Мощные усилители на транзисторах: Схемы усилителей мощности на транзисторах, самодельные УНЧ и УМЗЧ

Содержание

Мощный усилитель на составных транзисторах

Приветствую всех зашедших!

Многим любителям музыки рано или поздно становится недостаточного того, что есть: всегда хочется, чтоб было громче, сильнее, мощнее. Для этого и создаются мощные усилители звука, например как тот, что представлен в статье. Выходной мощности в 100 ватт на канал достаточно для того, чтобы соседи в своей квартире слышали музыку как у себя дома, зато она в самый раз придётся для каких-либо концертных выступлений, дискотек и праздников, либо же просто если хочется иметь хороший запас в громкости для тех случаев, когда рядом нет соседей. Всем этим требованиям отвечает представленная ниже схема усилителя, при этом она легко собирается и настраивается, не содержит каких-либо редких или дорогостоящих элементов.



Весьма классическая схема транзисторного усилителя, которую достаточно лишь правильно собрать и настроить смещение с помощью подстроечного резистора. Для постройки стерео-усилителя необходимо собрать схему дважды — для усиления правого и левого каналов. На входе схемы стоит дифференциальный каскад на транзисторах BC640 (можно заменить на BC547), в нём желательно использовать пару транзисторов, подобранных по наиболее близкому коэффициенту усиления. Произвести отбор довольно просто, если есть транзистор-тестер или в мультиметре имеется специальная колодка и режим измерения hFE. В цепи питания каскада установлен стабилитрон на напряжение 9,1В — можно использовать любой другой на данное напряжение, например, распространённую серию BZX44C. Термостабилизация осуществляется благодаря транзистору BC547, поэтому его необходимо разместить на том же радиаторе, на котором будут установлены выходные транзисторы. Нагрев выходных транзисторов приведёт к нагреву BC547 — их температуры будут равны, соответственно и ток покоя будет оставаться постоянным. После сборки смещение нужно настроить единожды с помощью подстроечного резистора, при настройке ориентироваться нужно на падение напряжения на резисторе 0,47 Ом в цепи эмиттера выходного транзистора, как показано на схеме. Падение напряжение необходимо установить в диапазоне 10..15 мВ, во время настройки вход усилителя должен быть замкнут. Выходные транзисторы — TIP142, TIP147, составные, или транзисторы Дарлингтона, особенны тем, что имеют высокий коэффициент усиления, соответственно могут обеспечить высокую мощность усилителя без использования предварительного каскада. Все детали усилителя — крайне распространённые и недорогие, купить всё необходимое можно в любом магазине радиодеталей. При этом не стоит пытаться покупать активные элементы (в данном случае транзисторы) на Али — как правило, там присутствует большое количестве перемаркировок и подделок, использование которых может быть чревато даже разрывом корпусов элементов от перегрузок. Резисторы 0,47 Ом в выходном каскаде должны быть рассчитаны на мощность не менее 4-5Вт. Можно использовать белые керамические «кирпичики», но хорошим и компактным вариантом будет также установка попарно резисторов по 2 ватта так, чтобы их суммарное сопротивление соответствовало необходимому. Работать схема может с нагрузкой в виде динамика 4 или 8 Ом, в первом случае выходная мощность будет несколько выше.

Максимальное напряжение питания схемы составляет ±40В, оно двухполярное, то есть общий размах составит 80В. Хоть максимальное напряжение и позволит «выжать» из схемы всю заявленную мощность в 100Вт, лучше к нему не приближаться и оставить некоторый запас, питая схему от 20-30В, это положительно скажется на надёжности устройства, к тому же позволит несколько снизить интенсивность нагрева выходного каскада. В качестве источника питания подойдёт любой мощный трансформатор, при этом нужно учитывать, что трансформатор должен быть рассчитан на мощность примерно в 1,5 раза больше, чем предполагаемая выходная мощность усилителя. Для выпрямления подойдёт любой диодный мост с током не меньше 5А, конденсаторы в фильтре ёмкостью 4700-6800 мкФ, всё довольно стандартно. На картинке ниже показан отдельный блок с выпрямителем и конденсаторами фильтра, не лишним в нём будут и плавкие предохранители — они могут и не спасти электронику в случае чего, но зато не дадут сгореть трансформатору в случае короткого замыкания.


Собирается усилитель по печатной плате, скачать которую для открытия в программе Sprint Layout можно в архиве в конце статьи, там же можно найти другой вариант схемы подобного усилителя, отличающейся некоторыми номиналами. Все номиналы на печатной плате подписаны, поэтому ошибиться при сборке будет трудно, а это важный аспект в создании электронных устройств. Плата изготавливается ЛУТ-методом, после чего сверлятся отверстия, залуживаются дорожки. Элементы запаиваются в последовательности — сперва самые маленькие (резисторы, перемычки), затем более крупные. Обращать внимание следует на цоколёвку транзисторов (особенно при замене на аналоги с другой цоколёвкой), полярность электролитических конденсаторов. Внешний вид собранной платы:

Для тестов схему можно запитать от источника с небольшим напряжением, проверить работоспособность, и уже после этого подключать к выходу акустическую систему, а на вход подавать звуковой сигнал. Перед этим желательно проверить, что на выходе нет постоянного напряжения, либо его уровень не превышает нескольких милливольт. Полное питающее напряжение можно подавать только после того, как выходные транзисторы будут установлены на радиатор, размер радиатора выбирается по принципу «чем больше — тем лучше», особенно если усилитель будет использоваться на большой громкости. При этом выходные транзисторы не должны замыкать между собой через фланцы и радиатор — при установке на общий радиатор нужно предусмотреть втулки и изолирующие прокладки. Удачной сборки! Ставьте палец вверх, пишите в комментариях своё мнение и вопросы.


Источник (Source)

Facebook

ВКонтакте

Twitter

ОК

Мощные транзисторы для усилителей мощности и передатчиков Microsemi

Области рынка

Область применения

Лучшие продукты

Основное преимущество

Авионика

Передатчики системы идентификации «свой-чужой», дальномеры, Азимутально-дальномерная радиосистема ближней навигации (TACAN), система предупреждения столкновения самолётов в воздухе (TCAS), передача данных, транспондеры, системы навигации

Биполярные: 1030-1090 МГц 1400 Вт

GaN: 1030-1090 МГц 750 Вт

GaN: 915-1260 МГц 600 Вт

Высокая импульсная мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд, может изготовляться под заказ потребителя

РЛС

РЛС управления воздушным движением, первичные обзорные РЛС L/S/C-диапазона, метеорологические РЛС, РЛС для получения изображений, РЛС с активной антенной решеткой (АФАР), радиолокационные станции сопровождения

Биполярные: 1,2-1,4ГГц 370Вт

GaN: 1,2-1,4 ГГц 600 Вт

GaN: 2,7-3,1 ГГц 400 Вт

GaN: 3,1-3,5 ГГц 280 Вт

GaN: 5,3-5,9 ГГц 110 Вт

Высокая импульсная мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд, большие объемы производства, выпуск по спецификации заказчика.

Приборы для мощных импульсных систем во всей линейки продуктов (драйверы)

Индустриальное, научное и медицинское оборудование

Полупроводниковое капитальное оборудование, линейные ускорители, оборудование для сварки, сушки и нагрева, медицинское оборудование

Биполярные: VHF/UHF/L и S-диапазон

GaN: UHF/L, S и C-диапазон

Длительная доступность биполярных транзисторов, поддержка узкоспециализированных применений, высокая мощность, размеры, вес, длительная мощность и кпд.

Связь

Системы спутниковой связи, оборудование каналов передачи данных, сухопутные подвижные радиосистемы, вещание

Биполярные: VHF/UHF/ L и S диапазон

GaN: UHF/L, S и C-диапазон

Длительная доступность биполярных транзисторов.

Для GaN — размеры, вес, мощность и кпд. Выпуск под требования заказчика и поддержка узкоспециализированных применений.

Оборона/космос

Первичные обзорные РЛС L/S/C-диапазона, РЛС с активной антенной решеткой (АФАР), передача телеметрии от ракет, станции РЭБ, РЛС для получения изображений, оборудование для защищенных каналов передачи данных, навигация и сопровождение

Биполярный: 1030/1090 МГц 1200 Вт

GaN: 1,2-1,4 ГГц 600 Вт

GaN: 2,7-2,9 ГГц 500 Вт

GaN: 3,1-3,5 ГГц 280 Вт

GaN: 5,3-5,9 ГГц 110 Вт

Высокая надежность и отбор для специальных применений (оборона, космос, флот), размеры, вес, мощность и кпд.

Длительная доступность, выпуск под требования заказчика

Усилитель мощности | На MOSFET до 1000 ватт | Микросхема

Уважаемые радиолюбители! Усилители 100% работоспособные. Все (ну или 99%) нюансы обозначены в комментариях ниже, накопленных за 5-и летнюю историю с момента публикации этой статьи. Есть подборка фото 250 Вт УНЧ из данной серии, которые любезно были выложены радиолюбителем Boris’ом. В комментариях есть видео работы — в частности, комментарий №706, найдите поиском по странице, предварительно раскрыв все комментарии после статьи ↓

Скачать архив с печатками в формате .lay, любезно предоставленными радиолюбителем Юрием (комментарий №791). По всем вопросам пишите на почту автора, указанную в комментарии.

Ранее мы публиковали схему УМЗЧ с выходной мощностью 1 кВт. Но тот усилитель мощности, хотя и крайне прост в изготовлении, имеет существенные недостатки. Они, пожалуй, перечеркивают все имеющиеся плюсы. Во-первых, интегральный тип существенно ухудшает качественные характеристики усилителя мощности. Во-вторых, микросхема PA03 совсем недешева, и многим радиолюбителям она просто не по карману. Ведь для радиолюбителя очень важна стоимость и доступность входящих в электронное устройство радиодеталей. В-третьих, кроме того, что микросхема дорогая, так её ещё непросто найти.

Поэтому порадуем вас, уважаемые радиотехники, любители мощного звука и качественной звуковоспроизводящей аппаратуры, схемами транзисторного усилителя мощности. Все радиодетали доступны и популярны. А это значит, что при изготовлении печатной платы собрать представленные усилители мощности не составит труда, и обойдется недорого.

Все схемы представляют собой частные варианты классической схемы усилителя мощности на MOSFET. Что такое MOSFET? – спросят некоторые начинающие радиолюбители. Это английская аббревиатура. В полном виде MOSFET – это metall-oxide-semiconductor field effect transistor. А если по-русски, то это МОП-транзистор, а иначе полевой транзистор с изолированным затвором. На рисунках показаны строение MOSFET и их графическое обозначение. Ну это так, для полноты картины и расширения радиотехнического кругозора.

Кстати, в качестве неплохого справочного материала по полевым MOSFET ознакомьтесь с подборкой буклетов с характеристиками и возможными заменами.

Скачать

Общее описание усилителя мощности

Итак, как мы обозначили, схемы будет четыре. Все они типичные двухтактные усилители мощности на полевых транзисторах в оконечном каскаде. Применение мощных ключей на выходе является весомым аргументом. При огромной выходной мощности схемы усилителя показывают отличные результаты по коэффициенту нелинейных искажений и уровню шума. Качество собранных УМЗЧ высокое. КНИ не превышает 0,26% при 1000 ватт на выходе. А при 300 Вт составляет вообще 0,008%. Просто отлично! Усилитель мощности практически один и тот же. Изменяется только количество транзисторов в оконечном каскаде. Однако применение MOSFET требует высокого напряжения питания. В нашем случае питается усилитель мощности от двуполярного источника напряжением +/-95, +/-70 и +/-50 вольт.

Усилитель мощности 1000 ватт

Что ж, перейдём к самому интересному. Начнем рассматривать схемы усилителя в порядке уменьшения их мощности. На повестке мощность в 1 кВт. Данный вариант больше подходит в качестве сценического, но точно не домашнего. Усилитель мощности рассчитан на нагрузку 4 Ом при напряжении питании до 100 вольт в плечо, но не более. Напряжение сети в 220 вольт не позволяет поднять его выше. Пожалуй, единственный минус усилителя и кроется в питании. Для разгона УМЗЧ на полную мощность нужен трансформатор минимум в 1250…1300 ватт! Такой источник питания получится в разы дороже всех радиодеталей и монтажа самого усилителя. Хотя, конечно, разумнее использовать импульсный блок питания.

Авторский вариант схемы усилителя мощности на 1000 ватт выглядит так:

Но есть ещё модернизированный вариант:

Нетрудно заметить изменения как во входном каскаде, так и в оконечном. Также из последней схемы усилителя мощности, по опыту радиолюбителей, можно убрать диод 1N4007. Но этот совет необходимо проверять эмпирически.

В выходных каскадах стоят мощные MOSFET IRFP240.

Купить MOSFET IRFP240 вы можете здесь.

Максимальные силовые характеристики их впечатляют. Максимально допустимое напряжение сток-исток и сток-затвор до 200 вольт. Сила тока на стоке 20 ампер, пиковая до 80 ампер. Но сильно зависит от нагрева. Поэтому IRFP240 требует хорошего, лучше принудительного, отвода тепла. Напряжение затвор-исток до +/-20 В. Максимальная рассеиваемая мощность до 150 ватт.

Также есть несколько топологий печатных плат усилителя мощности. Одна вытянутая, спроектированная по типу чертежа схемы. Другая более квадратная. Входной каскад расположен в центре платы. Используйте, которая больше подходит вам.

Добавлено: топологию печатной платы и расположение радиодеталей на ней можно скачать. Ее размеры 300×75 мм.

