Обозначение транзистора на плате: Обозначения на платах. Графическое обозначение радиодеталей на схемах. Обозначение радиодеталей на схеме и их название. Обозначения элементов полупроводниковых приборов

Содержание

Gnd что это такое на схеме

Обозначение цепей питания в иностранных материалах

Автор: Kavka
Опубликовано 23.05.2013
Создано при помощи КотоРед.

Крошка-сын к отцу пришел,
и спросила кроха:
— Что такое Vcc, Vee, Vdd, Vss.
и что их так много?

Каждый человек увлекающийся электроникой сталкивается с материалами иностранного происхождения. И будь то схема электронного устройства или спецификация на чип, там могут встречаться множество различных обозначений цепей питания, которые вполне могут ввести в замешательство начинающего или незнакомого с этой темой радиолюбителя. В интернете достаточно информации чтобы внести ясность в этот вопрос. Далее кратко изложено то что было найдено о происхождении обозначений и их применении.

VCC, VEE, VDD, VSS откуда такие обозначения? Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Напряжение (относительно земли) на коллекторе (collector), эмиттере (emitter) и базе (base) обозначают V

C, VE и VB. Резисторы подключенные к выводам транзистора обозначим RC, RE и RB. Напряжение на дальних (от транзистора) выводах резисторов часто обозначают VCC, VEE и VBB. На практике, например для NPN транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, VCC соответствуют плюсу, а VEE минусу источника питания. Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот.

Аналогичные рассуждения для полевых транзисторов N-типа и схемы с общим истоком дают объяснение обозначений V

DD и VSS (D — drain, сток; S — source, исток): VDD — плюс, VSS — минус.

Обозначения напряжений на выводах вакуумных ламп могут быть следующие: VP (plate, anode), VK (cathode, именно K, не C), VG (grid, сетка).

Как написано выше, Vcc и Vee используются для схем на биполярных транзисторах (VCC — плюс, VEE — минус), а Vdd и Vss для схем на полевых транзисторах (VDD — плюс, VSS — минус). Такое обозначение не совсем корректно, так как микросхемы состоят из комплементарных пар транзисторов. Например, у КМОП микросхем, плюс подключен к P-FET истокам, а минус к N-FET

истокам. Тем не менее, это традиционное устоявшее обозначение для цепей питания независимо от типа проводимости используемых транзисторов.

Для схем с двух полярным питанием VCC и VDDмогут интерпретироваться как наибольшее положительное, а VEE и VSS как самое отрицательное напряжение в схеме относительно земли.

Для микросхем питающихся от одного или нескольких источников одной полярности минус часто обозначают GND (земля). Земля может быть разной, например, сигнальная, соединение с корпусом, заземление.

Вот перечень некоторых обозначений (далеко не полный).

Провод GND на материнской плате/схеме означает земля (масса, минус). Стандартный цвет — черный, белый. Варианты цвета провода питания — красный, синий, зеленый, оранжевый, желтый.

Пример — обозначение черного провода маркировкой GND на разьеме подключения USB к материнской плате:

GND на материнской плате/схеме — важная информация

  1. GND (GROUND, перевод — земля) — точка нулевого потенциала микросхемы.
  2. VEE (Voltage Emitter Emitter, перевод — напряжение эмиттер) — минус питания относительно GND.
  3. VCC (Voltage Collector Collector, перевод — коллектор напряжения) — плюс питания относительно GND.

Стоит учитывать также:

  1. GND (DGND, GNDD)
    — обозначения цифровой земли.
  2. AGND (GNDA) — обозначения аналоговой земли.

Важный комментарий по поводу обозначений:

Простыми словами. Я подключал в компьютерном корпусе дополнительный вентилятор. Ноль вентилятора, черный провод — подключал к проводу молекс-разьема блока питания, который также имеет черный цвет (важно — это и есть GND). Питание на вентиляторе был желтым — его подключал к желтому проводу питания молекса. На молексе главное нужно понимать:

  1. Желтый + черный = 12 вольт.
  2. Красный + черный = 5 вольт.

Еще по поводу молекса. Возможно так задумано, но кажется для подключения нужно использовать провода, которые идут рядышком. Например желтый и черный (12 вольт), красный и черный (5 вольт) — они идут рядом. Два черных провода GND возможно специально предназначены для двух видов подключения.

Под молекс разьемом подразумеваю данный тип коннектора (к нему подключаются жесткие диски например):

Также на плате/коннекторах можете заметить маркировку POWER — означает питание (плюс).

Подключая устройства, например переднюю панель ПК к материнке — будьте очень аккуратны, читайте инструкцию к материнской плате, чтобы не спалить например порты USB. Также смотрите на коннекторы и гнезда — иногда их конструкция исключает неправильное подключение. На заметку — кнопки компьютера, например включение, перезагрузка — неважно как подключить, дело в том, что здесь главное — замыкание. Неважно где плюс/минус, важно — замыкание контактов на секунду, что и делает кнопка, что и приводит к включению/выключению/перезагрузки компа.

Главное — правильно соблюдайте полярность, перед подключением не ленитесь сто раз проверить, чтобы быть уверенными. Ведь короткое замыкание — почти всегда ведет к неисправности..

Надеюсь информация кому-то пригодилась. Удачи и добра!

Добавить комментарий

Отменить ответ

Этот сайт использует Akismet для борьбы со спамом. Узнайте как обрабатываются ваши данные комментариев.

Автор: Kavka
Опубликовано 23.05.2013.
Создано при помощи КотоРед.

Крошка-сын к отцу пришел,

и спросила кроха:
— Что такое Vcc, Vee, Vdd, Vss…
и что их так много?

Каждый человек увлекающийся электроникой сталкивается с материалами иностранного происхождения. И будь то схема электронного устройства или спецификация на чип, там могут встречаться множество различных обозначений цепей питания, которые вполне могут ввести в замешательство начинающего или незнакомого с этой темой радиолюбителя. В интернете достаточно информации чтобы внести ясность в этот вопрос. Далее кратко изложено то что было найдено о происхождении обозначений и их применении.

VCC, VEE, VDD, VSS — откуда такие обозначения? Обозначения цепей питания проистекают из области анализа схем на транзисторах, где, обычно, рассматривается схема с транзистором и резисторами подключенными к нему. Напряжение (относительно земли) на коллекторе (collector), эмиттере (emitter) и базе (base) обозначают VC, VE и VB. Резисторы подключенные к выводам транзистора обозначим RC, RE и RB. Напряжение на дальних (от транзистора) выводах резисторов часто обозначают VCC, VEE и VBB. На практике, например для NPN транзистора включенного по схеме с общим эмиттером, VCC соответствуют плюсу, а VEE минусу источника питания. Соответственно для PNP транзисторов будет наоборот.

Аналогичные рассуждения для полевых транзисторов N-типа и схемы с общим истоком дают объяснение обозначений VDD и VSS (D — drain, сток; S — source, исток): VDD — плюс, VSS — минус.
Обозначения напряжений на выводах вакуумных ламп могут быть следующие: VP (plate, anode), VK (cathode, именно K, не C), VG (grid, сетка).

Как написано выше, Vcc и Vee используются для схем на биполярных транзисторах (VCC — плюс, VEE — минус), а Vdd и Vss для схем на полевых транзисторах (VDD — плюс, VSS — минус). Такое обозначение не совсем корректно, так как микросхемы состоят из комплементарных пар транзисторов. Например, у КМОП микросхем, плюс подключен к P-FET истокам, а минус к N-FET истокам. Тем не менее, это традиционное устоявшее обозначение для цепей питания независимо от типа проводимости используемых транзисторов.
Для схем с двух полярным питанием VCC и VDD могут интерпретироваться как наибольшее положительное, а VEE и VSS как самое отрицательное напряжение в схеме относительно земли.

Для микросхем питающихся от одного или нескольких источников одной полярности минус часто обозначают GND (земля). Земля может быть разной, например, сигнальная, соединение с корпусом, заземление.

Вот перечень некоторых обозначений (далеко не полный).

Как видно, часто обозначения образуются путём добавления слова, одной или нескольких букв (возможно цифр), которые соответствуют буквам в слове отражающем функцию цепи (например, как Vref).
Иногда обозначения Vcc и Vdd могут присутствовать у одной микросхемы (или устройства), тогда это может быть, например, преобразователь напряжения. Так же это может быть признаком двойного питания. В таком случае, обычно, Vcc соответствует питанию силовой или периферийной части, Vdd питанию цифровой части (обычно Vcc>=Vdd), а минус питания может быть обозначен Vss.

Совмещение в современных микросхемах различных технологий, традиции, или какие-то другие причины, привели к тому, что нет чёткого критерия для выбора того или иного обозначения. Поэтому бывает, что обозначения «смешивают», например, используют VCC вместе с VSS или VDD вместе с VEE, но смысл, обычно, сохраняется — VCC > VSS, VDD > VEE. Например, практически повсеместно, можно встретить в спецификации на микросхемы серии 74HC (HC = High speed CMOS), 74LVC и др., обозначение питания как Vcc. Т.е. в спецификации на CMOS (КМОП) микросхемы используется обозначение для схем на биполярных транзисторах.
Текстов какого либо стандарта (ANSI, IEEE) по этой теме найти не удалось. Именно поэтому в тексте встречаются слова «может быть», «иногда», «обычно» и подобные. Несмотря на это, приведённой информации вполне достаточно, чтобы чуть лучше ориентироваться в иностранных материалах по электронике.

виды, принцип работы, обозначение на схеме, устройство, применение

На чтение 8 мин Просмотров 2.1к. Опубликовано Обновлено

Транзистор усиливает, преобразует и генерирует электрический импульс. Твердотельный модуль включает стационарные части, при этом отличается компактными габаритами. В электронике применяют несколько видов транзисторов, чтобы оперировать магнитными свойствами и скалярными величинами, координировать вращение электронов, оперировать энергетическими квантами.

Общая информация о транзисторах

Устройства подразделяют на биполярные, полевые, комбинированные. Основой модулей берут полупроводник из германия, химического неметалла кремния, соединения мышьяка и галлия. Ведущее место отводят биполярным моделям, но первоначально ставку делали на полярные.

Электрический ток образуется зарядными носителями, а границы переключения определяются силой сигнала:

  • малый — сильный импульс;
  • открытое — закрытое положение.

По скорости передачи энергии различают транзисторы:

  • маломощные — до 0,1 Вт;
  • средние — 0,1 – 1,0 Вт;
  • мощные — свыше 1 Вт.

Комбинированные материалы представлены различными сочетаниями для повышения технологических свойств. Другие материалы для изготовления используют редко, например, светопрозрачные полупроводники для матричных дисплеев. Есть сообщения о создании транзисторов на базе полимеров, углеродных нанотрубок, графенов.

Пытаюсь разобраться

39.68%

Проголосовало: 126

Устройство

Прибор может быть заключен в металлическом или пластмассовом корпусе. В первом случае изоляторы для выводов делают из керамики или стекла. В пластиковых коробках ставят теплоотвод из металла для установки модуля на внешний радиатор.

Вместе с полупроводником конструкция содержит:

  • стальные выводы;
  • элементы-изоляторы;
  • корпус.

По конструкции приборы делят на виды:

  • дискретные — корпусные и бескорпусные для отдельного монтажа, установки на радиатор, в паечных автоматизированных системах;
  • в структуре интегральных микросхем.

Строение позволяет получать разные виды генераторов для преобразования переменного тока из постоянного.

Применение

Сам транзистор не может усиливать мощность источника питания, но является главным элементом усилительной системы. Он помогает управлять мощностью на выходе, во много раз превышающую показатель управления. Его включают в разрыв между нагрузкой и подающим источником питания, при этом сопротивление поддается быстрому измерению.

Сферы применения:

  • Усилительные (УНЧ) схемы. Используют биполярные и полевые типы, устройства работают в ключевом регламенте регенераторов цифровых импульсов.
  • Системы усиления высокой частоты (УВЧ). Транзисторы ставят на входных контурах приемников Р.Т.А.
  • В качестве генераторов импульсов. Используют для возбуждения прямоугольных (ключевой режим) и произвольных сигналов (линейный регламент).
  • Их также используют в электропереключательных и усиливающих каскадах в виде активных приборов.

Базовый принцип работы

Полупроводниковый транзистор подключают к выводам одноименного вольтажа к базе и эмиттеру, при этом p соединяют с положительным, а n — с отрицательным электродом. В результате между ними появляется ток, а число зарядных носителей в базе зависит от величины напряжения. Ток, идущий к базе, именуют управляющим.

Особенности работы:

  • если к коллектору подать обратное напряжение, между ним и эмиттером пойдет ток из-за разницы потенциалов;
  • повышение объема зарядных носителей приведет к усилению тока;
  • небольшой рост напряжения значительно усиливает ток, что используют при создании усилителей;
  • если на эмиттер подают вольтаж, противоположный по знаку, образование тока останавливается, а транзистор становится в закрытое положение.

Принцип работы транзистора заключается в том, что при использовании одноименной полярности прибор находится в открытом положении, обратные по знаку заряды приводят к закрытию устройства.

Обозначение

Условное позиционирование NPN и PNP транзисторов отличаются, при этом они отражают структуру и принцип работы модуля в электрическом контуре.

Стрелку ставят между базой и эмиттером для показа курса управляющего электротока;

  • у NPN транзисторов указатель сориентирован к эмиттеру от базы, расположение показывает, что в активной фазе электроны движутся в этом направлении;
  • у PNP разновидности стрелка стоит в направлении базы от эмиттера, что говорит о курсе управляющего электротока.

Для обозначения выводов на схеме применяют буквы: коллектор (К), база (Б), эмиттер (Э). На иностранных чертежах литеры меняют, соответственно на: С, В, Е. На плате недалеко от детали может быть обозначение Q, например, Q303. Это означает, что этот транзистор — триста третий по порядку в схеме.

Биполярный транзистор

Полупроводниковое устройство состоит из трех разных по проводимости слоев, к каждому из которых подсоединены проводящие контакты.

По степени электропроводности коллекторный, базовый и эмиттерный слой отличаются мало, но при производстве подвергаются разному уровню легирования:

  • Первый легируется слабо, что дает возможность повысить коллекторный вольтаж.
  • В эмиттерный добавляют много примесей при изготовлении. Объем обратного пробойного напряжения не становится критичным, т. к. приборы функционируют с прямосмещенным переходом. Усиленное легирование дает повышенную инжекцию вторичных зарядоносителей в базовый слой.

Базовая прослойка легируется мало, т. к. находится между коллектором и эмиттером, этот слой должен показывать большое сопротивление.

Как работает

Зарядные носители передвигаются к коллектору сквозь тонкий базовый слой. Средняя прослойка отделена от верхнего и нижнего p-n переходами.

Особенности функционирования:

  • Ток проходит сквозь транзистор, если зарядные носители инжектируются посредством p-n перехода в базовую прослойку из эмиттерной.
  • В результате снижается потенциальная преграда при подаче прямого смещения.
  • В базовой прослойке инжектируемые заряды — не основные носители, поэтому ускоряются и поступают в другие p-n переходы к коллекторному пласту от базовой прослойки.
  • В базе заряды распространяются под действием диффузии или электрического поля.

Эффективность транзистора повышается, если использована тонкая базовая прослойка, но чрезмерное утончение снижает предел допустимого вольтажа коллектора.

Схема включения

Для установки в схему у транзистора есть три вывода. При подключении один контакт определяют, как общий.

Различают схемы подсоединения:

  • С совместным эмиттером. Часто используемая схема усиливает ток и напряжение (отмечается наибольшее повышение мощности). Входной импульс поступает на базовый слой со стороны эмиттера, снимается — с коллектора и инвертируется.
  • С совместным коллектором. Повышается только электроток, коэффициент усиления вольтажа равен 1, сопротивление на входе высокое, а на выходе маленькое. Подключение поддерживает большой промежуток усиливаемых частот.

Если общим при подсоединении служит базовый слой, усиливается напряжение, поэтому его используют чаще в составных системах, но не в однотранзисторных.

Полевой транзистор

Назначение то же, что и биполярного, но разное строение. Транзисторы координируют более высокие мощности при аналогичных размерах.

В структуре есть элементы:

  • сток для приемки большого напряжения;
  • затвор для управляемого напряжения;
  • исток для раздачи напряжения при открытом положении.

Валера

Голос строительного гуру

Задать вопрос

Различают устройства полевого типа: с управлением посредством p-n-перехода, с электроизолированным затвором. В первом случае на противоположных боках полупроводника получаются участки разной электропроводимости для управления электротоком. Во втором виде затвор отделен от канала диэлектрическим материалом.

Как работает

В устройстве полевого типа ток проходит к стоку сквозь канал в легированном проводнике под затвором. Он расположен между нелегированной прослойкой (в ней отсутствуют зарядные носители) и затвором. Здесь присутствует участок обеднения, где ток не проводится.

Размер канала по ширине ограничен областью между участком обеднения и прослойкой. Силой тока управляют с помощью изменения вольтажа, приложенного к затвору. В этом случае меняется канальное сечение, и ток на выходе меняет величину.

Схемы включения

Полевые транзисторы подключают одним из трех способов:

  • с общим стоком;
  • с совместным истоком;
  • с общей базой.

Схема с общим стоком аналогична подключению биполярного модуля с совместным коллектором. Используют тип подсоединения в согласующихся каскадах, где нужно входное напряжение большое, а на выходе — низкое. Включение поддерживает широкий диапазон частот.

Схема с общим истоком дает большое увеличение мощности и электротока, при этом фаза напряжения контура стока переворачивается. Сопротивление на входе может быть несколько сотен мегаОм, чтобы его снизить, добавляют между истоком и затвором резистор.

В схеме с общим затвором нет усиления электротока, повышение мощности небольшое. Напряжение находится в аналогичной фазе с управляющим. При изменении входного импульса напряжение на истоке повышается или понижается.

Комбинированные транзисторы

Гибрид полевого и биполярного устройства обладает положительными чертами двух приборов. Суть с том, что биполярный транзистор большой мощности управляется полевым. Большую нагрузку можно изменять, используя малую мощность, т. к. регулирующий импульс подается на затвор устройства полевого типа.

Внутреннее строение комбинированных транзисторов — каскадное подсоединение двух входных ключей для регулировки конечного плюса. При подаче положительного вольтажа с истока на затвор начинает работать полевой тип, возникает канал передачи между истоком и стоком.

Перемещение зарядных носителей между участками p-n переходов включает биполярное устройство, поэтому происходит перемещение электротока к коллектору от эмиттера.

Однопереходный транзистор Справочники Любительская Радиоэлектроника

 

Однопереходные транзисторы

 

       Принцип действия

       Однопереходный транзистор ( его еще называют- двухбазовый диод) представляет собой трехэлектродный полупроводниковый прибор с одним р-n переходом. Структура его условно показана на рис. 1 а, условное графическое обозначение в схеме— на рис. 1 б.

Основой однопереходного транзистора является кристалл полупроводника (например, с проводимостью n-типа), называемый базой.  На концах кристалла имеются омические контакты Б1 и Б2, между которыми расположена область, имеющая выпрямляющий контакт с полупроводником р-типа, выполняющим роль эмиттера.

Рис. 1. Однопереходный транзистор. Структура (а), условное графическое обозначение(б) и эквивалентная схема (в)

 

Принцип действия однопероходного транзистора удобно рассмотреть, пользуясь простейшей эквивалентной схемой (рис. 1 в), где RБ1 и RБ2 — сопротивления между соответствующими выводами базы и эмиттером, а Д1— эмиттерный р-п переход. Ток, протекающий через сопротивления RБ1 и RБ2, создает на первом из них падение напряжения, смещающее диод Д1 в обратном направлении. Если напряжение на змиттере Uэ меньше падения напряжения на сопротивлении RБ1, диод Д1 закрыт, и через него течет только ток утечки. Когда же напряжение UЭ становится выше напряжения на сопротивлении RБ1, диод начинает пропускать ток в прямом направлении. При этом сопротивление RБ1 уменьшается, что приводит к увеличению тока в цепи Д1 RБ1, а это, в свою очередь, вызывает дальнейшее уменьшение сопротивления RБ1. Этот процесс протекает лавинообразно. Сопротивление RБ1 уменьшается быстрее, чем увеличивается ток через p-n переход, в результате на вольт-амперной характеристике однопереходного транзистора (рис. 2), появляется область отрицательного сопротивления (кривая 1). При дальнейшем увеличении тока зависимость сопротивления RБ1 от тока через p-n переход уменьшается, и при значениях, больших некоторой величины ( Iвыкл) оно не зависит от тока (область насыщения).

 

Рис. 2. Однопереходный транзистор. Вольт-амперная характеристика

 

При уменьшении напряжения смещения Uсм вольт-амперпая характеристика смещается влево (кривая 2) и при отсутствии его обращается в характеристику открытого p-n перехода (кривая 3).

Основными параметрами однопереходных транзисторов, характеризующими их как элементы схем, являются: межбазовое сопротивление RБ1Б2— сопротивление между выводами баз при отключенном эмиттере; коэффициент передачи характеризующий напряжение переключения :

напряжение срабатывания Ucp— минимальное напряжение на эмиттерном переходе, необходимое для перевода прибора из состояния с большим сопротивлением в состояние с отрицательным сопротивлением;
ток включения Iвкл — минимальный ток, необходимый для включения однопереходного транзистора, то есть перевода его в область отрицательного сопротивления;
ток выключения Iвыкл —наименьший эмиттерный ток, удерживающий транзистор во включенном состоянии;
напряжение выключения Uвыкл— напряжение на эмиттерном переходе при токе через него, равном Iвыкл;
обратный ток эмиттера Iэо — ток утечки закрытого эмиттерного перехода.

Эквивалент однопереходного транзистора может быть построен из двух обычных транзисторов с разным типом проводимости, как показано на рис. 3.

Рис. 3. Однопереходный транзистор. Эквивалент однопереходного транзистора

Здесь ток, протекающий через делитель, состоящий из резисторов R1 и R2, создает на втором из них падение напряжения, закрывающее эмиттерный переход транзистора Т1. При увеличении напряжения на эмиттере транзистор Т1 начинает пропускать ток в базу транзистора Т2, в результате чего он также открывается. Это приводит к снижению напряжения на базе транзистора Т1, что, в свою очередь, вызывает еще большее открывание его и т. д. Другими словами, процесс открывания транзисторов в таком устройстве также протекает лавинообразно и вольтамперная характеристика устройства имеет вид, аналогичный характеристике однопереходного транзистора.

 

В. КОНЯЕВ, В. РЕПИН

      ИAB>G=8: материла: htt://radvs.boom.ru.   54. 12.09 В.Ф. Гайнутдинов

 

Обозначение на схемах плат

При изготовлении радиоэлектронных устройств, у начинающих радиолюбителей могут возникнуть трудности с расшифровкой обозначений на схеме различных элементов. Для этого был составлен небольшой сборник самых часто встречающихся условных обозначений радиодеталей. Следует учесть, что здесь приводится исключительно зарубежный вариант обозначения и на отечественных схемах возможны отличия. Но так как большинство схем и деталей импортного происхождения – это вполне оправдано.

Резистор на схеме обозначается латинской буквой «R», цифра – условный порядковый номер по схеме. В прямоугольнике резистора может быть обозначена номинальная мощность резистора – мощность, которую он может долговременно рассеивать без разрушения. При прохождении тока на резисторе рассеивается определенная мощность, которая приводит к нагреву последнего. Большинство зарубежных и современных отечественных резисторов маркируется цветными полосами. Ниже приведена таблица цветовых кодов.

Далее приводится структура и цоколёвка с обозначением назначения выводов популярных импортных цифровых микросхем серии CD40xx и операционных усилителей LM.

Наиболее часто встречающаяся система обозначений полупроводниковых радиодеталей – европейская. Основное обозначение по этой системе состоит из пяти знаков. Две буквы и три цифры – для широкого применения. Три буквы и две цифры – для специальной аппаратуры. Следующая за ними буква обозначает разные параметры для приборов одного типа.

Первая буква – код материала:

А – германий;
В – кремний;
С – арсенид галлия;
R – сульфид кадмия.

Вторая буква – назначение:

А – маломощный диод;
В – варикап;
С – маломощный низкочастотный транзистор;
D – мощный низкочастотный транзистор;
Е – туннельный диод;
F – маломощный высокочастотный транзистор;
G – несколько приборов в одном корпусе;
Н – магнитодиод;
L – мощный высокочастотный транзистор;
М – датчик Холла;
Р – фотодиод, фототранзистор;
Q – светодиод;
R – маломощный регулирующий или переключающий прибор;
S – маломощный переключательный транзистор;
Т – мощный регулирующий или переключающий прибор;
U – мощный переключательный транзистор;
Х – умножительный диод;
Y – мощный выпрямительный диод;
Z – стабилитрон.

На странице приведены наиболее часто применяемые условные графические обозначения радиоэлементов в принципиальных электрических схемах + фото и описание.

Для понимания принципиальных электрических схем необходимо ознакомиться с входящими в них радиоэлементами, знать область применения и принцип действия электротехнических устройств. Для условных графических обозначений различных радиоэлементов используются стандартизованные геометрические символы.

Наиболее часто применяемые условные графические обозначения радиоэлементов в принципиальных электрических схемах приведены в следующей таблице: Радиодетали с названиями и обозначении на схеме. Отметим также, что все радио элементы в электрических схемах имеют буквенное обозначение и порядковый номер (в схемах номера радиоэлементов размещают сверху-вниз и слева-направо).

Чтобы можно было собрать радиоэлектронное устройство, необходимо знать обозначение радиодеталей на схеме и их название, а также порядок их соединения. Для осуществления этой цели и были придуманы схемы. На заре радиотехники радиодетали изображались трехмерными. Для их составления требовались опыт художника и знания внешнего вида деталей. Со временем изображения упрощались, пока не превратились в условные знаки.

Чтение электрической схемы

Сама схема, на которой нарисованы условные графические обозначения (УГО), называется принципиальной. Она не только показывает, каким образом соединяются те или иные элементы схемы, но и объясняет, как работает все устройство, показывая принцип его действия. Чтобы добиться такого результата, важно правильно показать отдельные группы элементов и соединение между ними.

Помимо принципиальной, существуют и монтажные. Они предназначены для точного отображения каждого элемента относительно друг друга. Арсенал радиоэлементов огромен. Постоянно добавляются новые. Тем не менее УГО на всех схемах почти одинаково, а вот буквенный код существенно отличается. Существует 2 вида стандарта:

  • государственный, в этот стандарт может входить несколько государств;
  • международный, пользуются почти во всем мире.

Но какой бы стандарт ни применялся, он должен четко показать обозначение радиодеталей на схеме и их название. В зависимости от функционала радиодетали УГО могут быть простыми или сложными. Например, можно выделить несколько условных групп:

  • источники питания;
  • индикаторы, датчики;
  • переключатели;
  • полупроводниковые элементы.

Этот перечень неполный и служит лишь для наглядности. Чтобы легче было разобраться в условных обозначениях радиодеталей на схеме, необходимо знать принцип действия этих элементов.

Источники питания

К ним относятся все устройства, способные вырабатывать, аккумулировать или преобразовывать энергию. Первый аккумулятор изобрел и продемонстрировал Александро Вольта в 1800 году. Он представлял собой набор медных пластин, проложенных влажным сукном. Видоизмененный рисунок стал состоять из двух параллельных вертикальных прямых, между которыми стоит многоточие. Оно заменяет недостающие пластины. Если источник питания состоит из одного элемента, многоточие не ставится.

В схеме с постоянным током важно знать, где находится положительное напряжение. Поэтому положительную пластину делают выше, а отрицательную ниже. Причем обозначение аккумулятора на схеме и батарейке ничем не отличается.

Также нет отличия и в буквенном коде Gb. Солнечные батареи, которые вырабатывают ток под влиянием солнечного света, в своем УГО имеют дополнительные стрелки, направленные на батарею.

Если источник питания внешний, например, радиосхема питается от сети, тогда вход питания обозначается клеммами. Это могут быть стрелки, окружности со всевозможными добавлениями. Возле них указывается номинальное напряжение и род тока. Переменное напряжение обозначается знаком «тильда» и может стоять буквенный код Ас. Для постоянного тока на положительном вводе стоит «+», на отрицательном «-«, а может стоять знак «общий». Он обозначается перевернутой буквой Т.

Полупроводниковые диоды

Полупроводники, пожалуй, имеют самую обширную номенклатуру в радиоэлектронике. Постепенно добавляются все новые приборы. Все их можно условно разделить на 3 группы:

В полупроводниковых приборах используется р-п-переход, схемотехника в УГО старается показывать особенности того или иного прибора. Так, диод способен пропускать ток в одном направлении. Это свойство схематически показано в условном обозначении. Оно выполнено в виде треугольника, у вершины которого стоит черточка. Эта черточка показывает, что ток может идти только по направлению треугольника.

Если к этой прямой пририсован короткий отрезок и он обращен в обратную сторону от направления треугольника, то это уже стабилитрон. Он способен пропускать небольшой ток в обратном направлении. Такое обозначение справедливо только для приборов общего назначения. Например, изображение для диода с барьером Шоттки нарисован s-образный знак.

Некоторые радиодетали имеют свойства двух простых приборов, соединенных вместе. Эту особенность также отмечают. При изображении двустороннего стабилитрона рисуются оба, причем вершины треугольников направлены друг к другу. При обозначении двунаправленного диода изображаются 2 параллельных диода, направленных в разные стороны.

Другие приборы обладают свойствами двух разных деталей, например, варикап. Это полупроводник, поэтому он рисуется треугольником. Однако в основном используется емкость его р-п—перехода, а это уже свойства конденсатора. Поэтому к вершине треугольника пририсовывается знак конденсатора — две параллельные прямые.

Признаки внешних факторов, влияющих на прибор, также нашли свое отражение. Фотодиод преобразует солнечный свет в электрический ток, некоторые виды являются элементами солнечной батареи. Они изображаются как диод, только в круге, и на них направлены 2 стрелки, для показа солнечных лучей. Светодиод, напротив, излучает свет, поэтому стрелки идут от диода.

Транзисторы полярные и биполярные

Транзисторы также являются полупроводниковыми приборами, но имеют в основном два p-n-p-перехода в биполярных транзисторах. Средняя область между двумя переходами является управляющей. Эмиттер инжектирует носители зарядов, а коллектор принимает их.

Корпус изображен кружком. Два p-n-перехода изображены одним отрезком в этом кружке. С одной стороны, к этому отрезку подходит прямая под углом 90 градусов — это база. С другой стороны, 2 косые прямые. Одна из них имеет стрелку — это эмиттер, другая без стрелки — коллектор.

По эмиттеру определяют структуру транзистора. Если стрелка идет по направлению к переходу, то это транзистор p-n-p типа, если от него — то это n-p-n транзистор. Раньше выпускался однопереходный транзистор, его еще называют двухбазовым диодом, имеет один p-n-переход. Обозначается как биполярный, но коллектор отсутствует, а баз две.

Похожий рисунок имеет и полевой транзистор. Отличие в том, что переход у него называется каналом. Прямая со стрелкой подходит к каналу под прямым углом и называется затвором. С противоположной стороны подходят сток и исток. Направление стрелки показывает тип канала. Если стрелка направлена на канал, то канал n-типа, если от него, то p-типа.

Полевой транзистор с изолированным затвором имеет некоторые отличия. Затвор рисуется в виде буквы г и не соединяется с каналом, стрелка помещается между стоком и истоком и имеет то же значение. В транзисторах с двумя изолированными затворами на схеме добавляется второй такой же затвор. Сток и исток взаимозаменяемые, поэтому полевой транзистор можно подключать как угодно, нужно лишь правильно подключить затвор.

Интегральные микросхемы

Интегральные микросхемы являются самыми сложными электронными компонентами. Выводы, как правило, являются частью общей схемы. Их можно разделить на такие виды:

На схеме они обозначаются в виде прямоугольника. Внутри стоит код и (или) название схемы. Отходящие выводы пронумерованы. Операционные усилители рисуются треугольником, выходящий сигнал идет из его вершины. Для отсчета выводов на корпусе микросхемы рядом с первым выводом ставится отметка. Обычно это выемка квадратной формы. Чтобы правильно читать микросхемы и обозначения знаков, прилагаются таблицы.

Прочие элементы

Все радиодетали соединяются между собой проводниками. На схеме они изображаются прямыми линиями и чертятся строго по горизонтали и вертикали. Если проводники при пересечении друг с другом имеют электрическую связь, то в этом месте ставится точка. В советских схемах и американских, чтобы показать, что проводники не соединяются, в месте пересечения ставится полуокружность.

Конденсаторы обозначаются двумя параллельными отрезками. Если это электролитический, для подключения которого важно соблюдать полярность, то возле его положительного вывода ставится +. Могут встречаться обозначения электролитических конденсаторов в виде двух параллельных прямоугольников, один из них (отрицательный) окрашивается в черный цвет.

Для обозначения переменных конденсаторов используют стрелку, она по диагонали перечеркивает конденсатор. В подстроечных вместо стрелки используется т-образный знак. Вариконд — конденсатор, меняющий емкость от приложенного напряжения, рисуется, как и переменный, но стрелку заменяет короткая прямая, возле которой стоит буква u. Емкость показывается цифрой и рядом ставится мкФ (микроФарада). Если емкость меньше — буквенный код опускается.

Еще один элемент, без которого не обходится ни одна электрическая схема — это резистор. Обозначается на схеме в виде прямоугольника. Чтобы показать, что резистор переменный, сверху рисуют стрелку. Она может быть соединена либо с одним из выводов, либо являться отдельным выводом. Для подстроечных используют знак в виде буквы т. Как правило, рядом с резистором указывается его сопротивление.

Для обозначения мощности постоянных резисторов могут использоваться знаки в виде черточек. Мощность в 0,05 Вт обозначается тремя косыми, 0,125 Вт — двумя косыми, 0,25 Вт — одной косой, 0,5 Вт — одна продольная. Большая мощность показывается римскими цифрами. Из-за многообразия невозможно провести описание всех обозначений электронных компонентов на схеме. Чтобы определить тот или иной радиоэлемент, пользуются справочниками.

Буквенно-цифровой код

Для простоты радиодетали разделяются на группы по признакам. Группы делятся на виды, виды — на типы. Ниже приведены коды групп:

  • A — устройства;
  • B — преобразователи;
  • C — конденсаторы;
  • D — микросхемы;
  • E — элементы разные;
  • F — защитные устройства;
  • G — источники питания;
  • H — индикаторы;
  • K — реле;
  • L — катушки;
  • M — двигатели;
  • P — приборы;
  • Q — выключатели;
  • R — резисторы;
  • S — выключатели;
  • T — трансформаторы;
  • U — преобразователи;
  • V — полупроводники, электровакуумные лампы;
  • X — контакты;
  • Y — электромагнит.

Для удобства монтажа на печатных платах указываются места для радиодеталей буквенным кодом, рисунком и цифрами. У деталей с полярными выводами у положительного вывода ставится +. В местах для пайки транзисторов каждый вывод помечается соответствующей буквой. Плавкие предохранители и шунты отображаются прямой линией. Выводы микросхем маркируются цифрами. Каждый элемент имеет свой порядковый номер, который указан на плате.

%d0%be%d0%b1%d0%be%d0%b7%d0%bd%d0%b0%d1%87%d0%b5%d0%bd%d0%b8%d0%b5%20%d1%8d%d0%bb%d0%b5%d0%bc%d0%b5%d0%bd%d1%82%d0%b0%20%d0%bd%d0%b0%20%d1%81%d1%85%d0%b5%d0%bc%d0%b5%20%d0%b8%d0%bb%d0%b8%20%d0%bd%d0%b0%20%d0%bf%d0%bb%d0%b0%d1%82%d0%b5 — с русского на все языки

Все языкиАбхазскийАдыгейскийАфрикаансАйнский языкАканАлтайскийАрагонскийАрабскийАстурийскийАймараАзербайджанскийБашкирскийБагобоБелорусскийБолгарскийТибетскийБурятскийКаталанскийЧеченскийШорскийЧерокиШайенскогоКриЧешскийКрымскотатарскийЦерковнославянский (Старославянский)ЧувашскийВаллийскийДатскийНемецкийДолганскийГреческийАнглийскийЭсперантоИспанскийЭстонскийБаскскийЭвенкийскийПерсидскийФинскийФарерскийФранцузскийИрландскийГэльскийГуараниКлингонскийЭльзасскийИвритХиндиХорватскийВерхнелужицкийГаитянскийВенгерскийАрмянскийИндонезийскийИнупиакИнгушскийИсландскийИтальянскийЯпонскийГрузинскийКарачаевскийЧеркесскийКазахскийКхмерскийКорейскийКумыкскийКурдскийКомиКиргизскийЛатинскийЛюксембургскийСефардскийЛингалаЛитовскийЛатышскийМаньчжурскийМикенскийМокшанскийМаориМарийскийМакедонскийКомиМонгольскийМалайскийМайяЭрзянскийНидерландскийНорвежскийНауатльОрокскийНогайскийОсетинскийОсманскийПенджабскийПалиПольскийПапьяментоДревнерусский языкПортугальскийКечуаКвеньяРумынский, МолдавскийАрумынскийРусскийСанскритСеверносаамскийЯкутскийСловацкийСловенскийАлбанскийСербскийШведскийСуахилиШумерскийСилезскийТофаларскийТаджикскийТайскийТуркменскийТагальскийТурецкийТатарскийТувинскийТвиУдмурдскийУйгурскийУкраинскийУрдуУрумскийУзбекскийВьетнамскийВепсскийВарайскийЮпийскийИдишЙорубаКитайский

 

Все языкиАнглийскийНемецкийНорвежскийКитайскийИвритФранцузскийУкраинскийИтальянскийПортугальскийВенгерскийТурецкийПольскийДатскийЛатинскийИспанскийСловенскийГреческийЛатышскийФинскийПерсидскийНидерландскийШведскийЯпонскийЭстонскийТаджикскийАрабскийКазахскийТатарскийЧеченскийКарачаевскийСловацкийБелорусскийЧешскийАрмянскийАзербайджанскийУзбекскийШорскийРусскийЭсперантоКрымскотатарскийСуахилиЛитовскийТайскийОсетинскийАдыгейскийЯкутскийАйнский языкЦерковнославянский (Старославянский)ИсландскийИндонезийскийАварскийМонгольскийИдишИнгушскийЭрзянскийКорейскийИжорскийМарийскийМокшанскийУдмурдскийВодскийВепсскийАлтайскийЧувашскийКумыкскийТуркменскийУйгурскийУрумскийЭвенкийскийБашкирскийБаскский

Транзистор кт3107 — цоколевка, технические характеристики

Типоразмеры SMD-компонентов

Маркировка смд, информирующая о габаритах, называется типоразмером. Это цифровой код, в котором первые два символа показывают ширину элемента (в дюймах или миллиметрах), следующие два – длину. Причем компоненты с одинаковыми рабочими характеристиками могут отличаться по размерам.

SMD резисторы

В зависимости от производителя, резисторы могут иметь маркировку, состоящую из одних цифр или их сочетания с буквами. Когда она состоит из 3 или 4 цифр, последняя из них обозначает число нулей, соответствующее сопротивлению элемента. Например, код 7502 обозначает, что цифра, показывающая сопротивление, – 75000 Ом. В смешанных кодах буква отделяет дробную часть от целой: 5R7 = 5,7 Ом.

Важно! Среди smd-деталей есть резисторные элементы с сопротивлением, равным нулю. Обычно они применяются в предохранительных целях

SMD конденсаторы

Внешний вид и маркировка этого типа компонентов отличаются между собой, в зависимости от материала конденсатора. Изделия из керамики по форме схожи с резисторами и имеют аналогичную структуру типоразмеров. Для продукции из тантала коды отличаются – ставится одна из латинских букв от А до Е, показывающая размер элемента (Е – наибольший). У электролитических изделий полоса на корпусе помечает минусовой вывод, из показателей проставляются напряжение и емкость. Это единственный тип smd конденсаторов, который имеет цилиндрическую форму, и у которого на корпусе указываются сведения о емкости. У остальных типов для ее определения нужно воспользоваться мультиметром.

SMD катушки индуктивности и дроссели

У изделий, содержащих намотку, типоразмеры имеют вид четверки чисел, где первые два показывают длину в сотых долях дюйма, другие два – ширину, например: 0905 – 0,09х0,05 дюйма.

SMD диоды и стабилитроны

Диоды smd снабжены цветной полоской: одиночной (например, желтой или красной) или парой полос разного цвета. Они находятся возле вывода катода. У светодиодов обозначение полярности вариабельно в зависимости от изготовителя (это указывают в заводской документации). Один из вариантов – пометка в виде точки. Зачастую это единственная отметка на корпусе данного компонента.

Маркировка диодов smd с корпусом в виде цилиндра в отношении типоразмеров имеет такой же вид, как у резисторных и катушечных элементов. Корпуса у них, как и у стабилитронов, имеют определенный цифробуквенный код. В целом, метки на данной категории элементов зачастую не отличаются высокой информативностью, так как проектировщики не рассчитывают, что ремонт печатной платы будет производиться радиолюбителем или самим пользователем прибора. Работники сервисных центров ориентируются на заводскую документацию, в ней указывается положение разных компонентов на плате.

Важно! Иногда изготовители выпускают сборки – серии диодов, вмонтированных в один корпус. В таком элементе могут располагаться десятки диодов, однако чаще их количество невелико – 2-4

Такие компактные конструкции размещаются на плате легче и занимают меньше места, чем отдельные компоненты.

Диоды и стабилитроны

SMD транзисторы

Как и предыдущая категория деталей, транзисторы имеют скупую маркировку, в данном случае это связано с очень мелкими размерами. Указывают лишь коды, причем в их отношении отсутствуют унифицированные международные нормы. Один и тот же код может использоваться разными производителями для разных типов элемента. Не имея на руках документации на плату, порой бывает очень тяжело определить тип используемого транзистора. Детали отличаются также по степени мощности.

Корпуса транзисторов разных размеров

Резисторы: общие сведения

Эти элементы также можно встретить в любой конструкции – хоть в радиоприемнике, хоть в схеме управления на микроконтроллере. Это фарфоровая трубка, на которой с внешней стороны проведено напыление тонкой пленки металла (углерода – в частности, сажи). Впрочем, можно нанести даже графит – эффект будет аналогичный. Если резисторы имеют очень низкое сопротивление и высокую мощность, то используется в качестве проводящего слоя нихромовая проволока.

Основная характеристика резистора – это сопротивление. Используется в электрических схемах для установки необходимого значения тока в определенных цепях. На уроках физики проводили сравнение с бочкой, наполненной водой: если изменять диаметр трубы, то можно регулировать скорость струи. Стоит отметить, что от толщины токопроводящего слоя зависит сопротивление. Чем тоньше этот слой, тем выше сопротивление. При этом условные обозначения радиодеталей на схемах не зависят от размеров элемента.

Что дает применение SMD компонентов?

При использовании SMD компонентов не нужно сверлить отверстия в платах, формировать и обрезать выводы перед монтажом. Сокращается число технологических операций, уменьшается стоимость изделий.

SMD компоненты меньше обычных, поэтому плата с такими элементами и устройство в целом будут более компактными.

SMD компоненты можно монтировать с обеих сторон платы, что еще больше увеличивает плотность монтажа.

Устройство с SMD элементами будет иметь лучшие электрические характеристики за счет меньших паразитных емкостей и индуктивностей.

Есть, конечно, и минусы. Для монтажа SMD компонентов нужно специальное оборудование и технологии. С другой стороны, монтаж электронных плат давно осуществляется автоматизированными комплексами. Чего только не придумает человек!

При ремонтных работах во многих случаях можно монтировать и демонтировать SMD компоненты.

Однако и здесь не обойтись без вспомогательного оборудования. Припаять микросхему в BGA корпусе без паяльной станции невозможно! Да и планарную микросхему с сотней выводов утомительно паять вручную. Разве только из любви к процессу…

В заключение отметим, что предохранитель тоже могут иметь SMD исполнение.

Такие штуки используют на материнских платах для защиты USB или PS/2 портов.

Пользуясь случаем, напомним, что устройства с PS/2 разъемами (мыши и клавиатуры) нельзя переключать «на ходу» (в отличие от USB).

Но если случилась такая неприятность, что PS/2 устройство перестало работать после «горячей» коммутации, не спешите хвататься за голову.

Проверьте сначала SMD предохранитель вблизи соответствующего порта.

Можно еще почитать:

С вами был Виктор Геронда.

До встречи на блоге!

Цоколевка

Распиновка  TIP41C выполнена в корпусе (ТО-220), он изготавливается из пластмассы и имеет три жестких вывода. Как показано на рисунке ниже, их назначение у данного транзистора такое: первый вывод слева — база, второй – коллектор, третий – эмиттер.

Радиатор ТО-220 конструктивно объединен с коллекторным выводом. Эта особенность большинства транзисторов в подобном исполнении. Однако стоит отметить, что такое соединение отсутствует у устройства в полностью изолированном корпусе TO-220F (от Unisonic Technologies), так как у  него попросту отсутствует металлизированный теплоотвод.

Полупроводники

Это самая большая часть всех радиоэлементов, так как в число полупроводников входят не только стабилитроны, транзисторы, диоды, но и варикапы, вариконды, тиристоры, симисторы, микросхемы, и т. д. Да, микросхемы – это один кристалл, на котором может находиться великое множество радиоэлементов – и конденсаторов, и сопротивлений, и р-п-переходов.

Как вы знаете, есть проводники (металлы, например), диэлектрики (дерево, пластик, ткани). Могут быть различными обозначения радиодеталей на схеме (треугольник – это, скорее всего, диод или стабилитрон). Но стоит отметить, что треугольником без дополнительных элементов обозначается логическая земля в микропроцессорной технике.

Эти материалы либо проводят ток, либо нет, независимо от того, в каком агрегатном состоянии они находятся. Но существуют и полупроводники, свойства которых меняются в зависимости от конкретных условий. Это такие материалы, как кремний, германий. Кстати, стекло тоже можно отчасти отнести к полупроводникам – в нормальном состоянии оно не проводит ток, но вот при нагреве картина полностью обратная.

Постоянные резисторы

Что касается таких элементов, то можно выделить наиболее распространенные типы:

  1. Металлизированные лакированные теплостойкие – сокращенно МЛТ.
  2. Влагостойкие сопротивления – ВС.
  3. Углеродистые лакированные малогабаритные – УЛМ.

У резисторов два основных параметра – мощность и сопротивление. Последний параметр измеряется в Омах. Но эта единица измерения крайне мала, поэтому на практике чаще встретите элементы, у которых сопротивление измеряется в мегаомах и килоомах. Мощность измеряется исключительно в Ваттах. Причем габариты элемента зависят от мощности. Чем она больше, тем крупнее элемент. А теперь о том, какое существует обозначение радиодеталей. На схемах импортных и отечественных устройств все элементы могут обозначаться по-разному.

На отечественных схемах резистор – это небольшой прямоугольник с соотношением сторон 1:3, его параметры прописываются либо сбоку (если расположен элемент вертикально), либо сверху (в случае горизонтального расположения). Сначала указывается латинская буква R, затем – порядковый номер резистора в схеме.

Транзисторы

Если диоды и стабилитроны можно иногда даже не встретить в конструкциях, то транзисторы вы найдете в любой (кроме детекторного приемника). У транзисторов три электрода:

  1. База (сокращенно буквой «Б» обозначается).
  2. Коллектор (К).
  3. Эмиттер (Э).

Транзисторы могут работать в нескольких режимах, но чаще всего их используют в усилительном и ключевом (как выключатель). Можно провести сравнение с рупором – в базу крикнули, из коллектора вылетел усиленный голос. А за эмиттер держитесь рукой – это корпус. Основная характеристика транзисторов – коэффициент усиления (отношение тока коллектора и базы). Именно данный параметр наряду с множеством иных является основным для этой радиодетали. Обозначения на схеме у транзистора – вертикальная черта и две линии, подходящие к ней под углом. Можно выделить несколько наиболее распространенных видов транзисторов:

  1. Полярные.
  2. Биполярные.
  3. Полевые.

Существуют также транзисторные сборки, состоящие из нескольких усилительных элементов. Вот такие самые распространенные существуют радиодетали. Обозначения на схеме были рассмотрены в статье.

Корпуса чип-компонентов

Корпуса для компонентов делают из различных типов материалов. В наибольшем ходу – корпуса в форме цилиндра из стекла и металла и прямоугольные коробки из керамики или пластика. Есть приборы относительно сложной конструкции, например, вертикальные розетки-коннекторы, ответственные за соединение с локальной сетью Ethernet.

Элементы монтажа можно квалифицировать по сочетанию двух параметров: габаритов и числа выводов. Наименьшее количество выводов (при их наличии), встречающееся у этих изделий, – 2. Иногда встречаются приборы с многочисленными выводами, даже более 8, это может сочетаться с очень мелким размером. Есть детали совсем без выводов, тогда припаивание осуществляется через контактные площади или специальные шарики. У разных отечественных и зарубежных производителей есть некоторые отличия в обозначениях маркировки и в размерах производимых изделий (к примеру, конденсаторы отличаются параметром высоты). Существует классификация корпусов, в которой каждому виду присваивается код из 3-5 латинских букв (например, SOT – маленький транзистор с тремя выводами).

Размеры корпусов SMD

Переменный резистор (потенциометр)

Постоянные сопротивления имеют всего два вывода. А вот переменные – три. На электрических схемах и на корпусе элемента указывается сопротивление между двумя крайними контактами. А вот между средним и любым из крайних сопротивление будет меняться в зависимости от того, в каком положении находится ось резистора. При этом если подключить два омметра, то можно увидеть, как будет меняться показание одного в меньшую сторону, а второго — в большую. Нужно понять, как читать схемы радиоэлектронных устройств. Обозначения радиодеталей тоже не лишним окажется знать.

Суммарное сопротивление (между крайними выводами) останется неизменным. Переменные резисторы используются для регулирования усиления (с их помощью меняете вы громкость в радиоприемниках, телевизорах). Кроме того, переменные резисторы активно используются в автомобилях. Это датчики уровня топлива, регуляторы скорости вращения электродвигателей, яркости освещения.

Диоды и стабилитроны

Полупроводниковый диод имеет всего два электрода: катод (отрицательный) и анод (положительный). Но какие же существуют особенности у этой радиодетали? Обозначения на схеме можете увидеть выше. Итак, вы подключаете источник питания плюсом к аноду и минусом к катоду. В этом случае электрический ток будет протекать от одного электрода к другому. Стоит отметить, что у элемента в этом случае крайне малое сопротивление. Теперь можно провести эксперимент и подключить батарею наоборот, тогда сопротивление току увеличивается в несколько раз, и он перестает идти. А если через диод направить переменный ток, то получится на выходе постоянный (правда, с небольшими пульсациями). При использовании мостовой схемы включения получается две полуволны (положительные).

Стабилитроны, как и диоды, имеют два электрода – катод и анод. В прямом включении этот элемент работает точно так же, как и рассмотренный выше диод. Но если пустить ток в обратном направлении, можно увидеть весьма интересную картину. Первоначально стабилитрон не пропускает через себя ток. Но когда напряжение достигает некоторого значения, происходит пробой, и элемент проводит ток. Это напряжение стабилизации. Очень хорошее свойство, благодаря которому получается добиться стабильного напряжения в цепях, полностью избавиться от колебаний, даже самых мелких. Обозначение радиодеталей на схемах — в виде треугольника, а у его вершины — черта, перпендикулярная высоте.

Основные виды и размеры SMD приборов

Корпуса компонентов для микроэлектроники, имеющие одинаковые номинальные значения, могут отличаться друг от друга габаритами. Их габариты определяются прежде всего по типовому размеру каждого. К примеру: резисторы обозначаются типовыми размеры от «0201» до «2512». Данные 4 цифры в маркировке SMD компонента обозначают кодировку, которая указывает длину и ширину прибора в дюймовом измерении. В размещенной таблице, типовые размеры указаны также и в мм.

Маркировка SMD компонентов — резисторы

Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы
ТипоразмерL, мм (дюйм)W, мм (дюйм)H, мм (дюйм)A, ммВт
02010.6 (0.02)0.3 (0.01)0.23 (0.01)0.131/20
04021.0 (0.04)0.5 (0.01)0.35 (0.014)0.251/16
06031.6 (0.06)0.8 (0.03)0.45 (0.018)0.31/10
08052.0 (0.08)1.2 (0.05)0.4 (0.018)0.41/8
12063.2 (0.12)1.6 (0.06)0.5 (0.022)0.51/4
12105.0 (0.12)2.5 (0.10)0.55 (0.022)0.51/2
12185.0 (0.12)2.5 (0.18)0.55 (0.022)0.51
20105.0 (0.20)2.5 (0.10)0.55 (0.024)0.53/4
25126.35 (0.25)3.2 (0.12)0.55 (0.024)0.51
Цилиндрические чип-резисторы и диоды
ТипоразмерØ, мм (дюйм)L, мм (дюйм)Вт
01021.1 (0.01)2.2 (0.02)1/4
02041.4 (0.02)3.6 (0.04)1/2
02072.2 (0.02)5.8 (0.07)1

SMD конденсаторы

Конденсаторы выполненные из керамики по размеру одинаковы с резисторами, что касается танталовых конденсаторов, то они определяются по своей, собственной шкале типовых размеров:

Танталовые конденсаторы
ТипоразмерL, мм (дюйм)W, мм (дюйм)T, мм (дюйм)B, ммA, мм
A3.2 (0.126)1.6 (0.063)1.6 (0.063)1.20.8
B3.5 (0.138)2.8 (0.110)1.9 (0.075)2.20.8
C6.0 (0.236)3.2 (0.126)2.5 (0.098)2.21.3
D7.3 (0.287)4.3 (0.170)2.8 (0.110)2.41.3
E7.3 (0.287)4.3 (0.170)4.0 (0.158)2.41.2

Катушки индуктивности и дроссели SMD

Индуктивные катушки могут быть выполнены в различных конфигурациях корпуса, но их значение индицируется также, исходя из типоразмеров. Такой принцип маркировки SMD и расшифровки кодовых обозначений, дает возможность значительно упростить монтаж элементов на плате в автоматическом режиме, а радиолюбителю свободнее ориентироваться.

dr>

Моточные компоненты, такие как катушки, трансформаторы и прочие, которые мы в большинстве случаев изготавливаем собственноручно, могут просто не уместится на плате. Поэтому такие изделия, также выпускаются в компактном исполнении, которые можно установить на плату.

Определить какая именно катушка требуется вашему проекту, лучше всего воспользоваться каталогом и там подобрать требующийся вариант по типовому размеру. Типовые размеры, определяют с использованием кодового обозначения маркированного 4 числами (0805). Где значение «08» определяет длину, а число «05» показывает ширину в дюймовом измерении. Фактические габариты такого SMD компонента составят 0.08х0.05 дюйма.

Диоды и стабилитроны в корпусе SMD

Что касается диодов, то они также выпускаются в корпусах как цилиндрической формы так и в виде многогранника. Типовые размеры у этих компонентов задаются идентично индуктивным катушкам, сопротивлениям и конденсаторам.

Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы
Тип корпусаL* (мм)D* (мм)F* (мм)S* (мм)Примечание
DO-213AA (SOD80)3.51.650480.03JEDEC
DO-213AB (MELF)5.02.520.480.03JEDEC
DO-213AC3.451.40.42JEDEC
ERD03LL1.61.00.20.05PANASONIC
ER021L2.01.250.30.07PANASONIC
ERSM5.92.20.60.15PANASONIC, ГОСТ Р1-11
MELF5.02.50.50.1CENTS
SOD80 (miniMELF)3.51.60.30.075PHILIPS
SOD80C3.61.520.30.075PHILIPS
SOD873.52.050.30.075PHILIPS

Транзисторы в корпусе SMD

СМД транзисторы выполнены в корпусах, которые соответствуют их максимальном мощности. Корпуса этих полупроводниковых элементов символично можно разделить на два вида: SOT и DPAK.

Маркировка SMD компонентов

Маркировка электронных приборов в современной технике уже требует профессиональных знаний, и так просто, с кондачка в ней тяжело разобраться, особенно начинающему радиолюбителю. В сравнении с деталями выпускаемыми при Советском Союзе, где маркировка номинального значения и тип прибора наносилась в текстовом варианте, сейчас это просто мета паяльщика. Не надо было держать под рукой кипы справочной литературы, чтобы определить назначение и параметры того или иного прибора.

Однако, технологические процессы в промышленности не стоят на месте и автоматизация производства определяет свои правила. Именно SMD детали в поверхостном монтаже играют главную роль, а роботу нет никакого дела до маркировки деталей заправленных в машину, что туда поместили, то он и припаяет. Маркировка нужна специалисту, который обслуживает этого робота.

Скачать программу для расшифровки обозначения SMD деталей

Характеристики

Транзистор TIP41c характеризуются следующими предельно допустимыми значениями, при температуре корпуса  (TC) не более 25 оC:

  • Напряжение между коллектором базой (VCBO) не должно быть больше – 100 В.
  • Напряжение между коллектором и эмиттером (VCEO) должно быть менее – 100 В.
  • Максимально возможное напряжение между эмиттером и базой (VEBO) – 5 В.
  • Постоянный (DC) предельный ток коллектора (IC) – 6 А.
  • Кратковременный (импульсный) допустимый ток коллектора (ICP) – 10 A.
  • Минимальная граничная частота (FT) до 3 МГц.
  • Ток базы (IB) – 2 А.
  • Максимальная мощность рассеиваемая на коллекторе (PC) – 65 Вт, или 2 Вт (при Tокр.ср. =25 оC).
  • Максимальная температура перехода (TJ) – 150 о
  • Диапазон рабочих температур (TSTG) от -65 до +150 о

В спецификациях различных производителей его параметры обычно приводятся вместе с братьями-близнецами TIP41A и TIP41B. Они отличаются от рассматриваемого, только более низкими предельно допустимыми значениями пропускаемых напряжений. В остальном являются его полной копией.

Электрические

За превышение вышеприведенных предельных значений придется расплачивается покупкой нового устройства. Обобщенные электрические характеристики TIP41C, представлены в следующей таблице. Они так же приведены с учетом TC не превышающей 25 оC:

Оцените статью:

ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ЕДИНАЯ СИСТЕМА КОНСТРУКТОРСКОЙ ДОКУМЕНТАЦИИ

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ
ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ

ГОСТ 2.730-73

ИЗДАТЕЛЬСТВО СТАНДАРТОВ

Москва

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ
В СХЕМАХ.
ПРИБОРЫ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Unified system for design documentation.
Graphical symbols in diagrams.
Semiconductor devices

ГОСТ
2.730-73

Дата введения 1974-07-01

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. № 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл. 1.

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. (Исключен, Изм. № 2).

 

2. Электроды:

 

база с одним выводом

база с двумя выводами

Р-эмиттер с N-областью

N-эмиттер с Р-областью

несколько Р-эмиттеров с N -областью

несколько N -эмиттеров с Р-областью

коллектор с базой

несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе

3. Области: область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью. Переход от Р-области к N-области и наоборот

область собственной электропроводности (I-область):

l) между областями с электропроводностью разного типа  PIN или NIP

2) между областями с электропроводностью одного типа  PIP или NIN

3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью  PIN или NIP

4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа  PIP или NIN

4. Канал проводимости для полевых транзисторов: обогащенного типа

обедненного типа

5. Переход PN

6. Переход NP

7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип

8. N -канал на подложке Р-типа, обедненный тип

9. Затвор изолированный

10. Исток и сток

Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:

11. Выводы полупроводниковых приборов:

 

электрически, не соединенные с корпусом

электрически соединенные с корпусом

12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку

(Измененная редакция, Изм. № 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. № 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.

Таблица 4

Наименование

Обозначение

1. Эффект туннельный

 

а) прямой

б) обращенный

2. Эффект лавинного пробоя:

а) односторонний

б) двухсторонний 3-8. (Исключены, Изм. № 2).

9. Эффект Шоттки

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл. 5.

Таблица 5

Наименование

Обозначение

1. Диод

 

Общее обозначение

2. Диод туннельный

3. Диод обращенный

4. Стабилитрон (диод лавинный выпрямительный)

 

а) односторонний

б) двухсторонний

5. Диод теплоэлектрический

6. Варикап (диод емкостный)

7. Диод двунаправленный

8. Модуль с несколькими (например, тремя) одинаковыми диодами с общим анодным и самостоятельными катодными выводами

8a. Модуль с несколькими одинаковыми диодами с общим катодным и самостоятельными анодными выводами

9. Диод Шотки

10. Диод светоизлучающий

7. Обозначения тиристоров приведены в табл. 6.

Таблица 6

Наименование

Обозначение

1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении

2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении

3. Тиристор диодный симметричный

4. Тиристор триодный. Общее обозначение

5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: по аноду

по катоду

6. Тиристор триодный выключаемый: общее обозначение

запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду

7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении:

 

общее обозначение

с управлением по аноду

с управлением по катоду

8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) — триак

9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с Р-N-переходами приведены в табл. 7.

Таблица 7

Наименование

Обозначение

1. Транзистор

а) типа PNP

б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана

2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом

3. Транзистор лавинный типа NPN

4. Транзистор однопереходный с N-базой

5. Транзистор однопереходный с Р-базой

6. Транзистор двухбазовый типа NPN

7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области

8. Транзистор двухразовый типа PNIN с выводом от I-области

9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN

Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

Таблица 8

Наименование

Обозначение

1. Транзистор полевой с каналом типа N

2. Транзистор полевой с каналом типа Р

3. Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки:

 

а) обогащенного типа с Р-каналом

б) обогащенного типа с N-каналом

в) обедненного типа с Р-каналом

г) обедненного типа с N-каналом

4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки

5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом

6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки

7. Транзистор полевой с затвором Шоттки

8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл. 9.

Таблица 9

Наименование

Обозначение

1. Фоторезистор:

а) общее обозначение

б) дифференциальный

2. Фотодиод

З. Фототиристор

4. Фототранзистор:

 

а) типа PNP

б) типа NPN

5. Фотоэлемент

6. Фотобатарея

Таблица 10

Наименование

Обозначение

1. Оптрон диодный

2. Оптрон тиристорный

3. Оптрон резисторный

4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем:

 

а) совмещенно

б) разнесенно

5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:

а) с выводом от базы

б) без вывода от базы

Примечания:

1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,

например:

2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:

12. Примеры построения обозначений прочих полупроводниковых приборов приведены в табл. 11.

Таблица 11

Наименование

Обозначение

1. Датчик Холла

Токовые выводы датчика изображены линиями, отходящими от коротких сторон прямоугольника

 

2. Резистор магниточувствительный

3. Магнитный разветвитель

13. Примеры изображения типовых схем на полупроводниковых диодах приведены в табл. 12.

Таблица 12

Наименование

Обозначение

1. Однофазная мостовая выпрямительная схема:

а) развернутое изображение

б) упрощенное изображение (условное графическое обозначение)

Примечание. К выводам 1-2 подключается напряжение переменного тока; выводы 3-4 — выпрямленное напряжение; вывод 3 имеет положительную полярность. Цифры 1, 2, 3 и 4 указаны для пояснения.

Пример применения условного графического обозначения на схеме

2. Трехфазная мостовая выпрямительная схема

3. Диодная матрица (фрагмент)

Примечание. Если все диоды в узлах матрицы включены идентично, то допускается применять упрощенный способ изображения. При этом на схеме должны быть приведены пояснения о способе включения диодов

14. Условные графические обозначения полупроводниковых приборов для схем, выполнение которых при помощи печатающих устройств ЭВМ предусмотрено стандартами Единой системы конструкторской документации, приведены в табл. 13.

Таблица 13

Наименование

Обозначение

Отпечатанное обозначение

1. Диод

2. Транзистор типа PNР

3. Транзистор типа NPN

4. Транзистор типа PNIP с выводом от I-области

5. Многоэмиттерный транзистор типа NPN

Примечание к пп. 2-5. Звездочкой отмечают вывод базы, знаком «больше» или «меньше» — вывод эмиттера.

15. Размеры (в модульной сетке) основных условных графических обозначений даны в приложении 2.

(Измененная редакция, Изм. № 4).

Приложение 1. (Исключено, Изм. № 4).

Наименование

Обозначение

1. Диод

2.. Тиристор диодный

3. Тиристор триодный

4. Транзистор

5. Транзистор полевой

6. Транзистор полевой с изолированным затвором

(Введено дополнительно, Изм. № 3).

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1 РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

РАЗРАБОТЧИКИ

В. Р. Верченко, Ю. И. Степанов, Э. Я. Акопян, Ю. П. Широкий, В. П. Пармешин, И. К. Виноградова

2 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 № 2002

3 Соответствует СТ СЭВ 661-88

4 ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп. 33 и 34 таблицы

5 ПЕРЕИЗДАНИЕ (январь 1995 г.) с Изменениями № 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91)

Определения электронных компонентов | DigiKey

S
SAS

Последовательный SCSI

SATA

Последовательное приложение для усовершенствованных технологий

SAW фильтр

Устройства, предназначенные для удаления нежелательных частот из цепи.Элементы этого семейства преобразуют сигнальные напряжения в акустические волны на одном конце устройства. Эти волны проходят по длине кварцевого устройства с определенной частотой. Волны снова преобразуются в сигнальные напряжения на другом конце. SAW — это аббревиатура от Surface Acoustic Wave.

Шкала шкалы

Съемное устройство с лицевой стороной, на которой нанесены предопределенные единицы измерения, чтобы указать степень поворота устройства.

Диод Шоттки Диоды Шоттки

имеют низкие падения напряжения в прямом направлении и очень быстрое переключение.

Тиристор SCR (выпрямитель с кремниевым управлением)

Четырехслойный тиристор (PNPN) с тремя выводами, который используется для управления током. SCR — сокращение от Silicon Controlled Rectifier.

Винтовой зажим

Однопроводное электрическое соединение. Эти устройства имеют болт или винт, к которому может быть прикреплен провод.

SCLK

Серийные часы.

SCSI

Интерфейс малой компьютерной системы

SDL, разъем SEMCONN

Специализированные экранированные межблочные устройства.

Вторичная обмотка

Выходная обмотка трансформатора, подключенная к нагрузке.

Селекторный переключатель

Электромеханическое устройство, используемое для запуска или остановки электрического тока в цепи. Устройства этого семейства имеют привод, который вращается вперед и назад вдоль центральной оси, но имеет заранее определенное количество положений остановки.

Диапазон срабатывания

Максимальное расстояние, на котором датчик надежно обнаружит свою цель.

Интерфейс датчика и детектора

Устройства, которые предназначены для облегчения связи между датчиками и остальной частью цепи.

Сериализатор, десериализатор

Устройства, которые предназначены для преобразования параллельных данных в последовательные для передачи или получения последовательного сигнала и преобразования его в параллельные данные для использования в цепи.

Регистр сдвига

Полупроводниковое устройство, состоящее из нескольких триггеров, выход одного из которых используется как вход для следующего.

Датчик удара

Устройства, предназначенные для обнаружения внезапного изменения ускорения и реагирования на них, чаще всего с использованием пьезоэлектрических принципов.

Диод Шокли

Диод имени Уильяма Шокли.Он эквивалентен тиристору с отключенным затвором.

Шунт, перемычка

Устройства, предназначенные для соединения двух штыревых контактов, разнесенных на определенное расстояние.

SiCFET

Полевой транзистор из карбида кремния. Для них характерны высокие скорости переключения и низкие емкости.

Сидак

Кремниевый DIAC.Как правило, они имеют более высокое напряжение переключения и более высокие токи переключения. Сидаки проводят только после того, как было достигнуто заданное напряжение «переключения». В этот момент сопротивление детали падает и увеличивается ток. Он остается проводящим, пока не упадет ниже «тока удержания».

Буфер сигнала, повторитель, разветвитель

Устройства, предназначенные для хранения, повторной передачи или разделения сигналов данных.

Сигнальное реле до 2 А

Электромеханическое устройство, которое включает или выключает большую нагрузку с помощью меньшего управляющего сигнала.Контакты на этих устройствах рассчитаны на 2 ампера или меньше.

Коммутатор сигналов, мультиплексор, декодер

Полупроводниковые устройства, предназначенные для блокировки или перенаправления логических сигналов.

Терминатор сигнала

Устройства, которые предназначены для обеспечения электрического конца пути прохождения сигнала, чтобы предотвратить отражение сигнала обратно в цепь.

Матрица трансформаторов сигналов

Группа устройств, которые предназначены для хранения энергии за счет использования магнитного поля. Элементы этого семейства имеют уровень индуктивности, который можно изменить, изменив способ подключения компонентов.

Преобразователь сигналов

Полупроводниковые устройства, предназначенные для переключения между различными логическими уровнями (уровнями напряжения).

Кремниевый конденсатор

Конденсатор, предназначенный для приложений, где высокая температура является основной проблемой.

Одноплатный компьютер (SBC)

Компьютер на одной плате. Включает микропроцессоры, память, входы / выходы и другие периферийные устройства.

Симплекс

Связь, которая может передавать одновременно только в одном направлении.

Сирена

Устройство, издающее громкий звуковой сигнал или предупреждение. Частота, излучаемая устройством, может быть непрерывной, пульсирующей или изменяться между двумя или более тонами.

Ползунковый переключатель

Устройство, функция которого достигается за счет использования стержня, который перемещается между одним концом и другим концом компонента.

Логический выход фотопрерывателя слотового типа

Устройства, предназначенные для передачи сигнала с одной стороны устройства на другую сторону устройства.Затем устройство обнаруживает прерывания этого сигнала и выдает логический выход.

Транзисторный выход фотопрерывателя щелевого типа

Устройства, предназначенные для передачи сигнала с одной стороны устройства на другую сторону устройства. Затем устройство обнаруживает прерывания этого сигнала и обеспечивает транзисторный выход.

Смарт-кабель

Кабели с межкомпонентными соединениями на одном или обоих концах кабеля.Эти устройства будут иметь электронные компоненты, встроенные в один или оба конца разъема.

SMD

Устройство для поверхностного монтажа.

Мгновенное действие, концевой выключатель

Электромеханическое устройство, используемое для запуска или остановки электрического тока в цепи. Устройства в этом семействе включаются и выключаются с помощью привода, который срабатывает при достижении предела хода.Привод может быть своего рода плунжером, рычагом, рычагом и т. Д., Который активируется при нажатии.

Розетка и изолятор

Устройства, которые предназначены для размещения и позволяют легко вставлять и удалять кристаллы и генераторы в цепи.

SODIMM

Компактный двухрядный модуль памяти

Солнечная батарея

Устройства, предназначенные для преобразования солнечной (световой) энергии в электрическую.

Припой

Металлические сплавы, которые используются для соединения металлических поверхностей друг с другом.

Клемма под пайку

Однопроводное электрическое соединение. Эти устройства имеют отверстие на одном конце, которое может быть навинчено на винт или болт. Другой конец можно припаять к проводу.

Гильза под пайку

Небольшие полые части термоусадочных трубок, в которые вставлены кольца припоя.Когда эти устройства нагреваются, трубка сжимается, а припой плавится, чтобы соединить кабели.

Губка для припоя

Устройства, предназначенные для очистки паяльника, пинцета, наконечника и т. Д.

Трафарет для припоя, шаблон

Маска, которая используется для нанесения припоя в определенной области на плате.

Паяльник, пинцет, ручка

Часть паяльной станции или паяльного устройства, нагретая до точки, при которой может расплавиться припой.

Паяльная станция

Базовый блок, используемый для подачи энергии, воздуха и / или вакуума в отдельный утюг, пинцет и т. Д.

Пайка, демонтажное жало, сопло

Множество концов различных форм и размеров для использования в определенных ситуациях с оборудованием для пайки и демонтажа.

Макетная плата без пайки

Печатные платы созданы для использования при первом проектировании электронной схемы.Элементы в этом семействе имеют предварительно просверленные и соединенные отверстия, которые позволяют вставлять компоненты и провода и соединять их вместе при необходимости пайки.

Соленоид

Устройства, содержащие металлический цилиндрический сердечник, который перемещается внутрь и наружу компонента в зависимости от тока, протекающего через устройство.

Твердотельный жесткий диск

Устройства, которые используются для хранения данных, но считываются с устройства или записываются на них без использования каких-либо подвижных частей.

Разъем твердотельного освещения

Эти устройства предназначены для работы со специальным полупроводниковым осветительным оборудованием.

Твердотельное реле

Электронное устройство без каких-либо механических частей, которое включает или выключает большую нагрузку с помощью меньшего управляющего сигнала.

СОНАР

Звуковая навигация и определение дальности.Использование отражающих звуковых волн для определения местоположения цели.

Терминал лопаточный

Однопроводное электрическое соединение. Эти устройства имеют форму разомкнутой (вилки) для конца, не имеющего кабеля.

Анализатор спектра

Оборудование, предназначенное для отображения и измерения форм сигналов с использованием амплитуды или силы сигнала по оси y и частоты по оси x.

Спиральная обмотка, расширяемая оплетка

Полые трубы из пластика или других материалов с открытыми концами. Трубка разрезается по длине трубки, и шов заправляется внутрь или поверх трубки, или трубка имеет спираль, разрезанную по длине трубки, позволяющую предмету расширяться. Для помощи в установке доступен специальный инструмент.

Корпус сращивания, защита

Устройство, которое используется для размещения или ограждения нескольких кабелей или проводов, соединенных друг с другом.

Разветвитель

Устройство, которое принимает один сигнал и выводит два или более. Каждый выходной сигнал обычно имеет уменьшение амплитуды.

Подпружиненный и нажимной

Клеммы, предназначенные для соединения с помощью давления, чтобы удерживать подушку на подушке или штифт на подушке. Клеммы могут быть подпружинены и втягиваются в корпус.

Подпружиненный прямоугольный соединитель

Клеммы, предназначенные для соединения с помощью давления, чтобы удерживать подушку на подушке или штифт на подушке. Клеммы могут быть подпружиненными и будут втягиваться в корпус или иметь форму, обеспечивающую действие пружинного типа.

Вентилятор с короткозамкнутым ротором

Промышленное сокращение от Моторизованные рабочие колеса, воздуходувки с поперечным потоком или центробежные вентиляторы.

SRAM

Статическая оперативная память

Инструмент для разметки

Устройства, используемые для соединения клемм, заклепок и т. Д. Путем реформирования металлического конца.

Одежда для контроля статического электричества

Одежда, специально разработанная для использования в чистых помещениях или на рабочих местах, свободных от статического электричества.

Контейнер устройства статического управления

Предметы, которые используются для хранения других объектов. Эти элементы специально разработаны для защиты от электростатического разряда / статического электричества.

Шнур заземления статического управления, ремень

Устройства, предназначенные для снятия статического электричества с человека. Чаще всего эти устройства состоят из полос проводящего материала, которые прикрепляются к запястью человека или вокруг его ступни, а затем подключаются к заземлению или заземляющему материалу.

Мат для заземления статического управления

Большая поверхность из материала, предназначенного для устранения статического электричества, когда коврик заземлен.

Защитный мешок для защиты от статического электричества, материал

Емкость из гибкого металла. Эти пакеты защищают помещенные в них предметы от повреждений статическим электричеством.

Статическое управление, ESD, продукт для чистых помещений

Продукты, помогающие контролировать, измерять и устранять накопление электрического заряда на устройстве. Кроме того, продукты, которые используются в чистых помещениях, когда нет загрязнения.

Шаговый двигатель

Устройства, предназначенные для превращения электричества в механическое движение.Эти устройства принимают цифровые импульсы и преобразуют их в приращения (шаги) центрального вала.

Тензодатчик

Устройства, предназначенные для обнаружения и реагирования путем изменения сопротивления при приложении давления к датчику.

Supercap, суперконденсатор

Нет обычного диэлектрика. У них самая большая плотность энергии из всех конденсаторов.

Контролеры IC

Полупроводниковое устройство, предназначенное для мониторинга и / или управления шинами напряжения в цепи с возможностью взаимодействия с микроконтроллером для более быстрого управления.

Резистор поверхностного монтажа

Небольшой резистор, предназначенный для приложений с низким энергопотреблением.

Блок распределения питания для защиты от перенапряжения

Устройства, которые обеспечивают несколько выходных соединений от одного выходного соединения.В некоторых устройствах для выходных соединений предусмотрена защита от перенапряжения.

IC защиты от перенапряжения

Устройства, предназначенные для защиты электрических устройств от перенапряжения и / или тока. Компоненты этого семейства разработаны с использованием полупроводниковых материалов.

Переключатель

Устройства, которые используются для включения или выключения цепи (замыкания или размыкания).

Переключатель Bounce

Устройства, предназначенные для использования в импульсных источниках питания.

Коммутационный преобразователь, трансформатор SMPS

Колебание контактов переключателя при переключении между разомкнутым и замкнутым.

Синхронный

Когда два или более сигналов находятся в фазе друг с другом.

Система на кристалле (SoC)

Полупроводниковое устройство, которое объединяет все компоненты, схемы и функции, необходимые для электронной системы, на одном кристалле.

13 часто используемых компонентов на печатных платах для начинающих

Печатные платы

— довольно сложные устройства, которые на первый взгляд могут показаться запутанными и устрашающими. Если вы новичок в обычной электронной инженерии, возможно, вы сталкивались с этим один или два раза.Фактически, вы, возможно, уже знакомы с ним. Но как новичку определенно стоит понять назначение печатной платы и знать, с чем вам нужно работать, прежде чем пытаться создать свою собственную.

Итак, вот наша разбивка 13 наиболее часто используемых электронных компонентов для печатных плат.

Что такое печатные платы? Печатные платы

или печатные платы могут считаться базовым строительным блоком любой электронной конструкции. Плата PCB соединяет несколько электронных компонентов, образуя единую, полностью функциональную систему, способную питать различные устройства.Точно так же, как целые города формируются из улиц, кварталов, районов и зданий, компоненты печатных плат также взаимодействуют между собой. Платы печатных плат с годами эволюционировали, чтобы сыграть решающую роль в работе инженеров-электриков и любителей.

Печатные платы

могут варьироваться от односторонних плат (только один слой меди) до многосторонних (до 20+ слоев). Чем больше добавлено слоев, тем сложнее печатная плата, тем более продвинутым является соответствующий гаджет, на котором она работает. Больше слоев также означает больше электронных компонентов.

Надежные печатные платы определенно могут вместить до пары десятков электронных компонентов. Однако новичкам мы рекомендуем начать с 13 наиболее распространенных компонентов.

  1. Резисторы
  2. Конденсаторы
  3. Трансформаторы
  4. Транзисторы
  5. Диоды
  6. Батареи
  7. Интегральные схемы
  8. Осцилляторы
  9. Индукторы
  10. Датчики Датчики энергии SC2 Переключатели / реле Резисторы

    — это основа контроля тока, поэтому они так часто используются в печатных платах.Эти двухсторонние электрические детали довольно просты для понимания и интеграции в различные проекты.

    Сопротивление часто определяется как «легкость», с которой предметы позволяют электричеству проходить через них. Подумайте о разнице между изоляторами и проводниками; очевидно, что первый обладает более высоким сопротивлением, чем второй.

    С другой стороны, резисторы

    позволяют пользователям точно определять уровень сопротивления объекта. Они предназначены для сопротивления прохождению электрического тока путем преобразования электрической энергии в тепло — тепло, которое затем рассеивается.

    Резисторы

    могут быть изготовлены из самых разных материалов и бывают разных стилей. Наиболее распространены (и настоятельно рекомендуются для начинающих) резисторы из углеродной пленки в осевом стиле. Резисторы осевого типа имеют выводы на обоих концах стержня. Их корпус отмечен разноцветными кольцами, которые представляют значение сопротивления резистора.

    Конденсаторы — накопитель энергии

    Конденсаторы — это электронные компоненты, которые уступают только резисторам. Вы обязательно найдете их на каждой печатной плате.В то время как резисторы контролируют электрический заряд, конденсаторы временно его накапливают. Думайте о них как о крошечных батареях с еще более крошечным местом для хранения. Они способны потерять и , набрав полный заряд за доли секунды. Из-за этого конденсаторы обычно используются для «фильтрации»: процесса, при котором резервный источник энергии берет на себя, когда основной источник питания падает, чтобы не потерять или не сбросить данные.

    В печатных платах конденсаторы электростатически накапливают энергию, чтобы позже передать ее туда, где требуется питание в цепи.Он работает, собирая противоположные заряды (положительный и отрицательный) на двух проводящих пластинах (обычно металлических) с изоляционным материалом между ними.

    Существуют разные типы конденсаторов, часто классифицируемые по проводящему материалу пластин или изоляционному материалу, который их разделяет. Большинство новичков и любителей используют полиэфирные конденсаторы, керамические конденсаторы или радиальные конденсаторы.

    Вы заметите, что некоторые конденсаторы напоминают резисторы. Самая заметная разница в том, что резисторы имеют выводы на противоположных концах.Конденсаторы имеют два вывода, выходящих с одной стороны.

    Трансформаторы — Transfer Energy

    Трансформаторы общего назначения передают мощность от одного источника к другому посредством процесса, называемого «индукцией». Трансформаторы для печатных плат работают точно так же. Они передают электрическую энергию из разных цепей и преобразуют их, увеличивая или уменьшая напряжение. Как и резисторы, они технически регулируют ток. Самая большая разница в том, что они обеспечивают большую электрическую изоляцию, чем контролируемое сопротивление, «преобразовывая» напряжение.

    Трансформаторы для печатных плат

    состоят из двух или более отдельных индуктивных цепей (называемых обмотками) и сердечника из мягкого железа. Первичная обмотка предназначена для цепи источника или источника энергии, а вторичная обмотка предназначена для цепи приема, куда направляется энергия. Трансформаторы прерывают большое количество напряжения на меньшие, более управляемые токи, чтобы не перегружать или перегружать оборудование.

    Транзисторы — усиление энергии

    Резисторы могут быть основой для контроля тока, но транзисторы являются основой всей современной электроники.Фактически, их можно рассматривать как строительные блоки.

    В отличие от хранения, регулирования или контроля зарядов на печатной плате, транзисторы усиливают их. Биполярный транзистор, который является наиболее распространенным типом транзисторов, имеет три области и три контакта, в которых ток течет и усиливается. Есть два типа биполярных транзисторов; НПН и ПНП. Оба состоят из (1) базы, (2) коллектора и (3) эмиттера и имеют как области P-типа, так и области N-типа.

    • База: основание / основание всего устройства
    • Излучатель: место высвобождения / испускания зарядов
    • Коллектор: собирает носители заряда

    Биполярный транзистор NPN имеет область P-типа, зажатую между двумя областями N-типа .В типе NPN небольшой ток течет от базы к эмиттеру. Затем этот ток включает другую цепь , которая заставляет гораздо больший ток течь от коллектора к эмиттеру, эффективно увеличивая (или усиливая) высвобождаемый ток.

    Биполярный транзистор PNP имеет область N-типа, зажатую между двумя областями P-типа. Это меняет текущий процесс типа NPN на противоположный. Небольшой ток начинается на коллекторе и течет к эмиттеру, вызывая больший ток, который проходит через базу и далее к эмиттеру.

    Транзисторы

    NPN используются чаще, чем транзисторы PNP, по ряду причин. Однако у обоих есть свои преимущества и недостатки в зависимости от проекта.

    Диоды — перенаправление энергии

    Возвращаясь к нашей печатной плате — сравнение городов, диоды — это в основном улицы с односторонним движением на печатной плате. Эти двухконтактные компоненты управляют и перенаправляют поток энергии, позволяя току течь в одном направлении и блокируя его движение в другом.Поток обычно идет от положительной клеммы (называемой анодом) к отрицательной клемме (называемой катодом).

    Как и резисторы, диоды используют электрическое сопротивление для управления потоком энергии. Высокое сопротивление в одном направлении и нулевое сопротивление в другом эффективно блокируют протекание тока в неправильном направлении и потенциально повреждают оборудование.

    Самый распространенный диод, с которым знакомы многие люди, даже не любители, — это светодиоды или светодиоды.Другие распространенные примеры диодов для печатных плат включают стабилитроны, быстродействующие переключающие диоды и диоды Шоттки.

    Аккумулятор — обеспечивает энергию

    Теоретически все знают, что такое аккумулятор. Возможно, это самый популярный компонент в этом списке. Батареи используются не только инженерами-электронщиками и любителями. Люди используют это маленькое устройство для питания своих повседневных предметов; пульты дистанционного управления, фонарики, игрушки, зарядные устройства и многое другое.

    На печатной плате батарея в основном накапливает химическую энергию и преобразует ее в полезную электронную энергию для питания различных схем, присутствующих на плате.Они используют внешнюю цепь, позволяющую электронам переходить от одного электрода к другому. Это образует функциональный (но ограниченный) электрический ток.

    Ток ограничен процессом преобразования химической энергии в электрическую. Для некоторых аккумуляторов этот процесс может завершиться за несколько дней. Другим могут потребоваться месяцы или годы, прежде чем химическая энергия будет полностью израсходована. Вот почему некоторые батареи (например, батарейки в пультах дистанционного управления или контроллерах) необходимо менять каждые несколько месяцев, тогда как другим (например, батарейкам для наручных часов) требуется годы, прежде чем они все разрядятся.

    Существуют разные типы батарей для печатных плат, но мы определенно рекомендуем приобретать аккумуляторные.

    Интегральные схемы — Многофункциональные электростанции

    Интегральные схемы — это основа всех печатных плат. Батареи могут быть источником энергии, но электрические цепи — это фабрики. Эти крошечные пластины содержат тысячи (или даже миллионы) транзисторов, резисторов и конденсаторов. Благодаря этому они могут усиливать, генерировать колебания и обрабатывать энергию на печатной плате — и это лишь некоторые функции.

    Как следует из названия, интегральные схемы (или ИС) — это в основном схемы, которые были интегрированы в печатную плату путем минимизации. Эти пластинчатые компоненты обычно изготавливаются из силикона и помещаются в пластиковый корпус. Более современные могут также использовать цифровые или аналоговые технологии для выполнения расчетов.

    Эти типы технологий дополнительно определяют два типа ИС: цифровые и аналоговые. Лучший вариант для новичков зависит от того, какой проект предстоит осуществить.Цифровые интегральные схемы обычно используются в компьютерах и бытовой электронике. Аналоговые интегральные схемы (также называемые линейными) обычно используются для усиления звука и радиочастот.

    Генераторы — точные таймеры

    В печатных платах кварцевые генераторы действуют как программируемые таймеры или часы, которые периодически генерируют электронные сигналы. Они названы так потому, что зависят от резонанса колеблющегося кристалла, сделанного из пьезоэлектрического материала, чтобы определять частоту электронного сигнала или колебания.

    Для создания резонанса можно использовать различные пьезоэлектрические материалы, но кристаллы кварца, безусловно, являются фаворитом сообщества. Генератор использует электрическое поле в тандеме с напряжением, приложенным к электроду рядом с кристаллом кварца, чтобы создать свойство, известное как обратное пьезоэлектричество. Затем электрическое поле снимается, чтобы позволить кристаллу вернуться к своей прежней форме. При этом кварц генерирует другое электрическое поле, которое, в свою очередь, генерирует напряжение определенной частоты — другими словами, колебания.

    Кристаллические генераторы

    обычно используются в качестве точных таймеров для наручных часов, микроконтроллеров и других подобных устройств.

    Катушки индуктивности — увеличение энергии

    Катушки индуктивности, как резисторы и конденсаторы, считаются линейными пассивными компонентами печатных плат. Как и конденсаторы, индукторы представляют собой устройства с двумя выводами, которые накапливают энергию. Но в то время как конденсаторы накапливают энергию электростатически, индукторы используют магнитное поле.

    Также известные как катушки, дроссели и реакторы, индукторы обычно состоят из сердечника, обернутого изолированным проводом.Чем чаще проволока наматывается на сердечник (т. Е. Количество витков), тем больше создается магнитное поле и, следовательно, энергия. Обмотки усиливают магнитное поле и, как следствие, запасенную энергию и энергетические возможности устройства.

    Катушки индуктивности

    характеризуются свойством, называемым индуктивностью, которое в основном представляет собой отношение напряжения к скорости изменения тока. Они часто используются для фильтрации или блокировки определенных сигналов, например радиопомех в звуковом оборудовании.

    Переключатели — кнопки питания

    Переключатель — еще один широко известный компонент печатной платы, уступающий только батареям. Многие люди — опять же, не только инженеры и любители — покупают переключатели для повседневных, повседневных функций. Им не место только на печатных платах. Их можно увидеть на кухнях, в комнатах, удаленных устройствах и т. Д.

    Думайте о переключателях / реле как о кнопках питания. Они в основном управляют потоком тока в цепи, размыкая и закрывая цепь.Одно нажатие переключателя — и цепь размыкается, позволяя току течь к лампочке в комнате. Еще один щелчок — и цепь замыкается. Лампочка отключается от тока и выключается.

    Существует дюжина различных типов переключателей по крайней мере, все различаются по физической конструкции и внешнему виду. Наиболее распространены кнопочные переключатели, рычаги и тумблеры. Другие примеры включают коробчатые, кулисные, микропереключатели, ползунки и поворотные переключатели.

    Потенциометры — переменное сопротивление

    Потенциометры в основном представляют собой переменные резисторы с тремя выводами.Как и резисторы, они контролируют энергию в цепи. Они так называются, потому что в основном определяют электрический потенциал или напряжение устройства. Обычные потенциометры бывают двух типов: поворотные и линейные.

    Поворотные потенциометры немного более известны, чем линейные. Они используют ручку для изменения сопротивления устройства, позволяя контакту ползунка перемещаться по полукруглому резистору, чтобы определять, насколько высокой или низкой должна быть энергия. Самый популярный пример вращающегося потенциометра — ручка регулировки громкости на радио.Величина тока, подаваемого на усилитель, регулируется потенциометром, соответственно регулируя громкость звука.

    Линейные потенциометры во многом похожи, только это прямая линия, а не полукруг. Подумайте о кнопках регулировки громкости на современных смартфонах или наушниках.

    SCR — Управление сильным током

    SCR означает выпрямитель с кремниевым управлением. Подобно транзисторам и диодам, тиристоры, также называемые тиристорами, названы так потому, что они состоят из четырех слоев кремния (вместо трех составов NPN или PNP, используемых в транзисторах).В некотором смысле их можно рассматривать как два транзистора, работающих в тандеме для управления большими значениями напряжения и мощности. В этом смысле они больше подходят для проектов и операций с высоким переменным током, где обычного транзистора может быть недостаточно.

    Четыре уровня — NPNP или PNPN — функционируют больше как переключатели, а не как усилители. Более того, для активации указанных переключателей требуется всего один импульс, а не постоянный ток, как в одиночных или биполярных транзисторах.

    Датчики

    И последнее, но не менее важное, у нас есть датчики.Это довольно простые электронные компоненты в том смысле, что они «чувствуют» физический ввод или изменения окружающей среды и соответствующим образом реагируют. Тип входа может варьироваться от изменений тепла, света и влажности до давления, шума, движения и т. Д.

    Отклик, генерируемый датчиком, поступает в виде электрического сигнала, соответствующего любому типу изменения, которое он обнаружил. Затем этот сигнал отправляется на другие компоненты схемы или печатной платы.

    Если запрограммировано, эти датчики затем генерируют выходной сигнал в виде удобочитаемых дисплеев или нескольких сигналов, передаваемых в электронном виде для будущего считывания или дальнейшей обработки.

    Датчики на печатной плате обычно преобразуют физическую энергию в электрическую. В каком-то смысле это делает их преобразователями. Датчики на самом деле довольно гибкие и могут быть разных форм. Они могут быть даже в виде диодов, таких как красный светодиод на пульте дистанционного управления телевизором, который сигнализирует, включено устройство или нет. Обычные практические реализации датчиков включают измерение влажности, определение качества воздуха, датчики движения и автоматическое освещение.

    Заключение

    Итак, вот 13 наиболее распространенных компонентов печатных плат, которые мы рассмотрели:

    1. Резисторы
    2. Конденсаторы
    3. Трансформаторы
    4. Транзисторы
    5. Диоды
    6. Батареи
    7. Интегральные схемы
    8. Осцилляторы
    9. Индукторы
    10. Датчики 9068 SC 9068 9068 Новичок и любитель, эти 13 электронных компонентов окажутся довольно легкими и полезными для работы, когда вы погрузитесь в создание своих первых нескольких печатных плат.Даже если у вас достаточно опыта, всегда полезно разобраться в основных строительных блоках. Эти 13 электронных компонентов по-своему вносят свой вклад в функциональность печатной платы, и один из них не предпочтительнее другого. Разница в возможностях и дизайне делает их подходящими для разных проектов.

      Транзисторы для робототехники: основы Arduino

      Вам нужно управлять чем-то мощным с вывода Arduino? Вам нужно контролировать что-то с датчика, который просто не дает большого вывода? Хотите переключить питание взломанного устройства, заменив или увеличив физическую кнопку? Транзистор получил вашу спину.Но прежде чем мы перейдем к взлому, давайте проясним несколько вещей:

      Полезно знать

      • BJT vs. (MOS) FET: Это разные типы транзисторов. Я работаю с биполярными переходными транзисторами (BJT). Полевые транзисторы (полевые транзисторы) обычно выглядят немного мощнее, со встроенным радиатором. Каждый из них имеет три контакта, но BJT используют для них термины «коллектор , база и эмиттер », а полевые транзисторы называют их «исток , затвор и сток ».
      • Коллектор: Подобно положительному полюсу светодиода, сюда входит энергия.
      • База: Это «триггерный» вывод, поступающий от вашего контроллера, датчика или чего-то еще.
      • Излучатель: Как и отрицательная ветвь светодиода, это земля транзистора.

      Даже транзисторы аналогичного типа могут располагать эти ножки в другом порядке, так что перепроверьте свою деталь! Самый простой способ — это поиск в Google изображений « [номер детали] распиновка «.

      • Номера деталей: Убедитесь, что вы выбрали правильные транзисторы! Вы можете погуглить таблицу, чтобы быть в безопасности.На что следует обратить внимание: он должен выдерживать силу, через которую вы проталкиваетесь; перепроверьте, какой способ подключить; и это должен быть правильный тип (NPN или PNP). Используйте первые два ряда, выгравированные на транзисторе. Их бывает трудно читать; извиняюсь.
      • Сравнение NPN и PNP: Транзисторы NPN обычно выключены (отключены), если вы не подаете питание на базовый вывод. Транзисторы PNP обычно включены (позволяя току течь), если ваш сигнал не высокий.
      • Транзистор vs.Реле: Если вы переключаете что-то очень энергоемкое, подумайте об использовании вместо этого реле. Они немного медленнее, потому что используют магнит для переключения физического металлического переключателя внутри небольшой коробки. Но это также делает их немного безопаснее из-за физической изоляции между выводами. И они издают приятный легкий щелчок. Рад!

      Код

      Мы просто запустим скетч Arduino Blink, так как он дает отличную визуализацию происходящего.

      Установка

      В этом примере я использую двигатель постоянного тока, так как они, как правило, находятся на грани между тем, что вывод Arduino может переключаться самостоятельно, и нуждаются в небольшой помощи. Как вы можете видеть на видео выше, это практически не работает. Двигатели постоянного тока распространены в колесных роботах и ​​автомобилях с дистанционным управлением. У них есть две клеммы, одна из которых подключается к источнику питания, а другая — к земле. В зависимости от того, в какую сторону вы положите провода, двигатель будет вращаться по или против часовой стрелки.

      Для начала попробуйте подключить один провод непосредственно к контакту 13, а другой — непосредственно к земле.Там мало что происходит, а? Маленькие тактильные моторы (и их близнецы, вибромоторы сотовых телефонов) прекрасно работают от небольшого источника питания. Но доведите его до стандартов небольших роботов, и вам придется подтолкнуть двигатель, чтобы он вращался, даже когда питание включено.

      Теперь отключите Arduino и перенастройте схему на макетной плате: подключите один из проводов двигателя к контакту 5V на Arduino, если он есть; в противном случае переходите к следующему биту с внешней батареей. Теперь подключите транзистор:

      • BASE (средняя) ножка к цифровому контакту 13
      • COLLECTOR к другому проводу двигателя

      Подключите Duino снова, и вуаля! Ваш маленький моторчик должен работать как сумасшедший, а потом снова и снова включаться, как и следовало ожидать.Убедитесь, что ваш двигатель готов к работе с таким высоким напряжением, и быстро отключите его, если почувствуете запах чего-то необычного.

      Внешний источник питания

      Хорошо, круто! Мы можем подавать питание прямо с цифрового вывода или использовать его для управления 5 В от Arduino. Следующим шагом является добавление внешнего источника — например, если вы хотите управлять светом, потребляющим 9 В или 12 В.

      Главное, на что следует обратить внимание, это то, что вы связываете обе земли вместе: одна от источника питания и одна для управляющего сигнала встречаются, образуя «общую землю».Это позволяет сигналам питания и данных проходить через одну и ту же цепь.

      Выбранный вами провод двигателя « масса » по-прежнему привязан к коллектору ; ваш цифровой управляющий штифт по-прежнему привязан к базе ; а GND по-прежнему привязан к эмиттеру . Но на этот раз провод двигателя, обозначенный как « power », подключен к положительной клемме вашего источника 9 В, а отрицательная клемма аккумулятора также подключена к GND.

      Эту схему также можно использовать для увеличения мощности для управления сверхмощным сервоприводом или с полосами NeoPixel, которые хотят работать от собственного источника питания, или чем-то подобным!

      На следующей неделе мы расскажем, как двигать двигатель вперед и назад — это требует некоторых изысканий с H-образным мостом, но это неплохо!

      И в нашем следующем руководстве по транзисторам мы перейдем к кнопкам и переключателям (для автоматизации устройств для домашней автоматизации).Мы также займемся усилением сигнала от пьезодиска — что полезно для создания систем, реагирующих на удары, таких как носимые устройства с подсветкой!

      Посмотрите всю серию руководств по Hackster 101 на Hackster и YouTube!

      ISO — 31 — Электроника

      31,020 Электронные компоненты в целом
      Магнитные компоненты, см. 29.100,10
      31,040 Резисторы
      31,060 Конденсаторы
      31,080 Полупроводниковые приборы
      Полупроводниковые материалы, см. 29.045
      31,100 Электронные лампы
      31.120 Электронные устройства отображения
      Включая жидкокристаллические дисплеи
      31.140 Пьезоэлектрические устройства
      31,160 Электрические фильтры
      31,180 Печатные схемы и платы
      31.190 Электронные компоненты в сборе
      Включая предварительно собранные модули
      31.200 Интегральные схемы. Микроэлектроника
      Включая электронные микросхемы, логические и аналоговые микроструктуры
      Микропроцессоры, см. 35.160
      31,220 Электромеханические компоненты для электронного и телекоммуникационного оборудования
      31,240 Механические конструкции для электронного оборудования
      31.260 Оптоэлектроника. Лазерное оборудование
      Включая фотоэлектрические трубки и элементы

      У вас недостаточно прав для чтения этого закона в настоящее время

      У вас недостаточно прав для чтения этого закона в настоящее время Логотип Public.Resource.Org На логотипе изображен черно-белый рисунок улыбающегося тюленя с усами.Вокруг печати находится красная круглая полоса с белым шрифтом, в верхней половине которого написано «Печать одобрения создания», а в нижней половине — «Public.Resource.Org». На внешней стороне красной круглой марки находится круг. серебряная круглая полоса с зубчатыми краями, напоминающая печать из серебряной фольги.

      Public.Resource.Org

      Хилдсбург, Калифорния, 95448
      США

      Этот документ в настоящее время недоступен для вас!

      Уважаемый соотечественник:

      В настоящее время вам временно отказано в доступе к этому документу.

      Public Resource ведет судебный процесс за ваше право читать и говорить о законе. Для получения дополнительной информации см. Досье по рассматриваемому судебному делу:

      Американское общество испытаний и материалов (ASTM), Национальная ассоциация противопожарной защиты (NFPA), и Американское общество инженеров по отоплению, холодильной технике и кондиционированию воздуха (ASHRAE) против Public.Resource.Org (общедоступный ресурс), DCD 1: 13-cv-01215, Объединенный окружной суд округа Колумбия [1]

      Ваш доступ к этому документу, который является законом Соединенных Штатов Америки, был временно отключен, пока мы боремся за ваше право читать и говорить о законах, по которым мы решаем управлять собой как демократическим обществом.

      Чтобы подать заявку на получение лицензии на ознакомление с этим законом, ознакомьтесь с Сводом федеральных нормативных актов или применимыми законами и постановлениями штата. на имя и адрес продавца. Для получения дополнительной информации о указах правительства и ваших правах как гражданина в соответствии с принципом верховенства закона , пожалуйста, прочтите мое свидетельство перед Конгрессом Соединенных Штатов. Вы можете найти более подробную информацию о нашей деятельности на общедоступных ресурсах. в нашем реестре деятельности за 2015 год. [2] [3]

      Спасибо за интерес к чтению закона.Информированные граждане — это фундаментальное требование для работы нашей демократии. Благодарим вас за усилия и приносим извинения за возможные неудобства.

      С уважением,

      Карл Маламуд
      Public.Resource.Org
      7 ноября 2015 г.

      Банкноты

      [1] http://www.archive.org/download/gov.uscourts.dcd.161410/gov.uscourts.dcd.161410.docket.html

      [2] https://public.resource.org/edicts/

      [3] https://public.resource.org/pro.docket.2015.HTML

      Корпуса транзисторов, устаревшие типы корпусов JEDEC

      Устаревшие обозначения JEDEC

      На этой странице содержится несколько схем устаревших транзисторов. Контуры корпуса, в которых используются обозначения JEDEC с малым числом, которые использовались на ранних транзисторах, которые больше не производились. Поскольку эти пакеты очень старые, предоставляется только контурный рисунок. Фактические физические размеры доступны, но не указаны здесь для уменьшения пропускной способности сервера.

      ТО-36 Наброски


      TO-36 Чертеж упаковки

      TO-36 имеет четыре контакта; однако штифт, обозначенный выноской G, является установочным штифтом и изолирован как от корпуса, так и от других штифтов.Центровочный штифт используется только для механического выравнивания детали во время установки. Корпус считается радиатором; хотя любой металлический корпус без электрического соединения можно рассматривать как радиатор. Символ J указывает на то, что клемма имеет резьбу 10-32 UNF-2A, но также имеет наконечник для припоя на конце клеммы. Из-за большого размера компонента на диаграмме показан общий размер 1,250 дюйма. Типовой деталью, использующей этот тип корпуса, был бы 2N1358, который представлял собой высокомощный германиевый транзистор PNP.

      ТО-41 Наброски


      TO-41 Чертеж упаковки

      Контур транзистора TO-41 представляет собой еще один корпус необычной формы. Хотя в корпусе используется общий ромбовидный контур, используемый в широко используемом корпусе TO-3. Этот пакет также имеет два вывода, третий вывод — корпус устройства. Как показано на рисунке, база и эмиттер транзистора используют выводы, а коллектор транзистора подключается к металлическому корпусу. Разница здесь в том, что клеммы Base и Emitter имеют паяные соединения, тогда как большинство других корпусов этого типа имеют прямые контакты.

      Многие радиаторы, предназначенные для алмазной упаковки, имеют только небольшие вырезы для размещения прямых штифтов, выходящих из устройства. Эти большие выступы под пайку никогда не войдут в стандартные отверстия; однако некоторые радиаторы в основном удаляют весь материал под устройством, оставляя только монтажное отверстие для крепления.

      Назначение выводов для пайки очевидно, если принять во внимание монтаж на шасси. Часто эти корпуса привинчиваются к внешней стороне металлического шасси, что позволяет всему шасси действовать как теплоотвод.Поскольку TO-41 монтируется на печатной монтажной плате, для соединения платы с устройством используются провода. Паяные язычки используются для крепления проводов к полупроводниковому устройству.

      Германиевый коммутирующий транзистор PNP 2N1120 является компонентом, в котором использовался этот корпус.

      ТО-53 Наброски

      TO-53 — другое устройство для монтажа на шасси или панели. В транзисторах общего назначения NPN 2N389 и 2N424, среди прочего, используется корпус TO-53 [рисунок, показанный слева].Эта упаковка отличается от стандартного ромбовидного узора тем, что имеет некоторую квадратную форму. Другое заметное отличие состоит в том, что в TO-53 вместо штырей используются крючки для припоя.

      Изменение типа выводов снова связано с тем фактом, что часто эти устройства устанавливаются на металлическое шасси или панель и находятся на некотором расстоянии от схемы на печатной плате. Крючки для пайки позволяют механически прикрепить провода к стойкам и припаять их для электрического соединения. Крючок для припоя используется или использовался на ряде других электрических компонентов, включая реле и трансформаторы.

      Это устройство имеет три отдельных вывода компонентов; База, эмиттер и коллектор. В этом случае, как и во многих других, коллектор также подключается к корпусу. Конечно, есть пакеты, которые имеют только два вывода и используют корпус в качестве терминала коллектора.

      ТО-57 Наброски

      Комплект компонентов TO-57 также имеет болт с резьбой [6-32 UNC-2A], но в отличие от TO-36 этот болт используется только для крепления устройства к другой поверхности. Коллектор имеет вывод и также подключается к корпусу.В этом корпусе используется транзистор 2N1047. Основание, большой диаметр [D] составляет 0,460 дюйма.


      Чертеж упаковки TO-57

      Устаревание упаковки

      Эти пакеты, конечно, устарели и используют неактивные обозначения JEDEC. Однако много лет назад это были обычные пакеты. Эта страница в основном посвящена устаревшим стилям пакетов странной формы. Сопутствующая страница к этому охватывает другие пакеты основного потока, но они также устарели; Устаревшие корпуса транзисторов JEDEC.Любые номера деталей транзисторов, приведенные в качестве примера, конечно, также устарели. но может быть доступен на хамфесте.

      Физические размеры этих явно устаревших пакетов снова опущены.

      Старение транзисторов — IEEE Spectrum

      Вы знаете, когда пора покупать новую машину. Ваш одометр состоит из шести цифр, возможно, двигатель сжигает много масла или коробка передач рычит. Ремонт всего этого может стоить немного дороже, чем стоит ваша древняя машина.

      А как насчет вашего микропроцессора? В отличие от автомобилей, микропроцессоры не имеют удобных маленьких датчиков, которые отражают, какой износ они претерпели. И они носят их, хотя вы, вероятно, никогда этого не заметите. Деградация их транзисторов с течением времени медленно, но верно приводит к снижению скорости переключения и даже может привести к прямым отказам схемы.

      Обычно вы не замечаете этого ухудшения, потому что полупроводниковые компании всегда действуют очень осторожно — они устанавливают тактовую частоту своих микропроцессоров настолько консервативно, что почти каждый из их продуктов будет продолжать работать безупречно в течение всего предполагаемого срока службы.Эта стратегия работает. Но это все равно, что никогда не съехать на Ferrari с медленной полосы, потому что вы опасаетесь, что его двигатель может бросить вызов через 10 лет.

      Несколько различных явлений могут привести к ухудшению состояния транзисторов на микросхемах. Как эти явления в совокупности ухудшают работу микросхемы, зависит от таких факторов, как схема стареющих транзисторов, а также напряжения и температуры, которым они подвергаются. Учитывая все эти переменные, трудно предсказать, как пиковая производительность того или иного микропроцессора со временем снизится.

      Мы и другие исследователи пытаемся исправить эту ситуацию. Одним из важнейших аспектов работы, которую мы проделали в Университете Миннесоты, была разработка более эффективных способов изучения различных физических механизмов старения транзисторов. Сегодня инженеры-полупроводники измеряют эти эффекты старения, в первую очередь исследуя транзисторы по одному, используя микроскопические электроды для исследования кремниевой пластины. Необходимое оборудование может стоить десятки миллионов долларов, и пробовать транзисторы по отдельности сложно, когда вы пытаетесь собрать много наблюдений.Иногда вы не можете хорошо провести эти измерения, сколько бы времени вы ни тратили.

      Нам нужны лучшие техники. И они нам понадобятся раньше, чем позже. Микропроцессоры теперь содержат миллиарды транзисторов, иногда работающих с тактовой частотой, превышающей 3 миллиарда циклов в секунду. Чрезвычайно быстрые часы означают, что транзисторы подвергаются сильному нагреву, что ускоряет их выход из строя. Еще одно беспокойство заключается в том, что между уровнями питания и порогом включения транзисторов существует опасно небольшая разница в напряжении.Кроме того, различные улучшения в способе изготовления кремниевой логики вызвали новые опасения по поводу деградации. А транзисторы, уменьшенные до сегодняшних крошечных размеров, испытывают больше изменений, чем когда-либо, в их рабочих условиях, что, в свою очередь, приводит к большим различиям от одного транзистора к другому в том, насколько быстро они изнашиваются.

      Имея более совершенные способы измерения старения транзисторов, производители микросхем могли позволить своим микропроцессорам работать быстрее — значительно быстрее — чем они работают сейчас. В будущем, возможно, даже появится возможность использовать эти методы для создания схем в микропроцессорах, которые непрерывно измеряют тонкие эффекты старения и регулируют тактовую частоту или рабочие напряжения, чтобы транзисторы, старые или новые, всегда могли работать с пиковой скоростью.

      Прищуриться:
      Традиционный метод мониторинга эффектов старения транзисторов в микросхемах требует аккуратного размещения крошечных зондов, которыми можно манипулировать, просматривая их под микроскопом.

      Почему транзисторы вообще должны стареть? Типы транзисторов, о которых мы здесь говорим — старые добрые металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы, которые являются основой обычных КМОП-чипов, — функционируют как электрические переключатели.МОП-транзистор имеет четыре вывода, называемых корпусом, затвором, истоком и стоком, хотя исток и корпус часто соединены. Напряжение, приложенное к затвору, определяет, может ли ток течь между истоком и стоком. Хотя тонкий слой диэлектрического материала электрически изолирует затвор, электрическое поле, приложенное к нему, изменяет проводимость нижележащего полупроводникового канала, соединяющего исток и сток.

      И это подводит нас к нашему первому дегенеративному механизму: со временем носители заряда (электроны для отрицательных, или n -каналов, MOSFET; дырки для положительных, или p -каналов, MOSFET) с немного большей энергией, чем средний будет выходить из проводящего канала между истоком и стоком и попадать в изолирующий диэлектрик.Этот процесс, называемый инжекцией горячих носителей, в конечном итоге создает электрический заряд в диэлектрическом слое, увеличивая напряжение, необходимое для включения транзистора. По мере увеличения порогового напряжения транзистор переключается все медленнее.

      Существует второй механизм, который также может удерживать заряд в диэлектрике, и для него не требуется ток, протекающий между истоком и стоком. Всякий раз, когда вы прикладываете напряжение к затвору, явление, называемое нестабильностью температуры смещения, может вызвать накопление заряда в диэлектрике, а также другие тонкие проблемы.Однако после того, как напряжение затвора снимается, часть этого эффекта самопроизвольно исчезает. Это восстановление происходит в течение нескольких десятков микросекунд, что затрудняет наблюдение во время обычных экспериментов, когда вы нагружаете транзистор, но измеряете результирующие эффекты только после того, как напряжение снято.

      Еще один механизм старения вступает в действие, когда напряжение, прикладываемое к затвору, создает в диэлектрике электрически активные дефекты, известные как ловушки. Если их становится слишком много, эти ловушки заряда могут соединиться и образовать прямое короткое замыкание между затвором и каналом тока.Этот вид отказа называется пробоем оксида или, более подробно, пробоем диэлектрика, зависящим от времени. В отличие от других механизмов старения, которые вызывают постепенное снижение производительности, пробой диэлектрика может привести к катастрофическому выходу из строя транзистора, что приведет к неисправности схемы, в которой он находится.

      Как будто старения транзисторов недостаточно, чтобы беспокоиться, полупроводниковым инженерам также приходится бороться с металлическими соединениями между транзисторами, которые со временем изнашиваются.Здесь вызывает беспокойство явление, называемое электромиграцией, которое повреждает медные или алюминиевые соединения, которые связывают транзисторы вместе или связывают их с внешним миром.

      Электромиграция происходит, когда выброс тока выбивает атомы металла и заставляет их дрейфовать вместе с потоком электронов. Это истощает металл некоторыми из его атомов вверх по потоку, вызывая накопление металла ниже по потоку. Утончение металла выше по потоку увеличивает сопротивление соединения, иногда до такой степени, что оно может стать разрывом цепи.Хотя отложение ниже по потоку не является столь же катастрофическим, оно может вызвать выпирание металла за пределы обозначенного пути.

      Несмотря на многочисленные усилия инженеров-технологов по созданию транзисторов и металлических соединений с длительным сроком службы, некоторый износ неизбежен. Так что с этим надо считаться. Изучение микросхем для изучения того, как ухудшаются их транзисторы, дает лишь ограниченную информацию о том, насколько серьезны проблемы в реальном микропроцессоре. Лучшим экспериментальным подходом, который только что вошел в промышленность, является изготовление специальных микросхем с единственной целью — проверить, как транзисторы на них функционируют с течением времени.Эти микросхемы содержат так называемые кольцевые генераторы, состоящие из множества инверторных схем, соединенных в петлю. Каждый инвертор выдает противоположный сигнал, подаваемый на его вход. Поэтому, когда нечетное количество из них соединяется в кольцо, схема колеблется с частотой, которая зависит от того, насколько быстро составляющие транзисторы могут переключать состояния.

      Чтобы измерить замедление, возникающее по мере старения транзисторов, инженеры подвергают микросхемы, содержащие такие кольцевые генераторы, экстремальным условиям, повышая напряжение питания или рабочую температуру, так что они изнашиваются в течение нескольких часов или дней.Инженеры могут измерить, как увеличивается время переключения транзисторов или как уменьшается среднее время до отказа, в ходе нескольких различных экспериментов по ускоренному старению, проводимых с использованием различных уровней нагрузки. Это позволяет им экстраполировать свои результаты на реальный мир, где транзисторы стареют намного медленнее, чем во время этих тестов.

      Тестирование кольцевых генераторов дает больше информации о старении схем, чем тестирование транзисторов по отдельности, но все же имеет недостатки.Во-первых, измерение занимает относительно много времени — значительную долю секунды. Это потому, что вы ищете очень тонкие изменения частоты колебаний, поэтому вам нужно подсчитать много циклов, чтобы измерить сдвиг. Секунда может показаться достаточно быстрой, но помните, что большая часть одного конкретного эффекта старения (нестабильность температуры смещения) длится всего несколько десятков микросекунд после снятия напряжения.

      Чаще всего вы вызываете нагрузку на схему, повышая ее напряжение питания; повышение температуры работает хуже.Но затем вам нужно вернуть напряжение к нормальному уровню, чтобы оценить, насколько изменились транзисторы. Таким образом, большинство эффектов нестабильности температуры смещения исчезнут раньше, чем вы их заметите. Мы много работали над решением этой проблемы, а также над улучшением метода исследования транзисторов в целом.

      Для более быстрого измерения частоты переключения кольцевых генераторов мы разработали так называемый кремниевый одометр. Он основан на паре кольцевых генераторов и работает путем измерения их частоты биений.Если вы вообще музыкант, вы, вероятно, знакомы с феноменом ударов: когда одновременно играются две очень похожие ноты, вы слышите только одну ноту, амплитуда которой изменяется ритмически — это удары. Количество ударов в секунду равно разнице частот между двумя исходными нотами.

      В нашем кремниевом одометре мы измеряем разницу между частотой ненагруженного кольцевого генератора и той, которую мы подчеркнули, увеличивая его рабочее напряжение. Чтобы измерить фактические удары, нам нужно будет суммировать два выхода и пропустить результаты через аналого-цифровой преобразователь.Вместо того, чтобы делать это, мы делаем нечто подобное, что проще выполнить: мы делаем выборку выходного сигнала одного осциллятора с интервалами, установленными выходным сигналом другого. Это дает нам цифровой сигнал, который колеблется с частотой биений, которую легко измерить с помощью простой схемы. Такой подход позволяет нам измерять изменения времени переключения транзисторов до одной части из 10000 менее чем за микросекунду, что достаточно быстро, чтобы уловить даже самые мимолетные эффекты старения.

      В дополнение к короткому времени измерения у нашего кремниевого одометра есть еще одно приятное свойство: он практически невосприимчив к постепенным изменениям рабочего напряжения или температуры, которые часто происходят во время длительных стрессовых экспериментов.Любые случайные изменения в любом из них приведут к сдвигу частот двух осцилляторов примерно на одинаковую величину. Таким образом, их разница, которую мы измеряем, по-прежнему будет отражать только эффекты стресса. С помощью этого одометра мы собрали много ценных данных о старении. А с несколько иной конструкцией, которую мы назвали универсальным одометром, мы смогли отделить одновременные эффекты инжекции горячих носителей от эффектов нестабильности температуры смещения.

      Чтобы лучше понять, как старение меняется от места к месту на микросхеме, мы разработали третью конструкцию — статистический кремниевый одометр, в котором используются массивы напряженных кольцевых генераторов.Разработанная нами схема позволяет нам подключить любой из этих кольцевых генераторов к опорному генератору на микросхеме, который работает примерно на той же частоте. Таким образом, мы можем измерить незначительные эффекты старения во многих различных местах кремниевого кристалла.

      Однако системы обнаружения частоты биений

      — не единственные встроенные мониторы, которые мы реализовали. Мы собрали другие схемы для изучения статистики разрушения оксидов, которая редко бывает достаточно обширной, чтобы вывести из строя транзистор. Но когда вы имеете дело с миллиардами транзисторов в современном микропроцессоре, в счет редких событий, которые создают миллиарды возможностей для отказа.Чтобы изучить это, мы разработали несколько различных массивов транзисторов, которые особенно подвержены износу диэлектриков затвора и, наконец, выходу из строя. Нагружая все транзисторы в этих массивах одновременно, мы можем легко измерить их время до пробоя. Эта информация полезна разработчикам микросхем, которые обычно решают эту проблему путем корректировки производственных процессов.

      Наши встроенные в микросхемы датчики старения цепей предоставляют ценную информацию о старении реальных цепей.Вскоре мы ожидаем, что появится возможность разрабатывать аналогичные схемы в микропроцессорах для использования в качестве мониторов старения в реальном времени, которые могут запускать корректировки тактовых частот или рабочих напряжений, чтобы эти микросхемы работали на пиковых уровнях, даже когда они растут. старшая. Это избавило бы от необходимости замедлять фишку с самого начала.

      Полупроводниковая промышленность только начинает экспериментировать с такими идеями. Intel, например, разработала технологию под кодовым названием Foxton, которая измеряет величину задержки распространения по определенным критическим путям прохождения сигнала внутри микропроцессора.Затем специализированная схема микропроцессора использует эту информацию для регулировки напряжения питания и тактовой частоты. Intel планировала включить технологию Foxton в свой двухъядерный процессор Itanium 2, выпущенный в 2006 году, но нераскрытые сложности задержали внедрение. Мы подозреваем, что использование чего-то вроде кремниевого одометра может помочь преодолеть трудности, с которыми столкнулась Intel.

      В этом ключе мы сотрудничаем с группами в Intel, а также с такими компаниями, как Advanced Micro Devices, Broadcom, Freescale Semiconductor, Texas Instruments и (с помощью Defense Advanced Research Projects Agency) IBM, которые все стремятся устранить компромиссы, на которые они обычно идут, чтобы приспособиться к старению транзисторов.Кремниевые одометры или что-то подобное вполне могут появиться в некоторых из их новых чипов CMOS.

      С помощью такой технологии микропроцессоры можно было бы заставить всегда работать на своих пиковых уровнях, даже если эти уровни все равно будут медленно снижаться с течением времени — как в случае со многими другими нашими машинами. Конечно, к этому нужно привыкнуть, особенно если вы когда-нибудь попытаетесь продать свой подержанный компьютер. Может быть, когда-нибудь в недалеком будущем мы будем читать тематические объявления, в которых говорится что-то вроде: «Продается: ноутбук пятилетней давности, но с процессором как у нового.Используется только для вычислений в церкви по воскресеньям ».

      Эта статья изначально была напечатана как «Одометр для ЦП».

      Об авторах

      Джон Кин и Крис Х. Ким познакомились в 2005 году, когда Кин, тогда аспирант (а теперь инженер-конструктор компонентов Intel в Хиллсборо, штат Орегон), присоединился к исследовательской группе Кима в Университете Миннесоты. Для изучения опыта износа транзисторов Кин и Ким разработали специальные микросхемы. Создание собственных интегральных схем — дело сложное и дорогое, но это очень продуктивный способ проведения такого рода исследований, — говорит Ким: «Когда вы начнете создавать микросхемы, уже трудно вернуться назад.”

      .

Оставить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *