Корпуса транзисторов: Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров

Содержание

Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров

Корпус — это часть конструкции полупроводникового прибора, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями!

Ниже представлены наиболее распространенные серии корпусов импортных транзисторов и тиристоров.
Для просмотра чертежей корпусов транзисторов и тиристоров кликните на соответствующую типу корпуса картинку.

ADD-A-PAK	DIP4	ITO-220	MT-200	S6D
SC72	SC95	SC96	SOIC8	SOT23
SOT25	SOT32	SOT89	SOT343	SOT883
TO3	TO5	TO7	TO8	TO92
TO126	TO220-5	TO220FP	TO220I	TO-3P(H)IS
TO-3PFA	TO-3PFM	TO-3PH	TO-3PI	TO-3PL
TO-3PML	TO-66	TO-202	TO-247	TO-263
TO-267

повышение удельной мощности силовых устройств с новыми МОП-транзисторами Infineon

25 мая 2018

Тепловые характеристики новых 650-вольтовых МОП-транзисторов IPT65R033G7

и IPT60R028G7 производства Infineon в корпусах TOLL с габаритными размерами 10,10×11,88×2,4 мм позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад ККМ с жесткой коммутацией на мощность до 3 кВт в варианте SMD.

Одним из требований, предъявляемых к силовым преобразователям с жесткой коммутацией, например, корректорам коэффициента мощности (ККМ) компьютерных серверов и телекоммуникационных систем, источникам бесперебойного питания (ИБП) и инверторам солнечных батарей, является постоянный рост удельной мощности. Увеличение мощности силовых устройств при прежних габаритах диктует разработчикам необходимость поиска путей реализации высокочастотных преобразовательных схем с повышенным КПД и пониженным тепловыделением.

Тепловой режим силовых полупроводниковых приборов, в частности – МОП-транзисторов, является основным фактором, ограничивающим возможность использования компонентов поверхностного монтажа (SMD) вместо традиционных штыревых приборов. Однако в настоящее время полупроводниковая технология Super Junction (SJ) в сочетании с усовершенствованными корпусами SMD дает возможность применения МОП-транзисторов, выполненных в корпусах SMD, в силовых преобразовательных устройствах средней и большой мощности.

В современном мире происходит истощение природных ресурсов, вследствие чего наблюдается рост стоимости недвижимости и энергоносителей. Эти два фактора оказывают огромное влияние на мировую инфраструктуру. Эксперты прогнозируют устойчивую тенденцию роста удельной мощности силовых устройств, вследствие чего технологии каждого нового поколения будут обеспечивать большую мощность в меньшем объеме. Например, в современных серверах увеличение мощности происходит при сохранении малых рабочих напряжений, что приводит к значительному росту потребляемых токов. В свою очередь большие токи требуют увеличения площади сечения медных проводников для минимизации потерь энергии. При взгляде на современные информационные центры становится понятной необходимость роста удельной мощности – рабочее пространство стоит дорого, вследствие чего бизнес стремится получить максимум прибыли с единицы площади. Достигнутая в 2006 г. мощность 6 кВт на одну стойку питания к концу текущего десятилетия увеличится, по прогнозам, почти втрое, что предъявляет все более серьезные требования к системам электропитания.

Большую роль в решении данной проблемы играет повышение энергоэффективности. Если источник питания не вырабатывает избыточного тепла, задача отвода избыточной тепловой энергии отсутствует. Высокая энергоэффективность означает, что конечный потребитель получает больше «полезной» энергии, то есть снижаются затраты энергии на выполнение вычислительных операций, работу систем связи или преобразование солнечной энергии. Более плотная компоновка серверов позволяет уменьшить расходы на аренду недвижимости, а уменьшение тепловыделения снижает требования к системе охлаждения, что в конечном итоге также приводит к уменьшению требуемого рабочего пространства и снижает затраты на электроэнергию.

Несмотря на то, что электронная промышленность достаточно давно перешла на технологию поверхностного монтажа, силовые п/п-приборы, в том числе – усовершенствованные, последнего поколения, по-прежнему выпускаются в корпусах со штыревыми выводами. Наиболее распространенные типы таких корпусов, – TO-220 и TO-247, – обеспечивают наилучший тепловой режим, однако требуют дополнительных производственных операций, увеличивающих стоимость изделия.

Кроме того, как будет показано далее, выводы корпусов являются фактором, ограничивающим эксплуатационные характеристики размещенных в них МОП-транзисторов.

МОП-транзисторы Super Junction серии C7 Gold

Хорошо зарекомендовавшая себя технология CoolMOS^TM компании Infineon Technologies прошла длительный путь развития, начиная с внедрения в 1999 г. новой структуры стока МОП-транзисторов (рисунок 1). Данный техпроцесс поддерживает высокие стандарты качества, что можно проиллюстрировать следующим фактом – на 1,6 миллиарда выпущенных изделий CoolMOS

TM было зарегистрировано всего 38 отказов.

Рис. 1. Сравнительный вид п/п-структур планарного высоковольтного МОП-транзистора (слева) и МОП-транзистора, выполненного по технологии SJ (справа)

МОП-транзисторы, изготовленные по технологии Super Junction, имеют два существенных отличия от планарных высоковольтных МОП-транзисторов. Первое из них заключается в меньшем сопротивлении в открытом состоянии RDS(ON), что достигается более сильным легированием области протекания тока.

Однако без вертикальных областей с проводимостью p-типа, образующих структуру компенсации заряда в области ниже ячейки, рабочее напряжение транзистора будет значительно меньше из-за сильно легированной области n-типа. Вертикальные области p-типа с точно заданными размерами создают компенсационную структуру, которая уравновешивает сильнолегированную область протекания тока. В результате достигается нулевое среднее значение зоны пространственного заряда, обеспечивая тем самым высокое рабочее напряжение «сток-сток».

Данная конструкция транзистора позволила уменьшить удельное сопротивление канала, что привело к снижению потерь проводимости. Благодаря сопутствующему положительному эффекту в виде уменьшения площади кристалла произошло уменьшение паразитных емкостей и динамических потерь, что позволило преодолеть предельную линию кремния. Уже в первом поколении транзисторов CoolMOS™ Серии CP были снижены все виды потерь.

Дальнейшее развитие технологии МОП-транзисторов привело к созданию серии C7 с уменьшенными значениями паразитных емкостей и достигнутым впервые в мире удельным сопротивлением R_(ON) × A < 1 Ом×мм². Потери на выключение МОП-транзисторов серии C7 были уменьшены на 50% по сравнению с МОП-транзисторами предыдущего поколения

CP. В серии МОП-транзисторов C7 Gold (G7) технология CoolMOS^TM получила дальнейшее усовершенствование, в результате чего потери на выключение были дополнительно уменьшены на 25%. МОП-транзисторы C7 Gold (G7) обладают лучшими в своем классе показателями качества в терминах R_DS(ON) × EOSS’ и R_DS(ON) × Qg, что обеспечивает максимальный КПД в топологиях с жесткой коммутацией, например, ККМ.

Безвыводный корпус TOLL

В силовых каскадах ККМ средней и большой мощности часто используются приборы в корпусах со штыревыми выводами. По мере развития электронной промышленности разработчики корпусов также внедрили ряд инноваций: например, замена корпуса TO-247 на TO-220 позволила уменьшить площадь посадочного места на 50%. Однако даже такие корпуса SMD как D

2PAK имеют выводы, несмотря на то, что припаиваются также по технологии поверхностного монтажа.

Наличие выводов у выводных корпусов требует отдельного техпроцесса пайки волной припоя или, в худшем случае, ручной пайки. Однако проблема не только в этом – выводы обладают паразитной индуктивностью, которая уменьшает скорость изменения управляющего напряжения, вследствие чего снижается КПД силового каскада.

Для решения данной проблемы компания Infineon разработала безвыводный корпус TOLL (TO-Leadless), преимущества которого показаны на рисунке 2 и в таблице 1.

Рис. 2. Сравнение габаритных и установочных размеров различных типов корпусов

Таблица 1. Сравнение МОП-транзисторов Infineon C7 и G7, выполненных в различных типах корпусов, по максимальному R_DS(ON) и паразитной индуктивности выводов

На рисунке 3 показано детальное сравнение габаритных размеров корпуса TOLL с одним из распространенных типов корпусов SMD – D²PAK. В корпусе TOLL полностью отсутствуют выводы, унаследованные традиционными корпусами SMD от их штыревых прототипов, благодаря чему паразитная индуктивность контактов корпуса снижена с 5 до 1 нГн. Кроме того, корпус TOLL занимает на 60% меньший объем по сравнению с D²PAK.

Рис. 3. Сравнение корпусов TO-Leadless (TOLL) и D²PAK

Новый тип корпуса TOLL выполнен по бессвинцовой технологии и обладает минимальной чувствительностью к влажности (класс MSL1), что упрощает производственные процессы по его монтажу. Пайка корпусов TOLL может осуществляться либо волной, либо оплавлением припоя, что обеспечивает большую гибкость в выборе технологических процессов. Особенностью корпуса TOLL является наличие трапециевидных канавок на внешней стороне контактов. В процессе пайки канавки заполняются припоем, что позволяет контролировать соединение контактов с печатной платой оптическими средствами, обеспечивая тем самым высокое качество конечной продукции.

МОП-транзисторы CoolMOS

^TM C7 Gold с рабочим напряжением 600 и 650 В в корпусе TOLL

IPT65R033G7 и IPT60R028G7 представляют собой первые серийно производимые МОП-транзисторы, сочетающие в себе преимущества технологии CoolMOSTM C7 GOLD (G7) и нового корпуса TOLL, что позволяет разработчикам использовать их в силовых преобразовательных устройствах нового поколения.

МОП-транзистор в корпусе TOLL может быть включен по типовой трехвыводной схеме либо с подключением дополнительного вывода истока (Кельвиновское соединение). Несмотря на значительно меньшую паразитную индуктивность истока (1 нГн) дополнительный вывод истока, используемый в качестве общей цепи драйвера затвора, позволяет исключить падение напряжения на паразитной индуктивности. Данная особенность корпуса TOLL обеспечивает работу преобразователя с максимальным КПД, в том числе – при максимальном токе нагрузки.

По сравнению с ближайшими аналогами IPT65R033G7 и IPT60R028G7 имеют наименьшее сопротивление в открытом состоянии – соответственно, 33 и 28 мОм максимум, что в сочетании с типовым значением заряда затвора Qg = 110 нКл и Eoss = 13,5 мкДж при напряжении 400 В демонстрирует лучший показатель качества для 650-вольтовых МОП-транзисторов.

IPT65R033G7 и IPT60R028G7 в корпусе TOLL имеют габаритные размеры 10,10×11,88×2,4 мм. Безвыводное соединение кристалла в корпусе SMD обеспечивает типичное значение теплового сопротивления «кристалл-окружающая среда» RthJA = 35°C/Вт. Данные тепловые характеристики позволили впервые в отрасли реализовать силовой каскад ККМ с жесткой коммутацией на мощность до 3 кВт в варианте SMD. В то время как применение 650-вольтовых МОП-транзисторов C7 Gold (G7) ограничено силовыми каскадами с жесткой коммутацией, 600-вольтовая версия может использоваться также в резонансных топологиях, например, LLC.

Преимущества технологии C7 Gold (G7) при использовании МОП-транзисторов в современных силовых преобразовательных устройствах показаны на рисунках 4 и 5. На рисунке 4 показано, что прирост КПД достигнут за счет меньшего сопротивления R_DS(ON) и использования четырехвыводной схемы с Кельвиновским соединением вывода истока. Рисунок 5 иллюстрирует снижение температуры МОП-транзистора, достигнутое за счет внедрения технологии C7 Gold и четырехвыводной схемы с Кельвиновским соединением вывода истока.

Рис. 4. Увеличение КПД МОП-транзистора в корпусе TOLL по сравнению с выводным корпусом TO-247

Рис. 5. Снижение температуры МОП-транзистора

Заключение

Основным преимуществом технологии C7 Gold является малая величина удельного сопротивления канала R_(ON) × A < 1 Ом×мм², что позволило достичь малых значений R_DS(ON) – 33 мОм для 650-вольтового и 28 мОм для 600-вольтового транзисторов. Помимо этого, на повышение КПД силовых каскадов влияют также улучшенные показатели R_DS(ON) × EOSS и R_DS(ON) × Qg и, как следствие, меньшее тепловыделение.

Дальнейшее увеличение КПД достигнуто за счет применения корпуса TOLL с минимальной индуктивностью истока (1 нГн) и четырехвыводной схемой с Кельвиновским соединением вывода истока. Корпус TOLL сочетает малую площадь посадочного места (115 мм²) и улучшенное тепловое сопротивление (RthJA = 35°C/Вт), что позволяет разработчикам реализовать импульсные источники питания мощностью до 3 кВт на основе МОП-транзисторов в корпусах SMD.

Благодаря автоматизации технологических процессов использование новых типов МОП-транзисторов в серверах, телекоммуникационном оборудовании и инверторах солнечных батарей позволяет повысить удельную мощность и снизить стоимость изделий.

Высокое качество корпуса TOLL (класс MSL1) и его совместимость с технологиями пайки волной и оплавлением припоя обеспечивают изделиям длительный срок эксплуатации. Корпус TOLL сертифицирован для промышленных применений в соответствии со стандартами JEDEC (J-STD20 и JESD22) и в дальнейшем будет использован для корпусирования п/п-приборов, изготавливаемых по другим технологиям, в частности – линейки CoolGaN производства компании Infineon.

•••

Наши информационные каналы

Силовые транзисторы STMicroelectronics в корпусе TO-220 FullPAK с увеличенным расстоянием для путей утечки

4 Авг 2017

Компания STMicroelectronics представила новые силовые транзисторы в корпусе TO-220 FullPAK (TO-220FP) с увеличенным расстоянием для путей утечки.

Корпус TO-220FP wide creepage идеален для силовых транзисторов бескорпусных источников питания, которые подвержены опасности загрязнения внутренних поверхностей пылью и другими частицами, способных привести к возникновению высоковольтной дуги между выводами транзистора. Новый корпус увеличивает расстояние между выводами до 4.25мм и устраняет необходимость в специальной заливке, формовке выводов или герметизации – операциях применяемых для стандартных корпусов транзисторов с расстоянием между выводами 2,54 мм для предотвращения высоковольтной дуги. Производители источников питания теперь смогут минимизировать отказы своей продукции в эксплуатации и достигнуть высоких стандартов безопасности своих изделий без этих дополнительных операций. Это упрощает производство и повышает производительность.

Корпус TO-220FP wide creepage сохраняет электрические свойства популярного корпуса TO-220FP. Более того, сходные габаритные размеры облегчают модернизацию серийных изделий и обеспечивают совместимость с устоявшимися процессами сборки.

Новый корпус с широким расположением выводов был разработан в сотрудничестве с компанией SoluM – одного из корейских лидеров в производстве источников питания. SoluM использует возможности этого корпуса для создания новых решений, более надежных и менее дорогих чем у конкурентов.

ST наращивает объемы выпуска транзисторов в новом корпусе, покрывая возникший на них немалый спрос. Номенклатура этой линейки включает в себя четыре полностью квалифицированных 600В low-R_DS₍_ON₎ MDmesh™ M2 MOSFET транзистора с номинальными токами от 8 до 34 А. Транзисторы на 1500В STFh22N150K5 и 1200В STFh22N120K5 MDmesh K5, завершат квалификацию к концу Q3 2016.

По вопросам применения, заказов образцов и приобретения обращайтесь к специалистам департамента Активных компонентов.

Параметры и корпуса биполярных транзисторов

Добавлено 16 февраля 2018 в 07:56

Сохранить или поделиться

Как и все электрические и электронные компоненты, транзисторы имеют ограничения по напряжению и току, при которых они могут работать без повреждений. Поскольку транзисторы более сложны, чем некоторые другие компоненты, они, как правило, имеют больше видов параметров. Ниже приведено подробное описание некоторых типовых параметров транзисторов.

Рассеиваемая мощность: когда транзистор проводит ток между коллектором и эмиттером, между этими двумя выводами на нем также падает и напряжение. В любой момент времени мощность, рассеиваемая транзистором, равна произведению тока коллектора и напряжения коллектор-эмиттер. Как и резисторы, транзисторы рассчитаны на то, сколько ватт каждый из них может рассеивать спокойно, не получая при этом повреждений. Высокая температура – смертельный враг всех полупроводниковых приборов, а биполярные транзисторы, как правило, более подвержены термическому повреждению, чем большинство из них. Значения мощности всегда связаны с температурой окружающей среды. Когда транзисторы должны использоваться в более жарких условиях (>25°C), значения рассеиваемой ими мощности должны быть уменьшены, чтобы избежать сокращения срока службы.

Обратные напряжения: как и диоды, биполярные транзисторы рассчитаны на максимально допустимые напряжения обратного смещения на их PN переходах. Эти параметры включают в себя значения напряжений для перехода эмиттер-база V_ЭБ, для перехода коллектор-база V_КБ, а также напряжение между коллектором и эмиттером V_КЭ.

V_ЭБ, максимальное обратное напряжение между эмиттером и базой, для некоторых слаботочных транзисторов составляет примерно 7 В. Некоторые разработчики схем используют дискретные биполярные транзисторы в качестве стабилизировано на 7 В последовательно с токоограничивающим резистором. Транзисторные входы аналоговых интегральных микросхем также имеют параметр V_ЭБ, если превышение которого приведет к повреждению, если использование стабилитронов на входах недопустимо.

Параметр максимального напряжения коллектор-эмиттер V_КЭ может считаться максимальным напряжением, которое транзистор может выдержать в режиме полной отсечки (ток базы равен нулю). Этот параметр имеет особое значение при использовании биполярного транзистора в качестве ключа. Типовое значение для слаботочного транзистора составляет от 60 до 80 В. Для силовых транзисторов этот параметр может составлять до 1000 В, например, у транзистора горизонтального отклонения в дисплее на электронно-лучевой трубке.

Ток коллектора: Максимальное значение тока коллектора I_К, указываемое производителем в амперах. Типовые значения для слаботочных транзисторов составляют от 10 до 100 мА, для силовых транзисторов – десятки ампер. Имейте в виду, что это максимальное число предполагает состояние насыщения (минимальное падение напряжения между коллектором и эмиттером). Если транзистор не находится в режиме насыщения, и между коллектором и эмиттером падает существенное напряжение, то значение максимальной рассеиваемой мощности будет превышено до достижения максимального значения тока коллектора. Это просто нужно иметь в виду при разработке транзисторных схем!

Напряжения насыщения: В идеале транзистор в режиме насыщения действует как замкнутый ключ с контактами на коллекторе и эмиттере, при этом падение напряжения между коллектором и эмиттером равно нулю при максимальном токе коллектора. В реальности этого никогда не бывает. Производители указывают максимальное падение напряжения на транзисторе в режиме насыщения и между коллектором и эмиттером, и между базой и эмиттером (прямое падение напряжения на этом PN переходе). Напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения, как правило, составляет 0,3 вольта или менее, но это значение, конечно, зависит от конкретного типа транзисторов. Низковольтные транзисторы (с низким V_КЭ) показывают более низкие напряжения насыщения. Напряжение насыщения также снижается при увеличении тока базы.

Прямое падение напряжения база-эмиттер, V_БЭ, совпадает с аналогичным параметром у диода, ≅ 0,7 В, что не должно удивлять.

Коэффициент бета: Отношение тока коллектора к току базы, β является основным параметром, характеризующим усилительную способность биполярного транзистора. При расчетах схем β обычно постоянной величиной, но, к сожалению, на практике это далеко не так. Таким образом, производители предоставляют набор показателей β (или «h_fe«) для определенного транзистора в широком диапазоне рабочих условий, обычно в виде максимальных/минимальных/типовых значений. Вы можете удивиться, увидев, насколько большие отклонения β можно ожидать при нормальных рабочих условия. В спецификации на один популярный слаботочный транзистор, 2N3903, указывается, что коэффициент β может быть в диапазоне от 15 до 150 в зависимости от величины тока коллектора. Как правило, β будет самым высоким при средних токах коллектора и уменьшается для очень низких и очень высоких токах коллектора. h_fe – это усиление по переменному току малых сигналов; h_FE – это усиление по переменному току больших сигналов или усиление по постоянному току.

Коэффициент альфа: Отношение тока коллектора к току эмиттера, α=I_К/I_Э. α может быть получен из β, так как α=β/(β+1).

Биполярные транзисторы поставляются в самых разных физических корпусах. Тип корпуса в первую очередь зависит от требуемой рассеиваемой мощности транзистора, так же как и для резисторов: чем больше максимальная рассеиваемая мощность, тем устройство должно быть больше по размеру, чтобы оставаться холодным. На рисунке ниже показано несколько стандартных типов корпусов для трехвыводных полупроводниковых устройств, любой из которых может использоваться для размещения биполярного транзистора. Существует много других полупроводниковых устройств, отличных от биполярных транзисторов, которые тоже имеют три вывода. Следует отметить, что выводы пластиковых транзисторов могут различаться при одном типе корпуса, например, TO-92 на рисунке ниже. Без определения маркировки устройства или проведения электрических тестов невозможно определить назначения выводов у трехвыводного полупроводникового устройства.

Корпуса транзисторов, размеры в мм

Небольшие пластиковые транзисторные корпуса, такие как TO-92, могут рассеивать единицы сотен милливатт. Металлические корпуса, TO-18 и TO-39, могут рассеивать больше мощности, несколько сотен милливатт. Пластиковые корпуса мощных транзисторов, такие как TO-220 и TO-247, рассеивают более 100 ватт, приближаясь к рассеиванию полностью металлического TO-3. Параметры рассеивания, приведенные на рисунке выше, являются максимальными, когда-либо виденными автором у высокомощных устройств. Большинство силовых транзисторов рассчитано на половину или меньше указанной мощности. Для оценки фактических значений смотрите технические описания на конкретные устройства. Полупроводниковый кристалл в пластиковых корпусах TO-220 и TO-247 установлен на теплопроводной металлической пластине, которая переносит тепло от задней части корпуса к металлическому радиатору (не показан). Перед установкой транзистора на радиатор на металл наносится тонкий слой теплопроводящей пасты. Поскольку металлические пластины в корпусах TO-220 и TO-247 и корпус TO-3 соединены с коллектором, иногда необходимо электрически изолировать их от заземленного радиатора с помощью вставки из слюды или полимерной шайбы. Параметры в технических описаниях для мощных корпусов действительны только при установке на радиатор. Без радиатора TO-220 в свободном пространстве безопасно рассеивает примерно 1 ватт.

Максимальные значения рассеиваемой мощности из технических описаний на практике достичь трудно. Значение максимальной рассеиваемой мощности основано том, что радиатор поддерживает температуру корпуса транзистора не более, чем 25°C. Но при воздушном охлаждении радиатора это сложно. Допустимая рассеиваемая мощность уменьшается при повышении температуры. Многие технические описания предоставляют графики зависимости рассеиваемой мощности от температуры.

Подведем итоги

Рассеиваемая мощность: максимально допустимая рассеиваемая мощность на постоянной основе.
Обратные напряжения: максимально допустимые V_КЭ, V_КБ, V_ЭБ.
Ток коллектора: максимально допустимый ток коллектора.
Напряжение насыщения – падение напряжения VКЭ в насыщенном (полностью проводящем) транзисторе.
Коэффициент бета: β=I_К/I_Б.
Коэффициента альфа: α = I_К/I_Э = β/(β+1).
Основным фактором, влияющим на рассеиваемую мощность, являются корпуса транзисторов. Большие корпуса рассеивают больше тепла.

Оригинал статьи:

Немного о корпусах поверхностного монтажа (SMD)

Для того чтобы правильно воспринимать и использовать представленный материал о SMD, необходимо ознакомиться со следующей информацией:

Очень важны размеры корпусов, поскольку внешне многие корпуса похожи друг на друга, а для идентификации прибора необходимо знать не только маркировку, но и тип корпуса. Но и это может не спасти. Так, корпус типа SOD80 у фирмы PHILIPS имеет диаметр 1.6 мм (ном.), а корпус с таким же названием у ряда других фирм имеет диаметр 1.4 мм, что даже меньше диаметра другого, более компактного корпуса фирмы PHILIPS SOD80C. Корпус типа SOD15 фирмы SGS-Thomson очень похож на корпуса 7043 и SMC, но не совпадает с ними по установочным размерам (см. таблицу 2 в главе «Корпуса для монтажа на поверхность (SMD)».
Возможны ситуации, когда фирмы-производители в один и тот же корпус под одной и той же маркировкой помещают разные приборы. Например, фирма PHILIPS помещает в корпус типа SOT323 NPN-транзистор типа BC818W и маркирует его кодом 6Н, а фирма MOTOROLA в такой же корпус с маркировкой 6Н помещает PNP-тран-зистор типа MUN5131Т1. Такая же ситуация встречается и внутри одной фирмы. Например, у фирмы SIEMENS в корпусе типа SOT23 под маркировкой 1А выпускаются транзисторы ВС846А и SMBT3904, обладающие разными параметрами. Различить такие приборы, установленные на плате, можно только по окружающим их компонентам и, соответственно, схеме включения.
Путаница существует не только с маркировкой, но и цоколевкой корпусов. Например, корпус типа SOT-89 у фирм ROHM, SIEMENS, TOSHIBA имеет цоколевку 1-2-3 (вид сверху), а у PHILIPS этот же корпус имеет цоколевку 2-3-1 или 3-2-1. В данной книге номера выводов и их функциональное значение у разных фирм приведены к единому знаменателю.
Не лучше ситуация и с пассивными компонентами для поверхностного монтажа. Если на корпусе стоит маркировка 103 (см. главу «Корпуса для монтажа на поверхность (SMD))», то это может быть резистор номиналом 10 кОм, конденсатор емкостью 10 нФ или индуктивность на 10 мГн. Если на корпусе стоит маркировка 2R2, то это может быть и резистор с номиналом 2. 2 Ома, и конденсатор с емкостью 2.2 пФ. Код 107 может означать 0.1 Ома (Philips) или 100мкФ (Panasonic).
В корпусах типа 0603, 0805 и т.п. без маркировки могут находится конденсатор, индуктивность или резистор-перемычка (Zero-Ohm, jumper).
Цветная полоса или выемка-ключ на корпусах типа SOD 123, D0215 может указывать на катод диода или вывод «плюс» у электролитического конденсатора.
По внешнему виду очень трудно отличить друг от друга R, С и L, если они находятся в цилиндрических корпусах с выводами и маркируются цветными кольцами. Но и после идентификации могут возникнуть сложности с определением его параметров. Например, на практике для цветовой маркировки постоянных конденсаторов используются несколько методик (см. главу «Конденсаторы. Цветовая маркировка»).
В совершенно одинаковых корпусах с одинаковым цветовым кодом может выпускаться целая серия приборов с разными параметрами. Например, фирма MOTOROLA выпускает в корпусе типа SOD80, маркируемого одним цветным кольцом, целую серию стабилитронов (51 прибор) с напряжением стабилизации от 1.8 до 100 В и током от 0.1 до 1.7 А. В таком же корпусе фирма PHILIPS выпускает серию диодов.
Необходимо правильно определять сам цвет маркировки. На практике могут встречаться сложности с различием следующих оттенков:
серый — св. голубой — серебристый;
голубой — бирюзовый — электрик;
желтый — золотистый;
оранжевый — св. коричневый — табачный — бежевый.
Черное кольцо посередине корпуса могут иметь не только резисторы-перемычки (Zero-Ohm, jumper), но и другие приборы, особенно с учетом технологического разброса при нанесении маркировки.
Многие фирмы, помимо принципов маркировки, указанных в Публикациях Международной Электротехнической Комиссии (IEC), используют свою внутрифирменную цветовую и кодовую маркировки. Например, встречается маркировка SMD-резисторов, когда вместо цифры 8 ставится двоеточие. В таких случаях маркировка 1:23 означает 182 кОм, а :0R6 — 80.6 Ом.
Корпуса типа SOT (SOD) — Small Outline Transistor (Diode) — в дословном переводе означают «транзистор (диод) с маленькими выводами». На современном этапе в корпуса типа SOT помещают не только транзисторы и диоды, но и транзисторы с резисторами, стабилитроны, стабилизаторы напряжения на базе операционного усилителя и многое другое, а количество выводов может быть более трех. Органы стандартизации не успевают за новыми разработками фирм, и те вынуждены вводить свои новые обозначения. Более подробную информацию см. в главе «Корпуса».

Радиационно-стойкие транзисторы MOSFET в корпусе Sup-IR SMD™

15.01.2020

Подразделение компании Infineon Technologies AG – International Rectifier HiRel Products – предлагает радиационно-стойкие N-канальные транзисторы MOSFET IRHNS67160 и IRHNS63160 для поверхностного монтажа, выполненные в корпусе Sup-IR SMD™.

Технология корпусирования является ключевым фактором повышения производительности транзисторов MOSFET.

В таблице 1 представлено сравнение основных параметров транзистора в корпусе SMD-2 и корпусе Sup-IR SMD для кристалла HEX-6 с полосковой структурой ячеек (StripFET). При этом транзистор в корпусе Sup-IR SMD может быть установлен на плату без применения дополнительного кристаллодержателя.

Таблица 1. Сравнение основных параметров транзистора в корпусе SMD-2 и корпусе Sup—IR SMD для кристалла HEX-6 с полосковой структурой ячеек (StripFET)

Параметр	SMD-2	Sup—IR SMD™
Площадь основания, дюйм²	0,595	0,376 – на 37% меньше
Вес, г	5,1	2,8 – на 45% легче
Ток номинальный, А	56	82 – на 46% больше
Тепловое сопротивление, ºC/Вт	0,75	0,50 – на 0,25 ºC/Вт меньше
Электрическое сопротивление, Ом	0,97	0,68 – на 30% меньше
Паразитная индуктивность, мкГн	2,19	0,52 – на 76% меньше

Транзисторы характеризуется высокой стойкостью как к воздействию поглощённой дозы (100/300 крад), так и одиночных заряженных частиц (90 МэВ•мг/см²). Сочетание низкого сопротивления канала в открытом состоянии и низкого значения заряда затвора снижает потери мощности при коммутации транзистора в таких применениях как DC/DC-преобразователи и управление электроприводами.

Эти устройства сохранили все хорошо известные преимущества транзисторов MOSFET, такие как управление уровнем напряжения, быстрое переключение и температурная стабильность электрических параметров.

Таблица 2. Основные технические характеристики MOSFET-транзисторов в корпусе Sup—IR SMD

Наименование	Суммарная накопленная доза, крад	Напряжение блокирующее BV_DSS, В	Ток стока I_D, А	Сопротивление канала R_DS₍_on_{) ,}мОм	Заряд затвора Qg, нК
IRHNS67160	100	100	56	0,01	170
IRHNS63160	300	100	56	0,01	170

Детальные технические характеристики транзисторов представлены в справочном листке.

HiRel Products

SDS

Новый транзистор L-диапазона космического уровня качества от компании Sumitomo – SGN15h300IV-S

Компания Sumitomo, ведущий японский производитель СВЧ транзисторов, в том числе космического уровня качества, в 2020 году представила обновленное изделие – транзистор SGN15h300IV-S, работающий на центральной частоте 1,575 ГГц и обеспечивающий выходную мощность более 200 Вт в постоянном режиме.

Транзистор построен на двух стоваттных кристаллах, размещенных в стандартном металлокерамическом герметичном корпусе 24 x 17 мм. Изделие имеет линейный коэффициент усиления 18 дБ и КПД по стоку до 74%.

Транзистор разработан на собственном технологическом процессе GaN HEMT, квалифицированном для использования в космосе японским космическим агентством JAXA в 2015 году.

Тепловое сопротивление транзистора SGN15h300IV-S составляет 0,6°С/Вт, что обеспечивает температуру канала не более 140°С при максимальной рабочей температуре корпуса транзистора 85°С. Оценка времени наработки на отказ при такой температуре канала составляет более 10¹⁰ часов.

Основные характеристики

  • Рабочий частотный диапазон: 1,5-1,6 ГГц;
  • Выходная мощность в постоянном режиме: 53,2 дБм (210 Вт);
  • КПД по добавленной мощности: 70%;
  • Линейный коэффициент усиления: 18 дБ;
  • Питание: Vds=50 В, 0,7 А;
  • Размеры корпуса (без учета выводов): 24 х 17,4 х 5,0 мм.

Техническое описание транзистора SGN15h300IV-S, а также дополнительные отчеты по надежности, ресурсным испытаниям, испытаниям на воздействие радиации доступно по запросу.

Компания SD Solutions является эксклюзивным дистрибьютором и квалифицированным поставщиком космической номенклатуры изделий компании Sumitomo на территории РФ и стран бывшего СНГ. Все вопросы по изделиям производства компании Sumitomo Вы можете задать специалистам нашей компании по телефону или электронной почте.

(PDF) Исследование пайки кремниевых чипов в корпусе мощного транзистора

обеспечивает тепловое сопротивление 0,63 и 0,83 к / Вт (таблица 1) для 260 чипов

толщиной

и 460 мкм соответственно. Утончение кристалла на 200 мкм приводит к уменьшению теплового сопротивления транзистора на

на 0,2 К / Вт. Оба значения сопротивления

, указанные выше, ниже максимально допустимого предела

для устройства. Таким образом, можно сделать вывод, что кремниевые пластины

не требуют значительного утонения перед нарезкой кубиками.

Этот вывод можно подтвердить, оценив паразитное электрическое сопротивление кремниевого кристалла между активной областью

транзистора и припоем. Тестовые транзисторы КТ-866 были синтезированы в эпитаксиальных слоях

на кремниевых пластинах n-проводимости толщиной 0,45 мм, имеющих удельное электрическое сопротивление

0,01 Ом · см. Электрическое сопротивление не

утоненных стружек 24 мм

было в пределах 0,002 Ом. Для сравнения: удельное электрическое сопротивление свинцово-серебряного припоя

равно 21.4 · 10

−8

Ом · м [9], а электрическое сопротивление

свинцового припоя толщиной 0,05–0,1 мм 24 мм

составляет

0,045–0,09 Ом, что намного выше, чем у кремниевый чип. Таким образом, уменьшение толщины кристалла

для уменьшения паразитного электрического сопротивления оказывает лишь незначительное влияние на электрическое сопротивление между активной областью

транзистора и корпусом собранного устройства.

Утончение микросхемы оказывает незначительное влияние на электрическое сопротивление между активной областью и собранным корпусом устройства, а его тепловое сопротивление

остается в пределах допуска.Эффективность

микросхем

уменьшена в меньшей степени для улучшения других параметров транзистора

, например долговечность, требует дальнейшего изучения.

Резюме

Исследована установка микросхемы кремниевого транзистора высокой мощности КТ-866

с заземленной тыльной стороной в позолоченные и никелированные металлические /

керамические корпуса КТ-57 путем пайки металлическими припоями, не содержащими золота. .

Мы показываем, что оба режима пайки (в формовочном газе и в вакууме)

дают аналогичные результаты по тепловому сопротивлению транзистора.Таким образом, шероховатость

на шлифованной и металлической стороне металлической стружки не имеет ощутимого эффекта

, поскольку полости шероховатости не содержат газовых включений до

, препятствующих тепловому контакту.

Далее мы показываем, что при пайке поток не требуется, если припой свинцово-серебряный

используется в сочетании с металлизацией задней стороны кристалла, что приводит к увеличению срока службы транзистора.

Мы обнаружили, что приемлемое тепловое сопротивление транзистора может достигать

без значительного утонения пластин.

Использование свинцово-серебряного припоя вместо эвтектического припоя золото-кремний

дает несколько лучшие результаты по термическому сопротивлению, если применяется металлизация задней стороны кристалла

. Это, в свою очередь, позволяет перейти на технологию групповой пайки

и снизить расход золота для паяльных площадок.

Метод групповой пайки свинцово-серебряным припоем, разработанный в этой работе

, упрощает и удешевляет установку кремниевых устройств в корпуса

по сравнению с индивидуальной пайкой эвтектическим припоем золото-кремний

Мы также показываем, что дальнейшая экономия золота может быть достигнута, если

не использовать золотое покрытие корпусов транзисторов.

Ссылки

[1] V.S. Аносов, Д. Гомзиков, М. Пашков, Л.А.Сайдман, Р.И. Тычкин, В.

Фомин, Исследование способа соединения кремниевой пайки в форме эвтектического сплава Au-Si,

Электронная техника, сер. 2, Полупроводн, Полупроводниковые приборы =

Электронная техника, Серия. 2, Полупроводниковый прибор, нет.3. 2016. С. 4–12. (В

рус.).

[2] В.С. Аносов, Д. Гомзиков, М. Гомзиков, Л.А.Сайдман, Р.И. Тычкин, В.

Фомин, Исследование установки кремниевых чипов силовых транзисторов в позолоченные и никелированные корпуса

сплавом ПСр 2,5, Полупроводниковые приборы

= Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковый прибор, №2. 4. 2016. С. 4–10.

[3] Паяльная паста на основе индия № 182 (80Au20Sn) [паяльные пасты на основе индия № 182 (80Au20Sn)].

URL: 〈http://www.ostec-materials.ru/materials/indium-182-80au20sn-pripoy-v-

vide-pasty.php〉 (дата обращения 23.12.16). (На рус. Яз.).

[4] Кондратюк Р., Припой 80Ау20Сн — свойства и особенности применения, Электроника:

Наука, Технология, Бизнес = Электроника: Наука, Технологии, Бизнес, №№

. 10,

2015, с. 154–160.

[5] Р.С. Форман, Г. Миноуг, Основы пайки AuSn на уровне пластин, Chip Scale Rev.

8 (7) (2004) 55–59.

[6] Г. Миноуг, Р. Муллапуди, Новый подход к герметичной упаковке MEMS RF и

GaAs в масштабе пластин, CS ManTech, 2015. URL: 〈http://csmantech.org/OldSite/Digests/

2005 / 2005papers / 9.3.pdf〉.

[7] Мухина Е. Технология обработки сверхтонких полупроводниковых пластин, Электроника:

Наука, Технология, Бизнес = Электроника: наука, технологии, бизнес, №

. 3,

2009, стр. 80–81. (На рус. Яз.).

[8] Схема состояния двойных металлических систем: Справочник: В 3 т.Бинарная диаграмма состояния металлов: Справочник: В 3-х томах. М .:

Машиностроение, 2001, т. 9, с. 3, книга 1, с. 872. (На русск. Яз.).

[9] ГОСТ 19738-74: Припои серебряные, марки [ГОСТ 19738-74: Припои серебряные

. Типы]. (На рус. Яз.).

[10] Подача геля индия (020В, 018, 025, 010, 007 и 012). URL: 〈http: //www.ostec-

materials.ru/materials/indium- ﬂ yus-geli-020v-018-025-010-007-i-012.php〉 (ac-

, дата обращения 23.12.2017).2016). (На рус. Яз.).

[11] С. Валев, Вакуумная пайка в производстве силовой электроники, Современное решение для лабораторного производства

и крупносерийного производства, Силовая электроника = Power

Электрон. 9. (2006) 104–108.

[12] Кантер А. Вакуумная пайка — залог качественной пайки // Технологии в

электронной промышленности. Электрон. Инд. 6 (2013) 30–33,

http://budatec.ru/f leadmin / article / Statja_vakuumnaja_paika.pdf.

[13] Чао Юань, Бинь Дуань, Лан Ли, Бофенг Шан, Сяобин Луо, Улучшенная модель для

, прогнозирующая тепловое контактное сопротивление на границе раздела жидкость-твердое тело, Int. J. Heat. Масса

Трансф. 80 (2015) 398–406, http://dx.doi.org/10.1016/j.ijheatmasstransfer.2014.

09.048.

[14] Р.С. Прашер, Моделирование на основе реологии и дизайн термоинтерфейсных материалов из полимерных материалов

, содержащих частицы, в: Труды Девятой Межобщественной конференции по

Тепловые и термомеханические явления в электронных системах, ITHERM’04,

Лас-Вегас (Невада, США), 2004, стр.36–44. http://dx.doi.org/10.1109/ITHERM.2004.

1319151.

[15] P.E. Хопкинс, Тепловой перенос через твердые границы раздела с наноразмерными дефектами —

tions: эффекты шероховатости, беспорядка, дислокаций и связывания на тепловой границе

проводимости, ISRN Mech. Англ. (2013) 19, http://dx.doi.org/10.1155/2013/

682586 (номер статьи 682586).

[16] А.Ф. Керенцев, В.Л. Ланин, Конструктивно-технологические особенности полевых МОП-транзисторов,

Силовая электроника.2007. № 4. 100–104.

[17] В.Л. Ланин, Л.П. Ануфриев, Соединение кристаллов БТИЗ, Силовая электроника = Power

Электрон. 2 (2009) 94–99.

В.С. Аносов и др. Современные электронные материалы 3 (2017) 117–121

121

Контурные корпуса транзисторов для лазеров с распределенной обратной связью Юнгвирт; Рудольф; & nbsp et al. [SCHOTT AG]

Заявка на патент США № 16/119571 была подана в патентное бюро 07.03.2019 на корпусы транзисторов для лазеров с распределенной обратной связью .Эта заявка на патент в настоящее время передана компании SCHOTT AG. Заявитель, указанный для этого патента, — SCHOTT AG. Авторы изобретения: Артит Аовудомсук, Карстен Дрогемюллер, Рудольф Юнгвирт, Онг Вай Ли, Эми Сун Ли Пинг, Кеннет Тан.

Номер заявки	201 658 16/119571
Идентификатор документа	/
Идентификатор семьи	65364045
Дата подачи	3 9025-03 Патент США Приложение	201 658
Код товара	A1
Юнгвирт; Рудольф; et al.	7 марта 2019

КОРПУС ТРАНЗИСТОРА ДЛЯ ЛАЗЕРОВ С РАСПРЕДЕЛЕННОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗЬЮ

Abstract

Корпус контура транзистора (TO), содержащий базовую часть, имеющую площадка для установки термоэлектрического охладителя, в которой базовая часть имеет как минимум два ввода для подключения оптоэлектронного составная часть. Подставка выступает от верхней поверхности основания. часть, на опоре которой расположены не менее двух проводниковых проводов на нем, каждый из которых подключен к соответствующему одному из вводы для подключения оптоэлектронного компонента.

Изобретателей:

Jungwirth; Rudolf ; (Adikofen, DE) ; Пинг; Эми Сун Ли ; (Сингапур, SG) ; Аовудомсук; Artit ; (Бангкок, TH) ; Ли; Ong Wai ; (Сингапур, SG) ; Тан; Kenneth ; (Сингапур, SG) ; Дрогемюллер; Karsten ; (Эйхенау, Германия)

Заявитель:

Имя	Город	Государство	Страна	Тип
SCHOTT AG	Майнц		DE

Правопреемник:

SCHOTT AG
Майнц
DE

Семейный ID:

65364045

Прил.№:

16/119571

Записано:

31 августа 2018

В настоящее время США Класс:	1/1
Текущая цена за клик Класс:	H01S 5/12 20130101; H01S 5/02415 20130101; H01S 5/02212 20130101; H01S 5/02276 20130101; H01S 5/06226 20130101; H01S 5/02248 20130101
Международный Класс:	H01S 5/022 20060101 H01S005 / 022; H01S 5/024 20060101 H01S005 / 024; H01S 5/12 20060101 H01S005 / 12

Данные по зарубежным приложениям

Дата	Код	Номер заявки
1 сен.2017	DE	102017120216.1

Пункты формулы

1. Контурный корпус транзистора для подключения к оптоэлектронному устройству. компонент, содержащий: базовую часть, имеющую верхнюю поверхность, верхняя поверхность имеет более прохладную монтажную площадку; два прохода сконфигурирован для подключения к оптоэлектронному компоненту; и опора, выступающая от верхней поверхности базовой части, при этом опора имеет две проводящие дорожки, расположенные на ней, каждая из двух проводников подключается к соответствующему один из двух выводов.

2. Корпус ТО по п.1, в котором корпус выполнен в стиле ТО-56. Корпус.

3. Корпус ТО по п.1, дополнительно содержащий оптоэлектронный компонент, подключенный к двум выводам.

4. Корпус ТО по п.1, в котором две проводниковые дорожки проходят под углом к боковому торцу опоры.

5. Корпус ТО по п.1, дополнительно содержащий заземляющий провод. след, расположенный между двумя проводниками.

6. Корпус ТО по п. 5, дополнительно содержащий вспомогательную опору дорожки. на передней стороне опоры две проводниковые дорожки расположен на вспомогательной опоре трассировки.

7. Корпус ТО по п. 6, в котором вспомогательная опора дорожки имеет сквозные отверстия с металлизированными боковыми стенками.

8. Корпус ТО по п.1, в котором два проходных отверстия и две проводниковые дорожки определяют пути прохождения сигнала, имеющие импеданс от С 20 по 30.OMEGA. каждый.

9. Корпус ТО по п.1, в котором опора имеет по меньшей мере один высотой от 2,0 до 3,5 мм, толщиной от 0,3 до 1 мм и шириной от 1,0 до 2,0 мм, и / или при этом основание часть имеет по крайней мере один диаметр от 5 до 7 мм и толщина между 0.5 и 2,5 мм.

10. Корпус ТО по п.1, в котором базовая часть и опоры позолочены.

11. Корпус ТО по п.1, в котором монтажная зона охладителя в центральная область верхней поверхности базовой части и при этом опора предусмотрена только с одной стороны крепления кулера область.

12. Корпус ТО по п. 1, дополнительно содержащий подрамник дорожки. на лицевой стороне опоры термоэлектрический охладитель, оптоэлектронный компонент и вспомогательное крепление компонента, термоэлектрический охладитель, устанавливаемый на участке крепления охладителя базовая часть, вспомогательная опора компонента выступает, по крайней мере, над части термоэлектрического охладителя и выступающие перпендикулярно к верхней поверхности базовой части, и при этом компонент подмонтаж примыкает к подмонтажу трассировки.

13. Корпус ТО по п.12, в котором оптоэлектронный Компонент — DFB-лазер.

14. Корпус ТО по п.12, отличающийся тем, что термоэлектрический охладитель имеет L-образную часть, при этом вспомогательная опора компонента расположенный на поверхности Г-образного термоэлектрического охладителя, поверхность ориентируется перпендикулярно верхней поверхности базовая часть.

15. Корпус ТО по п. 12, в котором вспомогательная опора компонента является подсоединен к вспомогательному креплению проводов заземляющими проводами.

16. Корпус ТО по п. 15, в котором соединительные провода соединяют провода имеют длину менее 1 мм каждый.

17. Корпус ТО по п.1, дополнительно содержащий схему возбуждения. подключен к двум выводам, при этом схема драйвера имеет сопротивление от 20 до 30 Ом.

18. Корпус ТО по п.1, отличающийся тем, что базовая часть и опоры штампуются как единое целое.

19. Корпус ТО по п.1, в котором базовая часть и опоры — это штампованные части, которые соединяются друг с другом пайка или сварка.

20. Подставка для корпуса ТО, содержащая: две проводниковые дорожки. используются в качестве сигнальных проводников, две проводниковые дорожки отходят от с первой стороны вспомогательного крепления на вторую сторону вспомогательного крепления перпендикулярно к нему; и трасса заземляющего проводника, расположенная между двумя проводниками.

21. Подставка по п. 20, дополнительно содержащая оптоэлектронный компонента, первая из двух проводников трассы находится на краю вспомогательное крепление для определения области периферийного подключения, периферийное область подключения окружена проводом заземления на другом стороны его, а вторая из двух проводников простирается от края до оптоэлектронного компонента, первый из двух проводники соединяются с оптоэлектронным компонентом посредством связующий провод.

Описание

ПЕРЕКРЕСТНАЯ ССЫЛКА НА СООТВЕТСТВУЮЩИЕ ПРИЛОЖЕНИЯ

[0001] Это приложение заявляет выгоду в соответствии с 35 USC 119 немецкого Заявка 102017120216.1 подана 1 сентября 2018 г., все содержание из которых включены сюда в качестве ссылки.

Уровень техники

1. Область изобретения

[0002] Изобретение относится к корпусу для оптоэлектронных устройств. составная часть. Более конкретно, изобретение относится к транзистору. контурный корпус, предназначенный для распределенной обратной связи (DFB) лазер.

2. Описание предшествующего уровня техники

[0003] Поскольку длина волны излучения полупроводниковых лазеров равна зависит от температуры, для многих приложений важно поддерживайте температуру лазерного чипа в узком окне.

[0004] Для этого используются термоэлектрические охладители (ТЭО), которые устанавливаются вместе с лазером в так называемом контурный корпус транзистора (корпус ТО), также известный как ТО упаковка.

[0005] Такие ТЕС часто используются в сочетании с Внешним Модулированные лазеры (EML).Для EML требуется только одна сигнальная линия. Тем не мение, Электронные компоненты EML сложны и дороги.

[0006] Следовательно, лазеры с распределенной обратной связью (DFB-лазеры) имеют использовался как альтернатива. Это лазерные диоды, в которых активный материал демонстрирует периодический узор, чтобы сформировать интерференционная решетка, вызывающая селективное по длине волны отражение и, следовательно, оптическая обратная связь лазера.

[0007] Корпуса, предназначенные для EML, обычно не подходят для DFB-лазер, поскольку у них есть только одна сигнальная линия, которая, кроме того, обычно имеет сопротивление, не подходящее для DFB-лазера.

[0008] Патентный документ США No. № 7962044 B2 раскрывает корпус для оптоэлектронного устройства, выполненный в виде куба металлический корпус с боковыми сигнальными вводами. Такие корпуса большие и к тому же дорого в производстве.

[0009] Опубликованная заявка на патент США 2003/0043868 A1 раскрывает корпус ТО с базовой частью с выступающими штырями вниз. Практически кругло-цилиндрический корпус имеет центральная выемка, в которой могут быть установлены ТЭО и лазерный чип.А недостатком такой конструкции корпуса, опять же, является сложность производство. В частности, такой корпус не может быть произведен штамповка или глубокая вытяжка.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ

[0010] Учитывая вышеизложенное, изобретение основано на цели обеспечивают компактный и простой в изготовлении корпус ТО, в котором Недостатки известного уровня техники, как описано выше, по меньшей мере смягчены.

[0011] Задача изобретения достигается за счет корпуса ТО, способ изготовления корпуса ТО и подмонтажом ТО корпус, как раскрыто в данном документе.

Изобретение относится к корпусу ТО. В частности, изобретение относится к корпусу ТО-56. Жилье ТО в смысле изобретения понимается как корпус любого желаемого конструкция, в которой оптоэлектронный компонент для передачи и / или прием электромагнитного излучения может быть устроен. Предпочтительно, это корпус, содержащий коллектор, который определяет базовую часть, и колпачок, в частности колпачок с окном. В частности, Корпус ТО выполнен в виде круглого металлического корпуса.В соответствии с в другом варианте корпус также может иметь другую форму, в частности кубовидной формы.

[0013] Корпус содержит базовую часть с местом для установки термоэлектрический охладитель. В частности, предусмотрена монтажная площадка. на верхней поверхности базовой части.

[0014] Кроме того, базовая часть содержит не менее двух вводы для подключения электронного компонента. Эти по крайней мере два ввода используются в качестве сигнальных линий, в частности, для высокочастотный сигнал в диапазоне ГГц.

[0015] В частности, вводы содержат соединительные штифты. которые закреплены стеклянными уплотнениями в сквозных отверстиях в основании часть так, чтобы соединительные штифты выступали из нижней поверхности корпус ТО.

[0016] Следует понимать, что базовая часть предпочтительно содержит дополнительные электрические вводы, в частности, для подключение ТЕС. Для подключения могут использоваться другие соединительные линии. термистор, например.

[0017] Соединительные линии, которые используются в качестве сигнальной линии, предусмотрены для оптоэлектронного компонента, в частности для DFB-лазера, должны быть спроектированы таким образом, чтобы обеспечить передачу в высоком частотный диапазон, так как это единственный способ включить высокие данные тарифы.Остальные соединительные линии, даже если они служат сигналом линии, например, для управления ТИК, обычно не подлежат таким требованиям.

[0018] Согласно изобретению опора проходит от верхнего поверхность базовой части, опора которой имеет не менее двух проводников на нем размещены следы, каждая из которых соединена с соответствующим один из выводов для подключения оптоэлектронной составная часть.

[0019] В частности, опора содержит вспомогательную опору, на которой расположены по крайней мере две проводниковые дорожки.По отношению к поверхность базовой части, желательно, чтобы проводники проходили вертикально вверх в секциях.

[0020] Дорожки проводов предпочтительно выполнять в виде металлические слои нанесены на вспомогательную опору.

[0021] Следы проводников позволяют добраться до места установки для оптоэлектронный компонент, который находится над монтажной площадкой для ТЕС, вид из базовой части.

[0022] За счет свободы конструкции при предоставлении проводника след на диэлектрике, в частности керамической опоре, это можно оптимизировать характеристику импеданса до монтажная площадка оптоэлектронного компонента.

[0023] Поскольку обе проводящие дорожки служат сигнальными дорожками расположены на единой опоре, возможно выполнение ТО Корпус особо компактный, в частности для обеспечения ТО-56 корпус с достаточно большим пространством для установки ТЕС и лазерный чип.

[0024] Кроме того, предпочтительно только одна опора предусмотрен, который проходит вертикально от верхней поверхности базовая часть, это позволяет особенно просто изготавливать корпус ТО.В частности, последние могут быть произведены штамповка.

[0025] Две токопроводящие дорожки проходят, в частности, до бокового торец опоры по углу. В частности, проводники имеют по существу L-образную форму, один конец проводники подключаются к контактам подключения вводы и другой конец проводника следы под углом к нему подключается оптоэлектронный компонент. В этом Таким образом, в частности, можно предусмотреть две области подключения для оптоэлектронных компонентов, которые расположены над каждым прочее и над площадкой крепления термоэлектрического охладителя.

[0026] В одном варианте осуществления изобретения по меньшей мере одно заземление между дорожками проводов размещается проводниковая дорожка. Этот позволяет, с одной стороны, управлять характеристикой импеданса, с другой стороны, чтобы уменьшить перекрестные помехи между проводниками следы.

[0027] Согласно другому варианту осуществления изобретения, дополнительный дорожка заземляющего проводника расположена рядом с дорожкой проводника, выше и / или ниже по крайней мере одной области подключения для оптоэлектронный компонент.Эта дополнительная дорожка заземляющего проводника может использоваться в целях экранирования и / или для подключения оптоэлектронный компонент к заземляющему проводнику.

[0028] Желательно, чтобы дорожки заземляющего проводника вспомогательной опоры были электрически соединен с опорой через электрические сквозные отверстия которые проходят через вспомогательное крепление.

[0029] В усовершенствовании изобретения вспомогательное крепление для следы заземляющих проводов имеют отверстия, в частности сквозные отверстия с металлизированными боковыми стенками, в частности, с позолоченными боковыми стенками.Металлизированные сквозные отверстия, в частности с покрытием или заполнением сквозных отверстий подсоедините следы заземляющего провода к служба поддержки.

[0030] Эта конструкция обеспечивает защиту, проникающую в вспомогательное крепление, которое дополнительно уменьшает перекрестные помехи между следы проводника.

[0031] Согласно одному из вариантов опора имеет пластинчатый форма.

[0032] Согласно одному варианту осуществления изобретения опора представляет собой выполнен как единое целое с базовой частью. В частности возможно для штамповки опоры вместе с базовой деталью, для например путем штамповки Т-образного профиля.Кроме того, сырье толщиной не менее толщины базовой части и опоры вместе могут использоваться для штамповки. Из такого сырого материал, составной компонент, состоящий из базовой части и опора может быть штампованной или формованной.

[0033] Согласно другому варианту осуществления изобретения опора применяется к базовой части, в частности, сваркой или пайка.

[0034] Изобретение позволяет создать корпус ТО, в котором сигнальные тракты для подключения оптоэлектронного компонента и состоящие из вводов и проводников, имеют сопротивление от 20 до 30.OMEGA., В частности около 25.OMEGA .. Пути прохождения сигнала определяются, начиная с точки подключения в соединительный штифт, выходящий из корпуса TO и доходящий до точка подключения оптоэлектронного компонента, в частности DFB лазер.

[0035] Импеданс сигнальных трактов предпочтительно согласовывается с полное сопротивление электронной цепи, подключенной к корпусу ТО, в частности схему драйвера. В частности, импеданс пути прохождения сигнала соответствуют импедансу электронного цепь плюс / минус 5.OMEGA ..

[0036] Электронная схема подключается вне ТО корпус через соединительные штифты. Пути прохождения сигнала простираются от точка подключения электронной схемы через соединительные штыри и проводники к подключенному электронному компоненту. В Сама электронная схема предпочтительно имеет импеданс между 20 и 30.OMEGA ..

. Следует понимать, что импеданс является функцией частота. Под импедансом в контексте изобретения понимается быть импедансом в высокочастотном диапазоне, в котором компоненты обычно работают или их сигналы должны быть обработанный.

[0038] Изобретение, в частности, относится к корпусам ТО, которые используется для диапазона ГГц. Скорость передачи данных 5 Гбит / с или более, в в частности может быть достигнута скорость более 20 Гбит / с.

[0039] Согласно одному варианту осуществления изобретения опора имеет высоту от 2,0 до 3,5 мм и / или толщину от 0,3 и 1 мм и / или шириной от 1,0 до 2,0 мм.

[0040] Предпочтительно базовая часть имеет диаметр от 5 до 7 мм. и / или толщиной от 0,5 до 2.5 мм. Желательно, чтобы диаметр базовой части меньше 6,5 мм. Базовая часть предпочтительно спроектирован как основной корпус круглой формы.

[0041] Предпочтительно базовая часть, опора и / или соединительные штифты имеют покрытие, в частности позолоту.

[0042] Площадка для установки ТЕС предпочтительно расположена в центральная область верхней поверхности базовой части и опора для проводника для подключения оптоэлектронного компонента находится только с одной стороны монтажной площадки.

[0043] В частности, площадка для монтажа ТЕС расположена по центру, но не точно по центру, монтажная площадка смещение от центра при взгляде от опоры в сторону противоположная сторона, чтобы обеспечить место для опоры. Таким образом, это можно обеспечить компактную компоновку, в которой микросхема оптоэлектронный компонент может быть размещен по существу на центральном ось корпуса ТО.

[0044] Кроме того, изобретение относится к корпусу ТО, который оснащен термоэлектрическим охладителем и оптоэлектронным составная часть.

[0045] ТЭО размещается на базовой части. В этом случае Подставка с оптоэлектронным компонентом выходит за пределы ТЕС перпендикулярно верхней поверхности базовой детали. Это означает, вспомогательное крепление выровнено вертикально, а верхняя поверхность базовая часть определяет горизонтальную плоскость в смысле изобретение. Подставка с проводниками располагается так что касается соединения этого подмножества с оптоэлектронным компонентом. В Подставка с проводниками также выравнивается по вертикали.

[0046] Таким образом, области соединения двух вспомогательных опор могут быть расположены близко друг к другу, особенно если два вспомогательных крепления выровнены по существу в одной плоскости.

[0047] Согласно предпочтительному варианту реализации, проводящие дорожки опоры подключаются к проводникам оптоэлектронных компонента или вспомогательной опоры оптоэлектронного компонента посредством средства склеивания проводов.

[0048] За счет прилегающих участков подключения можно оставить длина соединительных проводов особенно мала, что улучшает характеристика импеданса.В частности, соединительные провода могут иметь длину менее 1 мм, предпочтительно менее 0,5 мм.

[0049] В предпочтительном варианте осуществления изобретения термоэлектрический охладитель имеет Г-образную часть. В этом случае подмонтаж с оптоэлектронным компонентом размещается на поверхность Г-образного термоэлектрического охладителя, ориентированная перпендикулярно верхней поверхности базовой детали.

[0050] Таким образом, согласно этому варианту осуществления термоэлектрический кулер имеет форму уголка, что обеспечивает место для монтажа вспомогательное крепление оптоэлектронного компонента, и вспомогательное крепление расположены на вертикально выровненной ножке уголка.

[0051] Кроме того, изобретение относится к способу производства корпус ТО, как описано выше. Согласно изобретению оба базовая часть и опора штампуются. В частности, базовая часть и опора штампуются из металлического листа.

[0052] Согласно одному варианту осуществления изобретения базовая часть и опора штампуются из цельного куска сырья. Это, в частности, может быть достигнуто за счет использования сырья с Т-образный профиль или с использованием пластинчатого сырья с толщина, соответствующая, по крайней мере, высоте базовой части и опора, как уже было сказано выше.

[0053] Кроме того, изобретение относится к вспомогательному креплению для ТО. корпус, подрамник которого содержит не менее двух проводников служащие проводниками сигнала и идущие от первой стороны вспомогательное крепление ко второй стороне вспомогательного крепления перпендикулярно к нему, при этом дорожка заземляющего проводника расположена между двумя следы проводника.

[0054] Таким образом, вспомогательная опора спроектирована таким образом, что сигнал проводники проложены от одного края монтажного блока к другому край, перпендикулярный ему, в частности, вертикальный край подмонтаж.Таким образом, в частности, можно получить монтажная площадка для оптоэлектронного компонента, которая разнесена от поверхности, на которой монтируется вспомогательное крепление, из-за термоэлектрический охладитель.

[0055] В противном случае вспомогательная опора предпочтительно сформирована, как описано выше.

[0056] Кроме того, изобретение относится к вспомогательному креплению для ТО. описанный выше корпус, оснащенный оптико-электронным компонент, в частности лазер DFB.

[0057] Подставка имеет первую проводящую дорожку рядом с краем. от него, который определяет область периферийного соединения.Этот дирижер дорожка может быть, в частности, соединена с помощью соединительного провода, к непосредственно примыкающей подставке, поддерживающей сигнальный проводник следы.

[0058] Область периферийного подключения окружена с другой стороны. стороны проводом заземления. В частности, зона подключения огораживается U-образным или кольцевым заземлением проводник след.

[0059] Следовательно, только на краю область соединения не окружен следом заземляющего проводника.

[0060] Кроме того, вспомогательная опора содержит второй проводник. след, который простирается от края до оптоэлектронного компонента.В частности, оптоэлектронный компонент может быть установлен непосредственно включен и в то же время электрически подключен ко второму проводник след.

[0061] Первая проводящая дорожка соединена с оптоэлектронным компонент с помощью соединительной проволоки. Соединительный провод может охватывать второй проводник след.

[0062] Используя вспомогательную опору, можно простым способом обеспечить конструкцию, в которой области соединения двух проводниковых проводов служащие сигнальными проводниками расположены непосредственно рядом с край вспомогательного крепления.Соединительные провода, которые используются для подключения таким образом можно сделать субмонтаж особенно коротким.

[0063] Кроме того, изобретение относится к корпусу ТО, который оснащенный по крайней мере одним из описанных выше вспомогательных креплений, желательно с обоими дополнительными креплениями. Корпус ТО особенно настроен как описано выше. Корпус желательно круглый и состоит из базовой части в виде шапки и колпачка. Тем не мение, корпус также может быть другим корпусом TO, в частности тип «бабочка» или коробчатая упаковка типа ТО корпуса.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ

[0064] Сущность изобретения теперь будет объяснена в более подробно с помощью примерного варианта осуществления, как показано на чертежи фиг. 1-4.

Фиг. 1 — вид в перспективе корпуса ТО согласно изобретение.

Фиг. 2 — вид в перспективе корпуса ТО, оснащенного оптоэлектронный компонент и ТЕС.

Фиг. 3 — подробный вид вспомогательной опоры, расположенной на опора, вспомогательная опора имеет проводники, ведущие к монтажная площадка оптоэлектронного компонента.

Фиг. 4 — схематический разрез детали в область сквозного отверстия подмонтажа.

ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ

Фиг. 1 представляет собой вид в перспективе корпуса 1 ТО согласно предпочтительный примерный вариант осуществления изобретения.

[0070] Следует понимать, что завершенный корпус ТО будет дополнительно иметь колпачок с окном. Крышка не проиллюстрирован ни на этом виде, ни на других видах.

[0071] Корпус ТО 1 содержит штампованную базовую часть 2, имеющую верхнюю поверхность 7, из которой выступает опора 3, которая предусмотрена с проводниками 5a и 5b, которые используются в качестве сигнальных следы проводника.

[0072] Базовая часть 2 и опора 3 могут иметь пластинчатую форму. В в частности, основание 2 и опора 3 могут быть изготовлены штамповка.

[0073] Основание 2 и / или опора 3 изготовлены из металла, в особенная сталь.

[0074] Предпочтительно, основание 2, опора 3 и соединительные штифты 9, 12a — 12c, 11a — 11b имеют покрытие, в частности позолоченный.

[0075] Опора 3 расположена на верхней поверхности 7 базовой части 2. смещен от центральной оси и выступает вертикально снизу вверх.

[0076] Боковой торец 6 опоры 3 по существу обращен к центральная ось базовой части 2.

[0077] В настоящем примерном варианте осуществления вспомогательная опора 15 является расположен на передней стороне опоры 3, подмонтаж которой выполнен из диэлектрический материал, в частности керамическая опора 15, на которой расположены токопроводящие дорожки 5a и 5b, которые служат сигнальными проводниковые следы для оптоэлектронного компонента.

[0078] Дорожки 5а и 5b проводника проложены под углом.

[0079] Проводники 5a и 5b подключены к выводам. 8а и 8б.

[0080] Выводы 8a и 8b, а также другие выводы состоят из соединительного штифта 9, размещенного в стеклянном уплотнении 10, герметично закрывает корпус ТО 1.

[0081] Рядом с опорой 3, площадка 4 для крепления на верхней поверхности 7 корпуса предусмотрен термоэлектрический охладитель. базовая часть 2.

[0082] Угловые токопроводящие дорожки 5a и 5b отходят от соединительные штифты 9 (RF-штифты) к торцу 6 опоры 3 в область над этой монтажной областью 4, которая, в свою очередь, служит монтажная зона (23 на ФИГ.2) для оптоэлектронной составляющей.

[0083] Кроме того, заземляющий провод 13 расположен между токопроводящие дорожки 5a и 5b, которые также выполнены в виде проводник на вспомогательной опоре 15.

Опора 15 предпочтительно выполняется в виде керамической пластина толщиной предпочтительно менее 0,3 мм.

[0085] Над и под концами проводника со стороны компонентов дорожки 5a и 5b, соответствующий заземляющий провод 14a, 14b расположен, который служит экраном и может быть подключен к подрамник оптоэлектронного компонента (19 на ФИГ.2).

[0086] Дорожки проводников 5a, 5b и дорожки заземляющих проводов 13, 14a, 14b выполнены в виде металлического слоя, в частности золотосодержащий металлический слой, например золото-никелевый слой.

[0087] Пути прохождения сигнала к оптоэлектронному компоненту определены. соединительными штифтами 9 проводники 5a, 5b и соединительные провода и проводники на подрамнике термоэлектрический компонент (здесь не показан).

[0088] Пути прохождения сигнала предпочтительно имеют импеданс от 20 до 30.ОМЕГА. в диапазоне высоких частот.

[0089] Помимо соединительных штифтов 9, корпус этого примерный вариант осуществления, кроме того, содержит три соединения штифты с 12a по 12c, расположенные в ряд, которые используются, например, для подключить термоэлектрический охладитель (контакты постоянного тока).

[0090] Соединительные штифты с 11a по 11b напротив опоры 3 являются выступают дальше вверх, чем соединительные штифты с 12a по 12c, и используются, в частности, для подключения термистора, который расположен на подрамнике оптоэлектронного компонента (19 дюймов ИНЖИР.2).

[0091] Проходы соединительных штифтов с 11а по 11b и 12а на 12c также включают стеклянную заглушку.

Фиг. 2 показывает оборудованный корпус ТО, снова в перспективе. Посмотреть.

[0093] На верхней поверхности 7 установлен термоэлектрический охладитель 16. базовой части. Термоэлектрический охладитель 16 имеет L-образную часть. 17. Монтажная площадка 23 для оптоэлектронного компонента расположен над нижней опорой L-образной части 17.

Оптоэлектронный компонент представляет собой лазерный диод 18 DFB.

[0095] Лазерный диод DFB 18 установлен на керамической подставке 19, которая выровнены по вертикали и предпочтительно расположены по существу по центру в корпусе ТО 1.

[0096] Для этого на корпусе 19 устанавливается вспомогательное крепление. вертикальное плечо L-образного участка 17.

[0097] Рядом с DFB лазерным диодом 18 расположен термистор 36, который используется для управления термоэлектрическим охладителем 16.

[0098] Проводящие дорожки 5a, 5b опоры 3 подключены к соединительные штифты 9 припоем 22, в частности позолоченным оловом припой.

[0099] Подставка 15 проводников 5a, 5b и подрамник 19 оптоэлектронного компонента выровнен в плоскости таким образом, что проводящие дорожки 5, 5b и 25, 26 непосредственно обращенных друг к другу. Проводящие дорожки 5a, 5b, которые используются в качестве дорожки сигнальных проводов соединяются с дорожками проводов 25 и 26 вспомогательной опоры 19 лазерного диода DFB 18 множеством соединительных проводов 20а, 20b, предпочтительно золотых соединительных проводов.

[0100] Проводник 26 ведет непосредственно к лазерному диоду DFB. 18.

[0101] Под проводником 26, заземляющий провод 14b подключен к заземляющему проводнику 37 на вспомогательной опоре 19 Лазерный диод DFB 18 путем соединения проводов 21b.

[0102] Дорожка 24 заземляющего проводника, которая соединена посредством склеивания провода 21a, к заземляющему проводнику 14a и к проводнику трасса 13, лежащая между проводниками 5а и 5b, охватывает проводник 25, который используется в качестве сигнального проводника на Подставка 19 лазерного диода DFB 18.Таким образом, дирижер след 25 также экранирован.

[0103] Дорожка проводника 25 подключена к лазерному диоду DFB 18 посредством соединительный провод 27.

Фиг. 3 представляет собой вид сверху вспомогательной опоры 15, которая используется для прокладки проводящие дорожки 5a и 5b, которые служат проводником сигнала следы до места установки (23 на фиг. 2) оптического составная часть.

[0105] Подставка 15 предпочтительно изготовлена из керамики, а проводящие дорожки 5a и 5b предпочтительно выполнены из золота или золотосодержащий сплав.

[0106] Дорожки проводников 5a и 5b используются для расширения сигнала. путь, идущий от соединительных штырей, которые проходят через нижняя часть корпуса TO, вверх и к центру Корпус.

[0107] Для этого проложены токопроводящие дорожки 5a и 5b. по углу.

[0108] Область 34 подключения оптоэлектронного компонента ведет к боковой торцевой поверхности 6 вспомогательной опоры 15 или опора с вспомогательной опорой 15.

[0109] В области соединения 34 проводники проходят 5a и 5b и дорожки заземления 14a, 13 и 14b могут быть подключены к Подставка оптоэлектронного компонента путем соединения провода.

[0110] В пределах дорожки 13 заземляющего проводника, которая расположен между токопроводящими дорожками 5a и 5b и имеет меньшую ширину чем проводящие дорожки 5a и 5b, имеется множество сквозные отверстия 28, предпочтительно не менее пяти, которые имеют металлизированные боковые стенки, тем самым обеспечивая экранирование, проходящее через вспомогательная опора 15. Металлизированные сквозные отверстия 28 используются для электрического подключите провод заземления к опоре.

[0111] Угловая область 30 дорожки 13 среднего заземляющего провода имеет фаску и увеличенную ширину.Это позволяет избежать острых краев и связанная с этим потеря сигнала.

[0112] Угловые области 31 и 29 проводников 5a и 5b обрезаны по краю так, чтобы ширина проводников 5а и 5b уменьшается в соответствующей угловой области 31, 29.

[0113] Проводящая дорожка 5a включает в себя увеличенную область 33 между угловая область 29 и область подключения 34. Служит для настройки профиль импеданса пути прохождения сигнала.

[0114] Дорожки заземляющего проводника 14a и 14b выше и ниже область соединения проводников 5a и 5b служит для экранирования проводниковые дорожки 5а и 5б с одной стороны, а с другой стороны для подключения к дополнительному креплению оптического компонента.

[0115] Каждая дорожка 14а и 14b заземляющего проводника имеет по меньшей мере одну, предпочтительно ровно одно сквозное отверстие 32a, 32b с металлизированной стороной стены, тем самым соединяя проводники заземления 14a и 14b к опоре.

Фиг. 4 — разрез одного из сквозных отверстий. 28 трассы заземляющего проводника.

[0117] Сквозное отверстие 28, которое сформировано в вспомогательной опоре 15, в Особо травленый, имеет наклонные боковые стенки. В частности, сквозное отверстие 28 имеет форму усеченного конуса с углом конуса от 5 до 90.градусов, предпочтительно от 20 до 40 градусов. Боковые стенки снабжены металлическим слоем 35, в частности, золотосодержащий металлический слой 35. Металлизация по смыслу изобретение также относится к полному заполнению отверстий в конкретные сквозные отверстия 28.

[0118] Используя вспомогательную опору, показанную на фиг. 3 и 4, это было можно достичь импеданса примерно 25 Ом. принадлежащий сигнальный тракт начинается от подключенной схемы драйвера и расширяется Что касается электронного компонента.

[0119] Корпус TO по изобретению обеспечивает высокую передачу показатели в высокочастотном диапазоне при использовании лазерных диодов DFB. В В то же время корпус TO прочен и легко монтируется. производство.

ТАБЛИЦА-US-00001 СПИСОК НОМЕРОВ 1 К корпусу 2 Базовая часть 3 Опора 4 Монтажная площадка 5a, 5b Проводники 6 Торцевая поверхность 7 Верхняя поверхность 8a, 8b Проход 9 Соединительный штифт 10 Стеклянное уплотнение 11a-11c Соединительный штырь 12a-12c Соединительный штырь 13 Заземляющий провод трасса 14a, 14b Трасса заземляющего проводника 15 Подставка 16 TEC 17 L-образная часть 18 Лазерный диод DFB 19 Подставка 20a, 20b Склеивание провода 21a, 21b Соединительные провода 22 Припой 23 Место для монтажа 24 Заземление проводник 25 проводник 26 проводник 27 соединение проволока 28 Сквозное отверстие 29 Угловая зона 30 Угловая зона 31 Угол область 32a, 32b Сквозное отверстие 33 Увеличение 34 Область соединения 35 Металлический слой 36 Термистор

* * * * *

Симисторный транзистор — MagneLink, inc.

Симисторный переключатель — это полупроводниковое устройство, используемое в цепи переменного напряжения, которая расширяется на типичное тиристорное устройство. Коммутаторы симистора состоят из двух параллельных тиристоров, которые перевернуты, так что их два вывода затвора соединены друг с другом. В отличие от обычного тиристора, который может управлять током только в течение половины цикла, симисторные переключатели могут управлять током в обеих частях волны переменного тока. Благодаря такой конструкции симисторные переключатели могут активироваться как положительными, так и отрицательными зарядами.

Симисторные переключатели обычно используются с тяжелыми индуктивными нагрузками в широком спектре приложений, в которых используются цепи переменного напряжения. Эти переключатели чаще всего используются для управления мощностью в системах переменного тока с более высокими требованиями к коммутации мощности. Их часто используют для управления различными осветительными приборами, в том числе диммерными переключателями. Многие небольшие двигатели и вентиляторы охлаждения в широком спектре различного оборудования также используют симисторные переключатели. Симисторные переключатели превосходно подходят для прямого управления реле и / или катушками стартера в двигателях, используемых в цепях переменного тока.

С другой стороны, транзисторные переключатели

работают с цепью постоянного напряжения. Как и симисторные переключатели, они предназначены для использования с большими индуктивными нагрузками, но устроены несколько иначе. Транзисторные переключатели — это полупроводниковые устройства, в которых используется транзистор, чей базовый вывод смещен по-разному, для включения или выключения выхода цепи постоянного тока. Когда через транзистор проходит небольшой ток, он проталкивает больший ток через транзистор в схему управления.

Транзисторные переключатели обычно используются в приложениях с более высокой мощностью, чем герконовые переключатели.Они хорошо работают, напрямую управляя реле и / или двигателями и двигателями. Кроме того, они часто встречаются в микрочипах компьютеров и калькуляторов, в картах и в автомобилях.

Чтобы узнать больше о наших симисторных и транзисторных переключателях и их применениях, свяжитесь с нами.

Полевой транзистор металл-оксид-полупроводник ASEAN

Пуна, 22 января 2021 г. (GLOBE NEWSWIRE) — Рынок полевых транзисторов на основе металл-оксидных полупроводников (MOSFET) АСЕАН, по прогнозам, достигнет 377 долларов США.6 миллионов к 2027 году, показав среднегодовой темп роста 7,6% в течение прогнозируемого периода. Сильная электронная промышленность в Ассоциации государств Юго-Восточной Азии (АСЕАН) будет основной движущей силой роста этого рынка, утверждает Fortune Business Insights ™ в своем отчете, озаглавленном « Металл-оксидный полупроводниковый полевой транзистор (MOSFET) Market. Размер, доля и анализ воздействия Covid-19, по типу (режим истощения и режим улучшения), по мощности (высокая мощность, средняя мощность и низкая мощность), по приложениям (сети и связь, обработка данных, энергия и мощность, Бытовая электроника, автомобилестроение и др.) И региональный прогноз на 2020-2027 гг. ».

Нажмите здесь, чтобы узнать о краткосрочном и долгосрочном влиянии COVID-19 на этот рынок.

Пожалуйста, посетите: https://www.fortunebusinessinsights.com/asean-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor-mosfet-market-104558

Согласно платформе продвижения инвестиций АСЕАН, инвестируйте в АСЕАН более 80% жестких дисков, поставляемых по всему миру, производятся в АСЕАН. В Таиланде расположены одни из крупнейших сборочных баз электроники в Юго-Восточной Азии, где находится более 2300 компаний и более 400 000 рабочих.В Малайзии насчитывается более 1695 компаний-производителей электроники с объемом инвестиций примерно 35,5 млрд долларов США. Кроме того, малазийская электронная промышленность вкладывает значительные средства в исследования и разработки, укрепляя положение страны в мире. Таким образом, стабильная деятельность электронной промышленности в регионе АСЕАН способствует производству и внедрению металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов.

Согласно отчету, оценочная стоимость мирового рынка в 2019 году составила 235 долларов США.2 миллиона. Основные особенности отчета:

Исчерпывающий анализ всех факторов, влияющих на рынок и сдерживающих его;
Углубленная диагностика различных сегментов рынка;
Микроскопическое исследование региональных тенденций, формирующих рынок; и
Практическое исследование конкурентной среды рынка.

Запросить образец копии отчета: https://www.fortunebusinessinsights.com/enquiry/request-sample-pdf/asean-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor-mosfet-market-104558

Сдерживающий фактор

Сбои в торговой деятельности из-за COVID-19 могут оказаться вредными для рынка

Внезапная вспышка пандемии COVID-19 вынудила страны принять меры изоляции и социального дистанцирования торговая деятельность.Во всем регионе АСЕАН страны также приостановили производственную и транспортную деятельность, чтобы сдержать распространение вируса. На Филиппинах, например, Murata и Samsung Electronics прекратили производство микросхем для микросхем с выводными рамками (MLCC), что повлияло на рынок высокопроизводительных MLCC для смартфонов и автомобилей, поскольку страна является важной базой для японских и корейских гигантов электроники . Точно так же в Малайзии производство резисторов пострадало на ранних стадиях пандемии, когда такие компании, как Huaxin Technology, прекратили производство на несколько недель.На рост рынка ASEAN MOSFET неизбежно повлияют эти события, вызванные пандемией коронавируса, но он будет неуклонно восстанавливаться, поскольку правительства и компании частного сектора активно пытаются вернуть региональную экономику к ее первоначальной траектории роста.

Обзор страны

Вьетнам: твердо владеет долей рынка; Сингапур покажет многообещающий рост

Ожидается, что Вьетнам будет лидером на рынке металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов АСЕАН из-за значительного роста отрасли силовой электроники в стране за последние несколько лет.В 2019 году размер рынка страны составлял 37,7 млн долларов США, и ожидается, что в течение прогнозируемого периода CAGR составит 8,5%. Ожидается, что в ближайшие годы Сингапур продемонстрирует многообещающий рост благодаря быстрому расширению электронной промышленности страны и благоприятному бизнес-климату. Кроме того, в стране имеется значительная доля квалифицированных рабочих, что привлекло крупных игроков в секторе электроники для инвестирования в Сингапур.

Спросите о настройке: https: // www.fortunebusinessinsights.com/enquiry/customization/asean-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor-mosfet-market-104558

Конкурентная среда

Стратегия роста основных игроков

Основные конкуренты на этом рынке вкладывают огромные средства в исследования и разработки, чтобы расширить свои существующие портфели и расширить клиентскую базу в быстро развивающейся электронной промышленности в странах АСЕАН.Региональные игроки также становятся свидетелями растущей конкуренции со стороны иностранных компаний, стремящихся усилить свое присутствие в Юго-Восточной Азии.

Отраслевые разработки:

Октябрь 2020 г .: Компания Toshiba Electronic Devices объявила о выпуске полевого МОП-транзистора из карбида кремния на 1200 В для всех видов промышленных приложений. MOSFET, разработанный с использованием микросхем Toshiba 2 поколения ^и, обеспечивает высокое сопротивление напряжению, низкое сопротивление в открытом состоянии и высокоскоростное переключение.
Июнь 2020 г .: Компания Renesas Electronics выпустила пару новых полумостовых драйверов MOSFET на 100 В, HIP2210 и HIP2211. HIP2210 оснащен трехуровневым входом PWM для эффективного источника питания, а HIP2211 разработан как обновление следующего поколения драйвера моста ISL2111 компании Renesas.

Список ключевых компаний, представленных в отчете по рынку металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов АСЕАН:

Fuji Electric Co., Ltd.(Токио, Япония)
Renesas Electronics Corporation (Токио, Япония)
Mitsubishi Electric Corporation (Токио, Япония)
Vishay Intertechnology, Inc. (Пенсильвания, США)
STMicroelectronics (Женева, Швейцария)
Диоды Incorporated (Техас, США)
Texas Instruments Incorporated (Техас, США)
TOSHIBA CORPORATION (Токио, Япония)
ON Semiconductor Corporation (Аризона, США)
Infineon Technologies AG (Neubiberg, Германия)

Быстрая покупка — Рынок металло-оксидных полупроводниковых полевых транзисторов АСЕАН : https: // www.fortunebusinessinsights.com/checkout-page/104558

Основное содержание:

Введение

Определение по сегментам
Подход к исследованиям
Источники Резюме
Динамика рынка
- Макро- и микроэкономические показатели
- Движущие силы, ограничения, возможности и тенденции
- Влияние COVID-19
Конкуренция
- Бизнес-стратегии, принятые ключевыми игроками
- Консолидированный SWOT-анализ ключевых игроков
- Анализ PESTLE
- 9013 908 Анализ силы Портера 908 0 Анализ и матрица доли рынка полевых полупроводниковых транзисторов (MOSFET) АСЕАН, 2019
Ключевые выводы рынка и стратегические рекомендации

Профили ключевых игроков (будет предоставлено только для 10 игроков)

Обзор
- Управление ключами
- Штаб-квартира и т. Д.
Предложения / бизнес-сегменты
Основные сведения (Основные сведения зависят от доступности данных в публичном доступе и / или в платных базах данных)
- Размер сотрудника
- Основные финансовые показатели

TOC Продолжение..

Обратитесь к нашему аналитику — https://www.fortunebusinessinsights.com/enquiry/speak-to-analyst/asean-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor-mosfet-market-104558

Ознакомьтесь с соответствующими исследованиями:

Рынок вилочных погрузчиков Размер, доля и анализ отрасли, по типу (класс I, класс II, класс III, класс IV, класс V), по применению (горнодобывающая промышленность, Логистика, строительство, продукты питания и напитки, природные ресурсы, производство, прочее (сельское хозяйство и т. Д.)) и региональный прогноз, 2019-2026 гг.

Рынок самосвалов Размер, доля и анализ отрасли по типу (шарнирно-сочлененные, жесткие), по конечному применению (горнодобывающая промышленность, строительство, утилизация отходов и т. д.) и региональный прогноз на 2019-2026 гг.

Рынок кранов Размер, доля и анализ отрасли по типам продукции (мобильные, стационарные, морские), отраслям конечных пользователей (строительство, горнодобывающая промышленность, промышленность, нефть и газ, другие) и региональному прогнозу на 2019-2026 гг.

Рынок строительного оборудования Размер, доля и анализ воздействия COVID-19, по типу оборудования (землеройное оборудование, погрузочно-разгрузочное оборудование и краны, бетонное оборудование, дорожно-строительное оборудование, гражданское инженерное оборудование, дробильно-сортировочное оборудование и другое оборудование), по применению ( Жилой, коммерческий и промышленный сектор) и региональный прогноз, 2020-2027 гг.

О нас:

Fortune Business Insights ™ предлагает экспертный корпоративный анализ и точные данные, помогая организациям любого размера принимать своевременные решения.Мы разрабатываем инновационные решения для наших клиентов, помогая им решать проблемы, характерные для их бизнеса. Наша цель — предоставить нашим клиентам целостную информацию о рынке, предоставляя детальный обзор рынка, на котором они работают.

Наши отчеты содержат уникальное сочетание осязаемых идей и качественного анализа, которые помогают компаниям достичь устойчивого роста. Наша команда опытных аналитиков и консультантов использует ведущие в отрасли инструменты и методы исследования для составления всеобъемлющих рыночных исследований с вкраплениями соответствующих данных.

В Fortune Business Insights ™ мы стремимся выявить наиболее прибыльные возможности роста для наших клиентов. Поэтому мы предлагаем рекомендации, облегчающие им ориентирование в технологических и рыночных изменениях. Наши консультационные услуги призваны помочь организациям выявить скрытые возможности и понять преобладающие проблемы конкуренции.

Свяжитесь с нами:
Fortune Business Insights ™ Pvt. Ltd.
308, Главное управление,
Survey No.36, Банер,
Пуна-Бангалор шоссе,
Пуна — 411045, Махараштра, Индия.
Телефон:
США: + 1-424-253-0390
Великобритания: + 44-2071-939123
APAC: + 91-744-740-1245
Электронная почта: [email protected]
Fortune Business Insights ™
LinkedIn | Twitter | Блоги

Читать пресс-релиз https://www.fortunebusinessinsights.com/press-release/asean-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor-market-10415

Транзисторы

4 .Транзисторы

Транзисторы являются активными компонентами и найдены везде в электронных схемах. Они используются как усилители и коммутационные устройств. В качестве усилителей они используются в и низкочастотные каскады, генераторы, модуляторы, детекторы и в любом схема, необходимая для выполнения функции. В цифровых схемах они используются как переключатели.

Существует большое количество производителей по всему миру, которые производят полупроводники (транзисторы членов этого семейства компонентов), так что буквально тысячи различные виды.Бывают малой, средней и высокой мощности транзисторы, для работы с высокими и низкими частотами, для работы с очень высокий ток и / или высокое напряжение. На рисунке показаны несколько различных транзисторов. 4.1.

Самый распространенный вид Транзисторы называются биполярными, и они делятся на типы NPN и PNP.
Их конструкционным материалом чаще всего является кремний (их в маркировке — буква В) или германий (в маркировке — буква А). Оригинальные транзисторы были сделаны из германия, но они были очень чувствительный к температуре.Кремниевые транзисторы намного больше термостойкие и намного дешевле в производстве.

Рис. 4.1: Различные транзисторы

Рис. 4.2: Транзистор символы: а — биполярный, б — полевой транзистор, в — полевой МОП-транзистор , г — двойной затвор MOSFET,
e — полевой МОП-транзистор с индуктивным каналом, f — одинарное соединение транзистор

Вторая буква в маркировке транзисторов описывает их основное применение:
C — НЧ малой и средней мощности. транзистор,
D — транзистор НЧ большой мощности,
F — ВЧ малой мощности транзистор,
G — другие транзисторы,
L — высокомощный HF транзисторы,
P — фототранзистор,
S — переключающий транзистор,
U — транзистор высокого напряжения.

Вот несколько примеров:
AC540 — германиевый сердечник, НЧ, малой мощности,
AF125 — германиевый сердечник, ВЧ, низкий мощность,
BC107 — кремний, НЧ, малой мощности (0,3Вт),
BD675 — кремний, НЧ, высокая мощность (40Вт),
BF199 — кремний, ВЧ (до 550 МГц),
BU208 — кремний (на напряжение до 700В),
BSY54 — кремний, коммутационный транзистор.
Возможна третья буква (R и Q — СВЧ транзисторы, или X — переключающий транзистор), но эти буквы меняются от производителя к производителю.
Число после буквы не имеет значения для пользователей.
американских производителей транзисторов имеют разные марки, с префикс 2N, за которым следует число (например, 2N3055). Этот знак аналогичен диодным меткам с префиксом 1N (например, 1N4004).
Японский биполярный транзистор имеет префикс a: 2SA, 2SB, 2SC или 2SD и полевые транзисторы с 3S:
2SA — PNP, HF транзисторы,
2SB — Транзисторы PNP, LF,
2SC — NPN, HF транзисторы,
2SD — NPN, HF транзисторы.

На рисунке показаны несколько различных транзисторов. фото 4.1, а условные обозначения схем на 4.2. Транзисторы малой мощности заключены в небольшой пластиковый или металлические корпуса различной формы. Биполярные транзисторы имеют три вывода: для базы (B), эмиттера (E) и коллектора (C). Иногда ВЧ у транзисторов есть еще один вывод, который соединен с металлом Корпус. Этот вывод подключается к земле цепи, чтобы защитить транзистор от возможных внешних электрических помех.Четыре отведения возникают из некоторых других типов, таких как полевые транзисторы с двумя затворами. Транзисторы большой мощности отличаются от от низкой до средней мощности, как по размеру, так и по форме.

Важно иметь каталог производителей или техническое описание, чтобы знать, какой вывод подключен к какой части транзистора. Эти документы содержат информацию о правильности компонента использование (максимальный номинальный ток, мощность, усиление и т. д.), а также схема распиновки.Размещение лидов и различные типы корпусов для некоторых часто используемых транзисторов показаны на диаграмме 4.3.

Рис. 4.3: Распиновка некоторых распространенных пакеты

Это может быть полезно запомнить распиновку для ТО-1, ТО-5, ТО-18 и ТО-72 пакеты и сравните их с рисунком 4.2 (а). Эти транзисторы те, с которыми вы часто будете сталкиваться в повседневной работе.

Корпус ТО-3, который используется для размещения мощных Транзисторы, имеет только два контакта, один для базы и один для эмиттера.В коллектор подключен к пакету, а он подключен к остальным схемы через один из винтов, которыми транзистор крепится к радиатору.

Используемые транзисторы с очень высокими частотами (например, BFR14) имеют форму штифтов по-другому.
Один из прорывов в области электронной Компоненты были изобретением схем поверхностного монтажа (SMD). Эта технология позволила производителям создавать крошечные компоненты с такими же свойствами, как и их более крупные. аналоги, и, следовательно, уменьшить размер и стоимость дизайн.Один из корпусов SMD — это корпус SOT23. Там есть, однако компромисс с этим, компоненты SMD трудно припаять к плате ПК, и они обычно нужно специальное паяльное оборудование.

Как мы уже говорили, существуют буквально тысячи различных транзисторы, многие из них имеют схожие характеристики, что делает его возможность замены неисправного транзистора на другой. В характеристики и сходства можно найти в сравнительных таблицах.Если у вас нет в этих таблицах вы можете попробовать некоторые из транзисторов, которые у вас уже есть. Если схема продолжает работать исправно, все ок. Вы можете заменить только Транзистор NPN с транзистором NPN. То же самое касается транзисторов PNP или FET. Это также необходимо убедиться, что распиновка правильная, прежде чем паять его разместите и включите проект.
В качестве полезного руководства есть диаграмма в этой главе, которая показывает список замен для некоторых часто б / у транзисторы.

4.1 Принцип работы транзистора

Транзисторы используются в аналоговых схемах усилить сигнал. Они также используются в источниках питания в качестве регулятор, и вы также найдете их используемыми в качестве переключателя в цифровых схемы.
Лучший способ изучить основы транзисторов — это экспериментирую. Ниже показана простая схема. Он использует силу транзистор для освещения земного шара. Также вам понадобится аккумулятор, небольшая лампочка. (снято с фонарика) со свойствами около 4.5В / 0,3А, линейный потенциометр (5 кОм) и резистор 470 Ом. Эти компоненты должны быть подключены, как показано на рисунке 4.4a.

Рис. 4.4: Принцип работы транзистора: потенциометр перемещается в верхнее положение — напряжение на базе увеличивается — ток через базу увеличивается — ток через коллектор увеличивается — яркость глобуса увеличивается на .
Резистор
(R) на самом деле не нужен, но если вы его не используете, вы нельзя поворачивать потенциометр (горшок) в верхнее положение, потому что это может разрушить транзистор — это потому, что постоянное напряжение UBE (напряжение между базой и эмиттер), не должно быть больше 0.6В, для кремниевые транзисторы.

Поверните потенциометр в самое низкое положение. Это приводит к появлению напряжения на базе (или более правильно между базой и землей) до нуля вольт (UBE = 0). Лампочка не горит, что означает отсутствие тока, проходящего через транзистор.

Как уже упоминалось, потенциометры самые нижние позиция означает, что UBE равно нулю. Когда поворачиваем ручку из крайнего нижнего положения UBE постепенно увеличивается.Когда UBE достигает 0,6 В, ток начинает поступать транзистор и земной шар начинают светиться. Когда горшок повернут далее, напряжение на базе остается на уровне 0,6 В, но ток увеличивается, и это увеличивает ток через коллектор-эмиттер схема. Если горшок повернуть полностью, базовое напряжение увеличится. немного до 0,75 В, но ток значительно увеличится и глобус будет ярко светиться.

Если мы подключил амперметр между коллектором и лампочкой (к измерить IC), еще один амперметр между горшком и основанием (для измерение IB) и вольтметр между землей и основанием и повторить весь эксперимент, мы найдем некоторые интересные данные.Когда горшок в нижнем положении UBE равен 0V, как и токи IC и IB. Когда горшок поворачивается, эти значения начинают расти до тех пор, пока лампочка начинает светиться, когда они: UBE = 0,6 В, IB = 0,8 мА и IB = 36 мА (если ваши значения отличаются от этих значений, это потому, что 2N3055 используемый писатель не имеет тех же технических характеристик, что и вы используете, что часто бывает при работе с транзисторами).
Конечным результатом этого эксперимента является то, что когда ток на меняется база, меняется ток на коллекторе.

Давайте посмотрим на другой эксперимент, который расширит наши знание транзистора. Требуется транзистор BC107 (или любой другой аналогичный маломощный транзистор), источник питания (такой же, как у предыдущего эксперимент), резистор 1M, наушники и электролитический конденсатор, значение которого может варьироваться от 10u до 100F с любым рабочее напряжение.
Простой усилитель низкой частоты может быть построен из эти компоненты, как показано на схеме 4.5.

Фиг.4.5: Простой транзисторный усилитель

Следует отметить, что схема 4.5a аналогична схеме на 4.4a. Основное отличие в том, что к наушникам подключается коллектор. «Включающий» резистор — резистор на базе, 1М. Когда нет резистора, нет тока IB, и нет тока Ic. Когда резистор подключен к цепь, базовое напряжение равно 0,6 В, а базовый ток IB = 4А. Транзистор имеет усиление 250, что означает ток коллектора составит 1 мА.Поскольку оба этих токов входят в транзистор, очевидно, что эмиттер ток равен IE = IC + IB. А поскольку базовый ток в большинстве случаев незначительны по сравнению с током коллектора, считается что:

Связь между током, протекающим через коллектор, и Текущий протекающий через базу называется усилением тока транзистора. коэффициент и обозначен как hFE.В нашем примере этот коэффициент равен равно:

Наденьте наушники и приложите кончик пальца к точке 1. Вы будете слышать шум. Ваше тело принимает «сетевое» напряжение переменного тока 50 Гц. Шум слышен из наушников это напряжение, только усиленное транзистором. Давайте объясните эту схему немного подробнее. Напряжение переменного тока частотой 50 Гц составляет подключен к базе транзистора через конденсатор C. Напряжение на базе теперь равно сумме постоянного напряжения (0.6 прибл.) Через резистор R, и переменное напряжение «от» пальца. Это означает, что эта база напряжение выше 0,6 В, пятьдесят раз в секунду и пятьдесят раз немного ниже этого. Из-за этого ток на коллекторе выше 1 мА пятьдесят раз в секунду и в пятьдесят раз меньше. Этот переменный ток используется для сдвига мембраны громкоговорителей вперед пятьдесят раз в секунду и пятьдесят раз назад, что означает, что мы на выходе слышен тон 50 Гц.
Прослушивание шума 50 Гц не очень интересно, так что вы можете подключиться к точкам 1 и 2 немного ниже частотный сигнал источник (проигрыватель компакт-дисков или микрофон).

Существуют буквально тысячи различных схемы, использующие транзистор в качестве активного усилительного устройства. И все эти транзисторы работают так, как показано в наших экспериментах, которые означает, что, создавая этот пример, вы фактически создаете базовый строительный блок электроники.

4.2 Основные характеристики транзисторы

Выбор правильного транзистора для схемы исходя из следующих характеристик: максимальное номинальное напряжение между коллектором и эмиттером UCEmax, максимальный ток коллектора ICmax и максимальная номинальная мощность PCmax.
Если вы необходимо заменить неисправный транзистор, или вы чувствуете себя достаточно комфортно, чтобы Постройте новую схему, обратите внимание на эти три значения. Ваш схема не должна превышать максимальные номинальные значения транзистора.Если это не принимать во внимание, есть возможность необратимого повреждения цепи. Помимо упомянутых нами ценностей, это иногда важно знать усиление тока и максимальную частоту операция.
При наличии постоянного напряжения UCE между коллектор (C) и эмиттер (E) с коллекторным током, транзистор действует как небольшой электрический нагреватель, мощность которого выдается с помощью это уравнение:

Из-за этого транзистор нагревается и все в своем близость.Когда UCE или ICE поднимаются (или оба), транзистор может перегреться и повредиться. Максимальная мощность для транзистора — PCmax (находится в техническая спецификация). Это означает, что продукт UCE и IC должен не должно быть выше PCmax:

Значит, если напряжение на транзисторе увеличивается, ток должен быть понижен.
Например, максимальное номинальные параметры транзистора BC107:
ICmax = 100 мА,
UCEmax = 45 В и
PCmax = 300 мВт
Если нам нужен Ic = 60 мА, максимальное напряжение составляет:

Для UCE = 30 В максимальный ток составляет:

Помимо других характеристик, этот транзистор имеет ток коэффициент усиления в диапазоне от hFE = 100 до 450, и он может использоваться для частот ниже 300 МГц.Согласно рекомендованным значениям данные производителем, оптимальные результаты (стабильность, низкий уровень искажений и шум, высокое усиление и т. д.) при UCE = 5 В и IC = 2 мА.
Бывают случаи когда тепло, выделяемое транзистором, не может быть преодолено регулировкой напряжения и ток. В этом случае транзисторы имеют металлическую пластину с отверстием, которое используется для крепления это к радиатор, чтобы тепло передавалось на большую поверхность.

Текущий усиление важно при использовании в некоторых схемах, где есть это необходимость равного усиления двух транзисторов.Например, Транзисторы 2N3055H имеют hFE в диапазоне от 20 до 70, что означает, что есть вероятность, что у одного их 20, а у другого 70. Это означает, что в случаях, когда необходимы два одинаковых коэффициента, их следует измерить. Некоторые мультиметры имеют возможность измерения это, но большинство этого не делает. Поэтому мы предоставили простую схему (4.6) для проверки транзисторов. Все, что вам нужно, это опция на вашем мультиметр для измерения постоянного тока до 5 мА. Оба диода (1N4001, или аналогичные кремниевые диоды общего назначения) и резисторы 1 кОм используются для защитите прибор, если транзистор «поврежден».Как мы уже сказали, текущий коэффициент усиления равен hFE = IC / IB. В цепи, когда переключатель S нажата, ток течет через базу и примерно равен до IB = 10uA, поэтому, если ток коллектора отображается в миллиамперах. В прирост равен:

Например, если мультиметр показывает 2,4 мА, hFE = 2,4 * 100 = 240.

Рис. 4.6: Измерение hFE

При измерении NPN-транзисторов питание следует подключать как показано на схеме.Для транзисторов PNP аккумулятор перевернут. В этом случае, щупы также следует перевернуть, если вы используете аналоговый прибор (один иглой). Если вы используете цифровой измеритель (настоятельно рекомендуется), он не независимо от того, какой зонд куда идет, но если вы сделаете это так же, как и вы с NPN перед считанным значением будет минус, что означает этот ток течет в противоположном направлении.

4.3 Самый безопасный способ тестирования транзисторы

Другой способ проверить транзистор — вставить его в цепь. и обнаружить операцию.Следующая схема представляет собой мультивибратор. В «тестовый транзистор» — Т2. Напряжение питания может быть до 12 В. Светодиод будет мигать, когда в схему вставлен исправный транзистор.

Рис. 4.7: Генератор для проверки транзисторов

Для проверки транзисторов PNP подойдет то же самое, только транзистор. которые необходимо будет заменить, это T1, а также батарея, светодиоды, C1 и C2. следует поменять местами.

4.4 ТУН и ТУП

Как мы уже говорили, многие электронные устройства работают отлично даже если транзистор заменить на аналогичное устройство.По этой причине многие журналы используют обозначения TUN и TUP в своих схемах. Это общие транзисторы назначения. TUN обозначает транзистор NPN общего назначения, а TUP представляет собой транзистор PNP общего назначения.

TUN = Универсальный транзистор NPN и TUP = Универсальный транзистор PNP.
Эти транзисторы имеют следующие Характеристики:

4,5 Практический пример

Наиболее распространенная роль транзистора в аналоговой схеме: как активный (усилительный) компонент.На схеме 4.8 показан простой радиоприемник. — обычно называемый «набором кристаллов с усилителем».

Переменный конденсатор C и катушка L образуют параллельно колеблющиеся схема, которая используется для выделения сигнала радиостанции множества разных сигналов разных частот. Диод, конденсатор 100 пФ и Резистор 470 кОм формирует диодный детектор, который используется для преобразовать низкочастотное напряжение в информацию (музыку, речь). Информация через резистор 470k проходит через конденсатор емкостью 1 мкФ на базу транзистора.Транзистор и связанные с ним компоненты создают усилитель низкой частоты, который усиливает сигнал.
На рисунке 4.8 есть символы для общее заземление и заземление. Новички обычно предполагают, что эти двое то же самое, что является ошибкой. На плате общая земля — это медь. дорожка, размер которой значительно шире остальных дорожек. Когда это радиоприемник построен на печатной плате, масса — медь полоса соединительных отверстий, где нижний конец конденсатора C, катушка L Припаиваются конденсатор 100 пФ и резистор 470 кОм.С другой стороны, заземление — это металлический стержень, застрявший во влажной земле (соединяющий ваши цепи точка заземления водопровода или системы отопления вашего дома также является хороший способ обосновать ваш проект).
Резистор R2 смещает транзистор. Это напряжение должно быть около 0,7 В, чтобы напряжение на коллекторе было примерно равно половина напряжения аккумулятора.

Рис. 4.8: Детекторный приемник с простым усилителем

Крошечный мощный транзистор — Los Angeles Times

Маленькому электронному устройству, которое вызвало один из самых драматических технологических взрывов в истории, в воскресенье исполняется 60 лет.Скромный транзистор и его потомок, полупроводниковый чип, который сделал возможной цифровую революцию, сегодня затрагивают почти все аспекты нашей жизни.

Вокруг нас миллиарды и миллиарды транзисторов тихо работают в компьютерах, мобильных телефонах, радиоприемниках, телевизорах, принтерах, копировальных аппаратах, проигрывателях компакт-дисков, автомобилях — во всем, где есть электроника. Транзисторы сделали возможным освоение космоса и революцию в области персональных компьютеров. (По словам Билла Гейтса, «без изобретения транзистора я совершенно уверен, что ПК не существовал бы в том виде, в каком мы его знаем сегодня».») Без транзисторов не было бы iPod или портативного мобильного телефона. Нет интернета. Не было бы полупроводниковой индустрии с многомиллиардным оборотом, Intel, Nokia, Microsoft или Google. Нет Кремниевой долины.

Сегодня самые сложные кремниевые чипы могут содержать более 1 миллиарда транзисторов каждый — и мы производим миллиарды новых чипов каждый год. Понимать цифры практически невозможно. Каждый год мы производим транзисторов примерно в 10 миллионов раз больше, чем звезд в Млечном Пути.

Транзистор — это небольшой электронный переключатель, способный усиливать электрический ток, изобретенный Джоном Бардином, Уолтером Браттейном и Уильямом Шокли в Bell Labs в Нью-Джерси 16 декабря 1947 года. Они подстроили первый транзистор с помощью скрепки для бумаг. немного германия и золотой фольги, и обнаружил, что это увеличивает электрический ток стократным. На какое-то время они держали открытие при себе и показали устройство своему начальству незадолго до Рождества. Бардин, Браттейн и Шокли получили Нобелевскую премию по физике в 1956 году.

Современная электроника зародилась в 1906 году, когда Ли де Форест обнаружил, что наэлектризованная сетка, помещенная между двумя электродами в вакууме, может усиливать электрический ток и действовать как переключатель. Полученные в результате электронные лампы вскоре стали рабочей лошадкой электроники, используемой в радиоприемниках и телефонных системах. К концу Первой мировой войны Western Electric производила 1 миллион электронных ламп в год.

Пик технологии вакуумных ламп пришелся на создание первого цифрового компьютера ENIAC, построенного между 1944 и 1946 годами в Пенсильванском университете.ENIAC был колоссальной машиной — примерно 100 футов в длину, 10 футов в высоту и 3 фута в глубину — состоял примерно из 100 000 деталей, в том числе 18 000 электронных ламп. Легенда гласит, что при включении ENIAC свет в западной Филадельфии потускнел. Трубка выходила из строя каждые несколько дней, и ее приходилось заменять. Это была обратная сторона электронных ламп; они потребляли огромное количество энергии и часто терпели неудачу.

Исследователи Bell Labs предвидели эту проблему и в середине 1940-х годов создали команду, чтобы найти замену.Целью было создать твердотельное устройство, в котором не было бы вакуума, волокон и движущихся частей. Команда сделала ставку на полупроводники — такие материалы, как кремний и германий, которые проводят электричество при определенных условиях. К декабрю 1947 года исследователи нашли золото.

Первым коммерческим продуктом, в котором использовались транзисторы, стал слуховой аппарат, сделанный в 1952 году. Журнал Fortune объявил 1953 год «Годом транзистора», а к 1954 году компания Texas Instruments представила транзисторный радиоприемник.В 1958 году Джек Килби из Texas Instruments построил первую интегральную схему, которая объединила несколько транзисторов на кремниевом кристалле — еще одна веха в истории полупроводников.

Из этих относительно скромных начинаний произошли изменения, сопоставимые с промышленной революцией. Многие уже слышали о законе Мура, который стал мантрой цифровой эпохи. Впервые предложенный соучредителем Intel Гордоном Муром в 1960-х годах, он гласит, что количество транзисторов на кристалле (и, следовательно, его вычислительная мощность) удваивается каждые два года, а цена чипа падает вдвое.Закон Мура действует более четырех десятилетий, стимулируя невероятный технологический рост, миниатюризацию и богатство.

Сегодня современный чип содержит более 1 миллиарда транзисторов, расположенных на площади размером с ноготь человека.

С экономической точки зрения, если бы цена автомобиля соответствовала падению цены на транзистор, мы бы платили меньше за машину, чем за кусок пиццы.

В ближайшие несколько лет вопрос в том, сможет ли полупроводниковая промышленность поддержать этот неумолимый прогресс.Дальнейшее сжатие транзисторов оказывается проблематичным, поскольку преодолеваются определенные фундаментальные физические барьеры. В то же время открываются новые границы. Задача заключается в создании эффективных транзисторов, которые используют и усиливают свет вместо электричества, что обеспечит гораздо более высокую скорость обработки.

Итак, в свой 60-летний юбилей ответьте на звонок по мобильному телефону, включите компьютер, включите свой iPod — и в процессе произнесите тост за невероятный транзистор, скромный электронный переключатель, который за два поколения людей навсегда изменил нашу жизнь. работать и играть.

Lcr-t4 тестер транзисторов диодный триод жк-измеритель esr индуктивность с корпусом Продажа

Способы доставки

Общее расчетное время, необходимое для получения вашего заказа, показано ниже:

Вы оформили заказ
(Время обработки)
Отправляем заказ
(время доставки)
Доставка!

Общее расчетное время доставки

Общее время доставки рассчитывается с момента размещения вашего заказа до момента его доставки вам.Общее время доставки делится на время обработки и время доставки.

Время обработки: Время, необходимое для подготовки ваших товаров к отправке с нашего склада. Это включает в себя подготовку ваших товаров, выполнение проверки качества и упаковку для отправки.

Время доставки: Время, в течение которого ваш товар (-ы) дойдет с нашего склада до пункта назначения.

Ниже приведены рекомендуемые способы доставки для вашей страны / региона:

Отправлено в: Корабль из

Этот склад не может быть доставлен к вам.

Способ (ы) доставки	Время доставки	Информация для отслеживания

Примечание:

(1) Вышеупомянутое время доставки относится к расчетному времени в рабочих днях, которое займет отгрузка после отправки заказа.

(2) Рабочие дни не включают субботу / воскресенье и праздничные дни.

(3) Эти оценки основаны на нормальных обстоятельствах и не являются гарантией сроков доставки.

(4) Мы не несем ответственности за сбои или задержки в доставке в результате любых форс-мажорных обстоятельств, таких как стихийное бедствие, плохая погода, война, таможенные проблемы и любые другие события, находящиеся вне нашего прямого контроля.

(5) Ускоренная доставка не может быть использована для почтовых ящиков

Расчетные налоги: Может взиматься налог на товары и услуги (GST).

Способы оплаты

Мы поддерживаем следующие способы оплаты.Нажмите, чтобы получить дополнительную информацию, если вы не знаете, как платить.

* В настоящее время мы предлагаем оплату наложенным платежом для Саудовской Аравии, Объединенных Арабских Эмиратов, Кувейта, Омана, Бахрейна, Катара, Таиланда, Сингапура, Малайзии, Филиппин, Индонезии, Вьетнама, Индии.