3-трифторметилбензолбороновой кислоты (2,20 г, 11,60 ммоль) с получением грязно-белого цвета. сырое твердое вещество. Сублимация при температуре 195–205 ° C под давлением 10 −3 Торр с CO 2 в качестве газа-носителя дала m-CF 3 Ph в виде белых кристаллов (выход 1,34 г, 2,87 ммоль, 64 %). По данным ГХ / МС, время элюирования составляло 5,613 мин при содержании 4.1 × 10 5 , а также сообщил о пике M + 466,3 m / z по сравнению с прогнозом 466,43 m / z. Т.пл .: 160–170 ° C. 1 H ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 8,61-8,77 (2H, м), 8,52-8,63 (2H, м), 8,17-8,27 (6H, м), 7,91-7,99 (2H, м), 7,77–7,81 (4H, м). 19 F ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 60,90-60,95 (м). 13 C ЯМР (δ, 100 МГц, ДМСО): 142,2 (2C), 133,32 (2C), 132,19 (2C), 131,52 (2C), 130,58 (2C), 130,74 (2CH), 130,14 (2CH), 129,51 (2 канала), 127,37 (2 канала), 127,01 (2 канала), 126.51 (2CH), 125,02 (2CH), 124,98 (2CH), 124,44 (2C). ИК-Фурье (ν макс. ): 1907 (шир.), 1851 (шир.), 1797 (шир.), 1736 (шир.), 1627 (шир.), 1529 (шир.), 1495 (шир.), 1439 (шир.), 1411 (шир.) 1394 (шир.), 1353 (м), 1327 (с), 1259 (с), 1229 (с), 1173 (м), 1128 (с), 1098 (м), 1072 (с), 1033 (с), 1001 (с), 989 (с), 970 (с), 927 (с), 908 (с), 899 (с), 866 (с), 850 (с), 822 (с), 794 (с), 736 (м), 697 (с), 669 (м), 660 (м) см -1 .
2.1.5. Получение 2,6-бис (4- (трифторметил) фенил) антрацена (p-CF
3 Ph)Получают аналогично o-FPh с использованием 4-трифторметилбензолбороновой кислоты (2.20 г, 11,60 ммоль) с получением неочищенного твердого вещества грязно-белого цвета. Сублимация в интервале температур 190–205 ° C под давлением 10 −3 Торр с CO 2 в качестве газа-носителя привела к p-CF 3 Ph в виде белых кристаллов (выход 1,22 г, 2,65 ммоль, 60 ° C). %). ГХ / МС сообщали о времени элюирования 6,149 мин при содержании 5,7 × 10 5 , а также сообщали о пике M + 466,3 m / z по сравнению с прогнозом 466,43 m / z. Т.пл .: 285–290 ° C. 1 H ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 8.76–8,83 (1H, м), 8,44–8,57 (2H, м), 8,22–8,29 (1H, м), 8,08–8,14 (2H, м), 7,89–8,00 (3H, м), 7,57–7,75 (7H , м). 19 F ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 60,80-60,85 (м). 13 C ЯМР (δ, 100 МГц, ДМСО): 145,21 (2C), 132,78 (2C), 131,88 (2C), 131,51 (2C), 129,92 (2C), 129,67 (2CH), 129,43 (2CH), 128,21. (2CH), 127,33 (2CH), 126,57 (2CH), 125,82 (2CH), 125,63 (2CH), 124,39 (2CH), 123,64 (2CH). ИК-Фурье (ν макс ): 1928 (шир.), 1801 (шир.), 1737 (шир.), 1614 (шир.), 1577 (шир.), 1542 (шир.), 1463 (шир.), 1424 (шир.), 1408 (ш), 1391 (ш), 1324 (ш), 1281 (ш), 1234 (ш), 1197 (ш), 1178 (ш), 1165 (ш), 1127 (ш), 1111 (ш), 1070 (с), 1010 (с), 973 (с), 960 (с), 920 (с), 902 (с), 865 (с), 846 (с), 800 (с), 785 (с), 762 (шир.), 738 (с), 718 (шир.), 669 (м) см -1 .
2.1.6. Получение 2,6-бис (3,4,5-трифторфенил) антрацена (3,4,5-F
3 Ph)Получают аналогично o-FPh с использованием 3,4,5-трифторфенилбензолбороновой кислоты (2,04 г 11,60 ммоль) с получением неочищенного твердого вещества не совсем белого цвета. Сублимация при температуре 190-215 ° C и давлении 10 -3 Торр с CO 2 в качестве газа-носителя дала 3,4,5-F 3 Ph в виде белых кристаллов (выход 1,22 г, 2,79 ммоль, 63%). ГХ / МС сообщили о времени элюирования 5.560 мин с численностью 2,6 × 10 6 , а также сообщил о пике M + 438,2 m / z по сравнению с прогнозом 438,37 m / z. Т.пл .: 220–230 ° C. 1 H ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 8,65–8,70 (1H, м), 8,58–8,63 (1H, м), 8,49–8,53 (1H, м), 8,38–8,41 (1H, м), 8,18–8,27 (2H, м), 8,08–8,13 (1H, м), 7,86–8,00 (4H, м), 7,59–7,66 (1H, м). 19 F ЯМР (δ, 400 МГц, ДМСО): 60,90–60,93 (с), 134,64–134,78 (д), 162,86–163,22 (м). 13 C ЯМР (δ, 100 МГц, ДМСО): 151,88 (2C), 151,47 (2C), 137.23 (2C), 135,12 (2C), 132,22 (2C), 133,47 (2C), 130,64 (2C), 128,21 (2CH), 127,39 (2CH), 126,48 (2CH), 124,98 (2CH), 115,02 (2CH), 114,89 (2 канала). ИК-Фурье (ν макс. ): 1803 (шир.), 1614 (м), 1592 (шир.), 1525 (с), 1470 (м), 1439 (м), 1409 (шир.), 1394 (м), 1362 (м) 1329 (м), 1301 (м), 1277 (ш), 1263 (ш), 1229 (с), 1173 (м), 1174 (м), 1130 (м), 1102 (ш), 1074 (м), 1036 (с), 964 (с), 924 (с), 900 (с), 887 (с), 869 (с), 854 (с), 822 (с), 798 (с), 761 (с), 746 (м), 703 (м), 699 (м), 673 (шир.), 662 (шир.) см -1 .
Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.
Настройка вашего браузера для приема файлов cookie
Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно. Ниже приведены наиболее частые причины:
- В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки вашего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
- Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
- Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
- Дата на вашем компьютере в прошлом. Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
- Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.
Почему этому сайту требуются файлы cookie?
Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу. Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.
Что сохраняется в файле cookie?
Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.
Как правило, в cookie-файлах может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта. Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.
.