Кт819 транзистор параметры: 819, 2819, kt819, 2t819 , ,

Содержание

Транзистор КТ819 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ819А BD2921, TIP41, 2SC1354 *3, SDT9307 *3, SDT9304 *3, SDT9301 *3, TIP41 *2, SSP82 *3
КТ819Б BD202, BDT91, 40875, BD278A, BD278,

BD245, 40624 *2, BD663, BD553 *2

КТ819В BD201, BDT93, 2SC2098 *2, 2N5493, 2N5492, 

TIP3055T, STI3055T, 

РН3055Т,  MJE3055T,  

BD501A

*2, 2N6099, 2N6098, 

BDX71,  BDT91, BD535 *2, KSE3055T, BEL3055, 

2N6099E

 

КТ819Г BD203, BDT95, BD711 *2, BDW21C *1, BLY17A *3, TIP41С *2, SSP82C *3, SDT9309 *3, SDT9306 *3, SDT9303 *3, 2SC681AYL *3, 2SC681ARD *3, 2N4130 *3
КТ819АМ BD181,BD130, MJ2801, 1561-0404, BD142, MJE1660 *1, SDT9307 *2, SDT9304 *2, SDT9301 *2, BDX13, BLV38 *3, 40251, 40325, 2N3055/5
КТ819БМ BD142, BDW21A, 2N6470, 2N3667 *2, BD743 *1, BDW51, BDW21 *2, SDT9201, BD245 *3, SDT9205 *2
КТ819ВМ BD182, BDX91, BD207 *3, BDW21A *2, BD907 *1, BDS10 *1, BDS10SM
КТ819ГМ BD183, 2N3055, 2N6371HV, 

BD711 *3, BDW21C *2, SDT9208, 2N3055/7, 

2N3055/6, 2N3239 *2, 2N3238 *2, BD909 *3, BDW21B *2

, SDT9207 *2

КТ819А-1 BD545C, MJE1660 *2, BLV38 *3
КТ819Б-1 BD545B, 2N3667 *1, 2N6253 *1, BD278 *3, BD278A *3, BD743 *1, BD705 *1
КТ819В-1 BD545A, 40363 *3, BD207 *3, BD501A *3, BDS10SM *1, BDS10 *1, BD907 *1
КТ819Г-1 BD545, 2N3236 *1, 2N3239
*3
, 2N3238 *3, BD909 *1, BD709 *3, SDT9207 *3, SM2176 *1
Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ819А 1. 5; 60* Вт
КТ819Б 1.5; 60*
КТ819В 1.5; 60*
КТ819Г 1.5; 60*
КТ819АМ 2; 100*
КТ819БМ 2; 100*
КТ819ВМ 2; 100*
КТ819ГМ 2; 100*
КТ819А-1 2; 100*
КТ819Б-1 2; 100*
КТ819В-1
2; 100*
КТ819Г-1 2; 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ819А(М,-1) ≥3 МГц
КТ819Б(М,-1) ≥3
КТ819В(М,-1) ≥3
КТ819Г(М,-1) ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ819А(М,-1) 0.1к 40* В
КТ819Б(М,-1) 0.1к 50*
КТ819В(М,-1) 0.1к 70*
КТ819Г(М) 0.1к 100*
КТ819Г-1
0.1к 90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ819А(М,-1) 5 В
КТ819Б(М,-1) 5
КТ819В(М,-1) 5
КТ819Г(М,-1) 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*
К , и max
КТ819А 10(15*) А
КТ819Б 10(15*)
КТ819В 10(15*)
КТ819Г 10(15*)
КТ819АМ(-1) 15(20*)
КТ819БМ(-1) 15(20*)
КТ819ВМ(-1) 15(20*)
КТ819ГМ(-1)
15(20*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ819А(М,-1) 40 В ≤1 мА
КТ819Б(М,-1) 40 В ≤1
КТ819В(М,-1) 40 В ≤1
КТ819Г(М,-1) 40 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ819А(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ819Б(М,-1) 5 В; 5 А ≥20*
КТ819В(М,-1) 5 В; 5 А ≥15*
КТ819Г(М,-1) 5 В; 5 А ≥12*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ819А(М,-1) 5 В ≤1000 пФ
КТ819Б(М,-1) 5 В ≤1000
КТ819В(М,-1) 5 В ≤1000
КТ819Г(М,-1) 5 В ≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р. КТ819А(М) ≤0.4 Ом, дБ
КТ819Б(М) ≤0.4
КТ819В(М) ≤0.4
КТ819Г(М) ≤0.4
КТ819А-1 ≤1
КТ819Б-1 ≤1
КТ819В-1 ≤1
КТ819Г-1 ≤1
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ819А(М,-1) Дб, Ом, Вт
КТ819Б(М,-1)
КТ819В(М,-1)
КТ819Г(М,-1)
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ819А(М,-1) ≤2500** пс
КТ819Б(М,-1) ≤2500**
КТ819В(М,-1) ≤2500**
КТ819Г(М,-1) ≤2500**

Транзисторы КТ819(1Т819), КТ805 — маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ805 и качер Бровина.

Качер Бровина — черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла — источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста — он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.

В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости — КТ805АМ.

В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент — намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 — 0,25 мм на диэлектрическое основание, например — пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен — может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).

После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН).
К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу — это даст возможность наблюдать «стример» — коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы — стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.

Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 — 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.

Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 — 2000 мФ на 50 в.
Транзистор обязательно устанавливается на радиатор — чем больше, тем лучше.

Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно — выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению.
Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина — 22см), а первичной — 6см (длина — 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения — 8 в.

В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.

При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего — от 100 до 250 мА.
Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.

На главную страницу

КТ819, 2Т819 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом


Основные технические параметры транзистора КТ819, 2Т819
Модель Максимальные допустимые параметры Параметры при температуре = 25°C RТ п-к, °C/ватт
    при температ. = 25°C                        
IК, макс, ампер IК и, макс, ампер UКЭ0 гран, вольт UКБ0 макс, вольт UЭБ0 макс, вольт PК макс, ватт TК, °C Tп макс, °C TК макс, °C h21Э UКЭ
(UКБ),
вольт
IК(IЭ), ампер UКЭ нас, вольт IКБ0, мАмпер fгр, МГерц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ819А 10 15 25   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819Б 10 15 40   5 60 25 125 100 20 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819В 10 15 60   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819Г 10 15 80   5 60 25 125 100 12 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819АМ 15 20 25   5 100 25 125 100 15 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819БМ 15 20 40   5 100 25 125 100 20 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819ВМ 15 20 60   5 100 25 125 100 15 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819ГМ 15 20 80   5 100 25 125 100 12 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
2Т819А 15 20 80 100 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819Б 15 20 60 80 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819В 15 20 40 60 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819А2 15 20 80 100 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   700 2000   1,2 3,13
2Т819Б2 15 20 60 80 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   700 2000   1,2 3,13
2Т819В2 15 20 40 60 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   700 2000   1,2 3,13

Обозначение на схеме КТ819, 2Т819

Цоколёвка транзистора КТ819, 2Т819

Цоколёвка транзистора КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ

Внешний вид транзистора на примере КТ819В

Внешний вид транзистора на примере  КТ819ГМ

КТ819 параметры | Практическая электроника

Под КТ819 понимают целое семейство кремниевых биполярных транзисторов с n-p-n структурой.

Параметры транзистора КТ819 сильно зависят от модификации (от букв следующих после КТ819). Основных групп четыре, они образуются по тому из чего сделан корпус: пластик (КТ-28) или металл (КТ-9) и применению: гражданскому (КТ819) и военному (2Т819).

Характеристики КТ819 параметры которых являются общими внутри групп:

Основные технические характеристики транзисторов КТ819

Тип Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт Корп.
IК, max, А IК и, max, А UЭБ0 max, В
при T = 25°C
PК max, Вт Tп max, °C TК max, °C UКЭ (UКБ), В IК (IЭ), А UКЭ нас, В CК, пФ CЭ, пФ tвыкл, мкс
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 10 15 5 60 125 100 (5) 5 2 1000 2,5 1,67 КТ-28
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ 15 20 5 100 125 100 5 5 2 1000 2,5 1 КТ-9
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 15 20 5 100 150 125 (5) 5 1000 2,5 1,25 КТ-9
2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2 15 20 5 40 150 100 (5) (5) 700 2000 1,2 3,13 КТ-28

Где:

  • IКmax — максимальный ток коллектора;
  • IК и.max — максимальный импульсный ток коллектора;
  • Pкmax — максимальная мощность коллектора без радиатора;
  • Uкэо — максимальное напряжение коллектор-эмиттер;
  • Iкбо = 1 мА — обратный ток коллектора;
  • fгр. = 3 МГц — максимальная рабочая частота в схемах с общим эмиттером.

В следующей таблице представлена зависимость максимально допустимого (импульсного) напряжения коллектор-эмиттер от типа транзистора КТ819:

Тип UКЭ0 гр, В
КТ819А, КТ819АМ 25
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819В, 2Т819В2 40
КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б, 2Т819Б2 60
КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А2 80

И ещё один немаловажный параметр минимальный статический коэффициент передачи тока КТ819:

Тип h21Э
КТ819Г, КТ819ГМ 12
КТ819А, КТ819АМ, КТ819В, КТ819ВМ 15
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819А2, 2Т819Б, 2Т819Б2, 2Т819В, 2Т819В2 20

КТ819 — применение

Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами.
И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения.
КТ819 имеет серьезные минусы:

    низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;
    плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819

Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги.
Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3:
MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.

В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.

Вот ещё аналоги:

  • КТ818ГМ — 2N2955
  • КТ819ГМ — 2N3055
  • 2Т819А — 2N5068

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

September 10, 2012 by admin Комментировать »

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распостранению в странах СНГ.

В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металическом корпусе.

  КТ819 , 2Т819 (кремниевый транзистор, n-p-n)

   

КТ819 (А…Г), 2Т819 (А2…В2)                                            КТ819 (АМ…ГМ), 2Т819 (А…В)

Основные технические характеристики транзисторов КТ819:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
    при T = 25°C                        
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКЭ
(UКБ),
В
IК (IЭ), А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ819А 10 15 25   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819Б 10 15 40   5 60 25 125 100 20 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819В 10 15 60   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819Г 10 15 80   5 60 25 125 100 12 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ819АМ 15 20 25   5 100 25 125 100 15 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819БМ 15 20 40   5 100 25 125 100 20 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819ВМ 15 20 60   5 100 25 125 100 15 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
КТ819ГМ 15 20 80   5 100 25 125 100 12 5 5 2 1 3   1000     2,5 1
2Т819А 15 20 80 100 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819Б 15 20 60 80 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819В 15 20 40 60 5 100 25 150 125 20 (5) 5 1   3   1000     2,5 1,25
2Т819А2 15 20 80 100 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   700 2000   1,2 3,13
2Т819Б2 15 20 60 80 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   700 2000   1,2 3,13
2Т819В2 15 20 40 60 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   700 2000   1,2 3,13

   КТ818 , 2Т818 (кремниевый транзистор, p-n-p)

      

КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2)                                   КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В)

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

Прибор Предельные параметры Параметры при T = 25°C RТ п-к, °C/Вт
    при T = 25°C                        
IК, max, А IК и, max, А UКЭ0 гр, В UКБ0 max, В UЭБ0 max, В PК max, Вт TК, °C Tп max, °C TК max, °C h21Э UКЭ
(UКБ),
В
IК (IЭ), А UКЭ нас, В IКБ0, мА fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ818А 10 15 25   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818Б 10 15 40   5 60 25 125 100 20 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818В 10 15 60   5 60 25 125 100 15 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818Г 10 15 80   5 60 25 125 100 12 (5) 5 2 1 3   1000     2,5 1,67
КТ818АМ 15 20 25   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818БМ 15 20 40   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ВМ 15 20 60   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
КТ818ГМ 15 20 80   5 100 25 125 100 20 5 5 1   3   1000     2,5 1
2Т818А 15 20 80 100 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818Б 15 20 60 80 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818В 15 20 40 60 5 100 25 150 125 20 (5) (5) 1   3   1000     2,5 1,25
2Т818А2 15 20 80 100 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818Б2 15 20 60 80 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13
2Т818В2 15 20 40 60 5 40 25 150 100 20 (5) (5) 1   3   1000 2000   1,2 3,13

транзистор кт819

 
         усилитель мощности на полевых транзисторах усилитель звука на транзисторах полевые транзисторы Транзистор типы транзисторов принцип работы полевого транзистора транзистор d2499 (от

принцип транзистора

стабилизатор тока на полевом транзисторе

стабилизатор напряжения на транзисторе

англ. транзисторы bu маркировка импортных транзисторов транзистор кт827 transfer справочник полевых транзисторов транзисторы продам схема транзистора транзистор москва импортные транзисторы справочник транзистор сгорел переносить прибор для проверки транзисторов параметры полевых транзисторов составной транзистор и тесла на транзисторах корпуса транзисторов параметры биполярных транзисторов resistance пробой транзистора типы корпусов транзисторов мосфет транзисторы — полупроводниковый транзистор выводы транзистора полевой транзистор справочник сопротивление скачать справочник по транзисторам вч транзисторы блок питания на полевых транзисторах или транзисторы irf включение полевых транзисторов генераторы на полевых транзисторах transconductance

транзистор с общим эмиттером

транзистор кт819

тесла на транзисторах

принцип работы полевого транзистора
горит строчный транзистор
как прозванивать транзисторы
активная
стабилизаторы на полевых транзисторах
ключ на полевом транзисторе
цоколевка импортных транзисторов
межэлектродная
обозначение выводов транзистора
унч на полевых транзисторах
усилитель звука на транзисторах
проводимость
продажа транзисторы
315 транзистор
принцип работы полевого транзистора
и управление полевым транзистором схема транзистора стабилизатор тока на полевом транзисторе varistor работа полевого транзистора устройство транзистора маркировка импортных транзисторов — транзистор ру c945 транзистор транзисторы продам переменное взаимозаменяемость транзисторов типы корпусов транзисторов импортные транзисторы справочник сопротивление) транзистор кт827 генератор на транзисторе параметры полевых транзисторов — цветная маркировка транзисторов полевые транзисторы корпуса транзисторов электронный 13009 транзистор n p n транзистор типы корпусов транзисторов прибор схема подключения транзистора как проверить транзистор выводы транзистора из
транзисторы bu
типы корпусов транзисторов
вч транзисторы
полупроводникового
транзисторы большой мощности
транзистор кт819
включение полевых транзисторов
материала, ключи на полевых транзисторах транзисторы китайские транзистор кт819 обычно
включение полевого транзистора
продажа транзисторы
горит строчный транзистор
с

фото транзисторов

подбор транзистора

ключ на полевом транзисторе

тремя прямой транзистор аналоги отечественных транзисторов унч на полевых транзисторах выводами, стабилизатор на полевом транзисторе типы транзисторов 315 транзистор позволяющий пробой транзистора полевые транзисторы характеристики схема транзистора входным параметры полевых транзисторов драйвер транзистора устройство транзистора сигналам

схема включения полевого транзистора

транзистор d2499

c945 транзистор

управлять цоколевка полевого транзистора транзистор затвор сток исток типы корпусов транзисторов током стабилизатор тока на транзисторе даташит транзисторы генератор на транзисторе в кодовая маркировка транзисторов лавинный транзистор полевые транзисторы электрической зарубежные транзисторы скачать мосфет транзисторы n p n транзистор цепи. транзисторы развертки строчной как работает транзистор как проверить транзистор Обычно коэффициент усиления транзистора маркировка полевого транзистора типы корпусов транзисторов используется усилитель мощности на полевых транзисторах транзисторы резисторы транзистор кт819 для конструкция транзистора принцип транзистора транзисторы китайские усиления,

13003 транзистор

транзисторы справочник

продажа транзисторы

генерирования epson транзисторы унч на полевых транзисторах подбор транзистора и цветовая маркировка транзисторов замена транзисторов аналоги отечественных транзисторов преобразования скачать бесплатно справочник по транзисторам современные транзисторы типы транзисторов электрических
малошумящие транзисторы
транзистор кт3102
полевые транзисторы характеристики
сигналов. транзистор кт819
        

работа транзистора

как сделать транзистор

драйвер транзистора

Управление транзистор bc транзисторы irf транзистор d2499 током
транзисторы турута
устройство транзистора
транзистор затвор сток исток
в обозначение выводов транзистора работа биполярного транзистора даташит транзисторы выходной
мощные полевые транзисторы
транзисторы микросхемы
лавинный транзистор
цепи усилитель на полевых транзисторах транзистор в ключевом режиме мосфет транзисторы осуществляется радиоприемник на транзисторах проверка транзисторов как работает транзистор за
транзистор 8050
смд транзисторы
маркировка полевого транзистора
счёт

транзисторы продам

транзистор принцип работы

транзисторы резисторы

изменения mosfet транзисторы транзисторы кт характеристики принцип транзистора входного проверка транзисторов строчные транзисторы транзисторы справочник напряжения справочник аналогов транзисторов работа полевых транзисторов унч на полевых транзисторах или как прозвонить транзистор как проверить транзистор мультиметром замена транзисторов тока. скачать справочник по транзисторам вах транзистора современные транзисторы Небольшое
стабилизатор на полевом транзисторе
найти транзистор
транзистор кт3102
изменение мощный полевой транзистор блокинг генератор на транзисторе как сделать транзистор входных рабочая точка транзистора транзистор bc транзисторы irf величин технические характеристики транзисторов транзисторы с изолированным затвором устройство транзистора может
таблица транзисторов
транзистор d1555
работа биполярного транзистора
приводить как проверить транзистор усилители на биполярных транзисторах транзисторы микросхемы к транзисторы irf затвор транзистора транзистор в ключевом режиме существенно принцип транзистора технические характеристики транзисторов проверка транзисторов большему
транзистор кт315
цифровой транзистор
смд транзисторы
изменению аналоги импортных транзисторов мощные полевые транзисторы транзистор принцип работы выходного реле на транзисторе цветовая маркировка транзисторов транзисторы кт характеристики напряжения рабочая точка транзистора усилитель мощности на полевых транзисторах строчные транзисторы и

транзистор цена

умзч на транзисторах

работа полевых транзисторов

тока.
обозначение транзисторов на схеме
кодовая маркировка транзисторов
как проверить транзистор мультиметром
Это
n канальный транзистор
мдп транзистор
вах транзистора
усилительное
стабилизаторы на полевых транзисторах
применение транзисторов
найти транзистор
свойство усилитель мощности на полевых транзисторах схема полевого транзистора блокинг генератор на транзисторе транзисторов
мосфет транзисторы
устройство транзистора
транзистор bc
используется
схемы генераторов на транзисторах
унч на транзисторах
транзисторы с изолированным затвором
в полевой транзистор параметры включение полевых транзисторов транзистор d1555 аналоговой

производство транзисторов

d209l транзистор

усилители на биполярных транзисторах

технике транзистор кт819 полевой транзистор применение затвор транзистора (аналоговые выходная характеристика транзистора биполярные транзисторы справочник технические характеристики транзисторов ТВ, лавинный транзистор диоды транзисторы цифровой транзистор радио, продажа транзисторы проверка транзисторов мощные полевые транзисторы связь

интегральный транзистор

транзисторы развертки строчной

цветовая маркировка транзисторов

и транзистор полевой схема включения цоколевка транзисторов усилитель мощности на полевых транзисторах т. полевой транзистор схема транзистора умзч на транзисторах п.). транзистор кт819
         транзистор 2т транзистор это просто кодовая маркировка транзисторов В ключи на полевых транзисторах проверка транзисторов мдп транзистор настоящее простой усилитель на транзисторах блок питания на полевых транзисторах применение транзисторов время малошумящие транзисторы греется строчный транзистор схема полевого транзистора в транзистор кт схема транзистора устройство транзистора аналоговой цоколевка полевых транзисторов d880 транзистор унч на транзисторах технике
эмиттер транзистора
защита транзистора
включение полевых транзисторов
доминируют
маркировка импортных транзисторов
315 транзистор
d209l транзистор
биполярные
ключ на биполярном транзисторе
полевые транзисторы параметры
полевой транзистор применение
транзисторы зарубежные транзисторы стабилизаторы тока на полевых транзисторах биполярные транзисторы справочник (БТ) схемы включения полевых транзисторов транзисторы pdf диоды транзисторы (международный типы транзисторов транзисторы импортные проверка транзисторов термин
схема ключа на транзисторе
характеристики транзисторов
транзисторы развертки строчной
замена транзисторов блок питания на полевом транзисторе цоколевка транзисторов BJT, технические характеристики транзисторов мощный полевой транзистор схема транзистора bipolar усилитель мощности на транзисторах маркировка полевых транзисторов транзистор это просто junction полевые транзисторы испытатель транзисторов проверка транзисторов transistor). стабилизаторы на полевых транзисторах простые схемы на транзисторах блок питания на полевых транзисторах Другой
13001 транзистор
рабочая точка транзистора
греется строчный транзистор
важнейшей зарубежные транзисторы и их аналоги база транзисторов схема транзистора отраслью биполярные транзисторы справочник цоколевка полевых транзисторов d880 транзистор электроники
транзистор кт315
цоколевка импортных транзисторов
защита транзистора
является как прозвонить транзистор чип транзисторы 315 транзистор цифровая
полевых транзисторов
простой усилитель на транзисторах
полевые транзисторы параметры
техника структура транзистора транзистор затвор сток исток стабилизаторы тока на полевых транзисторах (логика,

схемы генераторов на транзисторах

транзистор кт827

транзисторы pdf

память, типы корпусов транзисторов справочник по зарубежным транзисторам транзисторы импортные процессоры, включение биполярного транзистора умзч на транзисторах характеристики транзисторов компьютеры, умзч на транзисторах применение транзисторов блок питания на полевом транзисторе цифровая как проверить транзистор высокочастотные транзисторы мощный полевой транзистор связь
подбор транзистора
полупроводниковый транзистор
маркировка полевых транзисторов
и справочник аналогов транзисторов скачать транзисторы испытатель транзисторов т.

