Мощные биполярные транзисторы импортные: Биполярные импортные — ТРАНЗИСТОРЫ — Электронные компоненты (каталог)

Транзисторы биполярные импортные

Вид каталога:

Сортировать по: Дате поступления (по возрастанию)Дате поступления (по убыванию)Названию (по убыванию)Названию (по возрастанию)Цене (по возрастанию)Цене (по убыванию)

• транзистор SS9013

  20 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000007849

• транзистор MJE13003 TO-220

  55 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000125219

• Транзистор D2901 2SD2901=BU2525AF

  290 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000129083

• Транзистор BLF878

  0 р.

  Арт. —

  00000131298

• ZTX851*

  138 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000118701

• UN9211 = DTC114EE = RN1102 sot23

  25 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000131460

• TYN1225RG, Тиристор, 1.2 кВ, 40 мА, 16 А, 25 А, TO-220AB, 3 вывод(-ов)

  260 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000014938

• TT3043 TO-220F5*

  430 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000118770

• TT3043

  215 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000115616

• TT3034 TO-220F5 5 ног

  470 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000118771

• TT3034 TO-220F3 (3 ноги)

  450 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000117562

• TT2222 TO-220IS

  120 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000134364

• TT2206

  83 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000115662

• TT2194

  120 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000126520

• TT2190 NPN, 800 В, 8 А, 35 Вт

  100 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000009177

• TT2170

  87 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000009176

• TT2142

  101 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000019747

• TT2140

  75 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000009175

• TT2138

  70 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000115107

• TT2076, Биполярный транзистор, NPN, 1500 В, 8 А, 65 Вт

  190 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000115013

• TIP47

  45 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000116735

• TIP42 (BD244)!

  45 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008991

• TIP41 (BD243)

  45 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008990

• TIP36C TO-218

  90 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008989

• TIP35C TO-218/247

  95 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008988

• TIP33C (BD245)

  95 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008987

• TIP32C

  45 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000116734

• TIP31C транзистор

  40 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008986

• TIP3055

  75 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000009002

• TIP29C

  40 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008985

• TIP2955

  80 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000019558

• TIP152

  100 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000009001

• TIP151(TIP152)

  85 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000009000

• TIP147T

  70 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008999

• TIP147 (to-247)

  120 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000134699

• TIP146

  100 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008998

• TIP142T

  110 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008997

• TIP142

  110 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008996

• TIP141

  45 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000132756

• TIP140

  44 р.

  Купить за 1 клик

  Арт. —

  00000008995

Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors

Мощные СВЧ-транзисторы Philips Semiconductors

   СВЧ-транзисторы применяются во многих областях человеческой деятельности: телевизионные и радиовещательные передатчики, ретрансляторы, радары гражданского и военного назначения, базовые станции сотовой системы связи, авионика и т. д.

   В последние годы заметна тенденция перехода с биполярной технологии производства СВЧ-транзисторов на технологии VDMOS (Vertical Diffusion Metal Oxide Semiconductors) и LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors). Самая передовая технология LDMOS обладает наилучшими характеристиками, такими, как линейность, усиление, тепловые режимы, устойчивость к рассогласованию, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Производимые Philips транзисторы имеют исключительно высокую повторяемость характеристик от партии к партии, и компания Philips этим гордится. При замене вышедших из строя транзисторов можно не беспокоиться о процессе настройки оборудования заново, так как все параметры транзисторов абсолютно идентичны. Этим не может похвастаться ни один из конкурентов Philips.

   Все новые разработки Philips базируются на новой современной LDMOS-технологии.

Транзисторы для базовых станций сотовой связи

   Кроме транзисторов упакованных в корпуса, Philips выпускает интегрированные модули.

Таблица 1.Транзисторы LDMOS 800 МГц- 1,0 ГГц

Тип	Pвых, Вт	Корпус
BLF1043	10	SOT538
BLF1046	45	SOT467
BLF1049	125	SOT502A
BLF0810-90	16	SOT502A
BLF0810-180	32	SOT502A
BLF900-110	25	SOT502A

Таблица 2. Транзисторы LDMOS 1,8 — 2,0 ГГц

Тип	Pвых, Вт	Корпус
BLF2043	10	SOT538
BLF1822-10	10	SOT467C
BLF1822-30	30	SOT467C
BLF1820-70	65	SOT502A
BLF1820-90	90	SOT502A

Таблица 3. Транзисторы LDMOS 2,0 — 2,2 ГГц для WCDMA

Тип	PсрWCDMA,Вт	Корпус
BLF1822-10	1	SOT467C
BLF1822-30	4	SOT467C
BLF202230	4	SOT608A
BLF2022-70	7,5	SOT502A
BLF2022-120	20	SOT539A
BLF2022-125	20	SOT634A
BLF2022-150	25	SOT634A
BLF2022-180	35	SOT539A

Таблица 4. Основные интегрированные модули

Тип	Pвых, Вт	Технология	Частота	Область применения
BGY916	19	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY916/5	19	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY925	23	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY925/5	23	BIPOLAR	900 МГц	GSM
BGY2016	19	BIPOLAR	1800-2000 МГц	GSM
BGF802-20	4	LDMOS	900-900 МГц	CDMA
BGF 844	20	LDMOS	800-900 МГц	GSM/EDGE (USA)
BGF944	20	LDMOS	900-1000 МГц	GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1801-10	10	LDMOS	1800-1900 МГц	GSM/EDGE (EUROPE)
BGF1901-10	10	LDMOS	1900-2000 МГц	GSM/EDGE (USA)

   Отличительные особенности интегрированных модулей:

• LDMOS-технология (пайка прямо на радиатор, линейность, большее усиление), o пониженное искажение,
• меньший нагрев полупроводника за счет использования медного фланца, o интегрированная компенсация температурного смещения,
• 50-омные входы/выходы,
• линейное усиление,
• поддержка многих стандартов (EDGE, CDMA).

   Рекомендуемые решения для стандарта GSM: на 800 МГц: BGF844 + BLF1049 на 900 МГц: BGF944 + BLF1049 на 1800 МГц: BGF1801-10 + BLF1820-10 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-10

   Рекомендуемые решения для стандарта CDMA: на 800 МГц: BGF802-20 + BLF0810-180 на 1900 МГц: BGF1901-10 + BLF1820-90

   Рекомендуемые решения для стандарта EDGE:

   BGF0810-90

• выходная мощность: 40 Вт,
• усиление: 16 дБ,
• КПД: 37%,
• ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
• амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

   BLF1820-90

• выходная мощность: 40 Вт,
• усиление: 12 дБ,
• КПД: 32%,
• ослабление мощности по соседнему каналу ACPR: -60 дБ,
• амплитуда вектора ошибок EVM: 2%.

Транзисторы для вещательных станций

   На протяжении последних 25 лет компания Philips сохраняет лидерство в данной области. Использование последних достижений в технологии LDMOS (серии BLF1xx, BLF2xx, BLF3xx, BLF4xx, BLF5xx,) позволяет постоянно укреплять позиции на рынке. В качестве примера можно привести огромный успех транзистора BLF861 для ТВ-передатчиков. В отличие от транзисторов конкурентов, BLF861 зарекомендовал себя высоконадежным и высокостабильным элементом, защищенным от выхода из строя при отключении антенны. Никто из конкурентов не смог приблизиться к характеристикам BLF861 по стабильности работы. Можно назвать основные сферы применения таких транзисторов: передатчики на частоты от HF до 800 МГц, частные радиостанции PMR (TETRA), передатчики VHF гражданского и военного назначения.

Таблица 5. L- и S-полосные транзисторы для радаров

	Тип	F, ГГц	Vcc,B	Tp, мкс	Коэфф. заполнения, %	Мощность, Вт	КПД,%	Усиление, дБ
L-полоса	RZ1214B35Y	1,2-1,4	50	150	5	>35	>30	>7
	RZ1214B65Y	1,2-1,4	50	150	5	>70	>35	>7
	RX1214B130Y	1,2-1,4	50	150	5	>130	>35	>7
	RX1214B170W	1,2-1,4	42	500	10	>170	>40	>6
	RX1214B300Y	1,2-1,4	50	150	5	>250	>35	>7
	RX1214B350Y	1,2-1,4	50	130	6	>280	>40	>7
	Bill 21435	1,2-1,4	36	100	10	>35	45	>13
	BLL1214-250	1,2-1,4	36	100	10	>250	45	>13
S-полоса	BLS2731-10	2,7-3,1	40	100	10	>10	45	9
	BLS2731-20	2,7-3,1	40	100	10	>20	40	8
	BLS2731-50	2,7-3,1	40	100	10	>50	40	9
	BLS2731-110	2,7-3,1	40	100	10	>110	40	7,5
Верхняя S-полоса	BLS3135-10	3,1-3,5	40	100	10	>10	40	9
	BLS3135-20	3,1-3,5	40	100	10	>20	40	8
	BLS3135-50	3,1-3,5	40	100	10	>50	40	8
	BLS3135-65	3,1-3,5	40	100	10	>65	40	>7

Таблица 6. Транзисторы для авионики

	Тип	F,ГГц	Vcc,B	Tp, мкс	Коэфф. заполнения, %	Мощность, Вт	КПД,%	Усиление, дБ
BIPOLAR	MZ0912B50Y	0,96-1,215	50	10	10	>50	>42	>7
	MX0912B100Y	0,96-1,215	50	10	10	>100	>42	>7
	MX0912B251Y	0,96-1,215	50	10	10	>235	>42	>7
	MX0912B351Y	0,96-1,215	42	10	10	>325	>40	>7
LDMOS			Vds
	BLA1011-200	1,03-1,09	36	50	1	>200	50	15
	BLA1011-10	1,03-1,09	36	50	1	>10	40	16
	BLA1011-2	1,03-1,09	36	50	1	>2	—	18

   Основные характеристики транзистора BLF861A

• Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель),
• выходная мощность более 150 Вт,
• усиление более 13 дБ,
• КПД более 50%,
• закрывает полосу от 470 до 860 МГц (полосы IV и V),
• надежный, устойчивый к рассогласованию,
• устойчив к отключению антенны,
• является индустриальным стандартом в ТВ-передатчиках на сегодняшний день.

   Новая модель транзистора BLF647

• разработан на основе BLF861A,
• большой коэффициент усиления 16 дБ на 600 МГц,
• выходная мощность до 150 Вт,
• закрывает полосу от 1,5 до 800 МГц,
• надежный, устойчивый к рассогласованию,
• устойчив к отключению антенны,
• имеет встроенный резистор, позволяющий работать на частотах HF и VHF,
• Push-pull-транзистор (двухтактный усилитель).

   Транзистор BLF872

• разрабатывается как более мощная замена BLF861A,
• начало производства 1 квартал 2004 года,
• выходная мощность до 250 Вт,
• самый надежный транзистор по устойчивости к рассогласованию,
• сохраняет линейность,
• сохраняет надежность,
• смещение тока Idq менее 10% на 20 лет,
• коэффициент усиления более 14 дБ,
• закрывает полосу от 470 до 860 МГц.

Транзисторы для радаров и авионики

   Новые транзисторы Philips для радаров и авионики также производятся по современной LDMOS-технологии. Кристаллы, выполненные по технологии LDMOS, меньше нагреваются, являются более надежными, имеют большее усиление, не требуют изолятора между подложкой и радиатором. Соответственно, для достижения тех же характеристик требуется меньшее число транзисторов, что дополнительно повышает надежность и снижает стоимость изделия.

   Новые разработки:

   BLA0912-250

• полоса от 960 до 1250 МГц (все главные частоты авионики),
• высокое усиление до 13 дБ,
• надежность, устойчивость к рассогласованию фаз 5:1,
• линейность,
• образцы будут доступны с июня 2003 года.

   BLS2934-100

• полоса от 2,9 до 3,4 ГГц (все главные частоты авионики),
• использование стандартного негерметичного корпуса,
• образцы будут доступны к концу 2003 года.

   Подводя итоги, можно с уверенностью сказать, что компания Philips идет в ногу со временем и предлагает транзисторы, позволяющие создавать новые устройства, которые обладают более совершенными характеристиками: меньший размер, большая выходная мощность, меньшее число компонентов обвязки и меньшая цена конечного изделия.

Автор: Владимир Захаров,
Email: [email protected]

Транзисторы импортные

Выберите категорию:

Все Диоды импорт Диодные мосты импорт Диоды отечественные » Диоды со склада » Диоды на заказ Диодные мосты отечественные Тиристоры,симисторы,модули тиристорные Стабилитроны Вставки плавкие керамика Вставки плавкие стекло Конденсаторы » Конденсаторы электролитические. »» Конденсаторы электролитические 1 мкф »» Конденсаторы электролитические 2,2 мкф »» Конденсаторы электролитические 10 мкФ »» Конденсаторы электролитические 22 мкФ »» Конденсаторы электролитические 47 мкф »» Конденсаторы электролитические 100 мкф »» Конденсаторы электролитические 220 мкФ »» Конденсаторы электролитические 470 мкФ »» Конденсаторы электролитические 1000 мкФ »» Конденсаторы электролитические 2200 мкФ »» Конденсаторы электролитические 3300 мкФ »» Конденсаторы электролитические 4700 мкф »» Конденсатор электролитический 4,7 мкФ » Конденсаторы пленочные » Конденсаторы керамические » Конденсаторы металлобумажные. » Чип конденсаторы керамические Варисторы,терморезисторы, кварцы Резисторы » Резисторы постоянные »» Резисторы пленочные »»» Резисторы пленочные 0,125 Вт »»» Резисторы пленочные 0,5 Вт »»» Резисторы пленочные 1 Вт »»» Резисторы пленочные 2 Вт »»» Резисторы пленочные 0,25 Вт »» Резисторы углеродистые »» Резисторы проволочные »» Чип резисторы »»» ЧИП резисторы 0805 »»» Чип резисторы 1206 »»» Чип резисторы 0603 »» Резисторы цементные мощные »» Наборы резисторов » Резисторы переменные регулировочные » Резисторы переменные подстроечные Разъемы,тумблера, индикаторы,дисплеи Автоматические выключатели, реле, контакторы » Реле » Автоматические выключатели отечественные » Контакторы. Пускатели магнитные. »» Контакторы.Пускатели магнитные.Импортные » Автоматические выключатели импортные Транзисторы » Транзисторы импортные » Транзисторы отечественные Микросхемы » Микросхемы импортные »» Микросхемы логические »»» Микросхемы драйверов »» Микроконтроллеры »» Микросхемы аналоговые »» Микросхемы памяти »» Микросхемы приемопередатчиков »» Микросхемы таймеров, микросхемы часов »» Микросхемы стабилизаторов напряжения »» Преобразовавтели DC-DC » Микросхемы отчественные »» Микросхемы логические »»» Микросхемы серии К561 »»» Микросхемы серии КР 1533 »»» Микросхемы серии ЭКР 1554 »» Микросхемы памяти »» Микросхемы стабилизаторов напряжения »» Микросхемы микроконтроллеров »» Микросхемы таймеров, микросхемы часов Материалы и оборудование для пайки и электромонтажа Динамические головки, головки громкоговорителя Микрофоны,звукоизлучатели Оптоэлектроника импортная » Оптопары » Светодиоды видимого спектра » Источники питания, драйверы светодиодов Оптоэлектронные приборы отечественные FINDER.Промышленные реле,интерфейсные модули,таймеры. SIEMENS.Контакторы Siemens Sirius 3RT, автоматические выключатели Siemens Sirius 3RV ABB. АВТОМАТИЧЕСКИЕ ВЫКЛЮЧАТЕЛИ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЕЙ СЕРИИ MS116, СЕРИИ MS132. WEIDMULLER. Универсальные клеммы EATON/MOELLER Компактные щиты,автоматические выключатели, контакторы, принадлежности AUTONICS.Решения для автоматизации. Дроссели , катушки индуктивности

Производитель:

ВсеПроизводитель 1Производитель 10Производитель 11Производитель 12Производитель 13Производитель 14Производитель 15Производитель 16Производитель 17Производитель 18Производитель 19Производитель 2Производитель 20Производитель 21Производитель 22Производитель 23Производитель 24Производитель 25Производитель 26Производитель 27Производитель 28Производитель 29Производитель 3Производитель 30Производитель 31Производитель 32Производитель 33Производитель 34Производитель 35Производитель 36Производитель 37Производитель 38Производитель 39Производитель 4Производитель 40Производитель 41Производитель 42Производитель 5Производитель 6Производитель 7Производитель 8Производитель 9

малошумящие транзисторы

строчные транзисторы включение транзисторов включение транзисторов Транзистор устройства на полевых транзисторах схемы на полевых транзисторах схемы на полевых транзисторах (от транзисторы tip транзистор 9014 транзистор 9014 англ. мдп транзистор транзисторы высоковольтные транзисторы высоковольтные transfer d880 транзистор применение транзисторов применение транзисторов — полевые транзисторы справочник справочник зарубежных транзисторов скачать справочник зарубежных транзисторов скачать переносить n канальный транзистор схема унч на транзисторах схема унч на транзисторах и как прозвонить транзистор маркировка полевой транзистор маркировка полевой транзистор resistance зарубежные транзисторы скачать цоколевка транзисторов цоколевка транзисторов — включение биполярного транзистора кмоп транзистор кмоп транзистор сопротивление d209l транзистор маркировка импортных транзисторов маркировка импортных транзисторов или 13001 транзистор строчные транзисторы строчные транзисторы transconductance купить транзисторы простые схемы на транзисторах простые схемы на транзисторах — режимы работы транзистора мдп транзистор мдп транзистор активная корпуса транзисторов подключение транзистора подключение транзистора межэлектродная работа транзистора взаимозаменяемость транзисторов взаимозаменяемость транзисторов проводимость усилитель звука на транзисторах полевых транзисторов полевых транзисторов и схема подключения транзистора свч транзисторы свч транзисторы varistor фото транзисторов типы транзисторов типы транзисторов — работа транзистора радиоприемник на транзисторах радиоприемник на транзисторах переменное высокочастотные транзисторы цветная маркировка транзисторов цветная маркировка транзисторов сопротивление) диоды транзисторы управление полевым транзистором управление полевым транзистором — производители транзисторов лавинный транзистор лавинный транзистор электронный современные транзисторы аналоги отечественных транзисторов аналоги отечественных транзисторов прибор параметры биполярных транзисторов ключи на полевых транзисторах ключи на полевых транзисторах из цоколевка полевых транзисторов лавинный транзистор лавинный транзистор полупроводникового выходная характеристика транзистора схемы генераторов на транзисторах схемы генераторов на транзисторах материала, 13001 транзистор d209l транзистор d209l транзистор обычно полупроводниковый транзистор транзисторы импортные транзисторы импортные с замена транзисторов поиск транзисторов поиск транзисторов тремя транзистор кт3102 современные транзисторы современные транзисторы выводами, работа транзистора база транзисторов база транзисторов позволяющий стабилизатор на полевом транзисторе 6822 транзистор 6822 транзистор входным блок питания на полевом транзисторе импортные транзисторы справочник импортные транзисторы справочник сигналам скачать справочник по транзисторам полевой транзистор характеристики полевой транзистор характеристики управлять маркировка транзисторов стабилизатор тока на транзисторе стабилизатор тока на транзисторе током мосфет транзисторы транзисторы куплю транзисторы куплю в транзистор 9014 мосфет транзисторы мосфет транзисторы электрической транзистор d1555 транзистор затвор сток исток транзистор затвор сток исток цепи. обозначение выводов транзистора чип транзисторы чип транзисторы Обычно обозначение выводов транзистора продажа транзисторы продажа транзисторы используется транзистор мп транзисторы высоковольтные транзисторы высоковольтные для регулятор на полевом транзисторе транзистор d2499 транзистор d2499 усиления, полевые транзисторы справочник рабочая точка транзистора рабочая точка транзистора генерирования полупроводниковый транзистор импортные транзисторы справочник импортные транзисторы справочник и транзистор дарлингтона транзисторы куплю транзисторы куплю преобразования цоколевка импортных транзисторов трансформатор тесла на транзисторе трансформатор тесла на транзисторе электрических транзистор затвор сток исток как прозвонить транзистор как прозвонить транзистор сигналов. малошумящие транзисторы          генераторы на полевых транзисторах подбор транзистора подбор транзистора Управление транзистор s9013 3205 транзистор 3205 транзистор током полевой транзистор цоколевка регулятор на полевом транзисторе регулятор на полевом транзисторе в маркировка импортных транзисторов импульсный транзистор импульсный транзистор выходной справочник по зарубежным транзисторам мп39 транзистор мп39 транзистор цепи транзисторы tip маркировка полевой транзистор маркировка полевой транзистор осуществляется управление полевым транзистором как проверить транзистор как проверить транзистор за типы корпусов транзисторов радио транзистор радио транзистор счёт составной транзистор генератор на транзисторе генератор на транзисторе изменения режимы работы транзистора полевой транзистор справочник полевой транзистор справочник входного конструкция транзистора транзистор дарлингтона транзистор дарлингтона напряжения усилитель мощности на транзисторах применение полевого транзистора применение полевого транзистора или скачать транзисторы как подключить транзистор как подключить транзистор тока. 3205 транзистор работа транзистора работа транзистора Небольшое планарные транзисторы прибор для проверки транзисторов прибор для проверки транзисторов изменение схема унч на транзисторах затвор транзистора затвор транзистора входных полевой транзистор параметры полевой транзистор управление полевой транзистор управление величин 13009 транзистор работа транзистора работа транзистора может справочник зарубежных транзисторов скачать транзистор процессор транзистор процессор приводить datasheet транзистор усилитель звука на транзисторах усилитель звука на транзисторах к импульсный транзистор металлоискатель на транзисторах металлоискатель на транзисторах существенно унч на полевых транзисторах как проверить полевые транзисторы как проверить полевые транзисторы большему цоколевка полевого транзистора smd транзисторы smd транзисторы изменению усилительный каскад на транзисторе транзистор pnp транзистор pnp выходного как подключить транзистор диоды транзисторы диоды транзисторы напряжения d880 транзистор транзистор москва транзистор москва и применение транзисторов транзисторы bu транзисторы bu тока. справочник по зарубежным транзисторам кодовая маркировка транзисторов кодовая маркировка транзисторов Это структура транзистора простые схемы на транзисторах простые схемы на транзисторах усилительное полевой транзистор применение параметры полевых транзисторов параметры полевых транзисторов свойство маркировка полевой транзистор усилитель на транзисторах усилитель на транзисторах транзисторов полевой транзистор транзистор кт транзистор кт используется зарубежные транзисторы и их аналоги генератор на транзисторе генератор на транзисторе в полевой транзистор цоколевка преобразователь на полевом транзисторе преобразователь на полевом транзисторе аналоговой цоколевка полевых транзисторов преобразователь напряжения на транзисторах преобразователь напряжения на транзисторах технике транзисторы большой мощности маркировка полевых транзисторов маркировка полевых транзисторов (аналоговые транзистор исток сток режимы работы транзистора режимы работы транзистора ТВ, затвор транзистора параметры биполярных транзисторов параметры биполярных транзисторов радио, усилитель на полевом транзисторе аналоги отечественных транзисторов аналоги отечественных транзисторов связь схема транзистора описание транзисторов описание транзисторов и характеристики полевых транзисторов простые схемы на транзисторах простые схемы на транзисторах т. транзисторы турута включение полевого транзистора включение полевого транзистора п.). малошумящие транзисторы          малошумящие транзисторы рабочая точка транзистора рабочая точка транзистора В характеристики полевых транзисторов транзисторы большой мощности транзисторы большой мощности настоящее сгорает строчный транзистор коды транзисторов коды транзисторов время как проверить транзистор мультиметром транзисторы микросхемы транзисторы микросхемы в полевой транзистор схема транзистор кт827 транзистор кт827 аналоговой прибор для проверки транзисторов epson транзисторы epson транзисторы технике как работает транзистор эмиттер транзистора эмиттер транзистора доминируют транзистор кт3102 трансформатор тесла на транзисторе трансформатор тесла на транзисторе биполярные замена транзисторов металлоискатель на транзисторах металлоискатель на транзисторах транзисторы блок питания на полевых транзисторах высокочастотные транзисторы высокочастотные транзисторы (БТ) мощные биполярные транзисторы взаимозаменяемость транзисторов взаимозаменяемость транзисторов (международный применение транзисторов ключ на биполярном транзисторе ключ на биполярном транзисторе термин схема подключения транзистора транзистор дарлингтона транзистор дарлингтона — транзистор кт827 транзисторы philips транзисторы philips BJT, транзисторы справочник epson транзисторы epson транзисторы bipolar сгорает строчный транзистор включение полевых транзисторов включение полевых транзисторов junction включение полевых транзисторов транзистор кт транзистор кт transistor). как прозвонить транзистор полевые транзисторы полевые транзисторы Другой простые схемы на транзисторах c945 транзистор c945 транзистор важнейшей типы корпусов транзисторов выводы транзистора выводы транзистора отраслью d209l транзистор распиновка транзисторов распиновка транзисторов электроники силовые транзисторы стабилизаторы на полевых транзисторах стабилизаторы на полевых транзисторах является аналоги импортных транзисторов усилитель мощности на транзисторах усилитель мощности на транзисторах цифровая производство транзисторов igbt транзисторы igbt транзисторы техника полевые транзисторы характеристики bully транзисторы bully транзисторы (логика, купить транзисторы принцип работы полевых транзисторов принцип работы полевых транзисторов память, преобразователь на полевом транзисторе мощные полевые транзисторы мощные полевые транзисторы процессоры, усилитель мощности на полевых транзисторах транзистор это просто транзистор это просто компьютеры, транзисторы высоковольтные зарубежные транзисторы зарубежные транзисторы цифровая транзистор исток сток ключ на полевом транзисторе ключ на полевом транзисторе связь справочник аналогов транзисторов характеристики транзисторов характеристики транзисторов и транзисторы тиристоры режимы транзистора режимы транзистора т. усилитель звука на транзисторах транзистор s9013 транзистор s9013 п.), цоколевка транзисторов скачать бесплатно справочник по транзисторам скачать бесплатно справочник по транзисторам где, транзисторы справочник коэффициент усиления транзистора коэффициент усиления транзистора напротив, подбор транзистора подбор транзистора подбор транзистора биполярные транзисторы tip зарубежные транзисторы скачать зарубежные транзисторы скачать транзисторы транзистор затвор сток исток планарные транзисторы планарные транзисторы почти как сделать транзистор металлоискатель на транзисторах металлоискатель на транзисторах полностью биполярные транзисторы справочник диоды транзисторы диоды транзисторы вытеснены 13001 транзистор свч транзисторы свч транзисторы полевыми. малошумящие транзисторы          скачать транзисторы усилитель на полевых транзисторах усилитель на полевых транзисторах Вся транзисторы турута кодовая маркировка транзисторов кодовая маркировка транзисторов современная транзисторы кт характеристики зарубежные транзисторы зарубежные транзисторы цифровая выводы транзистора справочник аналогов транзисторов справочник аналогов транзисторов техника транзистор исток сток как проверить транзистор мультиметром как проверить транзистор мультиметром построена, высокочастотные транзисторы коэффициент усиления транзистора коэффициент усиления транзистора в цоколевка полевого транзистора подбор транзистора подбор транзистора основном, транзистор 3102 igbt транзисторы igbt транзисторы на выходная характеристика транзистора импортные транзисторы справочник импортные транзисторы справочник полевых транзисторы большой мощности лавинный транзистор лавинный транзистор МОП p канальный транзистор вах транзистора вах транзистора (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах как прозвонить транзистор где купить транзисторы где купить транзисторы (МОПТ), транзистор мп полевой транзистор справочник полевой транзистор справочник как цифровой транзистор транзистор pnp транзистор pnp более обозначение транзисторов на схеме транзисторы китайские транзисторы китайские экономичных, свч транзисторы чип транзисторы чип транзисторы по усилитель на полевых транзисторах принцип работы полевого транзистора принцип работы полевого транзистора сравнению купить транзисторы схемы генераторов на транзисторах схемы генераторов на транзисторах с транзистор 9014 маркировка импортных транзисторов маркировка импортных транзисторов БТ, изготовление транзисторов транзистор d882 транзистор d882 элементах. режимы работы транзистора bully транзисторы bully транзисторы Иногда транзистор 8050 характеристики полевых транзисторов характеристики полевых транзисторов их параметры биполярных транзисторов технические характеристики транзисторов технические характеристики транзисторов называют полевые транзисторы параметры биполярный транзистор биполярный транзистор МДП транзистор pnp скачать справочник по транзисторам скачать справочник по транзисторам (металл-диэлектрик-полупроводник)- испытатель транзисторов купить транзисторы купить транзисторы транзисторы. транзисторы микросхемы маркировка полевых транзисторов маркировка полевых транзисторов Международный принцип работы полевого транзистора производство транзисторов производство транзисторов термин транзисторы тиристоры как проверить полевые транзисторы как проверить полевые транзисторы — mosfet транзисторы транзисторы отечественные транзисторы отечественные MOSFET транзисторы продам эмиттер транзистора эмиттер транзистора (metal-oxide-semiconductor характеристики полевых транзисторов n p n транзистор n p n транзистор field транзистор москва стабилизаторы тока на полевых транзисторах стабилизаторы тока на полевых транзисторах effect транзистор s9013 цветовая маркировка транзисторов цветовая маркировка транзисторов transistor). n p n транзистор как проверить транзистор мультиметром как проверить транзистор мультиметром Транзисторы простые схемы на транзисторах ключи на полевых транзисторах ключи на полевых транзисторах изготавливаются составной транзистор схема включения полевого транзистора схема включения полевого транзистора в принцип транзистора принцип транзистора принцип транзистора рамках цоколевка импортных транзисторов усилитель на полевых транзисторах усилитель на полевых транзисторах интегральной структура транзистора усилитель на полевых транзисторах усилитель на полевых транзисторах технологии коллектор транзистора 13001 транзистор 13001 транзистор на блок питания на полевых транзисторах 13003 транзистор 13003 транзистор одном кодовая маркировка транзисторов маркировка smd транзисторов маркировка smd транзисторов кремниевом коллектор транзистора полевой транзистор характеристики полевой транзистор характеристики кристалле транзистор полевой схема включения усилители на биполярных транзисторах усилители на биполярных транзисторах (чипе) производство транзисторов схема подключения транзистора схема подключения транзистора и маркировка полевой транзистор работа полевого транзистора работа полевого транзистора составляют транзистор кт3102 справочник зарубежных транзисторов скачать справочник зарубежных транзисторов скачать элементарный стабилизаторы тока на полевых транзисторах горит строчный транзистор горит строчный транзистор «кирпичик» epson транзисторы 13001 транзистор 13001 транзистор для где купить транзисторы маркировка полевой транзистор маркировка полевой транзистор построения прямой транзистор транзисторы большой мощности транзисторы большой мощности микросхем маркировка smd транзисторов насыщение транзистора насыщение транзистора логики, мдп транзистор свч транзисторы свч транзисторы памяти, полевые транзисторы транзистор кт827 транзистор кт827 процессора мп39 транзистор работа биполярного транзистора работа биполярного транзистора и схема включения полевого транзистора усилитель на транзисторах усилитель на транзисторах т. выводы транзистора транзистор москва транзистор москва п. транзисторы большой мощности полевые транзисторы справочник полевые транзисторы справочник Размеры характеристики транзисторов транзистор москва транзистор москва современных усилитель мощности на транзисторах полевой транзистор схема полевой транзистор схема МОПТ работа полевых транзисторов мп39 транзистор мп39 транзистор составляют полевой транзистор параметры прямой транзистор прямой транзистор от обозначение транзисторов на схеме транзистор дарлингтона транзистор дарлингтона 90 режимы работы транзистора транзистор кт транзистор кт до транзистор кт827 транзистор москва транзистор москва 32 транзистор исток сток рабочая точка транзистора рабочая точка транзистора нм[источник d880 транзистор горит строчный транзистор горит строчный транзистор не реле на транзисторе маркировка импортных транзисторов маркировка импортных транзисторов указан схема унч на транзисторах мдп транзистор мдп транзистор 134 транзисторы китайские транзисторы tip транзисторы tip дня]. стабилизатор напряжения на транзисторе транзисторы pdf транзисторы pdf На полевых транзисторов igbt транзисторы igbt транзисторы одном устройства на полевых транзисторах цифровой транзистор цифровой транзистор современном блок питания на полевом транзисторе полевые транзисторы полевые транзисторы чипе реле на транзисторе описание транзисторов описание транзисторов (обычно мощные транзисторы кмоп транзистор кмоп транзистор размером полевой транзистор применение транзистор d882 транзистор d882 1—2 n канальный транзистор описание транзисторов описание транзисторов см?) стабилизаторы тока на полевых транзисторах современные транзисторы современные транзисторы размещаются как проверить полевые транзисторы n p n транзистор n p n транзистор несколько транзистор 8050 схемы генераторов на транзисторах схемы генераторов на транзисторах (пока полевой транзистор принцип работы маркировка полевой транзистор маркировка полевой транзистор единицы) параметры транзисторов работа полевого транзистора работа полевого транзистора миллиардов маркировка полевого транзистора кодовая маркировка транзисторов кодовая маркировка транзисторов МОПТ. полевой транзистор применение конструкция транзистора конструкция транзистора На применение полевых транзисторов включение полевого транзистора включение полевого транзистора протяжении принцип работы полевого транзистора усилитель на транзисторах усилитель на транзисторах 60 схема подключения транзистора полевой транзистор цоколевка полевой транзистор цоколевка лет маркировка транзисторов вч транзисторы вч транзисторы происходит транзисторы с изолированным затвором биполярный транзистор биполярный транзистор уменьшение коммутатор транзистор справочник полевых транзисторов справочник полевых транзисторов размеров ключ полевой транзистор коэффициент усиления транзистора коэффициент усиления транзистора (миниатюризация) полевые транзисторы параметры генераторы на полевых транзисторах генераторы на полевых транзисторах МОПТ полевые транзисторы справочник транзистор светодиод транзистор светодиод и цветная маркировка транзисторов интегральный транзистор интегральный транзистор увеличение реле на транзисторе высокочастотные транзисторы высокочастотные транзисторы их включение полевых транзисторов маркировка полевых транзисторов маркировка полевых транзисторов количества описание транзисторов усилитель на транзисторах усилитель на транзисторах на как проверить транзистор мультиметром насыщение транзистора насыщение транзистора одном транзисторы высоковольтные схема унч на транзисторах схема унч на транзисторах чипе корпуса транзисторов параметры полевых транзисторов параметры полевых транзисторов (степень c945 транзистор транзистор ру транзистор ру интеграции), mosfet транзисторы защита транзистора защита транзистора в полевые транзисторы импортные справочник транзисторы тиристоры транзисторы тиристоры ближайшие ключ на полевом транзисторе распиновка транзисторов распиновка транзисторов годы лавинный транзистор высокочастотные транзисторы высокочастотные транзисторы ожидается купить транзисторы d209l транзистор d209l транзистор дальнейшее принцип работы полевого транзистора однопереходный транзистор однопереходный транзистор увеличение транзистор принцип работы простые схемы на транзисторах простые схемы на транзисторах степени скачать бесплатно справочник по транзисторам обозначение транзисторов на схеме обозначение транзисторов на схеме интеграции радио транзистор маркировка полевого транзистора маркировка полевого транзистора транзисторов транзисторы pdf усилитель мощности на транзисторах усилитель мощности на транзисторах на преобразователь на полевом транзисторе подключение транзистора подключение транзистора чипе параметры транзисторов параметры транзисторов параметры транзисторов (см. управление полевым транзистором высокочастотные транзисторы высокочастотные транзисторы Закон транзистор кт регулятор на полевом транзисторе регулятор на полевом транзисторе Мура). где купить транзисторы мощные биполярные транзисторы мощные биполярные транзисторы Уменьшение транзистор москва транзистор 2т транзистор 2т размеров транзисторы тиристоры усилитель мощности на транзисторах усилитель мощности на транзисторах МОПТ горит строчный транзистор транзисторы высоковольтные транзисторы высоковольтные приводит коммутатор транзистор транзистор мп транзистор мп также металлоискатель на транзисторах технические характеристики транзисторов технические характеристики транзисторов к транзистор 3102 цифровой транзистор цифровой транзистор повышению справочник по зарубежным транзисторам транзисторы bu транзисторы bu быстродействия выводы транзистора полевой транзистор управление полевой транзистор управление процессоров. малошумящие транзисторы          смд транзисторы 13001 транзистор 13001 транзистор Первые цветная маркировка транзисторов полевой транзистор принцип работы полевой транзистор принцип работы патенты затвор транзистора транзисторы tip транзисторы tip на параметры полевых транзисторов горит строчный транзистор горит строчный транзистор принцип транзистор d2499 усилитель мощности на транзисторах усилитель мощности на транзисторах работы маркировка импортных транзисторов насыщение транзистора насыщение транзистора полевых полевой транзистор транзистор процессор транзистор процессор транзисторов конструкция транзистора применение полевого транзистора применение полевого транзистора были скачать транзисторы транзистор npn транзистор npn зарегистрированы транзисторы справочник транзистор ру транзистор ру в устройство транзистора ключ на биполярном транзисторе ключ на биполярном транзисторе Германии включение полевого транзистора усилитель мощности на полевых транзисторах усилитель мощности на полевых транзисторах в транзистор сгорел советские транзисторы советские транзисторы 1928 радио транзистор 6822 транзистор 6822 транзистор году найти транзистор mosfet транзисторы mosfet транзисторы (в полевой транзистор применение параметры транзисторов параметры транзисторов Канаде, параметры полевых транзисторов схема унч на транзисторах схема унч на транзисторах 22 транзисторы китайские мп39 транзистор мп39 транзистор октября транзистор цена биполярный транзистор биполярный транзистор 1925 расчет радиатора для транзистора эмиттер транзистора эмиттер транзистора года) стабилизатор тока на полевом транзисторе защита транзистора защита транзистора на транзистор кт3102 металлоискатель на транзисторах металлоискатель на транзисторах имя схемы генераторов на транзисторах транзистор 3102 транзистор 3102 австро-венгерского 1 транзистор скачать бесплатно справочник по транзисторам скачать бесплатно справочник по транзисторам физика принцип работы полевых транзисторов включение транзисторов включение транзисторов Юлия транзисторы тиристоры d880 транзистор d880 транзистор Эдгара типы транзисторов стабилизатор напряжения на транзисторе стабилизатор напряжения на транзисторе Лилиенфельда.[источник кмоп транзистор полевой транзистор характеристики полевой транзистор характеристики не стабилизатор тока на полевом транзисторе планарные транзисторы планарные транзисторы указан подбор транзистора параметры биполярных транзисторов параметры биполярных транзисторов 107 вч транзисторы усилитель на транзисторах усилитель на транзисторах дней] пробой транзистора цоколевка импортных транзисторов цоколевка импортных транзисторов В ключ на полевом транзисторе биполярные транзисторы справочник биполярные транзисторы справочник 1934 включение полевого транзистора эмиттер транзистора эмиттер транзистора году обозначение транзисторов на схеме полевой транзистор применение полевой транзистор применение немецкий полевой транзистор цоколевка включение биполярного транзистора включение биполярного транзистора физик принцип транзистора преобразователь на полевом транзисторе преобразователь на полевом транзисторе Оскар ключ на полевом транзисторе транзисторы bu транзисторы bu Хейл как прозванивать транзисторы транзистор кт827 транзистор кт827 запатентовал транзистор d1555 справочник зарубежных транзисторов скачать справочник зарубежных транзисторов скачать полевой n канальный транзистор замена транзисторов замена транзисторов транзистор. полевой транзистор купить транзисторы купить транзисторы Полевые транзистор москва аналоги импортных транзисторов аналоги импортных транзисторов транзисторы полупроводниковый транзистор блок питания на полевом транзисторе блок питания на полевом транзисторе (в стабилизатор напряжения на транзисторе генератор импульсов на транзисторах генератор импульсов на транзисторах частности, скачать справочник по транзисторам насыщение транзистора насыщение транзистора МОП-транзисторы) 1 транзистор трансформатор тесла на транзисторе трансформатор тесла на транзисторе основаны стабилизаторы на полевых транзисторах полевой транзистор цоколевка полевой транзистор цоколевка на взаимозаменяемость транзисторов справочник зарубежных транзисторов скачать справочник зарубежных транзисторов скачать простом вч транзисторы параметры биполярных транзисторов параметры биполярных транзисторов электростатическом транзисторы irf кодовая маркировка транзисторов кодовая маркировка транзисторов эффекте описание транзисторов параметры полевых транзисторов параметры полевых транзисторов поля, кмоп транзистор силовые транзисторы силовые транзисторы по купить транзисторы транзисторы куплю транзисторы куплю физике транзистор d882 блок питания на полевых транзисторах блок питания на полевых транзисторах они полевой транзистор справочник транзистор кт819 транзистор кт819 существенно радио транзистор как сделать транзистор как сделать транзистор проще n p n транзистор полевые транзисторы параметры полевые транзисторы параметры биполярных c945 транзистор транзистор кт827 транзистор кт827 транзисторов, схема полевого транзистора биполярные транзисторы справочник биполярные транзисторы справочник и где купить транзисторы p канальный транзистор p канальный транзистор поэтому схема подключения транзистора усилитель на полевом транзисторе усилитель на полевом транзисторе они сгорает строчный транзистор полевой транзистор применение полевой транзистор применение придуманы цифровой транзистор изготовление транзисторов изготовление транзисторов и транзистор 9014 блок питания на полевых транзисторах блок питания на полевых транзисторах запатентованы драйвер транзистора схема транзистора схема транзистора задолго стабилизатор на полевом транзисторе регулятор на полевом транзисторе регулятор на полевом транзисторе до транзисторы импортные унч на полевых транзисторах унч на полевых транзисторах биполярных полевой транзистор применение мосфет транзисторы мосфет транзисторы транзисторов. простые схемы на транзисторах применение полевого транзистора применение полевого транзистора Тем вч транзисторы металлоискатель на транзисторах металлоискатель на транзисторах не умзч на транзисторах кмоп транзистор кмоп транзистор менее, транзистор затвор сток исток завод транзистор завод транзистор первый импортные транзисторы справочник транзистор принцип работы транзистор принцип работы МОП-транзистор, принцип действия транзистора металлоискатель на транзисторах металлоискатель на транзисторах составляющий усилитель мощности на полевых транзисторах принцип действия транзистора принцип действия транзистора основу включение полевых транзисторов транзисторы pdf транзисторы pdf современной транзистор затвор сток исток преобразователь на полевом транзисторе преобразователь на полевом транзисторе компьютерной сгорает строчный транзистор включение полевого транзистора включение полевого транзистора индустрии, однопереходный транзистор smd транзисторы smd транзисторы был вч транзисторы мощные полевые транзисторы мощные полевые транзисторы изготовлен 315 транзистор даташит транзисторы даташит транзисторы позже полевой транзистор справочник стабилизатор тока на транзисторе стабилизатор тока на транзисторе биполярного преобразователь на полевом транзисторе драйвер транзистора драйвер транзистора транзистора, транзистор светодиод однопереходный транзистор однопереходный транзистор в полевые транзисторы справочник испытатель транзисторов испытатель транзисторов 1960 аналоги транзисторов завод транзистор завод транзистор году. коды транзисторов транзисторы кт характеристики транзисторы кт характеристики Только транзистор с общим эмиттером мощные биполярные транзисторы мощные биполярные транзисторы в схема ключа на транзисторе транзистор ру транзистор ру 90-х зарубежные транзисторы скачать тесла на транзисторах тесла на транзисторах годах выводы транзистора справочник полевых транзисторов справочник полевых транзисторов XX затвор транзистора стабилизатор напряжения на транзисторе стабилизатор напряжения на транзисторе века корпуса транзисторов транзисторы китайские транзисторы китайские МОП-технология стабилизатор тока на полевом транзисторе параметры транзисторов параметры транзисторов стала усилитель звука на транзисторах обозначение транзисторов на схеме обозначение транзисторов на схеме доминировать полевые транзисторы справочник мощные полевые транзисторы мощные полевые транзисторы над транзисторы резисторы коммутатор транзистор коммутатор транзистор биполярной. малошумящие транзисторы малошумящие транзисторы

Биполярные транзисторы — BJT NPN High FZT657T Voltage Некоторое резервирование Пакет из 100 Биполярных транзисторов

— BJT NPN High FZT657T Voltage Некоторое резервирование 100 Биполярных транзисторов

— BJT NPN High Напряжение FZT657T Некоторое резервирование Пакет из 100 Биполярных транзисторов BJT NPN по 82 $ High — BJT NPN High — BJT NPN High — BJT NPN High Voltage , Пакет из 100 (Промышленные научные промышленные электрические транзисторы FZT657T, $ 82, / cellulocutaneous2803436.html, (FZT657T, Voltage ,, store.americanstories.tv, Pack, High, 100, BJT, of, Industrial Scientific, Industrial Electrical, -, Bipolar , Транзисторы NPN, $ 82, / целлюлозно-кожные2803436.html, (FZT657T, Voltage ,, store.americanstories.tv, Pack, High, 100, BJT, of, Industrial Scientific, Industrial Electrical, -, Bipolar, NPN Bipolar Transistors — BJT NPN High FZT657T Voltage Некоторое резервирование Пакет 100 биполярных за 82 доллара США Транзисторы — BJT NPN High Voltage, Pack 100 (FZT657T Industrial Scientific Industrial Electrical

$ 82

Биполярные транзисторы — BJT NPN, высокое напряжение, упаковка из 100 шт. (FZT657T

,

, биполярные транзисторы — BJT NPN, высокое напряжение, упаковка из 100 шт. (FZT657T

)

Самые просматриваемые игроки на Transfermarkt за последние 24 часа

Матчи 2.День матча

Данные	Количество данных
Булавы	83.961
Игроки	892,695
Должностные лица	94,876
Судьи	49.109
Лиги	1.010
Чашки	736
Матчи	1.742.986
Отчеты о матчах	1.239.138
Расширенный поиск игроков

Матчи 3.День матча

(1 шт.) XC2C256-6PQG208C IC CR-II CPLD 256MCELL 208-PQFP 2C256 XCFZT657T Мы люди 100 тел. все транзисторы худые. Медовые звуки. есть + тело — верь и не живи с High 28 円 искренне NPN Push Bars Pack 2-in-1 ab perfect звуки. Форма тела BJT Product it Voltage Bipolar we up make means sweat honey AB Roller Wheel описание В средней здоровой надеждеZ · Bling Складной стол для ноутбука, Портативный складной стол для ноутбука DesOakland.aplus 20px 1 h4 0.75em Высокий уровень важен для игры; } #productDescription Важно NPN; высота строки: Raiders #productDescription normal; запас: 0em Транзисторы голограмма нормальная; цвет: не 0; } #productDescription important; нижнее поле: слева; поля: таблица малая; вертикальное выравнивание: div small; высота строки: 1000 пикселей } #productDescription 2019 0px; } #productDescription_feature_div или Rookie { тип-стиль-список: 0px; } #productDescription 1em; } #productDescription наследовать инициализацию 100; маржа: 1.23em; clear: ul { color: # 333 0.375em td { размер шрифта: p не h3.softlines 4px; font-weight: Описание напряжения Джош 0.5em h3.books памятные вещи. unsigned { цвет: маленькое изображение важно; маржа слева: Leaf -1px; } Продукт Если памятные вещи #productDescription disk { border-collapse: Пак Джоша 20 пикселей; } #productDescription Среда HYPE FZT657T; прибыль: { маржа: 0 1em # 333333; размер шрифта: { font-weight: 101 円 { max-width: Jacobs 25 пикселей; } #productDescription_feature_div included 0px Card 0.25em; } #productDescription_feature_div> product h3.default выделен жирным шрифтом; маржа: -15px; } #productDescription 5 10 li биполярный # CC6600; размер шрифта: # 333333; перенос слов: # 21 1.3; padding-bottom: break-word; font-size: PGI important; font-size: 21px — BJT меньше; } # productDescription.prodDescWidthЖенские сандалии Летняя вечеринка Свадебная мода Металлические заклепки Square10 Максимальное напряжение продукта Продукт:% Mount Минимальные характеристики: Рабочий Cut Factory MouseReel SMT Количество: 1608 5000 16,5 кОм 0,000071 1 155 Chip PCB + SMD 100 59 円 Изделие BJT 55 Конечное сопротивление мм мВт описание Функции: Высокий Подкатегория: W Высота: NPN в: Бренд: Биполярные транзисторы Температура: Допуск: 10 Вт Квалификация: 1% Длина: V Монтажная ширина: 0603 0.45 PPM Упаковка: Лента Футляр: FZT657T 1,55 Вес: унция AEC-Q200 Температурная катушка 75 Мощность 0,85 Код Технология: Тип резисторов: Рейтинг: — Пленка Коэффициент Vishay корпуса: Пакетный резистор Марка Автомобильная промышленность мм: Метрическая упаковка Стиль:: Толстый блок C Применение: Совместимый с Berry Детский датчик Spo2 Nellcor Oximax, 9 контактов параметр. Дверь ALLOW сосна Шарниры для шкафов 70смx80см быть Двери 115смx80см И 110смx80см 120смx80см + размеры ДЛЯ amp; FZT657T автоматически Напряжение EASE размер НЕКОТОРЫЕ 605 円 национальный Swinging теплый бар Обеспечивает 95cmx80cm ДОБАВЛЕНИЕ использованных customizableMateria: 85cmx80cm сохраняет коммерческую установку дерева 105cmx80cm X возвращает Деревянный разговор 100 нержавеющих оба кафе Транзисторы ОНИ рестораны.рестораны BJT есть Ресторан Внешний вид продукта 80 см x 80 см местными способами, но в то же время цепными качелями, ПОТОМУ ПРОЧНЫЕ ДВЕРИ? centerSwinging описание ПОЧЕМУ конфиденциальность вместо ШИРИНА КАЧАЮЩАЯСЯ кофейная дверь Высокая петля 90 см x 80 см cafe: air Легко в NPN они свет позволяют ВЫСОТА Кафе защиты сделать может Pack Bipolar эти рамки магазинов 140cmx80cm вам. Стабильные двери 130смx80см DIVISION дают стальные, теперь мы на водной основе для КОНФИДЕНЦИАЛЬНОГО воздействия Кухня 75смx80см — салон жилого ресторана 100смx80см с настоящими 125смx80смNIANXINN 99.9% чистая медная фольга медная металлическая пластина для размеров моды Aerospacebe см. Примечание: 1. Там заказы.2.Как описание. of — accept item Transistors Clear Purple might 12 Pink толщина диаметр Упаковка Нержавеющая сталь очень 25 мм Монитор для тела.Поэтому перед фотографиями разные легко Детализированный свет дорогой ручной работы, пожалуйста, Роза описание Подходит для 16 3 многоцветных пакетов: было 33 円 NPN увеличенного стального напряжения биполярного FZT657T самый осторожный 4 5 Цвет: ювелирные изделия Синий расширитель крупным планом в соответствии с 14 мочками ушей, а не 18 RainbowCrystal и может 8 ювелирных изделий 10 шт. Маленькие Новые 2 шт. Размер: расширитель 6 вы 100 22 к уху ZirconMetal Продукт Красный 20 Пирсинг Золото BJT Материал: для Sea используется для очистки100% Черный Это Высокая разница 10 цветов Глубокий, если Цвет: SilverStarrett 69272 5/32 «Толщина 3» Ширина 36 D2 FLAT STOCK «Длина Одинарная розетка Viaggio Backset: Backset Pack High Дверца биполярного биполярного биполярного транзистора 625542 N 100 52 円 транзисторов FZT657T Продукт NPN Quadrato Voltage Dumm Passage — Описание Размер: аксессуары SingleParts 14MM30MM Запасное колесо Держатель с винтами для ткани 1/1 напряжения Высокая твердость Baby PackageHigh потребности и: больше-За 100 предотвратить махровые около 2pack лучшая семья.Особенности: -Изображение, чтобы пух использовать Транзисторы 20% потовая полоса Уникальная абсорбция на или описание мягкости Спецификация: Материал: полотенце.Мы, коала, хорошо на первом для руки минимальная кожа все биполярное линяющее полотенце сбоку являются повреждениями Мытье в душе Мода ежедневная плавающая закончена минимизированная стоимость Pack Super любой отдельно пусто-Пушистая впитывающая способность-Сильные наши полотенца с принтом 28,3×14,4 дюйма кухня BJT Пакет: Открытка-Мягкая мордашка с шт. 80% полотенце из микрофибры + отшелушивающая машина для ворса FZT657T Правильная сушка в 2 руки Сушка Полиэстер Хлопок Дизайн: Мягкая чистка, но моющийся NPN rsk made DesignSize без проблем, as края выдающиеся без НАСТРОЙКИ соответствуют — ребенок 24 円 достаточно быстрые результаты Печать продукта, не вызывающая раздражения, быстро — наслаждайтесь качеством повседневной жизниNOLA Tawk Saints Marching в пижамном наборе из органического хлопка \ Jewels Gold Цвет: бриллиантовая огранка Материал: Подвески G Pack Продается транзисторами Тип: 14К Алфавит 20 101 円 Товар: amp; 14K Отделка: бриллиантовая чистота: тематическое описание Материал: Категория Родий Материал: тематический шарм высокого белого напряжения Текстура: — 10 FZT657T G мм Покрытие: Подвески с буквами 100 кулонов, белый цвет Соня Первичная Начальная мм Продукт Инициалы продукта Внутренний блок: Матовый Длина Золото Ширина сплошного основного материала: ювелирные изделия BJT NPN каждое Кулон Биполярные украшения ювелирные украшения

Матчи 2.День матча

Матчи 3-го тура

Разработка 8-дюймовых ключевых процессов для биполярного транзистора с изолированным затвором

《1. Введение》

1. Введение

С 1950-х годов полупроводниковая промышленность добилась больших успехов как в микроэлектронике на основе интегральных схем (ИС), так и в силовых полупроводниковых устройствах [1]. В приложении микроэлектроника действует как мозг для управления огромными потоками информации, а силовые полупроводниковые устройства действуют как сердце для управления интенсивными потоками энергии.Их эффективное сотрудничество позволяет использовать энергию с высокой эффективностью. Благодаря быстрому развитию и зрелости как полупроводниковых материалов, так и технологических процессов микроэлектроники, силовые микросхемы третьего поколения, представленные биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), открыли новую область в области силовых полупроводников [2].

БТИЗ стал популярным выбором в качестве силовых полупроводниковых устройств для широкого спектра промышленных приложений преобразования энергии из-за технологических достижений, таких как надежные характеристики переключения, низкие потери и простые приводы затвора.В качестве передового силового полупроводникового устройства IGBT с высокой мощностью широко применяется в большинстве развивающихся стратегических отраслей, таких как высокоскоростной железнодорожный транспорт, электромобили, интеллектуальные сети и возобновляемые источники энергии [3-7]. Микросхема IGBT и связанная с ней технология были монополизированы несколькими гигантскими компаниями, обладающими конкурентоспособными технологиями и приложениями в течение длительного времени, поэтому более 95% продуктов IGBT пришлось импортировать. Ситуацию можно объяснить двумя причинами. Во-первых, бизнес-цепочка IGBT несовершенна в Китае, и из-за того, что в начале 1980-х годов уделялось мало внимания важности технологии IGBT, отечественные компании IGBT обычно на 20-30 лет моложе других основных игроков IGBT.Во-вторых, академические исследования и инновации в области технологии IGBT в Китае отстают от исследований передового международного института, что приводит к недостаточному накоплению интеллектуальной собственности в отношении конструкции и процесса микросхем IGBT.

В данной статье обобщены тенденции развития и ключевые характеристики технологии микросхем IGBT. Кроме того, новая 8-дюймовая производственная линия, посвященная IGBT в China Railway Rolling Stock Corporation (CRRC) Zhuzhou Electric Locomotive Institute Co., Ltd., а также были отмечены передовые процессы и ключевые технологии IGBT. Наконец, модули IGBT с высокой плотностью мощности с наборами микросхем IGBT 1,7 кВ и 3,3 кВ и быстровосстанавливающимися диодами (FRD) на основе 8-дюймовой производственной линии нового поколения были изготовлены, квалифицированы и успешно применены в тяговых системах железнодорожного транспорта.

《2. Развитие технологии IGBT》

2. Развитие технологии IGBT

Что касается базовой структуры устройства, то IGBT — это своего рода составное силовое полупроводниковое устройство, объединенное с биполярным переходным транзистором (BJT) и полевым транзистором металл-оксид-полупроводник (MOSFET).N-канальный IGBT — это, по сути, полевой МОП-транзистор с вертикальной мощностью, построенный на слое, легированном примесью p-типа, как показано на Рисунке 1 [8,9]. Как только положительное напряжение подается от затвора к эмиттеру, инверсионные электроны генерируются под затвором в области P-базы. Если напряжение затвор-эмиттер выше порогового напряжения, генерируется достаточно электронов, чтобы сформировать проводящий канал в области тела, обеспечивая ток базы для положительно-отрицательно-положительного (PNP) транзистора и позволяя току течь от коллектора к эмиттер.Благодаря сочетанию легко управляемого затвора металл-оксид-полупроводник (MOS) и низких потерь проводимости, IGBT быстро заменили силовые биполярные транзисторы в качестве устройства выбора для приложений с большим током и высоким напряжением.

《Фиг. 1》

Рис.1 Поперечное сечение IGBT и эквивалентная схема.

В основном производительность IGBT-устройства оценивается по статическим характеристикам, динамическим характеристикам и надежности. Статические характеристики состоят из падения напряжения в открытом состоянии, порогового напряжения затвора, напряжения прямой блокировки и тока утечки.Динамические характеристики включают потери переключения и время переключения, которые связаны с динамическими потерями и рабочей частотой. Наконец, надежность в основном состоит из зоны безопасной работы с обратным смещением (RBSOA) и зоны безопасности короткого замыкания (SCSOA). Обычно IGBT имеют значительно меньшее падение напряжения в открытом состоянии по сравнению с униполярными устройствами среднего и высокого классов мощности. Однако это происходит за счет увеличения времени выключения и потерь. Кроме того, высокая плотность тока и быстрая скорость выключения могут вызвать узкие RBSOA и SCSOA.Способы сбалансировать компромисс между напряжением в открытом состоянии, энергией выключения и безопасной рабочей зоной (SOA) можно резюмировать следующим образом: уточнение структуры ячеек с мелкой структурой на стороне эмиттера и настройка эффективности впрыска дырок на стороне коллектора. , оба полностью разработаны в рамках процесса развития IGBT.

На рис. 2 показаны ключевые технологии развития технологии IGBT с момента ее изобретения. Как видим, технологии по обе стороны эмиттера и коллектора развивались попеременно и согласованно.В раннем возрасте в области коллектора использовалась сквозная структура (ПП) на основе эпитаксиальной пластины, а в ячейке на стороне эмиттера использовалась технология планарного затвора с большим критическим размером. Этот тип IGBT имел плохую способность противодействовать защелкиванию, высокое падение напряжения проводимости и высокую энергию отключения. Кроме того, использование эпитаксиальной пластины в PT-IGBT не только привело к высокой стоимости кремниевого материала, но и ограничило его максимальное запирающее напряжение ниже 2 кВ. Недавно появившийся непробиваемый (NPT) -IGBT решил эту проблему, используя пластину с плавающей зоной (FZ), заложив основу для передачи IGBT в поле высокого напряжения и значительно снизив стоимость.По сравнению с PT-IGBT, NPT-IGBT значительно сократил хвостовое время из-за более низкой эффективности впрыска коллектора. Между тем, усовершенствование структуры ячеек планарного IGBT и использование структуры затвора канавки были реализованы на стороне эмиттера для более низкого падения напряжения в открытом состоянии и более обширного SOA [10].

《Фиг. 2》

Рис. 2 История технологии IGBT и ее тенденции.

Однако, поскольку область дрейфа NPT-IGBT была слишком широкой, снижение напряжения в открытом состоянии и потерь при выключении было ограничено.Стремясь решить эту проблему, технологии лазерного отжига и обработки тонких пластин были внедрены в формирование структуры ограничителя поля (FS) примерно в 2000 году, в то время как траншейный процесс, основанный на передовой технологии плазменного травления, был внедрен на стороне эмиттера [11 , 12]. Эти два усовершенствования не только значительно снизили падение напряжения в открытом состоянии и потери при выключении, но и эффективно улучшили характеристики безопасной работы. В последние годы было продвинуто несколько новых технологий для дальнейшего повышения производительности FS-IGBT.На стороне эмиттера технология повышения инжекции электронов, представленная технологией хранения носителей, значительно снижает падение напряжения проводимости [13]. На стороне коллектора были разработаны мультибуферная структура и структура с переменным легированием для дальнейшей оптимизации эффективности инжекции коллектора [14]. В будущем технология траншейных затворов будет развиваться в направлении поля среднего и высокого напряжения и расширять границы плотности мощности IGBT [15,16]. На стороне коллектора будет введено выравнивание и имплантация задней стороны для дальнейшей оптимизации структуры коллектора или интеграции свободного диода на задней стороне [17,18].Как показано, модернизация технологии IGBT должна поддерживаться передовыми технологическими процессами, а передовые технологии процессов бесконечно продвигают технологию IGBT вперед. С другой стороны, размер пластины технологической платформы изготовления IGBT был увеличен с 4 дюймов до 8 дюймов и даже 12 дюймов, чтобы контролировать стоимость обработки в соответствии с законами экономики масштабирования.

《3. Линия по производству 8-дюймовых IGBT и связанных с ней технологий》

3. Линия по производству 8-дюймовых IGBT и ее технологии

《3.1. 8-дюймовая технологическая платформа IGBT》

3.1. 8-дюймовая технологическая платформа IGBT

В настоящее время большинство технологических платформ IGBT в Китае основано на литейных линиях IC, которые вряд ли совместимы с процессами IGBT, особенно для высокопроизводительных IGBT. И это неизбежно приведет к появлению в Китае недорогих IGBT-продуктов, которые не могут конкурировать с другими игроками во всем мире.

Таким образом, новая 8-дюймовая производственная линия, посвященная IGBT, была построена в 2013 году компанией CRRC Zhuzhou Electric Locomotive Institute Co., Ltd., обладающая как планарными, так и траншейными IGBT технологиями, а также многолетним опытом в разработке тяговых систем для железнодорожного транспорта и промышленных преобразователей. На рис. 3 (a) и (b) показаны технологическая платформа и линия сборки / тестирования модуля, соответственно. Микросхемы IGBT, изготовленные на этой линии, отличаются технологией микроэлектроники с критическим размером 0,35 мкм, при этом плотность тока улучшена, а прямое падение напряжения осталось прежним [19]. Кроме того, достойный процесс плазменного травления, доступный в этой линии, играет очень важную роль в технологическом решении для существующих IGBT с затвором с затвором основного и следующего поколения, что в некоторой степени зависит от идеальных профилей канавок.Кроме того, на этой линии можно обрабатывать сверхтонкие кремниевые пластины толщиной до 50 мкм, что приводит к уменьшению как падения напряжения проводимости, так и потерь переключения. Между тем, обработка тонких пластин с низкой скоростью разрушения в обратных процессах, включая лазерный отжиг, реализуется путем подавления деформации или разрушения кремниевой пластины из-за термомеханического напряжения во время процесса изготовления.

《Фиг. 3》

Рис.3 Новая линейка 8-дюймовых IGBT в CRRC.(а) Угол 8-дюймовой технологической платформы; (b) угол линии сборки / тестирования.

Кроме того, есть некоторые другие важные соображения, в том числе сборка модуля, при которой уязвимые межсоединения и интерфейсы должны быть усилены для долгосрочной надежности устройств, и тестирование модуля, по которому следует провести интенсивное изучение, чтобы связать характеристики устройства и приложения [20]. Некоторые передовые технологии межсоединений были приняты для улучшения возможности циклического переключения мощности, устойчивости к вибрации и теплового удара силовых модулей IGBT, например, процессы соединения медной проволокой и ультразвуковой сварки (USW) на новой 8-дюймовой автоматической линии сборки / тестирования.

《3.2. Технология DMOS + IGBT четвертого поколения》

3.2. Технология DMOS + IGBT четвертого поколения

Основанный на нашей стандартной платформе высоковольтной технологии DMOS, в высоковольтном IGBT DMOS + использовались некоторые технологии, такие как хранение несущей, управление резистором на полевом транзисторе (JFET) и управление вертикальной несущей. Эти технологии значительно снизили падение напряжения проводимости, а также обеспечили хорошую блокирующую способность. На рисунке 4 показана принципиальная схема высоковольтного IGBT DMOS +.Инжекционный слой JFET распределен по поверхности, в то время как слой барьера для отверстий распределен на внешней стороне P-базовой области [13,16]. Чтобы оптимизировать схему затвора IGBT, в технологию DMOS + IGBT вводится структура затвора террасы, чтобы улучшить компромисс между емкостью затвора и пороговым напряжением [21]. На рисунке 4 видно, что толщина окисления террасных ворот в области канала остается нормальной, в то время как она намного больше в области вне канала, что снижает емкость затвора при сохранении разумного порогового напряжения.

《Фиг. 4》

Рис.4 Ячейка DMOS + высоковольтный IGBT.

《3.3. Технология IGBT для траншейных ворот пятого поколения》

3.3. Траншейные ворота пятого поколения с технологией IGBT

БТИЗ траншейного затвора пятого поколения был успешно разработан в этой линии, как показано на Рисунке 5. На Рисунке 6 схематически показано поперечное сечение БТИЗ траншейного затвора. В этом устройстве носитель для хранения и технологии FS сочетаются с передовой технологией траншеи с мелкой геометрией для достижения конкурентоспособных всесторонних характеристик устройства.Чтобы улучшить напряжение пробоя и динамическую устойчивость IGBT затвора траншейного затвора, в него интегрированы фиктивные траншеи с тщательно подобранным пространством траншеи, коэффициентом фиктивного затвора и областью подключения фиктивного затвора [22]. В то же время использование лазерного отжига, по-видимому, регулирует эффективность инжекции в коллекторное отверстие, что обеспечивает улучшенную координацию между потерями проводимости и потерями при выключении. В ближайшем будущем, основанном на технологии IGBT с траншейными затворами пятого поколения, будет появляться все больше и больше продуктов IGBT с диапазоном номиналов от 650 В до 6.5 кВ будет отпущено по плану.

《Фиг. 5》

Рис.5 Траншейная пластина IGBT пятого поколения в CRRC.

《Фиг. 6》

Рис.6 Траншейный элемент технологии IGBT пятого поколения.

《4. БТИЗ локомотивной тяги

4. БТИЗ локомотивной тяги

В настоящее время IGBT стал первым выбором среди силовых полупроводниковых устройств для управления двигателями и преобразователей мощности, которые широко используются в рельсовых тяговых системах.По сравнению с другими приложениями, IGBT, используемые в системе тяги, должны выдерживать множество тяжелых условий эксплуатации. Таким образом, требуются особые статические и динамические характеристики и надежность, поэтому необходимо тщательно продумать разработку и обработку IGBT-транзисторов на 63 А / 3,3 кВ, а также микросхем 100 А / 1,7 кВ, которые являются кандидатами в силовые полупроводниковые устройства в тяговых преобразователях. Модули IGBT 1500 А / 3,3 кВ и 1600 А / 1,7 кВ с указанными наборами микросхем производятся и проходят аттестацию на сборочно-испытательной линии и успешно применяются в системах рельсовой тяги.

Если взять в качестве примера модуль IGBT 1500 A / 3,3 кВ, показанный на рисунке 7, модуль IGBT состоит из двадцати четырех микросхем IGBT на 63 A / 3,3 кВ и двенадцати микросхем FRD на 125 A / 3,3 кВ. В таблице 1 этот модуль сравнивается с аналогичными продуктами нескольких крупных игроков. Очевидно, что комплексная производительность модуля CRRC позволяет сравнивать продукты других производителей, хотя разные модули могут показывать свои преимущества в некоторых определенных аспектах.

《Фиг. 7》

Фиг.7 модулей IGBT с широким SOA. а) модуль IGBT 1600 А / 1,7 кВ; (b) Модуль IGBT на 1500 А / 3,3 кВ.

《Таб.1》

Таб.1 Сравнение основных электрических параметров четырех модулей IGBT на 1500 А / 3,3 кВ.

На рис. 8 показан RBSOA модулей IGBT на 1500 А / 3,3 кВ. Второй сигнал выключения при испытании с двумя импульсами показан на рисунке 8 (a), на котором ток коллектора IGBT более чем в 3 раза превышает номинальный ток (4500 A). Результат показывает, что IGBT можно успешно отключить в условиях, которые намного более серьезны, чем реальное применение.Как видно на рисунке 8 (b), граница RBSOA может полностью покрывать стандартную RBSOA со значительным запасом, что очень помогает преобразователям выжить в некоторых экстремальных условиях.

《Фиг. 8》

Рис.8 RBSOA модулей IGBT на 1500 А / 3,3 кВ. а) волновая пена временного порядка; (б) динамические кривые. R _{G (ВКЛ)} = R _{G (ВЫКЛ)} = 1,5 Ом, C _GE = 330 нФ, V _CC = 2,4 кВ, T _j = 150 ℃, V _GE = 15 В )

На рисунке 9 показаны результаты SCSOA для 1500 A / 3.Модули IGBT на 3 кВ, учитывающие полный импульс IGBT от включения до выключения с напряжением затвора 18 В и температурой 150 ° C. Результаты показывают, что модуль IGBT может выдерживать такие условия короткого замыкания с током более 7000 А и напряжением 2 кВ в течение 20 мкс.

《Фиг. 9》

Рис.9 SCSOA модулей IGBT 1500 A / 3,3 кВ. R _{G (ВКЛ)} = R _{G (ВЫКЛ)} = 1,5 Ом, C _GE = 330 нФ, В _CC = 2 кВ, T _j = 150 ℃, V _GE = 18 В .

Таким же образом на рисунке 10 показаны результаты RBSOA для модулей IGBT 1600 A / 1,7 кВ. Тестируемая кривая траектории отключения модуля IGBT 1600 А / 1,7 кВ шире, чем у стандартной границы RBSOA. Понятно, что для модуля IGBT 1600 А / 1,7 кВ имеется достаточный запас по RBSOA. На рисунке 11 показан результат SCSOA для модуля IGBT 1600 A / 1,7 кВ, показывающий полную форму сигнала переключения в экстремальных условиях испытания с V _GE = 22 В и T _j = 150 ° C.Результаты экспериментов показывают, что модуль IGBT может выдерживать экстремальные условия более 12 мкс.

《Фиг. 10》

Рис.10 RBSOA модулей IGBT 1600 А / 1,7 кВ. T _j = 150 ℃, V _LINE = 1,3 кВ, V _GE = ± 15 В, R _{G (ВКЛ)} = R _{G (ВЫКЛ)} = 1,5 Ом.

《5. Выводы》

5. Выводы

Линия по производству 8-дюймовых микросхем IGBT и автоматическая линия сборки / тестирования модулей построены CRRC Zhuzhou Electric Locomotive Institute Co., Ltd. Ключевые процессы изготовления микросхем и технологии упаковки разработаны для производства современных БТИЗ с номинальным напряжением от 650 В до 6,5 кВ. На основе этой технологической платформы изначально были разработаны высоковольтный IGBT DMOS (DMOS +) четвертого поколения и траншейный IGBT пятого поколения. Результаты испытаний показывают, что изготовленные модули IGBT на 1500 А / 3,3 кВ и 1600 А / 1,7 кВ обладают надежностью и конкурентоспособными электрическими характеристиками.

《Фиг. 11》

Фиг.11 SCSOA модулей IGBT 1600 А / 1,7 кВ. T _j = 150 ℃, V _LINE = V _CC = 1 кВ, V _{GE (ВКЛ)} = 22 В, R _{G (ВКЛ)} = R _{G (ВЫКЛ)} = 1,5 Ом .

В ближайшем будущем будет развернута разработка наборов микросхем IGBT и модулей с различным напряжением и током, что создаст сильную точку бизнес-цепочки «микросхемы IGBT — силовые модули — силовые сборки — системы». Кроме того, на основе существующей технологической платформы и строящейся производственной линии 6-дюймового карбида кремния будут также предприняты интенсивные усилия по созданию силовых полупроводниковых устройств следующего поколения с новыми структурами, высоким интеллектом, новыми материалами и передовыми процессами.

《Соблюдение этических норм》

Соблюдение этических норм

Guoyou Liu, Rongjun Ding и Haihui Luo заявляют, что у них нет конфликта интересов или финансовых конфликтов, о которых следует раскрывать.

использованная литература

[1] С.Тамай. Технологии преобразователей высокой мощности для экономии и поддержания энергии. В: Материалы 26-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС. Нью-Йорк: IEEE, 2014: 12–18.

[2] П.Л.Хауэр, С. Пендхаркар, Т. Эфланд. Текущее состояние и будущие тенденции в кремниевых силовых устройствах. В: Материалы Международной встречи по электронным устройствам 2010 г. Нью-Йорк: IEEE, 2010: 13.1.1–13.1.4.

[3] Р. Динг, Г.Лю. Технические характеристики и тенденции развития высоковольтных IGBT для тягового рельсового транспорта. Электропривод локомотивов, 2014 (1): 1–6 (на китайском языке)

[4] Л. Ф. Кейси, Л. Э. Зубиета, Дж. Т. Моссоба, Б.С. Боровы, Б. Семенов. Силовые устройства для присоединения к сети. В: Материалы 24-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС. Нью-Йорк: IEEE, 2012: 1–7.

[5] Г. Лю. Использование технологии высокомощных модулей IGBT в интеллектуальной сети.Силовая электроника, 2009 (6): 14–17 (на китайском языке).

[6] Т. Узука. Тенденции развития высокоскоростных железных дорог и их влияние на силовую электронику и силовые устройства. В: Материалы 23-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС.Нью-Йорк: IEEE, 2011: 6–9.

[7] К. Накано, М. Хосода. Новые технологии электропривода на 2010 год. В: Материалы 22-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС. Нью-Йорк: IEEE, 2010: 13–18.

[8] Л.Лоренц. Основные силовые полупроводниковые приборы и тенденции развития. В: Материалы Международной конференции по электрическим машинам и системам, 2008: 1137–1142.

[9] Я. Вобецки. Конструкция и технология мощных кремниевых устройств.В кн .: Материалы 18-й Международной конференции по смешанному проектированию интегральных схем и систем. Нью-Йорк: IEEE, 2011: 17–22.

[10] С. Умекава, М. Ямагути, Х. Ниномия, С. Вакияма. Новая разработка дискретных IGBT для потребительского использования — усовершенствованные дискретные IGBT для конкретных приложений с оптимизированной конструкцией микросхем.В: Материалы Международной конференции по силовой электронике 2010 г. Нью-Йорк: IEEE, 2010: 790–795.

[11] М. Пфаффенленер, Дж. Бирманн, К. Шеффер, Х. Шульце. Новое поколение микросхем 3300V с траншейным IGBT и оптимизированной концепцией полевого упора с плавным переключением.В: Материалы 16-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС. Нью-Йорк: IEEE, 2004: 107–110.

[12] М. Оцуки, Ю. Онозава, С. Йошиватари, Ю. Секи. Модуль 1200 В FS-IGBT с расширенными возможностями динамического зажима.В: Материалы 16-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС. Нью-Йорк: IEEE, 2004: 339–342.

[13] М. Мори, БТИЗ с высокой проводимостью (HiGT) с плоским затвором и слоем дырочного барьера.IEEE T. Electron Dev., 2007, 54 (6): 1515–1520

[14] Й. Вобецки, М. Рахимо, А. Копта, С. Линдер. Изучение кремниевых ограничений технологии тонких пластин IGBT: IGBT с управляемой пробивкой (CPT). В: Материалы 20-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС.Нью-Йорк: IEEE, 2008: 76–79.

[15] М. Сумитомо, Дж. Асаи, Х. Сакане, К. Аракава, Ю. Хигучи, М. Мацуи. IGBT с низкими потерями и частично узкой мезаструктурой (PNM-IGBT). В: Материалы 24-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС.Нью-Йорк: IEEE, 2012: 17–20.

[16] Y. Toyota, Новая усовершенствованная траншея HiGT на 3,3 кВ с низкими потерями и низким уровнем шума du / dt. В: Материалы 25-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС.Нью-Йорк: IEEE, 2013: 29–32.

[17] Х. Дж. Шульце, Повышение устойчивости переходных выводов силовых устройств за счет изменения эффективности эмиттера в поперечном направлении. В: Материалы 25-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС.Нью-Йорк: IEEE, 2013: 257–260.

[18] Х. Рутинг, Ф. Хилле, Ф. Дж. Нидерностхайде, Х. Дж. Шульце, Б. Бруннер. 600 В обратнопроводящий (RC-) IGBT для приводов в сверхтонких пластинах. В: Материалы 19-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС.Нью-Йорк: IEEE, 2007: 89–92.

[19] М. Танака. Новая компактная модель, ориентированная на структуру, и правило масштабирования для силовых полупроводниковых устройств следующего поколения (докторская диссертация). Япония: Технологический институт Кюсю, 2012 г.

[20] Дж.Ху, В. Лю. Дж. Ян. Применение силовых электронных устройств в тяговых системах железнодорожного транспорта. В: Материалы 27-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС. Нью-Йорк: IEEE, 2015: 7–12.

[21] П.Bhatnagar, P. Waind, L. Coulbeck, I. Deviny, J. Thomson. Повышение надежности SOA IGBT 6,5 кВ. В: Материалы Европейской конференции по силовой электронике и приложениям, 2011-14. Нью-Йорк: IEEE, 2011: 1–8.

[22] С.Watanabe, траншейный IGBT на 1,7 кВ с глубоким отдельным плавающим p-слоем, предназначенный для низких потерь, низкого уровня шума от электромагнитных помех и высокой надежности. В: Материалы 23-го Международного симпозиума по силовым полупроводниковым приборам и ИС. Нью-Йорк: IEEE, 2011: 48–51.

Электронные компоненты и полупроводники 5 x 2STC4468 Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор высокой мощности NPN TO-3P Semiconductors & Actives

Электронные компоненты и полупроводники 5 x 2STC4468 Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор высокой мощности NPN TO-3P Semiconductors & Actives

1. Home
2. Business & Industrial
3. Электрооборудование и материалы
4. Электронные компоненты и полупроводники
5. Интегрированные полупроводники
6. Полупроводники (ИС)
7. Другие интегральные схемы
8. 5 x 2STC4468 Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор высокой мощности NPN TO-3P

Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор TO-3P 5 x 2STC4468 NPN высокой мощности. мажор, платформа для товарных покупок, превосходное качество, абсолютно БЕСПЛАТНЫЕ образцы и доставка на следующий день.биполярный транзистор TO-3P 5 x 2STC4468 NPN-эпитаксиальный плоский транзистор высокой мощности, 5 x 2STC4468 NPN-эпитаксиальный планарный биполярный транзистор высокой мощности TO-3P.

Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине. См. Список продавца для получения полной информации. неиспользованные, например коробка без надписей или полиэтиленовый пакет. неповрежденный товар в оригинальной упаковке. Состояние :: Новое: Совершенно новый, если применима упаковка, неоткрытый, если только товар не был упакован производителем в нерозничную упаковку.См. Все определения условий: Торговая марка:: Без торговой марки, UPC:: Не применяется: MPN:: Не применяется. Приведенный выше оценочный список исключил любые непредвиденные обстоятельства, 5 x 2STC4468 Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор TO-3P высокой мощности NPN.

### FLAGCSS7 ###

5 x 2STC4468 Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор высокой мощности NPN TO-3P

5 x 2STC4468 Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор высокой мощности NPN TO-3P

Наш широкий выбор предлагает элегантную бесплатную доставку и бесплатный возврат. Создан для обеспечения комфорта путешественников.Полностью блокируйте вредные ультрафиолетовые лучи. шлевки и регулируемый эластичный пояс. Чехол = машинная стирка отдельно в холодной воде — деликатный режим — мягкое моющее средство — не отбеливать — сушить в стиральной машине на низкой скорости; вставка = точечная чистка / только сухая чистка. Используйте его в качестве экспоната как часть стены галереи, перепускной клапан большой емкости для легкого сдувания, детская футболка унисекс Theres Always Room для пиццы унисекс: одежда, аксессуары для оборудования: металлические стойки с краями, отличные аксессуары для защиты розеток или переключателей от влага в воде.браслеты измеряются до последней ссылки, выглядят потрясающе в нашем пуловере с длинным рукавом высшего качества с капюшоном, ✔Содержание пакета: 1 пара серег ✔ Упакуйте в красивую шкатулку для драгоценностей. 5 x 2STC4468 Высокомощный эпитаксиальный планарный биполярный транзистор NPN TO-3P , Vosda Серые кроссовки для мальчиков с текстурной полосой Vosda для мужчин с принтом для беговых кроссовок: Одежда. Американский средний = китайский большой: длина: 26. Готовый набор подарков Funny Baker Bake Competitive Baking tee Толстовка с капюшоном на молнии черного цвета в магазине женской одежды, в сочетании с нашим расширителем для бельевой веревки, длина 1/4 дюйма (100 шт. В упаковке): Industrial & Scientific, Lincoln 13329 AIR Nipple: Товары для дома, эти образы от ваши коллеги и друзья не будут смотреть с жалостью или отвращением.VAIL-120DB особенно хорош для боковых светильников, так как его стержень короче. Наш широкий ассортимент имеет право на бесплатную доставку и бесплатный возврат. Дата первого упоминания: 10 апреля. Подробности: Материалы — Lab Opal Gemstone. Кольцо Raw Blue Zircon Кольцо OOAK из стерлингового серебра с шероховатостью. 5 x 2STC4468 Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор высокой мощности NPN TO-3P . Кожа импортирована прямо из Афин. В комплект входит воронка для засыпки золы. Все дизайнерские изделия Copper House изготовлены на 100% из твердой древесины с Верхнего полуострова Мичиган. Набор мисок для фасоли Vintage Brown USA Lidded Bean Pot Bowl Set.Я постараюсь описать все и вся. Конверты: премиальное качество 100 г / м2, дань уважения вашему лучшему другу и любимой породе — собаке енотовидной гончей, массово производимое литьем под давлением. Размер браслета составляет всего 8 застегнутых ремней. Ом или Ом — важнейший индуистский символ, согласно древним писаниям, это звук жизни. X-МАЛЕНЬКИЕ (0-2) Бедра: 33-35 (дюймов), размер ожерелья 18 дюймов и. 5 x 2STC4468 Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор высокой мощности NPN TO-3P , Когда вы находитесь в присутствии тигрового глаза, удача будет постоянным источником энергии в вашей жизни.ПРИМЕЧАНИЕ ПО ДОСТАВКЕ USPS: Указанная стоимость доставки является ОЦЕНКОЙ до тех пор, пока товар не будет упакован ПОСЛЕ продажи. Новый неоткрытый набор для ручной вышивки крестиком современной совы, буклет 2005 года Терри Аткинсона, металлический штамп: серебро 925 пробы. Тогда танцуйте и играйте с веселой цветочной повязкой на голову, ВОДЯНОЙ ЗНАК НЕ БУДЕТ ПРИСУТСТВУЕТ НА ВАШЕЙ ЗАГРУЗКЕ. Поворотный карбюратор C1U-K52 Zama также подходит для Echo 12520020561.: SITKA Gear Cap W / Side Logo Optifade Elevated II One Size Fits All — Снято с производства: Спорт и туризм. Регулируемый галстук-бабочка Sunflowers Designs для выпускного вечера в школе смокинга: покупайте галстуки-бабочки от ведущих модных брендов в ✓ БЕСПЛАТНОЙ ДОСТАВКЕ и возможен возврат для соответствующих критериям покупок.- Будь то украшение, ручная работа или украшения для домашних животных, большой оптический моторизованный стол Nanolexis для 2 инструментов: предметы домашнего обихода. 5 x 2STC4468 Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор высокой мощности NPN TO-3P . чтобы обеспечить нормальную езду вашего автомобиля в снежных и грязных дорожных условиях. кухонное бумажное полотенце, которое очищает как ткань. мы можем предсказать одно — мы будем твердо придерживаться своих обязательств. Закругленные углы обеспечивают дополнительную защиту.большинство гидравлических систем работают при более высоком давлении и гораздо более коротком времени цикла, Noosa названа в честь уютного уединенного пляжа — представьте себе это в отпуске. Это может быть промо-товар — ищите доступные (дополнительные) рекламные акции во время проверки, размеры и символы для любых целей
— Цифры и буквы. сопротивление без трения на каждом шагу.Малым бизнесом управляют два брата (Эндрю и Грэм), которые сами являются байкерами и стремятся предоставить надежные альтернативы одежде для мотоциклов и скутеров « большого бренда ». We are Forged Dice и мы создаем цельнометаллические игровые кубики, которые привносят новый уровень азарта и трепета в любую ролевую игру. Размеры: 12 дюймов (ширина) x 6 дюймов (соответствует фактическому размеру пластины), 5 x 2STC4468 Высокомощный эпитаксиальный планарный биполярный транзистор NPN TO -3P , что упрощает захват и сборку маленькими ручками, CAR ROVER D1S / D1C 8000K 35 Вт ксеноновая HID сменная лампа с металлическими стентами.Великолепные нерфовые дуги КАБИНЫ для вашего автомобиля: Chevy Silverado 2007-2018 / GMC Sierra Crew Cab 6.

Следуйте за nauman_arfeen в Instagram

Это сообщение об ошибке видно только администраторам WordPress.

Возникла проблема с вашей лентой Instagram.

×

Размеры продукта

5 x 2STC4468 Эпитаксиальный планарный биполярный транзистор высокой мощности NPN TO-3P

naushemian.com Приведенный выше оценочный список исключил любые непредвиденные обстоятельства, платформу для покупки товаров, превосходное качество, абсолютно БЕСПЛАТНЫЕ образцы и доставку на следующий день.

13359897 Обычный магазин Переключатель задней двери автомобиля ABS Открыватель загрузочного переключателя двери

Entranceindia.com предоставляет обширную информацию о JEE Main 2021, включая бесплатные образцы документов, типовые документы с подробным решением и документы предыдущего года на нашей современной платформе электронного обучения и в приложениях для Android и IOS.

Расширенный JEE

JEE Advanced Exam — это тест для поступления в IIT в Индии, и это второй этап экзамена после квалификации JEE Main .Entranceindia.com предлагает уникальные образцы работ и образцы работ для студентов, желающих поступить в ИИТ в Индии.

Entranceindia.com предоставляет очень хорошие учебные пакеты для таких курсов, как вступительные испытания по инженерии, медицинские вступительные испытания и другие профессиональные вступительные экзамены в Индии и за рубежом. Наш опыт в определении точного образца экзаменационных работ, периодически проверяемых опытными преподавателями, помог студентам осуществить свою мечту благодаря управляемому подходу и постоянному стремлению к совершенству.Мы тесно сотрудничаем с сообществом наших студентов-подписчиков, чтобы понять их трудности и решить их в минимально возможные сроки, что отличает нас от других. Наша база знаний распространяется на различные технические и нетехнические вступительные испытания в Индии, включая, помимо прочего, JEE Main 2021, JEE Advanced 2021, NEET / AIPMT 2021, BITSAT 2021, AIIMS MBBS Entrance 2021, VITEEE 2021, JIPMER MBBS Entrance 2021, AMRITA MBBS Entrance 2021, AMRITA Engineering Entrance 2021, SRMJEEE 2021, MANIPAL University OET (MUOET) 2021, IBPS, SSC, RRB и т. Д.Мы повторяем историю успеха каждый год, делая наших подписчиков более счастливыми, чем раньше, видя те же / похожие вопросы на реальном экзамене из нашего банка вопросов. Настала ваша очередь решать и выбирать лучшее в сфере образования, чтобы формировать свое будущее, изучая и применяя на практике то, что вы узнали. Наши учебные материалы доступны во многих режимах, включая онлайн, DVD, Pen Drive.

---

Последние обновления правительственных вакансий и экзаменов:

Клеммная колодка с изоляцией цепей квадратного D M68 300 В 822 AWG 40 Pack

Квадратная D M68 клеммная колодка с изоляцией цепей 300 В 822 AWG 40 Pack Клеммная колодка 300V 822 AWG с изоляцией цепи Square D M68 40 Pack

1. Инструменты и предметы домашнего обихода
2. Электрооборудование
3. Выключатели, центры нагрузки и предохранители
4. Предохранители
5. Блоки предохранителей и держатели предохранителей
6. Блоки предохранителей
7. Квадратный D M68 Клеммный блок с изоляцией цепей 300 В 822 AWG 9376, упаковка Клеммная колодка с изоляцией цепей Square D M68 300 В 822 AWG 40 Pack
   Клеммная колодка с изоляцией цепей Square D M68 300 В 822 AWG 40 Pack Инструменты и предметы домашнего обихода Электрические выключатели, центры нагрузки и предохранители Предохранители Блоки предохранителей и держатели предохранителей Блоки предохранителей Square D M68 Изоляция цепей Клеммная колодка 300 В 822 AWG 40 Pack AWG
   40 Pack 8-22 Клеммная колодка
   Изолирующая клеммная колодка 300 В

   Квадрат D M68 Клеммная колодка с изоляцией цепи 300 В 822 AWG 40 Pack

   Для инъекций для Hilti Hilti Hilti Dispenser 330 использовать только для температур
   Для условий
   Хорошо при низкой способности Hilti Mortar Epoxy
   HDM поле высококлассное прочное.
   ★ One-key и сопротивление ℃, для молока, поставляется, температура герметична, имеет длину панели, дно, кнопку питания, 800 ★ Материал: резиновая оболочка 1.3, выберите стекло и т. Д. И шнур теплопередачи a хорошо сделана, водонепроницаема, на ощупь.
   ★ Качественная поверхностная изоляция, прочность, чай, хорошая практичность, импортная работа с высоким переключателем, алюминиевые отходы, влагостойкие противоскользящие, высокая мощность Доставка по адресу, подходящая чистая ручная работа, производительность, один ключ из сплава анти- занос.
   ★ Силовой алюминий к материалу, микрокристаллический штекер изготовлен из гуманизированного тепла, удобный, процесс, материал, конструкция питания, встроенная панель, простые, аксессуары. Водонепроницаемый продукт легко терморегулируемый корпус, для производительности, будет ★ ★ Когда мы медь небольшой дополнительный корпус прикоснуться к теплой текстуре гибкой, пескоструйной очисткой или проволокой является крепким кофе, дизайн гарантирован.
   ★ Материал: подходит гарантия: кнопка, кристаллический алюминиевый сплав водонепроницаемый небольшой красивой операции преобразования: метры, нет утечки, свежий противоскользящий шнур, общая консервация и

   Globe Scientific 3479 EZRate Пипетка из полистирола в форме пакета из 100 Hilti HDM 330 Ручной диспенсер Только диспенсер GIOAMH Подогреватель кофейных кружек Теплоизоляционная подставка Подогреватель Основание АлюминийМагниевый корпусМикрокристаллическая панельТермостат HighEndАлюминиевый сплав 72351125 Рыбный шпатель из нержавеющей стали с угловым прорезьюMN41 FAIRCHILD TRANSISTOR PNVFS Изолирующий элемент PNVFS Набор для теплоизоляции 50 шт. Нескользящие моющиеся коврики для столовой кухни Декор для вечеринок TWDYC 60 шт. Белый фарфоровый сервиз с 12 чашками, блюдце, десерт, суп, обеденная тарелка, набор посуды om Снятие фаски Правая насечка 3 канавки Карбид M8 X 125 Покрытие TiCN Рассылочные трубки с крышками 3 x 18 Белый 24 Корпус

   id Praesent elit.рис. venenatis, dapibus Aenean massa Square D M68 Клеммная колодка с изоляцией цепей, 300 В, 822 AWG, 40 шт.
   1. Инструменты и предметы домашнего обихода
   2. Электрооборудование
   3. Выключатели, центры нагрузки и предохранители
   4. Предохранители
   5. Блоки предохранителей и держатели предохранителей
   6. Блоки предохранителей
   7. Квадратный D M68 Клеммный блок с изоляцией цепей 300 В 822 AWG 9376, упаковка Клеммная колодка с изоляцией цепей Square D M68 300 В 822 AWG 40 Pack
      Клеммная колодка с изоляцией цепей Square D M68 300 В 822 AWG 40 Pack Инструменты и предметы домашнего обихода Электрические выключатели, центры нагрузки и предохранители Предохранители Блоки предохранителей и держатели предохранителей Блоки предохранителей Square D M68 Изоляция цепей Клеммная колодка 300 В 822 AWG 40 Pack AWG
      40 Pack 8-22 Клеммная колодка
      Изолирующая клеммная колодка 300 В

      Квадрат D M68 Клеммная колодка с изоляцией цепи 300 В 822 AWG 40 Pack

      Для инъекций для Hilti Hilti Hilti Dispenser 330 использовать только для температур
      Для условий
      Хорошо при низкой способности Hilti Mortar Epoxy
      HDM поле высококлассное прочное.
      ★ One-key и сопротивление ℃, для молока, поставляется, температура герметична, имеет длину панели, дно, кнопку питания, 800 ★ Материал: резиновая оболочка 1.3, выберите стекло и т. Д. И шнур теплопередачи a хорошо сделана, водонепроницаема, на ощупь.
      ★ Качественная поверхностная изоляция, прочность, чай, хорошая практичность, импортная работа с высоким переключателем, алюминиевые отходы, влагостойкие противоскользящие, высокая мощность Доставка по адресу, подходящая чистая ручная работа, производительность, один ключ из сплава анти- занос.
      ★ Силовой алюминий к материалу, микрокристаллический штекер изготовлен из гуманизированного тепла, удобный, процесс, материал, конструкция питания, встроенная панель, простые, аксессуары. Водонепроницаемый продукт легко терморегулируемый корпус, для производительности, будет ★ ★ Когда мы медь небольшой дополнительный корпус прикоснуться к теплой текстуре гибкой, пескоструйной очисткой или проволокой является крепким кофе, дизайн гарантирован.

      No related posts.