Вот фото практически готового усилителя мощности. Вид платы со стороны монтажа:

Усилитель в сборе и радиатор:

Добавлено: вот ещё фото практически готового усилителя мощности по предствленной выше топологии печатной платы:

Готовый экземпляр на тестовом стенде:

А вот другой вариант печатной платы:

Его можно скачать в формате .PDF. Скачать

Усилитель мощности 500 ватт

Уменьшаем количество полевиков в каскаде до 12 (по 6 штук на плечо) и, соответственно, понижаем мощностные характеристики. Но напряжение питания по-прежнему +/-95 В. Мощность усилителя остается немалой, а КНИ уменьшается до 0,18%. Схема тоже не совсем однозначная. Если по накатанной применять MOSFET IRFP240, то получите 500 ватт.

Однако, опять же по советам радиолюбителей, при использовании вместо IRFP240 IRFP260 можно и из этой схемы усилителя выжать 1000 Вт. Так что вопрос остается дискуссионным. Хотя, судя по характеристикам полевика, при идентичном напряжении сток-исток и сток-затвор до 200 вольт, сила тока на стоке уже 46 ампер, пиковая до 184 ампер! А рассеиваемая мощность транзистора 280 Вт.

Купить MOSFET IRFP260 вы можете здесь.

На схеме указаны именно IRFP260.

Также стоит позаботиться о шунтирующем конденсаторе 220 пФ на MJE15035 и попробовать убрать диод 1N4007. В авторском варианте нагружается усилитель 8 Ом динамиком. Но, судя по отзывам, УМЗЧ хорошо ведет себя и при 4 Ом динамике.

Печатная плата для него имеет вид:

Ее тоже можете скачать в формате .PDF. Скачать

В итоге должно получиться следующее:

Усилитель мощности 250 ватт

Спустимся ближе к земле. Выходная мощность в 250 ватт уже не так режет ухо. Думаем, что многие радиолюбители предпочтут именно этот вариант транзисторного усилителя.

В нем применены 8 MOSFET IRFP240. Напряжение питания понижено до +/-70 В. Номинальная нагрузка 8 Ом. Радует уровень КНИ и шумов в 0,12% при номинальной выходной мощности в 250 Вт. Частотный диапазон предостаточно широк. Также не забываем про диод. Эксперимент вам в помощь. Печатная плата для рассматриваемого усилителя мощности имеет топологию:

Скачать в формате .PDF.

После монтажа получается красивая конструкция:

А вот фото печатной платы с радиаторами для транзисторов предоконечного каскада:

Усилитель мощности 125 ватт

Вот мы подошли к более приемлемой для большинства радиолюбителей и ценителей качественных акустических систем схеме усилителя мощности. Здесь применяются всего 4 MOSFET IRFP260. Конечно же, можно установить и IRFP240. Более того в базовом варианте усилителя именно эти МОПы и применяются. Так что, если будут проблемы с запуском УМЗЧ на IRFP260, то смело ставьте IRFP240. Стандартная нагрузка без каких-либо последствий 8 Ом. Напряжение понижаем до +/-50 вольт, что, естественно, не может не радовать. Т.е. 125 ваттный усилитель мощности более приземленный и реальный. А вот качественные показатели ещё выше. Даже при полной мощности КНИ равен 0,1%, а при 100 ваттах – 0,018%. Схема усилителя мощности на 125 Вт:

А вот монтаж печатной платы является частным случаем предыдущей. Просто из неё выкинуты четыре транзистора конечного каскада. Вот что получилось в итоге:

А вот, как сказано выше, базовая схема усилителя мощности на MOSFET IRFP240:

Обратите внимание на замену биполярного BD139 на полевой IRF510 и некоторые изменения в номиналах радиодеталей.

Купить IRF510 вы можете здесь.

А вот и печатная плата для нее:

Это очень надёжный и простой усилитель мощности. Показывает отличные результаты даже при сложных условиях эксплуатации.

Подведение итогов

Итак, мы имеем четыре типовых схемы одно и того же усилителя мощности звуковой частоты на мощных полевиках. В их конструкциях существенных отличий нет. В качественных показателях, в частности КНИ+шумы, имеются небольшие девиации. Но зато по мощностным характеристикам и, соответственно, энергозатратам различие солидное. Стоит отметить, что собрав входной каскад единожды и повесив для начала по одному или по два МОПа, в дальнейшем вы сможете легко изменять выходные характеристики усилителя мощности добавлением полевых транзисторов в оконечный каскад.

В базовых схемах применяются MOSFET IRFP240. Однако многие радиолюбители рационализаторы пытаются модернизировать этот усилитель мощности, поставив IRFP250, IRFP260, убирая и заменяя некоторые радиодетали. Также указывается, что с IRFP260 могут возникнуть проблемы, т.к. у него повышенная ёмкость перехода. Но это можно проверить лишь опытным путем. Надеемся, что изложенный материал поможет вам собрать заветный усилитель мощности.

Многие радиодетали для усилителей вы можете купить здесь.

Обсуждайте в социальных сетях и микроблогах

Метки: УНЧ

Радиолюбителей интересуют электрические схемы:

Для усилителя мощности 250 ватт
Ламповый усилитель

Очень Простой и Мощный Усилитель на Одном Транзисторе П210А | Дмитрий Компанец

Схема усилителя на одном П210А транзисторе

Схема усилителя на одном П210А транзисторе

Однотранзисторные схемы не так убоги как может показаться на первый взгляд.
Одного мощного транзистора П210А достаточно чтобы собрать простой и эффективный усилитель звуковой частоты используя минимум деталей.

Транзистор П210А

Транзистор П210А

Уникальные свойства такого транзистора заключаются в том, что он прекрасно работает на малых напряжениях питания без смещения.
Роль смещений при малых токах выполняет малое сопротивление перехода база- коллектор, которое заставляет пропускать ток «закрытый» транзистор.

Классическая схема усилителя с защитой динамика от постоянного тока

Классическая схема усилителя с защитой динамика от постоянного тока

Именно эта особенность позволяет строить усилительные и генераторные схемы не используя дополнительные резисторы.

Усилитель на одном транзисторе

Усилитель на одном транзисторе

Хотя ток потребления этой схемы, при питании от батареи в 9 вольт, достигает 60 мА, этот усилитель способен работать и звучать достаточно громко при питании от одной батарейки в 1,5 вольта и даже от севших батарей питания с уровнем разряда до 0,3 вольт.

Защита динамика от постоянного тока с помощью конденсатора

Защита динамика от постоянного тока с помощью конденсатора

Ток покоя такого одно-транзисторного усилителя при напряжении питания 1,5 вольт составляет всего 10мА, что соответствует току покоя многокаскадных усилителей и усилителей по схеме Д класса.
По качеству звучания такие усилители превосходят как Д класс так и многокаскадные усилители за счет уменьшения искажений из за минимума используемых деталей и узлов.

Габариты транзистора играют положительную роль, так как не требуется установка дополнительного радиатора роль которого играет медный корпус транзистора.

Именно такую схему усилителя с крупными деталями я бы рекомендовал для сборки детям увлекающимся электроникой и желающим узнать больше об устройстве сложных электрических аппаратов.

#МощныйЗвукНаОдномТранзисторе #П210УникальныйТранзистор #ПростейшаяСхемаМощногоУсилителя

Очень Простой и Мощный Усилитель на Одном Транзисторе П210А

Автор Иван Миров На чтение 2 мин Просмотров 201 Опубликовано

Однотранзисторные схемы не так убоги как может показаться на первый взгляд.
Одного мощного транзистора П210А достаточно чтобы собрать простой и эффективный усилитель звуковой частоты используя минимум деталей.

Уникальные свойства такого транзистора заключаются в том, что он прекрасно работает на малых напряжениях питания без смещения.
Роль смещений при малых токах выполняет малое сопротивление перехода база- коллектор, которое заставляет пропускать ток «закрытый» транзистор.

Именно эта особенность позволяет строить усилительные и генераторные схемы не используя дополнительные резисторы.

Хотя ток потребления этой схемы, при питании от батареи в 9 вольт, достигает 60 мА, этот усилитель способен работать и звучать достаточно громко при питании от одной батарейки в 1,5 вольта и даже от севших батарей питания с уровнем разряда до 0,3 вольт.

Ток покоя такого одно-транзисторного усилителя при напряжении питания 1,5 вольт составляет всего 10мА, что соответствует току покоя многокаскадных усилителей и усилителей по схеме Д класса.
По качеству звучания такие усилители превосходят как Д класс так и многокаскадные усилители за счет уменьшения искажений из за минимума используемых деталей и узлов.

Габариты транзистора играют положительную роль, так как не требуется установка дополнительного радиатора роль которого играет медный корпус транзистора.

Именно такую схему усилителя с крупными деталями я бы рекомендовал для сборки детям увлекающимся электроникой и желающим узнать больше об устройстве сложных электрических аппаратов.

#МощныйЗвукНаОдномТранзисторе #П210УникальныйТранзистор #ПростейшаяСхемаМощногоУсилителя

Источник

  • Об авторе
  • Хотите связаться со мной?

Уже лет 20 работаю своими руками. Пробовал и сантехнику, монтаж конструкций, есть свое маленькое производство. Друзья постоянно спрашиваю как сделать разные вещи. Вот и делюсь я с вами своими идеями в интернете.

Russian HamRadio — Усилитель мощности на МОП

Современные мощные МОП транзисторы работоспособны в широком интервале частот (1,8…175 МГц) н позволяют получить выходную мощность более 30 Вт. Эти транзисторы обеспечивают усиление по мощности 15…18 дБ и имеют превосходные интермодуляционные характеристики. Новые серии полевых МОП-транзисторов, выпускаемые фирмой Motorola и рядом японских производителей, обладая приведенными выше достоинствами, позволяют получить мощность до 100 Вт на одном транзисторе. По стоимости они сравнимы с обычными выходными лампами.

Преимуществом применения мощных полевых транзисторов в усилителях является их устойчивость в случае отключения антенны или нагрузки, что позволяет обойтись без цепей защиты при увеличении КСВ. Вероятность выхода из строя в такой ситуации мощного полевого транзистора

гораздо меньше, чем биполярного.

Входная и выходная емкости МОП-транзисторов не изменяются в зависимости от рабочей частоты или уровня входного сигнала, что упрощает проектирование усилителей мощности па полевых транзисторах, способных отдавать постоянную мощность в широком интервале частот.

Благодаря высокому входному импедансу полевого транзистора (более 1 МОм по постоянному току) разработка схемы входной цепи достаточно проста. В этом случае для достижения требуемой величины входного имепеданса (50…100 Ом) используют резистор, включаемый параллельно входу.

Резистор между затвором полевого транзистора н корпусом служит также частью делителя для подачи на затвор напряжения смещения. Данный вид соединения является более удобным, чем применение входного широкополосного трансформатора с импедансом 50 Ом. По сравнению с полевым транзистором, биполярный обладает меньшим входным импедансом (порядка 10 Ом), в силу чего более сложным становится обеспечение его согласования с трансформатором.

Внутреннее сопротивление полевого транзистора в проводящем состоянии мало (0,25…1 Ом), что дает значительное уменьшение рассеиваемой мощности.

Следует отметить, что для полной раскачки усилителя на полевых транзисторах требуется не­большая мощность подаваемого сигнала. Так, например двухтактный каскад на транзисторах MRF-13S обеспечивает на частоте 7 МГц достижение выходной мощности 60 Вт при мощности входного сигнала всего лишь 288 мВт.

Кое-что о недостатках.

В первую очередь следует отметить вероятность самовозбуждения в области ОВЧ, обусловленную очень широкой полосой рабочих частот полевых МОП-транзисторов. Например для серии MRF усиление составляет около 15…18 дБ на частоте 30 МГц и уменьшается до 10 дБ при 175

МГц.

Для предотвращения самовозбуждения на ОВЧ принимают те же меры, что и для каскадов на лампах уменьшение входного импеданса, последовательное включение в цепь затвора резистора и установка ферритовой трубочки в цепи стока. Следует обратить внимание на хорошую развязку входных и выходных цепей. Полевой транзистор может выйти из строя быстрее, чем биполярный, так как он весьма чувствителен к большим напряжениям затвора и стока, в частности, к перенапряжениям, возникающим в случае самовозбуждения.

Для защиты транзистора можно установить стабилитроны между затвором и корпусом (рис.1), однако это приводит к некоторому увеличению входной емкости. Рекомендуется подключить диоды защиты на этапе экспериментального монтажа, и затем снять их после создания окончательного варианта схемы и устранения любой возможности самовозбуждения.

Разработка и изготовление усилите­ля мощности на полевых МОП-транзисторах не вызывают затруднений, если четко выполняются предупреди­тельные меры. В первую очередь следует обратить внимание на печатную плату. При размещении деталей на ней необходимо позаботиться, чтобы входные цепи оказались максимально уда­лены от выходных.

Токопроводящие дорожки печатной платы должны быть короткими, желательно избегать их изгибов под прямыми углами. В зависимости от того, насколько рационально продумай рисунок печатной платы, паразитная емкость дорожки относительно шины земли может иметь величину от 5 до 50 пФ.

Если для диапазона ОВЧ подобные значения емкости являются значительными, то в области ВЧ (1,5…30 МГц) их наличие не порождает проблем. Фактически на этих частотах паразитные емкости оказываются даже полезными. уменьшая возможность самовозбуждения на ОВЧ.

