Кт646А параметры: Транзисторы КТ645, КТ646 — параметры,цоколевка.

Транзисторы КТ645, КТ646 — параметры,цоколевка.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б, КТ646В.

Транзисторы КТ646 — кремниевые, высокочастотные, быстродействующие структуры n-p-n .
В настоящее время эти транзисторы производятся на белорусском предприятии «Интеграл», а также в ЗАО»Кремний-Маркетинг»(Брянск).
Корпус пластиковый TO-126.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 1 Вт без радиатора,2,5 Вт — с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер(постоянное):
У транзисторов КТ646А — 50 в.
У транзисторов КТ646Б — 40 в.
У транзисторов КТ646В — 40 в.

Максимальное напряжение коллектор — база(постоянное):
У транзисторов КТ646А — 60

в.
У транзисторов КТ646Б — 40 в.
У транзисторов КТ646В — 40 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У всех транзисторов КТ646 — 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 1А, импульсный — 1,2А.

Коэффициент передачи тока в схеме с «общим эмиттером» :
У транзисторов КТ646А — от 40 до 200.
У транзисторов КТ646Б — свыше 150.
У транзисторов КТ646В -от 150 до 340.

Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию:
У транзисторов КТ646А при напряжении коллектор-база 60в — не более 10мкА.
У транзисторов КТ646Б при напряжении коллектор-база 40в — не более 10мкА.
У транзисторов КТ646В при напряжении коллектор-база 35в — не более 0,05мкА..

Граничная частота передачи тока( fh31э ) — 250 мГц.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: У транзисторов КТ646А при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 0,85

в.
У транзисторов КТ646Б при токе колектора 200 мА и токе базы 20 мА — не более 0,25 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 0,25 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер — при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 1,2 в.

Аналоги КТ646.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б были разработаны на основе импортных 2SC495 и 2SC496, соответственно.
Аналоги получились не полные, но ближайшими их вполне назвать можно.

На главную страницу

Транзистор КТ646 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ646

 

 

Параметры транзистора КТ646

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ646А		2SC2720 *1, 2SC3739 *3, KN100 *1, 6101 *1 , 2SD1423A *3, 2SD602A *3
		КТ646Б		YTS2222 *3, KST4401 *1, KN4401 *3, 2SC4097R *1, 2SC2411KR *1, 2SC2411KQ *1
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ646А	—	1(2.5*)	Вт
		КТ646Б	—	1
		КТ646В	—	1
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ646А	—	≥200	МГц
		КТ646Б	—	≥200
		КТ646В	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ646А	—	60	В
		КТ646Б	—	40
		КТ646В	—	40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ646А	—	4(5)	В
		КТ646Б	—	4
		КТ646В	—	4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ646А	—	1; 1.2*	А
		КТ646Б	—	1; 1.2*
		КТ646В	—	1; 1.2*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО , I*КЭR, I**КЭO	КТ646А	60 В	≤10	мкА
		КТ646Б	40 В	≤10
		КТ646В	40 В	≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ646А	5 В; 0.2 А	40…200*
		КТ646Б	5 В; 0.2 А	150…200*
		КТ646В	5 В; 0.2 А	150…300*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ646А	10 В	≤10	пФ
		КТ646Б	10 В	≤10
		КТ646В	10 В	≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ646А	—	≤1.7	Ом, дБ
		КТ646Б	—	≤1.2
		КТ646В	—	≤0.06
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ646А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ646Б	—	—
		КТ646В	—	—
		КТ646Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ646А	—	≤120; ≤60*	пс
		КТ646Б	—	≤120; ≤60*
		КТ646В	—	≤120; ≤60*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор КТ646А

Срок доставки: 

от 1 до 14 дней

Производитель: 

Цена:

По запросу

Отправить запрос

Кремниевые биполярные эпитаксиально-планарные высокочастотные быстродействующие N-P-N транзисторы КТ646А предназначены для использования в приемоусилительных схемах, оперативных и постоянных запоминающих устройствах, управляющих вычислительных комплексах и другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Обозначение технических условий

Особенности

• Диапазон рабочих температур:  — 45 до + 85 С

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Назначение выводов

Вывод	Назначение
№1	Эмиттер
№2	Коллектор
№3	База

Основные электрические параметры КТ646 при Токр.среды плюс 25 С

Параметры	Обозначение	Ед. изм.	Режимы измерения	Min	Max
Обратный ток коллектора	IКБО	мкА	UКБ = 60 В	—	10
КТ646А
Статический коэффициент передачи тока	h31э		f = 50 Гц UКБ = 5 B, IЭ = 200 мА	40	200
КТ646А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	UКЭ (нас)	В	IК = 500 мA, IБ = 50 мА	—	0,85
КТ646А
Время рассасывания — КТ646А	tрас	нс	IК= 150 мА, IБ1 = IБ2 = 15 мА, tи 50	—	60
Напряжение насыщения база — эмиттер	UБЭ(нас)	В	IК = 500 мА, IБ = 50 мA	—	1,2
Емкость коллекторного перехода*	CК	пФ	UКБ= 10 B, IЭ = 0, f = 107 Гц	—	10
Емкость эмиттерного перехода*	СЭ	пФ	UЭБ = 0 B, f = 107 Гц	—	80
Обратный ток эмиттера	IЭБО	мкА	UЭБО = 4,0 B	—	10

* Справочные параметры

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ646

Параметры	Обозначение	Единица измерения	Значение
			А	Б	В
Напряжение коллектор-эмиттер	UКЭ max	В	60	40	40
Напряжение эмиттер-база	UЭБ max	В	4,0	4,0	4,0
Напряжение коллектор-база	UКБ max	В	60	40	40
Постоянный ток коллектора	IК max	мА	1000	1000	1000
Температура перехода	TПЕР	C	150	150	150

Транзистор КТ646А

Кремниевые биполярные эпитаксиально-планарные высокочастотные быстродействующие N-P-N транзисторы КТ646А предназначены для использования в приемоусилительных схемах, оперативных и постоянных запоминающих устройствах, управляющих вычислительных комплексах и другой радиоэлектронной аппаратуре широкого применения.

Основные электрические параметры КТ646 при Токр.среды плюс 25 С

Параметры	Обозначение	Ед. изм.	Режимы измерения	Min	Max
Обратный ток коллектора	IКБО	мкА	UКБ = 60 В	—	10
КТ646А
Статический коэффициент передачи тока	h31э		f = 50 Гц UКБ = 5 B, IЭ = 200 мА	40	200
КТ646А
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	UКЭ (нас)	В	IК = 500 мA, IБ = 50 мА	—	0,85
КТ646А
Время рассасывания — КТ646А	tрас	нс	IК= 150 мА, IБ1 = IБ2 = 15 мА, tи 50	—	60
Напряжение насыщения база — эмиттер	UБЭ(нас)	В	IК = 500 мА, IБ = 50 мA	—	1,2
Емкость коллекторного перехода*	CК	пФ	UКБ= 10 B, IЭ = 0, f = 107 Гц	—	10
Емкость эмиттерного перехода*	СЭ	пФ	UЭБ = 0 B, f = 107 Гц	—	80
Обратный ток эмиттера	IЭБО	мкА	UЭБО = 4,0 B	—	10

Транзистор КТ646А | | Радиодетали в приборах

Транзистор КТ646А
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ646А

Золото: 0.0035
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения – буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами – МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения – одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 – германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 – кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 – германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 – кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 – германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 – кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 – германий.
Буква К или цифра 2 – кремний.
Буква А или цифра 3 – арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П – полевой транзистор
Т – биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 – транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 – транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 – транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения – определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей – третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 – транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 – транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Поделиться ссылкой:

Похожее

Транзисторы КТ645, КТ646 — параметры, цоколевка.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б, КТ646В.

Транзисторы КТ646 — кремниевые, высокочастотные, быстродействующие структуры n-p-n.
В настоящее время эти транзисторы производятся на белорусском предприятии «Интеграл», г. а также в ЗАО «Кремний-Маркетинг» (Брянск).
Корпус пластиковый TO-126.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность (Рк т max) — 1 Вт без радиатора, 2,5 Вт — с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер (постоянное):
У транзисторов КТ646А — 50 в.
У транзисторов КТ646Б — 40 в.
У транзисторов КТ646В — 40 в.

Максимальное напряжение коллектор — база (постоянное):
У транзисторов КТ646А — 60 в.
У транзисторов КТ646Б — 40 в.
У транзисторов КТ646В — 40 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У всех транзисторов КТ646 — 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 1 А, импульсный — 1,2 А.

Коэффициент передачи тока в схеме с «общим эмиттером»:
У транзисторов КТ646А — от 40 до 200 .
У транзисторов КТ646Б — свыше 150 .
У транзисторов КТ646В -от 150 до 340 .

Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию:
У транзисторов КТ646А при напряжении коллектор-база 60в — не более 10 мкА.
У транзисторов КТ646Б при напряжении коллектор-база 40в — не более 10 мкА.
У транзисторов КТ646В при напряжении коллектор-база 35в — не более 0,05 мкА ..

Граничная частота передачи тока (fh31э) — 250 мГц.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: У транзисторов КТ646А при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 0,85 в.
У транзисторов КТ646Б при токе колектора 200 мА и токе базы 20 мА — не более 0,25 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 0,25 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер — при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 1,2 в.

Аналоги КТ646.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б были разработаны на основе импортных 2SC495 и 2SC496, соответственно.
Аналоги получились не полные , но ближайшими их вполне назвать можно.

На главную страницу

.

Транзистор КТ646 — Лист данных

Цоколевка транзистора КТ646

Параметры транзистора КТ646

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ646А		2SC2720 * 1 , 2SC3739 * 3 , KN100 * 1 , 6101 * 1 , 2SD1423A * 3 , 2SD602A * 3
		КТ646Б		YTS2222 * 3 , KST4401 * 1 , KN4401 * 3 , 2SC4097R * 1 , 2SC2411KR * 1 , 2SC2411KQ * 1
Структура			–	н-п-н
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P K макс, P * K, τ макс , P ** K, и макс	КТ646А	–	1 (2.5 *)	Вт
		КТ646Б	–	1
		КТ646В	–	1
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f гр, f * h31б, f ** h31э, f *** max	КТ646А	–	≥200	МГц
		КТ646Б	–	≥200
		КТ646В	–	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	У КБО проб., U * КЭР проб., U ** КЭО проб.	КТ646А	–	60	В
		КТ646Б	–	40
		КТ646В	–	40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	У ЭБО проб.,	КТ646А	–	4 (5)	В
		КТ646Б	–	4
		КТ646В	–	4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I К макс, I * К, и макс	КТ646А	–	1; 1.2 *	А
		КТ646Б	–	1; 1,2 *
		КТ646В	–	1; 1,2 *
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутый вывод эмиттера	И КБО , И * КЭР , И ** КЭО	КТ646А	60 В	≤10	мкА
		КТ646Б	40 В	≤10
		КТ646В	40 В	≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h 21э , h * 21Э	КТ646А	5 В; 0.2 А	40… 200 *
		КТ646Б	5 В; 0,2 А	150… 200 *
		КТ646В	5 В; 0,2 А	150… 300 *
Емкость коллекторного перехода	с к , с * 12э	КТ646А	10 В	≤10	пФ
		КТ646Б	10 В	≤10
		КТ646В	10 В	≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r КЭ нас , r * БЭ нас, К ** у.р.	КТ646А	–	≤1,7	Ом, дБ
		КТ646Б	–	≤1,2
		КТ646В	–	≤0,06
Коэффициент шума транзистора	К ø , r * b , P ** вых	КТ646А	–	–	Дб, Ом, Вт
		КТ646Б	–	–
		КТ646В	–	–
		КТ646Г	–	–
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ к , т * рас , т ** выкл , т *** пк (нс)	КТ646А	–	≤120; ≤60 *	пс
		КТ646Б	–	≤120; ≤60 *
		КТ646В	–	≤120; ≤60 *

Описание значений со звездочками (*, **, ***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

* 1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

* 2 — функциональная замена, тип корпуса аналоген.

* 3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl + Enter .

.