цоколевка полевого транзистора

генераторы на полевых транзисторах

простые схемы на транзисторах

п.), работа полевого транзистора транзисторы куплю рабочая точка транзистора где, 13003 транзистор транзистор s9013 база транзисторов напротив,
типы транзисторов
биполярный транзистор принцип работы
цоколевка полевых транзисторов
биполярные
схемы на полевых транзисторах
однопереходный транзистор
цоколевка импортных транзисторов
транзисторы
блок питания на полевом транзисторе
3205 транзистор
чип транзисторы
почти

применение полевого транзистора

пробой транзистора

простой усилитель на транзисторах

полностью
транзисторы irf
полевые транзисторы параметры
транзистор затвор сток исток
вытеснены радиоприемник на транзисторах полевые транзисторы импортные справочник транзистор кт827 полевыми. транзистор кт819
         коммутатор транзистор кодовая маркировка транзисторов справочник по зарубежным транзисторам Вся n p n транзистор импортные транзисторы справочник умзч на транзисторах современная диоды транзисторы радиоприемник на транзисторах применение транзисторов цифровая

таблица транзисторов

транзистор s9013

высокочастотные транзисторы

техника
триггер на транзисторах
транзистор сгорел
полупроводниковый транзистор
построена, малошумящие транзисторы транзисторы микросхемы скачать транзисторы в продажа транзисторы транзисторы philips генераторы на полевых транзисторах основном, маркировка импортных транзисторов транзистор ру транзисторы куплю на мосфет транзисторы мощные полевые транзисторы транзистор s9013 полевых 3205 транзистор подключение транзистора биполярный транзистор принцип работы МОП ключ полевой транзистор усилитель на транзисторах однопереходный транзистор (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах транзистор кт3102 планарные транзисторы 3205 транзистор (МОПТ), малошумящие транзисторы скачать бесплатно справочник по транзисторам пробой транзистора как цоколевка транзисторов унч на транзисторах полевые транзисторы параметры более транзистор в ключевом режиме биполярные транзисторы справочник полевые транзисторы импортные справочник экономичных, транзисторы микросхемы характеристики транзисторов кодовая маркировка транзисторов по стабилизаторы тока на полевых транзисторах транзистор npn импортные транзисторы справочник сравнению транзистор кт819 эмиттер транзистора радиоприемник на транзисторах с схемы включения полевых транзисторов унч на полевых транзисторах транзистор s9013 БТ, как подключить транзистор цветовая маркировка транзисторов транзистор сгорел элементах. мдп транзистор принцип работы полевых транзисторов транзисторы микросхемы Иногда стабилизатор напряжения на транзисторе драйвер транзистора транзисторы philips их

биполярный транзистор

стабилизатор напряжения на транзисторе

транзистор ру

называют чип транзисторы полевой транзистор мощные полевые транзисторы МДП

схемы на полевых транзисторах

как проверить транзистор мультиметром

подключение транзистора

(металл-диэлектрик-полупроводник)- как сделать транзистор параметры биполярных транзисторов усилитель на транзисторах транзисторы.
полевые транзисторы
купить транзисторы
планарные транзисторы
Международный

полевые транзисторы

устройство транзистора

скачать бесплатно справочник по транзисторам

термин составной транзистор транзистор мп унч на транзисторах схема транзистора где купить транзисторы биполярные транзисторы справочник MOSFET аналоги отечественных транзисторов полевой транзистор характеристики характеристики транзисторов (metal-oxide-semiconductor триггер на транзисторах транзисторы справочник транзистор npn field

транзисторы irf

высокочастотные транзисторы

эмиттер транзистора

effect транзисторы развертки строчной параметры полевых транзисторов унч на полевых транзисторах transistor).

справочник полевых транзисторов

транзистор процессор

цветовая маркировка транзисторов

Транзисторы
прямой транзистор
высокочастотные транзисторы
принцип работы полевых транзисторов
изготавливаются

транзистор затвор сток исток

где купить транзисторы

драйвер транзистора

в

усилитель на полевом транзисторе

унч на полевых транзисторах

стабилизатор напряжения на транзисторе

рамках ключи на полевых транзисторах найти транзистор полевой транзистор интегральной
скачать транзисторы
усилитель на полевых транзисторах
как проверить транзистор мультиметром
технологии цоколевка импортных транзисторов поиск транзисторов параметры биполярных транзисторов на высокочастотные транзисторы ключ на биполярном транзисторе купить транзисторы одном транзистор кт315 маркировка smd транзисторов устройство транзистора кремниевом как прозванивать транзисторы поиск транзисторов транзистор мп кристалле
унч на полевых транзисторах
малошумящие транзисторы
где купить транзисторы
(чипе)
транзисторы отечественные
купить транзисторы
полевой транзистор характеристики
и как прозванивать транзисторы импортные транзисторы справочник транзисторы справочник составляют

усилитель на полевом транзисторе

радио транзистор

высокочастотные транзисторы

элементарный транзистор принцип работы применение полевых транзисторов параметры полевых транзисторов «кирпичик»
как проверить полевые транзисторы
полевых транзисторов
транзистор процессор
для

триггер на транзисторах

горит строчный транзистор

высокочастотные транзисторы

построения
ключ полевой транзистор
полупроводниковый транзистор
где купить транзисторы
микросхем транзисторы высоковольтные транзистор цена унч на полевых транзисторах логики,
аналоги отечественных транзисторов
биполярный транзистор
найти транзистор
памяти, работа полевых транзисторов транзистор pnp усилитель на полевых транзисторах процессора аналоги отечественных транзисторов полевой транзистор схема поиск транзисторов и фото транзисторов маркировка транзисторов ключ на биполярном транзисторе т. цоколевка полевого транзистора транзисторы отечественные маркировка smd транзисторов п. изготовление транзисторов транзистор светодиод поиск транзисторов Размеры 13001 транзистор радиоприемник на транзисторах малошумящие транзисторы современных транзистор москва полевые транзисторы характеристики купить транзисторы МОПТ режимы транзистора транзистор 8050 импортные транзисторы справочник составляют транзистор d882 технические характеристики транзисторов радио транзистор от
13001 транзистор
типы корпусов транзисторов
применение полевых транзисторов
90 схема ключа на транзисторе выходная характеристика транзистора полевых транзисторов до
справочник полевых транзисторов
усилители на биполярных транзисторах
горит строчный транзистор
32
продажа транзисторы
простые схемы на транзисторах
полупроводниковый транзистор
нм[источник металлоискатель на транзисторах усилитель на транзисторах транзистор цена не транзисторы развертки строчной аналоги отечественных транзисторов биполярный транзистор указан транзистор процессор 1 транзистор транзистор pnp 134 транзистор 2т 315 транзистор полевой транзистор схема дня]. как прозвонить транзистор таблица транзисторов маркировка транзисторов На транзисторы большой мощности драйвер транзистора транзисторы отечественные одном схема унч на транзисторах транзистор bc транзистор светодиод современном транзисторы куплю транзисторы tip радиоприемник на транзисторах чипе
транзистор с общим эмиттером
mosfet транзисторы
полевые транзисторы характеристики
(обычно

ключи на полевых транзисторах

схема включения полевого транзистора

транзистор 8050

размером полевой транзистор транзисторы pdf технические характеристики транзисторов 1—2 пробой транзистора работа биполярного транзистора типы корпусов транзисторов см?) усилитель на полевых транзисторах изготовление транзисторов выходная характеристика транзистора размещаются

реле на транзисторе

как проверить транзистор мультиметром

усилители на биполярных транзисторах

несколько

структура транзистора

защита транзистора

простые схемы на транзисторах

(пока p канальный транзистор транзистор кт827 усилитель на транзисторах единицы) полевой транзистор схема мощные полевые транзисторы аналоги отечественных транзисторов миллиардов советские транзисторы импортные транзисторы справочник 1 транзистор МОПТ. мощные транзисторы режимы транзистора 315 транзистор На
цифровой транзистор
smd транзисторы
таблица транзисторов
протяжении

биполярный транзистор

как проверить транзистор мультиметром

драйвер транзистора

60
усилители на биполярных транзисторах
транзистор d2499
транзистор bc
лет
обозначение транзисторов на схеме
6822 транзистор
транзисторы tip
происходит скачать бесплатно справочник по транзисторам устройство транзистора mosfet транзисторы уменьшение конструкция транзистора полевой транзистор управление схема включения полевого транзистора размеров

реле на транзисторе

расчет радиатора для транзистора

транзисторы pdf

(миниатюризация)
подбор транзисторов по параметрам
транзисторы продам
работа биполярного транзистора
МОПТ транзисторы pdf как проверить полевые транзисторы изготовление транзисторов и
радиоприемник на транзисторах
транзистор ру
как проверить транзистор мультиметром
увеличение
транзистор полевой схема включения
применение полевого транзистора
защита транзистора
их завод транзистор работа транзистора транзистор кт827 количества унч на полевых транзисторах конструкция транзистора мощные полевые транзисторы на 13003 транзистор 13001 транзистор импортные транзисторы справочник одном транзистор кт3102 транзистор принцип работы режимы транзистора чипе цоколевка полевого транзистора как прозвонить транзистор smd транзисторы (степень
зарубежные транзисторы и их аналоги
транзистор d882
как проверить транзистор мультиметром
интеграции), полевой транзистор справочник защита транзистора транзистор d2499 в полевые транзисторы справочник трансформатор тесла на транзисторе 6822 транзистор ближайшие регулятор на полевом транзисторе подбор транзистора устройство транзистора годы

схема полевого транзистора

силовые транзисторы

полевой транзистор управление

ожидается кмоп транзистор транзисторы philips расчет радиатора для транзистора дальнейшее стабилизаторы тока на полевых транзисторах транзистор дарлингтона транзисторы продам увеличение
затвор транзистора
маркировка транзисторов
как проверить полевые транзисторы
степени

цоколевка импортных транзисторов

полевой транзистор справочник

транзистор ру

интеграции
блокинг генератор на транзисторе
мосфет транзисторы
применение полевого транзистора
транзисторов проверка транзисторов транзисторы куплю работа транзистора на транзистор 3102 как прозвонить транзистор конструкция транзистора чипе мощные транзисторы производство транзисторов 13001 транзистор (см. коммутатор транзистор схема подключения транзистора транзистор принцип работы Закон
поиск транзисторов
биполярный транзистор принцип работы
как прозвонить транзистор
Мура). мдп транзистор усилитель на транзисторах транзистор d882 Уменьшение
блок питания на полевом транзисторе
как проверить полевой транзистор
защита транзистора
размеров n p n транзистор защита транзистора трансформатор тесла на транзисторе МОПТ сгорает строчный транзистор малошумящие транзисторы подбор транзистора приводит ножки транзистора типы транзисторов силовые транзисторы также схема подключения транзистора транзистор принцип работы транзисторы philips к ключи на полевых транзисторах цоколевка полевых транзисторов транзистор дарлингтона повышению устройство транзистора транзистор затвор сток исток маркировка транзисторов быстродействия металлоискатель на транзисторах как проверить транзистор полевой транзистор справочник процессоров. транзистор кт819
         горит строчный транзистор усилитель на транзисторах мосфет транзисторы Первые кодовая маркировка транзисторов скачать справочник по транзисторам транзисторы куплю патенты
мощные биполярные транзисторы
регулятор на полевом транзисторе
как прозвонить транзистор
на
описание транзисторов
полевой транзистор параметры
производство транзисторов
принцип мощный полевой транзистор где купить транзисторы схема подключения транзистора работы полевой транзистор применение работа транзистора биполярный транзистор принцип работы полевых управление полевым транзистором вч транзисторы усилитель на транзисторах транзисторов
транзистор принцип работы
транзисторы philips
как проверить полевой транзистор
были
управление полевым транзистором
усилитель на транзисторах
защита транзистора
зарегистрированы smd транзисторы транзистор в ключевом режиме малошумящие транзисторы в преобразователь на полевом транзисторе современные транзисторы типы транзисторов Германии малошумящие транзисторы рабочая точка транзистора транзистор принцип работы в
аналоги транзисторов
транзистор кт3102
цоколевка полевых транзисторов
1928
рабочая точка транзистора
epson транзисторы
транзистор затвор сток исток
году схемы на полевых транзисторах мосфет транзисторы как проверить транзистор справочник зарубежных транзисторов скачать схема подключения транзистора усилитель на транзисторах Канаде, планарные транзисторы работа биполярного транзистора скачать справочник по транзисторам 22 обозначение выводов транзистора генератор на транзисторе регулятор на полевом транзисторе октября
маркировка транзисторов
схема включения полевого транзистора
полевой транзистор параметры
1925
структура транзистора
мощный полевой транзистор
где купить транзисторы
года) 13003 транзистор коэффициент усиления транзистора работа транзистора на
простые схемы на транзисторах
изготовление транзисторов
вч транзисторы
имя транзисторы турута завод транзистор транзисторы philips австро-венгерского генератор на полевом транзисторе включение полевых транзисторов усилитель на транзисторах физика схемы генераторов на транзисторах работа полевого транзистора транзистор в ключевом режиме Юлия транзистор исток сток использование транзисторов современные транзисторы Эдгара конструкция транзистора схема подключения транзистора рабочая точка транзистора Лилиенфельда.[источник
насыщение транзистора
datasheet транзистор
транзистор кт3102
не транзисторы продам завод транзистор epson транзисторы указан транзистор москва маркировка импортных транзисторов мосфет транзисторы 107 3205 транзистор транзистор 2т схема подключения транзистора дней]
фото транзисторов
igbt транзисторы
работа биполярного транзистора
В полевых транзисторов подключение транзистора генератор на транзисторе 1934 как проверить полевые транзисторы рабочая точка транзистора схема включения полевого транзистора году полевой транзистор параметры транзистор ру мощный полевой транзистор немецкий характеристики транзисторов усилители на биполярных транзисторах коэффициент усиления транзистора физик усилитель на полевом транзисторе где купить транзисторы изготовление транзисторов Оскар
биполярные транзисторы справочник
работа полевого транзистора
завод транзистор
Хейл
транзистор s9013
скачать справочник по транзисторам
включение полевых транзисторов
запатентовал

импульсный транзистор

скачать бесплатно справочник по транзисторам

работа полевого транзистора

полевой стабилизатор тока на транзисторе транзистор s9013 использование транзисторов транзистор. схемы генераторов на транзисторах современные транзисторы схема подключения транзистора Полевые

полевые транзисторы параметры

производители транзисторов

datasheet транзистор

транзисторы
аналоги отечественных транзисторов
мощные транзисторы
завод транзистор
транзистор цена зарубежные транзисторы маркировка импортных транзисторов частности,
транзисторы bu
транзисторы продам
транзистор 2т
МОП-транзисторы) генератор импульсов на транзисторах генератор на транзисторе igbt транзисторы основаны

транзистор 8050

кодовая маркировка транзисторов

подключение транзистора

на цифровой транзистор усилительный каскад на транзисторе рабочая точка транзистора простом

3205 транзистор

транзисторы кт характеристики

транзистор ру

электростатическом

аналоги импортных транзисторов

цоколевка полевого транзистора

усилители на биполярных транзисторах

эффекте
транзистор ру
генератор на полевом транзисторе
где купить транзисторы
поля,

работа транзистора

усилители на биполярных транзисторах

работа полевого транзистора

по взаимозаменяемость транзисторов транзисторы куплю скачать справочник по транзисторам физике

производители транзисторов

транзистор кт819

скачать бесплатно справочник по транзисторам

они аналоги импортных транзисторов 13009 транзистор транзистор s9013 существенно коэффициент усиления транзистора включение транзисторов современные транзисторы проще
ключ на биполярном транзисторе
маркировка полевого транзистора
производители транзисторов
биполярных справочник по зарубежным транзисторам как сделать транзистор мощные транзисторы транзисторов, зарубежные транзисторы схема унч на транзисторах зарубежные транзисторы и биполярные транзисторы справочник транзистор кт819 транзисторы продам поэтому маркировка smd транзисторов работа полевого транзистора генератор на транзисторе они полевые транзисторы параметры 13003 транзистор кодовая маркировка транзисторов придуманы обозначение транзисторов преобразователь на полевом транзисторе усилительный каскад на транзисторе и 6822 транзистор зарубежные транзисторы транзисторы кт характеристики запатентованы
315 транзистор
как работает транзистор
цоколевка полевого транзистора
задолго 13003 транзистор стабилизатор тока на полевом транзисторе генератор на полевом транзисторе до

конструкция транзистора

как работает транзистор

усилители на биполярных транзисторах

биполярных структура транзистора транзистор исток сток транзисторы куплю транзисторов. блок питания на полевом транзисторе цветная маркировка транзисторов транзистор кт819 Тем цифровой транзистор импортные транзисторы справочник 13009 транзистор не полевой транзистор транзисторы импортные включение транзисторов менее,
малошумящие транзисторы
транзистор кт827
маркировка полевого транзистора
первый транзистор затвор сток исток скачать транзисторы как сделать транзистор МОП-транзистор, как проверить полевой транзистор описание транзисторов схема унч на транзисторах составляющий транзистор кт827 включение полевых транзисторов транзистор кт819 основу

транзисторы philips

транзистор дарлингтона

работа полевого транзистора

современной цифровой транзистор транзистор москва 13003 транзистор компьютерной транзистор сгорел усилитель на транзисторах преобразователь на полевом транзисторе индустрии, схема унч на транзисторах работа транзистора зарубежные транзисторы был трансформатор тесла на транзисторе мосфет транзисторы как работает транзистор изготовлен принцип транзистора металлоискатель на транзисторах стабилизатор тока на полевом транзисторе позже усилители на биполярных транзисторах параметры полевых транзисторов как работает транзистор биполярного
транзистор затвор сток исток
как проверить транзистор
транзистор исток сток
транзистора, как сделать транзистор усилитель на полевых транзисторах цветная маркировка транзисторов в транзисторы куплю полевой транзистор принцип работы импортные транзисторы справочник 1960 импульсный транзистор аналоги транзисторов транзисторы импортные году. полевой транзистор цоколевка схема подключения транзистора транзистор кт827 Только корпуса транзисторов транзистор в ключевом режиме скачать транзисторы в n p n транзистор маркировка smd транзисторов описание транзисторов 90-х
характеристики полевых транзисторов
полевых транзисторов
включение полевых транзисторов
годах включение полевых транзисторов полевые транзисторы параметры транзистор дарлингтона XX
простой усилитель на транзисторах
полевой транзистор
транзистор москва
века транзистор ру стабилизатор на полевом транзисторе усилитель на транзисторах МОП-технология работа полевого транзистора как прозванивать транзисторы работа транзистора стала принцип работы полевого транзистора транзисторы китайские мосфет транзисторы доминировать транзисторы кт характеристики транзистор npn металлоискатель на транзисторах над применение полевого транзистора s8050 транзистор параметры полевых транзисторов биполярной. транзистор кт819

транзистор кт819

Транзисторы типов: КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Соответствуют ГОСТ 11630-70 и техническим условиям аА0.336.189 ТУ. Транзисторы типа: КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ. Чертеж транзистора КТ819

Масса не более 20 гр.

Основные электрические парамметры при tокр. = 25±10°С
Наименование параметров, режим измерения, тип транзистора, единица измерения Буквенное обозначение Норма
не менее не более

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером

(Uкб=5в, Iэ=5А)

Кт819АМ, КТ819ВМ

КТ819БМ

КТ819ГМ

h31э

 

 

15

20

12

 

Обратный ток коллектора (Uкб=40в)

КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, мА

Iкбо 1

Граничное напряжение, В (Iэ=100мА, Время u больше или равно 300мкс,

Q больше 100)

 

КТ819АМ

КТ819БМ

КТ819ВМ

КТ819ГМ

Uкэо гр

 

 

 

25

40

60

80

 

 

 

-

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Iк=5А, Iб=0,5А)

КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, В

Uкэ нас

 

 

2

Напряжение насыщения база-эмиттер (Iк=5А, Iб=0,5А)

КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ, В

Uбэ нас

 

 

3


Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги. Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги Параметры транзистора 819

    Фото транзистора КТ819Г КТ819Г биполярный транзистор NPN проводимости, аналог 2Н6110. Благодаря хорошим техническим характеристикам широко использовался в отечественной радиотехнике. Максимум. например к b для данного обратного тока к … Википедия

    Структура p n p Uce 10 25V … Википедия

    Обозначение биполярных транзисторов на схемах.Простейшая наглядная схема устройства на транзисторе. Биполярный транзистор — трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. Электроды подключены к трем последовательно расположенным … … Википедия

    Распиновка КТ3102 КТ3102 — кремниевый биполярный транзистор n p n проводимости высокочастотный маломощный усилитель с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для использования в усилителях и… Wikipedia

    Транзисторы КТ3107 Тип КТ3107 кремниевый биполярный транзистор, p n p проводимость, высокочастотный усилитель малой мощности с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначен для использования в усилении и генерации … … Википедия

    Распиновка КТ815 Транзистор биполярный кремниевый КТ815, n p n проводимость, универсальный силовой низкочастотный транзистор. Предназначен для работы с усилителями низкой частоты, операционными и дифференциальными … Википедия

Транзистор КТ819 представляет собой кремниевый полупроводниковый прибор структуры n — p — n. Конструктивно транзистор выполнен в двух вариантах — в металлическом и пластиковом корпусе. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительная черта — дешевизна. с относительно высокими техническими характеристиками. Именно поэтому этот полупроводниковый прибор широко используется при производстве электронного оборудования в республиках бывшего СССР и после его распада в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, который предлагает современный рынок электронных компонентов, КТ819 активно используется радиолюбителями при проектировании различных устройств.

Распиновка транзистора

Схема подключения полупроводникового прибора показана на рисунке 1.Как видите, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для установки на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1 мм. В пластиковом корпусе для крепления к радиатору охлаждения имеется один лепесток с отверстием 3,6 мм.

основные параметры

Основные характеристики КТ819 приведены в таблице 1 .

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 дефицитной деталью не назовешь. Тем не менее бывают случаи, когда по тем или иным причинам необходимо выбрать его аналог — то есть транзистор, максимально соответствующий его характеристикам.В целом при подборе аналога к любому отечественному или импортному транзистору основными характеристиками являются:

  • допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эмиттера;
  • допустимый ток коллектора;
  • усиление;
  • рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену на тот или иной отечественный и зарубежный транзистор.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 на следующие отечественные транзисторы:

  • CT834;
  • CT841;
  • CT844;
  • КТ847.

Зарубежные аналоги

КТ819 можно заменить на следующие зарубежные полупроводниковые приборы:

  • 2 N6288;
  • BD705;
  • TIP41;
  • BD533.

Отдельно стоит упомянуть аналог КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используется КТ819ГМ. Как заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор — 2 Н 3055.Кроме того, некоторые схемы на KT819GM ​​могут успешно работать с V D 183, 2 N 6472, KT729.

Тест транзистора

Проверить КТ819 можно обычным тестером. Для тестирования измерительный прибор переводят в режим измерения сопротивления. По схеме КТ819ГМ (расположение выводов) или другому компоненту этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к штырю базы, а минусовой — к штырю коллектора. Измерительный прибор должен показывать напряжение пробоя.Далее, не отсоединяя положительный щуп от базы, подключаем отрицательный щуп к выводу эмиттера. В этом случае прибор должен показывать почти такое же значение, как и при измерении перехода база-коллектор.

После процедуры, описанной выше, вы должны проверить переходы во время обратной активации . По схеме КТ819 (расположение выводов) отрицательный щуп тестера подключаем к выводу базы, а положительный — к выводу коллектора. На приборе не должно быть никаких указаний.После этого, не отключая отрицательный щуп от базы, подключаем положительный щуп к эмиттеру — как и в случае с переходом база-коллектор, на тестере не должно быть показаний. Тест можно считать успешным, и транзистор исправен, если переходы не повреждены.

Важный момент: любой полупроводниковый элемент следует проверять только при его снятии с цепи. Проще говоря — проверка элемента, подключенного к другим компонентам схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» мы представляем простую схему усилителя, в которой используется KT819 и его дополнительная пара KT818. Простейшая схема усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, показанного на рисунке 2, является его мощность от биполярного источника . Благодаря такому схемотехническому решению можно подключать нагрузку напрямую между выходом каскада усилителя и общим проводом. Также стоит отметить, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термической стабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, с напряжением ± 40 В и нагрузкой 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений 0,07%.

После сборки усилителя не требуется никаких операций по его настройке . Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя (VT 6 и VT 7) следует установить на радиаторах. Если используется один общий радиатор, транзисторы необходимо крепить к нему через изолирующие прокладки.

kt% 20819% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

КТ3102

Реферат: KT 3127 TM100 UF 3004 lg led схема kt3117 LED Tr KT 1117 3121 LG LED
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
кт 30

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
MA704WA

Аннотация: MA700 MA4S713 MA2S784 HSU88 HSU276 HSS102 610C 420C ma741
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF HSS102 HSU88 HSU276 30 МГц) MA2S784 MA4S713 MA743 MA704AÂ MA721В MA744 MA704WA MA700 610C 420C ma741
кабель

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
2008 — КТ 6396

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
КТ920Б

Аннотация: KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 UdSSR BT320 920a 920B4
Текст: нет текста в файле


OCR сканирование
PDF 175 МГц КТ920Б КТ920А KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 СССР BT320 920a 920B4
пластик

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
кт21

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
1827

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
1827

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
узлы 6306

Абстракция: KT5211 KT6396 kt 6217 KT6209
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF
Нет в наличии

Аннотация: абстрактный текст недоступен
Текст: нет текста в файле


Оригинал
PDF

Тестер полупроводников atmega8 своими руками.Радио для всех

Устройство предназначено для измерения параметров радиодеталей. тестер умеет определять выходы диодов, транзисторов, светодиодов. Показывает емкость конденсаторов и резисторов в определенном диапазоне. Ниже в архиве несколько вариантов печатных плат, в том числе для монтажа на SMD.

Характеристики устройства следующие:

Сопротивления: от 1 Ом до 10 МОм

Конденсаторы

: от 190 пФ до 10000 мкФ, чем больше емкость, тем больше времени занимает измерение.Перед измерением разрядите конденсаторы!

Диоды, светодиоды — показывает где какие выходы и один параметр

Обнаружение и индикация наличия защитных диодов в транзисторах и полевых МОП-транзисторах

SCR, тиристоры — просто показывает, что такое тиристор и где выводы

Транзисторы — показывает где какие клеммы и пара параметров

Точность измерения правильно собранного прибора зависит от точности шести резисторов, думаю понятно какие.Чем они точнее и параметры совпадают, тем точнее и правильнее будут измерения.

Схема тестера:

Изображение печатной платы в версии DIP:

Расшифровка информации, отображаемой на дисплее данного устройства:

NPN — Транзистор NPN

PNP — Транзистор PNP

Н-Э-МОС Н-Канал — обогащенный канал

P-E-MOS P-Kanal — обогащенный канал

Н-Д-МОС Н-Канал — истощенный канал

P-D-MOS P-Kanal — истощенный канал

N-JFET N-канал — JFET

P-JFET P-Kanal — JFET

Тиристор — Тиристор

Симистор — Симистор

Вт Открытое напряжение (для MOSFET)

C = Емкость затвора (для MOSFET)

h31e (текущий прирост) — диапазон до 10000

Uf Прямое напряжение

Диод Диод

В разных версиях отображаемая информация о прошивке может отличаться.В этой статье обсуждается проект на микроконтроллере Atmega8, есть модифицированные версии прошивки в сети на других микроконтроллерах. Аппарат довольно точный, полный фотоотчет не делал, например несколько фото сделал …

Диодная сборка (два диода в одном корпусе)

Транзистор КТ819:

Светодиод:

файлов прошивки (~ 8кб.)

Скачать файлы печатной платы :, опций.

AVR transistortestter

AVR-Transistortester Construction Kit — поставляется в виде набора деталей, который включает: печатную плату

и все детали, включая резисторы и конденсаторы, необходимые для сборки функционального устройства. В комплект не входит чехол. Устройство не требует настройки и готово к работе сразу после сборки. Процессор установлен на сокет. Светодиод не отображается на передней панели. Это не показатель, но он необходим для работы устройства.Во время работы его свечение может быть не видно. Дисплей подключается к основной плате через «гребешок» с шагом 2,54 мм. Всю документацию, необходимую для сборки устройства (принципиальную схему, схему подключения и список используемых компонентов), можно скачать в конце статьи.

На фото представлен готовый собранный прибор. На втором фото представлен комплект деталей.

Конструктор представляет собой набор деталей. Батарея в комплект не входит.



Возможности устройства.

Тестер позволяет определять биполярные транзисторы, полевые транзисторы MOSFET и JFET, диоды (в том числе двойные последовательные и антипараллельные), тиристоры, симисторы, резисторы, конденсаторы и некоторые их параметры. В частности, для биполярных транзисторов:

1. проводимость — NPN или PNP;

2. распиновка в формате — B = *; С = *; Е = *;

3. усиление по току — hFE;

5. Прямое напряжение база-эмиттер в милливольтах — Uf.

Для транзисторов MOSFET:

1.проводимость (P-канал или N-канал) и тип канала (E — обогащенный, D — обедненный) — P-E-MOS, P-D-MOS или N-E-MOS, N-D-MOS;

2. Вместимость ворот — С;

3. распиновка в формате GDS = ***;

4. наличие защитного диода — символ диода;

5. Пороговое напряжение затвор-исток Uf.

Для транзисторов J-FET:

1. проводимость — N-JFET или P-JFET;

2. распиновка в формате GDS = ***.

Для диодов (включая двойные диоды):

1.распиновка;

2. Прямое напряжение анод-катод — Uf.

Для симисторов:

1. тип — симистор; 2. распиновка в формате G = *; А1 = *; А2 = *.

Для тиристоров:

1. тип — тиристор;

2. распиновка в формате — ГАК = ***.

Результат отображается на двухстрочном ЖК-дисплее. Время тестирования менее 2 сек. (кроме больших конденсаторов) время отображения результата 10 сек. Управление одной кнопкой, автоматическое отключение. Потребление тока в выключенном состоянии менее 20 нА.Диапазон измерения сопротивления от 2 Ом до 20 МОм. Точность не очень высокая. Конденсаторы рассчитаны на диапазон от 0,2 нФ до 7000 мкФ. Выше 4000 мкФ ухудшается точность. Измерение больших емкостей может занять до одной минуты. Тестер не является точным прибором и не гарантирует 100% надежности идентификации и измерений, но в большинстве случаев результат измерения верный. При измерении мощных тиристоров и симисторов могут возникнуть проблемы, если испытательный ток (7 мА) окажется меньше тока удержания.

Документация

В данной статье представлен прибор — тестер полупроводников. О прототипе этого устройства была опубликована статья на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет количество и типы выходов транзистора, тиристора, диода и т. Д. Он будет очень полезен начинающему радиолюбителю.

Типы испытуемых элементов

(название элемента — индикация на дисплее):
— транзисторы NPN — на дисплее «NPN»
— транзисторы PNP — на дисплее «PNP»
— N-канальный MOSFET — дисплей » NE-MOS »
— МОП-транзистор с P-каналом — отображение« PE-MOS »
— МОП-транзисторы с обедненным N-каналом — отображается« ND-MOS »
— МОП-транзисторы с истощенным P-каналом — отображается« PD-MOS »
— N-канальные полевые транзисторы — на дисплее «N-JFET»
— Р-канальные полевые транзисторы — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «Tyrystor»
— Симисторы — на дисплее «Triak»
— Диоды — на дисплее «Диод»
— Двухкатодные диодные сборки — на дисплее «Двойной диод СК»
— Двуханодные диодные сборки — на дисплее «Двойной диод СА»
— Два последовательно соединенных диода — дисплей показывает «2 диода серии»
— Диоды симметричны — на дисплее отображается «Диод симметричный»
— Резисторы — Диапазон 0.От 5K до 500K [K]
— Конденсаторы — Диапазон от 0,2 нФ до 1000 мкФ
При измерении сопротивления или емкости прибор не обеспечивает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
— h31e (коэффициент усиления по току) — диапазон до 10000
— ( 1-2-3) — порядок подключения выводов элемента
— Наличие элементов защиты — диод — «Диодный символ»
— Прямое напряжение — Uf

Напряжение открытия (для MOSFET) —

Вт

Емкость затвора (для MOSFET) — C =

Схема устройства:

Схема устройства без транзисторов:

Программирование микроконтроллера

Если вы используете программу AVRStudio, достаточно записать в настройках fuse-bits 2 бита конфигурации: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9.Если вы используете другие программы, отрегулируйте биты предохранителей в соответствии с рисунком. В архиве находится прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также макет печатной платы.

Предохранители mega8

Процесс измерения довольно прост: подключите проверяемый объект к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку «Тест». Тестер покажет измеренные показания и через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии заряда аккумулятора.Батарея используется напряжением 9В типа «Крона».

Тестирование симистора

Тестирование диодов

Тестирование светодиодов

Тестирование двух диодов

Испытания полевого МОП-транзистора

Тестирование транзисторов NPN

AVR Semiconductor, R, L, C, ESR, FRQ и т.д. 🙂 ТЕСТЕР на микроконтроллерах ATmega


В этом разделе представляю вашему вниманию устройство — тестер полупроводников, измеритель емкости конденсаторов и сопротивления резисторов, одним словом, очень полезная вещь 🙂 Описание этого измерительного прибора взято из статьи Маркузе Фрейека и Карла-Хайнца Кюббелера выложил на свои сайт.Это устройство было разработано ими еще в 2009 году и сейчас не дает покоя всем радиолюбителям. Схема претерпела незначительные изменения, пока авторами и другими программистами выпущено множество версий прошивок для микроконтроллеров (МК) серий ATmega8, ATmega48, ATmega168, ATmega328 (распиновка всех этих МК одинакова, поэтому нет необходимо внести изменения в топологию печатной платы). Я не специалист в области радиоэлектроники и не программист, я обычный радиолюбитель-самоучка, поэтому буду излагать информацию так, как я ее воспринимаю. Я сначала тоже подумал, что это китайская разработка 🙂 — всякие китайские интернет-магазины кишат наборами и готовыми тестерами, но оказалось, что все не совсем так. Вдобавок нашел чешский клон этого тестера. Мне это было интересно и я попробовал варианты тестеров на (MK) серии ATmega8 (два варианта прошивки) и ATmega328. Этот тестер не измеряет конденсаторы емкостью менее 25 пФ и индуктивностью менее 0,01 мГн (индуктивность и ESR измеряются только тестером на ATmega168 и ATmega328).Но меня, как радиолюбителя, интересуют только «маленькие» емкости и индуктивности, так как часто приходится выбирать именно их. Кроме того, как заявляют авторы, точность измерения индуктивности и емкости невысока — это так: (Кроме того, прибор на ATmega328 может измерять частоту и напряжение, работать как генератор, а также работать в режиме циклического измерения — без необходимости постоянно нажимать кнопку «ТЕСТ». Насколько я понимаю, этот прибор — золотая середина между дорогими специализированными промышленными измерительными приборами и дешевыми китайскими мультиметрами, которыми завалены все рынки, и аналоговыми самоделками.Но, как показывает практика, одного устройства мало. Мне достаточно двух устройств: тестера на базе ATmega8 для определения полупроводниковых компонентов, измерения сопротивления резисторов и примерной емкости конденсаторов, так как он не измеряет правильно конденсаторы с большой емкостью; Тестер R / L / C / ESR на PIC16F690, описание которого я выложил, для точного измерения емкостей различных конденсаторов, катушек индуктивности, ESR (ESR) и тангенса угла диэлектрических потерь диэлектрика электролитических конденсаторов.Конечно, у меня на полке еще есть несколько мультиметров для измерения напряжений, токов, целостности цепи и т. Д. Ну куда же без них :))) — чем больше приборов, тем лучше!

Учитывая изложенное, предлагаю вашему вниманию комплект для самостоятельной сборки тестера полупроводниковых приборов на МК ATmega8 и прошивки для МК в двух вариантах: вариант №1 и вариант №2 … Для программирования использую самый дешевый и самый распространенный программаторUSBasp, который можно купить ну просто везде :)… Запаковал архивы: драйверы Windows для программатора USBasp, файл прошивки * .hex FLASH, файл прошивки * .eep EEPROM, программа Kazarma для прошивки самого МК, предохранители для настройки МК и принципиальная схема с указанием необходимых доработок для этой версии прошивки. Никакой разницы в работе устройства при тактировании МК от внешнего кварца или от встроенного RC я не заметил. Отличие прошивки в визуальном отображении информации на дисплее (мне нравятся оба варианта).В прошивке №2 повышена точность измерения емкости конденсаторов. Тестер с высокой точностью определяет номера и названия выводов транзистора, тиристора, диода и т.д. Он будет очень полезен не только начинающему радиолюбителю. С помощью этого тестера очень удобно сортировать полупроводниковые элементы по параметрам, например, выбирать транзисторы по коэффициенту усиления. Те. это простой, но эффективный тестер для быстрой проверки, сортировки и распознавания большинства полупроводников — транзисторов, диодов, полевых транзисторов, МОП-транзисторов, двойных диодов, маломощных тиристоров, динисторов и т. д.Прибор удобен для определения параметров SMD компонентов; для этого в комплект входят соответствующие платки из стекловолокна с тремя пронумерованными участками. Позволяет измерять сопротивление резисторов и емкость конденсаторов. Все вышеперечисленное возможно для устройства на базе микроконтроллера ATmega8. На ЖК-дисплее мы сразу видим распиновку, тип и параметры, и не идем в интернет за даташитом, т.е. если у вас неизвестный SMD элемент с тремя ножки без маркировки, то с помощью этого прибора можно определить, что это — транзистор, диодная сборка и т. д.

Схема для прошивки # 1:


Схема для прошивки №2 (добавлен только один резистор, т.к. автор программно отключил подтягивающие резисторы в МК — больше ничего не меняйте!):


Характеристики устройства:

0. Обладая очень завидной функциональностью, тестер очень прост в сборке и не требует дефицитных деталей.

1.Автоматическое обнаружение транзисторов NPN и PNP, МОП-транзисторов с каналом N и P, диодов, двойных диодов, тиристоров, симисторов, резисторов и конденсаторов.

2. Автоматическое определение и отображение контактов тестируемого компонента.

3. Обнаружение и отображение защитного диода в транзисторах.

4. Определение коэффициента усиления и прямого напряжения база-эмиттер биполярных транзисторов.

5. Измерение порогового напряжения затвора и емкости затвора МОП-транзисторов.

6. Измерение прямого напряжения для простых диодов (светодиодов), а не для двойных диодов.

7. Измерение сопротивления резисторов — от 1 Ом до 50 МОм.

8. Измерение емкости конденсаторов — от 25 пФ до 100 мФ.

9. Отображение значений на текстовом ЖК-дисплее (2х16 знаков).

10. Продолжительность тестирования детали менее 2 секунд (за исключением больших конденсаторов).

11. Управление одной кнопкой и автоматическое отключение питания.

12. Энергопотребление в выключенном состоянии.

13. Проблемы с определением мощных тиристоров и симисторов, из-за того, что ток при измерении составляет 7 мА, что меньше тока удержания тиристора.

14. Проблемы с определением обычных полевых транзисторов, так как для большинства полевых транзисторов сток и исток при измерении мало или почти не отличаются, поэтому их можно не распознать, при тестировании полевых транзисторов неправильный обозначение стока и истока возможно, но, в принципе, тип транзистора в любом случае показан правильно.

15. Устройство может питаться от батареи «Крона» 9В или от адаптера питания постоянного тока 9-12В … Подсветка дисплея не включается при работе от батареи. При использовании адаптера переменного тока подсветка включена постоянно. Сетевой адаптер в комплект не входит, в комплекте только штекер.

ВИДЕО № 1 РАБОТА С ТЕСТЕРОМ ПОЛУПРОВОДНИКА

ВИДЕО №2 РАБОТЫ ТЕСТЕРА (повышенная точность и расширенные диапазоны измерения ПДУ)

ВИДЕО No.3 РАБОТЫ ТЕСТЕРА (в ideo от покупателя Андрея из Донецка, зайдите на его канал и найдите там много интересной и полезной информации)

Индикация тестируемых элементов на дисплее прибора:

— Транзисторы NPN — на дисплее «НПН»

— Транзисторы PNP — на дисплее «ПНП»

— МОП-транзистор с N-канальным обогащением — на дисплее «N-E-MOS»

— МОП-транзистор с P-каналом — на дисплее «П-Э-МОС»

— N-канальный MOSFET — на дисплее «Н-Д-МОС»

— МОП-транзистор с истощенным P-каналом — на дисплее «П-Д-МОС»

— N-канальный JFET — на дисплее «N-JFET»

— P-канальный JFET — на дисплее «P-JFET»

— Тиристоры — на дисплее «Тыристор»

— Симисторы — на дисплее «Симистор»

— Диоды — на дисплее «Диод»

— Диодные сборки с двойным катодом и общим катодом — на дисплее «Двойной диод СК»

— Сдвоенные анодные диодные сборки с общим анодом — на дисплее «Двойной диод СА»

— Два диода, включенные последовательно — на дисплее «2 диода серии»

— Симметричные диоды — на дисплее «Диод симметричный»

— Резисторы — «Сопротивление»

— Конденсаторы — «Конденсатор»

Описание дополнительных параметров измерения:

— h31e — текущий прирост

— (1-2-3) — порядок подключаемых выводов элемента и, наоборот, их наименование

— Наличие элементов защиты — диод — «Диодный символ»

— Прямое напряжение — Uf мВ

— Напряжение размыкания (для MOSFET) — Вт мВ

— Емкость затвора (для MOSFET) — C нФ

Совсем забыл! Если вам нужна прошивка на другом языке, то вы можете найти ее в соответствующем архиве.Также есть альтернативные прошивки!

Стоимость печатной платы с маской и маркировкой: 65 грн.

Стоимость полного комплекта деталей для сборки тестера (включая плату, ЖК-дисплей (синий фон и белые символы), «прошитый» ATmega8 MK с прошивкой №2): 330 грн.

Стоимость собранной платы тестера на ATmega8: 365 грн

Инструкцию к комплекту с кратким описанием и списком деталей, входящих в комплект можно увидеть

Для заказа обращайтесь по телефону , как показано на схеме:

Результатом будет устройство, описание которого можно найти :).В архиве с прошивкой №3 есть все, что я описал выше, но с небольшой корректировкой! Дело в том, что при программировании программы Kazarma без вопросов «закачивал» содержимое файлов FLASH и EEPROM в МК, но отказывался «заливать» предохранители. Может у меня руки кривые, а может что-то еще мне мешало. Поэтому я пошел другим путем. Скачал программу AVRDUDESS (она есть в архиве), с ее помощью мне удалось запрограммировать предохранители FLASH, EEPROM и MK. Скриншот настроек предохранителей в архиве. В инструкции к тестеру все подробно описано! Отмечу только, что в этой версии есть возможность автокалибровки устройства.

Всем удачи, мира, добра, 73!

Тестер полупроводников

ESR на ATMEGA8. Тестер транзисторов. Схема без автоотключения

Но среди радиодеталей есть такие, которые обычным мультиметром проверить сложно, а иногда и невозможно. Это могут быть полевые транзисторы (например, MOSFET., т. Д. J-Fet. ). Также у обычного мультиметра не всегда есть функция измерения конденсаторов, в том числе электролитических. И даже при наличии такой функции прибор обычно не измеряет еще один очень важный параметр электролитических конденсаторов — эквивалентное последовательное сопротивление ( EPS или ESR. ).

Недавно стала доступна цена на универсальные измерители R, C, L и ESR. Многие из них имеют возможность проверки практически всех работающих радиодеталей.

Разберемся, какие возможности есть у такого тестера. На фото универсальный тестер R, C, L и ESR — MTester v2.07 (QS2015-T4). Он тестировщик LCR T4. Купил на Алиэкспресс. Не удивляйтесь, что аппарат без корпуса, с ним он намного дороже. Вариант без корпуса, и с корпусом.

Радиометаллоискатель собран на микроконтроллере ATMEGA328P. Также на печатной плате имеются SMD-транзисторы с маркировкой J6 (Bipolar S9014), M6. (S9015), интегральный стабилизатор 78L05, TL431 — прецизионный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилизатор), SMD-диоды 1N4148, кварцевые на 8,042 МГц. А «разброс» — планарные конденсаторы и резисторы.

Устройство питается от батареи 9В (размер 6F22). Однако, если таковой под рукой нет, устройство можно запитать от стабилизированного источника питания.

Зиф панель устанавливается на печатную плату тестера. Рядом находятся числа 1,2,3,1,1,1,1. Дополнительные терминалы верхнего ряда Зиф-панели (те, что 1,1,1,1) дублируют терминал под номером 1.Это сделано для того, чтобы упростить установку деталей с разделенными выводами. Кстати, стоит отметить, что нижний ряд клемм дублирует клеммы 2 и 3. На 3 закреплены 2 дополнительных клеммы, а на 3 уже 4. Вы можете убедиться, что разводку печатных проводников вы видите на с другой стороны печатной платы.

Так какие возможности у этого тестера?

Измерение емкости и параметров электролитического конденсатора.

Также советую заглянуть на страницу, где рассказывается о разновидностях полевых транзисторов и их обозначении на схеме.Это поможет вам понять, что показывает устройство.

Проверить биполярные транзисторы.

В качестве тестового «кролика» берем наш КТ817. Как видите, у биполярных транзисторов измеряется коэффициент усиления hFE. (He — h31E. ) и сдвиги напряжения b e (открытие транзистора) UF. . Для кремниевых биполярных транзисторов напряжение смещения находится в диапазоне 0,6 ~ 0,7 В. Для нашего KT817 оно составило 0,615 В (615 мВ).

Композитные биполярные транзисторы тоже распознает.Вот только параметры на дисплее, я бы не поверил. Ну правда. Не могу составить транзистор. Имеют коэффициент усиления HFE = 37. Для CT973a минимальный HFE должен быть не менее 750.

Как выяснилось, структура для CT973A (PNP) и CT972A (NPN) определяет правильно. Но все остальное меряет неправильно.

Стоит учесть, что при пробое хотя бы одного из переходов транзистора тестер может определить его как диод.

Проверить диоды универсальным тестером.

Образец для испытаний — диод 1N4007.

Для диодов падение напряжения отображается на переходе P-N в открытом состоянии UF. . В технической документации на диоды указывается как V F. — прямое напряжение (иногда V FM. ). Замечу, что при разном постоянном токе через диод величина этого параметра тоже меняется.

Для этого диода 1N4007. : В F. = 677мВ (0,677В). Это нормально для низкочастотного выпрямительного диода. Но диоды Шоттки ниже, поэтому их рекомендуется использовать в низковольтных автономных устройствах питания.

Кроме того, тестер зависает и емкость P-N Transition (C. = 8PF).

Результат проверки диода КД106А. Как видите, переходная емкость у него во много раз больше, чем у диода 1N4007. Уже 184 пикофарада!

Если вместо диода установить светодиод и включить проверку, то при проверке действительно будет ноль.

Для светодиодов тестер показывает контейнер перехода и минимальное напряжение, при котором светодиод открывается и начинает излучать. Конкретно для этого красного светодиода было UF = 1.84V.

Как выяснилось, универсальный тестер отлично справляется с проверкой сдвоенных диодов, которые можно встретить в компьютерных блоках питания, автоморетантных преобразователях напряжения, всевозможных блоках питания.

Проверить сдвоенный диод MBR20100CT. .

Тестер показывает падение напряжения на каждом из диодов UF = 299MV (в даташитах указано как V F.), а также плащ. Не забывайте, что сдвоенные диоды похожи на общий анод и общий катод.

Проверить резисторы.

Этот тестер отлично справляется с измерением сопротивления резисторов, в том числе переменных и подстроечных. Так прибор определяет ходовой резистор типа 3296 на 1 ком. На дисплее переменный или ходовой резистор отображается как два резистора, что неудивительно.

Также можно проверить постоянные резисторы с сопротивлением до долей Ом.Вот пример. Сопротивление резистора 0,1 Ом (R10).

Измерение индуктивности катушек и дросселей.

На практике одинаково востребована функция измерения индуктивности катушек и дросселей. И если на крупногабаритные изделия наносится маркировка с указанием параметров, то на малых и SMD индуктивностях такой маркировки нет. В этом случае поможет устройство.

На дисплее результат замера параметров дроссельной заслонки на 330 мкг (0.33 миллигени).

Помимо индуктивности дросселя (0,3 мг), тестером определено его сопротивление dC — 1 Ом (1,0 Ом).

Симисторы малой высоты Этот тестер проверяет без проблем. Я, например, их проверил MCR22-8. .

А вот тиристор посильнее BT151-800R В случае ТО-220 прибор не смог проверить и отобразил надпись на дисплее. «? Нет, деталь неизвестна или повреждена» , что в вольном переводе означает «отсутствующая, неизвестная или поврежденная деталь».

Среди прочего универсальный тестер может измерять напряжение аккумуляторов и аккумуляторов.

Еще меня порадовало то, что в этом приборе можно проверить оптопары. Правда, проверять такие «составные» детали можно только в несколько этапов, поскольку они состоят как минимум из двух изолированных частей.

Покажи на примере. Здесь внутренняя организация оптронов TLP627.

Излучающий диод подключаем к выводам 1 и 2. Подключаем их к выводам прибора и смотрим, что он нам покажет.

Как видим, тестером определено, что диод был подключен к его выводам и отображено напряжение, при котором он начинает излучать UF = 1,15В. Далее подключаем к тестовой группе 3 и 4 выводы оптопар.

На этот раз тестером определено, что к нему подключен штатный диод. Ничего удивительного. Взгляните на внутреннюю структуру оптопар TLP627, и вы увидите, что диод подключен к выводам эмиттера и коллектора фототранзистора.Он шунтирует выводы транзистора и тестер только его «видит».

Итак, мы проверили исправность оптронов TLP627. Аналогичным образом мне удалось проверить маломощное твердотельное реле типа К293кп17п.

Сейчас я расскажу, какие детали этот тестер не проверяется.

    Мощные тиристоры. При проверке тиристора BT151-800R прибор показал на дисплее биполярный транзистор с нулевыми значениями HFE и UF. Другой экземпляр тиристора определен как неисправный.Возможно, это действительно так;

    Стабилиан. Определяется как диод. Основные параметры Stabilon вы не получите, но вы можете убедиться в целостности p-N Transition. Производитель правильно заявил о распознавании стабилизации с напряжением стабилизации менее 4,5В.
    все же рекомендую не полагаться на показания приборов, а заменить стабилизацию на новую, так как бывает, что стабилизаторы хорошие, но стабилизация стабилизация стабилизация;

    Никаких микросхем, типа интегральных стабилизаторов 78L05, 79L05 и им подобных.Я считаю объяснения излишними;

    Дисторанты. Собственно, это и понятно, так как Distoror открывается только при напряжении в несколько десятков вольт, например 32V, как в распределенном DB3;

    Ионисторы Устройство тоже не распознает. Видимо из-за долгой зарядки;

    Варисторы определяются как конденсаторы;

    Однонаправленные ограничители определяются как диоды.

Универсальный тестер не останется без дела ни одного радиолюбителя, а радиомеханики сэкономят кучу времени и денег.

Стоит понимать, что при проверке неисправных полупроводниковых элементов прибор может неверно определить тип элемента. Итак, биполярный транзистор с одним пробитым p-N переходом, его можно определить как диод. Вздутый электролитический конденсатор с огромной утечкой можно распознать как два бортовых диода. Это произошло. Думаю, нет необходимости объяснять, что это свидетельствует о несогласии с радиометодом.

Но необходимо учитывать то, что также существует некорректное определение значений из-за плохого контакта деталей в панели ЗИФ.Поэтому в некоторых случаях необходимо переустановить элемент в панели и проверить.

Устройство предназначено для измерения параметров радиокомпонентов. Тестер может определять выход диодов, транзисторов, светодиодов. Показывает емкость конденсаторов и резисторов в определенном диапазоне. Ниже в архиве несколько вариантов печатных плат, в том числе для монтажа на SMD.

Характеристики устройства следующие:

Сопротивление: от 1 Ом до 10 МОм

Конденсаторы: от 190пф до 10000мкф.Чем больше емкость, тем дольше измерение. Сообщите конденсаторам перед измерением!

Диоды, светодиоды — показывает где какие выводы и один параметр

Определение и индикация наличия защитных диодов в транзисторах и MOSFET

Тринисторы, тиристоры — сразу видно, что это тиристор и где какие выводы

Транзисторы — показывает где какие выводы и пара параметров

Точность замеров корректно защищенного даэви зависит от точности шести резисторов, думаю понятно какие.Чем они точнее и по тем же параметрам, тем правильность и правильность измерений будет правильной.

Схема тестера:

Чертеж печатной платы в версии DIP:

Расшифровка отображаемой информации на дисплее данного прибора:

НПН. — ТРАНЗИСТОР NPN.

ПНП. — ТРАНЗИСТОР ПНП.

N-E-MOS N-KANAL — обогащенный канал

P-E-MOS P-KANAL — обогащенный канал

N-D-MOS N-KANAL — истощенный канал

P-D-MOS P-KANAL — истощенный канал

N-jfet n-kanal — JFet.

P-JFET P-KANAL — JFet.

Тиристор — Тиристор

Симистор — SIMISTOR

VT Напряжение размыкания (для MOSFET)

С =. Мощность затвора (для MOSFET)

х31Е. (коэффициент усиления) — диапазон до 10,000

ст. Постоянное напряжение

Диод. Диод

IN разные версии Отображаемая информация о прошивке может отличаться.В данной статье описан проект на микроконтроллере ATMEGA8, в сети есть доработанные варианты прошивки и другие микроконтроллеры. Этот аппарат достаточно точный, полного фотоотчета не делал, например несколько снимков сделал …

Диодная сборка (два диода в одном корпусе)

ТРАНЗИСТОР КТ819:

Светодиод:

файла прошивки (~ 8кб.)

Скачать файлы печатной платы :, options.

AVR Transistester.

Дизайн набора

AVR-TRANSISTERESTER — поставляется в виде набора частей, который включает:

цен и все элементы, включая резисторы и конденсаторы, которые требуются для создания работоспособного устройства. В комплект не входит чехол. Использование не требует настройки и работает сразу после сборки. Процессор установлен в розетку. Светодиод не отображается на передней панели. Это не ориентировочно, но обязательно для устройства. При работе его свечение может быть не видно.Дисплей подключается к основной плате через «гребешок» с шагом 2,54 мм. Всю документацию, необходимую для сборки устройства (принципиальную схему, схему монтажа и перечень используемых компонентов), можно скачать в конце статьи.

На фото — готовое устройство в сборе. На втором фото — набор деталей.

Дизайнерский набор представляет собой набор деталей. Батарея в комплект не входит.



Возможности устройства.

