Транзистор КТ835 — DataSheet
Цоколевка транзистора КТ835
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ835А | 2SB906, MJE370K *1, MJE370 *1 | |||
| КТ835Б | BD434, 41501 *2, BD196 *3, 2N6110, 2N6111 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max |
КТ835А | — | 25* | Вт |
| КТ835Б | — | 25* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ835А | — | ≥1 | МГц |
| КТ835Б | — | ≥1 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. |
КТ835А | — | 30 | В |
| КТ835Б | — | 45 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ835А | — | 4 | В |
| КТ835Б | — | 4 |
|||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ835А | — | 3 | А |
| КТ835Б | — | 7.5 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ835А | 30 В | ≤0. |
мА |
| КТ835Б | 45 В | ≤0.15 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ835А | 1 В; 1 А | ≥25* | |
| КТ835Б | 5 В; 2 А | 10…100* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ835А |
10 В | ≤800 | пФ |
| КТ835Б | 10 В | ≤800 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. |
КТ835А | — | ≤0.35 | Ом, дБ |
| КТ835Б | — | ≤0.8 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b |
КТ835А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ835Б | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ835А | — | — | пс |
| КТ835Б | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор КТ830 — DataSheet
Цоколевка транзистора КТ830
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | 2Т830А | 2N3660 | |||
| 2Т830Б | 2N1085, BD634 *3 | ||||
| 2Т830В | 2N2881 *2, 2SB563 *3, MJ2253 *3, SDT3576 *3, SDT3553 *2, SDT3550 *2 | ||||
| 2Т830Г | SDT3554, SDT3551, 2N3776 *2 | ||||
| КТ830А | 2N5781, 2N4234 | ||||
| КТ830Б | 2N4235 | ||||
| КТ830В | 2N4236, SML3552 | ||||
| КТ830Г | 2N4236 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ830А | — | 5* | Вт |
| КТ830Б | 5* | ||||
| КТ830В | — | 5* | |||
| КТ830Г | — | 5* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ830А | — | ≥4 | МГц |
| КТ830Б | — | ≥4 | |||
| КТ830В | — | ≥4 | |||
| КТ830Г |
— | ≥4 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. |
КТ830А | — | 35 | В |
| КТ830Б | — | 60 | |||
| КТ830В | — | 80 | |||
| КТ830Г | — | 100 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ830А | — | 5 | В |
| КТ830Б | — | 5 | |||
| КТ830В | — | 5 | |||
| КТ830Г | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ830А | — | 2; 4* | |
| КТ830Б | — | 2; 4* | |||
| КТ830В | — | 2; 4* | |||
| КТ830Г | — | 2; 4* | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ830А | 35 В | ≤0. 1 |
мА |
| КТ830Б | 60 В | ≤0.1 | |||
| КТ830В | 80 В | ≤0.1 | |||
| КТ830Г | 100 В | ≤0.1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ830А | 1 В; 1 А | ≥20* | |
| КТ830Б | 1 В; 1 А | ≥20* | |||
| КТ830В | 1 В; 1 А | ≥20* | |||
| КТ830Г | 1 В; 1 А | ≥20* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ830А | — | — | пФ |
| КТ830Б | — | — | |||
| КТ830В | — | — | |||
| КТ830Г | — | — | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р. |
КТ830А | — | ≤1.2 | Ом, дБ |
| КТ830Б | — | ≤1.2 | |||
| КТ830В | — | ≤1.2 | |||
| КТ830Г | — | ≤1.2 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ830А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ830Б | — | — | |||
| КТ830В | — | — | |||
| КТ830Г | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ830А | — | ≤1000* | пс |
| КТ830Б | — | ≤1000* | |||
| КТ830В | — | ≤1000* | |||
| КТ830Г | — | ≤1000* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
| ТИП | B1-B2/Iк
/A |
Fт МГц |
Cк/Uк пФ/В |
Cэ/Uэб пФ/В |
tp нс |
Uкэ/(Iк/Iб) В/ (А/А) |
Uкб В |
UкэR/R В/Ом |
Uэб В |
Iкм/Iкн А/А |
Iбм А |
Pк/Pт Вт/Вт |
Rпк C/Вт |
Пер | Цок |
| 2Т831А 2Т831Б 2Т831В 2Т831Г |
25- /1 25- /1 25- /1 20- /1 |
4-50 4-50 4-50 4-50 |
150/5 150/5 150/5 150/5 |
350/0. 5 350/0.5 350/0.5 350/0.5 |
1000 1000 1000 1000 |
0.6(1/0.1) 0.6(1/0.1) 0.6(1/0.1) 0.6(1/0.1) |
35 60 80 100 |
30/1к 50/1к 70/1к 90/1к |
12 5 5 5 |
2/4 2/4 2/4 2/4 |
1 1 1 1 |
1/5 1/5 1/5 1/5 |
N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N |
85 85 85 85 |
|
| 2Т832А 2Т832Б |
10- /0.01 10- /0.01 |
6-25 6-25 |
20/5 20/5 |
180/0.5 180/0.5 |
1000 800 |
1000/10 800/10 |
7 7 |
0. 1/ 0.1/ |
0.1 0.1 |
2/10 2/10 |
N-P-N N-P-N |
73 73 |
|||
| КТ834А КТ834Б КТ834В |
150-3000/5 150-3000/5 150-3000/5 |
4 4 4 |
2 (15/1.5) 2 (15/1.5) 2 (15/1.5) |
500/100 450/100 400/100 |
8 8 8 |
15/20 15/20 15/20 |
3.5 3.5 3.5 |
/100 /100 /100 |
N-P-N N-P-N N-P-N |
73 73 73 |
|||||
| КТ835А КТ835Б |
25- /1 10-100/2 |
1 1 |
800/10 800/10 |
1500/0 1500/0 |
0. 35(1.0/0.1) 2.5(3.0/0.37) |
30 45 |
30/ 45/ |
4 4 |
3/ 7.5/ |
1/25 1/25 |
4 4 |
P-N-P P-N-P |
77 77 |
||
| 2Т836А 2Т836Б 2Т836В |
20- /2 20- /2 20- /2 |
4 4 4 |
370/5 370/5 370/5 |
250/0.5 250/0.5 250/0.5 |
1000 1000 1000 |
0.6( 2/0.2) 0.35( 2/0.08) 0.45( 2/0.2) |
90 85 60 |
90/100 85/100 60/100 |
5 5 5 |
3/4 3/4 3/4 |
1 1 1 |
0.7/5 0.7/5 0.7/5 |
P-N-P P-N-P P-N-P |
85 85 85 |
|
| КТ837А КТ837Б КТ837В КТ837Г КТ837Д КТ837Е КТ837Ж КТ837И КТ837К КТ837Л КТ837М КТ837Н КТ837П КТ837Р КТ837С КТ837Т КТ837У КТ837Ф |
10-40 /2 20-80 /2 50-150/2 10-40 /2 20-80 /2 50-150/2 10-40 /2 20-80 /2 50-150/2 10-40 /2 20-80 /2 50-150/2 10-40 /2 20-80 /2 50-150/2 10-40 /2 20-80 /2 50-150/2 |
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 |
1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 |
2.5(3.0/0.37) 2.5(3.0/0.37) 2.5(3.0/0.37) 0.9(3.0/0.37) 0.9(3.0/0.37) 0.9(3.0/0.37) 0.5(2.0/0.3 ) 0.5(2.0/0.3 ) 0.5(2.0/0.3 ) 2.5(3.0/0.37) 2.5(3.0/0.37) 2.5(3.0/0.37) 0.9(3.0/0.37) 0.9(3.0/0.37) 0.9(3.0/0.37) 0.5(2.0/0.3 ) 0.5(2.0/0.3 ) 0.5(2.0/0.3 ) |
60 60 60 45 45 45 30 30 30 60 60 60 45 45 45 30 30 30 |
15 15 15 15 15 15 15 15 15 5 5 5 5 5 5 5 5 5 |
8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ 8/ |
1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 |
1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 1/30 |
3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 3.33 |
P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P |
77 77 77 77 77 77 77 77 77 77 77 77 77 77 77 77 77 77 |
|||
| КТ838А КТ838Б |
6- /30 6- /30 |
3 3 |
170/5 170/5 |
5 (4.5/2) 5 (4.5/2) |
1500/100 1600/100 |
5 5 |
5/7.5 5/7.5 |
/12.5 /12.5 |
N-P-N N-P-N |
73 73 |
|||||
| КТ839А | 5-12 /4 | 5 | 240/10 | 4000/5 | 1.5(4/2) | 1500 | 1500/10 | 5 | 10/10 | /50 | N-P-N | 73 | |||
| КТ840А КТ840Б КТ840В КТ840А1 КТ840Б1 КТ840В1 |
10-100/0.6 10-100/0.6 10-100/0.6 10-100/0.6 10-100/0.6 10-100/0.6 |
8 8 8 8 8 8 |
3500 3500 3500 3500 3500 3500 |
3 (4/1.25) 3 (4/1.25) 3 (4/1.25) 3 (4/1.25) 3 (4/1.25) 3 (4/1.25) |
900* 750* 800* 900* 750* 800* |
400/100 350/100 375/100 400/100 350/100 375/100 |
6/8 6/8 6/8 6/8 6/8 6/8 |
2 2/3 2/3 2 2/3 2/3 |
/60 /60 /60 /60 /60 /60 |
1.67 1.67 1.67 1.67 1.67 1.67 |
N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N |
73 73 73 77 77 77 |
|||
| КТ841А КТ841Б КТ841В КТ841Г КТ841Д КТ841Е 2Т841А1 2Т841Б1 |
12- /5 12- /5 12- /5 20- /5 20- /5 10- /5 10- /5 10- /5 |
10 10 10 10 10 10 10 10 |
300/10 300/10 300/10 300/10 300/10 300/10 300/10 300/10 |
5000/1 5000/1 5000/1 5000/1 5000/1 5000/1 5000/1 5000/1 |
1000 1000 |
1.5(5/1) 1.5(5/1) 1.5(5/1) 2.2(5/1) 2.2(5/1) 2.2(5/1) 1.5(5/1) 1.5(5/1) |
600* 400 600 200 500 800 600 400 |
500/100 400/100 500/100 200/100 500/100 800/200 600/100 400/100 |
5 5 5 5 5 5 5 5 |
10/15 10/15 10/15 10/15 10/15 10/15 10/15 10/15 |
2 2 2 2/4 2/4 2/4 2 2 |
3/50 3/50 3/50 /100 /100 /50 1/30 1/30 |
— — — — — — 4 4 |
N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N |
73 73 73 73 73 73 86 86 |
| КТ842А КТ842Б КТ842В 2Т842А1 2Т842Б1 |
15- /5 15- /5 20- /5 10- /5 10- /5 |
10 10 10 10 10 |
300/10 300/10 300/10 400/10 400/10 |
— — — 3500/0.5 3500/0.5 |
1.8(5/1) 1.8(5/1) 2.2(5/1) 1.8(5/1) 1.8(5/1) |
300 200 200 300 200 |
300/10 200/10 200/10 300/100 200/100 |
5 5 5 5 5 |
5/8 5/8 10/15 5/8 5/8 |
1/2 1/2 1/2 1 1 |
3/50 3/50 3/100 1/30 1/30 |
2.5 2.5 2.5 4 4 |
P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P |
73 73 73 86 86 |
|
| 2ТС843А 2ТС843А |
10-50 /12 10-50 /3 |
T1, T2 T3, T4 |
2000 2000 |
0.6(12/2.4) 0.6(3 /0.6) |
120/2.5 120/10 |
4 4 |
12/T1,2 3/T3,4 |
/10 /2.5 |
N-P-N N-P-N |
142 142 |
|||||
| 2Т844А | 10-50 /6 | 7 | 300/10 | 2000 | 2.5(6/0.6) | 250/10 | 4 | 10/20 | 4 | /50 | N-P-N | 73 | |||
| 2Т845А | 15-100/2 | 5 | 45/200 | 2000/5 | 1.5(2/0.4) | 400/10 | 4 | 5/7.5 | 1.5 | /40 | N-P-N | 73 | |||
| КТ846А КТ846Б КТ846В |
-35 / 6-35 / |
2 2 2 |
1.0(4.5/2) 5.0( / ) 5.0(4.5/2) |
1500/10* 1200/10* 1500/10 |
5/7.5 5/7.5 5/7.5 |
4 4 /4 |
/52 /52 /12.5 |
1.5 1.5 |
N-P-N N-P-N N-P-N |
73 73 73 |
|||||
| КТ847А КТ847Б |
8-25 /15 8-25 /15 |
15 15 |
100/400 100/400 |
3000 3000 |
1.5(15/5) 1.5(15/5) |
650/10 650/10 |
8 8 |
15/25 15/25 |
5 5 |
/125 /125 |
N-P-N N-P-N |
73 73 |
|||
| КТ848А КТ848Б |
20- /15 20- /15 |
3 3 |
1.5( 7/ ) 2.0(10/ ) |
520/ 400/ |
15 15 |
15/ 15/ |
4 4 |
/35 /35 |
1.5 1.5 |
N-P-N N-P-N |
73 73 |
||||
| КТ850А КТ850Б КТ850В |
40-200/0.5 20- /0.5 20- /0.5 |
20 20 20 |
25/5 25/5 25/5 |
640/0.5 640/0.5 640/0.5 |
1500 1500 1500 |
1.0(0.5/0.1) 1.0(0.5/0.1) 1.0(0.5/0.1) |
250 300 180 |
200/1к 250/1к 150/1к |
5 5 5 |
2/3 2/3 2/3 |
0.5 0.5 0.5 |
/25 /25 /25 |
N-P-N N-P-N N-P-N |
86 86 86 |
|
| КТ851А КТ851Б КТ851В |
40-200/0.5 20- /0.5 20- /0.5 |
20 20 20 |
70/5 70/5 70/5 |
2600 | 1.0(0.5/0.1) 1.0(0.5/0.1) 1.0(0.5/0.1) |
250 300 180 |
200/1к 250/1к 150/1к |
5 5 5 |
2/ 2/ 2/ |
0.5 0.5 0.5 |
/25 /25 /25 |
P-N-P P-N-P P-N-P |
86 86 86 |
||
| КТ852А КТ852Б КТ852В КТ852Г |
500- /2 500- /2 500- /2 500- /2 |
7 7 7 7 |
28/5 28/5 28/5 28/5 |
63/1.5 63/1.5 63/1.5 63/1.5 |
2.5(2.0/8мА) 2.5(2.0/8мА) 2.5(2.0/8мА) 2.5(2.0/8мА) |
100 80 60 45 |
100/1к 80/1к 60/1к 45/1к |
5 5 5 5 |
2.5/4 2.5/4 2.5/4 2.5/4 |
0.05 0.05 0.05 0.05 |
2/50 2/50 2/50 2/50 |
P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P |
86 86 86 86 |
||
| КТ853А КТ853Б КТ853В КТ853Г |
750- /3 750- /3 750- /3 750- /3 |
7 7 7 7 |
120/5 120/5 120/5 120/5 |
640/1.5 640/1.5 640/1.5 640/1.5 |
2.0(3.0/.01) 2.0(3.0/.01) 2.0(3.0/.01) 2.0(3.0/.01) |
100 80 60 45 |
100/1к 80/1к 60/1к 45/1к |
5 5 5 5 |
8/12 8/12 8/12 8/12 |
0.2 0.2 0.2 0.2 |
/60 /60 /60 /60 |
P-N-P P-N-P P-N-P P-N-P |
86 86 86 86 |
||
| КТ854А КТ854Б |
20- /2 20- /2 |
10 10 |
250/ 250/ |
2.0(5.0/1) 2.0(5.0/1) |
600 400 |
500/ 300/ |
5 5 |
10/15 10/15 |
3 3 |
/60 /60 |
N-P-N N-P-N |
86 86 |
|||
| КТ855А КТ855Б КТ855В |
20- /2 20- /2 15- /2 |
5 5 5 |
300/10 300/10 300/10 |
1.0(2.0/0.4) 1.0(2.0/0.4) 1.0(2.0/0.4) |
250 150 150 |
250/10 150/10 150/10 |
5 5 5 |
5/ 5/ 5/ |
1 1 1 |
1.2/40 1.2/40 1.2/40 |
P-N-P P-N-P P-N-P |
86 86 86 |
|||
| 2Т856А 2Т856Б 2Т856В КТ856А1 КТ856Б1 |
10- 30/5 10- 60/5 10- 60/5 10- 30/5 10- 60/5 |
10 10 10 10 10 |
100/90 100/90 100/90 100/90 |
2000 | 1.5(5.0/1) 1.5(5.0/1) 1.5(5.0/1) 1.5(5.0/1) 1.5(5.0/1) |
1000 800 600 800 600 |
950/10 750/10 550/10 800/10 600/10 |
5 5 5 5 5 |
10/12 10/12 10/12 10/12 10/12 |
3 3 3 3 3 |
/75 /75 /75 /50 /50 |
1.67 1.67 1.67 |
N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N N-P-N |
73 73 73 86 86 |
|
| КТ857А КТ857Б |
7.5- /3 7.5- /3 |
10 10 |
2000 | 1 (3/0.4) 1 (3/0.4) |
250 250 |
250/10 250/10 |
6 6 |
7/10 7/10 |
2/3 2/3 |
/60 /40 |
N-P-N N-P-N |
86 86 |
|||
| КТ858А КТ858Б |
10- /5 10- /3 |
10 10 |
2500 | 1 (5/0.8) 1 (5/0.8) |
400 400 |
400/10 400/10 |
6 6 |
7/10 7/10 |
1 1 |
/60 /40 |
N-P-N N-P-N |
86 86 |
|||
| КТ859А | 10- /1 | 10 | 3500 | 1.5(1/0.2) | 800 | 800/10 | 10 | 3/4 | 1 | /40 | 2.5 | N-P-N | 86 | ||
| 2Т860А 2Т860Б 2Т860В |
40-160/1 50-200/1 80-300/1 |
10 10 10 |
150/5 150/5 150/5 |
1000/5 1000/5 1000/5 |
0.35(1/0.2) 0.35(1/0.2) 0.35(1/0.2) |
90 70 40 |
90/100 70/100 40/100 |
5 5 5 |
2/4 2/4 2/4 |
1 1 1 |
1/10 1/10 1/10 |
P-N-P P-N-P P-N-P |
85 85 85 |
транзистор КТ835А
Цена:
от: до:
Название:
Артикул:
Текст:
Выберите категорию:
Все Диоды Динамики Инструмент Источники питания Кабельная продукция и аксессуары Коммутационные изделия Конденсаторы КОПИ-центр Микросхемы Пайка. Клей. Химия. Платы макетные Приборы Разъемы Расходные материалы Резисторы Реле Светильники. Фонари Светодиоды Светодиодная лента. Аксессуары Телефония Транзисторы Установочные изделия Устройство защиты Хозяйственные товары Чип конденсаторы Чип резисторы Электролампы Электротехнические изделия Прочее Заказ 1-2.sale
Производитель:
ВсеA&OABBACPAgelentALFAAMDAMTECHAnarenANENGAnhui Safe Electronics Co., LtdAnsmannAPECASDATMEGAATMELAttacheAUKAVEAVIORAAVS ELECTRONICSAVXAWSWBAOKEZHEN ELECTRONICBaronsBerlingoBOOMBosi toolsBOURNSBRIDGELUXBrunoViscontiBRUSHTIMECamelionCANNONCapXonCardinallChangCHEMI.CONCHIPSEACNDIYLFCNEIECComchipComtechConnectorConnflyCREECROWNCZTDaewooDC ComponentsDegsonDeltaDigitexDingfengDIOTEC SEMICONDUCTORDPTDPT Diptronics ManufacturingDragon SityDuracellEASTEastpowerEATONEcolaEddingEEMBEKFEKF ElectrotechnicaElzetEnergizerEnergy Tehnology CoEPCOSEPISTARERGOLUXErichKrauseESKAFairchildFANUCFeronFinderFITFOCUSrayFORYARDFSCFujiGalaxyGarinGaussGEGERMANYGL (New Land Group Co., LtdGolden PowerGPGTFGuanzhou HohgLi Opto-ElectronicHebeiHelvarHi-WattHITACHAICHITACHIHITANOHoneywellHXSHyelesiontekHyundaiiEKImationInfineonINFINIONIRFJAKEMYJamiconjaZZwayJBJETTJIAJiaweicheng Elctronic CoJieJietong SwitchJl WorldJoyin Co., LTDJWCOKAINAKBPMKBTKECKellerKEMET Electronics CorporationKFKIAKiccKingbrightKlaukeKlebebanderKLSKodakKOH-I-NOORKOMEKomironKomtexKOOCUKRAFTOOLLast oneLDLGLITEONLittle DoktorMactronicMAKELMAKR PLASTMatsushita PanasonicMaxellMCCMCHPMECHANICMicrochip Tehhology IncMinamotoMirexMoellerMOLYKOTEMONO ElectrikMULTICOMPMurataNavigatorNEOMAXnetkoNEXNonameNSNSCNXPOmronONSOsramOT-LEDPanasonicParkPhilipsPHOENIX LIGHTPHOENIX LIGHTPilaPOWER CUBEPOWERMANPREMIERPROconnectProffProsKitProsKit,PulsarPWRQINGYINGR6RaymaxRenataRenesasREXANTRobitonRubiconRubyconRUiCHiS-LineSafeLineSAFFITSAFTSAIFUSamsungSamwhaSanyoSchneider ElectricSenonAudioSEPSHARPSHESIBASiemensSilan MicroelectronicsSIMCOMSINOTOP TRADING Co. LTDSmartBuySOLINSSong Huei ElectricSonySPC TechnoligySTST1StabiloSTANDARTSTAYERSTMicroelectronicsSUNONSunriseSuntanSupertechSUPRASWEKOSwitronicTaizhonTaizhouTALEMATDKTDK Corporation of AmericaTDM ELEKTRICTE ConnectivityTEAPOTexasTexas InTidarTITANTOKERToshibaTRECTTi RelayTTi Relay (Tai Shing Comp)TycoULTRA LIGHTUltraFlashUNEVersalUNI-TUnielVansonVartaVerbatimVetusVishayVitooneVolpeVOLSTENWagoWalsin LihwaWEENWeidyWelsoloWettoWoltaXicon Passive ComponentsXing yuanquanXLSemiYAGEOYBCYCD (Yueqing Chaodao Electrical Conne…Yi FengYiHuAYinZhouYJYOUKILOONYREYun-FanZEONZeonZFZhenhuiZhenHui Electronics CoZhongboАЛЗАСАльфаАтлант-ИзобильныйБелая церковьБЭЛЗВекта-21ГаммаГарнизонГлобусДалексЕвро профильЕрмакЗУБР ОВКИнтегралИСКРАИЭККалашниковКЗККитайКонтактКонтакт г.Йошкар-ОлаКопирКосмосКремнийКронаКунцево-ЭлектроКЭЛЗЛисмаЛучМастерМастикс ОООМикроММоментНе определенНева пластик ОООНЗКНОМАКОННТЦОБЛИКОНЛАЙТОтечественныеПайка и монтажПаяльные материалыПромреагентПромТехКЗК (Кузнецкий завод конденсатор)ПротонРадиодетальРадиоТехКомплектРезисторРесурсРЗППРикорРикор-ЭлектрониксРоссияРусАудиоСАВСветСветоприбор г. МинскСеймСигналСинтроникСклад РЭКСледопытСмолТехноХимСпутникСТАРТТРОФИУкркабельФАZАФАЗАФотонХенькель-русЧЭАЗЭверестЭлеком г. ПензаЭлектрик Дом Строй ОООЭлектрическая МануфактураЭЛКОД ЗАОЭраЭРКОН
Новинка:
Всенетда
Спецпредложение:
Всенетда
Результатов на странице:
5203550658095
На главную страницу || Карта сайта
| ||||||||
От составителя:В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из
изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных
листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления,
то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор.
Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска.
Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть
краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например,
КТ502, КТ503,
КТ814, КТ815,
КТ816, КТ817,
КТ818, КТ819,
КТ825,
КТ827, КТ829,
КТ837,
КТ838, КТ846,
КТ940,
КТ961, КТ972,
КТ973,
КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой,
аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик
нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики.
Содержание:
Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов. | ||||||||
| Фильтр параметров: n-p-n p-n-p Составные транзисторы Высоковольтные Показать все | ||||||||
| Типы корпусов | ||||||||
| Наименование | Аналог | Корпус | Тип | Imax, A | Umax, В | h31e max | ||
| КТ501(А-Е) | BC212 | TO-18 | pnp | 0,3 | 30 | 240 | КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит. | |
| КТ502(А-Е) | MPSA56 | TO-92 | | pnp | 0,15 | 90 | 240 | Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 — MPSA56. Комплементарная пара КТ503. |
| КТ503(А-Е) | 2SC2240 | TO-92 | | npn | 0,15 | 100 | 240 | Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 — 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) — КТ502. |
| КТ504(А,Б,В) | BSS73 | TO-39 | npn | 1 | 350 | 100 | КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 — BSS73. | |
| KТ505(А,Б) | BSS76 | TO-39 | pnp | 1 | 300 | 100 | КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке. | |
| КТ506(А,Б) | BUX54 | TO-39 | npn | 2 | 800 | 30 | КТ506А и КТ506Б для переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54. | |
| 2Т509А | TO-39 | pnp | 0,02 | 450 | 60 | 2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения. | ||
| КТ520(А,Б) | MPSA42 | TO-92 DPAK | npn | 0.5 | 300 | 40 | Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах. | |
| КТ521(А,Б) | MPSA92 | TO-92 | pnp | 0.5 | 300 | 40 | Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520. | |
| КТ529А | TO-92 | pnp | 1 | 60 | 250 | КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара — КТ530. | ||
| КТ530А | TO-92 | npn | 1 | 60 | 250 | Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой. | ||
| КТ538А | MJE13001 | TO-92 | npn | 0.5 | 600 | 90 | Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке. | |
| КТ704(А-В) | MJE18002 | npn | 2,5 | 500 | 100 | КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах. | ||
| ГТ705(А-Д) | npn | 3,5 | 30 | 250 | ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ. | |||
| 2Т708(А-В) | 2SB678 | TO-39 | pnp | 2,5 | 100 | 1500 | составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах. | |
| 2Т709(А-В) | BDX86 | TO-3 | pnp | 10 | 100 | 2000 | мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке. | |
| КТ710А | TO-3 | npn | 5 | 3000 | 40 | КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах. | ||
| КТ712(А,Б) | BU806 | TO-220 | pnp | 10 | 200 | 1000 | мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах. | |
| 2Т713А | TO-3 | npn | 3 | 2500 | 20 | 2Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах | ||
| 2Т716 (А-В) | 2SD472H | TO-3 | npn | 10 | 100 | 750 | 2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах. | |
| 2Т716 (А1-В1) | BDX33 | TO-220 | npn | 10 | 100 | 750 | составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716. | |
| КТ719А | BD139 | TO-126 | npn | 1,5 | 120 | 70 | КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке. | |
| КТ720А | BD140 | pnp | 1,5 | 100 | ||||
| КТ721А | BD237 | npn | 1,5 | 100 | BD237, импортный аналог КТ721А | |||
| КТ722А | BD238 | pnp | 1,5 | 100 | Справочные данные BD238, аналога КТ722А | |||
| КТ723А | MJE15028 | npn | 10 | 100 | Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723 | |||
| КТ724А | MJE15029 | pnp | 10 | 100 | Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А | |||
| КТ729 | 2N3771 | npn | 30 | 60 | Параметры 2N3771, аналога КТ729 | |||
| КТ730 | 2N3773 | npn | 16 | 140 | Характеристики 2N3773, аналога КТ730 | |||
| КТ732А | MJE4343 | TO-218 | npn | 16 | 160 | 15 | КТ732 используется в преобразователях напряжения. | |
| КТ733А | MJE4353 | TO-218 | pnp | 16 | 160 | 15 | КТ733 — Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны. | |
| КТ738А | TIP3055 | TO-218 | npn | 15 | 70 | 70 | КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах. | |
| КТ739А | TIP2955 | TO-218 | pnp | 15 | 70 | 70 | КТ739 — Комплементарная пара для КТ738. | |
| КТ740А,А1 | MJE4343 | TO-220 TO-218 | npn | 20 | 160 | 30 | КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 — MJE4343 | |
| КТ805(А-ВМ) | KSD363 BD243 | TO-220 | | npn | 5 | 160 | 15 | КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 — транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837. |
| КТ807(А-БМ) | npn | 0,5 | 100 | 150 | КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП — источник вторичного электропитания) | |||
| КТ808(А-ГМ) | TO-3 | npn | 10 | 130 | 50 | КТ808 для кадровой и строчной разверток | ||
| КТ812(А-В) | TO-3 | npn | 10 | 700 | 30 | КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке. | ||
| КТ814(А-Г) | BD140 ZTX753 | TO-126 DPAK | | pnp | 1,5 | 100 | 100 |
Транзистор КТ814.
предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики
КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же
графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие.
Импортный аналог КТ814 — транзистор BD140. Комплементарная пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) — КТ815. |
| КТ815(А-Г) | BD139 ZTX653 | TO-126 DPAK | | npn | 1,5 | 100 | 100 | КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139. |
| КТ816(А-Г) | BD238 MJE172 | TO-126 DPAK | | pnp | 3 | 80 | 100 | КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара — КТ817. |
| КТ817(А-Г) | BD237 MJE182 | TO-126 DPAK | | npn | 3 | 80 | 100 | КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б — транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В — BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г — BD237 и MJE182. Комплементарная пара — КТ816. |
| КТ818(А-ГМ) | BDW22 BD912 | TO-220 TO-3 | | pnp | 10 15 | 100 | 100 | Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 — BDW22 и BD912. Комплементарная пара — транзистор КТ819. |
| КТ819(А-ГМ) | BDW51 BD911 | TO-220 TO-3 | | npn | 10 15 | 100 | 100 | Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 — BDW51 и BD911. |
| КТ825(Г-Е) | 2Т6050 | TO-220 TO-3 | pnp | 15 20 | 100 | 18000 | Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 — транзистор КТ827. Импортный аналог — 2T6050. | |
| КТ826(А-В) | TO-3 | npn | 1 | 700 | 120 | Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации. | ||
| КТ827(А-В) | 2N6057 BDX87 | TO-3 | npn | 20 | 100 | 18000 | Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 — транзистор КТ825. Импортный аналог — 2N6057. | |
| КТ828(А-Г) | BU207 | TO-3 | npn | 5 | 800 | 15 | характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит | |
| КТ829(А-Г) | TIP122 2N6045 | TO-220 | npn | 8 | 100 | 3000 | Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 — транзисторы TIP122 и 2N6045. | |
| 2Т830(А-Г) | 2N5781 | TO-39 | pnp | 2 | 90 | 160 | транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 — 2N5781. | |
| 2Т831(А-В) | 2N4300 | TO-39 | npn | 2 | 50 | 200 | 2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей. | |
| КТ834(А-В) | BU323 | TO-3 | npn | 15 | 500 | 3000 | составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения. | |
| КТ835(А,Б) | 2N6111 | TO-220 | pnp | 7,5 | 30 | 100 | транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 — импортный 2N6111 | |
| 2Т836(А-В) | BD180 | TO-39 | pnp | 3 | 90 | 100 | 2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП. | |
| КТ837(А-Ф) | 2N6108 2N6111 | TO-220 | | pnp | 8 | 70 | 200 | pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 — транзистор 2N6108 с близкими характеристиками. |
| КТ838А | 2SD1554 BU208 | TO-3 | npn | 5 | 1500 | 14 | Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги — 2SD1554 и BU208. | |
| КТ839А | 2SC1172 MJ16212 | TO-3 | npn | 10 | 1500 | 12 | Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току. | |
| КТ840(А,Б) | BUX97 | TO-3 | npn | 6 | 400 | 100 | Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле. | |
| КТ841(А-В) | MJ413 2N3442 | TO-3 | npn | 10 | 600 | 35 | Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит. | |
| КТ842(А,Б) | 2SB506 | TO-3 | pnp | 5 | 300 | 30 | Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения. | |
| КТ844А | MJ15011 | TO-3 | npn | 10 | 250 | 60 | КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet | |
| КТ845А | TO-3 | npn | 5 | 400 | 100 | КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах. | ||
| КТ846А | BU208 | TO-3 | | npn | 5 | 1500 | 15 | Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet. |
| КТ847А | BUX48 2N6678 | TO-3 | npn | 15 | 650 | 100 | Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48. | |
| КТ848А | BUX37 | TO-3 | npn | 15 | 400 | 1000 | Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 — BUX37. | |
| КТ850(А-В) | 2SD401 | TO-220 | npn | 2 | 250 | 200 | КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики приведены в datasheet . | |
| КТ851(А-В) | 2SB546 | TO-220 | pnp | 2 | 200 | 200 | КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf | |
| КТ852(А-Г) | TIP117 | TO-220 | pnp | 2 | 100 | 1500 | Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит. | |
| КТ853(А-Г) | TIP127 2N6042 | TO-220 | pnp | 8 | 100 | 750 | Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле. | |
| КТ854(А,Б) | MJE13006 | TO-220 | npn | 10 | 500 | 50 | КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet. | |
| КТ855(А-В) | MJE9780 | TO-220 | pnp | 5 | 250 | 100 | КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками — MJE9780. | |
| 2Т856(А-В) | BUX48 | TO-3 | npn | 10 | 950 | 60 | 2Т856 для переключательных устройств. Аналог — BUX48. | |
| КТ856(А1,Б1) | BUV48 | TO-218 | npn | 10 | 600 | 60 | КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet . | |
| КТ857А | BU408 | TO-220 | npn | 7 | 250 | 50 | КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог — BU408. | |
| КТ858А | BU406 | TO-220 | npn | 7 | 400 | 60 | транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог — BU406. Подробное описание смотри в datasheet . | |
| КТ859А | MJE13005 | TO-220 | npn | 3 | 800 | 60 | Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками — MJE13005. | |
| 2Т860(А-В) | TO-39 | pnp | 2 | 90 | 100 | 2Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей. | ||
| 2Т862(А-Г) | TO-3 | npn | 15 | 400 | 100 | 2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах. | ||
| КТ863Б,В | D44Vh20 | TO-220 | npn | 10 | 160 | 300 | Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 — D44Vh20. | |
| КТ863БС | D44Vh20 | TO-220 TO-263 | npn | 12 | 160 | 300 | КТ863БС — более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа. | |
| КТ864А | 2N3442 | TO-3 | npn | 10 | 200 | 100 | КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах. | |
| КТ865А | 2SA1073 | TO-3 | pnp | 10 | 200 | 60 | Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864. | |
| КТ867А | TIP35 | TO-3 | npn | 25 | 200 | 100 | КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов. | |
| КТ868(А,Б) | BU426 | pnp | 6 | 400 | 60 | КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 — BU426. | ||
| КТ872(А-В) | BU508 MJW16212 | TO-218 | | npn | 8 | 700 | 16 | Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 — транзисторы BU508 и MJV16212. |
| 2Т875(А-Г) | 2SD1940 | TO-3 | npn | 10 | 90 | 200 | 2Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах. | |
| 2Т876(А-Г) | MJE2955 | TO-3 | pnp | 10 | 90 | 140 | 2Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах. | |
| 2Т877(А-В) | 2N6285 | TO-3 | pnp | 20 | 80 | 10000 | Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах. | |
| КТ878(А-В) | BUX98 | TO-3 | npn | 30 | 900 | 50 | КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП. | |
| КТ879 | npn | 50 | 200 | 25 | КТ879 для применения в переключающих устройствах. | |||
| 2Т880(А-В) | 2N6730 | pnp | 2 | 100 | 140 | 2Т880 — для усилителей и переключательных устройств. | ||
| 2Т881(А-Г) | 2N5150 | npn | 2 | 100 | 200 | 2Т881 — применение аналогично 2Т880 | ||
| 2Т882(А-В) | TO-220 | npn | 1 | 300 | 100 | 2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf. | ||
| 2Т883(А,Б) | TO-220 | pnp | 1 | 300 | 100 | 2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220. | ||
| 2Т884(А,Б) | TO-220 | npn | 2 | 800 | 40 | 2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet . | ||
| 2Т885(А,Б) | TO-3 | npn | 40 | 500 | 12 | мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП. | ||
| КТ886(А1,Б1) | MJW16212 | TO-218 | npn | 10 | 1400 | 25 | Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 — MJW16212. | |
| КТ887 А,Б | TO-3 | pnp | 2 | 700 | 120 | КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения. | ||
| КТ888 А,Б | TO-39 | pnp | 0,1 | 900 | 120 | Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП. | ||
| КТ890(А-В) | BU323 | TO-218 | npn | 20 | 350 | 700 | Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323. | |
| КТ892(А-В) | BU323A | TO-3 | npn | 15 | 400 | 300 | мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой. | |
| КТ896 (А,Б) | BDW84 | TO-218 | pnp | 20 | 80 | 10000 | Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 — BDW84. | |
| КТ897(А,Б) | BU931Z | TO-3 | npn | 20 | 350 | 4000 | Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 — BU931. | |
| КТ898 (А,Б) | BU931P | TO-218 | npn | 20 | 350 | 1500 | Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 — BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet. | |
| КТ899А | BU806 | TO-220 | npn | 8 | 150 | 1000 | Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками — BU806. | |
| КТ8101(А,Б) | MJE4343 2SC3281 | TO-218 | npn | 16 | 200 | 100 | мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 — транзистор MJE4343. Комплементарная пара — КТ8102. | |
| КТ8102(А,Б) | MJE4353 2SA1302 | TO-218 | | pnp | 16 | 200 | 100 | Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 — MJE4353. |
| КТ8106 (А,Б) | MJH6286 | TO-218 | npn | 20 | 80 | 3000 | Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 — MJH6286. | |
| КТ8107(А-В) | BU208 | TO-218 | npn | 8 | 700 | 12 | КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 — BU208. | |
| КТ8109 | TIP151 | TO-220 | npn | 7 | 350 | 150 | Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet. | |
| КТ8110 (А-В) | BUT11 | npn | 7 | 400 | 30 | Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110. | ||
| КТ8111(А9-Б9) | BDV67 | TO-218 | npn | 20 | 100 | 750 | Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог — BDV67. | |
| КТ8115(А-В) | BD650 TIP127 | TO-220 | pnp | 8 5 | 100 | 1000 | Составной pnp транзистор
КТ8115А для применения в
усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для
КТ8115 — BD650. Комплементарная пара — КТ8116. | |
| КТ8116(А-В) | TIP132 | TO-220 DPAK | | npn | 8 5 | 100 | 1000 | Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой. |
| КТ8117А | BUV48 | TO-218 | npn | 10 | 400 | 10 | мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока. | |
| КТ8118А | MJE8503 | TO-220 | npn | 3 | 800 | 40 | КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока. | |
| КТ8120А | TO-220 | npn | 8 | 450 | 10 | КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями. | ||
| КТ8121А,Б | TO-220 | npn | 4 | 400 | 60 | КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей | ||
| КТ8123А | TO-220 | npn | 2 | 150 | 40 | КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей. | ||
| КТ8124(А-В) | TO-220 | npn | 10 | 400 | 7 | Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах. | ||
| КТ8126(А1,Б1) | MJE13007 | TO-220 | | npn | 8 | 400 | 30 | мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet . |
| КТ8130 (А-В) | BD676 | pnp | 4 | 80 | 15000 | |||
| КТ8131 (А,Б) | BD677 | npn | 4 | 80 | 15000 | |||
| КТ8133 (А,Б) | npn | 8 | 240 | 3000 | ||||
| КТ8137А | MJE13003 | TO-126 | npn | 1,5 | 700 | 40 | Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями. | |
| КТ8141 (А-Г) | npn | 8 | 100 | 750 | ||||
| КТ8143 (А-Ш) | КТ-9М | npn | 80 | 300 | 15 | биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры | ||
| КТ8144(А,Б) | TO-3 | npn | 25 | 800 | 55 | |||
|
КТ8146(А,Б) КТ8154(А,Б) КТ8155(А-Г) | ТО-3 |
| npn | 15 30 50 | 800 600 600 | мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания | ||
| КТ8156(А,Б) | BU807 | TO-220 | npn | 8 | 200 | 1000 | КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ. | |
| КТ8157(А-В) | TO-218 | npn | 15 | 1500 | 8 | для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана | ||
| КТ8158(А-В) | BDV65 | TO-218 | npn | 12 | 100 | 1000 | КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах. | |
| КТ8159(А,Б,В) | BDV64 | TO-218 | pnp | 12 | 100 | 1000 | КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные. | |
| КТ8163А | npn | 7 | 500 | 40 | ||||
| КТ8164(А,Б) | MJE13005 | TO-220 | npn | 4 | 400 | 60 | Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания. | |
| КТ8167 (А-Г) | pnp | 2 | 80 | 250 | ||||
| КТ8168 (А-Г) | npn | 2 | 80 | 250 | ||||
| КТ8170(А1,Б1) | MJE13003 | TO-126 | npn | 1.5 | 400 | 40 | Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания. | |
| КТ8171 (А,Б) | npn | 20 | 350 | 10000 | ||||
| КТ8176(А,Б,В) | TIP31 | TO-220 | npn | 3 | 100 | 50 | КТ8176 для усилителей и переключательных схем. | |
| КТ8177(А,Б,В) | TIP32 | TO-220 | pnp | 3 | 100 | 50 | КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176. | |
| КТ8192 (А-В) | ISOTOP | npn | 75 | 1500 | 10 | мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе | ||
| КТ8196 (А-В) | npn | 10 | 350 | 400 | ||||
| КТ8212(А,Б,В) | TIP41 | TO-220 | npn | 6 | 100 | 75 | КТ8212 для линейных и ключевых схем. | |
| КТ8213(А,Б,В) | TIP42 | TO-220 | pnp | 6 | 100 | 75 | Комплементарная пара для КТ8212. | |
| КТ8214(А,Б,В) | TIP112 | TO-220 | npn | 2 | 100 | 1000 | Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах. | |
| КТ8215(А,Б,В) | TIP117 | TO-220 | pnp | 2 | 100 | 1000 | Составной транзистор КТ8215 — Комплементарная пара КТ8214. | |
| КТ8216 (А-Г) | MJD31B | npn | 2 | 800 | 275 | |||
| КТ8217 (А-Г) | MJD32B | pnp | 10 | 100 | 275 | |||
| КТ8218 (А-Г) | npn | 4 | 100 | 750 | ||||
| КТ8219 (А-Г) | pnp | 4 | 40 | 750 | ||||
| КТ8224(А,Б) | BU2508 | TO-218 | npn | 8 | 700 | 7 | Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог — BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер. | |
| КТ8228(А,Б) | BU2525 | TO-218 | npn | 12 | 800 | 10 | Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером. | |
| КТ8229А | TIP35F | TO-218 | npn | 25 | 180 | 75 | КТ8229 для линейных и ключевых схем. | |
| КТ8230А | TIP36F | TO-218 | pnp | 25 | 180 | 75 | КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229. | |
| КТ8231А | BU941 | npn | 15 | 500 | 300 | datasheet на транзистор BU941 | ||
| КТ8232 (А,Б) | BU941ZP | TO-218 | npn | 20 | 350 | 300 | КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания. | |
| КТ8246(А-Г) | КТ829 | TO-220 | npn | 15 | 150 | 9000 | Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения. | |
| КТ8247А | BUL45D | TO-220 | npn | 5 | 700 | 22 | Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог — BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер. | |
| КТ8248А | BU2506 | TO-218 | npn | 5 | 1500 | 60 | Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог — BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер. | |
| КТ8251А | BDV65 | TO-218 | npn | 10 | 180 | 1000 | Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения. | |
| КТД8252(А-Г) | BU323Z | TO-220 TO-218 | npn | 15 | 350 | 2000 | для работы на индуктивную нагрузку | |
| КТ8254А | npn | 2 | 800 | 30 | ||||
| КТ8255А | BU407 | TO-220 | npn | 7 | 330 | 200 | КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах. | |
| КТД8257(А-В) | SGSD96 | TO-220 | npn | 20 | 180 | 1000 | для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах. | |
| КТ8258(А,Б) | MJE 13004 | TO-220 | npn | 4 | 400 | 80 | для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004 | |
| КТ8259(А,Б) | MJE13007 13007 | TO-220 | npn | 8 | 400 | 80 | для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007 | |
| КТ8260(А-В) | MJE13008 | TO-220 | npn | 15 | 500 | 15 | для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008. | |
| КТ8261А | BUL44 | TO-126 | npn | 2 | 400 | 20 | КТ8261 для применения в преобразователях напряжения. | |
| КТД8262(А-В) | SEC80 | TO-220 | npn | 7 | 350 | 300 | Для систем зажигания автотракторной техники | |
| КТ8270А | MJE13001 | TO-126 | npn | 0.5 | 600 | 90 | КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet. | |
| КТ8271(А,Б,В) | BD136 | TO-126 | pnp | 1.5 | 80 | 250 | КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet. | |
| КТ8272(А,Б,В) | BD135 | TO-126 | npn | 1.5 | 80 | 250 |
КТ8272 для
линейных усилителей и преобразователей напряжения.
Комплементарная пара для КТ8271 | |
| КТД8278(А-В1) | SGSD93ST | TO-220 | npn | 20 | 180 | 1000 | Для усилителей НЧ, переключательных устройств. | |
| КТД8279(А-В) | 2SD1071 | TO-220 TO-218 | npn | 10 | 350 | 300 | для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания. | |
| КТД8280(А-В) | TO-218 | npn | 60 | 120 | 1000 | Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания. | ||
| КТД8281(А-В) | TO-218 | pnp | 60 | 120 | 1000 | Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями. | ||
| КТ8283(А-В) | TO-218 | pnp | 60 | 120 | 100 | для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит. | ||
| КТ8284(А-В) | КТ829 | TO-220 | npn | 12 | 100 | 500 | для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем. | |
| КТ8285(А-В) | BUF410 | TO-218 TO-3 | npn | 30 | 450 | 40 | для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит. | |
| КТ8286(А-В) | 2SC1413 | TO-218 TO-3 | npn | 5 | 800 | 40 | для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet | |
| КТ8290А | BUh200 | TO-220 | npn | 10 | 700 | 15 | Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания. | |
| КТ8296(А-Г) | KSD882 | TO-126 | npn | 3 | 30 | 400 | КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях. | |
| КТ8297(А-Г) | KSD772 | TO-126 | pnp | 3 | 30 | 400 | КТ8297 —
Комплементарная пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296. | |
| КТ8304А,Б | TO-220 D2PAK | npn | 8 | 160 | 250 | КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения. | ||
| ПИЛОН-3 | TIP122 | TO-220 | npn | 15 | 100 | 1000 | для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками — транзистор TIP122. | |
| ПИР-1 | BUV48 | TO-218 | npn | 20 | 450 | 8 | ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью. | |
| ПИР-2 | MJE4343 | TO-220 TO-218 | npn | 20 | 160 | 30 | ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем. | |
| Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко | ||||||||
Транзистор КТ835 Новый., цена 20.00 грн., фото, заказать в Киеве
Технические характеристики транзисторов КТ835А, КТ835Б:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max | IК. И. max | UКЭ0 max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК. Т. max | h31Э | UКЭ нас. | IКБО | IЭБО | IКЭR | f гp. | ||
| КТ835А | p-n-p | 3 | 7,5 | 30 | 30 | 4 | 25 | >20 | <0,35 | 0,1 | — | — | >1 |
| КТ835Б | p-n-p | 3 | 7,5 | 30 | 45 | 4 | 25 | 10…100 | <2,5 | 0,15 | — | — | >1 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h31Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО— обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО— обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• IКЭR — обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max
— максимально допустимая температура окружающей среды.
ПРИ ПОКУПКЕ ОТ 10ШТ. ЦЕНА 12грн./шт.
【KT829B】 Купить сейчас 【Цена】 【цена】 Запасы электронных компонентов в США 2020 【Техническое описание】 【PDF】
【KT829B】 Купить сейчас 【Цена】 【цена】 Запасы электронных компонентов в США 2020 【Техническое описание】 【PDF】 HCacheDateZOZOII HPNumberZSOZ HPReferer_OurService HPNLengthOG| Авторские права © 2020 Hong Kong Inventory Limited. Все права защищены. Обозначенные товарные знаки и бренды являются собственностью соответствующих владельцев.Использование этого веб-сайта означает принятие условий использования и политики конфиденциальности Hong Kong Inventory Limited |
Новости в 2020 году
Ref: HKin20140128 в 2020 году Наш новый центр обслуживания клиентов в Шэньчжэне SEG Electronics Market становится первой тактикой после шестой годовщины. HKI — это начальная онлайн-платформа для торговли компонентами электроники с центром обслуживания клиентов.
Торговый центр для брокеров, мерчандайзеров и дистрибьюторов для торговли всеми видами электронных компонентов, включая полупроводники, пассивные компоненты, устаревшие и труднодоступные детали.HKin.com посвящен обслуживанию индустрии электронных компонентов. Наши онлайн-услуги, разработанные для удовлетворения потребностей игроков отрасли, включают интегрированные услуги по торговле акциями, поиск прямых поставщиков / производителей, инструменты маркетинга и каталогизации для глобального сообщества электронных компонентов.
Сочетая преимущества онлайн- и офлайн-трансляций, мы предоставляем Trade Network Magazine и Trade Show Exposition, чтобы повысить эффективность маркетингового продвижения.
Сертификат Stock & Trade Reference (STRC) — это услуга аутентификации, которая помогает компании повысить узнаваемость своего бизнеса, проверяя товарные запасы и торговые ссылки.Поставщиков, имеющих собственные запасы, легче идентифицировать, и они вызывают большее доверие у покупателей.
Керамические компоненты Химические вещества для печатных плат Одежда для чистых помещений Полупроводники со скидкой Защита от электромагнитных помех Эпоксидные компаунды Ферритовые сердечники / стержни / ЭУ Ферритовый порошок Ферритный пластик Детские кроватки Сухие элементы Перезаряжаемые батареи / блоки Таймеры Устройства защиты от молнии и перенапряжения Тахометры Преобразователи постоянного / постоянного тока Петли Нагревательные элементы Упаковочные материалы ИС Изоляция материалы Железный порошок Ламинат Свинцовая проволока Линзы
KT-PD01 Настольный станок для ударно-точечной маркировки
KT-PD01 — базовая модель оборудования для пневматической ударно-точечной маркировки.Он обеспечивает штамповку штифтов и прямую маркировку деталей на широком спектре поверхностей продукта. Закаленные маркировочные штифты позволяют маркировать поверхности с твердостью до HRC60.
Маркировка содержания
• Размер всех символов от 0,1 мм до 120 мм
• Серийные номера (значение, колено, партия, смещение)
• Арабские цифры
• Графика
• VIN-код
• Временные переменные (год, месяц, неделя, день, смена)
• Дата (автоматическая печать даты)
• Штрих-коды и чтение
• Английские буквы
• Матрица даты / 2D-коды / Размер матрицы: 5 x 7 точек и непрерывная линия
• Все виды маркировки логотипов
• Специальные символы
• Маркировка подключения к базе данных и т.п.
Отрасли промышленности
Эта машина для ударно-точечной маркировки может использоваться в нескольких отраслях, таких как…
• Аэрокосмическая промышленность
• Электроника
• Обработка металлов
• Транспортное средство
• Медицина и другие
Приложения
Станок для лазерной маркировки и гравировки KT-PD01 идеально подходит для использования с различными промышленными продуктами с большей эффективностью и удобством.
• Прямая маркировка деталей (DPM) — это процесс постоянной маркировки деталей штрих-кодом.Это сделано для того, чтобы можно было отслеживать детали на протяжении всего жизненного цикла.
• Маркировка Vin-кода
• Маркировка паспортной таблички
• Склад Маркировка гравировки на металле (нержавеющая сталь, латунь, алюминий, медь, титан)
• Идентификация компонента
• Отслеживание компонентов
• Нумерация партии
• Маркировка паспортной таблички
• Табличка, бирка, этикетка и маркировка труб на металлах (алюминий, сталь, медь и т. д.)
• Маркировка литья и штамповки
• Маркировка штоков и двигателя
• Маркировка шестерен и насосов
• Маркировка времени и даты
• Нумерация деталей или оборудования
• Кодирование партии и смены
• Маркировка инструментов
Targa AP835KT, AP 835 KT ди чи è questa targa auto?
- LeTarghe.Это »
- Пров. ди Болонья »
- AP835KT
Автомобиль с транспортным средством AP835KT или AP 835 KT является immatricolata в провинции Болонья .
Se vuoi saperne di più sulla targa autombilistica AP835KT o AP 835 KT puoi fare una visura presso l’ACI или другое агентство autorizzate. Il PRA содержит всю информацию о родственниках и автомобилях: собственность, технические характеристики и возможные варианты passaggi di proprietà или ipoteche presenti.
La visura auto effettuata presso il PRA, il Pubblico Registro Automobilistico, служит для того, чтобы узнать о государственной информации и родстве, относящемся ко всем автозапчастям.Tramite la visura, si può controllare che sul veicolo non risultino pignoramenti e sequestri (o fermi amministrativi).
La visura al PRA является одним из основных инструментов и va richiesta quando ci si accinge ad acquistare un’auto usata , in modo da essere sicuri dello stato attuale e della corretta immatricolazione dell’auto.
Другие инструменты для использования с проверкой подлинности, заданной копертурой, тарга AP835KT, Возможен также контроль, который вы хотите использовать для Macchina Targata AP835KT sia stato pagato sul Sul sito dell’Agenzia delle Entrate e Che il veicolo targato AP835KT non risulti rubato sul sito apposito del Ministero dell’Interno.