В схеме, показанной на рис.2, приняты меры по устранению вероятности самовозбуждения. Резисторы R1 н R2 определяют входной импеданс каскада VT1 и служат делителем напряжения смешения транзистора. Уменьшение величины R2 улучшает устойчивость работы схемы. Элементы R3, С1 и С2 образуют стабилизирующую RC-развязку, причем С1 играет свою роль для диапазона ВЧ, а С2 — для ОВЧ. Z1 представляет собой маленькую ферритовую трубочку (бусинку), надетую на проводник вблизи затвора полевого транзистора, которая в сочетании с R4 препятствует самовозбуждению схемы на ОВЧ. Можно также использовать 2…3 бусинки из феррита с большей магнитной проницаемостью (125…900).

Сопротивление резистора R4 может быть в пределах 10…27 Ом. Конденсатор СЗ устанавливается в усилителе, проектируемом для работы в одном частотном диапазоне. Реактивное сопротивление СЗ должно быть больше учетверенной величины выходного импеданса. Например для диапазона 3,5 МГц его емкость составляет 680 пФ, С4…С7 н L1 образуют цепь развязки стока от источника питания.

Регулировка выходной мощности каскада на полевом транзисторе может проводиться без изменения уровня входного сигнала путем изменения напряжения смещения затвора. Так, например максимальная выходная ВЧ мощность усилителя, равная 125 Вт, может быть уменьшена всего до I Вт изменением напряжения смещения затвора с +3 В до -10 В. Это весьма удобно в усилителях CW и FM, но не рекомендуется для режима SSB из-за уменьшения линейности.

Может возникнуть вопрос: делать усилитель широкополосным или узкополосным? Очевидно, лучше использовать ВЧ-усилитель на мощных полевых транзисторах в узкой полосе час­тот, подобно ламповым усилителям, из-за более высокого значения КПД.

Например усилитель на мощном полевом транзисторе VN67AS, работающий в диапазоне 28 МГц в режиме класса С, имеет КПД порядка 85%, а для широкополосного двухтактного каскада в режиме класса В величина КПД составляет 72,6%. Для широкополосного усилителя в режиме класса АВ КПД уменьшается до 40…50%.

Усилитель, схема которого приведена на рис.3, имеет выходную мощность 60 Вт. Его транзисторы работают в режиме класса В при напряжении питания 28 В. На частоте 7 МГц при токе потребления 2,95 А КПД усилителя равен 72,6%. Транзисторы работают при напряжении смешения затвора около +1 В. Коэффициент усиления по мощности составляет 23 дБ.

Усилитель может использоваться в диапазонах от 160 м до 10 м при смене только выходного фильтра.

Четыре резистора по 220 Ом определяют величину межзатворного импеданса порядка 210 Ом. Трансформатор Т1 на фсррнтовом кольце с коэффициентом трансформации 4:1 понижает входной импеданс усилителя до 50 Ом. Параллельно включенные резисторы 3,3 кОм и 2,7 кОм образуют с резисторами затворов делитель для получения необходимого напряжения смешения. Для предотвращения самовозбуждения затворы подключены через резисторы по 15 Ом с надетыми на один из их выводов фсрритовымн бусинками.

Т2 представляет собой высокочастотный дроссель с противофазным включением обмоток, намотанных на ферритовом кольце.

ТЗ является широкополосным трансформатором, преобразующим импеданс 25 Ом между стоками в требуемый для одноднапазонного фильтра 50-омпый. Для увеличения импеданса соотношение витков должно быть 1,5:1 (2 витка первичной обмотки и 3 витка вторичной).

Выходной ФНЧ обеспечивает по­давление гармоник на 70 дБ.

При переводе усилителя в режим класса С на затворы транзисторов по­дается пулевое напряжение смешения. В этом случае при прежней мощности возбуждения выходная мощность каскада составляет 52 Вт, ток потребления — 2,75 А. Немного увеличив входной сигнал, можно восстановить прежнюю величину (60 Вт) выходной мощности. Коэффициент полезного действия для класса С — 67,5%.

Конструкция.

Усилитель был разработан для работы и одном диапазоне. В силу этого выходной фильтр установлен на общей с остальными деталями печатной плате. При желании использовать усилитель для работы на нескольких диапазонах печатная плата может быть укорочена (по пунктирной линии на рис.5)

, и в этом случае фильтры монтируются на другой плате вблизи переключателя диапазонов.

Т1 — согласующий трансформа­тор 4:1, изготавливается трифилярной намоткой 10 витков медного провода в эмалевой изоляции диаметром 0,33 мм сквозь 2 ферритовые трубочки, склеенные эпоксидным клеем, или 12 витков трифилярной намотки на сердечнике FT50-43;

Т2 — дроссель с противофазными обмотками, имеет 12 витков бифилярной намотки медного провода в эмалевой изоляции диаметром 0,65 мм на тороидальном сердечнике FT50-43:

ТЗ — широкополосный трансформатор, первичная (два витка провода диаметром 1 мм в пластиковой пли тефлоновой изоляции) и вторичная (3 витка такого же провода) об­мотки намотаны сквозь отверстия двух ферритовых трубочек, склеенных между собой эпоксидным клеем.

Катушки фильтра L1…L4 намотаны проводом диаметром 0,65 мм на тороидальных сердечниках Т68-6, число витков для L1 и L4 с индуктивностью 0,79 мкГн — 13, а для L2 н L3 с индуктивностью 1,74 мкГн — 19.

Печатная плата усилителя на рис 4.

Расположение деталей на печатной плате рис 5.

Печатная плата усилителя крепится над радиатором с зазором между ними около 3 мм. Это позволяет установить транзистор с минимальной механической нагрузкой на его корпус. Радиатор имеет те же габариты, что н плата. Излучающую поверхность радиатора лучше сделать ребристой.

Входной и выходной коаксиальные разъемы крепятся к радиатору с помощью уголков.

Катушки индуктивности выходных фильтров наматываются на ферритовых кольцах, а конденсаторы этих фильтров могут быть полистироловыми для частот менее 14 МГц или слюдяными для частот более 14 МГц. Выводы конденсаторов максимально укорачиваются для уменьшения их индуктивности.

Элементы Z1 …7.1 изготовлены продеванием проводника или вы­вода соответствующего резистора сквозь отверстия одной или, что лучше, нескольких ферритовых бусинок с внешним диаметром от 2 до 5 мм.

 

Перевод М. Сидоренко.

По материалам QST

N3/83.

 

материал подготовил А. Кищин (UA9XJK)

Особенности применения мощных GaN СВЧ-транзисторов

Введение

 Мощные (>1 кВт) биполярные СВЧ-транзисторы, оптимизированные для импульсных применений, работающие на частотах в несколько гигагерц, доступны на рынке на протяжении нескольких десятков лет. Биполярная технология хорошо изучена, надежна и широко используется во многих усилительных системах. При импульсном режиме работы биполярные транзисторы имеют ряд преимуществ перед LDMOS и GaN HEMT (ТВПЭ) приборами: наиболее простое и дешевое схемо­техническое решение усилителя, работа в классе С, что позволяет добиться минимального уровня шумов, попадающих на вход приемника в режиме отсутствия импульса, также не ухудшается усредненный КПД усилителя из-за наличия тока покоя. Однако есть и недостатки: как правило, для мощных биполярных транзисторов используются корпуса из токсичного оксида бериллия (BeO), вносящие значительный вклад в стоимость транзистора. Помимо этого, биполярные транзисторы обладают сравнительно небольшим усилением: около 9 дБ для киловаттного транзистора по сравнению с 18–20 дБ у LDMOS- и GaN-приборов сравнимой мощности. Это приводит к увеличению числа каскадов усиления и, соответственно, размеров и стоимости усилителя, уменьшению его общего КПД.

LDMOS-транзисторы с мощностями порядка киловатта появились около 10 лет назад. При работе в импульсном режиме первые образцы были подвержены эффекту защелкивания унаследованного паразитного биполярного транзистора, что приводило к выходу LDMOS-прибора из строя. Дело в том, что в импульсном режиме за короткий период времени происходит значительное изменение тока в цепи стока транзистора, а поскольку в цепи стока содержатся индуктивные элементы, то быстрое изменение di/dtприводит ко всплеску напряжения, что, в свою очередь, влечет за собой защелкивание транзистора и выход его из строя. Чем больше мощность прибора, тем более высоких значений достигают токи в цепи стока и тем больших значений достигает всплеск напряжения, что делает мощные LDMOS-транзисторы более восприимчивыми к подобному типу отказов. И хотя современные LDMOS-приборы гораздо надежней своих предшественников, выход их из строя по вышеуказанным причинам все же возможен. Тем не менее мощные LDMOS-транзисторы выпускаются рядом производителей и находят свое применение в авионике, включая такие системы, как IFF, SSR, TACAN/DME, а также в радарах L‑диапазона. Как уже упоминалось выше, LDMOS-транзисторы обладают большим усилением по сравнению с биполярными, их стоимость, как правило, ниже из-за того, что в конструкции транзистора не используются дорогие корпуса из оксида бериллия, однако КПД усилителя на таких транзисторах ниже на 5–10% по сравнению с подобным усилителем на биполярных транзисторах — из-за режима работы в классе АВ, тогда как биполярные транзисторы работают в классе С.

В последнее время на рынке появились GaN-транзисторы для систем авионики и радарных применений L‑диапазона с выходной мощностью порядка одного киловатта. Эти приборы обладают таким же усилением, как и LDMOS-транзисторы, и имеют сравнимую цену, однако их КПД выше, чем у других типов транзисторов (около 80%). Высокая эффективность достигается за счет множества факторов, например меньшего сопротивления во включенном состоянии (из-за высокой мобильности двумерного электронного газа в пределах эпитаксиального слоя), а также возможности обеспечить оптимальное значение импеданса на гармониках сигнала из-за меньшей емкости полупроводниковой структуры. Также небольшая емкость транзистора обеспечивает высокие значения импеданса на его выходе, что позволяет понизить соотношение цепи согласования импедансов и, соответственно, уменьшает потери при согласовании.

При всех своих достоинствах перед биполярными транзисторами, применяемые в радарах и системах авионики LDMOS- и GaN-транзисторы имеют существенный недостаток — работу в режиме АВ, что означает, что даже в режиме покоя усилительный каскад будет потреблять энергию. Ток покоя прямо пропорционален выходной мощности транзистора, что увеличивает энергопотребление и создает проблемы с рассеянием тепла для мощных приборов. Как правило, радары и системы авионики работают с импульсными сигналами с коэффициентом заполнения порядка 10%, что означает, что через транзистор будет проходить ток покоя на протяжении 90% времени. На рис. 1 показано влияние тока покоя на усредненный КПД работы 1-кВт GaN-транзистора в системе IFF/SSR. Как видно из представленных данных, КПД во время прохождения импульса составляет 81,5%, тогда как усредненный КПД уменьшается до 75,2% из-за тока покоя в отсутствие импульса.

Другим серьезным недостатком использования GaN- и LDMOS-транзисторов является дробовой шум [4], создаваемый усилительным каскадом в режиме покоя, который определяется соотношением

In2 = 2qIdqB,

где: In2 — действующее значение шумового тока; q — заряд электрона; Idq — ток покоя стока; В — полоса частот. Дробовой шум, попадая на вход приемника, может привести к десенсибилизации последнего.

И, наконец, еще одним недостатком GaN является то, что полупроводниковые приборы на его основе работают в режиме обеднения (depletion mode), что на практике означает необходимость подачи двуполярного напряжения в определенной последовательности: вначале необходимо подать напряжение на затвор транзистора, а затем на его сток — для предотвращения протекания значительного тока через транзистор и его выхода из строя.

Во избежание снижения эффективности работы усилителя и уменьшения уровня дробового шума необходимо добиться уменьшения тока покоя до нуля в режиме отсутствия импульса. Это можно сделать, управляя напряжением на затворе или стоке транзистора синхронно с поступлением импульса. Управление напряжением на затворе легче реализовать, чем управление напряжением стока, т. к. в последнем случае для мощных транзисторов необходимо коммутировать токи около 20 А. Однако при управлении напряжением на затворе ток покоя не исчезает и составляет несколько миллиампер, тогда как во втором случае он уменьшается до нуля. Ниже рассмотрена конструкция цепей, обеспечивающих необходимую последовательность подачи/снятия питания GaN-транзистора, а также управление напряжением смещения на затворе синхронно с поступлением ВЧ-импульса на вход транзистора. Помимо всего прочего, применение данной схемы позволяет отказаться от источника отрицательного напряжения и перейти на однополярное питание.

 

Конструкция и анализ результатов применения цепей управления питанием и подачи смещения

На рис. 2 показана упрощенная блок-схема цепей, обеспечивающих необходимую последовательность подачи питания GaN-транзистора, а также управление напряжением смещения на его затворе при поступлении ВЧ-импульса на вход. На рис. 3 изображена более подробная принципиальная схема части данных цепей. Для безопасной работы транзистора необходима подача отрицательного смещения на затвор перед подачей напряжения на сток транзистора. В идеале при первичной подаче питания на усилитель (во время нарастания напряжения на стоке) и отключении питания (спада напряжения на стоке) необходимо перевести транзистор в режим отсечки.

Рис. 2. Упрощенная блок-схема цепей, обеспечивающих необходимую последовательность подачи питания GaN-транзистора, а также управление напряжением смещения на его затворе

Приведенная подробно на рис. 3 часть схемы отвечает за правильную последовательность подачи и снятия напряжения питания при включении/выключении усилителя и формирование отрицательного напряжения смещения –5 В. За управление напряжением затвора отвечает часть цепей, приведенная в виде блок-схемы. Подробно работа данной схемы разобрана в [2]. Остается отметить, что цепи управления питанием потребляют около 17 мА при питающем напряжении 50 В.

Рис. 3. Часть принципиальной электрической схемы цепей, обеспечивающих необходимую последовательность подачи питания GaN-транзистора

Для оценки эффективности работы были произведены соответствующие измерения для усилительного субмодуля (паллеты) на основе транзистора IGN1214M500 [5], где на единой плате были размещены СВЧ-цепи усилителя, а также цепи управления питанием и напряжением смещения на затворе. Данный усилитель обеспечивает выходную мощность порядка 500 Вт в диапазоне частот 1,2–1,4 ГГц при КПД порядка 60% и усилении 13,5 дБ. Для сравнения, вышеуказанный транзистор был установлен в тестовую плату без цепей управления питанием затвора. На рис. 4 приведена форма управляющего напряжения на затворе транзистора в случае управления напряжением.

Рис. 4. Форма управляющего напряжения на затворе транзистора в случае управления напряжением смещения

На рис. 5 приведены формы нарастания и спада ВЧ-импульса в случае управления напряжением смещения на затворе.

Рис. 5. Формы нарастания и спада ВЧ-импульса в случае управления напряжением на затворе

На рис. 6 приведены формы нарастания и спада ВЧ-импульса для транзистора, установленного в тестовую плату без цепей управления напряжением на затворе.

Рис. 6. Формы нарастания и спада ВЧ-импульса без управления напряжением на затворе

Как видно из данных, представленных на рис. 5 и 6, в случае управления напряжением смещения на затворе время нарастания/спада импульса составляет соответственно 100 и 16 нс. При отсутствии управления это же время составляет 59 и 15 нс. Рисунок 7 демонстрирует, что задержка между входным и выходным импульсом составляет около 10 нс.

Рис. 7. Задержка выходного импульса (синяя линия) от входного (желтая линия)

Помимо измерения временных параметров импульса, сравнивались уровни шумов на выходе усилителей с управлением напряжением смещения затвора и без него (табл.). Как следует из табличных данных, применение схемы управления смещением напряжения затвора позволило понизить уровень шума на выходе усилителя на 34 дБ.

Таблица. Сравнение выходных шумов усилителей с управлением напряжением смещения затвора и без него

Частота (ГГц)

Входной уровень шума (дБм/Гц)

Выходной уровень шума без управления напряжением смещения затвора (дБм/Гц)

Выходной уровень шума с управлением напряжением смещения затвора (дБм/Гц)

1,2

–126

–113

–147

1,3

–126

–113

–147

1,4

–126

–113

–148

Для достижения более стабильных характеристик усилителя в широком диапазоне температур рекомендуется предусматривать термокомпенсационные цепи, обеспечивающие постоянное значение тока покоя стока транзистора. Типовая реализация подобной цепи на основе p‑n‑p‑транзистора MMBT2907 приведена на рис. 8, где температурно-зависимое напряжение база–эмиттер транзистора служит основой для формирования компенсирующего напряжения.

Рис. 8. Схема типовой термокомпенсационной цепи на основе p-n-p-транзистора MMBT2907

Зависимость тока покоя стока Idqтранзистора IGN1214M500 от температуры приведена на рис. 9, а зависимость напряжения на затворе того же транзистора от температуры (при постоянном значении Idq) — на рис. 10.

Рис. 9. Зависимость тока покоя стока Idq транзистора IGN1214M500 от температуры

Как показывают графики, представленные на рисунках, для данного транзистора требуется температурная компенсация напряжения смещения порядка +0,6 мВ/°C.

Рис. 10. Зависимость напряжения Vgs (затвор–исток) транзистора IGN1214M500 от температуры (при постоянном значении тока покоя стока Idq)

 

Практическая реализация мощного (1 кВт) усилительного субмодуля S‑диапазона c цепями управления подачей питания и напряжением смещения затвора транзистора

Применяя технические решения, описанные в первой части статьи, можно создать достаточно компактный усилитель для радарных применений, обладающий высокой выходной мощностью и хорошим КПД, легко встраиваемый в систему заказчика. В качестве примера можно привести усилительный субмодуль (паллету) S‑диапазона с выходной мощностью 1 кВт, включающий в себя цепи управления подачей питания и напряжением смещения затвора транзистора. Данный усилитель предназначен для работы в составе систем УВД в диапазоне частот 2,7–2,9 ГГц и импульсным сигналом с длительностью импульса порядка 300 мкс и коэффициентом заполнения 10%. Высокая выходная мощность достигается за счет сложения мощностей двух 500‑Вт транзисторов IGN2729M500 при помощи сумматора Гуселя (Gysel combiner). На входе же установлен делитель Вилкинсона. Общий вид усилителя приведен на рис. 11. В левой части усилителя хорошо видны цепи, предназначенные для обеспечения правильной последовательности подачи питания, а также управления напряжением смещения на затворах транзисторов.

Рис. 11. Усилительный субмодуль (паллета) S-диапазона с выходной мощностью 1 кВт

Для получения номинальной выходной мощности мощность входного сигнала должна быть около 74 Вт. Минимальное заявленное усиление составляет 11,3 дБ. По результатам измерений минимальное усиление оказалось равным 11,5 дБ при КПД = 51%. «Проседание» импульса на выходе усилителя, измеренное в интервале 30–270 нс, составило –0,17 дБ на частоте 2,9 ГГц. Наихудшее значение возвратных потерь в рабочем диапазоне частот составило 14 дБ. В целом, усилитель показал отличную стабильность к рассогласованию по выходу вплоть до значений КСВН 5:1.

Рис. 12. Зависимость выходной мощности усилителя от мощности на его входе

Зависимость выходной мощности усилителя от мощности, поданной на его вход, приведена на рис. 12. Как видно из представленных на этом рисунке данных, при подаче на вход сигнала мощностью 74 Вт усилитель обеспечивает выходную мощность более 1050 Вт во всем диапазоне рабочих частот.

Рис. 13. Зависимость усиления от выходной мощности усилителя

На рис. 13 показана зависимость усиления от выходной мощности усилителя, а на рис. 14 — АЧХ усилителя. Из данных, представленных на рис. 14, видно, что неравномерность усиления не превышает 0,75 дБ в полосе частот 2,7–2,9 ГГц.

Рис. 14. АЧХ усилителя

На рис. 15 приведена зависимость КПД усилителя от выходной мощности. Как и ожидалось, максимальный КПД усилителя достигается в режиме насыщения. Минимальное значение КПД в полосе рабочих частот составило 51%.

Рис. 15. Зависимость КПД усилителя от его выходной мощности

 

Заключение

В статье рассмотрены особенности применения мощных СВЧ GaN-транзисторов в режиме АВ при усилении импульсного сигнала и приведены технические решения, позволяющие избежать некоторых недостатков использования подобных приборов. В частности, представлены специальные цепи, обеспечивающие правильную последовательность подачи/снятия напряжения питания усилителя, предотвращающую выход GaN-транзисторов из строя, и устраняющие необходимость двуполярного питания. Также рассмотрены меры по увеличению усредненного КПД усилителя и снижению дробового шума усилителя в режиме отсутствия импульса и приведена схема цепей, управляющих напряжением смещения на затворе транзистора. Помимо этого, рассмотрен вопрос обеспечения стабильности параметров усилителя при изменении температуры путем введения специальной термокомпенсационной цепи. Представлены результаты измерений, показавшие эффективность предложенных решений. В качестве примера практической реализации рассмотренных решений приведены характеристики 1‑кВт усилительного субмодуля (паллеты) S‑диапазона.

Литература
  1.  D. Koyama, A. Barsegyan, J. Walker. Implications of Using kW-level GaN Transistors in Radar and Avionic Systems.
  2.  A. Barsegyan, V. Thangam, D. Koyama. Bias Sequencing and Gate Pulsing Circuit for GaN Amplifier.
  3.  A. Barsegyan, D. Koyama, V. Thangam. S‑Band 1000 Watt Gallium Nitride Based Pallet Amplifier for Air Traffic Control Radars with Gate Pulsing and Bias Sequencing Circuitry.
  4.  J. Millman, C. C. Halkias. Electronic Devices and Circuits. New York: McGraw-Hill. 1967.
  5.  http://www.integratech.com/ProductDoc.ashx?Id=958 /ссылка утрачена/

Топ 5 лучших транзисторов для схем усилителей мощности звука

Если ваши колонки издают сигнал с низкой громкостью, и вы устали от него, инвестирование и установка нового транзистора может быть всем, что вам нужно для усиления вашей звуковой мощности. Если вы знаете, как установить и создать схему звукового усилителя, этот компонент будет довольно недорогим, и его легко найти, если вы знаете, где искать и что ищете. В зависимости от того, насколько сильным должен быть сигнал и какую акустическую систему вы используете, вы сможете найти идеальный транзистор для ваших нужд, доступный для доставки непосредственно с Amazon.Они идеально подходят для увеличения мощности вашей аудиосистемы.

Наш лучший выбор

В этой статье мы рассмотрим 5 самых популярных и проверенных транзисторов для схем усилителя мощности, которые доступны для доставки прямо сейчас на Amazon, а также включим описание и соответствующую ссылку, чтобы вы могли быть просто Один щелчок мышки — и вы получите идеальный транзистор для вашего конкретного усилителя мощности звука.

# 1) Кремниевый силовой транзистор NTE181 NPN от NTE Electronics

Это мощный кремниевый силовой транзистор с усилением звука на 100 В, 30 А, изготовленный NTE Electronics.В настоящее время он имеет пользовательский рейтинг 5 звезд на Amazon.com и доступен на момент написания этой статьи за 9,78 долларов США с бесплатной доставкой при заказах на сумму более 25 долларов США. Он способен выдерживать температуры от -65 до 200 градусов по Цельсию, что означает, что он имеет очень высокий температурный диапазон и должен выдерживать экстремальные сигналы и условия. Его мощность составляет 200 Вт. Если вас интересует этот мощный кремниевый силовой транзистор с усилителем звука, нажмите кнопку «Купить» ниже, чтобы перейти непосредственно к его листингу на Amazon.com. Купить на amazon >>

# 2) Кремниевый NPN-транзистор MJ802 от NTE Electronics

Это кремниевый NPN-транзистор на 100 В, 30 А, снова производства NTE Electronics. В настоящее время он имеет рейтинг пользователей на Amazon 5 звезд и доступен на момент написания этой статьи за 8,17 доллара США с бесплатной доставкой для всех заказов независимо от суммы. Он способен выдерживать температуры до 200 градусов по Цельсию, что означает, что он может выдавать очень сильные сигналы, не беспокоясь о трещинах или деформациях, и может выдерживать экстремальные условия.Это надежный транзистор, который хорошо подойдет вашим потребностям и прослужит долгое время, обеспечивая при этом практически неограниченный уровень громкости. Если вы думаете, что вас заинтересует этот кремниевый NPN-транзистор, нажмите кнопку «Купить» ниже, и вы попадете прямо на его листинг на Amazon.com. Купить на amazon >>

# 3) Кремниевый комплементарный транзистор NTE285 PNP от NTE Electronics

Это кремниевый комплементарный PNP-транзистор на 180 В, 16 ампер, который, опять же, производится NTE Electronics.У него текущий рейтинг пользователей на Amazon 5 звезд, и на момент написания этой статьи он продается по цене 10,69 долларов США с бесплатной доставкой еще раз для всех заказов, общая стоимость которых превышает 25 долларов США. Это отличный дополнительный PNP-транзистор, сделанный из прочного силикона, который может выдерживать высокие температуры и обеспечивать максимальную громкость с помощью мощных сигналов. Если вы заинтересованы в покупке этого дополнительного кремниевого транзистора PNP, не стесняйтесь нажимать кнопку покупки ниже, и вы попадете прямо в соответствующий список на Amazon.com. Купить на amazon >>

# 4) Кремниевый PNP-транзистор MJ4502 от NTE Electronics

Это мощный дополнительный аудиоусилитель на 100 В, 30 А, который предназначен для работы в тандеме с кремниевым NPN транзистором MJ802, оба производимых NTE Electronics. На момент написания статьи он доступен по цене 3,94 доллара США с доставкой 1,99 доллара США. Максимальная температура, как и у кремниевого NPN-транзистора MJ802, составляет 200 градусов по Цельсию, а это означает, что оба, работая вместе, должны быть в состоянии выдерживать очень сильные сигналы, подаваемые с такой большой громкостью, насколько вы можете захотеть.Как и другие вышеупомянутые транзисторы, производимые NTE Electronics, этот продукт изготовлен из высококачественного и прочного силикона, который выдержит все, что вы можете в него бросить, и прослужит вам долгое время. Если вы являетесь тем, кто был бы заинтересован в покупке этого кремниевого транзистора PNP в качестве дополнительного дополнения к кремниевому транзистору NPN MJ802, все, что вам нужно сделать, это перейти к кнопке покупки ниже, щелкнуть по ней, и вы попадете прямо в соответствующий листинг продукта на Amazon.com. Купить на amazon >>

# 5) Кремниевый комплементарный транзистор NTE280 NPN от NTE Electronics

Это кремниевый усилитель мощности мощностью 140 В, 12 А, изготовленный, как и остальные, NTE Electronics. На момент написания этой статьи она в настоящее время доступна на Amazon по цене 7,55 долларов США с бесплатной доставкой для любого заказа, стоимость которого превышает 25 долларов США. Это, как и кремниевый PNP-транзистор MJ4502, дополнительный транзистор, который работает в тандеме с другим транзистором для значительного усиления аудиосигнала.Как и все остальное, он сделан из прочного силикона и способен выдерживать невероятно высокие температуры. Это высококачественный и мощный дополнительный транзистор, который прослужит вам долгие годы и обеспечит максимальное усиление вашей звуковой системы при использовании в тандеме с правильным транзистором. Если вы думаете, что вы тот, кто был бы заинтересован в покупке этого кремниевого комплементарного транзистора NPN, нажмите кнопку «Купить» ниже, и вы попадете прямо в его список на Amazon.com. Купить на amazon >>

Итак, у вас есть 5 лучших транзисторов для схемы усилителя мощности звука, которые в настоящее время доступны на Amazon, на основе оценок и отзывов пользователей. Надеюсь, эта статья смогла помочь вам выяснить, какой транзистор лучше всего подходит для ваших нужд, чтобы вы могли быть на пути к прослушиванию музыки в своей машине или домашней акустической системе на выбранной вами громкости! Любой из этих транзисторов для усиления мощности звука станет отличным дополнением к вашей акустической системе и, вероятно, прослужит вам долгое время, даже если вы планируете воспроизводить музыку на невероятно высокой громкости.

Читайте также:

Советы по выбору лучших транзисторов для усилителя мощности звука

В целом, если вам нужен лучший транзистор для схемы аудиоусилителя, он должен хорошо делать электрический сигнал более мощным. Это то, о чем вам нужно думать, когда вы просматриваете различные атрибуты и характеристики транзистора.

Ниже приведены 5 основных советов по выбору лучшего транзистора для схемы усилителя мощности звука.

1) Проверьте обзоры

Возможно, вы новичок в понимании транзисторов и понимании того, какие из них являются лучшими усилителями.Вот почему вы должны ценить мнение других людей, которые уже опробовали различные транзисторы и самостоятельно определили, какой из них лучше всего подходит для усиления звука. Вы можете легко просмотреть список 10 лучших транзисторов в Google и ознакомиться с отзывами клиентов о лучших транзисторах на рынке, особенно о тех, которые продаются на Amazon. Найдите транзистор, который люди хвалят больше всего за его способность к усилению мощности.

2) Ищите кремниевые полупроводники

Полупроводниковый материал транзистора является решающим фактором, который следует учитывать при размышлениях об усилении.Если полупроводниковый материал изготовлен из пластика или резины, то он больше подходит для отключения электрического тока или предотвращения его дальнейшего прохождения через цепи. Но если вам нужен транзистор, который обслуживает усилитель мощности, то ищите транзистор с кремниевым материалом в качестве основы его полупроводника. Вы найдете кремний, используемый в большинстве полупроводников, производимых сегодня, особенно в компьютерах и мобильных телефонах.

3) Смещение базы постоянного тока

Когда входные сигналы достигают транзистора, для усиления всех сигналов потребуется смещение базы постоянного тока.По сути, это процесс, при котором в схему подается постоянное напряжение, чтобы помочь ей функционировать. Усиление происходит, когда переход коллектор-база становится смещенным в обратном направлении, а переход эмиттер-база становится смещенным в прямом направлении. Если транзистор не имеет смещения базы постоянного тока, этот процесс не может иметь места.

4) Спросите электрика или специалиста по аудиосистеме

Электрический жаргон может сбить с толку непрофессионала. Когда вы слышите о смещении базы постоянного тока, трехконтактных слоях и других сложных языках о транзисторах, у вас все еще может возникнуть путаница.В конце концов, вы просто пытаетесь найти лучший транзистор для усиления мощности. Поэтому почему бы просто не спросить электрика или эксперта по звуку, какой, по их мнению, может быть лучший транзистор? Их мнение, вероятно, будет лучшим, к чему стоит прислушаться.

5) Опробовать использованные транзисторы

Вы можете купить бывшие в употреблении транзисторы в Интернете или в магазинах бывших в употреблении электронных компонентов. Если вы настроены поэкспериментировать с разными транзисторами, вам следует приобрести дюжину различных типов транзисторов и проверить их на своем усилителе мощности.Транзисторные устройства стоят не больше пары долларов каждое, так что это доступный эксперимент. Затем посмотрите, какой из них обеспечивает лучшее усиление звука.

Транзистор усилителя мощности

Ampleon на 500 Вт демонстрирует «лучший в своем классе» КПД на уровне 75%

Компания Ampleon недавно анонсировала BLP05H9S500P, транзистор усилителя мощности, предназначенный для работы в диапазоне частот от 423 МГц до 443 МГц, соответствующем признанному диапазону ISM.

Силовой транзистор Ampleon BLP05H9S500P мощностью 500 Вт для диапазона 433 МГц.Изображение предоставлено Ampleon

Что такое диапазон ISM?

Диапазон ISM относится к промышленному, научному и медицинскому диапазону. Правила различаются в разных юрисдикциях, но частоты в диапазоне ISM варьируются от 423 МГц до 443 МГц. Эти частоты часто используются в промышленных приложениях, таких как приготовление пищи, размораживание, здравоохранение, промышленное отопление и плазменное ВЧ-освещение.

Основные характеристики силового транзистора

Ampleon утверждает, что BLP05H9S500P обеспечивает выходную мощность 500 Вт как в импульсном, так и в непрерывном (CW) режимах.Эффективность слива устройств составляет 75% (тип.), Что, по утверждению компании, является лучшим в своем классе.

Компания также утверждает, что такой уровень эффективности позволит минимизировать необходимую холодопроизводительность, что, в свою очередь, сэкономит место и снизит эксплуатационные расходы.

Внутренняя схема BLP05H9S500P. Изображение любезно предоставлено (PDF) Ampleon

(PDF) BLP05H9S500P представляет собой металл-оксид-полупроводник с латеральной диффузией (LDMOS).В этой технологии часто используются усилители мощности ВЧ и СВЧ.

Как полноценный двухтактный транзисторный усилитель, устройство выдерживает коэффициент стоячей волны по напряжению (КСВН) 10: 1 при 50 В во всех фазах без ухудшения характеристик или повреждений. Это поможет упростить конструкцию системы, включая необходимые схемы защиты.

Выходная мощность

BLP05H9S500P был протестирован на частоте 433 МГц и дал следующие результаты:

  • Как в непрерывном, так и в импульсном режимах максимальная выходная мощность составляет 500 Вт, а максимальное напряжение сток-исток составляет 50 В.
  • В импульсном режиме коэффициент усиления по мощности составляет 25,3 дБ, а эффективность стока составляет 75%. В режиме непрерывной волны соответствующие значения составляют 26,6 дБ и 75,8%.

Также стоит отметить, что сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R DS (on) ) имеет типичное значение 0,12 Ом.

Входное и выходное сопротивление

Эти значения указаны для каждой секции при частоте 433 МГц. Также предполагается, что I Dq для каждой секции составляет 25 мА, а V DS — 50 В.

Источник Z : 1.3 — 2.1j

Z нагрузка : 2,8 + 2,4j

Прирост мощности и КПД в зависимости от выходной мощности

Прирост мощности и эффективность. Изображение любезно предоставлено (PDF) Ampleon

Как показано на правой вертикальной оси, максимальная эффективность на всех частотах составляет 550 Вт. Максимальное усиление составляет около 350 Вт.

Абсолютные пределы

Максимальное напряжение сток-исток, с которым может работать устройство, составляет 108 В.Предел между затвором и истоком составляет 11 В.

Максимальная температура перехода, которую может выдержать устройство, составляет 225 ° C, а диапазон температур хранения составляет от -65 ° C до + 150 ℃.

Размер упаковки

Максимальные размеры BLP05H9S500P составляют 20,75 мм x 9,96 мм x 4 мм.

Упрощенный контур BLP05H9S500P. Изображение предоставлено Ampleon

В промышленности

В то время как немногие устройства предназначены для работы в таком небольшом диапазоне частот, область мощных высокочастотных транзисторов является весьма конкурентоспособной.

NXP MRF1K50H рассчитан на выходную мощность 1500 Вт и работу в диапазоне от 1,8 до 500 МГц. Устройство LDMOS, соответствующее RoHS, предназначено для таких задач, как генерация лазера, плазменное травление, МРТ, диатермия и другие приложения, связанные с ISM.

Wolfspeed PTVA035002EV-V1 — это полевой транзистор на основе LDMOS, способный обеспечить мощность 450 Вт в диапазоне частот от 390 до 450 МГц.

Приобрести мощный и профессиональный аудиотранзисторный усилитель цепи Hot Selections 10% Off

О продуктах и ​​поставщиках:
 Alibaba.com представляет одни из лучших, профессиональных и многофункциональных.  схема  усилителя на транзисторе аудиосигнала для увеличения амплитуды сигнала на его входе. Эти прочные и безупречные. Схема усилителя на транзисторах аудиосигнала   соответствует оптимальным стандартам и идеально подходит для подключения ко всем типам устройств. Это профессиональные стандартные машины с большой коммутационной способностью, которые считаются энергосберегающими. Эти фантастические. Схема усилителя на транзисторах аудиосигнала   отличается повышенной безопасностью и стабильностью.Ведущие поставщики и оптовые торговцы на сайте предлагают эти высококачественные продукты по невероятным ценам и по выгодным ценам. 

Широкий ассортимент. Схема усилителя аудиосигнала на транзисторе на месте оснащена всеми передовыми технологиями и отличается высоким качеством, что делает их долговечными и экологичными. Эти невероятные. Схема усилителя на транзисторах аудиосигналов экологична и ударопрочная, что делает их экономически эффективными во всех сферах применения.Независимо от вашей цели эти. Схема усилителя на транзисторах аудиосигнала идеально подходит для всех типов постоянного использования, а также имеет возможность вертикальной установки.

Alibaba.com имеет несколько функций. Схема усилителя на транзисторах аудиосигнала различных размеров, цветов, моделей, характеристик и мощности в зависимости от требований. Эти уникальные. Схема усилителя на транзисторах аудиосигнала оснащена такими функциями, как защита от отключения, защита от отключения, защита от перегрузки, защита от перегрева и многие другие отличительные особенности.Многофункциональность. Схема усилителя на транзисторах аудиосигнала оснащена передовой технологией охлаждения и имеет различную мощность.

Alibaba.com предлагает комплексные услуги. Схема усилителя на транзисторах аудиосигналов Серия позволяет выбрать лучшую продукцию в соответствии с вашими требованиями и бюджетом. Эти продукты имеют сертификаты ISO, ROHS и доступны как OEM-заказы. Вы также можете выбрать индивидуальную упаковку при оптовом заказе.

Лучшие гитарные усилители для покупки в 2020 году: 14 лучших полупроводниковых усилителей — Гитара.com

Хотя полупроводниковые гитарные усилители появились в начале 1960-х годов, львиная доля лучших тонов электрогитары всех времен создавалась с помощью электронных ламп, а не транзисторов. В течение многих лет приятная компрессия, клиппирование, насыщение и нелинейный отклик ламповых усилителей, которых жаждало большинство гитаристов, казались недоступными для полупроводниковых технологий.

Помимо Roland Jazz Chorus и нескольких других заметных исключений, на протяжении 80-х и 90-х годов полупроводниковые усилители в основном использовались в спальнях новичков, и даже цифровые стойки стадионных гитаристов размером с космическую станцию ​​имели клапанные предусилители. и усилители мощности в их основе.

За последние два десятилетия цифровое моделирование все изменило. Оснащенная полупроводниковым предусилителем, технология цифрового моделирования теперь настолько убедительна, что даже самому взыскательному слушателю может быть трудно услышать разницу между смоделированным звуком и «реальным», особенно в контексте микширования диапазона. Хотя ламповый тон и ощущения по-прежнему остаются на высоте, сейчас самое лучшее время, чтобы перейти к гитарному усилителю, основанному на твердотельной или цифровой архитектуре.

Лампа против твердотельного: что выбрать?

Легче, доступнее, без замены ламп — что не нравится в полупроводниковых усилителях, правда? Что ж, все не так просто. Конечно, клапаны выходят из строя, но их легко заменить, а ламповые схемы, как правило, легче ремонтировать, чем современные цифровые. Хорошо обслуживаемый ламповый усилитель 1955 года более чем способен обеспечивать качество звука на сцене и в студии на десятилетия вперед. С другой стороны, как вам понравился смартфон 2010 года выпуска? Видите ли, мы говорили вам, что это не так просто.

Тем не менее, многие усилители цифрового моделирования нового поколения предлагают потрясающий и бесконечно вдохновляющий набор тонов и эффектов, с которыми можно играть, не говоря уже о возможности обмениваться тонами с другими пользователями и загружать профили классических ламповых усилителей, выходящие далеко за рамки бюджет простых смертных. И даже маломощные ламповые усилители громкие . Kemper и Ax-Fx — это популярные цифровые системы для профессионалов в туре, но в наши дни вам не нужно тратить целое состояние, чтобы звучать великолепно, поэтому позвольте нам быть вашим проводником.

Покупка твердотельного усилителя: на что обратить внимание?

Импульсные характеристики, моделирование усилителей, гибридные конструкции… Здесь много жаргона, но прежде чем вы погрузитесь в наш список, подумайте о том, что вам нужно от гитарного усилителя. Для хорошего звука твердотельные и цифровые усилители не нужно сильно управлять, но, с другой стороны, воспринимаемая громкость ламповых усилителей намного больше.

Там, где 20-ваттный вентильный комбо подойдет в качестве концертного усилителя, 20-ваттный моделирующий усилитель, скорее всего, не будет слышен над вашим барабанщиком.Например, Fender Tone Master Deluxe Reverb использует 100-ваттный твердотельный усилитель мощности для имитации выхода 22-ваттного лампового усилителя.

Тогда есть пользовательский опыт. Вы хотите, чтобы ваш цифровой усилитель имитировал внешний вид винтажного лампового усилителя с простым набором элементов управления для навигации? Или вы счастливы перемещаться по меню за меню на ЖК-экране или запускать приложение для глубокого редактирования через Bluetooth? Все эти и многие другие параметры можно найти в следующем списке. Пора окунуться.

Краткий обзор лучших полупроводниковых усилителей…
  • Fender Tone Master Deluxe Reverb
  • Blackstar Silverline Stereo Deluxe
  • стерео
  • Роланд JC-120
  • Hughes & Kettner Black Spirit 200 этаж
  • Профайлер Kemper
  • Фрактальный топор-FX III
  • Оранжевая педаль для младенцев 100
  • КОД Маршалла 100
  • Апельсин Краш 35RT
  • Blackstar Fly 3 Bluetooth
  • Vox Кембридж 50
  • Беспроводная связь Yamaha THR10 II
  • Фендер Мустанг GTX100
  • Босс Катана 50 МК II

Fender Tone Master Deluxe Reverb

Изображение: Fender

+ Невероятно аутентичные тембры Deluxe Reverb
+ Очень легкий
+ Регулируемая мощность
— Дорого по сравнению с конкурентами

Когда мы сравнили реверберацию Tone Master Deluxe с оригинальной реверберацией ’65 Deluxe Reverb, оказалось, что она намного ближе, чем кто-либо ожидал, поскольку серия Tone Master предлагает одни из самых близких цифровых эмуляций винтажного лампового усилителя, чем когда-либо. до.Конечно, есть более универсальные варианты, но немногие моделирующие усилители могут быть настолько близки к опыту винтажных ламповых усилителей.

Прочтите наш полный обзор здесь.

Цена: 869 фунтов стерлингов / 899 долларов США Тип: Комбо для цифрового моделирования Каналы: 2 Номинальная мощность: 100 Вт (возможность переключения на 0,2 Вт) Динамики: 1 × 12 дюймов Jensen N-12K Neo Эффекты: реверберация, тремоло

Blackstar Silverline Stereo Deluxe

+ Клапанный пуансон
+ Иммерсивные стереоэффекты
+ Пользовательские предустановки
— Ножной контроллер в комплект не входит

Одна из лучших особенностей Silverline Stereo Deluxe от Blackstar — это то, что она обеспечивает клапанное ощущение и реакцию, что, возможно, является препятствием для многих игроков.Но вдобавок к этому он содержит несколько серьезно иммерсивных стереоэффектов.

Легко потерять часы, сидя, слушая свой гитарный танец от одного конца изображения Super Wide Stereo до другого, и есть что-то настолько музыкальное и вдохновляющее в этой комбинации длинных задержек и реверберации, что это обязательно будет прыжок … вне точки для большого количества музыки.

Прочтите наш полный обзор здесь.

Цена: 749 фунтов стерлингов Тип: Цифровой комбо с 6 голосами Каналы: 1 Номинальная мощность: 2×100 Вт Динамики: 2 × 12 ″ Эффекты Celestion V-типа: Модуляция (фазер, фленджер, хорус, тремоло) Задержка (линейная, аналоговая, кассетная, multi), Reverb (Room, hall, spring, plate) Пресеты: 128

Роланд JC-120

+ культовые чистые звуки
+ отличная педальная платформа
+ отличный встроенный хорус
— вы либо любите, либо ненавидите

Самый культовый твердотельный усилитель всех времен по-прежнему пользуется успехом сегодня, в немалой степени благодаря огромному списку звездных исполнителей, которые попали в Jazz Chorus после его запуска в 1975 году.JC-120 действительно стал популярным в 1980-х, когда хитмейкеры со всех концов спектра тяготели к идиосинкразии, кристальной чистоте усилителя — от Энди Саммерса и Роберта Смита до Кирка Хэммета и многих других.

Цена: 1019 фунтов стерлингов / 1599 долларов США Тип: твердотельный комбо Каналы: 2 Номинальная мощность: 2×60 Вт Динамики: 2 × 12 ”Эффекты: Встроенный хорус

H&K Black Spirit 200 Этаж

Изображение: Hughes & Kettner

+ Удобный
+ Универсальные патчи
+ Комплексный ввод / вывод
— Некоторые пресеты звучат с переобработкой

Хотя Black Spirit 200 Floor может выглядеть как мультиэффект, это не просто альтернатива вашему усилителю; это — это усилитель и, в некотором смысле, педаль.

Почти все на Black Spirit 200 можно назначить пресетам. Таким образом, вы можете легко настроить чистый тон с помощью тремоло … или даже крик с высоким коэффициентом усиления с фазером, задержкой, усилением, меньшим провисанием, большим присутствием и включенными всеми 15 педалями фузза в вашей петле эффектов. Это может быть крайний пример, но идею вы поняли.

Прочтите наш полный обзор здесь.

Цена: 899 фунтов стерлингов / 1119 долларов США Тип: полупроводниковый стомпбокс со встроенными эффектами. Каналы: 4 (Clean, Crunch, Lead, Ultra) Номинальная мощность: 2 Вт, 20 Вт, 200 Вт Динамики: нет Эффекты: Реверберация , задержка, модуляция (хорус, фазер, фленджер, тремоло) Другие особенности: IDB (Intelligent Dual Breakpoint) Noise Gate, MIDI вход + выход, Bluetooth

Kemper Profiler

+ Моделирование на ваших условиях
+ Универсальность для концертов, репетиций или записи
+ Бесконечно расширяемая
— Премиум-система; дорогостоящая

Революционный Profiler

Kemper — одна из самых надежных и убедительных систем цифрового моделирования, которая получает нужный тон благодаря быстрому созданию профилей конкретных усилителей (даже ваших собственных) с впечатляющей точностью.Библиотека винтажной классики у вас под рукой, а еще больше можно скачать в Интернете? Почему нет?

Прочтите наш полный обзор здесь.

Цена: 1542 фунтов стерлингов / 2800 долларов США Тип: Блок цифрового моделирования Каналы: 1 Номинальная мощность: 600 Вт Динамики: Нет Модели усилителей: 200 Другие характеристики: 8-полосный графический эквалайзер, 4-полосный параметрический эквалайзер

Фрактальный топор-FX III

+ Ультра универсальный
+ Бесценный студийный инструмент
+ Можно расширить с помощью онлайн-загрузок
— Цена входа высока

Конкуренция между Кемпером и Ax-Fx за современного технически подкованного гитариста похожа на Nintendo против Sega для геймеров 1990-х годов, но справедливо сказать, что влияние Fractal на гитарный мир было столь же значительным, как и влияние его соперника.Предлагая беспрецедентный контроль и универсальность для сцены и студии с потрясающими тонами, Ax-Fx III имеет в три раза большую вычислительную мощность по сравнению со второй версией, а также значительно улучшенный дисплей, что делает его еще более простым в использовании. Для многих это все усилители и эффекты, которые им когда-либо понадобятся, и многое другое.

Прочтите наш полный обзор здесь.

Цена: 2899 евро / 1999 долларов Тип: Блок цифрового моделирования Каналы: 1 Номинальная мощность: Нет Динамики: Нет

Оранжевая педаль для младенцев 100

+ Отличная платформа для педалей
+ Простота в эксплуатации
+ Портативность для концертов
— Не для всех

Жизнь концертного гитариста часто вызывает моменты большой неопределенности — иногда единственное, на что мы можем положиться, — это на наш звук.Представляем Orange Pedal Baby 100, однотактную твердотельную головку с предусилителем класса A и конфигурацией усилителя мощности класса A / B. Он портативный, простой в использовании и, что самое главное, гарантирует, что ваши драгоценные тона останутся неизменными в дороге. Не повредит и то, что эта легкая голова выглядит привлекательно — с нанесенным шелкографией оранжевым логотипом сверху, добавляющим изюминку.

Прочтите наш полный обзор здесь.

Цена: 299 фунтов стерлингов Тип: полупроводниковая головка Каналы: 1 Номинальная мощность: 100 Вт при 8 Ом Динамики: нет данных

КОД Маршалла 100

Изображение: Marshall

+ Большой выбор тонов
+ Изящная функция USB-интерфейса
+ Стекируемые эффекты
— Нет замены реву реального

Marshall может быть одним из самых громких имен в истории гитарных усилителей, но потребовалось время, чтобы вникнуть в игру моделирования.Когда наконец появилась серия CODE, она принесла с собой набор классических тонов Маршалла с 14 моделями предусилителей, четырьмя моделями усилителей мощности и восемью имитациями кабинета динамиков. CODE100 может оказаться полезным в домашней студии, так как его встроенный разъем USB-DAW — вместе с 24 встроенными эффектами — позволяет относительно легко накладывать треки прямо через усилитель.

Цена: 289 фунтов стерлингов Тип: Комбо для цифрового моделирования. Каналы: 1. Номинальная мощность: 100 Вт. Динамики: 2 × 12 дюймов. КОД Маршалла, специально разработанный. ), реверберация, задержка темпа

Апельсин Краш 35RT

Изображение: Orange

+ разумная цена
+ встроенный тон
+ встроенный ревербератор
— игрокам среднего уровня может потребоваться больше

Линейка Crush от

Orange представляет собой одно из лучших развлечений на рынке гитар, и на протяжении многих лет британская компания продолжала совершенствовать и улучшать линейку, чтобы подлинный опыт Orange не ограничивался только классическим внешним видом. .Гигантский 35RT — замечательный тому пример: он предлагает классические тона британского рока, а встроенный ревербератор и тюнер делают его еще более впечатляющим.

Цена: 215 фунтов стерлингов / 319 долларов США Тип: твердотельный комбинированный канал Каналы: 2 Номинальная мощность: 35 Вт Динамики: 1 × 10 ”Orange Voice Of The World Эффекты: Реверберация Другие особенности: Встроенный тюнер

Blackstar Fly 3 Bluetooth

+ Доступный
+ Встроенная задержка
+ Портативный
— Не заменит вашу основную установку

Вас простят за то, что вы подумали, что Blackstar Fly 3 не может быть подходящим усилителем, учитывая, что он едва ли больше, чем банка Coca-Cola, обеспечивает всего три ватта твердотельной мощности и дешевле, чем педаль эффектов.Вы ошибаетесь. Обманчиво мощный трехдюймовый широкополосный динамик Fly обеспечивает впечатляюще чистые тона, а встроенный эффект задержки впечатляюще заполняет комнату. Благодаря линейному входу для джема под песни и выходу для наушников, который помещает звук вашей гитары в центр стереофонического поля, Fly — первый портативный микроусилитель, который действительно хорошо звучит.

Прочтите наш полный обзор здесь.

Цена: 50 фунтов стерлингов / 129 долларов США Тип: твердотельный мини-усилитель Каналы: 1 Номинальная мощность: 3 Вт Динамики: 1 × 3 дюйма Эффекты: Задержка

Vox Cambridge50

Изображение: Vox

+ динамический отклик
+ динамик Celestion
+ высококачественные модели усилителей и эффекты
— педальный переключатель в комплект не входит

Оснащенный технологией VOX Virtual Element Technology, целью которой является точное воссоздание аналоговой схемы, и оснащенный секцией предусилителя Korg Nutube, Vox Cambridge50 обладает поистине динамическими и ламповыми характеристиками.Добавьте к этому изготовленный на заказ 12-дюймовый динамик Celestion с голосовым голосом, 11 моделей усилителей и восемь встроенных эффектов, и вы получите все, что нужно для отличного усилителя для репетиционной комнаты.

Цена: 269 фунтов / 300 долларов Тип: гибридное комбинированное моделирование NuTube. Каналы: 2 пользовательских программы. Лампы: Nutube 6P1. Номинальная мощность: 50 Вт. , фазер, тремоло), задержка (кассетная, аналоговая), реверберация

Беспроводная связь Yamaha THR10 II

Изображение: Yamaha SG

+ Впечатляющее звучание
+ Возможности беспроводной связи
+ Опция аккумулятора
— Трудно подключить

Возможно, он не очень похож на обычный гитарный усилитель — на самом деле, он может выглядеть просто как головка усилителя или DAB-радио — но оригинальный THR10 был откровением, когда он впервые появился еще в 2011 году, и продолжает оставаться чрезвычайно популярным. усилитель сегодня.

THR10 II дополняет первый действительно хорошо звучащий настольный усилитель, добавляя три новых типа усилителей к своему арсеналу впечатляющих эмуляций классических усилителей и совершенно новые возможности беспроводной связи, которые позволяют ему синхронизироваться с передатчиком Line 6 GT10. Между тем, возможность питания от батареи и возможность использования его в качестве аудиоинтерфейса USB еще больше укрепляет его место в качестве необходимого домашнего усилителя.

Цена: 359 фунтов стерлингов / 450 долларов США Тип: комбинированный цифровой настольный ПК Каналы: 1 Номинальная мощность: 20 Вт (стерео: 2×10 Вт) Динамики: 2 × 3 ″

Крыло Мустанг GTX100

Изображение: Fender

+ модели на 40 усилителей (Fender и сторонние производители)
+ динамик Celestion
+ полный набор ножных переключателей в комплекте
— Сложный пользовательский интерфейс по сравнению с Tone Master

Оригинальный Mustang GT был впечатляющим за свои деньги, предлагая множество смоделированных звуков усилителей как внутри, так и за пределами конюшни Fender, предварительные настройки исполнителя, управление на основе приложений и подключение к Wi-Fi.В GTX100 Fender добавляет еще больше моделей усилителей, в том числе фаворитов Fender, таких как Blues Jr и Vibro King, больше встроенных эффектов и совершенно новый универсальный ножной переключатель, который можно использовать для запуска пресетов, темпа нажатия и 60-секундного петлитель.

Цена: 419 фунтов стерлингов / 500 долларов США Тип: Моделирующий комбо Каналы: 1 Номинальная мощность: 100 Вт Динамики: 1 × 12 ”Модели усилителей Celestion G12P-80: 40 Эффекты: Стомпбоксы, задержка, реверберация, модуляция

Втулка Katana-50 MkII

Изображение: Boss

+ Эффекты знакомого босса
+ Отличные тона прямо из коробки
+ Великолепное соотношение цены и качества
— Поляризационный вид

Входящий в состав второго поколения полупроводниковых усилителей Boss с цифровой настройкой, Katana-50 MK II предлагает повышенную тональную гибкость и возможность одновременного запуска до пяти эффектов вместо трех.Как и его усилитель-цестор, этому усилителю действительно не нужно ничего, кроме гитары, чтобы извлечь из него максимум пользы, и он звучит на удивление хорошо.

Встроенные эффекты по большей части знакомы — в конце концов, это продукт Boss, и все мы знаем, что японский титан педалей эффектов может сделать в этой области. Тем не менее, выбор из 60 встроенных эффектов охватывает все основы, от трех разных повышающих голосов до красивого трио реверберации, в то время как три варианта «FX» включают тремоло, октаву вниз и очень крутой повторитель огибающей.

Прочтите наш полный обзор здесь.

Посмотрите, как мы сравним 100-ваттную Boss Katana MkII с эксклюзивной ламповой комбинацией.

Цена: 230 долларов / 237 фунтов стерлингов Тип: Моделирующий комбо Номинальная мощность: 50 Вт Динамики: 1 × 12 дюймов Эффекты: 60 (усиление, модуляция, FX, задержка, реверберация) Типы усилителей: 5 (двойной с переключателем вариаций)

Цепь транзисторного усилителя мощности 400 Вт — Electronics Projects Circuits

BJT транзисторный усилитель, схема выходных транзисторов 400w 4 довольно сильных tip41c и 4шт tip42c 2 × 46 вольт постоянного напряжения + — симметричный источник питания.Выходной источник питания переменного тока 12 А, 2×33 В, предложенный для подключения трансформаторной схемы … Electronics Projects, Схема транзисторного усилителя мощности 400 Вт «Схемы усилителя звука, усилитель транзисторный», Дата 2019/08/02

BJT транзисторный усилитель по схеме 400w выходных транзисторов 4 довольно сильных tip41c и 4шт tip42c 2 × 46 вольт постоянного напряжения питания + — симметричный источник питания.

Выходной блок питания переменного тока 12 ампер 2х33в предложен для трансформаторной схемы подключения к аудиовходу регулятора громкости стерео потенциометра 10… от 20к до сделать.

Трансформатор, использованный в прототипе, который мы показали в видео, представляет собой трансформатор переменного тока 33-0-33 В, центральный ТАР и измеритель постоянного тока 66 В переменного тока. Это дает нам общую мощность 300 Вт (150 Вт) на канал. Если мы получим фактические 400 Вт (200 Вт на канал), мы будем использовать трансформатор переменного тока на 40–0–40 вольт. Причина, по которой мы сделали проект с более низким напряжением трансформатора, заключалась в том, чтобы думать о людях, у которых недостаточно денег. Таким образом, была бы более экономичная и более дорогая версия, обеспечивающая большую производительность.

Если вам нужен трансформатор с высоким напряжением более 45 +45 В переменного тока и вы хотите привести его в состояние, может потребоваться несколько витков провода, пока вы не достигнете напряжения, подходящего для этого усилителя, или еще лучше, создайте другой усилитель, который использует большее напряжение в качестве наш стереоусилитель мощностью 500 Вт, использующий трансформатор 55 +55 В. Идеальный способ добиться хороших характеристик этого усилителя ток составляет 12 ампер. Помните, что это также зависит от транзисторов, которые используют выход. При использовании транзисторов 2SC5200 и 2SA1943 им необходим минимальный ток 1 ампер, поэтому мы рекомендуем использовать трансформатор не менее 8 или 10 ампер.

Схема усилителя мощности 400 Вт

Источник: videorockola.com Схема усилителя мощности. Альтернативная ссылка на файлы печатной платы:

СПИСОК ССЫЛКИ ДЛЯ ЗАГРУЗКИ ФАЙЛОВ (в формате TXT): LINKS-8928.zip

PassDiy

Усилитель Zen

Перевал Нельсона

Введение

Я.»Что за звук хлопает один транзистор?»

Есть два наиболее важных принципа при проектировании аудиоусилителя. Первое — это простота. Второй — линейность.

Эйнштейн сказал: «Все должно быть сделано как можно проще, но не проще». Простота — общий элемент лучших и самых изысканных дизайнов. Он предпочтителен по чисто эстетическим причинам, а также потому, что меньшее количество элементов меньше окрашивает звук и теряет меньше информации. Многие аудиофилы, включая меня, готовы пожертвовать другими областями исполнения, чтобы достичь интимности со звуком, доступным через простую схему.

Усилитель должен быть простым, но при этом линейным. Некоторая мера искажений в усилителе неизбежна и простительна, если она менее агрессивного типа, но все же важно, чтобы измеренные характеристики искажения были достаточно низкими. Преимущество простой схемы теряется, если на звук накладывается избыток ложной окраски.

Многие сложные топологии оправданы высоким качеством измеренных характеристик. По объективным критериям это вполне верный подход.Есть много приложений, в которых важна точность измерений, а субъективные характеристики не важны. Любое приложение, в котором производительность имеет решающее значение для получения точных чисел, например, в полевом усилителе МРТ, должно оцениваться объективно.

Но это не ракетостроение; наша цель — сделать так, чтобы слушатели наслаждались звуком. Если мы оправдываем такой подход, называя его искусством, а не наукой, это прекрасно, даже предпочтительнее.

Наша цель — разрешить очевидный конфликт между простотой и объективной производительностью.Имеющиеся в продаже усилители мощности содержат до 7 последовательно включенных каскадов усиления. Самый простой из известных мне по-прежнему имеет 3 этапа. Эта последовательность этапов усиления важна для создания избыточного усиления, которое можно использовать для отрицательной обратной связи. Обратная связь используется для корректировки характеристик каскадов усиления. Как это ни парадоксально, дополнительное усиление используется для исправления дополнительных искажений дополнительных каскадов усиления.

Насколько просто сделать схему и при этом сохранить ее работоспособность? Очевидно, что усилитель с одним каскадом усиления будет настолько простым, насколько мы можем топологически создать, и мы задаемся вопросом: «Какую производительность мы можем получить от одного устройства с одним усилением?»

II.Односторонний класс A

Для получения линейных характеристик такой простой схемы доступен только один подход: несимметричный класс A. Это была топология самого раннего использования усилительных устройств (конечно, ламп), но не получила широкого распространения в выходных каскадах твердотельных датчиков. государственные усилители мощности благодаря своей

Двухтактные схемы имеют более высокий КПД, а также имеют то преимущество, что они могут подавать ток, превышающий ток холостого хода, или ток смещения, за счет перехода в более низкий класс работы.Двухтактный усилитель класса A, работающий на холостом ходу при токе смещения 1 ампер, может выдавать пиковые значения 2 ампера перед выходом из класса A и может обеспечивать еще более высокие токи, рассматриваемые как усилитель класса AB, где одна половина усилителя испытывает отсечку и не выдерживает сигнал для части формы волны. Напротив, односторонние усилители класса A не могут линейно передавать ток за пределы своей точки смещения, и они, как правило, должны рассеивать на холостом ходу более 4

.

раз больше их номинальной мощности. Типичный КПД составляет около 20% максимум.

Сама по себе эта огромная неэффективность объясняет, почему одностороннему классу A уделяется ограниченное внимание, хотя тщательное рассмотрение возможных схем показывает, что возможен КПД, приближающийся к 50%. Кроме того, существуют способы, которыми одноконтактный усилитель класса A может работать как двухтактное устройство за пределами точки смещения, при этом предполагается, что двухтактные характеристики предпочтительнее ограничения. Pass Labs получила один патент и подала заявку на другой, отражающий новые разработки в этой области.

На рисунке 1 показан простой пример несимметричной схемы класса А. В этом случае устройством усиления является полевой транзистор, хотя эта концепция одинаково хорошо применима и к лампе для биполярного транзистора. Входной сигнал подается на затвор, и транзистор обеспечивает усиление по току и напряжению, которое появляется на стоке. Каскад усиления смещен некоторым импедансом, который обеспечивает ток смещения транзистора.

Этот импеданс может быть резистором, источником постоянного тока или другой нагрузкой, например громкоговорителем.Поскольку этот элемент несет постоянный ток смещения, маловероятно, что мы захотим использовать для этого громкоговоритель, и обычно мы хотели бы подключить громкоговоритель параллельно с элементом смещения, последовательно с блокирующим конденсатором.

Если элемент смещения представляет собой резистор, мы видим типичный КПД около 4%. Это означает, что мы простаиваем цепь на 100 Вт и имеем максимальную выходную мощность

.

энергетическая неэффективность. Работа с односторонними усилителями класса A в последнее время привлекает повышенное внимание, в первую очередь, со стороны энтузиастов ламп, а недавно ряд компаний представили ламповые усилители класса A.Для них характерны ограниченная мощность, высокая стоимость и несколько каскадов усиления.

В 1977 году в журнале Audio Magazine я опубликовал 20-ваттную биполярную одноконтактную конструкцию класса A с четырьмя каскадами усиления. Pass Labs производит серию односторонних усилителей Aleph класса A с 1992 года, и они имеют три каскада усиления. Мне неизвестно о других твердотельных предложениях в США, хотя я ожидаю, что моя гегемония будет недолгой с неизбежным появлением других несимметричных транзисторных усилителей.

Простота — не единственная причина использования несимметричной топологии. Характеристики несимметричного каскада усиления наиболее естественны в музыкальном плане. Его асимметрия аналогична характеристике сжатия / разрежения воздуха, где для данного смещения наблюдается немного более высокое давление на положительном (сжатие), чем на отрицательном (разрежение). Сам воздух является несимметричной средой, где давление может стать очень высоким, но никогда не опускаться ниже 0. Гармонические искажения такой среды — вторая гармоника, наименее неприятная разновидность.

Иногда неправильно понимают, что несимметричные усилители намеренно искажают сигнал второй гармоникой, чтобы добиться ложно благозвучного характера. Это неправда. Низкие искажения по-прежнему являются важной целью, и, по моим наблюдениям, преднамеренное введение второй гармоники в музыкальный сигнал не улучшает качество звука.

Несимметричное усиление отличается от двухтактных схем тем, что для каждого каскада усиления используется только одно устройство усиления, и оно передает только полный сигнал.Линейные односторонние конструкции работают только в классе A.

Напротив, двухтактные конструкции распределяют сигнал между двумя противоположными устройствами, одно концентрируется на положительной половине, а другое — на отрицательной половине. Эта положительная / отрицательная половина аудиосигнала является уловкой, вызванной желанием эффективно обрабатывать сигнал только переменного тока без компонента постоянного тока. Большинство двухтактных конструкций класса A обеспечивают энергоэффективность в два раза выше, чем у большинства однотактных конструкций, а также обеспечивают некоторую степень подавления искажений.

Хорошо подобранная пара двухтактных устройств усиления будет иметь более низкие измеренные искажения из-за подавления и будет концентрировать гармоническое содержание в третьей гармонике и других «нечетных» гармониках, отражая симметрию между положительной и отрицательной половинами формы волны. Возможна работа в режимах класса A, класса AB и класса B. Самый линейный из них — это класс A, в котором на холостом ходу рассеивание в цепи будет более чем в два раза превышать номинальную выходную мощность.

4 Вт. Мы можем значительно повысить эффективность, если отделим ток смещения от тока сигнала, чтобы источник смещения обрабатывал только постоянный ток, и, конечно, наш блокирующий конденсатор гарантирует, что динамик видит только переменную часть сигнала.

Мы можем добиться этого, смещая схему с помощью источника постоянного тока, и КПД поднимается примерно до 20%, или примерно в 5 раз лучше. Источник постоянного тока обеспечивает только постоянный ток, который не зависит от сигнала. Помимо повышения эффективности, источники постоянного тока устраняют шум источника питания из-за смещения и обеспечивают абсолютно постоянную нагрузку на источник питания. В результате этого абсолютно постоянного потребления источника питания становится относительно неважным, какое сопротивление наблюдается в цепи источника питания, и два канала могут потреблять один источник питания без модуляции сигналов друг друга.

Очевидно, что использование источника постоянного тока для смещения оправдано производительностью по сравнению с использованием резистора, хотя не все разработчики-единомышленники с этим согласны.

III. Mosfets

Мы должны рассмотреть, какой тип устройства усиления подходит для этого приложения. На самом деле выбор прост: биполярные устройства имеют слишком низкий входной импеданс, чтобы их можно было использовать, а лампы имеют слишком малое усиление для использования в одноступенчатом усилителе мощности. Единственное используемое устройство — это силовой МОП-транзистор, который представляет собой крутильное устройство, подобное лампе, и имеет высокий входной импеданс, но работает с достаточным усилением при достаточно высоких токах, чтобы управлять им непосредственно линейным сигналом.

По совпадению, я предпочитаю Mosfet. Даже в более сложных схемах биполярные транзисторы не имеют характеристики крутизны, которую я считаю желательной, а лампам требуется трансформатор связи с сопутствующим ухудшением характеристик.

Использование трансформаторов в качестве нагрузки для несимметричной цепи очень проблематично, поскольку постоянный ток, проходящий через трансформатор, имеет тенденцию насыщать сердечник. Решение, которое было использовано, состоит в том, чтобы использовать сердечник с воздушным зазором, желая добиться того, чтобы первичная и вторичная катушки были только слабо связаны, что еще больше снизило бы производительность.

Мосфеты не получили должной оценки за их характеристики в высококачественном аудио. Я считаю, что это связано с относительно тусклым звуком, связанным с коммерческими предложениями на сегодняшний день. Однако это не вина Mosfets. Изучение усилителей на рынке выявило два серьезных недостатка в том, как используются МОП-транзисторы для усиления. Во-первых, почти все разработчики просто поместили МОП-транзисторы в те же (сложные) топологии, которые были разработаны для биполярных устройств, без учета их особых характеристик.Такое невообразимое использование нового устройства усиления приводит к получению звука, незначительно отличающегося от исходной биполярной схемы, и не дает большого улучшения.

Представленные на рынке конструкции Mosfet также относятся к классу AB. Передаточная кривая МОП-транзисторов обнаруживает серьезные нелинейности при малых токах смещения, что приводит к нелинейности кроссовера в двухтактных схемах. Этот недостаток конструкции создает звуковую сигнатуру, которую многие называют «туман Mosfet», где потеря деталей очевидна.Чтобы полностью реализовать

Преимущества транзисторов Mosfet, они должны работать в классе A.

Поэтому неудивительно, что Mosfets не нашли среди аудиофилов той благосклонности, которой заслуживают эти устройства. Я ожидаю, что это изменится в ближайшем будущем, особенно по мере того, как МОП-транзисторы найдут свое применение в несимметричных усилителях класса А.

IV. Схема.

На рисунке 2 показана полная схема усилителя. Q1 — это каскад усиления, смещенный источником постоянного тока Q2.

Обращаясь сначала к источнику тока, отметим схему, связанную с Q2. Q3 используется для регулирования привода затвора для Q2. На него подается ток (смещение) от R6 / R7, а C5 используется для фильтрации пульсаций источника питания. Когда ток проходит через Q2, он вызывает падение напряжения на R1, и когда это падение напряжения достигает примерно 0,66 В (2 А через Q2 / R1), он включает переход Q3, и Q3 затем ограничивает появляющееся напряжение

на затворе Q2 примерно до 4 вольт.Эта маленькая петля поддерживает постоянный ток через Q2 на уровне 2 ампера. R3 и R4 предназначены для добавления стабильности контуру и предотвращения паразитных колебаний Mosfet Q2.

Этот постоянный ток 2 А подается на Q1. Резистор R8 и потенциометр P1 образуют контур обратной связи постоянного тока, который управляет затвором Q1 при напряжении около 4 вольт и помещает потенциал стока Q2 в среднюю точку источника питания, или около 17 вольт. Входной сигнал проходит через C6 и R5 к затвору Q1, а выходной сигнал проходит через C3 и C4 параллельно громкоговорителю.R9 и R2 предназначены для отвода постоянного тока, но не особенно важны. Z1 необходим для обеспечения того, чтобы входной переходный процесс не превышал номинальное значение затвора 20 В Mosfet.

На рис. 3 показаны изображения двух каналов ПК. Шаблон предназначен для одностороннего (конечно!) Строительства, но у меня были платы, сделанные с заземляющим слоем на верхней стороне платы и покрытые сквозными отверстиями, так как разница в стоимости очень небольшая.

Обратите внимание, что полярность выходных соединений перепутана.Поскольку топология обратной полярности, плюсовые клеммы громкоговорителя должны быть подключены к земле, а минусовые клеммы подключены к активному выходу усилителя.

На рис. 4 показано размещение компонентов, на рис. 5 — список деталей. Обратите внимание, что трансформатора T1, предохранителя F1 и диодных мостов B1 нет на печатной плате. Метки соединений платы L POWER и R POWER прикреплены к диодному мосту + и -. Замена деталей, безусловно, возможна. Первое требование к МОП-транзисторам — это способность непрерывно рассеивать 30 Вт без сбоев, что означает выбор устройств с номинальной мощностью 125 Вт или более.МОП-транзисторы должны быть рассчитаны на 50 вольт или более, и я предлагаю, чтобы они были рассчитаны на постоянные токи стока 10 ампер или более. В данном случае я выбрал детали International Rectifier, и многочисленные замены будут соответствовать этим требованиям на странице IR каталога Digikey.

Очень важный элемент — радиатор. Раковина для каждого канала должна обеспечивать непрерывное рассеивание 70 Вт при повышении температуры примерно на 25 градусов по Цельсию. Меньший радиатор сократит срок службы Mosfet.Если вы обнаружите, что не можете дотронуться до радиатора во время работы, я предлагаю использовать вентилятор.

Силовой трансформатор должен подавать около 25 В переменного тока при 6 А или около того на каждый канал. Хотя фактическое потребление постоянного тока составляет ровно 2 ампера на канал, коэффициент мощности, создаваемый при зарядке блока питания

Конденсаторы приводят к тому, что трансформатор рассеивает больше, чем предполагается в 2 ампера. Из рис. 5 видно, что предлагаемый силовой трансформатор имеет вторичную обмотку для каждого канала, однако допустимо управлять обоими каналами от одной вторичной обмотки и диодного моста.

V. Операция

Когда вы закончите строительство, подключите его. Если предохранитель блока питания не перегорел, вы будете искать около 0,66 вольт на R1, отсутствие постоянного напряжения на выходе и около 17 вольт на стоках (центральные штыри). Mosfets. При входном сигнале и нагрузке 8 Ом отрегулируйте P1 для симметричного ограничения. Отрегулируйте P1 после того, как усилитель прогреется.

На рис. 6 показана кривая гармонических искажений от 10 милливатт до 20 Вт на частоте 1 кГц и 8 Ом.Ниже 10 Вт искажение чисто вторая гармоника. На рис. 7 показано искажение на уровне 2 Вт в звуковом диапазоне. На рис. 8 показана частотная характеристика. Амплитуда составляет примерно 0,25 дБ при 20 Гц и примерно 0,5 дБ при 20 кГц.

Стол 1

Резисторы:

Конденсаторы:

C1

10,000 мкФ

35 В

Digi-Key

P6485

C2

10,000 мкФ

35 В

Digi-Key

P6485

C3

2200 мкФ

35 В

Digi-Key

P6481

C4

2200 мкФ

35 В

Digi-Key

P6481

C5

47 мкФ

25 В

Digi-Key

P5976

C6

47 мкФ

25 В

Digi-Key

P5976

Разное:

1 квартал

IRFP140, N-канальный МОП-транзистор, мин. 50 В, 10 А, 125 Вт

2 квартал

IRFP9240, МОП-транзистор с каналом P, мин. 50 В, 10 А, 125 Вт

3 квартал

MPSA92, транзистор PNP, мин. 50 В, 10 мА, TO92

П1

Потенциометр 10 кОм, Digi-Key 3386P-103-ND

BR1

Диодный мост 25A 50V, Digi-Key GBPC12005

F1

Быстродействующий предохранитель типа 3AG 5-6A

T1

Авель Линдберг # D4040 (2 канала)

Т1, Т2

Корпорация Тороид №617.242 (по 1 на каждый канал)

Трансформатор

ок. 24-25 В переменного тока @ 5A вторичные цепи

Выходное сопротивление усилителя составляет примерно 1 Ом с коэффициентом демпфирования примерно 8. Существуют громкоговорители, которые не подходят для этого усилителя, либо из-за того, что им нужен высокий коэффициент демпфирования, у них сопротивление ниже 8 Ом, либо требуется больше. чем 10 ватт. При импедансах ниже 8 Ом выход усилителя не увеличивается, а падает.Это связано с тем, что несимметричная конструкция может обеспечивать только значение тока смещения и не будет работать линейно за пределами точки смещения.

Есть довольно много громкоговорителей с импедансом 8-16 Ом и чувствительностью в диапазоне 90-100 дБ, которые вполне подходят. Усилитель также отлично подходит для использования в качестве среднечастотного или высокочастотного усилителя и особенно хорош с рупорными драйверами.

Если вы хотите управлять нагрузкой 4 Ом с удвоенной мощностью, я предлагаю просто подключить два канала параллельно в моно на входных и выходных клеммах.

Входное сопротивление составляет 4,75 кОм, а коэффициент усиления — около 8,5 дБ. Это означает, что усилитель должен приводиться в действие активным источником, способным выдавать 3,5 В при 700 мкА. Входную характеристику можно отрегулировать для источников с большим напряжением и меньшим током, увеличив R5, и можно отрегулировать для источников с большим током и меньшим напряжением, пропорционально уменьшив R5.

Так как это звучит? С правильным динамиком просто замечательно.

Неизбежно после публикации такого проекта, как этот, я получаю большое количество запросов о том, как улучшить дизайн. Как сделать его больше, меньше, лучше; Используйте более качественный провод, более качественные конденсаторы, более качественные разъемы.Предлагаю ли комплекты, запчасти; Продам ли я напрямую; Буду ли я ремонтировать усилители?

Аналогичный усилитель должен появиться в продаже у дилеров Pass примерно в то время, когда вы это прочтете. Информацию о продуктах и ​​дилерах, а также официальные документы по эксплуатации односторонних устройств класса A можно получить по адресу:

Pass Labs, почтовый ящик 219, 24449 Foresthill Rd.
Foresthill CA 95631, факс (530) 367 2193

Я не предлагаю комплекты, не продаю напрямую и не ремонтирую. Бесплатные советы предоставляются редко.

Усовершенствовав усилитель, вы можете использовать любую лучшую деталь, которая вам нравится. Маловероятно, что вы попросите усилитель меньшего размера, и если вам нужен усилитель большего размера, я предлагаю вам найти детали побольше и построить их. Все элементы здесь легко масштабируются, и вы можете либо найти более крупные Mosfet, либо запустить существующие ближе к их пределам. Я построил более крупные версии этой схемы с использованием промышленных корпусов Mosfet, которые рассчитаны на 600 Вт каждая, и они отлично работают.

Простота усилителя допускает большую терпимость к модификации. В отличие от большинства конструкций, он не критичен к деталям и не требует компенсации стабилизации частоты и обратной связи. При оценке деталей для увеличенной версии необходимо обратить внимание на параметры рассеяния и напряжения компонентов.

Есть ли другие способы улучшить схему, помимо лучших конденсаторов? Так получилось, что они есть, и на лучшее из них недавно выдан патент компании Pass Labs.Если интерес к такому подходу к усилению сохраняется, возможно, он ляжет в основу другой статьи.

Авторское право 1994 Nelson Pass

2sc5200 2sa1943 Принципиальная схема усилителя

2sc5200 2sa1943 Аудиоусилитель обеспечивает высокую выходную мощность. Выходная мощность составляет около 200 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом. 2sc 5200 и 2sa 1943 — это транзисторы усилителя мощности звука нового поколения.В настоящее время усилитель мощности звука , такой как усилитель сабвуфера , используют эти транзисторные усилители. Вы также можете сделать этот усилитель мостовым усилителем, чтобы удвоить выходную мощность. Итак, в этой статье я хотел бы поделиться принципиальной схемой и работой усилителя силового транзистора.

2sc5200 2sa1943 усилитель

В наших усилителях звука Ahuja и других производителей, которые используют транзисторы 2N3055 и 2N2955 для изготовления усилителей.Людям нужны системы лучшего качества. Усилители мощности бывают разных типов, большинство из которых построены на IC или MOSFET.

Вы знаете разные классы аудиоусилителей, такие как усилители класса ab, усилители класса B и т. Д. 2sc 5200 и 2sa 1943 — мощные транзисторы NPN и PNP соответственно.

Схема состоит из ИС предусилителя, который усиливает входной аудиосигнал. Для целей предварительного усиления используется микросхема 4558 IC.Операционный усилитель 4558 IC увеличивает амплитуду входного сигнала до высокого уровня.

Давайте поговорим о входном напряжении усилителя мощности — это 30-вольтовый двойной источник питания на 5 ампер тока. Используйте качественные фильтрующие конденсаторы постоянного тока и диоды. В моем предложении используйте 5-амперный мостовой диод и конденсатор емкостью 4700 мкФ. Следует проверить правильность заземления, иначе возникнет гудящий звук. Вам необходимо подключить заземляющий провод к корпусу усилителя и регулятору громкости, а также к другим металлическим частям корпуса усилителя, чтобы минимизировать шум при его работе.

2sc5200 эквивалент транзистора — TTC 5200 и 2sa1943 TTA 1943. Если вы не получили их для транзистора типа 2sc, вы также можете использовать этот транзистор в качестве эквивалента .

2sa5200 2sa1943 схема усилителя
Схема усилителя 2sc5200 2sa1943
2sc5200 Транзистор
2sc5200 распиновка

2sc 5200 — это NPN-транзистор высокой мощности, имеющий свойства коллектора-эмиттера с напряжением 230 вольт и током коллектора около 30 ампер.Транзистор выпускается в корпусе ТО-264. Транзистор обычно предпочтительнее для звукового усилителя большой мощности.

2sa1943 Транзистор
Распиновка 2sa1943

2sa 1943 — это комплементарный транзистор 2sc 25200. Это PNP-транзистор средней мощности. Этот транзистор родом от Toshiba. Из-за высокого коэффициента усиления по току в схемах усилителя звука большой мощности используется другой транзистор коллекторного тока.

Транзисторы 2SA 1943 и 2SC 5200 обычно используются в высококачественных стереосистемах с мощностью 200 Вт и выше.Они могут работать с частотной характеристикой от 5 Гц до 200 кГц. 10 пар транзисторов с очень низким отношением сигнал / шум и общим распределением гармоник делают его идеальным транзистором для усилителей звука.

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *