Кд 2020 диод: Диод Кд коды ТН ВЭД (2020): 9405109808, 8536309000, 8541100009

Содержание

Диод Кд коды ТН ВЭД (2020): 9405109808, 8536309000, 8541100009

Оборудование светотехническое небытового назначения на напряжение 220 вольт: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами	9405109808
Диоды,	8536309000
Диод,	8541100009
Диоды	8541100009
Оборудование светотехническое небытового применения: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами, на напряжение 220 вольт	9405109808
Аппараты низковольтные промышленные: диоды,	8541100009
Изделия электротехнические не бытового назначения: диод,	8541100009
Оборудование светотехническое небытового применения на напряжение 220 вольт: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами,	9405409908
Оборудование светотехническое небытового назначения на напряжение 220 вольт: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами,	9405109808
небытового применения, питаемое от сети напряжением менее 50 вольт: светильники, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами	9405409908
Оборудование светотехническое промышленного назначения: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами, на напряжение 220 вольт	9405409908
Диоды полупроводниковые,	8541100009
Оборудование светотехническое небытового назначения на напряжение 24 вольта: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами	9405109808
,	8541100009
Оборудование светотехническое промышленного назначения: светильники встраиваемые, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами, на напряжение 220 вольт	9405409908
Электронный компонент: диод для радиоэлектронного оборудования	8541100009
посуда из стекла в наборах и отдельными предметами: 1) стакан торгового названия ФАБУЛЁС (код ТН ВЭД 7013 37 510 0), 2) стакан торгового названия ДИОД (код ТН ВЭД 7013 37 590 0), 3) стаканы торговых названий БАЛУНГЕН, БЕХЭ	7013375100
Диоды низковольтные,	8541100009
Оборудование светотехническое небытового назначения на напряжение 24 вольта: светильники встраиваемые, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами	9405409908
Оборудование световое не бытового назначения: диоды светоизлучающие,	8541401000
Оборудование световое исключительно не бытового назначения: диоды светоизлучающие,	8541401000
Оборудование светотехническое небытового назначения на напряжение 220 вольт: светильники переносные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами	9405204004

Диод коды ТН ВЭД (2020): 8541100009, 8541401000, 8531202009

Оборудование светотехническое небытового назначения на напряжение 220 вольт: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами	9405109808
Диоды,	8536309000
Диод,	8541100009
Диоды	8541100009
Оборудование светотехническое небытового применения: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами, на напряжение 220 вольт	9405109808
Аппараты низковольтные промышленные: диоды,	8541100009
Изделия электротехнические не бытового назначения: диод,	8541100009
Оборудование светотехническое небытового применения на напряжение 220 вольт: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами,	9405409908
Оборудование светотехническое небытового назначения на напряжение 220 вольт: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами,	9405109808
небытового применения, питаемое от сети напряжением менее 50 вольт: светильники, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами	9405409908
Оборудование светотехническое промышленного назначения: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами, на напряжение 220 вольт	9405409908
Диоды полупроводниковые,	8541100009
Оборудование светотехническое небытового назначения на напряжение 24 вольта: светильники стационарные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами	9405109808
,	8541100009
Оборудование светотехническое промышленного назначения: светильники встраиваемые, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами, на напряжение 220 вольт	9405409908
Электронный компонент: диод для радиоэлектронного оборудования	8541100009
посуда из стекла в наборах и отдельными предметами: 1) стакан торгового названия ФАБУЛЁС (код ТН ВЭД 7013 37 510 0), 2) стакан торгового названия ДИОД (код ТН ВЭД 7013 37 590 0), 3) стаканы торговых названий БАЛУНГЕН, БЕХЭ	7013375100
Диоды низковольтные,	8541100009
Оборудование светотехническое небытового назначения на напряжение 24 вольта: светильники встраиваемые, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами	9405409908
Оборудование световое не бытового назначения: диоды светоизлучающие,	8541401000
Оборудование световое исключительно не бытового назначения: диоды светоизлучающие,	8541401000
Оборудование светотехническое небытового назначения на напряжение 220 вольт: светильники переносные, предназначенные для использования со светоизлучающими диодами	9405204004

О корпоративном действии «Годовое общее собрание акционеров» с ценными бумагами эмитента ПАО «ДИОД» :: Новости :: Депозитарий :: Акционерное общество Актив

16 июля 2020

О корпоративном действии «Годовое общее собрание акционеров» с ценными бумагами эмитента ПАО «ДИОД»

Реквизиты корпоративного действия
Референс корпоративного действия	511805
Код типа корпоративного действия	MEET
Тип корпоративного действия	Годовое общее собрание акционеров
Дата КД (план.)	20 августа 2020 г.
Дата фиксации	27 июля 2020 г.
Форма проведения собрания	Заочная

Информация о ценных бумагах
Референс КД по ценной бумаге	Эмитент	Регистрационный номер	Дата регистрации	Категория	Депозитарный код выпуска	ISIN	Реестродержатель
511805X12287	Публичное акционерное общество Завод экологической техники и экопитания «ДИОД»	1-03-06923-A	20 января 2010 г.	акции обыкновенные	RU000A0JQWC1	RU000A0JQWC1	ЗАО «РДЦ ПАРИТЕТ»

Голосование
Дата и время окончания приема инструкций для участия в собрании, установленные НКО АО НРД	19 августа 2020 г. 14:00 МСК
Дата и время окончания приема бюллетеней для голосования/инструкций для участия в собрании, установленные эмитентом	19 августа 2020 г. 18:00 МСК
Методы голосования
Адрес НКО АО НРД для направления инструкций для участия в собрании	NDC000000000
Адрес SWIFT НКО АО НРД для направления инструкций для участия в собрании	NADCRUMM
Почтовый адрес, по которому могут направляться заполненные бюллетени	Код страны: RU. Публичное акционерное общество Завод экологической техники и экопитани я «ДИОД», 115114, город Москва, ул. Дербеневская, д. 11А, стр. 13, ком ната 4, ПАО «ДИОД»
Адрес сайта в сети «Интернет», на котором может быть заполнена электронная форма бюллетеней	Информация об адресе не предоставлена

Повестка

1. Утверждение годового отчета, годовой бухгалтерской (финансовой) отчетности общества, распределение прибыли, в том числе выплата (объявление) дивидендов и убытков общества по результатам отчетного года.

2. Избрание членов совета директоров ПАО «ДИОД».
3. Избрание членов ревизионной комиссии ПАО «ДИОД».
4. Утверждение аудитора ПАО «ДИОД».

Настоящим сообщаем о получении НКО АО НРД информации, предоставляемой эмитентом ценных бумаг в соответствии с Положением ЦБ РФ N 546-П от 1 июня 2016 года «О перечне информации, связанной с осуществлением прав по ценным бумагам, предоставляемой эмитентами центральному депозитарию, порядке и сроках ее предоставления, а также о требованиях к порядку предоставления центральным депозитарием доступа к такой информации».

4.2. Информация о созыве общего собрания акционеров эмитента.

Протокол Совета директоров №1 от 15 июля 2020 года

__________________

АО Актив не отвечает за полноту и достоверность информации, полученной от НКО АО НРД

К списку новостей

Код ТН ВЭД 8541100009. Прочие диоды, кроме фотодиодов или светоизлучающих диодов (LED). Товарная номенклатура внешнеэкономической деятельности ЕАЭС

Технические средства для инвалидов

Двигатели и генераторы электрические.. (НДС):

Постановление 1042 от 30.09.2015 Правительства РФ

0% — 27. Специальные средства для обмена информацией,получения и передачи информации для инвалидов с нарушениями зрения, слуха и голосообразования, которые могут быть использованы только для профилактики инвалидности или реабилитации инвалидов

0% — 36. Специальные технические средства для обучения инвалидов и осуществления ими трудовой деятельности, которые могут быть использованы только для профилактики инвалидности или реабилитации инвалидов

0% — 38. Технические средства для развития у инвалидов навыков ориентации в пространстве, самостоятельного передвижения, повседневного самообслуживания, для тренировки речи, письма и общения, умения различать и сравнивать предметы, средства для обучения программированию, информатике, правилам личной безопасности

20% — Прочие

Комплектующие для гражданских воздушных судов

Реакторы ядерные; котлы.. (НДС-авиазапчасти):

Федеральный закон 117-ФЗ от 05.08.2000 ГД РФ

0% — авиационные двигатели, запасные части и комплектующие изделия, предназначенные для строительства, ремонта и (или) модернизации на территории Российской Федерации гражданских воздушных судов, при условии представления в таможенный орган документа, подтверждающего целевое назначение ввозимого товара

20% — Прочие

ДЕТАЛЕЙ КОД ЦВЕТНОЙ: ДИОДЫ | МОДЕЛИСТ-КОНСТРУКТОР

«В последнее время многие радиодетали стали выпускаться в необычном, цветном исполнении. Особенно это характерно для полупроводниковых диодов. Разнообразной формы корпуса здесь, словно светофоры, рассиялись красными, желтыми и пр. «огнями»-метками. Понятного же каждому буквенно-цифрового обозначения типа прибора почти нигде не видно. А жаль. Ведь справочная литература с расшифровкой цветного кода радиодеталей до нас, радиолюбителей из «глубинки», прантически не доходит. Помогите!

В. ДЕМЕНТЬЕВ, Хабаровский край».

Действительно, связанные с миниатюризацией, совершенствованием технологии процессы заставляют заводы-изготовители активнее прибегать к использованию цветного кода при маркировке своих изделий. Последнее влечет за собой ряд неудобств, трудностей в определении того или иного типа радиодеталей, на что совершенно справедливо указывает автор процитированного выше письма. Ответом на содержащуюся в нем просьбу служит публикуемый материал.

Условные обозначения и сокращения: Б — белый, Ж — желтый, 3 — зеленый, Г — голубой, Кр — красный, К — коричневый, О — оранжевый, С — синий, Се — серый, Ч — черный цвета; б — бескорпусное исполнение, с — стеклянный, мс — металло-стеклянный, п — пластмассовый корпус приборов. Для облегчения расшифровки цветных кодов места нанесения меток удалось условно разбить на «тяготеющую к аноду» группу М1, серединную — М2 и «катодную» группу М3 с одновременным упрощением записи вида самих меток (т — точка, п — полоса, ш — широкая, к — кольцо, 2 — двойная) и использованием буквенного «клеймления» детали заводом-изготовителем; помещенные же «под дробной чертой» данные характеризуют ту или иную модификацию, вариант исполнения.

Что касается графы «Примечание», то цифра 1 здесь означает тип данного прибора — указан на таре-спутнице; 2 — корпус диода имеет большие, а 3 — меньшие размеры; 4 — указывает на то, что у «плюсового» вывода здесь — заводское, соответствующее индексу диода буквенное обозначение; 5 — свидетельствует о возможности существования других вариантов исполнения диода.

С учетом вышесказанного сведения, например, КД209В расшифровываются таким образом. Диод этот при обратном напряжении 800 В отдает в нагрузку постоянный прямой ток 500 мА. Может встречаться в трех вариантах пластмассовых корпусов (оранжевом, черном и коричневом) каплевидной, или прямоугольной формы (см. соответственно рис. 3, 5 и 10). Причем цветная маркировка располагается в виде черной или красной точки либо полосы (у анода) и синей, красной или оранжевой точки на боковой поверхности диода. Но возможны здесь и другие варианты, на что указывает цифра 5 в примечании.

Каталог продукции — Полупроводниковые приборы, микросхемы, радиолампы — Диоды — Диоды выпрямительные

Ток прямой, А (If)

0,001 0,005 0,01 0,015 0,02 0,05 0,07 0,08 0,1 0,14 0,15 0,2 0,225 0,25 0,3 0,35 0,45 0,5 0,7 0,9 1 1,5 1,7 2 3 4 5 6 8 10 12 15 16 20 25 30 35 40 50 60 70 75 80 85 150 200

Безопасный краситель заставил светиться ярче светодиоды с характеристиками свечей

Исследования в области создания светодиодов продолжают ученые ЮУрГУ вместе с российскими коллегами из РАН. Полезную разработку, безопасный свет которой по спектральному составу похож на свет свечей или закатного солнца, усовершенствовали, добавив яркости. Этого удалось добиться с помощью новых современных красителей. Результаты работы, позволившей вывести органические светодиоды с характеристиками свечей на качественно новый уровень, опубликованы в высокорейтинговом журнале «Dyes and Pigments» (Q1).

Безопасные светоизлучающие диоды, которые смогут заменить солнечный свет, а также привычные всем лампы и свечи разрабатывают ученые Южно-Уральского государственного университета вместе с коллегами из Института органической химии им. Н. Д. Зелинского РАН, Физического института имени П. Н. Лебедева РАН и Российского химико-технологического университета имени Д. И. Менделеева. Такие диоды нужны, чтобы предложить альтернативные источники освещения, не оказывающие негативного воздействия на людей и окружающий мир.

Команда российских ученых занимается этим направлением не первый год. Так, ранее специалисты представили первый образец диодов со световыми характеристиками свечей. Их главной особенностью была высокая энергоэффективность и отсутствие вредного излучения в синей области спектра. Именно он негативно воздействует на многие материалы, вызывая их быстрое разрушение, и уменьшает концентрацию мелатонина в организме.

Однако у представленных органических светоизлучающих диодов был недостаток: невысокое значение яркости. Ученые усовершенствовали разработку, увеличив яркость более чем в три раза: с 1831 Кд/м2 до 6256 кд/м2.

«В качестве одного из слоев светодиода использовались специально созданные нами органические красители. Замена пиридинового цикла на бензольный во внутреннем акцепторе позволила увеличить яркость прибора. Нами впервые показано, как замена всего лишь одного атома в сложной молекуле (азота на углерод) может существенно улучшить прикладные характеристики устройства», — прокомментировал доктор химических наук, профессор Олег Ракитин.

На фото: безопасный светоизлучающий диод

Красители создавались в совместной лаборатории Южно-Уральского государственного университета и Института органической химии им. Н. Д. Зелинского РАН (г. Москва). Там же ученые установили строение новых органических светоизлучающих молекул для светодиодов, благодаря которым удалось создать яркие и безопасные источники белого света.

«Основным преимуществом полученных красителей перед неорганическими полупроводниками стала существенно более низкая цена и простота производства светоизлучающих устройств на их основе, а также возможность создания тонкопленочных гибких устройств больших размеров, которые необходимы для решения ряда стоящих перед нашей командой задач», — рассказал кандидат химических наук, с.н.с. НОЦ «Нанотехнологии» ЮУрГУ, постдок Тимофей Чмовж.

На фото: постдок Т. Н. Чмовж

Разработанные командой ученых светодиоды могут быть использованы как основные источники света в любых помещениях. Особенно полезным будет их применение в качестве домашних ламп, потому что мягкий свет облегчит засыпание.

Технология изготовления светодиодов простая, исходные материалы для их создания недорогие. Поэтому ученые надеются, что в будущем их разработка будет использоваться в практическом плане. Не исключено создание плоских панелей большой площади с регулируемой яркостью свечения.

Ученые планируют развивать технологию изготовления светодиодов со спектральными характеристиками свечи и привлекать индустриальных партнеров. Вторым направлением работы является расширение ряда синтезируемых органических красителей, которые позволят создать органические светодиоды с оптимальными характеристиками.

Южно-Уральский государственный университет – это университет цифровых трансформаций, где ведутся инновационные исследования по большинству приоритетных направлений развития науки и техники. В соответствии со стратегий научно-технологического развития РФ университет сфокусирован на развитии крупных научных междисциплинарных проектов в области цифровой индустрии, материаловедения и экологии. В рамках данных направлений исследуются объекты металлургии, машиностроения, энергетики, ЖКХ, безопасного пространства городской инфраструктуры и комфорта человека.

ЮУрГУ – участник Проекта «5-100», призванного повысить конкурентоспособность российских университетов среди ведущих мировых научно-образовательных центров.

Читайте нас:

Текущие тенденции и будущие направления — Houston Methodist Scholars

TY — JOUR

T1 — Неаблативный фракционный диодный лазер 1440 и 1927 нм

T2 — Текущие тенденции и будущие направления

AU — Friedman, Paul M.

AU — Polder, Kristel D.

AU — Sodha, Pooja

AU — Geronemus, Roy G.

N1 — Авторские права: Эта запись взята из MEDLINE / PubMed, базы данных Национальной медицинской библиотеки США

PY — 2020/8/1

Y1 — 2020/8/1

N2 — Клинические характеристики кожи, подвергшейся воздействию ультрафиолетового и инфракрасного излучения включают сухость, дисхромию, дряблость, шероховатость, желтоватый оттенок, шелушение, телеангиэктазию и морщины.Фракционный фототермолиз способствует ремоделированию кожи за счет образования нового кожного коллагена. В системе неабляционного фракционного диодного лазера (NFDL) используется фракционный фототермолиз для омоложения кожи с использованием 2 отдельных насадок для длин волн 1440 нм и 1927 нм. Фракционный фототермолиз с помощью неабляционных фракционных диодных лазеров облегчает доставку низкомолекулярных соединений, таких как L-аскорбиновая кислота, через кожу без нарушения барьерной функции рогового слоя.Оба наконечника системы NFDL эффективны для омоложения фотоповрежденной кожи лица, обеспечивая клиническое улучшение тона кожи, текстуры кожи, тонких линий и дисхромии, а также уменьшая количество обнаруживаемых пор кожи. Применение наконечника с длиной волны 1927 нм показало клиническое улучшение гиперпигментации, меланодермии и поствоспалительной гиперпигментации, которые сложно эффективно лечить с помощью других лазерных устройств. С целевым хромофором воды инфракрасная энергия системы NFDL 1440 нм и 1927 нм подходит для омоложения кожи и лечения дисхромии цветной кожи с уменьшенным риском побочных эффектов, наблюдаемых при использовании других неаблативных и абляционных фракционных лазеров.Клинические данные показали, что длины волн 1440 нм и 1927 нм эффективны, с высоким уровнем удовлетворенности пациентов, преходящими побочными эффектами и минимальным временем простоя пациента.

AB — Клинические характеристики кожи, подвергшейся воздействию ультрафиолетового и инфракрасного излучения, включают сухость, дисхромию, дряблость, шероховатость, желтизну, шелушение, телеангиэктазии и морщины. Фракционный фототермолиз способствует ремоделированию кожи за счет образования нового кожного коллагена. В системе неабляционного фракционного диодного лазера (NFDL) используется фракционный фототермолиз для омоложения кожи с использованием 2 отдельных насадок для длин волн 1440 нм и 1927 нм.Фракционный фототермолиз с помощью неабляционных фракционных диодных лазеров облегчает доставку низкомолекулярных соединений, таких как L-аскорбиновая кислота, через кожу без нарушения барьерной функции рогового слоя. Оба наконечника системы NFDL эффективны для омоложения фотоповрежденной кожи лица, обеспечивая клиническое улучшение тона кожи, текстуры кожи, тонких линий и дисхромии, а также уменьшая количество обнаруживаемых пор кожи. Применение наконечника с длиной волны 1927 нм показало клиническое улучшение гиперпигментации, меланодермии и поствоспалительной гиперпигментации, которые сложно эффективно лечить с помощью других лазерных устройств.С целевым хромофором воды инфракрасная энергия системы NFDL 1440 нм и 1927 нм подходит для омоложения кожи и лечения дисхромии цветной кожи с уменьшенным риском побочных эффектов, наблюдаемых при использовании других неаблативных и абляционных фракционных лазеров. Клинические данные показали, что длины волн 1440 нм и 1927 нм эффективны, с высоким уровнем удовлетворенности пациентов, преходящими побочными эффектами и минимальным временем простоя пациента.

UR — http: // www.scopus.com/inward/record.url?scp=85089555546&partnerID=8YFLogxK

UR — http://www.scopus.com/inward/citedby.url?scp=85089555546&partnerID=8YFLogxK

0003 —

— Обзор статьи 32804450

AN — SCOPUS: 85089555546

VL — 19

SP — s3-s11

JO — Журнал лекарственных средств в дерматологии

JF — Журнал лекарственных средств в дерматологии

SN — 1545-9616

ER —

Оценка эффективности использования диодного лазера для уменьшения объема отечной ткани десны после каузальной терапии

Int J Environ Res Public Health.2020 сен; 17 (17): 6192.

Клаудиа Тарга

² Частная практика, Виа Траверсаньо, 5, 45011 Адрия, Италия; [email protected]

Барбара Сальвиато

³ Частная практика, Via Ponte Tresa, 31, 21031 Cadegliano-Viconago, Италия; [email protected]

⁴ DDS, Стоматологическая школа, Университет Вита-Салюте Сан-Раффаэле, 20123 Милан, Италия

Поступила в редакцию 7 июля 2020 г .; Принято 24 августа 2020 г.

Лицензиат MDPI, Базель, Швейцария.Эта статья представляет собой статью в открытом доступе, распространяемую в соответствии с условиями лицензии Creative Commons Attribution (CC BY) (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/). Эта статья цитировалась другими статьями в PMC. .

Abstract

Цель: Целью данного исследования было оценить и сравнить два различных метода лечения гингивита, вызванного бляшками, и продемонстрировать, может ли причинная терапия, поддерживаемая диодным лазером, разрешить отек, вызванный гингивитом, за меньшее время. по сравнению с единственной традиционной причинной терапией.Материалы и методы: 25 пациентов в возрасте от 20 до 60 лет с конкретным диагнозом гингивита были обследованы в отделении гигиены полости рта CLID-HSR. После регистрации клинических параметров (индекса кровотечения, индекса зубного налета, рецессии и уровня клинической атаки) каждый из них был подвергнут профессиональному сеансу гигиены полости рта и проинструктирован о правильных процедурах домашней гигиены. Посредством протокола разделения рта для каждого отдельного пациента, полудуга лечили путем простой рандомизации и лечили причинной терапией, поддерживаемой действием диодного лазера (экспериментальная терапия), и традиционной причинной терапией (контрольная терапия).Первое внутриротовое сканирование было выполнено перед терапией (T0), которую повторили через 20 минут после полоскания CHX. Внутриротовые сканирования были повторены в контрольной группе через 7 (Т1) и 14 дней (Т2) после сеанса. Для каждого внутриротового сканирования вычисляли объемное значение, пропорциональное отеку тканей десны, с использованием специального цифрового программного обеспечения. Оператор, выполнявший объемные измерения с помощью программного обеспечения, не знал о терапии, проводимой на каждой полу-дуге. Оператор, проводивший статистический анализ, не знал о терапии, применявшейся к каждой группе.Собранные данные статистически сравнивали, чтобы выявить любые различия между объемными вариациями между двумя терапевтическими группами и внутри терапевтических групп с течением времени. После оценки распределения данных с помощью статистического критерия Колмогорова-Смирнова были выбраны соответствующие непараметрические критерии для проведения статистических сравнений. Результаты: на основе анализа параметров здоровья десен и пародонта и объемного значения обработанных областей не было обнаружено статистически значимых различий между областями, обработанными адъювантным действием диодного лазера, и областями, обработанными только причинной терапией.Выводы. С учетом ограничений данного исследования, согласно полученным статистическим результатам, диодная лазерная терапия не позволяет быстрее разрешить отек десен по сравнению с традиционной терапией; Таким образом, два метода лечения гингивита, вызванного зубным налетом, имеют одинаковую эффективность.

Ключевые слова: гингивит, вызванный бляшками, лечение гингивита, пародонтоз, диодный лазер

1. Введение

Гингивит — это воспалительный процесс, вызванный присутствием бактерий, которые, начиная с края десны, также могут распространяться на остальная часть резинки [1,2,3].Даже когда уровни бактериального налета минимальны, иммунная система реагирует, вызывая воспалительную реакцию, которая определяет наличие инфильтрата [4]. Как сообщается в нескольких исследованиях, участки, пораженные предшествующим заболеванием пародонта, в отличие от здоровых участков, имеют большую предрасположенность к возникновению гингивита [5,6,7]. Иммунный ответ при наличии системных патологий крови, эндокринной, аутоиммунной и неопластической природы может претерпевать изменения, влияющие на развитие как гингивита, так и других оральных проявлений системных заболеваний [8,9,10].Основными клиническими проявлениями гингивита являются покраснение десен, кровотечение и отек [11], не связанные с потерей прикрепления пародонта [12]. Поскольку гингивит не всегда вызывает боль, а проявления могут быть исключительно субклиническими, за исключением редких случаев спонтанного кровотечения, ранняя диагностика может быть затруднена [13]. Основной причиной возникновения данной патологии считается недостаточная гигиена полости рта [14]; однако другие возможные факторы, такие как курение [15], генетические изменения [16], системные заболевания бактериального, вирусного или грибкового происхождения [17,18,19], аутоиммунные заболевания [20] или эндокринного происхождения [21], новообразования [22] ] и травматические поражения [23], могут способствовать воспалению опорных тканей пародонта.Хотя формы гингивита, не вызванные зубным налетом, явно не вызваны бактериальным биофлимом, на их тяжесть и прогрессирование может влиять накопление зубного налета и последующее поддесневое воспаление [14,24]. Протоколы лечения гингивита, вызванного бляшками, предусматривают уменьшение этиологического агента, то есть самого налета, с последующим прогрессивным улучшением состояния полости рта пациента, постепенно уменьшая симптомы, связанные с патологией [25, 26, 27, 28].Целью этой терапии, независимо от выбранного метода, является предотвращение развития бактерий в поддесневой области, вовлекающих соединительную ткань и альвеолярную кость и тем самым определяющих развитие гингивита при пародонтите [29,30]. Хотя начало заболевания пародонта имеет значительную индивидуальную вариабельность и зависит от различных предрасполагающих факторов, накопление зубного налета представляет собой главный фактор риска при переходе от гингивита к пародонтиту [31,32].Традиционный метод лечения гингивита включает сочетание механических инструментов с использованием химических агентов с антисептическим действием с целью не только удаления бактериального налета, но и направления пациента к правильной гигиенической поддерживающей терапии, как в домашних условиях. и профессионально [33]. Лазерное лечение было предложено в качестве возможной терапевтической альтернативы или в сочетании с традиционной терапией [34,35]. Как сообщается в нескольких исследованиях, диодный лазер показал отличные результаты в нехирургической терапии пародонта, продемонстрировав бактерицидный эффект [36,37].Диодные лазеры с длиной волны 980 нанометров и мощностью 2 Вт обладают фотодеструктивным эффектом, вызывая устранение патогенной микрофлоры пародонта [38]. Поглощение лазерного света приводит к повышению температуры тканей, в результате чего большинство бактерий, включая анаэробы , легко инактивируются [39]. Кроме того, по сравнению с традиционными механическими инструментами, он обеспечивает более легкий доступ к труднодоступным местам [40]. Целью этого исследования было оценить и сравнить два различных метода лечения гингивита, вызванного бляшками, и продемонстрировать, может ли причинная терапия с диодным лазером позволить разрешить отек, вызванный гингивитом, за меньшее время, чем традиционная одноэтапная терапия.

2. Материалы и методы

2.1. Состав образца

Настоящее пилотное исследование проводилось на выборке из 25 пациентов в возрасте от двадцати до шестидесяти лет. Все пациенты были набраны из отделения гигиены полости рта CLID Научного института госпитализации и ухода больницы Сан-Раффаэле. Выборка была составлена из специально отобранных лиц с конкретным диагнозом гингивита.

Протокол исследования был одобрен местным этическим комитетом, Милан, No.PR246 и письменное информированное согласие были получены от всех участников исследования в соответствии с Хельсинкской декларацией.

2.2. Критерии включения

Для участия в исследовании были отобраны здоровые пациенты, не страдающие системными заболеваниями полости рта и пародонта. Левши были исключены. Весь образец должен пройти любую лекарственную терапию с антибиотиками и противовоспалительными средствами как минимум за две недели до участия в исследовании.

Пациенты с конкретным диагнозом гингивита, не вызванного зубным налетом, также были исключены (1,4,5):

Воспаление, вызванное системными факторами; Типичный пример — беременность или гормональные изменения, такие как половое созревание или менструация.
Флогистически-гиперпластические изменения в сочетании с приемом противоэпилептических средств, блокаторов кальциевых каналов и циклоспорина.
Гингивит, вызванный использованием оральных контрацептивов.
Гингивит, измененный системными заболеваниями.
Гингивит, поражающий пациентов с сахарным диабетом.
Гингивит, связанный с нарушениями картины крови (например, лейкоз).
Зубной гингивит, измененный недоеданием, например, хроническим дефицитом витаминов A, C и D (хотя в Европе они, по-видимому, возникают редко).

2.3. Процедура

Участники были проинформированы о методах экспериментального исследования, а также о целях и задачах последнего. Впоследствии, прежде чем продолжить, пациенты должны были подписать Информированное согласие, в котором был точно описан протокол. Клинические параметры (индекс кровоточивости, индекс зубного налета, рецессия и уровень клинического прикрепления) первоначально оценивались и регистрировались у всех пациентов. Стандартные параметры индекса налета, индекса кровоточивости и др.были оценены, чтобы исключить возможность наличия у пациента пародонтоза с помощью программы PSR Periodontal Screening and Recording), которая состоит из упрощенной регистрации клинических данных. Фактически, с помощью PSR все участки всех дентальных элементов исследуются с помощью пародонтального зонда после завершения анамнестических исследований. Затем было выполнено первое внутриротовое сканирование перед терапией, которое состоит из эталонного сканирования; это было повторено через двадцать минут после того, как пациента промыли 0.2% CHX (T0). Каждый из них прошел сеанс профессиональной гигиены полости рта, и в соответствии с протоколом разделения полости рта для каждого отдельного пациента они были выбраны путем простой рандомизации, какие полудуга для лечения причинно-следственной терапией с помощью действия диодного лазера (экспериментальный терапии) и традиционной причинной терапии (контрольная терапия). В конце сеанса каждый отдельный пациент был проинструктирован о правильных домашних процедурах гигиены полости рта. Впоследствии контрольное сканирование было выполнено через 7 дней после сеанса (T1) и через 14 дней (T2), в течение которых клинические показатели были возобновлены.Для клинического применения биостимуляции тканей используется Raphael Laser (), медицинское устройство, классифицированное IIb (согласно Приложению IX Директивы 93/42 / EEC).

Протокол диодного лазера был предметом изучения в нашем университетском центре Vita Salute San Raffaele; Протокол исследования касается диодного лазера Рафаэля (BIO 980 DMT S.r.l. — Италия: во всех случаях использовался проверенный и откалиброванный производителем, работающий на длине волны 940 нм). Лазер непрерывно работает с оптоволокном 3003-3020 мкм, подключенным к зонду с выходной поверхностью 0.5 см ², способный излучать коллимированный гауссов пучок с очень малой расходимостью. Инструмент был установлен на расстоянии 12 мм перпендикулярно месту, что уменьшало смещение отражения. Движение определяется как «стрижка газона» в апико-корональном направлении. Время приложения 80 с для каждого участка и выходная мощность, установленная на 2−3,5 Вт, средняя плотность потока энергии 10 Дж / см ² и средняя плотность мощности (на цели) составляла 0,125 Вт / см ² с кумулятивной плотностью доза 20 Дж на участок для каждой обработки (макс n .обработки 4 × 20 Дж = 80 Дж).

Для каждого внутриротового сканирования стоматолог использовал внутриротовой сканер CS 3600 от Carestream Dental.

CS 3600 был разработан для получения трехмерных неподвижных изображений следующими способами:

В системе CS 3600 используется следующее программное обеспечение: программное обеспечение для обработки изображений (ортодонтическая визуализация CS) и интерфейс сбора данных CS 3600. Интерфейс сбора данных CS 3600 сделал возможным получение изображений двумя способами:

Частичное сканирование дуги: несколько зубов в области препарирования на нижней и верхней челюсти и буккальная окклюзионная регистрация.
Полное сканирование дуги: верхнечелюстная, нижняя челюсть и буккальная окклюзионная регистрация.

2.4. Статистический анализ

Собранные данные обрабатывались двойным слепым методом, поскольку оператор, выполнявший статический и объемный анализ, не знал, к какой группе принадлежат данные, полученные от пациентов. Затем эти данные были статистически сопоставлены для выявления любых различий между объемными вариациями и посредством анализа параметров здоровья десен и пародонта между двумя терапевтическими группами и внутри терапевтических групп с течением времени.

Нормальность распределения проверялась тестом Шапиро – Уилка, и, учитывая ненормальность распределения данных, применялись непараметрические методы. Затем был проведен статистический анализ путем сравнения двух терапевтических групп с помощью теста Манна-Уитни и эффективности терапии между Т0 и Т2 с использованием теста Фридмана.

2,5. Обработка собранных данных

После того, как сканы были собраны, они были выбраны для проведения анализа, сканирования перед обработкой (T1) и сканирования, выполненного через две недели (T2).

Сначала все обнаруженные сканы, представленные в формате STL, были импортированы в программу управления данными.

Файлы STL были импортированы в программу сканирования: Optical Revenge Dental 5.0.

После импорта оба скана, полученные одновременно из одного и того же рта в полудугах, были разделены (), создавая сечение, которое включает элементы задних частей.

Таким образом оператор получил четыре полудуга из каждого отдельного сканирования. Как только эти срезы получены, выполняется выравнивание секторов по полу-арке, чтобы можно было продолжить объемный анализ.Эта операция позволила выровнять две части одного и того же объекта, что происходит автоматически () программным обеспечением после того, как оператор, вставив второй скан, дает команду на выравнивание второго сканирования с ранее импортированным; впоследствии он также был оптимизирован вручную () за счет выбора ориентиров.

На этом втором этапе твердые ткани использовались в качестве контрольных точек.

После наложения изображения были связаны с двумя одинаковыми цветами () для проведения первого визуального анализа: наиболее похожие файлы имели чередующиеся цвета.Файлы, которые вместо этого отличались полностью или частично, показали большие расхождения, поэтому один цвет преобладал над другим.

После процедуры выравнивания были выполнены операции по очистке (очистка сетки) для определения границ анализируемой области.

Для создания твердого тела для каждого отдельного слепка и проведения как можно более подробной оценки использовалась программа Exocad Model Creator. Это позволяло использовать неподвижную поверхность () в качестве основы сечения, а оттиски после проведения операции очистки располагались параллельно поверхности.

Размещение на плоскости.

Этот шаг был сделан для разделов обоих сканированных изображений, чтобы два разреза имели одинаковое расстояние в наивысшей точке. Таким образом, ранее открытые файлы STL закрываются (и).

Передняя часть полученного твердого тела.

Спинка получилась из твердой.

Эта процедура была необходима для того, чтобы два сечения могли полностью накладываться друг на друга, чтобы продолжить объемный анализ.

Наконец, файлы были импортированы () в программу Geomagic Studio 13. Можно было вычислить объем в кубических миллиметрах, установив за единицу измерения миллиметр. Таким образом, имея в наличии оба числовых значения, можно было вычислить разницу между двумя значениями.

Выравнивание двух перекрывающихся тел в программе Geomagic.

В заключение, колориметрическая оценка была проведена с помощью специального инструмента анализа, который позволил оценить объем с помощью колориметрической шкалы.Этот инструмент анализа использовал микрон в качестве эталонной единицы измерения и позволял оценить объем области или всего сечения с помощью колориметрической шкалы (), которая включает использование трех цветов: голубого / синего, когда объем равен ниже: зеленый — при одинаковом уровне громкости для обоих разделов; желтый / красный — при повышенном уровне.

Однако для выполнения всех этих оценок необходимо, чтобы файлы были как можно более похожими. Для этого созданы разделы полученных сканов.

3. Результаты

Собранные данные были статистически сравнены, чтобы выявить любые различия между объемными вариациями между двумя терапевтическими группами и внутри терапевтических групп с течением времени. Статистические сравнения, касающиеся анализа параметров PI и BoP, показаны на и.

Таблица 1

Собранные данные терапевтической группы 1.

61 (50–82)

Группа 1	Процедуры	PI MEDIAN (IQR)	BOP MEDIAN (IQR)
T0	33 (28–55)
T0	УПРАВЛЕНИЕ	60 (48–83)	35 (29–55)
T1	ЛАЗЕР	10 (8–12 )	3 (0–6)
T1	КОНТРОЛЬ	10 (8–12)	3 (1–6)
T1 – T0	LASER	−53 (−70–39)	−33 (−50–27)
T1 – T0	КОНТРОЛЬ	−51 (−70–36)	−31 (−49–28)
T2	ЛАЗЕР	10 (9–13 )	0 (0–82)
T2	УПРАВЛЕНИЕ	11 (10–13)	3 (1–6)
T2 – T1	ЛАЗЕР	1 (0–2)	3 (0–6)
T2 – T1	КОНТРОЛЬ	1 (0–1)	0 (0–1)

Таблица 2

Собранные данные группы терапии 2.

Группа 2	Процедуры	PI MEAN (SD)	BOP MEAN (SD)	p -Значение
T0			LASER (29.14)	нс
T0	CONTROL	68,48 (22,39)	46,96 (29,09)	нс
T1	ЛАЗЕР	11,64 (6,68)	4 (5,08)	n.
T1	УПРАВЛЕНИЕ	12.16 (6,54)	4,84 (5,26)	n.
T1 – T0	ЛАЗЕР	−0,56 (0,18)	−0,43 (0,26)	н.у.
T1 – T0	КОНТРОЛЬ	−0,54 (−0,19)	−0,42 (0,25)	н.у.
T2	ЛАЗЕР	12,76 (7,57)	67,32 (22) 90,26 н.
T2	УПРАВЛЕНИЕ	13,16 (7,40)	5,20 (5,35)
T2 – T1	ЛАЗЕР	0.01 (0,02)	-0,43 (0,26)	н.с.
T2 – T1	CONTROL	0,01 (0,02)	0,00 (0,01)	н.с.

и параметры PI и BOP, представленные в виде медианы, межквартильного, среднего и стандартного отклонения процентных значений и статистического сравнения двух групп. Что касается объемного анализа, точно так же нет статистически значимой разницы между объемными вариациями лазера и контрольной группы по сравнению с T0, T1 и T2 (, и).

График в виде прямоугольников и усов, представляющий производительность контрольной группы в T0, T1 и T2.

График в виде прямоугольников и усов, представляющих продвижение лазерной установки в T0, T1 и T2.

Графическое изображение, в котором сравниваются две терапевтические группы (лазерная и контрольная).

После оценки распределения данных с помощью статистического критерия Колмогорова – Смирнова были выбраны соответствующие непараметрические критерии для проведения статистических сравнений. Учитывая определенные значения для каждого пациента, при сравнении двух терапевтических групп не было обнаружено значительных различий.На основе анализа параметров здоровья десен-пародонта и объемного значения обработанных областей не было обнаружено статистически значимых различий между областями, обработанными адъювантным действием диодного лазера, и областями, обработанными только причинной терапией.

4. Обсуждение

Пародонт включает следующие ткани: десну, периодонтальную связку, цемент корня, альвеолярную кость (подразделяется на собственно альвеолярную кость и альвеолярный отросток) [41].Десна — это часть жевательной слизистой оболочки, которая покрывает альвеолярный отросток и окружает воротник зубов [42].

Гингивит — это воспалительный процесс, вызванный присутствием бактерий, которые, начиная с края десны, также могут распространяться на остальную часть десны [1,2,3]. Обсуждение гингивита на имплантатах называется мукозитом [43]. И гингивит, и мукозит, хотя и являются обратимыми процессами, если их не лечить, могут перерасти в необратимый процесс разрушения прикрепления пародонта, называемый соответственно гингивитом и периимплантитом [44,45].

Задача стоматолога и стоматолога-гигиениста — следить за пациентом, чтобы избежать прогрессирования или повторения этих патологий, восстанавливая состояние опорных тканей зуба и обеспечивая успех реабилитации с использованием имплантатов с течением времени [46 , 47,48,49,50].

Интенсивность клинических признаков и симптомов воспаления десен может варьироваться как у разных людей, так и между участками одного и того же рта [31,32]. Обычно клинические исходы гингивита, вызванного бляшками, включают эритему, отек, кровоточивость десен и чувствительность [51].Протоколы лечения гингивита, вызванного зубным налетом, предусматривают уменьшение этиологического агента, то есть самого налета, с последующим прогрессивным улучшением состояния полости рта пациента, постепенно уменьшая симптомы, связанные с патологией [33]. Лазерное лечение было предложено в качестве возможной терапевтической альтернативы традиционным механическим инструментам, связанным с использованием химических агентов с антисептическим действием или в сочетании с традиционной терапией [34,35].

Диодный лазер — полупроводник. Длины волн диодных лазеров, наиболее часто используемых в стоматологии, составляют от 610 до 980 нанометров. Он может работать как в непрерывном, так и в прерывистом (PW) режимах. При взаимодействии с поверхностью ткани лазерный свет может преломляться, рассеиваться, поглощаться или пропускаться. Энергия лазера, поглощаемая тканями, может вызывать эффекты нагрева, коагуляции или испарения в зависимости от длины волны, мощности и оптических свойств ткани [36].В рамках лечения заболеваний пародонта несколько исследований показали, что использование лазера, если оно связано с традиционным методом удаления зубного камня и выравнивания корня, дает лучшие клинические и иммунологические результаты, чем традиционная терапия [35,52,53,54, 55,56,57]. Как сообщают несколько авторов, поскольку свет диодного лазера сильно поглощается гемоглобином крови, лазер может представлять собой эффективный выбор при удалении сильно васкуляризированных воспаленных тканей пародонтального кармана [58]

В действительности, по сравнению с тем, что Как показали исследования, упомянутые выше, литература противоречива: по сообщениям нескольких авторов, диодный лазер, связанный с традиционным методом, не дает статистически значимых результатов с микробиологической точки зрения и уменьшения клинических признаков воспаления десен [48 , 49,50].Кроме того, с использованием лазера могут быть связаны такие осложнения, как повреждение опорных тканей из-за их перегрева. По сообщениям нескольких авторов, при температуре выше 10 ° С в течение более минуты лечения может быть обнаружено повреждение альвеолярной кости и периодонтальной связки с последующим анкилозом зубного элемента и резорбцией кости [59].

5. Выводы

С ограничениями этого исследования, такими как возможная индивидуальная вариабельность с точки зрения комплаентности, в соответствии с полученными статистическими результатами, диодная лазерная терапия не позволяет быстрее разрешить отек десен по сравнению с традиционными методами. терапия; Таким образом, два метода лечения гингивита, вызванного зубным налетом, имеют одинаковую эффективность.Для подтверждения полученных результатов необходимы дальнейшие исследования.

Вклад авторов

E.P., F.F. задумался над идеей; C.T. и Б.С. собрал данные; Г. написал рукопись; Г.Г., Э.П. отредактировал рукопись. Все авторы прочитали и согласились с опубликованной версией рукописи.

Финансирование

Это исследование не получало внешнего финансирования.

Конфликт интересов

Все авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов в отношении публикации этой статьи.

Ссылки

1. Лёэ Х., Тейлад Э., Йенсен С.Б. Экспериментальный гингивит у человека. J. Periodontol. 1965; 36: 177–187. DOI: 10.1902 / jop.1965.36.3.177. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 2. Theilade E., Wright W.H., Jensen S.B., Löe H. Экспериментальный гингивит у человека. II. Продольное клинико-бактериологическое исследование. J. Periodontal Res. 1966; 1: 1–13. DOI: 10.1111 / j.1600-0765.1966.tb01842.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 3. Тромбелли Л., Татакис Д.Н., Скаполи К., Боттега С., Орландини Э., Този М. Модуляция клинического проявления гингивита, вызванного бляшками. II. Идентификация субъектов «с высоким и низким уровнем ответа». J. Clin. Пародонтол. 2004. 31: 239–252. DOI: 10.1111 / j.1600-051x.2004.00478.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 4. Ланг Н.П., Бартольд П.М. Здоровье пародонта. J. Periodontol. 2018; 89 (Приложение 1): S9 – S16. DOI: 10.1002 / JPER.16-0517. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 5. Кинане Д.Ф. Пародонтит, измененный системными факторами. Анна. Пародонтол. 1999; 4: 54–64.DOI: 10.1902 / анналы.1999.4.1.54. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 6. Змора Н., Башиардес С., Леви М., Элинав Э. Роль иммунной системы в метаболическом здоровье и болезнях. Cell Metab. 2017; 25: 506–521. DOI: 10.1016 / j.cmet.2017.02.006. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 7. Каппаре П., Тете Г., Романос Г. Э., Нагни М., Саннино Г., Герлоне Э. Ф. Протокол «Все на четырех» у ВИЧ-инфицированных пациентов: проспективное продолжительное 7-летнее клиническое исследование. Int. J. Oral. Имплантол. 2019; 12: 501–510. [PubMed] [Google Scholar] 8.Американская академия пародонтологии Параметр гингивита, вызванного бляшками. J. Periodontol. 2000. 71 (Приложение 5): 851–852. DOI: 10.1902 / jop.2000.71.5-S.851. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 9. Лё Х., Анеруд А., Бойсен Х., Моррисон Э. Естественная история пародонтоза у человека. Быстрая, умеренная и без потери привязанности у рабочих Шри-Ланки в возрасте от 14 до 46 лет. J. Clin. Пародонтол. 1986; 13: 431–445. [PubMed] [Google Scholar] 10. Исмаил А.И., Моррисон Э.С., Берт Б.А., Каффесс Р.Г., Кавана М.T. Естественная история заболеваний пародонта у взрослых: результаты исследования заболеваний пародонта Текумсе, 1959–1987. J. Dent. Res. 1990; 69: 430–435. DOI: 10.1177 / 002203459006

201. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 11. Ли Ю., Ли С., Худжоэль П., Су М., Чжан В., Ким Дж., Чжан Ю.П., Де Визио В. Распространенность и тяжесть гингивита у взрослых американцев. Являюсь. J. Dent. 2010; 23: 9–13. [PubMed] [Google Scholar] 12. Мураками С., Мили Б.Л., Мариотти А., Чаппл I.L.C. Состояние десен, вызванное зубным налетом.J. Periodontol. 2018; 89 (Приложение 1): S17 – S27. DOI: 10.1002 / JPER.17-0095. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 13. Бличер Б., Джошипура К., Эке П. Подтверждение самооценки заболеваний пародонта: систематический обзор. J. Dent. Res. 2005; 84: 881–890. DOI: 10,1177 / 154405

8401003. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 14. Tecco S., Sciara C., Pantaleo G., Nota A., Visone A., Germani S., Polizzi E., Gherlone EF Связь между незначительным рецидивирующим афтозным стоматитом (РАС), плохим состоянием полости рта у детей и лежащими в основе негативными психологическими факторами. привычки и отношение к гигиене полости рта.BMC Pediatr. 2018; 18: 136. DOI: 10.1186 / s12887-018-1094-у. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 16. Харт Т.К., Горри М.С., Харт П.С., Вудард А.С., Шихаби З., Сандху Дж., Ширтс Б., Сюй Л., Чжу Х., Бармада М.М. и др. Мутации гена UMOD ответственны за медуллярную кистозную болезнь почек 2 и семейную ювенильную гиперурикемическую нефропатию. J. Med. Genet. 2002; 39: 882–892. DOI: 10.1136 / jmg.39.12.882. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 17. Кац Дж., Гельманн М., Рудольф М., Раскин Дж. Острая стрептококковая инфекция десны, нижней губы и глотки — отчет о клиническом случае. J. Periodontol. 2002. 73: 1392–1395. DOI: 10.1902 / jop.2002.73.11.1392. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 18. Паризи М.Р., Текко С., Гастальди Г., Полицци Э., Д’Амикантонио Т., Негри С., Гардини И., Шлуснус К., Герлоне Э., Каппаре П. и др. Тестирование в местах оказания медицинской помощи на вирусную инфекцию гепатита С в альтернативных учреждениях и учреждениях повышенного риска: итальянское пилотное исследование в стоматологической клинике. New Microbiol. 2017; 40: 242–245.[PubMed] [Google Scholar] 19. Скалли К., Эпштейн Дж., Портер С., Кокс М. Вирусы и хронические заболевания слизистой оболочки полости рта человека. Oral Surg. Oral Med. Oral Pathol. 1991; 72: 537–544. DOI: 10.1016 / 0030-4220 (91) -4. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 20. Стоун С.Дж., Маккракен Г.И., Хисман П.А., Стейнс К.С., Пеннингтон М. Экономическая эффективность персонализированного контроля зубного налета для управления десневыми проявлениями плоского лишая полости рта: рандомизированное контролируемое исследование. J. Clin. Пародонтол. 2013; 40: 859–867.DOI: 10.1111 / jcpe.12126. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 21. Альбандар Дж. М., Сусин К., Хьюз Ф. Дж. Проявления системных заболеваний и состояний, влияющих на пародонтальный прикрепляющий аппарат: определения случаев и диагностические соображения. J. Periodontol. 2018; 89 (Приложение 1): S183 – S203. DOI: 10.1002 / JPER.16-0480. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 22. Напье С.С., Спейт П.М. Естественная история потенциально злокачественных поражений и состояний полости рта: обзор литературы. J. Oral. Патол.Med. 2008; 37: 1–10. DOI: 10.1111 / j.1600-0714.2007.00579.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 23. Равал С.Ю., Кламан Л.Дж., Кальмар Дж.Р., Татакис Д.Н. Травматические поражения десны: серия случаев. J. Periodontol. 2004. 75: 762–769. DOI: 10.1902 / jop.2004.75.5.762. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 24. Eberhard J., Grote K., Luchtefeld M., Heuer W., Schuett H., Divchev D., Scherer R., Schmitz-Streit R., Langfeldt D., Stumpp N., et al. Экспериментальный гингивит, индуцированный маркерами системного воспаления у молодых здоровых людей: интервенционное исследование с одним субъектом.PLoS ONE. 2013; 8: e55265. DOI: 10.1371 / journal.pone.0055265. [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 25. Бадерштен А., Нильвеус Р., Эгельберг Дж. Эффект нехирургической пародонтальной терапии. II. Периодонтит в тяжелой степени. J. Clin. Пародонтол. 1984; 11: 63–76. DOI: 10.1111 / j.1600-051X.1984.tb01309.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 26. Бадерштен А., Нильвеус Р., Эгельберг Дж. Эффект нехирургической пародонтальной терапии. I. Умеренно запущенный пародонтит. J. Clin. Пародонтол. 1981; 8: 57–72.DOI: 10.1111 / j.1600-051X.1981.tb02024.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 27. Калдал В.Б., Калкварф К.Л., Патил К.Д., Молвар М.П., Дайер Дж.К. Долгосрочная оценка пародонтальной терапии: I. Ответ на 4 лечебных воздействия. J. Periodontol. 1996. 67: 93–102. DOI: 10.1902 / jop.1996.67.2.93. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 28. Чаппл И.Л., Ван дер Вейден Ф., Дёрфер К., Эррера Д., Шапира Л., Полак Д., Мадианос П., Луропулу А., Махтей Э., Донос Н. и др. Первичная профилактика пародонтита: лечение гингивита.J. Clin. Пародонтол. 2015; 42 (Приложение 16): S71 – S76. DOI: 10.1111 / jcpe.12366. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 29. Агербек Н., Мелсен Б., Линд О.П., Главинд Л., Кристиансен Б. Влияние регулярных занятий в малых группах как таковых на состояние здоровья полости рта датских школьников. Сообщество Dent. Oral Epidemiol. 1979; 7: 17–20. DOI: 10.1111 / j.1600-0528.1979.tb01179.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 30. Ramseier C.A., Anerud A., Dulac M., Lulic M., Cullinan M.P., Seymour G.J., Faddy M.J., Bürgin W., Schätzle M., Ланг Н.П. Естественный анамнез пародонтита: прогрессирование заболевания и потеря зубов более 40 лет. J. Clin. Пародонтол. 2017; 44: 1182–1191. DOI: 10.1111 / jcpe.12782. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 31. Альбандар Дж. М., Кингман А., Браун Л. Дж., Лё Х. Воспаление десен и поддесневой камень как детерминанты прогрессирования заболевания при пародонтите с ранним началом. J. Clin. Пародонтол. 1998. 25: 231–237. DOI: 10.1111 / j.1600-051X.1998.tb02433.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 32. Серрано Дж., Эскрибано М., Ролдан С., Мартин К., Эррера Д. Эффективность дополнительных химических агентов против зубного налета при лечении гингивита: систематический обзор и метаанализ. J. Clin. Пародонтол. 2015; 42 (Приложение 16): S106 – S138. DOI: 10.1111 / jcpe.12331. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 33. Кальдерини А., Панталео Г., Росси А., Газзоло Д., Полицци Э. Дополнительный эффект хлоргексидиновых антисептиков при механической обработке пародонта: первые результаты предварительной серии случаев. Int. J. Dent. Hyg. 2013; 11: 180–185. DOI: 10.1111 / idh.12009. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 34. Карузо У., Настри Л., Пикколомини Р., д’Эрколе С., Мацца К., Гуида Л. Использование диодного лазера 980 нм в качестве дополнительной терапии при лечении хронического пародонтита. Рандомизированное контролируемое клиническое исследование. New Microbiol. 2008; 31: 513–518. [PubMed] [Google Scholar] 35. Харрис Д.М., Йессик М. Терапевтическое соотношение количественно определяет лазерную антисептику: удаление Porphyromonas gingivalis с помощью стоматологического лазера. Lasers Surg. Med. 2004. 35: 206–213. DOI: 10.1002 / lsm.20086. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 36.Колуцци Д.Дж. Основы лазеров в стоматологии: фундаментальные науки о взаимодействии тканей и инструментов. J. Laser Dent. 2008; 16: 4–10. [Google Scholar] 37. Гуткнехт Н., Апель К., Брэдли П., де Поль Эдуардо К., Фезерстон Дж. Труды 1-го международного семинара по доказательной стоматологии по лазерам в стоматологии. Квинтэссенция Паб. Co .; Лондон, Великобритания: Чикаго, Иллинойс, США: 2008. С. 166–167, 207–210. [Google Scholar] 38. Мориц А., Шуп У., Гохаркай К., Шауэр П., Дёртбудак О., Верниш Дж., Сперр В.Лечение пародонтальных карманов диодным лазером. Lasers Surg. Med. 1998. 22: 302–311. DOI: 10.1002 / (SICI) 1096-9101 (1998) 22: 5 <302 :: AID-LSM7> 3.0.CO; 2-T. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 39. Кобб К.М., Лоу С.Б., Колуцци Д.Дж. Лазеры и лечение хронического пародонтита. Вмятина. Clin. N. Am. 2010; 54: 35–53. DOI: 10.1016 / j.cden.2009.08.007. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 40. Исикава И., Аоки А., Такасаки А.А., Мизутани К., Сасаки К.М., Идзуми Ю. Применение лазеров в пародонтологии: истинное новшество или миф? Пародонтология 2000.2009. 50: 90–126. DOI: 10.1111 / j.1600-0757.2008.00283.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 41. Линде Дж., Николаус П.Л. Parodontologia Clinica ed Implantologia Orale — Sesta Edizione, 2016. Edi.Ermes; Милан, Италия: 2016. С. 34–39. [Google Scholar] 42. Шредер Х.Э., Листгартен М.А. Десневые ткани: архитектура пародонтальной защиты. Пародонтология 2000. 1997; 13: 91–120. DOI: 10.1111 / j.1600-0757.1997.tb00097.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 43. Зицманн Н.Ю., Берглунд Т. Определение и распространенность периимплантных заболеваний.J. Clin. Пародонтол. 2008. 35: 286–291. DOI: 10.1111 / j.1600-051X.2008.01274.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 44. Ланг Н.П., Шетцле М.А., Лё Х. Гингивит как фактор риска заболеваний пародонта. J. Clin. Пародонтол. 2009; 36 (Приложение 10): 3–8. DOI: 10.1111 / j.1600-051X.2009.01415.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 45. Коста Ф.О., Такенака Мартинес С., Коста Л.О., Феррейра С.Д., Сильва Г.Л., Коста Дж.Л. Заболевание периимплантата у пациентов с профилактическим лечением и без него: последующее наблюдение в течение 5 лет.J. Clin. Пародонтол. 2012; 39: 173–181. DOI: 10.1111 / j.1600-051X.2011.01819.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 46. Wilkins E.M. La Pratica Clinica Dell’Igienista Dentale. II Edizione Italiana, Cura di Nardi, G.M. (2011) Ediotre Piccin Nuova Libraria; Падуя, Италия: 2011. С. 3–17. [Google Scholar] 47. Малчиоди Л., Карикасуло Р., Кукчи А., Винчи Р., Альярди Э., Герлон Э. Оценка ультракоротких и более длинных имплантатов с микрошероховатыми поверхностями: результаты проспективного исследования, продолжавшегося от 24 до 36 месяцев.Int. J. Oral Maxillofac. Имплантаты. 2017; 32: 171–179. DOI: 10.11607 / jomi.4648. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 48. Винчи Р., Тете Г., Луккетти Ф. Р., Каппаре П., Герлоне Э. Ф. Выживаемость имплантатов в костных трансплантатах свода черепа: ретроспективное клиническое исследование с 10-летним наблюдением. Clin. Имплант. Вмятина. Relat. Res. 2019; 21: 662–668. DOI: 10.1111 / cid.12799. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 49. Agliardi E.L., Tetè S., Romeo D., Malchiodi L., Gherlone E. Непосредственная функция частичной несъемной реабилитации с аксиальными и наклонными имплантатами с интрасинусной вставкой.J. Craniofac. Surg. 2014; 25: 851–855. DOI: 10.1097 / SCS.0000000000000959. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 50. Мало П., Риголиццо М., Нобре М., Лопес А., Альярди Э. Клинические результаты при наличии и отсутствии ороговевшей слизистой оболочки при операциях по имплантации под контролем нижней челюсти: пилотное исследование с предложением по модификации техники. Quintessence Int. 2013; 44: 149–157. [PubMed] [Google Scholar] 51. Mühlemann H.R., Son S. Кровотечение из десневой борозды — ведущий симптом начального гингивита. Helv.Odontol. Acta. 1971; 15: 107–113. [PubMed] [Google Scholar] 52. Айкол Г., Басер У., Маден И., Казак З., Онан У., Танрикулу-Кучук С. Эффект низкоинтенсивной лазерной терапии в качестве дополнения к безоперационному лечению пародонта. J. Periodontol. 2011; 82: 481–488. DOI: 10.1902 / jop.2010.100195. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 53. Саглам М., Кантарци А., Дундар Н., Хакки С.С.Клинические и биохимические эффекты диодного лазера в качестве дополнения к нехирургическому лечению хронического пародонтита: рандомизированное контролируемое клиническое исследование.Lasers Med. Sci. 2014; 29: 37–46. DOI: 10.1007 / s10103-012-1230-0. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 54. Kreisler M., Al Haj H., d’Hoedt B. Клиническая эффективность применения полупроводникового лазера в качестве дополнения к традиционному масштабированию и полировке корня. Lasers Surg. Med. 2005. 37: 350–355. DOI: 10.1002 / lsm.20252. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 55. Аоки А., Сасаки К.М., Ватанабэ Х., Исикава И. Лазеры в нехирургической пародонтологической терапии. Пародонтология 2000. 2004; 36: 59–97. DOI: 10.1111 / j.1600-0757.2004.03679.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 56. Амброзини П., Миллер Н., Бриансон С., Галлина С., Пено Дж. Клиническая и микробиологическая оценка эффективности лазера Nd: Yap для начального лечения пародонтита у взрослых. Рандомизированное контролируемое исследование. J. Clin. Пародонтол. 2005. 32: 670–676. DOI: 10.1111 / j.1600-051X.2005.00738.x. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 57. Ассаф М., Йилмаз С., Куру Б., Ипчи С.Д., Нойун Ю., Кадир Т. Влияние диодного лазера на бактериемию, связанную с ультразвуковым удалением зубного камня: клиническое и микробиологическое исследование.Фотосъемка. Лазерная хирургия. 2007. 25: 250–256. DOI: 10.1089 / pho.2006.2067. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 58. Карлссон М.Р., Диого Лёфгрен К.И., Янссон Х.М. Эффект лазерной терапии в качестве дополнения к нехирургическому лечению пародонта у пациентов с хроническим пародонтитом: систематический обзор. J. Periodontol. 2008; 79: 2021–2028. DOI: 10.1902 / jop.2008.080197. [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar] 59. Матис Й., Гржех-Лесняк К., Флигер Р., Доминик М. Оценка влияния режима диодного лазера с длиной волны 980 нм на повышение температуры, измеренное с помощью термопары k0−2: предварительные результаты.Вмятина. Med. Пробл. 2016; 53: 345–351. DOI: 10,17219 / дмп / 62575. [CrossRef] [Google Scholar] Наномагнонный диод на основе медленных волн

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 8 0 объект /Заголовок /Тема / Автор /Режиссер / CreationDate (D: 20211008101437-00’00 ‘) / CrossMarkDomains # 5B1 # 5D (journals.aps.org) / CrossmarkDomainExclusive (ложь) / CrossmarkMajorVersionDate (18.08.2020) / DOI (10.1103 / PhysRevApplied.14.024047) / Ключевые слова (doi: 10.1103 / PhysRevApplied.14.024047 URL: https: //doi.org/10.1103/PhysRevApplied.14.024047) / ModDate (D: 202008190 + 02’00 ‘) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > транслировать 2020-08-18T20: 07LaTeX с пакетом hyperref + hypdvips2020-08-19T09: 07: 47 + 02: 002020-08-19T09: 07: 47 + 02: 00Acrobat Distiller 8.1.0 (Windows) doi: 10.1103 / PhysRevApplied.14.024047 URL: https: //doi.org/10.1103/PhysRevApplied.14.024047application/pdfdoi: 10.1103 / PhysRevApplied.14.024047

Грасси Матиас

Гейлен Мориц

Луи Дэмиен

Мохсени Мортеза

Brächer Thomas

Кофейник Daniel

Bailleul Matthieu

Пирро Филипп

Генри Ив

DOI: 10.1103 / PhysRevApplied.14.024047 URL: https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.14.024047

Американское физическое общество

Медленно-волновой наномагнитный диод

doi: 10.1103 / PhysRevApplied.14.024047 URL: https: //doi.org/10.1103/PhysRevApplied.14.024047

uuid: 65c207b4-464e-40e4-a03e-ef42c4a29a54uuid: 2dd12d56-4cf1-487a-88ad-11385219b71afalsedoi: 10.1103 / PhysRevApplied.14.0240472020-08-18

journals.aps.org

false2020-08-1810.1103 / PhysRevApplied.14.024047

journals.aps.org

журнал © Американское физическое общество, 2018 10.1103 / PhysRevApplied.14.0240472331-70191Physical Review Applied1 https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.14.02404710 © Американское физическое общество, 2018 конечный поток эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > эндобдж 18 0 объект > эндобдж 19 0 объект > эндобдж 20 0 объект > эндобдж 21 0 объект > эндобдж 22 0 объект > эндобдж 23 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageC / ImageB / ImageI] >> эндобдж 24 0 объект > транслировать x ڝ XɎ6 + 周 0 | } r + 49Ed ‘(ز% | $) O _’; S) 22] /] |>}; 92sjzr) o; + N54Go21iͫ «Ns.F-B {| l «гП / lIKy ܛ Ba3L! y4: CFǪ8 {# s ӑ mwWzB «% I [*? Pύz $ Z1b YKDy25 iez / YIe $ čtOgiέ9EE @ «XRL & AU0 * E ڟ c} OhbP {» QA «d cuw ٵ) @ 8 n ۾ 7 uQ7YI # t4∑Kf1,` ko

Высокоэффективные светодиоды на основе дихалькогенидов переходных металлов: от архитектуры до производительность

Дихалькогениды переходных металлов (TMDC) со слоистой структурой и превосходными оптоэлектронными свойствами стали горячей точкой для светодиодов. Однако светоизлучающая эффективность светодиодов TMDC все еще низкая из-за ограничения большого размера чешуек TMDC и неэффективной архитектуры устройства.Прежде всего, для разработки высокоэффективных и надежных многослойных светодиодов TMDC необходима модуляция электронных свойств TMDC и гетероструктур TMDC. Чтобы создать эффективные светодиоды TMDC с выдающимися характеристиками, необходимо глубокое понимание механизма работы. Помимо обычных структур, индуцированный электрическим (или ионной жидкостью) p – n-переходом TMDC является полезной конфигурацией для многофункциональных светодиодных приложений. Значительные характеристики контрастируют по четырем аспектам цвета, полярности и внешней квантовой эффективности.Цвет света от инфракрасного до видимого света может быть получен от светодиодов TMDC путем целенаправленного и избирательного построения архитектуры. На сегодняшний день максимум внешней квантовой эффективности, достигаемой светодиодами TMDC, составляет 12%. В зависимости от требований к производительности, материал и конфигурация наноустройства могут быть выбраны в соответствии с этим обзором. Более того, новые электролюминесцентные устройства, включающие однофотонные излучатели и альтернативные импульсные излучатели света, могут расширить область их применения.В этом обзоре мы представляем обзор важных исследований, которые предоставили множество подробной информации об устройствах электролюминесценции TMDC на молекулярном уровне.

Эта статья в открытом доступе

Подождите, пока мы загрузим ваш контент… Что-то пошло не так. Попробуйте снова?

диод% 20 кд% 20610 техническое описание и примечания по применению

fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a
перекрестная ссылка диода Аннотация: перекрестная ссылка на диод Шоттки MV3110 AH513 AH512 AH761 Диод Ганна Ah470 импатт-диод DMK-6606 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	MA40401 MA40402 MA40404 MA40405 MA40406 MA40408 перекрестная ссылка диода перекрестная ссылка на диод Шоттки MV3110 AH513 AH512 AH761 Диод Ганна Ач470 импат-диод DMK-6606
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B
Антенна GPS AT65 Резюме: MA4EX580L1-1225T MA4ST1081CK-287 ELDC-17LITR MA4ST1081 MA4P789ST-287T etc1-1-13tr MAALSS0042 MAAVSS0007 MADRCC0013 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	AM50-0002 AM50-0003 AM50-0004 AM50-0006 AT10-0009 AT10-0017 AT10-0019 AT-108 АТ-110-2 AT-113 Антенна GPS AT65 MA4EX580L1-1225T MA4ST1081CK-287 ELDC-17LITR MA4ST1081 MA4P789ST-287T etc1-1-13tr MAALSS0042 MAAVSS0007 MADRCC0013
диод Аннотация: стабилитрон 1N4148 «высокочастотный диод» стабилитрон A 36 кодовый диод 1n4148 стабилитрон диод Шоттки стабилитрон частотный высокочастотный диод 8889 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	1N4148 1N4148W 1N4150 1N4150W 1N914 1N4151 1N4151W 1N4448 1N4448W 1N4731 диод стабилитрон диодный 1Н4148 «высокочастотный диод» стабилитрон A 36 коде диод 1n4148 стабилитрон Диод Шоттки Частота стабилитрона высокочастотный диод 8889
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287
2001 — диод РУ 3АМ Аннотация: диод RU 4B RG-2A Диод MN638S диод RU 4AM FMM-32 SPF0001 красный зеленый зеленый стабилитрон sta464c Diode RJ 4B Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343
1N4007 ЗЕНЕР ДИОД Аннотация: диод A14A диод st4 diac diode a15a стабилитрон db3 стабилитрон 1n4744 диод стабилитрон 1n4002 стабилитрон 5A стабилитрон 400в Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 1N5400 1N5401 1N5402 1N4007 ЗЕНЕР ДИОД диод A14A диод st4 diac диод a15a стабилитрон db3 стабилитрон 1n4744 стабилитрон диодный 1н4002 стабилитрон 5А стабилитрон 400 в
кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751

2012 — SR506 Диод Аннотация: диод 6А 1000в SM4007 Diode Diode SR360 diode her307 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SMD4001-4007) SR560 DO-27 UF4004 DO-41 UF4007 10A10 LL4148 FR101-FR107 SR506 Диод диод 6А 1000в SM4007 Диод Диод SR360 диод her307
2006 — термодиод Аннотация: Тепловой диод PowerPC970MP CY8C27243 PPC970MP PowerPC970MPTM PowerPC970MP PowerPC 970 PowerPC-970mp Использование тепловых диодов в процессоре PowerPC 970MP Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	PowerPC970MP® 64-битный PowerPC970MPTM 970 МП) 970 МП термодиод Тепловой диод PowerPC970MP CY8C27243 PPC970MP PowerPC970MPTM PowerPC970MP PowerPC 970 PowerPC-970mp Использование тепловых диодов в процессоре PowerPC 970MP
OZ Optics Волоконно-оптическое покрытие AR-покрытие Аннотация: Лазерный диод 1550нм 1300нм 1550нм лазерный диод Радиальный sma ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО LDC-21A ЛАЗЕРНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ РАССТОЯНИЯ лазерный соединитель SMA 905 размеры волокна линза лазерный диод НАКЛОН ВРАЩАТЕЛЬ Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	-40 дБ OZ Optics Fiber пигтейл AR покрытие Лазерный диод 1550нм 1300нм Лазерный диод 1550 нм Радиальное sma ОПТИЧЕСКОЕ ВОЛОКНО LDC-21A ЛАЗЕРНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ РАССТОЯНИЯ лазерный соединитель Размеры волокна SMA 905 линза лазерный диод НАКЛОН ВРАТОРА
Германиевый диод Аннотация: 5-амперные диодные выпрямители Germanium Diode OA91 aa117 diode 2 Amp rectifier diode diode 2 Amp zener diode DIODE 1N649 germanium rectifier diode OA95 diode Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	1N34A 1Н38А 1N60A 1N100A 1N270 1N276 1N277 1N456 1N459 1N456A Германиевый диод Диодные выпрямители на 5 ампер Германиевый диод OA91 aa117 диод Выпрямительный диод на 2 А диод 2-амперный стабилитрон ДИОД 1Н649 германиевый выпрямительный диод Диод OA95
диод Шоттки 60V 5A Аннотация: Высокоскоростной диод 30A Диод Шоттки 20V 5A Диод Шоттки высокого обратного напряжения маркировка код 1A диод Schottky Diode 40V 2A диод Шоттки код 10 Барьер Шоттки 3A БАРЬЕРНЫЙ ДИОД ШОТТКИ ERG81-004 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	5 В / 10 А) 500нс, диод шоттки 60V 5A 30А быстродействующий диод Диод Шоттки 20V 5A Диод Шоттки, высокое обратное напряжение код маркировки 1А диод Диод Шоттки 40V 2A диод шоттки код 10 Барьер Шоттки 3A БАРЬЕРНЫЙ ДИОД ШОТТКИ ERG81-004
Диод Ганна Аннотация: Кремниевый СВЧ-детектор Диод DW9248 СВЧ-волновод Кремниевый детектор Маркони Ганна УВЧ диод варактор диодный фильтр варактор Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	DA1304 DA1307 DA1321 DA1321-1 DA1338 DA1338-1 DA1338-2 DA1338-3 DA1349-2 DA1349-4 Диод Ганна Кремниевый детекторный диод СВЧ DW9248 СВЧ волновод Маркони Гунн Кремниевый детектор УВЧ диод варакторный диодный фильтр варактор
pm2222a Аннотация: BCB47B SOD80C PHILIPS BF960 PMBTA64 1N4148 SOD80C PXTA14 BCB47BW pzt222a BF606A Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	BA582 OD123 BA482 BA682 BA683 BA483 BAL74 BAW62, 1N4148 pm2222a BCB47B SOD80C ФИЛИПС BF960 PMBTA64 1N4148 SOD80C PXTA14 BCB47BW pzt222a BF606A
схемы сварки Реферат: многопереходный «солнечный элемент» EMCORE CIC Emcore солнечный дуговой реактор солнечного элемента Многопереходный диодный элемент Шоттки «солнечный элемент» Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2009-2850КТ Абстракция: 2850MT 1200 RTV 2850FT RTV-615 1N6515 1N5550 диод из литого эпоксидного герметика с piv 40v Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	1N6515 1N5550 2850КТ 2850МТ 1200 RTV 2850 футов РТВ-615 1N6515 1N5550 шотландская эпоксидная смола заливочный материал диод с шипом 40в
1998 — стабилитрон 3в 400 мВт Аннотация: транзистор bc548b BC107 транзистор транзистор bc108 bc547 схема перекрестных ссылок Транзистор BC109 DIAC OB3 DIAC Br100 74HCT Спецификация семейства IC TRANSISTOR mosfet BF998 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	DS750 87C750 80C51 PZ3032-12A44 БУК101-50ГС BUW12AF BU2520AF 16 кГц BY328 Стабилитрон 3в 400мВт транзистор bc548b BC107 транзистор ТРАНЗИСТОР BC108 bc547 таблица перекрестных ссылок Транзистор BC109 DIAC OB3 DIAC Br100 Спецификация семейства 74HCT IC ТРАНЗИСТОР MOSFET BF998
Фазовращатель УВЧ Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF

Оценка характеристик диодов для полностью вертикального β-Ga2O3 на кремниевой (100) подложке

Журнал материаловедения: материалы в электронике (2020) 31: 13845–13856

https: // doi.org / 10.1007 / s10854-020-03944-0

Оценка характеристик диода для полностью вертикального β-Ga2O3 на кремнии

(100) подложка

ManojK.Yadav1 · SatinderK.Sharma1  · AnkushBag1

Получено: 9 апреля 2020 г. / Принято: 6 июля 2020 г. / Опубликовано онлайн: 18 июля 2020 г.

Аннотация

В этой статье Пленка β-Ga2O3 была нанесена на подложку p-Si (100) с использованием метода импульсного лазерного осаждения (PLD)

для быстро развивающихся диодов с барьером Шоттки (SBD) на основе Ga2O3.Хотя результат дифракции рентгеновских лучей (XRD) выявляет поликристаллическую плёнку

с трендом, гладкая и однородная поверхность после выращивания была охарактеризована с помощью атомно-силового микроскопа

(AFM) и сканирующего электронного микроскопа с полевой эмиссией (FESEM). Кроме того, мы исследовали поведение контакта металл-полупроводник

(M – S) полностью вертикальных SBD с четырьмя различными металлами, такими как алюминий (Al), серебро (Ag), золото

(Au) и платина (Pt). ) на Ga2O3 после формирования омических контактов на тыльной стороне подложки Si.Высота барьера

для всех четырех металлов обычно находится в диапазоне 0,51–0,69 эВ и 0,72–1,41 эВ, как получено из вольт-амперных (ВАХ) и

вольт-фарадных (C – V) характеристик. , соответственно. Концентрация носителей составляет ~ 1016см-3, как рассчитано с использованием характеристик C – V

. Также получены показатели силового устройства, а именно напряжение пробоя (VBR) 19, 26, 90 и 99 мкВ и сопротивление в открытом состоянии —

(RON) значения ~ 19,82, 149,19, 7,45 и 156,25 Ом см2. для диодов Al / Ga2O3, Ag / Ga2O3, Au / Ga2O3 и Pt /

Ga2O3 соответственно.Показатель качества Балиги (V2BR / RON) для диода Au / Ga2O3 оказался наивысшим

(90,73Вт / см2). Поскольку SBD изготавливаются на гетеропереходе n-Ga2O3 / p-Si, ожидается, что в структуре устройства будут два встречных диода

. Однако отсутствие встречных диодов подтверждается характеристиками зависимости I – V

от температуры из-за возможного туннелирования Пула – Френкеля (P – F) на гетеропереходе Ga2O3 / Si.

1 Введение

Хотя оксид галлия (Ga2O3) был открыт

Lecoq De Boisbaudran в конце 1875 года [1], в последнее время он

стал эффективным полупроводниковым соединением

в области энергетики. устройств из-за его превосходных свойств материала.Поскольку он имеет сверхширокую запрещенную зону в

в диапазоне (4,4–4,9 эВ) [2–5], он имеет потенциал приостановить очень высокое электрическое поле пробоя около 8 МВ / см

[ 6–8], что более чем вдвое больше, чем у GaN (3,3 МВ / см) [9]

и SiC (2,5 МВ / см) [10]. Следовательно, Ga2O3 имеет большой показатель качества

Балиги (BFOM), который является еще одним фундаментальным параметром

для обоснования пригодности конкретного полупроводника

для приложений большой мощности [11].BFOM

для Ga2O3 более чем в четыре раза превышает показатель GaN и SiC, поскольку этот FOM

пропорционален кубу электрического поля пробоя

и линейен по отношению к подвижности полупроводника.

Обычно Ga2O3 может образовывать несколько различных полиморфов

, обозначенных как α, β, γ, δ, ε [1]. Форма β-Ga2O3 является наиболее распространенной и хорошо изученной [11]. Это единственный стабильный поли-

, который трансформируется во всем температурном диапазоне до точки плавления

(1900 ℃), в то время как другие полиморфы являются метастабильными и

превращаются в β-Ga2O3 при температурах выше 750–900

℃ [ 12].

В последние несколько лет наблюдается быстрый прогресс в улучшении производительности

устройств питания на основе Ga2O3

[11]. Как правило, в качестве подложка для роста пленки Ga2O3 для

устройств. Higashiwaki etal. [18] сообщили о разработке силовых устройств на основе Ga2O3, в которых Pt / Ti / Au и Ti / Au

были использованы для формирования контактов Шоттки и омических контактов, соответственно,

на пленке Ga2O3.Yao etal. [19] нанесли

различных металлов на подложку β-Ga2O3 для анализа электрического поведения диодов с барьером Шоттки (SBD). Farzana

etal. [20] также исследовали поведение различных металлов на

подложке β-Ga2O3 и влияние выбора металла на различные свойства SBD. Для мешка Pt /

* Ankush Bag

сообщалось о пробивных напряжениях около 90 V

и 150 V при комнатной температуре[email protected]

1 Школа вычислительной техники и электротехники, Индия

Технологический институт Манди, Манди, Г. П. 175005, Индия

Содержание предоставлено Springer Nature, применяются условия использования. Права защищены.

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности. Если ваш браузер не принимает файлы cookie, вы не можете просматривать этот сайт.

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Существует множество причин, по которым cookie не может быть установлен правильно.Ниже приведены наиболее частые причины:

В вашем браузере отключены файлы cookie. Вам необходимо сбросить настройки своего браузера, чтобы он принимал файлы cookie, или чтобы спросить вас, хотите ли вы принимать файлы cookie.
Ваш браузер спрашивает вас, хотите ли вы принимать файлы cookie, и вы отказались. Чтобы принять файлы cookie с этого сайта, нажмите кнопку «Назад» и примите файлы cookie.
Ваш браузер не поддерживает файлы cookie. Если вы подозреваете это, попробуйте другой браузер.
Дата на вашем компьютере в прошлом.Если часы вашего компьютера показывают дату до 1 января 1970 г., браузер автоматически забудет файл cookie. Чтобы исправить это, установите правильное время и дату на своем компьютере.
Вы установили приложение, которое отслеживает или блокирует установку файлов cookie. Вы должны отключить приложение при входе в систему или проконсультироваться с системным администратором.

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Этот сайт использует файлы cookie для повышения производительности, запоминая, что вы вошли в систему, когда переходите со страницы на страницу.Чтобы предоставить доступ без файлов cookie потребует, чтобы сайт создавал новый сеанс для каждой посещаемой страницы, что замедляет работу системы до неприемлемого уровня.

Что сохраняется в файле cookie?

Этот сайт не хранит ничего, кроме автоматически сгенерированного идентификатора сеанса в cookie; никакая другая информация не фиксируется.

Как правило, в файлах cookie может храниться только информация, которую вы предоставляете, или выбор, который вы делаете при посещении веб-сайта.Например, сайт не может определить ваше имя электронной почты, пока вы не введете его. Разрешение веб-сайту создавать файлы cookie не дает этому или любому другому сайту доступа к остальной части вашего компьютера, и только сайт, который создал файл cookie, может его прочитать.

Диод Кд коды ТН ВЭД (2020): 9405109808, 8536309000, 8541100009

Диод коды ТН ВЭД (2020): 8541100009, 8541401000, 8531202009

О корпоративном действии «Годовое общее собрание акционеров» с ценными бумагами эмитента ПАО «ДИОД» :: Новости :: Депозитарий :: Акционерное общество Актив

О корпоративном действии «Годовое общее собрание акционеров» с ценными бумагами эмитента ПАО «ДИОД»

Повестка

Код ТН ВЭД 8541100009. Прочие диоды, кроме фотодиодов или светоизлучающих диодов (LED). Товарная номенклатура внешнеэкономической деятельности ЕАЭС

ДЕТАЛЕЙ КОД ЦВЕТНОЙ: ДИОДЫ | МОДЕЛИСТ-КОНСТРУКТОР

Рекомендуем почитать

Каталог продукции — Полупроводниковые приборы, микросхемы, радиолампы — Диоды — Диоды выпрямительные

Безопасный краситель заставил светиться ярче светодиоды с характеристиками свечей

Читайте нас:

Текущие тенденции и будущие направления — Houston Methodist Scholars

Оценка эффективности использования диодного лазера для уменьшения объема отечной ткани десны после каузальной терапии

Клаудиа Тарга

Барбара Сальвиато

Abstract

1. Введение

2. Материалы и методы

2.1. Состав образца

2.2. Критерии включения

2.3. Процедура

2.4. Статистический анализ

2,5. Обработка собранных данных

3. Результаты

Таблица 1

Таблица 2

4. Обсуждение

5. Выводы

Вклад авторов

Финансирование

Конфликт интересов

Ссылки

Высокоэффективные светодиоды на основе дихалькогенидов переходных металлов: от архитектуры до производительность

диод% 20 кд% 20610 техническое описание и примечания по применению

fgt313

перекрестная ссылка диода

2002 — SE012

Антенна GPS AT65

диод

KIA78 * pI

CTX12S

2SC5586

2001 — диод РУ 3АМ

Варистор RU

fn651

1N4007 ЗЕНЕР ДИОД

кб * 9Д5Н20П

Q2N4401

2012 — SR506 Диод

2006 — термодиод

OZ Optics Волоконно-оптическое покрытие AR-покрытие

Германиевый диод

диод Шоттки 60V 5A

Диод Ганна

pm2222a

схемы сварки

2009-2850КТ

1998 — стабилитрон 3в 400 мВт

Фазовращатель УВЧ

Оценка характеристик диодов для полностью вертикального β-Ga2O3 на кремниевой (100) подложке

Произошла ошибка при настройке пользовательского файла cookie

Настройка вашего браузера для приема файлов cookie

Почему этому сайту требуются файлы cookie?

Что сохраняется в файле cookie?

Оставить комментарийОтменить комментарий