Тестер позволяет определять биполярные транзисторы, полевые транзисторы MOSFET и JFET, диоды (в том числе двойные последовательные и встречно-параллельные), тиристоры, симисторы, резисторы, конденсаторы и некоторые их параметры. В частности, для биполярных транзисторов:

1. Проводимость — NPN или PNP;

2. Коды в формате — B = *; С = *; Е = *;

3. Коэффициент усиления по току — HFE;

5. База-эмиттер постоянного напряжения в милвольтах — УФ.

Для транзисторов MOSFET:

1.Проводимость (P-канал или N-канал) и тип канала (E — обогащенный, D — обедненный) — P-E-MOS, P-D-MOS или N-E-MOS, N-D-MOS;

2. Вместимость створки — С;

3. Коды в формате GDS = ***;

4. Наличие защитного диода — символ диода;

5. Пороговое натяжение Заслонки УФ.

Для транзисторов j-fet:

1. Проводимость — N-JFET или P-JFET;

2. Коды в формате GDS = ***.

Для диодов (включая двойные диоды):

1.Кодо;

2. Постоянное напряжение анод-катод — УФ.

Для Simistors:

1. Тип — симистор; 2. Кокоовка в формате G = *; А1 = *; А2 = *.

Для тиристоров:

1. Тип — Тиристор;

2. Коды в формате — ГАК = ***.

Результат отображается на двухстрочном ЖК-дисплее. Время теста менее 2 сек. (За исключением конденсаторов большой емкости) время отображения составляет 10 секунд. Управление одной кнопкой, выключение автоматическое. Ток потребления в выключенном состоянии менее 20, измерение сопротивления периапана от 2 Ом до 20м.Точность не очень высокая. Взаимозаменяемость оценивается примерно от 0,2 до 7000 мкФ. Точность выше 4000 мкФ ухудшается. Измерение больших контейнеров может занять до одной минуты. Тест не является точным устройством и не гарантирует 100% надежности идентификации измерения, однако в подавляющем большинстве случаев результат измерения достоверный. Меньший ток удержания.

Документация

В статье описывается прибор — тестер полупроводников (Транзистестер).Прототипом этого устройства является статья, размещенная на одном из немецких сайтов автором Маркусом. Подобные статьи есть в Интернете, но устройство заслуживает внимания, и на этом я повторюсь.
Тестер с высокой точностью определяет базовые выводы и типы транзисторов, тиристоры, диоды, также определяет резисторы и конденсаторы. №
Особенно удобен при определении компонентов SMD, он для этого изготовлен. Будет очень полезно не только начинающему радиолюбителю.
Типы тестируемых деталей:
(Название элемента — Индикация дисплея):
— Транзисторы NPN — на дисплее «NPN»
— Транзисторы PNP — на дисплее «PNP»
— MOSFET с N-каналом — на «NE -MOS »дисплей
— P-канальный MOSFET — на дисплее« PE-MOS »
— N-канальный MOSFET — на дисплее« ND-MOS »
— P — канальный MOSFET — на дисплее «PD-MOS»
— N-канальный JFET — на дисплее «n-jfet»
— P-канальный JFET — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «TYRYSTOR» (рус. — «Tyristor »)
— Симисторы — на дисплее« Триак »(рус. -« Триак »)
— диоды — на дисплее« ДИОД »(рус. -« Диод »)
— Двухконтурные сборки диодов — на дисплее« Двойной ». Диод CK »(рус. -« Di Diode CC »)
— двусторонние сборки диодов — на дисплее« Double Diode Ca »(рус. -« Diode CA »)
— Два последовательно соединенных диода — на дисплее« 2 DIODE » СЕРИЯ »(русский -« 2 ди ода последняя.»)
— Симметричные диоды — на дисплее« DIODE SYMMETRIC »(рус. -« 2 диодный счетчик »)
— Резисторы — диапазон от 1 Ом до 10 МОм [ОМ, КОМ]
— Конденсаторы — диапазон от 0,2НФ до 5000 мкФ

Описание дополнительных параметров Измерения:
— h31E (коэффициент усиления по току) — диапазон до 1000
— (1-2-3) — порядок подключения выводов элемента
— наличие элементов защиты — диод — «диод» символ «
— Постоянное напряжение — UF
— Открывающее напряжение (для MOSFET) — VT
— пропускная способность затвора (для MOSFET) — C =

Схема без автоотключения

Схема с автоподкопом

Конденсатор и транзистор

Предохранители для ponyprog

Вы также можете с помощью PonyProg настроить постоянные измерения C и R (ячейки отмечены на фотографии ниже).

Число в средней ячейке буфера изменяется на + или — 1 (это зависит от того, в каком направлении вам нужно ввести и сколько, это может быть число 10),

После изменения числа в ячейке запрограммируйте МК, потом делаем тест известной детали, сравниваем до и после.

Повторяем при необходимости процедуру.

Прошивка для ATmega8 и Atmega8a, в архиве (английский и русский EEPROM, правильное отображение в Cyrilice µ и Омега.) ProShiva.rar.

Еще один набор различных прошивок (англ. И рус.) ProShivki.rar

Различные варианты печатных и контактных (для проверки SMD элементов) плат, архив скачать здесь. Печатки.rar

Наверное, лучше собрать схему без автоотключения (первая схема), так как проще, и с автозапуском иногда может действовать на нервы. После нажатия кнопки «Тест» дисплей длится 10 секунд, затем выключается табло и питание.Это сделано в целях экономии энергии аккумулятора, но если установить индикатор без подсветки (она в принципе и не нужна), то ток потребления тестером не превысит 15 мА и схема автоотключения здесь без нужно.

В общем, по большому счету регулировок и настроек устройства особо нет, любители наверняка могут настроить показания R и C так что вроде бы детально и проблем быть не должно.

Изначально автор рекомендовал использовать микроконтроллер ATMEGA8-16PU в тестере, не везде возможно.Микроконтроллер ATMEGA8L-8PU более доступен, и это наиболее точная замена ATMEGA8-16PU в этом AVR-Transistester.
Эти МК прошиваются одной и тоже прошивкой и особой разницы в работе нет и почти не нужно настраивать на R и S.

Да этот тестер не высокоточный прибор, а именно тестер для определения радиоэлементы, а в основном элементы SMD. И это не измеряет танк и сопротивление с высокой точностью. У него тоже могут быть проблемы;

Проблемы при определении обычных полевых транзисторов:
Поскольку у большинства полевых транзисторов запас и исток не сильно различаются при измерении или почти не отличаются, они могут быть неправильно распознаны или распознаны, но в принципе тип транзистора является одинаковым. показано правильно в любом случае.

Проблемы могут быть также при определении мощных тиристоров и симисторов из-за того, что текущий ток при измерении 7 мА меньше, чем ток удержания тиристора.

В данной статье представлен прибор — тестер полупроводниковых элементов. Прототипом этого устройства послужила статья, размещенная на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет количество и типы конвейеров транзистора, тиристора, диода и т. Д. Будет очень полезен начинающему радиолюбителю.

Типы тестируемых элементов

(Название элемента — Индикация дисплея):
— Транзисторы NPN — на дисплее «NPN»
— Транзисторы PNP — на дисплее «PNP»
— MOSFET с N-канальным обогащением — на « Дисплей NE-MOS
— MOSFET с P-каналом — на дисплее «PE-MOS»
— MOSFET с обедненным N-каналом — на дисплее «ND-MOS»
— MOSFET с P-каналом — на дисплей «PD-MOS»
— N-канальный JFET — на дисплее «n-jfet»
— P-канальный JFET — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «TYRYSTOR»
— Симисторы — на дисплее «Триак»
— Диоды — на дисплее «DIODE»
— Двухцепные сборки диодов — на дисплее «Double Diode CK»
— двусторонние сборки диодов — на дисплее «Double Diode CA»
— Два последовательно соединенных диода — на дисплее «2 DIODE SERIES»
— Симметричные диоды — на дисплее «DIODE SYMMETRIC»
— Резисторы — диапазон от 0.От 5 до 500k [k]
— Конденсаторы — Диапазон от 0,2NF до 1000UF
При измерении сопротивления или емкости прибор не дает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
— h31E (коэффициент усиления) — диапазон до 10 000
— (1-2-3) — порядок подключения выводов элемента
— Наличие элементов защиты — диод — «диодный символ»
— Постоянное напряжение — UF

Напряжение размыкания (для MOSFET) — VT

Мощность затвора (для MOSFET) — C =

Схема устройства:

Схема устройства без транзисторов:

Программирование микроконтроллера

При использовании программы AvrStudio достаточно в настройках FUSE-bit записать 2 бита конфигурации: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9.Если вы используете другие программы для настройки битов Fuse в соответствии с шаблоном. В архиве находится прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также бумажный макет.

Предохранители Mega8

Процесс измерения довольно прост: подключите тестируемый элемент к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку «Тест». Тестер покажет измеренные показания и через 10 секунд. Переходим в режим ожидания, это сделано для экономии заряда аккумулятора. В аккумуляторе используется напряжение 9В «Корона».

Тестирование Simistor

Тестирование диодов

Тестирование светодиода

Проверка двойного диода

Тестирование полевого МОП-транзистора.

Тестирование транзистора NPN.

Простой унч на транзисторах. Простой германиевый усилитель мощности. Наличие искажений в НЧ-усилителях различных классов

Сейчас в Интернете можно найти огромное количество схем различных усилителей на микросхемах, в основном серии TDA.Они обладают неплохими характеристиками, хорошим КПД, в связи с чем не так дороги и пользуются большой популярностью. Однако на их фоне забываются транзисторные усилители, которые хоть и сложны по настройке, но не менее интересны.

Схема усилителя

В этой статье рассмотрим процесс сборки очень необычного усилителя, работающего по классу «А» и содержащего всего 4 транзистора. Эта схема была разработана еще в 1969 году английским инженером Джоном Линсли, несмотря на преклонный возраст, она остается актуальной и по сей день.

В отличие от чип-усилителей, транзисторные усилители требуют тщательной настройки и выбора транзисторов. Эта схема не исключение, хотя выглядит предельно просто. Транзистор VT1 — входной, структура PNP. Можно поэкспериментировать с различными маломощными PNP-транзисторами, в том числе немецкими, например, MP42. Хорошо себя зарекомендовали в данной схеме VT1 такие транзисторы, как 2N3906, BC212, BC546, CT361. Транзистор VT2 имеет структуру NPN, средней или малой мощности, подходят CT801, KT630, CT602, 2N697, BD139, 2Sc5707, 2SD2165.Особое внимание стоит уделить выходным транзисторам VT3 и VT4, а точнее их усилению. Здесь хорошо подходят CT805, 2SC5200, 2N3055, 2SC5198. Вам нужно выбрать два одинаковых транзистора с максимально близким усилением, и оно должно быть больше 120. Если усиление выходных транзисторов меньше 120, это означает, что транзистор с большим усилением (300 и более) должен быть помещенным в каскад приводов (VT2).

Выбор номиналов усилителя

Некоторые номиналы на схеме выбраны исходя из напряжения питания и сопротивления нагрузки, некоторые возможные варианты приведены в таблице:


Не рекомендуется повышать напряжение питания более 40 вольт. , выходные транзисторы могут выйти из строя.Особенность усилителей класса А — длительный ток покоя, а значит, сильный нагрев транзисторов. При питающем напряжении, например, 20 вольт и остальном 1,5 ампер, усилитель потребляет 30 ватт вне зависимости от того, подается сигнал на его вход или нет. Каждый из выходных транзисторов будет рассеивать 15 Вт тепла, а это мощность небольшого паяльника! Поэтому транзисторы VT3 и VT4 необходимо устанавливать на большой радиатор с использованием термоколяски.
Этот усилитель склонен к возникновению самовозбуждения, поэтому на его выходе устанавливают цепочку Цобеля: резистор сопротивления 10 Ом и конденсатор 100 НФ, включенные последовательно между массой и общей точкой выходных транзисторов (это цепь изображена на схеме).
При первом включении усилителя необходимо включить амперметр, чтобы контролировать остальное. Пока выходные транзисторы не прогрелись до рабочей температуры, может немного поплыть, это вполне нормально. Также при первом включении нужно замерить напряжение между общей точкой выходных транзисторов (коллектор VT4 и эмиттер VT3) и землей, должно быть вдвое меньше питающего напряжения. Если напряжение отличается в большую или меньшую сторону, нужно подкрутить трюк резистор R2.

Плата усилителя:

(Отвод: 605)


Плата изготовлена ​​методом ЛУТ.

Усилитель в сборе


Несколько слов о конденсаторах, входе и выходе. Емкость входного конденсатора на схеме обозначена 0,1 мкФ, но этого емкости недостаточно. В качестве входа следует поставить пленочный конденсатор емкостью 0,68 — 1 мкФ, иначе возможен нежелательный низкочастотный срез.На выходной конденсатор С5 стоит брать напряжение не ниже питающего, жадничать с тарой тоже не стоит.
Преимущество схемы этого усилителя в том, что она не представляет опасности для динамиков акустической системы, потому что динамик подключен через разделительный конденсатор (C5), что означает, что при появлении постоянного напряжения, например, при выход усилителя, динамик останется целым, ведь конденсатор не пропустит постоянное напряжение.

Усилитель на одном транзисторе — Вот конструкция простого УНГ на одном транзисторе. Именно с таких схем начинали свой путь многие радиолюбители. Однажды собрав простой усилитель, мы всегда стремимся сделать более мощный и качественный прибор. И так все растет, всегда есть желание сделать безупречный усилитель мощности.

Простейшая схема усилителя, показанная ниже, сделана на одном биполярном транзисторе и шести электронных компонентах, включая динамик.Эта конструкция устройства, усиливающего низкочастотный звук, создана специально для начинающих радиолюбителей. Его основное предназначение — дать понять простой принцип работы усилителя, поэтому он собран с использованием минимального количества радиоэлектронных элементов.

У этого усилителя естественно небольшая мощность, для начала большая и не нужна. Однако если установить более мощный транзистор и немного поднять блок питания, то на выходе можно получить примерно 0,5 Вт.А это уже считается довольно приличной мощностью для усилителя такой конструкции. В схеме для наглядности использован биполярный транзистор с N-P-N проводимостью, можно использовать любой и с любой проводимостью.

Для получения на выходе 0,5 Вт лучше всего применять мощные биполярные транзисторы типа КТ819 или их зарубежные аналоги, например 2N6288, 2N5490. Также можно использовать фирменные транзисторы типа КТ805, их зарубежный аналог — БД148, БД149. Конденсатор в выходной цепи можно установить на 0.1МФ, хотя его номинальная стоимость не играет большой роли. Тем не менее, он формирует чувствительность устройства относительно частоты звукового сигнала.

Если поставить конденсатор с большой емкостью, то на выходе будут преимущественно низкие частоты, а высокие будут обрезаться. И наоборот, если контейнер маленький, низкие частоты будут обрезаться, а высокие — пропускаться. Поэтому этот выходной конденсатор выбирается и настраивается в соответствии с вашими предпочтениями в отношении звукового диапазона.Напряжение питания для схемы следует выбирать из диапазона от 3В до 12В.

Еще хочу уточнить — данный усилитель мощности представлен вам только в демонстрационных целях, для демонстрации принципа работы такого устройства. Звучание этого устройства, безусловно, будет на низком уровне и не имеет никакого значения в сравнении с качественными устройствами. При увеличении громкости воспроизведения в динамике возникнут искажения.

На Хабре уже были публикации про ламповые усилители своими руками, читать которые было очень интересно.Бесспорно, звук у них замечательный, но для повседневного использования проще использовать устройство на транзисторах. Транзисторы удобнее тем, что не требуют прогрева перед работой и более долговечны. Да и не каждый рискнет запустить лампу САГА с анодными потенциалами на 400 В, а трансформаторы на транзистор на пару десятков вольт намного безопаснее и просто доступнее.

В качестве схемы для воспроизведения я выбрал схему из John Linsley Hood 1969, взяв параметры авторского права при расчете импеданса ее колонок 8 Ом.

Классическая схема британского инженера, опубликованная почти 50 лет назад, до сих пор остается одной из самых воспроизводимых и собирает исключительно положительные отзывы о себе. Этому есть много объяснений:
— Минимальное количество элементов упрощает установку. Также считается, что чем проще конструкция, тем лучше звук;
— несмотря на то, что транзисторов выходного дня два, их не следует искать в комплементарных парах;
— 10 ватт выходного дня с запасом, достаточным для обычного человеческого жилья, и входной чувствительностью 0.5-1 вольт очень хорошо соответствует выпуску большинства звуковых карт или плееров;
— Class A — Он и Африка класс A, если мы говорим о хорошем звуке. По сравнению с другими классами будет немного ниже.


Внутренняя конструкция
Усилитель начинается с питания. Разделение двух каналов для стерео правильнее вести от двух разных трансформаторов, но я ограничился одним трансформатором с двумя вторичными обмотками. После этих обмоток каждый канал существует сам по себе, поэтому необходимо не забыть умножить на два из всего, что указано ниже.На слое делаем перемычки на диодах Шоттки для выпрямителя.

Можно на обычных диодах или даже на готовых мостах, но тогда они обязательно должны быть шунтирующими конденсаторами, и падение напряжения на них больше. После мостов идут фильтры CRC из двух конденсаторов по 33000 мкФ и между ними резистор 0,75 Ом. Если взять меньше и емкость, и резистор, то фильтр CRC станет дешевле и меньше греется, но пульсация увеличится, чего нет в Comilfo.Эти параметры, ИМХО, разумны с точки зрения цены-эффекта. Резистору фильтра нужен мощный цемент, при токе сдвига до 2а он будет рассеивать тепло 3 Вт, поэтому лучше брать с запасом 5-10 Вт. Остальных резисторов в схеме питания 2 Вт будет вполне достаточно. .

Далее переходим к бусту усилителя. В интернет-магазинах продается куча готовых китов, но не меньше и претензий к качеству китайских комплектующих или неграмотной разводке на платах.Поэтому лучше себе, под такой же «скаттер». Я сделал оба канала на одном слое, чтобы затем прикрепить его к нижней части корпуса. Начнем с тестовых элементов:

Все, кроме выходных транзисторов TR1 / TR2, расположены на самой плате. На радиаторах установлены транзисторы выходного дня, он чуть ниже. К авторской схеме из оригинала статьи нужно сделать такие пометки:

Не всем нужно сразу выкладывать наглухо. Резисторы R1, R2 и R6 лучше сначала поставить побыстрее, после всех регулировок на падение, измерить их сопротивление и припаять конечные постоянные резисторы с аналогичным сопротивлением.Настройка сводится к следующим операциям. Во-первых, с помощью R6 напряжение между x и нулем составляет ровно половину от напряжения + v и нуля. В одном из каналов у меня не было 100 ком, так что лучше брать эти хитрости с запасом. Затем с помощью R1 и R2 (сохраняя их примерное соотношение!) Выставляется остальной ток — ставим тестер измерения постоянного тока и измеряем именно этот ток на Power Input Power Power. Пришлось значительно снизить сопротивление обоих резисторов, чтобы получить желаемый резервуар.В остальном усилитель в классе А максимум и по сути при отсутствии входного сигнала все уходит на тепловую энергию. Для 8-омных колонок этот ток, по рекомендации автора, должен быть 1,2 и при напряжении 27 вольт, то есть 32,4 тепловатта на канал. Поскольку текущая настройка может занять несколько минут, то выходные транзисторы уже должны быть на радиаторах охлаждения, иначе они быстро перегреются и умрут. Ибо греются в основном.

Возможно, что в порядке эксперимента захочется сравнить звучание разных транзисторов, так что также можно оставить возможность удобной замены.Пробовал на входе 2n3906, CT361 и BC557C, небольшая разница была в пользу последнего. В престижном пробовали КТ630, БД139 и КТ801, остановились на импортном. Хотя все вышеперечисленные транзисторы очень хороши, и разница может быть более субъективной. На выходе поставил сразу 2N3055 (St Microelectronics), как многим они нравятся.

При регулировке и занижении сопротивления усилителя частота CBC может расти, поэтому для входного конденсатора лучше использовать 5,5 мкФ, а для полимерной пленки 1 или даже 2 мкФ.В сети до сих пор ходит российская картинка схема «Ультралинейный усилитель класса А», где этот конденсатор вообще предлагается как 0,1 мкФ, что чревато срезанием всех басов под 90 Гц:

Написано что эта схема не склонна к самовозбуждению, но на всякий случай есть цепочка Цобель между точкой Х и Землей: R 10 Ом + с 0,1 мкФ.
— Предохранители, их можно и нужно размещать как на трансформаторе, так и на вводе питания схемы.
— Очень уместно будет использовать термопасту для максимального контакта транзистора с радиатором.

Сантехника и столярные изделия
Теперь о традиционно сложной детали в DIY — корпусе. Энабариты корпуса устанавливаются радиаторами, и они в классе А должны быть большими, помните о 30-ваттном обогреве с каждой стороны. Сначала я поставил эту мощность в невыгодное положение и сделал корпус со средними радиаторами по 800 см² на канал. Однако во время отдыха 1.2а услышали до 100 ° C за 5 минут, и стало понятно, что нужно что-то более мощное.То есть нужно либо ставить сырые радиаторы, либо использовать кулеры. Квадрокоптер делать не хотелось, поэтому были приобретены гигантские красавцы руками HS 135-250 площадью 2500 см² на каждый транзистор. Как показала практика, такая мера оказалась немного излишней, но теперь усилитель спокойно можно рвать руками — температура всего 40 ° С даже в режиме покоя. Определенной проблемой было сверление отверстий в радиаторах под крепления и транзисторы — изначально покупной китайский прокат сверлили крайне медленно, на каждую дырку оставляли не меньше получаса.На помощь пришли кобальтовые валы с углом заточки 135 ° от известного немецкого производителя — каждая лунка держится за несколько секунд!

Сам сделал корпус из оргстекла. Заказываем в глазурах сразу нарезанные прямоугольники сразу, выполняем необходимые отверстия для крепежа и красим с обратной стороны черной краской.

Окрашенное на обратной стороне оргстекло смотрится очень красиво. Теперь осталось только собрать все и наслаждаться музыкой… Ах да, при финальной сборке еще важно минимизировать фон, правильно развести землю. Как нам за десятилетия выяснили, C3 нужно подключать к заземлению сигнала, т.е. к минусовому входу, а все остальные минусы можно направить на «звезду» возле конденсаторов фильтра. Если все сделано правильно, то никакого фона не услышать, даже если ухо вывести на максимальную громкость. Еще одна «земная» особенность, которая характерна для звуковых карт, не развязанных с компьютером гальванически, — это сбой в работе материнской платы, которая может пролезать через USB и RCA.Судя по интернету, проблема возникает часто: в динамиках слышны звуки работы HDD, принтера, мышей и фон системного БП. В этом случае проще всего разорвать земляную петлю, взяв землю с подогревом на вилку усилителя. Здесь бояться нечего, т.к. будет вторая цепь заземления через компьютер.

Регулятором громкости на усилителе я не стал, так как качественных АЛП получить не удалось, а вот шуршание китайских потенциометров мне не понравилось.Вместо этого между «Землей» и «Сигналом» входа был установлен обычный резистор 47 кОм. Тем более что под рукой у регулятора есть внешняя звуковая карта, да и в каждой программе есть ползунок. Регулятор громкости есть не только у винилового плеера, поэтому для его прослушивания я прикрепил к соединительному кабелю внешний потенциометр.

Я думаю, этот контейнер за 5 секунд …
Наконец, можно переходить к прослушиванию. Foobar2000 → ASIO → Внешний ASUS Xonar U7 используется в качестве источника звука.Колонки MICROLAB PRO3. Главное достоинство этих колонок — отдельный блок собственного усилителя на микросхеме LM4766, который можно сразу куда-нибудь убрать. Гораздо интереснее с такой акустикой звучал усилитель от мини-системы Panasonic с гордой надписью Hi-Fi или усилитель советского плеера Vega-109. Оба вышеупомянутых устройства работают в классе AB. Представленный в статье JLH сдвинул всех вышеупомянутых товарищей в одни ворота, согласно результатам слепого теста для 3 человек.Хотя разница была слышна невооруженным ухом и без каких-либо тестов — звук явно более детальный и более прозрачный. Например, очень легко услышать разницу между MP3 256Kbps и FLAC. Раньше я думал, что эффект без потерь сильнее плацебо, но теперь мнение изменилось. Точно так же гораздо приятнее было послушать несжатые файлы из Loudness War — динамический диапазон меньше 5 дБ вообще не айс. Linsley-Hood стоит затрат времени и денег, ибо аналогичный брендовый усилитель будет стоить намного дороже.
Материальные затраты
Трансформатор 2200 р.
Транзисторы выходного дня (6 шт. С запасом) 900 шт.
Конденсаторы фильтра (4 шт.) 2700 р.
«Проход» (резисторы, конденсаторы и транзисторы малой емкости, диоды) ~ 2000 р.
Радиаторы 1800 р.
Оргстекло 650 р.
Краска 250 р.
Разъемы 600 шт.
Платы, провода, припой серебряный и др. ~ 1000 р.
Итого ~ 12100 р.

Время чтения ≈ 6 минут

Усилители

, наверное, одни из первых устройств, которые начинают конструировать радиолюбители.Собирая УМЛК на транзисторах своими руками по готовой схеме, многие используют микросхемы.

Транзисторные усилители хоть и отличаются огромным количеством, но каждый радиоэлектронщик постоянно стремится сделать что-то новое, более мощное, более сложное, интересное.

Тем более, что если вам нужен качественный и надежный усилитель, стоит присмотреться к моделям на транзисторах. Ведь именно они самые дешевые, умеют воспроизводить чистый звук, и их легко сконструирует любой новичок.

Поэтому давайте разберемся, как сделать самодельный усилитель НЧ класса B.

Примечание! Да-да, усилители класса В тоже могут быть хорошими. Многие говорят, что качественный звук могут выдавать только ламповые устройства. Отчасти это правда. Но посмотрите на их стоимость.

Тем более что собрать такой прибор в домашних условиях — задача не из легких. Ведь подходящие радиологи придется долго искать, а потом покупать по довольно высокой цене.Да и сам процесс сборки и пайки требует определенного опыта.

Поэтому мы рассматриваем простую схему, и в то же время качественный усилитель низкой частоты, способный выдавать звуковую мощность 50 Вт.

Старая, но проверенная годами схема из 90-х

Схема UNF, которую мы будем собирать, впервые была опубликована в журнале Radio за 1991 год. Ее успешно собрали сотни тысяч радиолюбителей. Причем не только для повышения квалификации, но и для использования в своих аудиосистемах.

Итак, знаменитый усилитель низкой частоты Дорофеева:

Уникальность и гениальность этой схемы заключается в ее простоте. Этот UHC использует минимальное количество радиоэлементов и чрезвычайно простой источник питания. Но устройство способно «взять» нагрузку в 4 Ом и обеспечить выходную мощность 50 Вт, чего вполне достаточно для домашней или автомобильной акустики.

Многие усовершенствовали электротехнику, доработали эту схему. I. Для удобства мы взяли самую современную деталь, заменив старые комплектующие на новые, чтобы вам было проще сконструировать ЦЭКБС:

Описание схемы усилителя низкой частоты

В «переработанном» Доровеевском УНГ использованы уникальные и наиболее эффективные схематические решения.Например, сопротивление R12. Этот резистор ограничивает ток на коллекторе выходного транзистора, тем самым ограничивая максимальную мощность усилителя.

Важно! Не меняйте номинал R12 для увеличения выходной мощности, так как он подан именно под те компоненты, которые используются в схеме. Этот резистор защищает всю цепь от короткого замыкания.

Выходной каскад транзисторов:

Тот же R12 «вживую»:

Резистор R12 должен иметь мощность 1 Вт, если под рукой такого нет — отнесите в ПОЛЬВАТТ.Он имеет параметры, обеспечивающие коэффициент нелинейных искажений до 0,1% на частоте 1 кГц и не более 0,2% на частоте 20 кГц. То есть никаких изменений по слухам вы не заметите. Даже при работе на максимальной мощности.

Блок питания нашего усилителя необходимо выбирать двухполюсный, с выходными напряжениями в диапазоне 15-25 В (+ — 1%):

Чтобы «поднять» мощность звука, можно увеличить напряжение. Но, тогда придется заменить транзисторы в оконечном каскаде схемы.Приходится заменять их на более мощные, после чего пересчитывает несколько сопротивлений.

Компоненты R9 и R10 должны иметь обозначение в соответствии с подаваемым напряжением:

Они с помощью Stabilon ограничивают проходящий ток. В этой же части цепочки собран параметрический стабилизатор, который нужен для стабилизации напряжения и тока перед операционным усилителем:


Пару слов о микросхеме TL071 — «Сердце» нашего УНГ.Считается отличным операционным усилителем, который встречается как в любительских конструкциях, так и в профессиональной аудиоаппаратуре. Если подходящего оператора нет, его можно заменить на TL081:

Вид «Реально» на плате:

Важно! Если вы решили применить в этой схеме какие-либо другие операционные усилители, внимательно изучите их распиновку, ведь «ножки» могут иметь другие значения .

Для удобства микросхема TL071 предназначена для крепления пластиковой панели, предварительно припаянной к плате.Так можно будет при необходимости быстро заменить компонент на другой.

Полезно знать! Для ознакомления представляю вам еще одну схему этого УНГ, но без армирующего чипа. Устройство состоит исключительно из транзисторов, но собирается крайне редко из-за устаревания и неактуальности.

Для удобства мы постарались сделать печатную плату минимум — для компактности и удобства установки в аудиосистему:


Все перемычки на плате нужны сразу после травления.

Транзисторные блоки (входной и выходной каскады) необходимо монтировать на общем радиаторе. Конечно, они тщательно изолированы от радиатора.

На схеме они здесь:

А вот на печатной плате:

Если готовых нет в наличии, радиаторы могут быть из алюминиевых или медных пластин:

Транзисторы выходного каскада должны иметь рассеиваемую мощность не менее 55 Вт, а еще лучше — 70 или целых 100 Вт.Но этот параметр зависит от напряжения питания на плате.


Из схемы видно, что на входном и выходном каскаде используются 2 комплементарных транзистора. Для нас важно подобрать их по коэффициенту армирования. Для определения этого параметра можно взять любой мультиметр с функцией проверки транзисторов:


Если у вас нет такого устройства, то вам придется позаимствовать у некоторых мастеров тестер транзисторов:


Стабилизаторы следует выбирать при включении POLVATT.Напряжение стабилизации должно быть 15-20 В:


Блок питания. Если вы планируете монтировать на свой УНГ трансформаторный БП, то выбирайте конденсаторы-фильтры емкостью не менее 5000 мкм. Здесь чем больше — тем лучше.


Собранный нами усилитель низкой частоты относится к B-классу. Он работает стабильно, обеспечивая практически кристально чистый звук. Но лучше всего выбирать BN, чтобы он не работал на всю мощность. Оптимальный вариант — трансформатор общей мощностью не менее 80 Вт.

Вот и все. Мы разобрались, как собрать УНГ на транзисторах своими руками по простой схеме, и как в дальнейшем ее можно улучшить. Все комплектующие устройства найдутся, а если их нет — стоит разобрать пару старых магнитофонов или заказать радиодетали в интернете (они практически копейки).

Уходя в прошлое, теперь, чтобы собрать любой простой усилитель, больше не нужно мучиться с расчетами и клепать печатную плату больших размеров.

Сейчас почти вся дешевая арматура делается на чипах. Наибольшее распространение получили чипы TDA для усиления звукового сигнала. В настоящее время они используются в автомагнитолах, в активных сабвуферах, в домашней акустике и во многих других аудиториях и выглядят так:



Плюсы микросхемы TDA

  1. Для сборки усилителя на них необходимо достаточно для подачи питания, подключения колонок и нескольких радиоэлементов.
  2. Габариты этих микросхем очень маленькие, но на радиатор нужно будет ставить, иначе они будут греться.
  3. Продаются на любом радиорынке. На Али что то дорогое, если в розницу.
  4. В них встроены различные защиты и другие опции, такие как отключение звука и так далее. Но по моим наблюдениям защита не очень хорошая, поэтому чипы часто умирают либо от перегрева либо от перегрева. Так что желательно не лезть выводы чипов между собой и не перегревать чип, выдавливая из него все соки.
  5. Цена. Я бы не сказал, что они очень дорогие.По цене и выполняемым функциям они не равны.

Одноканальный усилитель на TDA7396

Соберем простой одноканальный усилитель на микросхеме TDA7396. На момент написания брал по цене 240 руб. В даташете на чип было сказано, что этот чип может выдавать до 45 Вт при нагрузке 2 Ом. То есть если измерить сопротивление катушки динамика и оно будет около 2 Ом, то на динамике вполне можно получить пиковую мощность в 45 Вт.Этой мощности хватит, чтобы устроить в комнате дискотеку не только для себя, но и для соседей и при этом получить посредственный звук, который, конечно, не сравнить с усилителями Hi-Fi.

Вот распиновка микросхемы:


Соберем наш усилитель по типовой схеме, которая была приложена в самом даташете:


Для ноги 8 подаем + vs, а я ничего не наносите на стопу. Следовательно, схема примет такой вид:


VS — напряжение питания.Оно может быть от 8 до 18 вольт. «В +» и «В-» — здесь мы даем слабый гудок. К 5 и 7 ножкам цепляем динамик. Шестая нога Садима на минус.

Вот моя монтажная установка


Конденсаторы на блоке питания 100 НФ и 1000МКФ я не использовал, так как у меня чистое напряжение от блока питания.

Раскатил динамик с такими параметрами:


Как видите, сопротивление катушки 4 Ом. Полоса частот указывает на то, что это тип сабвуфера.

И так я выгляжу как саб в самонаводящемся здании:


Пытался снимать видео, но звук на видео убираю очень плохо. Но все же могу сказать, что с телефона на средней мощности уже упало так, что уши накрутились, хотя потребление всей схемы в рабочем виде было всего около 10 Вт (14,3 умножить на 0,73). В этом примере я взял напряжение, как в автомобиле, то есть 14,4 вольт, что полностью соответствует нашему рабочему диапазону от 8 до 18 вольт.


Если у вас нет мощного источника питания, его можно собрать по этой схеме.

Не стоит останавливаться именно на этой микросхеме. Этих микросхем ТДА, как я уже сказал, существует много видов. Некоторые из них усиливают стереосигнал и могут выдавать звук сразу на 4 динамика, как это делается в автомобильной магнитоле. Так что не поленитесь покататься в интернете и найти подходящую мысль. Завершив сборку, пусть соседи проверит ваш усилитель, повернув ручку громкости на всю балалайку и прислонив мощный динамик к стене).

А вот в статье я собрал усилитель на микросхеме TDA2030A

Очень хорошо получилось, так как у TDA2030A характеристики лучше, чем у TDA7396

Так же подам еще разную схему стилла от абонента, имеющего усилитель на TDA 1557Q уже более 10 лет подряд:


Усилители на Алиэкспресс

На Али еще нашел китовые наборы на TDA. Например, это стереоусилитель мощностью 15 Вт на канал по цене 1 доллар.Этой мощности хватит, чтобы попотеть под любимые треки в комнате


Можно купить.

А вот он сразу готов


А в целом этих усилительных модулей на AliqPress очень много. Нажмите на по этой ссылке И выбирайте любой понравившийся усилитель.

Как работает транзистор. Биполярный транзистор: как это работает

Транзистор (транзистор) — полупроводниковый элемент с тремя выводами (обычно), на один из которых ( коллектор ) подается сильный ток, а на другой ( база ) слабый ( управляющий ток ).При определенной силе управляющего тока, как если бы «клапан открывается», ток от коллектора начинает течь на третий выход (эмиттер ).


То есть транзистор — это этакий вентиль , который при определенной силе тока резко снижает сопротивление и пропускает ток дальше (от коллектора к эмиттеру). Это происходит потому, что при определенных условиях дырки с электроном теряют его, принимая новый и так по кругу.Если на базу не подается электрический ток, то транзистор будет в сбалансированном состоянии и не будет пропускать ток к эмиттеру.

В современных электронных микросхемах количество транзисторов миллиардов … Они используются в основном для расчетов и состоят из сложных соединений.

Полупроводниковые материалы, в основном используемые в транзисторах: кремний , арсенид галлия и германий … Существуют также транзисторы на углеродных нанотрубках , прозрачные для дисплеев LCD и полимерные (наиболее многообещающие ).

Разновидности транзисторов:

Bipolar — транзисторы, в которых как электроны, так и «дырки» могут быть носителями заряда. Ток может течь как к эмиттеру и к коллектору … Для управления потоком применяются определенные управляющие токи.

— обычные устройства, в которых электрический поток регулируется с помощью электрического поля. То есть, когда формируется большее поле, оно захватывает больше электронов и не может переносить заряды дальше.То есть это своего рода вентиль, который может изменять величину передаваемого заряда (если полевой транзистор управляется p — n переход). Отличительной особенностью этих транзисторов является высокое входное напряжение и высокий коэффициент усиления по напряжению.

Комбинированный — транзисторы с комбинированными резисторами или другие транзисторы в одном корпусе. Они служат для различных целей, но в основном для увеличения текущего усиления.

Подтипы:

Биотранзисторы — на основе биологических полимеров, которые могут быть использованы в медицине, биотехнологии без вреда для живых организмов.Исследования проводились на основе металлопротеинов, хлорофилла А (полученного из шпината) и вируса табачной мозаики.

Одноэлектронные транзисторы — впервые были созданы российскими учеными в 1996 году … Они могли работать при комнатной температуре, в отличие от своих предшественников. Принцип работы аналогичен полевому транзистору, но более тонкий. Передатчик сигнала — это один или несколько электронов. Этот транзистор еще называют нано- и квантовым транзистором.С помощью этой технологии в будущем рассчитывают создать транзисторы размером менее 10 нм на основе графена .

Для чего используются транзисторы?

Транзисторы используются в схемах усиления , ламп , электродвигателей и других устройствах, где требуется быстрое изменение силы тока или положения включая выключено … Транзистор может ограничивать силу тока либо плавно , либо методом импульс — пауза … Второй чаще используется для -control. Используя мощный источник питания, он проводит его через себя, регулируя слабым током.

Если силы тока не хватает для включения транзисторной схемы, то несколько транзисторов с большей чувствительностью, соединенных каскадно.

Силовые транзисторы, соединенные в один или несколько корпусов, используются в полностью цифровых усилителях на базе. Им часто требуется дополнительное охлаждение … В большинстве схем они работают в режиме ключа (в режиме переключения).

Транзисторы также используются в системах питания , как цифровых, так и аналоговых (материнские платы , видеокарты , блоки питания и т. Д.).

Центральный процессор , также состоит из миллионов и миллиардов транзисторов, соединенных в определенном порядке для специализированных вычислений .

Каждая группа транзисторов определенным образом кодирует сигнал и передает его на обработку. Все типы ПЗУ и памяти также состоят из транзисторов.

Все достижения в области микроэлектроники были бы практически невозможны без изобретения и использования транзисторов. Трудно представить хотя бы одно электронное устройство без хотя бы одного транзистора.

13. Устройство и принцип работы транзисторов

В зависимости от принципа действия и конструктивных особенностей транзисторы делятся на два больших класса: биполярные и полевые.

Биполярные транзисторы — это полупроводниковые устройства с двумя или более взаимодействующими электрическими pn-переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которых обусловлены явлениями инжекции и извлечения неосновных носителей заряда.

В настоящее время широко используются биполярные транзисторы с двумя p-n-переходами, к которым чаще всего относят этот термин. Они состоят из чередующихся областей (слоев) полупроводника с разными типами электропроводности. В зависимости от типа электропроводности внешних слоев различают транзисторы p-p-p, и n-p-n -типы.

Транзисторы, в которых pn-переходы создаются на контактных поверхностях полупроводниковых слоев, называются плоскими

Биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый кристалл, состоящий из трех слоев с переменной проводимостью и оснащенный тремя выводами (электродами) для подключения к внешней цепи.

На рис. 1.5, а и b схематическое обозначение двух типов транзисторов показано p-p-p-типа и p-p-p- типа . Крайние слои называются эмитт ром (Е) и коллектор (К), между ними находится основание (В). Трехслойная структура имеет два p-n перехода: эмиттерный переход между эмиттером и базой и коллекторный переход между базой и коллектором. Германий или кремний используется в качестве исходного материала для транзисторов.

При изготовлении транзистора должны быть соблюдены два условия:

    толщина базы (расстояние между эмиттером и номером

лекторных переходов) должны быть малы по сравнению с длиной свободного пробега носителей заряда;

2) концентрация примесей (и основных носителей) заряда в эмиттере должна быть намного выше, чем в базе ( N a >> N D на транзисторе p-p-p ).

Рассмотрим принцип работы транзистора p-p-p .

Транзистор включен последовательно с сопротивлением нагрузки Rk в цепи источника напряжения коллектора E . Управляющая ЭДС подается на вход транзистора E B «, как показано на рис. 1.6, а. Это включение транзистора при входе ( E B , R B ) и выходные ( E TO , R К ) Цепи имеют общую точку — эмиттер, является наиболее распространенным и называется включением с общим эмитентом (OE).

При отсутствии напряжения (E B = 0, E TO = 0) эмиттерный и коллекторный переходы находятся в состоянии равновесия, токи через них равны нулю. Оба перехода имеют двойной электрический слой, состоящий из примесных ионов, и потенциальный барьер  o, который различен на каждом из переходов. Распределение потенциала в транзисторе при отсутствии напряжений показано на рис. 1.6, б пунктирной линией.

Полярность внешних источников E B и E TO выбран так, чтобы на переходе эмиттера было прямое напряжение (минус источник E B приложена к базе, плюс — к эмиттеру), а на коллекторном переходе — обратное напряжение (минус исток E К — на коллектор, плюс — на эмиттер), и напряжение | Уке |> | Убе | (напряжение на коллекторном переходе Ucb = Uke-Ube) При таком подключении источников E B и E К распределение потенциала в транзисторе имеет вид, показанный на рис..1.6, b сплошная линия. Потенциальный барьер смещенного вперед эмиттерного перехода уменьшается, а потенциальный барьер увеличивается на коллекторном переходе. В результате приложения прямого напряжения к эмиттерному переходу начинается усиленная диффузия (инжекция) дырок из эмиттера в базу. Электронной составляющей диффузионного тока через эмиттерный переход можно пренебречь, так как r r >> n p , , поскольку выше оговорено условие N AND >> N D . Таким образом, ток эмиттера I E = I Edif r … Под действием диффузионных сил в результате разности концентраций по базе дырки перемещаются от эмиттера к коллектору. Поскольку база транзистора имеет толщину , большинство отверстий, вводимых эмиттером, достигают коллекторного перехода, не попадая в центры рекомбинации. Эти дырки захватываются полем коллекторного перехода, смещенным в противоположном направлении, поскольку это поле ускоряется для неосновных носителей — дырок в базе n-типа.Ток дырок от эмиттера к коллектору замыкается через внешнюю цепь истока Е, , , К, , . При увеличении тока эмиттера на IE ток коллектора увеличится на IK = I E. Из-за малой вероятности рекомбинации в тонкой базе коэффициент передачи тока эмиттера  = IK / ИЭ = 0,9-0,99 …

Небольшая часть инжектированных эмиттером дырок попадает в центры рекомбинации и исчезает, рекомбинируя с электронами.Заряд этих дырок остается в базе, а для восстановления зарядовой нейтральности базы из внешней цепи за счет источника Ev и электронов попадают в базу. Следовательно, ток базы — это ток рекомбинации I rec = IE (1-) Помимо указанных основных составляющих тока транзистора, необходимо учитывать возможность перехода неосновных носителей заряда, возникающих в базе и коллектор в результате генерации носителей через коллекторный переход, к которому приложено обратное напряжение.Этот небольшой ток (переход дырок от базы к коллектору и электронов от коллектора к базе) аналогичен переходу обратного тока pn , он также называется обратным током коллекторного перехода или термическим током и обозначается I kbo ( Рис. 1.6, а)

полевые транзисторы — полупроводниковые приборы, практически не потребляющие ток от входной цепи.

Полевые транзисторы делятся на два типа, отличающиеся друг от друга принципом действия: а) с переходом pn ; б) типа МДП.

. 1.6.1. Полевые транзисторы с pn , переход имеют конструкцию, сечение которой показано на рис. 1.9, а. Слой p-типа называется каналом , имеет два вывода к внешней цепи: ОТ сток и И источник. Слои с типом проводимости p, , окружающие канал, соединены друг с другом и имеют выход на внешнюю цепь, называемую затвором 3 . Подключение источников напряжения к устройству показано на рис. 1.9, а, на рис. 1.9.6 приведено схематическое обозначение полевого транзистора с переходом pn и каналом p-типа. Также существуют полевые транзисторы с каналом n-типа, их обозначение показано на рис. 1.9, в, принцип работы аналогичен, но направления токов и полярность приложенных напряжений противоположны.

Рассмотрим принцип работы полевого транзистора с каналом p-типа.На рис. 1.9, r дано семейство стоковых (выходных) характеристик этого устройства, Ic = f (Usi) при Usi = const.

При управляющем напряжении Uzi = 0 и источнике напряжения, подключенном между стоком и истоком U si , по каналу течет ток, который зависит от сопротивления канала. Напряжение Usi , приложенное равномерно по длине канала, это напряжение вызывает обратное смещение pn переход между каналом p-типа и n-слоем, причем наибольшее обратное напряжение на переходе pn существует в области, смежной со стоком , а вблизи источника pn переход находится в равновесии.При увеличении напряжения U si область двойного электрического слоя pn перехода, обедненная мобильными носителями заряда, будет расширяться, как показано на рис. 1.10, и. Расширение перехода особенно заметно возле стока, где обратное напряжение на переходе больше. Расширение перехода pn приводит к сужению токоведущего канала транзистора и увеличению сопротивления канала. Из-за увеличения сопротивления канала с увеличением Ussi стоковая характеристика полевого транзистора имеет нелинейный характер (рис.1.9, г). При некотором напряжении U si границы pn переходы замыкаются (пунктирная линия на рис. 1.10, а), а при увеличении тока Ic увеличивается Ucb остановок.

При подаче положительного напряжения на затвор Uzi> 0 pn переход смещается еще больше в сторону области обратного напряжения, ширина перехода увеличивается, как показано на рис. 1.10.6. В результате канал, по которому проходит ток, сужается, и ток Ic уменьшается.Таким образом, увеличивая напряжение Узи. можно уменьшить I, с чем видно из рассмотрения рис. 1.9, г. Для некоего Узи называется напряжение отсечки, ток стока практически не течет. Отношение изменения тока стока I C к вызвавшему его изменению напряжения между затвором и истоком Uzi при Usi = const составляет крутизны: S знак равно I C / Uzi при Ui = const

В отличие от биполярных транзисторов, полевые транзисторы управляются напряжением, и только небольшой тепловой ток Iz протекает через переход pn затвора под действием обратного напряжения.

Оригинальное название радиодетали — триод, по количеству контактов. Этот радиоэлемент способен регулировать ток в электрической цепи под действием внешнего сигнала. Уникальные свойства используются в усилителях, генераторах и других подобных схемных решениях.

Обозначение транзисторов на схеме

Долгое время в радиоэлектронике царили ламповые триоды. Внутри герметичной колбы в специальной газовой или вакуумной среде находились три основных компонента триода:

При подаче на сетку управляющего сигнала малой мощности между катодом и анодом могли проходить несравнимо большие значения.Величина рабочего тока триода во много раз выше контрольного. Именно это свойство позволяет радиоэлементу действовать как усилитель.

Триоды на основе радиоламп работают достаточно эффективно, особенно на большой мощности. Однако их размеры не позволяют использовать их в современных компактных устройствах.

Представьте себе мобильный телефон или карманный плеер, сделанный на таких элементах.

Вторая проблема — это общепит. Для нормальной работы катод должен быть очень горячим, чтобы началась электронная эмиссия.Для нагрева змеевика требуется много электроэнергии. Поэтому ученые всего мира всегда стремились создать более компактное устройство с такими же свойствами.

Первые образцы появились в 1928 году, а в середине прошлого века был представлен рабочий полупроводниковый триод, выполненный по биполярной технологии. Ему было присвоено название «транзистор».

Что такое транзистор?

Транзистор — это полупроводниковое электрическое устройство с корпусом или без него, которое имеет три контакта для работы и управления.Основное свойство такое же, как у триода — изменение параметров тока между рабочими электродами с помощью управляющего сигнала.

Из-за отсутствия необходимости в прогреве транзисторы тратят скудное количество энергии для обеспечения своей собственной производительности. А компактные размеры рабочего полупроводникового кристалла позволяют использовать радиокомпонент в малогабаритных структурах.

Благодаря независимости от рабочей среды полупроводниковые кристаллы могут использоваться как в отдельном корпусе, так и в микросхемах.В комплекте с остальными радиоэлементами транзисторы выращиваются непосредственно на монокристалле.

Выдающиеся механические свойства полупроводника нашли применение в мобильных и портативных устройствах. Транзисторы нечувствительны к вибрации, резким ударам. Обладают хорошей термостойкостью (радиаторы охлаждения используются при больших нагрузках).

Это такая хитрая штука, которая пропускает ток только в одном направлении.Его можно сравнить с соской. Он используется, например, в выпрямителях, когда постоянный ток получается из переменного тока. Или когда необходимо отделить обратное напряжение от прямого. Посмотрите схему программатора (там был пример с делителем). Вы видите, есть диоды, как вы думаете, почему? Это просто. Микроконтроллер имеет логические уровни 0 и 5 вольт, а для COM-порта один — минус 12 вольт, а ноль — плюс 12 вольт. Вот диод и отсекает этот минус 12, образуя 0 вольт.А поскольку диод не имеет идеальной проводимости в прямом направлении (обычно это зависит от приложенного прямого напряжения, чем оно выше, тем лучше диод проводит ток), то на его сопротивлении будет падать примерно 0,5-0,7 вольт, остальное, будучи разделенным резисторами пополам, будет около 5,5 вольт, что находится в пределах возможностей контроллера.
Выводы диода называются анодом и катодом. Ток течет от анода к катоду. Очень просто вспомнить, где какой вывод: на символе есть стрелка и палочка со стороны на атода, как бы нарисуйте букву К вот смотрите — К | -.К = Катод! А на детали катод обозначен полосой или точкой.

Есть еще один интересный тип диода — стабилитрон … Я его использовал в одной из предыдущих статей. Его особенность в том, что в прямом направлении он работает как обычный диод, а в обратном — гаснет при некотором напряжении, например 3,3 вольта. Подобно ограничительному клапану в паровом котле, который открывается при превышении давления и выпускает избыточный пар. Стабилитроны используются, когда они хотят получить напряжение заданного значения, независимо от входных напряжений.Это может быть, например, эталонное значение, с которым сравнивается входной сигнал. Они могут сократить входящий сигнал до желаемого значения или использовать его в качестве защиты. В своих схемах я часто ставлю стабилитрон на 5,5 вольт на блок питания контроллера, чтобы в случае чего, при резком повышении напряжения этот стабилитрон стравил лишнее. Есть еще такой зверь, как подавитель. Тот же стабилитрон, только гораздо более мощный и часто двунаправленный. Используется для защиты питания.

Транзистор.

Ужасная вещь, в детстве я не мог понять, как это работает, но оказалось, что все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым клапаном, где с крошечным усилием мы управляем мощным потоком. Слегка повернул ручку и по трубам хлынули тонны дерьма, открыла посильнее и теперь все вокруг было забито нечистотами. Те. выход пропорционален входу, умноженному на некоторое значение. Это значение является усилением .
Эти устройства делятся на полевые и биполярные.
Биполярный транзистор имеет эмиттер , коллектор и базу (см. Чертеж условного обозначения). Это эмиттер со стрелкой, база обозначена как прямая зона между эмиттером и коллектором. Большой ток полезной нагрузки протекает между эмиттером и коллектором , направление тока определяется стрелкой на эмиттере … Но между базой и эмиттером есть небольшой управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером.Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n , принципиальная разница только в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного транзистора тем, что сопротивление канала между истоком и стоком определяется не током, а напряжением на затворе. В последнее время огромную популярность приобрели полевые транзисторы (все микропроцессоры построены на них), поскольку токи в них микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.

Короче транзистор позволит вам при слабом сигнале, например с ножки микроконтроллера. Если усиления одного транзистора недостаточно, то их можно включать каскадами — один за другим, все более мощным. А иногда один могучий полевой транзистор MOSFET . Посмотрите, например, как контролируется вибросигнал в цепях сотового телефона. Там выход процессора идет на затвор ключа питания MOSFET .

Транзистор — это полупроводниковое устройство, которое может усиливать, преобразовывать и генерировать электрические сигналы.Первый работоспособный биполярный транзистор был изобретен в 1947 году. Материалом для его изготовления был германий. А уже в 1956 году родился кремниевый транзистор.

В биполярном транзисторе используются два типа носителей заряда — электроны и дырки, поэтому такие транзисторы называют биполярными. Помимо биполярных транзисторов, существуют униполярные (полевые) транзисторы, в которых используется только один тип носителей — электроны или дырки. Эта статья расскажет.

Большинство кремниевых транзисторов имеют структуру n-p-n, что также объясняется технологией производства, хотя кремниевые p-n-p транзисторы есть, но их немного меньше, чем структур n-p-n.Такие транзисторы используются в составе комплементарных пар (транзисторов разной проводимости с одинаковыми электрическими параметрами). Например, КТ315 и КТ361, КТ815 и КТ814, а в выходных каскадах УМЗЧ транзисторы КТ819 и КТ818. В импортных усилителях часто используется мощная комплементарная пара 2SA1943 и 2SC5200.

Часто транзисторы структуры p-n-p называют транзисторами прямой проводимости, а структуры n-p-n — обратными. Такое название почему-то практически не встречается в литературе, но в кругу радиоинженеров и радиолюбителей оно используется повсеместно, все сразу понимают, о чем идет речь.На рисунке 1 показано схематическое устройство транзисторов и их условные графические обозначения.

Рисунок 1.

Помимо разницы в типе проводимости и материалах, биполярные транзисторы классифицируются по мощности и рабочей частоте. Если рассеиваемая мощность на транзисторе не превышает 0,3 Вт, такой транзистор считается маломощным. При мощности 0,3 … 3 Вт транзистор называют транзистором средней мощности, а при мощности более 3 Вт — большой.Современные транзисторы способны рассеивать мощность в несколько десятков и даже сотен ватт.

Транзисторы не одинаково хорошо усиливают электрические сигналы: с увеличением частоты коэффициент усиления транзисторного каскада уменьшается, а на определенной частоте он вообще останавливается. Поэтому для работы в широком диапазоне частот выпускаются транзисторы с разными частотными свойствами.

По рабочей частоте транзисторы делятся на низкочастотные, — рабочая частота не более 3 МГц, среднечастотная — 3… 30 МГц, высокочастотный — более 30 МГц. Если рабочая частота превышает 300 МГц, то это уже СВЧ-транзисторы.

Вообще в серьезных толстых справочниках приводится более 100 различных параметров транзисторов, что тоже говорит об огромном количестве моделей. А количество современных транзисторов таково, что разместить их целиком в каком-либо каталоге уже невозможно. Причем модельный ряд постоянно увеличивается, позволяя решать практически все задачи, поставленные разработчиками.

Транзисторных схем много (достаточно вспомнить хотя бы количество бытовой техники) для усиления и преобразования электрических сигналов, но при всем разнообразии эти схемы состоят из отдельных каскадов, в основе которых лежат транзисторы. Для достижения необходимого усиления сигнала необходимо использовать несколько последовательно соединенных каскадов усиления. Чтобы понять, как работают усилительные каскады, необходимо более подробно ознакомиться со схемами переключения транзисторов.

Сам по себе транзистор ничего усилить не может. Его усилительные свойства заключаются в том, что небольшие изменения входного сигнала (тока или напряжения) приводят к значительным изменениям напряжения или тока на выходе каскада из-за потребления энергии от внешнего источника. Это свойство широко используется в аналоговых схемах — усилителях, телевидении, радио, связи и т. Д.

Для упрощения изложения здесь мы будем рассматривать схемы на транзисторах n-p-n.Все, что будет сказано об этих транзисторах, в равной степени относится и к p-n-p транзисторам. Достаточно только поменять полярность блоков питания, и, если есть, получить исправную схему.

Всего используется три таких схемы: схема с общим эмиттером (OE), схема с общим коллектором (OC) и схема с общей базой (OB). Все эти схемы показаны на рисунке 2.

Рисунок 2.

Но прежде чем перейти к рассмотрению этих схем, следует ознакомиться с принципом работы транзистора в ключевом режиме.Это знакомство должно облегчить понимание в режиме усиления. В некотором смысле ключевую схему можно рассматривать как своего рода схему оригинального оборудования.

Работа транзистора в ключевом режиме

Прежде чем изучать работу транзистора в режиме усиления сигнала, стоит вспомнить, что транзисторы часто используются в ключевом режиме.

Такой режим работы транзистора рассматривался давно. В августовском номере журнала «Радио» за 1959 г. была опубликована статья Г.Лавров «Полупроводниковый триод в ключевом режиме». Автор статьи предложил изменить длительность импульса в обмотке управления (ОУ). Сейчас этот способ регулирования называется ШИМ и применяется довольно часто. Схема из журнала того времени представлена ​​на рис. 3.

Рисунок 3.

Но ключевой режим используется не только в системах ШИМ. Часто транзистор просто что-то включает и выключает.

В этом случае реле может использоваться в качестве нагрузки: если подан входной сигнал, реле включается, если нет, реле выключается.Вместо реле в ключевом режиме часто используются лампочки. Обычно это делается для индикации: свет горит или выключен. Схема такой ключевой ступени показана на рисунке 4. Ключевые ступени также используются для работы со светодиодами или с оптопарами.

Рисунок 4.

На рисунке каскад управляется обычным контактом, правда цифровая микросхема или. Автомобильный свет, используется для освещения приборной панели в «Жигулях». Следует обратить внимание на то, что управляющее напряжение составляет 5В, а коммутируемое напряжение коллектора — 12В.

В этом нет ничего странного, так как напряжения в этой схеме не играют никакой роли, имеют значение только токи. Следовательно, лампочка может быть не менее 220В, если транзистор рассчитан на работу при таких напряжениях. Напряжение коллектора-источника также должно соответствовать рабочему напряжению нагрузки. С помощью таких каскадов нагрузка подключается к цифровым микросхемам или микроконтроллерам.

В этой схеме ток базы управляет током коллектора, который из-за энергии источника питания в несколько десятков или даже сотен раз больше (в зависимости от нагрузки коллектора), чем ток базы.Нетрудно заметить, что есть усиление тока. Когда транзистор работает в ключевом режиме, обычно для расчета каскада используют значение, которое в справочниках называется «усиление тока в режиме большого сигнала» — в справочниках оно обозначается буквой β. Это отношение тока коллектора, определяемого нагрузкой, к минимально возможному току базы. В виде математической формулы это выглядит так: β = Ik / Ib.

Для большинства современных транзисторов коэффициент β довольно велик, как правило, от 50 и выше, поэтому при расчете ключевого каскада его можно принять равным всего 10.Даже если базовый ток окажется больше расчетного, то транзистор больше не откроется из этого, то из него и ключевого режима.

Чтобы зажечь лампочку, показанную на рисунке 3, Ib = Ik / β = 100mA / 10 = 10mA, это не менее. При управляющем напряжении 5В на базовом резисторе Rb за вычетом падения напряжения на участке BE останется 5В — 0,6В = 4,4В. Сопротивление базового резистора составит: 4,4 В / 10 мА = 440 Ом. Резистор на 430 Ом выбирается из стандартного ряда.Напряжение 0,6 В — это напряжение на переходе B-E, и не стоит забывать об этом в расчетах!

Чтобы база транзистора не оставалась «висящей в воздухе» при размыкании управляющего контакта, переход B-E обычно шунтируется резистором Rbe, который надежно закрывает транзистор. Этот резистор не стоит забывать, хотя его почему-то нет в некоторых схемах, что может привести к ложному срабатыванию каскада от помех. Собственно, про этот резистор все знали, но почему-то забыли, и в очередной раз наступили на «грабли».

Номинал этого резистора должен быть таким, чтобы при размыкании контакта напряжение на базе было не менее 0,6В, иначе каскад будет неуправляемым, как если бы секция BE была просто замкнута накоротко. На практике резистор Rbe устанавливается с номиналом примерно в десять раз больше, чем Rb. Но даже при номинальном Rb 10 кОм схема будет работать достаточно надежно: потенциалы базы и эмиттера будут равны, что приведет к закрытию транзистора.

Такой ключевой каскад при исправной работе может включить лампочку на полный накал, либо выключить полностью.В этом случае транзистор может быть полностью включен (состояние насыщения) или полностью выключен (состояние отсечки). Сразу же, конечно, напрашивается вывод, что между этими «пограничными» состояниями есть такое, когда лампочка залита светом. В этом случае транзистор наполовину открыт или наполовину закрыт? Это как проблема наполнения стакана: оптимист видит стакан наполовину, а пессимист видит его наполовину пустым. Такой режим работы транзистора называется усилительным или линейным.

Работа транзистора в режиме усиления сигнала

Практически все современное электронное оборудование состоит из микросхем, в которых «спрятаны» транзисторы. Достаточно просто выбрать режим работы операционного усилителя, чтобы получить необходимое усиление или полосу пропускания. Но, несмотря на это, часто используются каскады на дискретных («разветвленных») транзисторах, а потому понимание работы усилительного каскада просто необходимо.

Наиболее частое включение транзистора по сравнению с ОК и ОБ — это схема с общим эмиттером (ОЭ).Причина такого преобладания — это, прежде всего, высокий коэффициент усиления по напряжению и току. Наибольший коэффициент усиления каскада OE обеспечивается, когда половина напряжения источника питания Epit / 2 падает на нагрузке коллектора. Соответственно, вторая половина приходится на К-Е секцию транзистора. Это достигается настройкой каскада, о чем будет сказано ниже. Этот режим усиления называется классом A.

При включении транзистора с ОЭ выходной сигнал на коллекторе находится в противофазе с входным.Из недостатков можно отметить то, что входное сопротивление ОЭ небольшое (не более нескольких сотен Ом), а выходное сопротивление находится в пределах десятков кОм.

Если в ключевом режиме транзистор характеризуется коэффициентом усиления по току в режиме большого сигнала β, то в режиме усиления используется «коэффициент усиления по току в режиме малого сигнала», обозначенный в справочниках h31e. Это обозначение произошло от представления транзистора в виде четырехполюсника. Буква «е» означает, что измерения производились при включенном транзисторе с общим эмиттером.

Коэффициент h31e, как правило, несколько больше β, хотя его также можно использовать в расчетах в первом приближении. Тем не менее разброс параметров β и h31e даже для одного типа транзисторов настолько велик, что расчеты носят лишь приблизительный характер. После таких расчетов, как правило, требуется настройка схемы.

Коэффициент усиления транзистора зависит от толщины базы, поэтому его нельзя изменить. Отсюда большой разброс коэффициентов усиления транзисторов, взятых даже из одного ящика (считайте одну партию).Для маломощных транзисторов этот коэффициент колеблется в пределах 100 … 1000, а для мощных 5 … 200. Чем тоньше база, тем выше коэффициент.

Простейшая схема включения транзистора OE показана на рисунке 5. Это всего лишь небольшой фрагмент рисунка 2, показанного во второй части статьи. Это называется схемой с фиксированным базовым током.

Рисунок 5.

Схема предельно проста. Входной сигнал поступает на базу транзистора через блокирующий конденсатор С1 и, будучи усиленным, снимается с коллектора транзистора через конденсатор С2.Конденсаторы предназначены для защиты входных цепей от постоянной составляющей входного сигнала (вспомним угольный или электретный микрофон) и обеспечения необходимой полосы пропускания сцены.

Резистор R2 является нагрузкой коллектора каскада, а R1 обеспечивает смещение постоянного тока на базу. С помощью этого резистора они пытаются убедиться, что напряжение на коллекторе будет Epit / 2. Это состояние называется рабочей точкой транзистора, и в этом случае усиление каскада является максимальным.

Примерное сопротивление резистора R1 можно определить по простой формуле R1 ≈ R2 * h31e / 1,5 … 1,8. Коэффициент 1,5 … 1,8 подставляется в зависимости от напряжения питания: при низком напряжении (не более 9В) значение коэффициента не более 1,5, а начиная с 50В приближается к 1,8 … 2,0. Но, действительно, формула настолько приблизительна, что чаще всего приходится подбирать резистор R1, иначе требуемое значение Epit / 2 на коллекторе не получится.

Коллекторный резистор R2 устанавливается как условие проблемы, так как ток коллектора и коэффициент усиления каскада в целом зависят от его значения: чем больше сопротивление резистора R2, тем выше коэффициент усиления. Но с этим резистором нужно быть осторожным, ток коллектора должен быть меньше максимально допустимого для данного типа транзистора.

Схема очень проста, но эта простота также придает ей отрицательные свойства, и эта простота имеет свою цену.Во-первых, усиление каскада зависит от конкретного экземпляра транзистора: заменил транзистор при ремонте, — снова выбрать смещение, довести до рабочей точки.

Во-вторых, от температуры окружающей среды — при повышении температуры увеличивается обратный ток коллектора Ico, что приводит к увеличению тока коллектора. А где же тогда половина питающего напряжения на коллекторе Epit / 2, та же рабочая точка? В результате транзистор еще больше нагревается, после чего выходит из строя.Чтобы избавиться от этой зависимости или хотя бы минимизировать ее, в транзисторный каскад вводятся дополнительные элементы отрицательной обратной связи — ООС.

На рисунке 6 показана схема фиксированного смещения.

Рисунок 6.

Казалось бы, делитель напряжения Rb-k, Rb-e обеспечит необходимое начальное смещение каскада, но на самом деле такому каскаду присущи все недостатки схемы фиксированного тока. Таким образом, показанная схема представляет собой всего лишь разновидность схемы с фиксированным током, показанной на рисунке 5.

Схемы термостабилизации

Ситуация несколько лучше при использовании схем, показанных на рисунке 7.

Рисунок 7.

В схеме с коллекторной стабилизацией резистор смещения R1 подключен не к источнику питания, а к коллектору транзистора. В этом случае, если обратный ток увеличивается с ростом температуры, транзистор открывается сильнее, напряжение на коллекторе падает. Это уменьшение приводит к уменьшению напряжения смещения, приложенного к базе через R1.Транзистор начинает закрываться, ток коллектора снижается до допустимого значения, и рабочая точка восстанавливается.

Совершенно очевидно, что такая мера стабилизации приводит к некоторому снижению усиления каскада, но это не проблема. Недостающий коэффициент усиления обычно добавляется увеличением количества каскадов усилителя. С другой стороны, такая ООС позволяет существенно расширить диапазон рабочих температур каскада.

Схемотехника каскада со стабилизацией эмиттера несколько сложнее.Усилительные свойства таких каскадов остаются неизменными в даже более широком диапазоне температур, чем у схемы со стабилизацией коллектора. И еще одно неоспоримое преимущество — при замене транзистора не нужно заново выбирать режимы работы каскада.

Эмиттерный резистор R4, обеспечивающий стабилизацию температуры, также снижает коэффициент усиления каскада. Это для округа Колумбия. Чтобы исключить влияние резистора R4 на усиление переменного тока, резистор R4 зашунтирован конденсатором Се, который представляет собой ничтожно малое сопротивление для переменного тока.Его величина определяется частотным диапазоном усилителя. Если эти частоты находятся в звуковом диапазоне, то емкость конденсатора может составлять от единиц до десятков и даже сотен микрофарад. Для радиочастот это уже сотые или тысячные доли, но в некоторых случаях схема нормально работает и без этого конденсатора.

Чтобы лучше понять, как работает стабилизация эмиттера, необходимо рассмотреть схему включения транзистора с общим коллектором ОК.

Схема с общим коллектором (CC) Показана на рисунке 8. Эта схема представляет собой фрагмент рисунка 2 из второй части статьи, где показаны все три схемы переключения транзисторов.

Рисунок 8.

Нагрузкой каскада является эмиттерный резистор R2, входной сигнал подается через конденсатор C1, а выходной сигнал снимается через конденсатор C2. Здесь вы можете спросить, почему эта схема называется ОК? Действительно, если вспомнить схему OE, то хорошо видно, что эмиттер подключен к общему проводу схемы, относительно которого подается входной сигнал и снимается выходной сигнал.

В схеме ОК коллектор просто подключается к источнику питания, и на первый взгляд кажется, что он не имеет никакого отношения к входным и выходным сигналам. Но на самом деле источник ЭДС (силовой аккумулятор) имеет очень маленькое внутреннее сопротивление, для сигнала это практически одна точка, один и тот же контакт.

Более подробно работу схемы ОК можно увидеть на Рисунке 9.

Рисунок 9.

Известно, что для кремниевых транзисторов напряжение перехода b-e находится в диапазоне 0.5 … 0,7 В, поэтому в среднем можно принять 0,6 В, если не ставить цель проводить расчеты с точностью до десятых долей процента. Следовательно, как видно на рисунке 9, выходное напряжение всегда будет меньше входного напряжения на величину Ub-e, а именно на те же 0,6 В. В отличие от схемы OE, эта схема не инвертирует входной сигнал, а просто повторяет его и даже снижает на 0,6 В. Эта схема также называется эмиттерным повторителем. Зачем нужна такая схема, в чем ее польза?

Цепь OK усиливает сигнал тока в h31e раз, что указывает на то, что входное сопротивление цепи в h31e раз больше, чем сопротивление в цепи эмиттера.Другими словами, вы можете подавать напряжение непосредственно на базу (без ограничивающего резистора), не опасаясь сжечь транзистор. Просто возьмите базовый штифт и подключите его к шине питания + U.

Высокий входной импеданс позволяет подключать источник входного сигнала с высоким импедансом (комплексное сопротивление), такой как пьезодатчики. Если такой датчик подключить к каскаду по схеме OE, то низкий входной импеданс этого каскада просто «утонет» сигнал датчика — «радио не будет играть».«

Отличительной особенностью схемы ОК является то, что ее коллекторный ток Ik зависит только от сопротивления нагрузки и напряжения источника входного сигнала. В этом случае параметры транзистора здесь не играют никакой роли. Считается, что такие цепи покрываются 100% обратной связью по напряжению.

Как показано на рисунке 9, ток в нагрузке эмиттера (он же ток эмиттера) Iн = Iк + Ib. Учитывая, что ток базы Ib ничтожно мал по сравнению с током коллектора Ic, можно предположить, что ток нагрузки равен току коллектора Iн = Iк.Ток нагрузки будет (Uin — Ube) / Rn. В этом случае мы будем считать, что Ube известно и всегда равно 0,6V.

Из этого следует, что ток коллектора Ik = (Uin — Ube) / Rn зависит только от входного напряжения и сопротивления нагрузки. Сопротивление нагрузки можно изменять в широких пределах, однако особо усердствовать не нужно. Ведь если вместо Rn поставить гвоздь — плетение, то ни один транзистор не выдержит!

Схема ОК позволяет легко измерить статический коэффициент передачи тока h31e.Как это сделать, показано на рисунке 10.

Рисунок 10.

Сначала измерьте ток нагрузки, как показано на рисунке 10a. В этом случае базу транзистора не нужно никуда подключать, как показано на рисунке. После этого измеряется базовый ток в соответствии с рисунком 10b. В обоих случаях измерения должны производиться в одних и тех же количествах: либо в амперах, либо в миллиамперах. Напряжение источника питания и нагрузка должны оставаться постоянными в обоих измерениях.Чтобы узнать статический коэффициент передачи тока, достаточно ток нагрузки разделить на ток базы: h31e ≈ In / Ib.

Следует отметить, что с увеличением нагрузки ток h31e немного уменьшается, а с увеличением напряжения питания он увеличивается. Эмиттерные повторители часто имеют двухтактную конфигурацию с использованием дополнительных пар транзисторов для увеличения выходной мощности устройства. Такой эмиттерный повторитель показан на рисунке 11.

Рисунок 11.

Рисунок 12.

Включение транзисторов по схеме с общей базой OB

Такая схема дает только усиление по напряжению, но имеет лучшие частотные характеристики по сравнению со схемой OE: те же транзисторы могут работать на более высоких частотах. Основное применение схемы OB — антенные усилители ДМВ-диапазонов. Схема антенного усилителя представлена ​​на рисунке 12.

Так работает диод

F-QUER: Усилитель с качеством звука HI-END

Усилитель качества звука HI-END

Вашему вниманию усилитель с очень мягким, как у лампового усилителя, звуком, но превосходящий ламповые усилители по другим параметрам (соотношению сигнал / шум и гармоническим искажениям).

Воспроизводимый звуковой отклик: от 10 Гц до 25 кГц

Отношение сигнал / шум: не менее 92 дБ (невзвешенное)

Гармонические искажения: 0,001%

К созданию такого усилителя меня подтолкнула любовь к очень качественному звуку.

Пересмотрев множество различных схем, сделал небольшой эскиз концепта усилителя. Позже, столкнувшись с поиском хорошего качества звука операционного усилителя, занялся поиском микросхемы в интернете на тот момент около 2 недель.

Первое условие — на ОУ должно быть высокое напряжение, второе — очень качественное по соотношению сигнал / шум. До этого я подбирал хорошие усилители на отечественную элементную базу и микросхемы К574УД1 К544УД2, а также мощные выходные транзисторы КТ818 и КТ819. На тот момент своими параметрами меня полностью удовлетворили.

Но с появлением на прилавках нашего современного импортного оборудования требования к такому усилителю намного выше, как и к очень качественному звуку, сравнимому со звуком ламповых усилителей.

Итак, со всеми ингредиентами я решился, приступил к непосредственной сборке усилителя, а так как на тот момент я работал в сервисном центре, настраивал и со сборкой проделал работу по ремонту в свободное время.

Так выглядел первый вариант усилителя — это было только начало.

С того времени у меня не было окончательно развелось ни корпуса, ни платы, устройство собиралось в коробке упаковок DVD плеера. В таком виде проработал около месяца, и никаких казусов в работе не произошло.
После этого я занялся жесткой разводкой печатной платы, и вот что из этого получилось.

Ну вот посмотрите платы промышленного производства:

Схема усилителя достаточно проста в сборке и не содержит дефицитных элементов.
Все комплектующие можно купить на любой магнитоле.
классическое схемопостроение как входных, так и выходных каскадов, позволяет выполнить очень простую в сборке и схему усилителя, что немаловажно, нет необходимости ее настраивать. Да он в конфигурации не нужен, так как в схеме отсутствуют регулирующие элементы, регулирующие ток покоя выходного каскада, система стабилизации температуры и т. Д.

После сборки усилитель необходимо включить в сеть, чтобы проверить постоянное выходное напряжение усилителя, оно должно быть в диапазоне +20 / -20 мВ, при этом вход усилителя должен быть близко к земле. Если это напряжение в пределах нормы, усилитель готов к работе, обязательно только выпаять мост через подъезд.
На операционном усилителе собрана схема усиления по напряжению, с коэффициентом усиления около 25. Транзисторы VT1, VT2, VT5, VT6, VT7 и VT8 включены по схеме ЭР и действуют на усилители тока в 10 раз.
На транзисторах VT3 и VT4 собраны термостабилизаторы схемы усилителя, и они, как и выходные транзисторы, также расположены на радиаторе. Если эти транзисторы не прикрутить к радиатору, мощность мгновенно нагреется до температуры выше 90 градусов.
максимальная температура нагрева под нагрузкой усилителя и его непрерывной работы составила 70 градусов. Катушка
L1 содержит от 16 до 20 витков, намотанных в однослойный провод НДВ 1мм 2. Конденсаторы
С2 и С7 желательно использовать металлизированные и другие многослойные керамические.
Транзисторы можно импортировать для использования, подходящие по параметрам.
При определенных изменениях схемы мощность усилителя можно поднять до 100Вт.

Ниже фото собранного усилителя:

К сожалению, я не мастер металла и дерева, но вот что у меня из этого получилось.
Этот усилитель надежно работает более 8 лет, и никаких проблем не возникло. Качество его звука очень приличное, кое-где ламповые усилители превосходят и по мягкости звучания, не говоря уже о шумах и нелинейных искажениях самих ламповых усилителей.Да, да, я оговорился.
были произведены для сравнения качества звука с такими моделями, как NAD, Rotel, Arcam и Yamaha, эта схема усилителя превзошла все вышеперечисленные модели по мягкости и качеству звука. Платы
имеют два варианта под левой и правой стороной. В архиве находится только левая сторона макета платы.


.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *